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WO2015137384A1 - アニリン誘導体およびその利用 - Google Patents

アニリン誘導体およびその利用 Download PDF

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WO2015137384A1
WO2015137384A1 PCT/JP2015/057121 JP2015057121W WO2015137384A1 WO 2015137384 A1 WO2015137384 A1 WO 2015137384A1 JP 2015057121 W JP2015057121 W JP 2015057121W WO 2015137384 A1 WO2015137384 A1 WO 2015137384A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
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group
charge transporting
bis
carbon atoms
aniline derivative
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/057121
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English (en)
French (fr)
Inventor
直樹 中家
太一 中澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
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Priority to JP2016507784A priority patent/JP6601390B2/ja
Priority to CN201580013963.8A priority patent/CN106103411B/zh
Priority to US15/125,853 priority patent/US20170012213A1/en
Priority to EP15761771.3A priority patent/EP3118190A4/en
Publication of WO2015137384A1 publication Critical patent/WO2015137384A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
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    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
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    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating

Definitions

  • the present invention relates to an aniline derivative and use thereof.
  • organic electroluminescence element In an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element, a charge transporting thin film made of an organic compound is used as a light emitting layer or a charge injection layer.
  • the hole injection layer is responsible for charge transfer between the anode and the hole transport layer or the light emitting layer, and plays an important function to achieve low voltage driving and high luminance of the organic EL element.
  • the method of forming the hole injection layer is roughly divided into a dry process typified by vapor deposition and a wet process typified by spin coating. Compared with these processes, the wet process is flatter in a larger area. A highly efficient thin film can be produced efficiently.
  • An object of the present invention is to provide an aniline derivative capable of realizing an EL element.
  • the present inventors have found that a predetermined aniline derivative that cannot adopt a quinonedimine structure has excellent solubility in an organic solvent, and dissolves it in an organic solvent. It was found that a thin film exhibiting high charge transportability can be obtained from the varnish prepared in the above, and that a high-luminance device can be obtained when the thin film is applied to a hole injection layer of an organic EL device. Completed.
  • Ar 1 represents, independently of each other, any group represented by formulas (A1) to (A14), m and n each independently represent an integer of 0 to 5.
  • a charge transport material comprising any one of aniline derivatives 1 to 5; 7).
  • a charge transporting material comprising 6 charge transporting substances, 8).
  • a charge transporting varnish comprising 6 charge transporting substances and an organic solvent; 9.
  • charge transporting varnishes further comprising a dopant material, 10. 9 charge transporting varnishes wherein the dopant material comprises a halotetracyanoquinodimethane compound; 11. 10 charge transporting varnishes, wherein the dopant material further comprises a heteropolyacid, 12 A charge transporting thin film produced using any of the charge transporting varnishes of 8 to 11, 13. An electronic device having 12 charge transporting thin films; 14 An organic electroluminescence device having 12 charge transporting thin films; 15. A method for producing a charge-transporting thin film, comprising applying a charge-transporting varnish of any one of 8 to 11 onto a substrate and evaporating the solvent; 16.
  • the aniline derivative of the present invention is easily soluble in an organic solvent, and the charge transporting varnish can be easily prepared by dissolving it in an organic solvent together with a dopant. Since the thin film produced from the charge transport varnish of the present invention exhibits high charge transport properties, it can be suitably used as a thin film for electronic devices including organic EL elements. In particular, by applying this thin film to a hole injection layer of an organic EL element, an organic EL element having excellent luminance characteristics can be obtained.
  • the charge transporting varnish of the present invention can produce a thin film excellent in charge transporting properties with good reproducibility even when using various wet processes capable of forming a large area such as a spin coating method and a slit coating method, It can sufficiently cope with recent progress in the field of organic EL elements.
  • the aniline derivative according to the present invention is represented by the formula (1).
  • X represents S, O, CH 2 or NCH 3 , preferably S, O or NCH 3 .
  • Ph 1 represents a group represented by the formula (P1) independently of each other.
  • R 1 to R 4 are independently of each other a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a carbon number of 2 Represents an alkenyl group having 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2-20 carbon atoms, an aryl group having 6-20 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2-20 carbon atoms.
  • halogen atom examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic.
  • alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include ethenyl group, n-1-propenyl group, n-2-propenyl group, 1-methylethenyl group, n-1-butenyl group, n-2-butenyl group, n-3-butenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, 1-ethylethenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, n- Examples thereof include a 1-pentenyl group, an n-1-decenyl group, and an n-1-eicosenyl group.
  • alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms examples include ethynyl group, n-1-propynyl group, n-2-propynyl group, n-1-butynyl group, n-2-butynyl group, and n-3-butynyl.
  • aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group. Group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group and the like.
  • heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms examples include 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-furanyl group, 3-furanyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 3-isoxazolyl group, 4-isoxazolyl group, 5-isoxazolyl group, 2-thiazolyl group, 4-thiazolyl group, 5-thiazolyl group, 3-isothiazolyl group, 4-isothiazolyl group, 5-isothiazolyl group, 2-imidazolyl group, Examples include 4-imidazolyl group, 2-pyridyl group, 3-pyridyl group, 4-pyridyl group, and the like.
  • R 1 to R 4 are each a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms that may be substituted with a halogen atom, or a carbon number that may be substituted with a halogen atom.
  • An aryl group of ⁇ 20 and a heteroaryl group of 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom are preferred, and a carbon number of 1 to 10 which may be substituted with a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group or a halogen atom
  • a phenyl group which may be substituted with an alkyl group or a halogen atom is more preferred
  • a hydrogen atom or a fluorine atom is still more preferred
  • a hydrogen atom is most preferred.
  • Ar 1 in the above formula (1) independently represents any group represented by the formulas (A1) to (A14).
  • any group represented by the formulas (A1) to (A12) is preferable from the viewpoint of improving the solubility of the compound in an organic solvent and the charge transportability of the obtained thin film, and the formula (A1)
  • Any of the groups represented by (A3), (A5) to (A7), and (A10) to (A12) is more preferred, and the groups represented by formulas (A1), (A5), and (A10) to (A12) Is more preferable, and any one of the groups represented by formulas (A1) and (A5) is more preferable.
  • M and n in the above formula (1) each independently represent an integer of 0 to 5, preferably 0 to 3, more preferably 0 or 1, from the viewpoint of increasing the solubility of the compound in an organic solvent.
  • 0 or 1 is more preferable, and from the viewpoint of easy availability of the raw material compound, 0 is optimal for both.
  • Ar 1 is preferably all the same group, and Ph 1 is preferably all the same group.
  • the carbon number of the alkyl group, alkenyl group, and alkynyl group is preferably 10 or less, more preferably 6 or less, and even more preferably 4 or less.
  • the carbon number of the aryl group and heteroaryl group is preferably 14 or less, more preferably 10 or less, and even more preferably 6 or less.
  • the aniline derivative represented by the formula (1) of the present invention can be produced by reacting an amine compound represented by the formula (2) and an aryl compound represented by the formula (3) in the presence of a catalyst.
  • Z represents a halogen atom or a pseudohalogen group
  • X, Ar 1 , Ph 1 , m, and n have the same meaning as described above.
  • Examples of the halogen atom are the same as described above.
  • Examples of pseudohalogen groups include (fluoro) alkylsulfonyloxy groups such as methanesulfonyloxy group, trifluoromethanesulfonyloxy group, and nonafluorobutanesulfonyloxy group; aromatic sulfonyloxy groups such as benzenesulfonyloxy group and toluenesulfonyloxy group Is mentioned.
  • the charging ratio of the amine compound represented by the formula (2) and the aryl compound represented by the formula (3) can make the aryl compound equal to or greater than the amount of all NH groups in the amine compound. Is preferably about 1 to 1.2 equivalents.
  • Examples of the catalyst used in the above reaction include copper catalysts such as copper chloride, copper bromide, copper iodide; Pd (PPh 3 ) 4 (tetrakis (triphenylphosphine) palladium), Pd (PPh 3 ) 2 Cl 2. (Bis (triphenylphosphine) dichloropalladium), Pd (dba) 2 (bis (benzylideneacetone) palladium), Pd 2 (dba) 3 (tris (benzylideneacetone) dipalladium), Pd (Pt-Bu 3 ) 2 Palladium catalyst such as (bis (tri-t-butylphosphine) palladium). These catalysts may be used alone or in combination of two or more. These catalysts may be used together with a known appropriate ligand.
  • copper catalysts such as copper chloride, copper bromide, copper iodide
  • Pd (PPh 3 ) 4 tetrakis (triphenylphosphin
  • the amount of the catalyst used can be about 0.2 mol with respect to 1 mol of the aryl compound represented by the formula (3), but about 0.15 mol is preferable.
  • the amount used can be 0.1 to 5 equivalents relative to the metal complex to be used, but 1 to 2 equivalents is preferred.
  • the above reactions may be performed in a solvent.
  • a solvent the type is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction.
  • Specific examples include aliphatic hydrocarbons (pentane, n-hexane, n-octane, n-decane, decalin, etc.), halogenated aliphatic hydrocarbons (chloroform, dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, etc.), aromatic Group hydrocarbons (benzene, nitrobenzene, toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, etc.), halogenated aromatic hydrocarbons (chlorobenzene, bromobenzene, o-dichlorobenzene, m-dichlorobenzene, p-dichlorobenzene, etc.), ethers (diethyl ether, diisopropyl ether
  • the reaction temperature may be appropriately set within the range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used, but is preferably about 0 to 200 ° C, more preferably 20 to 150 ° C.
  • the desired aniline derivative can be obtained by post-treatment according to a conventional method.
  • the charge transporting varnish of the present invention includes a charge transporting substance composed of the aniline derivative represented by the formula (1) and an organic solvent. Depending on the use of the obtained thin film, the charge transporting ability is improved. It may contain a dopant substance for the purpose.
  • the dopant substance is not particularly limited as long as it dissolves in at least one solvent used for the varnish, and any of an inorganic dopant substance and an organic dopant substance can be used.
  • a heteropolyacid is preferable as an inorganic dopant substance.
  • the heteropolyacid has a structure in which a hetero atom is located at the center of a molecule, which is typically represented by a Keggin type represented by the formula (D1) or a Dawson type chemical structure represented by the formula (D2), and vanadium ( V), molybdenum (Mo), tungsten (W), and other polyacids such as isopolyacids that are oxygen acids and oxygenates of different elements are condensed.
  • the oxygen acid of such a different element mainly include silicon (Si), phosphorus (P), and arsenic (As) oxygen acids.
  • heteropolyacids include phosphomolybdic acid, silicomolybdic acid, phosphotungstic acid, silicotungstic acid, and lintongue molybdic acid. These may be used alone or in combination of two or more. Good.
  • the heteropolyacid used by this invention is available as a commercial item, and can also be synthesize
  • the one kind of heteropolyacid is preferably phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid, and phosphotungstic acid is most suitable.
