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WO2018043304A1 - 基材表面の選択的修飾方法及び組成物 - Google Patents

基材表面の選択的修飾方法及び組成物 Download PDF

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WO2018043304A1
WO2018043304A1 PCT/JP2017/030427 JP2017030427W WO2018043304A1 WO 2018043304 A1 WO2018043304 A1 WO 2018043304A1 JP 2017030427 W JP2017030427 W JP 2017030427W WO 2018043304 A1 WO2018043304 A1 WO 2018043304A1
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WO
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polymer
group
injected
substrate
metal
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裕之 小松
智博 小田
仁視 大▲崎▼
雅史 堀
岳彦 成岡
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JSR Corp
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    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters

Definitions

  • the present invention relates to a method for selectively modifying a substrate surface and a composition.
  • the conventional material is a low molecular material, it cannot be applied by the spin coating method in the existing process, and it is necessary to use the inefficient Langmuir-Blodgett method, which is inferior in heat resistance. Therefore, it is desirable to use a polymer material having a large viscosity and heat resistance. On the other hand, since the steric hindrance of the polymer material is large, the surface of the base material cannot be modified efficiently, and a method that can easily find sufficient selectivity is not yet known.
  • the present invention has been made on the basis of the circumstances as described above, and its purpose is to selectively modify the surface of a substrate that can easily and highly selectively modify a surface region containing a metal. It is to provide methods and compositions.
  • the invention made in order to solve the above problems includes a step of preparing a base material having a first region containing a metal on a surface layer, and a group containing a first functional group that binds to the metal on the surface of the base material.
  • a substrate surface comprising: a step of applying a composition containing a first polymer having a main chain or an end of a side chain and a solvent; and a step of heating a coating film formed by the coating step. Modification method.
  • compositions used in a method for selectively modifying a substrate surface wherein a group containing a first functional group that forms a bond with a metal is a main chain or a side chain. It contains a polymer having a terminal and a solvent.
  • a surface region containing a metal can be easily and highly selectively modified with high density. Therefore, the method for selectively modifying the surface of the substrate and the composition can be suitably used for a semiconductor device processing process and the like that are expected to be further miniaturized in the future.
  • selective modification method for the substrate surface
  • the selective modification method includes a step of preparing a base material having a first region (hereinafter also referred to as “region (I)”) containing a metal (hereinafter also referred to as “metal (A)”) (hereinafter referred to as “region (I)”). , Also referred to as “preparation step”) and a group containing a first functional group (hereinafter also referred to as “functional group (A)”) bonded to the metal (A) on the surface of the substrate (hereinafter referred to as “group”).
  • a first polymer hereinafter also referred to as “[A] polymer”
  • a solvent hereinafter also referred to as “[B] solvent”.
  • a step of applying a composition (hereinafter also referred to as “composition (I)”) (hereinafter also referred to as “coating step”), and a step of heating a coating film formed by the coating step (hereinafter referred to as “coating step”).
  • the selective modification method includes a second region (hereinafter also referred to as “region (II)”) in which the base material is substantially composed only of a nonmetal (hereinafter also referred to as “nonmetal (B)”).
  • a step hereinafter, also referred to as “removal step” of removing a portion of the coating film formed on the region (II) with a rinse liquid after the heating step.
  • the selective modification method includes, for example, a step of bringing alcohol, dilute acid, ozone or plasma into contact with the surface of the substrate after the removal step (hereinafter also referred to as “contact step”), a group after the removal step.
  • a step of depositing a pattern on the surface of the material by a CVD method or an ALD method (hereinafter also referred to as “deposition step”), and a step of removing the [A] polymer on the surface of the substrate after the removal step by etching. (Hereinafter also referred to as an “etching step”) or the like.
  • etching step a step of depositing a pattern on the surface of the material by a CVD method or an ALD method
  • etching step a step of removing the [A] polymer on the surface of the substrate after the removal step by etching.
  • a substrate having a region (I) containing the metal (A) on the surface layer is prepared.
  • the metal (A) is not particularly limited as long as it is a metal element. Silicon is a nonmetal and does not correspond to a metal. Examples of the metal (A) include copper, iron, zinc, cobalt, aluminum, tin, tungsten, zirconium, titanium, tantalum, germanium, molybdenum, ruthenium, gold, silver, platinum, palladium, nickel and the like. Of these, copper, cobalt, tungsten and tantalum are preferred.
  • Examples of the metal (A) content in the region (I) include simple metals, alloys, conductive nitrides, metal oxides, and silicides.
  • Examples of simple metals include simple metals such as copper, iron, cobalt, tungsten, and tantalum.
  • the alloy include a nickel-copper alloy, a cobalt-nickel alloy, and a gold-silver alloy.
  • Examples of the conductive nitride include tantalum nitride, titanium nitride, iron nitride, and aluminum nitride.
  • Examples of the metal oxide include tantalum oxide, aluminum oxide, iron oxide, copper oxide, and the like.
  • Examples of the silicide include iron silicide and molybdenum silicide.
  • simple metals, alloys, conductive nitrides and silicides are preferable, simple metals and conductive nitrides are more preferable, and simple copper, cobalt, tungsten, tantalum and tantalum nitride are more preferable.
  • the surface layer of the substrate usually has a region (II) substantially composed of only the nonmetal (B).
  • Examples of the inclusion form of the nonmetal (B) in the region (II) include a nonmetal simple substance, a nonmetal oxide, a nonmetal nitride, and a nonmetal oxide nitride.
  • nonmetallic simple substance examples include simple substances such as silicon and carbon.
  • non-metal oxide examples include silicon oxide.
  • examples of the nonmetallic nitride include SiNx and Si 3 N 4 .
  • Examples of the nonmetal oxide nitride include SiON. Among these, nonmetal oxides are preferable, and silicon oxide is more preferable.
  • the existence shape of the region (I) and / or the region (II) on the surface layer of the substrate is not particularly limited, and examples thereof include a planar shape, a dot shape, and a stripe shape in a plan view.
  • the sizes of the region (I) and the region (II) are not particularly limited, and can be appropriately set as desired.
  • the shape of the base material is not particularly limited, and can be a desired shape such as a plate shape (substrate) or a spherical shape.
  • composition (I) is applied to the surface of the substrate.
  • Examples of the coating method of the composition (I) include a spin coating method.
  • Composition (I) contains a [A] polymer and a [B] solvent.
  • the composition (I) may contain other components in addition to the [A] polymer and the [B] solvent.
  • the polymer is a polymer having the group (I) at the end of the main chain or side chain.
  • Main chain refers to the longest of the atomic chains of a polymer.
  • ide chain refers to a polymer chain other than the main chain. From the viewpoint of further increasing the density of the surface-modified [A] polymer, the [A] polymer preferably has the group (I) at the end of the main chain, and has at one end of the main chain. More preferably.
  • Group (I) is a group containing a functional group (A) that binds to metal (A).
  • a functional group (A) is a functional group couple
  • This bond is, for example, a chemical bond and includes a covalent bond, an ionic bond, a coordination bond, and the like. Among these, a coordinate bond is preferable from the viewpoint of a higher bonding force between the metal and the functional group.
  • Examples of the functional group (A) include a functional group having a coordinate bond with the metal (A).
  • a polymer for example, a structural unit derived from substituted or unsubstituted styrene, a structural unit derived from (meth) acrylic acid or (meth) acrylic acid ester, or a structural unit derived from substituted or unsubstituted ethylene And the like.
  • the polymer may have a structural unit containing a crosslinkable group.
  • the polymer is a structural unit derived from substituted or unsubstituted styrene, a structural unit derived from (meth) acrylic acid or (meth) acrylic acid ester, a structural unit derived from substituted or unsubstituted ethylene, and One or more structural units containing a crosslinkable group may be included.
  • the “crosslinkable group” refers to a group that forms a crosslinked structure by a reaction under heating conditions, active energy ray irradiation conditions, acidic conditions, and the like.
  • Examples of monomers that give structural units derived from substituted or unsubstituted styrene include, for example, styrene, ⁇ -methylstyrene, o-, m-, p-methylstyrene, pt-butylstyrene, 2, 4, 6-trimethylstyrene, p-methoxystyrene, pt-butoxystyrene, o-, m-, p-vinylstyrene, o-, m-, p-hydroxystyrene, m-, p-chloromethylstyrene, p- Examples include chlorostyrene, p-bromostyrene, p-iodostyrene, p-nitrostyrene, and p-cyanostyrene.
  • Examples of monomers that give structural units derived from the (meth) acrylic acid esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid 2 -(Meth) acrylic acid alkyl esters such as ethylhexyl; Cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 1-methylcyclopentyl (meth) acrylate, 2-ethyladamantyl (meth) acrylate, 2- (adamantan-1-yl) propyl (meth) acrylate, etc.
  • Examples of the monomer that gives a structural unit derived from substituted or unsubstituted ethylene include ethylene; Alkenes such as propene, butene, pentene; Vinylcycloalkanes such as vinylcyclopentane and vinylcyclohexane; Cycloalkenes such as cyclopentene and cyclohexene; Examples include 4-hydroxy-1-butene, vinyl glycidyl ether, vinyl trimethylsilyl ether, and the like.
  • the lower limit of the content ratio of the monomer that gives the structural unit derived from the substituted or unsubstituted styrene, the structural unit derived from the (meth) acrylic acid ester, or the structural unit derived from the substituted or unsubstituted ethylene [A] 20 mol% is preferable with respect to all repeating units constituting the polymer, 40 mol% is more preferable, and 60 mol% is more preferable.
  • 100 mol% may be sufficient, 90 mol% may be preferable, and 85 mol% may be more preferable.
