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WO2015019794A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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WO2015019794A1
WO2015019794A1 PCT/JP2014/068548 JP2014068548W WO2015019794A1 WO 2015019794 A1 WO2015019794 A1 WO 2015019794A1 JP 2014068548 W JP2014068548 W JP 2014068548W WO 2015019794 A1 WO2015019794 A1 WO 2015019794A1
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WO
WIPO (PCT)
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matching circuit
connection terminal
filter
frequency module
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2014/068548
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English (en)
French (fr)
Inventor
竹内壮央
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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Priority to JP2015530768A priority patent/JP6249020B2/ja
Publication of WO2015019794A1 publication Critical patent/WO2015019794A1/ja
Priority to US15/016,860 priority patent/US9917569B2/en
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    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
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    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency module including a plurality of filter elements.
  • a portable device or the like having a wireless communication function includes a filter circuit in order to pass only high-frequency signals having a desired frequency and attenuate high-frequency signals other than the desired frequency.
  • Patent Document 1 describes a filter circuit including a plurality of SAW (surface acoustic wave) filters. Specifically, in the filter circuit of Patent Document 1, a plurality of SAW filters are connected in series between an input terminal and an output terminal. A SAW filter is also connected between the connection line connecting the SAW filters connected in series and the ground.
  • SAW surface acoustic wave
  • the filter circuit described in Patent Document 1 has an inductor or a series circuit of inductors and capacitors (referred to as a correction circuit) connected in parallel to the series circuit of the SAW filter. Yes.
  • the correction circuit is set so that the high-frequency signal outside the pass band (suppression target signal) propagating through the circuit unit composed of the SAW filter group and the suppression target signal propagating through the correction circuit have the same amplitude and the phase is reversed. adjust.
  • the suppression target signal is canceled at the connection point between the circuit unit including the SAW filter group and the correction circuit, and is not output from the output terminal.
  • a correction circuit composed of an inductor or a series circuit of an inductor and a capacitor must be provided only for improving the attenuation characteristics, separately from the circuit unit composed of the SAW filter group having the main filter function.
  • the number of components of the filter circuit is increased, and the filter circuit is increased in size, which is not suitable for current portable terminals and the like that are required to be reduced in size.
  • An object of the present invention is to provide a high-frequency module including a small filter circuit having excellent attenuation characteristics outside the passband.
  • the present invention includes a first external connection terminal, a second external connection terminal, a filter unit connected between the first external connection terminal and the second external connection terminal, and a first external connection terminal and a filter unit. And a second matching circuit connected between the second external connection terminal and the filter unit, the first matching circuit and the second matching circuit.
  • the circuit is inductively coupled or capacitively coupled.
  • a sub-propagation path is formed via an inductive coupling or capacitive coupling path generated by the first matching circuit and the second matching circuit.
  • the sub-propagation path has different amplitude characteristics and phase characteristics from the main propagation path depending on the degree of coupling of inductive coupling or capacitive coupling.
  • the filter unit includes a first series connection terminal connected to the first external connection terminal, a second series connection terminal connected to the second external connection terminal, a first series connection terminal, and a first series connection terminal. It is preferable to include a plurality of series connection type filter elements connected in series between the two series connection terminals.
  • a desired band pass characteristic and an attenuation characteristic outside the pass band of the filter unit can be realized by combining band pass characteristics and attenuation characteristics of a plurality of filter elements.
  • the first matching circuit and the second matching circuit are inductively coupled or capacitively coupled so that the impedance outside the pass band of the filter unit changes.
  • the first matching circuit and the second matching circuit are inductively coupled or capacitively coupled so that the attenuation pole frequency outside the passband of the filter unit changes.
  • the attenuation pole frequency is adjusted as an adjustment mode of the attenuation characteristic.
  • the high frequency module of the present invention may have the following configuration.
  • the first matching circuit is a series connection type matching circuit connected in series between the first external connection terminal and the filter unit, or between a connection line connecting the first external connection terminal and the filter unit and the ground. It is a shunt connection type matching circuit connected to.
  • the second matching circuit is a series connection type matching circuit connected in series between the second external connection terminal and the filter unit, or between a connection line connecting the second external connection terminal and the filter unit and the ground. It is a shunt connection type matching circuit connected to.
  • This configuration shows a specific connection mode of the matching circuit.
  • the filter unit includes a third terminal and a second filter unit.
  • the 2nd filter part is connected between the 3rd terminal and the connection line which connects the filter element connected to the 1st series connection terminal and the 1st series connection terminal.
  • the first series connection terminal is a common terminal and the second series connection terminal and the third terminal are individual terminals.
  • the high frequency module of the present invention may have the following configuration.
  • the high-frequency module includes a flat filter substrate in which an IDT electrode constituting a filter portion is formed on a first main surface, and a flat cover layer facing the first main surface of the filter substrate with a space therebetween. And a connection electrode having a shape protruding from the first main surface and penetrating the cover layer, and a laminated substrate on which the first matching circuit and the second matching circuit are mounted or formed.
  • the filter substrate is arranged so that the first main surface side faces the mounting surface of the multilayer substrate.
  • the filter substrate is connected to the multilayer substrate via connection electrodes.
  • a high-frequency module can be realized with a filter unit made of WLP (Wafer Level Package) and a laminated substrate. Thereby, a high frequency module can be reduced in size.
  • WLP Wafer Level Package
  • the high frequency module of the present invention may have the following configuration.
  • the high-frequency module includes a flat filter substrate in which an IDT electrode constituting a filter unit is formed on a first main surface, a connection electrode protruding from the first main surface, a first matching circuit, and a second matching circuit.
  • a mounted or formed laminated substrate and a resin layer for sealing the filter portion are provided.
  • the filter substrate is arranged so that the first main surface side faces the mounting surface of the multilayer substrate with a space therebetween.
  • the filter substrate is connected to the multilayer substrate via connection electrodes.
  • the resin layer covers the mounting surface of the multilayer substrate on which the filter substrate is disposed.
  • a high-frequency module can be realized with a filter part made of a bare chip and a laminated substrate. Thereby, a high frequency module can be reduced in size.
  • the high frequency module of the present invention may have the following configuration.
  • the first matching circuit and the second matching circuit include a mounted circuit element mounted on the mounting surface of the multilayer substrate.
  • the first matching circuit and the second matching circuit are arranged close to each other.
  • This configuration shows a specific configuration example of the first matching circuit and the second matching circuit. With this configuration, it is possible to reliably realize the coupling between the first matching circuit and the second matching circuit.
  • the high frequency module of the present invention preferably has the following configuration.
  • the first matching circuit and the second matching circuit include a rectangular parallelepiped housing and a spiral conductor formed in the housing and having a substantially rectangular outer periphery in plan view.
  • the long side of the casing that constitutes the first matching circuit is arranged close to the long side of the casing that constitutes the second matching circuit.
  • the high frequency module of the present invention may have the following configuration.
  • the first matching circuit and the second matching circuit are formed on the mounting surface or inside of the multilayer substrate.
  • the first matching circuit and the second matching circuit overlap each other when viewed from the stacking direction of the stacked substrate.
  • the high frequency module of the present invention may have the following configuration.
  • the first matching circuit and the second matching circuit are formed inside the multilayer substrate.
  • the first matching circuit and the second matching circuit overlap each other when viewed from a direction parallel to the mounting surface of the multilayer substrate.
  • These configurations show specific configuration examples of the first matching circuit and the second matching circuit. With these configurations, it is possible to reliably realize the coupling between the first matching circuit and the second matching circuit.
  • first matching circuit or the second matching circuit may be formed inside the cover layer.
  • This configuration shows a specific configuration example of the first matching circuit or the second matching circuit.
  • the high frequency module of the present invention may have the following configuration.
  • the high-frequency module includes a flat plate-like filter substrate in which an IDT electrode constituting the filter portion is formed on the first main surface, and the first main surface side of the filter substrate is mounted on the first main surface side of the filter substrate. And a flat plate-like filter mounting substrate.
  • the first matching circuit and the second matching circuit are mounted or formed on a filter mounting substrate.
  • This configuration shows a case where the high-frequency module is realized by CSP (Chip Size Package).
  • the present invention it is possible to realize a high frequency module including a small filter circuit having excellent attenuation characteristics outside the passband.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific example of a matching circuit of the high-frequency module shown in FIGS. 1 to 4. It is a graph which shows the change of the passage characteristic of a high frequency module when changing the coupling degree of the inductive coupling of the 1st matching circuit and the 2nd matching circuit.
  • FIG. 1 is a circuit block diagram showing a first circuit example of the high-frequency module according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit block diagram showing a second circuit example of the high-frequency module according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a circuit block diagram showing a third circuit example of the high-frequency module according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a circuit block diagram showing a fourth circuit example of the high-frequency module according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A, FIG. 5B, FIG. 5C, and FIG. 5D are circuit diagrams showing specific examples of the first matching circuit on the first external connection terminal side.
  • FIGS. 5E, 5F, 5G, and 5H are circuit diagrams illustrating specific examples of the second matching circuit on the second external connection terminal side.
  • the high-frequency modules 11, 12, 13, and 14 include a first external connection terminal P 1, a second external connection terminal P 2, and a filter unit 20.
  • the filter unit 20 is connected between the first external connection terminal P1 and the second external connection terminal P2.
  • the filter unit 20 includes a first series connection terminal P21, a second series connection terminal P22, first shunt connection terminals P231, P232, and a second shunt connection terminal P24.
  • the first series connection terminal P21 is connected to the first external connection terminal P1 via a series connection type first matching circuit or a shunt connection type first matching circuit described later.
  • the second series connection terminal P22 is connected to the second external connection terminal P2 via a series connection type second matching circuit or a shunt connection type second matching circuit described later.
  • the first shunt connection terminal P231 is connected to the ground via the inductor 50.
  • the first shunt connection terminal P232 is connected to the ground via the inductor 51.
  • the second shunt connection terminal P24 is connected to the ground via the inductor 60.
  • the filter unit 20 includes a plurality of SAW resonators 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208 (hereinafter, when a plurality of SAW resonators are collectively described, a plurality of SAW resonators 201- 208). These SAW resonators correspond to the “series connection type filter element” of the present invention. A plurality of SAW resonators 211, 212, 213, and 214 are provided. Note that the SAW resonators 211, 212, 213, and 214 may be omitted, and the filter unit 20 may be configured with only a plurality of SAW resonators 201-208 connected in series.
  • the plurality of SAW resonators 201-208, 211, 212, 213, and 214 each have a resonance frequency and function as a band pass filter (BPF) having band pass characteristics individually.
  • BPF band pass filter
  • the SAW resonator 211 is connected between the connection point of the SAW resonators 202 and 203 and the first shunt connection terminal P231.
  • the SAW resonator 214 is connected between the connection point of the SAW resonators 204 and 205 and the first shunt connection terminal P232.
  • the SAW resonator 212 is connected between the connection point of the SAW resonators 206 and 207 and the second shunt connection terminal P24.
  • the SAW resonator 213 is connected between the connection point between the SAW resonator 208 and the second series connection terminal P22 and the second shunt connection terminal P24. That is, the second shunt connection terminal P24 is a common terminal for the SAW resonators 212 and 213, and one ends of these SAW resonators 212 and 213 are collectively connected to the ground.
  • the filter unit 20 forms a so-called ladder connection type filter with such a configuration, and combines the band-pass characteristics and attenuation characteristics of the SAW resonators 201-208, 211, 212, 213, and 214, so that the filter unit 20
  • the desired band pass characteristic and attenuation characteristic outside the pass band are realized. Note that the number and arrangement of the SAW resonators may be appropriately changed in order to obtain a desired attenuation characteristic outside the frequency band of the signal desired to pass and the pass band.
  • each high-frequency module has a specific circuit configuration as shown below.
  • the high-frequency module 11 shown in FIG. 1 includes a series connection type first matching circuit 41 and a second matching circuit 42.
