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WO2013129249A1 - 電荷輸送性ワニス - Google Patents

電荷輸送性ワニス Download PDF

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WO2013129249A1
WO2013129249A1 PCT/JP2013/054508 JP2013054508W WO2013129249A1 WO 2013129249 A1 WO2013129249 A1 WO 2013129249A1 JP 2013054508 W JP2013054508 W JP 2013054508W WO 2013129249 A1 WO2013129249 A1 WO 2013129249A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ether
dimethyl
acetate
diethylene glycol
group
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2013/054508
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
佳代 竹田
卓司 吉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority to KR1020207012356A priority Critical patent/KR102252172B1/ko
Priority to KR20147026707A priority patent/KR20140131547A/ko
Priority to EP13755851.6A priority patent/EP2822050B1/en
Priority to CN201380012099.0A priority patent/CN104145348B/zh
Priority to US14/382,261 priority patent/US10233337B2/en
Priority to JP2014502174A priority patent/JP6426468B2/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers

Definitions

  • the present invention relates to a charge transporting varnish, and more particularly to a charge transporting varnish capable of producing a thin film with good flatness.
  • a charge transporting thin film comprising a charge transporting oligomer or polymer is generally used as a charge injection layer, a charge transport layer or a light emitting layer. It has been.
  • This charge transporting thin film is required to have high flatness. It is thought that the unevenness of the charge transporting thin film leads to uneven emission of the element, reduction of element lifetime, generation of dark spots, deterioration of element characteristics due to short circuit, etc., and causes a decrease in yield during production of organic EL elements. Because it is. Therefore, there is a strong demand for a technique that can form a charge transporting thin film with high flatness that can be industrially realized.
  • Processes for forming a charge transporting thin film are roughly classified into a dry process typified by vacuum deposition and a wet process typified by spin coating.
  • a dry process is compared with a wet process, a thin film with higher flatness can be easily produced by the wet process, and therefore, an improvement in element yield can be expected.
  • wet processes are mainly used in industrial organic EL device manufacturing processes.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a charge transporting varnish capable of providing a charge transporting thin film excellent in flatness with good reproducibility.
  • the present inventors have used a good solvent and a poor solvent for the charge transporting material or the charge transporting material in combination as a varnish preparation solvent, By adjusting the boiling point difference with the poor solvent and using a varnish with the viscosity and surface tension adjusted to an appropriate range, a thin film with higher uniformity and reduced surface irregularities can be reproduced with good reproducibility.
  • the present invention was completed by finding that it can be produced.
  • a charge transporting substance comprising a charge transporting monomer or a charge transporting oligomer or polymer having a number average molecular weight of 200 to 500,000, or a charge transporting material comprising the charge transporting substance and a dopant substance, at least one good solvent and at least one A mixed solvent composed of a kind of poor solvent, and the absolute value of the boiling point difference ⁇ T ° C. of the good solvent and the poor solvent satisfies
  • Charge transport varnish 2.
  • the good solvent is N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, 1,3 1 charge transporting varnish that is at least one selected from dimethyl-2-imidazolidinone, trimethyl phosphate, triethyl phosphate, diethylene glycol, and triethylene glycol, 3.
  • the poor solvent is ethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, hexylene glycol, 1,2-butanediol, 2,3-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,5 -Pentanediol, octylene glycol, glycerin, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol isopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol mono Butyl ether acetate, ethylene glycol benzyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, 2-methoxy Ethanol, ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol monoisobutyl ether, ethylene glycol monoethyl
  • the combination of the good solvent and the poor solvent is N, N-dimethylacetamide and 2,3-butanediol, N, N-dimethylacetamide and cyclohexanol, N, N-dimethylacetamide and diethylene glycol dimethyl ether, N, N-dimethyl.
  • Acetamide and n-hexyl acetate N, N-dimethylacetamide and ethylene glycol monoethyl ether acetate, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and diethylene glycol monobutyl ether, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and diethylene glycol Monoethyl ether acetate, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and triethylene glycol dimethyl ether, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and 2-phenoxyethanol, 1, -Dimethyl-2-imidazolidinone and 1,3-butanediol, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and tripropylene glycol monomethyl ether, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and ethylene glycol monohexyl Ether, N-methylpyrrolidone and diethylene glycol diethyl ether, N-methylpyrrolidone and diethylene glycol monoe
  • R 1 , R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, amino group, silanol group, thiol group, carboxyl group, phosphate group, phosphate ester group, ester group Thioester group, amide group, nitro group, monovalent hydrocarbon group, organooxy group, organoamino group, organosilyl group, organothio group, acyl group or sulfonic acid group, and A and B are each independently Formula (2) or (3) R 4 to R 11 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a silanol group, a thiol group, a carboxyl group, a phosphate group, or a phosphate
  • m and n are each independently An integer of 1 or more satisfies m + n ⁇ 20. ) 6). Any one of the charge transporting varnishes 1 to 5 for slit coating application; 7). A charge transporting thin film produced from the charge transporting varnish of any one of 1 to 5, 8). An organic electroluminescent device comprising 7 charge transporting thin films; 9. 8. The organic electroluminescence device according to 8, wherein the charge transporting thin film is a hole injection layer or a hole transport layer; 10.
  • Charge transport comprising a charge transporting substance comprising a charge transporting monomer or charge transporting oligomer or polymer having a number average molecular weight of 200 to 500,000, or a charge transporting material comprising the charge transporting substance and a charge accepting dopant substance, and a solvent
  • the viscosity of the charge transport varnish at 25 ° C. is 7.5 mPa ⁇ s or less
  • the charge transport varnish The method of improving the flatness of a charge transporting thin film is characterized in that the surface tension at 23 ° C. is 30.0 to 40.0 mN / m.
  • the charge transporting varnish of the present invention By using the charge transporting varnish of the present invention, a charge transporting thin film excellent in flatness can be produced with good reproducibility. Thereby, it becomes possible to manufacture an organic EL device and the like stably with a high yield. Further, by using this charge transporting varnish, it is possible to obtain a thin film having excellent uniformity as compared with a conventional charge transporting thin film. Thereby, the short circuit caused by the foreign material generated in the thin film can be remarkably suppressed, current concentration and defects in the organic EL device can be reduced, and the reliability can be improved. Furthermore, the charge transporting varnish of the present invention provides a charge transporting thin film with a highly accurate film thickness even when the film is formed by a slit coating method capable of forming a film over a large area. It can sufficiently cope with the progress in the display field and lighting field such as device enlargement.
  • the charge transporting varnish according to the present invention comprises a charge transporting material comprising a charge transporting monomer or a charge transporting oligomer or polymer having a number average molecular weight of 200 to 500,000, or a charge transporting material comprising the charge transporting material and a dopant material.
  • a mixed solvent comprising at least one good solvent and at least one poor solvent, and the absolute value of the boiling point difference ⁇ T ° C. between the good solvent and the poor solvent is
  • the viscosity at 25 ° C. is 7.5 mPa ⁇ s or less, the surface tension at 23 ° C.
  • the charge transporting varnish of the present invention may itself have a charge transporting property, or a solid film obtained using the varnish may have a charge transporting property.
  • the boiling point and boiling point difference of the solvent are values under 1.01 ⁇ 10 5 Pa (atmospheric pressure).
  • the absolute value of the boiling point difference ⁇ T ° C. needs to satisfy
  • the absolute value of ⁇ T ° C. is preferably
  • the good solvent include N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, trimethyl phosphate, triethyl phosphate, dimethyl sulfoxide, N-cyclohexyl-2-pyrrolidinone, diethylene glycol, triethylene glycol and the like may be used. Two or more kinds may be used in combination.
  • N, N-dimethylacetamide (166.1 ° C.), N-methylpyrrolidone (202.0 ° C.), and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (225.0 ° C.) are preferable (in parentheses). Is the boiling point, and so on).
  • the poor solvent examples include ethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, hexylene glycol, 1,2-butanediol, 2,3-butanediol, 1,3-butanediol, and 1,4-butane.
  • 2,3-butanediol (182.0 ° C), cyclohexanol (161.1 ° C), diethylene glycol monobutyl ether (230.4 ° C), diethylene glycol monoethyl ether acetate (217.4 ° C), diethylene glycol dimethyl ether (159.6 ° C), n-hexyl acetate (169.2 ° C), diethylene glycol diethyl ether (188.4 ° C), ethylene glycol monoethyl ether acetate (156.8 ° C), triethylene glycol dimethyl ether (216.0 ° C) ), 2-phenoxyethanol (237.0 ° C.), 1,3-butanediol (207.4 ° C.), triethylene glycol monomethyl ether (249.0 ° C.), triethylene glycol monoethyl ether ( 55.9 ° C), diethylene glycol monobutyl ether acetate (246.8 ° C), tripropy
  • Preferred combinations of good and poor solvents include N, N-dimethylacetamide and 2,3-butanediol, N, N-dimethylacetamide and cyclohexanol, N, N-dimethylacetamide and diethylene glycol dimethyl ether, N, N— Dimethylacetamide and n-hexyl acetate, N, N-dimethylacetamide and ethylene glycol monoethyl ether acetate, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and diethylene glycol monobutyl ether, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone Diethylene glycol monoethyl ether acetate, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and triethylene glycol dimethyl ether, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and 2-phenoxyethanol 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and 1,3-butanediol, 1,3-dimethyl-2-imidazo
  • the charge transporting material used in the present invention is not particularly limited as long as it is a charge transporting monomer, charge transporting oligomer or polymer that can be dissolved in the good solvent and can be dissolved or dispersed in the mixed solvent used in the varnish.
  • Charge transporting monomer having a unit, number average molecular weight of 200 to 5,000, and a single conjugated unit is continuous, or two or more different conjugated units are continuously connected in any order Are preferred.
