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WO2018207786A1 - 電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法 - Google Patents

電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法 Download PDF

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Publication number
WO2018207786A1
WO2018207786A1 PCT/JP2018/017824 JP2018017824W WO2018207786A1 WO 2018207786 A1 WO2018207786 A1 WO 2018207786A1 JP 2018017824 W JP2018017824 W JP 2018017824W WO 2018207786 A1 WO2018207786 A1 WO 2018207786A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
copper foil
electrolytic copper
less
surface side
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2018/017824
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
賢二 犬飼
小林　洋介
一彦 飯田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Publication of WO2018207786A1 publication Critical patent/WO2018207786A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

Definitions

  • the present disclosure relates to an electrolytic copper foil, a copper-clad laminate, a printed wiring board, a manufacturing method thereof, an electronic device, and a manufacturing method thereof.
  • a printed wiring board is generally manufactured through a process in which an insulating substrate (for example, a resin substrate) is bonded to a copper foil to form a copper-clad laminate, and then a conductor pattern (circuit) is formed on the copper foil by etching.
  • an insulating substrate for example, a resin substrate
  • a conductor pattern circuit
  • Patent Document 1 adds an additive such as a sulfur-containing compound that acts as a brightening agent to the electrolytic solution so that the surface on the deposition surface side is reduced. It has been proposed to form a circuit on an electrolytic copper foil after producing a smooth electrolytic copper foil.
  • the surface of the electrolytic copper foil serving as the conductor pattern may have good adhesion to the solder resist.
  • the surface of the electrolytic copper foil serving as the conductor pattern is smooth, there is a problem that the adhesion with the solder resist is lowered. Therefore, the surface of the electrolytic copper foil used as the conductor pattern needs to have a certain degree of roughness. In this way, the electrolytic copper foil requires smoothness on the surface to be bonded to the insulating substrate in order to increase the adhesion to the insulating substrate and achieve a fine pitch, while ensuring the adhesion of the solder resist. Therefore, a certain degree of roughness is required for the surface to be a conductor pattern.
  • Some embodiments of the present invention have been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an electrolytic copper foil excellent in circuit formability and solder resist adhesion.
  • some embodiments of the present invention provide a copper-clad laminate, a printed wiring board, a manufacturing method thereof, an electronic device, and a manufacturing method thereof using an electrolytic copper foil excellent in circuit formability and solder resist adhesion. It is an issue to provide.
  • the present inventors have controlled the surface roughness Sa and / or the root mean square height Sq on the glossy surface side of the electrolytic copper foil to a predetermined range, At least one of the surface roughness Sa, the root mean square height Sq, the maximum peak height Sp, the maximum valley depth Sv, the maximum height Sz, the kurtosis Sku, and the skewness Ssk on the deposition surface side of the copper foil is within a predetermined range.
  • the glossy surface is excellent in adhesion to the insulating substrate and the deposited surface is in a surface state excellent in adhesion of the solder resist.
  • both circuit formability and solder resist adhesion can be achieved.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention has a glossy surface and a precipitation surface,
  • the glossy surface has a roughening layer
  • the root mean square height Sq of the glossy surface is 0.550 ⁇ m or less
  • the precipitation surface side has the following conditions: (A) Surface roughness Sa is 0.115 ⁇ m or more (b) Root mean square height Sq is 0.120 ⁇ m or more (c) Maximum peak height Sp is 0.900 ⁇ m or more (d) Maximum valley Depth Sv is 0.600 ⁇ m or more (e) Maximum height Sz is 1.500 ⁇ m or more (f) Kurtosis Sku is 2.75 or more and 4.00 or less (g) Skewness Ssk is 0.00 or more Satisfy at least one of 0.35 or less.
  • the electrolytic copper foil according to another embodiment of the present invention has a glossy surface and a precipitation surface, It has a roughening treatment layer on the glossy surface side, the surface roughness Sa on the glossy surface side is 0.470 ⁇ m or less, and the precipitation surface side has the following conditions: (A) Surface roughness Sa is 0.115 ⁇ m or more (b) Root mean square height Sq is 0.120 ⁇ m or more (c) Maximum peak height Sp is 0.900 ⁇ m or more (d) Maximum valley Depth Sv is 0.600 ⁇ m or more (e) Maximum height Sz is 1.500 ⁇ m or more (f) Kurtosis Sku is 2.75 or more and 4.00 or less (g) Skewness Ssk is 0.00 or more Satisfy at least one of 0.35 or less.
  • the electrolytic copper foil according to another embodiment of the present invention has a glossy surface and a precipitation surface, There is no roughening layer on the glossy surface side, the surface roughness Sa on the glossy surface side is 0.270 ⁇ m or less, and the precipitation surface side has the following conditions: (A) Surface roughness Sa is 0.115 ⁇ m or more (b) Root mean square height Sq is 0.120 ⁇ m or more (c) Maximum peak height Sp is 0.900 ⁇ m or more (d) Maximum valley Depth Sv is 0.600 ⁇ m or more (e) Maximum height Sz is 1.500 ⁇ m or more (f) Kurtosis Sku is 2.75 or more and 4.00 or less (g) Skewness Ssk is 0.00 or more Satisfy at least one of 0.35 or less.
  • the electrolytic copper foil according to another embodiment of the present invention has a glossy surface and a precipitation surface,
  • the glossy surface side does not have a roughening treatment layer
  • the root mean square height Sq on the glossy surface side is 0.315 ⁇ m or less
  • the precipitation surface side has the following conditions: (A) Surface roughness Sa is 0.115 ⁇ m or more (b) Root mean square height Sq is 0.120 ⁇ m or more (c) Maximum peak height Sp is 0.900 ⁇ m or more (d) Maximum valley Depth Sv is 0.600 ⁇ m or more (e) Maximum height Sz is 1.500 ⁇ m or more (f) Kurtosis Sku is 2.75 or more and 4.00 or less (g) Skewness Ssk is 0.00 or more Satisfy at least one of 0.35 or less.
  • a method for manufacturing a printed wiring board according to another embodiment of the present invention includes: producing a copper-clad laminate by laminating the electrolytic copper foil and an insulating substrate; then, a semi-additive method, a subtractive method, and a partial additive method. Forming a circuit by either a method or a modified semi-additive method.
  • the electronic device which concerns on embodiment of this invention has the said printed wiring board.
  • the method for manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention uses the printed wiring board.
  • an electrolytic copper foil excellent in circuit formability and solder resist adhesion can be provided.
  • a copper-clad laminate using an electrolytic copper foil excellent in circuit formability and solder resist adhesion, a printed wiring board, a manufacturing method thereof, and an electronic device and A manufacturing method can be provided.
  • (A) is the SEM image of the glossy surface of the electrolytic copper foil of Example 2 before forming a roughening process layer and a surface treatment layer
  • (b) forms a roughening process layer and a surface treatment layer. It is a SEM image of the glossy surface of the electrolytic copper foil of the previous Example 10.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention has a glossy surface and a precipitation surface.
  • electrolytic copper foil in the present specification means copper foil and copper alloy foil produced by using an electrolysis drum using the principle of electroplating.
  • the “glossy surface of the electrolytic copper foil” means a surface on the drum side (shiny surface: S surface) when the electrolytic copper foil is produced. "Means the surface (mat surface: M surface) opposite to the drum when the electrolytic copper foil is produced.
  • surface roughness Sa on the glossy surface side and “root mean square height Sq on the glossy surface side” are the roughened layer and / or the glossy surface of the electrolytic copper foil (raw foil). Or when providing a surface treatment layer, the surface roughness Sa and the root mean square height Sq of the surface (surface of the outermost layer) after providing the said layer are each meant.
  • the “surface roughness Sa of the glossy surface” and the “root mean square height Sq of the glossy surface” are the surface of the glossy surface before the roughening treatment layer and / or the surface treatment layer is provided on the glossy surface side ( It means the surface roughness Sa and the root mean square height Sq of the outermost surface.
  • the surface roughness Sa on the precipitation surface side “the root mean square height Sq on the precipitation surface side”, “the maximum peak height Sp on the precipitation surface side”, “the maximum valley depth on the precipitation surface side” “Sv”, “Maximum height Sz on the precipitation surface side”, “Cultosis Sku on the precipitation surface side” and “Skness Ssk on the precipitation surface side”
  • the surface roughness (surface of the outermost layer) after the layer is provided surface roughness Sa, root mean square height Sq, maximum peak height Sp, maximum valley depth Sv) , Mean maximum height Sz, kurtosis Sku and skewness Ssk.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention has no roughening treatment layer on the glossy surface side, and the surface roughness Sa on the glossy surface side is 0.270 ⁇ m or less and / or 2 on the glossy surface side.
  • the root mean square height Sq is 0.315 ⁇ m or less.
  • surface roughness Sa is a roughness parameter obtained by extending Ra three-dimensionally, and the average of the absolute values of the height difference of each point with respect to the average surface of the surface.
  • the “root mean square height Sq” is a roughness parameter obtained by expanding Rq in three dimensions, and represents a standard deviation of the distance from the average surface of the surface.
  • the surface roughness Sa on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is preferably 0.230 ⁇ m or less, more preferably 0.180 ⁇ m or less, further preferably 0.150 ⁇ m or less, and most preferably from the viewpoint of enhancing the effect of fine pitch. It is 0.133 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the surface roughness Sa on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is not particularly limited, but is generally 0.001 ⁇ m or more, preferably 0.010 ⁇ m or more, more preferably 0.050 ⁇ m or more, and still more preferably 0.8. 100 ⁇ m or more.
  • the root mean square height Sq on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is preferably 0.200 ⁇ m or less, more preferably 0.180 ⁇ m or less, from the viewpoint of enhancing the effect of fine pitch.
  • the lower limit of the root mean square height Sq on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is not particularly limited, but is generally 0.001 ⁇ m or more, preferably 0.010 ⁇ m or more, more preferably 0.050 ⁇ m or more, and further preferably Is 0.100 ⁇ m or more.
  • the roughened layer is provided on the glossy surface side, and the surface roughness Sa on the glossy surface side is 0.470 ⁇ m or less and / or on the glossy surface side.
  • the root mean square height Sq is 0.550 ⁇ m or less.
  • fine pitch may be reduced, but the surface roughness on the glossy surface side and / or the root mean square height on the glossy surface side
  • a fine pitch of 20 ⁇ m or less / 20 ⁇ m or less can be achieved.
  • the surface roughness Sa on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is preferably 0.385 ⁇ m or less, more preferably 0.380 ⁇ m or less, more preferably 0.355 ⁇ m or less, more preferably from the viewpoint of enhancing the effect of fine pitch. It is 0.340 ⁇ m or less, more preferably 0.300 ⁇ m or less, still more preferably 0.295 ⁇ m or less, still more preferably 0.230 ⁇ m or less, and most preferably 0.200 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the surface roughness Sa on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is not particularly limited, but is generally 0.001 ⁇ m or more, preferably 0.010 ⁇ m or more, more preferably 0.050 ⁇ m or more, and still more preferably 0.8. 100 ⁇ m or more.
  • the root mean square height Sq on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is preferably 0.490 ⁇ m or less, more preferably 0.450 ⁇ m or less, more preferably 0.435 ⁇ m from the viewpoint of enhancing the effect of fine pitch.
  • it is more preferably 0.400 ⁇ m or less, further preferably 0.395 ⁇ m or less, still more preferably 0.330 ⁇ m or less, and most preferably 0.290 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the root mean square height Sq on the glossy surface side of the electrolytic copper foil is not particularly limited, but is generally 0.001 ⁇ m or more, preferably 0.010 ⁇ m or more, more preferably 0.050 ⁇ m or more, and further preferably Is 0.100 ⁇ m or more.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention having the glossy surface side roughness Sa and / or the root mean square height Sq as described above has a roughened layer and / or a surface-treated layer on the glossy side. Can be obtained by controlling the surface roughness Sa and / or the root mean square height Sq of the glossy surface.
  • the surface roughness Sa of the glossy surface before providing the roughening treatment layer and / or the surface treatment layer on the glossy surface side is preferably 0.270 ⁇ m. Or less, more preferably 0.230 ⁇ m or less, more preferably 0.180 ⁇ m or less, further preferably 0.150 ⁇ m or less, further preferably 0.133 ⁇ m or less, still more preferably 0.130 ⁇ m or less, and most preferably 0.120 ⁇ m or less. It may be controlled to.
  • the lower limit of the surface roughness Sa of the glossy surface before providing the roughening treatment layer and / or the surface treatment layer on the glossy surface side is not particularly limited, but is generally 0.001 ⁇ m or more, preferably 0.010 ⁇ m or more, More preferably, it is 0.050 micrometer or more, More preferably, it is 0.100 micrometer or more.
  • the root mean square height Sq of the glossy surface before providing the roughening treatment layer and / or the surface treatment layer on the glossy surface side is preferably 0.315 ⁇ m or less, more preferably 0.292 ⁇ m or less, more preferably 0.230 ⁇ m or less, even more preferably 0.200 ⁇ m or less, still more preferably 0.180 ⁇ m or less, even more preferably 0.120 ⁇ m or less, and most preferably 0 It may be controlled to 115 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the root mean square height Sq of the glossy surface before providing the roughening layer and / or the surface treatment layer on the glossy surface side is not particularly limited, but is generally 0.001 ⁇ m or more, preferably 0.8. It is 010 ⁇ m or more, more preferably 0.050 ⁇ m or more, and further preferably 0.100 ⁇ m or more.
  • the deposition surface side is the following conditions: (A) Surface roughness Sa is 0.115 ⁇ m or more (b) Root mean square height Sq is 0.120 ⁇ m or more (c) Maximum peak height Sp is 0.900 ⁇ m or more (d) Maximum valley Depth Sv is 0.600 ⁇ m or more (e) Maximum height Sz is 1.500 ⁇ m or more (f) Kurtosis Sku is 2.75 or more and 4.00 or less (g) Skewness Ssk is 0.00 or more Satisfy at least one of 0.35 or less.
  • the surface on the deposition surface side has an appropriate roughness, so that the adhesion of the solder resist can be improved.
  • the “maximum peak height Sp” represents the maximum value of the height from the average surface.
  • the “maximum valley depth Sv” represents the absolute value of the minimum value of the height from the average surface.
  • Maximum height Sz represents the distance from the highest point to the lowest point on the surface.
  • the precipitation surface side is preferably at least 2, more preferably at least 3, more preferably at least 4, and even more preferably at least 5, particularly preferably. It is appropriate to satisfy at least 6 and most preferably all 7 conditions.
  • the surface roughness Sa on the deposition surface side is preferably 0.120 ⁇ m or more, more preferably 0.130 ⁇ m or more, and further preferably 0.140 ⁇ m or more from the viewpoint of stably securing the adhesion of the solder resist.
  • the upper limit of the surface roughness Sa on the precipitation side is not particularly limited, but is generally 2.000 ⁇ m or less, preferably 1.800 ⁇ m or less, more preferably 1.500 ⁇ m or less, and most preferably 1.000 ⁇ m or less. is there.
  • the root-mean-square height Sq on the precipitation surface side is preferably 0.130 ⁇ m or more, more preferably 0.140 ⁇ m or more, and further preferably 0.150 ⁇ m or more, from the viewpoint of stably securing the adhesion of the solder resist. is there.
  • the upper limit of the root mean square height Sq on the precipitation side is not particularly limited, but is generally 2.000 ⁇ m or less, preferably 1.800 ⁇ m or less, more preferably 1.500 ⁇ m or less, and most preferably 1.500 ⁇ m or less. 300 ⁇ m or less.
  • the maximum peak height Sp on the deposition surface side is preferably 1.050 ⁇ m or more, more preferably 1.100 ⁇ m or more, and further preferably 1.200 ⁇ m or more, from the viewpoint of stably securing the adhesion of the solder resist.
