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WO2020095504A1 - プラズマ処理装置 - Google Patents

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Publication number
WO2020095504A1
WO2020095504A1 PCT/JP2019/031927 JP2019031927W WO2020095504A1 WO 2020095504 A1 WO2020095504 A1 WO 2020095504A1 JP 2019031927 W JP2019031927 W JP 2019031927W WO 2020095504 A1 WO2020095504 A1 WO 2020095504A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
plasma
processing
electrode
unit
generation unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2019/031927
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
泰一 老田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of WO2020095504A1 publication Critical patent/WO2020095504A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H10P50/242—

Definitions

  • the present invention relates to a plasma processing apparatus that performs plasma processing on an object to be processed.
  • a plasma processing apparatus includes, for example, a processing electrode for applying a high-frequency voltage between a stage-shaped electrode on which an object to be processed can be placed, and a plasma generation channel for supplying a processing gas for generating plasma. It has a section.
  • Patent Document 1 discloses a method for manufacturing an element in which a workpiece is locally removed by etching using plasma. Plasma is generated by activating the supplied processing gas while changing the relative position of the plasma generation unit with respect to the workpiece. Further, the processing amount is adjusted by changing the residence time of the plasma generating part.
  • Patent Document 2 includes a first electrode, a second electrode that is opposed to the first electrode in a state of being separated from the first electrode, and a third electrode provided between the first electrode and the second electrode, A plasma processing apparatus is disclosed in which a high-frequency voltage for generating plasma is applied between the first electrode and the third electrode, and an extraction voltage for drawing plasma is applied between the second electrode and the third electrode. This plasma processing apparatus can stably generate plasma under the atmospheric pressure condition without supplying new gas.
  • Patent Document 1 since the plasma processing apparatus described in Patent Document 1 performs processing by repeating scanning of a single plasma generating unit that locally generates plasma, processing time may be long and processing efficiency may be low.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus with improved processing efficiency and processing accuracy.
  • a plasma processing apparatus includes a stage having a stage main surface, a first plasma generating unit provided at a distance from the stage main surface, and a relative position between the stage and the first plasma generating unit.
  • a plasma processing apparatus comprising: a drive unit for scanning a position; and a control unit for controlling a first plasma generation unit and a drive unit, wherein the drive unit scans a relative position with respect to a stage, and a distance from a main surface of the stage.
  • a second plasma generation unit that is provided separately from the first plasma generation unit in a plan view of the main surface of the stage, and the control unit controls the processing target corresponding to the position of the processing target.
  • a storage unit that stores the state of the object as position distribution data, a ratio of the first operating amount of the first plasma generating unit to the second operating amount of the second plasma generating unit, and scanning of the driving unit based on the position distribution data.
  • a calculation processing unit that calculates as a calculation result, and the control unit is configured to control the first plasma generation unit, the second plasma generation unit, and the drive unit based on the calculation result of the calculation processing unit. ..
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of the power supply according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing power control according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a positional relationship between the first plasma generating unit and the second plasma generating unit according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line VV of the object to be processed shown in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing power control of the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of the power supply according to the first embodiment of the present invention.
  • the plasma processing apparatus 100 is an open-air plasma CVM (Chemical Vaporization Machining) apparatus.
  • the atmosphere open type plasma CVM device is a kind of dry etching device for removing the surface of the object to be processed 190 by plasma processing, and the object to be processed 190 is plasma-processed under an atmospheric pressure environment.
  • the temperature of the plasma applied to the object to be processed 190 becomes low, and the plasma processing becomes gentle. Therefore, it is possible to finely adjust the processing amount of the object to be processed 190, and the accuracy of the processing amount is improved. Further, since the plasma diffusion is suppressed by the atmospheric pressure, it is possible to locally perform the plasma treatment, and the positional accuracy of the treatment is improved.
  • the processing amount of the plasma processing in the atmosphere open type plasma CVM device corresponds to the amount of the processed object 190 to be removed.
  • the object to be processed 190 corresponds to, for example, an AT-cut type crystal wafer for taking out an AT-cut type crystal piece (Quartz Crystal Element).
  • This AT-cut type crystal piece is a member used for a crystal vibrating element (Quartz Crystal Resonator), and is a kind of piezoelectric body that vibrates according to an applied voltage. Since the AT-cut type crystal piece uses the thickness-shear vibration mode (Thickness Shear Vibration Mode) as the main vibration, the resonance frequency is highly dependent on the film thickness. Therefore, in the process of manufacturing the AT-cut type crystal piece, it is desirable to prepare a crystal wafer having a high film thickness accuracy. From this point, the open-air plasma CVM device is suitable for manufacturing a quartz wafer.
  • the plasma processing apparatus 100 includes a first plasma generation unit 101 and a second plasma generation unit 102 that generate plasma, a common electrode 110, a mass flow controller 140, a drive unit 150, a measuring device 180, and a control unit 160. I have it.
  • the first plasma generation unit 101 provides the object 190 with a first plasma processing amount.
  • the second plasma generation unit 102 provides a second plasma processing amount to the object 190 to be processed.
  • the first plasma processing amount is determined by the first operating amount of the first plasma generating unit 101 and the scanning amount of the driving unit 150
  • the second plasma processing amount is the second operating amount of the second plasma generating unit 102 and the driving unit 150. It is determined by the scanning amount.
  • the first operating amount and the second operating amount correspond to the amount of plasma generated per unit time by the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102 at each processing position (position where plasma processing is performed), respectively. ..
  • the scanning amount of the driving unit 150 is the moving speed of the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102, that is, the staying of the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102 at each processing position. Equivalent to time.
  • the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102 are provided apart from an upper surface 110A of a common electrode 110 described later. Further, when the upper surface 110A of the common electrode 110 is viewed in a plan view, the second plasma generation unit 102 is provided apart from the first plasma generation unit 101.
  • the first plasma generation unit 101 has a first processing electrode 121, a first adjustment electrode 131, and a first flow channel 141.
  • the second plasma generation unit 102 has a second processing electrode 122, a second adjustment electrode 132, and a second flow path 142.
  • the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 are provided apart from the common electrode 110 by a distance in which the object 190 to be processed can be arranged.
  • the first processing electrode 121 is an electrode for applying a first generation voltage for the first plasma generation unit 101 to generate plasma.
  • the second processing electrode 122 is an electrode for applying a second generated voltage for causing the second plasma generation unit 102 to generate plasma.
  • the first generated voltage is applied to at least a part of the space between the common electrode 110 and the first processing electrode 121, and the second generated voltage is at least a part of the space between the common electrode 110 and the second processing electrode 122.
  • the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 are connected to a generating power source 171 that applies the first generated voltage and the second generated voltage.
  • the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 are cylindrical electrodes that are open to the common electrode 110, respectively.
  • the opening of the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 that opens toward the common electrode 110 corresponds to the discharge port of the processing gas.
  • the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 are not limited to the above shapes, and a mesh-shaped electrode or a plurality of penetrating electrodes are provided. It may be a plate-shaped electrode having holes. Further, in the case where the processing gas flow path is provided outside the processing electrode, the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 may be columnar electrodes or flat plate electrodes.
  • the first adjustment electrode 131 and the second adjustment electrode 132 are provided apart from the common electrode 110 by a distance where the object 190 to be processed can be arranged.
  • the first adjustment electrode 131 is provided between the common electrode 110 and the first processing electrode 121
  • the second adjustment electrode 132 is provided between the common electrode 110 and the second processing electrode 122.
  • the relative position of the first adjustment electrode 131 with respect to the first processing electrode 121 is fixed
  • the relative position of the second adjustment electrode 132 with respect to the second processing electrode 122 is fixed.
  • the first adjustment electrode 131 is an electrode for applying a first adjustment voltage for adjusting the first operating amount of the first plasma generation unit 101.
  • the second adjustment electrode 132 is an electrode for applying a second adjustment voltage for adjusting the second operating amount of the second plasma generation unit 102.
  • the first adjustment voltage is applied to at least a part of the space between the common electrode 110 and the first processing electrode 121, and the second adjustment voltage is at least a part of the space between the common electrode 110 and the second processing electrode 122. Applied to.
  • the first adjustment electrode 131 and the second adjustment electrode 132 are connected to the adjustment power supply 172.
  • the first adjustment electrode 131 is provided between the common electrode 110 and the first processed electrode 121 and faces the first flow channel 141.
  • the second adjustment electrode 132 is provided between the common electrode 110 and the second processed electrode 122 and faces the second flow path 142.
  • the first adjustment electrode 131 and the second adjustment electrode 132 are mesh electrodes, respectively.
  • the first adjustment electrode 131 and the second adjustment electrode 132 are not limited to the above-mentioned configurations as long as the processing gas can pass through, and may be plate-like electrodes having a plurality of through holes.
  • the first channel 141 supplies the first processing gas to the space between the first processing electrode 121 and the common electrode 110.
