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WO2020065955A1 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

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WO2020065955A1
WO2020065955A1 PCT/JP2018/036437 JP2018036437W WO2020065955A1 WO 2020065955 A1 WO2020065955 A1 WO 2020065955A1 JP 2018036437 W JP2018036437 W JP 2018036437W WO 2020065955 A1 WO2020065955 A1 WO 2020065955A1
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WO
WIPO (PCT)
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display device
layer
organic
display
mask
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2018/036437
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English (en)
French (fr)
Inventor
通 園田
越智　貴志
純平 高橋
亨 妹尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US17/280,840 priority Critical patent/US12114522B2/en
Priority to PCT/JP2018/036437 priority patent/WO2020065955A1/ja
Priority to CN201880098107.0A priority patent/CN112753060B/zh
Publication of WO2020065955A1 publication Critical patent/WO2020065955A1/ja
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    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Definitions

  • the present disclosure relates to a display device and a method for manufacturing the same.
  • the organic EL display device is provided with a sealing film that covers the organic EL element in order to suppress the deterioration of the organic EL element due to intrusion of moisture, oxygen, or the like.
  • a sealing structure using the sealing film there has been proposed a structure in which the sealing film is configured by a laminated film including an organic layer and an inorganic layer (for example, see Patent Document 1).
  • the organic layer forming the sealing film is formed by, for example, an inkjet method.
  • the design of the display device is improved by forming the display area in a different shape from the rectangular shape in a plan view.
  • the display area of the organic EL display device has a substantially rectangular shape in which four corners are rounded corners formed in a curved shape.
  • a method of manufacturing such an organic EL display device there has been proposed a method of devising the configuration of a film forming mask used for forming an organic EL element.
  • the film forming mask includes a rectangular frame-shaped mask frame, a plurality of mask sheets that are bridged over the mask frame and whose both ends are fixed, and a plurality of support sheets that support the plurality of mask sheets.
  • the mask sheet is formed in a strip shape, and has a vapor deposition pattern opening including a large number of through holes for vapor deposition in a pixel unit or a sub-pixel unit with respect to a mother board for multi-panel production.
  • the support sheet is formed in a thin plate shape that extends linearly, and is stretched over the mask frame in a direction orthogonal to the mask sheet and both ends are fixed.
  • the support sheet is provided with a shielding portion for shielding a region to be vapor-deposited through the vapor-deposition pattern opening formed in the mask sheet so as to have a shape in which rectangular corners are partially omitted in display panel units.
  • a cover sheet is provided on the film forming mask.
  • the cover sheet is formed in a thin plate shape extending linearly, and is stretched over the mask frame in a direction parallel to the mask sheet, and both ends are fixed.
  • a cover sheet is provided between each mask sheet.
  • Such a film forming mask is used in a state where it is disposed in a vapor deposition apparatus and is attracted to the mother substrate side by a magnetic force.
  • the support sheet and the cover sheet are pulled by the magnetic force in the vapor deposition apparatus toward the mother substrate.
  • the mask sheet is displaced toward the substrate, and the displacement strongly presses the mask sheet against the mother substrate.
  • the mask sheet is in contact with the blocking wall in the area where the shielding portion is provided, the pressing force of the mask sheet against the blocking wall is increased, the blocking wall is worn, and the blocking wall and its Foreign matter is likely to be generated in the periphery.
  • a conductive portion and various wirings for establishing conduction with the electrode of the organic EL element are provided at a corresponding portion of the dam wall and a display region side thereof. The quality may be adversely affected.
  • the technology of the present disclosure has been made in view of such a point, and an object thereof is to provide an organic EL display device having a display region of an irregular shape, at a position corresponding to a dam wall and the display region side thereof. It is to suppress the generation of foreign matter.
  • the display device includes a base substrate, a TFT layer provided on the base substrate, a light emitting element provided on the TFT layer, and a sealing provided to cover the light emitting element.
  • a display region for displaying an image by light emission of the light-emitting element, and a frame region located around the display region, and a dam wall surrounding the display region is provided in the frame region.
  • a display device wherein the sealing film includes an organic layer provided inside the dam wall, wherein the display region is provided in a deformed shape having a deformed portion whose outer peripheral shape is different from a rectangle; A convex portion having a height equal to or higher than the dam wall is provided at a position outside the dam wall in the region and facing the deformed portion of the display area via the dam wall. I do.
  • the display device described above since the convex portion facing the deformed portion of the display region is provided outside the dam wall in the frame region at a height equal to or higher than the dam wall, the display is manufactured in the manufacturing of the display device. Even if a film-forming mask provided with a shielding portion for forming a deformed portion in a region is used, the film-forming mask contacts the convex portion preferentially over the dam wall. As a result, the contact between the film forming mask and the dam wall is prevented, or the load applied to the dam wall is dispersed by the pressing of the film forming mask even if the film mask contacts the dam wall. It is possible to suppress the generation of foreign matter at the corresponding location on the wall and on the display area side.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a display panel included in the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing a part of the display area surrounded by II in FIG.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a part of a TFT layer included in the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of the display area of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a stacked structure of the organic EL layers included in the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the frame region of the display panel taken along line VI-VI in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a plan view illustrating a schematic configuration of a film forming mask used for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic flowchart of the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a plan view illustrating a schematic configuration of a mother substrate used for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a state of an organic EL layer forming step in the method for manufacturing an organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is a plan view showing one panel constituent region and a portion of a film forming mask corresponding to the one panel constituent region in the mother substrate in the organic EL layer forming step in the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the frame region of the display panel taken along line XII-XII in FIG.
  • FIG. 13 is a plan view illustrating a main part configuration of one panel configuration area of a mother substrate in a manufacturing process of an organic EL display device according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 14 is a plan view illustrating a schematic configuration of a display panel included in the organic EL display device according to the second embodiment.
  • FIG. 15 is a plan view illustrating a schematic configuration of a display panel included in an organic EL display device according to a modification of the second embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram corresponding to FIG. 6 of a display panel constituting the organic EL display device according to the third embodiment.
  • a component such as another film or layer is provided or formed on a component such as a certain film or layer is described immediately above a certain component or component. It does not only mean the case where other components are present, but also the case where other components such as films and layers are interposed between the two components.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a display panel 2 constituting an organic EL display device 1 according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing a part of the display area D surrounded by II in FIG.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a part of the TFT layer 8 constituting the organic EL display device 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of the display area D in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a stacked structure of the organic EL layer 30 included in the organic EL display device 1.
  • the organic EL display device 1 includes a display panel 2 having an external shape having a different shape from a rectangular shape in plan view.
  • the display panel 2 has rounded corners 2a in a curved shape (R shape) having four rounded corners, and has a concave notch 2b in an intermediate portion of one side.
  • a shape other than a rectangle may be referred to as an “irregular shape”.
  • the display panel 2 includes a display area D for displaying images, and a frame area F located around the display area D. In the frame area F, a terminal portion T for connecting to an external circuit is provided.
  • a wiring board such as an FPC (Flexible Printed Circuit) is connected to the terminal portion T.
  • FPC Flexible Printed Circuit
  • the display area D is provided in an irregular shape so as to follow the outer shape of the display panel 2, and has round corners Da at four corners and a notch Db provided on one side.
  • the round corner Da and the notch Db are examples of a deformed portion in which the outer peripheral shape of the display area D is different from a rectangle.
  • the notch portion Db constitutes, for example, a place for storing a mounted component such as a camera.
  • the frame region F is provided in a frame shape having a plurality of sides along the outer peripheral shape of the display region D.
  • the terminal portion T is provided in a portion constituting one side of the frame region F facing the notch portion Db.
  • a portion that constitutes a side (each side on the left and right in FIG. 1) adjacent to the side on which the terminal portion T is provided is not shown, but is not illustrated.
  • a conductive portion and a wiring for establishing conduction with the two electrodes 31) are provided.
  • a plurality of wirings 15f are provided between the display area D and the terminal portion T in the frame area F. These multiple wirings 15f include low-voltage power supply wirings.
  • wiring terminals 15t for establishing conduction with the routing wiring 15f are arranged in a predetermined pattern.
  • the display panel 2 employs an active matrix drive system.
  • the display area D includes a plurality of pixels 5 as shown in FIG. These pixels 5 are arranged in a matrix.
  • Each pixel 5 includes, for example, three color sub-pixels 6 including a sub-pixel 6r for displaying red, a sub-pixel 6g for displaying green, and a sub-pixel 6b for displaying blue.
  • These three color sub-pixels 6r, 6g, 6b are arranged, for example, in a juxtaposed manner and are adjacent in a stripe shape.
  • the display panel 2 includes a resin substrate layer 7, a TFT (Thin Film Transistor) layer 8 provided on the resin substrate layer 7, and an organic EL element 9 provided on the TFT layer 8. And a sealing film 10 provided so as to cover the organic EL element 9.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the resin substrate layer 7 is formed of, for example, a polyimide resin and has flexibility. This resin substrate layer 7 is an example of a base substrate.
  • the TFT layer 8 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 7, a plurality of first TFTs 12, a plurality of second TFTs 13, a plurality of capacitors 14 provided on the base coat film 11, and various display wirings 15, A flattening film 16 is provided to cover the first TFT 12, the second TFT 13, the capacitor 14, and the display wiring 15.
  • the base coat film 11 is, for example, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy; x> y), silicon nitride oxide (SiNxOy; x> y) (x and y are positive numbers, and the same hereinafter). ) And the like, or a single-layer film or a multilayer film of an inorganic insulating film.
  • the first TFT 12, the second TFT 13, and the capacitor 14 are provided for each sub-pixel 6.
  • the display wiring 15 supplies a plurality of gate wirings 15 g for transmitting gate signals, a plurality of source wirings 15 s for transmitting source signals, and supplies a current to the organic EL element 9.
  • a plurality of high-voltage power supply wirings 15 hp are provided.
  • the plurality of gate wires 15g extend parallel to each other in a direction along the side where the terminal portion T is provided.
  • the plurality of source lines 15s extend in parallel with each other in a direction crossing the gate line 15g.
  • the plurality of high-voltage power supply lines 15hp extend in parallel with each other along the source line 15s.
  • the gate wiring 15g, the source wiring 15s, and the high-voltage power supply wiring 15hp are insulated from each other and are formed in a lattice shape as a whole to partition each sub-pixel 6.
  • Each gate wiring 15g is connected to a gate driver in the frame region F, and is sequentially driven (signal applied) by the gate driver.
  • Each of the source wiring 15s and the high-voltage power supply wiring 15hp has the frame area F drawn from the display area D to the terminal portion T as a lead wiring 15f.
  • Each high-voltage power supply line 15hp is electrically connected to a high-voltage power supply (ELVDD) via a wiring terminal 15t provided in the terminal portion T.
  • EUVDD high-voltage power supply
  • the first TFT 12 and the second TFT 13 are an example of an active element, and have a top-gate structure, for example.
  • the first TFT 12 and the second TFT 13 include a semiconductor layer 17 provided in an island shape on the base coat film 11 and a gate insulating film 18 provided to cover the semiconductor layer 17.
  • a gate electrode 19 overlapping a part (channel region) of the semiconductor layer 17 via the gate insulating film 18, an interlayer insulating film 20 provided to cover the gate electrode 19, and provided on the interlayer insulating film 20.
  • a source electrode 21 and a drain electrode 22 are provided.
  • the gate electrode 19 is formed of the same material in the same layer as the plurality of gate wirings 15g.
  • the interlayer insulating film 20 is configured by a laminated film of a first interlayer insulating film 23 and a second interlayer insulating film 24.
  • the first interlayer insulating film 23, the second interlayer insulating film 24, and the gate insulating film 18 are made of, for example, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy; x> y), silicon nitride oxide. (SiNxOy; x> y) and the like.
  • the source electrode 21 and the drain electrode 22 are separated from each other, and a region (channel region) overlapping the gate electrode 19 in the semiconductor layer 17 via the contact hole 25 formed in the gate insulating film 18 and the interlayer insulating film 20 is formed. It is connected to different portions (source region, drain region) at the sandwiched position.
  • the source electrode 21 is formed of the same material in the same layer as the plurality of source wirings 15s.
  • the gate electrode 19 is provided integrally with the corresponding gate wiring 15g
  • the source electrode 21 is provided integrally with the corresponding source wiring 15s
  • the drain electrode 22 is provided with the gate electrode 19 of the second TFT 13 and the capacitor 14g. Is electrically connected to In the second TFT 13, the source electrode 21 is electrically connected to the high-voltage power supply wiring 15hp, and the drain electrode 22 is electrically connected to the organic EL element 9 (first electrode 29).
  • the capacitor 14 is connected to the corresponding first TFT 12 and the high voltage power supply wiring 15hp.
  • the capacitor 14 includes a lower conductive layer 26 provided on the gate insulating film 18, a first interlayer insulating film 23 provided to cover the lower conductive layer 26, and a lower conductive layer 23 via the first interlayer insulating film 23.
  • An upper conductive layer 27 overlapping the layer 26.
  • the lower conductive layer 26 is formed in the same layer and the same material as the gate electrode 19.
  • the upper conductive layer 27 is connected to the high-voltage power supply wiring 15hp via a contact hole 28 formed in the second interlayer insulating film 24.
  • the flattening film 16 covers a portion other than a part of the drain electrode 22 of the second TFT 12, thereby changing the surface of the TFT layer 8 to the source wiring 15 s, the high-voltage power wiring 15 hp, and the surface shapes of the first TFT 12 and the second TFT 13. Is flattened so as not to be reflected.
  • the flattening film 16 is formed of, for example, an organic material such as a photosensitive polyimide resin.
  • the organic EL element 9 is provided on the flattening film 16 and forms a display area D.
  • the organic EL element 9 is an example of a light emitting element, and employs a top emission type structure.
  • the organic EL element 9 includes a plurality of first electrodes 29 provided on the surface of the flattening film 16, an organic EL layer 30 as a functional layer provided on each first electrode 29, A second electrode 31 overlapping the first electrode 29 with the EL layer 30 interposed therebetween.
  • the first electrode 29 is provided in each sub-pixel 6 and is arranged in a matrix.
  • the first electrode 29 is connected to the drain electrode 22 of the second TFT 13 in the corresponding sub-pixel 6 via a contact hole 32 formed in the planarization film 16. Connected.
  • These first electrodes 29 are examples of pixel electrodes.
  • the first electrode 29 has a function of injecting holes (holes) into the organic EL layer 30, and is formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 30. Is preferred.
  • the first electrode 29 As a material of the first electrode 29, for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), calcium (Cu) , Titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) and the like. No.
  • the material of the first electrode 29 is, for example, an alloy of magnesium (Mg) and copper (Cu), an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag), or an alloy of sodium (Na) and potassium (K). Alloys of astatine (At) and astatine oxide (AtO 2 ), alloys of lithium (Li) and aluminum (Al), alloys of lithium (Li), calcium (Ca), and aluminum (Al). Is also good.
  • the material of the first electrode 29 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Is also good. Further, the first electrode 29 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above-described materials. Note that examples of the material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the first electrodes 29 of the adjacent sub-pixels 6 are separated by an edge cover 33 provided on the flattening film 16.
  • the edge cover 33 is formed in a lattice shape and covers the peripheral end of each first electrode 29.
  • Examples of the material of the edge cover 33 include inorganic compounds such as silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride, and organic materials such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolak resin.
  • a convex photo spacer 42 is provided integrally.
  • the photo spacer 42 functions as a stopper for a film-forming mask used for forming a vapor-deposited film or the like in the manufacturing process of the organic EL display device 1.
