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WO2016013732A1 - 유기광전자소자용 조성물, 유기광전자소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기광전자소자용 조성물, 유기광전자소자 및 표시 장치 Download PDF

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WO2016013732A1
WO2016013732A1 PCT/KR2014/012216 KR2014012216W WO2016013732A1 WO 2016013732 A1 WO2016013732 A1 WO 2016013732A1 KR 2014012216 W KR2014012216 W KR 2014012216W WO 2016013732 A1 WO2016013732 A1 WO 2016013732A1
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WO
WIPO (PCT)
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group
substituted
unsubstituted
formula
compound
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/KR2014/012216
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이한일
류동완
류진현
신창주
유은선
정성현
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Priority to US15/317,468 priority Critical patent/US20170104163A1/en
Priority to CN201480080278.2A priority patent/CN106471093B/zh
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    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • Organic optoelectronic device composition organic optoelectronic device and display device
  • An organic optoelectronic device composition An organic optoelectronic device and a display device.
  • An organic optoelectric diode is a device capable of converting electrical energy and optical energy.
  • Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the principle of operation.
  • One is an optoelectronic device in which excitons formed by light energy are separated into electrons and holes, and the electrons and holes are transferred to other electrodes, respectively, to generate electric energy.
  • It is a light emitting device that generates light energy from energy.
  • Examples of the organic optoelectronic device include an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photo conductor drum, and the like.
  • the organic light emitting device converts electrical energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material, and has a structure in which an organic layer is inserted between an anode and a cathode.
  • the organic layer may include a light emitting layer and an auxiliary layer, and the auxiliary layer may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer to increase efficiency and stability of the organic light emitting device. And at least one layer selected from a hole blocking layer.
  • the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by the characteristics of the organic layer, and in particular, by the organic materials included in the organic layer.
  • One embodiment provides a composition for an organic optoelectronic device capable of implementing high efficiency and long life organic optoelectronic devices.
  • Another embodiment provides an organic optoelectronic device comprising the composition.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device.
  • the agent represented by the following formula (I)! Provided is a composition for an organic optoelectronic device, comprising a host compound, and a second host compound represented by the following formula ( ⁇ ).
  • Z are each independently N, or CR a ,
  • At least two of three Z are N,
  • R 1 to R 3 , and R a are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted Or an unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkoxycarbonylamino group, substituted or unsubstituted C7 to C30
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C30 sulfamoylamino group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group , Substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 acyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acylamino group, substituted or unsubstituted A substituted C1 to C30 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylthiol group, Substituted or unsubstituted C6 to C30 arylthiol group,
  • Adjacent two selected from R 1 to R 3 , and R a fused to form a ring, and L 1 to L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkylene group, a substituted or unsubstituted group C3 to C30 cycloalkylene group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryleneamine group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxylene group, substituted or unsubstituted C 1 to C30 aryloxylene group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenylene group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynylene group, or a combination thereof,
  • R 1 to R 3 are not all hydrogen
  • R 4 to R 17 are each independently hydrogen, hydrogen, substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, substituted or unsubstituted C 2 to C 30 heteroaryl group, Or a combination thereof,
  • R 18 and R 19 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkoxy Carbonylamino group, substituted or unsubstituted C7 to C30 Aryloxycarbonylamino group, substituted or unsubstituted C1 to C30 sulfamoylamino group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl
  • n is an integer of 1-4.
  • an organic optoelectronic device comprising an anode and a cathode facing each other, at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, the organic layer comprising the composition.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device.
  • 1 and 2 are cross-sectional views illustrating organic light emitting diodes according to example embodiments. ⁇ Description of the sign>
  • substituted in the substituent or compound At least one hydrogen is deuterium, halogen, hydroxy, amino, substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, nitro group, substituted or unsubstituted C 1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl C1 to C10 trifluoro such as groups, C3 to C30 cycloalkyl groups, C3 to C30 heterocycloalkyl groups, C6 to C30 aryl groups, C6 to C30 heteroaryl groups, C1 to C20 alkoxy groups, fluoro groups, and trifluoromethyl groups Mean substituted by a roalkyl group or a cyano group.
  • C 1 to C 10 trifluoroalkyl group or cyano group such as heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C6 to C30 heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy group, fluoro group, trifluoromethyl group It may be fused to form a ring.
  • the substituted C6 to C30 aryl group can be fused to another adjacent substituted C6 to C30 aryl group to form a substituted or unsubstituted fluorene ring.
  • hetero means ⁇ , ⁇ , in one functional group, unless otherwise defined.
  • It contains 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of S, P and Si, and the rest means carbon.
  • an "alkyl group” is aliphatic
  • the alkyl group may be a "saturated alkyl group" "that does not contain any divalent or trivalent bonds.
  • the alkyl group may be an alkyl group of C1 to C30. More specifically, the alkyl group may be a C1 to C20 alkyl group or a C1 to C10 alkyl group.
  • a C 1 to C 4 alkyl group means that the alkyl chain contains 1 to 4 carbon atoms, and methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, ⁇ -butyl, iso-butyl, sec-butyl and t-butyl It is selected from the group consisting of.
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, nucleosil group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclonucleus It means a practical skill.
  • an "aryl group” refers to a substituent in which all elements of a cyclic substituent have a p-orbital, and these P-orbitals form conjugation. And monocyclic, polycyclic or fused ring polycyclic (ie, rings that divide adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.
  • a “heterocyclic group” refers to a hetero atom selected from the group consisting of N, 0, S, P, and Si in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, or a combination thereof. It contains at least one, and the rest means carbon.
  • the heterocyclic group may include one or more heteroatoms for all or each ring.
  • the heterocyclic group is a higher concept encompassing the heteroaryl group.
  • a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthra Senyl group, substituted or unsubstituted phenanthryl group, substituted or unsubstituted naphthacenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted P-terphenyl group, substituted or unsubstituted Substituted m-terphenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted peryl
  • a single bond refers to a bond directly connected without passing through carbon or a hetero atom other than carbon, and specifically, L means a single bond means that a substituent linked to L is directly connected to the central core. do. That is, in the present specification, a single bond does not mean methylene or the like via carbon.
  • the hole characteristic refers to a characteristic capable of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and injecting holes formed at the anode into the light emitting layer having conductive properties along the HOMO level and emitting layer. It refers to a property that facilitates the movement of the hole formed in the anode and movement in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic in which electrons can be received when an electric field is applied.
  • the electron characteristic is injected along the LUMO level into the light emitting layer of electrons formed in the cathode, the electrons formed in the light emitting layer move to the cathode, and It means a property that facilitates movement.
  • composition according to one embodiment may include a first host, a second host, and a dopant.
  • the second host is a linker connected by 1 to 4 phenylene
  • the second host can be applied alone, as the LUMO energy level is about -1.3 eV or more based on the calculated value according to the B3LYP / 6-31G method using the program Gaussian 09 with the supercomputer GAIA (IBM power 6). In this case, electron injection is very difficult. Electrons in order to be easily injected 'LUMO energy level of the compound is a supercomputer GAIA (IBM power 6) in the calculation program Gaussian by B3LYP / 6-31 G method using 09-to be more than 1.5 eV, said first Since the host compound contains at least two N in the central core, the LUMO energy level is -1.5 eV or less, so that the low eleven host compounds can be used together to compensate for the electronic properties of the device. High efficiency and long life organic optoelectronic devices can be realized.
  • the first host compound is represented by the formula
  • Z are each independently N, or CR a ,
  • At least two of three Z. are N,
  • R 1 to R 3 , and R a are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted Or an unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkoxycarbonylamino group, substituted or unsubstituted C7 to C30
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C30 sulfamoylamino group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group , Substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C 1 to C30 acyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acylamino group, substituted or Unsubstituted C 1 to C30 sulfonyl group, substituted or unsubstituted C 1 to C30 alkylthio group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylthiol group, substituted or unsubstituted
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C 1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryleneamine group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxylene group, substituted or unsubstituted C1 to A C30 aryloxyylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynylene group, or a combination thereof,
  • the first host compound may be represented by any one of the following 1-1 to Formula 1-5, depending on the position of N contained.
  • R 1 to R 3 , R a , and L 1 to L 3 are as described above.
  • R 1 to R 3 , and R a are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, Substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylthi group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylthiol group, substituted or unsubstituted CI to C30 ureide group, halogen group, cyano group, hydroxyl group, amino group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl group, or a combination thereof
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted It may be a ring C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof.
  • R 1 to R 3 are not all hydrogen.
  • the first host compound may contain a ring containing at least two nitrogens.
  • It can be a structure that is easy to receive electrons when applying the electric field, thereby reducing the driving voltage of the organic optoelectronic device to which the first host compound is applied.
  • L 1 to L 3 of the first host compound represented by the single-group formula I are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 hetero Arylene groups or combinations thereof.
  • the substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group may be a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted quarterphenyl group.
  • the terphenyl group may be 0-terphenyl group, m-terphenyl group, ⁇ -terphenyl group, the quarterphenyl group is a linear quarterphenyl group, or a branched iso-quaterphenyl group, tert-quaterphenyl group, 2-quater Phenyl group and the like.
  • L 1 to L 3 of the first host compound represented by Chemical Formula I may be each independently selected from a single bond or a substituted or unsubstituted group listed in Group I below.
  • R 1 to R 3 , and R a of the first host compound represented by Formula I are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycle Groups, or a combination thereof.
  • the substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group is substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted quarterphenyl group, substituted or unsubstituted Substituted naphthyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted 1H-phenalenyl group (lH-phenalenyl), substituted or unsubstituted pyrenyl group (pyrenyl), substituted Or an unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, or a combination thereof, and the substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group is a substituted or unsubsti
  • R b to 1 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a Is a combination, and * is a connection point.
  • the LUMO energy level of the first host compound may be -L5 eV or less.
  • the first host compound having an LUMO energy level within the above range is a compound having strong electronic characteristics, and thus, may be used together with a second host compound having strong hole characteristics to implement biplatic characteristics.
  • the first host compound may be selected from, for example, compounds listed in the following group m, but is not limited thereto.
  • R 4 to R 10 , and R 1 1 to R 17 fused to form a ring, and R 18 and R 19 are each independently hydrogen, hydrogen, substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, substituted or Unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, substituted or unsubstituted C1 To C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkoxycarbonylamino group, substituted or unsubstituted C7 to C30
  • Aryloxycarbonylamino group substituted or unsubstituted C1 to C30 sulfamoylamino group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group , Substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 acyl group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C20 acylamino group, substituted or unsubstituted A substituted C 1 to C30 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C30 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C 6 to C30 arylthiol group,
  • n is an integer of 1-4.
