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WO2020085361A1 - 粒子、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ - Google Patents

粒子、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ Download PDF

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WO2020085361A1
WO2020085361A1 PCT/JP2019/041471 JP2019041471W WO2020085361A1 WO 2020085361 A1 WO2020085361 A1 WO 2020085361A1 JP 2019041471 W JP2019041471 W JP 2019041471W WO 2020085361 A1 WO2020085361 A1 WO 2020085361A1
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WO
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carbon atoms
compound
represented
particles
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PCT/JP2019/041471
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English (en)
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瑞穂 杉内
翔太 内藤
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Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
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    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions

Definitions

  • the present invention relates to particles, compositions, films, laminated structures, light emitting devices and displays.
  • Non-Patent Document 1 reports a perovskite compound coated with 3-aminopropyltriethoxysilane.
  • the composition containing the perovskite compound described in Non-Patent Document 1 has room for improvement from the viewpoint of enhancing durability against water vapor.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and has high durability against water vapor, particles, a composition using the particles, a film containing the particles, a laminated structure using the film, the laminate
  • An object of the present invention is to provide a light emitting device and a display including a structure.
  • the present invention includes the following [1] to [9].
  • [1] Particles containing the component (1) and the component (2), (2) component exists on the surface of (1) component,
  • the area ratio ((S1) / (S2)) is 0.01 when the area of the component (1) on the surface of the particles is S1 and the area of the component (2) on the surface of the particles is S2.
  • Component Luminescent semiconductor particles.
  • Component (2) Silazane modified product, compound modified product represented by the following formula (C1), compound modified product represented by the following formula (C2), represented by the following formula (A5-51)
  • Y 5 represents a single bond, an oxygen atom or a sulfur atom.
  • R 30 and R 31 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or 2 carbon atoms. It represents up to 20 unsaturated hydrocarbon groups.
  • R 30 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an unsaturated hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms.
  • R 31 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an unsaturated hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms.
  • R 30 , R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or a carbon atom having 3 to 30 carbon atoms. It represents 2 to 20 unsaturated hydrocarbon groups.
  • the hydrogen atoms contained in the alkyl group, cycloalkyl group and unsaturated hydrocarbon group represented by R 30 , R 31 and R 32 may be independently substituted with a halogen atom or an amino group.
  • a is an integer of 1 to 3.
  • a plurality of Y 5 s may be the same or different.
  • a plurality of R 30's may be the same or different.
  • a plurality of R 32's may be the same or different.
  • a plurality of R 31's may be the same or different.
  • a C represents a divalent hydrocarbon group
  • Y 15 represents an oxygen atom or a sulfur atom
  • R 122 and R 123 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms
  • R 124 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • R 125 and R 126 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, Alternatively, it represents a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms.
  • the hydrogen atoms contained in the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 122 to R 126 may be each independently substituted with a halogen atom or an amino group.
  • a surface modifier layer covering at least a part of the surface of the component (1), wherein the surface modifier layer is an ammonium ion, an amine, a primary to quaternary ammonium cation, an ammonium salt, or a carboxylic acid. At least one selected from the group consisting of a carboxylate ion, a carboxylate salt, a compound represented by each of formulas (X1) to (X6), and a salt of a compound represented by each of formulas (X2) to (X4).
  • the particle according to [1] which uses a compound or an ion as a forming material.
  • R 18 to R 21 each independently represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. , They may have a substituent, and M ⁇ represents a counter anion.
  • a 1 represents a single bond or an oxygen atom.
  • R 22 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, which may have a substituent.
  • a 2 and A 3 each independently represent a single bond or an oxygen atom.
  • R 23 and R 24 each independently represent an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, each of which has a substituent. You may have.
  • a 4 represents a single bond or an oxygen atom.
  • R 25 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, which may have a substituent.
  • a 5 to A 7 each independently represent a single bond or an oxygen atom.
  • R 26 to R 28 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. Or represents an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, which may have a substituent.
  • a 8 to A 10 each independently represent a single bond or an oxygen atom.
  • R 29 to R 31 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms.
  • X represents a component located at each vertex of an octahedron centered on B in the perovskite type crystal structure, and is at least one anion selected from the group consisting of a halide ion and a thiocyanate ion.
  • B is a component located at the center of a hexahedron having A at its apex and an octahedron having X at its apex in the perovskite crystal structure, and is a metal ion.
  • [5] A composition containing the particles according to any one of [1] to [4] and at least one selected from the group consisting of a component (3), a component (4), and a component (4-1). .
  • [6] A film containing the particles according to any one of [1] to [4].
  • [7] A laminated structure including the film according to [6].
  • [8] A light emitting device including the laminated structure according to [7].
  • [9] A display including the laminated structure according to [7].
  • a particle, a composition using the particle, a film containing the particle, a laminated structure using the film, a light emitting device and a display including the laminated structure, which have high durability against water vapor, are provided. can do.
  • the particles of this embodiment have a light emitting property.
  • Luminescent refers to the property of emitting light.
  • the light emitting property is preferably a property of emitting light when excited by an electron, and more preferably a property of emitting light when excited by an electron by excitation light.
  • the wavelength of the excitation light may be, for example, 200 nm to 800 nm, 250 nm to 750 nm, or 300 nm to 700 nm.
  • the particles according to the present embodiment and the luminescent semiconductor particles that are the component (1) constituting the particles are literally separated from each other, and thus the particles according to the present embodiment are referred to as “luminescent particles”.
  • the component (1) may be referred to as “(1) semiconductor particles”
  • the component (2) may be referred to as a “compound represented by (2)” or “(2) modified substance group”. May be described.
  • the particles of the present embodiment include (1) semiconductor particles and (2) modified body group. Further, (1) the surface of the semiconductor particle has (2) a group of modified substances. "(1) The surface of the semiconductor particles has the (2) modified body group” means that (2) the modified body group covers (1) the semiconductor particles in direct contact with the (2) modified body group. Includes (1) a form formed in direct contact with the surface of another layer formed on the surface of the semiconductor particle, and (1) a form covered without directly contacting the surface of the semiconductor particle.
  • the luminescent particles of the present embodiment preferably form a shell structure with (1) semiconductor particles coated with a surface treatment agent as a core.
  • (2) the modified body group is coated on the surface of the surface modifying agent (1) which is coated on the surface of the semiconductor particles, and is not coated with the surface modifying agent (1).
  • the surface of the semiconductor particles may be coated.
  • the modified body group covers (1) the “surface” of the semiconductor particles means that (2) the modified body group directly contacts and covers the (1) semiconductor particles, and (2) It also includes that (1) the body group is formed in direct contact with the surface of another layer formed on the surface of the semiconductor particle and (1) covers the surface of the semiconductor particle without directly contacting it.
  • the shape of the luminescent particles of the present embodiment is not particularly limited, such as spherical shape, distorted spherical shape, go-stone shape, or rugby ball shape.
  • the average size of the luminescent particles is not particularly limited, but the average Feret diameter is 0.1 to 30 ⁇ m, preferably 0.1 to 10 ⁇ m.
  • a method of calculating the average Feret diameter for example, a TEM image or SEM of luminescent particles observed using a transmission electron microscope (hereinafter, also referred to as TEM) or a scanning electron microscope (hereinafter, also referred to as SEM). In the image, 20 luminescent particles are arbitrarily observed, and an average value thereof is taken.
  • the “Ferret diameter” means the interval between parallel lines when an image of a luminescent particle is sandwiched by two parallel lines on a TEM image or SEM image.
  • Examples of the method of observing the surface of the luminescent particles of the present embodiment include a method of observing using a scanning electron microscope (SEM) or a transmission electron microscope (TEM). Further, detailed element distribution can be analyzed by energy dispersive X-ray analysis (EDX) measurement (STEM-EDX measurement) using SEM or TEM. Specifically, the composition containing the luminescent particles is cast on a grid with a support film for TEM only, and naturally dried to observe the surface of the cast film with a TEM image. Further, STEM-EDX measurement is performed in the same visual field as the TEM image to obtain an element mapping image.
  • the target element may be silicon or one metal element contained in (1) semiconductor particles. (1) As one metal element contained in the semiconductor particles, for example, lead can be cited.
  • the luminescent particles of the present embodiment it is possible to observe the state in which (2) the modified substance group covers the “surface” of the semiconductor particles by the method of observing the surface of the luminescent particles. .
  • a step of obtaining an element mapping image, a step of obtaining an SEM image or a TEM image, a first binarizing step, and a second binarizing step are performed by the above-mentioned method.
  • FIG. 3 shows a schematic diagram of a TEM image or SEM image before the binarization process.
  • semiconductor particles black
  • a group of modified substances white
  • A black
  • the TEM image or SEM image is loaded into a computer, and binarization processing is performed using image analysis software.
  • image analysis software image J, Photoshop, or the like can be appropriately selected.
  • A1 is (1) a position where a component derived from a semiconductor particle is detected by comparing with an element mapping image, it becomes black A1 (A) and B1 is (2) modified. If it can be determined that the position where the component derived from the body group is detected, B1 (B) is white.
  • the threshold value is adjusted so that the region C becomes black A1 (C). I do.
  • Second binarization step In the TEM image or SEM image obtained by importing the TEM image or SEM image into a computer, (1) semiconductor particles (white) present on the surface of the luminescent particles, and (2) modified product There is a group (black) and a region that cannot be clearly determined to be black as in the first binarization step. At this time, by comparing with the elemental mapping image of silicon obtained by STEM-EDX measurement, it is confirmed that the position where the component derived from (2) the modified group is detected can be converted to black. When discrepancies are seen, for example, when it is not possible to clearly determine that the color is black, the threshold value for performing the binarization process is adjusted according to the element mapping image.
  • the binarized image using image analysis software, calculate the area of the region where (1) the semiconductor particles exist and the region where the compound represented by (2) exists.
  • the area of the region where the compound represented by (2) is present is By subtracting the area, the area of the region where only the compound represented by (2) exists is calculated.
  • An area ratio ((S1) / (where (1) the area of the semiconductor particles on the surface of the luminescent particles is S1 and (2) the area of the modified group on the surface of the luminescent particles is S2) S2)) is obtained by the following method.
  • (S1) be the area of the region (1) where the semiconductor particles are present in the image observed using the observation method described above.
  • the area of the region where the compound represented by (2) is present is (S2).
  • the area ratio at this time is (S1) / (S2).
  • (S1) / (S2) is 0.01 or more and 0.5 or less.
  • (S1) / (S2) is preferably 0.20 or less, more preferably 0.13 or less, from the viewpoint of improving the durability of the light emitting semiconductor particles to water vapor, and from the viewpoint of particle dispersibility. Therefore, it is preferably 0.03 or more, and more preferably 0.05 or more.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the component (1) is semiconductor particles having a light emitting property.
  • the luminescent semiconductor particles (1) will be described below.
  • Examples of the semiconductor particles contained in the luminescent particles of this embodiment include the following (i) to (viii).
  • (I) Semiconductor Particles Containing Group II-VI Compound Semiconductor ii) Semiconductor Particles Containing Group II-V Compound Semiconductor (iii) Semiconductor Particles Containing Group III-V Compound Semiconductor (iv) Group III-IV Semiconductor particles containing compound semiconductor
  • v) Semiconductor particles containing group III-VI compound semiconductor
  • semiconductor particles containing group IV-VI compound semiconductor vii) Semiconductor particles containing transition metal-p-block compound semiconductor
  • Examples of the group II-VI compound semiconductor include a compound semiconductor containing a group 2 element and a group 16 element of the periodic table, and a compound semiconductor containing a group 12 element and a group 16 element of the periodic table.
  • a "periodic table” means a long period type periodic table.
  • a compound semiconductor containing a Group 2 element and a Group 16 element is referred to as a “compound semiconductor (i-1)” and a compound semiconductor containing a Group 12 element and a Group 16 element is referred to as a “compound semiconductor (i-1)”. -2) ".
  • examples of binary compound semiconductors include MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, or BaTe.
  • (i-1), (I-1-1) A ternary compound semiconductor containing one group 2 element and two group 16 elements (i-1-2) Two group 2 elements and one group 16 element A ternary compound semiconductor (i-1-3) containing two kinds of elements and a quaternary compound semiconductor containing two kinds of group 16 elements may be used.
  • binary compound semiconductors include ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, or HgTe.
  • a ternary compound semiconductor containing one group 12 element and two group 16 elements (i-2-2) two group 12 elements and one group 16 element
  • a ternary compound semiconductor (i-2-3) including two kinds may include a quaternary compound semiconductor including two kinds of Group 12 elements and two kinds of Group 16 elements.
  • the group II-VI compound semiconductor may contain an element other than the group 2 element, the group 12 element, and the group 16 element as a doping element.
  • the group II-V compound semiconductor contains a group 12 element and a group 15 element.
  • binary compound semiconductors include, for example, Zn 3 P 2 , Zn 3 As 2 , Cd 3 P 2 , Cd 3 As 2 , Cd 3 N 2 , or Zn 3 N. 2 .
  • (Ii-1) A ternary compound semiconductor containing one group 12 element and two group 15 elements
  • (ii-2) A ternary compound semiconductor containing two group 12 elements and one group 15 element
  • the compound semiconductor (ii-3) of the group may be a quaternary compound semiconductor containing two kinds of Group 12 elements and two kinds of Group 15 elements.
  • the group II-V compound semiconductor may contain an element other than the group 12 element and the group 15 element as a doping element.
  • the Group III-V compound semiconductor contains a Group 13 element and a Group 15 element.
  • binary compound semiconductors include, for example, BP, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlN, or BN. Can be mentioned.
  • (Iii-1) A ternary compound semiconductor containing one group 13 element and two group 15 elements
  • (iii-2) A ternary compound semiconductor containing two group 13 elements and one group 15 element System compound semiconductor (iii-3)
  • a quaternary compound semiconductor containing two kinds of Group 13 elements and two kinds of Group 15 elements may be used.
  • the group III-V compound semiconductor may contain an element other than the group 13 element and the group 15 element as a doping element.
  • the group III-IV compound semiconductor contains a group 13 element and a group 14 element.
  • examples of binary compound semiconductors include B 4 C 3 , Al 4 C 3 , and Ga 4 C 3 .
  • the compound semiconductor (iv-3) of the system may be a quaternary compound semiconductor containing two kinds of Group 13 elements and two kinds of Group 14 elements.
  • the group III-IV compound semiconductor may contain an element other than the group 13 element and the group 14 element as a doping element.
  • the group III-VI compound semiconductor contains a group 13 element and a group 16 element.
  • binary compound semiconductors include, for example, Al 2 S 3 , Al 2 Se 3 , Al 2 Te 3 , Ga 2 S 3 , Ga 2 Se 3 , Ga 2 Te 3 , GaTe, In 2 S 3 , In 2 Se 3 , In 2 Te 3 , or InTe.
  • (V-1) A ternary compound semiconductor containing one group 13 element and two group 16 elements
  • (v-2) A ternary compound semiconductor containing two group 13 elements and one group 16 element
  • the compound semiconductor (v-3) of the system may be a quaternary compound semiconductor containing two kinds of group 13 elements and two kinds of group 16 elements.
  • the group III-VI compound semiconductor may contain an element other than the group 13 element and the group 16 element as a doping element.
  • the group IV-VI compound semiconductor contains a group 14 element and a group 16 element.
  • binary compound semiconductors include PbS, PbSe, PbTe, SnS, SnSe, or SnTe.
  • (Vi-1) A ternary compound semiconductor containing one group 14 element and two group 16 elements
  • (vi-2) A ternary compound semiconductor containing two group 14 elements and one group 16 element System compound semiconductor
  • (vi-3) A quaternary compound semiconductor containing two kinds of Group 14 elements and two kinds of Group 16 elements may be used.
  • the group III-VI compound semiconductor may contain an element other than the group 14 element and the group 16 element as a doping element.
  • the transition metal-p-block compound semiconductor contains a transition metal element and a p-block element.
  • the "p-block element” is an element belonging to Groups 13 to 18 of the periodic table.
  • transition metal-p-block compound semiconductors examples include NiS and CrS.
  • transition metal-p-block compound semiconductor (Vii-1) ternary compound semiconductor containing one transition metal element and two p-block elements (vii-2) ternary compound semiconductor containing two transition metal elements and one p-block element Compound semiconductor (vii-3) A quaternary compound semiconductor containing two kinds of transition metal elements and two kinds of p-block elements may be used.
  • the transition metal-p-block compound semiconductor may contain a transition metal element and an element other than the p-block element as a doping element.
  • a compound semiconductor containing Cd which is a Group 12 element and a compound semiconductor containing In which is a Group 13 element are preferable.
  • the compound semiconductor containing Cd and Se and the compound semiconductor containing In and P are preferable.
  • the compound semiconductor containing Cd and Se is preferably a binary compound semiconductor, a ternary compound semiconductor, or a quaternary compound semiconductor.
  • CdSe which is a binary compound semiconductor, is particularly preferable.
  • the compound semiconductor containing In and P is preferably a binary compound semiconductor, a ternary compound semiconductor, or a quaternary compound semiconductor.
  • InP which is a binary compound semiconductor, is particularly preferable.
  • semiconductor particles containing Cd or semiconductor particles containing In are preferable, and CdSe or InP is more preferable.
  • the compound semiconductor having a perovskite structure has a perovskite type crystal structure having A, B and X as constituent components.
  • a compound semiconductor having a perovskite structure may be simply referred to as “perovskite compound”.
  • A is a component located at each vertex of a hexahedron centered on B and is a monovalent cation.
  • B is a component located at the center of the hexahedron having A at its apex and the octahedron having X at its apex, and is a metal ion.
  • B is a metal cation capable of adopting the octahedral coordination of X.
  • X represents a component located at each vertex of the octahedron centered on B in the perovskite type crystal structure, and is at least one anion selected from the group consisting of a halide ion and a thiocyanate ion.
  • the perovskite compound having A, B, and X as constituent components is not particularly limited, and may be a compound having any of a three-dimensional structure, a two-dimensional structure, and a pseudo two-dimensional (quasi-2D) structure.
  • the composition formula of the perovskite compound is represented by ABX (3 + ⁇ ) .
  • the composition formula of the perovskite compound is represented by A 2 BX (4 + ⁇ ) .
  • ⁇ is a number that can be appropriately changed according to the charge balance of B, and is ⁇ 0.7 or more and 0.7 or less.
  • A is a monovalent cation
  • B is a divalent cation
  • X is a monovalent anion
  • ⁇ can be selected so that the perovskite compound becomes electrically neutral.
  • the electrically neutral perovskite compound means that the charge of the perovskite compound is zero.
  • the perovskite compound includes an octahedron whose center is B and whose apex is X.
  • the octahedron is represented by BX 6 . If perovskite compound has a 3-dimensional structure, BX 6 contained in the perovskite compound, share one X is located at the apex in octahedral (BX 6), 2 octahedral adjacent in the crystal (BX 6) By doing so, a three-dimensional network is constructed.
  • perovskite compound has a two-dimensional structure, BX 6 contained in the perovskite compound, shared by the two X located at the vertices in octahedral (BX 6), 2 octahedral adjacent in the crystal (BX 6) By doing so, the ridgeline of the octahedron is shared and a two-dimensionally continuous layer is formed.
  • the perovskite compound has a structure in which two-dimensionally continuous layers of BX 6 and layers of A are alternately laminated.
  • the crystal structure of the perovskite compound can be confirmed by an X-ray diffraction pattern.
  • the perovskite compound preferably has a three-dimensional structure.
  • a constituting the perovskite compound is a monovalent cation.
  • Examples of A include cesium ion, organic ammonium ion, and amidinium ion.
  • organic ammonium ion Specific examples of the organic ammonium ion of A include a cation represented by the following formula (A3).
  • R 6 to R 9 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group. However, at least one of R 6 to R 9 is an alkyl group or a cycloalkyl group, and all of R 6 to R 9 are not hydrogen atoms at the same time.
  • the alkyl group represented by R 6 to R 9 may be linear or branched.
  • the alkyl groups represented by R 6 to R 9 may each independently have an amino group as a substituent.
  • R 6 to R 9 are each an alkyl group
  • the number of carbon atoms is independently 1 to 20, usually 1 to 4, preferably 1 to 3, and more preferably 1. Is more preferable.
  • the cycloalkyl groups represented by R 6 to R 9 may each independently have an amino group as a substituent.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkyl group represented by R 6 to R 9 is, independently of each other, usually 3 to 30, preferably 3 to 11, and more preferably 3 to 8.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the groups represented by R 6 to R 9 are preferably each independently a hydrogen atom or an alkyl group.
  • the perovskite compound contains, as A, an organic ammonium ion represented by the above formula (A3)
  • A an organic ammonium ion represented by the above formula (A3)
  • the number of alkyl groups and cycloalkyl groups contained in the formula (A3) be small.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group and the cycloalkyl group which can be included in the formula (A3) is preferably small. Thereby, a perovskite compound having a three-dimensional structure with high emission intensity can be obtained.
  • the total number of carbon atoms contained in the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 6 to R 9 is preferably 1 to 4.
  • one of R 6 ⁇ R 9 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms
  • three of R 6 ⁇ R 9 is a hydrogen atom More preferably.
  • the alkyl group of R 6 to R 9 is a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group.
  • the cycloalkyl group of R 6 ⁇ R 9, include those independently R 6 ⁇ exemplified alkyl group having 3 or more carbon atoms in the alkyl group R 9 is to form a ring.
  • Examples include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, norbornyl group, isobornyl group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, tricyclodecyl group.
  • Etc. can be illustrated.
  • Examples of the organic ammonium ion represented by A include CH 3 NH 3 + (also called methylammonium ion), C 2 H 5 NH 3 + (also called ethylammonium ion) or C 3 H 7 NH 3 + (propyl). It is also preferably an ammonium ion), more preferably CH 3 NH 3 + or C 2 H 5 NH 3 + , and further preferably CH 3 NH 3 + .
  • amidinium ion examples include an amidinium ion represented by the following formula (A4).
  • R 10 R 11 N CH—NR 12 R 13 ) + ...
  • R 10 to R 13 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group which may have an amino group as a substituent, or a cycloalkyl which may have an amino group as a substituent. Represents a group.
  • the alkyl groups represented by R 10 to R 13 may each independently be linear or branched.
  • the alkyl groups represented by R 10 to R 13 may each independently have an amino group as a substituent.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 10 to R 13 is independently 1 to 20, usually 1 to 4, and more preferably 1 to 3.
  • the cycloalkyl groups represented by R 10 to R 13 may each independently have an amino group as a substituent.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkyl group represented by R 10 to R 13 is, independently of each other, usually 3 to 30, preferably 3 to 11, and more preferably 3 to 8.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • alkyl group of R 10 to R 13 include the same groups as the alkyl groups exemplified in R 6 to R 9 each independently.
  • cycloalkyl group of R 10 to R 13 include the same groups as the cycloalkyl group exemplified in R 6 to R 9 each independently.
  • the groups represented by R 10 to R 13 are preferably each independently a hydrogen atom or an alkyl group.
  • the total number of carbon atoms contained in the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 10 to R 13 is preferably 1 to 4, and R 10 is an alkyl group having 1 carbon atom. It is more preferable that R 11 to R 13 are hydrogen atoms.
  • the perovskite compound when A is a cesium ion, an organic ammonium ion having 3 or less carbon atoms, or an amidinium ion having 3 or less carbon atoms, the perovskite compound generally has a three-dimensional structure.
  • the perovskite compound when A is an organic ammonium ion having 4 or more carbon atoms or an amidinium ion having 4 or more carbon atoms, the perovskite compound has either a two-dimensional structure or a pseudo two-dimensional (quasi-2D) structure. Have one or both. In this case, the perovskite compound can have a two-dimensional structure or a pseudo-two-dimensional structure in a part or the whole of the crystal. When a plurality of two-dimensional perovskite type crystal structures are laminated, it becomes equivalent to a three-dimensional perovskite type crystal structure (references: P. PBoix et al., J. Phys. Chem. Lett. 2015, 6, 898-907, etc.).
  • a of the perovskite compound is preferably a cesium ion or an amidinium ion.
  • Component B constituting the perovskite compound may be one or more kinds of metal ions selected from the group consisting of monovalent metal ions, divalent metal ions, and trivalent metal ions.
  • B preferably contains a divalent metal ion, more preferably contains at least one metal ion selected from the group consisting of lead and tin, and even more preferably lead.
  • Component X constituting the perovskite compound may be at least one anion selected from the group consisting of a halide ion and a thiocyanate ion.
  • halide ion chloride ion, bromide ion, fluoride ion, iodide ion can be mentioned.
  • X is preferably a bromide ion.
  • the content ratio of halide ions can be appropriately selected according to the emission wavelength.
  • a combination of bromide ion and chloride ion or a combination of bromide ion and iodide ion can be used.
  • X can be appropriately selected according to the desired emission wavelength.
  • a perovskite compound in which X is a bromide ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 480 nm or more, preferably 500 nm or more, more preferably 520 nm or more.
  • the perovskite compound in which X is a bromide ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 700 nm or less, preferably 600 nm or less, more preferably 580 nm or less.
  • the upper limit value and the lower limit value of the above wavelength range can be arbitrarily combined.
  • the peak of fluorescence emitted is usually 480 to 700 nm, preferably 500 to 600 nm, and more preferably 520 to 580 nm.
  • the perovskite compound in which X is an iodide ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 520 nm or more, preferably 530 nm or more, more preferably 540 nm or more.
  • a perovskite compound in which X is an iodide ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 800 nm or less, preferably 750 nm or less, more preferably 730 nm or less.
  • the upper limit value and the lower limit value of the above wavelength range can be arbitrarily combined.
  • the fluorescence peak emitted is usually 520 to 800 nm, preferably 530 to 750 nm, and more preferably 540 to 730 nm.
  • a perovskite compound in which X is a chloride ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 300 nm or more, preferably 310 nm or more, more preferably 330 nm or more.
  • the perovskite compound in which X is a chloride ion can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 600 nm or less, preferably 580 nm or less, and more preferably 550 nm or less.
  • the upper limit value and the lower limit value of the above wavelength range can be arbitrarily combined.
  • the peak of fluorescence emitted is usually 300 to 600 nm, preferably 310 to 580 nm, and more preferably 330 to 550 nm.
  • the perovskite compound having a three-dimensional structure examples include CH 3 NH 3 Pb (1-a) Ca a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Sr a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), CH 3 NH 3 Pb (1-a) La a Br (3 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.7, 0 ⁇ ⁇ 0.7), CH 3 NH 3 Pb ( 1-a) Ba a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Dy a Br (3 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.7, 0 ⁇ ⁇ 0.7 ) Can also be mentioned.
