WO2019216292A1 - 樹脂多層基板、電子部品用パッケージおよび光学部品用パッケージ - Google Patents

Abstract

キャビティや凸部を有する樹脂多層基板を容易に作製する。　複数の樹脂層１、２、３が積層された積層体４を備え、樹脂層１（２、３）が、部分的に厚みが異なり、厚みの大きな第１部分１ａ（２ａ、３ａ）と、厚みの大きな第１部分１ａ（２ａ、３ａ）よりも厚みが小さい、厚みの小さな第２部分１ｂ（２ｂ、３ｂ）とを備えたものとする。樹脂層１（２、３）は、厚みの変化する第３部分１ｃ（２ｃ、３ｃ）を備えてもよい。厚みの小さな第２部分１ｂ、２ｂ、３ｂを重ねて配置して、キャビティ５を形成する。

Description

樹脂多層基板、電子部品用パッケージおよび光学部品用パッケージ

　本発明は樹脂多層基板に関する。また、本発明は、本発明の樹脂多層基板を使用して作製した電子部品用パッケージおよび光学部品用パッケージに関する。

　複数の樹脂層が積層された積層体を備えた樹脂多層基板が、種々の電子機器に広く使用されている。そのような樹脂多層基板において、その主面に、電子部品を収納する等の目的で凹凸を形成する場合がある。

　特許文献１（特開２００７-５９８４４号公報）に、多層回路板の主面に凹部を形成し、当該凹部に電子部品を実装した凹凸型の樹脂多層基板が開示されている。図１２に、特許文献１に開示された凹凸多層回路板モジュール（樹脂多層基板）１０００を示す。

　凹凸多層回路板モジュール１０００は、多層回路板１０１を備えている。多層回路板１０１の両主面には、回路１０２が形成されている。

　多層回路板１０１の上側の主面に、凸部１０３と凹部（キャビティ）１０４が形成されている。凸部１０３は、樹脂によって形成されている。凹部１０４の底面には、多層回路板１０１に形成された回路１０２が露出している。凸部１０３の表面には、回路１０５が形成されている。

　多層回路板１０１の下側主面に形成された回路１０２や、凹部１０４から露出した回路１０２に、それぞれ、部品（電子部品）１０６が実装されている。

　凹凸多層回路板モジュール１０００は、たとえば、次の方法によって作製される。

　まず、両主面に回路１０２が形成された多層回路板１０１を用意する。次に、多層回路板１０１上に、樹脂シートおよび金属層を積層する。次に、加熱しながら、下面に凸成形部が形成された金型によって樹脂シートおよび金属層を押圧し、樹脂シートおよび金属層を多層回路板１０１の上側主面に圧着させる。この結果、樹脂シートは、金型の凸成形部によって押圧された部分に窪みが形成され、それ以外の部分に凸部１０３が形成される。

　次に、樹脂シートの窪んだ部分に存在する金属層をエッチングによって除去する。次に、金属層が除去されて露出した樹脂シート部分にデスミア処理をおこなう。すなわち、窪みの底部に残った不要な樹脂シートの樹脂を除去して、凹部（キャビティ）１０４を形成する。デスミア処理は、たとえば、プラズマ洗浄によっておこなう。デスミア処理の結果、凹部１０４の底部に、多層回路板１０１に形成された回路１０２が露出する。

　次に、凸部１０３上の金属層を加工して、回路１０５を形成する。最後に、回路１０２に部品１０６を実装して、凹凸多層回路板モジュール１０００を完成させる。

特開２００７-５９８４４号公報

　特許文献１に開示された方法では、多層回路板１０１に樹脂シートを積層して、これに金型で窪みを成形し、窪みの底部に残った樹脂をデスミア処理にて除去することにより、多層回路板１０１に凹部（キャビティ）１０４を形成している。しかしながら、デスミア処理で凹部１０４を形成する方法では、凹部１０４の深さを精度よく制御するために、凹部１０４の底面（多層回路板１０１の主面）にマーキングを施す必要があった。そして、このときの不要なマーキングが製品に残ってしまうという問題があった。

　本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の樹脂多層基板は、複数の樹脂層が積層された積層体を備え、樹脂層の少なくとも１つが、部分的に厚みが異なり、厚みの大きな第１部分と、第１部分よりも厚みが小さい、第２部分とを備えたものとする。この場合には、積層体に容易にキャビティや凸部を形成することができる。

　なお、樹脂層が備えるのは、厚みの大きな第１部分および厚みの小さな第２部分のみには限られず、第１部分と第２部分との中間の厚みからなる、厚みが中間の部分などをさらに備えていてもよい。また、厚みが中間の部分の厚みは１つには限られず、厚みの異なる複数の厚みが中間の部分を備えていてもよい。

　また、第１部分と第２部分とを備えた樹脂層が、第１部分と第２部分との間に、厚みの変化する第３部分を備えていてもよい。

　また、積層された少なくとも１つの樹脂層が第１部分と第２部分とを備えていればよいが、積層された全ての樹脂層が第１部分と第２部分とを備えていてもよい。

　積層体が１対の主面を有し、少なくとも一方の主面に、内側壁および内底面を有する、少なくとも１つのキャビティが形成され、キャビティが形成された部分に、少なくとも１つの樹脂層の厚みの小さな部分が配置されていてもよい。この場合には、積層体に、容易にキャビティを形成することができる。

　この場合において、積層体のキャビティが形成された側の主面から、キャビティの内側壁を経由して、キャビティの内底面に至る、少なくとも１つの配線電極が形成されていてもよい。この場合には、たとえば、キャビティに電子部品を収容し、形成した配線電極を電子部品への電気的な配線に使用することができる。

