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WO2022244289A1 - 半導体材料および光電変換素子 - Google Patents

半導体材料および光電変換素子 Download PDF

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WO2022244289A1
WO2022244289A1 PCT/JP2021/047006 JP2021047006W WO2022244289A1 WO 2022244289 A1 WO2022244289 A1 WO 2022244289A1 JP 2021047006 W JP2021047006 W JP 2021047006W WO 2022244289 A1 WO2022244289 A1 WO 2022244289A1
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WO
WIPO (PCT)
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photoelectric conversion
semiconductor material
transport layer
electrode
group
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2021/047006
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English (en)
French (fr)
Inventor
透 中村
牧 平岡
洋 樋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to CN202180098109.1A priority patent/CN117296478A/zh
Priority to JP2023522199A priority patent/JPWO2022244289A1/ja
Publication of WO2022244289A1 publication Critical patent/WO2022244289A1/ja
Priority to US18/505,157 priority patent/US20240090309A1/en
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    • H10K30/86—Layers having high hole mobility, e.g. hole-transporting layers or electron-blocking layers
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present disclosure relates to semiconductor materials and photoelectric conversion elements.
  • organic semiconductor devices using organic semiconductor materials can be manufactured at lower process temperatures, and since organic semiconductor materials are highly soluble in solvents, simple processes such as coating can be used. It is expected to be applied to various uses because of its ability to form a film.
  • High charge mobility is required for organic semiconductor materials used in organic semiconductor devices. Further, as a material that selectively transports holes, a material having triphenylamine as a base is known. However, those materials do not have very high hole mobilities as a single unit. Therefore, in order to drive a device using the above material, it was necessary to add a dopant to increase conductivity.
  • the activation rate of the dopant is low, and a large amount of dopant must be added in order to operate the device efficiently. rice field.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor material suitable for increasing the photoelectric conversion efficiency of photoelectric conversion elements.
  • R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R4 represents an aryl group, an amino group, a hydroxy group, or an alkoxy group.
  • n represents an integer of 2 or more.
  • the present disclosure provides semiconductor materials suitable for increasing the photoelectric conversion efficiency of photoelectric conversion elements.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a photoelectric conversion element according to a second embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a modification of the photoelectric conversion element according to the second embodiment.
  • 3 is a graph showing the dopant concentration dependence of the photoelectric conversion efficiency of the solar cell according to Example 1.
  • FIG. 4 is a graph showing the dopant concentration dependence of the photoelectric conversion efficiency of the solar cell according to Comparative Example 1.
  • FIG. FIG. 5 is a graph showing the dopant concentration dependence of the hole concentration of the polytriaryl-based semiconductor compound for the organic semiconductor films according to Example 2 and Comparative Example 2.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a photoelectric conversion element according to a second embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a modification of the photoelectric conversion element according to the second embodiment.
  • 3 is a graph showing the dopant concentration dependence of the photoelectric conversion efficiency of the solar cell according to Example 1.
  • FIG. 4 is a graph showing
  • Non-Patent Document 1 reports that the solar cell characteristics are maximized when the dopant concentration is 5 mol% per unit mass of the PTAA repeating unit, and that the characteristics deteriorate when the dopant concentration is increased beyond that.
  • Patent Document 1 reports that the durability of the solar cell is improved when the polytolylamine-based semiconductor compound has a number average molecular weight of 8500 or more. However, Patent Document 1 does not pay attention to the terminal group of the polytolylamine-based semiconductor compound.
  • the present inventors have investigated in detail the effects of PTAA terminal groups on solar cell characteristics and their mechanisms. It has been found that solar cell properties such as efficiency are improved. Specifically, by using PTAA having a specific terminal group, the solar cell characteristics can be monotonically improved even if the dopant concentration exceeds 10 mol % per unit mass of PTAA. %, the photoelectric conversion efficiency is maximized.
  • the semiconductor material according to the first embodiment is represented by the following formula (I).
  • R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R4 represents an aryl group, an amino group, a hydroxy group, or an alkoxy group.
  • n represents an integer of 2 or more.
  • R 4 is an aryl group, an amino group, a hydroxy group, or an alkoxy group
  • the electron-donating property of the semiconductor material is enhanced.
  • the carrier is efficiently doped when combined with the additive, and the conductivity is improved.
  • the semiconductor material according to the first embodiment is suitable for increasing the photoelectric conversion efficiency of photoelectric conversion elements.
  • R 1 , R 2 and R 3 may all be methyl groups.
  • R 4 may be an aryl group.
  • the aryl group may be a phenyl group.
  • the number average molecular weight of the semiconductor material according to the first embodiment may be 8000 or less.
  • a photoelectric conversion element includes a first electrode, a photoelectric conversion layer, a hole transport layer, and a second electrode in this order.
  • the hole transport layer comprises a semiconductor material according to the first embodiment.
  • the photoelectric conversion element according to the second embodiment contains the semiconductor material according to the first embodiment, it has high photoelectric conversion efficiency.
  • the photoelectric conversion element according to the second embodiment is used, for example, as a solar cell.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a photoelectric conversion element according to the second embodiment.
  • a photoelectric conversion element 100 shown in FIG. 1 is an example of the configuration of a photoelectric conversion element according to the second embodiment.
  • a photoelectric conversion element 100 includes a substrate 1, a first electrode 2, an electron transport layer 3, a photoelectric conversion layer 4, a hole transport layer 5, and a second electrode 6 in this order.
  • the photoelectric conversion element 100 may not have the electron transport layer 3.
  • the photoelectric conversion layer 4 When the photoelectric conversion element 100 is irradiated with light, the photoelectric conversion layer 4 absorbs the light and generates excited electrons and holes. The excited electrons move to the first electrode 2 through the electron transport layer 3 . On the other hand, holes generated in the photoelectric conversion layer 4 move to the second electrode 6 via the hole transport layer 5 . In this manner, the photoelectric conversion element 100 can extract current from the first electrode 2 as the negative electrode and the second electrode 6 as the positive electrode.
  • the photoelectric conversion element 100 can be produced, for example, by the following method.
  • the first electrode 2 is formed on the surface of the substrate 1 by chemical vapor deposition, sputtering, or the like.
  • the electron transport layer 3 is formed by a chemical vapor deposition method, a sputtering method, a solution coating method, or the like.
  • a photoelectric conversion layer 4 is formed on the electron transport layer 3 .
  • a perovskite compound may be cut into a predetermined thickness to form the photoelectric conversion layer 4 and placed on the electron transport layer 3 .
  • the hole transport layer 5 is formed on the photoelectric conversion layer 4 by chemical vapor deposition, sputtering, solution coating, or the like.
  • a second electrode 6 is formed on the hole transport layer 5 by a chemical vapor deposition method, a sputtering method, a solution coating method, or the like. As described above, the photoelectric conversion element 100 is obtained.
  • the photoelectric conversion element 100 according to the second embodiment may further include a porous layer.
  • the porous layer is arranged, for example, between the electron transport layer and the photoelectric conversion layer.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a modification of the photoelectric conversion element according to the second embodiment.
  • the substrate 1, the first electrode 2, the electron transport layer 3, the porous layer 7, the photoelectric conversion layer 4, the hole transport layer 5, and the second electrode 6 are arranged in this order. Prepare.
  • the porous layer 7 contains a porous body.
  • the porous body contains voids.
  • the photoelectric conversion element 200 may not have the electron transport layer 2 .
  • the substrate 1 is an ancillary component.
  • the substrate 1 plays a role of holding each layer of the photoelectric conversion element.
  • Substrate 1 may be formed from a transparent material.
  • a transparent material for example, a glass substrate or a plastic substrate can be used.
  • the plastic substrate may be, for example, a plastic film.
  • the substrate 1 may be made of a non-translucent material. Metals, ceramics, or resin materials with low translucency can be used as such materials.
  • each layer can be held by the first electrode 2, so the substrate 1 does not have to be provided.
  • the first electrode 2 has conductivity.
  • the first electrode 2 has translucency. For example, it transmits light in the visible region to the near-infrared region.
  • the first electrode 2 is made of, for example, a transparent and conductive material.
  • materials are metal oxides or metal nitrides.
  • examples of such materials are (i) titanium oxide doped with at least one selected from the group consisting of lithium, magnesium, niobium, and fluorine; (ii) gallium oxide doped with at least one selected from the group consisting of tin and silicon; (iii) gallium nitride doped with at least one selected from the group consisting of silicon and oxygen; (iv) tin oxide doped with at least one selected from the group consisting of antimony and fluorine; (v) zinc oxide doped with at least one selected from the group consisting of boron, aluminum, gallium, and indium; (vi) indium-tin composite oxide, or (vii) composites thereof, is.
