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WO2014084699A1 - 유기전자소자용 기판 - Google Patents

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WO2014084699A1
WO2014084699A1 PCT/KR2013/011098 KR2013011098W WO2014084699A1 WO 2014084699 A1 WO2014084699 A1 WO 2014084699A1 KR 2013011098 W KR2013011098 W KR 2013011098W WO 2014084699 A1 WO2014084699 A1 WO 2014084699A1
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WO
WIPO (PCT)
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layer
substrate
electronic device
organic electronic
organic
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/KR2013/011098
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English (en)
French (fr)
Inventor
김지희
이정형
최준례
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
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Publication date
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Priority to US14/437,428 priority patent/US9595684B2/en
Priority to CN201380062589.1A priority patent/CN105706263B/zh
Priority to JP2015544004A priority patent/JP6268614B2/ja
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    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Definitions

  • the present application relates to a substrate for an organic electronic device, an organic electronic device, a method for manufacturing the substrate or the device, a light source for a display, and a lighting device.
  • An organic electronic device includes, for example, at least one layer of an organic material capable of conducting current as disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 1996-176293). It is an element to include.
  • the organic electronic device includes an organic light emitting device (0LED), an organic solar cell, an organic photoconductor (0PC), an organic transistor, and the like.
  • the organic light emitting device which is a typical organic electronic device, typically includes a substrate, a first electrode charge, a valuable layer, and a second electrode layer sequentially.
  • the first electrode layer may be formed of a transparent electrode layer
  • the second electrode layer may be formed of a reflective electrode layer.
  • the first electrode layer may be formed of a reflective electrode charge
  • the second electrode layer may be formed of a transparent electrode layer. Electrons and holes injected by the electrode layer may be recombined in the emission layer existing in the organic layer to generate light. Light may be emitted to the substrate side in the bottom light emitting device and to the second electrode layer side in the top light emitting device.
  • organic layers and typically glass substrates have a refractive index of approximately 2.0, 1.8 and 1.5, respectively.
  • refractive index approximately 2.0, 1.8 and 1.5, respectively.
  • the present application provides a substrate for an organic electronic device, an organic electronic device, a method of manufacturing the substrate or the device, a light source, and a lighting device.
  • An exemplary organic electronic device substrate includes a first polymer base layer, an optical functional layer, and a high refractive layer.
  • the optical functional layer and the high refractive layer may be sequentially stacked on the first polymer base layer, and thus the optical functional layer may be present between the first polymer base layer and the high refractive layer.
  • FIG. 1 shows an exemplary substrate 1 for an organic electronic device comprising a structure in which an optical functional layer 102 and a high refractive layer 1023 are sequentially formed on a first polymer base layer 101.
  • the substrate for an organic electronic device may be a structure in which the structure is repeated, for example, a first polymer base layer, an optical functional layer, a high refractive layer, a first polymer base layer, an optical functional layer and It may be a structure in which the high refractive layers are sequentially stacked.
  • an appropriate polymer base layer may be used without particular limitation.
  • a light transmissive polymer substrate layer for example, a polymer substrate layer having a transmittance of 50% or more for light in the visible region may be used.
  • the high molecular substrate layer may be a TFT substrate having a driving TFT.
  • the polymer base layer does not necessarily need to be a light transmissive base layer. If necessary, a reflective layer using aluminum or the like may be formed on the surface of the polymer substrate layer.
  • the first polymer base layer for example, a polymer base layer having a refractive index of about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.65 or more, or about 1.7 or more can be used.
  • the term refractive index may refer to a refractive index for light having a wavelength of 633 nm.
  • the first polymer base layer examples include base worms including polyamic acid, polyimide, polyethylene naphthalate, polyether ether ketone, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone, acrylic resin, or the like. It may be, but is not limited to such.
  • the first polymer base worm may be a base worm including polyimide.
  • the substrate layer comprising the polyimide has a refractive index of, for example, about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.65 or more, or about about 633 nm of light.
  • Such high refractive polyimide can be produced using, for example, a monomer into which a halogen atom other than fluorine, a sulfur atom or a phosphorus atom is introduced.
  • a polyimide having a refractive index of about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.65 or more, or about 1.7 or more polyamic acid for light having a wavelength of 633 nm may be used.
  • the polyamic acid there may be used a polyamic acid capable of improving the dispersion stability of the particles because there is a site capable of bonding with the particles, such as carboxyl groups.
  • the compound containing the repeating unit of following General formula (1) can be used, for example.
  • N in Formula 1 may be a positive number, for example, one or more positive numbers.
  • the repeating unit may be optionally substituted with one or more substituents.
  • substituents include a functional group including a halogen atom other than fluorine, a phenyl group, a benzyl group, a naphthyl group or a thiophenyl group, or a halogen atom such as a sulfur atom or a phosphorus atom.
  • the polyamic acid may be a homopolymer formed by only the repeating unit of Formula 1, or may be a block or random copolymer including other units other than the repeating unit of Formula 1.
  • the kind and ratio of another repeating unit can be suitably selected in the range which does not inhibit target refractive index, heat resistance, light transmittance, etc., for example.
  • repeating unit of Formula 1 may include a repeating unit of Formula 2 below.
  • N in the formula (2) may be a positive number, for example, a positive number of one or more.
  • the polyamic acid may be, for example, about 10,000 to 100,000 or about 10,000 to 50,000 in terms of weight average molecular weight in terms of standard polystyrene measured by GPCXGel Permeation Chromatograph.
  • Polyamic acid having a repeating unit of formula (1) also has a light transmittance of 80% or more, 85% subphase or 90% or more in the visible light region, and has excellent heat resistance.
  • An optical functional layer may be positioned on the first polymer substrate layer on the substrate.
  • the optical functional layer may have, for example, 10% to 50%, 20% to 40% haze or
  • Optical functional layers of 25% to 35% can be used.
  • the method of measuring such haze is not particularly limited and can be measured under the JIS K 7105 standard using a general hazemeter, for example, HM-150. If the haze of the optical functional layer shows the above range, the light transmitted from the organic layer can be properly scattered, refracted or diffracted, so that the total reflection phenomenon at the interface between any two layers of the organic layer, the optical functional layer and the base layer is prevented. Can be eliminated or mitigated.
  • the optical functional layer may be, for example, a light scattering layer.
  • the term “light scattering layer” may refer to any kind of layer that is formed to scatter, refractize, or diffract light incident on the layer.
  • the implementation form of the light scattering layer is not particularly limited as long as the above function is realized.
  • the light scattering layer can be, for example, a layer comprising a matrix material and scattering regions.
  • 2 exemplarily shows a form in which the base layer 101 is formed with an exemplary light scattering layer comprising a scattering region 1012 formed of scattering particles and a matrix material 1021.
  • the term “scattering region” has a refractive index different from that of a surrounding material such as, for example, a matrix material or a high refractive layer described later, and has an appropriate size to scatter, refract, or diffract incident light. Mean area Can be.
  • the scattering region may be, for example, particles having a refractive index and a size as described below, or a black space.
  • scattering regions can be formed using particles that are different from the surrounding material and have a higher or lower refractive index than the surrounding material.
  • the index of refraction of the scattering particles may be a difference between the index of refraction of the surrounding material, for example, the matrix material and / or the high refractive layer, may be greater than 0.3 or greater than 0.3.
  • the scattering particles may have a refractive index of about 1.0 to 3.5 or about 1.0 to 3.0.
  • Refraction of the scattering particles means the refractive index measured for light of about 550 nm wavelength.
  • the refractive index of the scattering particles may be, for example, 1.0 to 1.6 or 1.0 to 1.3.
  • the refractive index of the scattering particles may be about 2.0 to 3.5 or about 2.2 to 3.0.
  • the scattering particles for example, particles having an average particle diameter of 50 nm or more, 100 nm or more, 500 nm or more or 1,000 nm or more can be exemplified.
  • the average particle diameter of the scattering particles may be, for example, 10,000 nm or less.
  • the scattering region may also be formed by a space filled with air as an empty space having the above size.
  • the scattering particles or regions may have a shape such as spherical shape, elliptical shape, polyhedron or amorphous shape, but the shape is not particularly limited.
  • the scattering particles include organic materials such as polystyrene or derivatives thereof, acrylic resins or derivatives thereof, silicone resins or derivatives thereof, or novolak resins or derivatives thereof, or silica, alumina, titanium oxide or zirconium oxide. Particles containing the same inorganic material and the like can be exemplified.
  • the scattering particles may be formed of only one of the above materials or two or more of the above materials.
  • hollow particles such as hollow silica, or particles having a core / cell structure may also be used.
  • the light scattering layer may further include a matrix material for retaining scattering regions such as scattering particles.
  • the matrix material may be formed using a material having a refractive index similar to that of another adjacent material, such as a substrate layer, or a material having a higher refractive index.
  • the matrix material may be, for example, a cardio resin having a polyimide, a fluorene ring, a urethane, an epoxide, a polyester, or an acrylate-based thermal or photocurable monomeric, oligomeric or polymerized product.
  • Magnetic organic materials, inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride or polysiloxane, or organic-inorganic composite materials, and the like can be used.
  • the matrix material may comprise polysiloxane, polyamic acid, polyamic acid or polyimide.
  • the polysiloxane may be formed by, for example, polycondensing a condensable silane compound or a siloxane oligomer, and may form a matrix material based on the bond between silicon and oxygen (Si-0). have.
  • the condensation conditions in the formation of the matrix material so that the polysiloxane is based only on the siloxane bonds (Si-0), or some condensable functional groups such as alkyl groups or alkoxy groups remain.
  • the matrix material polyamic acid or polyimide may be used, and the content described in the first polymer base layer may be applied to the polyamic acid or polyimide in the same manner.
  • the light scattering layer may be, for example, a layer having an uneven structure.
  • 3 is a substrate layer
  • incident light may be scattered.
  • the light scattering layer having a concave-convex structure hardens the material in contact with a mold capable of transferring the concave-convex structure of a desired shape in the process of curing the heat or photocurable material, After forming a layer of the material to be formed in advance, it can be produced by forming an uneven structure through an etching process or the like. Alternatively, it may be formed by blending particles having a suitable size and shape into the binder for forming the light scattering layer. In this case, the particles need not necessarily be particles having a scattering function, but particles having a scattering function may be used.
  • the light scattering insects coat the material by a wet coating method, apply a heat method or irradiate light, or cure the material by a sol-gel method, or CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • the present invention may be formed through a deposition method such as PVD (Physical Vapor Deposition) method, or nanoimprinting or micro-staining method, but is not limited thereto.
  • the ⁇ 3i> light scattering ' layer may further comprise high refractive particles, if desired.
  • the term “high refractive particles” may mean, for example, particles having a refractive index of 1.5 or more, 2.0 or more, 2.5 or more, 2.6 or more, or 2.7 or more.
  • the upper limit of the refractive index of the high refractive particles may be selected, for example, in a range capable of satisfying the refractive index of the desired light scattering layer.
  • the high refractive particles may, for example, have a smaller average particle diameter than the scattering particles.
  • the high refractive particles may be, for example, 1 nm to 100 nm, 10 nm to 90 nm, 10 nm to 80 nm, 10 nm to 70 nm, 10 nm to 60 nm, 10 nm to 50 nm or 10 nm to 45 nm or so. It may have an average particle diameter of.
  • alumina, Aluminosilicates, titanium oxide or zirconium oxide and the like can be exemplified.
  • rutile titanium oxide can be used as the particles having a refractive index of 2.5 or more.
  • Titanium oxide of the rutile type has a higher refractive index than the other particles, and thus it is possible to adjust the desired refractive furnace to a relatively small ratio.
