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WO2019012495A1 - 計測装置 - Google Patents

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Publication number
WO2019012495A1
WO2019012495A1 PCT/IB2018/055196 IB2018055196W WO2019012495A1 WO 2019012495 A1 WO2019012495 A1 WO 2019012495A1 IB 2018055196 W IB2018055196 W IB 2018055196W WO 2019012495 A1 WO2019012495 A1 WO 2019012495A1
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WO
WIPO (PCT)
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substrate
alignment
station
measurement
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/IB2018/055196
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
ビジネン，フランシスカス，ゴデフリドゥス，キャスパー
淳一 金原
ケイ，ステファン，カルロス，ヤコブス，アントニウス
マタール，トーマス，オウガスタス
ギルス，ペトルス，フランシスカス ヴァン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Priority to US16/629,990 priority Critical patent/US11105619B2/en
Priority to CN201880046374.3A priority patent/CN110869855B/zh
Priority to CN202411725363.1A priority patent/CN119620563A/zh
Publication of WO2019012495A1 publication Critical patent/WO2019012495A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US17/412,525 priority patent/US11874103B2/en
Priority to US18/536,402 priority patent/US20240151520A1/en
Ceased legal-status Critical Current

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    • H10P72/0606—
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
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    • G—PHYSICS
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    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7034—Leveling
    • G—PHYSICS
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    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
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    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
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    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7096—Arrangement, mounting, housing, environment, cleaning or maintenance of apparatus
    • H10P72/0618—
    • H10P72/33—
    • H10P72/50—

Definitions

  • the first aspect of the invention relates to: an alignment measurement device and a method for measuring the position of alignment marks on a substrate,
  • a second aspect of the invention relates to a lithographic apparatus and a substrate stage handler 'system.
  • a third aspect of the present invention relates to a measuring device.
  • a lithography tool is a machine that applies a desired pattern to a substrate, usually to the gate portion of the substrate.
  • RI-laserized devices can be used to manufacture integrated circuits (1C).
  • a patterning device alternatively referred to as a mask or reticle, may be used to generate the circuit pattern to be formed on each layer of IC.
  • This pattern can be copied onto the target portion (eg, including one or several die) on a substrate (eg, silicon panel).
  • the pattern fe 3 ⁇ 4 is usually formed by imaging a layer of radiation sensitive material (resist) provided on the substrate.
  • one substrate includes a network of adjacent tongue portions that are sequentially patterned, etc., Conventional lithography It is possible to pattern the entire pattern.
  • a so-called stepper in which each target portion is illuminated by one exposure to light, and a synchronous scanning of the substrate parallel or antiparallel to a given direction (the “scan” direction) It includes so-called scanners and so on, where each target portion is illuminated by scanning a single dot with a radiation beam in a given direction ("scan" direction). Printing is also possible by copying the pattern from the patterning device to the substrate.
  • the lithography tool B comprises an alignment measurement system for measuring the positions of alignment marks provided on the substrate. Measuring the positions of these alignment marks The position and / or deformation of the substrate may be determined relative to the substrate table holding the a ⁇ By this measured position and / or deformation of the substrate, the patterned radiation beam on the target portion of the substrate may be determined.
  • the lithographic apparatus can position the substrate at a desired position relative to the projection system and / or the patterning device '::.
  • gun-shots of patterned radiation beams on the target portion of the substrate can be aligned with one another.
  • Overlay performance ie alignment of the gun projection of the patterned radiation beam onto the target portion of the substrate, is an important factor in the product quality of devices manufactured using lithography equipment.
  • Overlay performance may be enhanced, for example, by measuring substantially more alignment marks on the substrate.
  • the alignment grid may include high frequency components of distortion that can be well compensated by measuring a larger number of alignment marks.
  • measuring more alignment marks will increase the alignment measurement time, which will have a limiting impact on the production performance of the lithographic apparatus.
  • Patent text Japanese Patent Application; 2 0 0
  • Patent Document Japanese Patent Application Laid-Open No. 20 1
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 200
  • Patent Document 4 International Publication No. 0-.
  • the object of the present invention is to measure a large number of alignment marks and / or.
  • Apparatus and method for determining the position of a plurality of alignment marks on a substrate which can better cope with variations between boards and / or stacks of substrates and / or layers of substrates. Or to provide a method.
  • a single integrated measuring (inspection) apparatus provided with a plurality of grave board stages capable of measuring (inspecting) a plurality of types of characteristics of the nucleus is provided. It is to be. In short, it is to improve the throughput performance and / or economics (for example, which can be recognized in terms of cost of ownership, product ⁇ rating or ffi area) of the overall measuring device and inspection device.
  • a single integrated measuring (inspection) apparatus provided with a plurality of grave board stages capable of measuring (inspecting) a plurality of types of characteristics of the nucleus. It is to be. In short, it is to improve the throughput performance and / or economics (for example, which can be recognized in terms of cost of ownership, product ⁇ rating or ffi area) of
  • the first alignment sensor system for measuring the position of the first number of alignment marks on the S plate, and the first level sensor for measuring the height map of the upper surface of the substrate With one station,
  • a second alignment sensor system for measuring the position of the second number of alignment marks on the substrate, and a second level sensor for measuring the height map of the upper surface of the tomb plate With two stages,
  • a movable substrate table constructed to hold a substrate, wherein the substrate table is arranged to move to a first station and a second station, comprising: movable substrate table-
  • An alignment measurement device is provided to measure the position of the alignment mark on the substrate.
  • a support constructed to support a patterning device, wherein the patterning device is capable of patterning the cross-sectional surface of the radiation beam to form a patterned radiation beam.
  • a projection system configured to project a patterned radiation beam onto a target portion of the substrate
  • An alignment measuring device according to claim 1;
  • the substrate is held by the same substrate table in the first and second stages,
  • a method for measuring the order of alignment marks on a 3 ⁇ 4 board including
  • the substrate table holds the substrate at the first station and / or the second station.
  • a device manufacturing method includes projecting a patterned radiation beam onto the S-cone.
  • a patterning device support for supporting the patterning device
  • An alignment sensor system for measuring the position of several alignment marks on the 3 ⁇ 4 board and / or a level 'sensor for measuring the height map of the upper surface of the substrate
  • the first device is equipped with a glow unit for copying a pattern from a butterfly device to t: board
  • First board table, second ! A substrate for moving each of the plate table and the third substrate table within a plane movement area between at least a first stage, a second stage and a second stage: Table position third quarter system,
  • a lithographic apparatus is provided,
  • a first cable connection is provided between the first substrate table and the first couple connection support, and a second cable connection is provided between the second substrate tepple and the second cable connection support.
  • a cable connection is provided and a third cable connection is provided between the third board table and the third cable connection support,
  • a first linear guide is provided to guide the first cable connection support and the third cable connection support on the first side of the plane movement zone, and the first side and the other side flat swing On the second side of the area, a second liner is provided to guide the second cable connection support.
  • a first measuring device A first measuring device
  • a first substrate stage configured to hold a first substrate and / or a second substrate, and a second substrate configured to hold the first substrate and / or the second substrate
  • a first substrate configured to handle a stage and a first substrate and / or a second substrate.
  • a second substrate handler configured to handle the first substrate and / or the second substrate
  • the first substrate is selected from the first F O U P (F ro n t-O e n i n Un i e i d e P d), the second F O U P or the third F O U P,
  • the second substrate is loaded with a first FOUP, a second FO: P or a third FOUP, and the first measuring device is: an alignment measuring device,
  • the second measuring device is a rapel sensor, a film thickness measuring device, or a spectral reflectance measuring device.
  • FIG. 1 shows a lithographic apparatus S according to an aspect of the present invention.
  • Fig. 2 is a schematic view of a lithography system according to an embodiment of the present invention.
  • Fig. 3 is a schematic view of an alignment measurement apparatus according to an embodiment of the present invention. is there
  • Figure 4 I shows a substrate staging 'handler' system according to a first embodiment of an aspect of the present invention.
  • FIG. 5 A side view showing one of the lithography apparatus.
  • FIG. 6 shows a second embodiment of an aspect of the present invention, showing a base stage 'handler, system.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a substrate stage ′ handler system according to a third embodiment of the present invention.
  • Fig. 8 is a diagram showing a 1; board stage-handler 'system involved in the fourth embodiment of the aspect of the present invention.
  • FIG. 1 schematically depicts a resource package S which may be part of a lithography system according to an embodiment of the present invention.
  • the lithography equipment comprises an illumination system I L, a support structure ,, a substrate table, and a projection system PS.
  • the illumination system IL is configured to adjust the radiation beam.
  • the support structure e.g., a mask table
  • the patterning device e.g., a mask
  • the substrate substrate WT (for example,., U: r.-'H: table) is configured to hold the grave board W (for example, resist sheet 1), and the specific parameter is selected.
  • the throwing system PS projects the pattern imparted to the radiation beam B by the bumping device MA onto the target portion C of the substrate 'W (eg including one or more dies) Configured-[0 0 2 2]
  • Lighting system IL is a K-fold, reflection system for S® guiding, shaping or controlling radiation. It can include various types of optical components, such as magnetic, electromagnetic, electrostatic, or optical components of the & type, or any combination thereof.
  • the term "radiation beam” is used not only for particle beams such as ion beams or electron beams, but also (for example, 3 6 5 sim, 3 5 5 n .m, 2 4 8 nm, Ultraviolet (UV) radiation with 9 3 nm, 1 5 7 ⁇ ⁇ ⁇ or 1 2 6 nm, or wavelengths around it, and Extreme ultraviolet (eg with a wavelength in the range of 5 nm to 20 nm) It covers all types of electromagnetic radiation, including optical (EUV) radiation.
  • EUV optical
  • the support structure MT supports the patterning device MA, i.e. supports it.
  • Support structure MT holds the patterning device according to the direction of the patterning device MA, the condition of the design of the lithography device, and the method depending on whether or not the butter Jung device MA is held in a vacuum environment.
  • the support structure MT can use mechanical, vacuum, electrostatic or other clamping techniques to hold the patterning device MA.
  • the support structure M T may be, for example, a frame or a table, which may be fixed or movable as required. The support structure M T can ensure that the patterning device M A is at a desired position, for example with respect to the projection system PS.
  • the term "battering device", K can be used to apply a pattern to the cross-section of the radiation beam B, so as to produce a pattern on the tongue portion C of the substrate W. It should be interpreted broadly to refer to any device where: The pattern imparted to the radiation beam ⁇ is, in fact, if the pattern contains a phase shift or a so-called assist feature. It should be noted that the desired pattern in the target portion C of the plate W may not exactly correspond to the desired pattern: In general, the butterfly applied to the radiation beam
  • ---> Complies with the specific functional layers of the device generated on the target part C, such as integrated circuits.
  • the patterning device ⁇ may be transmissive or reflective.
  • Examples of Butter Jung devices include masks, puffer maple mirrors, and window gromble LCD panels.
  • Masks are known as W in the lithography, and include mask types such as binary masks, Levenson 3 ⁇ 4 (a tern ternat ⁇ ng) phase shift masks, and 3 ⁇ 4 (attenuated) phase shift masks.
  • various hybrid mask types are also included.
  • programmable mirrors a matrix arrangement of small mirrors can be used, each of which can be individually tilted so as to reflect an incoming radiation beam in different directions. The tilted mirror '' provides a pattern of radiation reflected by the mirror matrix.
  • projection system refers, for example, to the exposure radiation used, or other factors such as the use of immersion liquid or the use of a vacuum, as appropriate, It should be interpreted broadly as covering any type of projection system, including systems, catadioptric systems magneto-optical systems, electro-magnetic systems and electrostatic optics systems, or any combination thereof.
  • the device is of a transmissive type (eg, using a transmissive mask).
  • the device may be a reflective type (for example using a programmer pull mirror of the type as mentioned above or using a reflective mask) I ⁇ '.
  • the lithography apparatus may be of a type having two (dual stage) or more substrate tables WT (and Pino or two or more mask tapers). In such "multi-stage" machines, additional tables may be used to run or one or more other tables
  • the pre-process can be carried out with one or more of the following while using for exposure.
  • the lithographic apparatus may be arranged such that the substrate table WT is positioned below the projection system PS when it is far away from S. It can have Instead of supporting the substrate w, the measurement stage may be provided with a sensor for measuring the characteristics of the lithographic apparatus.
  • the projection system can :: project an image onto a sensor on a measurement stage to determine the image quality.
  • the lithographic apparatus may be of a type wherein at least a portion of the substrate W may be covered by a liquid having a relatively high refractive index, such as water, so as to fill a space between the projection system and the substrate.
  • the immersion liquid may also be suitable for other vacancies in the lithographic apparatus, such as, for example, a spatula Jung device!
  • Immersion techniques are well known in the art for increasing the numerical aperture of projection systems.
  • immersion j does not mean that a structure, such as a substrate W, has to be submerged in the liquid, but rather that liquid is present between the projection system PS and the substrate W during exposure. It is a meaning.
  • the illumination system IL receives a radiation beam from a radiation source SO.
  • the radiation source So and the lithography equipment may be separate groove elements, for example when the radiation source so is an excimer laser. In such cases, the radiation source is not considered to form part of the lithographic shock, and the radiation beam B is for example with the aid of a beam delivery system BD equipped with suitable guided mirrors and Z or beam expanders.
  • Radiation source SO passed to the illumination system IL.
  • the source S O may be an integral part of the lithography apparatus, for example when the source S ⁇ is a mercury lamp.
  • the source S O and the illumination system ⁇ L can be referred to as a radiation system along with a beam delivery system B D as needed.
  • the illumination system IL may comprise an agitator AD for adjusting the angular intensity distribution of the radiation beam.
  • an agitator AD for adjusting the angular intensity distribution of the radiation beam.
  • adjust the outer and Z or inner semi-diameter range ffl of the intensity distribution in the pupil plane of the illumination system (-generally called ff ... o u 1; e r and ⁇ ... i n e n r respectively):! It is possible.
  • the lighting system I L may also be equipped with various other components, such as an integrator I IN and a capacitor C O.
  • the illumination system I L may be used to adjust the radiation beam to achieve the desired uniformity and intensity distribution across the cross section.
  • the radiation beam: B is incident on the bat- tery Jung device MA, which is held on the support structure ⁇ ', and is patterned by the patterning device ⁇ ⁇ .
  • the radiation beam B traversing the patterning device ⁇ passes through the projection system PS, which focuses the beam onto a target portion C of the substrate W.
  • Second positioner PW and position sensor: ⁇ F (with an interferometer device, linear encoder — or capacitive sensor if it is F), to use a plate table WT, for example, to radiate various target spots C -Move accurately to position in the path of the mochi.
  • a position sensor (not explicitly shown in FIG. 1) of the first positioner ⁇ ⁇ and ⁇ (not shown in FIG.
  • butter may be applied to the path of the radiation beam ⁇ after mechanical removal from the mask library or during scanning etc.
  • the positioning device ⁇ ⁇ can be positioned accurately.
  • movement of the support structure can be realized with the help of the long stroke module and the short track module that form part of the first position PM.
  • the long-stitch module can provide coarse positioning of the shock-proof module across the broad range of movement ::. C; i- 'Toss-A spider can provide fine positioning of the support structure MT relative to the long-stitch ⁇ -square module over a small range of travel.
  • movement of the graveboard table WT may be realized using a gating module that forms part of the second positioner P W and a 3 '-toss loke module. In the case of step
  • the support structure MT may be connected only to the short stroke actuator or may be measured (as opposed to a scanner).
  • mask alignment markers M 1 and M 2 and substrate alignment markers P 1 and P 2 are used for the Putter-Engue Device (for example, mask) MA and substrate W. Can be aligned.
  • the S plate alignment marks P 1 and P 2 as shown occupy the dedicated target portion but may be positioned in the space between the four target portions (Scribe line 'image mark Well-known as) ,, as well
  • the mask alignment marks M 1 and M 2 may be arranged on the die.
  • the graphics equipment shown can be used in at least one of the following modes:
  • step mode ⁇ so-called support structure MT and substrate table WT, while being held in a stationary state in the S main, the entire pattern imparted to the radiation beam B Is projected onto the target portion C at one time (ie, single static exposure).
  • the> substrate table "WT is moved in the X and / or Y direction so that another target portion C can be exposed.
  • step mode depending on the maximum size of the exposure field The size of the target portion C where the image is formed by static exposure is limited:.
  • the support structure MT and the S-plate table WT are scanned synchronously ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ Is projected onto target part C (ie, single dynamic exposure).
  • the velocity and direction of the S-plate table W T relative to the support structure M T can be determined by the (de-) magnification and image reversal characteristics of the projection system P S.
  • the maximum size of the exposure field limits the width (in the non-scan direction) of the a- portion in dynamic exposure, and the length of the scan operation (in the scan direction) The height is determined.
  • the support structure MT holds the programmable patterning device and is basically kept in the grave state, and the radiation beam B is moved or scanned while the substrate wafer WT is moved or scanned. Project the given pattern onto the target part C.
  • a pulsed radiation source is generally used to update the programmable pattern device as needed between successive radiation pulses as the base table WT is moved, or between scans. Do.
  • This operation mode can be easily used for maskless lithography that uses programmable pull-patterning devices such as the above-mentioned types of programmable mirror.
  • a combination of the above-mentioned modes of use and Z or its type may be used, or a completely different mode of use may be used.
  • the lithography apparatus of the present invention may be equipped with an alignment measurement system for measuring the position of the alignment mark provided on the S-plate. By measuring the positions of these alignment marks P 3 and p 2, the position of the grave board W relative to the substrate table WT can be determined.
  • the lithographic apparatus may be configured to perform the projection system PS and / or the patterning device M on the actual projection of the patterned radiation beam onto the target portion of the substrate. Can be positioned at a desired position. In this way, successive projections of the radiation beam on the target portion C of the grid plate W can be aligned with one another. Overlay performance, ie alignment of the continuous projection of the patterned radiation beam onto the target 'C' portion of substrate W, is important in the product quality of devices manufactured using lithography equipment. It is a factor.
  • Overlay performance may, for example, be substantially more It can be improved by measuring the alignment score.
  • the S-plate alignment grid measures a large number of alignment marks :: and may contain high-frequency components of distortion that can be successfully corrected.