  • the first electrode 2 may be formed by using a non-transparent material and providing a light-transmitting pattern.
  • light-transmitting patterns are linear, wavy, lattice, or punching metal patterns in which a large number of fine through-holes are regularly or irregularly arranged. When the first electrode 2 has these patterns, light can pass through portions where no electrode material exists.
  • non-transparent electrode materials are platinum, gold, silver, copper, aluminum, rhodium, indium, titanium, iron, nickel, tin, zinc, or alloys containing any of these.
  • Conductive carbon materials may be used as non-transparent electrode materials.
  • the first electrode 2 has a property of blocking holes from the photoelectric conversion layer 4 .
  • the first electrode 2 does not make ohmic contact with the photoelectric conversion layer 4 .
  • the property of blocking holes from the photoelectric conversion layer 4 means the property of allowing only electrons generated in the photoelectric conversion layer 4 to pass through and not allowing holes to pass therethrough.
  • the Fermi energy level of the material having such properties is higher than the energy level at the top of the valence band of the photoelectric conversion layer 4 .
  • the Fermi energy level of the material having such properties may be higher than the Fermi energy of the photoelectric conversion layer 4 .
  • a specific material is aluminum.
  • the first electrode 2 does not have to block holes from the photoelectric conversion layer 4 .
  • the first electrode 2 can be made of a material capable of forming an ohmic contact with the photoelectric conversion layer 4 .
  • the first electrode 2 may or may not be in ohmic contact with the photoelectric conversion layer 4 .
  • the light transmittance of the first electrode 2 may be, for example, 50% or more, or may be 80% or more.
  • the wavelength of light that the first electrode 2 should transmit depends on the absorption wavelength of the photoelectric conversion layer 4 .
  • the thickness of the first electrode 2 may be, for example, 1 nm or more and 1000 nm or less.
  • the electron transport layer 3 contains a semiconductor.
  • the electron transport layer 3 may be made of a semiconductor with a bandgap of 3.0 eV or more. Thereby, visible light and infrared light can be transmitted to the photoelectric conversion layer 4 .
  • Examples of semiconductors are inorganic n-type semiconductors.
  • Examples of inorganic n-type semiconductors are metal oxides, metal nitrides or perovskite oxides.
  • metal oxides are Cd, Zn, In, Pb, Mo, W, Sb, Bi, Cu, Hg, Ti, Ag, Mn, Fe, V, Sn, Zr, Sr, Ga, Si, or Cr.
  • is an oxide of Metal oxides are, for example, TiO 2 or SnO 2 .
  • a metal nitride is, for example, GaN.
  • Perovskite oxides are, for example, SrTiO 3 or CaTiO 3 .
  • the electron transport layer 3 may contain a material with a bandgap greater than 6.0 eV.
  • a material with a bandgap greater than 6.0 eV is (i) alkali metal or alkaline earth metal halides such as lithium fluoride and calcium fluoride; (ii) an alkali metal oxide such as magnesium oxide, or (iii) silicon dioxide, is.
  • the electron transport layer 3 may have a thickness of, for example, 10 nm or less in order to ensure electron transport properties.
  • the electron transport layer 3 may include multiple layers made of different materials.
  • the photoelectric conversion layer 4 contains a photoelectric conversion material.
  • the photoelectric conversion material may be, for example, a perovskite compound. That is, the photoelectric conversion layer 4 may contain a perovskite compound. Perovskite compounds have a high light absorption coefficient and high carrier mobility in the wavelength region of the sunlight spectrum. Therefore, a photoelectric conversion device containing a perovskite compound has high photoelectric conversion efficiency.
  • a perovskite compound is represented, for example, by the compositional formula ABX 3 .
  • A is a monovalent cation.
  • monovalent cations are alkali metal cations or organic cations.
  • alkali metal cations are potassium cations (K + ), cesium cations (Cs + ) or rubidium cations (Rb + ).
  • organic cations are methylammonium cation ( CH3NH3 + ), formamidinium cation ( HC ( NH2 ) 2+ ), ethylammonium cation ( CH3CH2NH3 + ) , or guanidinium cation ( CH6N3 + ) .
  • B is a divalent cation.
  • divalent cations are lead cations (Pb 2+ ) or tin cations (Sn 2+ ).
  • X is a monovalent anion.
  • monovalent anions are halogen anions.
  • Each of the A, B, and X sites may be occupied by multiple types of ions.
  • the thickness of the photoelectric conversion layer 4 is, for example, 50 nm or more and 10 ⁇ m or less.
  • the photoelectric conversion layer 4 is formed by, for example, a coating method using a solution, a printing method, or a vapor deposition method.
  • the photoelectric conversion layer 4 may be formed by cutting out a perovskite compound.
  • the photoelectric conversion layer 4 may mainly contain a perovskite compound represented by the composition formula ABX3 .
  • the photoelectric conversion layer 4 mainly contains a perovskite compound represented by the composition formula ABX3 means that the photoelectric conversion layer 4 contains 90% by mass or more of the perovskite compound represented by the composition formula ABX3 . is.
  • the photoelectric conversion layer may contain 95% by mass or more of the perovskite compound represented by the composition formula ABX3 .
  • the photoelectric conversion layer 4 may consist of a perovskite compound represented by the composition formula ABX3 .
  • the photoelectric conversion layer 4 only needs to contain a perovskite compound represented by the composition formula ABX 3 and may contain defects or impurities.
  • the photoelectric conversion layer 4 may further contain other compounds different from the perovskite compound represented by the composition formula ABX3 .
  • Examples of different other compounds are compounds with Ruddlesden-Popper type layered perovskite structures.
  • Hole transport layer 5 contains a hole transport material.
  • a hole-transporting material is a material that transports holes.
  • the photoelectric conversion element according to the second embodiment contains the semiconductor material according to the first embodiment.
  • the hole transport layer 5 may further contain a polytriarylamine-based semiconductor compound other than the semiconductor material according to the first embodiment.
  • a polytriarylamine-based semiconductor compound other than the semiconductor material according to the first embodiment.
  • examples of such compounds are 2,2′,7,7′-tetrakis-(N,N-di-p-methylphenylamine)9,9′-spirobifluorene, poly[bis(4-phenyl)(2,4 ,6-trimethylphenyl)amine], poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl), poly(3,4-ethylenedioxythiophene), or copper phthalocyanine.
  • the hole transport layer 5 may include multiple layers made of different materials. For example, by laminating a plurality of layers so that the ionization potential of the hole transport layer 5 becomes smaller than the ionization potential of the photoelectric conversion layer 4, the hole transport characteristics are improved.
  • the thickness of the hole transport layer 5 may be 1 nm or more and 1000 nm or less, or may be 10 nm or more and 50 nm or less. As a result, a sufficient hole transport property can be exhibited and a low resistance can be maintained, so that a high photoelectric conversion efficiency can be realized.
  • the hole transport layer 5 is formed by, for example, a coating method, a printing method, or a vapor deposition method. This is the same as the photoelectric conversion layer 4 .
  • Examples of application methods are doctor blading, bar coating, spraying, dip coating or spin coating.
  • An example of a printing method is screen printing. If necessary, a plurality of materials may be mixed to form the hole transport layer 5 and pressurized or fired.
  • the hole-transporting layer 5 may contain additives in order to improve conductivity.
  • additives are supporting electrolytes, solvents or dopants.
  • the hole-transport layer 5 may comprise the semiconductor material and additives according to the first embodiment.
  • the supporting electrolyte and solvent have the effect of stabilizing the holes in the hole transport layer 5 .
  • Dopants have the effect of increasing the number of holes in the hole transport layer 5 .
  • Examples of supporting electrolytes are ammonium salts, alkaline earth metal salts, or transition metal salts.
  • ammonium salts are tetrabutylammonium perchlorate, tetraethylammonium hexafluorophosphate, imidazolium salts or pyridinium salts.
  • Examples of alkali metal salts are lithium perchlorate or potassium boron tetrafluoride.
  • An example of an alkaline earth metal salt is bis(trifluoromethanesulfonyl)imide calcium(II).
  • transition metal salts are bis(trifluoromethanesulfonyl)imidozinc(II) or tris[4-tert-butyl-2-(1H-pyrazol-1-yl)pyridine]cobalt(III) tris(trifluoromethanesulfonyl) is an imide.
