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TW201900939A - 電解銅箔、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法 - Google Patents

電解銅箔、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法 Download PDF

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TW201900939A
TW201900939A TW107114974A TW107114974A TW201900939A TW 201900939 A TW201900939 A TW 201900939A TW 107114974 A TW107114974 A TW 107114974A TW 107114974 A TW107114974 A TW 107114974A TW 201900939 A TW201900939 A TW 201900939A
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TW
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copper foil
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foil according
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Application number
TW107114974A
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Inventor
犬飼賢二
小林洋介
飯田一彦
Original Assignee
日商Ｊｘ金屬股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 filed Critical 日商Ｊｘ金屬股份有限公司
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Abstract

一種電解銅箔，其具有光澤面及析出面。該電解銅箔於光澤面側具有粗化處理層，光澤面之均方根高度Sq為0.550μm以下，析出面側滿足下述條件中之至少一者：
(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上
(b)均方根高度Sq為0.120μm以上
(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上
(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上
(e)最大高度Sz為1.500μm以上
(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下
(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。

Description

電解銅箔、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法
本發明係關於一種電解銅箔及其製造方法、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法。
印刷配線板一般經如下步驟而製造：使絕緣基板(例如樹脂基板)接著於銅箔而製成覆銅積層板之後，藉由蝕刻而於銅箔形成導體圖案(電路)。
近年來，伴隨著電子機器之小型化及高性能化需求之增大，搭載零件之高密度封裝化或信號之高頻化等不斷進展，對於印刷配線板，亦要求導體圖案之微細化(微間距化)或對應高頻等。
因此，為了使用電解銅箔實現導體圖案之微細化，於專利文獻1中提出有將作為光澤劑而發揮作用之含硫化合物等添加劑添加至電解液而製作析出面側之表面平滑之電解銅箔之後，於電解銅箔形成電路。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-162172號公報
然而，專利文獻1之方法於電解液中包含之添加劑之影響下，於製造電解銅箔時，因常溫下之再結晶及伴隨其之收縮而銅箔容易產生皺褶。並且，於產生此種皺褶之情形時，其後使電解銅箔與絕緣基板(樹脂基板)接著時亦會產生皺褶。如此，若電解銅箔產生了皺褶，則於電解銅箔形成導體圖案時，微間距化變得困難，故而電路形成性難謂充分。另外，專利文獻1之電解銅箔亦存在如下問題：於添加至電解液之添加劑之影響下，機械特性(例如抗拉強度或高溫伸長率等)容易發生變化。
另一方面，為了確保絕緣性而防止短路，於導體圖案塗佈阻焊劑，故而對於成為導體圖案之電解銅箔之表面亦要求與阻焊劑之密接性良好。然而，若成為導體圖案之電解銅箔之表面平滑，則存在與阻焊劑之密接性降低之問題。因此，成為導體圖案之電解銅箔之表面需要一定程度之粗糙度。
如此，關於電解銅箔，為了提高與絕緣基板之接著性而進行微間距化，對於與絕緣基板接著之面要求平滑性，另一方面，為了確保阻焊劑之密接性，對於成為導體圖案之面要求一定程度之粗糙度。
本發明之若干個實施形態係為了解決如上所述之問題而成者，其課題在於提供一種電路形成性及阻焊劑之密接性優異之電解銅箔。
另外，本發明之若干個實施形態之課題在於提供一種使用電路形成性及阻焊劑之密接性優異之電解銅箔之覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法。
本發明人等為了解決上述問題而努力進行了研究，結果發現，將電解銅箔之光澤面側之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq控制為特定之範圍，並且將電解銅箔之析出面側之表面粗糙度Sa、均方根高度Sq、最大峰高度Sp、最大谷深度Sv、最大高度Sz、峰度Sku及偏斜度Ssk中之至少一者控制為特定之 範圍，藉此，光澤面成為與絕緣基板之接著性優異之表面狀態，且析出面成為阻焊劑之密接性優異之表面狀態，其結果為，可實現電路形成性與阻焊劑之密接性之兼顧，從而完成了本發明之若干個實施形態。
即，本發明之實施形態之電解銅箔具有光澤面及析出面，且於上述光澤面側具有粗化處理層，上述光澤面之均方根高度Sq為0.550μm以下，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：
(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上
(b)均方根高度Sq為0.120μm以上
(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上
(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上
(e)最大高度Sz為1.500μm以上
(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下
(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。
另外，本發明之另一實施形態之電解銅箔具有光澤面及析出面，且於上述光澤面側具有粗化處理層，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.470μm以下，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：
(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上
(b)均方根高度Sq為0.120μm以上
(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上
(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上
(e)最大高度Sz為1.500μm以上
(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下
(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。
另外，本發明之另一實施形態之電解銅箔具有光澤面及析出面，且於上述光澤面側不具有粗化處理層，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.270μm以下，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：
(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上
(b)均方根高度Sq為0.120μm以上
(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上
(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上
(e)最大高度Sz為1.500μm以上
(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下
(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。
另外，本發明之另一實施形態之電解銅箔具有光澤面及析出面，且於上述光澤面側不具有粗化處理層，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.315μm以下，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：
(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上
(b)均方根高度Sq為0.120μm以上
(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上
(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上
(e)最大高度Sz為1.500μm以上
(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下
(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。
另外，本發明之實施形態之覆銅積層板具有上述電解銅箔。
另外，本發明之實施形態之印刷配線板具有上述電解銅箔。
