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WO2014195116A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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Publication number
WO2014195116A1
WO2014195116A1 PCT/EP2014/060146 EP2014060146W WO2014195116A1 WO 2014195116 A1 WO2014195116 A1 WO 2014195116A1 EP 2014060146 W EP2014060146 W EP 2014060146W WO 2014195116 A1 WO2014195116 A1 WO 2014195116A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
scattering
optoelectronic component
optically active
electromagnetic radiation
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2014/060146
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English (en)
French (fr)
Inventor
Thomas Wehlus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram Oled GmbH
Original Assignee
Osram Oled GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Oled GmbH filed Critical Osram Oled GmbH
Priority to US14/896,440 priority Critical patent/US9692016B2/en
Priority to CN201480032570.7A priority patent/CN105378963B/zh
Publication of WO2014195116A1 publication Critical patent/WO2014195116A1/de
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    • G02F1/133565—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements inside the LC elements, i.e. between the cell substrates
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    • G02F2201/44—Arrangements combining different electro-active layers, e.g. electrochromic, liquid crystal or electroluminescent layers
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    • H10K85/731—Liquid crystalline materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • OLED organic light emitting diode
  • Opto-electronic device such as an OLED, an anode and a cathode with an organic
  • the organic functional layer system has one or more emitter layers in which
  • charge carrier pair generation layer structure each comprising two or more charge generating generators (CGL) for charge carrier pair generation
  • CGL charge generating generators
  • electron blockade history also referred to as a hole transport layer (HTL)
  • hole block layers also referred to as an electron transport layer (ETL)
  • the areal light impression of an OLED should remain as possible in many applications.
  • the emission characteristic of an OLED should be able to be changed during operation, for example, from a directed light beam to the beam profile of a
  • Scattering structure formed of micro-lenses embedded in a matrix, the microlenses and the matrix a
  • the emission characteristic can be changed as a function of the temperature of the scattering structure.
  • Polarizing microscope by means of characteristic textures is recognizable. Under the influence of an external electric field, the orientation of some liquid crystals can be selectively influenced and thus, for example, the polarization of light can be changed.
  • a menu will be
  • Optoelectronic component comprising: an optically active structure which is adapted for receiving and / or
  • the optically active structure may comprise a first electrode, a second electrode and an organic functional layer structure, wherein the
  • organic functional layer structure is formed between the first electrode and the second electrode.
  • the optoelectronic component can be designed as an organic light-emitting diode, an organic solar cell and / or an organic photodetector.
  • the optoelectronic component can be designed as a surface component. In one embodiment, the optoelectronic component may further comprise a carrier, wherein the optically active
  • Structure and the scattering structure are formed on or above the carrier. This can, for example, a
  • integrated scattering structure be formed, i. the optically active structure and / or the scattering structure have in
  • Support which faces away from the optically active structure may be formed.
  • Support which faces away from the optically active structure may be formed.
  • the carrier can be designed to be transmissive with respect to the electromagnetic radiation.
  • the carrier may be formed in the beam path of the electromagnetic radiation.
  • the at least one scattering structure can comprise a plurality of scattering structures on iron, which are formed in the beam path of the optically active structure.
  • the optically active structure between a first scattering structure and a second
  • Beam path of the electromagnetic radiation between the optically active structure and a second scattering structure to be formed
  • the scattering structure may comprise a third electrode, a fourth electrode and an electrooptical structure on iron, wherein the electrooptical structure is formed electrically between the third electrode and the fourth electrode.
  • the scattering structure can be designed to be transmissive with respect to the electromagnetic radiation.
  • the scattering structure and the optically active structure may have a common electrode. In one embodiment, the scattering structure and / or the electro-optical structure can / at least one
  • the scattering structure and / or the electro-optical structure can / at least one
  • liquid crystalline material for example, a liquid crystalline polymer.
  • the scattering structure and / or the electro-optical structure may / may be a microstructure on iron, wherein the microstructure is designed such that
  • the birefringent material may be formed in the cavities.
  • the cavities may be particles
  • the particles have, wherein the particles are electrically polarizable and have at least one color-changing and / or reflective side. Depending on a created
  • the microstructure may be such
  • the microstructure may be such
  • the microstructure may be such
  • the method comprising: forming an optically active structure for receiving and / or providing electromagnetic radiation; and forming at least one scattering structure in the beam path of the electromagnetic radiation on or above the optically active structure; wherein the scattering structure is formed such that the
  • forming the optically active structure may include: forming a first electrode; Forming an organic functional
  • Optoelectronic component as an organic light-emitting diode, an organic solar cell and / or an organic
  • Photodetector be formed.
  • optoelectronic component can be formed as a surface component.
  • the method may further comprise forming a carrier, wherein the optically active structure and the scattering structure are formed on or above the carrier. In one embodiment of the method, at least one
  • Scattering structure on the optically active structure and / or on the side of the carrier, which faces away from the optically active structure can be formed.
  • the carrier in one embodiment, the carrier
  • Radiation can be formed.
  • Beam path of the electromagnetic radiation can be formed.
  • the formation of at least one scattering structure can form a plurality of
  • the optically active structure can be formed between a first scattering structure and a second scattering structure.
  • Radiation between the optically active structure and a second scattering structure are formed, for example by the first scattering structure on the optically active
  • Structure is formed, and the second scattering structure on the first scattering structure; or in reverse order.
  • the formation of the scattering structure can include forming a third electrode, forming an electro-optical structure on the third electrode, and forming a fourth electrode on the electro-optical structure.
  • the scattering structure can be transmissive with respect to the electromagnetic
  • Radiation can be formed.
  • the method can / can
  • Scattering structure and / or the scattering structure and the optically active structure are formed such that they have a common electrode, In one embodiment of the method can / can
  • Scattering structure and / or the electro-optical structure are formed such that they at least one
  • the method has birefringent material.
  • electro-optical structure are formed such that it comprises at least one liquid-crystalline material
  • the formation of the electro-optical structure may have a formation of a microstructure such that cavities are formed.
  • birefringent material are introduced into the cavities such that the cavities are partial, complete or overfilled with birefringent material.
  • particles can be introduced into the cavities, wherein the particles are electrically polarizable and have at least one color-changing and / or reflective side.
  • the microstructure may be formed such that it has a refractive index which is less than or equal to
  • the microstructure may be formed such that it has a refractive index that is greater than or equal to the refractive index of the carrier.
  • the microstructure may be formed with respect to the electromagnetic radiation such that, in a first orientation of the birefringent substance, an optically non-scattering
  • FIGS. 1A-D show schematic representations of optoelectronic
  • FIGS. 2A, B are schematic cross-sectional views
  • Figure 3 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 4 is a representation of a method for
  • the optically active region can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region.
  • the electromagnetic radiation may have a wavelength range of X-radiation, UV Radiation ⁇ AC), visible light and / or infrared radiation (AC).
  • a planar optoelectronic component which has two flat, optically active sides, can be used in the
  • Connection direction of the optically active pages for example, be transparent or translucent, for example, as a transparent or translucent organic
  • a planar optoelectronic component can also be designed as a planar optoelectronic component, for example as a plane-parallel
  • the optically active region can also have a planar, optically active side and a planar, optically inactive one
  • the optically inactive side for example, an organic light-emitting diode, which is set up as a top emitter or bottom emitter.
  • the optically inactive side can be, for example, transparent or translucent, or be provided with a mirror structure and / or an opaque substance or mixture of substances,
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • providing electromagnetic radiation may be understood as emitting electromagnetic radiation by means of an applied voltage to an optically active region.
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • picking up electromagnetic radiation can be considered as absorbing electromagnetic radiation and Forming a photocurrent can be understood from the absorbed electromagnetic radiation.
  • the radiation may, for example, be light (in the visible range), UV radiation and / or infrared radiation.
  • the electromagnetic radiation may, for example, be light (in the visible range), UV radiation and / or infrared radiation.
  • the electromagnetic radiation may, for example, be light (in the visible range), UV radiation and / or infrared radiation.
  • emitting component may be formed, for example, as a light emitting diode (iight emitting diode, LED) as an organic light emitting diode (OLED), as a light emitting transistor or as an organic light emitting transistor
  • electromagnetic radiation emitting devices for example housed in a common housing.
  • Optoelectronic structure as an organic light emitting diode (OLED), an organic light emitting diode (OLED), an organic light emitting diode
  • Organic field effect transistor organic field effect transistor OFET
  • organic electronics may be formed.
  • the organic field-effect transistor may be a so-called "all-OFET" in which all layers are organic
  • An optoelectronic structure may include an organic functional layer system, which is also synonymously called an organic functional layer structure
  • Layer structure can be an organic substance or a have or be formed from organic substance mixture, for example, to provide a
  • electromagnetic radiation is furnished from a provided electric current.
  • the optoelectronic component can be used as an organic light-emitting diode, an organic photodetector or a
  • An organic light emitting diode may be formed as a top emitter or a bottom emitter. In a bottom emitter, light is emitted from the electrically active region through the
  • Carrier emitted.
  • light is emitted from the top of the electrically active region and not by the carrier.
  • a top emitter and / or bottom emitter may also be optically transparent or optically translucent, for example, any of those described below
  • Layers or structures may be transparent or translucent.
  • the averaging of the averaged refractive index can in a structure of a
  • Substance mixtures take place in this wavelength range.
  • the averaging can be formed in a structure from a substance mixture by means of forming the sum of the
  • Refractive indices of the substances of the mixture weighted with their respective volume fraction of the structure.
  • the directional characteristic of an optoelectronic component describes the solid angle dependence of the intensity absorbable or emitted electromagnetic radiation.
  • the directional characteristic for emitted electromagnetic radiation can also be referred to as a radiation characteristic.
  • a switchable or changeable emission characteristic may also be referred to as a switchable emission direction.
  • radiation characteristic may be changing a Lambertian emission characteristic to Batwing shaped emission charac- teristics.
  • the directional characteristic can, for example, the sensitivity in terms of an optoelectronic component, which is designed as a photodetector or solar cell
  • the optoelectronic can be protected from electromagnetic radiation with too high an intensity. As a result, for example, overheating and / or degradation
  • FIG. 1A-D show schematic representations of optoelectronic components according to various embodiments.
  • Optoelectronic component 100 is an optically active
  • the optically active structure 150 is for. Recording and / or providing electromagnetic radiation is formed and is described for example in Fig.2A closer.
  • the scattering structure 110 is in the beam path of
  • the scattering structure is designed such that the
  • a scattering structure can be realized with which the radiation characteristic of an OLED can be changed, for example to a
  • the scattering structure comprises a birefringent material formed on or above a microstructure.
  • a birefringent substance has different
  • the refractive index contrast at the interface of microstructure to birefringent material is dependent on the angle of incidence of the electromagnetic radiation on this interface.
  • a birefringent substance is one
  • liquid crystalline polymer for example, a liquid crystalline polymer.
  • Liquid crystal on the one hand is liquid as one
  • the microstructure is designed with regard to the structure of the birefringent substance such that, with at least one orientation of the birefringent substance with respect to the microstructure in an electric field, the scattering structure is non-scattering for the
  • the hermetically sealed substrate 130 may include a support and a first barrier layer.
  • Hermetically sealed substrate 130 are described in more detail in Fig. 2.
  • the optically active structure 150 may be directly on the
  • the scattering structure 110 can be formed in the beam path of the electromagnetic radiation after the production of the optically active structure 150.