　キャビティの内側壁の少なくとも一部分に金属層が形成されていてもよい。この場合において、金属層に、たとえば、キャビティに収容された電子部品から外部にノイズが放射されることを抑制したり、外部からキャビティに収容された電子部品にノイズが侵入することを抑制したりするシールド機能をもたせてもよい。また、金属層に、たとえば、キャビティに収容された電子部品が発生させた熱を外部に放熱する放熱機能をもたせてもよい。

　キャビティの内底面と、積層体のキャビティが形成されていない側の主面とを繋ぐ、貫通孔が形成されていてもよい。この場合には、たとえば、キャビティに光学部品を収容し、形成した貫通孔を光の通路として使用することができる。

　キャビティの内部に電子部品および光学部品の少なくとも一方が収容されていてもよい。なお、収容される電子部品の種類は任意であるが、たとえば、コンデンサ、コイル、抵抗などのチップ部品や、半導体集積回路部品や、樹脂封止モジュールなどを収容することができる。また、収容される光学部品の種類は任意であるが、たとえば、レンズ部品などを収容することができる。

　また、積層体が１対の主面を有し、少なくとも一方の主面に、少なくとも１つの凸部が形成され、凸部が形成された部分に、少なくとも１つの樹脂層の厚みの大きな部分が配置されていてもよい。この場合には、積層体に、容易に凸部を形成することができる。

　この場合において、凸部に電子部品および光学部品の少なくとも一方が実装されていてもよい。たとえば、凸部に電子部品を実装すれば、一般に、実装された電子部品と、積層体の内部に形成された内層電極との間の距離を大きくすることができるため、実装された電子部品と内層電極との相互干渉を抑制することができる。

　また、積層体が、最下層の樹脂層と、少なくとも１つの中間層の樹脂層と、最上層の樹脂層が積層されたものからなり、最下層、中間層、最上層の樹脂層が、それぞれ、第１部分と第２部分とを有する場合において、中間層の樹脂層の第１部分の厚みが、最下層および最上層の樹脂層の第１部分の厚みよりも小さく、かつ、中間層の樹脂層の第２部分の厚みが、最下層および最上層の樹脂層の第２部分の厚みよりも小さくてもよい。

　樹脂層に厚みの大きな部分や厚みの小さな部分を形成するために、樹脂層に熱や圧力をかけると、樹脂層を構成する樹脂が樹脂層の内部で流動して、樹脂流れと呼ばれる現象が発生する場合がある。そして、樹脂層に樹脂流れが発生すると、その樹脂層の周辺に形成された内層電極が位置ずれを起こす虞がある。そして、内層電極が位置ずれを起こすと、樹脂多層基板の内部の回路配線が断線したり信頼性が低下したりする虞がある。一方、一般に、樹脂流れは、樹脂層の厚みが小さいほど発生しにくく、樹脂層の厚みが大きいほど発生しやすい。したがって、上記のように、中間層の樹脂層の厚みを、最下層や最上層の樹脂層の厚みよりも小さくしておけば、中間層の樹脂層の樹脂流れを抑制することができ、内層電極の位置ずれを抑制することができ、樹脂多層基板の内部の回路配線の断線や信頼性の低下を抑制することができる。

　樹脂層が熱可塑性樹脂によって作製されていてもよい。この場合には、樹脂層に圧力や熱を加えることによって、樹脂層に容易に厚みの小さな部分を形成することができる。

　少なくとも１つの樹脂層に、両主面間の電気的導通をはかる、少なくとも１つのビア電極が形成されていてもよい。また、積層体の樹脂層の少なくとも１つの層間に、少なくとも１つの内層電極が形成されていてもよい。これらの場合には、ビア電極や内層電極を使って、積層体の内部に容易に回路配線を形成することができる。

　本発明の樹脂多層基板を使用して、電子部品を収容するための電子部品用パッケージや、光学部品を収容するための光学部品用パッケージを作製することができる。

　本発明の樹脂多層基板は、少なくとも１つの樹脂層が、厚みの大きな部分と厚みの小さな部分とを備えるため、不要なマーキングを用いることなく、積層体に容易に精度よくキャビティや凸部などを形成することができる。

図１（Ａ）は、第１実施形態にかかる樹脂多層基板１００の平面図である。図１（Ｂ）は、樹脂多層基板１００の断面図である。 図２（Ａ）～（Ｃ）は、それぞれ、樹脂多層基板１００の製造方法の一例で実施される工程を示す断面図である。 図３（Ｄ）、（Ｅ）は、図２（Ｃ）の続きであり、それぞれ、樹脂多層基板１００の製造方法の一例で実施される工程を示す断面図である。 図４（Ｆ）、（Ｇ）は、図３（Ｅ）の続きであり、それぞれ、樹脂多層基板１００の製造方法の一例で実施される工程を示す断面図である。 第２実施形態にかかる樹脂多層基板２００の断面図である。 第３実施形態にかかる樹脂多層基板３００の断面図である。 第４実施形態にかかる樹脂多層基板４００の断面図である。 第５実施形態にかかる樹脂多層基板５００の断面図である。 第６実施形態にかかる樹脂多層基板６００の断面図である。 第７実施形態にかかる樹脂多層基板７００の断面図である。 第８実施形態にかかる樹脂多層基板８００の断面図である。 特許文献１に開示された凹凸多層回路板モジュール１０００の分解要部斜視図である。