  • the refractive index of the high refractive particles may be a refractive index measured for light of 550 nm wavelength.
  • the thickness of the optical functional layer as described above is not particularly limited, but for example, may be formed to have a thickness of about 500 nm to 1.000 nm, about 500 nm to 900 nm, or about 500 nm to 800 nm. have.
  • a high refractive layer may be positioned on the optical functional layer on the substrate.
  • the high refractive index layer may mean, for example, a layer having a refractive index of 1.6 to 2.0, 2.0 to 1.8 or 1.85 to 1.90 for light having a wavelength of 633 nm.
  • the high refractive index layer may provide a surface on which an electrode may be formed on the optical functional layer, and in the range of the refractive index, the high refractive layer may realize better light extraction efficiency through interaction with the optical functional layer. .
  • the high refractive layer may be, for example, a flat layer.
  • the flat layer may include high refractive particles together with the binder.
  • a flat layer can be formed using a composition in which high refractive particles are mixed with a binder.
  • Such a flat layer provides a surface on which an organic electronic device including an electrode layer and the like can be formed, and has light scattering properties to improve light extraction efficiency of the device.
  • the flat layer may have a refractive index that is equal to or greater than the adjacent electrode layer, for example,
  • the flat layer When the flat layer is formed on the light scattering layer of the above-mentioned concave-convex structure, the flat layer may be formed to have a refractive index different from that of the light scattering layer.
  • the binder a known material can be used without particular limitation.
  • various organic binders, inorganic binders or organic-inorganic binders known in the art may be used.
  • Organic binders, inorganic binders or organic-inorganic binders having excellent heat resistance and chemical resistance can be selected and used in consideration of their excellent resistance to high temperature processes, photolithography processes or etching processes performed during the life of the device and the fabrication process.
  • the binder may, for example, have a refractive index of at least about 1.4, at least about 1.45, at least about 1.5, at least about 1.6, at least about 1.65, or at least about 1.7.
  • the upper limit of the refractive index of the binder is determined in consideration of the refractive index of the particles to be blended together. It can be selected within a range that can be satisfied.
  • the binder for example, the matrix material, epoxy resin, polysiloxane or polyimide described in the section of the light scattering layer may be exemplified.
  • a high refractive binder or a low refractive binder can be used as the binder.
  • the term "high refractive binder” means a binder having a refractive index of about 1.7 to 2.5 or about 1.7 to 2.0
  • the term "low refractive binder” may mean a binder having a refractive index of about 1.4 or more and less than about 1.7.
  • Such binders are variously known, and suitable binders may be selected and used from various kinds of binders described above or other known binders.
  • the flat layer may further include high refractive particles.
  • high refractive particles may mean, for example, particles having a refractive index of 1.8 or more, 2.0 or more, 2.2 or more, 2.5 or more, 2,6 or more, or 2.7 or more.
  • the upper limit of the refractive index of the high refractive particles may be selected in a range capable of satisfying the refractive index of the flat layer, for example, in consideration of the refractive index of the binder and the like blended together.
  • the high refractive particles may be, for example, about 1 nm to 100 nm, 10 nm to 90 nm, 10 nm to 80 nm, 10 nm to 70 nm, 10 nm to 60 nm, 10 nm to 50 nm or about 10 nm to 45 nm. It may have an average particle diameter of.
  • the high refractive particles for example, alumina, aluminosilicate, titanium oxide or zirconium oxide and the like can be exemplified.
  • rutile titanium oxide can be used, for example, as particles having a refractive index of 2.5 or more.
  • the rutile titanium oxide has a higher refractive index than other particles, and therefore can be adjusted to the desired refractive index at a relatively small ratio.
  • the refraction of the high refractive particles may be the refraction measured for light of 550 nm wavelength or 633 nm.
  • the flat layer may include high refractive particles having a refractive index of 1.8 or more and an average particle diameter of 50 nm or less for light having a wavelength of 633 nm.
  • the ratio of the high refractive particles in the flat layer is not particularly limited and may be adjusted within a range in which the refractive index of the flat layer described above can be secured.
  • the high refractive particles are 300 parts by weight or less, 250 parts by weight or less, 200 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the binder. It may be included in the flat layer in a proportion of 150 parts by weight or less or 120 parts by weight or less.
  • the ratio of the high refractive particles may be, for example, 40 parts by weight or more, 60 parts by weight or more, 80 parts by weight or more, or 100 parts by weight or more.
  • unit weight part means a ratio of weight between components, unless otherwise specified. Vine Furthermore, the ratio of the high refractive particles is maintained as described above, for example, to increase the external quantum efficiency when forming an organic electronic device, to prevent the ingress of gas or moisture from the outside, and to reduce the outgasing. In this way, a device having excellent performance and reliability can be provided.
  • the flat layer may be, for example, a wet coating method using a coating liquid containing a binder and high refractive particles, a deposition method such as a sol-gel method or a CVDCChemical Vapor Deposition (PVD) method, or a PVD (Physical Vapor Deposition) method or a microembossing property. It may be formed through a method, but is not limited thereto.
  • the flat layer may be formed using a material in which a compound such as alkoxide or acylate of a metal such as zirconium, titanium or cerium is combined with a binder having a polar group such as a carboxyl group or a hydroxy group.
  • Compounds such as an alkoxide or an acylate, condense condensation with the polar group in a binder, and a skeleton of a binder.
  • the metal may be included in the high refractive index.
  • the alkoxide or acylate compound include tetra-n-butoxy titanium, tetraisopropoxy titanium, tetra-n-propoxy titanium, tetra alkoxy titanium alkoxide, titanium stearate, and the like.
  • Zirconium alkoxides, zirconium tribucystearates such as titanium acylate, titanium chelates, tetra-n-butoxyzirconium, tetra-n-propoxy zirconium, tetraisopropoxy zirconium or tetraespecial zirconium Zirconium acylate, zirconium chelates, etc. can be illustrated.
  • the flat layer may also be formed by a sol-gel coating method in which a metal alkoxide, such as titanium alkoxide or zirconium alkoxide, and a solvent such as alcohol or water are prepared to prepare a coating solution, and then coated and fired at an appropriate temperature. .
  • a 2nd polymer base material layer can be illustrated, for example.
  • the second polymer base layer for example, a polymer base layer having a refractive index of about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.65 or more, or about 1.7 or more can be used.
  • the term refractive index in the second polymer substrate layer may mean a refractive index with respect to light having a wavelength of 633 nm unless otherwise specified.
  • the second polymer base layer includes, for example, polyamic acid, polyimide, polyethylene naphthalate, polyether ether ketone, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyether sulfide® polysulfone, acrylic resin, or the like.
  • the substrate layer may be exemplified, but is not limited thereto.
  • a layer including polyimide may be used, and the description described in the first polymer base layer may be equally applied.
  • the second The thickness of the polymer base layer is not particularly limited, and may be formed thinner than the thickness of the first polymer base layer, for example, 10 or less.
  • the high refractive layer may be a planarization layer or a second layer as described above.
  • It may be a structure in which the polymer base layer is formed alone, or may be a structure in which the planarization layer and the second polymer base layer are laminated.
  • the substrate for an organic electronic device may further include a carrier substrate.
  • a surface opposite to the optical functional layer of the first polymer substrate layer may be in contact with the carrier substrate. That is, the organic electronic device substrate may have a structure in which a carrier substrate, a first polymer substrate layer, an optical functional layer, and a high refractive layer are sequentially stacked.
  • the carrier substrate may use, for example, a glass substrate or a rigid substrate.
  • a glass substrate there is no restriction
  • the carrier substrate may be formed so as to be detachable from the first polymer substrate layer, as described in the method of manufacturing an organ for an organic electronic device described below.
  • the present application also relates to an organic electronic device comprising the substrate for an organic electronic device described above.
  • the organic electronic device includes a substrate for an organic electronic device described above; And an electrode layer formed on the high refractive layer of the substrate; It may include a functional organic layer formed on the first electrode and an electrode layer formed on the functional organic layer.
  • the electrode layer formed on the substrate for an organic electronic device may be referred to as a first electrode layer
  • the electrode layer formed on the functional organic layer may be referred to as a second electrode layer.
  • the organic layer may include at least a light emitting layer.
  • a light emitting device in which light generated in the light emitting layer of the organic layer is radiated to the base layer side through the optical functional layer may be implemented.
  • the organic electronic device may be an organic light emitting device (0LED).
  • the organic electronic device may have a structure in which an organic layer including at least a light emitting layer is interposed between the hole injection electrode layer and the electron injection electrode layer.
  • the second electrode layer is an electron.
  • the electrode layer is the injection electrode layer, and the electrode layer included in the substrate is the electron injection electrode layer, the second electrode layer may be a hole injection electrode layer.
  • the organic layer existing between the electron and hole injection electrode layers may include at least one light emitting layer.
  • the organic layer may include a plurality of light emitting layers of two or more layers. When two or more light emitting layers are included, the light emitting layers may have a structure divided by an intermediate electrode layer or a charge generating layer (CGL) having charge generation characteristics.
  • CGL charge generating layer
  • the light emitting layer can be formed using, for example, various fluorescent or phosphorescent organic materials known in the art.
  • Examples of the material of the light emitting layer include tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (ni) (tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III)) (Alg3), 4-MAlq3 or Gaq3.
  • the light emitting layer includes the material as a host, and also includes perylene, distyrylbiphenyl, DPT, quinacridone, rubrene, ⁇ , ⁇ , or DCJTB. It may have a host-dopant system that includes a dopant.
  • the light emitting layer can also be formed by appropriately adopting a kind exhibiting luminescence properties in an electron-accepting organic compound or an electron donating organic compound described later.
  • the organic layer may be formed in various structures further including other various functional layers known in the art, as long as it includes a light emitting layer.
  • Examples of the layer that may be included in the organic layer may include an electron injection layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and the like.
  • the electron injection layer or the electron transport layer is, for example, an electron accepting organic compound
  • organic compounds include polycyclic compounds such as P-terphenyl or quaterphenyl, or derivatives thereof, naphtha lene, tetratracene, pyrene, coronene ( polycyclic hydrocarbon compounds or derivatives thereof, such as coronene, chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene or phenanthrene, or phenanthroline Heterocyclic compounds such as bathophenanthroline, phenanthridine, acridine, quinoline, quinolaine or quinoxaline or phenazine, or derivatives thereof This can be illustrated.
  • Tris (8-quinolinolato) aluminum which is a metal chelate complex compound disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1993-009470 or Japanese Patent Laid-Open No. 1993-0009764, for example, a metal chelated oxanoid compound.
  • Fluorescent brighteners such as a benzooxazole compound, a benzothiazole compound, or a benzoimidazole compound; 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4 -Bis (2-ethylstyryl) benzyl ⁇ 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene or 1,4-bis ( Distyrylbenzene compounds such as 2-methylstyryl) -2-ethylbenzene and the like; 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine,
  • Dimethylidine compounds such as (2,2-diphenylvinyl) biphenyl, or derivatives thereof, and silanamine derivatives disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-49079 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-293778 , A polyfunctional styryl compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-279322 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-279323, etc., or disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-107648 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-092947. Oxadiazole derivatives, anthracene compounds disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • a phthaloperynone derivative disclosed in 88689 or the like, or a styrylamine derivative disclosed in JP-A-1990-250292 or the like can also be used as an electron-accepting organic compound included in the low refractive index layer.
  • the electron injection layer may be formed using a material such as LiF or CsF, for example.
