[go: up one dir, main page]

WO2018211793A1 - 透明導電膜用スパッタリングターゲット - Google Patents

透明導電膜用スパッタリングターゲット Download PDF

Info

Publication number
WO2018211793A1
WO2018211793A1 PCT/JP2018/008975 JP2018008975W WO2018211793A1 WO 2018211793 A1 WO2018211793 A1 WO 2018211793A1 JP 2018008975 W JP2018008975 W JP 2018008975W WO 2018211793 A1 WO2018211793 A1 WO 2018211793A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductive film
transparent conductive
mass
sputtering target
terms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2018/008975
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
矢野　智泰
寿博 児平
伸一 立山
信一郎 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Kinzoku Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Mining and Smelting Co Ltd filed Critical Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority to CN201880027424.3A priority Critical patent/CN110546299B/zh
Priority to JP2018535449A priority patent/JP6419397B1/ja
Priority to KR1020197033380A priority patent/KR102268160B1/ko
Publication of WO2018211793A1 publication Critical patent/WO2018211793A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target for a transparent conductive film, and more particularly to a sputtering target for a transparent conductive film capable of forming a transparent conductive film capable of DC sputtering and having high etching processability.
  • the transparent conductive film used for the in-cell type capacitive touch panel is required to have high resistance and high transmittance in order to prevent the display operation from being disturbed by low frequency noise. This is because if the conductive film has a low resistance, a high-frequency signal used for touch sensing is cut off.
  • This conductive film is usually formed by sputtering a sputtering target.
  • ITO is mainly used as a high-transmittance material.
  • ITO has a low resistance, it cannot be used as a conductive film for an in-cell capacitive touch panel.
  • Patent Document 1 discloses a transparent conductive film containing ITO as a main raw material, containing 7.2 to 11.2 atomic% of silicon, and having a specific resistance of 10 0 to 10 3 ⁇ cm.
  • Patent Document 2 discloses a transparent conductive film having a resistivity of 0.8 to 10 ⁇ 10 ⁇ 3 ⁇ cm obtained by sputtering a transparent conductive film sputtering target made of indium oxide, tin oxide, and silicon oxide. .
  • any conductive film has low etching processability.
  • An object of the present invention is to provide a sputtering target capable of performing DC sputtering, generating less nodules and arcing, having high specific resistance, and capable of forming a transparent conductive film having high etching processability.
  • the constituent elements are In, Sn, Si and O, or In, Si and O, and the content ratio of In is 70.0% by mass or more in terms of In 2 O 3 . It is less than 0% by mass, the Sn content is 0% by mass or more and 10.0% by mass or less in terms of SnO 2 , and the Si content is greater than 15.0% by mass in terms of SiO 2 , 20.0% by mass %
  • a sputtering target for a transparent conductive film made of an oxide sintered body In the X-ray diffraction measurement of the sputtering target, all of Si appears as a peak of an indium silicate compound having a tortovite type structure.
  • the transparent conductive film sputtering target preferably has a specific resistance of 2.0 ⁇ 10 2 ⁇ cm or less.
  • the transparent conductive film sputtering target preferably has a relative density of 98.0% or more.
  • the constituent elements are In, Sn, Si and O, or In, Si and O, and the content ratio of In is 73.0% by mass or more and 87.0% by mass in terms of In 2 O 3.
  • the Sn content ratio is 0% by mass or more and 9.0% by mass or less in terms of SnO 2
  • the Si content ratio is 13.0% by mass or more and 18.0% by mass or less in terms of SiO 2 .
  • the transparent conductive film preferably has a film resistivity of 1.0 ⁇ 10 0 ⁇ cm or more, and an etching rate of more than 11.0 ⁇ / sec.
  • the manufacturing method of the transparent conductive film of this invention forms into a film by sputtering the said sputtering target for transparent conductive films.
  • the film specific resistance of the transparent conductive film is preferably 1.0 ⁇ 10 0 ⁇ cm or more, and the etching rate of the transparent conductive film is preferably greater than 11.0 ⁇ / sec. .
  • the sputtering target for forming a conductive film of the present invention has a low specific resistance, can perform DC sputtering, and generates less nodules and arcing. Moreover, a transparent conductive film having a high film specific resistance and a high etching processability can be formed by sputtering.
  • the method for producing a transparent conductive film of the present invention can produce a transparent conductive film having high specific resistance and high etching processability.
  • FIG. 1 is an X-ray diffraction pattern of the sputtering target obtained in Example 3.
  • the constituent elements are In, Sn, Si and O, or In, Si and O, and the content ratio of In is 70.0% by mass or more in terms of In 2 O 3 . It is less than 0% by mass, the Sn content is 0% by mass or more and 10.0% by mass or less in terms of SnO 2 , and the Si content is greater than 15.0% by mass in terms of SiO 2 , 20.0% by mass % Of oxide sintered body.
  • the target made of an oxide sintered body such as the sputtering target for transparent conductive film of the present invention may contain inevitable impurities derived from raw materials, etc., and the sputtering target for transparent conductive film of the present invention includes May contain inevitable impurities.
  • the content of inevitable impurities in the sputtering target for transparent conductive film of the present invention is usually 100 ppm or less.
  • the constituent element means a constituent element excluding inevitable impurities in the sputtering target or transparent conductive film
  • the content ratio of each constituent element is the content of each constituent element in the entire sputtering target or transparent conductive film. It means ratio.
  • the sputtering target for transparent conductive film of the present invention is characterized in that the content ratio of Sn is lower than that of a normal ITO sputtering target or contains no Sn and contains a relatively high concentration of Si.
  • the constituent elements of the oxide sintered body are In, Sn, Si and O, or In, Si and O.
  • the content ratio of In is 70.0% by mass or more and less than 85.0% by mass in terms of In 2 O 3 , preferably 73.0% by mass or more and 84.0% by mass or less, more preferably 76.0 or less mass% to 84.0 mass%
  • the content ratio of Sn is 10.0 wt% 0 wt% or more in terms of SnO 2, preferably 7.0 mass% or more 0 wt% or less, more preferably Is 0% by mass or more and 5.0% by mass or less
  • the Si content ratio is larger than 15.0% by mass in terms of SiO 2 , 20.0% by mass or less, preferably 16.0% by mass or more and 20.0% by mass. % Or less, more preferably 16.0 mass% or more and 19.0 mass% or less.
  • the composition of the transparent conductive film sputtering target is the same as the composition of the oxide sintered body.
  • the sputtering target for transparent conductive film made of an oxide sintered body having the above composition has a low specific resistance, it is possible to perform DC sputtering.
  • the specific resistance of the sputtering target for transparent conductive film is preferably 2.0 ⁇ 10 2 ⁇ cm or less, more preferably 1.5 ⁇ 10 2 ⁇ cm or less, and 1.0 ⁇ 10 2 ⁇ cm or less. More preferably it is.
