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WO2019043866A1 - 成膜マスクの製造方法 - Google Patents

成膜マスクの製造方法 Download PDF

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WO2019043866A1
WO2019043866A1 PCT/JP2017/031346 JP2017031346W WO2019043866A1 WO 2019043866 A1 WO2019043866 A1 WO 2019043866A1 JP 2017031346 W JP2017031346 W JP 2017031346W WO 2019043866 A1 WO2019043866 A1 WO 2019043866A1
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WO
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region
forming
opening
openings
row
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2017/031346
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English (en)
French (fr)
Inventor
克彦 岸本
崎尾　進
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sakai Display Products Corp
Original Assignee
Sakai Display Products Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to CN201780093312.3A priority patent/CN110997969A/zh
Priority to PCT/JP2017/031346 priority patent/WO2019043866A1/ja
Priority to US15/750,616 priority patent/US10439138B2/en
Publication of WO2019043866A1 publication Critical patent/WO2019043866A1/ja
Priority to US16/548,369 priority patent/US10658591B2/en
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Ceased legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/18—Dissimilar materials
    • B23K2103/26—Alloys of Nickel and Cobalt and Chromium

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a film formation mask, and more particularly to a method of manufacturing a film formation mask suitably used for mass production of a high definition organic EL (Electro Luminescence) display device.
  • the deposition mask refers to a mask used in a thin film deposition technique (for example, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), and the like). Below, the vacuum evaporation method which is 1 type of PVD is demonstrated to an example.
  • the organic EL layer includes, for example, a hole transport layer, an electron transport layer, and an organic light emitting layer disposed therebetween.
  • the hole transport layer can also serve as the organic light emitting layer.
  • a layer formed of an organic material including at least an organic light emitting layer and an electron transporting layer is referred to as an organic EL layer.
  • the organic EL display device has at least one organic light emitting diode (OLED) per pixel and at least one thin film transistor (TFT) that controls the current supplied to each OLED.
  • OLED organic light emitting diode
  • TFT thin film transistor
  • the organic EL display device will be referred to as an OLED display device.
  • an OLED display device having switching elements such as TFTs for each OLED is called an active matrix OLED display device.
  • the substrate on which the TFT and the OLED are formed is referred to as an element substrate.
  • Drive circuits that include TFTs are referred to as backplane circuits (or simply "backplanes"), and OLEDs are formed on the backplane.
  • one color display pixel is configured by an R pixel, a G pixel, and a B pixel.
  • the pixels of different colors that make up a color display pixel may be referred to as primary color pixels.
  • the pixels in this specification may be referred to as "dots" and the color display pixels may be referred to as "pixels".
  • ppi pixel per inch representing the resolution represents the number of "pixels" included in one inch.
  • one color display pixel When one color display pixel is configured by pixels of three different colors, the shapes and sizes of the pixels of three different colors may be different from each other. For example, a blue pixel with low luminous efficiency may be large, and a green pixel with high luminous efficiency may be small.
  • one color display pixel may be configured of one red pixel, one green pixel, and two blue pixels.
  • the pixel array may be a stripe array, a delta array, or may be various known arrays.
  • the organic EL layer is formed by vacuum evaporation using a film formation mask prepared for each color.
  • an electrode layer (for example, a cathode layer) formed on the organic EL layer can also be formed by, for example, a sputtering method using a film formation mask.
  • the electrode layer (for example, the anode layer) formed under the organic EL layer can be formed by a photolithography process because the organic EL layer is not exposed to the developer.
  • a metal mask in which a plurality of openings are formed in a predetermined pattern in a metal layer (metal plate) has been used as a film formation mask (for example, Patent Document 1).
  • a film formation mask hereinafter referred to as a film formation mask having a laminated body in which a resin layer and a magnetic metal layer are laminated
  • layered masks eg, Patent Documents 2 and 3
  • a member in which an opening (a through hole through which a substance to be film-formed passes) is formed is referred to as a mask base material.
  • a metal mask a metal layer (typically, a magnetic metal layer) is a mask base, and in a laminate type mask, a laminate of a resin layer and a magnetic metal layer is a mask base.
  • JP 2006-188748 A JP, 2017-82313, A JP, 2015-10270, A
  • the stress in the mask base material depends on the position of the active region formation portion. As the distribution is different, the same problems as described above occur.
  • This process is repeated several times by actually fabricating a film formation mask, measuring the deviation from the design value of the position, size, and shape of the opening and allowing for the deviation to form the opening.
  • the target accuracy can be obtained, the accuracy is limited, and the manufacturing process is complicated, resulting in an increase in manufacturing cost.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and a method for producing a deposition mask having a stretched mask base (for example, a resin layer and / or a magnetic metal layer)
  • An object of the present invention is to suppress deformation of an opening due to uneven distribution of internal stress of a material.
  • a method of manufacturing a deposition mask comprising: a rectangular mask base fixed to define an xy plane; and m rows and n columns provided on the mask base Forming a film formation mask having a plurality of active region forming portions arranged in p rows and q columns each having a plurality of openings, the mask group fixed so as to define an xy plane A step of preparing a material, and an opening forming step of forming the plurality of active region forming portions in the mask base material, wherein the opening forming step includes at least the (n / 2) th row or the opening forming step.
  • Forming an opening in a first region comprising a series of a series of apertures comprising a ⁇ (n + 1) / 2 ⁇ series of rows A, comprising a series of sa series a Adjacent to the first region in the -x direction via the gap region, and Forming an opening in the second region including the openings of successive rows, B adjacent to the first region in the x direction via the second gap region including the consecutive rows of sb, c And a step C of forming an opening in a third region including a series of openings of the book, wherein the step B and the step C are performed after the step A.
  • a step D of forming an opening in the first gap area or a step E of forming an opening in the second gap area Do is a step D of forming an opening in the first gap area or a step E of forming an opening in the second gap area Do.
  • the second area includes a central row of all the areas located in the -x direction of the first area, and the third area is the center of the all areas located in the x direction of the first area.
  • the opening forming step includes a step F of forming an opening in a fourth region located in the ⁇ x direction of the second region, the opening including d continuous rows of openings; And a step G of forming an opening in a fifth region located in the x direction of the third region including a series of openings of the book, and in the step A, the step B and the step C Later, the step F or the step G is performed.
  • the step F and the step G are performed before the step D and the step E.
  • the fourth region is a region not directly adjacent to the second region
  • the fifth region is a region not directly adjacent to the third region.
  • the step D is a step of forming an opening portion of less than sa continuous rows including the central row of the entire region located between the first region and the second region.
  • the step E is a step of forming a continuous row of openings smaller than sb, including the central row of the entire region located between the first region and the third region.
  • the fourth region includes less than d consecutive rows of openings, including a central row of all regions located in the ⁇ x direction of the second region, and the fifth region includes And includes less than e consecutive row openings, including a central row of all regions of the third region located in the x-direction.
  • the opening forming step includes d consecutive openings in adjacent to the second region in the ⁇ x direction via a third gap region including sc continuous rows.
  • the step G of forming an opening in the fifth region including the part, and the step F or the step G is performed after the step A, the step B and the step C.
  • the step F and the step G are performed before the step D and the step E.
  • the opening formation step includes the step H of forming openings in a sixth region located in the ⁇ x direction of the fourth region including f continuous rows of openings. And a step I of forming an opening in a seventh region located in the x direction of the fifth region, the opening including g continuous rows of openings.
  • the number a, the number b, the number c, the number sa, and the number sb are each independently 100 or more and 300 or less.
  • the step B and the step C are performed after the step A over all active region forming portions in any row.
  • the opening forming process is performed from an active region forming unit belonging to a (q / 2) th column or a ⁇ (q + 1) / 2 ⁇ th column.
  • the opening forming process is performed from an active area forming unit belonging to a (p / 2) -th row or a ⁇ (p + 1) / 2 ⁇ -th row.
  • a method of manufacturing a deposition mask according to another embodiment of the present invention comprises arranging a rectangular mask base fixed to define an xy plane and m rows and n columns provided on the mask base
  • the method includes a step of preparing a base, and an opening forming step of forming the plurality of active region forming portions in the mask base, wherein the opening forming step is a (p / 2) th row or a row This is performed from the active area forming unit belonging to the ⁇ (p + 1) / 2 ⁇ -th row.
  • the opening forming process is performed from an active region forming unit belonging to a (q / 2) th column or a ⁇ (q + 1) / 2 ⁇ th column.
  • the mask base includes a resin layer having the plurality of openings, and a magnetic metal layer having at least one through hole exposing the plurality of openings. At least the resin layer is stretched in the x direction and the y direction.
  • the mask base includes a magnetic metal layer having the plurality of openings.
  • the magnetic metal layer is stretched, for example, only in the y direction.
  • the mask base is a rectangle elongated in the x direction, and the row direction is parallel to the x direction.
  • the shape of the plurality of openings may be, for example, rectangular (including rectangular, square, etc.), rhombus, circle, oval and the like.
  • the method of manufacturing a deposition mask having a stretched mask base it is possible to suppress the deformation of the opening due to the internal stress of the mask base. Therefore, according to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a high definition deposition mask with high accuracy.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a film formation mask 100 suitably manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention, and shows a cross section taken along line 1A-1A in FIG. It is a top view which shows the film-forming mask 100 typically.
  • (A) to (f) are schematic cross-sectional views showing manufacturing steps of the film formation mask 100.
  • the manufacturing method of the film-forming mask (stacked type mask) by embodiment of this invention it is a schematic plan view of a mask base material for demonstrating the order which forms an opening part in an active region formation part.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of a mask base for explaining the order of forming the openings in the active region forming portion in the method of manufacturing a deposition mask (stacked mask) according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic plan view of a mask base for illustrating the order of forming the opening in the active region forming portion in the method of manufacturing a deposition mask (stacked mask) according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic plan view of a mask base for illustrating the order of forming the opening in the active region forming portion in the method of manufacturing a deposition mask (stacked mask) according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic plan view of a mask base for illustrating the order of forming the opening in the active region forming portion in the method of manufacturing a deposition mask (stacked mask) according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic plan view of a mask base for illustrating the order of forming the opening in the active region forming portion in the method of manufacturing a deposition mask (stacked mask) according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic plan view of a mask base for illustrating the order of forming the opening in the active region forming portion in the method of manufacturing a deposition mask (stacked mask) according to still another embodiment of the present invention.
  • the typical of a mask base material for demonstrating the order which forms an opening part in several active area
  • region formation parts Plan view.
  • region formation parts It is a top view.