  • the second flow path 142 supplies the second processing gas to the space between the second processing electrode 122 and the common electrode 110.
  • the first plasma generation unit 101 applies a first generated voltage to the first processing gas to generate plasma from the first processing gas.
  • the second plasma generation unit 102 applies a second generated voltage to the second processing gas to generate plasma from the second processing gas.
  • the first flow channel 141 and the second flow channel 142 are provided inside the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122, respectively.
  • the first flow channel 141 and the second flow channel 142 are branched from the common flow channel 144. Since the object to be processed 190 is installed under the atmospheric pressure environment, each of the first processing gas and the second processing gas is supplied to the atmospheric pressure environment from the first flow path 141 and the second flow path 142, and Diffusion is suppressed.
  • the common electrode 110 is a plate-shaped electrode having an upper surface 110A on which the object 190 to be processed can be placed.
  • the common electrode 110 corresponds to the stage, and the upper surface 110A corresponds to the main surface of the stage.
  • the common electrode 110 is fixed to the pedestal portion of the frame.
  • the common electrode 110 is grounded. Although illustration is omitted, the common electrode 110 is provided with an air chuck for fixing the object 190 to be processed.
  • the common electrode 110 is not limited to the stage itself, and may be a part of the stage.
  • the mass flow controller 140 is a mass flow meter having a flow rate control function.
  • the mass flow controller 140 is provided in the common flow channel 144 to which the first flow channel 141 and the second flow channel 142 are connected.
  • the mass flow controller 140 adjusts the flow rates of the processing gas in the common flow channel 144 to collectively adjust the flow rates of the processing gas in the first flow channel 141 and the second flow channel 142. For example, by making the inflow port of the processing gas in each of the first flow channel 141 and the second flow channel 142 larger than the outflow port, the first flow channel 141 and the second flow channel 142 are formed when the processing gas is supplied. It becomes positive pressure.
  • the flow rate of the processing gas in each of the first flow channel 141 and the second flow channel 142 becomes substantially equal.
  • An open / close valve may be further provided in the common channel 144 to which the first channel 141 and the second channel 142 are connected, from the viewpoint of suppressing the leakage of the processing gas.
  • the flow rate controller is not limited to the mass flow controller.
  • the flow rate of the processing gas is not limited to collective adjustment in the common flow channel 144, and a flow rate controller may be provided in each of the first flow channel 141 and the second flow channel 142. According to such a configuration, the first operating amount and the second operating amount can be individually adjusted by adjusting the flow rates of the processing gas in each of the first flow channel 141 and the second flow channel 142.
  • the driving unit 150 scans the relative position between each of the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102 and the common electrode 110.
  • the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 are held by the electrode holder, and the relative positions of the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102 are constant.
  • the driving unit 150 drives the electrode holder to change the relative positions of the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102 with respect to the common electrode 110 fixed to the frame.
  • the driving unit 150 may drive the common electrode 110 with respect to the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102 fixed to the frame.
  • the driving unit 150 may drive the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102, and may drive the common electrode 110.
  • the driving unit 150 may individually drive the individually held first plasma generation unit 101 and second plasma generation unit 102. In other words, the relative positions of the first plasma generation unit 101 and the second plasma generation unit 102 may change.
  • the measuring device 180 measures the thickness of the processing object 190.
  • the measuring device 180 is, for example, a component that measures the height of the object to be processed 190 by reflected light, and is held by the electrode holder.
  • the measuring device 180 is configured to measure the thickness of a portion of the object to be processed 190 facing the first plasma generating unit 101 or the second plasma generating unit 102. Since the measuring device 180 is provided in the plasma processing apparatus 100, the thickness distribution data obtained by mapping the thickness data of the object to be processed 190 can be obtained after the object to be processed 190 is installed on the common electrode 110. Therefore, there is no error in the thickness distribution data due to the positional deviation when the workpiece 190 is installed on the common electrode 110.
  • the measuring device 180 can measure the thickness of the portion of the object to be processed 190 facing the first plasma generating unit 101 or the second plasma generating unit 102, the first plasma processing amount or the second plasma processing amount can be measured. According to this, for example, the scheduled second plasma processing amount (the second operating amount and the scanning amount of the second plasma generating unit 102) can be changed based on the measurement result of the first plasma processing amount. ..
  • the measuring device 180 is a spectroscope having a light emitting unit 181 that emits light to the object to be processed 190 and a light receiving unit 182 that receives the light reflected by the object to be processed 190.
  • the thickness of the object to be processed 190 can be measured in a non-contact manner. Further, by using the linear or planar light, the efficiency of measuring the thickness of the object 190 to be processed is improved.
  • the measuring device 180 is not limited to the above as long as it can measure data capable of calculating the thickness of the processing object 190.
  • the measuring device 180 may apply a high frequency voltage to the object to be processed 190 and measure the resonance frequency correlated with the thickness of the object to be processed 190.
  • the control unit 160 controls the first plasma generating unit 101, the second plasma generating unit 102, and the driving unit 150.
  • the control unit 160 has a flow rate control unit 164, a drive control unit 165, a power control unit 167, a position distribution data generation unit 168, a storage unit 169, and a calculation processing unit 163.
  • the control unit 160 is configured by using one or a plurality of computers. Each unit constituting the control unit 160 can be realized, for example, by using a storage area of a computer or by causing a processor of the computer to execute a program stored in the storage area.
  • the drive control unit 165 controls the drive unit 150.
  • the drive control unit 165 increases or decreases the scanning speeds of the first plasma generation unit 101 and the second plasma generation unit 102 to adjust the first plasma processing amount and the second plasma processing amount.
  • the flow rate control unit 164 controls the mass flow controller 140.
  • the flow rate control unit 164 acquires flow rate data of the processing gas from the mass flow meter of the mass flow controller 140.
  • the flow rate control unit 164 operates the flow rate control valve of the mass flow controller 140 so that the flow rate data becomes constant, for example.
  • the power control unit 167 controls the first generated voltage and the second generated voltage through the generated power source 171. In addition, the power control unit 167 controls the first adjustment voltage and the second adjustment voltage through the adjustment power supply 172.
  • the position distribution data generation unit 168 generates the state of the object to be processed 190 corresponding to the position of the object to be processed 190 as position distribution data based on the measurement result of the measuring device 180.
  • the state of the object to be processed 190 is the thickness
  • the position distribution data is the thickness of the object to be processed 190 corresponding to the position of the object to be processed 190 (thickness distribution data). is there.
  • the position distribution data may be distribution data obtained by mapping the difference between the thickness of the object 190 to be processed before processing and the target thickness after processing.
  • the position distribution data generation unit 168 stores the generated position distribution data in the storage unit 169.
  • the storage unit 169 stores the position distribution data acquired from the position distribution data generation unit 168.
  • the position distribution data stored in the storage unit 169 is not limited to the data generated by the position distribution data generation unit 168, and may be data input from the outside.
  • the arithmetic processing unit 163 based on the position distribution data stored in the storage unit 169, the ratio between the first operating amount of the first plasma generating unit 101 and the second operating amount of the second plasma generating unit 102, and the driving unit.
  • the scanning amount of the unit 150 is calculated.
  • the calculation result therefor is achieved, for example, by setting only the first plasma generation unit 101 to scan and not the second plasma generation unit 102 to scan.
  • the control unit 160 determines the ratio of the first operating amount of the first plasma generating unit 101 and the second operating amount of the second plasma generating unit 102 based on the calculation result of the calculation processing unit 163, so as to determine the flow rate control unit. 164 and the power control unit 167 are controlled, and the drive control unit 165 is controlled to determine the scanning amount of the drive unit 150. For example, in order to manufacture the processed object 190 having a uniform thickness, the arithmetic processing unit 163 sets the first operating amount, the second operating amount, so that the thickness of the processed object 190 approaches a constant value at each processing position. And the scanning amount of the driving unit 150 is calculated as the calculation result.
  • the calculation result is not limited to the above, and the first operating amount, the second operating amount, and the scanning amount may be calculated so as to impart a shape (for example, a plurality of mesa shapes) to the object to be processed 190.
  • the flow rates of the first flow path 141 and the second flow path 142 are equal.
  • the scanning speeds of the first plasma generation unit 101 and the second plasma generation unit 102 are the same. Therefore, the difference between the first operating amount of the first plasma generating unit 101 and the second operating amount of the second plasma generating unit 102 is controlled by the power control unit 167.
  • the first operating amount is controlled by the power control unit 167 changing at least one of the first generated voltage and the first adjusted voltage
  • the second operating amount is at least one of the second generated voltage and the second adjusted voltage. Is controlled by the power control unit 167 changing.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing power control according to the first embodiment of the present invention.
  • the generated power source 171 applies a first generated voltage between the common electrode 110 and the first machining electrode 121, and a second generated voltage between the common electrode 110 and the second machining electrode 122. Is applied.