  • the hole blocking layer is a layer which prevents the injected holes from entering the electron injecting electrode layer through the light emitting layer to improve the lifetime and efficiency of the device, and if necessary, the light emitting layer and the electron injecting electrode layer are made of a known material. It can be formed in a suitable portion in between.
  • the hole injection layer or hole transport layer may include, for example, an electron donating organic compound.
  • electron donating organic compounds 1 ⁇ ''-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, 1 ⁇ '-diphenyl ⁇ '-di (3-methylphenyl) -4,4'-dia Minobiphenyl, 2,2-bis (4-di-p- rylaminophenyl) propane, ⁇ , ⁇ , ⁇ ', ⁇ '-tetra- ⁇ -ryll-4,4'-diaminobiphenyl, bis (4—di- ⁇ -ryllaminophenyl) phenylmethane, ⁇ , ⁇ '-diphenyl- ⁇ , ⁇ '-di (4-methoxyphenyl) -4 '4'-diaminobiphenyl, ⁇ , ⁇ , ⁇ ', ⁇ '-tetraphenyl-4, 4' ⁇ diaminodipheny
  • the hole injection layer or the hole transport layer may be formed by dispersing an organic compound in a polymer or using a polymer derived from the organic compound.
  • so-called ⁇ -conjugated polymers hole-transporting non-conjugated polymers of poly (N-vinylcarbazole), or ⁇ -conjugated polymers of polysilane may also be used, such as poly paraphenylene vinylene and derivatives thereof. Can be.
  • the hole injection layer is formed by using electrically conductive polymers such as metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, nonmetal phthalocyanine carbon film, and polyaniline, or Lewis acid (Lewis) using the aryl amine compound as an oxidizing agent. acid).
  • electrically conductive polymers such as metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, nonmetal phthalocyanine carbon film, and polyaniline, or Lewis acid (Lewis) using the aryl amine compound as an oxidizing agent. acid).
  • the organic light emitting diode may include: (1) a form of a hole injection electrode layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer formed sequentially; (2) hole injection charge / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer and shape; (3) the form of a hole injection electrode layer / organic light emitting layer / electron injection layer / electron injection electrode layer; (4) the form of a hole injection electrode layer / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer / electro-pneumatic electrode layer; (5) the form of a hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer; (6) the form of a hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / electron barrier layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer; (7) form of hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / organic light emitting layer / adhesion enhancement layer / electron injection electrode layer; (8) the form of a hole injection electrode layer / hole injection layer / hole injection layer / hole
  • the organic electronic device may further include an encapsulation structure.
  • the encapsulation structure may be a protective structure to prevent foreign substances such as moisture or oxygen from entering the organic layer of the organic electronic device.
  • the encapsulation structure may be, for example, a can such as a glass can or a metal can, or a film covering the entire surface of the organic layer.
  • FIG. 4 shows a first electrode layer 401, an organic layer 402, and a second electrode layer formed on a substrate including a sequentially formed first polymer base layer 101, an optical functional layer 102, and a high refractive index layer 103.
  • 403 shows a form protected by an encapsulation structure 404 of a can structure such as a glass can or a metal can.
  • the encapsulation structure 404 may be attached to the substrate by an adhesive, for example.
  • the encapsulation structure may be adhered to, for example, a high refractive index layer on which the first electrode layer does not exist in the lower portion of the substrate.
  • the encapsulation structure 404 may be attached to the end of the substrate by the adhesive 405. In this way it is possible to maximize the protective effect through the encapsulation structure.
  • the encapsulation structure may be, for example, a film covering the entire surface of the first electrode layer, the organic layer, and the second electrode layer.
  • 5 exemplarily shows a sealing structure 501 in the form of a film covering the entire surface of the first electrode layer 401, the organic layer 402, and the second electrode layer 403.
  • the film-like encapsulation structure 501 covers the entire surface of the first electrode layer 401, the organic layer 402, and the second electrode layer 403, as shown in FIG. 5, and the first polymer base layer 101.
  • the substrate including the optical functional layer 102 and the high refractive layer 103 and the upper second substrate 502 may be bonded to each other.
  • the second substrate for example, a glass substrate, a metal substrate, a polymer film or a barrier layer may be exemplified.
  • the encapsulation structure in the form of a film is formed by applying a liquid material that is cured by heat or ultraviolet (UV) irradiation or the like, for example, an epoxy resin, and curing the film to form the film. It can be formed by laminating the substrate and the upper substrate using an adhesive sheet prepared in the form.
  • UV ultraviolet
  • the encapsulation structure may include a moisture adsorbent such as a metal oxide such as calcium oxide, a beryllium oxide, a metal halide such as calcium chloride or the like, or a getter ash, if necessary.
  • the moisture adsorbent or getter material may be contained within, for example, a wedge structure in the form of a film, or may be present at a predetermined position in the encapsulation structure of the can structure.
  • the encapsulation structure may further include a barrier film, a conductive film, or the like.
  • the present application also relates to a substrate for an organic electronic device or a method for manufacturing the organic electronic device.
  • a substrate for an organic electronic device may be manufactured by forming a first polymer substrate layer on a carrier substrate, forming an optical functional layer on the substrate layer, and forming a high refractive layer on the optical functional layer. Can be.
  • An exemplary method of manufacturing a substrate for an organic electronic device includes forming a first polymer substrate layer on a carrier substrate.
  • the carrier substrate may be, for example, a rigid substrate such as glass, but is not limited thereto.
  • the carrier substrate for example, the contents described in the above-described items of the carrier substrate of the substrate for an organic electronic device may be applied in the same manner.
  • the first polymer base layer may be formed, for example, by laminating a polymer film on a carrier substrate or coating a coating liquid containing a polymer.
  • the carrier substrate may be such that the film or coating layer formed thereon is peelable.
  • the first polymer base layer may be formed by, for example, a coating method as described above, for example, a wet coating method, a chemical vapor deposition (CVD), or a vapor deposition method such as PVD (Physical Vapor Deposition). .
  • the polyimide base layer may be a coating liquid in which a polyimide film is laminated on a carrier substrate or a polyamic acid, which is a precursor thereof, is diluted in an appropriate solvent. After coating by coating it can be formed by reacting already.
  • the polyimide film may be first laminated, and secondly, a coating solution containing polyamic acid may be applied thereon, followed by imidization reaction.
  • the manufacturing method further includes forming an optical functional layer on the first polymer substrate layer after the first polymer substrate layer is formed.
  • the optical functional layer can be formed so that the haze is 10% to 50%, 20% to 40% or 25% to 35%.
  • the optical functional layer may be formed by, for example, a deposition method such as the above-described coating method, chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), or the like, or nanoimprinting or micro-tembossing method. .
  • the manufacturing method further includes forming a high refractive layer on the optical functional layer after forming the optical functional layer.
  • the high refractive layer may be formed such that the refractive index of the light of the wavelength of 633 nm is 1.6 to 2.0, 1.8 to 1.95 or 1.85 to 1,90.
  • the high refractive layer is, for example, the coating method described above, It may be formed through a deposition method such as CVD CChemical Vapor Deposition (PV), Physical Vapor Deposition (PVD) or the like, or nanoimprinting or microembossing.
  • a functional organic layer including a first electrode and a light emitting layer and a second electrode layer are sequentially formed on a substrate for an organic electronic device manufactured according to the method described above, It may further comprise forming an encapsulation structure.
  • the carrier substrate used in the manufacture of the organic electronic device may be removed as needed after the completion of the process.
  • the method of forming the first and second electrode layers is not particularly limited, and may be formed by any method such as known deposition, sputtering, chemical vapor deposition, or electrochemical method.
  • the organic layer and the encapsulation structure can be formed in a known manner.
  • the present application also relates to the use of the above-described organic electronic device, for example, an organic light emitting device.
  • the organic light emitting device may be, for example, a light source for a display, for example, a backlight of a liquid crystal display (LCD), a light source, a light source such as various sensors, a printer, a copier, a vehicle instrument light source, a signal lamp, a display, and the like. It can be effectively applied to a light source, a display, a decoration, a light source of a display device, a planar light emitting body or the like.
  • the present application relates to a lighting device including the organic light emitting device.
  • the organic light emitting device is applied to the lighting device or other uses
  • other components constituting the device or the like and a method of constituting the device are not particularly limited, and are known in the art as long as the organic light emitting device is used. Any material or method that may be used may be employed.
  • the substrate for an organic electronic device of the present application can form an organic electronic device having excellent performance including, for example, a light extraction effect.
  • 1 is a schematic diagram showing an exemplary substrate for an organic electronic device.
  • FIGS 2 and 3 are views showing an example of an optical functional layer.
  • An organic electronic device substrate and an organic electronic device were manufactured using glass as a carrier substrate.
  • a coating liquid containing a polyamic acid synthesized by the synthetic method of the present invention is coated with a coating liquid having a molecular weight (Mw) of about 50,000 on the carrier substrate so that the thickness of the final high molecular layer is about to be imidized.
  • Mw molecular weight
  • the substrate layer having a refractive index of about 1.7 to 1.8 for light having a wavelength of 633 nm was formed.
  • scattering phase particles titanium oxide particles having an average particle diameter of about 200 nm were blended into the sol-gel coating liquid containing tetramethoxy silane as the condensable silane, and sufficiently dispersed to prepare a coating solution for the light scattering layer.
  • the coating solution was coated on the polymer substrate layer, and a sol-gel reaction was performed at 200 ° C. for about 30 minutes to form a light scattering layer having a thickness of about 300 nm.
  • the light scattering layer formed was JIS. When the haze was evaluated by the 7105 method, the haze was measured at about 30%.
  • the same high refractive index coating liquid containing high refractive index titanium oxide particles having an average particle diameter of about 10 nm and a refractive index of about 2.5 to the sol-gel coating liquid containing tetramethoxy silane was coated on the top of the light scattering layer.
  • the sol-gel reaction was performed to form a flat layer having a refractive index of about 1.8 and a thickness of about 300 nm for light having a wavelength of 633 nm.
  • a second polymer base layer made of polyimide was formed on the flat layer with a thickness of about 1 in the same manner as in the formation of the polymer base worm, thereby manufacturing a substrate for an organic electronic device.
  • a hole injection electrode layer including an oxide was formed on the second polymer substrate layer. Subsequently, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an electron injection electrode layer were formed using a known material and method. Thereafter, the structure was encapsulated by glass scan to manufacture an organic light emitting device.
  • first polymer substrate layer 102 optical functional layer

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Abstract

본 출원은, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치, 상기 기판 또는 장치의 제조 방법, 디스플레이용 광원 및 조명 기기에 관한 것이다. 본 출원의 유기전자소자용 기판은, 예를 들면, 광추출 효율 등을 포함하는 성능이 우수한 유기전자장치를 형성할 수 있다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기전자소자용 기판
[기술분야】
<1> 본 출원은, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치， 상기 기판 또는 장치의 제 조 방법， 디스플레이용 광원 및 조명 기기에 관한 것이다.
【배경기술】
<2> 유기전자소자 (OED; Organic Electronic Device)는， 예를 들면， 특허문헌 1( 일본 공개특허공보 제 1996-176293호)에 개시된 바와 같이 전류를 전도할 수 있는 유기 재료의 층을 하나 이상 포함하는 소자이다. 유기전자소자의 종류에는 유기발 광소자 (0LED), 유기태양전지, 유기 감광체 (0PC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된 다.
