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WO2019216198A1 - 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents

表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 Download PDF

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WO2019216198A1
WO2019216198A1 PCT/JP2019/017184 JP2019017184W WO2019216198A1 WO 2019216198 A1 WO2019216198 A1 WO 2019216198A1 JP 2019017184 W JP2019017184 W JP 2019017184W WO 2019216198 A1 WO2019216198 A1 WO 2019216198A1
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WO
WIPO (PCT)
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electrode
display device
interlayer insulating
insulating film
film
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Ceased
Application number
PCT/JP2019/017184
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English (en)
French (fr)
Inventor
朋芳 市川
青柳　健一
卓 坂入
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
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Publication date
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Priority to CN202410803316.8A priority patent/CN118829276A/zh
Priority to US17/052,994 priority patent/US12389758B2/en
Priority to JP2020518239A priority patent/JP7184882B2/ja
Priority to CN202410803310.0A priority patent/CN118829275A/zh
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Definitions

  • the present disclosure relates to a display device, a method for manufacturing the display device, and an electronic device.
  • organic EL display devices using electroluminescence (EL) of organic materials have attracted attention as display devices that can replace liquid crystal display devices.
  • the organic EL display device is being applied not only to a direct-view display such as a monitor but also to an ultra-small display that requires a fine pixel pitch of about several microns.
  • the organic EL display device as a method for realizing color display, for example, there is a method in which a plurality of colors of organic EL material layers such as red light emission, green light emission, and blue light emission are formed for each pixel using a mask. This method is often used in a direct-view type organic EL display device.
  • a white light emitting organic EL material layer is formed in common for all pixels and a color filter is arranged for each pixel.
  • the finer the pixel pitch the more difficult it is to form an organic EL material layer for each pixel using a mask in terms of alignment accuracy. Therefore, in an organic EL display device having a fine pixel pitch of about several microns, a method of combining a color filter by forming a white light emitting organic EL material layer in common for all pixels is preferable.
  • an object of the present disclosure is to provide a display device having a structure capable of setting the positional relationship between the organic layer and the reflective film with high accuracy, an electronic apparatus including the display device, and a method for manufacturing the display device. It is to provide.
  • a display device includes: A display device in which pixels having a light emitting portion formed by laminating a first electrode, an organic layer, and a second electrode are formed on a circuit board in a two-dimensional matrix, The first electrode is provided for each light emitting part, and a partition part is formed between adjacent first electrodes, The organic layer and the second electrode are laminated on the entire surface including the first electrode and the partition wall, The first electrode is formed on the interlayer insulating film, On the lower side of the first electrode, a reflective film having a light reflecting surface provided on the same plane as a boundary surface in contact with different insulating materials in the interlayer insulating film is formed. It is a display device.
  • a method for manufacturing a display device for achieving the above-described object is as follows.
  • a method of manufacturing a display device in which pixels having a light emitting portion formed by laminating a first electrode, an organic layer, and a second electrode are formed on a circuit board in a two-dimensional matrix, Forming an interlayer insulating film formed on the substrate so that layers made of different types of insulating materials are in contact with each other; Forming an opening in the region of the interlayer insulating film corresponding to the first electrode so that the same surface of the boundary surface where the different insulating material contacts in the interlayer insulating film is exposed at the bottom; Embedding a reflective film in the opening; Bonding the surface embedded with the reflective film to the circuit board, and then removing the board; Forming a light emitting part formed by laminating a first electrode, an organic layer and a second electrode on the interlayer insulating film; Having It is a manufacturing method of a display device.
  • an electronic device including a display device in which pixels having a light emitting portion formed by laminating a first electrode, an organic layer, and a second electrode are arranged on a circuit board in a two-dimensional matrix.
  • the first electrode is provided for each light emitting part, and a partition part is formed between adjacent first electrodes,
  • the organic layer and the second electrode are laminated on the entire surface including the first electrode and the partition wall,
  • the first electrode is formed on the interlayer insulating film, On the lower side of the first electrode, a reflective film having a light reflecting surface provided on the same plane as a boundary surface in contact with different insulating materials in the interlayer insulating film is formed. It is an electronic device.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of the display device according to the first embodiment.
  • 3A and 3B are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment.
  • 4A and 4B are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 3B.
  • FIG. 5 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 4B.
  • FIG. 6 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 5.
  • FIG. 7 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 6.
  • FIG. 8 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 7.
  • FIG. 9 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 8.
  • FIG. 10 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 9.
  • FIG. 11 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 10.
  • FIG. 12 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG.
  • FIG. 13 is a schematic partial cross-sectional view of a display device according to the second embodiment.
  • FIG. 14B are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment.
  • 15A and 15B are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. 14B.
  • FIG. 16 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. 15B.
  • FIG. 17 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG.
  • FIG. 18 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG.
  • FIG. 19 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. FIG.
  • FIG. 20 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. FIG. 21 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. FIG. 22 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. FIG. 23 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. FIG. 24 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. FIG. 25 is a schematic partial cross-sectional view of a display device according to the third embodiment.
  • FIG. 26A and FIG. 26B are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment.
  • FIG. 27 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment, following FIG. 26B.
  • FIG. 28 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment, following FIG.
  • FIG. 29 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment, following FIG.
  • FIG. 30 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment, following FIG.
  • FIG. 31 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment, following FIG. 30.
  • FIG. 32 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment, following FIG. 31.
  • FIG. 31 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment, following FIG. 31.
  • FIG. 33 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment, following FIG. 32.
  • FIG. 34 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment, following FIG.
  • FIG. 35 is a schematic partial end view for explaining the resonator structure of the display device according to the third embodiment.
  • FIG. 36 is an external view of an interchangeable lens single-lens reflex digital still camera.
  • FIG. 36A shows a front view thereof
  • FIG. 34B shows a rear view thereof.
  • FIG. 37 is an external view of a head mounted display.
  • FIG. 38 is an external view of a see-through head mounted display.
  • the interlayer insulating film may be formed by stacking a plurality of layers so that different kinds of insulating materials are in contact with each other.
  • the interlayer insulating film can be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or silicon oxynitride (SiO x N y ).
  • the interlayer insulating film may be configured to include at least two kinds of layers of a layer made of silicon oxide, a layer made of silicon nitride, and a layer made of silicon oxynitride.
  • the interlayer insulating film may be configured by alternately stacking two types of layers.
  • the number of interlayer insulating films positioned between the reflective film and the first electrode is configured to be different depending on the display color of the pixel. Can do.
  • the reflective film may be embedded in an opening provided in the interlayer insulating film.
  • This configuration has an advantage that the reflectance is not reduced due to oxidation of the material constituting the reflective film because the light reflecting surface is not exposed to the outside.
  • the opening can be formed, for example, by performing an etching process so that a boundary surface where different insulating materials are in contact with each other in the interlayer insulating film serves as a stopper.
  • a combination of a material constituting the interlayer insulating film and an etchant may be selected as appropriate, and processing may be performed so that a certain insulating material acts as a stopper.
  • the reflective film includes silver (Ag), a silver alloy, aluminum (Al), an aluminum alloy, platinum (Pt), gold (Au), chromium (Cr), tungsten ( It is possible to employ a configuration made of a metal material such as W).
  • the reflective film is preferably made of silver or a silver alloy. If the reduction in reflectance due to oxidation is sufficiently suppressed, the reflective film made of silver exhibits a reflectance of approximately 90% or more in the visible light region.
  • the thickness of the reflective film is preferably set in the range of 100 to 300 nanometers.
  • the reflection film can be configured by an upper layer portion made of silver or a silver alloy and a lower layer portion made of copper or a copper alloy.
  • the electrode is often made of copper or a copper alloy.
  • the bondability between the circuit board side and the reflective film side can be improved.
  • the circuit board includes a drive circuit for driving the pixels, and the first electrode and the drive circuit can be electrically connected.
  • the first electrode and the drive circuit may be directly connected via a conductive portion made of a via or the like provided in the interlayer insulating film.
  • the first electrode and the drive circuit may be electrically connected via a reflective film.
  • the light emitting unit may be a so-called top emission type.
  • the light emitting part is configured by sandwiching an organic layer including a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like between the first electrode and the second electrode.
  • the cathode is shared, the second electrode is a cathode electrode and the first electrode is an anode electrode.
  • the display device of the present disclosure including the above-described preferable configuration can be configured as a color display.
  • the color filter can be formed using, for example, a resin material containing a pigment or a dye.
  • a so-called monochrome display configuration may be used.
  • one pixel includes a plurality of sub-pixels. Specifically, one pixel includes a red display sub-pixel, a green display sub-pixel, and a blue display sub-pixel. A configuration including two sub-pixels can be adopted. Furthermore, a set of these three types of sub-pixels plus one or more types of sub-pixels (for example, a set of sub-pixels that emit white light to improve brightness, a color reproduction range) A set of sub-pixels that emit complementary colors for enlargement, a set of sub-pixels that emit yellow for expanding the color reproduction range, and yellow and cyan for expanding the color reproduction range It can also be composed of a set of subpixels).
  • VGA 640, 480
  • S-VGA 800, 600
  • XGA 1024, 768
  • APRC 1152, 900
  • S-XGA 1280, 1024
  • U-XGA 1600,1200
  • HD-TV (1920,1080)
  • Q-XGA (2048,1536), (1920,1035), (720,480), (1280,960), etc.
  • the present invention is not limited to these values.
  • the partition wall portion can be formed using a material appropriately selected from known inorganic materials and organic materials.
  • a physical vapor deposition method PVD method
  • a vacuum deposition method or a sputtering method It can be formed by a combination of a known film formation method such as a chemical vapor deposition method (CVD method) and a known patterning method such as an etching method or a lift-off method.
  • CVD method chemical vapor deposition method
  • a known patterning method such as an etching method or a lift-off method.
  • the configuration of the drive circuit that controls the light emission of the light emitting unit is not particularly limited.
  • the light emitting unit may be formed in a certain plane on the circuit board and may be disposed above a drive circuit that drives the light emitting unit via an interlayer insulating layer, for example.
  • the configuration of the transistors constituting the drive circuit It may be a p-channel field effect transistor or an n-channel field effect transistor.
  • a semiconductor material, a glass material, or a plastic material can be exemplified.
  • the drive circuit is constituted by a transistor formed on a semiconductor substrate
  • a well region may be provided in a semiconductor substrate made of silicon and a transistor may be formed in the well.
  • the driving circuit is constituted by a thin film transistor or the like
  • a driving circuit can be formed by forming a semiconductor thin film on a substrate made of a glass material or a plastic material.
  • Various wirings can have known configurations and structures.
  • the first electrode is provided for each light emitting unit on the circuit board.
  • the first electrode functions as an anode electrode of the light emitting unit.
  • the first electrode can be formed of a transparent conductive material such as indium zinc oxide or indium tin oxide, for example. Alternatively, it can be formed using a metal, an alloy, or the like so as to be thin enough to have optical transparency.
  • the organic layer includes an organic light emitting material and is provided on the first electrode and the partition as a common continuous film.
  • the organic layer emits light when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode.
  • the organic layer can be configured, for example, by a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially stacked from the first electrode side.
  • the hole transport material, hole transport material, electron transport material, and organic light emitting material constituting the organic layer are not particularly limited, and well-known materials can be used.
  • the organic layer may have a so-called tandem structure in which a plurality of light emitting layers are connected via a charge generation layer or an intermediate electrode.
  • a light emitting unit that emits white light can be configured by stacking red, green, and blue light emitting layers, or by stacking yellow and blue light emitting layers.
  • the second electrode is provided as a common continuous film on the organic layer.
  • the second electrode is preferably made of a material having good light transmittance and a small work function.
  • it can be formed using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, or gallium-doped zinc oxide.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • zinc oxide aluminum-doped zinc oxide
  • gallium-doped zinc oxide gallium-doped zinc oxide.
  • magnesium (Mg), silver (Ag), or an alloy thereof can be used so as to be thin enough to have optical transparency.
  • the thickness of the second electrode is preferably set in the range of about 3 to 15 nanometers. In some cases, the second electrode may be formed of a multilayer film.
  • the first layer is formed of calcium (Ca), barium (Ba), lithium (Li), cesium (Cs), indium (In), magnesium (Mg), silver (Ag), etc.
  • the second layer is magnesium. You may form from (Mg), silver (Ag), or those alloys.
  • FIG. 2 described later shows a cross-sectional structure of the display device, but does not show the ratio of width, height, thickness and the like.
  • the first embodiment relates to a display device, a method for manufacturing the display device, and an electronic apparatus according to the first aspect of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • a pixel 10 including a light emitting unit ELP and a driving circuit that drives the light emitting unit ELP extends in a scanning line SCL extending in a row direction (X direction in FIG. 1) and in a column direction (Y direction in FIG. 1).
  • a data driver 102 for supplying a signal voltage to the data line DTL.
  • FIG. 1 shows the connection relationship for one pixel 10, more specifically, the (q, p) th pixel 10 described later.
  • the display device 1 further includes a common power supply line PS2 connected to all the pixels 10 in common.
  • a predetermined drive voltage is supplied from the power supply unit 100 to the power supply line PS1, and a common voltage (for example, ground potential) is supplied to the common power supply line PS2.
  • Q pixels in the row direction, P pixels in the column direction, and a total of Q ⁇ P pixels (display elements) 10 are arranged in a two-dimensional matrix.