  • DC sputtering can be performed when the specific resistance of the target is on the order of 10 2 ⁇ cm or less.
  • a sputtering target for a transparent conductive film made of an oxide sintered body having the above composition can form a transparent conductive film having a high film specific resistance by sputtering. For this reason, when the transparent conductive film obtained from the said sputtering target for transparent conductive films is used for an in-cell type capacitive touch panel, the interference
  • the film specific resistance of the transparent conductive film is preferably 1.1 ⁇ 10 0 ⁇ cm or more, more preferably 1.2 ⁇ 10 0 ⁇ cm or more.
  • the upper limit of the film specific resistance of the transparent conductive film is not particularly defined, but is usually 5.0 ⁇ 10 5 ⁇ cm.
  • the transparent conductive film sputtering target made of an oxide sintered body having the above composition can form a transparent conductive film with high etching processability by sputtering. High etching processability can be evaluated by a high etching rate.
  • the transparent conductive film obtained from the sputtering target for transparent conductive film preferably has an etching rate of more than 11.0 ⁇ / sec, more preferably 11.3 ⁇ / sec or more, and more preferably 15.0 ⁇ / sec or more. Is more preferable, and is more preferably 20.0 ⁇ / sec or more.
  • the etching rate of the transparent conductive film is determined by immersing a part of the transparent conductive film in a transparent conductive film etching solution (ITO-07N manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) heated to 40 ° C. for 6 minutes. It can be calculated from the film thickness difference (step) and the etching time between the place where the process is performed and the place where the process is not performed.
  • a transparent conductive film etching solution ITO-07N manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.
  • the film specific resistance of the transparent conductive film obtained by sputtering a sputtering target for a transparent conductive film made of an oxide sintered body containing In, Sn, and Si is higher as the Sn and Si contents of the target are higher. Become.
  • the etching processability of the transparent conductive film does not increase when the Sn content is large. Therefore, in order to obtain a sufficient etching workability of the transparent conductive film, it is necessary that the Sn content of the target below 10.0 wt% 0 wt% or more in terms of SnO 2.
  • the Sn content of the target is set to 0% by mass or more and 10.0% by mass or less in terms of SnO 2 , the film specific resistance is lowered.
  • the Si content is increased accordingly. There is a need to. Therefore, Si content should more than 15.0 wt% in terms of SiO 2.
  • the Si content is 20.0% by mass in terms of SiO 2 , and no more is required. That is, the sputtering target for transparent conductive film of the present invention has an Sn content of 0% by mass or more and 10.0% by mass or less in terms of SnO 2 and more than 15.0% by mass in terms of SiO 2 and 20.0% by mass or less.
  • the Si content it became possible to perform DC sputtering, and the combination made it possible to achieve both high film resistivity and high etching processability of the formed transparent conductive film. .
  • the relative density of the transparent conductive film sputtering target is preferably 98.0% or more, more preferably 98.5% or more, and further preferably 99.0% or more. When the relative density is 98.0% or more, efficient sputtering with less generation of nodules and arcing is possible.
  • the upper limit of the relative density is not particularly limited and may exceed 100%.
  • the relative density is a numerical value measured based on the Archimedes method.
  • the target for transparent conductive film it is preferable that all of Si appear as a peak of an indium silicate compound having a tortobitite structure in X-ray diffraction measurement. That is, the target contains an indium silicate compound having a tortovite structure, and when the target is measured by X-ray diffraction, all of Si appears as a peak of the indium silicate compound having a tortovite structure. It is preferable that it does not appear as a peak of a Si compound other than an indium silicate compound having a tortovite structure.
  • the indium silicate compound having a tortuitite structure is, for example, a compound represented by In 2 Si 2 O 7 .
  • Si compound other than the indium silicate compound having a tortuitite type structure examples include SiO 2 .
  • the sputtering target for transparent conductive film includes, for example, an In 2 O 3 phase, an In 4 Sn 3 O 12 phase, etc. in addition to an indium silicate compound phase having a tortuitite type structure.
  • the said sputtering target for transparent conductive films can be manufactured by the method as shown below, for example.
  • the raw material powder is usually In 2 O 3 powder, SnO 2 powder and SiO 2 powder.
  • the In 2 O 3 powder, the SnO 2 powder and the SiO 2 powder are mixed so that the contents of In, Sn and Si in the obtained sintered body are within the above ranges, respectively.
  • the content ratio of the In 2 O 3 powder, the SnO 2 powder and the SiO 2 powder in the mixed powder obtained by mixing the raw material powders is the In content ratio in terms of In 2 O 3 in the oxide sintered body, SnO Sn content ratio of 2 terms, and that each and Si content ratio of SiO 2 in terms matches have been identified.
  • each raw material powder usually has aggregated particles, it is preferable to pulverize and mix in advance, or to perform pulverization while mixing.
  • the method of pulverizing or mixing the raw material powder can be put in a pot and pulverized or mixed by a ball mill.
  • the obtained mixed powder can be molded as it is to obtain a molded body, which can be sintered.
  • a binder may be added to the mixed powder to form a molded body.
  • the binder used when obtaining a molded object in a well-known powder metallurgy method for example, polyvinyl alcohol, an acrylic emulsion binder, etc. can be used.
  • a dispersion medium may be added to the mixed powder to prepare a slurry, and the slurry may be spray-dried to produce granules, and the granules may be formed.
  • a method conventionally employed in the powder metallurgy method for example, a cold press, CIP (cold isostatic pressing) or the like can be used.
  • the mixed powder may be temporarily pressed to produce a temporary molded body, and the pulverized powder obtained by pulverizing the mixed powder may be pressed to produce the molded body.
  • you may produce a molded object using wet forming methods, such as a slip casting method.
  • the relative density of the molded body is usually 50 to 75%.
  • Sintered body can be obtained by firing the obtained molded body.
  • the firing furnace used for firing is not particularly limited as long as the cooling rate can be controlled during cooling, and may be a firing furnace generally used for powder metallurgy.
  • An oxygen-containing atmosphere is suitable as the firing atmosphere.
  • the heating rate is usually 100 to 500 ° C./h from the viewpoint of increasing the density and preventing cracking.
  • the firing temperature is 1300 to 1600 ° C., preferably 1400 to 1600 ° C. When the firing temperature is within the above range, a high-density sintered body can be obtained.