  • Preferred examples of the three-dimensional perovskite compound include CH 3 NH 3 Pb (1-a) Na a Br (3 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ ⁇ 0), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Li a Br (3 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ ⁇ 0) can also be mentioned.
  • Preferred examples of the three-dimensional perovskite compound include CsPb (1-a) Na a Br (3 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ ⁇ 0) and CsPb (1-a) Li. There can also be mentioned a Br (3 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ ⁇ 0).
  • the three-dimensional perovskite compound include CH 3 NH 3 Pb (1-a) Na a Br (3 + ⁇ y) I y (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ ⁇ 0, 0 ⁇ y ⁇ 3), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Li a Br (3 + ⁇ y) I y (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ ⁇ 0, 0 ⁇ y ⁇ 3 ), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Na a Br (3 + ⁇ y) Cl y (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ ⁇ 0, 0 ⁇ y ⁇ 3), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Li a Br (3 + ⁇ -y) Cl y (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ ⁇ 0, 0 ⁇ y ⁇ 3) can also be mentioned.
  • Preferred examples of the three-dimensional perovskite compound include CsPbBr 3 , CsPbCl 3 , CsPbI 3 , CsPbBr (3-y) I y (0 ⁇ y ⁇ 3), CsPbBr (3-y) Cl y (0 ⁇ y ⁇ 3) can also be mentioned.
  • Preferred examples of the perovskite compound having a three-dimensional structure include CH 3 NH 3 Pb (1-a) Zn a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Al a Br ( 3 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.7, 0 ⁇ ⁇ ⁇ 0.7), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Co a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), CH 3 NH 3 Pb ( 1-a) Mn a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7) and CH 3 NH 3 Pb (1-a) Mg a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7) can also be mentioned.
  • Preferred examples of perovskite compound having a three-dimensional structure is, CsPb (1-a) Zn a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), CsPb (1-a) Al a Br (3 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0 .7, 0 ⁇ ⁇ 0.7), CsPb (1-a) Co a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), CsPb (1-a) Mna a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7) ) And CsPb (1-a) Mg a Br 3 (0 ⁇ a ⁇ 0.7) can also be mentioned.
  • Preferred examples of the three-dimensional perovskite compound are CH 3 NH 3 Pb (1-a) Zn a Br (3-y) I y (0 ⁇ a ⁇ 0.7, 0 ⁇ y ⁇ 3), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Al a Br (3 + ⁇ -y) I y (0 ⁇ a ⁇ 0.7,0 ⁇ ⁇ 0.7,0 ⁇ y ⁇ 3), CH 3 NH 3 Pb (1- a) Co a Br (3- y) I y (0 ⁇ a ⁇ 0.7,0 ⁇ y ⁇ 3), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Mn a Br (3-y) I y (0 ⁇ A ⁇ 0.7, 0 ⁇ y ⁇ 3), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Mg a Br (3-y) I y (0 ⁇ a ⁇ 0.7, 0 ⁇ y ⁇ 3), CH 3 NH 3 Pb (1-a) Zn a Br (3-y) Cl y (0
  • CsPbBr 3 , CsPbBr (3-y) I y (0 ⁇ y ⁇ 3), and (H 2 N CH—NH 2 ) PbBr 3 are more preferable, and (H 2 N Further preferred is ⁇ CH—NH 2 ) PbBr 3 .
  • Preferred examples of the perovskite compound having a two-dimensional structure include (C 4 H 9 NH 3 ) 2 PbBr 4 , (C 4 H 9 NH 3 ) 2 PbCl 4 , (C 4 H 9 NH 3 ) 2 PbI 4 , and (C 7 H 15 NH 3 ) 2 PbBr 4 , (C 7 H 15 NH 3 ) 2 PbCl 4 , (C 7 H 15 NH 3 ) 2 PbI 4 , (C 4 H 9 NH 3 ) 2 Pb (1-a) Li a Br (4 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ 0), (C 4 H 9 NH 3 ) 2 Pb (1-a) Na a Br (4 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.7, ⁇ 0.7 ⁇ ⁇ 0), (C 4 H 9 NH 3 ) 2 Pb (1-a)
  • Preferable examples of the two-dimensional perovskite compound also include (C 4 H 9 NH 3 ) 2 PbBr 4 and (C 7 H 15 NH 3 ) 2 PbBr 4 .
  • Preferred examples of the two-dimensional perovskite compound include (C 4 H 9 NH 3 ) 2 PbBr (4-y) Cl y (0 ⁇ y ⁇ 4), (C 4 H 9 NH 3 ) 2 PbBr (4- y) I y (0 ⁇ y ⁇ 4) can also be mentioned.
  • the perovskite compound having a two-dimensional structure examples include (C 4 H 9 NH 3 ) 2 Pb (1-a) Zn a Br 4 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), (C 4 H 9 NH 3 ) 2 Pb (1-a) Mg a Br 4 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), (C 4 H 9 NH 3 ) 2 Pb (1-a) Co a Br 4 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), ( C 4 H 9 NH 3) 2 Pb (1-a) Mn a Br 4 (0 ⁇ a ⁇ 0.7) may also be mentioned.
  • the perovskite compound having a two-dimensional structure examples include (C 7 H 15 NH 3 ) 2 Pb (1-a) Zn a Br 4 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), (C 7 H 15 NH 3 ) 2 Pb (1-a) Mg a Br 4 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), (C 7 H 15 NH 3 ) 2 Pb (1-a) Co a Br 4 (0 ⁇ a ⁇ 0.7), ( C 7 H 15 NH 3) 2 Pb (1-a) Mn a Br 4 (0 ⁇ a ⁇ 0.7) may also be mentioned.
  • the average particle size of the semiconductor particles (1) contained in the luminescent particles is not particularly limited, but is preferably 1 nm or more because the crystal structure can be maintained well.
  • the average particle diameter of the semiconductor particles is more preferably 2 nm or more, further preferably 3 nm or more.
  • the average particle size of the semiconductor particles is preferably 10 ⁇ m or less because it is easy to maintain desired light emission characteristics.
  • the average particle diameter of the semiconductor particles is more preferably 1 ⁇ m or less, further preferably 500 nm or less.
  • the “emission characteristic” refers to optical properties such as quantum yield of converted light, emission intensity, and color purity obtained by irradiating light-emitting semiconductor particles with excitation light. The color purity can be evaluated by the full width at half maximum of the spectrum of converted light.
  • the upper limit value and the lower limit value of the average particle size of the semiconductor particles can be arbitrarily combined.
  • the average particle size of the semiconductor particles is preferably 1 nm or more and 10 ⁇ m or less, more preferably 2 nm or more and 1 ⁇ m or less, and further preferably 3 nm or more and 500 nm or less.
  • the average particle diameter of semiconductor particles can be measured by, for example, TEM or SEM.
  • the average particle diameter can be obtained by measuring the maximum Feret diameter of 20 semiconductor particles by TEM or SEM and calculating the average maximum Feret diameter which is the arithmetic mean value of the measured values.
  • the “maximum Feret diameter” means the maximum distance between two parallel straight lines sandwiching a semiconductor particle on a TEM or SEM image.
  • the average particle size of the semiconductor particles (1) contained in the light-emitting particles can be determined by, for example, energy dispersive X-ray analysis (EDX) measurement (STEM-EDX measurement) using scanning transmission electron microscopy (STEM).
  • EDX energy dispersive X-ray analysis
  • STEM-EDX measurement scanning transmission electron microscopy
  • the element distribution of the elements contained in the semiconductor particles can be obtained, and the obtained element distribution image can be obtained.
  • the average particle size can be obtained by measuring the maximum Feret diameter of 20 semiconductor particles from the element distribution image and calculating the average maximum Feret diameter that is the arithmetic average value of the measured values.
  • the median diameter (D50) of the semiconductor particles is not particularly limited, but is preferably 3 nm or more because the crystal structure can be maintained well.
  • the median diameter of the semiconductor particles is more preferably 4 nm or more, further preferably 5 nm or more.
  • the median diameter (D50) of the semiconductor particles is preferably 5 ⁇ m or less because it is easy to maintain desired emission characteristics.
  • the average particle size of the semiconductor particles is more preferably 500 nm or less, further preferably 100 nm or less.
  • the upper limit value and the lower limit value of the median diameter (D50) of the semiconductor particles can be arbitrarily combined.
  • the median diameter (D50) of the semiconductor particles is preferably 3 nm or more and 5 ⁇ m or less, more preferably 4 nm or more and 500 nm or less, and further preferably 5 nm or more and 100 nm or less.
  • the particle size distribution of semiconductor particles can be measured by, for example, TEM or SEM. Specifically, the maximum Feret diameter of 20 semiconductor particles is observed by TEM or SEM, and the median diameter (D50) can be obtained from the distribution of the maximum Feret diameter.
  • the component (2) includes a silazane modified product, a compound modified compound represented by the following formula (C1), a compound modified compound represented by the following formula (C2), and a compound represented by the following formula (A5-51).
  • a silazane modified product a compound modified compound represented by the following formula (C1)
  • a compound modified compound represented by the following formula (C2) a compound represented by the following formula (A5-51).
  • modified body group only one kind of the modified body may be used, or two or more kinds may be used in combination.
  • the term “modified” means that a silicon compound having a Si—N bond, a Si—SR bond (R is a hydrogen atom or an organic group) or a Si—OR bond (R is a hydrogen atom or an organic group) is hydrolyzed. Then, a silicon compound having a Si—O—Si bond is produced.
  • the Si-O-Si bond may be formed by an intermolecular condensation reaction or an intramolecular condensation reaction.
  • the “modified form” refers to a compound obtained by modifying a silicon compound having a Si—N bond, a Si—SR bond or a Si—OR bond.
  • Silazane is a compound having a Si-N-Si bond.
  • the silazane may be linear, branched or cyclic.
  • the silazane may be a low molecular weight silazane or a high molecular weight silazane.
  • the polymer silazane may be referred to as polysilazane.
  • low molecular weight means that the number average molecular weight is less than 600.
  • polymer means that the number average molecular weight is 600 or more and 2000 or less.
  • the “number average molecular weight” means a polystyrene conversion value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.
  • the modified silazane is preferably, for example, a modified silazane represented by the following formula (B1), which is a low-molecular silazane.
  • R 14 and R 15 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a cycloalkyl having 3 to 20 carbon atoms. Represents a group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an alkylsilyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • R 14 and R 15 may have a substituent such as an amino group.
  • a plurality of R 15's may be the same or different.
  • Examples of the low-molecular silazane represented by the formula (B1) include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane, 1,3-diphenyltetramethyldisilazane, and 1,1,1, 3,3,3-hexamethyldisilazane can be mentioned.
  • modified silazane for example, a modified low molecular silazane represented by the following formula (B2) is also preferable.
  • a plurality of R 14's may be the same or different.
  • a plurality of R 15's may be the same or different.
  • n 1 represents an integer of 1 or more and 20 or less. n 1 may be an integer of 1 or more and 10 or less, or 1 or 2.
  • Examples of the low-molecular silazane represented by the formula (B2) include octamethylcyclotetrasilazane, 2,2,4,4,6,6-hexamethylcyclotrisilazane, and 2,4,6-trimethyl-2,4. , 6-trivinylcyclotrisilazane.
  • octamethylcyclotetrasilazane and 1,3-diphenyltetramethyldisilazane are preferable, and octamethylcyclotetrasilazane is more preferable.
  • silazane modified product for example, a modified product of a polymer silazane (polysilazane) represented by the following formula (B3) is preferable.
  • Polysilazane is a polymer compound having a Si—N—Si bond.
  • the constitutional unit of the polysilazane represented by the formula (B3) may be one kind or plural kinds.
  • R 14, and R 15 are the same as R 14, and R 15 in the formula (B1).
  • * represents a bond.
  • R 14 is bonded to the bond of the N atom at the end of the molecular chain.
  • R 15 is bonded to the bond of the Si atom at the end of the molecular chain.
  • a plurality of R 14's may be the same or different.
  • a plurality of R 15's may be the same or different.
  • M represents an integer of 2 or more and 10000 or less.
  • the polysilazane represented by the formula (B3) may be, for example, perhydropolysilazane in which all of R 14 and R 15 are hydrogen atoms.
  • the polysilazane represented by the formula (B3) may be, for example, an organopolysilazane in which at least one R 15 is a group other than a hydrogen atom.
  • perhydropolysilazane and organopolysilazane may be appropriately selected, or they may be mixed and used.
  • silazane modified product for example, a modified product of polysilazane having a structure represented by the following formula (B4) is also preferable.
  • the polysilazane may have a ring structure in a part of the molecule, for example, may have the structure represented by the formula (B4).
  • * represents a bond.
  • the bond of the formula (B4) may be bonded to the bond of the polysilazane represented by the formula (B3) or the bond of the constitutional unit of the polysilazane represented by the formula (B3).
  • the bond of the structure represented by the formula (B4) is a bond of the structure represented by another formula (B4). It may be directly connected to the hand.
  • R 14 is bonded to the bond of the non-N atom.
  • R 15 is bonded to the bond of the non-Si atom.
  • n 2 represents an integer of 1 or more and 10000 or less. n 2 may be an integer of 1 or more and 10 or less, or 1 or 2.
  • a general polysilazane has, for example, a structure having a linear structure and a ring structure such as a 6-membered ring or an 8-membered ring, that is, a structure represented by (B3) or (B4) above.
  • a general polysilazane has a number average molecular weight (Mn) of about 600 to 2000 (in terms of polystyrene), and may be a liquid or solid substance depending on the molecular weight.
  • a commercially available product may be used as the polysilazane.
  • (Manufactured by the company) AZNN-120-20, Durazane (registered trademark) 1500 Slow Cure, Durazane 1500 Rapid Rapid, Durazane 1800, and Durazane 1033 (manufactured by Merck Performance Materials Co., Ltd.).
  • the polysilazane is preferably AZNN-120-20, Durazane 1500 Slow Cure, Durazane 1500 Rapid Cure, and more preferably Durazane 1500 Slow Cure.
  • the ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms is preferably 0.1 to 100% with respect to all silicon atoms. Further, the ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms is more preferably 10 to 98%, further preferably 30 to 95%.
  • the “ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms” is ((Si (mol) ⁇ (N (mol) in SiN bond) / Si (mol) ⁇ 100), using the measured value described later. Considering the reforming reaction, the “ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms” means the “ratio of silicon atoms contained in the siloxane bond generated in the modification treatment”.
  • the ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms is preferably 0.1 to 100% with respect to all silicon atoms. Further, the ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms is more preferably 10 to 98%, further preferably 30 to 95%.
  • the ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms is preferably 0.1 to 99% with respect to all silicon atoms. Further, the proportion of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms is more preferably 10 to 97%, further preferably 30 to 95%.
  • the number of Si atoms and the number of SiN bonds in the modified product can be measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
  • the “ratio of silicon atoms not bonded to nitrogen atoms” of the modified product which is obtained by using the measured value by the above-mentioned method, is preferably 0.1 to 99% with respect to all silicon atoms. It is more preferably from 99 to 99%, further preferably from 30 to 95%.
  • the modified product of silazane is not particularly limited, but a modified product of organopolysilazane is preferable from the viewpoint of improving dispersibility and suppressing aggregation.
  • organopolysilazane examples are represented by the formula (B3), and at least one of R 14 and R 15 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or 3 to It may be a cycloalkyl group having 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an organopolysilazane which is an alkylsilyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the organopolysilazane includes, for example, a structure represented by the formula (B4), at least one bond is bonded to R 14 or R 15, and at least one of R 14 and R 15 is the number of carbon atoms.
  • the organopolysilazane includes an organopolysilazane represented by the formula (B3) and at least one of R 14 and R 15 is a methyl group, or a structure represented by the formula (B4), and at least one bond is R 14 or It is preferable that the polysilazane is bonded to R 15 and at least one of R 14 and R 15 is a methyl group.
  • Y 5 represents a single bond, an oxygen atom or a sulfur atom.
  • R 30 and R 31 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or 2 carbon atoms. It represents up to 20 unsaturated hydrocarbon groups.
  • R 30 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an unsaturated hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms.
  • R 31 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an unsaturated hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms.
  • R 30 , R 31 and R 32 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or a carbon atom having 3 to 30 carbon atoms. It represents 2 to 20 unsaturated hydrocarbon groups.
  • the hydrogen atoms contained in the alkyl group, cycloalkyl group and unsaturated hydrocarbon group represented by R 30 , R 31 and R 32 are each independently a halogen atom or amino. It may be substituted with a group.
  • halogen atom which may be substituted for the hydrogen atom contained in the alkyl group, cycloalkyl group or unsaturated hydrocarbon group represented by R 30 , R 31 and R 32 include, for example, a fluorine atom, a chlorine atom and a bromine atom. , And iodine atoms are preferable, and fluorine atoms are preferable from the viewpoint of chemical stability.
  • a is an integer of 1 to 3.
  • a plurality of Y 5 s may be the same or different.
  • a plurality of R 30's may be the same or different.
  • a plurality of R 32's may be the same or different.
  • a plurality of R 31's may be the same or different.
  • the alkyl group represented by R 30 and R 31 may be linear or branched.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 30 is 1 to 20 because reforming proceeds rapidly. preferable.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 30 is more preferably 1 to 3, and even more preferably 1.
  • the alkyl group represented by R 30 preferably has 5 to 20 carbon atoms, and 8 to 20 carbon atoms. Is more preferable.
  • Y 5 is preferably an oxygen atom because reforming proceeds rapidly.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 30 and R 32 is preferably 1 to 20 each independently because reforming proceeds rapidly. Further, the number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 30 and R 32 is more preferably independently 1 to 3, and further preferably 1.
  • the alkyl group represented by R 31 preferably has 1 to 5 carbon atoms and 1 to 2 carbon atoms. More preferably, it is more preferably 1.
  • alkyl group represented by R 30 , R 31 and R 32 include the alkyl groups exemplified in the groups represented by R 6 to R 9 .
  • the cycloalkyl group represented by R 30 , R 31 and R 32 preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 11 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the cycloalkyl group represented by R 30 , R 31 and R 32 When the hydrogen atoms in the cycloalkyl group represented by R 30 , R 31 and R 32 are each independently substituted with an alkyl group, the cycloalkyl group has 4 or more carbon atoms.
  • the alkyl group in which the hydrogen atom in the cycloalkyl group may be substituted has 1 to 27 carbon atoms.
  • cycloalkyl group represented by R 30 , R 31 and R 32 include the cycloalkyl groups exemplified in the groups represented by R 6 to R 9 .
  • the unsaturated hydrocarbon group represented by R 30 , R 31 and R 32 may be linear, branched, or cyclic.
  • the unsaturated hydrocarbon group represented by R 30 , R 31 and R 32 preferably has 5 to 20 carbon atoms, and more preferably 8 to 20 carbon atoms.
  • the unsaturated hydrocarbon group represented by R 30 , R 31 and R 32 is preferably an alkenyl group, and more preferably an alkenyl group having 8 to 20 carbon atoms.
  • Examples of the alkenyl group represented by R 30 , R 31 and R 32 include linear or branched alkyl groups exemplified in the groups represented by R 6 to R 9 and having one carbon atom
  • An example is one in which a single bond (C—C) is replaced with a double bond (C ⁇ C).
  • the position of the double bond in the alkenyl group is not limited.
  • alkenyl group examples include, for example, ethenyl group, propenyl group, 3-butenyl group, 2-butenyl group, 2-pentenyl group, 2-hexenyl group, 2-nonenyl group, 2-dodecenyl group, 9 An octadecenyl group.
  • R 30 and R 32 are preferably an alkyl group or an unsaturated hydrocarbon group, and more preferably an alkyl group.
  • R 31 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an unsaturated hydrocarbon group, and more preferably an alkyl group.
  • the compound represented by the formula (C1) and the compound represented by the formula (C2) are hydrolyzed. It is liable to be modified and a modified product is easily generated. Therefore, the modified form of the compound represented by the formula (C1) and the modified form of the compound represented by the formula (C2) easily cover the surface of the semiconductor particle (1). As a result, it is considered that (1) semiconductor particles are less likely to deteriorate even in an environment with high humidity, and particles having high durability can be obtained.
  • Specific examples of the compound represented by the formula (C1) include tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, tetrabutoxysilane, tetrapropoxysilane, tetraisopropoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, and 3-aminopropyltrisilane.
  • trimethoxyphenylsilane methoxydimethyl (phenyl) silane, dimethoxydiphenylsilane, dimethoxymethylphenylsilane, cyclohexyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane.
  • the modified body group (2) may be a modified body of the compound represented by the formula (A5-51) or a modified body of the compound represented by the formula (A5-52).
  • a C is a divalent hydrocarbon group
  • Y 15 is an oxygen atom or a sulfur atom.
  • R 122 and R 123 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group.
  • R 124 represents an alkyl group or a cycloalkyl group.
  • R 125 and R 126 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a cycloalkyl group.
  • R 122 to R 126 are alkyl groups, they may be linear or branched.
  • the alkyl group has usually 1 to 20 carbon atoms, preferably 5 to 20 carbon atoms, and more preferably 8 to 20 carbon atoms.
  • the cycloalkyl group may have an alkyl group as a substituent.
  • the cycloalkyl group has usually 3 to 30 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 11 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the hydrogen atoms contained in the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 122 to R 126 may be each independently substituted with a halogen atom or an amino group.
  • halogen atom which may be substituted for the hydrogen atom contained in the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 122 to R 126 , include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
  • a fluorine atom is preferable from the viewpoint of stability.
  • alkyl group of R 122 to R 126 include the alkyl groups exemplified in R 6 to R 9 .
  • cycloalkyl group of R 122 to R 126 include the cycloalkyl group exemplified in R 6 to R 9 .
  • Examples of the alkoxy group of R 125 and R 126 include monovalent groups in which the linear or branched alkyl group exemplified in R 6 to R 9 is bonded to an oxygen atom.
  • R 125 and R 126 are alkoxy groups, a methoxy group, an ethoxy group, a butoxy group and the like can be mentioned, and a methoxy group is preferable.
  • Divalent hydrocarbon group represented by A C may be any group obtained by removing two hydrogen atoms from the hydrocarbon compound, the hydrocarbon compound may be aliphatic hydrocarbons, aromatic It may be a hydrocarbon or a saturated aliphatic hydrocarbon.
  • A is an alkylene group, it may be linear or branched.
  • the alkylene group has usually 1 to 100 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms.
  • Examples of the compound represented by the formula (A5-51) include trimethoxy [3- (methylamino) propyl] silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyldimethoxymethylsilane, and 3-aminopropyldiethoxymethylsilane. , 3-aminopropyltrimethoxysilane is preferred.
  • the compound represented by the formula (A5-51) is preferably a compound in which R 122 and 123 are hydrogen atoms, R 124 is an alkyl group, and R 125 and R 126 are alkoxy groups.
  • R 122 and 123 are hydrogen atoms
  • R 124 is an alkyl group
  • R 125 and R 126 are alkoxy groups.
  • 3-aminopropyltriethoxysilane and 3-aminopropyltrimethoxysilane are more preferable.
  • 3-aminopropyltrimethoxysilane is more preferable.
  • 3-mercaptopropyltrimethoxysilane and 3-mercaptopropyltriethoxysilane are more preferable.
  • Modified sodium silicate The compound represented by (2) may be a modified form of sodium silicate (Na 2 SiO 3 ). Sodium silicate undergoes hydrolysis to be modified by being treated with an acid.
  • the luminescent particles of the present embodiment may have (1) a surface treatment agent layer that covers at least a part of the surface of the semiconductor particles.
  • the luminescent particles of the present embodiment may include a surface treatment agent layer between (1) semiconductor particles and (2) modified body group.
  • the surface treatment agent layer covers the “surface” of the (1) semiconductor particles means that the surface treatment agent layer directly contacts and covers the (1) semiconductor particles, and the surface treatment agent layer covers the (1) semiconductor particles. It is formed in direct contact with the surface of another layer formed on the surface of (1), and also includes (1) covering without directly contacting the surface of semiconductor particles.
  • the luminescent particles of this embodiment are characterized in that the area ratio ((S1) / (S2)) is 0.01 or more and 0.5 or less.
  • the area S1 is the area of (1) occupied on the surface of the luminescent particles
  • the area S2 is the area of (2) occupied on the surface of the luminescent particles.
  • the surface treatment agent layer is preferably present between (1) semiconductor particles and (2) modified body group. However, on the surface of the luminescent particles, (1) when the semiconductor particles are covered only by the surface treatment agent layer, that is, when there is a portion where the surface treatment agent layer is exposed, the portion has an area S1. To do.
  • the surface modifier layer comprises ammonium ions, amines, primary to quaternary ammonium cations, ammonium salts, carboxylic acids, carboxylate ions, carboxylate salts, compounds represented by formulas (X1) to (X6), And at least one compound or ion selected from the group consisting of the salts of the compounds represented by formulas (X2) to (X4) is used as the forming material.
  • the surface modifier layer preferably uses at least one selected from the group consisting of amines, primary to quaternary ammonium cations, ammonium salts, carboxylic acids, and carboxylate ions and carboxylate salts as a forming material. More preferably, the forming material is at least one selected from the group consisting of amine, amine, and carboxylic acid.
  • the material for forming the surface modifier layer may be referred to as a "surface modifier".
  • the surface modifier is a compound having an action of adsorbing to the surface of the semiconductor particles and stably dispersing the semiconductor particles in the composition when the luminescent particles of the present embodiment are manufactured by the manufacturing method described later. .
  • ammonium salt a salt containing an ion represented by the following formula (A1).
  • R 1 to R 4 represent a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group.
  • the hydrocarbon group represented by R 1 to R 4 may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group.
  • saturated hydrocarbon group include an alkyl group and a cycloalkyl group.
  • the alkyl group represented by R 1 to R 4 may be linear or branched.
  • the alkyl group represented by R 1 to R 4 usually has 1 to 20 carbon atoms, preferably 5 to 20 carbon atoms, and more preferably 8 to 20 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is usually 3 to 30, preferably 3 to 20, and more preferably 3 to 11.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the unsaturated hydrocarbon group of R 1 to R 4 may be linear or branched.
  • the unsaturated hydrocarbon group of R 1 to R 4 usually has 2 to 20 carbon atoms, preferably 5 to 20 carbon atoms, and more preferably 8 to 20 carbon atoms.
  • R 1 to R 4 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an unsaturated hydrocarbon group.
