WO2023074580A1

WO2023074580A1 - 焼結材、金属焼結体、焼結材の製造方法、接合体の製造方法、及び接合体

Info

Publication number: WO2023074580A1
Application number: PCT/JP2022/039344
Authority: WO
Inventors: 卓也関口; 伝▲とう▼ 陳; 克昭菅沼
Original assignee: Toppan Forms Co Ltd; Osaka University NUC
Current assignee: Toppan Edge Inc; University of Osaka NUC
Priority date: 2021-10-25
Filing date: 2022-10-21
Publication date: 2023-05-04
Anticipated expiration: 2024-04-25
Also published as: EP4424441A1; US20240278321A1; EP4424441A4

Abstract

焼結材であって、前記焼結材は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上である、焼結材。

Description

焼結材、金属焼結体、焼結材の製造方法、接合体の製造方法、及び接合体

　本発明は、焼結材、金属焼結体、焼結材の製造方法、接合体の製造方法、及び接合体に関する。
　本願は、２０２１年１０月２５日に日本に出願された特願２０２１－１７３７９４号、及び２０２２年１０月６日に日本に出願された特願２０２２－１６１８０７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　シリコンカーバイド（ＳｉＣ）半導体、窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体等のワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）半導体は、次世代のパワー半導体として期待されている。近年は、これらパワー半導体を用いてパワーエレクトロニクス技術を駆使することにより、地球環境対策を推進し、電力消費量を削減する技術が注目されている。

　例えば、パワーエレクトロニクス技術は、産業機器、鉄道車両等のモータコントロール；ハイブリッドカーや電気自動車における電力変換ロスの削減と、インバータの軽量化等による二酸化炭素の排出量の消減；太陽光や風力発電等の新エネルギーの電力変換；等の種々の分野で適用されるようになってきており、これら技術の高密度化及び高効率化が進んできている。

　次世代パワー半導体は２５０℃以上等の高温環境下でも動作可能な特長を有するが, このような高温環境下において、従来の素子接合材料である鉛フリーはんだ（鉛を使用しないはんだ）は、その融点が２５０℃程度で耐熱性が不十分であるため、使用できない。

　このような状況下、次世代のパワーエレクトロニクスを高温環境下で動作可能とする技術として、銀（Ａｇ）系ナノ粒子を用いた焼結接合技術の活用が検討されている。銀は、その融点が約１０００℃であるため、そのままでは通常の温度で、焼結材としては使用できないが、ナノ粒子化することで表面がより活性となるため、２００～３００℃程度の比較的低温でも、焼結材として使用可能となる。しかし、銀は貴金属で高価であるため、銀粒子を含有する焼結材を用いると高コストになってしまう。さらに、銀は高湿度条件下では配置位置が移動してしまう、所謂マイグレーション性が高く、また、大気中の硫黄成分によって硫化され、腐食してしまう可能性がある（非特許文献１参照）。

　このような問題点の解決策として、近年、比較的安価でマイグレーション性が低い銅（Ｃｕ）系のナノ粒子を含有する焼結材料が注目されている。しかし、銅は銀とは異なり、著しく酸化され易い金属である。そのため、銅系ナノ粒子を用いる場合には、還元雰囲気下や、少なくとも５．５ＭＰａ以上の高圧力条件下で加熱焼結させないと、十分な接合強度が得られない（非特許文献２参照）。そして、高圧力条件下での焼結では、単にコストが高くなるだけでなく、チップ及びデバイスが損傷し易く、パワーエレクトロニクスの不良の原因となってしまう。

D. Li, et.al, Reducing Migration of Sintered Ag for Power Devices Operating at High Temperature, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 35, no. 12, (2020) pp. 12646-12650 Jeong-Won Yoon,et.al; Effect of Sintering Conditions on the Mechanical Strength of Cu-Sintered Joints for High-Power Applications, Materials, 2018, 11, 2105

　本発明は、銅粒子を含有し、大気下において、高圧での加圧を必要とせずに、導電性部品同士を焼成によって接合可能な焼結材を提供することを課題とする。

　［１］　焼結材であって、前記焼結材は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上である、焼結材。
　［２］　前記焼結材が、さらに、常温下で液状の液状成分を含有し、前記液状成分が、エーテル結合及び水酸基のいずれか一方又は両方を有する、［１］に記載の焼結材。
　［３］　前記焼結材が、さらに、沸点が１５０℃以上の抗酸化性化合物を含有する、［１］又は［２］に記載の焼結材。

　［４］　金属焼結体であって、前記金属焼結体は、銀焼結層を有し、前記銀焼結層は銅粒子を含有し、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上であり、前記銅粒子は、その表面に酸化層を有しない、金属焼結体。
　［５］　金属製部材同士が前記金属焼結体によって接合された金属接合体について、ＪＩＳ　Ｃ６２１３７－１－２：２０１０に準拠して、横押しせん断強度試験を行ったとき、前記金属接合体の横押しせん断強度が２０ＭＰａ以上である、［４］に記載の金属焼結体。

　［６］　焼結材の製造方法であって、前記製造方法は、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、含窒素化合物と、還元剤と、を配合して銀含有組成物を調製する工程と、前記銀含有組成物と、銅粒子と、を配合する工程と、を有し、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上である、焼結材の製造方法。

　［７］　接合体の製造方法であって、前記接合体は、導電性の第１部品と、導電性の第２部品とが、接合部を介して接合されて構成され、前記接合部が金属焼結体であり、前記製造方法は、前記第１部品と、前記第２部品と、のいずれか一方又は両方の表面に付着している焼結材を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、前記焼結材の加熱物を得る工程と、大気下において、前記加熱物を介在させて、前記第１部品と前記第２部品とを接触させながら、前記加熱物を焼成することにより、前記第１部品と前記第２部品とを、前記加熱物から形成された前記金属焼結体によって接合する工程と、を有し、前記焼結材が、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上である、接合体の製造方法。

　［８］　接合体であって、前記接合体は、導電性の第１部品と、導電性の第２部品とが、接合部を介して接合されて構成され、前記接合部が金属焼結体であり、前記金属焼結体は、銀焼結層を有し、前記銀焼結層は銅粒子を含有し、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上であり、前記第１部品と、前記第２部品と、の両方の接合面の面積が、６２５ｍｍ^２以上であり、前記第１部品と前記第２部品が、銅製、銀製、アルミニウム製、金製又はニッケル製であり、前記接合体を、前記第１部品と、前記第２部品と、前記接合部とを含む、大きさが５ｍｍ×５ｍｍの小片に切断し、前記小片について、ＪＩＳ　Ｃ６２１３７－１－２：２０１０に準拠して、横押しせん断強度試験を行ったとき、前記小片の横押しせん断強度が１８ＭＰａ以上である、接合体。

　本発明によれば、銅粒子を含有し、大気下において、高圧での加圧を必要とせずに、導電性部品同士を焼成によって接合可能な焼結材が提供される。

本発明の一実施形態に係る焼結材を用いて製造された接合体の一例を、模式的に示す断面図である。接合部として、本発明の一実施形態に係る焼結材を用いて形成された金属焼結体を備えた、半導体装置の一例を、模式的に示す断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法の一例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法の一例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法の一例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法の一例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法の他の例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法の他の例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法の他の例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法の他の例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法のさらに他の例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法のさらに他の例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法のさらに他の例を模式的に説明するための断面図である。本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法のさらに他の例を模式的に説明するための断面図である。実施例９で製造した接合体の断面を、ＳＥＭ－ＥＤＳにより観察したときに取得した撮像データである。実施例１１で製造した接合体の断面を、ＳＥＭ－ＥＤＳにより観察したときに取得した撮像データである。

◇焼結材
　本発明の一実施形態に係る焼結材は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径（本明細書においては、「Ｄ５０」と称することがある）が、１μｍ以上である。
　本実施形態の焼結材は、１次粒子径が小さい銀粒子と、Ｄ５０が比較的大きい銅粒子と、をともに含有していることにより、その保存中と、その焼成中での、銅粒子の表面における酸化層の形成が抑制され、大気下において、その高圧での加圧を必要とせずに、導電性部品（例えば、金属製部材）同士を焼成によって、十分な強度で接合できる。

＜＜銀粒子＞＞
　前記銀粒子の１次粒子径は、２００ｎｍ以下であり、例えば、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、及び５０ｎｍ以下のいずれかであってもよい。銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であることで、大気下における前記焼結材の焼成時に、接合対象である導電性部品と前記焼結材を用いて得られた積層物に対して、高い圧力を加えなくても、金属焼結体（接合部）によって、導電性部品同士を十分な強度で接合できる。

　本明細書においては、特に断りのない限り、「銀粒子」とは、１次粒子径が２００ｎｍ以下である上述の銀粒子を意味する。

　銀粒子の１次粒子径の下限値は、特に限定されない。例えば、前記１次粒子径が１ｎｍ以上であることで、金属焼結体の製造がより容易となる。

　銀粒子の平均２次粒子径は、２０００ｎｍ以下であることが好ましく、例えば、１５００ｎｍ以下、１０００ｎｍ以下、及び５００ｎｍ以下のいずれかであってもよい。銀粒子の平均２次粒子径が前記上限値以下であることで、大気下における焼結材の焼成時に、接合対象である導電性部品と前記焼結材を用いて得られた積層物に対して、高い圧力を加えなくても、金属焼結体（接合部）によって、導電性部品同士を十分な強度で接合できる。

　銀粒子の平均２次粒子径の下限値は、特に限定されない。例えば、前記平均２次粒子径が１００ｎｍ以上であることで、金属焼結体でのクラックの発生がより抑制される。

　本明細書において、「銀粒子の平均２次粒子径」とは、特に断りのない限り、実施例で後述するように、焼結材の凍結破断を行い、これにより得られた凍結破断物の破断面を観察し、前記破断面における個々の銀粒子凝集体の最大径を測定したときの、前記最大径の合計値を、銀粒子凝集体の観測数（前記最大径を測定した個数）で除することにより得られた、前記最大径の平均値を意味する。

　銀粒子は、構成原子として銀原子を有する銀含有化合物の化学反応によって形成されたものであることが好ましい。
　前記銀含有化合物は、銀原子を有する無機化合物（無機銀化合物）と、銀原子を有する有機化合物（有機銀化合物）と、のいずれであってもよい。

　焼結材の製造時に用いる前記銀含有化合物は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

　前記銀含有化合物としては、例えば、その熱分解又は還元によって、銀を形成する化合物が挙げられる。
　このような銀含有化合物としては、例えば、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀（カルボン酸の銀塩）が挙げられる。

　銀粒子が前記カルボン酸銀の化学反応によって形成されたものである場合、焼結材は、銀含有組成物と、前記銅粒子と、が配合（混合）されてなり、前記銀含有組成物が、前記カルボン酸銀と、前記含窒素化合物と、前記還元剤と、が配合（混合）されてなる組成物であることが好ましい。前記銀含有組成物においては、その加熱処理、又は前記還元剤の作用等によって、前記カルボン酸銀から前記銀粒子が生成する。そして、前記カルボン酸銀と、含窒素化合物と、還元剤と、の配合量（混合量）を調節することで、前記銀含有組成物と、前記銅粒子と、を配合すれば、別途、含窒素化合物と、還元剤と、を配合しなくても、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有する焼結材が得られる。

◎銀含有組成物
＜カルボン酸銀＞
　前記カルボン酸銀は、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみであってもよいし、２個以上であってもよい。また、カルボン酸銀中の式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。

　前記カルボン酸銀としては、例えば、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基のβ位に、カルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）を有するβ－ケトカルボン酸銀と、前記β－ケトカルボン酸銀以外のカルボン酸銀と、が挙げられる。

［β－ケトカルボン酸銀（１）］
　前記β－ケトカルボン酸銀としては、例えば、下記一般式（１）で表わされるβ－ケトカルボン酸銀（本明細書においては、「β－ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）が挙げられる。

　（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１－ＣＹ^１ _２－」、「ＣＹ^１ _３－」、「Ｒ^１－ＣＨＹ^１－」、「Ｒ^２Ｏ－」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ－」、「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ^１－」若しくは「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」で表される基であり；
　Ｙ^１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ^１は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ^２は炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^３は炭素数１～１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に炭素数１～１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^６は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ－」で表される基であり；
　Ｘ^１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ－フタロイル－３－アミノプロピル基、２－エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ^７Ｏ－」、「Ｒ^７Ｓ－」、「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－」若しくは「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－」で表される基であり；
　Ｒ^７は、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）

