WO2022270330A1

WO2022270330A1 - 高周波モジュール及び通信装置

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Publication number: WO2022270330A1
Application number: PCT/JP2022/023412
Authority: WO
Inventors: 真一郎 ▲高▼柳; 輝道喜多; 貴紀伊藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2021-06-25
Filing date: 2022-06-10
Publication date: 2022-12-29
Anticipated expiration: 2023-12-25
Also published as: US20240106413A1

Abstract

フィルタの特性の低下を低減する。高周波モジュール（５００）では、フィルタは、第１基板と、第１基板上に設けられており、アンテナ端共振子（１４Ａ）の一部を構成する第１機能電極（１１）と、第１基板とは別個の第２基板と、第２基板上に設けられており、複数の弾性波共振子のうちアンテナ端共振子（１４Ａ）以外の少なくとも１つの弾性波共振子の一部を構成する第２機能電極と、を含む。第１基板と第１機能電極（１１）とを含む第１電子部品（Ｅ１）が、実装基板（１１０）の第１主面（１１１）に配置されている。インダクタ（４）は、実装基板（１１０）の厚さ方向からの平面視で第１電子部品（Ｅ１）に隣接している。インダクタ（４）は、巻回部の巻回軸（Ａ４）の方向からの側面視で、アンテナ端共振子（１４Ａ）と重ならない。

Description

高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、実装基板を備える高周波モジュール、及び、それを備える通信装置に関する。

　特許文献１には、第１主面及び第２主面を有する基板（実装基板）と、上記基板の第１主面に配置されているフィルタと、上記基板の第１主面に配置されており、上記フィルタと隣り合っているインダクタと、を備えるフロントエンドモジュールが開示されている。

国際公開第２０１９／０６５５６９号

　従来の高周波モジュールでは、インダクタで発生する磁界の影響でフィルタの特性が低下してしまうことがある。

　本発明の目的は、フィルタの特性の低下を低減することが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、アンテナ端子と、フィルタと、インダクタと、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記アンテナ端子は、前記実装基板に配置されている。前記フィルタは、前記アンテナ端子に接続されている。前記インダクタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記インダクタは、巻回部を含む。前記フィルタは、複数の弾性波共振子を有する。前記複数の弾性波共振子は、前記アンテナ端子に接続された信号経路に設けられている複数の直列腕共振子と、前記信号経路とグランドとの間に接続されている複数の並列腕共振子と、を含む。前記複数の直列腕共振子のうち前記アンテナ端子に最も近い直列腕共振子、及び、前記複数の並列腕共振子のうち前記アンテナ端子に最も近い並列腕共振子の少なくとも１つをアンテナ端共振子とした場合に、前記フィルタは、第１基板と、前記第１基板上に設けられており、前記アンテナ端共振子の一部を構成する第１機能電極と、前記第１基板とは別個の第２基板と、前記第２基板上に設けられており、前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子の一部を構成する第２機能電極と、を含む。前記第１基板と前記第１機能電極とを含む第１電子部品が、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記第２基板と前記第２機能電極とを含む第２電子部品が、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記アンテナ端子と前記第１電子部品との距離は、前記アンテナ端子と前記第２電子部品との距離よりも短い。前記インダクタは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記第１電子部品に隣接している。前記インダクタは、前記巻回部の巻回軸の方向からの側面視で、前記アンテナ端共振子と重ならない。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、アンテナ端子と、フィルタと、インダクタと、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記アンテナ端子は、前記実装基板に配置されている。前記フィルタは、前記アンテナ端子に接続されている。前記インダクタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記インダクタは、巻回部を含む。前記フィルタは、複数の弾性波共振子を有する。前記複数の弾性波共振子は、前記アンテナ端子に接続された信号経路に設けられている複数の直列腕共振子と、前記信号経路とグランドとの間に接続されている複数の並列腕共振子と、を含む。前記複数の直列腕共振子のうち前記アンテナ端子に最も近い直列腕共振子、及び、前記複数の並列腕共振子のうち前記アンテナ端子に最も近い並列腕共振子の少なくとも１つをアンテナ端共振子とした場合に、前記フィルタは、第１基板と、前記第１基板上に設けられており、前記アンテナ端共振子の一部を構成する第１機能電極と、前記第１基板とは別個の第２基板と、前記第２基板上に設けられており、前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子の一部を構成する第２機能電極と、を含む。前記第１基板と前記第１機能電極とを含む第１電子部品が、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記第２基板と前記第２機能電極とを含む第２電子部品が、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記アンテナ端子と前記第１電子部品との距離は、前記アンテナ端子と前記第２電子部品との距離よりも短い。前記インダクタは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記第１電子部品に隣接している。前記インダクタは、前記第１電子部品側とは反対側からの側面視で、前記インダクタにおける前記巻回部の内側部分に前記アンテナ端共振子が重ならない。

　本発明の一態様に係る通信装置は、上記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。

　本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置は、フィルタの特性の低下を低減することが可能となる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの平面図である。図２は、同上の高周波モジュールを示し、図１のＸ－Ｘ線断面図である。図３Ａは、同上の高周波モジュールにおけるフィルタ（第１フィルタ）の回路図である。図３Ｂは、同上の高周波モジュールにおける第２フィルタの回路図である。図４は、同上の高周波モジュールにおける第１機能電極を示す平面図である。図５は、同上の高周波モジュールにおける第１電子部品の断面図である。図６は、同上の高周波モジュールにおける第２電子部品の断面図である。図７は、同上の高周波モジュールにおけるインダクタの斜視図である。図８は、同上の高周波モジュールにおけるインダクタの断面図である。図９は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。図１０は、同上の高周波モジュールにおける第１機能電極の他の例を示す平面図である。図１１は、同上の高周波モジュールにおける第１機能電極の別の例を示す平面図である。図１２は、同上の高周波モジュールにおけるフィルタの一例を示す回路図である。図１３は、同上の高周波モジュールにおけるフィルタの一例を示す回路図である。図１４は、同上の高周波モジュールにおけるフィルタの一例を示す回路図である。図１５は、同上の高周波モジュールにおけるフィルタの一例を示す回路図である。図１６は、同上の高周波モジュールにおけるフィルタの一例を示す回路図である。図１７は、同上の高周波モジュールにおけるフィルタの一例を示す回路図である。図１８は、同上の高周波モジュールにおけるフィルタの一例を示す回路図である。図１９は、同上の高周波モジュールにおける第１電子部品の他の例１の断面図である。図２０は、同上の高周波モジュールにおける第２電子部品の他の例１の断面図である。図２１は、同上の高周波モジュールにおける第１電子部品の他の例２の断面図である。図２２は、同上の高周波モジュールにおける第２電子部品の他の例２の断面図である。図２３は、同上の高周波モジュールにおける第１電子部品の他の例３の断面図である。図２４は、同上の高周波モジュールにおける第２電子部品の他の例３の断面図である。図２５は、同上の高周波モジュールにおけるインダクタの他の例を示す斜視図である。図２６は、同上の高周波モジュールにおけるインダクタの他の例を示す断面図である。図２７は、実施形態２に係る高周波モジュールの他の例を示す平面図である。図２８は、実施形態３に係る高周波モジュールの他の例を示す平面図である。

　以下の実施形態１～３等において参照する各図は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール５００について、図１～１１に基づいて説明する。

　実施形態１に係る高周波モジュール５００は、例えば、図１及び２に示すように、実装基板１１０と、アンテナ端子Ｔ１（図２参照）と、フィルタ１（図３Ａ参照）と、インダクタ４と、を備える。実装基板１１０は、互いに対向する第１主面１１１及び第２主面１１２を有する。アンテナ端子Ｔ１は、実装基板１１０に配置されている。フィルタ１は、アンテナ端子Ｔ１に接続されている。「フィルタ１は、アンテナ端子Ｔ１に接続されている」とは、フィルタ１がアンテナ端子Ｔ１に直接的又は間接的かつ電気的に接続されていることを意味する。フィルタ１がアンテナ端子Ｔ１に間接的かつ電気的に接続されている例としては、フィルタ１が導体電極、導体端子、配線、又は他の回路部品等を介してアンテナ端子Ｔ１に電気的に接続されていることを含む。インダクタ４は、実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている。インダクタ４は、巻回部４１３（図７参照）を含む。フィルタ１は、複数の弾性波共振子１４（例えば、図３Ａ参照）を有する。複数の弾性波共振子１４は、アンテナ端子Ｔ１に接続された信号経路Ｒｕ１に設けられている複数（例えば、４つ）の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４と、信号経路Ｒｕ１とグランドとの間に接続されている複数（例えば、４つ）の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４と、を含む。複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４のうちアンテナ端子Ｔ１に最も近い直列腕共振子Ｓ１、及び、複数の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のうちアンテナ端子Ｔ１に最も近い並列腕共振子Ｐ１の少なくとも１つをアンテナ端共振子１４Ａとした場合に、フィルタ１は、アンテナ端共振子１４Ａを有する第１電子部品Ｅ１と、複数の弾性波共振子１４のうちアンテナ端共振子１４Ａ以外の弾性波共振子１４を有する第２電子部品Ｅ２と、を含む。「アンテナ端子Ｔ１に最も近い直列腕共振子Ｓ１」とは、他の直列腕共振子Ｓ２～Ｓ４を介さずにアンテナ端子Ｔ１に接続される直列腕共振子である。「アンテナ端子Ｔ１に最も近い並列腕共振子Ｐ１」は、直列腕共振子Ｓ１以外の直列腕共振子Ｓ２～Ｓ４を介さずにアンテナ端子Ｔ１に接続される並列腕共振子である。第１電子部品Ｅ１は、実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている。第２電子部品Ｅ２は、実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている。アンテナ端子Ｔ１と第１電子部品Ｅ１との距離は、アンテナ端子Ｔ１と第２電子部品Ｅ２との距離よりも短い。インダクタ４は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視で第１電子部品Ｅ１に隣接している。「インダクタ４は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１電子部品Ｅ１に隣接している」とは、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板１１０の第１主面１１１上において、インダクタ４と第１電子部品Ｅ１との間に他の電子部品がなく、インダクタ４と第１電子部品Ｅ１とが隣り合っていることを意味する。インダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４は、実装基板１１０の第１主面１１１に沿っている。言い換えれば、インダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１に直交している。「インダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１に直交している」とは、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１と巻回軸Ａ４とが厳密に直交する場合のみに限定されず、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１と巻回軸Ａ４とのなす角度が例えば８０°以上１００°以下の範囲内であればよい。巻回軸Ａ４は、巻回部４１３の仮想の中心軸である。インダクタ４は、巻回部４１３の巻回軸Ａ４の方向からの側面視で、アンテナ端共振子１４Ａと重ならない。「インダクタ４は、巻回部４１３の巻回軸Ａ４の方向からの側面視で、アンテナ端共振子１４Ａと重ならない」とは、インダクタ４を、巻回軸Ａ４に沿って正投影したときにインダクタ４がアンテナ端共振子１４Ａの第１機能電極１１と重ならず、かつ、基板１０のうち実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１において第１機能電極１１に重なる部分と重ならないことを意味する。

　高周波モジュール５００は、フィルタ１（以下、第１フィルタ１ともいう）の通過帯域である第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する第２フィルタ２（図３Ｂ参照）を更に備える。第２フィルタ２は、第１フィルタ１の複数の弾性波共振子１４である複数の第１弾性波共振子１４とは別の複数の第２弾性波共振子２４を有する。第１通過帯域は、第１通信バンドの周波数帯を含む。第２通過帯域は、第１通信バンドと同時通信可能な第２通信バンドの周波数帯を含む。「同時通信可能」とは、同時受信と、同時送信と、同時送受信と、の少なくとも１つが可能であることを意味する。高周波モジュール５００では、第１通信バンドと第２通信バンドとの組み合わせは、高周波モジュール５００において同時受信を行う組み合わせである。

　高周波モジュール５００は、図９に示すように、例えば、通信装置６００に用いられる。通信装置６００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール５００は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール５００は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。同時通信可能な第１通信バンドと第２通信バンドとの組み合わせは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格で定められている通信バンドの周波数帯及び５Ｇ　ＮＲ規格で定められている通信バンドの周波数帯のうち、互いの一部において重なる、又は全く重ならない複数の周波数帯の組み合わせである。周波数帯は、ダウンリンクの周波数帯又はアップリンクの周波数帯である。ダウンリンクの周波数帯は、受信帯域である。アップリンクの周波数帯は、送信帯域である。

　以下、実施形態１に係る高周波モジュール５００及び通信装置６００について、図１～１１を参照して、より詳細に説明する。

　（１）高周波モジュール
　（１．１）高周波モジュールの回路構成
　実施形態１に係る高周波モジュール５００の回路構成について、図９を参照して説明する。

　高周波モジュール５００は、例えば、アンテナ６１０から入力された受信信号を増幅して信号処理回路６０１に出力できるように構成されている。信号処理回路６０１は、高周波モジュール５００の構成要素ではなく、高周波モジュール５００を備える通信装置６００の構成要素である。高周波モジュール５００は、例えば、通信装置６００の備える信号処理回路６０１によって制御される。

