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WO2016013659A1 - バンドパスフィルタおよびフィルタモジュール - Google Patents

バンドパスフィルタおよびフィルタモジュール Download PDF

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WO2016013659A1
WO2016013659A1 PCT/JP2015/071117 JP2015071117W WO2016013659A1 WO 2016013659 A1 WO2016013659 A1 WO 2016013659A1 JP 2015071117 W JP2015071117 W JP 2015071117W WO 2016013659 A1 WO2016013659 A1 WO 2016013659A1
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WO
WIPO (PCT)
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wave resonator
resonator
band
elastic wave
pass
Prior art date
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Ceased
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PCT/JP2015/071117
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English (en)
French (fr)
Inventor
壮央 竹内
浩司 野阪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Priority to US15/409,696 priority patent/US10340887B2/en
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    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04W88/00—Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
    • H04W88/02—Terminal devices
    • H04W88/06—Terminal devices adapted for operation in multiple networks or having at least two operational modes, e.g. multi-mode terminals

Definitions

  • the present invention relates to a bandpass filter in which a predetermined passband is set and a filter module including the filter.
  • a band pass filter 500 formed by connecting a lumped constant type LC high pass filter 501 and a lumped constant type LC low pass filter 502 in series has been proposed (for example, Patent Documents). 1).
  • the LC high pass filter 501 includes two capacitors C51 and C52 connected in series to a path W51 connecting the input terminal A51 and the output terminal B51, and a path between the capacitor C51 and the capacitor C52 and the ground. It is formed by the inductor L51 connected between the potential.
  • the LC low-pass filter 502 includes one inductor L52 connected in series to the path W51, and two capacitors C55 and C56 connected between the path W51 and the ground potential at each of both end positions of the inductor L52. It is formed by.
  • the LC high-pass filter 501 and the LC low-pass filter 502 are connected in series to set a predetermined pass band, whereby the band-pass filter 500 is formed.
  • the pass band of the band pass filter 500 can be widened.
  • the capacitor C53 is added in series with the inductor L51 of the LC high-pass filter 501, and the capacitor C54 is added in parallel with the inductor L52 of the LC low-pass filter 502, so that the circuit constant of the band-pass filter 500 is adjusted.
  • the pass band characteristic of the pass filter 500 is arbitrarily set.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a bandpass filter having improved attenuation characteristics and a filter module including the bandpass filter.
  • a bandpass filter of the present invention includes an LC filter including an inductor and a capacitor, a first acoustic wave resonator having a resonance frequency and an anti-resonance frequency,
  • a bandpass filter having a predetermined passband including a second elastic wave resonator having a resonance frequency and an antiresonance frequency at least one of a resonance frequency and an antiresonance frequency of the first elastic wave resonator Is a first attenuation pole located in a first pass stop band on a lower frequency side than the pass band, and at least one of a resonance frequency and an anti-resonance frequency of the second elastic wave resonator is:
  • the second attenuation pole is located in a second pass stop band on a higher frequency side than the pass band, and the first acoustic wave resonator is formed with the first electrode and the first electrode.
  • a first base substrate having piezoelectricity, and the second acoustic wave resonator includes a second base substrate having piezoelectricity on which a second electrode and the second electrode are formed, and
  • the type of the first base substrate and the second base substrate The type of over scan the substrate are different from each other, and / or is characterized by the configuration of the first electrode and the configuration of the second electrode are different from each other.
  • the attenuation characteristic on the low frequency side of the band pass filter can be set steeper, and the attenuation characteristic on the high frequency side of the band pass filter can be set steeper.
  • the first acoustic wave resonator can be formed with the optimum type of the first base substrate and the configuration of the first electrode in order to obtain the frequency characteristics
  • the second acoustic wave resonator can be formed with the frequency.
  • the second base substrate can be formed with the optimum type of the second base substrate and the configuration of the second electrode. Therefore, the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator having different frequency characteristics are compared with a case where the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator are formed of electrodes having the same configuration on the same type of base substrate.
  • the first attenuation pole formed by the elastic wave resonator and the second attenuation pole formed by the second elastic wave resonator can be formed more steeply. Therefore, it is possible to provide a bandpass filter having further improved attenuation characteristics.
  • first base substrate and the second base substrate have different materials or electromechanical coupling coefficients, or the first electrode and the second electrode have different shapes. Good.
  • the first acoustic wave resonator, the first inductor included in the inductor of the LC filter, and the first capacitor included in the capacitor of the LC filter include the first pass-stop band.
  • An LC high-pass filter comprising: the second acoustic wave resonator; a second inductor included in the inductor of the LC filter; and a second capacitor included in the capacitor of the LC filter;
  • an LC low-pass filter having the second pass stop band is configured, and the attenuation characteristic on the lower frequency side of the first pass pole in the first pass stop band is the first inductor and the An attenuation characteristic set by the first capacitor and having a second pass stop band on the high frequency side of the second attenuation pole is higher than the second attenuation pole. It is set by the second inductor and the second capacitor, may the LC high-pass filter and the LC low-pass filter are connected in series.
  • the pass band of the band pass filter can be set to a wider band.
  • the first attenuation pole is formed by the first acoustic wave resonator of the LC high-pass filter, so that the first pass stop band, the pass band, It is possible to improve the attenuation characteristics in the vicinity of the boundary. Since the attenuation characteristic on the lower frequency side than the first attenuation pole is set by the first inductor and the first capacitor of the LC high pass filter, the attenuation characteristic on the lower frequency side than the first attenuation pole is set. Deterioration can be suppressed.
  • the second attenuation pole is formed by the second acoustic wave resonator of the LC low-pass filter in the second pass stop band on the high frequency side of the pass band, the second pass stop band and the pass band
  • the attenuation characteristic in the vicinity of the boundary can be improved. Since the attenuation characteristic on the higher frequency side than the second attenuation pole is set by the second inductor and the second capacitor of the LC low-pass filter, the attenuation characteristic on the higher frequency side than the second attenuation pole is deteriorated. Can be suppressed.
  • the LC high-pass filter includes a first input terminal, a first output terminal, and a plurality of series connected in series in a first path connecting the first input terminal and the first output terminal.
  • At least one first capacitor may be formed on the higher frequency side than the anti-resonance frequency by the capacitance of the first acoustic wave resonator.
  • the LC low-pass filter includes a plurality of serially connected second paths that connect a second input terminal, a second output terminal, and the second input terminal and the second output terminal.
  • the second inductor, and at least one second capacitor connected between the second path and a ground potential, and lower than the resonance frequency of the second acoustic wave resonator Further, at least one second capacitor may be formed of the second acoustic wave resonator on the higher frequency side than the antiresonance frequency due to the capacitance of the second acoustic wave resonator.
  • an input terminal, an output terminal, a plurality of third capacitors connected in series in a path connecting the input terminal and the output terminal, and an LC parallel connected between the path and the ground potential A resonance circuit, wherein at least one third capacitor is formed by a capacitive property of the first acoustic wave resonator, or at least one resonance circuit capacitor constituting the LC parallel resonance circuit is the first capacitor. It may be formed by the capacitive property of one elastic wave resonator or the second elastic wave resonator.
  • a plurality of first elastic wave resonators connected in series in a path connecting the input terminal, the output terminal, the input terminal and the output terminal; and connected between the path and the ground potential.
  • a plurality of second elastic wave resonators may be provided.
  • first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator are not connected in series in the path.
  • the anti-resonance frequency of the plurality of first acoustic wave resonators connected in series in a path connecting the input terminal and the output terminal is the first attenuation pole, and the path and the ground
  • the resonance frequency of the plurality of second elastic wave resonators connected to the potential may be the second attenuation pole.
  • the attenuation characteristic on the low frequency side of the band pass filter can be set steeper, and the attenuation characteristic on the high frequency side of the band pass filter can be set steeper.
  • the first elastic wave resonator may be a SAW resonator
  • the second elastic wave resonator may be a piezoelectric thin film resonator or an SMR type BAW resonator.
  • the first acoustic wave resonator is a SAW resonator
  • the second acoustic wave resonator is a SAW resonator
  • the first base substrate is a lithium tantalate piezoelectric substrate
  • the second base substrate may be a lithium niobate piezoelectric substrate.
  • the first acoustic wave resonator is a SAW resonator
  • the second acoustic wave resonator is a SAW resonator
  • the cut angle of the first base substrate and the second base substrate The cut angle may be different.
  • the first elastic wave resonator is a SAW resonator
  • the second elastic wave resonator is a SAW resonator
  • an electrode of the SAW resonator constituting the first elastic wave resonator may be different from the electrode structure of the SAW resonator constituting the second elastic wave resonator.
  • the first elastic wave resonator is a SAW resonator
  • the second elastic wave resonator is a SAW resonator
  • an electrode of the SAW resonator constituting the first elastic wave resonator may be different from the electrode film thickness of the SAW resonator constituting the second elastic wave resonator.
  • the filter module of the present invention includes a module substrate on which the first base substrate and the second base substrate are mounted.
  • the first elastic wave resonator can be formed with the material of the first base substrate or the electromechanical coupling coefficient optimal for the frequency characteristics and the optimal shape of the first electrode
  • the second acoustic wave resonator can be formed with the material of the second base substrate or the electromechanical coupling coefficient optimum for the frequency characteristics and the optimum shape of the second electrode.
  • the first attenuation pole formed by the first elastic wave resonator and the second attenuation pole formed by the second elastic wave resonator can be formed more steeply, and the attenuation characteristics can be improved.
  • a bandpass filter can be provided.
  • FIGS. 1 and 2 only the main components according to the present invention are shown, and other components are not shown for the sake of simplicity. Also, in each drawing referred to in the following description, only main components are shown as in FIGS. 1 and 2, but the description thereof will be omitted in the following description.
  • the filter module 1 shown in FIGS. 1 and 2 is formed as a front-end module disposed immediately after an antenna element provided in a communication portable terminal such as a mobile phone or a portable information terminal, for example, as shown in FIG.
  • a band pass filter 100 is provided.
  • the filter module 1 includes a module substrate 2, first and second base substrates 3 and 4, and various circuit components 5 such as inductors and capacitors.
  • the first and second base substrates 3 and 4 and various circuit components 5 are mounted on a mounting electrode 2b provided on the mounting surface 2a of the module substrate 2, and wiring electrodes provided on the module substrate 2 6 is electrically connected to a plurality of mounting electrodes 2 c formed on the back surface of the module substrate 2.
  • the first base substrate 3 is provided with a first electrode (not shown) that constitutes the first acoustic wave resonator, and the second base substrate 4 constitutes the second acoustic wave resonator.
  • a second electrode is formed, and its configuration will be described in detail later.
  • the module substrate 2 is formed by laminating a plurality of dielectric layers, and the first and second base substrates 3 and 3 mounted on the module substrate 2 by via conductors and in-plane conductor patterns formed in the respective dielectric layers. 4 and circuit component 5 are electrically connected to each other, wiring electrode 6 and mounting electrode 2c are formed, and these are electrically connected to each other to form bandpass filter 100.
  • the circuit elements such as capacitors and inductors formed by the in-plane conductor patterns and via conductors formed in each dielectric layer, and the first and second base substrates 3 and 4 and various circuit components 5 are mutually connected.
  • the band pass filter 100 may be formed by being electrically connected to.
  • the band pass filter 100 is set with a predetermined pass band PB as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the bandpass filter 100 is connected in series to a path W that connects the input terminal A and the output terminal B, and the first pass-stop band RB1 is set on the lower frequency side than the passband PB.
  • the LC high-pass filter 101 and the LC low-pass filter 102 in which the second pass stop band RB2 is set on the higher frequency side than the pass band PB are provided.
  • the LC high-pass filter 101 and the LC low-pass filter 102 are connected in series to form a band-pass filter 100 in which the pass band PB, the first pass stop band RB1, and the second pass stop band RB2 are set. ing.
  • the LC high-pass filter 101 includes a first input terminal A1 connected to the second output terminal B2 of the LC low-pass filter 102, a first output terminal B1 connected to the output terminal B of the bandpass filter 100, and the first A plurality of first acoustic wave resonators S1 to S5 and P1 to P5 configured by a first electrode formed on one base substrate 3, a plurality of first inductors L1 to L4, and an attenuation characteristic adjusting unit.