　式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１－ＣＹ^１ _２－」、「ＣＹ^１ _３－」、「Ｒ^１－ＣＨＹ^１－」、「Ｒ^２Ｏ－」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ－」、「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ^１－」若しくは「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」で表される基である。

　Ｒにおける炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１～１０であることが好ましく、１～６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。

　Ｒにおける直鎖状又は分岐鎖状の前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、１，１－ジメチルブチル基、２，２－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、３－エチルブチル基、１－エチル－１－メチルプロピル基、ｎ－ヘプチル基、１－メチルヘキシル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、４－メチルヘキシル基、５－メチルヘキシル基、１，１－ジメチルペンチル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、４，４－ジメチルペンチル基、１－エチルペンチル基、２－エチルペンチル基、３－エチルペンチル基、４－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、１－プロピルブチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、１－メチルヘプチル基、２－メチルヘプチル基、３－メチルヘプチル基、４－メチルヘプチル基、５－メチルヘプチル基、１－エチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、３－エチルヘキシル基、４－エチルヘキシル基、５－エチルヘキシル基、１，１－ジメチルヘキシル基、２，２－ジメチルヘキシル基、３，３－ジメチルヘキシル基、４，４－ジメチルヘキシル基、５，５－ジメチルヘキシル基、１，２，３－トリメチルペンチル基、１，２，４－トリメチルペンチル基、２，３，４－トリメチルペンチル基、２，４，４－トリメチルペンチル基、１，４，４－トリメチルペンチル基、３，４，４－トリメチルペンチル基、１，１，２－トリメチルペンチル基、１，１，３－トリメチルペンチル基、１，１，４－トリメチルペンチル基、１，２，２－トリメチルペンチル基、２，２，３－トリメチルペンチル基、２，２，４－トリメチルペンチル基、１，３，３－トリメチルペンチル基、２，３，３－トリメチルペンチル基、３，３，４－トリメチルペンチル基、１－プロピルペンチル基、２－プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が挙げられる。
　Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。

　Ｒにおける前記アルケニル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ－Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基等が挙げられる。
　このような前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基（エテニル基、－ＣＨ＝ＣＨ_２）、アリル基（２－プロペニル基、－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ_２）、１－プロペニル基（－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３）、イソプロペニル基（－Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２）、１－ブテニル基（－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_３）、２－ブテニル基（－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３）、３－ブテニル基（－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ_２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等が挙げられる。

　Ｒにおける前記アルキニル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ－Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基等が挙げられる。
　このような前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基（－Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（－ＣＨ_２－Ｃ≡ＣＨ）等が挙げられる。

　Ｒにおける炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。また、前記脂肪族炭化水素基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。

　Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、炭素数が１～１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、前記脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（－ＯＨ）、シアノ基（－Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（－Ｏ－Ｃ_６Ｈ_５）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
　置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

　ＲにおけるＹ^１は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ^１－ＣＹ^１ _２－」、「ＣＹ^１ _３－」及び「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」においては、それぞれ複数個のＹ^１は、互いに同一でも異なっていてもよい。

　ＲにおけるＲ^１は、炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ_６Ｈ_５－）である。Ｒ^１における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
　ＲにおけるＲ^２は、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基であり、例えば、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
　ＲにおけるＲ^３は、炭素数１～１６の脂肪族炭化水素基である。Ｒ^３における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
　ＲにおけるＲ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に炭素数１～１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ^４及びＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ^４及びＲ^５における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
　ＲにおけるＲ^６は、炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ－」で表される基である。Ｒ^６における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

　Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ^６－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＹ^１ _２－」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ^６は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ－」で表される基であることが好ましい。

　一般式（１）において、Ｘ^１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ_６Ｈ_５－ＣＨ_２－）、シアノ基、Ｎ－フタロイル－３－アミノプロピル基、２－エトキシビニル基（Ｃ_２Ｈ_５－Ｏ－ＣＨ＝ＣＨ－）、又は一般式「Ｒ^７Ｏ－」、「Ｒ^７Ｓ－」、「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－」若しくは「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－」で表される基である。
　Ｘ^１における炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

　Ｘ^１におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
　Ｘ^１におけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（－ＮＯ_２）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基及びベンジル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

　Ｘ^１におけるＲ^７は、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ_４Ｈ_３Ｓ－）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ_６Ｈ_５－Ｃ_６Ｈ_４－）である。Ｒ^７における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。また、Ｒ^７におけるフェニル基及びジフェニル基が有する前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基及びジフェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
　Ｒ^７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘ^１において隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２－チエニル基及び３－チエニル基のいずれでもよい。

　一般式（１）において、２個のＸ^１は、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよい。このようなＸ^１としては、例えば、式「＝ＣＨ－Ｃ_６Ｈ_４－ＮＯ_２」で表される基等が挙げられる。

　Ｘ^１は、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、ベンジル基、又は一般式「Ｒ^７－Ｃ（＝Ｏ）－」で表される基であることが好ましく、少なくとも一方のＸ^１が水素原子であることが好ましい。

　β－ケトカルボン酸銀（１）は、２－メチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－エチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ_３ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－ｎ－ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ_６Ｈ_５－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ（－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）であることが好ましい。

　銀含有組成物の製造時に用いるβ－ケトカルボン酸銀（１）は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

［カルボン酸銀（４）］
　前記β－ケトカルボン酸銀以外のカルボン酸銀としては、例えば、下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（本明細書においては、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）が挙げられる。

　（式中、Ｒ^８は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の前記メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）

　式中、Ｒ^８は炭素数１～１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）又は式「－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ」で表される基である。
　Ｒ^８における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１～１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。ただし、Ｒ^８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１～１５であることが好ましく、１～１０であることがより好ましい。

　Ｒ^８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（－ＣＨ_２－）を有する場合、１個以上の前記メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数及び位置は特に限定されず、すべてのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「－ＣＨ_２－」で表される基だけでなく、式「－ＣＨ_２－」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「－ＣＨ_２－」で表される基も含むものとする。

　カルボン酸銀（４）は、ピルビン酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ_３－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ_３－（ＣＨ_２）_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、２－エチルへキサン酸銀（ＣＨ_３－（ＣＨ_２）_３－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）、又はマロン酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）及びマロン酸銀（ＡｇＯ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）の２個の式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「－ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ、ＨＯ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＡｇ）も好ましい。

　銀含有組成物の製造時に用いるカルボン酸銀（４）は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

　銀含有組成物の製造時に用いる前記カルボン酸銀は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

　前記カルボン酸銀は、前記β－ケトカルボン酸銀又はシュウ酸銀であることが好ましく、前記β－ケトカルボン酸銀（１）又はシュウ酸銀であることがより好ましい。
　すなわち、銀粒子は、前記β－ケトカルボン酸銀若しくはシュウ酸銀の熱分解又は還元によって得られたものであることが好ましく、前記β－ケトカルボン酸銀（１）若しくはシュウ酸銀の熱分解又は還元によって得られたものであることがより好ましい。

　銀含有組成物において、銀含有組成物の総質量に対する、銀含有組成物中の前記カルボン酸銀に由来する銀の合計質量の割合は、５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましい。前記割合が前記下限値以上であることで、上述のように、大気下における焼結材の焼成時に高い圧力を加えなくても、金属焼結体（接合部）によって、導電性部品同士をより高い強度で接合できる。前記割合の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されない。例えば、前記割合が８５質量％以下である銀含有組成物は、その取り扱い性がより良好である。
　本明細書において、「カルボン酸銀に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀含有組成物の製造時に配合されたカルボン酸銀中の銀と同義であり、配合後も引き続きカルボン酸銀を構成している銀と、配合後にカルボン酸銀の分解で生じた分解物中の銀と、配合後にカルボン酸銀の熱分解又は還元によって生じた銀（銀粒子）と、のすべてを含む概念である。

＜含窒素化合物＞
　前記含窒素化合物としては、例えば、炭素数２５以下のアミン化合物が挙げられる。

［アミン化合物］
　前記アミン化合物は、炭素数が１～２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれであってもよい。
　前記アミン化合物は、鎖状及び環状のいずれであってもよい。
　前記アミン化合物において、アミン部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンの場合には、アミノ基（－ＮＨ_２）を構成する窒素原子）の数は１個であってもよいし、２個以上であってもよい。また、アミン化合物中の、アミン部位を構成する窒素原子の位置も、特に限定されない。

　前記第１級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が挙げられる。

　前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、このようなアルキル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられる。前記アルキル基は、炭素数が１～１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。
　好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、ｎ－ブチルアミン、ｎ－へキシルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、３－アミノペンタン、３－メチルブチルアミン、２－ヘプチルアミン（２－アミノヘプタン）、２－アミノオクタン、２－エチルヘキシルアミン、１，２－ジメチル－ｎ－プロピルアミン等が挙げられる。

　前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、例えば、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。前記アリール基の炭素数は、６～１０であることが好ましい。

　前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子等が挙げられる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個であってもよいし、２個以上であってもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じであってもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
　前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれであってもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３～１２員環であることが好ましい。

　前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１～４個有する単環状のものとしては、例えば、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
　前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、フラニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
　前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、チエニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
　前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する単環状のものとしては、例えば、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
　前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する単環状のものとしては、例えば、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３～８員環であることが好ましく、５～６員環であることがより好ましい。
　前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１～５個有する多環状のものとしては、例えば、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。
　前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１～３個有する多環状のものとしては、例えば、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。
　前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。
　前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１～２個及び窒素原子を１～３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７～１２員環であることが好ましく、９～１０員環であることがより好ましい。

　前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、例えば、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（－ＮＨ_２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたもの等が挙げられる。
　前記ジアミンは炭素数が１～１０であることが好ましく、より好ましいものとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン等が挙げられる。

　前記第２級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が挙げられる。

　前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
　好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、例えば、Ｎ－メチル－ｎ－ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２－エチルへキシル）アミン等が挙げられる。

　前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６～１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

　前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６～１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

　前記第３級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が挙げられる。

　前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべて同じであってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ異なっていてもよい。
　好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ｎ－オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。

　前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１～６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
　前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６～１０であることが好ましい。

　ここまでは、主に鎖状のアミン化合物について説明したが、前記アミン化合物は、アミン部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンであってもよい。この時の環（アミン部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれであってもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
　環状アミンで好ましいものとして、例えば、ピリジン等が挙げられる。

　前記第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミン及び第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個であってもよいし、２個以上であってもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じであってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。

　前記アミン化合物における前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（－ＣＦ_３）等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

　前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１～５のアルキル基を有する、炭素数が３～７の環状のアルキル基であることが好ましい。このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、２－フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３－ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
　また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい。このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、例えば、２－ブロモベンジルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

　前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、前記アリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６～１０のアリール基であることが好ましい。このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、例えば、ブロモフェニルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

　前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、例えば、ジエタノールアミン、Ｎ－メチルベンジルアミン等が挙げられる。

　銀含有組成物の製造時に用いる前記含窒素化合物は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

　前記アミン化合物は、ｎ－プロピルアミン、ｎ－ブチルアミン、ｎ－へキシルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、３－アミノペンタン、３－メチルブチルアミン、２－ヘプチルアミン、２－アミノオクタン、２－エチルヘキシルアミン、２－フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、Ｎ－メチル－ｎ－ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ－メチルベンジルアミン、ジ（２－エチルへキシル）アミン、１，２－ジメチル－ｎ－プロピルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチル－ｎ－オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ－ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。

　銀含有組成物において、前記含窒素化合物の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり、０．１～５モルであることが好ましく、０．１～３モルであることがより好ましく、例えば、０．２～２モル、及び０．２～１モルのいずれかであってもよい。前記配合量が、このような範囲であることで、上述のように、大気下における焼結材の焼成時に高い圧力を加えなくても、金属焼結体（接合部）によって、導電性部品同士をより高い強度で接合できる。

＜還元剤＞
　前記還元剤は、特に限定されない。

　銀含有組成物の製造時に用いる還元剤は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

　前記還元剤で好ましいものとしては、例えば、ギ酸が挙げられる。

　銀含有組成物において、還元剤の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり、０．２～５モルであることが好ましく、０．３～３モルであることがより好ましく、例えば、０．４～２モル、及び０．４～１モルのいずれかであってもよい。前記配合量が、このような範囲であることで、上述のように、大気下における焼結材の焼成時に高い圧力を加えなくても、金属焼結体（接合部）によって、導電性部品同士をより高い強度で接合できる。

＜他の成分＞
　銀含有組成物は、前記カルボン酸銀と、前記含窒素化合物と、前記還元剤と、のいずれにも該当しない他の成分（本明細書においては、「他の成分（ｉｉ）」と称することがある）が配合されていてもよい。

　銀含有組成物の製造時に用いる前記他の成分（他の成分（ｉｉ））は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