  • the conjugated unit is not particularly limited as long as it is an atom capable of transporting charge, an aromatic ring, a conjugated group, etc., but considering the solubility in organic solvents and the expression of good charge transporting properties, Substituted or unsubstituted aniline, thiophene, dithiin, furan, pyrrole, ethynylene, vinylene, phenylene, naphthalene, anthracene, imidazole, oxazole, oxadiazole, quinoline, quinoxaline, silole, silicon, pyridine Pyrimidine, pyrazine, phenylene vinylene, fluorene, carbazole, triarylamine, metal- or metal-free phthalocyanine, metal- or metal-free porphyrin, and the like are preferably used.
  • the conjugated chain formed by coupling conjugated units may include a cyclic part. Further, the term “non-subsulfy
  • substituent on the conjugated unit include a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a silanol group, a thiol group, a carboxyl group, a phosphate group, a phosphate ester group, an ester group, a thioester group, an amide group, a nitro group, Examples thereof include monovalent hydrocarbon groups, organooxy groups, organoamino groups, organosilyl groups, organothio groups, acyl groups, and sulfonic acid groups.
  • the monovalent hydrocarbon group examples include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, t-butyl, hexyl, octyl and decyl groups; cycloalkyl groups such as cyclopentyl and cyclohexyl groups; bicyclo such as bicyclohexyl groups.
  • Alkyl groups alkenyl groups such as vinyl, 1-propenyl, 2-propenyl, isopropenyl, 1-methyl-2-propenyl, 1,2 or 3-butenyl, hexenyl groups; ethynyl, 1-propynyl, 2-propynyl, 2 -Alkynyl groups such as butynyl, 3-butynyl, 2-pentynyl, 3-pentynyl, 4-pentynyl, 2-hexynyl, 3-hexynyl; aryl groups such as phenyl, xylyl, tolyl, biphenyl, naphthyl; benzyl, phenyl Aralkyl groups such as ethyl and phenylcyclohexyl groups, etc. Some or all halogen atoms of the hydrogen atoms of these monovalent hydrocarbon groups, hydroxyl group and a substituted group such as an alkoxy group.
  • organooxy group examples include alkoxy, alkenyloxy, aryloxy groups and the like, and examples of the alkyl group, alkenyl group and aryl group constituting these groups include the same groups as those exemplified above. It is done.
  • organoamino group examples include alkylamino groups such as methylamino, ethylamino, propylamino, butylamino, pentylamino, hexylamino, heptylamino, octylamino, nonylamino, decylamino, laurylamino groups; dimethylamino, diethylamino , Dipropylamino, dibutylamino, dipentylamino, dihexylamino, diheptylamino, dioctylamino, dinonylamino, didecylamino groups, and the like; cyclohexylamino groups, morpholino groups, and the like.
  • organosilyl group examples include trimethylsilyl, triethylsilyl, tripropylsilyl, tributylsilyl, tripentylsilyl, trihexylsilyl, pentyldimethylsilyl, hexyldimethylsilyl, octyldimethylsilyl, and decyldimethylsilyl groups.
  • organothio group examples include alkylthio groups such as methylthio, ethylthio, propylthio, butylthio, pentylthio, hexylthio, heptylthio, octylthio, nonylthio, decylthio, and laurylthio groups.
  • alkylthio groups such as methylthio, ethylthio, propylthio, butylthio, pentylthio, hexylthio, heptylthio, octylthio, nonylthio, decylthio, and laurylthio groups.
  • acyl group include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, isovaleryl, benzoyl group and the like.
  • the carbon number of the monovalent hydrocarbon group, organooxy group, organoamino group, organosilyl group, organothio group and acyl group is not particularly limited, but preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms. preferable.
  • a fluorine atom, a sulfonic acid group, a substituted or unsubstituted organooxy group, an alkyl group, and an organosilyl group are preferable, but particularly on a conjugated unit from the viewpoint of exhibiting good charge transportability.
  • the number average molecular weight of the charge transport material comprising the charge transport oligomer or polymer is 200 to 500,000. If the number average molecular weight is less than 200, the volatility becomes too high and the charge transport property is not likely to be sufficiently expressed. On the other hand, if it exceeds 500,000, the solubility in the solvent is too low and may not be suitable for use. high.
  • the number average molecular weight is preferably 5000 or less, more preferably 2000 or less, and even more preferably 1000 or less.
  • an oligomer or polymer having no molecular weight distribution (dispersity of 1) is preferable.
  • the number average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography (polystyrene conversion).
  • an oligoaniline derivative represented by the formula (1) or a quinonediimine derivative that is an oxidant thereof is used. It is preferable to use it.
  • R 1 , R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, amino group, silanol group, thiol group, carboxyl group, phosphate group, phosphate ester group, An ester group, a thioester group, an amide group, a nitro group, a monovalent hydrocarbon group, an organooxy group, an organoamino group, an organosilyl group, an organothio group, an acyl group, or a sulfonic acid group.
  • a and B are independently
  • the divalent group represented by the formula (2) or (3), m and n are each independently an integer of 1 or more and satisfying m + n ⁇ 20.
  • R 4 to R 11 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a silanol group, a thiol group, a carboxyl group, a phosphate group, or a phosphate group. , Ester group, thioester group, amide group, nitro group, monovalent hydrocarbon group, organooxy group, organoamino group, organosilyl group, organothio group, acyl group or sulfonic acid group.
  • R 1 to R 11 include the same substituents as those described above for the substituent on the conjugated unit, and these substituents are further substituted with other optional substituents. May be.
  • m + n is preferably 4 or more from the viewpoint of developing good charge transport properties, and is preferably 16 or less, particularly preferably 10 or less, from the viewpoint of developing good solubility in a solvent.
  • Such compounds include phenyltetraaniline, phenylpentaaniline, tetraaniline (aniline tetramer), octaaniline (aniline octamer), hexadecaaniline (aniline 16mer), (phenyltriani).
  • the quinonediimine structure is a structure in which one double bond in the carbocyclic ring of an aromatic compound is reduced, and two C ⁇ N double bonds are substituted in the para or ortho position.
  • the structure is as shown in Formula (4).
  • Suitable examples of the charge transporting material include, but are not limited to, those represented by the formulas (5) and (6).
  • a charge-accepting dopant material is used as necessary.
  • an electron-accepting dopant material is used for the hole-transporting material
  • a hole-accepting dopant material is used for the electron-transporting material.
  • the solubility of the charge-accepting dopant substance is not particularly limited as long as it dissolves in at least one solvent used for varnish, and both inorganic electron-accepting substances and organic electron-accepting substances are used. it can.
  • inorganic electron-accepting substances include inorganic acids such as hydrogen chloride, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid; aluminum chloride (III) (AlCl 3 ), titanium tetrachloride (IV) (TiCl 4 ), boron tribromide ( BBr 3 ), boron trifluoride ether complex (BF 3 ⁇ OEt 2 ), iron (III) chloride (FeCl 3 ), copper (II) chloride (CuCl 2 ), antimony pentachloride (V) (SbCl 5 ), five Metal halides such as antimony fluoride (V) (SbF 5 ), arsenic pentafluoride (V) (AsF 5 ), phosphorus pentafluoride (PF 5 ), tris (4-bromophenyl) aluminum hexachloroantimonate (TBPAH) Compound; Halogen such as Cl 2 , Br 2 , I 2 , ICl,
  • organic electron accepting substances examples include benzenesulfonic acid, tosylic acid, p-styrenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid, 4-hydroxybenzenesulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, p-dodecylbenzenesulfonic acid, dihexylbenzene.
  • an aromatic sulfonic acid compound is preferable, an aryl sulfonic acid compound represented by the formula (7) is more preferable, and an aryl sulfonic acid compound represented by the formula (8) is particularly preferable.
  • X represents O or S, but O is preferred.
  • A is a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group, a thiol group, a phosphoric acid group, a sulfonic acid group, a carboxyl group, a C 1-20 alkoxy as a substituent other than X and p SO 3 H groups.
  • a naphthalene ring or anthracene ring which may have a substituent is represented, and a naphthalene ring or anthracene ring having no substituent other than the SO 3 H group is particularly preferable.
  • B is a divalent or trivalent benzene ring, a divalent p-xylylene group, a divalent or trivalent naphthalene ring, a divalent to tetravalent perfluorobiphenyl group, or a divalent 2,2-bis (( Represents a hydroxypropoxy) phenyl) propyl group.
  • substituents in A and B include the same ones as described above.
  • p represents the number of sulfonic acid groups bonded to A and is an integer of 1 to 4.
  • q represents the number of bonds between B and X, and is an integer of 2 to 4.
  • hole-accepting dopant examples include metal complexes such as alkali metals (Li, Na, K, Cs), lithium quinolinolato (Liq), and lithium acetylacetonate (Li (acac)). It is not limited to these.
  • the charge transporting varnish according to the present invention contains a good solvent, a poor solvent, a charge transporting substance, and a charge accepting dopant used as necessary, as described above, and has a viscosity at 25 ° C. of 7. It is necessary to make the surface tension at 5 mPa ⁇ s or less and 23 ° C. 30.0 to 40.0 mN / m. Even if the absolute value
  • the viscosity of the varnish is more preferably 7.0 mPa ⁇ s or less at 25 ° C., and 6.9 mPa ⁇ s or less. Even more preferred.
  • the lower limit of the viscosity is not particularly limited, but is usually about 1.0 mPa ⁇ s.
  • the surface tension of the varnish is more preferably 30.5 to 39.0 mN / m at 23 ° C., and further preferably 30.7 to 38.5 mN / m.
  • one of the good solvent and the poor solvent used in the charge transporting varnish of the present invention is 0.1 to 200 mPa ⁇ s, particularly 0.1 to 100 mPa ⁇ s at 25 ° C. It is preferable to use a solvent having a viscosity of s and a boiling point of 50 to 300 ° C., particularly 100 to 250 ° C. at normal pressure. Specific examples of such a solvent include cyclohexanol, ethylene glycol, ethylene glycol diglycidyl ether, 1,3-octylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, 1,3-butane exemplified as the poor solvent.
  • Examples thereof include diol, 1,4-butanediol, 2,3-butanediol, propylene glycol, hexylene glycol, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, and triethylene glycol dimethyl ether.