  • the capacitor C1 is provided.
  • five first acoustic wave resonators S1 to S5 are connected in series to a first path W1 connecting the first input terminal A1 and the first output terminal B1.
  • a plurality of first inductors L1 to L4 are connected between the two first acoustic wave resonators connected in series and between the first path W1 and the ground potential.
  • the first acoustic wave resonator P1 is connected in series between the first inductor L2 and a path connecting the first acoustic wave resonators S2 and S3.
  • a first elastic wave resonator P2 is connected in series between the first inductor L3 and a path connecting the first elastic wave resonators S3 and S4.
  • a first acoustic wave resonator P1 is connected in series between the first inductor L4 and a path connecting the first acoustic wave resonators S4 and S5.
  • a capacitor C1 for adjusting damping characteristics is connected in series between the first inductor L1 and a path connecting the first acoustic wave resonators S1 and S2.
  • each first acoustic wave resonator has at least one of a resonance frequency and an anti-resonance frequency in a band APL that is near the boundary with the pass band PB of the first pass stop band RB1. It is formed to have. Then, by setting the resonance frequency or antiresonance frequency of each of the plurality of first acoustic wave resonators to different values, the first attenuation pole group can be formed in the band APL as shown in FIG. By forming the first attenuation pole group in this way, a band having a desired attenuation characteristic can be formed in the vicinity of the pass band PB of the first pass stop band RB1.
  • the first elastic wave resonator functions as a capacitive element in a frequency band lower than the resonance frequency. Therefore, as shown in FIG. 3, the attenuation characteristics of the high-frequency signal in the band AL on the lower frequency side than the first attenuation pole group are the first inductor, the capacitor C1 for adjusting the attenuation characteristics, and the capacitive element. It is set by a functioning first elastic wave resonator.
  • the “first capacitor” of the present invention connected in series to the first path W1 of the LC high-pass filter 101 is formed by the first acoustic wave resonator.
  • the LC low-pass filter 102 includes a second input terminal A2 connected to the input terminal A of the bandpass filter 100, a second output terminal B2 connected to the first input terminal A1 of the high-pass filter 101, and a second A plurality of second acoustic wave resonators P4 to P8 constituted by second electrodes formed on the base substrate 4 of the first substrate, second inductors L10 to L13, capacitors C2 to C5 for adjusting damping characteristics, Inductors L5 to L9 for adjusting the attenuation characteristics are provided.
  • four second inductors are connected in series to the second path W2 connecting the second input terminal A2 and the second output terminal B2, and between the two second inductors connected in series.
  • the second acoustic wave resonators P4 to P8 are connected between the second path W2 and the ground potential.
  • each second acoustic wave resonator has at least one of a resonance frequency and an anti-resonance frequency in a band APH that is in the vicinity of the boundary with the pass band PB of the second pass blocking band RB2. It is formed as follows.
  • the second attenuation pole group can be formed in the band APH by setting the resonance frequency or antiresonance frequency of each of the plurality of second elastic wave resonators to different values.
  • a band having a desired attenuation characteristic can be formed in the vicinity of the pass band PB of the second pass stop band RB2.
  • the second elastic wave resonator functions as a capacitive element in a frequency band higher than the anti-resonance frequency. Therefore, as shown in FIG. 3, the attenuation characteristics of the high frequency signal in the band AH on the higher frequency side than the second attenuation pole group are the second inductors L10 to L13 connected in series, and the capacitor C2 for adjusting the attenuation characteristics. To C5, inductors L5 to L9 for adjusting damping characteristics, and second acoustic wave resonators P4 to P8 functioning as capacitive elements.
  • the “second capacitor” of the present invention connected between the second path W2 of the LC low-pass filter 102 and the ground potential is formed by the second acoustic wave resonators P4 to P8. Yes.
  • the configurations of the LC high-pass filter 101 and the LC low-pass filter 102 included in the band-pass filter 100 are not limited to the configurations shown in FIG. 2, and for example, the general LC high-pass filter 201 shown in FIGS.
  • the LC low pass filter 202 can be used to form the band pass filter 100.
  • the LC high-pass filter 201 includes first capacitors C11 to C14 connected in series to a first path W11 that connects the first input terminal A11 and the first output terminal B11.
  • 1 includes first inductors L11 to L13 connected between one path W11 and the ground potential.
  • at least one first capacitor is formed (replaced) by the first acoustic wave resonator.
  • the acoustic wave resonator is a surface acoustic wave resonator (SAW resonator) in which an IDT electrode is provided on the surface of the piezoelectric body, the distance between the electrode fingers of the piezoelectric material and the comb electrode, the crossing width, and the logarithm in the acoustic wave resonator
  • the capacitance of the acoustic wave resonator is provided so that the capacitance value determined by the above and the capacitor becomes equal to the capacitance value of the capacitor.
  • the acoustic wave resonator is a bulk acoustic wave resonator (BAW resonator) in which upper and lower electrodes are provided on the surfaces of the piezoelectric body facing each other, the piezoelectric material in the acoustic wave resonator and the upper and lower electrodes
  • the capacitance of the BAW resonator is provided so that the capacitance value determined by the facing area and the distance between the electrodes is equal to the capacitance value of the capacitor.
  • the LC low-pass filter 202 includes second inductors L21 and L22 connected in series to a second path W22 connecting the second input terminal A22 and the second output terminal B22, Second capacitors C21 to C23 connected between the second path W22 and the ground potential. Although not shown in FIG. 6, at least one second capacitor is formed (replaced) by the second acoustic wave resonator.
  • a capacitor and an inductor for adjusting attenuation characteristics may be further added to the LC high-pass filter 201 and the LC low-pass filter 202 shown in FIGS. 5 and 6 in the same manner as the circuit shown in FIG. That is, in order to adjust the attenuation characteristics of the basic LC high-pass filter 201 and the LC low-pass filter 202 shown in FIGS. 5 and 6, capacitors and inductors for adjusting the attenuation characteristics are used as the LC high-pass filter 201 and the LC low-pass filter 202.
  • the LC high-pass filter 101 and the LC low-pass filter 102 shown in FIG. 2 can be formed by arbitrarily adding to them and modifying the circuit configuration.
  • the resonator is formed by a SAW resonator using surface acoustic waves (SAW: Surface Acoustic Wave), or a piezoelectric thin film resonator (FBAR: Film Bulk Acoustic Resonator) using bulk acoustic waves (BAW: Bulk Acoustic Wave). It is formed by SMR: Solidly Mounted Resonator, or is formed by a resonator using a boundary elastic wave (Boundary Elastic Wave).
  • the SAW resonator includes an IDT electrode (IDT: Interdigital) including a pair of comb-shaped electrodes formed on the surface of a piezoelectric substrate formed of quartz, lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), or the like. (Transducer).
  • IDT electrode Interdigital
  • the piezoelectric thin film resonator is configured by disposing a piezoelectric thin film sandwiched between an upper electrode and a lower electrode on the surface of a Si substrate or the like.
  • the 1st elastic wave resonator and the 2nd elastic wave resonator are formed so that it may be provided with the optimal composition according to each frequency characteristic. That is, in the first base substrate 3 having piezoelectricity and the second base substrate 4 having piezoelectricity, materials or electromechanical coupling coefficients are different from each other, and the shapes of the first electrode and the second electrode are mutually different. They are combined in different configurations.
  • first base substrate 3 and second base substrate 4 having different materials or electromechanical coupling coefficients
  • first elastic wave resonator (first electrode) first elastic wave resonator
  • second elastic wave resonator second elastic wave resonator
  • First elastic wave resonator optimized for the first pass stop band RB1 SAW resonator
  • Second elastic wave resonator optimized for the second pass stop band RB2 Piezoelectric thin film resonator
  • First elastic wave resonator optimized for the first pass stop band RB1 SAW resonator
  • Second elastic wave resonator optimized for the second pass stop band RB2 SMR type BAW resonator
  • First base substrate 3 optimized for first pass-stop band RB1 Lithium tantalate piezoelectric substrate First acoustic wave resonator: SAW resonator Second optimized for second pass-stop band RB2
  • Base substrate 4 Lithium niobate piezoelectric substrate Second elastic wave resonator: SAW resonator
  • a SAW resonator of a lithium tantalate piezoelectric substrate is used on the low frequency side, and the temperature characteristic change is stabilized by covering the IDT electrode with SiO 2 on the high frequency side, which is greatly affected by fluctuations in attenuation characteristics.
  • SiO 2 SiO 2 on the high frequency side
  • First base substrate 3 optimized for first pass-stop band RB1 Lithium niobate piezoelectric substrate First acoustic wave resonator: SAW resonator Second optimized for second pass-stop band RB2
  • Base substrate 4 Lithium tantalate piezoelectric substrate Second elastic wave resonator: SAW resonator
  • the lithium niobate piezoelectric substrate is connected to the first acoustic wave resonator provided in series with each other in the path connecting the input terminal and the output terminal.
  • a SAW resonator whose main wave is a Rayleigh wave is used.
  • a SAW resonator having a leakage acoustic wave (leaky wave) of the lithium niobate piezoelectric substrate as a main wave is used as the second acoustic wave resonator on the high frequency side.
  • FIG. 7 shows frequency characteristics of the embodiment of the present invention and the comparative example.
  • the embodiment of the present invention has a low loss due to bulk radiation generated by the first resonator on the low frequency side on the high frequency side of the resonance frequency, and the passband on the high frequency side of the resonance frequency. Since it functions as a capacitor having a high Q, it is possible to reduce the insertion loss of the pass band of the band pass filter.
  • the second acoustic wave resonator on the high frequency side provided in the path connecting the input terminal and the output terminal and the path connecting the ground potential is more brittle than the thilium niobate piezoelectric substrate.
  • a Pt layer having a thickness of about 1.5% of the wavelength on the electrode finger and an Al layer having a thickness of about 7% of the wavelength on the first acoustic wave resonator on the low frequency side A SAW resonator having a Rayleigh wave as a main wave provided on an IDT electrode including a rotation angle 127 ° rotation Y cut-X propagation lithium niobate piezoelectric substrate is used as a second elastic wave resonator on the high frequency side.
  • An IDT electrode including a Pt layer having a thickness of about 2.5% of the wavelength and an Al layer having a thickness of about 10% of the wavelength on the electrode finger is applied to a lithium niobate piezoelectric substrate of -11 ° rotation Y cut-X propagation.
  • a SAW resonator whose main wave is the provided leaky wave is used.
  • the frequency dependence is suppressed outside the pass band, and the reduction of the insertion loss in the pass band due to the influence of the bulk wave can be reduced.
  • a high electromechanical coupling coefficient can ensure attenuation with a resonator having a small capacitance, so that the reduction of insertion loss in the passband can be reduced.
  • An electrode structure of a SAW resonator forming a first acoustic wave resonator optimized for the first pass-stop band RB1, and a second acoustic wave resonator optimized for the second pass-stop band RB2
  • the electrode structure of the SAW resonator to be formed is different.
  • the Pt layer having a thickness of about 1.5% of the wavelength on the electrode finger
  • the Al layer having a thickness of about 7% of the wavelength
  • a SAW resonator having a leaky wave as a main wave provided on a 127 ° rotated Y cut-X propagating lithium niobate piezoelectric substrate is used.
  • the attenuation characteristic on the high frequency side of the passband is steep, Since the harmonics of the main wave in the Rayleigh wave can be arranged in the stop band on the high frequency side outside the pass band of the band pass filter, it is possible to obtain a band pass filter with small fluctuations in frequency characteristics outside the pass band.
  • the electrode thickness of the SAW resonator forming the first acoustic wave resonator optimized in the first pass-stop band RB1, and the second acoustic wave resonator optimized in the second pass-stop band RB2 The electrode film thickness of the SAW resonator that forms the layer is different.
  • an IDT electrode including an Al layer having a thickness of about 11% of the wavelength on the electrode finger is rotated by 42 ° on the first acoustic wave resonator on the low frequency side, and the Y cut-X propagation is performed.