  • the holding time at the calcination temperature is usually 3 to 30 hours, preferably 5 to 20 hours. When the holding time is within the above range, it is easy to obtain a high-density sintered body.
  • cooling is performed by lowering the temperature in the firing furnace to usually 300 ° C./hr or less, preferably 100 ° C./hr or less.
  • the transparent conductive film sputtering target can be obtained by cutting the sintered body thus obtained into a desired shape as necessary and grinding it.
  • the shape of the sputtering target for transparent conductive film is not particularly limited, such as a flat plate shape and a cylindrical shape.
  • the sputtering target for transparent conductive film is usually used by bonding to a substrate.
  • the substrate is usually made of Cu, Al, Ti or stainless steel.
  • As the bonding material a bonding material used for bonding a conventional ITO target material, for example, In metal can be used.
  • the bonding method is the same as the conventional ITO target material bonding method.
  • a transparent conductive film can be formed by sputtering the transparent conductive film sputtering target. As described above, since the transparent conductive film sputtering target has a low specific resistance, it is possible to perform not only RF sputtering but also DC sputtering.
  • the transparent conductive film By sputtering the sputtering target for transparent conductive film, a transparent conductive film having In, Sn, Si and O, or In, Si and O as constituent elements can be obtained.
  • the Sn content ratio and the Si content ratio of the transparent conductive film obtained tend to be lower than the Sn content ratio and the Si content ratio of the transparent conductive film sputtering target. Therefore, the transparent conductive film has an In content ratio of 73.0% by mass or more and 87.0% by mass or less, preferably 74.0% by mass or more and 87.0% by mass or less in terms of In 2 O 3 .
  • the content ratio is 0% by mass or more and 9.0% by mass or less in terms of SnO 2 , preferably 0% by mass or more and 8.0% by mass or less, and the Si content ratio is 13.0% by mass or more in terms of SiO 2 . It is 0 mass% or less, Preferably it is 13.0 mass% or more and 16.0 mass% or less.
  • the obtained transparent conductive film has high film resistivity and etching processability.
  • the transparent conductive film may contain inevitable impurities.
  • the content of inevitable impurities in the transparent conductive film is usually 100 ppm or less.
  • C1 to Ci each indicate the content (mass%) of the constituent material of the target material, and ⁇ 1 to ⁇ i indicate the density (g / cm 3 ) of each constituent material corresponding to C1 to Ci.
  • the following Examples and substances used in the preparation of the target material in Comparative Example (starting material) are the In 2 O 3, SnO 2, SiO 2, for example, C1: In 2 O used in the target 3 raw mass% ⁇ 1: In 2 O 3 density (7.18 g / cm 3 ) C2: Mass% of SnO 2 raw material used for the target ⁇ 2: SnO 2 density (6.95 g / cm 3 ) C3:% by mass of SiO 2 raw material used for the target ⁇ 3: SiO 2 density (2.20 g / cm 3 ) Is applied to the equation (X), the theoretical density ⁇ can be calculated.
  • Etching rate of the transparent conductive film The etching rate of the transparent conductive film is obtained by immersing a part of the transparent conductive film for 6 minutes in a transparent conductive film etching solution (ITO-07N manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) heated to 40 ° C. After etching, use KLA-Tencor's stylus type surface profile measuring instrument P-15 to measure the level difference between the etched area and the unetched area, and divide the level difference by the etching time. To calculate.
  • a transparent conductive film etching solution ITO-07N manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.
  • the transparent conductive film formed on the copper foil was used for the measurement of the content ratio of In, Sn, and Si in the transparent conductive film.
  • the content ratio of In and Sn was measured by an acid decomposition ICP-OES method using an ICP emission spectrophotometer 720 ICP-OES manufactured by Agilent Technologies.
  • the content ratio of Si was a spectrophotometer manufactured by Hitachi, Ltd. U-2900 Used and measured by molybdenum blue absorptiometry.
  • the obtained molded body was put into a firing furnace, oxygen was allowed to flow into the furnace at 1 L / h, the firing atmosphere was an oxygen flow atmosphere, the heating rate was 350 ° C./h, the sintering temperature was 1550 ° C., and the firing temperature. Was fired at a holding time of 9 hours. Then, it cooled at the temperature-fall rate of 100 degrees C / h. In Comparative Example 7, the firing temperature was 1250 ° C. An oxide sintered body was obtained as described above.
  • This oxide sintered body was cut to produce a sputtering target.
  • the relative density of this sputtering target, specific resistance, and the presence state of Si in the sputtering target were measured by the above methods. The results are shown in Table 1.
  • the notation “In 2 Si 2 O 7 ” indicates that all Si in the sputtering target appears as a peak of In 2 Si 2 O 7 in the X-ray diffraction measurement.
  • the notation “SiO 2 + In 2 Si 2 O 7 ” indicates that Si in the sputtering target appears as a peak of SiO 2 and a peak of In 2 Si 2 O 7 .
  • FIG. 1 the X-ray diffraction pattern of the sputtering target obtained in Example 3 is shown in FIG.
  • black circles indicate In 2 O 3 peaks
  • black triangles indicate In 2 Si 2 O 7 peaks. From FIG. 1, it was confirmed that all Si in the sputtering target obtained in Example 3 was present as Si in In 2 Si 2 O 7 , which is an indium silicate compound having a tortovite type structure. .
  • the sputtering target is bonded to a copper backing plate with In solder, and sputtering is performed under the following conditions to form a transparent conductive film having a thickness of 1000 mm on a glass substrate for measuring specific resistance and etching rate.
  • a transparent conductive film having a thickness of 15000 mm was formed on a copper foil having a thickness of 1.1 mm.
  • DC sputtering could not be performed because the specific resistance of the target was high and no discharge occurred.
  • the target of Comparative Example 7 was frequently arced and nodulated, and could not be formed stably. Therefore, film formation evaluation could not be performed.
  • Equipment DC magnetron sputtering equipment, exhaust system cryopump, rotary pump Ultimate vacuum: 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa Sputtering pressure: 0.4 Pa
  • Oxygen flow rate 0-3.0sccm
  • the film specific resistance, etching rate, In content ratio, Sn content ratio and Si content ratio of the obtained transparent conductive film were measured by the above methods.
  • the conditions for the oxygen flow rate were adjusted as appropriate so that an amorphous transparent conductive film was obtained and the specific resistance of the film was the lowest. The results are shown in Table 1.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７０．０質量％以上８５．０質量％未満であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１５．０質量％より大きく、２０．０質量％以下である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットのＸ線回折測定において、Ｓｉがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物のピークとして現れる透明導電膜用スパッタリングターゲット。本発明の導電膜形成用スパッタリングターゲットは、比抵抗が低く、ＤＣスパッタリングを行うことが可能であり、ノジュールやアーキングの発生が少ない。また、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高いエッチング加工性を有する透明導電膜を形成することができる。