  • cyclohexanol, dipropylene glycol, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol are particularly preferable in that they have an appropriate viscosity and boiling point and exhibit good coating properties on substrates.
  • Monobutyl ether acetate and triethylene glycol dimethyl ether are preferred.
  • the viscosity is a value measured with a TVE-22L viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. (the temperature of the thermostatic bath is set to 25 ° C.).
  • the amount of good solvent and poor solvent used depends on the type of solvent used and the type and amount of charge transporting substance so that the viscosity and surface tension of the varnish satisfy the above ranges.
  • the amount of good solvent used is 1 to 90% by mass (poor solvent 10 to 99% by mass), preferably 10 to 90%, based on the entire solvent. % By weight (poor solvent 10 to 90% by weight), more preferably 20 to 90% by weight (poor solvent 10 to 80% by weight), even more preferably 30 to 90% by weight (poor solvent 10 to 70% by weight).
  • the charge transporting material is preferably dissolved in a good solvent.
  • the solid content concentration of the charge transporting varnish is appropriately set in consideration of the viscosity and surface tension of the varnish, the thickness of the thin film to be produced, etc., but is usually 0.1 to 10.0 mass. %, Preferably 0.5 to 5.0 mass%, more preferably 1.0 to 3.0 mass%.
  • the substance amount (mol) ratio between the charge transporting substance and the charge-accepting dopant substance is also appropriately determined in consideration of the viscosity, surface tension, etc.
  • the charge-accepting dopant is 0.1 to 10, preferably 0.5 to 5.0, and more preferably 1.0 to 1.0 with respect to the charge transporting material 1 as a mass ratio. 3.0.
  • a charge transporting thin film can be formed on a substrate by applying the charge transporting varnish described above on the substrate and evaporating the solvent.
  • the varnish application method is not particularly limited, and examples thereof include a dipping method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, a brush coating method, an ink jet method, a spray method, and a slit coating method.
  • This charge transporting varnish is particularly suitable for the slit coating method used for coating on a large area substrate or the like because it provides a thin film with better uniformity and flatness.
  • the method for evaporating the solvent is not particularly limited, and may be evaporated in a suitable atmosphere such as in the air, in an inert gas such as nitrogen, or in a vacuum using a heating device such as a hot plate or an oven. . Thereby, a thin film having a uniform film formation surface can be obtained.
  • the firing temperature is not particularly limited as long as the solvent can be evaporated, but 40 to 250 ° C. is preferable. In this case, two or more stages of temperature changes may be applied for the purpose of developing higher uniform film forming properties or allowing the reaction to proceed on the substrate.
  • the thickness of the charge transporting thin film is not particularly limited, but is preferably 5 to 200 nm when used as a charge injection layer in an organic EL device.
  • a method of changing the film thickness there are methods such as changing the solid content concentration in the varnish and changing the amount of the solution on the substrate during coating.
  • the charge transporting varnish of the present invention when used, when a thin film having a thickness of 30 nm is formed by the slit coating method, a thin film having a variation within ⁇ 4 nm can be produced, and a thin film having a thickness within ⁇ 3 nm is produced with good reproducibility. can do.
  • Examples of materials used and methods for producing an OLED element using the charge transporting varnish of the present invention include the following, but are not limited thereto.
  • the electrode substrate to be used is preferably previously washed with a detergent, alcohol, pure water or the like. Further, for example, the anode substrate is preferably subjected to surface treatment such as UV ozone treatment or oxygen-plasma treatment immediately before use. However, when the anode material is mainly composed of an organic material, the surface treatment may not be performed.
  • Examples of a method for producing an OLED element using the charge transporting varnish of the present invention include the following methods.
  • the charge transporting varnish (hole transporting varnish) of the present invention is applied on the anode substrate by a slit coating method or the like, evaporated and baked by the above method, and a hole transporting thin film is produced on the electrode.
  • This is introduced into a vacuum deposition apparatus, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode metal are sequentially deposited to form an OLED element.
  • a carrier block layer may be provided between arbitrary layers.
  • anode material examples include transparent electrodes typified by indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), and those subjected to planarization treatment are preferable.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • Polythiophene derivatives and polyaniline derivatives having high charge transporting properties can also be used.
  • TPD triphenylamine dimer derivative
  • ⁇ -NPD ⁇ -naphthyldiphenylamine dimer
  • Spiro-TAD spiro-dimer
  • Triarylamines such as 4,4 ′, 4 ′′ -tris [3-methylphenyl (phenyl) amino] triphenylamine (m-MTDATA), 4,4 ′, 4 ′′ -tris [1-naphthyl (phenyl) ) Amino] triphenylamine (1-TNATA) and other starburst amines, 5,5 ′′ -bis- ⁇ 4- [bis (4-methylphenyl) amino] phenyl ⁇ -2,2 ′: 5 ′,
  • Materials for forming the light emitting layer include tris (8-quinolinolato) aluminum (III) (Alq 3 ), bis (8-quinolinolato) zinc (II) (Znq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) ( p-phenylphenolate) aluminum (III) (BAlq) and 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi), and the like.
  • the light emitting layer may be formed by co-evaporation.
  • Examples of the electron transport material include Alq 3 , BAlq, DPVBi, (2- (4-biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole) (PBD), triazole derivatives ( TAZ), bathocuproine (BCP), silole derivatives and the like.
  • luminescent dopant examples include quinacridone, rubrene, coumarin 540, 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM), tris (2-phenylpyridine) iridium ( III) (Ir (ppy) 3 ), (1,10-phenanthroline) -tris (4,4,4-trifluoro-1- (2-thienyl) -butane-1,3-dionate) europium (III) ( Eu (TTA) 3 phen) and the like.
  • Examples of the material for forming the carrier block layer include PBD, TAZ, and BCP.
  • Materials for forming the electron injection layer include lithium oxide (Li 2 O), magnesium oxide (MgO), alumina (Al 2 O 3 ), lithium fluoride (LiF), sodium fluoride (NaF), magnesium fluoride ( MgF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), Liq, Li (acac), lithium acetate, lithium benzoate and the like.
  • Examples of the cathode material include aluminum, magnesium-silver alloy, aluminum-lithium alloy, lithium, sodium, potassium, cesium and the like.
  • Examples of the method for producing a PLED element using the charge transporting varnish of the present invention include the following methods.
  • the charge transporting varnish (hole transporting varnish) of the present invention is applied on the anode substrate by a slit coating method and the like, evaporated and baked by the above method to produce a hole transporting thin film on the electrode, A light emitting charge transporting polymer layer is formed on the top, and a cathode electrode is further deposited to form a PLED element.
  • the cathode and anode material to be used the same materials as those used in the production of the OLED element can be used, and the same cleaning treatment and surface treatment can be performed.
  • a method for forming the light emitting charge transporting polymer layer a solvent is added to the light emitting charge transporting polymer material or a material obtained by adding a light emitting dopant to the material, and the solution is dissolved or evenly dispersed to inject holes.
  • An example is a method in which a film is formed by evaporation of a solvent after application to an electrode substrate on which a layer is formed.
  • Examples of the light-emitting charge transporting polymer material include polyfluorene derivatives such as poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), poly (2-methoxy-5- (2′-ethylhexoxy) -1,4-phenylene vinylene, and the like. And polyphenylene vinylene derivatives such as (MEH-PPV), polythiophene derivatives such as poly (3-alkylthiophene) (PAT), and polyvinylcarbazole (PVCz).
  • polyfluorene derivatives such as poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), poly (2-methoxy-5- (2′-ethylhexoxy) -1,4-phenylene vinylene, and the like.
  • polyphenylene vinylene derivatives such as (MEH-PPV)
  • polythiophene derivatives such as poly (3-alkylthiophene) (PAT)
  • PVCz polyvinylcarbazol
  • Examples of the solvent include toluene, xylene, chloroform, and the like.
  • Examples of the dissolution or uniform dispersion method include methods such as stirring, heating and stirring, and ultrasonic dispersion.
  • the application method is not particularly limited, and examples thereof include an inkjet method, a spray method, a dipping method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, and a brush coating method.
  • the application is preferably performed under an inert gas such as nitrogen or argon.
  • Examples of the solvent evaporation method include a method of heating in an oven or a hot plate under an inert gas or in a vacuum.
  • Viscosity Device TVE-22L viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. Measurement temperature: Measured by setting the thermostatic chamber of the viscometer to 25 ° C
  • Surface tension Device Automatic manufactured by Kyowa Interface Science Surface tension meter CBVP-Z Measurement temperature: Measured at an ambient temperature of 23 ° C.
  • Production of thin film Device Slit die coater T2 manufactured by Techno Machine Co., Ltd.
  • Film thickness measuring device Kosaka Laboratory Co., Ltd. Fine shape measuring machine Surfcoder ET-4000 (5)
  • Substrate cleaning equipment Choshu Sangyo Co., Ltd. substrate cleaning equipment (decompressed plasma method)
  • Example 2 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1, except that the amount of DMAc used was 105 g, and 105 g of diethylene glycol dimethyl ether (hereinafter abbreviated as Diglyme) was used as the poor solvent instead of 2,3-BD21 g. (Solid content 2.0% by weight).
  • DMAc diethylene glycol dimethyl ether
  • Example 3 Other than using 105 g of 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (hereinafter abbreviated as DMI) instead of 189 g of DMAc and 105 g of diethylene glycol monoethyl ether acetate (hereinafter abbreviated as ECA) instead of 2,3 BD21 g Prepared a charge transporting varnish by the same method as in Example 1 (solid content: 2.0% by mass).
  • DMI 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone
  • ECA diethylene glycol monoethyl ether acetate
  • Example 4 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 178.5 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc, and 31.5 g of diethylene glycol monobutyl ether (hereinafter abbreviated as DEGMBE) was used instead of 2,3-BD21 g. It was prepared (solid content 2.0% by mass).
  • DEGMBE diethylene glycol monobutyl ether
  • Example 5 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 147 g and the amount of 2,3-BD used was 63 g (solid content 2.0% by mass).