  • the adjustment power supply 172 applies the first adjustment voltage between the common electrode 110 and the first adjustment electrode 131, and applies the second adjustment voltage between the common electrode 110 and the second adjustment electrode 132.
  • the first generated voltage and the second generated voltage are high frequency voltages RF having the same peak voltage and frequency.
  • the first adjustment voltage is a DC variable voltage V1 and the second adjustment voltage is a DC variable voltage V2. That is, different voltages can be applied to the first adjustment electrode 131 and the second adjustment electrode 132.
  • the first processing gas and the second processing gas having the same flow rate are supplied to the first plasma generation unit 101 and the second plasma generation unit 102, respectively.
  • a first generated voltage is applied to the first processing gas to generate plasma 145
  • the active species in the plasmas 145 and 146 react with the object to be processed 190 and change into a volatile substance, and the surface of the object to be processed 190 is removed.
  • the active species of the plasmas 145 and 146 are ions or radical ions. Since the active species of the plasma are positively or negatively charged, the first adjustment voltage decelerates or accelerates the plasma 145, and the second adjustment voltage decelerates or accelerates the plasma 146. Therefore, even if the first generated voltage and the second generated voltage are the same, the first operation of the first plasma generating unit 101 is performed by the first adjustment voltage applied between the common electrode 110 and the first adjustment electrode 131. The amount is controlled, and the second operation amount of the second plasma generation unit 102 is controlled by the second adjustment voltage applied between the common electrode 110 and the second adjustment electrode 132.
  • first operating amount and the second operating amount can be controlled by the first adjusting voltage and the second adjusting voltage in this way, the relative positions of the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102 are constant and the scanning amount is Even if they are the same, the ratio of the first plasma processing amount and the second plasma processing amount can be controlled.
  • the first generated voltage and the second generated voltage are not limited to the high frequency voltage of pulse waveform as long as plasma can be generated, and may be rectangular waveform, triangular waveform, etc. It may be a voltage or the like. Further, the first generated voltage and the second generated voltage may be pulsating current voltages whose directions do not change, or AC voltages whose directions change. The first adjustment voltage and the second adjustment voltage may be high frequency voltages synchronized with the cycle of the high frequency voltage RF. According to this, the generated plasma can be efficiently accelerated or decelerated.
  • the timings of the pulses of the first adjusted voltage and the first generated voltage may be the same, and the first adjusted voltage and the first generated voltage may be the first pulse between the pulses of the first generated voltage.
  • a pulse of adjusting voltage may be applied. The same applies to the timing control of each pulse of the second adjustment voltage and the second generated voltage.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a positional relationship between the first plasma generating unit and the second plasma generating unit according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line VV of the object to be processed shown in FIG.
  • the first processing electrode 121 and the second processing electrode 121 are arranged such that at least a part of the scanning paths of the tip ends of the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 overlap each other when the upper surface 110A of the common electrode 110 is viewed in a plan view.
  • 122 is provided. As shown in FIG. 4, the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 are arranged such that some of them overlap each other in the scanning direction D1. As shown in FIG. 5, the plasma processing amount is thickest in the central portion and becomes thinner toward the end portion in the cross-sectional direction intersecting the scanning direction D1.
  • the processing trace 191 by the first processing electrode 121 and the processing trace 192 by the second processing electrode 122 are formed such that some of them overlap each other in the scanning direction D1.
  • the first processing electrode 121 and the second processing electrode 122 are arranged so that the overlapping portion 195 of the processing trace 191 and the processing trace 192 is flat, and the ratio of the first operating amount and the second operating amount is controlled.
  • the arithmetic processing unit 163 causes the ratio between the first operating amount of the first plasma generating unit 101 and the second operating amount of the second plasma generating unit 102 and the driving unit based on the position distribution data.
  • the scanning amount of 150 is calculated, and the control unit 160 controls the first plasma generating unit 101, the second plasma generating unit 102, and the driving unit 150 based on the calculation result of the calculation processing unit 163. According to this, since the plasma processing is performed by the plasma locally generated by the first plasma generating unit 101 and the second plasma generating unit 102, the processing position and the processing amount are highly accurate.
  • the processing efficiency is higher than that of the configuration in which only one plasma generation unit locally generates plasma.
  • the calculation processing unit 163 calculates a suitable ratio between the first operating amount and the second operating amount at each processing position, thereby improving the processing efficiency and processing accuracy of the plasma processing.
  • the processing efficiency does not decrease. Since the flow rates of the processing gas in the first flow path 141 and the second flow path 142 are kept equal and constant, processing unevenness can be reduced. Since the first generated voltage and the second generated voltage are kept equal and constant, processing unevenness can be reduced.
  • the first generated voltage is applied between the common electrode 110 and the first processing electrode 121, plasma 145 is generated from the processing gas in the space between the common electrode 110 and the first processing electrode 121. Therefore, the utilization efficiency of the processing gas is improved as compared with the configuration in which plasma is generated from the processing gas in a part of the space between the common electrode 110 and the first processing electrode 121. The same applies to the second generated voltage.
  • the first generated voltage may be applied between the first processing electrode 121 and the first adjustment electrode 131, and the first adjustment voltage may be applied between the first adjustment electrode 131 and the common electrode 110. Further, the second generated voltage may be applied between the second processing electrode 122 and the second adjustment electrode 132, and the second adjustment voltage may be applied between the second adjustment electrode 132 and the common electrode 110. According to this, the space for generating the plasma and the space for adjusting the flow velocity of the plasma are separated, so that the adjustment precision of the plasma generation amount and the adjustment precision of the flow velocity are improved. In other words, the adjustment accuracy of the ratio between the first operating amount of the first plasma generating unit 101 and the second operating amount of the second plasma generating unit 102 is improved.
  • the first adjustment voltage may be applied between the first processing electrode 121 and the common electrode 110, and the second adjustment voltage may be applied between the second processing electrode 122 and the common electrode 110.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing power control of the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • the plasma processing apparatus 200 has a variable voltage V1 between the common electrode 210 having the upper surface 210A and grounded, and the common electrode 210.
  • the first adjustment electrode 231 to which the first adjustment voltage is applied and the second adjustment electrode 232 to which the second adjustment voltage of the variable voltage V2 is applied are provided between the common electrode 210 and the first adjustment electrode 231.
  • the difference between the second embodiment and the first embodiment is that a machining electrode 221 shared by the first plasma generation unit 201 and the second plasma generation unit 202 is provided.
  • the processing electrode 221 is, for example, a mesh electrode or a plate-shaped electrode provided with a plurality of through holes.
  • a flow channel 241 shared by the first plasma generating unit 201 and the second plasma generating unit 202 is provided inside the processing electrode 221.
  • a generated voltage composed of a high frequency voltage RF is applied to the processing electrode 221.
  • the first adjustment electrode 231 faces a part of the processing electrode 221.
  • the second adjustment electrode 232 faces another part of the processing electrode 221.
  • a stage having a main surface of the stage, a first plasma generation unit provided at a distance from the main surface of the stage, and a relative position of the stage and the first plasma generation unit are scanned.
  • a plasma processing apparatus comprising: a drive unit for controlling the first plasma generation unit and a control unit for controlling the drive unit, wherein the drive unit scans the relative position with respect to the stage and separates from the main surface of the stage.
  • a second plasma generation unit that is provided and is separated from the first plasma generation unit in a plan view of the main surface of the stage is further provided, and the control unit controls the state of the processing target corresponding to the position of the processing target.
  • a plasma processing apparatus that includes a calculation processing unit that performs calculation, and the control unit is configured to control the first plasma generation unit, the second plasma generation unit, and the drive unit based on a calculation result of the calculation processing unit. Will be provided. According to this, since the plasma processing is performed by the plasma locally generated by the first plasma generation unit and the second plasma generation unit, the processing position and the processing amount are highly accurate.
  • the processing efficiency is higher than that of the configuration in which only one plasma generating unit locally generates plasma.
  • the second plasma generating unit is further provided, and the arithmetic processing unit calculates a suitable ratio between the first operating amount and the second operating amount and the scanning amount at each processing position.
  • the stage has a common electrode
  • the first plasma generating unit applies a first generated voltage between the common electrode and the stage so that a distance to the object to be processed can be arranged between the stage and the common electrode.
  • the second plasma generating unit has the first processing electrodes that are provided apart from each other, and the second plasma generating unit applies a second generated voltage to the common electrode, so that the object to be processed can be disposed between the second plasma generating unit and the common electrode.
  • a second machining electrode provided separately from each other
  • the control unit further includes a power control unit that controls the first generated voltage and the second generated voltage. According to this, the first plasma processing amount and the second plasma processing amount can be adjusted by controlling the first generated voltage and the second generated voltage.
  • the relative positions of the first processing electrode and the second processing electrode are constant when the main surface of the stage is viewed in plan.
  • the first processing electrode and the second processing electrode are provided so that at least a part of the scanning paths of the tip ends of the first processing electrode and the second processing electrode overlap each other when the main surface of the stage is viewed in a plan view.