  • the manufacturing method according to the embodiment of the present invention is not limited to the film forming mask exemplified below, for example, a film forming manufactured by forming an opening in the stretched mask base material described in Patent Documents 1 to 3 It is widely applied in the manufacture of masks.
  • the entire disclosures of Patent Documents 1 to 3 are incorporated herein by reference.
  • FIGS. 1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view schematically showing the deposition mask 100, respectively.
  • FIG. 1 shows a cross section taken along line 1A-1A in FIG.
  • FIG. 1 and FIG. 2 schematically show an example of the film formation mask 100, and the size, the number, the arrangement relation, the ratio of the length, etc. of each component are not limited to the illustrated example. Nor. The same applies to other drawings described later.
  • the film formation mask 100 includes a resin layer 10, a magnetic metal layer 20, and a frame 30.
  • the deposition mask 100 is positioned so that the magnetic metal layer 20 is on the deposition source side and the resin layer 10 is on the deposition target (the element substrate on which the backplane is formed). Will be placed.
  • the resin layer 10 includes a plurality of openings 11.
  • the plurality of openings 11 are formed in the size, shape, and position corresponding to the plurality of pixels formed on the element substrate (backplane). In the example shown in FIG. 2, the plurality of openings 11 are arranged in a matrix. The size, shape and position of the opening 11 may differ depending on the color of the organic EL layer to be formed.
  • a polyimide As a material of the resin layer 10, a polyimide can be used suitably, for example. Polyimide has a small coefficient of thermal expansion, and is excellent in strength, chemical resistance and heat resistance. As a material of the resin layer 10, another resin material such as polyethylene terephthalate (PET) may be used.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the thickness of the resin layer 10 is not particularly limited. However, if the resin layer 10 is too thick, a part of the deposited film may be formed thinner than the desired thickness (referred to as "shadowing"). From the viewpoint of suppressing the occurrence of shadowing, the thickness of the resin layer 10 is preferably 25 ⁇ m or less. Further, from the viewpoint of the strength of the resin layer 10 itself and the washing resistance, the thickness of the resin layer 10 is preferably 3 ⁇ m or more.
  • the magnetic metal layer 20 is formed on the resin layer 10.
  • the magnetic metal layer 20 is formed on the resin layer 10 by plating, for example, as described later.
  • the magnetic metal layer 20 is in close contact with the resin layer 10.
  • the magnetic metal layer 20 has a mask portion 20a and a peripheral portion 20b arranged to surround the mask portion 20a.
  • the mask portion 20 a refers to the magnetic metal layer 20 in the active region forming portion.
  • the mask portion 20 a has a plurality of through holes (slits) 21 that expose the plurality of openings 11 of the resin layer 10.
  • a plurality of through holes 21 extending in the column direction are arranged in the row direction.
  • each through hole 21 has a size larger than each opening 11 of the resin layer 10, and at least one (here, a plurality of holes in each through hole 21). ) Is located.
  • the region 20a1 in the mask portion 20a in which the metal film is present is referred to as a "solid portion"
  • the magnetic metal layer 20 is formed, for example, by electroless plating or electrolytic plating.
  • a nickel (Ni) plating layer and a nickel alloy plating layer are preferable.
  • the resin layer 10 is formed of polyimide, and the thermal expansion coefficient of the magnetic metal layer 20 is matched with that of the resin layer 10.
  • the thickness of the magnetic metal layer 20 is not particularly limited. However, if the magnetic metal layer 20 is too thick, the magnetic metal layer 20 may be bent by its own weight or shadowing may occur.
  • the thickness of the magnetic metal layer 20 is preferably 100 ⁇ m or less from the viewpoint of suppressing the occurrence of bending and shadowing due to its own weight.
  • the thickness of the magnetic metal layer 20 is preferably 5 ⁇ m or more.
  • the frame 30 has a frame shape and is fixed to the peripheral portion 20 b of the magnetic metal layer 20. That is, the region of the magnetic metal layer 20 not overlapping the frame 30 is the mask portion 20 a, and the region overlapping the frame 30 is the peripheral portion 20 b.
  • the frame 30 is formed of, for example, a metal material.
  • the frame 30 is preferably made of a magnetic metal material having a small linear thermal expansion coefficient ⁇ M (specifically, less than 6 ppm / ° C.).
  • ⁇ M small linear thermal expansion coefficient
  • an Fe-Ni-based alloy Invar
  • Fe-Ni-Co-based alloy or the like can be suitably used.
  • the magnetic metal layer 20 is bonded to the resin layer 10 throughout.
  • the resin layer 10 and the magnetic metal layer 20 are under tension in the in-plane direction from the frame 30.
  • the stretching step the resin layer 10 and the magnetic metal layer 20 are stretched on the frame 30 in a state in which the resin layer 10 and the magnetic metal layer 20 are pulled in a predetermined in-plane direction by a stretching device (or a tension welding device also provided with a welding function). It is fixed.
  • FIGS. 3A to 3F are cross-sectional views showing steps of manufacturing the film formation mask 100. As shown in FIG.
  • a resin sheet formed of a resin material is prepared as the resin layer 10.
  • a polyimide can be used suitably, for example.
  • a pattern is formed of a resist layer 32 on the resin layer 10.
  • the resist layer 32 is formed to correspond to the through hole 21 of the magnetic metal layer 20.
  • the magnetic metal layer 20 is formed.
  • the magnetic metal layer 20 is formed by electroless plating or electrolytic plating.
  • a catalyst layer and / or an underlayer (seed layer) may be formed prior to the plating step.
  • the magnetic metal layer 20 has a mask portion 20a including solid portions 20a1 and non-solid portions 20a2, and a peripheral portion 20b arranged to surround the mask portion 20a.
  • the resin layer 10 and the peripheral portion 20 b of the magnetic metal layer 20 are fixed to the frame 30.
  • This step is performed in a state where tension in the in-plane direction from the outside is applied to the resin layer 10 and the magnetic metal layer 20.
  • the frame 30 is fixed to the stretch welding apparatus.
  • the resin layer 10 and the magnetic metal layer 20 are placed on the frame 30 with the magnetic metal layer 20 facing down.
  • the two opposing edges (the edge orthogonal to the first direction X in the figure) of the resin layer 10 and the magnetic metal layer 20 are held by the holding portion (clamp) of the tension welding apparatus, and the first direction Apply a constant tension parallel to X.
  • two edges perpendicular to the second direction Y orthogonal to the first direction X that is, parallel to the first direction X
  • a constant tension is applied parallel to the second direction Y.
  • the resin layer 10 and the peripheral portion 20b of the magnetic metal layer 20 are welded to the frame 30.
  • spot welding is performed at a plurality of places at predetermined intervals.
  • the interval (pitch) of spot welding can be selected appropriately.
  • a YAG laser can be used, and the wavelength of the laser beam L1 and the energy per pulse are, for example, 1064 nm and 7 J / pulse, respectively.
  • the welding conditions are not limited to those exemplified here.
  • a plurality of openings 11 are formed in the resin layer 10.
  • the plurality of openings 11 are formed in the region of the resin layer 10 corresponding to the non-solid portion 20 a 2 of the mask portion 20 a.
  • the openings 11 can be formed, for example, by laser processing.
  • a pulse laser is used.
  • a predetermined area of the resin layer 10 is irradiated with a laser beam L2 having a wavelength of 355 nm using a YAG laser.
  • the object to be processed (the structure including the frame 30, the magnetic metal layer 20, and the resin layer 10) is turned upside down so that the irradiation direction of the laser light L2 is a direction from top to bottom.
  • the energy density of the laser beam L2 is, for example, 0.5 J / cm 2 .
  • the laser processing is performed by focusing the laser light L2 on the surface of the resin layer 10 and performing a plurality of shots. The number of shots is determined according to the thickness of the resin layer 10.
  • the shot frequency is set to, for example, 60 Hz.
  • the film formation mask 100 is obtained.
  • the conditions of laser processing are not limited to what was mentioned above, It is suitably selected so that the resin layer 10 can be processed.
  • a block is prepared by preparing a laser beam with a large beam diameter and irradiating the laser beam through a photomask having an opening corresponding to, for example, 50 ⁇ 50 or 100 ⁇ 100 openings 11.
  • the openings 11 may be formed in each case.
  • the mask substrate in which the opening 11 is formed is moved discontinuously like a stepper.
  • the plurality of openings 11 of the resin layer 10 are arranged in one row in each through hole 21 of the magnetic metal layer 20.
  • the configuration of the through hole 21 is not limited to this.
  • the plurality of openings 11 of the resin layer 10 may be arranged in a matrix in each through hole 21.
  • the plurality of through holes 21 may be arranged in parallel along the column direction, or may be arranged in a matrix.
  • only one opening 11 of the resin layer 10 may be disposed in each through hole 21 of the magnetic metal layer 20. At least one opening 11 may be disposed in each through hole 21 of the magnetic metal layer 20.
  • the magnetic metal layer 20 may have only one through hole 21. At least one through hole 21 may be formed in the mask portion 20 a of the magnetic metal layer 20.
  • An adhesive may be used instead of welding for joining the resin layer 10 and the magnetic metal layer 20 to the frame 30.
  • an adhesive agent an ultraviolet curing type or a thermosetting type can be used. It is preferred to use an adhesive with low outgassing.
  • the order of forming the openings in the active region forming portion in the method of manufacturing a deposition mask according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 12.
  • the order of forming the openings is generated in the mask base by forming the openings in the stretched mask base (resin layer and / or magnetic metal layer) By reducing the degree of nonuniform distribution of the internal stress (tension), deformation of the opening due to the nonuniform distribution of the internal stress is suppressed.
  • the opening is continuously formed sequentially from one end (one point) of the active region forming portion of the mask base material. This is to minimize the movement time of the relative position of the mask substrate to the laser.
  • the stress distribution of the mask substrate changes each time an opening is formed in the mask substrate. Therefore, when the opening is continuously formed from one end to the other, the nonuniform distribution of the internal stress (tension) due to the formation of the opening is uneven, and the deviation of the shape of the opening becomes large.
  • the degree of non-uniform distribution of internal stress (tension) generated in the mask base material by intentionally forming the opening by sacrificing the throughput of laser processing is obtained. Make it smaller.
  • the method for manufacturing a deposition mask according to the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing a high definition deposition mask.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of a mask base for explaining the order of forming the openings in the active region forming portion in the method of manufacturing a deposition mask (laminated mask) according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of a mask base for explaining the order of forming the openings in the active region forming portion in the method of manufacturing a deposition mask (laminated mask) according to another embodiment of the present invention. It is.