  • Example 6 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 84 g, and 126 g of cyclohexanol (hereinafter abbreviated as CHA) was used instead of 2,3BD21 g (solid content). 2.0 mass%).
  • CHA cyclohexanol
  • Example 7 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 105 g and the amount of 2,3-BD used was 105 g (solid content 2.0 mass%).
  • Example 8 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 94.5 g and the amount of 2,3-BD used was 115.5 g (solid content: 2.0% by mass) ).
  • Example 9 Example 1 except that 84 g of N-methylpyrrolidone (hereinafter abbreviated as NMP) was used instead of 189 g of DMAc, and 126 g of diethylene glycol diethyl ether (hereinafter abbreviated as Ethyl diglyme) was used instead of 2,3-BD21 g.
  • NMP N-methylpyrrolidone
  • Ethyl diglyme diethylene glycol diethyl ether
  • Example 10 A charge-transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 105 g of NMP was used instead of 189 g of DMAc and 105 g of ethyl diglyme was used instead of 21 g of 2,3-BD (solid content: 2.0% by mass).
  • Example 11 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 147 g, and 63 g of n-hexyl acetate (hereinafter abbreviated as nHAc) was used in place of 2,3-BD21 g. Min 2.0 mass%).
  • nHAc n-hexyl acetate
  • Example 12 The charge was changed in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 105 g, and 2,3-BD21 g and ethylene glycol monoethyl ether acetate (hereinafter abbreviated as EGMEAAc) 84 g were used instead of 2,3-BD21 g.
  • EGMEAAc ethylene glycol monoethyl ether acetate
  • Example 13 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 84 g, and Diglyme 126 g was used instead of 2,3-BD21 g (solid content 2.0 mass%).
  • Example 14 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1, except that 105 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc, and 105 g of triethylene glycol dimethyl ether (hereinafter abbreviated as Triglyme) was used instead of 2,3-BD21 g ( Solid content 2.0 mass%).
  • Triglyme triethylene glycol dimethyl ether
  • Example 15 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 84 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc, 63 g of 2-phenoxyethanol (hereinafter abbreviated as 2-PE) and 63 g of ECA were used instead of 2,3-BD21 g. It was prepared (solid content 2.0% by mass).
  • Example 16 Charge transport was carried out in the same manner as in Example 1, except that 168 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc, and 42 g of 1,3-butanediol (hereinafter abbreviated as 1,3-BD) was used instead of 2,3-BD21 g. Varnish was prepared (solid content: 2.0% by mass).
  • Example 17 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1, except that 126 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc, and 84 g of tripropylene glycol monomethyl ether (hereinafter abbreviated as TPGMME) was used instead of 2,3-BD21 g. (Solid content 2.0% by weight).
  • TPGMME tripropylene glycol monomethyl ether
  • Example 18 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 147 g, and 63 g of ethylene glycol monoethyl ether acetate (hereinafter abbreviated as EGMEAAc) was used instead of 2,3-BD21 g. (Solid content 2.0 mass%).
  • EGMEAAc ethylene glycol monoethyl ether acetate
  • Example 19 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1, except that 126 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc, and 84 g of ethylene glycol monohexyl ether (hereinafter abbreviated as EGMHE) was used instead of 2,3-BD21 g. (Solid content 2.0% by weight).
  • EGMHE ethylene glycol monohexyl ether
  • Example 1 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 84 g and the amount of 2,3-BD used was 126 g (solid content 2.0% by mass).
  • Example 2 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 73.5 g and the amount of 2,3-BD used was 136.5 g (solid content 2.0 mass% ).
  • Example 3 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 63 g and the amount of 2,3-BD used was 147 g (solid content: 2.0% by mass).
  • Example 6 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of DMAc used was 147 g, and 63 g of triethylene glycol monomethyl ether (hereinafter abbreviated as TEGMME) was used instead of 2,3-BD21 g. (Solid content 2.0% by weight).
  • TEGMME triethylene glycol monomethyl ether
  • Example 7 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 105 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc and 105 g of triethylene glycol monoethyl ether (hereinafter abbreviated as TEGMEE) was used instead of 2,3-BD21 g. (Solid content 2.0 mass%).
  • TEGMEE triethylene glycol monoethyl ether
  • Example 8 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 126 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc, and 84 g of diethylene glycol monobutyl ether acetate (hereinafter abbreviated as DEGMBEAc) was used instead of 2,3-BD21 g ( Solid content 2.0 mass%).
  • DEGMBEAc diethylene glycol monobutyl ether acetate
  • Example 9 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 105 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc, and 105 g of diethylene glycol monoethyl ether (hereinafter abbreviated as DEGMEE) was used instead of 2,3-BD21 g ( Solid content 2.0 mass%).
  • DEGMEE diethylene glycol monoethyl ether
  • Example 10 A charge transporting varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 168 g of DMI was used instead of 189 g of DMAc and 42 g of propylene glycol monomethyl ether (hereinafter abbreviated as PGME) was used instead of 2,3-BD21 g ( Solid content 2.0 mass%).
  • PGME propylene glycol monomethyl ether
  • the varnish prepared in each of the above examples and comparative examples was applied to an ITO solid substrate (length 120 mm ⁇ 120 mm, thickness 0.7 mm) using a slit die coater, and then on the hot plate at 50 ° C. for 5 minutes in the air.
  • the film was dried and baked on a hot plate at 230 ° C. for 15 minutes to form a thin film on the substrate.
  • the ITO substrate is used after removing impurities on the surface using an O 2 plasma cleaning apparatus (150 W, 30 seconds).
  • the coating conditions of the slit coater are as follows: the coating area is 120 mm ⁇ 120 mm, the gap is 20 ⁇ m, The coating standby time was 4 sec, the coating speed was 10 mm / sec, and the target film thickness was 30 nm.
  • the film thickness distribution of the obtained thin film was evaluated.
  • the evaluation was performed by measuring a total of five locations near the four corners and the center of the thin film produced in a square shape, and converting the in-plane uniformity of the film thickness at the five locations into a numerical value as a film thickness distribution.
  • Viscosity and surface tension of each varnish, boiling point difference between good solvent and poor solvent used for the preparation of varnish [boiling point of good solvent (° C)-boiling point of poor solvent (° C)] and its absolute value, and evaluation of film thickness distribution The results are shown in Tables 1 to 4.
  • Table 1 shows an example in which it is easy to evaluate the influence of the varnish viscosity on the film thickness distribution
  • Table 2 shows an example in which the influence of the surface tension of the varnish on the film thickness distribution can be easily evaluated
  • Table 3 shows a good solvent and a poor solvent. Examples of easily evaluating the influence of the difference in boiling point from the solvent on the film thickness distribution were extracted and listed.
  • Table 4 shows the results of Comparative Examples 11 and 12 having a single solvent composition.
  • the thin film prepared using the varnishes prepared in Examples 1 to 8 whose viscosity of the varnish is 7.5 mPa ⁇ s or less is Comparative Example 1 in which the viscosity is more than 7.5 mPa ⁇ s. It can be seen that the variation in film thickness is smaller than that of the thin film prepared using the varnish prepared in (3) to (3).
  • the thin films prepared using the varnishes prepared in Examples in which the surface tension of the varnish is in the range of 30.0 to 40.0 mN / m are comparative examples in which the surface tension is outside the above range. It can be seen that the variation in film thickness is small compared to the thin film prepared using the varnishes prepared in 4 and 5.

