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WO2015115166A1 - 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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WO2015115166A1
WO2015115166A1 PCT/JP2015/050648 JP2015050648W WO2015115166A1 WO 2015115166 A1 WO2015115166 A1 WO 2015115166A1 JP 2015050648 W JP2015050648 W JP 2015050648W WO 2015115166 A1 WO2015115166 A1 WO 2015115166A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
exposure
processing
light irradiation
post
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/050648
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
誠司 永原
豪介 白石
志村　悟
吉原　孝介
真一路 川上
勝 友野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of WO2015115166A1 publication Critical patent/WO2015115166A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H10P72/0436—

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing system for processing a substrate, a substrate processing method in the substrate processing system, and a computer storage medium.
  • a resist film is formed as a photosensitive film on a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a “wafer”), and then the resist film is subjected to an exposure process and a development process. Thus, a predetermined resist pattern is formed on the substrate.
  • the exposure apparatus using EUV light since the exposure apparatus using EUV light is very expensive, it is preferable to reduce the exposure time of the exposure apparatus per wafer from the viewpoint of reducing the manufacturing cost.
  • EUV light since EUV light has a lower energy than an ArF laser or the like, the exposure time becomes longer when EUV exposure is adopted. As a result, the throughput is lowered and the productivity is lowered and the manufacturing cost is increased.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to suitably form a fine pattern on a substrate while suppressing a decrease in throughput even in a photolithography process using EUV light.
  • the present invention provides a substrate processing system for processing a substrate, a processing station provided with a plurality of processing apparatuses for performing development processing and heating processing on the substrate, and an outside of the substrate processing system.
  • An exposure apparatus that exposes a pattern to a resist film on the substrate, an interface station that delivers the substrate between the substrate processing systems, and a substrate on which the pattern is exposed by the exposure apparatus
  • a light irradiation device for performing post-exposure with UV light on the resist film
  • An inspection apparatus for inspecting a substrate that has been post-exposed by the light irradiation apparatus and then developed, and a control unit.
  • control unit is configured to perform heating temperature in the heat treatment of the substrate in the processing station, focus or exposure amount in the exposure apparatus, exposure amount in the light irradiation apparatus. Alternatively, at least one of the wavelengths of the UV light used in the light irradiation device is corrected.
  • the resist film on the substrate after the pattern exposure is first provided with the light irradiation device for performing the post exposure by the UV light, for example, the EUV light having a weak energy for the pattern exposure is used. Even if it is used, after the exposure of the pattern, energy is supplementarily applied by irradiation with UV light to decompose the acid generator in the resist film to generate an acid or to generate a radical component. Can be promoted. Therefore, the exposure time can be shortened compared to the case where the exposure process is performed by EUV exposure alone, and a fine pattern can be formed by adopting EUV exposure while suppressing a decrease in throughput. In addition, since the heating temperature, the exposure amount, the wavelength of the UV light used in the light irradiation apparatus, and the like are corrected based on the inspection result of the developed substrate, a fine pattern can be formed with higher accuracy.
  • a substrate processing method in a substrate processing system for processing a substrate wherein the substrate processing system includes a processing station provided with a plurality of processing apparatuses for performing development processing and heat processing on a substrate; An exposure apparatus that is provided outside the substrate processing system and exposes a pattern on a resist film on the substrate; an interface station that delivers the substrate between the substrate processing systems; and the exposure apparatus performs pattern exposure.
  • a light irradiation device that performs post-exposure with UV light on the resist film on the substrate after being formed, and an inspection device that inspects the substrate that has been post-exposed by the light irradiation device and then developed.
  • the exposure apparatus exposes a pattern on a resist film on the substrate, and the light irradiation apparatus performs exposure after the exposure on the substrate.
  • Post-exposure is performed on the dyst film
  • heat treatment and development processing are performed on the post-exposure substrate at the processing station
  • the substrate is inspected by the inspection apparatus, and the processing is performed based on the inspection result.
  • Another aspect of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate on which a resist film is formed, wherein an exposure process for exposing a pattern to the resist film on the substrate and the exposure of the pattern are performed.
  • a post-exposure process for performing post-exposure with UV light on a resist film on a subsequent substrate, a heat-treatment process for performing heat treatment on the post-exposure substrate, and developing the resist film after the heat treatment A development processing step for forming a resist pattern on the substrate, and an inspection step for inspecting the resist pattern on the substrate after the development processing, and heating the substrate in the heat treatment step based on the inspection result of the substrate
  • a readable computer storage medium storing a program that operates on a computer of a control device that controls the substrate processing system so that the substrate processing method is executed by the substrate processing system.
  • the substrate processing system includes a processing station provided with a plurality of processing apparatuses that perform development processing and heat processing on a substrate, and an exposure apparatus that is provided outside the substrate processing system and exposes a pattern on a resist film on the substrate.
  • an interface station that delivers the substrate between the substrate processing systems, and a light irradiation device that performs post-exposure with UV light on a resist film on the substrate after pattern exposure is performed by the exposure device And an inspection device for inspecting a substrate that has been post-exposed by the light irradiation device and subsequently developed.
  • the substrate processing method the resist film on the substrate is exposed by the exposure apparatus, the post-exposure is performed on the exposed resist film on the substrate by the light irradiation apparatus, and the post exposure is performed by the processing station.
  • Heat treatment and development processing are performed on the subsequent substrate, the substrate is inspected by the inspection apparatus, and based on the inspection result, the heating temperature in the heat treatment of the substrate at the processing station, the exposure apparatus At least one of a focus or an exposure amount, an exposure amount in the light irradiation device, and a wavelength of UV light used in the light irradiation device is corrected.
  • a fine pattern can be suitably formed on a substrate while suppressing a decrease in throughput even in a photolithography process using EUV light.
  • FIG. 1 is an explanatory view schematically showing an outline of a configuration of a coating and developing treatment system 1 as a substrate processing system according to the present embodiment.
  • 2 and 3 are a front view and a rear view, respectively, schematically showing the outline of the internal configuration of the coating and developing treatment system 1.
  • the coating and developing treatment system 1 includes a cassette station 10 in which a cassette C containing a plurality of wafers W is loaded and unloaded, and a processing station having a plurality of various processing devices for performing predetermined processing on the wafers W. 11, an interface station 12 provided adjacent to the processing station 11, a post-exposure station 13 for performing post-exposure on the wafer after pattern exposure, and an interface station 14 connected to the post-exposure station 13. .
  • an exposure device 15 that performs pattern exposure on the wafer W is provided adjacently.
  • the interface station 14 delivers the wafer W to and from the exposure apparatus 15.
  • the exposure apparatus 15 is provided with an exposure stage 15a that exposes a pattern to the wafer W after resist formation with EUV light.
  • the cassette station 10 is provided with a plurality of cassette mounting plates 21 on which a cassette C is placed and a wafer transfer device 23 that is movable on a transfer path 22 extending in the X direction. It has been.
  • the wafer transfer device 23 is also movable in the vertical direction and the vertical axis ( ⁇ direction), and between the cassette C on each cassette mounting plate 21 and a transfer device of a transfer block G3 of the processing station 11 described later. Can transfer the wafer W.
  • the processing station 11 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 having various devices.
  • a plurality of liquid processing apparatuses for example, a lower antireflection film that forms an antireflection film (hereinafter referred to as a “lower antireflection film”) below the resist film of the wafer W.
  • Forming device 30 resist coating device 31 for applying a resist solution to wafer W to form a resist film, and upper antireflection film for forming an antireflection film (hereinafter referred to as "upper antireflection film") on the resist film of wafer W
  • the film forming apparatus 32 and the development processing apparatus 33 for developing the wafer W are stacked in, for example, four stages from the bottom.
  • Each of the devices 30 to 33 in the first block G1 has a plurality of cups F, for example, four cups F, for accommodating the wafers W during processing, and can process the plurality of wafers W in parallel.
  • a heat treatment apparatus 40 for performing heat treatment of the wafer W an adhesion apparatus 41 as a hydrophobic treatment apparatus for hydrophobizing the wafer W, and an outer peripheral portion of the wafer W are exposed.