  • the unsaturated hydrocarbon group is preferably an alkenyl group.
  • R 1 to R 4 are preferably alkenyl groups having 8 to 20 carbon atoms.
  • alkyl group of R 1 to R 4 include the alkyl groups exemplified in R 6 to R 9 .
  • cycloalkyl group of R 1 to R 4 include the cycloalkyl groups exemplified in R 6 to R 9 .
  • the alkenyl group for R 1 to R 4 is the linear or branched alkyl group exemplified for R 6 to R 9 and is a single bond (C—C) between carbon atoms.
  • Preferred alkenyl groups for R 1 to R 4 include, for example, ethenyl group, propenyl group, 3-butenyl group, 2-butenyl group, 2-pentenyl group, 2-hexenyl group, 2-nonenyl group, 2-dodecenyl group. Group, a 9-octadecenyl group.
  • the counter anion is not particularly limited.
  • the counter anion halide ion, carboxylate ion and the like are preferable.
  • the halide ion include bromide ion, chloride ion, iodide ion, and fluoride ion.
  • ammonium salt having the ammonium cation represented by the formula (A1) and the counter anion include n-octyl ammonium salt and oleyl ammonium salt.
  • the amine as the surface modifier can be represented by the following formula (A11).
  • R 1 ⁇ R 3 represent the same groups as R 1 ⁇ R 3 to the formula (A1) has. However, at least one of R 1 to R 3 is a monovalent hydrocarbon group.
  • the amine as the surface modifier may be any of primary to tertiary amines, but primary amines and secondary amines are preferable, and primary amines are more preferable.
  • Oleylamine is preferred as the amine as the surface modifier.
  • the carboxylate ion, which is a surface modifier is represented by the following formula (A2).
  • the carboxylate salt, which is a surface modifier is a salt containing an ion represented by the following formula (A2). R 5 -CO 2 - ⁇ (A2 )
  • Examples of the carboxylic acid that is the surface modifier include a carboxylic acid having a proton (H + ) bonded to the carboxylate anion represented by (A2) above.
  • R 5 represents a monovalent hydrocarbon group.
  • the hydrocarbon group represented by R 5 may be either a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group.
  • Examples of the saturated hydrocarbon group include an alkyl group and a cycloalkyl group.
  • the alkyl group represented by R 5 may be linear or branched.
  • the alkyl group represented by R 5 usually has 1 to 20 carbon atoms, preferably 5 to 20 carbon atoms, and more preferably 8 to 20 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is usually 3 to 30, preferably 3 to 20, and more preferably 3 to 11.
  • the number of carbon atoms also includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the unsaturated hydrocarbon group represented by R 5 may be linear or branched.
  • the unsaturated hydrocarbon group represented by R 5 usually has 2 to 20 carbon atoms, preferably 5 to 20 carbon atoms, and more preferably 8 to 20 carbon atoms.
  • R 5 is preferably an alkyl group or an unsaturated hydrocarbon group.
  • the unsaturated hydrocarbon group is preferably an alkenyl group.
  • alkyl group of R 5 include the alkyl groups exemplified in R 6 to R 9 .
  • cycloalkyl group for R 5 include the cycloalkyl groups exemplified for R 6 to R 9 .
  • alkenyl group for R 5 include the alkenyl groups exemplified for R 1 to R 4 .
  • the oleate anion is preferable as the carboxylate anion represented by the formula (A2).
  • the counter cation is not particularly limited, but preferable examples include an alkali metal cation, an alkaline earth metal cation, and an ammonium cation.
  • Oleic acid is preferred as the carboxylic acid that is the surface modifier.
  • R 18 to R 21 each independently have an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, which may have a substituent, or a substituent.
  • the alkyl group represented by R 18 to R 21 may be linear or branched.
  • the alkyl group represented by R 18 to R 21 preferably has an aryl group as a substituent.
  • the alkyl group represented by R 18 to R 21 usually has 1 to 20 carbon atoms, preferably 5 to 20 carbon atoms, and more preferably 8 to 20 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the cycloalkyl group represented by R 18 to R 21 preferably has an aryl group as a substituent.
  • the cycloalkyl group represented by R 18 to R 21 usually has 3 to 30 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 11 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the aryl group represented by R 18 to R 21 preferably has an alkyl group as a substituent.
  • the aryl group represented by R 18 to R 21 usually has 6 to 30 carbon atoms, preferably 6 to 20 carbon atoms, and more preferably 6 to 10 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the group represented by R 18 to R 21 is preferably an alkyl group.
  • alkyl group represented by R 18 to R 21 include the alkyl groups exemplified in the alkyl group represented by R 6 to R 9 .
  • cycloalkyl group represented by R 18 to R 21 include the cycloalkyl groups exemplified in the cycloalkyl group represented by R 6 to R 9 .
  • aryl group represented by R 18 to R 21 examples include a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, an o-xylyl group and the like.
  • the hydrogen atoms contained in the groups represented by R 18 to R 21 may each independently be substituted with a halogen atom.
  • the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
  • a fluorine atom is preferable as the halogen atom to be substituted because the chemical stability of the compound substituted with a halogen atom is high.
  • M ⁇ represents a counter anion.
  • halide ion As the counter anion, halide ion, carboxylate ion and the like are preferable.
  • the halide ion include bromide ion, chloride ion, iodide ion, and fluoride ion, and bromide ion is preferable.
  • Specific examples of the compound represented by the formula (X1) include tetraethylphosphonium chloride, tetraethylphosphonium bromide, tetraethylphosphonium iodide; tetrabutylphosphonium chloride, tetrabutylphosphonium bromide, tetrabutylphosphonium iodide: tetraphenylphosphonium chloride, tetra Phenylphosphonium bromide, tetraphenylphosphonium iodide; tetra-n-octylphosphonium chloride, tetra-n-octylphosphonium bromide, tetra-n-octylphosphonium iodide; tributyl-n-octylphosphonium bromide; tributyldodecylphosphonium bromide; tributylhexa Decylphospho
  • tributylhexadecylphosphonium bromide and tributyl-n-octylphosphonium bromide are preferable as the compound represented by the formula (X1), and tributyl-n-octylphosphonium bromide is preferable. More preferable.
  • a 1 represents a single bond or an oxygen atom.
  • R 22 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, and an alkyl group having 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent. It represents a cycloalkyl group or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.
  • the alkyl group represented by R 22 may be linear or branched.
  • alkyl group represented by R 22 the same group as the alkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • cycloalkyl group represented by R 22 the same group as the cycloalkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • aryl group represented by R 22 the same group as the aryl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • the group represented by R 22 is preferably an alkyl group.
  • the hydrogen atoms contained in the group represented by R 22 may be each independently substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, From the viewpoint of chemical stability, a fluorine atom is preferable.
  • the anionic group is represented by the following formula (X2-1).
  • an example of the counter cation forming a pair with the formula (X2-1) is an ammonium ion.
  • the counter cation forming a pair in the formula (X2-1) is not particularly limited, but for example, a monovalent ion such as Na + , K + and Cs + can be used. Can be mentioned.
  • the compound represented by the formula (X2) and the salt of the compound represented by the formula (X2) include phenyl phosphate, phenyl disodium phosphate hydrate, 1-naphthyl disodium phosphate hydrate, and 1 -Naphthyl phosphate monosodium monohydrate, lauryl phosphate, sodium lauryl phosphate, oleyl phosphate, benzhydrylphosphonic acid, decylphosphonic acid, dodecylphosphonic acid, ethylphosphonic acid, hexadecylphosphonic acid, heptylphosphonic acid, Hexylphosphonic acid, methylphosphonic acid, nonylphosphonic acid, octadecylphosphonic acid, n-octylphosphonic acid, benzenephosphonic acid, phenylphosphonic acid disodium hydrate, phenethylphosphonic acid, propylphosphonic acid, undecylphosphonic acid,
  • examples of the compound represented by the formula (X2) include oleylphosphoric acid, dodecylphosphonic acid, ethylphosphonic acid, hexadecylphosphonic acid, heptylphosphonic acid, and hexylphosphonic acid. , Methylphosphonic acid, nonylphosphonic acid, octadecylphosphonic acid and n-octylphosphonic acid are more preferable, and octadecylphosphonic acid is still more preferable.
  • a 2 and A 3 each independently represent a single bond or an oxygen atom.
  • R 23 and R 24 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon which may have a substituent. It represents a cycloalkyl group having 3 to 30 atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.
  • the alkyl groups represented by R 23 and R 24 may each independently be linear or branched.
  • alkyl group represented by R 23 and R 24 the same group as the alkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • cycloalkyl group represented by R 23 and R 24 the same group as the cycloalkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • aryl group represented by R 23 and R 24 the same group as the aryl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • R 23 and R 24 are preferably each independently an alkyl group.
  • the hydrogen atoms contained in the groups represented by R 23 and R 24 may each independently be substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Among them, a fluorine atom is preferable from the viewpoint of chemical stability.
  • the anionic group is represented by the following formula (X3-1).
  • an example of the counter cation paired with the formula (X3-1) is an ammonium ion.
  • the counter cation forming a pair in the formula (X3-1) is not particularly limited, but for example, a monovalent ion such as Na + , K + and Cs + can be used. Can be mentioned.
  • Examples of the salt of the compound represented by the formula (X3) include diphenylphosphinic acid, dibutyl phosphate, didecyl phosphate and diphenyl phosphate. Examples of the salt of the compound represented by the formula (X3) include salts of the above compounds.
  • Diphenylphosphinic acid, dibutyl phosphate, and didecyl phosphate are preferable, and diphenylphosphinic acid and salts thereof are more preferable, because it is expected that the heat durability of the luminescent particles can be expected to increase.
  • a 4 represents a single bond or an oxygen atom.
  • the group represented by R 25 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a carbon atom which may have a substituent. It represents a cycloalkyl group of 3 to 30 or an aryl group of 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.
  • the alkyl group represented by R 25 may be linear or branched.
  • alkyl group represented by R 25 the same group as the alkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • cycloalkyl group represented by R 25 the same group as the cycloalkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • aryl group represented by R 25 the same group as the aryl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • the group represented by R 25 is preferably an alkyl group.
  • the hydrogen atoms contained in the group represented by R 25 may each independently be substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, From the viewpoint of chemical stability, a fluorine atom is preferable.
  • Examples of the compound represented by the formula (X4) include 1-octanesulfonic acid, 1-decanesulfonic acid, 1-dodecanesulfonic acid, hexadecylsulfate, laurylsulfate, myristylsulfate, laurethsulfate and dodecylsulfate.
  • the anionic group is represented by the following formula (X4-1).
  • examples of the counter cation forming a pair with the formula (X4-1) include ammonium ion.
  • the counter cation forming a pair in the formula (X4-1) is not particularly limited, but for example, a monovalent ion such as Na + , K + and Cs + can be used. Can be mentioned.
  • Examples of the salt of the compound represented by the formula (X4) include sodium 1-octanesulfonate, sodium 1-decanesulfonate, sodium 1-dodecanesulfonate, sodium hexadecyl sulfate, sodium lauryl sulfate, sodium myristyl sulfate and sodium laureth sulfate. , Sodium dodecyl sulfate.
  • sodium hexadecyl sulfate and sodium dodecyl sulfate are preferable, and sodium dodecyl sulfate is more preferable.
  • a 5 to A 7 each independently represent a single bond or an oxygen atom.
  • R 26 to R 28 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon which may have a substituent.
  • a cycloalkyl group having 3 to 30 atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent Represents an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a group.
  • the alkyl groups represented by R 26 to R 28 may each independently be linear or branched.
  • alkyl group represented by R 26 to R 28 the same group as the alkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • cycloalkyl group represented by R 26 to R 28 the same group as the cycloalkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • aryl group represented by R 26 to R 28 the same group as the aryl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • the alkenyl groups represented by R 26 to R 28 each independently have an alkyl group or an aryl group as a substituent.
  • the alkenyl group represented by R 26 to R 28 usually has 2 to 20 carbon atoms, preferably 6 to 20 carbon atoms, and more preferably 12 to 18 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the alkynyl groups represented by R 26 to R 28 each independently preferably have an alkyl group or an aryl group as a substituent.
  • the alkynyl group represented by R 26 to R 28 usually has 2 to 20 carbon atoms, preferably 6 to 20 carbon atoms, and more preferably 12 to 18 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • R 26 to R 28 are each independently an alkyl group.
  • alkenyl group represented by R 26 to R 28 examples include a hexenyl group, an octenyl group, a decenyl group, a dodecenyl group, a tetradecenyl group, a hexadecenyl group, an octadecenyl group and an icosenyl group.
  • alkynyl group represented by R 26 to R 28 examples include a hexynyl group, an octynyl group, a decynyl group, a dodecynyl group, a tetradecynyl group, a hexadecynyl group, an octadecynyl group, and an icosinyl group.
  • the hydrogen atoms contained in the groups represented by R 26 to R 28 may be independently substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Among them, a fluorine atom is preferable from the viewpoint of chemical stability.
  • Examples of the compound represented by the formula (X5) include trioleyl phosphite, tributyl phosphite, triethyl phosphite, trihexyl phosphite, triisodecyl phosphite, trimethyl phosphite, cyclohexyldiphenylphosphine and di-tert.
  • trioleyl phosphite tributylphosphine, trihexylphosphine and trihexyl phosphite are preferable, and trioleyl phosphite is more preferable.
  • a 8 to A 10 each independently represent a single bond or an oxygen atom.
  • R 29 to R 31 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon which may have a substituent.
  • a cycloalkyl group having 3 to 30 atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent Represents an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a group.
  • the alkyl groups represented by R 29 to R 31 may each independently be linear or branched.
  • alkyl group represented by R 29 to R 31 the same group as the alkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • cycloalkyl group represented by R 29 to R 31 the same group as the cycloalkyl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • aryl group represented by R 29 to R 31 the same group as the aryl group represented by R 18 to R 21 can be adopted.
  • alkenyl group represented by R 29 to R 31 the same group as the alkenyl group represented by R 26 to R 28 can be adopted.
  • alkynyl group represented by R 29 to R 31 the same group as the alkynyl group represented by R 26 to R 28 can be adopted.
  • R 29 to R 31 are preferably each independently an alkyl group.
  • the hydrogen atoms contained in the groups represented by R 29 to R 31 may be independently substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Among them, a fluorine atom is preferable from the viewpoint of chemical stability.
  • Examples of the compound represented by the formula (X6) include tri-n-octylphosphine oxide, tributylphosphine oxide, methyl (diphenyl) phosphine oxide, triphenylphosphine oxide, tri-p-tolylphosphine oxide, cyclohexyldiphenylphosphine oxide and phosphorus.
  • Trimethyl phosphate, tributyl phosphate, triamyl phosphate, tris (2-butoxyethyl) phosphate, triphenyl phosphate, tri-p-cresyl phosphate, tri-m-cresyl phosphate, tri-o-cresyl phosphate Can be mentioned.
  • tri-n-octylphosphine oxide and tributylphosphine oxide are preferable, and tri-n-octylphosphine oxide is more preferable.
  • ammonium salts ammonium ions, primary to quaternary ammonium cations, carboxylate salts and carboxylate ions are preferable.
  • ammonium salts and ammonium ions oleylamine salt and oleylammonium ion are more preferable.
  • carboxylate salts and carboxylate ions oleate and oleate cation are more preferable.
  • the surface modifier may be used alone or in combination of two or more.
  • the compounding ratio of (1) semiconductor particles and (2) modified body group can be appropriately determined according to the types of (1) and (2).
  • the molar ratio [Si / B] between the metal ion as the B component of the perovskite compound and (2) the Si element of the coating layer is , 0.001 to 200, or 0.01 to 50.
  • the (2) modified material group forming material when the (2) modified material group forming material is a modified silazane represented by the formula (B1) or (B2), it is (1) the B component of the semiconductor particles.
  • the molar ratio [Si / B] between the metal ion and (2) Si of the modified product group may be 0.001 to 100, 0.001 to 50, or 1 to 20. It may be.
  • the modified body group is polysilazane having a structural unit represented by the formula (B3), (1) a metal ion as a B component of the semiconductor particles, and (2)
  • the molar ratio [Si / B] of the modifier group to the Si element may be 0.001 to 100, 0.01 to 100, or 0.1 to 100. It may be 1 to 50 or 1 to 20. Particles in which the range relating to the compounding ratio of (1) semiconductor particles and (2) modified body group is within the above range, the effect of improving the durability against water vapor by (2) modified body group is particularly good. It is preferable in that it is exhibited.
  • the luminescent particles in which the range of the compounding ratio of (1) the semiconductor particles and (2) the modified body group is within the above range has the effect of (2) the modified body group to improve the durability against light, in particular. It is preferable because it is well exhibited.
  • the molar ratio [Si / B] between the metal ion, which is the B component of the perovskite compound, and the Si element of the modified product can be determined by the following method.
  • the substance amount (B) (unit: mol) of the metal ion that is the B component of the perovskite compound is measured by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS) to measure the mass of the metal that is the B component, and the measured value is the substance amount. Converted to.
  • ICP-MS inductively coupled plasma mass spectrometry
  • the substance amount (Si) of the Si element of the reformer is calculated from the value obtained by converting the mass of the raw material compound of the reformer used into the substance amount and the Si amount (substance amount) contained in the unit mass of the raw material compound. .
  • the unit mass of the raw material compound is the molecular weight of the raw material compound if the raw material compound is a low molecular compound, and the molecular weight of the repeating unit of the raw material compound if the raw material compound is a high molecular compound.
  • the molar ratio [Si / B] can be calculated from the substance amount (Si) of the Si element and the substance amount (B) of the metal ion that is the B component of the perovskite compound.
  • the mass part of the semiconductor particles is 1, and (2) the mass part of the modified body group is preferably 1.1 mass parts or more. , More preferably 1.5 parts by mass or more, still more preferably 1.8 parts by mass or more, and (1) 1 part by mass of semiconductor particles to 1 part (2) parts by mass of the modified body group. Is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 4.9 parts by mass or less, and further preferably 2.5 parts by mass or less.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • composition of the present embodiment contains the above-mentioned luminescent particles and at least one selected from the group consisting of the component (3), the component (4), and the component (4-1).
  • component solvent (4)
  • component polymerizable compound (4-1)
  • component polymer
  • the total content ratio of the luminescent particles and (4-1) becomes the total mass of the composition.
  • it is preferably 90% by mass or more.
  • the above-mentioned luminescent particles may be used alone or in combination of two or more.
  • (3) solvent, (4) polymerizable compound, and (4-1) polymer may be collectively referred to as “dispersion medium”.
  • the composition of the present embodiment may be dispersed in these dispersion media.
  • “dispersed” means that the luminescent particles of the present embodiment are in a state of being suspended in a dispersion medium, or the luminescent particles of the present embodiment are in a state of being suspended in a dispersion medium. It means that. (1) When the semiconductor particles are dispersed in the dispersion medium, some of the luminescent particles may be settled.
  • solvent contained in the composition of the present embodiment is not particularly limited as long as it is a medium in which the luminescent particles of the present embodiment can be dispersed.
  • the solvent contained in the composition of the present embodiment is preferably one that is difficult to dissolve the luminescent particles of the present embodiment.
  • solvent refers to a substance that is in a liquid state at 1 atmosphere and 25 ° C. However, the solvent does not include a polymerizable compound and a polymer described below.
  • solvent examples include the following (a) to (k).
  • Examples of (a) ester include methyl formate, ethyl formate, propyl formate, pentyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, pentyl acetate and the like.
  • ketones examples include ⁇ -butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, acetone, diisobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, and methylcyclohexanone.
  • ether (c) examples include diethyl ether, methyl-tert-butyl ether, diisopropyl ether, dimethoxymethane, dimethoxyethane, 1,4-dioxane, 1,3-dioxolane, 4-methyldioxolane, tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, anisole and phenetole. Etc. can be mentioned.
  • glycol ethers examples include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and triethylene glycol dimethyl ether.
  • Examples of the organic solvent having an amide group include N, N-dimethylformamide, acetamide, N, N-dimethylacetamide and the like.
  • Examples of the organic solvent having a nitrile group include acetonitrile, isobutyronitrile, propionitrile, and methoxyacetonitrile.
  • Examples of the organic solvent having a carbonate group include ethylene carbonate and propylene carbonate.
  • halogenated hydrocarbons examples include methylene chloride and chloroform.
  • Examples of the (j) hydrocarbon include n-pentane, cyclohexane, n-hexane, 1-octadecene, benzene, toluene and xylene.
  • the above solvent may be used alone or in combination of two or more.
  • the polymerizable compound contained in the composition of the present embodiment is preferably one that is difficult to dissolve the luminescent particles of the present embodiment at the temperature for producing the composition of the present embodiment.
  • the “polymerizable compound” means a monomer compound (monomer) having a polymerizable group.
  • the polymerizable compound may include a monomer that is in a liquid state at 1 atmosphere and 25 ° C.
  • the polymerizable compound when it is produced at room temperature under normal pressure, is not particularly limited.
  • the polymerizable compound include known polymerizable compounds such as styrene, acrylic acid ester, methacrylic acid ester, and acrylonitrile. Among them, as the polymerizable compound, one or both of acrylic acid ester and methacrylic acid ester, which are monomers of the acrylic resin, are preferable.
  • the polymerizable compound may be used alone or in combination of two or more.
  • the ratio of the total amount of acrylic acid ester and methacrylic acid ester to all (4) polymerizable compounds may be 10 mol% or more. The same ratio may be 30 mol% or more, 50 mol% or more, 80 mol% or more, and 100 mol%.
  • the polymer contained in the composition of the present embodiment is preferably a polymer in which the particles of the present embodiment have low solubility at the temperature for producing the composition of the present embodiment.
  • the polymer when it is produced at room temperature under normal pressure, is not particularly limited, and examples thereof include known polymers such as polystyrene, acrylic resin, and epoxy resin. Among them, the acrylic resin is preferable as the polymer.
  • the acrylic resin contains either one or both of a structural unit derived from an acrylate ester and a structural unit derived from a methacrylic acid ester.
  • the ratio of the total amount of the structural unit derived from the acrylate ester and the structural unit derived from the methacrylic acid ester to all the structural units contained in the (4-1) polymer is 10 mol%. It may be more than. The same ratio may be 30 mol% or more, 50 mol% or more, 80 mol% or more, and 100 mol%.
  • the weight average molecular weight of the (4-1) polymer is preferably 100 to 1200000, more preferably 1000 to 800000, and further preferably 5000 to 150,000.
  • the “weight average molecular weight” means a polystyrene conversion value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.
  • the above-mentioned polymer may be used alone or in combination of two or more kinds.
  • the content ratio of the luminescent particles to the total mass of the composition is not particularly limited.
  • the content ratio is preferably 90% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, further preferably 10% by mass or less, and 3% by mass or less. Is particularly preferred.
  • the content ratio is preferably 0.0002 mass% or more, more preferably 0.002 mass% or more, and 0.01 mass% or more from the viewpoint of obtaining a good quantum yield. Is more preferable.
  • the content ratio of the luminescent particles to the total mass of the composition is usually 0.0002 to 90 mass%.
  • the content ratio of the luminescent particles with respect to the total mass of the composition is preferably 0.001 to 40% by mass, more preferably 0.002 to 10% by mass, and 0.01 to 3% by mass. Is more preferable.
  • composition in which the content ratio of the luminescent particles to the total mass of the composition is within the above range is preferable because (1) the aggregation of the semiconductor particles is less likely to occur and the luminescent property is exhibited well.
  • the total content of the luminescent particles and the dispersion medium may be 90% by mass or more, 95% by mass or more, and 99% by mass with respect to the total mass of the composition. It may be the above or 100% by mass.
  • the mass ratio of the dispersion medium to the luminescent particles may be 0.00001 to 10, may be 0.0001 to 5, and may be 0.0005 to It may be 3.
  • a composition in which the range of the compounding ratio of the luminescent particles and the dispersion medium is within the above range is preferable in that aggregation of the luminescent particles does not easily occur and excellent light emission occurs.
  • the composition of the present embodiment comprises the above-described luminescent particles, (3) solvent, (4) polymerizable compound, and (4-1) component other than polymer (hereinafter referred to as “other component”). You may have.
  • Other components include, for example, some impurities, compounds having an amorphous structure composed of elemental components constituting semiconductor particles, and a polymerization initiator.
  • the content ratio of the other components is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and further preferably 1% by mass or less, based on the total mass of the composition.
  • the above-mentioned (4-1) polymer can be adopted.
  • the luminescent particles are preferably dispersed in the (4-1) polymer.
  • the compounding ratio of the luminescent particles and the (4-1) polymer may be such that the luminescent effect of the luminescent particles is exhibited well.
  • the mixing ratio can be appropriately determined depending on the types of the luminescent particles and the (4-1) polymer.
  • the content ratio of the luminescent particles to the total mass of the composition is not particularly limited. Since the content ratio can prevent concentration quenching, it is preferably 90% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, further preferably 10% by mass or less, and 3% by mass or less. Is particularly preferable.
  • the content ratio is preferably 0.0002% by mass or more, more preferably 0.002% by mass or more, and 0.01% by mass or more, because good quantum yield can be obtained. Is more preferable.
  • the content ratio of the luminescent particles to the total mass of the composition is usually 0.0001 to 30 mass%.
  • the content ratio of the luminescent particles with respect to the total mass of the composition is preferably 0.0001 to 10% by mass, more preferably 0.0005 to 10% by mass, and 0.001 to 3% by mass. Is more preferable.
  • the mass ratio of the (4-1) polymer to the luminescent particles may be 0.00001 to 10, and 0.0001 to It may be 5, or 0.0005 to 3.
  • a composition in which the range relating to the compounding ratio of the luminescent particles and the (4-1) polymer is within the above range is preferable in terms of excellent light emission.
  • the total amount of the luminescent particles and the (4-1) polymer is 90% by mass or more based on the entire composition.
  • the total amount of the luminescent particles and the (4-1) polymer may be 95% by mass or more, 99% by mass or more, or 100% by mass with respect to the entire composition. .
  • the composition of the present embodiment may include the same components as the other components described above.
  • the content ratio of the other components is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and further preferably 1% by mass or less based on the total mass of the composition.
  • the luminescent particles described above can be produced by (1) producing semiconductor particles and then (1) forming a layer containing the compound represented by (2) on the surface of the semiconductor particles.
  • the semiconductor particles (i) to (vii) can be produced by a method of heating a mixed liquid obtained by mixing a simple substance of the elements forming the semiconductor particles or a compound of the elements forming the semiconductor particles and a fat-soluble solvent. .
