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WO2017072901A1 - 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法 - Google Patents

半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法 Download PDF

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WO2017072901A1
WO2017072901A1 PCT/JP2015/080498 JP2015080498W WO2017072901A1 WO 2017072901 A1 WO2017072901 A1 WO 2017072901A1 JP 2015080498 W JP2015080498 W JP 2015080498W WO 2017072901 A1 WO2017072901 A1 WO 2017072901A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor wafer
adhesive tape
pressure
sensitive adhesive
protecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/080498
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雅人 大倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
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Priority to KR1020177035910A priority patent/KR20180039020A/ko
Priority to PCT/JP2015/080498 priority patent/WO2017072901A1/ja
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
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    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H10P52/00—
    • H10P72/0442—
    • H10P72/7402—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface and a method for processing a semiconductor wafer. More specifically, the present invention relates to a semiconductor wafer surface protecting adhesive tape applicable to a semiconductor wafer thin film grinding process and a semiconductor wafer processing method using the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape.
  • the semiconductor wafer after pattern formation is usually subjected to processing such as back grinding and etching on the back surface of the semiconductor wafer in order to reduce the thickness.
  • an adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer is attached to the pattern surface.
  • the adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface is generally formed by laminating an adhesive layer on a base resin film, and an adhesive layer is attached to the back surface of a semiconductor wafer for use.
  • the semiconductor wafer surface protection adhesive tape to be used needs to have a high elastic modulus.
  • the elastic modulus of the adhesive tape is increased, it becomes difficult to bend. Therefore, when the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface is peeled off from the surface of the semiconductor wafer, the peeling angle becomes acute, the semiconductor wafer is damaged, or the surface of the semiconductor wafer is In addition, there is a problem that contamination of the semiconductor wafer such as adhesive residue to which the adhesive residue of the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface adheres easily occurs.
  • chip peeling occurs in which the chip is picked up from the dicing tape or the dicing die bonding film.
  • the adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer applied to the tip dicing method and the tip stealth method is required to suppress kerf shift and to prevent the wafer from being damaged or contaminated including chip peeling.
  • the present invention provides a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface, which can suppress kerf shift when applying the first dicing method or the first stealth method, and can be peeled off without damaging or contaminating the semiconductor wafer. With the goal.
  • a semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive tape comprises a base resin film and a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer formed on at least one side of the base resin film.
  • the base resin film has at least one rigid layer having a tensile modulus of 1 to 10 GPa, and is No. 280 water-resistant abrasive paper defined in JIS R 6253 after the adhesive layer is cured by radiation.
  • the peel force at a peel angle of 30 ° with respect to 1.5 mm thick stainless steel (Steel Use Stainless, SUS) defined in JIS G 4305 is 0.1 to 3.0 N / 25 mm. To do.
  • the adhesive tape for semiconductor wafer surface protection by this invention is formed in the at least single side
  • the base resin film has at least one rigid layer having a tensile modulus of 1 to 10 GPa and is No. 280 water-resistant abrasive paper as defined in JIS R 6253 at 50 ° C.
  • the peel force at a peel angle of 30 ° with respect to stainless steel (Steel Use Stainless, SUS) as defined in the finished JIS G 4305 is 0.1 to 3.0 N / 25 mm. .
  • the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape preferably has a repulsive force per unit width of 2 to 15 mN / mm determined from the load load of loop stiffness measured under the following conditions (a) to (d).
  • D Indenter push-in amount Push in 5 mm from the point when the indenter contacts the loop.
  • the layer between the rigid layer and the adhesive layer is composed only of a layer having a tensile modulus of less than 1 GPa, and the thickness of the adhesive layer and the tensile modulus of elasticity. Is preferably 60 ⁇ m or less.
  • the adhesive layer is immersed in a slurry for chemical mechanical polishing in which colloidal silica having an average particle size of 50 nm is dispersed in a sodium hydroxide aqueous solution having a pH of 12 for 24 hours. It is preferable that the ratio with respect to before infiltrating into the said slurry of the insoluble matter later is 75% or more.
  • the adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface includes a radioactive reactive resin having an ethylenically unsaturated group in a side chain, and reacts with the radioactive reactive resin by irradiation with radiation. It is preferable to include a modifier for reducing the peeling force.
  • the modifying agent is preferably non-silicone.
  • a method for manufacturing a semiconductor wafer according to the present invention includes: (a) a step of forming a groove having a thickness less than the thickness of the semiconductor wafer from the surface of the semiconductor wafer in a scheduled cutting line of the semiconductor wafer; And (b) bonding the semiconductor wafer surface protective adhesive tape according to any one of claims 1 to 7 to the surface of the semiconductor wafer on which the groove is formed; And grinding the back surface of the semiconductor wafer to singulate the semiconductor wafer.
  • a method for manufacturing a semiconductor wafer according to the present invention includes: (a) a step of forming a modified region by irradiating a laser inside the semiconductor wafer in a division line of the semiconductor wafer; (B) before or after the step (a), the step of bonding the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape according to any one of claims 1 to 7 to the surface of the semiconductor wafer; ) The method includes the step of separating the semiconductor wafer into pieces by grinding the back surface of the semiconductor wafer.
  • the step (c) may include a step of performing chemical polishing.
  • the pressure-sensitive adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to the present invention, in the back grinding process of the semiconductor wafer to which the tip dicing method or the tip stealth method is applied, the kerf shift of the separated semiconductor chip is suppressed, and the semiconductor wafer Can be processed without breakage or contamination.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a semiconductor wafer surface protecting adhesive tape 1 according to an embodiment of the present invention.
  • the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape 1 has a base resin film 2, and an adhesive layer 4 is provided on at least one side of the base resin film 2. It has been. On the pressure-sensitive adhesive layer 4, if necessary, a release film (not shown) whose surface has been release-treated may be laminated so that the release treatment surface is on the pressure-sensitive adhesive layer 4 side.
  • Base resin film 2 As the base resin film 2 of the adhesive tape 1 for protecting a semiconductor wafer surface of the present invention, a known plastic, rubber, or the like can be used. In particular, when a radiation curable composition is used for the pressure-sensitive adhesive layer 4, it is preferable to select a base resin film 2 that has good transmittance for radiation having a wavelength at which the composition is cured.
  • radiation refers to, for example, light such as ultraviolet rays, ionizing radiation such as laser light, or electron beam, and these are hereinafter collectively referred to as radiation.
  • the base resin film 2 examples include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- Copolymers or copolymers of ⁇ -olefins such as ethyl acrylate copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer, or mixtures thereof, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, There are engineering plastics such as polycarbonate and polymethyl methacrylate, thermoplastic elastomers such as polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers, polyamide-polyol copolymers, and mixtures thereof. Moreover, you may use what made these two or more layers.
  • the base resin film 2 of the semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive tape 1 reduces the amount of kerf shift when used in the tip dicing method and the tip stealth method, and is used in a normal back grinding process.
  • a rigid layer having a tensile elastic modulus of 1 to 10 GPa is included as an essential element in order to suppress warpage of the semiconductor wafer 5 (see FIG. 2).
  • the resin constituting the rigid layer include polyester films such as polyethylene terephthalate.
  • the thickness of the rigid film is suitably 10 to 100 ⁇ m, preferably 10 to 50 ⁇ m, and more preferably 20 to 40 ⁇ m.
  • the repulsive force in loop stiffness which is an index of bendability, is preferably 2 to 15 mN / 25 mm or less, and more preferably 5 to 13 mN / 25 mm.
  • the repulsive force in the loop stiffness is the repulsive force per unit width obtained from the load load of the loop stiffness measured under the following conditions (a) to (d).
  • D Indenter push-in amount Push in 5 mm from the point when the indenter contacts the loop.
  • the use of the base resin film 2 in which the polyolefin layer is laminated on one side or both sides of the rigid layer can also impart cushioning properties when grinding the back surface of the semiconductor wafer 5, and apply the unevenness on the surface of the semiconductor wafer 5 to the adhesive layer 4. It is preferable from the viewpoint of improving the embedding property and further improving the adhesiveness to the heat seal used when peeling the adhesive tape 1 for protecting the semiconductor wafer surface.
  • the resin applied to the laminated polyolefin layer low density polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, polypropylene and the like are preferable.
  • a known method for forming the base resin film 2 by laminating each layer for example, a known method such as pasting or co-extrusion using a pressure-sensitive adhesive or an adhesive can be applied.
  • the surface of the base resin film 2 on which the pressure-sensitive adhesive layer 4 is provided may be appropriately subjected to a treatment such as a corona treatment or a primer layer in order to improve the adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer 4.
  • the surface of the base resin film 2 on which the pressure-sensitive adhesive layer 4 is not provided is also preferably textured or coated with a lubricant, thereby preventing blocking during storage of the surface-protective pressure-sensitive adhesive tape of the present invention. Obtainable.
  • the adhesive tape 1 for protecting a semiconductor wafer surface has an adhesive layer 4 formed on a base resin film 2.
  • the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 4 can sufficiently maintain the adhesion to the semiconductor wafer 5 when the semiconductor wafer 5 is ground, and the semiconductor wafer 5 is damaged when the front-surface semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive tape 1 is peeled off. Although it will not specifically limit if it does not make it, It is preferable to select the thing with which the peeling force in the low angle as described below becomes low.
  • the main component polymer is preferably a (meth) acrylic resin. By using (meth) acrylic resin as the main component polymer, it becomes easy to control the adhesive force, and the elastic modulus and the like can be controlled.
  • the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 4 it is preferable to use a radiation-curable pressure-sensitive adhesive from the viewpoint of peelability.
  • the resin such as the adhesive base resin has an ethylenically unsaturated group (non-aromatic carbon-carbon double bond) or the adhesive base resin has an ethylenically unsaturated group.
  • the compound which has is used together.
  • the resin such as the pressure-sensitive adhesive base resin uses a resin having an ethylenically unsaturated group in the side chain.
  • it is preferable to contain a photoinitiator and a crosslinking agent in an adhesive composition and it is preferable to contain a crosslinking agent in order to adjust the elasticity modulus and adhesive force of the adhesive layer 4.
  • pressure-sensitive adhesive that does not cure by radiation irradiation
  • heat of about 50 ° C. is applied at the time of peeling instead of radiation irradiation. It is also possible to reduce the peeling force.
  • pressure-sensitive adhesives include structural units derived from (meth) acrylic acid alkyl ester monomers and 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxylethyl (meth) acrylate and / or 2-hydroxybutyl acrylate. It is possible to use a copolymer obtained by crosslinking a copolymer containing a structural unit derived from the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer with an isocyanate compound.