另外，本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法使用上述電解銅箔。
另外，本發明之另一實施形態之印刷配線板之製造方法包含如下步驟：將上述電解銅箔與絕緣基板積層而製作覆銅積層板之後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法而形成電路。
另外，本發明之實施形態之電子機器具有上述印刷配線板。
進而，本發明之實施形態之電子機器之製造方法使用上述印刷配線板。
根據本發明之若干個實施形態，可提供一種電路形成性及阻焊劑之密接性優異之電解銅箔。另外，根據本發明之若干個實施形態，可提供一種使用電路形成性及阻焊劑之密接性優異之電解銅箔之覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法。
圖1(a)係形成粗化處理層及表面處理層前之實施例2之電解銅箔的光澤面之SEM圖像，(b)係形成粗化處理層及表面處理層前之實施例10之電解銅箔的光澤面之SEM圖像。
以下，對本發明之電解銅箔之實施形態進行說明。
本發明之實施形態之電解銅箔具有光澤面及析出面。
此處，於本說明書中，「電解銅箔」意指利用電鍍之原理，使用電解轉筒而製作之銅箔及銅合金箔。
另外，於本說明書中，「電解銅箔之光澤面」意指製作電解銅箔時之轉筒側之表面(光亮(shiny)面：S面)，另外，「電解銅箔之析出面」意指與製 作電解銅箔時之轉筒相反之側之表面(粗糙(mat)面：M面)。
另外，於本說明書中，「光澤面側之表面粗糙度Sa」及「光澤面側之均方根高度Sq」於在電解銅箔(生箔)之光澤面設置粗化處理層及/或表面處理層之情形時，分別意指設置該層之後之表面(最外層之表面)之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq。另外，「光澤面之表面粗糙度Sa」及「光澤面之均方根高度Sq」分別意指於光澤面側設置粗化處理層及/或表面處理層前之光澤面之表面(最外層之表面)之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq。
另外，於本說明書中，「析出面側之表面粗糙度Sa」、「析出面側之均方根高度Sq」、「析出面側之最大峰高度Sp」、「析出面側之最大谷深度Sv」、「析出面側之最大高度Sz」、「析出面側之峰度Sku」及「析出面側之偏斜度Ssk」於在電解銅箔(生箔)之析出面設置粗化處理層及/或表面處理層之情形時，分別意指設置該層之後之表面(最外層之表面)之表面粗糙度Sa、均方根高度Sq、最大峰高度Sp、最大谷深度Sv、最大高度Sz、峰度Sku及偏斜度Ssk。
<於光澤面側不具有粗化處理層之電解銅箔>
本發明之實施形態之電解銅箔於一態樣中，於光澤面側不具有粗化處理層，光澤面側之表面粗糙度Sa為0.270μm以下及/或光澤面側之均方根高度Sq為0.315μm以下。
此處，於本說明書中，「表面粗糙度Sa」係將Ra三維擴展之粗糙度之參數，表示相對於表面之平均表面，各點之高度差的絕對值之平均值。另外，「均方根高度Sq」係將Rq三維擴展之粗糙度之參數，表示距表面之平均表面之距離之標準偏差。
藉由將光澤面側之表面粗糙度Sa及/或光澤面側之均方根高度Sq控制為上述範圍，而提高與絕緣基板之接著性，並且關於使用電解銅箔而形成之電路之間 距，能夠實現L/S(線/間隙)=22μm以下/22μm以下、較佳為20μm以下/20μm以下之微間距化。
電解銅箔之光澤面側之表面粗糙度Sa就提高微間距化之效果的觀點而言，較佳為0.230μm以下，更佳為0.180μm以下，進而較佳為0.150μm以下，最佳為0.133μm以下。此外，電解銅箔之光澤面側之表面粗糙度Sa之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
另外，電解銅箔之光澤面側之均方根高度Sq就提高微間距化之效果的觀點而言，較佳為0.200μm以下，更佳為0.180μm以下。此外，電解銅箔之光澤面側之均方根高度Sq之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
<於光澤面側具有粗化處理層之電解銅箔>
本發明之實施形態之電解銅箔於另一態樣中，於光澤面側具有粗化處理層，光澤面側之表面粗糙度Sa為0.470μm以下及/或光澤面側之均方根高度Sq為0.550μm以下。
一般而言，於光澤面側具有粗化處理層之電解銅箔存在微間距化降低之情況，但藉由將光澤面側之表面粗糙度及/或光澤面側之均方根高度Sq控制為上述範圍，而提高與絕緣基板之接著性，並且關於使用電解銅箔而形成之電路之間距，能夠實現L/S(線/間隙)=22μm以下/22μm以下、較佳為20μm以下/20μm以下之微間距化。
電解銅箔之光澤面側之表面粗糙度Sa就提高微間距化之效果的觀點而言，較佳為0.385μm以下，更佳為0.380μm以下，更佳為0.355μm以下，進而較佳為0.340μm以下，進而較佳為0.300μm以下，另外，進而較佳為0.295μm以下，另外，進而較佳為0.230μm以下，最佳為0.200μm以下。此 外，電解銅箔之光澤面側之表面粗糙度Sa之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
另外，電解銅箔之光澤面側之均方根高度Sq就提高微間距化之效果的觀點而言，較佳為0.490μm以下，更佳為0.450μm以下，更佳為0.435μm以下，進而較佳為0.400μm以下，進而較佳為0.395μm以下，另外，進而較佳為0.330μm以下，最佳為0.290μm以下。此外，電解銅箔之光澤面側之均方根高度Sq之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
具有如上所述之光澤面側之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq之本發明之實施形態之電解銅箔可藉由控制在光澤面側設置粗化處理層及/或表面處理層前之光澤面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq而獲得。
即，為了獲得本發明之實施形態之電解銅箔，只要將在光澤面側設置粗化處理層及/或表面處理層前之光澤面之表面粗糙度Sa控制為較佳為0.270μm以下，更佳為0.230μm以下，更佳為0.180μm以下，進而較佳為0.150μm以下，進而較佳為0.133μm以下，另外，進而較佳為0.130μm以下，最佳為0.120μm以下即可。此外，在光澤面側設置粗化處理層及/或表面處理層前之光澤面之表面粗糙度Sa之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
藉由將在光澤面側設置粗化處理層及/或表面處理層前之光澤面之表面粗糙度Sa控制為上述範圍，可將設置粗化處理層及/或表面處理層之後之光澤面側之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq控制為上述範圍，故而關於使用電解銅箔而形成之電路之間距，能夠實現L/S(線/間隙)=22μm以下/22μm以下、更佳為20μm以下/20μm以下之微間距化。
另外，為了獲得本發明之實施形態之電解銅箔，只要將在光澤面側設置粗化處理層及/或表面處理層前之光澤面之均方根高度Sq控制為較佳為0.315μm以下，更佳為0.292μm以下，更佳為0.230μm以下，進而較佳為0.200μm以下，進而較佳為0.180μm以下，另外，進而較佳為0.120μm以下，最佳為0.115μm以下即可。此外，在光澤面側設置粗化處理層及/或表面處理層前之光澤面之均方根高度Sq之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
藉由將在光澤面側設置粗化處理層及/或表面處理層前之光澤面之均方根高度Sq控制為上述範圍，可將設置粗化處理層及/或表面處理層之後之光澤面側之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq控制為上述範圍，故而關於使用電解銅箔而形成之電路之間距，能夠實現L/S(線/間隙)=22μm以下/22μm以下、更佳為20μm以下/20μm以下之微間距化。
關於本發明之實施形態之電解銅箔，析出面側滿足下述條件中之至少一者：
(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上
(b)均方根高度Sq為0.120μm以上
(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上
(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上
(e)最大高度Sz為1.500μm以上
(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下
(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。
藉由使析出面側滿足上述條件中之至少一者，析出面側之表面成為適度之粗糙度，其結果為，可提高阻焊劑之密接性。
此處，於本說明書中，「最大峰高度Sp」表示距表面之平均表 面之高度之最大值。另外，「最大谷深度Sv」表示距表面之平均表面之高度之最小值之絕對值。另外，「最大高度Sz」表示自表面之最高點至最低點之距離。另外，「峰度Sku」表示高度分佈之尖銳度，於Sku=3時，表示高度分佈為常態分佈，於Sku>3時，表示表面上尖銳之峰或谷較多，於Sku<3時，表示表面平坦。另外，「偏斜度Ssk」表示高度分佈之對稱性，於Ssk=0時，表示高度分佈上下對稱，於Ssk>0時，表示細小之峰較多之表面，於Ssk<0時，表示細小之谷較多之表面。
就穩定地確保阻焊劑之密接性之觀點而言，析出面側較佳為滿足至少2個條件，更佳為滿足至少3個條件，進而較佳為滿足至少4個條件，另外，進而較佳為滿足至少5個條件，尤佳為滿足至少6個條件，最佳為滿足7個所有條件較適當。
就穩定地確保阻焊劑之密接性之觀點而言，析出面側之表面粗糙度Sa較佳為0.120μm以上，更佳為0.130μm以上，進而較佳為0.140μm以上。此外，析出面側之表面粗糙度Sa之上限並無特別限定，一般為2.000μm以下，較佳為1.800μm以下，進而較佳為1.500μm以下，最佳為1.000μm以下。
就穩定地確保阻焊劑之密接性之觀點而言，析出面側之均方根高度Sq較佳為0.130μm以上，更佳為0.140μm以上，進而較佳為0.150μm以上。此外，析出面側之均方根高度Sq之上限並無特別限定，一般為2.000μm以下，較佳為1.800μm以下，進而較佳為1.500μm以下，最佳為1.300μm以下。