  • the second host compound includes a linking group connected by 1 to 4 phenylenes, and thus has a flexible molecular structure, so stacking is effectively prevented, which is advantageous in the deposition process.
  • the organic optoelectronic device to which the composition containing the first host compound and the crab second host compound is applied has an improved efficiency. Can be.
  • the second host compound may be represented by any one of the following Formulas ⁇ -1 to ⁇ -16 according to the type of the intermediate linking group. [Formula ⁇ -1] [Formula ⁇ -2]
  • R 4 to R 19 are as described above.
  • R 4 to R 17 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 An aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof, or adjacent two of R 4 to R 10 , and R 1 1 to R 17 fuse to form a ring
  • R 18 and R 19 Are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroa A aryl group, a substituted or unsub
  • R 18 and R 19 are each independently hydrogen, hydrogen, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or substituted or unsubstituted C2 to C30
  • the substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group is substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted A quarterphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted 1H-phenalenyl group (lH-phenalenyl), a substituted or unsubstituted group Pyrenyl, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted triphenylene group, or
  • the substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group may be
  • the second host compound may be represented by any one of the following Formulas ⁇ -17 to ⁇ -39 depending on the substituents of R 18 and R 19 .
  • R 4 to R 17 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,
  • Adjacent two of R 4 to R 10 , and R 1 1 to R 17 may be fused to form a ring, and n may be an integer of 1 to 4.
  • R 4 to R 17 in Formula II may be each independently hydrogen, deuterium, or a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group.
  • the substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group is substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted 0-terphenyl group, substituted or unsubstituted P-terphenyl group, substituted Or an unsubstituted m-terphenyl group, a substituted or unsubstituted iso-quaterphenyl group, a substituted or unsubstituted tert-quaterphenyl group, a 2-quaterphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, or a combination thereof, It is not limited to this.
  • the second host compound may be selected from, for example, compounds listed in Group IV below, but is not limited thereto.
  • the first host compound and the second host compound described above may be prepared in various compositions by various combinations.
  • the first host compound is a compound having a relatively strong electronic property and the second host compound is a compound having a relatively strong hole property and is advantageous for the deposition process, and is used together with electrons and holes as compared with the case where they are used alone.
  • By increasing the mobility of the luminous efficiency can be significantly improved.
  • the first and second hosts are simultaneously introduced into the light emitting layer to fabricate a device capable of balancing the carrier in the light emitting layer so that the light emitting region is not biased to either the electron or the hole transport layer. Lifespan characteristics can also be significantly improved.
  • the first host compound and the second host compound are, for example, from 1: 10 to
  • composition may further include one or more host compounds in addition to the first host compound and the second host compound described above.
  • the composition could further comprise a dopant.
  • the dopant may be a red, green or blue dopant, for example, a phosphorescent dopant.
  • the dopant is a substance mixed with the first host compound and the second host compound in a slight amount to emit light, and is generally a metal complex that emits light by multiple excitation to excite it in a triplet state or more. Materials such as may be used.
  • the dopant may be, for example, an inorganic, organic, or inorganic compound, and may be included in one kind or two or more kinds.
  • Examples of the phosphorescent dopant include an organometallic compound including Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rli, Pd, or a combination thereof.
  • the phosphorescent dopant may be, for example, a compound represented by Chemical Formula Z, but is not limited thereto.
  • M is a metal
  • L and X are the same or different from each other, and are ligands that form a complex with M.
  • M may be, for example, Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd or a combination thereof, wherein L and X are for example bidentate It may be a ligand.
  • the composition may be formed by a dry film formation method or a solution process such as chemical vapor deposition.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as the device can switch electrical energy and light energy. Examples thereof include an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, and an organic photosensitive drum.
  • the organic optoelectronic device may include an anode and a cathode facing each other, at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, wherein the organic layer is described above. Composition may be included.
  • an organic optoelectronic device 100 includes an organic layer disposed between an anode 120 and a cathode 1 10 and an anode 12 and a cathode 1 10 facing each other. 105).
  • the anode 120 may be made of a high work function conductor, for example, to facilitate hole injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the anode 120 may be, for example, a metal such as nickel, platinum, barn, crucible, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide ( ⁇ ),
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (IZO); Combinations of oxides with metals such as ZnO and A1 or Sn0 2 and Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene Xpolyehtylenedioxythiophene: PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto. .
  • the cathode 1 10 can be made of a low work function conductor, for example, to facilitate electron injection, and can be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the negative electrode 1 10 may be, for example, a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, rhythm, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium, or an alloy thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al, Li0 2 / Al, LiF / Ca, LiF / AI, and BaF 2 / Ca, but are not limited thereto.
  • the organic insect 105 comprises the light emitting layer 130 containing the composition mentioned above.
  • the light emitting layer 130 may include, for example, the composition described above.
  • the organic light emitting diode 200 further includes a hole auxiliary insect 140 in addition to the light emitting layer 130.
  • the hole auxiliary layer 140 may further increase hole injection and / or hole mobility between the anode 120 and the light emitting layer 130 and block electrons.
  • the hole auxiliary layer 140 may be, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, and / or an electron blocking layer, and may include at least one layer.
  • an organic light emitting device further comprising an electron transport layer, an electron injection layer, a hole injection layer, etc. as the organic thin film layer 105 in FIG. have.
  • the organic light emitting diodes 100 and 200 form an anode or a cathode on a substrate, and then form an organic layer by a dry film method such as evaporation, sputtering, plasma plating, and ion plating. It can be prepared by forming a cathode or an anode.
  • the organic light emitting diode described above may be applied to an organic light emitting display device.
  • biphenyl-3-ylboronic acid 100 g, 505 mmol was dissolved in 1.4 L of tetrahydrofliran (THF), followed by l-bromo-3-iodobenzene (171 g, 606 mmol).
  • 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole (10 () g, 310 mmol) was dissolved in 0.8 L of tetrahydrofbran (THF), followed by 3-chlorophenylboronic acid (53.4 g, 341 mmol).
  • biphenyl-3-ylboronic acid (l00 g, 505 mmol) was dissolved in 1.4 L of tetrahydrofuran (THF), followed by l-bromo-4-iodobenzene (l7l g, 606 mmol).
  • 3-bromo-9H-carbazole 100 g, 406 inmol
  • 3-iodobiphenyl 137 g, 488 mmol
  • bis (dibenzylideneacetone) palladium o
  • tris-tert butylphosphine 4.11 g, 20.3 mmol
  • sodium tert-butoxide 46.8 g, 487 mmol
  • ITO Indium tin oxide
  • a floating solvent After the distilled water was washed, isopropyl alcohol, acetone, and methane were ultrasonically washed with a floating solvent, dried, and then transferred to a plasma cleaner, and then, the substrate was cleaned for 10 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • Compound A was vacuum deposited on the ITO substrate using the prepared ⁇ transparent electrode as an anode to form a hole injection layer having a thickness of 700 A, and then compound C was deposited to a thickness of 50 A on the injection layer. Depositing a thickness of 1020 A to form a hole transport layer.
  • Tris (2-phenylpyridinato) iridium (ni) [Ir (ppy) 3] as a dopant. ] was doped with lOwt 0 /.
  • a light emitting layer having a thickness of 400 A by vacuum deposition Compound 6 and Compound B-1 were used in a 1: 1 ratio.
  • compound D and Liq are simultaneously deposited in a 1: 1 ratio on the emission layer to form an electron transport layer having a thickness of 300 A, and Liq l 5 A and A1 1200 A are sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to form a cathode.
  • an organic light emitting device was manufactured.
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers, specifically as follows.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound 7 instead of Compound 6.
  • Example 3
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound 13 instead of Compound 6.
  • Example 4
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 2 except for using Compound B-2 instead of Compound B-1.
  • Example 6
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 2 except for using Compound B-33 instead of Compound B-1.
  • Example 7
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 2 except for using Compound B-34 instead of Compound B-1. Comparative Example 1
  • Comparative Example 2 An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound 6 as a single host instead of two hosts of Compound 6 and Compound B-1. Comparative Example 3
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound 7 as a single host instead of two hosts of Compound 6 and Compound B-1, Comparative Example 4
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound 14 as a single host instead of two hosts of Compound 6 and Compound B-1. Comparative Example 6
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound B-1 as a single host instead of two hosts of Compound 6 and Compound B-1. Comparative Example 7
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound B-2 as a single host instead of two hosts of Compound 6 and Compound B-1. Comparative Example 8
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound B-34 as a single host instead of two hosts of Compound 6 and Compound B-1.
  • the current value flowing through the unit device was measured by using a current-voltmeter (Keithley 2400) while increasing the voltage from 0V to 10V, and the result was divided by the area.
  • the luminance was measured by using a luminance meter (Minolta Cs-IOOOA) while increasing the voltage from 0V to 10V to obtain a result.
  • a luminance meter Minolta Cs-IOOOA
  • the current efficiency (cd / A) of the same current density (10 mA / cm 2) was calculated using the brightness, current density and voltage measured from (1) and (2) above.
  • the initial luminance (cd / m 2) was emitted at 6000 cd / m 2 , and the decrease in luminance over time was measured to measure the time of decreasing to 97% of the initial luminance.
  • Example 1 Compound 6 B-1 1: 1 59.1 680
  • Example 2 Compound 7 B-1 1: 1 55.2 720
  • Example 3 Compound 13 B-1 1: 1 57.6 700
  • Example 4 Compound 14 B-1 1: 1 56.1 750
  • Example 5 Compound 7 B-2 1: 1 58.8 710
  • Example 6 Compound 7 B-33 1: 1 53.1 760
  • Example 7 Compound 7 B-34 1: 1 54.3 750 Comparison Example 1 CBP-19.3 0.5 Comparative Example 2 Compound 6-28.7 480 Comparative Example 3 Compound 7-33.5 550 Comparative Example 4 Compound 13-30.1 500 Comparative Example 5 Compound 14-35.7 400 Comparative Example 6 B-1-7.8 10 Comparative Example 7 B-2-12.8 10 Comparative Example 8 B-33-8.9 30 Comparative Example 9 B-34-1 1.7 30 Referring to Table 1, the organic light emitting diode according to Examples 1 to 7 significantly improved the luminous efficiency and lifespan characteristics compared to the organic light emitting diode according to Comparative
  • An organic light emitting diode was manufactured using the compound 21 obtained in Synthesis Example 24 as a host, and acetylacetonatobis (2-phenylquinoHnato) iridium (Ir (pq) 2 acac) as a dopant.