  • the optically active structure 150 illustrated in FIG. 1A
  • the scattering structure 110 can be formed in the beam path of the electromagnetic radiation after the production of the optically active structure 150.
  • Scattering structure 110 are glued.
  • the electromagnetic radiation may be emitted and / or absorbed by the hermetically sealed substrate 130 and / or from a side of the optically active structure 150 facing away from the hermetically sealed substrate 130.
  • a scattering structure 110 can also be formed between the optically active structure 150 and the hermetically sealed substrate 130 in the beam path of the electromagnetic radiation (illustrated in FIG. 1C).
  • the hermetically sealed substrate 130 can also be formed between the optically active structure 150 and the hermetically sealed substrate 130 in the beam path of the electromagnetic radiation (illustrated in FIG. 1C).
  • Substrate 130 may be transmissive and / or reflective in this embodiment in terms of
  • the optically active structure 150 may be formed on the scattering structure 110 in this embodiment; and with the scattering structure 110 a
  • the at least one scattering structure 110 may include several
  • the optically active structure 150 may be formed between a first stray structure 110A and a second stray structure HOB (illustrated in FIG. 1D) and / or a first stray structure 110A in FIG
  • Directional characteristics can be realized, for example, different radiation characteristics for the
  • the plurality of scattering structures 110A, HOB may be formed differently, for example
  • Information is displayed, for example a
  • Pictogram a lettering, an ideogram and / or a given Richtcharakte atom ..
  • the scattering structure 110 between a support and the optically active structure 150 may be formed (illustrated in Fig. IC).
  • the scattering structure 110 may be formed to have a refractive index whose magnitude of the real part of the refractive index is larger than the amount of the real part of the carrier and smaller than the amount of the real part of the carrier
  • the scattering structure 110 can increase the outcoupling of electromagnetic radiation from the optoelectronic component 100.
  • electromagnetic radiation is a carrier between the
  • Scattering structure 110 and the optically active structure 150 may be formed (illustrated in Fig.lB).
  • Scattering structure 110 may be formed to have a refractive index whose magnitude of the real part of the refractive index is smaller than the amount of the real part of the refractive index of the carrier. This allows the
  • FIGS. 2A, B show schematic cross-sectional views
  • Fig. 2A shows a schematic cross-sectional view of the optically active region and the hermetically sealed one
  • the optoelectronic component 100 has a hermetically sealed substrate 130 and an optically active structure 150 on or above the hermetically sealed substrate.
  • the optically active structure 150 has an active region 206 and an encapsulation structure 228.
  • the active region 206 is an electrically active region 206 and / or an optically active region 206.
  • the active region 206 is, for example, the region of the optoelectronic
  • Device 100 in which electrical current for operation of the optoelectronic component 100 flows and / or in which electromagnetic radiation is generated and / or absorbed.
  • the electrically active region 206 may include a first electrode 210, an organic functional layer structure 212, and a second electrode 214.
  • the organic functional layer structure 206 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more interlayer structures between the layered structure units.
  • the organic functional layer structure 212 may include, for example, a first organic functional layer structure unit 216, an intermediate layer structure 218, and a second organic functional layer structure unit 220.
  • the encapsulation structure 228 may be a second
  • the carrier 202 may be glass, quartz, and / or a
  • the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyethylene
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PES Polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the carrier 202 may be a metal on or made of iron, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel.
  • the carrier 202 may be opaque, translucent or even transparent.
  • the carrier 202 may be part of or form part of a mirror structure.
  • the carrier 202 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way, for example as a foil.
  • the carrier 202 may be formed as a waveguide for electromagnetic radiation, for example, be transparent or translucent with respect to the emitted or
  • the first barrier layer 204 may include or be formed from one of the following materials:
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
  • the first barrier layer .204 can by means of one of
  • Atomic layer deposition Atomic Layer Deposition (ALD)
  • ALD Atomic layer deposition
  • PALD Physical Light Deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • Sublayers all sublayers can be formed by means of a Atom fürabscheidevons.
  • a layer sequence comprising only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate”.
  • Partial layers on ice one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the first barrier layer 204 may have a layer thickness of about 0.1 nra (one atomic layer) to about 1000 nm
  • a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment
  • the first barrier layer 204 may be one or more
  • one or more materials having a high refractive index for example, a refractive index of at least 2, may be included.
  • Barrier layer 204 may be omitted, for example, in the event that the carrier 202 hermetically sealed
  • the first electrode 204 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 210 may include or be formed from one of the following electrically conductive materials: a metal; a conductive transparent oxide
  • TCO transparent conductive oxide
  • the first electrode 210 made of a metal or a metal may comprise or be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials ,
  • the first electrode 210 may be one of the following as a transparent conductive oxide Have materials: for example, metal oxides:
  • zinc oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, SnC> 2 or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds, for example AlZnO, Zn 2 SnO 4 , CdS Os, ZnSnO 3 , Mgln 2 04,
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and can furthermore be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting (n-TCO).
  • the first electrode 210 may be a layer or a
  • the first electrode 210 may be formed of a layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of s TCOs, or vice versa.
  • An example is one
  • the first electrode 204 may, for example, have a layer thickness in a range of 10 nm to 500 nm,
  • the first electrode 210 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be provided by a power source, such as a power source or a voltage source.
  • the first electrical potential may be applied to an electrically conductive carrier 202 and the first electrode 210 may be indirectly electrically supplied by the carrier 202.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • Fig.l is an optoelectronic device 100 having a first organic functional layer structure unit 216 and a second organic functional
  • Layer structure unit 220 is shown. In various embodiments, the organic functional
  • Layer structure 212 but also have only one or more than two organic functional layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example 70th
  • Layer structures may be the same or different, for example the same or different
  • the second organic functional layered structure unit 220, or the other organic functional layered structure units may be one of those described below
  • the first organic functional layer structure unit 216 may include a hole injection layer, a
  • an organic functional layer structure unit 212 one or more of said layers may be provided, wherein the same layer may have a physical contact, may only be electrically connected to each other or even electrically isolated from each other, for example, may be arranged side by side. Individual layers of said layers may be optional.
  • a hole injection layer may be formed on or above the first electrode 210.
  • the Lochinj can edictions harsh include one or more of the following materials or may be formed from: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPC; NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine) spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine);
  • Spiro-NPB N, N * -bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -spiro
  • DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene
  • DMFL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalene-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene
  • DPFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • DPFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • DPFL-TPD
  • NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-l-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); Spiro-TAD (2, 2 ', 7, 7' tetrakis (n, n-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene); 9,9-bis [4- (N, -bis -biphenyl-yl-amino) -henyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl-amino) -henyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- ( ⁇ , ⁇ '-bis-naphthalen-2-yl-N, '-bis -phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluoro;
  • the hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • Hole transport layer may be formed.
  • the Hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB (N, '- bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (, ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine);
  • Spiro-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DMFL-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DPFL-TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); DPFL-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yi) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); Spiro-TAD
  • the hole transporting conductor may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm,
  • nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Functional layering units 216, 220 may be used
  • each having one or more emitter layers for example with fluorescent and / or
  • An emitter layer may be organic polymers, organic
  • Oligomers organic monomers, organic small, non-polymeric molecules "small raolecules" or a combination of these materials or be formed therefrom.
  • the optoelectronic component 100 can in a
  • Emitter layer comprise or be formed from one or more of the following materials: organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2 -pyridy1) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-6-glolidolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter.
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter are used, which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • a wet chemical process such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material, for example a technical ceramic or a polymer, for example an epoxide; or a silicone.
  • a matrix material for example a technical ceramic or a polymer, for example an epoxide; or a silicone.
  • Emitter layer 234 have a layer thickness in one
  • the Emitte layer can monochrome or different colors (for example, blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials on iron.
  • the colors for example, blue and yellow or blue, green and red
  • Emitter layer have multiple sub-layers that emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission produced by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, resulting in a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation gives a white color impression.
  • the organic functional layer structure unit 216 may include one or more emitter layers configured as a hole transport layer.
  • the organic functional layer structure unit 216 may include one or more emitter layers configured as an electron transport layer. On or above the emitter layer, a
  • Be formed electron transport layer for example, be deposited.
  • the electron transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NET- 18, ⁇ 2, 2 ', 2 "- (1, 3, 5-benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1H-benzimidazoles); - (biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3, -oxadiazoles, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1, 10 phenanthroline (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4 - (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl-4H-1,2-triazole; 1, 3-bis [2- (2,2'-bipyridines-6-yl) -1, 3, 4-oxadiazol-5-yl] benzene; , 7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1
  • the electron transport layer can have a layer thickness
  • nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the electron transport layer may be a
  • An electron injection layer may include or may be formed from one or more of the following materials: NDN-26, gAg, Cs 2 C0 3 , CS 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2 ', 2 "- (1,3,5-benzene triyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole), 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3 , 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-1ithium, 4 - (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl-4H- 1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene, 4,7-diphenyl
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the second organic functional layer structure unit 220 may be formed above or next to the first functional layer structure units 216. Electrically between the organic functional
  • Layer structure units 216, 220 may be a
  • Interlayer structure 218 is formed.
  • Interlayer structure 218 may be formed as an intermediate electrode 218, for example according to one of
  • Embodiments of the first electrode 210 Embodiments of the first electrode 210.
  • Intermediate electrode 218 may be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source may provide, for example, a third electrical potential at the intermediate electrode 218.
  • the intermediate electrode 218, however, may also have no external electrical connection, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • Interlayer structure 218 may be formed as a charge generation layer structure 218 (CGL).
  • a charge carrier pair generation layer structure 218 may include one or more
  • the charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsic conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the carrier pair generation layer pattern 218 should be formed with respect to the energy levels of the electron-conducting carrier generation layer (s) and the hole-carrier charge carrier couple generation layer (s) such that at the interface of an electron-conducting carrier generation pair with a hole-conducting Charge pair generation layer can be a separation of electron and hole.
  • the carrier pair generation layer structure 218 may further include a layer between adjacent layers
  • Each organic functional layer structure unit 216, 220 may have, for example, a layer thickness of at most approximately 3 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the optoelectronic component 100 can optionally have further organic functional layers, for example arranged on or above the one or more
  • the other organic Functional layers can be, for example, internal or external coupling / decoupling structures, which are the
  • the second electrode 214 may be formed.
  • the second electrode 214 may be formed according to any of the configurations of the first electrode 210, wherein the first electrode 210 and the second electrode 214 may be the same or different.
  • the second electrode 214 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is, as one
  • the second electrode 21 may have a second electrical connection, to which a second electrical connection
  • the second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential may be from the same or another source of energy
  • the second electrical potential may be different from the first electrical potential and / or the optionally third electrical potential.
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the difference to the first electrical potential has a value in a range from approximately 1.5 V to approximately 20 V, for example a value in a range from approximately 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • the second barrier layer 208 may be formed on the second electrode 214.
  • the second barrier layer 208 may also be referred to as
  • TFE Thin film encapsulation
  • the second barrier layer 208 may be formed according to one of the embodiments of the first barrier layer 204.
  • Barrier layer 208 can be dispensed with.
  • the optoelectronic component 100 may, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a second barrier layer 208 may become optional, for example a cover 224, for example one
  • one or more input / output coupling layers may be formed in the optoelectronic component 100, for example an external outcoupling foil on or above the carrier 202 (not shown) or an internal one
  • Decoupling layer (not shown) in the layer cross section of the optoelectronic component 100.