  • Examples of the compound containing an element that constitutes the semiconductor particles are not particularly limited, but include oxides, acetates, organometallic compounds, halides, nitrates and the like.
  • the fat-soluble solvent examples include nitrogen-containing compounds having a hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms and oxygen-containing compounds having a hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms.
  • hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms examples include a saturated aliphatic hydrocarbon group, an unsaturated aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group.
  • saturated aliphatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms examples include n-butyl group, isobutyl group, n-pentyl group, octyl group, decyl group, dodecyl group, hexadecyl group and octadecyl group.
  • an oleyl group As an unsaturated aliphatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, an oleyl group can be mentioned.
  • Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms include cyclopentyl group and cyclohexyl group.
  • aromatic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms examples include phenyl group, benzyl group, naphthyl group and naphthylmethyl group.
  • hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms a saturated aliphatic hydrocarbon group and an unsaturated aliphatic hydrocarbon group are preferable.
  • Examples of the nitrogen-containing compound include amines and amides.
  • Examples of the oxygen-containing compound include fatty acids.
  • nitrogen-containing compounds having a hydrocarbon group with 4 to 20 carbon atoms are preferable.
  • nitrogen-containing compounds include alkylamines such as n-butylamine, isobutylamine, n-pentylamine, n-hexylamine, octylamine, decylamine, dodecylamine, hexadecylamine and octadecylamine, and oleylamine.
  • Alkenylamines are preferred.
  • Such a fat-soluble solvent can bind to the surface of semiconductor particles produced by synthesis.
  • Examples of the bond when the lipophilic solvent bonds to the surface of the semiconductor particles include chemical bonds such as covalent bond, ionic bond, coordination bond, hydrogen bond, and van der Waals bond.
  • the heating temperature of the above mixed solution may be appropriately set depending on the type of raw material (single substance or compound) used.
  • the heating temperature of the mixed solution is, for example, preferably 130 to 300 ° C, more preferably 240 to 300 ° C. It is preferable for the heating temperature to be at least the above lower limit value because the crystal structure is easily unified. When the heating temperature is at most the above upper limit value, the crystal structure of the semiconductor particles produced is less likely to collapse and the intended product is easily obtained, which is preferable.
  • the heating time of the mixed solution may be appropriately set depending on the types of raw materials (single or compound) used and the heating temperature.
  • the heating time of the mixed liquid is, for example, preferably several seconds to several hours, more preferably 1 to 60 minutes.
  • a solvent in which the synthesized semiconductor particles are insoluble or hardly soluble is added to generate a precipitate by reducing the solubility of the semiconductor particles in the supernatant liquid, and the semiconductor particles contained in the supernatant liquid are You may collect it.
  • the “solvent in which the semiconductor particles are insoluble or sparingly soluble” include methanol, ethanol, acetone, acetonitrile and the like.
  • the separated precipitate may be put in an organic solvent (eg chloroform, toluene, hexane, n-butanol, etc.) to form a solution containing semiconductor particles.
  • organic solvent eg chloroform, toluene, hexane, n-butanol, etc.
  • the method for producing semiconductor particles of (viii) can be produced by the method described below with reference to known documents (Nano Lett. 2015, 15, 3692-3696, ACS Nano, 2015, 9, 4533-4542).
  • First manufacturing method As a method for producing a perovskite compound, a step of dissolving a compound containing an A component, a compound containing a B component, and a compound containing an X component, which form the perovskite compound, in a first solvent; A manufacturing method including a step of mixing two solvents.
  • the second solvent has a lower solubility for the perovskite compound than the first solvent.
  • the solubility means the solubility at the temperature at which the step of mixing the obtained solution and the second solvent is performed.
  • the first solvent and the second solvent at least two kinds selected from the group of organic solvents mentioned above as (a) to (k) can be mentioned.
  • the above-mentioned (d) alcohol, (e) glycol ether, and (f) amide group are used as the first solvent.
  • the organic solvent which it has and (k) dimethyl sulfoxide can be mentioned.
  • the second solvent may be the above-mentioned (a) ester, (b) ketone, (c) ether, or (g). ) Organic solvents having a nitrile group, (h) organic solvents having a carbonate group, (i) halogenated hydrocarbons, and (j) hydrocarbons.
  • the compound containing the component A, the compound containing the component B, and the compound containing the component X are dissolved in the first solvent to obtain a solution.
  • the “compound including the component A” may include the component X.
  • the “compound including the component B” may include the component X.
  • the solution obtained and the second solvent are mixed.
  • the (I) solution may be added to the second solvent, or the (II) second solvent may be added to the solution. Since the particles of the perovskite compound generated in the first production method are easily dispersed in the solution, it is advisable to add the solution (I) to the second solvent.
  • the temperature of the solution and the second solvent there is no particular limitation on the temperature of the solution and the second solvent. Since the obtained perovskite compound is easily precipitated, the temperature is preferably in the range of -20 ° C to 40 ° C, more preferably in the range of -5 ° C to 30 ° C. The temperature of the solution and the temperature of the second solvent may be the same or different.
  • the difference in solubility between the first solvent and the second solvent in the perovskite compound is preferably 100 ⁇ g / solvent 100 g to 90 g / solvent 100 g, and more preferably 1 mg / solvent 100 g to 90 g / solvent 100 g.
  • the first solvent is an organic solvent having an amide group such as N, N-dimethylacetamide or dimethyl sulfoxide
  • the second solvent is a halogenated hydrocarbon or a hydrocarbon.
  • the first solvent and the second solvent are a combination of these solvents, for example, when the step of mixing at room temperature (10 ° C. to 30 ° C.) is performed, a difference in solubility between the first solvent and the second solvent may occur. It is preferable because it can be easily controlled to 100 ⁇ g / solvent 100 g to 90 g / solvent 100 g.
  • the solubility of the perovskite compound decreases in the resulting mixed solution, and the perovskite compound precipitates. As a result, a dispersion liquid containing the perovskite compound is obtained.
  • the perovskite compound By performing solid-liquid separation on the obtained dispersion liquid containing the perovskite compound, the perovskite compound can be recovered.
  • the solid-liquid separation method include filtration and concentration by evaporation of the solvent. By performing solid-liquid separation, only the perovskite compound can be recovered.
  • the above-mentioned production method preferably includes the step of adding the above-mentioned surface modifier, because the particles of the perovskite compound obtained are easily and stably dispersed in the dispersion liquid.
  • the step of adding the surface modifier is preferably performed before the step of mixing the solution and the second solvent.
  • the surface modifier may be added to the first solvent, the solution, or the second solvent. Further, the surface modifier may be added to both the first solvent and the second solvent.
  • the above-mentioned manufacturing method includes a step of removing coarse particles by a method such as centrifugation or filtration after the step of mixing the solution and the second solvent.
  • the size of the coarse particles removed in the removing step is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 1 ⁇ m or more, and further preferably 500 nm or more.
  • (Second manufacturing method) As a method for producing a perovskite compound, a step of dissolving a compound including an A component, a compound including a B component, and a compound including an X component, which form the perovskite compound, in a high temperature third solvent, and cooling the solution. And a manufacturing method including a step.
  • the compound containing the component A, the compound containing the component B, and the compound containing the component X are dissolved in a high-temperature third solvent to obtain a solution.
  • the “compound including the component A” may include the component X.
  • the “compound including the component B” may include the component X.
  • each compound may be added to and dissolved in a high temperature third solvent to obtain a solution. Further, in this step, after adding each compound to the third solvent, the temperature may be raised to obtain a solution.
  • the third solvent includes a solvent capable of dissolving a compound containing the component A, which is a raw material, a compound containing the component B, and a compound containing the component X.
  • examples of the third solvent include the above-mentioned first solvent and second solvent. ..
  • High temperature means a solvent at a temperature at which each raw material dissolves.
  • the temperature of the high temperature third solvent is preferably 60 to 600 ° C., and more preferably 80 to 400 ° C.
  • the resulting solution is then cooled.
  • the cooling temperature is preferably ⁇ 20 to 50 ° C., more preferably ⁇ 10 to 30 ° C.
  • the cooling rate is preferably 0.1 to 1500 ° C./min, more preferably 10 to 150 ° C./min.
  • the perovskite compound By cooling the hot solution, the perovskite compound can be precipitated due to the difference in solubility due to the temperature difference between the solutions. As a result, a dispersion liquid containing the perovskite compound is obtained.
  • the perovskite compound can be recovered by solid-liquid separation of the obtained dispersion liquid containing the perovskite compound.
  • the solid-liquid separation method include the method described in the first manufacturing method.
  • the above-mentioned production method preferably includes the step of adding the above-mentioned surface modifier, because the particles of the perovskite compound obtained are easily and stably dispersed in the dispersion liquid.
  • the step of adding the surface modifier is preferably performed before the step of cooling.
  • the surface modifier may be added to the third solvent, or may be added to the solution containing at least one of the compound containing the component A, the compound containing the component B and the compound containing the component X. Good.
  • a step of removing coarse particles by a method such as centrifugation and filtration shown in the first manufacturing method is included.
  • the manufacturing method includes a step of obtaining the second solution, a step of mixing the first solution and the second solution to obtain a mixed solution, and a step of cooling the obtained mixed solution.
  • the compound containing the component A and the compound containing the component B are dissolved in a high temperature fourth solvent to obtain a first solution.
  • the fourth solvent includes a solvent capable of dissolving the compound containing the component A and the compound containing the component B.
  • examples of the fourth solvent include the above-mentioned third solvent.
  • the “high temperature” may be a temperature at which the compound containing the component A and the compound containing the component B are dissolved.
  • the temperature of the high-temperature fourth solvent is preferably 60 to 600 ° C, more preferably 80 to 400 ° C.
  • the compound containing the component X and the compound containing the component B are dissolved in a fifth solvent to obtain a second solution.
  • Examples of the fifth solvent include a solvent capable of dissolving the compound containing the component X.
  • examples of the fifth solvent include the above-mentioned third solvent.
  • the first solution and the second solution obtained are mixed to obtain a mixed solution.
  • mixing the first solution and the second solution one may be dropped on the other. Further, it is advisable to mix the first solution and the second solution while stirring.
  • the cooling temperature is preferably ⁇ 20 to 50 ° C., more preferably ⁇ 10 to 30 ° C.
  • the cooling rate is preferably 0.1 to 1500 ° C./min, more preferably 10 to 150 ° C./min.
  • the perovskite compound By cooling the mixed solution, the perovskite compound can be precipitated due to the difference in solubility due to the difference in temperature of the mixed solution. As a result, a dispersion liquid containing the perovskite compound is obtained.
  • the perovskite compound can be recovered by solid-liquid separation of the obtained dispersion liquid containing the perovskite compound.
  • the solid-liquid separation method include the method described in the first manufacturing method.
  • the above-mentioned production method preferably includes the step of adding the above-mentioned surface modifier, because the particles of the perovskite compound obtained are easily and stably dispersed in the dispersion liquid.
  • the step of adding the surface modifier is preferably performed before the step of cooling.
  • the surface modifier may be added to any of the fourth solvent, the fifth solvent, the first solution, the second solution and the mixed solution.
  • a step of removing coarse particles by a method such as centrifugation and filtration shown in the first manufacturing method is included.
  • (1) Method for producing luminescent particles having (2) modified body group on the surface of semiconductor particle (1) Particle having (2) modified body group on surface of semiconductor particle is (1) semiconductor particle And (2B) raw material compound are mixed, and then, (2B) raw material compound is modified.
  • the starting compound (2B) is represented by silazane, a compound represented by the formula (C1), a compound represented by the formula (C2), a compound represented by the formula (A5-51), and a formula (A5-52).
  • the modified body group (2) includes a step of mixing the mixture of (1) semiconductor particles and (3) solvent with (2B) raw material compound to prepare a mixed solution, and subjecting the resulting mixture to a modification treatment. It is obtained by doing.
  • the temperature for preparing the mixed solution is preferably in the range of 0 ° C. to 100 ° C., and more preferably in the range of 10 ° C. to 80 ° C. because the mixed liquid is easily mixed uniformly.
  • modification treatment method examples include known methods such as (2B) a method of irradiating the raw material compound with ultraviolet rays and (2B) a method of reacting the raw material compound with steam.
  • the treatment (2B) of reacting the raw material compound with steam may be referred to as “humidification treatment”.
  • the wavelength of ultraviolet rays used in the method of irradiating ultraviolet rays is usually 10 to 400 nm, preferably 10 to 350 nm, more preferably 100 to 180 nm.
  • Examples of the light source for generating ultraviolet rays include metal halide lamps, high pressure mercury lamps, low pressure mercury lamps, xenon arc lamps, carbon arc lamps, excimer lamps, and UV laser light.
  • the above-mentioned mixture may be allowed to stand for a certain period of time under the humidity condition described later, or may be stirred. During the humidification treatment, it is preferable to stir the mixed liquid.
  • the temperature in the humidification treatment may be a temperature at which reforming progresses sufficiently.
  • the temperature in the humidifying treatment is, for example, preferably 5 to 150 ° C., more preferably 10 to 100 ° C., and further preferably 15 to 80 ° C.
  • the humidity in the humidification treatment may be such that the water content is sufficiently supplied to the raw material compound (2B) used.
  • the humidity in the humidifying treatment is, for example, preferably 30% to 100%, more preferably 40% to 95%, and further preferably 60% to 90%.
  • the above temperature means the relative humidity at the temperature at which the humidifying process is performed.
  • the time required for the humidification treatment may be any time that allows the reforming to proceed sufficiently.
  • the time required for the humidification treatment is, for example, preferably 10 minutes or more and 1 week or less, more preferably 1 hour or more and 5 days or less, and further preferably 2 hours or more and 3 days or less.
  • a humidification treatment as a method for the modification treatment because (1) it is easy to form a strong protective region in the vicinity of the semiconductor particles.
  • Supply of water in the humidification treatment may be carried out by circulating a gas containing water vapor in the reaction container, or by stirring in an atmosphere containing water vapor, water may be supplied from the interface.
  • the flow rate of the gas containing water vapor is preferably 0.01 L / min or more and 100 L / min or less, and 0.1 L / min. Minutes or more and 10 L / min or less are more preferable, 0.15 L / min or more and 5 L / min or less are still more preferable.
  • the gas containing steam include nitrogen containing a saturated amount of steam.
  • the total amount of the (2B) raw material compound used is 1.1 parts by mass to 10 parts by mass, and the temperature is 60 ° C. Obtained at 120 ° C.
  • the production of (1) semiconductor particles by the above-mentioned method is carried out in a state of mixing the raw material compound (2B), and the obtained dispersion liquid containing semiconductor particles (1) is subjected to a modification treatment. May be given.
  • a step of adding a surface modifier may be included.
  • the raw material compound is mixed with the reaction liquid prior to the step of mixing the solution and the second solvent (first manufacturing method) or the step of cooling (second manufacturing method, third manufacturing method). It is good to do it.
  • a dispersion liquid containing (2B) raw material compound and (1) semiconductor particles is obtained.
  • Luminescent particles may be obtained by subjecting the obtained dispersion liquid to a modification treatment.
  • the ratio ((S1) / (S2)) of the area (S1) of the semiconductor particles (1) on the surface of the luminescent particles to the area (S2) of the modified body group (2) is specified as above.
  • the amount can be controlled by adjusting the addition amount of each of (1) semiconductor particles and (2B) raw material compound, and adjusting the temperature in the humidification treatment at 60 ° C to 120 ° C.
  • composition obtained by the method 1 for producing a composition is referred to as a “liquid composition”.
  • the liquid composition of the present embodiment can be produced by mixing the luminescent particles with one or both of (3) solvent and (4) polymerizable compound. Further, the dispersion liquid of the luminescent particles obtained when the luminescent particles are manufactured by the above-mentioned manufacturing method corresponds to the liquid composition in the present embodiment.
  • the temperature at the time of mixing is not particularly limited, but the luminescent particles are likely to be uniformly mixed, so that the range is 0 ° C to 100 ° C. It is more preferably in the range of 10 ° C to 80 ° C.
  • Production method (c1) (4) a step of dispersing (1) semiconductor particles in a polymerizable compound to obtain a dispersion, a step of mixing the obtained dispersion and (2B) a raw material compound, and a modification treatment. And a manufacturing method including a step of applying.
  • Manufacturing method (c3) a manufacturing method including (4) a step of dispersing (1) semiconductor particles and (2B) a raw material compound in a polymerizable compound to obtain a dispersion, and a step of performing a modification treatment.
  • the polymerizable compound (4) is added to either (1) semiconductor particles or (2B) raw material compound, or Either or both of (1) semiconductor particles and (2B) raw material compound may be dropped into (4) polymerizable compound.
  • (1) semiconductor particles or (2B) raw material compound may be added dropwise to the dispersion, or the dispersion may be (1). It may be added dropwise to the semiconductor particles or the raw material compound (2B). Since it is easy to uniformly disperse, it is preferable to add (1) semiconductor particles or (2B) raw material compound to the dispersion.
  • the (4-1) polymer may be dissolved in the (4) polymerizable compound. Further, in the production methods (c1) to (c3), the (4-1) polymer dissolved in a solvent may be used instead of the (4) polymerizable compound.
  • the solvent for dissolving the (4-1) polymer is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving the (4-1) polymer.
  • the solvent is preferably (1) a solvent in which the semiconductor particles are difficult to dissolve.
  • Examples of the solvent in which the polymer (4-1) is dissolved include the same solvents as the above-mentioned third solvent.
  • the second solvent is preferable because it has low polarity and (1) it is considered that it is difficult to dissolve the semiconductor particles.
  • halogenated hydrocarbons and hydrocarbons are more preferable.
  • the method for producing the liquid composition of the present embodiment may be the following production method (c4).
  • Production method (c4) (1) a step of dispersing semiconductor particles in a solvent (3) to obtain a dispersion, a step of mixing the dispersion and (4) a polymerizable compound to obtain a mixed solution, and a mixed solution ( 2B)
  • a manufacturing method including a step of mixing a raw material compound and a step of performing a modification treatment.
  • the method for producing the composition of the present embodiment includes (1) a step of mixing semiconductor particles, (2B) a raw material compound, and (4) a polymerizable compound, a step of applying a modification treatment, and (4) There can be mentioned a production method including a step of polymerizing the polymerizable compound.
  • the method for producing the composition of the present embodiment includes the steps of (1) mixing semiconductor particles, (2B) a raw material compound, and (3) a polymer (4-1) dissolved in a solvent. Also, a manufacturing method including a step of performing a modification treatment and (3) a step of removing the solvent can be mentioned.
  • the same mixing method as the above-described manufacturing method of the composition can be used.
  • Examples of the method for producing the composition include the following production methods (d1) to (d6).
  • Manufacturing method (d1) (4) a step of dispersing semiconductor particles in a polymerizable compound to obtain a dispersion, the obtained dispersion, (2A) a raw material compound and a surface modifier are mixed.
  • Production method (d2) a step of dispersing (1) semiconductor particles in a solvent (3) in which a polymer (4-1) is dissolved to obtain a dispersion, the obtained dispersion, and (2B) a raw material
  • a production method comprising: a step of mixing a compound and a surface modifier; a step of performing a modification treatment; and (3) a step of removing a solvent.
  • Production method (d3) a step of dispersing a raw material compound (2B) and a surface modifier in (4) a polymerizable compound to obtain a dispersion, and the obtained dispersion and (1) semiconductor particles are mixed.
  • a manufacturing method including a step, a step of performing a modification treatment, and a step (4) of polymerizing a polymerizable compound.
  • Production method (d4) a step of dispersing the raw material compound (2B) and the surface modifier in the solvent (3) in which the polymer (4-1) is dissolved to obtain a dispersion, and the obtained dispersion. , (1) a step of mixing with semiconductor particles, a step of performing a modification treatment, and (3) a step of removing the solvent, a manufacturing method.
  • Production method (d5) (4) a step of dispersing a mixture of (1) semiconductor particles, (2B) a raw material compound and a surface modifier in a polymerizable compound, a step of applying a modification treatment, and (4) polymerization And a step of polymerizing the volatile compound.
  • the step of removing the solvent (3) included in the production methods (d2), (d4), and (d6) may be a step of allowing to stand at room temperature and naturally drying, or using a vacuum dryer. It may be a step (3) of evaporating the solvent by drying under reduced pressure or heating.
  • the solvent (3) can be removed by drying at 0 to 300 ° C. for 1 minute to 7 days, for example.
  • the step (4) of polymerizing the polymerizable compound, which is included in the production methods (d1), (d3) and (d5), can be carried out by appropriately using a known polymerization reaction such as radical polymerization.
  • radical polymerization a radical polymerization initiator is added to a mixture of (1) semiconductor particles, a layer containing the compound represented by (2), and (4) a polymerizable compound to generate radicals. This allows the polymerization reaction to proceed.
  • the radical polymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include a photo radical polymerization initiator.
  • photo-radical polymerization initiator examples include bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide.
  • Production method (d7) A production method including a step of melt-kneading the luminescent particles and the (4-1) polymer.
  • a mixture of the luminescent particles and the (4-1) polymer may be melt-kneaded, or the luminescent particles may be added to the melted (4-1) polymer.
  • the solid content concentration (mass%) of the amount of the luminescent semiconductor particles contained in the composition of the present invention was calculated by the dry mass method.
  • the quantum yield of the luminescent particles of the present invention is measured using an absolute PL quantum yield measuring device (for example, C9920-02 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) under excitation light of 450 nm, room temperature, and the atmosphere.
  • an absolute PL quantum yield measuring device for example, C9920-02 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.
  • a composition containing luminescent particles adjust with toluene so that the solid content concentration of the perovskite compound contained in the composition is 230 ppm ( ⁇ g / g), and measure.
  • the composition of the present invention is applied onto a glass substrate of 1 cm ⁇ 1 cm, dried, and placed in a constant temperature and constant humidity chamber kept at a temperature of 65 ° C. and 95% humidity to perform a durability test against water vapor.
  • the quantum yield is measured before and after the test, and the value of (quantum yield after durability test against steam for 7 days) / (quantum yield before durability test against steam) is calculated as an index of durability against steam. To do.
  • the composition of the present embodiment the durability after 7 days durability test against water vapor measured by the above measurement method may be 0.2 or more, may be 0.25 or more, It may be 0.74 or more.
  • the composition of the present embodiment preferably has a thermal durability of 0.2 or more and 1.0 or less after a 7-day thermal durability test measured by the above-described measuring method, and 0.25 or more and 1. It is more preferably 0 or less, and further preferably 0.74 or more and 1.0 or less.
  • the film according to the present invention contains the luminescent particles of the present embodiment.
  • the film according to this embodiment uses the above-mentioned composition as a forming material.
  • the film according to this embodiment contains particles and the (4-1) polymer, and the total amount of the luminescent particles and the (4-1) polymer is 90% by mass or more based on the total mass of the film.
  • the shape of the film is not particularly limited and may be any shape such as a sheet shape or a bar shape.
  • the “bar-like shape” means, for example, a band-like shape in plan view extending in one direction. Examples of the band-like shape in plan view include a plate-like shape in which each side has a different length.
  • the thickness of the film may be 0.01 ⁇ m to 1000 mm, 0.1 ⁇ m to 10 mm, or 1 ⁇ m to 1 mm.
  • the thickness of the film refers to the front surface and the back surface in the thickness direction of the film when the side having the smallest value among the length, width and height of the film is defined as the “thickness direction”. Refers to the distance between. Specifically, the thickness of the film is measured at any three points on the film using a micrometer, and the average value of the measured values at the three points is taken as the film thickness.
  • the film may be a single layer or multiple layers.
  • the compositions of the same type of embodiments may be used for each layer, or the compositions of different types of embodiments may be used for each layer.
  • the film formed on the substrate can be obtained by the method for manufacturing a laminated structure described below. Further, the film can be obtained by peeling it from the substrate.
  • the laminated structure according to the present embodiment has a plurality of layers, and at least one layer is the above-mentioned film.
  • examples of layers other than the above-mentioned films include arbitrary layers such as a substrate, a barrier layer, and a light scattering layer.
  • the shape of the laminated film is not particularly limited, and may be any shape such as a sheet shape and a bar shape.
  • the substrate is not particularly limited, but may be a film.
  • the substrate is preferably light transmissive.
  • a laminated structure including a light-transmitting substrate is preferable because light emitted from the light-emitting particles can be extracted easily.
  • a material for forming the substrate for example, a polymer such as polyethylene terephthalate or a known material such as glass can be used.
  • a polymer such as polyethylene terephthalate or a known material such as glass can be used.
  • the above-mentioned film may be provided on the substrate.
  • FIG. 1 is a sectional view schematically showing the configuration of the laminated structure of this embodiment.
  • the film 10 of the present embodiment is provided between the first substrate 20 and the second substrate 21.
  • the film 10 is sealed by the sealing layer 22.
  • One aspect of the present invention is a first substrate 20, a second substrate 21, a film 10 according to the present embodiment located between the first substrate 20 and the second substrate 21, and a sealing.
  • a laminated structure having a layer 22 and the encapsulating layer 22 is disposed on a surface of the film 10 which is not in contact with the first substrate 20 and the second substrate 21. It is the structure 1a.
  • the layer that the laminated structure according to the present embodiment may have is not particularly limited, and examples thereof include a barrier layer.
  • a barrier layer may be included from the viewpoint of protecting the above-mentioned composition from water vapor in the outside air and air in the atmosphere.
  • the barrier layer is not particularly limited, but is preferably transparent from the viewpoint of extracting emitted light.
  • a polymer such as polyethylene terephthalate or a known barrier layer such as a glass film can be used.
  • the layer that the laminated structure according to the present embodiment may have is not particularly limited, and examples thereof include a light scattering layer. From the viewpoint of effectively utilizing the incident light, a light scattering layer may be included.
  • the light scattering layer is not particularly limited, but is preferably transparent from the viewpoint of extracting emitted light.
  • As the light scattering layer light scattering particles such as silica particles, or a known light scattering layer such as an amplification diffusion film can be used.
  • the light emitting device according to the present invention can be obtained by combining the composition of the embodiment of the present invention or the laminated structure with a light source.
  • the light-emitting device is a device which emits light by irradiating the composition or the laminated structure provided in the latter stage with light emitted from a light source to emit the light.
  • the layers other than the above-mentioned film, substrate, barrier layer, and light scattering layer include a light reflection member, a brightness enhancement section, a prism sheet, a light guide plate, and between elements. It may be any layer such as a medium material layer.
