WO2019064560A1

WO2019064560A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

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Publication number: WO2019064560A1
Application number: PCT/JP2017/035679
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Inventors: 井上　智; 勇毅小林; 伸一川戸
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Filing date: 2017-09-29
Publication date: 2019-04-04
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Abstract

島状の第１有機層（ＤＥｒ）および第１下側電極（２２ｒ）を含む第１発光素子（ＤＸｒ）と、前記第１下側電極のエッジを覆う絶縁性の電極カバー膜（２３）と、前記第１有機層と同層の島状の第２有機層（ＴＥｒ）および第２下側電極（２２ｃ）を含む第２発光素子（ＴＸｒ）とを備え、前記電極カバー膜の開口（２３ｒ）の全体が前記第１下側電極および前記第１有機層と重なることで、前記第１発光素子の発光領域（ＤＡｒ）が前記開口（２３ｒ）で規定され、前記第２有機層のエッジが絶縁膜を介することなく前記第２下側電極と重なることで、前記第２発光素子の発光領域（ＴＡｒ）が前記第２有機層（ＴＥｒ）のエッジで規定される。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

　本発明は表示デバイスに関する。

　特許文献１には、表示装置の額縁領域に検査用素子を設ける構成が開示されている。

特開２００４－３４１２１６号公報（２００４年１２月２日公開）

　島状の有機層を含む発光素子をＴＦＴ層上に形成する表示デバイスにおいては、前記有機層およびＴＦＴ層間のアライメント精度の検出が望まれる。

　本発明の一態様に係る表示デバイスは、ＴＦＴ層上に、下側電極および上側電極並びに島状の有機層を含む発光素子が複数設けられている表示デバイスであって、前記下側電極のエッジを覆う絶縁膜と前記有機層のエッジとが重なる表示用の発光素子と、前記下側電極と前記有機層のエッジの少なくとも一部とが絶縁膜を介さずに重なる検査用の発光素子とを含む。

　本発明の一態様によれば、前記有機層およびＴＦＴ層間のアライメント精度の検出が可能になる。

表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。表示デバイスの表示部の構成例を示す断面図である。実施形態１を示すものであり、（ａ）は表示デバイスの表示部および非表示部の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は非表示部の拡大詳細図である。実施形態１を示すものであり、（ａ）は表示用の発光素子を示す断面図であり、（ｂ）は検査用の発光素子を示す断面図である。実施形態１を示すものであり、（ａ）は表示用の発光素子の発光領域を示す断面図であり、（ｂ）は検査用の発光素子の発光領域を示す断面図であり、（ｃ）は、表示用の発光素子の発光領域および検査用の発光素子の発光領域を示す平面図である。表示デバイスの製造装置の構成例を示すブロック図である。実施形態２を示すものであり、（ａ）は表示デバイスの表示部および非表示部の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は非表示部の拡大詳細図である。実施形態２を示すものであり、（ａ）は表示用の発光素子を示す断面図であり、（ｂ）は検査用の発光素子を示す断面図である。実施形態２を示すものであり、（ａ）は表示用の発光素子の発光領域を示す断面図であり、（ｂ）は検査用の発光素子の発光領域を示す断面図であり、（ｃ）は、表示用の発光素子の発光領域および検査用の発光素子の発光領域を示す平面図である。実施形態３を示すものであり、（ａ）は表示デバイスの表示部および非表示部の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は非表示部の拡大詳細図である。実施形態４を示すものであり、（ａ）は検査用の発光素子の断面図であり、（ｂ）は検査用の発光素子の発光領域を示す断面図である。実施形態５の変形例を示すものであり、（ａ）は検査用の発光素子の断面図であり、（ｂ）は検査用の発光素子の平面図であり、（ｃ）は検査用の発光素子の発光領域を示す断面図である。

　図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は表示デバイスの表示部の構成例を示す断面図である。以下においては、「同層」とは同一プロセスにて同材料で形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。

　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１・図２に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス基板）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、アライメントマークを含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、アライメント検査（発光素子層の有機層のＴＦＴ層４に対するアライメント精度を検出する工程）を行う（ステップＳ５）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ６）。次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ７）。次いで、支持基板越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射して支持基板および樹脂層１２間の結合力を低下させ、支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ１０）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１１）。次いで、外部接続用の端子に電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）をマウントし、表示デバイス２とする（ステップＳ１２）。なお、前記各ステップは、後述の表示デバイス製造装置が行う。

　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。下面フィルム１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。

　バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４、発光素子層５に浸透することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量配線ＣＥと、容量配線ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨと、ソース配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１とを含む。