  • Peripheral exposure devices 42 are arranged side by side in the vertical and horizontal directions.
  • the heat treatment apparatus 40 includes a hot plate for placing and heating the wafer W and a cooling plate for placing and cooling the wafer W, and can perform both heat treatment and cooling treatment.
  • the delivery block G3 is provided with a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 in order from the bottom.
  • the delivery block G4 is provided with a plurality of delivery devices 60, 61, 62 in order from the bottom.
  • a wafer transfer mechanism 70 is provided next to the delivery block G3 on the positive side in the Y direction.
  • the wafer transfer mechanism 70 has a transfer arm that is movable in the Y direction, the ⁇ direction, and the vertical direction, for example.
  • Wafer inspection devices 71 and 72 are provided on both the X direction positive side and the negative direction side of the wafer transfer mechanism 70 with the wafer transfer mechanism 70 interposed therebetween.
  • wafer placement units 73 and 74 for temporarily storing a plurality of wafers W are provided.
  • the wafer placement unit 73 is disposed closer to the second block G2, and the wafer placement unit 74 is disposed closer to the first block G1.
  • the wafer transfer mechanism 70 moves up and down while supporting the wafer W, and moves the wafer W between the transfer devices, the wafer inspection devices 71 and 72, and the wafer placement units 73 and 74 in the transfer block G3. Can be transported.
  • the wafer inspection apparatus 71 in this embodiment measures, for example, the line width and sidewall angle of a pattern formed on the wafer W.
  • the wafer inspection device 72 measures, for example, an overlay error between an already formed pattern and a pattern exposed thereafter.
  • a wafer transfer area D is formed in an area between the first block G1 and the second block G2.
  • a plurality of wafer transfer mechanisms 80 are arranged in the wafer transfer area D.
  • the wafer transfer mechanism 80 has a transfer arm that is movable in the Y direction, the X direction, the ⁇ direction, and the vertical direction, for example.
  • the wafer transfer mechanism 80 moves within the wafer transfer area D, and includes a predetermined transfer device and wafer mounting unit 73 in the transfer block G4 in the interface block 12 and the surrounding first block G1, the second block G2, and the like.
  • the wafer W can be transferred to 74.
  • the interface station 12 includes the transfer block G4 having the transfer devices 60, 61 and 62, and the wafer transfer mechanism 90 capable of transferring the wafer W to and from the plurality of transfer devices 60, 61 and 62.
  • the wafer transfer mechanism 90 has an arm that is movable in the X direction, the Y direction, the ⁇ direction, and the vertical direction, for example.
  • a load lock chamber 100 is provided at a position accessible by the wafer transfer mechanism 90 of the interface station 12.
  • a wafer transfer mechanism 101 is provided at a position accessible to the load lock chamber 100.
  • a light irradiation device 102 as a device for performing post exposure by irradiating the wafer after pattern exposure with UV light and the wafer W are temporarily accommodated.
  • a wafer mounting unit 103 (buffer) is provided.
  • the light irradiation device 102 includes a mounting table 104 on which the wafer W is mounted, and a light irradiation unit that irradiates the wafer W on the mounting table 104 with UV light having a predetermined wavelength.
  • the light irradiation unit 105 in the present embodiment is configured as a so-called batch exposure type apparatus that collectively exposes the entire surface of the resist film R formed on the wafer W.
  • the light irradiation unit 105 includes a plurality of straight tube-shaped light sources 106 that are longer than the diameter of the wafer W, for example.
  • the light sources 106 are arranged side by side without a gap so as to cover the entire upper surface of the wafer W, for example.
  • Each light source 106 emits UV light toward the wafer W.
  • the wavelength of the UV light is, for example, 220 to 370 nm, and various wavelength bands, for example, 222 nm, 248 nm, or 254 nm are used in accordance with the sensitivity of the resist to be used.
  • the light irradiation unit 105 may adopt a configuration in which, for example, a linear light source is used, and the UV light is scanned on the wafer W by moving or rotating the wafer W or at least one of the light sources.
  • the light irradiation unit 105 a light irradiation device configured to perform post-exposure by irradiating UV light one shot at a time according to the pattern exposure shot size in the exposure device 15 may be adopted.
  • the post-exposure station 13 is configured to be airtight, and can be depressurized to a predetermined degree of depressurization, for example, 10 ⁇ 4 Pa to 10 ⁇ 7 Pa by a decompression device (not shown). As a result, during UV light irradiation or movement in the post-exposure station 13, it is possible to suppress the deactivation of acids and radicals due to amine components and oxygen contained in a trace amount in the air. Further, since the post-exposure station 13 is configured to be airtight, the post-exposure station 13 is maintained in a low-oxygen atmosphere by sealing a non-oxidizing gas such as nitrogen instead of reducing the pressure. Also good.
  • the interface station 14 connected to the post exposure station 13 is also airtight.
  • a delivery device 110 having a mounting table or the like is provided at a position accessible by the wafer transfer mechanism 101 of the post exposure station 13.
  • a wafer transfer mechanism 112 that transfers the wafer W of the transfer device 110 to and from the load lock chamber 111 is provided.
  • the load lock chamber 111 of the interface station 14 is connected to the exposure apparatus 15.
  • the load lock chamber 111 relays between the interface station 14 and the exposure device 15.
  • pattern exposure is performed on the resist on the wafer W with EUV light having a wavelength of 13.5 nm.
  • the exposure apparatus 15 has a predetermined degree of decompression, for example, 10 ⁇ by a decompression device not shown. The pressure is reduced to 4 Pa to 10 ⁇ 7 Pa.
  • a control unit 300 is provided as shown in FIG.
  • the control unit 300 controls the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and wafer transfer mechanisms based on the processing recipe. Further, the control unit 300 performs control so as to correct the setting values of various processing apparatuses based on the measurement result such as the line width of the pattern measured by the wafer inspection apparatus 71.
  • the control unit 300 is configured by a computer including, for example, a CPU and a memory, and can implement a coating process in the coating and developing processing system 1 by executing a program stored in the memory, for example.
  • Various programs for realizing the coating process in the coating and developing system 1 are, for example, a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), and a memory card. Or the like installed in the control unit 300 from the storage medium H is used.
  • the control unit correction of set values of various processing devices by the control unit will be described.
  • the exposure amount (product of the irradiation time and the irradiation output) for the resist film R is small or is performed after the exposure. It is considered that the accumulated heating amount (product of heating temperature and heating time) in the heat treatment (post exposure bake) in the heat treatment apparatus 40 is insufficient.
  • the line width of the pattern is thinner than the allowable value, it is considered that the exposure amount is large or the integrated heating amount in the post-exposure baking is excessive.
  • the exposure unit 15 or light is controlled by the control unit 300 based on the inspection result of the wafer inspection apparatus 71.
  • At least one of the correction value of the exposure amount to the resist film R in the irradiation apparatus 102 and the correction value of the heating temperature or the heating time in the post-exposure baking in the heat treatment apparatus 40 is calculated.
  • the calculated correction value is fed back to the device related to the correction value. In adjusting the line width of the pattern, only either the integrated heating amount or the exposure amount may be corrected, or both the integrated heating amount and the exposure amount may be corrected.
  • the heating temperature In adjusting the integrated heating amount, it is preferable to adjust the heating temperature from the viewpoint of suppressing a decrease in throughput.
  • EUV light has low energy, and it is difficult to increase the exposure amount by increasing the exposure output by the exposure device 15, so in order to increase the exposure amount by the exposure device 15 inevitably. In particular, it is necessary to take a long exposure time, leading to a decrease in throughput. Therefore, when the line width of the pattern is adjusted by correcting the exposure amount, it is more preferable to feed back to the light irradiation device 102 that allows easy adjustment of the exposure output instead of the exposure device 15.
  • the sidewall angle is an angle ⁇ formed between the wafer W and the side wall of the pattern P as shown in FIG. 6, for example, and is normally set to 90 degrees.