  • the first matching circuit 41 is connected between the first series connection terminal P21 of the filter unit 20 and the first external connection terminal P1.
  • the first matching circuit 41 is an inductor 41L connected in series between the first series connection terminal P21 and the first external connection terminal P1 shown in FIG.
  • the capacitor 41C is connected in series between the first series connection terminal P21 and the first external connection terminal P1.
  • the element value (inductance or capacitance) of the first matching circuit 41 is set to an element value that realizes impedance matching between the circuit connected to the first external connection terminal P1 side and the filter unit 20.
  • the second matching circuit 42 is connected between the second series connection terminal P22 of the filter unit 20 and the second external connection terminal P2.
  • the second matching circuit 42 is an inductor 42L connected in series between the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 shown in FIG.
  • the capacitor 42C is connected in series between the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 shown in FIG.
  • the element value (inductance or capacitance) of the second matching circuit 42 is set to an element value that realizes impedance matching between the circuit connected to the second external connection terminal P2 side and the filter unit 20.
  • the first matching circuit 41 and the second matching circuit 42 are inductively coupled or capacitively coupled.
  • the first matching circuit 41 is the inductor 41L and the second matching circuit 42 is the inductor 42L
  • the conductor constituting the inductor 41L and the conductor constituting the inductor 42L are inductively coupled or capacitively coupled. Yes.
  • the first matching circuit 41 is the capacitor 41C and the second matching circuit 42 is the capacitor 42C
  • the capacitor 41C and the capacitor 42C are capacitively coupled.
  • the conductor constituting the inductor 41L and the conductor constituting the capacitor 42C are capacitively coupled.
  • the conductor constituting the capacitor 41C and the conductor constituting the inductor 42L are capacitively coupled.
  • the first matching circuit 41 and the second matching circuit 42 are connected in high frequency.
  • the inductor 41L as the first matching circuit 41 and the inductor 42L as the second matching circuit 42 are inductively coupled (see FIG. 1), the inductivity having a mutual inductance between the inductor 41L and the inductor 42L.
  • a coupling circuit is configured.
  • the high-frequency signal is not propagated between the first external connection terminal P1 and the second external connection terminal P2 only through the main propagation path having the filter unit 20 as a propagation path, and a part of the high-frequency signal is inductor 41L.
  • the first matching circuit 41), the inductive coupling circuit, and the inductor 42L (second matching circuit 42) are also propagated to the sub-propagation path.
  • the high-frequency module 11 becomes a combined transmission characteristic in which the transmission characteristic of the main propagation path and the transmission characteristic of the sub-propagation path are combined.
  • the amplitude and phase of the high-frequency signal propagating through the sub-propagation path can be adjusted by adjusting the coupling mode and coupling degree between the matching circuit to be coupled and the inductor.
  • the transmission characteristics of the sub-propagation path can be adjusted.
  • the transmission characteristics are, for example, attenuation characteristics (amplitude characteristics) and phase characteristics.
  • the transmission characteristic as the high frequency module 11 can be adjusted. For example, as will be described later, attenuation characteristics outside the passband can be adjusted.
  • the effective inductance value of the inductor 41L (first matching circuit 41) and the inductor 42L (second matching circuit 42) can be increased by the mutual induction due to the above-described coupling. Thereby, the line lengths of the inductor 41L and the inductor 42L can be further shortened.
  • the high-frequency module 12 illustrated in FIG. 2 includes a shunt connection type first matching circuit 43 and a second matching circuit 44.
  • the first matching circuit 43 is connected between the connection line 401 that connects the first series connection terminal P21 and the first external connection terminal P1 of the filter unit 20 and the ground.
  • the first matching circuit 43 includes an inductor 43L connected between the connection line 401 connecting the first series connection terminal P21 and the first external connection terminal P1 shown in FIG. 5C and the ground. Or a capacitor 43C connected between the connection line 401 connecting the first series connection terminal P21 and the first external connection terminal P1 shown in FIG. 5D and the ground.
  • the element value (inductance or capacitance) of the first matching circuit 43 is set to an element value that realizes impedance matching between the circuit connected to the first external connection terminal P1 side and the filter unit 20.
  • the second matching circuit 44 is connected between the connection line 402 that connects the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 of the filter unit 20 and the ground.
  • the second matching circuit 44 includes an inductor 44L connected between the connection line 402 connecting the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 shown in FIG. 5G and the ground.
  • the capacitor 44C is connected between the connection line 402 connecting the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 shown in FIG. 5H and the ground.
  • the element value (inductance or capacitance) of the second matching circuit 44 is set to an element value that realizes impedance matching between the circuit connected to the second external connection terminal P2 side and the filter unit 20.
  • the first matching circuit 43 and the second matching circuit 44 are inductively coupled or capacitively coupled.
  • the conductor constituting the inductor 43L and the conductor constituting the inductor 44L are inductively coupled or capacitively coupled. Yes. If the first matching circuit 43 is the capacitor 43C and the second matching circuit 44 is the capacitor 44C, the capacitor 43C and the capacitor 44C are capacitively coupled.
  • the conductor constituting the inductor 43L and the conductor constituting the capacitor 44C are capacitively coupled.
  • the conductor constituting the capacitor 43C and the conductor constituting the inductor 44L are capacitively coupled.
  • the first matching circuit 43 and the second matching circuit 44 are connected in high frequency.
  • the capacitor 43C as the first matching circuit 43 and the capacitor 44C as the second matching circuit 44 are inductively coupled (see FIG. 2), the capacitive having a coupling capacitance between the capacitor 43C and the capacitor 44C.
  • a coupling circuit is configured.
  • the high-frequency signal is not propagated between the first external connection terminal P1 and the second external connection terminal P2 only through the main propagation path having the filter unit 20 as a propagation path, and a part of the high-frequency signal is capacitor 43C. It is also propagated to the sub-propagation path having the (first matching circuit 43), the capacitive coupling circuit and the capacitor 44C (second matching circuit 44) as a propagation path.
  • the high-frequency module 12 becomes a combined transmission characteristic in which the transmission characteristic of the main propagation path and the transmission characteristic of the sub-propagation path are combined.
  • the high-frequency module 13 shown in FIG. 3 includes a series connection type first matching circuit 41 and a shunt connection type second matching circuit 44.
  • the first matching circuit 41 is connected between the first series connection terminal P21 of the filter unit 20 and the first external connection terminal P1.
  • the first matching circuit 41 is an inductor 41L connected in series between the first series connection terminal P21 and the first external connection terminal P1 shown in FIG.
  • the capacitor 41C is connected in series between the first series connection terminal P21 and the first external connection terminal P1.
  • the element value (inductance or capacitance) of the first matching circuit 41 is set to an element value that realizes impedance matching between the circuit connected to the first external connection terminal P1 side and the filter unit 20.
  • the second matching circuit 44 is connected between the connection line 402 that connects the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 of the filter unit 20 and the ground.
  • the second matching circuit 44 includes an inductor 44L connected between the connection line 402 connecting the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 shown in FIG. 5G and the ground.
  • the capacitor 44C is connected between the connection line 402 connecting the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 shown in FIG. 5H and the ground.
  • the element value (inductance or capacitance) of the second matching circuit 44 is set to an element value that realizes impedance matching between the circuit connected to the second external connection terminal P2 side and the filter unit 20.
  • the first matching circuit 41 and the second matching circuit 44 are inductively coupled or capacitively coupled.
  • the conductor constituting the inductor 41L and the conductor constituting the inductor 44L are inductively coupled or capacitively coupled. Yes. If the first matching circuit 41 is the capacitor 41C and the second matching circuit 44 is the capacitor 44C, the capacitor 41C and the capacitor 44C are capacitively coupled.
  • the conductor constituting the inductor 41L and the conductor constituting the capacitor 44C are capacitively coupled.
  • the conductor constituting the capacitor 41C and the conductor constituting the inductor 44L are capacitively coupled.
  • the high-frequency module 13 has a combined transmission characteristic in which the transmission characteristic of the main propagation path through the filter unit 20 and the transmission characteristic of the sub-propagation path through the coupling unit are combined. Even with the high-frequency module 13 having such a configuration, a desired attenuation characteristic can be realized with a simpler configuration than the conventional configuration, similarly to the high-frequency modules 11 and 12 described above.
  • the high-frequency module 14 shown in FIG. 4 includes a first matching circuit 43 of shunt connection type and a second matching circuit 42 of series connection type.
  • the first matching circuit 43 is connected between the connection line 401 that connects the first series connection terminal P21 and the first external connection terminal P1 of the filter unit 20 and the ground.
  • the first matching circuit 43 is an inductor 43L connected between the first series connection terminal P21, the first external connection terminal P1, the connection line 401, and the ground shown in FIG.
  • FIG. 5D shows a capacitor 43C connected between the connection line 401 connecting the first series connection terminal P21 and the first external connection terminal P1 shown in FIG. 5D and the ground.
  • the element value (inductance or capacitance) of the first matching circuit 43 is set to an element value that realizes impedance matching between the circuit connected to the first external connection terminal P1 side and the filter unit 20.
  • the second matching circuit 42 is connected between the second series connection terminal P22 of the filter unit 20 and the second external connection terminal P2.
  • the second matching circuit 42 is an inductor 42L connected in series between the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 shown in FIG.
  • the capacitor 42C is connected in series between the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 shown in FIG.
  • the element value (inductance or capacitance) of the second matching circuit 42 is set to an element value that realizes impedance matching between the circuit connected to the second external connection terminal P2 side and the filter unit 20.
  • the first matching circuit 43 and the second matching circuit 42 are inductively coupled or capacitively coupled.
  • the first matching circuit 43 is the inductor 43L and the second matching circuit 42 is the inductor 42L
  • the conductor constituting the inductor 43L and the conductor constituting the inductor 42L are inductively coupled or capacitively coupled. Yes.
  • the first matching circuit 43 is the capacitor 43C and the second matching circuit 42 is the capacitor 42C
  • the capacitor 43C and the capacitor 42C are capacitively coupled.
  • the conductor constituting the capacitor 43C and the conductor constituting the inductor 42L are capacitively coupled.
  • the conductor constituting the inductor 43L and the conductor constituting the capacitor 42C are capacitively coupled.
  • the high-frequency module 14 has a combined transmission characteristic in which the transmission characteristic of the main propagation path through the filter unit 20 and the transmission characteristic of the sub-propagation path through the coupling unit are combined. Even with the high-frequency module 14 having such a configuration, a desired attenuation characteristic can be realized with a simpler configuration than the conventional configuration, similarly to the high-frequency modules 11, 12, and 13 described above.
  • FIG. 6 is a graph showing changes in pass characteristics of the high-frequency module when the degree of inductive coupling between the first matching circuit and the second matching circuit is changed.
  • the horizontal axis in FIG. 6 indicates the frequency
  • the vertical axis in FIG. 6 indicates the attenuation amount of the signal propagating from the first external connection terminal P1 to the second external connection terminal P2.
  • the characteristic of the dotted line shown in FIG. 6 shows the case where the inductive coupling between the first matching circuit and the second matching circuit is weak.
  • the solid line characteristic shown in FIG. 6 shows a case where inductive coupling is stronger than the solid line characteristic.
  • the characteristic of the broken line shown in FIG. 6 shows the case where inductive coupling is stronger than the characteristic of the solid line.
  • the high-frequency module in the present embodiment is a band-pass filter whose pass band is the 800 MHz band.
  • the stronger the inductive coupling the higher the frequency of the attenuation pole that appears on the high frequency side of the passband.
  • the frequency of the attenuation pole in FIG. 6 is a peak frequency in the approximate center of the frequency axis.
  • the attenuation characteristics on the high frequency side of the pass band can be changed. For example, the weaker the inductive coupling, the smaller the attenuation near the passband, but the greater the attenuation at the frequency of the attenuation pole. In addition, the stronger the inductive coupling, the larger the attenuation near the passband.