　半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、およびゲート電極ＧＥを含むように薄層トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒが構成される。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。

　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、ソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。

　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上層のアノード（陽極）２２と、アノード２２のエッジを覆うアノードカバー膜２３と、アノード２２よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含み、サブピクセルごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード（陰極）２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。

　アノードカバー膜２３は有機絶縁膜であり、例えば、ポリイミド、アクリル等の感光性有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィ法によってパターニングすることで形成される。

　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層することで構成される（後述）。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルごとに島状に形成される。正孔輸送層および電子輸送層は、サブピクセルごとに島状に形成される場合もあるし、複数のサブピクセルの共通層としてベタ状に形成される場合もある。

　アノード２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。

　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。

　封止層６は、カソード２５よりも上層の無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機封止膜２７と、有機封止膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含み、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防ぐ。無機封止膜２６・２８は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。

　下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れた表示デバイスを実現するためのものであり、その材料としては、ＰＥＴ等が挙げられる。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。

　以上、フレキシブルな表示デバイスを製造する場合について説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、基板の付け替え等が不要であるため、例えば、図１のステップＳ６からステップＳ１０に移行する。

　〔実施形態１〕
　図３（ａ）は表示デバイスの表示部および非表示部の構成例を示す平面図であり、図３（ｂ）は非表示部の拡大詳細図である。図４（ａ）は表示用の発光素子を示す断面図であり、図４（ｂ）は検査用の発光素子を示す断面図である。図５（ａ）は表示用の発光素子の発光領域を示す断面図であり、図５（ｂ）は検査用の発光素子の発光領域を示す断面図であり、図５（ｃ）は、表示用の発光素子の発光領域および検査用の発光素子の発光領域を示す平面図である。実施形態１では、発光層の位置ズレ（蒸着ズレ）を検出する。

　図３に示すように、表示デバイス２の表示部ＤＡには、赤色発光する島状の発光層ＤＥｒ、緑色発光する島状の発光層ＤＥｇ、青色発光する島状の発光層ＤＥｂが形成され、表示デバイス２の非表示部ＮＡには、赤色発光する島状の発光層ＴＥｒ、緑色発光する島状の発光層ＴＥｇ、青色発光する島状の発光層ＴＥｂが形成される。

　各発光層（ＤＥｒ・ＤＥｇ・ＤＥｂ・ＴＥｒ・ＴＥｇ・ＴＥｂ）は有機層であり、例えば、ＦＭＭ（Fine Metal Mask）を用いた蒸着法によって色ごとにパターン形成される。すなわち、発光層ＤＥｒおよび発光層ＴＥｒを同一工程で（同一マスクを用いて）蒸着した後に発光層ＤＥｇおよび発光層ＴＥｇを同一工程で（同一マスクを用いて）蒸着し、次いで、発光層ＤＥｂおよび発光層ＴＥｂを同一工程で（同一マスクを用いて）蒸着する。

　図２の発光素子層５には、図３・図４（ａ）に示すように、島状のアノード２２ｒ（下側電極）、島状の正孔輸送層ＤＰｒ、発光層ＤＥｒ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５（上側電極）を含む発光素子ＤＸｒと、島状のアノード２２ｇ、島状の正孔輸送層ＤＰｇ、発光層ＤＥｇ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＤＸｇと、島状のアノード２２ｂ、島状の正孔輸送層ＤＰｂ、発光層ＤＥｂ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＤＸｂとが形成される。発光素子ＤＸｒ・ＤＸｇ・ＤＸｂは、表示部ＤＡに形成される表示用の発光素子である。電子輸送層２４ｎおよびカソード２５は、表示用の発光素子間で共有される共通層である。

　さらに、図２の発光素子層５には、図３・図４（ｂ）に示すように、アノード２２ｃ（下側電極）、正孔輸送層２４ｐ、発光層ＴＥｒ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５（上側電極）を含む発光素子ＴＸｒと、アノード２２ｃ、正孔輸送層２４ｐ、発光層ＴＥｇ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＴＸｇと、アノード２２ｃ、正孔輸送層２４ｐ、発光層ＴＥｂ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＴＸｂとが形成される。発光素子ＴＸｒ・ＴＸｇ・ＴＸｂは、非表示部ＮＡに形成される検査用の発光素子である。アノード２２ｃ、正孔輸送層２４ｐ、電子輸送層２４ｎおよびカソード２５は、検査用の発光素子間で共有される共通層である。なお、アノード２２ｃは端子Ｔｐに接続され、カソード２５は端子Ｔｎに接続される。