就穩定地確保阻焊劑之密接性之觀點而言，析出面側之最大峰高度Sp較佳為1.050μm以上，更佳為1.100μm以上，進而較佳為1.200μm以上。此外，析出面側之最大峰高度Sp之上限並無特別限定，一般為10.000μm以下，較佳為9.000μm以下，進而較佳為8.000μm以下，最佳為7.000μm以下。
就穩定地確保阻焊劑之密接性之觀點而言，析出面側之最大谷 深度Sv較佳為0.740μm以上，更佳為0.800μm以上，進而較佳為0.900μm以上。此外，析出面側之最大谷深度Sv之上限並無特別限定，一般為10.000μm以下，較佳為9.000μm以下，進而較佳為8.000μm以下。
就穩定地確保阻焊劑之密接性之觀點而言，析出面側之最大高度Sz較佳為1.800μm以上，更佳為1.900μm以上，進而較佳為2.000μm以上，最佳為2.200μm以上。此外，析出面側之最大高度Sz之上限並無特別限定，一般為20.000μm以下，較佳為18.000μm以下，進而較佳為15.000μm以下，最佳為14.000μm以下。
就穩定地確保阻焊劑之密接性之觀點而言，析出面側之峰度Sku較佳為2.80以上且4.00以下，更佳為2.85以上且3.90以下，進而較佳為2.90以上且3.80以下。
就穩定地確保阻焊劑之密接性之觀點而言，析出面側之偏斜度Ssk較佳為0.00以上且0.26以下，更佳為0.01以上且0.20以下。
滿足如上所述之析出面側之條件之本發明之實施形態之電解銅箔可藉由控制電解銅箔之製造條件(例如電解液之線速度、電流密度、添加至電解液之成分之濃度等)而獲得。
關於本發明之實施形態之電解銅箔，常溫抗拉強度較佳為30kg/mm2以上。此處，於本說明書中，「常溫抗拉強度」係指室溫下之抗拉強度，意指依據IPC-TM-650而測得者。若常溫抗拉強度為30kg/mm2以上，則有操作時不易產生皺褶之效果。就穩定地獲得該效果之觀點而言，常溫抗拉強度更佳為35kg/mm2以上。
關於本發明之實施形態之電解銅箔，常溫伸長率較佳為3%以上。此處，於本說明書中，「常溫伸長率」係指室溫下之伸長率，意指依據IPC-TM-650而測得者。若常溫伸長率為3%以上，則有不易斷裂之效果。就穩 定地獲得該效果之觀點而言，常溫伸長率更佳為4%以上。
關於本發明之實施形態之電解銅箔，高溫抗拉強度較佳為10kg/mm2以上。於本說明書中，「高溫抗拉強度」係指於180℃之抗拉強度，意指依據IPC-TM-650而測得者。若高溫抗拉強度為10kg/mm2以上，則有不易產生與樹脂之貼附時之皺褶之效果。就穩定地獲得該效果之觀點而言，高溫抗拉強度更佳為15kg/mm2以上。
關於本發明之實施形態之電解銅箔，高溫伸長率較佳為2%以上。於本說明書中，「高溫伸長率」係指於180℃之伸長率，意指依據IPC-TM-650而測得者。若高溫伸長率為2%以上，則對防止電路產生龜裂有效果。就穩定地獲得該效果之觀點而言，高溫伸長率較佳為3%以上，更佳為6%以上，進而較佳為15%以上。
作為本發明之實施形態之電解銅箔(生箔)之原材料即銅及銅合金之例，可列舉：純銅；摻Sn銅；摻Ag銅；添加了Ti、W、Mo、Cr、Zr、Mg、Ni、Sn、Ag、Co、Fe、As、P等之銅合金等。例如，由銅合金形成之電解銅箔可藉由在製造電解銅箔時使用之電解液中添加合金元素(例如，選自由Ti、W、Mo、Cr、Zr、Mg、Ni、Sn、Ag、Co、Fe、As及P所組成之群中之一種以上之元素)而製造。
電解銅箔(生箔)之厚度並無特別限定，典型而言，為0.5μm~3000μm，較佳為1.0μm~1000μm，更佳為1.0μm~300μm，更佳為1.0μm~100μm，進而較佳為3.0μm~75μm，進而較佳為4μm~40μm，另外，進而較佳為5μm~37μm，另外，進而較佳為6μm~28μm，另外，進而較佳為7μm~25μm，最佳為8μm~19μm。
<電解銅箔(生箔)之製造方法>
電解銅箔(生箔)係自硫酸銅鍍浴使銅電解析出至鈦或不鏽鋼製之轉筒上 而製造。以下，表示電解條件之例。
(電解條件)
電解液組成：50~150g/L之Cu、60~150g/L之H2SO4
電流密度：30~120A/dm2
電解液之線流速：1.5~5m/s
電解液溫度：50~60℃
添加物：20~80質量ppm之氯離子、0.01~5.0質量ppm之動物膠
此外，本說明書中記載之電解、蝕刻、表面處理或鍍覆等使用之處理液(蝕刻液、電解液等)之剩餘部分只要無特別明示，則為水。
關於所使用之電解轉筒，為了將所形成之電解銅箔(生箔)之光澤面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq控制為特定之範圍，將轉筒表面之表面粗糙度Sa設為0.270μm以下及/或將均方根高度Sq設為0.315μm以下。轉筒表面之表面粗糙度Sa較佳為0.150μm以下，轉筒表面之均方根高度Sq較佳為0.200μm以下。
於表面具有特定之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq之電解轉筒可以如下所示之方式製造。首先，利用粒度號數為300(P300)~500(P500)號之研磨帶對鈦或不鏽鋼製轉筒之表面進行研磨。此時，於轉筒之寬度方向按特定寬度捲繞研磨帶，同時以特定速度使研磨帶於轉筒之寬度方向上移動，並使轉筒旋轉，藉此進行研磨。研磨時之轉筒表面之旋轉速度係設為130m/分鐘~190m/分鐘。另外，研磨時間係設為研磨帶之1次道次中通過轉筒表面的(寬度方向之位置)1點之時間與道次次數之乘積。此外，上述1次道次中通過轉筒表面的1點之時間係設為研磨帶之寬度除以研磨帶的轉筒之寬度方向之移動速度而得之值。另外，研磨帶之1次道次意指自轉筒之軸(寬度)方向(電解銅箔之寬度方向)之一端部至另一端部，用研磨帶將轉筒之周方向之表面研磨1次。 即，研磨時間係以下述式表示。
研磨時間(分鐘)=每1道次之研磨帶之寬度(cm/次)/研磨帶之移動速度(cm/分鐘)×道次次數(次)
於習知電解銅箔(生箔)之製造中，研磨時間係設為1.6分鐘~3分鐘，但於本發明之實施形態中，設為3.5分鐘~10分鐘，另外，於本發明之實施形態中，於研磨時用水潤濕轉筒表面之情形時，設為6分鐘~10分鐘。作為上述研磨時間之算出例，例如於為10cm寬度之研磨帶且將移動速度設為20cm/分鐘時，轉筒表面的1點之1道次之研磨時間成為0.5分鐘。可藉由將合計之道次次數乘以研磨時間而算出(例如，0.5分鐘×10道次=5分鐘)。藉由增大研磨帶之粒度號數、及/或提高轉筒表面之旋轉速度、及/或延長研磨時間、及/或研磨時用水潤濕轉筒表面，可減小轉筒表面之表面粗糙度Sa及轉筒表面之均方根高度Sq。反之，藉由減小研磨帶之粒度號數、及/或降低轉筒表面之旋轉速度、及/或縮短研磨時間、及/或研磨時使轉筒表面乾燥，可增大轉筒表面之表面粗糙度Sa及轉筒表面之均方根高度Sq。此外，藉由延長研磨時間，可減小表面粗糙度Sa，並且以較Sa變小之程度更大之程度減小均方根高度Sq。反之，藉由縮短研磨時間，可增大表面粗糙度Sa，並且以較表面粗糙度Sa變大之程度更大之程度增大均方根高度Sq。此外，上述研磨帶之粒度號數意指用於研磨帶之研磨材之粒度。並且，該研磨材之粒度係依據FEPA(Federation of European Producers of Abrasives(歐洲磨料生產商聯合會))-標準(standard)43-1：2006，43-2：2006。
另外，藉由研磨時用水潤濕轉筒表面，可減小均方根高度Sq，並且以較均方根高度Sq變小之程度更大之程度減小表面粗糙度Sa。反之，藉由研磨時使轉筒表面乾燥，可增大均方根高度Sq，並且以較均方根高度Sq變大之程度更大之程度增大表面粗糙度Sa。
藉由使用如上所述般製作之於表面具有特定之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq之電解轉筒，可製造具有特定之光澤面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq之電解銅箔(生箔)。
此外，電解轉筒表面之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq可以如下方式進行測定。
‧將樹脂膜(聚氯乙烯)浸漬於溶劑(丙酮)中而使其膨潤。
‧使膨潤後之樹脂膜與電解轉筒之表面接觸，使丙酮自樹脂膜揮發之後將樹脂膜剝離，並採集電解轉筒表面之複製品。
‧利用雷射顯微鏡對複製品進行測定，測定表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之值。
並且，將所獲得之複製品之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之值設為電解轉筒表面之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq。
另一方面，為了將電解銅箔之析出面側之表面粗糙度Sa、均方根高度Sq、最大峰高度Sp、最大谷深度Sv、最大高度Sz、峰度Sku及偏斜度Ssk之至少一者控制為特定之範圍，只要調整電解液之線速度、電流密度、添加至電解液之成分之濃度即可。
一般而言，於欲增大電解銅箔之析出面側之表面粗糙度Sa、均方根高度Sq、最大峰高度Sp、最大谷深度Sv、最大高度Sz、峰度Sku及偏斜度Ssk之值之情形時，只要減小電解液之線流速，或提高電流密度，或提高電解液中之氯離子之濃度，或於0~數ppm之範圍內提高電解液中之動物膠之濃度，或將具有增加表面粗糙度之作用之添加物添加至電解液中即可。另外，有上述值隨著所使用之電解轉筒之粗糙度變大而增大之傾向。
反之，於欲減小電解銅箔之析出面側之表面粗糙度Sa、均方根高度Sq、最大峰高度Sp、最大谷深度Sv、最大高度Sz、峰度Sku及偏斜度Ssk之值之情形 時，添加具有使電解銅箔變平滑之作用之添加物，或使電解液中之氯離子之濃度低至0或極低，或於10ppm以上之範圍內提高電解液中之動物膠之濃度即可。另外，有上述值隨著所使用之電解轉筒之粗糙度變小而降低之傾向。
<粗化處理及表面處理>
作為表面處理，並無特別限定，可列舉：耐熱處理、防銹處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等。
此處，於本說明書中，將藉由粗化處理而形成之層稱為「粗化處理層」，將藉由耐熱處理而形成之層稱為「耐熱層」，將藉由防銹處理而形成之層稱為「防銹層」，將藉由鉻酸鹽處理而形成之層稱為「鉻酸鹽處理層」，將藉由矽烷偶合處理而形成之層稱為「矽烷偶合處理層」。
為了提高與絕緣基板(樹脂基板)之接著性，可於本發明之實施形態之電解銅箔之光澤面及析出面之至少一表面設置粗化處理層。作為粗化處理，並無特別限定，可藉由使粗化粒子電沈積至電解銅箔之表面而進行。例如，只要使銅或銅合金之粗化粒子電沈積至電解銅箔之表面即可。粗化粒子可為微細者，另外，其形狀為針狀、棒狀或粒子狀均可。粗化處理層可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成之群中之任一單質或含有任一種以上單質之合金所構成之層等。另外，使銅或銅合金之粗化粒子電沈積之後，亦可進行利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等使二次粒子或三次粒子進一步電沈積之粗化處理。
