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WO2015124729A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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Publication number
WO2015124729A1
WO2015124729A1 PCT/EP2015/053626 EP2015053626W WO2015124729A1 WO 2015124729 A1 WO2015124729 A1 WO 2015124729A1 EP 2015053626 W EP2015053626 W EP 2015053626W WO 2015124729 A1 WO2015124729 A1 WO 2015124729A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
distribution structure
power distribution
electrode
electrically
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2015/053626
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Arndt Jaeger
Simon SCHICKTANZ
Egbert HÖFLING
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of WO2015124729A1 publication Critical patent/WO2015124729A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • OLEDs Light-emitting diodes
  • General lighting for example as a surface light source.
  • An OLED can have an anode and a cathode with one
  • the organic functional layer system may include one or more emitter layers in which e1e romagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structure each of two or more carrier pair generation layers
  • Charge carrier pair generation and one or more
  • Electron block layers also referred to as
  • Hole transport layer and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing the flow of current.
  • s electron transport layer
  • busbars thin metallic bus bars
  • Contact pins are bridged or passed through the insulated cathode on the OLED back, for example, an encapsulating glass (Capglas).
  • the encapsulation glass is equipped with an additional electrode and through the
  • Optoelectronic component comprising: an optically active region having an organic functional
  • Layer structure is formed for converting an electric current into an electromagnetic radiation and / or for converting an electromagnetic radiation into an electric current; wherein a substrate at least in the beam path of the electromagnetic radiation is arranged; and wherein the substrate is at least in
  • Current distribution structure is formed in the substrate and extends along the common interface.
  • the substrate may be formed as a lamina at least translucent with respect to the electromagnetic radiation, with one embedded in the substrate
  • the substrate can be formed, for example, from two or more surface-bonded substrate structures, wherein these
  • the interface can have at least one electrically conductive line which extends directly at the common interface.
  • This electrically conductive line can, for example, in the surface of a substrate structure
  • the substrate having an electrically conductive line at the surface may, for example, have a substantially smooth surface such that the at least one electrically conductive line on the surface of the substrate structure is free of elevations which, when the optically active region is formed on the substrate, act as a particle trap or " shadow forming "
  • a current distribution structure may also comprise at least one electrically conductive line which is at a distance from the interface, for example parallel to the interface, along the interface in the substrate. This at least one
  • electrically conductive line can by means of electrical
  • the power distribution structure may extend along the
  • a one-dimensional extent may be a straight line embedded in the substrate structure
  • the lead is at least partially covered and / or surrounded by a substrate structure of the substrate at the common interface.
  • a two-dimensional extent can, for example, be embodied as a line embedded in the substrate structure in the form of a pattern, for example a spiral or a meander; or be formed in For a grid or network.
  • the embedded line is at least partially at the common interface of a Subst at Modell of
  • Substrate covered and / or surrounded.
  • a three-dimensional extent may be formed as a conduit or array of conduits that is spaced from the interface and electrically conductive via contacts
  • Interface is electrically connected / are.
  • Line or arrangement of lines is at least
  • the current distribution structure may be embedded in the substrate, for example directly fixed, for example atomically connected to the substrate, or indirectly, for example at least partially glued, soldered or welded to the substrate by means of a bonding agent.
  • the power distribution structure may be at least partially disposed in the substrate, for example by laying a line in a cable channel in the substrate.
  • the optically active region may further comprise a first electrode and a second electrode, wherein the organic functional layer structure is formed between the first electrode and the second electrode, and wherein the first electrode is on or above the substrate
  • the first electrode may be formed on the substrate, for example forming the common interface with the substrate.
  • the second electrode may be formed above or next to the first electrode.
  • the power distribution structure may be formed such that the power distribution structure has a higher electrical transverse conductivity with respect to the planar
  • the power distribution structure may include one or more lines extending along the interface of the substrate with the optically active region.
  • a conduit may have one or more edge lengths with respect to the cross-sectional area of the conduit in a range from about 0.1 ⁇ to about 100 ⁇
  • the width of the line may be dependent on the thickness of the line in each case with respect to the surface normal of Substrate parallel to the surface normal of the optically active region; and the material composition of the line (s), for example, their electrical conductivity.
  • the substrate may comprise or be formed from a glass, for example a glass
  • Natronsilikatglas for example in the form of a flat glass.
  • Substrate structure may be formed from a glass solder paste, for example, the glass solder paste may have a glass solder powder.
  • the glass solder powder may, for example, comprise or be formed from one of the following substances: PbO-containing systems: PbO-B 2 O 3 , PbO-SiO 2 , PbO-B 2 O 3 -SiO 2 , PbO-B 2 O 3 -ZnO 2 , PbO-B 2 0 3 -Al 2 0 3 , wherein the PbO-containing glass solder can also have Bi 2 0 3 ; Bi 2 0 3 -containing systems: Bi 2 0 3 -B 2 0 3 , Bi 2 0 3 - B 2 0 3 -Si0 2 , Bi 2 0 3 -B 2 0 3 -ZnO, Bi 2 0 3 -B 2 0 3 -ZnO-Si0 2 .
  • the glass solder paste can evaporate liquid and /
  • additives Have organic ingredients. These ingredients can be different additives, so-called additives,
  • the substrate may include or be formed from plastic, for example in the form of a film or a molding compound, for example in the form of a
  • the power distribution structure may comprise at least one electrical line and electrically conductive vias, wherein the vias are electrically conductively connected to the at least one electrical line, such that the at least one electrical line by means of the vias with the optically active Is electrically conductively coupled region, for example, with the first electrode or the second electrode.
  • the current distribution structure can be, for example, nanowires, for example with silver, copper, gold, aluminum and / or other metals, carbon nanotubes, for example as single-wall or multi-wall carbon nanotubes; and / or an electrically conductive and / or electrically conductive
  • indium tin oxide indium zinc oxide, zinc oxide, nickel oxide or the like.
  • the current distribution structure may, for example, be designed to be at least translucent, for example transparent, and / or not or barely visible, for example by the structural widths of at least part of the structures of the current distribution structure being smaller than that
  • Current distribution structure at least partially be formed in an optically inactive region of the optoelectronic component.
  • the current distribution structure may be formed on a foil, wherein the foil is arranged between the first substrate structure and the second substrate structure, for example as a laminate.
  • the power distribution structure may be at least partially formed in an air duct, for example arranged or embedded.
  • the conductor structure may be formed in a channel with a part of the channel being free of
  • the power distribution structure may be at least partially surrounded by a molding compound.
  • molding compound may be electrically nonconductive
  • the current distribution structure may be embedded in the molding compound, for example at least partially surrounded and / or fixed, for example with respect to slippage of a line.
  • the substrate may be a first
  • Substrate structure be connected, for example by means of the molding compound and / or the shape of the first substrate structure and the second substrate structure.
  • the at least one electrical line can be arranged or formed flat in the substrate, for example with parallel paths, for example in the form of a meander or a spiral. As a result, a current distribution can be made possible by means of a single electrical line over the entire surface of an electrode.
  • Power distribution structure several electrically conductive
  • the grid or network structure can be formed, for example, flat in the substrate.
  • the Stromver eilungs minimalistic to realize a first power distribution structure and a second
  • Current distribution structure may be formed in different layers of the substrate.
  • Current distribution structure may be formed in the same layer, for example, side by side or in each other.
  • the power distribution structure may be at least partially exposed such that the
  • Current distribution structure is electrically contacted is, for example, at the edge of the optoelectronic component.
  • the current distribution structure may comprise at least one electrically conductive line which at least partially surrounds the common interface
  • the at least one line forms a common interface with the optically active region.
  • the at least one line can be arranged at a distance from the common interface.
  • the power distribution structure may further comprise electrically conductive vias in the first
  • the power distribution structure may further comprise electrically conductive vias in the first
  • the optoelectronic component may further comprise electrically conductive vias through the first electrode and the organic functional layer structure, wherein the vias are formed such that the second electrode is electrically conductively connected to the at least one line of the current distribution structure.
  • the optically active region for example, the first electrode, with respect to the
  • the optoelectronic component can furthermore have an encapsulation structure on or above the optically active region, the encapsulation structure being hermetically sealed with respect to a diffusion of water
  • the encapsulation structure and the substrate may be formed such that the
  • Encapsulation structure forms a hermetically sealed encapsulation with the substrate, wherein the optically active region hermetically sealed by the electrical
  • Current distribution structure is electrically conductive contactable.
  • the substrate may have at least one electrical connection, wherein the electrical
  • Connection is electrically conductively connected to the power distribution structure, and wherein the electrical connection is designed to be exposed and electrically contacted.
  • the substrate may be formed in such a way, wherein the substrate substantially only optically inactive
  • the optoelectronic component may be formed as an organic optoelectronic device, for example as an organic photodetector, an organic solar cell and / or an organic light emitting diode.
  • a method for producing an optoelectronic component for example as an organic photodetector, an organic solar cell and / or an organic light emitting diode.
  • the method comprising: providing a substrate, wherein the substrate is a
  • an optically active region having an organic functional layer structure on or over the substrate, wherein the organic functional layer structure is for converting the electric current into electromagnetic radiation and / or to an electromagnetic radiation
  • the optically active region is formed on or above the substrate such that the current distribution structure is arranged in the beam path of the electromagnetic radiation, the optically active region and the substrate have a common interface, wherein the current distribution structure extends in the substrate along the common interface;
  • Current distribution structure is electrically connected to the optically active region.
  • optoelectronic component and the optoelectronic component have features of the method for producing an optoelectronic component such and
  • the method may include arranging the substrate on the optically active region, for example as an alternative or in addition to forming the optically active region on the substrate.
  • the method may further comprise forming the substrate, wherein the forming comprises at least one lamination of a substrate structure with a foil having a current distribution structure with at least one electrically conductive line.
  • the method may further include forming the substrate on iron, wherein forming at least one depositing or depositing an electrically conductive material on a substrate structure and / or on the at least one line of the
  • the formation of the substrate may include arranging at least one line of the
  • the formation of the substrate can form electrically conductive Vias in the at least one substrate structure
  • the electrically conductive vias are formed electrically conductively connected electrically conductively connected to the at least one electrical line.
  • the formation of the through contacts may include opening the substrate structure on or above the electrically conductive line, for example by means of a laser.
  • the formation of the vias can len at least a partial Fül
  • Overfill the openings with an electrically conductive paste for example by means of a screen printing or pad printing process.
  • the formation of the vias may be a deposition of an electrically conductive
  • the formation of the substrate may be a structured formation of a
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component according to FIG. 1
  • Figure 2 is a schematic representation of a
  • Figure 3 is a schematic representations of a
  • FIGS. 4A-G are schematic representations of a substrate of an optoelectronic component according to various embodiments in a method for producing the
  • FIGS. 5A, B are schematic representations of optoelectronic
  • optoelectronic components are described, wherein an optoelectronic
  • the optically active region can emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region.
  • the electromagnetic radiation may comprise a wavelength range on iron, X-radiation, UV radiation (A-C),
  • the substrate may be at least one of these
  • electromagnetic radiation be translucent or transparent.
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • providing electromagnetic radiation may be understood as emitting electromagnetic radiation by means of an electric current through an optically active structure.
  • the optically active region can be, for example, a
  • electromagnetic radiation emitting semiconductor structure and / or as an electromagnetic radiation emitting diode, as an organic electromagnetic radiation emitting diode, as a electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation emitting transistor
  • the emissive component can be called
  • LED light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • OFET organic field effect transistor
  • the organic field effect transistor may be a so-called “all-OFET" in which all layers are organic
  • Radiation emitting device can be in different
  • Embodiments be part of an integrated circuit.
  • a plurality of electromagnetic radiation emitting components may be provided, for example housed in a common housing.
  • Optoelectronic component can be an organic
  • the organic functional layer structure may include or may be formed from an organic substance or mixture of organic substances, for example, configured to provide electromagnetic radiation from a supplied electrical current, for example electroluminescent.
  • the optoelectronic component can be used as an organic light-emitting diode, an organic photodetector or a
  • An organic light emitting diode may be formed as a top emitter or a bottom emitter. In a bottom emitter, light is emitted from the electrically active region through the substrate, which is formed as a carrier. at A top emitter emits light from the top of the electrically active region through the substrate, which is formed as a cover.
  • a top emitter and / or bottom emitter may also be optically transparent or optically translucent, for example, any of the following can be described
  • Layers or structures may be transparent or translucent.
  • the substrate is a self-supporting body or coating
  • a substrate may be on the optically active
  • the optically active region may be formed on or above the substrate.
  • a planar optoelectronic component which has two flat, optically active sides, can be used in the
  • Connection direction of the optically active pages for example, be transparent or translucent, for example, as a transparent or translucent organic
  • a planar optoelectronic component can also be referred to as a planar optoelectronic component.
  • the optically active region can also be a flat, optically active side and a flat, optically inactive side on iron, for example an organic light-emitting diode which is set up as a so-called top emitter or bottom emitter.
  • the optically inactive side may be in
  • the beam path of the optoelectronic component can be directed, for example, on one side.
  • the first electrode, the second electrode and the organic functional layer structure may in each case be of large area. This allows the optoelectronic
  • Component have a continuous luminous surface which is not structured into functional subregions
  • a segmented into functional areas luminous area or a luminous area the one of
  • pixels are formed. This can be a large-scale radiation of electromagnetic
  • “Large area” can mean that the optically active side of a surface, such as a
  • the optoelectronic component only a single square millimeters, for example, greater than or equal to one square centimeter, for example, greater than or equal to one square decimeter.
  • the optoelectronic component only a single square millimeters, for example, greater than or equal to one square centimeter, for example, greater than or equal to one square decimeter.
  • the optoelectronic component only a single square millimeters, for example, greater than or equal to one square centimeter, for example, greater than or equal to one square decimeter.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer or structure is transparent to light, for example, that of the light-emitting
  • Component generated light for example, one or more wavelength ranges, for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in different exemplary embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are combined into one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case
  • the term "transparent” or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), in which a structure (for example, a layer) coupled light without scattering or light conversion is also coupled out of the structure (for example, layer).
  • a hermetically water and / or oxygen dense layer or structure may be considered as substantially related to a diffusion of water and / or oxygen through that layer or structure
  • a hermetically sealed layer or structure can be any material that can be used to form A hermetically sealed layer or structure.
  • Oxygen of less than about 10 g / (m d), a hermetically sealed cover and / or a hermetically sealed support may, for example, have a diffusion rate
  • a hermetically sealed substance or a hermetically sealed one may be used
  • the optically active region and the substrate in the region of the common interface on a physical, atomic contact.
  • the optically active region and the substrate divide, in the Area of the common interface vividly one
  • Optoelectronic device 100 has an active region 106 on a substrate 102, for example illustrated in FIG.
  • the optoelectronic device 100 may be configured as an organic optoelectronic device
  • Device 100 may be formed, for example as an organic photodetector 100, an organic solar cell 100 and / or an organic light-emitting diode 100.
  • the active region 106 is an electrically active region 106 and / or an optically active region 106.
  • the active region 106 is, for example, the region of the optoelectronic component 100 in which electrical current flows for operation of the optoelectronic component 100 and / or in the electromagnetic radiation is generated and / or absorbed,
  • the electrically active region 106 may include a first electrode 110, an organic functional layer structure 112, and a second electrode 114.
  • the organic functional layer structure 112 is electrically formed between the first electrode 110 and the second electrode 114.
  • Functional layer structure 112 is for converting an electric current into an electromagnetic one
  • the substrate 102 may be formed or arranged such that the
  • the substrate 102 has a current distribution structure 10.
  • the optically active region for example the first electrode 110 and / or the second electrode 114, is connected to the electrical
  • Power distribution structure 104 electrically coupled.
  • a substrate 102 In various embodiments, a substrate 102
  • the substrate 102 has at least in the beam path of the electromagnetic radiation
  • the optically active region 106 and the substrate 102 have a common interface, wherein the
  • Current distribution structure 104 is formed in the substrate 102 and extends along the common interface.
  • the substrate 102 may be such
  • the substrate 102 may have substantially only optically active region. In other words, the substrate 102 may be substantially free of optically inactive regions.
  • the substrate 102 may include or be formed in a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region, for example as a foil.
  • the substrate 102 may be used as a waveguide for those emitted and / or absorbed by the active region
  • electromagnetic radiation for example, be transparent or translucent in terms of
  • emitted or absorbed electromagnetic radiation of the optoelectronic component 100 for example with a transmittance, in a range of about 50% to 100%, for example in a range of about 60% to 100%, for example in a range of about 70% to 100%, for example in a range of about 80% to 100% For example, in a range of about 90% to 100%.
  • the substrate 102 may include one or more substrate structures. 108 -n; a
  • the substrate 102 may be a first
  • the substrate 102 has only one substrate structure 108 and the current distribution structure 104, wherein the silicon distribution structure 104 has at least one electrical line.
  • the power distribution structure 10 may further comprise vias 116, which are electrically connected to the electrical line, in the event that the at least one electrically conductive
  • Line is not exposed at the surface or interface to the optically active region.