  • the photo spacer 42 is formed by making a portion of the edge cover 33 corresponding to the photo spacer 33a thicker than other portions using a gray tone mask or a half tone mask.
  • the organic EL layer 30 is provided for each sub-pixel 6. As shown in FIG. 5, the organic EL layer 30 has a hole injection layer 34, a hole transport layer 35, a light emitting layer 36, an electron transport layer 37, and an electron injection layer 38 laminated on the first electrode 29 in this order. It has the structure which was done.
  • the hole injecting layer 34, the hole transporting layer 35, the light emitting layer 36, the electron transporting layer 37, and the electron injecting layer 38 are thin film patterns formed using a film forming mask 70, and are formed by, for example, a vacuum evaporation method. It is a deposited film to be formed.
  • the hole injection layer 34 also called an anode buffer layer, improves the efficiency with which holes are injected from the first electrode 29 into the organic EL layer 30 by bringing the energy levels of the first electrode 29 and the organic EL layer 30 closer to each other. It has the function to do.
  • the material of the hole injection layer 34 include a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, a hydrazone derivative, and a stilbene derivative. And the like.
  • the hole transport layer 35 has a function of efficiently moving holes to the light emitting layer 36.
  • the material of the hole transport layer 35 include a polyferrin derivative, an aromatic tertiary amine compound, a styrylamine derivative, polyvinyl carbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, Polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted alcon derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydroxylated amorphous silicon, hydroxylated amorphous silicon carbide , Zinc sulfide, zinc selenide and the like.
  • the light-emitting layer 36 When a voltage is applied by the first electrode 29 and the second electrode 31, the light-emitting layer 36 emits light by recombining holes injected from the first electrode 29 and electrons injected from the second electrode 31. It has the function to do.
  • the light emitting layer 36 is formed of a different material in each of the sub-pixels 6 according to the light emission color (for example, red, green or blue) of the organic EL element 9.
  • Examples of the material of the light emitting layer 36 include a metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenylethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, a coumarin derivative, and a benzoxazole derivative.
  • Oxadiazole derivative benzothiazole derivative, styryl derivative, styrylamine derivative, bisstyrylbenzene derivative, tristyrylbenzene derivative, perylene derivative, perinone derivative, aminopyrene derivative, pyridine derivative, rhodamine derivative, aquidin derivative, phenoxazone, quinacridone derivative, Rubrene, poly-p-phenylenevinylene, polysilane and the like.
  • the electron transport layer 37 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 36.
  • Examples of the material of the electron transport layer 37 include, as organic compounds, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, fluorenone derivatives, silole derivatives, and metals. Oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 38 is also called a cathode buffer layer, and has a function of making the energy levels of the second electrode 31 and the organic EL layer 30 close to each other and improving the efficiency of electron injection from the second electrode 31 to the organic EL layer 30. doing.
  • Examples of the material of the electron injection layer 38 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride (BaF 2 ).
  • Such inorganic alkali compounds, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
  • the second electrode 31 is provided in common to the plurality of first electrodes 29 (that is, common to the plurality of sub-pixels 6) and covers the organic EL layer 30, as shown in FIG.
  • the second electrode 31 is electrically connected to the low-voltage power supply wiring, and conduction with the low-voltage power supply (ELVSS) is established at the wiring terminal 15t provided in the terminal unit T through the low-voltage power supply wiring.
  • the second electrode 31 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 30, and is preferably formed of a material having a small work function in order to improve the efficiency of injecting electrons into the organic EL layer 30. .
  • Examples of the material of the second electrode 31 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), and calcium (Ca). , Titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb), and the like.
  • the material of the second electrode 31 is, for example, an alloy of magnesium (Mg) and copper (Cu), an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag), or an alloy of sodium (Na) and potassium (K). Alloys of astatine (At) and astatine oxide (AtO 2 ), alloys of lithium (Li) and aluminum (Al), alloys of lithium (Li), calcium (Ca), and aluminum (Al). Is also good.
  • the material of the second electrode 31 may be, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). .
  • the second electrode 31 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above-described materials.
  • Examples of the material having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), an alloy of magnesium (Mg) and copper (Cu), and magnesium (Mg) and silver (Ag).
  • An alloy of sodium (Na) and potassium (K) an alloy of lithium (Li), calcium (Ca), and aluminum (Al), lithium fluoride (LiF), calcium (Ca), and aluminum ( Al) and the like.
  • the sealing film 10 has a function of protecting the organic EL element 9 from moisture, oxygen, and the like.
  • the sealing film 10 includes a first inorganic layer 39 provided so as to cover the organic EL element 9, an organic layer 40 provided on the first inorganic layer 39, and an organic layer 40. And a second inorganic layer 41 provided so as to cover.
  • the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41 are made of, for example, silicon nitride (SiNx (x) such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ). Is a positive number)), and an inorganic material such as silicon carbonitride (SiCN).
  • the organic layer 40 is formed of, for example, an organic material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polyurea resin, a parylene resin, a polyimide resin, and a polyamide resin.
  • the first inorganic layer 39, the organic layer 40, and the second inorganic layer 41 are provided in the entire display region D and also in the frame region F. Each peripheral end of the first inorganic layer 39, the organic layer 40, and the second inorganic layer 41 is positioned in the frame region F. Each peripheral end of the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41 is positioned outside the frame region F, and the peripheral end of the organic layer 40 is formed of the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41. It is positioned closer to the display area D than both peripheral edges.
  • a photo spacer 42 is provided on the flattening film 16 in the frame region F, and when the organic material for forming the organic layer 40 is applied during the manufacturing process of the organic EL display device 1.
  • a damming structure 44 for damping the outward spread of the frame region F in the above.
  • the blocking structure 44 includes a first blocking wall 45 and a second blocking wall 46 provided so as to surround the display area D.
  • the first dam wall 45 and the second dam wall 46 are formed in a frame shape on the outer periphery of the flattening film 16 so as to follow the outer peripheral shape of the display region D over the entire periphery, and have similar shapes.
  • the frames are arranged at intervals in the width direction of the frame region F.
  • the first dam wall 45 is provided on the display area D side and is arranged inside the second dam wall 46.
  • the first dam wall 45 is composed of only one layer formed on the interlayer insulating film 20 in the same layer and the same material as the flattening film 16.
  • the first dam wall 45 overlaps with the peripheral end of the organic layer 40 forming the sealing film 10 and limits the formation region of the organic layer 40.
  • the organic layer 40 is provided completely inside the first dam wall 45.
  • the second dam wall 46 is arranged outside the first dam wall 45 and is provided so as to surround the first dam wall 45.
  • the second dam wall 46 has a structure in which a first wall layer 47 and a second wall layer 48 are laminated on the interlayer insulating film 20 in this order.
  • the first wall layer 47 is formed of the same material and in the same layer as the flattening film 16 and has the same height h1 as the height h1 of the first dam wall 45.
  • the second wall layer 48 is formed of the same material on the same layer as the edge cover 33, and has the same height as the height h0 of the photo spacer 42.
  • the height h2 of the second dam wall 46 corresponds to the first wall layer 47 because the second dam wall 46 is composed of the two layers of the first wall layer 47 and the second wall layer 48.
  • the height is higher than the height h1 of the first dam wall 45 composed of only one layer, and is substantially equal to the height h0 of the photo spacer.
  • the height h0 of the photo spacer 42, the height h1 of the first blocking wall 45, and the height h2 of the second blocking wall 46 are opposite to the surface of the interlayer insulating film 20 and the interlayer insulating film 20, respectively. The distance to the surface located on the side.
  • the first dam wall 45 and the second dam wall 46 are in a positional relationship such that they intersect with the various wirings 15f and partially overlap.
  • the leading wiring 15f electrically connected to the source wiring 15s in the display region D is a portion of the frame region F that constitutes one side of the frame region F where the terminal portion T is provided.
  • the second dam wall 46 is a low-voltage power supply line (not shown) partially overlaps at least one of the first dam wall 45 and the second dam wall 46.
  • a projection 50 is provided so as to surround the dam structure 44.
  • the convex portion 50 is formed in a frame shape that follows the outer peripheral shape of the display area D, similarly to the first and second dam walls 45 and 46. It has a similar shape to the dam wall 46 and is arranged outside the second dam wall 46 with an interval.
  • the protrusion 50 is provided over the entire periphery of the frame region F.
  • the formation position of such a convex part 50 also includes a position facing each round corner Da and the notch part Db of the display area D via the first dam wall 45 and the second dam wall 46. .
  • a portion of the convex portion 50 formed at a position facing each round corner Da of the display area D is formed in a shape along the outer edge of the corresponding round corner Da.
  • a portion of the convex portion 50 formed at a position facing the notch portion Db of the display area D is formed in a shape along the outer edge of the notch portion Da.
  • the convex portion 50 has a structure in which a first convex layer 51 and a second convex layer 52 are laminated on the interlayer insulating film 20 in this order.
  • the first convex layer 51 is formed of the same material and in the same layer as the planarizing film 16 using a gray-tone mask, and the first convex layer 51 is formed of the same material as the planarizing film 16, the first blocking wall 45, and the second blocking wall 46. It is thicker than the wall layer 47.
  • the second convex layer 52 is formed in the same layer and the same material as the edge cover 33.
  • the height h3 of the convex portion 50 is such that the first convex layer 51 is formed relatively thick, so that the height h0 of the photo spacer 42, the height h1 of the first dam wall 45, and 2 is higher than the height h2 of the dam wall 46.
  • the height h3 of the protrusion 50 is the same as the height h0 of the photo spacer 42, the height h1 of the first dam wall 45, and the height h2 of the second dam wall 46, of the interlayer insulating film 20. It means the distance from the surface to the surface located on the side opposite to the interlayer insulating film 20.
  • the convex portion 50 plays a role as a spacer that preferentially contacts a film forming mask 70 used when forming a vapor-deposited film in the process of manufacturing the organic EL display device 1.
  • the organic layer 40 is blocked by the first blocking wall 45 and is not provided outside the first blocking wall 45.
  • Such an organic layer 40 covers various elements including the organic EL element 9 and a control circuit such as a gate driver, and covers foreign matter in a place where these various elements and circuits are formed, and covers the foreign matter. It functions as a buffer layer for preventing defects from occurring in the stop film 10.
  • the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41 cover the first dam wall 45, the second dam wall 46, and the projection 50, respectively.
  • the peripheral ends of the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41 are joined to each other outside the first dam wall 45.
  • the organic layer 40 is surrounded by the first inorganic layer 39 and the second inorganic layer 41, and is sealed between the inorganic layers 39 and 41.
  • a gate signal is input to the first TFT 12 via the gate line 15g to turn on the first TFT 12, and the gate of the second TFT 13 is connected via the source line 15s.
  • a predetermined voltage corresponding to the source signal is written to the electrode 19 and the capacitor 14, and a current corresponding to the gate voltage of the second TFT 13 is supplied to the organic EL element 9 from the high-voltage power supply wiring 15hp, so that the organic EL layer 30 ( The light emitting layer 36) emits light to display an image.
  • the gate voltage of the second TFT 13 is held by the capacitor 14, so that the organic EL layer 30 emits light until the gate signal of the next frame is input. Is maintained for each sub-pixel 6.
  • Such an organic EL display device 1 uses a mother substrate 60 in which a plurality of panel configuration regions 61 constituting the resin substrate layer 11 of the display panel 2 exist, and a TFT layer is provided in each panel configuration region 61 with respect to the mother substrate 60. 8. After the organic EL element 9 and the sealing film 10 are formed respectively, the mother substrate 60 is divided into display panel units, thereby obtaining a plurality of display panels 2 constituting the display device 1. Manufactured by the method. In the manufacturing process of the organic EL display device 1, vacuum deposition is performed using the film forming mask 70 to form the organic EL layer 30.
  • a film forming mask 70 and a method of manufacturing the organic EL display device 1 using the film forming mask 70 will be described.
  • FIG. 7 is a plan view illustrating a schematic configuration of the film forming mask 70.
  • the film forming mask 70 is a mask called an FMM (Fine Metal Mask) that can be patterned in sub-pixel units, and is used for forming a vapor deposition film of each layer constituting the organic EL layer 30.
  • the film forming mask 70 is bridged between a rectangular frame-shaped mask frame 71 and a part forming one side of the mask frame 71 from a part forming the opposite side. It includes a plurality of mask sheets 72, a plurality of cover sheets 73 for shielding between adjacent mask sheets 72, and a plurality of support sheets 74 for supporting the plurality of mask sheets 72.
  • the support sheet 74 is an example of a support member.
  • Each of the plurality of mask sheets 72 is formed in a strip shape, and is arranged with a gap therebetween in a direction (vertical direction in FIG. 7) orthogonal to a bridging direction (horizontal direction in FIG. 7) with respect to the mask frame 71.
  • the mask sheet 72 is a sheet-shaped masking member. In a state where the mask sheet 72 is tensioned, portions at both ends in the longitudinal direction are fixed to the mask frame 71 by welding using laser beam irradiation or the like. It is suspended.
  • a plurality of through-holes 76 are formed in sub-pixel units, and a pattern opening 75 for vapor deposition is formed corresponding to each opening formed between lattices of the cover sheet 73 and the support sheet 74. Is provided.
  • the plurality of through holes 76 are holes through which particles of the vapor deposition material pass, and are provided evenly in the vapor deposition pattern opening 75.
  • Such a configuration of the pattern opening for vapor deposition 75 is effective to facilitate the accuracy of the position of forming the vapor deposition film in a state where the mask sheet 72 is stretched on the mask frame 71.
  • Each of the plurality of cover sheets 73 is formed in a thin plate shape extending linearly, is bridged over the mask frame 71 in the same direction as the mask sheet 72, and is spaced apart from each other in a direction orthogonal to the bridge direction to the mask frame 71. Are arranged at positions corresponding to the gaps of the mask sheet 72. Both end portions of the cover sheet 73 are fixed by being fitted into recesses (not shown) provided in the mask frame 71. The interval between the adjacent cover sheets 73 is set to a distance corresponding to the width w1 of the display area D of the display panel 2.
  • the plurality of support sheets 74 are each formed in a thin plate shape extending linearly, are bridged over the mask frame 71 in a direction orthogonal to the mask sheet 72, and are mutually attached in a direction orthogonal to the bridge direction to the mask frame 71. They are arranged at intervals. Both end portions of the support sheet 74 are fixed by being fitted into recesses (not shown) provided in the mask frame 71. The interval between the adjacent support sheets 74 is set to a distance corresponding to the vertical width w2 of the display area D of the display panel 2.
  • These support sheets 74 are provided with shielding portions 77 for partially shielding the plurality of through holes 76 in the openings 75 of the mask sheet 72.
  • the shielding portion 77 has a shape in which a vapor deposition region with respect to the panel configuration region 61 of the mother substrate 60 is partially omitted at a portion corresponding to the shielding portion 77, and a round corner portion Da or a notch portion Db of the display region D in the display panel 2.
  • one side (the left side in the example shown in FIG. 7) in the width direction of the support sheet 74 is provided on the terminal area T side in the display area D.
  • a plurality of first shielding portions 78 protruding with an outer shape that traces the outer edge of the round corner portion Da are provided at intervals in the longitudinal direction.
  • the other side (the right side in the example shown in FIG. 7) in the width direction of the support sheet 74 has an outer shape that traces the outer edge of the round corner Da on both sides of the notch Db of the display area D.
  • a plurality of first shielding portions 78 and a plurality of second shielding portions 79 protruding with an outer shape tracing the outer edge of the notch portion Db of the display area D are provided alternately at intervals in the longitudinal direction. I have.