  • the resin having an ethylenically unsaturated group Any resin having an ethylenically unsaturated group may be used, but a (meth) acrylic resin is preferred.
  • the iodine value which is an indicator of the amount of double bonds contained in the resin, is preferably from 0.5 to 20.
  • the iodine value is more preferably 0.8 to 10. If the iodine value is 0.5 or more, an effect of reducing the adhesive strength after radiation irradiation can be obtained, and if the iodine value is 20 or less, excessive radiation curing can be prevented.
  • the resin having an ethylenically unsaturated group preferably has a glass transition temperature (Tg) of ⁇ 70 ° C. to 0 ° C. If the glass transition temperature (Tg) is ⁇ 70 ° C. or higher, the heat resistance against heat accompanying the processing steps of the semiconductor wafer 5 is increased.
  • the resin having an ethylenically unsaturated group may be produced in any way, but the (meth) acrylic resin having a functional group ( ⁇ ) in the side chain is combined with the ethylenically unsaturated group and the functional group in the resin.
  • a method of reacting a compound having a functional group ( ⁇ ) that reacts with ( ⁇ ) and introducing an ethylenically unsaturated group into the side chain of the (meth) acrylic resin is preferred.
  • the ethylenically unsaturated group may be a group such as: (meth) acryloyl group, (meth) acryloyloxy group, (meth) acryloylamino group, allyl group, 1-propenyl group, vinyl group (styrene) Or a substituted styrene) is preferable, and a (meth) acryloyl group and a (meth) acryloyloxy group are more preferable.
  • Examples of the functional group ( ⁇ ) that reacts with the functional group ( ⁇ ) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group.
  • one functional group of the functional group ( ⁇ ) and the functional group ( ⁇ ) is a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, or a cyclic acid anhydride group
  • the other functional group is , An epoxy group, and an isocyanate group.
  • one functional group is a cyclic acid anhydride group
  • the other functional group includes a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, and a mercapto group.
  • one functional group is an epoxy group
  • the other functional group may be an epoxy group.
  • the (meth) acrylic resin having a functional group ( ⁇ ) in the side chain can be obtained by polymerizing (meth) acrylic acid ester, acrylic acid or (meth) acrylamide having a functional group ( ⁇ ).
  • the functional group ( ⁇ ) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a mercapto group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group.
  • a carboxyl group and a hydroxyl group are preferable, and a hydroxyl group is particularly preferable.
  • Such monomers include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, anhydrous Phthalic acid, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, some isocyanate groups of polyisocyanate compounds are hydroxyl or carboxyl groups and radiation curing Carbon - like a like those urethanization a monomer having a carbon-carbon double bond.
  • acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycidyl acrylate, and glycidyl methacrylate are preferable.
  • Acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylate Are more preferable, and 2-hydroxyalkyl acrylates and 2-hydroxyalkyl methacrylates are more preferable.
  • the resin having an ethylenically unsaturated group is preferably a copolymer with another monomer such as (meth) acrylic acid ester together with the above-mentioned monomer.
  • (Meth) acrylic acid esters include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, n-pentyl acrylate, n-hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl Acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate hexyl acrylate, and the corresponding methacrylates.
  • the (meth) acrylic acid ester may be one type or two or more types, but it is preferable to use one having an alcohol part having 5 or less carbon atoms and one having 6 to 12 carbon atoms.
  • the resin having an ethylenically unsaturated group is preferably a resin obtained by further copolymerizing (meth) acrylic acid in addition to (meth) acrylic acid ester.
  • the polymerization reaction of a resin having an ethylenically unsaturated group may be any of solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization.
  • the (meth) acrylic resin having a functional group ( ⁇ ) in the side chain is reacted with a compound having an ethylenically unsaturated group and a functional group ( ⁇ ) that reacts with the functional group ( ⁇ ) in the resin, By making it react excessively and leaving an unreacted functional group, it is possible to adjust to desired adhesive properties and elastic modulus.
  • a radical generator such as an azobis type such as ⁇ , ⁇ '-azobisisobutylnitrile or an organic peroxide type such as benzoyl peroxide is usually used.
  • a catalyst and a polymerization inhibitor can be used in combination, and a resin having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time.
  • the average molecular weight of the resin having an ethylenically unsaturated group is preferably about 200,000 to 1,500,000, more preferably 700,000 to 1,200,000.
  • the low molecular weight component By reducing the low molecular weight component, the surface contamination of the semiconductor wafer 5 can be suppressed.
  • the number of molecules having a molecular weight of 100,000 or less is 10% or less. If the molecular weight exceeds 1,500,000, there is a possibility of gelation during synthesis and coating.
  • the resin having an ethylenically unsaturated group has an OH group having a hydroxyl value of 5 to 100 mgKOH / g, the risk of tape peeling failure can be further reduced by reducing the adhesive strength after radiation irradiation. It is preferable because it is possible.
  • a compound having a functional group ( ⁇ ) that reacts with an ethylenically unsaturated group and a functional group ( ⁇ ) will be described.
  • the ethylenically unsaturated group is preferably the group described above, and the preferred range is also the same.
  • Examples of the functional group ( ⁇ ) that reacts with the functional group ( ⁇ ) include the groups described above.
  • Examples of the compound having a functional group ( ⁇ ) that reacts with the ethylenically unsaturated group and the functional group ( ⁇ ) include a monomer compound having a functional group ( ⁇ ), and a (meth) acrylate having an isocyanate group in the alcohol part.
  • a (meth) acrylate having an isocyanate group in the alcohol part is preferred.
  • those having an isocyanate group at the terminal of the alcohol part are preferred.
  • the number of carbon atoms other than the isocyanate group in the alcohol part is preferably 2 to 8, and the alcohol part is a linear alkyl group. Those are preferred.
  • Preferred examples of the (meth) acrylate having an isocyanate group in the alcohol part include 2-isocyanatoethyl acrylate and 2-isocyanatoethyl methacrylate.
  • Crosslinking agent polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins or epoxy compounds having two or more epoxy groups are preferable, and polyisocyanates are particularly preferable.
  • a crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 or more types. By crosslinking the resin polymer, the crosslinking agent can improve the cohesive strength of the adhesive after application of the adhesive.
  • polyisocyanates examples include hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4′-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4′-dicyclohexylmethane diisocyanate, lysine diisocyanate, and lysine.
  • Coronate L made by Nippon Polyurethane Co., Ltd.
  • Coronate L made by Nippon Polyurethane Co., Ltd.
  • melamine / formaldehyde resin As the melamine / formaldehyde resin, Nicalac MX-45 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), melan (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), etc. can be used as commercial products. Furthermore, as the epoxy resin, TETRAD-X (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) can be used.
  • the addition amount of the crosslinking agent is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 1.0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin having an ethylenically unsaturated group. In accordance with the number of functional groups of the resin having an unsaturated group, the amount is appropriately adjusted in order to obtain desired adhesive properties and elastic modulus.
  • the amount of the crosslinking agent is less than 0.1 parts by mass, the cohesive force improving effect tends to be insufficient.
  • the amount exceeds 20 parts by mass the curing reaction proceeds rapidly during the blending and application of the adhesive, and a crosslinked structure is formed. Therefore, workability may be impaired.
  • a photopolymerization initiator When a radiation curable pressure-sensitive adhesive is selected as the pressure-sensitive adhesive layer 4, a photopolymerization initiator can be included as necessary. As long as it reacts with the radiation which permeate
  • benzophenones such as benzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone, 4,4′-dichlorobenzophenone, acetophenones such as acetophenone and diethoxyacetophenone, 2-ethylanthraquinone, t- Anthraquinones such as butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triallylimidazole dimer (rophine dimer), acridine compound, acylphosphine oxide
  • the addition amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin having an ethylenically unsaturated group.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 4 can be blended with a tackifier, a pressure-adjusting agent, a surfactant, or a modifier, if necessary. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably. In the present invention, it is also preferable to add a modifier from the viewpoint of peelability. Examples of modifiers include silicone compounds, fluorine compounds, and long-chain alkyl group-containing compounds. Addition reduces dust penetration by reducing the peel force at low angles and increasing the contact angle with water. Can be suppressed.
  • the modifier is preferably a compound having an ethylenically unsaturated group
  • the adhesive base resin has an ethylenically unsaturated group in the side chain. More preferably, it is a resin.
  • a modifier having an ethylenically unsaturated group specifically, commercially available products such as Ebecryl 360 (manufactured by Daicel Ornex Co., Ltd.), which is a silicone acrylate, and MegaFac RS-72-K, which is a fluorine-based surface modifier. (Made by DIC Corporation). From the viewpoint of the influence on the surface of the semiconductor wafer 5, it is more preferably a fluorine-based compound.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 4 can be formed, for example, by applying the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition onto a release film, drying it, and transferring it onto the base resin film 2.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 4 is preferably 1 to 60 ⁇ m.
  • the tip dicing method and the tip stealth method a gap is formed between the chips during the backside grinding of the semiconductor wafer. Therefore, when grinding processing such as CMP (chemical mechanical polishing) or etching is performed after grinding. There is a concern that the semiconductor wafer is contaminated by the slurry, or the adhesive of the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer is eroded by the slurry and the semiconductor wafer is contaminated by the brittle adhesive. Further, in the tip dicing method and the tip stealth method, since the semiconductor wafer 5 is formed into chips 11 during grinding, the surface of the semiconductor wafer 5 is more easily contaminated by grinding dust than in normal grinding.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the adhesion of the surface protection tape to the surface of the semiconductor wafer 5 is further required.
  • the tip 11 vibrates in the depth direction during grinding in the tip dicing method or the tip stealth method.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 4 is preferably thin, more preferably 5 to 30 ⁇ m, and the layer formed between the rigid layer and the pressure-sensitive adhesive layer 4 is only a layer having a tensile modulus of less than 1 GPa.
  • the total thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 4 and the layer having a tensile modulus of less than 1 GPa is preferably 5 to 60 ⁇ m. Since the layer formed between the rigid layer and the pressure-sensitive adhesive layer 4 is composed of only a layer having a tensile modulus of less than 1 GPa, when there are a plurality of rigid layers, the rigid layer closest to the pressure-sensitive adhesive layer 4 is used. In other words, the layer formed between the adhesive layer 4 and the pressure-sensitive adhesive layer 4 is composed of only a layer having a tensile elastic modulus of less than 1 GPa. Examples of the layer having a tensile elastic modulus of less than 1 GPa include a layer constituting the base resin film other than the rigid layer, an adhesive layer for bonding a plurality of layers constituting the base resin film, and the like.