<3> 대표적인 유기전자소자인 유기발광소자는, 통상적으로 기판， 제 1 전극충, 유가층 및 제 2 전극층을 순차로 포함한다. 소위 하부 발광형 소자 (bottom emitting device)로 호칭되는 구조에서는, 제 1 전극층이 투명 전극층으로 형성되 고， 제 2 전극층이 반사 전극층으로 형성될 수 있다. 또한, 소위 상부 발광형 소 자 (top emitting device)로 호칭되는 구조에서는 제 1 전극층이 반사 전극충으로 형성되고, 제 2 전극층이 투명 전극층으로 형성되기도 한다. 전극층에 의해서 주 입된 전자 (electron)와 정공 (hole)이 유기층에 존재하는 발광층에서 재결합 (recombination)되어 광이 생성될 수 있다. 광은 하부 발광형 소자에서는 기판측 으로 상부 발광형 소자에서는 제 2 전극층측으로 방출될 수 있다.
<4> 유기발광소자의 구조에서 투명 전극층으로 일반적으로 사용되는 ITO( Indium
Tin Oxide), 유기층 및 통상적으로 유리인 기판의 굴절를은 각각 대략적으로 2.0, 1.8 및 1.5 정도이다. 이러한 굴절률의 관계에 의해서， 예를 들어， 하부 발광형의 소자의 발광층에서 생성된 광은 유기층과 제 1 전극층의 계면 또는 기판 내에서 전 반사 (total internal reflection) 현상 등에 의해 트랩 (trap)되고， 매우 소량의 광 만이 방출된다.
<5> 또한, 최근에는 유연 (flexible) 유기전자소자에 대한 관심이 높아지면서, 상 기 유기발광소자의 구조에서 유기 기반의 기판을 고분자 기반의 기판으로 대체하고 자 하는 기술에 대한수요가 증가하고 있다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】 본 출원은， 유기전자소자용 기판， 유기전자장치， 상기 기판 또는 장치의 제 조 방법， 광원 및 조명 기기를 제공한다.
[기술적 해결방법】
예시적인 유기전자소자용 기판은, 제 1 고분자 기재층， 광학 기능성층 및 고 굴절층을 포함한다. 상기에서 광학 기능성층과 고굴절층은 제 1 고분자 기재층 상 에 순차로 적층되어 있을 수 있고, 따라서， 광학 기능성층은， 제 1 고분자 기재층 과 고굴절층의 사이에 존재할 수 있다. 도 1은 제 1 고분자 기재층 (101)상에 광학 기능성층 (102)과 고굴절층 (1023)이 순차로 형성되어 있는 구조를 포함하는 예시적 인 유기전자소자용 기판 (1)을 나타낸다. 다른 하나의 예시에서， 유기전자소자용 기판은 상기 구조가 반복되는 구조일 수 있고, 예를 들면, 제 1 고분자 기재층, 광 학 기능성층， 고굴절층, 제 1 고분자 기재층, 광학 기능성층 및 고굴절층이 순차로 적층된 구조일 수도 있다. 、
상기 기판에서 제 1 고분자 기재층으로는， 특별한 제한 없이 적절한 고분자 기재층이 사용될 수 있다. 예를 들어， 기판이 하부 발광 (bottom emission)형 소자 에 적용되는 경우에는， 투광성 고분자 기재층, 예를 들면， 가시광 영역의 광에 대 한 투과율이 50% 이상인 고분자 기재층을 사용할 수 있다. 필요에 따라， 상기 고 분자 기재층은， 구동용 TFT가 존재하는 TFT 기판일 수도 있다. 기판이 상부 발광 (top emission)형 소자에 적용되는 경우에는， 고분자 기재층은 반드시 투광성의 기 재층일 필요는 없다. 필요한 경우 고분자 기재층의 표면 등에는 알루미늄 등을 사 용한 반사층이 형성되어 있을 수도 있다.
제 1 고분자 기재층으로는, 예를 들면， 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상， 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 고분자 기재층을 사용할 수 있다. 본 명세서에 서 용어 굴절률은， 특별히 달리 규정 하지 않는 한 633 nm의 파장의 광에 대한 굴 절률을 의미할 수 있다.
제 1 고분자 기재층으로는， 예를 들면, 폴리아믹산， 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르에테르케톤， 폴리카보네이트， 폴리에틸렌테레프탈레이트， 폴리에테르설파이드， 폴리설폰 또는 아크릴 수지 등을 포함하는 기재충이 예시될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 적절한 예시에서, 공정온도 또는 광추출 성능의 측면에서， 제 1 고분자 기재충으로는 폴리이미드를 포함하는 기재충 을사용할 수 있다.
하나의 예시에서， 상기 폴리이미드를 포함하는 기재층은， 예를 들면 633 nm 의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.5 이상， 약 1.6 이상， 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 폴리이미드를 포함할 수 있다. 이러한.고굴절의 폴리이미드는， 예를 들면， 불소 이외의 할로겐 원자， 황 원자 또는 인 원자 등이 도입된 단량체를 사용 하여 제조할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 기재층에 포함되는 폴리이미드로는， 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.5 이상， 약 1.6 이상， 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상 폴 리아믹산을 이미드화한 것을 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 폴리아믹산 으로는， 카복실기 등과 같이 입자와 결합할 수 있는 부위가 존재하여 입자의 분산 안정성을 향상시킬 수 있는 폴리아믹산을 사용할 수 있다. 폴리아믹산으로는, 예 를 들면, 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure imgf000004_0001
<14>
<15> 화학식 1에서 n은 양의 수 예를 들면, 1 이상의의 양의 수 일 수다.
<16> 상기 반복 단위는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. 치환기로는， 불소 외의 할로겐 원자， 페닐기, 벤질기， 나프틸기 또는 티오 페닐기 등과 같은 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등을 포함하는 관능기가 예 시될 수 있다.
<17> 폴리아믹산은 , 상기 화학식 1의 반복 단위만으로 형성되는 단독 중합체이거 나， 화학식 1의 반복 단위 외의 다른 단위를 함께 포함하는 블록 또는 랜덤 공중합 체일 수 있다. 공중합체의 경우에 다른 반복 단위의 종류나 비율은 예를 들면， 목 적하는 굴절률， 내열성이나 투광율 등을 저해하 않는 범위에서 적절하게 선택될 수 있다.
<18> 화학식 1의 반복 단위의 구체적인 예로는 하기 화학식 2의 반복 단위를 들 수 있다,
<19> [화학식 2]
Figure imgf000005_0001
화학식 2에서 n은 양의 수 예를 들면， 1 이상의의 양의 수 일 수다。
상기 폴리아믹산은 예를 들면， GPCXGel Permeation Chromatograph)로 측정한 표준 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 10,000 내지 100,000 또는 약 10,000 내지 50,000 정도일 수 있다. 화학식 1의 반복 단위를 가지는 폴리아믹산은 또한, 가시 광선 영역에서의 광 투과율이 80% 이상， 85% 아상 또는 90% 이상이며， 내열성이 우 수하다.
상기 기판에서 제 1 고분자 기재층의 상부에는 광학 기능성층이 위치할 수 있다. 광학 기능성층은， 예를 들면, 헤이즈가 10% 내지 50%， 20% 내지 40% 또는
25% 내지 35%인 광학 기능성층을 사용할 수 있다. 이러한 헤이즈를 측정하는 방식 은 특별히 제한되지 않으며 일반적인 헤이즈 측정 기기 (Hazemeter), 예를 들면 HM- 150을 이용하여 JIS K 7105 규격하에서 측정할 수 있다. 광학 기능성층의 헤이즈 가 상기 범위를 나타내면， 유기층에서 전달되는 광을 적절하게 산란， 굴절 또는 회 절시킬 수 있으므로， 유기층， 광학 기능성층 및 기재층 중의 어느 두 층 사이의 계 면에서의 전반사 현상을 해소 또는 완화시킬 수 있다.
광학 기능성층은， 예를 들면， 광산란층이 예시될 수 있다. 본 명세서에서 용어 「광산란층」 은, 예를 들면， 상기 층으로 입사되는 광을 산란， 굴절 또는 회 절시킬 수 있도록 형성되는 모든 종류의 층을 의미할 수 있다. 상기와 같은 기능이 나타나도록 구현되는 한 광산란층의 구현 형태는 특별히 제한되지 않는다.
광산란층은 예를 들면, 매트릭스 물질 및 산란성 영역을 포함하는 층일 수 있다. 도 2는， 산란성 입자로 형성된 산란성 영역 (1012) 및 매트릭스 물질 (1021) 을 포함하는 예시적인 광산란층이 기재층 (101)에 형성되어 있는 형태를 예시적으로 나타낸다. 본 명세서에서 용어 「산란성 영역」 은, 예를 들면， 매트릭스 물질 또 는 후술하는 고굴절층 등과 같은 주위 물질과는 다른 굴절률을 가지고, 또한 적절 한 크기를 가져서 입사되는 광을 산란， 굴절 또는 회절시킬 수 있는 영역를 의미할 수 있다. 산란성 영역은, 예를 들면， 하기와 같은 굴절률 및 크기를 가지는 입자 이거나， 흑은 빈 공간일 수 있다. 예를 들면, 주위 물질과는 다르면서 주위 물질 에 비하여 높거나 낮은 굴절률을 가지는 입자를 사용하여 산란성 영역을 형성할 수 있다. 산란성 입자의 굴절률은, 주위 물질， 예를 들면， 상기 매트릭스 물질 및 /또 는 고굴절층의 굴절률과의 차이가 0.3을 초과하거나 또는 0.3 이상일 수 있다. 예 를 들면, 산란성 입자는， 1.0 내지 3.5 또는 1.0 내지 3.0 정도의 굴절률을 가질 수 있다. 상기 산란성 입자의 굴절를은， 약 550 nm 파장의 광에 대하여 측정한 굴 절률을 의미한다. 산란성 입자의 굴절률은， 예를 들면, 1.0 내지 1.6 또는 1.0 내 지 1.3일 수 있다. 다른 예시에서 산란성 입자의 굴절률은， 2.0 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도일 수 있다. 산란성 입자로는, 예를 들면， 평균 입경이 50 nm 이상, 100 nm 이상, 500 nm 이상 또는 1,000 nm 이상인 입자가 예시될 수 있다. 산란성 입자의 평균 입경은, 예를 들면， 10,000 nm 이하일 수 있다. 산란성 영역 은， 또한 상기와 같은 크기를 가지는 빈 공간으로서 공기가 충전되어 있는 공간에 의해서 형성될 수도 있다.
<26> 산란성 입자 또는 영역은, 구형， 타원형， 다면체 또는 무정형과 같은 형상을 가질 수 있으나, 상기 형태는 특별히 제한되는 것은 아니다. 산란성 입자로는, 예 를 들면, 폴리스티렌 또는 그 유도체， 아크릴 수지 또는 그 유도체， 실리콘 수지 또는 그 유도체， 또는 노볼락 수지 또는 그 유도체 등과 같은 유기 재료, 또는 실 리카, 알루미나， 산화 티탄 또는 산화 지르코늄과 같은 무기 재료를 포함하는 입자 등이 예시될 수 있다. 산란성 입자는， 상기 재료 중에 어느 하나의 재료만을 포함 하거나, 상기 중 2종 이상의 재료를 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 산란성 입자로 중공 실리카 (hoi low silica) 등과 같은 중공 입자 또는 코어 /셀 구조의 입 자도 사용할 수 있다.