　以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

　なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

　［第１実施形態］
　図１（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかる樹脂多層基板１００を示す。ただし、図１（Ａ）は、樹脂多層基板１００の平面図である。図１（Ｂ）は、樹脂多層基板１００の断面図であり、図１（Ａ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。

　樹脂多層基板１００は、最下層の樹脂層１と、中間層の樹脂層２と、最上層の樹脂層３とが積層された積層体４を備えている。

　積層体４（樹脂層１、２、３）の材質には、たとえば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などの熱可塑性樹脂を使用することができる。ただし、液晶ポリマー以外の熱可塑性樹脂を使用してもよい。たとえば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド（ＰＩ）でもよい。また、エポキシ、不飽和ポリエステルなどの熱硬化性樹脂を使用してもよい。

　樹脂層１は、部分的に厚みが異なり、厚みの大きな第１部分１ａと、厚みの大きな第１部分１ａよりも厚みが小さい、厚みの小さな第２部分１ｂとを備えている。そして、厚みの大きな第１部分１ａと厚みの小さな第２部分１ｂとの間に、厚みの変化する第３部分１ｃを備えている。平面視において、第２部分１ｂは矩形であり、その周りを第１部分１ａが環状に囲っている。

　樹脂層２も、部分的に厚みが異なり、厚みの大きな第１部分２ａと、厚みの大きな第１部分２ａよりも厚みが小さい、厚みの小さな第２部分２ｂとを備えている。そして、厚みの大きな第１部分２ａと厚みの小さな第２部分２ｂとの間に、厚みの変化する第３部分２ｃを備えている。平面視において、第２部分２ｂは矩形であり、その周りを第１部分２ａが環状に囲っている。

　樹脂層３も、部分的に厚みが異なり、厚みの大きな第１部分３ａと、厚みの大きな第１部分３ａよりも厚みが小さい、厚みの小さな第２部分３ｂとを備えている。そして、厚みの大きな第１部分３ａと厚みの小さな第２部分３ｂとの間に、厚みの変化する第３部分３ｃを備えている。平面視において、第２部分３ｂは矩形であり、その周りを第１部分３ａが環状に囲っている。

　樹脂多層基板１００においては、樹脂層１の第２部分１ｂと、樹脂層２の第２部分２ｂと、樹脂層３の第２部分３ｂとが、重ねて配置され、その部分にキャビティ５が構成されている。キャビティ５は、積層体４の上側主面が開口されており、内側壁５ａと内底面５ｂとを有している。

　樹脂層２および樹脂層３には、それぞれ、両主面間の電気的導通をはかるためのビア電極６が形成されている。ビア電極６の材質は任意であるが、たとえば、銅や、銀や、銅の合金や、銀の合金、Ｓｎ－Ａｇ系のはんだなどを使用することができる。

　樹脂層１と樹脂層２との層間、および、樹脂層２と樹脂層３との層間には、それぞれ、内層電極７が形成されている。内層電極７の材質は任意であるが、たとえば、銅や、銀や、銅の合金や、銀の合金などを使用することができる。

　そして、積層体４の上側主面から、キャビティ５の内側壁５ａを経由して、キャビティ５の内底面５ｂに至るように、配線電極８が形成されている。配線電極８の材質は任意であるが、たとえば、銅や、銅の合金などを使用することができる。なお、配線電極８の表面に、必要に応じてめっき層を形成することも好ましい。めっき層の材質は、たとえば、Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／はんだ、Ｎｉ／Ａｕなどとすることができる。

　樹脂多層基板１００においては、キャビティ５の内底面５ｂから内側壁５ａ、積層体４の上側主面に渡って連続した、１２個の配線電極８が形成されている。ただし、配線電極８の数は任意であり、増減させることができる。

　樹脂層１と樹脂層２との層間に形成された内層電極７と、樹脂層２と樹脂層３との層間に形成された内層電極７とが、樹脂層２に形成されたビア電極６によって電気的に接続されている。

　樹脂層２と樹脂層３との層間に形成されたと内層電極７と、配線電極８とが、樹脂層３に形成されたビア電極６によって電気的に接続されている。

　樹脂多層基板１００においては、配線電極８のキャビティ５の内底面５ｂに形成された部分に電子部品を実装することによって、キャビティ５に電子部品を収容することができる。すなわち、樹脂多層基板１００は、電子部品用パッケージとして使用することができる。この場合、配線電極８のキャビティ５の内底面５ｂに形成された部分は、実装用電極としての機能を果たす。

　キャビティ５に収容される電子部品の種類は任意であるが、たとえば、半導体集積回路部品や、樹脂封止電子モジュール部品などを収容することができる。あるいは、これらに代えて、コンデンサ、コイル、抵抗などのチップ部品を収容してもよい。

　樹脂多層基板１００においては、樹脂層１に第１部分１ａと第２部分１ｂとを設け、樹脂層２に第１部分２ａと第２部分２ｂとを設け、樹脂層３に第１部分３ａと第２部分３ｂとを設けたうえで、各々の第２部分１ｂ、２ｂ、３ｂを重ねて配置することによって、積層体４に容易にキャビティ５が形成されている。なお、樹脂層は３層に限られず、１層であってもよいし、２層であってもよいし、３層より多くてもよい。

　樹脂多層基板１００は、たとえば、図２（Ａ）～図４（Ｇ）に示す方法によって製造することができる。なお、ここでは便宜上、１つの樹脂多層基板１００を製造する場合を例にとって説明するが、実際の製造ラインにおいては、多数の樹脂層がマトリックス状に配置されたマザー樹脂層を使用し、多数の樹脂多層基板１００を一括して製造し、製造工程の途中か、完成後に、個々の樹脂多層基板１００に分割する場合がある。