  • the number of rows of pixels 10 in the display area is P, and the number of pixels 10 constituting each row is Q.
  • the number of scanning lines SCL and feeder lines PS1 is P.
  • the number of data lines DTL is Q.
  • the display device 1 is, for example, a color display device.
  • One pixel 10 constitutes one subpixel.
  • the display device 1 is line-sequentially scanned in units of rows by the scanning signal from the scanning unit 101.
  • the pixel 10 located in the p-th row and the q-th column is hereinafter referred to as a (q, p) -th pixel 10 or a (q, p) -th pixel 10.
  • Q pixels 10 arranged in the p-th row are driven simultaneously.
  • the light emission / non-light emission timing is controlled in units of rows to which they belong.
  • FR times / second
  • a scanning period (so-called horizontal scanning period) per row when the display device 1 is line-sequentially scanned in units of rows is (1 / FR).
  • the pixel 10 includes a light emitting unit ELP and a drive circuit that drives the light emitting unit ELP.
  • the light emitting part ELP is composed of an organic electroluminescence light emitting part.
  • the drive circuit includes a write transistor TR W , a drive transistor TR D , and a capacitor C 1 . When a current flows through the light emitting section ELP through the driving transistor TR D, the light emitting section ELP emits light.
  • Each transistor is composed of a p-channel field effect transistor.
  • one source / drain region of the driving transistor TR D is connected to one end of the capacitor C 1 and the feeder line PS1, the other source / drain region, one end of the light emitting portion ELP (specifically Is connected to an anode electrode).
  • the gate electrode of the drive transistor TR D is connected to the other source / drain region of the write transistor TR W and is connected to the other end of the capacitor C 1 .
  • the write transistor TR W one of the source / drain regions is connected to the data line DTL, the gate electrode is connected to the scan line SCL.
  • the other end (specifically, the cathode electrode) of the light emitting unit ELP is connected to the common power supply line PS2.
  • a predetermined cathode voltage V Cat is supplied to the common power supply line PS2.
  • the capacitance of the light emitting unit ELP is represented by the symbol C EL .
  • the configuration of the drive circuit that controls the light emission of the pixel 10 is not particularly limited. Therefore, the configuration shown in FIG. 1 is merely an example, and the display device according to the present embodiment can have various configurations.
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of the display device according to the first embodiment.
  • the light emitting unit ELP is configured by laminating a first electrode 41, an organic layer 60, and a second electrode 70.
  • the first electrode 41 is provided for each light emitting portion ELP, and a partition wall portion 51 is formed between adjacent first electrodes 41.
  • the organic layer 60 and the second electrode 70 are laminated on the entire surface including the first electrode 41 and the partition wall 51.
  • a protective film 80 is provided on the entire surface including the second electrode 70, and a color filter 90 is disposed thereon.
  • Reference numeral 91 denotes a light shielding area portion
  • reference numeral 92 denotes a filter area portion.
  • the first electrode 41 is formed on the interlayer insulating film 30.
  • a reflective film 31 having a light reflecting surface provided on the same plane as the boundary surface where different insulating materials are in contact with each other in the interlayer insulating film 30 is formed.
  • the film thickness of the interlayer insulating film 30 positioned between the reflective film 31 and the first electrode 41 is set so that light in a wide wavelength band from blue to red can be extracted from the pixel.
  • the circuit board 20 includes a base material 21, a gate electrode 22. Formed on the gate insulating film 23 formed so as to cover the entire surface including the gate electrode 22, the semiconductor material layer 24, the planarization film 25 formed so as to cover the entire surface including the semiconductor material layer 24, and the semiconductor material layer 24.
  • a source / drain electrode 26 connected to the source / drain region of the transistor formed, a planarization film 27 formed so as to cover the entire surface including the source / drain electrode 26, and an opening of the planarization film 27.
  • a contact plug 28 is connected to the source / drain electrode 26 of the driving transistor.
  • the circuit board 20 includes a drive circuit configured to include the above-described transistors and the like for driving the pixels 10.
  • the first electrode 41 and the drive circuit are electrically connected. More specifically, the first electrode 41 is connected to the source / drain electrode 26 of the transistor formed in the semiconductor material layer 24 via the conduction portion 33 connected to the contact plug 28.
  • the base material 21 can be made of, for example, a glass material, a semiconductor material, or a plastic material.
  • a driving circuit including a thin film transistor that controls light emission of the light emitting unit ELP is formed on the base material 21.
  • the gate electrodes 22 of various transistors constituting the drive circuit can be formed using, for example, a metal such as aluminum (Al), polysilicon, or the like.
  • the gate insulating film 23 is provided on the entire surface of the base material 21 so as to cover the gate electrode 22.
  • the gate insulating film 23 can be formed using, for example, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or the like.
  • the semiconductor material layer 24 can be formed on the gate insulating film 23 using, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, or an oxide semiconductor. Further, a part of the semiconductor material layer 24 is doped with impurities to form source / drain regions. Further, the region of the semiconductor material layer 24 located between one source / drain region and the other source / drain region and above the gate electrode 22 forms a channel region. Thus, a bottom gate type thin film transistor is provided on the substrate 21. In FIG. 2, the source / drain region and the channel region are not shown.
  • the planarizing film 25 is provided on the semiconductor material layer 24.
  • the planarizing film 25 is made of, for example, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or silicon oxynitride (SiO x N y ).
  • the source / drain electrode 26 is connected to the semiconductor material layer 24 through a contact hole provided in the planarizing film 25.
  • the source / drain electrode 26 is made of a metal such as aluminum (Al), for example.
  • the planarization film 27 is formed to cover and planarize the drive circuit and the like.
  • the planarizing film 27 is, for example, an organic insulating film such as polyimide resin, acrylic resin, or novolac resin, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or silicon oxynitride (Si x N y) can be formed using an inorganic insulating film such.
  • the contact plug 28 is made of, for example, a metal material such as copper (Cu) or a copper alloy, and is formed in an opening provided in the planarizing film 27.
  • the first electrode 41 and the contact plug 28 are electrically connected by a conduction portion 33 formed in an opening provided in an interlayer insulating film 30 described later.
  • the interlayer insulating film 30 is formed by stacking a plurality of layers so that different kinds of insulating materials are in contact with each other.
  • the interlayer insulating film 30 is formed by laminating a first layer 30A, a second layer 30B, and a third layer 30C.
  • the interlayer insulating film 30 can be formed of an inorganic insulating material or the like.
  • the interlayer insulating film 30 can be configured to include, for example, at least two of a layer made of silicon oxide, a layer made of silicon nitride, and a layer made of silicon oxynitride, Two types of layers may be alternately stacked. In the following description, it is assumed that the interlayer insulating film 30 is composed of a layer made of silicon oxide and a layer made of silicon nitride.
  • the reflection film 31 is disposed below the first electrode 41 and is formed to have a light reflection surface provided on the same plane as the boundary surface in contact with a different insulating material in the interlayer insulating film 30. More specifically, the light reflection surface of the reflection film 31 is formed so as to be flush with the boundary surface between the first layer 30A and the second layer 30B in the interlayer insulating film 30.
  • the reflective film 31 is embedded in an opening provided in the interlayer insulating film 30.
  • the reflective film 31 is made of a metal material.
  • Reference numeral 32 denotes a filling member that fills the opening on the circuit board 20 side of the reflective film 31.
  • the filling member 32 is formed using the same material as that of the planarization film 27 from the viewpoint of the bonding property with the circuit board 20.
  • the reflective film 31 is embedded in an opening provided in the interlayer insulating film 30 using the first layer 30A as a stopper film.
  • the position of the light reflecting surface of the reflective film 31 is defined by the thickness of the layers constituting the interlayer insulating film 30.
  • the film thickness of the layer constituting the interlayer insulating film 30 and the organic layer 60 can be controlled with high accuracy by a film forming process.
  • the dimension between the light reflecting surface of the reflective film 31 and the second electrode 70 portion indicated by an arrow in FIG. 2 can be set with high accuracy.
  • the first electrode 41 is formed on the interlayer insulating film 30.
  • the first electrode 41 is made of a transparent conductive material such as ITO, for example.
  • the thickness of the first electrode 41 is preferably set in the range of 20 to 200 nanometers.
  • the organic layer 60 is formed on the entire surface including the first electrode 41 and the partition wall 51.
  • the organic layer 60 is a white light-emitting functional layer that emits white light.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, an electron transport layer, a charge generation layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a yellow light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked from the lower layer. It can also be a structure.
  • the organic layer 60 has a multilayer structure, but is shown as a single layer in the figure.
  • the second electrode 70 is formed on the entire surface including the organic layer 60.
  • the 2nd electrode 70 is comprised from the material with favorable light transmittance and a small work function.
  • the second electrode 70 will be described as being made of ITO.
  • the protective film 80 is formed on the entire surface including the second electrode 70.
  • the protective film 80 is for preventing moisture from entering the organic layer 60, and is formed with a thickness of about 1 to 8 micrometers using a material having low water permeability.
  • silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ), aluminum oxide (AlO x ), titanium oxide (TiO x ), or a combination thereof is used as a material of the protective film 80.
  • the color filter 90 is formed, for example, on the counter substrate (not shown), and is bonded onto the protective film 80 using an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin. By the color filter 90, the light generated in the light emitting unit ELP is color-divided and extracted.
  • the display device 1 can be manufactured as follows.
  • the manufacturing method of the display device 1 is as follows: Forming an interlayer insulating film formed on the substrate so that layers made of different types of insulating materials are in contact with each other; Forming an opening in the region of the interlayer insulating film corresponding to the first electrode so that the same surface of the boundary surface where the different insulating material contacts in the interlayer insulating film is exposed at the bottom; Embedding a reflective film in the opening; Bonding the surface embedded with the reflective film to the circuit board, and then removing the board; Forming a light emitting part formed by laminating a first electrode, an organic layer and a second electrode on the interlayer insulating film; Have The same applies to other embodiments described later.
  • 3 to 12 are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment.
  • Step-100 (see FIG. 3A) First, a circuit board 20 on which a drive circuit is formed is prepared. A substrate 21 is prepared, and a drive circuit including a thin film transistor is formed on the substrate 21 through a predetermined film formation and patterning process. Subsequently, a planarizing film 27 is formed on the entire surface of the drive circuit by a spin coating method, a slit coating method, a sputtering method, a CVD method, or the like. Next, after forming an opening in the planarizing film 27, a contact plug 28 is formed in the opening, whereby the circuit board 20 shown in FIG. 3A can be obtained.
  • the interlayer insulating film 30 on which the reflective film 31 is formed is disposed on the circuit board 20 according to the procedure shown in FIGS. 3B to 7.
  • Step-110 A substrate 39 made of a silicon wafer is prepared, and an interlayer insulating film 30 is formed on the substrate 39 by alternately stacking two types of layers, for example, a layer made of silicon oxide and a layer made of silicon nitride (FIG. 3B). reference).
  • the first layer 30A and the third layer 30C are layers made of silicon oxide
  • the second layer 30B is a layer made of silicon nitride.
  • an opening OP31 is formed in a portion corresponding to the reflective film 31 in the interlayer insulating film 30 so that the boundary surface between the first layer 30A and the second layer 30B is exposed on the bottom surface (see FIG. 4A).
  • the opening OP31 can be formed by performing dry etching under conditions such that the first layer 30A acts as a stopper film.
  • an opening OP33 is formed in the portion of the interlayer insulating film 30 corresponding to the conduction portion 33 so as to penetrate the interlayer insulating film 30.
  • the opening OP33 can be formed by performing dry etching under the condition that the substrate 39 acts as a stopper.
  • Step-130 (see FIG. 4B) Thereafter, the reflective film 31 and the like are formed in the opening OP31, and the conduction portion 33 is formed in the opening OP33.
  • a silver thin film is formed on the entire surface including the opening by sputtering, and then a filling member 32 that fills the opening of the reflective film 31 is formed.
  • planarization is performed using, for example, CMP.
  • Step-140 (See FIGS. 5, 6, and 7) Subsequently, the interlayer insulating film 30 and the circuit board 20 are opposed to each other (see FIG. 5), and the interlayer insulating film 30 and the circuit board 20 are bonded.
  • the surface of the interlayer insulating film 30 and the circuit substrate 20 is activated by removing the inactive layer on the surface by irradiating energy waves such as plasma and accelerated ion beam under ultra high vacuum.
  • the interlayer insulating film 30 and the circuit board 20 can be bonded by atomic force (see FIG. 6).
  • the substrate 39 is removed (see FIG. 7).
  • the light emitting portion ELP and the like are formed on the interlayer insulating film 30 by the procedure shown in FIGS.
  • the first electrode 41 is formed on the interlayer insulating film 30.
  • the first electrode 41 can be obtained by forming an ITO film on the interlayer insulating film 30 and then patterning the ITO film.
  • a partition wall 51 as an inter-pixel insulating film is formed between the first electrode 41 and the first electrode 41.
  • An inorganic insulating film such as silicon oxynitride is formed on the entire surface including the first electrode 41 by sputtering or CVD.
  • the partition wall 51 can be formed by patterning the pixel opening so that the formed inorganic insulating film has a predetermined concave structure by lithography and dry etching.