◎銀含有組成物の製造方法
　前記銀含有組成物は、前記カルボン酸銀（式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀）と、前記含窒素化合物と、前記還元剤と、を配合することで得られる。すなわち、前記銀含有組成物の製造方法は、前記カルボン酸銀と、前記含窒素化合物と、前記還元剤と、を配合して銀含有組成物を調製する工程を有する。
　各成分の配合後は、得られたものをそのまま銀含有組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の後処理操作又は精製操作を行って得られたものを銀含有組成物としてもよい。

　各成分の配合順序は、特に限定されない。各成分の好ましい配合方法の一例としては、前記含窒素化合物に前記カルボン酸銀を加えて混合し、次いで、得られた混合物に前記還元剤を加えて混合する配合方法が挙げられる。
　前記他の成分（ｉｉ）を配合する場合には、前記他の成分（ｉｉ）を、その種類に応じて適したタイミングで、配合すればよい。

　混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。

　各成分の配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、－５～６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
　また、各成分の配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、１０分～３６時間であることが好ましい。

　上述の製造方法により、上述の１次粒子径を有する銀粒子を含有する銀含有組成物が得られる。このとき、例えば、各工程での撹拌条件等、銀含有組成物の製造条件を調節することによって、銀粒子の１次粒子径を調節してもよい。
　上述の製造方法によれば、上述の平均２次粒子径を有する銀粒子を含有する銀含有組成物も得られる。銀粒子の平均２次粒子径も、各工程での撹拌条件等、銀含有組成物の製造条件を調節することによって、調節できる。

　前記銀含有組成物の使用の有無によらず、焼結材における、焼結材の総質量に対する、銀粒子の含有量の割合（本明細書においては、「銀粒子の濃度」と称することがある）は、２５～８０質量％であることが好ましく、例えば、５０～８０質量％であってもよい。前記割合（銀粒子の濃度）がこのような範囲であることで、上述のように、大気下における焼結材の焼成時に高い圧力を加えなくても、金属焼結体（接合部）によって、導電性部品同士をより高い強度で接合できる。

＜＜銅粒子＞＞
　前記銅粒子の形状は特に限定されない。例えば、前記銅粒子は球形状（球形粒子）であってもよいし、フレーク状等の扁平形状（扁平粒子）であってもよい。

　前記銅粒子のＤ５０は１μｍ以上であり、例えば、１．５μｍ以上、及び２μｍ以上のいずれかであってもよい。銅粒子のＤ５０が前記下限値以上であることで、銅粒子の表面積が小さくなるため、焼結材の保存中と、その焼成中での、銅粒子の表面における酸化層の形成が抑制され、大気下において、焼結材の高圧での加圧を必要とせずに、導電性部品同士を焼成によって、十分な強度で接合できるという効果が高くなる。

　本明細書においては、特に断りのない限り、「銅粒子」とは、Ｄ５０が１μｍ以上である上述の銅粒子を意味する。

　銅粒子のＤ５０の上限値は、特に限定されない。例えば、Ｄ５０が２０μｍ以下であることで、金属焼結体の製造がより容易となる。

　前記銀含有組成物の使用の有無によらず、焼結材において、銅粒子の含有量は、銀粒子の含有量に対して、０．３～２．５質量倍であることが好ましく、０．５～２質量倍であることがより好ましい。銅粒子の前記含有量がこのような範囲であることで、上述のように、大気下における焼結材の焼成時に高い圧力を加えなくても、金属焼結体（接合部）によって、導電性部品同士をより高い強度で接合できる。

　前記銀含有組成物を用いる場合、焼結材において、前記銅粒子の配合量は、銀含有組成物の配合量に対して、０．３～１．５質量倍であることが好ましく、例えば、０．６～１．５質量倍、及び０．９～１．５質量倍のいずれであってもよいし、０．３～１．２質量倍、及び０．３～０．９質量倍のいずれであってもよい。

＜＜他の成分＞＞
　焼結材は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、のいずれにも該当しない他の成分（本明細書においては、「他の成分（ｉ）」と称することがある）を含有していてもよい。

　焼結材が含有する前記他の成分（他の成分（ｉ））は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

　前記他の成分（他の成分（ｉ））は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されず、目的に応じて任意に選択できる。例えば、前記銀含有組成物を用いた場合、他の成分（ｉ）は、銀含有組成物の配合成分である他の成分（ｉｉ）であってもよい（銀含有組成物中の他の成分（ｉｉ）がそのまま焼結材に含有されていてもよい）し、銀含有組成物の配合成分ではない成分であってもよい。

　好ましい前記他の成分（他の成分（ｉ））としては、例えば、エーテル結合及び水酸基のいずれか一方又は両方を有し、かつ常温下で液状の液状成分（本明細書においては、単に「液状成分」と称することがある）；沸点が１５０℃以上の抗酸化性化合物（本明細書においては、単に「抗酸化性化合物」と称することがある）、溶媒等が挙げられる。
　焼結材が前記液状成分を含有していることで、接合体の接合強度がより大きくなる。
　焼結材が前記抗酸化性化合物を含有していることで、接合部の内部の銅粒子など、接合部とその接合対象物のうち、銅で構成された部位の表面において、酸化層の形成を抑制することが可能となる。
　焼結材が前記溶媒を含有していることで、焼結材の取り扱い性が向上することがある。

　本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５～２５℃の温度等が挙げられる。

＜液状成分＞
　前記液状成分は、エーテル結合（－Ｏ－）及び水酸基（－ＯＨ）のいずれか一方又は両方を有し、かつ常温下で液状であれば、特に限定されない。
　すなわち、液状成分としては、１個又は２個以上のエーテル結合を有し、水酸基を有しない液状成分（すなわちエーテル）；１個又は２個以上の水酸基を有し、エーテル結合を有しない液状成分（すなわちアルコール）；１個又は２個以上のエーテル結合及び１個又は２個以上の水酸基を共に有する液状成分（すなわちアルコールエーテル）が挙げられる。

［エーテル］
　液状成分である前記エーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。

　焼結材が含有する、前記他の成分（他の成分（ｉ））であるエーテルは、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

［アルコール］
　液状成分である前記アルコールとしては、例えば、エチレングリコール（ＥＧ）、１，２－ヘキサンジオール、１，６－ヘキサンジオール、１，８－オクタンジオール等が挙げられる。

　焼結材が含有する、前記他の成分（他の成分（ｉ））であるアルコールは、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

［アルコールエーテル］
　液状成分である前記アルコールエーテルとしては、例えば、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノへキシルエーテル等が挙げられる。

　焼結材が含有する、前記他の成分（他の成分（ｉ））であるアルコールエーテルは、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

　焼結材が含有する、前記他の成分（他の成分（ｉ））である液状成分は、エーテル、アルコール及びアルコールエーテルからなる群より選択される１種又は２種以上であることが好ましい。

　液状成分を用いる場合、焼結材において、液状成分の含有量は、前記銅粒子の含有量に対して、０．０５～０．１５質量倍であることが好ましく、例えば、０．０７～０．１３質量倍、及び０．０９～０．１１質量倍のいずれかであってもよい。液状成分の含有量がこのような範囲であることで、上述の接合強度がより大きくなる。

＜抗酸化性化合物＞
　焼結材が含有する、前記他の成分（他の成分（ｉ））である抗酸化性化合物は、その沸点が１５０℃以上であれば、特に限定されない。
　好ましい前記抗酸化性化合物としては、例えば、アスコルビン酸、トコフェロール、カテキン、イソフラボン、アントシアニン、フェルラ酸等が挙げられる。

　焼結材が含有する、前記他の成分（他の成分（ｉ））である抗酸化性化合物は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

　焼結材が含有する、前記他の成分（他の成分（ｉ））である抗酸化性化合物は、アスコルビン酸、トコフェロール、カテキン、イソフラボン、アントシアニン及びフェルラ酸からなる群より選択される１種又は２種以上であることが好ましい。

　抗酸化性化合物を用いる場合、焼結材において、抗酸化性化合物の含有量は、前記銅粒子の含有量に対して、０．００５～０．０１５質量倍であることが好ましく、例えば、０．００７～０．０１３質量倍、及び０．００９～０．０１１質量倍のいずれであってもよい。抗酸化性化合物の含有量がこのような範囲であることで、上述のように、銅で構成された部位の表面において、酸化層の形成が抑制される効果が、より高くなる。

＜溶媒＞
　前記溶媒は、本発明の効果を損なわない限り、前記液状成分（エーテル、アルコール、アルコールエーテル）と、前記抗酸化性化合物と、のいずれにも該当しない、常温で液状の成分であれば、特に限定されない。

　焼結材が含有する、前記他の成分（他の成分（ｉ））である溶媒は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

＜＜焼結材の一例＞＞
　本実施形態の好ましい焼結材の一例としては、焼結材であって、前記焼結材は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上であり、
　前記焼結材において、前記銅粒子の含有量が、前記銀粒子の含有量に対して、好ましくは０．３～２．５質量倍、より好ましくは０．５～２質量倍である、焼結材が挙げられる。

　本実施形態の好ましい焼結材の他の例としては、焼結材であって、前記焼結材は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、常温下で液状の液状成分と、を含有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上であり、
　前記液状成分が、エーテル結合及び水酸基のいずれか一方又は両方を有し、
　前記焼結材において、前記銅粒子の含有量が、前記銀粒子の含有量に対して、好ましくは０．３～２．５質量倍、より好ましくは０．５～２質量倍であり、
　前記焼結材において、前記液状成分の含有量が、前記銅粒子の含有量に対して、０．０５～０．１５質量倍、０．０７～０．１３質量倍、及び０．０９～０．１１質量倍のいずれかである、焼結材が挙げられる。
　このような焼結材において、前記液状成分は、エーテル、アルコール及びアルコールエーテルからなる群より選択される１種又は２種以上であることが好ましい。

　本実施形態の好ましい焼結材のさらに他の例としては、焼結材であって、前記焼結材は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、常温下で液状の液状成分と、抗酸化性化合物と、を含有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上であり、
　前記液状成分が、エーテル結合及び水酸基のいずれか一方又は両方を有し、
　前記抗酸化性化合物の沸点が１５０℃以上であり、
　前記焼結材において、前記銅粒子の含有量が、前記銀粒子の含有量に対して、好ましくは０．３～２．５質量倍、より好ましくは０．５～２質量倍であり、
　前記焼結材において、前記液状成分の含有量が、前記銅粒子の含有量に対して、０．０５～０．１５質量倍、０．０７～０．１３質量倍、及び０．０９～０．１１質量倍のいずれかであり、
　前記焼結材において、前記抗酸化性化合物の含有量が、前記銅粒子の含有量に対して、０．００５～０．０１５質量倍、０．００７～０．０１３質量倍、及び０．００９～０．０１１質量倍のいずれかである、焼結材が挙げられる。
　このような焼結材において、前記液状成分は、エーテル、アルコール及びアルコールエーテルからなる群より選択される１種又は２種以上であることが好ましい。
　このような焼結材において、前記抗酸化性化合物は、アスコルビン酸、トコフェロール、カテキン、イソフラボン、アントシアニン及びフェルラ酸からなる群より選択される１種又は２種以上であることが好ましい。

　本実施形態の好ましい焼結材のさらに他の例としては、焼結材であって、前記焼結材は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上であり、
　前記焼結材が、銀含有組成物と、前記銅粒子と、が配合されてなり、
　前記銀含有組成物が、カルボン酸銀と、含窒素化合物と、還元剤と、が配合されてなり、
　前記銀含有組成物において、前記含窒素化合物の配合量が、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり、０．１～５モル、０．１～３モル、０．２～２モル、及び０．２～１モルのいずれかであり、
　前記銀含有組成物において、前記還元剤の配合量が、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり、０．２～５モル、０．３～３モル、０．４～２モル、及び０．４～１モルのいずれかであり、
　前記焼結材において、前記銅粒子の配合量が、前記銀含有組成物の配合量に対して、０．３～１．５質量倍、０．６～１．５質量倍、０．９～１．５質量倍、０．３～１．２質量倍、及び０．３～０．９質量倍のいずれである、焼結材が挙げられる。

◇焼結材の製造方法
＜＜製造方法（１）＞＞
　本実施形態の焼結材は、例えば、前記銀粒子と、前記銅粒子と、前記含窒素化合物と、前記還元剤と、必要に応じて前記他の成分（ｉ）と、を配合することで得られる（本明細書においては、この製造方法を「製造方法（１）」と称することがある）。
　すなわち、前記製造方法（１）は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、必要に応じて前記他の成分（ｉ）と、を配合する工程を有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径（Ｄ５０）が、１μｍ以上である。

