WO2024111285A1 - 多層基板及び多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

保護層（１８ａ）は積層体（１２）の正主面の少なくとも一部分を覆っている。１以上の内部導体（２８ａ）は、積層体（１２）の内部に設けられ、かつ、Ｚ軸の負方向に見て、保護層（１８ａ）の縁と重なっており、かつ、その縁に沿って延びている。積層体（１２）の正主面には、突起（Ｐ１）が設けられている。Ｚ軸の負方向に見て、突起（Ｐ１）は、保護層（１８ａ）の縁及び１以上の内部導体（２８ａ）と重なっており、かつ、保護層（１８ａ）の縁に沿って延びる線形状を有している。Ｚ軸の負方向に見て保護層（１８ａ）が突起（Ｐ１）と重なる部分の保護層（１８ａ）の厚みは、Ｚ軸の負方向に見て保護層（１８ａ）が突起（Ｐ１）と重ならない部分の保護層（１８ａ）の厚みより小さい。Ｚ軸の負方向に見て、線形状の突起（Ｐ１）の長さは、線形状の突起（Ｐ１）の幅より長い。

Description

多層基板及び多層基板の製造方法

　本発明は、複数の絶縁体層が積層された構造を有する多層基板に関する。

　従来の多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のプリント配線基板の製造方法が知られている。このプリント配線基板の製造方法では、レジスト層のアンダーカット量を低減することを目的としている。レジスト層のアンダーカットについて以下に説明する。

　レジスト層は以下の手順により形成される。感光性レジストを基板に塗布する。マスクを介して光を照射することにより、感光性レジストを硬化させる。最後に、未硬化の感光性レジストを除去する。ここで、マスクの縁近傍では、マスクの影となる部分が露光時に発生する。このマスクの影となる部分では、感光性レジストに十分な光が照射されない。そのため、マスクの影となる部分において、感光性レジストが十分に硬化しない。その結果、特許文献１の図１（ｂ）に示すように、レジスト層の端面が上下方向に対して斜めに傾く。レジスト層の端面が上下方向に対して斜めに傾く現象をアンダーカットと呼ぶ。このようなアンダーカットが発生すると、レジスト層が基板から剥がれやすい。

　そこで、特許文献１に記載のプリント配線基板の製造方法のように、レジスト層のアンダーカット量を低減する発明が提案されている。これにより、特許文献１に記載のプリント配線基板の製造方法では、レジスト層の剥がれを抑制している。

特開２００９－２６７１７３号公報（図１（ｂ）参照）

　以上のように、レジスト層の剥がれを抑制できる多層基板が求められている。

　そこで、本発明の目的は、保護層の剥がれを抑制できる新たな多層基板及び多層基板の製造方法を提供することである。

　本発明の一形態に係る多層基板は、積層体と、保護層と、１以上の内部導体と、を備え、
　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
　前記保護層は、前記正主面の少なくとも一部分を覆っており、
　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
　前記１以上の内部導体は、前記多層基板の内部に設けられ、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁と重なっており、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁に沿って延びており、
　前記積層体の前記正主面には、突起が設けられており、
　前記Ｚ軸の負方向に見て、前記突起は、前記保護層の縁及び前記１以上の内部導体と重なっており、かつ、前記保護層の縁に沿って延びる線形状を有しており、
　前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重なる部分の前記保護層の厚みは、前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重ならない部分の前記保護層の厚みより小さく、
　前記Ｚ軸の負方向に見て、線形状の前記突起の長さは、線形状の前記突起の幅より長い。

　本発明の一形態に係る多層基板は、積層体と、保護層と、複数の内部導体と、を備え、
　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
　前記保護層は、前記正主面の一部分を覆っており、
　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
　前記複数の内部導体は、前記多層基板の内部に設けられ、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁と重なっており、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁に沿って並んでおり、
　前記積層体の前記正主面には、突起が設けられており、
　前記Ｚ軸の負方向に見て、前記突起は、前記保護層の縁及び前記複数の内部導体と重なっており、かつ、前記保護層の縁に沿って延びる線形状を有しており、
　前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重なる部分の前記保護層の厚みは、前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重ならない部分の前記保護層の厚みより小さい。

　本発明の一形態に係る多層基板の製造方法は、
　積層体を圧着する圧着工程と、
　圧着された前記積層体に保護層を形成する保護層形成工程と、
　を備えており、
　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
　前記保護層は、前記正主面の少なくとも一部分を覆っており、
　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
　１以上の内部導体が、前記多層基板の内部に設けられており、
　前記圧着工程では、前記積層体の前記正主面において、前記１以上の内部導体と重なる部分に突起を形成し、
　前記保護層形成工程では、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁が前記突起と重なるように、前記保護層を前記正主面に形成する。

　本発明の一形態に係る多層基板の製造方法は、
　積層体を圧着する圧着工程と、
　圧着された前記積層体に保護層を形成する保護層形成工程と、
　前記保護層が形成された前記積層体をカットするカット工程と、
　を備え、
　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
　前記保護層は、前記正主面の少なくとも一部分を覆っており、
　前記保護層の材料は前記複数の絶縁体層の材料とは異なっており、
　１以上の内部導体は前記積層体の内部に設けられており、
　前記圧着工程では、前記積層体の前記正主面において、前記１以上の内部導体と重なる部分に突起を形成し、
　前記保護層形成工程では、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層が前記突起を覆うように、前記保護層を前記正主面に形成し、
　前記カット工程では、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記突起が分割されるように前記積層体をカットする。