  • Step-170 (see FIG. 10)
  • a hole injection layer, a hole transport layer, a red light-emitting layer, a light-emitting separation layer, a blue light-emitting layer, a green light-emitting layer, and an electron transport layer are sequentially formed on the entire surface including the first electrode 41 serving as the anode electrode.
  • the organic layer 60 that emits white light is formed.
  • a second electrode 70 to be a cathode electrode is formed on the entire surface of the organic layer 60.
  • the second electrode 70 can be obtained by forming a film made of a silver magnesium alloy over the entire surface by vapor deposition (see FIG. 11). Then, after forming the protective film 80 on the entire surface, the counter substrate on which the color filter 90 is formed is bonded to the display device 1 (see FIG. 12).
  • the distance between the light reflecting surface of the reflective film 31 and the second electrode 70 is defined by the thickness of the organic layer 60, the first electrode 41, and the first layer 30 ⁇ / b> A of the interlayer insulating film 30. These can control the film thickness with high accuracy in the process of forming them. Therefore, since the positional relationship between the organic layer and the reflective film can be set with high accuracy, color variations and the like can be suppressed.
  • the light reflecting surface of the reflecting film 31 is formed by embedding a metal material in the interlayer insulating film 30. Therefore, the light reflecting surface does not touch the outside air. For this reason, a material such as silver or a silver alloy that has high reflectivity but is easily oxidized can be used as a material for forming the reflective film 31 without any problem.
  • a metal material may be embedded after a thin film made of a transparent conductive material such as ITO is formed in the opening provided in the interlayer insulating film 30.
  • the second embodiment is a modification of the first embodiment.
  • the first electrode 41 is connected to the drive circuit that drives the pixel 10 through the conducting portion 33 connected to the contact plug 28.
  • the second embodiment is mainly different in that the first electrode and the drive circuit are electrically connected via a reflective film.
  • FIG. 13 is a schematic partial cross-sectional view of the display device according to the second embodiment. In addition, what is necessary is just to read the display apparatus 1 for the display apparatus 2 in FIG.
  • the shape and configuration of the contact plug 228, the reflective film 231, the filling member 232, and the conductive portion 233 are different from those of the display device 1.
  • the surface on the reflective film 231 side is formed in a shape that covers the reflective film 231.
  • the reflective film 231 is connected to the source / drain electrode 26 of the driving transistor through the contact plug 228.
  • the reflective film 231 is disposed below the first electrode 41 and is formed so as to have a light reflective surface provided on the same plane as the boundary surface in contact with a different insulating material in the interlayer insulating film 30. Similar to the first embodiment, the light reflecting surface of the reflecting film 231 is formed so as to be flush with the interface between the first layer 30A and the second layer 30B in the interlayer insulating film 30.
  • the reflective film 231 is embedded in an opening provided in the interlayer insulating film 30.
  • Reference numeral 232 denotes a filling member that fills the opening on the circuit board 20 side of the reflective film 231.
  • the filling member 232 is formed using the same material as that of the contact plug 228 from the viewpoint of bondability with the circuit board 20. Accordingly, the filling member 232 substantially forms the lower layer portion of the reflective film.
  • the reflective film is composed of an upper layer portion made of silver or a silver alloy and a lower layer portion made of copper or a copper alloy.
  • the reflective film 231 and the contact plug 228 are electrically connected.
  • the first electrode 41 and the reflective film 231 are electrically connected by a conduction portion 233 formed in an opening provided in the interlayer insulating film 30.
  • the first electrode 41 and the drive circuit are electrically connected via the reflective film 231.
  • the detailed structure of the display device 2 has been described above.
  • the display device 2 can be manufactured as follows.
  • FIG. 14 to FIG. 24 are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment.
  • Step-200 (see FIG. 14A) First, a circuit board 220 on which a drive circuit is formed is prepared. A substrate 21 is prepared, and a drive circuit including a thin film transistor is formed on the substrate 21 through a predetermined film formation and patterning process. Subsequently, a planarizing film 27 is formed on the entire surface of the drive circuit by a spin coating method, a slit coating method, a sputtering method, a CVD method, or the like. Next, after forming an opening in the planarizing film 27, a contact plug 228 is formed in the opening, whereby the circuit board 220 shown in FIG. 14A can be obtained.
  • the interlayer insulating film 30 on which the reflective film 231 is formed is disposed on the circuit board 220 by the procedure shown in FIGS. 14B to 18.
  • Step-210 A substrate 39 made of a silicon wafer is prepared, and an interlayer insulating film 30 is formed on the substrate 39 by alternately stacking two types of layers, for example, a layer made of silicon oxide and a layer made of silicon nitride (FIG. 14B). reference). Since the composition of the interlayer insulating film 30 is the same as that described in [Step-110], the description thereof is omitted.
  • an opening OP231 is formed in the portion of the interlayer insulating film 30 corresponding to the reflective film 231 so that the boundary surface between the first layer 30A and the second layer 30B is exposed on the bottom surface (see FIG. 15A).
  • the opening OP231 can be formed by performing dry etching under conditions such that the first layer 30A acts as a stopper film.
  • a reflective film 231 and the like are formed in the opening OP231.
  • a silver thin film is formed on the entire surface including the opening OP231 by sputtering, and then a filling member 232 that fills the opening of the reflective film 231 is formed, and then planarization is performed using, for example, CMP.
  • Step-240 (See FIGS. 16, 17, and 18) Subsequently, the interlayer insulating film 30 and the circuit board 220 are opposed to each other (see FIG. 16), and the interlayer insulating film 30 and the circuit board 220 are bonded.
  • the surface of the interlayer insulating film 30 and the circuit substrate 220 is activated by removing the inactive layer on the surface by irradiating with an energy wave such as plasma or accelerated ion beam under ultra high vacuum.
  • an energy wave such as plasma or accelerated ion beam under ultra high vacuum.
  • the interlayer insulating film 30 and the circuit board 220 can be bonded by atomic force (see FIG. 17).
  • the substrate 39 is removed (see FIG. 18).
  • an opening OP233 is formed in a portion corresponding to the conductive portion 233 in the interlayer insulating film 30.
  • the opening OP233 can be formed by performing dry etching under conditions such that the reflective film 231 acts as a stopper (see FIG. 19).
  • the conductive portion 233 is formed in the opening OP233.
  • the conductive portion 233 can be formed by forming a conductive film over the entire surface and then performing planarization using, for example, a CMP method (see FIG. 20).
  • the light emitting portion ELP and the like are formed on the interlayer insulating film 30 by the procedure shown in FIGS.
  • the first electrode 41 is formed on the interlayer insulating film 30.
  • the first electrode 41 can be obtained by forming an ITO film on the interlayer insulating film 30 and then patterning the ITO film.
  • the first electrode 41 and the reflective film 231 are electrically connected via the conduction part 233.
  • Step-270 (see FIG. 22) Next, a partition wall 51 as an inter-pixel insulating film is formed between the first electrode 41 and the first electrode 41. Since the content is the same as that described in [Step-160], the description is omitted.
  • Step-280 (see FIG. 23) Next, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a red light-emitting layer, a light-emitting separation layer, a blue light-emitting layer, a green light-emitting layer, and an electron transport layer are sequentially formed on the entire surface including the first electrode 41 serving as the anode electrode.
  • the organic layer 60 that emits white light is formed.
  • a second electrode 70 to be a cathode electrode is formed on the entire surface of the organic layer 60.
  • the second electrode 70 can be obtained by forming a film made of a silver magnesium alloy over the entire surface by vapor deposition. Then, after forming the protective film 80 on the entire surface, the counter substrate on which the color filter 90 is formed is bonded to obtain the display device 2 shown in FIG.
  • the distance between the light reflecting surface of the reflective film 231 and the second electrode 70 is defined by the thickness of the organic layer 60, the first electrode 41, and the first layer 30 ⁇ / b> A of the interlayer insulating film 30. .
  • These can control the film thickness with high accuracy in the process of forming them. Therefore, since the positional relationship between the organic layer and the reflective film can be set with high accuracy, color variations and the like can be suppressed.
  • the light reflecting surface of the reflecting film 231 is formed by embedding a metal material in the interlayer insulating film 30. Therefore, the light reflecting surface does not touch the outside air. Therefore, a material such as silver or a silver alloy that has high reflectivity but is easily oxidized can be used as a material for forming the reflective film 231 without any problem.
  • the filling member 232 of the reflective film 231 and the contact plug 228 are made of the same material. For this reason, when the interlayer insulating film 30 and the circuit board 220 are bonded together, the contact plug 228 and the reflective film 231 can be favorably electrically bonded.
  • the third embodiment is also a modification of the first embodiment.
  • the third embodiment is mainly different in that the number of interlayer insulating films positioned between the reflective film and the first electrode differs depending on the display color of the pixel.
  • FIG. 25 is a schematic partial cross-sectional view of a display device according to the third embodiment. In addition, what is necessary is just to replace the display apparatus 1 with the display apparatus 3 in FIG.
  • the shapes and configurations of the interlayer insulating film 330, the reflective film 331, and the conductive portion 333 are different from the display device 1.
  • the interlayer insulating film 330 is formed by laminating a first layer 330A, a second layer 330B, a third layer 330C, a fourth layer 330D, and a fifth layer 330E.
  • the interlayer insulating film 330 can be formed of an inorganic insulating material or the like.
  • the interlayer insulating film 330 can be configured to include, for example, at least two of a layer made of silicon oxide, a layer made of silicon nitride, and a layer made of silicon oxynitride, Two types of layers may be alternately stacked.
  • the interlayer insulating film 330 will be described as being composed of a layer made of silicon oxide and a layer made of silicon nitride.
  • the reflective film 331 is disposed on the lower side of the first electrode 41, and is formed to have a light reflective surface provided on the same plane as the boundary surface in contact with a different insulating material in the interlayer insulating film 330.
  • the number of interlayer insulating films 330 positioned between the reflective film 331 and the first electrode 41 differs depending on the display color of the pixel 10.
  • the reflective film 331A used for the blue display pixel 10 is formed so as to be flush with the boundary surface between the first layer 330A and the second layer 330B in the interlayer insulating film 330. Therefore, the number of layers of the interlayer insulating film 330 located between the reflective film 331A and the first electrode 41 is one.
  • the reflective film 331A is embedded in an opening provided in the interlayer insulating film 330 using the first layer 330A as a stopper film.
  • the reflective film 331B used in the green display pixel 10 is formed so as to be flush with the boundary surface between the second layer 330B and the third layer 330C in the interlayer insulating film 330. Therefore, the number of interlayer insulating films located between the reflective film 331B and the first electrode 41 is two.
  • the reflective film 331B is embedded in an opening provided in the interlayer insulating film 330 using the second layer 330B as a stopper film.
  • the reflective film 331C used in the red display pixel 10 is formed so as to be flush with the boundary surface between the third layer 330C and the fourth layer 330D in the interlayer insulating film 330. Therefore, the number of interlayer insulating films located between the reflective film 331C and the first electrode 41 is three.
  • the reflective film 331C is embedded in an opening provided in the interlayer insulating film 330 using the third layer 330C as a stopper film.
  • the film thickness of the interlayer insulating film 330 positioned between the reflective film 331 and the first electrode 41 is set to be an optical distance corresponding to the display color of the pixel 10.
  • the phase shift of the reflected light generated at the first electrode 41 and the reflective film 330 is denoted by ⁇
  • the optical distance between the first electrode 41 and the reflective film 331 is denoted by L
  • the peak wavelength of the spectrum of the light extracted from the pixel 10 is denoted by
  • the reflective film 331 is embedded in the opening provided in the interlayer insulating film 330.
  • the reflective film 331 is made of a metal material.
  • Reference numeral 332 denotes a filling member that fills the opening on the circuit board 20 side of the reflective film 331.
  • the filling member 332 is formed using the same material as that of the planarization film 27 from the viewpoint of bonding properties with the circuit board 20.
  • the position of the light reflecting surface of the reflecting film 331 is defined by the thickness of the layers constituting the interlayer insulating film 330.
  • the film thickness of the layer constituting the interlayer insulating film 330 and the organic layer 60 can be controlled with high accuracy by a film forming process.
  • the dimension between the light reflecting surfaces of the reflective films 331A, 331B, and 331C and the second electrode 70 can be set with high accuracy.
  • the first electrode 41 is connected to a drive circuit that drives the pixel 10 via a conducting portion 333 connected to the contact plug 28.
  • the detailed structure of the display device 3 has been described above.
  • the display device 3 can be manufactured as follows.
  • FIG. 26 to FIG. 35 are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the third embodiment.
  • Step-300 First, a circuit board 20 on which a drive circuit is formed is prepared. Since the configuration of the circuit board 20 is the same as that described in [Step-100], the description thereof is omitted.
  • the interlayer insulating film 330 on which the reflective film 331 is formed is disposed on the circuit board 20 according to the procedure shown in FIGS.
  • Step-310 A substrate 39 made of a silicon wafer is prepared, and an interlayer insulating film 330 is formed thereon by alternately stacking two types of layers, for example, a layer made of silicon oxide and a layer made of silicon nitride (FIG. 26B). reference).
  • the first layer 330A, the third layer 330C, and the fifth layer 330E are layers made of silicon oxide
  • the second layer 330B and the fourth layer 330D are layers made of silicon nitride.