  • the line width of the pattern P is the width L of the upper surface of the pattern P as shown in FIG.
  • the focus is adjusted only by adjusting the focal length of exposure by the exposure device 15, unlike the case of adjusting the line width of the pattern P. Adjustment is possible. Therefore, when the side wall angle is equal to or larger than a predetermined allowable value as a result of the inspection by the wafer inspection apparatus 71, the control unit 300 sets the focal length correction value based on the inspection result of the wafer inspection apparatus 71. It is calculated and fed back to the exposure apparatus 15.
  • the coating and developing treatment system 1 according to the present embodiment includes the light irradiation device 102, the light irradiation device 102 may adjust the focus.
  • the light irradiation unit 105 of the light irradiation apparatus 102 is provided with a wavelength filter, a diffraction grating, a prism, or the like (not shown) to extract UV light of a desired wavelength, or a light irradiation apparatus using a spectroscopic element. Only the UV light having a desired wavelength may be extracted from the light 102, and the exposure wavelength at the time of post exposure may be adjusted. By adjusting the exposure wavelength at the time of post-exposure, the focus can also be adjusted by the light irradiation device 102 by utilizing the change in the arrival depth of the UV light with respect to the film thickness direction of the resist film. .
  • the correction value of the exposure wavelength is calculated by the control unit 300 based on the inspection result of the wafer inspection apparatus 71 and fed back to the light irradiation apparatus 102. Therefore, in the coating and developing treatment system 1 according to the present embodiment, the sidewall angle may be adjusted by adjusting the focus with the exposure device 15, and the film thickness direction of the resist film may be adjusted depending on the exposure wavelength at the time of post-exposure. On the other hand, both the line width and the sidewall angle may be adjusted by the light irradiation device 102 using the characteristic that the reach depth of the UV light changes.
  • a cassette C containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined cassette placement plate 21 of the cassette station 10. Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 23 and transferred to the delivery block G3 of the processing station 11.
  • the wafer W is transferred to, for example, the wafer placement unit 73 by the wafer transfer mechanism 70.
  • the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer mechanism 80, and the temperature is adjusted.
  • the wafer W is transferred by the wafer transfer mechanism 80 to, for example, the lower antireflection film forming apparatus 30 of the first block G1, and a lower antireflection film is formed on the wafer W.
  • the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, and heat treatment is performed.
  • the wafer W is transferred to the adhesion device 41 of the second block G2 and subjected to a hydrophobic treatment. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating device 31 by the wafer transfer mechanism 80, and a resist film is formed on the wafer W. In this case, the resist film formed on the wafer W is a so-called photosensitized resist for EUV exposure. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 and pre-baked.
  • the wafer W is transferred to the upper antireflection film forming apparatus 32, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40, heated, and the temperature is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the peripheral exposure device 42 and subjected to peripheral exposure processing.
  • the wafer W is transferred to the delivery block G 4 and transferred to the load lock chamber 100 of the post exposure station 13 by the wafer transfer mechanism 90 of the interface station 12.
  • the wafer W is transferred to the load lock chamber 111 by the wafer transfer mechanism 101 and the wafer transfer mechanism 112 of the interface station 14, and then transferred to the exposure device 15.
  • the pattern is exposed to the wafer W by EUV exposure by the exposure stage 15a as described above.
  • the wafer W on which the pattern exposure has been completed is transferred to the load lock chamber 111, and after that, the pressure is reduced to the same level as the interface station 14 and the post exposure station 13, and then transferred to the transfer device 110 by the wafer transfer mechanism 112.
  • the wafer is transported to the wafer placement unit 103 by the wafer transfer mechanism 101.
  • the control unit 300 keeps the wafer W in the wafer placement unit 103 so that the time from the end of exposure in the exposure apparatus 15 to the start of post-exposure bake processing in the heat treatment apparatus 40 is constant. Is adjusted by controlling the operation of the wafer transfer mechanism 101.
  • the acid concentration generated in the resist film R by UV light irradiation be constant for each wafer W.
  • the time from the end of post-exposure with UV light to the disclosure of post-exposure bake should be made constant. ing. Therefore, in the coating and developing treatment system 1 as well, it is desirable to make the time from the end of post-exposure to the start of post-exposure baking, that is, the conveyance to the heat treatment apparatus 40 constant.
  • the time L1 from post-exposure to post-exposure baking is disclosed while continuously performing pattern exposure in the exposure device 15.
  • the wafer transfer mechanism 101 it is conceivable to control the operation of the wafer transfer mechanism 101 so that the wafer mounting unit 103 temporarily waits for the wafer W only for the time indicated by “B” in FIG.
  • the time B for allowing the wafer placement unit 103 to wait is adjusted before starting the post-exposure. To do.
  • time L1 from post-exposure to post-exposure bake disclosure can be made constant.
  • the time L2 from pattern exposure by EUV light to post-exposure in the exposure apparatus 15 it is preferable to make the time L2 from pattern exposure by EUV light to post-exposure in the exposure apparatus 15 constant, but only the time L1. Is controlled to be constant, the time B2 that the wafer mounting unit 103 waits varies depending on the transfer state of the wafer W in the coating and developing treatment system 1 and the like, and therefore the time L2 may not be constant. In such a case, for example, as shown in FIG. 8, at the time of the first “wafer 1” in the same lot, the wafer mounting unit 103 is made to wait in advance for a predetermined time B1, and the subsequent wafers after “wafer 2”.
  • the wafer placement unit 103 may be kept on standby for a time B1. In this way, the time L1 and the time L2 can be made constant for all the wafers W, and variations in the acid concentration generated in the resist film R can be further suppressed.
  • the wafer W that has been subjected to pattern exposure by EUV light is subjected to batch exposure using UV light having a predetermined wavelength.
  • a final resist pattern before the development processing is formed on the wafer W.
  • the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer mechanism 80 and subjected to post-exposure baking. Thereafter, the wafer W is transferred to, for example, the development processing device 33 and developed. After completion of the development process, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 and subjected to a post-bake process.
  • the wafer W is transferred to the wafer placement units 73 and 74.
  • the wafer W is transferred to the wafer inspection devices 71 and 72 by the wafer transfer mechanism 70.
  • the wafer inspection apparatus 71 for example, the line width of the final pattern is measured, and the measurement result is output to the control unit 300.
  • the overlay error is measured for the wafer W transferred to the wafer inspection apparatus 72, and the measurement result is output to the control unit 300.
  • the correction value is fed back to the exposure apparatus 15, the light irradiation apparatus 102, and the heat treatment apparatus 40 as necessary. As a result, for example, for other wafers in the same lot, processing is performed with the set value to which the correction value is fed back, and pattern formation with higher accuracy is performed.
  • the wafer W that has been exposed to the fine pattern by the EUV light is then subjected to the batch exposure by the UV light by the light irradiation device 102 of the post-exposure station 13.
  • the pattern exposure process is so-called photosensitized, and a resist pattern before the development process with high resolution and improved contrast is formed on the wafer W. Therefore, it is possible to assist the exposure with the EUV light in the exposure apparatus 15, and it is possible to reduce the EUV exposure time and exposure energy by the exposure processing unit of the exposure apparatus 15. Efficient operation is possible. As a result, even in a photolithography process using EUV, it is possible to form a fine pattern on a substrate while suppressing a decrease in throughput.
  • a fine pattern P can be formed with higher accuracy.
  • the wafer W is temporarily accommodated in the wafer mounting unit 103 for the time L1 from post-exposure to post-exposure bake disclosure and the time L2 from pattern exposure to EUV light to post-exposure. Since the time is constant by adjusting the time for the pattern P, the variation in the line width of the pattern P can be further reduced.
  • the light irradiation apparatus 102 performs post-exposure collectively on the entire surface of the wafer W.
  • post-exposure is not necessarily performed collectively, and instead of the light source 106, for example.
  • the light irradiation unit 121 may be configured.
  • a moving mechanism 122 that moves the light irradiation unit 121 relative to the wafer W in a direction orthogonal to the length direction of the light irradiation unit 121 is provided.