  • the deposition mask has a plurality of active area forming portions AA corresponding to a plurality of active areas of the mother substrate when multiple-displaying the OLED display device.
  • the plurality of active area forming portions AA are generally arranged in p rows and q columns (see, for example, FIGS. 10 to 12).
  • FIG. 4 and FIG. 5 show the resin layer 10 of one active area forming portion AA, and show areas (R1, R2, R3, etc.) for forming an opening (not shown).
  • FIG. 4 and FIG. 5 in order to make it easy to see each area, it is divided into an area with hatching and an area without hatching (the same in FIG. 6 to FIG. 9).
  • the mask base material of the layered mask has the resin layer 10 and the magnetic metal layer 20 as described with reference to FIGS. 1 to 3, the plurality of openings 11 are formed in the resin layer 10 Therefore, the illustration of the magnetic metal layer 20 is omitted below.
  • the resin layer 10 is fixed to the frame in a stretched state as described with reference to FIG.
  • the surface which the stretched resin layer 10 prescribes be xy surface.
  • the resin layer 10 is pulled by the tension Fx in the x direction, and is pulled by the tension Fy in the y direction orthogonal to the x direction.
  • a plurality of openings are formed in the resin layer 10 in a matrix of m rows and n columns.
  • m ⁇ n is 1440 ⁇ 2880.
  • dummy pixels may be provided, and in such a case, m and / or n may be odd.
  • the active area forming portion AA is a rectangle long in the x direction and the row direction is parallel to the x direction
  • the present invention is not limited thereto.
  • the row and the column may be interchanged, the x direction and the ⁇ x direction may be interchanged, and the y direction and the ⁇ y direction may be interchanged.
  • the manufacturing method divides the active area forming portion AA into a plurality of areas and forms an opening for each of the plurality of areas.
  • the openings may be formed continuously, but the formation of the openings continuously over a plurality of areas is avoided, and the openings are formed in the discontinuously arranged areas.
  • the discontinuously arranged regions be, for example, in a line symmetrical position with respect to the center of the active area forming portion AA (for example, the center in the x direction in the following example).
  • the areas of the regions arranged in line symmetry be equal to one another.
  • the first region R1 including the openings of a continuous rows including at least the (n / 2) th row or the ⁇ (n + 1) / 2 ⁇ th row Form an opening. That is, the opening is formed in the first region R1 including the center row of n rows.
  • the first region R1 is preferably a region symmetrical about the (n / 2) th column or the ⁇ (n + 1) / 2 ⁇ th column.
  • an opening is formed in the second region R2 or the third region R3 not directly adjacent to the first region R1.
  • the second region R2 is adjacent to the first region R1 in the -x direction via the first gap region RS1 including, for example, sa continuous rows, and includes b continuous row openings.
  • the third region R3 is adjacent to the first region R1 in the x direction via the second gap region RS2 including, for example, sb continuous rows, and includes c continuous row openings.
  • b and c are preferably equal to each other, and more preferably, sa and sb are equal to each other.
  • a step D of forming an opening in the first gap region RS1 or a step E of forming an opening in the second gap region RS2 is performed.
  • the opening in each region may be formed continuously at the shortest distance from one end to the other end as in the single stroke writing.
  • the number of rows in each region (a, b, c, sa, and sb) is preferably independently 100 or more and 300 or less.
  • the number of regions may be increased so that the number of columns in each region is 100 or more and 300 or less.
  • the number of columns is 4096 (resolution 4 K)
  • the number of rows (a, b, c, sa and sb) included in each region be approximately equal.
  • the number a of the rows of the first region R1 located at the center where the opening is first formed may be smaller than the others.
  • the second region R2 is formed to include the central row of all the regions located in the -x direction of the first region R1, and the third region R3 is formed.
  • the number of columns included in a region is k, and when k is an even number, k / 2 columns are referred to, and (k + 1) / when k is an odd number.
  • the second column is said.
  • the counting direction may be x-direction or -x-direction.
  • the first region R1 is formed at the center of the active region forming portion AA, and the second region R2 is at the center of the region remaining in the -x direction of the first region R1 (the entire region forming the opening) If the third region R3 is formed at the center of the remaining region in the x direction of the first region R1 (the entire region from which the opening is to be formed), the change in stress distribution due to the formation of the opening is uneven. Sex can be effectively suppressed.
  • the step G of forming an opening in the fifth region R5 adjacent to the third region R3 in the x direction Preferably, d and e are approximately equal to a, b, c, sa and sb. It is preferable to perform the process F and the process G before the process D and the process E.
  • step D and step E are performed first, an opening is formed in one continuous region including the first region R1, the second region R2, the third region R3, the first gap region RS1, and the second gap region RS2.
  • FIG. 6 will be referred to.
  • FIG. 6 shows the case of division into 11 areas.
  • (R4), (RS1), (RS2) and (R5) shown at the bottom of FIG. 6 are the fourth region R4, the first gap region RS1, the second gap region RS2 and the fifth region R5 shown in FIG.
  • the fourth region R4 corresponds to That is, in the opening forming step of dividing into seven regions described with reference to FIG. 5, the fourth region R4, the first gap region RS1, the second gap region RS2 and the fifth region R5 are each further divided into two regions. By dividing, it is possible to divide into 11 areas as shown in FIG.
  • the order of forming the openings may be, for example, from the first area R1 to the eleventh area R11 shown in FIG. 6 in the ascending order of the numbers.
  • the eighth region R8 can be formed by forming the fourth region R4 as a region not directly adjacent to the second region R2 in the opening forming step described with reference to FIG. Further, the ninth region R9 can be formed by making the fifth region R5 a region not directly adjacent to the third region R3.
  • the number of rows included in the fourth region R4 and the eighth region R8 is preferably approximately equal, and the number of rows included in the fifth region R5 and the ninth region R9 is preferably approximately equal.
  • the sixth region R6 is formed by forming an opening in the region directly adjacent to the first region R1 in the first gap region RS1.
  • a region which does not become the sixth region R6 is the tenth region R10.
  • a seventh region R7 is formed by forming an opening in a region directly adjacent to the first region R1 in the second gap region RS2.
  • a region which does not become the seventh region R7 is the eleventh region R11.
  • the number of rows included in the sixth region R6 and the tenth region R10 is preferably approximately equal, and the number of rows included in the seventh region R7 and the eleventh region R11 is preferably approximately equal.
  • FIG. 7 will be referred to.
  • FIG. 7 shows the case of division into 15 areas.
  • (R4), (RS1), (RS2) and (R5) shown at the bottom of FIG. 7 are the fourth region R4, the first gap region RS1, the second gap region RS2 and the fifth region R5 shown in FIG.
  • the fourth region R4 corresponds to That is, in the opening forming step of dividing into seven regions described with reference to FIG. 5, the fourth region R4, the first gap region RS1, the second gap region RS2 and the fifth region R5 are further divided into three regions respectively. By dividing, it is possible to divide into 15 areas as shown in FIG.
  • the order of forming the openings may be, for example, from the first region R1 to the fifteenth region R15 shown in FIG. 7 in the ascending order of the numbers.
  • the step D is carried out in a series of less than sa rows including the middle row of the entire region located between the first region R1 and the second region R2.
  • a step of forming openings, and a step E of forming a series of openings of less than sb, including a central row of all the regions located between the first region R1 and the third region R3 I assume.
  • the opening is formed so as to roughly divide the number of rows included in the first gap region RS1 in FIG. 5 into three (fourth region R4 in FIG. 7).
  • An opening is formed so as to roughly divide the number of rows included in the second gap region RS2 in 5 into three (a fifth region R5 in FIG. 7).
  • the fourth region R4 is less than d in a row including the center row of the entire region located in the ⁇ x direction of the second region R2.
  • the fifth region R5 is a region including less than e consecutive openings including the central row of the entire region located in the x direction of the third region R3. .
  • the opening is formed so as to roughly divide the number of rows included in the fourth region R4 in FIG. 5 into three equally (sixth region R6 in FIG. 7), and included in the fifth region R5 in FIG.
  • the openings are formed so as to roughly divide the number of rows into three (seventh region R7 in FIG. 7).
  • the second region is formed in the -x direction with a certain number (gap region) from the first region R1.
  • a region R2 is formed, and a third region R3 is formed in the x direction.
  • the fourth region R4 is formed in the -x direction with a certain number (spacing region) from the second region R2, and in the x direction with a certain number (spacing region) from the third region R3.
  • a fifth region R5 is formed.
  • the openings may be formed with a gap (spaced area) being provided alternately in the x direction and the ⁇ x direction from the center.
  • FIG. 8 shows a case of division into 11 regions
  • FIG. 9 shows an example of division into 15 regions as in FIG.
  • the first region R1, the second region R2 and the third region R3 are formed in the same order as described with reference to FIG. That is, step A, step B and step C are performed.
  • the number of columns included in the first gap region RS1 and the second gap region RS2 formed at this time is different from that in the case of FIG.
  • a step I of forming an opening in a seventh region R7 including a portion and located in the x direction of the fifth region R5 is performed.
  • the sixth region R6 is formed so as to be directly adjacent to the fourth region R4, and the seventh region R7 is formed so as to be directly adjacent to the fifth region R5, whereby the first region R1 shown in FIG.
  • the seventh region R7 is obtained.
  • openings are formed to the seventh region R7, openings are formed in the first gap region RS1 and the second gap region RS2, and thereafter openings are formed in the third gap region RS3 and the fourth gap region RS4. Is preferred. If the region in which the opening is formed is formed to be dispersed as much as possible, the effect of suppressing the nonuniformity of the change in stress distribution is high.
  • the sixth region R6 is formed to be adjacent to the fourth region R4 via the fifth gap region RS5, and the seventh region R7 to be adjacent to the fifth region R5 via the sixth gap region RS6.
  • an eighth region R8 directly adjacent to the sixth region R6, and forming a ninth region R9 directly adjacent to the seventh region R7, as shown in FIG.
  • An R1 to a ninth area R9 are obtained.
  • openings are formed to the ninth region R9, openings are formed in the first gap region RS1 and the second gap region RS2, and thereafter openings are formed in the fifth gap region RS5 and the sixth gap region RS6.
  • the stress distribution in the mask base differs depending on the position of the active region forming portion, and the same problem as described above occurs. Therefore, with reference to FIGS. 10 to 12, the order of forming the openings in the plurality of active area forming portions AA will be described.
  • the film formation mask 200 for a mother substrate shown in FIG. 10 has a plurality of active area formation portions AA arranged in p rows and q columns. p and q are, for example, about 40 to 100.