　製造方法（１）は、配合成分の種類が異なる点を除けば、上述の銀含有組成物の製造方法と同じであってよい。
　前記他の成分（ｉ）を配合する場合には、前記他の成分（ｉ）を、その種類に応じて適したタイミングで、配合すればよい。

　製造方法（１）において、各成分の配合後は、得られたものをそのまま焼結材としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の後処理操作又は精製操作を行って得られたものを焼結材としてもよい。

　製造方法（１）においては、例えば、各成分の配合（添加）時、又はすべての成分を配合後の、各工程での撹拌条件等、焼結材の製造条件を調節することによって、銀粒子の平均２次粒子径を調節してもよい。

＜＜製造方法（２）＞＞
　本実施形態の焼結材が前記銀含有組成物を用いたものである場合、焼結材は、先の説明のとおり、銀含有組成物と、前記銅粒子と、を配合することで得られる（本明細書においては、この製造方法を「製造方法（２）」と称することがある）。
　すなわち、前記製造方法（２）は、前記カルボン酸銀（式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀）と、含窒素化合物と、還元剤と、を配合して銀含有組成物を調製する工程と、前記銀含有組成物と、銅粒子と、を配合する工程と、を有し、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径（Ｄ５０）は、１μｍ以上である。
　製造方法（２）における「銀含有組成物を調製する工程」は、先に説明した「銀含有組成物を調製する工程」と同じである。

　製造方法（２）において、焼結材の製造時の、各成分の配合順序は、特に限定されない。
　焼結材の製造時の混合方法は特に限定されず、例えば、上述の銀含有組成物の製造時の混合方法と同様であってよい。
　前記他の成分（ｉ）を配合する場合には、前記他の成分（ｉ）を、その種類に応じて適したタイミングで、配合すればよい。

　製造方法（２）において、各成分の配合後は、得られたものをそのまま焼結材としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の後処理操作又は精製操作を行って得られたものを焼結材としてもよい。

　製造方法（２）における、焼結材の製造時の、各成分の配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、１５～３５℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
　各成分の配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、１０～６０分であることが好ましい。

◇金属焼結体
　本発明の一実施形態に係る金属焼結体は、銀焼結層を有し、前記銀焼結層は銅粒子を含有し、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径（Ｄ５０）が、１μｍ以上であり、前記銅粒子は、その表面に酸化層を有しない。
　本実施形態の金属焼結体は、上述の本発明の一実施形態に係る焼結材を焼成することにより、得られる。
　前記金属焼結体は、導電性部品同士を接合する導電性の接合部として利用できる。そして、前記焼結材を用いることで、大気下において前記焼結材の焼成時に、導電性部品と前記焼結材を用いて得られた積層物に対して、高い圧力を加えなくても、金属焼結体（接合部）によって、導電性部品同士を十分な強度で接合できる。
　例えば、前記金属焼結体は、後述するように、導電性の第１部品と、導電性の第２部品とが、接合部を介して接合された接合体における、前記接合部として用いるのに好適である。このような接合体においては、前記第１部品又は第２部品と、接合部と、の間における剥離が抑制される。前記金属焼結体は、特に、基板上の電極と、半導体素子と、の接合部として用いるのに好適であり、２５０℃以上の高温での動作が想定される半導体装置を構成するのに、特に好適である。

　前記金属焼結体中の前記銀焼結層は、前記焼結材の焼成によって、前記焼結材中の前記銀粒子同士が焼結することで、形成される。そして、前記焼結材が、前記銀粒子以外に、さらに前記銅粒子を含有していることで、前記銅粒子を含有する前記銀焼結層が形成される。このとき、焼成条件を調節することで、銅粒子の表面において酸化層の形成を抑制できる。

　前記導電性の第１部品及び前記導電性の第２部品等の前記導電性部品としては、例えば、金属製部品（金属製部材）等が挙げられる。前記金属製部品は、例えば、シリコンチップ等の半導体チップ又は半導体素子の表面に、スパッタリング法又はメッキ法等によって設けられた金属層であってもよいし、樹脂製基板又はセラミック製基板に設けられた電極等の金属層であってもよい。

　前記接合体の接合強度は、接合体のダイシェア強度の測定値で判定できる。
　接合体のダイシェア強度は、ＪＩＳ　Ｃ６２１３７－１－２：２０１０（横押しせん断強度試験、ＩＥＣ　６２１３７－１－２：２００７）に準拠して、測定できる。
　ダイシェア強度（横押しせん断強度）の測定時には、接合体の破断面が、前記金属焼結体からなる接合部において生じるが、前記破断面は、ダイシェア強度の測定時に接合体に加えられている力の向きに対して、平行又はほぼ平行となる。

　接合体のダイシェア強度（横押しせん断強度）によって、前記金属焼結体からなる接合部の接合力を比較するためには、例えば、第１部品が、大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍで、厚さが０．８ｍｍの銅板であり、第２部品が、大きさが３ｍｍ×３ｍｍで、厚さが０．８ｍｍの銅チップであり、金属焼結体からなる接合部が、大きさが３ｍｍ×３ｍｍのものである試験用接合体（金属接合体）を用い、この試験用接合体のダイシェア強度を測定して、その値を比較すればよい。
　ただし、前記試験用接合体においては、前記銅チップの前記接合部側の面の全面を、接合部に接触させ、前記接合部の前記銅板側の面の全面を、銅板に接触させることが好ましい。

　前記試験用接合体における、前記金属焼結体からなる接合部の厚さは、１～３００μｍであることが好ましく、１０～２００μｍであることがより好ましく、２０～１２０μｍであることがさらに好ましい。前記厚さが前記下限値以上であることで、前記銅板又は銅チップに反りが生じていても、前記銅板及び銅チップを前記接合部によってより容易に接合できる。前記厚さが前記上限値以下であることで、ボイドが存在せず、均質な前記接合部をより容易に形成できる。

　前記試験用接合体において、ダイシェア強度（横押しせん断強度）は、例えば、９ＭＰａ以上であってよいが、２０ＭＰａ以上であることが好ましく、例えば、３０ＭＰａ以上、及び４０ＭＰａ以上のいずれかであってもよい。
　前記ダイシェア強度の上限値は、特に限定されない。金属焼結体をより容易に製造できる点では、前記ダイシェア強度は、６０ＭＰａ以下であることが好ましい。
　前記ダイシェア強度は、例えば、９～６０ＭＰａ、２０～６０ＭＰａ、３０～６０ＭＰａ、及び４０～６０ＭＰａのいずれかであってもよい。

　前記金属焼結体の厚さは、特に限定されず、目的に応じて任意に選択できる。
　例えば、前記金属焼結体の厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、例えば、１０μｍ以上、２０μｍ以上、６５μｍ以上、及び８０μｍ以上のいずれかであってもよい。
　一方、厚さが４００μｍ以下である前記金属焼結体は、より容易に製造でき、厚さは３００μｍ以下、及び２００μｍ以下のいずれかであってもよい。

＜＜金属焼結体の製造方法＞＞
　前記金属焼結体は、上述の本発明の一実施形態に係る焼結材を加熱（焼成）して、前記焼結材中の銀粒子同士を焼結させることにより、製造できる。

　前記金属焼結体の製造時における、前記焼結材の加熱時の昇温速度は、特に限定されないが、３～２０℃／ｍｉｎであることが好ましく、例えば、３～１５℃／ｍｉｎであってもよい。前記昇温速度がこのような範囲であることで、目的とする特性の金属焼結体をより効率的に製造できる。

　前記金属焼結体の製造時における、前記焼結材の焼成温度（焼結材を焼結させる温度）は、３６０℃以下であることが好ましく、例えば、３１０℃以下、及び２６０℃以下のいずれかであってもよい。前記焼成温度が前記上限値以下であることで、過剰な加熱が抑制され、良好な特性の金属焼結体が得られる。
　前記焼結材の焼成温度（焼結材を焼結させる温度）は、１７５℃以上、及び１９０℃以上のいずれかであってもよいが、２４０℃以上であることが好ましく、例えば、２９０℃以上であってもよい。前記焼成温度が前記下限値以上であることで、より高純度の金属焼結体が得られる。

　金属焼結体（前記接合部）の接合強度がより高くなる点では、前記焼結材の前記液状成分の含有の有無によらず、前記焼結材の焼成温度（焼結材を焼結させる温度）は、２４０℃以上であることが好ましく、２４０～３６０℃、２４０～３１０℃、及び２４０～２６０℃のいずれかであってもよい。

　金属焼結体（前記接合部）の内部の銅粒子など、接合部とその接合対象物のうち、銅で構成された部位の表面において、酸化層の形成を抑制する効果がより高くなる点では、前記焼結材が前記抗酸化性化合物を含有しない場合には、前記焼結材の焼成温度（焼結材を焼結させる温度）は、２６０℃以下であることが好ましく、例えば、１７５～２６０℃、１９０～２６０℃、及び２４０～２６０℃のいずれかであってもよい。
　上記と同様の理由で、前記焼結材が前記抗酸化性化合物を含有する場合には、前記焼結材の焼成温度（銀含有組成物を焼結させる温度）は、３１０℃以下であることが好ましく、例えば、１７５～３１０℃、１９０～３１０℃、及び２４０～３１０℃のいずれかであってもよい。

　なお、本明細書においては、前記焼結材の焼成（焼結）は、前記銀粒子同士の焼結と同義である。

　前記金属焼結体の製造時において、前記焼結材の焼成時間（焼結材を焼結させる時間）は、５０～１８０分であることが好ましく、例えば、５０～１５０分、９０～１８０分、及び９０～１５０分のいずれかであってもよい。前記焼成時間（焼結時間）がこのような範囲であることで、目的とする特性の金属焼結体をより効率的に製造できる。

　前記焼結材の焼成時に、接合対象である導電性部品と前記焼結材を用いて得られた積層物に対して加える圧力は、５．５ＭＰａ未満であることが好ましく、５．２ＭＰａ以下であることがより好ましく、３ＭＰａ以下であることがさらに好ましく、例えば、１．５ＭＰａ以下であってもよい。そして、前記圧力は０ＭＰａ以上であり、前記積層物には圧力を加えなくてもよい。このように、高い圧力を加えなくても、金属焼結体（接合部）によって、導電性部品同士を十分な強度で接合できる。そして、このように高い圧力を加えることなく焼成（焼結）することで、例えば、金属焼結体を、基板上の電極と、半導体素子と、の接合部として用いる場合など、金属焼結体の周辺部に破損し易い部材が配置されている場合に、これら部材の意図しない破損を抑制できる。

　本明細書において、接合対象である導電性部品と前記焼結材を用いて得られた積層物に対して加える圧力、とは、焼結材から形成された金属焼結体（接合部）による導電性部品同士の接合方向と同じ方向に加える圧力である。

　前記焼結材の焼成（前記銀粒子同士の焼結）は、大気下及び常圧下で行うことができる。本実施形態においては、前記焼結材を用いることで、大気下で焼結材を焼成しても、金属焼結体（前記接合部）の内部の銅粒子など、接合部とその接合対象物のうち、銅で構成された部位の表面において、酸化層の形成を抑制することが可能となる。

　好ましい前記金属焼結体の製造方法としては、例えば、前記焼結材を、前記金属焼結体の形成対象物上に付着させる工程と、付着後の前記焼結材を、３６０℃以下の温度で、前記焼結材を用いて得られた積層物に対して加える圧力を５．５ＭＰａ未満、５．２ＭＰａ以下、又は３ＭＰａ以下としながら、焼成することにより、前記金属焼結体を形成する工程と、を有する製造方法が挙げられる。
　前記製造方法によれば、前記焼結材を用いることで、大気下において、焼結材の高圧での加圧を必要とせずに、導電性部品同士を焼成によって、十分な強度で接合できる。

　金属焼結体の製造時には、例えば、後述の接合体の製造方法で説明するように、焼結材を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、焼結材の加熱物を得た後、前記加熱物を焼成することにより、金属焼結体を製造してもよい。
　この場合には、例えば、焼結材を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、焼結材の加熱物を得るときの加熱時間（後述する予備加熱時間）と、前記加熱物を焼成することにより、金属焼結体を得るときの焼成時間と、の合計時間が、先に説明した焼結材の焼成時間と、同様であってよい。また、前記加熱物を焼成することにより、金属焼結体を得るときの焼成温度が、先に説明した焼結材の焼成温度と、同様であってよい。また、前記加熱物を焼成することにより、金属焼結体を得るときに、接合対象である導電性部品と前記加熱物との積層物に対して加える圧力が、先に説明した焼結材の焼成時に、導電性部品と前記焼結材を用いて得られた積層物に対して加える圧力と、同様であってよい。また、大気下で焼結材から前記加熱物を得て、大気下で前記加熱物から金属焼結体を得てもよい。