　高周波モジュール５００は、複数（例えば、１０）のフィルタ６０～６９と、スイッチ７（以下、第１スイッチ７とも称する）と、複数（例えば、１０）のローノイズアンプ８０～８９と、第２スイッチ９と、複数（例えば、１８）のインダクタＬ０～Ｌ１７と、を備える。高周波モジュール５００では、フィルタ６３が、上述の第１フィルタ１を構成し、フィルタ６６が、上述の第２フィルタ２を構成している。また、高周波モジュール５００では、複数のインダクタＬ０～Ｌ１７のうち第１電子部品Ｅ１（図１参照）に隣接する１つのインダクタがインダクタ４を構成している。図１では、複数のインダクタＬ０～Ｌ１７のうちインダクタ４以外のインダクタに「５」の符号を付してある。

　また、高周波モジュール５００は、図９に示すように、複数の外部接続端子Ｔ０を備えている。複数の外部接続端子Ｔ０は、アンテナ端子Ｔ１と、信号出力端子Ｔ２と、複数の外部グランド端子Ｔ３（図２参照）と、を含む。複数の外部グランド端子Ｔ３は、例えば、通信装置６００の備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。

　以下、高周波モジュール５００の回路構成について、より詳細に説明する。

　（１．１．１）フィルタ
　複数のフィルタ６０～６９は、互いに異なる通信バンドの周波数帯（ダウンリンクの周波数帯）を通過帯域とする受信フィルタである。以下では、ダウンリンクの周波数帯を受信帯域と称する。各通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格の通信バンド又は５Ｇ　ＮＲ規格の通信バンドである。

　フィルタ６０は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。フィルタ６１は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。フィルタ６２は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。フィルタ６３は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３０の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。フィルタ６４は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。フィルタ６５は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。フィルタ６６は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ７の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。フィルタ６７は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。フィルタ６８は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３４の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。フィルタ６９は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９の受信帯域を含む通過帯域を有するフィルタである。図９では、フィルタ６０の通過帯域が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６０の図記号の左側に、「Ｂ１Ｒｘ」と表記してある。同様に、図９では、フィルタ６１が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６２の図記号の左側に、「Ｂ３Ｒｘ」と表記してある。同様に、図９では、フィルタ６２が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６２の図記号の左側に、「Ｂ４０Ｒｘ」と表記してある。同様に、図９では、フィルタ６３が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３０の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６３の図記号の左側に、「Ｂ３０Ｒｘ」と表記してある。同様に、図９では、フィルタ６４が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６４の図記号の左側に「Ｂ２５Ｒｘ」と表記してある。同様に、図９では、フィルタ６５が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６５の図記号の左側に「Ｂ６６Ｒｘ」と表記してある。同様に、図９では、フィルタ６６が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ７の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６６の図記号の左側に「Ｂ７Ｒｘ」と表記してある。同様に、図９では、フィルタ６７が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６７の図記号の左側に「Ｂ４１Ｒｘ」と表記してある。同様に、図９では、フィルタ６８が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３４の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６８の図記号の左側に「Ｂ３４Ｒｘ」と表記してある。同様に、図９では、フィルタ６９が３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９の受信帯域に対応していることを分かりやすくするために、フィルタ６９の図記号の左側に「Ｂ３９Ｒｘ」と表記してある。

　複数のフィルタ６０～６９の各々は、弾性波フィルタである。以下では、複数のフィルタ６０～６９のうち第１フィルタ１（フィルタ６３）の回路構成について図３Ａに基づいて説明し、第２フィルタ２（フィルタ６６）の回路構成について図３Ｂに基づいて説明する。フィルタ６０～６２、６４、６５、６７～６９の回路構成は、例えば、第１フィルタ１と同様であるが、異なっていてもよい。

　上述のように、第１フィルタ１（図３Ａ参照）は、複数（例えば、４つ）の第１弾性波共振子１４を有する。複数の第１弾性波共振子１４は、アンテナ端共振子１４Ａを含む。第１フィルタ１は、例えば、ラダー型フィルタであり、信号経路Ｒｕ１（以下、第１信号経路Ｒｕ１ともいう）に設けられている４つの直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４と、第１信号経路Ｒｕ１とグランドとの間に設けられている４つの並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４と、を含む。４つの直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４は、第１信号経路Ｒｕ１上において、直列に接続されている。第１フィルタ１は、２つの入出力端子１８、１９を有する。入出力端子１８は、例えば、入力端子である。入出力端子１９は、例えば、出力端子である。第１フィルタ１では、第１信号経路Ｒｕ１上において、入出力端子１８側から、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の順に、４つの直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４が並んでいる。並列腕共振子Ｐ１は、第１信号経路Ｒｕ１において２つの直列腕共振子Ｓ１、Ｓ２の間の部分とグランドとの間に接続されている。並列腕共振子Ｐ２は、第１信号経路Ｒｕ１において２つの直列腕共振子Ｓ２、Ｓ３の間の部分とグランドとの間に接続されている。並列腕共振子Ｐ３は、第１信号経路Ｒｕ１において２つの直列腕共振子Ｓ３、Ｓ４の間の部分とグランドとの間に接続されている。並列腕共振子Ｐ４は、第１信号経路Ｒｕ１において直列腕共振子Ｓ４及び第１フィルタ１の入出力端子１９の間の部分とグランドとの間に接続されている。

　上述のように、第２フィルタ２（図３Ｂ参照）は、複数の第２弾性波共振子２４を有する。第２フィルタ２は、例えば、ラダー型フィルタであり、第２信号経路Ｒｕ２に設けられている４つの直列腕共振子Ｓ３１～Ｓ３４と、第２信号経路Ｒｕ２とグランドとの間に設けられている４つの並列腕共振子Ｐ３１～Ｐ３４と、を含む。４つの直列腕共振子Ｓ３１～Ｓ３４は、第２信号経路Ｒｕ２上において、直列に接続されている。第２フィルタ２は、２つの入出力端子２８、２９を有する。入出力端子２８は、例えば、入力端子である。入出力端子２９は、例えば、出力端子である。第２フィルタ２では、第２信号経路Ｒｕ２上において、入出力端子２８側から、直列腕共振子Ｓ３１、直列腕共振子Ｓ３２、直列腕共振子Ｓ３３及び直列腕共振子Ｓ３４の順に、４つの直列腕共振子Ｓ３１～Ｓ３４が並んでいる。並列腕共振子Ｐ３１は、第２信号経路Ｒｕ２において２つの直列腕共振子Ｓ３１、Ｓ３２の間の部分とグランドとの間に接続されている。並列腕共振子Ｐ３２は、第２信号経路Ｒｕ２において２つの直列腕共振子Ｓ３２、Ｓ３３の間の部分とグランドとの間に接続されている。並列腕共振子Ｐ３３は、第２信号経路Ｒｕ２において２つの直列腕共振子Ｓ３３、Ｓ３４の間の部分とグランドとの間に接続されている。並列腕共振子Ｐ３４は、第２信号経路Ｒｕ２において直列腕共振子Ｓ３４と入出力端子２９との間の部分と、グランドと、の間に接続されている。

　（１．１．２）第１スイッチ
　第１スイッチ７は、図９に示すように、共通端子７０と、複数（図示例では、４つ）の選択端子７１～７４と、を有する。共通端子７０は、アンテナ端子Ｔ１に接続されている。選択端子７１は、フィルタ６０とフィルタ６１とフィルタ６２との接続点Ｋ１に、整合回路Ｍ１を介して接続されている。整合回路Ｍ１は、インダクタＬ１０と、インダクタＬ１１と、を含む。また、選択端子７２は、フィルタ６３とフィルタ６４とフィルタ６５との接続点Ｋ２に、整合回路Ｍ２を介して接続されている。整合回路Ｍ２は、インダクタＬ１２と、インダクタＬ１３と、を含む。また、選択端子７３は、フィルタ６６とフィルタ６７との接続点Ｋ３に、整合回路Ｍ３を介して接続されている。整合回路Ｍ３は、インダクタＬ１４と、インダクタＬ１５と、を含む。選択端子７４は、フィルタ６８とフィルタ６９との接続点Ｋ４に接続されている。整合回路Ｍ４は、インダクタＬ１６と、インダクタＬ１７と、を含む。第１スイッチ７は、例えば、共通端子７０に４つの選択端子７１～７４のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ７は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。整合回路Ｍ１～Ｍ４は、インピーダンス整合用の回路である。

　第１スイッチ７は、例えば、信号処理回路６０１によって制御される。第１スイッチ７は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、共通端子７０と４つの選択端子７１～７４との接続状態を切り替える。

　（１．１．３）ローノイズアンプ
　複数のローノイズアンプ８０～８９の各々は、入力端子及び出力端子を有する。複数のローノイズアンプ８０～８９の各々は、入力端子に入力された受信信号を増幅して出力端子から出力する。ローノイズアンプ８０の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ０を介してフィルタ６０に接続されている。ローノイズアンプ８１の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ１を介してフィルタ６１に接続されている。ローノイズアンプ８２の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ２を介してフィルタ６２に接続されている。ローノイズアンプ８３の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ３を介してフィルタ６３に接続されている。ローノイズアンプ８４の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ４を介してフィルタ６４に接続されている。ローノイズアンプ８５の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ５を介してフィルタ６５に接続されている。ローノイズアンプ８６の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ６を介してフィルタ６６に接続されている。ローノイズアンプ８７の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ７を介してフィルタ６７に接続されている。ローノイズアンプ８８の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ８を介してフィルタ６８に接続されている。ローノイズアンプ８９の入力端子は、インピーダンス整合用のインダクタＬ９を介してフィルタ６９に接続されている。

　複数のローノイズアンプ８０～８９の出力端子は、第２スイッチ９を介して信号出力端子Ｔ２に接続される。したがって、複数のローノイズアンプ８０～８９は、信号出力端子Ｔ２を介して信号処理回路６０１に接続される。信号出力端子Ｔ２は、複数のローノイズアンプ８０～８９からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路６０１）へ出力するための端子である。

　（１．１．４）第２スイッチ
　第２スイッチ９は、共通端子９Ａと、複数（図示例では、１０）の選択端子９０～９９と、を有する。共通端子９Ａは、信号出力端子Ｔ２に接続されている。複数の選択端子９０～９９は、複数のローノイズアンプ８０～８９の出力端子に、一対一に接続されている。第２スイッチ９は、例えば、共通端子９Ａと複数の選択端子９０～９９のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ９は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第２スイッチ９は、例えば、信号処理回路６０１によって制御される。第２スイッチ９は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、共通端子９Ａと複数の選択端子９０～９９との接続状態を切り替える。

　（１．２）高周波モジュールの構造
　以下、高周波モジュール５００の構造について、図１～９に基づいて説明する。

　高周波モジュール５００は、実装基板１１０と、複数（例えば、１０）のフィルタ６０～６９（図６参照）と、複数（例えば、１８）のインダクタＬ０～Ｌ１７と、を備える。また、高周波モジュール５００は、ＩＣチップ８（図２参照）を備える。ＩＣチップ８は、複数（例えば、１０）のローノイズアンプ８０～８９（図９参照）と、第２スイッチ９（図９参照）と、を含む。また、高周波モジュール５００は、図２に示すように、複数の外部接続端子Ｔ０と、樹脂層１２０（以下、第１樹脂層１２０ともいう）と、第２樹脂層１５０と、金属電極層１３０と、を備える。複数のフィルタ６０～６９は、第１フィルタ１（例えば、フィルタ６３）と、第２フィルタ２（例えば、フィルタ６６）と、を含む。複数のインダクタＬ０～Ｌ１７は、上述のインダクタ４（図１、２、７及び８参照）を含む。なお、図１では、第１樹脂層１２０及び金属電極層１３０の図示を省略してある。

　（１．２．１）実装基板
　実装基板１１０は、図２に示すように、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１１１及び第２主面１１２を有する。実装基板１１０は、複数の誘電体層と、複数の導電層と、複数のビア導体と、を含む。実装基板１１０では、複数の誘電体層と複数の導電層とが実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１において１層ずつ交互に積層されている。つまり、実装基板１１０は、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、１つ又は複数の導体部を含む。実装基板１１０は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板１１０がＬＴＣＣ基板の場合、各誘電体層の材料は、例えば、アルミナとガラスとを含むセラミックである。また、各導電層の材料は、例えば、銅である。各導電層の材料は、銅に限らず、例えば、銀でもよい。実装基板１１０は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。

　実装基板１１０の第１主面１１１及び第２主面１１２は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板１１０における第１主面１１１は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１に直交している面と、厚さ方向Ｄ１に直交しない面と、を含んでいる。また、実装基板１１０における第２主面１１２は、例えば、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。

　複数の導電層の１つでは、複数の導体部が、第１グランド導体部１１５及び第２グランド導体部１１６を含む。第１グランド導体部１１５と第２グランド導体部１１６とは互いに異なる導電層に含まれていてもよい。図１に示すように、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１グランド導体部１１５及び第２グランド導体部１１６は、四角形状であるが、これに限らない。第１グランド導体部１１５及び第２グランド導体部１１６は、高周波モジュール５００の回路グランドである。

　第１グランド導体部１１５は、ビア導体等を介して外部グランド端子Ｔ３に接続されている。第２グランド導体部１１６は、ビア導体等を介して外部グランド端子Ｔ３に接続されている。また、第１グランド導体部１１５及び第２グランド導体部１１６は、金属電極層１３０と電気的に接続されている。第１グランド導体部１１５及び第２グランド導体部１１６は、金属電極層１３０に接している。

