JP6318665B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、当該電気光学装置の製造方法、及び当該電気光学装置が搭載された電子機器に関する。

例えば、特定波長の光を増幅させる共振構造を有する有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）装置が提案されている（特許文献１）。特許文献１に記載の有機ＥＬ装置は、画素の発光領域に、低反射膜と、反射膜と、絶縁層と、画素電極と、開口を有する絶縁膜と、発光機能層と、対向電極とが順に積層された構造を有している。発光機能層で発した光は、反射膜と対向電極との間で繰り返し反射され、反射膜と対向電極との間の光路長に対応する共振波長の光の強度が増幅されて、表示光として射出される。

画素電極と対向電極との間に電圧が印加されることによって発光機能層が発光する。ところが、絶縁膜の開口の内側と開口の周縁部とでは、反射膜と対向電極との間の光路長が少なくとも絶縁膜の光学的な距離に相当する長さで異なるため、共振波長（色味）が異なる表示光が射出され、表示の色純度が低下するという不具合が生じる。

このため、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、反射膜を開口の内側に配置して開口の内側の発光機能層で発した光を反射しやすくし、低反射膜を開口の周縁部に配置して開口の周縁部の発光機能層で発した光を反射しにくくすることによって、表示の色純度が低下するという不具合を抑制している。

特開２０１３−１６５０１４号公報

特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、反射膜は、アルミニウムやアルミニウムを主体とする合金などで構成されている。反射膜の上に絶縁層を形成した場合に、絶縁層を形成する際の熱や絶縁層の応力などによって、アルミニウムやアルミニウムを主体とする合金などにヒロックやボイドなどが生じやすい。このため、反射膜の表面凹凸が大きくなり、発光機能層で発した光は反射膜で乱反射され、表示光となる方向に反射されにくく、表示光の輝度が低下するという課題があった。

さらに、反射膜及び低反射膜は、画素毎に島状にパターニングされ、反射膜及び低反射膜による段差が画素毎に生じるため、反射膜の上に形成する絶縁層の膜厚の均一性が悪くなる。このため、反射膜と対向電極との間の光路長の均一性が低下するという課題もあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、複数の画素が配置された電気光学装置であって、前記画素は、第１の方向に順に積層された反射層と、光学的距離調整層と、画素電極と、絶縁膜と、発光機能層と、対向電極と、を有し、前記絶縁膜は、前記画素電極の一部を露出させる開口を有し、前記反射層は、前記複数の画素に跨って配置され、反射率が高い部分と、前記反射率が高い部分よりも反射率が低い部分とを有し、前記反射率が高い部分は、平面視で前記開口の少なくとも一部と重なるように配置されていることを特徴とする。

画素電極と対向電極との間に電圧が印加されると、開口の内側の発光機能層と開口の周縁部の発光機能層とが発光する。発光機能層で発した光は、反射層と対向電極との間で繰り返し反射され、特定の波長（共振波長）に増幅され、表示光として射出される。

開口の内側の少なくとも一部に反射率が高い反射層が配置されているので、開口の内側の発光機能層で発した光は、反射率が高い反射層と対向電極との間で繰り返し反射され、反射層と対向電極との間の光路長に対応した共振波長に増幅され、表示光として射出される。従って、反射層の表面凹凸が大きくなり、表示光となる方向への光の反射が抑制されるという公知技術（特開２０１３−１６５０１４号公報）の課題を解決することができる。

開口の外側（周縁部）に反射率が低い反射層が配置されているので、開口の外側の発光機能層で発した光は、反射されにくく、表示光として射出されにくい。開口の内側と開口の外側とでは、反射層と対向電極との間の光路長が異なるため、共振波長（色味）が異なる光が表示光として射出される。開口の外側の発光機能層で発した光は、表示光として射出されにくいので、開口の内側と異なる共振波長（色味）の表示光による表示の色純度の低下（画質の低下）が抑制され、高画質の表示の電気光学装置を提供することができる。

［適用例２］本適用例に係る電気光学装置は、前記反射層は、前記第１の方向に順に積層された下地膜と反射膜とを有し、前記反射率が高い部分の前記下地膜の構成材料は、チタンであり、前記反射率が低い部分の前記下地膜の構成材料は、窒化チタンまたは酸化チタンであり、前記反射膜の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金であることが好ましい。

開口の内側の反射層は、チタンからなる下地膜と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜とで構成される。かかる構成で反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、下地膜のチタンは反射膜の側に拡散し、光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって、ヒロックやボイドが生じにくくなる。よって、反射層の上に光学的距離調整層を形成しても、開口の内側の反射層は反射率が高い状態を維持し、開口の内側に反射率が高い反射層を配置することができる。

開口の外側の反射層は、窒化チタンまたは酸化チタンからなる下地膜と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜とで構成される。かかる構成で反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、反射膜の側へのチタンの拡散が抑制され、光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって反射層にヒロックやボイドが生じやすくなる。よって、反射層の上に光学的距離調整層を形成すると、反射層の表面凹凸が大きくなり、開口の外側の発光機能層で発した光は表示光となる方向に反射されにくくなる。すなわち、開口の外側に反射率が低い反射層を配置することができる。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射層は、前記第１の方向に順に積層された下地膜と反射膜とを有し、前記下地膜の構成材料は、チタンであり、前記反射膜の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金であり、前記反射率が低い部分の前記下地膜の前記反射膜の側の面は、窒化チタンまたは酸化チタンで覆われていることが好ましい。

開口の内側の反射層は、チタンからなる下地膜と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜とで構成される。かかる構成で反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、下地膜のチタンは反射膜の側に拡散し、光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって反射層にヒロックやボイドが生じにくくなる。よって、反射層の上に光学的距離調整層を形成しても、開口の内側の反射層は反射率が高い状態を維持し、開口の内側に反射率が高い反射層を配置することができる。

開口の外側の反射層は、チタンからなる下地膜と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜とで構成され、下地膜の反射膜の側の面は窒化チタンまたは酸化チタンで覆われている。かかる構成で反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、窒化チタンまたは酸化チタンによって反射膜の側へのチタンの拡散が抑制され、光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって反射層にヒロックやボイドが生じやすくなる。よって、反射層の上に光学的距離調整層を形成すると、反射層の表面凹凸が大きくなり、開口の外側の発光機能層で発した光は表示光となる方向に反射されにくくなる。すなわち、開口の外側に反射率が低い反射層を配置することができる。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射層は、前記第１の方向に順に積層された下地膜と反射膜とを有し、前記下地膜の構成材料は、チタンであり、前記反射膜の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金であり、前記反射率が低い部分の前記下地膜の前記反射膜の側の面には、窒素または酸素が導入されていることが好ましい。

開口の内側の反射層は、チタンからなる下地膜と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜とで構成される。かかる構成で反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、下地膜のチタンは反射膜の側に拡散し、光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって反射層にヒロックやボイドが生じにくくなる。よって、反射層の上に光学的距離調整層を形成しても、開口の内側の反射層は反射率が高い状態を維持し、開口の内側に反射率が高い反射層を配置することができる。