　本発明に係る多層基板及び多層基板の製造方法によれば、保護層の剥がれを抑制できる。

図１は多層基板１０の分解斜視図である。 図２は多層基板１０の断面図及び多層基板１０の上面図である。 図３は多層基板１０の使用時における正面図である。 図４は多層基板１０の製造時の断面図である。 図５は多層基板１０の製造時の断面図である。 図６は多層基板１０ａの断面図及び多層基板１０ａの上面図である。 図７は多層基板１０ｂの断面図である。 図８は多層基板１０ｃの断面図である。 図９は多層基板１０ｄの断面図及び多層基板１０ｄの上面図である。 図１０は多層基板１０ｅの断面図及び多層基板１０ｅの上面図である。 図１１は多層基板１０ｆの断面図及び多層基板１０ｆの上面図である。 図１２は使用時の多層基板１０ｆの背面図である。 図１３は多層基板１０の製造時の断面図である。 図１４は多層基板１０の製造時の断面図である。 図１５は多層基板１０の製造時の断面図である。 図１６はマザー基板１００の上面図である。

（実施形態）
［多層基板の構造］
　以下に、本発明の実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は多層基板１０の分解斜視図である。図２は多層基板１０の断面図及び多層基板１０の上面図である。図２では、図１のＡ－Ａにおける断面を示した。図３は多層基板１０の使用時における正面図である。なお、図１では、複数の層間接続導体ｖ３，ｖ４の内の代表的な層間接続導体ｖ３，ｖ４にのみ参照符号を付した。

　本明細書において、方向を以下のように定義する。多層基板１０の積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、上下方向はＺ軸方向と一致する。上方向はＺ軸の正方向である。下方向はＺ軸の負方向である。また、多層基板１０の信号導体層２０が延びている方向を左右方向と定義する。また、上下方向に見て、信号導体層２０の線幅方向を前後方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。なお、上下方向の上方向と下方向とが入れ替わってもよいし、左右方向の左方向と右方向とが入れ替わってもよいし、前後方向の前方向と後方向とが入れ替わってもよい。

　以下では、Ｘは多層基板１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とはＸの前半分を意味する。Ｘの後部とはＸの後半分を意味する。Ｘの左部とはＸの左半分を意味する。Ｘの右部とはＸの右半分を意味する。Ｘの上部とはＸの上半分を意味する。Ｘの下部とはＸの下半分を意味する。Ｘの前端とはＸの前方向の端を意味する。Ｘの後端とはＸの後方向の端を意味する。Ｘの左端とはＸの左方向の端を意味する。Ｘの右端とはＸの右方向の端を意味する。Ｘの上端とはＸの上方向の端を意味する。Ｘの下端とはＸの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とはＸの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とはＸの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とはＸの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とはＸの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とはＸの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とはＸの下端及びその近傍を意味する。

　まず、図１を参照しながら、多層基板１０の構造について説明する。多層基板１０は高周波信号を伝送する。多層基板１０は、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するために用いられる。多層基板１０は、図１に示すように、積層体１２、保護層１８ａ，１８ｂ、信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、実装電極２６ａ，２６ｂ、内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ、層間接続導体ｖ１，ｖ２及び複数の層間接続導体ｖ３，ｖ４を備えている。

　積層体１２は板形状を有している。従って、積層体１２は、上主面（正主面）、及び、上主面（正主面）より下（Ｚ軸の負側）に位置する下主面（負主面）を有している。積層体１２の上主面及び下主面は、左右軸に沿って延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、積層体１２の左右方向の長さは、積層体１２の前後方向の長さより長い。積層体１２は可撓性を有している。

　積層体１２は、図１に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｄが上下軸（Ｚ軸）に沿って積層された構造を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｄは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１６ａ～１６ｄの材料は、例えば、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマである。そして、絶縁体層１６ａ～１６ｄは、上下に隣り合うもの同士で融着している。

　信号導体層２０には高周波信号が伝送される。信号導体層２０は、図１に示すように、絶縁体層１６ｃの上主面に位置している。信号導体層２０は、左右軸に沿って延びる線形状を有している。

　第１グランド導体層２２は、図１に示すように、積層体１２に設けられている。第１グランド導体層２２は、信号導体層２０より上に位置し、かつ、下方向に見て、信号導体層２０と重なっている。本実施形態では、第１グランド導体層２２は絶縁体層１６ａの上主面に位置している。また、第１グランド導体層２２は絶縁体層１６ａの上主面の略全面を覆っている。第１グランド導体層２２にはグランド電位が接続される。

　第２グランド導体層２４は、図１に示すように、積層体１２に設けられている。第２グランド導体層２４は、信号導体層２０より下に位置し、かつ、下方向に見て、信号導体層２０と重なっている。本実施形態では、第２グランド導体層２４は絶縁体層１６ｄの下主面に位置している。また、第２グランド導体層２４は絶縁体層１６ｄの下主面の略全面を覆っている。第２グランド導体層２４にはグランド電位が接続される。以上のような信号導体層２０、第１グランド導体層２２及び第２グランド導体層２４は、ストリップライン構造を有している。

　実装電極２６ａは、図１に示すように、積層体１２の上主面（正主面）に位置している。より詳細には、実装電極２６ａは、絶縁体層１６ａの上主面の左端部に位置している。実装電極２６ａは、上下方向に見て、信号導体層２０の左端部と重なっている。実装電極２６ａは、上下方向に見て、長方形状を有している。実装電極２６ａは、高周波信号が入出力する外部端子である。実装電極２６ａは、第１グランド導体層２２に接触していない。実装電極２６ｂの構造は、実装電極２６ａの構造と左右対称であるので説明を省略する。

　層間接続導体ｖ１は、図１及び図２に示すように、実装電極２６ａと信号導体層２０の左端部とを電気的に接続している。層間接続導体ｖ１は、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１の上端は実装電極２６ａに接している。層間接続導体ｖ１の下端は信号導体層２０の左端部に接している。実装電極２６ｂ及び層間接続導体ｖ２の構造は、実装電極２６ａ及び層間接続導体ｖ１の構造と左右対称であるので、説明を省略する。