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Description

電荷輸送性ワニス
　本発明は、電荷輸送性ワニスに関し、さらに詳述すると、平坦性の良好な薄膜を作製し得る電荷輸送性ワニスに関する。
　有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略す）には、電荷注入層、電荷輸送層や発光層として、一般的に、電荷輸送性オリゴマーやポリマーを含んで構成される電荷輸送性薄膜が用いられている。
　この電荷輸送性薄膜には高い平坦性が要求される。電荷輸送性薄膜の凹凸は、素子の発光ムラ、素子寿命の低下、ダークスポットの発生、および短絡による素子特性の低下等につながり、有機ＥＬ素子生産時の歩留り低下を引き起こす原因になると考えられているためである。
　したがって、工業的に実現可能な、平坦性の高い電荷輸送性薄膜を形成できる技術が強く求められている。
　電荷輸送性薄膜を形成するためのプロセスは、真空蒸着法に代表されるドライプロセスとスピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別される。
　ドライプロセスとウェットプロセスとを比較すると、ウェットプロセスの方が容易に平坦性の高い薄膜を作製できることから、素子歩留りの向上が期待できる。
　このような理由から、工業的な有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいても、ウェットプロセスが主流として用いられている。
　この点に鑑み、本発明者らは、各種電子デバイスに適用可能な電荷輸送性薄膜を、ウェットプロセスで作製するための電荷輸送性ワニスの開発をしてきている（例えば、特許文献１～３参照）。
　しかし、近年の画像表示デバイスの大型化など、ディスプレイ分野における進展を背景に、高精度で再現性良く大面積に成膜可能な電荷輸送性ワニスがますます要求されるようになってきており、既存のワニスではこのような要求に必ずしも十分に応えられていなかった。
国際公開第２００４／０４３１１７号 国際公開第２００５／１０７３３５号 国際公開第２００７／０４９６３１号
　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、平坦性に優れた電荷輸送性薄膜を、再現性良く与え得る電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、ワニス調製用溶媒として、電荷輸送性物質または電荷輸送性材料に対する良溶媒および貧溶媒を併用するとともに、これら良溶媒と貧溶媒との沸点差を適切に調整した上で、粘度および表面張力を適切な範囲に調整したワニスを用いることで、より均一性が高く、表面の凹凸が抑制された薄膜を、再現性良く作製できることを見出し、本発明を完成した。
　すなわち、本発明は、
１．　電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００～５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質およびドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒と、を含有し、前記良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値が、｜ΔＴ｜＜２０℃を満たし、２５℃での粘度が７．５ｍＰａ・ｓ以下、かつ、２３℃での表面張力が３０．０～４０．０ｍＮ／ｍであり、前記電荷輸送性材料が、前記混合溶媒中に溶解または均一に分散していることを特徴とする電荷輸送性ワニス、
２．　前記良溶媒が、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、りん酸トリメチル、りん酸トリエチル、ジエチレングリコール、およびトリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種である１の電荷輸送性ワニス、
３．　前記貧溶媒が、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ヘキシレングリコール、１，２－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、オクチレングリコール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールベンジルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、２－メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１－ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリメチレングリコール、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、１－ペンタノール、１－ヘキサノール、１－ヘプタノール、１－ノナノール、１－デカノール、１－ウンデカノール、１－ドデカノール、１－テトラデカノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、２－メチルシクロヘキサノール、グリシドール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、２－エチルヘキサノール、２－フェノキシエタノール、α－テルピネオール、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジ－ｎ－ブチルエーテル、ジ－ｎ－ヘキシルエーテル、アニソール、エチルフェニルエーテル、ｎ－ブチルフェニルエーテル、ベンジルイソアミルエーテル、ｏ－クレジルメチルエーテル、ｍ－クレジルメチルエーテル、ｐ－クレジルメチルエーテル、エチルベンジルエーテル、ジグリシジルエーテル、１，４－ジオキサン、トリオキサン、フルフラール、２－メチルフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、シオネール、メチラール、ジエチルアセタール、ギ酸プロピル、ギ酸ｎ－ブチル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸ｎ－アミル、酢酸イソアミル、酢酸メチルイソアミル、ｎ－ヘキシルアセテート、酢酸第二ヘキシル、酢酸２－エチルブチル、酢酸２－エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ－ブチル、プロピオン酸イソアミル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ｎ－ブチル、酪酸イソアミル、オキシイソ酪酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、アセト酪酸メチル、アセト酪酸エチル、イソ吉草酸イソアミル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ－ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ｎ－アミル、乳酸イソアミル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、安息香酸ベンジル、サリチル酸メチル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジアミル、マロン酸ジエチル、クエン酸トリブチル、セバチン酸ジオクチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ－ｎ－ブチル、フタル酸ジ－２－エチルヘキシル、フタル酸ジ－ｎ－オクチル、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル－ｎ－アミルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジエチルケトン、エチル－ｎ－ブチルケトン、ジ－ｎ－プロピルケトン、ジイソブチルケトン、２，６，８－トリメチルノナン－４－オン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、２－エチルヘキサン酸、オレイン酸、乳酸、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾールキシレノール、ヘプタン、オクタン、２，２，３－トリメチルヘキサン、デカン、ドデカン、トルエン、キシレン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、クメン、メシチレン、テトラリン、ｐ－シメン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ｐ－メンタン、ビシクロヘキセン、α－ピネン、およびジペンテンから選ばれる少なくとも１種である１または２の電荷輸送性ワニス、
４．　前記良溶媒および前記貧溶媒の組み合わせが、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとｎ－ヘキシルアセテートとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノールと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンと１，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンと１，３－ブタンジオールとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルである１～３のいずれかの電荷輸送性ワニス、
５．　前記電荷輸送物質が、式（１）で表されるオリゴアニリン誘導体、または式（１）の酸化体であるキノンジイミン誘導体である１～４のいずれかの電荷輸送性ワニス、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して下記式（２）または（３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 で表される２価の基であり、Ｒ4～Ｒ11はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に１以上の整数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。）
６．　スリットコート塗布用である１～５のいずれかの電荷輸送性ワニス、
７．　１～５のいずれかの電荷輸送性ワニスから作製された電荷輸送性薄膜、
８．　７の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子、
９．　前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である８の有機エレクトロルミネッセンス素子、
１０．　１～５のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いる電荷輸送性薄膜の作製方法、
１１．　電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００～５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質および電荷受容性ドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜の平坦性向上方法であって、前記溶媒として、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒を用いるとともに、これら良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値を｜ΔＴ｜＜２０℃とし、前記電荷輸送性ワニスの２５℃での粘度を７．５ｍＰａ・ｓ以下とし、かつ、前記電荷輸送性ワニスの２３℃での表面張力を３０．０～４０．０ｍＮ／ｍとすることを特徴とする電荷輸送性薄膜の平坦性向上方法
を提供する。
　本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、平坦性に優れた電荷輸送性薄膜を再現性よく作製できる。これにより、高い歩留りで、安定的に有機ＥＬデバイス等を製造することが可能となる。
　また、この電荷輸送性ワニスを用いることで、従来の電荷輸送性薄膜に比べて均一性に優れた薄膜を得ることができる。これにより、薄膜中に生じた異物によって引き起こされる短絡を著しく抑制でき、有機ＥＬデバイスにおける電流集中や欠陥等が減少し、その信頼性向上にも貢献し得る。
　さらに、本発明の電荷輸送性ワニスは、大面積に成膜可能なスリットコート法にて成膜した場合でも、高精度に膜厚が制御された電荷輸送性薄膜を与えるため、近年の画像表示デバイスの大型化等のディスプレイ分野や照明分野における進展に十分に対応できる。
　以下、本発明について更に詳しく説明する。
　本発明に係る電荷輸送性ワニスは、電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００～５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質およびドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒と、を含有し、良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値が、｜ΔＴ｜＜２０℃を満たし、２５℃での粘度が７．５ｍＰａ・ｓ以下、かつ、２３℃での表面張力が３０．０～４０．０ｍＮ／ｍであり、電荷輸送性材料が、混合溶媒中に溶解または均一に分散しているものである。
　ここで電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性、電子輸送性、正孔および電子の両電荷輸送性のいずれかを意味する。本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送性があるものでもよい。
　なお、本発明において、溶媒の沸点および沸点差は１．０１×１０5Ｐａ（大気圧）下での値である。
　本発明の電荷輸送性ワニスでは、電荷輸送性物質または電荷輸送性材料の溶解能に優れた良溶媒と、電荷輸送性物質または電荷輸送性材料の溶解能を有しない貧溶媒とを併用するが、それらの沸点差ΔＴ℃の絶対値が｜ΔＴ｜＜２０℃を満たす必要がある。
　この範囲を外れる沸点差の溶媒組成では、得られる薄膜の均一性や平坦性が低下する。より均一性、平坦性の良好な薄膜を得るためには、ΔＴ℃の絶対値が｜ΔＴ｜≦１９℃が好ましく、｜ΔＴ｜≦１８℃がより好ましい。
　良溶媒の具体例としては、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、りん酸トリメチル、りん酸トリエチル、ジメチルスルホキシド、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリジノン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールなどが挙げられ、これらはそれぞれ単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（１６６．１℃）、Ｎ－メチルピロリドン（２０２．０℃）、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン（２２５．０℃）が好ましい（括弧内は沸点、以下同様）。