  • the plasma processing when the plasma processing is the removal processing, the plasma processing can be performed so that the overlapping portions of the processing traces of the first processing electrode and the second processing electrode become flat.
  • the first plasma generation unit has a first adjustment electrode provided between the common electrode and the first processing electrode in order to apply a first adjustment voltage between the common electrode and the common electrode
  • the second plasma generation unit has a second adjustment electrode provided between the common electrode and the first processing electrode in order to apply the second adjustment voltage between the common electrode and the common electrode
  • the power control unit Further controlling the first regulated voltage and the second regulated voltage.
  • the first plasma processing amount and the second plasma processing amount can be adjusted by controlling the first adjustment voltage and the second adjustment voltage. Since the first plasma processing amount and the second plasma processing amount can be adjusted while keeping the flow rate of the processing gas in the first flow path and the second flow path constant, it is possible to reduce processing unevenness due to fluctuations in the flow rate. Further, since the first plasma processing amount and the second plasma processing amount can be adjusted while keeping the first generated voltage and the second generated voltage constant, it is possible to reduce processing unevenness due to fluctuations and unevenness of the generated voltage.
  • the first generated voltage and the second generated voltage are high frequency voltages, and the first adjusted voltage and the second adjusted voltage are DC voltages.
  • the shape of the first adjustment electrode and the second adjustment electrode is a mesh shape having a plurality of through holes in at least a part thereof. According to this, it is possible to reduce the unevenness of the first adjustment voltage and the second adjustment voltage while reducing the unevenness of the passing amount of the processing gas and plasma.
  • the first plasma generation unit has a first flow path for supplying the first processing gas
  • the second plasma generation unit has a second flow path for supplying the second processing gas
  • the control unit Further includes a flow rate control unit that controls the flow rates of the first processing gas and the second processing gas. According to this, the first operating amount of the first plasma generating unit and the second operating amount of the second plasma generating unit are adjusted by controlling the flow rate of the processing gas in each of the first flow passage and the second flow passage. it can.
  • first flow path and the second flow path are branched from the common flow path.
  • the first processing gas and the second processing gas are supplied to the atmospheric pressure environment from the first flow path and the second flow path.
  • the state of the object to be processed is the thickness of the object to be processed
  • the storage unit is configured to store the thickness of the object to be processed corresponding to the position of the object to be processed as position distribution data.
  • the thickness distribution data obtained by mapping the thickness data of the object to be processed after the object to be processed is installed on the common electrode can be acquired. Therefore, no error occurs in the thickness distribution data due to the positional deviation when the object to be processed is installed on the common electrode.
  • the measuring device can measure the thickness of the portion facing the first plasma generating part or the second plasma generating part, the first plasma processing amount or the second plasma processing amount can be measured. According to this, for example, the first plasma processing amount can be measured, and the planned second plasma processing amount can be changed based on the measurement result.
  • the arithmetic processing unit calculates the first operating amount, the second operating amount, and the scanning amount so that the thickness of the object to be processed approaches a constant value.
  • the object to be processed is plasma-processed under an atmospheric pressure environment. According to this, the temperature of the plasma applied to the object to be treated becomes low, and the plasma treatment becomes gentle. Therefore, the processing amount of the object to be processed can be finely adjusted, and the processing accuracy is improved. In addition, the initial cost and running cost can be reduced as compared with an apparatus that performs plasma processing in a vacuum.
  • the first plasma generation unit and the second plasma generation unit react the plasma generated from the processing gas supplied toward the stage with the object to be processed, and remove the object to be processed.
  • the plasma contains ions as active species.
  • plasma contains radicals as active species.