  • dopants are lithium hexafluorophosphate, lithium borofluoride, lithium perchlorate, lithium bis(pentafluoroethanesulfonyl)imide, bis(trifluoromethanesulfonyl)amine, lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide, bis( trifluoromethanesulfonyl)imidozinc, tris[2-(1H-pyrazol-1-yl)-4-tert-butylpyridine]cobalt, 4-isopropyl-4-methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate, tris(penta) fluorophenyl)borane, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane, or 1,2,3,4,8,9,10,11,15,16,17 , 18,22,23,24,25-hex
  • the hole transport layer 5 may contain the dopant as an additive. That is, the hole transport layer 5 contains lithium hexafluorophosphate, lithium borofluoride, lithium perchlorate, bis(pentafluoroethanesulfonyl)imide lithium, bis(trifluoromethanesulfonyl)amine, bis(trifluoro romethanesulfonyl)imidolithium, bis(trifluoromethanesulfonyl)imidozinc, tris[2-(1H-pyrazol-1-yl)-4-tert-butylpyridine]cobalt, 4-isopropyl-4-methyldiphenyliodonium tetrakis(penta) fluorophenyl)borate, tris(pentafluorophenyl)borane, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane, and 1,2,3,4,8,9
  • the hole transport layer 5 may contain tris(pentafluorophenyl)borane as an additive. Since tris(pentafluorophenyl)borane has a strong electron-accepting property, holes can be efficiently doped into the organic semiconductor material.
  • the hole transport layer 5 contains the dopant as an additive
  • the above ratio may be 10% or more and 60% or less, or may be 10% or more and 50% or less.
  • the additive in the above ratio is a dopant. That is, in other words, the ratio is the ratio of the amount of material of dopant per amount of material to the repeating unit mass of semiconductor material.
  • the substance amount of the dopants is the total substance amount of the dopants.
  • the solvent contained in the hole transport layer 5 may have excellent ionic conductivity.
  • the solvent may be an aqueous solvent or an organic solvent.
  • the solvent contained in the hole transport layer 5 may be an organic solvent in order to stabilize the solute more.
  • organic solvents are heterocyclic solvents such as tert-butylpyridine, pyridine, and n-methylpyrrolidone.
  • An ionic liquid may be used as the solvent.
  • the ionic liquid may be used alone or mixed with other solvents. Ionic liquids are desirable because of their low volatility and high flame retardancy.
  • ionic liquids examples include imidazolium-based, such as 1-ethyl-3-methylimidazolium tetracyanoborate, pyridine-based, alicyclic amine-based, aliphatic amine-based, or azonium amine-based.
  • the second electrode 6 has conductivity. Since the photoelectric conversion element according to the second embodiment includes the hole transport layer 5 , the second electrode 6 does not have to block electrons from the photoelectric conversion layer 4 . That is, the material forming the second electrode 6 may be a material that makes ohmic contact with the photoelectric conversion layer 4 . Therefore, the second electrode 6 can be formed to have translucency.
  • the electrode on the light incident side only needs to be translucent. Therefore, one of the first electrode 2 and the second electrode 6 does not have to be translucent. That is, one of the first electrode 2 and the second electrode 6 may not use a translucent material or may not have a pattern including openings that transmit light.
  • porous layer 7 is formed on the electron transport layer 3 by, for example, a coating method. If the photoelectric conversion device does not have an electron transport layer 3 , it is formed on the first electrode 2 .
  • the pore structure introduced by the porous layer 7 serves as a foundation for forming the photoelectric conversion layer 4 .
  • the porous layer 7 does not hinder light absorption by the photoelectric conversion layer 4 and electron transfer from the photoelectric conversion layer 4 to the electron transport layer 3 .
  • the porous layer 7 contains a porous body.
  • the porous body is formed, for example, by a series of insulating or semiconducting particles.
  • insulating particles are aluminum oxide particles or silicon oxide particles.
  • semiconductor particles are inorganic semiconductor particles.
  • inorganic semiconductors are metal oxides, perovskite oxides of metallic elements, sulfides of metallic elements or metal chalcogenides.
  • metal oxides include Cd, Zn, In, Pb, Mo, W, Sb, Bi, Cu, Hg, Ti, Ag, Mn, Fe, V, Sn, Zr, Sr, Ga, Si, or Cr. It is an oxide.
  • a metal oxide is, for example, TiO 2 .
  • Examples of perovskite oxides of metallic elements are SrTiO 3 or CaTiO 3 .
  • sulfides of metallic elements are CdS, ZnS , In2S3 , PbS, Mo2S , WS2 , Sb2S3 , Bi2S3 , ZnCdS2 or Cu2S .
  • metal chalcogenides are CsSe , In2Se3 , WSe2 , HgS, PbSe, or CdTe.
  • the thickness of the porous layer 7 may be 0.01 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or may be 0.05 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less.
  • the surface roughness coefficient given by effective area/projected area may be 10 or more, or 100 or more.
  • the projected area is the area of the shadow behind the object when it is illuminated directly from the front.
  • Effective area is the actual surface area of an object.
  • the effective area can be calculated from the volume determined from the projected area and thickness of the object, and the specific surface area and bulk density of the material forming the object.
  • the specific surface area is measured, for example, by a nitrogen adsorption method.
  • the voids in the porous layer 7 are connected to the part in contact with the photoelectric conversion layer 4 and the part in contact with the electron transport layer 3 . That is, the voids of the porous layer 7 are connected from one principal surface of the porous layer 7 to the other principal surface. Thereby, the material of the photoelectric conversion layer 4 can fill the voids of the porous layer 7 and reach the surface of the electron transport layer 3 . Therefore, since the photoelectric conversion layer 4 and the electron transport layer 3 are in direct contact with each other, they can transfer electrons.
  • the effect that the photoelectric conversion layer 4 can be easily formed can be obtained.
  • the material of the photoelectric conversion layer 4 penetrates into the voids of the porous layer 7 , and the porous layer 7 serves as a scaffold for the photoelectric conversion layer 4 . Therefore, it is difficult for the material of the photoelectric conversion layer 4 to repel or aggregate on the surface of the porous layer 7 . Therefore, the photoelectric conversion layer 4 can be easily formed as a uniform film.
  • the photoelectric conversion layer 4 is formed by, for example, a coating method, a printing method, or a vapor deposition method.
  • the light scattering caused by the porous layer 7 is expected to increase the optical path length of the light passing through the photoelectric conversion layer 4 . It is expected that the amount of electrons and holes generated in the photoelectric conversion layer 4 will increase as the optical path length increases.
  • solar cells were fabricated using organic semiconductor films and perovskite compounds. Electron spin resonance analysis of organic semiconductor films and initial characterization of solar cells were performed.
  • Each configuration of the solar cells according to Example 1 and Comparative Example 1 is as follows. That is, a solar cell having the same structure as the solar cell 200 shown in FIG. 2 was fabricated.
  • - Substrate 1 glass substrate (thickness: 0.7 mm)
  • First electrode 2 transparent conductive layer indium-tin composite oxide layer (thickness: 200 nm)
  • -Electron transport layer 3 titanium oxide ( TiO2 ) (thickness: 15 nm)
  • ⁇ Porous layer 7 mesoporous structure titanium oxide (TiO 2 ) (thickness: 150 nm)
  • Photoelectric conversion layer 4 a layer mainly containing HC( NH2 ) 2PbI3 (thickness: 350 nm)
  • Hole transport layer 5 a layer mainly containing PTAA (however, tris(pentafluorophenyl)borane (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) is included as an
  • Phenyl-terminated poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine] was synthesized as a polytriarylamine-based semiconductor material.
  • the reaction solution was returned to room temperature, diluted with 1000 mL of chloroform, and filtered to remove the catalyst.
  • the product was precipitated in a mixed solution of methanol, acetone, and concentrated hydrochloric acid, and then purified using a Soxhlet extractor.
  • the product remaining on the filter was dissolved in trihydrofuran, added to methanol to precipitate, and then filtered.
  • the resulting product was vacuum dried.
  • a semiconductor material according to the example was obtained.
  • the weight average molecular weight and number average molecular weight of the semiconductor materials according to the examples were determined by gel permeation chromatography.
  • the number average molecular weight (Mn) and weight average molecular weight (Mw) were 6600 and 9070, respectively. Therefore, the value of Mw/Mn was 1.37.
  • Example 1 a glass substrate having a thickness of 0.7 mm was prepared.
  • a layer of indium-tin composite oxide was formed on the substrate by sputtering.
  • the first electrode was formed.
  • 30NR-D manufactured by Great Cell Solar
  • 30NR-D was applied onto the electron transport layer by spin coating and then baked at 500°C for 30 minutes to form a titanium oxide layer having a mesoporous structure.
  • a porous layer was formed.