  • measuring more alignment marks will increase the alignment time and will have a limiting effect on the production performance of the lithography system.
  • the substrate is subjected to multiple processing steps, such as layer deposition, etching, and annealing.
  • processing steps such as layer deposition, etching, and annealing.
  • the influence of these processing steps on the over-laying performance of the lithography process is also significant, as a result of which, in general, fluctuations occur between the substrates and / or stacks of substrates and / or layers of S-plates. Become.
  • FIG. 2 shows a lithography system according to an embodiment of the present invention.
  • the lithography system is equipped with a lithography system LA, an alignment measurement system KAMA, and a substrate handler SH.
  • the lithographic apparatus L A may be the same as or substantially the same as the linkage device shown in FIG.
  • the alignment measurement device AMA is provided as a separate device that can be used to measure a large number of alignment marks without directly affecting the production performance of the R & D equipment KLA.
  • a substrate handler SH is provided to transfer the substrate W between the alignment measurement device AM A and the lithography-equipped SLA.
  • a substrate handler (not shown) may be provided.
  • the substrate handler SH may be any device capable of transferring the S-plate W from the alignment measurement unit AMA to the lithography unit LA.
  • the substrate handler SH may include a grid bar contacting the lower side of the substrate, one or more robot's and / or a chuck that holds the substrate on the upper surface of the S plate.
  • Good. Berne-Ichuck is described in H. D. 200 13. 0 2 0 3 Ban Fret, which is incorporated herein by reference.
  • multiple alignment measurement devices AMA may be provided, coupled to the lithography device LA via one or more substrate handlers SH. As a result, the production performance of the lithography system is less dependent on the output of the alignment measurement system »AMA.
  • a device having one alignment measurement device AMA and one or more S ⁇ handlers SH may be referred to as a measurement device S.
  • FIG. 3 shows in more detail an embodiment of the layout system i! AMA.
  • the alignment measurement device AMA is arranged to measure a plurality of alignment marks provided on the substrate W.
  • an alignment instrument KAMA includes a system 'Faraments' system with one or more FIA (Field I mage ⁇ ⁇ g EI ment) sensors.
  • the substrate 'alignment' system of ::. Is similar to the alignment measurement system described above (for measuring the position of alignment markers provided on a substrate in a lithographic apparatus). Similar-'may do'.
  • the alignment measurement device AMA is not limited to the position of the alignment mark provided in the exposure field ⁇ (or between the dies) on the plate.
  • the exposure field on 3 ⁇ 4 plate (or the die) may be measured over one Reima one click provided t, also;
  • Araimento measuring device AMA is ⁇ Lai placement marks and Z or provided on a substrate
  • the asymmetry of the alignment mark and / or the overlay mark may be measured.
  • the alignment measurement unit KAMA includes a first substrate label (substrate stage) WT 1 and a second substrate table (substrate stage) WT 2.
  • the first substrate table WT 1 and the second plate table 'WT 2 are each configured to support the treatment plate of the tomb plate W in the alignment measuring device AMA.
  • the first substrate table WT 1 and the second substrate T 2, and the two substrates W supported by the bull WT 2 are respectively the first FOUP, the second FOUP or the third FOUP. You can get it from "-".
  • a second positioning system POS 1 is deposited to determine the first substrate table WT 1 in the desired position, and a second positioning system POS 2 is positioned on the second substrate table.
  • the e- first positioning system POS 1 and the second positioning system POS 2 provided to position the WT 2 in the desired position are supported on the base frame B: F.
  • the first positioning system PO S 1 and the second positioning system POS 2 are equipped with a numerical system and a positioning system [1] for positioning the 3 ⁇ 4 in the desired position in 6 degrees of freedom.
  • the measuring device is supported by the iffi torsion support V S on the ba 'f le: B F, further comprising a metric f e
  • Araimento Koboshijo device AM A includes: a first station ST 1 ⁇ beauty second ⁇ comprising Suteshiyo down ST 2 to ⁇ grave plate W, the first substrate table WT 1 and a second substrate tape Because the WT 2 can move between the first station ST 1 and the second station ST 2, the first substrate table WT 1 and the second tombstone are removed.
  • the substrate W supported on one of the WT 2 can be processed within the first station ST 1 and / or the second station S′ ⁇ 2. Therefore, the first substrate table WT 1 and the second substrate table W @ are sequentially processed in the first station S ⁇ 1 and subsequently in the second station S ⁇ ⁇ ⁇ 2. There is no need to transfer the substrate W in question 2.
  • a substrate handler (not shown in FIG. 3) may be provided to pick up the substrate W from the plate substrate WT 1 and / or the second substrate table WT 2;
  • the second station ST 2 is provided with a second alignment sensor AS 2 and / or a second level sensor LS 2.
  • the first alignment sensor AS 1 is, for example, a single FIA (F ie 1 d I mae A 1 ignment) sensor or, alternatively, the first alignment sensor AS i is a US patent application which is incorporated by reference into the present patent application US 2 00 9/0 2 3 3 2 3 A plurality of FIA sensors may be provided as disclosed in No. 4 A 1.
  • Second alignment sensor AS 2 may be configured in the same manner as the first alignment sensor AS 1 or The second alignment sensor AS 2 may be provided with an alignment sensor of a type different from the first alignment sensor AS 1.
  • the first (legel sensor LS 1, the first alignment sensor AS 1, second level sensor LS 2, and / or second In order to receive the sensor signals of the alignment sensor AS 2 and to process these sensor signals, a processing PU is provided:
  • the processing unit PU comprises a first positioning system POS 1 and a second positioning system. It can also be arranged to control the positioning system POS2.
  • Further devices or systems may, for example, be provided in the first stage and / or in the second stage, the first level sensor LS 1, the second level sensor LS 2, the second level sensor LS 2, the second level sensor LS 2.
  • the first exposure tool EU 1, the second exposure unit EU 2, the laser exposure unit LAU ; and the Z or over lay sensor OS may be included.
  • Additional devices or systems may include additional alignment sensors, such as the third alignment sensor AS3 and the fourth alignment sensor AS4.
  • An apparatus in which the further device or system comprises one or more exposures 2 y can be referred to as a lithography apparatus.
  • a device which does not include an exposure switch in the system can be referred to as a measuring device or an inspection device ::.
  • the essential difference between the lithographic apparatus and the measuring apparatus * inspection apparatus is the presence or absence of the exposure unit, and the lithographic apparatus and the measuring apparatus * the inspection apparatus are similar, one or more alignments. It may be equipped with a measuring device AMA, single or multiple graveboard tables, and single or multiple base drums.
  • each of Shisuchimu ⁇ can Se'aya sense Yuni' preparative PU, can receive the ⁇ data from a further device or system Ryuni' preparative PU, and / or, processing Interview two y preparative PU Will be able to send instructions to each device or system.
  • FIG. 3 shows an embodiment of such a configurable alignment measurement device AMA.
  • the alignment measurement device AMA comprises a first level sensor 'LS 1 in a first station ST 1 and a second level sensor LS 2 in a second station ST 2.
  • LS 2 is provided to reconcile at least a portion of the height map on the top surface of the substrate W.
  • the height map may be provided in the second station ST 2
  • the second alignment sensor AS 2 can be used to position the substrate W more optimally with respect to the adjustment device.
  • the alignment measurement apparatus AMA may be provided with a film thickness measurement device and / or a spectral reflectance measurement device. If, on the other hand, the film thickness measuring device may be provided in the station ST:!
  • the spectral reflectance measuring device may be provided in the second station ST2.
  • the first alignment sensor AS 1 is provided in the first stage ST 1
  • the film thickness measurement device / spectroscopic reflectance measurement device * is provided in the second stage ST 2.
  • the alignment measurement device AMA may be referred to as a weighing device.
  • the measuring device may be equipped with one or more alignment sensors AS-, one or more level sensors, one or more film thickness measuring devices, and Z or i spectral reflectance measuring devices S .
  • the film thickness measurement S is, for example, the entire surface of the substrate as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2 0 0 5 0 5 5 5 which is also incorporated by reference. It may be a film thickness measuring device capable of measuring the film thickness distribution at high speed. Instead of the spectral reflectance measurement device, for example, a spectral reflectance prediction as disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 2 0 0 6 0 4 3 3 3 which is incorporated herein by reference. Devices may be used. In addition, the special feature that shall be included in the main story by citation.
  • the film thickness measuring device may be provided with a spectral reflectance measuring device as shown in FIG.
  • one or more scans can be performed on the top surface of each substrate W.
  • the top surface can be completely scanned by the first level sensor LSI to obtain the full height of the substrate W.
  • the top surface of the substrate W is only partially scanned at the relevant portion of the substrate W.
  • the height level may be the position of the substrate W with respect to the second alignment sensor AS 2.
  • decisions can only be made for small areas where alignment marks are provided. By thus optimizing the position of the alignment mark with respect to the second alignment sensor A S 2, the measurement performance of the second alignment sensor A S 2 is improved.
  • the alignment measurement device A M A may comprise a laser 'abundance' L A U within the first station S T 1.
  • This layer 'A' 'A' '' 'Sin' unit '' is provided locally on the substrate W for the re-shaping process, in particular in the PI case of the alignment mark. It can be used to force one quarter of the resist layer.
  • Some types of alignment sensors degrade alignment measurement performance when measurements must be performed through the resist layer.
  • some types of resist layers used in the manufacture of devices are opaque. Opaque layers are often used, for example, in the manufacture of 3D Cell Staging 'devices. These opaque surfaces prevent the position of the alignment mark from being measured through the opaque layer on the alignment sensors A S 1, A S 2, A S 3, A S 4 force S, alignment mark.
  • the first exposure unit E U 1 and the second exposure unit E U 2 can be used to project further alignment marks onto the substrate W.
  • the alignment mark 's ⁇ ⁇ For example, Laser Abs. It is desirable to provide a new alignment mark on the substrate W in some applications, as it would not be desirable to force the layer locally using Unit LAU. After that, new alignment marks can be printed on the S-plate W using the exposure unit E U 1 and E U 2.
  • the first exposure unit EU 1 and the first alignment sensor AS can be used simultaneously, while the exposure unit E is projecting a new alignment mark on 3 ⁇ 4 ⁇ , at least one at a minimum.
  • the second exposure unit E U 2 and the second alignment sensor A S 2 can be simultaneously used in the second position S T 2.
  • the second exposure unit EU 1 and / or the second exposure unit EU 2 is used to register The beam can also be projected onto this specific part of the resist layer to locally remove specific parts of the layer.
  • the exposure unit EU 1 of the first exposure unit SU 1 and / or the second exposure unit it corresponds to the use of the laser 'aberration' unit LAU, which is described below.
  • a portion of the resist layer deposited on one or more of the substrates can be removed.
  • the first stage, the system S' ⁇ 1, also comprises a third alignment sensor AS3.
  • the second station ST 2 includes a fourth alignment sensor A S 4 and a first ray sensor O S.
  • the third and fourth alignment sensors A S 3 and A S 4 may be alignment measurement devices of different types from the first alignment sensor A S 1 and the second alignment sensor A S 2.
  • the provision of the third alignment sensor A S3 and the fourth alignment sensor A S 4 provides more flexibility in the alignment measurement that can be performed by the alignment measurement device. For example, depending on the results of the previous alignment measurement and / or the knowledge of the particular substrate W to be measured, 1; for use in alignment measurement of alignment marks on plate W: It is possible to identify which of the ST 2 and ST 2 alignment sensors is most suitable.
  • the first alignment sensor AS 1, the second alignment sensor AS 2, the third alignment sensor AS 3 and the fourth alignment sensor AS 4 are different types on the same substrate W. It is possible to measure the alignment mark, and this can also improve the quality of the alignment measurement of the 3 ⁇ 4 board W. In addition, these alignment sensors are used not only at the position of the exposure mark on the substrate, the position of the alignment mark provided between the fields (or between the dies), but also in the exposure field on the S plate (or You can also measure the over-laymarks provided in ⁇ ).
  • the overlay sensor O S can be used, for example, to measure the over-ray performance of a RI system.
  • a Barley sensor OS may measure an over-laymark on a substrate.
  • the above-described alignment sensor and / or age-to-valley sensor may measure the asymmetry of the alignment mark and / or information.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 200 S- 0 0 6 0 2 14 4 which is incorporated by reference in its entirety as well, is cited, and International Publication No. WO 200 A device measurement method as disclosed in 1 4/0 2 6 8 1 9 Ban Frets ⁇ or a device measurement method similar to them may be used.
  • Alignment measurement apparatus A M A provides considerable flexibility in the alignment measurement of the substrate W. This allows the user to adapt the alignment measurement to specific properties of the stack properties of the substrate W to be processed, such as thickness material properties and target shape. Although these stack characteristics generally differ depending on the semiconductor device type, these stack characteristics may differ depending on the S-plate and for each substrate. Since the physics equipment can be used for different device types, it is possible to: apply flexible alignment measurements K A M A to efficiently * T fe for all these different stacks.
  • the alignment measuring device AMA provides a first station ST 1 and a second station ST 2 so that two substrates can be processed simultaneously.
  • the first alignment sensor AS 1 and the second alignment sensor AS 2 are delivered to their respective stations :
  • the measuring ability can be substantially increased, for example, twice.
  • the first stage + first station ST 1 and the second stage ⁇ station ST When two different types of measurement devices (or sensor systems) are arranged, for example, the first alignment sensor AS 1 and the film thickness measurement device / spectroscopic reflectance measurement device are arranged at each of the stations [2].
  • alignment measurement regarding the position of the alignment mark on the substrate W is performed in both of the first station ST 1 and the second station ST 2. As it can be carried out, the tombstone W is thus continuously supported on one of the first substrate pair WT 1 and the second substrate table WT 2.
  • the result of the alignment measurement using the first alignment sensor AS 1 in the first station ST 1 is compared with the result of the second alignment sensor AS 2 in the second station. It can be used as an input for alignment measurement.
  • the position of the first number of alignment marks on the a plate can be measured by the first alignment sensor A S I.
  • the position of the second number of alignment marks on the base plate W can be determined by the second alignment sensor AS 2, whereby:
  • the number of alignments, ie the quantity and / or location, is measured on the basis of the outcome of the alignment measurement in the first stage, the situation ST1.
  • the selection of the second number of alignment marks may, for example, be the result of the measurement quality determined for the alignment determination using the first alignment sensor A S 1.
  • a given rear of the substrate W can be used to improve the measurement quality of the alignment mark on the substrate W> or more, or relatively more If it is likely to require alignment measurements, the second number of alignment marks will be in particular in these areas, in order to obtain position measurements of a large number of alignment marks in these areas. Or can concentrate on these choices.
  • ⁇ is measured using the first ⁇ Rye instrument sensor AS 1: Raime mark put the number of the (first number) is ⁇ Lai placement mark is measured using the second ⁇ Lai instrument sensor AS 2 Virtually less than the number of (second number).
  • the measurement with the first alignment sensor AS 1 will usually be used to optimize the measurement with the second alignment sensor AS 2.
  • the number of alignment marks (second number) measured using the second alignment sensor A S 2 may be one substrate or 200 pieces. Preferably, 300 pieces or more of S nuclei may be used. Due to the relatively large number of alignment marks, the measurement quality of the alignment mark is substantially increased, thereby significantly improving the over-laying performance of the lithography system LA. Influenced.
  • first number of alignment metrics and the second number of alignment marks are ⁇ partial numbers may be completely overlapping.
  • an alignment marker measured with the second array sensor AS 1 – an array marker measured with the second alignment sensor AS 2 The tokens may partially or completely overlap.
  • the embodiment of the alignment measurement device AMA as shown in i 3 has been described. It will be clear that a number of configurations can be made by a third party.
  • the first station S ' ⁇ ⁇ the'1-#'Appraisions.
  • the unit L AU, the first exposure system EU 1 .. and / or the third alignment sensor AS 3 may be omitted, and in the second station ST 2 the second exposure system ⁇ EU 2., fourth alignment sensor AS 4, and Z or overlay sensor OS may be omitted. ;; then: No.
  • FIG. 4 shows a first embodiment of a lithography apparatus according to an aspect of the present invention.
  • FIG. 4 shows a top view of a JS board table configuration (a 'stage' handler 'system) applied to a lithography system according to an embodiment of the present invention.
  • the basic procedure 'handler' system according to the embodiment of the present invention may be applied to a measuring device or inspection device ::
  • the grave-plate table configuration (substrate stage; hand-held system) comprises the first substrate table WT I., The second substrate table WT 2 and the third substrate table WT 3, Each is constructed to support the grid plate W:
  • the first substrate table WT 1, the second S plate table WT 2 and the third substrate table WT 3 are provided by the substrate table positioning system , Movably supported.
  • the substrate table positioning system comprises a first positioning module PM 1 movable in a planar movement zone P AM.
  • the second substrate table 2 is provided with a second positioning module PM 2 movable in a planar movement zone P AM, and a third!
  • a pull-up W T 3 is also equipped with a third positioning module P M 3 movable in the planar movement zone P AM
  • the plane movement zone ⁇ circumflex over ( ⁇ ) ⁇ can be determined, for example, by a plane made up of arrays of permanent magnets.
  • Each of the first positioning module PM 1, the second positioning module PM 2 and the third positioning module PM 3 is: • first substrate table WT 1, second plate table 'WT 2
  • a fine positioning position determination device can be provided to position the third substrate table WT 3 at a desired position with high accuracy.
  • the position of the first substrate table “vV T 1, the second substrate table W′ ⁇ 2, and the third substrate table W ⁇ 3 is measured with high accuracy, preferably with S degrees of freedom
  • the position measurement system may be provided with one or more grids disposed on at least a portion of the planar travel zone P AM.
  • 1st tomb board table W' ⁇ 1, 2nd to determine the position of each substrate table WT 1, WT 2, WT 3 on one or more grids.
  • an encoder-type sensor mounted on each of the third table table W and the third table T. Instead of this, one or more grid plates are provided.
  • the substrate table WT 1, W 2, 'W'T 3, may be provided on the upper surface ..
  • a plurality of ender type sensors Metro frame MF, base one souffle '-. Arm 3 F, and / or may be placed at any position around the operation area of each substrate pull.