  • Plasma processing apparatus 101 ... 1st plasma generation part 102 ... 2nd plasma generation part 110 ... Common electrode 121 . 1st processing electrode 122 ... 2nd processing electrode 131 ... 1st adjustment electrode 132 ... 2nd adjustment electrode 140 ... Mass flow Controller 141 ... 1st flow path 142 ... 2nd flow path 144 ... Common flow path 150 ... Drive part 160 ... Control part 163 ... Arithmetic processing part 164 ... Flow rate control part 165 ... Drive control part 167 ... Power control part 168 ... Position distribution Data generation unit 169 ... Storage unit 180 ... Measuring instrument 190 ... Object to be processed

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Abstract

プラズマ処理装置（１００）は、ステージと、第１プラズマ発生部（１０１）と、駆動部（１５０）と、制御部（１６０）とを備え、第１プラズマ発生部（１０１）と離れて設けられている第２プラズマ発生部（１０２）をさらに備えている。制御部（１６０）は、位置分布データを記憶する記憶部（１６９）と、位置分布データに基づいて第１プラズマ発生部（１０１）の第１稼働量と第２プラズマ発生部（１０２）の第２稼働量との比率及び駆動部（１５０）の走査量を演算する演算処理部（１６３）とを含み、制御部（１６０）は、演算処理部（１６３）の演算結果に基づいて、第１プラズマ発生部（１０１）、第２プラズマ発生部（１０２）及び駆動部（１５０）を制御するように構成されている。

Description

プラズマ処理装置
　本発明は、被処理物に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。
　プラズマ処理装置は、半導体製造工程における表面処理や除去加工など、エレクトロニクス分野において従来から利用されている。プラズマ処理装置は、例えば、被処理物を設置可能なステージ状の電極との間に高周波電圧を印加するための加工電極と、プラズマを発生させる処理ガスを供給する流路と、を有するプラズマ発生部を備えている。
　特許文献１には、プラズマを用いたエッチングによって局所的に被加工物を除去する、素子の製造方法が開示されている。被加工物に対するプラズマ発生部の相対的位置を変化させながら、供給される処理ガスを活性化してプラズマを発生させている。また、プラズマ発生部の滞留時間を異ならせることで加工量を調整している。
　特許文献２には、第１電極と、第１電極から離間させた状態で対向配置された第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられた第３電極とを備え、第１電極と第３電極との間にプラズマを発生させる高周波電圧が印加され、第２電極と第３電極との間にプラズマを引き出す引出電圧が印加されるプラズマ処理装置が開示されている。このプラズマ処理装置は、大気圧条件下で新たなガスの供給を行うことなく、安定的にプラズマを発生させることができる。
国際公開第２０１６／１５８９６５号 特開２０１０／２５１０２４号公報
　しかしながら、特許文献１に記載のプラズマ処理装置は、局所的にプラズマを発生させる単一のプラズマ発生部の走査を繰り返して加工処理するため、処理時間が長く処理効率が低くなる場合がある。
　また、特許文献２に記載のプラズマ処理装置においては、プラズマ発生部が発生させたプラズマが第３電極の略全面に照射されるため、処理量や処理位置の調整が難しく処理精度が低い場合がある。
　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、処理効率及び処理精度の向上したプラズマ処理装置の提供である。
　本発明の一態様に係るプラズマ処理装置は、ステージ主面を有するステージと、ステージ主面から距離を離して設けられている第１プラズマ発生部と、ステージと第１プラズマ発生部との相対的位置を走査させる駆動部と、第１プラズマ発生部と駆動部とを制御する制御部とを備えるプラズマ処理装置であって、駆動部によってステージとの相対的位置が走査され、ステージ主面から距離を離して設けられおり、ステージ主面を平面視して第１プラズマ発生部と離れて設けられている第２プラズマ発生部をさらに備え、制御部は、被処理物の位置に対応する被処理物の状態を位置分布データとして記憶する記憶部と、位置分布データに基づいて第１プラズマ発生部の第１稼働量と第２プラズマ発生部の第２稼働量との比率及び駆動部の走査量を演算結果として演算する演算処理部とを含み、制御部は、演算処理部の演算結果に基づいて、第１プラズマ発生部、第２プラズマ発生部及び駆動部を制御するように構成されている。
　本発明によれば、処理効率及び処理精度の向上したプラズマ処理装置が提供できる。
図１は、本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、本発明の第１実施形態に係る電源の構成を概略的に示す図である。 図３は、本発明の第１実施形態に係る電力制御を概略的に示す図である。 図４は、本発明の第１実施形態に係る第１プラズマ発生部及び第２プラズマ発生部の位置関係を概略的に示す図である。 図５は、図４に示した被処理物のＶ－Ｖ線に沿った断面図である。 図６は、本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置の電力制御を概略的に示す図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本発明の技術的範囲を当該実施形態に限定して解するべきではない。
　＜第１実施形態＞
　まず、図１及び図２を参照しつつ、本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置１００の構成について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を概略的に示す図である。図２は、本発明の第１実施形態に係る電源の構成を概略的に示す図である。
　このプラズマ処理装置１００は、大気開放型プラズマＣＶＭ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ　Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）装置である。大気開放型プラズマＣＶＭ装置は、プラズマ処理によって被処理物１９０の表面を除去加工するドライエッチング装置の一種であり、被処理物１９０は大気圧環境下でプラズマ処理される。大気開放型プラズマＣＶＭ装置では、被処理物１９０へ照射されるプラズマの温度が低温となり、プラズマ処理が穏やかとなる。このため、被処理物１９０の処理量を細かく調整することが可能であり、処理量の精度が向上する。また、大気圧によってプラズマの拡散が抑制されるため、局所的にプラズマ処理を行うことが可能であり、処理の位置精度が向上する。また、真空でプラズマ処理を行う装置に比べて、真空チャンバや真空ポンプなどが不要であり運転のときに減圧工程が不要であるため、イニシャルコスト及びランニングコストが低減できる。なお、大気開放型プラズマＣＶＭ装置におけるプラズマ処理の処理量は、除去される被処理物１９０の量に相当する。
　なお、被処理物１９０は、例えばＡＴカット型の水晶片（Ｑｕａｒｔｚ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｅｌｅｍｅｎｔ）を取り出すためのＡＴカット型の水晶ウェハに相当する。このＡＴカット型の水晶片は、水晶振動素子（Ｑｕａｒｔｚ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）に利用される部材であり、印加電圧に応じて振動する圧電体の一種である。ＡＴカット型の水晶片は、厚みすべり振動モード（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｓｈｅａｒ　Ｖｉｂｒａｔｉｏｎ　Ｍｏｄｅ）が主要振動として用いられるため、共振周波数の膜厚依存性が高い。このため、ＡＴカット型の水晶片の製造工程においては、膜厚の精度が高い水晶ウェハを準備することが望ましい。この点から、大気開放型プラズマＣＶＭ装置は水晶ウェハの製造に適している。
　プラズマ処理装置１００は、プラズマを発生させる第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２と、共通電極１１０と、マスフローコントローラ１４０と、駆動部１５０と、測定器１８０と、制御部１６０とを備えている。
　第１プラズマ発生部１０１は、被処理物１９０に対して第１プラズマ処理量を提供する。第２プラズマ発生部１０２は、被処理物１９０に対して第２プラズマ処理量を提供する。第１プラズマ処理量は第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量と駆動部１５０の走査量によって決定され、第２プラズマ処理量は第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量と駆動部１５０の走査量によって決定される。第１稼働量及び第２稼働量は、それぞれ、各々の処理位置（プラズマ処理の行われる位置）における第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２による単位時間当たりのプラズマ発生量に相当する。駆動部１５０の走査量は、第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２のそれぞれの移動速度、すなわち各々の処理位置における第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２のそれぞれの滞留時間に相当する。第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２は、後述する共通電極１１０の上面１１０Ａから距離を離して設けられている。また、共通電極１１０の上面１１０Ａを平面視したとき、第２プラズマ発生部１０２は、第１プラズマ発生部１０１から離れて設けられている。第１プラズマ発生部１０１は、第１加工電極１２１と、第１調整電極１３１と、第１流路１４１とを有している。第２プラズマ発生部１０２は、第２加工電極１２２と、第２調整電極１３２と、第２流路１４２とを有している。
　第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２は、それぞれ、共通電極１１０との間に被処理物１９０を配置できる距離を離して設けられている。第１加工電極１２１は、第１プラズマ発生部１０１がプラズマを発生させるための第１発生電圧を印加するための電極である。第２加工電極１２２は、第２プラズマ発生部１０２がプラズマを発生させるための第２発生電圧を印加するための電極である。第１発生電圧は共通電極１１０と第１加工電極１２１との間の空間の少なくとも一部に印加され、第２発生電圧は共通電極１１０と第２加工電極１２２との間の空間の少なくとも一部に印加される。第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２は、第１発生電圧及び第２発生電圧を印加する発生電源１７１に接続されている。第１発生電圧及び第２発生電圧を調整することで、第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量及び第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量が調整できる。言い換えると、第１稼働量と第２稼働量との比率が変更できる。第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２は、それぞれ共通電極１１０に対して開口する筒状の電極である。第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２の共通電極１１０に向かって開口する開口部は、処理ガスの吐出口に相当する。処理ガスの流路が加工電極の内部に設けられる構成の場合、第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２は、上記の形状に限定されるものではなく、メッシュ状の電極や、複数の貫通孔を有する板状の電極であってもよい。また、処理ガスの流路が加工電極の外部に設けられる構成の場合、第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２は、柱状の電極や、平板状の電極であってもよい。