  • the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive is preferably 0.01 to 0.1 MPa at 25 ° C., more preferably 0.02 to 0.1 MPa at 50 ° C.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 4 may have a configuration in which a plurality of pressure-sensitive adhesive layers 4 are laminated.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 4 has a ratio (gel fraction) of 75% or more with respect to before being immersed in the slurry of insoluble matter after being immersed in the slurry used for chemical polishing of the back surface of the semiconductor wafer 5 for 24 hours. Preferably, it is 90% or more.
  • the slurry can be a slurry for chemical mechanical polishing in which, for example, 14% by weight of colloidal silica having an average particle diameter of 50 nm is dispersed in an aqueous sodium hydroxide solution having a pH of 12.
  • the pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer 4 is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 4
  • the pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer 4 is a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer 4 after radiation irradiation.
  • the peeling force at a peeling angle of 30 ° and a tensile speed of 20 mm / min under a heating condition of 50 ° C. is 0.1 to 3 N / 25 mm, preferably 0.5 to 1.8 N. / 25 mm.
  • the peeling force is less than 0.1 N / 25 mm
  • the back surface of the semiconductor wafer 5 may be ground and separated into chips 11, and then the chips 11 may be displaced during transport to the next step.
  • the thickness exceeds 0 N / 25 mm
  • the chip 11 is stripped from the dicing tape 6 or the dicing die bonding film bonded to the back surface of the semiconductor wafer 5 when the adhesive tape 1 for protecting the semiconductor wafer surface is peeled off. Adhesive residue in which the adhesive residue of the adhesive tape 1 for chip peeling or semiconductor wafer surface protection adheres to the surface of the semiconductor wafer 5 is liable to occur.
  • the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape 1 is peeled from the semiconductor wafer 5 by adhering an adhesive type or heat seal type peeling tape to the end of the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape 1 and peeling from the end.
  • the peeling between the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape 1 and the semiconductor wafer 5 is an acute angle, so that it is close to the peeling on the surface, resulting in a much larger peeling force than 90 ° peeling.
  • the peeling force at 30 ° peeling is 3.6 N / 25 mm even though the peeling force at 90 ° peeling is 0.4 N / 25 mm.
  • the peeling angle 30 ° in the present invention is an angle in the tensile direction with respect to the adherend, and the peeling angle between the actual adherend and the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape 1 is the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape 1. It depends on the rigidity of the.
  • the peeling force at a peeling angle of 30 ° was obtained by collecting a test piece 25 mm wide by 300 mm long from the adhesive tape 1 for protecting the surface of a semiconductor wafer, and finishing the sample with No. 280 water-resistant abrasive paper specified in JIS R 6253.
  • the adhesive is a radiation-curing type
  • the test piece is pressure-bonded to a 1.5 mm thick stainless steel (Steel Use Stainless, SUS) plate specified in JIS G 4305 by three reciprocations of a 2 kg rubber roller. After being cured by radiation and left for 1 hour, when the pressure sensitive adhesive is pressure sensitive, the measured value is in the range of 15 to 85% of its capacity when the SUS plate is heated to 50 ° C.
  • peeling is performed under the conditions of a tensile speed of 20 mm / min, an ambient temperature of 25 ° C., and a relative humidity of 50%, and the peel angle ⁇ is 30 ° (FIG. 1 Obtained by measuring the peel strength in the reference).
  • the rigidity and thickness of the base resin film 2 are adjusted. For the local elongation, the thickness on the rigid layer, the addition of a modified layer, and other adhesives. It can be adjusted depending on the composition of the agent.
  • a release film is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 4 as necessary in the surface-protective pressure-sensitive adhesive tape of the present invention.
  • the release film is also called a separator, a release layer, or a release liner, and is provided for the purpose of protecting the pressure-sensitive adhesive layer 4 and for the purpose of smoothing the pressure-sensitive adhesive.
  • the constituent material of the release film include synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate, and paper.
  • a release treatment such as a silicone treatment, a long-chain alkyl treatment, or a fluorine treatment may be performed as necessary.
  • the thickness of the release film is usually about 10 to 100 ⁇ m, preferably about 25 to 50 ⁇ m.
  • the wafer processing tape 1 of the present invention it is suitable for a manufacturing method of a semiconductor wafer 5 using a tip dicing method or a tip stealth method, for example, the following manufacturing methods (A) to (B) of the semiconductor wafer 5 Can be used for
  • Manufacturing method of semiconductor wafer 5 (A) (a) forming a groove 7 having a thickness less than the thickness of the semiconductor wafer 5 from the surface of the semiconductor wafer 5 in a division line of the semiconductor wafer 5; (b) bonding the above-described adhesive tape 1 for protecting a semiconductor wafer surface to the surface of the semiconductor wafer 5 in which the grooves 7 are formed; (c) A method of manufacturing a semiconductor wafer 5 including a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer 5 to separate the semiconductor wafer 5 into pieces.
  • Manufacturing method of semiconductor wafer 5 (B) (a) a step of forming a modified region by irradiating a laser inside the semiconductor wafer 5 in the planned cutting line of the semiconductor wafer 5; (b) before or after the step (a), the step of bonding the above-mentioned adhesive tape 1 for protecting a semiconductor wafer surface to the surface of the semiconductor wafer 5; (c) A method of manufacturing a semiconductor wafer 5 comprising a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer 5 to separate the semiconductor wafer 5 into pieces.
  • a method for using the adhesive tape 1 for protecting a semiconductor wafer surface of the present invention that is, an example of a method for processing the semiconductor wafer 5 will be described.
  • a groove 7 having a depth equal to or greater than the final product thickness is formed on the semiconductor wafer 5 from the surface side of the semiconductor wafer 5 using a blade (not shown) or a laser (grooving step).
  • the adhesive layer 4 of the adhesive tape 1 for semiconductor wafer surface protection is bonded to the surface of the semiconductor wafer 5 on which the circuit pattern is formed (protective tape bonding step).
  • the semiconductor wafer 5 in which the groove 7 is formed reaches the groove 7 as shown in FIG. Grind up to. Thereby, the semiconductor wafer 5 is separated into chips 11. If necessary, polishing or etching is performed after the grinding process for the purpose of improving the bending strength of the semiconductor wafer 5.
  • polishing chemical mechanical polishing (CMP) can be used.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the dicing tape 6 or the dicing die bonding film is bonded to the back surface of the semiconductor wafer 5 and the ring frame 9 is bonded to the outer periphery of the dicing tape 6 as shown in FIG.
  • the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape 1 is peeled off.
  • the adhesive tape 1 for protecting a semiconductor wafer surface according to the present embodiment has a peeling force of 0.1 to 3 N / 25 mm at a peeling angle of 30 ° and a tensile speed of 20 mm / min.
  • the chip 11 can be prevented from being displaced (kerf shift) during conveyance to the next process, and wafer breakage including chip peeling can be generated. Can be reduced.
  • the dicing tape 6 on which the semiconductor wafer 5 and the ring frame 9 are bonded is placed on the stage (not shown) of the expanding apparatus, and the ring frame 9 is fixed.
  • the push-up member 10 of the expanding device is raised and the dicing tape 6 is expanded.
  • the semiconductor chip 11 can be obtained by pushing up the chip 11 from the back surface side of the dicing tape 6 with the push-up pin 12 and attracting and picking it up with the collet 13.
  • the tip stealth method may be used instead of the tip dicing method.
  • a modified region forming step is performed in which the modified region is formed by irradiating the semiconductor wafer 5 with laser instead of the groove cutting step.
  • the modified region forming step may be performed after the protective tape bonding step.
  • a pressure-sensitive adhesive composition was prepared as follows, a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface was prepared by the following method, and its performance was evaluated.
  • Adhesive layer composition 2A To 100 parts by mass of a copolymer consisting of 83 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 16 parts by mass of 2-hydroxyacrylate and 1 part by mass of methacrylic acid, 10 parts by mass of methacryloyloxyethyl isocyanate as a radiation reactive group is reacted. Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) 0.8 parts by mass, and SPEDCURE BKL (trade name, manufactured by DKSH Japan Co., Ltd.) 5.0 parts by mass as a photopolymerization initiator were added and mixed. Agent composition 2A was obtained.
  • a pressure-sensitive adhesive composition 2B was obtained in the same manner as the pressure-sensitive adhesive composition 2A, except that 2 parts by mass of Megafac RS-72-K (trade name, manufactured by DIC Corporation) was added as a fluorine-based modifier.
  • a pressure-sensitive adhesive composition 2C was obtained in the same manner as the pressure-sensitive adhesive composition 2A, except that 0.2 parts by mass of Ebecryl 360 (trade name, manufactured by Daicel Ornex Co., Ltd.) was added as a silicone-based modifier.
  • Adhesive layer composition 2D 80 parts by weight of a pentafunctional urethane acrylate oligomer and 20 parts by weight of a trifunctional urethane acrylate oligomer with respect to 100 parts by weight of a copolymer consisting of 80 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 19 parts by weight of 2-hydroxyacrylate, and 1 part by weight of methacrylic acid
  • coronate L trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.
  • SPEEDCURE BKL trade name, manufactured by DKSH Japan Co., Ltd.
  • Adhesive layer composition 2E 100 parts by weight of a pentafunctional urethane acrylate oligomer and 30 parts by weight of a trifunctional urethane acrylate oligomer with respect to 100 parts by weight of a copolymer comprising 80 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 19 parts by weight of 2-hydroxyacrylate, and 1 part by weight of methacrylic acid
  • coronate L trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.
  • SPEEDCURE BKL trade name, manufactured by DKSH Japan Co., Ltd.
  • Adhesive layer composition 2F Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) 3 as a polyisocyanate with respect to 100 parts by mass of a copolymer comprising 80 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 19 parts by mass of 2-hydroxyacrylate, and 1 part by mass of methacrylic acid 0.0 part by mass was added and mixed to obtain an adhesive composition 2E.
  • Example 1 A double-sided corona-treated polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 ⁇ m and a tensile modulus of 2 GPa and a polypropylene film having a thickness of 40 ⁇ m were bonded using a 2 ⁇ m adhesive to obtain a laminated base resin film having a total thickness of 80 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive composition 2B was applied on a 38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate (PET) separator so that the film thickness after drying was 30 ⁇ m, dried, and then the 80 ⁇ m laminated base resin film was formed. Bonding with the polyethylene terephthalate surface gave a 110 ⁇ m thick semiconductor wafer surface protecting adhesive tape.
  • PET polyethylene terephthalate
  • Example 2 A 110 ⁇ m-thick semiconductor wafer surface protecting adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2C was used as the adhesive composition.