開口の外側の反射層は、チタンからなる下地膜と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜とで構成され、下地膜の反射膜の側の面には、窒素または酸素が導入されている。かかる構成で反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、窒素または酸素によって反射膜の側へのチタンの拡散が抑制され、光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって反射層にヒロックやボイドが生じやすくなる。よって、反射層の上に光学的距離調整層を形成すると、反射層の表面凹凸が大きくなり、開口の外側の発光機能層で発した光は表示光となる方向に反射されにくくなる。すなわち、開口の外側に反射率が低い反射層を配置することができる。

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射層は、前記第１の方向に順に積層された下地膜と反射膜とを有し、前記下地膜は、前記反射率が高い部分に配置され、前記反射膜は、前記反射率が高い部分及び前記反射率が低い部分に配置され、前記下地膜の構成材料は、チタンであり、前記反射膜の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金であることが好ましい。

開口の内側の反射層は、チタンからなる下地膜と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜とで構成される。かかる構成で反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、下地膜のチタンは反射膜の側に拡散し、光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって反射層にヒロックやボイドが生じにくくなる。よって、反射層の上に光学的距離調整層を形成しても、開口の内側の反射層は反射率が高い状態を維持し、開口の内側に反射率が高い反射層を配置することができる。

開口の外側の反射層は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金で構成されているので、反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって反射層にヒロックやボイドが生じやすい。よって、反射層の上に光学的距離調整層を形成すると、反射層の表面凹凸が大きくなり、開口の外側の発光機能層で発した光は表示光となる方向に反射されにくくなる。すなわち、開口の外側に反射率が低い反射層を配置することができる。

［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

上記適用例に記載の電気光学装置では、開口の内側の発光機能層で発した光を反射しやすくし、開口の外側の発光機能層で発した光を反射しにくくし、開口の内側の発光機能層で発した光を反射層と対向電極との間で反射し、特定波長（共振波長）に増幅し、表示光として射出することで、高画質の表示を提供している。従って、上記適用例に記載の電気光学装置を備えた電子機器は、高画質の表示を提供することができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用し、高画質の表示を提供することができる。

［適用例７］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、下地膜と、反射膜と、光学的距離調整層と、画素電極と、前記画素電極を露出する開口を有する絶縁膜と、発光機能層と、対向電極とが、第１の方向に順に積層された画素がマトリクス状に配置された電気光学装置の製造方法であって、チタンを堆積して前記下地膜を形成する工程と、平面視で前記開口の少なくとも一部と重なる保護膜を形成する工程と、前記保護膜で覆われていない部分の前記下地膜に、窒素または酸素を導入する工程と、前記保護膜を除去する工程と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金を堆積して前記反射膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。

チタンを堆積して複数の画素に跨る下地膜を形成した後に、開口の少なくとも一部と重なる部分の下地膜を保護膜で覆い、保護膜で覆われていない部分の下地膜に窒素または酸素を導入する。続いて、保護膜を除去すると、開口の少なくとも一部と重なる部分はチタンであり、開口の少なくとも一部と重なる部分以外は窒素または酸素が導入されたチタンである下地膜を形成することができる。換言すれば、開口の少なくとも一部と重なる部分以外のチタンの表面を窒化または酸化して、窒素または酸素が導入されたチタンである下地膜を形成する。
続いて、下地膜の上にアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜を堆積して、下地膜と反射膜とからなる反射層を複数の画素に股って形成する。

開口の内側の反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、下地膜のチタンは反射膜の側に拡散し、反射膜が光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって変形しにくくなるので、反射層は反射率が高い状態を維持する。すなわち、下地膜がチタンである部分の反射層は、反射率が高い部分となる。

開口の外側の反射層の上に光学的距離調整層を形成した場合に、窒素または酸素によって反射膜の側へのチタンの拡散が抑制され、光学的距離調整層を形成する際の熱や光学的距離調整層の応力などによって、反射層にヒロックやボイドが生じやすくなり、反射層の表面凹凸が大きくなるため、開口の外側の発光機能層で発した光は表示光となる方向に反射されにくくなる。すなわち、下地膜が窒化または酸化されたチタンである部分の反射層は、反射率が低い部分となる。

開口の外側（周縁部）に反射率が低い反射層が配置されるので、開口の外側の発光機能層で発した光は、反射されにくく、表示光として射出されにくい。開口の内側と開口の外側とでは、反射膜と対向電極との間の光路長が異なるため、共振波長（色味）が異なる光が表示光として射出される。開口の外側の発光機能層で発した光は、表示光として射出されにくいので、開口の内側と異なる共振波長（色味）の表示光による表示の色純度の低下（画質の低下）が抑制され、高画質の表示を提供することができる。

さらに、反射層は複数の画素に股って形成されているので、反射層が画素毎に島状にパターニングされている公知技術（特開２０１３−１６５０１４号公報）と比べて、反射層の平坦性を高めることができる。

［適用例８］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記窒素または酸素を導入する工程は、窒素または酸素を含むガスのプラズマに曝す工程であることが好ましい。

保護膜で覆われていない部分の下地膜を、窒素または酸素を含むガスのプラズマに曝すことによって、保護膜で覆われていない部分の下地膜のチタンに窒素または酸素を導入することができる。

［適用例９］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記窒素または酸素を導入する工程は、窒素または酸素をイオン化し、加速し、注入する工程であることが好ましい。

保護膜で覆われていない部分の下地膜に、窒素または酸素をイオン化し、加速し、注入することによって、保護膜で覆われていない部分の下地膜のチタンに窒素または酸素を導入することができる。

［適用例１０］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記窒素または酸素を導入する工程は、窒素または酸素を含む雰囲気の中で熱処理を施す工程であることが好ましい。

保護膜で覆われていない部分の下地膜を、窒素または酸素を含む雰囲気の中で熱処理を施すことによって、保護膜で覆われていない部分の下地膜のチタンに窒素または酸素を導入することができる。

実施形態１に係る表示装置の構成を示す斜視図。 実施形態１に係る表示装置の電気的な構成を示す等価回路図。 図１の表示領域Ａ−Ａ’線に沿った表示パネルの概略断面図。 図３の破線で囲まれた領域Ｃの概略断面図。 反射層と光学的距離調整層とが積層された構造における光の波長と光の反射率との関係を示す図。 反射層と光学的距離調整層とが積層された構造における表面形状の状態を示す図。 実施形態２に係る表示パネルの概略断面図。 本実施形態に係る表示パネルの製造方法を示す工程フロー。 各工程を経た後の状態を示す概略断面図。 実施形態３に係る表示パネルの概略断面図。 ヘッドマウントディスプレイの概略図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「表示装置の概要」
図１は、実施形態１に係る表示装置の構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る表示装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
まず、図１及び図２を参照して、表示装置１の概要を説明する。

本実施形態に係る表示装置１は、電気光学装置の一例であり、後述する発光素子１６（図２参照）を有する画素１１がマトリクス状に配列された自発光型の表示装置である。

図１に示すように、表示装置１は、表示パネル５、フレキシブル基板２８などから構成されている。表示パネル５は、表示領域１０を備えている。図１の右上に拡大して示すように、表示領域１０には、赤色（Ｒ）に発光する画素（Ｒ画素）１１Ｒ、緑色（Ｇ）に発光する画素（Ｇ画素）１１Ｇ、及び青色（Ｂ）に発光する画素（Ｂ画素）１１Ｂがストライプ状に配列されている。これらＲ画素１１Ｒ、Ｇ画素１１Ｇ、及びＢ画素１１Ｂに対応する３つの画素１１が表示単位１２となって、フルカラーの表示が提供される。