　（１．２．２）電子部品
　高周波モジュール５００では、図１及び２に示すように、複数（例えば、２２）の電子部品（第１電子部品Ｅ１、第２電子部品Ｅ２、第３電子部品Ｅ３、第４電子部品Ｅ４、第５電子部品Ｅ５、及び、インダクタＬ０～Ｌ１７）が実装基板１１０の第１主面１１１に実装され、１つの電子部品（ＩＣチップ８）が実装基板１１０の第２主面１１２に実装されている。「電子部品が実装基板１１０の第１主面１１１に実装されている」とは、電子部品が実装基板１１０の第１主面１１１に配置されていること（機械的に接続されていること）と、電子部品が実装基板１１０（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。「電子部品が実装基板１１０の第２主面１１２に実装されている」とは、電子部品が実装基板１１０の第２主面１１２に配置されていること（機械的に接続されていること）と、電子部品が実装基板１１０（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。第１電子部品Ｅ１は、第１フィルタ１（例えば、フィルタ６３）のアンテナ端共振子１４Ａ（例えば、並列腕共振子Ｐ１）と、第２フィルタ２（例えば、フィルタ６６）と、フィルタ６７と、を含んでいる。第２電子部品Ｅ２は、第１フィルタ１の複数の第１弾性波共振子１４のうちアンテナ端共振子１４Ａ以外の第１弾性波共振子１４（直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ２～Ｐ４）を含んでいる。また、第２電子部品Ｅ２は、フィルタ６２を含んでいる。第３電子部品Ｅ３は、フィルタ６０と、フィルタ６５と、を含んでいる。第４電子部品Ｅ４は、フィルタ６１と、フィルタ６４と、を含んでいる。第５電子部品Ｅ５は、フィルタ６８と、フィルタ６９と、を含んでいる。

　図１に示すように、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１電子部品Ｅ１、第２電子部品Ｅ２、第３電子部品Ｅ３、第４電子部品Ｅ４及び第５電子部品Ｅ５の各々の外縁は、四角形状である。また、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数のインダクタＬ０～Ｌ１７の各々の外縁は、四角形状である。上述のように、図１では、複数のインダクタＬ０～Ｌ１７のうちインダクタ４以外のインダクタに「５」の符号を付してある。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣチップ８の外縁は、四角形状である。

　第１電子部品Ｅ１は、上述のように、第１フィルタ１（例えば、フィルタ６３）のアンテナ端共振子１４Ａを含んでいる。また、第１電子部品Ｅ１は、第２フィルタ２（例えば、フィルタ６６）と、フィルタ６７と、を含んでいるが、これに限らず、少なくとも第１フィルタ１のアンテナ端共振子１４Ａを含んでいればよい。

　第１フィルタ１は、図４～６に示すように、第１基板（基板１０）と、第１機能電極１１と、第１基板（基板１０）とは別個の第２基板（基板２０）と、少なくとも１つ（例えば、７つ）の第２機能電極２１と、を含む。図６では、７つの第２機能電極２１のうち１つの第２機能電極２１のみを図示してある。第１機能電極１１は、図４及び５に示すように、第１基板（基板１０）上に設けられており、アンテナ端共振子１４Ａの一部を構成する。７つの第２機能電極２１は、図６に示すように、第２基板（基板２０）上に設けられており、８つの弾性波共振子１４のうちアンテナ端共振子１４Ａ以外の７つの弾性波共振子１４それぞれの一部を構成する。

　高周波モジュール５００では、第１フィルタ１が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、第１機能電極１１は、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１７を含む。ＩＤＴ電極１７は、複数の第１電極指１７１と、複数の第２電極指１７２と、複数の第１電極指１７１が接続されている第１バスバー１７３と、複数の第２電極指１７２が接続されている第２バスバー１７４と、を有する。第１フィルタ１では、アンテナ端共振子１４Ａが、ＩＤＴ電極１７と、第１基板（基板１０）の一部と、を含んでいる。ＩＤＴ電極１７は、複数の第１電極指１７１と複数の第２電極指１７２とで規定される交差領域１７０を有している。交差領域１７０は、複数の第１電極指１７１の先端の包絡線と複数の第２電極指１７２の先端の包絡線との間の領域である。ＩＤＴ電極１７は、交差領域１７０において、弾性波を励振する。第１フィルタ１の特性は、例えば、第１機能電極１１に含まれるＩＤＴ電極１７の電極指ピッチ、ＩＤＴ電極１７の交差領域１７０の幅である交差幅Ｗ１７、第１基板（基板１０）の材料等を適宜変えることによって変えることができる。ＩＤＴ電極１７の電極指ピッチは、複数の第１電極指１７１のうち隣り合う２つの第１電極指１７１の中心線間の距離Ｗ１、又は、複数の第２電極指１７２のうち隣り合う２つの第２電極指１７２の中心線間の距離Ｗ２で定義される。

　７つの第２機能電極２１の各々は、ＩＤＴ電極２７を含む（図６参照）。ＩＤＴ電極２７は、複数の第１電極指２７１と、複数の第２電極指２７２と、複数の第１電極指２７１が接続されている第１バスバー（図示せず）と、複数の第２電極指２７２が接続されている第２バスバー（図示せず）と、を有する。第１フィルタ１では、複数の弾性波共振子１４のうちアンテナ端共振子１４Ａ以外の７つの弾性波共振子１４の各々が、ＩＤＴ電極２７と、第２基板（基板２０）の一部と、を含んでいる。ＩＤＴ電極２７は、複数の第１電極指２７１と複数の第２電極指２７２とで規定される交差領域（図示せず）を有している。交差領域は、複数の第１電極指２７１の先端の包絡線と複数の第２電極指２７２の先端の包絡線との間の領域である。ＩＤＴ電極２７は、交差領域において、弾性波を励振する。第１フィルタ１の特性は、例えば、第２機能電極２１に含まれるＩＤＴ電極２７の電極指ピッチ、ＩＤＴ電極２７の交差領域の幅である交差幅、第２基板（基板２０）の材料等を適宜変えることによって変えることができる。ＩＤＴ電極２７の電極指ピッチは、複数の第１電極指２７１のうち隣り合う２つの第１電極指２７１の中心線間の距離、又は、複数の第２電極指２７２のうち隣り合う２つの第２電極指２７２の中心線間の距離で定義される。

　第２フィルタ２は、図５に示すように、第３基板（基板１０）と、第３基板上に設けられており、複数（例えば、８つ）の第２弾性波共振子２４それぞれの一部を構成する複数の第３機能電極３１と、を含む。図５では、複数の第３機能電極３１のうち１つの第３機能電極３１のみを図示してある。高周波モジュール５００では、第２フィルタ２が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、複数の第３機能電極３１の各々がＩＤＴ電極３７を含む。ＩＤＴ電極３７は、複数の第１電極指３７１と、複数の第２電極指３７２と、複数の第１電極指３７１が接続されている第１バスバー（図示せず）と、複数の第２電極指３７２が接続されている第２バスバー（図示せず）と、を有する。第２フィルタ２では、複数の第２弾性波共振子２４の各々が、ＩＤＴ電極３７と、第３基板の一部と、を含んでいる。ＩＤＴ電極３７は、複数の第１電極指３７１と複数の第２電極指３７２とで規定される交差領域（図示せず）を有している。交差領域は、複数の第１電極指３７１の先端の包絡線と複数の第２電極指３７２の先端の包絡線との間の領域である。ＩＤＴ電極３７は、交差領域において、弾性波を励振する。第２フィルタ２の特性は、例えば、第３機能電極３１に含まれるＩＤＴ電極３７の電極指ピッチ、ＩＤＴ電極３７の交差領域の交差幅、第３基板（基板１０）の材料等を適宜変えることによって変えることができる。

　第１電子部品Ｅ１では、第１基板と第３基板は共通である。言い換えれば、第１電子部品Ｅ１では、第１基板と第３基板は同一の基板１０である。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、基板１０の外縁は、長方形状であるが、これに限らない。

　また、第１電子部品Ｅ１は、上述のようにフィルタ６７を含んでいる。フィルタ６７は、第４基板と、第４基板上に設けられており、フィルタ６７における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極と、を含む。高周波モジュール５００では、フィルタ６７が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、フィルタ６７における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極の各々は、ＩＤＴ電極を含む。第１電子部品Ｅ１では、第１基板と第３基板と第４基板とは共通である。言い換えれば、第１基板と第３基板と第４基板とは同一の基板１０である。

　また、第２電子部品Ｅ２は、第１フィルタ１（例えば、フィルタ６３）のアンテナ端共振子１４Ａ以外の複数の弾性波共振子１４と、フィルタ６２と、を含んでいるが、これに限らず、少なくとも１つの弾性波共振子１４を含んでいればよい。

　フィルタ６２は、第５基板と、第５基板上に設けられており、フィルタ６２における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極と、を含む。高周波モジュール５００では、フィルタ６２が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、フィルタ６２における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極の各々は、ＩＤＴ電極を含む。

　第２電子部品Ｅ２では、第２基板と第５基板とは共通である。言い換えれば、第２電子部品Ｅ２では、第２基板と第５基板とは同一の基板２０である。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、基板２０の外縁は、長方形状であるが、これに限らない。

　第１基板（基板１０）は、図５に示すように、圧電体層１０４（以下では、第１圧電体層１０４とも称する）と、高音速部材１０１（以下では、第１高音速部材１０１とも称する）と、を含む。第１高音速部材１０１は、第１圧電体層１０４を挟んで第１機能電極１１とは反対側に位置している高音速支持基板である。第１高音速部材１０１では、第１圧電体層１０４を伝搬する弾性波の音速よりも、第１高音速部材１０１を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、第１高音速部材１０１を伝搬するバルク波は、第１高音速部材１０１を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。また、第１基板（基板１０）は、第１高音速部材１０１と第１圧電体層１０４との間に介在している低音速膜１０２（以下、第１低音速膜１０２とも称する）を更に含む。第１低音速膜１０２は、第１圧電体層１０４を伝搬するバルク波の音速よりも、第１低音速膜１０２を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。

　第２基板（基板２０）は、図６に示すように、圧電体層２０４（以下では、第２圧電体層２０４とも称する）と、高音速部材２０１（以下では、第２高音速部材２０１とも称する）と、を含む。第２高音速部材２０１は、第２圧電体層２０４を挟んで第２機能電極２１とは反対側に位置している高音速支持基板である。第２高音速部材２０１では、第２圧電体層２０４を伝搬する弾性波の音速よりも、第２高音速部材２０１を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、第２高音速部材２０１を伝搬するバルク波は、第２高音速部材２０１を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。また、第２基板（基板２０）は、第２高音速部材２０１と第２圧電体層２０４との間に介在している低音速膜２０２（以下、第２低音速膜２０２とも称する）を更に含む。第２低音速膜２０２は、第２圧電体層２０４を伝搬するバルク波の音速よりも、第２低音速膜２０２を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。

　第１圧電体層１０４及び第２圧電体層２０４の各々の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。

　第１高音速部材１０１及び第２高音速部材２０１の材料は、例えば、シリコンである。第１高音速部材１０１及び第２高音速部材２０１の材料は、例えば、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。

　第１低音速膜１０２及び第２低音速膜２０２の材料は、例えば、酸化ケイ素である。第１低音速膜１０２及び第２低音速膜２０２の材料は、酸化ケイ素に限定されない。第１低音速膜１０２及び第２低音速膜２０２の材料は、例えば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であればよい。

　第１電子部品Ｅ１及び第２電子部品Ｅ２の各々は、チップ（ダイともいう）であるが、これに限らず、チップと、チップ上に設けられたパッケージ構造と、を有していてもよい。第１電子部品Ｅ１のパッケージ構造は、例えば、第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂを有する基板１０（図５参照）の第１主面１０Ａ上に配置された第１スペーサ層と、基板１０の厚さ方向において基板１０に対向するように第１スペーサ層上に配置された第１カバー部材と、複数の第１外部端子と、を含む。第２電子部品Ｅ２のパッケージ構造は、例えば、第１主面２０Ａ及び第２主面２０Ｂを有する基板２０（図６参照）の第１主面２０Ａ上に配置された第２スペーサ層と、基板２０の厚さ方向において基板２０に対向するように第２スペーサ層上に配置された第２カバー部材と、複数の第２外部端子と、を含む。第１スペーサ層及び第２スペーサ層は、電気絶縁性を有する。第１スペーサ層及び第２スペーサ層の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。第１カバー部材及び第２カバー部材は、平板状である。第１カバー部材は、基板１０の厚さ方向において複数の第１機能電極１１及び第３機能電極３１と重なり、かつ、基板１０の厚さ方向において複数の第１機能電極１１及び複数の第３機能電極３１から離れている。第２カバー部材は、基板２０の厚さ方向において複数の第２機能電極２１と重なり、かつ、基板２０の厚さ方向において複数の第２機能電極２１から離れている。第１カバー部材及び第２カバー部材は、電気絶縁性を有する。第１カバー部材及び第２カバー部材の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。第１電子部品Ｅ１がパッケージ構造を有する場合、複数の第１外部端子は、第１カバー部材から露出するように構成される。第２電子部品Ｅ２がパッケージ構造を有する場合、複数の第２外部端子は、第２カバー部材から露出するように構成される。複数の第１外部端子及び複数の第２外部端子の各々は、導電性バンプを含む。導電性バンプの材料は、例えば、はんだ、金又は銅である。なお、第１電子部品Ｅ１は、パッケージ構造の有無にかかわらず、基板１０の第２主面１０Ｂが実装基板１１０側とは反対側に位置するように実装基板１１０の第１主面１１１に実装される。言い換えれば、第１電子部品Ｅ１では、複数の第１外部端子が実装基板１１０において複数の第１外部端子それぞれに重なる複数の導体部と電気的に接続されている。また、第２電子部品Ｅ２は、パッケージ構造の有無にかかわらず、基板２０の第２主面２０Ｂが実装基板１１０側とは反対側に位置するように実装基板１１０の第１主面１１１に実装される。言い換えれば、第２電子部品Ｅ２では、複数の第２外部端子が実装基板１１０において複数の第２外部端子それぞれに重なる複数の導体部と電気的に接続されている。複数の第１外部端子は、例えば、第１フィルタ１（フィルタ６３）のアンテナ端共振子１４Ａに接続された接続端子と、第２フィルタ２（フィルタ６６）の入力端子（入出力端子２８）と、第２フィルタ２（フィルタ６６）の出力端子（入出力端子２９）と、フィルタ６７の入力端子と、フィルタ６７の出力端子と、複数のグランド端子と、を含む。複数の第２外部端子は、例えば、第１フィルタ１（フィルタ６３）のアンテナ端共振子１４Ａに接続される接続端子（例えば、第１フィルタの入出力端子１８）と、第１フィルタ１（フィルタ６３）の出力端子（入出力端子１９）と、フィルタ６２の入力端子と、フィルタ６２の出力端子と、複数のグランド端子と、を含む。