  • One aspect of the present invention is a light emitting device 2 in which a prism sheet 50, a light guide plate 60, the first laminated structure 1a, and a light source 30 are laminated in this order.
  • the light source constituting the light emitting device according to the present invention is not particularly limited, but a light source having an emission wavelength of 600 nm or less is preferable from the viewpoint of causing the above-mentioned composition or the semiconductor particles in the laminated structure to emit light.
  • a known light source such as a light emitting diode (LED) such as a blue light emitting diode, a laser, or an EL can be used.
  • the layer that may be included in the laminated structure that constitutes the light emitting device according to the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a light reflecting member. From the viewpoint of irradiating the light from the light source toward the composition or the laminated structure, a light reflecting member may be included.
  • the light reflection member is not particularly limited, but may be a reflection film.
  • the reflecting film for example, a known reflecting film such as a reflecting mirror, a film of reflecting particles, a reflecting metal film or a reflector can be used.
  • the layer that may be included in the laminated structure that constitutes the light-emitting device according to the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a brightness enhancement section.
  • a brightness enhancement section may be included from the viewpoint of reflecting a part of the light back toward the direction in which the light is transmitted.
  • the layer that may be included in the laminated structure constituting the light emitting device according to the present invention is not particularly limited, but a prism sheet can be used.
  • the prism sheet typically has a base material portion and a prism portion.
  • the base material portion may be omitted depending on the adjacent member.
  • the prism sheet can be attached to an adjacent member via any appropriate adhesive layer (for example, an adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer).
  • the prism sheet is configured by arranging a plurality of convex unit prisms in parallel on the side opposite to the viewing side (back side). By arranging the convex portion of the prism sheet so as to face the back surface side, it becomes easy to collect light that passes through the prism sheet.
  • the convex portion of the prism sheet is arranged facing the back side, compared to the case where the convex portion is arranged facing the viewing side, less light is reflected without entering the prism sheet, and a display with high brightness is displayed. Can be obtained.
  • the layer that may be included in the laminated structure that constitutes the light emitting device according to the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a light guide plate.
  • a light guide plate for example, a light guide plate having a lens pattern formed on the back side and a prism shape or the like formed on the back side and / or the viewing side so that light from the lateral direction can be deflected in the thickness direction.
  • Any suitable light guide plate can be used, such as a light guide plate.
  • the layer that may be included in the laminated structure that constitutes the light emitting device according to the present invention is not particularly limited, but a layer formed of one or more medium materials (on the optical path between adjacent elements (layers) ( Media material layers between elements).
  • the one or more media contained in the media material layer between the elements include, but are not limited to, vacuum, air, gas, optical material, adhesive, optical adhesive, glass, polymer, solid, liquid, gel, cured.
  • the light emitting device includes those provided with a wavelength conversion material for EL displays and liquid crystal displays.
  • a wavelength conversion material for EL displays and liquid crystal displays.
  • the composition of the present invention is put in a glass tube or the like and sealed, and this is arranged along the end face (side face) of the light guide plate between the blue light emitting diode which is the light source and the light guide plate, A backlight that converts blue light into green light or red light (on-edge backlight),
  • E2 The composition of the present invention is formed into a sheet, and a film obtained by sandwiching the composition with two barrier films and sealing is placed on the light guide plate to emit blue light emitted on the end surface (side surface) of the light guide plate.
  • a backlight that converts blue light emitted from the diode through the light guide plate to the sheet into green light or red light surface mount backlight
  • the composition of the embodiment of the present invention is molded and placed in the subsequent stage of a blue light emitting diode that is a light source to convert blue light into green light or red light. Illumination that emits white light.
  • the display 3 of this embodiment includes a liquid crystal panel 40 and the above-described light emitting device 2 in this order from the viewing side.
  • the light emitting device 2 includes a second stacked structure body 1b and a light source 30.
  • the above-mentioned first laminated structure 1a further includes a prism sheet 50 and a light guide plate 60.
  • the display may further comprise any suitable other member.
  • One aspect of the present invention is a liquid crystal display 3 in which a liquid crystal panel 40, a prism sheet 50, a light guide plate 60, the first laminated structure 1a, and a light source 30 are laminated in this order.
  • the liquid crystal panel typically includes a liquid crystal cell, a viewing side polarizing plate arranged on the viewing side of the liquid crystal cell, and a back side polarizing plate arranged on the back side of the liquid crystal cell.
  • the viewing-side polarizing plate and the back-side polarizing plate may be arranged such that their absorption axes are substantially orthogonal or parallel.
  • the liquid crystal cell has a pair of substrates and a liquid crystal layer as a display medium sandwiched between the substrates.
  • one substrate is provided with a color filter and a black matrix
  • the other substrate is provided with a switching element for controlling electro-optical characteristics of liquid crystal and a scanning line for giving a gate signal to this switching element.
  • a signal line for supplying a source signal, a pixel electrode, and a counter electrode.
  • the distance (cell gap) between the substrates can be controlled by a spacer or the like.
  • An alignment film made of polyimide, for example, can be provided on the side of the substrate that is in contact with the liquid crystal layer.
  • the polarizing plate typically has a polarizer and protective layers disposed on both sides of the polarizer.
  • the polarizer is typically an absorption-type polarizer. Any appropriate polarizer is used as the above-mentioned polarizer.
  • a dichroic substance such as iodine or a dichroic dye is adsorbed on a hydrophilic polymer film such as a polyvinyl alcohol film, a partially formalized polyvinyl alcohol film, or an ethylene / vinyl acetate copolymer partially saponified film.
  • Uniaxially stretched film, polyene oriented film such as polyvinyl alcohol dehydrated product, polyvinyl chloride dehydrochlorinated product and the like.
  • a polarizer obtained by uniaxially stretching a polyvinyl alcohol film by adsorbing a dichroic substance such as iodine has a high polarization dichroic ratio, and is particularly preferable.
  • composition of the present invention includes, for example, wavelength conversion materials for light emitting diodes (LEDs).
  • LEDs light emitting diodes
  • the composition of the present invention can be used, for example, as a material for a light emitting layer of an LED.
  • an LED including the composition of the present invention for example, the composition of the present invention and conductive particles such as ZnS are mixed and laminated in a film shape, an n-type transport layer is laminated on one surface, and a p-type is formed on the other surface. It has a structure in which a transport layer is laminated, and when a current is passed, holes of a p-type semiconductor and electrons of an n-type semiconductor cancel out charges in the luminescent particles contained in the composition of the junction surface to emit light. There is a method of doing.
  • the composition of the present invention can be used as an electron transporting material contained in the active layer of a solar cell.
  • the structure of the solar cell is not particularly limited, but examples thereof include a fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate, a titanium oxide dense layer, a porous aluminum oxide layer, an active layer containing the composition of the present invention, 2, 2 It has a hole transport layer such as', 7,7'-tetrakis (N, N'-di-p-methoxyphenylamine) -9,9'-spirobifluorene (Spiro-MeOTAD) and a silver (Ag) electrode in this order.
  • FTO fluorine-doped tin oxide
  • Ti titanium oxide dense layer
  • a porous aluminum oxide layer an active layer containing the composition of the present invention
  • an active layer containing the composition of the present invention 2, 2 It has a hole transport layer such as', 7,7'-tetrakis (N, N'-di-p-
  • the titanium oxide dense layer has a function of electron transport, an effect of suppressing roughness of FTO, and a function of suppressing reverse electron transfer.
  • the porous aluminum oxide layer has a function of improving light absorption efficiency.
  • the composition of the present invention contained in the active layer has the functions of charge separation and electron transport.
  • Examples of the film production method include the following production methods (e1) to (e3).
  • Manufacturing method (e1) A method for manufacturing a film, which comprises a step of applying a composition to obtain a coating film, and a step of (3) removing a solvent from the coating film.
  • Production method (e3) A method for producing a film by molding the composition obtained by the above-mentioned production methods (d1) to (d6).
  • Examples of the method for manufacturing the laminated structure include the following manufacturing methods (f1) to (f3).
  • Manufacturing method (f1) a laminated structure including a step of manufacturing a composition, a step of coating the obtained composition on a substrate, and a step of (3) removing a solvent from the obtained coating film Manufacturing method.
  • Manufacturing method (f2) A manufacturing method of a laminated structure including a step of attaching a film to a substrate.
  • Production method (f3) (4) a step of producing a composition containing a polymerizable compound, a step of applying the obtained composition on a substrate, and a step (4) polymerizable included in the obtained coating film And a step of polymerizing the compound.
  • the above-mentioned manufacturing methods (c1) to (c4) can be adopted for the step of manufacturing the composition in the manufacturing methods (f1) and (f3).
  • the step of applying the composition in the production methods (f1) and (f3) on the substrate is not particularly limited, but is a gravure coating method, a bar coating method, a printing method, a spray method, a spin coating method, a dip method, a die coating method.
  • Known coating and coating methods such as a method can be used.
  • the step of removing the solvent (3) in the production method (f1) may be the same step as the step of removing the solvent (3) included in the production methods (d2), (d4), and (d6) described above. it can.
  • the step of polymerizing the (4) polymerizable compound in the production method (f3) is the same step as the step of polymerizing the (4) polymerizable compound contained in the above-mentioned production methods (d1), (d3), and (d5).
  • any adhesive can be used.
  • the adhesive is not particularly limited as long as it does not dissolve the luminescent particles, and a known adhesive can be used.
  • the method for producing a laminated structure may further include a step of laminating an arbitrary film on the obtained laminated structure.
  • a reflection film or a diffusion film can be mentioned.
  • Arbitrary adhesives can be used in the process of laminating the films.
  • the above-mentioned adhesive is not particularly limited as long as it does not dissolve the luminescent particles, and known adhesives can be used.
  • ⁇ Method of manufacturing light emitting device> For example, a manufacturing method including the above-mentioned light source and the step of installing the above-mentioned composition or laminated structure on the optical path downstream from the light source can be mentioned.
  • the composition of the present invention is a part of a living body such as an image detection unit (image sensor) for a solid-state imaging device such as an X-ray imaging device and a CMOS image sensor, a fingerprint detection unit, a face detection unit, a vein detection unit and an iris detection unit. It can be used as a photoelectric conversion element (photodetection element) material included in a detection section that detects a predetermined characteristic of the above, or a detection section of an optical biosensor such as a pulse oximeter.
  • TEM transmission electron microscope
  • the area of the region where (1) the luminescent semiconductor particles exist and (2) the region where the modified body group exists are calculated using image analysis software.
  • the ratio of the area of the luminescent semiconductor particles to the area of the modified body group was calculated using the following formula, and the average value of the values measured by observing 10 or more visual fields was used.
  • Area ratio (S1) / (S2)
  • Example 1 ((1) Production of semiconductor particles) After mixing 25 mL of oleylamine and 200 mL of ethanol, 17.12 mL of hydrobromic acid concentrated solution (48%) was added with stirring while cooling with ice, and then dried under reduced pressure to obtain a precipitate. The precipitate was washed with diethyl ether and then dried under reduced pressure to obtain oleyl ammonium bromide.
  • a solution obtained by mixing 200 mL of the above dispersion liquid 1 with 100 mL of toluene and 50 mL of acetonitrile was subjected to solid-liquid separation by filtration. Then, the solid content on the filtration was washed by allowing a mixed solution of 100 mL of toluene and 50 mL of acetonitrile to flow twice. Thereby, semiconductor particles 1 were obtained.
  • the obtained semiconductor particles 1 were dispersed with toluene to obtain a dispersion liquid 2.
  • XRD, CuK ⁇ ray, X'pert PRO MPD, manufactured by Spectris Co., Ltd. was used.
  • the concentration of the luminescent particles 1 with respect to the total mass of the composition 1 was 0.69% by mass.
  • 100 ⁇ L of the above composition 1 was applied on a glass substrate of 1 cm ⁇ 1 cm and evaporated by natural drying to obtain a film-shaped composition, and then a durability test against water vapor was performed.
  • the value of (quantum yield after 7 days of durability test against steam) / (quantum yield before durability test against steam) was 0.75.
  • the composition 1 was cast on a grid with an indicator film for TEM and naturally dried, and then a cast film 1 containing the obtained luminescent particles 1 was obtained.
  • a TEM image was obtained using the obtained cast film 1 as an observation sample.
  • the area ratio of (S1) / (S2) was calculated by the above method using the obtained TEM image, it was 0.074.
  • Example 2 A composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment temperature in the manufacturing process of semiconductor particles was 100 ° C.
  • the area ratio of (S1) / (S2) calculated by the above method was 0.154.
  • the value of (quantum yield after 7 days of durability test against steam) / (quantum yield before durability test against steam) was 0.28.
  • Example 3 A composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of organosilazane charged during the reaction in the production process of the luminescent particles was changed to 4.9 parts by mass.
  • the area ratio of (S1) / (S2) calculated by the above method was 0.135.
  • the value of (quantum yield after 7 days of water vapor durability test) / (quantum yield before water vapor durability test) was 0.73.
  • Example 1 A composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of organosilazane charged during the reaction in the production process of the luminescent particles was 1 part by mass.
  • the area ratio of (S1) / (S2) calculated by the above method was 0.696.
  • the quantum yield before the durability test against water vapor was 69.4%, and the quantum yield after 7 days of the durability test against water vapor was 11.8%.
  • the value of (quantum yield after 7 days of durability test against water vapor) / (quantum yield before durability test against water vapor) was 0.17.
  • compositions according to Examples 1 to 3 to which the present invention is applied have excellent durability against water vapor as compared with the composition of Comparative Example 1 to which the present invention is not applied. did it.
  • a resin composition can be obtained by forming the composition described in Examples 1 to 3 into a sheet, and a film obtained by sandwiching the composition with two barrier films and placing the film on the light guide plate is used.
  • a backlight capable of converting blue light emitted from a blue light emitting diode placed on an end surface (side surface) of the light guide plate to the sheet through the light guide plate into green light or red light is manufactured.
  • the wavelength conversion material can be obtained by mixing the composition described in Examples 1 to 3 and the resist and then removing the solvent. By arranging the obtained wavelength conversion material between the blue light emitting diode which is the light source and the light guide plate or in the subsequent stage of the OLED which is the light source, a backlight capable of converting the blue light of the light source into green light or red light is provided. To manufacture.
  • a titanium oxide dense layer is laminated on the surface of a fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate, a porous aluminum oxide layer is laminated thereon, and the composition described in Examples 1 to 3 is laminated thereon.
  • hole transport such as 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (N, N′-di-p-methoxyphenylamine) -9,9′-spirobifluorene (Spiro-OMeTAD) is carried out from above.
  • a layer is laminated
  • the composition of this embodiment can be obtained by removing the solvent of the composition described in Examples 1 to 3 and molding.
  • a photoelectric conversion element (photodetection element) material used for a detection unit that detects light is manufactured.
  • the photoelectric conversion element material is used for a part of a living body such as an image detection part (image sensor) for a solid-state imaging device such as an X-ray imaging device and a CMOS image sensor, a fingerprint detection part, a face detection part, a vein detection part and an iris detection part. It is used in optical biosensors such as pulse oximeters that detect specific characteristics.
  • a composition containing luminescent particles having high durability against water vapor a method for producing the composition, a film comprising the composition, a laminated structure containing the composition, and the composition are provided. It is possible to provide the used display. Therefore, the composition of the present invention, the film composed of the composition, the laminated structure containing the composition, and the display using the composition can be suitably used for light emitting applications.

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Abstract

（１）成分と（２）成分とを含む粒子であり、　（１）成分の表面に（２）成分が存在し、　前記粒子の表面に占める（１）成分の面積をＳ１とし、前記粒子の表面に占める（２）成分の面積をＳ２としたときの面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））が、０．０１以上０．５以下である、粒子。　（１）成分：発光性の半導体粒子。　（２）成分：シラザン改質体。

Description

粒子、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
　　本発明は、粒子、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイに関する。
　近年、発光材料として、高い量子収率を有する発光性の半導体粒子に対する関心が高まっている。例えば、非特許文献１には、３－アミノプロピルトリエトキシシランで被覆されているペロブスカイト化合物が報告されている。
Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　２０１６，　２８，　ｐ．１００８８－１００９４
　しかしながら、非特許文献１に記載されたペロブスカイト化合物を含む組成物は、水蒸気に対する耐久性を高める観点から、改良の余地があった。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、水蒸気に対する耐久性が高い、粒子、前記粒子を用いた組成物、前記粒子を含むフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。
　本発明は下記の［１］～［９］を包含する。
［１］（１）成分と（２）成分とを含む粒子であり、
　（１）成分の表面に（２）成分が存在し、
　前記粒子の表面に占める（１）成分の面積をＳ１とし、前記粒子の表面に占める（２）成分の面積をＳ２としたときの面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））が、０．０１以上０．５以下である、粒子。
　（１）成分：発光性の半導体粒子。
　（２）成分：シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物の改質体及びケイ酸ナトリウム改質体からなる群より選択される１種以上の化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （式（Ｃ１）中、Ｙ５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
　Ｙ５が酸素原子の場合、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
　Ｙ５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ３０は炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ３１は水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
　式（Ｃ２）中、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
　式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
　Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
　ａは１～３の整数である。
　ａが２又は３のとき、複数存在するＹ５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　ａが１又は２のとき、複数存在するＲ３１は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 （式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）中、ＡＣは２価の炭化水素基であり、Ｙ１５は酸素原子又は硫黄原子である。
　Ｒ１２２及びＲ１２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２４は、炭素原子数１～２０のアルキル基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２５及びＲ１２６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表す。
　Ｒ１２２～Ｒ１２６で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。）
［２］（１）成分の表面の少なくとも一部を覆う表面修飾剤層を有し、前記表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）～（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）～（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする［１］に記載の粒子。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 （式（Ｘ１）中、Ｒ１８～Ｒ２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ－はカウンターアニオンを表す。
　式（Ｘ２）中、Ａ１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２２は、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
　式（Ｘ３）中、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
　式（Ｘ４）中、Ａ４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２５は、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
　式（Ｘ５）中、Ａ５～Ａ７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２６～Ｒ２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は炭素原子数２～２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
　式（Ｘ６）中、Ａ８～Ａ１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２９～Ｒ３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は炭素原子数２～２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
　Ｒ１８～Ｒ３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）
［３］（１）成分がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物である、［１］又は［２］に記載の粒子。
　（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
［４］前記表面被覆層は、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする［２］又は［３］に記載の粒子。
［５］［１］～［４］のいずれか１つに記載の粒子と、（３）成分、（４）成分、及び（４－１）成分からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む組成物。
　（３）成分：溶媒
　（４）成分：重合性化合物
　（４－１）成分：重合体
［６］［１］～［４］のいずれか１つに記載の粒子を含むフィルム。
［７］［６］に記載のフィルムを含む積層構造体。
［８］［７］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［９］［７］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
　本発明によれば、水蒸気に対する耐久性が高い、粒子、前記粒子を用いた組成物、前記粒子を含むフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することができる。
本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。 二値化処理の一例を説明するための模式図である。 二値化処理の一例を説明するための模式図である。
　以下、実施形態を示して本発明を詳細に説明する。
＜粒子＞
　本実施形態の粒子は、発光性を有する。「発光性」とは、光を発する性質を指す。
　発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ～８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ～７５０ｎｍであってもよく、３００ｎｍ～７００ｎｍであってもよい。
　以下の説明においては、本実施形態に係る粒子と、粒子を構成する（１）成分である発光性の半導体粒子とを文言上分けるため、本実施形態に係る粒子を「発光性粒子」と称する。また、以下において、（１）成分を「（１）半導体粒子」と記載することがあり、また、(２）成分を「（２）で表される化合物」又は「（２）改質体群」と記載することがある。
　本実施形態の粒子は、（１）半導体粒子及び（２）改質体群を含む。さらに、（１）半導体粒子の表面に（２）改質体群が存在している。「（１）半導体粒子の表面に（２）改質体群が存在する」とは、（２）改質体群が（１）半導体粒子に直接接して覆う形態、（２）改質体群が（１）半導体粒子の表面に形成された他の層の表面に直接接して形成された形態、（１）半導体粒子の表面に直接接することなく覆う形態を含む。
　本実施形態の発光性粒子は、表面処理剤に被覆された（１）半導体粒子をコアとして、シェル構造を形成することが好ましい。具体的には、（２）改質体群は（１）半導体粒子の表面に被覆している表面修飾剤の表面に被覆していることが好ましく、表面修飾剤が被覆していない（１）半導体粒子の表面に被覆していてもよい。
　なお、（２）改質体群が（１）半導体粒子の「表面」を覆うとは、（２）改質体群が（１）半導体粒子に直接接して覆うことの他、（２）改質体群が（１）半導体粒子の表面に形成された他の層の表面に直接接して形成され、（１）半導体粒子の表面に直接接することなく覆うことも含む。
　本実施形態の発光性粒子の形状は球状、歪んだ球状、碁石状、又はラグビーボール状など、特に制限は無い。発光性粒子の平均サイズに、特に制限は無いが、平均のフェレー径が０．１～３０μｍであり、０．１～１０μｍが好ましい。平均のフェレー径を算出する方法としては、例えば、透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう）、又は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう）を用いて観察した発光性粒子のＴＥＭ像又はＳＥＭ像において、発光性粒子を任意に２０個を観察し、その平均値を取る方法が挙げられる。
　なお、本明細書において「フェレー径」とは、ＴＥＭ画像又はＳＥＭ画像上において、発光性粒子の像を２本の平行線で挟んだときの平行線の間隔を意味する。
　平均のフェレー径を求める際には、複数の発光性粒子のフェレー径を測定する際の平行線を相互に平行とする。例えば、ＳＥＭ画像の視野が矩形である場合、矩形の視野において対向する二辺に平行な２本の平行線で、測定対象となる発光性粒子を挟んだときのフェレー径を求める。