<27> 광산란층은 산란성 입자 등의 산란성 영역을 유지하는 매트릭스 물질을 추가 로 포함할 수 있다. 매트릭스 물질로는, 예를 들면, 기재층 등과 같이 인접하는 다른 소재와 유사한 수준의 굴절률을 가지는 소재 또는 그보다 높은 굴절률을 가지 는 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 매트릭스 물질은, 예를 들면, 폴리이미드， 플루오렌 고리를 가지는 카도계 수지 (caldo resin), 우레탄， 에폭시드， 폴리에스테 르 또는 아크릴레이트 계열의 열 또는 광경화성의 단량체성， 을리고머성 또는 고분 자성 유기 재료나 산화 규소， 질화 규소 (silicon nitride), 옥시질화 규소 (silicon oxynitride) 또는 폴리실록산 등의 무기 재료 또는 유무기 복합 재료 등을 사용할 수 있다. <28> 매트릭스 물질은， 폴리실록산, 폴리아믹산, 폴리아믹산 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다. 상기에서 폴리실록산은， 예를 들면， 축합성 실란 화합물 또는 실 록산 을리고머 둥을 중축합시켜서 형성할 수 있으며, 상기를 통해 규소와 산소의 결합 (Si-0)에 기반한 매트릭스 물질을 형성할 수 있다. 매트릭스 물질의 형성 과 정에서 축합 조건 등을 조절하여 폴리실록산이 실록산 결합 (Si-0)만을 기반으로 하 도록 하거나， 혹은 알킬기 등과 같은 유기기나 알콕시기 등과 같은 축합성 관능기 둥이 일부 잔존하도록 하는 것도 가능하다. 또한， 매트릭스 물질로는， 폴리아믹산 또는 폴리이미드를 사용할 수 있고， 상기 폴리아믹산 또는 폴리이미드에 대해서는, 제 1고분자 기재층에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
<29> 광산란층은, 예를 들면， 요철 구조를 가지는 층일 수 있다. 도 3은, 기재층
(101)상에 형성된 요¾ 구조의 광산란층 (301)을 예시적으로 보여주는 도면이다. 광산란층의 요철 구조를 적절하게 조절할 경우에 입사되는 광을산란시킬 수 있다. 요철 구조를 가지는 광산란층은， 예를 들면， 열 또는 광 경화성 재료를 경화시키는 과정에서 목적하는 형상의 요철 구조를 전사할 수 있는 금형과 접촉시킨 상태로 상 기 재료를 경화시키거나， 광산란층을 형성할 재료의 층을 미리 형성한 후에 에칭 공정 등을 통해 요철 구조를 형성하여 제조할 수 있다. 다른 방식으로는 광산란층 을 형성하는 바인더 내에 적절한 크기 및 형상을 가지는 입자를 배합하는 방식으로 형성할 수도 있다. 이러한 경우에 상기 입자는 반드시 산란 기능을 가지는 입자일 필요는 없으나, 산란 기능을 가지는 입자를사용하여도 무방하다.
<30> 광산란충은, 예를 들면， 습식 코팅 (wet coating) 방식으로 재료를 코팅하고， 열의 인가 또는 광의 조사 등의 방식이나, 졸겔 방식으로 재료를 경화시키는 방식 이나, CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식 등과 같은 증착 방식 또는 나노임프린팅 또는 마이크로염보싱 방식 등을 통하여 형 성할수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
<3i> 광산란'층은， 필요한 경우 고굴절 입자를 추가로 포함할 수 있다. 광산란층 에서 용어 「고굴절 입자」 는, 예를 들면， 굴절률이 1.5 이상， 2.0 이상 2.5 이상， 2.6 이상 또는 2.7 이상인 입자를 의미할 수 있다. 고굴절 입자의 굴절률의 상한 은， 예를 들면, 목적하는 광산란층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면， 상기 산란성 입자보다는 작은 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자는， 예를 들면， 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm 또는 10 nm내지 45 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자로는， 알루미나， 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄 등이 예시될 수 있다. 고굴 잘 입자로는， 예를 들면， 굴절률이 2.5 이상인 입자로서, 루틸형 산화 티탄을 사용 할 수 있다. 루틸형의 산화 티탄은 여타의 입자에 비하여 높은 굴절를을 가지고， 따라서 상대적으로 적은 비율로도 목적하는 굴절를로의 조절이 가능할 수 있다. 상기 고굴절 입자의 굴절를은 550 nm 파장의 광에 대하여 측정한 굴절률일 수 있 다.
<32> 상기와 같은 광학 기능성층의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만， 에를 들면， 약 500 nm 내지 1.000 nm, 약 500 nm 내지 900 nm 또는 약 500 nm 내지 800 nm정도의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.
<33> 상기 기판에서 광학 기능성층의 상부에는 고굴절층이 위치할 수 있다. 고굴 절층은, 예를 들면， 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.6 내지 2.0, 2.0 내지 1.8 또는 1.85 내지 1.90인 층을 의미할 수 있다. 상기 고굴절층은 광학 기능성층 상에 전극이 형성될 수 있는 표면을 제공할 수 있고 상기 굴잘률의 범워에서, 고 굴절층은 광학 기능성층과의 상호 작용을 통하여 보다 우수한 광추출 효율을 구현 할수 있다.
<34> 상기 고굴절층은, 예를 들면， 평탄층이 예시될 수 있다.
<35> 평탄층은， 예를 들면， 바인더와 함께 고굴절 입자를 포함할 수 있다. 예를 들면 , 고굴절 입자를 바인더와 흔합한 조성물을 사용하여 평탄층을 형성할 수 있 다. 이러한 평탄층은， 전극층을 등을 포함한 유기전자소자가 형성될 수 있는 표면 을 제공하고， 광산란성을 가져서 소자의 광추출 효율을 개선할 수 있다. 평탄층 은, 인접하는 전극층과 동등하거나 그 이상인 굴절률을 가질 수 있고, 예를 들면，
1.7 이상， 1.8 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도일 수 있다. 평탄층이 전술한 요 철 구조의 광산란층의 상부에 형성되는 경우에는 상기 평탄층은 상기 광산란층과는 상이한 굴절률을 가지도록 형성될 수 있다.
<36> 바인더로는, 특별한 제한 없미 공지의 소재가사용될 수 있다. 바인더로는， 예를 들면， 이 분야에서 공지된 다양한 유기 바인더， 무기 바인더 또는 유무기 바 인더를 사용할 수 있다. 소자의 수명이나 제작 과정에서 수행하는 고온 공정， 포 토 공정이나 식각 공정에 대한 저항성이 우수하다는 점을 고려하여 내열성과 내화 학성이 우수한 유기 바인더， 무기 바인더 또는 유무기 바인더를 선택하여 사용할 수 있다. 바인더는, 예를 들면， 약 1.4 이상, 약 1.45 이상， 약 1.5 이상， 약 1.6 이상， 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상의 굴절률을 가질 수 있다. 바인더의 굴절률 의 상한은， 함께 배합되는 입자의 굴절률 등을 고려하여 상기 평탄층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 바인더로는， 예를 들면, 상기 광산란 층의 항목에서 가술한 매트릭스 물질， 에폭시 수지， 폴리실록산 또는 폴리이미드가 예시될 수 있다.
바인더로는, 예를 들면， 고굴절 바인더 또는 저굴절 바인더를 사용할 수 있 다. 본 명세서에서 용어 「고굴절 바인더」 는， 굴절률이 약 1.7 내지 2.5 정도 또 는 약 1.7 내지 2.0 정도인 바인더를 의미하고， 용어 「저굴절 바인더」 는 굴절률 이 약 1.4 이상이면서 약 1.7 미만인 바인더를 의미할 수 있다. 이러한 바인더들 은 다양하게 공지되어 있으며， 상기 기술한 다양한 종류의 바인더 또는 그 외에도 공지된 바인더 중에서 적합한 바인더를 선택 및 사용할 수 있다.
평탄층은， 고굴절 입자를 추가로 포함할 수 있다. 평탄층에서 용어 「고굴 절 입자」 는， 예를 들면， 굴절률이 1.8 이상， 2.0 이상， 2.2 이상， 2.5 이상， 2,6 이상 또는 2.7 이상인 입자를 의미할 수 있다. 고굴절 입자의 굴절를의 상한은， 예를 들면， 함께 배합되는 바인더 등의 굴절률 등을 고려하여 상기 평탄층의 굴절 률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 고굴절 입자는， 예를 들면, 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm또는 10 nm 내지 45 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자로는， 예를 들면， 알루미나， 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄 등이 예시될 수 있다. 고굴절 입자로는， 예를 들면， 굴절률이 2.5 이상인 입자로서， 루틸형 산화 티탄을 사용할 수 있다. 루틸형의 산화 티탄은 여타의 입자에 비하여 높은 굴절률을 가지고， 따라서 상대적으로 적은 비율로도 목 적하는 굴절률로의 조절이 가능할수 있다. 상기 고굴절 입자의 굴절를은 550 nm 파장 또는 633 nm의 광에 대하여 측정한 굴절를일 수 있다. 하나의 예시에서, 평 탄층은 633nm 파장의 광에 대한 굴절률이 1.8 이상이고 평균 입경이 50 nm 이하인 고굴절 입자를 포함할 수 있다.
평탄층 내에서의 고굴절 입자의 비율은， 특별히 제한되지 않으며， 전술한 평 탄층의 굴절률이 확보될 수 있는 범위 내에서 조절될 수 있다. 평탄층의 물성, 예 를 들면, 평탄층의 수분 또는 습기 투과성이나 아웃개싱 (outgassing) 등을 감안하 여， 고굴절 입자는， 바인더 100 중량부 대비 300 중량부 이하， 250 중량부 이하， 200 중량부 이하， 150 중량부 이하 또는 120 중량부 이하의 비율로 평탄층에 포함 될 수 있다. 또한, 고굴절 입자의 비율은， 예를 들면， 40 중량부 이상, 60 중량부 이상, 80 중량부 이상， 또는 100 중량부 이상일 수 있다. 본 명세서에서 「단위 중 량부」 는 특별히 달리 규정하지 않는 한， 성분간의 중량의 비율을 의미한다. 바인 더와 고굴절 입자의 비율을 상기와 같이 유지하여, 예를 들면 유기전자소자를 형성 하는 경우에 외부 양자 효율을 높이고, 외부로부터의 가스나 수분의 침투를 방지하 며， 아웃개싱 (outgasing)을 감소시켜서 성능과 신뢰성이 우수한 소자를 제공할 수 있다.
평탄층은， 예를 들면， 바인더 및 고굴절 입자를 포함하는 코팅액을 사용한 습식 코팅 (wet coating) 방식이나, 졸겔 방식 또는 CVDCChemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식 등과 같은 증착 방식 또는 마이크로엠보성 방식 등을 통하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예시에서 평탄층은， 지르코늄， 티탄 또는 세륨 등의 금속의 알콕시드 또는 아실레이트 (acylate) 등의 화합물을 카복실기 또는 히드록시기 등의 극성기를 가지는 바인더와 배합한 소재를 사용하여 형성할 수도 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 등의 화합물은 바인더에 있는 극성기와 축합 반웅하고， 바인더의 골격. 내에 상기 금속을 포함시켜 고굴절률을 구현할 수 있다. 상기 알콕시드 또는 아실 레이트 화합물의 예로는ᅳ 테트라 -n-부톡시 티탄， 테트라이소프로폭시 티탄, 테트라 -n-프로폭시 티탄 또는 테트라에톡시 티탄 둥의 티탄 알콕시드, 티탄 스테아레이트 (stearate) 등의 티탄 아실레이트， 티탄 킬레이트류， 테트라 -n-부톡시지르코늄, 테 트라 -n-프로폭시 지르코늄, 테트라이소프로폭시 지르코늄 또는 테트라에특시 지르 코늄 등의 지르코늄 알콕시드， 지르코늄 트리부특시스테아레이트 등의 지르코늄 아 실레이트， 지르코늄 킬레이트류 등이 예시될 수 있다. 평탄층은， 또한 티탄 알콕 시드 또는 지르코늄 알콕시드 등의 금속 알콕시드 및 알코올 또는 물 등의 용매를 배합하여 코팅액을 제조하고, 이를 도포한 후에 적정한 온도에서 소성하는 졸겔 코 팅 방식으로 형성할 수도 있다.