  • the upper limit of the maximum peak height Sp on the deposition surface side is not particularly limited, but is generally 10.000 ⁇ m or less, preferably 9.000 ⁇ m or less, more preferably 8.000 ⁇ m or less, and most preferably 7.000 ⁇ m or less. is there.
  • the maximum valley depth Sv on the precipitation surface side is preferably 0.740 ⁇ m or more, more preferably 0.800 ⁇ m or more, and still more preferably 0.900 ⁇ m or more from the viewpoint of stably securing the adhesion of the solder resist.
  • the upper limit of the maximum valley depth Sv on the precipitation surface side is not particularly limited, but is generally 10.000 ⁇ m or less, preferably 9.000 ⁇ m or less, and more preferably 8.000 ⁇ m or less.
  • the maximum height Sz on the deposition surface side is preferably 1.800 ⁇ m or more, more preferably 1.900 ⁇ m or more, further preferably 2.000 ⁇ m or more, most preferably, from the viewpoint of stably securing the adhesion of the solder resist. 2. It is 200 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the maximum height Sz on the deposition surface side is not particularly limited, but is generally 20.000 ⁇ m or less, preferably 18.000 ⁇ m or less, more preferably 15.000 ⁇ m or less, and most preferably 14.000 ⁇ m or less. is there.
  • the kurtosis Sku on the precipitation surface side is preferably 2.80 or more and 4.00 or less, more preferably 2.85 or more and 3.90 or less, and still more preferably 2.10 from the viewpoint of stably securing the adhesiveness of the solder resist. It is 90 or more and 3.80 or less.
  • the skewness Ssk on the deposition surface side is preferably 0.00 or more and 0.26 or less, more preferably 0.01 or more and 0.20 or less, from the viewpoint of stably securing the adhesion of the solder resist.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention that satisfies the conditions on the deposition surface side as described above is the production condition of the electrolytic copper foil (for example, the linear velocity of the electrolytic solution, the current density, the concentration of the component added to the electrolytic solution, etc. ) Can be obtained by controlling.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention preferably has a normal temperature tensile strength of 30 kg / mm 2 or more.
  • room temperature tensile strength refers to a tensile strength at room temperature, which is measured according to IPC-TM-650.
  • the normal temperature tensile strength is 30 kg / mm 2 or more, there is an effect that wrinkles are hardly generated during handling. From the viewpoint of stably obtaining this effect, the normal temperature tensile strength is more preferably 35 kg / mm 2 or more.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention preferably has a room temperature elongation of 3% or more.
  • room temperature elongation in this specification is an elongation at room temperature and means a value measured according to IPC-TM-650.
  • the room temperature elongation is 3% or more, there is an effect that it is difficult to break. From the viewpoint of stably obtaining this effect, the room temperature elongation is more preferably 4% or more.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention preferably has a high-temperature tensile strength of 10 kg / mm 2 or more.
  • the “high temperature tensile strength” means a tensile strength at 180 ° C., which is measured according to IPC-TM-650.
  • the high temperature tensile strength is 10 kg / mm 2 or more, there is an effect that wrinkles are hardly generated when sticking to the resin. From the viewpoint of stably obtaining this effect, the high temperature tensile strength is more preferably 15 kg / mm 2 or more.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention preferably has a high temperature elongation of 2% or more.
  • “high temperature elongation” means elongation at 180 ° C., which is measured according to IPC-TM-650.
  • the high temperature elongation is 2% or more, there is an effect in preventing the occurrence of cracks in the circuit. From the viewpoint of stably obtaining this effect, the high temperature elongation is preferably 3% or more, more preferably 6% or more, and further preferably 15% or more.
  • Examples of copper and copper alloy that are materials of the electrolytic copper foil (raw foil) according to the embodiment of the present invention include pure copper; Sn-containing copper; Ag-containing copper; Ti, W, Mo, Cr, Zr, Mg, Ni , Sn alloy, Ag, Co, Fe, As, P, and the like are added.
  • an electrolytic copper foil formed from a copper alloy is an alloy element (e.g., Ti, W, Mo, Cr, Zr, Mg, Ni, Sn, Ag, Co) in an electrolytic solution used when manufacturing the electrolytic copper foil. 1 or more elements selected from the group consisting of Fe, As and P).
  • the thickness of the electrolytic copper foil is not particularly limited, but is typically 0.5 ⁇ m to 3000 ⁇ m, preferably 1.0 ⁇ m to 1000 ⁇ m, more preferably 1.0 ⁇ m to 300 ⁇ m, more preferably 1. 0 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 3.0 ⁇ m to 75 ⁇ m, more preferably 4 ⁇ m to 40 ⁇ m, still more preferably 5 ⁇ m to 37 ⁇ m, still more preferably 6 ⁇ m to 28 ⁇ m, still more preferably 7 ⁇ m to 25 ⁇ m, most preferably 8 ⁇ m to 19 ⁇ m Is
  • the electrolytic copper foil (raw foil) is produced by electrolytically depositing copper on a titanium or stainless steel drum from a copper sulfate plating bath. Examples of electrolysis conditions are shown below.
  • Electrolyte composition 50 to 150 g / L Cu, 60 to 150 g / L H 2 SO 4 Current density: 30 to 120 A / dm 2
  • Electrolyte linear flow rate 1.5-5 m / s
  • Electrolyte temperature 50-60 ° C
  • Additive 20 to 80 mass ppm of chloride ion, 0.01 to 5.0 mass ppm of Nicawa Note that the treatment liquid used in the electrolysis, etching, surface treatment or plating described in this specification (etching liquid, The remainder of the electrolyte etc. is water unless otherwise specified.
  • the electrolytic drum used has a surface roughness Sa of the drum surface in order to control the surface roughness Sa and / or the root mean square height Sq of the glossy surface of the formed electrolytic copper foil (raw foil) to a predetermined range.
  • Sa is 0.270 ⁇ m or less and / or the root mean square height Sq is 0.315 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Sa of the drum surface is preferably 0.150 ⁇ m or less, and the root mean square height Sq of the drum surface is preferably 0.200 ⁇ m or less.
  • An electrolytic drum having a predetermined surface roughness Sa and / or root mean square height Sq on its surface can be manufactured as follows.
  • the surface of a drum made of titanium or stainless steel is polished by a polishing belt having a count of 300 (P300) to 500 (P500).
  • the polishing belt is wound by winding a predetermined width in the width direction of the drum, and rotating the drum while moving the polishing belt in the width direction of the drum at a predetermined speed.
  • the rotation speed of the drum surface during polishing is 130 m / min to 190 m / min.
  • the polishing time is the product of the time required to pass one point (position in the width direction) on the drum surface and the number of passes in one pass of the polishing belt.
  • the time for passing one point on the drum surface in one pass described above was a value obtained by dividing the width of the polishing belt by the moving speed of the polishing belt in the width direction of the drum.
  • the polishing time was 1.6 minutes to 3 minutes, but in the embodiment of the present invention, it is 3.5 minutes to 10 minutes. When wetting the drum surface with water during polishing, it should be 6 to 10 minutes.
  • the surface roughness Sa of the surface and the root mean square height Sq of the drum surface can be reduced.
  • the surface roughness Sa of the drum surface and the root mean square height Sq of the drum surface can be increased.
  • the polishing time the surface roughness Sa can be reduced, and the root mean square height Sq can be reduced to a greater extent than the extent that Sa is reduced.
  • the count of the above-described abrasive belt means the particle size of the abrasive used in the abrasive belt.
  • the particle size of the abrasive is in accordance with FEPA (Federation of European Producers of Abbreviations) -standard 43-1: 2006, 43-2: 2006.
  • the surface of the drum Sa can be reduced by increasing the root mean square height Sq to a smaller extent than by reducing the root mean square root height Sq by wetting the drum surface with water during polishing. it can.
  • the root mean square height Sq can be increased, and the surface roughness Sa can be increased to a greater extent than the extent that the root mean square height Sq is increased. it can.
  • the electrolytic drum having the predetermined surface roughness Sa and / or the root mean square height Sq produced on the surface as described above, the surface roughness Sa and / or the root mean square of the predetermined glossy surface is used.
  • An electrolytic copper foil (raw foil) having a square root height Sq can be produced.
  • the surface roughness Sa and the root mean square height Sq of the surface of the electrolytic drum can be measured as follows. -A resin film (polyvinyl chloride) is immersed in a solvent (acetone) to swell. -The swollen resin film is brought into contact with the surface of the electrolytic drum, acetone is volatilized from the resin film, the resin film is peeled off, and a replica of the electrolytic drum surface is collected. The replica is measured with a laser microscope, and the surface roughness Sa and the root mean square height Sq are measured. Then, the surface roughness Sa and the root mean square height Sq of the obtained replica are set as the surface roughness Sa and the root mean square height Sq of the electrolytic drum surface.
  • At least one of the surface roughness Sa, the root mean square height Sq, the maximum peak height Sp, the maximum valley depth Sv, the maximum height Sz, the kurtosis Sku, and the skewness Ssk on the deposition surface side of the electrolytic copper foil is predetermined.
  • the linear velocity of the electrolytic solution, the current density, and the concentration of the component added to the electrolytic solution may be adjusted.
  • the surface roughness Sa, the root mean square height Sq, the maximum peak height Sp, the maximum valley depth Sv, the maximum height Sz, the kurtosis Sku and the skewness Ssk on the deposition surface side of the electrolytic copper foil are increased.
  • the concentration of chloride ions in the electrolytic solution is 0 or extremely low, or the concentration of glue in the electrolytic solution is 10 ppm or more. You can increase the range. Further, the above values tend to decrease as the roughness of the electrolytic drum used decreases.
  • the surface treatment is not particularly limited, and examples thereof include heat treatment, rust prevention treatment, chromate treatment, and silane coupling treatment.
  • a layer formed by roughening treatment is a “roughening treatment layer”
  • a layer formed by heat resistance treatment is a “heat resistant layer”
  • a layer formed by rust prevention treatment is a “rust prevention layer”.
  • the layer formed by the chromate treatment is called “chromate treatment layer”
  • the layer formed by the silane coupling treatment is called “silane coupling treatment layer”.
  • a roughening treatment layer may be provided on at least one of the glossy surface and the precipitation surface of the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention in order to improve the adhesion to the insulating substrate (resin substrate).
  • the roughening treatment is not particularly limited, and can be performed by electrodepositing roughened particles on the surface of the electrolytic copper foil.
  • roughened particles of copper or copper alloy may be electrodeposited on the surface of the electrolytic copper foil.
  • the roughened particles can be fine, and the shape thereof can be any of a needle shape, a rod shape, or a particle shape.
  • the roughening treatment layer is a layer made of any single element selected from the group consisting of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, iron, vanadium, cobalt, and zinc, or an alloy containing at least one of them. Etc. Further, after electrodepositing the roughened particles of copper or copper alloy, it is possible to perform a roughening treatment in which secondary particles and tertiary particles are further electrodeposited with nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy.
  • a heat-resistant layer or a rust prevention layer is formed on the surface of a roughening process layer, and also a chromate process layer or a silane coupling process layer is formed in the surface.
  • a heat-resistant layer or a rust-preventing layer is formed on the surface of the electrolytic copper foil, and a chromate treatment layer or a silane coupling treatment layer is further formed on the surface.
  • the above heat-resistant layer, rust prevention layer, chromate treatment layer and silane coupling treatment layer may all be a single layer, but may be formed of a plurality of layers (for example, two or more layers, 3 Layer or more).
  • the roughening treatment layer can be formed by using an electrolytic bath made of sulfuric acid / copper sulfate containing at least one kind of substances selected from alkyl sulfate salts, tungsten ions, and arsenic ions.
  • the roughening treatment layer is preferably plated with an electrolytic bath made of sulfuric acid and copper sulfate in order to prevent powder falling and improve peel strength.
  • Cobalt - - Copper as roughening layer when forming a nickel alloy plating layer by electrolytic plating, the content of 15mg / dm 2 ⁇ 40mg / dm 2 of copper, the content of 100 ⁇ g / dm 2 ⁇ 3000 ⁇ g / dm 2 cobalt, and it is preferable that the content is ternary alloy layer such that the nickel 100 ⁇ g / dm 2 ⁇ 1500 ⁇ g / dm 2.
  • the Co content is less than 100 ⁇ g / dm 2 , the heat resistance and the etching property may be lowered.
  • Co content exceeds 3000 ⁇ g / dm 2 , it is not preferable when the influence of magnetism must be taken into account, and etching stains may occur, and acid resistance and chemical resistance may decrease. Moreover, heat resistance may fall that Ni content is less than 100 microgram / dm ⁇ 2 >.
  • the etching residue may increase.
  • Preferred Co content is 1000 ⁇ g / dm 2 ⁇ 2500 ⁇ g / dm 2, preferably Ni content is 500 ⁇ g / dm 2 ⁇ 1200 ⁇ g / dm 2.
  • etching spots in this specification means that Co remains without being dissolved when etched with copper chloride.
  • etching residue means that Ni remains without being dissolved when alkali etching is performed with ammonium chloride.
  • Plating bath composition 10-20 g / L Cu, 1-10 g / L Co, 1-10 g / L Ni pH: 1 to 4 Temperature: 30-50 ° C Current density: 20-30 A / dm 2 Plating time: 1-5 seconds
  • Plating bath composition 10-20 g / L Cu, 1-10 g / L Co, 1-10 g / L Ni pH: 1 to 4 Temperature: 30-50 ° C Current density: 30 to 45 A / dm 2 Plating time: 0.1 to 2.0 seconds
  • the surface roughness Sa and / or the root mean square height Sq on the glossy surface side can be reduced by shortening the plating time.
  • the surface roughness Sa and / or the root mean square height Sq on the glossy surface side can be increased by increasing the plating time.
  • the surface roughness Sa and / or the root mean square height Sq on the glossy surface side can be reduced by increasing the current density and extremely shortening the plating time. It can be made smaller.
  • the surface roughness Sa and / or the root mean square height Sq on the glossy surface side is increased by increasing the current density and increasing the plating time. Can do.
  • a surface treatment layer may be provided on at least one of the glossy surface side and the deposition surface side of the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention. Although it does not specifically limit as a surface treatment layer, It is preferable that it is 1 or more types of layers selected from the group which consists of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer. Generally, when a roughening treatment layer is formed on at least one of the glossy surface side and the precipitation surface side of the electrolytic copper foil, a heat-resistant layer or a rust prevention layer is formed on the surface, and a chromate treatment layer or A silane coupling treatment layer is formed.
  • the electrolytic copper foil according to the embodiment of the present invention may be provided with a resin layer on at least one of the glossy surface side and the deposition surface side.
  • This resin layer is generally formed on the roughening treatment layer or the surface treatment layer.
  • it does not specifically limit as a resin layer, It is preferable that it is an insulating resin layer.
  • the heat-resistant layer and / or rust-proof layer is made of, for example, nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum.
  • It can be a layer containing one or more elements selected from the group consisting of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum It may be a metal layer or an alloy layer made of one or more elements selected from the group consisting of group elements, iron and tantalum.
  • the heat-resistant layer and / or rust-proof layer is made of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron and tantalum.
  • the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a copper-zinc alloy layer, a zinc-nickel alloy layer, a nickel-cobalt alloy layer, a copper-nickel alloy layer, or a chromium-zinc alloy layer. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer.
  • the nickel-zinc alloy layer it is preferable to contain 50 mass% to 99 mass% of nickel and 50 mass% to 1 mass% of zinc, excluding inevitable impurities.