　一方、貧溶媒の具体例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ヘキシレングリコール、１，２－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、オクチレングリコール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールベンジルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、２－メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１－ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリメチレングリコール、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、１－ペンタノール、１－ヘキサノール、１－ヘプタノール、１－ノナノール、１－デカノール、１－ウンデカノール、１－ドデカノール、１－テトラデカノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、２－メチルシクロヘキサノール、グリシドール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、２－エチルヘキサノール、２－フェノキシエタノール、α－テルピネオール、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジ－ｎ－ブチルエーテル、ジ－ｎ－ヘキシルエーテル、アニソール、エチルフェニルエーテル、ｎ－ブチルフェニルエーテル、ベンジルイソアミルエーテル、ｏ－クレジルメチルエーテル、ｍ－クレジルメチルエーテル、ｐ－クレジルメチルエーテル、エチルベンジルエーテル、ジグリシジルエーテル、１，４－ジオキサン、トリオキサン、フルフラール、２－メチルフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、シオネール、メチラール、ジエチルアセタール、ギ酸プロピル、ギ酸ｎ－ブチル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸ｎ－アミル、酢酸イソアミル、酢酸メチルイソアミル、ｎ－ヘキシルアセテート、酢酸第二ヘキシル、酢酸２－エチルブチル、酢酸２－エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ－ブチル、プロピオン酸イソアミル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ｎ－ブチル、酪酸イソアミル、オキシイソ酪酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、アセト酪酸メチル、アセト酪酸エチル、イソ吉草酸イソアミル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ－ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ｎ－アミル、乳酸イソアミル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、安息香酸ベンジル、サリチル酸メチル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジアミル、マロン酸ジエチル、クエン酸トリブチル、セバチン酸ジオクチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ－ｎ－ブチル、フタル酸ジ－２－エチルヘキシル、フタル酸ジ－ｎ－オクチル、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル－ｎ－アミルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジエチルケトン、エチル－ｎ－ブチルケトン、ジ－ｎ－プロピルケトン、ジイソブチルケトン、２，６，８－トリメチルノナン－４－オン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、２－エチルヘキサン酸、オレイン酸、乳酸、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾールキシレノール、ヘプタン、オクタン、２，２，３－トリメチルヘキサン、デカン、ドデカン、トルエン、キシレン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、クメン、メシチレン、テトラリン、ｐ－シメン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ｐ－メンタン、ビシクロヘキセン、α－ピネン、ジペンテンなどが挙げられ、これらはそれぞれ単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、２，３－ブタンジオール（１８２．０℃）、シクロヘキサノール（１６１．１℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（２３０．４℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（２１７．４℃）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（１５９．６℃）、ｎ－ヘキシルアセテート（１６９．２℃）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（１８８．４℃）、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（１５６．８℃）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（２１６．０℃）、２－フェノキシエタノール（２３７．０℃）、１，３－ブタンジオール（２０７．４℃）、トリエチレングリコールモノメチルエーテル（２４９．０℃）、トリエチレングリコールモノエチルエーテル（２５５．９℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（２４６．８℃）、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（２４３．０℃）、エチレングリコールモノヘキシルエーテル（２０８．１℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（１９５．０℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（１２０．０℃）が好ましく、２，３－ブタンジオール（１８２．０℃）、シクロヘキサノール（１６１．１℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（２３０．４℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（２１７．４℃）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（１５９．６℃）、ｎ－ヘキシルアセテート（１６９．２℃）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（１８８．４℃）、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（１５６．８℃）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（２１６．０℃）、２－フェノキシエタノール（２３７．０℃）、１，３－ブタンジオール（２０７．４℃）、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（２４３．０℃）、エチレングリコールモノヘキシルエーテル（２０８．１℃）がより好ましい。
　良溶媒および貧溶媒の好適な組み合わせとしては、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとｎ－ヘキシルアセテートとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノールと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンと１，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンと１，３－ブタンジオールとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルなどが挙げられる。
　これらの中でも、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと２－フェノキシエタノールが特に好ましい。
　なお、良溶媒および貧溶媒の少なくとも一方を２種以上用いる場合、良溶媒と貧溶媒との沸点差が最も大きくなる２種を選んだ場合の沸点差ΔＴ℃の絶対値が、上記範囲を満たす必要がある。
　本発明で用いる電荷輸送物質は、上記良溶媒に溶解可能であるとともに、ワニスに用いる混合溶媒に溶解または分散可能な電荷輸送性モノマー、電荷輸送性オリゴマーまたはポリマーであれば特に限定されないが、共役単位を有する電荷輸送性モノマー、数平均分子量２００～５０００であり、単一の共役単位が連続している、または相異なる２種以上の共役単位が任意の順序の組み合わせで連続している電荷輸送性オリゴマーが好ましい。
　この場合、共役単位とは電荷を輸送できる原子、芳香環、共役基などであれば特に限定されるものではないが、有機溶媒に対する溶解性や良好な電荷輸送性の発現ということを考慮すると、置換または非置換の、かつ、２～４価のアニリン、チオフェン、ジチイン、フラン、ピロール、エチニレン、ビニレン、フェニレン、ナフタレン、アントラセン、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリン、シロール、シリコン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、トリアリールアミン、金属－または無金属－フタロシアニン、金属－または無金属－ポルフィリンなどを用いることが好ましい。
　なお、共役単位が連結して形成される共役鎖は、環状である部分を含んでいてもよい。また、非置換とは、水素原子が結合していることを意味する。
　共役単位上の置換基の具体例としては、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基、スルホン酸基などが挙げられる。
　一価炭化水素基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ｔ－ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル基等のアルキル基；シクロペンチル、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ビシクロヘキシル基等のビシクロアルキル基；ビニル、１－プロペニル、２－プロペニル、イソプロペニル、１－メチル－２－プロペニル、１，２または３－ブテニル、ヘキセニル基等のアルケニル基；エチニル、１－プロピニル、２－プロピニル、２－ブチニル、３－ブチニル、２－ペンチニル、３－ペンチニル、４－ペンチニル、２－ヘキシニル、３－ヘキシニル基等のアルキニル基；フェニル、キシリル、トリル、ビフェニル、ナフチル基等のアリール基；ベンジル、フェニルエチル、フェニルシクロヘキシル基等のアラルキル基などや、これらの一価炭化水素基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基などで置換された基が挙げられる。
　オルガノオキシ基の具体例としては、アルコキシ、アルケニルオキシ、アリールオキシ基などが挙げられ、これらの基を構成するアルキル基、アルケニル基およびアリール基としては、上で例示した基と同様のものが挙げられる。
　オルガノアミノ基の具体例としては、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ヘプチルアミノ、オクチルアミノ、ノニルアミノ、デシルアミノ、ラウリルアミノ基等のアルキルアミノ基；ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジヘキシルアミノ、ジヘプチルアミノ、ジオクチルアミノ、ジノニルアミノ、ジデシルアミノ基等のジアルキルアミノ基；シクロヘキシルアミノ基、モルホリノ基などが挙げられる。
　オルガノシリル基の具体例としては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリブチルシリル、トリペンチルシリル、トリヘキシルシリル、ペンチルジメチルシリル、ヘキシルジメチルシリル、オクチルジメチルシリル、デシルジメチルシリル基などが挙げられる。
　オルガノチオ基の具体例としては、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、オクチルチオ、ノニルチオ、デシルチオ、ラウリルチオ基などのアルキルチオ基が挙げられる。
　アシル基の具体例としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、ベンゾイル基等が挙げられる。
　一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基およびアシル基の炭素数は、特に限定されるものではないが、炭素数１～２０が好ましく、１～８がより好ましい。
　これらの中でも、フッ素原子、スルホン酸基、置換もしくは非置換のオルガノオキシ基、アルキル基、オルガノシリル基が好適であるが、良好な電荷輸送性を発揮させるという点から、特に、共役単位上には置換基を有しない（水素原子である）ことが好ましい。
　本発明において、電荷輸送性オリゴマーまたはポリマーからなる電荷輸送物質の数平均分子量は２００～５０万である。数平均分子量が２００未満では、揮発性が高くなりすぎて電荷輸送性が充分に発現されない可能性が高く、一方、５０万を超えると溶剤に対する溶解性が低すぎて使用に適さない可能性が高い。
　特に、電荷輸送物質の溶剤に対する溶解性を向上させることを考慮すると、その数平均分子量は５０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下がより一層好ましい。
　さらに、電荷輸送性物質の溶解性や電荷輸送性を均一にするということを考慮すると、分子量分布のない（分散度が１の）オリゴマーまたはポリマーであることが好ましい。
　なお、数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ポリスチレン換算）による測定値である。
　電荷輸送物質としては、高溶解性および高電荷輸送性を示すとともに、適切なイオン化ポテンシャルを有することから、特に、式（１）で表されるオリゴアニリン誘導体、またはその酸化体であるキノンジイミン誘導体を用いることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　式（１）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して、式（２）または（３）で表される２価の基であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１以上、かつ、ｍ＋ｎ≦２０を満足する整数である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　式（２）および（３）中、Ｒ4～Ｒ11は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示す。
　上記Ｒ1～Ｒ11の具体例としては、先に共役単位上の置換基で述べたものと同様の置換基が挙げられ、これらの置換基は、さらにその他の任意の置換基で置換されていてもよい。
　また、ｍ＋ｎは、良好な電荷輸送性を発現させるという点から、４以上が好ましく、溶媒に対して良好な溶解性を発現させるという点から、１６以下、特に、１０以下が好ましい。
　このような化合物の具体例としては、フェニルテトラアニリン、フェニルペンタアニリン、テトラアニリン（アニリン４量体）、オクタアニリン（アニリン８量体）、ヘキサデカアニリン（アニリン１６量体）、（フェニルトリアニリノ）トリフェニルアミン、（フェニルトリアニリノ）ジフェニルオクチルアミン、ヘキサデカ－ｏ－フェネチジン（ｏ－フェネチジン１６量体）、アミノテトラアニリン、フェニルテトラアニリンスルホン酸（スルホン酸基数１～４）、（ブチルフェニル）テトラアニリン等の有機溶媒に可溶なオリゴアニリン誘導体が挙げられる。
　なお、これらのオリゴアニリン誘導体等は、例えば、ブレティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Bulletin of Chemical Society of Japan）（１９９４年　第６７巻　ｐ．１７４９－１７５２）、シンセティック・メタルズ（Synthetic Metals）（１９９７年、第８４巻、ｐ．１１９－１２０）、国際公開２００８／０３２６１７号、国際公開２００８／０３２６１６号、国際公開２００８／１２９９４７号などに記載の方法等で製造することができる。
　なお、上記キノンジイミン構造とは、芳香族化合物の炭素環内の二重結合が一つ減り、代わりにパラあるいはオルト位にＣ＝Ｎ二重結合を２個有する構造である。例えば、互いにパラ位にある２つのアミノ基を有するアリールジアミン化合物であれば、式（４）に示すような構造となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　好適な電荷輸送性物質としては、式（５）および（６）で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　本発明の電荷輸送性ワニスの電荷輸送能等を向上させるために、必要に応じて電荷受容性ドーパント物質が用いられる。具体的には、正孔輸送性物質に対しては電子受容性ドーパント物質が、電子輸送性物質に対しては正孔受容性ドーパント物質が用いられる。
　電荷受容性ドーパント物質の溶解性に関しては、ワニスに使用する少なくとも一種の溶媒に溶解するものであれば特に限定されず、無機系の電子受容性物質、有機系の電子受容性物質のいずれも使用できる。
　無機系の電子受容性物質としては、塩化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸；塩化アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡｌＣｌ3）、四塩化チタン（ＩＶ）（ＴｉＣｌ4）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ3）、三フッ化ホウ素エーテル錯体（ＢＦ3・ＯＥｔ2）、塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ3）、塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ2）、五塩化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＣｌ5）、五フッ化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＦ5）、五フッ化砒素（Ｖ）（ＡｓＦ5）、五フッ化リン（ＰＦ5）、トリス（４－ブロモフェニル）アルミニウムヘキサクロロアンチモナート（ＴＢＰＡＨ）等の金属ハロゲン化物；Ｃｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、ＩＣｌ、ＩＣｌ3、ＩＢｒ、ＩＦ4等のハロゲン；リンモリブデン酸、リンタングステン酸等のヘテロポリ酸などが挙げられる。