  • steps B and C and the like are performed after the above step A over all the active area forming portions AA in any row. That is, instead of performing all the steps of forming the openings for each active area forming portion AA, the opening forming step is performed in the above order for each row of the active area forming portions AA. By doing this, the movement distance in the y direction can be shortened, and the change in stress distribution in the y direction can be suppressed.
  • the order of selecting the columns of the active area forming portion AA is preferably the same as the order of selecting the columns forming the openings described above. That is, q columns may be substituted for the above n columns.
  • the opening forming process may be performed from the active area forming portion AA belonging to the (q / 2) th column or the ⁇ (q + 1) / 2 ⁇ th column.
  • the (p / 2) -th row or the ⁇ (p + 1) / 2 ⁇ -th row is used for the opening forming step. It may be performed from the active area forming unit belonging to
  • the rows of the active area forming portion AA are selected in accordance with the above-mentioned order, and for each row, as shown in FIG. It may be performed from the active region forming part belonging to the) th row or the ⁇ (p + 1) / 2 ⁇ th row.
  • the order of forming the openings has been described by taking the laminated mask as an example, but the embodiment of the present invention can also be applied to a metal mask.
  • the film formation mask 300 shown in FIG. 12 has a metal layer 50 formed of invar.
  • the metal layer 50 has a plurality of strip-shaped metal layers 50S arranged, and the periphery thereof is fixed to a frame (not shown) formed of invar. Since strip-shaped invars are mass-produced, it is difficult to obtain a single plate of a size compatible with the mother substrate.
  • the mask base formed by the invar is stretched along the longitudinal direction of the strip (here, along the y direction) (not stretched in the x direction).
  • the order of forming the openings is preferably from the active region forming portion belonging to the (p / 2) th row or the ⁇ (p + 1) / 2 ⁇ th row.
  • the embodiment of the present invention is suitably used for the production of a film formation mask used for the production of an organic EL device.

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Abstract

マスク基材に開口部を形成する工程は、少なくとも（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ+１）／２｝番目の列を含む、ａ本の連続した列の開口部を含む第１領域（Ｒ１）内の開口部を形成する工程Ａと、ｓａ本の連続した列を含む第１間隙領域（ＲＳ１）を介して、第１領域（Ｒ１）と－ｘ方向に隣接し、ｂ本の連続した列の開口部を含む第２領域（Ｒ２）内の開口部を形成する工程Ｂと、ｓｂ本の連続した列を含む第２間隙領域（ＲＳ２）を介して、第１領域（Ｒ１）とｘ方向に隣接し、ｃ本の連続した列の開口部を含む第３領域（Ｒ３）内の開口部を形成する工程Ｃとを含み、工程Ａの後に、工程Ｂおよび工程Ｃを行う。

Description

成膜マスクの製造方法
　本発明は、成膜マスクの製造方法に関し、特に、高精細の有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置の量産に好適に用いられる成膜マスクの製造方法に関する。成膜マスクは、薄膜堆積技術（例えば、Physical Vapor Deposition（ＰＶＤ）、Chemical Vapor Deposition（ＣＶＤ）等を含む。）において用いられるマスクを指す。以下では、ＰＶＤの１種である真空蒸着法を例に説明する。
　近年、有機ＥＬ表示装置が実用化された。現在量産されている中小型の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ層の形成は、主に真空蒸着法を用いて行われている。有機ＥＬ層は、例えば、ホール輸送層、電子輸送層およびこれらの間に配置される有機発光層を含む。ホール輸送層は有機発光層を兼ねることもできる。少なくとも有機発光層と電子輸送層とを含む、有機材料で形成された層を有機ＥＬ層ということにする。
　有機ＥＬ表示装置は、画素ごとに少なくとも１つの有機ＥＬ素子（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）と、各ＯＬＥＤに供給される電流を制御する少なくとも１つのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを有する。以下、有機ＥＬ表示装置をＯＬＥＤ表示装置と呼ぶことにする。このようにＯＬＥＤごとにＴＦＴなどのスイッチング素子を有するＯＬＥＤ表示装置は、アクティブマトリクス型ＯＬＥＤ表示装置と呼ばれる。また、ＴＦＴおよびＯＬＥＤが形成された基板を素子基板ということにする。ＴＦＴを含む駆動回路はバックプレーン回路（または、単に「バックプレーン」）と呼ばれ、ＯＬＥＤはバックプレーン上に形成される。
　カラー表示が可能な有機ＥＬ表示装置では、例えば、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素によって、１つのカラー表示画素が構成される。カラー表示画素を構成する異なる色の画素は原色画素と呼ばれることもある。本明細書における画素を「ドット」と呼び、カラー表示画素を「ピクセル」と呼ぶこともある。例えば、解像度を表すｐｐｉ（pixel per inch）は、１インチに含まれる「ピクセル」の数を表す。
　なお、３つの異なる色の画素で、１つのカラー表示画素を構成する場合、３つの異なる色の画素の形状や大きさは互いに異なってもよい。例えば、発光効率が低い青の画素を大きく、発光効率が高い緑の画素を小さくしてもよい。あるいは、１つのカラー表示画素を１つの赤画素と、１つの緑画素と、２つの青画素とで構成してもよい。また、画素配列は、ストライプ配列、デルタ配列であってもよく、公知の種々の配列であり得る。
　有機ＥＬ層は、色ごとに用意された成膜マスクを用いて真空蒸着法で形成される。有機ＥＬ層に加えて、有機ＥＬ層の上に形成される電極層（例えば陰極層）も成膜マスクを用いて例えばスパッタ法で形成され得る。なお、有機ＥＬ層の下に形成される電極層（例えば陽極層）は、有機ＥＬ層が現像液に晒されることがないので、フォトリソグラフィプロセスで形成され得る。
　従来、成膜マスクとして、金属層（金属板）に所定のパターンで複数の開口部が形成されたメタルマスクが用いられていた（例えば、特許文献１）。ＯＬＥＤ表示装置の高精細化に対応するために、メタルマスクよりも高精細なパターンを形成することが可能な、樹脂層と磁性金属層とが積層された積層体を有する成膜マスク（以下、「積層型マスク」と呼ぶ。）が提案されている（例えば、特許文献２、３）。
　本明細書において、成膜マスクの開口部（成膜される物質が通過する貫通孔）が形成されている部材をマスク基材という。メタルマスクにおいては、金属層（典型的には磁性金属層）がマスク基材であり、積層型マスクにおいては、樹脂層と磁性金属層との積層体がマスク基材である。また、成膜マスクの部分で、成膜対象である素子基板（例えばバックプレーンが形成された段階のもの）のアクティブ領域（「素子形成領域」または「表示領域」ともいう。）と密着する部分をアクティブ領域形成部ということにする。
特開２００６－１８８７４８号公報 特開２０１７－８２３１３号公報 特開２０１５－１０２７０号公報
　メタルマスクおよび積層型マスクのいずれについても、アクティブ領域形成部の平面性を高めるために、マスク基材を架張することが行われている。アクティブ領域形成部の平面性が低いと、すなわちアクティブ領域形成部のマスク基材に弛みがあると、アクティブ領域形成部と素子基板の表面との間に間隙が生じ、所定の形状に成膜できないという問題が生じるからである。
　しかしながら、本発明者の検討によると、架張されたマスク基材に開口部を形成すると、開口部を形成することによって生じる、マスク基材内の応力の方向や大きさの分布（単に「応力分布」ということがある。）が変化し、開口部が変形するという問題がある。
　マスク基材は架張されている（面内の外側に向く張力を受けている）ので、マスク基材内に応力が発生している。この応力は、マスク基材内の位置の関数である。すなわち、マスク基材内の位置によって、応力の方向や大きさが異なる。マスク基材の応力分布は、マスク基材に開口部を形成するたびに変化する。したがって、最終的に得られる開口部の位置、大きさ、および形状の精度は、開口部を形成する順序にも依存することになる。この問題は、例えば、２００ｐｐｉを超える高精細の開口パターンを形成する場合に特に顕著になる。
　さらに、複数のアクティブ領域に対応する成膜マスク、すなわち、ＯＬＥＤ表示装置を多面取りする際のマザー基板に対して用いられる成膜マスクでは、アクティブ領域形成部の位置によって、マスク基材内の応力分布が異なるので、上記と同様の問題が発生する。