　前記金属焼結体の製造時においては、前記焼結材を目的とする箇所に、目的とする形状で付着させて、次いで、焼成すればよい。
　前記焼結材を目的とする箇所に付着させる方法としては、例えば、印刷法、塗布法等の公知の方法が挙げられる。

　前記印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、ジェットディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等が挙げられる。

　前記塗布法としては、例えば、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターを用いる方法；ワイヤーバーを用いる方法；スロットダイ等のコーティング装置を用いる方法等が挙げられる。

＜＜接合体＞＞
　前記金属焼結体は、例えば、はんだの代わりとして用いるのに好適であり、導電性の部品同士の接合部として用いるのに好適である。前記金属焼結体は、例えば、半導体の接合材料としても好適である。
　すなわち、このような接合部を備えた接合体としては、導電性の第１部品（本明細書においては、単に「第１部品」と略記することがある）と、導電性の第２部品（本明細書においては、単に「第２部品」と略記することがある）とが、接合部を介して接合されて構成され、前記接合部が、上述の本発明の一実施形態に係る焼結材から形成された金属焼結体である導電性接合体、が挙げられる。

　図１は、前記焼結材を用いて製造された接合体の一例を模式的に示す断面図である。
　ここに示す接合体１０１は、導電性の第１部品２と、導電性の第２部品３とが、接合部１を介して接合され、構成されている。
　接合部１は、上述の本発明の一実施形態に係る金属焼結体からなる。

　第１部品２は、シート状、プレート状又はブロック状である。
　第１部品２は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。第１部品２が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
　なお、本明細書においては、第１部品の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよいし、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。

　第１部品２が複数層からなる場合には、例えば、第１部品２における、接合部１側の１層又は２層以上が、接合部１との密着性を向上させる層であってもよい。

　第１部品２の厚さは、接合体１０１の目的に応じて任意に設定でき、特に限定されない。
　第１部品２の厚さは、例えば、１０～１００００μｍであってもよい。

　第１部品２が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい第１部品２の厚さとなるようにするとよい。

　ここでは、第１部品２として、シート状、プレート状又はブロック状であるものを示しているが、第１部品２は、これら以外の他の形状であってもよく、第１部品２の形状は、目的に応じて任意に選択できる。

　第２部品３は、シート状、プレート状又はブロック状である。
　第２部品３は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。第２部品３が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

　第２部品３が複数層からなる場合には、例えば、第２部品３における、接合部１側の１層又は２層以上が、接合部１との密着性を向上させる層であってもよい。

　第２部品３の厚さは、接合体１０１の目的に応じて任意に設定でき、特に限定されない。
　第２部品３の厚さは、例えば、０．０５～１００００μｍであることが好ましく、０．０５～５００μｍであってもよいし、５００μｍ超１００００μｍ以下であってもよい。

　第２部品３が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい第２部品３の厚さとなるようにするとよい。

　ここでは、第２部品３として、シート状、プレート状又はブロック状であるものを示しているが、第２部品３は、これら以外の他の形状であってもよく、第２部品３の形状は、目的に応じて任意に選択できる。

　接合部１は、前記焼結材から形成された金属焼結体からなり、導電性であり、その詳細は、先に説明したとおりである。
　接合部１は、シート状、プレート状又はブロック状である。
　接合部１は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。接合部１が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

　接合部１の厚さは、先に説明した金属焼結体の厚さであってよい。
　接合部１が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、先に説明した金属焼結体の厚さとなるようにするとよい。

　ここでは、接合部１として、シート状、プレート状又はブロック状であるものを示しているが、接合部１は、これら以外の他の形状であってもよく、接合部１の形状は、目的に応じて任意に選択できる。

　接合体１０１においては、１つの第１部品２と、１つの第２部品３とが、１つの接合部１によって接合されているが、接合形態は、これに限定されない。
　前記接合体においては、例えば、１つの第１部品と、２つ以上の第２部品とが、１つの接合部によって接合されていてもよい。その場合、２つ以上の第２部品は、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ異なっていてもよい。
　また、前記接合体においては、例えば、１つの第１部品と、２つ以上の第２部品とが、２つ以上の接合部によって接合されていてもよい。その場合、第２部品の数と、接合部の数とは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、２つ以上の第２部品は、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ異なっていてもよい。
　ここで例示した、第１部品の数と、第２部品の数とは、逆であってもよい。

　前記焼結材から形成された金属焼結体を備えた接合体は、図１に示すものに限定されず、例えば、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、図１に示す接合体１０１において、一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。

　好ましい前記接合体としては、例えば、金属製部材同士が前記金属焼結体によって接合された金属接合体であって、前記金属接合体について、ＪＩＳ　Ｃ６２１３７－１－２：２０１０に準拠して、横押しせん断強度試験を行ったとき、前記金属接合体の横押しせん断強度（ダイシェア強度）が２０ＭＰａ以上である接合体が挙げられる。金属製部材、及び接合体のダイシェア強度（横押しせん断強度）の測定方法は、先に説明したとおりである。

　前記金属接合体において、ダイシェア強度（横押しせん断強度）は、例えば、３０ＭＰａ以上、及び４０ＭＰａ以上のいずれかであってもよい。
　前記ダイシェア強度の上限値は、特に限定されない。金属焼結体をより容易に製造できる点では、前記ダイシェア強度は、６０ＭＰａ以下であることが好ましい。
　前記ダイシェア強度は、例えば、２０～６０ＭＰａ、３０～６０ＭＰａ、及び４０～６０ＭＰａのいずれかであってもよい。

＜半導体装置＞
　前記接合体で好ましいものとしては、例えば、基板と、前記基板に接合された半導体素子と、を備えた半導体装置であって、前記基板上に設けられた電極と、前記半導体素子とが、接合部（金属焼結体）によって接合されており、前記接合部が、上述の本発明の一実施形態に係る焼結材を用いて形成された金属焼結体である、半導体装置が挙げられる。

　図２は、前記半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
　ここに示す半導体装置１０２は、基板２０と、基板２０に接合された半導体素子３１と、を備えて、構成されている。
　基板２０の一方の面には、電極２１が設けられており、電極２１と、半導体素子３１とが、接合部１１によって接合されている。
　接合部１１は、前記焼結材を用いて形成された金属焼結体からなる。

　基板２０は、例えば、樹脂製基板等の、公知の基板でよく、特に限定されない。
　基板２０の厚さは、例えば、２００～１００００μｍであってもよい。

　電極２１は、前記第１部品に包含され、例えば、金属製電極等の、公知の電極であってよく、特に限定されない。
　電極２１の厚さは、例えば、１０～５０００μｍであってもよい。

　半導体素子３１は、前記第２部品に包含され、例えば、シリコン、シリコンカーバイド又は窒化ガリウム等の半導体を構成材料とする素子等の、公知の素子であってよい。
　半導体素子３１の厚さは、例えば、５０～８００μｍであってもよい。

　接合部１１は導電性であり、その詳細は、先に説明したとおりである。
　接合部１１の厚さは、例えば、１０～２００μｍであってもよい。

　接合体１０２における、電極２１と半導体素子３１との、接合部１１を介した接合形態は、接合体１０１における、第１部品２と第２部品３との、接合部１を介した接合形態と、同様であってよい。

◇接合体の製造方法
　前記接合体は、例えば、前記第１部品と、前記第２部品と、のいずれか一方又は両方の表面に付着している前記焼結材を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、前記焼結材の加熱物を得る工程（本明細書においては、「予備加熱工程」と称することがある）と、大気下において、前記加熱物を介在させて、前記第１部品と前記第２部品とを接触させながら、前記加熱物を焼成することにより、前記第１部品と前記第２部品とを、前記加熱物から形成された金属焼結体によって接合する工程（本明細書においては、「接合工程」と称することがある）と、を有する製造方法により、製造できる。
　すなわち、本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法において、前記接合体は、導電性の第１部品と、導電性の第２部品とが、接合部を介して接合されて構成され、前記接合部が金属焼結体であり、前記製造方法は、前記第１部品と、前記第２部品と、のいずれか一方又は両方の表面に付着している焼結材を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、前記焼結材の加熱物を得る工程と、大気下において、前記加熱物を介在させて、前記第１部品と前記第２部品とを接触させながら、前記加熱物を焼成することにより、前記第１部品と前記第２部品とを、前記加熱物から形成された前記金属焼結体によって接合する工程と、を有し、前記焼結材が、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有し、前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径（Ｄ５０）が、１μｍ以上である。

　第１部品と、第２部品と、のいずれか一方又は両方の表面に、銀含有組成物を付着させる方法は、先に説明した、前記焼結材を目的とする箇所に付着させる方法、と同じである。

　本実施形態の製造方法において、前記予備加熱工程を行う理由は、前記金属焼結体（すなわち接合部）の接合強度が顕著に増大するためである。
　予備加熱工程においては、加熱中の焼結材を介在させて、第１部品と第２部品とが接触（一体化）した状態とはしない。

　予備加熱工程における焼結材の加熱温度（本明細書においては、「予備加熱温度」と略記することがある）は、例えば、６５℃以上、７０℃以上、及び７５℃以上のいずれかであってもよい。

　予備加熱工程における、焼結材の加熱温度（予備加熱温度）の上限値は、特に限定されない。例えば、焼結材の固化を容易に回避できる点では、前記加熱温度は、１２０℃以下であることが好ましい。

　予備加熱工程における、焼結材を６０℃以上の温度で固化させずに加熱する時間（本明細書においては、「予備加熱時間」と略記することがある）は、０．１～３０分であることが好ましく、例えば、０．５～１０分、１．５～１０分、及び３～１０分のいずれかであってもよい。予備加熱時間がこのような範囲であることで、目的とする加熱物をより効率的に製造できる。

　予備加熱工程で得られた前記加熱物は、典型的には、銀に特有の光沢を有しておらず、このような外見上の特徴からも、前記加熱物は、目的とする金属焼結体との区別が可能である。

　前記接合工程における、前記加熱物の焼成時の昇温速度は、例えば、先に説明した、前記金属焼結体の製造時における、前記焼結材の加熱時の昇温速度と、同様であってよい。

　接合工程における、前記加熱物の焼成時の焼成温度（銀粒子同士の焼結温度）は、例えば、先に説明した、前記金属焼結体の製造時における、前記焼結材の焼成温度（焼結材を焼結させる温度）と、同様であってよい。

　本実施形態においては、接合工程における、前記加熱物の焼成時の焼成時間（銀粒子同士の焼結時間）と、前記予備加熱時間と、の合計時間は、例えば、先に説明した、前記金属焼結体の製造時における、前記焼結材の焼成時間（焼結材を焼結させる時間）と、同様であってよい。

　接合工程においては、先に説明した金属焼結体の製造方法の場合と同様に、前記焼結材の加熱物の焼成（銀粒子同士の焼結）は、大気下において、接合対象である導電性部品と前記加熱物との積層物に対して、高い圧力を加えることなく行うことができる。このように高い圧力を加えることなく焼成（焼結）することで、第１部品及び第２部品に高い圧力が加わることがなく、第１部品及び第２部品の意図しない破損を抑制できる。

　図３Ａ～図３Ｄは、本実施形態の製造方法の一例を模式的に説明するための断面図である。
　図３Ａ以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
　図３Ａ～図３Ｄにおいては、前記第１部品の表面のみに、前記焼結材を付着させて、前記予備加熱工程を行うことで、図１に示す接合体１０１を製造する場合について、示している。

　すなわち、この場合には、前記予備加熱工程において、図３Ａに示すように、導電性の第１部品２の一方の表面２ａに付着している焼結材１０を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、図３Ｂに示すように、焼結材の加熱物１００を得る。
　次いで、前記接合工程において、図３Ｃに示すように、大気下において、加熱物１００を介在させて、第１部品２と第２部品３とを接触させながら、加熱物１００を焼成する。このとき、第１部品２と、第２部品３と、加熱物１００と、の積層物に対して加える圧力は、第１部品２側から加える圧力Ｐ_１と、第２部品３側から加える圧力Ｐ_２と、のいずれか一方又は両方とすることができるが、いずれの場合であっても、先の説明のとおり、前記積層物に対して高い圧力を加えなくても、第１部品２と第２部品３を十分な強度で接合できる。そして、このように加熱物１００を焼成することにより、図３Ｄに示すように、第１部品２と第２部品３とを、加熱物１００から形成された接合部（金属焼結体）１によって接合する。
　以上により、図１に示す接合体１０１が得られる。