  • the current distribution structure 104 is arranged between the first substrate structure 108-1 and the second substrate structure 108-2, for example, embedded in the first substrate structure 108-1 and / or the second substrate structure 108-2.
  • the optoelectronic component 100 for example the substrate 102, may be formed such that the magnetic distribution structure 104 is electrically connected to at least one of the substrate structures 108-1 / 2 with the first electrode 110 or the second electrode 114 connected or coupled, see also, for example
  • a substrate structure 108-n may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material.
  • the substrate may be a plastic film or a
  • Laminate with one or more plastic films Laminate with one or more plastic films
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP). Furthermore, the plastic
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PES Polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • At least one substrate structure 108-n may comprise or be formed from a glass
  • At least one substrate structure 108-n may comprise or be formed from a plastic, for example in the form of a film or a molding compound.
  • a substrate structure 108-n may be in at least one
  • Wavelength range be opaque, translucent or even transparent.
  • a substrate structure 108-n may be part of a
  • the power distribution structure 104 may include at least one
  • the current distribution structure 104 may comprise or be formed of a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel and / or a semiconducting material, for example a metal oxide, for example zinc oxide, nickel oxide.
  • the current distribution structure 104 should be formed such that it has a higher conductivity or Stromvertei tion than the layer of the optically active region 106, for example electrode, with which it is electrically coupled, for example, with respect to the planar extent of the electrically coupled electrode.
  • Power distribution structure 104 two or more
  • the power distribution structure 104 may include a first power distribution structure 104-1 and a second power distribution structure 104-1
  • Power distribution structure 104-2 wherein the first power distribution structure 104-1 is electrically isolated from the second power distribution structure 104-2; and wherein the first power distribution structure 104-1 is electrically coupled to the first electrode 110 and the second power distribution structure 104-2 is electrically coupled to the second electrode 114.
  • Stromvertei lungs Quilt 104-1 and the second Power distribution structure 104-2 may be formed in different layers of the substrate. The different ones
  • Layers may for example be arranged side by side, one above the other or offset from each other.
  • Power distribution structure 104-2 be formed in the same layer, for example, as a side by side
  • the power distribution structure 104 may be at least partially exposed such that the
  • Current distribution structure 104 is electrically contacted, for example, at the edge of the optoelectronic component 100th
  • the power distribution structure 104 may be formed on a foil.
  • the foil can be formed on a foil.
  • first substrate structure 108-1 for example, be arranged between the first substrate structure 108-1 and the second substrate structure 108-2,
  • the power distribution structure 104 may be formed in an air channel, for example in a channel that is partially free of power distribution structure 10th
  • the power distribution structure 104 may be at least partially surrounded by a molding compound.
  • the molding compound may be formed, for example, electrically non-conductive.
  • the power distribution structure 104 may be embedded in the molding compound.
  • the power distribution structure 104 may be more physically connected to the first substrate structure 108-1 and / or the second substrate structure 108-2,
  • Substrate structure 108-2 Substrate structure 108-2.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Power distribution structure 104 have at least one electrically conductive line.
  • the at least one electrical line may for example be arranged or formed flat in the substrate 102, for example, have approximately parallel tracks, for example in the form of a meander or a spiral.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Power distribution structure 104 have a plurality of electrically conductive lines, wherein the plurality of electrically conductive lines have an arrangement in a grid or network structure.
  • the grid or Ne z réelle may for example be formed flat in the substrate.
  • one or more electrically conductive leads may have a diameter or a diameter
  • Width in the beam path of the electromagnetic radiation have in a range of about 1 ⁇ to about 1 mm, for example in a range of about 1 ⁇ to about hr 200 ⁇ , for example in a range of about 10 ⁇ to about 50 ⁇ .
  • the adjacent ones Lines can be the same or different, for example, a different width.
  • the average width of the lines can be used.
  • the average width for example, the width of the lines.
  • one or more electrically conductive lines may have a greater depth in the substrate than the width of the line in FIG
  • the pipe can be oval or rectangular
  • the electrically conductive line have a lower optical visibility and have an equal or higher lateral Stromleiten.
  • Substrate be formed and thus a higher electrical conductivity Leitf and / or a lower optical visibility of the power distribution structure are made possible.
  • the optical visibility can be determined, for example, from the ratio of the optically inactive or opaque surface to the optically active or transparent surface.
  • the vias 116 comprise an electrically conductive material and are electrically conductive with respect to the current distribution structure 104 and the optically active region, for example the electrode 110, 114 connected by means of the vias 116, under operating conditions of the
  • the beam distribution structure 104 may include electrically conductive vias 116 in the first
  • Substrate structure 108-1 and / or the second Subs rat Concept have 108-2, wherein the vias 116 so
  • the substrate 102 may include a
  • the first electrode 110 may be provided with respect to the planar shape of the first electrode 110
  • the method 200 may include providing 202 a substrate 102, the substrate 102 having a
  • the method may further include forming 204 an optically active region 106 having an organic functional layer structure 112 on or over the substrate 102
  • Layer structure 112 is formed for converting the electric current into an electromagnetic radiation and / or for converting an electromagnetic radiation into the electric current.
  • Region 106 may be formed on or above the substrate 102 such that the current distribution structure 104 is disposed in the beam path of the electromagnetic radiation, the optically active region 106 and the substrate 102 have a common interface, wherein the
  • Current distribution structure 104 is electrically connected to the optically active region 106.
  • the substrate 102 may be formed as a laminate at least translucent with respect to the electromagnetic radiation, for example with an electrically conductive embedded in the substrate 102 at least partially
  • the substrate 102 may be any suitable material.
  • these layers could consist of the same or different materials.
  • forming the optically active region 106 may further include forming a first electrode 110 and a second electrode 114
  • Layer structure 112 between the first electrode 110 and the second electrode 114 is formed, and wherein the first electrode 110 on or above the substrate 102nd
  • the optically active Area be formed as a stack of layers; and / or the first electrode 110 and the second electrode 114
  • the providing 202 may include forming the substrate 102.
  • the formation of the substrate 102 may include at least one of a Larain Schlieren one
  • Substrate structure 108 -n have a current distribution structure 104.
  • the substrate structure 108 -n may, for example, comprise a foil and the current distribution structure 104 at least one electrically conductive line.
  • Power distribution structure 104 between a first
  • Substrate structure and a second Subs rat MUST be laminated.
  • an arranging at least one line of the power distribution structure 104 on a first substrate structure 108-1 have, and on a rings a Glaslotpaste on or over the first Subs rat Design and / or the at least one line, wherein the glass solder paste is then glazed that a second substrate structure 108-2 is formed.
  • forming the substrate may include electrically conductive vias 116 in the at least one
  • S bstrat Jardin have, wherein the electrically conductive vias 116 are electrically conductively connected to the at least one electrical line electrically conductive. Forming the vias 116 may include opening the
  • Lei ung have, for example by means of a laser.
  • the openings 404 may be at least partially filled or overfilled with an electrically conductive paste 412, for example by means of a screen printing or
  • the formation of the vias 116 may include depositing an electrically conductive material in the openings 404 of the substrate structure
  • the forming of the substrate 102 may alternatively comprise a structured formation of a substrate structure such that openings 404 are formed in the substrate structure in the regions of the through-contacts 116.
  • Substrate structure 108-n have a glass or from it
  • the power distribution structure 104 may include at least one
  • electrical conduction and electrically conductive vias 116 are formed, wherein the vias 116 are electrically conductively connected to the at least one electrical line, such that the at least one electrical line by means of the vias 116 with the first electrode 110 or the second electrode 114th
  • the electrically conductive can be coupled.
  • the through contacts 116 extend from the electrically conductive line to the interface to the optically active region.
  • the power distribution structure 104 may be formed on a foil, wherein the foil between the first substrate structure 108-1 and the second
  • Substrate structure 108-2 is arranged.
  • the power distribution structure 104 may be formed in an air duct, for example
  • the at least one electrically conductive line can be arranged in the air duct.
  • the power distribution structure 104 may be at least partially surrounded by a molding compound.
  • the molding compound may be formed, for example, electrically non-conductive.
  • the molding compound may be formed, for example, electrically non-conductive.
  • Current distribution structure 104 are embedded in the molding compound.
  • the current distribution structure can be physically connected to the first substrate structure 108-1 and / or the second substrate structure 108-2,
  • Substrate structure 108-2 Substrate structure 108-2.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Power distribution structure 104 may be formed with at least one electrically conductive line.
  • the at least one electrically conductive line can be arranged or formed flat in the substrate 102, for example as partially parallel tracks in the form of a meander or a spiral.
  • Power distribution structure ei e or more electrically have conductive lines which are electrically contacted by one or more electrically conductive contact strips or can be.
  • Contact strips can be arranged, for example, in one or more edge regions of the substrate 102.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • electrically conductive lines for example, in a grid, mesh or sieve structure or arranged as parallel Lei openings are formed.
  • the Sieb Concept
  • the substrate 102 can be formed flat in the substrate 102, so that the lines are arranged flat in the substrate.
  • the at least one conduit can be embedded in a still fused substrate structure, for example a flat glass, so that after cooling and / or solidification the substrate is formed, for example in one
  • Float glass method for example, before molding.
  • the power distribution structure 104 may include a first power distribution structure 104 and a second power distribution structure 104, the first power distribution structure 104 being electrically isolated from the second power distribution structure 104; and wherein the first power distribution structure 104 is electrically coupled to the first electrode and the second power distribution structure 104 is electrically coupled to the second electrode.
  • Power distribution structure 104 may be formed in different layers.
  • the power distribution structure 104 may be at least partially exposed such that the
  • Current distribution structure 104 is electrically contacted, for example, at the edge of the optoelectronic component.
  • the power distribution structure 104 may be formed to include at least one
  • the power distribution structure 104 may further comprise electrically conductive vias 116 in the first substrate structure 108-1 and / or the second substrate structure 108-2, wherein the vias 116 so
  • first electrode 110 and / or the second electrode 114 are electrically conductively connected by means of the vias 116 with the at least one line of the power distribution structure 104.
  • the power distribution structure 104 may further include electrically conductive vias 116 in the first
  • the optoelectronic component may further comprise electrically conductive vias 116 through the. have first electrode and the organic functional layer structure, wherein the vias 116 are formed such that the first electrode 110 with the at least one line of the power distribution structure 104 is electrically conductively connected.
  • the vias and the at least one electrical line may be formed in a common and / or single process.
  • the method may further include
  • an encapsulation structure 328 on or over the optically active region 106 - see description below; wherein the encapsulation structure 328 hermetically sealed with respect to a diffusion of water and / or oxygen through the encapsulation structure in the optically active
  • Region 106 is formed.
  • the encapsulation structure 328 and the substrate 102 may be formed such that the encapsulation structure 328 is connected to the substrate 102
  • the substrate 102 may be formed with at least one electrical connection 504, wherein the electrical connection 504 is electrically conductively connected to the power distribution structure 104, and wherein the electrical connection 504 is free-lying and electrically contactable.
  • the substrate 102 may be such
  • the electromagnetic radiation is at least partially transmitted through the substrate 102, wherein the substrate 102 is substantially free of optically inactive regions 424, for example, except for the region of the current distribution structure.
  • the current distribution structure can be partially or completely made of an electrically conductive, in the visible wavelength range translucent or
  • the optoelectronic component 100 can be used as an organic optoelectronic component
  • Photodetector an organic solar cell and / or an organic light emitting diode.
  • Optoelectronic device 100 further includes a hermetically sealed substrate 326, an active region 106 and an encapsulation structure 328 - for example
  • the hermetically sealed substrate may include the substrate 102 and a first barrier push 304.
  • the organic functional layer structure 106 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more interlayer structures between the layered structure units.
  • the organic functional layer structure 112 may be, for example, a first organic functional layer structure unit 316, an interlayer structure 318 and a second organic functional layer structure unit 320.
  • the encapsulation structure 328 may be a second
  • Barrier layer 308, a coherent connection layer 322 and a cover 324 have.
  • the first barrier layer 304 may include or be formed from one of the following materials:
  • the first barrier layer 304 may be by means of one of
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • PEALD Plasma Absorption Deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • PECVD PECVD Deposition
  • Partial layers may have one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the first barrier layer 304 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm
  • a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment for example about 40 nm according to an embodiment.
  • the first barrier layer 304 may be one or more
  • high-index materials on iron for example one or more materials having a high refractive index, for example having a refractive index of at least 2.
  • Barrier layer 304 may be omitted, for example, in the event that the substrate 102 is formed hermetically sealed, for example, glass, metal, metal oxide on or from it.
  • the first electrode 304 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 110 may be one of the following electrically conductive material on or formed of iron: a metal; a conductive conductive oxide (TCO); a network of metallic nanowires and particles, for example of Ag, which are combined, for example, with conductive polymers; a network of carbon nanotubes that
  • the first electrode 110 made of a metal or a metal may comprise or be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of this material ,
  • the first electrode 110 may be one of the following as a transparent conductive oxide
  • zinc oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or ⁇ .2 ⁇ 3 also include ternary metal oxygen compounds, for example AIZnO, Zn 2 SnO 4 , CdSn 3 , ZnSnO 3 , Mgln 2 O 4 ,
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting (n-TCO).
  • the first electrode 110 may be a layer or a
  • the first electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium-tin-oxide
  • the first electrode 304 may, for example, have a layer thickness in a range of 10 nm to 500 nm,
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be provided by a power source, such as a power source or a voltage source.
  • the first electrical potential may be applied to an electrically conductive substrate 102 and the first electrode 110 may be indirectly electrically supplied through the substrate 102.
  • the first electrical potential may be, for example, the
  • Ground potential or another predetermined reference potential is ground potential or another predetermined reference potential.
  • FIG. 3 shows an optoelectronic component 100 having a first organic functional layer structure unit 316 and a second organic functional one
  • Layer structure unit 320 shown.
  • Layer structure 112 but also have more than two organic functional layer structures, for example 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example 70,
  • Layer structures may be the same or different, for example the same or different
  • the second organic functional layer structure unit 320 may be one of those described below
  • Layer structure unit 316 may be formed.
  • the first organic functional layer structure unit 316 may include a hole injection layer, a
  • Electron injection layer on iron In an organic functional layer structure unit 112, one or more of said layers may be provided, wherein like layers may have physical contact, may only be electrically connected to each other, or may even be electrically isolated from each other, for example, formed side by side. Individual layers of said layers may be optional.
  • a hole injection layer may be formed on or above the first electrode 110.
  • the Lochinj can edictions slaughter include one or more of the following materials or may be formed from: HAT-CN, Cu (I) FBZ, MoO x, W0 X, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc; NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, N 1 -bis (phenyl) -benzidine); TPD (N, '- bis (3-methylphenyl) -, N'-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , '-bis (phenyl) benzidine); Spi o
  • the hole injection chip may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm,
  • Hole transport layer may be formed.
  • Hole transport layer may be one or more of the following materials on iron or formed therefrom: NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (aphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD (N, N 1 -bis (3-methylphenyl) -N, N '-bis (phenyl) -benzidine); Spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine);
  • Spiro-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) -N, 1 -bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DMFL-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) -N, N 1 -bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DPFL-TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); DPFL-PB (N, '-Bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluorene); Spiro-TAD (2,
  • N '-bis (phenanthrene-9-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine; 2,7-bis [N, -bis (9,9-spiro-bifluoren-2-yl) -amino] -9, 9-spirobifluorene 2,2 '-bis [N, -bis (bipheny1-4 -y1) mino] 9,9-spirobifluorene; 2,2 'bis (N, -di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene; Di- [4 - (N, -ditolylamino) -phenyl] cyclohexane; 2, 2 ', 7, 7' - tetra (N, N-diol-tolyl) amino-spiro-bifloren; and N,
  • the hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • functional layered structure units 316, 320 may each layer one or more emitter layers on iron,
  • An emitter layer may include or be formed from organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”), or a combination of these materials.
  • the op oelektronische device 100 may in a
  • Emitte will coat one or more of the following materials on iron or be formed from: organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2 - ( 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • Such non-polymeric emitters are, for example, separable by thermal evaporation. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as for example, a spin coating method (also referred to as spin coating).
  • a spin coating method also referred to as spin coating
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material, for example one
  • Emitter layer have a layer thickness in a range of about 5 nra to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • Emitter layer have multiple sub-layers that emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission produced by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure unit 316 may include one or more emitter layers configured as a hole transport layer.
  • the organic functional layer structure unit 316 may include one or more emitter layers configured as an electron transport layer. On or above the emitter layer, a
  • the electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET- 18; 2,2 ", 2" - (1, 3, 5-benzinetriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazoles); 2- (4-biphenylyl) -5- (- tert -butyl-phenyl) -1,3,4-oxadiazoles, 2,9-dimethyl-, 7-diphenyl-1,10-phenanthrolines (BCP); 8-hydroxyquinolinolato lithium, 4-
  • the electron transport layer may have a layer thickness
  • a first electron transport layer 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • a second electron transport layer 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Electron injection layer may be formed.