  • an opening OP331A is formed in the portion corresponding to the reflective film 331A so that the boundary surface between the first layer 330A and the second layer 330B is exposed to the bottom surface, and the portion corresponding to the reflective film 331B
  • the opening OP331B is formed so that the boundary surface between the second layer 330B and the third layer 330C is exposed on the bottom surface, and the boundary surface between the third layer 330C and the fourth layer 330D is formed at a portion corresponding to the reflective film 331C.
  • Opening OP331C is formed so as to be exposed on the bottom surface.
  • the opening OP331A By performing dry etching under conditions such that the first layer 330A acts as a stopper film, the opening OP331A can be formed, and by performing dry etching under conditions where the second layer 330B acts as a stopper film.
  • the opening OP331B can be formed, and the opening OP331C can be formed by performing dry etching under conditions such that the third layer 330C acts as a stopper film.
  • a portion such as a mask may be appropriately formed on a portion where etching is not performed.
  • an opening OP333 is formed so as to penetrate the interlayer insulating film 330 at a portion corresponding to the conductive portion 330 in the interlayer insulating film 330.
  • the opening OP333 can be formed by performing dry etching under the condition that the substrate 39 acts as a stopper.
  • Step-330 (See FIG. 27) Thereafter, a reflective film 331 and the like are formed in the opening OP331, and a conduction portion 333 is formed in the opening OP333.
  • a silver thin film is formed on the entire surface including the opening by sputtering, and then a filling member 32 that fills the opening of the reflective film 331 is formed.
  • planarization is performed using, for example, CMP.
  • Step-340 (See FIGS. 28, 29, and 30) Subsequently, the interlayer insulating film 330 and the circuit board 20 are opposed to each other (see FIG. 28), and the interlayer insulating film 330 and the circuit board 20 are bonded. By activating the surfaces of the interlayer insulating film 330 and the circuit board 20 and then bringing the surface activated materials into close contact with each other, the interlayer insulating film 330 and the circuit board 20 can be bonded by atomic force (FIG. 29). Next, the substrate 39 is removed (see FIG. 30).
  • the light emitting portion ELP and the like are formed on the interlayer insulating film 330 by the procedure shown in FIGS.
  • the first electrode 41 is formed on the interlayer insulating film 330. Since the configuration of the first electrode 41 is the same as that described in [Step-150], the description thereof is omitted.
  • Step-360 (see FIG. 32) Next, a partition wall 51 as an inter-pixel insulating film is formed between the first electrode 41 and the first electrode 41.
  • the configuration of the partition wall 51 is the same as that described in [Step-160] described above, and a description thereof will be omitted.
  • Step-370 (see FIG. 33) Next, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a red light-emitting layer, a light-emitting separation layer, a blue light-emitting layer, a green light-emitting layer, and an electron transport layer are sequentially formed on the entire surface including the first electrode 41 serving as the anode electrode.
  • the organic layer 60 that emits white light is formed.
  • a second electrode 70 to be a cathode electrode is formed on the entire surface of the organic layer 60.
  • the second electrode 70 can be obtained by forming a film made of a silver magnesium alloy over the entire surface by vapor deposition (FIG. 34). Then, after forming the protective film 80 on the entire surface, the counter substrate on which the color filter 90 is formed is attached to obtain the display device 3 shown in FIG.
  • a resonator structure is formed between the light reflecting surface of the reflective film 331 and the second electrode 70 (portion indicated by an arrow in FIG. 35).
  • the distance of this part is prescribed
  • the light reflecting surface of the reflecting film 331 is formed by embedding a metal material in the interlayer insulating film 330. Therefore, the light reflecting surface does not touch the outside air. Therefore, a material such as silver or a silver alloy that has high reflectivity but is easily oxidized can be used as a material for forming the reflective film 331 without any problem.
  • the stacking cycle of the interlayer insulating film 330 is increased, so that the lateral escape of light can be reduced.
  • a pixel with a short distance between the reflective film 331 and the first electrode 41 is expected to be highly efficient because attenuation due to the interface is suppressed. Therefore, color pixels with high light emission efficiency increase the number of stacks to reduce the lateral escape loss of light, and color pixels with low light emission efficiency reduce color mixing by reducing the number of stacks, It is possible to optimize the luminous efficiency.
  • the first electrode is formed on the interlayer insulating film, and the lower surface of the first electrode has a boundary surface in contact with a different insulating material in the interlayer insulating film.
  • a reflection film having a light reflection surface provided on the same surface is formed.
  • the first electrode, the organic layer, and the second electrode are stacked. Therefore, the positional relationship between the organic layer and the reflective film can be set with high accuracy by appropriately setting the thickness of the interlayer insulating film.
  • the display device of the present disclosure described above is a display unit (display device) of an electronic device in any field that displays a video signal input to the electronic device or a video signal generated in the electronic device as an image or video.
  • a display unit such as a television set, a digital still camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, a video camera, a head mounted display (head mounted display), and the like.
  • the display device of the present disclosure also includes a module-shaped one with a sealed configuration.
  • a display module formed by attaching a facing portion such as transparent glass to the pixel array portion is applicable.
  • the display module may be provided with a circuit unit for inputting / outputting signals from the outside to the pixel array unit, a flexible printed circuit (FPC), and the like.
  • FPC flexible printed circuit
  • a digital still camera and a head mounted display will be exemplified as specific examples of the electronic apparatus using the display device of the present disclosure.
  • the specific example illustrated here is only an example, and is not limited thereto.
  • FIG. 36 is an external view of an interchangeable lens single-lens reflex digital still camera.
  • FIG. 36A shows a front view thereof
  • FIG. 36B shows a rear view thereof.
  • the interchangeable-lens single-lens reflex digital still camera has, for example, an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 412 on the front right side of the camera body (camera body) 411, and is photographed by the photographer on the front left side.
  • a grip portion 413 is provided.
  • a monitor 414 is provided in the approximate center of the back of the camera body 411.
  • a viewfinder (eyepiece window) 415 is provided on the monitor 414. The photographer can look at the viewfinder 415 and visually determine the light image of the subject guided from the photographing lens unit 412 to determine the composition.
  • the display device of the present disclosure can be used as the viewfinder 415. That is, the interchangeable lens single-lens reflex digital still camera according to this example is manufactured by using the display device of the present disclosure as the viewfinder 415.
  • FIG. 37 is an external view of a head mounted display.
  • the head-mounted display has, for example, ear hooks 512 for wearing on the user's head on both sides of a glasses-shaped display unit 511.
  • the display device of the present disclosure can be used as the display unit 511. That is, the head mounted display according to the present example is manufactured by using the display device of the present disclosure as the display unit 511.
  • FIG. 38 is an external view of a see-through head mounted display.
  • the see-through head mounted display 611 includes a main body 612, an arm 613, and a lens barrel 614.
  • the main body 612 is connected to the arm 613 and the glasses 600. Specifically, the end of the main body 612 in the long side direction is coupled to the arm 613, and one side of the side surface of the main body 612 is connected to the glasses 600 via a connection member.
  • the main body 612 may be directly attached to the head of a human body.
  • the main body unit 612 incorporates a control board for controlling the operation of the see-through head mounted display 611 and a display unit.
  • the arm 613 connects the main body 612 and the lens barrel 614 to support the lens barrel 614. Specifically, the arm 613 is coupled to the end of the main body 612 and the end of the barrel 614 to fix the barrel 614.
  • the arm 613 includes a signal line for communicating data related to an image provided from the main body 612 to the lens barrel 614.
  • the lens barrel 614 projects image light provided from the main body 612 via the arm 613 toward the eyes of the user wearing the see-through head mounted display 611 through the eyepiece.
  • the display device of the present disclosure can be used for the display unit of the main body unit 612.
  • a display device in which pixels having a light emitting portion formed by laminating a first electrode, an organic layer, and a second electrode are formed on a circuit board in a two-dimensional matrix, The first electrode is provided for each light emitting part, and a partition part is formed between adjacent first electrodes, The organic layer and the second electrode are laminated on the entire surface including the first electrode and the partition wall, The first electrode is formed on the interlayer insulating film, On the lower side of the first electrode, a reflective film having a light reflecting surface provided on the same plane as a boundary surface in contact with different insulating materials in the interlayer insulating film is formed. Display device.
  • a plurality of interlayer insulation films are laminated so that different kinds of insulation materials are in contact with each other.
  • the interlayer insulating film includes at least two of a layer made of silicon oxide, a layer made of silicon nitride, and a layer made of silicon oxynitride.
  • the interlayer insulating film is configured by alternately laminating two types of layers.
  • [A5] The number of interlayer insulating films located between the reflective film and the first electrode varies depending on the display color of the pixel. The display device according to any one of [A2] to [A4].
  • the film thickness of the interlayer insulating film positioned between the reflective film and the first electrode is set to be an optical distance according to the display color of the pixel.
  • the display device according to any one of [A2] to [A5].
  • [A7] When the phase shift of the reflected light generated in the first electrode and the reflective film is represented by ⁇ , the optical distance between the first electrode and the reflective film is represented by L, and the peak wavelength of the spectrum of the light extracted from the pixel is represented by ⁇ .
  • the reflective film is embedded in the opening provided in the interlayer insulating film.
  • the display device according to any one of [A1] to [A7].
  • the reflective film is made of a metal material, The display device according to any one of [A1] to [A8].
  • the reflective film is made of silver or silver alloy, The display device according to [A9].
  • the reflective film is composed of an upper layer portion made of silver or a silver alloy and a lower layer portion made of copper or a copper alloy.
  • the display device according to [A9].
  • the circuit board includes a drive circuit for driving the pixels, The first electrode and the drive circuit are electrically connected.
  • the display device according to any one of [A1] to [A11].
  • the first electrode and the drive circuit are electrically connected via a reflective film; The display device according to [A12].
  • a method of manufacturing a display device in which pixels having a light emitting portion formed by laminating a first electrode, an organic layer, and a second electrode are formed on a circuit board in a two-dimensional matrix, Forming an interlayer insulating film formed on the substrate so that layers made of different types of insulating materials are in contact with each other; Forming an opening in the region of the interlayer insulating film corresponding to the first electrode so that the same surface of the boundary surface where the different insulating material contacts in the interlayer insulating film is exposed at the bottom; Embedding a reflective film in the opening; Bonding the surface embedded with the reflective film to the circuit board, and then removing the board; Forming a light emitting part formed by laminating a first electrode, an organic layer and a second electrode on the interlayer insulating film; Having Manufacturing method of display device.
  • the interlayer insulating film includes at least two of a layer made of silicon oxide, a layer made of silicon nitride, and a layer made of silicon oxynitride. The manufacturing method of the display apparatus as described in said [B2].
  • the interlayer insulating film is configured by alternately laminating two types of layers. The manufacturing method of the display apparatus as described in said [B3].
  • the number of interlayer insulating films located between the reflective film and the first electrode varies depending on the display color of the pixel.
  • the method for manufacturing a display device according to any one of [B2] to [B4].
  • the film thickness of the interlayer insulating film positioned between the reflective film and the first electrode is set to be an optical distance according to the display color of the pixel.
  • the method for manufacturing a display device according to any one of [B2] to [B5].
  • [B7] When the phase shift of the reflected light generated in the first electrode and the reflective film is represented by ⁇ , the optical distance between the first electrode and the reflective film is represented by L, and the peak wavelength of the spectrum of the light extracted from the pixel is represented by ⁇ .
  • the reflective film is embedded in the opening provided in the interlayer insulating film.
  • the reflective film is made of a metal material, The method for manufacturing a display device according to any one of [B1] to [B8].
  • the reflective film is made of silver or silver alloy, The manufacturing method of the display apparatus as described in said [B9].
  • the reflective film is composed of an upper layer portion made of silver or a silver alloy and a lower layer portion made of copper or a copper alloy.
  • the circuit board includes a drive circuit for driving the pixels, The first electrode and the drive circuit are electrically connected.
  • the first electrode and the drive circuit are electrically connected via a reflective film; The manufacturing method of the display apparatus as described in said [B12].
  • An electronic apparatus including a display device in which pixels having a light emitting portion formed by laminating a first electrode, an organic layer, and a second electrode are arranged on a circuit board in a two-dimensional matrix.
  • the first electrode is provided for each light emitting part, and a partition part is formed between adjacent first electrodes,
  • the organic layer and the second electrode are laminated on the entire surface including the first electrode and the partition wall,
  • the first electrode is formed on the interlayer insulating film, On the lower side of the first electrode, a reflective film having a light reflecting surface provided on the same plane as a boundary surface in contact with different insulating materials in the interlayer insulating film is formed. Electronics.
  • the interlayer insulating film includes at least two of a layer made of silicon oxide, a layer made of silicon nitride, and a layer made of silicon oxynitride.
  • the interlayer insulating film is configured by alternately laminating two types of layers.
  • [C5] The number of interlayer insulating films located between the reflective film and the first electrode varies depending on the display color of the pixel. The electronic device according to any one of [C2] to [C4].
  • the film thickness of the interlayer insulating film positioned between the reflective film and the first electrode is set to be an optical distance according to the display color of the pixel.
  • the electronic device according to any one of [C2] to [C5].
  • [C7] When the phase shift of the reflected light generated in the first electrode and the reflective film is represented by ⁇ , the optical distance between the first electrode and the reflective film is represented by L, and the peak wavelength of the spectrum of light extracted from the pixel is represented by ⁇ .
  • the reflective film is embedded in the opening provided in the interlayer insulating film.