  • the input / output coupling layer can be a matrix and distributed therein
  • Refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided is provided. Furthermore, in various embodiments additionally one or more of
  • Antireflection layers for example, combined with the second barrier layer 208) in the optoelectronic
  • Component 100 may be provided.
  • a conclusive one may be on or above the second barrier layer 208
  • Bonding layer 222 may be provided, for example, an adhesive or a paint.
  • a cover 224 on the second barrier layer 208 are connected conclusively, for example, be glued.
  • transparent material can be particles
  • the coherent bonding layer 222 can act as a scattering layer and improve the color angle distortion and the
  • dielectric As light-scattering particles, dielectric
  • Metal oxide such as silicon oxide (S1O2), Zinko id (ZnO), zirconium oxide Zr02 ⁇ ), indium inn-oxide (ITO) or Indium Zinc Oxide (IZO), gallium (GA 20 x) aluminum oxide, or titanium oxide.
  • Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 222, for example air bubbles, acrylate or glass bubbles.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the coherent connection layer 222 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ , for example one
  • the interlocking tie layer 222 may include or be a lamination adhesive.
  • the coherent connection layer 222 may be so
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive may also be a high refractive adhesive, for example
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • an electrically insulating layer (not
  • SiN for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to electrically unstable materials
  • a cohesive tie layer 222 may be optional, for example, if the cover 224 is formed directly on the second barrier layer 208, such as a glass cover 224 formed by plasma spraying.
  • the electrically active region 206 may also be a so-called getter layer or getter structure,
  • a laterally structured getter layer may be arranged (not shown).
  • the getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the electrically active region 206.
  • a getter layer may include or be formed from a zeolite derivative. The getter layer can
  • the getter layer may have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several ⁇ , the getter layer may be formed with respect to the electromagnetic radiation emitted and / or absorbed in the optically active region.
  • the getter layer may include a lamination adhesive or be embedded in the interlocking tie layer 222.
  • a cover 224 may be formed on or above the coherent connection layer 222.
  • the cover 224 can be connected to the electrically active region 206 by means of the coherent connection layer 222 and protect it from harmful substances.
  • the cover 224 may include, for example, a glass cover 224, a
  • the glass cover 224 may, for example by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding using a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic device 100 with the second barrier layer 208 and the electrically active region 206 conclusive get connected.
  • the cover 224 and / or the bonding compound layer 222 may have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • FIG. 2B shows a schematic cross-sectional view of FIG
  • the scattering structure 110 may include a third electrode 252, an electro-optical structure 254 on the third electrode 252, and a fourth electrode 256 on the electro-optical
  • Structure 254 have.
  • the scattering structure 110 can transmissive with respect to the electromagnetic
  • the electro-optic structure 254 may include a microstructure 258.
  • the microstructure 258 is designed such that a plurality of cavities 260 are formed over the microstructure 258 in the electro-optical structure 110. In Fig. 2B the cavities should be illustrated by means of the dotted lines
  • the microstructures 258 should be transmissive with respect to the electromagnetic radiation.
  • Microstructures 258 may, for example, from a
  • an adhesive for example, according to one embodiment of
  • a microstructure 258 may be formed to have a refractive index that is less than or equal to the layer thickness-averaged refractive index of the organic functional layer structure.
  • the birefringent substance of the scattering structure 110 may be introduced into the cavities 260 formed by the microstructure 258 such that the cavities are partially, completely or overfilled with birefringent material. Overfilled cavities are illustrated in FIG.
  • the birefringent substance may, for example, be
  • liquid-crystalline material in the operation of the optoelectronic component in a birefringent phase and the orientation of the
  • Orientation of ordinary and extraordinary Refractive index can be set electrically.
  • the electrical adjustment can be achieved, for example, by changing the electric field between the third
  • the liquid-crystalline substance may, for example, be
  • liquid crystalline material should be conventional liquid crystalline polymer that meets the requirements mentioned.
  • the liquid crystalline material should be in a birefringent phase in a temperature range of about -40 ° C to about + 120 ° C.
  • particles 260 can be introduced into the cells, for example with the birefringent substance, for example embedded in a matri.
  • the particles can be electrically polarizable and have at least one color-changing and / or reflective side.
  • the appearance of the optoelectronic component 100 can be changed simultaneously by changing the directional characteristic of the optoelectronic component 100.
  • Fig. 3 shows a schematic cross-sectional view of a
  • Optically active structure 150 and / or a scattering structure 110 may be disposed on and / or over a support, such as a hermetically sealed substrate 130
  • the substrate 130 may be transmissive with respect to the electromagnetic radiation.
  • the carrier can be formed in the beam path of the electromagnetic radiation, for example in a
  • Optoelectronic component as a bottom emitter.
  • an optoelectronic component 100 which is designed as a top emitter or top absorber (illustrated in FIG. 3), the substrate 130 and / or the first electrode
  • 210 may be opaque and / or reflective.
  • An opaque and / or reflective substrate 130, for example with first electrode 210, may be formed as a metal foil or metal coated foil.
  • the optoelectronic component 100 may be formed such that the scattering structure 110 and the optically active
  • Structure 150 has a common electrode 306 on iron.
  • the electrostatic structure 254 may be formed on the second electrode 214.
  • the second electrode 214 and the third electrode 252 are formed as a common electrode 306.
  • the fourth electrode and the first electrode may be formed as a common electrode by forming the optically active region (see description of FIG. 2A) on the fourth electrode.
  • the common electrode 306 may have, for example, a ground potential. This can increase the number of
  • the fourth electrode 256 may have an electric potential that is smaller than the electric potential of the first electrode 210 or the common electrode 306.
  • the common electrode 306 for the optically active structure 150 may be a cathode and for the
  • Scattering structure 110 may be an anode. Based on the
  • the common electrode can therefore be referred to as the first cathode 306 and the fourth electrode 256 as the second cathode (illustrated in FIG. 3).
  • the fourth electrode 256 may have an electric potential
  • the common Electrode 306 for the optically active structure 150 and for the scattering structure 110 may be a cathode. Based on the
  • the common electrode may therefore be referred to as (first) cathode 306 and the fourth electrode 256 as a second anode.
  • Electrode 306 and the fourth electrode 256 and the first electrode 210 may be designed to be transmissive
  • microstructures may be formed, for example, a micro lens array (MLA).
  • MLA micro lens array
  • the microstructures may have any structure.
  • a microstructure may have a pyramidal structure (illustrated in FIG. 3) with straight or curved side surfaces,
  • a microstructure may have a refractive index greater than 1.3;
  • microstructures for example, in a range of about 1.5 to about 1.8.
  • Such microstructures may also be referred to as a coupling-out structure.
  • a birefringent, electrically polarizable material is formed on or above the microstructures.
  • This substance may be formed, for example, as liquid crystals.
  • the voids between the pyramidal microstructures i.
  • the cavities can be filled with the liquid crystalline material, so that a flat surface is formed.
  • the fourth electrode 256 is formed on the liquid-crystalline substance in order to be able to influence the orientation of the liquid crystals.
  • a liquid-crystalline substance has a first refractive index along a first crystal axis and a second refractive index along a second crystal axis.
  • liquid crystal E44 has a refractive index along a first crystal axis of about 1.527 at a wavelength of 587.6 nm and along a second crystal axis of about 1.786.
  • E7 having a refractive index along a first crystal axis of about 1.52237 and along a second crystal axis of about 1.73938 each at a wavelength of 587.6 nm.
  • Another suitable liquid crystalline material is
  • TL-216 having a refractive index along a first crystal axis of about 1.52262 and along a second crystal axis of about 1.73132 each at a wavelength of 587.6 nm.
  • the first crystal axis can be the crystal direction
  • Crystal direction is the crystal direction with respect to the extraordinary beam of electromagnetic radiation in a birefringent crystal.
  • Refractive index contrast can also be called Refractive index difference. If the magnitude of the refractive index difference is greater than about 0.05, scattering of electromagnetic radiation at a grazing incidence interface may occur. Depending on
  • the interface between the microstructure and the liquid-crystalline material is optically smooth
  • the emission characteristic of the OLED can be influenced.
  • the microstructure can optically limit the alignment of the liquid crystals.
  • the scattering structure 110 can scatter the electromagnetic radiation with an orientation of the liquid crystals perpendicular to the
  • the scattering structure is designed such that the
  • the liquid crystals have a refractive index difference in microstructure greater than 0.05 (scattering). In the second crystal direction, the liquid crystals have a
  • the first crystal axis may be, for example, the high-index plane of the liquid crystal.
  • the liquid crystals are oriented in such a way that the first
  • Crystal axis is located in the vertical orientation 302.
  • the OLED is in a non-scattering state. There is no scattering or extra decoupling, for example because some of the light is reflected from the interface of the microstructure with the liquid crystals.
  • the liquid crystals are oriented such that the first Crystal axis is located in horizontal orientation 304.
  • the OLED is in a decoupling mode.
  • the light is coupled out symmetrically, ie the microstructures act as
  • Liquid crystals oriented such that the liquid crystals are tilted with the first crystal axis, for example, by 45 ° from the vertical orientation 302 to the left.
  • the second crystal axis is then tilted to the right by 45 °.
  • the light is now output asymmetrically. More light can be coupled out of the optoelectronic component on the side in the direction of the first crystal axis. I the direction of the second crystal axis can be less light
  • the emission characteristic of the OLED can be changed.
  • Liquid crystals oriented such that the liquid crystals are tilted with the first crystal axis, for example, by 45 0 from the vertical orientation 302 to the right.
  • the second crystal axis is then tilted 45 ° to the left.
  • the light is output asymmetrically as in the third control.
  • control device becomes as in the third drive and fourth drive
  • the method 300 for producing an optoelectronic component comprises forming 302 an optically active
  • the optically active structure is used for recording and / or
  • a surface light source for example, a surface light source; as a photodetector, for example, an area detector; or a solar cell.
  • Forming 302 of the optically active structure may include
  • the optically active structure may be formed as a bottom emitter and / or a top emitter.
  • one of the electrodes of the optically active structure as a mirror structure with respect to the electromagnetic
  • the scattering structure is formed such that the
  • the scattering structure is formed » after the optically active structure has been formed.
  • the scattering structure can be formed on or above the optically active structure, for example applied.
  • the optically active structure is formed after the scattering structure has been formed.
  • the optically active structure may be formed on or above the scattering structure, for example
  • the optically active structure in the beam path of the electromagnetic radiation, is formed on or above a first scattering structure and a second scattering structure is formed on or above the optically active structure
  • first scattering structure formed on or above the optically active structure and a second scattering structure formed on or above the first scattering structure.
  • Scattering structure may be the same or different.
  • the scattering structure By means of the scattering structure, information can be displayed in the case of an electromagnetic radiation-emitting optoelectronic component, for example by the scattering structure being laterally structured, for example having different microstructures and / or birefringent substances with different refractive indices.
  • Forming the electro-optic structure may be
  • the application of the microstructure to the third electrode can be, for example, deposition, printing and / or spraying.
  • the microstructure may be patterned during or after application of the fabric of the microstructure, for example, when applied by means of a mask or stamping process; or after application by means of a selective removal, for example by means of a
  • the microstructure should be designed in such a way that, in the case of a first orientation of the birefringent substance, an optical non-scattering interface and in a second orientation of the birefringent substance an optically scattering
  • Microstructure pyramidal structures having straight or curved side surfaces.
  • electromagnetic radiation can be the propagation direction, wavelength and polarization of the electromagnetic
  • the formation of the electro-optical structure may include
  • the electro-optical structure can also be used as a
  • Liquid crystal film may be formed, which can be adhered.