  • the position determination system may be equipped with an anchor system.
  • one or more mirrors may be provided on the top, side and / or bottom of each substrate table.
  • the first substrate table W T 1. has to be connected to the fixed part of the lithographic apparatus in order to supply any necessary articles or signals to the first substrate table W T 1.
  • any necessary articles or signals For example, to provide energy, eg, 3 ⁇ 4 air connections to energize the working coil, vacuum conduits to facilitate vacuum clamping, one or more cooling fluids to provide the cooling fluid.
  • these connections between the first substrate table WT 1 and the IS constant part of the lithography tool S, or at least a part thereof, are connected in the first couple connection CC 1.
  • a first cable C C 1 is provided between the first substrate table W T 1 and the first cable fitting support C C S 1.
  • the different connections in the first couple connection C C 1 are provided as a row of connections that are relatively stiff in the X direction and flexible in the other direction, particularly in the y direction. Such a '' pull connection. Also shown as a bullish lep.
  • the term cable gun refers to an article such as fluid, electrotool, air, and z or signal, with each substrate table and other parts of the lithography apparatus. It can be seen that it is used for any mechanical connection between the respective substrate—pull and the other parts of the lithography apparatus, for transfer between them.
  • the first cable connection support CCS 1 is a first rib extending in the X direction on the first side of the plane movement zone PAM. It is movably supported on the secondary LG 1.
  • the cable connection CC does not significantly affect the positioning of the first substrate table WT1. Further connections from the first cable connection support CCS 1 are provided to other parts of the chemistry apparatus, for example to energy sources, vacuum sources, coolant sources, and / or rollers.
  • the rabbit cable connection support C C S 1 can be derived in any suitable manner on the first Liauride L G 1.
  • pairing can be used.
  • the first linear guide L G 1. is formed as a support for a magnetic bearing.
  • the second substrate substrate 2 is connected to the second cable connection support C C S 2 using a second cable connection C C 2.
  • the second cable connection support C C S 2 is movably guided on: the second rear guide L G 2.
  • the second linear guide LG 2 is arranged on the second side of the planar movement zone PAM, on the opposite side of the first side on which the first linear guide LG 1 extends 3 ⁇ 4 to the planar movement zone PAM. .
  • the first linear guide L G 1 and the second rear guide L G 2 both extend in the same direction, and in the embodiment of FIG.
  • the third substrate table WT 3 is connected to the third cable connection support CCS 3 by means of the third cable connection CC 3.
  • the third cable connection support CCS 3 is movably guided by the first rehydration guide LG 1.
  • First cable connection support CCS 1 and 3 The first substrate table WT 1 and the third substrate—pull WT 13 in the X direction E, as a result of the cable connection support CCS 3 being both induced on the first re-use guide LG 1 I can't stop.
  • the second substrate table WT connected to the second cable connection support CCS 2 induced by the second linear guide LG 2 2 can swap positions in the X-direction with both the first substrate table WT 1 and the third substrate table WT 3.
  • the second substrate table WT 2 can be positioned to the right of the third substrate table WT 3 as shown in M 4, but the first substrate table WT 1 and the third; It means that positioning can also be made between the first pull WT 3 and the left side of the ith S-table WT 1.
  • the first S-plate handler SH power S the: I S A second S-plate handler SH 2 is disposed on the third side of the ⁇ -plane movement zone PAM so as to load and / or unload the E-plate W on the plate table WT 1, the third S 1; plate table WT 3 is arranged at the fourth weir of the opposite plane movement zone P AM on the third side so as to — and / or unfold the plate W on the third side.
  • the i-th port is placed adjacent to the handler SH2.
  • the first substrate table WT 1 and the second substrate table WT 2 are the first S-plate handler S H I from the substrate table of the first].
  • Pull WT 1 or the second 3 ⁇ 4 plate table 2! It can be placed in the first loading station L S T i when »board W» is opened or closed.
  • the second substrate table WT 2 and the third substrate table WT 3 are arranged on the second substrate WT 2 or the third substrate table WT 3 of the second substrate handler SH 2. It can be placed in the second port ';' Ding stage LST 2 when the board is docked or ''.
  • first substrate handler SH: 1 and the second substrate handler SH 2 it is possible to provide a single mouth gaming substrate handler at one side of the planar movement area P AM. , Which can be opened and / or unloaded from the side plate on each of the first substrate table WT 1, the second substrate table WT 2, and the third substrate table WT 3 Is "
  • the third substrate table WT 3 are at least an alignment 'level measurement station S i n AL It is structured so that it can move between S ⁇ and the exposure station ES ES.
  • Figure 5 shows in more detail the alignment 'level measurement station A L ST and the exposure station E ST.
  • An alignment sensor AS is provided to determine the position of several alignment marks on the substrate in the alignment 'level measurement stage 3 ALST, and the height map of the upper surface of the substrate' W is measured.
  • An exposure unit is provided in order to transfer the pattern from the putter and scanner device MA to the punch board W in the exposure stage and the shutter stage ST.
  • the exposure unit as described with respect to Figure 1, has a light source SO, illumination system IL, butter 'for supporting a patterning device. Support #: MT, and a pattern on the substrate W It has a projection system P s for projecting a radiation beam.
  • Level measurement steps one system ALST, a plurality of alignment sensors and / or level sensors, if desired, different types of alignments that may be used by the V-Sophographer as desired. It can be seen that the sensor can be equipped with ::. [0 0 9 7]
  • Alignment level measurement step 3 ALST parallel exposure step “-Shion EST alignment direction is the connection of the first linear guide LG 1 and the second linear guide KLG 2 Same as cable guide direction.
  • the advantage of the zero substrate table configuration shown in FIG. 4 is that the additional substrate 'one pull WT 3 is a substrate W' on one substrate W and one substrate W on one of WT 1, T 2, WT 3.
  • the time to load, and / or the alignment 'level measurement station A. L. ST is to be able to secure more time for measurement of alignment and / or level in ST,
  • the alignment measurement time By extending the alignment measurement time, it is possible to increase the number of alignment marks that can be measured in the alignment level measurement procedure ALST. As a result, the (inter-field and field-to-field) grid density of the alignment marks measured on the substrate W can be made higher. Therefore, the overlay accuracy can be improved in the actual lithography exposure process in the exposure station EST.
  • FIG. 6 illustrates an alternative embodiment of a substrate stage 'handler' system that can be applied to a lithographic apparatus and metrology apparatus in accordance with an embodiment of the present invention.
  • the resource device in addition to the embodiment shown in FIG. 4, is provided with a second alignment level measurement station and a second alignment level measurement station ALST.
  • an alignment sensor AS for measuring the position of several alignment marks on the substrate and a level sensor LS for measuring the height map of the top surface of the substrate are provided.
  • the alignment sensor AS and the level sensor LS in the alignment 'level measurement station ALST and the second alignment' level measurement station ALST 2 are substantially the same. .. good Araime emissions Bok level measurement stations AL ST, exposure stations E S T;.
  • ⁇ Pi second Araime down ⁇ on level measurement stations ALS T 2 is much g Align the X direction, the sand That is, they are arranged adjacent to each other in the X direction. :: When the substrate stage 'hand' system la: is applied to the measuring device B, instead of the exposure stage E s ⁇ , Alignment level setting station ALST 3 may be placed.
  • the alignment 'level measurement station A L ST and the second alignment' level measurement station AL S T enable simultaneous measurement of alignment marks and Z or levels on top of two substrates W.
  • the base W supported on the first substrate table WT 1 is placed in the alignment level measurement station ALST and the third S-plate table
  • the S-plate W supported on the WT 3 is placed in the second alignment 'level measurement station ALST.
  • the base plate W supported on the second S-plate table WT 2 is ground in the exposure station E ST.
  • the first] ⁇ substrate table WT 1 will be used in combination with the alignment level measurement procedure ALST
  • the third substrate table WT 3 will be the second 'Alignment' is used in combination with ALST 2.
  • the second! Board table WT 2 can be used both in combination with the alignment 'level measurement station A L ST and in combination with the second alignment level measurement station A L ST 2.
  • the lithography apparatus comprises a first substrate table 'WT 1, a second substrate table / retract:' 2 and a third S-plate table on S plate W to be due connexion supported ⁇ Tsu of WT 3, s additional Araimen Bok measurement Stacy down a Alpha ⁇ comprising ⁇ Lai instrument sensor system for Koboshijo the position of some ⁇ Rye placement marks s ⁇ is provided.
  • the type of alignment sensor provided and used within the additional alignment measurement station AA s ⁇ is the alignment level measurement phase ST and the second alignment level measurement.
  • the type of alignment sensor at the additional alignment measuring station AAST is an alignment 'level measuring station ALST as well as a second alignment' level measuring station one alignment A L.
  • ST 2 alignment sensor AS and It may be the same, and in the additional alignment measurement station AAST, a combination of the same alignment sensor and different alignment sensors may also be provided.
  • An alignment 'level measurement slice a single ALST, a second alignment' level measurement statement, an additional alignment measurement station, an ALS, an ALS, an ALS, as described above. ,! 3 ⁇ 4
  • the alignment 'level measurement station ALST and the second alignment' level measurement station ALST 2 can be configured as the first stage of the alignment measurement device AMA, and the additional alignment measurement station AAST is It can be configured as a second station of the alignment measurement device AMA, but the alignment and level measurement station ALST, the second alignment 'level measurement station ALST 2 and an additional alignment measurement. Stagen AAST differs in that Sd is placed in the realignment tool, not in another alignment measurement device.
  • the configuration of any Mi of the alignment 'level measurement station A L ST, the second alignment' level fixing station A L ST 2 and the additional measurement station A A ST can also be applied.
  • FIG. 8 is a substrate stage applicable to a lithographic apparatus S and metrology apparatus according to aspects of the invention.
  • Handler * shows another alternative embodiment of the system.
  • a fourth grave board table WT 4 is constructed to support the substrate W.
  • the fourth substrate tee pull WT 4 is supported on the fourth positioning module P M 4 movable in the planar movement zone P AM [0 1 0 7]
  • a fourth cable fitting CC 4 is provided between the fourth 3 ⁇ 4 plate table WT 4 and the fourth cable connection support CCS 4.
  • the fourth couple connection support C. CS 4 is supported on the second linear LG 2.
  • a first S-board handler SH 1 is provided to unload and unload the tombs W on the first 3 ⁇ 4 plate table WT 1 and the second substrate table WT 2.
  • a second substrate handler SH 2 is provided to load and unload substrates W on the third substrate table WT 3 and the fourth substrate table WT 4.
  • the second cable connection support CCS 2 and the fourth lead-to-pull connection support CCS 4 are both guided by the second linear guide LG 2 so that the second substrate table WT 2 and the second substrate table WT 2 and the second 4's!
  • the plate table 4 can not swap the position in the direction.
  • the second substrate table WT 2 and the fourth base table WT 4 are arranged at any position B in the direction with respect to the second substrate table WT 1 and the third substrate wafer WT 3. B is possible. [0 1 0 8]
  • An alignment measurement unit AL ST may be configured as the first station of the alignment measurement unit AM, but an additional alignment measurement unit AAST is a second station of the alignment measurement unit AM A.
  • a third alignment measurement level A L ST 3 may be arranged instead of the exposure station E ST.
  • the substrate _W is the same substrate table WT during level measurement on the substrate W, alignment measurement, and exposure of the patterned fT radiation beam. 1, WT 2, WT 3, WT 4 remain on.
  • additional cable connection supports to support the cable connection to the additional positioning module.
  • Additional positioning modules may not be configured to support the tomb table since they can not be placed next to the substrate handlers SH 1, SH 2, for example, to carry out the metrology and / or calibration process. Can be configured as follows.
  • the further positioning module may also comprise a substrate table constructed to support the substrate W.
  • at least one substrate handler should be provided which can load and unload the substrate on the substrate substrate of the additional positioning module.
  • a substrate loader may, for example, be positioned relative to the base of the substrate handler, for example via the first substrate table, at a relatively small distance from the further positioning module S board to the substrate. It is possible to load: It may be a long arm board handler.
  • a plurality of substrate tables and a plurality of substrate processes including an exposure station and / or an alignment 'level calibration station, and Described different combinations of Additional stations, such as the alignment * level measurement stage, can be used to load substrates onto their respective substrate tables, and to perform array level measurements, as well as to unload them.
  • the measurement device ⁇ ⁇ includes different types of measurement devices (detection device, sensor system), for example, when the measurement sensor and the level sensor (or film thickness measurement device / spectroscopic reflectance measurement device) are included, By taking into account the difference in the time required for each measuring device to finish measuring one substrate, the number of measuring devices, the number of inspection devices, the number of substrate tables, The number and the operation method of the measuring equipment S can be optimized.
  • a single integrated measuring (inspection) apparatus capable of measuring (inspecting) multiple types of characteristics of the substrate is provided, and the number of measuring devices of such a measuring device 'number of inspection devices, S plate
  • the measuring device * inspection device is compared with the case where multiple measuring devices are used. Throughput performance and cost savings can be improved.
  • the text specifically refers to the use of the RI device in the manufacture of IC, it should be understood that the RI device described herein has other applications. For example, this is the manufacture of guidance and detection patterns for integrated optical systems, magnetic domain memories, flat panel displays, liquid crystal displays (L C D), thin film magnetic heads, etc.
  • the more general term “substrate” or “target portion”, respectively, will be used when the term “technologically“ j ”or“ die ”is used in the present specification. Terminology: It is recognized by S contractors that they may be regarded as identical.
  • the substrates described herein may be, for example, a track (a tool for applying a layer of resist usually to a grave and developing the exposed resist) before, after, or after exposure, Metro ⁇ di tool And / or can be processed with an inspection tool.
  • a track a tool for applying a layer of resist usually to a grave and developing the exposed resist
  • Metro ⁇ di tool And / or can be processed with an inspection tool can be applied to the above and other substrate processing tools:
  • the substrate can be consolidated, for example, to form a multilayer IC, and thus
  • substrate as used herein may also refer to a substrate that already comprises a plurality of treated aggregates.
  • the present invention may also be used in other fields, for example imprint lithography, depending on the context. Please understand that it is not decided.
  • imprint lithography topography in a patterned Jung device determines the pattern created on the substrate.
  • the topography of the patterning device is imprinted in a resist layer supplied to the substrate and the resist is cured by imprinting electromagnetic radiation, ripening, repulsion, or a combination thereof.
  • the 'Jungde Pais' is removed from the resist, and when the resist is cured, the bat is left inside.
  • an embodiment of the present invention may be a computer program product comprising one or more machine-readable instructions of a machine-readable instruction which describes the method as disclosed above, or an internal storage of such a computer program.