以下、フレキシブル基板２８に近接した側の表示パネル５の１辺に沿った方向をＸ方向とする。当該１辺と交差し互いに対向する他の２辺に沿った方向をＹ方向とする。Ｘ方向及びＹ方向に直交し、表示パネル５の厚さ方向をＺ方向とする。
なお、Ｚ方向は、本発明における「第１の方向」の一例である。

表示パネル５は、フルカラーの表示を提供する表示体であり、素子基板３０及び封止基板７０などを有している。

素子基板３０は、画素１１がＸ方向及びＹ方向にマトリクス状に配列された表示領域１０、画素１１を駆動する駆動回路（走査線駆動回路２４、データ線駆動回路２５）などを備えている。走査線駆動回路２４は、素子基板３０のＹ方向に延びる辺の少なくとも一方と、表示領域１０との間に配置されている。データ線駆動回路２５は、素子基板３０のフレキシブル基板２８が貼り合わされた側の辺と表示領域１０との間に配置されている。

素子基板３０の一辺は、封止基板７０から突出し、この突出した領域にフレキシブル基板２８が貼り合わされている。フレキシブル基板２８には、駆動用ＩＣ２９が設けられ、走査線駆動回路２４及びデータ線駆動回路２５を駆動する信号や電源などが、素子基板３０に供給されている。

図２に示すように、表示領域１０には、複数の走査線２１がＸ方向に延在し、複数のデータ線２２及び電源供給線２３がＹ方向に延在して、配置されている。走査線２１は走査線駆動回路２４に接続され、データ線２２はデータ線駆動回路２５に接続されている。走査線２１及びデータ線２２は互に交差し、走査線２１及びデータ線２２で区画された領域に画素１１が形成されている。

画素１１には、スイッチング用トランジスター１３、保持容量１５、駆動用トランジスター１４、及び発光素子１６などが形成されている。走査線駆動回路２４から走査線２１を介して走査信号がスイッチング用トランジスター１３のゲートに供給され、スイッチング用トランジスター１３がオン状態になると、データ線駆動回路２５からデータ線２２及びスイッチング用トランジスター１３を介して、保持容量１５に信号が供給される。保持容量１５に保持された信号は、駆動用トランジスター１４のゲートに供給され、駆動用トランジスター１４がオン状態になると、電源供給線２３から駆動用トランジスター１４を介して電流が画素電極３４に流れ、画素電極３４の電圧（電位）Ｖｐが変化する。換言すれば、電源供給線２３から駆動用トランジスター１４を介して画素電極３４に表示信号（電圧Ｖｐ）が供給されている。また、画素電極３４に供給される表示信号は、保持容量１５に保持されるデータ線駆動回路２５からの信号によって変化する。その結果、画素電極３４の電圧Ｖｐが変化するようになっている。

発光素子１６は、画素電極３４、発光機能層３６、及び対向電極３７で構成されている。対向電極３７には、画素電極３４の電圧Ｖｐよりも小さい基準電圧（例えば、０Ｖ）が供給されている。つまり、対向電極３７の電圧Ｖｏは０Ｖ一定電圧となっている。その結果、発光機能層３６には、画素電極３４と対向電極３７との間で、画素電極３４の電圧Ｖｐが印加されている。

発光機能層３６は、発光する閾値電圧（最低電圧）Ｖｔｈを有している。画素電極３４の電圧Ｖｐが閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくなると、発光機能層３６が発光する。また、画素電極３４の電圧Ｖｐが大きくなるに従って、発光素子１６を流れる電流が増加し、発光機能層３６で発した光の輝度が大きくなる。

「表示パネルの概要」
図３は、図１の表示領域Ａ−Ａ’線に沿った表示パネルの概略断面図である。また、図中の矢印は各画素１１からＺ方向に射出される表示光の状態を示している。
以下、図３を参照して、表示パネル５の概要を説明する。

図３に示すように、表示パネル５では、素子基板３０、封止基板７０が、Ｚ方向に順に積層されている。表示パネル５で発した光は、Ｚ方向に射出される。つまり、表示パネル５はトップエミッション構造を有している。

素子基板３０では、素子基板本体３１、反射層３２、光学的距離調整層３３、画素電極３４、絶縁膜３５、発光機能層３６、対向電極３７、封止層３９、及びカラーフィルター５０が、Ｚ方向に順に積層されている。

素子基板本体３１は、シリコン基板に、走査線２１、データ線２２、電源供給線２３、走査線駆動回路２４、データ線駆動回路２５、スイッチング用トランジスター１３、保持容量１５、及び駆動用トランジスター１４（図２参照）などが、公知技術によって形成された半導体基板である。
なお、素子基板本体３１は、石英基板やガラス基板などの透光性基板に信号線や薄膜トランジスターなどが形成された構成を有していてもよい。

反射層３２は、後述するように、発光機能層３６で発した光を反射する一対の反射層の中の一方の反射層である。反射層３２は、複数の画素１１に跨って表示領域１０の全域に配置されている。図示を省略するが、反射層３２は画素１１毎に開口を有し、当該開口の内側に駆動用トランジスター１４と画素電極３４とを電気的に接続するコンタクトが形成されている。

光学的距離調整層３３は、透光性の絶縁材料で構成された絶縁層である。Ｒ画素１１Ｒの光学的距離調整層３３は、Ｚ（＋）方向に順に積層された第１絶縁膜３３−１と第２絶縁膜３３−２と第３絶縁膜３３−３とで構成される。Ｇ画素１１Ｇの光学的距離調整層３３は、Ｚ（＋）方向に順に積層された第１絶縁膜３３−１と第２絶縁膜３３−２とで構成される。Ｂ画素１１Ｂの光学的距離調整層３３は、第１絶縁膜３３−１で構成される。

つまり、第１絶縁膜３３−１は、Ｒ画素１１Ｒ、Ｇ画素１１Ｇ、及びＢ画素１１Ｂに股って配置され、第２絶縁膜３３−２はＲ画素１１Ｒ及びＧ画素１１Ｇに跨って配置され、第３絶縁膜３３−３はＲ画素１１Ｒに配置されている。その結果、光学的距離調整層３３の膜厚は、Ｒ画素１１Ｒ、Ｇ画素１１Ｇ、及びＢ画素１１Ｂの順に小さくなる。
本実施形態では、第１絶縁膜３３−１を窒化シリコンで構成し、第２絶縁膜３３−２及び第３絶縁膜３３−３を酸化シリコンで構成している。

画素電極３４は、発光機能層３６に正孔を供給するための電極である。画素電極３４は、光透過性を有し、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透光性材料で形成され、反射層３２と平面的に重なり、画素１１毎に島状に配置されている。