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (100) aufweisend: eine optisch aktive Struktur (150), die eingerichtet ist zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung; und wenigstens eine Streustruktur (110), die im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung auf oder über der optisch aktiven Struktur (150) ausgebildet ist; wobei die Streustruktur (110) derart ausgebildet ist, dass die Richtcharakteristik der elektromagnetischen Strahlung elektrisch veränderbar ist.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt .
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
beispielsweise eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete
Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle. Ein herkömmliches organisches
optoelektronisches Bauelement , beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen
funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem weist eine oder mehrere Emitterschicht (en) auf , in der/denen
elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (en) aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Sch: chten („Charge generating l yer" , CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehreren Elektronenblockadeschichte (n) , auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" - HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportsch.i cht ( er ) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.
Der flächenhaf e Leuchteindruck einer OLED soll in vielen Anwendungen möglichst erhalten bleiben. In verschiedenen Anwendungen soll die Abstrahlcharakteristik einer OLED im Betrieb verändert werden können, beispielsweise von eine gerichteten Lichtstrahl zu dem Strahlprofil eines
Lambert 'sehen Strahlers . 2014/060146
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In einem herkömmlichen Verfahren wird die
Abstrahlcharakteristik eines optoelektronischen Bauelementes mittels makroskopischer optischer Bauelemente verändert, beispielsweise mittels Reflektoren oder Linsensystemen . Eine solche makroskopische Modifikation ist bei
Flächenlichtquellen ungeeignet, da der Flächeneindruck verloren geht.
In einem herkömmlichen Verfahren wird mittels Mikrolinsen versucht die Abstrahlcharakteris ik einer organischen
Leuchtdiode zu verändern. Damit lässt sich j edoch die
Abstrahlcharakteristik einer OLED nicht veränderbar
verändern. In einem weiteren herkömmlichen Verfahren wird eine
Streustruktur aus in einer Matrix eingebetteten Mikrolinsen gebildet , wobei die Mikrolinsen und die Matrix einen
unterschiedlichen temperaturabhängigen Brechungsindex
aufweisen. Dadurch kann in Abhängigkeit der Temperatur der Streustruktur die Abstrahlcharakteristik verändert werden.
Eine temperaturgesteuerte Änderung der Abs rahlcharakteristik ist jedoch träge . Weiterhin kann eine solche Ansteuerung lokal unpräzise sein und ein inhomogenes Erscheinungsbild erzeugen.
Weiterhin bekannt ist der Einsatz von Flüssigkristallen zu einem Ändern der Polarisation einer elektromagnetischen
Strahlung in Flüssigkris allbildschirmen und -anzeigen
(Liquid Crystal Display - LCD) . Die meisten Flüssigkristalle sind optisch doppelbrechend , was unter einem
Polarisationsmikroskop mittels charakteristischer Texturen erkennbar ist . Unter Einfluss eines äußeren elektrischen Feldes kann die Orientierung mancher Flüssigkristalle gezielt beeinflusst werden und somit beispielsweise die Polarisation von Licht verändert werden .
In verschiedenen Ausführungs o men werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die
Abstrahlcharakteristik von organischen Leuchtdioden
elektrisch zu verändern.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das
optoelektronisches Bauelement aufweisend: eine optisch aktive Struktur, die eingerichtet ist zum Aufnehmen und/oder
Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung; und wenigstens eine Streustruktur, die im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist; wobei die Streustruktur derart ausgebildet ist, dass die Richtcharakteristik der elektromagnetischen Strahlung elektrisch veränderbar ist .
In einer Ausgestaltung kann die optisch aktive Struktur eine erste Elektrode , eine zweite Elektrode und eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen, wobei die
organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode, eine organische Solarzelle und/oder ein organischer Fotodetektor ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet sein . In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner einen Träger aufweisen, wobei die optisch aktive
Struktur und die Streustruktur auf oder über dem Träger ausgebildet sind . Dadurch kann beispielsweise ein
optoelektronisches Bauelement mit einer monolithisch
integrierten Streustruktur ausgebildet sein, d.h. die optisch aktive Struktur und/oder die Streustruktur weisen im
Wesentlichen die gleiche Abmessung auf wie der Träger . In einer Ausgestaltung kann wenigstens eine Streustruktur auf der optisch aktiven Struktur und/oder auf der Seite des
Trägers, die der optisch aktiven Struktur abgewandt ist, ausgebildet sein. Beispielsweise als Nachrüstung eines optoelektronischen Bauelementes .
In einer Ausgestaltung kann de Träger transmittierend hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der Träger im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein.
In einer Ausgestal ung kann die wenigstens eine Streustruktur mehrere Streustrukturen auf eisen, die im Strahlengang der optisch aktiven Struktur ausgebildet sind .
In einer Ausgestaltung kann die optisch aktive Struktur zwischen einer ersten Streustruktur und einer zweiten
Streustruktur ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann eine erste Streustruktur im
Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung zwischen der optisch aktiven Struktur und einer zweiten Streustruktur ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Streustruktur eine dritte Elektrode , eine vierte Elektrode und eine elektrooptische Struktur auf eisen, wobei die elektrooptische Struktur elektrisch zwischen der dritten Elektrode und der vierten Elektrode ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann die Streustruktur transmittierend hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung können die Streu truktur und die optisch aktive Struktur eine gemeinsame Elektrode aufweisen. In einer Ausgestaltung können/kann die Streustruktur und/oder die elektrooptische Struktur wenigstens einen
doppelbrechenden Stoff aufweisen .
In einer Ausgestaltung können/kann die Streustruktur und/oder die elektrooptische Struktur wenigstens einen
flüssigkristallinen Stoff aufweisen, beispielsweise ein flüssigkristallines Polymer .
In einer Ausgestaltung können/kann die Streustruktur und/oder die elektrooptische Struktur eine Mikrostruktur auf eisen, wobei die Mikrostruktur derart ausgebildet ist , dass
Kavitäten gebildet sind.
In einer Ausgestaltung kann der doppelbrechende Stoff in den Kavitäten ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung können die Kavitäten Partikel
aufweisen, wobei die Partikel elektrisch polarisierbar sind und wenigstens eine farbverändernde und/oder reflektierende Seite aufweisen. In Abhängigkeit eines angelegten
elektrischen Feldes kann dadurch das optische
Erscheinungsbild mit einem Andern der Richtcharakteristik veränderbar sein.
In einer Ausgestaltung kann die Mikrostruktur derart
ausgebildet sein, dass sie einen Brechungsindex aufweisen, der kleiner oder gleich dem schichtdickengemittelten
Brechungsindex der organischen funktionellen
Schichtenstruktur ist .
In einer Ausgestaltung kann die Mikrostruktur derart
ausgebildet sein, dass sie einen Brechungsindex auf eisen, der größer oder gleich dem Brechungsindex des Trägers is .
In einer Ausgestaltung kann die Mikrostruktur derart
hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein, dass bei einer ersten Orientierung des doppelbrechenden Stoffes eine optisch nichtstreuende Grenzfläche und bei einer zweiten Orientierung des doppelbrechenden Stoffes eine optisch streuende Grenzfläche ausgebildet ist -
In verschiedenen Äusführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ausbilden einer optisch aktiven Struktur zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung; und Ausbilden wenigstens einer Streustruktur im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung auf oder über der optisch aktiven Struktur; wobei die Streustruktur derart ausgebildet wird, dass die
Richtcharakteristik der elektromagnetischen Strahlung
elektrisch veränderbar ist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der optisch aktiven Struktur aufweisen: Ausbilden einer ersten Elektrode ; Ausbilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode ; und Ausbilden einer zweiten Elektrode auf oder über der
organischen funktionellen Schichtenstruktur .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode , eine organische Solarzelle und/oder ein organischer
Fotodetektor ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden eines Trägers aufweisen, wobei die optisch aktive Struktur und die Streustruktur auf oder über dem Träger ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens eine
Streustruktur auf der optisch aktiven Struktur und/oder auf der Seite des Trägers, die der optisch aktiven Struktur abgewandt ist, ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Träger
transmittierend hinsichtlich der elektromagnetischen
Strahlung ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Träger im
Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden wenigstens einer Streustruktur ein Ausbilden mehrerer
Streustrukturen auf eisen, die im Strahlengang der optisch aktiven Struktur ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Ver ahrens kann die optisch aktive Struktur zwischen einer ersten Streustruktur und einer zweiten Streustruktur ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine erste
Streustruktur im Strahlengang der elektromagnetischen
Strahlung zwischen der optisch aktiven Struktur und einer zweiten Streustruktur ausgebildet werden, beispielsweise indem die erste Streustruktur auf der optisch aktiven
Struktur ausgebildet wird, und die zweite Streustruktur auf der ersten Streustruktur; oder in umgekehrter Reihenfolge .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der Streustruktur aufweisen: Ausbilden einer dritten Elektrode , Ausbilden einer elektrooptischen Struktur auf der dritten Elektrode , und Ausbilden einer vierten Elektrode auf der elektrooptischen Struktur. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Streustruktur transmittierend hinsichtlich der elektromagnetischen
Strahlung ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens können/kann die
Streustruktur und/oder die Streustruktur und die optisch aktive Struktur derart ausgebildet werden, dass sie eine gemeinsame Elektrode aufweisen, In einer Ausgestaltung des Verfahrens können/kann die
Streustruktur und/oder die elektrooptische Struktur derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens einen
doppelbrechenden Stoff aufweist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
elektrooptische Struktur derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens einen flüssigkristallinen Stoff aufweist,
beispielsweise ein flüssigkristallines Polymer. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrooptisehen Struktur ein Ausbilden einer Mikrostruktur aufweisen derart, dass Kavitäten gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
doppelbrechende Stoff in die Kavitäten eingebracht werden derart, dass die Kavitäten teilweise, vollständig oder überfüllt sind mit doppelbrechendem Stoff.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können in die Kavitäten Partikel eingebracht werden, wobei die Partikel elektrisch polarisierbar sind und wenigstens eine farbverändernde und/oder reflektierende Seite aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Mikrostruktur derart ausgebildet werden, dass sie einen Brechungsindex aufweist, der kleiner oder gleich dem
schichtdickengemittelten Brechungsindex der organischen f nktionellen Schichtenstruktur ist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Mikrostruktur derart ausgebildet werden, dass sie einen Brechungsindex aufweist, der größer oder gleich dem Brechungsindex des Trägers ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Mikrostruktur derart hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden, dass bei einer ersten Orientierung des doppelbrechenden Stoffes eine optisch nichtstreuende
Grenzfläche und bei einer zweiten Orientierung des
doppelbrechenden Stoffes eine optisch streuende Grenzfläche ausgebildet ist, Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen Figuren 1A-D schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelemente gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 2A, B schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 3 eine schematische Querschnittsansicht eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes; und
Figur 4 eine Darstellung zu einem Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet» Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches
Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV- Strahlung {A-C) , sichtbares Licht und/oder Infrarot- Strahlung (A-C) aufweist .
Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der
Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische
Leuchtdiode . Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ei planes optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden, beispielsweise als ein planparalles
optoelektronisches Bauelement .
Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige , optisch aktive Seite und eine flächige , optisch inaktiven
Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode , die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist . Die optisch inaktive Seite kann beispielsweise transparent oder transluzent sein, oder mit einer Spiegelstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein,
beispielsweise zur Wärmeverteilung . Der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise einseitig gerichtet sein. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werde . Mit anderen Worten: ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels einer angelegten Spannung an einen optisch aktiven Bereich verstanden werden .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden . Mit anderen Worten: ein Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung und Ausbilden eines Fotostromes aus der absorbierten elektromagnetischen Strahlung verstanden werden.
Ein elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur kann in verschiedenen Ausgestaltungen ein elektromagnetische
Strahlung emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische
Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht (im sichtbaren Bereich) , UV-Strahlung und/oder Infrarot-Strahlung sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung
emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (iight emitting diode , LED} als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten
Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von
elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine
optoelektronische Struktur als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , ein organischer
Feldeffekttransistor {organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all-OFET" handeln,, bei dem alle Schichten organisch sind. Eine optoelektronisches Struktur kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktionelle
Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer
elektromagnetischer Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist.
Das optoelektronische Bauelement kann als eine organische Leuchtdiode, ein organischer Fotodetektor oder eine
organische Solarzelle ausgebildet sein. Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den
Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger.
Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen
Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem
schichtdickengemittelten Brechungsindex einer Struktur der Brechungsindex der Struktur hinsichtlich der in dem
Wellenleiter geführten und von dem optoelektronischen
Bauelement emittierten oder absorbierten elektromagnetischen Strahlung verstanden werden. Die Mittelung des gemittelten Brechungsindexes kann bei einer Struktur aus einem
Stoffgemisch über die BrechungsIndizes der Stoffe des
Stoffgemisches in diesem Wellenlängenbereich erfolgen. Die Mittelung kann bei einer Struktur aus einem Stoffgemisch gebildet werden mittels eines Bildens der Summe der
BrechungsIndizes der Stoffe des Stoffgemisches gewichtet mit ihrem jeweiligen Volumenanteil an der Struktur.
Die Richtcharakteristik eines optoelektronischen Bauelementes beschreibt die Raumwinkelabhängigkeit der Intensität absorbierbarer oder emittiert elektromagnetischer Strahlung. Die Richtcharakteristik für emittierte elektromagnetische Strahlung kann auch als Abstrahlcharakteristik bezeichnet werden. Spezifische AbstrahlCharakteristika weisen
beispielsweise eine lineare, eine elliptische, eine
rechteckige , eine Batwing- förmige , eine Keulen- förmige oder Lambert ' sehe Intensitätsverteilung auf . Eine schaltbare oder veränderbare AbstrahlCharakteristik kann auch als schaltbare Emissionsrichtung bezeichnet werden . Ein Ändern der
Abstrahlcharakteristik kann beispielsweise ein Ändern einer Lambert ' sehen AbstrahlCharakteristik zu einer Batwing- förmigen AbstrahlCharak eristik sein.
Die Richtcharakteristik kann bei einem optoelektronischen Bauelement , das als Fotodetektor oder Solarzelle ausgebildet ist , beispielsweise die Sensitivität hinsichtlich
einfallender elektromagnetischer Strahlung ändern . Dadurch kann das optoelektronische vor elektromagnetischer Strahlung mit einer zu hohen Intensität geschützt werden . Dadurch kann beispielsweise eine Überhitzung und/oder Degradierung
organischer Stoffe reduziert bzw. vermieden werden.
Fig.1A-D zeigen schematische Darstellungen optoelektronischer Bauelemente gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein
optoelektronisches Bauelement 100 eine optisch aktive
Struktur 150 und wenigstens eine Streustruktur 110 auf oder über einem hermetisch dichten Substrat 130.
Die optisch aktive Struktur 150 ist zum. Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet und wird beispielsweise in Fig.2A näher beschrieben. Die Streustruktur 110 ist im Strahlengang der
elektromagnetischen Strahlung auf oder über der optisch aktiven Struktur 150 ausgebildet . Die Streustruktur ist derart ausgebildet, dass die
Richtcharakteristik der elektromagnetischen Strahlung
elektrisch veränderbar ist. Mittels einer Kombination von Flüssigkristallen und
mikrostrukturierten Oberflächen kann eine Streustruktur realisiert werden, mit der die Abstrahlcharakteristik einer OLED verändert werden kann, beispielsweise auf eine
gewünschte AbstrahlCharakteristik eingestellt werden kann. Die Streustruktur weist einen doppelbrechenden Stoff auf, der auf oder über einer Mikrostruktur ausgebildet ist. Ein doppelbrechender Stoff weist unterschiedliche
Brechungsindizes in Abhängigkeit von der Ausbreitungsrichtung und Polarisation der elektromagnetischen Strahlung auf.
Dadurch ist der Brechungsindexkontrast an der Grenzfläche von Mikrostruktur zu doppelbrechendem Stoff abhängig von dem Einfallswinkel der elektromagnetischen Strahlung auf diese Grenzfläche . Ein doppelbrechender Stoff ist beispielsweise ein
Flüssigkristall in einer doppelbrechenden Phase,
beispielsweise ein flüssigkristallines Polymer. Ein
Flüssigkristall ist einerseits flüssig ist wie eine
Flüssigkeit und weist andererseits richtungsabhängige
{anisotrope) physikalische Eigenschaften auf wie ein
Kristall .
In einer Ausgestaltung ist die Mikrostruktur hinsichtlich der Struktur des doppelbrechenden Stoffes derart ausgebildet, dass bei wenigstens einer Orientierung des doppelbrechenden Stoffes hinsichtlich der Mikrostruktur in einem elektrischen Feld die Streustruktur nichtstreuend für die
elektromagnetische Strahlung ist . Eine solche nichtstreuende Anordnung kann realisiert sein wenn der
Brechungsindexkon ra t an der Grenzfläche von Mikrostruktur zu doppelbrechendem Stoff in Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Strahlung vernachlässigbar gering ist. Das hermetisch dichte Substrat 130 kann einen Träger und eine erste Barriereschicht aufweisen . Ausgestaltungen des
hermetisch dichten Substrates 130 werden in Fig .2 näher beschrieben.
Die optisch aktive Struktur 150 kann direkt auf dem
hermetisch dichten Substrat 130 ausgebildet sein und die Streustruktur 110 auf der optisch aktiven Struktur 150
(veranschaulicht in Fig.1A) oder auf der Seite des hermetisch dichten Substrates 130 , die der optisch aktiven Struktur 150 abgewandt ist (veranschaulicht in Fig.1B) . Dadurch kann die Streustruktur 110 nach dem Herstellen der optisch aktiven Struktur 150 in dem Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden . Beispielsweise kann die
Streustruktur 110 aufgeklebt werden. Die elektromagnetische Strahlung kann durch das hermetisch dichte Substrat 130 emittiert und/oder absorbiert werden und/oder von einer Seite der optisch aktiven Struktur 150 , die dem hermetisch dichten Substrat 130 abgewandt ist .
Eine Streustruktur 110 kann j edoch auch zwischen der optisch aktiven Struktur 150 und dem hermetisch dichten Substrat 130 im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein (veranschaulicht in Fig. IC) . Das hermetisch dichte
Substrat 130 kann in dieser Ausgestaltung transmittierend und/oder reflektierend sein hinsichtlich der
elektromagnetischen Strahlung . Die optisc aktive Struktur 150 kann in dieser Ausgestaltung auf der Streustruktur 110 ausgebildet sein; und mit der Streustruktur 110 eine
gemeinsame Elektrode aufweisen.
Die wenigstens eine Streustruktur 110 kann mehrere
Streustrukturen aufweisen. Die optisch aktive Struktur 150 kann zwischen einer ersten Streustruktur 110A und einer zweiten Streustruktur HOB ausgebildet sein (veranschaulicht in Fig.1D) und/oder eine erste Streustruktur 110A im
Strah1engang der elektromagnetischen Strahlung zwischen der optisch aktiven Struktur 150 und einer zweiten Streustruktur HOB ausgebildet sein. Dadurch können unterschiedlich
Richtcharakteristika realisiert werden, beispielsweise unterschiedliche Abstrahlcharakteristika für die
unterschiedlichen Seiten des hermetisch dichten Substrates 130, Weiterhin können die mehreren Streustrukturen 110A, HOB unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise
unterschiedliche elektrisch veränderbare Richtcharakteristika aufweisen, unterschiedlich funktionale Partikel aufweisen (siehe Beschreibung der Fig.2B) und/oder unterschiedlich strukturiert sein. Dadurch kann beispielsweise eine
Information dargestellt werden, beispielsweise ein
Piktogramm, ein Schriftzug, ein Ideogramm und/oder eine vorgegebene Richtcharakte istik.. In einer Ausgestaltung kann im Strahlengang der
elektromagnetischen Strahlung die Streustruktur 110 zwischen einem Träger und der optisch aktiven Struktur 150 ausgebildet sein (veranschaulicht in Fig. IC). Die Streustruktur 110 kann derart ausgebildet sein, dass sie einen Brechungsindex aufweist, dessen Betrag des Realteils des BrechungsIndexes größer ist als der Betrag des Realteils des Trägers und kleiner ist als der Betrag des Realteils des
schichtdickengemittelten Brechungsindexes der organischen funktionellen Schichtenstruktur der optisch aktiven Struktur 150. Dadurch kann die Streustruktur 110 die Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung aus dem optoelektronischen Bauelement 100 erhöhen.
In einer Ausgestaltung kann im Strahlengang der
elektromagnetischen Strahlung ein Träger zwischen der
Streustruktur 110 und der optisch aktiven Struktur 150 ausgebildet sein (veranschaulicht in Fig.lB) . Die
Streustruktur 110 kann derart ausgebildet sein, dass sie einen Brechungsindex aufweist, dessen Betrag des Realteils des Brechungsindexes kleiner ist als der Betrag des Realteils des Brechungsindexes des Trägers. Dadurch kann die
Streustruktur 110 die Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung aus dem optoelektronischen Bauelement 150 erhöhen. Fig.2A, B zeigen schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen ,
Fig.2A zeigt eine schematische Querschnittsansicht des optisch aktiven Bereiches und des hermetisch dichten
Substrates gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 100 weist ein hermetisch dichtes Substrat 130 und eine optisch aktive Struktur 150 auf oder über dem hermetisch dichten Substrat auf. Die optisch aktive Struktur 150 weist einen aktiven Bereich 206 und eine Verkapselungsstruktur 228 auf.
Der aktive Bereich 206 ist ein elektrisch aktiver Bereich 206 und/oder ein optisch aktiver Bereich 206. Der aktive Bereich 206 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen
Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird.
Der elektrisch aktive Bereich 206 kann eine erste Elektrode 210, eine organische funktionelle Schichtenstruktur 212 und eine zweiten Elektrode 214 aufweisen.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 206 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 212 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 216, eine Zwischenschichtstruktur 218 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 aufweisen. Die Verkapselungsstruktur 228 kann eine zweite
Barriereschicht 208, eine schlüssige Verbindungsschicht 222 und eine Abdeckung 224 aufweisen. Der Träger 202 kann Glas, Quarz, und/oder ein
Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Der Träger 202 kann ein Metall auf eisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl .
Der Träger 202 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Der Träger 202 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.
Der Träger 202 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie .
Der Träger 202 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder
absorbierten elektromagnetischen Strahlung des
optoelektronischen Bauelementes 100. Die erste Barriereschicht 204 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid , Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben. Die erste Barriereschicht .204 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) } oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren { Plasma- less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren {Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor
Deposition ( PLCVD) } ; oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren .
Bei einer ersten Barriereschicht 204 , die mehrere
Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD- Schichten aufweist , kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden .
Bei einer erste Barriereschicht 204 , die mehrere
Teilschichten auf eist , können eine oder mehrere
Teilschichten der ersten Barriereschicht 204 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die erste Barriereschicht 204 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0 , 1 nra (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung,
beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Die erste Barriereschicht 204 kann ein oder mehrere
hochbrechende Materialien aufweisen, beis ielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste
Barriereschicht 204 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall , dass der Träger 202 hermetisch dicht
ausgebildet ist , beispielsweise Glas , Metall , Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist .
Die erste Elektrode 204 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 210 kann eines der folgenden elektrisch leitf higen Materialien aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall ; ein leitf higes transparentes Oxid
(transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitf higen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die
beispielsweise mit leitf higen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus
halbleitenden Nanodrähten ; ein elektrisch leitfähiges
Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren
Komposite . Die erste Elektrode 210 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 210 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide :
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnC>2 , oder In203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdS Os , ZnSn03 , Mgln204 ,
GaInÜ3 , Zn2In205 oder Ιη43η30 2 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.
Die erste Elektrode 210 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 210 kann gebildet werden von ei em Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht ein s TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste Elektrode 204 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 210 kann einen ersten elektrischen
A schluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leit ähigen Träger 202 angelegt sein und die erste Elektrode 210 durch den Träger 202 mittelbar elektrisch zugeführt sein . Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
In Fig.l ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 und einer zweite organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 220 dargestellt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 212 aber auch nur eine oder mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4 , 5, 6, 7, 8 , 9, 10 , oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 und die optional weiteren organischen f nktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder
unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 , oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 216 ausgebildet sein. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine Lochinj ektionsschicht , eine
Lochtransportschicht , eine Emitterschicht , eine
ElektronentransportSchicht und eine
Elektroneninj ektionsschicht aufweisen .
In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 212 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schicht einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander angeordnet sein können . Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein . Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 210 ausgebildet sein. Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx , VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPC; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;
Spiro-NPB (N, N * -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -9 , 9 -diphenyl -fluoren) ; DPFL-
NPB (Ν,Ν' -Bis ( naphthalen-l-yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl - fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9 , 9-Bis [4- (N, -bis -biphenyl - -yl - amino) henyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) henyl] - 9H- fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis- naphthalen- 2 - yl-N, ' -bis -phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor ;
N, ' -bis (phenanthren- 9 -y1 ) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin;
2, 7 -Bis [N, -bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl -4 -yl) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2* -Bis (Ν,Ν-di -phenyl -amino) 9 , 9 - Spiro- bifluoren ; Di- [4 - (N, -ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;
2,2' ,7,7' - tetra (N, N-di-tolyl) amino- spiro-bifluoren ; und/oder N, N, N 1 , N ' -tetra-naphthalen- 2 -yl -benzidin. Die Lochinj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 50 nm bis unge ähr 200 nm.
Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann eine
Lochtransportschicht ausgebildet sein . Die LochtransportSchicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (N, ' - Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD ( ,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;
Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) - 9 , 9 -diphenyl - fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yi) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl - fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, -bis-biphenyl-4 -yl- amino) phenyl] - 9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N,N-bis~naphthalen-2-yl- amino) henyl] - 9H- fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis -naphthalen- 2- yl-N, ' -bis -phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor ;
Ν,Ν' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin; 2, 7 - Bis [N, N-bis (9 , 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] - 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di-phenyl -amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (Ν,Ν-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7, 71 - tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und N,
Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen .
Die Lochtransportschient kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungef hr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine
EmitterSchicht ausgebildet sein . Jede der organischen
f nktionellen Schichtens ruktur-Einheiten 216 , 220 kann
jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern. Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische
Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle £„small raolecules" ) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer
Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- ( 2 -pyridy1 ) phenyl - (2- carboxypyridyl ) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4 , 4' -di-tert- butyl- {2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , -Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
(9, 10 -Bis [N,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer technischen Keramik oder einem Polymer, beis ielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Emitterschicht 234 eine Schichtdicke aufweisen in einem
Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Die Emitte schicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien auf eisen . Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren . Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren . Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer St ahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind.
Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 216 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind. Auf oder über der Emitterschicht kann eine
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sei .
Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18 ,· 2, 2', 2" - ( 1 , 3 , 5 -Benzinetriyl ) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- ( -Biphenylyl) -5- ( 4 - tert-butylphenyl ) - 1,3, -oxadiazole , 2 , 9-Dimethyl-4 , 7 -diphenyl- 1 , 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato- lithium, 4 - (Naphthalen-l-yl ) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2 , - triazole; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1, 3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene; , 7- Diphenyl-1 , 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl-5- tert-butylphenyl-1, 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9 , 10-di (naphthalen- 2 -yl ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6 -yl ) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9, 9 -dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- (4 -1ert-butylphenyl ) -1,3 , 4-oxadiazo-5-yl] benzene ; 2- (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline ; 2, 9- Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ;
Tris (2 , 4 , 6- rimethyl-3- (pyridin- 3 -yl ) henyl ) orane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen- 2 -yl) phenyl) -IH-imidazo [4, 5- f] [1,10] phenanthrolin; Phenyl -dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und
Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit ..
Die ElektronentransportSchicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr
50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine
Elektroneninj ektionsschicht ausgebildet sein. Die
Elektroneninj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, gAg, Cs2C03 , CS3PO4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2' , 2 " - (1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl ) -5- (4 - ert-butylphenyl) - 1,3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- 1ithium , 4 - (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l, 2 , 4 -triazole ; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6 -yl) -1,3,4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ,- 4,7- Diphenyl-1, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl - 5 - tert-butylphenyl - 1 , 2 , 4 -triazole ,· Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium ; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3 , 4 -oxadiazo-2-yl] -2,21 -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen- 2 -yl ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine - 6 -yl ) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] - 9 , 9-dimethy1fluorene ; 1 , 3-Bis [2- (4 - tert-butylphenyl ) -1,3,4 -oxadiazo-5-yl] benzene 2- (naphthalen-2 -y1 ) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline;
Tris (2,4, 6 -trimethyl- 3- (pyridin-3 -yl) henyl ) borane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1,10] phenanthroline ; Phenyl -dipyrenylphosphine o ide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide,- und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 212 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 216 , 220 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 kann eine
Zwischenschichtstruktur 218 ausgebildet sei .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 218 als eine Zwischenelektrode 218 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210. Eine
Zwischenelektrode 218 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 218 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 218 kann jedoc auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 218 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 (charge generation layer CGL) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann eine oder mehrere
eiektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungstragerpaar- Erzeugung- Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 218 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine
Diffusionsbarriere aufweisen.
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, 220 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μτα , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτχι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel - /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 212 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 214 ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 214 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 210 und die zweite Elektrode 214 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können . Die zweite Elektrode 214 kann als Anode , also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode , also als eine
elektroneninj izierende Elektrode . Die zweite Elektrode 21 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential . Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungef hr 20 V aufweist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf der zweiten Elektrode 214 kann die zweite Barriereschicht 208 ausgebildet sein . Die zweite Barriereschicht 208 kann auch als
Dünnschichtverkapselung ( thin film encapsulation TFE)
bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 208 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 204 ausgebildet sein.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 208 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 208 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 224 , beispielsweise eine
Kavi ätsglasverkapselung oder metallische Verkapseiung .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein- /Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 202 (nicht dargestellt) oder eine interne
Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer ist als der mittlere
Brechungsindex der Schicht , aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere
Entspiegelungsschichten (beis ielsweise kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 208) in dem optoelektronischen
Bauelement 100 vorgesehen sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 208 eine schlüssige
Verbindungsschicht 222 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 auf der zweiten Barriereschicht 208 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.
Eine schlüssige Verbindungsschicht 222 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,
beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen.
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (S1O2 ) , Zinko id (ZnO) , Zirkoniumoxid {Zr02 ) , Indium- inn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid . Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 222 verschieden ist , beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartike1 , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μτ aufweisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren μτα . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann derart
eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem
Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der
Brechungsindex der Abdeckung 224. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist . Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist , der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 212 entspricht,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 214 und der schlüssigen Verbindungsschient 222 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht
dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise
SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 300 nm bis ungefähr 1,5 μτ , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungef hr 1 μιη, um elektrisch instabile Materialien zu
schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 222 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 224 direkt auf der zweiten Barriereschicht 208 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 224 aus Glas , die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 206 kann ferner eine sogenannte Getter- Schicht oder Getter- Struktur,
beispielsweise eine lateral strukturierte Getter- Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) .
Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 206 sind, absorbiert und bindet . Eine Getter- Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein . Die Getter-Schicht kann
transluzent , transparent oder opak und/oder undurchl ss ig hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung, die in dem optisch aktiven Bereich emittiert und/oder absorbiert wird, ausgebildet sein, Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μτη aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μπι,
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen Verbindungsschicht 222 eingebettet sein.
Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 ausgebildet sein. Die Abdeckung 224 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 mit dem elektrisch aktiven Bereich 206 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 224 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 224, eine
Metallfolienabdeckung 224 oder eine abgedichtete
Kunststof ffolien-Abdeckung 224 sein. Die Glasabdeckung 224 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 208 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 206 schlüssig verbunden werden.
Die Abdeckung 224 und/oder die schlüssige VerbindungsSchicht 222 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
Fig.2B zeigt eine schematische Querschnittsansicht der
Streustruktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Die Streustruktur 110 kann eine dritte Elektrode 252, eine elektrooptische Struktur 254 auf der dritten Elektrode 252, und eine vierte Elektrode 256 auf der elektrooptischen
Struktur 254 aufweisen. Die Streustruktur 110 kann transmittierend hinsichtlich der elektromagnetischen
Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent . Die elektrooptische Struktur 254 kann eine Mikrostruktur 258 aufweisen. Die Mikrostruktur 258 ist derart ausgebildet, dass über der Mikrostruktur 258 in der elektrooptisehen Struktur 110 mehrere Kavitäten 260 gebildet sind. In Fig .2B sollen die Kavitäten veranschaulicht sein mittels der gepunkteten
Abgrenzungslinie mit dem Bezugszeichen 262.
Die Mikrostrukturen 258 sollten transmittierend hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein. Die
Mikrostrukturen 258 können beispielsweise aus einer
transmittierenden technischen Keramik und/oder einem
transmittierendem Polymer ausgebildet sein, beispielsweise S1O2 , AI2O3 , ein Silikon, ein Epoxid, ein Polyacrylat , ein Klebstoff (beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung der
Beschreibung der Fig .2A) .
Eine Mikrostruktur 258 kann derart ausgebildet sein, dass sie einen Brechungsindex aufweisen, der kleiner oder gleich dem schichtdickengemittelten Brechungsindex der organischen funktionellen Schichtenstruktur ist .
Der doppelbrechende Stoff der Streustruktur 110 kann derart in die mittels der Mikrostruktur 258 gebildeten Kavitäten 260 eingebracht sein, dass die Kavitäten teilweise, vollständig oder überfüllt sind mit doppelbrechendem Stoff . Überfüllte Kavitäten sind in Fig .2B veranschaulicht mittels des
Bereiches mit dem Bezugszeichen 26 .