  • crosslinkable group examples include polymerizable carbon-carbon double bond-containing groups such as vinyl group, vinyloxy group, allyl group, (meth) acryloyl group, and styryl group; Polymerizable carbon-carbon triple bond-containing groups such as ethynyl group, propargyl group, propargyloxy group, propargylamino group; Cyclic ether groups such as oxiranyl group, oxiranyloxy group, oxetanyl group, oxetanyloxy group; An aryl group condensed with a cyclobutane ring such as a phenyl group condensed with a cyclobutane ring, a naphthyl group condensed with a cyclobutane ring; An aryl group to which a phenolic hydroxyl group protected with an acid group or a thermally dissociable group such as an acetoxyphenyl group and a t-butoxyphen
  • the aryl groups condensed with the cyclobutane ring form a covalent bond under heating conditions.
  • “Acid group” refers to a group obtained by removing OH from an acid and protecting it by replacing a hydrogen atom of a phenolic hydroxyl group or a methylol group.
  • the “thermally dissociable group” refers to a group that substitutes a hydrogen atom of a phenolic hydroxyl group, a methylol group, or a sulfanylmethyl group, and dissociates when heated.
  • Examples of the acid group in the aryl group to which a protected phenolic hydroxyl group, methylol group, or sulfanylmethyl group is bonded include formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, and benzoyl group.
  • thermally dissociable group in the aryl group to which the protected phenolic hydroxyl group is bonded examples include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group.
  • thermally dissociable group in the aryl group to which a protected methylol group or sulfanylmethyl group is bonded examples include alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group.
  • the crosslinkable group is preferably a polymerizable carbon-carbon double bond-containing group and an aryl group fused with a cyclobutane ring, more preferably a phenyl group fused with an allyl group or a cyclobutane ring.
  • Examples of the structural unit containing a crosslinkable group include a structural unit derived from a vinyl compound having a crosslinkable group, a structural unit derived from a (meth) acrylic compound having a crosslinkable group, and the like.
  • the structural unit containing the crosslinkable group is derived from a structural unit derived from a (meth) acrylic compound having a polymerizable carbon-carbon double bond-containing group and a vinyl compound having an aryl group condensed with a cyclobutane ring.
  • a structural unit is preferable, and a structural unit derived from allylstyrene and a structural unit derived from 4-vinylbenzocyclobutene are more preferable.
  • the lower limit of the content ratio of the structural unit containing the crosslinkable group is 0 for all repeating units constituting the polymer [A].
  • 1 mol% is preferable, 1 mol% is more preferable, 3 mol% is further more preferable, and 4 mol% is especially preferable.
  • 20 mol% is preferable, 15 mol% is more preferable, 10 mol% is further more preferable, and 8 mol% is especially preferable.
  • the polymer includes a structural unit derived from substituted or unsubstituted styrene, a structural unit derived from (meth) acrylic acid or (meth) acrylic acid ester, and / or a structural unit containing a crosslinkable group.
  • Polymers are preferred, polymers containing structural units derived from substituted or unsubstituted styrene, polymers containing structural units derived from (meth) acrylic acid esters, and structural units derived from substituted or unsubstituted styrene and A polymer containing a structural unit containing a crosslinkable group is more preferred, a polymer containing a structural unit derived from substituted or unsubstituted styrene, a polymer containing a structural unit derived from (meth) acrylate, and a substituted or A polymer containing a structural unit derived from unsubstituted styrene and a repeating unit derived from a vinyl compound having an aryl group condensed with a cyclobutane ring is used.
  • the lower limit of the number average molecular weight (Mn) of the polymer is preferably 500, more preferably 2,000, still more preferably 4,000, and particularly preferably 5,000.
  • the upper limit of Mn is preferably 50,000, more preferably 30,000, still more preferably 15,000, and particularly preferably 8,000.
  • the upper limit of the ratio of the weight average molecular weight (Mw) of the polymer to Mn (Mw / Mn, dispersity) is preferably 5, more preferably 2, more preferably 1.5, and particularly 1.3 preferable.
  • the lower limit of the ratio is usually 1 and preferably 1.05.
  • the lower limit of the content of the polymer is preferably 80% by mass, more preferably 90% by mass, and still more preferably 95% by mass with respect to the total solid content in the composition (I). As an upper limit of the said content, it is 100 mass%, for example. “Total solid content” refers to the sum of components other than [B] solvent.
  • the solvent is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving or dispersing at least the [A] polymer and other components.
  • Examples of the solvent include alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents, hydrocarbon solvents, and the like.
  • alcohol solvents examples include aliphatic monoalcohol solvents having 1 to 18 carbon atoms such as 4-methyl-2-pentanol and n-hexanol; An alicyclic monoalcohol solvent having 3 to 18 carbon atoms such as cyclohexanol; A polyhydric alcohol solvent having 2 to 18 carbon atoms such as 1,2-propylene glycol; Examples thereof include polyhydric alcohol partial ether solvents having 3 to 19 carbon atoms such as propylene glycol monomethyl ether.
  • ether solvents include dialkyl ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, dipentyl ether, diisoamyl ether, dihexyl ether, and diheptyl ether; Cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran; Aromatic ring-containing ether solvents such as diphenyl ether and anisole (methylphenyl ether) are exemplified.
  • dialkyl ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, dipentyl ether, diisoamyl ether, dihexyl ether, and diheptyl ether
  • Cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran
  • Aromatic ring-containing ether solvents such as diphenyl ether and anisole (methylphenyl ether)
  • ketone solvent examples include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-iso-butyl ketone, 2-heptanone (methyl-n-pentyl ketone), ethyl-n-butyl ketone.
  • Chain ketone solvents such as methyl-n-hexyl ketone, di-iso-butyl ketone, and trimethylnonanone; Cyclic ketone solvents such as cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, methylcyclohexanone; Examples include 2,4-pentanedione, acetonylacetone, acetophenone, and the like.
  • amide solvent examples include cyclic amide solvents such as N, N′-dimethylimidazolidinone and N-methylpyrrolidone; Examples thereof include chain amide solvents such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methylpropionamide.
  • cyclic amide solvents such as N, N′-dimethylimidazolidinone and N-methylpyrrolidone
  • chain amide solvents such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methylpropionamide.
  • ester solvents include monocarboxylic acid ester solvents such as n-butyl acetate and ethyl lactate; Polyhydric alcohol carboxylate solvents such as propylene glycol acetate; Polyhydric alcohol partial ether carboxylate solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; Lactone solvents such as ⁇ -butyrolactone and ⁇ -valerolactone; Polycarboxylic acid diester solvents such as diethyl oxalate; Examples thereof include carbonate solvents such as dimethyl carbonate, diethyl carbonate, ethylene carbonate, and propylene carbonate.
  • monocarboxylic acid ester solvents such as n-butyl acetate and ethyl lactate
  • Polyhydric alcohol carboxylate solvents such as propylene glycol acetate
  • Polyhydric alcohol partial ether carboxylate solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate
  • Lactone solvents such as ⁇ -buty
  • hydrocarbon solvent examples include aliphatic hydrocarbon solvents having 5 to 12 carbon atoms such as n-pentane and n-hexane; Examples thereof include aromatic hydrocarbon solvents having 6 to 16 carbon atoms such as toluene and xylene.
  • Composition (I) may contain one or more [B] solvents.
  • composition (I) may contain other components in addition to the [A] polymer and the [B] solvent.
  • examples of other components include a surfactant.
  • Composition (I) can improve the coating property to the base-material surface by containing surfactant.
  • composition (I) is, for example, a [A] polymer, a [B] solvent, and other components as necessary mixed in a predetermined ratio, and preferably a high density polyethylene filter having pores of about 0.45 ⁇ m, etc. It can prepare by filtering with.
  • a minimum of solid content concentration of composition (I) 0.1 mass% is preferred, 0.5 mass% is more preferred, and 0.7 mass% is still more preferred.
  • the upper limit of the solid content concentration is preferably 30% by mass, more preferably 10% by mass, and still more preferably 3% by mass.
  • the heating means include an oven and a hot plate.
  • 80 ° C is preferred, 100 ° C is more preferred, and 130 ° C is still more preferred.
  • 400 degreeC is preferable, 300 degreeC is more preferable, and 200 degreeC is further more preferable.
  • the lower limit of the heating time is preferably 10 seconds, more preferably 1 minute, and even more preferably 2 minutes.
  • the upper limit of the heating time is preferably 120 minutes, more preferably 10 minutes, and even more preferably 5 minutes.
  • the average thickness of the coating film (I) to be formed can be obtained by appropriately selecting conditions such as the type and concentration of the [A] polymer in the composition (I) and the heating temperature and heating time in the heating step. Can be a value. As a minimum of average thickness of coating film (I), 0.1 nm is preferred, 1 nm is more preferred, and 3 nm is still more preferred. The upper limit of the average thickness is, for example, 20 nm.
  • Removal in the removing step is usually performed by rinsing the substrate after the heating step with a rinsing liquid.
  • a rinsing liquid an organic solvent is usually used.
  • a polyhydric alcohol partial ether carboxylate solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate, a monoalcohol solvent such as isopropanol, or the like is used.
  • the surface region containing the metal can be easily modified with high selectivity and high density.
  • the obtained base material can be variously processed, for example, by performing the following steps.
  • the dilute acid is not particularly limited.
  • dilute hydrochloric acid dilute sulfuric acid, dilute nitric acid, dilute citric acid, dilute oxalic acid, dilute maleic acid, dilute acetic acid, dilute isobutyric acid, dilute 2-ethylhexanoic acid, etc. Is mentioned.
  • a pattern is deposited on the surface of the substrate after the removing step by a CVD (chemical vapor deposition) method or an ALD (atomic layer deposition) method. Thereby, a pattern can be selectively formed in the region (II) not covered with the [A] polymer.
  • CVD chemical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • etching method for example, CF 4 , O 2 gas or the like is used, chemical dry etching using a difference in etching rate of each layer or the like, chemical wet etching using a liquid etching solution such as an organic solvent or hydrofluoric acid (wet type).
  • a liquid etching solution such as an organic solvent or hydrofluoric acid (wet type).
  • RIE reactive ion etching
  • physical etching such as sputter etching, ion beam etching, and the like can be used.
  • reactive ion etching is preferable, and chemical dry etching and chemical wet etching are more preferable.
  • UV irradiation when the portion to be removed by etching is a polymer containing a polymethyl methacrylate block, UV irradiation or the like can be used.