  • ITO was used as the anode at a thickness of 1500 A
  • aluminum (A1) was used as the cathode at a thickness of 1000 A.
  • a glass substrate with a sheet resistance of was cut into 50 mm x 50 mm ⁇ 7 mm and ultrasonically cleaned for 15 minutes in acetone, isopropyl alcohol and pure water, followed by UV ozone cleaning for 30 minutes. .
  • a light emitting layer having a thickness of 300 A was formed by simultaneously using the compound 21 obtained in the synthesis example 24 and the compound B-1 obtained in the second host synthesis example 31 as a host, and the compound 21 and the compound B- 1 was used at a 1: 1 ratio.
  • the phosphorescent dopant acetylacetonatobis (2-phenylquinolinato) iridium (Ir (pq) 2 acac) 3 ⁇ 4r was simultaneously deposited.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 8 except for using Compound 22 instead of Compound 21.
  • Example 10 An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 8 except for using Compound 22 instead of Compound 21.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 9 except for using Compound B-2 instead of Compound B-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 9 except for using Compound B-33 instead of Compound B-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 9 except for using Compound B-34 instead of Compound B-1. Comparative Example 10
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 8 except for using the compound B-1ol as a host instead of the two hosts of the compound 21 and the compound B-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 8 except for using Compound B-2 as a single host instead of two hosts of Compound 21 and Compound B-1. Comparative Example 15
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 8 except for using Compound B-33 as a single host instead of two hosts of Compound 21 and Compound B-1. Comparative Example 16
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 8 except for using Compound B-34 as a single host instead of two hosts of Compound 21 and Compound B-1.
  • the structures of DNTPD, BAlq, HT-1, CBP, and Ir (pq) 2 acac used in the organic light emitting device are as follows.
  • the current value flowing through the unit device was measured by using a current-voltmeter (Keithley 2400) while increasing the voltage from 0V to 10V, and the measured current value was divided by the area to obtain a result.
  • the resulting organic light emitting device was measured using a luminance meter (Minolta Cs-IOOOA) while increasing the voltage from 0V to 10V to obtain a result.
  • a luminance meter Minolta Cs-IOOOA
  • the current efficiency (cd / A) of the same current density (10 mA / cm 2) was calculated using the brightness, current density and voltage measured from (1) and (2) above.
  • the initial luminance (cd / m2) is emitted at 3000 cd / m 2 and the luminance decreases over time.
  • the organic light emitting device according to Examples 8 to 12 is significantly improved in the luminous efficiency and life characteristics compared to the organic light emitting device according to Comparative Examples 10 to 16. Synergy of each of the existing luminous efficiency and lifetime characteristics when the organic light emitting diodes according to Comparative Examples 11 and 12 with good life characteristics and luminous efficiency are properly mixed with the organic light emitting diodes according to Comparative Examples 13 to 16 with good hole characteristics. It can be seen that the effect occurs and is markedly improved.
  • Compound B-1, Compound B-2, Compound B-33, and Compound B-34 have a higher HOMO energy level than Compound 6, Compound 7, Compound 13, Compound 14, Compound 21, and Compound 22. It can be seen that the hole injection is better in Compound B-1, Compound B-2, Compound B-33, and Compound B-34 than Compound 6, Compound 7, Compound 13, Compound 14, Compound 21, and Compound " 22. Table 1 and Table when using materials that facilitate the flow of holes and electrons
  • the synergy effect is generated, and the device can be manufactured with high efficiency and long life.

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Abstract

화학식 Ⅰ로 표현되는 제1 호스트 화합물, 및 화학식 Ⅱ로 표현되는 제2 호스트 화합물을 포함하는 유기광전자소자용 조성물, 상기 유기광전자소자용 조성물을 포함하는 유기광전자 소자 및 표시장치에 관한 것이다.

Description

【명세세
【발명의 명칭】
유기광전자소자용 조성물， 유기광전자소자 및 표시 장치
【기술분야】
유기광전자소자용 조성물, 유기광전자소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기광전자소자 (organic optoelectric diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기광전자소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고， 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기광전자소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중， 유기 발광 소자 (organic light emitting diode, 0LED)는 근래 평판 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode)사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기 층은 발광층과 선택적으로 보조층을 포함할 수 있으며, 상기 보조층은 예컨대 유기발광소자의 효율과안정성을 높이기 위한 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 전자 수송 층， 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 1층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 층의 특성에 의해 영향을 많이 받으며， 그 중에서도 상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다.
특히 상기 유기 발광 소자가 대형 평판 표시 장치에 적용되기 위해서는 정공 및 전자의 이동성을 높이는 동시에 전기화학적 안정성을 높일 수 있는 유기 재료의 개발이 필요하다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】 일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있는 유기 광전자 소자용 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다. 【기술적 해결 방법】
일 구현예에 따르면， 하기 화학식 I로 표현되는 제! 호스트 화합물, 및 하기 화학식 Π로 표현되는 제 2 호스트 화합물을 포함하는 유기광전자소자용 조성물을 제공한다.
I ]
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 I에서,
Z는 각각 독립적으로 N, 또는 CRa이고,
3개의 Z 중 적어도 둘은 N 이고，
R1 내지 R3, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술포닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티올기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 우레이드기, 할로겐기, 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 니트로기， 카르복실기， 페로세닐기, 또는 이들의 조합이거나,
R1 내지 R3, 및 Ra 에서 선택된 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고, L1 내지 L3은 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 아릴옥실렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐렌기， 또는 이들의 조합이고,
상기 L1 내지 L3가 모두 단일 결합일때, 상기 R1 내지 R3는 모두 수소가 아니며，
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 Π에서
R4 내지 R17은 각각 독립적으로, 수소， 증수소， 치환 또는 비치환된 C 1 내지- C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기, 또는 이들의 조합이거나，
R4 내지 R10, 및 R1 1 내지 R17 중 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고，
R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴옥시카르보닐아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술파모일아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30술포닐기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 우레이드기, 할로겐기, 할로겐 함유기， 시아노기, 히드록실기， 아미노기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 또는 이들의 조합이고,
n은 1 내지 4의 정수이다.
다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 양극과 음극, 상기 양극과상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고， 상기 유기층은 상기 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다ᅳ 【발명의 효과】
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 및 도 2는 각각 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다. <부호의 설명 >
100, 200: 유기 발광 소자
105 : ΤΓ7 Ι -0"
ᄋ그
1 10: ᄆ
120: Ομ "I
130: 발광층
140: 정공 보조 f
【발명을 실시하기 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만， 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환 "이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기, 히드록시기, 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기， 니트로기， 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기, C6 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기， 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C 10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록시기， 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C 1 내지 C10 알킬실릴기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30
헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기, C6 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기， 플루오로기， 트리플루오로메틸기 등의 C 1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 융합되어 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 Ν, Ο,
S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족
탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이증결합이나 삼증결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl)기 ' '일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C20 알킬기 또는 C1 내지 C 10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어， C 1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸, 프로필， 이소-프로필 , η-부틸， 이소-부틸， sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기， 에틸기， 프로필기， 이소프로필기, 부틸기， 이소부틸기, t-부틸기， 펜틸기, 핵실기， 시클로프로필기, 시클로부틸기， 시클로펜틸기, 시클로핵실기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴 (aryl)기''는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며， 이들 P-오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미하고, 모노시클릭 , 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)"는 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다. 따라서, 헤테로고리기는 헤테로아릴기를 포괄하는 상위개념이다.
보다 구체적으로， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기， 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기， 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피를릴기， 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기， 치환 또는
비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기， 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기， 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 , 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 단일 결합이란 탄소 또는 탄소 이외의 헤테로 원자를 경유하지 않고 직접 연결되는 결합을 의미하는 것으로, 구체적으로 L이 단일 결합이라는 의미는 L과 연결되는 치환기가 중심 코어에 직접 연결되는 것을 의미한다. 즉, 본 명세서에서 단일 결합이란 탄소를 경유하는 메틸렌 등을 의미하는 것이 아니다.
본 명세서에서， 정공 특성이란, 전기장 (electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로 , HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입， 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란， 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성올 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 조성물을 설명한다.
일 구현예에 따른 조성물은 제 1 호스트 (host), 제 2 호스트， 및 도편트 (dopant)를 포함할 수 있다.
상기 제 2 호스트는 1개 내지 4개의 페닐렌으로 연결된 연결기를
포함함으로써, 연결기 없이 직접 연결된 바이카바졸에 비해 유연한 분자 구조를 가질 수 있고, 이러한 유연한 분자 구조로 인하여 화합물들의 스태킹 (stacking)을 효과적으로 방지하여 박막 특성을 향상시켜 공정 안정성을 높이는 동시에 증착 온도를 낮출 수 있다.
그러나， 상기 제 2 호스트는 LUMO 에너지 레벨이 슈퍼컴퓨터 GAIA (IBM power 6)으로 프로그램 Gaussian 09를사용하여 B3LYP/6-31 G 방법에 따른 계산값 기준으로 약 -1.3 eV 이상으로써, 단독으로 적용할 경우 전자주입이 매우 어렵다. 전자가 용이하게 주입되기 위해서는 화합물의 ' LUMO 에너지 레벨이 슈퍼컴퓨터 GAIA (IBM power 6)으로 프로그램 Gaussian 09를사용하여 B3LYP/6-31 G 방법으로 계산시， - 1.5 eV 이하이어야 하는데, 상기 제 1 호스트 화합물은 중심 코어에 적어도 2개의 N을 함유함으로써, LUMO 에너지 레벨이 - 1.5 eV 이하가 되므로, 저 11 호스트 화합물을 함께 사용함으로써， 소자의 전자 특성을 보완할 수 있고, 이로써 고효율.장수명의 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
상기 제 1 호스트 화합물은 하기 화학식 I로 표현
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 I에서,
Z는 각각 독립적으로 N, 또는 CRa이고,
3개의 Z.중 적어도 둘은 N 이고,
R1 내지 R3, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기， 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술파모일아미노기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실아미노기， 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알킬티을기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 우레이드기， 할로겐기， 할로겐 함유기， 시아노기, 히드록실기, 아미노기， 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 또는 이들의 조합이거나,
R' 내지 R3, 및 Ra 에서 선택된 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고,
L1 내지 L3은 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌아민기， 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴옥실렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
상기 L1 내지 L3가모두 단일 결합일때, 상기 R1 내지 R3는 모두 수소가 아니다.