　複数の層間接続導体ｖ３は、第１グランド導体層２２と第２グランド導体層２４とを電気的に接続している。より詳細には、複数の層間接続導体ｖ３は、図１に示すように、信号導体層２０より前に位置している。複数の層間接続導体ｖ３は左右方向に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１６ａ～１６ｄを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ３の上端は、第１グランド導体層２２に接している。複数の層間接続導体ｖ３の下端は第２グランド導体層２４に接している。

　複数の層間接続導体ｖ４は、第１グランド導体層２２と第２グランド導体層２４とを電気的に接続している。より詳細には、複数の層間接続導体ｖ４は、図１に示すように、信号導体層２０より後に位置している。複数の層間接続導体ｖ４は左右方向に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ４は、絶縁体層１６ａ～１６ｄを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ４の上端は第１グランド導体層２２に接している。複数の層間接続導体ｖ４の下端は第２グランド導体層２４に接している。

　以上のような信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、層間接続導体ｖ１，ｖ２、複数の層間接続導体ｖ３及び複数の層間接続導体ｖ４は、電気回路を形成する１以上の回路導体である。

　保護層１８ａは、積層体１２の上主面（Ｚ軸の正主面）の一部分を覆っている。これにより、保護層１８ａは、第１グランド導体層２２を保護している。ただし、保護層１８ａには、長方形状の開口ｈ１～ｈ６が設けられている。従って、保護層１８ａは、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、６個の環形状の縁Ｅを有している。開口ｈ１は、上下方向に見て、実装電極２６ａと重なっている。すなわち、実装電極２６ａは、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、環形状の縁Ｅに囲まれた領域に位置している。これにより、実装電極２６ａは多層基板１０から外部に露出している。開口ｈ２は開口ｈ１の前に位置している。第１グランド導体層２２の一部分は開口ｈ２を介して多層基板１０から外部に露出している。開口ｈ３は開口ｈ１の後に位置している。第１グランド導体層２２の一部分は開口ｈ３を介して多層基板１０から外部に露出している。これにより、第１グランド導体層２２の一部分はグランド端子として機能する。なお、開口ｈ４～ｈ６の構造は、開口ｈ１～ｈ３の構造と左右対称であるので説明を省略する。

　保護層１８ｂは積層体１２の下主面を覆っている。これにより、保護層１８ｂは第２グランド導体層２４を保護している。

　以上のような保護層１８ａ，１８ｂの材料は、絶縁体層１６ａ～１６ｄの材料と異なっている。保護層１８ａ，１８ｂは、いわゆるソルダーレジストである。ソルダーレジストの材料は、アルカリ溶解性樹脂や、光重合開始剤、耐熱性を高めるためのエポキシ樹脂や無機粉体を配合した組成物等である。

　内部導体２８ａ，３０ａ，３２ａは積層体１２の内部に設けられている。本実施形態では、内部導体２８ａ，３０ａ，３２ａは絶縁体層１６ｂの上主面の左端部に位置している。内部導体２８ａ，３０ａ，３２ａのそれぞれは、図２に示すように、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ａの縁Ｅと重なっている。更に、内部導体２８ａ，３０ａ，３２ａのそれぞれは、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ａの縁Ｅに沿って延びている。本実施形態では、内部導体２８ａ，３０ａ，３２ａのそれぞれは、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ａの開口ｈ１，ｈ２，ｈ３の環形状の縁Ｅに沿う環形状を有している。従って、内部導体２８ａ，３０ａ，３２ａは、下方向に見て、長方形状の環形状を有している。内部導体２８ｂ，３０ｂ，３２ｂの構造は、内部導体２８ａ，３０ａ，３２ａの構造と左右対称であるので説明を省略する。以上のような内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂは１以上の回路導体と電気的に直列に接続されていない。従って、内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂは、高周波信号が伝送されたり、グランド電位に接続されたり、電源電位に接続されたりしない。内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂの電位は浮遊電位である。

　以上のような信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、実装電極２６ａ，２６ｂ、内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂは、例えば、絶縁体層１６ａ～１６ｄの上主面又は下主面に設けられた金属箔にエッチングが施されることにより形成されている。金属箔は、例えば、銅箔である。このように、信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、実装電極２６ａ，２６ｂ（少なくとも一部の１以上の回路導体）及び内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂは、絶縁体層１６ａ～１６ｄの主面に設けられている金属箔である。

　また、層間接続導体ｖ１～ｖ４は、例えば、ビアホール導体である。ビアホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｄに貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを焼結させることにより作製される。層間接続導体ｖ１～ｖ４の材料は樹脂と金属との混合物である。

　ところで、積層体１２の上主面（正主面）には、図２に示すように、突起Ｐ１～Ｐ６（図２では、突起Ｐ１のみ図示）が設けられている。突起Ｐ１～Ｐ３は絶縁体層１６ａの上主面の左端部に位置している。突起Ｐ４～Ｐ６は絶縁体層１６ａの上主面の右端部に位置している。下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、突起Ｐ１～Ｐ６のそれぞれは、保護層１８ａの開口ｈ１～ｈ６の縁Ｅ及び内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂと重なっている。

　また、突起Ｐ１～Ｐ６のそれぞれは、内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ及び保護層１８ａの開口ｈ１～ｈ６の縁Ｅに沿って延びる線形状を有している。従って、突起Ｐ１～Ｐ６のそれぞれは、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ及び開口ｈ１～ｈ６の環形状の縁Ｅに沿う環形状を有している。これにより、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、線形状の突起Ｐ１～Ｐ６の長さのそれぞれは、線形状の突起Ｐ１～Ｐ６の幅より長い。以上のような突起Ｐ１～Ｐ６が設けられていることにより、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て保護層１８ａが突起Ｐ１～Ｐ６と重なる部分の保護層１８ａの厚みＴ１は、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て保護層１８ａが突起Ｐ１～Ｐ６と重ならない部分の保護層１８ａの厚みＴ２より小さい。

　以上のような多層基板１０は可撓性を有している。従って、図３に示すように、多層基板１０は屈曲できる。具体的には、多層基板１０は第１区間Ａ１及び第２区間Ａ２を有している。突起Ｐ１～Ｐ３は第２区間Ａ２に位置している。第２区間Ａ２は、前方向（Ｚ軸に直交するＹ軸の正方向）に見て、屈曲している。