  • inspection is performed over the entire surface of the wafer W, but when it is desired to adjust the line width only for a predetermined region, By configuring the light irradiation unit 121 to increase or decrease the exposure output for each light source 120, the exposure amount can be further adjusted only for a predetermined region.
  • the moving mechanism 122 that moves the light irradiation unit 121 relative to the wafer W is illustrated. However, for example, the light irradiation unit 121 is fixed and the movement mechanism 122 is mounted on the mounting table 104, for example. The wafer W may be moved relative to the light irradiation unit 121.
  • the exposure of each shot by the exposure device 15 in the control unit 300 Order information may be received, and post-exposure of each shot may be performed by the light irradiation device 102 in the same order as the exposure device 15 based on the information.
  • the time L2 from the pattern exposure in the exposure apparatus 15 to the post exposure in the light irradiation apparatus 102 can be strictly managed in units of shots, so that a pattern with higher accuracy can be formed on the wafer W.
  • the line width and sidewall angle of the pattern can be adjusted for each shot, and the adjustment within each shot can be performed with higher accuracy.
  • a moving mechanism (not shown) that relatively moves the mounting table 104 and the light irradiation unit 105 in, for example, the XY direction may be provided in at least one of the mounting table 104 and the light irradiation unit 105.
  • the post exposure station 13 is configured as a section adjacent to the interface station 14, but the post exposure station 13 is of course integrated with the interface station 14 to form one post exposure. You may comprise as a station or an interface station.
  • the line width of the pattern measured by the wafer inspection apparatus 71 is measured, and the measurement result is fed back to the light irradiation apparatus 102 and the heat treatment apparatus 40 via the control unit 300. Therefore, the measurement result Based on the above, it is possible to control the light intensity, the heating temperature, and the like of the light irradiation device 102. In this way, by controlling the UV exposure after the pattern exposure by EUV and the heat treatment temperature, the line width of the pattern P can be controlled more effectively than in the case of controlling the exposure amount by the EUV light. Is possible. That is, even if the exposure amount, time, etc.
  • the effect of the exposure device 15 are adjusted, the effect is very small, but the effect is remarkable when the UV light of the light irradiation device 102 and the heating temperature of the heat treatment device 40 are controlled.
  • the line width of the pattern P can be adjusted more effectively and efficiently.
  • the interface station 12 performs post exposure on the wafer after pattern exposure using UV light, the interface station 14 in the same atmosphere as the post exposure station 13, and the wafer W.
  • the exposure apparatus 15 that performs pattern exposure with EUV light is arranged in series in a straight line, but may be arranged as shown in FIG.
  • the exposure apparatus 15 and the post-exposure station 13 are connected in parallel to the interface station 12 adjacent to the treatment station.
  • the interface station 12 is provided with a wafer transfer device 162 that can move on the transfer path 161 extended in the X direction, like the wafer transfer device 23 of the cassette station 10.
  • the wafer transfer device 162 is configured to be accessible to a delivery block G4, a load lock chamber 111 of the exposure device 15, and a delivery device 163 having a mounting table installed in the post exposure station 13.
  • the exposure apparatus 15 having light sources having different wavelengths and the post exposure station 13 containing the light irradiation apparatus 102 are arranged in parallel with respect to one interface station 12. Therefore, one interface station 12 and one wafer transfer device 162 can quickly perform pattern exposure using EUV light and post-exposure processing using UV light, which is extremely efficient.
  • the exposure apparatus 15 performs pattern exposure with EUV light
  • the light used for pattern exposure is not limited to EUV light
  • pattern exposure is performed by ArF exposure or KrF exposure.
  • the present invention can also be applied to the case of performing pattern exposure using i-line or g-line, or using electron beam drawing exposure.
  • the imaging target is the front side of the substrate, but the present invention can also be applied to imaging the back side of the substrate.
  • the above-described embodiment is an example in a semiconductor wafer coating and developing system, but the present invention is applicable to other substrates such as FPDs (flat panel displays) other than semiconductor wafers and mask reticles for photomasks. Applicable even for coating and developing systems