絶縁膜３５は、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの透光性絶縁膜であり、画素電極３４の周縁部を覆って形成されている。絶縁膜３５は、画素１１毎に画素電極３４を露出させる開口３５ＣＴを有している。開口３５ＣＴで露出された部分の画素電極３４は、発光機能層３６に接し、発光機能層３６に正孔を供給し、発光機能層３６が発光する。つまり、開口３５ＣＴが形成された領域が、画素１１の発光領域となる。このように、絶縁膜３５は、画素１１の発光領域を規定し、隣り合う画素電極３４同士を電気的に絶縁する役割を有している。
図３におけるＢ１は、開口３５ＣＴが設けられた領域であり、以降、開口領域Ｂ１と称す。図３におけるＢ２は、開口３５ＣＴが設けられていない領域であり、以降、非開口領域Ｂ２と称す。

発光機能層３６は、表示領域１０を覆って形成されている。発光機能層３６は、赤色、緑色及び青色の光を発する有機発光層を有している。有機発光層は、単層でもよいし、複数の層（例えば、電流が流れると主に青色で発光する青色発光層と、電流が流れると赤色と緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成されていてもよい。図示を省略するが、発光機能層３６は、有機発光層のほかに、正孔輸送層、正孔注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの層を有していてもよい。

対向電極３７は、表示領域１０を覆うように配置され、発光機能層３６に電子を供給するための電極であり、発光機能層３６で発した光を反射する一対の反射層の中の他方の反射層である。対向電極３７は、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。

このように、素子基板３０は、発光機能層３６で発した光を反射する一対の反射層（反射層３２、対向電極３７）を有し、反射層３２と対向電極３７との間に透光性材料（光学的距離調整層３３、画素電極３４、発光機能層３６）が配置されている。そして、反射層３２と対向電極３７との間の光学的距離は、画素１１毎に特定波長域の光を共振させる光路長に設定されている。詳しくは、透光性材料（光学的距離調整層３３、画素電極３４、発光機能層３６）の光学的距離は、光学的距離調整層３３の膜厚を調整することによって、Ｒ画素１１Ｒでは赤色（Ｒ）の光を共振させる光路長、Ｇ画素１１Ｇでは緑色（Ｇ）光を共振させる光路長、及びＢ画素１１Ｂでは青色（Ｂ）光を共振させる光路長に設定されている。

その結果、Ｒ画素１１Ｒから赤色（Ｒ）の光が表示光としてＺ方向に射出される。Ｇ画素１１Ｇから緑色（Ｇ）の光が表示光としてＺ方向に射出される。Ｂ画素１１Ｂから青色（Ｂ）の光が表示光としてＺ方向に射出される。

封止層３９は、対向電極３７の側から順に積層された第１封止層３９−１と、平坦化層３９−２と、第２封止層３９−３とで構成され、発光素子１６を覆い、素子基板３０の略全面に設けられている。

第１封止層３９−１及び第２封止層３９−３は、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。

平坦化層３９−２は、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。平坦化層３９−２は、第１封止層３９−１の欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。

封止層３９の上には、カラーフィルター５０が形成されている。カラーフィルター５０は、Ｒ画素１１Ｒに設けられた赤色の着色層５２Ｒと、Ｇ画素１１Ｇに設けられた緑色の着色層５２Ｇと、Ｂ画素１１Ｂに設けられた青色の着色層５２Ｂとで構成される。

樹脂層７１は、素子基板３０と封止基板７０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。

封止基板７０は、透光性の絶縁基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。封止基板７０は、表示領域１０に配置された発光素子１６が傷つかないように保護する役割を有している。

「表示パネルの特徴」
図４は、図３の破線で囲まれた領域Ｃの概略断面図、つまり青色の光を発する画素の概略断面図である。図４では、封止層３９の図示が省略されている。図４における実線の矢印は、開口領域Ｂ１で特定波長に増幅される表示光Ｌ１の状態を示している。図４における破線の矢印は、非開口領域Ｂ２で特定波長に増幅される表示光Ｌ２の状態を示している。
以下に、図４を参照して表示パネル５の特徴の詳細を説明する。

表示パネル５（表示装置１）の特徴は、反射層３２にある。
図４に示すように、反射層３２は、Ｚ方向に順に積層された下地膜３２−１と反射膜３２−２とで構成される。さらに、下地膜３２−１は、第１下地膜３２−１ａと第２下地膜３２−１ｂとで構成される。第１下地膜３２−１ａは、開口領域Ｂ１に配置されている。第２下地膜３２−１ｂは、非開口領域Ｂ２に配置されている。反射膜３２−２は、下地膜３２−１を覆うように、開口領域Ｂ１及び非開口領域Ｂ２の両方に配置されている。
このように、Ｚ方向に順に積層された下地膜３２−１と反射膜３２−２とで、複数の画素１１に跨って表示領域１０の全域に配置された反射層３２が設けられている。

画素電極３４は、画素１１毎に島状に配置されている。発光機能層３６及び対向電極３７は、複数の画素１１に跨って表示領域１０の全域に配置されている。
開口領域Ｂ１において、画素電極３４の電圧Ｖｐは、Ｚ方向及びＺ方向と交差する方向に伝搬される。Ｚ方向に伝搬される画素電極３４の電圧Ｖｐが閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくなると、開口領域Ｂ１の内側に配置される発光機能層３６が発光する。Ｚ方向と交差する方向に伝搬される画素電極３４の電圧Ｖｐが閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくなると、非開口領域Ｂ２に配置される発光機能層３６、つまり開口領域Ｂ１の周縁部の発光機能層３６が発光する。

このように、画素電極３４の電圧Ｖｐが大きくなると、開口領域Ｂ１の内側に配置された発光機能層３６に加えて、開口領域Ｂ１の周縁部に配置された発光機能層３６も発光する。さらに、開口領域Ｂ１の周縁部（非開口領域Ｂ２）では、開口領域Ｂ１に近付くほど、発光機能層３６が発する光の輝度が高くなる。

開口領域Ｂ１の反射層３２と対向電極３７との間には、光学的距離調整層３３と画素電極３４と発光機能層３６とからなる透光性材料が配置されている。開口領域Ｂ１の周縁部（非開口領域Ｂ２）の反射層３２と対向電極３７との間には、光学的距離調整層３３と画素電極３４と絶縁膜３５と発光機能層３６とからなる透光性材料が配置されている。このため、開口領域Ｂ１の周縁部（非開口領域Ｂ２）における透光性材料の光路長（膜厚）は、開口領域Ｂ１における透光性材料の光路長（膜厚）よりも大きくなる。

Ｂ画素１１Ｂにおいて、開口領域Ｂ１の反射層３２と対向電極３７との間の透光性材料（光学的距離調整層３３、画素電極３４、発光機能層３６）の光学的距離は、青色（Ｂ）の光を共振させる光路長に設定されている。このため、開口領域Ｂ１の発光機能層３６で発せられた光は、反射層３２と対向電極３７との間で繰り返し反射され、特定波長の光（青色（Ｂ）の光）が増幅され、表示光Ｌ１としてＺ方向に射出される。

上述したように、開口領域Ｂ１の周縁部（非開口領域Ｂ２）における透光性材料の光路長（膜厚）は、開口領域Ｂ１における透光性材料の光路長（膜厚）よりも大きい。このため、Ｂ画素１１Ｂにおいて、開口領域Ｂ１の周縁部の発光機能層３６で発せられた光は、反射膜３２−２と対向電極３７との間で繰り返し反射され、開口領域Ｂ１の表示光Ｌ１（青色（Ｂ）の光）よりも長波長の光に増幅され、表示光Ｌ２としてＺ方向に射出される。すなわち、開口領域Ｂ１の周縁部（非開口領域Ｂ２）では、表示光Ｌ１よりも長波長の表示光Ｌ２が発せられる。このため、Ｂ画素１１Ｂで発せられる光（青色（Ｂ）の光）の色純度（色味）が変化する。