於進行粗化處理之情形時，於粗化處理層之表面形成耐熱層或防銹層，進而，於其表面形成鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層。
於不進行作為表面處理之粗化處理之情形時，於電解銅箔之表面形成耐熱層或防銹層，進而，於其表面形成有鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層。
此外，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層均可為單 層，但亦能以多層形成(例如2層以上、3層以上等)。
粗化處理層可使用由包含選自硫酸烷基酯鹽、鎢離子、砷離子中之物質之至少一種以上之硫酸-硫酸銅所構成之電解浴而形成。關於粗化處理層，為了防止落粉及提高剝離強度，較佳為利用由硫酸-硫酸銅所構成之電解浴進行鍍覆。
其具體之處理條件如下所述。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：39.3~120g/L
H2SO4：10~150g/L
Na2WO4‧2H2O：0~90mg/L
W：0~50mg/L
十二烷基硫酸鈉：0~50mg
As：0~2000mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
(電流條件1)
電流密度：25~110A/dm2
鍍覆時間：0.5~20秒
(液體組成2)
CuSO4‧5H2O：78~314g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
(電流條件2)
電流密度：5~50A/dm2
粗化庫侖量：50~300As/dm2
鍍覆時間：1~60秒
於形成銅-鈷-鎳合金鍍覆層作為粗化處理層之情形時，較佳為藉由電鍍，而使其成為如含量為15mg/dm2~40mg/dm2之銅、含量為100μg/dm2~3000μg/dm2之鈷、及含量為100μg/dm2~1500μg/dm2之鎳般之3元系合金層。若Co含量未達100μg/dm2，則存在耐熱性及蝕刻性降低之情況。另一方面，若Co含量超過3000μg/dm2，則於必須考慮磁性之影響之情形時欠佳，存在產生蝕刻斑並且耐酸性及耐化學品性降低之情況。另外，若Ni含量未達100μg/dm2，則存在耐熱性降低之情況。另一方面，若Ni含量超過1500μg/dm2，則存在蝕刻殘留物變多之情況。較佳之Co含量為1000μg/dm2~2500μg/dm2，較佳之Ni含量為500μg/dm2~1200μg/dm2。
此處，於本說明書中，「蝕刻斑」意指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留。另外，「蝕刻殘留物」意指於利用氯化銨進行鹼蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留。
用以形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍覆層之鍍浴及鍍覆條件之一例如下所述：鍍浴組成：10~20g/L之Cu、1~10g/L之Co、1~10g/L之Ni
pH：1~4
溫度：30~50℃
電流密度：20~30A/dm2
鍍覆時間：1~5秒
用以形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍覆層之鍍浴及鍍覆條件之另一例如下所述： 鍍浴組成：10~20g/L之Cu、1~10g/L之Co、1~10g/L之Ni
pH：1~4
溫度：30~50℃
電流密度：30~45A/dm2
鍍覆時間：0.1~2.0秒
此外，於形成上述粗化處理層之粗化處理中，藉由縮短鍍覆時間，可使光澤面側之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq變小。另一方面，於形成上述粗化處理層之表面處理中，藉由延長鍍覆時間，可使光澤面側之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq變大。
另外，於形成上述粗化處理層之粗化處理中，藉由提高電流密度且大幅縮短鍍覆時間，可使光澤面側之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq變得更小。另一方面，於形成上述粗化處理層之處理中，藉由提高電流密度且延長鍍覆時間，可使光澤面側之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq變得更大。
亦可於本發明之實施形態之電解銅箔之光澤面側及析出面側之至少一側設置表面處理層。作為表面處理層，並無特別限定，較佳為選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。一般而言，於在電解銅箔之光澤面側及析出面側之至少一側形成有粗化處理層之情形時，於其表面形成耐熱層或防銹層，於其上形成鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層。
本發明之實施形態之電解銅箔亦可於光澤面側及析出面側之至少一側設置樹脂層。該樹脂層一般形成於粗化處理層或表面處理層上。作為樹脂層，並無特別限定，較佳為絕緣樹脂層。
作為耐熱層及/或防銹層，並無特別限定，可使用公知者。耐熱層及/或防銹層例如可為包含選自由鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、 鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵及鉭所組成之群中之1種以上之元素之層，亦可為由選自由鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵及鉭所組成之群中之1種以上之元素所構成之金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層亦可包含含有選自由鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵及鉭所組成之群中之1種以上之元素之氧化物、氮化物或矽化物。另外，耐熱層及/或防銹層可為銅-鋅合金層、鋅-鎳合金層、鎳-鈷合金層、銅-鎳合金層、鉻-鋅合金層。另外，耐熱層及/或防銹層亦可為包含鎳-鋅合金之層。另外，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。於鎳-鋅合金層之情形時，較佳為除了不可避免之雜質以外，含有50質量%~99質量%之鎳、50質量%~1質量%之鋅。鎳-鋅合金層之鋅及鎳之合計含量較佳為5mg/m2~1000mg/m2，更佳為10mg/m2~500mg/m2，進而較佳為20mg/m2~100mg/m2。另外，包含鎳-鋅合金之層或鎳-鋅合金層之鎳含量與鋅含量之比(=鎳含量/鋅含量)較佳為1.5~10。另外，包含鎳-鋅合金之層或鎳-鋅合金層之鎳含量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。
例如，耐熱層及/或防銹層可為將含量為1mg/m2~100mg/m2、較佳為5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層、及含量為1mg/m2~80mg/m2、較佳為5mg/m2~40mg/m2之錫層依序積層而成者。鎳合金層可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種所構成。另外，關於耐熱層及/或防銹層，鎳或鎳合金與錫之合計含量較佳為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。另外，耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中之鎳含量]/[錫含量]=0.25~10，更佳為0.33~3。
鉻酸鹽處理層係利用含有鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液體處理過之層。鉻酸鹽處理層亦可包含鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、 銅、鋁、磷、鎢、錫、砷、鈦等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉：利用鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液處理過之鉻酸鹽處理層、或利用含有鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅之處理液處理過之鉻酸鹽處理層等。
作為用於矽烷偶合處理之矽烷偶合劑，並無特別限定，可使用公知者。作為矽烷偶合劑之例，可列舉：胺基系矽烷偶合劑、環氧系矽烷偶合劑、甲基丙烯醯氧基系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑等。具體而言，作為矽烷偶合劑，可使用：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。此外，矽烷偶合劑可單獨使用或混合2種以上而使用。另外，上述各種矽烷偶合劑之中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑。
作為胺基系矽烷偶合劑之具體例，可列舉：N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧 基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等。
關於矽烷偶合處理層，適宜為於以矽原子換算計較佳為0.05mg/m2~200mg/m2、更佳為0.15mg/m2~20mg/m2、進而較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍內進行設定。於為該範圍之情形時，可進一步提高絕緣基板(樹脂基板)與電解銅箔之密接性。
樹脂層可為接著劑之層，亦可為接著用之半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B階段狀態)包括即便用手指觸碰其表面亦無黏著感，可將該絕緣樹脂層重疊而保管，進而，若受到加熱處理，則會產生硬化反應之狀態。