상기 제 1 호스트 화합물은 함유되는 N의 위치에 따라 예컨대 하기 1 -1 내지 화학식 1 -5 중 아느 하나로 표현될 수 있다.
1 -1] [화학식 1 -2] [화학식 1 -3]
Figure imgf000010_0001
1 -4] [화학식
Figure imgf000010_0002
상기 화학식 1 -1 내지 화학식 1 -5에서， R1 내지 R3, Ra, 및 L1 내지 L3은 전술한 바와 같다.
일 예에서， 상기 화학식 1 -1 내지 화학식 1 -5에서， R1 내지 R3, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티을기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 CI 내지 C30 우레이드기， 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 니트로기， 카르복실기, 페로세닐기, 또는 이들의 조합이고,
L1 내지 L3은 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
단， 상기 L1 내지 L3가 모두 단일 결합일때, 상기 R1 내지 R3는 모두 수소가 아니다.
상기 제 1 호스트 화합물은 적어도 2개의 질소를 함유하는 고리를
포함함으로써 전기장 인가시 전자를 받기 쉬운 구조가 될 수 있고, 이에 따라 상기 제 1 호스트 화합물을 적용한 유기 광전자 소자의 구동 전압올 낮출 수 있다.
일 예에서, 싱-기 화학식 I로 표현되는 제 1 호스트 화합물의 L1 내지 L3은 각각 독립적으로, 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합일 수 있다.
예를 돌어, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기일 수 있다. 구체적으로， 상기 터페닐기는 0-터페닐기, m- 터페닐기 , ρ-터페닐기 일 수 있으며, 쿼터페닐기는 직선형의 쿼터페닐기이거나, 분지형인 iso-쿼터페닐기, tert-쿼터페닐기, 2-쿼터페닐기 등일 수 있다.
상기 화학식 I로 표현되는 제 1 호스트 화합물의 L1 내지 L3은 각각 독립적으로, 단일 결합이거나 하기 그룹 I에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택될 수 있다.
그룹 I ]
Figure imgf000012_0001
상기 그룹 I에서, *은 연결 지점이다.
또한, 상기 화학식 I로 표현되는 제 1 호스트 화합물의 R1 내지 R3, 및 Ra는 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 또는 이들의 조합일 수 있다.
구체적으로, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌일기, 치환 또는 비치환된 1H- 페날렌일기 (lH-phenalenyl), 치환 또는 비치환된 피렌일기 (pyrenyl), 치환또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 또는 이들의 조합이고， 상기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 또는 이들의 조합일 수 있고, 더 구체적으로， 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 상기 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 하기 그룹 Π에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택될 수 있다. [그룹 Π ]
Figure imgf000013_0001
상기 그룹 π에서
Rb 내지 1 는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기, 또는 이들의 조합이고, *은 연결지점이다.
상기 제 1 호스트 화합물의 LUMO 에너지 레벨은 -L5 eV 이하 일 수 있다.
LUMO 에너지 레벨이 상기 범위 내인 제 1 호스트 화합물은 전자 특성이 강한 화합물로써, 정공 특성이 강한 제 2 호스트 화합물과 함께 사용됨으로써 바이플라 특성을 구현할 수 있다.
상기 제 1 호스트 화합물은 예컨대 하기 그룹 m에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000015_0001
C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 아릴기, 치환 또는 비치환된 C30 헤테아릴기， 또는 이들의 조합이거나，
R4 내지 R10, 및 R1 1 내지 R17 증 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소， 증수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기， 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실아미노기， 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 우레이드기， 할로겐기, 할로겐 함유기, 시아노기， 히드록실기, 아미노기, 니트로기， 카르복실기, 페로세닐기, 또는 이들의 조합이고，
n은 1 내지 4의 정수이다.
상기 제 2 호스트 화합물은 1개 내지 4개의 페닐렌으로 연결된 연결기를 포함함으로써, 유연한 분자 구조를 갖게 되어 스태킹 (stacking)이 효과적으로 방지되므로， 증착 공정 시 유리하다.
■ 또한， 제 1 호스트 화합물과 함께 적용할 경우， 정공 및 전자의 흐름을 적절히 균형 맞출 수 있고, 이에 따라 상기 제 1 호스트 화합물 및 게 2 호스트 화합물을 포함하는 조성물을 적용한 유기 광전자 소자는 효율이 개선될 수 있다.
상기 제 2 호스트 화합물은， 중간 연결기의 종류에 따라 하기 화학식 Π - 1 내지 화학식 Π -16 중 어느 하나로 표현될 수 있다. [화학식 Π-1] [화학식 Π-2]
Figure imgf000017_0001
[화학식 Π-3] [화학식 Π-4]
Figure imgf000017_0002
[화학식 Π-7] [화학식 Π_8]
Figure imgf000017_0003
[화학식 Π-9] [화학식 Π-10]
Figure imgf000018_0001
Π -15] [화학식 Π -16]
Figure imgf000019_0001
상기 화학식 Π -1 내지 화학식 Π -16에서 , R4 내지 R19는 전술한 바와 같다. 또한， 일예에서, 상기 화학식 화학식 Π -1 내지 화학식 Π -16에서， R4 내지 R17은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기， 또는 이들의 조합이거나, R4 내지 R10, 및 R1 1 내지 R17 중 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티을기， 또는 이들의 조합일 수 있다.
구체적으로, 상기 R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 증수소， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환또는 비치환된 C2 내지 C30
해테로아릴기일 수 있고, 더욱 구체적으로， 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌일기, 치환 또는 비치환된 1H-페날렌일기 (lH-phenalenyl), 치환 또는 비치환된 피렌일기 (pyrenyl), 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 또는 이들의 조합이고， 상기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는， 치환 또는 비치환된 피리딜기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 또는 이들의 조합일 수 있다.
또한， 상기 제 2 호스트 화합물은, R18 및 R19의 치환기에 따라 하기 화학식 Π - 17 내지 화학식 Π -39 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
화학식 Π -17]
Figure imgf000020_0001
[화학식 Π -20]
Figure imgf000020_0002
화학식 Π-21]
Figure imgf000021_0001
[화학식 Π-24]
Figure imgf000021_0002
[화학식 Π-25
Figure imgf000022_0001
[화학식 Π-27]
Figure imgf000022_0002
[화학식 Π-28]
Figure imgf000023_0001
Figure imgf000024_0001
화학식 Π-34]
Figure imgf000024_0002
[화학식 Π-35]
Figure imgf000024_0003
[화학식 Π-36]
Figure imgf000025_0001
[화학식 Π-38]
Figure imgf000025_0002
상기 화학식 Π-17 내지 화학식 Π-39에서， R4 내지 R17, 및 η은 전술한 바와 같다.
일 예에서, 상기 화학식 Π -17 내지 화학식 Π -39에서, R4 내지 R17은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기, 또는 이들의 조합이거나，
R4 내지 R10, 및 R1 1 내지 R17 중 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고, n은 1 내지 4의 정수일 수 있다. 상기 화학식 Π의 R4 내지 R17은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 수 있다.
구체적으로， 상기 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 0-터페닐기, 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기， 치환 또는 비치환된 iso-쿼터페닐기， 치환 또는 비치환된 tert-쿼터페닐기， 2-쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 2 호스트 화합물은 예컨대 하기 그룹 IV에 나열된 화합물에서 선텍될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 IV]
Figure imgf000026_0001
Figure imgf000026_0002
Figure imgf000027_0001
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000029_0001
Figure imgf000030_0001
lZZT0/M0ZaM/X3d 62 ζε.ειο/9ΐοζ OAV
Figure imgf000031_0001
oi-e .oi-e 901-8 soi -8
Figure imgf000031_0002
Figure imgf000032_0001
B-129 B- 130 B-131 B- 132
Figure imgf000033_0001
B- 133 B-134 B-135 B- 136
Figure imgf000033_0002
B- 137 B- 138 B- 139 B- 140
Figure imgf000033_0003
상술한 제 1 호스트 화합물과 제 2 호스트 화합물은 다양한조합에 의해 다양한 조성물로 준비될 수 있다.
상기 제 1 호스트 화합물은 전자특성이 상대적으로 강한 화합물이고 상기 제 2 호스트 화합물은 정공 특성이 상대적으로 강하고, 동시에 증착 공정에 유리한 화합물로, 이들이 함께 사용됨으로써 단독으로 사용된 경우와 비교하여 전자 및 정공의 이동성을 높여 발광효율을 현저히 개선시킬 수 있다.
전자 혹은 정공 특성이 한쪽으로 치우친 재료를 발광층으로 도입한 소자는 발광충과 전자수송층 또는 정공수송층의 계면에서 캐리어의 재결합이 일어나면서 엑시톤의 형성이 상대적으로 많이 일어나게 된다. 그 결과 발광층 내 분자 여기자와 수송층 계면의 전하와의 상호작용으로 인해 효율이 급격히 떨어지는 롤 -오프 (roll-off) 현상이 발생하고 발광 수명 특성 또한 급격히 떨어지게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 제 1 및 제 2 호스트를 동시에 발광층에 도입하여 전자 또는 정공수송층 어느 한쪽으로 발광 영역이 치우치지 않도록 발광층 내의 캐리어 밸런스를 맞출 수 있는 소자를 제작함으로써 롤-오프의 개선과 동시에 수명 특성 또한 현저히 개선시킬 수 있다. 상기 제 1 호스트 화합물과 상기 제 2 호스트 화합물은 예컨대 1 : 10 내지
10: 1의 증량비로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 바이폴라 특성이 더욱 효과적으로 구현되어 효율과 수명을 동시에 개선할 수 있다.
상기 조성물은 전술한 제 1 호스트 화합물 및 제 2 호스트 화합물 외에 1종 이상의 호스트 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 조성물은 도편트를 더 포함할수 았다. 상기 도편트는 적색, 녹색 또는 청색의 도편트일 수 있으며， 예컨대 인광도펀트일 수 있다.
상기 도펀트는 상기 제 1 호스트 화합물과상기 제 2 호스트 화합물에 미량 흔합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 삼중항 상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는 금속 착체 (metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 상기 도편트는 예컨대 무기, 유기， 유무기 화합물일 수 있으며， 1종 또는 2종 이상 포함될 수 있다.
상기 인광 도편트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rli, Pd 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 금속화합물을 들 수 있다. 상기 인광 도펀트는 예컨대 하기 화학식 Z로 표현되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 Z]
L2MX
상기 화학식 Z에서， M은 금속이고, L 및 X는서로 같거나 다르며 M과 착화합물을 형성하는 리간드이다.