  • the frequency position, frequency width, and insertion loss of the pass band hardly change without being affected by the strength of inductive coupling.
  • the attenuation characteristic on the high frequency side can be adjusted to a desired characteristic without changing the characteristic of the passband. .
  • a high frequency module having desired passband characteristics and attenuation characteristics can be realized.
  • the stronger the capacitive coupling the lower the frequency of the attenuation pole that appears on the high frequency side of the passband.
  • the frequency position, frequency width, and insertion loss of the passband hardly change without being affected by the strength of capacitive coupling. Therefore, by appropriately adjusting the coupling degree of the capacitive coupling using the configuration of the present embodiment, the attenuation characteristic on the high frequency side can be adjusted to a desired characteristic without changing the characteristic of the passband. .
  • FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a high-frequency module having a duplexer configuration.
  • the high-frequency module 101 includes a filter unit 21, a first external connection terminal P1, a second external connection terminal P2, and a third external connection terminal that also serves as the third terminals P31 and P32 of the filter unit 21.
  • the first external connection terminal P1 is connected to an antenna.
  • the second external connection terminal P2 is connected to the transmission circuit.
  • the third external connection terminals (third terminals P31 and P32) are connected to the receiving circuit.
  • the filter unit 21 includes a first series connection terminal P21 ', a second series connection terminal P22, a first shunt connection terminal P23, a second shunt connection terminal P24, and third terminals P31 and P32.
  • the first series connection terminal P21 ' is connected to the first external connection terminal P1 via the connection line 401.
  • An inductor 43L corresponding to the first matching circuit described above is connected between the connection line 401 and the ground.
  • the second series connection terminal P22 is connected to the second external connection terminal P2 via the inductor 42L corresponding to the above-described second matching circuit.
  • a plurality of SAW resonators 201, 202, 203, 204, 205, and 206 are connected in series between the first series connection terminal P21 'and the second series connection terminal P22.
  • connection point between the SAW resonator 202 and the SAW resonator 203 is connected to the first shunt connection terminal P23 via the SAW resonator 211.
  • the first shunt connection terminal P23 is connected to the ground via the inductor 50.
  • connection point between the SAW resonator 204 and the SAW resonator 205 is connected to the second shunt connection terminal P24 via the SAW resonator 212.
  • a connection point between the SAW resonator 206 and the second series connection terminal P22 is connected to the second shunt connection terminal P24 via the SAW resonator 213.
  • the second shunt connection terminal P24 is connected to the ground via the inductor 60.
  • the filter unit 21 allows the band-pass characteristics and attenuation characteristics of the SAW resonators 201-208, 211, 212, and 213 to be between the first series connection terminal P21 ′ and the second series connection terminal P22. By combining these, a desired first band pass characteristic between the first and second series connection terminals of the filter unit 21 and a first attenuation characteristic outside the first pass band are realized.
  • the SAW resonator 221 and the longitudinally coupled SAW resonators 231 and 232 are connected in series.
  • the SAW resonator 221 and the longitudinally coupled SAW resonators 231 and 232 constitute the second filter unit 22.
  • the filter unit 21 combines the bandpass characteristics and attenuation characteristics of the SAW resonators 221, 231, 232 between the first series connection terminal P21 ′ and the third terminals P31, P32.
  • the desired second band pass characteristic between the first series connection terminal and the third terminal of the filter unit 21 and the second attenuation characteristic outside the second pass band are realized.
  • the second pass band is a frequency band different from the first pass band, and the second pass band is set to be within the attenuation band range outside the first pass band.
  • the filter unit 21 functions as a duplexer having the first series connection terminal P21 'as a common terminal and the second series connection terminal P22 and the third terminals P31 and P32 as individual terminals.
  • the inductor 42L and the inductor 43L are inductively coupled.
  • the first attenuation characteristic can be adjusted by adjusting the degree of coupling.
  • the bandwidth and the amount of attenuation of the frequency band in which the amount of attenuation in the first attenuation characteristic is large can be adjusted so as to overlap the second passband. This is possible by adjusting the degree of coupling between the inductor 42L and the inductor 43L.
  • FIG. 8 shows the change in isolation between the second external connection terminal and the third external connection terminal of the high-frequency module when the degree of inductive coupling between the first matching circuit and the second matching circuit is changed. It is a graph to show.
  • the horizontal axis in FIG. 8 indicates the frequency, and the vertical axis in FIG. 8 indicates the amount of isolation.
  • FIG. 8 shows that the lower the isolation amount, the stronger the isolation between the second series connection terminal and the third terminal.
  • the characteristic of the dotted line shown in FIG. 8 shows the case where inductive coupling is weak.
  • the solid line characteristic shown in FIG. 8 shows a case where inductive coupling is stronger than the dotted line characteristic.
  • the characteristic of the broken line shown in FIG. 8 shows the case where inductive coupling is stronger than the characteristic of the solid line.
  • the stronger the inductive coupling the higher the frequency of the attenuation pole that appears in the vicinity of the passband of the receiving circuit Rx (third terminal side). For this reason, by adjusting the inductive coupling, it is possible to adjust the isolation amount and the isolation characteristic of the pass band of the receiving circuit Rx. Further, as shown in FIG. 8, even if the inductive coupling is adjusted, the isolation amount and the isolation characteristic of the pass band of the transmission circuit Tx (second terminal side) hardly change.
  • the isolation characteristics between the second series connection terminal and the third terminal can be appropriately adjusted. That is, the isolation characteristic between the transmission circuit and the reception circuit can be optimized.
  • the first matching circuit and the second matching circuit are capacitively coupled by using capacitors 42C and 43C instead of the inductors 42L and 43L as the first matching circuit and the second matching circuit.
  • the stronger the capacitive coupling the lower the frequency of the attenuation pole that appears in the vicinity of the passband of the receiving circuit Rx.
  • the capacitive coupling it is possible to adjust the isolation amount and the isolation characteristic of the pass band of the receiving circuit Rx (the third terminal side). Further, even if the capacitive coupling is adjusted, the amount of isolation and the isolation characteristic of the pass band of the transmission circuit Tx hardly change.
  • the isolation characteristic between the second series connection terminal and the third terminal can be appropriately adjusted also by appropriately adjusting the capacitive coupling.
  • FIG. 9 is a conceptual side view showing the main structure of the high-frequency module.
  • the high frequency module 101 includes a laminated substrate 100, a filter substrate 200, a cover layer 290, and a side cover layer 291.
  • the laminated substrate 100 is formed by laminating a plurality of dielectric layers.
  • a predetermined pattern of electrodes is formed on the top surface (mounting surface) 100 ⁇ / b> S and the inner layer of the multilayer substrate 100, and wiring patterns and inductors 42 ⁇ / b> L and 43 ⁇ / b> L excluding the filter portion 21 of the high frequency module 101 are formed.
  • External connection electrodes are formed on the bottom surface 100R of the multilayer substrate 100, and the first external connection terminal P1, the second external connection terminal P2, and the third external connection terminal described above are realized by these external connection electrodes.
  • the filter unit 21 is formed by the filter substrate 200, the cover layer 290, the side cover layer 291, the connection electrode 293, and the mounting electrode 294.
  • the filter substrate 200 is a flat piezoelectric substrate.
  • a filter electrode and a wiring pattern are formed on the first main surface of the filter substrate 200.
  • the filter electrode is, for example, a so-called IDT electrode.
  • IDT electrode a so-called IDT electrode.
  • a flat cover layer 290 is disposed on the first main surface side of the filter substrate 200.
  • the cover layer 290 is made of a flat insulating material and has the same shape as the filter substrate 200 in plan view. Further, the cover layer 290 is disposed so as to overlap the filter substrate 200 in plan view, and is disposed at a predetermined distance from the first main surface of the filter substrate 200.
  • a side cover layer 291 is disposed between the first main surface of the filter substrate 200 and the cover layer 290.
  • the side cover layer 291 is also made of an insulating material, and is formed only within a predetermined width range from the outer peripheral end to the inside over the entire circumference of the filter substrate 200 and the cover layer 290 in plan view. That is, the side cover layer 291 has a frame-like structure having an opening at the center.
  • the cover layer 290 and the side cover layer 291 the region where the filter electrode on the first main surface of the filter substrate 200 is formed is the filter substrate 200, the cover layer 290, and the side cover layer 291. Is disposed in the sealed space 292. As a result, the resonance characteristics of the SAW resonator can be improved, and the desired characteristics as a filter can be accurately realized.
  • connection electrode 293 has a shape in which one end is in contact with the first main surface of the filter substrate 200 and the other end is exposed on the surface of the cover layer 290 opposite to the filter substrate 200 side. At this time, the connection electrode 293 is formed so as to penetrate the side cover layer 291 and the cover layer 290. One end of the connection electrode 293 is connected to a wiring pattern formed on the first main surface of the filter substrate 200.
  • the mounting electrode 294 is connected to the other end of the connection electrode 293 and formed in a shape protruding from the surface of the cover layer 290 opposite to the filter substrate 200 side.
  • the connection electrode 293 and the mounting electrode 294 By providing a plurality of sets of the connection electrode 293 and the mounting electrode 294, the first series connection terminal P21 ′, the second series connection terminal P22, the third terminals P31 and P32, the first shunt connection terminal of the filter unit 21 described above. P23 and the second shunt connection terminal P24 are realized.
  • a bump using solder, Au, or the like may be formed on the other end of the connection electrode 293 and connected to the mounting electrode 294 via the bump.
  • the filter unit 21 has a so-called WLP (Wafer Level Package) structure, and the filter unit 21 can be formed in a small size.
  • WLP Wafer Level Package
  • the WLP structure filter unit 21 is mounted on the top surface 100S of the multilayer substrate 100. Thereby, the filter unit 21 is connected to the first external connection terminal P1, the second external connection terminal P2, and the third external connection terminal.
  • the inductor 43L is formed of a spiral electrode formed inside the multilayer substrate 100.
  • the spiral electrode is realized by a tubular linear electrode formed on a plurality of dielectric layers constituting the multilayer substrate 100 and partly divided and an interlayer connection electrode.
  • the linear electrodes of the respective dielectric layers are connected in the stacking direction by interlayer connection electrodes, and are connected so as to become one linear electrode. With this configuration, it is possible to realize a spiral electrode having a central axis along the stacking direction.
  • One end of the spiral electrode constituting the inductor 43L is connected via a via conductor 431V to a land electrode on which the mounting electrode 294 serving as the first series connection terminal P21 'of the filter unit 21 is mounted.
  • the land electrode is formed on the top surface 100 ⁇ / b> S of the multilayer substrate 100.
  • the other end of the spiral electrode constituting the inductor 43L is connected to an internal ground pattern formed near the bottom surface 100R in the multilayer substrate 100 via a via conductor 432V.
  • the inductor 42L is formed of a linear electrode formed on the top surface 100S of the multilayer substrate 100.
  • the spiral electrode constituting the inductor 43L is formed so that at least a part thereof overlaps the linear electrode constituting the inductor 42L in plan view.
  • a thick broken line arrow in FIG. 9 indicates between the inductor 42L made of a linear electrode pattern formed on the top surface 100S of the multilayer substrate 100 and the inductor 43L made of a spiral electrode in the multilayer substrate 100.
  • inductive binding can occur.
  • the coupling degree between the inductor 42L and the inductor 43L is changed by changing the distance between the electrode pattern constituting the inductor 42L and the spiral electrode constituting the inductor 43L and the area where the electrode pattern and the spiral electrode overlap. Can be adjusted. Thereby, the attenuation characteristic of the high frequency module 101 can be adjusted, and the desired attenuation characteristic can be realized more accurately.
  • the inductor 42 ⁇ / b> L may be formed not in the multilayer substrate 100 but in the cover layer 290.