　第３電子部品Ｅ３は、フィルタ６０と、フィルタ６５と、を含んでいる（図１及び９参照）。フィルタ６０は、第６基板と、第６基板上に設けられており、フィルタ６０における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極と、を含む。高周波モジュール５００では、フィルタ６０が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、フィルタ６０における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極の各々は、ＩＤＴ電極を含む。フィルタ６５は、第７基板と、第７基板上に設けられており、フィルタ６５における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極と、を含む。高周波モジュール５００では、フィルタ６５が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、フィルタ６５における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極の各々は、ＩＤＴ電極を含む。

　第３電子部品Ｅ３では、第６基板と第７基板とは共通である。言い換えれば、第３電子部品Ｅ３では、第６基板と第７基板とは同一の基板３０（図１参照）である。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、基板３０の外縁は、長方形状であるが、これに限らない。基板３０は、例えば、基板１０又は基板２０と同様の構造を有する。第３電子部品Ｅ３は、チップ（ダイともいう）であるが、これに限らず、チップと、チップ上に設けられたパッケージ構造と、を有していてもよい。第３電子部品Ｅ３は、複数の第３外部端子を有する。複数の第３外部端子は、例えば、フィルタ６０の入力端子と、フィルタ６０の出力端子と、フィルタ６５の入力端子と、フィルタ６５の出力端子と、複数のグランド端子と、を含む。

　第４電子部品Ｅ４は、フィルタ６１と、フィルタ６４と、を含んでいる（図１及び９参照）。フィルタ６１は、第８基板と、第８基板上に設けられており、フィルタ６１における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極と、を含む。高周波モジュール５００では、フィルタ６１が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、フィルタ６１における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極の各々は、ＩＤＴ電極を含む。フィルタ６４は、第９基板と、第９基板上に設けられており、フィルタ６４における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極と、を含む。高周波モジュール５００では、フィルタ６４が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、フィルタ６４における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極の各々は、ＩＤＴ電極を含む。

　第４電子部品Ｅ４では、第８基板と第９基板とは共通である。言い換えれば、第４電子部品Ｅ４では、第８基板と第９基板とは同一の基板４０（図１参照）である。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、基板４０の外縁は、長方形状であるが、これに限らない。基板４０は、例えば、基板１０又は基板２０と同様の構造を有する。第４電子部品Ｅ４は、チップ（ダイともいう）であるが、これに限らず、チップと、チップ上に設けられたパッケージ構造と、を有していてもよい。第４電子部品Ｅ４は、複数の第４外部端子を有する。複数の第４外部端子は、例えば、フィルタ６１の入力端子と、フィルタ６１の出力端子と、フィルタ６４の入力端子と、フィルタ６４の出力端子と、複数のグランド端子と、を含む。

　第５電子部品Ｅ５は、フィルタ６８と、フィルタ６９と、を含んでいる（図１及び９参照）。フィルタ６８は、第１０基板と、第１０基板上に設けられており、フィルタ６８における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極と、を含む。高周波モジュール５００では、フィルタ６８が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、フィルタ６８における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極の各々は、ＩＤＴ電極を含む。フィルタ６９は、第１１基板と、第１１基板上に設けられており、フィルタ６９における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極と、を含む。高周波モジュール５００では、フィルタ６９が表面弾性波を利用する弾性波フィルタであり、フィルタ６９における複数の弾性波共振子それぞれの一部を構成する複数の機能電極の各々は、ＩＤＴ電極を含む。

　第５電子部品Ｅ５では、第１０基板と第１１基板とは共通である。言い換えれば、第５電子部品Ｅ５では、第１０基板と第１１基板とは同一の基板５０（図１参照）である。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、基板５０の外縁は、長方形状であるが、これに限らない。基板５０は、例えば、基板１０又は基板２０と同様の構造を有する。第５電子部品Ｅ５は、チップ（ダイともいう）であるが、これに限らず、チップと、チップ上に設けられたパッケージ構造と、を有していてもよい。第５電子部品Ｅ５は、複数の第５外部端子を有する。複数の第５外部端子は、例えば、フィルタ６８の入力端子と、フィルタ６８の出力端子と、フィルタ６９の入力端子と、フィルタ６９の出力端子と、複数のグランド端子と、を含む。

　ＩＣチップ８（図２参照）は、例えば、第１スイッチ７と、複数（例えば、１０）のローノイズアンプ８０～８９と、第２スイッチ９と、を含むＳｉ系ＩＣチップである。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣチップ８の外縁は、長方形状であるが、これに限らない。

　複数のインダクタＬ０～Ｌ１７（図９参照）の各々は、チップインダクタである。したがって、複数（例えば、１８）のインダクタＬ０～Ｌ７の各々は、ＳＭＤ（Surface Mount Device）である。上述のように、高周波モジュール５００では、複数のインダクタＬ０～Ｌ１７のうち第１電子部品Ｅ１に隣接する１つのインダクタがインダクタ４を構成しており、図１では、複数のインダクタＬ０～Ｌ１７のうちインダクタ４以外のインダクタに「５」の符号を付してある。以下では、複数（例えば、１８）のインダクタＬ０～Ｌ１７のうち図１において「５」の符号を付してある複数（例えば、１７）のインダクタを複数（例えば、１７）のインダクタ５とも称する。インダクタを４及び複数のインダクタ５の各々は、直方体状である。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタ４及び複数のインダクタ５の各々の外縁は、四角形状である。

　インダクタ４は、例えば、図７及び８に示すように、直方体状の素体４００と、第１外部電極４１１及び第２外部電極４１２と、巻回部（コイル導体部）４１３と、を有する。巻回部４１３の形状は、例えば、らせん状である。巻回部４１３は、導電性を有する。素体４００は、電気絶縁性を有する。第１外部電極４１１及び第２外部電極４１２は、素体４００の長手方向の第１端及び第２端それぞれに配置されている。第１外部電極４１１及び第２外部電極４１２の導電性材料は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ等である。巻回部４１３は、素体４００内に配置されている。巻回部４１３は、第１外部電極４１１と第２外部電極４１２との間に接続されている。より詳細には、巻回部４１３は、第１端及び第２端を有し、巻回部４１３の第１端が第１外部電極４１１に接続され、巻回部４１３の第２端が第２外部電極４１２に接続されている。巻回部４１３の材料は、例えば、第１外部電極４１１及び第２外部電極４１２と同じ導電性材料を含むが、これに限らない。巻回部４１３の巻回軸Ａ４は、巻回部４１３の中心軸である。

　素体４００の表面は、実装基板１１０側とは反対側の天面４０１と、実装基板１１０側の底面４０２と、天面４０１と底面４０２とをつないでおり素体４００の短手方向に沿った第１側面４０３及び第２側面４０４と、天面４０１と底面４０２とをつないでおり素体４００の長手方向に沿っている第３側面４０５及び第４側面４０６と、を含む。第１外部電極４１１は、素体４００の底面４０２と第１側面４０３と第３側面４０５と第４側面４０６と天面４０１とに跨って設けられていてもよいが、少なくとも、素体４００の底面４０２と第１側面４０３とに跨って設けられていればよい。第２外部電極４１２は、素体４００の底面４０２と第２側面４０４と第３側面４０５と第４側面４０６と天面４０１とに跨って設けられていてもよいが、少なくとも、素体４００の底面４０２と第２側面４０４とに跨って設けられていればよい。

　インダクタ４は、第１外部電極４１１及び第２外部電極４１２が第１外部電極４１１及び第２外部電極４１２に一対一に対応する第１接合部及び第２接合部により実装基板１１０の第１主面１１１に接合されることで、実装基板１１０の第１主面１１１に実装されている。第１接合部及び第２接合部の各々の材料は、例えば、はんだである。

　インダクタ４は、巻回部４１３の巻回軸Ａ４が実装基板１１０の第１主面１１１に沿うように実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている。言い換えれば、インダクタ４は、インダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４が実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１に直交するように配置されている。「インダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４が実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１に直交する」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、巻回軸Ａ４と実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１とのなす角度が例えば８０°以上１００°以下の範囲内であればよい。インダクタ４の巻回軸Ａ４は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１に直交する一方向に沿っている。インダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視でのインダクタ４の素体４００の短手方向と平行であり、素体４００の第３側面４０５及び第４側面４０６に交差する。インダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４と素体４００の短手方向とは、平行であるが、厳密に平行である場合に限らず、巻回軸Ａ４と素体４００の短手方向とのなす角度が１０°以下であればよい。

　複数のインダクタ５は、インダクタ４と同様の構造を有していてもよいし、インダクタ４とは異なる構造を有していてもよい。インダクタ５がインダクタ４と同様の構造を有するとは、インダクタ５の巻回部の巻回軸がインダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４と同様、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１に直交する一方向に沿っていることを意味する。インダクタ４とは異なる構造を有するとは、例えば、インダクタ５の巻回部の巻回軸が、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１と平行であること、又は、インダクタ５の巻回部の巻回軸が、インダクタ５の素体の長手方向と平行であること、を意味する。インダクタ４の構造は、例えば、インダクタ４のＱ（Quality factor）値、インダクタ４のインダクタンス、インダクタ４のチップサイズ等に応じて選択される。複数のインダクタ５の各々の構造は、インダクタ５のＱ値、インダクタ５のインダクタンス、インダクタ５のチップサイズ等に応じて選択される。

　（１．２．３）外部接続端子
　図２に示すように、複数の外部接続端子Ｔ０は、実装基板１１０の第２主面１１２に配置されている。「外部接続端子Ｔ０が実装基板１１０の第２主面１１２に配置されている」とは、外部接続端子Ｔ０が実装基板１１０の第２主面１１２に機械的に接続されていることと、外部接続端子Ｔ０が実装基板１１０（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。複数の外部接続端子Ｔ０の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子Ｔ０の各々は、柱状電極である。柱状電極は、例えば、円柱状の電極である。複数の外部接続端子Ｔ０は、実装基板１１０の導体部に対して、例えば、はんだにより接合されているが、これに限らず、例えば、導電性接着剤（例えば、導電性ペースト）を用いて接合されていてもよいし、直接接合されていてもよい。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の外部接続端子Ｔ０の各々は、円形状である。

　複数の外部接続端子Ｔ０は、アンテナ端子Ｔ１と、信号出力端子Ｔ２（図９参照）と、複数の外部グランド端子Ｔ３と、を含んでいる。複数の外部グランド端子Ｔ３は、実装基板１１０の第１グランド導体部１１５と第２グランド導体部１１６との少なくとも一方と電気的に接続されている。

　（１．２．４）第１樹脂層
　図２に示すように、第１樹脂層１２０は、実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている。第１樹脂層１２０は、実装基板１１０の第１主面１１１に実装されている複数の電子部品を覆っている。複数の電子部品は、上述のように、第１電子部品Ｅ１と、第２電子部品Ｅ２と、第３電子部品Ｅ３と、第４電子部品Ｅ４と、第５電子部品Ｅ５と、複数のインダクタＬ０～Ｌ１７と、を含む。第１樹脂層１２０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層１２０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

　（１．２．５）第２樹脂層
　図２に示すように、第２樹脂層１５０は、実装基板１１０の第２主面１１２に配置されている。第２樹脂層１５０は、実装基板１１０の第２主面１１２に実装されている１つの電子部品（ＩＣチップ８）の外周面と、複数の外部接続端子Ｔ０それぞれの外周面と、を覆っている。電子部品の外周面は、電子部品の４つの側面を含む。第２樹脂層１５０は、電子部品における実装基板１１０側とは反対側の主面を覆っていない。電子部品は、上述のように、第１スイッチ７と、第２スイッチ９と、複数のローノイズアンプ８０～８９を有するＩＣチップ８と、を含む。第２樹脂層１５０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層１５０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層１５０の材料は、第１樹脂層１２０の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