　ＴＦＴ層４には、列方向に延びるマーキング配線ＭＶ１～ＭＶ３および行方向に延びるマーキング配線ＭＨ１～ＭＨ３が形成されており、例えば、マーキング配線ＭＶ１およびマーキング配線ＭＨ１の交点が発光層ＴＥｒに対応するアライメントマークとなり、マーキング配線ＭＶ２およびマーキング配線ＭＨ１の交点が発光層ＴＥｇに対応するアライメントマークとなり、マーキング配線ＭＶ３およびマーキング配線ＭＨ１の交点が発光層ＴＥｂに対応するアライメントマークとなる。各マーキング配線は、例えば、図２のソース配線ＳＨと同層に形成される。

　実施形態１では、図３・図４に示すように、表示部ＤＡの各アノードにアノードカバー膜２３の開口を重ねるとともに、非表示部ＮＡにアノードカバー膜２３の開口２３ｋを設け、平面視における開口２３ｋの内側に検査用の発光層ＴＥｒ・ＴＥｇ・ＴＥｂを形成する。

　このため、表示用の発光素子ＤＸｒについては、発光層ＤＥｒのエッジがアノードカバー膜２３と重なるが、検査用の発光素子ＴＸｒについては、発光層ＴＥｒの全体（エッジを含む全域）が、発光素子層の絶縁膜を介することなく、正孔輸送層２４ｐを介してアノード２２ｃと重なる。また、発光層ＴＥｒの全体（エッジを含む全域）が電子輸送層２４ｎを介してカソード２５と重なる。なお、検査用の発光素子では、アノード２２ｃとカソード２５との間に正孔輸送層２４ｐおよび電子輸送層２４ｎが配されるが、アノード２２ｃの全体が正孔輸送層２４ｐおよび電子輸送層２４ｎと重なるため、正孔輸送層２４ｐ（機能層）および電子輸送層２４ｎ（機能層）によってアノードエッジでの短絡が防止される。

　したがって、図５のように、表示用の発光素子ＤＸｒでは、発光層ＤＥｒのエッジは発光領域ＤＡｒのエッジと整合しないが、検査用の発光素子ＴＸｒでは、発光層ＴＥｒのエッジが発光領域ＴＡｒのエッジと整合する。換言すれば、アノードカバー膜２３の開口２３ｒの全体がアノード２２ｒ（第１下側電極）および発光層ＤＥｒ（第１有機層）と重なることで、発光素子ＤＸｒ（第１発光素子）の発光領域ＤＡｒが開口２３ｒで規定され、発光層ＴＥｒ（第２有機層）のエッジがアノードカバー膜２３（絶縁膜）を介することなくアノード２２ｃ（第２下側電極）と重なることで、発光素子ＴＸｒ（第２発光素子）の発光領域ＴＡｒが発光層ＴＥｒ（第２有機層）のエッジで規定される。

　したがって、アノード２２ｃからカソード２５に所定値の電流を通して発光素子ＴＸｒを発光させ、発光領域ＴＡｒのエッジとアライメントマーク（マーキング配線ＭＶ１およびマーキング配線ＭＨ１の交点）との位置関係を測定すれば、発光層ＴＥｒと同一マスクを用いて蒸着される発光層ＤＥｒの位置ズレ（アライメント精度）を検出すること（図１のアライメント検査）ができる。発光領域とは、前記所定値の電流に対応する所定輝度を有する領域（アノード２２ｃ、正孔輸送層２４ｐ、発光層ＤＥｒ、電子輸送層２４ｎ、およびカソードが重畳する領域）である。

　発光層ＴＥｒ（第２有機層）と同層の発光層ＴＥｇ（第３有機層）を含む発光素子ＴＸｇ（第３発光素子）については、発光層ＴＥｇのエッジが絶縁膜を介することなくアノード２２ｃ（第２下側電極、発光素子ＴＸｒ・ＴＸｒ・ＴＸｂと共通のアノード）と重なることで、発光素子ＴＸｇの発光領域ＴＡｇが発光層ＴＥｇのエッジで規定される。

　発光素子ＤＸｒの発光層ＤＥｒおよび発光素子ＴＸｒ発光層ＴＥｒは同形状に形成されるが、発光層ＤＥｒのエッジ部分は（アノードカバー膜２３と重なるため）電流を通さず、発光層ＴＥｒのエッジ部分は（絶縁膜と重ならないため）電流を通すことから、発光素子ＴＸｒの発光領域ＴＡｒは、発光素子ＤＸｒの発光領域ＤＡｒよりも大きくなる。

