JP2019004027A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. チャンバを提供するチャンバ本体と、
   前記チャンバ内に設けられたステージであり、下部電極、及び、該下部電極上に設けられた静電チャックを有し、該静電チャック上に設けられた基板を囲むように前記ステージ上にフォーカスリングが配置される、該ステージと、
   前記チャンバ内のガスのプラズマを生成するための第１の高周波を供給するように構成された第１の高周波電源と、
   前記下部電極にバイアス用の第２の高周波を供給するように構成された第２の高周波電源と、
   前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域へのイオンの入射方向の鉛直方向に対する傾きを補正するために、前記フォーカスリングに印加される負極性の直流電圧を発生するように構成された直流電源と、
   前記フォーカスリングに対する前記直流電圧の印加を停止可能に構成された切替ユニットと、
   前記第１の高周波電源及び前記第２の高周波電源の一方又は双方の高周波電源、並びに、前記切替ユニットを制御するように構成されたコントローラと、
   を備え、
   前記コントローラは、
   前記一方又は双方の高周波電源によって発生される一方又は双方の高周波の供給を周期的に停止するよう、前記一方又は双方の高周波電源を制御し、
   前記一方又は双方の高周波が供給される各期間の開始時点に対して前記下部電極の自己バイアス電圧の立ち下がり時間に応じた所定時間後の第１の時点から、前記フォーカスリングに前記直流電圧を印加し、前記一方又は双方の高周波の供給が停止される各期間中に前記フォーカスリングへの前記直流電圧の印加を停止するよう、前記切替ユニットを制御する、
   プラズマ処理装置。
2. 前記コントローラは、前記一方又は双方の高周波が供給される各期間の終了時点より前の第２の時点で、前記フォーカスリングへの前記直流電源の印加を停止するよう、前記切替ユニットを制御する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 主制御部と、
   前記下部電極の自己バイアス電圧を測定するように構成された測定器と、
   を更に備え、
   前記直流電源は、前記測定器によって測定される前記自己バイアス電圧の測定値の絶対値と前記主制御部によって指定される設定値との和をその絶対値として有する前記直流電圧を発生するように構成されており、
   前記主制御部は、予め定められた関数又はテーブルを用いて、前記フォーカスリングの消耗量とプロセス条件から特定される前記下部電極の自己バイアス電圧から、前記設定値を決定するように構成されている、
   請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記直流電源は、前記一方又は双方の高周波が供給される各期間内の前記第２の時点と前記終了時点の間において前記測定器によって測定される前記測定値を取得し、前記一方又は双方の高周波が供給される後続の期間において、前記測定値の絶対値と前記設定値との和をその絶対値として有する前記直流電圧を発生するように、構成されている、
   請求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記コントローラは、前記傾きを補正するために、前記一方又は双方の高周波が供給される各期間内において前記直流電圧がフォーカスリングに印加される時間を調整するように、構成されている、請求項１〜４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
6. 請求項１に記載のプラズマ処理装置を用いて実行されるプラズマ処理方法であって、
   該プラズマ処理方法は、前記静電チャック上に基板が載置されており、且つ、前記チャンバに処理ガスが供給されている状態で実行され、
   前記一方又は双方の高周波を供給する工程と、
   前記一方又は双方の高周波の供給を停止する工程と、
   を含み、
   前記一方又は双方の高周波を供給する前記工程と前記一方又は双方の高周波の供給を停止する前記工程とが交互に実行され、
   該プラズマ処理方法は、
   前記一方又は双方の高周波が供給される各期間の開始時点に対して前記下部電極の自己バイアス電圧の立ち下がり時間に応じた所定時間後の第１の時点から、前記フォーカスリングに前記直流電圧を印加する工程と、
   前記一方又は双方の高周波の供給が停止される各期間中に前記フォーカスリングへの前記直流電源の印加を停止する工程と、
   を含むプラズマ処理方法。
7. 前記直流電源の印加を停止する前記工程は、前記一方又は双方の高周波が供給される各期間の終了時点より前の第２の時点で開始する、請求項６に記載のプラズマ処理方法。
8. 前記プラズマ処理装置は、
   主制御部と、
   前記下部電極の自己バイアス電圧を測定するように構成された測定器と、
   を更に備え、
   前記主制御部は、予め定められた関数又はテーブルを用いて、前記フォーカスリングの消耗量とプロセス条件から特定される前記下部電極の自己バイアス電圧から、設定値を決定するように構成されており、
   前記直流電圧を印加する前記工程において、前記測定器によって測定される前記自己バイアス電圧の測定値の絶対値と前記主制御部によって指定される前記設定値との和をその絶対値として有する前記直流電圧が前記フォーカスリングに印加される、
   請求項７に記載のプラズマ処理方法。
9. 前記一方又は双方の高周波が供給される各期間内の前記第２の時点と前記終了時点の間において前記測定器によって測定される前記自己バイアス電圧の前記測定値が取得され、前記一方又は双方の高周波が供給される後続の期間において、前記測定値の絶対値と前記設定値との和をその絶対値として有する前記直流電圧が前記フォーカスリングに印加される、請求項８に記載のプラズマ処理方法。
10. プラズマ処理装置を用いて実行されるプラズマ処理方法であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    チャンバを提供するチャンバ本体と、
    前記チャンバ内に設けられたステージであり、下部電極、及び、該下部電極上に設けられた静電チャックを有し、該静電チャック上に設けられた基板を囲むように前記ステージ上にフォーカスリングが配置される、該ステージと、
    前記チャンバ内のガスのプラズマを生成するための第１の高周波を供給するように構成された第１の高周波電源と、
    前記下部電極にイオン引入用の第２の高周波を供給するように構成された第２の高周波電源と、
    前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域へのイオンの入射方向の鉛直方向に対する傾きを補正するために、前記フォーカスリングに印加される負極性の直流電圧を発生するように構成された直流電源と、
    前記フォーカスリングに対する前記直流電圧の印加を停止するように構成された切替ユニットと、
    前記第１の高周波電源及び前記第２の高周波電源の一方又は双方の高周波電源、並びに、前記切替ユニットを制御するように構成されたコントローラと、
    を備え、
    該プラズマ処理方法は、
    前記一方又は双方の第１及び第２の高周波を供給する工程と、
    前記一方又は双方の第１及び第２の高周波が供給される各期間の開始時点に対して前記下部電極の自己バイアス電圧の立ち下がり時間に応じた所定時間後の第１の時点から、前記フォーカスリングに前記直流電圧を印加する工程と、
    を含むプラズマ処理方法。
11. 前記フォーカスリングへの前記直流電圧の印加を停止する工程を更に含む、請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
12. 前記プラズマ処理装置は、
    主制御部と、
    前記下部電極の前記自己バイアス電圧を測定するように構成された測定器と、
    を更に備え、
    前記主制御部は、予め定められた関数又はテーブルを用いて、前記フォーカスリングの消耗量とプロセス条件から特定される前記下部電極の前記自己バイアス電圧から、設定値を決定するように構成されており、
    前記直流電圧を印加する前記工程において、前記測定器によって測定される前記自己バイアス電圧の絶対値と前記主制御部によって指定される前記設定値との和をその絶対値として有する前記直流電圧が前記フォーカスリングに印加される、
    請求項１１に記載のプラズマ処理方法。