  • the inductor 42L is composed of a spiral electrode in the same manner as the inductor 43L.
  • the spiral electrode constituting the inductor 42L and the spiral electrode constituting the inductor 43L are arranged close to each other. As a result, inductive coupling can be generated between the inductor 42L and the inductor 43L as indicated by the thick broken line arrow in FIG.
  • FIG. 11 is a conceptual side view showing the main structure of the high-frequency module.
  • the inductor 42L is realized by the electrode pattern formed in the multilayer substrate 100 without being formed on the top surface 100S of the multilayer substrate 100.
  • the other configuration of the high-frequency module 101A is the same as that of the high-frequency module 101 shown in FIG.
  • the inductor 42L is formed inside the multilayer substrate 100 and is formed of a spiral electrode having a central axis along the stacking direction.
  • One end of the spiral electrode constituting the inductor 42L is connected via a via conductor 421V to a land electrode on which the mounting electrode 294 serving as the second series connection terminal P22 of the filter unit 21 is mounted.
  • the other end of the spiral electrode constituting the inductor 42L is connected to an external connection electrode serving as the second external connection terminal P2 via a via conductor.
  • the spiral electrode constituting the inductor 42L is formed so that at least a part thereof overlaps with the spiral electrode constituting the inductor 43L when viewed from a direction parallel to the top surface 100S of the multilayer substrate 100.
  • inductive coupling can be generated between the inductor 42L and the inductor 43L, which are formed of spiral electrodes in the multilayer substrate 100, as indicated by a thick broken line arrow in FIG.
  • the degree of coupling between the inductor 42L and the inductor 43L can be adjusted by changing the distance between the spiral electrode constituting the inductor 42L and the spiral electrode constituting the inductor 43L.
  • the attenuation characteristic of the high frequency module 101 can be adjusted, and the desired attenuation characteristic can be realized more accurately.
  • the inductors 42L and 43L are formed inside the multilayer substrate 100, a region for forming the inductors 42L and 43L may not be provided on the top surface 100S of the multilayer substrate 100. Thereby, the area which planarly viewed the multilayer substrate 100 can be reduced, and the planar area of the high-frequency module 101A can be reduced.
  • FIG. 12 is a conceptual plan view showing the main structure of the high-frequency module.
  • the high-frequency module 101 ⁇ / b> B includes a filter unit 21, a multilayer substrate 100, and mounted circuit elements 420 and 430.
  • the laminated substrate 100 is formed by laminating a plurality of dielectric layers. On the top surface (mounting surface) 100S and the inner layer of the multilayer substrate 100, electrodes having a predetermined pattern are formed.
  • the filter unit 21 and the mounting circuit elements 420 and 430 are mounted on the top surface 100S of the multilayer substrate 100.
  • the filter unit 21 has the WLP structure shown in FIG.
  • the inductor 42L is realized by the mounting circuit element 420
  • the inductor 43L is realized by the mounting circuit element 430.
  • the mounting circuit elements 420 and 430 include a rectangular parallelepiped casing made of an insulating material, and spiral electrodes serving as inductors 42L and 43L are formed inside the casing.
  • the spiral electrode is realized by a tubular linear electrode and an interlayer connection electrode that extend along the outer periphery of the casing and are partially cut.
  • the linear electrodes of each layer are connected to form one linear electrode by an interlayer connection electrode. Both ends of the spiral electrode are connected to external connection electrodes formed on opposite end surfaces of the casing.
  • the mounted circuit elements 420 and 430 having such a configuration are mounted on the top surface 100S of the multilayer substrate 100 such that the center axis of the spiral electrode is orthogonal to the top surface 100S of the multilayer substrate 100.
  • the second series connection terminal P22 and the second external connection terminal P2 of the filter unit 21 are connected to a mounting land of the mounting circuit element 420.
  • a connection line between the first series connection terminal P21 ′ and the first external connection terminal P1 of the filter unit 21 is formed on the top surface 100S and inside of the multilayer substrate 100, and a ground electrode is formed inside the multilayer substrate 100. Yes.
  • the connection line and the ground electrode are connected to the mounting land of the mounting circuit element 430.
  • the mounted circuit elements 420 and 430 are arranged so that the longitudinal side surface of the mounted circuit element 420 and the longitudinal side surface of the mounted circuit element 430 are close to each other and face each other.
  • inductive coupling occurs between the inductor 42L made of the spiral electrode of the mounted circuit element 420 and the inductor 43L made of the spiral electrode of the mounted circuit element 430, as shown by the thick broken line arrow in FIG. Can be made.
  • the degree of coupling between the inductor 42L and the inductor 43L can be adjusted by adjusting the distance between the mounted circuit element 420 and the mounted circuit element 430, the orientation of the mounted circuit elements 420 and 430, and the like.
  • the attenuation characteristic of the high frequency module 101B can be adjusted, and the desired attenuation characteristic can be realized more accurately.
  • positioned so that the longitudinal side surface of the mounting circuit element 420 and the longitudinal side surface of the mounting circuit element 430 may oppose was shown.
  • the short side surface (end surface on which the external connection electrode is formed) of the mounting circuit element 420 and the long side surface of the mounting circuit element 430 may be arranged to face each other.
  • a stronger inductive coupling can be realized more easily by arranging the long side surface of the mounting circuit element 420 and the long side surface of the mounting circuit element 430 to face each other.
  • FIG. 12 shows an example in which the mounted circuit elements 420 and 430 are mounted so that the central axis of the spiral electrode is orthogonal to the top surface 100S of the multilayer substrate 100, but the central axis of the spiral electrode is the multilayer substrate 100.
  • the mounting type circuit elements 420 and 430 may be mounted so as to be parallel to the top surface 100S of the head.
  • FIG. 13 is a conceptual side view showing the main structure of the high-frequency module.
  • the filter unit 21 is not realized by the WLP structure shown in FIG. 9, but is realized by a so-called bare chip.
  • the other configuration of the high-frequency module 101C is the same as that of the high-frequency module 101 shown in FIG.
  • the filter substrate 200 constituting the filter unit 21 is a flat piezoelectric substrate.
  • a filter electrode and a wiring pattern are formed on the first main surface of the filter substrate 200.
  • the filter electrode is, for example, a so-called IDT electrode.
  • the filter substrate 200 is mounted by connection electrodes 293 having a shape protruding from the first main surface side so that the first main surface side faces the top surface 100S of the multilayer substrate 100 with a predetermined interval.
  • One end of the connection electrode 293 is connected to a wiring pattern formed on the first main surface of the filter substrate 200.
  • the other end of the connection electrode 293 is connected to a wiring pattern formed on the top surface 100 ⁇ / b> S of the multilayer substrate 100.
  • a resin layer 283 for sealing the filter unit 200 is applied to the top surface 100S of the multilayer substrate 100 on which the filter substrate 200 is disposed. However, the resin layer 283 is not applied to the IDT electrode, and the IDT electrode portion has a hollow structure.
  • connection electrodes 293 the first series connection terminal P21 ′, the second series connection terminal P22, the third terminals P31 and P32, the first shunt connection terminal P23 and the second shunt connection of the filter unit 21 described above are provided.
  • Terminal P24 is realized.
  • the inductors 42L and 43L are realized by the top surface 100S of the multilayer substrate 100 or electrodes formed inside, but the inductors 42L and 43L may be realized by mounted circuit elements.
  • FIG. 14 is a conceptual side view showing the main structure of the high-frequency module.
  • the high frequency module 101D shown in FIG. 14 is realized by a so-called CSP (Chip Size Package) structure.
  • CSP Chip Size Package
  • the high frequency module 101D includes a filter substrate 200. On the first main surface of the filter substrate 200, the filter electrode and the wiring pattern for realizing the filter unit 21 are formed as described above.
  • the high-frequency module 101D further includes a filter mounting substrate 280.
  • the filter mounting substrate 280 is made of, for example, an alumina substrate, and has a larger area in plan view than the filter substrate 200 by a predetermined amount.
  • electrodes having a predetermined pattern are formed on the filter mounting substrate 280.
  • the filter substrate 200 is mounted on the top surface (mounting surface) 280S of the filter mounting substrate 280 by the bump conductor 281 so that the first main surface is on the filter mounting substrate 280 side.
  • a mounting type circuit element 430 constituting the inductor 43L is mounted on the top surface 280S of the filter mounting substrate 280.
  • linear electrodes and external connection bump conductors 282 constituting the inductor 42L are formed on the bottom surface 280R of the filter mounting substrate 280.
  • the resin layer 283 is applied to the top surface 280S of the filter mounting substrate 280.
  • the resin layer 283 is not applied to the IDT electrode, and the IDT electrode portion has a hollow structure. Accordingly, the filter electrode and the wiring pattern can be prevented from being exposed to the external environment, the resonance characteristics of the SAW resonator can be improved, and desired characteristics as a filter can be accurately realized.
  • the linear electrode constituting the inductor 42L and the spiral electrode constituting the inductor 43L are arranged so as to overlap at least partially in plan view. Accordingly, as shown in FIG. 14, inductive coupling can be generated between the inductor 42L and the inductor 43L.
  • the distance (distance) between the linear electrode constituting the inductor 42L and the spiral electrode constituting the inductor 43L can be shortened, stronger inductive coupling can be easily realized. Can do.
  • the high frequency module 101D can be realized in a small size and a thin shape.
  • a capacitor may be realized by a mounting type multilayer capacitor element. Further, the capacitor may be realized by a plurality of plate electrodes formed so as to face different layers in the multilayer substrate or the cover layer. The capacitor may be realized by an electrode pattern formed on the top surface of the multilayer substrate or the filter mounting substrate.
  • the filter unit 20 is a so-called ladder connection type filter
  • the filter unit may be, for example, a longitudinally coupled resonator filter.
  • a high-frequency module having a desired attenuation characteristic can be realized by adjusting inductive coupling or capacitive coupling between the first matching circuit and the second matching circuit.