  • Data storage medium eg, conductor memory, magnetic or optical disk

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Abstract

【課題】計測装置のスループット性能及び／又は経済性を改善する。 【解決手段】本計測装置は、第１の測定装置と、第２の測定装置と、第１の基板及び／又は第２の基板を保持するように構成された第１の基板ステージと、第１の基板及び／又は第２の基板を保持するように構成された第２の基板ステージと、第１の基板及び／又は第２の基板をハンドリングするように構成された第１の基板ハンドラと、第１の基板及び／又は第２の基板をハンドリングするように構成された第２の基板ハンドラと、を備え、第１の基板は、第１、第２又は第３のＦＯＵＰからロードされ、第２の基板は、第１、第２又は第３のＦＯＵＰからロードされ、第１の測定装置は、アライメント測定装置であり、第２の測定装置は、レベルセンサ、膜厚測定装置又は分光反射率測定装置である。

Description

【書類名〗 明細書
【発明の名称〗 計測装 s及び基板ステージ ' ハンドラ ' システム
【技衛分野】
【 0 0 0 1】
本発明の第 1の態様は:. ァライメント測定装置、 及び基桉上のァライメ ントマ一クの位 置を測定するための方法に関する，
【 0 0 0 2】
本発明の第 2の態様は、 リ ソグラフィ装置及び基板ステージ ハンドラ ' システムに関 する。
【 0 0 0 3】
本発明の第 3の態様は、 計測装置に関する。
【背景技術】
【 0 0 0 4 3
リ ノグラフィ装齄は、 所望のパターンを基板に、 通常は基板のタ ··〜ゲッ ト部分に適用す る機械である。 リ ソダラフィ装 は、 例えば、 集積回路 ( 1 C ) の製造に使用可能であ る。 このような場合、 代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパタ一ニングデバイスを 使用して、 I Cの ϋ々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。 このバ ターンを、 基板 (例えぱシリ コンゥ ーハ） 上のターゲッ ト部分 （例えば 1つ又は幾つか のダイの- 弒を含む） に耘写することができる。 パターンの fe ¾は通常、 基板に設けた放 射感応性材料 （レジス ト） の層への結像により行われる。 一般的に、 1枚の基板は、 順次 パターンが付与される隣接したタ一ゲッ ト部分のネッ 卜ワークを含んでいる，， 従来のリ ソ グラフィ装 Itは、 パターン全体をタ一ゲッ ト部分に 1 回で露光することによって各タ一ゲ ッ ト部分が照射される、 いわゆるステツパと、 基板を所与の方向 （「スキャン」 方向） と 平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、 バタ一ンを所与の方向 (「スキャン」 方向〉 に放射ビ一ムでスキャンすることにより、 各タ一ゲッ ト部分が照射される、 いわゆ るスキャナと.. を含む。 パターンを基板にインプリントすることによつても、 パターニン グデバイスから基板へとバタ一ンを耘写する :とが可能である。
リ ソグラフィ装置の既知の実施形態において、 リ ソグラフィ装 Bは、 基板上に設けられ たァライメントマ一クの位置を測定するためのァライメント測定システムを備える„ これ らのァライメントマークの位置を測定することによって、 a扳を保持する基板テーブルに 対して基板の位置及び/又は変形が決定され得る。 基板のこの測定された位置及び/又は 変形によって、 基板のターゲッ ト部分上でのパターン付き放射ビームの実際の投影の間 に、 リ ソグラフィ装置は、 投影システム及び/又はバタ一ニングデバイスに対して望まし い位置に基板を位置決めする '：：とができる。
【 0 0 0 6】
二のようにして、 基板のターゲッ ト部分上でのパターン付き放射ビ ' ■ムの連銃投影を、 相互に位置合わせすることができる。 オーバーレイ性能、 すなわち、 基板のターゲッ ト部 分上へのパターン付き放射ビームの連銃投影のァライメントは、 リ ソグラフィ装置を使用 して製造されるデバイスの製品品質における重要な要因である。
【 0 0 0 7】
製品品質を向上させるために、 リ ソグラフィ装置のオーバ一レイ性能を向上させる一般 的な必要性がある。 オーバーレイ性能は、 例えば、 基板上で実質的により多くのァライメ ントマ'ークを測定することによって向上され得る。 特に、 板ァライメントグリ ッ ドは、 より多数のァライメントマークを測^することにより、 良好に補 IEする： とが可能な、 歪 みの高周波成分を含み得る。 しかしながら、 より多数のァライメントマ一クを測定すると ァライメン ト測定時間が増加するた.め、 リソグラフィ装置の生産性能に対して制限的な影 響を与えることになる。
【 0 0 0 8】
更に、 デバイスの測定プ ciセスの |¾、基板には、 層堆積、 エッチング、 及びァニ一ルな どの、 複数の ¾理ステップが施される。 これらの妈璣ステップがリ ソグラフィプロセスの オーバ、 レイ性能に与える影響も靈大であり， 通常、 結果と して基板間及び/又は基板の スタック間及ぴ 又は基板の層間に変動を生じさせることになる。
[ 0 0 0 9】
従来は、 基板の一種類の特性をそれぞれ計測 （又は検査） するための、 単一の基扳ステ ージを備える装置が提案されている （例えば、 特許文献 1〜4参照）。 しかし， このよう な従来の技術を探用すると、 同じ基板の複数の特性を計翻 （及び Z又は検査） するため に、 それぞれ異なる ¾類の特性を計測 （及び Z又は検査） する装置が複数台必要となる。 【先行技衛文献】
【特許文献】
【 0 0 1 0】
特許文 】 特開； 2 0 0
特許文 】 特開 2 0 1
特許文 3】 特開 2 0 0
Figure imgf000004_0001
特許文 4 ] 国際公開第 0 号-.パンフレッ ト
ί発明の概要】
【 0 0 1 1】 号号 φ o
公公公 1
本発明の目的は、 多数のァライメントマ一クを測定することが可能な、 及ぴ /又は、 基 報報報 3
板聞及び/又は基板のスタック間及び/又は基板の層間の変動に対してより良好に対処す ることが可能な、 基板上の複数のァライメントマークの位置を溺定するための装置及び/ 又は方法を提供することである。 また、 本発明の iの g的は、 基核の複数種類の特性を計 測 （検査） することができる、 複数の墓板ステージを備える統一された一台の計測 （検 査） 装置を提供することである。 渙言すると、 総合的な計測装置■ 検査装置のスループッ ト性能及び/又は （例えば、 所有コス ト、 製品 β格又は設 ffi面積の観点から認識され得 る） 経済性を改善することである。 本発明の態様によれば、
S板上の第 1の数のァライメントマークの位置を測 ¾するための第 1のァライメントセ ンサシステム、 及び、 基板の上面の高さマップを測定するための第 1のレベルセンサを備 える第 1のステーションと、
基板上の第 2の数のァライメ ン トマークの位置を測定するための第 2のァライメン トセ ンサシステム、 及び、 墓板の上面の高さマップを測定するための第 2のレベルセンサを備 える第 2のステ一シヨ ンと、
基板を保持するように構築された可動基板テーブルであって、 基板テーブルは第 1 のス テ一ション及び第 2のステーションへと移動するように配置される， 可動基板テ一プル - を備える、 基板上のァライメントマークの位置を測定するためのァライメント測定装置が 提供される。
【 0 0 1 3】
本努明の態様によれば >
パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、 バタ一エングデバ イスは、 パタ一ン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面內にバタ ' 'ンを付与 することが可能である、 支持体と，
基板を保持するよ 5に構築された基板テ一プルと、
バタ―'ン付き放射ビー-ムを基板のターゲッ ト部分上に投影するように構成された投影シ ステムと、
を備えるリ ソグ 7フィ装置と、
請求項 1に記載のァライメ ン ト測定装置と、
ァライメント測定装置のそれぞれの基板テーブルとリ ソグラフィ装 ¾の¾板テーブルと の間で基板を移送するための 1つ以上の基板ハンドラと、 を備える、 リ ソダラフィ システムが提供される.，
【 0 0 1 4】
本發明の態様によれば、
第 1 のス '- シ sンにおいて、 基板上の第 1の数のァライメントマークの位置を測定す ることと、
第 2のステーションにおいて 基板上の第 2の数のァライメントマ一クの位置を測定す ること と、 を含み、
基板は、 第 1のステ一シヨ ン及び第 2のステ ' 'シ 3ンにおいて同じ基板テ一ブルによつ て保持され、
第 2のステーションにおける第 2の数のァライメン トマ— -クの位置の測定のために 第 1のステ一'ションにおいて測定された第 1の数のァライメントマ一-クの測定された位置を 使用すること
を含む， ¾板上のァライメントマ一クの位 gを測定するための方法が提供される。
【 0 0 1 Γ)】
本努明の態様によれば、
ァライメ ン ト測定装置の第 1のステ一シ 3 ンにおいて、 基板上の第 1 の数のァライメン 卜マークの位置を測定すること、 及び/又は、
ァライメン ト測定装置の第 2のステーションにおいて、 基板上の第 2の数のァライメン. トマークの位置を測定すること、 を含み、
基板テーブルは.， 第 1のステーション及び/又は第 2のステ '····シ 3ンにおいて基板を保 πしており、
1つ以上の基板ハンドラを ¾いて、. 基板をァライメント測定装置の基板テーブルからリ ソグラフィ装置の基板テ一ブルに移送すること、 及び、
リソグラフィ装置において、 第 1の数及び/又は第 2の数のァライメントマ一クの位養 の測定を使用して， 基板上にパターン付き放射ビームを投影すること ,,
を食む、 S裉上にパターン付き放射ビ一ムを投影することを含むデバイス製造方法が提供 c-れ -Q„
【 0 0 1 6】
本発明の態様によれば、.
パター二ングデバイスを支持するためのパターニンダデバイス支持体と，
各々が基板を支持するように構築された、 第 1の基板テーブル、 第 2の S板テ一ブル、 及び第 3の基板テーブルと、
¾板上のいくつかのァライ メ ン トマ一クの位置を測定するためのァライメ ン トセンサシ ステム、 及び/又は， 基板の上面の高さマップを測定するためのレベル'センサを備える第
1のステーショ ンと、
バタ一二ングデバイスから t:板へとパタ -ンを耘写するための鹩光ュニッ トを備える第
2のステ一ショ ンと、
第 1の基板テーブル、 第 2の:！;板テ一ブル、 及び第 3の基板テーブルの各々を、 少なく とも第 1 のステ、―ショ ンと第 2のス r一ショ ンと：の間の平面移動域内で移動させるため の, 基板テーブル位置 ¾めシステムと、
を備える、 リソグラフィ装 sが提供され、
第 1の基板テーブルと第 1のケ一プル接続支持体との問に第 1のケープル接続が提供さ れ、 第 2の基板テ プルと第 2のケーブル接続支持体との閬に第 2のケーブル接続が提供 され人 第 3の基板テーブルと第 3のケーブル接続支持侔との間に第 3のケーブル接続が提 供され，
平面移動域の第 1の側で、 第 1のケーブル接続支持係及び第 3のケーブル接続支持体を 誘導するために第 1のリニアガイ ドが提供され、 第 1の側と反おの平面眵動域の第 2の側 で、 第 2のケーブル接続支持体を誘導するために第 2のリニァガイ ドが提供される。
【 0 0 1 7】
本発明の態様によれば、 第 1の測定装置と、
第 2の測定装置と、
第 1の基板及び/又は第 2の基板を保持するように構成された第 1の基板ステージと， 第 1の基板及び./又は第 2の基板を保持するように構成された第 2の基板ステージと、 第 1の基板及び/又は第 2の基板をハンドリングするように構成された第 1の基板ハン .レ
第 1の基板及び/又は第 2の基棂をハン ドリ ングするように構成された第 2の基板ハン ドラと、 を備え、
第 1の基板は、 第 1の F O U P (F r o n t - O e n i n g Un i f i e d P o d )、 第 2の F O U P又は第 3の F O U Pから口一ドされ、
第 2の基板は、 第 1の F O U P、 第 2の F O U： P又は第 3の F O U P力、らロ一ドされ、 第 1の測定装置は:.. ァライメント測定装置であり、
第 2の測定装置は、 レペルセンサ、 膜厚測定装置又は分光反射率測定装置である、 計測装置が提供される。
【 0 0 1 8】
対応する参照符号が する部分を示す添付の概略図を参 しながら以下に本発明の実 施形態について説明するが、 これは単に例示と してのものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【 0 0 1 9】
【囟 1〗 本発明の態様に従った、 リ ソグラフィ装 Sを示す図である。
ί図 2 ] 本 ¾明の実施形態に従った、 リ ソグラフィシステムを概略的に示す図であ 【囡 3】 本発明の実施^態に従った、 ァライメント測定装置を概略的に示す図であ る
ίΗ 4 I 本発明の態様の第 1の実施形態に従った、 基板ステ一ジ 'ハンドラ ' システ ムを示す図である。
【図 5〗 リ ソグラフィ装置の一 を示す側面図である。
【図 6〗 本発明の態様の第 2の実施形態に った.、 基坂ステージ ' ハンドラ , システ ムを示す図である。
il l 7 本発明の態様の第 3の実施形態に ¾つた、 基板ステージ ' ハンドラ システ ムを示す図である。
【園 8〗 本発明の態様の第 4の実施 ¾態に徒った、 1；板ステージ■ハンドラ ' システ ムを示す図である。
ί發明を実施するための 態】
【 0 0 20】
図 1は、 本発明の一実施形態によるリ ソグラフィシステムの一部であり得るリ ソグラフ ィ装 Sを概略的に示す。 リ ソグラフィ装 ¾は、 照明システム I Lと、 支持構造 ΜΤと , 基 板テーブル と、 投影システム P Sと、 を備える.，
【 0 0 2 1】
照明システム I Lは、 放射ビ―'ム Βを調整するように構成される。 支持構造 ΜΤ (例え ば、 マスクテープル） は、 パター-ングデパイス ΜΑ (锊えばマスク） を支持するように 構成され、 特定のパラメータに従ってパターエングデバイスを正確に位屢決めするように 構成された第 1ポジショナ ΡΜに接続される。 基板テ一プル WT (例えば.， ゥ： r.―'ハ:テ-ブル） は、 墓板 W (例えば、 レジス トコ一トウ ーハ） を ¾持するように構成され、 特定 のパラメ一タに徒って基扳を芷確に位置決めするように構成された第 2のポジショナ PW に接続される。 投澎システム P Sは、 バタ一二ングデバィス M Aによつて放射ビ一ム Bに 与えられたパターンを、 基板 'Wのターゲッ ト部分 C (例えば、 1つ以上のダイを含む） に 投影するように構成される- [ 0 0 2 2】
照明システム I Lは、 放射を S®導し、 整形し、 又は制御するための、 K折型、 反射 磁気型、 電磁型、 静電型、 又はその &のタイプの光学コンポーネント、 あるいはそれらの 任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポ一ネントを含むことができる。
【 0 0 2 3】
本明細書で使用する 「放射ビーム」 という用語は、 イオンビーム又は電子ビームなどの 粒子ビームのみならず、 （例えば、 3 6 5 si m , 3 5 5 n .m、 2 4 8 n m、 1. 9 3 n m , 1 5 7 η πι若しくは 1 2 6 n m、 又はこれら辺りの波長を有する） 紫外線 （U V ) 放射、 及び、 （例えば、 5 n m〜 2 0 n mの範翻の波長を有する) 極端紫外光 （E U V ) 放射を 含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【 0 0 2 4】
支持構造 M Tは、 パターニングデバイス M Aを支持 すなわちその靈»を支えている。 支持構造 M Tは、 パターユングデバイス M Aの方向、 リ ソグラフィ装置の設計等の条件、 飼えばバターユングデバイス M Aが真空瓒境で保持されているか否かに応じた方法で、 パ ターニングデバイスを保持する。 支持構造 M Tは、 パターニングデバイス M Aを保持する ために、 機械的、 真空、 静電気等のクランプ技術を使用することができる。 支持構造 M T は、 例えばフレーム又はテーブルでよく， 必要に応じて固定式又は可動式でよい。 支持構 造 M Tは、 パターニングデバイス M Aが例えば投影システム P Sなどに対して確実に所望 の位置にくるようにできる。
【 0 0 2 5】
本明細書において使用する 「バタ一 ングデバイス」 という用 Kは、 基板 Wのタ一ゲッ ト部分 Cにパターンを生成するように.、 放射ビーム Bの断面にパターンを付与するために 使用し得る任意のデバイスを指すものと して広義に解釈されるべきである„ ここで、 放射 ビーム βに付与されるパターンは、 倒えばバタ一ンが位相シフ トフィ '一チヤ又はいわゆる アシス トフィーチヤを含む場合、 ¾板 Wのターゲッ ト部分 Cにおける所望のパターンに正 確には対応しないことがある点に留意されたい。 一般的に、 放射ビームに付与されるバタ
—-ンは > 集積回路などのタ一ゲッ ト部分 Cに生成されるデバイスの特定の機能層に相^す る。
【 0 0 2 6】
パタ一ニングデバイス Μ Αは透過性又は反射性でよい。 バターユングデバイスの例に は、 マスク、 プ ダラマプルミラーァレィ、 及びプ口グラマブル L C Dパネルがある。 マ スクはリ ソグラフィにおいて W知のものであり、 これには、 バイナリマスク、 レベンソン ¾ ( a Ϊ t e r n a t ί n g ) 位相シフ トマスク、 ノ、ーフ トーン ¾ ( a t t e n u a t e d ) 位相シフ トマスクのようなマスクタイプ、 更には様々なハイブリ ジ ドマスクタイプも 含まれる。 プログラマブルミラ一ァレイの一钶と して、 小型ミラーのマ トリタス配列を使 用し、 ミラ一は各々、 入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜するこ とができる。 傾斜したミラ' 'は、 ミラーマ トリクスによって反射する放射ビームにバタ一 ンを付与する。
【 0 0 2 7】
本明細書において使用する 「投影システム」 という用語は、 例えば使用する露光放射、 又は液浸液の使用や真空の使^などの他の要因に合わせて適宜、 例えば fei折光学システ ム、 反射光学システム、 反射屈折光学システム 磁気光学システム、 電磁気光学システム 及び静電気光学システム、 又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システム を網羅するものと して広讒に解釈されるべきである。
【 0 0 2 8】
本明細書で示すように、 本装置は （例えば透過マスクを使用する） 透過タイプであ る。 あるいは、 装置は、 （例えば上記で言及したようなタイプのプログラマプルミラ一ァ レィを使用する、 又は反射マスクを使用する） 反射タィプでもよ I· '。
【 0 0 2 9】
リ ソグラフィ装置は、 2つ （デュアルステージ） 又はそれ以上の基板テーブル W T (及 ぴノ又は、 2つ以上のマスクテ一プル） を有するタイプであってよい。 このような 「マル チステージ」 機械では、 追加のテープルを竝行して使用するか、 1つ以上の他のテーブル を露光に使用している間に 1つ以上のテ一プルで予備工程を実行することができる。 1つ 以上の基板テーブル W Tに加えて、 リソグラフィ装置は、 基板テーブル W Tがその位 Sか ら離れてレ、る時に、 投影システム P Sの下の位置になるように配置される、 測定ステ一ジ を有し得る。 基板 wを支持する代わりに、 測定ステージにはリソグラフィ装置の特性を測 定するためのセンサが提供され得る。 例えば、 投影システムは、 イメージ品質を決定する ために、 測定ステージ上のセンサにィメージを投影する：：とができる。
【 0 0 3 0】
リ ソグラフィ装置は、 投影システムと基板との間の空間を充填するように、 基板 Wの少 なく とも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。 液浸液 は 例えぱパタ一ユングデバイス! M Aと投影システム P Sの鬨など、 リソグラフィ装置の 他の空閬に適^することもできる。 液浸技術は、 投影システムの開口数を増やすための分 野では周知である。 本明細書で使用する 「液浸 j という用語は， 基板 Wなどの構造を液体 に沈めなければならないという意味ではなく、 露光中に投影システム P Sと基板 Wの間に 液体が存在するというほどの意味である。
【 0 0 3 1】
図 1を参照すると... 照明システム I Lは放射源 S Oから放射ビームを受ける。 放射源 S o及びリ ソグラフィ装 »は、 例えば放射源 s oがエキシマレ一ザである場合に、 別々の溝 成要素であってもよい。 このよ うな場合、 放射源はリソグラフィ装震の一部を形成すると 見なされず、 放射ビーム Bは、 例えば適切な誘導ミラ- 及び Z又はビームェクスパンダな どを備えるビームデリパリシステム B Dの助けにより、 放射源 S Oから照明システム I L へと渡される。 他の事例では、 例えば放射源 S Οが水銀ランプの場合は、 放射源 S Oがリ ソグラフィ装置の一体部分であってもよい。 放射源 S O及び照明シス ム ί Lは、 必要に iSじてビームデリバリシステム. B Dとともに放射システムと呼ぶことができる。
【 0 0 3 2】
照明システム I Lは、 放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジヤスタ A Dを備 えていてもよい。 一般に、 照明システムの瞳面における強度分布の外側及び Z又は内側半 径範 ffl (—般にそれぞれ、 ff … o u 1; e r及び σ … i n n e r と呼ばれる） を調節する：！ とができる。 また、 照明システム I Lは、 インテグレ ' 'タ I N及びコンデンサ C Oなどの 他の種々のコンポ―ネントを備えていてもよい。 照明システム I Lを用 V、て放射ビ一ムを 調節し.、 その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【 0 0 3 3】
放射ビーム: Bは、 支持構造 Μ 'Γ上に保持されたバタ一ユングデバイス M Aに入射し、 パ タ一二ングデバイス Μ Αによつてパタ ·— 'ン形成される。 パターユングデバイス Μ Αを横断 した放射ビーム Bは、 投影システム P Sを通過し、 投影システム P Sは、 ビームを基板 W のターゲッ ト部分 C上に合焦させる。 第 2のポジショナ P W及び位翳センサ： ί F (飼え ば、 干渉計デバイス、 リニアエンコーダ—, 又は容量センサ） の助けにより、 ≤板テーブル W Tを、 例えば様々なターゲッ 卜部分 Cを放射ビ'- -ム Βの経路に位置決めするよ うに正確 に移動できる。 同様に 第 1のポジショナ Ρ Μと^の （図 1には明示されていない） 位置 センサを用いて， マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射 ビーム Βの経路に対してバターニングデバイス Μ Αを正確に位置決めできる。 一般に、 支 持構造 Μ Τの移動は、 第 1のポジシ aナ P Mの部分を形成するロングストロ一クモジュ - ル及ぴショ一 トス ト a—クモジュ、 ルの助けによ り実現できる。 ロングス ト口ークモジュ —ルは、 移動の広範圏にわたってショ ' 'トス トロークモジュールの粗動位置決めを提供す る：:.とができる。 シ；; i―' トス 卜口 --クモジ ールは、 移動の小範囲にわたってロングス ト π—クモジュールに対する支持構造 M Tの微動位置決めを提供することができる。 同様 に、 墓板テーブル W Tの移動は、 第 2のポジショナ P Wの部分を形成する ングス ト口一 クモジュール及びシ 3 ' -トス 卜ロークモジュールを用いて実現できる。 ステツパの場合
(スキャナとは対照的に）、 支持構造 M Tをショートス トロークァクチユエータのみに接 続するか、 又は阖定してもよい。 パターエングデパイス (例えばマスク） M A及ぴ基板 W は、 マスクァライメ ントマ一ク M 1、 M 2及び基板ァライメ ントマ -ク P 1、 P 2を使用 して位置合わせすることができる。 図示のような S板ァライメン卜マーク P 1、 P 2は、 専用のターゲッ ト部分を占有するが 4 タ一ゲッ ト部分の間の空間に位 Sしてもよい (スク ライプライン ' ァライメ ン トマークとして周知である）,， 同様に、 パターユングデバイス
M A上に複数のダイを設ける状況では、 マスクァライメントマーク M 1、 M 2をダイ簡に 配置してもよい。
【 0 0 3 4】
囟示のリ ソグラフィ装霞は、 以下のモードのうち少なく とも 1つにて使用可能である。
【 0 0 3 5】
第 1のモ · '··-ド、 いわゆるステップモ〜·'ドでは、 支持構造 M T及び基板テーブル W Tは、 S本的に静止拔態に維持される一方， 放射ビーム Bに付与されたパターン全体が 1回でタ 一ゲッ ト部分 Cに投影される (すなわち単一静的露光）。 次に、 別のターゲッ ト部分 Cを 露光できるように > 基板テーブル" W Tが X方向及び/又は Y方向に移動される。 ステップ モ一ドでは.. 露光フィ一ル ドの最大サイズによって、 単 静的露光で像が形成されるタ一 ゲッ ト部分 Cのサイズが制限される:.