  • the total content of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer is preferably 5 mg / m 2 to 1000 mg / m 2 , more preferably 10 mg / m 2 to 500 mg / m 2 , still more preferably 20 mg / m 2 to 100 mg / m 2. m 2 .
  • the ratio of the nickel content to the zinc content in the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer is preferably 1.5 to 10.
  • the nickel content of the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer is preferably 0.5 mg / m 2 to 500 mg / m 2 , more preferably 1 mg / m 2 to 50 mg / m 2. preferable.
  • the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer has a nickel or nickel alloy layer having a content of 1 mg / m 2 to 100 mg / m 2 , preferably 5 mg / m 2 to 50 mg / m 2 , and a content of 1 mg / m 2.
  • a tin layer of 2 to 80 mg / m 2 , preferably 5 mg / m 2 to 40 mg / m 2 may be sequentially laminated.
  • the nickel alloy layer may be composed of any one of nickel-molybdenum, nickel-zinc, and nickel-molybdenum-cobalt.
  • the chromate treatment layer is a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate.
  • Chromate treatment layer can be any element such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, titanium (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) May be included).
  • the chromate treatment layer examples include a chromate treatment layer treated with chromic anhydride or a potassium dichromate aqueous solution, a chromate treatment layer treated with a treatment solution containing anhydrous chromic acid or potassium dichromate and zinc, and the like. .
  • silane coupling agent used for the silane coupling treatment is not particularly limited, and known ones can be used.
  • silane coupling agents include amino silane coupling agents, epoxy silane coupling agents, methacryloxy silane coupling agents, mercapto silane coupling agents, and the like.
  • silane coupling agent vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxylane, ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane, ⁇ -Aminopropyltriethoxysilane, N- ⁇ (aminoethyl) ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, Triazinesilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, and the like can be used.
  • a silane coupling agent can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • an amino silane coupling agent or an epoxy silane coupling agent is an amino silane coupling agent or an epoxy silane coupling agent
  • amino silane coupling agent examples include N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N- (3 -Acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) Trim
  • the silane coupling treatment layer is preferably 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2 , more preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2 , still more preferably 0.3 mg / m 2 in terms of silicon atoms. It is appropriate that it is provided in a range of ⁇ 2.0 mg / m 2 . In this range, the adhesion between the insulating substrate (resin substrate) and the electrolytic copper foil can be further improved.
  • the resin layer may be an adhesive layer, or may be a semi-cured (B-stage) insulating resin layer for bonding.
  • the semi-cured state (B stage state) is a state where there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.
  • the resin layer may be a layer containing a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
  • thermosetting resin and thermoplastic resin is not specifically limited, For example, an epoxy resin, a polyimide resin, a polyfunctional cyanate ester compound, a maleimide compound, a polyvinyl acetal resin, a urethane resin etc. are mentioned. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the resin layer may be made of any known dielectric such as a known resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric (dielectric including an inorganic compound and / or organic compound, dielectric including a metal oxide). May be formed from a composition containing a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeletal material and the like.
  • the resin layer may be, for example, International Publication No. 2008/004399, International Publication No. 2008/053878, International Publication No. 2009/084533, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-5828, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-140281, Patent No. No. 3184485, International Publication No.
  • Japanese Patent No. 3676375 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-179772, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-359444, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-359444, 2003-304068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-82687, Japanese Patent No. 40251177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, and Japanese Patent No. 2004-349654.
  • Japanese Patent No. 4286060 Japanese Patent Laid-Open No.
  • JP2013-19056A resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric Body, reaction catalyst, cross-linking agent, polymer, prepreg, skeletal material, etc.
  • the resin is dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK) and toluene to form a resin solution, which is applied onto the electrolytic copper foil, the roughening treatment layer or the surface treatment layer by a known method such as a roll coater method, If necessary, it is heated and dried to remove the solvent to bring it to the B stage state.
  • a hot air drying furnace may be used for drying, and the drying temperature may be 100 ° C. to 250 ° C., preferably 130 ° C. to 200 ° C.
  • An electrolytic copper foil having a resin layer is a mode in which a predetermined wiring pattern is formed after the resin layer is superposed on an insulating substrate (resin substrate), and the entire resin layer is thermocompressed to thermally cure the resin layer. used.
  • the electrolytic copper foil with the resin layer When the electrolytic copper foil with the resin layer is used, the number of prepreg materials used in the production of the multilayer printed wiring board can be reduced. In addition, the thickness of the resin layer can be set such that interlayer insulation can be ensured, or a copper-clad laminate can be produced even if no prepreg material is used. In addition, the surface smoothness can be further improved by undercoating an insulating resin on the surface of the substrate.
  • the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous.
  • the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is used. The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 ⁇ m or less can be manufactured.
  • the thickness of the resin layer is not particularly limited, but is preferably 0.1 ⁇ m to 80 ⁇ m.
  • the thickness of the resin layer is less than 0.1 ⁇ m, the adhesive strength is reduced, and when the electrolytic copper foil with the resin layer is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material, It may be difficult to ensure interlayer insulation between the circuit.
  • the thickness of the resin layer is greater than 80 ⁇ m, it is difficult to form a resin layer having a desired thickness in a single coating process, which is economically disadvantageous because of extra material costs and man-hours.
  • the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks or the like are likely to occur during handling, and excessive resin flow may occur during thermocompression bonding with the inner layer material, making smooth lamination difficult. is there.
  • the electrolytic copper foil with a resin layer it is also possible to sell it in a form in which a semi-cured resin layer is formed on the glossy surface or the surface treatment layer.
  • a printed circuit board is completed by mounting electronic components on the printed wiring board.
  • the “printed wiring board” includes a printed wiring board on which electronic components are mounted, a printed circuit board, a printed board, a flexible printed wiring board, and a rigid printed wiring board.
  • an electronic device may be manufactured using a printed wiring board, an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which electronic components are mounted, and a printed circuit board on which electronic components are mounted is used.
  • An electronic device may be manufactured. Below, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the electrolytic copper foil which concerns on embodiment of this invention are shown.
  • a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention includes forming a copper-clad laminate by laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to an embodiment of the present invention, then a semi-additive method, a modified semi-additive method, Forming a circuit by either a partial additive method or a subtractive method.
  • the insulating substrate may include an inner layer circuit.
  • the “semi-additive method” means a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer, a pattern is formed, and then a conductor pattern is formed using electroplating and etching.
  • the printed wiring board manufacturing method using the semi-additive method, A step of laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate (resin substrate) according to an embodiment of the present invention; Removing all the electrolytic copper foil by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid, Providing a through hole and / or a blind via in the resin exposed by removing the electrolytic copper foil by etching; Performing a desmear process on a region including through holes and / or blind vias; Providing an electroless plating layer for a region including resin and through-holes and / or blind vias; Providing a plating resist on the electroless plating layer; After exposing the plating resist, removing the plating resist in the region where the circuit is formed; A step of providing an electroplating layer in a region where a circuit is formed after removing the plating resist; Removing the plating resist; Removing an electroless plating layer in a
  • a step of laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to an embodiment of the present invention Providing a through hole and / or a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate (resin substrate); Performing a desmear process on a region including through holes and / or blind vias; Removing all the electrolytic copper foil by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid, A step of providing an electroless plating layer for the resin exposed by removing the electrolytic copper foil by etching or the like and the region including the through hole and / or the blind via; Providing a plating resist on the electroless plating layer; After exposing the plating resist, removing the plating resist in the region where the circuit is formed; A step of providing an electroplating layer in a region where a circuit is formed after removing the plating resist; Remov
  • a step of laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to an embodiment of the present invention Providing a through hole and / or a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate (resin substrate); Removing all the electrolytic copper foil by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid, Performing a desmear process on a region including through holes and / or blind vias;
  • a step of laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to an embodiment of the present invention Removing all the electrolytic copper foil by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid, Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the electrolytic copper foil by etching; Providing a plating resist on the electroless plating layer; After exposing the plating resist, removing the plating resist in the region where the circuit is formed; A step of providing an electroplating layer in a region where a circuit is formed after removing the plating resist; Removing the plating resist; And a step of removing the electroless plating layer and the electrolytic copper foil in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.
  • the “modified semi-additive method” means that an electrolytic copper foil is laminated on an insulating substrate, a non-circuit forming part is protected by a plating resist, and a copper thickening of the circuit forming part is performed by electrolytic plating. It means a method of forming a circuit on an insulating substrate by removing the resist and removing the electrolytic copper foil other than the circuit forming part by (flash) etching.
  • the method for manufacturing a printed wiring board according to the embodiment of the present invention using the modified semi-additive method A step of laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to an embodiment of the present invention; Providing a through hole and / or a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate; Performing a desmear process on a region including through holes and / or blind vias; Providing an electroless plating layer for a region including through holes and / or blind vias; Providing a plating resist on the electrolytic copper foil; Forming a circuit by electrolytic plating after providing a plating resist; Removing the plating resist; Removing the electrolytic copper foil exposed by removing the plating resist by flash etching.
  • a step of laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to an embodiment of the present invention Providing a plating resist on the electrolytic copper foil; After exposing the plating resist, removing the plating resist in the region where the circuit is formed; A step of providing an electroplating layer in a region where a circuit is formed after removing the plating resist; Removing the plating resist; And a step of removing the electroless plating layer and the electrolytic copper foil in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.
  • the “partial additive method” means that a conductive circuit is formed by applying a catalyst nucleus on a substrate provided with a conductor layer and, if necessary, a substrate provided with a hole for a through hole or a via hole, and etching it.
  • a method of manufacturing a printed wiring board by forming a solder resist or a plating resist as necessary, and then thickening the conductive circuit, through holes, via holes, etc. by electroless plating treatment means.
  • the printed wiring board manufacturing method using the partly additive method, in one aspect, A step of laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to an embodiment of the present invention; Providing a through hole and / or a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate; Performing a desmear process on a region including through holes and / or blind vias; Providing catalyst nuclei for regions containing through holes and / or blind vias; Providing an etching resist on the electrolytic copper foil; Exposing the etching resist to form a circuit pattern; Removing the electrolytic copper foil and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit; Removing the etching resist; A step of providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the electrolytic copper foil and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corros
  • the “subtractive method” means a method of forming a conductor pattern by selectively removing unnecessary portions of the copper foil on the copper-clad laminate by etching or the like.
  • the printed wiring board manufacturing method using the subtractive method, in one aspect, A step of laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to an embodiment of the present invention; Providing a through hole and / or a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate; Performing a desmear process on a region including through holes and / or blind vias; Providing an electroless plating layer for a region including through holes and / or blind vias; Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer; Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer and / or the electrolytic copper foil; Exposing the etching resist to form a circuit pattern; A step of forming a circuit by removing the electrolytic copper foil, the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid; And a step of removing the etching resist.
  • a step of laminating an electrolytic copper foil and an insulating substrate according to an embodiment of the present invention Providing a through hole and / or a blind via in the electrolytic copper foil and the insulating substrate; Performing a desmear process on a region including through holes and / or blind vias; Providing an electroless plating layer for a region including through holes and / or blind vias; Forming a mask on the surface of the electroless plating layer; Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer on which no mask is formed; Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer and / or the electrolytic copper foil; Exposing the etching resist to form a circuit pattern; Removing the electrolytic copper foil and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid to form a circuit; And a step of removing
  • the process of providing a through hole and / or a blind via and the subsequent desmear process may not be performed.
  • the polishing time was the product of the time required to pass one point on the drum surface in one pass and the number of passes based on the width of the polishing belt and the moving speed of the polishing belt.
  • the above-described electrolytic drum and electrodes were disposed around the electrolytic drum with a predetermined distance between the electrodes.
  • electrolysis was performed in the electrolytic bath under the following conditions, and copper was deposited on the surface of the electrolytic drum until the thickness described in Table 2 was reached while rotating the electrolytic drum.
  • Electrolyte composition 100 g / L Cu, 100 g / L H 2 SO 4 Current density: 90 A / dm 2
  • Electrolyte flow rate 2.0 m / sec
  • Electrolyte temperature 60 ° C
  • Electrolyte composition 50 to 150 g / L Cu, 60 to 150 g / L H 2 SO 4 Current density: 10 to 80 A / dm 2 Electrolyte flow rate: 1.5-5 m / sec Electrolyte temperature: 50-60 ° C
  • Additive 10 to 100 mass ppm of chloride ion, 10 to 100 mass ppm of bis (3sulfopropyl) disulfide, 10 to 100 mass ppm of tertiary amine compound The following compounds are used as the tertiary amine compound. It was.
  • R 1 and R 2 are both methyl groups.
  • the tertiary amine compound can be obtained, for example, by mixing a predetermined amount of Deconal Ex-314 manufactured by Nagase ChemteX Corporation and dimethylamine and reacting at 60 ° C. for 3 hours.
  • Example 1 to 4 and 10 and Comparative Examples 1 and 2 the following (1) to (4) were applied to the surface (glossy surface) of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as described above on the electrolytic drum side. ) was performed in this order. Further, for Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the following (2) to (2) to the surface (deposition surface) opposite to the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as described above The processing shown in (4) was performed in this order. For Example 10, the following treatments (1) to (4) were performed on the surface (deposition surface) opposite to the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as described above. It carried out in this order.
  • Example 3 the process shown to the following (3) was implemented with respect to the surface (deposition surface) opposite to the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as mentioned above.
  • Example 4 the process shown to the following (4) was implemented with respect to the surface (precipitation surface) opposite to the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as mentioned above.
  • Examples 5 to 8 and 14 to 18 are shown in the following (1) to (5) with respect to the surface (glossy surface) of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as described above on the electrolytic drum side. Processing was performed in this order.
  • Example 14 the process shown to the following (4) and (5) with respect to the surface (precipitation surface) opposite to the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as mentioned above. It carried out in this order.
  • Roughening treatment was performed in the following plating bath and plating conditions in order to electrodeposit the roughened particles of the ternary copper-cobalt-nickel alloy plating on the surface.
  • Plating bath composition 16 g / L Cu, 10 g / L Co, 10 g / L Ni pH: 1 to 4 Temperature: 30 ° C Current density: 30 A / dm 2 Plating time: 2 seconds
  • Co—Ni alloy plating was performed.
  • the Co—Ni alloy plating conditions are described below.
  • Example 9 the following (1) was applied to the electrolytic drum side surface (glossy surface) and the opposite surface (deposition surface) of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as described above. The processes shown in (3) were performed in this order.
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • toluene 20 g were added, heated at 180 ° C. for 1 hour and cooled to near room temperature, and then 3, 4, 3 ′, 4 '-Biphenyltetracarboxylic dianhydride 29.42 g (100 mmol), 2,2-bis ⁇ 4- (4-aminophenoxy) phenyl ⁇ propane 82.12 g (20 mmol), 200 g of NMP, and toluene 40g was added and after mixing 1 hour at room temperature, and heated for 3 hours at 180 ° C., to obtain a 38% solids polyimide block copolymer.
  • the block copolymerized polyimide solution obtained in the synthesis example was further diluted with NMP to obtain a block copolymerized polyimide solution having a solid content of 10%.
  • bis (4-maleimidophenyl) methane BMI-H, Kay-Isei Chemical Co., Ltd.
  • Bis (4-maleimidophenyl) methane solid content weight: block copolymerized polyimide solid content weight contained in resin solution 35: 65), dissolved and mixed at 60 ° C. for 20 minutes to obtain a resin solution.
  • the resin solution was applied to the surface of the surface treatment layer of the electrolytic copper foil using a reverse roll coating machine, and dried at 120 ° C. for 3 minutes and at 160 ° C. for 3 minutes in a nitrogen atmosphere. Then, heat treatment was performed at 300 ° C. for 2 minutes to prepare an electrolytic copper foil provided with a resin layer. The thickness of the resin layer was 2 ⁇ m.