  • a SAW resonator having a leaky wave as a main wave provided on a lithium tantalate piezoelectric substrate is used, and an Al layer having a thickness of about 7% of the wavelength is formed on the electrode finger on the second acoustic wave resonator on the high frequency side.
  • a SAW resonator having a steep attenuation characteristic having a leaky wave as a main wave provided on a lithium tantalate piezoelectric substrate with a 42 ° rotation Y cut-X propagation including an IDT electrode is used.
  • an increase in insertion loss in the pass band can be reduced by using a resonator with relatively small generation of bulk radiation having a thick IDT electrode as the first resonator on the low band side of the pass band. It is possible to obtain a band-pass filter that suppresses the occurrence of ripples due to SH waves entering the pass band with the IDT electrode being thinned on the high band side of the pass band and has small fluctuations in the frequency characteristics of the pass band.
  • first base substrate 3 and the second base substrate 4 The combination of the materials and shapes of the first base substrate 3 and the second base substrate 4, the first acoustic wave resonator (first electrode), and the second acoustic wave resonator (second electrode).
  • the combination of shapes is not limited to the above specific example. That is, each of the first and second acoustic wave resonators may be formed so as to have an optimum configuration according to the frequency characteristics.
  • the first base substrate 3 and the second base substrate 4 have different materials or electromechanical coupling coefficients, and the first electrode and the second electrode have different shapes, the following effects can be obtained.
  • the first acoustic wave resonator can be formed with the type of the first base substrate 3 and the configuration of the first electrode optimal for the frequency characteristics
  • the second acoustic wave resonator has the frequency characteristics. It can be formed with the optimum type of the second base substrate 4 and the configuration of the second electrode.
  • the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator having different frequency characteristics have the same material or electromechanical coupling coefficient in the first base substrate 3 and the second base substrate 4.
  • the first attenuation pole formed by the first elastic wave resonator and the second electrode formed by the second elastic wave resonator 2 attenuation poles can be formed more steeply. Therefore, it is possible to provide the bandpass filter 100 in which the attenuation characteristic is further improved.
  • the size can be reduced, and the attenuation characteristics are improved.
  • the second resonator having an attenuation pole on the high frequency side outside the pass band is a lithium niobate piezoelectric substrate provided with an IDT electrode covered with a dielectric layer made of SiO 2 , and the low frequency side outside the pass band is When the lithium tantalate piezoelectric substrate is used, the temperature characteristics are improved.
  • the pass band PB of the band-pass filter 100 can be set to a wider band.
  • a first attenuation pole is formed in the vicinity of the boundary between the first pass stop band RB1 and the pass band PB by the first elastic wave resonator of the LC high pass filter 101. Since the attenuation characteristic on the lower frequency side than the first attenuation pole is set by the first inductor and the first capacitor of the LC high-pass filter 101, the attenuation characteristic on the lower frequency side than the first attenuation pole is set. Can be prevented.
  • a second attenuation pole is formed in the vicinity of the boundary between the second pass-stop band RB2 and the pass-band PB by the second elastic wave resonator of the LC low-pass filter 102. Since the attenuation characteristic on the higher frequency side than the second attenuation pole is set by the second inductor and the second capacitor of the LC low-pass filter 102, the attenuation characteristic on the higher frequency side than the second attenuation pole is deteriorated. Can be suppressed.
  • the filter module 1 including the band-pass filter 100 with improved attenuation characteristics.
  • the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator are excited.
  • the power of the input high frequency signal increases, the amplitude of excitation of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator increases.
  • an electrode of the elastic wave resonator may be destroyed due to an increase in excitation amplitude.
  • the power of the high-frequency signal in the pass band PB input to the acoustic wave filter is suppressed to a magnitude of about 1 to 2 W (about 30 to 33 dBm).
  • At least one of the resonance frequency and the antiresonance frequency of the first elastic wave resonator is the first attenuation located in the first pass stop band RB1 on the lower frequency side than the pass band.
  • at least one of a resonance frequency and an anti-resonance frequency of the second elastic wave resonator is a second attenuation pole located in the second pass blocking band RB2 on the higher frequency side than the pass band.
  • the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator are suppressed from being excited. It is possible to prevent the electrodes of the first elastic wave resonators and the second elastic wave resonators from being broken. Therefore, the input characteristics of a high-power high-frequency signal can be improved, and for example, the power durability against an input power having a magnitude of about 5 W (about 37 dBm) or more can be improved.
  • At least one of the resonance frequency and the anti-resonance frequency of each of the first elastic wave resonators is a first attenuation pole located in the first pass stop band RB1 on the lower frequency side than the pass band
  • At least one of the resonance frequency and the anti-resonance frequency of each of the second elastic wave resonators is a second attenuation pole located in the second pass blocking band RB2 on the higher frequency side than the pass band.
  • an attenuation pole is formed in the second pass stop band RB2 on the high frequency side of the pass band PB by the resonance frequency of each second elastic wave resonator. Therefore, since the anti-resonance frequency is higher than the resonance frequency, the anti-resonance frequency of each second elastic wave resonator does not overlap with the passband PB. Therefore, since the resonance / antiresonance frequencies of the first and second acoustic wave resonators do not overlap with the passband PB, it is possible to more effectively withstand a high power input signal.
  • a bandpass filter 100 can be formed.
  • FIG. 8 is a circuit diagram showing a band-pass filter according to the second embodiment of the present invention.
  • description of the structure is abbreviate
  • the bandpass filter 300 of this embodiment includes third capacitors C31 to C33 connected in series to a path W31 connecting the input terminal A31 and the output terminal B31, the path W31, the ground potential, And two LC parallel resonance circuits 301 and 302 connected between the two. Further, an input / output capacitor may be further added to the input terminal A31 and the output terminal B31.
  • the resonance circuit capacitor is replaced with the first acoustic wave resonator P32 in order to form a first attenuation pole in the first low pass band RB1 on the low frequency side. Inductor L32 and first elastic wave resonator P32 are formed. Further, in the LC parallel resonance circuit 302, the resonance circuit capacitor is replaced with the second acoustic wave resonator P31 in order to form a second attenuation pole in the second high-frequency side second stop band RB2, and the resonance circuit capacitor An inductor L31 and a second elastic wave resonator P31 are formed.
  • the insertion loss in the passband PB can be reduced by not connecting the acoustic wave resonator in series to the path W31 connecting the input terminal A31 and the output terminal B31.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a bandpass filter according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 10 is a diagram showing pass characteristics of the bandpass filter of FIG.
  • description of the structure is abbreviate
  • the band-pass filter 400 of this embodiment includes a plurality of first acoustic wave resonators S41 to S44 connected in series to a path W41 connecting the input terminal A41 and the output terminal B41, A plurality of second acoustic wave resonators P41 to P46 connected between W41 and the ground potential are provided. Further, characteristic adjusting inductors L41 to L44 are connected in parallel to the first elastic wave resonators S41 to S44, respectively, and characteristic adjusting inductors L45 to L44 are connected to the second elastic wave resonators P41 to P46, respectively. L49 and L40 are connected in series. An input / output capacitor C41 is added to the input terminal A41. An input / output capacitor C42 is added to the output terminal B41.
  • each first elastic wave resonator of the series arm is formed to have an anti-resonance frequency in a band APL that is near the boundary with the pass band PB of the first pass stop band RB1.
  • the first attenuation pole group can be formed in the band APL as shown in FIG.
  • a band having a desired attenuation characteristic can be formed in the vicinity of the pass band PB of the first pass stop band RB1.
  • each second elastic wave resonator of the parallel arm is formed to have a resonance frequency in a band APH that is near the boundary with the pass band PB of the second pass stop band RB2.
  • the second attenuation pole group can be formed in the band APH by setting the resonance frequencies of the plurality of second elastic wave resonators to different values. By forming the second attenuation pole group in this way, a band having a desired attenuation characteristic can be formed in the vicinity of the pass band PB of the second pass stop band RB2.
  • the resonance / anti-resonance frequency does not overlap with the passband PB, it is possible to improve the resistance to high power signal input in the passband PB.
  • the first attenuation pole group in the vicinity of the low frequency side of the pass band PB is formed by the anti-resonance frequency of each first acoustic wave resonator, and the second attenuation pole group in the vicinity of the high frequency side of the pass band PB.
  • it is formed by the resonance frequency of each of the second elastic resonators, it is possible to provide the bandpass filter 400 having excellent steepness.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. Any combination may be used.
  • the configuration of the bandpass filter is not limited to the above example, and a first acoustic wave resonator for forming a first attenuation pole in the first pass-stop band RB1 on the low frequency side, If the band-pass filter has a circuit configuration that can use the second acoustic wave resonator for forming the second attenuation pole in the second pass stop band RB2 on the high frequency side, the band-pass filter is Any configuration may be used.
  • At least one of the third capacitors C31 to C33 connected in series to the path W31 and the capacitor for adjusting the attenuation characteristic and the input / output capacitor is the first on the low frequency side. May be formed (replaced) by a first acoustic wave resonator in order to form a first attenuation pole in the pass-stop band RB1.
  • an inductor for adjusting the attenuation characteristic may be further connected in series to the path W31.
  • first base substrate 3 and the second base substrate 4 may be formed in a so-called WL-CSP (wafer level-chip size package) structure, and the first and second resonators in which resonators are formed, respectively.
  • Two base substrates 3 and 4 may be formed in a CSP (chip size package) structure mounted on a package substrate.
  • the first acoustic wave resonator for forming the first attenuation pole in the first pass stop band RB1 on the low frequency side of the pass band PB is in series only in the path connecting the input terminal and the output terminal.
  • a second acoustic wave resonator connected to form a second attenuation pole in the second pass blocking band RB2 on the high frequency side of the pass band PB has a path connecting the input terminal and the output terminal to the ground potential. It is good to be connected only between. In this way, the input power characteristics can be further effectively improved.
  • the present invention can be widely applied to a bandpass filter in which a predetermined pass band is set and a filter module including this filter.