Der doppelbrechende Stoff kann beispielsweise ein
flüssigkristalliner Stoff sein, wobei der flüssigkristalline Stoff im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes in einer doppelbrechenden Phase ist und die Ausrichtung der
Orientierung des ordentlichen und des außerordent1ichen Brechungsindexes sich elektrisch einstellen lässt . Das elektrische Einstellen kann beispielsweise mittels eines Änderns des elektrischen Feldes zwischen der dritten
Elektrode und der vierten Elektrode ausgebildet sein. Der flüssigkristalline Stoff kann beispielsweise ein
herkömmliches flüssigkristallines Polymer sein, das die genannten Anforderungen erfüllt . Beispielsweise sollte der flüssigkristalline Stoff in einer doppelbrechenden Phase sein in einem Temperaturbereich von ungefähr -40 °C bis ungefähr + 120 °C.
Weiterhin können in die Ka itäten 260 Partikel eingebracht werden, beispielsweise mit dem doppelbrechenden Stoff , beispielsweise eingebettet in einer Matri . Die Partikel können elektrisch polarisierbar sein und wenigstens eine farbverändernde und/oder reflektierende Seite aufweisen.
Dadurch kann mittels eines Änderns der Richtcharakteristik des optoelektronischen Bauelementes 100 gleichzeitig das Erscheinungsbild des optoelektronischen Bauelementes 100 verändert werden.
Fig .3 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes . Die optisch aktive Struktur 150 und/oder eine Streustruktur 110 (veranschaulicht in Fig.3) oder mehrere Streustrukturen (siehe Fig.lD) können auf und/oder über einem Träger, beispielsweise einem hermetisch dichten Substrat 130
ausgebildet oder aufgebracht sein .
Das Substrat 130 kann transmittierend hinsichtlich der e1ektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein. Dadurch kann der Träger im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden, beispielsweise bei einem
optoelektronischen Bauelement als Bottom-Emitter .
Bei einem optoelektronischen Bauelement 100 , das als Top- Emitter bzw. Top-Absorber ausgebildet ist (veranschaulicht in Fig .3 ) können das Substrat 130 und/oder die erste Elektrode
210 opak und/oder reflektierend ausgebildet sein. Ein opakes und/oder reflektierendes Substrat 130, beispielsweise mit erster Elektrode 210 , kann als eine Metallfolie oder Metall beschichtete Folie ausgebildet sein.
Das optoelektronischen Bauelement 100 kann derart ausgebildet sein, dass die Streustruktur 110 und die optisch aktive
Struktur 150 eine gemeinsame Elektrode 306 auf eisen.
Beispielsweise kann die elektroo tische Struktur 254 auf der zweiten Elektrode 214 ausgebildet sein. Dadurch sind die zweite Elektrode 214 und die dritte Elektrode 252 als eine gemeinsame Elektrode 306 ausgebildet . In einer Ausgestaltung können die vierte Elektrode und die erste Elektrode als eine gemeinsame Elektrode ausgebildet sein, indem der optisch aktive Bereich (siehe Beschreibung der Fig .2A) auf der vierten Elektrode ausgebildet wird. Die gemeinsame Elektrode 306 kann beispielsweise ein Masse- Potential aufweisen . Dadurch kann die Anzahl an zu
kontaktierenden Elektroden reduziert werden und eine
monolithisch in dem optoelektronischen Bauelement 100 integrierte Streustruktur 110 ausgebildet werden.
Die vierte Elektrode 256 kann ein elektrisches Potential aufweisen, das kleiner ist als das elektrische Potential der ersten Elektrode 210 oder der gemeinsamen Elektrode 306.
Somit kann die gemeinsame Elektrode 306 für die optisch aktive Struktur 150 eine Kathode sein und für die
Streustruktur 110 eine Anode sein . Bezogen auf das
optoelektronische Bauelement 100 hinsichtlich der ersten Elektrode 210 kann die gemeinsame Elektrode daher als erste Katode 306 und die vierte Elektrode 256 als zweite Kathode bezeichnet werden (veranschaulicht in Fig.3). Alternativ kann die vierte Elektrode 256 ein elektrisches Potential
aufweisen, das größer ist als das elektrische Potential der der gemeinsamen Elektrode 306. Somit kann die gemeinsame Elektrode 306 für die optisch aktive Struktur 150 und für die Streustruktur 110 eine Kathode sein. Bezogen auf das
optoelektronische Bauelement 100 hinsichtlich der ersten Elektrode 210 kann die gemeinsame Elektrode daher als (erste) Kathode 306 und die vierte Elektrode 256 als zweite Anode bezeichnet werden.
Bei einem einseitig emittierenden und/oder absorbierenden optoelektronischen Bauelement 100 sollte die gemeinsame
Elektrode 306 und die vierte Elektrode 256 bzw. die erste Elektrode 210 transmittierend ausgebildet sein,
beispielsweise transparent oder transluzen .
Auf der gemeinsamen Elektrode 306 können Mikrostrukturen ausgebildet sein, beispielsweise ein Mikrolinsenfeld (micro lense array - MLA) . Die Mikrostrukturen können eine beliebige Struktur aufweisen. Beispielsweise kann eine Mikrostruktur eine pyramidenförmige Struktur (veranschaulicht in Fig.3} aufweisen mit geraden oder gekrümmten Seitenflächen,
beispielsweise konvex und/oder konkav. Dadurch können
unterschiedliche Richtcharakteristika des optoelektronischen Bauelementes realisiert werden. Eine Mikrostruktur kann einen Brechungsindex aufweisen der größer ist als 1,3;
beispielweise in einem Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 1,8, Solche Mikrostrukturen können auch als Auskoppelstruktur bezeichnet werden.
Auf oder über den Mikrostrukturen ist ein doppelbrechender, elektrisch polarisierbarer Stoff ausgebildet. Dieser Stoff kann beispielsweise als Flüssigkristalle ausgebildet sein.
Die Hohlräume zwischen den pyramidenförmigen Mikrostrukturen, d.h. die Kavitäten, können mit dem flüssigkristallinen Stoff verfüllt werden, so dass eine plane Oberfläche ausgebildet ist .
Auf den flüssigkristallinen Stoff ist die vierte Elektrode 256 ausgebildet, um die Orientierung der Flüssigkristalle beeinflussen zu können. Ein flüssigkristalliner Stoff weist entlang einer ersten Kristallachse einen ersten Brechungsindex und entlang einer zweiten Kristallachse einen zweiten Brechungsindex auf.
Beispielsweise weist der flüssigkristalline Stoff E44 bei einer Wellenlänge von 587,6 nm einen Brechungsindex entlang einer ersten Kristallachse von ungefähr 1,527 und entlang einer zweiten Kristallachse von ungefähr 1,786 auf. Der
Brechungsindexkontrast ist somit abhängig von der
Kristallorientierung des flüssigkristallinen Stoffes
bezüglich der Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Strahlung .
Ein weiterer geeigneter flüssigkristalliner Stoff ist
beispielsweise E7 mit einem Brechungsindex entlang einer ersten Kristallachse von ungefähr 1,52237 und entlang einer zweiten Kristallachse von ungefähr 1,73938 jeweils bei einer Wellenlänge von 587,6 nm. Ein weiterer geeigneter flüssigkristalliner Stoff ist
beispielsweise TL-216 mit einem Brechungsindex entlang einer ersten Kristallachse von ungefähr 1,52262 und entlang einer zweiten Kristallachse von ungefähr 1,73132 jeweils bei einer Wellenlänge von 587,6 nm.
Die erste Kristallachse kann die Kristallrichtung
hinsichtlich des ordentlichen Strahls, und die zweite
Kristallrichtung die Kristallrichtung hinsichtlich des außerordentlichen Strahls elektromagentischer Strahlung in einem doppelbrechenden Kristall sein.
Mittels eines Änderns einer angelegten Spannung über die gemeinsame Elektrode 306 und die vierte Elektrode 256 kann ein Brechung index zwischen dem. ersten Brechungsindex und dem zweiten Brechungsindex eingestellt werden. Dadurch kann der Brechungsindexkontrast zwischen Mikrostruktur und
flüssigkristallinem Stoff verändert werden. Der
Brechungsindexkontrast kann auch als Brechungs indexunterschied, bezeichnet werden. Ist der Betrag des Brechungsindexunterschiedes größer als ungefähr 0,05 kann eine Streuung von elektromagnetischer Strahlung an einer Grenzfläche bei streifendem Einfall erfolgen. Je nach
eingestelltem Brechungsindex ist die Grenzfläche zwischen Mikrostruktur und flüssigkristallinem Stoff optisch glatt
(nichtstreuend) oder optisch rau (streuend) . Mittels der Orientierung der Flüssigkristalle hinsichtlich der
Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Strahlung kann die Abstrahlcharakteristik der OLED beeinf lusst werden.
Die Mikrostruktur kann die Ausrichtung der Flüssigkristalle optisch begrenzen. Mit anderen Worten: die Streustruktur 110 kann die elektromagnetischen Strahlung streuen bei einer Orientierung der Flüssigkristalle senkrecht zur
Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Strahlung. Dies soll in nachfolgender Betrachtung veranschaulicht werden-.
Die Streustruktur ist derart ausgebildet, dass die
Flüssigkristalle in der ersten Kristallrichtung einen
Brechungsindexunterschied hinsichtlich der Mikrostruktur aufweisen, der größer ist als 0,05 (streuend) . In der zweiten Kristallrichtung weisen die Flüssigkristalle einen
Brechungsindexunterschied hinsichtlich der Mikrostruktur aufweisen, der kleiner ist als 0,05 (nicht- streuend) . Die erste Kristallachse kann beispielsweise die Hochindex-Ebene des Flüssigkristalls sein.
In einer ersten Ansteuerung der Streustruktur 110 sind die Flüssigkristalle derart orientiert, dass sich die erste
Kristallachse in vertikaler Orientierung 302 befindet. Die OLED ist in einem nichtstreuenden Zustand. Es kommt zu keiner Streuung oder zusätzlichen Auskoppelung, beispielsweise da ein Teil des Lichtes von der Grenzfläche der Mikrostruktur mit den Flüssigkristallen reflektiert wird.
In einer zweiten Ansteuerung der Streustruktur 110 sind die Flüssigkristalle derart orientiert, dass sich die erste Kristallachse in horizontaler Orientierung 304 befindet . Die OLED ist in einem Auskoppel -Modus . Das Licht wird symmetrisch ausgekoppelt, d.h. die Mikrostrukturen wirken als
Auskoppelstrukturen.
In einer dritten Ansteuerung der Streustruktur sind die
Flüssigkristalle derart orientiert, dass die Flüssigkristalle mit der ersten Kristallachs beispielsweise um 45° von der vertikalen Orientierung 302 nach links verkippt sind. Die zweite Kristallachse ist dann um 45° nach rechts verkippt .
Das Licht wird nun asymmetrisch ausgekoppelt . Mehr Licht kann auf der Seite in Richtung der ersten Kristallachse aus dem optoelektronischen Bauelement ausgekoppelt werden . I die Richtung der zweiten Kristallachse kann weniger Licht
ausgekoppelt werden . Dadurch kann die Abstrahlcharakteristik der OLED verändert werden.
In einer vierten Ansteue ung der Streustruktur sind die
Flüssigkristalle derart orientiert, dass die Flüssigkristalle mit der ersten Kristallachs beispielsweise um 450 von der vertikalen Orientierung 302 nach rechts verkippt sind . Die zweite Kristallachse ist dann um 45° nach links verkippt . Das Licht wird wie in der dritten Ansteuerung asymmetrisch ausgekoppelt .