　第１調整電極１３１及び第２調整電極１３２は、それぞれ、共通電極１１０との間に被処理物１９０を配置できる距離を離して設けられている。第１調整電極１３１は共通電極１１０と第１加工電極１２１との間に設けられ、第２調整電極１３２は共通電極１１０と第２加工電極１２２との間に設けられている。第１実施形態において、第１加工電極１２１に対する第１調整電極１３１の相対的位置は固定され、第２加工電極１２２に対する第２調整電極１３２の相対的位置は固定されている。第１調整電極１３１は、第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量を調整するための第１調整電圧を印加するための電極である。第２調整電極１３２は、第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量を調整するための第２調整電圧を印加するための電極である。第１調整電圧は共通電極１１０と第１加工電極１２１との間の空間の少なくとも一部に印加され、第２調整電圧は共通電極１１０と第２加工電極１２２との間の空間の少なくとも一部に印加される。第１調整電極１３１及び第２調整電極１３２は、調整電源１７２に接続されている。第１調整電極１３１は、共通電極１１０と第１加工電極１２１との間に設けられ、第１流路１４１に対向している。第２調整電極１３２は、共通電極１１０と第２加工電極１２２との間に設けられ、第２流路１４２に対向している。第１調整電極１３１及び第２調整電極１３２は、それぞれ、メッシュ電極である。これによれば、第１調整電圧及び第２調整電圧のムラを低減しつつ処理ガス及びプラズマの通過量のムラを低減できる。なお、第１調整電極１３１及び第２調整電極１３２は、処理ガスが通過できれば上記の構成に限定されるものではなく、複数の貫通孔を有する板状の電極であってもよい。
　第１流路１４１は、第１加工電極１２１と共通電極１１０との間の空間に、第１処理ガスを供給する。第２流路１４２は、第２加工電極１２２と共通電極１１０との間の空間に、第２処理ガスを供給する。第１プラズマ発生部１０１は第１処理ガスに第１発生電圧を印加することによって、第１処理ガスからプラズマを発生させる。第２プラズマ発生部１０２は第２処理ガスに第２発生電圧を印加することによって、第２処理ガスからプラズマを発生させる。第１流路１４１及び第２流路１４２は、それぞれ第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２の内部に設けられている。また、第１流路１４１及び第２流路１４２は、共通流路１４４から分岐されている。被処理物１９０が大気圧環境下に設置されるため、第１処理ガス及び第２処理ガスのそれぞれは、第１流路１４１及び第２流路１４２から大気圧環境に供給され、大気圧によって拡散が抑制される。
　共通電極１１０は、被処理物１９０を設置可能な上面１１０Ａを有する板状の電極である。共通電極１１０はステージに相当し、上面１１０Ａはステージ主面に相当する。共通電極１１０は、フレームの台座部分に固定されている。共通電極１１０は接地されている。図示は省略されているが、共通電極１１０には、被処理物１９０を固定するためのエアチャックが設けられている。なお、共通電極１１０はステージそのものに限定されるものではなく、ステージに備えられた一部分であってもよい。
　マスフローコントローラ１４０は、質量流量計に流量制御機能を持たせたものである。マスフローコントローラ１４０は、第１流路１４１及び第２流路１４２が接続された共通流路１４４に設けられている。マスフローコントローラ１４０は、共通流路１４４における処理ガスの流量を調整することにより、第１流路１４１及び第２流路１４２のそれぞれにおける処理ガスの流量を一括に調整する。例えば、第１流路１４１及び第２流路１４２のそれぞれにおける処理ガスの流入口を流出口よりも大きくすることで、処理ガスを供給するときに第１流路１４１及び第２流路１４２が陽圧となる。これによれば、第１流路１４１及び第２流路１４２のそれぞれにおける処理ガスの流量は略同等となる。処理ガスの流量を一括に調整することで、流量の変動による第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量及び第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量の変動が抑制できる。なお、処理ガスの漏れを抑制する観点から、第１流路１４１及び第２流路１４２が接続された共通流路１４４にさらに開閉バルブが設けられてもよい。また、流量制御器はマスフローコントローラに限定されるものではない。処理ガスの流量は共通流路１４４での一括調整に限定されるものではなく、第１流路１４１及び第２流路１４２のそれぞれに流量制御器が設けられてもよい。このような構成によれば、第１流路１４１及び第２流路１４２のそれぞれにおける処理ガスの流量を調整することによって、第１稼働量及び第２稼働量が個別に調整できる。
　駆動部１５０は、第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２のそれぞれと共通電極１１０との相対的位置を走査させる。本実施形態においては、第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２が電極ホルダに保持され、第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２の互いに対する相対的位置が一定である。駆動部１５０は、電極ホルダを駆動することで、フレームに固定された共通電極１１０に対する第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２の相対的位置を変化させる。なお、駆動部１５０は、フレームに固定された第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２に対して共通電極１１０を駆動してもよい。駆動部１５０は、第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２を駆動し、且つ共通電極１１０を駆動してもよい。駆動部１５０は、個別に保持された第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２をそれぞれ個別に駆動してもよい。言い換えると、第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２の互いに対する相対的位置が変化してもよい。
　測定器１８０は、被処理物１９０の厚みを測定する。測定器１８０は、例えば、反射光によって被処理物１９０の高さを測定する部品であり、電極ホルダに保持されている。測定器１８０は、被処理物１９０の第１プラズマ発生部１０１又は第２プラズマ発生部１０２と対向する部分の厚みを測定できるように構成されている。測定器１８０がプラズマ処理装置１００に備えられているため、被処理物１９０を共通電極１１０に設置してから被処理物１９０の厚みデータをマッピングした厚み分布データが取得できる。したがって、被処理物１９０を共通電極１１０に設置する際の位置ズレによる厚み分布データの誤差が生じない。また、測定器１８０が被処理物１９０の第１プラズマ発生部１０１又は第２プラズマ発生部１０２と対向する部分の厚みを測定できるため、第１プラズマ処理量又は第２プラズマ処理量が測定できる。これによれば、例えば、第１プラズマ処理量の測定結果に基づいて、予定されていた第２プラズマ処理量（第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量及び走査量）を変更することができる。図１に示した構成例では、測定器１８０は、被処理物１９０へ光を照射する発光部１８１と、被処理物１９０で反射した光を受光する受光部１８２とを有する分光器である。このような測定器１８０によれば、被処理物１９０の厚みを非接触に測定できる。また、線状又は面状の光を利用することで、被処理物１９０の厚みの測定効率が向上する。測定器１８０は、被処理物１９０の厚みを算出可能なデータを測定できれば上記に限定されるものではない。例えば、測定器１８０は、被処理物１９０に高周波電圧を印加して被処理物１９０の厚みに相関する共振周波数を測定してもよい。
　制御部１６０は、第１プラズマ発生部１０１、第２プラズマ発生部１０２及び駆動部１５０を制御する。制御部１６０は、流量制御部１６４、駆動制御部１６５、電力制御部１６７、位置分布データ生成部１６８、記憶部１６９、及び演算処理部１６３を有している。制御部１６０は１台又は複数台のコンピュータを用いて構成される。制御部１６０を構成する各部は、例えば、コンピュータの記憶領域を用いたり、当該記憶領域に格納されたプログラムをコンピュータのプロセッサが実行したりすることにより実現することができる。
　駆動制御部１６５は、駆動部１５０を制御する。駆動制御部１６５が第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２の走査速度を増減させることで、第１プラズマ処理量及び第２プラズマ処理量が調整される。
　流量制御部１６４は、マスフローコントローラ１４０を制御する。流量制御部１６４は、マスフローコントローラ１４０の質量流量計から処理ガスの流量データを取得する。流量制御部１６４は、例えば流量データが一定となるように、マスフローコントローラ１４０の流量制御バルブを動作させる。
　電力制御部１６７は、発生電源１７１を通して第１発生電圧及び第２発生電圧を制御する。また、電力制御部１６７は、調整電源１７２を通して第１調整電圧及び第２調整電圧を制御する。
　位置分布データ生成部１６８は、測定器１８０の測定結果に基づいて、被処理物１９０の位置に対応する被処理物１９０の状態を位置分布データとして生成する。例えば、プラズマＣＶＭ装置であるプラズマ処理装置１００において、被処理物１９０の当該状態は厚みであり、位置分布データは被処理物１９０の位置に対応する被処理物１９０の厚み（厚み分布データ）である。位置分布データは、被処理物１９０の処理前の厚みと処理後の目標とする厚みとの差分をマッピングした分布データであってもよい。位置分布データ生成部１６８は、生成した位置分布データを記憶部１６９に格納する。
　記憶部１６９は、位置分布データ生成部１６８から取得した位置分布データを記憶する。記憶部１６９が記憶する位置分布データは、位置分布データ生成部１６８において生成されたデータに限定されず、外部から入力されたデータでもよい。
　演算処理部１６３は、記憶部１６９に記憶された位置分布データに基づいて、第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量と第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量との比率、及び駆動部１５０の走査量を演算結果として演算する。すなわち、演算処理部１６３は、位置分布データに基づいた被処理物１９０の各々の処理位置における、第１プラズマ処理量と第２プラズマ処理量との比率を演算する。例えば、演算処理部１６３は、ある処理位置において（第１プラズマ処理量）：（第２プラズマ処理量）＝１：０となるように、第１稼働量と第２稼働量との比率及び駆動部１５０の走査量を演算する。これは、その処理位置におけるプラズマ処理量の全量を第１プラズマ発生部１０１がプラズマ処理することを意味する。そのための演算結果は、例えば、第１プラズマ発生部１０１のみを走査させ、第２プラズマ発生部１０２を走査させないように設定することで達成される。別の処理位置において（第１プラズマ処理量）：（第２プラズマ処理量）＝１：１と演算してもよい。これは、その処理位置におけるプラズマ処理量の半量を第１プラズマ発生部１０１がプラズマ処理し、半量を第２プラズマ発生部１０２がプラズマ処理することを意味する。そのための演算結果は、例えば、（第１稼働量）：（第２稼働量）＝１：１とし、第１プラズマ発生部１０１の走査速度と第２プラズマ発生部１０２の走査速度とを同じに設定することで達成される。