  • the support sheet 74 located at one end of the plurality of support sheets 74 only the side facing the inside of the opening of the mask frame 71 in the width direction of the support sheet 74 has the terminal portion T side in the display area D.
  • a plurality of first shielding portions 78 projecting with an outer shape that traces the outer edge of the rounded corner portion Da are provided at intervals in the longitudinal direction.
  • the round corners Da on both sides of the notch Db of the display area D are provided only on the side facing the inside of the opening of the mask frame 71 in the width direction of the support sheet 74.
  • a first shielding portion 78 protruding with an outer shape tracing the outer edge of the notch portion Db of the display area D and a second shielding portion 79 protruding with an outer shape tracing the outer edge of the notch portion Db of the display area D are alternately spaced apart in the longitudinal direction. And a plurality of them are provided.
  • the plurality of cover sheets 73, the plurality of support sheets 74, and the mask sheet 72 described above are fixed to the mask frame 71 in this order from the side of the evaporation source 85 when installed in the vacuum evaporation apparatus 80.
  • the mask frame 71, the mask sheet 72, the cover sheet 73, and the support sheet 74 are all formed of a metal material having a low coefficient of thermal expansion in order to suppress the occurrence of bending or distortion during the film forming process. Examples of such a metal material include invar, stainless steel, nickel (Ni), cobalt (Co), an alloy of nickel (Ni) and cobalt (Co), and among them, invar is preferable.
  • FIG. 8 is a schematic flowchart of the method for manufacturing the organic EL display device 1.
  • FIG. 9 is a plan view of a mother substrate 60 used for manufacturing the organic EL display device 1.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a state of the organic EL layer forming step S23 in the method of manufacturing the organic EL display device 1.
  • FIG. 11 is a plan view showing one panel forming region 61 and a portion of a film forming mask 70 corresponding thereto in the mother substrate 60 in the organic EL layer forming step S23.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the frame region F of the display panel 2 taken along the line XII-XII in FIG.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 1 includes a TFT layer forming step S01, an organic EL element forming step S02, a sealing film forming step S03, a flexible step S04, and a dividing step S05. And a mounting step S6.
  • the mother substrate 60 is a substrate that becomes the resin substrate layer 7 and includes a plurality of panel configuration regions 61 that configure the display panel 2.
  • the plurality of panel configuration areas 61 are arranged, for example, in a matrix.
  • Each panel configuration region 61 includes a portion 61d configuring the display region D and a portion 61f configuring the frame region F including the terminal portion T.
  • Such a mother substrate 60 is used for manufacturing the organic EL display device 1 while being formed on a glass substrate.
  • the display area D is formed by forming four rounded corners Da and a notch Db whose outer peripheral shape is different from a rectangle. It is provided in the irregular shape having.
  • the TFT layer forming step S01 includes a base coat film forming step S11, a semiconductor layer forming step S12, a gate insulating film forming step S13, a gate electrode forming step S14, an interlayer insulating film forming step S15, and a source / drain electrode forming step S16. And a flattening film forming step S17.
  • silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiOxNy) are formed on the surface of the mother substrate 60 formed on the glass substrate by, for example, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • x> y silicon oxide
  • SiNxOy silicon nitride oxide
  • x> y silicon oxynitride
  • a semiconductor film is formed on the mother substrate 60 on which the base coat film 11 is formed, for example, by a CVD method, and the semiconductor film is subjected to a crystallization process or a low resistance
  • the semiconductor film is patterned by photolithography (resist coating, pre-baking, exposure, developing, post-baking, etching, and resist stripping) to form a semiconductor layer 17.
  • silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy; x> y), and silicon nitride oxide are formed on the mother substrate 60 on which the semiconductor layer 17 is formed.
  • a gate insulating film 18 is formed by forming an inorganic insulating film such as (SiNxOy; x> y) in a single layer or a stack.
  • a titanium film, an aluminum film, and a titanium film are sequentially formed on the mother substrate 60 on which the gate insulating film 18 is formed by, for example, a sputtering method to form a stacked conductive film.
  • the gate electrode 19 is formed by patterning the laminated conductive film by photolithography. At this time, from the laminated conductive film forming the gate electrode 19, the gate wiring 15g and various lead wirings 15f are also formed.
  • next interlayer insulating film forming step S15 silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy; x> y) are formed on the mother substrate 60 on which the gate electrode 19 is formed by, for example, a CVD method. ), An inorganic insulating film such as silicon nitride oxide (SiNxOy; x> y) is formed to form a first interlayer insulating film 23.
  • a titanium film, an aluminum film, and a titanium film are sequentially formed on the first interlayer insulating film 24 by, for example, a sputtering method to form a laminated conductive film, and the laminated conductive film is patterned by photolithography.
  • the upper conductive layer 27 of the capacitor 14 is formed.
  • a second interlayer insulating film 24 is formed by forming an inorganic insulating film such as (SiNxOy; x> y).
  • the interlayer insulating film 20 in which the first interlayer insulating film 23 and the second interlayer insulating film 24 are laminated is formed. Then, the interlayer insulating film 20 is patterned by photolithography to form a contact hole 25. At this time, the contact hole 25 is also formed in the gate insulating film 18.
  • a titanium film, an aluminum film, and a titanium film are sequentially formed on the mother substrate 60 on which the interlayer insulating film 20 is formed, for example, by a sputtering method to form a laminated conductive film.
  • the stacked conductive film is patterned by photolithography to form a source electrode 21 and a drain electrode 22.
  • a source wiring 15s, a high-voltage power supply wiring 15hp, and the like are also formed from the laminated electroconductive film forming the source electrode 21 and the drain electrode 22.
  • a photosensitive resin material such as a photosensitive polyimide resin is formed on the mother substrate 60 on which the source electrode 21 and the drain electrode 22 are formed by a known coating method such as a spin coating method. Is applied. Then, a pre-baking process, an exposure process, a developing process, and a post-baking process are performed on the coating film of the photosensitive resin material, and the coating film is patterned to form the flattening film 16. At this time, the first barrier wall 45, the first wall layer 47 of the second barrier wall 46, and the first convex layer 51 of the convex portion 50 are formed together from the coating film for forming the flattening film 16.
  • the formation region of the first convex layer 51 of the convex portion in the coating film, the planarizing film 16, the first damming wall 45, and the second The first convex layer 51 of the convex portion 50 is adjusted by adjusting the exposure amount to be different from the region where the first wall layer 47 of the dam wall 46 is formed, so that the flattening film 16, the first dam wall 45 and The second dam wall 46 is formed thicker than the first wall layer 47.
  • a halftone mask may be used instead of the graytone mask.
  • the TFT layer 8 is formed on the mother substrate 80.
  • the organic EL element forming step S02 includes a first electrode forming step S21, an edge cover forming step S22, an organic EL layer forming step S23, and a second electrode forming step S24.
  • the organic EL element forming step S02 is an example of a light emitting element forming step.
  • an indium tin oxide (ITO) film, a silver alloy film, and an indium tin oxide (ITO) film are sequentially formed on the mother substrate 60 on which the TFT layer 8 is formed, for example, by a sputtering method.
  • a stacked conductive film is formed by film formation.
  • the laminated conductive film is patterned by photolithography to form the first electrode 29.
  • a photosensitive resin material such as a photosensitive polyimide resin is applied on the mother substrate 60 on which the first electrodes 29 are formed by a known coating method such as a spin coating method.
  • the edge cover 33 is formed by performing a pre-bake process, an exposure process, a development process, and a post-bake process on the coating film of the photosensitive resin material and patterning the coating film.
  • the photo spacer 42, the second wall layer 48 of the second dam wall 46, and the second convex layer 52 of the convex portion 50 are formed together.
  • the light exposure is performed by using a gray-tone mask in the exposure processing to expose the portion where the photo spacer 42 is formed and the portion where the photo spacer 42 is not formed in the formation region of the edge cover 33 in the coating film.
  • the photo spacers 42 are also formed on the edge cover 33 by making adjustments so as to differ from each other.
  • a halftone mask may be used instead of the graytone mask.
  • the second damming wall 46 is formed, and the convex portion 50 higher than the second damming wall 46 is formed with respect to each round corner Da and notch Db of the display area D.
  • Db is formed in an island shape along the outer edge.
  • the convex portion 50 is located outside the second dam wall 46 in the frame region F at a position facing each round corner Da and the notch portion Db via the first dam wall 45 and the second dam wall 46, respectively.
  • the formation position of the convex portion 50 is a position facing the shielding portion 77 of the support sheet 74 when forming each layer of the organic EL layer 30 using the film forming mask 70.
  • the hole injection layer 34 and the positive hole injection layer 34 are formed on the mother substrate 60 on which the edge cover 33 is formed, for example, by a vacuum deposition method using the above-described FMM film forming mask 70.
  • the hole transport layer 35, the light-emitting layer 36, the electron transport layer 37, and the electron injection layer 38 are sequentially formed to form the organic EL layer 17 on each of the first electrodes 29.
  • each layer constituting the organic EL layer 30 is formed using a vacuum evaporation apparatus 80 as shown in FIG.
  • the vacuum evaporation apparatus 80 includes a film formation chamber 81, a substrate holder 82 provided inside the film formation chamber 81, a film formation mask 70 having the above-described configuration, a magnetic unit 84, and an evaporation source 85.
  • the film forming chamber 81 has an exhaust port 86 connected to a vacuum pump (not shown).
  • the inside of the film forming chamber 81 is evacuated through the exhaust port 86 by the operation of a pressure adjusting mechanism such as a pump (not shown), and provided in the exhaust port 86.
  • the gate valve 87 is configured so that the internal space can be maintained in a reduced pressure state.
  • the substrate holder 82 is arranged above the film forming chamber 81.
  • the substrate holder 82 faces the film formation surface (the surface on which the edge cover 33 is formed) of the mother substrate 60 having the edge cover 33 formed thereon, using the mother substrate 60 with the glass substrate as a substrate to be processed. It is held in an inclined position by an electrostatic chuck or the like.
  • the film forming mask 70 is disposed below the mother substrate 60 held by the substrate holder 82 so as to face the surface on which the film is to be formed, and is installed in such a manner that the mask sheet 82 faces the mother substrate 60.
  • the magnetic force portion 84 is formed of a component that generates a magnetic force, such as an electromagnet, and is arranged to face the film-forming mask 70 via the mother substrate 60 held by the substrate holder 82.
  • the magnetic force portion 84 attracts the mask sheet 72 of the film forming mask 70 by the action of a magnetic force to prevent the mask sheet 72 from warping and to form the mask sheet 72 on the mother substrate 60 held by the substrate holder 82.
  • the positional relationship may be set to be close to the film surface and separated by a certain distance, or may be set to a positional relationship in which they are in contact with each other. This is advantageous in improving the uniformity or adhesion of the distance between the mask sheet 72 and the surface on which the mother substrate 60 is formed, and causes a so-called shadow phenomenon that causes film blur and non-uniformity of the pattern during vapor deposition. Contributes to the reduction of
  • the deposition source 85 is installed below the film forming chamber 81.
  • the evaporation source 85 constitutes a container for accommodating an evaporation material therein, and has a plurality of discharge ports 86 facing upward.
  • the deposition source 85 has a built-in heater, and vaporizes (evaporates or sublimates) the deposited deposition material by heating with the heater, and discharges the vaporized deposition material upward from each of the discharge ports 86. Has become.
  • the inside of the film forming chamber 81 is evacuated while the mother substrate 60 is held in the substrate holder 82, and the mask sheet 72 of the film forming mask 70 is A predetermined positional relationship facing the mother substrate 60 is established by the action, and the vapor deposition material is discharged from the vapor source 85 toward the mother substrate 60, so that the vapor pattern opening of each mask sheet 72 in the film forming mask 70 is formed.
  • the deposition material that has passed through the plurality of through-holes 75 in the substrate 75 is deposited on the surface of the mother substrate 60 on which the film is to be formed.
  • One of the layers (evaporated film) constituting the organic EL layer 30 is formed at a corresponding location.
  • the film is formed on a portion of the mother substrate 60 which constitutes the frame region F of each panel forming region 61.
  • the shielding portion 77 of the support sheet 74 constituting the mask 70 is arranged to face each other. In this state, the support sheet 74 is drawn toward the mother substrate 60 by the magnetic force, so that the mask sheet 72 may be displaced so as to be strongly pressed against the mother substrate 60 by the shielding portion 77.
  • the mask sheet displaced in such a manner comes into contact with the blocking wall, so that the blocking wall is worn by contact with the mask sheet, and foreign matter is formed at a corresponding portion of the blocking wall and in the vicinity thereof. May occur.
  • the mask sheet 72 is given priority over the protrusion 50 provided on the outer periphery of the second dam wall 46. Because of the contact, the contact between the first blocking wall 45 and the second blocking wall 46 and the shielding portion 77 is prevented. Accordingly, it is possible to suppress the generation of foreign matter at the corresponding portions of the first dam wall 45 and the second dam wall 46 and at the display area D side thereof.
  • the second electrode forming step S24 to be performed next for example, a vacuum is formed on the mother substrate 60 on which the organic EL layer 30 is formed by using a film forming mask called CMM (Common Metal Metal Mask) that can be patterned for each display panel.
  • CMM Common Metal Metal Mask
  • the second electrode 31 is formed by depositing a silver alloy film by an evaporation method.
  • the organic EL element 9 is formed on the TFT layer 8.
  • silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), acid, and the like are formed on the mother substrate 60 on which the organic EL elements 9 are formed, using a CMM film-forming mask, for example, by a CVD method.
  • the first inorganic layer 39 is formed by forming an inorganic insulating film such as silicon nitride (SiOxNy; x> y) or silicon nitride oxide (SiNxOy; x> y) in a single layer or a stacked layer.
  • an organic material such as an acrylic resin is applied on the mother substrate 60 on which the first inorganic layer 39 is formed, for example, by an inkjet method to form the organic layer 40.
  • the spread of the applied organic material to the outside of the frame region F is blocked by the first blocking wall 45, and the organic layer 40 is formed inside the first blocking wall 45.
  • silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiOxNy; x>) are formed on the mother substrate 60 on which the organic layer 40 is formed, for example, by a CVD method using a CMM deposition mask.
  • a second inorganic layer 41 is formed by forming an inorganic insulating film such as silicon nitride oxide (SiNxOy; x> y) in a single layer or a stacked layer.
  • the sealing film 10 in which the first inorganic layer 39, the organic layer 40, and the second inorganic layer 41 are stacked is formed.
  • a protective sheet (not shown) is attached to the surface of the mother substrate 60 on which the sealing film 10 is formed, and then the lower surface of the mother substrate 60 is irradiated with laser light from the glass substrate side. Then, the glass substrate is separated from the lower surface of the mother substrate, and a protective sheet (not shown) is attached to the lower surface of the mother substrate 60 from which the glass substrate has been separated.
  • the mother substrate 60 from which the glass substrate has been peeled is divided into display panels by laser light irradiation.
  • the dividing line DL for dividing the mother substrate 60 is a boundary between each panel forming region 61 and an outer region thereof, and is a portion corresponding to the outer edge of each panel forming region 61 (see FIG. 9). .
  • the connection of the FPC to the terminal portion T is performed on the display panel 2 obtained by dividing the mother substrate 60.
  • the organic EL display device 1 can be manufactured.
  • the convex portion 50 facing each round corner Da and the notch portion Db of the display region D is provided outside the second dam wall 46 in the frame region F. Since the first dam wall 45 and the second dam wall 46 are provided higher than the first dam wall 45 and the second dam wall 46, each round corner Da and the notch Db are formed in the display area D in the manufacture of the organic EL display device 1. Even when the deposition mask 70 provided with the shielding portion 77 is used, the mask sheet 72 is preferentially protruded from the second dam wall 46 in the region of the deposition mask 70 where the shielding portion 77 is provided. It contacts the part 50.