  • one of the two or more types of heteropolyacids is preferably phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid, and more preferably phosphotungstic acid.
  • Heteropolyacids are those obtained as commercially available products or known syntheses even if the number of elements in the quantitative analysis such as elemental analysis is large or small from the structure represented by the general formula As long as it is appropriately synthesized according to the method, it can be used in the present invention.
  • phosphotungstic acid is represented by the chemical formula H 3 (PW 12 O 40 ) ⁇ nH 2 O
  • phosphomolybdic acid is represented by the chemical formula H 3 (PMo 12 O 40 ) ⁇ nH 2 O, respectively.
  • P (phosphorus), O (oxygen), W (tungsten) or Mo (molybdenum) in this formula is large or small, it is obtained as a commercial product.
  • W (tungsten) or Mo (molybdenum) in this formula is large or small, it is obtained as a commercial product.
  • it can be used in the present invention.
  • the mass of the heteropolyacid defined in the present invention is not the mass of pure phosphotungstic acid (phosphotungstic acid content) in the synthesized product or commercially available product, but a commercially available form and a known synthesis. In a form that can be isolated by the method, it means the total mass in a state containing hydration water and other impurities.
  • the heteropolyacid contained in the charge transporting varnish of the present invention can be about 0.01 to 50 in terms of mass ratio with respect to the charge transporting material 1 comprising the aniline derivative of the present invention, but is preferably about 0.00. It is about 1 to 10, more preferably about 1.0 to 5.0.
  • the organic dopant substance is particularly preferably a tetracyanoquinodimethane derivative or a benzoquinone derivative.
  • tetracyanoquinodimethane derivative include 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ) and halotetracyanoquinodimethane represented by the formula (4).
  • benzoquinone derivative examples include tetrafluoro-1,4-benzoquinone (F4BQ), tetrachloro-1,4-benzoquinone (chloranil), tetrabromo-1,4-benzoquinone, 2,3-dichloro-5, And 6-dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ).
  • F4BQ tetrafluoro-1,4-benzoquinone
  • chloranil tetrachloro-1,4-benzoquinone
  • DDQ 6-dicyano-1,4-benzoquinone
  • R 5 to R 8 each independently represent a hydrogen atom or a halogen atom, but at least one is a halogen atom, preferably at least two are halogen atoms, and at least three are halogen atoms. More preferably, all are most preferably halogen atoms.
  • a halogen atom A fluorine atom or a chlorine atom is preferable and a fluorine atom is more preferable.
  • halotetracyanoquinodimethane compound examples include 2-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2-chloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2 , 5-Difluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,5-dichloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,3,5,6-tetrachloro- 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ) and the like.
  • F4TCNQ is optimal.
  • the content of the tetracyanoquinodimethane derivative and the benzoquinone derivative in the charge transporting varnish of the present invention is preferably 0.0001 to 50 equivalents, more preferably 0.001 to 20 equivalents, relative to the aniline derivative of the present invention. More preferably, it is 0.01 to 10 equivalents.
  • the dopant substance in consideration of obtaining a highly charge transporting thin film with good reproducibility and availability of a dopant substance, includes at least one of halotetracyanoquinodimethane and a benzoquinone derivative. And at least one of F4TCNQ and DDQ is more preferably included.
  • halotetracyanoquinodimethane is used as a dopant substance in consideration of obtaining a long-life element with good reproducibility and availability of the dopant substance.
  • At least one of benzoquinone derivatives and a heteropolyacid are preferably included, and at least one of halotetracyanoquinodimethane and benzoquinone derivatives and at least one of phosphotungstic acid and phosphomolybdic acid are more preferably included.
  • the charge transporting varnish of the present invention contains an organosilane compound in consideration of obtaining a long-life device with good reproducibility.
  • organosilane compound include dialkoxysilane compounds, trialkoxysilane compounds, and tetraalkoxysilane compounds, which may be used alone or in combination of two or more.
  • the organic silane compound a dialkoxysilane compound or a trialkoxysilane compound is preferable, and a trialkoxysilane compound is more preferable.
  • alkoxysilane compounds include those represented by the formulas (5) to (7).
  • an alkyl group of Z 1 is 1 carbon atoms which may be ⁇ 20 substituted with an alkenyl group are optionally 2-20 carbon atoms substituted with Z 1
  • an optionally substituted alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms is also hetero Z 2 carbon atoms which may be substituted with 6-20 aryl or carbon atoms and optionally substituted by Z 2 2-20
  • an alkenyl group of Z 3 is 1-2 carbon atoms which may be 20 substituted with, Z 3-substituted-2 carbon atoms which may be 20 alkynyl group, Z 4 with an aryl group which have 6 to carbon atoms which may be 20 substituted or Z 4 2 carbon atoms which may be substituted with ⁇
  • Z 1 represents a heteroaryl group halogen atom, Z 5-substituted of not having 6 to carbon atoms which may be 20 aryl group, or Z 5 is optionally 2-20 carbon atoms substituted with,
  • Z 2 is , halogen atom, optionally substituted by Z 5 in alkyl group having 1 carbon atoms which may be 20 substituted
  • alkenyl group Z 5 is 1-2 carbon atoms which may be 20 substituted by or Z 5
  • An alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms is represented.
  • Z 3 is a heteroaryl group of a halogen atom, Z 5 aryl groups which do carbon atoms 6 to be 20 substituted, Z 5 is 1-2 carbon atoms which may be 20 substituted with an epoxy cyclohexyl group, glycidoxy group Methacryloxy group, acryloxy group, ureido group (—NHCONH 2 ), thiol group, isocyanate group (—NCO), amino group, —NHY 1 group, or —NY 2 Y 3 group, and Z 4 represents a halogen atom, Z 5 in the optionally substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, Z 5-substituted-2 carbon atoms which may be 20 alkenyl group, Z 5 1-2 carbon atoms which may be substituted with 20 alkynyl group, an epoxycyclohexyl group, a glycidoxy group, a methacryloxy group, an acryloxy group, a ureido group (-NHCONH
  • a halogen atom an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and Examples of the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms are the same as those described above.
  • the alkyl group, alkenyl group and alkynyl group preferably have 10 or less carbon atoms, more preferably 6 or less, and still more preferably 4 or less.
  • the carbon number of the aryl group and heteroaryl group is preferably 14 or less, more preferably 10 or less, and even more preferably 6 or less.
  • R represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 1 , or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 2. It is preferred, optionally substituted with Z 1, alkyl group or alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms, or more preferably a phenyl group which may be substituted with Z 2, with Z 2 An optionally substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group optionally substituted with Z 2 is more preferred, and a methyl group or ethyl group optionally substituted with Z 1 is further preferred.
  • an aryl group which may having 6 to 20 carbon atoms substituted with an alkyl group or Z 4 of is 1 carbon atoms which may be ⁇ 20 substituted by Z 3, substituted by Z 3 More preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms which may be substituted with Z 4 , and an alkyl having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with Z 3 group, or more preferably more aryl group Z 4 are carbon atoms 6 also be ⁇ 10 substituted with, be substituted with an alkyl group or Z 4 of Z 3 - 1 carbon atoms which may be substituted with 4 More preferred is a phenyl group.
  • a plurality of R may be all the same or different, and a plurality of R ′ may all be the same or different.
  • Z 1 is preferably a halogen atom or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with Z 5 , more preferably a fluorine atom or a phenyl group which may be substituted with Z 5 , and not present ( That is, it is optimal to be unsubstituted.
  • Z as a 2 a halogen atom or an alkyl group Z 5 are carbon atoms 6 also be ⁇ 20 substituted by preferably, a fluorine atom or Z 5 substituted by - 1 carbon atoms which may be 10 alkyl group More preferably, not present (ie, unsubstituted) is optimal.
  • a halogen atom, Z 5 carbon atoms which may be substituted with 1 to 20 alkyl group, Z 5 in an optionally substituted furanyl group, an epoxycyclohexyl group, a glycidoxy group, a methacryloxy group, acryloxy group, ureido group, a thiol group, an isocyanate group, an amino group, an optionally substituted phenylamino group Z 5 or Z 5 may diphenylamino group are preferable optionally substituted with,, more preferably a halogen atom, It is even more preferable that the fluorine atom or not exist (that is, unsubstituted).
  • Z 5 is preferably a halogen atom, more preferably a fluorine atom or not (that is, unsubstituted).
  • dialkoxysilane compounds include dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methylethyldimethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, methylpropyldimethoxysilane, methylpropyldiethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, and phenylmethyl.
  • Dimethoxysilane vinylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3- (3,4-epoxycyclohexyl) ethylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxy Propylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, ⁇ -aminopropyl Chill diethoxy silane, N- (2- aminoethyl) aminopropyl methyl dimethoxy silane, 3,3,3-trifluoropropyl methyl dimethoxy silane, and the like.
  • trialkoxysilane compounds include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, butyltrimethoxysilane, butyltriethoxysilane, Pentyltrimethoxysilane, pentyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane, hexadecyltriethoxy Silane, octadecyltrimethoxysilane, o
  • tetraalkoxysilane compound examples include tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, tetrapropoxysilane and the like.
  • the content is usually relative to the total mass of the charge transporting material (the charge transporting material and the dopant material when a dopant material is included). Although it is about 0.1 to 50% by mass, the ability to inject holes into a layer that is laminated so as to be in contact with the hole injection layer on the cathode side described above is suppressed while the charge transportability of the obtained thin film is suppressed. In consideration of increasing the amount, it is preferably about 0.5 to 40% by mass, more preferably about 0.8 to 30% by mass, and still more preferably about 1 to 20% by mass.
  • the charge transporting varnish of the present invention may use other known charge transporting materials in addition to the above-described charge transporting material comprising an aniline derivative.
  • the organic solvent used in preparing the charge transporting varnish a highly soluble solvent that can dissolve the charge transporting substance and the dopant substance satisfactorily can be used.
  • highly soluble solvents include cyclohexanone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylisobutyramide, N-methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazo
  • the organic solvent include, but are not limited to, lydinone and diethylene glycol monomethyl ether. These solvents can be used alone or in combination of two or more, and the amount used can be 5 to 100% by mass with respect to the total solvent used in the varnish.
  • the charge transporting substance and the dopant substance are preferably either completely dissolved or uniformly dispersed in the solvent, and more preferably completely dissolved.
  • the varnish has a viscosity of 10 to 200 mPa ⁇ s, particularly 35 to 150 mPa ⁇ s at 25 ° C., and a boiling point of 50 to 300 ° C., particularly 150 to 250 ° C. at normal pressure (atmospheric pressure).
  • a viscosity 10 to 200 mPa ⁇ s, particularly 35 to 150 mPa ⁇ s at 25 ° C., and a boiling point of 50 to 300 ° C., particularly 150 to 250 ° C. at normal pressure (atmospheric pressure).