  • An oxygen plasma treatment can also be used. Since the polymethyl methacrylate block is decomposed by the UV irradiation or the oxygen plasma treatment, it is more easily etched.
  • organic solvents used for chemical wet etching include alkanes such as n-pentane, n-hexane, and n-heptane; Cycloalkanes such as cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane; Saturated carboxylic acid esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate and methyl propionate; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl n-pentyl ketone; Examples thereof include alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol and 4-methyl-2-pentanol. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • Mw and Mn of the polymer are measured by gel permeation chromatography (GPC) using Tosoh's GPC columns ("G2000HXL", “G3000HXL” and “G4000HXL”) under the following conditions. did.
  • Eluent Tetrahydrofuran (Wako Pure Chemical Industries)
  • Flow rate 1.0 mL / min
  • Sample concentration 1.0% by mass
  • Sample injection volume 100 ⁇ L
  • Detector Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene
  • 13 C-NMR analysis 13 C-NMR analysis was performed using a nuclear magnetic resonance apparatus (“JNM-EX400” manufactured by JEOL Ltd.) and CDCl 3 as a measurement solvent. The content ratio of each structural unit in the polymer was calculated from the area ratio of the peak corresponding to each structural unit in the spectrum obtained by 13 C-NMR.
  • the reaction solution was warmed to room temperature, the obtained reaction solution was concentrated, and the solvent was replaced with methyl isobutyl ketone (MIBK). Thereafter, 1,000 g of a 2% by mass aqueous solution of oxalic acid was injected and stirred, and after standing, the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times to remove the Li salt. Thereafter, 1,000 g of ultrapure water was injected and stirred, and the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times, and oxalic acid was removed. Then, the solution was concentrated and dropped into 500 g of methanol to precipitate a polymer, and a solid was recovered with a Buchner funnel. This polymer was dried under reduced pressure at 60 ° C. to obtain 11.3 g of a white polymer (A-9). This polymer (A-9) had Mw of 5,000, Mn of 4,800, and Mw / Mn of 1.04.
  • MIBK methyl isobutyl ket
  • the reaction solution was warmed to room temperature, the obtained reaction solution was concentrated, and the solvent was replaced with methyl isobutyl ketone (MIBK). Thereafter, 1,000 g of a 2% by mass aqueous solution of oxalic acid was injected and stirred, and after standing, the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times to remove the Li salt. Thereafter, 1,000 g of ultrapure water was injected and stirred, and the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times, and oxalic acid was removed. Then, the solution was concentrated and dropped into 500 g of methanol to precipitate a polymer, and a solid was recovered with a Buchner funnel. This solid was dried under reduced pressure at 60 ° C. to obtain 11.8 g of a white polymer (A-10). This polymer (A-10) had Mw of 4,800, Mn of 4,500, and Mw / Mn of 1.07.
  • MIBK methyl isobutyl ketone
  • this polymer is dissolved in 50 g of tetrahydrofuran, 1.0 g (6.1 mmol) of azoisobutyronitrile is added, and the mixture is heated and stirred in a nitrogen atmosphere at 80 ° C. for 8 hours to produce a disulfide. I let you.
  • This polymer was dried under reduced pressure at 60 ° C. to obtain 11.4 g of a white polymer (A-13).
  • This polymer (A-13) had Mw of 5,300, Mn of 5,100, and Mw / Mn of 1.04.
  • This operation was repeated 5 times, and oxalic acid was removed. Then, the solution was concentrated and dropped into 500 g of methanol to precipitate a polymer, and a solid was recovered with a Buchner funnel. This solid was dried under reduced pressure at 60 ° C. to obtain 11.1 g of a white polymer (A-14).
  • This polymer (A-14) had Mw of 5,700, Mn of 5,200, and Mw / Mn of 1.10.
  • the obtained polymerization solution was diluted with 100 g of ethyl acetate and filtered through Celite to remove the copper complex, and washing with 500 g of ultrapure water was repeated 5 times. After recovering the organic layer, 50 g of tetrahydrofuran added to the concentrated resin solution was precipitated and purified to 1,000 g of methanol to precipitate a polymer. This solid was recovered with a Buchner funnel and rinsed with 50 g of methanol. The obtained solid was dried under reduced pressure to obtain 11.2 g of a white polymer (A-15). This polymer (A-15) had Mw of 5,600, Mn of 4,600, and Mw / Mn of 1.22.
  • the reaction solution was warmed to room temperature, the obtained reaction solution was concentrated, and the solvent was replaced with MIBK. Thereafter, 1,000 g of a 2% by mass aqueous solution of oxalic acid was injected and stirred, and after standing, the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times to remove the Li salt. Thereafter, 1,000 g of ultrapure water was injected and stirred, and the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times, and oxalic acid was removed. Then, the solution was concentrated and dropped into 500 g of methanol to precipitate a polymer, and a solid was recovered with a Buchner funnel. This solid was dried at 60 ° C. under reduced pressure to obtain 11.2 g of a white polymer (A-16). This polymer (A-16) had Mw of 5,200, Mn of 5,000, and Mw / Mn of 1.04.
  • the reaction solution was warmed to room temperature, the obtained reaction solution was concentrated, and the solvent was replaced with MIBK. Thereafter, 1,000 g of a 2% by mass aqueous solution of oxalic acid was injected and stirred, and after standing, the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times to remove the Li salt. Thereafter, 1,000 g of ultrapure water was injected and stirred, and the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times, and oxalic acid was removed. Then, the solution was concentrated and dropped into 500 g of methanol to precipitate a polymer, and a solid was recovered with a Buchner funnel. This solid was dried under reduced pressure at 60 ° C. to obtain 11.0 g of a white polymer (A-17). This polymer (A-17) had Mw of 5,200, Mn of 5,000, and Mw / Mn of 1.04.
  • the reaction solution was warmed to room temperature, the obtained reaction solution was concentrated, and the solvent was replaced with MIBK. Thereafter, 1,000 g of a 2% by mass aqueous solution of oxalic acid was injected and stirred, and after standing, the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times to remove the Li salt. Thereafter, 1,000 g of ultrapure water was injected and stirred, and the lower aqueous layer was removed. This operation was repeated three times, and oxalic acid was removed. Then, the solution was concentrated and dropped into 500 g of methanol to precipitate a polymer, and a solid was recovered with a Buchner funnel. This polymer was dried under reduced pressure at 60 ° C. to obtain 11.3 g of a white polymer (A-18). This polymer (A-18) had Mw of 5,200, Mn of 5,000, and Mw / Mn of 1.04.
  • This operation was repeated 3 times, and after removing oxalic acid, the solution was concentrated and dropped into 500 g of methanol to precipitate a polymer, and a solid was recovered with a Buchner funnel. This solid was dried under reduced pressure at 60 ° C. to obtain 11.6 g of a white polymer (A-20).
  • This polymer (A-20) had Mw of 5,300, Mn of 4,900, and Mw / Mn of 1.08.
  • the polymerization solution was purified by precipitation into 300 g of n-hexane, and the resulting yellow solid was recovered. Next, the yellow solid was dissolved in 100 g of tetrahydrofuran, 1.97 g (12 mmol) of azoisobutyronitrile and 2.02 g (10 mmol) of tert-butyldodecyl mercaptan were added, and the mixture was refluxed at 80 ° C. for 2 hours, so that the end of trithiocarbonate was terminated. A separation reaction was performed. The resulting polymerization solution was purified by precipitation into 1,000 g of methanol to obtain a pale yellow solid. Next, this solid was dried under reduced pressure at 60 ° C. to obtain 10.2 g of a white polymer (A-23). This polymer (A-23) had Mw of 4,800, Mn of 4,300, and Mw / Mn of 1.12.
  • compositions (S-2) to (S-26) were prepared in the same manner as in Preparation Example 1, except that the components of the types and contents shown in Table 1 were used.
  • This substrate was peeled off with PGMEA to remove unreacted polymer.
  • the selective surface modifier formed on the substrate was about 0 nm to 5 nm from the result of measuring the thickness of the ellipsometer.
  • the contact angle value of the surface was measured using a contact angle meter (Drop master DM-501, Kyowa Interface Science Co., Ltd.).
  • the abundance density ⁇ (chains / nm 2 ) of the [A] polymer (brush) was calculated based on the film thickness by the following formula (1).
  • d density of [A] polymer (g / cm 3 )
  • L average thickness of film (nm)
  • NA Avogadro number
  • Mn number average molecular weight of [A] polymer
  • Table 2 shows the average thickness (nm), contact angle value (°), and polymer (brush) density (chains / nm 2 ) of the polymer film formed on the substrate surface. “-” In Table 2 indicates that the selectivity of the substrate surface is not shown, and the density of the polymer was not calculated.
  • the above prepared composition was spin-coated at 1,500 rpm using a track (“TELDSA ACT8” manufactured by Tokyo Electron Co., Ltd.) on this substrate, and baked at 150 ° C. for 180 seconds.
  • This substrate was peeled off with PGMEA to remove unreacted polymer.
  • the surface was observed with a scanning probe microscope (Hitachi High-Tech Science Co., Ltd., S-image (microscope unit) and NanoNaviReal (control station)), and the film thickness of the coating was calculated from the unevenness.
  • Table 3 shows the average thicknesses (nm) of the polymer coating films formed on the copper and silicon oxide regions on the copper-silicon oxide stripe substrate, respectively. “ND” in Table 3 indicates that the thickness was small and could not be detected.
  • a surface region containing a metal can be easily and highly selectively modified with high density. Therefore, the method for selectively modifying the surface of the substrate and the composition can be suitably used for a semiconductor device processing process and the like that are expected to be further miniaturized in the future.