　本実施形態の発光性粒子の表面を観察する方法としては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などを用いて観察する方法が挙げられる。さらに、ＳＥＭ又はＴＥＭを用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）測定（ＳＴＥＭ－ＥＤＸ測定）によって、詳細な元素分布を解析することができる。
　具体的には、発光性粒子を含む組成物をＴＥＭ専用の支持膜付きグリッドにキャストし、自然乾燥させて得られるキャスト膜の表面をＴＥＭ像で観察する。また、該ＴＥＭ像と同一の視野において、ＳＴＥＭ－ＥＤＸ測定を行い、元素マッピング像を得る。対象とする元素は、ケイ素又は（１）半導体粒子に含まれる一つの金属元素が挙げられる。（１）半導体粒子に含まれる一つの金属元素としては、例えば鉛が挙げられる。
　本実施形態の発光性粒子において、上記発光性粒子の表面を観察する方法により、（２）改質体群が（１）半導体粒子の「表面」を被覆している状態を観察することができる。
　発光性粒子表面を観察する方法としては、上述の方法により、元素マッピング像を得る工程と、ＳＥＭ像又はＴＥＭ像を得る工程と、第１の二値化工程と、第２の二値化工程とを備える方法が好ましい。
・第１の二値化工程
　まずは、図３に、二値化処理前のＴＥＭ像又はＳＥＭ像の模式図を示す。二値化前の段階では、発光性粒子の表面に存在する符号Ａで表す半導体粒子（黒色）と、符号Ｂで表す改質体群（白色）と、符号Ｃに示すようにＡ（黒色）であるか、Ｂ（白色）であるか明確に判断できない領域が存在する。
　ＴＥＭ像又はＳＥＭ像をコンピュータに取り込み、画像解析ソフトを用い、二値化処理を行う。
　ＳＴＥＭ－ＥＤＸ測定で得られた（１）半導体粒子に含まれる一つの金属元素の元素マッピング像と比較し、（１）半導体粒子に由来する成分が検出されている位置を黒色に変換できていることを確認する。元素マッピング像に合わせて、領域Ｃを白色又は黒色とする二値化処理を行う閾値の調整を行う。画像解析ソフトは、Ｉｍａｇｅ　ＪやＰｈｏｔｏｓｈｏｐ等を適宜選択することができる。
　例えば図４に示すように、元素マッピング像と照らし合わせ、Ａ１が（１）半導体粒子に由来する成分が検出されている位置と判断できれば黒色のＡ１（Ａ）となり、Ｂ１が（２）改質体群に由来する成分が検出されている位置と判断できれば白色のＢ１（Ｂ）とする。
　例えば、図４に示すように、領域Ｃを元素マッピング像に合わせて（１）半導体粒子に由来する成分を判断した場合には、領域Ｃが黒色のＡ１（Ｃ）となるように閾値の調整を行う。
・第２の二値化工程
　ＴＥＭ像又はＳＥＭ像をコンピュータに取り込んだ、ＴＥＭ像又はＳＥＭ像において、発光性粒子の表面に存在する（１）半導体粒子（白色）と、（２）改質体群（黒色）と、第１の二値化工程と同様に明確に黒と判断できない領域が存在する。
　このとき、ＳＴＥＭ－ＥＤＸ測定で得られたケイ素の元素マッピング像と比較し、（２）改質体群に由来する成分が検出されている位置を黒色に変換できていることを確認する。齟齬が見られた場合、例えば明確に黒と判断できない場合には、元素マッピング像に合わせて、二値化処理を行う閾値の調整を行う。
　前記二値化処理済み画像について、画像解析ソフトを用いて、（１）半導体粒子が存在する領域の面積と（２）で表される化合物が存在する領域の面積を算出する。ここで、（２）で表される化合物の内部に（１）半導体粒子が存在する場合は、（２）で表される化合物が存在する領域の面積から（１）半導体粒子が存在する領域の面積を引くことによって、（２）で表される化合物のみが存在する領域の面積を算出する。
　前記発光性粒子の表面に占める（１）半導体粒子の面積をＳ１とし、前記発光性粒子の表面に占める（２）改質体群の面積をＳ２としたときの面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））は、下記の方法により求める。
　上記記載の観察手法を用いて観察した画像中の（１）半導体粒子が存在する領域の面積を（Ｓ１）とする。（２）で表される化合物が存在する領域の面積を（Ｓ２）とする。このときの面積比を（Ｓ１）／（Ｓ２）とする。
　本発明の実施形態において、（Ｓ１）／（Ｓ２）は０．０１以上、０．５以下である。
　（Ｓ１）／（Ｓ２）は、発光性の半導体粒子の水蒸気に対する耐久性を向上させる観点から、好ましくは０．２０以下であり、より好ましくは０．１３以下であり、粒子の分散性の観点から、好ましくは０．０３以上、より好ましくは０．０５以上である。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
≪（１）成分≫
　（１）成分は、発光性を有する半導体粒子である。
　以下、（１）の発光性の半導体粒子について説明する。
　本実施形態の発光性粒子に含まれる半導体粒子としては、下記（ｉ）～（ｖｉｉｉ）を挙げることができる。
（ｉ）ＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｉｉ）ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｉｉｉ）ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｉｖ）ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｖ）ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｖｉ）ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｖｉｉ）遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体を含む半導体粒子
（ｖｉｉｉ）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体粒子
＜（ｉ）ＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
　ＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体としては、周期表の第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体と、周期表の第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体とを挙げることができる。
　なお、本明細書において、「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。
　以下の説明では、第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ－１）」、第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ－２）」と称することがある。
　化合物半導体（ｉ－１）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、又はＢａＴｅが挙げられる。
　また、化合物半導体（ｉ－１）としては、
（ｉ－１－１）第２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ－１－２）第２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ－１－３）第２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
　化合物半導体（ｉ－２）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、又はＨｇＴｅが挙げられる。
　また、化合物半導体（ｉ－２）としては、
（ｉ－２－１）第１２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（ｉ－２－２）第１２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（ｉ－２－３）第１２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
　ＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体は、第２族元素、第１２族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｉｉ）ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
　ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素と、第１５族元素とを含む。
　ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｚｎ３Ｐ２、Ｚｎ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｐ２、Ｃｄ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｎ２、又はＺｎ３Ｎ２が挙げられる。
　また、ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉ－１）第１２族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ－２）第１２族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ－３）第１２族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
　ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｉｉｉ）ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
　ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１５族元素とを含む。
　ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、又はＢＮが挙げられる。
　また、ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉｉ－１）第１３族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（ｉｉｉ－２）第１３族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（ｉｉｉ－３）第１３族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
　ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｉｖ）ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
　ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１４族元素とを含む。
　ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｂ４Ｃ３、Ａｌ４Ｃ３、Ｇａ４Ｃ３が挙げられる。
　また、ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体としては、
（ｉｖ－１）第１３族元素を１種類、第１４族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ－２）第１３族元素を２種類、第１４族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ－３）第１３族元素を２種類、第１４族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
　ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１４族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｖ）ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
　ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１６族元素とを含む。
　ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ａｌ２Ｓ３、Ａｌ２Ｓｅ３、Ａｌ２Ｔｅ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｔｅ３、ＧａＴｅ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、又はＩｎＴｅが挙げられる。
　また、ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖ－１）第１３族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ－２）第１３族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ－３）第１３族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
　ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｖｉ）ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
　ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素と、第１６族元素とを含む。
　ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、又はＳｎＴｅが挙げられる。
　また、ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖｉ－１）第１４族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ－２）第１４族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ－３）第１４族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
　ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｖｉｉ）遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体を含む半導体粒子＞
　遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体は、遷移金属元素と、ｐ－ブロック元素とを含む。「ｐ－ブロック元素」とは、周期表の第１３族から第１８族に属する元素である。
　遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＮｉＳ、ＣｒＳが挙げられる。
　また、遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体としては、
（ｖｉｉ－１）遷移金属元素を１種類、ｐ－ブロック元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉｉ－２）遷移金属元素を２種類、ｐ－ブロック元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉｉ－３）遷移金属元素を２種類、ｐ－ブロック元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
　遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体は、遷移金属元素、及びｐ－ブロック元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
　上述の三元系の化合物半導体や四元系の化合物半導体の具体例としては、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＣｕＩｎＳ２、又はＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。
　本実施形態の発光性粒子においては、上述の化合物半導体の中でも、第１２族元素であるＣｄを含む化合物半導体、及び第１３族元素であるＩｎを含む化合物半導体が好ましい。また、本実施形態の発光性粒子においては、上述の化合物半導体の中でも、ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体、及びＩｎとＰとを含む化合物半導体が好ましい。
　ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＣｄＳｅが特に好ましい。
　ＩｎとＰとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＩｎＰが特に好ましい。
　本実施形態においては、Ｃｄを含む半導体粒子又はＩｎを含む半導体粒子が好ましく、ＣｄＳｅ又はＩｎＰがより好ましい。
＜（ｖｉｉｉ）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体粒子＞
　ペロブスカイト構造を有する化合物半導体は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する。以下の説明においては、ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を、単に「ペロブスカイト化合物」と称することがある。
　Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。ＢはＸの八面体配位をとることができる金属カチオンである。
　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
　Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元（ｑｕａｓｉ－２Ｄ）構造のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
　３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される。
　２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される。
　ここで、δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、－０．７以上０．７以下である。例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、ペロブスカイト化合物が電気的に中性となるようにδを選択することができる。ペロブスカイト化合物が電気的に中性とは、ペロブスカイト化合物の電荷が０であることを意味する。
　ペロブスカイト化合物は、Ｂを中心とし、頂点をＸとする八面体を含む。八面体は、ＢＸ６で表される。
　ペロブスカイト化合物が３次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する１つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで、３次元ネットワークを構成する。
　ペロブスカイト化合物が２次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する２つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで八面体の稜線を共有し、２次元的に連なった層を構成する。ペロブスカイト化合物では、２次元的に連なったＢＸ６からなる層と、Ａからなる層と、が交互に積層された構造を有する。
　本明細書において、ペロブスカイト化合物の結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。
　ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１２～１８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される。又は２θ＝１８～２５°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認される。
　ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、２θ＝１３～１６°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される、又は２θ＝２０～２３°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認されることが好ましい。
　ペロブスカイト化合物が２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１～１０°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認される。また、２θ＝２～８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認されることが好ましい。
　ペロブスカイト化合物は、３次元構造を有することが好ましい。
（構成成分Ａ）
　ペロブスカイト化合物を構成するＡは、１価の陽イオンである。Ａとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。
（有機アンモニウムイオン）
　Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　式（Ａ３）中、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ６～Ｒ９は、少なくとも１つがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ６～Ｒ９の全てが同時に水素原子となることはない。
　Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。
　Ｒ６～Ｒ９がアルキル基である場合、炭素原子数は、それぞれ独立に通常１～２０であり、１～４であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
　Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。
　Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３～３０であり、３～１１であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ６～Ｒ９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
　ペロブスカイト化合物が、Ａとして上記式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンを含む場合、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数は少ないとよい。また、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数は小さいとよい。これにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
　式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１～４であることが好ましい。また、式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６～Ｒ９のうちの１つが炭素原子数１～３のアルキル基であり、Ｒ６～Ｒ９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。
　Ｒ６～Ｒ９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
　Ｒ６～Ｒ９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられる。一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。
　Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ３ＮＨ３ ＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ２Ｈ５ＮＨ３ ＋（エチルアンモニウムイオンともいう。）又はＣ３Ｈ７ＮＨ３ ＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋又はＣ２Ｈ５ＮＨ３ ＋であることより好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋であることがさらに好ましい。
（アミジニウムイオン）
　Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ１０Ｒ１１Ｎ＝ＣＨ－ＮＲ１２Ｒ１３）＋・・・（Ａ４）
　式（Ａ４）中、Ｒ１０～Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１～２０であり、１～４であることが好ましく、１～３であることがより好ましい。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３～３０であり、３～１１であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ１０～Ｒ１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９において例示したアルキル基と同じ基が挙げられる。
　Ｒ１０～Ｒ１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基と同じ基が挙げられる。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。
　式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
　アミジニウムイオンにおいて、Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１～４であることが好ましく、Ｒ１０が炭素原子数１のアルキル基であり、Ｒ１１～Ｒ１３が水素原子であることがさらに好ましい。
　ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は３次元構造を有する。
　ペロブスカイト化合物において、Ａが炭素原子数４以上の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数４以上のアミジニウムイオンである場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造及び擬似２次元（ｑｕａｓｉ－２Ｄ）構造のいずれか一方又は両方を有する。この場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造又は疑似２次元構造を、結晶の一部又は全体に有することができる。
　２次元のペロブスカイト型結晶構造が複数積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．ＰＢｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８－９０７など）。
　ペロブスカイト化合物中のＡは、セシウムイオン、又はアミジニウムイオンが好ましい。
（構成成分Ｂ）
　ペロブスカイト化合物を構成するＢは、１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、及びスズからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましく、鉛がさらに好ましい。
（構成成分Ｘ）
　ペロブスカイト化合物を構成するＸは、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンであってよい。
　ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオンを挙げることができる。Ｘは、臭化物イオンであることが好ましい。
　Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。
　Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができる。
　Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　また、Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
　ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０～７００ｎｍであり、５００～６００ｎｍであることが好ましく、５２０～５８０ｎｍであることがより好ましい。
　Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　また、Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
　ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０～８００ｎｍであり、５３０～７５０ｎｍであることが好ましく、５４０～７３０ｎｍであることがより好ましい。
　Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　また、Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
　ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００～６００ｎｍであり、３１０～５８０ｎｍであることが好ましく、３３０～５５０ｎｍであることがより好ましい。
（３次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
　ＡＢＸ（３＋δ）で表される３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＢｒ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＣｌ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＩ３を挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＳｒａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＢａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＤｙａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）も挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
　３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
　上述した３次元構造のペロブスカイト化合物の中でも、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がより好ましく、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がさらに好ましい。
（２次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＣｌ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＣｌ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）を挙げることができる。
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４も挙げることができる。
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
　２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
（半導体粒子の粒径）
　発光性粒子に含まれる（１）半導体粒子の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、１ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
　また、半導体粒子の平均粒径は、所望の発光特性を維持しやすくなるため、１０μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、「発光特性」とは、発光性の半導体粒子に励起光を照射して得られる変換光の量子収率、発光強度、色純度などの光学物性を指す。色純度は、変換光のスペクトルの半値幅で評価することができる。
　半導体粒子の平均粒径の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
　例えば、半導体粒子の平均粒径は、１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　本明細書において、（１）半導体粒子の平均粒径は、例えばＴＥＭ、又はＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
　本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、半導体粒子を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。
　また、発光性粒子に含まれる（１）半導体粒子の平均粒径については、例えば走査透過電子顕微鏡法（ＳＴＥＭ）を用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）測定（ＳＴＥＭ－ＥＤＸ測定）により、（１）半導体粒子に含まれる元素の元素分布を求め、得られる元素分布像から求めることができる。元素分布像から、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
　（１）半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、３ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子のメディアン径は、４ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
　また、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、所望の発光特性を維持しやすくなるため、５μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
　例えば、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、３ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、４ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　本明細書において、半導体粒子の粒度分布は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を観察し、最大フェレー径の分布から、メディアン径（Ｄ５０）を求めることができる。
≪（２）成分≫
　（２）成分は、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物の改質体及びケイ酸ナトリウム改質体からなる群より選択される１種以上の化合物である。
（２）改質体群は、上述の改質体を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　本明細書において「改質」とは、Ｓｉ－Ｎ結合、Ｓｉ－ＳＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）又はＳｉ－ＯＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）を有するケイ素化合物が加水分解し、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を有するケイ素化合物が生成することをいう。Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合は、分子間の縮合反応で生成してもよく、分子内の縮合反応で生成してもよい。
　本明細書において「改質体」とは、Ｓｉ－Ｎ結合、Ｓｉ－ＳＲ結合又はＳｉ－ＯＲ結合を有するケイ素化合物を改質することにより得られた化合物をいう。
（１．シラザン改質体）
　シラザンは、Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ結合を有する化合物である。シラザンは、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。
　シラザンは、低分子シラザンであっても、高分子シラザンであってもよい。本明細書では、高分子シラザンをポリシラザンと記載することがある。
　本明細書において「低分子」とは、数平均分子量が６００未満であることを意味する。
また、本明細書において「高分子」とは、数平均分子量が６００以上２０００以下であることを意味する。
　本明細書において「数平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
（１－１．低分子シラザンの改質体１）
　シラザン改質体としては、例えば、低分子シラザンである下記式（Ｂ１）で表されるジシラザンの改質体であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　式（Ｂ１）中、Ｒ１４及びＲ１５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルケニル基、炭素原子数３～２０のシクロアルキル基、炭素原子数６～２０のアリール基、又は炭素原子数１～２０のアルキルシリル基を表す。
　Ｒ１４及びＲ１５は、アミノ基などの置換基を有していてもよい。複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　式（Ｂ１）で表される低分子シラザンとしては、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシラザン、１，３－ジフェニルテトラメチルジシラザン、及び１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。
（１－２．低分子シラザンの改質体２）
　シラザン改質体としては、例えば、下記式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体も好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　式（Ｂ２）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。
　複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　式（Ｂ２）中、ｎ１は１以上２０以下の整数を表す。ｎ１は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
　式（Ｂ２）で表される低分子シラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、２，２，４，４，６，６－ヘキサメチルシクロトリシラザン、及び２，４，６－トリメチル－２，４，６－トリビニルシクロトリシラザンが挙げられる。
　低分子のシラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、及び１，３－ジフェニルテトラメチルジシラザンが好ましく、オクタメチルシクロテトラシラザンがより好ましい。
（１－３．高分子シラザンの改質体１）
　シラザン改質体としては、例えば、下記式（Ｂ３）で表される高分子シラザン（ポリシラザン）の改質体が好ましい。
　ポリシラザンは、Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ結合を有する高分子化合物である。式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位は、一種であっても、複数種であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　式（Ｂ３）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。
　式（Ｂ３）中、＊は、結合手を表す。分子鎖末端のＮ原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。
　分子鎖末端のＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。
　複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　ｍは、２以上１００００以下の整数を表す。
　式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、Ｒ１４、及びＲ１５のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンでもよい。
　また、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、少なくとも１つのＲ１５が水素原子以外の基であるオルガノポリシラザンであってもよい。用途に応じて、適宜にパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。
（１－４．高分子シラザンの改質体２）
　シラザン改質体としては、例えば、下記式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体も好ましい。
　ポリシラザンは、分子内の一部に環構造を有していてもよく、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　式（Ｂ４）中、＊は、結合手を表す。
　式（Ｂ４）の結合手は、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、又は式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手と結合していてもよい。
　また、ポリシラザンが、分子内に複数の式（Ｂ４）で表される構造を含む場合、式（Ｂ４）で表される構造の結合手は、他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手と直接結合していてもよい。
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＮ原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。
　式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。
　ｎ２は、１以上１００００以下の整数を表す。ｎ２は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
　一般的なポリシラザンは、例えば、直鎖構造と、６員環、又は８員環等の環構造とが存在した構造、すなわち上記（Ｂ３）、（Ｂ４）で表される構造を有する。一般的なポリシラザンの分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で６００～２０００程度（ポリスチレン換算）であり、分子量によって液体又は固体の物質でありうる。
　ポリシラザンは、市販品を使用してもよく、市販品としては、ＮＮ１２０－１０、ＮＮ１２０－２０、ＮＡＸ１２０－２０、ＮＮ１１０、ＮＡＸ１２０、ＮＡＸ１１０、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）並びに、ＡＺＮＮ－１２０－２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標）１５００　Ｓｌｏｗ　Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００　Ｒａｐｉｄ　Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１８００、及びＤｕｒａｚａｎｅ１０３３（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。
　ポリシラザンは、好ましくはＡＺＮＮ－１２０－２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００　Ｓｌｏｗ　Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００　Ｒａｐｉｄ　Ｃｕｒｅであり、より好ましくはＤｕｒａｚａｎｅ１５００　Ｓｌｏｗ　Ｃｕｒｅである。
　式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は全ケイ素原子に対して０．１～１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０～９８％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
　なお、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、後述する測定値を用いて、（（Ｓｉ（モル）－（ＳｉＮ結合中のＮ（モル））／Ｓｉ（モル）×１００で求められる。改質反応を考慮すると、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」とは、「改質処理にて生じるシロキサン結合に含まれるケイ素原子の割合」を意味する。
　式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は全ケイ素原子に対して０．１～１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０～９８％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
　式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は全ケイ素原子に対して０．１～９９％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０～９７％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
　改質体中のＳｉ原子数、ＳｉＮ結合の数は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定することができる。
　改質体について、上述の方法による測定値を用いて求められる「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、全ケイ素原子に対して０．１～９９％であることが好ましく、１０～９９％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
　シラザンの改質体としては、特に制限は無いが、分散性を向上させ、凝集を抑制できる観点からオルガノポリシラザンの改質体が好ましい。
　オルガノポリシラザンとしては、例えば、式（Ｂ３）で表され、Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルケニル基、炭素原子数３～２０のシクロアルキル基、炭素原子数６～２０のアリール基、又は炭素原子数１～２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。
　また、オルガノポリシラザンとしては、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、前記Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルケニル基、炭素原子数３～２０のシクロアルキル基、炭素原子数６～２０のアリール基、又は炭素原子数１～２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。
　オルガノポリシラザンは、式（Ｂ３）で表されＲ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基であるオルガノポリシラザン、又は、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、当該Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基であるポリシラザンであることが好ましい。
（２．式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、式（Ｃ２）で表される化合物の改質体）
　シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物、及びシロキサン結合を有する無機ケイ素化合物としては、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　式（Ｃ１）において、Ｙ５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
　Ｙ５が酸素原子の場合、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
　Ｙ５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ３０は炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ３１は水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
　式（Ｃ２）において、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
　式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
　Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。
　式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、ａは１～３の整数である。
　ａが２又は３のとき、複数存在するＹ５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　ａが１又は２のとき、複数存在するＲ３１は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
　Ｒ３０及びＲ３１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
　式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５が酸素原子である場合、Ｒ３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、１～２０であることが好ましい。また、Ｒ３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、１～３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
　式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５が単結合、又は硫黄原子である場合、Ｒ３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５は、改質が素早く進行することから、酸素原子が好ましい。
　式（Ｃ２）で表される化合物において、Ｒ３０及びＲ３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、それぞれ独立に１～２０であることが好ましい。また、Ｒ３０及びＲ３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に１～３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
　式（Ｃ１）で表される化合物、及び式（Ｃ２）で表される化合物ともに、Ｒ３１で表されるアルキル基の炭素原子数は、１～５であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
　Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表される基において例示したアルキル基が挙げられる。
　Ｒ３０，Ｒ３１及びＲ３２で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ３０，Ｒ３１及びＲ３２で表されるシクロアルキル基にある水素原子が、それぞれ独立に、アルキル基で置換されている場合、シクロアルキル基の炭素原子数は、４以上である。シクロアルキル基にある水素原子が置換されてもよいアルキル基は、炭素原子数が１～２７である。
　Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表される基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
　Ｒ３０，Ｒ３１及びＲ３２で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。
　Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表される不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましく、炭素原子数８～２０のアルケニル基であることがより好ましい。
　Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルケニル基としては、Ｒ６～Ｒ９で表される基において例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ－Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示できる。アルケニル基において、二重結合の位置は限定されない。
　このようなアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３－ブテニル基、２－ブテニル基、２－ペンテニル基、２－ヘキセニル基、２－ノネニル基、２－ドデセニル基、９－オクタデセニル基が挙げられる。
　Ｒ３０及びＲ３２は、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ３１は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ３１で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基が上述の炭素原子数であると、式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物が加水分解されやすく、改質体を生じやすい。そのため、式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、及び式（Ｃ２）で表される化合物の改質体が（１）半導体粒子の表面を覆いやすい。その結果、湿度が高い環境においても（１）半導体粒子が劣化しにくく、耐久性が高い粒子が得られると考えられる。