Description

透明導電膜用スパッタリングターゲット
　本発明は、透明導電膜用スパッタリングターゲットに関し、詳しくは、ＤＣスパッタリングが可能であり、高いエッチング加工性を有する透明導電膜を成膜できる透明導電膜用スパッタリングターゲットに関する。
　インセル型の静電容量型タッチパネルに使用される透明導電膜には、低周波ノイズによるディスプレイ動作の妨害を阻止するために、高抵抗、高透過率が要求される。導電膜が低抵抗だと、タッチ感知に使用される高周波信号が遮断されてしまうからである。
　この導電性膜は、通常スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより形成される。
　高透過率材料として、ＩＴＯが主に使用されているが、ＩＴＯは抵抗が低いので、インセル型の静電容量型タッチパネルの導電性膜には使用できない。
　高抵抗材料を得る技術としてＩＴＯに絶縁酸化物を添加する技術がある。しかし、ＩＴＯに絶縁酸化物を添加するとエッチング加工性が低くなるという欠点があり、導電膜に対してエッチングを施す用途等において、使用が困難になる。
　たとえば特許文献１に、ＩＴＯを主原料とし、７．２～１１．２原子％のケイ素を含有し、比抵抗が１０0～１０3Ωｃｍである透明導電膜が開示されている。特許文献２に、酸化インジウムと酸化スズと酸化珪素とからなる透明導電膜用スパッタリングターゲットをスパッタリングして得られた抵抗率０．８～１０×１０-3Ωｃｍの透明導電膜が開示されている。しかしながら、いずれの導電膜もエッチング加工性が低い。
　その他、高抵抗膜が多く報告されているが、その膜の成膜に使用されるターゲットの抵抗も高くなる。ターゲットの抵抗が高いと、ＤＣ電源でスパッタリングできず、ＲＦ電源で高抵抗の膜を作製しなければならないので、生産性が悪い。
特許第５８５５９４８号公報 特許第４４２４８８９号公報
　本発明は、ＤＣスパッタリングを行うことが可能であり、ノジュールやアーキングの発生が少なく、また比抵抗が高く、エッチング加工性の高い透明導電膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
　本発明の透明導電膜用スパッタリングターゲットは、構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７０．０質量％以上８５．０質量％未満であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１５．０質量％より大きく、２０．０質量％以下である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、
　前記スパッタリングターゲットのＸ線回折測定において、Ｓｉがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物のピークとして現れる。
　前記透明導電膜用スパッタリングターゲットは、比抵抗が２．０×１０2Ωｃｍ以下であることが好ましい。
　前記透明導電膜用スパッタリングターゲットは、相対密度が９８．０％以上であることが好ましい。
　本発明の透明導電膜は、構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７３．０質量％以上８７．０質量％以下であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上９．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１３．０質量％以上１８．０質量％以下である。
　前記透明導電膜は、膜比抵抗が１．０×１０0Ωｃｍ以上であることが好ましく、エッチングレートが１１．０Å／ｓｅｃより大きいことが好ましい。
　本発明の透明導電膜の製造方法は、前記透明導電膜用スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより成膜を行う。
　前記透明導電膜の製造方法において、前記透明導電膜の膜比抵抗が１．０×１０0Ωｃｍ以上であることが好ましく、前記透明導電膜のエッチングレートが１１．０Å／ｓｅｃより大きいことが好ましい。
　本発明の導電膜形成用スパッタリングターゲットは、比抵抗が低く、ＤＣスパッタリングを行うことが可能であり、ノジュールやアーキングの発生が少ない。また、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高いエッチング加工性を有する透明導電膜を形成することができる。本発明の透明導電膜の製造方法は、高い比抵抗および高いエッチング加工性を有する透明導電膜を製造することができる。
図１は、実施例３で得られたスパッタリングターゲットのＸ線回折パターンである。
　本発明の透明導電膜用スパッタリングターゲットは、構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７０．０質量％以上８５．０質量％未満であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１５．０質量％より大きく、２０．０質量％以下である酸化物焼結体からなる。本発明の透明導電膜用スパッタリングターゲットのような酸化物焼結体からなるターゲットには原料等に由来する不可避的不純物が含まれ得るのは当然であり、本発明の透明導電膜用スパッタリングターゲットにも不可避的不純物が含まれる場合はある。本発明の透明導電膜用スパッタリングターゲットにおける不可避的不純物の含有量は、通常１００ｐｐｍ以下である。
　なお、本発明において構成元素とは、スパッタリングターゲットまたは透明導電膜における不可避的不純物を除く構成元素を意味し、各構成元素の含有比率は、スパッタリングターゲットまたは透明導電膜全体に占める各構成元素の含有比率を意味する。
　本発明の透明導電膜用スパッタリングターゲットは、通常のＩＴＯスパッタリングターゲットに比較してＳｎの含有比率が低いかまたはＳｎを含有せず、また比較的高濃度のＳｉを含有することを特徴とする。