［多層基板１０の製造方法］
　次に、多層基板１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４及び図５は多層基板１０の製造時の断面図である。

　まず、上主面又は下主面に金属箔が張り付けられた絶縁体層１６ａ～１６ｄを準備する。そして、金属箔にパターニングを施すことにより、信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、実装電極２６ａ，２６ｂ、内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂを形成する。

　次に、図４に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｄを上から下へとこの順に並べる。これにより、内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂが、積層体１２の内部に設けられる。そして、絶縁体層１６ａ～１６ｄが積層された積層体を圧着する（圧着工程）。圧着工程では、等方向プレスが用いられる。また、熱圧着工程では、加熱処理も施される。図５に示すように、内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂにより絶縁体層１６ａが上方向に押し上げられる。その結果、圧着工程では、積層体１２の上主面（正主面）において、内部導体２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂと重なる部分のそれぞれに突起Ｐ１～Ｐ６が形成される。

　次に、図２に示すように、圧着された積層体１２に保護層１８ａ，１８ｂを形成する（保護層形成工程）。保護層形成工程では、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ａの縁Ｅが突起Ｐ１～Ｐ６と重なるように、保護層１８ａを積層体１２の上主面（正主面）に形成する。具体的には、感光性を有する保護層１８ａ，１８ｂの材料をスクリーン印刷により、積層体１２の上主面の全面及び下主面の全面に塗布する。この際、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て保護層１８ａが突起Ｐ１～Ｐ６と重なる部分の保護層１８ａの材料の厚みＴ１は、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て保護層１８ａが突起Ｐ１～Ｐ６と重ならない部分の保護層１８ａの材料の厚みＴ２より小さい。この後、保護層１８ａ，１８ｂの材料に対して露光を行う。最後に、未硬化の保護層１８ａ，１８ｂの材料を除去する。これにより、保護層１８ａの縁Ｅが突起Ｐ１～Ｐ６と重なる形状を有する保護層１８ａが形成される。以上の工程を経て、多層基板１０が完成する。

［効果］
　多層基板１０によれば、保護層１８ａの剥がれを抑制できる。より詳細には、内部導体２８ａは、積層体１２の内部に設けられ、かつ、下方向に見て、保護層１８ａの縁Ｅと重なっており、かつ、下方向に見て、保護層１８ａの縁Ｅに沿って延びている。これにより、下方向に見て、内部導体２８ａと重なる突起Ｐ１が形成される。そして、このような突起Ｐ１を有する積層体１２の上主面に保護層１８ａが形成される。その結果、下方向に見て保護層１８ａが突起Ｐ１と重なる部分の保護層１８ａの厚みＴ１は、下方向に見て保護層１８ａが突起Ｐ１と重ならない部分の保護層１８ａの厚みＴ２より小さくなる。以上のような多層基板１０では、保護層１８ａの縁Ｅの上下方向の厚みが小さい。そのため、保護層１８ａに発生するアンダーカット量が小さくなる。よって、多層基板１０によれば、保護層１８ａの剥がれを抑制できる。

　多層基板１０によれば、新たな工程を追加することなく、保護層１８ａの剥がれを抑制できる。より詳細には、多層基板１０では、突起Ｐ１が形成されるために、内部導体２８ａが形成されている。少なくとも一部の１以上の回路導体及び内部導体２８ａは、絶縁体層１６ａ～１６ｄの主面に設けられている金属箔である。すなわち、内部導体２８ａの形成工程は、少なくとも一部の１以上の回路導体の形成工程と同様に実行できる。よって、内部導体２８ａの形成のために新たな工程を追加しなくてもよい。

　第２区間Ａ２が屈曲するので、第２区間Ａ２では保護層１８ａの剥離が生じやすい。そこで、突起Ｐ１が、第２区間Ａ２に位置している。これにより、保護層１８ａの剥離が効果的に抑制される。

　多層基板１０によれば、突起Ｐ１が形成されやすい。より詳細には、実装電極２６ａは、下方向に見て、開口ｈ１の環形状の縁Ｅに囲まれた領域に位置している。そして、内部導体２８ａは、下方向に見て、開口ｈ１の環形状の縁Ｅに沿う環形状を有している。これにより、積層体１２の圧着工程において、硬い実装電極２６ａが下方向に押されて、実装電極２６ａ及びその周囲が下方向に窪む。一方、積層体１２の上主面において内部導体２８ａが存在する部分は、内部導体２８ａにより上方向に押される。その結果、突起Ｐ１が形成されやすい。

（第１変形例）
　以下に、第１変形例に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図６は多層基板１０ａの断面図及び多層基板１０ａの上面図である。

　多層基板１０ａは、内部導体３４ａ及び複数の第１接続導体ｖ１０を更に備えている点において多層基板１０と相違する。

　多層基板１０ａは内部導体３４ａを更に備えている。従って、内部導体の数は複数である。また、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、内部導体２８ａ，３４ａは互いに重なっている。内部導体３４ａは、下方向に見て、内部導体２８ａと同じ形状を有している。内部導体３４ａは絶縁体層１６ｃの上主面に位置している。多層基板１０ａは複数の第１接続導体ｖ１０を更に備えている。複数の第１接続導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｂ（複数の絶縁体層１６ａ～１６ｄのいずれか）を上下軸（Ｚ軸）に沿って貫通しており、かつ、内部導体２８ａと内部導体３４ａと（複数の内部導体の内の２つ）を接続している。複数の第１接続導体ｖ１０は、下方向に見て、内部導体２８ａ，３４ａに沿って等間隔で並んでいる。多層基板１０ａのその他の構造は多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ａは多層基板１０と同じ効果を奏することができる。