　（１．２．６）金属電極層
　図２に示すように、金属電極層１３０は、第１樹脂層１２０を覆っている。金属電極層１３０は、実装基板１１０の外部グランド端子Ｔ３に接続されている。金属電極層１３０は、導電性を有する。高周波モジュール５００では、金属電極層１３０は、高周波モジュール５００の内外の電磁シールドを目的として設けられているシールド層である。金属電極層１３０は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。金属電極層１３０は、複数の金属層を積層した多層構造を有する場合、例えば、第１樹脂層１２０上の第１ステンレス鋼層と、第１ステンレス鋼層上のＣｕ層と、Ｃｕ層上の第２ステンレス鋼層と、を含む。第１ステンレス鋼層及び第２ステンレス鋼層の各々の材料は、ＦｅとＮｉとＣｒとを含む合金である。また、金属電極層１３０は、１つの金属層の場合、例えば、Ｃｕ層である。金属電極層１３０は、第１樹脂層１２０における実装基板１１０側とは反対側の主面１２１と、第１樹脂層１２０の外周面１２３と、実装基板１１０の外周面１１３と、第２樹脂層１５０の外周面１５３を覆っている。第２樹脂層１５０における実装基板１１０側とは反対側の主面１５１は、金属電極層１３０に覆われておらず、露出している。金属電極層１３０は、実装基板１１０の第１グランド導体部１１５と、第２グランド導体部１１６と、複数の外部グランド端子Ｔ３と、に電気的に接続されている。これにより、高周波モジュール５００は、金属電極層１３０の電位を実装基板１１０の第１グランド導体部１１５及び第２グランド導体部１１６の電位と略同じ電位にすることが可能となる。

　（１．３）高周波モジュールのレイアウト
　高周波モジュール５００では、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、図１に示すように、第１電子部品Ｅ１とインダクタ４とが隣接している。「第１電子部品Ｅ１とインダクタ４とが隣接している」とは、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１電子部品Ｅ１とインダクタ４との間に、実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている他の電子部品がなく、第１電子部品Ｅ１とインダクタ４とが隣り合っていることを意味する。

　高周波モジュール５００では、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１電子部品Ｅ１に含まれるアンテナ端共振子１４Ａとインダクタ４とが隣接している。「アンテナ端共振子１４Ａとインダクタ４とが隣接している」とは、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視でアンテナ端共振子１４Ａの一部を構成する第１機能電極１１とインダクタ４との間に、第１電子部品Ｅ１に含まれる第２フィルタ２（フィルタ６６）の複数の第２弾性波共振子２４に一対一に対応する複数の第３機能電極３１（図５参照）、フィルタ６７の複数の弾性波共振子に一対一に対応する複数の機能電極、及び、実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている他の電子部品、のいずれもなく、第１機能電極１１とインダクタ４とが隣り合っていることを意味する。上述のように、インダクタ４は、巻回軸Ａ４の方向からの側面視で、アンテナ端共振子１４Ａと重ならない。また、インダクタ４は、第１電子部品Ｅ１側とは反対側からの側面視で、インダクタ４における巻回部４１３の内側部分４１４（図８参照）にアンテナ端共振子１４Ａが重ならない。巻回部４１３の内側部分４１４は、素体４００のうち巻回部４１３よりも内側に位置している部分である。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタ４の巻回軸Ａ４と第１機能電極１１との最短距離は、例えば、２００μｍ以上である。

　高周波モジュール５００では、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタ４の巻回軸Ａ４とアンテナ端共振子１４Ａの第１機能電極１１とが重ならない。また、高周波モジュール５００では、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４に直交する方向において、インダクタ４とアンテナ端共振子１４Ａの第１機能電極１１とが並んでいる。インダクタ４は、複数のインダクタＬ０～Ｌ１７のうち第１機能電極１１との最短距離が最も短いインダクタである。高周波モジュール５００では、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１電子部品Ｅ１に隣接する３つのインダクタ５それぞれの巻回部の巻回軸もアンテナ端共振子１４Ａの第１機能電極１１と重ならない。

　また、高周波モジュール５００では、実装基板１１０の第２主面１１２に配置されているＩＣチップ８が、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１電子部品Ｅ１、第２電子部品Ｅ２、第３電子部品Ｅ３、第４電子部品Ｅ４及び第５電子部品Ｅ５それぞれの一部と重なっている。

　高周波モジュール５００では、図１に示すように、第１グランド導体部１１５は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で少なくとも一部が第１電子部品Ｅ１に重なる。第２グランド導体部１１６は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で少なくとも一部が第２電子部品Ｅ２に重なる。実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２電子部品Ｅ２の面積に占める第２グランド導体部１１６に重なる部分の面積の割合が、第１電子部品Ｅ１の面積に占める第１グランド導体部１１５に重なる部分の面積の割合よりも大きい。また、高周波モジュール５００では、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２グランド導体部１１６のうち第２電子部品Ｅ２に重なる部分の面積が、第１グランド導体部１１５のうち第１電子部品Ｅ１に重なる部分の面積よりも大きい。

　（２）効果
　実施形態１に係る高周波モジュール５００は、実装基板１１０と、アンテナ端子Ｔ１と、フィルタ１と、インダクタ４と、を備える。実装基板１１０は、互いに対向する第１主面１１１及び第２主面１１２を有する。アンテナ端子Ｔ１は、実装基板１１０に配置されている。フィルタ１は、アンテナ端子Ｔ１に接続されている。インダクタ４は、実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている。インダクタ４は、巻回部４１３を含む。フィルタ１は、複数の弾性波共振子１４を有する。複数の弾性波共振子１４は、アンテナ端子Ｔ１に接続された信号経路Ｒｕ１に設けられている複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４と、信号経路Ｒｕ１とグランドとの間に接続されている複数の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４と、を含む。複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４のうちアンテナ端子Ｔ１に最も近い直列腕共振子Ｓ１、及び、複数の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のうちアンテナ端子Ｔ１に最も近い並列腕共振子Ｐ１の少なくとも１つをアンテナ端共振子１４Ａとした場合に、フィルタ１は、第１基板（基板１０）と、第１基板上に設けられており、アンテナ端共振子１４Ａの一部を構成する第１機能電極１１と、第１基板とは別個の第２基板（基板２０）と、第２基板上に設けられており、複数の弾性波共振子１４のうちアンテナ端共振子１４Ａ以外の少なくとも１つの弾性波共振子１４の一部を構成する第２機能電極２１と、を含む。第１基板と第１機能電極１１とを含む第１電子部品Ｅ１が、実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている。第２基板と第２機能電極２１とを含む第２電子部品Ｅ２が、実装基板１１０の第１主面１１１に配置されている。アンテナ端子Ｔ１と第１電子部品Ｅ１との距離は、アンテナ端子Ｔ１と第２電子部品Ｅ２との距離よりも短い。インダクタ４は、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第１電子部品Ｅ１に隣接している。インダクタ４は、巻回部４１３の巻回軸Ａ４の方向からの側面視で、アンテナ端共振子１４Ａと重ならない。

　実施形態１に係る高周波モジュール５００は、フィルタ１の特性の低下を低減することが可能となる。より詳細には、高周波モジュール５００は、インダクタ４の巻回部４１３の巻回軸Ａ４の方向からの側面視で、インダクタ４とアンテナ端共振子１４Ａとが重ならないので、アンテナ端共振子１４Ａがインダクタ４の磁界の影響を受けにくく、インダクタ４の磁界の影響でフィルタ１の特性が低下するのを抑制することが可能となる。

　また、高周波モジュール５００では、フィルタ１の複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び複数の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のうち並列腕共振子Ｐ１をアンテナ端共振子１４Ａとしているので、インダクタ４の影響でフィルタ１の減衰特性が低下するのを抑制することが可能となる。

　高周波モジュール５００では、フィルタ１の複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び複数の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のうち直列腕共振子Ｓ１をアンテナ端共振子１４Ａとした場合には、インダクタ４の影響でフィルタ１の通過帯域の特性が低下するのを抑制することが可能となる。高周波モジュール５００では、フィルタ１の複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び複数の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のうち直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１それぞれをアンテナ端共振子１４Ａとした場合には、インダクタ４の影響でフィルタ１の通過帯域の特性と、減衰特性と、が低下するのを抑制することが可能となる。

　また、高周波モジュール５００は、同時通信に利用される第１フィルタ１（フィルタ６３）及び第２フィルタ２（フィルタ６６）に関して、第１フィルタ１のアンテナ端共振子１４Ａと第２フィルタ２の複数の第２弾性波共振子２４のうちのアンテナ端共振子とを第１電子部品Ｅ１に有しているので、第２フィルタ２のアンテナ端共振子とスイッチ７との間の配線で生じるロスや寄生容量を低減できる。よって、高周波モジュール５００は、第１フィルタ１のインピーダンスが第２通信バンドの周波数帯において低下するのを抑制することが可能となる。例えば、スミスチャートにおいて、第１フィルタ１のインピーダンスを、第２通信バンドの周波数帯においてオープン（無限大）付近とすることが可能となる。これにより、高周波モジュール５００では、第１フィルタ１のアンテナ端共振子１４Ａと第２フィルタ２のアンテナ端共振子とが接続されていても、同時通信時に第１フィルタ１のインピーダンスはほとんど変化しない。よって、高周波モジュール５００は、同時通信時の特性の低下を抑制することが可能となる。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール５００は、実装基板１１０の第１主面１１１上での第２電子部品Ｅ２の配置の自由度が高く、例えば、第２電子部品Ｅ２を実装基板１１０において放熱性の高いエリアに配置することも可能となる。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール５００では、例えば、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２電子部品Ｅ２の面積に占める第２グランド導体部１１６に重なる部分の面積の割合が、第１電子部品Ｅ１の面積に占める第１グランド導体部１１５に重なる部分の面積の割合よりも大きくなるように第２電子部品Ｅ２を配置しやすくなる。また、高周波モジュール５００では、例えば、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２グランド導体部１１６のうち第２電子部品Ｅ２に重なる部分の面積が、第１グランド導体部１１５のうち第１電子部品Ｅ１に重なる部分の面積よりも大きくなるように第２電子部品Ｅ２を配置しやすくなる。これにより、高周波モジュール５００は、放熱性を向上させることが可能となり、耐電力性の向上を図れるととともに、温度上昇による特性変動を抑制することが可能となる。

　（３）通信装置
　実施形態１に係る通信装置６００は、例えば、図９に示すように、信号処理回路６０１と、高周波モジュール５００と、を備える。信号処理回路６０１は、高周波モジュール５００に接続されている。

　通信装置６００は、アンテナ６１０を更に備える。通信装置６００は、高周波モジュール５００が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。

　信号処理回路６０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路６０２と、ベースバンド信号処理回路６０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路６０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路６０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路６０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路６０２は、例えば、高周波モジュール５００から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路６０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路６０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路６０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路６０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路６０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通信装置６００のユーザの通話のために使用される。高周波モジュール５００は、アンテナ６１０と信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。

　実施形態１に係る通信装置６００は、高周波モジュール５００と、信号処理回路６０１と、を備えるので、フィルタ１の低下を低減することが可能となる。

　（４）フィルタのアンテナ端共振子の他の例
　アンテナ端共振子１４Ａは、例えば、図１０に示すように、２つの分割共振子１４１により構成されていてもよい。ここにおいて、２つの分割共振子１４１は、アンテナ端共振子１４Ａが分割された共振子であり、互いの間に他の弾性波共振子１４を介することなく、かつ、他の弾性波共振子１４を含む経路との接続ノードを介することなく、直列に接続されている。

　また、アンテナ端共振子１４Ａは、例えば、図１１に示すように、３つの分割共振子１４１により構成されていてもよい。ここにおいて、３つの分割共振子１４１は、アンテナ端共振子１４Ａが分割された共振子であり、互いの間に他の弾性波共振子１４を介することなく、かつ、他の弾性波共振子１４を含む経路との接続ノードを介することなく、直列に接続されている。

　（５）フィルタの他の回路例
　フィルタ１は、図３Ａの回路構成に限らず、例えば、図１２に示す回路構成を有していてもよい。図１２に示したフィルタ１では、並列腕共振子Ｐ１が、信号経路Ｒｕ１における入出力端子１８と直列腕共振子Ｓ１との間の部分と、グランドと、の間に接続されており、並列腕共振子Ｐ１及び直列腕共振子Ｓ１が、他の弾性波共振子１４を介さずに入出力端子１８に接続されている。図１２に示したフィルタ１では、例えば、並列腕共振子Ｐ１をアンテナ端共振子１４Ａとするが、これに限らず、直列腕共振子Ｓ１をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよいし、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１の各々をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよい。

　フィルタ１は、図３Ａの回路構成に限らず、例えば、図１３に示すような回路構成を有していてもよい。図１３に示したフィルタ１では、直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の各々が３つの分割共振子１４１により構成され、直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の各々が２つの分割共振子１４１により構成されている。また、図１３に示したフィルタ１では、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２の各々が２つの分割共振子１４１により構成されている。図１３に示したフィルタ１では、例えば、並列腕共振子Ｐ１をアンテナ端共振子１４Ａとするが、これに限らず、直列腕共振子Ｓ１をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよいし、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１の各々をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよい。なお、図１３の回路構成は、第１通信バンドが３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３０の場合に採用するフィルタ１の回路構成の一例である。