　前記酸化物焼結体の構成元素は、Ｉｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯである。前記酸化物焼結体において、Ｉｎの含有比率はＩｎ2Ｏ3換算で７０．０質量％以上８５．０質量％未満、好ましくは７３．０質量％以上８４．０質量％以下、より好ましくは７６．０質量％以上８４．０質量％以下であり、Ｓｎの含有比率はＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下、好ましくは０質量％以上７．０質量％以下、より好ましくは０質量％以上５．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率はＳｉＯ2換算で１５．０質量％より大きく、２０．０質量％以下、好ましくは１６．０質量％以上２０．０質量％以下、より好ましくは１６．０質量％以上１９．０質量％以下である。なお、前記透明導電膜用スパッタリングターゲットの組成は、前記酸化物焼結体の組成と同一である。
　前記組成を有する酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットは、比抵抗が低いので、ＤＣスパッタリングを行うことが可能である。前記透明導電膜用スパッタリングターゲットの比抵抗は、２．０×１０2Ωｃｍ以下であることが好ましく、１．５×１０2Ωｃｍ以下であることがより好ましく、１．０×１０2Ωｃｍ以下であることがさらに好ましい。通常、ターゲットの比抵抗が１０2Ωｃｍ台以下であるとＤＣスパッタリングを行うことが可能である。
　前記組成を有する酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットは、スパッタリングにより、膜比抵抗が高い透明導電膜を形成することができる。このため、前記透明導電膜用スパッタリングターゲットから得られる透明導電膜をインセル型の静電容量型タッチパネルに使用すると、低周波ノイズによるディスプレイ動作の妨害を阻止することができる。前記透明導電膜用スパッタリングターゲットを用いれば、１．０×１０0Ωｃｍ以上の膜比抵抗を有する透明導電膜を得ることができる。前記透明導電膜の膜比抵抗は、好ましくは１．１×１０0Ωｃｍ以上、より好ましくは１．２×１０0Ωｃｍ以上である。前記透明導電膜の膜比抵抗の上限は、特に定めるものではないが、通常５．０×１０5Ωｃｍである。
　前記組成を有する酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットは、スパッタリングにより、エッチング加工性の高い透明導電膜を形成することができる。高いエッチング加工性は、エッチングレートが速いということで評価することができる。前記透明導電膜用スパッタリングターゲットから得られる透明導電膜は、エッチングレートが１１．０Å／ｓｅｃより大きいことが好ましく、１１．３Å／ｓｅｃ以上であることがより好ましく１５．０Å／ｓｅｃ以上であることがさらに好ましく、２０．０Å／ｓｅｃ以上であることが一層好ましい。前記透明導電膜のエッチングレートは、４０℃に加熱した透明導電膜エッチング液（関東化学社製ＩＴＯ－０７Ｎ）の中に、前記透明導電膜の一部を６分間浸すことでエッチングを施し、エッチングを実施した箇所と実施しなかった箇所の膜厚差（段差）とエッチング時間から算出することができる。
　Ｉｎ、ＳｎおよびＳｉを含有する酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより得られる透明導電膜の膜比抵抗は、該ターゲットのＳｎおよびＳｉの含有量が多いほど高くなる。しかし、透明導電膜のエッチング加工性は、Ｓｎ含有量が多いと高くならない。このため、透明導電膜の十分なエッチング加工性を得るためには、前記ターゲットのＳｎ含有量をＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下にすることが必要である。前記ターゲットのＳｎ含有量をＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下とした場合、膜比抵抗は低くなるので、高い膜比抵抗を得るためには、その分Ｓｉ含有量を多くする必要がある。このため、Ｓｉ含有量はＳｉＯ2換算で１５．０質量％より多い必要がある。一方、高い膜比抵抗を得るためには、Ｓｉ含有量はＳｉＯ2換算で２０．０質量％あれば十分であり、それより多くは必要としない。つまり、本発明の透明導電膜用スパッタリングターゲットは、ＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下のＳｎ含有量とＳｉＯ2換算で１５．０質量％より多く、２０．０質量％以下のＳｉ含有量とを組み合わせることにより、ＤＣスパッタリングを行うことが可能となり、またその組み合わせにより、成膜した透明導電膜の高い膜比抵抗と高いエッチング加工性とを両立させることができたのである。
　前記透明導電膜用スパッタリングターゲットの相対密度は、好ましくは９８．０％以上であり、より好ましくは９８．５％以上、さらに好ましくは９９．０％以上である。相対密度が９８．０％以上であると、ノジュールやアーキングの発生の少ない、効率的なスパッタリングが可能である。相対密度の上限は特に制限はなく、１００％を超えてもよい。前記相対密度はアルキメデス法に基づき測定された数値である。
　前記透明導電膜用スパッタリングターゲットは、Ｘ線回折測定において、Ｓｉがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物のピークとして現れることが好ましい。つまり、該ターゲットにはトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物が含まれており、該ターゲットをＸ線回折測定した場合に、Ｓｉがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物のピークとして現れ、トルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物以外のＳｉ化合物のピークとしては現れないことが好ましい。トルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物とは、たとえば、Ｉｎ2Ｓｉ2Ｏ7に代表される化合物である。トルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物以外のＳｉ化合物とは、たとえば、ＳｉＯ2があげられる。前記透明導電膜用スパッタリングターゲットがこの条件を満たすと、部分的な絶縁物の偏析がないため、アーキングやノジュールの発生が少なくなる。