　実際に成膜マスクを作製し、開口部の位置、大きさ、および形状の設計値からのずれを測定し、そのずれを見込んで開口部を形成することによって、また、この工程を複数回繰り返すことによって、目的の精度を得ることもできるが、精度に限界があるとともに、製造プロセスが煩雑で製造コストの上昇を招く。
　本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、架張されたマスク基材（例えば、樹脂層および／また磁性金属層）を有する成膜マスクを製造する方法において、マスク基材の内部応力の不均一な分布に起因する開口部の変形を抑制することを目的とする。
　本発明のある実施形態による、成膜マスクの製造方法は、ｘｙ面を規定するように固定された、矩形のマスク基材と、前記マスク基材に設けられた、ｍ行ｎ列に配列された複数の開口部をそれぞれが有するｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部とを有する成膜マスクを製造する方法であって、ｘｙ面を規定するように固定された前記マスク基材を用意する工程と、前記マスク基材に、前記複数のアクティブ領域形成部を形成する、開口部形成工程とを包含し、前記開口部形成工程は、少なくとも（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ+１）／２｝番目の列を含む、ａ本の連続した列の開口部を含む第１領域内の開口部を形成する工程Ａと、ｓａ本の連続した列を含む第１間隙領域を介して、前記第１領域と－ｘ方向に隣接し、b本の連続した列の開口部を含む第２領域内の開口部を形成する工程Ｂと、ｓｂ本の連続した列を含む第２間隙領域を介して、前記第１領域とｘ方向に隣接し、ｃ本の連続した列の開口部を含む第３領域内の開口部を形成する工程Ｃとを含み、前記工程Ａの後に、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃを行う。
　ある実施形態において、前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記第１間隙領域内の開口部を形成する工程Ｄまたは前記第２間隙領域内の開口部を形成する工程Ｅを行う。
　ある実施形態において、前記第２領域は前記第１領域の－ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含み、前記第３領域は前記第１領域のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む。
　ある実施形態において、前記開口部形成工程は、ｄ本の連続した列の開口部を含み、前記第２領域の－ｘ方向に位置する第４領域内の開口部を形成する工程Ｆと、ｅ本の連続した列の開口部を含み、前記第３領域のｘ方向に位置する第５領域内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに含み、前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記工程Ｆまたは前記工程Ｇを行う。
　ある実施形態において、前記工程Ｆおよび前記工程Ｇは、前記工程Ｄおよび前記工程Ｅの前に行う。
　ある実施形態において、前記第４領域は、前記第２領域と直接隣接しない領域であり、前記第５領域は、前記第３領域と直接隣接しない領域である。
　ある実施形態において、前記工程Ｄは、前記第１領域と前記第２領域の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓａ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程であり、前記工程Ｅは、前記第１領域と前記第３領域の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓｂ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程である。
　ある実施形態において、前記第４領域は、前記第２領域の－ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｄ本よりも少ない連続した列の開口部を含み、前記第５領域は、前記第３領域のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｅ本よりも少ない連続した列の開口部を含む。
　ある実施形態において、前記開口部形成工程は、ｓｃ本の連続した列を含む第３間隙領域を介して、前記第２領域と－ｘ方向に隣接し、ｄ本の連続した列の開口部を含む第４領域内の開口部を形成する工程Ｆと、ｓｄ本の連続した列を含む第４間隙領域を介して、前記第３領域とｘ方向に隣接し、ｅ本の連続した列の開口部を含む第５領域内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに含み、前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記工程Ｆまたは前記工程Ｇを行う。
　ある実施形態において、前記工程Ｆおよび前記工程Ｇは、前記工程Ｄおよび前記工程Ｅの前に行う。
　ある実施形態において、前記開口部形成工程は、ｆ本の連続した列の開口部を含み、前記第４領域の－ｘ方向に位置する第６領域内の開口部を形成する工程Ｈおよび／または、ｇ本の連続した列の開口部を含み、前記第５領域のｘ方向に位置する第７領域内の開口部を形成する工程Ｉを行う。
　ある実施形態において、前記ａ本、前記ｂ本、前記ｃ本、前記ｓａ本および前記ｓｂ本は、それぞれ独立に、１００本以上3００本以下である。
　ある実施形態において、任意の列の全てのアクティブ領域形成部にわたって、前記工程Ａの後で、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃを行う。
　ある実施形態において、前記開口部形成工程は、（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ+１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部から行われる。
　ある実施形態において、前記開口部形成工程は、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行われる。
　本発明の他の実施形態による成膜マスクを製造する方法は、ｘｙ面を規定するように固定された、矩形のマスク基材と、前記マスク基材に設けられた、ｍ行ｎ列に配列された複数の開口部をそれぞれが有するｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部とを有する成膜マスクを製造する方法であって、ｘｙ面を規定するように固定された前記マスク基材を用意する工程と、前記マスク基材に、前記複数のアクティブ領域形成部を形成する、開口部形成工程とを包含し、前記開口部形成工程は、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行われる。
　ある実施形態において、前記開口部形成工程は、（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ+１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部から行われる。
　ある実施形態において、前記マスク基材は、前記複数の開口部を有する樹脂層と、前記複数の開口部を露出する少なくとも１つの貫通孔を有する磁性金属層を含む。少なくとも前記樹脂層は、ｘ方向およびｙ方向に架張されている。
　ある実施形態において、前記マスク基材は、前記複数の開口部を有する磁性金属層を含む。前記磁性金属層は、例えば、ｙ方向にのみ架張されている。
　ある実施形態において、前記マスク基材はｘ方向に長い矩形であって、前記行方向はｘ方向に平行である。
　前記複数の開口部の形状は、例えば、矩形（長方形、正方形を含む）、ひし形、円、楕円など任意であり得る。
　本発明の実施形態によると、架張されたマスク基材を有する成膜マスクの製造方法において、マスク基材の内部応力に起因する開口部の変形を抑制することができる。したがって、本発明の実施形態によると、高精細な成膜マスクを高い精度で製造する方法が提供される。
本発明の実施形態による製造方法で好適に製造される成膜マスク１００を模式的に示す断面図であり、図２中の１Ａ－１Ａ線に沿った断面を示している。 成膜マスク１００を模式的に示す平面図である。 （ａ）～（ｆ）は、成膜マスク１００の製造工程を示す模式的な断面図である。 本発明の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。 本発明の他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による多面取り用の成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、複数のアクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による多面取り用の成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、複数のアクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による多面取り用の成膜マスク（メタルマスク）の製造方法において、複数のアクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
　まず、本発明の実施形態による製造方法で好適に製造される成膜マスクの例を説明する。本発明の実施形態による製造方法は、以下に例示する成膜マスクに限られず、例えば特許文献１から３に記載の架張されたマスク基材に開口部を形成することによって製造される成膜マスクの製造に広く適用される。特許文献１から３の開示内容の全てを参考のために本明細書に援用する。
　（成膜マスクの構造）
　図１および図２を参照して、本発明の実施形態による製造方法で好適に製造される成膜マスク１００の構造を説明する。図１および図２は、それぞれ成膜マスク１００を模式的に示す断面図および平面図である。図１は、図２中の１Ａ－１Ａ線に沿った断面を示している。なお、図１および図２は、成膜マスク１００の一例を模式的に示しており、各構成要素のサイズ、個数、配置関係、長さの比率などが図示する例に限定されないことはいうまでもない。後述する他の図面でも同様である。
　成膜マスク１００は、図１および図２に示すように、樹脂層１０と、磁性金属層２０と、フレーム３０とを備える。成膜マスク１００を用いて蒸着工程を行う際、成膜マスク１００は、磁性金属層２０が蒸着源側、樹脂層１０が蒸着対象物（バックプレーンが形成された素子基板）側に位置するように配置される。
　樹脂層１０は、複数の開口部１１を含む。複数の開口部１１は、素子基板（バックプレーン）上に形成される複数の画素に対応したサイズ、形状および位置に形成されている。図２に示す例では、複数の開口部１１は、マトリクス状に配置されている。開口部１１のサイズ、形状および位置は、形成する有機ＥＬ層の色ごとによって異なり得る。
　樹脂層１０の材料としては、例えばポリイミドを好適に用いることができる。ポリイミドは、熱膨張係数が小さく、強度、耐薬品性および耐熱性に優れる。樹脂層１０の材料として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの他の樹脂材料を用いてもよい。
　樹脂層１０の厚さは、特に限定されない。ただし、樹脂層１０が厚すぎると、蒸着膜の一部が所望の厚さよりも薄く形成されてしまうことがある（「シャドウイング」と呼ばれる）。シャドウイングの発生を抑制する観点からは、樹脂層１０の厚さは、２５μｍ以下であることが好ましい。また、樹脂層１０自体の強度および洗浄耐性の観点からは、樹脂層１０の厚さは３μｍ以上であることが好ましい。