　多層基板１０ａによれば、内部導体３４ａ及び複数の第１接続導体ｖ１０が内部導体２８ａの下に位置している。これにより、突起Ｐ１が形成されやすくなる。

（第２変形例）
　以下に、第２変形例に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図７は多層基板１０ｂの断面図である。

　多層基板１０ｂは、以下の点において多層基板１０と相違する。保護層１８ａの縁Ｅが前後軸に沿って延びる直線である。多層基板１０ｂは、内部導体３４ａ，３６ａ，３８ａ、表面導体４０ａ、第１接続導体ｖ１０、第２接続導体ｖ１２、第３接続導体ｖ１４及び第４接続導体ｖ１６を更に備えている。

　内部導体３４ａ，３６ａ，３８ａのそれぞれは、絶縁体層１６ｃ～１６ｅの上主面に位置している。内部導体３４ａ，３６ａ，３８ａは、下方向に見て、保護層１８ａの縁Ｅと重なっている。そのため、内部導体３４ａ，３６ａ，３８ａは、下方向に見て、前後軸に沿って延びている。内部導体３４ａ，３６ａ，３８ａは、下方向に見て、互いに重なっている。

　表面導体４０ａは、積層体１２の上主面（正主面）に位置し、かつ、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ａの縁Ｅと重なっている。そのため、表面導体４０ａは、下方向に見て、前後軸に沿って延びている。表面導体４０ａは、下方向に見て、内部導体３４ａ，３６ａ，３８ａと重なっている。

　複数の第１接続導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｂ（複数の絶縁体層１６ａ～１６ｄのいずれか）を上下軸（Ｚ軸）に沿って貫通しており、かつ、内部導体２８ａと内部導体３４ａと（複数の内部導体の内の２つ）を接続している。複数の第１接続導体ｖ１０は、下方向に見て、内部導体２８ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａ及び表面導体４０ａに沿って並んでいる。

　複数の第２接続導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｃ（複数の絶縁体層１６ａ～１６ｄのいずれか）を上下軸（Ｚ軸）に沿って貫通しており、かつ、内部導体３４ａと内部導体３６ａと（複数の内部導体の内の２つ）を接続している。複数の第２接続導体ｖ１２は、複数の第１接続導体ｖ１０より下（Ｚ軸の負側）に位置しており、かつ、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、複数の第１接続導体ｖ１０と重なっている。複数の第２接続導体ｖ１２は、下方向に見て、内部導体２８ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａ及び表面導体４０ａに沿って並んでいる。

　複数の第３接続導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｄ（複数の絶縁体層１６ａ～１６ｄのいずれか）を上下軸（Ｚ軸）に沿って貫通しており、かつ、内部導体３６ａと内部導体３８ａと（複数の内部導体の内の２つ）を接続している。複数の第３接続導体ｖ１４は、複数の第１接続導体ｖ１０より下（Ｚ軸の負側）に位置しており、かつ、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、複数の第１接続導体ｖ１０と重なっている。複数の第３接続導体ｖ１４は、下方向に見て、内部導体２８ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａ及び表面導体４０ａに沿って並んでいる。

　複数の第４接続導体ｖ１６は、絶縁体層１６ａ（複数の絶縁体層１６ａ～１６ｄのいずれか）を上下軸（Ｚ軸）に沿って貫通しており、かつ、表面導体４０ａと内部導体２８ａとを接続している。複数の第４接続導体ｖ１６は、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、複数の第１接続導体ｖ１０と重なっている。複数の第４接続導体ｖ１６は、下方向に見て、内部導体２８ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａ及び表面導体４０ａに沿って並んでいる。多層基板１０ｂのその他の構造は多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｂは多層基板１０と同じ効果を奏することができる。

　多層基板１０ｂによれば、内部導体２８ａに加えて、内部導体３４ａ，３６ａ，３８ａ、表面導体４０ａ、複数の第１接続導体ｖ１０、複数の第２接続導体ｖ１２、複数の第３接続導体ｖ１４及び複数の第４接続導体ｖ１６が設けられている。これにより、突起Ｐ１が形成されやすくなる。

（第３変形例）
　以下に、第３変形例に係る多層基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図８は多層基板１０ｃの断面図である。

　多層基板１０ｃによれば、保護層１８ａの開口ｈ１の縁Ｅにアンダーカットが発生している点において多層基板１０と相違する。ただし、下方向に見て保護層１８ａが突起Ｐ１と重なる部分の保護層１８ａの厚みＴ１は、下方向に見て保護層１８ａが突起Ｐ１と重ならない部分の保護層１８ａの厚みＴ２より小さい。そのため、多層基板１０ｂにおいて保護層１８ａの開口ｈ１の縁Ｅでのアンダーカット量は少ない。多層基板１０ｃのその他の構造は多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｃは多層基板１０と同じ効果を奏することができる。

（第４変形例）
　以下に、第４変形例に係る多層基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図９は多層基板１０ｄの断面図及び多層基板１０ｄの上面図である。

　多層基板１０ｄは、内部導体２８ａの代わりに複数の内部導体２８ａを備えている点、及び、内部導体３４ａ，３６ａ，３８ａ、表面導体４０ａ、第１接続導体ｖ１０、第２接続導体ｖ１２、第３接続導体ｖ１４及び第４接続導体ｖ１６を備えていない点において多層基板１０ｂと相違する。複数の内部導体２８ａは積層体１２の内部に設けられている。複数の内部導体２８ａは、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ｂの縁Ｅと重なっており、かつ、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ａの縁Ｅに沿って等間隔に並んでいる。複数の第１接続導体ｖ１０は、隣り合うもの同士で接触していない。多層基板１０ｄのその他の構造は多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｄは多層基板１０と同じ効果を奏することができる。これにより、複数の内部導体２８ａと重なる縁Ｅにおいて、保護層１８ａが剥がれにくくなる。

（第５変形例）
　以下に、第５変形例に係る多層基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１０は多層基板１０ｅの断面図及び多層基板１０ｅの上面図である。