  • the matching circuits 41-44 may be a plurality of inductors, a plurality of capacitors, or a composite circuit in which an inductor and a capacitor are combined.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

　高周波モジュール（１１）は、第１外部接続端子（Ｐ１）、第２外部接続端子（Ｐ２）、フィルタ部（２０）、第１整合回路（４１）および第２整合回路（４２）を備える。フィルタ部（２０）は第１外部接続端子（Ｐ１）と第２外部接続端子（Ｐ２）との間に接続されている。第１整合回路（４１）は第１外部接続端子（Ｐ１）とフィルタ部（２０）との間に接続されている。第２整合回路（４２）は第２外部接続端子（Ｐ２）とフィルタ部（２０）との間に接続されている。第１整合回路（４１）と第２整合回路（４２）とは誘導性結合もしくは容量性結合している。

Description

高周波モジュール
　本発明は、複数のフィルタ素子を備えた高周波モジュールに関するものである。
　無線通信機能を備える携帯機器等では、所望周波数の高周波信号のみを通過し、当該所望周波数以外の高周波信号を減衰させるために、フィルタ回路を備えている。
　例えば、特許文献１には、ＳＡＷ（弾性表面波）フィルタを複数備えたフィルタ回路が記載されている。具体的に、特許文献１のフィルタ回路は、入力端子と出力端子との間に、複数のＳＡＷフィルタが直列接続されている。直列接続された各ＳＡＷフィルタを接続する接続ラインとグランドとの間にも、それぞれＳＡＷフィルタが接続されている。
　特許文献１に記載のフィルタ回路は、通過帯域外の減衰特性を改善するために、インダクタもしくはインダクタとキャパシタの直列回路（補正回路と称する）を、ＳＡＷフィルタの直列回路に対して並列接続している。この際、ＳＡＷフィルタ群からなる回路部を伝搬する通過帯域外の高周波信号（抑圧対象信号）と、補正回路を伝搬する抑圧対象信号が、振幅が一致し位相が逆転するように、補正回路を調整する。これにより、抑圧対象信号は、ＳＡＷフィルタ群からなる回路部と補正回路との接続点で相殺され、出力端子からは出力されない。
特開２０１２－１０９８１８号公報
　しかしながら、上述の構成では、主たるフィルタ機能を有するＳＡＷフィルタ群からなる回路部とは別に、減衰特性を改善するためだけに、インダクタもしくはインダクタとキャパシタの直列回路からなる補正回路を設けなければならない。
　したがって、フィルタ回路の構成要素が多くなり、フィルタ回路が大型化してしまい、小型化が要求される現在の携帯端末等には不向きである。
　本発明の目的は、通過帯域外の減衰特性が優れた小型のフィルタ回路を備える高周波モジュールを提供することにある。
　この発明は、第１外部接続端子と、第２外部接続端子と、第１外部接続端子と第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、第１外部接続端子とフィルタ部との間に接続された第１整合回路と、第２外部接続端子とフィルタ部との間に接続された第２整合回路と、を備えた高周波モジュールに関するものであり、第１整合回路と第２整合回路とが誘導性結合もしくは容量性結合されている。
　この構成では、高周波信号がフィルタ部を伝搬する主伝搬経路とは別に、第１整合回路と第２整合回路とによって生じる誘導性結合または容量性結合の経路を介する副伝搬経路が形成される。副伝搬経路は、誘導性結合または容量性結合の結合度によって主伝搬経路とは異なる振幅特性および位相特性となり、副伝搬経路の振幅特性および位相特性を調整することで、高周波モジュールとしての伝送特性を調整することができる。これにより、別途インダクタやキャパシタを設けなくても、高周波モジュールの伝送特性を調整し、例えば減衰特性を改善できる。
　また、この発明の高周波モジュールでは、フィルタ部は、第１外部接続端子に接続する第１シリーズ接続端子と、第２外部接続端子に接続する第２シリーズ接続端子と、第１シリーズ接続端子と第２シリーズ接続端子との間に直列接続された複数のシリーズ接続型のフィルタ素子と、を備えることが好ましい。
　この構成では、複数のフィルタ素子の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部の所望の帯域通過特性および通過帯域外の減衰特性を実現できる。
　また、この発明の高周波モジュールでは、第１整合回路と第２整合回路とは、フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスが変化するように誘導性結合もしくは容量性結合されていることが好ましい。
　この構成に示すように、結合態様や結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、通過帯以外の特性すなわち減衰特性を変化させることができる。
　また、この発明の高周波モジュールでは、第１整合回路と第２整合回路とは、フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数が変化するように誘導性結合もしくは容量性結合されていることが好ましい。
　この構成では、減衰特性の調整態様として、減衰極周波数が調整される。
　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１整合回路は、第１外部接続端子とフィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、第１外部接続端子とフィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路である。第２整合回路は、第２外部接続端子とフィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、第２外部接続端子とフィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路である。
　この構成では、整合回路の具体的な接続態様を示している。これらの接続態様を適宜決定することで、フィルタ部と外部とのインピーダンス整合を適切に行いながら、上述の減衰特性の調整も適切に行える。
　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。フィルタ部は、第３端子と、第２のフィルタ部とを備える。第２のフィルタ部は、第１シリーズ接続端子および該第１シリーズ接続端子に接続するフィルタ素子を接続する接続ラインと、第３端子との間に接続されている。
　この構成では、第１シリーズ接続端子を共通端子とし、第２シリーズ接続端子及び第３端子を個別端子とする合成分波器（デュプレクサ等）を実現できる。
　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、該フィルタ基板の第１主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、第１主面から突出し、カバー層を貫通する形状の接続電極と、第１整合回路および第２整合回路が実装または形成された積層基板と、を備える。フィルタ基板は、第１主面側が積層基板の実装面に向くように配置されている。フィルタ基板は、接続電極を介して積層基板に接続されている。
　この構成では、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）からなるフィルタ部と積層基板とで高周波モジュールを実現できる。これにより、高周波モジュールを小型化できる。
　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、第１主面から突出する形状の接続電極と、第１整合回路および第２整合回路が実装または形成された積層基板と、フィルタ部を封止するための樹脂層と、を備える。フィルタ基板は、第１主面側が積層基板の実装面に対して間隔を空けて対向するように配置されている。フィルタ基板は、接続電極を介して積層基板に接続されている。樹脂層は、フィルタ基板が配置された積層基板の実装面を覆っている。
　この構成では、ベアチップからなるフィルタ部と積層基板とで高周波モジュールを実現できる。これにより、高周波モジュールを小型化できる。
　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１整合回路と第２整合回路とは、積層基板の実装面に実装される実装型回路素子を含んでいる。第１整合回路と第２整合回路とは近接して配置されている。
　この構成では、第１整合回路および第２整合回路の具体的な構成例を示している。この構成により、第１整合回路と第２整合回路との結合を確実に実現できる。
　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。第１整合回路と第２整合回路とは、直方体形状の筐体と、該筐体内に形成され、平面視して略長方形の外周形からなるスパイラル導体と、を備える。第１整合回路を構成する筐体の長辺は、第２整合回路を構成する筐体の長辺に近接して配置されている。
　この構成では、第１整合回路と第２整合回路との結合を得やすく、所望とする結合量への調整も容易になる。
　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１整合回路と第２整合回路とは積層基板の実装面または内部に形成されている。第１整合回路と第２整合回路とは、積層基板の積層方向から見て、重なっている。
　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１整合回路と第２整合回路とは積層基板の内部に形成されている。第１整合回路と第２整合回路とは、積層基板の実装面に平行な方向から見て、重なっている。
　これらの構成では、第１整合回路および第２整合回路の具体的な構成例を示している。これらの構成により、第１整合回路と第２整合回路との結合を確実に実現できる。
　また、第１整合回路または第２整合回路は、カバー層の内部に形成されてもよい。
　この構成では、第１整合回路または第２整合回路の具体的な構成例を示している。
　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、該フィルタ基板の第１主面側に配置され、該フィルタ基板の第１主面側が実装された平板状のフィルタ実装用基板と、を備える。第１整合回路と第２整合回路とは、フィルタ実装用基板に実装または形成されている。
　この構成では、高周波モジュールをＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）で実現する場合を示している。
　この発明によれば、優れた通過帯域外の減衰特性を備えた小型のフィルタ回路を備える高周波モジュールを実現することができる。
本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第１回路例を示す回路ブロック図である。 本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第２回路例を示す回路ブロック図である。 本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第３回路例を示す回路ブロック図である。 本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第４回路例を示す回路ブロック図である。 図１から図４に示す高周波モジュールの整合回路の具体例を示す回路図である。 第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの通過特性の変化を示すグラフである。 デュプレクサ構成からなる高周波モジュールの等価回路図である。 第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの第２外部接続端子と第３外部接続端子との間のアイソレーションの変化を示すグラフである。 高周波モジュールの第１の構造の主要構造を示す側面概念図である。 高周波モジュールの第１の構造における変形例の主要構造を示す側面概念図である。 高周波モジュールの第２の構造の主要構造を示す平面概念図である。 高周波モジュールの第３の構造の主要構造を示す側面概念図である。 高周波モジュールの第４の構造の主要構造を示す平面概念図である。 高周波モジュールの第５の構造の主要構造を示す側面概念図である。
　本発明の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第１回路例を示す回路ブロック図である。図２は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第２回路例を示す回路ブロック図である。図３は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第３回路例を示す回路ブロック図である。図４は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第４回路例を示す回路ブロック図である。図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）は第１外部接続端子側の第１整合回路の具体例を示す回路図である。図５（Ｅ）、図５（Ｆ）、図５（Ｇ）、図５（Ｈ）は第２外部接続端子側の第２整合回路の具体例を示す回路図である。
　まず、図１から図４にそれぞれ示す高周波モジュール１１，１２，１３，１４に対して共通な回路構成について説明する。
　高周波モジュール１１，１２，１３，１４は、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、フィルタ部２０を備える。フィルタ部２０は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間に接続されている。
　フィルタ部２０は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第１シャント接続端子Ｐ２３１，Ｐ２３２、第２シャント接続端子Ｐ２４を備える。第１シリーズ接続端子Ｐ２１は、後述するシリーズ接続型の第１整合回路もしくはシャント接続型の第１整合回路を介して第１外部接続端子Ｐ１に接続される。第２シリーズ接続端子Ｐ２２は、後述するシリーズ接続型の第２整合回路もしくはシャント接続型の第２整合回路を介して第２外部接続端子Ｐ２に接続される。
　第１シャント接続端子Ｐ２３１は、インダクタ５０を介して、グランドに接続されている。第１シャント接続端子Ｐ２３２は、インダクタ５１を介して、グランドに接続されている。第２シャント接続端子Ｐ２４は、インダクタ６０を介して、グランドに接続されている。
　フィルタ部２０は、複数のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８（以下、複数のＳＡＷ共振子をまとめて説明する場合には単純に複数のＳＡＷ共振子２０１－２０８と称する）を備える。これらＳＡＷ共振子が、本発明の「シリーズ接続型のフィルタ素子」に相当する。また、複数のＳＡＷ共振子２１１，２１２，２１３，２１４を備える。なお、ＳＡＷ共振子２１１，２１２，２１３，２１４を省略し、直列接続された複数のＳＡＷ共振子２０１－２０８だけでフィルタ部２０を構成してもよい。
　複数のＳＡＷ共振子２０１－２０８，２１１，２１２，２１３，２１４は、それぞれに共振周波数を有し、それぞれ個別に帯域通過特性を有する帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）として機能する。複数のＳＡＷ共振子２０１－２０８は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との間に直列接続されている。
　ＳＡＷ共振子２１１は、ＳＡＷ共振子２０２，２０３の接続点と第１シャント接続端子Ｐ２３１との間に接続されている。ＳＡＷ共振子２１４は、ＳＡＷ共振子２０４，２０５の接続点と第１シャント接続端子Ｐ２３２との間に接続されている。
　ＳＡＷ共振子２１２は、ＳＡＷ共振子２０６，２０７の接続点と第２シャント接続端子Ｐ２４との間に接続されている。ＳＡＷ共振子２１３は、ＳＡＷ共振子２０８と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との接続点と、第２シャント接続端子Ｐ２４との間に接続されている。すなわち、第２シャント接続端子Ｐ２４は、ＳＡＷ共振子２１２，２１３に対する共通の端子であり、これらのＳＡＷ共振子２１２，２１３の一方端をまとめてグランドに接続する。
　フィルタ部２０は、このような構成により所謂ラダー接続型フィルタを構成し、ＳＡＷ共振子２０１－２０８，２１１，２１２，２１３，２１４の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２０としての所望の帯域通過特性および通過帯域外の減衰特性を実現している。なお、ＳＡＷ共振子の数や配置は、通過させたい信号の周波数帯域および通過帯域外における所望の減衰特性を得るために適宜変更しても構わない。
　このような高周波モジュール１１，１２，１３，１４の共通回路構成に対して、各高周波モジュールは、具体的に次に示すような回路構成からなる。
　（第１回路例）
　図１に示す高周波モジュール１１は、シリーズ接続型の第１整合回路４１および第２整合回路４２を備える。