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Abstract

　減衰特性の改善が図られたバンドパスフィルタを提供する。　第１の弾性波共振子がその周波数特性に最適な第１のベース基板の種類および第１の電極の構成で形成され、第２の弾性波共振子がその周波数特性に最適な第２のベース基板の種類および第２の電極の構成で形成される。したがって、それぞれ周波数特性が異なる第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子が、同じ種類のベース基板上に同一の構成で形成された電極により形成された場合と比較すると、第１の弾性波共振子により形成される第１の減衰極および第２の弾性波共振子により形成される第２の減衰極をより急峻に形成することができ、減衰特性の改善が図られたバンドパスフィルタを提供することができる。

Description

バンドパスフィルタおよびフィルタモジュール
　本発明は、所定の通過帯域が設定されたバンドパスフィルタおよびこのフィルタを備えるフィルタモジュールに関する。
　近年、マルチモード、マルチバンドに対応した通信端末が提供されている。このような通信端末には、所望の通信信号のみを通過させるバンドパスフィルタが搭載されている。例えば、図１１に示すように、集中定数型のＬＣハイパスフィルタ５０１と集中定数型のＬＣローパスフィルタ５０２とが直列接続されることにより形成されたバンドパスフィルタ５００が提案されている（例えば特許文献１参照）。具体的には、ＬＣハイパスフィルタ５０１は、入力端子Ａ５１と出力端子Ｂ５１とを接続する経路Ｗ５１に直列接続された２個のキャパシタＣ５１、Ｃ５２と、キャパシタＣ５１とキャパシタＣ５２との間の経路とグランド電位との間に接続されたインダクタＬ５１とにより形成されている。また、ＬＣローパスフィルタ５０２は、経路Ｗ５１に直列接続された１個のインダクタＬ５２と、インダクタＬ５２の両端位置のそれぞれにおいて経路Ｗ５１とグランド電位との間に接続された２個のキャパシタＣ５５及びＣ５６とにより形成されている。
　そして、ＬＣハイパスフィルタ５０１とＬＣローパスフィルタ５０２とが直列接続されて所定の通過帯域が設定されることによってバンドパスフィルタ５００が形成される。このようにすることで、バンドパスフィルタ５００の通過帯域の広帯域化を図ることができる。また、ＬＣハイパスフィルタ５０１のインダクタＬ５１に直列にキャパシタＣ５３が付加され、ＬＣローパスフィルタ５０２のインダクタＬ５２に並列にキャパシタＣ５４が付加されて、バンドパスフィルタ５００の回路定数が調整されることにより、バンドパスフィルタ５００の通過帯域特性が任意に設定される。
特開平９－１８１５４９号公報（段落０００８、０００９、図１，２、要約書など）
　ところで、マルチモード、マルチバンドに対応した通信端末では、それぞれ周波数帯域が異なる複数の通信信号が選択的に使用されて通信が行われる。近年、各通信信号それぞれに割り当てられる周波数帯域が互いに近接する傾向にあるので、より急峻な減衰特性を備えるバンドパスフィルタが要望されている。
　この発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、減衰特性が改善されたバンドパスフィルタを提供すると共に、このバンドパスフィルタを備えるフィルタモジュールを提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するために、本発明のバンドパスフィルタは、インダクタとキャパシタとを含むＬＣフィルタと、共振周波数と反共振周波数とを有する第１の弾性波共振子と、
　共振周波数と反共振周波数とを有する第２の弾性波共振子とを備える所定の通過帯域が設定されたバンドパスフィルタにおいて、前記第１の弾性波共振子の共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方は、前記通過帯域よりも低周波側の第１の通過阻止帯域内に位置する第１の減衰極であって、前記第２の弾性波共振子の共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方は、前記通過帯域よりも高周波側の第２の通過阻止帯域内に位置する第２の減衰極であって、前記第１の弾性波共振子は、第１の電極及び前記第１の電極が形成された圧電性を有する第１のベース基板を含み、前記第２の弾性波共振子は、第２の電極及び前記第２の電極が形成された圧電性を有する第２のベース基板を含み、前記第１のベース基板の種類と前記第２のベース基板の種類とが互いに異なる、および／または、前記第１の電極の構成と前記第２の電極の構成とが互いに異なることを特徴としている。
　このように構成された発明では、バンドパスフィルタの低周波側の減衰特性をより急峻に設定することができ、バンドパスフィルタの高周波側の減衰特性をより急峻に設定することができる。
　また、第１の弾性波共振子をその周波数特性を得るために最適な第１のベース基板の種類および第１の電極の構成で形成することができ、第２の弾性波共振子をその周波数特性を得るために最適な第２のベース基板の種類および第２の電極の構成で形成することができる。そのため、それぞれ周波数特性が異なる第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子が、同じ種類のベース基板上に同一の構成で形成された電極により形成された場合と比較すると、第１の弾性波共振子により形成される第１の減衰極および第２の弾性波共振子により形成される第２の減衰極をより急峻に形成することができる。したがって、減衰特性がさらに改善されたバンドパスフィルタを提供することができる。
　このとき、前記第１のベース基板と前記第２のベース基板とは、材料もしくは電気機械結合係数が互いに異なる、または、前記第１の電極と前記第２の電極の形状が互いに異なるようにするとよい。
　また、前記第１の弾性波共振子と、前記ＬＣフィルタの前記インダクタに含まれる第１のインダクタと、前記ＬＣフィルタの前記キャパシタに含まれる第１のキャパシタとによって、前記第１の通過阻止帯域を有するＬＣハイパスフィルタが構成されており、前記第２の弾性波共振子と、前記ＬＣフィルタの前記インダクタに含まれる第２のインダクタと、前記ＬＣフィルタの前記キャパシタに含まれる第２のキャパシタとによって、前記第２の通過阻止帯域を有するＬＣローパスフィルタが構成されており、前記第１の通過阻止帯域の前記第１の減衰極よりも低周波側における減衰特性が前記第１のインダクタおよび前記第１のキャパシタにより設定され、第２の通過阻止帯域の前記第２の減衰極よりも高周波側における減衰特性が前記第２のインダクタおよび前記第２のキャパシタにより設定され、前記ＬＣハイパスフィルタおよび前記ＬＣローパスフィルタが直列接続されているとよい。
　このように構成すると、バンドパスフィルタの通過帯域をより広帯域に設定することができる。また、通過帯域の低周波側の第１の通過阻止帯域において、ＬＣハイパスフィルタの第１の弾性波共振子により第１の減衰極が形成されるため、第１の通過阻止帯域と通過帯域との境界付近における減衰特性を改善することができる。そして、第１の減衰極よりも低周波側における減衰特性が、ＬＣハイパスフィルタの第１のインダクタおよび第１のキャパシタにより設定されるため、第１の減衰極よりも低周波側における減衰特性の劣化を抑制することができる。
　また、通過帯域の高周波側の第２の通過阻止帯域において、ＬＣローパスフィルタの第２の弾性波共振子により第２の減衰極が形成されるため、第２の通過阻止帯域と通過帯域との境界付近における減衰特性を改善することができる。そして、第２の減衰極よりも高周波側における減衰特性が、ＬＣローパスフィルタの第２のインダクタおよび第２のキャパシタにより設定されるため、第２の減衰極よりも高周波側における減衰特性の劣化を抑制することができる。
　また、前記ＬＣハイパスフィルタは、第１の入力端子と、第１の出力端子と、前記第１の入力端子と前記第１の出力端子とを接続する第１の経路内に直列接続された複数の前記第１のキャパシタと、前記第１の経路とグランド電位との間に接続された少なくとも１つの前記第１のインダクタとを備え、前記第１の弾性波共振子の共振周波数より低域側および反共振周波数より高域側において、前記第１の弾性波共振子の容量性によって少なくとも１つの前記第１のキャパシタが形成されているとよい。
　また、前記ＬＣローパスフィルタは、第２の入力端子と、第２の出力端子と、前記第２の入力端子と前記第２の出力端子とを接続する第２の経路内に直列接続された複数の前記第２のインダクタと、前記第２の経路とグランド電位との間に接続された少なくとも１つの前記第２のキャパシタとを備え、前記第２の弾性波共振子の共振周波数より低域側および反共振周波数より高域側において、前記第２の弾性波共振子の容量性によって少なくとも１つの前記第２のキャパシタが前記第２の弾性波共振子により形成されているとよい。
　また、入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子とを接続する経路内に直列接続された複数の第３のキャパシタと、前記経路とグランド電位との間に接続されたＬＣ並列共振回路とを備え、少なくとも１つの前記第３のキャパシタが前記第１の弾性波共振子の容量性により形成され、または、前記ＬＣ並列共振回路を構成する少なくとも１つの共振回路用キャパシタが前記第１の弾性波共振子または前記第２の弾性波共振子の容量性により形成されているとよい。
　また、入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子とを接続する経路内に直列接続された複数の第１の弾性波共振子と、前記経路とグランド電位との間に接続された複数の第２の弾性波共振子とを備えるようにしてもよい。
　このように構成しても良好な減衰特性を有するバンドパスフィルタを提供することができる。
　また、前記経路内に前記第１の弾性波共振子および前記第２の弾性波共振子が直列接続されていないようにするとよい。
　このようにすれば、入力端子と出力端子とを接続する経路内に第２の弾性波共振子が配置されていないので、通過帯域における挿入損失を低減することができる。
　また、前記入力端子と前記出力端子とを接続する経路内に直列接続された前記複数の第１の弾性波共振子の前記反共振周波数が前記第１の減衰極であって、前記経路とグランド電位との間に接続された前記複数の第２の弾性波共振子の前記共振周波数が前記第２の減衰極であるとよい。
　このようにすることにより、バンドパスフィルタの低周波側の減衰特性をより急峻に設定することができ、バンドパスフィルタの高周波側の減衰特性をより急峻に設定することができる。
　また、前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子は圧電薄膜共振子またはＳＭＲ型ＢＡＷ共振子であってもよい。
　また、前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第１ベース基板はタンタル酸リチウム圧電基板であって、前記第２ベース基板はニオブ酸リチウム圧電基板であってもよい。
　また、前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第１のベース基板のカット角と前記第２のベース基板のカット角とが異なっていてもよい。
　また、前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第１の弾性波共振子を構成するＳＡＷ共振子の電極構造と前記第２の弾性波共振子を構成するＳＡＷ共振子の電極構造とが異なっていてもよい。
　また、前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第１の弾性波共振子を構成するＳＡＷ共振子の電極膜厚と前記第２の弾性波共振子を構成するＳＡＷ共振子の電極膜厚とが異なっていてもよい。
　また、本発明のフィルタモジュールは、前記第１のベース基板および前記第２のベース基板が実装されるためのモジュール基板を備えることを特徴としている。
　このように構成された発明では、減衰特性の改善が図られたバンドパスフィルタを備えるフィルタモジュールを提供することができる。
　本発明によれば、第１の弾性波共振子をその周波数特性に最適な第１のベース基板の材料または電気機械結合係数および最適な第１の電極の形状で形成することができ、第２の弾性波共振子をその周波数特性に最適な第２のベース基板の材料または電気機械結合係数および最適な第２の電極の形状で形成することができる。したがって、それぞれ周波数特性が異なる第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子が、同じ材料または電気機械結合係数のベース基板上に同一の形状の電極により構成された場合と比較すると、第１の弾性波共振子により形成される第１の減衰極および第２の弾性波共振子により形成される第２の減衰極をより急峻に形成することができ、減衰特性の改善が図られたバンドパスフィルタを提供することができる。
本発明の第１実施形態にかかるフィルタモジュールを示す図である。 図１のフィルタモジュールが備えるバンドパスフィルタを示す回路図である。 図２のバンドパスフィルタの通過特性を示す図である。 弾性波共振子の周波数特性を示す図である。 ＬＣハイパスフィルタの一例を示す回路図である。 ＬＣローパスフィルタの一例を示す回路図である。 第１実施形態にかかるバンドパスフィルタおよび比較例それぞれの周波数特性を示す図である。 本発明の第２実施形態にかかるバンドパスフィルタを示す回路図である。 本発明の第３実施形態にかかるバンドパスフィルタを示す回路図である。 図９のバンドパスフィルタの通過特性を示す図である。 従来のバンドパスフィルタを示す図である。
　＜第１実施形態＞
　本発明のフィルタモジュールの第１実施形態について、図１～図６を参照して説明する。
　なお、図１および図２では、本発明にかかる主要な構成のみが図示されており、説明を簡易なものとするために、その他の構成の図示は省略されている。また、後の説明で参照する各図面についても、図１および図２と同様に主要な構成のみが図示されているが、以下の説明においてはその説明を省略する。
　（フィルタモジュール）
　図１および図２に示すフィルタモジュール１は、例えば、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末が備えるアンテナ素子の直後に配置されるフロントエンドモジュールとして形成されるものであり、図２に示すバンドパスフィルタ１００を備えている。フィルタモジュール１は、この実施形態では、モジュール基板２と、第１、第２のベース基板３，４と、インダクタやキャパシタなどの各種の回路部品５とを備えている。第１、第２のベース基板３，４、各種の回路部品５は、モジュール基板２の実装面２ａ上に設けられた実装用の電極２ｂに実装されて、モジュール基板２に設けられた配線電極６を介してモジュール基板２の裏面に形成された複数の実装用電極２ｃに電気的に接続される。なお、第１のベース基板３には第１の弾性波共振子を構成する第１の電極（図示省略）が形成され、第２のベース基板４には第２の弾性波共振子を構成する第２の電極が形成されており、その構成については後で詳細に説明する。