另外，樹脂層可為包含熱硬化性樹脂或熱塑性樹脂之層。熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之種類並無特別限定，例如可列舉：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮醛樹脂、聚胺酯樹脂(polyurethane resin)等。其等可單獨使用或混合2種以上而使用。
樹脂層由包含公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體(可使用包含無機化合物及/或有機化合物之介電體、包含金屬氧化物之介電體等任何介電體)、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等之組成物形成為宜。另外，樹脂層例如亦可使用國際公開第2008/004399號、國際公開第2008/053878號、國際公開第2009/084533號、日本特開平11-5828號公報、日本特開平11-140281號公報、日本專利第3184485號公報、國際公開第 97/02728號、日本專利第3676375號公報、日本特開2000-43188號公報、日本專利第3612594號公報、日本特開2002-179772號公報、日本特開2002-359444號公報、日本特開2003-304068號公報、日本專利第3992225號公報、日本特開2003-249739號公報、日本專利第4136509號公報、日本特開2004-82687號公報、日本專利第4025177號公報、日本特開2004-349654號公報、日本專利第4286060號公報、日本特開2005-262506號公報、日本專利第4570070號公報、日本特開2005-53218號公報、日本專利第3949676號公報、日本專利第4178415號公報、國際公開第2004/005588號、日本特開2006-257153號公報、日本特開2007-326923號公報、日本特開2008-111169號公報、日本專利第5024930號公報、國際公開第2006/028207號、日本專利第4828427號公報、日本特開2009-67029號公報、國際公開第2006/134868號、日本專利第5046927號公報、日本特開2009-173017號公報、國際公開第2007/105635號、日本專利第5180815號公報、國際公開第2008/114858號、國際公開第2009/008471號、日本特開2011-14727號公報、國際公開第2009/001850號、國際公開第2009/145179號、國際公開第2011/068157號、日本特開2013-19056號公報中記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
例如，將樹脂溶解於甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中而製成樹脂液，利用輥式塗佈法等公知之方法將其塗佈於電解銅箔、粗化處理層或表面處理層上，繼而，視需要進行加熱乾燥而將溶劑去除，藉此，使其成為B階段狀態。乾燥例如使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度為100℃~250℃、較佳為130℃~200℃即可。
具有樹脂層之電解銅箔係以如下態樣使用：於使該樹脂層與絕緣基板(樹脂基板)重疊後，將整體熱壓接而使樹脂層熱硬化，其後，形成特 定之配線圖案。
若使用上述附樹脂層之電解銅箔，則可減少多層印刷配線基板之製造時之預浸體材料之使用片數。並且，可將樹脂層之厚度設為可確保層間絕緣之厚度，或者即便完全不使用預浸體材料，亦可製造覆銅積層板。另外，亦可將絕緣樹脂底漆塗佈於基材之表面而進一步改善表面之平滑性。
此外，於不使用預浸體材料之情形時，有如下優點：節約預浸體材料之材料成本，另外，積層步驟亦簡化，故而於經濟面有利，並且，僅以相當於預浸體材料之厚度製造之多層印刷配線基板之厚度變薄，可製造1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
樹脂層之厚度並無特別限定，較佳為0.1μm~80μm。若樹脂層之厚度變得薄於0.1μm，則接著力降低，在不介置預浸體材料之情況下將附樹脂層之電解銅箔積層於具備內層材料之基材時，存在難以確保與內層材料之電路之間之層間絕緣之情況。另一方面，若使樹脂層之厚度厚於80μm，則難以利用1次塗佈步驟便形成目標厚度之樹脂層，耗費多餘之材料費及步驟數，故而於經濟面不利。進而，關於所形成之樹脂層，其可撓性較差，故而存在如下情況：於操作時易於發生龜裂等，另外，與內層材料之熱壓接時會導致過度之樹脂流動而難以順利地積層。
另外，作為附樹脂層之電解銅箔之另一製品形態，亦可以將半硬化狀態之樹脂層形成於光澤面或表面處理層上之形式販售。
進而，藉由將電子零件類搭載於印刷配線板，而完成印刷電路板。於本說明書中，「印刷配線板」包括搭載有電子零件類之印刷配線板、印刷電路板、印刷基板、軟性印刷配線板及剛性印刷配線板。
另外，可使用印刷配線板製作電子機器，亦可使用搭載有電子零件類之印刷電路板製作電子機器，亦可使用搭載有電子零件類之印刷基板製作電子機 器。以下，示出若干個使用本發明之實施形態之電解銅箔之印刷配線板之製造步驟之例。
本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法包含如下步驟：將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板積層而形成覆銅積層板之後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法或減成法中之任一方法而形成電路。此處，絕緣基板亦可設為含內層電路者。
於本說明書中，「半加成法」意指如下方法：於絕緣基板或銅箔晶種層上進行較薄之無電解鍍覆，形成圖案之後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案。
因此，使用半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法於一態樣中包含如下步驟：將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板(樹脂基板)積層之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法而將電解銅箔全部去除之步驟；於藉由利用蝕刻去除電解銅箔而露出之樹脂設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣(desmear)處理之步驟；對於樹脂、以及包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍覆層之步驟；於無電解鍍覆層上設置抗鍍覆層之步驟；對抗鍍覆層進行曝光之後，將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除之步驟；於去除了抗鍍覆層之供形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍覆層之步驟；及藉由快速蝕刻(flash etching)等而將位於供形成電路之區域以外之區域之無電解鍍覆層去除之步驟。
使用半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法於 另一態樣中包含如下步驟：將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板積層之步驟；於電解銅箔及絕緣基板(樹脂基板)設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法而將電解銅箔全部去除之步驟；對於藉由利用蝕刻等去除電解銅箔而露出之樹脂、以及包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍覆層之步驟；於無電解鍍覆層上設置抗鍍覆層之步驟；對抗鍍覆層進行曝光之後，將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除之步驟；於去除了抗鍍覆層之供形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍覆層之步驟；及藉由快速蝕刻等而將位於供形成電路之區域以外之區域之無電解鍍覆層去除之步驟。
使用半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法於另一態樣中包含如下步驟：將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板積層之步驟；於電解銅箔及絕緣基板(樹脂基板)設置通孔及/或盲孔之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法而將電解銅箔全部去除之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對於藉由利用蝕刻等去除電解銅箔而露出之樹脂、以及包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍覆層之步驟；於無電解鍍覆層上設置抗鍍覆層之步驟； 對抗鍍覆層進行曝光之後，將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除之步驟；於去除了抗鍍覆層之供形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍覆層之步驟；及藉由快速蝕刻等而將位於供形成電路之區域以外之區域之無電解鍍覆層去除之步驟。
使用半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法於另一態樣中包含如下步驟：將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板積層之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法而將電解銅箔全部去除之步驟；對於藉由利用蝕刻去除電解銅箔而露出之樹脂之表面設置無電解鍍覆層之步驟；於無電解鍍覆層上設置抗鍍覆層之步驟；對抗鍍覆層進行曝光之後，將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除之步驟；於去除了抗鍍覆層之供形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍覆層之步驟；及藉由快速蝕刻等而將位於供形成電路之區域以外之區域之無電解鍍覆層及電解銅箔去除之步驟。