  • the present invention is useful when constructing a substrate processing system for performing EUV exposure processing.

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Abstract

　基板処理システムは、複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、システム外にあるパターンの露光を行う露光装置と、基板処理システムの間で、基板を受け渡すインターフェイスステーションと、パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、ポスト露光され、その後現像処理された基板を検査する検査装置と、制御部と、を有し、当該制御部は、基板の検査結果に基づいて、処理ステーションでの基板の加熱処理における加熱温度、露光装置でのフォーカス若しくは露光量、光照射装置での露光量、又は光照射装置で用いるＵＶ光の波長のうち、少なくともいずれかを補正するように構成されている。

Description

基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
（関連出願の相互参照）
　本願は、２０１４年１月３１日に日本国に出願された特願２０１４－０１６７２５号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　本発明は、基板の処理を行う基板処理システム、基板処理システムにおける基板の処理方法及びコンピュータ記憶媒体に関するものである。
　半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）等の基板上に、感光性被膜としてレジスト膜が形成され、その後レジスト膜に露光処理及び現像処理を施すことで、基板上に所定のレジストパターンが形成される。
　ところで近年、半導体装置のさらなる高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が求められている。レジストパターンの微細化を実現するために、既に、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーを用いた露光処理が実用化されている。
　このような露光処理に関し、最近では、より一層のパターンの微細化を実現するために、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ；極端紫外）光を用いた露光処理が提案されている（例えば特許文献１参照）。
日本国特開２００６－７８７４４号公報
　ところで、ＥＵＶ光による露光装置は非常に高価であるため、製造コスト低減の観点からは、ウェハ一枚当たりの露光装置での露光時間を削減することが好ましい。しかしながら、ＡｒＦレーザー等に比べてＥＵＶ光はそのエネルギーが弱いため、ＥＵＶ露光を採用すると露光する時間が長くなってしまう。その結果スループットが落ちることにより生産性が低下してしまうと共に製造コストが増加してしまう。また、これを補うべくレジスト膜の感度を高くするのにも限界がある。
　本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ＥＵＶ光を用いたフォトリソグラフィー処理においても、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを好適に形成することを目的としている。
　前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理する基板処理システムであって、基板に現像処理及び加熱処理を行う複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、基板を受け渡すインターフェイスステーションと、前記露光装置でパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、
前記光照射装置によってポスト露光され、その後現像処理された基板を検査する検査装置と、制御部と、を有している。そして前記制御部は、前記検査装置での基板の検査結果に基づいて、前記処理ステーションでの基板の加熱処理における加熱温度、前記露光装置でのフォーカス若しくは露光量、前記光照射装置での露光量、又は前記光照射装置で用いるＵＶ光の波長のうち、少なくともいずれかを補正するように構成されている。
　本発明によれば、まずパターン露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置を備えているので、例えばパターン露光にエネルギーが弱いＥＵＶ光を用いた場合であっても、当該パターンの露光の後に、ＵＶ光の照射によって補助的にエネルギーを投入して、レジスト膜中の酸発生剤を分解して酸を発生させたり、ラジカル成分の発生を促進させることができる。したがって、ＥＵＶ露光単独で露光処理を行うのに比べ露光時間を短縮でき、スループットの低下を抑制しつつ、ＥＵＶ露光を採用して微細なパターンを形成できる。しかも現像処理された基板の検査結果に基づいて、加熱温度や露光量、光照射装置で用いるＵＶ光の波長などを補正するので、より精度よく微細なパターンを形成できる。
　別の観点による本発明は、基板を処理する基板処理システムにおける基板処理方法であって、前記基板処理システムは、基板に現像処理及び加熱処理を行う複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、基板を受け渡すインターフェイスステーションと、前記露光装置でパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、前記光照射装置によってポスト露光され、その後現像処理された基板を検査する検査装置と、を有し、前記基板処理方法は、前記露光装置で基板上のレジスト膜にパターンの露光を行い、前記光照射装置で基板上の露光後のレジスト膜に対してポスト露光を行い、前記処理ステーションでポスト露光後の基板に対して加熱処理と現像処理を行い、前記検査装置での基板の検査を行い、当該検査結果に基づいて、前記処理ステーションでの基板の加熱処理における加熱温度、前記露光装置でのフォーカス若しくは露光量、前記光照射装置での露光量、又は前記光照射装置で用いるＵＶ光の波長のうち、少なくともいずれかを補正するものである。
　また、別の観点による本発明は、レジスト膜が形成された基板を処理する基板処理方法であって、基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光工程と、前記パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行うポスト露光工程と、ポスト露光後の基板に対して加熱処理を行う加熱処理工程と、加熱処理後のレジスト膜を現像して基板上にレジストパターンを形成する現像処理工程と、現像処理後の基板上のレジストパターンを検査する検査工程と、を有し、前記基板の検査結果に基づいて、前記加熱処理工程における基板の加熱温度、前記露光工程におけるフォーカス若しくは露光量、前記ポスト露光工程での露光量、又は前記光照射装置で用いるＵＶ光の波長のうち、少なくともいずれかを補正する。
　別の観点による本発明は、基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理システムは、基板に現像処理及び加熱処理を行う複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、　前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、基板を受け渡すインターフェイスステーションと、前記露光装置でパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、前記光照射装置によってポスト露光され、その後現像処理された基板を検査する検査装置と、を有している。そして前記基板処理方法は、前記露光装置で基板上のレジスト膜にパターンの露光を行い、前記光照射装置で基板上の露光後のレジスト膜に対してポスト露光を行い、前記処理ステーションでポスト露光後の基板に対して加熱処理と現像処理を行い、前記検査装置での基板の検査を行い、当該検査結果に基づいて、前記処理ステーションでの基板の加熱処理における加熱温度、前記露光装置でのフォーカス若しくは露光量、前記光照射装置での露光量、又は前記光照射装置で用いるＵＶ光の波長のうち、少なくともいずれかを補正するものである。
　本発明によれば、ＥＵＶ光を用いたフォトリソグラフィー処理においても、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを好適に形成することができる。
本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した平面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した正面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した背面図である。 図１の塗布現像処理システムで用いた光照射装置の構成の概略を模式的に示した側面図である。 図１の塗布現像処理システムで用いた光照射装置の構成の概略を模式的に示した平面図である。 サイドウォールアングルについての説明図である。 露光処理から露光後ベークまでのタイムチャートである。 露光処理から露光後ベークまでのタイムチャートである。 他の実施の形態にかかる光照射装置の構成の概略を模式的に示した平面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した平面図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を模式的に示す説明図である。図２及び図３は、各々塗布現像処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。
　塗布現像処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接して設けられたインターフェイスステーション１２、パターン露光後のウェハに対してポスト露光を行うポスト露光ステーション１３、ポスト露光ステーション１３に接続されたインターフェイスステーション１４を有している。塗布現像処理システム１のインターフェイスステーション１４のＹ方向正方向側には、ウェハＷに対してパターンの露光を行う露光装置１５が隣接して設けられている。インターフェイスステーション１４は、露光装置１５との間でウェハＷの受け渡しを行う。露光装置１５には、レジスト形成後のウェハＷに対して、ＥＵＶ光によってパターンの露光を行う露光ステージ１５ａが設けられている。
　カセットステーション１０には、カセット載置台２０上に複数配置された、カセットＣを載置する複数のカセット載置板２１と、Ｘ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の受け渡しブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