　モジュール基板２は複数の誘電体層が積層されて形成され、各誘電体層に形成されたビア導体および面内導体パターンにより、モジュール基板２に実装された第１、第２のベース基板３，４や回路部品５を電気的に接続する配線電極６や実装用電極２ｃなどが形成され、これらが相互に電気的に接続されてバンドパスフィルタ１００が形成される。なお、各誘電体層に形成される面内導体パターンおよびビア導体により形成されたキャパシタやインダクタなどの回路素子と、第１、第２のベース基板３，４や各種の回路部品５とが相互に電気的に接続されることにより、バンドパスフィルタ１００が形成されてもよい。
　（バンドパスフィルタ）
　バンドパスフィルタ１００は、この実施形態では、図３に示すように、所定の通過帯域ＰＢが設定される。バンドパスフィルタ１００は、図２に示すように、入力端子Ａと出力端子Ｂとを接続する経路Ｗに直列接続され、通過帯域ＰＢよりも低周波側に第１の通過阻止帯域ＲＢ１が設定されたＬＣハイパスフィルタ１０１と、通過帯域ＰＢよりも高周波側に第２の通過阻止帯域ＲＢ２が設定されたＬＣローパスフィルタ１０２とを備えている。そして、ＬＣハイパスフィルタ１０１とＬＣローパスフィルタ１０２とが直列接続されることにより、通過帯域ＰＢおよび第１の通過阻止帯域ＲＢ１、第２の通過阻止帯域ＲＢ２が設定されたバンドパスフィルタ１００が形成されている。
　ＬＣハイパスフィルタ１０１は、ＬＣローパスフィルタ１０２の第２の出力端子Ｂ２に接続される第１の入力端子Ａ１と、バンドパスフィルタ１００の出力端子Ｂに接続される第１の出力端子Ｂ１と、第１のベース基板３に形成された第１の電極により構成された複数の第１の弾性波共振子Ｓ１～Ｓ５及びＰ１～Ｐ５と、複数の第１のインダクタＬ１～Ｌ４と、減衰特性調整用のキャパシタＣ１とを備えている。また、第１の入力端子Ａ１と第１の出力端子Ｂ１とを接続する第１の経路Ｗ１に５個の第１の弾性波共振子Ｓ１～Ｓ５が直列接続される。直列接続された２つの第１の弾性波共振子の間であって、第１の経路Ｗ１とグランド電位との間に、複数の第１のインダクタＬ１～Ｌ４が接続されている。
　また、第１のインダクタのうち、第１のインダクタＬ２と、第１の弾性波共振子Ｓ２とＳ３とをつなぐ経路との間に第１の弾性波共振子Ｐ１が直列接続されている。第１のインダクタＬ３と、第１の弾性波共振子Ｓ３とＳ４とをつなぐ経路との間に第１の弾性波共振子Ｐ２が直列接続されている。第１のインダクタＬ４と、第１の弾性波共振子Ｓ４とＳ５とをつなぐ経路との間に第１の弾性波共振子Ｐ１が直列接続されている。第１のインダクタＬ１と、第１の弾性波共振子Ｓ１とＳ２とをつなぐ経路との間に減衰特性調整用のキャパシタＣ１が直列接続されている。また、各第１の弾性波共振子は、図３に示すように、第１の通過阻止帯域ＲＢ１の通過帯域ＰＢとの境界付近である帯域ＡＰＬに、共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方を有するように形成されている。そして、複数の第１の弾性波共振子それぞれの共振周波数あるいは反共振周波数を異なる値にすることで、図３に示すように、帯域ＡＰＬに第１の減衰極群を形成することができる。このように第１の減衰極群を形成することで、第１の通過阻止帯域ＲＢ１の通過帯域ＰＢ近傍において所望の減衰特性を持つ帯域を形成することができる。
　また、図４に示すように、第１の弾性波共振子は、その共振周波数よりも低周波側の帯域では容量性の素子として機能する。したがって、図３に示すように、第１の減衰極群よりも低周波側の帯域ＡＬにおける高周波信号の減衰特性が、各第１のインダクタ、減衰特性調整用のキャパシタＣ１、容量性の素子として機能する第１の弾性波共振子により設定される。
　以上のように、第１の弾性波共振子により、ＬＣハイパスフィルタ１０１の第１の経路Ｗ１に直列接続された本発明の「第１のキャパシタ」が形成されている。
　ＬＣローパスフィルタ１０２は、バンドパスフィルタ１００の入力端子Ａに接続される第２の入力端子Ａ２と、ハイパスフィルタ１０１の第１の入力端子Ａ１に接続される第２の出力端子Ｂ２と、第２のベース基板４に形成された第２の電極により構成された複数の第２の弾性波共振子Ｐ４～Ｐ８と、第２のインダクタＬ１０～Ｌ１３と、減衰特性調整用のキャパシタＣ２～Ｃ５と、減衰特性調整用のインダクタＬ５～Ｌ９とを備えている。また、第２の入力端子Ａ２と第２の出力端子Ｂ２とを接続する第２の経路Ｗ２に４個の第２のインダクタが直列接続され、直列接続された２つの第２のインダクタの間であって、第２の経路Ｗ２とグランド電位との間に、第２の弾性波共振子Ｐ４～Ｐ８が接続されている。
　また、第２の弾性波共振子Ｐ４～Ｐ８のそれぞれに減衰特性調整用のインダクタＬ５～Ｌ９がそれぞれ直列接続されている。また、第２のインダクタＬ１０～Ｌ１３のそれぞれに減衰特性調整用のキャパシタＣ２～Ｃ５がそれぞれ並列接続されている。また、各第２の弾性波共振子は、図３に示すように、第２の通過阻止帯域ＲＢ２の通過帯域ＰＢとの境界付近である帯域ＡＰＨに共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方を有するように形成されている。そして、複数の第２の弾性波共振子それぞれの共振周波数あるいは反共振周波数を異なる値にすることで帯域ＡＰＨに第２の減衰極群を形成することができる。このように第２の減衰極群を形成することで、第２の通過阻止帯域ＲＢ２の通過帯域ＰＢ近傍において所望の減衰特性を持つ帯域を形成することができる。
　また、図４に示すように、第２の弾性波共振子は、その反共振周波数よりも高周波側の帯域では容量性の素子として機能する。したがって、図３に示すように、第２の減衰極群よりも高周波側の帯域ＡＨにおける高周波信号の減衰特性が、直列接続された各第２のインダクタＬ１０～Ｌ１３、減衰特性調整用のキャパシタＣ２～Ｃ５、減衰特性調整用のインダクタＬ５～Ｌ９、容量性の素子として機能する第２の弾性波共振子Ｐ４～Ｐ８により設定される。
　以上のように、第２の弾性波共振子Ｐ４～Ｐ８により、ＬＣローパスフィルタ１０２の第２の経路Ｗ２とグランド電位との間に接続された本発明の「第２のキャパシタ」が形成されている。
　なお、バンドパスフィルタ１００が備えるＬＣハイパスフィルタ１０１およびＬＣローパスフィルタ１０２の構成は図２に示す構成に限定されるものではなく、例えば、図５および図６に示す一般的なＬＣハイパスフィルタ２０１やＬＣローパスフィルタ２０２を使用してバンドパスフィルタ１００を形成することができる。
　ＬＣハイパスフィルタ２０１は、図５に示すように、第１の入力端子Ａ１１と第１の出力端子Ｂ１１とを接続する第１の経路Ｗ１１に直列接続された第１のキャパシタＣ１１～Ｃ１４と、第１の経路Ｗ１１とグランド電位との間に接続された第１のインダクタＬ１１～Ｌ１３とを備えている。また、図５では図示省略されているが、少なくとも１つの第１のキャパシタが第１の弾性波共振子により形成（置換）される。弾性波共振子が圧電体の表面にＩＤＴ電極が設けられた弾性表面波共振子（ＳＡＷ共振子）である場合、弾性波共振子における圧電材料と櫛形電極の電極指間距離と交叉幅と対数とで決定される静電容量値が、キャパシタの静電容量値と等しくなるように、弾性波共振子の容量性を設けている。あるいは、弾性波共振子が圧電体の互いに対向する表面に上部および下部電極が設けられたバルク弾性波共振子（ＢＡＷ共振子）である場合、弾性波共振子における圧電材料と上部および下部電極の対向面積と電極間距離とで決定される静電容量値が、キャパシタの静電容量値と等しくなるように、ＢＡＷ共振子の容量性を設けている。
　ＬＣローパスフィルタ２０２は、図６に示すように、第２の入力端子Ａ２２と第２の出力端子Ｂ２２とを接続する第２の経路Ｗ２２に直列接続された第２のインダクタＬ２１及びＬ２２と、第２の経路Ｗ２２とグランド電位との間に接続された第２のキャパシタＣ２１～Ｃ２３とを備えている。また、図６では図示省略されているが、少なくとも１つの第２のキャパシタが第２の弾性波共振子により形成（置換）される。
　なお、図５および図６に示すＬＣハイパスフィルタ２０１およびＬＣローパスフィルタ２０２に、図２に示す回路と同様に、減衰特性調整用のキャパシタやインダクタがさらに付加されていてもよい。すなわち、図５および図６に示す基本的なＬＣハイパスフィルタ２０１およびＬＣローパスフィルタ２０２それぞれの減衰特性を調整するために、減衰特性調整用のキャパシタやインダクタを、ＬＣハイパスフィルタ２０１およびＬＣローパスフィルタ２０２それぞれに任意に付加して回路構成を変形することにより、図２に示すＬＣハイパスフィルタ１０１やＬＣローパスフィルタ１０２を形成することができる。
　（共振子）
　次に、第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子について詳細に説明する。なお、以下の説明においては、第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子に共通する説明を行う場合に、第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子を単に「共振子」と称する場合もある。
　共振子は、表面弾性波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を利用したＳＡＷ共振子により形成されたり、バルク弾性波（ＢＡＷ：Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を利用した圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ　Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ、ＳＭＲ：Ｓｏｌｉｄｌｙ　Ｍｏｕｎｔｅｄ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）により形成されたり、境界弾性波（Ｂｏｕｎｄａｒｙ　Ｅｌａｓｔｅｃ　ｗａｖｅ）を利用した共振子により形成される。
　また、ＳＡＷ共振子は、水晶やタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）などにより形成された圧電基板の表面に形成された１対の櫛形電極を含むＩＤＴ電極（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）により構成される。また、圧電基板の材料やカット角、表面弾性波の進行方向などの基板の種類を変更したり、櫛形電極の構造や膜厚などの電極の構成を変更したりすることにより、ＳＡＷ共振子の周波数特性が調整される。また、圧電薄膜共振子は、上部電極および下部電極によりサンドイッチ状に挟まれた状態の圧電性の薄膜がＳｉ基板等の表面に配置されることにより構成される。
　そして、この実施形態では、第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子は、それぞれの周波数特性に応じて最適な構成を備えるように形成される。すなわち、圧電性を有する第１のベース基板３と圧電性を有する第２のベース基板４において、材料または電気機械結合係数が互いに異なる、および、第１の電極と第２の電極の形状が互いに異なる構成となるように組み合わされている。
　材料または電気機械結合係数が互いに異なる第１のベース基板３および第２のベース基板４の組み合わせの具体例と、第１の弾性波共振子（第１の電極）および第２の弾性波共振子（第２の電極）の組み合わせの具体例について説明する。
　（１）ベース基板の材料（材質）および電極の構成（共振子の種類）による組み合わせ
　Ａ．第１の通過阻止帯域ＲＢ１に最適化された第１の弾性波共振子：ＳＡＷ共振子
　　　第２の通過阻止帯域ＲＢ２に最適化された第２の弾性波共振子：圧電薄膜共振子
　Ａの組み合わせの場合、減衰特性が変動することによる影響が大きい高周波側にＳＡＷ共振子に比べて急峻な減衰特性を有する圧電薄膜共振子を用いることで、バンドパスフィルタの通過帯域の高域側の急峻な減衰特性が得られる。さらに、減衰特性が変動することによる影響が大きい低周波側に圧電薄膜共振子に比べて共振および反共振周波数が低下による共振子の面積低下率の高いＳＡＷ共振子を用いることで、バンドパスフィルタを小型化できる。
　Ｂ．第１の通過阻止帯域ＲＢ１に最適化された第１の弾性波共振子：ＳＡＷ共振子
　　　第２の通過阻止帯域ＲＢ２に最適化された第２の弾性波共振子：ＳＭＲ型ＢＡＷ共振子
　Ｂの組み合わせの場合、圧電薄膜共振子にＳＭＲ型ＢＡＷ共振子を用いることで、ＦＢＡＲ型ＢＡＷ共振子に比べて、製造時に犠牲層を形成したキャビティを形成する工程を省略でき、かつ良好な周波数温度特性が得られる。
　Ｃ．第１の通過阻止帯域ＲＢ１に最適化された第１のベース基板３：タンタル酸リチウム圧電基板
　　　第１の弾性波共振子：ＳＡＷ共振子
　　　第２の通過阻止帯域ＲＢ２に最適化された第２のベース基板４：ニオブ酸リチウム圧電基板
　　　第２の弾性波共振子：ＳＡＷ共振子
　Ｃの組み合わせにより、低周波側にタンタル酸リチウム圧電基板のＳＡＷ共振子を用い、減衰特性が変動することによる影響が大きい高周波側に、ＩＤＴ電極をＳｉＯ２で覆って温度特性変化を安定化させることができる高周波側にニオブ酸リチウム圧電基板のレイリー波を主要波とするＳＡＷ共振子を用いることで、温度特性の安定性が高く、バンドパスフィルタの通過帯域の高域側の急峻な減衰特性が得られる。低周波側に高次モードによる高調波スプリアスの影響が比較的小さいタンタル酸リチウム圧電基板のＳＡＷ共振子を用いることで、バンドパスフィルタの通過帯域内に高次モードによる影響を抑制することができ、高次モードの影響を考慮せずにフィルタを構成できるためフィルタの設計自由度が高められる。
　Ｄ．第１の通過阻止帯域ＲＢ１に最適化された第１のベース基板３：ニオブ酸リチウム圧電基板
　　　第１の弾性波共振子：ＳＡＷ共振子
　　　第２の通過阻止帯域ＲＢ２に最適化された第２のベース基板４：タンタル酸リチウム圧電基板
　　　第２の弾性波共振子：ＳＡＷ共振子
　Ｄの組み合わせの場合、本発明の実施形態として、ＬＣローパスフィルタにおいて、入力端子と出力端子とを結ぶ経路に互いに直列に接続して設けられた第１の弾性波共振子にニオブ酸リチウム圧電基板のレイリー波を主要波とするＳＡＷ共振子を用いる。高域側である第２の弾性波共振子にニオブ酸リチウム圧電基板の漏えい弾性波（リーキー波）を主要波とするＳＡＷ共振子を用いる。比較例として、第１および第2の弾性波共振子を同一のニオブ酸リチウム圧電基板にＩＤＴ電極を設けた漏えい弾性波（リーキー波）を主要波とするＳＡＷ共振子を用いる。本発明の実施形態と比較例との周波数特性を図７に示す。本発明の実施形態は比較例に比べて、低域側である第１の共振子が共振周波数の高域側で発生するバルク放射による損失が小さく、共振周波数の高域側にある通過帯域でＱの高いキャパシタとして機能するため、バンドパスフィルタの通過帯域の挿入損失を小さくすることができる。さらに、ＬＣハイパスフィルタにおいて、入力端子と出力端子とを結ぶ経路と接地電位とを結ぶ経路に設けられた高域側の第２の弾性波共振子に、ニオブ酸チリウム圧電基板に比べて脆性が低く損傷の少ないタンタル酸リチウム圧電基板のＳＡＷ共振子を用いることで、製造時の圧電基板の損傷が少ないバンドパスフィルタを得ることができる。