　なお、前記透明導電膜用スパッタリングターゲットには、トルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物相の他、たとえばＩｎ2Ｏ3相、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相等が含まれる。
　前記透明導電膜用スパッタリングターゲットは、たとえば以下に示すような方法により製造することができる。
　まず、原料粉末を混合する。原料粉末は、通常Ｉｎ2Ｏ3粉末、ＳｎＯ2粉末およびＳｉＯ2粉末である。Ｉｎ2Ｏ3粉末、ＳｎＯ2粉末およびＳｉＯ2粉末は、得られる焼結体におけるＩｎ、ＳｎおよびＳｉの含有量がそれぞれ上記範囲内になるように混合される。なお、原料粉末を混合して得られた混合粉末におけるＩｎ2Ｏ3粉末、ＳｎＯ2粉末およびＳｉＯ2粉末の含有比は、前記酸化物焼結体におけるＩｎ2Ｏ3換算のＩｎ含有比、ＳｎＯ2換算のＳｎ含有比、およびＳｉＯ2換算のＳｉ含有比とそれぞれ一致することが確認されている。
　各原料粉末は、通常は粒子が凝集しているため、事前に粉砕して混合するか、あるいは混合しながら粉砕を行うことが好ましい。
　原料粉末の粉砕方法や混合方法には特に制限はなく、例えば原料粉末をポットに入れて、ボールミルにより粉砕または混合を行うことができる。
　得られた混合粉末は、そのまま成形して成形体とし、これを焼結することもできるが、必要により混合粉末にバインダーを加えて成形して成形体としてもよい。このバインダーとしては、公知の粉末冶金法において成形体を得るときに使用されるバインダー、例えばポリビニルアルコール、アクリルエマルジョンバインダー等を用いることができる。また、混合粉末に分散媒を加えてスラリーを調製し、このスラリーをスプレードライして顆粒を作製し、この顆粒を成形してもよい。
　成形方法は、従来粉末冶金法において採用されている方法、たとえばコールドプレスやＣＩＰ（冷間等方圧成形）等を用いることができる。
　また、混合粉末を一旦仮プレスして仮成形体を作製し、これを粉砕して得られた粉砕粉末を本プレスすることにより成形体を作製してもよい。
　なお、スリップキャスト法等の湿式成形法を用いて成形体を作製してもよい。
　成形体の相対密度は通常５０～７５％である。
　得られた成形体を焼成することで焼結体を得ることができる。焼成に使用する焼成炉としては、冷却時に冷却速度をコントロールすることができれば特に制限はなく、粉末冶金に一般的に使用される焼成炉で差し支えない。焼成雰囲気としては酸素含有雰囲気が適している。
　昇温速度は、高密度化および割れ防止の観点から、通常１００～５００℃／ｈである。焼成温度は、１３００～１６００℃であり、好ましくは１４００～１６００℃である。焼成温度が前記範囲内であると、高密度の焼結体を得ることができる。前記焼成温度での保持時間は通常３～３０ｈ、好ましくは５～２０ｈである。保持時間が前記範囲内であると、高密度の焼結体を得やすい。
　上記温度での保持が完了した後、焼成炉内の温度を通常３００℃/ｈｒ以下、好ましくは１００℃/ｈｒ以下で降下させて冷却を行う。
　このようにして得られた焼結体を、必要に応じて所望の形状に切り出し、研削等することにより前記透明導電膜用スパッタリングターゲットを得ることができる。
　前記透明導電膜用スパッタリングターゲットの形状は、平板形および円筒形など特に制限は無い。
　前記透明導電膜用スパッタリングターゲットは、通常基材にボンディングして使用される。基材は、通常Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉまたはステンレス製である。ボンディング材は、従来のＩＴＯターゲット材のボンディングに使用されるボンディング材、たとえばＩｎメタルを用いることができる。ボンディング方法も、従来のＩＴＯターゲット材のボンディング方法と同様である。
　前記透明導電膜用スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより透明導電膜を成膜することができる。前述のとおり、前記透明導電膜用スパッタリングターゲットは比抵抗が低いので、ＲＦスパッタリングだけでなく、ＤＣスパッタリングを行うことも可能である。
　前記透明導電膜用スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより、構成元素としてＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯを有する透明導電膜を得ることができる。得られる透明導電膜のＳｎの含有比率およびＳｉの含有比率は、前記透明導電膜用スパッタリングターゲットのＳｎの含有比率およびＳｉの含有比率よりも低くなる傾向にある。そのため前記透明導電膜は、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７３．０質量％以上８７．０質量％以下、好ましくは７４．０質量％以上８７．０質量％以下であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上９．０質量％以下、好ましくは０質量％以上８．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１３．０質量％以上１８．０質量％以下、好ましくは１３．０質量％以上１６．０質量％以下である。得られた透明導電膜は、前述のとおり、膜比抵抗およびエッチング加工性が高い。なお、前記透明導電膜用スパッタリングターゲットの場合と同様に、前記透明導電膜にも不可避的不純物が含まれる場合はある。前記透明導電膜における不可避的不純物の含有量は、通常１００ｐｐｍ以下である。
　下記実施例および比較例において用いた測定方法を以下示す。