　式（Ｃ１）で表される化合物としては、具体的に、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、エトキシトリエチルシラン、メトキシトリメチルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、トリメチルエトキシシラン、３－クロロプロピルジメトキシメチルシラン、（３－クロロプロピル）ジエトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジメトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジエトキシ（メチル）シラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシ（メチル）フェニルシラン、ジメトキシ（メチル）（３，３，３－トリフルオロプロピル）シラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、（３－ブロモプロピル）トリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、（クロロメチル）トリエトキシシラン、（クロロメチル）トリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、トリエトキシエチルシラン、デシルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（メチル）シラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ－１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３－トリフルオロプロピル）シラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－パーフルオロオクチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
　なかでも、式（Ｃ１）で表される化合物としては、トリメトキシフェニルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ－１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３－トリフルオロプロピル）シラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランが好ましく、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランがより好ましく、テトラメトキシシランがもっとも好ましい。
　さらに、式（Ｃ１）で表される化合物としては、ドデシルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）シランでもよい。
（３．式（Ａ５－５１）で表される化合物の改質体、式（Ａ５－５２）で表される化合物の改質体）
　(２)改質体群としては、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物の改質体、式（Ａ５－５２）で表される化合物の改質体であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）において、ＡＣは２価の炭化水素基であり、Ｙ１５は酸素原子又は硫黄原子である。
式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）において、Ｒ１２２及びＲ１２３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
　式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）において、Ｒ１２４は、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
　式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）において、Ｒ１２５及びＲ１２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はシクロアルキル基を表す。
　Ｒ１２２～Ｒ１２６がアルキル基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
　アルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　Ｒ１２２～Ｒ１２６がシクロアルキル基である場合、シクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ１２２～Ｒ１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
　Ｒ１２２～Ｒ１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。
　Ｒ１２２～Ｒ１２６のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
　Ｒ１２２～Ｒ１２６のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
　Ｒ１２５及びＲ１２６のアルコキシ基としては、Ｒ６～Ｒ９に例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が酸素原子に結合した１価の基が例示できる。
　Ｒ１２５及びＲ１２６がアルコキシ基である場合、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられ、好ましくはメトキシ基である。
　ＡＣで表される２価の炭化水素基は、炭化水素化合物から２個の水素原子を除去した基であればよく、当該炭化水素化合物は、脂肪族炭化水素であってもよく、芳香族炭化水素であってもよく、飽和脂肪族炭化水素であってもよい。Ａがアルキレン基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素原子数は、通常１～１００であり、１～２０であることが好ましく、１～５であることがより好ましい。
　式（Ａ５－５１）で表される化合物としては、トリメトキシ［３－（メチルアミノ）プロピル］シラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルジメトキシメチルシラン、３－アミノプロピルジエトキシメチルシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシランが好ましい。
　また、式（Ａ５－５１）で表される化合物としては、Ｒ１２２及び１２３が水素原子であり、Ｒ１２４がアルキル基であり、Ｒ１２５及びＲ１２６がアルコキシ基である化合物が好ましい。例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシランがより好ましい。
　式（Ａ５－５１）で表される化合物としては、３－アミノプロピルトリメトキシシランがさらに好ましい。
　式（Ａ５－５２）で表される化合物としては、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリエトキシシランがさらに好ましい。
（ケイ酸ナトリウム改質体）
　（２）で表される化合物としては、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＯ３）の改質体であってもよい。ケイ酸ナトリウムは、酸で処理することにより加水分解が進行し、改質される。
≪表面処理剤≫
　本実施形態の発光性粒子は、（１）半導体粒子の表面の少なくとも一部を覆う表面処理剤層を有していてもよい。本実施形態の発光性粒子は、表面処理剤層を、（１）半導体粒子と（２）改質体群との間に備えていてもよい。
　なお、表面処理剤層が（１）半導体粒子の「表面」を覆うとは、表面処理剤層が（１）半導体粒子に直接接して覆うことの他、表面処理剤層が（１）半導体粒子の表面に形成された他の層の表面に直接接して形成され、（１）半導体粒子の表面に直接接することなく覆うことも含む。
　本実施形態の発光性粒子は、前記面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））が、０．０１以上０．５以下であることを特徴とする。面積Ｓ１は、発光性粒子表面に占める（１）の面積であり、面積Ｓ２は、発光性粒子表面に占める（２）の面積である。表面処理剤層は、（１）半導体粒子と（２）改質体群との間に存在していることが好ましい。ただし、発光性粒子の表面において、（１）半導体粒子を表面処理剤層のみが被覆している場合、つまり表面処理剤層が露出している部分がある場合には、該部分は面積Ｓ１とする。
＜＜表面修飾剤層＞＞
　表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）～（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）～（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種以上の化合物又はイオンを形成材料とする。
　中でも、表面修飾剤層は、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、及びカルボキシレートイオン及びカルボキシレート塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を形成材料とすることが好ましく、アミン、及びカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を形成材料とすることがより好ましい。
　以下、表面修飾剤層の形成材料を「表面修飾剤」と称することがある。
　表面修飾剤は、後述する製造方法で本実施形態の発光性粒子を製造する際に、半導体粒子の表面に吸着して、半導体粒子を組成物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。
＜アンモニウムイオン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩＞
　表面修飾剤であるアンモニウムイオン、及び第１級～第４級アンモニウムカチオンは、下記式（Ａ１）で表される。表面修飾剤であるアンモニウム塩は、下記式（Ａ１）で表されるイオンを含む塩である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　式（Ａ１）で表されるイオンにおいて、Ｒ１～Ｒ４は、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。
　Ｒ１～Ｒ４で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。
　Ｒ１～Ｒ４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ１～Ｒ４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ１～Ｒ４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ１～Ｒ４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　Ｒ１～Ｒ４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。
不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ１～Ｒ４は、炭素原子数８～２０のアルケニル基であることが好ましい。
　Ｒ１～Ｒ４のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
　Ｒ１～Ｒ４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
　Ｒ１～Ｒ４のアルケニル基としては、Ｒ６～Ｒ９において例示した前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ－Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。
　Ｒ１～Ｒ４のアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３－ブテニル基、２－ブテニル基、２－ペンテニル基、２－ヘキセニル基、２－ノネニル基、２－ドデセニル基、９－オクタデセニル基が挙げられる。
　式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンが塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無い。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。
　式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ－オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。
＜アミン＞
　表面修飾剤であるアミンとしては、下記式（Ａ１１）で表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　上記式（Ａ１１）において、Ｒ１～Ｒ３は、上記式（Ａ１）が有するＲ１～Ｒ３と同じ基を表す。ただし、Ｒ１～Ｒ３のうち少なくとも１つは１価の炭化水素基である。
　表面修飾剤であるアミンとしては、第１級～第３級アミンのいずれであってもよいが、第１級アミン及び第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。
　表面修飾剤であるアミンとしては、オレイルアミンが好ましい。
＜カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩＞
　表面修飾剤であるカルボキシレートイオンは、下記式（Ａ２）で表される。表面修飾剤であるカルボキシレート塩は、下記式（Ａ２）で表されるイオンを含む塩である。
　Ｒ５－ＣＯ２ －・・・（Ａ２）
　表面修飾剤であるカルボン酸は、上記（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンにプロトン（Ｈ＋）が結合したカルボン酸が挙げられる。
　式（Ａ２）で表されるイオンにおいて、Ｒ５は、一価の炭化水素基を表す。Ｒ５で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
　飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。
　Ｒ５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
　Ｒ５で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ５で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　Ｒ５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。
　Ｒ５のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
　Ｒ５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
　Ｒ５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ１～Ｒ４において例示したアルケニル基が挙げられる。
　式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。
　カルボキシレートアニオンが塩を形成する場合、カウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。
　表面修飾剤であるカルボン酸としては、オレイン酸が好ましい。
＜式（Ｘ１）で表される化合物＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
　式（Ｘ１）で表される化合物（塩）において、Ｒ１８～Ｒ２１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基を表す。
　Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基は、置換基としてアルキル基を有することが好ましい。Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基の炭素原子数は、通常６～３０であり、６～２０であることが好ましく、６～１０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ１８～Ｒ２１で表される基は、アルキル基であることが好ましい。
　Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。
　Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
　Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基の具体例としては、フェニル基、ベンジル基、トリル基、ｏ－キシリル基等が挙げられる。
　Ｒ１８～Ｒ２１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子で置換した化合物の化学的安定性が高いため、置換するハロゲン原子としてはフッ素原子が好ましい。
　式（Ｘ１）で表される化合物において、Ｍ－はカウンターアニオンを表す。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられ、臭化物イオンが好ましい。
　式（Ｘ１）で表される化合物の具体例としては、テトラエチルホスホニウムクロリド、テトラエチルホスホニウムブロミド、テトラエチルホスホニウムヨージド；テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムヨージド：テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムヨージド；テトラ－ｎ－オクチルホスホニウムクロリド、テトラ－ｎ－オクチルホスホニウムブロミド、テトラ－ｎ－オクチルホスホニウムヨージド；トリブチル－ｎ－オクチルホスホニウムブロミド；トリブチルドデシルホスホニウムブロミド；トリブチルヘキサデシルホスホニウムクロリド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムヨージドが挙げられる。
　発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ１）で表される化合物としてはトリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチル－ｎ－オクチルホスホニウムブロミドが好ましく、トリブチル－ｎ－オクチルホスホニウムブロミドがより好ましい。
＜式（Ｘ２）で表される化合物、式（Ｘ２）で表される化合物の塩＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　式（Ｘ２）で表される化合物において、Ａ１は単結合又は酸素原子を表す。
　式（Ｘ２）で表される化合物において、Ｒ２２は、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基を表す。
　Ｒ２２で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ２２で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２２で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２２で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２２で表される基は、アルキル基であることが好ましい。
　Ｒ２２で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
　式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ２－１）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２－１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、アンモニウムイオンが挙げられる。
　式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２－１）の対となるカウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、例えばＮａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋等の一価のイオンが挙げられる。
　式（Ｘ２）で表される化合物、及び式（Ｘ２）で表される化合物の塩としては、りん酸フェニル、りん酸フェニル二ナトリウム水和物、１－ナフチルりん酸二ナトリウム水和物、１－ナフチルりん酸一ナトリウム一水和物、ラウリルリン酸、ラウリルリン酸ナトリウム、オレイルリン酸、ベンズヒドリルホスホン酸、デシルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ－オクチルホスホン酸、ベンゼンホスホン酸、フェニルホスホン酸二ナトリウム水和物、フェネチルホスホン酸、プロピルホスホン酸、ウンデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、シンナミルホスホン酸、１－ヘキサンホスホン酸ナトリウムが挙げられる。
　発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ２）で表される化合物としては、オレイルリン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ－オクチルホスホン酸、がより好ましく、オクタデシルホスホン酸がさらに好ましい。
＜式（Ｘ３）で表される化合物、式（Ｘ３）で表される化合物の塩＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　式（Ｘ３）で表される化合物において、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。
　式（Ｘ３）で表される化合物において、Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基を表す。
　Ｒ２３及びＲ２４で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ２３及びＲ２４で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２３及びＲ２４で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２３及びＲ２４で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。
　Ｒ２３及びＲ２４で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
　式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ３－１）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３－１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、アンモニウムイオンが挙げられる。
　式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３－１）の対となるカウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、例えばＮａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋等の一価のイオンが挙げられる。
　式（Ｘ３）で表される化合物の塩としては、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシル、りん酸ジフェニルが挙げられる。式（Ｘ３）で表される化合物の塩としては、上記化合物の塩が挙げられる。
　発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシルが好ましく、ジフェニルホスフィン酸及びこれらの塩がより好ましい。
＜式（Ｘ４）で表される化合物、式（Ｘ４）で表される化合物の塩＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　式（Ｘ４）で表される化合物において、Ａ４は単結合又は酸素原子を表す。
　式（Ｘ４）で表される化合物において、Ｒ２５で表される基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基を表す。
　Ｒ２５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ２５で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２５で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２５で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２５で表される基は、アルキル基であることが好ましい。
　Ｒ２５で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
　式（Ｘ４）で表される化合物としては、１－オクタンスルホン酸、１－デカンスルホン酸、１－ドデカンスルホン酸、ヘキサデシル硫酸、ラウリル硫酸、ミリスチル硫酸、ラウレス硫酸、ドデシル硫酸が挙げられる。
　式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ４－１）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４－１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、アンモニウムイオンが挙げられる。
　式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４－１）の対となるカウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、例えばＮａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋等の一価のイオンが挙げられる。
　式（Ｘ４）で表される化合物の塩としては、１－オクタンスルホン酸ナトリウム、１－デカンスルホン酸ナトリウム、１－ドデカンスルホン酸ナトリウム、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、ミリスチル硫酸ナトリウム、ラウレス硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが挙げられる。
　発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが好ましく、ドデシル硫酸ナトリウムがより好ましい。
＜式（Ｘ５）で表される化合物＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
　式（Ｘ５）で表される化合物において、Ａ５～Ａ７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。
　式（Ｘ５）で表される化合物において、Ｒ２６～Ｒ２８はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２～２０のアルキニル基を表す。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルケニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルケニル基の炭素原子数は、通常２～２０であり、６～２０であることが好ましく、１２～１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキニル基の炭素原子数は、通常２～２０であり、６～２０であることが好ましく、１２～１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルケニル基の具体例としては、ヘキセニル基、オクテニル基、デセニル基、ドデセニル基、テトラデセニル基、ヘキサデセニル基、オクタデセニル基、イコセニル基が挙げられる。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキニル基の具体例としては、ヘキシニル基、オクチニル基、デシニル基、ドデシニル基、テトラデシニル基、ヘキサデシニル基、オクタデシニル基、イコシニル基が挙げられる。
　Ｒ２６～Ｒ２８で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
　式（Ｘ５）で表される化合物としては、亜りん酸トリオレイル、亜りん酸トリブチル、亜りん酸トリエチル、亜りん酸トリヘキシル、亜りん酸トリイソデシル、亜りん酸トリメチル、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ－ｎ－オクチルホスフィン、トリフェニルホスフィンが挙げられる。
　発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、亜りん酸トリオレイル、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、亜りん酸トリヘキシルが好ましく、亜りん酸トリオレイルがより好ましい。
＜式（Ｘ６）で表される化合物＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
　式（Ｘ６）で表される化合物において、Ａ８～Ａ１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。
　式（Ｘ６）で表される化合物において、Ｒ２９～Ｒ３１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２～２０のアルキニル基を表す。
　Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２９～Ｒ３１で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルケニル基としては、Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルケニル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルキニル基としては、Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキニル基と同じ基を採用することができる。
　Ｒ２９～Ｒ３１で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。
　Ｒ２９～Ｒ３１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
　式（Ｘ６）で表される化合物としては、トリ－ｎ－オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、メチル（ジフェニル）ホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、トリ－ｐ－トリルホスフィンオキシド、シクロヘキシルジフェニルホスフィンオキシド、りん酸トリメチル、りん酸トリブチル、りん酸トリアミル、りん酸トリス（２－ブトキシエチル）、りん酸トリフェニル、りん酸トリ－ｐ－クレジル、りん酸トリ－ｍ－クレジル、りん酸トリ－ｏ－クレジルが挙げられる。
　発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、トリ－ｎ－オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシドが好ましく、トリ－ｎ－オクチルホスフィンオキシドがより好ましい。
　上述した表面修飾剤の中では、アンモニウム塩、アンモニウムイオン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンが好ましい。
　アンモニウム塩、アンモニウムイオンの中では、オレイルアミン塩、オレイルアンモニウムイオンがより好ましい。
　カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンの中では、オレイン酸塩、オレイン酸カチオンがより好ましい。
　本実施形態の粒子においては、上述の表面修飾剤を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
＜各成分の配合比について＞
　本実施形態の粒子において、（１）半導体粒子と（２）改質体群との配合比は、（１）及び（２）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
　本実施形態の粒子において、（１）半導体粒子がペロブスカイト化合物の粒子である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２）被覆層のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１～２００であってもよく、０．０１～５０であってもよい。
　本実施形態の粒子において、（２）改質体群の形成材料が、式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるシラザンの改質体である場合、（１）半導体粒子のＢ成分である金属イオンと、（２）改質体群のＳｉとのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１～１００であってもよく、０．００１～５０であってもよく、１～２０であってもよい。
　本実施形態の粒子において、（２）改質体群が、式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンである場合、（１）半導体粒子のＢ成分である金属イオンと、（２）改質体群のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１～１００であってもよく、０．０１～１００であってもよく、０．１～１００であってもよく、１～５０であってもよく、１～２０であってもよい。
　（１）半導体粒子と（２）改質体群との配合比に係る範囲が上記範囲内である粒子は、（２）改質体群による、水蒸気に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。
　（１）半導体粒子と（２）改質体群との配合比に係る範囲が上記範囲内である粒子は、（２）改質体群による、水蒸気に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。
　（１）半導体粒子と（２）改質体群との配合比に係る範囲が上記範囲内である発光性粒子は、（２）改質体群による、光に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。
　上記ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、以下のような方法で求めることができる。
　ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）（単位：モル）は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ）によって、Ｂ成分である金属の質量を測定し、測定値を物質量に換算して求める。
　改質体のＳｉ元素の物質量（Ｓｉ）は、用いた改質体の原料化合物の質量を物質量に換算した値と、単位質量の原料化合物に含まれるＳｉ量（物質量）とから求める。原料化合物の単位質量とは、原料化合物が低分子化合物であれば原料化合物の分子量であり、原料化合物が高分子化合物であれば原料化合物の繰り返し単位の分子量である。
　Ｓｉ元素の物質量（Ｓｉ）と、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）とから、モル比［Ｓｉ／Ｂ］を算出することができる。
　本実施形態において、十分に耐久性を向上させる観点から、（１）半導体粒子の質量部が１に対して（２）改質体群の質量部は、好ましくは１．１質量部以上であり、より好ましくは１．５質量部以上であり、さらに好ましくは１．８質量部以上であり、また、（１）半導体粒子の質量部が１に対して（２）改質体群の質量部は、好ましくは１０質量部以下であり、より好ましくは４．９質量部以下であり、さらに好ましくは２．５質量部以下である。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
＜組成物＞
　本実施形態の組成物は、上述の発光性粒子と、（３）成分、（４）成分、及び（４－１）成分からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む。
　（３）成分：溶媒
　（４）成分：重合性化合物
　（４－１）成分：重合体
　また、本実施形態の組成物が、上述の発光性粒子と、（４－１）重合体とを含む場合、発光性粒子及び（４－１）の合計含有割合が、組成物の総質量に対して９０質量％以上であるとよい。
　本実施形態の組成物においては、上述の発光性粒子を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　以下の説明においては、（３）溶媒、（４）重合性化合物、（４－１）重合体を総称して「分散媒」と称することがある。本実施形態の組成物は、これらの分散媒に分散していてもよい。
　本明細書において「分散している」とは、本実施形態の発光性粒子が、分散媒に浮遊している状態、又は本実施形態の発光性粒子が、分散媒に懸濁している状態のことを指す。
（１）半導体粒子が分散媒に分散している場合、発光性粒子の一部は沈降していてもよい。
　以下、本実施形態の組成物が含む各成分について説明する。
（３）溶媒
　本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の発光性粒子を分散させることができる媒体であれば特に限定されない。本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の発光性粒子を溶解し難いものが好ましい。
　本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態である物質のことをいう。ただし、溶媒には、後述する重合性化合物及び重合体は含まない。
　溶媒としては、下記（ａ）～（ｋ）を挙げることができる。
（ａ）エステル
（ｂ）ケトン
（ｃ）エーテル
（ｄ）アルコール
（ｅ）グリコールエーテル
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒
（ｉ）ハロゲン化炭化水素
（ｊ）炭化水素
（ｋ）ジメチルスルホキシド
　（ａ）エステルとしては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等を挙げることができる。
　（ｂ）ケトンとしては、γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、アセトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等を挙げることができる。
　（ｃ）エーテルとしては、ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等を挙げることができる。
　（ｄ）アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－メチル－２－ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２－フルオロエタノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、２，２，３，３－テトラフルオロ－１－プロパノール等を挙げることができる。
　（ｅ）グリコールエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。
　（ｆ）アミド基を有する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。
　（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒としては、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等を挙げることができる。
　（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。
　（ｉ）ハロゲン化炭化水素としては、塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。
　（ｊ）炭化水素としては、ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、１－オクタデセン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
　これらの溶媒の中でも、（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素及び（ｊ）炭化水素は、極性が低く、本実施形態の発光性粒子を溶解し難いと考えられるため好ましい。
　さらに、本実施形態の組成物に用いる溶媒としては、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素がより好ましい。
　本実施形態の組成物においては、上述の溶媒を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（４）重合性化合物
　本実施形態の組成物が有する重合性化合物は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の発光性粒子を溶解し難いものが好ましい。
　本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体化合物（モノマー）を意味する。例えば、重合性化合物は、１気圧、２５℃において液体状態であるモノマーを挙げることができる。
　例えば、室温、常圧下において製造する場合、重合性化合物としては、特に制限は無い。重合性化合物としては、例えば、スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル等の公知の重合性化合物が挙げられる。なかでも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。
　本実施形態の組成物においては、重合性化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　本実施形態の組成物において、全ての（４）重合性化合物に対する、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。
（４－１）重合体
　本実施形態の組成物に含まれる重合体は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の粒子の溶解度が低い重合体が好ましい。
　例えば、室温、常圧下において製造する場合、重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位のいずれか一方又は両方を含む。
　本実施形態の組成物において、（４－１）重合体に含まれる全ての構成単位に対する、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位の合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。
　（４－１）重合体の重量平均分子量は、１００～１２０００００であることが好ましく、１０００～８０００００であることがより好ましく、５０００～１５００００であることがさらに好ましい。
　本明細書において「重量平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
　本実施形態の組成物においては、上述の重合体を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
＜各成分の配合比について＞
　発光性粒子と、分散媒とを含む組成物において、組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、特に限定されるものではない。
　上記含有割合は、濃度消光を防ぐ観点から、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。
　また、上記含有割合は、良好な量子収率を得る観点から、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、通常０．０００２～９０質量％である。
　組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、０．００１～４０質量％であることが好ましく、０．００２～１０質量％であることがより好ましく、０．０１～３質量％であることがさらに好ましい。
　組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）半導体粒子の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
　また、上記組成物において、発光性粒子及び分散媒の合計含有割合は、組成物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
　上記組成物において、発光性粒子に対する分散媒の質量比［発光性粒子／分散媒］は、０．００００１～１０であってもよく、０．０００１～５であってもよく、０．０００５～３であってもよい。
　発光性粒子と、分散媒との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、発光性粒子の凝集が生じ難く、良好に発光する点で好ましい。
　本実施形態の組成物は、上述の発光性粒子、（３）溶媒と、（４）重合性化合物、（４－１）重合体以外の成分（以下、「その他の成分」と称する。）を有していてもよい。
　その他の成分としては、例えば、若干の不純物、半導体粒子を構成する元素成分からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤が挙げられる。
　その他の成分の含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
　本実施形態の組成物に含まれる（４－１）重合体としては、上述した（４－１）重合体を採用することができる。
　本実施形態の組成物において、発光性粒子は、（４－１）重合体に分散していることが好ましい。
　上記組成物において、発光性粒子と、（４－１）重合体との配合比は、発光性粒子による発光作用が良好に発揮される程度であればよい。上記配合比は、発光性粒子、（４－１）重合体の種類に応じて、適宜定めることができる。
　上記組成物において、組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、特に限定されるものではない。上記含有割合は、濃度消光を防ぐことができるため、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。
　また、上記含有割合は、良好な量子収率を得ることができるため、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、通常、０．０００１～３０質量％である。
　組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、０．０００１～１０質量％であることが好ましく、０．０００５～１０質量％であることがより好ましく、０．００１～３質量％であることがさらに好ましい。
　上記組成物において、発光性粒子に対する、（４－１）重合体の質量比［発光性粒子／（４－１）重合体］は、０．００００１～１０であってもよく、０．０００１～５であってもよく、０．０００５～３であってもよい。
　発光性粒子と、（４－１）重合体との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、良好に発光する点で好ましい。
　本実施形態の組成物は、例えば、発光性粒子及び（４－１）重合体の合計量が、組成物全体に対して９０質量％以上である。発光性粒子及び（４－１）重合体の合計量は、組成物全体に対して９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
　本実施形態の組成物は、上述のその他の成分と同様の成分を含んでいてもよい。
　その他の成分の含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
＜＜発光性粒子の製造方法＞＞
　上述した発光性粒子は、（１）半導体粒子を製造した後、（１）半導体粒子の表面に（２）で表される化合物を含む層を形成することで製造することができる。
＜（１）半導体粒子の製造方法＞
（（ｉ）～（ｖｉｉ）の半導体粒子の製造方法）
　（ｉ）～（ｖｉｉ）の半導体粒子は、半導体粒子を構成する元素の単体又は半導体粒子を構成する元素の化合物と、脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法で製造することができる。
　半導体粒子を構成する元素を含む化合物の例としては、特に制限は無いが、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。
　脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。
　炭素原子数４～２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、不飽和脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基を挙げることができる。
　炭素原子数４～２０の飽和脂肪族炭化水素基としては、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｎ－ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などを挙げることができる。
　炭素原子数４～２０の不飽和脂肪族炭化水素基としては、オレイル基を挙げることができる。
　炭素原子数４～２０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。
　炭素原子数４～２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などを挙げることができる。
　炭素原子数４～２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、及び不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。
　含窒素化合物としては、アミン類やアミド類を挙げることができる。
　含酸素化合物としては、脂肪酸類を挙げることができる。
　このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましい。このような含窒素化合物としては、例えばｎ－ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ－ペンチルアミン、ｎ－ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。
　こうした脂溶性溶媒は、合成により生じる半導体粒子の表面に結合可能である。脂溶性溶媒が半導体粒子の表面に結合する際の結合としては、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。
　上記混合液の加熱温度は、使用する原料（単体や化合物）の種類によって適宜設定すればよい。混合液の加熱温度は、例えば、１３０～３００℃が好ましく、２４０～３００℃がより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると結晶構造が単一化しやすいため好ましい。加熱温度が上記上限値以下であると、生じる半導体粒子の結晶構造が崩壊しにくく、目的物が得られやすいため好ましい。
　混合液の加熱時間は、使用する原料（単体や化合物）の種類、加熱温度によって適宜設定すればよい。混合液の加熱時間は、例えば、数秒間～数時間が好ましく、１～６０分間がより好ましい。
　上述の半導体粒子の製造方法においては、加熱後の混合液を冷却することにより、目的物である半導体粒子を含む沈殿物が得られる。沈殿物を分離して適宜洗浄することで、目的物である半導体粒子が得られる。
　沈殿物を分離した上澄み液については、合成した半導体粒子が不溶又は難溶な溶媒を添加し、上澄み液における半導体粒子の溶解度を低下させて沈殿物を生じさせ、上澄み液に含まれる半導体粒子を回収してもよい。「半導体粒子が不溶又は難溶な溶媒」としては、例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなどを挙げることができる。
　上述の半導体粒子の製造方法においては、分離した沈殿物を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ－ブタノールなど）に入れて半導体粒子を含む溶液としてもよい。
（（ｖｉｉｉ）の半導体粒子の製造方法）
　（ｖｉｉｉ）の半導体粒子の製造方法は、既知文献（Ｎａｎｏ　Ｌｅｔｔ．　２０１５，　１５，　３６９２－３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３－４５４２）を参考に、以下に述べる方法によって製造することができる。
（第１の製造方法）
　ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
　第２溶媒は、ペロブスカイト化合物に対する溶解度が第１溶媒よりも低い溶媒である。
　なお、溶解度とは、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。
　第１溶媒及び第２溶媒としては、上述の（ａ）～（ｋ）として挙げる有機溶媒の群から選ばれる少なくとも２種を挙げることができる。
　例えば、室温（１０℃～３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第１溶媒としては、上述の（ｄ）アルコール、（ｅ）グリコールエーテル、（ｆ）アミド基を有する有機溶媒、（ｋ）ジメチルスルホキシドを挙げることができる。
　また、室温（１０℃～３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第２溶媒としては、上述の（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素を挙げることができる。
　以下、第１の製造方法を具体的に説明する。
　まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ、溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。　
　次いで、得られた溶液と第２溶媒とを混合する。溶液と、第２溶媒とを混合する工程は、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えることとしてもよく、（ＩＩ）第２溶媒を溶液に加えることとしてもよい。第１の製造方法で生じるペロブスカイト化合物の粒子が溶液中に分散しやすいため、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えるとよい。
　溶液と第２溶媒とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら溶液と第２溶媒とを混合するとよい。