  • Example 3 A 110 ⁇ m-thick semiconductor wafer surface protecting adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2A was used as the adhesive composition.
  • Example 4 A 110 ⁇ m-thick semiconductor wafer surface protecting adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2D was used as the adhesive composition.
  • Example 5 A low-density polyethylene film is extruded on both sides of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m and a tensile modulus of 2 GPa so as to have a thickness of 30 ⁇ m, and one side of the low-density polyethylene is subjected to corona treatment. A resin film was obtained. Next, the adhesive composition 2A was applied on a polyethylene terephthalate (PET) separator having a thickness of 38 ⁇ m so that the film thickness after drying was 20 ⁇ m and dried, and then the 110 ⁇ m laminated base resin film was formed. It was bonded to a corona-treated low density polyethylene surface to obtain a 130 ⁇ m thick adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer.
  • PET polyethylene terephthalate
  • Example 6 A 105 ⁇ m-thick semiconductor wafer surface protecting adhesive tape was prepared in the same manner as in Example 5 except that the polyethylene terephthalate film of the laminated base resin film was changed to a polyethylene terephthalate film having a thickness of 25 ⁇ m and a tensile modulus of 2 GPa. Obtained.
  • Example 7 A low-density polyethylene film was extruded on one side of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m and a tensile elastic modulus of 2 GPa and subjected to double-side corona treatment to a thickness of 10 ⁇ m to obtain a laminated base resin film having a thickness of 60 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive composition 2F was applied onto a polyethylene terephthalate (PET) separator having a thickness of 38 ⁇ m so that the film thickness after drying was 50 ⁇ m and dried, and then the 60 ⁇ m laminated base resin film was formed. Bonded with polyethylene terephthalate surface.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the pressure-sensitive adhesive composition 2C was applied onto a polyethylene terephthalate (PET) separator having a thickness of 38 ⁇ m so that the film thickness after drying was 20 ⁇ m, dried, and then the pressure-sensitive adhesive from which the intermediate separator was peeled off. It was bonded to the surface of the composition 2F to obtain a 130 ⁇ m-thick semiconductor wafer surface protecting adhesive tape.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a low-density polyethylene film is extruded on one side of a polyethylene terephthalate base resin film having a thickness of 100 ⁇ m and a tensile elastic modulus of 2 GPa and subjected to double-side corona treatment to obtain a laminated base resin film having a thickness of 110 ⁇ m. It was. Next, the pressure-sensitive adhesive composition 2F was applied on a 38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate (PET) separator so that the film thickness after drying was 20 ⁇ m, dried, and then the polyethylene of the 110 ⁇ m laminated base film was formed. Laminated with terephthalate surface.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the pressure-sensitive adhesive composition 2C was applied onto a polyethylene terephthalate (PET) separator having a thickness of 38 ⁇ m so that the film thickness after drying was 20 ⁇ m, dried, and then the pressure-sensitive adhesive from which the intermediate separator was peeled off.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the film was bonded to the surface of the composition 2F to obtain a 150 ⁇ m thick adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer.
  • peeling force The peeling force at a peeling angle of 30 ° was measured using the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape produced in each Example and each Comparative Example.
  • a test piece 14 (see FIG. 10) having a width of 25 mm and a length of 300 mm was cut out from the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface.
  • the stainless steel (Steel Use Stainless, SUS) plate specified in JIS G 4305 finished with 280 No. 280 water-resistant abrasive paper specified in JIS R 6253 the test piece 14 is placed on a 2 kg rubber roller. Reciprocating and crimping.
  • the base 15 for fixing the SUS plate was adjusted so as to be driven in accordance with peeling, so that the peeling angle ⁇ was always 30 °.
  • measurement may be started at an acute angle than 30 °, and the peeling force at the point where the peeling angle ⁇ becomes 30 ° may be read.
  • the 90 ° peeling force at a peeling angle of 90 ° was also obtained in the same manner as above except that the SUS plate was fixed to a base without inclination and peeled at a peeling speed of 50 mm / min by the 90 ° peeling method.
  • the pressure-sensitive adhesive was pressure-sensitive, the 30 ° peel force was measured in the same manner while the SUS plate was heated to 50 ° C. instead of being irradiated with ultraviolet rays and left for 1 hour after the irradiation.
  • the repulsive force ⁇ was measured using a loop step tester (trade name) manufactured by Toyo Seiki Seisakusho.
  • the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape prepared in each example and each comparative example was cut into a width of 10 mm to prepare a test piece, and the separator was peeled off and placed on a loop stiffness tester.
  • a circular loop having a loop length of 50 mm was formed in the vicinity of the center of a strip-shaped test piece having a loop length of 50 mm or more so that the adhesive layer was inside, and the load applied when the circular loop was pushed in from the outside by 5 mm was measured. .
  • the load obtained at this time was converted per width, and the value displayed in mN / mm units was defined as the repulsive force ⁇ .
  • Three samples were evaluated and the arithmetic average value was used about the adhesive tape for surface protection of the semiconductor wafer produced in each Example and each comparative example.
  • the slurry was taken out from the container, and the slurry was thoroughly washed with pure water. After leaving for 3 days for drying, the sample weight was measured (weight after drying).
  • a pseudo step formed by imitating a circuit pattern of a semiconductor wafer and a groove provided in a portion to be cut was formed on a semiconductor wafer having a thickness of 725 ⁇ m and an 8-inch diameter using a dicer.
  • lines having a width of 60 ⁇ m and a depth of 10 ⁇ m were provided in a grid pattern at intervals of 5 mm.
  • a groove having a width of 30 ⁇ m and a depth of 60 ⁇ m was further provided at the center of the line width.
  • the surface protecting adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface of each example and each comparative example was applied to the surface of the semiconductor wafer on which the above-described pseudo step was formed. Bonding was performed so that the tape MD direction and the semiconductor wafer notch direction coincided. Thereafter, using PG3000RM (trade name) manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. as a grinder, the back surface of the semiconductor wafer is ground until the thickness of the semiconductor wafer becomes 30 ⁇ m, and polished using a CMP slurry. Separated into pieces.
  • kerfs (grooves) were observed with an optical microscope at a total of three points including the central part and the peripheral part of the semiconductor wafer, and the kerf width was measured.
  • the kerf width was observed within one hour after grinding the semiconductor wafer, and was observed from the back side of the semiconductor wafer where the surface protective tape was not applied in the state where the surface protective tape was applied.
  • the kerf shift amount the kerf width of the wafer after grinding was measured with an optical microscope, the absolute value of the amount of change from the kerf width (30 ⁇ m) before grinding was measured in the X direction and the Y direction, and measured at three points.
  • the average value Kx in the X direction and the average value Ky in the Y direction were evaluated.
  • the average value of Kx and Ky is less than 5 ⁇ m and 0.8 ⁇ (Ky / Kx) ⁇ 1.1, ⁇ is good, and the average value of Kx and Ky is 5 ⁇ m or more, or Ky / Kx ⁇ 0.8 or The case of 1.1 ⁇ Ky / Kx was evaluated as x as a defective product.
  • the semiconductor wafer surface protective adhesive tape after peeling the semiconductor wafer surface protective adhesive tape and the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape after peeling the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape are observed with an optical microscope.
  • the pseudo-stepped surface and the wafer bonding surface were not confirmed as dust, and when the wafer bonding surface was bonded, no discoloration was observed in the part corresponding to the kerf.
  • dust was not confirmed on the pseudo step surface and the wafer bonding surface as a non-defective product, and dust was found on the pseudo step surface or wafer bonding surface.
  • the confirmed product was marked as x as a defective product.
  • the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape of the present invention has an effect that the amount of kerf shift is reduced and the wafer can be processed and peeled without being contaminated or damaged.