　磁性金属層２０は、樹脂層１０上に形成されている。磁性金属層２０は、後述するように例えばめっき法によって樹脂層１０上に形成される。磁性金属層２０は樹脂層１０に密着している。磁性金属層２０は、マスク部２０ａと、マスク部２０ａを包囲するように配置された周辺部２０ｂとを有する。マスク部２０ａは、アクティブ領域形成部の磁性金属層２０を指す。
　マスク部２０ａは、樹脂層１０の複数の開口部１１を露出させる複数の貫通孔（スリット）２１を有している。図２に示す例では、列方向に延びる貫通孔２１が行方向に複数並んでいる。成膜マスク１００の法線方向から見たとき、各貫通孔２１は、樹脂層１０の各開口部１１よりも大きなサイズを有しており、各貫通孔２１内に少なくとも１つ（ここでは複数）の開口部１１が位置している。なお、本願明細書では、マスク部２０ａのうち、金属膜が存在している領域２０ａ１を「中実部」と呼び、金属膜が存在していない領域２０ａ２（ここでは貫通孔２１）を「非中実部」と呼ぶこともある。
　磁性金属層２０は、例えば、無電解めっきまたは電解めっきで形成される。ニッケル（Ｎｉ）めっき層、ニッケル合金めっき層が好ましい。樹脂層１０をポリイミドで形成し、磁性金属層２０の熱膨張係数を樹脂層１０と整合させることが好ましい。
　磁性金属層２０の厚さは、特に限定されない。ただし、磁性金属層２０が厚すぎると、磁性金属層２０が自重で撓んだり、シャドウイングが発生したりするおそれがある。自重による撓みおよびシャドウイングの発生を抑制する観点からは、磁性金属層２０の厚さは、１００μｍ以下であることが好ましい。また、磁性金属層２０が薄すぎると、後述する蒸着工程における磁気チャックによる吸引力が低下し、成膜マスク１００とワークとの間に隙間が生じる原因となることがある。また、破断や変形が生じるおそれがあり、ハンドリングが困難となることもある。そのため、磁性金属層２０の厚さは、５μｍ以上であることが好ましい。
　フレーム３０は、額縁状であり、磁性金属層２０の周辺部２０ｂに固定されている。つまり、磁性金属層２０の、フレーム３０に重ならない領域がマスク部２０ａであり、フレーム３０に重なる領域が周辺部２０ｂである。フレーム３０は、例えば金属材料から形成されている。フレーム３０は、線熱膨張係数αＭの小さい（具体的には６ｐｐｍ／℃未満である）磁性金属材料を用いることが好ましい。例えば、Ｆｅ－Ｎｉ系合金（インバー）、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金などを好適に用いることができる。
　成膜マスク１００では、図１に示すように、磁性金属層２０は、全体にわたって樹脂層１０に接合されている。樹脂層１０および磁性金属層２０は、フレーム３０から、層面内方向の張力を受けている。後述するように、樹脂層１０および磁性金属層２０は、架張工程において、架張装置（あるいは溶接機能も備えた架張溶接装置）によって所定の層面内方向に引っ張られた状態でフレーム３０に固定される。
　（成膜マスクの製造方法）
　図３（ａ）～（ｆ）を参照しながら、成膜マスク１００の製造方法の例を説明する。図３（ａ）～（ｆ）は、成膜マスク１００の製造工程を示す工程断面図である。
　まず、図３（ａ）に示すように、樹脂材料から形成された樹脂シートを、樹脂層１０として用意する。樹脂層１０の材料としては、例えばポリイミドを好適に用いることができる。
　次に、図３（ｂ）に示すように、樹脂層１０上に、レジスト層３２でパターンを形成する。レジスト層３２は、磁性金属層２０の貫通孔２１に対応するように形成する。
　続いて、図３（ｃ）に示す様に、磁性金属層２０を形成する。磁性金属層２０は、無電解めっきまたは電解めっきで形成される。めっき工程に先立って、触媒層および／または下地層（シード層）を形成してもよい。
　次に、図３（ｄ）に示す様に、レジスト層３２を除去することによって、貫通孔２１を有する磁性金属層２０が得られる。磁性金属層２０は、中実部２０ａ１および非中実部２０ａ２を含むマスク部２０ａと、マスク部２０ａを包囲するように配置された周辺部２０ｂとを有する。
　続いて、図３（ｅ）に示す様に、樹脂層１０および磁性金属層２０の周辺部２０ｂをフレーム３０に固定する。この工程は、樹脂層１０および磁性金属層２０に、外部から層面内方向の張力を付与した状態で行われる。まず、フレーム３０を、架張溶接装置に固定する。次に、樹脂層１０および磁性金属層２０を、フレーム３０上に、磁性金属層２０を下にして載置する。続いて、樹脂層１０および磁性金属層２０の対向する２つの縁部（図中の第１方向Ｘに直交する縁部）を架張溶接装置の保持部（クランプ）で保持し、第１方向Ｘに平行に一定の張力を付与する。同時に、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに直交する（つまり第１方向Ｘに平行な）２つの縁部もクランプで保持し、第２方向Ｙに平行に一定の張力を付与する。
　この状態で、樹脂層１０側からレーザ光Ｌ１を照射することによって、樹脂層１０および磁性金属層２０の周辺部２０ｂをフレーム３０に溶接する。ここでは、所定の間隔を空けて複数箇所でスポット溶接を行う。スポット溶接の間隔（ピッチ）は適宜選択され得る。溶接には、例えば、ＹＡＧレーザを用いることができ、レーザ光Ｌ１の波長および１パルスあたりのエネルギーはそれぞれ例えば１０６４ｎｍ、７Ｊ／ｐｕｌｓｅである。勿論、溶接条件は、ここで例示するものに限定されない。
　続いて、図３（ｆ）に示すように、樹脂層１０に複数の開口部１１を形成する。この工程において、複数の開口部１１は、樹脂層１０における、マスク部２０ａの非中実部２０ａ２に対応する領域に形成される。開口部１１の形成は、例えばレーザ加工によって行うことができる。レーザ加工には、パルスレーザを用いる。ここでは、ＹＡＧレーザを用い、波長が３５５ｎｍのレーザ光Ｌ２を樹脂層１０の所定の領域に照射する。このとき、レーザ光Ｌ２の照射方向が上から下に向かう方向となるように、加工対象物（フレーム３０、磁性金属層２０および樹脂層１０を含む構造体）は上下反転される。レーザ光Ｌ２のエネルギー密度は、例えば０．５Ｊ／ｃｍ2である。レーザ加工は、樹脂層１０の表面にレーザ光Ｌ２の焦点を合わせて、複数回のショットを行うことによって行われる。ショット数は、樹脂層１０の厚さに応じて決定される。ショット周波数は、例えば６０Ｈｚに設定される。このようにして、成膜マスク１００が得られる。
　なお、レーザ加工の条件は、上述したものに限定されず、樹脂層１０を加工し得るように適宜選択される。たとえば、ビーム径の大きいレーザ光を用意し、例えば５０個×５０個、あるいは１００個×１００個の開口部１１に対応する開口を有するフォトマスクを介して、レーザ光を照射することによって、ブロックごとに開口部１１を形成してもよい。このとき、開口部１１が形成されるマスク基材は、ステッパの様に、不連続に移動させられる。
　（成膜マスクの変形例）
　図１および図２に示した成膜マスク１００では、磁性金属層２０の各貫通孔２１内に、樹脂層１０の複数の開口部１１が１列に配置されているが、磁性金属層２０の貫通孔２１の構成はこれに限定されない。例えば、各貫通孔２１内に、樹脂層１０の複数の開口部１１をマトリクス状に配列してもよい。また、複数の貫通孔２１は、列方向に沿って平行に配列されてもよいし、マトリクス状に配列されてもよい。
　また、磁性金属層２０の各貫通孔２１内に、樹脂層１０の開口部１１が１つだけ配置されるようにしてもよい。磁性金属層２０の各貫通孔２１内には、少なくとも１つの開口部１１が配置されていればよい。
　また、磁性金属層２０が、貫通孔２１を１つだけ有するようにしてもよい。磁性金属層２０のマスク部２０ａには、少なくとも１つの貫通孔２１が形成されていればよい。
　なお、樹脂層１０および磁性金属層２０とフレーム３０との接合は、溶接に代えて、接着剤を用いてもよい。接着剤としては、紫外線硬化タイプまたは熱硬化タイプを用いることができる。アウトガスが少ない接着剤を用いることが好ましい。
　（開口部形成順序）
　以下に、図４～図１２を参照して、本発明の実施形態による成膜マスクの製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明する。本発明の実施形態による製造方法において、開口部を形成する順序は、架張されたマスク基材（樹脂層および／また磁性金属層）に開口部を形成することによるマスク基材に生成される内部応力（張力）の不均一な分布の程度を小さくすることによって、内部応力の不均一な分布に起因する開口部の変形を抑制する。
　従来は、レーザ加工のスループットを向上させるために、マスク基材のアクティブ領域形成部の一端（一点）から順に、連続的に開口部を形成していた。レーザに対するマスク基材の相対位置の移動時間を最小にするためである。マスク基材の応力分布は、マスク基材に開口部を形成するたびに変化する。したがって、一端から他端に向けて連続的に開口部を形成すると、開口部を形成することによる内部応力（張力）の不均一な分布が偏り、開口部の形状のずれが大きくなる。予備的な成膜マスクを作製し、設計値からのずれを測定し、そのずれを見込んで開口部を形成することによって、また、この工程を複数回繰り返すことによって、目的の精度を得ることもできるが、高精細な成膜マスクを作製するためには、繰り返す回数が多くなり、製造コストの上昇を招く。特に、４００ｐｐｉを超える高精細な成膜マスクを形成することが困難になる。
　本発明の実施形態による成膜マスクの製造方法では、レーザ加工のスループットを敢えて犠牲にし、開口部を形成することによるマスク基材に生成される内部応力（張力）の不均一な分布の程度を小さくする。本発明の実施形態による成膜マスクの製造方法は、高精細の成膜マスクの製造に適している。
　図４および図５を参照する。図４は、本発明の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。図５は、本発明の他の実施形態による成膜マスク（積層型マスク）の製造方法において、アクティブ領域形成部に開口部を形成する順序を説明するためのマスク基材の模式的な平面図である。
　一般に、成膜マスクは、ＯＬＥＤ表示装置を多面取りする際のマザー基板の複数のアクティブ領域に対応して、複数のアクティブ領域形成部ＡＡを有している。複数のアクティブ領域形成部ＡＡは一般にｐ行ｑ列に配列されている（例えば図１０～図１２参照）。図４および図５は、１つのアクティブ領域形成部ＡＡの樹脂層１０を示しており、開口部（不図示）を形成する領域（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３等）を示している。なお、図４および図５においては、各領域を見やすくするために、ハッチングの有る領域と無い領域とに分けて示している（図６～図９において同じ）。積層型マスクのマスク基材は、図１～図３を参照して説明した様に、樹脂層１０と磁性金属層２０とを有しているが、複数の開口部１１は樹脂層１０に形成されるので、以下では磁性金属層２０の図示を省略する。
　樹脂層１０は、図３を参照して説明した様に、架張された状態でフレームに固定されている。ここで、架張された樹脂層１０が規定する面をｘｙ面とする。樹脂層１０は、ｘ方向に張力Ｆｘで引っ張られ、ｘ方向と直交するｙ方向に張力Ｆｙで引っ張られている。このように架張された状態で、樹脂層１０にｍ行ｎ列のマトリクス状に複数の開口部を形成する。例えば、ｍ×ｎは、１４４０×２８８０である。なお、表示に用いられる画素以外に、ダミーの画素が設けられることがあり、そのような場合には、ｍおよび／またはｎは奇数になり得る。
　以下では、アクティブ領域形成部ＡＡがｘ方向に長い矩形で、行方向がｘ方向に平行な例を示すが、これに限られないのは言うまでもない。また、以下の説明において、行と列とは入れ替わってもよいし、ｘ方向と－ｘ方向とが入れ替わってもよいし、ｙ方向と－ｙ方向とが入れ替わってもよい。