　発光層が同一マスクで形成される発光素子ＤＸｇ（表示用）および発光素子ＴＸｇ（検査用）についても同様であり、発光層が同一マスクで形成される発光素子ＤＸｂ（表示用）および発光素子ＴＸｂ（検査用）についても同様である。

　アライメント検査においては検査用の発光素子に電流を通して発光させるため、検査用の発光層を表示部に近接して設けることができ、非表示部（額縁）が縮小するというメリットがある。なお、検査用の発光層に紫外線を照射して発光させる手法では、表示部に紫外線が照射されないよう、検査用の発光層を表示部から離して形成する必要があり、額縁が拡大するという難点がある。

　図４では、下側電極をアノード、上側電極をカソードとしているが、下側電極をカソード、上側電極をアノードとしてもよい。また、発光素子ＤＸｒの発光層ＤＥｒおよび発光素子ＴＸｒ発光層ＴＥｒは異なる形状としてもよい（特に両者が離隔している場合）。ＴＦＴ層４のアライメントマークは検査用の発光素子ごとに設けなくてもよく、例えば、３つの発光素子ＴＸｒ・ＴＸｇ・ＴＸｂに１つ設けることもできる。また、非表示部ＮＡの端子配線等をマーキング配線として利用してもよい。

　図６は、表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。図６に示すように、表示デバイス製造装置７０は、成膜装置７６と、検査装置８０と、これらの装置を制御するコントローラ７２とを含んでおり、成膜装置７６が図１のステップＳ１～Ｓ４を行い、検査装置８０がステップＳ５を行う。

　〔実施形態２〕
　図７（ａ）は表示デバイスの表示部および非表示部の構成例を示す平面図であり、図７（ｂ）は非表示部の拡大詳細図である。図８（ａ）は表示用の発光素子を示す断面図であり、図８（ｂ）は検査用の発光素子を示す断面図である。図９（ａ）は表示用の発光素子の発光領域を示す断面図であり、図９（ｂ）は検査用の発光素子の発光領域を示す断面図であり、図９（ｃ）は、表示用の発光素子の発光領域および検査用の発光素子の発光領域を示す平面図である。実施形態２では、正孔輸送層の位置ズレ（蒸着ズレ）を検出する。

　図７に示すように、表示デバイス２の表示部ＤＡには、赤色発光層用の島状の正孔輸送層ＤＰｒ、緑色発光層用の島状の正孔輸送層ＤＰｇ、青色発光層用の島状の正孔輸送層ＤＰｂが形成され、表示デバイス２の非表示部ＮＡには、赤色発光層用の島状の正孔輸送層ＴＰｒ、緑色発光層用の島状の正孔輸送層ＴＰｇ、青色発光層用の島状の正孔輸送層ＴＰｂが形成される。

　各正孔輸送層（ＤＰｒ・ＤＰｇ・ＤＰｂ・ＴＰｒ・ＴＰｇ・ＴＰｂ）は有機層であり、例えば、ＦＭＭ（Fine Metal Mask）を用いた蒸着法によって対応色ごとにパターン形成される。すなわち、赤色発光層用の正孔輸送層ＤＰｒおよび正孔輸送層ＴＰｒを同一工程で（同一マスクを用いて）蒸着した後に、緑色発光層用の正孔輸送層ＤＰｇおよび正孔輸送層ＴＰｇを同一工程で（同一マスクを用いて）蒸着し、次いで、青色発光層用の正孔輸送層ＤＰｂおよび正孔輸送層ＴＰｂを同一工程で（同一マスクを用いて）蒸着する。

　図２の発光素子層５には、図７・図８（ａ）に示すように、島状のアノード２２ｒ、島状の正孔輸送層ＤＰｒ、発光層ＤＥｒ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＤＸｒと、島状のアノード２２ｇ、島状の正孔輸送層ＤＰｇ、発光層ＤＥｇ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＤＸｇと、島状のアノード２２ｂ、島状の正孔輸送層ＤＰｂ、発光層ＤＥｂ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＤＸｂとが形成される。発光素子ＤＸｒ・ＤＸｇ・ＤＸｂは、表示部ＤＡに形成される表示用の発光素子である。電子輸送層２４ｎおよびカソード２５は、表示用の発光素子間で共有される共通層である。