  • the reflective film is made of a metal material, The electronic device according to any one of [C1] to [C8].
  • the reflective film is made of silver or silver alloy, The electronic device according to [C9] above.
  • the reflective film is composed of an upper layer portion made of silver or a silver alloy and a lower layer portion made of copper or a copper alloy.
  • the circuit board includes a drive circuit for driving the pixels, The first electrode and the drive circuit are electrically connected.
  • [C13] The first electrode and the drive circuit are electrically connected via a reflective film; The electronic device according to [C12] above.

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Abstract

第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置であって、第１電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、第１電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、第１電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている。

Description

表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
　本開示は、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）を利用した有機ＥＬ表示装置が注目されている。そして、有機ＥＬ表示装置は、モニタなどの直視型ディスプレイの他、数ミクロン程度の微細な画素ピッチが要求される超小型ディスプレイにも適用されつつある。
　有機ＥＬ表示装置には、カラー表示を実現する方式として、例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光といった複数色の有機ＥＬ材料層を、マスクを利用して画素毎に形成するといった方式がある。この方式は、直視型の有機ＥＬ表示装置において用いられることが多い。また、上述の方式とは別に、白色発光の有機ＥＬ材料層を全ての画素に共通に形成すると共に画素毎にカラーフィルタを配置するといった方式がある。画素のピッチが細かくなればなるほど、位置合わせの精度などといった点で、マスクを利用して画素毎に有機ＥＬ材料層を形成することが困難となる。従って、数ミクロン程度の微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置にあっては、白色発光の有機ＥＬ材料層を全ての画素に共通に形成してカラーフィルタを組み合わせるといった方式が好適である。
　しかしながら、白色発光の有機ＥＬ材料層とカラーフィルタとを組み合わせる方式にあっては、白色光をカラーフィルタで色分解するため発光効率は低下する。このため、共振効果によって特定の波長の光を強調する共振器構造を採用することで、発光効率や色再現性の向上を実現する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００６－２７８２５７号公報
　共振効果によって目的とする波長の光を強調するためには、共振器構造の光路長を高精度に設定することが必要となる。また、広い波長範囲の光を取り出す場合であっても、有機層と反射膜との位置関係がばらつくと色のばらつきなどが生ずる。このため、有機層と反射膜との位置関係を高精度に設定することが可能な構造の表示装置や、係る表示装置の製造方法が求められている。
　従って、本開示の目的は、有機層と反射膜との位置関係を高精度に設定することが可能な構造の表示装置、係る表示装置を備えた電子機器、および、係る表示装置の製造方法を提供することにある。
　上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置は、
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置であって、
　第１電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
　第１電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
　第１電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
表示装置である。
　上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置の製造方法は、
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置の製造方法であって、
　基板上に、異なる種類の絶縁材料から成る層が接するように積層されて成る層間絶縁膜を形成する工程と、
　第１電極に対応する層間絶縁膜の領域に、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面の同一面が底部に露出するように、開口部を形成する工程と、
　開口部に反射膜を埋め込む工程と、
　反射膜が埋め込まれた面を回路基板と接合し、次いで、基板を除去する工程と、
　層間絶縁膜上に、第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を形成する工程と、
を有する、
表示装置の製造方法である。
　上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置を備えた電子機器であって、
　表示装置において、
　第１電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
　第１電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
　第１電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
電子機器である。
図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。 図２は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。 図３Ａおよび図３Ｂは、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図４Ａおよび図４Ｂは、図３Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図５は、図４Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図６は、図５に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図７は、図６に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図８は、図７に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図９は、図８に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１０は、図９に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１１は、図１０に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１２は、図１１に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１３は、第２の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。 図１４Ａおよび図１４Ｂは、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１５Ａおよび図１５Ｂは、図１４Ｂに引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１６は、図１５Ｂに引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１７は、図１６に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１８は、図１７に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１９は、図１８に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２０は、図１９に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２１は、図２０に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２２は、図２１に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２３は、図２２に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２４は、図２３に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２５は、第３の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。 図２６Ａおよび図２６Ｂは、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２７は、図２６Ｂに引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２８は、図２７に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図２９は、図２８に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３０は、図２９に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３１は、図３０に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３２は、図３１に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３３は、図３２に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３４は、図３３に引き続き、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図３５は、第３の実施形態に係る表示装置の共振器構造を説明するための模式的な一部端面図である。 図３６は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図３６Ａにその正面図を示し、図３４Ｂにその背面図を示す。 図３７は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。 図３８は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。
　以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
　１．本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明
　２．第１の実施形態
　３．第２の実施形態
　４．第３の実施形態
　５．電子機器の説明、その他
［本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明］
　本開示に係る表示装置、本開示に係る電子機器に用いられる表示装置、及び、本開示に係る表示装置の製造方法によって得られる表示装置（以下、単に、これらを「本開示の表示装置」と呼ぶ場合がある。）において、層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る構成とすることができる。
　この場合において、層間絶縁膜は、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、もしくはシリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などの無機絶縁材料などで形成することができる。層間絶縁膜は、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも２種類の層を含んでいる構成とすることができる。更には、層間絶縁膜は、２種類の層が交互に積層されて構成されている構成とすることができる。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置にあっては、反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の層数は、画素の表示色に応じて異なる構成とすることができる。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の膜厚は、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている構成とすることができる。更には、第１電極および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第１電極と反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たす構成とすることができる。
　上記の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、反射膜は、層間絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれている構成とすることができる。この構成は、光反射面が外部に露出しないので、反射膜を構成する材料の酸化に起因する反射率の低下が生じないといった利点を備えている。開口部は、例えば、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面がストッパとなるようにエッチング処理を施すことによって形成することができる。具体的には、層間絶縁膜を構成する材料とエッチャントとの組合せを適宜選択し、或る絶縁材料がストッパとして作用するようにして加工をすればよい。
　上記の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、反射膜は、銀（Ａｇ）、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料から成る構成とすることができる。この場合において、高い反射率を得るといった観点からは、反射膜は銀または銀合金から成る構成とすることが好ましい。酸化に起因する反射率の低下が充分抑制されているとすれば、銀から成る反射膜は可視光領域において凡そ９０パーセント以上の反射率を示す。反射膜の厚さは、１００ないし３００ナノメートルの範囲に設定されていることが好ましい。
　あるいは又、反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている構成とすることができる。反射膜と対抗する回路基板の部分に電極等が形成されている場合、電極を銅または銅合金によって構成するといったことが多い。この場合、反射膜の下層部を銅または銅合金から構成することによって、回路基板側と反射膜側との接合性を向上させることができる。
　上記の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、回路基板は画素を駆動するための駆動回路を備えており、第１電極と駆動回路とは電気的に接続されている構成とすることができる。第１電極と駆動回路とは例えば層間絶縁膜に設けられたビアなどから成る導通部を介して直接に接続されていてもよい。あるいは又、第１電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されていてもよい。
　本開示の表示装置において、発光部は、いわゆる上面発光型である構成とすることができる。発光部は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを備えた有機層を、第１電極と第２電極で挟まれることによって構成される。カソードを共通化する場合、第２電極がカソード電極、第１電極がアノード電極となる。
　上記の好ましい構成を含む本開示の表示装置はカラー表示の構成とすることができる。カラー表示の場合、カラーフィルタは、例えば、顔料または染料を含ませた樹脂材料などを用いて形成することができる。尚、場合によっては、所謂モノクロ表示の構成であってもよい。
　カラー表示の構成とする場合には、１つの画素は複数の副画素から成る構成、具体的には、１つの画素は、赤色表示副画素、緑色表示副画素、及び、青色表示副画素の３つの副画素から成る構成とすることができる。更には、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。
　表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ－ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ－ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ－ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ－ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ－ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
　隔壁部は、公知の無機材料や有機材料から適宜選択した材料を用いて形成することができ、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などの周知の成膜方法と、エッチング法やリフトオフ法などの周知のパターニング法との組み合わせによって形成することができる。
　本開示に係る表示装置において、発光部の発光を制御する駆動回路などの構成は特に限定するものではない。発光部は、例えば、回路基板上の或る平面内に形成され、例えば、層間絶縁層を介して、発光部を駆動する駆動回路の上方に配置されているといった構成とすることができる。駆動回路を構成するトランジスタの構成は、特に限定するものではない。ｐチャネル型の電界効果トランジスタであってもよいし、ｎチャネル型の電界効果トランジスタであってもよい。
　回路基板の構成材料として、半導体材料、ガラス材料、あるいは、プラスチック材料を例示することができる。駆動回路を半導体基板に形成されたトランジスタによって構成するといった場合、例えばシリコンから成る半導体基板にウェル領域を設け、ウェル内にトランジスタを形成するといった構成とすればよい。一方、駆動回路を薄膜トランジスタなどによって構成するといった場合は、ガラス材料やプラスチック材料から成る基板を用いてその上に半導体薄膜を形成し駆動回路を形成することができる。各種の配線は、周知の構成や構造とすることができる。
　第１電極は、回路基板上に発光部ごとに設けられている。カソードを共通化する場合、第１電極は、発光部のアノード電極として機能する。第１電極は、例えば、酸化インジウム亜鉛、または酸化インジウムスズなどの透明導電性材料から形成することができる。あるいは又、金属や合金などを用いて、光透過性を有する程度に薄くして形成することもできる。
　有機層は、有機発光材料を含み、共通の連続膜として、第１電極および隔壁部の上に設けられる。有機層は、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されることによって発光する。有機層は、例えば、第１電極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および、電子注入層を順に積層した構造で構成することができる。有機層を構成する正孔輸送材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、有機発光材料は特に限定するものではなく、周知の材料を用いることができる。