　有機系の電子受容性物質としては、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ－スチレンスルホン酸、２－ナフタレンスルホン酸、４－ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５－スルホサリチル酸、ｐ－ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、２，５－ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、６，７－ジブチル－２－ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、３－ドデシル－２－ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、４－ヘキシル－１－ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、２－オクチル－１－ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、７－へキシル－１－ナフタレンスルホン酸、６－ヘキシル－２－ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、２，７－ジノニル－４－ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、２，７－ジノニル－４，５－ナフタレンジスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号に記載されている１，４－ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、国際公開第２００９／０９６３５２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、ポリスチレンスルホン酸等の芳香族スルホン化合物；１０－カンファースルホン酸等の非芳香族スルホン化合物；７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノン（ＤＤＱ）等の有機酸化剤が挙げられる。
　これら無機系および有機系の電子受容性物質は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、芳香族スルホン酸化合物が好ましく、式（７）で示されるアリールスルホン酸化合物がより好ましく、特に式（８）で示されるアリールスルホン酸化合物が好適である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　上記式（７）において、ＸはＯまたはＳを表すが、Ｏが好ましい。
　Ａは、Ｘおよびｐ個のＳＯ3Ｈ基以外の置換基として、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、チオール基、りん酸基、スルホン酸基、カルボキシル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数１～２０のチオアルコキシ基、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数１～２０のハロアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、炭素数６～２０のビシクロアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基および炭素数１～２０のアシル基から選ばれる１以上の置換基を有していてもよい、ナフタレン環またはアントラセン環を表すが、特に、ＳＯ3Ｈ基以外の置換基を有しないナフタレン環またはアントラセン環が好ましい。
　Ｂは、２価もしくは３価のベンゼン環、２価のｐ－キシリレン基、２価もしくは３価のナフタレン環、２～４価のパーフルオロビフェニル基、または２価の２，２－ビス（（ヒドロキシプロポキシ）フェニル）プロピル基を表す。
　ＡおよびＢにおける、各置換基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
　ｐは、Ａに結合するスルホン酸基数を表し、１～４の整数である。
　ｑは、ＢとＸとの結合数を示し、２～４の整数である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　正孔受容性ドーパントの具体例としては、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ）、リチウムキノリノラート（Ｌｉｑ）、リチウムアセチルアセトナート（Ｌｉ（ａｃａｃ））等の金属錯体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　本発明に係る電荷輸送性ワニスは、以上で説明した、良溶媒、貧溶媒、電荷輸送性物質および必要に応じて用いられる電荷受容性ドーパントを含んだ上で、２５℃での粘度を７．５ｍＰａ・ｓ以下、かつ、２３℃での表面張力を３０．０～４０．０ｍＮ／ｍとする必要がある。
　上述した良溶媒と貧溶媒との沸点差の絶対値｜ΔＴ｜が２０℃未満であっても、ワニスの粘度および表面張力のいずれか一方でも上記範囲外であると、得られる電荷輸送性薄膜の均一性が低下し、表面に凹凸が生じるようになる。
　電荷輸送性薄膜の表面均一性をより高めるとともに、その再現性を良好にすることを考慮すると、ワニスの粘度は、２５℃で７．０ｍＰａ・ｓ以下がより好ましく、６．９ｍＰａ・ｓ以下がより一層好ましい。なお、その粘度の下限値は特に限定されないが、通常１．０ｍＰａ・ｓ程度である。
　また、同様の理由から、ワニスの表面張力は、２３℃で３０．５～３９．０ｍＮ／ｍがより好ましく、３０．７～３８．５ｍＮ／ｍがより一層好ましい。
　このようなワニスの粘度調整等の観点から、本発明の電荷輸送性ワニスに用いる良溶媒および貧溶媒の１種には、２５℃で０．１～２００ｍＰａ・ｓ、特に０．１～１００ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧で沸点５０～３００℃、特に１００～２５０℃の溶媒を用いることが好ましい。
　このような溶媒の具体例としては、上記貧溶媒として例示した、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジクリシジルエーテル、１，３－オクチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。これらの中でも、適切な粘度および沸点を有し、基板に対して良好な塗布性を示すという点から、特に、シクロヘキサノール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテルが好ましい。
　なお、粘度は、東機産業（株）製　ＴＶＥ－２２Ｌ型粘度計（恒温槽の温度を２５℃に設定）により測定した値である。
　本発明の電荷輸送性ワニスにおいて、良溶媒および貧溶媒の使用量はワニスの粘度および表面張力が上記範囲を満たすよう、用いる溶媒の種類、並びに電荷輸送性物質等の種類および使用量等に応じて変動するものであるため一概には規定できないが、通常、良溶媒の使用量は、溶媒全体に対して１～９０質量％（貧溶媒１０～９９質量％）であり、好ましくは１０～９０質量％（貧溶媒１０～９０質量％）、より好ましくは２０～９０質量％（貧溶媒１０～８０質量％）、より一層好ましくは３０～９０質量％（貧溶媒１０～７０質量％）である。なお、この際、良溶媒によって電荷輸送性材料が溶解することが好ましい。
　また、電荷輸送性ワニスの固形分濃度も、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１～１０．０質量％程度であり、好ましくは０．５～５．０質量％、より好ましくは１．０～３．０質量である。
　そして、電荷輸送性物質と電荷受容性ドーパント物質の物質量（ｍｏｌ）比も、発現する電荷輸送性、電荷輸送性物質等の種類を考慮しつつワニスの粘度および表面張力等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、物質量比で、電荷輸送性物質１に対し、電荷受容性ドーパント０．１～１０、好ましくは０．５～５．０、より好ましくは１．０～３．０である。
　以上で説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることで基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
　ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられるが、本発明の電荷輸送性ワニスは、均一性および平坦性により優れた薄膜を与えるため、大面積基板等への塗布に用いられるスリットコート法に特に適している。
　溶媒の蒸発法としては、特に限定されるものではなく、ホットプレートやオーブン等の加熱装置を用い、大気中、窒素等の不活性ガス中または真空中等の適切な雰囲気下で蒸発させればよい。これにより、均一な成膜面を有する薄膜を得ることが可能である。
　焼成温度は、溶媒を蒸発できる限り特に制限はないが、４０～２５０℃が好ましい。この場合、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。
　電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内で電荷注入層として用いる場合、５～２００ｎｍであることが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
　本発明の電荷輸送性ワニスを用いれば、スリットコート法で厚み３０ｎｍの薄膜を形成した場合に、バラツキが±４ｎｍ以内の薄膜を作製することができ、±３ｎｍ以内の薄膜をも再現性良く作製することができる。
　本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　使用する電極基板は、予め、洗剤、アルコール、純水等で洗浄しておくことが好ましい。さらに、例えば、陽極基板では、使用直前にＵＶオゾン処理、酸素－プラズマ処理等の表面処理を施すことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
　本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＯＬＥＤ素子の作製方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
　陽極基板上にスリットコート法などで本発明の電荷輸送性ワニス（正孔輸送性ワニス）を塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔輸送性薄膜を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
　陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
　正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体（ＴＰＤ）、（α－ナフチルジフェニルアミン）ダイマー（α－ＮＰＤ）、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー（Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ）等のトリアリールアミン類、４，４’，４”－トリス［３－メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス［１－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１－ＴＮＡＴＡ）等のスターバーストアミン類、５，５”－ビス－｛４－［ビス（４－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－２，２’：５’，２”－ターチオフェン（ＢＭＡ－３Ｔ）等のオリゴチオフェン類などが挙げられる。
　発光層を形成する材料としては、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、ビス（８－キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ2）、ビス（２－メチル－８－キノリノラート）（ｐ－フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）および４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、電子輸送材料または正孔輸送材料と発光性ドーパントとを共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
　電子輸送材料としては、Ａｌｑ3、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、（２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール）（ＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等が挙げられる。
　発光性ドーパントとしては、キナクリドン、ルブレン、クマリン５４０、４－（ジシアノメチレン）－２－メチル－６－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン（ＤＣＭ）、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、（１，１０－フェナントロリン）－トリス（４，４，４－トリフルオロ－１－（２－チエニル）－ブタン－１，３－ジオナート）ユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＴＴＡ）3ｐｈｅｎ）等が挙げられる。
　キャリアブロック層を形成する材料としては、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ＢＣＰ等が挙げられる。
　電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、Ｌｉｑ、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
　陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム－銀合金、アルミニウム－リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
　本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
　陽極基板上にスリットコート法などで本発明の電荷輸送性ワニス（正孔輸送性ワニス）を塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔輸送性薄膜を作製し、その上部に発光性電荷輸送性高分子層を形成し、さらに陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
　使用する陰極および陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
　発光性電荷輸送性高分子層の形成法としては、発光性電荷輸送性高分子材料、またはこれに発光性ドーパントを加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層を形成してある電極基板に塗布した後、溶媒の蒸発により成膜する方法が挙げられる。
　発光性電荷輸送性高分子材料としては、ポリ（９，９－ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２－メトキシ－５－（２’－エチルヘキソキシ）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨ－ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３－アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）などのポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等を挙げることができる。
　溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解または均一分散法としては撹拌、加熱撹拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
　塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
　溶媒の蒸発法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法を挙げることができる。
　以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、実施例で用いた装置は以下のとおりである。
（１）粘度
　装置：東機産業（株）製　ＴＶＥ－２２Ｌ型粘度計
　測定温度：粘度計の恒温槽を２５℃に設定して測定
（２）表面張力
　装置：協和界面科学（株）製　自動表面張力計ＣＢＶＰ－Ｚ
　測定温度：環境温度２３℃において測定
（３）薄膜の作製
　装置：テクノマシーン（株）製　スリットダイコーターＴ２
（４）膜厚測定
　装置：（株）小坂研究所製　微細形状測定機サーフコーダーＥＴ－４０００
（５）基板洗浄
　装置：長州産業（株）製　基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
［１］化合物の合成
［合成例１］アニリン誘導体の合成
　実施例において使用する式（６）で示されるオリゴアニリン誘導体（以下、ＢＤＰＡ－ＰＴＡと略す）を、国際公開第２００８／１２９９４７号の記載に基づき、下記反応式に従い合成した。得られたオリゴアニリン化合物の1Ｈ－ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ７．８３（Ｓ，２Ｈ），７．６８（Ｓ，１Ｈ），７．２６－７．２０（ｍ，８Ｈ），７．０１－６．８９（ｍ，２８Ｈ）．
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000011
［２］ワニスの調製並びに薄膜の製造および評価
［実施例１］
　ブレンティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Ｂｕｌｌｅｎｔｉｎ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ）、１９９４年、第６７巻、ｐｐ．１７４９－１７５２記載の方法に従って製造した式（５）で示されるフェニルテトラアニリン（以下、ＰＴＡと略す）１．０５６ｇ（２．３８５ｍｍｏｌ）と、式（８）で示されるナフタレンジスルホン酸オリゴマー（以下、ＮＳＯ－２と略す）３．２３０ｇ（３．５７８ｍｍｏｌ）とを、窒素雰囲気下、良溶媒であるＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド(以下、ＤＭＡｃと略す)１８９ｇに完全に溶解させた。