  • the raw material solution contains 0.92 mol/L lead (II) iodide (manufactured by Tokyo Chemical Industry), 0.17 mol/L lead (II) bromide (manufactured by Tokyo Chemical Industry), 0.83 mol/L iodine Formamidinium chloride (manufactured by GreatCell Solar), 0.17 mol/L methylammonium bromide (manufactured by GreatCell Solar), 0.05 mol/L cesium iodide (manufactured by Iwatani Corporation), and 0.05 mol/L iodide It was a solution containing rubidium (manufactured by Iwatani Corporation).
  • the solvent of the solution was a mixture of dimethylsulfoxide (manufactured by acros) and N,N-dimethylformamide (manufactured by acros).
  • the mixing ratio (DMSO:DMF) of dimethylsulfoxide (DMSO) and N,N-dimethylformamide (DMF) in this raw material solution was 1:4 by volume.
  • a hole transport layer was formed by applying a raw material solution containing the semiconductor material according to the example to the photoelectric conversion layer by spin coating.
  • the solvent of the raw material solution was toluene (manufactured by Acros).
  • the source solution contained 10 g/L of the semiconductor material according to the example and tris(pentafluorophenyl)borane. Six kinds of raw material solutions having different concentrations of tris(pentafluorophenyl)borane were prepared.
  • raw material solutions containing 10 mol%, 20 mol%, 30 mol%, 40 mol%, 50 mol%, and 60 mol% of tris(pentafluorophenyl)borane per substance amount with respect to the repeating unit mass of the semiconductor materials according to the examples are prepared. was done.
  • Comparative example 1 Poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine] (manufactured by Sigma-Aldrich), terminated with methyl groups, was used instead of the semiconductor material according to the examples. A solar cell according to Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except for this.
  • Example 2 an organic semiconductor film was formed by applying a raw material solution containing a semiconductor material according to an example to a glass substrate by spin coating.
  • the solvent of the raw material solution was toluene (manufactured by Acros).
  • the source solution contained 10 g/L of the semiconductor material according to the example and tris(pentafluorophenyl)borane.
  • Six kinds of raw material solutions having different concentrations of tris(pentafluorophenyl)borane were prepared.
  • Comparative example 2 Poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine] (manufactured by Sigma-Aldrich), terminated with methyl groups, was used instead of the semiconductor material according to the examples.
  • An organic semiconductor film according to Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 2 except for this.
  • An electrochemical analyzer (ALS440B, manufactured by BAS) and a xenon light source (BPS X300BA, manufactured by Spectroscopy Instruments) were used to measure the photoelectric conversion efficiency of the solar cell.
  • the light intensity was calibrated to 1 Sun (100 mW/cm 2 ) using a silicon photodiode.
  • the voltage sweep rate was 100 mV/s.
  • the solar cell was masked with a black mask having an opening of 0.1 cm 2 , and light was irradiated from the mask/substrate side.
  • the photoelectric conversion efficiency (Eff) of the solar cell according to Example 1 and the solar cell according to Comparative Example 1 was measured.
  • 3 is a graph showing the dopant concentration dependence of the photoelectric conversion efficiency of the solar cell according to Example 1.
  • FIG. 4 is a graph showing the dopant concentration dependence of the photoelectric conversion efficiency of the solar cell according to Comparative Example 1.
  • ESR analysis was performed on the organic semiconductor films according to Example 2 and Comparative Example 2.
  • An X-band ESR device (JES-FA100, manufactured by JEOL) was used for ESR measurement.
  • the organic semiconductor films of Example 2 and Comparative Example 2 were cut together with the glass substrate into a width of 3.5 mm, and placed in a quartz ESR sample tube having an outer diameter of 5 mm to obtain an ESR signal.
  • the spin densities of the observed ESR signals were calibrated using a reference marker (Mn 2+ ) attached to the apparatus, and relative changes in spin densities for each sample were performed.
  • FIG. 5 is a graph showing the dopant concentration dependence of the hole concentration of PTAA for the organic semiconductor films according to Example 2 and Comparative Example 2.
  • Example 1 exhibits higher photoelectric conversion efficiency regardless of the dopant concentration. This suggests that PTAA has better migration properties when the terminal group is a phenyl group than when it is a methyl group.