　有機層は、複数の発光層を電荷発生層または中間電極を介して接続した、いわゆるタンデム型構造で構成されていてもよい。例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光の発光層を積層することによって、あるいは又、黄色発光、青色発光の発光層を積層することによって、白色で発光する発光部を構成することができる。
　第２電極は、有機層の上に、共通した連続膜として設けられる。第２電極は、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料から構成されることが好ましい。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛、またはガリウムドープ酸化亜鉛などの透明導電性材料を用いて形成することができる。あるいは又、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）あるいはそれらの合金などを用いて、光透過性を有する程度に薄くして形成することもできる。第２電極の厚さは、３～１５ナノメートル程度の範囲に設定されることが好ましい。また、場合によっては、第２電極を多層膜から構成することもできる。例えば、第１層をカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）などから形成し、第２層をマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）あるいはそれらの合金などから形成してもよい。
　本明細書における各種の式に示す条件は、式が数学的に厳密に成立する場合の他、式が実質的に成立する場合にも満たされる。式の成立に関し、表示素子や表示装パネル等の設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる図は模式的なものである。例えば、後述する図２は表示装置の断面構造を示すが、幅、高さ、厚さなどの割合を示すものではない。
［第１の実施形態］
　第１の実施形態は、本開示の第１の態様に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
　図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。表示装置１は、発光部ＥＬＰと発光部ＥＬＰを駆動する駆動回路とを含む画素１０が、行方向（図１においてＸ方向）に延びる走査線ＳＣＬと列方向（図１においてＹ方向）に延びるデータ線ＤＴＬとに接続された状態で２次元マトリクス状に配列して形成されている表示領域１１、給電線ＰＳ１に電圧を供給する電源部１００、走査線ＳＣＬに走査信号を供給する走査部１０１、データ線ＤＴＬに信号電圧を供給するデータドライバ１０２を備えている。尚、図示の都合上、図１においては、１つの画素１０、より具体的には、後述する第（ｑ，ｐ）番目の画素１０についての結線関係を示した。
　表示装置１は、更に、全ての画素１０に共通に接続される共通給電線ＰＳ２を備えている。給電線ＰＳ１には、電源部１００から所定の駆動電圧が供給され、共通給電線ＰＳ２には、共通の電圧（例えば接地電位）が供給される。
　図１では図示されていないが、表示領域１１には、行方向にＱ個、列方向にＰ個、合計Ｑ×Ｐ個の画素（表示素子）１０が、２次元マトリクス状に配列されている。表示領域における画素１０の行数はＰであり、各行を構成する画素１０の数はＱである。
　また、走査線ＳＣＬ及び給電線ＰＳ１の本数はそれぞれＰ本である。第ｐ行目（但し、ｐ＝１，２・・・，Ｐ）の画素１０は、第ｐ番目の走査線ＳＣＬp、第ｐ番目の給電線ＰＳ１pに接続されており、１つの表示素子行を構成する。尚、図１では、走査線ＳＣＬp及び給電線ＰＳ１pのみが示されている。
　また、データ線ＤＴＬの本数はＱ本である。第ｑ列目（但し、ｑ＝１，２・・・，Ｑ）の画素１０は、第ｑ番目のデータ線ＤＴＬqに接続されている。尚、図１では、データ線ＤＴＬqのみが示されている。
　表示装置１は、例えばカラー表示の表示装置である。１つの画素１０は、１つのサブピクセルを構成する。走査部１０１からの走査信号によって、表示装置１は行単位で線順次走査される。第ｐ行、第ｑ列目に位置する画素１０を、以下、第（ｑ，ｐ）番目の画素１０あるいは第（ｑ，ｐ）番目の画素１０と呼ぶ。
　表示装置１にあっては、第ｐ行目に配列されたＱ個の画素１０が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＱ個の画素１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｐ）秒未満である。
　画素１０は、発光部ＥＬＰとこれを駆動する駆動回路とから成る。発光部ＥＬＰは有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る。駆動回路は、書込みトランジスタＴＲW、及び、駆動トランジスタＴＲD、並びに、容量部Ｃ1から構成されている。駆動トランジスタＴＲDを介して発光部ＥＬＰに電流が流れると、発光部ＥＬＰは発光する。各トランジスタは、ｐチャネル型の電界効果トランジスタから構成されている。
　画素１０において、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域は、容量部Ｃ1の一端と給電線ＰＳ１とに接続されており、他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰの一端（具体的には、アノード電極）に接続されている。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極は、書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部Ｃ1の他端に接続されている。
　また、書込みトランジスタＴＲWにおいて、一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。
　発光部ＥＬＰの他端（具体的には、カソード電極）は、共通給電線ＰＳ２に接続されている。共通給電線ＰＳ２には所定のカソード電圧ＶCatが供給される。尚、発光部ＥＬＰの容量を符号ＣELで表す。
　画素１０の駆動の概要について説明する。データドライバ１０２からデータ線ＤＴＬに、表示すべき画像の輝度に応じた電圧が供給された状態で、走査部１０１からの走査信号により書込みトランジスタＴＲWが導通状態とされると、容量部Ｃ1に表示すべき画像の輝度に応じた電圧が書き込まれる。書込みトランジスタＴＲWが非導通状態とされた後、容量部Ｃ1に保持された電圧に応じて駆動トランジスタＴＲDに電流が流れることによって発光部ＥＬＰが発光する。
　尚、本開示において、画素１０の発光を制御する駆動回路の構成は特に限定するものではない。従って、図１に示す構成は一例に過ぎず、本実施形態に係る表示装置にあっては種々の構成を取り得る。
　引き続き、表示装置１の詳しい構造について説明する。
　　図２は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。
　表示装置１において、発光部ＥＬＰは、第１電極４１と有機層６０と第２電極７０とが積層されて構成されている。第１電極４１は発光部ＥＬＰごとに設けられていると共に、隣接する第１電極４１の間には隔壁部５１が形成されている。そして、第１電極４１上と隔壁部５１上を含む全面に、有機層６０と第２電極７０とが積層されている。さらに、第２電極７０上を含む全面に、保護膜８０が設けられ、その上にカラーフィルタ９０が配置されている。符号９１は遮光領域の部分を示し、符号９２はフィルタ領域の部分を示す。
　第１電極４１は、層間絶縁膜３０の上に形成されている。第１電極４１の下側には、層間絶縁膜３０において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜３１が形成されている。
　反射膜３１と第１電極４１との間に位置する層間絶縁膜３０の膜厚は、青色から赤色に亙る広い波長帯域の光が画素から取り出せるように設定されている。
　以下、図２を参照して、各種構成要素について詳しく説明する。
　回路基板２０は、基材２１、基材２１上に形成されたゲート電極２２．ゲート電極２２上を含む全面を覆うように形成されたゲート絶縁膜２３、半導体材料層２４、半導体材料層２４上を含む全面を覆うように形成された平坦化膜２５、半導体材料層２４に形成されたトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されたソース／ドレイン電極２６、ソース／ドレイン電極２６上を含む全面を覆うように形成された平坦化膜２７、平坦化膜２７の開口部に設けられ、駆動トランジスタのソース／ドレイン電極２６に接続されたコンタクトプラグ２８から成る。
　回路基板２０は、上述したトランジスタ等によって構成された、画素１０を駆動するための駆動回路を備えている。そして、第１電極４１と駆動回路とは電気的に接続されている。より具体的には、第１電極４１は、コンタクトプラグ２８に接続された導通部３３を介して、半導体材料層２４に形成されたトランジスタのソース／ドレイン電極２６に接続されている。
　基材２１は、例えば、ガラス材料、半導体材料、あるいは、プラスチック材料などから構成することができる。この基材２１上に、発光部ＥＬＰの発光を制御する薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成されている。
　駆動回路を構成する各種トランジスタのゲート電極２２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの金属、またはポリシリコンなどを用いて形成することができる。ゲート絶縁膜２３は、ゲート電極２２を覆うように基材２１の全面に設けられる。ゲート絶縁膜２３は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx）やシリコン窒化物（ＳｉＮx）などを用いて形成することができる。
　半導体材料層２４は、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、または酸化物半導体などを用いて、ゲート絶縁膜２３上に形成することができる。また、半導体材料層２４の一部領域は、不純物がドープされ、ソース／ドレイン領域を形成する。更に、一方のソース／ドレイン領域と他方のソース／ドレイン領域との間に位置し、かつ、ゲート電極２２の上方に位置する半導体材料層２４の領域は、チャネル領域を形成する。これらによって、基材２１上に、ボトムゲート型の薄膜トランジスタが設けられる。尚、図２においては、ソース／ドレイン領域やチャネル領域の表示は省略されている。
　平坦化膜２５は、半導体材料層２４上に設けられる。平坦化膜２５は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などから形成されている。ソース／ドレイン電極２６は、平坦化膜２５に設けられたコンタクトホールを介して半導体材料層２４に接続されている。ソース／ドレイン電極２６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）といった金属から形成されている。
　平坦化膜２７は、駆動回路等を被覆し平坦化するために形成される。平坦化膜２７は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、もしくはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜、またはシリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、もしくは酸シリコン窒化物（ＳｉxＮy）などの無機絶縁膜を用いて形成することができる。
　コンタクトプラグ２８は、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金などの金属材料から成り、平坦化膜２７に設けられた開口部内に形成されている。第１電極４１とコンタクトプラグ２８とは、後述する層間絶縁膜３０に設けられた開口部内に形成されている導通部３３によって、電気的に接続されている。
　層間絶縁膜３０は、異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る。図２に示す例では、層間絶縁膜３０は、第１層３０Ａ、第２層３０Ｂ、第３層３０Ｃが積層されて形成されている。
　層間絶縁膜３０は、無機絶縁材料などで形成することができる。層間絶縁膜３０は、例えば、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも２種類の層を含んでいる構成とすることができ、２種類の層が交互に積層されて構成されていてもよい。以下の説明にあっては、層間絶縁膜３０は、シリコン酸化物から成る層とシリコン窒化物から成る層とから構成されているとして説明する。
　反射膜３１は、第１電極４１の下側に配置され、層間絶縁膜３０において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有するように形成されている。より具体的には、反射膜３１の光反射面は、層間絶縁膜３０において第１層３０Ａと第２層３０Ｂとが接する境界面と同一面となるように形成されている。
　反射膜３１は、層間絶縁膜３０に設けられた開口部に埋め込まれている。反射膜３１は、金属材料から成る。ここでは、反射膜３１は、銀または銀合金から構成されているとして説明する。尚、符号３２は、反射膜３１の回路基板２０側の開口部を充填する充填部材を示す。充填部材３２は、回路基板２０との接合性の観点から、平坦化膜２７と同じ材料を用いて形成されている。
　より具体的には、反射膜３１は、層間絶縁膜３０において第１層３０Ａをストッパ膜として設けられた開口部に埋め込まれている。このように、反射膜３１の光反射面は、層間絶縁膜３０を構成する層の厚さによってその位置が規定される。層間絶縁膜３０を構成する層や有機層６０の膜厚は、成膜プロセスによって高精度に制御することが可能である。結果として、反射膜３１の光反射面と第２電極７０との間（図２において矢印で示す部分）の寸法を高精度に設定することができる。
　また、例えば層間絶縁膜３０の第２層３０Ｂの組成を調整して、第１層３０Ａに対して光の遮光率が高くなるように設定することによって、隣接する画素への迷光を低減するといったことも可能である。
　第１電極４１は、層間絶縁膜３０の上に形成されている。第１電極４１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電材料から構成されている。第１電極４１の厚さは、２０～２００ナノメートルの範囲に設定されていることが好ましい。
　有機層６０は、第１電極４１上と隔壁部５１上を含む全面に形成されている。有機層６０は、白色光を発光する白色発光機能層であり、例えば、有機材料から成るホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層が順次積層された構造とすることができる。あるいは又、有機層６０は、ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、電子輸送層、電荷発生層、ホール注入層、ホール輸送層、黄色発光層、電子輸送層が下層から順次積層された構造とすることもできる。尚、有機層６０は多層構造であるが、図では一層として表した。
　第２電極７０は、有機層６０上を含む全面に形成されている。第２電極７０は、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料にから構成されている。ここでは、第２電極７０は、ＩＴＯから構成されているとして説明する。
　保護膜８０は、第２電極７０上を含む全面に形成されている。保護膜８０は、有機層６０への水分の侵入を防止するためのものであって、透水性の低い材料を用いて厚さ１～８マイクロメートル程度で形成される。保護膜８０の材料としては、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯx）、チタン酸化物（ＴｉＯx）、またはこれらの組み合わせが用いられる。
　カラーフィルタ９０は、例えば図示せぬ対向基板側に形成されており、保護膜８０の上に、紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂などを用いて貼り合わせられている。カラーフィルタ９０によって、発光部ＥＬＰで発生した光は色分割して取り出される。
　以上、表示装置１の詳しい構造について説明した。上記の表示装置１は、次のようにして製造することができる。
　引き続き、上記の表示装置１の製造方法について説明する。表示装置１の製造方法は、
　基板上に、異なる種類の絶縁材料から成る層が接するように積層されて成る層間絶縁膜を形成する工程と、
　第１電極に対応する層間絶縁膜の領域に、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面の同一面が底部に露出するように、開口部を形成する工程と、
　開口部に反射膜を埋め込む工程と、
　反射膜が埋め込まれた面を回路基板と接合し、次いで、基板を除去する工程と、
　層間絶縁膜上に、第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を形成する工程と、
を有する。後述する他の実施形態においても同様である。
　図３ないし図１２は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。
　以下、これらの図を参照して、表示装置１の製造方法について詳しく説明する。
　　［工程－１００］（図３Ａ参照）
　先ず、駆動回路が形成された回路基板２０を準備する。基材２１を用意し、基材２１上に所定の成膜およびパターニングプロセスを経ることにより、薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する。続いて、駆動回路上の全面に平坦化膜２７をスピンコート法、スリットコート法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより形成する。次いで、平坦化膜２７に開口部を形成した後、開口部にコンタクトプラグ２８を形成することによって、図３Ａに示す回路基板２０を得ることができる。
　次いで、反射膜３１が形成された層間絶縁膜３０を、図３Ｂないし図７に示す手順で回路基板２０上に配置する。
　　［工程－１１０］（図３Ｂ参照）
　シリコンウエハから成る基板３９を準備し、その上に、例えば、シリコン酸化物から成る層とシリコン窒化物から成る層といった２種類の層を交互に積層して層間絶縁膜３０を形成する（図３Ｂ参照）。図に示す例では、第１層３０Ａと第３層３０Ｃはシリコン酸化物から成る層、第２層３０Ｂはシリコン窒化物から成る層である。
　　［工程－１２０］（図４Ａ参照）
　ついで、層間絶縁膜３０において反射膜３１に対応する部分に、第１層３０Ａと第２層３０Ｂとの境界面が底面に露出するように開口部ＯＰ３１を形成する（図４Ａ参照）。例えば、第１層３０Ａがストッパ膜として作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部ＯＰ３１を形成することができる。また、併せて、層間絶縁膜３０において導通部３３に対応する部分に、層間絶縁膜３０を貫通するように開口部ＯＰ３３を形成する。例えば、基板３９がストッパとして作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部ＯＰ３３を形成することができる。
　　［工程－１３０］（図４Ｂ参照）
　その後、開口部ＯＰ３１の部分に反射膜３１などを形成し、併せて、開口部ＯＰ３３の部分に導通部３３を形成する。例えば、開口部を含む全面に銀薄膜をスパッタ法によって形成し、次いで、反射膜３１の開口部を充填する充填部材３２を形成し、その後、例えばＣＭＰ法を用いて平坦化を行う。
　　［工程－１４０］（図５、図６、図７参照）
　続いて、層間絶縁膜３０と回路基板２０とを対向させた状態とし（図５参照）、層間絶縁膜３０と回路基板２０とを接合する。例えば、超高真空下で表面の不活性層をプラズマ、加速したイオンビームなどのエネルギー波を照射することによって除去し、層間絶縁膜３０と回路基板２０との表面を活性化する。次いで、表面活性化した物質同士を密着させることによって、原子間力によって層間絶縁膜３０と回路基板２０とを接合することができる（図６参照）。次いで、基板３９を除去する（図７参照）。
　次いで、発光部ＥＬＰなどを、図８ないし図１２に示す手順で層間絶縁膜３０上に形成する。
　　［工程－１５０］（図８参照）
　先ず、層間絶縁膜３０上に、第１電極４１を形成する。例えば、層間絶縁膜３０上にＩＴＯ膜を形成し、次いで、ＩＴＯ膜をパターニングすることによって、第１電極４１を得ることができる。
　　［工程－１６０］（図９参照）