Ｒ画素１１Ｒ及びＧ画素１１Ｇにおいても、Ｂ画素１１Ｂと同様に、開口領域Ｂ１の周縁部（非開口領域Ｂ２）の発光機能層３６が発光する。非開口領域Ｂ２のＲ画素１１Ｒでは、赤色（Ｒ）の光よりも長波長の表示光Ｌ２が発せられ、Ｒ画素１１Ｒで発せられる赤色（Ｒ）の光の色純度（色味）が変化する。非開口領域Ｂ２のＧ画素１１Ｇでは、緑色（Ｇ）の光よりも長波長の表示光Ｌ２が発せられ、Ｇ画素１１Ｇで発せられる緑色（Ｇ）の光の色純度（色味）が変化する。

上述したように、開口領域Ｂ１の反射層３２では、第１下地膜３２−１ａと反射膜３２−２とが積層されている。非開口領域Ｂ２の反射層３２では、第２下地膜３２−１ｂと反射膜３２−２とが積層されている。第１下地膜３２−１ａの構成材料は、チタンである。第２下地膜３２−１ｂの構成材料は、窒化チタンまたは酸化チタンである。反射膜３２−２の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金である。
つまり、開口領域Ｂ１の反射層３２は、チタンと、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金とが積層された構成を有している。非開口領域Ｂ２の反射層３２は、窒化チタンまたは酸化チタンと、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金とが積層された構成を有している。

詳細は後述するが、かかる構成によって非開口領域Ｂ２の反射層３２の反射率を、開口領域Ｂ１の反射層３２の反射率よりも低くすることができる。すなわち、開口領域Ｂ１の反射層３２は高い反射率を有し、非開口領域Ｂ２の反射層３２は低い反射率を有している。
なお、第１下地膜３２−１ａと反射膜３２−２とが積層された部分の反射層３２は、本発明における「反射率が高い部分の反射層」である。第２下地膜３２−１ｂと反射膜３２−２とが積層された部分の反射層３２は、本発明における「反射率が低い部分の反射層」である。

非開口領域Ｂ２では、開口領域Ｂ１と比べて反射層３２の反射率が低いので、反射層３２と対向電極３７との間で繰り返し反射され、Ｚ方向に射出される表示光Ｌ２の輝度が弱められ、画素１１で発せられる光（表示光Ｌ１）の色純度（色味）の変化が小さくなる。

第１下地膜３２−１ａと反射膜３２−２とが積層された部分の反射層３２、すなわち反射率が高い部分の反射層３２は、開口領域Ｂ１の少なくとも一部に配置されている構成が好ましい。仮に、反射率が高い部分の反射層３２が、非開口領域Ｂ２に張り出して配置されていると、非開口領域Ｂ２でＺ方向に射出される表示光Ｌ２の輝度が高められ、画素１１で発せられる光（表示光Ｌ１）の色純度（色味）の変化が大きくなるので、好ましくない。

このように、表示装置１（表示パネル５）は、反射層３２と光学的距離調整層３３と画素電極３４と絶縁膜３５と発光機能層３６と対向電極３７とがＺ方向に順に積層された画素１１を有している。絶縁膜３５は、画素電極３４を露出させる開口３５ＣＴを有している。反射層３２は、複数の画素１１に跨って配置され、反射率が高い部分と、反射率が低い部分とを有している。反射率が高い部分の反射層３２は、開口領域Ｂ１の少なくとも一部に配置されている。

さらに、反射層３２は、Ｚ方向に順に積層された下地膜３２−１と反射膜３２−２とを有している。反射率が高い部分の下地膜３２−１（第１下地膜３２−１ａ）の構成材料はチタンであり、反射率が低い部分の下地膜３２−１（第２下地膜３２−１ｂ）の構成材料は、窒化チタンまたは酸化チタンである。さらに、反射膜３２−２の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金である。

かかる構成によって、開口領域Ｂ１の周縁部（非開口領域Ｂ２）の発光機能層３６が発光することによる悪影響（色味の変化）を小さくし、高画質の表示を提供することができる。

「反射層の反射特性」
図５は、反射層と光学的距離調整層とが積層された構造における光の波長と光の反射率との関係を示す図である。図６は、反射層と光学的距離調整層とが積層された構造における表面形状の状態を示す図である。

図５では、縦軸は光の反射率であり、横軸は光の波長である。なお、反射率とは、Ｚ方向に入射する光の輝度に対する、Ｚ方向に反射された光の輝度の割合である。図６では、光干渉顕微鏡によって測定された表面形状が図示され、縦軸は基準面に対する表面の高さ（Ｚ方向の寸法）であり、横軸は測定範囲（Ｚ方向と交差する方向の長さ）である。なお、横軸は、最大測定範囲を１として、規格化されている。

さらに、図５及び図６（ａ）における条件１は、第１下地膜３２−１ａ（チタン）と、反射膜３２−２（アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金）と、第１絶縁膜３３−１（窒化シリコン）とが順に積層された構成を有している。つまり、条件１は、Ｂ画素１１Ｂにおける開口領域Ｂ１に対応する。

図５及び図６（ｂ）における条件２は、第２下地膜３２−１ｂ（窒化チタンまたは酸化チタン）と、反射膜３２−２（アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金）と、第１絶縁膜３３−１（窒化シリコン）とが順に積層された構成を有している。つまり、条件２は、Ｂ画素１１Ｂにおける非開口領域Ｂ２に対応する。

図５に示すように、条件２の構造における反射率（非開口領域Ｂ２の反射層３２の反射率）は、条件１の構造における反射率（開口領域Ｂ１の反射層３２の反射率）と比べて小さくなっている。

図６に示すように、条件２の構造の表面凹凸の最大値は、６ｎｍよりも大きい。条件１の構造の表面凹凸の最大値は、概略３〜４ｎｍである。つまり、条件２の構造は、条件１の構造と比べて表面凹凸が大きい。この表面凹凸の差が、図５に示す反射率の差になっているものと考えられる。つまり、条件２の構造では、条件１の構造と比べて表面凹凸が大きいため光の乱反射が発生しやすく、Ｚ方向に反射される光（反射光）の輝度が小さくなったものと考えられる。

なお、図示を省略するが、第１絶縁膜３３−１を設けずに第１下地膜３２−１ａと反射膜３２−２とが積層された構造における反射率は、条件１の構造（第１下地膜３２−１ａと反射膜３２−２と第１絶縁膜３３−１とが積層された構造）の反射率と同等であった。

すなわち、第１下地膜３２−１ａと反射膜３２−２とが積層された反射層３２の上に第１絶縁膜３３−１を形成しても、反射層３２の反射率は変化せず、高い反射率の状態が維持される。一方、第２下地膜３２−１ｂと反射膜３２−２とが積層された反射層３２の上に第１絶縁膜３３−１を形成すると、反射層３２の反射率が低下する。