  • Electron injection layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 C0 3 , CS 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example, in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the second organic functional layer structure unit 320 may be formed over or adjacent to the first functional layer structure units 316. Electrically between the organic functional
  • Layer structure units 316, 320 may be a
  • Interlayer structure 318 may be formed.
  • the first layer 318 may be formed.
  • Interlayer structure 318 may be formed as an intermediate electrode 318, for example according to one of
  • Intermediate electrode 318 may be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source may provide, for example, a third electrical potential at the intermediate electrode 318.
  • the intermediate electrode 318 can also have no external electrical connection, for example in that the intermediate electrode has a floating electrical potential.
  • Interlayer structure 318 may be formed as a charge generation layer structure 318 (CGL).
  • a charge carrier pair generation layer structure 318 may be one or more
  • Electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and one or more hole-conducting charge carrier pair are Electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and one or more hole-conducting charge carrier pair
  • the charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier generation layer (s) may each be formed of an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the charge carrier pair generation layer structure 318 should be designed with respect to the energy levels of the electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) in such a way that at the interface of an electron-conducting charge carrier pair
  • the carrier pair generation layer structure 318 may further include a sandwich between adjacent layers
  • Each organic functional layer structure unit 316, 320 may, for example, have a layer thickness of a maximum of approximately 3 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the optoelectronic component 100 may optionally have further organic functional layers, for example arranged on or above the one or more
  • the further organic functional layers can be, for example, internal or external coupling / decoupling structures, which are the
  • the second electrode 114 may be formed.
  • the second electrode 114 may be formed according to any one of the configurations of the first electrode 110, wherein the first electrode 110 and the second electrode 114 may be the same or different.
  • the second electrode 114 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is, as one
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential may be from the same or another source of energy
  • the second electrical potential may be different from the first electrical potential and / or the optionally third electrical potential.
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the Difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V. up to about 12 V.
  • the second barrier layer On the second electrode 114, the second barrier layer
  • the second barrier layer 308 may also be referred to as
  • TFE Thin film encapsulation
  • the second barrier layer 308 may be formed according to one of the embodiments of the first barrier layer 304.
  • Barrier layer 308 can be dispensed with.
  • the optoelectronic component 100 may, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a second barrier layer 308 may be optional, for example a cover 324, for example one
  • one or more input / output coupling layers may be formed in the optoelectronic component 100, for example an external outcoupling foil on or above the substrate 102 (not shown) or an internal one
  • Decoupling layer (not shown) in the layer cross section of the optoelectronic component 100.
  • the input / output coupling layer can be a matrix and distributed therein
  • Antireflective coatings for example, combined with the second barrier layer 308) in the opto-electronic
  • Component 100 may be provided.
  • Connection layer 322 may be provided, for example, an adhesive or a paint.
  • a cover 324 can be connected conclusively to the second barrier layer 308, for example by being glued on.
  • transparent material can be particles
  • the coherent bonding layer 322 can act as a scattering layer and improve the color angle eryaks and the
  • Metal oxide for example, silicon oxide ⁇ S1O 2 ), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga 2 O x ) alumina, or titanium oxide.
  • Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 322, for example air bubbles, acrylate or glass bubbles.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the coherent bonding layer 322 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ on iron, for example a
  • the coherent connection layer 322 may be such
  • Such an adhesive may for example be a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive can also be a high-index adhesive, for example
  • an electrically insulating layer (not limited to, between the second electrode 114 and the interlocking connecting layer 322, an electrically insulating layer (not shown).
  • SiN for example, having a layer thickness in a range from about 300 nm to about 1.5 ⁇ m, for example with a layer thickness in a range from about 500 nm to about 1 ⁇ , to electrically unstable materials
  • a cohesive interconnect layer 322 may be optional, for example, if the cover 324 is formed directly on the second barrier layer 308, such as a glass cover 324 formed by plasma spraying.
  • the electrically active region 106 may also be a so-called getter layer or getter structure,
  • a laterally structured getter layer may be arranged (not shown).
  • the getter layer may have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several ⁇ ,
  • the getter layer may include a lamination adhesive or may be embedded in the interlocking tie layer 322.
  • a cover 324 may be formed on or above the coherent connection layer 322.
  • the cover 324 can be connected to the electrically active region 106 by means of the coherent connection layer 322 and protect it from harmful substances.
  • the cover 324 may include, for example, a glass cover 324, a
  • Plastic film cover 324 be.
  • the glass cover 324 can be connected to the second barrier layer 308 or the electrically active region 106 by means of a glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding using a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 100 get connected .
  • the cover 324 and / or the integral interconnect layer 322 may have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • a thin metal mesh 402 or a plurality of thin metal meshes 402 are embedded between a first glass sheet 108-1 and a second glass sheet 108-2, for example, as illustrated in FIG.
  • Metal grid 402 may be formed, for example, in a composite foil, for example in a foil made of a thermoplastic elastomer (TPU).
  • TPU thermoplastic elastomer
  • Power distribution structure 104 from.
  • the substrate structures 108 - 1/2 and the current distribution structure 104 may
  • the metal wires of the embedded metal grid 402 may have a thickness in a range of about 10 ⁇ to about 100 ⁇ , for example, in a range of
  • the substrate 102 produced in this way can subsequently be used as a carrier for the method 200 for producing the optoelectronic component 100, for example an OLED - see, for example, FIG. 4G.
  • the current distribution structure 104 may be electrically conductively connected to at least one of the electrodes 110, 114.
  • an electrically conductive connection between the first electrode 110 and the metal grid 104 can be formed.
  • FIG. 4D Top view (FIG. 4D) as a component 406.
  • the formation of the holes 404 can, for example, by means of a laser process 408 (laser piercing) or
  • the holes 404 can be formed wet-chemically or dry-chemically, for example by means of an etching process, for example wet-chemical etching or plasma etching.
  • Subsra structure 108-2 be removed so that the
  • Metal wires are exposed locally, for example
  • the holes 404 may be filled with an electrically conductive material. As a result, vias 116 can be formed in the second substrate structure 108-2.
  • Electrode 110 are formed.
  • the optional first barrier layer 304 (see FIG. 3) can also be formed before or after the formation of the vias.
  • the vias 116 may be formed with the formation of the first electrode 110, for example, in which a paste 412 is applied to the second substrate structure 108-2 by means of a squeegee 410 such that the holes 404 are filled with electrically conductive material and a electrically conductive connection between power distribution structure 104 and electrode 110, 114 may form (for example, illustrated in the side view (Fig. 4E) and the plan view (Fig.4F)).
  • the electrically conductive material paste may be dried to solidify.
  • volatile constituents for example binders
  • the paste can be crosslinked, for example thermally and / or by means of UV irradiation.
  • the electrically conductive material paste may be from the surface of the second Substrate structure 108-1 are removed. Subsequently, after an optional drying and / or cleaning of the substrate 102, for example, the first barrier layer 304 and / or the first electrode 110 on the second
  • Substrate structure are formed.
  • the first electrode 110 by means of a wet or
  • Deposition process are applied to the substrate 102 or. be trained on it.
  • the formation of the further layers of the OLED see
  • FIG. 3 and FIG. 4G description of FIG. 3 and FIG. 4G can be carried out as described wet-chemically and / or by means of vacuum deposition.
  • Fig. 4G In the schematic cross-sectional view in Fig. 4G is a
  • Substrate structure 108-1 Substrate structure 108-1, power distribution structure 104, second substrate structure 108-2 and vias 116. On the
  • Substrate 102 for example, the first electrode 110, the organic functional layer structure 112 formed and the second electrode 114 is formed.
  • the second electrode 114 is by means of an electrical
  • the second electrode 114 may be connected to a
  • the electrical connection layer 414 be physically and electrically connected.
  • the electrical connecting layer 414 may be formed in the geometric edge region of the substrate 102 on or above the substrate 102, for example laterally next to the first electrode 110
  • Connecting layer 414 is another one
  • Electrode 110 isolated. On or above the two electrodes 114, for example, the second bar ieren Medntechnik 308th arranged such that the second electrode 114, the
  • barrier layer 308 is, for example, a cover 324, i. a substrate 324, applied by means of an adhesive layer 322.
  • the region of the optoelectronic component 100 having an organic functional layer structure 112 on or above the substrate 102 may be referred to as the optically active region 422.
  • the optically active region 422 Approximately the region of the optoelectronic component 100 having an organic functional layer structure 112 on or above the substrate 102 may be referred to as the optically active region 422.
  • optically inactive region 424 Functional layer structure 112 on or above substrate 102 may be referred to as optically inactive region 424.
  • the optically inactive region 424 may, for example, be arranged flat next to the optically active region 422.
  • the electrical insulation 416 may be configured such that a current flow between two electrically
  • the substance or the substance mixture of the electrical insulation can be, for example, a coating or a coating agent, for example a polymer and / or a lacquer.
  • the lacquer may, for example, have a coating substance which can be applied in liquid or in powder form,
  • the electrical insulation 416 can be applied or formed, for example by means of a printing process, for example, structured.
  • the printing method may include, for example, an inkjet printing (Inkj et - Printing), a screen printing and / or a pad printing (Päd- Printing).
  • the electrical connection layer 414 may mix as a substance or a substance or a substance mixture similar to the electrodes 110, 114 according to one of the above-described
  • Embodiments have or be formed from it.
  • a contact pad 418, 420 may be electrically and / or physically connected to an electrode 110, 114, for example by means of a connection layer 414. However, a contact pad 418, 420 may also be formed as a region of an electrode 110, 114 or a connection layer 414.
  • the contact pads 418, 420 can comprise as fabric or a mixture of substances a substance or a substance mixture similar to the electrodes 110, 114 according to one of the embodiments described above or be formed thereof, for example as a metal layer structure with at least one chromium layer and at least one aluminum layer, for example, chromium-aluminum-chromium (Cr-Al-Cr).
  • the optically inactive region 424 may be, for example
  • Contact surfaces 418, 420 (contact pads), for example in the form of contact strips, for electrically contacting the
  • the optoelectronic component 100 may be formed such that contact pads 418, 420 are formed for electrically contacting the optoelectronic component 100, for example by electrically conductive layers, for example electrical connection layers 414, the electrodes 110, 114 or the like in the region of the contact pads 418, 420 are at least partially exposed (not
  • the optoelectronic component 100 may further comprise electrically conductive vias 116 through the first electrode 110 and the organic functional one
  • Layer structure 112 wherein the vias 116 are formed such that the second electrode 114 with the power distribution structure 104 is electrically connected.
  • the second electrode 114 may be electrically connected to the metal grid 402 in addition to or instead of the first electrode 110 (illustrated in FIG. 5A, for example).
  • the first electrode 110 illustrated in FIG. 5A, for example.
  • Power distribution structure 104 to be electrically connected to the second electrode 114 and electrically from the first
  • Power distribution structure 104 a first
  • Power distribution structure 104-2 wherein the first power distribution structure 104-1 is electrically isolated from the second power distribution structure 104-2; and wherein the first power distribution structure 104-1 is electrically coupled to the first electrode 110 and the second power distribution structure 104-2 is electrically coupled to the second electrode 114.
  • the applied organic functional layer structure 112 and the first electrode 110 can be removed via the vias 116 in the second sub-rat Quilt 104-2, an insulation 502 in the holes in the organic
  • the holes in the organic functional layer structure 112 and the first electrode 110 may be electrically insulated from the organic functional layer structure 112 and the first electrode 110 filled with an electrically conductive material, for example, with the formation of the second electrode 114 or before.
  • the applied organic functional layer structure 112 and the first electrode 110 and the second substrate structure 108-2 are removed locally above the metal wires of the metal grid 402 of the power distribution structure 104; an insulation 502 in the holes in the organic functional
  • Layer structure 112 the first electrode 110 and / or the second substrate structure 108-2 are formed; and thereafter forming the second electrode 114, for example, by vapor deposition.
  • the first electrode 110 and the second substrate structure 108-2 can be electrically isolated from the organic functional layer structure 112 and the first electrode 110 with an electric
  • the conductive material for example, with the formation of the second electrode 114 or before.
  • the second electrode 114 or before.
  • Power distribution structure 104 in addition to the electrical connection to the at least one electrode 110, 114 by means of the vias 116; with at least one of
  • the substrate 102 is formed so that the power distribution structure 104 is free from freely accessible external electrical contacts, that is, acts as a purely internal power distribution structure.
  • the power distribution structure may be electrically insulated outwardly with respect to the exposed areas of the substrate 102.
  • the power distribution structure may be electrically insulated outwardly with respect to the exposed areas of the substrate 102.
  • Stromvertei distribution structure 104 an electrical contact 504 outward with respect to the exposed surfaces of the
  • Substrates 102 have - for example, illustrated in Fig. 5B.
  • the active region 106 may be surrounded by an encapsulation structure 328 and hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.
  • the Encapsulation structure 328 may be, for example, such
  • Power distribution structure 104 is done - for example
  • Metal grid 402 may be laterally out of the substrate 102
  • Component (without optically inactive region 424) allows (seamless tiling).
  • the optoelectronic component 100 may have an encapsulation structure 328 on or above the optically active region 106, wherein the
  • Encapsulation structure 328 hermetically sealed with respect to diffusion of water and / or oxygen through the
  • Encapsulation structure 328 is formed in the optically active region 106.
  • the encapsulation structure 328 and the substrate 102 may be formed such that the
  • Power distribution structure 104 is electrically conductive contacted.
  • the substrate 102 may include at least one electrical connection 504, wherein the electrical connection 504 is electrically conductive with the
  • Power distribution structure 104 is connected, and wherein the electrical connection 504 exposed and electrically
  • electrical connection 504 to the power distribution structure 104 be formed hermetically sealed with respect to a diffusion of water and / or oxygen in the layer of the power distribution structure 104.
  • a diffusion of water and / or oxygen in the layer of the power distribution structure 104 be formed hermetically sealed with respect to a diffusion of water and / or oxygen in the layer of the power distribution structure 104.
  • Stromleitf ability can be integrated into the glass substrate.
  • the topographical structure for example of busbars on the substrate, can be avoided or reduced, which enables easier processing and reduces the danger of short circuits.
  • the substrate with integrated current distribution structure is optimally suitable for liquid-processed components.
  • borderless components are made possible by means of the substrate, for example as a glass substrate, that is to say components without optically inactive components. Edge, for example, as the power supply of the optoelectronic component via a side

Landscapes

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (100) aufweisend : einen optisch aktiven Bereich (106) mit einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112), wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist; wobei ein Substrat (102) zumindest im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung angeordnet ist; und wobei das Substrat (102) zumindest im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung eine Stromverteilungsstruktur (104) für den elektrischen Strom aufweist, wobei der optisch aktive Bereich (106) und das Substrat (102) eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen, wobei die Stromverteilungsstruktur (104) in dem Substrat (102 ) ausgebildet ist und entlang der gemeinsamen Grenzfläche verläuft.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt .
Weißes Licht emittierende großflächige organische
Leuchtdioden (OLED) sind effiziente Strahlungsquellen und finden zunehmend verbreitete Anwendung in der
Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle .
Eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem
organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen
aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen e1ek romagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten
(„Charge generating layer", CGL ) zur
Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten .
Um eine hohe Effizienz großflächig bei einer großflächigen OLED zu erreichen, ist eine gleichmäßige S romverteilung über die großflächige Fläche der OLED erforderlich. Dünne und limitiert leitfähige Elektroden weisen für großflächige Anwendungen eine unzureichende Stromleitfähigkeit auf , wodurch eine herkömmliche OLED eine lateral ungleichmäßige Leuchtdichte aufweist . Herkömmlich werden dünne metallische Sammelschienen (Busbars) auf den Elektroden ausgebildet , wobei die Busbars die
Stromtragfähigkeit erhöhen. Weitere herkömmliche Verfahren basieren darauf , dass die geringe Anodenleitfähigkeit durch kleine vertikale
Kontaktstifte durch die isolierte Kathode auf die OLED- Rückseite , beispielsweise ei em Verkapselungsglas (Capglas) überbrückt bzw. geleitet wird. Das Verkapselungsglas ist mit einer zusätzlichen Elektrode ausgestattet und durch die
Kontaktstifte elektrisch mit der Anode verbunden .
Bei einem weiteren herkömmlichen Verfahren zum Homogenisieren des Leuchtbildes werden mehrere OLEDs monolithisch
übereinander gestapelt (Stacking) . Dadurch wird die
Stromdichte in jeder emittierenden Einheit reduziert , was zu einer besseren lateralen Stromverteilung führt , aber auch zu einem Reduzieren der Leuchtdichte . Weiterhin ist das
Herstellungsverfahren zum Ausbilden gestapelter OLEDs technisch aufwendig.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt , mit denen es möglich ist , einfacher
ausbildbare und stabilere optoelektronische Bauelemente auszubilden .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt , das
optoelektronische Bauelement aufweisend: einen optisch aktiven Bereich mit einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur, wobei die organische unktionelle
Schichtenstruktur zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist; wobei ein Substrat zumindest im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung angeordnet ist; und wobei das Substrat zumindest im
Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung eine
Stromverteilungsstruktur für den elektrischen Strom aufweist, wobei der optisch aktive Bereich und das Substrat eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen, wobei die
Stromverteilungsstruktur in dem Substrat ausgebildet ist und entlang der gemeinsamen Grenzfläche verläuft .