　まず、図２（Ａ）に示すように、樹脂層１、樹脂層２、樹脂層３をそれぞれ用意する。樹脂層１～３の上側主面には、それぞれ、内層電極７や配線電極８を形成するための銅箔１７が予め貼り付けられている。

　次に、図２（Ｂ）に示すように、銅箔１７を周知のエッチング技術によって所望の形状にエッチングし、樹脂層１および樹脂層２の上側主面にそれぞれ内層電極７を形成し、樹脂層３の上側主面に配線電極８を形成する。より具体的には、まず、樹脂層１、樹脂層２、樹脂層３の銅箔１７の表面に、それぞれ、所望のパターン形状からなるレジストパターンを形成する。次に、樹脂層１、樹脂層２、樹脂層３を、それぞれ、エッチング液に浸漬して銅箔１７をエッチングし、樹脂層１、樹脂層２にそれぞれ内層電極７を形成し、樹脂層３に配線電極８を形成する。次に、樹脂層１、樹脂層２、樹脂層３から、それぞれ、不要となったレジストパターンを除去する。

　次に、図２（Ｃ）に示すように、上下方向を反転させたうえで、樹脂層２に、レーザー光を照射するなどの方法によってビア電極６を形成するための貫通孔１６を形成する。貫通孔１６は、内層電極７に到達させる。同様に、上下方向を反転させたうえで、樹脂層３に、レーザー光を照射するなどの方法によってビア電極６を形成するための貫通孔１６を形成する。貫通孔１６は、配線電極８に到達させる。なお、図２（Ｃ）においては、樹脂層１も、上下を反転させて描いている。

　次に、図３（Ｄ）に示すように、樹脂層２および樹脂層３にそれぞれ形成した貫通孔１６に、ビア電極６を形成するための導電性ペースト２６を充填する。

　次に、図３（Ｅ）に示すように、樹脂層１、樹脂層２、樹脂層３の上下方向を、それぞれ、再び反転させる。

　次に、図４（Ｆ）に示すように、樹脂層１、樹脂層２、樹脂層３を重ね合わせ、加熱および加圧して一体化させ、積層体４を作製する。この結果、樹脂層２、３に形成された貫通孔１６に充填された導電性ペースト２６が硬化して、ビア電極６になる。

　次に、図４（Ｇ）に示すように、積層体４を、所望の形状からなる金型によって、加熱しながら加圧し、キャビティ５を形成する。この結果、樹脂層１が塑性変形し、厚みの小さな第２部分１ｂが形成されて、樹脂層１に厚みの大きな第１部分１ａと厚みの小さな第２部分１ｂと厚みの変化する第３部分１ｃとが設けられる。同様に、樹脂層２が塑性変形し、厚みの小さな第２部分２ｂが形成されて、樹脂層２に厚みの大きな第１部分２ａと厚みの小さな第２部分２ｂと厚みの変化する第３部分２ｃとが設けられる。同様に、樹脂層３が塑性変形し、厚みの小さな第２部分３ｂが形成されて、樹脂層３に厚みの大きな第１部分３ａと厚みの小さな第２部分３ｂと厚みの変化する第３部分３ｃとが設けられる。そして、積層体４における各々の第２部分１ｂ、２ｂ、３ｂが重ねて配置された部分が、キャビティ５になる。なお、樹脂層３の塑性変形にともない、樹脂層３の上側主面に形成された配線電極８も変形する。

　図示しないが、最後に、配線電極８の表面に、必要に応じてめっき層を形成して、樹脂多層基板１００が完成する。

　［第２実施形態］
　図５に、第２実施形態にかかる樹脂多層基板２００を示す。ただし、図５は、樹脂多層基板２００の断面図である。

　樹脂多層基板２００は、上述した第１実施形態にかかる樹脂多層基板１００のキャビティ５に、電子部品を収納したものである。具体的には、樹脂多層基板１００に形成された配線電極８における、キャビティ５の内底面５ｂに形成された部分に、電子部品として半導体集積回路部品２１を、バンプ２２によって実装した。

　このように、本発明の樹脂多層基板に形成されたキャビティには、電子部品を収容することができる。ただし、キャビティに収容される電子部品は、半導体集積回路部品には限られず、樹脂封止モジュールや、コンデンサ、コイル、抵抗などのチップ部品などであってもよい。あるいは、キャビティに電子部品を収容するのに代えて、レンズ部品などの光学部品を収容してもよい。

　［第３実施形態］
　図６に、第３実施形態にかかる樹脂多層基板３００を示す。ただし、図６は、樹脂多層基板３００の断面図である。

　樹脂多層基板３００は、キャビティ５に金属層３６を形成したことを特徴としている。

　樹脂多層基板３００は、最下層の樹脂層３１と、２層の中間層の樹脂層３２、３３と、最上層の樹脂層３４とが積層された積層体３５を備えている。

　樹脂層３１は、厚みの大きな第１部分３１ａと厚みの小さな第２部分３１ｂと厚みの変化する第３部分３１ｃとを備えている。同様に、樹脂層３２は、厚みの大きな第１部分３２ａと厚みの小さな第２部分３２ｂと厚みの変化する第３部分３２ｃとを備えている。樹脂層３３は、厚みの大きな第１部分３３ａと厚みの小さな第２部分３３ｂと厚みの変化する第３部分３３ｃとを備えている。樹脂層３４は、厚みの大きな第１部分３４ａと厚みの小さな第２部分３４ｂと厚みの変化する第３部分３４ｃとを備えている。