条件１では、チタンからなる第１下地膜３２−１ａの上に、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜３２−２が積層されている。条件２では、窒化チタンまたは酸化チタンからなる第２下地膜３２−１ｂの上に、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜３２−２が積層されている。
反射膜３２−２は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金を、スパッタ法で成膜して形成されている。成膜温度は、概略１００〜２００℃である。第１絶縁膜３３−１は、プラズマＣＶＤを用いて窒化シリコンを成膜して形成されている。窒化シリコンの成膜温度は、概略４００〜６００℃の温度である。

条件１では、第１下地膜３２−１ａの構成材料であるチタンが、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金を成膜する際の熱処理（概略１００〜２００℃）や、窒化シリコンを成膜する際の熱処理（概略４００〜６００℃）によって、反射膜３２−２の側に拡散し、反射膜３２−２がチタンを含む合金に変化したものと考えられる。その結果、第１絶縁膜３３−１を成膜する際の熱処理（概略４００〜６００℃）や第１絶縁膜３３−１の応力などによって、反射膜３２−２にヒロックやボイドなどが生じにくくなり、図５及び図６に示すように反射率及び表面凹凸の変化が抑制されたものと考えられる。

このように、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金で構成される反射膜３２−２の下に、チタンで構成される第１下地膜３２−１ａを配置することによって、反射膜３２−２にヒロックやボイドが生じにくくなる。よって、反射膜３２−２の上に第１絶縁膜３３−１を形成しても、反射膜３２−２は高い反射率の状態を維持するものと考えられる。

条件２では、第２下地膜３２−１ｂが窒化チタンまたは酸化チタンで構成されているので、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金を成膜する際の熱処理（概略１００〜２００℃）や、窒化シリコンを成膜する際の熱処理（概略４００〜６００℃）によって、チタンが反射膜３２−２の側に拡散しにくくなるものと考えられる。すなわち、条件２の反射膜３２−２は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金の状態（アズデポの状態）を維持し、第１絶縁膜３３−１を成膜する際の熱処理（概略４００〜６００℃）や第１絶縁膜３３−１の応力などによって、反射膜３２−２にヒロックやボイドなどが生じやすくなり、図５及び図６に示すように反射率の低下や表面凹凸の増大を招くものと考えられる。

このように、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金で構成される反射膜３２−２の下に、窒化チタンまたは酸化チタンで構成される第２下地膜３２−１ｂを配置すると、反射膜３２−２にヒロックやボイドが生じやすくなる。よって、反射膜３２−２の上に第１絶縁膜３３−１を形成すると、反射層３２の表面凹凸が大きくなり、反射層３２の反射率が低下するものと考えられる。

このように、発明者は、反射膜３２−２の下に設ける下地膜３２−１の構成材料によって、反射膜３２−２（反射層３２）の反射率の変化が異なるという事実を見出した。
すなわち、反射膜３２−２の下にチタンで構成された第１下地膜３２−１ａを設けると、反射膜３２−２の上に第１絶縁膜３３−１を形成しても反射層３２の反射率は変化しにくく、高い反射率の状態を維持する。従って、アルミニウムまたはアルミニウムを主体とする合金で構成された反射膜の上に絶縁層を形成した場合に、反射膜で反射される表示光の輝度が低下するという公知技術（特開２０１３−１６５０１４号公報）の課題を解決することができる。

さらに、反射膜３２−２の下に窒化チタンまたは酸化チタンで構成された第２下地膜３２−１ｂを設けると、反射層３２は低い反射率の状態に変化する。従って、非開口領域Ｂ２における光の反射が小さくなり、非開口領域Ｂ２の発光機能層３６が発光することによる悪影響（色味の変化）を小さくし、高画質の表示を提供することができる。

（実施形態２）
「表示パネルの概要」
図７は、図４に対応する図であり、実施形態２に係る表示パネルの概略断面図である。
以下に、図７を参照して、本実施形態に係る表示パネルの概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

本実施形態は、実施形態１と比べて下地膜３２−１の構成が異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
図７に示すように、反射層３２は、Ｚ方向に順に積層された下地膜３２−１と反射膜３２−２とで構成される。さらに、下地膜３２−１は、第１下地膜３２−１ａと第３下地膜３２−１ｃとで構成される。

第１下地膜３２−１ａは、チタンで構成され、開口領域Ｂ１及び非開口領域Ｂ２の両方、つまり表示領域１０の全域に配置されている。第３下地膜３２−１ｃは、窒素が導入されたチタン（窒化チタン）で構成され、非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａの上（Ｚ（＋）方向）に配置されている。

すなわち、非開口領域Ｂ２の下地膜３２−１は、チタンからなる第１下地膜３２−１ａと、窒素が導入されたチタン（窒化チタン）からなる第３下地膜３２−１ｃとで構成される。開口領域Ｂ１の下地膜３２−１は、チタンからなる第１下地膜３２−１ａで構成される。この点が実施形態１との相違点である。

非開口領域Ｂ２において、下地膜３２−１の反射膜３２−２と接する側の面を、窒素が導入されたチタン（窒化チタン）からなる第３下地膜３２−１ｃとすることによって、アルミニウムを成膜する際の熱処理（概略１００〜２００℃）や第１絶縁膜３３−１を成膜する際の熱処理（概略４００〜６００℃の熱処理）によって、反射膜３２−２の側にチタンが拡散しにくくなり、反射膜３２−２がチタンを含む合金に変化しにくくなる。従って、反射膜３２−２の上に第１絶縁膜３３−１を形成すると、第１絶縁膜３３−１を成膜する際の熱処理（概略４００〜６００℃）や第１絶縁膜３３−１の応力などによって、反射膜３２−２にヒロックやボイドなどが生じやすくなり、非開口領域Ｂ２における反射層３２の反射率が低下する。

従って、非開口領域Ｂ２における光の反射が小さくなり、非開口領域Ｂ２の発光機能層３６が発光することによる悪影響（色味の変化）を小さくし、高画質の表示を提供することができる。すなわち、非開口領域Ｂ２の下地膜３２−１が、窒化チタンまたは酸化チタンからなる第２下地膜３２−１ｂである実施形態１と同じ効果を得ることができる。

「表示パネルの製造方法」
図８は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法を示す工程フローである。図９は、図３に対応する図であり、図８に示す各工程を経た後の状態を示す概略断面図である。
以下に、図８及び図９を参照して、表示パネルの製造方法の概要を説明する。

図８に示すように、本実施形態に係る表示パネル５を製造する工程は、第１下地膜３２−１ａを形成する工程（ステップＳ１）と、保護膜４１を形成する工程（ステップＳ２）と、第１下地膜３２−１ａに窒素を導入する工程（ステップＳ３）と、保護膜４１を除去する工程（ステップＳ４）と、反射膜３２−２を形成する工程（ステップＳ５）と、を含んでいる。

ステップＳ１では、図９（ａ）に示すように、例えばスパッタ法で素子基板本体３１の上にチタンを成膜し、第１下地膜３２−１ａを形成する。素子基板本体３１には平坦化処理が施されているので、素子基板本体３１の上に平坦な第１下地膜３２−１ａが、表示領域１０の全域に形成される。