  • the present disclosure can improve the transfer properties of semiconductor materials and the photoelectric conversion efficiency of photoelectric conversion elements such as solar cells by using PTAA having specific terminal groups.

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Abstract

本開示の半導体材料は、下記式（Ｉ）で表される。ただし、式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１から６の炭化水素基を表す。Ｒ4は、アリール基、アミノ基、ヒドロキシ基、またはアルコキシ基を表す。ｎは、２以上の整数を表す。本開示の光電変換素子１００は、第１電極２、光電変換層３、正孔輸送層５、および第２電極６をこの順で備え、正孔輸送層５は本開示の半導体材料を含む。

Description

半導体材料および光電変換素子
　本開示は、半導体材料および光電変換素子に関する。
　無機半導体材料であるシリコンを用いる半導体素子には、その形成過程において高温および高真空プロセスが必要である。したがって、シリコンを用いる半導体素子については、大面積化および低コスト化を行うことが困難であった。
　有機半導体材料を利用した有機半導体デバイスは、従来の無機半導体材料を利用した無機半導体デバイスと比較して、作製プロセス温度を低減できること、有機半導体材料は溶媒によく溶けるため塗布などの簡便なプロセスで成膜できること、などの理由から、様々な用途への応用が期待されている。
特開２０１９－１７５９７０号公報
Ｊ．Ｌｕｏ、他８名、Ｅｎｅｒｇｙ　＆　Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅ、２０１８年、第１１巻、ｐ．２０３５．
　有機半導体デバイスに用いられる有機半導体材料には、高い電荷移動度が要求される。また、正孔を選択的に輸送する材料として、トリフェニルアミンを母体とする材料が知られている。しかし、それらの材料は、単体としては、それほど高い正孔移動度を有しない。したがって、上記材料が用いられたデバイスを駆動させるには、ドーパントを添加し、導電性を上げる必要があった。
　しかし、ドーパントの活性化率は低く、デバイスとして効率よく動作させるためには多量のドーパントを添加しなければならず、ドーパントを多く入れすぎても逆にデバイス特性に悪影響があることが課題であった。
　例えば、有機半導体材料を太陽電池のような光電変換素子に用いる場合、光電変換素子の光電変換効率を高めることが容易ではなかった。
　本開示の目的は、光電変換素子の光電変換効率を高めるのに適した半導体材料を提供することにある。
　本開示は、下記式（Ｉ）で表される半導体材料を提供する。
　ただし、式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１から６の炭化水素基を表す。Ｒ4は、アリール基、アミノ基、ヒドロキシ基、またはアルコキシ基を表す。ｎは、２以上の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　本開示は、光電変換素子の光電変換効率を高めるのに適した半導体材料を提供する。
図１は、第２実施形態による光電変換素子を示す断面図である。 図２は、第２実施形態による光電変換素子の変形例を示す断面図である。 図３は、実施例１による太陽電池の光電変換効率のドーパント濃度依存性を示すグラフである。 図４は、比較例１による太陽電池の光電変換効率のドーパント濃度依存性を示すグラフである。 図５は、実施例２および比較例２による有機半導体膜について、ポリトリアリール系半導体化合物のホール濃度のドーパント濃度依存性を表すグラフである。
　＜本開示の基礎となった知見＞
　従来、正孔輸送材料に含有される有機半導体ポリマー化合物の終端基について着目されていなかった。本発明者らは、これに着目し、ポリトリアリール系半導体化合物（以下、「ＰＴＡＡ」ともいう）の終端基と光電変換素子の特性との関係について検討した。その結果、特定の終端基を有するＰＴＡＡを用いると、光電変換素子の光電変換効率が向上することが新たに見出された。また、終端基を変えることでＰＴＡＡの電子供与性が変化し、ドーパントを加えた際の活性度およびドーパントの許容濃度が変化することも新たに見出された。これらの知見に基づいて、本発明者らは、本開示の半導体材料および光電変換素子を完成させた。
　非特許文献１は、ドーパント濃度がＰＴＡＡの繰り返し単位質量当たり５ｍｏｌ％の時に太陽電池特性が最大化され、それ以上ドーパント濃度を増やすと特性が悪化していくことを報告している。
　特許文献１は、ポリトリールアミン系半導体化合物の数平均分子量が８５００以上である時に、太陽電池の耐久性が向上することを報告している。しかし、特許文献１では、ポリトリールアミン系半導体化合物の終端基に関しては着目されていない。
　本発明者らは、ＰＴＡＡの終端基が太陽電池特性に及ぼす影響とそのメカニズムとを詳細に調査した結果、特定の終端基を用いることでドーパントの活性度と許容濃度とが向上し、光電変換効率のような太陽電池特性が向上することを見出した。具体的には、特定の終端基を有するＰＴＡＡを用いることで、ドーパントの濃度がＰＴＡＡの単位質量当たり１０ｍｏｌ％を超えても太陽電池特性を単調に改善することができ、例えばドーパントの濃度が３０ｍｏｌ％程度で光電変換効率が最大になることを見出した。
　＜本開示の実施形態＞
　（第１実施形態）
　以下、本開示の半導体材料について説明する。
　第１実施形態による半導体材料は、下記式（Ｉ）で表される。
　ただし、式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１から６の炭化水素基を表す。Ｒ4は、アリール基、アミノ基、ヒドロキシ基、またはアルコキシ基を表す。ｎは、２以上の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　Ｒ4が、アリール基、アミノ基、ヒドロキシ基、またはアルコキシ基であることにより、半導体材料の電子供与性が強まる。その結果、添加剤と組み合わせた際に効率よくキャリアがドープされ、導電性が向上する。このように、第１実施形態による半導体材料は、光電変換素子の光電変換効率を高めるのに適している。
　効率よくキャリアをドープするために、式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、は、いずれもメチル基であってもよい。
　効率よくキャリアをドープするために、式（Ｉ）において、Ｒ4は、アリール基であってもよい。当該アリール基は、フェニル基であってもよい。
　効率よくキャリアをドープするために、第１実施形態による半導体材料の数平均分子量は、８０００以下であってもよい。
　（第２実施形態）
　以下、本開示の光電変換素子について、図面を参照しながら説明する。
　第２実施形態による光電変換素子は、第１電極、光電変換層、正孔輸送層、および第２電極をこの順で備える。正孔輸送層は、第１実施形態による半導体材料を含む。
　第２実施形態による光電変換素子は、第１実施形態による半導体材料を含むため、高い光電変換効率を有する。
　第２実施形態による光電変換素子は、例えば、太陽電池として用いられる。
　図１は、第２実施形態による光電変換素子を示す断面図である。図１に示された光電変換素子１００は、第２実施形態による光電変換素子の構成の一例である。
　光電変換素子１００は、基板１、第１電極２、電子輸送層３、光電変換層４、正孔輸送層５、および第２電極６を、この順で備える。
　光電変換素子１００は、電子輸送層３を有していなくてもよい。
　光電変換素子１００に光が照射されると、光電変換層４が光を吸収し、励起された電子と、正孔とを発生させる。この励起された電子は、電子輸送層３を通り第１電極２に移動する。一方、光電変換層４で生じた正孔は、正孔輸送層５を介して第２電極６に移動する。このようにして、光電変換素子１００は、負極としての第１電極２と、正極としての第２電極６とから、電流を取り出すことができる。
　光電変換素子１００は、例えば、以下の方法によって作製することができる。
　まず、基板１の表面に第１電極２を、化学気相蒸着法、スパッタ法などにより形成する。次に、電子輸送層３を、化学気相蒸着法、スパッタ法、溶液塗布法などにより形成する。次に、電子輸送層３の上に、光電変換層４を形成する。例えば、ペロブスカイト化合物を所定の厚さに切り出して光電変換層４とし、電子輸送層３上に配置してもよい。次に、光電変換層４の上に、正孔輸送層５を、化学気相蒸着法、スパッタ法、溶液塗布法などにより形成する。次に、正孔輸送層５の上に、化学気相蒸着法、スパッタ法、溶液塗布法などにより第２電極６を形成する。以上により、光電変換素子１００が得られる。
　第２実施形態による光電変換素子１００は、多孔質層をさらに備えていてもよい。多孔質層は、例えば、電子輸送層および光電変換層の間に配置される。
　図２は、第２実施形態による光電変換素子の変形例を示す断面図である。
　第２実施形態による光電変換素子２００は、基板１、第１電極２、電子輸送層３、多孔質層７、光電変換層４、正孔輸送層５、および第２電極６を、この順で備える。
　多孔質層７は、多孔質体を含む。多孔質体は、空隙を含む。
　光電変換素子２００は、電子輸送層２を有していなくてもよい。
　以下、光電変換素子の各構成要素について、具体的に説明する。
　（基板１）
　基板１は、付随的な構成要素である。基板１は、光電変換素子の各層を保持する役割を果たす。基板１は、透明な材料から形成することができる。基板１としては、例えば、ガラス基板またはプラスチック基板を用いることができる。プラスチック基板は、例えば、プラスチックフィルムであってもよい。
　第２電極６が透光性を有している場合には、基板１は、透光性を有さない材料から形成されてもよい。このような材料として、金属、セラミックス、または透光性の小さい樹脂材料を用いることができる。
　第１電極２が十分な強度を有している場合、第１電極２によって各層を保持することができるので、基板１を設けなくてもよい。
　（第１電極２）
　第１電極２は、導電性を有する。第１電極２は、透光性を有する。例えば、可視領域から近赤外領域の光を透過する。
　第１電極２は、例えば、透明であり、かつ導電性を有する材料から構成される。当該材料の例は、金属酸化物または金属窒化物である。このような材料の例は、
（ｉ）リチウム、マグネシウム、ニオブ、およびフッ素からなる群より選択される少なくとも１種がドープされた酸化チタン、
（ｉｉ）錫およびシリコンからなる群より選択される少なくとも１種がドープされた酸化ガリウム、
（ｉｉｉ）シリコンおよび酸素からなる群より選択される少なくとも１種がドープされた窒化ガリウム、
（ｉｖ）アンチモンおよびフッ素からなる群より選択される少なくとも１種がドープされた酸化錫、