　多層基板１０ｅは、複数の内部導体２８ａの代わりに複数の第１接続導体ｖ１０を備えている点において多層基板１０ｄと相違する。複数の第１接続導体ｖ１０は複数の内部導体である。複数の第１接続導体ｖ１０は絶縁体層１６ｂを上下軸に沿って貫通している。複数の第１接続導体ｖ１０は、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ｂの縁Ｅと重なっており、かつ、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ａの縁Ｅに沿って等間隔に並んでいる。複数の第１接続導体ｖ１０は隣り合うもの同士で接触していない。多層基板１０ｅのその他の構造は多層基板１０ｄと同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｅは多層基板１０ｄと同じ効果を奏することができる。

（第６変形例）
　以下に、第６変形例に係る多層基板１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１１は多層基板１０ｆの断面図及び多層基板１０ｆの上面図である。図１２は使用時の多層基板１０ｆの背面図である。

　多層基板１０ｆは、突起Ｐ１において積層体１２がカットされている点、及び、下方向に見て、内部導体２８ａが線形状を有している点において多層基板１０ｄと相違する。このような多層基板１０ｆは、図１２に示すように、屈曲できる。具体的には、多層基板１０は第１区間Ａ１及び第２区間Ａ２を有している。突起Ｐ１は第２区間Ａ２に位置している。第２区間Ａ２は、前方向（Ｚ軸に直交するＹ軸の正方向）に見て、屈曲している。多層基板１０ｆのその他の構造は多層基板１０ｄと同じであるので説明を省略する。

　次に、多層基板１０ｆの製造方法について図面を参照しながら説明する。図１３、図１４及び図１５は多層基板１０の製造時の断面図である。図１６はマザー基板１００の上面図である。

　まず、上主面又は下主面に金属箔が張り付けられた絶縁体層１６ａ～１６ｅを準備する。そして、金属箔にパターニングを施すことにより、信号導体層２０、第１グランド導体層２２、第２グランド導体層２４、実装電極２６ａ，２６ｂ、内部導体２８ａを形成する。

　次に、図１３に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｅを上から下へとこの順に並べる。そして、絶縁体層１６ａ～１６ｅが積層された積層体を圧着する（圧着工程）。圧着工程では等方向プレスが用いられる。また、熱圧着工程では、加熱処理も施される。このとき、図１４に示すように、内部導体２８ａにより絶縁体層１６ａが上方向に押し上げられる。その結果、圧着工程では、積層体１２の上主面（正主面）において、内部導体２８ａと重なる部分のそれぞれに突起Ｐ１が形成される。また、内部導体２８ａが積層体１２の内部に設けられる。

　次に、図１５に示すように、圧着された積層体１２に保護層１８ａ，１８ｂを形成する（保護層形成工程）。保護層形成工程では、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、保護層１８ａが突起Ｐ１を覆うように、保護層１８ａを積層体１２の上主面（正主面）に形成する。具体的には、保護層１８ａ，１８ｂの材料をスクリーン印刷により、積層体１２の上主面及び下主面により塗布する。下方向（Ｚ軸の負方向）に見て保護層１８ａが突起Ｐ１と重なる部分の保護層１８ａの厚みＴ１は、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て保護層１８ａが突起Ｐ１と重ならない部分の保護層１８ａの厚みＴ２より小さい。

　次に、図１１に示すように、保護層１８ａ，１８ｂが形成された積層体１２をカットする（カット工程）。カット工程では、下方向（Ｚ軸の負方向）に見て、突起Ｐ１が分割されるように積層体１２をカットする。カット工程では、図１６に示すように、内部導体２８ａに沿ってマザー基板１００をカットする。以上の工程を経て、多層基板１０ｆが完成する。

（その他の実施形態）
　本発明に係る多層基板は、多層基板１０，１０ａ～１０ｆに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｆの構造を任意に組み合わせてもよい。

　なお、保護層１８ｂは必須の構成要件ではない。

　なお、積層体１２の下主面に突起が設けられ、保護層１８ｂの縁が突起と重なっていてもよい。

　なお、信号導体層２０、第１グランド導体層２２及び第２グランド導体層２４は必須の構成要件ではない。

　なお、絶縁体層１６ａ～１６ｅの材料は、例えば、セラミックであってもよい。

　保護層１８ａは積層体１２の上主面の少なくとも一部分を覆っていればよい。従って、保護層１８ａは積層体１２の上主面の全体を覆っていてもよい。この場合、積層体１２の上主面の外縁近傍に突起Ｐ１が存在する。これにより、積層体１２の上主面の外縁から保護層１８ａが剥がれることが抑制される。

　なお、内部導体２８ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａ及び表面導体４０ａの電位は浮遊電位でなくてもよい。内部導体２８ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａ及び表面導体４０ａは、例えば、グランド電位に接続されていてもよい。ただし、内部導体２８ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａ及び表面導体４０ａの電位が浮遊電位である場合、内部導体２８ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａ及び表面導体４０ａが周囲の電気回路に影響を及ぼしにくくなる。

　なお、多層基板１０ｅにおいて、第１接続導体ｖ１０は一つだけ設けられてもよい。

　なお、多層基板１０ａ，１０ｅにおいて、複数の第１接続導体ｖ１０は隣り合うもの同士で接触していてもよい。

　本発明は以下の構造を備える。

（１）
　多層基板は、積層体と、保護層と、１以上の内部導体と、を備えており、
　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
　前記保護層は、前記正主面の少なくとも一部分を覆っており、
　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
　前記１以上の内部導体は、前記積層体の内部に設けられ、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁と重なっており、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁に沿って延びており、
　前記積層体の前記正主面には、突起が設けられており、
　前記Ｚ軸の負方向に見て、前記突起は、前記保護層の縁及び前記１以上の内部導体と重なっており、かつ、前記保護層の縁に沿って延びる線形状を有しており、
　前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重なる部分の前記保護層の厚みは、前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重ならない部分の前記保護層の厚みより小さく、
　前記Ｚ軸の負方向に見て、線形状の前記突起の長さは、線形状の前記突起の幅より長い、
　多層基板。