Mit anderen Worten : das Substrat kann als ein bezüglich der elektromagnetischen Strahlung wenigstens transluzentes Lamina ausgebildet sein, mit einer in dem Substrat eingebetteten
elektrisch leitenden Stromverteilungsstruktur . Das Substrat kann beispielsweise aus zwei oder mehreren flächig miteinander verklebten Substratstrukturen gebildet sein, wobei diese
Substratstrukturen aus gleichen oder unterschiedlichen
Materialien bestehen können.
Die Stromverteilungsstruktur entlang der gemeinsamen
Grenzfläche kann beispielsweise wenigstens eine elektrisch leitende Leitung aufweisen, die sich direkt an der gemeinsamen Grenzfläche erstreckt. Diese elektrisch leitende Leitung kann beispielsweise in der Oberfläche einer Substratstruktur
eingebettet sein und somit selbst ein Substrat bilden. Das Substrat mit elektrisch leitender Leitung an der Oberfläche kann beispielsweise eine im Wesentlichen glatte Oberfläche aufweisen derart, dass die wenigstens eine elektrisch leitende Leitung an der Oberfläche der Substratstruktur frei ist von Erhebungen, die beim Ausbilden des optisch aktiven Bereiches auf dem Substrat als Partikelfang oder "schattenbildende"
Struktur in nasschemischen Verfahren wirken könnten.
Alternativ oder zusätzlich kann eine Stromverteilungsstruktur auch wenigstens eine elektrisch leitende Leitung aufweisen, die sich in einem Abstand zu der Grenzfläche, beispielsweise parallel zu der Grenzfläche, entlang der Grenzfläche in dem Substrat erstreckt bzw. verläuft. Diese wenigstens eine
elektrisch leitende Leitung kann mittels elektrisch
leitendender Durchkontakte, die sich von der elektrisch
leitenden Leitung aus zu der Grenzfläche erstecken und an der Grenzfläche elektrisch leitend mit dem optisch aktiven Bereich verbunden sind, mit dem elektrisch aktiven Bereich elektrisch leitend verbunden sein. Die Stromverteilungsstruktur kann sich entlang der
gemeinsamen Grenzfläche eindimensional, zweidimensional oder dreidimensional erstrecken.
Eine eindimensionale Erstreckung kann beispielsweise als eine in der Substratstruktur eingebettete gerade Leitung
ausgebildet sein . Die Leitung wird wenigstens teilweise an der gemeinsamen Grenzfläche von einer Substratstruktur des Substrates bedeckt und/oder umgeben sein . Eine zweidimensionale Erstreckung kann beispielsweise als eine in der Substratstruktur eingebettete Leitung in Form eines Musters, beispielsweise eine Spirale oder ein Mäander; oder in For eines Gitters oder Netzes ausgebildet sein . Die eingebettete Leitung wird wenigstens teilweise an der gemeinsamen Grenzfläche von einer Subst atstruktur des
Substrates bedeckt und/oder umgeben sein.
Eine dreidimensionale Erstreckung kann beispielsweise als eine Leitung oder Anordnung von Leitungen ausgebildet sein, die von der Grenzfläche in einem Abstand angeordnet ist und mittels elektrisch leitender Durchkontakte mit der
Grenzfläche elektrisch leitend verbunden ist/sind. Die
Leitung oder Anordnung von Leitungen wird wenigstens
teilweise an der gemeinsamen Grenzfläche von einer
Substratstruktur des Substrates bedeckt und/oder umgeben sein . Die Stromverteilungsstruktur kann in dem Substrat eingebettet sein, beispielsweise direkt fixiert, beispielsweise atomar mit dem Substrat verbunden sein, oder indirekt beispielsweise wenigstens teilweise mittels eines Verbindungsmittels mit dem Substrat verklebt , verlötet oder verschweißt sein . Alternativ oder zusätzlich kann die Stromverteilungsstruktur wenigstens teilweise in dem Substrat angeordnet sein, beispielsweise indem eine Leitung in einem Kabelkanal in dem Substrat gelegt ist .
In einer Ausgestaltung kann der optisch ak ive Bereich ferner eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweisen, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist , und wobei die erste Elektrode auf oder über dem Substrat
ausgebildet ist . In einem Ausführungsbeispiel kann die erste Elektrode auf dem Substrat ausgebildet sein, beispielsweise die gemeinsame Grenzfläche mit dem Substrat ausbilden. Die zweite Elektrode kann über oder neben der ersten Elektrode ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur derart ausgebildet sein, dass die Stromverteilungsstruktur eine höhere elektrische Querleitfähigkeit bezüglich der flächigen
Ausdehnung als der optisch aktive Bereich aufweist,
beispielweise als die erste Elektrode bzw. die zweite
Elektrode. Die Stromverteilungsstruktur kann beispielsweise eine oder mehrere Leitungen aufweisen, die sich entlang der Grenzfläche des Substrates mit dem optisch aktiven Bereich erstrecken. Eine Leitung kann beispielsweise eine oder mehr Kantenlängen bezüglich der Querschnittsfläche der Leitung in einem Bereich von ungefähr 0,1 μτη bis ungefähr 100 μΐΐί
aufweisen. Die Breite der Leitung kann abhängig sein von der Dicke der Leitung jeweils bezüglich der Flächennormale des Substrates parallel zu der Flächennormale des optisch aktiven Bereichs; und der stofflichen Zusammensetzung der Leitung (en) , beispielsweise ihrer elektrischen Leitfähigkeit.
In einer Ausgestaltung kann das Substrat ein Glas aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein
Natronsilikatglas, beispielsweise in Form eines Flachglases. Alternativ oder zusätzlich kann wenigstens eine
Substratstruktur aus einer Glaslotpaste gebildet sein, beispielsweise kann die Glaslotpaste ein Glaslotpulver aufweisen. Das Glaslotpulver kann beispielsweise einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: PbO- haltige Systeme : PbO-B203 , PbO-Si02 , PbO-B203 -Si02 , PbO-B203 - Zn02 , PbO-B203-Al203 , wobei das PbO-haltig Glaslot auch Bi203 aufweisen kann; Bi203 -haltige Systeme: Bi203 -B203 , Bi203 - B203-Si02 , Bi203-B203 -ZnO, Bi203-B203 -ZnO-Si02. Weiterhin kann die Glaslotpaste flüssige verdunstende und/oder
organische Bestandteile aufweisen. Diese Bestandteile können unterschiedliche Zusätze , sogenannte Additive , sein,
beispielsweise Lösungsmittel , Binder, beispielsweise
Zellulose , Zellulosederivate , Nitrozellulose ,
Zelluloseacetat , Acrylate und können den Glaspartikeln zum Einstellen der Viskosität für das jeweilige Verfahren und für die jeweilig angestrebte Schichtdicke zugesetzt werden.
In einer Ausgestaltung kann das Substrat Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise in Form einer Folie oder einer Formmasse , beispielsweise in Form eines
Klebstoffes oder Harzes .
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur wenigstens eine elektrische Leitung und elektrisch leitende Durchkontakte aufweisen, wobei die Durchkontakte mit der wenigstens einen elektrischen Leitung elektrisch leitend verbunden sind, derart , dass die wenigstens eine elektrische Leitung mittels der Durchkontakte mit dem optisch aktive Bereich elektrisch leitend gekoppelt ist , beispielsweise mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode.
Die Stromverteilungsstruktur kann beispielsweise Nanodrähte, beispielsweise mit Silber, Kupfer, Gold, Aluminium und/oder anderen Metallen, Kohlenstoffnanoröhren, beispielsweise als Einzelwand- oder Mehrwand-Kohlenstof fnanoröhren; und/oder ein elektrisch leitfähiges und/oder elektrisch leitendes
Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielsweise Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Zinkoxid, Nickeloxid oder ähnliches .
Die Stromverteilungsstruktur kann beispielsweise wenigsten transluzent , beispielsweise transparent , und/oder nicht oder kaum sichtbar ausgebildet sein, beispielsweise indem die Strukturbreiten wenigstens eines Teils der Strukturen der Stromverteilungsstruktur kleiner sind als das
Auflösungsvermögen des Beobachters , beispielsweise kleiner als ungefähr 0 , 5 μτη. Alternativ kann die
Stromverteilungsstruktur wenigstens teilweise in einem optisch inaktiven Bereich des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungss ruktur auf einer Folie ausgebildet sein, wobei die Folie zwischen der ersten Substratstruktur und der zwe ten Substratstruktur angeordnet ist , beispielsweise als ein Laminat .
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur wenigstens teilweise in einem Luftkanal ausgebildet sein, beispielsweise angeordnet oder eingebettet sein . Mit anderen Worten : die Leiterstruktur kann in einem Kanal ausgebildet sein, wobei ein Teil des Kanals frei ist von
Stromverteilungsstruktur, beispielsweise entlang der
Grenzfläche .
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur wenigstens teilweise von einer Formmasse umgeben sein. Die Formmasse kann beispielsweise elektrisch nicht- leitend
ausgebildet sein, beispielsweise ein Glas oder Kunststoff sein. In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur in der Formmasse eingebettet sein, beispielsweise wenigstens teilweise umgeben und/oder fixiert sein, beispielsweise bezüglich eines Verrutschens einer Leitung. In einer Ausgestaltung kann das Substrat eine erste
Substratstruktur und/oder eine zweite Substratstruktur aufweisen, wobei die Stromverteilungsstruktur körperlich mit der ersten Substratstruktur und/oder der zweiten
Substratstruktur verbunden sein, beispielsweise mittels der Formmasse und/oder der Form der ersten Substratstruktur und der zweiten Substratstruktur .
In einer Ausgestaltung kann die wenigstens eine elektrische Leitung flächig in dem Substrat angeordnet oder ausgebildet sein, beispielsweise mit parallelen Bahnen, beispielsweise in der Form eines Mäanders oder einer Spirale . Dadurch kann eine Stromverteilung mittels einer einzigen elektrische Leitung über die gesamte Fläche einer Elektrode ermöglicht werden. In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Stromverteilungsstruktur mehrere elektrisch leitende
Leitungen aufweisen, wobei die mehreren elektrisch leitenden Leitungen eine Anordnung in einer Gitter- oder Netzstruktur oder in Form von parallelen Bahnen aufweisen . Die Gitter- oder Netzstruktur kann beispielsweise flächig i dem Substrat ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann die Stromver eilungsstruktur eine erste Stromverteilungsstruktur und eine zweite
Stromverteilungsstruktur aufweisen, wobei die erste
Stromverteilungsstruktur elektrisch von der zweiten
Stromverteilungsstruktur isoliert ist ,· und wobei die erste Stromverteilungsstruktur mit der ersten Elektrode und die zweite Stromverteilungsstruktur mit der zweiten Elektrode elektrisch gekoppelt ist.
In einer Ausgestaltung können die erste
Stromverteilungsstruktur und die zweite
Stromverteilungsstruktur in unterschiedlichen Schichten des Substrates ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung können die erste
Stromverteilungsstruktur und die zweite
Stromverteilungsstruktur in der gleichen Schicht ausgebildet sein, beis ielsweise nebeneinander oder ineinander .
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur wenigstens teilweise frei liegen derart , dass die
Stromverteilungsstruktur elektrisch kontaktierbar is , beispielsweise am Rand des optoelektronischen Bauelementes .
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur wenigstens eine elektrisch leitende Leitung aufweisen, die an der gemeinsamen Grenzfläche wenigstens teilweise die
gemeinsame Grenzfläche mit dem optisch aktiven Bereich ausbildet . Alternativ oder zusätzlich kann die wenigstens eine Lei ung in einem Abstand zu der gemeinsamen Grenzfläche angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur ferner elektrisch leitende Durchkontakte in der ersten
Substratstruktur und/oder de zweiten Substratstruktur aufweisen, wobei die Durchkontakte derart ausgebildet sind, dass die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode mittels der Durchkontakte mit der wenigstens einen Leitung elektrisch leitend verbunden sind/ist . In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur ferner elektrisch leitende Durchkontakte in der ersten
Substratstruktur und/oder der zweiten Substratstruktur aufweisen, wobei die Durchkontakte frei liegen. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner elektrisch leitende Durchkontakte durch die erste Elektrode und die organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen, wobei die Durchkontakte derart ausgebildet sind, dass die zweite Elektrode mit der wenigstens einen Leitung der Stromverteilung struktur elektrisch leitend verbunden ist. In einer Ausgestaltung kann der optisch aktive Bereich, beispielsweise die erste Elektrode , an bezüglich der
flächigen Form des optisch aktiven Bereiches bzw. der ersten Elektrode unterschiedlichen Positionen mittels der
Durchkontakte mit der wenigstens einen elektrische Leitung elektrisch leitend verbunden sein.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur auf oder über dem optisch aktiven Bereich aufweisen, wobei die Verkapselungsstruktur hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser
und/oder Sauerstoff durch die Verkapselungsstruktur in den optisch aktiven Bereich ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung können die Verkapselungsstruktur und das Substrat derart ausgebildet sein, dass die
Verkapselungsstruktur mit dem Substrat eine hermetisch dichte Verkapselung ausbildet , wobei der optisch aktive Bereich hermetisch dicht durch die elektrische
Stromverteilungsstruktur elektrisch leitend kontaktierbar ist .
In einer Ausgestaltung kann das Substrat wenigstens einen elektrischen Anschluss aufweisen, wobei der elektrische
Anschluss elektrisch leitend mit der Stromverteilungsstruktur verbunden ist , und wobei der elektrische Anschluss frei liegend und elektrisch kontaktierbar ausgebildet ist . In einer Ausgestaltung kann der Verbindungsbereich von
elektrischem Anschluss mit der Stromverteilungsstruktur
hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff in die Stromverteilungsstruktur ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann das Substrat derart ausgebildet sein, wobei das Substrat im Wesentlichen nur optisch inaktive
Bereiche aufweist, In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt , das Verfahren aufweisend : ein Bereitstellen eines Substrates, wobei das Substrat eine
Stromverteilungsstruktur für einen elektrischen Strom
aufweist; und ein Ausbilden eines optisch aktiven Bereiches mit einer organischen funktionellen Schichtenstruktur auf oder über dem Substrat, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zu einem Umwandeln des elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem
Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in den
elektrischen Strom ausgebildet wird; und wobei der optisch aktive Bereich derart auf oder über dem Substrat ausgebildet wird, dass die Stromverteilungsstruktur im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung angeordnet ist , der optisch aktive Bereich und das Substrat eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen, wobei die Stromverteilungsstruktur in dem Substrat entlang der gemeinsamen Grenzfläche verläuft ; und die
Stromverteilungsstruktur elektrisch mit dem optisch aktiven Bereich verbunden ist .
In verschiedenen Ausgestaltungen kann das Verfahren zum
Herstelle eines optoelektronischen Bauelementes Merkmale des optoelektronischen Bauelementes; und das optoelektronische Bauelement Merkmale des Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes aufweisen derart und
insoweit , als dass die Merkmale jeweils sinnvoll anwendbar sind.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ein Anordnen des Substrates auf dem optisch aktiven Bereich aufweisen, beispielsweise alternativ oder zusätzlich zu dem Ausbilden des optisch aktiven Bereiches auf dem Substrat .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden des Substrates aufweisen, wobei das Ausbilden wenigstens ein Laminieren einer Substratstruktur mit einer Folie mit einer Stromverteilungsstruktur mit wenigstens einer elektrisch leitenden Leitung aufweist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Stromverteilungsstruktur zwischen eine erste Substratstruktur und eine zweite Substratstruktur laminiert werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ver ahren ferner ein Ausbilden des Substrates auf eisen, wobei das Ausbilden wenigstens ein Abscheiden oder Aufbringen eines elektrisch leitenden Materials auf eine Substratstruktur und/oder auf die wenigstens eine Leitung der
Stromverteilungsstruktur aufweist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden des Substrates ein Anordnen wenigstens einer Leitung der
Stromverteilungsstruktur auf einer ersten Substratstruktur auf eisen, und ein Aufbringen einer Glaslotpaste auf oder über die erste Substra struktur und/oder die wenigstens eine Leitung, wobei die Glaslotpaste anschließend verglast wird, dass eine zweite Substratstruktur gebildet wird .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden des Substrates ein Ausbilden von elektrisch leitenden Durchkontakten in der wenigstens einen Substratstruktur
aufweisen, wobei die elektrisch leitenden Durchkontakte elektrisch leitend mit der wenigstens einen elektrischen Leitung elektrisch leitend verbunden ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der Durchkontakte ein Öffnen der Substratstruktur auf oder über der elektrisch leitenden Leitung aufweisen, beispielsweise mittels eines Lasers .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der Durchkontakte ein wenigstens teilweises Fül len oder
Überfüllen der Öffnungen mit einer elektrisch leitfähigen Paste aufweisen, beispielsweise mittels eines Siebdruck- oder Tampondruckverfahrens .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der Durchkontakte ein Abscheiden eines elektrisch leitenden
Materials in den Öffnungen der Substratstruktur aufweisen, beispielsweise mittels eines Kathodenzerstäubens (Sputtern) , eines Aufdampfens, eines Atomlagenabscheidens und/oder eines chemischen Gasphasenabscheidens .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden des Substrates ein strukturiertes Ausbilden einer
Substratstruktur aufweisen derart , dass die Öffnungen in der Substratstruktur in den Bereichen der Durchkontakte
ausgebildet werden. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figur 2 eine schematische Darstellung zu einem
Verfahren zum Herstellen eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 3 eine schematische Darstellungen eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figuren 4Ä-G schematische Darstellungen eines Substrates eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen in einem Verfahren zum Herstellen des
optoelektronischen Bauelementes; und
Figuren 5A, B schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelemente gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann . In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten", „vorne" , „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , " angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches
Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist . Der optisch aktive Bereich kann mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen We11enlängenbereich auf eisen, der Röntgenstrahlung , UV-Strahlung (A-C) ,
sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist . Das Substrat kann bezüglich wenigstens einer dieser
elektromagnetischen Strahlung transluzent oder transparent ausgebildet sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden . Mit anderen Worten: ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels eines elektrischen Stromes durch eine optisch aktive Struktur verstanden werden .