　（２）ベース基板の形状（製造方法）および電極の形状（電極構造、電極膜厚）による組み合わせ
　Ｅ．第１の通過阻止帯域ＲＢ１に最適化されたＳＡＷ共振子により形成された第１の弾性波共振子の第１のベース基板３のカット角と、第２の通過阻止帯域ＲＢ２に最適化されたＳＡＷ共振子により形成された第２の弾性波共振子のベース基板４のカット角とが異なる。
　Ｅの組み合わせの場合、例えば、低域側である第１の弾性波共振子に、電極指に波長の約１．５％の厚みを有するＰｔ層と波長の約７％の厚みを有するＡｌ層を含むＩＤＴ電極をカット角１２７°回転Ｙカット－Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム圧電基板に設けたレイリー波を主要波とするＳＡＷ共振子を用い、高域側である第２の弾性波共振子に、電極指に波長の約２．５％の厚みを有するＰｔ層と波長の約１０％の厚みを有するＡｌ層を含むＩＤＴ電極を－１１°回転Ｙカット－Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム圧電基板に設けたリーキー波を主要波とするＳＡＷ共振子を用いる。この場合、低域側では通過帯域外では周波数の依存性を抑え、バルク波の影響による通過帯域内の挿入損失の低減が小さくできる。高域側では、高い電気機械結合係数により静電容量の小さい共振子で減衰を確保できるため、通過帯域内の挿入損失の低減が小さくできる。
　Ｆ．第１の通過阻止帯域ＲＢ１に最適化された第１の弾性波共振子を形成するＳＡＷ共振子の電極構造と、第２の通過阻止帯域ＲＢ２に最適化された第２の弾性波共振子を形成するＳＡＷ共振子の電極構造とが異なる。
　Ｆの組み合わせの場合、例えば、低域側である第１の弾性波共振子に、電極指に波長の約１．５％の厚みを有するＰｔ層と波長の約７％の厚みを有するＡｌ層と含むＩＤＴ電極を１２７°回転Ｙカット－Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム圧電基板に設けたリーキー波を主要波とするＳＡＷ共振子を用いる。高域側である第２の弾性波共振子に、電極指に波長の約１０％の厚みを有するＡｌ層含むＩＤＴ電極を６４°回転Ｙカット－Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム圧電基板に設けたリーキー波を主要波とするＳＡＷ共振子を用いる。この場合、高域側である第２の弾性波共振子にレイリー波を主要波とする急峻な減衰特性を有するＳＡＷ共振子を用いれば、通過帯域の高域側の減衰特性が急峻であり、レイリー波における主要波の高調波をバンドパスフィルタの通過帯域外の高域側の阻止帯域に配置できるため、通過帯域外の周波数特性の変動が小さいバンドパスフィルタを得ることができる。
　Ｇ．第１の通過阻止帯域ＲＢ１に最適化された第１の弾性波共振子を形成するＳＡＷ共振子の電極膜厚と、第２の通過阻止帯域ＲＢ２に最適化された第２の弾性波共振子を形成するＳＡＷ共振子の電極膜厚とが異なる。
　Ｇの組み合わせの場合、例えば、低域側である第１の弾性波共振子に、電極指に波長の約１１％の厚みを有するＡｌ層を含むＩＤＴ電極を４２°回転Ｙカット－Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム圧電基板に設けたリーキー波を主要波とするＳＡＷ共振子を用い、高域側である第２の弾性波共振子に、電極指に波長の約７％の厚みを有するＡｌ層を含むＩＤＴ電極を４２°回転Ｙカット－Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム圧電基板に設けたリーキー波を主要波とする急峻な減衰特性を有するＳＡＷ共振子を用いる。この場合、通過帯域の低域側の第１の共振子に、ＩＤＴ電極の厚みを厚くしたバルク放射の発生が比較的少ない共振子を用いることで、通過帯域の挿入損失の増加を小さくできる。通過帯域の高域側に、ＩＤＴ電極の厚みを薄くした通過帯域内に入るＳＨ波によるリップルの発生を抑えて通過帯域の周波数特性の変動が小さなバンドパスフィルタを得ることができる。
　なお、第１のベース基板３および第２のベース基板４の材料、形状の組み合わせと、第１の弾性波共振子（第１の電極）および第２の弾性波共振子（第２の電極）の形状の組み合わせとは上記の具体例に限定されるものではない。すなわち、第１、第２の弾性波共振子それぞれが、周波数特性に応じて最適な構成を備えるように形成されていればよい。
　以上のように、この実施形態では、通過帯域ＰＢよりも低周波側の第１の通過阻止帯域ＲＢ１に共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方を有する第１の弾性波共振子により第１の通過阻止帯域ＲＢ１に第１の減衰極が形成されるので、バンドパスフィルタ１００の低周波側の減衰特性をより急峻に設定することができる。また、通過帯域ＰＢよりも高周波側の第２の通過阻止帯域ＲＢ２に共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方を有する第２の弾性波共振子により第２の通過阻止帯域ＲＢ２に第２の減衰極が形成されるので、バンドパスフィルタ１００の高周波側の減衰特性をより急峻に設定することができる。
　また、第１のベース基板３と第２のベース基板４において、材料または電気機械結合係数が互いに異なる、および、第１の電極と第２の電極の形状が互いに異なるので、次のような効果を奏することができる。すなわち、第１の弾性波共振子をその周波数特性に最適な第１のベース基板３の種類および第１の電極の構成で形成することができ、第２の弾性波共振子をその周波数特性に最適な第２のベース基板４の種類および第２の電極の構成で形成することができる。
　そのため、それぞれ周波数特性が異なる第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子が、第１のベース基板３と第２のベース基板４において、材料または電気機械結合係数が同じであって、第１の電極と第２の電極の形状が同じである場合と比較すると、第１の弾性波共振子により形成される第１の減衰極および第２の弾性波共振子により形成される第２の減衰極をより急峻に形成することができる。したがって、減衰特性の改善がさらに図られたバンドパスフィルタ１００を提供することができる。
　通過帯域外の高域側をＳＭＲ型ＢＡＷ共振子または圧電薄膜共振子とし、通過帯域外の低域側をＳＡＷ共振子にした場合、小型化が可能となり、減衰特性が向上する。
　通過帯域外の高域側に減衰極を有する第２の共振子を、ＳｉＯ２からなる誘電体層で覆ったＩＤＴ電極が設けられたニオブ酸リチウム圧電基板とし、通過帯域外の低域側をタンタル酸リチウム圧電基板にした場合、温度特性が向上する。
　また、弾性波共振子のみによりバンドパスフィルタを構成すると、集中定数型のインダクタやキャパシタを使用したＬＣフィルタと比較すると通過帯域における挿入損失が大きくなるという問題がある。しかしながら、上記したように、ＬＣフィルタの一部のキャパシタが弾性波共振子に置換されてバンドパスフィルタ１００が構成されることにより、通過特性（挿入損失）および減衰特性の両方を改善することができる。
　また、ＬＣハイパスフィルタ１０１とＬＣローパスフィルタ１０２とが直列接続されてバンドパスフィルタ１００が形成されているので、バンドパスフィルタ１００の通過帯域ＰＢをより広帯域に設定することができる。
　また、ＬＣハイパスフィルタ１０１の第１の弾性波共振子により第１の通過阻止帯域ＲＢ１と通過帯域ＰＢとの境界付近に第１の減衰極が形成される。そして、第１の減衰極よりも低周波側における減衰特性が、ＬＣハイパスフィルタ１０１の第１のインダクタおよび第１のキャパシタにより設定されるため、第１の減衰極よりも低周波側における減衰特性の劣化を抑制することができる。
　また、ＬＣローパスフィルタ１０２の第２の弾性波共振子により第２の通過阻止帯域ＲＢ２と通過帯域ＰＢとの境界付近に第２の減衰極が形成される。そして、第２の減衰極よりも高周波側における減衰特性が、ＬＣローパスフィルタ１０２の第２のインダクタおよび第２のキャパシタにより設定されるため、第２の減衰極よりも高周波側における減衰特性の劣化を抑制することができる。
　したがって、減衰特性の改善が図られたバンドパスフィルタ１００を備えるフィルタモジュール１を提供することができる。
　ところで、共振・反共振周波数の高周波信号が入力されると、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子は励振する。そして、入力される高周波信号の電力が大きくなると第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子の励振の振幅が大きくなる。このため、共振・反共振周波数を通過帯域ＰＢに有する弾性波共振子により形成された従来の弾性波フィルタでは、励振の振幅が大きくなることにより弾性波共振子の電極が破壊するおそれがあるため、弾性波フィルタに入力される通過帯域ＰＢの高周波信号の電力が約１～２Ｗ（約３０～３３ｄＢｍ）程度の大きさに抑制されていた。
　一方、上記の実施形態では、第１の弾性波共振子の共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方は、通過帯域よりも低周波側の第１の通過阻止帯域ＲＢ１内に位置する第１の減衰極であって、前記第２の弾性波共振子の共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方は、通過帯域よりも高周波側の第２の通過阻止帯域ＲＢ２内に位置する第２の減衰極である。図４に示すように、共振周波数よりも低い周波数、反共振周波数よりも高い周波数では、第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子は励振せず、容量性の素子として機能する。そのため、従来の構成と比較すると、通過帯域ＰＢに高電力の高周波信号が入力されても、各第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子が励振するのが抑制されるので、各第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子の電極が破壊するのを防止することができる。したがって、高電力の高周波信号の入力特性を向上することができ、例えば、約５Ｗ（約３７ｄＢｍ）以上の大きさの入力電力に対する耐電力性を向上させることができる。
　また、第１の弾性波共振子それぞれの共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方は、通過帯域よりも低周波側の第１の通過阻止帯域ＲＢ１内に位置する第１の減衰極であって、第２の弾性波共振子それぞれの共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方は、通過帯域よりも高周波側の第２の通過阻止帯域ＲＢ２内に位置する第２の減衰極であることで、次のような効果を奏することができる。すなわち、通過帯域ＰＢの低周波側の第１の通過阻止帯域ＲＢ１に各第１の弾性波共振子それぞれの反共振周波数により減衰極が形成される。そのため、共振周波数は反共振周波数よりも低い周波数であるので、各第１の弾性波共振子それぞれの共振周波数が通過帯域ＰＢと重なることがない。
　また、通過帯域ＰＢの高周波側の第２の通過阻止帯域ＲＢ２に各第２の弾性波共振子それぞれの共振周波数により減衰極が形成される。そのため、反共振周波数は共振周波数よりも高い周波数であるので、各第２の弾性波共振子それぞれの反共振周波数が通過帯域ＰＢと重なることがない。したがって、各第１の弾性波共振子および第２の弾性波共振子それぞれの共振・反共振周波数が通過帯域ＰＢと重なることがないので、さらに効果的に高電力の入力信号に耐えることができるバンドパスフィルタ１００を形成することができる。
　＜第２実施形態＞
　次に、図８を参照して本発明の第２実施形態について説明する。図８は本発明の第２実施形態にかかるバンドパスフィルタを示す回路図である。なお、上記の第１実施形態と同様の構成については、同一符号を引用することによりその構成の説明を省略する。
　この実施形態のバンドパスフィルタ３００は、図８に示すように、入力端子Ａ３１と出力端子Ｂ３１とを接続する経路Ｗ３１に直列接続された第３のキャパシタＣ３１～Ｃ３３と、経路Ｗ３１とグランド電位との間に接続された２つのＬＣ並列共振回路３０１，３０２とを備えている。また、入力端子Ａ３１と出力端子Ｂ３１に入出力用のキャパシタがさらに付加されていてもよい。
　また、ＬＣ並列共振回路３０１は、低周波側の第１の通過阻止帯域ＲＢ１に第１の減衰極を形成するために共振回路用キャパシタが第１の弾性波共振子Ｐ３２に置換され、共振回路用インダクタＬ３２と第１の弾性波共振子Ｐ３２とにより形成されている。また、ＬＣ並列共振回路３０２は、高周波側の第２の通過阻止帯域ＲＢ２に第２の減衰極を形成するために共振回路用キャパシタが第２の弾性波共振子Ｐ３１に置換され、共振回路用インダクタＬ３１と第２の弾性波共振子Ｐ３１とにより形成されている。
　このように、入力端子Ａ３１と出力端子Ｂ３１とを接続する経路Ｗ３１に弾性波共振子を直列接続しないことにより、通過帯域ＰＢにおける挿入損失を低減することができる。
　＜第３実施形態＞
　次に、図９および図１０を参照して本発明の第３実施形態について説明する。図９は本発明の第３実施形態にかかるバンドパスフィルタを示す回路図、図１０は図９のバンドパスフィルタの通過特性を示す図である。なお、上記の第１実施形態と同様の構成については、同一符号を引用することによりその構成の説明を省略する。
　この実施形態のバンドパスフィルタ４００は、図９に示すように、入力端子Ａ４１と出力端子Ｂ４１とを接続する経路Ｗ４１に直列接続された複数の第１の弾性波共振子Ｓ４１～Ｓ４４と、経路Ｗ４１とグランド電位との間に接続された複数の第２の弾性波共振子Ｐ４１～Ｐ４６とを備えている。また、各第１の弾性波共振子Ｓ４１～Ｓ４４それぞれに、特性調整用のインダクタＬ４１～Ｌ４４が並列接続され、各第２の弾性波共振子Ｐ４１～Ｐ４６それぞれに、特性調整用のインダクタＬ４５～Ｌ４９、Ｌ４０が直列接続されている。また、入力端子Ａ４１に入出力用のキャパシタＣ４１が付加されている。出力端子Ｂ４１に入出力用のキャパシタＣ４２が付加されている。
　また、図１０に示すように、直列腕の各第１の弾性波共振子は、第１の通過阻止帯域ＲＢ１の通過帯域ＰＢとの境界付近である帯域ＡＰＬに反共振周波数を有するように形成されている。そして、複数の第１の弾性波共振子それぞれの反共振周波数を異なる値にすることで、図３に示すように、帯域ＡＰＬに第１の減衰極群を形成することができる。このように第１の減衰極群を形成することで、第１の通過阻止帯域ＲＢ１の通過帯域ＰＢ近傍において所望の減衰特性を持つ帯域を形成することができる。