（ｖ）ホウ素、アルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選択される少なくとも１種がドープされた酸化亜鉛、
（ｖｉ）インジウム－錫複合酸化物、または、
（ｖｉｉ）これらの複合物、
である。
　第１電極２は、透明でない材料を用いて、光が透過するパターンを設けて形成されてもよい。光が透過するパターンの例は、線状、波線状、格子状、または多数の微細な貫通孔が規則的若しくは不規則に配列されたパンチングメタル状のパターンである。第１電極２がこれらのパターンを有すると、電極材料が存在しない部分を光が透過することができる。透明でない電極材料の例は、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム、チタン、鉄、ニッケル、スズ、亜鉛、または、これらのいずれかを含む合金である。導電性を有する炭素材料が、透明でない電極材料として使用されてもよい。
　光電変換素子が電子輸送層３を備えていない場合、第１電極２は、光電変換層４からの正孔に対するブロック性を有する。この場合、第１電極２は、光電変換層４とオーミック接触しない。さらに、光電変換層４からの正孔に対するブロック性とは、光電変換層４で発生した電子のみ通過させ、正孔を通過させない性質のことである。このような性質を有する材料のフェルミエネルギー準位は、光電変換層４の価電子帯上端のエネルギー準位よりも高い。このような性質を有する材料のフェルミエネルギー準位は、光電変換層４のフェルミエネルギーよりも高くてもよい。具体的な材料としては、アルミニウムが挙げられる。
　光電変換素子が電子輸送層３を備えている場合、第１電極２は、光電変換層４からの正孔に対するブロック性を有していなくてもよい。この場合、第１電極２は、光電変換層４との間でオーミック接触を形成可能な材料から構成され得る。この場合、第１電極２は、光電変換層４とオーミック接触していてもよいし、していなくてもよい。
　第１電極２の光の透過率は、例えば５０％以上であってもよく、８０％以上であってもよい。第１電極２が透過すべき光の波長は、光電変換層４の吸収波長に依存する。
　第１電極２の厚さは、例えば、１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であってもよい。
　（電子輸送層３）
　電子輸送層３は、半導体を含む。電子輸送層３は、バンドギャップが３．０ｅＶ以上の半導体から形成されていてもよい。これにより、可視光および赤外光を光電変換層４まで透過させることができる。半導体の例は、無機のｎ型半導体である。
　無機のｎ型半導体の例は、金属酸化物、金属窒化物、またはペロブスカイト型酸化物である。金属酸化物の例は、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｈｇ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｖ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｓｒ、Ｇａ、Ｓｉ、またはＣｒでの酸化物である。金属酸化物は、例えば、ＴｉＯ2またはＳｎＯ2である。金属窒化物は、例えば、ＧａＮである。ペロブスカイト型酸化物は、例えば、ＳｒＴｉＯ3またはＣａＴｉＯ3である。
　電子輸送層３は、バンドギャップが６．０ｅＶよりも大きな物質を含んでいてもよい。バンドギャップが６．０ｅＶよりも大きな物質の例は、
（ｉ）フッ化リチウムおよびフッ化カルシウムのようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物、
（ｉｉ）酸化マグネシウムのようなアルカリ金属酸化物、または
（ｉｉｉ）二酸化ケイ素、
である。この場合、電子輸送層３は、電子輸送性を確保するために、例えば、１０ｎｍ以下の厚みを有していてもよい。
　電子輸送層３は、互いに異なる材料からなる複数の層を含んでいてもよい。
　（光電変換層４）
　光電変換層４は、光電変換材料を含む。
　光電変換材料は、例えば、ペロブスカイト化合物であってもよい。すなわち、光電変換層４は、ペロブスカイト化合物を含んでいてもよい。ペロブスカイト化合物は、太陽光スペクトルの波長域における光吸収係数が高く、かつ、キャリア移動度が高い。したがって、ペロブスカイト化合物を含む光電変換素子は、高い光電変換効率を有する。
　ペロブスカイト化合物は、例えば、組成式ＡＢＸ3により表される。Ａは１価のカチオンである。１価のカチオンの例は、アルカリ金属カチオンまたは有機カチオンである。アルカリ金属カチオンの例は、カリウムカチオン（Ｋ+）、セシウムカチオン（Ｃｓ+）、またはルビジウムカチオン（Ｒｂ+）である。有機カチオンの例は、メチルアンモニウムカチオン（ＣＨ3ＮＨ3 +）、ホルムアミジニウムカチオン（ＨＣ（ＮＨ2）2 +）、エチルアンモニウムカチオン（ＣＨ3ＣＨ2ＮＨ3 +）、またはグアニジニウムカチオン（ＣＨ6Ｎ3 +）である。Ｂは２価のカチオンである。２価のカチオンの例は、鉛カチオン（Ｐｂ2+）または錫カチオン（Ｓｎ2+）である。Ｘは１価のアニオンである。１価のアニオンの例は、ハロゲンアニオンである。Ａ、Ｂ、およびＸのそれぞれのサイトは、複数種類のイオンによって占有されていてもよい。
　光電変換層４の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上かつ１０μｍ以下である。
　光電変換層４は、例えば、溶液による塗布法、印刷法、または蒸着法により形成される。光電変換層４は、ペロブスカイト化合物を切り出すことによって形成されてもよい。
　光電変換層４は、組成式ＡＢＸ3により表されるペロブスカイト化合物を主として含んでもよい。ここで、「光電変換層４が、組成式ＡＢＸ3により表されるペロブスカイト化合物を主として含む」とは、光電変換層４が、組成式ＡＢＸ3により表されるペロブスカイト化合物を９０質量％以上含むことである。光電変換層は、組成式ＡＢＸ3により表されるペロブスカイト化合物を９５質量％以上含んでいてもよい。光電変換層４は、組成式ＡＢＸ3により表されるペロブスカイト化合物からなってもよい。光電変換層４は、組成式ＡＢＸ3により表されるペロブスカイト化合物を含んでいればよく、欠陥または不純物を含んでもよい。
　光電変換層４は、組成式ＡＢＸ3により表されるペロブスカイト化合物とは異なる他の化合物をさらに含んでいてもよい。異なる他の化合物の例は、Ｒｕｄｄｌｅｓｄｅｎ－Ｐｏｐｐｅｒ型の層状ペロブスカイト構造を持つ化合物である。
　（正孔輸送層５）
　正孔輸送層５は、正孔輸送材料を含有する。正孔輸送材料は、正孔を輸送する材料である。上述の通り、第２実施形態による光電変換素子は、第１実施形態による半導体材料を含有する。
　正孔輸送層５は、第１実施形態による半導体材料以外のポリトリアリールアミン系半導体化合物をさらに含んでいてもよい。このような化合物の例は、２，２′，７，７′－ｔｅｔｒａｋｉｓ－（Ｎ，Ｎ－ｄｉ－ｐ－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）９，９′－ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ、ｐｏｌｙ［ｂｉｓ（４－ｐｈｅｎｙｌ）（２，４，６－ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｅ］、ｐｏｌｙ（３－ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ－２，５－ｄｉｙｌ）、ｐｏｌｙ（３，４－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、または銅フタロシアニン、である。
　正孔輸送層５は、互いに異なる材料からなる複数の層を含んでいてもよい。例えば、光電変換層４のイオン化ポテンシャルに対して、正孔輸送層５のイオン化ポテンシャルが順々に小さくなるように複数の層が積層されることにより、正孔輸送特性が改善される。
　正孔輸送層５の厚みは、１ｎｍ以上かつ１０００ｎｍ以下であってもよく、１０ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下であってもよい。これにより、十分な正孔輸送特性を発現でき、低抵抗を維持できるので、高い光電変換効率を実現できる。
　正孔輸送層５は、例えば、塗布法、印刷法、または蒸着法により形成される。これは、光電変換層４と同様である。塗布法の例は、ドクターブレード法、バーコート法、スプレー法、ディップコーティング法、またはスピンコート法である。印刷法の例は、スクリーン印刷法である。必要に応じて、複数の材料を混合して正孔輸送層５を作製し、加圧または焼成してもよい。
　正孔輸送層５は、導電性を向上させるために、添加剤を含んでいてもよい。添加剤の例は、支持電解質、溶媒、またはドーパントである。このように、正孔輸送層５は、第１実施形態による半導体材料および添加剤を含んでいてもよい。
　支持電解質および溶媒は、正孔輸送層５中の正孔を安定化させる効果を有する。ドーパントは、正孔輸送層５中の正孔数を増す効果を有する。
　支持電解質の例は、アンモニウム塩、アルカリ土類金属塩、または遷移金属塩である。アンモニウム塩の例は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、六フッ化リン酸テトラエチルアンモニウム、イミダゾリウム塩、またはピリジニウム塩である。アルカリ金属塩の例は、過塩素酸リチウムまたは四フッ化ホウ素カリウムである。アルカリ土類金属塩の例は、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドカルシウム（ＩＩ）である。遷移金属塩の例は、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド亜鉛（ＩＩ）またはトリス［４－ｔｅｒｔ－ブチル－２－（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）ピリジン］コバルト（ＩＩＩ）トリス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドである。ドーパントの例は、六フッ化リン酸リチウム、ホウフッ化リチウム、過塩素酸リチウム、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）アミン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド亜鉛、トリス［２－（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）－４－ｔｅｒｔ－ブチルピリジン］コバルト、４－イソプロピル－４－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン、または１，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８，２２，２３，２４，２５－ヘキサデカフルオロ－２９Ｈ，３１Ｈ－フタロシアニンである。このようなドーパントを含む正孔輸送層５は、高い正孔輸送特性を有する。したがって、正孔輸送層５は、高い導電性を有する。