  • the high viscosity organic solvent examples include cyclohexanol, ethylene glycol, ethylene glycol diglycidyl ether, 1,3-octylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, 1,3-butanediol, Examples include, but are not limited to, 2,3-butanediol, 1,4-butanediol, propylene glycol, hexylene glycol, and the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the addition ratio of the high-viscosity organic solvent to the entire solvent used in the varnish of the present invention is preferably in the range where no solid precipitates, and the addition ratio is preferably 5 to 80% by mass as long as no solid precipitates.
  • solvents are used in an amount of 1 to 90% by mass, preferably It is also possible to mix at a ratio of 1 to 50% by mass.
  • solvents include propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and diethylene glycol.
  • Examples include, but are not limited to, monoethyl ether, diacetone alcohol, ⁇ -butyrolactone, ethyl lactate, and n-hexyl acetate. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the viscosity of the varnish of the present invention is appropriately set according to the thickness of the thin film to be produced and the solid content concentration, but is usually 1 to 50 mPa ⁇ s at 25 ° C.
  • the solid content concentration of the charge transporting varnish in the present invention is appropriately set in consideration of the viscosity and surface tension of the varnish, the thickness of the thin film to be produced, etc. In consideration of improving the coatability of the varnish, it is preferably about 0.5 to 5.0% by mass, more preferably about 1.0 to 3.0% by mass.
  • the method for preparing the charge transporting varnish is not particularly limited. For example, a method of dissolving the aniline derivative of the present invention in a highly soluble solvent and adding a high viscosity organic solvent thereto, or a highly soluble solvent And a high-viscosity organic solvent are mixed and the aniline derivative of the present invention is dissolved therein.
  • the charge transport varnish is obtained by dissolving a charge transport material, a dopant material, etc. in an organic solvent, and then using a sub-micron order filter, etc. It is desirable to filter.
  • a charge transporting thin film can be formed on a base material by applying the charge transporting varnish described above onto the base material and baking it.
  • the coating method of the varnish is not particularly limited, and examples thereof include a dipping method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, a brush coating, an ink jet method, a spray method, and a slit coating method. Accordingly, it is preferable to adjust the viscosity and surface tension of the varnish.
  • the firing atmosphere is not particularly limited, and a thin film having a uniform film formation surface and a charge transport property is obtained not only in the air atmosphere but also in an inert gas such as nitrogen or in a vacuum.
  • an air atmosphere is preferable.
  • the firing temperature is appropriately set within a range of about 100 to 260 ° C. in consideration of the intended use of the obtained thin film, the degree of charge transportability imparted to the obtained thin film, the type and boiling point of the solvent, and the like.
  • the obtained thin film is used as a hole injection layer of an organic EL device, it is preferably about 140 to 250 ° C., more preferably about 145 to 240 ° C.
  • a temperature change of two or more steps may be applied for the purpose of developing a higher uniform film forming property or causing the reaction to proceed on the substrate. What is necessary is just to perform using suitable apparatuses, such as oven.
  • the thickness of the charge transporting thin film is not particularly limited, but is preferably 5 to 200 nm when used as a hole injection layer in an organic EL device.
  • a method of changing the film thickness there are methods such as changing the solid content concentration in the varnish and changing the amount of the solution on the substrate during coating.
  • the charge transporting thin film of the present invention can be suitably used as a hole injection layer in an organic EL device, but can also be used as a charge transporting functional layer such as a hole injection transport layer.
  • Examples of materials used and methods for producing an OLED element using the charge transporting varnish of the present invention include the following, but are not limited thereto.
  • the electrode substrate to be used is preferably cleaned in advance by liquid cleaning with a detergent, alcohol, pure water or the like.
  • the anode substrate is subjected to surface treatment such as UV ozone treatment or oxygen-plasma treatment immediately before use. It is preferable.
  • the anode material is mainly composed of an organic material, the surface treatment may not be performed.
  • the example of the manufacturing method of the OLED element which has a positive hole injection layer which consists of a thin film obtained from the charge transportable varnish of this invention is as follows.
  • the charge transporting varnish of the present invention is applied onto the anode substrate and baked to produce a hole injection layer on the electrode.
  • This is introduced into a vacuum deposition apparatus, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron transport layer / hole block layer, and a cathode metal are sequentially deposited to form an OLED element.
  • an electron blocking layer may be provided between the light emitting layer and the hole transport layer.
  • anode material examples include a transparent electrode typified by indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), a metal anode typified by aluminum, an alloy thereof, and the like. What performed the chemical conversion process is preferable. Polythiophene derivatives and polyaniline derivatives having high charge transporting properties can also be used. Other metals constituting the metal anode include scandium, titanium, vanadium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, gallium, yttrium, zirconium, niobium, molybdenum, ruthenium, rhodium, palladium, cadmium.
  • Materials for forming the hole transport layer include (triphenylamine) dimer derivative, [(triphenylamine) dimer] spirodimer, N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (Phenyl) -benzidine ( ⁇ -NPD), N, N′-bis (naphthalen-2-yl) -N, N′-bis (phenyl) -benzidine, N, N′-bis (3-methylphenyl)- N, N′-bis (phenyl) -benzidine, N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) -9,9-spirobifluorene, N, N′-bis ( Naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (phenyl) -9,9-spirobifluorene, N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) -9,9-spir
  • Materials for forming the light emitting layer include tris (8-quinolinolato) aluminum (III) (Alq 3 ), bis (8-quinolinolato) zinc (II) (Znq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) ( p-phenylphenolato) aluminum (III) (BAlq), 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl, 9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracene, 2-t-butyl- 9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracene, 2,7-bis [9,9-di (4-methylphenyl) -fluoren-2-yl] -9,9-di (4-methylphenyl) Fluorene, 2-methyl-9,10-bis (naphthalen-2-yl) anthracene, 2- (9,9-spirobifluoren-2-yl) -9,9-spirobifluoren
  • luminescent dopants examples include 3- (2-benzothiazolyl) -7- (diethylamino) coumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H, 5H, 11H-10-.
  • Materials for forming the electron transport layer / hole block layer include 8-hydroxyquinolinolate-lithium, 2,2 ′, 2 ′′-(1,3,5-benztolyl) -tris (1-phenyl-1- H-benzimidazole), 2- (4-biphenyl) 5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10- Phenanthroline, 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum, 1,3-bis [2- (2,2′-bipyridine- 6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene, 6,6′-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazo-2-yl] -2 , 2'-bipyri Gin, 3- (4-
  • Materials for forming the electron injection layer include lithium oxide (Li 2 O), magnesium oxide (MgO), alumina (Al 2 O 3 ), lithium fluoride (LiF), sodium fluoride (NaF), magnesium fluoride ( MgF 2 ), cesium fluoride (CsF), strontium fluoride (SrF 2 ), molybdenum trioxide (MoO 3 ), aluminum, Li (acac), lithium acetate, lithium benzoate and the like.
  • Examples of the cathode material include aluminum, magnesium-silver alloy, aluminum-lithium alloy, lithium, sodium, potassium, cesium and the like.
  • Examples of the material for forming the electron blocking layer include tris (phenylpyrazole) iridium.
  • the manufacturing method of the PLED element using the charge transportable varnish of the present invention is not particularly limited, the following method is exemplified.
  • the preparation of the OLED element instead of performing the vacuum deposition operation of the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer, the hole transport polymer layer and the light emitting polymer layer are sequentially formed.
  • a PLED element having a charge transporting thin film formed by the charge transporting varnish of the invention can be produced.
  • the charge transporting varnish of the present invention is applied on the anode substrate to prepare a hole injection layer by the above method, and a hole transporting polymer layer and a light emitting polymer layer are sequentially formed thereon. Then, a cathode is vapor-deposited to obtain a PLED element.
  • the hole transporting polymer layer and the light emitting polymer layer can be formed by adding a solvent to a hole transporting polymer material or a light emitting polymer material, or a material obtained by adding a dopant substance to the hole transporting polymer material. And a method of forming a film by uniformly dispersing and coating the film on a hole injection layer or a hole transporting polymer layer and then firing the respective layers.
  • Examples of the light-emitting polymer material include polyfluorene derivatives such as poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), poly (2-methoxy-5- (2′-ethylhexoxy) -1,4-phenylenevinylene) (MEH). And polyphenylene vinylene derivatives such as -PPV), polythiophene derivatives such as poly (3-alkylthiophene) (PAT), and polyvinylcarbazole (PVCz).
  • polyfluorene derivatives such as poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), poly (2-methoxy-5- (2′-ethylhexoxy) -1,4-phenylenevinylene) (MEH).
  • polyphenylene vinylene derivatives such as -PPV
  • polythiophene derivatives such as poly (3-alkylthiophene) (PAT)
  • PVCz polyvinylcarbazole
  • Examples of the solvent include toluene, xylene, chloroform, and the like.
  • Examples of the dissolution or uniform dispersion method include methods such as stirring, heating and stirring, and ultrasonic dispersion.
  • the application method is not particularly limited, and examples thereof include an inkjet method, a spray method, a dipping method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, and a brush coating method.
  • the application is preferably performed under an inert gas such as nitrogen or argon.
  • Examples of the firing method include a method of heating in an oven or a hot plate under an inert gas or in a vacuum.
  • the vapor-deposited film obtained from the aniline derivative of the present invention is also excellent in charge-transporting properties.
  • a conductive thin film may be used.
  • the concentrated solution was filtered through silica gel, and 0.1 g of activated carbon was added to the obtained filtrate, followed by stirring at room temperature for 1 hour. Activated carbon was removed by filtration, and the filtrate was concentrated.
  • the concentrated solution was filtered through silica gel, and 0.1 g of activated carbon was added to the obtained filtrate, followed by stirring at room temperature for 1 hour. Activated carbon was removed by filtration, and the filtrate was concentrated.
  • the organic layer was dried over anhydrous sodium sulfate and concentrated.
  • the concentrated solution was filtered through silica gel, and 0.1 g of activated carbon was added to the obtained filtrate, followed by stirring at room temperature for 1 hour. Activated carbon was removed by filtration, and the filtrate was concentrated.
  • Example 1-1 was used except that 0.047 g of aniline derivative 2 (Example 1-2) and 0.047 g of aniline derivative 3 (Example 1-3) were used instead of 0.046 g of aniline derivative 1 respectively.
  • a charge transporting varnish was prepared in the same manner as described above.
  • Example 2-1 Manufacture and characteristic evaluation of organic EL device
  • the varnish obtained in Example 1-1 was applied to an ITO substrate using a spin coater, then dried at 80 ° C. for 1 minute, and further baked at 150 ° C. for 5 minutes in an air atmosphere. A uniform thin film of 30 nm was formed.