  • FIG. 13 is a plan view showing a main part configuration of one panel configuration area 61 of the mother substrate 60 in a process of manufacturing the organic EL display device 1 according to this modification.
  • the projections 50 are formed inside the panel configuration regions 61 of the mother substrate 60, that is, inside the dividing lines DL.
  • the convex portions 50 are formed outside the panel forming regions 61 on the mother substrate 60, that is, outside the dividing lines DL.
  • the convex portion 50 is provided in a frame shape over the entire periphery of each panel configuration region 61 of the mother substrate 60.
  • the outer periphery of each panel configuration region 61 on the mother substrate 60 is a portion serving as an end material in the dividing step S04, and no component related to the display panel 2 such as the wiring 15f is provided at all.
  • the projection 50 is separated from the display panel 2 in the dividing step S04, and thus does not remain in the product.
  • the mask sheet 72 of the film forming mask 70 contacts the first dam wall 45 or the second dam wall 46 in the organic EL layer forming step S23 in the manufacture of the organic EL display device 1, the mask sheet 72 is Damage to the contacted dam wall can occur.
  • the first blocking wall 45 and the second blocking wall 46 intersect with the routing wiring 15f, moisture and the like are transmitted from the damaged portions of the blocking walls 45 and 46 through the routing wiring 15f to the display area D. It is feared that it will invade. More specifically, when an overhang shape or the like is formed at the side end of the leading wiring 15f, the first inorganic layer 39 of the sealing film 10 formed on the leading wiring 15f is connected to the side end of the leading wiring 15f.
  • the portion cannot be completely covered, and a small gap may be generated at the side end.
  • the moisture passes through a gap formed at the end of the leading wiring 15f side. To enter the display area.
  • the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and the dividing line DL of the mother substrate 60 where the routing wiring 15f and the like are not formed is formed. Since the convex portion 50 is formed on the outside, the convex portion 50 is damaged when the convex portion 50 comes into contact with the mask sheet 72 of the film forming mask 70 in the region where the shielding portion 77 is provided in the organic EL layer forming step S23. However, since the convex portion 50 does not intersect with the routing wiring 15f, there is no possibility that moisture or the like enters the display region D via the damaged portion of the convex portion 50.
  • FIG. 14 is a plan view showing a schematic configuration of a display panel 2 constituting the organic EL display device 1 according to the second embodiment.
  • the convex portion 50 is provided in a frame shape over the entire outer periphery of the second dam wall 46 in the frame region F.
  • the convex portion 50 is formed of the round corner Da and the notch of the display region D outside the second dam wall 46 in the frame region F. It is provided in an island shape at a position facing the portion Db.
  • the plurality of protrusions 50 are separated from each other, and do not intersect with the routing wiring 15f even in the frame region F.
  • the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the organic EL display device 1 has the same structure as the modification of the first embodiment. Even if the projections 50 are damaged in the formation step S23 when the projections 50 come into contact with the mask sheet 72 of the film formation mask 70 and the area where the shielding portions 77 are provided, the projections 50 do not intersect with the wiring 15f. Therefore, there is no possibility that moisture or the like may enter the display region D via the damaged portion of the projection 50.
  • FIG. 15 is a plan view showing a schematic configuration of a display panel 2 constituting an organic EL display device 1 according to this modification.
  • the protrusions 50 are separated from each other at positions facing the round corners Da and the notches Db outside the second dam wall 46 in the frame region F. Although it has been described that they are provided in an island shape, adjacent ones of the plurality of protrusions 50 may be provided continuously. For example, as shown in FIG. 15, the protrusions 50 are provided in the display region D at locations facing the two rounded corners Da on the terminal portion T side in an island shape, respectively, It may be provided continuously at a position facing both the notch portion Db and the two round corner portions Da located on both sides thereof.
  • FIG. 16 is a diagram corresponding to FIG. 6 of the display panel 2 constituting the organic EL display device 1 according to the third embodiment.
  • the convex portion 50 is formed of the same material and the same layer as the planarizing film 16, and the same material as the edge cover 33. It is assumed that the second convex layer 52 is laminated on the first convex layer 52. However, in the organic EL display device 1 according to the third embodiment, as shown in FIG. In addition to the first and second convex layers 51 and 52, a third convex layer 53 provided below the first convex layer 51 is provided.
  • This third convex layer 53 is formed of the same material in the same layer as the gate electrode 19 or the source electrode 21.
  • a gate wiring is formed from the laminated conductive film forming the gate electrode 19.
  • the third convex layer 53 may be formed in combination with 15 g or the like.
  • the source electrode 21 and the drain electrode 22 are formed in the source / drain electrode forming step S16 in the method for manufacturing the organic EL display device 1.
  • the third convex layer 53 may be formed from the laminated conductive film to be formed together with the source wiring 15s and the like.
  • the convex portion 50 has a structure in which the first convex layer 51, the second convex layer 52, and the third convex layer 53 are stacked.
  • the height h3 of the convex portion 50 becomes higher than the heights h1 and h2 of the first dam wall 45 and the second dam wall by the provision of the layer 53, and in the manufacture of the organic EL display device 1, Even when the mask sheet 72 of the film forming mask 70 used in the organic EL layer forming step S23 is pressed against the mother substrate 60 in the area where the shielding portion 77 is provided and displaced, the mask sheet 72 is And the shielding portion 77 can be preferably prevented from contacting the second dam wall 46.
  • the height h3 of the projection 50 is higher than the height h2 of the second dam wall 46, but the invention is not limited to this.
  • the height h3 of the projection 50 may be the same as the height of the second dam wall 46. In short, the height h3 of the projection may be at least the height h2 of the second dam wall 46.
  • the mask sheet 72 When the cover sheet 73 and the support sheet 74 are attracted toward the mother substrate 60 by the magnetic force, the mask sheet 72 is strongly pressed against the mother substrate 60, but the cover sheet 73 and the support sheet 74 are pressed from the second dam wall 46. Also, since the protrusion 50 is also disposed on the side of the protrusion 50, the protrusion 50 contacts the mask sheet 72 before the second dam wall 46. When the height h3 of the protrusion 50 is the same as the height h2 of the second dam wall 46, the mask sheet 72 can be pressed against the second dam wall 46, but at that time, the mask sheet 72 Since the pressing force of the mask sheet 72 is already in contact with the projection 50, the pressing force of the mask sheet 72 is dispersed by the projection 50.
  • the first dam wall 45 is formed in the same layer and the same material as the flattening film 16, but the scope of the present disclosure is not limited to this.
  • the first dam wall 45 may be formed of the same material on the same layer as the edge cover 33 (that is, may be formed of only one layer corresponding to the second wall layer 48 of the second dam wall 46). ), A structure in which the first wall layer 47 and the second wall layer 48 similar to the second dam wall 46 are laminated may be employed.
  • the first convex layer 51 in which the convex portion 50 is formed in the same layer and the same material as the planarizing film 16 and the second convex layer 50 in the same layer as the edge cover 33 are formed of the same material.
  • the convex portion 52 is laminated on the first convex layer 51 and the second convex layer 52 in addition to the gate electrode 19 or the source electrode 21.
  • the third convex layer 53 formed of the same material is provided, the application range of the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the projection 50 may include a fourth projection layer formed of the same material on the same layer as the photo spacer 42. Good.
  • first dam wall 45 and the second dam wall 46 may be provided with a layer corresponding to such a fourth convex layer on the assumption that the height is not higher than the convex portion 50.
  • the point is that the protrusion 50 only needs to be provided higher than the dam walls 45 and 46 constituting the dam structure 44.
  • the protrusion 50 and the dam walls 45 and 46 may have a single-layer structure or a laminated structure. Various structures can be employed.
  • the organic EL layer 30 is provided individually for each sub-pixel 6, but the application range of the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the organic EL layer 30 may be provided in common for a plurality of sub-pixels 6.
  • the organic EL display device 1 may express a color tone of each sub-pixel 6 by providing a color filter or the like.