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Abstract

先ダイシング法および先ステルス法においてカーフシフトを抑制すること、および、半導体ウエハを破損や汚染することなく剥離可能な半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供する。本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、基材樹脂フィルム２と、前記基材樹脂フィルム２の少なくとも片面側に形成された粘着剤層４とを有し、前記基材樹脂フィルム２は、引張弾性率が１～１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、前記粘着剤層４が放射線硬化型である場合は放射線硬化させた後、感圧型である場合は５０℃に加熱したときにおける剥離角度３０°での剥離力が、０．１～３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。

Description

半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
　本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法に関する。さらに詳しくは、半導体ウエハの薄膜研削工程に適用できる半導体ウエハ表面保護用粘着テープとこの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた半導体ウエハの加工方法に関する。
　半導体ウエハの製造工程においては、パターン形成後の半導体ウエハは、通常、その厚さを薄くするため、半導体ウエハ裏面に裏面研削加工、エッチング等の処理を施す。この際、半導体ウエハ表面のパターンを保護する目的で該パターン面に半導体ウエハ表面保護用粘着テープが貼り付けられる。半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、一般的に、基材樹脂フィルムに粘着剤層が積層されてなり、半導体ウエハの裏面に粘着剤層を貼付して用いるようになっている。
　近年の高密度実装技術の進歩に伴い、半導体ウエハの薄厚化の要求があり、場合によっては５０μｍ以下の厚さまで薄厚加工することが求められている。このような加工方法の一つとして、半導体ウエハの裏面研削加工の前に、半導体ウエハ表面に所定深さの溝を形成し、次いで裏面研削を行うことでチップを個片化する先ダイシング法がある（例えば、特許文献１参照）。また、裏面研削加工の前に、半導体ウエハ内部にレーザーを照射することで改質領域を形成し、次いで裏面研削を行うことでチップを個片化する先ステルス法がある（例えば、特許文献２参照）。
　しかしながら、先ダイシング法および先ステルス法においては個片化後のチップずれ（カーフシフト）を抑制するため、用いる半導体ウエハ表面保護用粘着テープの弾性率が高いことが求められるが、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの弾性率を高めると、曲がりにくくなるため、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハの表面から剥離する際の剥離角度が鋭角になり、半導体ウエハが破損したり、半導体ウエハの表面に半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤の残渣が付着する糊残りなどの半導体ウエハ汚染が起きたりしやすいという問題点があった。
　また、先ダイシング法や先ステルス法においては、研削加工の途中でチップが個片化されるため、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの剥離性が悪いと、剥離時に半導体ウエハの裏面に貼合されているダイシングテープまたはダイシングダイボンディングフィルムからチップをもいでしまう現象（以下、チップ剥離という）が生じる。
　よって、先ダイシング法および先ステルス法に適用する半導体ウエハ表面保護用粘着テープにおいては、カーフシフトを抑制すること、および、チップ剥離を含めたウエハの破損や汚染がないことが求められる。
特開平０５－３３５４１１号公報 特開２００４－００１０７６号公報
　そこで、本発明は、先ダイシング法または先ステルス法を適用した場合においてカーフシフトを抑制すること、および、半導体ウエハを破損や汚染することなく剥離可能な半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とする。
　上記課題について鋭意検討した結果、基材樹脂フィルムに剛性層を設けるとともに、剥離角度が低い状態における剥離力を下げることで、上記課題を解決できることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
　上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、基材樹脂フィルムと、前記基材樹脂フィルムの少なくとも片面側に形成された放射線硬化性の粘着剤層とを有し、前記基材樹脂フィルムは、引張弾性率が１～１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、前記粘着剤層を放射線硬化させた後における、ＪＩＳ　Ｒ　６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ　Ｇ　４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ　Ｕｓｅ　Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）に対する剥離角度３０°での剥離力が、０．１～３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。
　また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、基材樹脂フィルムと、前記基材樹脂フィルムの少なくとも片面側に形成され、放射線の照射により硬化することのない粘着剤層とを有し、前記基材樹脂フィルムは、引張弾性率が１～１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、５０℃における、ＪＩＳ　Ｒ　６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ　Ｇ　４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ　Ｕｓｅ　Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）に対する剥離角度３０°での剥離力が、０．１～３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。
　上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、下記条件（ａ）～（ｄ）で測定したループスティフネスの負荷荷重から求められた、単位幅当りの反発力が２～１５ｍＮ／ｍｍであることが好ましい。
（ａ）装置
　ループステフネステスタ（商品名、株式会社東洋精機製作所製）
（ｂ）ループ（試験片）形状
　長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、試験片方向はテープＭＤ方向
（ｃ）圧子の押し込み速度
　３．３ｍｍ／ｓｅｃ
（ｄ）圧子の押し込み量
　圧子がループと接触した時点から５ｍｍ押し込む
　また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記剛性層と前記粘着剤層との間の層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなり、前記粘着剤層の厚さと前記引張弾性率が１ＧＰａ未満の層の厚さの合計が６０μｍ以下であることが好ましい。
　また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記粘着剤層は、ｐＨ１２の水酸化ナトリウム水溶液に平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリカを１４重量％分散させた化学的機械研磨用のスラリーに２４時間浸漬後の不溶分の前記スラリーに浸漬する前に対する割合が７５％以上であることが好ましい。
　また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記粘着剤層が側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射性反応性樹脂を含有し、放射線を照射することにより、前記放射性反応性樹脂と反応し剥離力を低下させるための改質剤を含むことが好ましい。
　また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記改質剤が、非シリコーン系であることが好ましい。
　また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハの製造方法は、(ａ)半導体ウエハの分断予定ラインに、前記半導体ウエハの表面から前記半導体ウエハの厚さ未満の溝を形成する工程と、 (ｂ)前記溝が形成された前記半導体ウエハ表面に、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合する工程と、 (ｃ)前記半導体ウエハ裏面を研削することで、前記半導体ウエハを個片化する工程とを含むことを特徴とする。
　また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハの製造方法は、(ａ)半導体ウエハの分断予定ラインにおける前記半導体ウエハ内部に、レーザーを照射することで改質領域を形成する工程と、(ｂ)前記（ａ)の工程の前または後に、半導体ウエハ表面に請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合する工程と、(ｃ)前記半導体ウエハ裏面を研削することで、前記半導体ウエハを個片化する工程を含むことを特徴とする。
　また、上記半導体ウエハの製造方法は、前記（ｃ）の工程に、化学的研磨を行う工程を含んでいてもよい。
　本発明に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープによれば、先ダイシング法または先ステルス法を適用した半導体ウエハの裏面研削工程において、個片化された半導体チップのカーフシフトを抑制するとともに、半導体ウエハを破損や汚染することなく加工することができる。
本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のダイシング工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のダイシング工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のエキスパンド工程を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のピックアップ工程を模式的に示す断面図である。 実施例および比較例の評価に用いた半導体ウエハの回路パターンおよび切断予定部位に設けられた溝を模した疑似段差の位置、形状、大きさを示す断面図である。 実施例および比較例の評価におけるカーフ幅の観察地点を示す説明図である。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープの剥離角度３０°での剥離力の測定方法について説明するための説明図である。
　以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の構造を模式的に示す断面図である。
　図１に示すように、本実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、基材樹脂フィルム２を有しており、基材樹脂フィルム２の少なくとも片面側には粘着剤層４が設けられている。粘着剤層４上には、必要に応じて、表面が離型処理された剥離フィルム（図示せず）の離型処理面が粘着剤層４側に来るように積層されていてもよい。
（基材樹脂フィルム２）
　本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の基材樹脂フィルム２として、公知のプラスチック、ゴム等を用いることができる。基材樹脂フィルム２は、特に、粘着剤層４に放射線硬化性の組成物を使用する場合には、その組成物が硬化する波長の放射線の透過性の良いものを選択するのがよい。なお、ここで、放射線とは、例えば、紫外線のような光、あるいはレーザー光、または電子線のような電離性放射線を総称して言うものであり、以下、これらを総称して放射線と言う。
　このような基材樹脂フィルム２として選択し得る例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα－オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン－エチレン－ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド－ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物がある。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。
　本実施の形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の基材樹脂フィルム２は、先ダイシング法および先ステルス法に用いた場合においてはカーフシフト量を低減し、通常の裏面研削工程に用いた場合においては半導体ウエハ５（図２参照）の反りを抑制するため、引張弾性率が１～１０ＧＰａである剛性層を必須要素として含む。この剛性層を構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル系フィルムなどが挙げられる。
　ただし、剛性層を有すると、曲げ性が低下するため、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離しにくくなり、剥離する際に半導体ウエハ５の破損や糊残りを引き起こしやすくなる。この点から、剛性フィルムの厚みは、１０～１００μｍが適当であり、１０～５０μｍであることが好ましく、２０～４０ｕｍであることがより好ましい。さらに、曲げ性の指標であるループスティフネスにおける反発力が、２～１５ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、５～１３ｍＮ／２５ｍｍであることがより好ましい。ここで、ループスティフネスにおける反発力は、下記条件（ａ）～（ｄ）で測定したループスティフネスの負荷荷重から求められた単位幅当りの反発力である。
（ａ）装置
　ループステフネステスタ（商品名、株式会社東洋精機製作所製）
（ｂ）ループ（試験片）形状
　長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、試験片方向はテープＭＤ方向
（ｃ）圧子の押し込み速度
　３．３ｍｍ／ｓｅｃ
（ｄ）圧子の押し込み量
　圧子がループと接触した時点から５ｍｍ押し込む
　また、剛性層の片面もしくは両面にポリオレフィン層を積層した基材樹脂フィルム２を用いることも、半導体ウエハ５の裏面研削時におけるクッション性の付与、半導体ウエハ５表面の凹凸の粘着剤層４への埋め込み性の向上、更には半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離する際に用いられるヒートシールとの密着性の向上といった観点から好ましい。積層するポリオレフィン層に適用する樹脂としては、低密度ポリエチレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレンなどが好ましい。
　各層を積層して基材樹脂フィルム２を形成する方法としては、例えば、粘着剤、接着剤などを用いた貼合や共押出し等、公知のものを適用することができる。
　基材樹脂フィルム２の粘着剤層４が設けられる側の表面には、粘着剤層４との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。なお、基材樹脂フィルム２の粘着剤層４が設けられない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることも好ましく、これによって、本発明の表面保護用粘着テープ保管時のブロッキング防止等の効果を得ることができる。
（粘着剤層４）
　図１に示すように、本実施の形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、基材樹脂フィルム２上に粘着剤層４が形成されている。
　粘着剤層４を構成する粘着剤組成物は、半導体ウエハ５の研削時に半導体ウエハ５との密着性を十分保持でき、表半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離時に半導体ウエハ５の破損を発生させないものであれば特に限定されないが、下記に記載するような低角度での剥離力が低くなるものを選択することが好ましい。主成分のポリマー（粘着剤ベース樹脂）は、（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。主成分のポリマーとして（メタ）アクリル樹脂を用いることにより、粘着力の制御が容易になり、弾性率等をコントロールできる。