  • As the ITO substrate a glass substrate of 25 mm ⁇ 25 mm ⁇ 0.7 t in which indium tin oxide (ITO) is patterned on the surface with a film thickness of 150 nm is used, and an O 2 plasma cleaning apparatus (150 W, 30 seconds) before use. To remove impurities on the surface.
  • ITO indium tin oxide
  • the deposition rate was 0.2 nm / second for BAlq and aluminum, and 0.02 nm / second for lithium fluoride, and the film thicknesses were 20 nm, 0.5 nm, and 120 nm, respectively.
  • the characteristic was evaluated. Sealing was performed according to the following procedure. In a nitrogen atmosphere with an oxygen concentration of 2 ppm or less and a dew point of ⁇ 85 ° C.
  • the organic EL element is placed between the sealing substrates, and the sealing substrate is adhesive (MORESCO Co., Ltd., Mores Moisture Cut WB90US (P)) Was pasted together.
  • a water catching agent manufactured by Dynic Co., Ltd., HD-071010W-40 was placed in the sealing substrate together with the organic EL element.
  • the bonded sealing substrate was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm, irradiation amount: 6,000 mJ / cm 2 ), and then annealed at 80 ° C. for 1 hour to cure the adhesive.
  • Example 2-2 to 2-3 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 2-1, except that the varnishes obtained in Examples 1-2 to 1-3 were used instead of the varnish obtained in Example 1-1. Was made.
  • the driving voltage, the luminance and the light emission efficiency at a driving current of 0.7 mA, and the half life of the luminance (when the device is continuously driven with the driving current held at 0.7 mA, the luminance is the initial value)
  • the time required to reach half was measured.
  • the results are also shown in Table 1.
  • the area of the light emitting surface size of each element is 2 mm ⁇ 2 mm.
  • the organic EL device having the charge transporting thin film obtained from the charge transporting varnish of the present invention as a hole injection layer exhibits high luminance and excellent durability. .

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Abstract

　例えば、下記式で示されるようなアニリン誘導体は、有機溶媒に対する溶解性が良好であるとともに、これらを電荷輸送性物質として含む薄膜を正孔注入層に適用した場合に優れた輝度特性を有する有機ＥＬ素子を得ることができる。

Description

アニリン誘導体およびその利用
　本発明は、アニリン誘導体およびその利用に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。特に、正孔注入層は、陽極と、正孔輸送層あるいは発光層との電荷の授受を担い、有機ＥＬ素子の低電圧駆動および高輝度を達成するために重要な機能を果たす。
　正孔注入層の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別され、これら各プロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できる。それゆえ、有機ＥＬディスプレイの大面積化が進められている現在、ウェットプロセスで形成可能な正孔注入層が望まれている。
　このような事情に鑑み、本発明者らは、各種ウェットプロセスに適用可能であるとともに、有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に優れたＥＬ素子特性を実現できる薄膜を与える電荷輸送性材料や、それに用いる有機溶媒に対する溶解性の良好な化合物を開発してきている（例えば特許文献１～４参照）。
国際公開第２００８／０６７２７６号 国際公開第２００８／１２９９４７号 国際公開第２００６／０２５３４２号 国際公開第２０１０／０５８７７７号
　本発明も、これまでに開発してきた上記特許文献の技術と同様に、有機溶媒への良好な溶解性を示すとともに、薄膜化して正孔注入層に適用した場合に優れた輝度特性を有する有機ＥＬ素子を実現できるアニリン誘導体を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、キノンジミン構造を採り得ない所定のアニリン誘導体が有機溶媒への優れた溶解性を有し、それを有機溶媒へ溶解させて調製したワニスから高電荷輸送性を発揮する薄膜が得られること、および当該薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に、高輝度の素子が得られることを見出し、本発明を完成させた。
　すなわち、本発明は、
１．　式（１）で表されることを特徴とするアニリン誘導体、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 〔式中、Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＣＨ2、またはＮＣＨ3を表し、Ｐｈ1は、互いに独立して、式（Ｐ１）で表される基を表し、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式中、Ｒ1～Ｒ4は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表す。）
　Ａｒ1は、互いに独立して、式（Ａ１）～（Ａ１４）で表されるいずれかの基を表し、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 　ｍおよびｎは、互いに独立して、０～５の整数を表す。〕
２．　前記Ｒ1～Ｒ4が、すべて水素原子である１のアニリン誘導体、
３．　前記Ａｒ1が、互いに独立して、式（Ａ１）～（Ａ１２）で表されるいずれかの基である１または２のアニリン誘導体、
４．　前記Ａｒ1が、互いに独立して、式（Ａ１）～（Ａ３）、（Ａ５）～（Ａ７）、および（Ａ１０）～（Ａ１２）で表されるいずれかの基である３のアニリン誘導体、
５．　前記Ａｒ1が、同一の基である１～４のいずれかのアニリン誘導体、
６．　１～５のいずれかのアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質、
７．　６の電荷輸送性物質を含む電荷輸送性材料、
８．　６の電荷輸送性物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニス、
９．　さらにドーパント物質を含む８の電荷輸送性ワニス、
１０．　前記ドーパント物質が、ハロテトラシアノキノジメタン化合物を含む９の電荷輸送性ワニス、
１１．　前記ドーパント物質が、さらにヘテロポリ酸を含む１０の電荷輸送性ワニス、
１２．　８～１１のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
１３．　１２の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス、
１４．　１２の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
１５．　８～１１のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法、
１６．　式（２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （式中、Ｐｈ1、Ｘ、ｍおよびｎは、前記と同じ意味を表す。）
で表されるアミン化合物を、触媒存在下で、式（３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 （式中、Ｚは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表し、Ａｒ1は、前記と同じ意味を表す。）
で表されるアリール化合物と反応させることを特徴とする１のアニリン誘導体の製造方法
を提供する。
　本発明のアニリン誘導体は有機溶媒に溶けやすく、これをドーパントとともに有機溶媒へ溶解させて容易に電荷輸送性ワニスを調製することができる。
　本発明の電荷輸送性ワニスから作製した薄膜は高い電荷輸送性を示すため、有機ＥＬ素子をはじめとした電子デバイス用薄膜として好適に用いることができる。特に、この薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用することで、輝度特性に優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。
　また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法等、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。
　以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
　本発明に係るアニリン誘導体は、式（１）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　式中、Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＣＨ2、ＮＣＨ3を表すが、好ましくは、Ｓ、Ｏ、ＮＣＨ3である。
　Ｐｈ1は、互いに独立して、式（Ｐ１）で表される基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　ここで、Ｒ1～Ｒ4は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表す。
　ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
　炭素数１～２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等の炭素数１～２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３～２０の環状アルキル基などが挙げられる。
　炭素数２～２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ－１－プロペニル基、ｎ－２－プロペニル基、１－メチルエテニル基、ｎ－１－ブテニル基、ｎ－２－ブテニル基、ｎ－３－ブテニル基、２－メチル－１－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－エチルエテニル基、１－メチル－１－プロペニル基、１－メチル－２－プロペニル基、ｎ－１－ペンテニル基、ｎ－１－デセニル基、ｎ－１－エイコセニル基等が挙げられる。
　炭素数２～２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ－１－プロピニル基、ｎ－２－プロピニル基、ｎ－１－ブチニル基、ｎ－２－ブチニル基、ｎ－３－ブチニル基、１－メチル－２－プロピニル基、ｎ－１－ペンチニル基、ｎ－２－ペンチニル基、ｎ－３－ペンチニル基、ｎ－４－ペンチニル基、１－メチル－ｎ－ブチニル基、２－メチル－ｎ－ブチニル基、３－メチル－ｎ－ブチニル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピニル基、ｎ－１－ヘキシニル基、ｎ－１－デシニル基、ｎ－１－ペンタデシニル基、ｎ－１－エイコシニル基等が挙げられる。
　炭素数６～２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントリル基、２－アントリル基、９－アントリル基、１－フェナントリル基、２－フェナントリル基、３－フェナントリル基、４－フェナントリル基、９－フェナントリル基等が挙げられる。
　炭素数２～２０のヘテロアリール基の具体例としては、２－チエニル基、３－チエニル基、２－フラニル基、３－フラニル基、２－オキサゾリル基、４－オキサゾリル基、５－オキサゾリル基、３－イソオキサゾリル基、４－イソオキサゾリル基、５－イソオキサゾリル基、２－チアゾリル基、４－チアゾリル基、５－チアゾリル基、３－イソチアゾリル基、４－イソチアゾリル基、５－イソチアゾリル基、２－イミダゾリル基、４－イミダゾリル基、２－ピリジル基、３－ピリジル基、４－ピリジル基等が挙げられる。
　これらの中でも、Ｒ1～Ｒ4は、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子がより一層好ましく、水素原子が最適である。
　上記式（１）におけるＡｒ1は、互いに独立して、式（Ａ１）～（Ａ１４）で表されるいずれかの基を表す。
　これらの中でも、化合物の有機溶媒に対する溶解性や、得られる薄膜の電荷輸送性を向上させるという点から、式（Ａ１）～（Ａ１２）で表されるいずれかの基が好ましく、式（Ａ１）～（Ａ３）、（Ａ５）～（Ａ７）、および（Ａ１０）～（Ａ１２）で表されるいずれかの基がより好ましく、式（Ａ１）、（Ａ５）、および（Ａ１０）～（Ａ１２）で表されるいずれかの基がより一層好ましく、式（Ａ１）および（Ａ５）で表されるいずれかの基がさらに好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　上記式（１）におけるｍおよびｎは、互いに独立して、０～５の整数を表すが、化合物の有機溶媒への溶解性を高める観点から、０～３が好ましく、０または１がより好ましく、ともに０または１がさらに好ましく、更に原料化合物の入手容易性の観点から、ともに０が最適である。
　上記式（１）において、Ａｒ1は、全て同一の基であることが好ましく、Ｐｈ1は、全て同一の基であることが好ましい。
　なお、本発明において、上記アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。
　また、アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。
　本発明の式（１）で示されるアニリン誘導体は、式（２）で表されるアミン化合物と、式（３）で表されるアリール化合物とを、触媒存在下で反応させて製造できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 （式中、Ｚは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表し、Ｘ、Ａｒ1、Ｐｈ1、ｍおよびｎは、前記と同じ意味を表す。）
　ハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。
　擬ハロゲン基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基等の（フルオロ）アルキルスルホニルオキシ基；ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基等の芳香族スルホニルオキシ基などが挙げられる。
　式（２）で表されるアミン化合物と、式（３）で表されるアリール化合物との仕込み比は、アミン化合物の全ＮＨ基の物質量に対し、アリール化合物を当量以上とすることができるが、１～１．２当量程度が好適である。
　上記反応に用いられる触媒としては、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒；Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム）、Ｐｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2（ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム）、Ｐｄ（ｄｂａ）2（ビス（ベンジリデンアセトン）パラジウム）、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（トリス（ベンジリデンアセトン）ジパラジウム）、Ｐｄ（Ｐ－ｔ－Ｂｕ3）2（ビス（トリｔ－ブチルホスフィン）パラジウム）等のパラジウム触媒などが挙げられる。これらの触媒は、単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は、公知の適切な配位子とともに使用してもよい。
　触媒の使用量は、式（３）で表されるアリール化合物１ｍｏｌに対して、０．２ｍｏｌ程度とすることができるが、０．１５ｍｏｌ程度が好適である。
　また、配位子を用いる場合、その使用量は、使用する金属錯体に対し０．１～５当量とすることができるが、１～２当量が好適である。