  • Examples 11 to 13 the surface (glossy surface) on the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as described above was subjected to the roughening treatment shown in (1) below. The same processes (2) to (5) as in Examples 5 to 8 and 14 were performed in this order. Further, in Examples 11 to 13, the surface (glossy surface) opposite to the electrolytic drum side of the electrolytic copper foil (raw foil) produced as described above was compared with (2) to ( The same process as 5) was performed in this order.
  • Roughening treatment was performed in the following plating bath and plating conditions in order to electrodeposit the roughened particles of the ternary copper-cobalt-nickel alloy plating on the surface.
  • Plating bath composition 10-20 g / L Cu, 1-10 g / L Co, 1-10 g / L Ni pH: 1 to 4
  • Temperature 30-50 ° C
  • Current density 30 to 45
  • the surface roughness Sa and the root mean square height Sq on the glossy surface and the glossy surface side are ISO-25178-2: 2012 with respect to the glossy surface of the electrolytic copper foil before and after the roughening treatment and / or the surface treatment.
  • the measurement was performed using a laser microscope OLS4100 (LEXT OLS 4100) manufactured by Olympus. At this time, in a laser microscope, measurement of 200 ⁇ m ⁇ 1000 ⁇ m area (specifically 200,000 ⁇ m 2 ) was performed at three locations using an objective lens 50 times, and surface roughness Sa and root mean square height Sq were calculated.
  • the arithmetic average values of the surface roughness Sa and the root mean square height Sq obtained at the three locations were taken as the values of the surface roughness Sa and the root mean square height Sq, respectively.
  • the surface roughness Sa and the root mean square height Sq were calculated after performing plane correction.
  • the environmental temperature at the time of measuring the surface roughness Sa with a laser microscope was set to 23 to 25 ° C.
  • the surface roughness Sa, the root mean square height Sq, the maximum peak height Sp, the maximum valley depth Sv, the kurtosis Sku and the skewness Ssk on the precipitation surface side are the electrolytic copper after the roughening treatment and / or the surface treatment.
  • OLS4100 LEXT OLS 4100
  • a difference ( ⁇ m) between the maximum value and the minimum value of the circuit lower end width as viewed from the circuit upper surface was measured, and an average value obtained by measuring five locations was used as a result. If the difference between the maximum value and the minimum value was 2 ⁇ m or less, it was judged as having excellent circuit linearity and marked with “ ⁇ ”. In addition, the case where the difference between the maximum value and the minimum value was more than 2 ⁇ m and 4 ⁇ m or less was marked as ⁇ . In addition, the case where the difference between the maximum value and the minimum value exceeded 4 ⁇ m was evaluated as x.
  • solder resist adhesion The adhesion of the solder resist was performed as follows. First, a solder resist (product name “PSR-4000AUS308” manufactured by Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd., product name) is applied to the deposition surface side of the electrolytic copper foil after the surface treatment, followed by drying (80 ° C. ⁇ 30 minutes), post-cure (150 ° C. ⁇ 60 minutes) and post-UV (high pressure mercury lamp, 1000 mJ / cm 2 ) were successively performed to form a 20-30 ⁇ m thick solder resist resin layer (coating film) to prepare a test piece. Next, this test piece was floated in a solder bath at 260 ° C.
  • FIG.1 (a) is a SEM image of the glossy surface of the electrolytic copper foil of Example 2 before forming a roughening process layer and a surface treatment layer.
  • FIG.1 (b) is the SEM image of the glossy surface of the electrolytic copper foil of Example 10 before forming a roughening process layer and a surface treatment layer.
  • the electrolytic copper foil of Example 9 having no roughening treatment layer on the glossy surface side has a gloss roughness side surface roughness Sa of 0.270 ⁇ m or less and a root mean square height Sq of 0.315 ⁇ m or less,
  • the surface roughness Sa is 0.115 ⁇ m or more
  • the root mean square height Sq is 0.120 ⁇ m or more
  • the maximum peak height Sp is 0.900 ⁇ m or more
  • the maximum valley depth Sv is 0.600 ⁇ m or more.
  • the maximum height Sz was 1.500 ⁇ m or more
  • the kurtosis Sku was 2.75 to 4.00
  • the skewness Ssk was 0.00 to 0.35.
  • the electrolytic copper foil had good circuit formability and solder resist adhesion. Moreover, this electrolytic copper foil also had good results of normal temperature tensile strength, high temperature tensile strength, normal temperature elongation and high temperature elongation.
  • the surface roughness Sa on the glossy surface side is 0.470 ⁇ m or less and the root mean square height Sq is 0. The surface roughness Sa is not less than 0.115 ⁇ m, the root mean square height Sq is not less than 0.120 ⁇ m, the maximum peak height Sp is not less than 0.900 ⁇ m, and the maximum valley depth Sv is about 550 ⁇ m or less.
  • the electrolytic copper foil had good circuit formability and solder resist adhesion. Moreover, this electrolytic copper foil also had good results of normal temperature tensile strength, high temperature tensile strength, normal temperature elongation and high temperature elongation.
  • the electrolytic copper foil of Comparative Example 1 having a roughened layer on the glossy surface side has a surface roughness Sa on the glossy surface side of more than 0.470 ⁇ m and a root mean square height Sq of 0.550 ⁇ m. It was over. Therefore, this electrolytic copper foil was not sufficient in circuit formation.
  • the electrolytic copper foil of Comparative Example 2 having the roughened layer on the glossy surface side has a surface roughness Sa of less than 0.115 ⁇ m and a root mean square height Sq of less than 0.120 ⁇ m and a maximum on the deposition surface side.
  • the peak height Sp is less than 0.900 ⁇ m
  • the maximum valley depth Sv is less than 0.600 ⁇ m
  • the maximum height Sz is less than 1.500 ⁇ m
  • the kurtosis Sku is out of the range of 2.75 to 4.00
  • the skewness Ssk is 0.00. It was outside the range of 00 to 0.35. Therefore, this electrolytic copper foil has insufficient adhesiveness of the solder resist.
  • an electrolytic copper foil excellent in circuit formability and solder resist adhesion As can be seen from the above results, according to the embodiment of the present invention, it is possible to provide an electrolytic copper foil excellent in circuit formability and solder resist adhesion.
  • a copper-clad laminate using an electrolytic copper foil excellent in circuit formability and solder resist adhesion, a printed wiring board, a manufacturing method thereof, an electronic device, and a manufacturing method thereof are provided. Can be provided.

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Abstract

光沢面と析出面とを有する電解銅箔である。この電解銅箔は、光沢面側に粗化処理層を有し、光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下であり、析出面側が下記の条件：　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である の少なくとも１つを満たす。

Description

電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法
　本開示は、電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法に関する。
　プリント配線板は、銅箔に絶縁基板（例えば、樹脂基板）を接着させて銅張積層板とした後、エッチングによって銅箔に導体パターン（回路）を形成するという工程を経て一般的に製造される。
　近年、電子機器の小型化及び高性能化のニーズの増大に伴い、搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化等が進展しており、プリント配線板に対しても導体パターンの微細化（ファインピッチ化）や高周波対応等が求められている。
　そこで、電解銅箔を用いて導体パターンの微細化を実現するために、特許文献１には、光沢剤として作用する硫黄含有化合物等の添加剤を電解液に添加して析出面側の表面が平滑な電解銅箔を作製した後、電解銅箔に回路を形成することが提案されている。
特開２００４－１６２１７２号公報
　しかしながら、特許文献１の方法は、電解液に含まれる添加剤の影響で、電解銅箔の製造時に常温での再結晶及びそれに伴う収縮によって銅箔にシワが発生し易い。そして、このようなシワが発生した場合、その後の電解銅箔を絶縁基板（樹脂基板）と接着させるときにもシワが発生してしまう。このように電解銅箔にシワが発生してしまうと、電解銅箔に導体パターンを形成する際にファインピッチ化が困難となるため、回路形成性が十分であるとは言えない。また、特許文献１の電解銅箔は、電解液に添加された添加剤の影響で、機械的特性（例えば、抗張力や高温伸びなど）が変化し易いという問題もある。
　他方、導体パターンには、絶縁性を確保してショートを防止するためにソルダーレジストが塗布されるため、導体パターンとなる電解銅箔の表面にはソルダーレジストとの密着性が良好であることも要求される。しかしながら、導体パターンとなる電解銅箔の表面が平滑であると、ソルダーレジストとの密着性が低下するという問題がある。そのため、導体パターンとなる電解銅箔の表面は、ある程度の粗さが必要である。
　このように、電解銅箔には、絶縁基板との接着性を高めてファインピッチ化を行うために、絶縁基板と接着させる面には平滑性が要求される一方、ソルダーレジストの密着性を確保するために、導体パターンとなる面にはある程度の粗さが要求される。
　本発明の幾つかの実施形態は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、回路形成性及びソルダーレジストの密着性に優れた電解銅箔を提供することを課題とする。
　また、本発明の幾つかの実施形態は、回路形成性及びソルダーレジストの密着性に優れた電解銅箔を用いた銅張積層板、プリント配線板及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法を提供することを課題とする。
　本発明者らは、上記の問題を解決すべく鋭意研究した結果、電解銅箔の光沢面側の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを所定の範囲に制御するとともに、電解銅箔の析出面側の面粗さＳａ、２乗平均平方根高さＳｑ、最大山高さＳｐ、最大谷深さＳｖ、最大高さＳｚ、クルトシスＳｋｕ及びスキューネスＳｓｋの少なくとも１つを所定の範囲に制御することにより、光沢面が絶縁基板との接着性に優れ且つ析出面がソルダーレジストの密着性に優れた表面状態となる結果、回路形成性とソルダーレジストの密着性との両立を図ることができることを見出し、本発明の幾つかの実施形態を完成するに至った。
　すなわち、本発明の実施形態に係る電解銅箔は、光沢面と析出面とを有し、
　前記光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下であり、前記析出面側が下記の条件：
　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である
　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である
　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である
　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である
　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である
　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である
　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である
の少なくとも１つを満たす。
　また、本発明の別の実施形態に係る電解銅箔は、光沢面と析出面とを有し、
　前記光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面側の面粗さＳａが０．４７０μｍ以下であり、前記析出面側が下記の条件：
　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である
　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である
　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である
　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である
　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である
　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である
　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である
の少なくとも１つを満たす。
　また、本発明の別の実施形態に係る電解銅箔は、光沢面と析出面とを有し、
　前記光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面側の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下であり、前記析出面側が下記の条件：
　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である
　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である
　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である
　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である
　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である
　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である
　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である
の少なくとも１つを満たす。
　また、本発明の別の実施形態に係る電解銅箔は、光沢面と析出面とを有し、
　前記光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下であり、前記析出面側が下記の条件：
　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である
　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である
　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である
　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である
　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である
　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である
　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である