　樹脂多層基板３００においては、樹脂層３１の第２部分３１ｂと、樹脂層３２の第２部分３２ｂと、樹脂層３３の第２部分３３ｂと、樹脂層３４の第２部分３４ｂとが、重ねて配置され、その部分にキャビティ５が構成されている。キャビティ５は、積層体３５の上側主面が開口されており、内側壁５ａと内底面５ｂとを有している。

　積層体３５の内部に、必要に応じて、ビア電極６や内層電極７が形成されている。また、キャビティ５の内底面５ｂに、配線電極８が形成されている。　

　樹脂多層基板３００においては、積層体３５の上側主面、および、キャビティ５に内側壁５ａに、金属層３６が形成されている。金属層３６の材質は任意であるが、たとえば、銅や、銅の合金などを使用することができる。

　樹脂多層基板３００は、キャビティ５に、電子部品を収容することができる。電子部品は、キャビティ５の内底面５ｂに形成された配線電極８に実装する。

　樹脂多層基板３００においては、金属層３６を、シールドや放熱経路として利用することができる。

　すなわち、キャビティ５の内側壁５ａの金属層３６によって、キャビティ５に収容された電子部品の側面を遮蔽し、電子部品から外部にノイズが放射されることを抑制するとともに、外部から電子部品にノイズが侵入することを抑制することができる。

　また、キャビティ５に収容された電子部品が発熱した場合、キャビティ５の内側壁５ａの金属層３６によって吸熱し、その熱を積層体３５の上側主面の金属層３６から放熱することができる。そして、電子部品が異常に高温になることを抑制することができる。

　［第４実施形態］
　図７に、第４実施形態にかかる樹脂多層基板４００を示す。ただし、図７は、樹脂多層基板４００の断面図である。

　樹脂多層基板４００は、上述した第３実施形態にかかる樹脂多層基板３００のキャビティ５に、電子部品を収納したものである。具体的には、樹脂多層基板３００のキャビティ５の内底面５ｂに形成された配線電極８に、電子部品として樹脂封止モジュール４１を、はんだ４２によって実装した。

　樹脂封止モジュール４１は、内部に基板４３を備えている。基板４３の両主面には、種々の電子部品４４が実装されている。また、基板４３の下側主面には、電気的接続をはかるための金属ピン４５が実装されている。そして、基板４３が電子部品４４および金属ピン４５とともに、封止樹脂４６によって封止されている。樹脂封止モジュール４１の底面には、図示を省略しているが、電極が形成されている。

　樹脂多層基板４００は、キャビティ５の内側壁５ａの金属層３６によって、キャビティ５に収容された樹脂封止モジュール４１の側面がシールドされている。すなわち、金属層３６によって、樹脂封止モジュール４１から外部にノイズが放射されることが抑制されている。また、金属層３６によって、外部から樹脂封止モジュール４１にノイズが侵入することが抑制されている。

　また、樹脂多層基板４００は、樹脂封止モジュール４１が発熱した場合、キャビティ５の内側壁５ａの金属層３６によって吸熱し、その熱を積層体３５の上側主面の金属層３６から放熱することができる。そして、樹脂封止モジュール４１が異常に高温になることを抑制することができる。

　［第５実施形態］
　図８に、第５実施形態にかかる樹脂多層基板５００を示す。ただし、図８は、樹脂多層基板５００の断面図である。

　たとえば、上述した第１実施形態にかかる樹脂多層基板１００では、積層体４を構成する３層の樹脂層１、２、３において、厚みの大きな第１部分１ａ、２ａ、３ａの厚みが相互に等しく、厚みの小さな第２部分１ｂ、２ｂ、３ｂの厚みが相互に等しかった。

　これに対し、第５実施形態にかかる樹脂多層基板５００は、厚みの大きな第１部分の厚みが樹脂層間で均一ではなく、厚みの小さな第２部分の厚みも樹脂層間で均一ではないことを特徴としている。

　樹脂多層基板５００は、最下層の樹脂層５１と、３層の中間層の樹脂層５２、５３、５４と、最上層の樹脂層５５とが積層された積層体５６を備えている。

　樹脂層５１は、厚みの大きな第１部分５１ａと厚みの小さな第２部分５１ｂと厚みの変化する第３部分５１ｃとを備えている。同様に、樹脂層５２は、厚みの大きな第１部分５２ａと厚みの小さな第２部分５２ｂと厚みの変化する第３部分５２ｃとを備えている。樹脂層５３は、厚みの大きな第１部分５３ａと厚みの小さな第２部分５３ｂと厚みの変化する第３部分５３ｃとを備えている。樹脂層５４は、厚みの大きな第１部分５４ａと厚みの小さな第２部分５４ｂと厚みの変化する第３部分５４ｃとを備えている。樹脂層５５は、厚みの大きな第１部分５５ａと厚みの小さな第２部分５５ｂと厚みの変化する第３部分５５ｃとを備えている。

　樹脂多層基板５００においては、樹脂層５１の第２部分５１ｂと、樹脂層５２の第２部分５２ｂと、樹脂層５３の第２部分５３ｂと、樹脂層５４の第２部分５４ｂと、樹脂層５５の第２部分５５ｂとが、重ねて配置され、その部分にキャビティ５が構成されている。キャビティ５は、積層体５６の上側主面が開口されており、内側壁５ａと内底面５ｂとを有している。