상기 M은 예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합일 수 있고， 상기 L 및 X는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다. 상기 조성물은 화학기상증착과 같은 건식 성막법 또는 용액 공정으로 형성될 수 있다.
이하 상술한 조성물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
상기 유기 광전자 소자는 서로 마주하는 양극과 음극, 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함할 수 있고,상기 유기층은 전술한 조성물을 포함할 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다ᅳ
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면， 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자 (100)는 서로 마주하는 양극 (120)과 음극 (1 10), 그리고 양극 (12으)과 음극 (1 10)사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다.
양극 (120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듬, 크름， 구리， 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물， 인듐산화물， 인듐주석산화물 (ΠΌ),
인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 -1 ,2- 디옥시)티오펜 Xpolyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
음극 (1 10)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어잘수 있으며， 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극 (1 10)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄， 인듬, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석， 납, 세슘， 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/AI 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기충 (105)은 전술한 조성물을 포함하는 발광층 (130)을 포함한다.
발광층 (130)은 예컨대 전술한 조성물을 포함할 수 있다.
도 2를 참고하면, 유기 발광 소자 (200)는 발광층 (130) 외에 정공 보조충 (140)을 더 포함한다. 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130)사이의 정공 주입 및 /또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층 (140)은 예컨대 정공 수송층, 정공 주입층 및 /또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에서는 도 1 또는 도 2에서 유기박막층 (105)으로서 추가로 전자 수송층， 전자주입층， 전공주입층 등을 더 포함한 유기발광 소자일 수도 있다.
유기 발광 소자 (100, 200)는 기판 위에 양극또는 음극을 형성한 후， 진공증착법 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 등으로 유기층을 형성한 후， 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
【발명을 실시하기 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
제 1 호스트화합물의 합성
1: 중간체 1-1의 합성
Figure imgf000036_0001
질소 환경에서 biphenyl-3-ylboronic acid(100 g, 505 mmol)을 tetrahydrofliran(THF) 1.4 L에 녹인 후, 여기에 l-bromo-3-iodobenzene(171 g, 606 mmol)와
tetrakis(triphenylphosphine)palladiurn(5.83 g, 5.05 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 {^&5^0 ^13011 (186 1，26 1 ^01)을 넣고 80 °C에서 6시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-1(142 g, 91 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, E1+): m/z calcd for C18H13Br: 308.0201 , found: 308.
Elemental Analysis: C, 70 %; H, 4 %
합성예 2: 증간체 1-2의 합성
Figure imgf000037_0001
질소 환경에서 중간체 1-1(140 g, 453 mmo I)을 dimeth-ylformamide(DMF) 3 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(138 g, 543 mmol)와 (Ι , Γ- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(3.70 g, 4.53 mmol) 그리고 potassium acetate(133 g, 1,359 mmol)을 넣고 150 °C에서 4시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오본에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 증간체 1-22(145 g, 90 %)를 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H25B02: 356.1948, found: 356.
Elemental Analysis: C, 81 %; H, 7 % -3의 합성
Figure imgf000037_0002
질소 환경에서 증간체 1-2(100 g, 281 mmol)올 tetrahydrofuran(THF) 1 .0 L에 녹인 후, 여기에 l-bromo-3-iodobenzene(95.4 g, 337 mmol)와
tetrakis(triphenylphosphine)palladium(3.25 g, 2.81 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(103 g, 703 mmol)을 넣고 80 °C에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 증간체 1-3(85.5 g, 79 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H17Br: 384.0514, found: 384.
Elemental Analysis: C, 75 %; H, 4 % 4: 중간체 1-4의 합성
Figure imgf000038_0001
질소 환경에서 중간체 1-3(80 g, 208 mmol)을 dimethylformamide(DMF) 0.7 L에 녹인 후, 여기에 1^(!)^^01^0)^150« (63.2 §, 249 111101)와 ( Ι , Γ- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(1.70 g, 2.08 mmol) 그리고 potassium acetate(61.2 g, 624 mmol)을 넣고 150 °C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후， 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-4(67.4 g, 75 %)를 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): mlz calcd for C30H29BO2: 432.2261 , found: 432.
Elemental Analysis: C, 83 %; H, 7 % -5의 합성
Figure imgf000038_0002
질소 환경에서 중간체 Iᅳ 4(65 g, 150 mmol)올 tetrahydrofiiran(THF) 0.6 L에 녹인 후, 여기에 1 -bromo-3-iodobenzene(51.0 g, 180 mmol)와
1^&^( ^ 1311051^^) 13 111^(1 .73 1.50 0111101)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 {^ 5 11^^1)00^^55.2 375 0^01)을 넣고 80 °C에서 15시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-5(49.1 g, 71 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H21Br: 460.0827, found: 460.
Elemental Analysis: C, 78 %; H, 5 % 6: 중간체 1-6의 합성
Figure imgf000039_0001
I - 5 1 -6 질소 환경에서 중간체 1-5(45 g, 97.5 mrno!)을 dimethylformamide(DMF) 0.7 L에 녹인 후: 여기에 bis(pinacolato)diboron(29.7 g, 117 mmol)와 (Ι , Γ- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(0.8 g, 0.98 mmol) 그리고 potassium acetate(28.7 g, 293 mmol)을 넣고 150 °C에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 흔합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 증간체 1-6(34.7 g, 70 %)를 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C36H33B02: 508.2574, found: 508.
Elemental Analysis: C, 85 %; H, 7 % 합성예 7: 중간체 1-7의 합성
Figure imgf000039_0002
1 - 7
질소 환경에서 2-bromotriphenylene(32.7 g, 107 mmol)을 tetrahydrof ran(THF) 0J L에 녹인 후, 여기에 3- 10«){)11^ 1130 ) 0 3( (20 128 10 01)와
tetrakis(triphenylphosphίne)palladium(l ·23 g, 1.07 mnlol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(36.8 g, 267 mmol)을 넣고 80 °C에서 24시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 증간체 1-7(22.6 g, 63 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H15C1: 338.0862, found: 338.
Elemental Analysis: C, 85 %; H, 5 % 합성예 8: 중간체 1-8의 합성
Figure imgf000040_0001
질소 환경에서 중간체 1-7(22.6 g, 66.7 mmol)을 dimethyifortnaniideiDMF) 0.3 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron (25.4 g, lOO mmol)와 (Ι , Γ- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(0.54 g, 0.67 mmol) 그리고 potassium acetate(16.4 g, 167 mmol)을 넣고 150 °C에서 48시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료후 반웅액에 물을 넣고 흔합물을 필터한후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-8(18.6 g, 65 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): nVz calcd for C30H27BO2: 430.2104, found: 430.
Elemental Analysis: C, 84 %; H, 6 % 합성예 9: 중간체 1-9의 합성
Figure imgf000040_0002
질소 환경에서 중간체 1-8(50 g, 116 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 l-bromo-3-iodobenzene(39.4 g, 139 mmol)와
1 ^( )/1]311031)1^6) &1 ^1^(1.34 1.16 0^01)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(40.1 g, 290 mmol)을 넣고 80 °C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichlorotnethane(DCM)로 추출한다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-9(42.6 g, 80 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): tn/z calcd for C30H19Br: 458.0670, found: 458.
Elemental Analysis: C, 78 %; H, 4 % -10의 합성
Figure imgf000041_0001
r - 9 1 - 10 질소 환경에서 중간체 1-9(40 g, 87.1 mmol)을 dimethylformamide(DMF)으3 L에 녹인 후, 여기에 3( ^^0 0)< 1301ᅳ00 (26.5 1()4 1^001)와 (1,1 '- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(0.71 g, 0.87 mmol) 그리고 potassium ^ 21.4 ^ 218 0^01)을 넣고 150 °C에서 26시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물올 넣고 흔합물을 필터한 후， 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-10(34 g, 77 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, E1+): m/z calcd for C36H31B02: 506.2417, found: 506.
Elemental Analysis: C, 85 %; H, 6 %
Figure imgf000041_0002
질소 환경에서 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole(10() g, 310 mmol)을 tetrahydrofbran(THF) 0.8 L에 녹인 후, 여기에 3-chlorophenylboronic acid(53.4 g, 341 mmol)와
tetrakis(triphenylphosphine)palladium(3.58 g，3.10 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(114 g, 775 mmol)을 넣고 80 °C에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-11(104 g, 95 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H16C1N: 353.0971 , found: 353. Elemental Analysis: C, 81 %; H, 5 % 합성예 12: 중간체 1-12의 합성
Figure imgf000042_0001
1-11 1-12 잘소 환경에서 중간체 I-ll(100g,283 mmol)을 ditnethylformamide(DMF) 0.9 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron (86.1 g, 339mmol)와 (Ι,Ι'- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(2.31 g, 2.83 mmol) 그리고 potassium acetate(83.3 g, 849 mmol)을 넣고 150 °C에서 48시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오분에서 건조하였다 ·. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-12(83.2 g, 66%)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H28BNO2: 445.2213, found: 445.
Elemental Analysis: C, 81 %; H, 6 % -13의 합성
Figure imgf000042_0002
1-12 1-13
질소 환경에서 중간체 1-12(80 g, 180 mmol)을 tetrahydrofliran(THF) 0.7 L에 녹인 후， 여기에 l-bromo-3-iodobenzene(6L0 g, 216 mmol)와
1^^^( ^6 1^05 ^) 1& 1101(2.08 1.80 ^«101)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(66.3 g, 450 mmol)을 넣고 80 °C에서 15시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-13(70.9 g, 83 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H20BrN: 473.0779, found: 473.
Elemental Analysis: C, 76 %; H, 4 % 14: 중간체 1-14의 합성
Figure imgf000043_0001
1 - 13 1 - 14 질소 환경에서 중간체 1-13(65 g, 137 mmol)을 dimethylformamide(DMF) 0.5 L에 녹인 후 여기에 ^^^^ ！^ ^ ！ ^^와 (1 , 1 '- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(1.12 g, 1.37 mmol) 그리고 potassium acetate(40.3 g, 411 mmol)을 넣고 150 °C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물올 넣고 흔합물을 필터한후， 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-14(50.0 g, 70 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C36H32BN02: 521.2526, found: 521.
Elemental Analysis: C, 90 %; H, 6 % 합성예 15: 중간체 1-15의 합성
Figure imgf000043_0002
1 - 15
질소 환경에서 biphenyl-3-ylboronic acid(l00 g, 505 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 1.4 L에 녹인 후， 여기에 l-bromo-4-iodobenzene(l7l g, 606 mmol)와
tetrakis(tdphenylphosphine)palladium(5.83 g, 5.05 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된
{«^5311^ 0&1 00 186 1,26 11^01)을 넣고 80 °C에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-15(148 g, 95 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C18H13Br: 308.0201 , found: 308.