　処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数の、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３１、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３２、ウェハＷを現像処理する現像処理装置３３が、下から順に例えば４段に重ねられている。
　これら第１のブロックＧ１の各装置３０～３３は、処理時にウェハＷを収容する複数のカップＦ、例えば４台のカップＦを有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。
　例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０や、ウェハＷを疎水化処理する疎水化処理装置としてのアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。
　受け渡しブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。受け渡しブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。
　図１に示すように受け渡しブロックＧ３のＹ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送機構７０が設けられている。ウェハ搬送機構７０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構７０のＸ方向正方向側及び負方向側には、ウェハ検査装置７１、７２がウェハ搬送機構７０を挟んで設けられている。
　ウェハ搬送機構７０のＹ方向正方向側には複数のウェハＷを一時的に収容するウェハ載置部７３、７４が設けられている。ウェハ載置部７３は第２のブロックＧ２寄りに、ウェハ載置部７４は第１のブロックＧ１寄りに配置されている。そして、ウェハ搬送機構７０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、受け渡しブロックＧ３内の各受け渡し装置、ウェハ検査装置７１、７２及びウェハ載置部７３、７４との間でウェハＷを搬送できる。なお、本実施の形態におけるウェハ検査装置７１は、例えばウェハＷに形成されたパターンの線幅及やサイドウォールアングルなどを測定するものである。ウェハ検査装置７２は、例えば既に形成されているパターンとその後に露光されるパターンとのオーバレイ誤差を測定するものである。
　図１に示すように第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２との間の領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、ウェハ搬送機構８０が複数配置されている。ウェハ搬送機構８０は、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構８０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２並びにインターフェイスステーション１２にある受け渡しブロックＧ４内の所定の受け渡し装置及びウェハ載置部７３、７４に対してウェハＷを搬送できる。
　インターフェイスステーション１２には、前記したように、受け渡し装置６０、６１、６２を有する受け渡しブロックＧ４と、これら複数の受け渡し装置６０、６１、６２に対して、ウェハＷを搬入出可能なウェハ搬送機構９０が設けられている。ウェハ搬送機構９０は、例えばＸ方向、Ｙ方向、θ方向及び上下方向に移動自在なアームを有している。
　ポスト露光ステーション１３には、インターフェイスステーション１２のウェハ搬送機構９０がアクセス可能な位置に、ロードロック室１００が設けられている。そしてこのポスト露光ステーション１３内において、ロードロック室１００とアクセス可能な位置にウェハ搬送機構１０１が設けられている。また、さらにウェハ搬送機構１０１がアクセス可能な位置には、パターン露光後のウェハに対してＵＶ光を照射してポスト露光を行う装置としての、光照射装置１０２と、ウェハＷを一時的に収容するウェハ載置部１０３（バッファ）が設けられている。
　光照射装置１０２は、たとえば図４及び図５に示すように、ウェハＷを載置する載置台１０４と、載置台１０４上のウェハＷに対して所定の波長のＵＶ光を照射する光照射部１０５とを有している。本実施の形態における光照射部１０５は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜Ｒの全面に対して一括して露光するいわゆる一括露光タイプの装置として構成されている。光照射部１０５は、例えばウェハＷの直径よりも長い直管形状の光源１０６を複数有している。各光源１０６は、例えばウェハＷの上面の全面を覆うように隙間なく並べて配置されている。各光源１０６からは、ＵＶ光がウェハＷに向けて照射される。ＵＶ光の波長は、たとえば２２０～３７０ｎｍであり、使用するレジストの感度に合せて種々の波長帯、例えば２２２ｎｍ、２４８ｎｍ又は２５４ｎｍが用いられる。なお、光照射部１０５は、例えばライン状の光源を採用して、ウェハＷまたは当該光源の少なくとも一方を移動させたり回転させたりして、ウェハＷ上をＵＶ光が走査する構成であってもよく、ウェハＷの上面の全面に対して均一にＵＶ光を照射できるものであれば、本実施の形態の内容に限定されるものではない。また、光照射部１０５としては、露光装置１５におけるパターン露光のショットサイズにに対応して、１ショットずつＵＶ光を照射してポスト露光する構成の光照射装置を採用してもよい。
　ポスト露光ステーション１３は気密に構成され、図示しない減圧装置によって、所定の減圧度、例えば１０－４Ｐａ～１０－７Ｐａに減圧可能である。これにより、ＵＶ光照射中やポスト露光ステーション１３内での移動において、空気中に微量に含まれるアミン成分や酸素に起因する、酸やラジカルの失活を抑制できる。また、ポスト露光ステーション１３は気密に構成されているので、減圧に代えて、例えば窒素などの非酸化性のガスを封入することで、ポスト露光ステーション１３内を低酸素雰囲気に保持するようにしてもよい。
　ポスト露光ステーション１３と接続されているインターフェイスステーション１４も気密に構成されている。インターフェイスステーション１４における、ポスト露光ステーション１３のウェハ搬送機構１０１がアクセス可能な位置には、載置台等を有する受け渡し装置１１０が設けられている。受け渡し装置１１０の隣には、この受け渡し装置１１０のウェハＷを、ロードロック室１１１との間で搬送するウェハ搬送機構１１２が設けられている。
　インターフェイスステーション１４のロードロック室１１１は、露光装置１５と接続されている。ロードロック室１１１は、インターフェイスステーション１４と露光装置１５とを中継する。露光ステージ１５ａでは、たとえば波長が１３．５ｎｍのＥＵＶ光によって、ウェハＷ上のレジストに対してパターンの露光が行われる。かかる低波長の露光処理では、雰囲気中にガス分子があると、当該ガス分子により吸収されてエネルギーが減衰するため、露光装置１５内は、図示しない減圧装置によって、所定の減圧度、例えば１０－４Ｐａ～１０－７Ｐａに減圧されている。
　以上の塗布現像処理システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、処理レシピに基づいて上述の各種処理装置や各ウェハ搬送機構などの駆動系の動作を制御する。また制御部３００は、ウェハ検査装置７１で測定されたパターンの線幅などの測定結果に基づいて、各種処理装置の設定値を補正するように制御を行う。
　なお制御部３００は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム１における塗布処理を実現できる。なお、塗布現像処理システム１における塗布処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどの記憶媒体Ｈに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものが用いられている。
　次に制御部による各種処理装置の設定値の補正について説明する。ウェハ検査装置７１での検査結果のうち、例えばパターンの線幅が許容値よりも太い場合は、レジスト膜Ｒに対する露光量（照射時間と照射出力との積）が小さいか、又は露光後に行われる熱処理装置４０での加熱処理（露光後ベーク）における積算加熱量（加熱温度と加熱時間との積）が不足していることが原因として考えられる。その反対に、パターンの線幅が許容値よりも細い場合は、露光量が大きいか、露光後ベークにおける積算加熱量が過剰であると考えられる。したがって、ウェハ検査装置７１での検査の結果、パターンの線幅が予め定められた許容値以上となった場合、ウェハ検査装置７１の検査結果に基づいて、制御部３００により、露光装置１５若しくは光照射装置１０２でのレジスト膜Ｒへの露光量の補正値、又は熱処理装置４０での露光後ベークにおける加熱温度若しくは加熱時間の補正値の少なくともいずれかが算出される。そして、算出された補正値は、当該補正値に係る装置にフィードバックされる。パターンの線幅の調整にあたっては、積算加熱量と露光量のいずれかのみを補正してもよいし、積算加熱量と露光量の双方を補正してもよい。積算加熱量の調整にあたっては、スループットの低下を抑制する観点から、加熱温度を調整することが好ましい。なお、上述のように、ＥＵＶ光はエネルギーが低く、露光装置１５で露光出力を増加させることで露光量を増加させることは困難であるため、露光装置１５で露光量を増加させるには、必然的に露光時間を長くとる必要があり、スループットの低下を招いてしまう。そのため、パターンの線幅を露光量の補正により調整する場合は、露光装置１５ではなく、露光出力の調整が容易な光照射装置１０２にフィードバックすることがより好ましい。
　また、ウェハ検査装置７１でのサイドウォールアングルの測定結果において、所定の角度と許容値以上の差がある場合は、露光装置１５でのフォーカスが不十分であることが原因と考えられる。なお、サイドウォールアングルとは、例えば図６に示すように、ウェハＷとパターンＰの側壁とのなす角度θであり、通常は９０度に設定されている。また、パターンＰの線幅は、図６に示すような、パターンＰの上面の幅Ｌである。
　フォーカスの調整は、露光装置１５による従来のパターン露光のみで行われる処理の場合は、パターンＰの線幅の調整の場合とは異なり、露光装置１５での露光の焦点距離を調整することによってのみ調整が可能である。したがって、ウェハ検査装置７１での検査の結果、サイドウォールアングルが予め定められた許容値以上となった場合、ウェハ検査装置７１の検査結果に基づいて、制御部３００により、焦点距離の補正値が算出され、露光装置１５にフィードバックされる。ただし、本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１は光照射装置１０２を有しているので、当該光照射装置１０２によってフォーカスの調整を行ってもい。具体的には、例えば光照射装置１０２の光照射部１０５に、図示しない波長フィルタ、回折格子、プリズム等を設けて所望の波長のＵＶ光を取り出したり、分光可能な素子を用いて光照射装置１０２の光から所望の波長のＵＶ光のみを取り出して、ポスト露光時の露光波長を調整するようにしてもよい。ポスト露光時の露光波長を調整することにより、レジスト膜の膜厚方向に対してＵＶ光の到達深さが変化することを利用して、光照射装置１０２によってもフォーカスの調整を行うことができる。かかる場合も、ウェハ検査装置７１の検査結果に基づいて、制御部３００により、露光波長の補正値が算出され、光照射装置１０２にフィードバックされる。したがって、本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１では、露光装置１５でフォーカスを調整することでサイドウォールアングルの調整を行ってもよいし、ポスト露光時の露光波長によりレジスト膜の膜厚方向に対してＵＶ光の到達深さが変化するという特性を用いて、光照射装置１０２によって線幅とサイドウォールアングルの双方を調整するようにしてもよい。