고굴절층으로는, 예를 들면， 제 2 고분자 기재층이 예시될 수 있다. 제 2 고분자 기재층은, 예를 들면， 굴절를이 약 1.5 이상， 약 1.6 이상， 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 고분자 기재층을 사용할 수 있다. 제 2 고분자 기재층에서 용 어 굴절률은， 특별히 달리 규정 하지 않는 한 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률을 의미할 수 있다. 제 2 고분자 기재층은， 예를 들면， 폴리아믹산， 폴리이미드， 폴 리에틸렌나프탈레이트， 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프 탈레이트， 폴리에테르설파이드ᅳ 폴리설폰 또는 아크릴 수지 등을 포함하는 기재층 이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 적절한 예시에서， 제 2 고분자 기재층으로는, 폴리이미드를 포함하는 층을 사용할 수 있고, 이에 대해서 는， 제 1 고분자 기재층에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. 상기 제 2 고분자 기재층의 두께는 특별히 제한되지 않으며， 제 1 고분자 기재층의 두께보다 얇게 형성될 수 있고， 예를 들면, 10 이하로 형성될 수 있다.
<43> 하나의 예시에서， 고굴절층은， 상기 기술한 바와 같이 평탄화층 또는 제 2
고분자 기재층이 단독으로 형성된 구조일 수도 있고， 또는 평탄화층 및 제 2 고분 자 기재층이 적층된 구조일 수도 있다.
<44> 하나의 예시에서， 유기전자소자용 기판은 캐리어 기판을 추가로 포함할 수 있다. 유기전자소자용 기판은, 예를 들면, 제 1 고분자 기재층의 광학 기능성층과 는 반대측 면이 상기 캐리어 기판과 접촉하고 있을 수 있다. 즉, 상기 유기전자소 자용 기판은 캐리어 기판, 제 1 고분자 기재층, 광학 기능성층 및 고굴절층이 순차 로 적층된 구조를 가질 수 있다.
<45> 하나의 예시에서， 캐리어 기판은， 예를 들면 유리 기판또는 강성 기판을 사 용할 수 있다. 유리 기판으로는， 특별한 제한 없아 적절한 소재가 사용 수 있고, 예를 들면, 소다석회 유리， 바륨 /스트론튬 함유 유리， 납 유리， 알루미노 규산 유 리， 붕규산 유리， 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등의 기재층이 예시될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 예시에서, 캐리어 기판은， 후술하는 유기전자 소자용 기관의 제조방법에서 기술한 바와 같이， 제 1 고분자 기재층과 탈부착이 가 능하도록 형성되어 포함될 수 있다.
<46> 본 출원은 또한 상기 기술한 유기전자소자용 기판을 포함하는 유기전자장치 에 관한 것이다. 하나의 예시에서， 유기전자장치는 상기 기술한 유기전자소자용 기판; 및 상기 기판의 고굴절층상에 형성되어 있는 전극층; 상기 제 1 전극상에 형 성되어 있는 기능성 유기층 및 상기 기능성 유기층상에 형성되어 있는 전극층을 포 함할 수 있다. 이하에서 구별을 위하여 유기전자소자용 기판상에 형성되어 있는 전극층을 제 1 전극층으로 호칭하고， 상기 기능성 유기층상에 형성되어 있는 전극 층을 제 2 전극층이라고 호칭할 수 있다.
<47> 상기 유기층은 적어도 발광층을 포함할 수 있다. 예를 들어， 제 1 전극층을 투명하게 구현하고, 제 2 전극층을 반사성 전극층으로 하면 유기층의 발광층에서 발생한 광이 광학 기능성층을 거쳐서 기재층측으로 방사되는 하부 발광형 소자를 구현할 수 있다.
<48> 하나의 예시에서 유기전자소자는 유기발광소자 (0LED)일 수 있다. 유기발광 소자인 경우， 상기 유기전자소자는， 예를 들면, 발광층을 적어도 포함하는 유기층 이 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 개재된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어， 기판에 포함되는 전극층이 정공 주입 전극층이면， 제 2 전극층은 전자 주입 전극층이고， 반대로 기판에 포함되는 전극층이 전자 주입 전극층이면， 제 2 전극층은 정공 주입성 전극층일 수 있다.
<49> 전자 및 정공 주입성 전극층의 사이에 존재하는 유기층은， 적어도 1층 이상 의 발광층을 포함할 수 있다. 유기층은 2층 이상의 복수의 발광층을 포함할 수도 있다. 2층 이상의 발광층을 포함되는 경우에는， 발광층들은 전하 발생 특성올 가 지는 중간 전극층이나 전하 발생층 (CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할 되어 있는 구조를 가질 수도 있다.
<50> · 발광층은， 예를 들면， 이 분야에 공지된 다양한 형광또는 인광 유기 재료 * 사용하여 형성할 수 있다. 발광층의 재료로는, 트리스 (4-메틸 -8-퀴놀리놀레이트) 알루미늄 (ni)(tris(4-methyl—8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또 는 Gaq3등의 Alq 계열의 재료, C— 545T(C26H26N202S)， DSA-아민， TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로 -FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP ( 1 , 2 , 3 , 4 , 5-pent apheny 1 - 1 , 3-cyc 1 opent ad i ene ) 등과 같은 시클로페나디엔 (cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'- diphenylyinyl )-1 , 1 ' -biphenyl ) , 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4- (Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(l, 1,7,7, -tetramethyljul olidyl-9-enyl )-4H- pyran) , DDP, AMP, NPAMLI , ； 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac) ,
(C6)2lr(acac)， bt2lr(acac) , dp2Ir(acac) , bzq2Ir(acac) , bo2lr(acac) , F2Ir(bpy) ,
F2Ir(acac) , op2lr(acac) , ppy2Ir(acac) , tpy2lr(acac) , FIrppy(fac-tris[2-(4,5? d i f 1 uor opheny 1 )pyr i d i ne-C ' 2 , N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2'- benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3' )iridiura(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 둥이 예시될 수 있지만， 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층은， 상기 재료를 호스트 (host)로 포함하고, 또한 페릴렌 (perylene), 디스티릴비페닐 (distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈 (quinacridone) , 루브렌 (rubrene) , ΒΤΧ, ΑΒΤΧ 또는 DCJTB 등을 도편트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템 (Host -Dopant system)을 가질 수도 있다.
<51> 발광층은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화 합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수 있다.
<52> 유기층은， 발광층을 포함하는 한， 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로 는， 전자 주입층， 정공 저지층， 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예 시될 수 있다. 전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면， 전자 수용성 유기 화합물
(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전 자 수용성 유기 화합물로는， 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는， P-테르페닐 (p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐 (quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌 (naphtha lene) , 테트라센 (tetracene), 피렌 (pyrene), 코로넨 (coronene)， 크리센 (chrysene)， 안트라 센 (anthracene), 디페닐안트라센 (diphenylanthracene) , 나프타센 (naphthacene) 또 는 페난트렌 (phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체， 페난 트를린 (phenanthroline), 바소페난트를린 (bathophenanthroline)， 페난트리딘 (phenanthridine) , 아크리딘 (acridine)， 퀴놀린 (quinol ine) , 키노사린 (quinoxaline) 또는 페나진 (phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예 시될 수 있다. 또한， 플루오르세인 (fluoroceine)， 페리렌 (perylene), 프타로페리 ¾l(phthaloperylene), 나프타로페리렌 (naphtha loperylene)， 페리논 (perynone)， 프 타로페리논， 나프타로페리논， 디페닐부타디엔 (diphenylbutadiene), 테트라페닐부타 디엔 (tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸 (oxadiazole)ᅳ 아르다진 (aldazine)， 비스 벤조옥사조린 (bisbenzoxazo line), 비스스티릴 (bisstyryl )， 피라진 (pyrazine)， 사이 크로펜타디엔 (cyclopentadiene), 옥신 (oxine), 아피노퀴놀린 (aminoquinol ine)， 이 민 (inline), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센， 디아미노카르바졸 (diaminocarbazole)， 피 란 (pyrane), 티오피란 (thiopyrane)， 폴리메틴 (polymethine) , 메로시아닌 (merocyanine) , 퀴나크리돈 (quinacridone) 또는 루부렌 (rubrene) 등이나' 그 유도 체, 일본특허공개 계 1988-295695호， 일본특허공개 제 1996-22557호, 일본특허공개 제 1996-81472호， 일본특허공개 제 1993-009470호 또는 일본특허공개 제 1993— 017764 호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물， 예를 들면, 금속 킬레이트 화 옥사노이드화합물인 트리스 (8-퀴놀리노라토)알루미늄 [tris(8- quinolinolato)aluminium], 비스 (8-퀴놀리노라토)마그네슴， 비스 [벤조 (에프 )-8-퀴 놀뤼노라토]아연 {bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스 (2-메틸 -8-퀴놀리노라 토)알루미늄， 트리스 (8-퀴놀리노라토)인디엄 [tris(8-quinonnolato)indium], 트리 스 (5-메틸 -8-퀴놀리노라토)알루미늄， 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스 (5-클로로 -8-퀴놀 리노라토)갈륨, 비스 (5-클로로 -8-퀴놀리노라토)칼슴 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체， 일본특허공개 제 1993-202011호, 일본특허공개 제 1995-179394호， 일본특허공개 제 1995-278124호 또는 일본특허공개 제 1995— 228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸 (oxadiazole) 화합물， 일본특허공 개 제 1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진 (triazine) 화합물, 일본특허공개 제 1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤 (stilbene) 유도체나， 디스티릴아릴렌 (distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제 1994-132080호 또는 일본특허공개 제 1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제 1994- 100857호나 일본특허공개 제 1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸 (benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸 (benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸 (benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스 (2-메틸스티릴)벤젠， 1,4-비 스 (3-메틸스티릴)벤젠， 1,4-비스 (4-메틸스티릴)벤젠， 디스티릴벤젠， 1，4-비스 (2-에 틸스티릴)벤질ᅳ 1,4-비스 (3-에틸스티릴)벤젠, 1，4-비스 (2-메틸스티릴) -2-메틸벤젠 또는 1，4-비스 (2-메틸스티릴) -2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠 (distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스 (4-메틸스티릴)피라진, 2, 5-비스 (4-에틸스티 릴)피라진, 2， 5-비스 [2-( 1-나프틸)비닐]피라진， 2 ,5 비스 (4-메록시스티릴)피라진， 2，5-비스 [2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진 (distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘， 4，4'—페닐렌디 메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2, 6-나프틸렌디메틸리딘, 1，4-비페닐렌디메틸리 딘， 1，4-파라 -테레페닐렌디메텔리딘， 9， 10-안트라센디일디메틸리딘 (9,10- anthracenediyldimethyl idine) 또는 4，4'-(2，2-디—티-부틸페닐비닐)비페닐， 4,4? (2，2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘 (dimethylidine) 화합물 또는 그 유 도체, 일본특허공개 제 1994-49079호 또는 일본특허공개 제 1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민 (silanamine) 유도체, 일본특허공개 제 1994-279322호 또는 일본특 허공개 제 1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물， 일본특허공개 제 1994-107648호 또는 일본특허공개 제 1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사 디아졸 유도체, 일본특허공개 제 1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물， 일본특허공개 제 1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트 (oxynate) 유도체, 일 본특허공개 제 1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특 허공개 제 1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제 1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린 (coumarin)유도체， 일본특허공개 제 1990- 196885호 공보 등에 개시된 페리렌 (perylene) 유도체， 일본특허공개 제 1990— 255789 호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제 1990-289676호나 일본특허 공개 제 1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논 (phthaloperynone) 유도체 또 는 일본특허공개 제 1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴 절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한， 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면， LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다.