　粘着剤層４を構成する粘着剤組成物としては、剥離性の観点から、放射線硬化型の粘着剤を用いることが好ましい。放射線の照射で硬化させるには、粘着剤ベース樹脂等の樹脂がエチレン性不飽和基（非芳香族性の炭素－炭素二重結合）を有するか、粘着剤ベース樹脂にエチレン性不飽和基を有する化合物を併用する。本発明においては、粘着剤ベース樹脂等の樹脂が側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂を使用することも剥離性の観点から特に好ましい。また、粘着剤組成物に光重合開始剤および架橋剤を含有することが好ましく、粘着剤層４の弾性率や粘着力を調整するのに架橋剤を含有することが好ましい。
　粘着剤層４を構成する粘着剤組成物として、放射線の照射により硬化することのない、いわゆる感圧型の粘着剤を用いる場合、放射線の照射に代えて、剥離時に例えば５０℃程度の熱を加えることで剥離力の低下をさせることも可能である。このような感圧型の粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位と、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレートおよび／または２－ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、該（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋されたものを使用することができる。
［エチレン性不飽和基を有する樹脂］
　エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようなものでも構わないが、（メタ）アクリル樹脂が好ましい。樹脂中に含有する二重結合の量の指標であるヨウ素価は０．５～２０であるものが好ましい。このヨウ素価はより好ましくは０．８～１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、過度の放射線硬化を防ぐことができる。また、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が－７０℃～０℃であることが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）が－７０℃以上であれば、半導体ウエハ５の加工工程に伴う熱に対する耐熱性が増す。
　エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようにして製造されたものでもよいが、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させ、（メタ）アクリル樹脂の側鎖にエチレン性不飽和基を導入する方法が好ましい。
　エチレン性不飽和基としては、とのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１－プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。官能基（α）と反応する官能基（β）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。
　ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。
　側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂は、官能基（α）を有する、（メタ）アクリル酸エステル、アクリル酸または（メタ）アクリルアミドを重合させることで得られる。官能基（α）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられ、カルボキシル基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。
　このようなモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ－メチロールアクリルアミド、Ｎ－メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ－アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ－アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素－炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を挙げられる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。
　エチレン性不飽和基を有する樹脂は、上記のモノマーとともに、（メタ）アクリル酸エステル等の他のモノマーとの共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ－プロピルアクリレート、ｎ－ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ－ペンチルアクリレート、ｎ－ヘキシルアクリレート、ｎ－オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６～１２のものを併用することが好ましい。エチレン性不飽和基を有する樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに加えて、（メタ）アクリル酸をさらに共重合したものが好ましい。
　エチレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂の重合反応は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合のいずれであってもよい。側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させる場合、一方を過剰にして、反応させ、未反応の官能基を残すことにより、所望の粘着物性および弾性率に調整することができる。
　重合開始剤としては、α，α’－アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の樹脂を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。
　エチレン性不飽和基を有する樹脂の平均分子量は、２０万～１５０万程度が好ましく、７０万～１２０万がより好ましい。低分子量成分を少なくすることで、半導体ウエハ５表面汚染を抑制することができ、例えば分子量１０万以下の分子が全体の１０％以下とすることなどが好ましい。分子量が１５０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、エチレン性不飽和基を有する樹脂が、水酸基価５～１００ｍｇＫＯＨ／ｇとなるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりテープ剥離不良の危険性を更に低減することができるので好ましい。
　エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を説明する。エチレン性不飽和基は先に説明した基が好ましく、好ましい範囲も同じである。官能基（α）と反応する官能基（β）は先に説明した基が挙げられる。官能基（β）としては、イソシアネート基が得に好ましい。
　エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物としては、官能基（α）を有するモノマーの化合物、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、アルコール部の末端にイソシアネート基を有するものが好ましく、アルコール部のイソシアネート基以外の炭素数は２～８が好ましく、アルコール部は直鎖アルキルのものが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－イソシアナトエチルアクリレート、２－イソシアナトエチルメタクリレートが好ましく挙げられる。
［架橋剤］
　架橋剤としては、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂または２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物が好ましく、ポリイソシアネート類が特に好ましい。架橋剤は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。架橋剤は樹脂ポリマーを架橋することにより、粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
　ポリイソシアネート類としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製）等を用いることができる。
　メラミン・ホルムアルデヒド樹脂は、市販品として、ニカラックＭＸ－４５（株式会社三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。更に、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ（三菱化学株式会社製）等を用いることができる。
　架橋剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１～２０質量部とすることが好ましく、１．０～１０質量部とすることが更に好ましく、エチレン性不飽和基を有する樹脂の官能基数に合わせて、また、所望の粘着物性や弾性率を得るために適宜その量が調整される。架橋剤の量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、２０質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成される傾向があるため、作業性が損なわれるおそれがある。
［光重合開始剤］
　粘着剤層４として放射線硬化型粘着剤を選定した場合には、必要に応じて光重合開始剤を含むことができる。光重合開始剤には基材を透過する放射線により反応するものであれば、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２－エチルアントラキノン、ｔ－ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２－クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５－トリアリ－ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド類、等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 光重合開始剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１～１０質量部とすることが好ましく、０．５～５質量部とすることがより好ましい。
［その他の添加物］
　粘着剤層４には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいは改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。本発明においては、改質剤を添加することも剥離性の観点から好ましい。改質剤はシリコーン化合物、フッ素系化合物、長鎖アルキル基含有化合物などを挙げることができ、添加により低角度における剥離力を低下させること、および、水に対する接触角が上がることにより、ダスト浸入抑制を抑制することが可能となる。改質剤の半導体ウエハ５表面への移行を防ぐため、改質剤はエチレン性不飽和基を有する化合物であることが望ましく、更に、粘着剤ベース樹脂が側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂であることがより好ましい。エチレン性不飽和基を有する改質剤として、具体的には市販品として、シリコーンアクリレートであるＥｂｅｃｒｙｌ ３６０（ダイセル・オルネクス株式会社製）やフッ素系表面改質剤であるメガファックＲＳ－７２－Ｋ（ＤＩＣ株式会社製）などが挙げられる。半導体ウエハ５表面への影響の観点から、フッ素系化合物であることがより好ましい。
　粘着剤層４は、例えば、上述の粘着剤組成物を剥離フィルム上に塗布、乾燥させて基材樹脂フィルム２上に転写することで形成することができる。粘着剤層４の厚さは、１～６０μｍであることが好ましい。
　ここで、先ダイシング法および先ステルス法においては、半導体ウエハの裏面研削中に、チップ間に空隙ができるため、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing、化学機械研磨）やエッチングといった研削後の研磨処理を行うと、スラリーにより半導体ウエハが汚染されたり、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤がスラリーに浸食され、脆くなった粘着剤によって半導体ウエハが汚染されることが懸念される。さらに、先ダイシング法および先ステルス法においては、研削の途中で半導体ウエハ５がチップ１１化されるため、通常の研削に比べ研削ダストによる半導体ウエハ５表面への汚染が発生しやすい。
　そのため、半導体ウエハ５表面への表面保護テープの密着性がより求められる。しかし、一般的に知られているような密着性を上げるために粘着剤層４を厚くするという手法では、先ダイシング法や先ステルス法においてはチップ１１が研削中に深さ方向に振動することにより、かえってダスト浸入を発生しやすい状態にさせてしまうことが分かった。よって、粘着剤層４はむしろ薄いほうが適しており、５～３０μｍであるものがより好ましく、剛性層と粘着剤層４との間に形成される層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなる場合は、粘着剤層４の厚さと引張弾性率が１ＧＰａ未満の層の厚さの合計が５～６０μｍであることが好ましく、５～３０μｍであることがより好ましい。剛性層と粘着剤層４との間に形成される層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなる場合であるから、剛性層を複数有する場合は、最も粘着剤層４に近い剛性層と粘着剤層４との間に形成される層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなる場合ということになる。引張弾性率が１ＧＰａ未満の層としては、剛性層以外の基材樹脂フィルムを構成する層や、基材樹脂フィルムを構成する複数の層を貼り合わせるための接着剤層等が挙げられる。
　また、粘着剤の貯蔵弾性率は２５℃において０．０１～０．１ＭＰａが好ましく、５０℃において０．０２～０．１ＭＰａであることがより好ましい。粘着剤層４の貯蔵弾性率をこの範囲とすることで、粘着剤層４の厚みが小さくてもダスト浸入を防止しやすく、また剥離時の糊残りやチップ剥離も起きにくい。また、粘着剤層４は複数の粘着剤層４が積層された構成であってもよい。
　また、粘着剤層４は、半導体ウエハ５の裏面の化学的研磨に用いられるスラリーに２４時間浸漬後の不溶分のスラリーに浸漬する前に対する割合（ゲル分率）が７５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。粘着剤層４のスラリーに対するゲル分率を７５％以上とすることで、個片化されたチップ１１間から浸入したスラリーにより粘着剤が浸食され、ウエハ表面を汚染することを抑制することが可能となる。スラリーは、例えばｐＨ１２の水酸化ナトリウム水溶液に平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリカを１４重量％分散させた化学機械研磨用のスラリーとすることができる。
　また、本発明による半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、粘着剤層４が放射線硬化型の粘着剤層４である場合は放射線照射後において、粘着剤層４が感圧型の粘着剤層４である場合は５０℃加熱条件下において、剥離角度３０°、引張速度２０ｍｍ／ｍｉｎにおける剥離力が、０．１～３ .０Ｎ／２５ｍｍであることを必須とし、好ましくは０．５～１．８Ｎ／２５ｍｍである。粘着剤層４として放射線硬化型の粘着剤層４を用いた場合でも、放射線硬化後に５０℃加熱条件で剥離することで剥離力を低下させることもでき、その場合は、５０℃加熱条件下での剥離力を指すものとする。剥離力が０．１Ｎ／２５ｍｍ未満であると、半導体ウエハ５の裏面を研削してチップ１１に個片化した後、次の工程への搬送中にチップ１１がずれる可能性があり、３．０Ｎ／２５ｍｍ超であると、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離する際に、半導体ウエハ５の裏面に貼合されているダイシングテープ６またはダイシングダイボンディングフィルムからチップ１１がもぎとられてしまうチップ剥離や半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の粘着剤の残渣が半導体ウエハ５の表面に付着する糊残りが発生しやすくなる。