　樹脂多層基板５００においては、中間層の樹脂層５２の第１部分５２ａ、樹脂層５３の第１部分５３ａ、樹脂層５４の第１部分５４ａの厚みが、最下層の樹脂層５１の第１部分５１ａおよび最上層の樹脂層５５の第１部分５５ａの厚みよりも小さい。また、中間層の樹脂層５２の第２部分５２ｂ、樹脂層５３の第２部分５３ｂ、樹脂層５４の第２部分５４ｂの厚みが、最下層の樹脂層５１の第２部分５１ｂおよび最上層の樹脂層５５の第２部分５５ｂの厚みよりも小さい。すなわち、樹脂多層基板５００においては、中間層の樹脂層５２、５３、５４の厚みが、全域にわたって、最下層の樹脂層５１および最上層の樹脂層５５の厚みよりも小さい。

　積層体５６の内部に、必要に応じて、ビア電極６や内層電極７が形成されている。また、キャビティ５の内底面５ｂに、配線電極８が形成されている。なお、樹脂多層基板５００においては、中間層の樹脂層５２、５３、５４の層間に、内層電極７が、集中して、より多く形成されている。

　樹脂多層基板５００を製造するに際し、樹脂層５１～５５を、それぞれ、所望の形状の金型の間に挟み込み、加熱しながら加圧して、塑性変形させて、厚みの大きな第１部分５１ａ～５５ａ、厚みの小さな第２部分５１ｂ～５５ｂ、厚みの変化する第３部分５１ｃ～５５ｃを形成する場合がある。そして、このとき、樹脂層５１～５５を構成する樹脂が、樹脂層５１～５５の内部で流動し、樹脂流れという現象が発生する場合がある。

　樹脂層に樹脂流れが発生すると、その樹脂層の周辺に形成された内層電極７が位置ずれを起こす虞がある。そして、内層電極７が位置ずれを置こすと、樹脂多層基板の内部の回路配線が断線したり、特性が劣化したりする虞がある。

　一方、一般に、樹脂流れは、樹脂層の厚みが小さいほど発生しにくく、樹脂層の厚みが大きいほど発生しやすい傾向にある。

　そこで、樹脂多層基板５００では、中間層の樹脂層５２、５３、５４の厚みを、最下層の樹脂層５１および最上層の樹脂層５５の厚みよりも小さくするとともに、中間層の樹脂層５２、５３、５４の層間に内層電極７を集中して形成することによって、中間層の樹脂層５２、５３、５４の樹脂流れの発生を抑制し、中間層の樹脂層５２、５３、５４の周辺に形成された内層電極７の位置ずれを抑制し、内部の回路配線の断線や特性の劣化を抑制している。

　樹脂多層基板５００は、中間層の樹脂層５２、５３、５４の樹脂流れが発生しにくく、その樹脂流れに起因した内部の回路配線の断線や特性の劣化が発生しにくい。

　［第６実施形態］
　図９に、第６実施形態にかかる樹脂多層基板６００を示す。ただし、図９は、樹脂多層基板６００の断面図である。

　樹脂多層基板６００は、第１実施形態にかかる樹脂多層基板１００から、ビア電極６、内層電極７、配線電極８を省略したものである。すなわち、本発明の樹脂多層基板において、ビア電極６、内層電極７、配線電極８は必須の構成ではなく、樹脂多層基板６００のように、これらを備えない樹脂多層基板を構成することもできる。

　［第７実施形態］
　図１０に、第７実施形態にかかる樹脂多層基板７００を示す。ただし、図１０は、樹脂多層基板７００の断面図である。

　樹脂多層基板７００は、積層体７４の上側主面に、凸部７５を形成したことを特徴としている。また、凸部７５に、樹脂封止モジュール４１を実装したことを特徴としている。

　樹脂多層基板７００は、最下層の樹脂層７１と、中間層の樹脂層７２と、最上層の樹脂層７３とが積層された積層体７４を備えている。

　樹脂層７１は、厚みの大きな第１部分７１ａと厚みの小さな第２部分７１ｂとを備えている。樹脂層７２は、厚みの大きな第１部分７２ａと厚みの小さな第２部分７２ｂと厚みの変化する第３部分７２ｃとを備えている。樹脂層７３は、厚みの大きな第１部分７３ａと厚みの小さな第２部分７３ｂと厚みの変化する第３部分７３ｃとを備えている。

　樹脂多層基板７００においては、樹脂層７１の第１部分７１ａと、樹脂層７２の第１部分７２ａと、樹脂層７３の第１部分７３ａとが、重ねて配置され、その部分に凸部７５が構成されている。

　樹脂層７２および樹脂層７３には、それぞれ、両主面間の電気的導通をはかるためのビア電極６が形成されている。

　樹脂層７１と樹脂層７２との層間、および、樹脂層７２と樹脂層７３との層間には、それぞれ、内層電極７が形成されている。

　樹脂層７３の第１部分７３ａの上側主面に、配線電極８が形成されている。

　樹脂層７１と樹脂層７２との層間に形成された内層電極７と、樹脂層７２と樹脂層７３との層間に形成された内層電極７とが、樹脂層７２に形成されたビア電極６によって電気的に接続されている。また、樹脂層７２と樹脂層７３との層間に形成されたと内層電極７と、配線電極８とが、樹脂層７３に形成されたビア電極６によって電気的に接続されている。

　樹脂層７３の厚みの大きな第１部分７３ａの上側主面に形成された配線電極８に、電子部品として、樹脂封止モジュール４１が、はんだ４２によって実装されている。すなわち、樹脂多層基板７００は、積層体７４の上側主面に形成された凸部７５に、樹脂封止モジュール４１が実装されている。