  • the organic EL display device 1 using the resin substrate layer 7 as the substrate has been described as an example, but the application range of the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • a substrate made of an inorganic material such as glass or quartz, a plastic such as polyethylene terephthalate, or a ceramic such as alumina may be used.
  • the substrate may be a metal substrate such as aluminum or iron, one surface of which is coated with silica gel or an organic insulating material, or a substrate obtained by subjecting the surface of a metal substrate to insulation treatment by a method such as anodic oxidation. No problem.
  • the first TFT 12 and the second TFT 13 adopt a top-gate structure, but the application range of the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the first TFT 12 and the second TFT 13 may adopt a bottom gate structure.
  • the organic EL display device 1 in which the first electrode 29 is used as an anode and the second electrode 31 is used as a cathode is illustrated, but the application range of the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the technology of the present disclosure can be applied to, for example, the organic EL display device 1 in which the first electrode 29 is used as a cathode and the second electrode 31 is used as an anode by inverting the stacked structure of the organic EL layer 30. .
  • the organic EL layer 30 having a five-layered structure of the hole injection layer 34, the hole transport layer 35, the light emitting layer 36, the electron transport layer 37, and the electron injection layer 38 is exemplified.
  • the application range of the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the organic EL layer 30 may have, for example, a three-layer structure of a hole injection layer and a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and an electron injection layer, and may have any structure. It is.
  • the organic EL display device 1 is exemplified as the display device, but the application range of the technology of the present disclosure is not limited to this.
  • the technology of the present disclosure is applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by electric current, for example, a display device including a QLED (Quantum-dot Light Emitting Diode) that is a light emitting element using a quantum dot-containing layer. It is possible to
  • the technology of the present disclosure is useful for a display device having a display region of a different shape.
  • D Display area Da: Round corner of display area (irregular part)
  • Db Notch in display area (irregular part)
  • F Frame area
  • T Terminal section h0: Height of photo spacer h1: Height of first dam wall h2: Height of second dam wall h3: Height of convex section 1.
  • Display panel 2a Round corner of display panel 2b: Notch of display panel 5:
  • Organic EL element 10 Sealing film 11
  • First TFT 13 Second TFT DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 ...
  • Capacitor 15 ... Display wiring 15g ... Gate wiring 15s ... Source wiring 15hp ... High-voltage power supply wiring 16 ... Planarization film 17 ... Semiconductor layer 18 ... Gate insulating film 19 ... Gate electrode 20 ... Interlayer insulating film 21 ... Source electrode 22 ...

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Abstract

表示領域（Ｄ）の外周形状が矩形とは異なる丸角部（Ｄａ）およびノッチ部（Ｄｂ）を有する異形形状とされた有機ＥＬ表示装置（１）において、額縁領域（Ｆ）における第２堰止め壁（４６）の外側で第２堰止め壁およびその内側に位置する第１堰止め壁（４５）を介して表示領域（Ｄ）の丸角部（Ｄａ）およびノッチ部（Ｄｂ）と対向する位置に、第１堰止め壁（４６）および第２堰止め壁（４７）以上の高さを有する凸部（５０）を設ける。

Description

表示装置およびその製造方法
　本開示は、表示装置およびその製造方法に関する。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。
　有機ＥＬ表示装置には、水分や酸素などの浸入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制すべく、有機ＥＬ素子を覆う封止膜が設けられている。この封止膜による封止構造としては、有機層と無機層とからなる積層膜により当該封止膜を構成する構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。封止膜を構成する有機層は、例えばインクジェット法により形成される。
　また、有機ＥＬ表示装置では、表示領域を平面形状が矩形状とは異なる異形形状とすることで、表示装置のデザイン性を高めることが行われている。例えば、当該有機ＥＬ表示装置の表示領域は、四隅が湾曲形状に形成された丸角部とされた略矩形状とされる。このような有機ＥＬ表示装置を製造する方法として、有機ＥＬ素子を形成するのに用いる成膜用マスクの構成に工夫を凝らす方法が提案されている。
　当該成膜用マスクは、矩形枠状のマスクフレームと、マスクフレームに架け渡されて両端部が固定された複数のマスクシートと、それら複数のマスクシートを支持する複数のサポートシートとを備える。マスクシートは、短冊状に形成されていて、多面取り用のマザー基板に対して画素単位またはサブ画素単位で蒸着を行うための多数の貫通孔からなる蒸着用パターン開口部を有している。サポートシートは、直線状に延びる細板形に形成されており、マスクフレームに対し、マスクシートと直交する方向に架け渡されて両端部が固定されている。そして、サポートシートには、マスクシートに形成された蒸着用パターン開口部を通して蒸着される領域が表示パネル単位で矩形状の角を部分的に省いた形状となるように遮蔽する遮蔽部が設けられている（例えば、特許文献２参照）。また、成膜用マスクには、カバーシートが設けられている。このカバーシートは、直線状に延びる細板形に形成されており、マスクフレームに対し、マスクシートと平行な方向に架け渡されて両端部が固定されている。カバーシートは各マスクシート間に備えられている。このような成膜用マスクは、蒸着装置内に配置され、磁力によりマザー基板側に引き寄せた状態で使用される。
特開２０１１－１７５３００号公報 特開２０１８－０２６３４４号公報
　有機ＥＬ表示装置の製造において、上述したような成膜用マスクを用いる場合、蒸着装置内で成膜用マスクが磁力によりマザー基板側に引き寄せられるのに起因して、サポートシートおよびカバーシートがマザー基板側に変位し、その変位によってマスクシートが強くマザー基板側に押し付けられる。このとき、マスクシートは遮蔽部が設けられた領域で堰止め壁と接触しているため、この堰止め壁に対するマスクシートの押付け力が強くなって堰止め壁が摩耗し、堰止め壁およびその周辺に異物が生じやすい。そうした異物が生じると、堰止め壁の対応箇所やその表示領域側には有機ＥＬ素子の電極との導通をとるための導電部や種々の配線が設けられているため、有機ＥＬ表示装置の表示品質に悪影響を及ぼすおそれがある。
　本開示の技術は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、異形形状の表示領域を有する有機ＥＬ表示装置において、堰止め壁の対応箇所およびその表示領域側に異物が生じるのを抑制することにある。
　本開示の技術に係る表示装置は、ベース基板と、前記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層上に設けられた発光素子と、前記発光素子を覆うように設けられた封止膜とを備え、前記発光素子の発光によって画像表示を行う表示領域と、該表示領域の周囲に位置する額縁領域とが設けられ、前記額縁領域には前記表示領域を囲む堰止め壁が設けられ、前記封止膜が前記堰止め壁の内側に設けられた有機層を含む表示装置であって、前記表示領域は、外周形状が矩形とは異なる異形部を有する異形形状に設けられ、前記額縁領域における前記堰止め壁の外側で該堰止め壁を介して前記表示領域の異形部と対向する位置には、前記堰止め壁以上の高さを有する凸部が設けられていることを特徴とする。
　上記の表示装置によれば、額縁領域における堰止め壁の外側に表示領域の異形部と対向する凸部を堰止め壁以上の高さで設けるようにしたから、当該表示装置の製造において、表示領域に異形部を形成するための遮蔽部が設けられた成膜用マスクを用いるとしても、その成膜用マスクは、堰止め壁よりも優先的に凸部に接触する。それによって、成膜用マスクと堰止め壁との接触が防止されるか、もしくは堰止め壁と接触したとしても成膜用マスクの押付けによって堰止め壁にかかる負荷が分散されるので、堰止め壁の対応箇所およびその表示領域側に異物が生じるのを抑制することができる。
図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する表示パネルの概略構成を示す平面図である。 図２は、図１のIIで囲んだ表示領域の一部を示す平面図である。 図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層の一部の等価回路図である。 図４は、図２の表示領域のIV－IV線における断面図である。 図５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の積層構造を示す断面図である。 図６は、図１のVI－VI線における表示パネルの額縁領域の断面図である。 図７は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造に用いられる成膜用マスクの概略構成を示す平面図である。 図８は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の概略的なフロー図である。 図９は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造に用いられるマザー基板の概略構成を示す平面図である。 図１０は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における有機ＥＬ層形成工程の様子を示す図である。 図１１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における有機ＥＬ層形成工程でのマザー基板における１つのパネル構成領域およびそれに対応する成膜用マスクの部分を示す平面図である。 図１２は、図１１のXII－XII線における表示パネルの額縁領域の断面図である。 図１３は、第１の実施形態の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の製造過程におけるマザー基板の１つのパネル構成領域の要部構成を示す平面図である。 図１４は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する表示パネルの概略構成を示す平面図である。 図１５は、第２の実施形態の変形例に係る有機ＥＬ表示装置を構成する表示パネルの概略構成を示す平面図である。 図１６は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する表示パネルの図６相当図である。
　以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、或る膜や層などの構成要素の上にその他の膜や層などの構成要素が設けられているまたは形成されているとする記載は、或る構成要素の直上にその他の構成要素が在る場合のみを意味するのではなく、それら両構成要素の間に、それら以外の膜や層などの構成要素が介在されている場合も含む。
　《第１の実施形態》
　<有機ＥＬ表示装置の構成>
　図１は、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を構成する表示パネル２の概略構成を示す平面図である。図２は、図１のIIで囲んだ表示領域Ｄの一部を示す平面図である。図３は、有機ＥＬ表示装置１を構成するＴＦＴ層８の一部の等価回路図である。図４は、図２の表示領域ＤのIV－IV線における断面図である。図５は、有機ＥＬ表示装置１を構成する有機ＥＬ層３０の積層構造を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、平面視で矩形とは異なる異形形状の外形を有する表示パネル２を備えている。この表示パネル２は、四隅が丸みを有する湾曲形状（Ｒ形状）の丸角部２ａとされ、且つ１辺の中間部分に凹形状のノッチ部２ｂを有している。以下、本明細書において、矩形以外の形状のことを「異形」と称することがある。この表示パネル２は、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に位置する額縁領域Ｆとを備えている。そして、額縁領域Ｆには、外部回路と接続するための端子部Ｔが設けられている。端子部Ｔには、図示しないが、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板が接続される。
　表示領域Ｄは、表示パネル２の外形に倣うような異形形状に設けられ、四隅の丸角部Ｄａと１辺に設けられたノッチ部Ｄｂとを有している。これら丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂは、表示領域Ｄの外周形状が矩形とは異なる形状をなす異形部の一例である。ノッチ部Ｄｂは、例えば、カメラなどの搭載部品を収納する箇所を構成する。額縁領域Ｆは、表示領域Ｄの外周形状に沿って複数の辺を有する枠状に設けられている。端子部Ｔは、額縁領域Ｆにおけるノッチ部Ｄｂと対向する１辺を構成する部分に設けられている。
　額縁領域Ｆにおいて、端子部Ｔが設けられた辺と隣り合う辺（図１の左右の各辺）を構成する部分には、図示しないが、ゲートドライバなどの制御回路、有機ＥＬ素子９（第２電極３１）との導通をとるための導電部や配線が設けられている。また、額縁領域Ｆにおける表示領域Ｄと端子部Ｔとの間には、複数の引き回し配線１５ｆが設けられている。これら複数の引き回し配線１５ｆには、低圧電源配線が含まれている。端子部Ｔには、これら引き回し配線１５ｆとの導通をとるための配線端子１５ｔが所定のパターンで配列されている。
　表示パネル２は、アクティブマトリクス駆動方式を採用している。表示領域Ｄは、図２に示すように、複数の画素５によって構成されている。これら複数の画素５は、マトリクス状に配置されている。各画素５は、例えば、赤色の表示を行うサブ画素６ｒ、緑色の表示を行うサブ画素６ｇおよび青色の表示を行うサブ画素６ｂからなる３色のサブ画素６を含んで構成されている。これら３色のサブ画素６ｒ，６ｇ，６ｂは、例えば、並置方式で配列されてストライプ状に隣り合っている。
　表示パネル２は、図４に示すように、樹脂基板層７と、樹脂基板層７上に設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor）層８と、ＴＦＴ層８上に設けられた有機ＥＬ素子９と、有機ＥＬ素子９を覆うように設けられた封止膜１０とを備えている。
　－ 樹脂基板層 －
　樹脂基板層７は、例えば、ポリイミド樹脂などによって形成されており、可撓性を有している。この樹脂基板層７は、ベース基板の一例である。
　－ ＴＦＴ層 －
　ＴＦＴ層８は、樹脂基板層７上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ１２、複数の第２ＴＦＴ１３および複数のキャパシタ１４ならびに各種の表示用配線１５と、これら第１ＴＦＴ１２、第２ＴＦＴ１３、キャパシタ１４および表示用配線１５を覆うように設けられた平坦化膜１６とを備えている。
　ベースコート膜１１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）（ｘ，ｙは正数、以下同じ）などからなる無機絶縁膜の単層膜または積層膜により構成されている。第１ＴＦＴ１２、第２ＴＦＴ１３およびキャパシタ１４は、サブ画素６毎に設けられている。
　表示用配線１５としては、図２および図３に示すように、ゲート信号を伝達する複数のゲート配線１５ｇと、ソース信号を伝達する複数のソース配線１５ｓと、有機ＥＬ素子９に電流を供給するための複数の高圧電源配線１５ｈｐとが設けられている。複数のゲート配線１５ｇは、端子部Ｔが設けられた辺に沿う方向に互いに平行に延びている。複数のソース配線１５ｓは、ゲート配線１５ｇと交差する方向に互いに平行に延びている。複数の高圧電源配線１５ｈｐは、ソース配線１５ｓに沿って互いに平行に延びている。
　これらゲート配線１５ｇ、ソース配線１５ｓおよび高圧電源配線１５ｈｐは、互いに絶縁されており、全体として格子状に形成されて各サブ画素６を区画している。各ゲート配線１５ｇは、額縁領域Ｆにあるゲートドライバに接続されて、ゲートドライバによって順次駆動（信号印加）される。各ソース配線１５ｓおよび高圧電源配線１５ｈｐは、引き回し配線１５ｆとして額縁領域Ｆを表示領域Ｄから端子部Ｔにまで引き出されている。各高圧電源配線１５ｈｐは、端子部Ｔに設けられた配線端子１５ｔを介して高電圧電源（ＥＬＶＤＤ）と電気的に接続される。
　第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３は、アクティブ素子の一例であり、例えばトップゲート型の構造を採用している。具体的には、第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３は、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１７と、半導体層１７を覆うように設けられたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８を介して半導体層１７の一部（チャネル領域）と重なるゲート電極１９と、ゲート電極１９を覆うように設けられた層間絶縁膜２０と、層間絶縁膜２０上に設けられたソース電極２１およびドレイン電極２２とを備えている。
　ゲート電極１９は、複数のゲート配線１５ｇと同一層に同一材料によって形成されている。層間絶縁膜２０は、第１層間絶縁膜２３と第２層間絶縁膜２４との積層膜によって構成されている。これら第１層間絶縁膜２３および第２層間絶縁膜２４とゲート絶縁膜１８とは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などからなる無機絶縁層の単層膜または積層膜によってそれぞれ構成されている。
　ソース電極２１とドレイン電極２２とは、互いに離間しており、ゲート絶縁膜１８および層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール２５を介して半導体層１７におけるゲート電極１９と重なる領域（チャネル領域）を挟んだ位置で異なる部分（ソース領域、ドレイン領域）にそれぞれ接続されている。ソース電極２１は、複数のソース配線１５ｓと同一層に同一材料によって形成されている。