　半導体ウエハ５からの半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離は、粘着タイプもしくはヒートシールタイプの剥離用テープを半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の端部に接着し、端部より剥離する。剥離の初期においては半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１と半導体ウエハ５の剥離は鋭角なため、面での剥離に近く、９０°剥離などに比べ非常に大きな剥離力となってしまう。例えば、後述の比較例１の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１では９０°剥離での剥離力は０．４Ｎ／２５ｍｍであるにも関わらず、３０°剥離での剥離力は３．６Ｎ／２５ｍｍであり、この状態で研削後の薄い半導体ウエハ５やチップ１１化された半導体ウエハ５からの剥離を行うと、ウエハ割れやチップ剥離を引き起こすリスクが非常に高い。特に、基材樹脂フィルム２が剛性層を有するため、曲げ性が劣るため、剥離きっかけが掴みづらいためウエハ割れ等がより起こりやすい。
　ここで、本発明における剥離角度３０°とは、被着体に対する引張方向の角度であり、実際の被着体と半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離角度は半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剛性によって変化する。
　剥離角度３０°での剥離力は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１から幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を採取し、その試料を、ＪＩＳ Ｒ ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ Ｇ ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ　Ｕｓｅ　Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）板上に、上記試験片を２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、粘着剤が放射線硬化型である場合は放射線により硬化させて１時間放置後、粘着剤が感圧型である場合はＳＵＳ板を５０℃に加熱した状態で、測定値がその容量の１５～８５％の範囲に入るＪＩＳ Ｂ ７７２１に適合する引張試験機を用いて、引張速度２０ｍｍ／ｍｉｎ、雰囲気温度２５℃、相対湿度５０％の条件で引きはがし、剥離角度θが３０°（図１０参照）における剥離力を測定することで得られる。
　剥離角度３０°での剥離力を下げるには、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の曲げ性を下げること、被着体との粘着部分において局所的に伸びないことなどが重要である。具体的には、曲げ性については上述のように、基材樹脂フィルム２の剛性および厚さを調整すること、局所的な伸びについては、剛性層上の厚さや改質層の添加、その他粘着剤組成構成などにより調整することが可能である。
（剥離フィルム）
　また、本発明の表面保護用粘着テープには、必要に応じて剥離フィルムが粘着剤層４上に設けられる。剥離フィルムは、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、粘着剤層４を保護する目的のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、設けられる。剥離フィルムの構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルムの表面には粘着剤層４からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層４が環境紫外線等意図しない紫外線の暴露によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施すことも好ましい。剥離フィルムの厚みは、通常１０～１００μｍ、好ましくは２５～５０μｍ程度である。
＜用途＞
　本発明のウエハ加工用テープ１の使用用途としては、先ダイシング法または先ステルス法を用いた半導体ウエハ５の製造方法、例えば、以下の半導体ウエハ５の製造方法（Ａ）～（Ｂ）において好適に使用できる。
　半導体ウエハ５の製造方法（Ａ）
(ａ)半導体ウエハ５の分断予定ラインに、前記半導体ウエハ５の表面から前記半導体ウエハ５の厚さ未満の溝７を形成する工程と、
(ｂ)前記溝７が形成された前記半導体ウエハ５表面に、上述の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を貼合する工程と、
(ｃ)前記半導体ウエハ５裏面を研削することで、前記半導体ウエハ５を個片化する工程とを含む半導体ウエハ５の製造方法。
　半導体ウエハ５の製造方法（Ｂ）
(ａ)半導体ウエハ５の分断予定ラインにおける前記半導体ウエハ５内部に、レーザーを照射することで改質領域を形成する工程と、
(ｂ)前記（ａ)の工程の前または後に、半導体ウエハ５表面に上述の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を貼合する工程と、
(ｃ)前記半導体ウエハ５裏面を研削することで、前記半導体ウエハ５を個片化する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハ５の製造方法。
＜使用方法＞
　次に、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の使用方法、すなわち半導体ウエハ５の加工方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ブレード（図示しない）やレーザーを用いて半導体ウエハ５の表面側より半導体ウエハ５に最終製品厚さと同等以上の深さの溝７を形成した（溝切り工程）後、回路パターンが形成された半導体ウエハ５の表面に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の粘着剤層４を貼合する（保護テープ貼合工程）。
　次に、図３（Ａ）に示すように、溝７を形成した半導体ウエハ５について、研削装置８で裏面を研削する研削工程により、図３（Ｂ）に示すように、溝７に到達するまで研削を行う。これにより、半導体ウエハ５がチップ１１に個片化される。必要に応じて、研削工程の後に半導体ウエハ５の抗折強度向上などを目的として研磨やエッチング処理を行う。研磨としては、化学機械的研磨（ＣＭＰ）を用いることができる。このとき、粘着剤層４のスラリーに対するゲル分率が７５％であれば、個片化されたチップ１１間から浸入したスラリーにより粘着剤が浸食され、ウエハ表面を汚染することを抑制することが可能となる。
　研削、研磨工程が終了した後は、図４に示すように、ダイシングテープ６もしくはダイシングダイボンディングフィルムを半導体ウエハ５の裏面に貼り合せるとともに、ダイシングテープ６の外周部にリングフレーム９を貼り合せる。その後、図５に示すように、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離する。このとき、本実施の形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、剥離角度３０°、引張速度２０ｍｍ／ｍｉｎにおける剥離力が、０．１～３ .０Ｎ／２５ｍｍであるため、半導体ウエハ５の裏面を研削してチップ１１に個片化した後、次の工程への搬送中にチップ１１がずれるの（カーフシフト）を低減することができるとともに、チップ剥離を含めたウエハの破損の発生を低減することができる。
　その後は、例えば、図６に示すように、半導体ウエハ５及びリングフレーム９が貼り合わされたダイシングテープ６をエキスパンド装置のステージ（図示しない）上に載置し、リングフレーム９を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材１０を上昇させ、ダイシングテープ６をエキスパンドする。
　そして、図７に示すように、ダイシングテープ６の裏面側から突き上げピン１２でチップ１１を突上げてコレット１３により吸着してピックアップすることにより、半導体チップ１１を得ることができる。
　上記では、先ダイシング法を用いた半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の使用方法について説明したが、先ダイシング法に替えて先ステルス法を用いてもよい。先ステルス法を用いる場合、溝切り工程に替えて、半導体ウエハ５内部にレーザーを照射することで改質領域を形成する改質領域形成工程を実施する。改質領域形成工程は、保護テープ貼合工程の後に実施してもよい。
＜実施例＞
　以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
　下記のように粘着剤組成物を調製し、以下の方法で半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製し、その性能を評価した。
〔粘着剤層組成物の調製〕
［粘着剤層組成物２Ａ］
　２－エチルヘキシルアクリレート８３質量部、２－ヒドロキシアクリレート１６質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、放射線反応基としてメタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０質量部を反応させ、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）０．８質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ　ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）５．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ａを得た。
［粘着剤層組成物２Ｂ］
　フッ素系改質剤としてメガファックＲＳ－７２－Ｋ（商品名、ＤＩＣ株式会社製）を２質量部添加した以外は粘着剤組成物２Ａと同様にして、粘着剤組成物２Ｂを得た。
［粘着剤層組成物２Ｃ］
　シリコーン系改質剤としてＥｂｅｃｒｙｌ　３６０（商品名、ダイセル・オルネクス株式会社製）を０．２質量部添加した以外は粘着剤組成物２Ａと同様にして、粘着剤組成物２Ｃを得た。
［粘着剤層組成物２Ｄ］
　２－エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２－ヒドロキシアクリレート１９質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、５官能のウレタンアクリレートオリゴマー８０質量部、３官能のウレタンアクリレートオリゴマー２０質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）５．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ　ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）４．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｄを得た。
［粘着剤層組成物２Ｅ］
　２－エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２－ヒドロキシアクリレート１９質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、５官能のウレタンアクリレートオリゴマー１００質量部、３官能のウレタンアクリレートオリゴマー３０質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）５．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ　ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）４．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｄを得た。
［粘着剤層組成物２Ｆ］
　２－エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２－ヒドロキシアクリレート１９質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）３．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｅを得た。
［半導体ウエハ表面保護用粘着テープの作製］
［実施例１］
　厚さ３８μｍ、引張弾性率２ＧＰａの両面コロナ処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムと、厚さ４０μｍのポリプロピレンフィルムを２μｍの接着剤を用いて貼り合せ、合計８０μｍの積層基材樹脂フィルムを得た。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｂを塗布し、乾燥させた後、上記８０μｍの積層基材樹脂フィルムのポリエチレンテレフタレート面と貼りあわせ、厚さ１１０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［実施例２］
　粘着剤組成物として２Ｃを用いた以外は実施例１と同様の方法にて、厚さ１１０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［実施例３］
　粘着剤組成物として２Ａを用いた以外は実施例１と同様の方法にて、厚さ１１０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［実施例４］
　粘着剤組成物として２Ｄを用いた以外は実施例１と同様の方法にて、厚さ１１０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［実施例５］
　厚さ５０μｍ、引張弾性率２ＧＰａのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面に、厚さ３０μｍとなるように低密度ポリエチレンフィルムを押出し成型し、低密度ポリエチレンの片面にコロナ処理を行い、合計１１０μｍの積層基材フ樹脂ィルムを得た。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ａを塗布し、乾燥させた後、上記１１０μｍの積層基材樹脂フィルムのコロナ処理された低密度ポリエチレン面と貼りあわせ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［実施例６］
　積層基材樹脂フィルムのポリエチレンテレフタレートフィルムを、厚さを２５μｍ、引張弾性率２ＧＰａのポリエチレンテレフタレートフィルムにした以外は実施例５と同様の方法にて、厚さ１０５μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［実施例７］
　厚さ５０μｍ、引張弾性率２ＧＰａの両面コロナ処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、厚さ１０μｍとなるように低密度ポリエチレンフィルムを押出し成型し、厚さ６０μｍの積層基材樹脂フィルムを得た。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が５０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｆを塗布し、乾燥させた後、上記６０μｍの積層基材樹脂フィルムのポリエチレンテレフタレート面と貼りあわせた。更に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｃを塗布し、乾燥させた後、上記中間体のセパレータを剥離した粘着剤組成物２Ｆ面に貼り合せ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［比較例１］
　厚さ１００μｍ、引張弾性率２ＧＰａの両面コロナ処理されたポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの片面に、厚さ１０μｍとなるように低密度ポリエチレンフィルム押出し成型し、厚さ１１０μｍの積層基材樹脂フィルムを得た。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｆを塗布し、乾燥させた後、上記１１０μｍの積層基材フィルムのポリエチレンテレフタレート面と貼りあわせた。更に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｃを塗布し、乾燥させた後、上記中間体のセパレータを剥離した粘着剤組成物２Ｆ面に貼り合せ、厚さ１５０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［比較例２］