　本発明の実施形態による製造方法は、アクティブ領域形成部ＡＡを複数の領域に分割し、複数の領域ごとに開口部を形成する。分割された領域内では、開口部を連続して形成してもよいが、複数の領域にわたって連続的に開口部を形成することを避け、不連続に配置された領域に開口部を形成する。このとき、不連続に配置された領域は、例えば、アクティブ領域形成部ＡＡの中心（例えば以下の例ではｘ方向の中心）に関して線対称な位置にあることが好ましい。また、線対称に配置される領域には、連続して、開口部を形成することが好ましい。開口部を形成することによる応力の不均一な分布は、できるだけ短時間で解消することが好ましいからである。もちろん、線対称に配置される領域の面積は互いに等しいことが好ましい。
　図４を参照する。
　まず、最初の工程Ａでは、少なくとも（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ+１）／２｝番目の列を含む、ａ本の連続した列の開口部を含む第１領域Ｒ１内の開口部を形成する。すなわち、ｎ列の中心の列を含む第１領域Ｒ１に開口部を形成する。第１領域Ｒ１は、（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ+１）／２｝番目の列に関して線対称な領域であることが好ましい。
　続く、工程Ｂまたは工程Ｃでは、第１領域Ｒ１に直接隣接しない第２領域Ｒ２または第３領域Ｒ３に開口部を形成する。第２領域Ｒ２は、例えば、ｓａ本の連続した列を含む第１間隙領域ＲＳ１を間に介して、第１領域Ｒ１と－ｘ方向に隣接し、b本の連続した列の開口部を含む。第３領域Ｒ３は、例えば、ｓｂ本の連続した列を含む第２間隙領域ＲＳ２を間に介して、第１領域Ｒ１とｘ方向に隣接し、ｃ本の連続した列の開口部を含む。ここで、ｂ本とｃ本とは互いに等しいことが好ましく、さらに、ｓａ本とｓｂ本とは互いに等しいことが好ましい。もちろん、列の数（ｎ）は大きいので、ｂ本とｃ本とが多少違っても、また、ｓａ本とｓｂ本とが多少違っても、応力分布の均衡（線対称性）に与える影響は小さい。ｂ本とｃ本との差、および、ｓａ本とｓｂ本との差は、それぞれ１０％程度以下であることが好ましい。後述する他の領域についても同様である。
　この後、第１間隙領域ＲＳ１内の開口部を形成する工程Ｄまたは第２間隙領域ＲＳ２内の開口部を形成する工程Ｅを行う。
　このような順序で形成すると、開口部を形成することによる応力分布の変化の不均一性を抑制することができる。
　なお、各領域内の開口部は、一筆書きのように、一端から他端に向けて、最短距離で連続的に形成すればよい。各領域の列の数（ａ本、ｂ本、ｃ本、ｓａ本およびｓｂ本）は、それぞれ独立に、１００本以上３００本以下であることが好ましい。逆に言うと、各領域の列の数が、１００本以上３００本以下となるように、領域の数を増やせばよい。列の数が４０９６本（解像度４Ｋ）の場合、１５個の領域に分けることによって、開口部を形成することによる応力分布の変化の不均一性を抑制することができる。各領域に含まれる列の数（ａ本、ｂ本、ｃ本、ｓａ本およびｓｂ本）は概ね等しいことが好ましい。ただし、最初に開口部を形成する中央に位置する第１領域Ｒ１の列の数ａ本は、他よりも小さくてもよい。
　例えば、図５に示す様に、７つの領域を形成する場合、第２領域Ｒ２が第１領域Ｒ１の－ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含むように形成し、第３領域Ｒ３が第１領域Ｒ１のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含むように形成する。ここで、ある領域の中央の列とは、その領域に含まれる列の数をｋとし、ｋが偶数のときには、ｋ／２列目をいい、ｋが奇数のときは（ｋ+１）／２列目をいう。数える方向は、ｘ方向でも－ｘ方向でもよい。
　このように、第１領域Ｒ１をアクティブ領域形成部ＡＡの中央に形成し、第２領域Ｒ２を第１領域Ｒ１の－ｘ方向に残った領域（これから開口部を形成する領域全体）の中央に形成し、第３領域Ｒ３を第１領域Ｒ１のｘ方向に残った領域（これから開口部を形成する領域全体）の中央に形成すれば、開口部を形成することによる応力分布の変化の不均一性を効果的に抑制することができる。
　この後、ｄ本の連続した列の開口部を含み、第２領域Ｒ２と－ｘ方向に隣接する第４領域Ｒ４内の開口部を形成する工程Ｆと、ｅ本の連続した列の開口部を含み、第３領域Ｒ３とｘ方向に隣接する第５領域Ｒ５内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに行う。ｄ本およびｅ本は、ａ本、ｂ本、ｃ本、ｓａ本およびｓｂ本と概ね等しいことが好ましい。工程Ｆおよび工程Ｇは、工程Ｄおよび工程Ｅの前に行うことが好ましい。工程Ｄおよび工程Ｅを先に行うと、第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２、第３領域Ｒ３、第１間隙領域ＲＳ１および第２間隙領域ＲＳ２からなる連続した１つの領域に開口部が形成されることになる。これに対し、工程Ｆおよび工程Ｇを先に行うと、第１領域Ｒ１と、第２領域Ｒ２・第４領域Ｒ４と、第３領域Ｒ３・第５領域Ｒ５との３つの不連続な領域に開口部が形成されるので、応力分布の偏りを抑制する効果が大きい。
　次に、図６を参照する。
　図６は、１１個の領域に分割する場合を示している。図６の下に示した（Ｒ４）、（ＲＳ１）、（ＲＳ２）および（Ｒ５）は、図５に示した第４領域Ｒ４、第１間隙領域ＲＳ１、第２間隙領域ＲＳ２および第５領域Ｒ５に対応する。すなわち、図５を参照して説明した７つの領域に分割する開口部形成工程において、第４領域Ｒ４、第１間隙領域ＲＳ１、第２間隙領域ＲＳ２および第５領域Ｒ５をそれぞれ２つの領域にさらに分割することによって、図６に示す様に１１個の領域に分割することができる。
　図６において、開口部を形成する順序は、例えば、図６中に示した、第１領域Ｒ１から第１１領域Ｒ１１まで、数字の昇順に従って形成すればよい。図５を参照して説明した開口部形成工程において、第４領域Ｒ４を第２領域Ｒ２と直接隣接しない領域として形成することによって、第８領域Ｒ８を形成することができる。また、第５領域Ｒ５を第３領域Ｒ３と直接隣接しない領域とすることによって、第９領域Ｒ９を形成することができる。第４領域Ｒ４と第８領域Ｒ８とに含まれる列の数は概ね等しいことが好ましく、第５領域Ｒ５と第９領域Ｒ９とに含まれる列の数は概ね等しいことが好ましい。
　さらに、第１間隙領域ＲＳ１のうち、第１領域Ｒ１に直接隣接する領域に開口部を形成することによって第６領域Ｒ６を形成する。このとき、第１間隙領域ＲＳ１のうち、第６領域Ｒ６にならなかった領域が第１０領域Ｒ１０となる。次に、第２間隙領域ＲＳ２のうち、第１領域Ｒ１に直接隣接する領域に開口部を形成することによって第７領域Ｒ７を形成する。このとき、第２間隙領域ＲＳ２のうち、第７領域Ｒ７にならなかった領域が第１１領域Ｒ１１となる。第６領域Ｒ６と第１０領域Ｒ１０とに含まれる列の数は概ね等しいことが好ましく、第７領域Ｒ７と第１１領域Ｒ１１とに含まれる列の数は概ね等しいことが好ましい。
　次に、図７を参照する。
　図７は、１５個の領域に分割する場合を示している。図７の下に示した（Ｒ４）、（ＲＳ１）、（ＲＳ２）および（Ｒ５）は、図５に示した第４領域Ｒ４、第１間隙領域ＲＳ１、第２間隙領域ＲＳ２および第５領域Ｒ５に対応する。すなわち、図５を参照して説明した７つの領域に分割する開口部形成工程において、第４領域Ｒ４、第１間隙領域ＲＳ１、第２間隙領域ＲＳ２および第５領域Ｒ５をそれぞれ３つの領域にさらに分割することによって、図７に示す様に１５個の領域に分割することができる。
　図７において、開口部を形成する順序は、例えば、図７中に示した、第１領域Ｒ１から第１５領域Ｒ１５まで、数字の昇順に従って形成すればよい。
　図５を参照して説明した開口部形成工程において、工程Ｄを、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓａ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程とし、工程Ｅを、第１領域Ｒ１と第３領域Ｒ３の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓｂ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程とする。このとき、工程Ｄにおいて、図５における第１間隙領域ＲＳ１に含まれる列の数を概ね３等分するように開口部を形成し（図７中の第４領域Ｒ４）、工程Ｅにおいて、図５における第２間隙領域ＲＳ２に含まれる列の数を概ね３等分するように開口部を形成する（図７中の第５領域Ｒ５）。
　次に、図５を参照して説明した開口部形成工程において、第４領域Ｒ４を、第２領域Ｒ２の－ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｄ本よりも少ない連続した列の開口部を含む領域とし、第５領域Ｒ５を、第３領域Ｒ３のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｅ本よりも少ない連続した列の開口部を含む領域とする。このとき、図５における第４領域Ｒ４に含まれる列の数を概ね３等分するように開口部を形成し（図７中の第６領域Ｒ６）、図５における第５領域Ｒ５に含まれる列の数を概ね３等分するように開口部を形成する（図７中の第７領域Ｒ７）。
　次に、図８および図９を参照して、開口部を形成する順序の他の例を説明する。図６および図７を参照して説明した例では、第１領域Ｒ１をアクティブ領域形成部ＡＡの中央に形成した後、第２領域Ｒ２を第１領域Ｒ１の－ｘ方向に残った領域（これから開口部を形成する領域全体）の中央に形成し、第３領域Ｒ３を第１領域Ｒ１のｘ方向に残った領域（これから開口部を形成する領域全体）の中央に形成した。その後、図７に示した例では、さらに残った領域の中央に第４領域Ｒ４および第５領域Ｒ５を形成した。これに対し、図８および図９では、第１領域Ｒ１をアクティブ領域形成部ＡＡの中央に形成した後、第１領域Ｒ１からある本数分（間隙領域）を空けて、－ｘ方向に第２領域Ｒ２を形成し、ｘ方向に第３領域Ｒ３を形成する。さらにその後、第２領域Ｒ２からある本数分（間隙領域）を空けて、－ｘ方向に第４領域Ｒ４を形成し、第３領域Ｒ３からある本数分（間隙領域）を空けて、ｘ方向に第５領域Ｒ５を形成する。このように、中央からｘ方向および－ｘ方向に交互にある本数分（間隙領域）を空けて、開口部を形成するようにしてもよい。
　図８は、図６と同様に、１１個の領域に分割する場合を示しており、図９は、図７と同様に１５個の領域に分割する例を示している。
　まず、図５を参照して説明したのと同じ順序で、第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２および第３領域Ｒ３を形成する。すなわち、工程Ａ、工程Ｂおよび工程Ｃを行う。このときに形成される第１間隙領域ＲＳ１および第２間隙領域ＲＳ２に含まれる列の数が、図５の場合と異なる。
　その後、ｓｃ本の連続した列を含む第３間隙領域ＲＳ３を介して、第２領域Ｒ２と－ｘ方向に隣接し、ｄ本の連続した列の開口部を含む第４領域Ｒ４内の開口部を形成する工程Ｆと、ｓｄ本の連続した列を含む第４間隙領域ＲＳ４を介して、第３領域Ｒ３とｘ方向に隣接し、ｅ本の連続した列の開口部を含む第５領域Ｒ５内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに行う。
　その後、ｆ本の連続した列の開口部を含み、第４領域Ｒ４の－ｘ方向に位置する第６領域Ｒ６内の開口部を形成する工程Ｈおよび／または、ｇ本の連続した列の開口部を含み、第５領域Ｒ５のｘ方向に位置する第７領域Ｒ７内の開口部を形成する工程Ｉを行う。
　ここで、第４領域Ｒ４に直接隣接するように第６領域Ｒ６を形成し、第５領域Ｒ５に直接隣接するように第７領域Ｒ７を形成することによって、図８に示す、第１領域Ｒ１～第７領域Ｒ７が得られる。第７領域Ｒ７まで開口部を形成した後、第１間隙領域ＲＳ１および第２間隙領域ＲＳ２に開口部を形成し、その後で、第３間隙領域ＲＳ３および第４間隙領域ＲＳ４に開口部を形成することが好ましい。開口部が形成された領域がなるべく分散されるように形成される方が、応力分布の変化の不均一性を抑制する効果が高いからである。