ステップＳ２では、図９（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤで第１下地膜３２−１ａの上に酸化シリコンを成膜し、フォトレジストをエッチングマスクとし、例えばフッ素ガスを用いたドライエッチングで非開口領域Ｂ２に形成された酸化シリコンを除去し、開口領域Ｂ１の少なくとも一部を覆う保護膜４１を形成する。保護膜４１は、Ｒ画素１１Ｒ、Ｇ画素１１Ｇ、及びＢ画素１１Ｂの開口領域Ｂ１に形成される。つまり、開口領域Ｂ１の第１下地膜３２−１ａは保護膜４１で覆われ、非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａは保護膜４１で覆われず、露出している。

ステップＳ３では、図９（ｃ）に示すように、窒素ガスを用いたプラズマに曝し、非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａに窒素を導入し、窒素が導入されたチタン（窒化チタン）からなる第３下地膜３２−１ｃを第１下地膜３２−１ａの上に形成する。すなわち、非開口領域Ｂ２に、第１下地膜３２−１ａと第３下地膜３２−１ｃとで構成された下地膜３２−１を形成する。
詳しくは、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマ装置を用いて、窒素及び水素の混合ガスをプラズマ化して、Ｎ２⁺などの窒素分子励起種を発生させ、窒素分子励起種Ｎ２⁺を非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａに照射する。その結果、非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａの表面が窒化されて、第１下地膜３２−１ａの上に窒素が導入されたチタン（窒化チタン）からなる第３下地膜３２−１ｃが形成される。開口領域Ｂ１の第１下地膜３２−１ａは、保護膜４１で覆われているので窒素が導入されず、チタンの状態を維持する。

ステップＳ３では、保護膜４１で覆われていない非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａを窒化して、窒素が導入されたチタン（窒化チタン）からなる第３下地膜３２−１ｃを形成する。第１下地膜３２−１ａの一部（第１下地膜３２−１ａの表面）を窒化するので、第３下地膜３２−１ｃが形成された部分の下地膜３２−１と、第３下地膜３２−１ｃが形成されていない部分の下地膜３２−１との境界に形成される段差は軽微であり、下地膜３２−１は平坦性が損なわれることはない。

ＥＣＲプラズマ装置は、ＲＦ電源を用いたプラズマ装置と比べてプラズマの高密度化を図ることができるので、第１下地膜３２−１ａへの窒素の導入（プラズマ窒化）がより円滑に進行する。さらに、水素は、窒素分子励起種Ｎ２⁺の密度を高める効果を有する。
なお、ＲＦ（Radio Frequency）電源を用いたプラズマ装置を用いて、窒素ガスのプラズマ処理を施してもよい。

ステップＳ４では、図９（ｄ）に示すように、例えばフッ素ガスを用いたドライエッチングで保護膜４１を除去する。その結果、チタンからなる第１下地膜３２−１ａと、窒素が導入されたチタン（窒化チタン）からなる第３下地膜３２−１ｃとで構成された下地膜３２−１が非開口領域Ｂ２に形成され、チタンからなる第１下地膜３２−１ａで構成された下地膜３２−１が開口領域Ｂ１に形成される。

ステップＳ５では、図９（ｅ）に示すように、例えばスパッタ法でアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とした合金を成膜し、反射膜３２−２を形成する。その結果、Ｚ方向に下地膜３２−１と反射膜３２−２とが積層された反射層３２が形成される。下地膜３２−１は平坦であるので、平坦性に優れた反射層３２を形成することができる。

さらに、平坦性に優れた反射層３２の上に形成される第１絶縁膜３３−１（光学的距離調整層３３）、画素電極３４、発光機能層３６も平坦であり、膜厚の均一性に優れる。すなわち、反射層が画素毎に島状にパターニングされている公知技術（特開２０１３−１６５０１４号公報）と比べて、本実施形態の製造方法で形成された反射層３２は、平坦性に優れている。さらに、反射層３２と対向電極３７との間に配置される透光性材料（光学的距離調整層３３、画素電極３４、発光機能層３６）の光路長（膜厚）の均一性も良くなり、反射膜３２−２と対向電極３７との間の光路長に対応する共振波長の均一性を良くすることができる。

（実施形態３）
図１０は、図４に対応する図であり、実施形態３に係る表示パネルの概略断面図である。
以下に、図１０を参照して、本実施形態に係る表示パネルの概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

本実施形態は、実施形態１と比べて反射層３２の構成が異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
図７に示すように、開口領域Ｂ１の反射層３２は、Ｚ方向に順に積層された第１下地膜３２−１ａと反射膜３２−２とで構成される。非開口領域Ｂ２の反射層３２は、反射膜３２−２だけで構成される。

第１下地膜３２−１ａは、チタンで構成され、開口領域Ｂ１だけに配置されている。反射膜３２−２は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金で構成され、開口領域Ｂ１及び非開口領域Ｂ２の両方、つまり表示領域１０の全域に配置されている。
非開口領域Ｂ２の反射層３２が、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金だけで構成されている点が、実施形態１との主な相違点である。

開口領域Ｂ１では、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金で構成される反射膜３２−２の下に、チタンで構成される第１下地膜３２−１ａを配置されているので、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金にヒロックやボイドが生じにくくなり、反射膜３２−２の上に第１絶縁膜３３−１を形成しても、開口領域Ｂ１の反射層３２は高い反射率の状態を維持する。

非開口領域Ｂ２では、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜３２−２だけが配置されているので、第１絶縁膜３３−１を形成する工程での熱処理や第１絶縁膜３３−１の応力などで、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる反射膜３２−２にヒロックやボイドが生じやすくなり、非開口領域Ｂ２の反射層３２の反射率が低下する。よって、非開口領域Ｂ２の発光機能層３６が発光することによる悪影響（色味の変化）を低減することができる。

（実施形態３）
「電子機器」
図１１は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１１に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上記実施形態に係る表示パネルあるいは表示装置のいずれかが搭載されている。上記実施形態に係る表示パネル（表示装置）では、非開口領域Ｂ２の反射層３２の反射率が低く光の反射が抑制されているので、非開口領域Ｂ２の発光機能層３６が発光することによる悪影響（色味の変化）が小さくなり、高画質の表示が提供される。従って、表示部１００１に上記実施形態に係る表示パネル（表示装置）のいずれかを搭載することで、高画質の表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

なお、上記実施形態に係る表示パネル（表示装置）のいずれかが搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。

本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）
実施形態２における窒素を導入する工程（ステップＳ３）は、イオン注入装置を用いて、窒素をイオン化し、加速し、非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａ（第１下地膜３２−１ａの表面）に窒素を注入する工程であってもよい。

窒素をイオン化し、加速し、非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａに窒素イオンを注入する方法では、第１下地膜３２−１ａに導入される窒素の濃度は、深さ方向に徐々に低くなる。すなわち、窒素イオンが照射される面（第１下地膜３２−１ａの表面）の側で窒素の濃度が高く、窒素イオンが照射される面から遠くなるに従って窒素の濃度が低くなる。
かかる構成によっても、反射膜３２−２や第１絶縁膜３３−１を形成する工程での熱処理で、チタンが反射膜３２−２の側に拡散しにくくなるという実施形態２と同じ効果を得ることができる。