　制御部１６０は、演算処理部１６３の演算結果に基づいて、第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量と第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量との比率を決定させるために流量制御部１６４及び電力制御部１６７を制御し、駆動部１５０の走査量を決定させるために駆動制御部１６５を制御する。例えば、厚さが均一な被処理物１９０を製造すべく、演算処理部１６３は、被処理物１９０の厚みが各々の処理位置において一定に近づくように、第１稼働量、第２稼働量、及び駆動部１５０の走査量を演算結果として演算する。演算結果は上記に限定されるものではなく、被処理物１９０に形状（例えば、複数のメサ形状）を付与するように第１稼働量、第２稼働量及び走査量が演算されてもよい。
　本実施形態において、第１流路１４１及び第２流路１４２のそれぞれの流量は同等である。また、第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２のそれぞれの走査速度は同等である。したがって、第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量と第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量との違いは、電力制御部１６７によって制御される。言い換えると、第１稼働量は第１発生電圧及び第１調整電圧の少なくとも一方を電力制御部１６７が変化させることによって制御され、第２稼働量は第２発生電圧及び第２調整電圧の少なくとも一方を電力制御部１６７が変化させることによって制御される。
　次に、図３を参照しつつ、第１実施形態におけるプラズマ処理装置１００の動作について説明する。図３は、本発明の第１実施形態に係る電力制御を概略的に示す図である。
　図３に示すように、発生電源１７１は、共通電極１１０と第１加工電極１２１との間に第１発生電圧を印加し、共通電極１１０と第２加工電極１２２との間に第２発生電圧を印加する。調整電源１７２は、共通電極１１０と第１調整電極１３１との間に第１調整電圧を印加し、共通電極１１０と第２調整電極１３２との間に第２調整電圧を印加する。第１発生電圧及び第２発生電圧は、互いにピーク電圧及び周波数の等しい高周波電圧ＲＦである。第１調整電圧は直流の可変電圧Ｖ１であり、第２調整電圧は直流の可変電圧Ｖ２である。つまり、第１調整電極１３１及び第２調整電極１３２には異なる大きさの電圧を印加可能である。
　第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２には、それぞれ同じ流量の第１処理ガス及び第２処理ガスが供給される。第１処理ガスに第１発生電圧が印加されてプラズマ１４５が発生し、第２処理ガスに第２発生電圧が印加されてプラズマ１４６が発生する。第１発生電圧＝第２発生電圧＝高周波電圧ＲＦであるため、第１プラズマ発生部１０１が第１処理ガスから発生させるプラズマ１４５の量は、第２プラズマ発生部１０２が第２処理ガスから発生させるプラズマ１４６と同量である。プラズマ１４５，１４６中の活性種が被処理物１９０と反応して揮発性の物質に変化し、被処理物１９０の表面が除去加工される。プラズマ１４５，１４６の活性種は、イオン又はラジカルイオンである。プラズマの活性種が正又は負に帯電しているため、第１調整電圧がプラズマ１４５を減速又は加速させ、第２調整電圧がプラズマ１４６を減速又は加速させる。したがって、第１発生電圧及び第２発生電圧が同じであったとしても、共通電極１１０と第１調整電極１３１との間に印加される第１調整電圧によって第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量が制御され、共通電極１１０と第２調整電極１３２との間に印加される第２調整電圧によって第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量が制御される。このように第１調整電圧及び第２調整電圧によって第１稼働量及び第２稼働量が制御できれば、第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２の相対的位置が一定であり走査量が同じであったとしても、第１プラズマ処理量と第２プラズマ処理量との比率を制御することができる。
　なお、第１発生電圧及び第２発生電圧は、プラズマを発生させることができればパルス波形の高周波電圧に限定されるものではなく、矩形波形、三角波形などであってもよく、低周波電圧、直流電圧などであってもよい。また、第１発生電圧及び第２発生電圧は、向きの変化しない脈流電圧であってもよく、向きの変化する交流電圧であってもよい。第１調整電圧及び第２調整電圧は、高周波電圧ＲＦの周期に同期させた高周波電圧であってもよい。これによれば、発生したプラズマが効率良く加速又は減速できる。例えば、第１調整電圧及び第１発生電圧がパルス電圧である場合、第１調整電圧及び第１発生電圧のそれぞれのパルスのタイミングが一致してもよく、第１発生電圧のパルス間に第１調整電圧のパルスが印加されてもよい。第２調整電圧及び第２発生電圧のそれぞれのパルスのタイミング制御についても同様である。
　次に、図４及び図５を参照しつつ、第１実施形態における第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２の互いの位置関係について説明する。図４は、本発明の第１実施形態に係る第１プラズマ発生部及び第２プラズマ発生部の位置関係を概略的に示す図である。図５は、図４に示した被処理物のＶ－Ｖ線に沿った断面図である。
　共通電極１１０の上面１１０Ａを平面視して、第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２のそれぞれの先端部の走査経路の少なくとも一部が重なるように、第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２が設けられている。図４に示すように、第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２は、走査方向Ｄ１において互いの一部が重なるように配置されている。図５に示すように、プラズマ処理量は、走査方向Ｄ１と交差する断面方向において、中央部において最も厚く端部にむかうにつれて薄くなる。第１加工電極１２１による処理跡１９１と第２加工電極１２２による処理跡１９２は、走査方向Ｄ１において互いの一部が重なるように形成される。処理跡１９１と処理跡１９２の重畳部分１９５が平坦となるように、第１加工電極１２１及び第２加工電極１２２は配置され、第１稼働量及び第２稼働量の比率が制御される。
　以上のように、本実施形態では、演算処理部１６３が位置分布データに基づいて第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量と第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量との比率及び駆動部１５０の走査量を演算し、制御部１６０が演算処理部１６３の演算結果に基づいて第１プラズマ発生部１０１、第２プラズマ発生部１０２、及び駆動部１５０を制御する。これによれば、第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２が局所的に発生させたプラズマによってプラズマ処理するため、処理位置や処理量の精度が高い。また、第１プラズマ発生部１０１及び第２プラズマ発生部１０２が連動して制御されるため、局所的にプラズマを発生させるプラズマ発生部が１つだけの構成に比べて、処理効率が高い。このように、演算処理部１６３が各処理位置にける第１稼働量と第２稼働量との好適な比率を演算することで、プラズマ処理の処理効率と処理精度が向上する。
　本実施形態では、プラズマ処理量を調整するためにプラズマ発生部の走査速度を変化させなくてもよいため、処理効率が低下しない。第１流路１４１及び第２流路１４２における処理ガスの流量が同等かつ一定に保たれるため、処理ムラが低減できる。第１発生電圧及び第２発生電圧が同等かつ一定に保たれるため、処理ムラが低減できる。
　第１発生電圧が共通電極１１０と第１加工電極１２１との間に印加されるため、共通電極１１０と第１加工電極１２１との間の空間において処理ガスからプラズマ１４５が発生する。したがって、共通電極１１０と第１加工電極１２１との間の空間の一部において処理ガスからプラズマを発生させる構成に比べて、処理ガスの利用効率が向上する。第２発生電圧も同様である。
　なお、第１発生電圧が第１加工電極１２１と第１調整電極１３１との間に印加され、第１調整電圧が第１調整電極１３１と共通電極１１０との間に印加されてもよい。また、第２発生電圧が第２加工電極１２２と第２調整電極１３２との間に印加され、第２調整電圧が第２調整電極１３２と共通電極１１０との間に印加されてもよい。これによれば、プラズマを発生させる空間とプラズマの流速を調整する空間とが分けられるため、プラズマの発生量の調整精度と流速の調整精度が向上する。言い換えると、第１プラズマ発生部１０１の第１稼働量と第２プラズマ発生部１０２の第２稼働量との比率の調整精度が向上する。第１調整電圧は第１加工電極１２１と共通電極１１０との間に印加されてもよく、第２調整電圧は第２加工電極１２２と共通電極１１０との間に印加されてもよい。
　以下に、本発明の他の実施形態に係るプラズマ処理装置の構成について説明する。なお、下記の実施形態では、上記の第１実施形態と共通の事柄については記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については逐次言及しない。
　＜第２実施形態＞
　次に、図６を参照しつつ、第２実施形態に係るプラズマ処理装置２００の構成について説明する。図６は、本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置の電力制御を概略的に示す図である。
　第２実施形態に係るプラズマ処理装置２００は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置１００と同様に、上面２１０Ａを有し接地された共通電極２１０と、共通電極２１０との間に可変電圧Ｖ１からなる第１調整電圧が印加される第１調整電極２３１と、共通電極２１０との間に可変電圧Ｖ２からなる第２調整電圧が印加される第２調整電極２３２とを備えている。
　第２実施形態の第１実施形態との相違点は、第１プラズマ発生部２０１及び第２プラズマ発生部２０２に共有される加工電極２２１が備えられている点である。印加電圧及び処理ガスの通過量のムラを低減する観点から、加工電極２２１は、例えば、メッシュ電極又は複数の貫通孔が設けられた板状の電極である。加工電極２２１の内部には、第１プラズマ発生部２０１及び第２プラズマ発生部２０２に共有される流路２４１が設けられている。加工電極２２１には、高周波電圧ＲＦからなる発生電圧が印加される。第１調整電極２３１は、加工電極２２１の一部と対向している。第２調整電極２３２は、加工電極２２１の他の一部と対向している。
　このような実施形態においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
　以下に、本発明の実施形態の一部又は全部を付記する。なお、本発明は以下の構成に限定されるものではない。