　上記各反応は溶媒中で行ってもよい。溶媒を使用する場合、その種類は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はない。具体例としては、脂肪族炭化水素類（ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－オクタン、ｎ－デカン、デカリン等）、ハロゲン化脂肪族炭化水素類（クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、メシチレン等）、ハロゲン化芳香族炭化水素類（クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ｍ－ジクロロベンゼン、ｐ－ジクロロベンゼン等）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ－ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２－ジメトキシエタン、１，２－ジエトキシエタン等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ－ｎ－ブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アミド類（Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等）、ラクタムおよびラクトン類（Ｎ－メチルピロリドン、γ－ブチロラクトン等）、尿素類（Ｎ，Ｎ－ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド、スルホラン等）、ニトリル類（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等）などが挙げられ、これらの溶媒は単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。
　反応温度は、用いる溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、０～２００℃程度が好ましく、２０～１５０℃がより好ましい。
　反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、目的とするアニリン誘導体を得ることができる。
　以下、式（１）で表されるアニリン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　本発明の電荷輸送性ワニスは、式（１）で表されるアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質と、有機溶媒とを含むものであるが、得られる薄膜の用途に応じ、その電荷輸送能の向上等を目的としてドーパント物質を含んでいてもよい。
　ドーパント物質としては、ワニスに使用する少なくとも１種の溶媒に溶解するものであれば特に限定されず、無機系のドーパント物質、有機系のドーパント物質のいずれも使用できる。
　特に無機系のドーパント物質としては、ヘテロポリ酸が好ましい。
　ヘテロポリ酸とは、代表的に式（Ｄ１）で示されるＫｅｇｇｉｎ型あるいは式（Ｄ２）で示されるＤａｗｓｏｎ型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の酸素酸であるイソポリ酸と、異種元素の酸素酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素の酸素酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）の酸素酸が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。なお、本発明で用いるヘテロポリ酸は、市販品として入手可能であり、また、公知の方法により合成することもできる。
　特に、１種類のヘテロポリ酸を用いる場合、その１種類のヘテロポリ酸は、リンタングステン酸またはリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸が最適である。また、２種類以上のヘテロポリ酸を用いる場合、その２種類以上のヘテロポリ酸の１つは、リンタングステン酸またはリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸がより好ましい。
　なお、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。
　すなわち、例えば、一般的には、リンタングステン酸は化学式Ｈ3（ＰＷ12Ｏ40）・ｎＨ2Ｏで、リンモリブデン酸は化学式Ｈ3（ＰＭｏ12Ｏ40）・ｎＨ2Ｏでそれぞれ示されるが、定量分析において、この式中のＰ（リン）、Ｏ（酸素）またはＷ（タングステン）もしくはＭｏ（モリブデン）の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量（リンタングステン酸含量）ではなく、市販品として入手可能な形態および公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
　本発明の電荷輸送性ワニスに含まれるヘテロポリ酸は、質量比で、本発明のアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質１に対して０．０１～５０程度とすることができるが、好ましくは０．１～１０程度、より好ましくは１．０～５．０程度である。
　一方、有機系のドーパント物質としては、特にテトラシアノキノジメタン誘導体やベンゾキノン誘導体が好ましい。
　テトラシアノキノジメタン誘導体の具体例としては、７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）や、式（４）で表されるハロテトラシアノキノジメタンなどが挙げられる。
　また、ベンゾキノン誘導体の具体例としては、テトラフルオロ－１，４－ベンゾキノン（Ｆ４ＢＱ）、テトラクロロ－１，４－ベンゾキノン（クロラニル）、テトラブロモ－１，４－ベンゾキノン、２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノン（ＤＤＱ）などが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　式中、Ｒ5～Ｒ8は、互いに独立して、水素原子またはハロゲン原子を表すが、少なくとも１つはハロゲン原子であり、少なくとも２つがハロゲン原子であることが好ましく、少なくとも３つがハロゲン原子であることがより好ましく、全てがハロゲン原子であることが最も好ましい。
　ハロゲン原子としては上記と同じものが挙げられるが、フッ素原子または塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
　ハロテトラシアノキノジメタン化合物の具体例としては、２－フルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２－クロロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２，５－ジフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２，５－ジクロロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２，３，５，６－テトラクロロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）等が挙げられるが、本発明においては、Ｆ４ＴＣＮＱが最適である。
　本発明の電荷輸送性ワニスにおけるテトラシアノキノジメタン誘導体およびベンゾキノン誘導体の含有量は、本発明のアニリン誘導体に対して、好ましくは０．０００１～５０当量、より好ましくは０．００１～２０当量、さらに好ましくは０．０１～１０当量である。
　本発明においては、高電荷輸送性の薄膜を再現性よく得ること、ドーパント物質の入手容易性などを考慮すると、ドーパント物質として、ハロテトラシアノキノジメタンおよびベンゾキノン誘導体の少なくとも１種が含まれることが好ましく、Ｆ４ＴＣＮＱおよびＤＤＱの少なくとも１種が含まれることがより好ましい。
　また、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、高寿命の素子を再現性よく得ること、ドーパント物質の入手容易性などを考慮すると、ドーパント物質として、ハロテトラシアノキノジメタンおよびベンゾキノン誘導体の少なくとも１種とヘテロポリ酸とが含まれることが好ましく、ハロテトラシアノキノジメタンおよびベンゾキノン誘導体の少なくとも１種とリンタングステン酸およびリンモリブデン酸の少なくとも１種とが含まれることがより好ましく、Ｆ４ＴＣＮＱおよびＤＤＱの少なくとも１種とリンタングステン酸とが含まれることがより一層好ましい。
　さらに、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、高寿命の素子を再現性よく得ることを考慮すると、本発明の電荷輸送性ワニスは、有機シラン化合物を含むことが好ましい。
　有機シラン化合物としては、ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物またはテトラアルコキシシラン化合物が挙げられ、これらは単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
　とりわけ、有機シラン化合物としては、ジアルコキシシラン化合物またはトリアルコキシシラン化合物が好ましく、トリアルコキシシラン化合物がより好ましい。
　これらのアルコキシシラン化合物としては、例えば、式（５）～（７）で示されるものが挙げられる。
　　　Ｓｉ（ＯＲ）4　　　　　（５）
　　　ＳｉＲ′（ＯＲ）3　　 　（６）
　　　Ｓｉ（Ｒ′）2（ＯＲ）2　（７）
　式中、Ｒは、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ2で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｒ′は、互いに独立して、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ4で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表す。
　Ｚ1は、ハロゲン原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ5で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ2は、ハロゲン原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、またはＺ5で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基を表す。
　Ｚ3は、ハロゲン原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（－ＮＨＣＯＮＨ2）、チオール基、イソシアネート基（－ＮＣＯ）、アミノ基、－ＮＨＹ1基、または－ＮＹ2Ｙ3基を表し、Ｚ4は、ハロゲン原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（－ＮＨＣＯＮＨ2）、チオール基、イソシアネート基（－ＮＣＯ）、アミノ基、－ＮＨＹ1基、または－ＮＹ2Ｙ3基を表し、Ｙ1～Ｙ3は、互いに独立して、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基、またはＺ5で置換されていてもよい炭素数２～２０のヘテロアリール基を表す。
　Ｚ5は、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基またはチオール基を表す。
　式（５）～（７）における、ハロゲン原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基、および炭素数２～２０のヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
　ＲおよびＲ′において、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。
　また、アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。
　Ｒとしては、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基もしくは炭素数２～２０のアルケニル基、またはＺ2で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基が好ましく、Ｚ1で置換されていてもよい、炭素数１～６のアルキル基もしくは炭素数２～６のアルケニル基、またはＺ2で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数１～４のアルキル基またはＺ2で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましく、Ｚ1で置換されていてもよい、メチル基またはエチル基がさらに好ましい。
　また、Ｒ′としては、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基またはＺ4で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基が好ましく、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基またはＺ4で置換されていてもよい炭素数６～１４のアリール基がより好ましく、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキル基、またはＺ4で置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基がより一層好ましく、Ｚ3で置換されていてもよい炭素数１～４のアルキル基またはＺ4で置換されていてもよいフェニル基がさらに好ましい。
　なお、複数のＲは、すべて同一でも異なっていてもよく、複数のＲ′も、すべて同一でも異なっていてもよい。
　Ｚ1としては、ハロゲン原子またはＺ5で置換されていてもよい炭素数６～２０のアリール基が好ましく、フッ素原子またはＺ5で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
　また、Ｚ2としては、ハロゲン原子またはＺ5で置換されていてもよい炭素数６～２０のアルキル基が好ましく、フッ素原子またはＺ5で置換されていてもよい炭素数１～１０アルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
　一方、Ｚ3としては、ハロゲン原子、Ｚ5で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ5で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ5で置換されていてもよいフェニルアミノ基、またはＺ5で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子、または存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
　また、Ｚ4としては、ハロゲン原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１～２０のアルキル基、Ｚ5で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ5で置換されていてもよいフェニルアミノ基、またはＺ5で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子、または存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。
　そして、Ｚ5としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子または存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより好ましい。
　以下、本発明で使用可能な有機シラン化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
　ジアルコキシシラン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシシラン、３－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３，３，３－トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
　トリアルコキシシラン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシ（４－（トリフルオロメチル）フェニル）シラン、ドデシルトリエトキシシラン、３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、（トリエトキシシリル）シクロヘキサン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、トリエトキシフルオロシラン、トリデカフルオロ－１，１，２，２－テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、３－（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ－１，１，２，２－テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、トリエトキシ－２－チエニルシラン、３－（トリエトキシシリル）フラン等が挙げられる。
　テトラアルコキシシラン化合物の具体例としては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラプロポキシシラン等が挙げられる。
　これらの中でも、３，３，３－トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリエトキシ（４－（トリフルオロメチル）フェニル）シラン、３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシランが好ましい。