於本說明書中，「改良半加成法」意指如下方法：於絕緣基板上積層電解銅箔，利用抗鍍覆層保護非電路形成部，並藉由電鍍而進行電路形成部之厚銅覆層之後，將抗蝕劑去除，利用(快速)蝕刻將電路形成部以外之電解銅箔去除，藉此，於絕緣基板上形成電路。
因此，使用改良半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法於一態樣中包含如下步驟： 將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板積層之步驟；於電解銅箔及絕緣基板設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對於包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍覆層之步驟；於電解銅箔設置抗鍍覆層之步驟；設置抗鍍覆層之後，藉由電鍍而形成電路之步驟；去除抗鍍覆層之步驟；及利用快速蝕刻將藉由去除抗鍍覆層而露出之電解銅箔去除之步驟。
使用改良半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法於另一態樣中包含如下步驟：將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板積層之步驟；於電解銅箔上設置抗鍍覆層之步驟；對抗鍍覆層進行曝光之後，將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除之步驟；於去除了抗鍍覆層之供形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍覆層之步驟；及藉由快速蝕刻等而將位於供形成電路之區域以外之區域之無電解鍍覆層及電解銅箔去除之步驟。
於本說明書中，「部分加成法」意指如下方法：於設置導體層而成之基板、視需要穿有通孔或通路孔(via hole)用之孔而成之基板上賦予觸媒核，並進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊劑或抗鍍覆層之後，藉由無電解鍍覆處理而於導體電路上、或通孔、通路孔等進行厚鍍覆，藉此製造印刷配線板。
因此，使用部分加成法之本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法於一態樣中包含如下步驟： 將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板積層之步驟；於電解銅箔及絕緣基板設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域賦予觸媒核之步驟；於電解銅箔設置抗蝕刻層之步驟；對抗蝕刻層進行曝光，而形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法而將電解銅箔及上述觸媒核去除，而形成電路之步驟；去除抗蝕刻層之步驟；於藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將電解銅箔及觸媒核去除而露出之上述絕緣基板表面設置阻焊劑或抗鍍覆層之步驟；及於未設置阻焊劑或抗鍍覆層之區域設置無電解鍍覆層之步驟。
於本說明書中，「減成法」意指如下方法：藉由蝕刻等而將覆銅積層板上之銅箔之不需要部分選擇性地去除，而形成導體圖案。
因此，使用減成法之本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法於一態樣中包含如下步驟：將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板積層之步驟；於電解銅箔及絕緣基板設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對於包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍覆層之步驟；於無電解鍍覆層之表面設置電鍍層之步驟；於電解鍍覆層及/或電解銅箔之表面設置抗蝕刻層之步驟；對抗蝕刻層進行曝光，而形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法而將電解銅箔、無電解鍍覆層 及上述電解鍍覆層去除，而形成電路之步驟；及去除抗蝕刻層之步驟。
使用減成法之本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法於另一態樣中包含如下步驟：將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板積層之步驟；於電解銅箔及絕緣基板設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對於包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍覆層之步驟；於無電解鍍覆層之表面形成遮罩之步驟；於未形成有遮罩之無電解鍍覆層之表面設置電鍍層之步驟；於電解鍍覆層及/或電解銅箔之表面設置抗蝕刻層之步驟；對抗蝕刻層進行曝光，而形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法而將電解銅箔及無電解鍍覆層去除，而形成電路之步驟；及去除抗蝕刻層之步驟。
此外，亦可不進行設置通孔及/或盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
[實施例]
以下，藉由實施例及比較例而對本發明之實施形態詳細地進行說明，但本發明並不受該等限定。
1.電解銅箔之製作(實施例1~18、比較例1及2)
準備鈦製之轉筒(電解轉筒)。其次，於表1中記載之條件下對電解轉筒之表面進行研磨，而製成具有特定之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之電解轉筒。具體而言，利用表1中記載之粒度號數之研磨帶對電解轉筒之表面進行研 磨。此時，於轉筒之寬度方向按特定寬度捲繞研磨帶，同時使研磨帶於轉筒之寬度方向上移動，並使轉筒旋轉，藉此進行研磨。將研磨時之轉筒表面之旋轉速度示於表1中。另外，研磨時間係設為由研磨帶之寬度及研磨帶之移動速度而得之1次道次中通過轉筒表面之1點之時間與道次次數之乘積。此處，研磨帶之1次道次意指自軸方向(電解銅箔之寬度方向)之一端部至另一端部，用研磨帶將轉筒之周方向之表面研磨1次。即，研磨時間以下述式表示。
研磨時間(分鐘)=每1道次之研磨帶之寬度(cm/次)/研磨帶之移動速度(cm/分鐘)×道次次數(次)
其次，於電解槽中配置上述電解轉筒，並且於電解轉筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，於電解槽中，於下述條件下進行電解，同時使電解轉筒旋轉，並使銅析出至電解轉筒之表面直至其成為表2中記載之厚度。
<電解條件>
電解液組成：100g/L之Cu、100g/L之H2SO4
電流密度：90A/dm2
電解液流速：2.0m/秒
電解液溫度：60℃
添加物：60質量ppm之氯離子、動物膠(於實施例1、2、5、6及10~12、以及比較例1中，設為0.02ppm，於實施例3、4、7~9及13~18中，設為4.5ppm)。
於比較例2中，於下述條件下進行電解，使銅析出至電解轉筒之表面直至其成為表2中記載之厚度。
<電解條件>
電解液組成：50~150g/L之Cu、60~150g/L之H2SO4
電流密度：10~80A/dm2
電解液流速：1.5~5m/秒
電解液溫度：50~60℃
添加物：10~100質量ppm之氯離子、10~100質量ppm之雙(3-磺丙基)二硫醚、10~100質量ppm之三級胺化合物。
此外，使用以下之化合物作為上述三級胺化合物。
於上述化學式中，R1及R2同為甲基。此外，上述三級胺化合物例如可藉由將長瀨化成股份有限公司製造之Denacol Ex-314及二甲基胺混合特定量，並於60℃使其反應3小時而獲得。
其次，將析出至旋轉之電解轉筒之表面之銅剝取，而連續地製造電解銅箔。
關於實施例1~4及10以及比較例1及2，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之電解轉筒側之表面(光澤面)依序實施以下之(1)~(4)所示之處理。另外，關於實施例1及2以及比較例1及2，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之與電解轉筒側相反之表面(析出面)依序實施以下之(2)~(4)所示之處理。另外，關於實施例10，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之與電解轉筒側相反之表面(析出面)依序實施以下之(1)~(4)所示之處理。另外，關於實施例3，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之與電解轉筒側相反之表面(析出面)實施以下之(3)所示之處理。另外，關於實施例4，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之與電解轉筒側相反之表面(析出面)實施以下之(4)所示之處理。
(1)粗化處理
使用由Cu、H2SO4、As及W所構成之以下記載之銅粗化鍍浴，使粗化粒子電沈積至表面。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：120g/L
H2SO4：120g/L
Na2WO4‧2H2O：20mg/L
十二烷基硫酸鈉：30mg
As：1mg/L
(電鍍條件1)
溫度：40℃
(電流條件1)
電流密度：70A/dm2
鍍覆時間：2秒
(液體組成2)
CuSO4‧5H2O：240g/L
H2SO4：120g/L
(電鍍條件2)
溫度：55℃
(電流條件2)
電流密度：20A/dm2
鍍覆時間：7秒
(2)障壁處理(耐熱處理)
進行鎳鋅合金鍍覆。
(液體組成)
Ni：13g/L
Zn：5g/L
pH：2
(電鍍條件)
溫度：40℃
電流密度：8A/dm2
(3)鉻酸鹽處理
進行鉻酸鋅處理。
(液體組成)
CrO3：2.5g/L
Zn：0.7g/L
Na2SO4：10g/L
pH：4.8
(鉻酸鋅條件)
溫度：54℃
電流密度：0.7A/dm2
(4)矽烷偶合處理
(液體組成)
四乙氧基矽烷含量：0.4vol%
pH：7.5
塗佈方法：溶液之噴霧
關於實施例5~8及14~18，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之電解轉筒側之表面(光澤面)依序實施以下之(1)~(5)所示之處理。另外，關於實施例5~8及15~18，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之與電解轉筒側相反之表面(析出面)依序實施以下之(2)~(5)所示之處理。另外，關於實施例14，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之與電解轉筒側相反之表面(析出面)依序實施以下之(4)及(5)所示之處理。