【 0 0 3 6】
第 2のモ 'ド、 いわゆるスキャンモードでは、 支持構造 M T及び S板テ一ブル W Tは同 期的にスキャンされる ····方、 放射ビ、 ム Bに付与されるバタ ····ンがター-ゲッ ト部分 Cに投 影される （すなわち単 '動的露光）。 支持構造 M Tに対する S板テーブル W Tの速度及び 方向は、 投影システム P Sの拡大 （縮小） 及び像反転特性によって求めることができる。 スキャンモードでは、 露光フィールドの最大サイズによって a—動的露光におけるタ一 ゲッ ト部分の (非スキャン方向における) 幅が制限され、 スキャン動作の長さによってタ 一ゲッ ト部分の （スキャン方向における） 高さが決まる。
【 0 0 3 7】
第 3のモ―'ドでは、 支持構造 M Tはプログラマブルパターニンダデバイスを保持して墓 本的に静止状態に維持され、 基板テ一プル W Tを移動又はスキャンさせながら、 放射ビ―' ム Bに与えられたパターンをターゲッ ト部分 Cに投影する。 このモードでは, 一般にパル ス状放射源を使用して、 基抜テーブル W Tを移動させるごとに.、又はスキャン中に連続す る放射パルスの間で、 プログラマブルパタ一ユングデバイスを必要に応じて更新する。 こ の動作モ'—ドは、 以上で言及したようなタイプのプロダラマブルミラ一ァレイなどのプロ グラマプルパター ングデバイスを使用するマスクレスリ ソグラフィに容易に利用でき る。
【 0 0 3 8】
上述した使用モ ···'ドの組み合わせ及び Z又はその類型を利用してもよい また、 全く異 なる使用モ—-ドを利用してもよい。
【 0 0 3 9】
前述のように > 本発明のリ ソグラフィ装置は、 S板上に設けられたァライメントマーク の位置を測定するためのァラィメント測定システムを備えていてもよレ、。 これらのァライ メ ン トマーク P 3 、 p 2の位置を測定するこ とによって、 基板テ一ブル W Tに対する墓板 Wの位置が決定され得る。
【 0 0 4 0】
基板 Wのこの測定された位置によって、 リ ソグラフィ装 ¾は、 基板のターゲッ ト部分へ のパターン付き放射ビームの実際の投影の問に、 基板 Wを投影システム P S及び/又はパ タ一ニングデバイス Mに対して所望の位置に位置決めすることができる。 このようにし て., ί板 Wのターゲッ ト部分 Cへのパターンおき放射ビームの連続投影が、 相互に位置合 わせできる。 オーバーレイ性能、 すなわち、 基板 Wのタ―'ゲッ ト部分 Cへのパタ '―ン付き 放射ビームの連続投影のァライメン トは、 リ ソグラフィ装置を使用して製造されるデバイ スの製品品質における重要な要因である。
【 0 0 4 1】
製品品質を向上させるためには、 一般に、 リソグラフィ装置のォ一バ一レイ性能を向上 させることが必要である。 オーバーレイ性能は、 例えば、 基板 W上で実質的により多くの ァライメントマ' 'クを測定することによって向上され得る。 特に、 S板ァライメン トグリ ッ ドは、 よ 多数のァライメントマークを測定する：:.とにより， 良好に捕正することが可 能な 歪みの高 波成分を含み得る。 しかしながら、 より多数のァライメントマ一クを測 定するとァライメン 卜測定時間が増加するため、 リ ソグラフィ装置の生産性能に対して制 限的な影響を与えることになる。
【 0 04 2】
更に、 デバイスの測 プロセスの間、 基板には、 層堆積、 エッチング、 及びァ ールな どの、 複数の処理ステップが施される。 これらの ¾1理ステップがリ ソグラフィプロセスの オーバ一レイ性能に.与える影響も重大であり、 通常 > 結果として基板間及び 又は基板の スタック間及び/又は S板の層間に変動を生じさせることになる。
【 0 04 3】
本発明は、 ァライメント測定のかなりの部分が別々のァライメント測定デバィス内で行 えるという涧察に基づく = 結果と して、 リ ソグラフィ装 gの生産性能は ァライメント測 定の数の増加によってそれほど制限されることはない。
【 0 044】
図 2は、 本発明の実施形態に従つたリ ソグラフィシステムを示す。 リ ソグラフイシステ ムは、 リ ソグラフィ装置 LA、 ァライメント測定装 KAMA, 及び基板ハンドラ SHを備 える。
【 004 5】
リソグラフィ装置 L Aは、 図 1に示され、 1に関して説明される、 リ ンダラフィ装置 と同じであるか又は実質的に同じであってよい。 ァライメン ト測定装置 AMAは、 リ ソグ ラフィ装 KLAの生産性能に直接影響を与えることなく、 多数のァライメントマ一クの測 定に使用可能な、 別のデバイスと して提供される。
【 0 04 6】
基板ハンドラ S Hは、 ァライメント測定装置 AM Aとリ ソグラフィ装 SLAとの間で基 板 Wを移送するために提供される。 基板 Wをァライメン 卜測定装置 AMA内に口 '一ドする ため、 及び、 デバイスを製造するための基板 Wの更なる処理ステップのためにリ ソグラフ ィ装置 L Aから基板 Wを取り出すために、 更なる基板ハンドラ （図示せず） が提供され得 る。
【 0 04 7】
基板ハンドラ S Hは、 S板 Wをァライメント測定装置 AMAからリ ソグラフィ装置 LA へと移送できる任意のデバイスであってよい。 例えば、 基板ハンドラ S Hは、 基板の下側 に接触するグリ ツバ、 単数又は複数のロボッ トァ '··-ム、 及び/又は、 S板の上面で基板を 保持するベルヌ一イチャックを備えていてもよい。 ベルヌ一イチャックは、 引用により本 顧に含まれる H際公鬨第 2 0 1 3 / 1 0 0 2 0 3号バンフレッ トに記載されている。
【 0048】
所望であれば、 1つ以上の基板ハンドラ SHを介してリ ソグラフィ装置 L Aに結合され る、 複数のァライメ ント測定装置 AMAが提供され得る。 これによつて、 リ ソグラフィ装 置の生産性能は、 ァライメ ン ト測定装 »AMAの出力に更に飮存しなくなる。 また、 1つ 上のァライメント溺定装鼠 AMAと 1つ以上の S钣ハンドラ S Hを備える装 gを、 計測 装 Sと称してもよい。
【 004 9】
図 3は、 ァライメン ト瀏定装 i!AMAの実施形態をより詳細に示す。 ァライメ ン ト測定 装置 AMAは... 基板 W上に設けられた複数のァライメントマ一クを測定するように配置さ れる。 例えば、 ァライメント溺定装 KAMAは、 単数若しくは複数の F I A (F i e l d I m a g e A 】 ί g EI m e n t ) センサを備える S扳 ' ァラィメント ' システムを含 む。 ：:.の基板 ' ァライメ ン ト ' システムは、 （リソグラフィ装置内において基板上に設け られたァライメ ン トマ一クの位 Ϊを測定するための） 前述のァライメント測定システムと 同様であつても、 類似して -'てもよい。 更に , 了ラィメント測定装置 A M Aは、 ¾板上の 露光フィールド^ (又は, ダイ間） に設けられたァライメントマ-—クの位置た'けでなく、 ¾板上の露光フィールド内 （又は， ダイ内） に設けられたオーバ一レイマ一クを測定して もよい t, また； ァライメント測定装置 AMAは、 基板上に設けられたァライメントマーク 及び Z又はォ一バ一レイマークの位置を溺定するだけでなく、 ァライメントマ一ク及び/ 又はォ '··バ一レイマ一クの非対称性を測定してもよい。
【 0 0 5 0】
ァライメ ン ト測定装 KAMAは、 第 1の基板ラ -ーブル （基板ステージ） WT 1及ぴ第 2 の基板テーブル （基板ス —ジ） WT 2を備える。 第 1の基板テ—-ブル WT 1及び第 2の 板テーブル 'WT 2は、 各々、 ァライメ ント測定装置 AMAにおける墓板 Wの処理の問 ¾板 を支持するように構成される。 なお、 第 1の基板テ一ブル WT 1及び第 2の基板テ 、 ブル WT 2で支持される 2つの基板 Wは、 は、 各々、 第 1の F O U P、 第 2の FOU P 又は第 3の F O U Pから -" ドされ得る。
【 0 0 5 1】
第 Ϊ の位置決めシステム P O S 1が、 第 1の基板テーブル WT 1を所望の位置に位 g決 めするために提洪され、 第 2の位置抉めシステム P O S 2が、 第 2の基板テ一ブル WT 2 を所望の位置に位置決めするために提供される e 第 1の位置決めシステム P O S 1及び第 2の位置決めシステム P O S 2は、 ベースフ レ '一ム B :F上で支持される。 第 1の位置決め システム PO S 1及び第 2の位置決めシステム P O S 2は， ¾扳 を所望の位置に 6自由 度で位置決めするために、 ァクチュュ-.一タシステム及び位 [1凝定システムを備える„
【 0 0 5 2】
ァライメン 卜測定装置 は iffi捩支持体 V Sによってベ―'スフ レ '一ム: B F上に支 持される.， メ ト フ レ '一ム を更に備える„
【 0 0 5 3】
ァラィメント翻定装置 AM Aは、： 墓板 Wを妈理するための第 1のステーション S T 1及 び第 2のステーシヨ ン S T 2を備える ς, 第 1の基板テーブル WT 1及び第 2の基板テープ ル WT 2は、. 第 1のステーシ aン S T 1 と第 2のステ一シヨン S T 2との間を移動できる ため.， 第 1の基板テ―ブル WT 1及び第 2の墓抜テ一プル WT 2のうちの 1つの上で支持 されている基板 Wは.， 第 1のステ―シヨン S T 1及び 又は第 2のステ—-シ a ン S 'Γ 2内 で処理可能である。 したがって、 第 1のステ一ショ ン S Τ 1内に引き続いて第 2のステ一 シヨン S Τ 2内で @理するた.めに、 第 1の基板テーブル WT 1及び第 2の基板テーブル W Τ 2の問で基板 Wを移送する必要はない。
【 0 0 54-】
第 1の！;板テーブル WT 1及び/又は第 2の S板テーブル WT 2上に！;板 Wを配置する ため， 及び/又は， 第 1の！;板テ一プル WT 1及び/又は第 2の基板テーブル WT 2から 基板 Wをとるために、 基板ハンドラ （図 3には^示せず） が提供され得る。
【 0 0 5 5】
第 1のステ一シ ン S Τ 1において、 第： ί のァライメン 卜センサ A S 1及び/ /又は第： I のレぺルセンサ L S Iが提洪される。 第 2のステーショ ン S T 2は、 第 2のァライメ ン ト irンサ A S 2及び 又は第 2のレベルセンサ L S 2を備える„ 第 1のァライメントセンサ A S 1は、 えば、単数の F I A ( F i e 1 d I m a e A 1 i g n m e n t ) セン サを備える。 あるいは、 第 1のァライメントセンサ A S iは、 引用により本願にも含まれ るものとする米国特許出顚 U S 2 00 9 / 0 2 3 3 2 3 4 A 1 号に開示されているような 複数の F I Aセンサを髑えていてもよい。 第 2のァライメン 卜センサ AS 2は、 第 1のァ ライメン卜センサ AS 1 と同様に構成され得る。 若しくは、 第 2のァライメントセンサ A S 2が、 第 1のァライメントセンサ AS 1 とは異なるタイプのァライメントセンサを備え ていてもよい。 第 1 ( レぺルセンサ L S 1、 第 1のァライメントセンサ A S 1、 第 2のレ ベルセンサ L S 2、 及び/又は、 第 2のァライメントセンサ A S 2の、 センサ信号を受信 し、 これらのセンサ信号を処理するために、 炮理ュエツ ト P Uが提供される。 処理ユエッ ト PUは、 第 1の位置決めシステム P O S 1及び第 2の位繫決めシステム P O S 2を制御 するようにも配置され得る。
【 0 0 5 B】 第 1 のステ—-ショ ン S T 1及び第 2のステ '―ショ ン S 'Γ 2 と、 この 2つのスヲ-一シヨ ン S T 1 、 S T 2の間を移動できる 2つ又はそれ以上の基板 W Tと、 を伴う構造は、 基钣 W 上のァライメントマ一タの位 Bの測定に関して使用可能な更なるデバィス又はシステムを 提供するため、 あるいは， 基板 W上で の溺定を実行するた.めに、 非常に好適である。 実 際に、 ァライメント潮定装置 A M Aのユーザの二一ズに^じて、 ァライメント測定装 S A M Aが更なるデパイス又はシステムを含むように構成するための基礎と して、 要望に合わ せてこの構造を使用することができる。 ァライノ ン 卜測定装置 A M Aが、 複数種類のセン サ デバイス又はシステムを備える場合、 ァライメン 卜測定装置 A M Aは、 計測装置と称 されてもよい。 また、 ァライメント測定装置 A M Aが、 基板の特性を検査するデバイスを 1つ以上備えている場合 ァライメント測定装置 A M Aは 検査装置と称されてもよい 【' 0 0 5 7】
更なるデバイス又はシステムは 例えば、 第 1 のステ一'シ ン及び/ .义は第 2のステ '― シヨ ン内に、 第 1のレぺルセンサ L S 1、 第 2のレベルセンサ L S 2、 第 1の露光ュュッ ト E U 1、. 第 2の露光ュニッ ト E U 2、 レーザ ァブレーシ ン ' ュ二ッ ト L A U ; 及び Z又はオーバ一レイセンサ O Sを含んでよい。 更なるデバィス又はシステムは、 第 3のァ ライメントセンサ A S 3及ぴ第 4のァライメ ントセンサ A S 4などの, 更なるァライメン トセンサを含んでもよい。 更なるデバィス又はシステムに 1つ以上の露光 二 y 卜が含ま れる装置を、 リ ソグラフィ装置と称することができる。 また、 更なるデバイスヌはシステ ムに露光ュニッ 卜が含まれない装 *を、 計漉装置又は検査装置と称する ：:.とができる。 換 露すると、 リソグラフィ装置と計測装置 *検査装置の本質的な違いは、 露光ユ ッ トの有 無であり、 リ ソグラフィ装置と計測装 s *検査装置が、 同様の、 単数又は複数のァライメ ント測定装置 A M A、 単数又は禳数の墓板テーブル、 及ぴ、 単数又は筏数の基核ハン ドラ を備えていてもよい。
【 0 0 5 8】
更なるデバイス又はシスチムの各々を ^理ュニッ ト P Uに接綾できるため、 理ュ二ッ ト P Uが更なるデバイス又はシステムから溺定データを受信できること、 及び/又は、 処 理ュニ y ト P Uがそれぞれのデパイス又はシステムに命令を送信できることになる。
【 0 0 5 9】
図 3は、 このように構成可能なァライメント測定装置 A M Aの実施形態を示す。
【 0 0 6 0】
ァライメント測定装置 A M Aは、 第 1 のステーション S T 1内に第 1 のレベルセンサ 'L S 1を、 また第 2のステーショ ン S T 2内に第 2のレベルセンサ L S 2を傭える。 レベル センサ L S 1. L S 2は、 基板 Wの上面の少なく とも一部の高さマ'ップを翻定するために 提供される こ う した高さマップは えば、 第 2のステーション S T 2内の第 2のァラ ィメ ントセンサ A S 2などの飽の翻定デバイスに対して、 基板 Wをより最適に位置決めす るために使用可能である。 また、 レベルセンサに加えて又はレベル'センサの代わりに、 ァ ライメント測定装翳 A M Aは、 膜厚測定装置、 及び/又は、 分光反射率測定装置を備えて いてもよい。 倒えば、 第 .].のステーショ ン S T ：! 内に膜厚測定装置を、 第 2のステ一ショ ン S T 2内に分光反射率測定装置を備えていてもよい。 また， 第 1のステージヨ ン S T 1 内には第 1のァラィメントセンサ A S 1のみが備えられ、 第 2のステ―シ 3ン S T 2内に は膜厚測定装置/分光反射率測定装 *のみが攛えられていてもよい。 ァライメント測定装 雷: A M Aお、 1つ以上のァライメントセンサ A S及び膜厚測定装置/分先反射率溺定装置 を備える場合、 ァライメント測定装繫 A M Aは、 計溺装置と称されてもよい。 計測装置は 1つ以上のァラィメントセ'ンサ A S -, 1つ以上のレベルセンサ、 1つ以上の膜厚測定装 匿、 及び Z又は、 iつ以上の分光反射率測定装 Sを備えていてもよい。 膜厚溯定装 Sは、 例えば、 引用により本顧にも含まれるものとする特開 2 0 1 0 -… 0 2 5 5 7 5号公報に開 示されているような， 基板表面全体の膜厚分布を高速に測定可能な膜厚測定装置であって もよい。 分光反射率澳定装置の代わりに、 例えば、 引用により本願にも含まれるものとす る特闋 2 0 0 6 - 0 8 4 3 3 3号公報に開示されているような、 分光反射率予測装置が用 いられてもよい。 また、 引用により本顥にも含まれるものとする特関 2 0 0 5— 2 6 5 6 5 5号公報に ¾示されているように 膜厚測定装置が分光反射率 定装置を備えていても よい。
【 0 0 6 1】