　第１整合回路４１は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に接続されている。第１整合回路４１は、具体的には、図５（Ａ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたインダクタ４１Ｌであったり、図５（Ｂ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたキャパシタ４１Ｃである。第１整合回路４１の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
　第２整合回路４２は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に接続されている。第２整合回路４２は、具体的には、図５（Ｅ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたインダクタ４２Ｌであったり、図５（Ｆ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたキャパシタ４２Ｃである。第２整合回路４２の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
　さらに、第１整合回路４１と第２整合回路４２とは誘導性結合または容量性結合している。例えば、第１整合回路４１がインダクタ４１Ｌであり、第２整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、インダクタ４１Ｌを構成する導体とインダクタ４２Ｌを構成する導体とは、誘導性結合または容量性結合している。第１整合回路４１がキャパシタ４１Ｃであり、第２整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、キャパシタ４１Ｃとキャパシタ４２Ｃとは容量性結合している。
　また、例えば、第１整合回路４１がインダクタ４１Ｌであり、第２整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、インダクタ４１Ｌを構成する導体とキャパシタ４２Ｃを構成する導体とは、容量性結合している。同様に、第１整合回路４１がキャパシタ４１Ｃであり、第２整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、キャパシタ４１Ｃを構成する導体とインダクタ４２Ｌを構成する導体とは、容量性結合している。
　このような構成とすることで、第１整合回路４１と第２整合回路４２とは高周波的に接続される。例えば、第１整合回路４１であるインダクタ４１Ｌと、第２整合回路４２であるインダクタ４２Ｌとが誘導性結合した場合（図１参照）、インダクタ４１Ｌとインダクタ４２Ｌとの間に相互インダクタンスを有する誘導性結合回路が構成される。これにより、高周波信号は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間で、フィルタ部２０を伝搬経路とする主伝搬経路のみで伝搬されず、高周波信号の一部がインダクタ４１Ｌ（第１整合回路４１）、誘導性結合回路およびインダクタ４２Ｌ（第２整合回路４２）を伝搬経路とする副伝搬経路にも伝搬される。
　これにより、高周波モジュール１１としては、主伝搬経路の伝送特性と副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。
　ここで、結合する整合回路とインダクタとの結合態様および結合度を調整することで、副伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅および位相を調整することができる。言い換えれば、副伝搬経路の伝送特性を調整することができる。伝送特性とは、例えば減衰特性（振幅特性）や位相特性である。
　さらに、この結合態様および結合度を調整することで、高周波モジュール１１として通過させたい高周波信号（所望の高周波信号）の周波数帯域の伝送特性に殆ど影響を与えることなく、通過帯域外の減衰特性にのみ副伝搬経路を設置したことによる影響を与えることができる。
　そして、このように副伝搬経路の伝送特性を調整することで、高周波モジュール１１としての伝送特性を調整できる。例えば、後述するように、通過帯域外の減衰特性を調整することができる。
　この際、従来構成のような高周波フィルタの伝送特性を調整するためのインダクタやキャパシタを別途必要としないので、所望の減衰特性を有する高周波フィルタを簡素な構成で実現できる。これにより、高周波フィルタを小型に形成することができる。
　また、上述の結合による相互誘導分によって、インダクタ４１Ｌ（第１整合回路４１）およびインダクタ４２Ｌ（第２整合回路４２）の実効的なインダクタンス値を大きくさせることができる。これにより、インダクタ４１Ｌおよびインダクタ４２Ｌの線路長をより短くすることも可能である。
　（第２回路例）
　図２に示す高周波モジュール１２は、シャント接続型の第１整合回路４３および第２整合回路４４を備える。
　第１整合回路４３は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されている。第１整合回路４３は、具体的には、図５（Ｃ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたインダクタ４３Ｌであったり、図５（Ｄ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたキャパシタ４３Ｃである。第１整合回路４３の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
　第２整合回路４４は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されている。第２整合回路４４は、具体的には、図５（Ｇ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたインダクタ４４Ｌであったり、図５（Ｈ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたキャパシタ４４Ｃである。第２整合回路４４の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
　さらに、第１整合回路４３と第２整合回路４４とは誘導性結合または容量性結合している。例えば、第１整合回路４３がインダクタ４３Ｌであり、第２整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、インダクタ４３Ｌを構成する導体とインダクタ４４Ｌを構成する導体とは、誘導性結合または容量性結合している。第１整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであり、第２整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、キャパシタ４３Ｃとキャパシタ４４Ｃとは容量性結合している。
　また、例えば、第１整合回路４３がインダクタ４３Ｌであり、第２整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、インダクタ４３Ｌを構成する導体とキャパシタ４４Ｃを構成する導体とは、容量性結合している。同様に、第１整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであり、第２整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、キャパシタ４３Ｃを構成する導体とインダクタ４４Ｌを構成する導体とは、容量性結合している。
　このような構成とすることで、第１整合回路４３と第２整合回路４４とは高周波的に接続される。例えば、第１整合回路４３であるキャパシタ４３Ｃと、第２整合回路４４であるキャパシタ４４Ｃとが誘導性結合した場合（図２参照）、キャパシタ４３Ｃとキャパシタ４４Ｃとの間に結合容量を有する容量性結合回路が構成される。これにより、高周波信号は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間で、フィルタ部２０を伝搬経路とする主伝搬経路のみで伝搬されず、高周波信号の一部がキャパシタ４３Ｃ（第１整合回路４３）、容量性結合回路およびキャパシタ４４Ｃ（第２整合回路４４）を伝搬経路とする副伝搬経路にも伝搬される。
　これにより、高周波モジュール１２としては、主伝搬経路の伝送特性と副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。
　このような構成の高周波モジュール１２であっても、上述の高周波モジュール１１と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
　（第３回路例）
　図３に示す高周波モジュール１３は、シリーズ接続型の第１整合回路４１およびシャント接続型の第２整合回路４４を備える。
　第１整合回路４１は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に接続されている。第１整合回路４１は、具体的には、図５（Ａ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたインダクタ４１Ｌであったり、図５（Ｂ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたキャパシタ４１Ｃである。第１整合回路４１の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
　第２整合回路４４は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されている。第２整合回路４４は、具体的には、図５（Ｇ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたインダクタ４４Ｌであったり、図５（Ｈ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたキャパシタ４４Ｃである。第２整合回路４４の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
　さらに、第１整合回路４１と第２整合回路４４とは誘導性結合または容量性結合している。例えば、第１整合回路４１がインダクタ４１Ｌであり、第２整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、インダクタ４１Ｌを構成する導体とインダクタ４４Ｌを構成する導体とは、誘導性結合または容量性結合している。第１整合回路４１がキャパシタ４１Ｃであり、第２整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、キャパシタ４１Ｃとキャパシタ４４Ｃとは容量性結合している。
　また、例えば、第１整合回路４１がインダクタ４１Ｌであり、第２整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、インダクタ４１Ｌを構成する導体とキャパシタ４４Ｃを構成する導体とは、容量性結合している。同様に、第１整合回路４１がキャパシタ４１Ｃであり、第２整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、キャパシタ４１Ｃを構成する導体とインダクタ４４Ｌを構成する導体とは、容量性結合している。
　これにより、高周波モジュール１３としては、フィルタ部２０を介する主伝搬経路の伝送特性と、結合部を介する副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。このような構成の高周波モジュール１３であっても、上述の高周波モジュール１１，１２と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
　（第４回路例）
　図４に示す高周波モジュール１４は、シャント接続型の第１整合回路４３およびシリーズ接続型の第２整合回路４２を備える。
　第１整合回路４３は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されている。第１整合回路４３は、具体的には、図５（Ｃ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１と接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたインダクタ４３Ｌであったり、図５（Ｄ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたキャパシタ４３Ｃである。第１整合回路４３の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
　第２整合回路４２は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に接続されている。第２整合回路４２は、具体的には、図５（Ｅ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたインダクタ４２Ｌであったり、図５（Ｆ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたキャパシタ４２Ｃである。第２整合回路４２の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
　さらに、第１整合回路４３と第２整合回路４２とは誘導性結合または容量性結合している。例えば、第１整合回路４３がインダクタ４３Ｌであり、第２整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、インダクタ４３Ｌを構成する導体とインダクタ４２Ｌを構成する導体とは、誘導性結合または容量性結合している。第１整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであり、第２整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、キャパシタ４３Ｃとキャパシタ４２Ｃとは容量性結合している。
　また、例えば、第１整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであり、第２整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、キャパシタ４３Ｃを構成する導体とインダクタ４２Ｌを構成する導体とは、容量性結合している。同様に、第１整合回路４３がインダクタ４３Ｌであり、第２整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、インダクタ４３Ｌを構成する導体とキャパシタ４２Ｃを構成する導体とは、容量性結合している。
　これにより、高周波モジュール１４としては、フィルタ部２０を介する主伝搬経路の伝送特性と、結合部を介する副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。このような構成の高周波モジュール１４であっても、上述の高周波モジュール１１，１２，１３と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
　図６は、第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの通過特性の変化を示すグラフである。図６の横軸は周波数を示し、図６の縦軸は第１外部接続端子Ｐ１から第２外部接続端子Ｐ２へ伝搬する信号の減衰量を示す。図６に示す点線の特性は、第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合が弱い場合を示す。図６に示す実線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。図６に示す破線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。なお、本実施形態における高周波モジュールは、８００ＭＨｚ帯を通過帯域とする帯域通過フィルタである。
　図６に示すように、誘導性結合が強くなるほど、通過帯域の高周波数側に現れる減衰極の周波数は高くなる。なお、図６における減衰極の周波数とは、周波数軸のほぼ中央にあるピーク周波数のことである。
　また、誘導性結合を適宜設定することで、通過帯域の高周波数側の減衰特性を変化させることができる。例えば、誘導性結合が弱くなるほど、通過帯域付近での減衰量が小さいが、減衰極の周波数での減衰量を大きく取ることができる。また、誘導性結合が強くなるほど、通過帯域付近での減衰量を、より大きく取ることができる。
　そして、図６に示すように、誘導性結合の強さに影響されることなく、通過帯域の周波数位置、周波数幅および挿入損失は殆ど変化しない。
　したがって、本実施形態の構成を用いて、誘導性結合の結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、高周波数側の減衰特性を所望の特性に調整することができる。言いかえれば、所望の通過帯域特性と減衰特性を有する高周波モジュールを実現することができる。