の少なくとも１つを満たす。
　また、本発明の実施形態に係る銅張積層板は、前記電解銅箔を有する。
　また、本発明の実施形態に係るプリント配線板は、前記電解銅箔を有する。
　また、本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、前記電解銅箔を用いる。
　また、本発明の別の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、前記電解銅箔と絶縁基板とを積層して銅張積層板を作製した後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって回路を形成する工程を含む。
　また、本発明の実施形態に係る電子機器は、前記プリント配線板を有する。
　さらに、本発明の実施形態に係る電子機器の製造方法は、前記プリント配線板を用いる。
　本発明の幾つかの実施形態によれば、回路形成性及びソルダーレジストの密着性に優れた電解銅箔を提供することができる。また、本発明の幾つかの実施形態によれば、回路形成性及びソルダーレジストの密着性に優れた電解銅箔を用いた銅張積層板、プリント配線板及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法を提供することができる。
（ａ）は、粗化処理層及び表面処理層を形成する前の実施例２の電解銅箔の光沢面のＳＥＭ像であり、（ｂ）は、粗化処理層及び表面処理層を形成する前の実施例１０の電解銅箔の光沢面のＳＥＭ像である。
　以下、本発明の電解銅箔の実施形態について説明する。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔は、光沢面と析出面とを有する。
　ここで、本明細書において「電解銅箔」とは、電気めっきの原理を利用し、電解ドラムを用いて作製される銅箔及び銅合金箔を意味する。
　また、本明細書において「電解銅箔の光沢面」とは、電解銅箔が作製されるときのドラム側の表面（シャイニー面：Ｓ面）を意味し、また、「電解銅箔の析出面」とは、電解銅箔が作製されるときのドラムとは反対側の表面（マット面：Ｍ面）を意味する。
　また、本明細書において「光沢面側の面粗さＳａ」及び「光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑ」とは、電解銅箔（生箔）の光沢面に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける場合には、当該層を設けた後の表面（最外層の表面）の面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑをそれぞれ意味する。また、「光沢面の面粗さＳａ」及び「光沢面の２乗平均平方根高さＳｑ」とは、光沢面側に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける前の光沢面の表面（最外層の表面）の面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑをそれぞれ意味する。
　また、本明細書において「析出面側の面粗さＳａ」、「析出面側の２乗平均平方根高さＳｑ」、「析出面側の最大山高さＳｐ」、「析出面側の最大谷深さＳｖ」、「析出面側の最大高さＳｚ」、「析出面側のクルトシスＳｋｕ」及び「析出面側のスキューネスＳｓｋ」とは、電解銅箔（生箔）の析出面に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける場合には、当該層を設けた後の表面（最外層の表面）の面粗さＳａ、２乗平均平方根高さＳｑ、最大山高さＳｐ、最大谷深さＳｖ、最大高さＳｚ、クルトシスＳｋｕ及びスキューネスＳｓｋをそれぞれ意味する。
＜粗化処理層を光沢面側に有さない電解銅箔＞
　本発明の実施形態に係る電解銅箔は、一側面において、光沢面側に粗化処理層を有さず、光沢面側の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下及び／又は光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下である。
　ここで、本明細書において「面粗さＳａ」とは、Ｒａを三次元に拡張した粗さのパラメータであり、表面の平均面に対して各点の高さの差の絶対値の平均を表す。また、「２乗平均平方根高さＳｑ」とは、Ｒｑを三次元に拡張した粗さのパラメータであり、表面の平均面からの距離の標準偏差を表す。
　光沢面側の面粗さＳａ及び／又は光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑを上記の範囲に制御することにより、絶縁基板との接着性が向上するとともに、電解銅箔を用いて形成される回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチ化が可能となる。
　電解銅箔の光沢面側の面粗さＳａは、ファインピッチ化の効果を高める観点から、好ましくは０．２３０μｍ以下、より好ましくは０．１８０μｍ以下、さらに好ましくは０．１５０μｍ以下、最も好ましくは０．１３３μｍ以下である。なお、電解銅箔の光沢面側の面粗さＳａの下限は特に限定されないが、一般的に０．００１μｍ以上、好ましくは０．０１０μｍ以上、より好ましくは０．０５０μｍ以上、さらに好ましくは０．１００μｍ以上である。
　また、電解銅箔の光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑは、ファインピッチ化の効果を高める観点から、好ましくは０．２００μｍ以下、より好ましくは０．１８０μｍ以下である。なお、電解銅箔の光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑの下限は特に限定されないが、一般的に０．００１μｍ以上、好ましくは０．０１０μｍ以上、より好ましくは０．０５０μｍ以上、さらに好ましくは０．１００μｍ以上である。
＜粗化処理層を光沢面側に有する電解銅箔＞
　本発明の実施形態に係る電解銅箔は、別の一側面において、粗化処理層を光沢面側に有し、光沢面側の面粗さＳａが０．４７０μｍ以下及び／又は光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下である。
　一般的に、粗化処理層を光沢面側に有する電解銅箔では、ファインピッチ化が低下することがあるが、光沢面側の面粗さ及び／又は光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑを上記の範囲に制御することにより、絶縁基板との接着性が向上するとともに、電解銅箔を用いて形成される回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチ化が可能となる。
　電解銅箔の光沢面側の面粗さＳａは、ファインピッチ化の効果を高める観点から、好ましくは０．３８５μｍ以下、より好ましくは０．３８０μｍ以下、より好ましくは０．３５５μｍ以下、さらに好ましくは０．３４０μｍ以下、さらに好ましくは０．３００μｍ以下、またさらに好ましくは０．２９５μｍ以下、またさらに好ましくは０．２３０μｍ以下、最も好ましくは０．２００μｍ以下である。なお、電解銅箔の光沢面側の面粗さＳａの下限は特に限定されないが、一般的に０．００１μｍ以上、好ましくは０．０１０μｍ以上、より好ましくは０．０５０μｍ以上、さらに好ましくは０．１００μｍ以上である。
　また、電解銅箔の光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑは、ファインピッチ化の効果を高める観点から、好ましくは０．４９０μｍ以下、より好ましくは０．４５０μｍ以下、より好ましくは０．４３５μｍ以下、さらに好ましくは０．４００μｍ以下、さらに好ましくは０．３９５μｍ以下、またさらに好ましくは０．３３０μｍ以下、最も好ましくは０．２９０μｍ以下である。なお、電解銅箔の光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑの下限は特に限定されないが、一般的に０．００１μｍ以上、好ましくは０．０１０μｍ以上、より好ましくは０．０５０μｍ以上、さらに好ましくは０．１００μｍ以上である。
　上記のような光沢面側の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを有する本発明の実施形態に係る電解銅箔は、光沢面側に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける前の光沢面の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを制御することによって得ることができる。
　すなわち、本発明の実施形態に係る電解銅箔を得るためには、光沢面側に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける前の光沢面の面粗さＳａを、好ましくは０．２７０μｍ以下、より好ましくは０．２３０μｍ以下、より好ましくは０．１８０μｍ以下、さらに好ましくは０．１５０μｍ以下、さらに好ましくは０．１３３μｍ以下、またさらに好ましくは０．１３０μｍ以下、最も好ましくは０．１２０μｍ以下に制御すればよい。なお、光沢面側に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける前の光沢面の面粗さＳａの下限は特に限定されないが、一般的に０．００１μｍ以上、好ましくは０．０１０μｍ以上、より好ましくは０．０５０μｍ以上、さらに好ましくは０．１００μｍ以上である。
　光沢面側に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける前の光沢面の面粗さＳａを上記の範囲に制御することにより、粗化処理層及び／又は表面処理層を設けた後の光沢面側の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを上記の範囲に制御することができるため、電解銅箔を用いて形成される回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチ化が可能となる。
　また、本発明の実施形態に係る電解銅箔を得るためには、光沢面側に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける前の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑを、好ましくは０．３１５μｍ以下、より好ましくは０．２９２μｍ以下、より好ましくは０．２３０μｍ以下、さらに好ましくは０．２００μｍ以下、さらに好ましくは０．１８０μｍ以下、またさらに好ましくは０．１２０μｍ以下、最も好ましくは０．１１５μｍ以下に制御すればよい。なお、光沢面側に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける前の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑの下限は特に限定されないが、一般的に０．００１μｍ以上、好ましくは０．０１０μｍ以上、より好ましくは０．０５０μｍ以上、さらに好ましくは０．１００μｍ以上である。
　光沢面側に粗化処理層及び／又は表面処理層を設ける前の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑを上記の範囲に制御することにより、粗化処理層及び／又は表面処理層を設けた後の光沢面側の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを上記の範囲に制御することができるため、電解銅箔を用いて形成される回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチ化が可能となる。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔は、析出面側が下記の条件：
　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である
　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である
　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である
　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である
　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である
　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である
　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である
の少なくとも１つを満たす。析出面側が上記の条件の少なくとも１つを満たすことにより、析出面側の表面が適度な粗さとなる結果、ソルダーレジストの密着性を向上させることが可能となる。
　ここで、本明細書において「最大山高さＳｐ」とは、表面の平均面からの高さの最大値を表す。また、「最大谷深さＳｖ」とは、表面の平均面からの高さの最小値の絶対値を表す。また、「最大高さＳｚ」とは、表面の最も高い点から最も低い点までの距離を表す。また、「クルトシスＳｋｕ」とは、高さ分布の鋭さを表し、Ｓｋｕ＝３のときに高さ分布が正規分布であること、Ｓｋｕ＞３のときに表面に鋭い山や谷が多いこと、Ｓｋｕ＜３のときに表面が平坦であることを示す。また、「スキューネスＳｓｋ」とは、高さ分布の対称性を表し、Ｓｓｋ＝０のときに高さ分布が上下に対称であること、Ｓｓｋ＞０のときに細かい山が多い表面であること、Ｓｓｋ＜０のときに細かい谷が多い表面であることを示す。
　析出面側は、ソルダーレジストの密着性を安定して確保する観点から、好ましくは少なくとも２つ、より好ましくは少なくとも３つ、さらに好ましくは少なくとも４つ、またさらに好ましくは少なくとも５つ、特に好ましくは少なくとも６つ、最も好ましくは７つ全ての条件を満たすことが適切である。
　析出面側の面粗さＳａは、ソルダーレジストの密着性を安定して確保する観点から、好ましくは０．１２０μｍ以上、より好ましくは０．１３０μｍ以上、さらに好ましくは０．１４０μｍ以上である。なお、析出面側の面粗さＳａの上限は、特に限定されないが、一般的に２．０００μｍ以下、好ましくは１．８００μｍ以下、さらに好ましくは１．５００μｍ以下、最も好ましくは１．０００μｍ以下である。
　析出面側の２乗平均平方根高さＳｑは、ソルダーレジストの密着性を安定して確保する観点から、好ましくは０．１３０μｍ以上、より好ましくは０．１４０μｍ以上、さらに好ましくは０．１５０μｍ以上である。なお、析出面側の２乗平均平方根高さＳｑの上限は、特に限定されないが、一般的に２．０００μｍ以下、好ましくは１．８００μｍ以下、さらに好ましくは１．５００μｍ以下、最も好ましくは１．３００μｍ以下である。
　析出面側の最大山高さＳｐは、ソルダーレジストの密着性を安定して確保する観点から、好ましくは１．０５０μｍ以上、より好ましくは１．１００μｍ以上、さらに好ましくは１．２００μｍ以上である。なお、析出面側の最大山高さＳｐの上限は、特に限定されないが、一般的に１０．０００μｍ以下、好ましくは９．０００μｍ以下、さらに好ましくは８．０００μｍ以下、最も好ましくは７．０００μｍ以下である。
　析出面側の最大谷深さＳｖは、ソルダーレジストの密着性を安定して確保する観点から、好ましくは０．７４０μｍ以上、より好ましくは０．８００μｍ以上、さらに好ましくは０．９００μｍ以上である。なお、析出面側の最大谷深さＳｖの上限は、特に限定されないが、一般的に１０．０００μｍ以下、好ましくは９．０００μｍ以下、さらに好ましくは８．０００μｍ以下である。
　析出面側の最大高さＳｚは、ソルダーレジストの密着性を安定して確保する観点から、好ましくは１．８００μｍ以上、より好ましくは１．９００μｍ以上、さらに好ましくは２．０００μｍ以上、最も好ましくは２．２００μｍ以上である。なお、析出面側の最大高さＳｚの上限は、特に限定されないが、一般的に２０．０００μｍ以下、好ましくは１８．０００μｍ以下、さらに好ましくは１５．０００μｍ以下、最も好ましくは１４．０００μｍ以下である。
　析出面側のクルトシスＳｋｕは、ソルダーレジストの密着性を安定して確保する観点から、好ましくは２．８０以上４．００以下、より好ましくは２．８５以上３．９０以下、さらに好ましくは２．９０以上３．８０以下である。
　析出面側のスキューネスＳｓｋは、ソルダーレジストの密着性を安定して確保する観点から、好ましくは０．００以上０．２６以下、より好ましくは０．０１以上０．２０以下である。
　上記のような析出面側の条件を満たす本発明の実施形態に係る電解銅箔は、電解銅箔の製造条件（例えば、電解液の線速度、電流密度、電解液に添加する成分の濃度など）を制御することによって得ることができる。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔は、常温抗張力が３０ｋｇ／ｍｍ2以上であることが好ましい。ここで、本明細書において「常温抗張力」とは、室温での抗張力であり、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０に準じて測定されるものを意味する。常温抗張力が３０ｋｇ／ｍｍ2以上であると、ハンドリング時にシワが発生し難いという効果がある。この効果を安定して得る観点から、常温抗張力は３５ｋｇ／ｍｍ2以上であるのがより好ましい。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔は、常温伸びが３％以上であることが好ましい。ここで、本明細書において「常温伸び」とは、室温での伸びであり、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０に準じて測定されるものを意味する。常温伸びが３％以上であると、破断し難いという効果がある。この効果を安定して得る観点から、常温伸びは４％以上であるのがより好ましい。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔は、高温抗張力が１０ｋｇ／ｍｍ2以上であることが好ましい。本明細書において「高温抗張力」とは、１８０℃での抗張力であり、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０に準じて測定されるものを意味する。高温抗張力が１０ｋｇ／ｍｍ2以上であると、樹脂との張り付き時のシワが発生し難いという効果がある。この効果を安定して得る観点から、高温抗張力は１５ｋｇ／ｍｍ2以上であるのがより好ましい。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔は、高温伸びが２％以上であることが好ましい。本明細書において「高温伸び」とは、１８０℃での伸びであり、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０に準じて測定されるものを意味する。高温伸びが２％以上であると、回路のクラック発生防止に効果がある。この効果を安定して得る観点から、高温伸びは３％以上であるのが好ましく、６％以上であるのがより好ましく、１５％以上であるのがさらに好ましい。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔（生箔）の素材である銅及び銅合金の例としては、純銅；Ｓｎ入り銅；Ａｇ入り銅；Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｓ、Ｐ等を添加した銅合金等が挙げられる。例えば、銅合金から形成される電解銅箔は、電解銅箔を製造する際に用いる電解液中に合金元素（例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｓ及びＰからなる群から選択される一種以上の元素）を添加することによって製造することができる。
　電解銅箔（生箔）の厚みは、特に限定されないが、典型的には０．５μｍ～３０００μｍであり、好ましくは１．０μｍ～１０００μｍ、より好ましくは１．０μｍ～３００μｍ、より好ましくは１．０μｍ～１００μｍ、さらに好ましくは３．０μｍ～７５μｍ、さらに好ましくは４μｍ～４０μｍ、またさらに好ましくは５μｍ～３７μｍ、またさらに好ましくは６μｍ～２８μｍ、またさらに好ましくは７μｍ～２５μｍ、最も好ましくは８μｍ～１９μｍである
＜電解銅箔（生箔）の製造方法＞
　電解銅箔（生箔）は、硫酸銅めっき浴からチタン又はステンレス製のドラム上に銅を電解析出して製造される。電解条件の例を以下に示す。
　（電解条件）
　電解液組成：５０～１５０ｇ／ＬのＣｕ、６０～１５０ｇ／ＬのＨ2ＳＯ4
　電流密度：３０～１２０Ａ／ｄｍ2
　電解液の線流速：１．５～５ｍ／ｓ
　電解液温度：５０～６０℃
　添加物：２０～８０質量ｐｐｍの塩化物イオン、０．０１～５．０質量ｐｐｍのニカワ
　なお、本明細書に記載の電解、エッチング、表面処理又はめっき等に用いられる処理液（エッチング液、電解液等）の残部は特に明記しない限り水である。
　使用される電解ドラムは、形成される電解銅箔（生箔）の光沢面の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを所定の範囲に制御するために、ドラム表面の面粗さＳａを０．２７０μｍ以下及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを０．３１５μｍ以下とする。ドラム表面の面粗さＳａは、好ましくは０．１５０μｍ以下であり、ドラム表面の２乗平均平方根高さＳｑは、好ましくは０．２００μｍ以下である。
　所定の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを表面に有する電解ドラムは、次のようにして製造することができる。まず、チタン又はステンレス製のドラムの表面を、番手が３００（Ｐ３００）～５００（Ｐ５００）番の研磨ベルトによって研磨する。このとき、研磨ベルトを、ドラムの幅方向において所定幅だけ巻き付け、所定速度で研磨ベルトをドラムの幅方向へ移動させながらドラムを回転させることによって研磨する。研磨時のドラム表面の回転速度は１３０ｍ／分～１９０ｍ／分とする。また、研磨時間は、研磨ベルトの１回のパスでドラム表面の（幅方向の位置の）１点を通過する時間とパス回数との積とする。なお、前述の１回のパスでドラム表面の１点を通過する時間は、研磨ベルトの幅を、研磨ベルトのドラムの幅方向の移動速度で割った値とした。また、研磨ベルトの１回のパスとは、ドラムの周方向の表面を、ドラムの軸（幅）方向（電解銅箔の幅方向）の一方の端部からもう一方の端部まで１回研磨ベルトで研磨することを意味する。すなわち研磨時間は以下の式で表される。
　研磨時間（分）＝１パス当たりの研磨ベルトの幅（ｃｍ／回）／研磨ベルトの移動速度（ｃｍ／分）×パス回数（回）
　従来の電解銅箔（生箔）の製造においては、研磨時間は１．６分～３分としていたが、本発明の実施形態では３．５分～１０分、また、本発明の実施形態において研磨時にドラム表面を水で濡らす場合は６分～１０分とする。上記研磨時間の算出の例として、例えば１０ｃｍの幅の研磨ベルトで移動速度を２０ｃｍ／分としたとき、ドラム表面の１点の１パスの研磨時間は０．５分となる。これにトータルのパス回数を掛けることで算出することができる（例えば０．５分×１０パス＝５分）。研磨ベルトの番手を大きくすること、及び／又は、ドラム表面の回転速度を高くすること、及び／又は、研磨時間を長くすること、及び／又は、研磨時にドラム表面を水でぬらすこと、によりドラム表面の面粗さＳａ及びドラム表面の２乗平均平方根高さＳｑを小さくすることができる。逆に、研磨ベルトの番手を小さくすること、及び／又は、ドラム表面の回転速度を低くすること、及び／又は、研磨時間を短くすること、及び／又は、研磨時にドラム表面を乾燥させること、によりドラム表面の面粗さＳａ及びドラム表面の２乗平均平方根高さＳｑを大きくすることができる。なお、研磨時間を長くすることで、面粗さＳａを小さくするとともに、Ｓａが小さくなる程度よりも大きな程度で２乗平均平方根高さＳｑを小さくすることができる。逆に、研磨時間を短くすることで、面粗さＳａを大きくするとともに、面粗さＳａが大きくなる程度よりも大きな程度で２乗平均平方根高さＳｑを大きくすることができる。なお、前述の研磨ベルトの番手は、研磨ベルトに使用されている研磨材の粒度を意味する。そして、当該研磨材の粒度はＦＥＰＡ（Ｆｅｄｅｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｐｒｏｄｕｃｅｒｓ　ｏｆ　Ａｂｒａｓｉｖｅｓ）－ｓｔａｎｄａｒｄ ４３－１：２００６、４３－２：２００６に準拠している。