Der optisch aktive Bereich kann beispielsweise eine
elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur sein . In verschiedenen Ausgestaltungen kann diese eine
elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor
ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung
emittierende Bauelement kann beispielsweise als
lichtemittierende Diode ( light emi ting diode, LED) , als organische lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als lichtemittierender Transistor oder als organischer lichtemit ierender Transistor, beispielsweise ein organischer Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik
ausgebildet sein . Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all -OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. Das elektromagnetische
Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen
Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein.
Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse . Ein
optoelektronisches Bauelement kann ein organisches
funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wi d. Die organische funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisc aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischen S rahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist , beispielsweise elektrolumineszierend .
Das optoelektronische Bauelement kann als eine organische Leuchtdiode , ein organischer Fotodetektor oder eine
organische Solarzelle ausgebildet sein. Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sei . Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch das Substrat, das als Träger ausgebildet ist , emittiert . Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches durch das Substrat , der als Abdeckung ausgebildet ist , emittiert . Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann j ede der nachfolgend beschriebenen
Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist das Substrat als ein selbsttragender Körper oder eine Beschichtung
ausgebildet , und ist ausgebildet den optisch aktiven Bereich zu bedecken . Ein Substrat kann auf dem optisch aktiven
Bereich ausgebildet sein . Alternativ oder zusätzlich kann der optisch aktive Bereich auf oder über dem Substrat ausgebildet sein oder werden .
Ein flächiges optoelektronisches Bauelement , welches zwei flächige , optisch aktive Seiten aufweist , kann in der
Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische
Leuchtdiode . Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ein planes optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden.
Der optisch ak ive Bereich kann j edoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige , optisch inaktive Seite auf eisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als ein sogenannter Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist . Die optisch inaktive Seite kann in
verschiedenen Aus ührungsbeispielen transparent oder
transluzent sein, oder mit einer Spiegeistruktur und./oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein,
beispielsweise zur Wär everteilung . Der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise einseitig gerichtet sein . Die erste Elektrode, die zweite Elektrode und die organische funktionelle Schichtenstruktur können j eweils großflächig ausgebildet sein. Dadurch kann das optoelektronische
Bauelement eine zusammenhängende Leuchtfläche aufweisen, die nicht in funktionale Teilbereiche strukturiert ist,
beispielsweise eine in funktionale Bereiche segmentierte Leuchtfläche oder um eine Leuchtfläche, die von einer
Vielzahl von Bildpunkten (Pixeln) gebildet wird. Dadurch kann eine großflächige Abstrahlung von elektromagnetischer
Strahlung aus dem optoelektronischen Bauelement ermöglicht werden. „Großflächig" kann dabei bedeuten, dass die optisch aktive Seite eine Fläche , beispielsweise eine
zusammenhängende Fläche , beispielsweise von größer oder gleich einigen Quadratmi11imetern, beispielsweise größer oder gleich einem QuadratZentimeter, beispielsweise größer oder gleich einem Quadratdezimeter aufweist . Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement nur eine einzige
zusammenhängende Leuchtfläche aufweisen, die durch die großflächige und zusammenhängende Ausbildung der Elektroden und der organischen funktionellen Schichtenstruktur bewirkt wird .
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht oder Struktur für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem lichtemittierenden
Bauelement erzeugte Licht , beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in ve schiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindes in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff dichte Schicht ode Struktur als eine im Wesentlichen bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch diese Schicht oder Struktur
undurchlässige Schicht oder Struktur verstanden werden.
Eine hermetisch dichte Schicht oder Struktur kann
beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder
- 1 2
Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/ (m d) aufweisen, eine hermetisch dichte Abdeckung und/oder ein hermetisch dichter Träger kann/können beispielsweise eine Diffusionsrate
bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr
-4 2
10 g/ (m d) aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 4 g/ (m2d) bis ungefähr 10 10 g/ (m2d) ,
-4 2 beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 g/ (m d) bis
-6 , 2
ungefähr 10 g/ (m d) .
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein bezüglich Wasser hermetisch dichter Stoff oder ein hermetisch dichtes
Stoffgemisch eine Keramik , ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weisen der optisch aktive Bereich und das Substrat im Bereich der gemeinsamen Grenzfläche einen körperlichen, atomaren Kontakt auf . Der optisch aktive Bereich und das Substrat teilen, sich im Bereich der gemeinsamen Grenzfläche anschaulich eine
Grenzfläche .
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen weist das
optoelektronische Bauelement 100 einen aktiven Bereich 106 auf einem Substrat 102 auf - beispielsweise veranschaulicht in Fig.1. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronisehe Bauelement 100 als ein organisches optoelektronisches
Bauelement 100 ausgebildet sein, beispielsweise als ein organischer Fotodetektor 100 , eine organische Solarzelle 100 und/oder eine organische Leuchtdiode 100.
Der aktive Bereich 106 ist ein elektrisch aktiver Bereich 106 und/oder ein optisch aktiver Bereich 106. Der aktive Bereich 106 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100 , in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird ,
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110 , eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und eine zweite Elektrode 114 aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ist elektrisch zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 ausgebildet . Die organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 ist zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine e1ektromagnetische
Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer
elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Substrat 102 derart ausgebildet oder angeordnet sein, dass die
elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise durch das Substrat 102 transmittiert wird, dass heißt das Substrat 102 sollte wenigstens transluzent für die elektromagnetische Strahlung sein . In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen weist das Substrat 102 eine Stromverteilungsstruktur 10 auf. Der optisch aktive Bereich, beispielsweise die erste Elektrode 110 und/oder die zweite Elektrode 114, ist mit der elektrischen
Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch gekoppelt .
Weitere Ausführungsbeispiele des aktiven Bereiches sind beispielsweise in der Beschreibung der Fig.3 beschrieben,
In verschiedenen Ausgestaltungen ist ein Substrat 102
zumindest im Strahiengang der elektromagnetischen Strahlung angeordnet . Das Substrat 102 weist zumindest im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung eine
Stromverteilungsstruktur 104 für den elektrischen Strom aufweist . Der optisch aktive Bereich 106 und das Substrat 102 weisen eine gemeinsame Grenzfläche auf , wobei die
Stromverteilungsstruktur 104 in dem Substrat 102 ausgebildet ist und entlang der gemeinsamen Grenzfläche verläuft .
In einer Ausgestaltung kann das Substrat 102 derart
ausgebildet sein, dass die elektromagentische Strahlung wenigstens teilweise durch das Substrat 102 transmittierbar ist . Das Substrat 102 kann im Wesentlichen nur optisch aktiven Bereich aufweisen. Mit anderen Worten: Das Substrat 102 kann im Wesentlichen frei sein von optisch inaktiven Bereichen.
Das Substrat 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie .
Das Substrat 102 kann als Wellenleiter für die von dem aktiven Bereich emittierte und/oder absorbierte
elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der
emittierten oder absorbierten elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes 100 , beispielsweise mit einem Transmissionsgrad, in einem Bereich von ungefähr 50 % bis 100 % , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 60 % bis 100 % , beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 70 % bis 100 % , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 80 % bis 100 % , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 90 % bis 100 % .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Substrat 102 eine oder mehrere Substratstruktur/er. 108 -n; eine
Stromverteilungsstruktur 104 und Durchkontakte 106 aufv/eisen, wobei n eine natürliche Zahl ist und die jeweilige Struktur kennzeichnet .
Beispielsweise kann das Substrat 102 eine erste
Substratstruktur 108-1 und wenigstens eine zweite
Substratstruktur 108-2 aufweisen - veranschaulicht in Fig.1.
In einem Ausf hrungsbeispiel weist das Substrat 102 nur eine Substratstruktur 108 und die Stromverteilungsstruktur 104 auf , wobei die S romverteilungsstruktur 104 wenigstens eine elektrische Leitung aufweist . Die Stromverteilungsstruktur 10 kann ferner Durchkontakte 116 aufweisen, die mit der elektrischen Leitung elektrisch leitend verbunden sind, für den Fall , dass die wenigstens eine elektrisch leitende
Leitung nicht an der Oberfläche bzw. Grenzfläche zu dem optisch aktiven Bereich frei liegt .
In einem Ausfuhrungsbeispiel ist die Stromverteilungsstruktur 104 zwischen der ersten Subst atstruktur 108-1 und der zweiten Substratstruktur 108-2 angeordnet, beispielsweise eingebettet in die erste Substratstruktur 108-1 und/oder die zweite Substratstruktur 108 -2.
In einem Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement 100 , beispielsweise das Substrat 102 , derart ausgebildet sein, dass die S romverteilungsstruktur 104 durch wenigstens eine der Substratstrukturen 108-1/2 mit der ersten Elektrode 110 oder der zweiten Elektrode 114 elektrisch verbunden bzw. gekoppelt ist, siehe auch beispielsweise
Beschreibung der Fig . 5A . Beispielsweise kann die
Stromverteilungsstruktur 104 mittels elektrisch leitender Durchkontakte 116 in der zweiten Substratstruktur 108-2 bzw. durch die zweite Substratstruktur 108-2 elektrisch mit der ersten Elektrode 110 verbunden sein (veranschaulicht in
Fig.l) .
Eine Substratstruktur 108-n kann Glas , Quarz , und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann das Substrat eine Kunststofffolie oder ein
Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien
auf eisen oder daraus gebildet sein . Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon ( PES ) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann wenigstens eine Substratstruktur 108-n ein Glas aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielsweise ein Kalknatronsilikatglas .
In einer Ausgestaltung kann wenigstens eine Substratstruktur 108-n ein Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise in Form einer Folie oder einer Formmasse . Eine Substratstruktur 108-n kann in wenigstens einen
Wellenlängenbereich opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein .
Eine Substratstruktur 108-n kann ein Teil einer
Spiegelstruktur sein oder diese bilden .
Die Stromverteilungsstruktur 104 kann wenigstens eine
elektrische Leitung und elektrisch leitende Durchkontakte 116 aufweisen, wobei die Durchkontakte 116 mit der wenigstens einen elektrischen Leitung elektrisch leitend verbunden sind, derart , dass sich die Durchkontakte 116 von der gemeinsamen Grenzfläche mit dem optisch aktiven Bereich 106 zu der elektrisch leitenden Leitung erstreckt . Dadurch kann die wenigstens eine elektrische Leitung mittels der Durchkontakte 116 mit der ersten Elektrode 110 oder der zweiten Elektrode 114 elektrisch leitend gekoppelt sein. Die Stromverteilungsstruktur 104 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl und/oder ein Halbleitendes Material , beispielsweise ein Metalloxid, beispielsweise Zinkoxid, Nickeloxid .
Die Stromverteilungsstruktur 104 sollte derart ausgebildet sein, dass sie eine höhere Leitfähigkeit bzw. Stromvertei 1ung aufweist als die Schicht des optisch aktiven Bereiches 106 , beispielsweise Elektrode, mit der sie elektrisch gekoppelt ist , beispielsweise bezüglich der flächigen Erstreckung der elektrisch gekoppelten Elektrode .
In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann die
Stromverteilungsstruktur 104 zwei oder mehr
Stromverteilungsstrukturen 104 -m aufweisen wobei m eine natürliche Zahl ist und die jeweilige Struktur kennzeichnet . Beispielsweise kann die Stromverteilungsstruktur 104 eine erste Stromverteilungsstruktur 104 - 1 und eine zweite
Stromverteilungsstruktur 104-2 aufweisen, wobei die erste Stromverteilungsstruktur 104-1 elektrisch von der zweiten Stromverteilungsstruktur 104-2 isoliert ist ; und wobei die erste Stromvertei lungsstruktur 104 - 1 mit der ersten Elektrode 110 und die zweite Stromvertei lungsstruktur 104-2 mit der zweiten Elektrode 114 elektrisch gekoppelt ist .
In einer Ausgestaltung können die erste
Stromvertei lungsstruktur 104-1 und die zweite Stromverteilungsstruktur 104-2 in unterschiedlichen Schichten des Substrates ausgebildet sein. Die unterschiedlichen
Schichten können beispielsweise nebeneinander, übereinander oder zueinander versetzt angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung können die erste
Stromverteilungsstruktur 104-1 und die zweite
Stromverteilungsstruktur 104-2 in der gleichen Schicht ausgebildet sein, beispielsweise als nebeneinander
angeordnete Leitungen, Leitungsgitter und/oder Leitungsnetze in einer Schicht .
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 wenigstens teilweise frei liegen derart , dass die
Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch kontaktierbar ist , beispielsweise am Rand des optoelektronischen Bauelementes 100.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 auf einer Folie ausgebildet sein . Die Folie kann
beispielsweise zwischen der ersten Substratstruktur 108-1 und der zweiten Substratstruktur 108-2 angeordnet sein,
beispielsweise laminiert sein . In einer Ausges altung kann die Stromverteilungsstruktur 104 in einem Luf kanal ausgebildet sein, beispielsweise in einem Kanal , der teilweise frei ist von Stromverteilungsstruktur 10 . In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 wenigstens teilweise von einer Formmasse umgeben sein . Die Formmasse kann beispielsweise elektrisch nicht-leitend ausgebildet sein . In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 in der Formmasse eingebettet sein . In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 körperlicher mit der ersten Substratstruktur 108-1 und/oder der zweiten Substratstruktur 108-2 verbunden sein,
beispielsweise mittels der Formmasse und/oder der Form der ersten Substratstruktur 108-1 und der zweiten
Substratstruktur 108-2.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Stromverteilungsstruktur 104 wenigstens eine elektrisch leitende Leitung aufweisen. Die wenigstens eine elektrische Leitung kann beispielsweise flächig in dem Substrat 102 angeordnet oder ausgebildet sein, beispielsweise ungefähr parallele Bahnen aufweisen, beispielsweise in der Form eines Mäanders oder einer Spirale .
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Stromverteilungsstruktur 104 mehrere elektrisch leitende Leitungen aufweisen, wobei die mehreren elektrisch leitenden Leitungen eine Anordnung in einer Gitter- oder Netzstruktur aufweisen. Die Gitter- oder Ne zstruktur kann beispielsweise flächig in dem Substrat ausgebildet sein .
In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann eine oder mehrere elektrisch leitende Leitung einen Durchmesser bzw. eine
Breite in dem Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung aufweisen in einem Bereich von ungef hr 1 μπι bis ungefähr 1 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 μνα bis ungef hr 200 μνα, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 μτη bis ungefähr 50 μπι.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können eine erste elektrisch leitende Leitung mit einer ersten Breite und eine zweite elektrisch leitende Leitung mit einer zweiten Breite, die in einem Abstand zu der ersten elektrisch leitenden
Leitung benachbart angeordnet ist , ein Verhältnis des
Abstandes zu den Breiten (Abstand der Leitungen / Breite der Leitungen) von größer als ungefähr 2 aufweisen,
beispielsweise von ungef hr größer als 5. Die benachbarten Leitungen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise eine unterschiedliche Breite . Im
letzteren Fall kann für die Breite der Leitungen
beispielsweise die mittlere Breite der Leitungen verwendet werden. Die mittlere Breite kann beispielsweise das
geometrische Mittel, das arithmetische Mittel oder das quadratische Mittel sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können eine oder mehrere elektrisch leitende Leitung (en) eine größere Tiefe in dem Substrat aufweisen als die Breite der Leitung im
Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung . Beispielweise kann die Leitung einen ovalen oder rechteckigen
Leitungsquerschnitt aufweisen . Dadurch kann beispielsweise bei gleicher optischer Breite wie herkömmliche elektrische Sammelschienen eine höhere laterale Stromverteilung erzielt werden . Alternativ oder zusätzlich kann bei geringer Breite der elektrisch leitenden Leitung als eine herkömmliche
Sammelschiene , die elektrisch leitende Leitung eine geringere optische Sichtbarkeit aufweisen und eine gleiche oder höhere laterale Stromleitfähigkeit aufweisen. Mit andere Worten: die elektrisch leitende (n) Leitung (en) der
Stromverteilungsstruktur kann/können in der Tiefe des
Substrates ausgebildet sein und somit eine höhere elektrische Leitf higkeit und/oder eine geringere optisch Sichtbarkeit der Stromverteilungsstruktur ermöglicht werden. Die optische Sichtbarkeit kann beispielsweise aus dem Verh ltnis der optisch inaktiven oder opaken Fläche zur optisch aktiven oder transparenten Fläche ermittelt werden .