Elemental Analysis: C, 70 %; H, 4 % 합성예 16: 중간체 1-16의 합성
Figure imgf000044_0001
질소 환경에서 중간체 1-15(140 g, 453 mmol)을 dhnethylformamide(DMF) 1.4 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron (138 g, 543 mmol)와 (Ι,Ι '- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(3.70 g, 4.53 mmol) 그리고 potassium acetate(133 g, 1,359 mtnol)을 넣고 150 °C에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-16(127 g, 79 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H25B02: 356.1948, found: 356.
Elemental Analysis: C, 81 %; H, 7 % 합성예 17·. 중간체 1-17의 합성
Figure imgf000044_0002
질소 환경에서 a-tetralone(100 g, 684 mmol)을 ethanol 1 L에 녹인 후, 여기에 4- bro mobenzaldehyde( 127 g, 684 mmol)와 sodium hydroxide(41.0 g, 1026 mmol)을 넣고 상온에서 2시간 동안 교반하였다. 반웅 완료 후 반웅액을 필터 후, 소량의 ethanol로 씻어주었다. 이렇게 중간체 1-17(179 g, 83 %)을 얻었다. HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C17H13BrO: 312.0150, found: 312.
Elemental Analysis: C, 65 %; H, 4 % 합성예 18: 중간체 1-18의 합성
Figure imgf000045_0001
1 - 1/
1 -18
질소 환경에서 중간체 1-17(170 g, 543 mmol)을 ethanol l .5 L에 녹인 후, 여기에 4- bromobenzimidamide hydrochloride(128 g, 543 mrruDl)와 sodium hydroxide(65.2 g, 1 ,629 mmol)을 넣고 상온에서 17시간 동안교반하였다. 반웅 완료 후 반웅액을 필터 후: 소량의 ethan 로 씻어주었다. 이렇게 중간체 1-18(120 g, 45 %)을 얻었다.
H MS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H16Br2N2: 489.9680, found: 490.
Elemental Analysis: C, 59 %; H, 3 % 합성예 19: 중간체 1-19의 합성
Figure imgf000045_0002
질소 환경에서 증간체 1-18(110 g, 223 mmol)을 monochlorobenzene(MCB) 1 L에 녹인 후， 여기에 2,3-dichloro-5,6-dicyano-l,4-benzoquinone(DDQ, 101 g, 446 mmol) 을 넣고
130. °C에서 15시간 동안가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-9(76.5 g, 70 %)을 얻었다. HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H14Br2N2: 487.9524, found: 488.
Elemental Analysis: C, 59 %; H, 3 % 합성예 20: 화합물 6의 합성
Figure imgf000046_0001
질소 환경에서 2,4,6-trichlorO-l,3,5-triazine(20 g, 108 tnmol)을 tetrahydrofbran(THF) 0.8 L에 녹인 후, 여기에 증간체 1-2(135 g, 380 mtnol)와
tetrakis(triphenylphosphine)palladium(3.74 g, 3.24 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(95.4 g, 648 mmol)-!- 넣고 80 °C에서 24시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 6(60.4 g, 73 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C57H39N3: 765.3144, found: 765.
Elemental Analysis: C, 89 %; H, 5 %
Figure imgf000046_0002
질소 환경에서 Shenzhen gre-syn chemical technology(http://www.gre-syn.com/) l-≤] 2- ^10^-4,6- !)11 1-1,3,5 1 ^^(20 74.7 1«1 01)을 tetrahydrofiiran(THF) 0.8 L에 녹인 후, 여기에 중간체 1-6(38.0 g, 74.7 mrtwl)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.87 g, 0.75 tnmo l)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(27.5 g, 187 mmol)을 넣고
80 °C에서 14시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 7(40.3 g, 88 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C45H31N3 : 613.2518, found: 613.
Elemental Analysis: C, 88 %; H, 5 % 합성예 22: 화합물 13의 합성
Figure imgf000047_0001
질소 환경에서 중간체 1 -10(20 g, 39.5 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.2 L에 녹인 후, 여기에 Shenzhen gre-syn chemical technology(http://www.gre-syn.com/)사의 2-chloro-4,6- diphenyl- 1 ,3,5-triazine(l 0.6 g, 39.5 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.46 g, 0.4 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(13.6 g, 98.8 mmol)을 넣고 80 °C에서 23시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 13(17.9 g, 74 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C45H29N3: 611.2361 , found: 611.
Elemental Analysis: C, 88 %; H, 5 % 합성예 23: 화합물 14의 합성
Figure imgf000048_0001
질소 환경에서 중간체 1-14(20 g, 38.4 mmol)을 tetrahydrofiiran(THF) 0.2 L에 녹인 후， 여기에 Shenzhen gre-syn chemical techno logy(http://www.gre-syn.conV)사의 2-chloro-4,6- diphenyl-l ,3,5-triazine(10.3 g, 38.4 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.44 g,
0.38 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(l 4.1 g, 96.0 mmol)을 넣고 80 °C에서 18시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 14(19.5 g, 81 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C45H30N4: 626.2470, found: 626.
Elemental Analysis: C, 86 %; H, 5 % 24: 화합물 21의 합성
Figure imgf000048_0002
1 - 16
21
질소 환경에서 Shenzhen gre-syn chemical technology(http://www.gre-syn.com/) l-≤] 2,4- dichlotOquinazoline(20 g, 100 mmol)을 tetrahydrof ran(THF) 0.8 L에 녹인 후, 여기에 증간체 1-16(78.4 g, 220 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palIadium(3.47 g, 3.0 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(73.6 g, 500 mmol)을 넣고 80 °C에서 15시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 21 (46.9 g, 80 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C44H30N2: 586.2409 found: 586.
Elemental Analysis: C, 90 %; H, 5 % 합성예 25: 화합물 22의 합성
Figure imgf000049_0001
질소 환경에서 중간체 1- 18(20 g, 40.8 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.2 L에 녹인 후， 여기에 biphenyl-3-ylboronic acid(16.2 g, 81.6 mmol)와'
tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.94 g, 0.82 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(28.2 g, 204 mmol)을 넣고 80 °C에서 12시간 동안가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichlorotnethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 22(24.9 g, 96 %)를 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C48H32N2: 636.2565, found: 636.
Elemental Analysis: C, 91 %; H, 5 % 제 2호스트화합물의 합성
합성예 26: 중간체 1-20의 합성
Figure imgf000050_0001
질소 환경에서 3-brorno-9-phenyl-9H-carbazole(10() g, 310 mmol)을 tetrahydrofliran(THF) 0.8 L에 녹인 후， 여기에 4-chlorophenylboronic acid(53.4 g, 341 mmol)와
1^& ( 1 05 ^6 31133011^(3.58 3.10 1^101)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 1^&551)^ 0^1500 ^114 775 1^^1)을 넣고 80 °C에서 18시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다 : 이렇게 얻어진 잔사를 flash cokitrm chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-20(97.6 g, 89 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H16C1N: 353.0971, found: 353.
Elemental Analysis: C, 81 %; H, 5 % 27: 증간체 1-21의 합성
Figure imgf000050_0002
질소 환경에서 증간체 1-20(90 g, 254 mmol)을 dhnethylformamide(DMF) 0.8 L에 녹인 후， 여기에 bis(pinacolato)diboron (77.5 g, 305 mmol)와 (Ι,Ι '- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(2.70 g, 2.54 mmol) 그리고 potassium acetate(74.8 g, 762 mmol)을 넣고 150 °C에서 20시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 흔합물을 필터한 후， 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 증간체 1-21(75.8 g, 67 %)을 얻었다. HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H28BNO2: 445.2213, found: 445.
Elemental Analysis: C, 81 %; H, 6 % 합성예 28: 중간체 1-22의 합성
Figure imgf000051_0001
1 - 22
질소 환경에서 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole(100 g, 310 mmol)올 tetrahydrofuran(THF) 0.8 L에 녹인 후， 여기에 3-chlorophenylboronic acid(53.4 g, 341 mm )와
1 ^ 5( ^ 113|105{)^^) 311&(1; 101(3.58 §， 3ᅳ10 010101)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(114 g, 775 mmol)을 넣고 80 °C에서 16시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 1-22(91.0 g, 83 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H16C1N: 353.0971, found: 353.
Elemental Analysis: C, 81 %; H, 5 % 29: 중간체 1-23의 합성
Figure imgf000051_0002
1 - 22 1 - 23 질소 환경에서 중간체 1-22(90 g, 254 mmol)올 dimethylformamide(DMF) 0.8 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron (77.5 g, 305 mmol)와 (Ι ,Ι '- bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(2.70 g, 2.54 mmol) 그리고 potassium acetate(74.8 g, 762 mmol)을 넣고 150 °C에서 25시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 혼합물올 필터한 후， 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 증간체 1-23(67.9 g, 60 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H28BNO2: 445.2213, found: 445.
Elemental Analysis: C, 81 %; H, 6 % 30: 중간체 1-24의 합성
Figure imgf000052_0001
1 - 24
질소 환경에서 3-bromo-9H-carbazole(100 g, 406 inmol)을 toluene 1.2 L에 녹인 후, 여기에 3-iodobiphenyl(137 g, 488 mmol), bis(dibenzylideneacetone)palladium(o)(2.33 g, 4.06 mmol), tris-tert butylphosphine(4.11 g, 20.3 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(46.8 g, 487 mmol)을 순차적으로 넣고 100 °C에서 10시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 증간체 1-24(82.5 g, 51 %)를 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C24H16BrN: 397.0466, found: 397.
Elemental Analysis: C, 72 %; H, 4 %
Figure imgf000052_0002
질소 환경에서 중간체 1-21(20 g, 44.9 mmol)을 tetrahydrof ran(THF) 0.2 L에 녹인 후, 여기어) 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole(14.5 g, 44.9 mmol)와
tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.52 g, 0.45 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 {)( 5511117":&1ᅳ130。∑ (16.5 112 0 101)을 넣고 80 °C에서 15시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 B- l (22.7 g, 90 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C42H28N2: 560.2252, found: 560.
Elemental Analysis: C, 90 %; H, 5 % B-2의 합성
Figure imgf000053_0001
질소 환경에서 중간체 1-23(20 g, 44.9 mmol)을 tetrahydrofiiran(THF) 0.2 L에 녹인 후, 여기에 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole(14.5 g, 44.9 mmol)와
tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.52 g, 0.45 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 ^13551101^31"1301^ 16.5 ^ 112 1 ^1)을 넣고 80 °C에서 17시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로분리 정제하여 화합물 B-2(21.4 g, 85 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C42H28N2: 560.2252, found: 560.