　また、研磨時にドラム表面を水で濡らすことにより、２乗平均平方根高さＳｑを小さくするとともに、２乗平均平方根高さＳｑが小さくなる程度よりも大きな程度で面粗さＳａを小さくすることができる。逆に、研磨時にドラム表面を乾燥させることで、２乗平均平方根高さＳｑを大きくするとともに、２乗平均平方根高さＳｑが大きくなる程度よりも大きな程度で面粗さＳａを大きくすることができる。
　上記のようにして作製された所定の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを表面に有する電解ドラムを用いることにより、所定の光沢面の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを有する電解銅箔（生箔）を製造することができる。
　なお、電解ドラムの表面の面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑは、以下のようにして測定することができる。
　・樹脂フィルム（ポリ塩化ビニル）を溶剤（アセトン）に浸漬して膨潤させる。
　・膨潤させた樹脂フィルムを電解ドラムの表面に接触させ、樹脂フィルムからアセトンを揮発させた後に樹脂フィルムを剥離し、電解ドラム表面のレプリカを採取する。
　・レプリカをレーザー顕微鏡で測定し、面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑの値を測定する。
　そして、得られたレプリカの面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑの値を電解ドラム表面の面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑとする。
　他方、電解銅箔の析出面側の面粗さＳａ、２乗平均平方根高さＳｑ、最大山高さＳｐ、最大谷深さＳｖ、最大高さＳｚ、クルトシスＳｋｕ及びスキューネスＳｓｋの少なくとも１つを所定の範囲に制御するためには、電解液の線速度、電流密度、電解液に添加する成分の濃度の調整を行えばよい。
　一般的に、電解銅箔の析出面側の面粗さＳａ、２乗平均平方根高さＳｑ、最大山高さＳｐ、最大谷深さＳｖ、最大高さＳｚ、クルトシスＳｋｕ及びスキューネスＳｓｋの値を大きくしたい場合には、電解液の線流速を小さくしたり、電流密度を高くしたり、電解液中の塩化物イオンの濃度を高くしたり、電解液中のニカワの濃度を０～数ｐｐｍの範囲で高くしたり、表面粗さを増加させる作用を有する添加物を電解液に添加したりすればよい。また、使用する電解ドラムの粗さが大きくなるにつれて、上記の値が増大する傾向にある。
　逆に、電解銅箔の析出面側の面粗さＳａ、２乗平均平方根高さＳｑ、最大山高さＳｐ、最大谷深さＳｖ、最大高さＳｚ、クルトシスＳｋｕ及びスキューネスＳｓｋの値を小さくしたい場合には、電解銅箔を平滑にする作用を有する添加物を添加したり、電解液中の塩化物イオンの濃度を０又は極端に低くしたり、電解液中のニカワの濃度を１０ｐｐｍ以上の範囲で高くしたりすればよい。また、使用する電解ドラムの粗さが小さくなるにつれて、上記の値が低下する傾向にある。
＜粗化処理及び表面処理＞
　表面処理としては、特に限定されないが、耐熱処理、防錆処理、クロメート処理、シランカップリング処理等が挙げられる。
　ここで、本明細書では、粗化処理によって形成される層を「粗化処理層」、耐熱処理によって形成される層を「耐熱層」、防錆処理によって形成される層を「防錆層」、クロメート処理によって形成される層を「クロメート処理層」、シランカップリング処理によって形成される層を「シランカップリング処理層」という。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔の光沢面及び析出面の少なくとも一方の表面には、絶縁基板（樹脂基板）との接着性を向上させるために、粗化処理層を設けてもよい。粗化処理としては、特に限定されず、粗化粒子を電解銅箔の表面に電着させることにより行うことができる。例えば、銅又は銅合金の粗化粒子を電解銅箔の表面に電着させればよい。粗化粒子は微細なものであることができ、また、その形状は、針状、棒状又は粒子状のいずれであってもよい。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層等であってもよい。また、銅又は銅合金の粗化粒子を電着させた後、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体又は合金等で二次粒子や三次粒子をさらに電着させる粗化処理を行うこともできる。
　粗化処理を行う場合、粗化処理層の表面に耐熱層又は防錆層が形成され、さらにその表面にクロメート処理層又はシランカップリング処理層が形成される。
　表面処理として粗化処理を行わない場合、電解銅箔の表面に耐熱層又は防錆層が形成され、さらにその表面にクロメート処理層又はシランカップリング処理層が形成される。
　なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層はいずれも、単層であってよいが、複数の層で形成されていてもよい（例えば、２層以上、３層以上等）。
　粗化処理層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて形成することができる。粗化処理層は、粉落ち防止及びピール強度向上のために、硫酸・硫酸銅からなる電解浴でかぶせめっきを行うことが好ましい。
　その具体的な処理条件は、次の通りである。
　（液組成１）
　　　ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ：３９．３～１２０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ2ＳＯ4：１０～１５０ｇ／Ｌ
　　　Ｎａ2ＷＯ4・２Ｈ2Ｏ：０～９０ｍｇ／Ｌ
　　　Ｗ：０～５０ｍｇ／Ｌ
　　　ドデシル硫酸ナトリウム：０～５０ｍｇ
　　　Ａｓ：０～２０００ｍｇ／Ｌ
　（電気めっき条件１）
　　　温度：３０～７０℃
　（電流条件１）
　　　電流密度：２５～１１０Ａ／ｄｍ2
　　　めっき時間：０．５～２０秒
　（液組成２）
　　　ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ：７８～３１４ｇ／Ｌ
　　　Ｈ2ＳＯ4：５０～２００ｇ／Ｌ
　（電気めっき条件２）
　　　温度：３０～７０℃
　（電流条件２）
　　　電流密度：５～５０Ａ／ｄｍ2
　　　粗化クーロン量：５０～３００Ａｓ／ｄｍ2
　　　めっき時間：１～６０秒
　粗化処理層として銅－コバルト－ニッケル合金めっき層を形成する場合、電解めっきにより、含有量が１５ｍｇ／ｄｍ2～４０ｍｇ／ｄｍ2の銅、含有量が１００μｇ／ｄｍ2～３０００μｇ／ｄｍ2のコバルト、及び含有量が１００μｇ／ｄｍ2～１５００μｇ／ｄｍ2のニッケルであるような３元系合金層であることが好ましい。Ｃｏ含有量が１００μｇ／ｄｍ2未満では、耐熱性及びエッチング性が低下することがある。一方、Ｃｏ含有量が３０００μｇ／ｄｍ2を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じると共に、耐酸性及び耐薬品性が低下することがある。また、Ｎｉ含有量が１００μｇ／ｄｍ2未満であると、耐熱性が低下することがある。一方、Ｎｉ含有量が１５００μｇ／ｄｍ2を超えると、エッチング残が多くなることがある。好ましいＣｏ含有量は１０００μｇ／ｄｍ2～２５００μｇ／ｄｍ2であり、好ましいＮｉ含有量は５００μｇ／ｄｍ2～１２００μｇ／ｄｍ2である。
　ここで、本明細書において「エッチングシミ」とは、塩化銅でエッチングした場合にＣｏが溶解せずに残ってしまうことを意味する。また、「エッチング残」とは、塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合にＮｉが溶解せずに残ってしまうことを意味する。
　このような３元系銅－コバルト－ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件の一例は、次の通りである：
　めっき浴組成：１０～２０ｇ／ＬのＣｕ、１～１０ｇ／ＬのＣｏ、１～１０ｇ／ＬのＮｉ
　ｐＨ：１～４
　温度：３０～５０℃
　電流密度：２０～３０Ａ／ｄｍ2
　めっき時間：１～５秒
　このような３元系銅－コバルト－ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件の別の例は、次の通りである：
　めっき浴組成：１０～２０ｇ／ＬのＣｕ、１～１０ｇ／ＬのＣｏ、１～１０ｇ／ＬのＮｉ
　ｐＨ：１～４
　温度：３０～５０℃
　電流密度：３０～４５Ａ／ｄｍ2
　めっき時間：０．１～２．０秒
　なお、上述の粗化処理層を形成する粗化処理において、めっき時間を短くすることで、光沢面側の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを小さくすることができる。一方、上述の粗化処理層を形成する表面処理において、めっき時間を長くすることで、光沢面側の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑを大きくすることができる。
　また、上述の粗化処理層を形成する粗化処理において、電流密度を高く且つめっき時間を非常に短くすることで、光沢面側の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑをより小さくすることができる。一方、上述の粗化処理層を形成する処理において、電流密度を高く且つめっき時間を長くすることで、光沢面側の面粗さＳａ及び／又は２乗平均平方根高さＳｑをより大きくすることができる。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔の光沢面側及び析出面側の少なくとも一方には、表面処理層を設けてもよい。表面処理層としては、特に限定されないが、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層であることが好ましい。一般的に、電解銅箔の光沢面側及び析出面側の少なくとも一方に粗化処理層が形成されている場合、その表面に耐熱層又は防錆層が形成され、その上にクロメート処理層又はシランカップリング処理層が形成される。
　本発明の実施形態に係る電解銅箔は、光沢面側及び析出面側の少なくとも一方に樹脂層を設けてもよい。この樹脂層は、粗化処理層又は表面処理層上に一般的に形成される。樹脂層としては、特に限定されないが、絶縁樹脂層であることが好ましい。
　耐熱層及び／又は防錆層としては、特に限定されず、公知のものを用いることができる。耐熱層及び／又は防錆層は、例えば、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の元素を含む層であることができ、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の元素からなる金属層又は合金層であってもよい。また、耐熱層及び／又は防錆層は、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の元素を含む酸化物、窒化物又は珪化物を含んでもよい。また、耐熱層及び／又は防錆層は、銅－亜鉛合金層、亜鉛－ニッケル合金層、ニッケル－コバルト合金層、銅－ニッケル合金層、クロム－亜鉛合金層であってもよい。また、耐熱層及び／又は防錆層は、ニッケル－亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層及び／又は防錆層は、ニッケル－亜鉛合金層であってもよい。ニッケル－亜鉛合金層の場合、不可避不純物を除き、ニッケルを５０質量％～９９質量％、亜鉛を５０質量％～１質量％含有していることが好ましい。ニッケル－亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計含有量は、好ましくは５ｍｇ／ｍ2～１０００ｍｇ／ｍ2、より好ましくは１０ｍｇ／ｍ2～５００ｍｇ／ｍ2、さらに好ましくは２０ｍｇ／ｍ2～１００ｍｇ／ｍ2である。また、ニッケル－亜鉛合金を含む層又はニッケル－亜鉛合金層のニッケル含有量と亜鉛含有量との比（＝ニッケル含有量／亜鉛含有量）は１．５～１０であることが好ましい。また、ニッケル－亜鉛合金を含む層又はニッケル－亜鉛合金層のニッケル含有は０．５ｍｇ／ｍ2～５００ｍｇ／ｍ2であることが好ましく、１ｍｇ／ｍ2～５０ｍｇ／ｍ2であることがより好ましい。
　例えば、耐熱層及び／又は防錆層は、含有量が１ｍｇ／ｍ2～１００ｍｇ／ｍ2、好ましくは５ｍｇ／ｍ2～５０ｍｇ／ｍ2のニッケル又はニッケル合金層と、含有量が１ｍｇ／ｍ2～８０ｍｇ／ｍ2、好ましくは５ｍｇ／ｍ2～４０ｍｇ／ｍ2のスズ層とを順次積層したものであってもよい。ニッケル合金層は、ニッケル－モリブデン、ニッケル－亜鉛、ニッケル－モリブデン－コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層及び／又は防錆層は、ニッケル又はニッケル合金とスズとの合計含有量が２ｍｇ／ｍ2～１５０ｍｇ／ｍ2であることが好ましく、１０ｍｇ／ｍ2～７０ｍｇ／ｍ2であることがより好ましい。また、耐熱層及び／又は防錆層は、［ニッケル又はニッケル合金中のニッケル含有量］／［スズ含有量］＝０．２５～１０であることが好ましく、０．３３～３であることがより好ましい。
　クロメート処理層は、無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩又は二クロム酸塩を含む液で処理された層である。クロメート処理層は、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素、チタン等の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい）を含んでいてもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム及び亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。
　シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤としては、特に限定されず公知のものを用いることができる。シランカップリング剤の例としては、アミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、メタクリロキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤等が挙げられる。具体的には、シランカップリング剤として、ビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、４－グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β（アミノエチル）γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－３－（４－（３－アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いることができる。なお、シランカップリング剤は、単独又は２種以上混合して使用することができる。また、上記の各種シランカップリング剤の中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いることが好ましい。
　アミノ系シランカップリング剤の具体例としては、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（Ｎ－スチリルメチル－２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（３－アクリルオキシ－２－ヒドロキシプロピル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、４－アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル－３－アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル－３－アミノプロピル）トリス（２－エチルヘキソキシ）シラン、６－（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、３－（１－アミノプロポキシ）－３，３－ジメチル－１－プロペニルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、ω－アミノウンデシルトリメトキシシラン、３－（２－Ｎ－ベンジルアミノエチルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ビス（２－ヒドロキシエチル）‐３－アミノプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ－ジエチル－３－アミノプロピル）トリメトキシシラン、（Ｎ，Ｎ－ジメチル－３－アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ－メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（Ｎ－スチリルメチル－２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β（アミノエチル）γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－３－（４－（３－アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
　シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、好ましくは０．０５ｍｇ／ｍ2～２００ｍｇ／ｍ2、より好ましくは０．１５ｍｇ／ｍ2～２０ｍｇ／ｍ2、さらに好ましくは０．３ｍｇ／ｍ2～２．０ｍｇ／ｍ2の範囲で設けられていることが適切である。この範囲である場合、絶縁基板（樹脂基板）と電解銅箔との密着性をより向上させることができる。
　樹脂層は、接着剤の層であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、さらに加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。
　また、樹脂層は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を含む層であってもよい。熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂の種類は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。これらは、単独又は２種以上を混合して用いることができる。
　樹脂層は、公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体（無機化合物及び／又は有機化合物を含む誘電体、金属酸化物を含む誘電体等どのような誘電体を用いてもよい）、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含む組成物から形成されてよい。また、樹脂層は、例えば、国際公開第２００８／００４３９９号、国際公開第２００８／０５３８７８号、国際公開第２００９／０８４５３３号、特開平１１－５８２８号公報、特開平１１－１４０２８１号公報、特許第３１８４４８５号公報、国際公開第９７／０２７２８号、特許第３６７６３７５号公報、特開２０００－４３１８８号公報、特許第３６１２５９４号公報、特開２００２－１７９７７２号公報、特開２００２－３５９４４４号公報、特開２００３－３０４０６８号公報、特許第３９９２２２５号公報、特開２００３－２４９７３９号公報、特許第４１３６５０９号公報、特開２００４－８２６８７号公報、特許第４０２５１７７号公報、特開２００４－３４９６５４号公報、特許第４２８６０６０号公報、特開２００５－２６２５０６号公報、特許第４５７００７０号公報、特開２００５－５３２１８号公報、特許第３９４９６７６号公報、特許第４１７８４１５号公報、国際公開第２００４／００５５８８号、特開２００６－２５７１５３号公報、特開２００７－３２６９２３号公報、特開２００８－１１１１６９号公報、特許第５０２４９３０号公報、国際公開第２００６／０２８２０７号、特許第４８２８４２７号公報、特開２００９－６７０２９号公報、国際公開第２００６／１３４８６８号、特許第５０４６９２７号公報、特開２００９－１７３０１７号公報、国際公開第２００７／１０５６３５号、特許第５１８０８１５号公報、国際公開第２００８／１１４８５８号、国際公開第２００９／００８４７１号、特開２０１１－１４７２７号公報、国際公開第２００９／００１８５０号、国際公開第２００９／１４５１７９号、国際公開第２０１１／０６８１５７号、特開２０１３－１９０５６号公報に記載されている物質（樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等）及び／又は樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。
　例えば、樹脂をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、トルエン等の溶剤に溶解して樹脂液とし、これを電解銅箔、粗化処理層又は表面処理層上にロールコータ法等の公知の方法によって塗布し、次いで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去することでＢステージ状態にする。乾燥には、例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００℃～２５０℃、好ましくは１３０℃～２００℃であればよい。
　樹脂層を有する電解銅箔は、その樹脂層を絶縁基板（樹脂基板）に重ね合わせた後、全体を熱圧着して樹脂層を熱硬化させた後、所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。
　上記の樹脂層付きの電解銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張り積層板を製造することができたりする。また、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性をさらに改善することもできる。
　なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μｍ以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
　樹脂層の厚みは、特に限定されないが、０．１μｍ～８０μｍであることが好ましい。樹脂層の厚みが０．１μｍより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなく樹脂層付きの電解銅箔を、内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。一方、樹脂層の厚みを８０μｍより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。さらに、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラック等が発生し易くなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。
　また、樹脂層付きの電解銅箔のもう一つの製品形態としては、光沢面又は表面処理層の上に半硬化状態の樹脂層を形成した形で販売することも可能である。
　さらに、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本明細書において「プリント配線板」には、電子部品類が搭載されたプリント配線板、プリント回路板、プリント基板、フレキシブルプリント配線板及びリジッドプリント配線板が含まれる。
　また、プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明の実施形態に係る電解銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
　本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板を積層して銅張積層板を形成した後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法又はサブトラクティブ法のいずれかの方法によって回路を形成する工程を含む。ここで、絶縁基板は、内層回路入りのものとすることも可能である。