　正孔輸送層５は、添加剤として、上記ドーパントを含んでいてもよい。すなわち、正孔輸送層５は、添加剤として、六フッ化リン酸リチウム、ホウフッ化リチウム、過塩素酸リチウム、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）アミン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド亜鉛、トリス［２－（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）－４－ｔｅｒｔ－ブチルピリジン］コバルト、４－イソプロピル－４－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン、および１，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８，２２，２３，２４，２５－ヘキサデカフルオロ－２９Ｈ，３１Ｈ－フタロシアニンからなる群より選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。上述のとおり、上記のドーパントを含む正孔輸送層５は、高い正孔輸送特性を有し、導電性を向上させることができる。したがって、このような正孔輸送層５を備えた光電変換素子１００は、光電変換効率を高めることができる。
　正孔輸送層５は、添加剤として、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランを含んでいてもよい。トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランは強い電子受容性を有するため、有機半導体材料に効率よく正孔をドープすることができる。
　正孔輸送層５が上記のドーパントを添加剤として含む場合、正孔輸送層５において、半導体材料の繰り返し単位質量に対する物質量当たりの添加剤の物質量の比は、１０％以上であってもよい。光電変換効率を高めるために、上記の比は、１０％以上かつ６０％以下であってもよく、１０％以上かつ５０％以下であってもよい。なお、上記の比における添加剤は、ドーパントである。すなわち、換言すると、上記の比は、半導体材料の繰り返し単位質量に対する物質量当たりのドーパントの物質量の比である。ドーパントが複数含まれる場合は、ドーパントの物質量とは、ドーパントの合計の物質量である。
　正孔輸送層５に含まれる溶媒は、優れたイオン伝導性を有していてもよい。当該溶媒は、水系溶媒であってもよく、有機溶媒であってもよい。溶質をより安定化するために、正孔輸送層５に含まれる溶媒は、有機溶媒であってもよい。有機溶媒の例は、ｔｅｒｔ－ブチルピリジン、ピリジン、およびｎ－メチルピロリドンのような複素環化合物溶媒である。
　溶媒として、イオン液体が使用されてもよい。イオン液体は、単独で使用されてもよく、他の溶媒と混合されて使用されてもよい。イオン液体は、揮発性が低く、難燃性が高い点で望ましい。
　イオン液体の例は、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムテトラシアノボレートのようなイミダゾリウム系、ピリジン系、脂環式アミン系、脂肪族アミン系、またはアゾニウムアミン系である。
　（第２電極６）
　第２電極６は、導電性を有する。第２実施形態による光電変換素子は、正孔輸送層５を備えるため、第２電極６は、光電変換層４からの電子に対するブロック性を有さなくてもよい。すなわち、第２電極６を構成する材料は、光電変換層４とオーミック接触する材料であってもよい。そのため、第２電極６を、透光性を有するように形成することができる。
　第１電極２および第２電極６のうち、光を入射させる側の電極が透光性を有していればよい。したがって、第１電極２および第２電極６の一方は、透光性を有さなくてもよい。すなわち、第１電極２および第２電極６の一方は、透光性を有する材料を用いていなくてもよいし、光を透過させる開口部分を含むパターンを有していなくてもよい。
　（多孔質層７）
　多孔質層７は、電子輸送層３の上に、例えば塗布法によって形成される。光電変換素子が電子輸送層３を備えない場合は、第１電極２の上に形成される。
　多孔質層７によって導入された細孔構造は、光電変換層４を形成する際の土台となる。多孔質層７は、光電変換層４の光吸収、および光電変換層４から電子輸送層３への電子移動を阻害しない。
　多孔質層７は、多孔質体を含む。
　多孔質体は、例えば、絶縁性または半導体の粒子の連なりによって形成される。絶縁性の粒子の例は、酸化アルミニウム粒子または酸化ケイ素粒子である。半導体の粒子の例は、無機半導体粒子である。無機半導体の例は、金属酸化物、金属元素のペロブスカイト酸化物、金属元素の硫化物、または金属カルコゲナイドである。金属酸化物の例は、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｈｇ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｖ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｓｒ、Ｇａ、Ｓｉ、またはＣｒの酸化物である。金属酸化物は、例えば、ＴｉＯ2である。金属元素のペロブスカイト酸化物の例は、ＳｒＴｉＯ3またはＣａＴｉＯ3である。金属元素の硫化物の例は、ＣｄＳ、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＰｂＳ、Ｍｏ2Ｓ、ＷＳ2、Ｓｂ2Ｓ3、Ｂｉ2Ｓ3、ＺｎＣｄＳ2、またはＣｕ2Ｓである。金属カルコゲナイドの例は、ＣｓＳｅ、Ｉｎ2Ｓｅ3、ＷＳｅ2、ＨｇＳ、ＰｂＳｅ、またはＣｄＴｅである。
　多孔質層７の厚みは、０．０１μｍ以上かつ１０μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以上かつ１μｍ以下であってもよい。
　多孔質層７の表面粗さについては、実効面積／投影面積で与えられる表面粗さ係数が１０以上であってもよく、１００以上であってもよい。投影面積とは、物体を真正面から光で照らしたときに、後ろにできる影の面積である。実効面積とは、物体の実際の表面積のことである。実効面積は、物体の投影面積および厚みから求められる体積と、物体を構成する材料の比表面積および嵩密度とから計算することができる。比表面積は、例えば、窒素吸着法によって測定される。
　多孔質層７中の空隙は、光電変換層４と接する部分、電子輸送層３と接する部分まで繋がっている。すなわち、多孔質層７の空隙は、多孔質層７の一方の主面から、他方の主面まで繋がっている。これにより、光電変換層４の材料が多孔質層７の空隙を充填し、電子輸送層３の表面まで到達することができる。したがって、光電変換層４と電子輸送層３とは、直接接触しているため、電子の授受が可能である。
　多孔質層７を設けることにより、光電変換層４を容易に形成できるという効果が得られる。多孔質層７が設けられることにより、多孔質層７の空隙に光電変換層４の材料が侵入し、多孔質層７が光電変換層４の足場となる。そのため、光電変換層４の材料が多孔質層７の表面で弾かれたり、凝集したりすることが起こりにくい。したがって、光電変換層４は容易に均一な膜として形成されることができる。光電変換層４は、例えば、塗布法、印刷法、または蒸着法によって形成される。
　多孔質層７によって光散乱が起こることにより、光電変換層４を通過する光の光路長が増大する効果も期待される。光路長が増大すると、光電変換層４中で発生する電子および正孔の量が増加すると予測される。
　以下、実施例および比較例を参照しながら、本開示がより詳細に説明される。
　実施例および比較例において、有機半導体膜、および、ペロブスカイト化合物を用いた太陽電池が作製された。有機半導体膜の電子スピン共鳴分析および太陽電池の初期特性評価が行われた。
　実施例１および比較例１による太陽電池の各構成は、以下のとおりである。すなわち、図２に示される太陽電池２００と同じ構造を有する太陽電池が作製された。
・基板１：ガラス基板（厚さ：０．７ｍｍ）
・第１電極２：透明導電層　インジウム－錫複合酸化物層（厚さ：２００ｎｍ）
・電子輸送層３：酸化チタン（ＴｉＯ2）（厚さ：１５ｎｍ）
・多孔質層７：メソポーラス構造酸化チタン（ＴｉＯ2）（厚さ：１５０ｎｍ）
・光電変換層４：ＨＣ（ＮＨ2）2ＰｂＩ3を主として含む層（厚さ：３５０ｎｍ）
・正孔輸送層５：ＰＴＡＡを主として含む層（ただし、添加剤として、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（東京化成工業製）が含まれる）（厚さ：４０ｎｍ）
・第２電極６：Ａｕ（厚さ：２００ｎｍ）
　＜ポリトリアリールアミン系半導体材料の調製＞
　ポリトリアリールアミン系半導体材料として、フェニル基で終端された、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］が合成された。
　アルゴン雰囲気下、７．２ｍｍｏｌのビス（１，５－シクロオクタジエン）ニッケル（０）と、１，２，２－ビピリジルと、１，５－シクロオクタジエンとを１０ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドに溶解し、８０℃で混合した。トルエン２０ｍＬ中に溶解した３ｍｍｏｌのＮ，Ｎ－ビス（４－ブロモフェニル）－２，４，６－トリメチルアニリン溶液を少しずつ加えた。これを９０℃で攪拌した。トルエンに溶解した１Ｍのブロモベンゼンイントルエン溶液３ｍＬを加えてさらに攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温に戻した後に、１０００ｍＬのクロロホルムで希釈し、フィルターで触媒を取り除いた。生成物をメタノール、アセトン、および濃塩酸の混合溶液に入れ析出させた後、ソックスレー抽出器を用いて精製した。フィルター上に残存する生成物をトリヒドロフランに溶解し、メタノールに入れて析出させた後、ろ過した。得られた生成物を真空乾燥した。このようにして、実施例による半導体材料が得られた。
　実施例による半導体材料の重量平均分子量および数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィにより求められた。数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、それぞれ、６６００および９０７０であった。したがって、Ｍｗ／Ｍｎの値は、１．３７であった。
　＜太陽電池の作製＞
　（実施例１）
　まず、０．７ｍｍの厚みを有するガラス基板を用意した。
　当該基板上に、スパッタ法によりインジウム－錫複合酸化物の層が形成された。このようにして、第１電極が形成された。
　次に、第１電極上に、スパッタ法により酸化チタンの層が形成された。このようにして、電子輸送層が形成された。