　本発明の電荷輸送性ワニスが有機シラン化合物を含有する場合、その含有量は、電荷輸送性物質（ドーパント物質が含まれる場合には電荷輸送性物質およびドーパント物質）の総質量に対して、通常０．１～５０質量％程度であるが、得られる薄膜の電荷輸送性の低下を抑制し、かつ、上述した陰極側に正孔注入層に接するように積層される層への正孔注入能を高めることを考慮すると、好ましくは０．５～４０質量％程度、より好ましくは０．８～３０質量％程度、より一層好ましくは１～２０質量％程度である。
　なお、本発明の電荷輸送性ワニスには、上述したアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質の他に、公知のその他の電荷輸送性物質を用いることもできる。
　電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質およびドーパント物質を良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。
　このような高溶解性溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の有機溶媒が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５～１００質量％とすることができる。
　なお、電荷輸送性物質およびドーパント物質は、いずれも上記溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましく、完全に溶解していることがより好ましい。
　また、本発明においては、ワニスに、２５℃で１０～２００ｍＰａ・ｓ、特に３５～１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧（大気圧）で沸点５０～３００℃、特に１５０～２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも１種類含有させることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、その結果、平坦性の高い薄膜を再現性よく与える、用いる塗布方法に応じたワニス調製が可能となる。
　高粘度有機溶媒としては、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１，３－オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。
　本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５～８０質量％が好ましい。
　さらに、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して１～９０質量％、好ましくは１～５０質量％の割合で混合することもできる。
　このような溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ－ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ－ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができる。
　本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、２５℃で１～５０ｍＰａ・ｓである。
　また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１～１０．０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは０．５～５．０質量％程度、より好ましくは１．０～３．０質量％程度である。
　電荷輸送性ワニスの調製法としては、特に限定されるものではないが、例えば、本発明のアニリン誘導体を高溶解性溶媒に溶解させ、そこへ高粘度有機溶媒を加える手法や、高溶解性溶媒と高粘度有機溶媒を混合し、そこへ本発明のアニリン誘導体を溶解させる手法が挙げられる。
　本発明においては、電荷輸送性ワニスは、より平坦性の高い薄膜を再現性よく得る観点から、電荷輸送性物質、ドーパント物質等を有機溶媒に溶解させた後、サブマイクロオーダーのフィルター等を用いて濾過することが望ましい。
　以上で説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
　ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。
　また、本発明のワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面および電荷輸送性を有する薄膜を得ることができるが、再現性よく高電荷輸送性薄膜を得ることを考慮すると、大気雰囲気が好ましい。
　焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度、溶媒の種類や沸点等を勘案して、１００～２６０℃程度の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、１４０～２５０℃程度が好ましく、１４５～２４０℃程度がより好ましい。
　なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよく、加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等、適当な機器を用いて行えばよい。
　電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内で正孔注入層として用いる場合、５～２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
　本発明の電荷輸送性薄膜は、有機ＥＬ素子において、正孔注入層として好適に用いることができるが、正孔注入輸送層等の電荷輸送性機能層としても使用可能である。
　本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素－プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
　本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＯＬＥＤ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
　上記の方法により、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、電極上に正孔注入層を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子輸送層／ホールブロック層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。なお、必要に応じて、発光層と正孔輸送層との間に電子ブロック層を設けてよい。
　陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属やこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
　なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、カドミウム、インジウム、スカンジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ハフニウム、タリウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、金、チタン、鉛、ビスマスやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
　正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー、Ｎ，Ｎ'－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－ベンジジン（α－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'－ビス（ナフタレン－２－イル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ'－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ'－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－９，９－スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ'－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－９，９－スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ'－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－９，９－ジメチル－フルオレン、Ｎ，Ｎ'－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－９，９－ジメチル－フルオレン、Ｎ，Ｎ'－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－９，９－ジフェニル－フルオレン、Ｎ，Ｎ'－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－９，９－ジフェニル－フルオレン、Ｎ，Ｎ'－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－２，２'－ジメチルベンジジン、２，２'，７，７'－テトラキス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９－スピロビフルオレン、９，９－ビス［４－（Ｎ，Ｎ－ビス－ビフェニル－４－イル－アミノ）フェニル］－９Ｈ－フルオレン、９，９－ビス［４－（Ｎ，Ｎ－ビス－ナフタレン－２－イル－アミノ）フェニル］－９Ｈ－フルオレン、９，９－ビス［４－（Ｎ－ナフタレン－１－イル－Ｎ－フェニルアミノ）－フェニル］－９Ｈ－フルオレン、２，２'，７，７'－テトラキス［Ｎ－ナフタレニル（フェニル）－アミノ］－９，９－スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ'－ビス（フェナントレン－９－イル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－ベンジジン、２，２'－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（ビフェニル－４－イル）アミノ］－９，９－スピロビフルオレン、２，２'－ビス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９－スピロビフルオレン、ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジ（ｐ－トリル）アミノ）－フェニル］シクロヘキサン、２，２'，７，７'－テトラ（Ｎ，Ｎ－ジ（ｐ－トリル））アミノ－９，９－スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラ－ナフタレン－２－イル－ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラ－（３－メチルフェニル）－３，３'－ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ'－ジ（ナフタレニル）－Ｎ，Ｎ'－ジ（ナフタレン－２－イル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラ（ナフタレニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ'－ジ（ナフタレン－２－イル）－Ｎ，Ｎ'－ジフェニルベンジジン－１，４－ジアミン、Ｎ1，Ｎ4－ジフェニル－Ｎ1，Ｎ4－ジ（ｍ－トリル）ベンゼン－１，４－ジアミン、Ｎ2，Ｎ2，Ｎ6，Ｎ6－テトラフェニルナフタレン－２，６－ジアミン、トリス（４－（キノリン－８－イル）フェニル）アミン、２，２'－ビス（３－（Ｎ，Ｎ－ジ（ｐ－トリル）アミノ）フェニル）ビフェニル、４，４'，４”－トリス［３－メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、４，４'，４”－トリス［１－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１－ＴＮＡＴＡ）等のトリアリールアミン類、５，５”－ビス－｛４－［ビス（４－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－２，２'：５'，２”－ターチオフェン（ＢＭＡ－３Ｔ）等のオリゴチオフェン類などが挙げられる。
　発光層を形成する材料としては、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、ビス（８－キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ2）、ビス（２－メチル－８－キノリノラート）（ｐ－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）、４，４'－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル、９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン、２－ｔ－ブチル－９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン、２，７－ビス［９，９－ジ（４－メチルフェニル）－フルオレン－２－イル］－９，９－ジ（４－メチルフェニル）フルオレン、２－メチル－９，１０－ビス（ナフタレン－２－イル）アントラセン、２－（９，９－スピロビフルオレン－２－イル）－９，９－スピロビフルオレン、２，７－ビス（９，９－スピロビフルオレン－２－イル）－９，９－スピロビフルオレン、２－［９，９－ジ（４－メチルフェニル）－フルオレン－２－イル］－９，９－ジ（４－メチルフェニル）フルオレン、２，２'－ジピレニル－９，９－スピロビフルオレン、１，３，５－トリス（ピレン－１－イル）ベンゼン、９，９－ビス［４－（ピレニル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン、２，２'－ビ（９，１０－ジフェニルアントラセン）、２，７－ジピレニル－９，９－スピロビフルオレン、１，４－ジ（ピレン－１－イル）ベンゼン、１，３－ジ（ピレン－１－イル）ベンゼン、６，１３－ジ（ビフェニル－４－イル）ペンタセン、３，９－ジ（ナフタレン－２－イル）ペリレン、３，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）ペリレン、トリス［４－（ピレニル）－フェニル］アミン、１０，１０'－ジ（ビフェニル－４－イル）－９，９'－ビアントラセン、Ｎ，Ｎ'－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ'－ジフェニル－［１，１'：４'，１''：４''，１'''－クウォーターフェニル］－４，４'''－ジアミン、４，４'－ジ［１０－（ナフタレン－１－イル）アントラセン－９－イル］ビフェニル、ジベンゾ｛［ｆ，ｆ'］－４，４'，７，７'－テトラフェニル｝ジインデノ［１，２，３－ｃｄ：１'，２'，３'－ｌｍ］ペリレン、１－（７－（９，９'－ビアントラセン－１０－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ピレン、１－（７－（９，９'－ビアントラセン－１０－イル）－９，９－ジヘキシル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ピレン、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン、１，３，５－トリス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン、４，４'，４”－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン、４，４'－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４'－ビス（カルバゾール－９－イル）－２，２'－ジメチルビフェニル、２，７－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ジメチルフルオレン、２，２'，７，７'－テトラキス（カルバゾール－９－イル）－９，９－スピロビフルオレン、２，７－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ジ（ｐ－トリル）フルオレン、９，９－ビス［４－（カルバゾール－９－イル）－フェニル］フルオレン、２，７－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－スピロビフルオレン、１，４－ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３－ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、ビス（４－Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ－２－メチルフェニル）－４－メチルフェニルメタン、２，７－ビス（カルバゾール－９－イル）－９，９－ジオクチルフルオレン、４，４”－ジ（トリフェニルシリル）－ｐ－ターフェニル、４，４'－ジ（トリフェニルシリル）ビフェニル、９－（４－ｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール、９－（４－ｔ－ブチルフェニル）－３，６－ジトリチル－９Ｈ－カルバゾール、９－（４－ｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（９－（４－メトキシフェニル）－９Ｈ－フルオレン－９－イル）－９Ｈ－カルバゾール、２，６－ビス（３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）ピリジン、トリフェニル（４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル）シラン、９，９－ジメチル－Ｎ，Ｎ－ジフェニル－７－（４－（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、３，５－ビス（３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）ピリジン、９，９－スピロビフルオレン－２－イル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド、９，９'－（５－（トリフェニルシリル）－１，３－フェニレン）ビス（９Ｈ－カルバゾール）、３－（２，７－ビス（ジフェニルフォスフォリル）－９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール、４，４，８，８，１２，１２－ヘキサ（ｐ－トリル）－４Ｈ－８Ｈ－１２Ｈ－１２Ｃ－アザジベンゾ［ｃｄ，ｍｎ］ピレン、４，７－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－１，１０－フェナントロリン、２，２'－ビス（４－（カルバゾール－９－イル）フェニル）ビフェニル、２，８－ビス（ジフェニルフォスフォリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、ビス（２－メチルフェニル）ジフェニルシラン、ビス［３，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジフェニルシラン、３，６－ビス（カルバゾール－９－イル）－９－（２－エチル－ヘキシル）－９Ｈ－カルバゾール、３－（ジフェニルフォスフォリル）－９－（４－（ジフェニルフォスフォリル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール、３，６－ビス［（３，５－ジフェニル）フェニル］－９－フェニルカルバゾール等が挙げられ、発光性ドーパントと共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