(1)粗化處理
為了使3元系銅-鈷-鎳合金鍍覆之粗化粒子電沈積至表面，於以下之鍍浴及鍍覆條件下進行粗化處理。
鍍浴組成：16g/L之Cu、10g/L之Co、10g/L之Ni
pH：1~4
溫度：30℃
電流密度：30A/dm2
鍍覆時間：2秒
(2)耐熱處理
進行Co-Ni合金鍍覆。將Co-Ni合金鍍覆條件記載於下文。
(電解液組成)
Co：10g/L
Ni：20g/L
pH：1.0~3.5
(電解液溫度)
35℃
(電流條件)
電流密度：10A/dm2
鍍覆時間：1秒
(3)防銹處理
進行鋅-鎳合金鍍覆。
(液體組成)
Ni：15g/L
Zn：50g/L
pH：3~4
(電鍍條件)
溫度：50℃
電流密度：0.3A/dm2
鍍覆時間：實施例5及8為2.43秒，實施例6為2.61秒，實施例7為2.32秒，實施例14~18為0.5~5秒
(4)鉻酸鹽處理
進行鉻酸鋅處理。
(液體組成)
CrO3：2.5g/L
Zn：0.7g/L
Na2SO4：10g/L
pH：4.8
(鉻酸鋅條件)
溫度：54℃
電流密度：0.7A/dm2
(5)矽烷偶合處理
(液體組成)
N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷含量：0.4vol%
pH：7.5
塗佈方法：溶液之噴霧
關於實施例9，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之電解轉筒側之表面(光澤面)及與電解轉筒側相反之表面(析出面)依序實施以下之(1)~(3)所示之處理。
(1)障壁處理(耐熱處理)
進行鎳-鋅合金鍍覆。
(液體組成)
Ni：13g/L
Zn：5g/L
pH：2
(電鍍條件)
溫度：40℃
電流密度：8A/dm2
(2)鉻酸鹽處理
進行鉻酸鋅處理。
(液體組成)
CrO3：2.5g/L
Zn：0.7g/L
Na2SO4：10g/L
pH：4.8
(鉻酸鋅條件)
溫度：54℃
電流密度：0.7A/dm2
(3)矽烷偶合處理
(液體組成)
四乙氧基矽烷含量：0.4vol%
pH：7.5
塗佈方法：溶液之噴霧
上述處理之後，進而於下述條件下於表面處理層之表面形成樹脂層。
(樹脂合成例)
於附不鏽鋼製之錨式攪拌棒、氮氣導入管及活栓之閘上安裝具備球形冷凝管之回流冷卻器而成之2升之三頸瓶中添加3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊內酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯啶酮(以下，記為NMP)300g、及甲苯20g，以180℃加熱1小時並冷卻至室溫附近之後，添加3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP 200g、及甲苯40g，於室溫下混合1小時之後，以180℃加熱3小時，而獲得固形物成分為38%之嵌段共聚聚醯亞胺。關於該嵌段共聚聚醯亞胺，為下述所示之通式(1)：通式(2)=3：2，數量平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。
利用NMP將合成例中所獲得之嵌段共聚聚醯亞胺溶液進一步稀釋，而製成固形物成分10%之嵌段共聚聚醯亞胺溶液。於該嵌段共聚聚醯亞胺溶液中，將雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷(BMI-H，K-I化成)之固形物成分重量比率設為35，將嵌段共聚聚醯亞胺之固形物成分重量比率設為65(即，樹脂溶液中包含之雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷之固形物成分重量：樹脂溶液 中包含之嵌段共聚聚醯亞胺之固形物成分重量=35：65)，以60℃溶解混合20分鐘而製成樹脂溶液。其後，使用逆輥塗佈機將樹脂溶液塗佈於電解銅箔之表面處理層之表面，在氮氣環境下，以120℃、3分鐘以160℃、3分鐘進行乾燥處理之後，最後以300℃進行2分鐘之加熱處理，而製作具備樹脂層之電解銅箔。此外，樹脂層之厚度設為2μm。
關於實施例11~13，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之電解轉筒側之表面(光澤面)進行以下之(1)所示之粗化處理之後，依序實施與實施例5~8及14同樣之(2)~(5)之處理。另外，關於實施例11~13，對以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之與電解轉筒側相反之表面(光澤面)依序實施與實施例5~8之(2)~(5)同樣之處理。
(1)粗化處理
為了使3元系銅-鈷-鎳合金鍍覆之粗化粒子電沈積至表面，於以下之鍍浴及鍍覆條件下進行粗化處理。
鍍浴組成：10~20g/L之Cu、1~10g/L之Co、1~10g/L之Ni
pH：1~4
溫度：30~50℃
電流密度：30~45A/dm2
鍍覆時間：0.1~1.5秒
2.電解銅箔之評價
<光澤面及光澤面側之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq>
光澤面及光澤面側之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq係針對進行粗化處理及/或表面處理之前後之電解銅箔之光澤面，依據ISO-25178-2：2012，使用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4100(LEXT OLS 4100)進行測定。此時，關於雷射顯微鏡，使用物鏡50倍進行3處之200μm×1000μm面積(具體而 言，為200000μm2)之測定，而算出表面粗糙度Sa及均方根高度Sq。分別將3處所獲得之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之算術平均值作為表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之值。此外，於雷射顯微鏡測定中，於測定結果之測定面並非平面之情形時(成為曲面之情形)，進行平面修正，其後算出表面粗糙度Sa及均方根高度Sq。另外，利用雷射顯微鏡測定表面粗糙度Sa時之環境溫度係設為23~25℃。
<析出面側之表面粗糙度Sa、均方根高度Sq、最大峰高度Sp、最大谷深度Sv、最大高度Sz、峰度Sku及偏斜度Ssk>
析出面側之表面粗糙度Sa、均方根高度Sq、最大峰高度Sp、最大谷深度Sv、峰度Sku及偏斜度Ssk係針對進行粗化處理及/或表面處理後之電解銅箔之析出面，依據ISO-25178-2：2012，使用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4100(LEXT OLS 4100)進行測定。此時之測定條件設為與光澤面及光澤面側之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之測定條件相同。
<常溫抗拉強度、高溫抗拉強度>
對於進行粗化處理及/或表面處理後之電解銅箔，依據IPC-TM-650對常溫抗拉強度及高溫抗拉強度進行測定。
<常溫伸長率、高溫伸長率>
對於進行粗化處理及/或表面處理後之電解銅箔，依據IPC-TM-650對常溫伸長率及高溫伸長率進行測定。此外，如上所述，「高溫抗拉強度」意指於180℃之抗拉強度。另外，「高溫伸長率」意指於180℃之伸長率。
<電路形成性>
藉由熱壓接而使進行粗化處理及/或表面處理後之電解銅箔分別自光澤面側貼合於雙順丁烯二醯亞胺三樹脂預浸體。其後，對貼合於預浸體之電解銅箔自析出面側進行蝕刻直至其厚度成為9μm。然後，於進行蝕刻之後之電解銅箔 之表面設置抗蝕刻層，進行曝光及顯影而形成抗蝕圖案。其後，利用氯化鐵進行蝕刻，以L/S=25μm/25μm、L/S=22μm/22μm、L/S=20μm/20μm、及L/S=15μm/15μm分別形成20根長度1mm之配線。繼而，測定自電路上表面觀察到之電路下端寬度之最大值與最小值之差(μm)，將測定5處所得之平均值作為結果。若最大值與最小值之差為2μm以下，則判斷為具有良好之電路直線性，並設為◎。另外，將最大值與最小值之差超過2μm且為4μm以下時設為○。另外，將最大值與最小值之差超過4μm時設為×。
<阻焊劑之密接性>
阻焊劑之密接性係以如下方式進行。首先，於進行表面處理後之電解銅箔之析出面側塗佈阻焊劑(太陽油墨製造股份有限公司製造，商品名「PSR-4000AUS308」)，其後依序進行乾燥(80℃×30分鐘)、後硬化(150℃×60分鐘)及後UV(高壓水銀燈，1000mJ/cm2)，而形成20~30μm厚之阻焊劑之樹脂層(塗膜)，藉此製作試片。其次，使該試片漂浮於260℃之焊料槽20秒鐘之後，將其自焊料層取出，並對電解銅箔與阻焊劑之界面處之膨脹(電解銅箔與阻焊劑之剝離)進行觀察。於該評價中，將電解銅箔之5%以上之面積中存在由膨脹所導致之界面變色者設為×(不合格)，將電解銅箔之2%以上且未達5%之面積中存在由膨脹所導致之界面變色者設為○，將完全未產生由膨脹所導致之界面變色、或者電解銅箔之未達2%之面積中存在由膨脹所導致之界面變色者設為◎，而進行評價。
將試驗條件及試驗結果示於表2及3中。另外，圖1(a)係形成粗化處理層及表面處理層前之實施例2之電解銅箔的光澤面之SEM圖像。圖1(b)係形成粗化處理層及表面處理層前之實施例10之電解銅箔的光澤面之SEM圖像。
<評價結果>
關於在光澤面側不具有粗化處理層之實施例9之電解銅箔，光澤面側之表面粗糙度Sa為0.270μm以下及均方根高度Sq為0.315μm以下，關於析出面側，表面粗糙度Sa為0.115μm以上，均方根高度Sq為0.120μm以上，最大峰高度Sp為0.900μm以上，最大谷深度Sv為0.600μm以上，最大高度Sz為1.500μm以上，峰度Sku為2.75以上且4.00以下，偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。並且，該電解銅箔之電路形成性及阻焊劑之密接性良好。另外，該電解銅箔之常溫抗拉強度、高溫抗拉強度、常溫伸長率及高溫伸長率之結果亦良好。
另外，關於在光澤面側具有粗化處理層之實施例1~8及10~14之電解銅 箔，光澤面側之表面粗糙度Sa為0.470μm以下及均方根高度Sq為0.550μm以下，關於析出面側，表面粗糙度Sa為0.115μm以上，均方根高度Sq為0.120μm以上，最大峰高度Sp為0.900μm以上，最大谷深度Sv為0.600μm以上，最大高度Sz為1.500μm以上，峰度Sku為2.75以上且4.00以下，偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。並且，該電解銅箔之電路形成性及阻焊劑之密接性良好。另外，該電解銅箔之常溫抗拉強度、高溫抗拉強度、常溫伸長率及高溫伸長率之結果亦良好。