　フィルタ１は、図３Ａの回路構成に限らず、例えば、図１４に示すような回路構成を有していてもよい。図１４に示したフィルタ１では、直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ３との間に、縦結合型共振子Ｓ２１と縦結合型共振子Ｓ２２との並列回路を備えている。縦結合型共振子Ｓ２１及び縦結合型共振子Ｓ２２の各々は、ＩＤＴ電極２７（図６参照）を５つ有している。図１４に示したフィルタ１では、例えば、直列腕共振子Ｓ１をアンテナ端共振子１４Ａとする。なお、図１４の回路構成は、第１通信バンドが３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６の場合に採用するフィルタ１の回路構成の一例である。

　フィルタ１は、図３Ａの回路構成に限らず、例えば、図１５に示すような回路構成を有していてもよい。図１５に示したフィルタ１では、並列腕共振子Ｐ１が、信号経路Ｒｕ１における入出力端子１８と直列腕共振子Ｓ１との間の部分と、グランドと、の間に接続されており、並列腕共振子Ｐ１及び直列腕共振子Ｓ１が、他の弾性波共振子１４を介さずに入出力端子１８に接続されている。図１５に示したフィルタ１では、例えば、並列腕共振子Ｐ１をアンテナ端共振子１４Ａとするが、これに限らず、直列腕共振子Ｓ１をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよいし、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１の各々をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよい。また、図１５に示したフィルタ１では、直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ３との間に、縦結合型共振子Ｓ２３と縦結合型共振子Ｓ２４との並列回路を備えている。縦結合型共振子Ｓ２３及び縦結合型共振子Ｓ２４の各々は、ＩＤＴ電極２７（図６参照）を５つ有している。なお、図１５の回路構成は、第１通信バンドが３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３の場合に採用するフィルタ１の回路構成の一例である。

　フィルタ１は、図３Ａの回路構成に限らず、例えば、図１６に示すような回路構成を有していてもよい。図１６に示したフィルタ１では、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の各々が２つの分割共振子１４１により構成され、並列腕共振子Ｐ３が２つの分割共振子１４１により構成されている。図１６に示したフィルタ１では、例えば、並列腕共振子Ｐ１をアンテナ端共振子１４Ａとするが、これに限らず、直列腕共振子Ｓ１をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよいし、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１の各々をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよい。なお、図１６の回路構成は、第１通信バンドが３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ７の場合に採用するフィルタ１の回路構成の一例である。

　フィルタ１は、図３Ａの回路構成に限らず、例えば、図１７に示すような回路構成を有していてもよい。図１７に示したフィルタ１では、直列腕共振子Ｓ１が２つの分割共振子１４１により構成されている。また、図１７に示したフィルタ１では、直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ３との間に、縦結合型共振子Ｓ２１と縦結合型共振子Ｓ２２との並列回路を備えている。縦結合型共振子Ｓ２１及び縦結合型共振子Ｓ２２の各々は、ＩＤＴ電極２７（図６参照）を５つ有している。図１７に示したフィルタ１では、例えば、直列腕共振子Ｓ１をアンテナ端共振子１４Ａとする。なお、図１７の回路構成は、第１通信バンドが３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１の場合に採用するフィルタ１の回路構成の一例である。

　フィルタ１は、図３Ａの回路構成に限らず、例えば、図１８に示すような回路構成を有していてもよい。図１８に示したフィルタ１では、直列腕共振子Ｓ１が２つの分割共振子１４１により構成され、並列腕共振子Ｐ２が２つの分割共振子１４１により構成されている。また、図１８に示したフィルタ１は、直列腕共振子Ｓ４と入出力端子１９との間に接続されている弾性波共振子１４（直列腕共振子Ｓ５）を更に有する。図１８に示したフィルタ１では、例えば、並列腕共振子Ｐ１をアンテナ端共振子１４Ａとするが、これに限らず、直列腕共振子Ｓ１をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよいし、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１の各々をアンテナ端共振子１４Ａとしてもよい。なお、図１８の回路構成は、第１通信バンドが３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０の場合に採用するフィルタ１の回路構成の一例である。

　（６）第１電子部品及び第２電子部品の他の例
　第１電子部品Ｅ１における基板１０は、例えば、図１９に示すように、第１高音速部材１０１の代わりに、支持基板１００（以下、第１支持基板１００とも称する）と、第１支持基板１００と第１低音速膜１０２との間に介在する高音速膜１０３（以下、第１高音速膜１０３とも称する）と、を有する構成であってもよい。第１高音速膜１０３は、第１圧電体層１０４を伝搬する弾性波の音速よりも、第１高音速膜１０３を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。第１高音速膜１０３は、第１高音速部材を構成する。また、第２電子部品Ｅ２における基板２０は、例えば、図２０に示すように、第２高音速部材２０１の代わりに、支持基板２００（以下、第２支持基板２００とも称する）と、第２支持基板２００と第２低音速膜２０２との間に介在する高音速膜２０３（以下、第２高音速膜２０３とも称する）と、を有する構成であってもよい。第２高音速膜２０３は、第２圧電体層２０４を伝搬する弾性波の音速よりも、第２高音速膜２０３を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。第２高音速膜２０３は、第２高音速部材を構成する。第１高音速膜１０３及び第２高音速膜２０３の材料は、例えば、窒化ケイ素であるが、窒化ケイ素に限定されず、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料であればよい。

　また、第１電子部品Ｅ１は、例えば、第１低音速膜１０２と第１圧電体層１０４との間に介在する密着層（以下、第１密着層とも称する）を含んでいてもよい。第１密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、第１電子部品Ｅ１は、第１低音速膜１０２と第１圧電体層１０４との間、第１圧電体層１０４上、又は第１低音速膜１０２下のいずれかに誘電体膜（第１誘電体膜）を備えていてもよい。また、第２電子部品Ｅ２は、例えば、第２低音速膜２０２と第２圧電体層２０４との間に介在する密着層（以下、第２密着層とも称する）を含んでいてもよい。第２密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、第２電子部品Ｅ２は、第２低音速膜２０２と第２圧電体層２０４との間、第２圧電体層２０４上、又は第２低音速膜２０２下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。また、第１電子部品Ｅ１は、第１圧電体層１０４上に設けられて複数の第１機能電極１１及び第３機能電極３１を覆っている保護膜（以下、第１保護膜とも称する）を更に備えていてもよい。第１保護膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。また、第２電子部品Ｅ２は、第２圧電体層２０４上に設けられて複数の第２機能電極２１を覆っている保護膜（以下、第２保護膜とも称する）を更に備えていてもよい。第２保護膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。

　また、第１電子部品Ｅ１では、アンテナ端共振子１４Ａ及び第２弾性波共振子２４は、例えば、図２１に示すようなＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子であってもよい。この場合、第１電子部品Ｅ１では、基板１０は、図２１に示すように、第１高音速部材１０１と第１低音速膜１０２との代わりに、圧電基板１０７（以下、第１圧電基板１０７とも称する）を含んでもよい。第１圧電基板１０７は、例えば、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である。また、第２電子部品Ｅ２では、第１弾性波共振子１４は、例えば、図２２に示すようなＳＡＷ共振子であってもよい。この場合、第２電子部品Ｅ２では、基板２０は、図２２に示すように、第２高音速部材２０１と第２低音速膜２０２との代わりに、圧電基板２０７（以下、第２圧電基板２０７とも称する）を含んでもよい。第２圧電基板２０７は、例えば、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である。高周波モジュール５００では、例えば、第１電子部品Ｅ１の基板１０を圧電基板１０７とし、第２電子部品Ｅ２の基板２０を第２高音速部材２０１と第２低音速膜２０２とを含む構成とすれば、インダクタ４の磁界に対するアンテナ端共振子１４Ａの感度を低くすることが可能となる。

　また、第１電子部品Ｅ１では、アンテナ端共振子１４Ａは、例えば、図２３に示すようなＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。この場合、第１電子部品Ｅ１では、第１基板（基板１０）がシリコン基板又はスピネル基板であり、アンテナ端共振子１４Ａを構成するＢＡＷ共振子は、基板１０の第１主面１０Ａ側に設けられている第１機能電極１１である下部電極（以下、第１下部電極とも称する）と、第１下部電極上の圧電体膜１２（以下、第１圧電体膜１２とも称する）と、第１圧電体膜１２上の上部電極１３（以下、第１上部電極１３とも称する）と、を含む。第１圧電体膜１２の材料は、例えば、ＡｌＮ、ＳｃＡｌＮ又はＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）である。アンテナ端共振子１４Ａを構成するＢＡＷ共振子は、第１機能電極１１における第１圧電体膜１２側とは反対側に空洞１６を有する。アンテナ端共振子１４Ａを構成するＢＡＷ共振子は、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）であるが、これに限らず、ＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）であってもよい。また、第２電子部品Ｅ２では、弾性波共振子１４は、例えば、図２４に示すようなＢＡＷ共振子であってもよい。この場合、第２電子部品Ｅ２では、第２基板（基板２０）がシリコン基板又はスピネル基板であり、弾性波共振子１４を構成するＢＡＷ共振子は、基板２０の第１主面２０Ａ側に設けられている第２機能電極２１である下部電極（以下、第２下部電極とも称する）と、第２下部電極上の圧電体膜２２（以下、第２圧電体膜２２とも称する）と、第２圧電体膜２２上の上部電極２３（以下、第２上部電極２３とも称する）と、を含む。第２圧電体膜２２の材料は、例えば、ＡｌＮ、ＳｃＡｌＮ又はＰＺＴである。弾性波共振子１４を構成するＢＡＷ共振子は、第２機能電極２１における第２圧電体膜２２側とは反対側に空洞２６を有する。また、第１電子部品Ｅ１では、第２弾性波共振子２４は、例えば、図２３に示すようなＢＡＷ共振子であってもよい。この場合、第１電子部品Ｅ１では第３基板（基板１０）がシリコン基板又はスピネル基板であり、第２弾性波共振子２４を構成するＢＡＷ共振子は、基板１０の第１主面１０Ａ側に設けられている第３機能電極３１である下部電極（以下、第３下部電極とも称する）と、第３下部電極上の圧電体膜３２（以下、第３圧電体膜とも称する）と、第３圧電体膜３２上の上部電極３３（以下、第３上部電極３３とも称する）と、を含む。第３圧電体膜３２の材料は、例えば、ＡｌＮ、ＳｃＡｌＮ又はＰＺＴである。第２弾性波共振子２４を構成するＢＡＷ共振子は、第３機能電極３１における第３圧電体膜３２側とは反対側に空洞３６を有する。

　（７）インダクタの他の例
　インダクタ４は、例えば、図２５及び図２６に示すような構成であってもよい。図２５及び図２６に示したインダクタ４では、素体４００は、磁性粉と樹脂を含む封止材からなる成型体である。巻回部４１３は、巻回された導線により構成されている。導線は、例えば、断面が平角状の平角線である。

　（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波モジュール５００ａについて、図２７を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール５００ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール５００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　高周波モジュール５００ａでは、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１電子部品Ｅ１の面積に占める第１グランド導体部１１５に重なる部分の面積の割合が、第２電子部品Ｅ２の面積に占める第２グランド導体部１１６に重なる部分の面積の割合よりも大きい。また、高周波モジュール５００では、実装基板１１０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１グランド導体部１１５のうち第１電子部品Ｅ１に重なる部分の面積が、第２グランド導体部１１６のうち第２電子部品Ｅ２に重なる部分の面積よりも大きい。よって、高周波モジュール５００ａは、実施形態１に係る高周波モジュール５００と比べて、第１電子部品Ｅ１の温度上昇を抑制することが可能となり、第１電子部品Ｅ１の耐電力性の向上を図れるととともに、温度上昇による第１フィルタ１の特性変動を抑制することが可能となる。

　（実施形態３）
　実施形態３に係る高周波モジュール５００ｂについて、図２８を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール５００ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール５００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　実施形態３に係る高周波モジュール５００ｂでは、図９に示した複数のフィルタ６０～６９のうちフィルタ６３が第１フィルタ１を構成し、フィルタ６５が第２フィルタ２を構成している点で、実施形態１に係る高周波モジュール５００と相違する。高周波モジュール５００ｂでは、第１電子部品Ｅ１が、第１フィルタ１（フィルタ６３）のアンテナ端共振子１４Ａ（直列腕共振子Ｓ１）と、第２フィルタ２（フィルタ６５）と、フィルタ６０と、フィルタ６２の複数の弾性波共振子のうちアンテナ端子Ｔ１に最も近いアンテナ端共振子２４Ａと、を含む。また、高周波モジュール５００ｂでは、第２電子部品Ｅ２が、第１フィルタ１（フィルタ６３）の複数の第１弾性波共振子１４のうちアンテナ端共振子１４Ａ以外の第１弾性波共振子１４と、フィルタ６２の複数の弾性波共振子のうちアンテナ端共振子以外の複数の弾性波共振子と、を含む。また、高周波モジュール５００ｂでは、第３電子部品Ｅ３が、フィルタ６６と、フィルタ６７と、を含む。