　また、図１０に示すように、並列腕の各第２の弾性波共振子は、第２の通過阻止帯域ＲＢ２の通過帯域ＰＢとの境界付近である帯域ＡＰＨに共振周波数を有するように形成されている。そして、複数の第２の弾性波共振子それぞれの共振周波数を異なる値にすることで帯域ＡＰＨに第２の減衰極群を形成することができる。このように第２の減衰極群を形成することで、第２の通過阻止帯域ＲＢ２の通過帯域ＰＢ近傍において所望の減衰特性を持つ帯域を形成することができる。
　以上のように、通過帯域ＰＢに共振・反共振周波数が重なっていないため、通過帯域ＰＢの高電力の信号入力に対する耐性を向上させることができる。また、通過帯域ＰＢの低周波側近傍の第１の減衰極群が、各第１の弾性波共振子それぞれの反共振周波数により形成され、通過帯域ＰＢの高周波側近傍の第２の減衰極群が、第２の弾性共振子それぞれの共振周波数により形成されるので、急峻性に優れたバンドパスフィルタ４００を提供することができる。
　なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、上記の各実施形態が備える構成をどのように組み合わせてもよい。また、バンドパスフィルタの構成は上記の例に限定されるものではなく、低周波側の第１の通過阻止帯域ＲＢ１に第１の減衰極を形成するための第１の弾性波共振子と、高周波側の第２の通過阻止帯域ＲＢ２に第２の減衰極を形成するための第２の弾性波共振子とを利用することができる回路構成を備えるバンドパスフィルタであれば、バンドパスフィルタはどのように構成されていてもよい。
　また、図８に示すバンドパスフィルタ３００において、経路Ｗ３１に直列接続された第３のキャパシタＣ３１～Ｃ３３や減衰特性調整用、入出力用のキャパシタのうちの少なくとも１つが、低周波側の第１の通過阻止帯域ＲＢ１に第１の減衰極を形成するために第１の弾性波共振子により形成（置換）されていてもよい。また、経路Ｗ３１に減衰特性調整用のインダクタがさらに直列接続されていてもよい。
　また、第１のベース基板３および第２のベース基板４は、所謂、ＷＬ－ＣＳＰ（ウェハレベルーチップサイズパッケージ）構造に形成されていてもよいし、それぞれ共振子が形成された第１、第２のベース基板３，４がパッケージ基板に実装されたＣＳＰ（チップサイズパッケージ）構造に形成されていてもよい。
　また、通過帯域ＰＢの低周波側の第１の通過阻止帯域ＲＢ１に第１の減衰極を形成するための第１の弾性波共振子が、入力端子と出力端子とを接続する経路のみに直列接続され、通過帯域ＰＢの高周波側の第２の通過阻止帯域ＲＢ２に第２の減衰極を形成するための第２の弾性波共振子が、入力端子と出力端子とを接続する経路とグランド電位との間のみに接続されているとよい。このようにすると、さらに効果的に入力電力特性を向上させることができる。
　所定の通過帯域が設定されたバンドパスフィルタおよびこのフィルタを備えるフィルタモジュールに本発明を広く適用することができる。
　１　　フィルタモジュール
　２　　モジュール基板
　３　　第１のベース基板
　４　　第２のベース基板
　１００、３００、４００　　バンドパスフィルタ
　１０１、２０１　　ＬＣハイパスフィルタ
　１０２、２０２　　ＬＣローパスフィルタ
　３０１、３０２　　ＬＣ並列共振回路
　Ａ、Ａ３１、Ａ４１　　入力端子
　Ａ１、Ａ１１　　第１の入力端子
　Ａ２、Ａ２２　　第２の入力端子
　Ｂ、Ｂ３１、Ｂ４１　　出力端子
　Ｂ１、Ｂ１１　　第１の出力端子
　Ｂ２、Ｂ２２　　第２の出力端子
　Ｃ１１～Ｃ１４、Ｃ５１、Ｃ５２　　第１のキャパシタ
　Ｃ２１、Ｃ２２、Ｃ２３　　第２のキャパシタ
　Ｃ３１、Ｃ３２、Ｃ３３　　第３のキャパシタ
　Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３　　第１のインダクタ
　Ｌ１０、Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ２１、Ｌ２２　　第２のインダクタ
　Ｓ１～Ｓ５、Ｐ１～Ｐ３、Ｐ３２、Ｓ４１～Ｓ４４　　第１の弾性波共振子（第１のキャパシタ）
　Ｐ４～Ｐ８、Ｐ３１、Ｐ４１～Ｐ４６　　第２の弾性波共振子（第２のキャパシタ）
　ＰＢ　　通過帯域
　ＲＢ１　　第１の通過阻止帯域
　ＲＢ２　　第２の通過阻止帯域
　Ｗ、Ｗ３１、Ｗ４１　　経路
　Ｗ１、Ｗ１１　　第１の経路
　Ｗ２、Ｗ２２　　第２の経路

Claims (15)

  1. 　インダクタとキャパシタとを含むＬＣフィルタと、
    　共振周波数と反共振周波数とを有する第１の弾性波共振子と、
    　共振周波数と反共振周波数とを有する第２の弾性波共振子とを備える
    　所定の通過帯域が設定されたバンドパスフィルタにおいて、
    　前記第１の弾性波共振子の共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方は、前記通過帯域よりも低周波側の第１の通過阻止帯域内に位置する第１の減衰極であって、
    　前記第２の弾性波共振子の共振周波数および反共振周波数の少なくとも一方は、前記通過帯域よりも高周波側の第２の通過阻止帯域内に位置する第２の減衰極であって、
    　前記第１の弾性波共振子は、第１の電極及び前記第１の電極が形成された圧電性を有する第１のベース基板を含み、
    　前記第２の弾性波共振子は、第２の電極及び前記第２の電極が形成された圧電性を有する第２のベース基板を含み、
    　前記第１のベース基板の種類と前記第２のベース基板の種類とが互いに異なる、および／または、前記第１の電極の構成と前記第２の電極の構成とが互いに異なることを特徴とするバンドパスフィルタ。
  2. 　前記第１のベース基板と前記第２のベース基板とは、材料もしくは電気機械結合係数が互いに異なる、または、前記第１の電極と前記第２の電極の形状が互いに異なることを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
  3. 　前記第１の弾性波共振子と、前記ＬＣフィルタの前記インダクタに含まれる第１のインダクタと、前記ＬＣフィルタの前記キャパシタに含まれる第１のキャパシタとによって、前記第１の通過阻止帯域を有するＬＣハイパスフィルタが構成されており、
    　前記第２の弾性波共振子と、前記ＬＣフィルタの前記インダクタに含まれる第２のインダクタと、前記ＬＣフィルタの前記キャパシタに含まれる第２のキャパシタとによって、前記第２の通過阻止帯域を有するＬＣローパスフィルタが構成されており、
    　前記第１の通過阻止帯域の前記第１の減衰極よりも低周波側における減衰特性が前記第１のインダクタおよび前記第１のキャパシタにより設定され、
    　第２の通過阻止帯域の前記第２の減衰極よりも高周波側における減衰特性が前記第２のインダクタおよび前記第２のキャパシタにより設定され、
    　前記ＬＣハイパスフィルタおよび前記ＬＣローパスフィルタが直列接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載のバンドパスフィルタ。
  4. 　前記ＬＣハイパスフィルタは、
    　第１の入力端子と、
    　第１の出力端子と、
    　前記第１の入力端子と前記第１の出力端子とを接続する第１の経路内に直列接続された複数の前記第１のキャパシタと、前記第１の経路とグランド電位との間に接続された少なくとも１つの前記第１のインダクタとを備え、
    　前記第１の弾性波共振子の共振周波数より低域側および反共振周波数より高域側において、前記第１の弾性波共振子の容量性によって少なくとも１つの前記第１のキャパシタが形成されている
    　ことを特徴とする請求項３に記載のバンドパスフィルタ。
  5. 　前記ＬＣローパスフィルタは、
    　第２の入力端子と、
    　第２の出力端子と、
    　前記第２の入力端子と前記第２の出力端子とを接続する第２の経路内に直列接続された複数の前記第２のインダクタと、前記第２の経路とグランド電位との間に接続された少なくとも１つの前記第２のキャパシタとを備え、
    　前記第２の弾性波共振子の共振周波数より低域側および反共振周波数より高域側において、前記第２の弾性波共振子の容量性によって少なくとも１つの前記第２のキャパシタが前記第２の弾性波共振子により形成されている
    　ことを特徴とする請求項３または４に記載のバンドパスフィルタ。
  6. 　入力端子と、
    　出力端子と、
    　前記入力端子と前記出力端子とを接続する経路内に直列接続された複数の第３のキャパシタと、前記経路とグランド電位との間に接続されたＬＣ並列共振回路とを備え、
    　少なくとも１つの前記第３のキャパシタが前記第１の弾性波共振子の容量性により形成され、または、前記ＬＣ並列共振回路を構成する少なくとも１つの共振回路用キャパシタが前記第１の弾性波共振子または前記第２の弾性波共振子の容量性により形成されている
    　ことを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
  7. 　前記経路内に前記第１の弾性波共振子および前記第２の弾性波共振子が直列接続されていないことを特徴とする請求項６に記載のバンドパスフィルタ。
  8. 　入力端子と、
    　出力端子と、
    　前記入力端子と前記出力端子とを接続する経路内に直列接続された複数の第１の弾性波共振子と、
    　前記経路とグランド電位との間に接続された複数の第２の弾性波共振子とを備える
    　ことを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
  9. 　前記複数の第１の弾性波共振子の前記反共振周波数が前記第１の減衰極であって、
    　前記複数の第２の弾性波共振子の前記共振周波数が前記第２の減衰極である
    　ことを特徴とする請求項８に記載のバンドパスフィルタ。
  10. 　前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子は圧電薄膜共振子またはＳＭＲ型ＢＡＷ共振子であることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  11. 　前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第１ベース基板はタンタル酸リチウム圧電基板であって、前記第２ベース基板はニオブ酸リチウム圧電基板であることを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  12. 　前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第１のベース基板のカット角と前記第２のベース基板のカット角とが異なることを特徴とする請求項１～１１のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  13. 　前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第１の弾性波共振子を構成するＳＡＷ共振子の電極構造と前記第２の弾性波共振子を構成するＳＡＷ共振子の電極構造とが異なることを特徴とする請求項１～１２のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  14. 　前記第１の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第２の弾性波共振子はＳＡＷ共振子であって、前記第１の弾性波共振子を構成するＳＡＷ共振子の電極膜厚と前記第２の弾性波共振子を構成するＳＡＷ共振子の電極膜厚とが異なることを特徴とする請求項１～１３のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  15. 　請求項１ないし１４のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタを備えるフィルタモジュールにおいて、
    　前記第１のベース基板および前記第２のベース基板が実装されるためのモジュール基板を備えることを特徴とするフィルタモジュール。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017217197A1 (ja) * 2016-06-14 2017-12-21 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2018112921A1 (zh) * 2016-12-23 2018-06-28 华为技术有限公司 滤波器和用于调节滤波器性能的方法
CN109286387A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 株式会社村田制作所 高频滤波器、多路复用器、高频前置电路以及通信装置
WO2019064990A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP2020014206A (ja) * 2018-07-18 2020-01-23 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 高調波抑制を備えたハイブリッド弾性ｌｃフィルタ
JP2021500838A (ja) * 2017-10-24 2021-01-07 アールエフ３６０・ヨーロップ・ゲーエムベーハー Ｒｆフィルタおよびｒｆフィルタを設計する方法
US10931261B2 (en) 2018-06-29 2021-02-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter and multiplexer
US11190163B2 (en) 2018-11-29 2021-11-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device and multiplexer
WO2022186021A1 (ja) * 2021-03-02 2022-09-09 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US11509290B2 (en) 2018-07-18 2022-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter and multiplexer
JP2023012494A (ja) * 2019-03-12 2023-01-25 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション 高電力両面薄膜フィルタ
US11595014B2 (en) 2018-12-28 2023-02-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter circuit and filter device