與此相對，關於在光澤面側具有粗化處理層之比較例1之電解銅箔，光澤面側之表面粗糙度Sa超過0.470μm，並且均方根高度Sq亦超過0.550μm。因此，該電解銅箔之電路形成性不充分。
另外，關於在光澤面側具有粗化處理層之比較例2之電解銅箔之析出面側，表面粗糙度Sa未達0.115μm，均方根高度Sq未達0.120μm，最大峰高度Sp未達0.900μm，最大谷深度Sv未達0.600μm，最大高度Sz未達1.500μm，峰度Sku為2.75以上且4.00以下之範圍外，偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下之範圍外。因此，該電解銅箔之阻焊劑之密接性不充分。
由以上之結果可知，根據本發明之實施形態，可提供一種電路形成性及阻焊劑之密接性優異之電解銅箔。另外，根據本發明之實施形態，可提供一種使用電路形成性及阻焊劑之密接性優異之電解銅箔之覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法。

Claims (39)

  1. 一種電解銅箔，其具有光澤面及析出面，且於上述光澤面側具有粗化處理層，上述光澤面之均方根高度Sq為0.550μm以下，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上(b)均方根高度Sq為0.120μm以上(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上(e)最大高度Sz為1.500μm以上(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。
  2. 如請求項1所述之電解銅箔，其中，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：(a)表面粗糙度Sa為0.120μm以上(b)均方根高度Sq為0.130μm以上(c)最大峰高度Sp為1.050μm以上(d)最大谷深度Sv為0.740μm以上(e)最大高度Sz為1.800μm以上(f)峰度Sku為2.80以上且4.00以下(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.26以下。
  3. 如請求項1或2所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.380μm以下。
  4. 如請求項1至3中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.355μm以下。
  5. 如請求項1至4中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.300μm以下。
  6. 如請求項1至5中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.200μm以下。
  7. 如請求項1至6中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.490μm以下。
  8. 如請求項1至7中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.450μm以下。
  9. 如請求項1至8中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.400μm以下。
  10. 如請求項1至9中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.330μm以下。
  11. 一種電解銅箔，其具有光澤面及析出面，且於上述光澤面側具有粗化處理層，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.470μm以下，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上(b)均方根高度Sq為0.120μm以上(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上(e)最大高度Sz為1.500μm以上(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。
  12. 如請求項11所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.550μm以下。
  13. 如請求項1至12中之任一項所述之電解銅箔，其中，於上述光澤面側設置上述粗化處理層前之上述光澤面之表面粗糙度Sa為0.270μm以下。
  14. 如請求項1至13中之任一項所述之電解銅箔，其中，於上述光澤面側設置上述粗化處理層前之上述光澤面之表面粗糙度Sa為0.130μm以下。
  15. 如請求項1至14中之任一項所述之電解銅箔，其中，於上述光澤面側設置上述粗化處理層前之上述光澤面之均方根高度Sq為0.315μm以下。
  16. 如請求項1至15中之任一項所述之電解銅箔，其中，於上述光澤面側設置上述粗化處理層前之上述光澤面之均方根高度Sq為0.120μm以下。
  17. 一種電解銅箔，其具有光澤面及析出面，且於上述光澤面側不具有粗化處理層，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.270μm以下，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上(b)均方根高度Sq為0.120μm以上(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上(e)最大高度Sz為1.500μm以上(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。
  18. 如請求項17所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.315μm以下。
  19. 一種電解銅箔，其具有光澤面及析出面，且於上述光澤面側不具有粗化處理層，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.315μm以下，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：(a)表面粗糙度Sa為0.115μm以上 (b)均方根高度Sq為0.120μm以上(c)最大峰高度Sp為0.900μm以上(d)最大谷深度Sv為0.600μm以上(e)最大高度Sz為1.500μm以上(f)峰度Sku為2.75以上且4.00以下(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.35以下。
  20. 如請求項17至19中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述析出面側滿足下述條件中之至少一者：(a)表面粗糙度Sa為0.120μm以上(b)均方根高度Sq為0.130μm以上(c)最大峰高度Sp為1.050μm以上(d)最大谷深度Sv為0.740μm以上(e)最大高度Sz為1.800μm以上(f)峰度Sku為2.80以上且4.00以下(g)偏斜度Ssk為0.00以上且0.26以下。
  21. 如請求項17至20中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.150μm以下。
  22. 如請求項17至21中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之表面粗糙度Sa為0.130μm以下。
  23. 如請求項17至22中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.200μm以下。
  24. 如請求項17至23中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面側之均方根高度Sq為0.120μm以下。
  25. 如請求項1至24中之任一項所述之電解銅箔，其常溫抗拉強度 為30kg/mm 2以上。
  26. 如請求項1至25中之任一項所述之電解銅箔，其常溫伸長率為3%以上。
  27. 如請求項1至26中之任一項所述之電解銅箔，其高溫抗拉強度為10kg/mm 2以上。
  28. 如請求項1至27中之任一項所述之電解銅箔，其高溫伸長率為2%以上。
  29. 如請求項1至28中之任一項所述之電解銅箔，其於上述析出面側具有粗化處理層。
  30. 如請求項1至16中之任一項所述之電解銅箔，其中，上述粗化處理層係由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成之群中之任一單質或含有任一種以上單質之合金所構成之層。
  31. 如請求項1至16中之任一項所述之電解銅箔，其中，於上述電解銅箔之光澤面側及析出面側之至少一側之粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之表面處理層。
  32. 如請求項1至31中之任一項所述之電解銅箔，其中，於上述電解銅箔之光澤面側及析出面側之至少一側具備樹脂層。
  33. 如請求項32所述之電解銅箔，其中，上述樹脂層設置於上述粗化處理層或上述表面處理層上。
  34. 一種覆銅積層板，其具有請求項1至33中之任一項所述之電解銅箔。
  35. 一種印刷配線板，其具有請求項1至33中之任一項所述之電解銅箔。
  36. 一種印刷配線板之製造方法，其使用請求項1至33中之任一項所述之電解銅箔。
  37. 一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：將請求項1至33中之任一項所述之電解銅箔與絕緣基板積層而製作覆銅積層板之後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法而形成電路。
  38. 一種電子機器，其具有請求項35所述之印刷配線板。
  39. 一種電子機器之製造方法，其使用請求項35所述之印刷配線板。
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