S钣 Wの高さマップの所望の確度に応じて、 それぞれの基板 Wの上面で 1回.以上のスキ ヤンを行うこ とができる。 上面は、 基板 Wの完全な高さマジブを取得するために、 第 1の レベルセンサ L S Iによつて完全にスキャン可能である。 他の実施形態では、 基板 Wの上 面は、 基板 Wの関連部分で部分的にスキャンされるのみである。 高さレベルは、 例えば、 第 2のァライメントセンサ A S 2によるそれぞれのァラィメントマークの測定の間に、 第 2のァ 7ィメ ントセンサ A S 2に対する基板 W ©垂直位置及び/又は傾斜位置を最適化す るために、 ァライメ ントマ一クが提供される小さなエリアについてのみ決定され得る。 第 2のァライメントセンサ A S 2に対してァライメントマ一クの位置がこのように最適化さ れることで、 第 2のァライメントセンサ A S 2の測定性能が向上することになる。
【 0 0 6 2】
これに力 Pえて又はこの代わりに ァライメント測定装置 A M Aは、 第 1のステ一ショ ン S T 1.内にレーザ ' アブレ一シヨン ' ュニツ ト L A Uを備えていてもよい。 このレー' ザ ' アブレ ' 'シ ン ' ユニッ ト 'し A Uは、 局所的に、 特にァライメン卜マ—-クの πケ一シ ョ ンで リ ソダラフィプロセスのために基板 W上に提供されたレジス ト層の一 ¾を力ッ ト するために使用され得る。 いくつかのタイプのァライメントセンサは、 レジス ト層を介し て測定を実施しなければならない時に、 ァライメント測定性能が低下する。 また,, デバイ スの製造時に使用されるいくつかのタイプのレジス ト層は不透明である 不透明層は、 例 えば 3 Dセル · スタツキング 'デバイスの製造時に、 しばしば使用される。 これらの不透 明藩は ァラィメントセンサ A S 1、 A S 2、 A S 3、 A S 4力 S、 ァライメントマ一クの 上の不透明層を介してァライメントマークの位置を測定するのを防ぐ。
【 0 () 6 3】
レ' - - - アブレ一シ ン ■ ュニッ ト L A X を用いてレジス ト層を局所的に涂去する ：：と によって， 測定ビームが！;接 Wのレジス ト層を通過する必要なしに、 ァライメン 卜センサ A S I , A S 2、 A S 3、 A S 4はァライメントマ '―'クにアクセスできる。 したがってレ 一ザ - アブレーション ' ュニシ ト L A Uは、 ァライメン卜マークの位置測定の測定品質を 向上させること、 又は、 以前に不透明層でコーティングされたァライメントマ' 'クを測定 すること、 を可能にする。
【 0 0 6 4】
これに加えて又はこの代わりに、 第 1のステ一ション S T I及ぴ第 2のステ' -シヨン S T 2において、 第 1 の露光ュニッ ト E U 丄及ぴ第 2の露光ユ ；. ' ト E U 2がそれぞれ提 供されてもよい。 第 1の露光ユニッ ト E U 1及び第 2の露光ユニッ ト E U 2は、 基板 W上 に更なるァライメントマ '―'クを投影するために使用できる。 例えば、 ァライメ ン 卜マーク はリソダラフイブコセスステップの間に劣化する傾向があるため、 又は、 ァライメントマ ークは不透明層によつて覆われており， ァライメントマータの πケ '···シヨ ンで、 例えばレ 'ザ .アブレ一ション。ユニッ ト L A Uを使用して層が局所的に力ッ トされることは望ま しくないため、 いくつかの 用例では、 基板 W上に新しいァライメントマ一クを提供する ことが望ましい。 その後、 露光ユエッ ト E U 1、 E U 2を使^して、 S板 W上に新しいァ ライメントマークをプリントすることができる。
ί 0 0 6 5】
第 1の露光ュニッ ト E U 1及ぴ第 1 のァライメントセンサ A S ：;.は同時に使用できるた め、 露光ユニッ ト Eじが ¾钣 上に新しいァライメ ン トマークを投影する間、 少なく とも 1つの驟存のァラィメントマ ' 'クが第 1のァラィメント ンサ A S 1によつて測定可能で あり、 K存のァライメントマ一クに对する新しいァライメントマ '一クの IE確な口ケ——ン ンが決定可能である =とがわかる。 同様に、 第 2の露光ユニッ ト E U 2及び第 2のァライ メン トセンサ A S 2も、 第 2のステ、一ション S T 2内で同時に使用できる。
【 0 0 6 6】
第丄の露光ュニッ ト E U 1及び/又は第 2の露光ュニッ ト E U 2を使用して、 レジス ト 層の特定の部分を局所的に取り除くために、 レジス ト層のこの特定の部分にビームを投影 することもできる。 特に、 第 1の露光ユニッ ト S U 1及び/又は第 ?,の露光ュニッ ト E U 2を使用して、 下記で説明するレ -ザ ' アブレ一シヨ ン 'ユニッ ト L A Uの使用に対応す る、 基板 の 1つ以上のァライメン トマ ' 'クの上に撮供されたレジスト層の一部を取り除 くことができる。
【 0 0 6 7】
第 1のステ、―シヨン S 'Γ 1 は、 第 3のァライメ ン トセンサ A S 3も備える。 第 2のステ --シヨン S T 2は、 第 4のァライメントセンサ A S 4及ぴォ一パ一レイセンサ O Sを備え る。 第 3及ぴ第 4のァライメントセンサ A S 3、 A S 4は、 第 1のァライメントセンサ A S 1及び第 2のァライメントセンサ A S 2とは異なるタイプのァライメント測定装隱であ り得る。
【 0 0 6 8】
第 3のァラィメントセンサ A S 3及ぴ第 4のァラィメン トセンサ A S 4の提供によつ て、 ァライメント測定装置 で実施可能なァライメント測定に関して更に多くの柔軟 性が与えられる。 例えば、 以前のァライメン ト測定の成果及び 又は測定されるべき特定 の基板 Wの知識に応じて、 1；板 W上のァラィメントマークのァライメン 卜測定における使 用に、 第 1及び/又は第 2のステーショ ン S T 1、 S T 2のいずれのァライメントセンサ が最も適しているかが特定できる。
【 0 0 6 9】
また、 第 1のァライメントセンサ A S 1、 第 2のァライメントセンサ A S 2、 第 3のァ ラィメントセンサ A S 3、 及び第 4のァラィメントセンサ A S 4は、 同じ基板 W上の異な るタイプのァライメントマ一クの測定が可能であり、 これによつて.、. ¾板 Wのァライメン ト測定の品貧を向上させることもできる。 また、 これらのァライメントセンサは、 基板上 の露光フィ、 'ルド間 （又は、 ダイ間） に設けられたァライメントマークの位置だけでな く、 S板上の露光フィール ド内 （又は、 ダイ內） に設けられたオーバ- レイマークを測定 してもよレ、。
【 0 0 7 0】
ォ ' 'バ ' 'レイセンサ O Sは、 基板 W上に投影されるパタ一ン間のォ―パ一レイを測定寸' るために提供される。 オーバーレイセンサ O Sは 例えばリ ソダラフィシステムのオーバ ―レイ性能を測定するために使用可能である。 例えば、 ォ一バーレイセンサ O Sは， 基板 上のオーバ一レイマークを測定してもよい。 また、 上述のァライメントセンサ及び/又は 才―バ―レィセンサ o sは、 ァラィメントマ '一ク及び/又はォ一パ一レィマ一クの非対称 性を測^してもよい。 これらのマ一クの非対称性の測定には， 倒えば、 引用により本顧に も含まれるものとする特開 2 0 0 S― 0 6 0 2 1 4号公報 > 及び、 国際公開第 2 0 1 4 / 0 2 6 8 1 9号バンフレツ 卜に開示されているような装置 '測定方法、 若しくは、 それら に類似した装置 '測定方法が用いられてもよい。
【 0 〔:' 7 1】
ァライメント測定装置 A M Aは、 基板 Wのァライメント測定に関してかなりの柔軟性を 与える。 これによつてユーザは、 屬厚み 材料特性、 及びターゲッ ト形状などの、 妈理さ れるぺき基板 Wのスタック特性のうちの特定の特性について、 ァライメント測定を適応す ることができる。 これらのスタック特性は、 一般に、 半導体デパイスタイプによって異な るが、 これらのスタック特性は S板によつて、及び基板ごとに異なる場合もある。 リ ソグ ラフィ装置は異なるデバイスタイプに使用できるため、 これらすベての異なるスタ ックに 効率的に *T feするために 柔軟なァライメント測定装 K A M Aを適用すること:ができる。
【 0 0 7 2】
その上、 ァライメ ン ト測定装置 A M Aは、 第 1 のステ一シ ン S T 1及び第 2のステ ' ' シヨン S T 2を提供し、 2つの基板が同時に処理可能である。 これによつて、 例えば、 S 純に、 第 1のァライメントセンサ A S 1 と第 2のァライメントセンサ A S 2が、 それぞれ のスラ : · ' ·シヨンに配匿され、 罔様に稼働された場合、 測定能力を実質的に、 例えば 2倍に 樓大させることができる。 また、 第 1 のステ +—シ a ン S T 1及び第 2のステ—-シヨ ン S T 2に、 異なる種類の測定装 a (又はセンサシステム） が配遛される場合、 例えば、 第 1の ァライメントセンサ A S 1 と膜厚測定装置/分光反射率測定装置がそれぞれのステーショ ンに配 [1される場合には、 2つの墓板が同時に逃理可能であるだけではなく、 必要な測 時閬の違いに応じて、 ァライメント測定装驟 A M Aの稼働方法を最適化することができ る。 !!えば、 第 1 のステーション S T 1に配置された篛 1のァライメントセンサ A S 1が 1枚の！;板のァライメント測定を終える為に必要な時間が、 第 2のステ '―シ ン S T 2に 配置された膜厚測定装麗が基板表面全体の膜厚分布を測定するのに必要な時¾の 3倍であ る場合 （基板ハンドラが S板交換にかかる時間が無視できると饭定すると）、 第 1 のステ
—シヨン S T 1 で 1枚の基板を処理する間に、 第 2のステ一ション S T 2では約 3枚の基 板を処理することができるであろう。
【 0 0 7 3】
ァライメント測定装 ¾を使用する方法の実施 ¾態において、 基板 W上のァライメントマ ークの位置に関するァラィメント測定は、 第 1のステ' 'シヨン S T 1及び第 2のステ一シ ヨン S T 2の両方で実行できるため、 それによつて墓板 Wは， 第 1の基板テ一プル W T 1 及ぴ第 2の基板テーブル W T 2のうちの 1つの上で引き続き支持されている。
【 0 0 7 4】
それによつて、 第 1 のステ '一ション S T 1内での第 1 のァラィメントセンサ A S 1を用 いるァライメント溺定の結果を、 第 2のステーション内での第 2のァライメン トセンサ A S 2を用いるァライメント測定のための入力として使用することができる。
【 0 0 7 5】
例えば、 第 1 のステ' -シ 3ン s τ 1において、 a板上の第 1の数のァライメントマ一ク の位置は、 第 1のァライメントセンサ A S Iによって測定することができる。 第 2のステ ーシヨン S T 2において， ί板 W上の第 2の数のァライメントマ一クの位置は、 第 2のァ ライメントセンサ A S 2によって溺定することができ、 それによつて、： 第 2の数のァライ メン 卜マ -ク、 すなわち、 数量及び/又はロケ一シヨ ンは、 第 1のステ、―シヨ ン S T 1内 のァライメント測定の成果に基づいて測定される。 第 2の数のァライメントマ -クの選択 は、 ί¾えば、 第 1のァライメントセンサ A S 1を用いるァライメント溺定に関して決定さ れる測定品質についての結果であり得る。
【 0 0 7 6】
第 1のァライメントセンサ A S 1の測定に基づいて、 基板 Wの所与の リアが、 基棂 W 上のァライメントマ一クの測定品質を向上させるために > 更に多くの, 又は相対的に多く のァライメント測定を必要とする可能性が高い場合、 これらのュリァ内で多くの数のァラ ィメントマークの位匱測定を得るために、 第 2の数のァライメントマークは、 特にこれら のエリァ内で， 又はこれらのェリァに集中して選択することができる。
【 0 0 7 7】
ある実施形態において、 第 1のァライメントセンサ A S 1を用いて測定されるァ :ライメ ントマークの数 （第 1の数） は、 第 2のァライメントセンサ A S 2を用いて測定されるァ ライメントマークの数 (第 2の数) より も実賓的に少ない。 第 1のァライメントセンサ A S 1を用いた測定は、. 通常、 第 2のァライメン 卜センサ A S 2を用いた溺定を最適化する ために使用されることになる。
[ 0 0 7 8】
第 2のァライメントセンサ A S 2を用いて測定されるァライメントマ一クの数 （第 2の 数） は、 基板 1枚 ¾たり 2 0 0個¾上でよい。 好ましくは、 S核 1.枚当たり 3 0 0個以上 でもよい。 この相封的に多くの数のァライメン 卜マークの測定により、 ァライメントマ一 クの測定品質が実質的に ^上し、 それによつて、 リ ソグラフィ装置 L Aのオーバ一レイ性 能に対して大幅な好影響が与えられる。
【 0 0 7 9】
第 1の数のァライメントマータ及び第 2の数のァライメントマークは < 部分的ヌは完全 に重複し得る二とがわかる。 つまり， 第 ].のァライメン 卜センサ A S 1を^いて測定され るァライメントマ '―.クと第 2のァライメントセンサ A S 2を用いて測定されるァライメン トマ一クが部分的又は完全に重複してもよい。
【 0 0 8 0】
ここまで、 i 3に示されるようなァライメ ント測定装置 AMAの実施形態を説明してき た。 ¾業者であれば、 多くの飽の構成も可能であることが明白となろう。 例えば、 第 1の ステーショ ン S 'Γ ί において、 レ '一- # ' ァプレーシヨ ン 。 ユニッ ト L AU、 第 1 の露光ュ 二ッ ト E U 1 .. 及ぴ /又は第 3のァライメントセンサ A S 3は省絡されてよく、 第 2のス テーション S T 2において、 第 2の露光ュュッ 卜 E U 2.、 第 4のァライメントセンサ A S 4、 及び Z又はオーバーレイセンサ O Sは省略されてよい„ それに £;じて 第： ίのスラ :一 シヨン S Τ 1内にオーバーレイセンサ O Sを追加すること、 及び Ζ又は第 2のステ ' ·シ' s ン S Τ 2内にレ一ザ ' アブレーシ sン ' ユ ッ ト L AUを追加することができる。 また、 第 1 のァラィメントセンサ A S 1、 第 2のァライメ ン卜センサ A S 2、 第 3のァライメ ン トセンサ A S 3、 及ぴ Z又は · 第 4のァライメントセンサ A S 4が、 甚板上のァライメン トマ一クの位置だけでなく、 基板上のォ一パ一レィマ―'クを鞣定する場合， ォ一 / '―レィ センサ o Sが省略されてもよい。
【 0 0 8 1】
図 4は、 本発明の態様に従った.、 リ ソグラフィ装置の第 1の実施形態を示す。 特に図 4 は、 本発明の実施形態に従った、 リ ソグラフィ装置內に適用される JS板テ一ブル構成 （ί 钣ステ一'ジ ' ハンドラ ' システム） の上面図を示す。 本癸明の実施形態に従った基扳ステ —ジ 'ハンドラ ' システムは、 計測装置や検査装置に適用されてもよい:：
【 0 0 8 2】
墓板テーブル構成 （基板ステージ。ハン ドラ ' システム） は,， 第 1 の基板テ一プル WT I ., 第 2の基板テ一ブル WT 2、 及び第 3の基板テ一ブル WT 3を備え， 各々が ί板 Wを 支持するように構築される:： 第 1 の基板テ一ブル WT 1、 第 2の S板テーブル WT 2、 及 び第 3の基板テーブル WT 3は、 基板テーブル位置決めシステムによって、 移動可能に支 持される。 基板テーブル位置決めシステムは、 平面移動域 P AM内で移動可能な第 1 の位 E決めモジュール PM 1を備える。 これ.に応じて、 第 2の基板テ一プル 2は平面移動 域 P AM内で移動可能な第 2の位置決めモジユ一ル PM 2を備え、 第 3の！;扳テ '一プル W T 3はこれもまた平面移動域 P AM内で移動可能な第 3の位置決めモジュール P M 3を備
【 0 0 8 3】
平面移動域 Ρ ΑΜは、 例えば、 永久磁石の複数アレイによって;^成される平面によって 爾定され得る。 第 1 の位置決めモジュール ΡΜ 1、 第 2の位置決めモジュール Ρ Μ 2、 及 ぴ第 3の位 Κ決めモジ：:: --ル Ρ Μ 3の各々は、 1つ以上の作動コイルを備え、 これらの作 動コィ/レは、 コント口一ラによってエネルギ--が供給された時、 それぞれの位置決めモジ ュ ' 'ル ΡΜ 1、 Ρ Μ 2、 ΡΜ 3を、 永久磁石の複数アレイに対して平'面移動域 P A Μ内の ^望の位置へと移動させることができる。 第 1 の位置決めモジ ール PM 1、 第 2の位置 決めモジュール PM 2、 及び第 3の位置決めモジュール PM 3の各々は、:· 第 1 の基板テ ブル WT 1、 第 2の 板テーブル' W T 2、 及ぴ第 3の基板テーブル WT 3を、 それぞれ高 い確度で所望の位置に位置 めするための、 微動位 S決めデバイスを備えることができ る。
【 0 0 8 4】