Elemental Analysis: C, 90 %; H, 5 % 합성예 33: 화합물 B-33의 합성
Figure imgf000054_0001
질소 환경에서 증간체 1-21(20 g, 44.9 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.2 L에 녹인 후， 여기에 증간체 1-24(17.9 g, 44.9 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.52 g, 0.45 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 ;>(^551^01 031"1)00 606.5 1 12 1110101)을 넣고 80 °C에서 18시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 B-33(24.6 g, 86 %)을 얻었다.
HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C48H32N2: 636.2565, found: 636.
Elemental Analysis: C, 91 %; H, 5 % -34의 합성
Figure imgf000054_0002
I -24 질소 환경에서 증간체 1-23(20 g, 44.9 mmol)을 tetrahydrofbran(THF) 0.2 L에 녹인 후, 여기에 중간체 1-24( 17.9 g, 44.9 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.52 g, 0.45 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 {^33^11^^1300 6(16.5 §, 112 11 0101)을 넣고 80 °C에서 18시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 B-34(25.7 g, 90 %)을 얻었다. HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C42H32N2: 636.2565, found: 636.
Elemental Analysis: C, 91 %; H, 5 % 유기 발광소자의 제작 (녹색) 실시예 1
ITO (Indium tin oxide)가 1500A의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코을, 아세톤, 메탄을 둥의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정 한 후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 양극으로사용하여 ITO 기판 상부에 화합물 A를 진공 증착하여 700 A두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 B를 50 A의 두께로 증착한 후, 화합물 C를 1020 A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 정공수송층 상부에 상기에서 합성예 20에서 얻은 화합물 6과 제 2호스트 합성예 31에서 얻은 화합물 B-1을 동시에 호스트로 사용하고 도판트로 Tris(2-phenylpyridinato)iridium(ni) [Ir(ppy)3]를 lOwt0/。로 도핑하여 진공 증착으로 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 6과 화합물 B- 1은 1 : 1 비율로 사용되었다. 이어서 상기 발광층 상부에 화합물 D와 Liq를 동시에 1 : 1 비율로 진공 증착하여 300 A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq l 5 A과 A1 1200 A을 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며， 구체적으로 다음과 같다.
ΠΌ/화합물 A(700 A)/화합물 B(50 A)/화합물 C(1020 A)/EML [화합물 6： 화합물 B- l :Ir(ppy)3 = X:X: 10%](400A)/화합물 D:Liq(300 A)/Liq(15 A)/Al(1200 A^ 구조로 제작하였다. (X=증량비)
화합물 A: N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine 화합물 B: 1 ,4,5,8,9, 1 l -hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN),
화합물 C: N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)^
fluoren-2-amine 화합물 D: 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-l ,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quinolone 실시예 2
화합물 6 대신 화합물 7를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 3
화합물 6 대신 화합물 13을사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 4
화합물 6 대신 화합물 14를사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 5
화합물 B- 1 대신 화합물 B-2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 6
화합물 B- 1 대신 화합물 B-33을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 7
화합물 B- 1 대신 화합물 B-34를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 비교예 1
화합물 6과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 4,4'-di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (CBP) 단독 호스트를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로
유기발광소자를 제작하였다. 비교예 2 화합물 6과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 6을 단독 호스트를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 3
화합물 6과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 7을 단독 호스트를사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다, 비교예 4
화합물 6과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 13올 단독 호스트를사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 5
화합물 6과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 14를 단독 호스트를사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 6
화합물 6과 화합물 B-1의 2종 호스트 대신 화합물 B- 1을 단독 호스트를사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 7
화합물 6과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 B-2를 단독 호스트를사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 8
화합물 6과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 B-33을 단독 호스트를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 9
화합물 6과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 B-34를 단독 호스트를사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. m
실시예 1 내지 7과 비교예 1 내지 9에 따른 유기발광소자의 발광효율 및
수명특성을 평가하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 1과 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다ᅳ
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-IOOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
(4) 수명 측정
초기휘도 (cd/m2)를 6000 cd/m2로 발광시키고 시간 경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 97%로 감소하는시간을 측정하여 결과를 얻었다.
[표 1]
발광효율 수명 T97% 제 1호스트 제 2호스트 제 1호스트: 게 2호스트
(cd/A) (h) 실시예 1 화합물 6 B-1 1 :1 59.1 680 실시예 2 화합물 7 B-1 1 :1 55.2 720 실시예 3 화합물 13 B-1 1 : 1 57.6 700 실시예 4 화합물 14 B-1 1 :1 56.1 750 실시예 5 화합물 7 B-2 1 :1 58.8 710 실시예 6 화합물 7 B-33 1 : 1 53.1 760 실시예 7 화합물 7 B-34 1 :1 54.3 750 비교예 1 CBP - 19.3 0.5 비교예 2 화합물 6 - 28.7 480 비교예 3 화합물 7 - 33.5 550 비교예 4 화합물 13 - 30.1 500 비교예 5 화합물 14 - 35.7 400 비교예 6 B- 1 - 7.8 10 비교예 7 B-2 - 12.8 10 비교예 8 B-33 - 8.9 30 비교예 9 B-34 - 1 1.7 30 표 1을 참고하면， 실시예 1 내지 7에 따른 유기발광소자는 비교예 1 내지 9에 따른 유기발광소자와 비교하여 발광효율 및 수명특성이 현저하게 개선된 것을 확인할 수 있다. 수명특성 및 발광효을이 양호한 비교예 2 내지 5에 따른 유기발광소자를 정공특성이 좋은 비교예 6 내지 9에 따른 유기발광소자와 적절히 흔합하여 사용할 경우 기존 가지고 있던 각각의 발광효율 및 수명특성 대비 시너지 효과가 발생하여 현저하게 개선됨을 알 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며， 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다ᅳ 유기 발광소자의 제작 (적색)
실시예 8
합성예 24에서 얻은 화합물 21을 호스트로사용하고, acetylacetonatobis(2- phenylquinoHnato)iridium (Ir(pq)2acac)를 도펀트로사용하여 유기발광소자를 제작하였다. 양극으로는 ITO를 1500 A의 두께로사용하였고， 음극으로는 알루미늄 (A1)을 1000 A의 두께로 사용하였다ᅳ 구체적으로,유기발광소자의 제조방법을 설명하면, 양극은 15 Ω/αη!의 면저항값을 가진 ΠΌ 유리 기판.을 50mm x 50 mm χ으7 mm의 크기로 잘라서 아세톤과 이소프로필알코올과 순수물 속에서 각 15 분 동안 초음파세정한 후, 30 분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다.
상기 기판 상부에 진공도 650x l O-7Pa, 증착속도 0.1 내지 0.3 nm/s의 조건으로 4，4'- bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}-phenyl]-N-phenylamino]biphenyl [DNTPD]를 진공 증착하여 600A두께의 정공 주입층올 형성하였다. 이어서 동일한진공 증착조건에서 HT- 1을 진공 증착으로 300 A 두께의 정공 수송층을 형성하였다.
다음으로， 동일한 진공 증착조건에서 합성예 24에서 얻은 화합물 21과 제 2호스트 합성예 31에서 얻은 화합물 B-1을 동시에 호스트로 이용하여 막 두께 300 A의 발광층을 형성하였고， 화합물 21과 화합물 B- 1은 1 : 1 비율로 사용하였다. 호스트를 증작 할 때， 인광 도펀트인 acetylacetonatobis(2-phenylquinolinato)iridium (Ir(pq)2acac)¾r 동시에 증착하였다. 이 때, 인광 도편트의 증착속도를 조절하여， 발광층의 전체량을 100 중량 %로 하였을 때, 인광 도편트의 배합량이 7 중량 %가 되도록 증착하였다. 상기 발광층 상부에 동일한 진공 증착조건을 이용하여 Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4- (phenylphenolato)aluminium (BAlq)를 증착하여 막 두께 50 A의 정공저지층을 형성하였다. 이어서, 동일한 진공 증착조건에서 Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Alq3)를 증착하여， 막 두께 250 A의 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 음극으로서 LiF와 A1을 순차적으로 증착하여 유기광전소자를 제작하였다. 상기 유기광전소자의 구조는 ITO/ DNTPD (60 nm)/ HT-1 (30 nm)/ EML (화합물 24:B- 1=1 : 1 중량비 ) (93 중량0 /o) + Ir(pq)2acac(7 중량0 /。), 30 nm)/ Balq (5 nm)/ Alq3 (25 nm)/ LiF (1 nm) / Al (100 nm) 의 구조로 제작하였다. 실시예 9
화합물 21 대신 화합물 22를 사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 10
화합물 B-1 대신 화합물 B-2를 사용한 것올 제외하고는 실시예 9와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 11
화합물 B-1 대신 화합물 B-33을 사용한 것을 제외하고는 실시예 9와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 12
화합물 B-1 대신 화합물 B-34을사용한 것을 제외하고는 실시예 9와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 비교예 10
화합물 21과 화합물 . B- 1의 2종 호스트 대신 CBP를 단독 호스트를 사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 11
화합물 21과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 21을 단독 호스트를 사용한 것을 제의하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 12
화합물 21과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 22를 단독 호스트를사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 13
화합물 21과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 B-1올 단독 호스트를 사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다ᅳ 비교예 14
화합물 21과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 B-2를 단독 호스트를사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 15
화합물 21과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 B-33을 단독 호스트를사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 비교예 16
화합물 21과 화합물 B- 1의 2종 호스트 대신 화합물 B-34를 단독 호스트를 사용한 것을 제외하고는 실시예 8과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 상기 유기발광소자 제작에 사용된 DNTPD, BAlq, HT-l, CBP, 및 Ir(pq)2acac의 구조는 하기와 같다.
Figure imgf000062_0001
¾zl
실시예 8 내지 12와 비교예 10 내지 16에 따른 유기발광소자의 발광효율 및 수명특성을 평가하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 2와 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해， 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-IOOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
(4) 수명 측정
초기휘도 (cd/m2)를 3000 cd/m2로 발광시키고 시간 경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 50%로 감소하는 시간을 측정하여 결과를 얻었다.
[표 2]
Figure imgf000063_0001
표 2를 참고하면， 실시예 8 내지 12에 따른 유기발광소자는 비교예 10 내지 16에 따른 유기발광소자와 비교하여 발광효율 및 수명특성이 현저하게 개선된 것을 확인할 수 있다. 수명특성 및 발광효율이 양호한 비교예 11 및 12에 따른 유기발광소자를 정공특성이 좋은 비교예 13 내지 16에 따른 유기발광소자와 적절히 흔합하여 사용할 경우 기존 가지고 있던 각각의 발광효율 및 수명특성 대비 시너지 효과가 발생하여 현저하게 개선됨을 알 수 있다.