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5668852B2 (ja) * 2011-06-23 2015-02-12 株式会社村田製作所 分波器
JP6708258B2 (ja) * 2016-09-07 2020-06-10 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及び複合フィルタ装置
CN107689782B (zh) * 2017-09-21 2024-03-22 天津光电通信技术有限公司 一种抑制二次谐波的滤波器
JP6950751B2 (ja) * 2018-01-12 2021-10-13 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
CN111684718B (zh) * 2018-02-05 2023-07-25 株式会社村田制作所 滤波器装置、高频前端电路及通信装置
DE102018103549B4 (de) * 2018-02-16 2020-12-24 RF360 Europe GmbH HF-Bandpassfilter, Filterkomponente und Duplexer
DE102018103642A1 (de) * 2018-02-19 2019-08-22 RF360 Europe GmbH Electronic RF Filter
DE102018111428A1 (de) 2018-05-14 2019-11-14 RF360 Europe GmbH Hochfrequenz-Multiplexer
CN108512526B (zh) * 2018-06-04 2019-10-11 安徽安努奇科技有限公司 带通滤波电路和多工器
KR20200060429A (ko) * 2018-06-04 2020-05-29 안후이 아누키 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 밴드패스 필터링 회로 및 멀티플렉서
JP7341641B2 (ja) * 2018-08-24 2023-09-11 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
CN114026786A (zh) * 2019-08-09 2022-02-08 阿库斯蒂斯有限公司 包括带阻谐振器的baw谐振器滤波器
CN110768641A (zh) * 2019-10-11 2020-02-07 天津大学 一种滤波电路及提高滤波电路性能的方法和信号处理设备
CN111211752B (zh) * 2020-02-26 2021-04-16 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器及其制造方法、多工器和通信设备
CN112787623B (zh) * 2020-12-28 2022-02-22 天通瑞宏科技有限公司 声表面波滤波器
KR20220112936A (ko) * 2021-02-05 2022-08-12 (주)와이솔 멀티플렉서
CN113644892B (zh) * 2021-06-30 2024-04-16 中国电子科技集团公司第十三研究所 带通滤波器
KR20230037857A (ko) * 2021-09-10 2023-03-17 삼성전기주식회사 음향 공진기 패키지
CN114050802A (zh) * 2021-11-09 2022-02-15 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种lc带通滤波器
CN116260417B (zh) * 2023-05-16 2023-07-11 成都频岢微电子有限公司 一种单谐振器滤波器、多谐振器滤波器和射频前端模组
CN118017970A (zh) * 2024-03-14 2024-05-10 杭州树芯电子科技有限公司 一种大带宽高陡降边带的压电声波谐振器与无源微波器件集成的混合滤波器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07283688A (ja) * 1994-04-07 1995-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルター
JPH0998056A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JP2002319836A (ja) * 2001-04-24 2002-10-31 Alps Electric Co Ltd ラダー型フィルタ
JP2006074749A (ja) * 2004-08-04 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ共用器、ならびに、それを用いた高周波モジュールおよび通信機器
WO2007023643A1 (ja) * 2005-08-23 2007-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタ
JP2008078981A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波共振器およびこれを用いた弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器
WO2013128636A1 (ja) * 2012-03-02 2013-09-06 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3219670B2 (ja) 1995-12-22 2001-10-15 東光株式会社 積層ｌｃバンドパスフィルタ
US7446629B2 (en) 2004-08-04 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same
WO2007094368A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器
JP5653161B2 (ja) * 2010-10-18 2015-01-14 太陽誘電株式会社 分波器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07283688A (ja) * 1994-04-07 1995-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルター
JPH0998056A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JP2002319836A (ja) * 2001-04-24 2002-10-31 Alps Electric Co Ltd ラダー型フィルタ
JP2006074749A (ja) * 2004-08-04 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ共用器、ならびに、それを用いた高周波モジュールおよび通信機器
WO2007023643A1 (ja) * 2005-08-23 2007-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタ
JP2008078981A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波共振器およびこれを用いた弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器
WO2013128636A1 (ja) * 2012-03-02 2013-09-06 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10637439B2 (en) 2016-06-14 2020-04-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
KR20190002698A (ko) * 2016-06-14 2019-01-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 멀티플렉서, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
US11336261B2 (en) 2016-06-14 2022-05-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
WO2017217197A1 (ja) * 2016-06-14 2017-12-21 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
JPWO2017217197A1 (ja) * 2016-06-14 2019-03-22 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
US10972073B2 (en) 2016-06-14 2021-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
KR102134087B1 (ko) * 2016-06-14 2020-07-14 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 멀티플렉서, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
WO2018112921A1 (zh) * 2016-12-23 2018-06-28 华为技术有限公司 滤波器和用于调节滤波器性能的方法
CN109286387A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 株式会社村田制作所 高频滤波器、多路复用器、高频前置电路以及通信装置
JP2019024155A (ja) * 2017-07-21 2019-02-14 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
US12199657B2 (en) 2017-09-29 2025-01-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency filter, multiplexer, high frequency front-end circuit, and communication device
WO2019064990A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
US11101839B2 (en) 2017-09-29 2021-08-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency filter, multiplexer, high frequency front-end circuit, and communication device
JP2021500838A (ja) * 2017-10-24 2021-01-07 アールエフ３６０・ヨーロップ・ゲーエムベーハー Ｒｆフィルタおよびｒｆフィルタを設計する方法
US10931261B2 (en) 2018-06-29 2021-02-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter and multiplexer
US11799439B2 (en) 2018-07-18 2023-10-24 Skyworks Solutions, Inc. Parallel hybrid acoustic passive filter
US11509290B2 (en) 2018-07-18 2022-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter and multiplexer
US11791793B2 (en) 2018-07-18 2023-10-17 Skyworks Solutions, Inc. Hybrid acoustic LC filter with harmonic suppression
JP2024119890A (ja) * 2018-07-18 2024-09-03 スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド 高調波抑制を備えたカスケード接続フィルタ、マルチプレクサ、及び無線通信デバイス
JP2020014206A (ja) * 2018-07-18 2020-01-23 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 高調波抑制を備えたハイブリッド弾性ｌｃフィルタ
US12470194B2 (en) 2018-07-18 2025-11-11 Skyworks Solutions, Inc. Parallel hybrid acoustic passive filter
US11190163B2 (en) 2018-11-29 2021-11-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device and multiplexer
US12199589B2 (en) 2018-11-29 2025-01-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device and multiplexer
US11595014B2 (en) 2018-12-28 2023-02-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter circuit and filter device
JP2023012494A (ja) * 2019-03-12 2023-01-25 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション 高電力両面薄膜フィルタ
JP7534369B2 (ja) 2019-03-12 2024-08-14 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション 高電力両面薄膜フィルタ
WO2022186021A1 (ja) * 2021-03-02 2022-09-09 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US12445111B2 (en) 2021-03-02 2025-10-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency module and communication device

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