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Abstract

本発明は、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる基材表面の選択的修飾方法及び組成物の提供を目的とする。本発明は、金属を含む第一の領域を表層に有する基材を準備する工程と、上記基材の表面に、上記金属と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程とを備える基材表面の選択的修飾方法である。上記基材が、実質的に非金属のみからなる第二の領域をさらに有し、上記加熱工程の後に、上記塗膜のうち上記第二の領域上に形成された部分をリンス液により除去する工程をさらに備えることが好ましい。上記金属は、金属単体、合金、導電性窒化物又はシリサイドを構成していることが好ましい。

Description

基材表面の選択的修飾方法及び組成物
　本発明は、基材表面の選択的修飾方法及び組成物に関する。
　半導体デバイスのさらなる微細化に伴い、３０ｎｍを切る微細パターンを形成する技術が要求されている。しかし、従来のリソグラフィーによる方法では、光学的要因等により技術的に困難になってきている。
　そこで、いわゆるボトムアップ技術を用いて微細パターンを形成することが検討されている。このボトムアップ技術としては、重合体の自己組織化を利用する方法の他、微細な領域を表層に有する基材を選択的に修飾する方法が検討されるようになってきている。この選択的修飾方法には、簡便かつ高選択的に表面領域を修飾することができる材料が必要であり、種々のものが検討されている（特開２０１６－２５３５５号公報、特開２００３－７６０３６号公報、ＡＣＳ　Ｎａｎｏ，９，９，８７１０，２０１５、ＡＣＳ　Ｎａｎｏ，９，９，８６５１，２０１５、Ｓｃｉｅｎｃｅ，３１８，４２６，２００７及びＬａｎｇｍｕｉｒ，２１，８２３４，２００５参照）。
特開２０１６－２５３５５号公報 特開２００３－７６０３６号公報
ＡＣＳ　Ｎａｎｏ，９，９，８７１０，２０１５ ＡＣＳ　Ｎａｎｏ，９，９，８６５１，２０１５ Ｓｃｉｅｎｃｅ，３１８，４２６，２００７ Ｌａｎｇｍｕｉｒ，２１，８２３４，２００５
　しかし、上記従来の材料では、低分子材料ゆえ、既存プロセスでのスピンコート法では塗布できず、効率の悪いＬａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法を用いる必要があり、耐熱性に劣るという不都合がある。そのため、粘度が大きく、耐熱性を有する高分子材料を用いることが望ましい。一方で、高分子材料は立体障害が大きいため、効率よく基材表面を修飾することはできておらず、また、十分な選択性を簡単に見い出すことができる手法は未だ知られていない。
　本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる基材表面の選択的修飾方法及び組成物を提供することにある。
　上記課題を解決するためになされた発明は、金属を含む第一の領域を表層に有する基材を準備する工程と、上記基材の表面に、上記金属と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程とを備える基材表面の選択的修飾方法である。
　上記課題を解決するためになされた別の発明は、基材表面の選択的修飾方法に用いられる組成物であって、金属と結合を形成する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する重合体と溶媒とを含有することを特徴とする。
　本発明の基材表面の選択的修飾方法及び組成物によれば、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。従って、当該基材表面の選択的修飾方法及び組成物は、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスの加工プロセス等に好適に用いることができる。
ストライプ状基板を作製するための基板の断面図である。 選択的表面修飾の評価に用いたストライプ状基板の断面図である。
　以下、当該基材表面の選択的修飾方法（以下、単に、「選択的修飾方法」という）の実施の形態について詳説する。
＜選択的修飾方法＞
　当該選択的修飾方法は、金属（以下、「金属（Ａ）」ともいう）を含む第一の領域（以下、「領域（Ｉ）」ともいう）を表層に有する基材を準備する工程（以下、「準備工程」ともいう）と、上記基材の表面に、上記金属（Ａ）と結合する第１官能基（以下、「官能基（Ａ）」ともいう）を含む基（以下、「基（Ｉ）」ともいう）を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体（以下、「［Ａ］重合体」ともいう）及び溶媒（以下、「［Ｂ］溶媒」ともいう）を含有する組成物（以下、「組成物（Ｉ）」ともいう）を塗工する工程（以下、「塗工工程」ともいう）と、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程（以下、「加熱工程」ともいう）とを備える。当該選択的修飾方法は、上記基材が、実質的に非金属（以下、「非金属（Ｂ）」ともいう）のみからなる第二の領域（以下、「領域（ＩＩ）」ともいう）をさらに有し、加熱工程の後に、上記塗膜のうち上記領域（ＩＩ）上に形成された部分をリンス液により除去する工程（以下、「除去工程」ともいう）をさらに備えることが好ましい。
　また、当該選択的修飾方法は、例えば
　上記除去工程後の基材の表面に、アルコール、希酸、オゾン又はプラズマを接触させる工程（以下、「接触工程」ともいう）、上記除去工程後の基材の表面に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりパターンを堆積させる工程（以下、「堆積工程」ともいう）、上記除去工程後の基材の表面上の上記［Ａ］重合体をエッチングにより除去する工程（以下、「エッチング工程」ともいう）等をさらに備えてもよい。以下、各工程について説明する。
［準備工程］
　本工程では、金属（Ａ）を含む領域（Ｉ）を表層に有する基材を準備する。
　金属（Ａ）としては、金属元素であれば特に限定されない。なお、ケイ素は、非金属であり、金属に該当しない。金属（Ａ）としては、例えば銅、鉄、亜鉛、コバルト、アルミニウム、スズ、タングステン、ジルコニウム、チタン、タンタル、ゲルマニウム、モリブデン、ルテニウム、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル等が挙げられる。これらの中で、銅、コバルト、タングステン及びタンタルが好ましい。
　領域（Ｉ）中における金属（Ａ）の含有形態としては、例えば金属単体、合金、導電性窒化物、金属酸化物、シリサイド等が挙げられる。
　金属単体としては、例えば銅、鉄、コバルト、タングステン、タンタル等の金属の単体等が挙げられる。
　合金としては、例えばニッケル－銅合金、コバルト－ニッケル合金、金－銀合金等が挙げられる。
　導電性窒化物としては、例えば窒化タンタル、窒化チタン、窒化鉄、窒化アルミニウム等が挙げられる。
　金属酸化物としては、例えば酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化銅等が挙げられる。
　シリサイドとしては、例えば鉄シリサイド、モリブデンシリサイド等が挙げられる。これらの中で、金属単体、合金、導電性窒化物及びシリサイドが好ましく、金属単体及び導電性窒化物がより好ましく、銅単体、コバルト単体、タングステン単体、タンタル単体及び窒化タンタルがさらに好ましい。
　基材の表層には、領域（Ｉ）以外に、通常、実質的に非金属（Ｂ）のみからなる領域（ＩＩ）を有する。
　領域（ＩＩ）中における非金属（Ｂ）の含有形態としては、例えば非金属単体、非金属酸化物、非金属窒化物、非金属酸化物窒化物等が挙げられる。
　非金属単体としては、例えばケイ素、炭素等の単体などが挙げられる。
　非金属酸化物としては、例えば酸化ケイ素等が挙げられる。
　非金属窒化物としては、例えばＳｉＮｘ、Ｓｉ３Ｎ４等が挙げられる。
　非金属酸化物窒化物としては、例えばＳｉＯＮ等が挙げられる。これらの中で、非金属酸化物が好ましく、酸化ケイ素がより好ましい。
　基材の表層における領域（Ｉ）及び／又は領域（ＩＩ）の存在形状としては特に限定されず、例えば平面視で面状、点状、ストライプ状等が挙げられる。領域（Ｉ）及び領域（ＩＩ）の大きさは特に限定されず、適宜所望の大きさの領域とすることができる。
　基材の形状としては、特に限定されず、板状（基板）、球状等、適宜所望の形状とすることができる。
［塗工工程］
　本工程では、上記基材の表面に、組成物（Ｉ）を塗工する。
　組成物（Ｉ）の塗工方法としては、例えばスピンコート法等が挙げられる。
［組成物（Ｉ）］
　組成物（Ｉ）は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］溶媒を含有する。組成物（Ｉ）は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］溶媒以外に他の成分を含有していてもよい。
（［Ａ］重合体）
　［Ａ］重合体は、基（Ｉ）を主鎖又は側鎖の末端に有する重合体である。「主鎖」とは、重合体の原子鎖のうち最も長いものをいう。「側鎖」とは、重合体の原子鎖のうち主鎖以外のものをいう。表面修飾する［Ａ］重合体の密度をより高める観点から、［Ａ］重合体は、基（Ｉ）を主鎖の末端に有していることが好ましく、主鎖の一方の末端に有していることがより好ましい。
　基（Ｉ）は、金属（Ａ）と結合する官能基（Ａ）を含む基である。官能基（Ａ）は、金属（Ａ）と結合する官能基である。この結合としては、例えば化学結合であり、共有結合、イオン結合、配位結合等が挙げられる。これらの中で、金属－官能基間の結合力がより大きい観点から、配位結合が好ましい。
　官能基（Ａ）としては、金属（Ａ）と配位結合等する官能基などが挙げられ、例えばシアノ基、スルファニル基、エチレン性炭素－炭素二重結合含有基、オキサゾリン環含有基、リン酸基、エポキシ基、ジスルフィド基等が挙げられる。
　［Ａ］重合体としては、例えば置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位等を有する重合体が挙げられる。また、［Ａ］重合体は、架橋性基を含む構造象単位を有していてもよい。［Ａ］重合体は、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位、及び／又は架橋性基を含む構造単位等をそれぞれ１種又は２種以上有していてもよい。なお、「架橋性基」とは、加熱条件下、活性エネルギー線照射条件下、酸性条件下等における反応により、架橋構造を形成する基をいう。
　上記置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位を与える単量体としては、例えばスチレン、α－メチルスチレン、ｏ－、ｍ－、ｐ－メチルスチレン、ｐ－ｔ－ブチルスチレン、２，４，６－トリメチルスチレン、ｐ－メトキシスチレン、ｐ－ｔ－ブトキシスチレン、ｏ－、ｍ－、ｐ－ビニルスチレン、ｏ－、ｍ－、ｐ－ヒドロキシスチレン、ｍ－、ｐ－クロロメチルスチレン、ｐ－クロロスチレン、ｐ－ブロモスチレン、ｐ－ヨードスチレン、ｐ－ニトロスチレン、ｐ－シアノスチレン等が挙げられる。
　上記（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位を与える単量体としては、例えば
　（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸１－メチルシクロペンチル、（メタ）アクリル酸２－エチルアダマンチル、（メタ）アクリル酸２－（アダマンタン－１－イル）プロピル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ナフチル等の（メタ）アクリル酸アリールエステル；
　（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシアダマンチル、（メタ）アクリル酸３－グリシジルプロピル、（メタ）アクリル酸３－トリメチルシリルプロピル等の（メタ）アクリル酸置換アルキルエステルなどが挙げられる。
　上記置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位を与える単量体としては、例えば
　エチレン；
　プロペン、ブテン、ペンテン等のアルケン；
　ビニルシクロペンタン、ビニルシクロヘキサン等のビニルシクロアルカン；
　シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン；
　４－ヒドロキシ－１－ブテン、ビニルグリシジルエーテル、ビニルトリメチルシリルエーテル等が挙げられる。
　上記置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、又は置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位を与える単量体の含有割合の下限としては、［Ａ］重合体を構成する全繰り返し単位に対して、２０モル％が好ましく、４０モル％がより好ましく、６０モル％がさらに好ましい。上記含有割合の上限としては、１００モル％であってもよく、９０モル％が好ましい場合もあり、８５モル％がより好ましい場合もある。
　上記架橋性基としては、例えば
　ビニル基、ビニロキシ基、アリル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基等の重合性炭素－炭素二重結合含有基；
　エチニル基、プロパルギル基、プロパルギルオキシ基、プロパルギルアミノ基等の重合性炭素－炭素三重結合含有基；
　オキシラニル基、オキシラニルオキシ基、オキセタニル基、オキセタニルオキシ基等の環状エーテル基；
　シクロブタン環が縮環したフェニル基、シクロブタン環が縮環したナフチル基等のシクロブタン環が縮環したアリール基；
　アセトキシフェニル基、ｔ－ブトキシフェニル基等の酸基又は熱解離性基で保護されたフェノール性水酸基が結合したアリール基；
　アセトキシメチルフェニル基、メトキシメチルフェニル基等の酸基又は熱解離性基で保護されたメチロール基（－ＣＨ２ＯＨ）が結合したアリール基；
　スルファニルメチルフェニル基、メチルスルファニルメチルフェニル基等の置換又は非置換のスルファニルメチル基（－ＣＨ２ＳＨ）が結合したアリール基などが挙げられる。
　シクロブタン環が縮環したアリール基同士は、加熱条件下、共有結合を形成する。
　「酸基」とは、酸からＯＨを除いた基であって、フェノール性水酸基又はメチロール基の水素原子を置換して保護する基をいう。「熱解離性基」とは、フェノール性水酸基、メチロール基又はスルファニルメチル基の水素原子を置換する基であって、加熱により解離する基をいう。
　保護されたフェノール性水酸基、メチロール基又はスルファニルメチル基が結合したアリール基における酸基としては、例えばホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
　保護されたフェノール性水酸基が結合したアリール基における熱解離性基としては、例えばｔ－ブチル基、ｔ－アミル基等の３級アルキル基などが挙げられる。保護されたメチロール基又はスルファニルメチル基が結合したアリール基における熱解離性基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基などが挙げられる。