（２）
　前記多層基板は、電気回路を形成する１以上の回路導体を、更に備えており、
　前記１以上の内部導体は、前記１以上の回路導体と電気的に直列に接続されていない、
　（１）に記載の多層基板。

（３）
　前記多層基板は、電気回路を形成する１以上の回路導体を、更に備えており、
　少なくとも一部の前記１以上の回路導体及び前記１以上の内部導体は、前記複数の絶縁体層の主面に設けられている金属箔である、
　（１）又は（２）に記載の多層基板。

（４）
　前記１以上の内部導体の数は、複数であり、
　前記Ｚ軸の負方向に見て、前記複数の内部導体は、互いに重なっている、
　（１）ないし（３）のいずれかに記載の多層基板。

（５）
　前記多層基板は、第１接続導体を、更に備えており、
　前記第１接続導体は、前記複数の絶縁体層のいずれかを前記Ｚ軸に沿って貫通しており、かつ、前記複数の内部導体の内の２つを接続している、
　（４）に記載の多層基板。

（６）
　前記多層基板は、第２接続導体を、更に備えており、
　前記第２接続導体は、前記複数の絶縁体層のいずれかを前記Ｚ軸に沿って貫通しており、かつ、前記複数の内部導体の内の２つを接続しており、かつ、前記第１接続導体より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記第１接続導体と重なっている、
　（５）に記載の多層基板。

（７）
　前記１以上の内部導体は、前記複数の絶縁体層のいずれかを前記Ｚ軸に沿って貫通する接続導体である、
　（１）又は（２）に記載の多層基板。

（８）
　前記多層基板は、第１区間及び第２区間を有しており、
　前記突起は、前記第２区間に位置しており、
　前記第２区間は、前記Ｚ軸に直交するＹ軸の正方向に見て、屈曲している、
　（１）ないし（７）のいずれかに記載の多層基板。

（９）
　前記多層基板は、表面導体を、更に備えており、
　前記表面導体は、前記正主面に位置し、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁と重なっている、
　（１）ないし（８）のいずれかに記載の多層基板。

（１０）
　前記多層基板は、実装電極を、更に備えており、
　前記保護層は、前記Ｚ軸の負方向に見て、環形状の縁を有しており、
　前記実装電極は、前記正主面に位置し、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に囲まれた領域に位置しており、
　前記内部導体は、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に沿う環形状を有しており、
　前記突起は、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に沿う環形状を有している、
　（１）ないし（９）のいずれかに記載の多層基板。

（１１）
　多層基板は、積層体と、保護層と、複数の内部導体と、を備えており、
　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
　前記保護層は、前記正主面の一部分を覆っており、
　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
　前記複数の内部導体は、前記積層体の内部に設けられ、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁と重なっており、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁に沿って並んでおり、
　前記積層体の前記正主面には、突起が設けられており、
　前記Ｚ軸の負方向に見て、前記突起は、前記保護層の縁及び前記複数の内部導体と重なっており、かつ、前記保護層の縁に沿って延びる線形状を有しており、
　前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重なる部分の前記保護層の厚みは、前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重ならない部分の前記保護層の厚みより小さい、
　多層基板。

（１２）
　多層基板の製造方法は、
　積層体を圧着する圧着工程と、
　圧着された前記積層体に保護層を形成する保護層形成工程と、
　を備えており、
　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
　前記保護層は、前記正主面の少なくとも一部分を覆っており、
　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
　１以上の内部導体が、前記積層体の内部に設けられており、
　前記圧着工程では、前記積層体の前記正主面において、前記１以上の内部導体と重なる部分に突起が形成され、
　前記保護層形成工程では、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁が前記突起と重なるように、前記保護層を前記正主面に形成する、
　多層基板の製造方法。

（１３）
　前記保護層は、前記Ｚ軸の負方向に見て、環形状の縁を有しており、
　実装電極が、前記正主面に位置し、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に囲まれた領域に位置しており、
　前記突起は、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に沿う環形状を有しており、
　前記内部導体は、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に沿う環形状を有している、
　（１２）に記載の多層基板の製造方法。

（１４）
　多層基板の製造方法は、
　積層体を圧着する圧着工程と、
　圧着された前記積層体に保護層を形成する保護層形成工程と、
　前記保護層が形成された前記積層体をカットするカット工程と、
　を備えており、
　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
　前記保護層は、前記正主面の少なくとも一部分を覆っており、
　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
　１以上の内部導体が、前記積層体の内部に設けられており、
　前記圧着工程では、前記積層体の前記正主面において、前記１以上の内部導体と重なる部分に突起が形成され、
　前記保護層形成工程では、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層が前記突起を覆うように、前記保護層を前記正主面に形成し、
　前記カット工程では、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記突起が分割されるように前記積層体をカットする、
　多層基板の製造方法。

１０，１０ａ～１０ｆ：多層基板
１２：積層体
１６ａ～１６ｅ：絶縁体層
１８ａ，１８ｂ：保護層
２０：信号導体層
２２：第１グランド導体層
２４：第２グランド導体層
２６ａ，２６ｂ：実装電極
２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３６ａ，３８ａ：内部導体
４０ａ：表面導体
Ａ１：第１区間
Ａ２：第２区間
Ｅ：縁
Ｐ１～Ｐ６：突起
ｈ１～ｈ６：開口
ｖ１０：第１接続導体
ｖ１２：第２接続導体
ｖ１４：第３接続導体
ｖ１６：第４接続導体

Claims (15)