정공 저지층은, 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입 하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고， 필요한 경우 에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.
정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면， 전자 공여성, 유기 화합물 (electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화 합물로는， 1^ ' '-테트라페닐-4，4'-디아미노페닐, 1^ '-디페닐 ^'-디(3-메틸페 닐) -4，4'-디아미노비페닐， 2，2-비스 (4-디 -p-를릴아미노페닐)프로판， Ν,Ν,Ν' ,Ν'-테 트라 -ρ-를릴 -4,4 '-디아미노비페닐， 비스 (4—디 -Ρ-를릴아미노페닐)페닐메탄， Ν,Ν'-디 페닐 -Ν， Ν ' -디 (4-메특시페닐 )-4ᅳ 4 ' -디아미노비페닐, Ν,Ν,Ν' ,Ν' -테트라페닐 -4， 4 'ᅳ디 아미노디페닐에테르， 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4，4'- bis(di pheny 1 amino) quadr i pheny 13, 4-N， N-디페닐아미노 - ( 2-디페닐비닐)벤젠, 3-메 톡시— 4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠， N-페닐카르바졸, 1,1-비스 (4-디 -p-트리아미노 페닐)시크로핵산， 1,1-비스 (4-디 -p-트리아미노페닐) -4-페닐시크로핵산, 비스 (4-디 메틸아미노 -2-메틸페닐)페닐메탄， Ν,Ν,Ν-트리 (P-틀릴)아민， 4- (디 -Ρ-를릴아미노) - 4'-[4- (디 -Ρ-를릴아미노)스티릴]스틸벤, Ν,Ν,Ν' ,Ν'-테트라페닐 -4,4'-디아미노비페 닐 Ν-페날카르바졸， 4，4'-비스 [N-(l-나프틸) -Ν-페닐-아미노]비페닐， 4,4'-비스 - (1-나프틸) -Ν-페닐아미노] Ρ-테르페닐， 4， 4 ' -비스 [Ν- ( 2-나프틸) -Ν-페닐아미노]비페 닐， 4，4'-비스 [Ν-(3-아세나프테닐) -Ν-페닐아미노]비페닐， 1,5-비스 -(1-나프틸)- Ν-페닐아미노]나프탈렌， 4，4'-비스 [Ν-(9-안트릴) -Ν-페닐아미노]비페닐페닐아미노] 비페닐， 4， 4 ' -비스 [Ν-( 1-안트릴 )-Ν-페닐아미노] -Ρ-테르페닐, 4,4'—비스 [Ν-(2-페난 트릴 )-Ν-페닐아미노]비페닐， 4， 4 ' -비스 [Ν-(8-플루오란테닐 )-Ν-페닐아미노]비페닐， 4 ,4 ' -비스 [Ν-(2-피레닐 )-Ν-페닐아미노]비페닐， 4， 4 ' -비스 [Ν— (2-페릴레닐) -Ν-페닐아 미노]비페닐， 4,4'-비스 —(1-코로네닐)-^페닐아미노]비페닐(4，4'-^3[1^-(1- coroneny 1 ) -N-pheny 1 am i no ] b i heny 1), 2， 6-비스 (디— p—를릴아미노)나프탈렌， 2， 6-비 스 [디 -(1-나프틸)아미노]나프탈€， 2，6-비스 [N-(l-나프틸) -N-(2-나프틸)아미노]나 프탈렌, 4，4 ' -비스 [N ,Ν-디 (2-나프틸)아미노]테르페닐, 4， 4 ' -비스 {Ν-페닐 -Ν-[4-( 1- 나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4' -비스 [Ν-페닐 -Ν— (2ᅳ피레닐 )아미노]비페닐， 2, 6-비 스 [Ν,Ν-디ᅳ(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4，4'-비스 (Ν,Ν-디 를릴아미노)테르페 닐， 및 비스 (N-1-나프틸 ΚΝ-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으 로 예시될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다.
<56> 정공 주입층이나 정공 수송층은， 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리 파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자 ( π -conjugated polymers), 폴리 (N-비닐카르바졸) 둥의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란 의 σ-공역 고분자 등도사용될 수 있다.
<57> 정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프 탈로시아닌 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하 여 형성하거나， 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산 (Lewis acid)과 반웅시켜서 형성할 수도 있다.
<58> 예시적으로 유기발광소자는， 순차적으로 형성된 (1) 정공 주입 전극층 /유기 발광층 /전자 주입 전극층의 형태; (2) 정공 주입 전끅충 /정공 주입층 /유기 발광층 / 전자 주입 전극층와 형태; (3) 정공 주입 전극층 /유기 발광층 /전자주입층 /전자 주 입 전극층의 형태; (4) 정공 주입 전극층 /정공 주입층 /유기 발광층 /전자 주입층 /전 자 주압 전극층의 형태; (5) 정공 주입 전극층 /유기 반도체층 /유기 발광층 /전자 주 입 전극층의 형태; (6) 정공 주입 전극층 /유기 반도체층 /전자장벽층 /유기 발광층 / 전자 주입 전극층의 형태; (7) 정공 주입 전극층 /유기 반도체층 /유기 발광층 /부착 개선층 /전자 주입 전극층의 형태; (8) 정공 주입 전극층 /정공 주입층 /정공 수송층 / 유기 발광층 /전자 주입층 /전자 주입 전극층의 형태; (9) 정공 주입 전극층 /절연층 / 유기 발광층 /절연층 /전자 주입 전극층의 형태; (10) 정공 주입 전극층 /무기 반도체 층 /절연층 /유기 발광층 /절연층 /전자 주입 전극층의 형태; (11) 정공 주입 전극층 / 유기 반도체층 /절연층 /유기 발광층 /절연층 /전자 주입 전극층의 형태; (12) 정공 주 입 전극층 /절연층 /정공 주입층 /정공 수송층 /유기 발광층 /절연층 /전자 주입 전극층 의 형태 또는 (13) 정공 주입 전극층 /절연층 /정공 주입층 /정공 수송층 /유기 발광층 /전자 주입층 /전자 주입 전극층의 형태를 가질 수 있으며， 경우에 따라서는 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 적어도 2개의 발광층이 전하 발생 특성 을 가지는 중간 전극층 또는 전하 발생층 (CGL: Charge Generating Layer)에 의해 분할되어 있는 구조의 유기층을 포함하는 형태를 가질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
<59> 이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기층, 예를 들면， 발광층， 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식 이 모두 적용될 수 있다.
유기전자장치는， 봉지 구조를 추가로 포함할 수 있다. 상기 봉지 구조는， 유기전자장치의 유기층으로 수분이나 산소 등과 같은 외래 물질이 유입되지 않도록 하는 보호 구조일 수 있다. 봉지 구조는， 예를 들면, 글라스캔 또는 금속캔 등과 같은 캔이거나， 상기 유기층의 전면을 덮고 있는 필름일 수 있다.
도 4는， 순차 형성된 제 1고분자 기재층 (101)， 광학 기능성층 (102) 및 고굴 절층 (103)을 포함하는 기판 상에 형성된 제 1 전극층 (401), 유기층 (402) 및 제 2 전극층 (403)이 글라스캔 또는 금속캔 등과 같은 캔 구조의 봉지 구조 (404)에 의해 보호되어 있는 형태를 예시적으로 보여준다. 도 4와 같이 봉지 구조 (404)는, 예를 들면， 접착제에 의해서 기판에 부착되어 있을 수 있다. 봉지 구조는， 예를 들면, 기판에서 하부에 제 1 전극층이 존재하지 않는 고굴절층에 접착되어 있을 수 있다. 예를 들면， 도 4와 같이 봉지 구조 (404)는， 기판의 —끝단에 접착제 (405)에 의해 부 착되어 있을 수 있다. 이러한 방식으로 봉지 구조를 통한 보호 효과를 극대화할 수 있다.
봉지 구조는, 예를 들면， 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층의 전면을 피 복하고 있는 필름일 수 있다. 도 5는, 제 1 전극층 (401), 유기층 (402) 및 제 2 전 극층 (403)의 전면을 덮고 있는 필름 형태의 봉지 구조 (501)를 예시적으로 나타내고 있다. 예를 들면， 필름 형태의 봉지 구조 (501)는， 도 5와 같이 제 1 전극층 (401), 유기층 (402) 및 제 2 전극층 (403)의 전면을 피복하면서, 상기 제 1 고분자 기재층 (101)， 광학 기능성층 (102) 및 고굴절층 (103)을 포함하는 기판과 상부의 제 2 기판 (502)을 서로 접착시키고 있는 구조를 가질 수 있다. 상기에서 제 2 기판으로는， 예를 들면， 유리 기판， 금속 기판， 고분자 필름 또는 배리어층 등이 예시될 수 있 다. 필름 형태의 봉지 구조는, 예를 들면， 에폭시 수지 등과 같이 열 또는 자외선 (UV)의 조사 등에 의해 경화되는 액상의 재료를 도포하고， 경화시켜서 형성하고나， 혹은 상기 에폭시 수지 등을 사용하여 미리 필름 형태로 제조된 접착 시트 등을 사 용하여 기판과 상부 기판을 라미네이트하는 방식으로 형성할 수 있다.
봉지 구조는， 필요한 경우， 산화 칼슴， 산화 베릴륨 등의 금속 산화물， 염화 칼슘 등과 같은 금속 할로겐화물 또는 오산화 인 등과 같은 수분 흡착제 또는 게터 재 등을 포함할 수 있다. 수분 흡착제 또는 게터재는， 예를 들면， 필름 형태의 븡 지 구조의 내부에 포함되어 있거나， 혹은 캔 구조의 봉지 구조의 소정 위치에 존재 할 수 있다. 봉지 구조는 또한 배리어 필름이나 전도성 필름 등을 추가로 포함할 수 있다, <64> 본 출원은 또한 유기전자소자용 기판 또는 유기전자소자의 제조방법에 관한 것이다. 하나의 예시에세 유기전자소자용 기판은， 캐리어 기판에 제 1 고분자 기 재층을 형성하고， 상기 기재층상에 광학기능성층을 형성하며， 상기 광학기능성층상 에 고굴절층을 형성하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.
<65> 예시적인 유기전자소자용 기판의 제조방법은， 캐리어 기판에 제 1 고분자 기 재층을 형성하는 것을 포함한다. 상기에서 캐리어 기판은， 예를 들면， 유리 등과 같은 강성 기판을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 캐리어 기판은， 예를 들면 전술한 유기전자소자용 기판의 캐리어 기판의 항목에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
<66> 제 1 고분자 기재층은， 예를 들면, 캐리어 기판상에 고분자 필름을 라미네이 트하거나 고분자를 포함하는 코팅액을 코팅함으로써 형성될 수 있다. 이 경우에， 상기 캐리어 기판은 그 위에 형성되는 필름 또는 코팅층이 박리 가능하도록 되어 있을 수 있다. 제 1 고분자 기재층은， 예를 들면， 상기 기술한 코팅 방식， 예를 들 면 습식 코팅 방식， CVD(Chemical Vapor Deposition), 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 등과 같은 증착 방식 등을 통하여 형성할 수 있다.