　なお、露光装置１５でのパターン露光にＥＵＶ光を用いる場合、パターンの線幅を露光量の補正により調整する場合には、光照射装置１０２の露光出力を調整することが好ましいことを考慮すると、パターンの線幅の調整にあたっては光照射装置１０２と熱処理装置４０にのみ補正値をフィードバックすることが好ましい。
　次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの処理方法について、塗布現像処理システム１全体で行われるウェハ処理のプロセスと共に説明する。
　ウェハＷの処理にあたっては、先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣがカセットステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション１１の受け渡しブロックＧ３に搬送される。
　次にウェハＷは、ウェハ搬送機構７０によって例えばウェハ載置部７３に搬送される。次いでウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３０に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理が行われる。
　その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２のアドヒージョン装置４１に搬送され、疎水化処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によってレジスト塗布装置３１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。この場合、ウェハＷに形成されるレジスト膜は、ＥＵＶ露光用の、いわゆる光増感型のレジストである。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送されて、プリベーク処理される。
　次にウェハＷは、上部反射防止膜形成装置３２に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光装置４２に搬送され、周辺露光処理される。
　次にウェハＷは受け渡しブロックＧ４に搬送され、インターフェイスステーション１２のウェハ搬送機構９０によって、ポスト露光ステーション１３のロードロック室１００へと搬送される。次いでウェハＷは、ウェハ搬送機構１０１、インターフェイスステーション１４のウェハ搬送機構１１２によって、ロードロック室１１１へと搬送され、その後露光装置１５へと搬送される。露光装置１５では、既述のように、露光ステージ１５ａによるＥＵＶ露光によって、ウェハＷに対してパターンの露光がなされる。
　パターンの露光が終了したウェハＷは、ロードロック室１１１へと搬送され、その後インターフェイスステーション１４、ポスト露光ステーション１３と同じ減圧度にされた後、ウェハ搬送機構１１２によって受け渡し装置１１０へと搬送され、次いでウェハ搬送機構１０１によって、一旦ウェハ載置部１０３に収容される。ウェハ載置部１０３にウェハＷを収容しておく時間は、例えば露光装置１５での露光終了から、熱処理装置４０での露光後ベーク処理の開始までの時間が一定になるように、制御部３００によりウェハ搬送機構１０１の動作を制御することにより調整される。
　具体的に、例えば同一ロットの複数のウェハＷに対して、露光装置１５でのパターン露光を連続的に行う場合を例にして説明する。ＵＶ光の照射によりレジスト膜Ｒ中に発生した酸濃度をウェハＷ毎に一定にすることが好ましい。そして本発明者らによれば、レジスト膜Ｒ中に発生した酸濃度を一定にするには、ＵＶ光によるポスト露光の終了から露光後ベーク開示までの時間を一定にすればよいことが確認されている。したがって、塗布現像処理システム１においても、ポスト露光の終了から露光後ベーク開始、即ち熱処理装置４０への搬送までの時間を一定にすることが望まれる。
　そして、図７に示されるように、塗布現像処理システム１のスループットを最大にする観点から、露光装置１５でのパターン露光を連続的に行いつつ、ポスト露光から露光後ベーク開示までの時間Ｌ１を一定にするようにすると、例えば図７の「Ｂ」に示される時間だけ、ウェハ載置部１０３にウェハＷを一時的に待機させるようにウェハ搬送機構１０１の動作を制御することが考えられる。具体的には、同一ロットの１番目のウェハ（図７の「ウェハ１」）に続く「ウェハ２」以降において、ポスト露光を開始する前に、ウェハ載置部１０３に待機させる時間Ｂを調整する。これにより、ポスト露光から露光後ベーク開示までの時間Ｌ１を一定にすることができる。
　なお、レジスト膜Ｒ中に発生した酸濃度を一定にするという観点からは、露光装置１５でのＥＵＶ光によるパターン露光からポスト露光までの時間Ｌ２についても一定にすることが好ましいが、時間Ｌ１のみを一定にするように制御すると、塗布現像処理システム１内のウェハＷの搬送状況等により、ウェハ載置部１０３に待機させる時間Ｂにばらつきが生じるため、時間Ｌ２が一定にならない場合がある。かかる場合、例えば図８に示すように、同一ロットの１番目の「ウェハ１」の時点において、予め所定の時間Ｂ１だけウェハ載置部１０３に待機させ、「ウェハ２」以降の後続のウェハについても同様に時間Ｂ１だけウェハ載置部１０３に待機させるようにしてもよい。こうするとこで、全てのウェハＷについて、時間Ｌ１及び時間Ｌ２を一定にし、レジスト膜Ｒ中に発生した酸濃度にばらつきをさらに抑えることができる。
　そして光照射装置１０２では、ＥＵＶ光によってパターンの露光が終了したウェハＷに対して、所定波長のＵＶ光によって、一括露光がなされる。これによって、ウェハＷ上に、現像処理前の最終のレジストパターンが形成される。
　その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後ウェハＷは、たとえば現像処理装置３３に搬送されて現像処理される。現像処理終了後、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。
　その後ウェハＷは、ウェハ載置部７３、７４に搬送される。次いでウェハＷはウェハ搬送機構７０によってウェハ検査装置７１、７２に搬送される。ウェハ検査装置７１では、例えば最終パターンの線幅が測定され、測定結果は、制御部３００に出力される。またウェハ検査装置７２に搬送されたウェハＷに対しては、オーバレイ誤差の測定が行われ、測定結果は制御部３００に出力される。そして、制御部３００では、例えばウェハ検査装置７１における測定結果に基づき、必要に応じて露光装置１５、光照射装置１０２及び熱処理装置４０へ補正値がフィードバックされる。これにより、例えば同一ロットの他のウェハについては補正値がフィードバックされた設定値により処理が行われ、より精度の高いパターン形成が行われる。
　以上の実施の形態によれば、ＥＵＶ光によって微細なパターンの露光がなされたウェハＷは、その後ポスト露光ステーション１３の光照射装置１０２によるＵＶ光によって、一括露光がなされるので、微弱なエネルギーによるパターン露光処理が、いわば光増感されて、解像度が高く、しかもコントラストが向上した現像処理前のレジストパターンがウェハＷ上に形成される。したがって、露光装置１５におけるＥＵＶ光による露光を補助することが可能であり、露光装置１５の露光処理部によるＥＵＶの露光時間、露光エネルギーの低減を図ることが可能であり、スループットの向上、装置の効率の良い運用が可能である。その結果、ＥＵＶを用いたフォトリソグラフィー処理においても、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを形成することが可能である。
　しかも、現像処理されたウェハＷの検査結果に基づいて、露光装置１５や光照射装置１０２、熱処理装置４０に補正値をフィードバックするので、より精度よく微細なパターンＰを形成することができる。
　また、以上の実施の形態では、ポスト露光から露光後ベーク開示までの時間Ｌ１と、ＥＵＶ光によるパターン露光からポスト露光までの時間Ｌ２についても、ウェハＷをウェハ載置部１０３に一時的に収容する時間を調整することで一定化するので、パターンＰの線幅のばらつき等をさらに低減することができる。
　なお、以上の実施の形態では、光照射装置１０２においてウェハＷの全面に対して一括してポスト露光する場合について説明したが、ポスト露光は必ずしも一括で行う必要はなく、例えば光源１０６に代えて、図９に示すように、ウェハＷの直径より短い複数の光源１２０を、ウェハＷの一端側からウェハＷの他端側に向けてウェハＷの直径以上の長さにわたって直線上に並べることにより光照射部１２１を構成してもよい。かかる場合、例えば光照射部１２１を、ウェハＷに対して当該光照射部１２１の長さ方向と直交する方向に相対的に移動させる移動機構１２２が設けられる。ウェハ検査装置７１では、例えばウェハＷの全面にわたって検査が行われるが、所定の領域のみについて線幅を調整したい場合には、
光照射部１２１を各光源１２０ごとに露光出力を増減させるように構成することで、所定の領域についてのみさらに露光量を調整することができる。なお、図９では、光照射部１２１をウェハＷに対して相対的に移動させる移動機構１２２を描図しているが、例えば光照射部１２１を固定しておき、例えば載置台１０４に移動機構を設けてウェハＷを光照射部１２１に対して相対的に移動させるようにしもよい。
　また、上述したような、露光装置１５におけるパターン露光のショットサイズに対応して１ショットずつポスト露光を行う光照射装置１０２を用いる場合は、例えば制御部３００で露光装置１５での各ショットの露光順序の情報を受信し、当該情報に基づいて露光装置１５と同じ順序で光照射装置１０２により各ショットのポスト露光を行ってもよい。そうすることで、露光装置１５におけるパターン露光から、光照射装置１０２におけるポスト露光までの時間Ｌ２をショット単位で厳密に管理できるので、ウェハＷ上により精度の高いパターンを形成できる。さらには、パターンの線幅やサイドウォールアングルの調整をショット毎に行い、各ショット内での調整をより精度よく行うことができる。かかる場合、載置台１０４か光照射部１０５の少なくともいずれかに、載置台１０４と光照射部１０５を例えばＸＹ方向に相対的に移動させる移動機構（図示せず）を設けるようにしてもよい。
　なお、前記した実施の形態では、ポスト露光ステーション１３は、インターフェイスステーション１４とは隣接したセクションとして構成していたが、もちろんポスト露光ステーション１３は、インターフェイスステーション１４とを一体にして、１つのポスト露光ステーション又はインターフェイスステーションとして構成してもよい。