　さらに、図２の発光素子層５には、図７・図８（ｂ）に示すように、アノード２２ｃ、正孔輸送層ＴＰｒ、発光層２４ｅ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＴＸｒと、アノード２２ｃ、正孔輸送層ＴＰｇ、発光層２４ｅ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＴＸｇと、アノード２２ｃ、正孔輸送層ＴＰｂ、発光層２４ｅ、電子輸送層２４ｎ、およびカソード２５を含む発光素子ＴＸｂとが形成される。発光素子ＴＸｒ・ＴＸｇ・ＴＸｂは、非表示部ＮＡに形成される検査用の発光素子である。アノード２２ｃ、発光層２４ｅ、電子輸送層２４ｎおよびカソード２５は、検査用の発光素子間で共有される共通層である。なお、アノード２２ｃは端子Ｔｐに接続され、カソード２５は端子Ｔｎに接続される。

　実施形態２では、図７・図８に示すように、表示部ＤＡの各アノードにアノードカバー膜２３の開口を重ねるとともに、非表示部ＮＡにアノードカバー膜２３の開口２３ｋを設け、平面視における開口２３ｋの内側に検査用の正孔輸送層ＴＰｒ・ＴＰｇ・ＴＰｂを形成する。

　このため、表示用の発光素子ＤＸｒについては、正孔輸送層ＤＰｒのエッジがアノードカバー膜２３と重なるが、検査用の発光素子ＴＸｒについては、正孔輸送層ＴＰｒの全体（エッジを含む全域）が、発光素子層の絶縁膜を介することなく、アノード２２ｃと重なる。また、正孔輸送層ＴＰｒの全体（エッジを含む全域）が発光層２４ｅおよび電子輸送層２４ｎを介してカソード２５と重なる。なお、検査用の発光素子では、アノード２２ｃとカソード２５との間に発光層２４ｅおよび電子輸送層２４ｎが配されるが、アノード２２ｃの全体が発光層２４ｅおよび電子輸送層２４ｎと重なるため、発光層２４ｅ（機能層）および電子輸送層２４ｎ（機能層）によってアノードエッジでの短絡が防止される。

　したがって、図９のように、表示用の発光素子ＤＸｒでは、正孔輸送層ＤＰｒのエッジは発光領域ＤＡｒに整合しないが、検査用の発光素子ＴＸｒでは、正孔輸送層ＴＰｒのエッジは発光領域ＴＡｒのエッジと整合する。換言すれば、アノードカバー膜２３の開口２３ｒの全体がアノード２２ｒ（第１下側電極）および正孔輸送層ＤＰｒ（第１有機層）と重なることで、発光素子ＤＸｒ（第１発光素子）の発光領域ＤＡｒが開口２３ｒで規定され、正孔輸送層ＴＰｒ（第２有機層）のエッジがアノードカバー膜２３（絶縁膜）を介することなくアノード２２ｃ（第２下側電極）と重なることで、発光素子ＴＸｒ（第２発光素子）の発光領域ＴＡｒが正孔輸送層ＴＰｒ（第２有機層）のエッジで規定される。

　したがって、アノード２２ｃからカソード２５に電流を通して発光素子ＴＸｒを発光させ、発光領域ＴＡｒのエッジとアライメントマーク（マーキング配線ＭＶ１およびマーキング配線ＭＨ１の交点）との位置関係を測定すれば、正孔輸送層ＴＰｒと同一マスクを用いて蒸着される正孔輸送層ＤＰｒの位置ズレを検出すること（図１のアライメント検査）ができる。

　発光素子ＤＸｒの正孔輸送層ＤＰｒおよび発光素子ＴＸｒ正孔輸送層ＴＰｒは同形状で形成されるが、正孔輸送層ＤＰｒのエッジ部分は（アノードカバー膜２３と重なるため）電流が通らず、正孔輸送層ＴＰｒのエッジ部分は（絶縁膜と重ならないため）電流が通ることから、発光素子ＴＸｒの発光領域ＴＡｒは、発光素子ＤＸｒの発光領域ＤＡｒよりも大きくなる。

　実施形態２においても検査用の発光素子に電流を通して発光させるため、検査用の正孔輸送層を表示部に近接して設けることができ、非表示部（額縁）が縮小するというメリットがある。

　〔実施形態３〕
　図１０（ａ）は表示デバイスの表示部および非表示部の構成例を示す平面図であり、図１０（ｂ）は非表示部の拡大詳細図である。図１１（ａ）は表示用の発光素子を示す断面図であり、図１１（ｂ）は検査用の発光素子を示す断面図である。実施形態３では、正孔輸送層の位置ズレ（蒸着ズレ）を検出する。