　高周波モジュール５００ｂでは、第１フィルタ１（フィルタ６３）のアンテナ端共振子１４Ａ（直列腕共振子Ｓ１）と、第２フィルタ２（フィルタ６５）のアンテナ端共振子２４Ａと、フィルタ６４のアンテナ端共振子６４Ａとが実装基板１１０において接続点Ｋ１に接続されている。また、高周波モジュール５００ｂでは、フィルタ６２のアンテナ端共振子６２Ａと、フィルタ６０のアンテナ端共振子６０Ａと、フィルタ６１のアンテナ端共振子６１Ａとが実装基板１１０において接続点Ｋ２に接続されている。

　実施形態３に係る高周波モジュール５００ｂは、実施形態１に係る高周波モジュール５００と同様、インダクタ４の巻回軸Ａ４の方向からの側面視で、インダクタ４とアンテナ端共振子１４Ａとが重ならないので、アンテナ端共振子１４Ａがインダクタ４の磁界の影響を受けにくく、インダクタ４の磁界の影響でフィルタ１の特性が低下するのを抑制することが可能となる。

　また、実施形態３に係る高周波モジュール５００ｂは、第１フィルタ１（フィルタ６３）のアンテナ端共振子１４Ａ（直列腕共振子Ｓ１）、第２フィルタ２（フィルタ６５）のアンテナ端共振子２４Ａ及びフィルタ６４のアンテナ端共振子６４Ａそれぞれから、接続点Ｋ１までの距離を短くすることが可能となり、配線の浮遊容量や配線によるロスが減少し、ＮＦ（Noise Figure）の低下を抑制することが可能となる。また、高周波モジュール５００ｂは、フィルタ６２のアンテナ端共振子６２Ａ、フィルタ６０のアンテナ端共振子６０Ａ及びフィルタ６１のアンテナ端共振子６１Ａそれぞれから、接続点Ｋ２までの距離を短くすることが可能となり、配線の浮遊容量や配線によるロスが減少し、ＮＦの低下を抑制することが可能となる。

　（変形例）
　上記の実施形態１～３は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～３は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能であり、互いに異なる実施形態の互いに異なる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

　例えば、高周波モジュール５００、５００ａ、５００ｂでは、複数のフィルタ６０～６９は、少なくとも、第１フィルタ１を含んでいればよい。

　また、高周波モジュール５００、５００ａ、５００ｂでは、第１電子部品Ｅ１における実装基板１１０側とは反対側の主面（基板１０の第２主面１０Ｂ）が金属電極層１３０に接し、第２電子部品Ｅ２における実装基板１１０側とは反対側の主面（基板２０の第２主面２０Ｂ）が金属電極層１３０に接しているが、これに限らない。例えば、高周波モジュール５００、５００ａ、５００ｂは、第１電子部品Ｅ１における実装基板１１０側とは反対側の主面と、第２電子部品Ｅ２における実装基板１１０側とは反対側の主面と、のいずれか一方が金属電極層１３０に接している構造であってもよいし、両方とも金属電極層１３０に接していない構造であってもよい。

　また、高周波モジュール５００は、ＩＣチップ８の代わりに、第１スイッチ７を含む第１ＩＣチップと、第１ＩＣチップとは別個であり、複数のローノイズアンプ８０～８９を含む第２ＩＣチップと、第１ＩＣチップ及び第２ＩＣチップとは別個であり、第２スイッチ９を含む第３ＩＣチップと、を備えていてもよい。この場合、高周波モジュール５００では、第１ＩＣチップと、第２ＩＣチップと、第３ＩＣチップとのうち少なくとも１つが実装基板１１０の第１主面１１１に配置されていてもよい。

　実施形態１に係る通信装置６００は、高周波モジュール５００の代わりに、高周波モジュール５００ａ又は高周波モジュール５００ｂを備えてもよい。

　また、高周波モジュール５００、５００ａ、５００ｂは、受信フィルタ（フィルタ６０～６９）とローノイズアンプ８０～８９とを備える受信モジュールに限らず、例えば、送信フィルタとパワーアンプとを備える送信モジュールであってもよいし、送信フィルタとパワーアンプと受信フィルタとローノイズアンプとを備える送受信モジュールであってもよい。高周波モジュール５００、５００ａ、５００ｂが送信モジュールの場合、第１フィルタ１は、送信フィルタである。また、高周波モジュール５００、５００ａ、５００ｂが送受信モジュールの場合、第１フィルタ１は、受信フィルタであってもよいし、送信フィルタであってもよい。

　また、高周波モジュール５００、５００ａ、５００ｂは、複数の外部接続端子Ｔ０がボールバンプであり、かつ、第２樹脂層１５０を備えていない構成であってもよい。この場合、高周波モジュール５００、５００ａ、５００ｂは、実装基板１１０の第２主面１１２に実装されているスイッチ７と実装基板１１０の第２主面１１２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。複数の外部接続端子Ｔ０の各々を構成するボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。複数の外部接続端子Ｔ０は、ボールバンプにより構成された外部接続端子Ｔ０と、柱状電極により構成された外部接続端子Ｔ０と、が混在してもよい。

　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。

　第１の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、実装基板（１１０）と、アンテナ端子（Ｔ１）と、フィルタ（１）と、インダクタ（４）と、を備える。実装基板（１１０）は、互いに対向する第１主面（１１１）及び第２主面（１１２）を有する。アンテナ端子（Ｔ１）は、実装基板（１１０）に配置されている。フィルタ（１）は、アンテナ端子（Ｔ１）に接続されている。インダクタ（４）は、実装基板（１１０）の第１主面（１１１）に配置されている。インダクタ（４）は、巻回部（４１３）を含む。フィルタ（１）は、複数の弾性波共振子（１４）を有する。複数の弾性波共振子（１４）は、アンテナ端子（Ｔ１）に接続された信号経路（Ｒｕ１）に設けられている複数の直列腕共振子（Ｓ１～Ｓ４）と、信号経路（Ｒｕ１）とグランドとの間に接続されている複数の並列腕共振子（Ｐ１～Ｐ４）と、を含む。複数の直列腕共振子（Ｓ１～Ｓ４）のうちアンテナ端子（Ｔ１）に最も近い直列腕共振子（Ｓ１）、及び、複数の並列腕共振子（Ｐ１～Ｐ４）のうちアンテナ端子（Ｔ１）に最も近い並列腕共振子（Ｐ１）の少なくとも１つをアンテナ端共振子（１４Ａ）とした場合に、フィルタ（１）は、第１基板（基板１０）と、第１基板上に設けられており、アンテナ端共振子（１４Ａ）の一部を構成する第１機能電極（１１）と、第１基板とは別個の第２基板（基板２０）と、第２基板上に設けられており、複数の弾性波共振子（１４）のうちアンテナ端共振子（１４Ａ）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（１４）の一部を構成する第２機能電極（２１）と、を含む。第１基板と第１機能電極（１１）とを含む第１電子部品（Ｅ１）が、実装基板（１１０）の第１主面（１１１）に配置されている。第２基板と第２機能電極（２１）とを含む第２電子部品（Ｅ２）が、実装基板（１１０）の第１主面（１１１）に配置されている。アンテナ端子（Ｔ１）と第１電子部品（Ｅ１）との距離は、アンテナ端子（Ｔ１）と第２電子部品（Ｅ２）との距離よりも短い。インダクタ（４）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で第１電子部品（Ｅ１）に隣接している。インダクタ（４）は、巻回部（４１３）の巻回軸（Ａ４）の方向からの側面視で、アンテナ端共振子（１４Ａ）と重ならない。

　第１の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、フィルタ（１）の特性の低下を低減することが可能となる。

　第２の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、実装基板（１１０）と、アンテナ端子（Ｔ１）と、フィルタ（１）と、インダクタ（４）と、を備える。実装基板（１１０）は、互いに対向する第１主面（１１１）及び第２主面（１１２）を有する。アンテナ端子（Ｔ１）は、実装基板（１１０）に配置されている。フィルタ（１）は、アンテナ端子（Ｔ１）に接続されている。インダクタ（４）は、実装基板（１１０）の第１主面（１１１）に配置されている。インダクタ（４）は、巻回部（４１３）を含む。フィルタ（１）は、複数の弾性波共振子（１４）を有する。複数の弾性波共振子（１４）は、アンテナ端子（Ｔ１）に接続された信号経路（Ｒｕ１）に設けられている複数の直列腕共振子（Ｓ１～Ｓ４）と、信号経路（Ｒｕ１）とグランドとの間に接続されている複数の並列腕共振子（Ｐ１～Ｐ４）と、を含む。複数の直列腕共振子（Ｓ１～Ｓ４）のうちアンテナ端子（Ｔ１）に最も近い直列腕共振子（Ｓ１）、及び、複数の並列腕共振子（Ｐ１～Ｐ４）のうちアンテナ端子（Ｔ１）に最も近い並列腕共振子（Ｐ１）の少なくとも１つをアンテナ端共振子（１４Ａ）とした場合に、フィルタ（１）は、第１基板（基板１０）と、第１基板上に設けられており、アンテナ端共振子（１４Ａ）の一部を構成する第１機能電極（１１）と、第１基板とは別個の第２基板（基板２０）と、第２基板上に設けられており、複数の弾性波共振子（１４）のうちアンテナ端共振子（１４Ａ）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（１４）の一部を構成する第２機能電極（２１）と、を含む。第１基板と第１機能電極（１１）とを含む第１電子部品（Ｅ１）が、実装基板（１１０）の第１主面（１１１）に配置されている。第２基板と第２機能電極（２１）とを含む第２電子部品（Ｅ２）が、実装基板（１１０）の第１主面（１１１）に配置されている。アンテナ端子（Ｔ１）と第１電子部品（Ｅ１）との距離は、アンテナ端子（Ｔ１）と第２電子部品（Ｅ２）との距離よりも短い。インダクタ（４）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で第１電子部品（Ｅ１）に隣接している。インダクタ（４）は、第１電子部品（Ｅ１）側とは反対側からの側面視で、インダクタ（４）における巻回部（４１３）の内側部分（４１４）にアンテナ端共振子（１４Ａ）が重ならない。

　第２の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、フィルタ（１）の特性の低下を低減することが可能となる。

　第３の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、第１又は２の態様において、フィルタ（１）である第１フィルタ（１）の通過帯域である第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する第２フィルタ（２）を更に備える。第２フィルタ（２）は、第１フィルタ（１）の複数の弾性波共振子（１４）である複数の第１弾性波共振子（１４）とは別の複数の第２弾性波共振子（２４）を有する。第１電子部品（Ｅ１）は、第１基板（基板１０）を含む。第２電子部品（Ｅ２）は、第２基板（基板２０）を含む。第２フィルタ（２）は、第３基板（基板１０）を含む。第１基板と第３基板とは共通である。

　第３の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、第１電子部品（Ｅ１）に第１フィルタ（１）のアンテナ端共振子（１４Ａ）と第２フィルタ（２）とを含めることができる。

　第４の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）では、第３の態様において、第１通過帯域は、第１通信バンドの周波数帯を含む。第２通過帯域は、第１通信バンドと同時通信可能な第２通信バンドの周波数帯を含む。

　第４の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、第１フィルタ（１）と第２フィルタ（２）とを利用する同時通信のときに第１フィルタ（１）の特性が低下するのを抑制することが可能となる。

　第５の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）では、第３又は４の態様において、少なくとも１つのアンテナ端共振子（１４Ａ）は、アンテナ端子（Ｔ１）に最も近い並列腕共振子（Ｐ１）である。

　第５の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）では、フィルタ（１）の減衰特性の低下を抑制することが可能となる。

　第６の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ｂ）では、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（１１０）は、第１グランド導体部（１１５）と、第２グランド導体部（１１６）と、を有する。第１グランド導体部（１１５）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で少なくとも一部が第１電子部品（Ｅ１）に重なる。第２グランド導体部（１１６）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で少なくとも一部が第２電子部品（Ｅ２）に重なる。実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１電子部品（Ｅ１）の面積に占める第１グランド導体部（１１５）に重なる部分の面積の割合が、第２電子部品（Ｅ２）の面積に占める第２グランド導体部（１１６）に重なる部分の面積の割合よりも大きい。

　第６の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ｂ）は、第１電子部品（Ｅ１）で発生する熱が放熱されやすくなり、第１電子部品（Ｅ１）の温度上昇を抑制することが可能となる。

　第７の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ｂ）では、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（１１０）は、第１グランド導体部（１１５）と、第２グランド導体部（１１６）と、を有する。第１グランド導体部（１１５）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で少なくとも一部が第１電子部品（Ｅ１）に重なる。第２グランド導体部（１１６）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で少なくとも一部が第２電子部品（Ｅ２）に重なる。実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１グランド導体部（１１５）のうち第１電子部品（Ｅ１）に重なる部分の面積が、第２グランド導体部（１１６）のうち第２電子部品（Ｅ２）に重なる部分の面積よりも大きい。

　第７の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ｂ）は、第１電子部品（Ｅ１）で発生する熱が放熱されやすくなり、第１電子部品（Ｅ１）の温度上昇を抑制することが可能となる。

　第８の態様に係る高周波モジュール（５００ａ）では、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（１１０）は、第１グランド導体部（１１５）と、第２グランド導体部（１１６）と、を有する。第１グランド導体部（１１５）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で少なくとも一部が第１電子部品（Ｅ１）に重なる。第２グランド導体部（１１６）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で少なくとも一部が第２電子部品（Ｅ２）に重なる。実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２電子部品（Ｅ２）の面積に占める第２グランド導体部（１１６）に重なる部分の面積の割合が、第１電子部品（Ｅ１）の面積に占める第１グランド導体部（１１５）に重なる部分の面積の割合よりも大きい。