　なお、図示していないが、第１整合回路と第２整合回路とを容量性結合させた場合、容量性結合が強くなるほど、通過帯域の高周波数側に現れる減衰極の周波数は低くなる。そして、容量性結合の強さに影響されることなく、通過帯域の周波数位置、周波数幅および挿入損失は殆ど変化しない。したがって、本実施形態の構成を用いて、容量性結合の結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、高周波数側の減衰特性を所望の特性に調整することができる。
　このような構成からなる高周波モジュールは、具体的な適用例として、図７に示すデュプレクサ構成に利用することができる。図７は、デュプレクサ構成からなる高周波モジュールの等価回路図である。
　高周波モジュール１０１は、フィルタ部２１、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、および、フィルタ部２１の第３端子Ｐ３１，Ｐ３２を兼用する第３外部接続端子を備える。具体的な適用例として、第１外部接続端子Ｐ１は、アンテナに接続される。第２外部接続端子Ｐ２は送信回路に接続される。第３外部接続端子（第３端子Ｐ３１，Ｐ３２）は受信回路に接続される。
　フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第１シャント接続端子Ｐ２３、第２シャント接続端子Ｐ２４および第３端子Ｐ３１，Ｐ３２、を備える。
　第１シリーズ接続端子Ｐ２１’は、接続ライン４０１を介して第１外部接続端子Ｐ１に接続されている。接続ライン４０１とグランドとの間には、上述の第１整合回路に対応するインダクタ４３Ｌが接続されている。第２シリーズ接続端子Ｐ２２は、上述の第２整合回路に対応するインダクタ４２Ｌを介して第２外部接続端子Ｐ２に接続されている。
　第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との間には、複数のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６が直列接続されている。
　ＳＡＷ共振子２０２とＳＡＷ共振子２０３との接続点はＳＡＷ共振子２１１を介して第１シャント接続端子Ｐ２３に接続されている。第１シャント接続端子Ｐ２３は、インダクタ５０を介してグランドに接続されている。
　ＳＡＷ共振子２０４とＳＡＷ共振子２０５との接続点はＳＡＷ共振子２１２を介して第２シャント接続端子Ｐ２４に接続されている。ＳＡＷ共振子２０６と第２シリーズ接続端子Ｐ２２の接続点はＳＡＷ共振子２１３を介して第２シャント接続端子Ｐ２４に接続されている。第２シャント接続端子Ｐ２４は、インダクタ６０を介してグランドに接続されている。
　この構成により、フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との間に対して、これらＳＡＷ共振子２０１－２０８，２１１，２１２，２１３の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２１の第１、第２シリーズ接続端子間としての所望の第１帯域通過特性および第１通過帯域外の第１減衰特性を実現している。
　第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第３端子Ｐ３１，Ｐ３２との間には、ＳＡＷ共振子２２１と縦結合型ＳＡＷ共振子２３１，２３２が直列接続されている。ＳＡＷ共振子２２１および縦結合型ＳＡＷ共振子２３１，２３２は第２のフィルタ部２２を構成する。この構成により、フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第３端子Ｐ３１，Ｐ３２との間に対して、これらＳＡＷ共振子２２１，２３１，２３２の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２１の第１シリーズ接続端子、第３端子間としての所望の第２帯域通過特性および第２通過帯域外の第２減衰特性を実現している。第２通過帯域は、第１通過帯域とは異なる周波数帯域であり、第２通過帯域は、第１通過帯域外の減衰帯域範囲内となるように設定されている。
　これにより、フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’を共通端子とし、第２シリーズ接続端子Ｐ２２および第３端子Ｐ３１，Ｐ３２をそれぞれ個別端子とするデュプレクサとして機能する。
　さらに、高周波モジュール１０１では、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとを誘導性結合させる。そして、この結合度を調整することで、第１減衰特性を調整することができる。
　ここで、本実施形態の構成を用いれば、第２通過帯域に重ねるように、第１減衰特性における減衰量を大きく取る周波数帯域の帯域幅および減衰量を調整することができる。これは、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの結合度を調整すれば可能である。
　図８は、第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの第２外部接続端子と第３外部接続端子との間のアイソレーションの変化を示すグラフである。図８の横軸は周波数を示し、図８の縦軸はアイソレーション量を示す。図８ではアイソレーション量が低いほど、第２シリーズ接続端子、第３端子間で強くアイソレーションされていることを示している。図８に示す点線の特性は、誘導性結合が弱い場合を示す。図８に示す実線の特性は、点線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。図８に示す破線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。
　図８に示すように、誘導性結合が強くなるほど、受信回路Ｒｘ（第３端子側）の通過帯域付近に現れる減衰極の周波数は高くなる。このため、誘導性結合を調整することにより、受信回路Ｒｘの通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性を調整することができる。また、図８に示すように、誘導性結合を調整しても、送信回路Ｔｘ（第２端子側）の通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性は殆ど変化しない。
　このように、高周波モジュール１０１の構成を用いることで、第２シリーズ接続端子、第３端子間のアイソレーション特性を適切に調整することができる。すなわち、送信回路と受信回路との間のアイソレーション特性を最適化することができる。
　なお、図示していないが、第１整合回路および第２整合回路として、インダクタ４２Ｌ，４３Ｌの代わりにキャパシタ４２Ｃ，４３Ｃを用いて、第１整合回路と第２整合回路とを容量性結合させた場合、容量性結合が強くなるほど、受信回路Ｒｘの通過帯域付近に現れる減衰極の周波数は低くなる。このため、容量性結合を調整することにより、受信回路Ｒｘ（第３端子側）の通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性を調整することができる。また、容量性結合を調整しても、送信回路Ｔｘの通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性は殆ど変化しない。このように、容量性結合を適宜調整することによっても、第２シリーズ接続端子、第３端子間のアイソレーション特性を適切に調整することができる。
　（第１の構造）
　図９は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュール１０１は、積層基板１００、フィルタ基板２００、カバー層２９０、側面カバー層２９１を備える。
　積層基板１００は、複数の誘電体層を積層してなる。積層基板１００の天面（実装面）１００Ｓおよび内層には、所定パターンの電極が形成されており、高周波モジュール１０１のフィルタ部２１を除く配線パターンやインダクタ４２Ｌ，４３Ｌが形成されている。積層基板１００の底面１００Ｒには、外部接続用電極が形成されており、これら外部接続用電極により、上述の第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、第３外部接続端子が実現される。
　フィルタ部２１は、フィルタ基板２００、カバー層２９０、側面カバー層２９１、接続電極２９３、および実装用電極２９４によって形成されている。
　フィルタ基板２００は、平板状の圧電基板からなる。フィルタ基板２００の第１主面には、フィルタ電極や配線パターンが形成されている。フィルタ電極は、例えば、所謂ＩＤＴ電極からなる。このように、圧電基板の主面にＩＤＴ電極を形成することで、上述の各ＳＡＷ共振子を実現することができる。フィルタ基板２００の第１主面側には、平板状のカバー層２９０が配置されている。カバー層２９０は、平板状の絶縁性材料からなり、平面視してフィルタ基板２００と同じ形状からなる。また、カバー層２９０は、平面視して、フィルタ基板２００と重なるように配置されており、フィルタ基板２００の第１主面から所定距離の間隔を空けて配置されている。
　フィルタ基板２００の第１主面とカバー層２９０との間には、側面カバー層２９１が配置されている。側面カバー層２９１も絶縁性材料からなり、平面視して、フィルタ基板２００およびカバー層２９０の全周に亘って、外周端から内側へ所定幅の範囲にのみ形成されている。すなわち、側面カバー層２９１は、中央に開口を有する枠状の構造である。
　このように、カバー層２９０と側面カバー層２９１が配置されることで、フィルタ基板２００の第１主面のフィルタ電極が形成される領域は、フィルタ基板２００、カバー層２９０、および側面カバー層２９１によって密閉空間２９２内に配置される。これにより、ＳＡＷ共振子の共振特性を向上させることができ、フィルタとしての所望の特性を精確に実現することができる。
　接続電極２９３は、フィルタ基板２００の第１主面に一方端が接し、他方端がカバー層２９０におけるフィルタ基板２００側と反対側の面に露出する形状からなる。この際、接続電極２９３は、側面カバー層２９１およびカバー層２９０を貫通するように形成されている。接続電極２９３の一方端は、フィルタ基板２００の第１主面に形成された配線パターンに接続されている。
　実装用電極２９４は、接続電極２９３の他方端に接続し、カバー層２９０におけるフィルタ基板２００側と反対側の面から突出する形状で形成されている。この接続電極２９３と実装用電極２９４の組を複数設けることにより、上述のフィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第３端子Ｐ３１，Ｐ３２、第１シャント接続端子Ｐ２３および第２シャント接続端子Ｐ２４が実現される。なお、接続電極２９３の他方端に半田やＡｕ等を用いたバンプを形成し、そのバンプを介して実装用電極２９４と接続してもよい。
　以上のような構成とすることで、フィルタ部２１は、所謂ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）の構造となり、フィルタ部２１を小型に形成することができる。
　そして、このＷＬＰ構造のフィルタ部２１は、積層基板１００の天面１００Ｓに実装されている。これにより、フィルタ部２１は、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、第３外部接続端子に接続される。
　インダクタ４３Ｌは、積層基板１００の内部に形成されたスパイラル電極からなる。スパイラル電極は、積層基板１００を構成する複数の誘電体層に形成された一部が分断された管状の線状電極と層間接続電極によって実現される。各誘電体層の線状電極は、層間接続電極によって積層方向に接続され、一本の線状電極になるように接続されている。この構成により、中心軸が積層方向に沿ったスパイラル電極を実現することができる。インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極の一方端は、ビア導体４３１Ｖを介して、フィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。ランド電極は、積層基板１００の天面１００Ｓに形成されている。インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極の他方端は、ビア導体４３２Ｖを介して、積層基板１００内の底面１００Ｒ近傍に形成された内部グランドパターンに接続されている。また、インダクタ４２Ｌは積層基板１００の天面１００Ｓに形成された線状電極からなる。
　さらに、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極は、平面視して、インダクタ４２Ｌを構成する線状電極と少なくとも一部が重なり合うようにして形成されている。
　この構成により、積層基板１００の天面１００Ｓに形成された線状の電極パターンからなるインダクタ４２Ｌと、積層基板１００内のスパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌとの間で、図９の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。このような構成とすることで、減衰特性調整用の素子を別途設けることなく、所望の減衰特性を有する高周波モジュール１０１を実現することができる。
　この際、インダクタ４２Ｌを構成する電極パターンと、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極との距離、および、当該電極パターンとスパイラル電極の重なる面積を変化させることで、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの結合度を調整できる。これにより、高周波モジュール１０１の減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。
　なお、図１０に示すように、インダクタ４２Ｌは、積層基板１００内ではなく、カバー層２９０に形成されていてもよい。インダクタ４２Ｌは、インダクタ４３Ｌと同様にスパイラル電極から構成されている。そして、インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極とインダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極とは近接して配置されている。これにより、上述と同様に、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの間で、図１０の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。
　（第２の構造）
　図１１は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図１１に示す高周波モジュール１０１Ａでは、インダクタ４２Ｌが、積層基板１００の天面１００Ｓに形成されず、積層基板１００内に形成された電極パターンによって実現される。高周波モジュール１０１Ａのその他の構成は、図９に示した高周波モジュール１０１と同様であり、説明は省略する。
　インダクタ４２Ｌは、インダクタ４３Ｌと同様に、積層基板１００の内部に形成され、中心軸が積層方向に沿ったスパイラル電極からなる。インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極の一方端は、ビア導体４２１Ｖを介して、フィルタ部２１の第２シリーズ接続端子Ｐ２２となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極の他方端は、ビア導体を介して、第２外部接続端子Ｐ２となる外部接続用電極に接続されている。
　さらに、インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極は、積層基板１００の天面１００Ｓに平行な方向から見て、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極と少なくとも一部が重なり合うようにして形成されている。
　この構成により、積層基板１００内のスパイラル電極からなる、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの間で、図１１の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。この際、インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極と、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極との距離を変化させることで、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの結合度を調整できる。これにより、高周波モジュール１０１の減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。
　また、本実施形態では、インダクタ４２Ｌ，４３Ｌを積層基板１００の内部に形成しているため、インダクタ４２Ｌ，４３Ｌを形成するための領域を積層基板１００の天面１００Ｓに設けなくてもよい。これにより、積層基板１００を平面視した面積を小さくでき、高周波モジュール１０１Ａの平面面積を小さくすることができる。
　（第３の構造）
　図１２は、高周波モジュールの主要構造を示す平面概念図である。高周波モジュール１０１Ｂは、フィルタ部２１、積層基板１００および実装型回路素子４２０，４３０を備える。