　また前記した実施の形態では、ウェハ検査装置７１で測定されたパターンの線幅を測定し、測定結果は制御部３００を介して、光照射装置１０２や熱処理装置４０にフィードバックされるので、測定結果に基づいて光照射装置１０２の光の強度や加熱温度等を制御することが可能である。このようにＥＵＶによるパターン露光後のＵＶ露光や熱処理温度の方を制御することで、ＥＵＶ光により露光量を制御する場合と比較して、より効果的にパターンＰの線幅を制御することが可能である。すなわち、露光装置１５のたとえば露光量、時間等を調整しても、その効果は極めて小さいが、光照射装置１０２のＵＶ光や熱処理装置４０の加熱温度を制御するとその効果は顕著であり、したがって、より効果的かつ効率的に、たとえばパターンＰの線幅等の調整をすることができる。
　前記した実施の形態では、インターフェイスステーション１２を介して、パターン露光後のウェハに対してＵＶ光によってポスト露光を行うポスト露光ステーション１３、ポスト露光ステーション１３と同一雰囲気のインターフェイスステーション１４、ウェハＷに対してＥＵＶ光によってパターンの露光を行う露光装置１５が、いわば直線状に直列に配置されていたが、図１０に示したように配置してもよい。
　すなわち、図１０に示した塗布現像処理システム１５１では、処理ステーションに隣接するインターフェイスステーション１２に対して、露光装置１５とポスト露光ステーション１３とが並列に接続されている。この場合、インターフェイスステーション１２には、カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３と同様に、Ｘ方向に延伸した搬送路１６１上を移動自在なウェハ搬送装置１６２が設けられる。そしてこのウェハ搬送装置１６２は、受け渡しブロックＧ４、露光装置１５のロードロック室１１１、そしてポスト露光ステーション１３に設置される、載置台等を有する受け渡し装置１６３とアクセス自在に構成されている。
　図１０に示した塗布現像処理システム１５１によれば、１つのインターフェイスステーション１２に対して、異なった波長の光源を有する露光装置１５と、光照射装置１０２を収容したポスト露光ステーション１３とが、並列に接続されているため、１つのインターフェイスステーション１２と１台のウェハ搬送装置１６２とによって、ＥＵＶ光によるパターン露光、ＵＶ光によるポスト露光の処理を速やかに行うことができ、極めて効率が良い。
　なお、以上の実施の形態では、露光装置１５においてＥＵＶ光によりパターンの露光を行う場合を例として説明したが、パターン露光に用いる光はＥＵＶ光に限定されず、ＡｒＦ露光やＫｒＦ露光によりパターン露光を行った場合や、ｉ線、ｇ線によりパターン露光を行った場合、あるいは電子ビーム描画露光等を用いた場合においても適用できる。
　以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。以上の実施の形態では、撮像対象は基板の表であったが、基板の裏面を撮像する場合にも本発明は適用できる。また、上述した実施の形態は、半導体ウェハの塗布現像処理システムにおける例であったが、本発明は、半導体ウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板の塗布現像処理システムである場合にも適用できる
　本発明は、ＥＵＶ露光処理を行う基板処理システムを構築する際に有用である。
　　１、１５１　塗布現像処理システム
　　１０　カセットステーション
　　１１　処理ステーション
　　１２、１４　インターフェイスステーション
　　１３　ポスト露光ステーション
　　１５　露光装置
　　２０　カセット載置台
　　２１　カセット載置板
　　２２　搬送路
　　２３　ウェハ搬送装置
　　３０　下部反射防止膜形成装置
　　３１　レジスト塗布装置
　　３２　上部反射防止膜形成装置
　　３３　現像処理装置
　　４０　熱処理装置
　　４１　アドヒージョン装置
　　４２　周辺露光装置
　　７０　ウェハ搬送機構
　　７１、７２　ウェハ検査装置
　　８０　ウェハ搬送機構
　　９０　ウェハ搬送機構
　１００、１１１　　ロードロック室
　１０２　光照射装置
　３００　制御部
　　Ｗ　　ウェハ
　　Ｄ　　ウェハ搬送領域
　　Ｃ　　カセット

Claims (12)

  1. 基板を処理する基板処理システムであって、
    基板に現像処理及び加熱処理を行う複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
    前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
    前記露光装置でパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、
    前記光照射装置によってポスト露光され、その後現像処理された基板を検査する検査装置と、
    制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記検査装置での基板の検査結果に基づいて、前記処理ステーションでの基板の加熱処理における加熱温度、前記露光装置でのフォーカス若しくは露光量、前記光照射装置での露光量、又は前記光照射装置で用いるＵＶ光の波長のうち、少なくともいずれかを補正するように構成されている。
  2. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    複数の基板を一時的に収容する基板載置部と、
    前記処理ステーション内の各処理装置と前記基板載置部との間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、
    前記制御部は、前記基板載置部での収容時間を調整することで、前記露光装置での露光の終了から前記処理ステーションでの加熱処理の開始までの時間を、複数の基板相互間で一定にするように、前記基板搬送機構を制御するように構成されている。
  3. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記光照射装置は、
    基板の直径より短い複数の光源を、基板の基板の一端側から基板の他端側に向けて基板の直径以上の長さにわたって直線上に並べて設けられた光照射部と、
    前記光照射部と基板を、前記光照射部と直交する方向に相対的に移動させる移動機構と、を有する。
  4. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記光照射装置は、前記インターフェイスステーションと前記露光装置との間に設けられている。
  5. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記露光装置は、ＥＵＶ光により基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う。
  6. 基板を処理する基板処理システムにおける基板処理方法であって、
    前記基板処理システムは、
    　基板に現像処理及び加熱処理を行う複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
    　前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
    　前記露光装置でパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、
    　前記光照射装置によってポスト露光され、その後現像処理された基板を検査する検査装置と、を有し、
    前記基板処理方法は、
    前記露光装置で基板上のレジスト膜にパターンの露光を行い、
    前記光照射装置で基板上の露光後のレジスト膜に対してポスト露光を行い、
    前記処理ステーションでポスト露光後の基板に対して加熱処理と現像処理を行い、
    前記検査装置での基板の検査を行い、当該検査の結果に基づいて、前記処理ステーションでの基板の加熱処理における加熱温度、前記露光装置でのフォーカス若しくは露光量、前記光照射装置での露光量、又は前記光照射装置で用いるＵＶ光の波長のうち、少なくともいずれかを補正するものである。
  7. 請求項６に記載の基板処理方法において、
    前記基板処理システムは、複数の基板を一時的に収容する基板載置部と、前記処理ステーション内の各処理装置と前記基板載置部との間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、
    前記基板載置部での収容時間を調整することで、前記露光装置での露光の終了から前記処理ステーションでの加熱処理の開始までの時間を、複数の基板相互間で一定にする。
  8. 請求項６に記載の基板処理方法において、
    前記光照射装置は、基板の直径より短い複数の光源を、基板の一端側から基板の他端側に向けて基板の直径以上の長さにわたって直線上に並べて設けられた光照射部を有し、
    前記光照射部と基板を、前記光照射部と直交する方向に相対的に移動させることによりポスト露光を行う。
  9. 請求項６に記載の基板処理方法において、
    前記露光装置でのパターン露光は、ＥＵＶ光により行われる。
  10. レジスト膜が形成された基板を処理する基板処理方法であって、
    基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光工程と、
    前記パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行うポスト露光工程と、
    ポスト露光後の基板に対して加熱処理を行う加熱処理工程と、
    加熱処理後のレジスト膜を現像して基板上にレジストパターンを形成する現像処理工程と、
    現像処理後の基板上のレジストパターンを検査する検査工程と、を有し、
    前記基板の検査結果に基づいて、前記加熱処理工程における基板の加熱温度、前記露光工程におけるフォーカス若しくは露光量、前記ポスト露光工程での露光量、又は前記ポスト露光工程で用いるＵＶ光の波長のうち、少なくともいずれかを補正する。
  11. 請求項１０に記載の基板処理方法において、
    前記露光工程では、ＥＵＶ光によりパターンの露光が行われる。
  12. 基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記基板処理システムは、
    　基板に現像処理及び加熱処理を行う複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
    　前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
    　前記露光装置でパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、
    　前記光照射装置によってポスト露光され、その後現像処理された基板を検査する検査装置と、を有し、
    前記基板処理方法は、
    前記露光装置で基板上のレジスト膜にパターンの露光を行い、
    前記光照射装置で基板上の露光後のレジスト膜に対してポスト露光を行い、
    前記処理ステーションでポスト露光後の基板に対して加熱処理と現像処理を行い、
    前記検査装置での基板の検査を行い、当該検査結果に基づいて、前記処理ステーションでの基板の加熱処理における加熱温度、前記露光装置でのフォーカス若しくは露光量、前記光照射装置での露光量、又は前記光照射装置で用いるＵＶ光の波長のうち、少なくともいずれかを補正するものである。
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