In einer fünften Ansteuerung wird die Steuervorrichtung wie in der dritten Ansteuerung und vierten Ansteuerung
angesteuert , jedoch mit Zwischenstufen . Fig.4 zeigt eine Darstellung zu einem Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
Das Verfahren 300 zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes weist ein Ausbilden 302 einer optisch aktiven
Struktur und ein Ausbilden 304 wenigstens einer Streustruktur im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung auf . Die optisch aktive Struktur wird zum Aufnehmen und/oder
Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung
ausgebildet, beispielsweise als eine Leuchtdiode,
beispieIswiese eine Fiächenlichtquelle ; als ein Fotodetektor, beispielswiese einen Flächendetektor ; oder eine Solarzelle .
Das Ausbilden 302 der optisch aktiven Struktur kann ein
Ausbilden einer ersten Elektrode, ein Ausbilden einer
organischen funktionellen Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode auf oder über der organischen funktione11en Schichtenstruktur aufweisen; beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig. 1 bis Fig .3. Beispielsweise kann die optisch aktive Struktur als ein Bottom-Emitter und/oder ein Top-Emitter ausgebildet werden . Weiterhin kann die optisch aktive Struktur transmittierend hinsichtlich der
elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden ,
beispielsweise transluzent oder transparent . Weiterhin kann eine der Elektrode der optisch aktiven Struktur als eine Spiegelstruktur hinsichtlich der elektromagnetischen
Strahlung ausgebildet werden.
Die Streustruktur wird derart ausgebildet , dass die
Richtcharakteristik der elektromagnetischen Strahlung
elektrisch veränderbar ist.
In einer Ausgestaltung wird die Streustruktur ausgebildet » nachdem die optisch aktive Struktur ausgebildet wurde .
Beispielsweise kann die Streustruktur auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet werden, beispielsweise aufgebracht werden .
In einer Ausges altung wird die optisch aktive Struktur ausgebildet nachdem die Streustruktur ausgebildet wurde .
Beispielsweise kann die optisch aktive Struktur auf oder über der Streustruktur ausgebildet werden, beispielsweise
aufgebracht werden . In einer Ausgestaltung wird im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung die optisch aktive Struktur auf oder über einer ersten Streustruktur ausgebildet und eine zweite Streustruktur auf oder über der optisch aktiven
Struktur ausgebildet, beispielsweise bei einem mehrseitig emittierenden oder absorbierenden optoelektronischen
Bauelement .
In einer Ausgestaltung wird im Strahlengang der
elektromagnetischen Strahlung eine erste Streustruktur auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet und eine zweite Streustruktur auf oder über der ersten Streustruktur ausgebildet . Die erste Streustruktur und die zweite
Streustruktur können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein.
Mittels der Streustruktur kann bei einem elektromagnetische Strahlung emittierenden optoelektronischen Bauelement eine Information dargestellt werden, beispielsweise indem die Streustruktur lateral strukturiert ist , beispielsweise unterschiedliche Mikrostrukturen und/oder doppeIbrechende Stoffe mit unterschiedlichen Brechungsindex aufweist .
Das Ausbilden der elektrooptisehen Struktur kann ein
Aufbringen eines doppelbrechenden Stoffes au eisen.
Das Aufbringen der Mikrostruktur auf die dritte Elektrode kann beispielsweise ein Abscheiden, ein Aufdrucken und/oder ein Aufsprühen sein. Die Mikrostruktur kann während oder nach dem Aufbringen des Stoffs der Mikrostruktur strukturiert werden, beispielsweise beim Aufbringen mittels eines Maskenoder Stempelprozesses ; oder nach dem Aufbringen mittels eines selektiven Abtragens, beispielsweise mittels einer
Laserablation .
Die Mikrostruktur sollte hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung derart ausgebildet werden, dass bei einer ersten Orientierung des doppelbrechenden Stoffes eine optisch nichtstreuende Grenzfläche und bei einer zweiten Orientierung des doppelbrechenden Stoffes eine optisch streuende
Grenzfläche ausgebildet ist. Beispielsweise kann die
Mikrostruktur pyramidenförmige Strukturen mit geraden oder gekrümmten Seitenflächen aufweisen.
Ein Ausbilden einer Struktur hinsichtlich der
elektromagnetischen Strahlung kann die Ausbreitungsrichtung, Wellenlänge und Polarisation der elektromagnetischen
Strahlung berücksichtigen.
Das Ausbilden der elektrooptischen Struktur kann ein
nasschemisches Aufbringen eines flüssigkristallinen Stoffes eingebettet in einer Matrix auf eine die Mikrostruktur aufweisen. Die elektrooptische Struktur kann auch als eine
Flüssigkristallfolie ausgebildet sein, die aufgeklebt werden kann.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die
Abstrahlcharakteristik von organischen Leuchtdioden
elektrisch zu verändern.

Claims

Optoelektronisches Bauelement (100) , aufweisend :
• eine optisch aktive Struktur (150) , die eingerichtet ist zum Auf ehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung; und
• wenigstens eine Streustruktur (202) , die im
Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung auf oder über der optisch aktiven Struktur (150)
ausgebildet ist, und
• wobei die Streustruktur (202) eine Mikrostruktur
(258) auf eist , wobei die Mikrostruktur (258) derart ausgebildet is , dass Kavitäten (260 ) gebildet sind; und
• wobei die Streustruktur (202) derart ausgebildet
ist , dass die Richtcharakteristik der
elektromagnetischen Strahlung elektrisch veränderbar ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei die optisch aktive Struktur (150) eine erste
Elektrode (210) , eine zweite Elektrode (21 ) und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (212)
aufweist , wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (212) zwische der ersten Elektrode (210) und der zweiten Elektrode (214 ) ausgebildet is .
Optoelektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei das optoelektronische Bauelement (100) als eine organische Leuchtdiode , eine organische Solarzelle und/oder ein organischer Fotodetektor ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 3 ,
wobei das optoelektronische Bauelement (100) als ein Flächenbauelement ausgebildet ist . Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei wenigstens eine Streustruktur (202) auf der optisch aktiven Struktur (150) und/oder auf der Seite des Trägers (130) , die der optisch aktiven Struktur (150) abgewandt ist, ausgebildet ist,
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei die optisch aktive Struktur (150) zwischen einer ersten Streustruktur (110A) und einer zweiten
Streustruktur (HOB) ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 ,
wobei die Streustruktur (202) wenigstens einen
doppelbrechenden Stoff aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei die Streustruktur (202) wenigstens einen
flüssigkristallinen Stoff aufweist, insbesondere ein flüssigkristallines Polymer.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei die Streustruktur (202) wenigstens einen
doppelbrechenden Stoff aufweist ;
wobei der doppelbrechende Stoff in den Kavitäten (260) ausgebildet ist.
Verfahren (300) zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes (100) , das Verfahren (300) aufweisend:
• Ausbilden (302) einer optisch aktiven Struktur (150) zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer
elektromagnetischen Strahlung; und • Ausbilden (304) wenigstens einer Streustruktur (202) im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung auf oder über der optisch aktiven Struktur (150) ,
• wobei die Streustruktur (202) mit einer
Mikrostruktur (258) ausgebildet wird, wobei die Mikrostruktur (258 ) derart ausgebildet wird, dass avitäten (260) gebildet sind; und
• wobei die Streustruktur (202) derart ausgebildet
wird, dass die Richtcharakteristik der
elektromagnetischen Strahlung elektrisch veränderbar ist .
Verfahren (300) gemäß Anspruch 10 ,
wobei das Ausbilden (302) der optisch aktiven Struktur (150) aufweist:
• Ausbilden einer ersten Elektrode (210) ;
• Ausbilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur (212) auf oder über der ersten Elektrode (210) ; und
• Ausbilden einer zweiten Elektrode (214) auf oder über der organischen funktionellen
Schichtenstruktur .
Verfahren (300) gemäß einem der Ansprüche 10 oder 11 , wobei das optoelektronische Bauelement (100) als eine organische Leuchtdiode , eine organische Solarzelle und/oder ein organischer Fotodetektor ausgebildet wird.
Ve fahren (300) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12 , wobei das optoelektronische Bauelement (100) als ein Flächenbauelement ausgebildet wird .
Verfahren (300) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13,
• wobei das Ausbilden (304 ) wenigstens einer
Streustruktur (202) ein Ausbilden mehrerer
Streustrukturen (202) aufweist , die im Strahlengang der optisch aktiven Struktur (150) ausgebildet werden; wobei die optisch aktive Struktur (150) zwischen einer ersten Streustruktur (110A) und einer zweiten Streustruktur (HOB) ausgebildet wird.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10276817B2 (en) * 2013-04-12 2019-04-30 University Of Southern California Stable organic photosensitive devices with exciton-blocking charge carrier filters utilizing high glass transition temperature materials
ES2791779T3 (es) 2013-04-12 2020-11-05 Univ Michigan Regents Dispositivos fotosensibles orgánicos con filtros portadores de carga de bloqueo de excitón
CN109546000A (zh) * 2018-11-22 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置
US10964905B2 (en) 2019-04-08 2021-03-30 Interdigital Ce Patent Holdings Organic light emitting diode cell comprising a set of right circular hollow cylinders
KR20230100167A (ko) 2021-12-28 2023-07-05 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6323923B1 (en) * 1998-04-17 2001-11-27 Seiko Instruments R&D Center Inc. Reflective type LCD having a solar cell formed of same material and same surface as an active element
US20020145687A1 (en) * 2001-02-20 2002-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display
US20050194896A1 (en) * 2004-03-03 2005-09-08 Hitachi Displays, Ltd. Light emitting element and display device and illumination device using the light emitting element
EP1763082A2 (de) * 2005-09-13 2007-03-14 Samsung SDI Co., Ltd. Flachbildschirm und organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung
WO2007114256A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 Pioneer Corporation 有機エレクトロルミネセンス多色ディスプレイパネル
US20120206923A1 (en) * 2011-02-14 2012-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical Element, Light-Emitting Device, Lighting Device, and Method for Manufacturing Optical Element

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW386609U (en) * 1996-10-15 2000-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent illumination apparatus
US7012363B2 (en) * 2002-01-10 2006-03-14 Universal Display Corporation OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies
JP4350996B2 (ja) * 2002-11-26 2009-10-28 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置
EP1887634A3 (de) * 2006-08-11 2011-09-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102008023874A1 (de) * 2008-02-26 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Anordnung

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6323923B1 (en) * 1998-04-17 2001-11-27 Seiko Instruments R&D Center Inc. Reflective type LCD having a solar cell formed of same material and same surface as an active element
US20020145687A1 (en) * 2001-02-20 2002-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display
US20050194896A1 (en) * 2004-03-03 2005-09-08 Hitachi Displays, Ltd. Light emitting element and display device and illumination device using the light emitting element
EP1763082A2 (de) * 2005-09-13 2007-03-14 Samsung SDI Co., Ltd. Flachbildschirm und organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung
WO2007114256A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 Pioneer Corporation 有機エレクトロルミネセンス多色ディスプレイパネル
US20120206923A1 (en) * 2011-02-14 2012-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical Element, Light-Emitting Device, Lighting Device, and Method for Manufacturing Optical Element

Also Published As

Publication number Publication date
US20160133879A1 (en) 2016-05-12
DE102013105905B4 (de) 2023-04-27
CN105378963B (zh) 2017-12-12
DE102013105905A1 (de) 2014-12-11
US9692016B2 (en) 2017-06-27
CN105378963A (zh) 2016-03-02

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