1. 　積層体と、保護層と、１以上の内部導体と、を備え、
   　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
   　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
   　前記保護層は、前記正主面の少なくとも一部分を覆っており、
   　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
   　前記１以上の内部導体は、前記積層体の内部に設けられ、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁と重なっており、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁に沿って延びており、
   　前記積層体の前記正主面には、突起が設けられており、
   　前記Ｚ軸の負方向に見て、前記突起は、前記保護層の縁及び前記１以上の内部導体と重なっており、かつ、前記保護層の縁に沿って延びる線形状を有しており、
   　前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重なる部分の前記保護層の厚みは、前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重ならない部分の前記保護層の厚みより小さく、
   　前記Ｚ軸の負方向に見て、線形状の前記突起の長さは、線形状の前記突起の幅より長い、
   　多層基板。
2. 　電気回路を形成する１以上の回路導体を備え、
   　前記１以上の内部導体は、前記１以上の回路導体と電気的に直列に接続されていない、
   　請求項１に記載の多層基板。
3. 　電気回路を形成する１以上の回路導体を備え、
   　少なくとも一部の前記１以上の回路導体及び前記１以上の内部導体は、前記複数の絶縁体層の主面に設けられている金属箔である、
   　請求項１に記載の多層基板。
4. 　少なくとも一部の前記１以上の回路導体及び前記１以上の内部導体は、前記複数の絶縁体層の主面に設けられている金属箔である、
   　請求項２に記載の多層基板。
5. 　前記１以上の内部導体の数は複数であり、
   　前記Ｚ軸の負方向に見て、前記複数の内部導体は、互いに重なっている、
   　請求項１から請求項４のいずれかに記載の多層基板。
6. 　第１接続導体を備え、
   　前記第１接続導体は、前記複数の絶縁体層のいずれかを前記Ｚ軸に沿って貫通しており、かつ、前記複数の内部導体の内の２つを接続している、
   　請求項４に記載の多層基板。
7. 　第２接続導体を備え、
   　前記第２接続導体は、前記複数の絶縁体層のいずれかを前記Ｚ軸に沿って貫通しており、かつ、前記複数の内部導体の内の２つを接続しており、かつ、前記第１接続導体より前記Ｚ軸の負側に位置しており、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記第１接続導体と重なっている、
   　請求項６に記載の多層基板。
8. 　前記１以上の内部導体は、前記複数の絶縁体層のいずれかを前記Ｚ軸に沿って貫通する接続導体である、
   　請求項１から請求項７のいずれかに記載の多層基板。
9. 　第１区間及び第２区間を有し、
   　前記突起は、前記第２区間に位置しており、
   　前記第２区間は、前記Ｚ軸に直交するＹ軸の正方向に見て、屈曲している、
   　請求項１から請求項８のいずれかに記載の多層基板。
10. 　表面導体を備え、
    　前記表面導体は、前記正主面に位置し、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁と重なっている、
    　請求項１から請求項９のいずれかに記載の多層基板。
11. 　実装電極を備え、
    　前記保護層は、前記Ｚ軸の負方向に見て、環形状の縁を有しており、
    　前記実装電極は、前記正主面に位置し、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に囲まれた領域に位置しており、
    　前記内部導体は、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に沿う環形状を有しており、
    　前記突起は、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に沿う環形状を有している、
    　請求項１から請求項１０のいずれかに記載の多層基板。
12. 　積層体と、保護層と、複数の内部導体と、を備え、
    　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
    　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
    　前記保護層は、前記正主面の一部分を覆っており、
    　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
    　前記複数の内部導体は、前記積層体の内部に設けられ、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁と重なっており、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁に沿って並んでおり、
    　前記積層体の前記正主面には、突起が設けられており、
    　前記Ｚ軸の負方向に見て、前記突起は、前記保護層の縁及び前記複数の内部導体と重なっており、かつ、前記保護層の縁に沿って延びる線形状を有しており、
    　前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重なる部分の前記保護層の厚みは、前記Ｚ軸の負方向に見て前記保護層が前記突起と重ならない部分の前記保護層の厚みより小さい、
    　多層基板。
13. 　積層体を圧着する圧着工程と、
    　圧着された前記積層体に保護層を形成する保護層形成工程と、
    　を備え、
    　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
    　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
    　前記保護層は、前記正主面の少なくとも一部分を覆っており、
    　前記保護層の材料は、前記複数の絶縁体層の材料と異なっており、
    　１以上の内部導体が、前記積層体の内部に設けられており、
    　前記圧着工程では、前記積層体の前記正主面において、前記１以上の内部導体と重なる部分に突起を形成し、
    　前記保護層形成工程では、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層の縁が前記突起と重なるように、前記保護層を前記正主面に形成する、
    　多層基板の製造方法。
14. 　前記保護層は、前記Ｚ軸の負方向に見て、環形状の縁を有し、
    　実装電極が、前記正主面に位置し、かつ、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に囲まれた領域に位置しており、
    　前記突起は、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に沿う環形状を有しており、
    　前記内部導体は、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記環形状の縁に沿う環形状を有している、
    　請求項１３に記載の多層基板の製造方法。
15. 　積層体を圧着する圧着工程と、
    　圧着された前記積層体に保護層を形成する保護層形成工程と、
    　前記保護層が形成された前記積層体をカットするカット工程と、
    　を備え、
    　前記積層体は、複数の絶縁体層がＺ軸に沿って積層された構造を有しており、
    　前記積層体は、正主面、及び、前記正主面より前記Ｚ軸の負側に位置する負主面を有しており、
    　前記保護層は、前記正主面の少なくとも一部分を覆っており、
    　前記保護層の材料は前記複数の絶縁体層の材料とは異なっており、
    　１以上の内部導体は前記積層体の内部に設けられており、
    　前記圧着工程では、前記積層体の前記正主面において、前記１以上の内部導体と重なる部分に突起を形成し、
    　前記保護層形成工程では、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記保護層が前記突起を覆うように、前記保護層を前記正主面に形成し、
    　前記カット工程では、前記Ｚ軸の負方向に見て、前記突起が分割されるように前記積層体をカットする、
    　多層基板の製造方法。

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