Die Durchkontakte 116 weisen ein elektrisch leitfähiges Material auf und sind bezüglich der Stromverteilungsstruktur 104 und des mittels der Durchkontakte 116 verbundenen optisch aktiven Bereiches, beispielsweise der Elektrode 110 , 114 , elektrisch leitend unter Betriebsbedingungen des
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet . In einer Ausgestaltung kann die Strcmverteilungsstruktur 104 elektrisch leitende Durchkontakte 116 in der ersten
Substratstruktur 108-1 und/oder der zweiten Subs ratstruktur 108-2 aufweisen, wobei die Durchkontakte 116 derart
ausgebildet sind, dass die erste Elektrode 110 und/oder die zweite Elektrode 114 mittels der Durchkontakte 116 mit der wenigstens einen Leitung der Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch leitend verbunden sind/ist . In einer Ausgestaltung kann das Substrat 102 eine
Stromverteilungsstruktur .104 mit elektrisch leitenden
Durchkontakten 116 in einer ersten Substratstruktur 108-1 und/oder einer zweiten Substratstruktur 108-2 aufweisen, wobei die Durchkontakte 116 derart frei liegen, dass die Stromverteilungsstruktur 104 mittels der Durchkontakte 116 elektrisch leitend kontaktierbar ist bezüglich der ersten Substratstruktur 108-1 und/oder der zweiten Substratstruktur 108-2. In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode 110 an bezüglich der flächigen Form der ersten Elektrode 110
unterschiedlichen Positionen mittels der Durchkontakte 116 mit der wenigstens einen elektrische Leitung elektrisch leitend verbunden sein . Dadurch kann eine flächige BeStrömung der ersten Elektrode 110 ermöglicht werden .
Weitere Ausgestaltungen des optoelektronischen Bauelementes 100 , des aktiven Bereiches 106 und des Substrates 102 sind der folgenden Beschreibung beschrieben .
In verschiedenen Ausführungsbeispieien wird ein Verfahren 200 zum Herstellen, eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt . Das Verfahren 200 kann ein Bereitstellen 202 eines Substrates 102 aufweisen, wobei das Substrat 102 eine
Stromverteilungsstruktur 104 für einen elektrischen Strom au eist . Das Verfahren kann weiterhin ein Ausbilden 204 eines optisch aktiven Bereiches 106 mit einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 auf oder über dem Substrat 102
aufweisen, wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 zu einem Umwandeln des elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in den elektrischen Strom ausgebildet wird . Der optisch aktive
Bereich 106 kann derart auf oder über dem Substrat 102 ausgebildet werden, dass die Stromverteilungsstruktur 104 im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung angeordnet ist , der optisch aktive Bereich 106 und das Substrat 102 eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen, wobei die
Stromverteilungsstruktur 104 in dem Substrat 102 entlang der gemeinsamen Grenzfläche verläuft ; und die
Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch mit dem optisch aktiven Bereich 106 verbunden ist .
Mit anderen Worten : das Substrat 102 kann als ein bezüglich der elektromagnetischen Strahlung wenigstens transluzentes Laminat ausgebildet sein , beispielsweise mit einer in dem Substrat 102 wenigstens teilweise eingebetteten elektrisch leitenden
Stromverteilungss ruktur 10 . Das Substrat 102 kann
beispielsweise aus zwei oder mehreren flächig miteinander verklebten Schichten gebildet sein, wobei diese Schichten aus gleichen oder unterschiedlichen Materialien bestehen könne .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden des optisch aktiven Bereiches 106 ferner ein Ausbilden einer ersten Elektrode 110 und einer zweiten Elektrode 114
aufweisen, wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 ausgebildet wird, und wobei die erste Elektrode 110 auf oder über dem Substrat 102
ausgebildet wird . Beispielsweise kann der optisch aktive Bereich als ein Schichtenstapel ausgebildet werden; und/oder die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114
nebeneinander auf dem Substrat angeordnet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann das Bereitstellen 202 ein Ausbilden des Substrates 102 aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Ausbilden des Substrates 102 wenigstens ein Larainieren einer
Substrat truktur 108 -n mit einer Stromverteilungsstruktur 104 aufweisen. Die Substratstruktur 108 -n kann beispielsweise eine Folie und die Stromverteilungsstruktur 104 wenigstens eine elektrisch leitende Leitung aufweisen.
In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens kann die
Stromverteilungsstruktur 104 zwischen eine erste
Substratstruktur und eine zweite Subs ratstruktur laminiert werden.
In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens kann das
Ausbilden des Substrates wenigstens ein Abscheiden oder
Aufbringen eines elektrisch leitenden Materials auf eine Substratstruktur und/oder auf die wenigstens eine Leitung der Stromverteilungsstruktur aufweisen.
In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens kann das
Ausbilden des Substrates 102 ein Anordnen wenigstens einer Leitung der Stromverteilungsstruktur 104 auf einer ersten Substratstruktur 108-1 aufweisen, und ein Auf ringen einer Glaslotpaste auf oder über die erste Subs ratstruktur und/oder die wenigstens eine Leitung, wobei die Glaslotpaste anschließend verglast wird, dass eine zweite Substratstruktur 108-2 gebildet wird.
In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 200 kann das Ausbilden des Substrates ein Ausbilden von elektrisch leitenden Durchkontakten 116 in der wenigstens einen
S bstratstruktur aufweisen, wobei die elektrisch leitenden Durchkontakte 116 elektrisch leitend mit der wenigstens einen elektrischen Leitung elektrisch leitend verbunden werden . Das Ausbilden der Durchkontakte 116 kann ein Öffnen der
Substratstruktur auf oder über der elektrisch leitenden
Lei ung aufweisen, beispielsweise mittels eines Lasers .
Weiterhin können die Öffnungen 404 wenigstens teilweise mit einer elektrisch leitfähigen Paste 412 gefüllt oder überfüllt werden, beispielsweise mittels eines Siebdruck- oder
Tampondruckverfahrens . Alternati kann das Ausbilden der Durchkontakte 116 ein Abscheiden eines elektrisch leitenden Materials in den Öff ungen 404 der Substratstruktur
aufweisen, beispielsweise mittels eines Kathodenzerstäubens , eines Aufdampfens , eines Atomlagenabscheidens und./oder eines chemischen Gasphasenabscheidens . Weiterhin alternativ kann das Ausbilden des Substrates 102 ein strukturiertes Ausbilden einer Substratstruktur aufweisen derart , dass Öffnungen 404 in der Substratstruktur in den Bereichen der Durchkontakte 116 ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung kann die wenigstens eine
Substratstruktur 108-n ein Glas aufweisen oder daraus
gebildet werden, beispielsweise ein Natronsilikatglas .
In einer Ausgestaltung kann die wenigstens eine
Substratstruktur 108-n Kunststoff auf eisen oder daraus gebildet werden, beispielsweise in Form einer Folie oder einer Formmasse .
Die Stromverteilungsstruktur 104 kann wenigstens eine
elektrische Leitung und elektrisch leitende Durchkontakte 116 aufweisend ausgebildet werden, wobei die Durchkontakte 116 mit der wenigstens einen elektrischen Leitung elektrisch leitend verbunden werden, derart , dass die wenigstens eine elektrische Leitung mittels der Durchkontakte 116 mit der ersten Elektrode 110 oder der zweiten Elektrode 114
elektrisch leitend gekoppelt werden kann . Die Durchkontakte 116 erstrecken sich von der elektrisch leitenden Leitung an die Grenzfläche zu dem optisch aktiven Bereich.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 auf einer Folie ausgebildet werden, wobei die Folie zwischen der ersten Substratstruktur 108-1 und der zweiten
Substratstruktur 108-2 angeordnet wird.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 in einem Luftkanal ausgebildet werden, beispielsweise
wenigstens teilweise , beispielsweise kann die wenigstens eine elektrisch leitende Leitung in dem Luftkanal angeordnet werden . In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 wenigstens teilweise von einer Formmasse umgeben werden. Die Formmasse kann beispielsweise elektrisch nicht- leitend ausgebildet sein . Beispielsweise kann die
Stromverteilungsstruktur 104 in der Formmasse eingebettet werden.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur körperlich mit der ersten Substratstruktur 108-1 und/oder der zweiten Substratstruktur 108-2 verbunden werden,
beispielsweise mittels der Formmasse und/oder der Form der ersten Substratstruktur 108-1 und der zweiten
Substratstruktur 108-2.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Stromverteilungsstruktur 104 mit wenigstens einer elektrisch leitenden Leitung ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung kann die wenigstens eine elektrische leitende Leitung flächig in dem Substrat 102 angeordnet oder ausgebildet werden, beispielsweise als teilweise parallele Bahnen in der Form eines Mäanders oder einer Spirale .
Alternativ oder zusätzlich kann die elektrische
Stromverteilungsstruktur ei e oder mehrere elektrisch leitende Leitungen aufweisen, die mittels einer oder mehrerer elektrisch leitender Kontaktleisten elektrisch kontaktiert sind oder werden können . Die elektrisch leitenden
Kontaktleisten können beispielsweise in einem oder mehreren Randbereichen des Substrates 102 angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Stromverteilungss uktur 104 mit mehreren elektrisch
leitenden Leitungen ausgebildet werden. Die mehreren
elektrisch leitenden Leitungen können beispielsweise in einer Gitter- , Netz- oder Siebstruktur oder als parallele Lei ungen angeordnet ausgebildet werden. Die Gitter- , Netz- oder
Siebstruktur kann beispielsweise flächig in dem Substrat 102 ausgebildet werden, so dass die Leitungen flächig in dem Substrat angeordnet sind. In einem Ausführungsbeispiel kann die wenigstens eine Leitung in eine noch aufgeschmolzene Substratstruktur, beispielsweise ein Flachglas , eingebettet werden, sodass nach einem Abkühlen und/oder Verfestigen das Substrat ausgebildet wird, beispielsweise in einem
Floatglasverfahren, beispielsweise vor dem Formgeben.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 eine erste Stromverteilungsstruktur 104 und eine zweite Stromverteilungsstruktur 104 aufweisen, wobei die erste Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch von der zweiten Stromverteilungsstruktur 104 isoliert ist; und wobei die erste Stromverteilungsstruktur 104 mit der ersten Elektrode und die zweite Stromverteilungsstruktur 104 mit der zweiten Elektrode elektrisch gekoppelt ist .
In einer Ausgestaltung können die erste
Stromverteilungsstruktur 104 und die zweite
Stromverteilungsstruktur 104 in unterschiedlichen Schichten ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung können die erste
Stromverteilungsstruktur 104 und die zweite Stromverteilungsstruktur 104 in der gleichen Schicht
ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 wenigstens teilweise frei liegen derart , dass die
Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch kontaktierbar ist, beispielsweise am Rand des optoelektronischen Bauelementes.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens eine
elektrisch leitende Leitung aufweist, die an der gemeinsamen Grenzfläche wenigstens teilweise die gemeinsame Grenzfläche mit dem optisch aktiven Bereich 106 ausbildet. In einer Ausges altung kann die Stromverteilungsstruktur 104 ferner elektrisch leitende Durchkontakte 116 in der ersten Substratstruktur 108-1 und/oder der zweiten Substratstruktur 108-2 aufweisen, wobei die Durchkontakte 116 derart
ausgebildet sind, dass die erste Elektrode 110 und/oder die zweite Elektrode 114 mittels der Durchkontakte 116 mit der wenigstens einen Leitung der Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch leitend verbunden werden .
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur 104 ferner elektrisch leitende Durchkontakte 116 in der ersten
Substratstruktur 108-1 und/oder der zweiten Substratstruktur 108-2 aufweisen, wobei die Durchkontakte 116 derart frei liegen, dass die wenigstens eine Leitung der
Stromverteilungsstruktur 104 mittels der Durchkontakte 116 elektrisch leitend kontaktierbar wird.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner elektrisch leitende Durchkontakte 116 durch die. erste Elektrode und die organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen, wobei die Durchkontakte 116 derart ausgebildet sind, dass die erste Elektrode 110 mit der wenigstens einen Leitung der Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch leitend verbindbar ist. In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode 110 an
bezüglich der flächigen Form der ersten Elektrode 110
unterschiedlichen Posi ionen mittels der Durchkontakte 116 mit der wenigstens einen elektrische Leitung elektrisch
leitend verbunden werden.
In einem Ausführungsbeispiel können die Durchkontakte und die wenigstens eine elektrische Leitung in einem gemeinsamen und/oder einzigen Verfahren ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner ein
Ausbilden einer Verkapselungsstruktur 328 auf oder über dem optisch aktiven Bereich 106 aufweisen - siehe Beschreibung unten; wobei die Verkapselungsstruktur 328 hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch die Verkapselungsstruktur in den optisch aktiven
Bereich 106 ausgebildet ist . In einer Ausgestaltung können die Verkapselungsstruktur 328 und das Substrat 102 derart ausgebildet werden, dass die Verkapselungsstruktur 328 mit dem Substrat 102 eine
hermetisch dichte Verkapselung ausbildet, wobei der optisch aktive Bereich 106 hermetisch dicht durch die elektrische Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch leitend kontaktierbar ist.
In einer Ausgestaltung kann das Substrat 102 mit wenigstens einem elektrischen Anschluss 504 ausgebildet werden, wobei der elektrische Anschluss 504 elektrisch leitend mit der Stromverteilungsstruktur 104 verbunden is , und wobei der elektrische Anschluss 504 frei liegend und elektrisch kontaktierbar ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann der Verbindungsbereich von
elektrischem Anschluss 504 mit der Stromverteilungsstruktur 104 hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff in die Stromverteilungsstruktur 104 ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung kann das Substrat 102 derart
ausgebildet werden, dass die elektroraagentische Strahlung wenigstens teilweise durch das Substrat 102 transmittiert wird, wobei das Substrat 102 im Wesentlichen frei ist von optisch inaktiven Bereichen 424, beispielsweise bis auf den Bereich der Stromverteilungsstruktur.
In einer Ausgestaltung kann die Stromverteilungsstruktur teilweise oder vollständig aus einem elektrisch leitenden, im sichtbaren Wellenlängenbereich transluzenten oder
transparenten Material ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 als ein organisches optoelektronisches Bauelement
ausgebildet werden, beispielsweise als ein organischer
Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das
optoelektronische Bauelement 100 ferner ein hermetisch dichtes Substrat 326, einen aktiven Bereich 106 und eine Verkapselungsstruktur 328 auf - beispielsweise
veranschaulicht in Fig . 3 .
Das hermetisch dichte Substrat kann das Substrat 102 und eine erste Barriereschiebt 304 aufweisen.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur- Einheiten und eine , zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur- Einheiten aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316, eine Zwischenschichtstruktur 318 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 aufweisen.
Die Verkapselungsstruktur 328 kann eine zweite
Barriereschicht 308 , eine schlüssige Verbindungsschicht 322 und eine Abdeckung 324 aufweisen.
Die erste Barriereschicht 304 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly {p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben .
Die erste Barriereschicht 304 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werden : ein
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsv/eise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer
Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren (Plasma-less Atomic Layer
Deposition ( PLALD) ) ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunters ütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition (PECVD) } oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor
Deposition (PLCVD) ) ; oder alternativ mittels ande er
geeigneter Abscheideverfahren .
Bei einer ersten Barriereschicht 304 , die mehrere
Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine
Schichtenfolge, die nur ALD- Schichten aufweist , kann auch als
„Nanolaminat" bezeichnet werden. Bei einer ersten Barriereschicht 304, die mehrere
Teilschichten aufweist , können eine oder mehrere
Teilschichten der ersten Barriereschicht 304 mittels eines anderen AbscheideVer ahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die erste Barriereschicht 304 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0 , 1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungef hr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungef hr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Die erste Barriereschicht 304 kann ein oder mehrere
hochbrechende Materialien auf eisen, beispielsweise ein oder mehrere Material ( ien) mit einem hohen Brechungsindex , beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste
Barriereschicht 304 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall , dass das Substrat 102 hermetisch dicht ausgebildet ist , beispielsweise Glas , Metall , Metalloxid auf eist oder daraus gebildet ist .