　架橋性基としては、これらの中で、重合性炭素－炭素二重結合含有基及びシクロブタン環が縮環したアリール基が好ましく、アリル基及びシクロブタン環が縮環したフェニル基がより好ましい。
　上記架橋性基を含む構造単位としては、例えば架橋性基を有するビニル化合物に由来する構造単位、架橋性基を有する（メタ）アクリル化合物に由来する構造単位等が挙げられる。
　上記架橋性基を含む構造単位としては、重合性炭素－炭素二重結合含有基を有する（メタ）アクリル化合物に由来する構造単位、及びシクロブタン環が縮環したアリール基を有するビニル化合物に由来する構造単位が好ましく、アリルスチレンに由来する構造単位及び４－ビニルベンゾシクロブテンに由来する構造単位がより好ましい。
　［Ａ］重合体が上記架橋性基を含む構造単位を含む場合、上記架橋性基を含む構造単位の含有割合の下限としては、［Ａ］重合体を構成する全繰り返し単位に対して、０．１モル％が好ましく、１モル％がより好ましく、３モル％がさらに好ましく、４モル％が特に好ましい。上記含有割合の上限としては、２０モル％が好ましく、１５モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましく、８モル％が特に好ましい。
　［Ａ］重合体としては、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、及び／又は架橋性基を含む構造単位を含む重合体が好ましく、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位を含む重合体、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位を含む重合体、並びに置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位及び架橋性基を含む構造単位を含む重合体がより好ましく、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位を含む重合体、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位を含む重合体、並びに置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位及びシクロブタン環が縮環したアリール基を有するビニル化合物に由来する繰り返し単位を含む重合体がさらにより好ましく、ポリスチレン、ポリｔ－ブチルスチレン、ポリメタクリル酸メチル、及びスチレン－４－ビニルベンゾシクロブテン共重合体がさらに好ましい。
　［Ａ］重合体の数平均分子量（Ｍｎ）の下限としては、５００が好ましく、２，０００がより好ましく、４，０００がさらに好ましく、５，０００が特に好ましい。上記Ｍｎの上限としては、５０，０００が好ましく、３０，０００がより好ましく、１５，０００がさらに好ましく、８，０００が特に好ましい。
　［Ａ］重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）のＭｎに対する比（Ｍｗ／Ｍｎ、分散度）の上限としては、５が好ましく、２がより好ましく、１．５がより好ましく、１．３が特に好ましい。上記比の下限としては、通常１であり、１．０５が好ましい。
　［Ａ］重合体の含有量の下限としては、組成物（Ｉ）における全固形分に対して、８０質量％が好ましく、９０質量％がより好ましく、９５質量％がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、例えば１００質量％である。「全固形分」とは、［Ｂ］溶媒以外の成分の総和をいう。
（［Ｂ］溶媒）
　［Ｂ］溶媒としては、少なくとも［Ａ］重合体及び他の成分を溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
　［Ｂ］溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。
　アルコール系溶媒としては、例えば
　４－メチル－２－ペンタノール、ｎ－ヘキサノール等の炭素数１～１８の脂肪族モノアルコール系溶媒；
　シクロヘキサノール等の炭素数３～１８の脂環式モノアルコール系溶媒；
　１，２－プロピレングリコール等の炭素数２～１８の多価アルコール系溶媒；
　プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数３～１９の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
　エーテル系溶媒としては、例えば
　ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジヘプチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒；
　テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒；
　ジフェニルエーテル、アニソール（メチルフェニルエーテル）等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
　ケトン系溶媒としては、例えば
　アセトン、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル－ｉｓｏ－ブチルケトン、２－ヘプタノン（メチル－ｎ－ペンチルケトン）、エチル－ｎ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジ－ｉｓｏ－ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒；
　シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒；
　２，４－ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
　アミド系溶媒としては、例えば
　Ｎ，Ｎ’－ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒；
　Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
　エステル系溶媒としては、例えば
　酢酸ｎ－ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒；
　プロピレングリコールアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒；
　プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒；
　γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン等のラクトン系溶媒；
　シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒；
　ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
　炭化水素系溶媒としては、例えば
　ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン等の炭素数５～１２の脂肪族炭化水素系溶媒；
　トルエン、キシレン等の炭素数６～１６の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
　これらの中で、エステル系溶媒が好ましく、多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒がより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがさらに好ましい。組成物（Ｉ）は、［Ｂ］溶媒を１種又は２種以上含有していてもよい。
（他の成分）
　組成物（Ｉ）は、［Ａ］重合体及び［Ｂ］溶媒以外に他の成分を含有していてもよい。他の成分としては、例えば界面活性剤等が挙げられる。組成物（Ｉ）は、界面活性剤を含有することで、基材表面への塗工性を向上させることができる。
［組成物（Ｉ）の調製方法］
　組成物（Ｉ）は、例えば［Ａ］重合体、［Ｂ］溶媒及び必要に応じて他の成分を所定の割合で混合し、好ましくは０．４５μｍ程度の細孔を有する高密度ポリエチレンフィルター等で濾過することにより調製することができる。組成物（Ｉ）の固形分濃度の下限としては、０．１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましく、０．７質量％がさらに好ましい。上記固形分濃度の上限としては、３０質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、３質量％がさらに好ましい。
［加熱工程］
　本工程では、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する。これにより、基材表層の金属（Ａ）と、組成物（Ｉ）の［Ａ］重合体の官能基（Ａ）との結合形成が促進され、基材表面の領域（Ｉ）に、［Ａ］重合体を含む塗膜（以下、「塗膜（Ｉ）」ともいう）が積層される。
　加熱の手段としては、例えばオーブン、ホットプレート等が挙げられる。加熱の温度の下限としては、８０℃が好ましく、１００℃がより好ましく、１３０℃がさらに好ましい。加熱の温度の上限としては、４００℃が好ましく、３００℃がより好ましく、２００℃がさらに好ましい。加熱の時間の下限としては、１０秒が好ましく、１分がより好ましく、２分がさらに好ましい。加熱の時間の上限としては、１２０分が好ましく、１０分がより好ましく、５分がさらに好ましい。
　形成される塗膜（Ｉ）の平均厚みは、組成物（Ｉ）における［Ａ］重合体の種類及び濃度、並びに加熱工程における加熱温度、加熱時間等の条件を適宜選択することで、所望の値にすることができる。塗膜（Ｉ）の平均厚みの下限としては、０．１ｎｍが好ましく、１ｎｍがより好ましく、３ｎｍがさらに好ましい。上記平均厚みの上限としては、例えば２０ｎｍである。
［除去工程］
　本工程では、塗膜（Ｉ）のうち領域（ＩＩ）上に形成された部分を除去する。これにより、加熱工程後の金属（Ａ）と結合していない［Ａ］重合体を含む部分が除去され、領域（Ｉ）の部分が選択的に修飾された基材が得られる。
　除去工程における除去は、通常、加熱工程後の基材を、リンス液でリンスすることにより行う。リンス液としては、通常、有機溶媒が用いられ、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒、イソプロパノール等のモノアルコール系溶媒などが用いられる。
　以上により、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。得られた基材は、例えば以下の工程を行うことにより、種々処理することができる。
［接触工程］
　本工程では、上記除去工程後の基材の表面に、アルコール、希酸、過酸化水素水、オゾン又はプラズマを接触させる。これにより、領域（ＩＩ）に形成された空気酸化膜層を除去することができる。この希酸としては、特に限定されるわけではないが、例えば希塩酸、希硫酸、希硝酸、希クエン酸、希シュウ酸、希マレイン酸、希酢酸、希イソ酪酸、希２－エチルヘキサン酸等が挙げられる。
［堆積工程］
　本工程では、上記除去工程後の基材の表面に、ＣＶＤ（化学的気相蒸着）法又はＡＬＤ（原子層堆積）法によりパターンを堆積させる。これにより、［Ａ］重合体で被覆されていない領域（ＩＩ）に、選択的にパターンを形成することができる。
［エッチング工程］
　本工程では、上記除去工程後の基材の表面上の上記［Ａ］重合体をエッチングにより除去する。
　エッチングの方法としては、例えばＣＦ４、Ｏ２ガス等を用い、各層のエッチングレートの差等を利用するケミカルドライエッチング、有機溶媒、フッ酸等の液体のエッチング液を用いたケミカルウェットエッチング（湿式現像）等の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、イオンビームエッチング等の物理的エッチングなどの公知の方法が挙げられる。これらの中で、反応性イオンエッチングが好ましく、ケミカルドライエッチング及びケミカルウェットエッチングがより好ましい。
　ケミカルドライエッチングの前に、必要に応じて放射線を照射してもよい。放射線としては、エッチングにより除去する部分がポリメタクリル酸メチルブロックを含む重合体である場合には、ＵＶ照射等を用いることができる。また、酸素プラズマ処理を用いることもできる。上記ＵＶ照射又は酸素プラズマ処理により、ポリメタクリル酸メチルブロックが分解されるため、よりエッチングされ易くなる。
　ケミカルウェットエッチングに用いられる有機溶媒としては、例えば
　ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン等のアルカン；
　シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン；
　酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸ｉ－ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル；
　アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ－ペンチルケトン等のケトン；
　メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、４－メチル－２－ペンタノール等のアルコールなどが挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
　以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各物性値の測定方法を下記に示す。
［Ｍｗ及びＭｎ］
　重合体のＭｗ及びＭｎは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により東ソー社のＧＰＣカラム（「Ｇ２０００ＨＸＬ」２本、「Ｇ３０００ＨＸＬ」１本及び「Ｇ４０００ＨＸＬ」１本）を使用し、以下の条件により測定した。
　溶離液：テトラヒドロフラン（和光純薬工業社）
　流量：１．０ｍＬ／分
　試料濃度：１．０質量％
　試料注入量：１００μＬ
　カラム温度：４０℃
　検出器：示差屈折計
　標準物質：単分散ポリスチレン
［１３Ｃ－ＮＭＲ分析］
　１３Ｃ－ＮＭＲ分析は、核磁気共鳴装置（日本電子社の「ＪＮＭ－ＥＸ４００」）を使用し、測定溶媒としてＣＤＣｌ３を用いて行った。重合体における各構造単位の含有割合は、１３Ｃ－ＮＭＲで得られたスペクトルにおける各構造単位に対応するピークの面積比から算出した。
＜［Ａ］重合体の合成＞
［合成例１］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。次に、末端停止剤としてのメタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１）１１．７ｇを得た。この重合体（Ａ－１）は、Ｍｗが５，６００、Ｍｎが５，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。