１．ターゲットの相対密度
　透明導電膜用スパッタリングターゲットの相対密度はアルキメデス法に基づき測定した。具体的には、ターゲット材の空中質量を体積（ターゲット材の水中質量／計測温度における水比重）で除し、下記式（Ｘ）に基づく理論密度ρ（ｇ／ｃｍ3）に対する百分率の値を相対密度（単位：％）とした。
ρ＝（（C1/100）/ρ1＋（C2/100）/ρ2＋・・・＋（Ci/100）/ρi）-1　　　　（Ｘ）
（式中C1～Ciはそれぞれターゲット材の構成物質の含有量（質量％）を示し、ρ1～ρiはC1～Ciに対応する各構成物質の密度（ｇ／ｃｍ3）を示す。）
　下記実施例および比較例においてターゲット材の製造に使用する物質（原料）は、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＳｉＯ2であるため、例えば
Ｃ１：ターゲットに使用したＩｎ2Ｏ3原料の質量％
ρ１：Ｉｎ2Ｏ3の密度（７．１８ｇ／ｃｍ3）
Ｃ２：ターゲットに使用したＳｎＯ2原料の質量％
ρ２：ＳｎＯ2の密度（６．９５ｇ／ｃｍ3）
Ｃ３：ターゲットに使用したＳｉＯ2原料の質量％
ρ３：ＳｉＯ2の密度（２．２０ｇ／ｃｍ3）
　を式（Ｘ）に適用することで理論密度ρを算出することができる。
２．ターゲットの比抵抗
　スパッタリングターゲットの比抵抗は、三菱化学社製、ロレスタ（登録商標）HP MCP-T410（直列４探針プローブ TYPE ESP）を用いて、加工後の焼結体表面にプローブをあてて、AUTO RANGEモードで測定した。
３．スパッタリングターゲット中のＳｉの存在状態
　スパッタリングターゲット中のＳｉの存在状態はリガク社製Ｘ線回折装置 SmartLab（登録商標）を用いて下記条件にて測定した。
・線源：ＣｕＫα線
・管電圧：４０ｋＶ
・管電流：３０ｍＡ
・スキャン速度：５ｄｅｇ／ｍｉｎ
・ステップ：０．０２ｄｅｇ
・スキャン範囲：２θ＝２０度～８０度
４．透明導電膜の膜比抵抗
　透明導電膜の膜比抵抗は、共和理研社製、四探針計測器K-705RSを用いて測定した。
５．透明導電膜のエッチングレート
　透明導電膜のエッチングレートは、４０℃に加熱した透明導電膜エッチング液（関東化学社製ＩＴＯ－０７Ｎ）の中に、前記透明導電膜の一部を６分間浸すことでエッチングを施し、KLA-Tencor社製、触針式表面形状測定器P-15を使用して、エッチングを実施した箇所と実施しなかった箇所との段差を測定し、その段差をエッチング時間で除すことにより算出した。
６．透明導電膜のＩｎ、Ｓｎ、Ｓｉの含有比率
　測定には銅箔上に成膜された透明導電膜を使用した。Ｉｎ、Ｓｎの含有比率はAgilent Technologies社製ＩＣＰ発光分光分析装置 720 ICP-OESを使用して、酸分解ＩＣＰ-ＯＥＳ法にて測定し、Ｓｉの含有比率は日立製作所製分光光度計 U-2900使用して、モリブデンブルー吸光光度法にて測定した。
[実施例および比較例]
（スパッタリングターゲットの製造）
　Ｉｎ2Ｏ3粉末と、ＳｎＯ2粉末と、ＳｉＯ2粉末とを、表１に示した比率で、ボールミルを用いて混合し、混合粉末を調製した。
　前記混合粉末に、４質量％に希釈したポリビニルアルコールを混合粉末に対して６質量％添加し、乳鉢を用いてポリビニルアルコールを粉末によく馴染ませ、５．５メッシュの篩に通した。得られた粉末を２００ｋｇ／ｃｍ2の条件で仮プレスし、得られた仮成形体を乳鉢にて粉砕した。得られた粉砕粉をプレス用の型に充填し、プレス圧１ｔ／ｃｍ2で６０秒間成形して成形体を得た。
　得られた成形体を焼成炉に入れ、炉内に１Ｌ／ｈで酸素をフローさせ、焼成雰囲気を酸素フロー雰囲気とし、昇温速度を３５０℃／ｈ、焼結温度を１５５０℃、焼成温度での保持時間を９ｈとして焼成した。その後、降温速度１００℃／ｈで冷却した。なお、比較例7では焼成温度を１２５０℃とした。
　以上のようにして酸化物焼結体を得た。
　この酸化物焼結体を切削加工しスパッタリングターゲットを製造した。このスパッタリングターゲットの相対密度、比抵抗およびスパッタリングターゲット中のＳｉの存在状態を上記方法により測定した。結果を表１に示す。
　表１の「Ｓｉの存在状態」において、「Ｉｎ2Ｓｉ2Ｏ7」という表記は、Ｘ線回折測定において、スパッタリングターゲット中のＳｉがすべてＩｎ2Ｓｉ2Ｏ7のピークとして現れることを示し、「ＳｉＯ2＋ Ｉｎ2Ｓｉ2Ｏ7」という表記は、スパッタリングターゲット中のＳｉが、ＳｉＯ2のピークおよびＩｎ2Ｓｉ2Ｏ7のピークとして現れることを示す。
　また、実施例３で得られたスパッタリングターゲットのＸ線回折パターンを図１に示す。図１中、黒丸はＩｎ2Ｏ3のピークを示し、黒三角はＩｎ2Ｓｉ2Ｏ7のピークを示す。図１より、実施例３で得られたスパッタリングターゲット中のＳｉがすべて、トルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物であるＩｎ2Ｓｉ2Ｏ7中のＳｉとして存在していることが確認された。
（透明導電膜の製造）
　前記スパッタリングターゲットを銅製バッキングプレートにＩｎ半田により接合し、以下の条件でスパッタリングを行い、比抵抗およびエッチングレート測定用としてガラス基板上に膜厚１０００Åの透明導電膜を成膜し、また、透明導電膜のＳｎ含有比率およびＳｉ含有比率測定用として、厚さ１．１ｍｍの銅箔上に膜厚１５０００Åの透明導電膜を成膜した。なお、比較例６では、ターゲットの比抵抗が高く、放電が立たなかった為、ＤＣスパッタリングは行えなかった。また、比較例７のターゲットはアーキングとノジュールが多発し、安定して成膜を行うことができなかった。そのため成膜評価も行うことができなかった。
　　　装置：ＤＣマグネトロンスパッタ装置、排気系クライオポンプ、ロータリーポンプ
　　　到達真空度：１×１０-4Ｐａ
　　　スパッタ圧力：０．４Ｐａ
　　　酸素流量：０～３．０ｓｃｃｍ
　得られた透明導電膜の膜比抵抗、エッチングレート、Ｉｎ含有比率、Ｓｎ含有比率およびＳｉ含有比率を上記方法により測定した。酸素流量の条件はアモルファスの透明導電膜が得られる条件で、且つ膜の比抵抗が最も低くなる条件に適宜調整した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