　図４Ａ～図４Ｄは、本実施形態の製造方法の他の例を模式的に説明するための断面図である。
　図４Ａ～図４Ｄにおいては、前記第２部品の表面のみに、前記焼結材を付着させて、前記予備加熱工程を行うことで、図１に示す接合体１０１と同様の構成の接合体１０３を製造する場合について、示している。

　すなわち、この場合には、前記予備加熱工程において、図４Ａに示すように、導電性の第２部品３の一方の表面３ａに付着している焼結材１０を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、図４Ｂに示すように、焼結材の加熱物１００を得る。
　次いで、前記接合工程において、図４Ｃに示すように、大気下において、加熱物１００を介在させて、第１部品２と第２部品３とを接触させながら、加熱物１００を焼成する。このとき、第１部品２と、第２部品３と、加熱物１００と、の積層物に対して加える圧力は、第１部品２側から加える圧力Ｐ_１と、第２部品３側から加える圧力Ｐ_２と、のいずれか一方又は両方とすることができるが、いずれの場合であっても、先の説明のとおり、前記積層物に対して高い圧力を加えなくても、第１部品２と第２部品３を十分な強度で接合できる。そして、このように加熱物１００を焼成することにより、図４Ｄに示すように、第１部品２と第２部品３とを、加熱物１００から形成された接合部（金属焼結体）１によって接合する。
　以上により、接合体１０３が得られる。接合体１０３は、接合部（金属焼結体）１の大きさが異なる点を除けば、図１に示す接合体１０１と同じである。

　図５Ａ～図５Ｄは、本実施形態の製造方法のさらに他の例を模式的に説明するための断面図である。
　図５Ａ～図５Ｄにおいては、第１部品と第２部品の両方の表面に、前記焼結材を付着させて、前記予備加熱工程を行うことで、図１に示す接合体１０１と同様の構成の接合体１０４を製造する場合について、示している。

　すなわち、この場合には、前記予備加熱工程において、図５Ａに示すように、導電性の第１部品２の一方の表面２ａに付着している第１焼結材１１０と、導電性の第２部品３の一方の表面３ａに付着している第２焼結材１２０を、それぞれ６０℃以上の温度で固化させずに加熱する。これにより、図５Ｂに示すように、第１焼結材１１０からその加熱物である第１加熱物１１００を得て、第２焼結材１２０からその加熱物である第２加熱物１２００を得る。第１焼結材１１０と第２焼結材１２０は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　次いで、前記接合工程において、図５Ｃに示すように、第１加熱物１１００と第２加熱物１２００を接触させ、大気下において、第１加熱物１１００と第２加熱物１２００を介在させて、第１部品２と第２部品３とを接触させながら、第１加熱物１１００と第２加熱物１２００を焼成する。このとき、第１部品２と、第２部品３と、第１加熱物１１００と、第２加熱物１２００と、の積層物に対して加える圧力は、第１部品２側から加える圧力Ｐ_１と、第２部品３側から加える圧力Ｐ_２と、のいずれか一方又は両方とすることができる。そして、いずれの場合であっても、先の説明のとおり、前記積層物に対して高い圧力を加えなくても、第１部品２と第２部品３を十分な強度で接合できる。そして、このように第１加熱物１１００と第２加熱物１２００を焼成することにより、図５Ｄに示すように、第１部品２と第２部品３とを、第１加熱物１１００と第２加熱物１２００から形成された接合部（金属焼結体）１２によって接合する。接合部１２は、ここに示すように、第１加熱物１１００から形成された第１接合部（第１金属焼結体）１２１と、第２加熱物１２００から形成された第２接合部（第２金属焼結体）１２２と、の２層構造として認識できることもあるし、このような２層構造として認識できずに、図４Ｄに示すような単層構造として認識できることもある。
　以上により、図４Ｄに示すものと同様の接合体１０４が得られる。

＜半導体装置の製造方法＞
　前記接合体のうち、前記半導体装置は、上述の接合体の製造方法において、第１部品として電極を用い、第２部品として半導体素子を用いることにより、製造できる。

◇接合体
　本発明の一実施形態に係る接合体は、導電性の第１部品と、導電性の第２部品とが、接合部を介して接合されて構成され、前記接合部が金属焼結体であり、前記金属焼結体は、銀焼結層を有し、前記銀焼結層は銅粒子を含有し、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上であり、前記第１部品と、前記第２部品と、の両方の接合面の面積が、６２５ｍｍ^２以上であり、前記第１部品と前記第２部品が、銅製、銀製、アルミニウム製、金製又はニッケル製であり、前記接合体を、前記第１部品と、前記第２部品と、前記接合部とを含む、大きさが５ｍｍ×５ｍｍの小片に切断し、前記小片について、ＪＩＳ　Ｃ６２１３７－１－２：２０１０に準拠して、横押しせん断強度試験を行ったとき、前記小片の横押しせん断強度が１８ＭＰａ以上である（本明細書においては、この接合体を「接合体（Ｚ）」と称することがある）。

　本実施形態の接合体（接合体（Ｚ））は、上述の本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法で製造可能な接合体のうち、第１部品と、第２部品と、の両方の接合面の面積が、６２５ｍｍ^２以上に限定され、かつ、第１部品と第２部品が、銅製、銀製、アルミニウム製、金製又はニッケル製の部品に限定され、かつ、本実施形態の接合体（接合体（Ｚ））から切り出された前記小片の横押しせん断強度（ダイシェア強度）が１８ＭＰａ以上に変更された接合体である。すなわち、前記接合体（Ｚ）は、これらが変更されていない点を除けば、上述の本発明の一実施形態に係る接合体の製造方法で製造可能な接合体と同じである。
　例えば、前記接合体（Ｚ）においては、前記銅粒子は、その表面に酸化層を有しないことが好ましい。
　前記小片は、先に説明した本発明の一実施形態に係る接合体でもある。

　前記接合体（Ｚ）の場合に限らず、接合体における第１部品の接合面とは、第１部品の接合部側の面であり、接合体における第２部品の接合面とは、第２部品の接合部側の面である。

　前記接合体（Ｚ）において、第１部品と第２部品との組み合わせは、銅製部品同士の組み合わせ、銀製部品同士の組み合わせ、アルミニウム製部品同士の組み合わせ、金製部品同士の組み合わせ、ニッケル製部品同士の組み合わせ、銅製部品及び銀製部品の組み合わせ、銅製部品及びアルミニウム製部品の組み合わせ、銅製部品及び金製部品の組み合わせ、銅製部品及びニッケル製部品の組み合わせ、銀製部品及びアルミニウム製部品の組み合わせ、銀製部品及び金製部品の組み合わせ、銀製部品及びニッケル製部品の組み合わせ、アルミニウム製部品及び金製部品の組み合わせ、アルミニウム製部品及びニッケル製部品の組み合わせ、又は金製部品及びニッケル製部品の組み合わせである。

　前記小片を、その中の第１部品又は第２部品側の上方から見下ろして平面視したときの平面形状は、正方形であり、かつこの正方形の大きさは５ｍｍ×５ｍｍである。
　前記接合体（Ｚ）においては、作製可能な最大数の３０％以上の数の前記小片の前記ダイシェア強度（横押しせん断強度）が、１８ＭＰa以上であることが好ましく、作製可能な最大数の前記小片の前記ダイシェア強度が、１８ＭＰa以上であることがより好ましい。

　第１部品と、第２部品と、の両方の接合面の平面形状は、四角形であることが好ましく、正方形であってもよい。

　第１部品と、第２部品と、の両方の接合面の面積は、例えば、６７５ｍｍ^２以上、７２５ｍｍ^２以上、７８０ｍｍ^２以上、及び８４０ｍｍ^２以上のいずれかであってもよい。
　前記接合体（Ｚ）の製造がより容易である点では、前記接合面の面積は、例えば、１２２５ｍｍ^２以下であってもよい。
　前記接合面の面積は、例えば、６２５～１２２５ｍｍ^２、６７５～１２２５ｍｍ^２、７２５～１２２５ｍｍ^２、７８０ｍｍ^２～１２２５ｍｍ^２、及び８４０～１２２５ｍｍ^２のいずれかであってもよい。

　前記小片のダイシェア強度（横押しせん断強度）は、３０ＭＰａ以上、及び４０ＭＰａ以上のいずれかであってもよい。
　前記小片のダイシェア強度の上限値は、特に限定されない。金属焼結体をより容易に製造できる点では、前記小片のダイシェア強度は、６０ＭＰａ以下であることが好ましい。
　前記小片のダイシェア強度は、例えば、１８～６０ＭＰａ、３０～６０ＭＰａ、及び４０～６０ＭＰａのいずれかであってもよい。
　前記小片のダイシェア強度（横押しせん断強度）は、上述の試験用接合体のダイシェア強度（横押しせん断強度）の場合と同じ方法で測定できる。

　以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。

［実施例１］
＜＜焼結材の製造＞＞
＜銀含有組成物の製造＞
　ビーカー中に２－エチルヘキシルアミン（後述する２－メチルアセト酢酸銀に対して０．４倍モル量）を加え、ここへ、液温が４０℃以下となるように２－メチルアセト酢酸銀（５２．９ｇ）を加えて、得られたものを、メカニカルスターラーを回転させて、１５分撹拌した。
　次いで、得られた撹拌液に、液温が６０℃以下となるように、ギ酸（２－メチルアセト酢酸銀に対して０．６５倍モル量）を１０分かけて滴下し、得られたものを、さらに２６℃で１．５時間撹拌した。
　以上により、銀含有組成物（Ａ）を得た。
　得られた銀含有組成物（Ａ）をガスクロマトグラフィーにより分析した結果、銀含有組成物（Ａ）が２－エチルヘキシルアミン及びギ酸を含有していることを確認できた。また、銀含有組成物（Ａ）が銀粒子を含有していることも確認できた。銀含有組成物（Ａ）の総質量に対する、銀含有組成物（Ａ）中の２－メチルアセト酢酸銀に由来する銀の合計質量の割合は、６３質量％であった。

＜焼結材の製造＞
　常温下で、上記で得られた銀含有組成物（Ａ）（１０質量部）と、銅粒子（ａ）（福田金属箔粉工業社製、ＣＵ－ＨＷＱ　Ｇｒａｄｅ１．５μｍ、Ｄ５０：１～２μｍ、タップ密度：３～４ｇ／ｃｍ^３、球状）（１０質量部）と、を混合し、５分撹拌することで、焼結材を得た。

　上記で得られた焼結材を冷却し、凍結破断を行い、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、「Ｃｒｙｏ　ＦＩＣ－ＳＥＭ　ＦＥＩ,　Ｈｅｌｉｏｓ　ＮａｎｏＬａｂ６００」）を用いて、加速電圧１ｋＶ（反射電子像）の条件で、凍結破断物の破断面を観察した。そして、画像解析ソフト（「Ｉｍａｇｅ　Ｊ．」）を用いて、倍率１００００倍のＳＥＭ画像を画像処理することにより、銀粒子凝集体を識別した。その識別結果から、個々の銀粒子凝集体の最大径を測定した。銀粒子凝集体の観測数は、７００以上とした。ここで、「最大径」とは、銀粒子凝集体の識別像において、輪郭線上に位置する任意の２点を結ぶ線分の長さの最大値を意味する。その結果、前記最大径の平均値、すなわち、銀粒子の平均２次粒子径は、２９４ｎｍであった。

　透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）を用いて、前記凍結破断物の破断面を観察した結果、個々の銀粒子凝集体は、１次粒子径が２００ｎｍ以下の銀粒子で構成されていた。焼結材における、焼結材の総質量に対する、銀粒子の含有量の割合（銀粒子の濃度）は、３０質量％であった。

＜＜接合体（金属焼結体）の製造＞＞
　大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍで、厚さが０．８ｍｍの銅板と、大きさが３ｍｍ×３ｍｍで、厚さが０．８ｍｍの、平面形状が正方形の銅チップと、を準備した。
　前記銅板の一方の面上に、スクリーン印刷法によって、上記で得られた焼結材の、大きさが３ｍｍ×３ｍｍで、厚さが０．１ｍｍの印刷層を形成した。
　次いで、プログラムホットプレート（ＡＳ　ＯＮＥ社製）を用いて、大気下、無加圧下（常圧下）の条件で、８０℃で２分、前記印刷層の予備加熱を行った後、前記印刷層の加熱物（予備加熱物）上に、前記銅チップを載せた。このとき、これらを上方から見下ろして平面視した状態で、前記加熱物の中心と、銅チップの中心と、を一致させ、さらに、加熱物の外周と、銅チップの外周と、が平行となるように、銅チップを位置合わせした。