　実施形態２の検査用の発光素子（ＴＸｒ・ＴＸｇ・ＴＸｂ）は発光層２４ｅを共有しているが、図１０・１１に示すように、島状の正孔輸送層ＴＰｒを覆うように島状の発光層ＴＥｒを形成し、島状の正孔輸送層ＴＰｇを覆うように島状の発光層ＴＥｇを形成し、島状の正孔輸送層ＴＰｂを覆うように島状の発光層ＴＥｂを形成してもよい。アノード２２ｃのエッジをアノードカバー膜２３が覆い、アノードカバー膜２３の開口２３ｋの全体がアノード２２ｃと重なり、平面視においては、アノードカバー膜２３の開口２３ｋの内側に、島状の正孔輸送層ＴＰｒ・ＴＰｇ・ＴＰｂが形成される。

　例えば検査用の発光素子ＴＸｒについては、正孔輸送層ＴＰｒの全体（エッジを含む全域）が、発光素子層の絶縁膜を介することなく、アノード２２ｃと重なる。また、正孔輸送層ＴＰｒの全体（エッジを含む全域）が、発光層ＴＥｒおよび電子輸送層２４ｎを介してカソード２５と重なる。

　発光素子ＴＸｒでは、正孔輸送層ＴＰｒのエッジは発光領域ＴＡｒのエッジと整合するため、アノード２２ｃからカソード２５に電流を通して発光素子ＴＸｒを発光させ、発光領域ＴＡｒのエッジとアライメントマーク（マーキング配線ＭＶ１およびマーキング配線ＭＨ１の交点）との位置関係を測定すれば、表示部の正孔輸送層（正孔輸送層ＴＰｒと同一マスクを用いて蒸着される正孔輸送層）の位置ズレを検出することができる。発光領域とは、前記所定値の電流に対応する所定輝度を有する領域（アノード、正孔輸送層、発光層、電子輸送層およびカソードが重畳する領域）である。

　図１０（ｂ）では、アノード２２ｃのエッジをアノードカバー膜２３が覆っているため、アノード２２ｃのエッジがカソード２５と短絡するおそれを低減することができる。

　〔実施形態４〕
　図１２（ａ）は検査用の発光素子を示す断面図であり、図１２（ｂ）は検査用の発光素子を示す平面図であり、図１２（ｃ）は検査用の発光素子の発光領域を示す断面図である。実施形態４では、発光層の位置ズレ（蒸着ズレ）を検出する。

　図１２に示すように、アノードカバー膜２３の開口２３ｋの全体がアノード２２ｃと重なり、平面視においては、アノードカバー膜２３の開口２３ｋの内側に、島状の発光層ＴＥｒ・ＴＥｇ・ＴＥｂが形成され、発光層ＴＥｒの内側に十字形状のアノードカバー膜２３ｘが形成され、発光層ＴＥｇの内側に十字形状のアノードカバー膜２３ｙが形成され、発光層ＴＥｂの内側に十字形状のアノードカバー膜２３ｚが形成されている。

　検査用の発光素子ＴＸｒについては、発光層ＴＥｒのエッジが、発光素子層の絶縁膜を介することなく、アノード２２ｃと重なる。また、発光層ＴＥｒのエッジが正孔輸送層２４ｐおよび電子輸送層２４ｎを介してカソード２５と重なる。

　したがって、図１２のように、検査用の発光素子ＴＸｒでは、発光層ＴＥｒのエッジが発光領域ＴＡｒの外周と整合し、十字形状のアノードカバー膜２３ｘと整合する十字形状の非発光領域ＮＡｒが、発光領域ＴＡｒの外周内に生じる。このため、アノード２２ｃからカソード２５に電流を通して発光素子ＴＸｒを発光させ、発光領域ＴＡｒの外周とアライメントマーク（十字形状の非発光領域ＮＡｒ）との位置関係を測定すれば、発光層ＴＥｒと同一マスクを用いて蒸着される発光層ＤＥｒの位置ズレ（アライメント精度）を検出すること（図１のアライメント検査）ができる。

　〔まとめ〕
　本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。

　〔態様１〕
　島状の第１有機層および島状の第１下側電極を含む第１発光素子と、前記第１下側電極のエッジを覆う絶縁性の電極カバー膜と、前記第１有機層と同層の島状の第２有機層および島状の第２下側電極を含む第２発光素子とを備え、
　前記電極カバー膜の開口の全体が前記第１下側電極および前記第１有機層と重なることで、前記第１発光素子の発光領域が前記開口で規定され、
　前記第２有機層のエッジの少なくとも一部が絶縁膜を介することなく前記第２下側電極と重なることで、前記第２発光素子の発光領域が前記第２有機層のエッジで規定される表示デバイス。

　〔態様２〕
　前記第２有機層の全体が、前記第２下側電極と、前記第２有機層よりも上層の上側電極とに重なる例えば態様１に記載の表示デバイス。

　〔態様３〕
　前記第２有機層よりも上層の上側電極と前記第２下側電極との間に機能層が設けられ、
　前記第２下側電極の全体が前記機能層と重なる例えば態様１または２に記載の表示デバイス。