(Gaussian 틀을 이용한 에너지 준위 계)
슈퍼컴퓨터 GAIA (IBM power 6)으로 프로그램 Gaussian 09를 사용하여 B3LYP/6-31G 방법으로 각 재료의 에너지 준위를 계산하여 그 결과를 하기 표 3에 기재하였다. [표 3]
재료 HOMO(eV) LUMO(eV) 화합물 6 -5.99 -1.87
화합물 7 -5.92 -1.81
화합물 13 -5.76 -1.82
화합물 14 -5.28 -1.82
화합물 21 -5.65 -1.88
화합물 22 -5.65 -1.87
B-1 -5.04 -0.77
B-2 -5.17 -0.73
B-33 -5.04 -0.98
B-34 -5.17 -0.97
상기 계산결과에 따르면 화합물 6， 화합물 7， 화합물 13, 화합물 14, 화합물 21， 및 화합물 22는 화합물 B- 1 , 화합물 B-2, 화합물 0-33, 및 화합물 Β-34에 비해 낮은
LUMO 에너지 준위를 가지고 있다. 이는 화합물 6, 화합물 7， 화합물 13， 화합물 14, 화합물 21 , 및 화합물 22에서 화합물 B- 1 , 화합물 Β-2, 화합물 Β-33, 및 화합물 Β-34 보다 전자 주입이 잘 됨을 알 수 있다.
또한, 화합물 B- 1 , 화합물 Β-2, 화합물 Β-33, 및 화합물 Β-34는 화합물 6, 화합물 7， 화합물 13, 화합물 14, 화합물 21， 및 화합물 22에 비해 HOMO 에너지 준위가높다. 이는 화합물 B- 1 , 화합물 B-2, 화합물 B-33, 및 화합물 B-34에서 화합물 6， 화합물 7， 화합물 13, 화합물 14, 화합물 21, 및 화합 " 22에 비해 정공 주입이 잘 됨을 알 수 있다. 이렇게 정공 /전자의 흐름이 용이한 재료를 함께 사용할 경우 표 1 및 표
2에서 알 수 있는 바와 같이 시너지 효과가 발생하여 고효율 /장수명의 소자를 제작할수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

【청구의 범위】
【청구항 11
하기 화학식 I로 표현되는 제 1 호스트 화합물, 및
하기 화학식 Π로 표현되는 제 2 호스트 화합물
을 포함하는 유기광전자소자용 조성물:
Figure imgf000065_0001
상기 화학식 I에서，
Z는 각각 독립적으로 N, 또는 CRa이고,
3개의 Z 중 적어도 둘은 N 이고,
R1 내지 R3, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴옥시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티올기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 우레이드기, 할로겐기， 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기， 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 또는 이들의 조합이거나,
R' 내지 R3, 및 Ra 에서 선택된 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고, L1 내지 L3은 각각 독립적으로, 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕실렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아릴옥실렌기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
상기 L1 내지 L3가 모두 단일 결합일때， 상기 R1 내지 R3는 모두 수소가 아니며,
Figure imgf000066_0001
상기 화학식 Π에서
R4 내지 R17은 각각 독립적으로， 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기, 또는 이들의 조합이거나,
R4 내지 R10, 및 R1 1 내지 R17 중 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소， 증수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기， 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알콕시카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30
아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술포닐기， 치환또는 비치환된 CI 내지 C30 알킬티을기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 우레이드기, 할로겐기, 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기， 아미노기， 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기， 또는 이들의 조합이고,
n은 1 내지 4의 정수이다.
【청구항 2】
제 1항에서,
상기 게 1 호스트 화합물은 하기 화학식 1 -1 내지 화학식 1 -5 중 어느 하나로 표현되는 유기광전자소자용 조성물:
-1] [화학식 1 -2] [화학식 1 -3]
Figure imgf000067_0001
Iᅳ 4] [화학식
Figure imgf000067_0002
상기 화학식 1 -1 내지 화학식 1 -5에서
R1 내지 R3, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티을기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 우레이드기， 할로겐기， 시아노기 히드록실기， 아미노기, 니트로기, 카르복실기， 페로세닐기, 또는 이들의 조합이고, L' 내지 L3은 각각 독립적으로， 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
상기 L1 내지 L3가 모두 단일 결합일때, 상기 R1 내지 R3는 모두 수소가 아니다.
【청구항 3】
제 1항에서,
상기 화학식 I의 L1 내지 L3은 각각 독립적으로, 단일 결합이거나 하기 그룹 I에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택된 하나인 유기광전자소자용 조성물:
[그룹 I ]
Figure imgf000068_0001
상기 그룹 I에서,
*은 연결 지점이다:
【청구항 4】
제 1항에서,
상기 R1 내지 R3, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합인 유기광전자소자용 조성물.
【청구항 5】 제 4항에서,
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는， 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트렌일기, 치환 또는 비치환된 1H-페날렌일기 (lH-phenalenyl), 치환 또는 비치환된 피렌일기 (pyrenyl), 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 또는 이들의 조합이고，
■ 상기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합인 유기광전자소자용 조성물.
【청구항 6】
제 4항에서,
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 상기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 하기 그룹 Π에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택되는 것인 유기 광전소자용 조성물:
[그룹 Π ]
Figure imgf000070_0001
상기 그룹 π에서,
Rb 내지 Rd는 각각 독립적으로, 수소, 증수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고，
*은 연결지점이다.
【청구항 7】
제 1항에서,
상기 제 2 호스트 화합물은 하기 화학식 Π -1 내지 화학식 Π -16 중 어느 하나로 표현되는 유기광전자소자용 조성물: [화학식 Π-1] [화학식 Π-2]
Figure imgf000071_0001
[화학식 Π-7] [화학식 Π-8]
Figure imgf000071_0002
[화학식 Π-9] [화학식 Π-10]
Figure imgf000072_0001
Figure imgf000072_0002
[ Π -14]
Figure imgf000073_0001
-15] [화학식 Π -16]
Figure imgf000073_0002
상기 화학식 화학식 Π -1 내지 화학식 Π -16에서
R4 내지 R17은 각각 독립적으로， 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기， 또는 이들의 조합이거나，
R4 내지 R10, 및 R1 1 내지 R'7 증 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티올기, 또는 이들의 조합이다.
【청구항 8】
제 1항에서,
R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기인 유기광전소자용 조성물.
【청구항 9】
제 8항에서,
상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌일기, 치환 또는 비치환된 1H-페날렌일기 (IH-phenalenyl), 치환 또는 비치환된 피렌일기 (pyrenyl), 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 또는 이들의 조합이고，
상기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 또는 이들의 조합인 유기광전자소자용 조성물.
【청구항 10】
제 1항에서,
상기 거 12 호스트 화합물은 하기 화학식 Π -17 내지 화학식 Π -39 중 어느 하나로 표현되는 유기광전자소자용 조성물:
[화학식 Π -17] [화학식 Π -18]
Figure imgf000074_0001
[화학식 Π-19] [화학식 Π-20]
Figure imgf000075_0001
[화학식 Π-25] [화학식 Π-26]
Figure imgf000075_0002
[화학식 Π-27] [화학식 Π-28]
Figure imgf000076_0001
[화학식 Π-35] [화학식 Π-36]
Figure imgf000076_0002
-37] [화학식 Π -38]
Figure imgf000077_0001
상기 화학식 Π -17 내지 화학식 Π -39에서,
R4 내지 R17은 각각 독립적으로， 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테아릴기, 또는 이들의 조합이거나,
R4 내지 R10, 및 R1 1 내지 R17 증 인접한 둘은 융합하여 고리를 형성하고, η은 1 내지 4의 정수이다.
【청구항 11】
제 1항에서,
상기 화학식 Π의 R4 내지 R17은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기인 유기광전자소자용 조성물.
【청구항 12】
제 1항에서,
상기 제 1 호스트 화합물은 하기 그룹 m에 나열된 화합물에서 선택된 하나인 유기광전자소자용 조성물:
Figure imgf000078_0001
Figure imgf000078_0002
Figure imgf000078_0003
Figure imgf000078_0004
Figure imgf000078_0005
Figure imgf000079_0001
Figure imgf000079_0002
Figure imgf000079_0003
【청구항 13】
제 1항에서,
상기 제 2 호스트 화합물은 하기 그룹 IV에 나열된 화합물에서 선택된 하나인 유기광전자소자용 조성물:
[그룹 IV]
B-1 B-2 B-3 B-4
Figure imgf000079_0004
Figure imgf000080_0001
lZZT0/M0ZaM/X3d 6 ζε.ειο/9ΐοζ OAV
Figure imgf000081_0001
Figure imgf000082_0001
Figure imgf000083_0001
£8-e Ι8-Θ
Figure imgf000083_0002
Figure imgf000084_0001
B-105 B-106 B-107 B-108
Figure imgf000085_0001
B-113 B-114 B-115 B-116
Figure imgf000085_0002
B-117 B-118 B-119 B-120
Figure imgf000085_0003
B-121 B-122 B-123 B-124
Figure imgf000085_0004
B-125 B-126 B-127 B-128
Figure imgf000086_0001
B-133 B-134 B-135 B-136
Figure imgf000086_0002
B- 137 B-138 B-139 B-140
Figure imgf000086_0003
【청구항 14】
거 U항에서,
상기 저 1 1 호스트 화합물의 LUMO 에너지 레벨은 -1.5 eV 내지 -3.0 eV 인 유기광전소자용 조성물.
【청구항 15]
제 1항에서，
상기 제 1 호스트 화합물의 HOMO 에너지 레벨은 -5.8 eV 이하인 유기광전소자용 조성물.
【청구항 16] 저 U항에서,
상기 저 U 호스트 화합물과 상기 제 2 호스트 화합물은 1 : 10 내지 10: 1의 중량비로 포함되어 있는 유기광전자소자용 조성물.
【청구항 17]
제 1항에서，
인광 도편트를 더 포함하는 유기광전자소자용 조성물.
【청구항 18]
서로 마주하는 양극과 음극，
상기 양극과 상기 음극사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층
을 포함하고,
상기 유기층은 제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 19]
제 18항에서,
상기 유기층은 발광층을 포함하고,
상기 발광층은 상기 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 20】
제 18항에 따른 유기 광전자소자를 포함하는 표시 장치.
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