　次いで、大気下、得られた積層物に対して、その厚さ方向に１ＭＰａの圧力を加えながら、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を室温から１２０℃まで昇温し、そのまま１２０℃で５分保持し、さらに、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を１２０℃から１９０℃まで昇温し、そのまま１９０℃で５分保持し、さらに、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を１９０℃から２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持することにより、前記加熱物を焼成した。この間、室温から昇温して、２００℃での６０分の保持が終了するまで、積層物に対しては、上述の１ＭＰａの圧力を加え続けた。これにより、前記加熱物から、大きさが３ｍｍ×３ｍｍの金属焼結体を形成した。
　次いで、得られた焼成物を室温まで放冷した。
　以上により、銅板と銅チップが、金属焼結体からなる接合部によって接合されて構成された、接合体を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の評価＞＞
＜ダイシェア強度の測定＞
　上記で得られた接合体について、試験機（Ｄａｇｅ社製「ボンドテスター４０００」）を用いて、ＪＩＳ　Ｃ６２１３７－１－２：２０１０（横押しせん断強度試験、ＩＥＣ　６２１３７－１－２：２００７）に準拠して、ダイシェア強度を測定した。より具体的には、前記試験機のせん断ツールを用いて、前記接合体を破断させ、破断時の最大荷重を測定した。この測定値を、前記接合体での接合箇所の面積（すなわち、３ｍｍ×３ｍｍ）で除して、得られた値を前記接合体のダイシェア強度として採用した。そして、前記接合体のダイシェア強度が４０ＭＰａ以上である場合には「Ａ」と判定し、２０ＭＰａ以上４０ＭＰａ未満である場合には「Ｂ」と判定し、０ＭＰａ超２０ＭＰａ未満である場合には「Ｃ」と判定し、全く接合していない（ダイシェア強度が０ＭＰａである）場合には「Ｄ」と判定した。その結果を、ダイシェア強度の算出値と共に表１に示す。

　表１中、「焼成時圧力（ＭＰａ）」とは、前記積層物に対して加える圧力を意味する。また、「最終焼成温度」とは、前記加熱物の焼成時における、主たる焼成温度である、最終段階での焼成温度を意味する。また、「最終焼成時間」とは、前記加熱物の焼成時における、最終焼成温度での焼成時間を意味する。これらは、以降の実施例及び比較例でも同様である。

＜酸化層の有無の確認＞
　イオンミリング装置（日立ハイテク社製「ＩＭ４０００ＰＬＵＳ」）を用いて、上記で得られた３個の接合体において断面を作製し、ＳＥＭ－ＥＤＳ（走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）中で行うエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ））、及びＴＥＭ－ＥＤＳ（透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）中で行うエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ））により、前記断面を観察した。そして、接合部の内部の銅粒子の表面と、銅板の表面における、酸素（換言すると酸化層）の有無を確認した。結果を表１に示す。

　上記の断面を作製した３個の接合体において酸化層の有無を確認したときに、同時に、金属焼結体の厚さを測定し、その最小値及び最大値から厚さの範囲を求めたところ、１５～５０μｍであった。したがって、上記で得られた接合体において、金属焼結体の厚さは１５～５０μｍの範囲内にあると推察された。

＜＜焼結材の製造、接合体（金属焼結体）の製造、及び接合体（金属焼結体）の評価＞＞
［実施例２］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、２５０℃まで昇温し、そのまま２５０℃で６０分保持した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表１に示す。

［実施例３］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、３００℃まで昇温し、そのまま３００℃で６０分保持した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表１に示す。

［実施例４］
＜＜焼結材の製造＞＞
　実施例１の場合と同じ方法で、前記銀含有組成物（Ａ）を得た。
　常温下で、上記で得られた銀含有組成物（Ａ）（１０質量部）と、銅粒子（ａ）（福田金属箔粉工業社製、ＣＵ－ＨＷＱ　Ｇｒａｄｅ１．５μｍ、Ｄ５０：１～２μｍ、タップ密度：３～４ｇ／ｃｍ^３、球状）（１０質量部）と、ポリエチレングリコール３００（富士フイルム和光純薬社製、ＰＥＧ３００）（１質量部）と、を混合し、撹拌することで、焼結材を得た。

　実施例１の場合と同じ方法で、上記で得られた焼結材を冷却し、凍結破断を行い、凍結破断物の破断面を観察した結果、銀粒子の平均２次粒子径は、２９４ｎｍであり、個々の銀粒子凝集体は、１次粒子径が２００ｎｍ以下の銀粒子で構成されていた。焼結材における、焼結材の総質量に対する、銀粒子の含有量の割合（銀粒子の濃度）は、３０質量％であった。

＜＜接合体（金属焼結体）の製造及び評価＞＞
　上記で得られた焼結材を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、接合体（金属焼結体）を製造し、評価した。結果を表１に示す。

＜＜焼結材の製造、接合体（金属焼結体）の製造、及び接合体（金属焼結体）の評価＞＞
［実施例５］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、２５０℃まで昇温し、そのまま２５０℃で６０分保持した点以外は、実施例４の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表１に示す。

［実施例６］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、３００℃まで昇温し、そのまま３００℃で６０分保持した点以外は、実施例４の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表１に示す。

［実施例７］
＜＜焼結材の製造＞＞
　実施例１の場合と同じ方法で、前記銀含有組成物（Ａ）を得た。
　常温下で、上記で得られた銀含有組成物（Ａ）（１０質量部）と、銅粒子（ａ）（福田金属箔粉工業社製、ＣＵ－ＨＷＱ　Ｇｒａｄｅ１．５μｍ、Ｄ５０：１～２μｍ、タップ密度：３～４ｇ／ｃｍ^３、球状）（１０質量部）と、ポリエチレングリコール３００（富士フイルム和光純薬社製、ＰＥＧ３００）（１質量部）と、アスコルビン酸（富士フイルム和光純薬社製）（０．１質量部）と、を混合し、撹拌することで、焼結材を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の製造及び評価＞＞
　上記で得られた焼結材を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、接合体（金属焼結体）を製造し、評価した。結果を表２に示す。

＜＜焼結材の製造、接合体（金属焼結体）の製造、及び接合体（金属焼結体）の評価＞＞
［実施例８］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、２５０℃まで昇温し、そのまま２５０℃で６０分保持した点以外は、実施例７の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表２に示す。

［実施例９］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、３００℃まで昇温し、そのまま３００℃で６０分保持した点以外は、実施例７の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表２に示す。
　また、接合体の断面をＳＥＭ－ＥＤＳにより観察したときに取得した撮像データを、図６に示す。

［実施例１０］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、３５０℃まで昇温し、そのまま３５０℃で６０分保持した点以外は、実施例７の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表２に示す。

［実施例１１］
＜＜焼結材の製造＞＞
　実施例１の場合と同じ方法で、前記銀含有組成物（Ａ）を得た。
　常温下で、上記で得られた銀含有組成物（Ａ）（２０質量部）と、銅粒子（ｂ）（三井金属鉱業社製、ＭＡ－Ｃ０８ＪＦ、Ｄ５０：１２μｍ、タップ密度：３ｇ／ｃｍ^３、フレーク状）（１０質量部）と、ポリエチレングリコール３００（富士フイルム和光純薬社製、ＰＥＧ３００）（１質量部）と、アスコルビン酸（富士フイルム和光純薬社製）（０．１質量部）と、を混合し、撹拌することで、焼結材を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の製造＞＞
　大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍで、厚さが０．８ｍｍの銅板と、大きさが３ｍｍ×３ｍｍで、厚さが０．５ｍｍの、平面形状が正方形のシリコンチップと、を準備した。
　シリコンチップの接合面となる表面に、厚さ１００ｎｍのチタン層と、厚さ１μｍの銀層と、をシリコンチップ側からこの順に、スパッタリング法によって形成した。
　前記銅板の一方の面上に、スクリーン印刷法によって、上記で得られた焼結材の、大きさが３ｍｍ×３ｍｍで、厚さが０．１ｍｍの印刷層を形成した。
　次いで、プログラムホットプレート（ＡＳ　ＯＮＥ社製）を用いて、大気下、無加圧下（常圧下）の条件で、８０℃で２分、前記印刷層の予備加熱を行った後、前記印刷層の加熱物（予備加熱物）上に、前記シリコンチップを載せた。このとき、シリコンチップが備えている前記銀層を、前記印刷層の加熱物（予備加熱物）に接触させた。また、これら（シリコンチップ及び前記加熱物）を上方から見下ろして平面視した状態で、前記加熱物の中心と、シリコンチップの中心と、を一致させ、さらに、加熱物の外周と、シリコンチップの外周と、が平行となるように、シリコンチップを位置合わせした。

　次いで、大気下、得られた積層物に対して、その厚さ方向に２ＭＰａの圧力を加えながら、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を室温から１２０℃まで昇温し、そのまま１２０℃で５分保持し、さらに、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を１２０℃から１９０℃まで昇温し、そのまま１９０℃で５分保持し、さらに、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を１９０℃から３００℃まで昇温し、そのまま３００℃で６０分保持することにより、前記加熱物を焼成した。この間、室温から昇温して、３００℃での６０分の保持が終了するまで、積層物に対しては、上述の２ＭＰａの圧力を加え続けた。これにより、前記加熱物から、大きさが３ｍｍ×３ｍｍの金属焼結体を形成した。
　次いで、得られた焼成物を室温まで放冷した。
　以上により、銅板と、チタン層及び銀層を備えたシリコンチップとが、金属焼結体からなる接合部によって接合されて構成された、接合体を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の評価＞＞
　上記で得られた接合体（金属焼結体）を、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表２に示す。
　また、接合体の断面をＳＥＭ－ＥＤＳにより観察したときに取得した撮像データを、図７に示す。

［実施例１２］
＜＜焼結材の製造＞＞
　実施例１１の場合と同じ方法で、焼結材を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の製造＞＞
　前記印刷層の予備加熱を、８０℃で２分行うのに代えて、８０℃で１分行った点以外は、実施例１１の場合と同じ方法で、銅板と、前記印刷層の加熱物（予備加熱物）と、チタン層及び銀層を備えたシリコンチップと、の積層物を得た。
　次いで、大気下、得られた積層物に対して、その厚さ方向に２ＭＰａの圧力を加えながら、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を室温から１２０℃まで昇温し、そのまま１２０℃で５分保持し、さらに、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を１２０℃から１８０℃まで昇温し、そのまま１８０℃で６０分保持することにより、前記加熱物を焼成した。この間、室温から昇温して、１８０℃での６０分の保持が終了するまで、積層物に対しては、上述の２ＭＰａの圧力を加え続けた。これにより、前記加熱物から、大きさが３ｍｍ×３ｍｍの金属焼結体を形成した。
　次いで、得られた焼成物を室温まで放冷した。
　以上により、銅板と、チタン層及び銀層を備えたシリコンチップとが、金属焼結体からなる接合部によって接合されて構成された、接合体を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の評価＞＞
　上記で得られた接合体（金属焼結体）を、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表３に示す。

［実施例１３］
＜＜焼結材の製造＞＞
　実施例１１の場合と同じ方法で、焼結材を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の製造＞＞
　前記印刷層の予備加熱を、８０℃で２分行うのに代えて、８０℃で１分行った点以外は、実施例１１の場合と同じ方法で、銅板と、前記印刷層の加熱物（予備加熱物）と、チタン層及び銀層を備えたシリコンチップと、の積層物を得た。
　次いで、大気下、得られた積層物に対して、その厚さ方向に２ＭＰａの圧力を加えながら、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を室温から１２０℃まで昇温し、そのまま１２０℃で５分保持し、さらに、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を１２０℃から１９０℃まで昇温し、そのまま１９０℃で５分保持し、さらに、昇温速度５℃／ｍｉｎで積層物を１９０℃から２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持することにより、前記加熱物を焼成した。この間、室温から昇温して、２００℃での６０分の保持が終了するまで、積層物に対しては、上述の２ＭＰａの圧力を加え続けた。これにより、前記加熱物から、大きさが３ｍｍ×３ｍｍの金属焼結体を形成した。
　次いで、得られた焼成物を室温まで放冷した。
　以上により、銅板と銅チップが、金属焼結体からなる接合部によって接合されて構成された、接合体を得た。