　次いで、第１電極４１と第１電極４１との間に、画素間絶縁膜としての隔壁部５１を形成する。第１電極４１を含む全面にシリコン酸窒化物などの無機絶縁膜をスパッタ法またはＣＶＤ法などによって成膜する。続いて、成膜した無機絶縁膜をリソグラフィ法およびドライエッチング法によって所定の凹構造となるように画素開口部をパターニングすることによって、隔壁部５１を形成することができる。
　　［工程－１７０］（図１０参照）
　次いで、アノード電極となる第１電極４１上を含む全面に、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層を順次成膜し、白色で発光する有機層６０を形成する。
　　［工程－１８０］（図１１、図１２参照）
　次いで、有機層６０上の全面に、カソード電極となる第２電極７０を形成する。例えば、蒸着法によって銀マグネシウム合金から成る膜を全面に亘って形成することによって、第２電極７０を得ることができる（図１１参照）。その後、全面に保護膜８０を形成した後、カラーフィルタ９０が形成された対向基板を張り合わせることによって、表示装置１を得ることができる（図１２参照）。
　反射膜３１の光反射面と第２電極７０との間の距離は、有機層６０、第１電極４１、層間絶縁膜３０の第１層３０Ａの厚さによって規定される。これらは、それらを形成するプロセス上、高精度な膜厚制御が可能である。したがって、有機層と反射膜との位置関係を高精度に設定することができるので、色のばらつきなどを抑制することができる。
　そして、反射膜３１の光反射面は、層間絶縁膜３０に金属材料を埋め込むことによって形成されている。従って、光反射面は外気に触れない。このため、反射率は高いが酸化しやすい銀や銀合金といったといった材料も支障なく反射膜３１の形成材料として用いることができる。
　尚、場合によっては、層間絶縁膜３０に設けた開口部にＩＴＯ等の透明導電材料から成る薄膜を形成した後に、金属材料を埋め込むといった態様とすることもできる。
［第２の実施形態］
　第２の実施形態は、第１の実施形態の変形である。第１の実施形態にあっては、第１電極４１は、コンタクトプラグ２８に接続された導通部３３を介して、画素１０を駆動する駆動回路に接続されていた。これに対し、第２の実施形態にあっては、第１電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている点が、主に相違する。
　図１３は、第２の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。尚、第２の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図は、図１において、表示装置１を表示装置２と読み替えればよい。
　表示装置２にあっては、コンタクトプラグ２２８、反射膜２３１、充填部材２３２、導通部２３３の形状や構成が、表示装置１と相違する。
　コンタクトプラグ２２８において、反射膜２３１側の面は、反射膜２３１を覆うような形状に形成されている。そして、反射膜２３１は、コンタクトプラグ２２８を解して、駆動トランジスタのソース／ドレイン電極２６に接続されている。
　反射膜２３１は、第１電極４１の下側に配置され、層間絶縁膜３０において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有するように形成されている。第１の実施形態と同様に、反射膜２３１の光反射面は、層間絶縁膜３０において第１層３０Ａと第２層３０Ｂとが接する境界面と同一面となるように形成されている。
　反射膜２３１は、層間絶縁膜３０に設けられた開口部に埋め込まれている。尚、符号２３２は、反射膜２３１の回路基板２０側の開口部を充填する充填部材を示す。充填部材２３２は、回路基板２０との接合性の観点から、コンタクトプラグ２２８と同じ材料を用いて形成されている。従って、充填部材２３２は、実質的に反射膜の下層部を形成する。反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている。
　図１３に示す構成において、反射膜２３１とコンタクトプラグ２２８とは、電気的に接続されている。そして、第１電極４１と反射膜２３１とは、層間絶縁膜３０に設けられた開口部内に形成されている導通部２３３によって、電気的に接続されている。このように、第１電極４１と駆動回路とは反射膜２３１を介して電気的に接続されている。
　以上、表示装置２の詳しい構造について説明した。上記の表示装置２は、次のようにして製造することができる。
　図１４ないし図２４は、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。
　　［工程－２００］（図１４Ａ参照）
　先ず、駆動回路が形成された回路基板２２０を準備する。基材２１を用意し、基材２１上に所定の成膜およびパターニングプロセスを経ることにより、薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する。続いて、駆動回路上の全面に平坦化膜２７をスピンコート法、スリットコート法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより形成する。次いで、平坦化膜２７に開口部を形成した後、開口部にコンタクトプラグ２２８を形成することによって、図１４Ａに示す回路基板２２０を得ることができる。
　次いで、反射膜２３１が形成された層間絶縁膜３０を、図１４Ｂないし図１８に示す手順で回路基板２２０上に配置する。
　　［工程－２１０］（図１４Ｂ参照）
　シリコンウエハから成る基板３９を準備し、その上に、例えば、シリコン酸化物から成る層とシリコン窒化物から成る層といった２種類の層を交互に積層して層間絶縁膜３０を形成する（図１４Ｂ参照）。層間絶縁膜３０の組成は、上述した［工程－１１０］で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　　［工程－２２０］（図１５Ａ参照）
　ついで、層間絶縁膜３０において反射膜２３１に対応する部分に、第１層３０Ａと第２層３０Ｂとの境界面が底面に露出するように開口部ＯＰ２３１を形成する（図１５Ａ参照）。例えば、第１層３０Ａがストッパ膜として作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部ＯＰ２３１を形成することができる。
　　［工程－２３０］（図１５Ｂ参照）
　その後、開口部ＯＰ２３１の部分に反射膜２３１などを形成する。例えば、開口部ＯＰ２３１を含む全面に銀薄膜をスパッタ法によって形成し、次いで、反射膜２３１の開口部を充填する充填部材２３２を形成し、その後、例えばＣＭＰ法を用いて平坦化を行う。
　　［工程－２４０］（図１６、図１７、図１８参照）
　続いて、層間絶縁膜３０と回路基板２２０とを対向させた状態とし（図１６参照）、層間絶縁膜３０と回路基板２２０とを接合する。例えば、超高真空下で表面の不活性層をプラズマ、加速したイオンビームなどのエネルギー波を照射することによって除去し、層間絶縁膜３０と回路基板２２０との表面を活性化する。次いで、表面活性化した物質同士を密着させることによって、原子間力によって層間絶縁膜３０と回路基板２２０とを接合することができる（図１７参照）。次いで、基板３９を除去する（図１８参照）。
　　［工程－２５０］（図１９、図２０参照）
　次いで、層間絶縁膜３０において導通部２３３に対応する部分に開口部ＯＰ２３３を形成する。例えば、反射膜２３１がストッパとして作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部ＯＰ２３３を形成することができる（図１９参照）。その後、開口部ＯＰ２３３の部分に導通部２３３を形成する。例えば、全面に導電膜を形成し、その後、例えばＣＭＰ法を用いて平坦化を行うことによって、導通部２３３を形成することができる（図２０参照）。
　次いで、発光部ＥＬＰなどを、図２１ないし図２４に示す手順で層間絶縁膜３０上に形成する。
　　［工程－２６０］（図２１参照）
　先ず、層間絶縁膜３０上に、第１電極４１を形成する。例えば、層間絶縁膜３０上にＩＴＯ膜を形成し、次いで、ＩＴＯ膜をパターニングすることによって、第１電極４１を得ることができる。第１電極４１と反射膜２３１とは、導通部２３３を介して電気的に接続されている。
　　［工程－２７０］（図２２参照）
　次いで、第１電極４１と第１電極４１との間に、画素間絶縁膜としての隔壁部５１を形成する。上述した［工程－１６０］で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　　［工程－２８０］（図２３参照）
　次いで、アノード電極となる第１電極４１上を含む全面に、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層を順次成膜し、白色で発光する有機層６０を形成する。
　　［工程－２９０］（図２４参照）
　次いで、有機層６０上の全面に、カソード電極となる第２電極７０を形成する。例えば、蒸着法によって銀マグネシウム合金から成る膜を全面に亘って形成することによって、第２電極７０を得ることができる。その後、全面に保護膜８０を形成した後、カラーフィルタ９０が形成された対向基板を張り合わせることによって、図１３に示す表示装置２を得ることができる。
　表示装置２においても、反射膜２３１の光反射面と第２電極７０との間の距離は、有機層６０、第１電極４１、層間絶縁膜３０の第１層３０Ａの厚さによって規定される。これらは、それらを形成するプロセス上、高精度な膜厚制御が可能である。したがって、有機層と反射膜との位置関係を高精度に設定することができるので、色のばらつきなどを抑制することができる。
　また、反射膜２３１の光反射面は、層間絶縁膜３０に金属材料を埋め込むことによって形成されている。従って、光反射面は外気に触れない。このため、反射率は高いが酸化しやすい銀や銀合金といったといった材料も支障なく反射膜２３１の形成材料として用いることができる。
　また、反射膜２３１の充填部材２３２とコンタクトプラグ２２８とを同じ材料で構成している。このため、層間絶縁膜３０と回路基板２２０とを接合する際に、コンタクトプラグ２２８と反射膜２３１との電気的な接合を良好に行うことができる。
［第３の実施形態］
　第３の実施形態も、第１の実施形態の変形である。第３の実施形態にあっては、反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の層数が、画素の表示色に応じて異なる点が、主に相違する。
　図２５は、第３の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。尚、第３の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図は、図１において、表示装置１を表示装置３と読み替えればよい。
　表示装置３にあっては、層間絶縁膜３３０、反射膜３３１、導通部３３３の形状や構成が、表示装置１と相違する。
　第１の実施形態と同様に、層間絶縁膜３３０は、異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る。図２５に示す例では、層間絶縁膜３３０は、第１層３３０Ａ、第２層３３０Ｂ、第３層３３０Ｃ、第４層３３０Ｄ、第５層３３０Ｅが積層されて形成されている。
　層間絶縁膜３３０は無機絶縁材料などで形成することができる。層間絶縁膜３３０は、例えば、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも２種類の層を含んでいる構成とすることができ、２種類の層が交互に積層されて構成されていてもよい。以下の説明にあっては、層間絶縁膜３３０は、シリコン酸化物から成る層とシリコン窒化物から成る層とから構成されているとして説明する。
　反射膜３３１は、第１電極４１の下側に配置され、層間絶縁膜３３０において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有するように形成されている。そして、反射膜３３１と第１電極４１との間に位置する層間絶縁膜３３０の層数が、画素１０の表示色に応じて異なる。
　具体的には、青色表示の画素１０に用いられる反射膜３３１Ａは、層間絶縁膜３３０において第１層３３０Ａと第２層３３０Ｂとが接する境界面と同一面となるように形成されている。従って、反射膜３３１Ａと第１電極４１との間に位置する層間絶縁膜３３０の層数は１層である。反射膜３３１Ａは、層間絶縁膜３３０において第１層３３０Ａをストッパ膜として設けられた開口部に埋め込まれている。
　緑色表示の画素１０に用いられる反射膜３３１Ｂは、層間絶縁膜３３０において第２層３３０Ｂと第３層３３０Ｃとが接する境界面と同一面となるように形成されている。従って、反射膜３３１Ｂと第１電極４１との間に位置する層間絶縁膜の層数は２層である。反射膜３３１Ｂは、層間絶縁膜３３０において第２層３３０Ｂをストッパ膜として設けられた開口部に埋め込まれている。
　赤色表示の画素１０に用いられる反射膜３３１Ｃは、層間絶縁膜３３０において第３層３３０Ｃと第４層３３０Ｄとが接する境界面と同一面となるように形成されている。従って、反射膜３３１Ｃと第１電極４１との間に位置する層間絶縁膜の層数は３層である。反射膜３３１Ｃは、層間絶縁膜３３０において第３層３３０Ｃをストッパ膜として設けられた開口部に埋め込まれている。
　反射膜３３１と第１電極４１との間に位置する層間絶縁膜３３０の膜厚は、画素１０の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている。第１電極４１および反射膜３３０で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第１電極４１と反射膜３３１との間の光学的距離を符号Ｌ、画素１０から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たすように設定されている。
　上述したように、反射膜３３１は、層間絶縁膜３３０に設けられた開口部に埋め込まれている。反射膜３３１は、金属材料から成る。尚、符号３３２は、反射膜３３１の回路基板２０側の開口部を充填する充填部材を示す。充填部材３３２は、回路基板２０との接合性の観点から、平坦化膜２７と同じ材料を用いて形成されている。
　反射膜３３１の光反射面は、層間絶縁膜３３０を構成する層の厚さによってその位置が規定される。層間絶縁膜３３０を構成する層や有機層６０の膜厚は、成膜プロセスによって高精度に制御することが可能である。結果として、反射膜３３１Ａ，３３１Ｂ，３３１Ｃの光反射面と第２電極７０との間（図２５において矢印で示す部分）の寸法を高精度に設定することができる。
　第１電極４１は、コンタクトプラグ２８に接続された導通部３３３を介して、画素１０を駆動する駆動回路に接続されている。
　以上、表示装置３の詳しい構造について説明した。上記の表示装置３は、次にようにして製造することができる。
　図２６ないし図３５は、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。
　　［工程－３００］
　先ず、駆動回路が形成された回路基板２０を準備する。回路基板２０の構成は、上述した［工程－１００］で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　次いで、反射膜３３１が形成された層間絶縁膜３３０を、図２６ないし図３５に示す手順で回路基板２０上に配置する。
　　［工程－３１０］（図２６Ａ参照）
　シリコンウエハから成る基板３９を準備し、その上に、例えば、シリコン酸化物から成る層とシリコン窒化物から成る層といった２種類の層を交互に積層して層間絶縁膜３３０を形成する（図２６Ｂ参照）。図に示す例では、第１層３３０Ａと第３層３３０Ｃと第５層３３０Ｅはシリコン酸化物から成る層、第２層３３０Ｂと第４層３３０Ｄはシリコン窒化物から成る層である。
　　［工程－３２０］（図２６Ｂ参照）
　ついで、層間絶縁膜３３０において、反射膜３３１Ａに対応する部分に第１層３３０Ａと第２層３３０Ｂとの境界面が底面に露出するように開口部ＯＰ３３１Ａを形成し、反射膜３３１Ｂに対応する部分に第２層３３０Ｂと第３層３３０Ｃとの境界面が底面に露出するように開口部ＯＰ３３１Ｂを形成し、反射膜３３１Ｃに対応する部分に第３層３３０Ｃと第４層３３０Ｄとの境界面が底面に露出するように開口部ＯＰ３３１Ｃを形成する。
　第１層３３０Ａがストッパ膜として作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部ＯＰ３３１Ａを形成することができ、第２層３３０Ｂがストッパ膜として作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部ＯＰ３３１Ｂを形成することができ、第３層３３０Ｃがストッパ膜として作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部ＯＰ３３１Ｃを形成することができる。尚、必要な領域にのみエッチングを施す必要があるので、エッチングを行わない部分には適宜マスクなどを形成するなどして処理を施せばよい。
　また、併せて、層間絶縁膜３３０において導通部３３０に対応する部分に、層間絶縁膜３３０を貫通するように開口部ＯＰ３３３を形成する。例えば、基板３９がストッパとして作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部ＯＰ３３３を形成することができる。
　　［工程－３３０］（図２７参照）
　その後、開口部ＯＰ３３１の部分に反射膜３３１などを形成し、併せて、開口部ＯＰ３３３の部分に導通部３３３を形成する。例えば、開口部を含む全面に銀薄膜をスパッタ法によって形成し、次いで、反射膜３３１の開口部を充填する充填部材３２を形成し、その後、例えばＣＭＰ法を用いて平坦化を行う。
　　［工程－３４０］（図２８、図２９、図３０参照）
　続いて、層間絶縁膜３３０と回路基板２０とを対向させた状態とし（図２８参照）、層間絶縁膜３３０と回路基板２０とを接合する。層間絶縁膜３３０と回路基板２０との表面を活性化し、次いで、表面活性化した物質同士を密着させることによって、原子間力によって層間絶縁膜３３０と回路基板２０とを接合することができる（図２９参照）。次いで、基板３９を除去する（図３０参照）。
　次いで、発光部ＥＬＰなどを、図３１ないし図３４に示す手順で層間絶縁膜３３０上に形成する。
　　［工程－３５０］（図３１参照）
　先ず、層間絶縁膜３３０上に、第１電極４１を形成する。第１電極４１の構成は、上述した［工程－１５０］で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　　［工程－３６０］（図３２参照）
　次いで、第１電極４１と第１電極４１との間に、画素間絶縁膜としての隔壁部５１を形成する。隔壁部５１の構成は、上述した［工程－１６０］で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
　　［工程－３７０］（図３３参照）
　次いで、アノード電極となる第１電極４１上を含む全面に、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層を順次成膜し、白色で発光する有機層６０を形成する。
　　［工程－３８０］（図３４、図３５参照）
　次いで、有機層６０上の全面に、カソード電極となる第２電極７０を形成する。例えば、蒸着法によって銀マグネシウム合金から成る膜を全面に亘って形成することによって、第２電極７０を得ることができる（図３４）。その後、全面に保護膜８０を形成した後、カラーフィルタ９０が形成された対向基板を張り合わせることによって、図２５に示す表示装置３を得ることができる。
　表示装置３においても、反射膜３３１の光反射面と第２電極７０との間（図３５において矢印で示す部分）によって共振器構造が形成される。この部分の距離は、有機層６０、第１電極４１、層間絶縁膜３３０を構成する各層の厚さによって規定される。これらは、それらを形成するプロセス上、高精度な膜厚制御が可能である。したがって、共振器構造のばらつきに起因する発光効率や発光色のばらつきを抑制することができる。
　また、反射膜３３１の光反射面は、層間絶縁膜３３０に金属材料を埋め込むことによって形成されている。従って、光反射面は外気に触れない。このため、反射率は高いが酸化しやすい銀や銀合金といったといった材料も支障なく反射膜３３１の形成材料として用いることができる。
　また、反射膜３３１と第１電極４１との距離が長い画素ほど、層間絶縁膜３３０の積層周期が多くなるため、光の横逃げを低減することができる。逆に、反射膜３３１と第１電極４１との距離が短い画素は、界面による減衰が抑制されるので高効率化が見込める。よって、発光効率が高い色画素は積層数を多くして光の横逃げロスを少なくし、発光効率の低い色画素は積層数を少なくすることで混色を抑制しつつ、複数の発光画素全体で発光効率の最適化を図ることが可能となる。
　以上説明した本開示に係る各種の表示装置によれば、第１電極は層間絶縁膜の上に形成されており、第１電極の下側には層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている。また、第１電極と有機層と第２電極とは積層されている。従って、層間絶縁膜の厚さを適宜設定することによって、有機層と反射膜との位置関係を高精度に設定することができる。