［合成例２］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。次に、末端停止剤としての４－クロロメチル－２，２－ジメチル－１，３－ジオキソラン０．３２ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）を注入し重合末端の停止反応を行った。次に、１Ｎの塩酸水溶液を１０ｇ加え、６０℃で２時間加熱撹拌を行って加水分解反応を行い、末端基としてジオール構造を有する重合体を得た。この反応溶液を室温まで冷却し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－２）１１．３ｇを得た。この重合体（Ａ－２）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０８であった。
［合成例３］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、３－ブロモプロピオニトリルを０．１９ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、金属Ｌｉを除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－３）１１．９ｇを得た。このブロック共重合体（Ａ－３）は、Ｍｗが５，６００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０８であった。
［合成例４］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、アリルブロミドを０．２０ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してメチル溶媒をイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、金属Ｌｉを除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－４）１１．４ｇを得た。この重合体（Ａ－４）は、Ｍｗが５，７００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１０であった。
［合成例５］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．１４ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬ及びｐ－メトキシフェノール０．３ｇを加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－５）１１．０ｇを得た。この重合体（Ａ－５）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが５，１００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例６］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてプロピレンスルフィド０．１８ｍＬ（２．３８ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬ及びｐ－メトキシフェノール０．３ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－６）１１．３ｇを得た。この重合体（Ａ－６）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例７］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を１．７６ｍＬ（１．７１ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．１１ｍＬ（１．７６ｍｍｏｌ）、５質量％塩酸水溶液１ｍＬ及びｐ－メトキシフェノール０．３ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－７）１１．７ｇを得た。この重合体（Ａ－７）は、Ｍｗが７，０００、Ｍｎが６，８００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０３であった。
［合成例８］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を４．７６ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．２９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）、酢酸１ｍＬ及びｐ－メトキシフェノール０．３ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－８）１１．６ｇを得た。この重合体（Ａ－８）は、Ｍｗが２，５００、Ｍｎが２，４００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例９］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．５７ｍＬ（２．５０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったｔｅｒｔ－ブチルスチレン１３．７ｍＬ（０．０７４８ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。この後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．１６ｍＬ（２．５０ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬ及びｐ－メトキシフェノール０．３ｇを注入し重合末端の停止反応を行い、さらにｐ－メトキシフェノール０．３ｇを加えた。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－９）１１．３ｇを得た。この重合体（Ａ－９）は、Ｍｗが５，０００、Ｍｎが４，８００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１０］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．５７ｍＬ（２．５０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったｔｅｒｔ－ブチルスチレン１３．７ｍＬ（０．０７４８ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。この後、末端停止剤としてプロピレンスルフィド０．１９ｍＬ（２．５０ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行い、さらにｐ－メトキシフェノール０．３ｇを加えた。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１０）１１．８ｇを得た。この重合体（Ａ－１０）は、Ｍｗが４，８００、Ｍｎが４，５００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０７であった。
［合成例１１］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、クロロベンゾオキサゾールを０．２６ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１１）１１．５ｇを得た。この重合体（Ａ－１１）は、Ｍｗが５，７００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１０であった。
［合成例１２］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。この後、エピクロロヒドリンを０．１７ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１２）１１．２ｇを得た。この重合体（Ａ－１２）は、Ｍｗが５，７００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１０であった。
［合成例１３］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、末端停止剤としてエチレンスルフィド０．１４ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。次に、この重合体をテトラヒドロフラン５０ｇに溶解させ、アゾイソブチロニトリル１．０ｇ（６．１ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、８０℃、８時間加熱撹拌し、カップリング反応させジスルフィド体を生成させた。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１３）１１．４ｇを得た。この重合体（Ａ－１３）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが５，１００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１４］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。その後、このテトラヒドロフランにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、その後、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。その後、２－クロロメチルピリジンを０．２９ｇ（２．３０ｍｍｏｌ）加え重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で置換した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を５回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１４）１１．１ｇを得た。この重合体（Ａ－１４）は、Ｍｗが５，７００、Ｍｎが５，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１０であった。
［合成例１５］
　冷却管、滴下ロート及び温度計を備えた２００ｍＬ３口フラスコに、アニソール４０ｇ、スチレン２０．８ｇ（０．２００ｍｏｌ）、臭化銅（ＩＩ）０．２９ｇ（２．００ｍｍｏｌ）及びトリス［（２－ジメチルアミノ）エチル］アミン０．４６ｇ（２ｍｍｏｌ）を加え、１００℃に加熱し、２－ブロモイソ酪酸エチル０．５３ｍＬ（３．６ｍｍｏｌ）を加え、窒素フロー下、８時間加熱撹拌した。得られた重合溶液は、酢酸エチル１００ｇで薄めセライト濾過し銅錯体を除去し、超純水５００ｇにて洗浄を５回繰り返した。有機層を回収したのち、濃縮した樹脂溶液にテトラヒドロフラン５０ｇを加えたものをメタノール、１，０００ｇへ沈殿精製させポリマーを析出させた。この固体をブフナーロートにて回収し、メタノール５０ｇにてすすいだ。得られた固体を減圧乾燥することで白色の重合体（Ａ－１５）１１．２ｇを得た。この重合体（Ａ－１５）は、Ｍｗが５，６００、Ｍｎが４，６００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２２であった。
［合成例１６］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１－ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ（７．１９ｍｍｏｌ）、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）及びｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．４７ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬ（０．１２０ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に１２０分間熟成した。次に１Ｎエチレンオキサイドトルエン溶液２．４０ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）を加え、さらにメタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１６）１１．２ｇを得た。この重合体（Ａ－１６）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１７］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１－ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ（７．１９ｍｍｏｌ）、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）及びｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．４７ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬ（０．１２０ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に１２０分間熟成した。次にエチレンスルフィド０．１４ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）を加え、さらにメタノール１ｍＬ及びｐ－メトキシフェノール１ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１７）１１．０ｇを得た。この重合体（Ａ－１７）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１８］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１－ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ（７．１９ｍｍｏｌ）、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）及びｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．４７ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬ（０．１２０ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に１２０分間熟成した。次に、３－ブロモプロピロニトリル０．