　積層基板１００は、複数の誘電体層を積層してなる。積層基板１００の天面（実装面）１００Ｓおよび内層には、所定パターンの電極が形成されている。積層基板１００の天面１００Ｓには、フィルタ部２１および実装型回路素子４２０，４３０が実装されている。フィルタ部２１は、図９に示したＷＬＰ構造を有する。
　インダクタ４２Ｌは実装型回路素子４２０によって実現され、インダクタ４３Ｌは実装型回路素子４３０によって実現される。具体的には、実装型回路素子４２０，４３０は、絶縁性材料からなる直方体形状の筐体を備え、当該筐体の内部に、インダクタ４２Ｌ，４３Ｌとなるスパイラル電極が形成されている。スパイラル電極は、筐体の外周に沿って伸長し一部が分断された管状の線状電極と層間接続電極によって実現される。各層の線状電極は、層間接続電極によって一本の線状電極になるように接続されている。スパイラル電極の両端は、筐体の対向する両端面に形成された外部接続電極に接続されている。このような構成からなる実装型回路素子４２０，４３０は、スパイラル電極の中心軸が積層基板１００の天面１００Ｓに直交するように、積層基板１００の天面１００Ｓに実装されている。
　フィルタ部２１の第２シリーズ接続端子Ｐ２２および第２外部接続端子Ｐ２は実装型回路素子４２０の実装用ランドに接続されている。また、フィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第１外部接続端子Ｐ１との接続ラインが積層基板１００の天面１００Ｓおよび内部に形成され、グランド電極が積層基板１００の内部に形成されている。そして、この接続ラインおよびグランド電極は実装型回路素子４３０の実装用ランドに接続されている。
　そして、実装型回路素子４２０の長手側面と実装型回路素子４３０の長手側面とが近接して対向するように、実装型回路素子４２０，４３０を配置している。これにより、実装型回路素子４２０のスパイラル電極からなるインダクタ４２Ｌと、実装型回路素子４３０のスパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌとの間で、図１２の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。この際、実装型回路素子４２０と実装型回路素子４３０との間の距離、実装型回路素子４２０，４３０の向き等を調整することにより、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの結合度を調整できる。これにより、高周波モジュール１０１Ｂの減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。
　なお、図１２では、実装型回路素子４２０の長手側面と実装型回路素子４３０の長手側面とが対向するように配置した例を示した。しかしながら、実装型回路素子４２０の短手側面（外部接続電極が形成される端面）と実装型回路素子４３０の長手側面とが対向するように配置してもよい。ただし、実装型回路素子４２０の長手側面と実装型回路素子４３０の長手側面とが対向するように配置することで、より強い誘導性結合を、より簡単に実現することができる。
　また、図１２では、スパイラル電極の中心軸が積層基板１００の天面１００Ｓに直交するように、実装型回路素子４２０，４３０を実装する例を示したが、スパイラル電極の中心軸が積層基板１００の天面１００Ｓに平行になるように、実装型回路素子４２０，４３０を実装してもよい。
　（第４の構造）
　図１３は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図１３に示す高周波モジュール１０１Ｃでは、フィルタ部２１が、図９に示したＷＬＰ構造で実現されず、所謂ベアチップにより実現される。高周波モジュール１０１Ｃのその他の構成は、図９に示した高周波モジュール１０１と同様であり、説明は省略する。
　フィルタ部２１を構成するフィルタ基板２００は、平板状の圧電基板からなる。フィルタ基板２００の第１主面には、フィルタ電極や配線パターンが形成されている。フィルタ電極は、例えば、所謂ＩＤＴ電極からなる。フィルタ基板２００は、第１主面側が積層基板１００の天面１００Ｓに対して所定の間隔を空けて対向するように、第１主面側から突出する形状の接続電極２９３により実装されている。接続電極２９３の一方端は、フィルタ基板２００の第１主面に形成された配線パターンに接続されている。接続電極２９３の他方端は、積層基板１００の天面１００Ｓに形成された配線パターンに接続されている。フィルタ基板２００が配置された積層基板１００の天面１００Ｓには、フィルタ部２００を封止するための樹脂層２８３が塗布されている。ただし、ＩＤＴ電極には樹脂層２８３は塗布されておらず、ＩＤＴ電極の部分は中空構造となっている。
　この構成により、上述の各ＳＡＷ共振子を実現することができる。また、接続電極２９３を複数設けることにより、上述のフィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第３端子Ｐ３１，Ｐ３２、第１シャント接続端子Ｐ２３および第２シャント接続端子Ｐ２４が実現される。
　この構成においても、積層基板１００の天面１００Ｓに形成された線状の電極パターンからなるインダクタ４２Ｌと、積層基板１００内のスパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌとの間で、図１３の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。これにより、上述の第１の構造と同様に、所望の減衰特性を有する高周波モジュール１０１Ｃを実現することができる。
　なお、高周波モジュール１０１Ｃでは、積層基板１００の天面１００Ｓまたは内部に形成された電極によりインダクタ４２Ｌ，４３Ｌを実現しているが、実装型回路素子によりインダクタ４２Ｌ，４３Ｌを実現してもよい。
　（第５の構造）
　図１４は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図１４に示す高周波モジュール１０１Ｄは、所謂ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造で実現されている。
　高周波モジュール１０１Ｄは、フィルタ基板２００を備える。フィルタ基板２００の第１主面には、上述のようにフィルタ部２１を実現するフィルタ電極や配線パターンが形成されている。
　高周波モジュール１０１Ｄは、さらにフィルタ実装用基板２８０を備える。フィルタ実装用基板２８０は、例えばアルミナ基板からなり、平面視した面積がフィルタ基板２００よりも所定量大きい。フィルタ実装用基板２８０には、所定パターンの電極が形成されている。
　フィルタ基板２００は、第１主面がフィルタ実装用基板２８０側になるように、バンプ導体２８１によってフィルタ実装用基板２８０の天面（実装面）２８０Ｓに実装されている。また、フィルタ実装用基板２８０の天面２８０Ｓには、インダクタ４３Ｌを構成する実装型回路素子４３０が実装されている。フィルタ実装用基板２８０の底面２８０Ｒには、インダクタ４２Ｌを構成する線状電極および外部接続用バンプ導体２８２が形成されている。
　フィルタ実装用基板２８０の天面２８０Ｓには、樹脂層２８３が塗布されている。ただし、ＩＤＴ電極には樹脂層２８３は塗布されておらず、ＩＤＴ電極の部分は中空構造となっている。これにより、フィルタ電極および配線パターンが外部環境に曝されることを防止でき、ＳＡＷ共振子の共振特性を向上させることができ、フィルタとしての所望の特性を精確に実現することができる。
　そして、インダクタ４２Ｌを構成する線状電極とインダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極とが、平面視して少なくとも一部が重なるように配置する。これより、図１４に示すように、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの間に誘導性結合を生じさせることができる。特に、本実施形態の構成では、インダクタ４２Ｌを構成する線状電極とインダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極との間隔（距離）を短くすることができるので、より強い誘導性結合を容易に実現することができる。
　また、高周波モジュール１０１Ｄ全体がＣＳＰ構造であるので、高周波モジュール１０１Ｄを小型且つ薄型で実現することができる。
　なお、上述の各実現構造では、整合回路としてインダクタを用いる例を示したが、整合回路がキャパシタの場合についても、同様の構造で実現することができる。例えば、実装型の積層コンデンサ素子によってキャパシタを実現してもよい。また、積層基板やカバー層内の異なる層に互いに対向するように形成した複数の平板電極によって、キャパシタを実現してもよい。また、積層基板やフィルタ実装用基板の天面に形成した電極パターンによってキャパシタを実現してもよい。
　また、上述のフィルタ部２０は、所謂ラダー接続型フィルタであったが、フィルタ部は、例えば、縦結合共振器フィルタであってもよい。この場合でも、上述の第１整合回路と第２整合回路の間の誘導性結合また容量性結合を調整することにより、所望の減衰特性を有する高周波モジュールを実現することができる。
　また、整合回路４１－４４は、インダクタを複数、キャパシタを複数、あるいは、インダクタとキャパシタとを組み合わせた複合回路としても構わない。
１１，１２，１３，１４，１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ：高周波モジュール、
２０，２１：フィルタ部、
２２：第２のフィルタ部
２０１－２０８，２１１－２１４，２２１：ＳＡＷ共振子、
２３１，２３２：縦結合型ＳＡＷ共振子、
４１，４３：第１整合回路、
４２，４４：第２整合回路、
４１Ｌ，４２Ｌ，４３Ｌ，４４Ｌ：インダクタ、
４１Ｃ，４２Ｃ，４３Ｃ，４４Ｃ：キャパシタ、
４０１，４０２：接続ライン、
５０，５１，６０：インダクタ、
Ｐ１：第１外部接続端子、
Ｐ２：第２外部接続端子、
Ｐ２１，Ｐ２１’：第１シリーズ接続端子、
Ｐ２２：第２シリーズ接続端子、
Ｐ３１，Ｐ３２：第３端子、
Ｐ２３，Ｐ２３１，Ｐ２３２：第１シャント接続端子、
Ｐ２４：第２シャント接続端子、
１００：積層基板、
１００Ｓ，２８０Ｓ：天面、
１００Ｒ，２８０Ｒ：底面、
２００：フィルタ基板、
２８０：フィルタ実装用基板、
２８１：バンプ導体、
２８２：外部接続用バンプ導体、
２８３：樹脂層、
２９０：カバー層、
２９１：側面カバー層、
２９２：密閉空間
２９３：接続電極、
２９４：実装用電極、
４２０，４３０：実装型回路素子、
４２１Ｖ，４３１Ｖ，４３２Ｖ：ビア導体

Claims (14)

  1. 　第１外部接続端子と、
    　第２外部接続端子と、
    　前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
    　前記第１外部接続端子と前記フィルタ部との間に接続された第１整合回路と、
    　前記第２外部接続端子と前記フィルタ部との間に接続された第２整合回路と、
    　を備えた高周波モジュールであって、
    　前記第１整合回路と前記第２整合回路とが誘導性結合もしくは容量性結合されている、高周波モジュール。
  2. 　前記フィルタ部は、
    　前記第１外部接続端子に接続する第１シリーズ接続端子と、
    　前記第２外部接続端子に接続する第２シリーズ接続端子と、
    　前記第１シリーズ接続端子と前記第２シリーズ接続端子との間に直列接続された複数のシリーズ接続型のフィルタ素子と、
    　を備える、請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスが変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項１または請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数が変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第１整合回路は、前記第１外部接続端子と前記フィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、前記第１外部接続端子と前記フィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路であり、
    　前記第２整合回路は、前記第２外部接続端子と前記フィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、前記第２外部接続端子と前記フィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路である、
    　請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波モジュール。
  6. 　前記フィルタ部は、第３端子と、第２のフィルタ部とを備え、
    　前記第２のフィルタ部は、前記第１シリーズ接続端子および該第１シリーズ接続端子に接続するフィルタ素子を接続する接続ラインと、前記第３端子との間に接続されている、
    　請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の高周波モジュール。
  7. 　前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
    　該フィルタ基板の前記第１主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、
    　前記第１主面から突出し、前記カバー層を貫通する形状の接続電極と、
    　前記第１整合回路および前記第２整合回路が実装または形成された積層基板と、を備え、
    　前記フィルタ基板は、前記第１主面側が前記積層基板の実装面に向くように配置され、
    　前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続されている、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波モジュール。
  8. 　前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
    　前記第１主面から突出する形状の接続電極と、
    　前記第１整合回路および前記第２整合回路が実装または形成された積層基板と、
    　前記フィルタ部を封止するための樹脂層と、を備え、
    　前記フィルタ基板は、前記第１主面側が前記積層基板の実装面に対して間隔を空けて対向するように配置され、
    　前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続され、
    　前記樹脂層は、前記フィルタ基板が配置された前記積層基板の実装面を覆う、
    　請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記積層基板の実装面に実装される実装型回路素子を含んでおり、
    　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは近接して配置されている、
    　請求項７または請求項８に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、
    　直方体形状の筐体と、
    　該筐体内に形成され、平面視して略長方形の外周形からなるスパイラル導体と、
    　を備え、
    　前記第１整合回路を構成する筐体の長辺は、前記第２整合回路を構成する筐体の長辺に近接して配置されている、
    　請求項９に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは前記積層基板の実装面または内部に形成され、
    　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記積層基板の積層方向から見て、重なっている、請求項７または請求項８に記載の高周波モジュール。
  12. 　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは前記積層基板の内部に形成され、
    　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記積層基板の実装面に平行な方向から見て、重なっている、請求項７または請求項８に記載の高周波モジュール。
  13. 　前記第１整合回路または前記第２整合回路は、前記カバー層の内部に形成されている、請求項７に記載の高周波モジュール。
  14. 　前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
    　該フィルタ基板の前記第１主面側に配置され、該フィルタ基板の前記第１主面側が実装された平板状のフィルタ実装用基板と、を備え、
    　前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記フィルタ実装用基板に実装または形成されている、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波モジュール。
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