＜＜焼結材の製造、接合体（金属焼結体）の製造、及び接合体（金属焼結体）の評価＞＞
［実施例１４］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、２５０℃まで昇温し、そのまま２５０℃で６０分保持した点以外は、実施例１３の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表３に示す。

［実施例１５］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、２８０℃まで昇温し、そのまま２８０℃で６０分保持した点以外は、実施例１３の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表３に示す。

［実施例１６］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、３００℃まで昇温し、そのまま３００℃で６０分保持した点以外は、実施例１３の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表３に示す。

［実施例１７］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、３５０℃まで昇温し、そのまま３５０℃で６０分保持した点以外は、実施例１３の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表３に示す。

［実施例１８］
＜＜焼結材の製造＞＞
　実施例１１の場合と同じ方法で、焼結材を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の製造＞＞
　大きさが５０ｍｍ×５０ｍｍで、厚さが０．８ｍｍの第１銅板を準備した。また、ＤＢＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｂｏｎｄｅｄ　Ｃｏｐｐｅｒ）基板として、大きさが３２ｍｍ×３２ｍｍで、厚さが０．６３ｍｍの、平面形状が正方形の酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）板と、その両面に設けられた、大きさが３０ｍｍ×３０ｍｍで、厚さが０．３ｍｍの、平面形状が正方形の第２銅板と、を備え、これら酸化アルミニウム板と第２銅板を、これらの上方から見下ろして平面視した状態で、酸化アルミニウム板の中心と、２枚の第２銅板の中心と、が一致し、さらに、酸化アルミニウム板の外周と、２枚の第２銅板の外周と、が平行となるように、酸化アルミニウム板と、２枚の第２銅板と、が位置合わせされたものを準備した。
　前記第１銅板の一方の面上に、スクリーン印刷法によって、上記で得られた焼結材の、大きさが３０ｍｍ×３０ｍｍで、厚さが０．１ｍｍの印刷層を形成した。
　次いで、プログラムホットプレート（ＡＳ　ＯＮＥ社製）を用いて、大気下、無加圧下（常圧下）の条件で、８０℃で１分、前記印刷層の予備加熱を行った後、前記印刷層の加熱物（予備加熱物）上に、前記ＤＢＣ基板を載せた。このとき、ＤＢＣ基板中の一方の第２銅板を、前記印刷層の加熱物（予備加熱物）に接触させた。また、これら（ＤＢＣ基板及び前記加熱物）を上方から見下ろして平面視した状態で、前記加熱物の中心と、ＤＢＣ基板の中心と、を一致させ、さらに、加熱物の外周と、ＤＢＣ基板の外周と、が平行となるように、ＤＢＣ基板を位置合わせした。

　次いで、大気下、得られた積層物に対して、その厚さ方向に５ＭＰａの圧力を加えながら、昇温速度１０℃／ｍｉｎで積層物を室温から８０℃まで昇温し、そのまま８０℃で２０分保持し、さらに、昇温速度１０℃／ｍｉｎで積層物を８０℃から１２０℃まで昇温し、そのまま１２０℃で２０分保持し、さらに、昇温速度１０℃／ｍｉｎで積層物を１２０℃から１９０℃まで昇温し、そのまま１９０℃で２０分保持し、さらに、昇温速度１０℃／ｍｉｎで積層物を１９０℃から３００℃まで昇温し、そのまま３００℃で９０分保持することにより、前記加熱物を焼成した。この間、室温から昇温して、３００℃での９０分の保持が終了するまで、積層物に対しては、上述の５ＭＰａの圧力を加え続けた。これにより、前記加熱物から、大きさが３０ｍｍ×３０ｍｍの金属焼結体を形成した。
　次いで、得られた焼成物を室温まで放冷した。
　以上により、第１銅板と、ＤＢＣ基板とが、金属焼結体からなる接合部によって接合されて構成された、接合体を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の評価＞＞
＜ダイシェア強度の測定＞
　上記で得られた接合体を、大きさが５ｍｍ×５ｍｍの、平面形状が正方形の、３６枚の小片に切断した。
　これら３６枚の小片から、無作為に１４枚の小片を選別し、これら１４枚の小片（接合体）について、実施例１における接合体の場合と同じ方法で、ダイシェア強度を算出し、それらの平均値を前記接合体のダイシェア強度として採用した。結果を表４に示す。

［比較例１］
＜＜焼結材の製造＞＞
　常温下で、銅粒子（ａ）（福田金属箔粉工業社製、ＣＵ－ＨＷＱＧｒａｄｅ１．５μｍ、Ｄ５０：１～２μｍ、タップ密度：３～４ｇ／ｃｍ^３、球状）（１０質量部）と、ポリエチレングリコール３００（富士フイルム和光純薬社製、ＰＥＧ３００）（１質量部）と、アスコルビン酸（富士フイルム和光純薬社製）（０．１質量部）と、を混合し、撹拌することで、焼結材を得た。

＜＜接合体（金属焼結体）の製造及び評価＞＞
　上記で得られた焼結材を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、接合体（金属焼結体）を製造し、評価した。結果を表４に示す。

＜＜焼結材の製造、接合体（金属焼結体）の製造、及び接合体（金属焼結体）の評価＞＞
［比較例２］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、２５０℃まで昇温し、そのまま２５０℃で６０分保持した点以外は、比較例１の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表４に示す。

［比較例３］
　金属焼結体の形成時に、前記積層物を最後に２００℃まで昇温し、そのまま２００℃で６０分保持するのに代えて、３００℃まで昇温し、そのまま３００℃で６０分保持した点以外は、比較例１の場合と同じ方法で、焼結材及び接合体（金属焼結体）を製造し、接合体（金属焼結体）を評価した。結果を表４に示す。

　上記結果から明らかなように、実施例１～１８においては、銅粒子を含有する焼結材を用いて、大気下において、高圧での加圧を必要とせずに、十分な接合強度で接合体を製造できた。
　実施例１～１８においては、焼結材が、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有しており、銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、銅粒子のＤ５０が１～１２μｍであった。

　実施例２～３と実施例５～６との比較から、焼結材が前記液状成分を含有していることで、接合体の接合強度（ダイシェア強度）が増大することを確認できた。ただし、実施例１～３と実施例４～６から、最終焼成温度が高いほど、接合部の内部の銅粒子の表面と、銅板の表面において、酸化層が形成され易い傾向にあることを確認できた。そして、実施例２と実施例５との比較から、前記液状成分（ＰＥＧ３００）を含有していることによって、接合部の内部の銅粒子の表面と、銅板の表面において、酸化層が形成され易い傾向にあることを確認できた。

　実施例５～６と実施例８～９との比較から、焼結材が前記抗酸化性化合物を含有していることで、接合体の接合強度を低下させることなく、接合部の内部の銅粒子の表面と、銅板の表面において、酸化層の形成を抑制できることを確認できた。さらに、実施例１１と、実施例１５～１６の結果からも、最終焼成温度が高い場合であっても、焼結材が前記抗酸化性化合物を含有していることで、接合体の接合強度を低下させることなく、接合部の内部の銅粒子の表面と、銅板の表面において、酸化層の形成を抑制できることを確認できた。

　実施例７～１０の比較と、実施例１２～１７の比較から、最終焼成温度が高い方が、接合体の接合強度が増大するが、最終接合温度が高過ぎると、接合体の接合強度が低下する傾向にあることを確認できた。

　実施例１６と実施例１８の結果から、金属製部材の接合面が広くなっても、銅粒子を含有する焼結材を用いて、大気下において、高圧での加圧を必要とせずに、十分な接合強度で接合体を製造できることを確認できた。
　なお、実施例１８においては、１４枚のすべての小片の前記ダイシェア強度が、１８ＭＰa以上であった。

　図６より、実施例９で得られた接合体においては、接合部の内部の銅粒子は、粒子状のまま存在していること、銀粒子同士は互いに融着しており、この融着した状態の銀粒子が銅粒子の表面を被覆し、さらに銅板の表面と直接接触していること、を確認できた。図６中、銅粒子は黒色の粒子として確認でき、融着した状態の銀粒子は、銅粒子を囲む白色の領域として確認できた。

　図７からも、同様の結果を確認できた。すなわち、実施例１１で得られた接合体においても、接合部の内部の銅粒子は、粒子状のまま存在し、銀粒子同士は互いに融着しており、この融着した状態の銀粒子が銅粒子の表面を被覆し、さらに銅板の表面と直接接触していた。図７中、銅粒子は薄灰色の粒子として確認でき、融着した状態の銀粒子は、銅粒子を囲む白色の領域として確認できた。

　これに対して、比較例１～３においては、銅粒子を含有する焼結材を用いて、大気下において、高圧での加圧を必要とせずに、十分な接合強度で接合体を製造できなかった。
　比較例１～３においては、焼結材が、銀粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、をいずれも含有していなかった。

　本発明は、導電性接合体、特に、半導体装置として利用可能である。

　１，１１，１２・・・接合部（金属焼結体）、１２１・・・第１接合部（第１金属焼結体）、１２２・・・第２接合部（第２金属焼結体）、
　１０・・・焼結材、１１０・・・第１焼結材、１２０・・・第２焼結材、
　１００・・・焼結材の加熱物、１１００・・・第１焼結材の加熱物（第１加熱物）、１２００・・・第２焼結材の加熱物（第２加熱物）、
　２・・・導電性の第１部品、２ａ・・・導電性の第１部品の一方の表面、
　２０・・・基板、２１・・・電極、
　３・・・導電性の第２部品、３ａ・・・導電性の第２部品の一方の表面、
　３１・・・半導体素子、
　１０１，１０３，１０４・・・接合体、１０２・・・半導体装置

Claims

　焼結材であって、
　前記焼結材は、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有し、
　前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、
　レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上である、焼結材。
　前記焼結材が、さらに、常温下で液状の液状成分を含有し、
　前記液状成分が、エーテル結合及び水酸基のいずれか一方又は両方を有する、請求項１に記載の焼結材。
　前記焼結材が、さらに、沸点が１５０℃以上の抗酸化性化合物を含有する、請求項１又は２に記載の焼結材。
　金属焼結体であって、
　前記金属焼結体は、銀焼結層を有し、
　前記銀焼結層は銅粒子を含有し、
　レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上であり、
　前記銅粒子は、その表面に酸化層を有しない、金属焼結体。
　金属製部材同士が前記金属焼結体によって接合された金属接合体について、ＪＩＳ　Ｃ６２１３７－１－２：２０１０に準拠して、横押しせん断強度試験を行ったとき、前記金属接合体の横押しせん断強度が２０ＭＰａ以上である、請求項４に記載の金属焼結体。
　焼結材の製造方法であって、
　前記製造方法は、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、含窒素化合物と、還元剤と、を配合して銀含有組成物を調製する工程と、前記銀含有組成物と、銅粒子と、を配合する工程と、を有し、
　レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上である、焼結材の製造方法。
　接合体の製造方法であって、
　前記接合体は、導電性の第１部品と、導電性の第２部品とが、接合部を介して接合されて構成され、前記接合部が金属焼結体であり、
　前記製造方法は、前記第１部品と、前記第２部品と、のいずれか一方又は両方の表面に付着している焼結材を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、前記焼結材の加熱物を得る工程と、大気下において、前記加熱物を介在させて、前記第１部品と前記第２部品とを接触させながら、前記加熱物を焼成することにより、前記第１部品と前記第２部品とを、前記加熱物から形成された前記金属焼結体によって接合する工程と、を有し、
　前記焼結材が、銀粒子と、銅粒子と、含窒素化合物と、還元剤と、を含有し、
　前記銀粒子の１次粒子径が２００ｎｍ以下であり、
　レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上である、接合体の製造方法。
　接合体であって、
　前記接合体は、導電性の第１部品と、導電性の第２部品とが、接合部を介して接合されて構成され、前記接合部が金属焼結体であり、
　前記金属焼結体は、銀焼結層を有し、
　前記銀焼結層は銅粒子を含有し、
　レーザー回折／散乱式粒子径分布測定によって測定された、前記銅粒子の体積基準での５０％累積時の粒子径が、１μｍ以上であり、
　前記第１部品と、前記第２部品と、の両方の接合面の面積が、６２５ｍｍ^２以上であり、
　前記第１部品と前記第２部品が、銅製、銀製、アルミニウム製、金製又はニッケル製であり、
　前記接合体を、前記第１部品と、前記第２部品と、前記接合部とを含む、大きさが５ｍｍ×５ｍｍの小片に切断し、前記小片について、ＪＩＳ　Ｃ６２１３７－１－２：２０１０に準拠して、横押しせん断強度試験を行ったとき、前記小片の横押しせん断強度が１８ＭＰａ以上である、接合体。