Die erste Elektrode 304 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material auf eisen oder daraus gebildet werden: ein Metall ; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitf higen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die
beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen- Teilchen und -Schichten; ein Netz erk aus
halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren
Komposite . Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialie . Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden
Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide :
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder ΙΏ.2Ο3 gehören auch ternäre MetallSauerstoffVerbindungen, beispielsweise AIZnO, Zn2Sn04 , CdSnÜ3 , ZnSnO^ , Mgln204 ,
Galn03 , Ζ 2ΐη2θ5 oder In4Sn30]_2 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger O ide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder eiektronenleitend (n-TCO) sein .
Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht , die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht ( ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten .
Die erste Elektrode 304 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ kann das erste elektrische Potential an ein elektrisch leitfähiges Substrat 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch das Substrat 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das
Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
In Fig .3 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und einer zweite organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 320 dargestellt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4 , 5, 6 , 7, 8, 9, 10 , oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70,
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 und die optional weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder
unterschiedliches Emittermaterial aufweise . Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 , oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen de ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 316 ausgebildet sein .
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 kann eine Lochinjektionsschicht , eine
Lochtransportschicht , eine Emitterschicht , eine
Elektronentransportschicht und eine
Elektroneninj ektionsschicht auf eisen . In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein.
Eine Lochinj ektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu (I) FBz, MoOx, W0X, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2 , NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPc; NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, N ' -Bis (naphthalen-2 -yl) -N, N 1 -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (N, ' -Bis ( 3 -methylphenyl ) - , N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (N, N ' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spi o-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis { 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; D FL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, 1 -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 1 -spirobifluoren) 9, 9-Bis [4- (N,N-b.is-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] - H- fluoren; 9 , 9-Bis [4- (N, -bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl] - 9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis -naphthalen- 2 - yl-N,N' -bis-phenyl -amino) -phenyl] - 9H-fluor ;
N, 1 -bis (phenanthren-9-yl ) -N, N 1 -bis (phenyl ) -benzidin;
2 , 7-Bis [N, N-bis (9, 9-spiro-bifluorene- 2 -yi) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9, -spirobifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di- henyl-amino) 9 , 9 -spiro-bifluoren; Di- [4- (N, -ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;
2,2' ,7,7' -tetra (N, N-di- olyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, N, N ' , ' -tetra-naphthalen-2 -yl-benzidin . Die Lochinj ek ionsschient kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis
ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.
Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann eine
Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die
Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien auf eisen oder daraus gebildet sein : NPB (Ν,Ν'- Bis ( aphthalen- 1 -y1 ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (N,N 1 -Bis (3 -methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;
Spiro-NPB (Η,Ν' -Bis ( naphthalen-l-yl) -N, 1 -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -N, N 1 - bis (phenyl) -9, 9 -dimethyl - f luoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl-fluoren) ; DPFL- PB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) 9,9-Bis[4- (N, N-bis -biphenyl-4 -yl- amino) henyl] - 9H- f luoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, N-bis -naphthalen- 2 -yl- amino) henyl] - 9H- f luoren; 9 , 9-Bis [4- (N,N ' -bis -naphthalen- 2 - yl-N, N' -bis- henyl - amino) -phenyl] - 9H- f luor ;
N, ' -bis (phenanthren- 9-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N, -bis ( 9 , 9-spiro-bif luorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren 2,2' -Bis [N, -bis (bipheny1 - 4 -y1 ) mino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di -phenyl -amino) 9 , 9-spiro-bif luoren; Di- [4 - (N, -ditolyl- amino) -phenyl] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7 , 7 ' - tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bif luoren; und N,
Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Poiyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen .
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine
Emitterschicht ausgebildet sein. Jede der organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316 , 320 kann jeweils eine oder mehrere Emitte schichten auf eisen,
beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern.
Eine Emitterschicht kann organische Polymere , organische Oligomere , organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein .
Das op oelektronische Bauelement 100 kann in einer
Emitte schicht eines oder mehrere der folgenden Materialien auf eisen oder daraus gebildet sein : organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2 - oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5 -difluoro- 2 - (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6 ) {Tris [ 4 , 4 ' -di- tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
(9,10 -Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter .
Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mitteis thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid ; oder einem Silikon .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nra bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm . Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig ( zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen . Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren . Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert , so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt . Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind .
Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 316 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind . Auf oder über der Emitterschicht kann eine
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein. Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18; 2,2" ,2" - ( 1 , 3 , 5 -Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl ) -5- ( - tert -butylphenyl ) - 1 , 3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl- , 7 -diphenyl - 1 , 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato- lithium, 4-
(Naphthalen-l-yl) -3 , 5 -diphenyl -4H- 1 , 2 , -triazole; 1 , 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine - 6 -y1 ) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl - 5 - tert -butylphenyl - 1 , 2 , -triazole ; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium 6,6' -Bis [5 - (biphenyl-4-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl - 9 , 10 -di {naphthalen-2 -yl ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine- 6 -yl) -1,3, -oxadiazo- 5 -yl] -9, 9 - dimethy1 f luorene ; 1, 3 -Bis [2- { 4 - tert -butylphenyl ) -1 , 3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen-2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane ; 1-methyl- 2 - (4 - (naphthalen- 2 -yl) henyl) -IH-imidazo [4,5- f] [1, 10] phenanthrolin; Phenyl - dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 n bis ungefähr
50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine
Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein . Die
Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs2C03 , CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
2,2' ,2" - {1, 3 , 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- {4 -Biphenylyl) -5- (4 -tert-butylphenyl) - 1,3, 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7 -diphenyl - 1 , 10- phenanthroline <BCP) ; 8-Hydroxyquinolmolato-lithium, 4 -
(Naphthalen- 1 -yl ) -3 , 5 -diphenyl -4H- 1 , 2 , -triazole; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine - 6 -y1 ) -1,3,4 -oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl - 5 -tert-butylphenyl - 1 , 2 , -triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium ; 6,6' -Bis [5 - (biphenyl-4-yl) -1, 3 , 4 -oxadiazo-2 -yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl- 9 , 10-di (naphthalen- 2 -yl ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6 -yl ) -1, 3 , 4 -oxadiazo-5 -yl] -9, 9 -dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- (4 - tert-butylphenyl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2- (naphthalen- 2 -yl) -4 , 7 -diphenyl- 1 , 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin- 3 -yl ) pheny1 ) borane ; 1-methyl- 2- (4- ( aphthalen- 2 -yl ) henyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1 , 10] phenanthroline ; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Siiacyclopentadieneinhei . Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm . Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 316 , 320 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 320 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 316 ausgebildet sein . Elektrisch zwischen den organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 316 , 320 kann eine
Zwischenschichtstruktur 318 ausgebildet sein . In verschiedenen Ausführungsbeis ielen kann die
Zwischenschichtstruktur 318 als eine Zwischenelektrode 318 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine
Zwischenelektrode 318 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein . Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 318 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen . Die Zwischenelektrode 318 kann j edoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 318 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 318 (charge generation layer CGL) ausgebildet sein . Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 318 kann eine oder mehrere
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungstragerpaar-
Erzeugung-Schicht (en) aufweisen . Die elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungs rägerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein . Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 318 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-
Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht ein Trennung von Elektron und. Loch erfolgen kann . Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 318 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine
Diffusionsbarriere aufweisen.
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 , 320 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μχη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 im, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 300 nm. Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode , also als löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode , also als eine
elektroneninj izierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt v/erden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential . Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht
308 ausgebildet sein. Die zweite Barriereschicht 308 kann auch als
Dünnschichtverkapselung ( thin film encapsulation TFE)
bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 308 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 304 ausgebildet sein.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 308 verzichtet werden kann . In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 308 optional werden kann , beispielsweise eine Abdeckung 324, beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verka seiung . Ferner können in verschiedenen Aus führungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein- /Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Substrat 102 (nicht dargestellt) oder eine interne
Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer ist als der mittlere
Brechungsindex der Schicht , aus der die elektromagnetische
Strahlung bereitgestellt wird . Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere
Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 308 ) in dem optoelektronischen
Bauelement 100 vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 308 eine schlüssige
Verbindungsschicht 322 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack . Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 322 kann eine Abdeckung 324 auf der zweiten Barriereschicht 308 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.
Eine schlüssige Verbindungsschicht 322 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,
beispielsweise lichtstreuende Partikel . Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 322 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkel erzugs und der
Auskoppeleffizienz führen. Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid {S1O2 ) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga2Ox) Aluminiumoxid , oder Titanoxid . Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungs index der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 322 verschieden ist , beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
Die schlüssige Verbindungsschicht 322 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μχη auf eisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren μηι. In verschiedenen
Ausführungsbei spielen kann die schlüssige Verbindungs schicht 322 einen Laminations -Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
Die schlüssige VerbindungsSchicht 322 kann derart
eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem
Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der
Brechungs index der Abdeckung 324. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 auf eist . Der Klebstoff kann j edoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende , nichtstreuende Partikel auf eist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex auf eist , der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
f nktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht ,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 , 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen Verbindungsschicht 322 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht
dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μτη, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 500 nm bis ungefähr 1 μν , um elektrisch instabile Materialien zu
schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 322 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 324 direkt auf der zweiten Barriereschicht 308 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 324 aus Glas , die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird .
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann ferner eine sogenannte Getter -Schicht oder Getter -Struktur, beispielsweise eine lateral strukturierte Getter- Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) .
Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μνα aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μτη ,
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations - Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen Verbindungsschicht 322 eingebettet sein.
Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 322 kann eine Abdeckung 324 ausgebildet sein . Die Abdeckung 324 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 322 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 324 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 324 , eine
Metallfolienabdeckung 324 oder eine abgedichtete
Kunststof ffolien- bdeckung 324 sein. Die Glasabdeckung 324 kann beispielsweise mittels einer Fritten- erbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 308 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden werden .
Die Abdeckung 324 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht 322 können einen Brechungsinde (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweise .
In einem Ausführungsbeispiel wird ein dünnes Metallgitter 402 oder werden mehrere dünne Metallgitter 402 zwischen einer ersten Glasscheibe 108-1 und einer zweiten Glasscheibe 108-2 eingebettet - beispielsweise veranschaulicht in der
Seitenansicht (Fig .4A) und der Draufsicht (Fig .4B) . Das
Metallgitter 402 kann beispielsweise in einer Verbundfolie ausgebildet sein, beispielsweise in einer Folie aus einem thermoplastischen Elastomer (TPU) . Die Verbundfolie mit Metallgitter 402 bildet einen Teil der
Stromverteilungsstruktur 104 aus. Die Substratstrukturen 108 - 1/2 und die Stromverteilungsstruktur 104 können
beispielsweise mittels eines herkömmlichen
Verbundglasprozesses miteinander verbunden werden.
Die Metalldrähte des eingebetteten Metallgitters 402 können eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 10 μτα bis ungefähr 100 μτ aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von
ungefähr 20 μτα bis ungefähr 50 μηα, beispielsweise 20 μτη.
Das so hergestellte Substrat 102 kann im Weiteren als Träger für das Verfahren 200 zum Herstellen des optoelektronischen Bauelementes 100 , beispielsweise einer OLED , verwendet werden - siehe beispielsweise Fig .4G .
Die Stromverteilungsstruktur 104 kann mit wenigstens einer der Elektroden 110 , 114 elektrisch leitend verbunden sein. Dazu kann beispielsweise eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Elektrode 110 und dem Metallgitter 104 ausgebildet werden. Beispielsweise können in der zweiten
Substratstruktur 108 -2 , auf oder über der die erste Elektrode 110 ausgebildet wird, kleine Löcher 404 ausgebildet werden, beispielsweise eingebracht werden - beispielsweise
veranschaulicht in der Seitenansicht (Fig .4C) und der
Draufsicht (Fig .4D) als Bauelement 406.
Das Ausbilden der Löcher 404 kann beispielsweise mittels eines Laserprozesses 408 (Laser- Piercing) oder
WasserStrahlprozesses erfolgen. Alternativ können die Löcher 404 , nasschemisch oder trockenchemisch ausgebildet werden, beispielsweise mittels eines Ätz-Prozesses , beispielsweise einem nasschemischen Ätzen oder Plasmaätzen .
Mit einem Laserprozess sind Durchmesser für die Löcher 404 im Bereich der Breite der Metalldrähte des Metallgitters 402 möglich. Mittels einer optischen Bilderkennung können die Metalldrähte für das Ausbilden der Löcher 404 genau
lokalisiert werden, beispielsweise vor einem Laserprozess 408. Dadurch können die Löcher 404 über den Metalldrähten des Metallgitters 402 ausgebildet werden. Mit anderen Worten: im Bereich der Löcher 404 kann ein Teil der zweiten
Subs ra struktur 108-2 entfernt werden, sodass die
Metalldrähte lokal frei liegen, beispielsweise
veranschaulicht in Fig .4C/D .
Nach dem Ausbilden der Löcher 404 können die Löcher 404 mit einem elektrisch leitenden Material gefüllt werden. Dadurch können in der zweiten Substratstruktur 108-2 Durchkontakte 116 ausgebildet werden . Auf das Substrat 102 mi
Durchkontakten 116 kann dann beispielsweise die erste
Elektrode 110 ausgebildet werden.
Optional kann vor oder nach dem Ausbilden der Durchkontakte noch die optionale erste Barriereschicht 304 (siehe Fig.3} ausgebildet werden .
In einem Ausfuhrungsbeispiel können die Durchkontakte 116 mit dem Ausbilden der ersten Elektrode 110 ausgebildet werden, beispielsweise in dem eine Paste 412 mittels eines Rakels 410 auf die zweite Substratstruktur 108-2 aufgebracht wird derart , dass die Löcher 404 mit elektrisch leitenden Material gefüllt sind und eine elektrisch leitende Verbindung zwischen Stromverteilungsstruktur 104 und Elektrode 110 , 114 ausbilden können (beispielsweise veranschaulicht in der Seitenansicht (Fig .4E) und der Draufsicht (Fig.4F) ) .
I einem Ausführungsbeispiel kann die Paste mit elektrisch leitendem Material nach dem Füllen der Löcher 404 getrocknet werden derart, dass sie sich verfestigt . Beispielsweise können beim Trocknen flüchtige Bestandteile , beispielsweise Binder, aus der Paste entfernt werden und/oder die Paste vernetzt werden, beispielsweise thermisch und/oder mittels UV-Bestrahlung .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Paste mit elektrisch leitendem Material nach dem Füllen der Löcher 404 mit dem elektrisch leitenden Material von der Oberfläche der zweiten Substratstruktur 108-1 entfernt werden . Anschließend, nach einem optionalen Trocknen und/oder Reinigen des Substrates 102 , kann beispielsweise die erste Barriereschicht 304 und/oder die erste Elektrode 110 auf der zweiten
Substratstruktur ausgebildet werden . Beispielsweise kann die erste Elektrode 110 mittels eines Nass- oder
Abscheideprozesses auf das Substrat 102 aufgebracht werden bzw . darauf ausgebildet werden . Das Ausbilden der weiteren Schichten der OLED (siehe
beispielsweise Beschreibung der Fig .3 und Fig .4G) kann wie beschrieben nasschemisch und/oder mittels Vakuumabscheidung erfolgen. In der schematischen Querschnittsansicht in Fig .4G ist ein
Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelementes 100 gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen
dargestellt . Dargestellt sind: Das Substrat 102 mit erster
Substratstruktur 108-1 , Stromverteilungsstruktur 104 , zweiter Substratstruktur 108-2 und Durchkontakten 116. Auf dem
Substrat 102 sind beispielsweise die erste Elektrode 110 , die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ausgebildet und die zweite Elektrode 114 ausgebildet .
Die zweite Elektrode 114 ist mittels einer elektrischen
Isolierung 416 von der ersten Elektrode 110 elektrisch isoliert . Die zweite Elektrode 114 kann mit einer
elektrischen Verbindungsschicht 414 körperlich und elektrisch verbunden sein. Die elekt ische Verbindungsschicht 414 kann im geometrischen Randbereich des Substrates 102 auf oder über dem Substrat 102 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der ersten Elektrode 110. Die elektrische
Verbindungsschicht 414 ist mittels einer weiteren
elektrischen Isolierung 416 elektrisch von der ersten
Elektrode 110 isoliert . Auf oder über der zwei en Elektrode 114 ist beispielsweise die zweite Bar ierendünnschicht 308 angeordnet derart, dass die zweite Elektrode 114, die
elektrischen Isolierungen 416 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 von der Barrierendunnschicht 308 umgeben sind, das heißt in Verbindung von
Barrierendunnschicht 308 mit dem Substrat 102 eingeschlossen sind.
Auf oder über der Barrierendunnschicht 308 ist beispielsweise eine Abdeckung 324 , d.h. ein Substrat 324 , mittels einer Klebstoffschicht 322 aufgebracht .