　第１ＴＦＴ１２において、ゲート電極１９は、対応するゲート配線１５ｇと一体に設けられ、ソース電極２１は、対応するソース配線１５ｓと一体に設けられ、ドレイン電極２２は、第２ＴＦＴ１３のゲート電極１９およびキャパシタ１４と電気的に接続されている。第２ＴＦＴ１３において、ソース電極２１は、高圧電源配線１５ｈｐと電気的に接続され、ドレイン電極２２は、有機ＥＬ素子９（第１電極２９）と電気的に接続されている。
　キャパシタ１４は、対応する第１ＴＦＴ１２および高圧電源配線１５ｈｐに接続されている。このキャパシタ１４は、ゲート絶縁膜１８上に設けられた下部導電層２６と、下部導電層２６を覆うように設けられた第１層間絶縁膜２３と、第１層間絶縁膜２３を介して下部導電層２６に重なる上部導電層２７とを備えている。下部導電層２６は、ゲート電極１９と同一層に同一材料によって形成されている。上部導電層２７は、第２層間絶縁膜２４に形成されたコンタクトホール２８を介して高圧電源配線１５ｈｐに接続されている。
　平坦化膜１６は、表示領域Ｄにおいて、第２ＴＦＴ１２のドレイン電極２２の一部以外を覆うことにより、ＴＦＴ層８の表面を、ソース配線１５ｓ、高圧電源配線１５ｈｐ、第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３の表面形状が反映されないように平坦化している。この平坦化膜１６は、例えば、感光性ポリイミド樹脂などの有機材料によって形成されている。
　－ 有機ＥＬ素子 －
　有機ＥＬ素子９は、平坦化膜１６上に設けられており、表示領域Ｄを構成している。この有機ＥＬ素子９は、発光素子の一例であって、トップエミッション型の構造を採用している。具体的には、有機ＥＬ素子９は、平坦化膜１６の表面に設けられた複数の第１電極２９と、各第１電極２９上に設けられた機能層としての有機ＥＬ層３０と、有機ＥＬ層３０を介して第１電極２９に重なる第２電極３１とを備えている。
　第１電極２９は、各サブ画素６に設けられてマトリクス状に配置されており、対応するサブ画素６における第２ＴＦＴ１３のドレイン電極２２に対し、平坦化膜１６に形成されたコンタクトホール３２を介して接続されている。これら第１電極２９は、画素電極の一例である。第１電極２９は、有機ＥＬ層３０に正孔（ホール）を注入する機能を有しており、有機ＥＬ層３０への正孔注入効率を向上させるために仕事関数の大きな材料で形成されていることが好ましい。
　第１電極２９の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの金属材料が挙げられる。
　また、第１電極２９の材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）との合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）との合金、アスタチン（Ａｔ）と酸化アスタチン（ＡｔＯ２）との合金、リチウム（Ｌｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金などであってもよい。
　また、第１電極２９の材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物などであってもよい。また、第１電極２９は、上述した材料からなる層を複数積層して形成されていても構わない。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が挙げられる。
　隣り合うサブ画素６の第１電極２９同士は、平坦化膜１６上に設けられたエッジカバー３３によって区画されている。エッジカバー３３は、格子状に形成されており、各第１電極２９の周端部を覆っている。エッジカバー３３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン、シリコンオキシナイトライドなどの無機化合物、およびポリイミド樹脂やアクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂などの有機材料が挙げられる。
　エッジカバー３３の中央部分には、凸状のフォトスペーサ４２が一体に設けられている。このフォトスペーサ４２は、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、蒸着膜などを成膜する際に用いる成膜用マスクとの当て止めとして機能する。フォトスペーサ４２は、グレートーンマスクやハーフトーンマスクを用いてエッジカバー３３における当該フォトスペーサ３３ａに対応する部分をその他の部分よりも厚くすることで形成されている。
　有機ＥＬ層３０は、サブ画素６毎に設けられている。この有機ＥＬ層３０は、図５に示すように、正孔注入層３４、正孔輸送層３５、発光層３６、電子輸送層３７および電子注入層３８が第１電極２９上にこの順で積層された構造を有している。これら正孔注入層３４、正孔輸送層３５、発光層３６、電子輸送層３７および電子注入層３８は、成膜用マスク７０を用いて形成される薄膜パターンであって、例えば真空蒸着法により形成される蒸着膜である。
　正孔注入層３４は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２９と有機ＥＬ層３０とのエネルギーレベルを近づけて、第１電極２９から有機ＥＬ層３０へ正孔が注入される効率を改善する機能を有している。正孔注入層３４の材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体などが挙げられる。
　正孔輸送層３５は、正孔を発光層３６まで効率よく移動させる機能を有している。正孔輸送層３５の材料としては、例えば、ポリフェリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換アルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水酸化アモルファスシリコン、水酸化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが挙げられる。
　発光層３６は、第１電極２９および第２電極３１によって電圧が印加された際に、第１電極２９から注入された正孔と第２電極３１から注入された電子とを再結合させて発光する機能を有している。発光層３６は、個々のサブ画素６において、有機ＥＬ素子９の発光色（例えば、赤色、緑色または青色）に合わせて異なる材料により形成されている。
　発光層３６の材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシランなどが挙げられる。
　電子輸送層３７は、電子を発光層３６まで効率よく移動させる機能を有している。電子輸送層３７の材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物などが挙げられる。
　電子注入層３８は、陰極バッファ層とも呼ばれ、第２電極３１と有機ＥＬ層３０とのエネルギーレベルを近づけて、第２電極３１から有機ＥＬ層３０への電子注入効率を向上させる機能を有している。電子注入層３８の材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などが挙げられる。
　第２電極３１は、図４に示すように、複数の第１電極２９に対して共通（つまり複数のサブ画素６に共通）に設けられており、有機ＥＬ層３０を覆っている。この第２電極３１は、低圧電源配線と電気的に接続され、その低圧電源配線を通じて端子部Ｔに設けられた配線端子１５ｔにて低圧電源（ＥＬＶＳＳ）との導通がとられる。第２電極３１は、有機ＥＬ層３０に電子を注入する機能を有しており、有機ＥＬ層３０への電子の注入効率を向上させるために仕事関数の小さな材料で形成されていることが好ましい。
　第２電極３１の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などが挙げられる。
　また、第２電極３１の材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）との合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）との合金、アスタチン（Ａｔ）と酸化アスタチン（ＡｔＯ２）との合金、リチウム（Ｌｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金などであってもよい。
　また、第２電極３１の材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物であってもよい。また、第２電極３１は、上述した材料からなる層を複数積層して形成されていても構わない。なお、仕事関数の小さな材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）との合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）との合金、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金などが挙げられる。
　－ 封止膜 －
　封止膜１０は、有機ＥＬ素子９を水分や酸素などから保護する機能を有している。この封止膜１０は、図４に示すように、有機ＥＬ素子９を覆うように設けられた第１無機層３９と、第１無機層３９上に設けられた有機層４０と、有機層４０を覆うように設けられた第２無機層４１とを備えている。
　第１無機層３９および第２無機層４１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）などの無機材料によって形成されている。有機層４０は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂などの有機材料によって形成されている。
　第１無機層３９、有機層４０および第２無機層４１は、表示領域Ｄの全体に設けられていると共に、額縁領域Ｆにも設けられている。これら第１無機層３９、有機層４０および第２無機層４１の各周端部は、いずれも額縁領域Ｆに位置付けられている。第１無機層３９および第２無機層４１の各周端部は、額縁領域Ｆの外側部分に位置付けられ、有機層４０の周端部は、それら第１無機層３９および第２無機層４１の両周端縁よりも表示領域Ｄ側に位置付けられている。
　－ 額縁領域の構成 －
　額縁領域Ｆには、図６に示すように、平坦化膜１６上にフォトスペーサ４２が設けられている他、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、有機層４０を形成する有機材料の塗布時における額縁領域Ｆの外側への広がりを堰き止めるための堰止め構造４４が設けられている。堰止め構造４４は、表示領域Ｄを囲むように設けられた第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６を備えている。第１堰止め壁４５と第２堰止め壁４６とは、平坦化膜１６の外周に全周に亘って表示領域Ｄの外周形状に倣うような枠状で形成されており、互いに相似形とされて額縁領域Ｆの幅方向に互いに間隔をあけて配置されている。
　第１堰止め壁４５は、表示領域Ｄ側に設けられて第２堰止め壁４６の内側に配置されている。この第１堰止め壁４５は、層間絶縁膜２０上に平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成された一層のみからなる。当該第１堰止め壁４５は、封止膜１０を構成する有機層４０の周端部と重なっており、有機層４０の形成領域を制限している。有機層４０は、第１堰止め壁４５の内側一杯に設けられている。
　他方、第２堰止め壁４６は、第１堰止め壁４５の外側に配置され、第１堰止め壁４５を囲むように設けられている。第２堰止め壁４６は、第１壁層４７と第２壁層４８とが層間絶縁膜２０上にこの順で積層された構造を有している。第１壁層４７は、平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成され、第１堰止め壁４５の高さｈ１と同じ高さｈ１とされている。第２壁層４８は、エッジカバー３３と同一層に同一材料によって形成され、フォトスペーサ４２の高さｈ０と同じ高さとされている。このように、第２堰止め壁４６の高さｈ２は、第２堰止め壁４６が第１壁層４７および第２壁層４８の二層からなることで、第１壁層４７に相当する一層のみからなる第１堰止め壁４５の高さｈ１よりも高く、フォトスペーサ４２の高さｈ０と同程度にされている。ここで、フォトスペーサ４２の高さｈ０、第１堰止め壁４５の高さｈ１、第２堰止め壁４６の高さｈ２とは、それぞれ層間絶縁膜２０の表面から層間絶縁膜２０とは反対側に位置する表面までの距離を意味する。
　これら第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６は、各種の引き回し配線１５ｆと交差するなどして部分的に重なる位置関係にある。具体的には例えば、表示領域Ｄ内のソース配線１５ｓと電気的に接続された引き回し配線１５ｆは、額縁領域Ｆにおける端子部Ｔが設けられた１辺を構成する部分で第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６と交差している。また、図示しない低圧電源配線も、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６の少なくとも一方の堰止め壁と部分的に重なっている。
　そして、額縁領域Ｆには、堰止め構造４４を取り囲むように凸部５０が設けられている。この凸部５０は、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６と同様に表示領域Ｄの外周形状に倣うような枠状に形成されており、これら第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６と相似形とされ、第２堰止め壁４６の外側に間隔をあけて配置されている。当該凸部５０は、額縁領域Ｆの全周に亘って設けられている。
　このような凸部５０の形成位置には、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６を介して表示領域Ｄの各丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂと対向する位置も含まれている。凸部５０のうち表示領域Ｄの各丸角部Ｄａと対向する位置に形成された部分は、対応する当該丸角部Ｄａの外縁に沿う形状に形成されている。また、凸部５０のうち表示領域Ｄのノッチ部Ｄｂと対向する位置に形成された部分は、当該ノッチ部Ｄａの外縁に沿う形状に形成されている。
　凸部５０は、第１凸層５１と第２凸層５２とが層間絶縁膜２０上にこの順で積層された構造を有している。第１凸層５１は、グレートーンマスクを用いて平坦化膜１６と同一層に同一材料で形成されており、平坦化膜１６、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６の第１壁層４７よりも厚くなっている。第２凸層５２は、エッジカバー３３と同一層に同一材料によって形成されている。このように、凸部５０の高さｈ３は、第１凸層５１が相対的に厚く形成されていることで、フォトスペーサ４２の高さｈ０、第１堰止め壁４５の高さｈ１および第２堰止め壁４６の高さｈ２よりも高くなっている。ここで、凸部５０の高さｈ３とは、フォトスペーサ４２の高さｈ０、第１堰止め壁４５の高さｈ１および第２堰止め壁４６の高さｈ２と同じく、層間絶縁膜２０の表面から層間絶縁膜２０とは反対側に位置する表面までの距離を意味する。当該凸部５０は、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、蒸着膜を形成する際に用いる成膜用マスク７０と優先的に接触するスペーサとしての役割を担う。
　有機層４０は、第１堰止め壁４５に堰き止められて第１堰止め壁４５の外側にまでは設けられていない。このような有機層４０は、有機ＥＬ素子９を含む各種素子、ゲートドライバなどの制御回路を覆っており、それら各種素子や回路の形成箇所に異物が存在した場合に、その異物を覆って封止膜１０に欠陥が生じるのを防止するバッファ層として機能する。第１無機層３９および第２無機層４１は、第１堰止め壁４５、第２堰止め壁４６および凸部５０をそれぞれ覆っている。これら第１無機層３９および第２無機層４１の周端部同士は、第１堰止め壁４５の外側で互いに接合されている。有機層４０は、第１無機層３９および第２無機層４１によって包み込まれており、それら両無機層３９，４１の間に封入されている。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素６において、ゲート配線１５ｇを介して第１ＴＦＴ１２にゲート信号が入力されることにより第１ＴＦＴ１２がオン状態となり、ソース配線１５ｓを介して第２ＴＦＴ１３のゲート電極１９およびキャパシタ１４にソース信号に対応する所定の電圧が書き込まれて、第２ＴＦＴ１３のゲート電圧に応じた電流が高圧電源配線１５ｈｐから有機ＥＬ素子９に供給されることにより、有機ＥＬ層３０（発光層３６）が発光して画像表示が行われる。なお、有機ＥＬ表示装置１では、第１ＴＦＴ１２がオフ状態になっても、第２ＴＦＴ１３のゲート電圧がキャパシタ１４によって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで有機ＥＬ層３０の発光がサブ画素６毎に維持される。
　このような有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル２の樹脂基板層１１を構成するパネル構成領域６１が複数内在するマザー基板６０を用い、当該マザー基板６０に対し、各パネル構成領域６１にＴＦＴ層８、有機ＥＬ素子９および封止膜１０をそれぞれ作り込んだ後に、マザー基板６０を表示パネル単位に分断することにより、当該表示装置１を構成する表示パネル２を複数枚得る、いわゆる多面取りの方法で製造される。有機ＥＬ表示装置１の製造過程では、有機ＥＬ層３０を形成するのに成膜用マスク７０を用いて真空蒸着を行う。以下に、成膜用マスク７０と、それを用いた有機ＥＬ表示装置１の製造方法とについて説明する。
　<成膜用マスクの構成>
　図７は、成膜用マスク７０の概略構成を示す平面図である。なお、図７では、便宜上、複数のマスクシート７２のうち中程に配置される一部のマスクシート７２と、マスクシート７２に形成される複数の貫通孔７６の一部とを省略している。成膜用マスク７０は、サブ画素単位でパターニング可能なＦＭＭ（Fine Metal Mask）と呼ばれるマスクであって、有機ＥＬ層３０を構成する各層の蒸着膜を成膜するのに用いられる。
　この成膜用マスク７０は、図７に示すように、矩形枠状のマスクフレーム７１と、マスクフレーム７１の一側の辺を構成する部分からその対向側の辺を構成する部分に架け渡される複数のマスクシート７２と、隣り合うマスクシート７２の間を遮蔽する複数のカバーシート７３と、複数のマスクシート７２を支持する複数のサポートシート７４とを備えている。ここで、サポートシート７４は、サポート部材の一例である。
　複数のマスクシート７２は、それぞれ短冊状に形成されており、マスクフレーム７１に対する架け渡し方向（図７で左右方向）と直交する方向（図７で上下方向）に互いに隙間をあけて配置される。マスクシート７２は、シート状のマスキング部材であって、テンションがかけられた状態で、マスクフレーム７１に対し、長手方向における両端側の部分がレーザー光の照射を用いた溶接などにより固定されて張架されている。
　マスクシート７２には、複数の貫通孔７６がサブ画素単位で形成された蒸着用パターン開口部７５がカバーシート７３とサポートシート７４との格子間に形成される開口毎に当該開口に対応させて設けられている。複数の貫通孔７６は、蒸着材料の粒子を通過させる孔であって、蒸着用パターン開口部７５内において満遍なく設けられている。このような蒸着用パターン開口部７５の構成は、マスクシート７２をマスクフレーム７１に張架した状態で蒸着膜の形成位置の精度をとりやすくするのに有効である。
　複数のカバーシート７３は、それぞれ直線状に延びる細板形に形成されており、マスクシート７２と同一方向においてマスクフレーム７１に架け渡され、マスクフレーム７１に対する架け渡し方向と直交する方向に互いに間隔をあけて、マスクシート７２の隙間に対応する位置に配置されている。カバーシート７３の両端側の部分は、マスクフレーム７１に設けられた図示しない凹所に嵌め込まれるなどして固定されている。隣り合うカバーシート７３同士の間隔は、表示パネル２の表示領域Ｄの横幅ｗ１に相当する距離に設定される。
　複数のサポートシート７４は、それぞれ直線上に延びる細板形に形成されており、マスクシート７２と直交する方向においてマスクフレーム７１に架け渡され、マスクフレーム７１に対する架け渡し方向と直交する方向に互いに間隔をあけて配置されている。サポートシート７４の両端側の部分は、マスクフレーム７１に設けられた図示しない凹所に嵌め込まれるなどして固定されている。隣り合うサポートシート７４同士の間隔は、表示パネル２の表示領域Ｄの縦幅ｗ２に相当する距離に設定される。
　これらサポートシート７４には、マスクシート７２の開口部７５にある複数の貫通孔７６を部分的に遮蔽する遮蔽部７７が設けられている。遮蔽部７７は、マザー基板６０のパネル構成領域６１に対する蒸着領域を当該遮蔽部７７の対応箇所で部分的に省かれた形状として、表示パネル２における表示領域Ｄの丸角部Ｄａやノッチ部Ｄｂといった異形部を形成するためのマスク構成要素であり、サポートシート７４と一体に形成されている。
　複数のサポートシート７４のうち両端以外のサポートシート７４において、当該サポートシート７４の幅方向における一方側の側部（図７に示す例で左側部分）には、表示領域Ｄにおける端子部Ｔ側の丸角部Ｄａの外縁をなぞるような外形で突出する第１遮蔽部７８が長手方向に間隔をあけて複数設けられている。また、当該サポートシート７４の幅方向における他方側の側部（図７に示す例で右側部分）には、表示領域Ｄのノッチ部Ｄｂ両側の丸角部Ｄａの外縁をなぞるような外形で突出する第１遮蔽部７８と、表示領域Ｄのノッチ部Ｄｂの外縁をなぞるような外形で突出する第２遮蔽部７９とが、長手方向に間隔をあけて交互に配置されてそれぞれ複数設けられている。
　複数のサポートシート７４のうち一方端に位置するサポートシート７４においては、当該サポートシート７４の幅方向におけるマスクフレーム７１の開口内方に臨む側の側部のみに、表示領域Ｄにおける端子部Ｔ側の丸角部Ｄａの外縁をなぞるような外形で突出する第１遮蔽部７８が長手方向に間隔をあけて複数設けられている。また、他方端に位置するサポートシート７４においては、当該サポートシート７４の幅方向におけるマスクフレーム７１の開口内方に臨む側の側部のみに、表示領域Ｄのノッチ部Ｄｂ両側の丸角部Ｄａの外縁をなぞるような外形で突出する第１遮蔽部７８と、表示領域Ｄのノッチ部Ｄｂの外縁をなぞるような外形で突出する第２遮蔽部７９とが、長手方向に間隔をあけて交互に配置されてそれぞれ複数設けられている。