　樹脂封止モジュール４１は、内部に基板４３を備えている。基板４３の両主面には、種々の電子部品４４が実装されている。また、基板４３の下側主面には、電気的接続をはかるための金属ピン４５が実装されている。そして、基板４３が電子部品４４および金属ピン４５とともに、封止樹脂４６によって封止されている。樹脂封止モジュール４１の底面には、図示を省略しているが、電極が形成されている。なお、金属ピン４５に代えて、ビアやめっきによって電気的接続をはかってもよい。

　樹脂多層基板７００は、積層体７４の上側主面に形成された凸部７５に、電子部品として、樹脂封止モジュール４１が実装されているため、図１０から分かるように、樹脂封止モジュール４１と、積層体７４の内部に形成された内層電極７との間の距離が大きい。

　第７実施形態においては、電子部品（樹脂封止モジュール４１）と積層体７４の内部に形成された内層電極７との間の距離が大きいため、電子部品（樹脂封止モジュール４１）と内層電極７との相互干渉が抑制されている。

　［第８実施形態］
　図１１に、第８実施形態にかかる樹脂多層基板８００を示す。ただし、図１１は、樹脂多層基板８００の断面図である。

　樹脂多層基板８００は、レンズ部品などの光学部品を実装するためのものである。

　樹脂多層基板８００は、最下層の樹脂層８１と、４層の中間層の樹脂層８２～８５と、最上層の樹脂層８６とが積層された積層体８７を備えている。

　樹脂層８１は、厚みの大きな第１部分８１ａと厚みの小さな第２部分８１ｂと厚みの変化する第３部分８１ｃとを備えている。樹脂層８２は、厚みの大きな第１部分８２ａと厚みの小さな第２部分８２ｂと厚みの変化する第３部分８２ｃとを備えている。樹脂層８３は、厚みの大きな第１部分８３ａと厚みの小さな第２部分８３ｂと厚みの変化する第３部分８３ｃとを備えている。樹脂層８４は、厚みの大きな第１部分８４ａと厚みの小さな第２部分８４ｂと厚みの変化する第３部分８４ｃとを備えている。樹脂層８５は、厚みの大きな第１部分８５ａと厚みの小さな第２部分８５ｂと厚みの変化する第３部分８５ｃとを備えている。樹脂層８６は、厚みの大きな第１部分８６ａと厚みの小さな第２部分８６ｂとを備えている。

　樹脂多層基板８００においては、樹脂層８１の第２部分８１ｂと、樹脂層８２の第２部分８２ｂと、樹脂層８３の第２部分８３ｂと、樹脂層８４の第２部分８４ｂと、樹脂層８５の第２部分８５ｂと、樹脂層８６の第２部分８６ｂとが、重ねて配置され、その部分にキャビティ９５が構成されている。キャビティ９５は、積層体８７の下側主面が開口されており、内側壁９５ａと内底面９５ｂとを有している。

　積層体８７の上側主面と、キャビティ９５の内底面９５ｂとの間を貫通して、貫通孔９６が形成されている。

　積層体８７の下側主面に、この樹脂多層基板８００を、別の大きな基板などへ実装するために使用する実装用電極９７が形成されている。また、キャビティ９５の内底面９５ｂに、光学部品を実装するための光学部品実装用電極９８が形成されている。

　樹脂多層基板８００は、光学部品実装用電極９８を使用して、キャビティ９５の上面もしくは内部に、レンズ部品などの光学部品を実装することができる。すなわち、樹脂多層基板８００は、光学部品用パッケージを構成している。なお、樹脂多層基板８００においては、貫通孔９６を光の通路として使用することができる。

　以上、第１実施形態～第８実施形態にかかる樹脂多層基板１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。

　たとえば、上記実施形態においては、積層体を構成する全ての樹脂層が、厚みの大きな部分と厚みの小さな部分とを備えていた。たとえば、樹脂多層基板１００では、積層体４を構成する全ての樹脂層１、２、３が、厚みの大きな第１部分１ａ、２ａ、３ａと厚みの小さな第２部分１ｂ、２ｂ、３ｂとを備えていた。しかしながら、本発明において、積層体を構成する全ての樹脂層が厚みの大きな第１部分と厚みの小さな第２部分とを備えている必要はなく、積層体を構成する少なくとも１つの樹脂層が厚みの大きな第１部分と厚みの小さな第２部分とを備えていればよい。

　また、上記実施形態においては、各樹脂多層基板に、キャビティか凸部かの一方を形成した。具体的には、樹脂多層基板１００、２００、３００、４００、５００、６００、８００に、それぞれ、キャビティ５（９５）を形成した。そして、樹脂多層基板７００に、凸部７５を形成した。しかし、１つの樹脂多層基板に、キャビティと凸部との両方を形成してもよい。

　また、樹脂多層基板にキャビティや凸部を形成する場合、その個数や形状などは任意であり、上述した内容には限定されない。

　また、上述した樹脂多層基板１００の製造方法の一例では、樹脂層１、２、３を積み重ねて一体化させて積層体４を作製した後に、積層体４を所望の形状に成型していた。しかしながら、この方法には限られず、たとえば、樹脂層１、２、３をそれぞれ成型し、それぞれに厚みの大きな第１部分と厚みの小さな第２部分とを設けた後に、樹脂層１、２、３を一体化させて積層体４を作製する方法であってもよい。