<67> 하나의 예시에서, 제 1 고분자 기재층이 폴리이미드를 포함하는 경우， 상기 폴리이미드 기재층은， 캐리어 기판에 폴리이미드 필름을 라미네이트하거나 또는 그 전구체인 폴리아믹산을 적절한 용매에 회석시킨 코팅액을 도포하여 코팅한 후 이미 드화 반웅시켜 형성할 수 있다. 다른 하나의 예시에서， 1차로 폴리이미드 필름을 라미네이트 하고, 그 위에 다시 2차로 폴리아믹산을 포함하는 코팅액을 도포한 후 이미드화 반옹시켜 형성할 수도 있다.
<68> 상기 제조 방법은 제 1 고분자 기재층을 형성한 후에， 제 1 고분자 기재층상 에 광학 기능성층을 형성하는 것을 추가로 포함한다. 하나의 예시에서， 상기 광학 기능성층은 해이즈가 10% 내지 50%, 20% 내지 40% 또는 25% 내지 35%이 되도록 형 성될 수 있다. 광학 기능성층은， 예를 들면， 상기 기술한 코팅 방식， CVD(Chemical Vapor Deposition), 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 등과 같은 증착 방식 또는 나노임프린팅 또는 마이크로템보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있 다.
<69> 상기 제조 방법은 광학 기능성층을 형성한 후에， 광학 기능성층상에 고굴절 층을 형성하는 것을 추가로 포함한다. 하나의 예시에서， 상기 고굴절층은 633 nm 의 파장의 광에 대한 굴절를이 1.6 내지 2.0， 1.8 내지 1.95 또는 1.85 내지 1,90 이 되도록 형성될 수 있다. 고굴절층은， 예를 들면 상기 기술한 코팅 방식, CVDCChemical Vapor Deposition), 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 등과 같은 증착 방식 또는 나노임프린팅 또는 마이크로엠보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있 다.
<70> 유기전자장치의 제조 방법은， 상기 기술한 방법에 따라 제조된 유기전자소자 용 기판 상에 , 제 1 전극， 발광층을 포함하는 기능성 유기층과 제 2 전극층을 순차 로 형성하고， 필요에 따라 추가로 봉지 구조를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 또 한， 상기 유기전자소자의 제조 시에 사용되었던 캐리어 기판은 공정 완료 후에 필 요에 따라， 제거될 수도 있다. 상기 제 1 및 제 2 전극층을 형성하는 방식은 특별 히 제한되지 않고， 공지의 증착, 스퍼터링， 화학 증착 또는 전기화학적 방식 등의 임의의 방식으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 유기층 및 봉지구조는 공지된 방식 으로 형성할 수 있다.
<71> 본 출원은 또한 상기 기술한 유기전자장치 , 예를 들면 , 유기발광장치의 용도 에 관한 것이다. 상기 유기발광장치는， 예를 들면， 디스플레이용 광원， 예를 들어 액정표시장치 (LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명， 각종 센서, 프린 터, 복사기 등의 광원， 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체 의 광원, 디스플레이， 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다. 하나의 예시에서 본 출원은， 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치에 관한 것이 다. 상기 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 상기 유기발광소자가 적용될 경우에， 상기 장치 등을 구성하는 다른 부품이나 그 장치의 구성 방법은 특별히 제한되지 않고， 상기 유기발광소자가 사용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료 나 방식이 모두 채용될 수 있다.
【유리한 효과】
<72> 본 출원의 유기전자소자용 기판은 , 예를 들면 , 광추출 효을 등을 포함하는 성능이 우수한 유기전자장치를 형성할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
<73> 도 1은 예시적인 유기전자소자용 기판을 나타내는 모식도이다.
<74> 도 2 및 도 3은 광학 기능성층의 예시를 나타내는 도면이다.
<75> 도 4 및 5는 예시적인 유기전자장치를 나타내는 도면이다.
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
<76> 이하， 본 출원에 따른 실시예를 통하여 상기 기판을 보다 구체적으로 설명하 지만, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
<77> <78> 실시예 1
<79> 유기전자소자용 기판의 제조
<80> 캐리어 기판으로 유리를 사용하여 유기전자소자용기판과 유기전자소자를 제 조하였다. 우선, 하기 화학식 A의 화합물 (3,3'-sulfonyldianiline) 및 하기 화학 식 B의 화합물 (3,3'4,4'-bipheynyltetracarboxylic di anhydride)을 사용하여 공지 의 폴리아믹산 (poly(amic acid))의 합성 방식으로 합성한 폴리아믹산을 포함하는 코팅액으로서 분자량 (Mw)이 약 5만 정도인 코팅액을 상기 캐리어 기판상에 최종 고 분자층의 두께가 약 가 되도록 코팅한 후에 이미드화 반웅 (imidization)을 수행 하여， 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.7 내지 1.8 정도인 기재층을 형성하 였다. '
<81> 이어서, 축합성 실란으로서 테트라메록시 실란을 포함하는 졸겔 코팅액 내에 평균 입경이 약 200 nm인 산란상 입자 (산화 티탄 입자)를 배합하고, 충분히 분산시 켜서 광산란층용 코팅액을 제조하였다. 상기 코팅액을 상기 고분자 기재층상에 코 팅하고, 200 °C에서 약 30분 동안 졸겔 반웅을 진행시켜서 두께가 약 300 nm 정도 인 광산란층을 형성하였다. 형성된 광산란층에 대하여 HM-150을 이용하여 JIS . 7105방식으로 헤이즈를 평가한 결과, 헤이즈가 약 30 %로 측정되었다. 그 후， 동 일하게 테트라메특시 실란을 포함하는 졸겔 코팅액에 평균 입경이 약 10 nm이고， 굴절를이 약 2.5 정도인 고굴절 산화 티탄 입자를 배합한 고굴절 코팅액을 광산란 층의 상부에 코팅한 후에 동일하게 졸겔 반웅을 진행하여 633 nm의 파장의 광에 대 한굴절률이 약 1.8정도이며， 두께가 약 300 nm정도인 평탄층을 형성하였다.
<82> 그 후， 상기 고분자 기재충의 형성 시에 한 것과 동일한 방식으로 상기 평탄 층상에 1 정도의 두께 로 폴리이미드에 의한 제 2 고분자 기채층을 형성하여 유 기전자 소자용 기판을 제조하였다.
<83> [화학식 A]
Figure imgf000020_0001
<84> <85> [화학식 B]
Figure imgf000021_0001
<86>
<87> 유기전자장치의 제조
<88> . 공지의 스퍼터링 방식으로 상기 제 2 i분자 기재층상에 ITOnndium Tin
Oxide)를 포함하는 정공 주입성 전극층을 상기 제 2 고분자 기재층상에 형성하였 다. 계속하여 공지의 소재 및 방식을 사용하여 정공 주입층， 정공 수송층, 발광 층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 주입성 전극층을 형성하였다. 그 후 글라 스캔으로 상기 구조를 봉지하여 유기발광장치를 제작하였다.
<89>
<90> 비교예 1
<91> 광산란층용 코팅액의 제조 시에 산란 입자를 사용하지 않고, 방식으로 측정 한 헤이즈가 10% 미만인 층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 유기전자소자용 기판 및 유기발광장치를 제조하였다.
<92>
<93> 상기 실시예 1 및 비교예 1의 유기발광장치의 절대 양자 효율 및 구동 전압 은 하기 표 1과 같다. 하기 표 1에서 절대 양자 효율의 평가는 공지의 방식으로 수행하였다.
<94> 【표 1】
Figure imgf000021_0002
<95>
<96> [부호의 설명]
<97> 1: 유기전자소자용 기판
<98> 101： 제 1 고분자 기재층 <99> 102： 광학 기능성층
<ιοο> 103： 고굴절층
<ιοι> 1021： 매트릭스 물질
<102> 1022： 산란성 영 역
<103> 1023： 요철 구조의 광산란층
<104> 401 : 제 1 전극층
<105> 402： 유기층
<106> 403： 제 2 전극층
<107> 404： 캔 형쾌의 봉지구조
<108> 501： 필름 형 태의 봉지구조
<109> 502： 제 2 기판

Claims

【청구의 범위】
【청구항 1】
제 1 고분자 기재층; 상기 제 1 고분자 기재층상에 형성되어 있고， 헤이즈가 10% 내지 5 인 광학 기능성층; 및 상기 광학 기능성층의 상부에 형성되어 있고， 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이 1.6 내지 2.0인 고굴절충을 포함하는 유기전자 소자용 기판.
【청구항 2】
제 1 항에 있어서， 제 1 고분자 기재층은 633nm 파장의 광에 대한 굴절를이 1.5 이상인 유기전자소자용 기판
【청구항 3】
제 1 항에 있어서, 제 1 고분자 기재층은 폴리아믹산, 폴리이미드， 폴리에틸 렌나프탈레이트， 폴리에테르에테르케톤， 폴리카보네이트， 폴리에틸렌테레프탈레이 트， 폴리에테르설파이드, 폴리설폰 아크릴 수지， 폴리스타이렌 또는 에폭시 수지를 포함하는 유기전자소자용 기판.
【청구항 4】
제 1 항에 있어서， 광학 기능성층은 광산란층인 유기전자소자용 기판.
【청구항 5】
제 4 항에 있어서， 광산란층은 매트릭스 물질 및 상기 매트릭스 물질과는 굴 절률이 다른 산란성 입자를 포함하는 유기전자소자용 기판.
[청구항 6]
제 4 항에 있어서, 광산란충은 요철 구조를 가지는 층인 유기전자소자용 기 판.
【청구항 7】
제 1 항에 있어서， 고굴절층은 평탄층인 유기전자소자용 기판.
【청구항 8】
제 7 항에 있어서, 평탄층은 폴리아믹산， 폴리이미드, 폴리실록산또는 에폭 시 수지를 포함하는 유기전자소자용 기판.
【청구항 9】
제 8 항에 있어서， 평탄층은 633nm 파장의 광에 대한 굴절률이 1.8 이상이고 평균 입경이 50 nm 이하인 입자를 추가로 포함하는 유기전자소자용 기판.
【청구항 10】
제 1 항에 있어서， 고굴절층은 제 2 고분자 기재층인 유기전자소자용기판.
【청구항 11】
제 1 항에 있어서， 캐리어 기판을 추가로 포함하고 제 1 고분자 기재층의 광 학 기능성층과는 반대측 면이 상기 캐리어 기판과 접촉하고 있는 유기전자소자용 기판,
【청구항 12】
캐리어 기판에 제 1 고분자 기재층을 형성하고, 상기 기재충상에 헤이즈가 10% 내지 50%인 광학 기능성층을 형성하며 , 상기 광학 기능성층상에 633 nm의 파장 의 광에 대한 굴절률이 1.6 내지 2,0인 고굴절층을 형성하는 것을 포함하는 유기전 자소자용 기판의 제조 방법 .
【청구항 13】
제 12 항에 있어서， 제 1 고분자 기재층은 캐리어 기판상에 고분자 필름을 라미네이트하거나 고분자를 포함하는 코팅액을 코뒹하여 형성하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
【청구항 14】
제 1 항의 유기전자소자용 기판; 상기 기판의 고굴절층상에 형성되어 있는 제 1 전극; 상기 제 1 전극상에 형성되어 있는 기능성 유기충 및 상기 기능성 유기 층상에 형성되어 있는 제 2 전극을 포함하는 유기전자장치.
【청구항 15】
제 12 항의 방법에 따라 제조된 유기전자소자용 기판 상에 제 1 전극， 기능 성 유기층 및 제 2 전극을 순차 형성하는 것을 포함하는 유기전자장치의 제조 방 법.
【청구항 16】
제 14 항의 유기전자장치를 포함하는 디스플레이용 광원.
【청구항 17】
제 14 항의 유기전자장치를 포함하는 조명 기기.
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