　電子輸送層上に、３０ＮＲ－Ｄ（Ｇｒｅａｔ　Ｃｅｌｌ　Ｓｏｌａｒ製）をスピンコートにより塗布したのち、５００℃で３０分間焼成することにより、メソポーラス構造を有する酸化チタンの層が形成された。このようにして、多孔質層が形成された。
　次に、光電変換材料の原料溶液がスピンコートにより塗布されて、ペロブスカイト化合物を含む光電変換層が形成された。当該原料溶液は、０．９２ｍｏｌ／Ｌのヨウ化鉛（ＩＩ）（東京化成工業製）、０．１７ｍｏｌ／Ｌの臭化鉛（ＩＩ）（東京化成工業製）、０．８３ｍｏｌ／Ｌのヨウ化ホルムアミジニウム（ＧｒｅａｔＣｅｌｌ　Ｓｏｌａｒ製）、０．１７ｍｏｌ／Ｌの臭化メチルアンモニウム（ＧｒｅａｔＣｅｌｌ　Ｓｏｌａｒ製）、０．０５ｍｏｌ／Ｌのヨウ化セシウム（岩谷産業製）、および０．０５ｍｏｌ／Ｌのヨウ化ルビジウム（岩谷産業製）を含む溶液であった。当該溶液の溶媒は、ジメチルスルホキシド（ａｃｒｏｓ製）およびＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ａｃｒｏｓ製）の混合物であった。この原料溶液におけるジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）の混合比（ＤＭＳＯ：ＤＭＦ）は、体積比で１：４であった。
　次に、光電変換層上に、実施例による半導体材料を含む原料溶液をスピンコート法により塗布することにより、正孔輸送層を形成した。原料溶液の溶媒は、トルエン（ａｃｒｏｓ製）であった。原料溶液は、１０ｇ／Ｌの実施例による半導体材料と、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランとを含んでいた。なお、原料溶液は、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランの濃度が異なる６種類が準備された。具体的には、実施例による半導体材料の繰り返し単位質量に対する物質量当たり、１０ｍｏｌ％、２０ｍｏｌ％、３０ｍｏｌ％、４０ｍｏｌ％、５０ｍｏｌ％、６０ｍｏｌ％のトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランを含む原料溶液が準備された。
　次に、正孔輸送層上に、真空蒸着によってＡｕ膜を堆積させることにより、第２電極を形成した。このようにして、実施例１による太陽電池が得られた。
　（比較例１）
　実施例による半導体材料の代わりに、メチル基で終端された、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を用いた。これ以外は、実施例１と同様にして、比較例１による太陽電池が得られた。
　（実施例２）
　実施例２では、ガラス基板上に、実施例による半導体材料を含む原料溶液をスピンコート法により塗布することにより、有機半導体膜を形成した。原料溶液の溶媒は、トルエン（ａｃｒｏｓ製）であった。原料溶液は、１０ｇ／Ｌの実施例による半導体材料と、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランとを含んでいた。なお、原料溶液は、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランの濃度が異なる６種類が準備された。具体的には、実施例による半導体材料の繰り返し単位質量に対する物質量当たり、１ｍｏｌ％、３ｍｏｌ％、１０ｍｏｌ％、１５ｍｏｌ％、２０ｍｏｌ％、２５ｍｏｌ％のトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランを含む原料溶液が準備された。このようにして、実施例２による有機半導体膜が得られた。
　（比較例２）
　実施例による半導体材料の代わりに、メチル基で終端された、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を用いた。これ以外は、実施例２と同様にして比較例２による有機半導体膜が得られた。
　＜光電変換効率の測定＞
　実施例１および比較例１による太陽電池の光電変換効率を測定した。
　太陽電池の光電変換効率の測定には、電気化学アナライザ（ＡＬＳ４４０Ｂ、ＢＡＳ製）およびキセノン光源（ＢＰＳ　Ｘ３００ＢＡ、分光計器製）を用いられた。測定前に、シリコンフォトダイオードを用いて光強度を１Ｓｕｎ（１００ｍＷ／ｃｍ2）に校正した。電圧の掃引速度は１００ｍＶ／ｓであった。測定開始前に、光照射および長時間の順バイアス印加のような事前調整は行わなかった。実効面積を固定し散乱光の影響を減少させるために、開口部０．１ｃｍ2の黒色マスクで太陽電池をマスクした状態で、マスク／基板側から光を照射した。このような方法によって、実施例１による太陽電池および比較例１による太陽電池の光電変換効率（Ｅｆｆ）が測定された。図３は、実施例１による太陽電池の光電変換効率のドーパント濃度依存性を示すグラフである。図４は、比較例１による太陽電池の光電変換効率のドーパント濃度依存性を示すグラフである。
　＜電子スピン共鳴（ＥＳＲ）分析＞
　実施例２および比較例２による有機半導体膜に対し、ＥＳＲ分析が実施された。
　有機半導体へのドーピングにより発生したホールはスピン１／２を有しているため、ＥＳＲによってスピン濃度を測定することで、ＰＴＡＡにドープされたホール濃度を見積もることが可能である。ＥＳＲ測定により、ＰＴＡＡに発生したホール濃度のドーパント濃度依存性を比較した。
　ＥＳＲの測定には、ＸバンドＥＳＲ装置（ＪＥＳ－ＦＡ１００、ＪＥＯＬ社製）を用いた。実施例２および比較例２による有機半導体膜をガラス基板ごと幅３．５ｍｍに切断し、外径５ｍｍの石英製ＥＳＲ試料管に入れてＥＳＲ信号を取得した。観測されたＥＳＲ信号のスピン濃度を、装置付属の基準マーカー（Ｍｎ2+）を用いて校正し、試料毎のスピン濃度の相対変化を行った。
　ＰＴＡＡへのドーピングにより、ＰＴＡＡ分子のπ電子軌道上のスピンに相当する共鳴位置（ｇ＝２．００２５）付近に、ホールキャリアを示唆する運動性のＥＳＲ信号を確認した。この信号から、ＰＴＡＡのホール濃度のドーパント濃度依存性を求めた。図５は、実施例２および比較例２による有機半導体膜について、ＰＴＡＡのホール濃度のドーパント濃度依存性を表すグラフである。
　＜太陽電池特性に対する終端基の効果＞
　図３に示されるように、ＰＴＡＡの終端基がフェニル基である場合、ドーパント濃度を３０ｍｏｌ％にしたときに最大の光電変換効率が得られた。一方、図４に示されるように、ＰＴＡＡ終端基がメチル基である場合、ドーパント濃度が１０ｍｏｌ％の時に最大の太陽電池効率が得られ、それ以上の添加量では単調に特性が悪化していく。
　実施例１を比較例１と比較すると明らかなように、ドーパントの濃度がいずれの値であっても、実施例１の方が高い光電変換効率を示している。これは、終端基がフェニル基である方がメチル基である時よりも、ＰＴＡＡが優れた移動特性を有することを示唆している。
　＜ドーパント活性度に対する終端基の効果＞
　図５に示されるように、終端基がフェニル基のＰＴＡＡを用いた場合（すなわち、実施例２）、終端基がメチル基のＰＴＡＡを用いた場合（すなわち、比較例２）と同等以上のＰＴＡＡのホール濃度を示している。また、比較例２の場合、ドーパント濃度が２０ｍｏｌ％でＰＴＡＡのホール濃度が頭打ちになるのに対して、実施例２では、ドーパント濃度が２０ｍｏｌ％を超えてもＰＴＡＡのホール濃度が増加し続けている。これは終端基がフェニル基のＰＴＡＡを用いることで、ドーパントの活性度および許容度の両方が向上していることを示している。
　本開示は、特定の終端基を有するＰＴＡＡを用いることで、半導体材料の移動特性および太陽電池のような光電変換素子の光電変換効率を向上させることができる。
　１　基板
　２　第１電極
　３　電子輸送層
　４　光電変換層
　５　正孔輸送層
　６　第２電極
　７　多孔質層
　１００，２００　太陽電池

Claims (10)

  1. 　下記式（Ｉ）で表される、半導体材料であり、
    　式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１から６の炭化水素基を表す。Ｒ4は、アリール基、アミノ基、ヒドロキシ基、またはアルコキシ基を表す。ｎは、２以上の整数を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
  2. 　前記式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、いずれもメチル基である、
    請求項１に記載の半導体材料。
  3. 　前記式（Ｉ）において、Ｒ4は、アリール基である、
    請求項１または２に記載の半導体材料。
  4. 　前記アリール基は、フェニル基である、
    請求項３に記載の半導体材料。
  5. 　数平均分子量が、８０００以下である、
    請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体材料。
  6. 　第１電極、光電変換層、正孔輸送層、および第２電極をこの順で備え、
    　前記正孔輸送層は、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体材料を含む、
    光電変換素子。
  7. 　前記正孔輸送層は、添加剤をさらに含み、
    　前記添加剤は、六フッ化リン酸リチウム、ホウフッ化リチウム、過塩素酸リチウム、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）アミン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド亜鉛、トリス［２－（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）－４－ｔｅｒｔ－ブチルピリジン］コバルト、４－イソプロピル－４－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン、および１，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８，２２，２３，２４，２５－ヘキサデカフルオロ－２９Ｈ，３１Ｈ－フタロシアニンからなる群より選択される少なくとも１つである、
    請求項６に記載の光電変換素子。
  8. 　前記添加剤は、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランを含む、
    請求項７に記載の光電変換素子。
  9. 　前記半導体材料の繰り返し単位質量に対する物質量に対する前記添加剤の物質量の比は、１０％以上である、
    請求項７または８に記載の光電変換素子。
  10. 　前記光電変換層は、ペロブスカイト化合物を含む、
    請求項６から９のいずれか一項に記載の光電変換素子。
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