Claims (9)

  1. 　構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７０．０質量％以上８５．０質量％未満であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１５．０質量％より大きく、２０．０質量％以下である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、
    　前記スパッタリングターゲットのＸ線回折測定において、Ｓｉがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物のピークとして現れる透明導電膜用スパッタリングターゲット。
  2. 　比抵抗が２．０×１０2Ωｃｍ以下である請求項１に記載の透明導電膜用スパッタリングターゲット。
  3. 　相対密度が９８．０％以上である請求項１または２に記載の透明導電膜用スパッタリングターゲット。
  4. 　構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７３．０質量％以上８７．０質量％以下であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上９．０質量％であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１３．０質量％以上１８．０質量％以下である透明導電膜。
  5. 　膜比抵抗が１．０×１０0Ωｃｍ以上である請求項４に記載の透明導電膜。
  6. 　エッチングレートが１１．０Å／ｓｅｃより大きい請求項４または５に記載の透明導電膜。
  7. 　請求項１～３のいずれかに記載の透明導電膜用スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより成膜を行う透明導電膜の製造方法。
  8. 　前記透明導電膜の膜比抵抗が１．０×１０0Ωｃｍ以上である請求項７に記載の透明導電膜の製造方法。
  9. 　前記透明導電膜のエッチングレートが１１．０Å／ｓｅｃより大きい請求項７または８に記載の透明導電膜の製造方法。
PCT/JP2018/008975 2017-05-15 2018-03-08 透明導電膜用スパッタリングターゲット Ceased WO2018211793A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201880027424.3A CN110546299B (zh) 2017-05-15 2018-03-08 透明导电膜用溅射靶
JP2018535449A JP6419397B1 (ja) 2017-05-15 2018-03-08 透明導電膜用スパッタリングターゲット
KR1020197033380A KR102268160B1 (ko) 2017-05-15 2018-03-08 투명 도전막용 스퍼터링 타깃

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017096386 2017-05-15
JP2017-096386 2017-05-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018211793A1 true WO2018211793A1 (ja) 2018-11-22

Family

ID=64273695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/008975 Ceased WO2018211793A1 (ja) 2017-05-15 2018-03-08 透明導電膜用スパッタリングターゲット

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2019039074A (ja)
KR (1) KR102268160B1 (ja)
CN (1) CN110546299B (ja)
TW (1) TWI710650B (ja)
WO (1) WO2018211793A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102739907B1 (ko) * 2020-12-28 2024-12-05 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터 기판 및 이를 포함하는 인셀 터치방식 디스플레이 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6410507A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Optrex Kk Transparent conductive film and its manufacture
JP2004123479A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
JP2005135649A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法
JP2007055841A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体及びその製造方法、酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体
JP2015013778A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体及びその製造方法、並びに酸化物膜

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2416157A1 (fr) 1978-02-06 1979-08-31 Huret Roger Derailleur pour cycle
JPS62202415A (ja) * 1984-12-06 1987-09-07 三井金属鉱業株式会社 酸化インジウム系透明導電膜の製造法
US5433901A (en) * 1993-02-11 1995-07-18 Vesuvius Crucible Company Method of manufacturing an ITO sintered body
TW570909B (en) * 2001-06-26 2004-01-11 Mitsui Mining & Smelting Co Sputtering target for forming transparent conductive film of high electric resistance and method for producing transparent conductive film of high electric resistance
JP4424889B2 (ja) 2001-06-26 2010-03-03 三井金属鉱業株式会社 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法
JP4028269B2 (ja) * 2002-03-19 2007-12-26 日鉱金属株式会社 高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット
JP2007176706A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜
KR20170005149A (ko) * 2009-11-19 2017-01-11 가부시키가이샤 아루박 투명 도전막의 제조 방법, 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 타겟
JP5339100B2 (ja) * 2011-09-22 2013-11-13 住友金属鉱山株式会社 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット
JP5855948B2 (ja) * 2012-01-12 2016-02-09 ジオマテック株式会社 透明導電膜，透明導電膜付き基板，ｉｐｓ液晶セル，静電容量型タッチパネル及び透明導電膜付き基板の製造方法
JP6149804B2 (ja) * 2014-05-30 2017-06-21 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体及びその製造方法
JP6277977B2 (ja) * 2015-02-27 2018-02-14 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6410507A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Optrex Kk Transparent conductive film and its manufacture
JP2004123479A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
JP2005135649A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法
JP2007055841A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体及びその製造方法、酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体
JP2015013778A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体及びその製造方法、並びに酸化物膜

Also Published As

Publication number Publication date
TWI710650B (zh) 2020-11-21
CN110546299B (zh) 2022-09-30
KR102268160B1 (ko) 2021-06-21
JP2019039074A (ja) 2019-03-14
CN110546299A (zh) 2019-12-06
KR20190134779A (ko) 2019-12-04
TW201900904A (zh) 2019-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI525060B (zh) An oxide sintered body, a sputtering target, a thin film, and an oxide sintered body
KR101331293B1 (ko) 산화물 소결체 및 산화물 반도체 박막
KR102375637B1 (ko) 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃
JP6677058B2 (ja) Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法
JP6064895B2 (ja) 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法
JP6453528B1 (ja) 透明導電膜用スパッタリングターゲット
JP4457669B2 (ja) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2018211793A1 (ja) 透明導電膜用スパッタリングターゲット
JP5907086B2 (ja) 酸化インジウム系の酸化物焼結体およびその製造方法
JP4851777B2 (ja) ＳｎＯ２系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP6419397B1 (ja) 透明導電膜用スパッタリングターゲット
JP2007176706A (ja) 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜
JP4481239B2 (ja) 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜並びにその製造方法
JP4075361B2 (ja) Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法
TWI748971B (zh) Ｓｎ-Ｚｎ-Ｏ系氧化物燒結體及其製造方法
JP6155919B2 (ja) 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
JP5367660B2 (ja) 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜
JP4218230B2 (ja) 透明導電膜作製用焼結体ターゲット
JP6489694B2 (ja) スパッタリングターゲット
WO2003008658A1 (fr) Cible de pulverisation d'un corps fritte ito servant a la formation d'un film haute resistance et procede de fabrication
JP2007238365A (ja) 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018535449

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18801869

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197033380

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18801869

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1