第 1 の基板テ一ブル" vV T 1 , 第 2の基板テ一ブル W 'Γ 2、 及び第 3の基板テ一プル W Τ 3の位置を、 高い確度で、 好ましくは S 自由度で測定するために、 位置測定システムが提 供され得る。 ある実施形態において、 位繫測定システムは、 平面移動域 P AMの少なく と も一部の上に配 Sされる 1つ以上のグリ ッ ド板と、 1つ以上のグリ ッ ド板に对するそれぞ れの基板テーブル WT 1、 W T 2、 WT 3の位置を決定するために、 第 1の墓板テ一ブル W 'Γ 1、 第 2の基钣テープル Τ 2■、 及び第 3の . 板テ一ブル W Τ 3の各々の上に取り付 けられるエンコーダ型センサと、 を備える。 この代わりに、 1つ以上のグリ ッ ド板が基板 テーブル WT 1、 W Ύ 2 , 'W'T 3、 それぞれの上面.. 側面及び 又は下面に設けられても よい。 この場合、 複数のエン ーダ型センサをメ トロフレーム MF、 ベ一スフレ .' -ム 3 F、 及び/又は、 各基板テ ' 'プルの稼働域周辺の任意の位置に配置すればよい。 これに加 えて又はこの代わりに、 位置翻定システムが亍渉計システムを備えていてもよい。 この場 合、 単数又は複数の鏡が各基板テーブルそれぞれの上面、 側面及び 又は下面に設けられ てもよい。
【 0 0 8 5】
第 1 の基板テーブル W T 1.は、 何らかの必要な物品又は信号を第 1 の基板テーブル W T 1に供給するために、 リソグラフィ装置の固定部分に接統される必要がある。 例えば、 ェ ネルギ一を与えるため、 例えば作動コィルにエネルギ一を与えるための ¾気接続、 真空ク ランプを容易にするための真空コンジッ ト、 冷却流体を提供するための 1つ以上の冷却流 体コンジッ ト、 及び/又は、 第 1の基扳テ一プル W T 1に制御信号を提供するための制御 接続があってもよい。 また、 センサ信号， 又は第 1の S扳テーブル W T 1の冷却に使用さ れる冷却流体などの物品又は信号を、 第 1の基板テーブル W T 1からリ ソグラフィ装置の 固定部分に移送する必要もあり得る„
【 0 0 8 6】
上述された実施形態において、 第 1 の基板テーブル W T 1 とリ ソグラフィ装 Sの IS定部 分、 又は少なく ともその一部との間のこれらの接続は、 第 1のケ一プル接続 C C 1内に提 供される。 第 1のケーブル C C 1は、 第 1の基板テーブル W T 1 と第 1のケ一ブル接練支 持体 C C S 1 との間に提供される。 第 1のケ一プル接続 C C 1内の異なる接続は、 X方向 で相対的に堅く、 他の方向 特に y方向で棺 ¾的に柔軟な、 接続の列と して提供される。 こうしたケ' 'プル接続は。 ケ一ブルシュレップと しても示される。 ケーブル接銃という用 語は、 本明細書では、 流体、 電気工ネルギ一、 空気、： 及び z又は信号などの物品を、 それ ぞれの基板テ一ブルとリ ゾグラフィ装置の他の部分との間で移送するための、 それぞれの 基板 —プルとリ ソグラフィ装置の他の部分との間の任意の機械的接続に使用されること がわかる。
【 0 0 8 7】
第 1 のケープル接続 C C 1は、 X方向に相対的に堅いため., 第 1 のケーブル接続支持体 C C S 1は、 平面移動域 P A Mの第 1 の側で X方向に延在する第丄のリ二ァガィ ド L G 1 上で移動可能に支持される。 第 1のケーブル接続支持^ C C S 1 は ::: 第 1 の基板テーブル W T 1の: X方向の動きに追钹するように、 第 1のリニァガイ ド L G 1に対して移動するた め、 第 1のケーブル接続 C C 〗 は、 第 1 の基板テーブル W T 1の位置決めに大きな悪影響 は与えない。 第 1 のケーブル接続支持体 C C S 1からの更なる接続が、 リ ソグラ フィ装置 の他の部分へ、 例えばエネルギー源、 真空源、 冷却液源、 及び/又は ントローラへと提 供される。
【 0 0 8 8】
第！ί のケ一ブル接続支持体 C C S 1は、 第 1のリユアガイ ド L G 1上で任意の好適な手 法で誘導され得る。 えば、 第 1のケ ' ·'ブル接続支持体 C C S 1 と第 1 のリニアガイ ド L G 1との！ 81に、 機械的、 流体、 又は気体のベアリングがあってよい。 例えば、 アペアリ ングを用いることができる。 好ましくは、 第 1 のリニアガイ ド L G 1.は、 リュァ磁気支持 ガイ ドと して形成される。
【 0 0 8 9】
第 2の基板テ一プル 2は、 第 2のケ '····ブル接続 C C 2を用いて第 2のケーブル接続 支持体 C C S 2に接続される。 第 2のケーブル接続支持体 C C S 2は、： 第 2のリ アガイ ド L G 2上で移動可能に誘導される。 第 2のリニアガイ ド L G 2は、 第 1 のリニアガイ ド L G 1が平面移動域 P A Mに ¾つて延在する第 1 の側の反対側の、 平面移動域 P A Mの第 2の側に配 ¾される。 第 1のリニアガイ ド L G 1及び第 2のリ アガイ ド L G 2は、 どち らも同じ方向、 倒えば図 4の実施形態では X方向に延在する。
【 0 0 9 0】
第 3の基板テーブル W T 3は、 第 3のケ一ブル接続 C C 3を用いて第 3のケ一ブル接続 支持体 C C S 3に接続される。 第 3のケーブル接続支持体 C C S 3は、 第 1のリユアガイ ド L G 1によって移動可能に誘導される。 第 1 のケーブル接続支持体 C C S 1及び第 3の ケ一ブル接続支持体 C C S 3がどちらも第 1のリユアガイ ド L G 1上で誘導される結果と して、 第 1の基板テーブル WT 1及び第 3の基板 —プル WT 13は X方向に位 Eをスヮッ プできない。 これに对して、 第 2のケーブル接続 C C 2を用いて.， 第 2のリニアガイ ド L G 2によって誘導される第 2のケーブル接続支持体 C C S 2に接続される第 2の基板テ一 ブル WT 2は、 第 1の基板テーブル WT 1及び第 3の基板テ一ブル WT 3の両方と X方向 に位置をスワップすることができる。 これは、 第 2の基板テーブル WT 2は M 4に示され るように第 3の基板テーブル WT 3の右側に位饞決めできるが、 第 1の基板テーブル WT 1 と第 3の；£钣テ一プル WT 3との間、 及び第 iの S板テ一ブル WT 1の左側にも位置決 めできることを意 ¾する。
【 0 0 9 1 】
基板 Wを、 第 1の S板テーブル WT 1及び第 3の基板テ一ブル 3の両方にロー ドで きるようにするために、 第 1の S板ハンドラ S H Ϊ 力 S、 第： Iの S板テ一ブル WT 1 上に E 板 Wをロード及び/又はアン ードするように^面移動域 PAMの第 3の側に配 Sされ、 第 2の S板ハンドラ S H 2が、 第 3の 1；板テ一ブル W T 3上に ¾板 Wを》—ド及び /又は アン口一ドするように、 第 3の側の反対の平面移動域 P AMの第 4の钢に配置される。 第 1の基板ハンドラ S H 1及び第 2の！;板ハンドラ S H 2の両方を便用して、 第 2の基板テ 一ブル WT 2上に基板を ー ド及び/又はアン 一ドすることができる。
【 0 0 9 2】
第 iの口、…ディンダステ '···シヨン L S T 1が、 第 1の基板ハンドラ S H 1に隣接して配 置され、 第 2の口、 ディンダステ—'シヨ ンし S T 2が、 第 2の基板ハンドラ S H 2に隣接 して配置される。 第 1の基板テーブル WT 1及び第 2の基板テーブル WT 2は、 第 1の S 板ハンドラ S H Iが第 ].の基板テ ' 'プル WT 1又は第 2の ¾·板テーブル 2から！;板 W を »一ド又はァン口 --ドする時に， 第 1のローディングステ '一ション L S T i内に配置可 能である。 これに応じて、 第 2の基板テーブル WT 2及び第 3の基板テーブル WT 3は、 第 2の基板ハンドラ S H 2が第 2の基桉テ一プル WT 2又は第 3の基板テーブル WT 3上 に基板 を口一ド又はァン口 ' · ドする時に、 第 2の口 '···'ディングステ一ション L S T 2内 に配置可能である，
【 00 9 3】
第 1の基板ハンドラ S H :1及び第 2の基板ハン ドラ S H 2の代わりに， 単一の口ングァ ーム基板ハンドラを平面移動域 P AMの一方の側で提供する：とが可能であり .、 これは、 第 1の基板テーブル WT 1、 第 2の基板テーブル WT 2、 及び第 3の基板テーブル WT 3 の各々の上のこの一方の側の ΐ板 から口一ド及び/又はアンロード可能である"
【 0 0 94】
基板テープル位置決めシステムは、 第 1の基板テーブル WT 1、 第 2 ©基板テ一ブル W Τ 2 ,. 及び第 3の基板テーブル WT :3が、 少なく ともァライメン ト ' レベル測定ステ、 シ sン AL S Τと露光ステ一ション E S Τとの間で移動可能なように、 構威される。
【 0 0 9 5】
図 5は.， ァライ メ ン 'ト ' レベル涎定ステーション A L S T及ぴ露光ステ一シ ン E S T をより詳細に示す。 ァライメント ' レベル測定ステージ 3ン A L S Tにおいて、 基板上の いくつかのァライメン トマ一クの位置を 定するために、 ァライメントセンサ A Sが提供 され、 基板' Wの上面の高さマ プを溺定するために、 レペルセンサ L Sが提供される。 露 光ステ、 -シヨン E S Tにおいて、 パタ、.ュンダデバイス M Aから ί板 Wへとバタ— -ンを転 写するために、 露光ユニッ トが提供される。 露光ユニッ トは、 図 1に関して説明している ように， 光源 S O、 照明システム I L、 パターユングデバイスを支持するためのバタ―' ^ ングデパイス.支持 #:MT, 及ぴ、 基板 W上にバターン付き放射ビームを投影するための投 影システム P sを備える。
ァラィメン ト . レべル測定ステ、一シ 3 ン A L S Tは , 複数のァラィメン トセンサ及び/ 又はレベルセンサ、 ^えば 所望に応じて、 Vソグラフィ幾蟹のュ一ザによって使用され 得る異なるタイプのァライメントセンサを、 備える ：：とができることがわかる。 【 0 0 9 7】
ァライメント ' レベル測定ステーショ ン AL S T並びに露光ステーシ sン E S T 'は、 相 互に位欝合わせされ.、 すなわち， 相互に X方向に隣り合って位置決めされる。 ァライメ ン ト · レべル測定ステ一シ 3 ン A L S T並ぴに露光ステ '--シヨ ン E S Tのァラィメントの方 向は、 第 1のリ ニァガイ ド LG 1及ぴ第 2のリユアガイ KLG 2の接続ケーブル誘導方向 と同じである。
【 0 0 9 8】
図 4に示されるよ 0な基板テーブル構成の利点は、 追加の基板' 一プル WT 3が、 基板 テ' -プル WT 1、 T 2、 WT 3上に基板 Wを -—ド及び Ζ又はアンロードするための時 Μ、 及び/又は、 ァライメント ' レベル測定ステ一シヨン A L. S Tにおけるァラィメント 及び/又はレベルの測定のための時間を、 より長く確保できることである,
【 0 0 9 9】
墓板 Wを π—ド及びアン口 ' 'ドするための時間をより畏くすることによって、 高速ゥ . —ハ —デイングに起固する:！;板テーブル WT 1、 WT 2、 WT 3のグリ ッ ドの歪み及び 糜耗を減少させることができる。
【 0 1 00】
ァライメント測定時問をより長くすることによって、 ァライメン ト · レベル測定ステ一 シ 3 ン AL S Tにおいて測定できるァライメン トマ一クの数を増加させることができる。 この結果、 基板 W上で測定されるァライメン トマ一クの （フィ一ルド間及びフィ一ルド 內) グリ ッ ド密度をより高くすることができる。 したがって、 露光ステーショ ン E S T内 の実際のリソグラフィ露光プロセスにおいて、 オーバーレイ精度を向上させることができ る。
【 0 Ϊ 0 U
図 6は、 本発明の実施形態に従った、 リ ソダラフィ装置及び計測装置に適用できる基板 ステージ ' ハンドラ ' システムの代替実施形態を示す。 i i 6の爽施形態において リ ソグ ラフィ装置は， 図 4の実施形態に加えて、 第 2のァライメント ' レベル測定ステーショ ン し 3丁 2を備ぇる„ 第 2のァライメント ' レベル測定ステーシ ン A L S T 2では、 基 板上のいくつかのァライメ ン トマ一クの位置を測定するためのァライメ ン トセンサ A S、 及び、 基板の上面の高さマップを測定するためのレベルセンサ L Sが、 提供される。 ァラ ィメン ト ' レベル測定ステ一ショ ン A L S T及ぴ第 2のァライメ ン ト ' レベル溺定ステ一 シ 3ン A L S T 2におけるァライメントセンサ A S及びレベルセンサ L Sは、 実質的に同 じであってよい。 ァライメ ン 卜 。 レベル測定ステーショ ン AL S T、 露光ステーショ ン Ε S Τ .; 及ぴ第 2のァライメ ン ト ■ レベル測定ステーショ ン A L S Τ 2は、 X方向に位 g合 わせされ、 すなわち、 X方向に互いに隣り合って配置される.， ：：の基板ステージ ' ハンド ' シスラ：ムが計測装 Bに適用される場合、 露光ステ一ショ ン E s τの代わり に、 第 3の ァライメント レベル剷定ステ—-シヨ ン A L S T 3が配置されてもよい。
【 0 1 0 2】
ァライメント ' レベル測定ステーション A L S T並びに第 2のァライメント ' レベル測 定ステ一ション AL S T は.、 2つの基板 Wの上面でのァライメントマ一ク及ぴ Z又はレ ベルの同時測定を可能にする。 例えば、 図 6に示されるように、 第 1の基板テ一ブル W T 1上で支持される基钣 Wは， ァライメ ン 卜 ' レベル測定ステーショ ン A L S T内に配置さ れ、 第 3の S板テーブル WT 3上で支持される S板 Wは、 第 2のァライメント ' レベル測 定ステーション A L S T 内に配置される。 同時に , 第 2の S板テーブル WT 2上で支持 される≤板 Wは、 露光ステーション E S T内で ¾1理される。 典型的には、 第 ] ^の基板テ一 ブル WT 1は、 ァライメント · レベル測定ステ一シ 3 ン A L S Tとの組み合わせで使 ffiさ れることになり、 第 3の基板テーブル WT 3は、 第 2のァライメント ' レベル測定ス r一 ション A L S T 2 との組み合わせで使 される：とになる。 第 2の！;板テーブル WT 2 は、 ァライメント ' レベル測定ステーシ ン A L S Tとの組み合わせ、 及び、 第 2のァラ ィメント . レベル測定ステーシ ン A L S T 2との組み合わせの 両方で使用できる。
【 0 1 0 3】 a 6に示されるような基板テーブル構成の利点は、 第 2のァライメント 。 レベル測定ス テ一シヨン A L S T 2を用いることによって、 基板テ一ブル WT 1、 WT 2、 W T 3上に 基板 Wをロード及び/又はアン口、 ドするための時間、 及び/又は、 ァライメント ' レべ ル測定ステーション A L S Tにおけるァライメン ト及びレベルの測定のための時間を、 更 により長くできることである。
【（） ί 0 4】
は、 本発明の実施形態に従った、 リ ソダラフィ装 β及び計測装鬵に適用できる基板 ステージ ·ハンドラ . システムの別の代替実施形態を示す。 図 7の実施形態において、 リ ソグラフィ装置は i 6 の実施形態に加えて、 第 1 の基板テーブル' WT 1、 第 2 の基板テ —ブ/レ 门:' 2、 及び第 3の S板テーブル WT 3のうちの丄つによつて支持される S板 W上 の、 いくつかのァライメントマークの位置を翻定するためのァライメントセンサシステム を備える s 追加のァライメン 卜測定ステーシ ン A Α· s τを備える。 追加のァライメント 測定ステ一ション A A s τ内で提供及び使用されるァライメントセンサのタイプは、 ァラ ィメ ン ト . レベル測定ステ'一シ ン Αし S T並びに第 2のァライメン 卜 . レベル測定ステ 一シ ン A L S T 2のァライメントセンサ A Sとは異なってよい。 代替の実施形態におい て、 追加のァライメント測定ステーション A A S Tにおけるァライメントセンサのタイプ は、 ァライメント ' レベル測定ステーシ ン A L S T並びに第 2のァライメント ' レベル 測定ステ '一シヨン A L. S T 2のァライメ ントセンサ A Sと同じであってよく、 追加のァラ ィメント測定ステ一シ ン A A S Tでは、 同じァライメントセンサと異なるァライメント センサとの組み合わせも、 提供され得る。