　〔態様４〕
　前記第１有機層および前記第２有機層は、発光層である例えば態様３記載の表示デバイス。

　〔態様５〕
　前記第１有機層および前記第２有機層は、正孔輸送層である例えば態様３記載の表示デバイス。

　〔態様６〕
　前記第２有機層と同層の島状の第３有機層を含む第３発光素子を備え、
　前記第３有機層のエッジが絶縁膜を介することなく前記第２下側電極と重なることで、前記第３発光素子の発光領域が前記第３有機層のエッジで規定される例えば態様１～５のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　〔態様７〕
　前記第２下側電極のエッジは、前記電極カバー膜と同層の絶縁膜で覆われ、前記第２有機層の全体が、前記絶縁膜の開口と重なる例えば態様５に記載の表示デバイス。

　〔態様８〕
　前記電極カバー膜と同層の島状の絶縁膜が、平面視において、前記第２有機層のエッジの内側となるように設けられている例えば態様５に記載の表示デバイス。

　〔態様９〕
　前記第２発光素子よりも下層のＴＦＴ層にアライメントマークが形成されている例えば態様１～７のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　〔態様１０〕
　前記第２発光素子は、正孔輸送層と、前記第２有機層と、電子輸送層とを含むＯＬＥＤであり、前記正孔輸送層および前記電子輸送層の少なくとも一方が前記機能層である例えば態様４に記載の表示デバイス。

　〔態様１１〕
　前記第２有機層の全体が前記正孔輸送層および前記電子輸送層と重なる例えば態様１０に記載の表示デバイス。

　〔態様１２〕
　前記第２発光素子は、前記第２有機層と、発光層と、電子輸送層とを含むＯＬＥＤであり、前記発光層および前記電子輸送層の少なくとも一方が前記機能層である例えば態様５に記載の表示デバイス。

　〔態様１３〕
　前記第２有機層の全体が前記発光層および前記電子輸送層と重なる例えば態様１２に記載の表示デバイス。

　〔態様１４〕
　前記第２有機層と前記アライメントマークとが重なる例えば態様９に記載の表示デバイス。

　〔態様１５〕
　前記第１有機層および前記第２有機層が同形状に形成されている例えば態様１～１４のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　〔態様１６〕
　前記第２発光素子の発光領域は、前記第１発光素子の発光領域よりも大きい例えば態様１５に記載の表示デバイス。

　〔態様１７〕
　前記第１発光素子は表示用の検査素子であり、前記第２発光素子は検査用の発光素子である例えば態様１～１６のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　〔態様１８〕
　表示領域と、これを取り囲む額縁領域とを備え、
　前記表示領域に前記第１発光素子が形成され、前記額縁領域に前記第２発光素子が設けられている例えば態様１～１７のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　〔態様１９〕
　島状の第１有機層および第１下側電極を含む第１発光素子と、前記第１下側電極のエッジを覆う絶縁性の電極カバー膜と、前記第１有機層と同層の島状の第２有機層および第２下側電極を含む第２発光素子とを備えた表示デバイスの製造方法であって、
　前記電極カバー膜の開口の全体が前記第１下側電極および前記第１有機層と重なるように前記第１発光素子を形成するとともに、前記第２有機層のエッジが絶縁膜を介することなく前記第２下側電極と重なるように前記第２発光素子を形成する工程と、
　前記第２有機層のエッジで規定される、前記第２発光素子の発光領域の位置に基づいて前記第２有機層の位置を検出する工程と、を含む表示デバイスの製造方法。

　〔態様２０〕
　前記第１有機層および前記第２有機層を、同一マスクを用いて蒸着する例えば態様１９記載の表示デバイスの製造方法。

　〔態様２１〕
　例えば態様１９記載の各工程を行う表示デバイスの製造装置。

　２　　表示デバイス
　３　　バリア層
　４　　ＴＦＴ層
　５　　発光素子層
　６　　封止層
　１２　樹脂層
　１６・１８・２０　無機絶縁膜
　２１　平坦化膜
　２２ｒ・２２ｇ・２２ｂ　アノード（第１下側電極）
　２２ｃ　アノード（第２下側電極）
　２３　アノードカバー膜（電極カバー膜）
　２５　カソード（上側電極）
　ＤＸｒ　発光素子（第１発光素子）
　ＴＸｒ　発光素子（第２発光素子）
　ＴＸｇ　発光素子（第３発光素子）
　ＤＥｒ・ＤＥｇ・ＤＥｂ　発光層（第１有機層）
　ＴＥｒ・ＴＥｇ・ＴＥｂ　発光層（第２有機層）
　ＤＰｒ・ＤＰｇ・ＤＰｂ　正孔輸送層（第１有機層）
　ＴＰｒ・ＴＰｇ・ＴＰｂ　正孔輸送層（第２有機層）