Ungefähr der Bereich des optoelektronischen Bauelementes 100 mit organischer funktioneller Schichtenstruktur 112 auf oder über dem Substrat 102 kann als optisch aktiver Bereich 422 bezeichnet werden. Ungefähr der Bereich des
optoelektronischen Bauelementes 100 ohne organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 auf oder über dem Substrat 102 kann als optisch inaktiver Bereich 424 bezeichnet werden . Der optisch inaktive Bereich 424 kann beispielsweise flächig neben dem optisch aktiven Bereich 422 angeordnet sein .
Die elektrischen Isolierungen 416 sind derart eingerichtet sein, dass ein Stromfluss zwischen zwei elektrisch
leitfähigen Bereichen, beispielsweise zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 verhindert wird. Der Stoff oder das Stoffgemisch der elektrischen Isolierung kann beispielsweise ein Überzug oder ein Beschichtungsmittel , beispielsweise ein Polymer und/oder ein Lack sein . Der Lack kann beispielsweise einen in flüssiger oder in pulverförmiger Form aufbringbaren Beschichtungsstoff aufweisen,
beispielsweise ein Polyimid aufweisen oder daraus gebildet sein. Die elektrischen Isolierungen 416 können beispielsweise mittels eines Druckverfahrens aufgebracht oder ausgebildet werden, beispielsweise strukturiert . Das Druckverfahren kann beispielsweise einen Tintenstrahl-Druck ( Inkj et - Printing) , einen Siebdruck und/oder ein Tampondruck ( Päd- Printing) aufweisen . Die elektrische Verbindungsschicht 414 kann als Stoff oder Stoffgemischt einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der Elektroden 110 , 114 gemäß einer der oben beschriebenen
Ausgestaltungen aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ein Kontaktpad 418 , 420 kann elektrisch und/oder körperlich verbunden sein mit einer Elektrode 110 , 114 , beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht 414. Ein Kontaktpad 418, 420 kann jedoch auch als ein Bereich einer Elektrode 110 , 114 oder einer Verbindungsschicht 414 ausgebildet sein.
Die Kontaktpads 418 , 420 können als Stoff oder Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der Elektroden 110 , 114 gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen aufweisen oder daraus gebilde sein, beispielsweise als eine Metallschichtenstruktur mit wenigstens einer Chrom-Schicht und wenigstens einer Aluminium- Schicht , beispielsweise Chrom- Aluminium- Chrom (Cr-Al-Cr) . Der optisch inaktive Bereich 424 kann beispielsweise
Kontaktflächen 418 , 420 (Kontaktpads) , beispielsweise in Form von Kontaktleisten, zum elektrischen Kontaktieren der
organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 aufweisen. Mit anderen Worten: Im geometrischen Randbereich kann das optoelektronische Bauelement 100 derart ausgebildet sein, dass Kontaktpads 418 , 420 zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sind, beispielsweise indem elektrisch leitf hige Schichten, beispielsweise elektrische Verbindungsschichten 414 , die Elektroden 110 , 114 oder ähnliches im Bereich der Kontaktpads 418 , 420 wenigstens teilweise frei liegen (nicht
dargestellt) .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 ferner elektrisch leitende Durchkontakte 116 durch die erste Elektrode 110 und die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 aufweisen, wobei die Durchkontakte 116 derart ausgebildet sind, dass die zweite Elektrode 114 mit der Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch leitend verbunden ist .
In einem Ausführungsbeispiel kann die zweite Elektrode 114 zusätzlich oder anstatt der ersten Elektrode 110 mit dem Metallgitter 402 elektrisch verbunden sein (beispielsweise veranschaulicht in Fig.5A) . Beispielsweise kann die
Stromverteilungsstruktur 104 mit der zweiten Elektrode 114 elektrisch verbunden sein und elektrisch von der ersten
Elektrode 110 isoliert sein. In einem anderen
Ausführungsbeispiel kann das Substrat 102 bzw. die
Stromverteilungsstruktur 104 eine erste
Stromverteilungsstruktur 104 - 1 und eine zweite
Stromverteilungsstruktur 104-2 aufweisen, wobei die erste Stromverteilungsstruktur 104-1 elektrisch von der zweiten Stromverteilungsstruktur 104-2 isoliert ist ; und wobei die erste Stromverteilungsstruktur 104-1 mit der ersten Elektrode 110 und die zweite Stromverteilungsstruktur 104-2 mit der zweiten Elektrode 114 elektrisch gekoppelt ist .
In einem Ausführungsbeispiel können mittels eines Lasers die aufgebrachte organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die ersten Elektrode 110 über den Durchkontakten 116 in der zweiten Subs ratstruktur 104-2 entfernt werden, eine Isolierung 502 in den Löchern in der organischen
funktionellen Schichtenstruktur 112 und der ersten Elektrode 110 ausgebildet werden; und danach die zwei e Elektrode 114 ausgebildet werden, beispielsweise aufgedampft werden. Die Löcher in der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 und der ersten Elektrode 110 können elektrisch isoliert von der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 und de ersten Elektrode 110 mit einem elektrisch leitenden Material befüllt werden, beispielsweise mit dem Ausbilden der zweiten Elektrode 114 oder zuvor .
In einem Ausführungsbeispiel können mittels eines Lasers die aufgebrachte organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die ersten Elektrode 110 und die zweite Substratstruktur 108-2 lokal über den Metalldrähten des Metallgitters 402 der Stromverteilungsstruktur 104 entfernt werden; eine Isolierung 502 in den Löchern in der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112 , der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Substratstruktur 108-2 ausgebildet werden; und danach die zweite Elektrode 114 ausgebildet werden, beispielsweise aufgedampft werden . Die Löcher in der organischen
funk ionellen Schichtenstruktur 112 , der erste Elektrode 110 und der zweiten Substratstruktur 108-2 können elektrisch isoliert von der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 und der ersten Elektrode 110 mit einem elektrisch
leitenden Material befällt werden, beispielsweise mit dem Ausbilden der zweiten Elektrode 114 oder zuvor . In einem Ausfuhrungsbeispiel ist die
Stromverteilungsstruktur 104 zusätzlich zu der elektrischen Verbindung mit der wenigstens einen Elektrode 110 , 114 mittels der Durchkontakte 116 ; mit wenigstens einer der
Kontaktflächen 418 , 420 (beispielweise in Fig .4G
veranschaulicht) elektrisch verbunden .
In einem Ausführungsbeispiel ist das Substrat 102 derart ausgebildet, dass die Stromverteilungsstruktur 104 frei ist von frei zugäng1 ichen elektrischen Kontakten nach außen, dass heißt als rein interne Stromverteilungsstruktur wirkt . Mit anderen Worten : die Stromverteilungsstruktur kann nach außen bezüglich der frei liegenden Flächen des Substrates 102 elektrisch isoliert sein. In einem anderen Ausführungsbeispiel kann die
Stromvertei lungsstruktur 104 einen elektrischen Kontakt 504 nach außen bezüglich der frei liegenden Flächen des
Substrates 102 aufweisen - beispielsweise veranschaulicht in Fig. 5B.
In einem Ausfuhrungsbeispiel kann der aktive Bereich 106 von einer Verkapselungsstruktur 328 umgeben sein und hermetisch abgedichtet sein bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff . Die Verkapselungsstruktur 328 kann beispielsweise derart
ausgebildet sein, dass eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelementes 100 nur mittels der frei liegenden Kontakte 504 des Substrates 102 bzw. der
Stromverteilungsstruktur 104 erfolgt - beispielsweise
veranschaulicht in Fig. 5B. Mit anderen Worten: das
Metallgitter 402 kann seitlich aus dem Substrat 102
herausgeführt sein und beispielsweise mittels eines
elektrischen Steckkontaktes zur Weiterkontaktierung versehen sein. Dadurch wird beispielsweise ein optisch randloses
Bauelement (ohne optisch inaktiven Bereich 424 ) ermöglicht (seamless tiling) .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 eine Verkapselungsstruktur 328 auf oder über dem optisch aktiven Bereich 106 aufweisen, wobei die
Verkapselungsstruktur 328 hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch die
Verkapselungsstruktur 328 in den optisch aktiven Bereich 106 ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung können die Verkapselungsstruktur 328 und das Substrat 102 derart ausgebildet sein, dass die
Verkapselungsstruktur 328 mit dem Substrat 102 eine
hermetisch dichte Verkapseiung ausbildet , wobei der optisch aktive Bereich 106 hermetisch dicht durch die elektrische
Stromverteilungsstruktur 104 elektrisch leitend kontaktierbar ist .
In einer Ausgestaltung kann das Substrat 102 wenigstens einen elektrischen Anschluss 504 aufweisen, wobei der elektrische Anschluss 504 elektrisch leitend mit der
Stromverteilungsstruktur 104 verbunden ist , und wobei der elektrische Anschluss 504 frei liegend und elektrisch
kontaktierbar ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann der Verbindungsbereich von
elektrischem Anschluss 504 mit der Stromverteilungsstruktur 104 hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff in die Schicht der Stromverteilungsstruktur 104 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist, stabilere
Bauelemente auszubilden. Wei erhin kann mittels sehr dünner, kaum sichtbarer Drähte in dem Substrat die laterale
Stromleitfähigkeit optimiert werden .
Damit kann verglichen mit herkömmlichen elektrischen
Samrnelschienen mittels des Substrates mit eingebetteter
Stromverteilungsstruktur eine höhere laterale
Stromleitf higkeit erreicht werden. Alternativ oder
zusätzlich kann bei gleicher oder höherer lateraler
Stromleitfähigeit der Stromverteilungsstruktur, die
Stromverteilungsstruktur eine geringere optische Sichtbarkeit aufweisen als herkömmliche elektrische Sammelschienen.
Weiterhin bleibt die hohe Transmission eines Substrats , beispielsweise eines Glassubstrats , erhalten. Die
Stromleitf higkeit kann in das Glassubstrat integriert werden. Es kann der topografische Aufbau, beispielsweise von Busbars auf dem Substrat vermieden oder reduziert werden, wodurch eine einfachere Prozessierung ermöglicht wird und die Kurzschlussgefahr reduziert wird . Weiterhin ist das Substrat mit integrierter Stromverteilungsstruktur optimal geeignet für flüssigprozessierte Bauelemente . Weiterhin werden mittels des Substrates , beispielsweise als Glassubstrat, "randlose" Bauelemente ermöglicht , das heißt Bauelemente ohne optisch inaktiven. Rand, beispielsweise da die Stromzuführung des optoelektronischen Bauelementes über eine seitlich
herausgeführte Drahtstruk ur realisiert werden kann.

Claims

Patentansprüche
Optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend:
• einen optisch aktiven Bereich (106) mit einer
organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) ,
• wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist ;
• wobei ein Substrat (102) zumindest im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung angeordnet ist; und
• wobei das Substrat (102) zumindest im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung eine
Stromverteilungsstruktur ( 104 ) für den elektrischen Strom aufweist ,
• wobei der optisch aktive Bereich (106) und das
Substrat (102) eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen, wobei die Stromverteilungsstruktur (10 ) in dem Substrat (102) ausgebildet ist und entlang der gemeinsamen Grenzfläche verläuft .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei der optisch aktive Bereich (106) ferner eine erste Elektrode (110) und eine zweite Elektrode (114 )
aufweist, wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode ( 114 ) ausgebildet ist , und wobei die erste Elektrode (110) auf oder über dem Substrat (102) ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 oder 2 ,
wobei die Stromverteilungsstruktur (104 } wenigstens eine elektrische Leitung und elektrisch leitende
Durchkontakte aufweist , wobei die Durchkontakte (116) mit der wenigstens einen elektrischen Leitung elektrisch leitend verbunden sind, derart, dass die wenigstens eine elektrische Leitung mittels der Durchkontakte (116) mit dem optisch aktiven Bereich (106) elektrisch leitend gekoppelt ist .
Optoelektronisches Bauelement (100} gemäß einem der Ansprüche 2 oder 3,
wobei die Stromverteilungsstruktur (104) wenigstens eine elektrische Leitung und elektrisch leitende
Durchkontakte aufweist, wobei die Durchkontakte (116) mit der wenigstens einen elektrischen Leitung elektrisch leitend verbunden sind, derart , dass die wenigstens eine elektrische Leitung mittels der Durchkontakte (116) mit der ersten Elektrode (110) oder mit de zweiten
Elektrode (114 ) elektrisch leitend gekoppelt ist .
Optoelektronisches Bauelement ( 100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 ,
wobei die Stromverteilungsstruktur ( 104 ) wenigstens teilweise von einer Formmasse umgeben ist ;
wobei vorzugsweise die Formmasse elektrisch nichtleitend ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 4 oder 5 ,
wobei die wenigstens eine elektrische Leitung flächig in dem Substrat (102) angeordnet oder ausgebildet ist , vorzugsweise in der Form eines Mäanders oder einer
Spirale .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 ,
wobei die Stromverteilungsstruktur (104) eine erste Stromverteilungsstruktur und eine zweite
Stromverteilungsstruktur aufweist , wobei die erste Stromverteilungsstruktur elektrisch von der zweiten Stromverteilungsstruktur isoliert ist ; und wobei die erste Stromverteilungsstruktur mit der ersten Elektrode (110) und die zweite Stromverteilungsstruktur mit der zweiten Elektrode (114) elektrisch gekoppelt sind .
Optoelektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 7 ,
wobei die Stromverteilungsstruktur (104) wenigstens teilweise freiliegt derart, dass die
Stromverteilungsstruktur (104) elektrisch kontaktierbar ist, vorzugsweise am Rand des optoelektronischen
Bauelementes .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 ,
ferner aufweisend elektrisch leitende Durchkontakte (116) durch die erste Elektrode (110) und die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) , wobei die
Durchkontakte (116) derart ausgebildet sind, dass die zweite Elektrode (114) mit der wenigstens einen Leitung der Stromverteilungsstruktur (104) elektrisch leitend verbunden ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 ,
ferner aufv/eisend eine Verkapselungsstruktur auf oder über dem optisch aktiven Bereich (106) , wobei die
Verkapselungsstruktur (328 ) hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch die Verkapselungsstruktur (328 ) in den optisch aktiven
Bereich (106) ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10,
wobei das Substrat (102) im Wesentlichen f ei ist von optisch inaktiven Bereichen (424 ) .
Verfahren (200) zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (100) , das Verfahren aufweisend : ein Bereitstellen (202) eines Substrates (102) , wobei das Substrat (102) eine
Stromverteilungsstruktur (104 ) für einen
elektrischen Strom aufweist ; und
ein Ausbilden (204 ) eines optisch aktiven Bereiches (106) mit einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur (112) auf oder über dem Substrat (102) , wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln des elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer
elektromagnetischen Strahlung in den elektrischen Strom ausgebildet wird; und
wobei der optisch aktive Bereich (106) derart auf oder über dem Substrat (102) ausgebildet wird, dass die Stromverteilungsstruktur (104 ) im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung angeordnet ist , der optisch aktive Bereich ( 106 ) und das Substrat
( 102 ) eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen, wobei die Stromverteilungsstruktur (104) in dem Substrat
( 102 ) entlang der gemeinsamen Grenzfläche verläuft ,- und die Stromverteilungsstruktur (104) elektrisch mit dem optisch aktiven Bereich (106) verbunden ist
Verfahren (200) gemäß Anspruch 12,
ferner aufweisend ein Ausbilden des Substrates ( 102 ) , wobei das Ausbilden wenigstens ein Laminieren einer Substratstruktur (108-n) mit einer Folie mit einer
Stromverteilungsstruktur (104) mit wenigstens einer elektrisch leitenden Leitung aufweist ;
wobei vorzugsweise die Stromverteilungsstruktur ( 104 ) zwischen einer ersten Substratstruktur (108-1) und einer zweiten Substratstruktur (108-2) laminiert wird.
Verfahren (200) gemäß Anspruch 13 ,
ferner aufweisend ein Ausbilden des Substrates (102 wobei das Ausbilden wenigstens ein Abscheiden oder
Aufbringen eines elektrisch leitenden Materials auf Substratstruktur (108 -n) und/oder auf die wenigstens eine Leitung der Stromverteilungsstruktur (10 )
aufweist .
Verfahren (200) gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Ausbilden des Substrates ein Ausbilden von elektrisch leitenden Durchkontakten (116) in der
wenigstens einen Substratstruktur aufweist, wobei die elektrisch leitenden Durchkontakte (116) elektrisch leitend mit der wenigstens einen elektrischen Lei ung elektrisch leitend verbunden werden;
wobei vorzugsweise das Ausbilden der Durchkontakte (116) ein Öffnen der Substratstruktur auf oder über der elektrisch leitenden Leitung aufweist , vorzugsweise mittels eines Lasers ;
wobei weiter vorzugsweise das Ausbilden der
Durchkontakte (116) ein wenigstens teilweises Füllen oder Überfüllen der Öffnungen (404 ) mit einer elektrisch leitfähigen Paste (412) aufweist , vorzugsweise mittels eines Siebdruck- oder Tampondruckverfahrens .
PCT/EP2015/053626 2014-02-21 2015-02-20 Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Ceased WO2015124729A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

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