ァライメ ン ト ' レベル測定スラ：一ショ ン A L S T、 第 2のァライメン ト ' レベル測定ス テ一シ πιン A L S Τ 2、 ¾ぴに追加のァライメント測定ステ一シヨン A. A S Tは、 前述の ように、 ！¾| 3に示されたァライメント測定装置 AMAに関して使用可能である。 ァライメ ント ' レベル測定ステーシ ン A L S T並びに第 2のァライメント ' レベル測定ステーシ 3ン A L S T 2は、 ァライメント測定装置 AMAの第 1のステージヨンと して構成可能で あり、 追加のァラィメント測定ステ一ション A A S Tは、 ァラィメント測定装置 A M Aの 第 2のステ一ションと して構成可能であるが、 ァライメント · レベル測定ステーション A L S T、 第 2のァライメン ト ' レベル測定ステ一シヨン A L S T 2 , 並びに 追加のァラ ィメン 卜測定ステージヨン A A S Tが、 別のァライメント測定装置 ΑΜΑ内ではなく、 リ ソタラフィ装置内に Sd置される点が異なっている。 ァライメン ト ' レベル測定ステ'ーシ ン A L S T、 第 2のァライメント ' レベル 定ステーション A L S T 2、 並びに、 追カロの ァライメント測定ステーショ ン A A S Tの、 任意の Miの構成も適用可能である。
【 0 1 0 6】
図 8は、 本発明の態様に従ったリソグラフィ装 S及ぴ計測装鼠に適用できる基板ステ一 ジ。ハンドラ * システムの別の代替実施形態を示す。 図 8の実施形態において、 第 4の墓 板テーブル WT 4は、 基板 Wを支持するように構築される。 第 4の基板テ -プル WT 4 は、 平面移動域 P AM内で移動可能な第 4の位置決めモジュール P M 4上で支持される 【 0 1 0 7】
第 4のケーブル接練 C C 4が、 第 4の ¾板テーブル WT 4と第 4のケーブル接続支持体 C C S 4との間に提供される。 第 4のケ一プル接続支持体 C. C S 4は、 第 2のリニァガィ ド L G 2上で支持される。 第 1の S板ハンドラ S H 1は、 第 1の ¾板テーブル WT 1及ぴ 第 2の基板テーブル WT 2上で 墓钣 Wを口一 ド及ぴアンロードするために提供される。 第 2の基板ハンドラ S H 2は、 第 3 の基板テ一ブル WT 3及ぴ第 4の基板テーブル WT 4 上で、 基板 Wを u—ド及びアンロードするために提供される。 第 2のケーブル接続支持体 C C S 2及び第 4のケ -—プル接綾支持体 C C S 4は、 どちらも、 第 2のリニアガイ ド L G 2によって誘導されるため、 第 2の基板テーブル WT 2及び第 4の！板テーブル 4は 方向に位置をス ワ ップできないことが明確である。 しかしながら、 第 2の基板テーブル W T 2及び第 4の基钣テーブル W T 4は、 第 ] の基板テ '―プル WT 1及び第 3の基板テ一 プル WT 3に関して、 方向に任意の位 Bで配 B可能である。 【 0 1 0 8】
基板 WT 1、 WT 2、 WT 3、 WT 4の平面移動域 P AMにおいて、 ァライメント ' レ ベル測定ステ一シヨ ン A L. S T、 追力 のァライメ ン ト測定ステージ 3 ン A A S 'Γ、 及び！: 光ステ一ション E STが配置される。 ァライメント ' レペル測定ステーション AL S Τ、 追加のァライメ ン ト測定ステーショ ン AA S Τ、 及び露光ステーショ ン E S Τは、 X方向 に、 特に、 第 1のリニアガイ ド L G 1及び第 2のリニアガイ ド L G 2のケーブル接続誘導 方向に平行に, 位置合わせされる。 ァライメント · レペル測定ステ一シヨン AL S Tは、 ァライメント測定装置 AM Αの第 1のステーションとして構成され得るが、 追加のァライ メント測定ステ一ショ ン A A S Tは、 ァライメ ント測定装置 AM Aの第 2のステーショ ン と して構成され得る。 ァライメント ' レベル測定ステーシヨン A L S T竑びに追加のァラ ィメント測定ステ一シヨン A AS Tの、 任意の他の構成も適用可能である。 この基板ステ ' ジ 。 ハン ドラ ' システムが計測装置に適用される場合,. 露光ステーショ ン E S Tの代わ りに、 第 3のァライメント ' レべノレ測定ス r一シヨン A L S T 3が配置されてもよい。
【 0 1 0 9】
4つの基板テ一プル W T 1、 W T 2、 W T 3 , W T 4の提供の結果、 基板 Wの口 '-ディ ング /アン口一デイングのための時間、 並びに、 ァライメント及びレベルの測定を実施す るための時閬が、 更により長くなる。
【 0 1 1 0】
ま,た、 図 4〜図 8のすベての実施形態において、 基板 _Wは、 基板 W上でのレベル測定、 ァライメント測定、 及びパタ一ン fTき放射ビームの露光の間、 同じ基板テーブル WT 1、 W T 2 , W T 3、 W T 4上にあるままである。 単一のリニアガイ ド上で誘導される 2つのケ ' ブル接続ま持体の問に、 更なる位置決め モジュ一ルへのケ ' -ブル接続を支持するために、 更なるケ一ブル接続支持^が提供され得 る。 更なる位置決めモジュールは、 基板ハンドラ SH 1、 S H 2の隣に配¾できないた め、 墓板テーブルを支持するように構成されなくてよいが、 えば、 メ トロロジ及び/又 は較正プロセスを実施するように構成され得る。
【 0 1 1 2】
しかしながら、 ある実施形態において、 更なる位置決めモジュールは、 基板 Wを支持す るように構築された基板テーブルを備えることもできる。 その場合、 更なる位置決めモジ ユールの基板テ一プル上に基板をロード及びアン口 '一ドすることが可能な、 少なく とも 1 つの基板ハンドラが提侯されるべきである。 こう した基板ローダは、 例えば、 基板ハンド ラの基部から、 例えば第 1の基板テーブルを介して、 更なる位 g決めモジュールの S板テ 一ブルまでの、 相対的に畏ぃ距離で、 基板をロードすることが可能な、： ロングアーム基板 ハンドラであってよい。
【 0 1 1 3】
上記では、 図 4〜図 8に関して、 3つ又はそれ以上の基板テ―ブルと、 露光ステ一ショ ン及び/又はァライメ ント ' レベル翻定ステーショ ンを含む複数のプ πセススステ一ショ ンと、 の異なる組み合わせを説明した。 ァライメント * レベル測定ステージ 3ンなどの更 なるステーションが、 それぞれの基板テ一ブル上に基板をロード Zアンロードするため、 及ぴ、 ァライメン ト · レベル測定を実施するための、 使用可能な時閬を增加させるために 提供され得る。 つまり、 上記の基板ステージ 'ハンドラ 。 システムをリソグラフィ装隱に 適用することによって、 リ ソグラフィプロセスのオーバ ' レイ性能を改善することができ る。 他の基板テ '―ブル構成も提供可能であることが明らかとなろう。
【 0 1 1 4】
上記の基板ステージ。ハンドラ · システムがリ ゾグラフィ装置に適用された場合の図 4〜図 8の実施形態の重要な利点は、 墓板 Wが、 ァラィメ ン ト及びレベルの測定、 拔ぴ に、 後続のパターン付き放射ビームの露光の間、 それぞれの≤板テーブル WT :L、 WT 2、 WT 3、 WT 4上に支持されたままであることである。 また、 上記の基板ステージ ' ハンド · システムが計測装置 （又は検査装置） に適招された場合の利点は、 計測デバィ ス '検査デバイスの数 （又は種類）、 基板テーブルの数、 及び、 S核ハン ドラの数が同一 である必要はなく、 これらの数の組み合わせを最適化することによって、 基板の複数種類 の特性を効率よく計測 （検査） できることである。 計測装 κが異なる種類の計測デバイス (検查デバィス、 センサシステム） を含む場合、例えば、 ァラィメントセンサとレベルセ ンサ (又は膜厚測定装置/分光反射率測定装 ¾) を含む場合には、 各計測デバイスが 1枚 の基榥の計測を終えるのに必要な時間の幾異を考慮することによって、 さらに、 計測デバ イス '検查デバィスの数、 基板テ一ブルの数、 基板ハンド 7の数 及び、 計測装 Sの稼働 方法を最適化することができる。 換言すると、 基板の複数種類の特性を計凝 （検査） でき る、 統一された一台の計測 （検査） 装置を提供し、 そのよ うな計溺装置の計測デバイス ' 検査デバイスの数、 S板テ' プルの数、 ¾板ハンドラの数、 及ぴ、 計測装置の稼働方法を 最適化することによって、 複数の計測装 a '検査装徽を使う場合と比べて、 計測装麓 *検 查装置のスループッ ト性能及びノ又は籙済性を改善することができる。
【 0 .1 ]. 5 1
本文では I Cの製造におけるリ ソダラフィ装置の使用に特に言及しているが、 本明細鲁 で説明するリ ソダラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。 例えば， これは、 集積光学システム 磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、 フラッ トバネル ディスプレイ、 液晶ディスプレイ ( L C D ) , 簿膜磁気へッ ドなどの製造である。 こう し た代替的な用途に照らして、 本明細害で 『ゥ工一ハ j 又は 「ダイ」 という用語を使用して いる場合 それぞれ、 「基板」 又は 「ターゲッ ト部分」 という、 より一般的な用語と:同讒 と見なしてよいことが、 S業者には認識される。 本明細書に述べている基钣は， 露光前又 は露光後に、 例えばトラック （通常はレジス トの層を墓板に塗布し、 露光したレジス トを 現像するツール）、 メ トロ πジ一ツール及び/又はインスぺクションツールで処理するこ とができる。 適宜、 本明細害の開示は、 以上及びその龃の基板プロセスツールに適用する ことができる:， 更に基板は、 例えば多層 I Cを生成するた.めに、 複数固 理することがで き、 したがって本明細窖で使用する基板という用語は、 既に複数の処理済み凝を含む基板 も指すことができる。
【 0 1 1 6】
光リ ソグラフィの分野での本 »明の実施形態の使用に特に言及してきたが、 本 ¾明は文 派によってはその他の分野、 例えばインプリントリ ソグラフィでも使用することができ、 光リ ソグラフィに !¾定されないことを理解されたい。 インプリントリ ソダラフィでは、 パ タ一ユングデバイス内のトボグラフィが基板上に作成されたパターンを H定する。 パター ングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジス ト層内に刻印され、 電磁放射、 熟， ]Ξ力又はそれらの組み合わせを印力 Pすることでレジス トは硬化する。 バタ一'ユングデ パイスはレジス 卜から取り除かれ、 レジス トが硬化すると、 内部にバタ、 ンが残される。
【 0 1 ί. 7】
以上、 本発明の特定の実施形態を説明したが、 説明とは異なる方法でも本発明を実践で きることが理解される。 俩えば， 本発明の実施 ¾態は、 上記で開示したような方法を述べ る機械読み取り式命令の 1つ以上の -'—ケンスを含むコンピュータプロダラム、 又はこの ようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデ、 タ記憶媒体 (例えば- 導体メモリ、 磁気又は光ディスク） の ¾態をとることができる。
【 0 1 1 8】
上記の説明は例示的であり、 限定的ではない。 したがって、 請求の範囲から逸鋭するこ となく、 記載されたような本 ¾明を変更できることが 業者には明白である:：

Claims

【鲁類名〗 特許請求の簕囲
【請求項 1】
第 i の測定装置と、
第 2の測定装置と、
第 1 の基板及び/又は第 2の墓板を保持するように構成された第 1. の基板ステージと、 第 1の基板及び/''ヌは第 2の！;板を保持するように構成された第 2の基板ステージと、 第 1 の基板及び/又は篛 2の基板をハンドリングするように S成された第 1の基板ハン ドラと、
第 1 の基板及び Z又は第 2の基板をハンドリ ングするように構成された第 2の基板ハン ドラと、 を儺え、
第 1の ；·银は、 第 1 の F O U P ( F r o n t O e n s n g U n ! f i e d P o d )、 第 2の F O IJ P又は第 3の F O U P力、らロー卜'され，
第 2の 板は、 第 iの F O U P、 第 2の F O U P又は第 3の F O U Pから口 --ドされ、 第 1 の測定装 Sは、 前記第 1の S板テープル及び,/又は前記第 2の S板テーブルによつ て支持される基板上の第 1の数のァライメ ン トマークの位置を測定するための第： Iのァラ ィメントセンサシステムを備えるァラィメント測定装置であり、
第 2の測定装置は， レベルセンサ， 膜厚測定装置又は分光反射率測定装置である、 計測装置。
【請求項 2】
前記第 1の基板ステ一ジ及び前記第 2の基板ステ一ジの各々を平面移動域内で移動させ るための！;板ステージ位 R決めシステムを備え、
前記第 1の Ϊ板ステージと第 のケ—ブル接綾支持体との間に第 1のケーブル接続が提 供され、 前記第 2の ί板ス r一ジと第 2のケーブル接続支持体との問に第 2のケーブル接 繞が攆供され、
前記平面移動域の第丄の側で、 記第 1のケーブル接続支持 *を誘導するために第 iの リニアガイ ドが提供され、 前記第〗 の側と反対の前記 ^面移動域の第 2の側で、 前記第 2 のケ一ブル接続支持体を誘導するために第 2のリ アガイ ドが提供される,、 請求項： I に記 載の計測装置„
【請求項 3】
前記第 1のリニアガイ ド及び前記第 2のリ ニアガイ ドは、 同じ接続ケーブル誘導方向に 延在する， 請求項 2に記載の計測装 ¾ =
【請求項 4】
前記第 1 のリエアガイ ド及び前記第 2のリユアガイ ドは、 リニァ磁気支持ガイ ドであ る、 請求項 2又は 3に記載の計測装置
【請求項 5】
前記第 Ϊ の基板ステ一ジ及び前記第 2の基板ステ '一ジの各々は、 平面移動域を雨定 する平面位置決め面にわたって移動可能である位躍.決めモジ ールによつて支持される、 請求項 2から 4の何れか一項に記载の計測装置。
【請求項 6】
前記平面移動域の第 3の側で、 前記第 1の S扳ステ一ジ上に基板を π ' 'ド及び/ヌはァ ンロードするために、 前記第 1.の基钣ハンドラが提供され、
前記第 3の fljの 対の前記平面移動域の第 4の で、 前記第 2の墓板ステージ上に.！:板 をロード及び/又はアン口一ドするために、 前記第 2の基板ハンドラが提供される、 請求 2から δの何れか一項に記載の計測装
【請求項 7】
前記第 1 の基板ハン ドラに隣接する第 1の π '―ディンダステ -シヨ ンと、
ii記第 2の基板ハンドラに隣接する第 2の ーディンダステ、 ションと、
を備える、 請求項 6に記載の計測装! 1。
【請求項 8】
前記平面移動域の第 3の側で， 前記第 1及び第 2の基板ステ '一ジ上に基板を口一ド及び Z又はアン口 -'ドするために、 ングアーム S板ハン ドラが提供される、 請求項 2から 5 の何れか一項に記載の計測装置。
【請求項 9】
前記第 1及び前記第 2の基板スヲ -ージの位嶽を決定するための位置 定システムを備え る、 請求項 1から Sの何れか一項に記 ¾の計測装 S。
【請求項 1 0】
篛 1 のステ一シ ンと、
第 2のス ーシ ンと、 を備え、
前記第 1の基板ステージ及び/又は前記第 2の基核ステージは、 前記第 1 のステーショ ン及び前記第 2のステ' シヨンへと移動するように配置される、 請求項 1力 >ら 9の何れか 一項に記載の計測装置。
【請求項 1 1】
前記第 1 のステ一ション及び/ヌは鹡記第 2のステ、 ションは、 前記 ffi钣上に投影され たパターンの問のオーバ一レイを溺定するためのオーバ ·'- ·レイセンサを備える、 請求項 1
0に記載の計涎装
【請求項 1 2 ]
前記第 1のステ一ションが配置された.側とは反対の側の、 前記第 2のステ一'シ ンの隣 に、 第 3のステーションが配置される、 請求 ¾ 1 0又は 1 1に記載の計測装置。
【請求項 1 3】
前記第 1 のスラ： '一ション , 前記第 2のステーション及ぴ /又は前記第 3のステ一ション. の構造は， ァライメント溺定装置、 レベルセンサ 嫫厚溺 装置、 分光反射率測定装置、 レーザ ' アブレ '一シ ン ' ユニッ ト、 及び/又は、 ォ ' 'パ '···'レイセンサを、 選 ί¾的に追; Si するように設針される、 請求項 1 2に記載の計 装鼠。
【請求項 1 4】
前記第 2のステ一ションが、 前記第 1の基板テーブル及び/又は前記第 2の基板テ一ブ ルによつて支持される S板上の第 2の数のァライメントマ一クの位置を測定するための第 2のァライメントャンサシステムを有する， 請求 ¾ 1 0から 1 3の何れか一項に記載の計 測装置。
【請求項 1 5 1
前記第 1の数のァライメントマ'—クは、 前記第 2の数のァラィメントマ— -クよりも実質 的に少ない、 請求項 1 4に記載の計潮装置。
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