１９ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）を加え、さらにメタノール１ｍＬ及びｐ－メトキシフェノール１ｇを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１８）１１．３ｇを得た。この重合体（Ａ－１８）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例１９］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦに１，１－ジフェニルエチレン１．０２ｍＬ（７．１９ｍｍｏｌ）、塩化リチウムの１Ｍテトラヒドロフラン溶液９．５９ｍＬ（４．７９ｍｍｏｌ）及びｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．４７ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためのシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったメタクリル酸メチル１２．７ｍＬ（０．１２０ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に１２０分間熟成した。次に、アリルブロミド０．２１ｍＬ（２．４０ｍｍｏｌ）を加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返しシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この重合体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－１９）１１．１ｇを得た。この重合体（Ａ－１９）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例２０］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液を２．３８ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成したのち、二酸化炭素を吹き込み、さらにメタノール１．０ｇを加え重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで冷却し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、シュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－２０）１１．６ｇを得た。この重合体（Ａ－２０）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０８であった。
［合成例２１］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。次に、１，１―ジフェニルエチレン０．９８ｍＬ（６．９１ｍｍｏｌ）を加え、暗褐色に呈することを確認したのち、末端停止剤としての二硫化炭素０．１４ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬを注入し重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－２１）１１．８ｇを得た。この重合体（Ａ－２１）は、Ｍｗが５，５００、Ｍｎが５，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例２２］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．３８ｍＬ（２．３１ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１３．３ｍＬ（０．１１５ｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。滴下終了後に３０分間熟成した。次に、末端停止剤としてのジフェニルリン酸クロライド０．４１ｍＬ（２．３０ｍｍｏｌ）を注入し、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。次に白色固体をテトラヒドロフラン１００ｇに溶解させ、トリエチルミアン１０ｇ、メタノール５ｇを加え、還流下、５時間加水分解反応を行い、再度、１０００ｇのメタノールへ沈殿精製することで白色固体を得た。つぎに、この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－２２）１１．８ｇを得た。この重合体（Ａ－２２）は、Ｍｗが４，９００、Ｍｎが４，７００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
［合成例２３］
　２００ｍＬの３口フラスコ反応容器へアゾイソブチロニトリル０．０９８ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、スチレン１２．５ｇ（１２０ｍｍｏｌ）、２－シアノー２－プロピルドデシルトリチオカーボナート０．８３ｇ（２．４ｍｍｏｌ）、アニソール２０ｇを加え、ドライアイスバス減圧下、脱気を３回行い、窒素雰囲気下とした。常温に戻ったことを確認したのち、８０℃、５時間加熱撹拌した。さらにビニルリン酸０．４８ｍＬとエチレングリコールモノメチルエーテル１ｍＬの混合液をシリンジで投入し、さらに８０℃、３時間加熱撹拌した。
　この重合溶液をｎ－ヘキサン３００ｇへ沈殿精製し、得られた黄色固体を回収した。つぎに黄色固体をテトラヒドロフラン１００ｇに溶解させ、アゾイソブチロニトリル１．９７ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルドデシルメルカプタン２．０２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃、２時間還流させトリチオカーボナート末端の切り離し反応を行った。得られた重合溶液は、メタノール１，０００ｇへ沈殿精製させ、薄黄色の固体を得た。つぎに、この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－２３）１０．２ｇを得た。この重合体（Ａ－２３）は、Ｍｗが４，８００、Ｍｎが４，３００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１２であった。
［合成例２４］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．１３ｍＬ（２．０７ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１１．４ｍＬ（０．０６２ｍｏｌ）、４－ビニルベンゾシクロブテン０．５ｍＬ（３．８４ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。末端停止剤としてのプロピレンスルフィド０．１６ｍＬ（２．０７ｍｍｏｌ）、メタノール１ｍＬ、ｐ－メトキシフェノール０．０１ｇを加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－２４）９．８ｇを得た。この重合体（Ａ－２４）は、Ｍｗが５，０００、Ｍｎが４，７００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。
［合成例２５］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．０９ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１１．１ｍＬ（０．０６２ｍｏｌ）、４－ビニルベンゾシクロブテン０．７ｍＬ（５．３８ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。末端停止剤としてのブロモプロピオニトリル０．３４ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）、塩化リチウム０．５Ｎテトラヒドロフラン溶液４．１ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）を加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－２５）１０．３ｇを得た。この重合体（Ａ－２５）は、Ｍｗが５，２００、Ｍｎが４，９００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０６であった。
（４―アリルスチレンの合成）
　冷却機と滴下ロートを備えた５００ｍＬ３口フラスコに、ドライテトラヒドロフラン１００ｍＬ、マグネシウム３．０１ｇ（１１１ｍｍｏｌ）を加え、氷冷下、滴下ロートより４―クロロスチレン１２．７ｍＬ（１０６ｍｍｏｌ）を加え撹拌し、グリニャール試薬を精製させた。つぎに滴下ロートよりアリルブロミド７．８５ｍＬ（９２ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、５０℃で加熱撹拌した。反応終了後、濾過からろ液を回収し、メチルエチルケトンを加え、水洗を行った後、減圧濃縮した。次に、減圧蒸留から沸点が７８℃／１０Ｐａである留分を本流として、目的物１２．１ｇ（収率９２％）得た。
ＧＣ－Ｍａｓｓ　ｍ／ｚ；１４４．０９
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；７．５９（２Ｈ，ｍ－Ｐｈ），７．１８（２Ｈ，ｏ－Ｐｈ），６．６３（１Ｈ，－ＣＨ＝），５．６１，５．１８（２Ｈ，ＣＨ２），５．２５（３Ｈ，ａｌｌｙｌ），２．３４（２Ｈ，－ＣＨ２－）
［合成例２６］
　５００ｍＬの３口フラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったＴＨＦ１２０ｇを注入し、－７８℃まで冷却した。このＴＨＦにｓｅｃ－ブチルリチウム（ｓｅｃ－ＢｕＬｉ）の１Ｎシクロヘキサン溶液２．０９ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）を注入し、さらに、重合禁止剤除去のためシリカゲルによる吸着濾別と蒸留脱水処理とを行ったスチレン１１．１ｍＬ（０．０６２ｍｏｌ）、４－アリルスチレン０．７８ｍＬ（５．３８ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下注入し、重合系が橙色であることを確認した。この滴下注入のとき、反応溶液の内温が－６０℃以上にならないように注意した。末端停止剤としてのブロモプロピオニトリル０．３４ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）、塩化リチウム０．５Ｎテトラヒドロフラン溶液４．１ｍＬ（２．０３ｍｍｏｌ）を加え、重合末端の停止反応を行った。この反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮して溶媒をＭＩＢＫで置換した。その後、シュウ酸２質量％水溶液１，０００ｇを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返し、Ｌｉ塩を除去した。その後、超純水１，０００ｇを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を３回繰り返してシュウ酸を除去した後、溶液を濃縮してからメタノール５００ｇ中に滴下することで重合体を析出させ、ブフナーロートにて固体を回収した。この固体を６０℃で減圧乾燥させることで白色の重合体（Ａ－２６）１０．５ｇを得た。この重合体（Ａ－２６）は、Ｍｗが５，３００、Ｍｎが５，１００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０４であった。
＜組成物の調製＞
［調製例１］
　［Ａ］重合体としての（Ａ－１）１．２ｇに、［Ｂ］溶媒としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）９８．８ｇを加え、撹拌したのち、０．４５μｍの細孔を有する高密度ポリエチレンフィルターにて濾過することにより、組成物（Ｓ－１）を調製した。
［調製例２～２６］
　下記表１に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、調製例１と同様にして、組成物（Ｓ－２）～（Ｓ－２６）を調製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
＜評価＞
　上記調製した組成物を、下記方法に従い、評価した。
＜金属基板上での選択的表面修飾の評価＞
［実施例１～２５、２９～３１、３４～３６、比較例１及び２並びに参考例１～７］
　８インチの基板（銅基板、コバルト基板、タングステン基板、タンタル基板、タンタル窒化膜基板）を５質量％シュウ酸水溶液に浸漬させたのち、窒素フローにて乾燥させ、表面の酸化被膜を除去した。酸化ケイ素基板については、イソプロパノールにて表面処理を行った。
　次に、トラック（東京エレクトロン社の「ＴＥＬＤＳＡ　ＡＣＴ８」）を用いて、上記調製した組成物を１，５００ｒｐｍにてスピンコートし、１５０℃で１８０秒間焼成した。この基板をＰＧＭＥＡにて剥離し、未反応の重合体を除去した。基板上に形成された選択的表面修飾材は、エリプソメータの膜厚測定結果より、０ｎｍ～５ｎｍ程度であった。次に、表面の接触角値を、接触角計（協和界面科学社のＤｒｏｐ　ｍａｓｔｅｒ　ＤＭ－５０１）を用いて測定した。さらに、膜厚を元に［Ａ］重合体（ブラシ）の存在密度σ（ｃｈａｉｎｓ／ｎｍ２）を下記式（１）により算出した。
　　σ＝ｄ×Ｌ×ＮＡ×１０－２１／Ｍｎ・・・（１）
　　ｄ：［Ａ］重合体の密度（ｇ／ｃｍ３）、Ｌ：膜の平均厚み（ｎｍ）、ＮＡ：アボガドロ数、Ｍｎ：［Ａ］重合体の数平均分子量
　金属基板及び酸化ケイ素基板のそれぞれについて、基板表面に形成された重合体膜の平均厚み（ｎｍ）、接触角値（°）及び重合体（ブラシ）密度（ｃｈａｉｎｓ／ｎｍ２）について表２にそれぞれ示す。表２中の「－」は基材表面の選択性が示されておらず、重合体の存在密度を算出しなかったことを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
＜銅－シリコンオキサイドからなるストライプ基板上での選択的表面修飾の評価＞
［実施例２６～２８、３２～３３、３７～３９、比較例３及び参考例８］
　図１に示す８インチ基板（Ｃｕ－ＥＰＣ：１０，０００Å／Ｃｕ－Ｓｅｅｄ：１，０００Å／ＴａＮ　Ｂａｒｒｉｅｒ　Ｌａｙｅｒ：２５０Å／シリコンオキサイド（酸化ケイ素）：５，０００Å／シリコンウエハ、０．１８μｍトレンチ）をＣＭＰスラリーにて研磨し、下記図２のように銅とシリコンオキサイドがストライプ状に並ぶ基板を作成した。次にこの基板を５質量％シュウ酸水溶液に浸漬させたのち、窒素フローにて乾燥させ、表面の酸化被膜を除去した。
　この基板にトラック（東京エレクトロン社の「ＴＥＬＤＳＡ　ＡＣＴ８」）を用いて、上記調製した組成物を１，５００ｒｐｍにてスピンコートし、１５０℃で１８０秒間焼成した。この基板をＰＧＭＥＡにて剥離し、未反応の重合体を除去した。次に、走査型プローブ顕微鏡（日立ハイテクサイエンス社、Ｓ－ｉｍａｇｅ（顕微鏡ユニット）及びＮａｎｏＮａｖｉＲｅａｌ（コントロールステーション））にて表面を観察し、凹凸より被覆部の膜厚を算出した。