　前述した複数のカバーシート７３、複数のサポートシート７４およびマスクシート７２は、真空蒸着装置８０に設置されたときの蒸着源８５側からこの順でマスクフレーム７１に固定されている。マスクフレーム７１、マスクシート７２、カバーシート７３およびサポートシート７４はいずれも、成膜処理時に撓みや歪みが生じるのを抑制すべく、熱膨張率が低い金属材料によって形成されている。このような金属材料としては、インバー、ステンレススチール、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）とコバルト（Ｃｏ）との合金などが挙げられ、なかでもインバーが好ましい。
　<有機ＥＬ表示装置の製造方法>
　図８は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法の概略的なフロー図である。図９は、有機ＥＬ表示装置１の製造に用いられるマザー基板６０の平面図である。図１０は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法における有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３の様子を示す図である。図１１は、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３でのマザー基板６０における１つのパネル構成領域６１およびそれに対応する成膜用マスク７０の部分を示す平面図である。図１２は、図１０のXII－XII線における表示パネル２の額縁領域Ｆの断面図である。
　有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、図８に示すように、ＴＦＴ層形成工程Ｓ０１と、有機ＥＬ素子形成工程Ｓ０２と、封止膜形成工程Ｓ０３と、フレキシブル化工程Ｓ０４と、分断工程Ｓ０５と、実装工程Ｓ６とを含む。
　この有機ＥＬ表示装置１の製造には、多面取りの方法が採用され、図９に示すようなマザー基板６０を用いて前記各工程が実施される。マザー基板６０は、樹脂基板層７となる基板であって、表示パネル２を構成するパネル構成領域６１を複数内在している。複数のパネル構成領域６１は、例えばマトリクス状に配置されている。個々のパネル構成領域６１には、表示領域Ｄを構成する部分６１ｄや端子部Ｔを含む額縁領域Ｆを構成する部分６１ｆを含む。このようなマザー基板６０は、ガラス基板上に形成された状態で有機ＥＬ表示装置１の製造に用いられる。有機ＥＬ表示装置１の製造では、図９中に表示領域Ｄを構成する部分６１ｄとして示すように、表示領域Ｄを、外周形状が矩形とは異なる、四隅の丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂを有する異形形状に設ける。
　－ ＴＦＴ層形成工程 －
　ＴＦＴ層形成工程Ｓ０１は、ベースコート膜形成工程Ｓ１１と、半導体層形成工程Ｓ１２と、ゲート絶縁膜形成工程Ｓ１３と、ゲート電極形成工程Ｓ１４と、層間絶縁膜形成工程Ｓ１５と、ソースドレイン電極形成工程Ｓ１６と、平坦化膜形成工程Ｓ１７とを含む。
　ベースコート膜形成工程Ｓ０１では、ガラス基板上に形成したマザー基板６０の表面に、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical vapor Deposition）法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を成膜して、ベースコート膜１１を形成する。
　次に行う半導体層形成工程Ｓ１２では、ベースコート膜１１が形成されたマザー基板６０上に、例えばＣＶＤ法により半導体膜を成膜し、その半導体膜に対し、必要に応じて結晶化処理や低抵抗化処理を施した後に、当該半導体膜をフォトリソグラフィ（レジスト塗布、プリベーク処理、露光処理、現像処理、ポストベーク処理、エッチング処理およびレジスト剥離処理）によりパターニングして、半導体層１７を形成する。
　次に行うゲート絶縁膜形成工程Ｓ１３では、半導体層１７が形成されたマザー基板６０上に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、ゲート絶縁膜１８を形成する。
　次に行うゲート電極形成工程Ｓ１４では、ゲート絶縁膜１８が形成されたマザー基板６０上に、例えばスパッタリング法により、チタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜を順に成膜して積層導電膜を形成した後に、その積層導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート電極１９を形成する。このとき、ゲート電極１９を形成する積層導電膜からは、ゲート配線１５ｇおよび各種の引き回し配線１５ｆなども併せて形成する。
　次に行う層間絶縁膜形成工程Ｓ１５では、ゲート電極１９が形成されたマザー基板６０上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を成膜して、第１層間絶縁膜２３を形成する。
　続いて、第１層間絶縁膜２４上に、例えばスパッタリング法により、チタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜を順に成膜して積層導電膜を形成した後に、その積層導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、キャパシタ１４の上部導電層２７を形成する。
　そして、上部導電層２７が形成された第１層間絶縁膜２３上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を成膜して、第２層間絶縁膜２４を形成する。
　このようにして、第１層間絶縁膜２３および第２層間絶縁膜２４が積層された層間絶縁膜２０が形成される。そして、この層間絶縁膜２０をフォトリソグラフィによりパターニングして、コンタクトホール２５を形成する。このとき、コンタクトホール２５は、ゲート絶縁膜１８にも形成する。
　次に行うソースドレイン電極形成工程Ｓ１６では、層間絶縁膜２０が形成されたマザー基板６０上に、例えばスパッタリング法により、チタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜を順に成膜して、積層導電膜を形成した後に、その積層導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、ソース電極２１およびドレイン電極２２を形成する。このとき、ソース電極２１およびドレイン電極２２を形成する積層電電膜からは、ソース配線１５ｓおよび高圧電源配線１５ｈｐなども併せて形成する。
　次に行う平坦化膜形成工程Ｓ１７では、ソース電極２１およびドレイン電極２２が形成されたマザー基板６０上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料を塗布する。そして、この感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク処理、露光処理、現像処理およびポストベーク処理を行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、平坦化膜１６を形成する。このとき、平坦化膜１６を形成する塗布膜からは、第１堰止め壁４５、第２堰止め壁４６の第１壁層４７および凸部５０の第１凸層５１を併せて形成する。その際の塗布膜のパターニングでは、露光処理でグレートーンマスクを用いて、当該塗布膜における凸部の第１凸層５１の形成領域と、平坦化膜１６、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６の第１壁層４７の形成領域とで露光量を異ならせるように調整することにより、凸部５０の第１凸層５１を、平坦化膜１６、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６の第１壁層４７よりも厚く形成する。なお、ここでは、グレートーンマスクに代えてハーフトーンマスクを用いてもよい。
　このようにして、ＴＦＴ層形成工程Ｓ０１では、マザー基板８０上にＴＦＴ層８を形成する。
　－有機ＥＬ素子形成工程 －
　有機ＥＬ素子形成工程Ｓ０２は、第１電極形成工程Ｓ２１と、エッジカバー形成工程Ｓ２２と、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３と、第２電極形成工程Ｓ２４とを含む。なお、有機ＥＬ素子形成工程Ｓ０２は、発光素子形成工程の一例である。
　第１電極形成工程Ｓ２１では、ＴＦＴ層８が形成されたマザー基板６０上に、例えば、スパッタリング法により、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜、銀合金膜およびインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜を順に成膜して積層導電膜を形成する。そして、この積層導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、第１電極２９を形成する。
　次に行うエッジカバー形成工程Ｓ２２では、第１電極２９が形成されたマザー基板６０上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料を塗布する。そして、この感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク処理、露光処理、現像処理およびポストベーク処理を行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、エッジカバー３３を形成する。このとき、エッジカバー３３を形成する塗布膜からは、フォトスペーサ４２、第２堰止め壁４６の第２壁層４８、凸部５０の第２凸層５２を併せて形成する。その際の塗布膜のパターニングでは、露光処理でグレートーンマスクを用いて、当該塗布膜におけるエッジカバー３３の形成領域のうちフォトスペーサ４２を形成する部分とフォトスペーサ４２を形成しない部分とで露光量を異ならせるように調整することにより、エッジカバー３３にもフォトスペーサ４２を形成する。なお、ここでは、グレートーンマスクに代えてハーフトーンマスクを用いてもよい。
　このようにして、第２堰止め壁４６を形成すると共に、それよりも高い凸部５０を、表示領域Ｄの各丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂに対し、それら各丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂの外縁に沿う形状で島状に形成する。当該凸部５０は、額縁領域Ｆにおける第２堰止め壁４６の外側で第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６を介して各丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂと対向する位置にそれぞれ形成する。この凸部５０の形成位置は、成膜用マスク７０を用いて有機ＥＬ層３０各層の成膜を行うときにサポートシート７４の遮蔽部７７と対向する位置である。
　次に行う有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３では、エッジカバー３３が形成されたマザー基板６０上に、上述したＦＭＭの成膜用マスク７０を用いて、例えば真空蒸着法により、正孔注入層３４、正孔輸送層３５、発光層３６、電子輸送層３７および電子注入層３８を順に成膜して、個々の第１電極２９上に有機ＥＬ層１７を形成する。
　具体的には、有機ＥＬ層３０を構成する各層は、図１０に示すような真空蒸着装置８０を用いて成膜される。真空蒸着装置８０は、成膜チャンバ８１と、成膜チャンバ８１の内部に設けられた基板ホルダ８２、上記構成の成膜用マスク７０、磁力部８４および蒸着源８５とを備えている。
　成膜チャンバ８１は、図示しない真空ポンプに接続された排気口８６を有し、図示しないポンプなどの圧力調整機構の作動により排気口８６を介して内部を真空引きして、排気口８６に設けられたゲート弁８７で内部空間を減圧状態に維持することができるように構成されている。
　基板ホルダ８２は、成膜チャンバ８１の上側に配置されている。この基板ホルダ８２は、エッジカバー３３が形成された、ガラス基板付きのマザー基板６０を被処理基板として、そのマザー基板６０の被成膜面（エッジカバー３３が形成された面）を下方に臨ませる姿勢で静電チャックなどにより保持するようになっている。
　成膜用マスク７０は、基板ホルダ８２に保持されたマザー基板６０の下方でその被成膜面に対向するように配置され、マスクシート８２をマザー基板６０に臨ませる姿勢で設置される。磁力部８４は、電磁石などの磁力を発生する部品で構成され、基板ホルダ８２に保持されたマザー基板６０を介して成膜用マスク７０と対向するように配置される。
　この磁力部８４は、成膜用マスク７０のマスクシート７２を磁力の作用により引き寄せて、マスクシート７２の反りを防止すると共に、マスクシート７２を基板ホルダ８２に保持されたマザー基板６０の被成膜面に近づけて一定距離だけ離間した位置関係とするか、互いに接触する位置関係とする。このことは、マスクシート７２とマザー基板６０の被成膜面との距離の均一性または密着性を高めるのに有利であり、蒸着の際に膜ボケやパターンの不均一を招く、いわゆるシャドー現象の低減に寄与する。
　蒸着源８５は、成膜チャンバ８１の下側に設置されている。この蒸着源８５は、蒸着材料を内部に収容する容器を構成し、上方に臨む複数の放出口８６を有している。そして、蒸着源８５は、ヒータを内蔵しており、収容した蒸着材料をヒータによる加熱で気化（蒸発または昇華）させ、気化した蒸着材料を、各放出口８６から上方に向けて放出するようになっている。
　上記構成の真空蒸着装置８０では、基板ホルダ８２にマザー基板６０を保持させた状態で、成膜チャンバ８１の内部が真空引きされると共に、成膜用マスク７０のマスクシート７２が磁力部８４の作用によりマザー基板６０と対向する所定の位置関係とされ、蒸着源８５から蒸着材料がマザー基板６０に向けて放出されることにより、成膜用マスク７０における各マスクシート７２の蒸着用パターン開口部７５にある複数の貫通孔７６を通過した蒸着材料がマザー基板６０の被成膜面に蒸着して、マザー基板６０の各パネル構成領域６１の表面における成膜用マスク７０の各貫通孔７６に対応する箇所に有機ＥＬ層３０を構成するいずれかの層（蒸着膜）が成膜される。
　このように真空蒸着装置８０を用いて有機ＥＬ層３０の各層を成膜するときには、図１１に示すように、マザー基板６０における各パネル構成領域６１の額縁領域Ｆを構成する部分に、成膜用マスク７０を構成するサポートシート７４の遮蔽部７７が対向して配置される。この状態において、サポートシート７４は、磁力によりマザー基板６０側に引き寄せられるため、マスクシート７２を遮蔽部７７でマザー基板６０に強く押し付けるように変位させることがある。従来の有機ＥＬ表示装置の製造では、そのように変位したマスクシートは堰止め壁に接触するため、堰止め壁がマスクシートとの接触で摩耗し、堰止め壁の対応箇所およびその周辺に異物を生じるおそれがある。しかしながら、図１２に示すように、この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造では、マスクシート７２は、第２堰止め壁４６の外周に設けられた凸部５０に優先的に接触するため、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６と当該遮蔽部７７との接触が防止される。それによって、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６の対応箇所およびそれらの表示領域Ｄ側に異物が生じるのを抑制することができる。
　次に行う第２電極形成工程Ｓ２４では、有機ＥＬ層３０が形成されたマザー基板６０上に、表示パネル単位でパターニング可能なＣＭＭ（Common Metal Mask）と呼ばれる成膜用マスクを用いて、例えば真空蒸着法により銀合金膜を成膜することにより、第２電極３１を形成する。
　このようにして、有機ＥＬ素子形成工程Ｓ０２では、ＴＦＴ層８上に有機ＥＬ素子９を形成する。
　－封止膜形成工程 －
　封止膜形成工程Ｓ０３では、有機ＥＬ素子９が形成されたマザー基板６０上に、ＣＭＭの成膜用マスクを用いて、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、第１無機層３９を形成する。
　続いて、第１無機層３９が形成されたマザー基板６０上に、例えばインクジェット法によりアクリル樹脂などの有機材料を塗布して、有機層４０を形成する。このとき、塗布された有機材料の額縁領域Ｆの外側への広がりは第１堰止め壁４５により堰き止められて、第１堰止め壁４５の内側に有機層４０が形成される。
　そして、有機層４０が形成されたマザー基板６０上に、ＣＭＭの成膜用マスクを用いて、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、第２無機層４１を形成する。
　このようにして、封止膜形成工程Ｓ０３では、第１無機層３９、有機層４０および第２無機層４１が積層された封止膜１０を形成する。
　－ フレキシブル化工程 －
　フレキシブル化工程Ｓ０３では、封止膜１０が形成されたマザー基板６０の表面に保護シート（不図示）を貼り付けた後に、そのマザー基板６０の下面にガラス基板側からレーザー光を照射することにより、マザー基板の下面からガラス基板を剥離し、さらに、ガラス基板を剥離したマザー基板６０の下面に保護シート（不図示）を貼り付ける。
　－ 分断工程 －
　分断工程Ｓ０４では、ガラス基板を剥離したマザー基板６０を、レーザー光の照射により表示パネル単位に分断する。このとき、マザー基板６０を分断する際の分断ラインＤＬは、個々のパネル構成領域６１とその外側領域との境界であり、各パネル構成領域６１の外縁に相当する箇所である（図９参照）。このようにマザー基板６０を分断することにより、複数の表示パネル２を得る。
　－ 実装工程 －
　実装工程Ｓ０５では、マザー基板６０を分断して得た表示パネル２に対し、端子部ＴへのＦＰＣの接続などを行う。
　以上のようにして、有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
　この第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によれば、額縁領域Ｆにおける第２堰止め壁４６の外側に表示領域Ｄの各丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂと対向する凸部５０を第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６よりも高く設けるようにしたので、当該有機ＥＬ表示装置１の製造において、表示領域Ｄに各丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂを形成するための遮蔽部７７が設けられた成膜用マスク７０を用いても、その成膜用マスク７０の遮蔽部７７が設けられた領域においてマスクシート７２は、第２堰止め壁４６よりも優先的に凸部５０に接触する。それによって、成膜用マスク５０のマスクシート７２と第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６との接触が防止されるので、これら両堰止め壁４５，４６の対応箇所およびその表示領域Ｄ側に異物が生じるのを抑制することができる。その結果、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６から生じる異物に起因した有機ＥＬ表示装置１の表示品位の低下を防止することができる。
　《第１の実施形態の変形例》
　図１３は、この変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の製造過程におけるマザー基板６０の１つのパネル構成領域６１の要部構成を示す平面図である。
　前記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、マザー基板６０における各パネル構成領域６１の内側、つまり分断ラインＤＬの内側に凸部５０を形成するとしたが、この変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、図１３に示すように、当該凸部５０を、マザー基板６０における各パネル構成領域６１の外側、つまり分断ラインＤＬの外側に形成する。
　凸部５０は、マザー基板６０における各パネル構成領域６１の外周に全周に亘って枠状に設けられる。マザー基板６０における各パネル構成領域６１の外周は、分断工程Ｓ０４で端材となる部分であって、引き回し配線１５ｆなどの表示パネル２に関連した構成要素が一切設けられていない。このような製造方法で製造された有機ＥＬ表示装置１では、凸部５０は、分断工程Ｓ０４で表示パネル２と切り離されるため製品に残らない。
　ところで、有機ＥＬ表示装置１の製造における有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３で成膜用マスク７０のマスクシート７２と第１堰止め壁４５や第２堰止め壁４６とが接触すると、当該マスクシート７２と接触した堰止め壁が損傷することがあり得る。この場合、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６は引き回し配線１５ｆと交差しているため、それら堰止め壁４５，４６の損傷部分から引き回し配線１５ｆを伝って水分などが表示領域Ｄに浸入することが懸念される。具体的に述べると、引き回し配線１５ｆの側端部においてオーバーハング形状などが形成されている場合、引き回し配線１５ｆ上に形成された封止膜１０の第１無機層３９が引き回し配線１５ｆの側端部を完全には被覆できず、当該側端部に小さな空隙が生じるおそれがある。堰止め壁４５，４６の損傷部分からその内部に侵入した水分は、当該堰止め壁４５，４６と引き回し配線１５ｆとの交差部分に到達すると、引き回し配線１５ｆ側端部に生じた空隙を経由して表示領域に侵入し得る。