　第８の態様に係る高周波モジュール（５００ａ）は、第２電子部品（Ｅ２）で発生する熱が放熱されやすくなり、第２電子部品（Ｅ２）の温度上昇を抑制することが可能となる。

　第９の態様に係る高周波モジュール（５００ａ）では、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（１１０）は、第１グランド導体部（１１５）と、第２グランド導体部（１１６）と、を有する。第１グランド導体部（１１５）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で少なくとも一部が第１電子部品（Ｅ１）に重なる。第２グランド導体部（１１６）は、実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で少なくとも一部が第２電子部品（Ｅ２）に重なる。実装基板（１１０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２グランド導体部（１１６）のうち第２電子部品（Ｅ２）に重なる部分の面積が、第１グランド導体部（１１５）のうち第１電子部品（Ｅ１）に重なる部分の面積よりも大きい。

　第９の態様に係る高周波モジュール（５００ａ）は、第２電子部品（Ｅ２）で発生する熱が放熱されやすくなり、第２電子部品（Ｅ２）の温度上昇を抑制することが可能となる。

　第１０の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、第１～９の態様のいずれか一つにおいて、樹脂層（１２０）と、金属電極層（１３０）と、を更に備える。樹脂層（１２０）は、実装基板（１１０）の第１主面（１１１）に配置されており、第１電子部品（Ｅ１）の少なくとも一部と第２電子部品（Ｅ２）の少なくとも一部とインダクタ（４）とを覆っている。金属電極層（１３０）は、樹脂層（１２０）の少なくとも一部を覆っており、グランド電位となる。第２電子部品（Ｅ２）における実装基板（１１０）側とは反対側の主面（基板２０の第２主面２０Ｂ）が金属電極層（１３０）に接している。

　第１０の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、第２電子部品（Ｅ２）で発生する熱を放熱させやすくなる。

　第１１の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、第１～９の態様のいずれか一つにおいて、樹脂層（１２０）と、金属電極層（１３０）と、を更に備える。樹脂層（１２０）は、実装基板（１１０）の第１主面（１１１）に配置されており、第１電子部品（Ｅ１）の少なくとも一部と第２電子部品（Ｅ２）の少なくとも一部とインダクタ（４）とを覆っている。金属電極層（１３０）は、樹脂層（１２０）の少なくとも一部を覆っており、グランド電位となる。第１電子部品（Ｅ１）における実装基板（１１０）側とは反対側の主面（基板１０の第２主面１０Ｂ）が金属電極層（１３０）に接している。

　第１１の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）は、第１電子部品（Ｅ１）で発生する熱を放熱させやすくなる。

　第１２の態様に係る通信装置（６００）は、高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）と、信号処理回路（６０１）と、を備える。信号処理回路（６０１）は、高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ）に接続されている。

　第１２の態様に係る通信装置（６００）は、フィルタ（１）の特性の低下を抑制することが可能となる。

　１　フィルタ（第１フィルタ）
　２　第２フィルタ
　４　インダクタ
　４００　素体
　４０１　天面
　４０２　底面
　４０３　第１側面
　４０４　第２側面
　４０５　第３側面
　４０６　第４側面
　４１１　第１外部電極
　４１２　第２外部電極
　４１３　巻回部
　４１４　内側部分
　Ａ４　巻回軸
　５　インダクタ
　６０～６９　フィルタ
　６０Ａ　アンテナ端共振子
　６１Ａ　アンテナ端共振子
　６２Ａ　アンテナ端共振子
　６４Ａ　アンテナ端共振子
　７　スイッチ（第１スイッチ）
　７０　共通端子
　７１～７４　選択端子
　８　ＩＣチップ
　８０～８９　ローノイズアンプ
　９　第２スイッチ
　９Ａ　共通端子
　９０～９９　選択端子
　１０　基板
　１０Ａ　第１主面
　１０Ｂ　第２主面
　１１　第１機能電極
　１２　圧電体膜（第１圧電体膜）
　１３　上部電極（第１上部電極）
　１４　弾性波共振子（第１弾性波共振子）
　１４Ａ　アンテナ端共振子（第１アンテナ端共振子）
　１６　空洞
　１７　ＩＤＴ電極
　１７０　交差領域
　１７１　第１電極指
　１７２　第２電極指
　１８　入出力端子
　１９　入出力端子
　２０　基板
　２０Ａ　第１主面
　２０Ｂ　第２主面
　２１　第２機能電極
　２２　圧電体膜（第２圧電体膜）
　２３　上部電極（第２上部電極）
　２６　空洞
　２４　弾性波共振子（第２弾性波共振子）
　２４Ａ　アンテナ端共振子（第２アンテナ端共振子）
　２７　ＩＤＴ電極
　２７１　第１電極指
　２７２　第２電極指
　２８　入出力端子
　２９　入出力端子
　３０　基板
　３１　第３機能電極
　３２　圧電体膜（第３圧電体膜）
　３３　上部電極（第３上部電極）
　３６　空洞
　３７　ＩＤＴ電極
　３７１　第１電極指
　３７２　第２電極指
　４０　基板
　５０　基板
　１００　支持基板（第１支持基板）
　１０１　高音速部材（第１高音速部材）
　１０２　低音速膜（第１低音速膜）
　１０３　高音速膜（第１高音速膜）
　１０４　圧電体層（第１圧電体層）
　１０７　圧電基板（第１圧電基板）
　１１０　実装基板
　１１１　第１主面
　１１２　第２主面
　１１３　外周面
　１１５　第１グランド導体部
　１１６　第２グランド導体部
　１２０　樹脂層（第１樹脂層）
　１３０　金属電極層
　１５０　第２樹脂層
　２００　支持基板（第２支持基板）
　２０１　高音速部材（第２高音速部材）
　２０２　低音速膜（第２低音速膜）
　２０３　高音速膜（第２高音速膜）
　２０４　圧電体層（第２圧電体層）
　２０７　圧電基板（第２圧電基板）
　５００、５００ａ、５００ｂ　高周波モジュール
　６００　通信装置
　６０１　信号処理回路
　６０２　ＲＦ信号処理回路
　６０３　ベースバンド信号処理回路
　６１０　アンテナ
　Ｄ１　厚さ方向
　Ｅ１　第１電子部品
　Ｅ２　第２電子部品
　Ｅ３　第３電子部品
　Ｅ４　第４電子部品
　Ｅ５　第５電子部品
　Ｋ１　接続点
　Ｋ２　接続点
　Ｋ３　接続点
　Ｋ４　接続点
　Ｌ０～Ｌ１７　インダクタ
　Ｍ１　整合回路
　Ｍ２　整合回路
　Ｍ３　整合回路
　Ｍ４　整合回路
　Ｒｕ１　信号経路（第１信号経路）
　Ｒｕ２　信号経路（第２信号経路）
　Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５　直列腕共振子
　Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４　縦結合型共振子
　Ｓ３１、Ｓ３２、Ｓ３３、Ｓ３４．Ｓ３５　直列腕共振子
　Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４　並列腕共振子
　Ｐ３１、Ｐ３２、Ｐ３３、Ｐ３４　並列腕共振子
　Ｔ０　外部接続端子
　Ｔ１　アンテナ端子
　Ｔ２　信号出力端子
　Ｔ３　外部グランド端子
　Ｗ１　距離
　Ｗ２　距離
　Ｗ１７　交差幅

Claims

　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
　前記実装基板に配置されているアンテナ端子と、
　前記アンテナ端子に接続されているフィルタと、
　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、巻回部を含むインダクタと、を備え、
　前記フィルタは、複数の弾性波共振子を有し、
　前記複数の弾性波共振子は、
　　前記アンテナ端子に接続された信号経路に設けられている複数の直列腕共振子と、
　　前記信号経路とグランドとの間に接続されている複数の並列腕共振子と、を含み、
　前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端子に最も近い直列腕共振子、及び、前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端子に最も近い並列腕共振子の少なくとも１つをアンテナ端共振子とした場合に、前記フィルタは、
　　第１基板と、
　　前記第１基板上に設けられており、前記アンテナ端共振子の一部を構成する第１機能電極と、
　　前記第１基板とは別個の第２基板と、
　　前記第２基板上に設けられており、前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子の一部を構成する第２機能電極と、を含み、
　前記第１基板と前記第１機能電極とを含む第１電子部品が、前記実装基板の前記第１主面に配置され、
　前記第２基板と前記第２機能電極とを含む第２電子部品が、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
　前記アンテナ端子と前記第１電子部品との距離は、前記アンテナ端子と前記第２電子部品との距離よりも短く、
　前記インダクタは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記第１電子部品に隣接しており、
　前記インダクタは、前記巻回部の巻回軸の方向からの側面視で、前記アンテナ端共振子と重ならない、
　高周波モジュール。
　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
　前記実装基板に配置されているアンテナ端子と、
　前記アンテナ端子に接続されているフィルタと、
　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、巻回部を含むインダクタと、を備え、
　前記フィルタは、複数の弾性波共振子を有し、
　前記複数の弾性波共振子は、
　　前記アンテナ端子に接続された信号経路に設けられている複数の直列腕共振子と、
　　前記信号経路とグランドとの間に接続されている複数の並列腕共振子と、を含み、
　前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端子に最も近い直列腕共振子、及び、前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端子に最も近い並列腕共振子の少なくとも１つをアンテナ端共振子とした場合に、前記フィルタは、
　　第１基板と、
　　前記第１基板上に設けられており、前記アンテナ端共振子の一部を構成する第１機能電極と、
　　前記第１基板とは別個の第２基板と、
　　前記第２基板上に設けられており、前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子の一部を構成する第２機能電極と、を含み、
　前記第１基板と前記第１機能電極とを含む第１電子部品が、前記実装基板の前記第１主面に配置され、
　前記第２基板と前記第２機能電極とを含む第２電子部品が、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
　前記アンテナ端子と前記第１電子部品との距離は、前記アンテナ端子と前記第２電子部品との距離よりも短く、
　前記インダクタは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記第１電子部品に隣接しており、
　前記インダクタは、前記第１電子部品側とは反対側からの側面視で、前記インダクタにおける前記巻回部の内側部分に前記アンテナ端共振子が重ならない、
　高周波モジュール。
　前記フィルタである第１フィルタの通過帯域である第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する第２フィルタを更に備え、
　前記第２フィルタは、前記第１フィルタの前記複数の弾性波共振子である複数の第１弾性波共振子とは別の複数の第２弾性波共振子を有し、
　前記第２フィルタは、第３基板を含み、
　前記第１基板と前記第３基板とは共通である、
　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
　前記第１通過帯域は、第１通信バンドの周波数帯を含み、
　前記第２通過帯域は、前記第１通信バンドと同時通信可能な第２通信バンドの周波数帯を含む、
　請求項３に記載の高周波モジュール。
　前記少なくとも１つのアンテナ端共振子は、前記アンテナ端子に最も近い並列腕共振子である、
　請求項３又は４に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板は、
　　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で少なくとも一部が前記第１電子部品に重なる第１グランド導体部と、
　　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で少なくとも一部が前記第２電子部品に重なる第２グランド導体部と、を有し、
　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で、
　　前記第１電子部品の面積に占める前記第１グランド導体部に重なる部分の面積の割合が、前記第２電子部品の面積に占める前記第２グランド導体部に重なる部分の面積の割合よりも大きい、
　請求項１～５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板は、
　　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で少なくとも一部が前記第１電子部品に重なる第１グランド導体部と、
　　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で少なくとも一部が前記第２電子部品に重なる第２グランド導体部と、を有し、
　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で、
　　前記第１グランド導体部のうち前記第１電子部品に重なる部分の面積が、前記第２グランド導体部のうち前記第２電子部品に重なる部分の面積よりも大きい、
　請求項１～５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板は、
　　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で少なくとも一部が前記第１電子部品に重なる第１グランド導体部と、
　　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で少なくとも一部が前記第２電子部品に重なる第２グランド導体部と、を有し、
　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で、
　　前記第２電子部品の面積に占める前記第２グランド導体部に重なる部分の面積の割合が、前記第１電子部品の面積に占める前記第１グランド導体部に重なる部分の面積の割合よりも大きい、
　請求項１～５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板は、
　　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で少なくとも一部が前記第１電子部品に重なる第１グランド導体部と、
　　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で少なくとも一部が前記第２電子部品に重なる第２グランド導体部と、を有し、
　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で、
　　前記第２グランド導体部のうち前記第２電子部品に重なる部分の面積が、前記第１グランド導体部のうち前記第１電子部品に重なる部分の面積よりも大きい、
　請求項１～５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第１電子部品の少なくとも一部と前記第２電子部品の少なくとも一部と前記インダクタとを覆っている樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆っており、グランド電位となる金属電極層と、を更に備え、
　前記第２電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面が前記金属電極層に接している、
　請求項１～９のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第１電子部品の少なくとも一部と前記第２電子部品の少なくとも一部と前記インダクタとを覆っている樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆っており、グランド電位となる金属電極層と、を更に備え、
　前記第１電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面が前記金属電極層に接している、
　請求項１～９のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　請求項１～１１のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
　前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
　通信装置。