　本明細書において「セミアディティブ法」とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を意味する。
　従って、セミアディティブ法を用いた本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、一側面において、
　本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板（樹脂基板）とを積層する工程と、
　電解銅箔を酸等の腐食溶液を用いたエッチングやプラズマ等の方法によって全て除去する工程と、
　電解銅箔をエッチングによって除去することで露出した樹脂にスルーホール及び／又はブラインドビアを設ける工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程と、
　樹脂、並びにスルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程と、
　無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程と、
　めっきレジストに対して露光した後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程と、
　めっきレジストが除去された、回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程と、
　めっきレジストを除去する工程と、
　回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチング等によって除去する工程と
を含む。
　セミアディティブ法を用いた本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、別の一側面において、
　本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程と、
　電解銅箔及び絶縁基板（樹脂基板）にスルーホール及び／又はブラインドビアを設ける工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程と、
　電解銅箔を酸等の腐食溶液を用いたエッチングやプラズマ等の方法によって全て除去する工程と、
　電解銅箔をエッチング等によって除去することで露出した樹脂、並びにスルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程と、
　無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程と、
　めっきレジストに対して露光した後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程と、
　めっきレジストが除去された、回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程と、
　めっきレジストを除去する工程と、
　回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチング等によって除去する工程と
を含む。
　セミアディティブ法を用いた本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、別の一側面において、
　本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程と、
　電解銅箔及び絶縁基板（樹脂基板）にスルーホール及び／又はブラインドビアを設ける工程と、
　電解銅箔を酸等の腐食溶液を用いたエッチングやプラズマ等の方法によって全て除去する工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程と、
　電解銅箔をエッチング等によって除去することで露出した樹脂、並びにスルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程と、
　無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程と、
　めっきレジストに対して露光した後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程と、
　めっきレジストが除去された、回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程と、
　めっきレジストを除去する工程と、
　回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチング等によって除去する工程と
を含む。
　セミアディティブ法を用いた本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、別の一側面において、
　本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程と、
　電解銅箔を酸等の腐食溶液を用いたエッチングやプラズマ等の方法によって全て除去する工程と、
　電解銅箔をエッチングによって除去することで露出した樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程と、
　無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程と、
　めっきレジストに対して露光した後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程と、
　めっきレジストが除去された、回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程と、
　めっきレジストを除去する工程と、
　回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び電解銅箔をフラッシュエッチング等によって除去する工程と
を含む。
　本明細書において「モディファイドセミアディティブ法」とは、絶縁基板上に電解銅箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきによって回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、回路形成部以外の電解銅箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁基板上に回路を形成する方法を意味する。
　従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、一側面において、
　本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程と、
　電解銅箔及び絶縁基板にスルーホール及び／又はブラインドビアを設ける工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程と、
　電解銅箔にめっきレジストを設ける工程と、
　めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程と、
　めっきレジストを除去する工程と、
　めっきレジストを除去することによって露出した電解銅箔をフラッシュエッチングによって除去する工程と
を含む。
　モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、別の一側面において、
　本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程と、
　電解銅箔の上にめっきレジストを設ける工程と、
　めっきレジストに対して露光した後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程と、
　めっきレジストが除去された、回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程と、
　めっきレジストを除去する工程と、
　回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び電解銅箔をフラッシュエッチング等によって除去する工程と
を含む。
　本明細書において「パートリーアディティブ法」とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダーレジスト又はめっきレジストを設けた後に、導体回路上や、スルーホール、バイアホール等に無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を意味する。
　従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、一側面において、
　本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程と、
　電解銅箔及び絶縁基板にスルーホール及び／又はブラインドビアを設ける工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程と、
　電解銅箔にエッチングレジストを設ける工程と、
　エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程と、
　電解銅箔及び前記触媒核を酸等の腐食溶液を用いたエッチングやプラズマ等の方法によって除去して回路を形成する工程と、
　エッチングレジストを除去する工程と、
　電解銅箔及び触媒核を酸等の腐食溶液を用いたエッチングやプラズマ等の方法によって除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダーレジスト又はめっきレジストを設ける工程と、
　ソルダーレジスト又はめっきレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程と
を含む。
　本明細書において「サブトラクティブ法」とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチング等によって選択的に除去して導体パターンを形成する方法を意味する。
　従って、サブトラクティブ法を用いた本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、一側面において、
　本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程と、
　電解銅箔及び絶縁基板にスルーホール及び／又はブラインドビアを設ける工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程と、
　無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程と、
　電解めっき層及び／又は電解銅箔の表面にエッチングレジストを設ける工程と、
　エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程と、
　電解銅箔、無電解めっき層及び前記電解めっき層を酸等の腐食溶液を用いたエッチングやプラズマ等の方法によって除去して回路を形成する工程と、
　エッチングレジストを除去する工程と
を含む。
　サブトラクティブ法を用いた本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、別の一側面において、
　本発明の実施形態に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程と、
　電解銅箔及び絶縁基板にスルーホール及び／又はブラインドビアを設ける工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程と、
　スルーホール及び／又はブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程と、
　無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程と、
　マスクが形成されていない無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程と、
　電解めっき層及び／又は電解銅箔の表面にエッチングレジストを設ける工程と、
　エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程と、
　電解銅箔及び無電解めっき層を酸等の腐食溶液を用いたエッチングやプラズマ等の方法によって除去して回路を形成する工程と、
　エッチングレジストを除去する工程と
を含む。
　なお、スルーホール及び／又はブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。
　以下、実施例及び比較例により本発明の実施形態を詳細に説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。
１．電解銅箔の作製
（実施例１～１８、比較例１及び２）
　チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備した。次に、電解ドラムの表面を表１に記載の条件にて研磨し、所定の面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑを有する電解ドラムとした。具体的には、表１に記載の番手の研磨ベルトによって電解ドラムの表面を研磨した。このとき、研磨ベルトを、ドラムの幅方向において所定幅だけ巻き付け、研磨ベルトをドラムの幅方向へ移動させながらドラムを回転させることによって研磨した。研磨時のドラム表面の回転速度を表１に示す。また、研磨時間は、研磨ベルトの幅と研磨ベルトの移動速度から１回のパスでドラム表面の１点を通過する時間とパス回数との積とした。ここで、研磨ベルトの１回のパスとは、回転ドラムの周方向の表面を、軸方向（電解銅箔の幅方向）の一方の端部からもう一方の端部まで１回研磨ベルトで研磨することを意味する。すなわち研磨時間は以下の式で表される。
　研磨時間（分）＝１パス当たりの研磨ベルトの幅（ｃｍ／回）／研磨ベルトの移動速度（ｃｍ／分）×パス回数（回）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　次に、電解槽の中に、上記の電解ドラムと、電解ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら電解ドラムの表面に銅を表２の記載の厚みとなるまで析出させた。
　＜電解条件＞
　電解液組成：１００ｇ／ＬのＣｕ、１００ｇ／ＬのＨ2ＳＯ4
　電流密度：９０Ａ／ｄｍ2
　電解液流速：２．０ｍ／秒
　電解液温度：６０℃
　添加物：６０質量ｐｐｍの塩化物イオン、ニカワ（実施例１、２、５、６及び１０～１２、並びに比較例１においては、０．０２ｐｐｍとし、実施例３、４、７～９及び１３～１８においては４．５ｐｐｍとした。）
　比較例２においては、下記条件で電解を行い、電解ドラムの表面に銅を表２の記載の厚みとなるまで析出させた。
　＜電解条件＞
　電解液組成：５０～１５０ｇ／ＬのＣｕ、６０～１５０ｇ／ＬのＨ2ＳＯ4
　電流密度：１０～８０Ａ／ｄｍ2
　電解液流速：１．５～５ｍ／秒
　電解液温度：５０～６０℃
　添加物：１０～１００質量ｐｐｍの塩化物イオン、１０～１００質量ｐｐｍのビス（３スルホプロピル）ジスルフィド、１０～１００質量ｐｐｍの３級アミン化合物
　なお、上記３級アミン化合物として以下の化合物を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　上記化学式中、Ｒ1及びＲ2は共にメチル基である。なお、上記３級アミン化合物は、例えば、ナガセケムテックス株式会社製デコナール　Ｅｘ－３１４とジメチルアミンとを所定量混合し、６０℃で３時間反応させることで得ることができる。
　次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、連続的に電解銅箔を製造した。
　実施例１～４及び１０並びに比較例１及び２ついては、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側の表面（光沢面）に対し、以下の（１）～（４）に示す処理をこの順で実施した。また、実施例１及び２並びに比較例１及び２ついては、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側と反対の表面（析出面）に対し、以下の（２）～（４）に示す処理をこの順で実施した。また、実施例１０については、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側と反対の表面（析出面）に対し、以下の（１）～（４）に示す処理をこの順で実施した。また、実施例３ついては、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側と反対の表面（析出面）に対し、以下の（３）に示す処理を実施した。また、実施例４ついては、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側と反対の表面（析出面）に対し、以下の（４）に示す処理を実施した。
　（１）粗化処理
　Ｃｕ、Ｈ2ＳＯ4、Ａｓ及びＷから成る、以下に記す銅粗化めっき浴を用いて粗化粒子を表面に電着させた。
　　（液組成１）
　　　　ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ：１２０ｇ／Ｌ
　　　　Ｈ2ＳＯ4：１２０ｇ／Ｌ
　　　　Ｎａ2ＷＯ4・２Ｈ2Ｏ：２０ｍｇ／Ｌ
　　　　ドデシル硫酸ナトリウム：３０ｍｇ
　　　　Ａｓ：１ｍｇ／Ｌ
　　（電気めっき条件１）
　　　　温度：４０℃
　　（電流条件１）
　　　　電流密度：７０Ａ／ｄｍ2
　　　　めっき時間：２秒
　　（液組成２）
　　　　ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ：２４０ｇ／Ｌ
　　　　Ｈ2ＳＯ4：１２０ｇ／Ｌ
　　（電気めっき条件２）
　　　　温度：５５℃
　　（電流条件２）
　　　　電流密度：２０Ａ／ｄｍ2
　　　　めっき時間：７秒
　（２）バリヤー処理（耐熱処理）
　ニッケル亜鉛合金めっきを行った。
（液組成）
　　　Ｎｉ：１３ｇ／Ｌ
　　　Ｚｎ：５ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：２
（電気めっき条件）
　　　温度：４０℃
　　　電流密度：８Ａ／ｄｍ2
　（３）クロメート処理
　亜鉛クロメート処理を行った。
（液組成）
　　　ＣｒＯ3：２．５ｇ／Ｌ
　　　Ｚｎ：０．７ｇ／Ｌ
　　　Ｎａ2ＳＯ4：１０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：４．８
（亜鉛クロメート条件）
　　　温度：５４℃
　　　電流密度：０．７Ａ／ｄｍ2
　（４）シランカップリング処理
（液組成）
　　　テトラエトキシシラン含有量：０．４ｖｏｌ％
　　　ｐＨ：７．５
　　　塗布方法：溶液の噴霧
　実施例５～８及び１４～１８については、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側の表面（光沢面）に対し、以下の（１）～（５）に示す処理をこの順で実施した。また、実施例５～８及び１５～１８については、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側と反対の表面（析出面）に対し、以下の（２）～（５）に示す処理をこの順で実施した。また、実施例１４については、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側と反対の表面（析出面）に対し、以下の（４）及び（５）に示す処理をこの順で実施した。
　（１）粗化処理
　３元系銅－コバルト－ニッケル合金めっきの粗化粒子を表面に電着させるため以下のめっき浴及びめっき条件で粗化処理を行った。
　めっき浴組成：１６ｇ／ＬのＣｕ、１０ｇ／ＬのＣｏ、１０ｇ／ＬのＮｉ
　ｐＨ：１～４
　温度：３０℃
　電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
　めっき時間：２秒
　（２）耐熱処理
　Ｃｏ－Ｎｉ合金めっきを行った。Ｃｏ－Ｎｉ合金めっき条件を以下に記す。
　（電解液組成）
　　　Ｃｏ：１０ｇ／Ｌ
　　　Ｎｉ：２０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：１．０～３．５
　（電解液温）
　　　３５℃
　（電流条件）
　　　電流密度１０Ａ／ｄｍ2
　　　めっき時間：１秒
　（３）防錆処理
　亜鉛－ニッケル合金めっきを行った。
　（液組成）
　　　Ｎｉ：１５ｇ／Ｌ
　　　Ｚｎ：５０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：３～４
　（電気めっき条件）
　　　温度：５０℃
　　　電流密度：０．３Ａ／ｄｍ2
　　　めっき時間：実施例５及び８については２．４３秒、実施例６については２．６１秒、実施例７については２．３２秒、実施例１４～１８は０．５～５秒
　（４）クロメート処理
　亜鉛クロメート処理を行った。
　（液組成）
　　　ＣｒＯ3：２．５ｇ／Ｌ
　　　Ｚｎ：０．７ｇ／Ｌ
　　　Ｎａ2ＳＯ4：１０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：４．８
　（亜鉛クロメート条件）
　　　温度：５４℃
　　　電流密度：０．７Ａ／ｄｍ2
　（５）シランカップリング処理
　（液組成）
　　　Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン含有量：０．４ｖｏｌ％
　　　ｐＨ：７．５
　　　塗布方法：溶液の噴霧
　実施例９については、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側の表面（光沢面）及び電解ドラム側と反対の表面（析出面）に対し、以下の（１）～（３）に示す処理をこの順で実施した。
　（１）バリヤー処理（耐熱処理）
　ニッケル－亜鉛合金めっきを行った。
　（液組成）
　　　Ｎｉ：１３ｇ／Ｌ
　　　Ｚｎ：５ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：２
　（電気めっき条件）
　　　温度：４０℃
　　　電流密度：８Ａ／ｄｍ2
　（２）クロメート処理
　亜鉛クロメート処理を行った。
　（液組成）
　　　ＣｒＯ3：２．５ｇ／Ｌ
　　　Ｚｎ：０．７ｇ／Ｌ
　　　Ｎａ2ＳＯ4：１０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：４．８
　（亜鉛クロメート条件）
　　　温度：５４℃
　　　電流密度：０．７Ａ／ｄｍ2
　（３）シランカップリング処理
　（液組成）
　　　テトラエトキシシラン含有量：０．４ｖｏｌ％
　　　ｐＨ：７．５
　　　塗布方法：溶液の噴霧
　上述の処理の後、さらに下記の条件で表面処理層の表面に樹脂層の形成を行った。
（樹脂合成例）
　ステンレス製の碇型攪拌棒、窒素導入管及びストップコックのついたトラップ上に、玉付冷却管を備えた還流冷却器を取り付けた２リットルの三つ口フラスコに、３，４，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１１７．６８ｇ（４００ｍｍｏｌ）、１，３－ビス(３－アミノフェノキシ)ベンゼン８７．７ｇ（３００ｍｍｏｌ）、γ－バレロラクトン４．０ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ピリジン４．８ｇ（６０ｍｍｏｌ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン(以下、ＮＭＰと記す)３００ｇ、及びトルエン２０ｇを加え、１８０℃で１時間加熱して室温付近まで冷却した後、３，４，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４２ｇ（１００ｍｍｏｌ）、２，２－ビス{４－(４－アミノフェノキシ)フェニル}プロパン８２．１２ｇ（２００ｍｍｏｌ）、ＮＭＰ２００ｇ、及びトルエン４０ｇを加え、室温で１時間混合した後、１８０℃で３時間加熱して、固形分３８％のブロック共重合ポリイミドを得た。このブロック共重合ポリイミドは、下記に示す一般式(１)：一般式(２)＝３：２であり、数平均分子量：７００００、重量平均分子量：１５００００であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　合成例で得られたブロック共重合ポリイミド溶液をＮＭＰでさらに希釈し、固形分１０％のブロック共重合ポリイミド溶液とした。このブロック共重合ポリイミド溶液にビス(４－マレイミドフェニル)メタン(ＢＭＩ－Ｈ、ケイ・アイ化成)を固形分重量比率３５、ブロック共重合ポリイミドの固形分重量比率６５として（すなわち、樹脂溶液に含まれるビス(４－マレイミドフェニル)メタン固形分重量：樹脂溶液に含まれるブロック共重合ポリイミド固形分重量＝３５：６５）、６０℃で２０分間溶解混合して樹脂溶液とした。その後、電解銅箔の表面処理層の表面に、リバースロール塗工機を用いて樹脂溶液を塗工し、窒素雰囲気下、１２０℃で３分間、１６０℃で３分間乾燥処理させた後、最後に３００℃で２分間加熱処理を行い、樹脂層を備える電解銅箔を作製した。なお、樹脂層の厚みは２μｍとした。