　発光性ドーパントとしては、３－（２－ベンゾチアゾリル）－７－（ジエチルアミノ）クマリン、２，３，６，７－テトラヒドロ－１，１，７，７－テトラメチル－１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ－１０－（２－ベンゾチアゾリル）キノリジノ［９，９ａ，１ｇｈ］クマリン、キナクリドン、Ｎ，Ｎ'－ジメチル－キナクリドン、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、ビス（２－フェニルピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）2（ａｃａｃ））、トリス［２－（ｐ－トリル）ピリジン］イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）3）、９，１０－ビス［Ｎ，Ｎ－ジ（ｐ－トリル）アミノ］アントラセン、９，１０－ビス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］アントラセン、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（ＩＩ）、Ｎ10，Ｎ10，Ｎ10'，Ｎ10'－テトラ（ｐ－トリル）－９，９'－ビアントラセン－１０，１０'－ジアミン、Ｎ10，Ｎ10，Ｎ10'，Ｎ10'－テトラフェニル－９，９' －ビアントラセン－１０，１０'－ジアミン、Ｎ10，Ｎ10'－ジフェニル－Ｎ10，Ｎ10'－ジナフタレニル－９，９'－ビアントラセン－１０，１０'－ジアミン、４，４'－ビス（９－エチル－３－カルバゾビニレン）－１，１'－ビフェニル、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－ｔ－ブチルペリレン、１，４－ビス［２－（３－Ｎ－エチルカルバゾリル）ビニル］ベンゼン、４，４'－ビス［４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル］ビフェニル、４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４'－［（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル］スチルベン、ビス（３，５－ジフルオロ）－２－（２－ピリジル）フェニル－（２－カルボキシピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）、４，４'－ビス［４－（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニル、ビス（２，４－ジフルオロフェニルピリジナト）テトラキス（１－ピラゾリル）ボレートイリジウム（ＩＩＩ）、Ｎ，Ｎ'－ビス（ナフタレン－２－イル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－トリス（９，９－ジメチルフルオレニレン）、２，７－ビス｛２－［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］－９，９－ジメチル－フルオレン－７－イル｝－９，９－ジメチル－フルオレン、Ｎ－（４－（（Ｅ）－２－（６（（Ｅ）－４－（ジフェニルアミノ）スチリル）ナフタレン－２－イル）ビニル）フェニル）－Ｎ－フェニルベンゼンアミン、ｆａｃ－イリジウム（ＩＩＩ）トリス（１－フェニル－３－メチルベンズイミダゾリン－２－イリデン－Ｃ，Ｃ2'）、ｍｅｒ－イリジウム（ＩＩＩ）トリス（１－フェニル－３－メチルベンズイミダゾリン－２－イリデン－Ｃ，Ｃ2'）、２，７－ビス［４－（ジフェニルアミノ）スチリル］－９，９－スピロビフルオレン、６－メチル－２－（４－（９－（４－（６－メチルベンゾ［ｄ］チアゾール－２－イル）フェニル）アントラセン－１０－イル）フェニル）ベンゾ［ｄ］チアゾール、１，４－ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニル）アミノ］スチリルベンゼン、１，４－ビス（４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）スチリル）ベンゼン、（Ｅ）－６－（４－（ジフェニルアミノ）スチリル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニルナフタレン－２－アミン、ビス（２，４－ジフルオロフェニルピリジナト）（５－（ピリジン－２－イル）－１Ｈ－テトラゾレート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（３－トリフルオロメチル－５－（２－ピリジル）ピラゾール）（（２，４－ジフルオロベンジル）ジフェニルフォスフィネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（３－トリフルオロメチル－５－（２－ピリジル）ピラゾレート）（ベンジルジフェニルフォスフィネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（１－（２，４－ジフルオロベンジル）－３－メチルベンズイミダゾリウム）（３－（トリフルオロメチル）－５－（２－ピリジル）－１，２，４－トリアゾレート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（３－トリフルオロメチル－５－（２－ピリジル）ピラゾレート）（４'，６'－ジフルオロフェニルピリジネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（４'，６'－ジフルオロフェニルピリジナト）（３，５－ビス（トリフルオロメチル）－２－（２'－ピリジル）ピロレート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（４'，６'－ジフルオロフェニルピリジナト）（３－（トリフルオロメチル）－５－（２－ピリジル）－１，２，４－トリアゾレート）イリジウム（ＩＩＩ）、（Ｚ）－６－メシチル－Ｎ－（６－メシチルキノリン－２（１Ｈ）－イリデン）キノリン－２－アミン－ＢＦ2、（Ｅ）－２－（２－（４－（ジメチルアミノ）スチリル）－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）マロノニトリル、４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－ジュロリジル－９－エニル－４Ｈ－ピラン、４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－（１，１，７，７－テトラメチルジュロリジル－９－エニル）－４Ｈ－ピラン、４－（ジシアノメチレン）－２－ｔ－ブチル－６－（１，１，７，７－テトラメチルジュロリジン－４－イル－ビニル）－４Ｈ－ピラン、トリス（ジベンゾイルメタン）フェナントロリンユーロピウム（ＩＩＩ）、５，６，１１，１２－テトラフェニルナフタセン、ビス（２－ベンゾ［ｂ］チオフェン－２－イル－ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（１－フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（１－フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス［１－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス［２－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）キノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス［４，４'－ジ－ｔ－ブチル－（２，２'）－ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）・ビス（ヘキサフルオロフォスフェート）、トリス（２－フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２－フェニルキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、２，８－ジ－ｔ－ブチル－５，１１－ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）－６，１２－ジフェニルテトラセン、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、５，１０，１５，２０－テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン白金、オスミウム（ＩＩ）ビス（３－トリフルオロメチル－５－（２－ピリジン）－ピラゾレート）ジメチルフェニルフォスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３－（トリフルオロメチル）－５－（４－ｔ－ブチルピリジル）－１，２，４－トリアゾレート）ジフェニルメチルフォスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３－（トリフルオロメチル）－５－（２－ピリジル）－１，２，４－トリアゾール）ジメチルフェニルフォスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３－（トリフルオロメチル）－５－（４－ｔ－ブチルピリジル）－１，２，４－トリアゾレート）ジメチルフェニルフォスフィン、ビス［２－（４－ｎ－ヘキシルフェニル）キノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス［２－（４－ｎ－ヘキシルフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）、トリス［２－フェニル－４－メチルキノリン］イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２－フェニルキノリン）（２－（３－メチルフェニル）ピリジネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２－（９，９－ジエチル－フルオレン－２－イル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾラト）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２－フェニルピリジン）（３－（ピリジン－２－イル）－２Ｈ－クロメン－２－オネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２－フェニルキノリン）（２，２，６，６－テトラメチルヘプタン－３，５－ジオネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（フェニルイソキノリン）（２，２，６，６－テトラメチルヘプタン－３，５－ジオネート）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（４－フェニルチエノ［３，２－ｃ］ピリジナト－Ｎ，Ｃ2'）アセチルアセトネート、（Ｅ）－２－（２－ｔ－ブチル－６－（２－（２，６，６－トリメチル－２，４，５，６－テトラヒドロ－１Ｈ－ピローロ［３，２，１－ｉｊ］キノリン－８－イル）ビニル）－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）マロノニトリル、ビス（３－トリフルオロメチル－５－（１－イソキノリル）ピラゾレート）（メチルジフェニルフォスフィン）ルテニウム、ビス［（４－ｎ－ヘキシルフェニル）イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、白金（ＩＩ）オクタエチルポルフィン、ビス（２－メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス［（４－ｎ－ヘキシルフェニル）キソキノリン］イリジウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。
　電子輸送層／ホールブロック層を形成する材料としては、８－ヒドロキシキノリノレート－リチウム、２，２'，２”－（１，３，５－ベンジントリル）－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンズイミダゾール）、２－（４－ビフェニル）５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、ビス（２－メチル－８－キノリノレート）－４－（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，３－ビス［２－（２，２'－ビピリジン－６－イル）－１，３，４－オキサジアゾ－５－イル］ベンゼン、６，６'－ビス［５－（ビフェニル－４－イル）－１，３，４－オキサジアゾ－２－イル］－２，２'－ビピリジン、３－（４－ビフェニル）－４－フェニル－５－ｔ－ブチルフェニル－１，２，４－トリアゾール、４－（ナフタレン－１－イル）－３，５－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、２，７－ビス［２－（２，２'－ビピリジン－６－イル）－１，３，４－オキサジアゾ－５－イル］－９，９－ジメチルフルオレン、１，３－ビス［２－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾ－５－イル］ベンゼン、トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン、１－メチル－２－（４－（ナフタレン－２－イル）フェニル）－１Ｈ－イミダゾ［４，５ｆ］［１，１０］フェナントロリン、２－（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、フェニル－ジピレニルフォスフィンオキサイド、３，３'，５，５'－テトラ［（ｍ－ピリジル）－フェン－３－イル］ビフェニル、１，３，５－トリス［（３－ピリジル）－フェン－３－イル］ベンゼン、４，４'－ビス（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）ビフェニル、１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム、ジフェニルビス（４－（ピリジン－３－イル）フェニル）シラン、３，５－ジ（ピレン－１－イル）ピリジン等が挙げられる。
　電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、アルミニウム、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
　陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム－銀合金、アルミニウム－リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
　電子ブロック層を形成する材料としては、トリス（フェニルピラゾール）イリジウム等が挙げられる。
　本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
　上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を有するＰＬＥＤ素子を作製することができる。
　具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、さらに陰極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
　使用する陰極および陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
　正孔輸送性高分子層および発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料もしくは発光性高分子材料、またはこれらにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層または正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ焼成することで成膜する方法が挙げられる。