　銅－シリコンオキサイドストライプ基板上の銅、シリコンオキサイドのそれぞれの領域上に形成された重合体の塗膜の平均厚み（ｎｍ）を表３にそれぞれ示した。表３中の「ＮＤ」は、厚みが小さく、検出できなかったことを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表２及び表３の結果から、実施例の基材表面の選択的修飾方法によれば、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾できることが示された。
　本発明の基材表面の選択的修飾方法及び組成物によれば、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。従って、当該基材表面の選択的修飾方法及び組成物は、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスの加工プロセス等に好適に用いることができる。
　１　シリコンウエハ
　２　Ｃｕ－ＥＰＣ
　３　Ｃｕ－ｓｅｅｄ
　４　ＴａＮ
　５　シリコンオキサイド

Claims (12)

  1. 　金属を含む第一の領域を表層に有する基材を準備する工程と、
    　上記基材の表面に、上記金属と結合する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第１重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、
    　上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程と
    　を備える基材表面の選択的修飾方法。
  2. 　上記基材が、実質的に非金属のみからなる第二の領域をさらに有し、
    　上記加熱工程の後に、上記塗膜のうち上記第二の領域上に形成された部分をリンス液により除去する工程
    　をさらに備える請求項１に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  3. 　上記金属が、金属単体、合金、導電性窒化物又はシリサイドを構成している請求項１又は請求項２に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  4. 　上記金属が、銅、鉄、亜鉛、コバルト、アルミニウム、チタン、スズ、タングステン、ジルコニウム、タンタル、ゲルマニウム、モリブデン、ルテニウム、金、銀、白金、パラジウム又はニッケルである請求項１、請求項２又は請求項３に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  5. 　上記第１重合体のポリスチレン換算数平均分子量が、５００以上５０，０００以下である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  6. 　上記第１官能基が、シアノ基、スルファニル基、エチレン性炭素－炭素二重結合含有基、オキサゾリン環含有基、リン酸基、エポキシ基又はジスルフィド基である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  7. 　上記第１重合体が、置換又は非置換のスチレンに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、並びに置換又は非置換のエチレンに由来する構造単位から選ばれる少なくとも一種の構造単位を有する重合体である請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  8. 　上記第１重合体が、上記第１官能基を含む基を主鎖の一方の末端に有する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  9. 　上記除去工程後の基材の表面に、アルコール、希酸、過酸化水素水、オゾン又はプラズマを接触させる工程
    　をさらに備える請求項２に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  10. 　上記除去工程後の基材の表面に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりパターンを堆積させる工程
    　をさらに備える請求項２に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  11. 　上記除去工程後の基材の表面上の上記第１重合体をエッチングにより除去する工程
    　をさらに備える請求項２に記載の基材表面の選択的修飾方法。
  12. 　基材表面の選択的修飾方法に用いられる組成物であって、
    　金属と結合を形成する第１官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する重合体と溶媒とを含有することを特徴とする組成物。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020179918A1 (ja) * 2019-03-06 2020-09-10 Jsr株式会社 基板の製造方法及びブロック共重合体
JPWO2020250783A1 (ja) * 2019-06-10 2020-12-17
US11270883B2 (en) 2019-09-12 2022-03-08 Jsr Corporation Pattern-forming method and composition
WO2025052776A1 (ja) * 2023-09-04 2025-03-13 Jsr株式会社 表面処理された基材の製造方法、基材表面の選択的修飾方法及び半導体処理用組成物
KR20250140563A (ko) 2023-03-31 2025-09-25 후지필름 가부시키가이샤 반도체 디바이스 처리용의 조성물, 수식 기판의 제조 방법, 적층체의 제조 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018235877A1 (ja) * 2017-06-21 2018-12-27 Jsr株式会社 カバー膜形成方法
CN121153105A (zh) 2023-05-16 2025-12-16 富士胶片株式会社 半导体器件处理用组合物、修饰基板的制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001135140A (ja) * 1999-11-01 2001-05-18 Jsr Corp 導電性ペースト組成物、その使用方法、および回路基板
JP2007220883A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Kagawa Univ 配線およびその製造方法とそれらを用いた電子部品および電子機器
JP2010084196A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 金属膜形成方法
JP2010183053A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 金属配線の形成方法及びこれを利用して形成された金属配線
JP2014005325A (ja) * 2012-06-21 2014-01-16 Jsr Corp パターン形成用自己組織化組成物及びパターン形成方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2125567A1 (en) * 1991-12-10 1993-06-24 Frank L. Oaks Photocurable cyclobutarene compositions
JPH1138621A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Kansai Paint Co Ltd 感光性樹脂組成物及びそれを使用して得られる回路基板
JP2012036078A (ja) * 1999-06-07 2012-02-23 Toshiba Corp パターン形成方法
JP3940546B2 (ja) * 1999-06-07 2007-07-04 株式会社東芝 パターン形成方法およびパターン形成材料
WO2002018080A1 (en) 2000-08-03 2002-03-07 Upepo & Maji Inc. Metal colloidal solution composition and conductor or ink for forming semiconductor pattern comprising it and method for forming conductor or semiconductor pattern
JP2002241440A (ja) * 2001-02-19 2002-08-28 Toppan Printing Co Ltd アルカリ可溶性重合体及び感光性樹脂組成物
JP4660700B2 (ja) 2001-09-03 2011-03-30 独立行政法人産業技術総合研究所 有機分子自己組織化膜のパターン形成方法
JP2007131875A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Fujifilm Corp 金属膜形成方法及び金属パターン形成方法
JP4838594B2 (ja) 2006-02-02 2011-12-14 トーヨーエイテック株式会社 セルアレイソータ、その製造方法及びそれを用いた細胞ソート方法
US20080118728A1 (en) * 2006-10-20 2008-05-22 Dow Global Technologies Inc. Aqueous dispersions disposed on glass-based fibers and glass-containing substrates
JP2011094192A (ja) * 2009-10-29 2011-05-12 Fujifilm Corp 被めっき層形成用組成物、金属パターン材料の作製方法、及び金属パターン材料
JP5843255B2 (ja) 2011-05-16 2016-01-13 デンカ株式会社 ソルダーレジスト組成物及び金属ベース回路基板
US8691925B2 (en) * 2011-09-23 2014-04-08 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Compositions of neutral layer for directed self assembly block copolymers and processes thereof
JP6188495B2 (ja) * 2013-08-30 2017-08-30 富士フイルム株式会社 積層体及びその応用
JP2015056187A (ja) 2013-09-10 2015-03-23 株式会社東芝 微細パターン形成方法、剥離方法、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体、及びスタンパーの製造方法
JP6398695B2 (ja) * 2013-12-26 2018-10-03 Jsr株式会社 下地膜形成用組成物及び自己組織化リソグラフィープロセス
FR3019477B1 (fr) * 2014-04-03 2023-03-17 Commissariat Energie Atomique Procede de fonctionnalisation de surface
US9690192B2 (en) * 2014-04-21 2017-06-27 Jsr Corporation Composition for base, and directed self-assembly lithography method
CN105336729A (zh) 2014-07-18 2016-02-17 上海和辉光电有限公司 一种用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法
KR102101241B1 (ko) * 2015-06-19 2020-04-17 다이킨 고교 가부시키가이샤 불소 함유 중합체를 포함하는 조성물 및 성형품
JPWO2018043729A1 (ja) * 2016-09-02 2019-06-24 Jsr株式会社 組成物、基材表面の修飾方法及び選択的修飾方法、パターン形成方法、並びに重合体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001135140A (ja) * 1999-11-01 2001-05-18 Jsr Corp 導電性ペースト組成物、その使用方法、および回路基板
JP2007220883A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Kagawa Univ 配線およびその製造方法とそれらを用いた電子部品および電子機器
JP2010084196A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 金属膜形成方法
JP2010183053A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 金属配線の形成方法及びこれを利用して形成された金属配線
JP2014005325A (ja) * 2012-06-21 2014-01-16 Jsr Corp パターン形成用自己組織化組成物及びパターン形成方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020179918A1 (ja) * 2019-03-06 2020-09-10 Jsr株式会社 基板の製造方法及びブロック共重合体
JPWO2020250783A1 (ja) * 2019-06-10 2020-12-17
WO2020250783A1 (ja) * 2019-06-10 2020-12-17 Jsr株式会社 組成物、基板の製造方法及び重合体
JP7468526B2 (ja) 2019-06-10 2024-04-16 Jsr株式会社 組成物、基板の製造方法及び重合体
US11270883B2 (en) 2019-09-12 2022-03-08 Jsr Corporation Pattern-forming method and composition
US12332563B2 (en) 2019-09-12 2025-06-17 Jsr Corporation Pattern-forming method and composition
KR20250140563A (ko) 2023-03-31 2025-09-25 후지필름 가부시키가이샤 반도체 디바이스 처리용의 조성물, 수식 기판의 제조 방법, 적층체의 제조 방법
WO2025052776A1 (ja) * 2023-09-04 2025-03-13 Jsr株式会社 表面処理された基材の製造方法、基材表面の選択的修飾方法及び半導体処理用組成物

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