（変形例２）
実施形態２における窒素を導入する工程（ステップＳ３）は、窒素を含むガスの中で熱処理を施す工程であってもよい。窒素を含むガスの中で熱処理を施すことによっても、非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａ（第１下地膜３２−１ａの表面）を窒化することができる。
このように、実施形態２における窒素を導入する工程（ステップＳ３）は、反射膜３２−２と接する側に窒化チタンまたは窒素を含むチタンを形成することが可能な工程であればよい。

（変形例３）
実施形態２における窒素を導入する工程（ステップＳ３）は、窒素に代えて酸素を導入する工程であってもよい。つまり、非開口領域Ｂ２の第１下地膜３２−１ａ（第１下地膜３２−１ａの表面）に酸素を導入し、反射膜３２−２と接する側に酸化チタンまたは酸素が導入されたチタンを形成してもよい。当該方法によっても、反射膜３２−２や第１絶縁膜３３−１を形成する工程での熱処理で、チタンが反射膜３２−２の側に拡散しにくくすることができる。つまり、反射膜３２−２と接する側に酸化チタンまたは酸素が導入されたチタンを配置することによっても、反射膜３２−２と接する側に窒化チタンまたは窒素が導入されたチタンを配置した場合と同じ効果を得ることができる。

第１下地膜３２−１ａに酸素を導入する工程は、第１下地膜３２−１ａを酸素を含むガスのプラズマに曝す工程であってもよい。さらに、第１下地膜３２−１ａに酸素を導入する工程は、酸素をイオン化し、加速し、第１下地膜３２−１ａに注入する工程であってもよい。さらに、第１下地膜３２−１ａに酸素を導入する工程は、酸素雰囲気で熱処理を施す工程であってもよい。

１…表示装置、５…表示パネル、１０…表示領域、１１…画素、１１Ｒ…Ｒ画素、１１Ｇ…Ｇ画素、１１Ｂ…Ｂ画素、１２…表示画素、１３…スイッチング用トランジスター、１４…駆動用トランジスター、１５…保持容量、１６…発光素子、２１…走査線、２２…データ線、２３…電源供給線、２４…走査線駆動回路、２５…データ線駆動回路、２８…フレキシブル基板、２９…駆動用ＩＣ、３０…素子基板、３１…素子基板本体、３２…反射層、３２−１…下地膜、３２−１ａ…第１下地膜、３２−１ｂ…第２下地膜、３２−１ｃ…第３下地膜、３２−２…反射膜、３３…光学的距離調整層、３３−１…第１絶縁膜、３３−２…第２絶縁膜、３３−３…第３絶縁膜、３４…画素電極、３５…絶縁膜、３５ＣＴ…開口、３６…発光機能層、３７…対向電極、３９…封止層、３９−１…第１封止膜、３９−２…平坦化膜、３９−３…第２封止膜、４１…保護膜、５０Ｒ…赤の着色層、５０Ｇ…緑の着色層、５０Ｂ…青の着色層、７０…封止基板、７１…樹脂層。

Claims (9)

1. 複数の画素が配置された電気光学装置であって、
   前記画素は、第１の方向に順に積層された反射層と、光学的距離調整層と、画素電極と、絶縁膜と、発光機能層と、対向電極と、を有し、
   前記絶縁膜は、前記画素電極の一部を露出させる開口を有し、
   前記反射層は、前記複数の画素に跨って配置され、第１の部分と、前記第１の部分よりも反射率が低い第２の部分とを有し、
   前記第１の部分は、平面視で前記開口の少なくとも一部と重なるように配置され、
   前記反射層は、前記第１の方向に順に積層された下地膜と反射膜とを有し、
   前記第１の部分の前記下地膜の構成材料は、チタンであり、
   前記第２の部分の前記下地膜の構成材料は、窒化チタンまたは酸化チタンであり、
   前記反射膜の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金であることを特徴とする電気光学装置。
2. 複数の画素が配置された電気光学装置であって、
   前記画素は、第１の方向に順に積層された反射層と、光学的距離調整層と、画素電極と、絶縁膜と、発光機能層と、対向電極と、を有し、
   前記絶縁膜は、前記画素電極の一部を露出させる開口を有し、
   前記反射層は、前記複数の画素に跨って配置され、第１の部分と、前記第１の部分よりも反射率が低い第２の部分とを有し、
   前記第１の部分は、平面視で前記開口の少なくとも一部と重なるように配置され、
   前記反射層は、前記第１の方向に順に積層された下地膜と反射膜とを有し、
   前記下地膜の構成材料は、チタンであり、
   前記反射膜の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金であり、
   前記第２の部分の前記下地膜の前記反射膜の側の面は、窒化チタンまたは酸化チタンで覆われていることを特徴とする電気光学装置。
3. 複数の画素が配置された電気光学装置であって、
   前記画素は、第１の方向に順に積層された反射層と、光学的距離調整層と、画素電極と、絶縁膜と、発光機能層と、対向電極と、を有し、
   前記絶縁膜は、前記画素電極の一部を露出させる開口を有し、
   前記反射層は、前記複数の画素に跨って配置され、第１の部分と、前記第１の部分よりも反射率が低い第２の部分とを有し、
   前記第１の部分は、平面視で前記開口の少なくとも一部と重なるように配置され、
   前記反射層は、前記第１の方向に順に積層された下地膜と反射膜とを有し、
   前記下地膜の構成材料は、チタンであり、
   前記反射膜の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金であり、
   前記第２の部分の前記下地膜の前記反射膜の側の面には、窒素または酸素が導入されていることを特徴とする電気光学装置。
4. 複数の画素が配置された電気光学装置であって、
   前記画素は、第１の方向に順に積層された反射層と、光学的距離調整層と、画素電極と、絶縁膜と、発光機能層と、対向電極と、を有し、
   前記絶縁膜は、前記画素電極の一部を露出させる開口を有し、
   前記反射層は、前記複数の画素に跨って配置され、第１の部分と、前記第１の部分よりも反射率が低い第２の部分とを有し、
   前記第１の部分は、平面視で前記開口の少なくとも一部と重なるように配置され、
   前記反射層は、前記第１の方向に順に積層された下地膜と反射膜とを有し、
   前記下地膜は、前記第１の部分に配置され、
   前記反射膜は、前記第１の部分及び前記第２の部分に配置され、
   前記下地膜の構成材料は、チタンであり、
   前記反射膜の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金であることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
6. 下地膜と、反射膜と、光学的距離調整層と、画素電極と、前記画素電極を露出する開口を有する絶縁膜と、発光機能層と、対向電極とが、第１の方向に順に積層された画素がマトリクス状に配置された電気光学装置の製造方法であって、
   チタンを堆積して前記下地膜を形成する工程と、
   平面視で前記開口の少なくとも一部と重なる保護膜を形成する工程と、
   前記保護膜で覆われていない部分の前記下地膜に、窒素または酸素を導入する工程と、
   前記保護膜を除去する工程と、
   アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金を堆積して前記反射膜を形成する工程と、
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 前記窒素または酸素を導入する工程は、窒素または酸素を含むガスのプラズマに曝す工程であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 前記窒素または酸素を導入する工程は、窒素または酸素をイオン化し、加速し、注入する工程であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記窒素または酸素を導入する工程は、窒素または酸素を含む雰囲気の中で熱処理を施す工程であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。

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