　正孔輸送性高分子材料としては、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ'－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，４－ジアミノフェニレン）］、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ'－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，１'－ビフェニレン－４，４－ジアミン）］、ポリ［（９，９－ビス｛１'－ペンテン－５'－イル｝フルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（Ｎ，Ｎ'－ビス｛ｐ－ブチルフェニル｝－１，４－ジアミノフェニレン）］、ポリ［Ｎ，Ｎ'－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ'－ビス（フェニル）－ベンジジン］－エンドキャップド　ウィズ　ポリシルシスキノキサン、ポリ［（９，９－ジジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４'－（Ｎ－（ｐ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］等が挙げられる。
　発光性高分子材料としては、ポリ（９，９－ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２－メトキシ－５－（２'－エチルヘキソキシ）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨ－ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３－アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
　溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解または均一分散法としては撹拌、加熱撹拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
　塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
　焼成する方法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
　なお、上記説明した電荷輸送性ワニスから得られる電荷輸送性薄膜だけでなく、本発明のアニリン誘導体から得られる蒸着膜も電荷輸送性に優れることから、用途によっては、蒸着法により得られる電荷輸送性薄膜を用いてもよい。
　以下、製造例および実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（１）1Ｈ－ＮＭＲ：日本電子（株）製　ＪＮＭ－ＥＣＰ３００ ＦＴ ＮＭＲ ＳＹＳＴＥＭ
（２）基板洗浄：長州産業（株）製　基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（３）ワニスの塗布：ミカサ（株）製　スピンコーターＭＳ－Ａ１００
（４）膜厚測定：（株）小坂研究所製　微細形状測定機サーフコーダＥＴ－４０００
（５）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製　多機能蒸着装置システムＣ－Ｅ２Ｌ１Ｇ１－Ｎ
（６）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製　Ｉ－Ｖ－Ｌ測定システム
（７）ＥＬ素子の寿命測定：（株）イーエッチシー製　有機ＥＬ輝度寿命評価システムＰＥＬ－１０５Ｓ
［１］化合物の合成
［製造例１］Ｎ，Ｎ－（オキシビス（４，１－フェニレン））ビス（９－フェニル－Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン）（以下、アニリン誘導体１という）の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　４，４'－オキシジアニリン０．５００ｇ、３－ブロモ－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール３．５４ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）2５８ｍｇおよびｔ－ブトキシナトリウム１．３９ｇを反応容器に入れ、容器内を窒素置換した後、トルエン１５ｍＬおよび別途予め準備したトリ－ｔ－ブチルホスフィンのトルエン溶液４２５μＬ（濃度：９６ｇ／Ｌ）を加え、５０℃で４時間撹拌した。室温まで冷却後、トルエンおよび飽和食塩水を加えて分液した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。濃縮液をシリカゲルろ過し、得られたろ液に活性炭０．１ｇを加え、室温で１時間撹拌した。活性炭をろ過にて除去し、ろ液を濃縮した。得られた濃縮液をメタノール／酢酸エチル（＝２５０ｍＬ／２５０ｍＬ）中に滴下し、室温下で撹拌して生じたスラリー溶液をろ過し、得られたろ物を乾燥してアニリン誘導体１（収量：２．４７ｇ）を得た。
1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ－ｄ８）δ［ｐｐｍ］：７．９７－８．０１（ｍ，８Ｈ），７．５９－７．６５（ｍ，１６Ｈ），７．４３－７．５０（ｍ，４Ｈ），７．２４－７．３７（ｍ，１６Ｈ），７．１２（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），７．０６（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ），６．９０（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ）．
［製造例２］Ｎ，Ｎ'－（チオビス（４，１－フェニレン））ビス（９－フェニル－Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン）（以下、アニリン誘導体２という）の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　４，４'－チオジアニリン０．５０８ｇ、３－ブロモ－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール３．３２ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）2５３ｍｇおよびｔ－ブトキシナトリウム１．３１ｇを反応容器に入れ、容器内を窒素置換した後、トルエン１５ｍＬおよび別途予め準備したトリ－ｔ－ブチルホスフィンのトルエン溶液４００μＬ（濃度：９６ｇ／Ｌ）を加え、５０℃で３時間撹拌した。室温まで冷却した後、トルエンおよび飽和食塩水を加えて分液した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。濃縮液をシリカゲルろ過し、得られたろ液に活性炭０．１ｇを加え、室温で１時間撹拌した。活性炭をろ過にて除去し、ろ液を濃縮した。得られた濃縮液をメタノール／酢酸エチル（＝２５０ｍＬ／２５０ｍＬ）中に滴下し、室温下で撹拌して生じたスラリー溶液をろ過し、得られたろ物をカラムクロマトグラフィー（トルエン／ｎ－ヘキサン＝９０／１０からトルエン／ｎ－ヘキサン＝１００／０へのグラジエント）にて精製した。目的物を含むフラクションを集め濃縮し、得られた濃縮液をメタノール（４００ｍＬ）中に滴下し、室温下１時間撹拌した。得られたスラリーをろ過し、乾燥してアニリン誘導体２（収量：２．４８ｇ）を得た。
1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ－ｄ８）δ［ｐｐｍ］：８．００－８．０３（ｍ，８Ｈ），７．６１－７．６９（ｍ，１６Ｈ），７．４３－７．５９（ｍ，４Ｈ），７．２６－７．３７（ｍ，１６Ｈ），７．０６－７．２１（ｍ，８Ｈ），６．９６（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ）．
［製造例３］Ｎ１－（４－（ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）アミノ）フェニル）－Ｎ１－メチルＮ４，Ｎ４－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）ベンゼン－１，４－ジアミン（以下、アニリン誘導体３という）の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　Ｎ１－（４－アミノフェニル）－Ｎ１－メチルベンゼン－１，４－ジアミン０．５０２ｇ、３－ブロモ－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール３．３３ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）2５４ｍｇ、およびｔ－ブトキシナトリウム１．３７ｇを反応容器に入れ、容器内を窒素置換した後、トルエン１５ｍＬおよび別途予め準備したトリ－ｔ－ブチルホスフィンのトルエン溶液４００μＬ（濃度：９６ｇ／Ｌ）を加え、５０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却した後、トルエンおよび飽和食塩水を加えて分液した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮した。濃縮液をシリカゲルろ過し、得られたろ液に活性炭０．１ｇを加え、室温で１時間撹拌した。活性炭をろ過にて除去し、ろ液を濃縮した。得られた濃縮液をメタノール／酢酸エチル（＝２５０ｍＬ／２５０ｍＬ）中に滴下し、室温下で撹拌して生じたスラリー溶液をろ過し、得られたろ物をカラムクロマトグラフィー（トルエン／ｎ－ヘキサン＝９０／１０からトルエン／ｎ－ヘキサン＝１００／０へのグラジエント）にて精製した。目的物を含むフラクションを集め濃縮し、得られた濃縮液をメタノール（４００ｍＬ）中に滴下し、室温下１時間撹拌した。得られたスラリーをろ過し、乾燥してアニリン誘導体３（収量：２．４６ｇ）を得た。
1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ－ｄ８）δ［ｐｐｍ］：７．９５－８．００（ｍ，８Ｈ），７．５９－７．６５（ｍ，１６Ｈ），７．４２－７．４９（ｍ，４Ｈ），７．２３－７．３７（ｍ，１６Ｈ），７．１２（ｔ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ），７．０２（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ），６．９１（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ），３．２７（ｓ，３Ｈ）．
［２］電荷輸送性ワニスの調製
［実施例１－１］
　電荷輸送性物質であるアニリン誘導体１　０．０４６ｇ、ドーパント物質であるリンタングステン酸０．１０１ｇおよびテトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）０．０５５ｇを、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン４．０ｇに溶解させた。そこへ２，３－ブタンジオール４．５ｇおよびエチルセルソルブアセテート１．５ｇを加えて撹拌し、さらにそこへ３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）０．００３ｇおよびフェニルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）０．００７ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。
［実施例１－２～１－３］
　アニリン誘導体１　０．０４６ｇの代わりに、それぞれ、アニリン誘導体２　０．０４７ｇ（実施例１－２）、アニリン誘導体３　０．０４７ｇ（実施例１－３）を用いた以外は、実施例１－１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
［３］有機ＥＬ素子の製造および特性評価
［実施例２－１］
　実施例１－１で得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、８０℃で１分間乾燥し、さらに、大気雰囲気下、１５０℃で５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。ＩＴＯ基板としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ2プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除却した。
　次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１．０×１０-5Ｐａ）を用いてα－ＮＰＤを０．２ｎｍ／秒にて３０ｎｍ成膜した。次に、ＣＢＰとＩｒ（ＰＰｙ）3を共蒸着した。共蒸着はＩｒ（ＰＰｙ）3の濃度が６％になるように蒸着レートをコントロールし、４０ｎｍ積層させた。次いで、ＢＡｌｑ、フッ化リチウムおよびアルミニウムの薄膜を順次積層して有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、ＢＡｌｑおよびアルミニウムについては０．２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０．０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ２０ｎｍ、０．５ｎｍおよび１２０ｎｍとした。
　なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機ＥＬ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点－８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（（株）ＭＯＲＥＳＣＯ製、モレスコモイスチャーカット　ＷＢ９０ＵＳ（Ｐ））により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製，ＨＤ－０７１０１０Ｗ－４０）を有機ＥＬ素子と共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６，０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
［実施例２－２～２－３］
　実施例１－１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１－２～１－３で得られたワニスをそれぞれ用いた以外は、実施例２－１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
　作製した各素子について、駆動電流０．７ｍＡにおける駆動電圧、輝度および発光効率、並びに輝度の半減期（駆動電流を０．７ｍＡに保持して素子を駆動し続けた場合に輝度が初期の値の半分に達するのに要する時間）を測定した。結果を併せて表１に示す。なお、各素子の発光面サイズの面積は、２ｍｍ×２ｍｍである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
　表１に示されるように、本発明の電荷輸送性ワニスから得られた電荷輸送性薄膜を正孔注入層として有する有機ＥＬ素子は、高輝度を示し、耐久性にも優れていることがわかる。

Claims (16)

  1. 　式（１）で表されることを特徴とするアニリン誘導体。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     〔式中、Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＣＨ2、またはＮＣＨ3を表し、
    　Ｐｈ1は、互いに独立して、式（Ｐ１）で表される基を表し、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式中、Ｒ1～Ｒ4は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基もしくは炭素数２～２０のヘテロアリール基を表す。）
    　Ａｒ1は、互いに独立して、式（Ａ１）～（Ａ１４）で表されるいずれかの基を表し、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     　ｍおよびｎは、互いに独立して、０～５の整数を表す。〕
  2. 　前記Ｒ1～Ｒ4が、すべて水素原子である請求項１記載のアニリン誘導体。
  3. 　前記Ａｒ1が、互いに独立して、式（Ａ１）～（Ａ１２）で表されるいずれかの基である請求項１または２記載のアニリン誘導体。
  4. 　前記Ａｒ1が、互いに独立して、式（Ａ１）～（Ａ３）、（Ａ５）～（Ａ７）、および（Ａ１０）～（Ａ１２）で表されるいずれかの基である請求項３記載のアニリン誘導体。
  5. 　前記Ａｒ1が、同一の基である請求項１～４のいずれか１項記載のアニリン誘導体。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項記載のアニリン誘導体からなる電荷輸送性物質。
  7. 　請求項６記載の電荷輸送性物質を含む電荷輸送性材料。
  8. 　請求項６記載の電荷輸送性物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニス。
  9. 　さらにドーパント物質を含む請求項８記載の電荷輸送性ワニス。
  10. 　前記ドーパント物質が、ハロテトラシアノキノジメタン化合物を含む請求項９記載の電荷輸送性ワニス。
  11. 　前記ドーパント物質が、さらにヘテロポリ酸を含む請求項１０記載の電荷輸送性ワニス。
  12. 　請求項８～１１のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
  13. 　請求項１２記載の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス。
  14. 　請求項１２記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 　請求項８～１１のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
  16. 　式（２）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （式中、Ｐｈ1、Ｘ、ｍおよびｎは、前記と同じ意味を表す。）
    で表されるアミン化合物を、触媒存在下で、式（３）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     （式中、Ｚは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表し、Ａｒ1は、前記と同じ意味を表す。）
    で表されるアリール化合物と反応させることを特徴とする請求項１記載のアニリン誘導体の製造方法。
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