　実施例１１～１３については、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側の表面（光沢面）に対し、以下の（１）に示す粗化処理を行った後に、実施例５～８及び１４と同様の（２）～（５）の処理をこの順で実施した。また、実施例１１～１３については、上記のようにして作製した電解銅箔（生箔）の電解ドラム側と反対の表面（光沢面）に対し、実施例５～８の（２）～（５）と同様の処理をこの順で実施した。
　（１）粗化処理
　３元系銅－コバルト－ニッケル合金めっきの粗化粒子を表面に電着させるため以下のめっき浴及びめっき条件で粗化処理を行った。
　めっき浴組成：１０～２０ｇ／ＬのＣｕ、１～１０ｇ／ＬのＣｏ、１～１０ｇ／ＬのＮｉ
　ｐＨ：１～４
　温度：３０～５０℃
　電流密度：３０～４５Ａ／ｄｍ2
　めっき時間：０．１～１．５秒
２．電解銅箔の評価
＜光沢面及び光沢面側の面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑ＞
　光沢面及び光沢面側の面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑは、粗化処理及び／又は表面処理を行う前後の電解銅箔の光沢面に対し、ＩＳＯ－２５１７８－２：２０１２に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４１００（ＬＥＸＴ　ＯＬＳ　４１００）を用いて測定した。このとき、レーザー顕微鏡において、対物レンズ５０倍を使用して２００μｍ×１０００μｍ面積（具体的には２０００００μｍ2）の測定を３ヶ所行い、面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑを算出した。３ヶ所で得られた面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑの算術平均値をそれぞれ面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑの値とした。なお、レーザー顕微鏡測定において、測定結果の測定面が平面でない場合（曲面になった場合）は、平面補正を行った後に、面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑを算出した。また、レーザー顕微鏡による面粗さＳａの測定時の環境温度は２３～２５℃とした。
＜析出面側の面粗さＳａ、２乗平均平方根高さＳｑ、最大山高さＳｐ、最大谷深さＳｖ、最大高さＳｚ、クルトシスＳｋｕ及びスキューネスＳｓｋ＞
　析出面側の面粗さＳａ、２乗平均平方根高さＳｑ、最大山高さＳｐ、最大谷深さＳｖ、クルトシスＳｋｕ及びスキューネスＳｓｋは、粗化処理及び／又は表面処理を行った後の電解銅箔の析出面に対し、ＩＳＯ－２５１７８－２：２０１２に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４１００（ＬＥＸＴ　ＯＬＳ　４１００）を用いて測定した。このときの測定条件は、光沢面及び光沢面側の面粗さＳａ及び２乗平均平方根高さＳｑの測定条件と同様にした。
＜常温抗張力、高温抗張力＞
　粗化処理及び／又は表面処理を行った後の電解銅箔について、常温抗張力及び高温抗張力をＩＰＣ－ＴＭ－６５０に準じて測定した。
＜常温伸び、高温伸び＞
　粗化処理及び／又は表面処理を行った後の電解銅箔について、常温伸び及び高温伸びをＩＰＣ－ＴＭ－６５０に準じて測定した。なお、上述の通り、「高温抗張力」とは１８０℃での抗張力を意味する。また、「高温伸び」とは１８０℃での伸びを意味する。
＜回路形成性＞
　粗化処理及び／又は表面処理を行った後の電解銅箔を、それぞれ光沢面側から熱圧着によってビスマレイミドトリアジン樹脂プリプレグに貼り合わせた。その後、プリプレグに貼り合せた電解銅箔を、析出面側から厚みが９μｍとなるまでエッチングした。そして、エッチングをした後の電解銅箔の表面にエッチングレジストを設け、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成した。その後に、塩化第二鉄でエッチングを行い、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍ、Ｌ／Ｓ＝２２μｍ／２２μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ、及びＬ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍで長さ１ｍｍの配線をそれぞれ２０本形成した。続いて、回路上面から見た回路下端幅の最大値と最小値との差（μｍ）を測定し、５ヶ所を測定した平均値を結果とした。最大値と最小値との差が２μｍ以下であれば、良好な回路直線性を有すると判断して◎とした。また、最大値と最小値との差が２μｍ超え且つ４μｍ以下のときを〇とした。また、最大値と最小値との差が４μｍ超えのときを×とした。
＜ソルダーレジストの密着性＞
　ソルダーレジストの密着性は、次のようにして行った。まず、表面処理を行った後の電解銅箔の析出面側にソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、品名「ＰＳＲ－４０００ＡＵＳ３０８」）を塗布した後、乾燥（８０℃×３０分）、ポストキュア（１５０℃×６０分）及びポストＵＶ（高圧水銀灯、１０００ｍＪ／ｃｍ2）を順次行い、２０～３０μｍ厚のソルダーレジストの樹脂層（塗膜）を形成することによって試験片を作製した。次に、この試験片を２６０℃のはんだ槽に２０秒間浮かべた後に、はんだ層から取り出し、電解銅箔とソルダーレジストとの界面における膨れ（電解銅箔とソルダ－レジストとの剥離）を観察した。この評価において、電解銅箔の５％以上の面積において膨れによる界面の変色があったものを×（不合格）、電解銅箔の２％以上５％未満の面積において膨れによる界面の変色があったものを○、膨れによる界面の変色が全く発生しなかったか、又は電解銅箔の２％未満の面積において膨れによる界面の変色があったものを◎として評価した。
　試験条件及び試験結果を表２及び３に示す。また、図１（ａ）は、粗化処理層及び表面処理層を形成する前の実施例２の電解銅箔の光沢面のＳＥＭ像である。図１（ｂ）は、粗化処理層及び表面処理層を形成する前の実施例１０の電解銅箔の光沢面のＳＥＭ像である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
＜評価結果＞
　光沢面側に粗化処理層を有さない実施例９の電解銅箔は、光沢面側の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下及び２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下であり、析出面側については、面粗さＳａが０．１１５μｍ以上、２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上、最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上、最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上、最大高さＳｚが１．５００μｍ以上、クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下、スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下であった。そして、この電解銅箔は、回路形成性及びソルダーレジストの密着性が良好であった。また、この電解銅箔は、常温抗張力、高温抗張力、常温伸び及び高温伸びの結果も良好であった。
　また、光沢面側に粗化処理層を有する実施例１～８及び１０～１４の電解銅箔は、光沢面側の面粗さＳａが０．４７０μｍ以下及び２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下であり、析出面側については、面粗さＳａが０．１１５μｍ以上、２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上、最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上、最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上、最大高さＳｚが１．５００μｍ以上、クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下、スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下であった。そして、この電解銅箔は、回路形成性及びソルダーレジストの密着性が良好であった。また、この電解銅箔は、常温抗張力、高温抗張力、常温伸び及び高温伸びの結果も良好であった。
　これに対して光沢面側に粗化処理層を有する比較例１の電解銅箔は、光沢面側の面粗さＳａが０．４７０μｍを超えるとともに、２乗平均平方根高さＳｑも０．５５０μｍを超えていた。そのため、この電解銅箔は、回路形成性が十分でなかった。
　また、光沢面側に粗化処理層を有する比較例２の電解銅箔は、析出面側について、面粗さＳａが０．１１５μｍ未満、２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ未満、最大山高さＳｐが０．９００μｍ未満、最大谷深さＳｖが０．６００μｍ未満、最大高さＳｚが１．５００μｍ未満、クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下の範囲外、スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下の範囲外であった。そのため、この電解銅箔は、ソルダーレジストの密着性が十分でなかった。
　以上の結果からわかるように、本発明の実施形態によれば、回路形成性及びソルダーレジストの密着性に優れた電解銅箔を提供することができる。また、本発明の実施形態によれば、回路形成性及びソルダーレジストの密着性に優れた電解銅箔を用いた銅張積層板、プリント配線板及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法を提供することができる。

Claims (39)

  1. 　光沢面と析出面とを有する電解銅箔であって、
    　前記光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下であり、前記析出面側が下記の条件：
    　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である
    　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である
    　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である
    　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である
    　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である
    　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である
    　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である
    の少なくとも１つを満たす電解銅箔。
  2. 　前記析出面側が下記の条件：
    　（ａ）面粗さＳａが０．１２０μｍ以上である
    　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１３０μｍ以上である
    　（ｃ）最大山高さＳｐが１．０５０μｍ以上である
    　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．７４０μｍ以上である
    　（ｅ）最大高さＳｚが１．８００μｍ以上である
    　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．８０以上４．００以下である
    　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．２６以下である
    の少なくとも１つを満たす請求項１に記載の電解銅箔。
  3. 　前記光沢面側の面粗さＳａが０．３８０μｍ以下である請求項１又は２に記載の電解銅箔。
  4. 　前記光沢面側の面粗さＳａが０．３５５μｍ以下である請求項１～３のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  5. 　前記光沢面側の面粗さＳａが０．３００μｍ以下である請求項１～４のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  6. 　前記光沢面側の面粗さＳａが０．２００μｍ以下である請求項１～５のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  7. 　前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．４９０μｍ以下である請求項１～６のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  8. 　前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．４５０μｍ以下である請求項１～７のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  9. 　前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．４００μｍ以下である請求項１～８のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  10. 　前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．３３０μｍ以下である請求項１～９のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  11. 　光沢面と析出面とを有する電解銅箔であって、
    　前記光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面側の面粗さＳａが０．４７０μｍ以下であり、前記析出面側が下記の条件：
    　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である
    　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である
    　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である
    　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である
    　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である
    　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である
    　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である
    の少なくとも１つを満たす電解銅箔。
  12. 　前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下である請求項１１に記載の電解銅箔。
  13. 　前記光沢面側に前記粗化処理層を設ける前の前記光沢面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下である請求項１～１２のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  14. 　前記光沢面側に前記粗化処理層を設ける前の前記光沢面の面粗さＳａが０．１３０μｍ以下である請求項１～１３のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  15. 　前記光沢面側に前記粗化処理層を設ける前の前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下である請求項１～１４のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  16. 　前記光沢面側に前記粗化処理層を設ける前の前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以下である請求項１～１５のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  17. 　光沢面と析出面とを有する電解銅箔であって、
    　前記光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面側の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下であり、前記析出面側が下記の条件：
    　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である
    　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である
    　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である
    　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である
    　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である
    　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である
    　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である
    の少なくとも１つを満たす電解銅箔。
  18. 　前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下である請求項１７に記載の電解銅箔。
  19. 　光沢面と析出面とを有する電解銅箔であって、
    　前記光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下であり、前記析出面側が下記の条件：
    　（ａ）面粗さＳａが０．１１５μｍ以上である
    　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以上である
    　（ｃ）最大山高さＳｐが０．９００μｍ以上である
    　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．６００μｍ以上である
    　（ｅ）最大高さＳｚが１．５００μｍ以上である
    　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．７５以上４．００以下である
    　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．３５以下である
    の少なくとも１つを満たす電解銅箔。
  20. 　前記析出面側が下記の条件：
    　（ａ）面粗さＳａが０．１２０μｍ以上である
    　（ｂ）２乗平均平方根高さＳｑが０．１３０μｍ以上である
    　（ｃ）最大山高さＳｐが１．０５０μｍ以上である
    　（ｄ）最大谷深さＳｖが０．７４０μｍ以上である
    　（ｅ）最大高さＳｚが１．８００μｍ以上である
    　（ｆ）クルトシスＳｋｕが２．８０以上４．００以下である
    　（ｇ）スキューネスＳｓｋが０．００以上０．２６以下である
    の少なくとも１つを満たす請求項１７～１９のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  21. 　前記光沢面側の面粗さＳａが０．１５０μｍ以下である請求項１７～２０のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  22. 　前記光沢面側の面粗さＳａが０．１３０μｍ以下である請求項１７～２１のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  23. 　前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．２００μｍ以下である請求項１７～２２のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  24. 　前記光沢面側の２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以下である請求項１７～２３のいずれか一項に記載の電解銅箔
  25. 　常温抗張力が３０ｋｇ／ｍｍ2以上である請求項１～２４のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  26. 　常温伸びが３％以上である請求項１～２５のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  27. 　高温抗張力が１０ｋｇ／ｍｍ2以上である請求項１～２６のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  28. 　高温伸びが２％以上である請求項１～２７のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  29. 　前記析出面側に前記粗化処理層を有する請求項１～２８のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  30. 　前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である請求項１～１６のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  31. 　前記電解銅箔の光沢面側及び析出面側の少なくとも一方の粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の表面処理層を有する請求項１～１６のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  32. 　前記電解銅箔の光沢面側及び析出面側の少なくとも一方に樹脂層を備える請求項１～３１のいずれか一項に記載の電解銅箔。
  33. 　前記樹脂層が、前記粗化処理層又は前記表面処理層上に設けられている請求項３２に記載の電解銅箔。
  34. 　請求項１～３３のいずれか一項に記載の電解銅箔を有する銅張積層板。
  35. 　請求項１～３３のいずれか一項に記載の電解銅箔を有するプリント配線板。
  36. 　請求項１～３３のいずれか一項に記載の電解銅箔を用いるプリント配線板の製造方法。
  37. 　請求項１～３３のいずれか一項に記載の電解銅箔と絶縁基板とを積層して銅張積層板を作製した後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
  38. 　請求項３５に記載のプリント配線板を有する電子機器。
  39. 　請求項３５に記載のプリント配線板を用いる電子機器の製造方法。
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