　共押し出し製膜により、低密度ポリエチレン樹脂３０μｍとエチレン－酢酸ビニル共重合体８０μｍとの厚さ１１０μｍ、引張弾性率０．２ＧＰａの積層基材樹脂フィルムを作製し、エチレン－酢酸ビニル共重合体面にコロナ処理を行った。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｃを塗布し、乾燥させた後、上記１１０μｍの積層基材フィルムのコロナ処理されたエチレン－酢酸ビニル共重合体面と貼りあわせ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［比較例３］
　共押し出し製膜により、高密度ポリエチレン樹脂３０μｍとエチレン－酢酸ビニル共重合体８０μｍとの厚さ１１０μｍ、引張弾性率０．４ＧＰａの積層基材樹脂フィルムを作製し、エチレン－酢酸ビニル共重合体面にコロナ処理を行った。次に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｅを塗布し、乾燥させた後、上記１１０μｍの積層基材樹脂フィルムのコロナ処理されたエチレン－酢酸ビニル共重合体面と貼りあわせ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
［特性評価試験］
　上記実施例及び比較例の半導体ウエハ表面保護用粘着テープについて、特性評価試験を下記のように行った。その結果を表１及び表２に示す。
（１）剥離力
　各実施例及び各比較例で作製した半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いて、剥離角度３０°における剥離力を測定した。
　半導体ウエハ表面保護用粘着テープをから幅２５ｍｍ、長さ３００ｍｍの試験片１４（図１０参照）を切り出した。ＪＩＳ　Ｒ　６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ　Ｇ　４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ　Ｕｓｅ　Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）板上に、上記試験片１４を２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着した。１時間放置後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ貼合面の基材樹脂フィルム背面より５００ｍＪ／ｃｍ2（照度４０ｍＷ／ｃｍ2）の紫外線を照射し、更に１時間放置後、測定値がその容量の１５～８５％の範囲に入るＪＩＳ　Ｂ　７７２１に適合するインストロン社製の引張試験機（ツインコラム卓上モデル５５６７）を用いて剥離力を測定した。詳細には、ＳＵＳ板は図１０のように、３０°の傾斜をつけた土台１５上に固定し、試験片１４の端部をつかみ具１６で把持して、引張速度２０ｍｍ／ｍｉｎ、２５℃、相対湿度５０％の条件で引っ張って測定した。各半導体ウエハ表面保護用粘着テープそれぞれに対して３回実施し、その算術平均値を求め、これを３０°剥離力とした。ＳＵＳ板を固定する土台１５は剥離に合わせ駆動するよう調整し、常に剥離角度θが３０°となるようにした。土台１５が駆動式でない場合、３０°よりも鋭角で測定を初め、剥離角度θが３０°となった点の剥離力を読み取っても構わない。さらに、ＳＵＳ板を傾斜のない土台に固定し、９０°引きはがし法により剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで剥離した以外は上記と同様にして剥離角度９０°における９０°剥離力も求めた。粘着剤が感圧型の場合は、紫外線照射および照射後の１時間放置に替えて、ＳＵＳ板を５０℃に加熱した状態で同様に３０°剥離力を測定した。
（２）反発力（ループスティフネス）
　株式会社東洋精機製作所製のループステフネステスタ（商品名）を用いて、反発力αを測定した。各実施例及び各比較例で作製した半導体ウエハ表面保護用粘着テープを幅１０ｍｍにカットし試験片を作成し、セパレータを剥離した状態で、ループステフネステスタに設置した。その際、ループ長５０ｍｍ以上の帯状の試験片の中央付近で、ループ長５０ｍｍの円形ループを粘着剤層が内側となるよう作り、この円形ループを外側から５ｍｍ押し込んだときにかかる荷重を測定した。このとき得られた荷重を幅当たりに換算し、ｍＮ／ｍｍ単位で表示した値を反発力αとした。各実施例及び各比較例で作製した半導体ウエハ表面保護用粘着テープについて、３サンプル評価を行い、算術平均した値を用いた。
（３）スラリーに対するゲル分率
　各実施例及び各比較例で作製した半導体ウエハ表面保護用粘着テープを５０ｍｍ×５０ｍｍに切り出した。切り出したサンプルからセパレータを剥がし、重量を測定した（浸漬前重量）。粘着剤を塗布していない基材樹脂フィルムも同様に５０ｍ×５０ｍｍに切り出し重量を測定した（基材重量）。重量測定後、カットサンプルをＰｈ１２の水酸化ナトリウム水溶液に平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリカを１４重量％分散させたＣＭＰスラリーで満たされた５００ｍｌのポリプロピレン製容器に浸漬させ、２４時間放置後、サンプルを容器から取り出し、純水で十分にスラリーを洗い流した。乾燥のため３日放置した後、サンプル重量を測定した（乾燥後重量）。ゲル分率は下記の計算式により求める。
ゲル分率＝（乾燥後重量－基材重量）／（浸漬前重量－基材重量）×１００　（％）
なお、基材重量は実測に代えて、密度×体積から計算で求めてもよい。
（４）先ダイシング法による評価
［カーフシフト］
　厚さが７２５μｍの８インチ径の半導体ウエハに、図９に示すように、半導体ウエハの回路パターンおよび切断予定部位に設けられた溝を模した疑似段差を、ダイサーを用いて形成した。具体的には、回路パターンの段差を疑似的に形成するために、６０μｍ幅で１０μｍ深さのラインを５ｍｍ間隔で格子状に設けた。さらに、切断予定部位に設けられた溝として、上記ライン幅の中央にさらに３０μｍ幅で６０μｍ深さの溝を設けた。
　各実施例及び各比較例の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを、貼合機として日東精機株式会社製のＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて、上記擬似段差を形成した半導体ウエハの表面に、表面保護テープＭＤ方向と半導体ウエハノッチ方向が一致するよう貼合した。その後、グラインダーとして株式会社東京精密製のＰＧ３０００ＲＭ（商品名）を用いて、半導体ウエハの裏面を半導体ウエハの厚さが３０μｍとなるまで研削し、ＣＭＰスラリーを用いて研磨して、擬似段差ウエハを個片化させた。
　裏面研削後の半導体ウエハについて、図９に示すように、半導体ウエハ中心部および周辺部２点の計３点においてカーフ（溝）を光学顕微鏡により観察し、カーフ幅を測定した。カーフ幅の観察は、半導体ウエハ研削後1時間以内に実施し、表面保護テープが貼られた状態で、表面保護テープが貼られていない半導体ウエハ裏面側より行った。カーフシフト量については、研削後のウエハのカーフ幅を光学顕微鏡により測定し、研削前のカーフ幅（３０μｍ）からの変化量の絶対値をＸ方向およびＹ方向で測定し、測定した３点におけるＸ方向の平均値ＫｘおよびＹ方向の平均値Ｋｙで評価した。ＫｘとＫｙの平均値が５μｍ未満かつ０．８ ≦（Ｋｙ／Ｋｘ）≦ １．１の場合を、良品として○、ＫｘとＫｙの平均値が５μｍ以上もしくは、Ｋｙ／Ｋｘ＜０．８または１．１＜Ｋｙ／Ｋｘの場合を、不良品として×とした。
［チップ剥離］
　カーフ幅を観察後に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの基材フィルム側より５００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射させた。その後、半導体ウエハの研磨面にダイシングダイボンディングフィルムを貼合した。その後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの表面にヒートシールを接着し、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した。目視によりチップ剥離の有無を確認し、全くチップ剥離が見られなかったものを良品として◎、最端部の正方形でないチップは剥離したが、内部の正方形チップは剥離しなかったものを良品として〇、正方形チップの一部もしくは全部が剥離したものを不良品として×とした。
［糊残り］
　更に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した後の半導体ウエハの擬似段差面を光学顕微鏡により観察した。半導体ウエハの擬似段差面に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤の残渣が確認できなかったものを良品として○、一箇所でも残渣があったものを不良品として×とした。なお、比較例３については、ダスト浸入が多く見られたため、糊残りの判定が行なわなかった。
［ダスト侵入］
　また、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した後の半導体ウエハの擬似段差面及び半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した後の半導体ウエハ表面保護用粘着テープのウエハ貼合面を光学顕微鏡により観察し、擬似段差面、ウエハ貼合面ともダストが確認されず、ウエハ貼合面の貼合時にカーフに対応していた部分の変色も見られなかったものを良品として◎、ウエハ貼合面の貼合時にカーフに対応していた部分の変色が見られたものの、擬似段差面、ウエハ貼合面ともダストが確認されなかったものを良品として〇、擬似段差面またはウエハ貼合面にダストが確認されたものを不良品として×とした。
（５）通常研削による評価
［ウエハの反り］
　ポリイミドを５μｍコーティングした厚さ７８０μｍの８ｉｎｃｈのウエハに、貼合機として日東精機株式会社製のＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて、各実施例及び各比較例の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合し、グラインダーとして株式会社ディスコ社製のＤＧＰ８７６０（商品名）を用いて、ウエハ厚さ５０μｍまで研削した。各半導体ウエハ表面保護用粘着テープにつきウエハ４枚を研削し、グラインダー装置内での搬送過程においてウエハの反りに起因する搬送エラーが１枚も発生しなかったものを良品として〇、ウエハの反りに起因する搬送エラーが１枚でも発生したものを不良品として×とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１に示すように、基材樹脂フィルムに剛性層を有し、剥離角度３０°における剥離力が、０．１～３．０Ｎ／２５ｍｍである実施例１～７については、半導体ウエハを汚染や破損することなく半導体ウエハを加工することができた。一方、表２に示すように、剛性層を有さない比較例２，３については、カーフシフトが大きく、個片化されたチップが接触することによるチップの割れも見られた。また、剥離角度３０°におけるが３．０Ｎ／２５ｍｍより大きい比較例１についてはチップ剥離および糊残りが発生した。
　これらの実施例及び比較例からわかるように、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、カーフシフト量を少なくし、ウエハの汚染や破損することなく加工および剥離可能であるという効果を奏する。
１：半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
２：基材樹脂フィルム
４：粘着剤層
５：半導体ウエハ
６：ダイシングテープ
７：溝
８：研削装置
９：リングフレーム
１１：チップ

Claims (10)

  1. 　基材樹脂フィルムと、前記基材樹脂フィルムの少なくとも片面側に形成された放射線硬化性の粘着剤層とを有し、
    　前記基材樹脂フィルムは、引張弾性率が１～１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、
    　前記粘着剤層を放射線硬化させた後における、ＪＩＳ　Ｒ　６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ　Ｇ　４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ　Ｕｓｅ　Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）に対する剥離角度３０°での剥離力が、０．１～３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
  2. 　基材樹脂フィルムと、前記基材樹脂フィルムの少なくとも片面側に形成され、放射線の照射により硬化することのない粘着剤層とを有し、
    　前記基材樹脂フィルムは、引張弾性率が１～１０ＧＰａである剛性層を少なくとも1層有し、
    　５０℃における、ＪＩＳ　Ｒ　６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ　Ｇ　４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ　Ｕｓｅ　Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）に対する剥離角度３０°での剥離力が、０．１～３．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
  3. 　下記条件（ａ）～（ｄ）で測定したループスティフネスの負荷荷重から求められた、単位幅当りの反発力が２～１５ｍＮ／ｍｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
    （ａ）装置
    　ループステフネステスタ（商品名、株式会社東洋精機製作所製）
    （ｂ）ループ（試験片）形状
    　長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、試験片方向はテープＭＤ方向
    （ｃ）圧子の押し込み速度
    　３．３ｍｍ／ｓｅｃ
    （ｄ）圧子の押し込み量
    　圧子がループと接触した時点から５ｍｍ押し込む
  4. 　前記剛性層と前記粘着剤層との間の層が、引張弾性率が１ＧＰａ未満の層のみからなり、前記粘着剤層の厚さと前記引張弾性率が１ＧＰａ未満の層の厚さの合計が６０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
  5. 　前記粘着剤層は、ｐＨ１２の水酸化ナトリウム水溶液に平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリカを１４重量％分散させた化学機械研磨用のスラリーに２４時間浸漬後の不溶分の前記スラリーに浸漬する前に対する割合が７５％以上であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
  6. 　前記粘着剤層が側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射性反応性樹脂を含有し、放射線を照射することにより、前記放射性反応性樹脂と反応し剥離力を低下させるための改質剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
  7. 　前記改質剤が、非シリコーン系であることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
  8. 　(ａ)半導体ウエハの分断予定ラインに、前記半導体ウエハの表面から前記半導体ウエハの厚さ未満の溝を形成する工程と、(ｂ)前記溝が形成された前記半導体ウエハ表面に、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合する工程と、 (ｃ)前記半導体ウエハ裏面を研削することで、前記半導体ウエハを個片化する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  9. 　 (ａ)半導体ウエハの分断予定ラインにおける前記半導体ウエハ内部に、レーザーを照射することで改質領域を形成する工程と、(ｂ)前記（ａ)の工程の前または後に、半導体ウエハ表面に請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合する工程と、(ｃ)前記半導体ウエハ裏面を研削することで、前記半導体ウエハを個片化する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
  10. 　前記（ｃ）の工程は、化学的研磨を行う工程を含むことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体ウエハの製造方法。
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