　本発明の一態様によれば、ステージ主面を有するステージと、ステージ主面から距離を離して設けられている第１プラズマ発生部と、ステージと第１プラズマ発生部との相対的位置を走査させる駆動部と、第１プラズマ発生部と駆動部とを制御する制御部とを備えるプラズマ処理装置であって、駆動部によってステージとの相対的位置が走査され、ステージ主面から距離を離して設けられおり、ステージ主面を平面視して第１プラズマ発生部と離れて設けられている第２プラズマ発生部をさらに備え、制御部は、被処理物の位置に対応する被処理物の状態を位置分布データとして記憶する記憶部と、位置分布データに基づいて第１プラズマ発生部の第１稼働量と第２プラズマ発生部の第２稼働量との比率及び駆動部の走査量を演算結果として演算する演算処理部とを含み、制御部は、演算処理部の演算結果に基づいて、第１プラズマ発生部、第２プラズマ発生部及び駆動部を制御するように構成されている、プラズマ処理装置が提供される。
　これによれば、第１プラズマ発生部及び第２プラズマ発生部が局所的に発生させたプラズマによってプラズマ処理するため、処理位置や処理量の精度が高い。また、第１プラズマ発生部及び第２プラズマ発生部が連動して制御されるため、局所的にプラズマを発生させるプラズマ発生部が１つだけの構成に比べて、処理効率が高い。このように第１プラズマ発生部に加えてさらに第２プラズマ発生部を備え、演算処理部が各処理位置にける好適な第１稼働量と第２稼働量との比率や走査量を演算することで、プラズマ処理の処理効率と処理精度が向上する。
　一態様として、ステージは、共通電極を有し、第１プラズマ発生部は、共通電極との間に第１発生電圧を印加するために、共通電極との間に被処理物を配置できる距離を離して設けられている第１加工電極を有し、第２プラズマ発生部は、共通電極との間に第２発生電圧を印加するために、共通電極との間に被処理物を配置できる距離を離して設けられている第２加工電極を有し、制御部は、第１発生電圧及び第２発生電圧を制御する電力制御部をさらに有する。
　これによれば、第１発生電圧及び第２発生電圧を制御することで、第１プラズマ処理量及び第２プラズマ処理量が調整できる。
　一態様として、ステージ主面を平面視して第１加工電極及び第２加工電極の相対的位置が一定である。
　一態様として、ステージ主面を平面視して、第１加工電極及び第２加工電極の先端部の走査経路の少なくとも一部が重なるように、第１加工電極及び第２加工電極が設けられている。
　これによれば、プラズマ処理が除去加工である場合、第１加工電極及び第２加工電極のそれぞれによる処理跡の重畳部分が平坦となるようにプラズマ処理が行える。
　一態様として、第１プラズマ発生部は、共通電極との間に第１調整電圧を印加するために、共通電極と第１加工電極との間に設けられている第１調整電極を有し、第２プラズマ発生部は、共通電極との間に第２調整電圧を印加するために、共通電極と第１加工電極との間に設けられている第２調整電極を有し、電力制御部は、第１調整電圧及び第２調整電圧をさらに制御する。
　これによれば、第１調整電圧及び第２調整電圧を制御することで、第１プラズマ処理量及び第２プラズマ処理量が調整できる。第１流路及び第２流路における処理ガスの流量を一定に保ちつつ第１プラズマ処理量及び第２プラズマ処理量が調整できるので、流量の変動による処理ムラが低減できる。また、第１発生電圧及び第２発生電圧を一定に保ちつつ第１プラズマ処理量及び第２プラズマ処理量が調整できるので、発生電圧の変動やムラによる処理ムラが低減できる。
　一態様として、第１発生電圧及び第２発生電圧は高周波電圧であり、第１調整電圧及び第２調整電圧は直流電圧である。
　一態様として、第１調整電極及び第２調整電極の形状は、少なくとも一部に複数の貫通孔を有するメッシュ状である。
　これによれば、第１調整電圧及び第２調整電圧のムラを低減しつつ処理ガス及びプラズマの通過量のムラを低減できる。
　一態様として、第１プラズマ発生部は、第１処理ガスを供給する第１流路を有し、第２プラズマ発生部は、第２処理ガスを供給する第２流路を有し、制御部は、第１処理ガス及び第２処理ガスのそれぞれの流量を制御する流量制御部をさらに有する。
　これによれば、第１流路及び第２流路のそれぞれの処理ガスの流量を制御することで、第１プラズマ発生部の第１稼働量及び第２プラズマ発生部の第２稼働量が調整できる。
　一態様として、第１流路及び第２流路は、共通流路から分岐されている。
　一態様として、第１処理ガス及び第２処理ガスは、第１流路及び第２流路から大気圧環境に供給される。
　一態様として、被処理物の状態は、被処理物の厚みであり、記憶部は、被処理物の位置に対応する被処理物の厚みを位置分布データとして記憶する構成である。
　これによれば、被処理物を共通電極に設置してから被処理物の厚みデータをマッピングした厚み分布データが取得できる。したがって、被処理物を共通電極に設置する際の位置ズレによる厚み分布データの誤差が生じない。また、測定器が第１プラズマ発生部又は第２プラズマ発生部と対向する部分の厚みを測定できるため、第１プラズマ処理量又は第２プラズマ処理量が測定できる。これによれば、例えば、第１プラズマ処理量を測定して、予定されていた第２プラズマ処理量をその測定結果に基づいて変更することができる。
　一態様として、演算処理部は、被処理物の厚みが一定に近づくように、第１稼働量、第２稼働量及び走査量を演算する。
　一態様として、被処理物は大気圧環境下でプラズマ処理される。
　これによれば、被処理物へ照射されるプラズマの温度が低温となり、プラズマ処理が穏やかとなる。このため、被処理物の処理量を細かく調整することが可能であり、処理精度が向上する。また、真空でプラズマ処理を行う装置に比べて、イニシャルコスト及びランニングコストが低減できる。
　一態様として、第１プラズマ発生部及び前記第２プラズマ発生部は、前記ステージに向けて供給した処理ガスから発生させたプラズマを前記被処理物と反応させ、前記被処理物を除去加工する。
　一態様として、プラズマは活性種としてイオンを含む。
　一態様として、プラズマは活性種としてラジカルを含む。
　以上説明したように、本発明の一態様によれば、処理効率及び処理精度の向上したプラズマ処理装置が提供できる。
　なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
　１００…プラズマ処理装置
　１０１…第１プラズマ発生部
　１０２…第２プラズマ発生部
　１１０…共通電極
　１２１…第１加工電極
　１２２…第２加工電極
　１３１…第１調整電極
　１３２…第２調整電極
　１４０…マスフローコントローラ
　１４１…第１流路
　１４２…第２流路
　１４４…共通流路
　１５０…駆動部
　１６０…制御部
　１６３…演算処理部
　１６４…流量制御部
　１６５…駆動制御部
　１６７…電力制御部
　１６８…位置分布データ生成部
　１６９…記憶部
　１８０…測定器
　１９０…被処理物

Claims (16)

  1. 　ステージ主面を有するステージと、
    　前記ステージ主面から距離を離して設けられている第１プラズマ発生部と、
    　前記ステージと前記第１プラズマ発生部との相対的位置を走査させる駆動部と、
    　前記第１プラズマ発生部と前記駆動部とを制御する制御部と
    を備えるプラズマ処理装置であって、
    　前記駆動部によって前記ステージとの相対的位置が走査され、前記ステージ主面から距離を離して設けられおり、前記ステージ主面を平面視して前記第１プラズマ発生部と離れて設けられている第２プラズマ発生部をさらに備え、
    　前記制御部は、被処理物の位置に対応する前記被処理物の状態を位置分布データとして記憶する記憶部と、前記位置分布データに基づいて前記第１プラズマ発生部の第１稼働量と前記第２プラズマ発生部の第２稼働量との比率及び前記駆動部の走査量を演算結果として演算する演算処理部とを含み、
    　前記制御部は、前記演算処理部の前記演算結果に基づいて、前記第１プラズマ発生部、前記第２プラズマ発生部及び前記駆動部を制御するように構成されている、プラズマ処理装置。
  2. 　前記ステージは、共通電極を有し、
    　前記第１プラズマ発生部は、前記共通電極との間に第１発生電圧を印加するために、前記共通電極との間に前記被処理物を配置できる距離を離して設けられている第１加工電極を有し、
    　前記第２プラズマ発生部は、前記共通電極との間に第２発生電圧を印加するために、前記共通電極との間に前記被処理物を配置できる距離を離して設けられている第２加工電極を有し、
    　前記制御部は、前記第１発生電圧及び前記第２発生電圧を制御する電力制御部をさらに有する、
    　請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 　前記ステージ主面を平面視して前記第１加工電極及び前記第２加工電極の相対的位置が一定である、
    　請求項２に記載のプラズマ処理装置。
  4. 　前記ステージ主面を平面視して、前記第１加工電極及び前記第２加工電極の先端部の走査経路の少なくとも一部が重なるように、前記第１加工電極及び前記第２加工電極が設けられている、
    　請求項２又は３に記載のプラズマ処理装置。
  5. 　前記第１プラズマ発生部は、前記共通電極との間に第１調整電圧を印加するために、前記共通電極と前記第１加工電極との間に設けられている第１調整電極を有し、
    　前記第２プラズマ発生部は、前記共通電極との間に第２調整電圧を印加するために、前記共通電極と前記第１加工電極との間に設けられている第２調整電極を有し、
    　前記電力制御部は、前記第１調整電圧及び前記第２調整電圧をさらに制御する、
    　請求項２から４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  6. 　前記第１発生電圧及び前記第２発生電圧は高周波電圧であり、
    　前記第１調整電圧及び前記第２調整電圧は直流電圧である、
    　請求項５に記載のプラズマ処理装置。
  7. 　前記第１調整電極及び前記第２調整電極の形状は、少なくとも一部に複数の貫通孔を有するメッシュ状である、
    　請求項５又は６に記載のプラズマ処理装置。
  8. 　前記第１プラズマ発生部は、第１処理ガスを供給する第１流路を有し、
    　前記第２プラズマ発生部は、第２処理ガスを供給する第２流路を有し、
    　前記制御部は、前記第１処理ガス及び前記第２処理ガスのそれぞれの流量を制御する流量制御部をさらに有する、
    　請求項１から７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  9. 　前記第１流路及び前記第２流路は、共通流路から分岐されている、
    　請求項８に記載のプラズマ処理装置。
  10. 　前記第１処理ガス及び前記第２処理ガスは、前記第１流路及び前記第２流路から大気圧環境に供給される、
    　請求項８又は９に記載のプラズマ処理装置。
  11. 　前記被処理物の前記状態は、前記被処理物の厚みであり、
    　前記記憶部は、前記被処理物の位置に対応する前記被処理物の厚みを前記位置分布データとして記憶する構成である、
    　請求項１から１０のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  12. 　前記演算処理部は、前記被処理物の前記厚みが一定に近づくように、前記第１稼働量、前記第２稼働量及び前記走査量を演算する、
    　請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
  13. 　前記被処理物は大気圧環境下でプラズマ処理される、
    　請求項１から１２のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  14. 　前記第１プラズマ発生部及び前記第２プラズマ発生部は、前記ステージに向けて供給した処理ガスから発生させたプラズマを前記被処理物と反応させ、前記被処理物を除去加工する、
    　請求項１から１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  15. 　前記プラズマは活性種としてイオンを含む、
    　請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
  16. 　前記プラズマは活性種としてラジカルを含む、
    　請求項１４又は１５に記載のプラズマ処理装置。
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