Claims

　島状の第１有機層および島状の第１下側電極を含む第１発光素子と、前記第１下側電極のエッジを覆う絶縁性の電極カバー膜と、前記第１有機層と同層の島状の第２有機層および島状の第２下側電極を含む第２発光素子とを備え、
　前記電極カバー膜の開口の全体が前記第１下側電極および前記第１有機層と重なることで、前記第１発光素子の発光領域が前記開口で規定され、
　前記第２有機層のエッジの少なくとも一部が絶縁膜を介することなく前記第２下側電極と重なることで、前記第２発光素子の発光領域が前記第２有機層のエッジで規定される表示デバイス。
　前記第２有機層の全体が、前記第２下側電極と、前記第２有機層よりも上層の上側電極とに重なる請求項１に記載の表示デバイス。
　前記第２有機層よりも上層の上側電極と前記第２下側電極との間に機能層が設けられ、
　前記第２下側電極の全体が前記機能層と重なる請求項１または２に記載の表示デバイス。
　前記第１有機層および前記第２有機層は、発光層である請求項３記載の表示デバイス。
　前記第１有機層および前記第２有機層は、正孔輸送層である請求項３記載の表示デバイス。
　前記第２有機層と同層の島状の第３有機層を含む第３発光素子を備え、
　前記第３有機層のエッジが絶縁膜を介することなく前記第２下側電極と重なることで、前記第３発光素子の発光領域が前記第３有機層のエッジで規定される請求項１～５のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第２下側電極のエッジは、前記電極カバー膜と同層の絶縁膜で覆われ、前記第２有機層の全体が、前記絶縁膜の開口と重なる請求項５に記載の表示デバイス。
　前記電極カバー膜と同層の島状の絶縁膜が、平面視において、前記第２有機層のエッジの内側となるように設けられている請求項５に記載の表示デバイス。
　前記第２発光素子よりも下層のＴＦＴ層にアライメントマークが形成されている請求項１～７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第２発光素子は、正孔輸送層と、前記第２有機層と、電子輸送層とを含むＯＬＥＤであり、前記正孔輸送層および前記電子輸送層の少なくとも一方が前記機能層である請求項４に記載の表示デバイス。
　前記第２有機層の全体が前記正孔輸送層および前記電子輸送層と重なる請求項１０に記載の表示デバイス。
　前記第２発光素子は、前記第２有機層と、発光層と、電子輸送層とを含むＯＬＥＤであり、前記発光層および前記電子輸送層の少なくとも一方が前記機能層である請求項５に記載の表示デバイス。
　前記第２有機層の全体が前記発光層および前記電子輸送層と重なる請求項１２に記載の表示デバイス。
　前記第２有機層と前記アライメントマークとが重なる請求項９に記載の表示デバイス。
　前記第１有機層および前記第２有機層が同形状に形成されている請求項１～１４のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第２発光素子の発光領域は、前記第１発光素子の発光領域よりも大きい請求項１５に記載の表示デバイス。
　前記第１発光素子は表示用の検査素子であり、前記第２発光素子は検査用の発光素子である請求項１～１６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　表示領域と、これを取り囲む額縁領域とを備え、
　前記表示領域に前記第１発光素子が形成され、前記額縁領域に前記第２発光素子が設けられている請求項１～１７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　島状の第１有機層および第１下側電極を含む第１発光素子と、前記第１下側電極のエッジを覆う絶縁性の電極カバー膜と、前記第１有機層と同層の島状の第２有機層および第２下側電極を含む第２発光素子とを備えた表示デバイスの製造方法であって、
　前記電極カバー膜の開口の全体が前記第１下側電極および前記第１有機層と重なるように前記第１発光素子を形成するとともに、前記第２有機層のエッジが絶縁膜を介することなく前記第２下側電極と重なるように前記第２発光素子を形成する工程と、
　前記第２有機層のエッジで規定される、前記第２発光素子の発光領域の位置に基づいて前記第２有機層の位置を検出する工程と、を含む表示デバイスの製造方法。
　前記第１有機層および前記第２有機層を、同一マスクを用いて蒸着する請求項１９記載の表示デバイスの製造方法。
　請求項１９記載の各工程を行う表示デバイスの製造装置。