　一方、第５間隙領域ＲＳ５を介して、第４領域Ｒ４に隣接するように第６領域Ｒ６を形成し、第６間隙領域ＲＳ６を介して、第５領域Ｒ５に隣接するように第７領域Ｒ７を形成し、第６領域Ｒ６に直接隣接するように第８領域Ｒ８を形成し、第７領域Ｒ７に直接隣接するように第９領域Ｒ９を形成することによって、図９に示す、第１領域Ｒ１～第９領域Ｒ９が得られる。第９領域Ｒ９まで開口部を形成した後、第１間隙領域ＲＳ１および第２間隙領域ＲＳ２に開口部を形成し、その後で、第５間隙領域ＲＳ５および第６間隙領域ＲＳ６に開口部を形成し、最後に、第３間隙領域ＲＳ３および第４間隙領域ＲＳ４に開口部を形成することが好ましい。開口部が形成された領域がなるべく分散されるように形成される方が、応力分布の変化の不均一性を抑制する効果が高いからである。
　ＯＬＥＤ表示装置を多面取りする際のマザー基板に対して用いられる成膜マスクでは、アクティブ領域形成部の位置によって、マスク基材内の応力分布が異なるので、上記と同様の問題が発生する。そこで、図１０～図１２を参照して、複数のアクティブ領域形成部ＡＡに開口部を形成する順序について説明する。
　図１０に示すマザー基板用の成膜マスク２００は、ｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部ＡＡを有している。ｐおよびｑは、例えば４０～１００程度である。
　図１０に矢印で示す様に、任意の列の全てのアクティブ領域形成部ＡＡにわたって、上記の工程Ａの後で、工程Ｂおよび工程Ｃ等を行う。すなわち、各アクティブ領域形成部ＡＡについて開口部を形成する工程をすべて行うのではなく、アクティブ領域形成部ＡＡの列ごとに、開口部形成工程を上記の順序で行う。このように行うことによって、ｙ方向における移動距離を短くすることができるとともに、ｙ方向における応力分布の変化を抑制することができる。
　なお、アクティブ領域形成部ＡＡの列を選択する順序は、上述の開口部を形成する列を選択する順序と同様にすることが好ましい。すなわち、上記のｎ列に代えてｑ列とすればよい。具体的には、開口部形成工程を（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ+１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部ＡＡから行えばよい。あるいは、行と列とを入れ替えて、行方向に沿って開口部を形成する場合には、開口部形成工程を（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行ってもよい。
　なお、アクティブ領域形成部ＡＡごとに、開口部形成工程を行う場合には、上述の順序に従ってアクティブ領域形成部ＡＡの列を選択し、各列について、図１１に示す様に、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行ってもよい。
　上記では、積層型マスクを例に、開口部を形成する順序を説明したが、本発明の実施形態は、メタルマスクにも適用できる。
　図１２に示す成膜マスク３００は、インバーで形成された金属層５０を有している。金属層５０は、短冊状の金属層５０Ｓを複数配列し、周辺をインバーで形成されたフレーム（不図示）に固定されている。短冊状のインバーが量産されており、マザー基板に対応できる大きさの一枚の板を入手するのは困難である。インバーで形成されたマスク基材には、短冊の長手方向に沿って（ここではｙ方向に沿って）架張されている（ｘ方向には架張されていない）。
　このような場合には、架張方向（ｙ方向）における応力分布の偏りを低減させる必要がある。したがって、開口部を形成する順序は、図１２に示す様に、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行うことが好ましい。各アクティブ領域形成部においても同様で、上述の説明の行と列とを入れ替えて、（ｍ／２）番目の行または｛（ｍ+１）／２｝番目の行から行うことが好ましい。
　なお、アクティブ領域形成部ＡＡを選択する順序を上述のようにすれば、各アクティブ領域形成部ＡＡにおける開口部を形成する順序に拘わらず、応力分布の不均性に起因する開口部の変形をある程度抑制する効果を得ることができる。
　本発明の実施形態は、有機ＥＬデバイスの製造に用いられる成膜マスクの製造に好適に用いられる。
　１０　　樹脂層
　１１　　開口部
　２０　　磁性金属層
　２０ａ　　マスク部
　２０ａ１　　中実部
　２０ａ２　　非中実部
　２０ｂ　　周辺部
　２１　　貫通孔（スリット）
　１００　　成膜マスク
　ＡＡ　　　：アクティブ領域形成部
　Ｌ１、Ｌ２　　　：レーザ光
　Ｒ１　　　：第１領域
　Ｒ２　　　：第２領域
　Ｒ３　　　：第３領域
　Ｒ４　　　：第４領域
　Ｒ５　　　：第５領域
　Ｒ６　　　：第６領域
　Ｒ７　　　：第７領域
　ＲＳ１　　：第１間隙領域
　ＲＳ２　　：第２間隙領域
　ＲＳ３　　：第３間隙領域
　ＲＳ４　　：第４間隙領域

Claims (19)

  1. 　ｘｙ面を規定するように固定された、矩形のマスク基材と、前記マスク基材に設けられた、ｍ行ｎ列に配列された複数の開口部をそれぞれが有するｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部とを有する成膜マスクを製造する方法であって、
    　ｘｙ面を規定するように固定された前記マスク基材を用意する工程と、
    　前記マスク基材に、前記複数のアクティブ領域形成部を形成する、開口部形成工程と
    を包含し、
    　前記開口部形成工程は、少なくとも（ｎ／２）番目の列または｛（ｎ+１）／２｝番目の列を含む、ａ本の連続した列の開口部を含む第１領域内の開口部を形成する工程Ａと、
    　ｓａ本の連続した列を含む第１間隙領域を介して、前記第１領域と－ｘ方向に隣接し、b本の連続した列の開口部を含む第２領域内の開口部を形成する工程Ｂと、
    　ｓｂ本の連続した列を含む第２間隙領域を介して、前記第１領域とｘ方向に隣接し、ｃ本の連続した列の開口部を含む第３領域内の開口部を形成する工程Ｃとを含み、
    　前記工程Ａの後に、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃを行う、製造方法。
  2. 　前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記第１間隙領域内の開口部を形成する工程Ｄまたは前記第２間隙領域内の開口部を形成する工程Ｅを行う、請求項１に記載の製造方法。
  3. 　前記第２領域は前記第１領域の－ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含み、前記第３領域は前記第１領域のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、請求項２に記載の製造方法。
  4. 　前記開口部形成工程は、
    　ｄ本の連続した列の開口部を含み、前記第２領域の－ｘ方向に位置する第４領域内の開口部を形成する工程Ｆと、
    　ｅ本の連続した列の開口部を含み、前記第３領域のｘ方向に位置する第５領域内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに含み、
    　前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記工程Ｆまたは前記工程Ｇを行う、請求項３に記載の製造方法。
  5. 　前記工程Ｆおよび前記工程Ｇは、前記工程Ｄおよび前記工程Ｅの前に行う、請求項４に記載の製造方法。
  6. 　前記第４領域は、前記第２領域と直接隣接しない領域であり、前記第５領域は、前記第３領域と直接隣接しない領域である、請求項４または５に記載の製造方法。
  7. 　前記工程Ｄは、前記第１領域と前記第２領域の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓａ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程であり、前記工程Ｅは、前記第１領域と前記第３領域の間に位置する全領域の中央の列を含む、ｓｂ本よりも少ない連続した列の開口部を形成する工程である、請求項２から６のいずれかに記載の製造方法。
  8. 　前記第４領域は、前記第２領域の－ｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｄ本よりも少ない連続した列の開口部を含み、
    　前記第５領域は、前記第３領域のｘ方向に位置する全領域の中央の列を含む、ｅ本よりも少ない連続した列の開口部を含む、請求項２から７のいずれかに記載の製造方法。
  9. 　前記開口部形成工程は、
    　ｓｃ本の連続した列を含む第３間隙領域を介して、前記第２領域と－ｘ方向に隣接し、ｄ本の連続した列の開口部を含む第４領域内の開口部を形成する工程Ｆと、
    　ｓｄ本の連続した列を含む第４間隙領域を介して、前記第３領域とｘ方向に隣接し、ｅ本の連続した列の開口部を含む第５領域内の開口部を形成する工程Ｇとをさらに含み、
    　前記工程Ａ、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃの後で、前記工程Ｆまたは前記工程Ｇを行う、請求項１または２に記載の製造方法。
  10. 　前記工程Ｆおよび前記工程Ｇは、前記工程Ｄおよび前記工程Ｅの前に行う、請求項２を引用する請求項９に記載の製造方法。
  11. 　前記開口部形成工程は、
    　ｆ本の連続した列の開口部を含み、前記第４領域の－ｘ方向に位置する第６領域内の開口部を形成する工程Ｈおよび／または、ｇ本の連続した列の開口部を含み、前記第５領域のｘ方向に位置する第７領域内の開口部を形成する工程Ｉを行う、請求項９または１０に記載の製造方法。
  12. 　前記ａ本、前記ｂ本、前記ｃ本、前記ｓａ本および前記ｓｂ本は、それぞれ独立に、１００本以上３００本以下である、請求項１から１１のいずれかに記載の製造方法。
  13. 　任意の列の全てのアクティブ領域形成部にわたって、前記工程Ａの後で、前記工程Ｂおよび前記工程Ｃを行う、請求項１から１２のいずれかに記載の製造方法。
  14. 　前記開口部形成工程は、（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ+１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部から行われる、請求項１から１３のいずれかに記載の製造方法。
  15. 　前記開口部形成工程は、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行われる、請求項１から１４のいずれかに記載の製造方法。
  16. 　ｘｙ面を規定するように固定された、矩形のマスク基材と、前記マスク基材に設けられた、ｍ行ｎ列に配列された複数の開口部をそれぞれが有するｐ行ｑ列に配列された複数のアクティブ領域形成部とを有する成膜マスクを製造する方法であって、
    　ｘｙ面を規定するように固定された前記マスク基材を用意する工程と、
    　前記マスク基材に、前記複数のアクティブ領域形成部を形成する、開口部形成工程と
    を包含し、
    　前記開口部形成工程は、（ｐ／２）番目の行または｛（ｐ+１）／２｝番目の行に属するアクティブ領域形成部から行われる、製造方法。
  17. 　前記開口部形成工程は、（ｑ／２）番目の列または｛（ｑ+１）／２｝番目の列に属するアクティブ領域形成部から行われる、請求項１６に記載の製造方法。
  18. 　前記マスク基材は、前記複数の開口部を有する樹脂層と、前記複数の開口部を露出する少なくとも１つの貫通孔を有する磁性金属層を含む、請求項１から１７のいずれかに記載の製造方法。
  19. 　前記マスク基材は、前記複数の開口部を有する磁性金属層を含む、請求項１から１８のいずれかに記載の製造方法。
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