［電子機器］
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
　本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
（具体例１）
　図３６は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図３６Ａにその正面図を示し、図３６Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。
　そして、カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
　上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
（具体例２）
　図３７は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部５１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部５１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
（具体例３）
　図３８は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１は、本体部６１２、アーム６１３および鏡筒６１４で構成される。
　本体部６１２は、アーム６１３および眼鏡６００と接続される。具体的には、本体部６１２の長辺方向の端部はアーム６１３と結合され、本体部６１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡６００と連結される。なお、本体部６１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
　本体部６１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム６１３は、本体部６１２と鏡筒６１４とを接続させ、鏡筒６１４を支える。具体的には、アーム６１３は、本体部６１２の端部および鏡筒６１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒６１４を固定する。また、アーム６１３は、本体部６１２から鏡筒６１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。
　鏡筒６１４は、本体部６１２からアーム６１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ６１１において、本体部６１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。
［その他］
　なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
［Ａ１］
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置であって、
　第１電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
　第１電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
　第１電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
表示装置。
［Ａ２］
　層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ３］
　層間絶縁膜は、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも２種類の層を含んでいる、
上記［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ４］
　層間絶縁膜は、２種類の層が交互に積層されて構成されている、
上記［Ａ３］に記載の表示装置。
［Ａ５］
　反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の層数は、画素の表示色に応じて異なる、
上記［Ａ２］ないし［Ａ４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ６］
　反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の膜厚は、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
上記［Ａ２］ないし［Ａ５］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ７］
　第１電極および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第１電極と反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たす、
上記［Ａ６］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ８］
　反射膜は、層間絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ７］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ９］
　反射膜は金属材料から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ８］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１０］
　反射膜は銀または銀合金から成る、
上記［Ａ９］に記載の表示装置。
［Ａ１１］
　反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている、
上記［Ａ９］に記載の表示装置。
［Ａ１２］
　回路基板は画素を駆動するための駆動回路を備えており、
　第１電極と駆動回路とは電気的に接続されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ１１］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１３］
　第１電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている、
上記［Ａ１２］に記載の表示装置。
［Ｂ１］
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置の製造方法であって、
　基板上に、異なる種類の絶縁材料から成る層が接するように積層されて成る層間絶縁膜を形成する工程と、
　第１電極に対応する層間絶縁膜の領域に、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面の同一面が底部に露出するように、開口部を形成する工程と、
　開口部に反射膜を埋め込む工程と、
　反射膜が埋め込まれた面を回路基板と接合し、次いで、基板を除去する工程と、
　層間絶縁膜上に、第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を形成する工程と、
を有する、
表示装置の製造方法。
［Ｂ２］
　層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る、
上記［Ｂ１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ３］
　層間絶縁膜は、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも２種類の層を含んでいる、
上記［Ｂ２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ４］
　層間絶縁膜は、２種類の層が交互に積層されて構成されている、
上記［Ｂ３］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ５］
　反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の層数は、画素の表示色に応じて異なる、
上記［Ｂ２］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ６］
　反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の膜厚は、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
上記［Ｂ２］ないし［Ｂ５］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ７］
　第１電極および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第１電極と反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たす、
上記［Ｂ６］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ８］
　反射膜は、層間絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ７］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ９］
　反射膜は金属材料から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ８］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１０］
　反射膜は銀または銀合金から成る、
上記［Ｂ９］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１１］
　反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている、
上記［Ｂ９］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１２］
　回路基板は画素を駆動するための駆動回路を備えており、
　第１電極と駆動回路とは電気的に接続されている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ１１］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１３］
　第１電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている、
上記［Ｂ１２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ１］
　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置を備えた電子機器であって、
　表示装置において、
　第１電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
　第１電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
　第１電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
電子機器。
［Ｃ２］
　層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ３］
　層間絶縁膜は、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも２種類の層を含んでいる、
上記［Ｃ２］に記載の電子機器。
［Ｃ４］
　層間絶縁膜は、２種類の層が交互に積層されて構成されている、
上記［Ｃ３］に記載の電子機器。
［Ｃ５］
　反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の層数は、画素の表示色に応じて異なる、
上記［Ｃ２］ないし［Ｃ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ６］
　反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の膜厚は、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
上記［Ｃ２］ないし［Ｃ５］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ７］
　第１電極および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第１電極と反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たす、
上記［Ｃ６］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ８］
　反射膜は、層間絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ７］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ９］
　反射膜は金属材料から成る、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ８］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ１０］
　反射膜は銀または銀合金から成る、
上記［Ｃ９］に記載の電子機器。
［Ｃ１１］
　反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている、
上記［Ｃ９］に記載の電子機器。
［Ｃ１２］
　回路基板は画素を駆動するための駆動回路を備えており、
　第１電極と駆動回路とは電気的に接続されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ１１］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ１３］
　第１電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている、
上記［Ｃ１２］に記載の電子機器。
１，２，３・・・表示装置、１０・・・画素、１１・・・表示領域、２０，２２０・・・回路基板、２１・・・基材、２２・・・ゲート電極、２３・・・ゲート絶縁膜、２４・・・半導体材料層、２５・・・平坦化膜、２６・・・ソース／ドレイン電極、２７・・・平坦化膜、２８，２２８・・・コンタクトプラグ、３０，３３０・・・層間絶縁膜、３０Ａ・・・第１層、３０Ｂ・・・第２層、３０Ｃ・・・第３層、３３０Ａ・・・第１層、３３０Ｂ・・・第２層、３３０Ｃ・・・第３層、３３０Ｄ・・・第４層、３３０Ｅ・・・第５層、３１，３３１，３３１Ａ，３３１Ｂ，３３１Ｃ・・・反射膜、３２，２３２・・・充填部材、３３，３３３・・・導通部、３９・・・基板（シリコンウエハ）、４１・・・第１電極、５１・・・隔壁部、６０・・・有機層、７０・・・第２電極、８０・・・保護膜、９０・・・カラーフィルタ、９１・・・遮光領域、９２・・・フィルタ領域、１００・・・電源部、１０１・・・走査部、１０２・・・データドライバ、４１１・・・カメラ本体部、４１２・・・撮影レンズユニット、４１３・・・グリップ部、４１４・・・モニタ、４１５・・・ビューファインダ、５１１・・・眼鏡形の表示部、５１２・・・耳掛け部、６００・・・眼鏡（アイウェア）、６１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、６１２・・・本体部、６１３・・・アーム、６１４・・・鏡筒

Claims (15)

  1. 　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置であって、
    　第１電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
    　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
    　第１電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
    　第１電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
    表示装置。
  2. 　層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る、
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 　層間絶縁膜は、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも２種類の層を含んでいる、
    請求項２に記載の表示装置。
  4. 　層間絶縁膜は、２種類の層が交互に積層されて構成されている、
    請求項３に記載の表示装置。
  5. 　反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の層数は、画素の表示色に応じて異なる、
    請求項２に記載の表示装置。
  6. 　反射膜と第１電極との間に位置する層間絶縁膜の膜厚は、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
    請求項２に記載の表示装置。
  7. 　第１電極および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第１電極と反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
    ２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
    の条件を満たす、
    請求項６に記載の表示装置。
  8. 　反射膜は、層間絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれている、
    請求項１に記載の表示装置。
  9. 　反射膜は金属材料から成る、
    請求項１に記載の表示装置。
  10. 　反射膜は銀または銀合金から成る、
    請求項９に記載の表示装置。
  11. 　反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている、
    請求項９に記載の表示装置。
  12. 　回路基板は画素を駆動するための駆動回路を備えており、
    　第１電極と駆動回路とは電気的に接続されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  13. 　第１電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている、
    請求項１２に記載の表示装置。
  14. 　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置の製造方法であって、
    　基板上に、異なる種類の絶縁材料から成る層が接するように積層されて成る層間絶縁膜を形成する工程と、
    　第１電極に対応する層間絶縁膜の領域に、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面の同一面が底部に露出するように、開口部を形成する工程と、
    　開口部に反射膜を埋め込む工程と、
    　反射膜が埋め込まれた面を回路基板と接合し、次いで、基板を除去する工程と、
    　層間絶縁膜上に、第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を形成する工程と、
    を有する、
    表示装置の製造方法。
  15. 　第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置を備えた電子機器であって、
    　表示装置において、
    　第１電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第１電極の間には隔壁部が形成されており、
    　第１電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第２電極とが積層されており、
    　第１電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
    　第１電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
    電子機器。
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