　この変形例に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法によれば、前記第１の実施形態と同様な効果を得ることができる上に、マザー基板６０における引き回し配線１５ｆなどが形成されない分断ラインＤＬの外側に凸部５０を形成するようにしたので、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３において凸部５０が成膜用マスク７０のマスクシート７２と遮蔽部７７が設けられた領域で接触した際に損傷しても、当該凸部５０は引き回し配線１５ｆと交差していないから、凸部５０の損傷部分を経由して水分などが表示領域Ｄに浸入するおそれもない。
　《第２の実施形態》
　図１４は、この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を構成する表示パネル２の概略構成を示す平面図である。
　前記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、凸部５０が額縁領域Ｆにおける第２堰止め壁４６の外側に全周に亘って枠状に設けられているとしたが、この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、図１４に示すように、凸部５０は、額縁領域Ｆのうち第２堰止め壁４６の外側で表示領域Ｄの各丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂに対向する位置にそれぞれ島状に設けられている。これら複数の凸部５０は、互いに分離されており、額縁領域Ｆにあっても引き回し配線１５ｆと交差していない。
　この第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によれば、前記第１の実施形態と同様な効果を得ることができる上に、前記第１の実施形態の変形例と同じく、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３において凸部５０が成膜用マスク７０のマスクシート７２と遮蔽部７７が設けられている領域で接触した際に損傷しても、当該凸部５０は引き回し配線１５ｆと交差していないから、凸部５０の損傷部分を経由して水分などが表示領域Ｄに浸入するおそれもない。
　《第２の実施形態の変形例》
　図１５は、この変形例に係る有機ＥＬ表示装置１を構成する表示パネル２の概略構成を示す平面図である。
　前記第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、凸部５０が、額縁領域Ｆのうち第２堰止め壁４６の外側で各丸角部Ｄａおよびノッチ部Ｄｂに対向する位置に互いに分離した島状に設けられているとしたが、複数の凸部５０のうち隣り合う凸部５０同士は連続して設けられていてもよい。例えば、図１５に示すように、凸部５０は、表示領域Ｄにおける端子部Ｔ側の２つの丸角部Ｄａに対向する箇所にそれぞれ島状に分離して設けられる一方で、表示領域Ｄのノッチ部Ｄｂおよびその両側に位置する２つの丸角部Ｄａの両方に対向する箇所に一続きに設けられていてもよい。
　《第３の実施形態》
　図１６は、この第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を構成する表示パネル２の図６相当図である。
　前記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、凸部５０が、平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成された第１凸層５１と、エッジカバー３３と同一層に同一材料によって形成された第２凸層５２とが積層されてなるとしたが、この第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、図１６に示すように、凸部５０は、それら第１凸層５１および第２凸層５２に加えて、第１凸層５１の下層に設けられた第３凸層５３を備えている。
　この第３凸層５３は、ゲート電極１９またはソース電極２１と同一層に同一材料によって形成されている。当該第３凸層５３をゲート電極１９と同一層に同一材料で形成する場合、前記有機ＥＬ表示装置１の製造方法におけるゲート電極形成工程Ｓ１４において、ゲート電極１９を形成する積層導電膜からゲート配線１５ｇなどと併せて第３凸層５３を形成すればよい。また、当該第３凸層５３をソース電極２１と同一層に同一材料によって形成する場合、前記有機ＥＬ表示装置１の製造方法におけるソースドレイン電極形成工程Ｓ１６において、ソース電極２１およびドレイン電極２２を形成する積層導電膜からソース配線１５ｓなどと併せて第３凸層５３を形成すればよい。
　この第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によれば、凸部５０を第１凸層５１、第２凸層５２および第３凸層５３が積層された構造としたので、第３凸層５３が設けられている分だけ凸部５０の高さｈ３が第１堰止め壁４５および第２堰止め壁の高さｈ１，ｈ２よりも高くなり、当該有機ＥＬ表示装置１の製造において、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３で用いる成膜用マスク７０のマスクシート７２が遮蔽部７７の設けられている領域でマザー基板６０側に押さえ付けられて変位しても、当該マスクシート７２を凸部５０に確実に接触させることが可能になり、当該遮蔽部７７が第２堰止め壁４６に接触するのを好適に防止することができる。
　《その他の実施形態》
　前記第１の実施形態では、凸部５０の高さｈ３が第２堰止め壁４６の高さｈ２よりも高いとしたが、これに限らない。凸部５０の高さｈ３は、第２堰止め壁４６の高さと同じであってもよい。要は、凸部の高さｈ３は、第２堰止め壁４６の高さｈ２以上の高さであればよい。
　カバーシート７３やサポートシート７４は、磁力によりマザー基板６０側に引き寄せられる際に、マスクシート７２をマザー基板６０側に強く押し付けるが、それらカバーシート７３やサポートシート７４は第２堰止め壁４６よりも凸部５０側の方に配置されているために、凸部５０の方が第２堰止め壁４６よりも先にマスクシート７２と接触する。凸部５０の高さｈ３と第２堰止め壁４６の高さｈ２とが同じである場合には、第２堰止め壁４６にもマスクシート７２が押し付けられ得るが、そのときにはマスクシート７２は既に凸部５０に接触しているため、マスクシート７２の押付け力は凸部５０によって分散される。したがって、マスクシート７２の押付けに伴ってマザー基板６０とマスクシート７２との接触部分で異物が生じるとしても、凸部５０の方に優先的に生じることになる。よって、この場合においても、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６の対応箇所およびその表示領域Ｄ側に異物が生じるのを抑制することができる。
　以上のように、本開示の技術の例示として、好ましい実施形態およびその変形例について説明した。しかし、本開示の技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、前記実施形態および変形例で説明した各構成要素を組み合わせて新たな実施の形態とすることも可能である。また、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須でない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることを以て、直ちにそれらの必須でない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
　例えば、前記第１の実施形態では、第１堰止め壁４５が平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成されているとしたが、本開示の適用範囲はこれに限らない。第１堰止め壁４５は、エッジカバー３３と同一層に同一材料によって形成されていてもよく（つまり、第２堰止め壁４６の第２壁層４８に相当する一層のみからなっていてもよく）、第２堰止め壁４６と同様な第１壁層４７および第２壁層４８が積層された構造とされていても構わない。
　また、前記第１の実施形態では、凸部５０が平坦化膜１６と同一層に同一材料によって形成された第１凸層５１と、エッジカバー３３と同一層に同一材料によって形成された第２凸層５２とが積層されてなるとし、前記第３の実施形態では、凸部５０がそれら第１凸層５１および第２凸層５２に加えて、ゲート電極１９またはソース電極２１と同一層に同一材料によって形成された第３凸層５３を備えるとしたが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。例えば、フォトスペーサ４２がエッジカバー３３とは別個の層として形成される場合には、凸部５０は、そのフォトスペーサ４２と同一層に同一材料によって形成された第４凸層を備えていてもよい。また、第１堰止め壁４５および第２堰止め壁４６も、凸部５０よりも高くならない前提でそうした第４凸層に相当する層を備えていてもよい。要は、凸部５０が堰止め構造４４を構成する堰止め壁４５，４６よりも高く設けられていればよく、それら凸部５０および堰止め壁４５，４６は単層構造でも積層構造でもよく種々の構造を採用し得る。
　また、前記第１の実施形態では、有機ＥＬ層３０が各サブ画素６に個別に設けられているとしたが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。有機ＥＬ層３０は、複数のサブ画素６に共通して設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置１は、カラーフィルタを備えるなどして、各サブ画素６の色調表現を行っていてもよい。
　また、前記第１の実施形態では、基板として樹脂基板層７を用いる有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。基板としては、ガラスや石英などの無機材料、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスチック、アルミナなどのセラミックからなる基板が用いられていてもよい。また、基板は、アルミニウムや鉄などの金属基板の一方面をシリカゲルや有機絶縁材料などでコーティングした基板、または金属基板の表面に陽極酸化などの方法により絶縁化処理を施した基板などであっても構わない。
　また、前記第１の実施形態では、第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３について、トップゲート型の構造を採用しているとしたが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。第１ＴＦＴ１２および第２ＴＦＴ１３は、ボトムゲート型の構造を採用していてもよい。
　また、前記第１の実施形態では、第１電極２９を陽極とし、第２電極３１を陰極とした有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。本開示の技術は、例えば、有機ＥＬ層３０の積層構造を反転させて、第１電極２９を陰極とし、第２電極３１を陽極とした有機ＥＬ表示装置１にも適用することが可能である。
　また、前記第１の実施形態では、正孔注入層３４、正孔輸送層３５、発光層３６、電子輸送層３７、電子注入層３８の５層積層構造の有機ＥＬ層３０を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。有機ＥＬ層３０には、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層および電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造を採用していてもよく、任意の構造を採用することが可能である。
　また、前記第１～３の実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置１を例示したが、本開示の技術の適用範囲はこれに限らない。本開示の技術は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）を備えた表示装置に適用することが可能である。
　以上説明したように、本開示の技術は、異形形状の表示領域を有する表示装置について有用である。
　Ｄ…表示領域
　Ｄａ…表示領域の丸角部（異形部）
　Ｄｂ…表示領域のノッチ部（異形部）
　Ｆ…額縁領域
　Ｔ…端子部
　ｈ０…フォトスペーサの高さ
　ｈ１…第１堰止め壁の高さ
　ｈ２…第２堰止め壁の高さ
　ｈ３…凸部の高さ
　１…有機ＥＬ表示装置
　２…表示パネル
　２ａ…表示パネルの丸角部
　２ｂ…表示パネルのノッチ部
　５…画素
　６…サブ画素
　６ｒ…赤色のサブ画素
　６ｇ…緑色のサブ画素
　６ｂ…青色のサブ画素
　７…樹脂基板層（ベース基板）
　８…ＴＦＴ層
　９…有機ＥＬ素子
　１０…封止膜
　１１…ベースコート膜
　１２…第１ＴＦＴ
　１３…第２ＴＦＴ
　１４…キャパシタ
　１５…表示用配線
　１５ｇ…ゲート配線
　１５ｓ…ソース配線
　１５ｈｐ…高圧電源配線
　１６…平坦化膜
　１７…半導体層
　１８…ゲート絶縁膜
　１９…ゲート電極
　２０…層間絶縁膜
　２１…ソース電極
　２２…ドレイン電極
　２３…第１層間絶縁膜
　２４…第２層間絶縁膜
　２５…コンタクトホール
　２６…下部導電層
　２７…上部導電層
　２８…コンタクトホール
　２９…第１電極（画素電極）
　３０…有機ＥＬ層
　３１…第２電極
　３２…コンタクトホール
　３３…エッジカバー
　３４…正孔注入層
　３５…正孔輸送層
　３６…発光層
　３７…電子輸送層
　３８…電子注入層
　３９…第１無機層
　４０…有機層
　４１…第２無機層
　４２…フォトスペーサ
　４４…堰止め構造
　４５…第１堰止め壁
　４６…第２堰止め壁
　４７…第１壁層
　４８…第２壁層
　５０…凸部
　５１…第１凸層
　５２…第２凸層
　６０…マザー基板
　６１…パネル構成領域
　６１ｄ…表示領域を構成する部分
　６１ｆ…額縁領域を構成する部分
　７０…成膜用マスク
　７１…マスクフレーム
　７２…マスクシート
　７３…カバーシート
　７４…サポートシート（サポート部材）
　７５…蒸着用パターン開口部
　７６…貫通孔
　７７…遮蔽部
　７８…第１遮蔽部
　７９…第２遮蔽部
　８０…真空蒸着装置
　８１…成膜チャンバ
　８２…基板ホルダ
　８４…磁力部
　８５…蒸着源
　８６…排気口
　８７…ゲート弁

Claims (18)

  1. 　ベース基板と、
    　前記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、
    　前記ＴＦＴ層上に設けられた発光素子と、
    　前記発光素子を覆うように設けられた封止膜とを備え、
    　前記発光素子の発光によって画像表示を行う表示領域と、該表示領域の周囲に位置する額縁領域とが設けられ、
    　前記額縁領域には前記表示領域を囲む堰止め壁が設けられ、前記封止膜が前記堰止め壁の内側に設けられた有機層を含む表示装置であって、
    　前記表示領域は、外周形状が矩形とは異なる異形部を有する異形形状に設けられ、
    　前記額縁領域における前記堰止め壁の外側で該堰止め壁を介して前記表示領域の異形部と対向する位置には、前記堰止め壁以上の高さを有する凸部が設けられている
    ことを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　前記凸部は、前記堰止め壁よりも高い
    ことを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項１または２に記載された表示装置において、
    　前記堰止め壁として、前記表示領域側に設けられて前記有機層の周端部に重なる第１堰止め壁と、該第１堰止め壁を囲むように設けられた第２堰止め壁とを備え、
    　前記第２堰止め壁は、前記第１堰止め壁よりも高い
    ことを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記凸部は、前記異形部に対して島状に形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記凸部は、前記異形部の外縁に沿う形状に形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記額縁領域には、前記表示領域内の配線に電気的に接続された引き回し配線が設けられ、
    　前記堰止め壁は、前記引き回し配線と交差している一方で、
    　前記凸部は、前記引き回し配線と交差していない
    ことを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項６に記載された表示装置において、
    　前記額縁領域は、複数の辺を有する枠状に設けられ、
    　前記額縁領域の１辺には、端子部が設けられ、
    　前記引き回し配線は、前記額縁領域における前記端子部が設けられた１辺で前記堰止め壁と交差している
    ことを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記額縁領域は、複数の辺を有する枠状に設けられ、
    　前記額縁領域の１辺には、端子部が設けられ、
    　前記表示領域における前記端子部とは反対側に位置する１辺の中間部は、平面視で当該表示領域の内側に屈曲した凹形状に設けられた前記異形部としてのノッチ部を構成し、当該１辺の両端部に相当する隅部の外形が湾曲形状に設けられた前記異形部としての丸角部を構成し、
    　前記凸部は、前記ノッチ部および前記丸角部の両方に対向する箇所に一続きに設けられている
    ことを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１～８のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記発光素子は、前記表示領域を構成する画素毎に設けられた複数の画素電極と、該各画素電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーとを備え、
    　前記凸部の少なくとも一部は、前記エッジカバーと同一層に同一材料によって形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項９に記載された表示装置において、
    　前記堰止め壁の少なくとも一部は、前記エッジカバーと同一層に同一材料によって形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記表示領域は、前記異形部が矩形状の四隅に設けられた形状に設けられ、
    　前記凸部は、前記表示領域における前記異形部とされた四隅に対してそれぞれ設けられている
    ことを特徴とする表示装置。
  12. 　ベース基板上にＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、
    　前記ＴＦＴ層上に発光素子を形成する発光素子形成工程と、
    　前記発光素子を覆うように有機層を含む封止膜を形成する封止膜形成工程とを含み、
    　前記封止膜形成工程よりも前に、前記発光素子の発光によって画像表示を行う表示領域の周囲に位置する額縁領域に前記表示領域を囲む堰止め壁を形成し、
    　前記封止膜形成工程において、前記有機層を形成する有機樹脂材料の前記額縁領域の外側への広がりを前記堰止め壁により堰き止める表示装置の製造方法であって、
    　前記表示領域を、外周形状が矩形とは異なる異形部を有する異形形状に設け、
    　前記ＴＦＴ層形成工程の後に、前記額縁領域における前記堰止め壁の外側で該堰止め壁を介して前記表示領域の前記異形部と対向する位置に、前記堰止め壁以上の高さを有する凸部を形成する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  13. 　請求項１２に記載された表示装置の製造方法において、
    　前記凸部を、前記異形部に対して島状に形成する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  14. 　請求項１２または１３に記載された表示装置の製造方法において、
    　前記凸部を、前記異形部の外縁に沿う形状に形成する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  15. 　請求項１２～１４のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
    　前記ベース基板として、表示パネルを構成するパネル構成領域が複数内在するマザー基板を用い、
    　前記マザー基板の前記各パネル構成領域に前記ＴＦＴ層、前記発光素子および前記封止膜を形成し、
    　前記封止膜形成工程の後に、前記マザー基板を前記表示パネル単位に分断する分断工程をさらに含み、
    　前記凸部を、前記分断工程で前記マザー基板の前記表示パネル単位に分断する分断ラインの外側に形成する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  16. 　請求項１２～１５のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
    　前記発光素子形成工程では、前記発光素子の形成に成膜用マスクを用い、
    　前記成膜用マスクは、マスクフレームと、該マスクフレームの一側から対向側に架け渡されて成膜用の貫通孔が形成された複数のマスクシートと、該複数のマスクシートを支持する複数のサポート部材とを備え、
    　前記サポート部材には、前記貫通孔を部分的に遮蔽して前記表示領域の異形部を形成するための遮蔽部が設けられており、
    　前記凸部を、前記成膜用マスクを用いて成膜を行うときに前記サポート部材の前記遮蔽部と対向する位置に形成する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  17. 　請求項１２～１６のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
    　前記堰止め壁と前記凸部とを、グレートーンマスクを用いて同時に形成する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  18. 　請求項１７に記載された表示装置の製造方法において、
    　前記発光素子形成工程では、前記表示領域を構成する画素毎に画素電極を形成し、
    　前記各画素電極の周端部を覆うエッジカバーを、前記堰止め壁および前記凸部と同時に形成する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
     
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