　溶液と第２溶媒とを混合する工程において、溶液と第２溶媒との温度には特に制限は無い。得られるペロブスカイト化合物が析出し易いため、－２０℃～４０℃の範囲であることが好ましく、－５℃～３０℃の範囲であることがより好ましい。溶液の温度及び第２溶媒の温度は、同じであってもよく、異なっていてもよい。
　第１溶媒と第２溶媒とのペロブスカイト化合物に対する溶解度の差は１００μｇ／溶媒１００ｇ～９０ｇ／溶媒１００ｇであることが好ましく、１ｍｇ／溶媒１００ｇ～９０ｇ／溶媒１００ｇであることがより好ましい。
　第１溶媒と第２溶媒との組み合わせとして、第１溶媒がＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、第２溶媒がハロゲン化炭化水素や炭化水素であると好ましい。第１溶媒と第２溶媒とがこれらの溶媒の組み合わせであると、例えば、室温（１０℃～３０℃）で混合する工程を行う場合に、第１溶媒と第２溶媒との溶解度の差を１００μｇ／溶媒１００ｇ～９０ｇ／溶媒１００ｇに制御しやすいため好ましい。
　溶液と第２溶媒とを混合することにより、得られる混合液においてはペロブスカイト化合物の溶解度が低下し、ペロブスカイト化合物が析出する。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
　得られたペロブスカイト化合物を含む分散液について固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、ろ過、溶媒の蒸発による濃縮などが挙げられる。固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物のみを回収することができる。
　なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
　表面修飾剤を加える工程は、溶液と第２溶媒とを混合する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第１溶媒に添加してもよく、溶液に添加してもよく、第２溶媒に添加してもよい。また、表面修飾剤は、第１溶媒、及び第２溶媒の両方に添加してもよい。
　また、上述した製造方法においては、溶液と第２溶媒とを混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。
（第２の製造方法）
　ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
　以下、第２の製造方法を具体的に説明する。
　まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
　本工程は、高温の第３溶媒に各化合物を加えて溶解させ溶液を得ることとしてもよい。
　また、本工程は、第３溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得ることとしてもよい。
　第３溶媒としては、原料であるＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物と、Ｘ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第３溶媒としては、例えば、上述の第１溶媒、第２溶媒が挙げられる。　
　「高温」とは、各原料が溶解する温度の溶媒であればよい。例えば、高温の第３溶媒の温度として、６０～６００℃であることが好ましく、８０～４００℃であることがより好ましい。
　次いで、得られた溶液を冷却する。
　冷却する温度としては、－２０～５０℃が好ましく、－１０～３０℃がより好ましい。
　冷却速度としては、０．１～１５００℃／分が好ましく、１０～１５０℃／分がより好ましい。
　高温の溶液を冷却することで、溶液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
　得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。
　なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
　表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第３溶媒に添加してもよく、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物及びＸ成分を含む化合物のうち少なくとも１種を含む溶液に添加してもよい。
　また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。
（第３の製造方法）
　ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解させた第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む化合物を溶解させた第２溶液を得る工程と、第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
　以下、第３の製造方法を具体的に説明する。
　まず、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを高温の第４溶媒に溶解させ第１溶液を得る。
　第４溶媒としては、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第４溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。
　「高温」とは、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とが溶解する温度であればよい。例えば、高温の第４溶媒の温度として、６０～６００℃であることが好ましく、８０～４００℃であることがより好ましい。
　また、Ｘ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを第５溶媒に溶解させ第２溶液を得る。
　第５溶媒としては、Ｘ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。
具体的には、第５溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。
　次いで、得られた第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る。第１溶液と第２溶液とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら第１溶液と第２溶液とを混合するとよい。
　次いで、得られた混合液を冷却する。
　冷却する温度としては、－２０～５０℃が好ましく、－１０～３０℃がより好ましい。
　冷却速度としては、０．１～１５００℃／分が好ましく、１０～１５０℃／分がより好ましい。
　混合液を冷却することで、混合液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
　得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。
　なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
　表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第４溶媒、第５溶媒、第１溶液、第２溶液、混合液のいずれに添加してもよい。
　また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。
　（１）半導体粒子の表面に（２）改質体群が存在する発光性粒子の製造方法
　（１）半導体粒子の表面に（２）改質体群が存在する粒子は、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物とを混合し、その後、（２Ｂ）原料化合物を改質処理する方法により製造できる。
　（２Ｂ）原料化合物は、シラザン、式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物、式（Ａ５－５１）で表される化合物、式（Ａ５－５２）で表される化合物、ケイ酸ナトリウムからなる群より選択される１種以上の化合物を意味する。
　（２）改質体群は、（１）半導体粒子及び（３）溶媒の混合物と、（２Ｂ）原料化合物を混合して混合液を調製し、得られた混合物に改質処理を施す工程を行うことにより得られる。
　混合液を調製する際には、液を撹拌しながら各原料を混合するとよい。
　混合液を調製する際の温度には、特に制限はない。混合液を均一に混合しやすいため、混合液を調製する際の温度は、０℃～１００℃の範囲内であることが好ましく、１０℃～８０℃の範囲内であることがより好ましい。
　改質処理の方法は、（２Ｂ）原料化合物に対し紫外線を照射する方法、及び、（２Ｂ）原料化合物と水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法が挙げられる。以下の説明では、（２Ｂ）原料化合物と水蒸気とを反応させる処理のことを、「加湿処理」と称することがある。
　紫外線を照射する方法で用いられる紫外線の波長は、通常１０～４００ｎｍであり、１０～３５０ｎｍが好ましく、１００～１８０ｎｍがより好ましい。紫外線の発生させる光源としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶレーザー光等が挙げられる。
　加湿処理を施す場合、例えば、上述の混合物を、後述する湿度条件下で一定の時間静置してもよく、撹拌してもよい。加湿処理の際には、混合液を撹拌することが好ましい。
　加湿処理における温度は、十分に改質が進行する温度であればよい。加湿処理における温度は、例えば、５～１５０℃であることが好ましく、１０～１００℃であることがより好ましく、１５～８０℃であることがさらに好ましい。
　加湿処理における湿度は、用いる（２Ｂ）原料化合物に十分に水分が供給される湿度であればよい。加湿処理における湿度は、例えば、３０％～１００％であることが好ましく、４０％～９５％であることがより好ましく、６０％～９０％であることがさらに好ましい。上記温度は、加湿処理を行う温度における相対湿度を意味する。
　加湿処理に要する時間は、十分に改質が進行する時間であればよい。加湿処理に要する時間は、例えば、１０分以上１週間以下であることが好ましく、１時間以上５日以下であることがより好ましく、２時間以上３日以下であることがさらに好ましい。
　改質処理の方法として加湿処理を用いると、（１）半導体粒子の近傍に強固な保護領域を形成しやすいため好ましい。
　加湿処理における水の供給は、水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させることによって行ってもよく、水蒸気を含む雰囲気中で撹拌することで、界面から水分を供給してもよい。
　水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させる場合、得られる発光性粒子の耐久性が向上するため、水蒸気を含むガス流量は、０．０１Ｌ／分以上１００Ｌ／分以下が好ましく、０．１Ｌ／分以上１０Ｌ／分以下がより好ましく、０．１５Ｌ／分以上５Ｌ／分以下がさらに好ましい。水蒸気を含むガスとしては、例えば飽和量の水蒸気を含む窒素を挙げることができる。
　本実施形態の発光性粒子は、例えば（１）半導体粒子１質量部に対して、（２Ｂ）原料化合物の合計使用量が１．１質量部～１０質量部であって、温度が６０℃～１２０℃であるときに得られる。
　発光性粒子の製造方法において、上述の方法による（１）半導体粒子の製造を、（２Ｂ）原料化合物を混合した状態で行い、得られた（１）半導体粒子を含む分散液に改質処理を施してもよい。（１）半導体粒子を製造する際、表面修飾剤を加える工程を含むこととしてもよい。
　（２Ｂ）原料化合物は、溶液と第２溶媒とを混合する工程（第１の製造方法）、又は冷却する工程（第２の製造方法、第３の製造方法）に先立って、反応液に混合しておくとよい。（２Ｂ）原料化合物を含んだ状態で、上記第１～第３の製造方法のいずれかを実施することで、（２Ｂ）原料化合物と（１）半導体粒子とを含む分散液が得られる。得られた分散液に改質処理を施すことで、発光性粒子を得ることとするとよい。
　（２Ｂ）原料化合物としてケイ酸ナトリウムを用いる場合、適宜、酸処理による改質を行って改質体を得るとよい。
　本実施形態において、発光性粒子表面の（１）半導体粒子の面積（Ｓ１）と、（２）改質体群の面積（Ｓ２）との比（（Ｓ１）／（Ｓ２））を上記特定の範囲に制御する方法としては、（１）半導体粒子と、（２Ｂ）原料化合物の各添加量を調整し、且つ加湿処理における温度が６０℃～１２０℃で調整することにより、制御できる。
＜＜組成物の製造方法１＞＞
　以下、得られる組成物の性状を理解しやすくするため、組成物の製造方法１で得られる組成物を「液状組成物」と称する。
　本実施形態の液状組成物は、発光性粒子と（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と混合することで製造することができる。
　また、上述の製造方法で発光性粒子を製造したときに得られる発光性粒子の分散液は、本実施形態における液状組成物に該当する。
　発光性粒子と（４）重合性化合物とを混合する際には、撹拌しながら行うことが好ましい。
　発光性粒子と（４）重合性化合物とを混合する際、混合時の温度には特に制限は無いが、発光性粒子が均一に混合しやすいため、０℃～１００℃の範囲であることが好ましく、１０℃～８０℃の範囲であることがより好ましい。
　その他、液状組成物の製造方法は、下記（ｃ１）～（ｃ３）の製造方法が挙げられる。
　製造方法（ｃ１）：（４）重合性化合物に（１）半導体粒子を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、を含む製造方法。
　製造方法（ｃ２）：（４）重合性化合物に（２Ｂ）原料化合物を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体粒子を混合する工程と、改質処理を施す工程とを含む製造方法。
　製造方法（ｃ３）：（４）重合性化合物に（１）半導体粒子及び（２Ｂ）原料化合物を分散させ分散体を得る工程と、改質処理を施す工程を含む製造方法。
　上記（ｃ１）～（ｃ３）の製造方法の改質処理において、各分散体を得る工程では、（４）重合性化合物を、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物とのいずれか一方又は両方に滴下してもよく、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物とのいずれか一方又は両方を（４）重合性化合物に滴下してもよい。
　均一に分散しやすいため、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物とのいずれか一方又は両方を（４）重合性化合物に滴下することが好ましい。
　上記（ｃ１）～（ｃ３）の製造方法の改質工程において、各混合する工程では、（１）半導体粒子又は（２Ｂ）原料化合物を分散体に滴下してもよいし、分散体を（１）半導体粒子又は（２Ｂ）原料化合物に滴下してもよい。
　均一に分散しやすいため、（１）半導体粒子又は（２Ｂ）原料化合物を分散体に滴下することが好ましい。
　（４）重合性化合物には、（４－１）重合体が溶解していてもよい。
　また、製造方法（ｃ１）～（ｃ３）において、（４）重合性化合物の代わりに、溶媒に溶解させた（４－１）重合体を用いてもよい。
　（４－１）重合体を溶解させる溶媒は、（４－１）重合体を溶解しうる溶媒であれば特に限定されない。溶媒としては、（１）半導体粒子を溶解し難いものが好ましい。
　（４－１）重合体が溶解している溶媒としては、例えば、上述の第３溶媒とおなじ溶媒が挙げられる。
　中でも第２溶媒は極性が低く、（１）半導体粒子を溶解し難いと考えられるため好ましい。
　第２溶媒の中でも、ハロゲン化炭化水素、及び炭化水素がより好ましい。
　本実施形態の液状組成物の製造方法は、下記（ｃ４）の製造方法であってもよい。
　製造方法（ｃ４）：（１）半導体粒子を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、分散液と（４）重合性化合物とを混合し混合液を得る工程と、混合液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程とを含む製造方法。
＜＜組成物の製造方法２＞＞
　本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体粒子と、（２Ｂ）原料化合物と、（４）重合性化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法を挙げることができる。
　また、本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体粒子と、（２Ｂ）原料化合物と、（３）溶媒に溶解している（４－１）重合体とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法も挙げることができる。
　上述の製造方法に含まれる混合する工程には、上述の組成物の製造方法と同様の混合方法を用いることができる。
　組成物の製造方法は、例えば、下記（ｄ１）～（ｄ６）の製造方法が挙げられる。
　製造方法（ｄ１）：（４）重合性化合物に、（１）半導体粒子を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２Ａ）原料化合物と表面修飾剤とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、得られた反応液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ２）と、（４）重合性化合物を重合させる工程とを含む製造方法。
　製造方法（ｄ２）：（４－１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）半導体粒子を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
　製造方法（ｄ３）：（４）重合性化合物に、（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤とを分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体粒子とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
　製造方法（ｄ４）：（４－１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤とを分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）半導体粒子とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
　製造方法（ｄ５）：（４）重合性化合物に、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤との混合物を分散させる工程と、改質処理を施す工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
　製造方法（ｄ６）：（４－１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤との混合物を分散させる工程と、改質処理を施す工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
　製造方法（ｄ２）、（ｄ４）、（ｄ６）に含まれる、（３）溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥や加熱によって（３）溶媒を蒸発させる工程であってもよい。
　（３）溶媒を除去する工程では、例えば、０～３００℃で、１分間～７日間乾燥させることで、（３）溶媒を除去することができる。
　製造方法（ｄ１）（ｄ３）（ｄ５）に含まれる、（４）重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることで行うことができる。
　例えばラジカル重合の場合は、（１）半導体粒子と、（２）で表される化合物を含む層と、（４）重合性化合物との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応を進行させることができる。
　ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。
　光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。
＜＜組成物の製造方法３＞＞
　また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記（ｄ７）の製造方法も採用することができる。
　製造方法（ｄ７）：発光性粒子と（４－１）重合体とを溶融混練する工程を含む製造方法。
　製造方法（ｄ７）においては、発光性粒子と（４－１）重合体との混合物を溶融混練してもよく、溶融した（４－１）重合体に発光性粒子を添加してもよい。
　（４－１）重合体を溶融混練する方法としては、重合体の混練方法として公知の方法を採用することができる。例えば、単軸押出機、又は二軸押出機を用いた押出加工を採用することができる。
≪発光性の半導体粒子の測定≫
　本発明の組成物に含まれる発光性の半導体粒子の量は乾燥質量法によって固形分濃度（質量％）を算出した。
≪量子収率の測定≫
　本発明の発光性粒子の量子収率は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。
　発光性粒子を含む組成物においては、組成物に含まれるペロブスカイト化合物の固形分濃度が２３０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）となるようにトルエンで調整し、測定する。
≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
　本発明の組成物を、１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板上に、塗布、乾燥させて、６５℃の温度、９５％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に置き、水蒸気に対する耐久性試験を行う。試験前後に量子収率を測定し、水蒸気に対する耐久性の指標として、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値を算出する。
　本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の耐久性が、０．２以上であってもよく、０．２５以上であってもよく、０．７４以上であってもよい。
　本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された７日間の熱耐久性試験後の熱耐久性が、０．２以上１．０以下であることが好ましく、０．２５以上１．０以下であることがより好ましく、０．７４以上１．０以下であることがさらに好ましい。
　＜フィルム＞
　本発明に係るフィルムは、前記本実施形態の発光性粒子を含む。
　本実施形態に係るフィルムは、上述の組成物を形成材料とする。例えば、本実施形態に係るフィルムは、粒子及び（４－１）重合体を含み、発光性粒子及び（４－１）重合体の合計がフィルムの総質量に対しの９０質量％以上である。
　フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、一方向に延在する平面視帯状の形状を意味する。平面視帯状の形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。
　フィルムの厚みは、０．０１μｍ～１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ～１０ｍｍであってもよく、１μｍ～１ｍｍであってもよい。
　本明細書においてフィルムの厚みは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向のおもて面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の３点においてフィルムの厚みを測定し、３点の測定値の平均値を、フィルムの厚みとする。
　フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の実施形態の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の実施形態の組成物が用いられていてもよい。
　フィルムは、例えば、後述の積層構造体の製造方法により、基板上に形成されたフィルムを得ることができる。また、フィルムは基板から剥がして得ることができる。
　＜積層構造体＞
　本実施形態に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。
　積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
　積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。
（基板）
　基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよい。基板は、光透過性を有するものが好ましい。光透過性を有する基板を有する積層構造体では、発光性粒子が発した光を取り出しやすいため好ましい。
　基板の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
　例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。
　図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。
　本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、封止層２２が、フィルム１０の第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。
（バリア層）
　本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護する観点から、バリア層を含んでいてもよい。
　バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。バリア層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラス膜などの公知のバリア層を用いることができる。
（光散乱層）
　本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
　光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。
＜発光装置＞
　本発明に係る発光装置は、本発明の実施形態の組成物又は前記積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、後段に設置した組成物又は積層構造体に照射することで、組成物又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。前記発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。
　本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。
（光源）
　本発明に係る発光装置を構成する光源は、特に制限は無いが、前述の組成物、又は積層構造体中の半導体粒子を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を用いることができる。
（光反射部材）
　本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光源の光を前記の組成物、又は積層構造体に向かって照射する観点から、光反射部材を含んでいても良い。光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであっても良い。
　反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。
（輝度強化部）
　本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいても良い。
（プリズムシート）
　本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。
（導光板）
　本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側及び／又は視認側にプリズム形状等が形成された導光板などの任意の適切な導光板が用いることができる。
（要素間の媒体材料層）
　本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層（要素間の媒体材料層）が挙げられる。
　要素間の媒体材料層に含まれる１つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は前記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。
　本発明に係る発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
　具体的には、
　（Ｅ１）本発明の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）、
　（Ｅ２）本発明の組成物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）、
　（Ｅ３）本発明の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）、及び
　（Ｅ４）本発明の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト
が挙げられる。
　また、本発明に係る発光装置の具体例としては、本発明の実施形態の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。
＜ディスプレイ＞
　図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
　本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。
（液晶パネル）
　上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。
（液晶セル）
　液晶セルは、一対の基板と、前記基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。
（偏光板）
　偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
　上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。
　本発明の組成物の用途としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）用の波長変換材料が挙げられる。
＜ＬＥＤ＞
　本発明の組成物は、例えば、ＬＥＤの発光層の材料として用いることができる。
　本発明の組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本発明の組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面にｐ型輸送層を積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる発光性粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。
＜太陽電池＞
　本発明の組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
　前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本発明の組成物を含む活性層、２，２’，７，７’－ｔｅｔｒａｋｉｓ（Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－ｐ－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）－９，９’－ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ－ＭｅＯＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
　酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
　多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。
　活性層に含まれる、本発明の組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。
＜＜フィルムの製造方法＞＞
　フィルムの製造方法は、例えば、下記（ｅ１）～（ｅ３）の製造方法が挙げられる。
　製造方法（ｅ１）：組成物を塗工して塗膜を得る工程と、塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含むフィルムの製造方法。
　製造方法（ｅ２）：（４）重合性化合物を含む組成物を塗工して塗膜を得る工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含むフィルムの製造方法。
　製造方法（ｅ３）：上述の製造方法（ｄ１）～（ｄ６）で得られた組成物を成形加工するフィルムの製造方法。
＜＜積層構造体の製造方法＞＞
　積層構造体の製造方法は、例えば、下記（ｆ１）～（ｆ３）の製造方法が挙げられる。
　製造方法（ｆ１）：組成物を製造する工程と、得られた組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法。
　製造方法（ｆ２）：フィルムを基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法。
　製造方法（ｆ３）：（４）重合性化合物を含む組成物を製造する工程と、得られた組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
　製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ｃ１）～（ｃ４）を採用することができる。
　製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における組成物を基板上に塗工する工程は、特に制限は無いが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法などの、公知の塗布、塗工方法を用いることができる。
　製造方法（ｆ１）における（３）溶媒を除去する工程は、上述した製造方法（ｄ２）、（ｄ４）、（ｄ６）に含まれる（３）溶媒を除去する工程と同様の工程とすることができる。
　製造方法（ｆ３）における（４）重合性化合物を重合させる工程は、上述した製造方法（ｄ１）、（ｄ３）、（ｄ５）に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と同様の工程とすることができる。
　製造方法（ｆ２）におけるフィルムを基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。
　接着剤は、発光性粒子を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
　積層構造体の製造方法は、得られた積層構造体に、さらに任意のフィルムを張り合わせる工程を含んでいてもよい。
　張り合わせる任意のフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。
　フィルムを張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。
　上述の接着剤は、発光性粒子を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
＜発光装置の製造方法＞
　例えば、前述の光源と、光源から後段の光路上に前述の組成物、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。
　なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
＜センサー＞
　本発明の組成物は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料として利用することができる。
　以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（発光性の半導体粒子の固形分濃度測定）
　実施例１～３、及び比較例１で得られた組成物におけるペロブスカイト化合物の固形分濃度は、それぞれ、再分散させることで得られた発光性の半導体粒子及び溶媒を含む分散液を１０５℃で３時間で乾燥させた後に、残存した質量を測定して下記の式に当てはめて算出した。
固形分濃度（質量％）＝乾燥後の質量÷乾燥前の質量×１００
（量子収率の測定）
　実施例１～３、及び比較例１で得られた組成物の量子収率を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。
（水蒸気に対する耐久性の評価１）
　実施例１～３、及び比較例１で得られた組成物を、６５℃の温度、９５％湿度で一定にしたオーブン中に置き、７日後に、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で量子収率を測定した。耐久性試験は組成物を１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板上に１００μＬ塗布し、自然乾燥で蒸発させた後に評価した。
　水蒸気に対する耐久性の指標として、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値で評価した。
＜透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による粒子の表面の観察＞
　本実施形態の粒子の表面は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日本電子株式会社製、ＪＥＭ－２２００ＦＳ）を用いて得られるＴＥＭ像で観察した。製造した粒子を含む組成物をＴＥＭ専用の支持膜付きグリッドにキャストし自然乾燥させた後、得られたキャスト膜を、観察用試料とした。観察条件は、加速電圧２００ｋＶとした。
＜ＴＥＭを用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＳＴＥＭ－ＥＤＸ）による粒子の表面の観察＞
　製造した粒子のＴＥＭ像の視野において、エネルギー分散型Ｘ線分析（日本電子株式会社製、ＪＥＤ－２３００）を行い、元素マッピング像を得た。測定条件は、上述の粒子のＴＥＭ像の視野で（１）半導体粒子を構成する成分として、Ｐｂ元素と、（２）改質体群を構成する元素としてＳｉ元素を選定して元素マッピングを行った。
＜粒子表面に占める（１）発光性の半導体粒子の面積と（２）改質体群の面積の測定＞
　得られた粒子のＴＥＭ像中、（１）発光性の半導体粒子が存在する領域を黒色とし、それ以外の領域を白色として変換した二値化処理済み画像を得た。このとき、ＳＴＥＭ－ＥＤＸ測定で得られた元素マッピング像と比較し、（１）発光性の半導体粒子に由来する成分が検出されている位置を黒色に変換できていることを確認した。
 次に、（２）改質体群が存在する領域を黒色とし、それ以外の領域を白色として変換した二値化処理済み画像を得た。このとき、ＳＴＥＭ－ＥＤＸ測定で得られた元素マッピング像と比較し、（２）改質体群に由来する成分が検出されている領域を黒色に変換できていることを確認した。
　上述の二値化処理済み画像について、画像解析ソフトを用いて、（１）発光性の半導体粒子が存在する領域の面積と（２）改質体群が存在する領域の面積を算出した。ここで、（２）改質体群の内部に（１）発光性の半導体粒子が存在する場合は、（２）改質体群が存在する領域の面積から発光性の半導体粒子が存在する領域の面積を引くことによって、（２）改質体群が存在する領域のみの面積を算出した。（２）改質体群の面積に対する発光性の半導体粒子の面積の比は下記式を用いて算出し、１０視野以上を観察して測定した値の平均値を用いた。
　面積比＝（Ｓ１）／（Ｓ２）
［実施例１］
（（１）半導体粒子の製造）
　オレイルアミン２５ｍＬ、及びエタノール２００ｍＬを混合した後、氷冷しながら攪拌しながら臭化水素酸集溶液（４８％）を１７．１２ｍＬ添加した後、減圧乾燥して沈殿を得た。沈殿はジエチルエーテルを用いて洗浄した後、減圧乾燥して臭化オレイルアンモニウムを得た。
　臭化オレイルアンモニウム２１ｇに対して、トルエン２００ｍＬを混合して臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を調製した。
　酢酸鉛・３水和物１．５２ｇと、ホルムアミジン酢酸塩１．５６ｇ、１－オクタデセンの溶媒１６０ｍＬと、オレイン酸４０ｍＬとを混合した。攪拌して、窒素を流しながら１３０℃でまで加熱した後、上述の臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を５３．４ｍＬ添加した。添加後溶液を室温まで降温し、半導体粒子１を含む分散液１を得た。
　２００ｍＬの上記分散液１に対してトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬを混合した溶液をろ過で固液分離した。その後、ろ過上の固形分をトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬの混合溶液を２回流して洗浄し、ろ過した。これにより、半導体粒子１を得た。
　得られた半導体粒子１をトルエンで分散し、分散液２を得た。分散液２を、ＸＲＤ測定した所、ＸＲＤスペクトルは２θ＝１４．７５°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。測定結果より、回収した半導体粒子１は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物であることを確認した。
　分散液２のXRD測定には、ＸＲＤ、ＣｕＫα線、Ｘ’ｐｅｒｔ　ＰＲＯ　ＭＰＤ、スペクトリス社製を使用した。
（発光性粒子の製造）
　２００ｍLの上記分散液２を半導体粒子１の濃度が０．２３質量％になるようにトルエンを混合して調製した。ここに、オルガノポリシラザン（１５００　Ｓｌｏｗ　Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ，　メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）を、分散液２中の１質量部の半導体粒子１に対し、１．９質量部加えた。その後、水蒸気による改質処理を４時間実施し、発光性粒子１を含む組成物１を得た。
　この際の改質処理条件として、水蒸気の流量は０．２Ｌ／ｍｉｎ（Ｎ２ガスとともに供給、３０℃の飽和水蒸気量）、加熱温度は８０℃とした。
　組成物１の総質量に対する発光性粒子１の濃度は、０．６９質量％であった。
　上記組成物１を１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板上に１００μＬ塗布し、自然乾燥で蒸発させて膜状の組成物を得た後、水蒸気に対する耐久性試験を実施した。
　水蒸気に対する耐久性試験の結果、（水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は、０．７５であった。
　上記組成物１をＴＥＭ専用の指示膜付きグリッドにキャストし自然乾燥させた後、得られた発光性粒子１を含むキャスト膜１を得た。得られたキャスト膜1を観察用試料としてＴＥＭ像を得た。得られたＴＥＭ像を用いて、上述の方法で（Ｓ１）／（Ｓ２）の面積比を算出すると、０．０７４であった。
［実施例２］
　半導体粒子の製造工程における加熱処理温度を１００℃とした以外は、上記実施例１と同様の方法で組成物を得た。上述の方法で（Ｓ１）／（Ｓ２）の面積比を算出すると、０．１５４であった。
　水蒸気に対する耐久性試験の結果、（水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は、０．２８であった。
［実施例３］
　発光性粒子の製造工程における反応時のオルガノシラザンの仕込みを４．９質量部とした以外は、実施例１と同様の方法で組成物を得た。上述の方法で（Ｓ１）／（Ｓ２）の面積比を算出すると、０．１３５であった。
　水蒸気に対する耐久性試験の結果、（水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は、０．７３であった。
［比較例１］
　発光性粒子の製造工程における反応時のオルガノシラザンの仕込みを１質量部とした以外は、実施例１と同様の方法で組成物を得た。上述の方法で（Ｓ１）／（Ｓ２）の面積比を算出すると、０．６９６であった。
　水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率は６９．４％であり、水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率は１１．８％であった。（水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は、０．１７であった。
　上記の結果から、本発明を適用した実施例１～３に係る組成物は、本発明を適用しない比較例１の組成物と比べて、優れた水蒸気に対する耐久性を有していることが確認できた。
［参考例１］
　実施例１～３に記載の組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例２］
　実施例１～３に記載の組成物をシート化する事で樹脂組成物を得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例３］
　実施例１～３に記載の組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例４］
　実施例１～３に記載の組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例５］
　実施例１～３に記載の組成物をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。
［参考例６］
　フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１～３に記載の組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２’，７，７’－ｔｅｔｒａｋｉｓ－（Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－ｐ－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）－９，９’－ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ－ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。
［参考例７］
　実施例１～３に記載の組成物の、溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから組成物に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
［参考例８］
　実施例１～３に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができる。得られた組成物を光電変換層の一部とすることで、光を検知する検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料を製造する。光電変換素子材料は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーに用いられる。
　本発明によれば、水蒸気に対する耐久性が高い発光性粒子を含む組成物、前記組成物の製造方法を提供、前記組成物からなるフィルム、前記組成物を含む積層構造体、及び前記組成物を用いたディスプレイを提供することが可能となる。
　したがって、本発明の組成物、前記組成物からなるフィルム、前記組成物を含む積層構造体、及び前記組成物を用いたディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。
１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims (9)

  1. 　（１）成分と（２）成分とを含む粒子であり、
    　（１）成分の表面に（２）成分が存在し、
    　前記粒子の表面に占める（１）成分の面積をＳ１とし、前記粒子の表面に占める（２）成分の面積をＳ２としたときの面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））が、０．０１以上０．５以下である、粒子。
    　（１）成分：発光性の半導体粒子。
    　（２）成分：シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物の改質体及びケイ酸ナトリウム改質体からなる群より選択される１種以上の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（Ｃ１）中、Ｙ５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
    　Ｙ５が酸素原子の場合、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
    　Ｙ５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ３０は炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ３１は水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
    　式（Ｃ２）中、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
    　式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
    　Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
    　ａは１～３の整数である。
    　ａが２又は３のとき、複数存在するＹ５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
    　ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
    　ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
    　ａが１又は２のとき、複数存在するＲ３１は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）中、ＡＣは２価の炭化水素基であり、Ｙ１５は酸素原子又は硫黄原子である。
    　Ｒ１２２及びＲ１２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２４は、炭素原子数１～２０のアルキル基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２５及びＲ１２６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表す。
    　Ｒ１２２～Ｒ１２６で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。）
  2. 　（１）成分の表面の少なくとも一部を覆う表面修飾剤層を有し、
    　前記表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）～（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）～（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする請求項１に記載の粒子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
     （式（Ｘ１）中、Ｒ１８～Ｒ２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ－はカウンターアニオンを表す。
    　式（Ｘ２）中、Ａ１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２２は、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
    　式（Ｘ３）中、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
    　式（Ｘ４）中、Ａ４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２５は、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
    　式（Ｘ５）中、Ａ５～Ａ７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２６～Ｒ２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は炭素原子数２～２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
    　式（Ｘ６）中、Ａ８～Ａ１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２９～Ｒ３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は炭素原子数２～２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
    　Ｒ１８～Ｒ３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）
  3. 　（１）成分がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物である、請求項１又は２に記載の粒子。
    　（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
    　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
    　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
  4. 　前記表面修飾剤層は、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩及びイオンからなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする請求項２又は３に記載の粒子。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の粒子と、（３）成分、（４）成分、及び（４－１）成分からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む組成物。
    　（３）成分：溶媒
    　（４）成分：重合性化合物
    　（４－１）成分：重合体
  6. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の粒子を含むフィルム。
  7. 　請求項６に記載のフィルムを含む積層構造体。
  8. 　請求項７に記載の積層構造体を備える発光装置。
  9. 　請求項７に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
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