１、２、３、３１、３２、３３、３４、５１、５２、５３、５４、５５、７１７２、７３、８１、８２、８３、８４、８５、８６・・・樹脂層
４、３５、５６、７４、８７・・・積層体
１ａ、２ａ、３ａ、３１ａ、３２ａ、３３ａ、３４ａ、５１ａ、５２ａ、５３ａ、５４ａ、５５ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａ、８１ａ、８２ａ、８３ａ、８４ａ、８５ａ、８６ａ・・・第１部分
１ｂ、２ｂ、３ｂ、３１ｂ、３２ｂ、３３ｂ、３４ｂ、５１ｂ、５２ｂ、５３ｂ、５４ｂ、５５ｂ、７１ｂ、７２ｂ、７３ｂ、８１ｂ、８２ｂ、８３ｂ、８４ｂ、８５ｂ、８６ｂ・・・第２部分
１ｃ、２ｃ、３ｃ、３１ｃ、３２ｃ、３３ｃ、３４ｃ、５１ｃ、５２ｃ、５３ｃ、５４ｃ、５５ｃ、７２ｃ、７３ｃ、８１ｃ、８２ｃ、８３ｃ、８４ｃ、８５ｃ・・・第３部分
５、９５・・・キャビティ
５ａ、９５ａ・・・内側壁
５ｂ、９５ｂ・・・内底面
６・・・ビア電極
７・・・内層電極
８・・・配線電極
２１・・・半導体集積回路部品（電子部品）
４１・・・樹脂封止モジュール（電子部品）
７５・・・凸部
９８・・・光学部品実装用電極
９６・・・貫通孔

Claims (18)

1. 　複数の樹脂層が積層された積層体を備えた樹脂多層基板であって、
   　前記複数の樹脂層の少なくとも１つが、部分的に厚みが異なり、第１部分と、前記第１部分よりも厚みが小さい、第２部分とを備えた、樹脂多層基板。
2. 　前記第１部分と前記第２部分とを備えた前記樹脂層が、前記第１部分と前記第２部分との間に、厚みの変化する第３部分を備えた、請求項１に記載された樹脂多層基板。
3. 　前記積層体に積層された全ての前記樹脂層が、それぞれ、前記第１部分と前記第２部分とを備えた、請求項１または２に記載された樹脂多層基板。
4. 　前記積層体が１対の主面を有し、
   　少なくとも一方の前記主面に、内側壁および内底面を有する、少なくとも１つのキャビティが形成され、
   　前記キャビティが形成された部分に、少なくとも１つの前記樹脂層の前記厚みの小さな部分が配置された、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された樹脂多層基板。
5. 　前記積層体の前記キャビティが形成された側の前記主面から、前記キャビティの前記内側壁を経由して、前記キャビティの前記内底面に至る、少なくとも１つの配線電極が形成された、請求項４に記載された樹脂多層基板。
6. 　前記キャビティの前記内側壁の少なくとも一部分に金属層が形成された、請求項４または５に記載された樹脂多層基板。
7. 　前記金属層がノイズの透過を抑制するシールド機能を有する、請求項６に記載された樹脂多層基板。
8. 　前記金属層が熱を外部に放熱する放熱機能を有する、請求項６または７に記載された樹脂多層基板。
9. 　前記キャビティの前記内底面と、前記積層体の前記キャビティが形成されていない側の前記主面とを繋ぐ、貫通孔が形成された、請求項４ないし８のいずれか１項に記載された樹脂多層基板。
10. 　前記キャビティの内部に、電子部品および光学部品の少なくとも一方が収容された、請求項４ないし９のいずれか１項に記載された樹脂多層基板。
11. 　前記積層体が１対の主面を有し、
    　少なくとも一方の前記主面に、少なくとも１つの凸部が形成され、
    　前記凸部が形成された部分に、少なくとも１つの前記樹脂層の前記厚みの大きな部分が配置された、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載された樹脂多層基板。
12. 　前記凸部に電子部品および光学部品の少なくとも一方が実装された、請求項１１に記載された樹脂多層基板。
13. 　前記積層体が、最下層の前記樹脂層と、少なくとも１つの中間層の前記樹脂層と、最上層の前記樹脂層が積層されたものからなり、
    　前記最下層、前記中間層、前記最上層の前記樹脂層が、それぞれ、前記第１部分と前記第２部分とを有する場合において、
    　前記中間層の前記樹脂層の前記第１部分の厚みが、前記最下層および前記最上層の前記樹脂層の前記第１部分の厚みよりも小さく、かつ、
    　前記中間層の前記樹脂層の前記第２部分の厚みが、前記最下層および前記最上層の前記樹脂層の前記第２部分の厚みよりも小さい、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載された樹脂多層基板。
14. 　前記樹脂層が熱可塑性樹脂によって作製された、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載された樹脂多層基板。
15. 　少なくとも１つの前記樹脂層に、両主面間の電気的導通をはかる、少なくとも１つのビア電極が形成された、請求項１ないし１４のいずれか１項に記載された樹脂多層基板。
16. 　前記積層体の前記樹脂層の少なくとも１つの層間に、少なくとも１つの内層電極が形成された、請求項１ないし１５のいずれか１項に記載された樹脂多層基板。
17. 　請求項４ないし１０のいずれか１項に記載された前記樹脂多層基板を備え、
    　前記キャビティに電子部品を実装することができる、電子部品用パッケージ。
18. 　請求項４ないし１０のいずれか１項に記載された前記樹脂多層基板を備え、
    　前記キャビティに光学部品を実装することができる、光学部品用パッケージ。

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