　得られた溶液に、貧溶媒である２，３－ブタンジオール（以下、２，３－ＢＤと略す）２１ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
［実施例２］
　ＤＭＡｃの使用量を１０５ｇとし、貧溶媒として２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールジメチルエーテル（以下、Ｄｉｇｌｙｍｅと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例３］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりに１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン（以下、ＤＭＩと略す）１０５ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下ＥＣＡと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例４］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１７８．５ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールモノブチルエーテル（以下、ＤＥＧＭＢＥと略す）３１．５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例５］
　ＤＭＡｃの使用量を１４７ｇとし、２，３－ＢＤの使用量を６３ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例６］
　ＤＭＡｃの使用量を８４ｇとし、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにシクロヘキサノール（以下、ＣＨＡと略す）１２６ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例７］
　ＤＭＡｃの使用量を１０５ｇとし、２，３－ＢＤの使用量を１０５ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例８］
　ＤＭＡｃの使用量を９４．５ｇとし、２，３－ＢＤの使用量を１１５．５ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例９］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＮ－メチルピロリドン（以下、ＮＭＰと略す）８４ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールジエチルエーテル（以下、Ｅｔｈｙｌ　ｄｉｇｌｙｍｅと略す）１２６ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１０］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＮＭＰ１０５ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにＥｔｈｙｌ　ｄｉｇｌｙｍｅ１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１１］
　ＤＭＡｃの使用量を１４７ｇとし、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにｎ－ヘキシルアセテート（以下ｎＨＡｃと略す）６３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１２］
　ＤＭＡｃの使用量を１０５ｇとし、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりに２，３－ＢＤ２１ｇとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下ＥＧＭＥＥＡｃと略す）８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１３］
　ＤＭＡｃの使用量を８４ｇとし、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにＤｉｇｌｙｍｅ１２６ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１４］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１０５ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにトリエチレングリコールジメチルエーテル（以下、Ｔｒｉｇｌｙｍｅと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１５］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ８４ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりに２－フェノキシエタノール（以下、２－ＰＥと略す）６３ｇとＥＣＡ６３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１６］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１６８ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりに１，３－ブタンジオール（以下、１，３－ＢＤと略す）４２ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１７］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１２６ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにトリプロピレングリコールモノメチルエーテル（以下、ＴＰＧＭＭＥと略す）８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１８］
　ＤＭＡｃの使用量を１４７ｇとし、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、ＥＧＭＥＥＡｃと略す）６３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［実施例１９］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１２６ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにエチレングリコールモノヘキシルエーテル（以下、ＥＧＭＨＥと略す）８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例１］
　ＤＭＡｃの使用量を８４ｇとし、２，３－ＢＤの使用量を１２６ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例２］
　ＤＭＡｃの使用量を７３．５ｇとし、２，３－ＢＤの使用量を１３６．５ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例３］
　ＤＭＡｃの使用量を６３ｇとし、２，３－ＢＤの使用量を１４７ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例４］
　ＤＭＡｃの使用量を１２６ｇとし、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにｎＨＡｃ８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例５］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１８９ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりに２－ＰＥ２１ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例６］
　ＤＭＡｃの使用量を１４７ｇとし、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにトリエチレングリコールモノメチルエーテル（以下、ＴＥＧＭＭＥと略す）６３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例７］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１０５ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにトリエチレングリコールモノエチルエーテル（以下、ＴＥＧＭＥＥと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例８］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１２６ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（以下、ＤＥＧＭＢＥＡｃと略す）８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例９］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１０５ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールモノエチルエーテル（以下、ＤＥＧＭＥＥと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例１０］
　ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１６８ｇを用い、２，３－ＢＤ２１ｇの代わりにプロピレングリコールモノメチルエーテル（以下、ＰＧＭＥと略す）４２ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例１１］
　ＰＴＡ１．０５６ｇ（２．３８５ｍｍｏｌ）と、ＮＳＯ－２　３．２３０ｇ（３．５７８ｍｍｏｌ）とを、窒素雰囲気下、ＤＭＡｃ２１０ｇに完全に溶解させて、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
［比較例１２］
　ＤＭＡｃの代わりにＤＭＩを用いた以外は、比較例１１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。
　上記各実施例および比較例で調製したワニスを、スリットダイコーターを用いてＩＴＯベタ基板（縦１２０ｍｍ×１２０ｍｍ、厚み０．７ｍｍ）に塗布した後、大気中、５０℃のホットプレート上で５分乾燥し、２３０℃のホットプレート上で１５分焼成して基板上に薄膜を形成した。
　なお、ＩＴＯ基板は、Ｏ2プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）を用いて表面上の不純物を除去してから使用し、スリットコーターの塗布条件は、塗布エリアが１２０ｍｍ×１２０ｍｍ、Ｇａｐが２０μｍ、塗工待機時間が４ｓｅｃ、塗工速度が１０ｍｍ／ｓｅｃ、目標膜厚は３０ｎｍとした。
　次いで、得られた薄膜の膜厚分布を評価した。評価は、正方形状に作製した薄膜の四隅と中央付近の計５箇所を測定し、５箇所の膜厚の面内均一性を膜厚分布として数値化して行った。各ワニスの粘度および表面張力、ワニスの調製に使用した良溶媒と貧溶媒の沸点差〔良溶媒の沸点（℃）－貧溶媒の沸点（℃）〕およびその絶対値、並びに膜厚分布の評価結果を表１～４に示す。
　なお、表１ではワニスの粘度が膜厚分布に及ぼす影響を評価し易い例を、表２ではワニスの表面張力が膜厚分布に及ぼす影響を評価し易い例を、表３では良溶媒および貧溶媒との沸点差が膜厚分布に及ぼす影響を評価しやすい例を、それぞれ抽出して列挙した。
　また、表４では、単一溶媒組成の比較例１１，１２の結果を示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
　表１に示されるように、ワニスの粘度が７．５ｍＰａ・ｓ以下である実施例１～８で調製したワニスを用いて作製した薄膜は、粘度が７．５ｍＰａ・ｓ超である比較例１～３で調製したワニスを使用して作製した薄膜に比べ、膜厚のバラツキが小さいことがわかる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
　表２に示されるように、ワニスの表面張力が３０．０～４０．０ｍＮ／ｍの範囲内である実施例で調製したワニスを用いて作製した薄膜は、表面張力が上記範囲外の比較例４，５で調製したワニスを使用して作製した薄膜に比べ、膜厚のバラツキが小さいことがわかる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
　表３に示されるように、良溶媒と貧溶媒との沸点差の絶対値｜ΔＴ｜＜２０℃である実施例で調製したワニスを用いて作製した薄膜は、｜ΔＴ｜が２０℃以上の比較例６～１０で調製したワニスを使用して作製した薄膜に比べ、膜厚のバラツキが小さいことがわかる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
　表４に示されるように、良溶媒単独で用いた比較例１１，１２のワニスを用いた場合は、スリットダイコーターでは薄膜を作製できないことがわかる。
〔調製例１～１９，比較調製例１～１０〕
　ＰＴＡの代わりにＢＤＰＡ－ＰＴＡを用いた以外は、実施例１～１９，比較例１～１０と同様の方法により、電荷輸送性ワニスを調製した。各ワニスの粘度および表面張力、ワニスの調製に使用した良溶媒と貧溶媒の沸点差〔良溶媒の沸点（℃）－貧溶媒の沸点（℃）〕およびその絶対値を表５～７に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
　表５～７に示されるように、電荷輸送性物質としてＢＤＰＡ－ＰＴＡを用いた場合でも、ＰＴＡを用いた場合と同様の粘度および表面張力を実現できることがわかる。
　したがって、この場合もスリットダイコーターにて膜厚のバラツキの少ない薄膜を作製できることが示唆され、本発明においては、ＰＴＡのみならず、ＢＤＰＡ－ＰＴＡのような式（１）に包含される化合物は、好適に電荷輸送性物質として用いることができると言える。

Claims (11)

  1. 　電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００～５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質およびドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒と、を含有し、
    　前記良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値が、｜ΔＴ｜＜２０℃を満たし、
    　２５℃での粘度が７．５ｍＰａ・ｓ以下、かつ、２３℃での表面張力が３０．０～４０．０ｍＮ／ｍであり、
    　前記電荷輸送性材料が、前記混合溶媒中に溶解または均一に分散していることを特徴とする電荷輸送性ワニス。
  2. 　前記良溶媒が、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、りん酸トリメチル、りん酸トリエチル、ジエチレングリコール、およびトリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種である請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
  3. 　前記貧溶媒が、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ヘキシレングリコール、１，２－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、オクチレングリコール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールベンジルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、２－メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１－ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリメチレングリコール、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、１－ペンタノール、１－ヘキサノール、１－ヘプタノール、１－ノナノール、１－デカノール、１－ウンデカノール、１－ドデカノール、１－テトラデカノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、２－メチルシクロヘキサノール、グリシドール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、２－エチルヘキサノール、２－フェノキシエタノール、α－テルピネオール、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジ－ｎ－ブチルエーテル、ジ－ｎ－ヘキシルエーテル、アニソール、エチルフェニルエーテル、ｎ－ブチルフェニルエーテル、ベンジルイソアミルエーテル、ｏ－クレジルメチルエーテル、ｍ－クレジルメチルエーテル、ｐ－クレジルメチルエーテル、エチルベンジルエーテル、ジグリシジルエーテル、１，４－ジオキサン、トリオキサン、フルフラール、２－メチルフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、シオネール、メチラール、ジエチルアセタール、ギ酸プロピル、ギ酸ｎ－ブチル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸ｎ－アミル、酢酸イソアミル、酢酸メチルイソアミル、ｎ－ヘキシルアセテート、酢酸第二ヘキシル、酢酸２－エチルブチル、酢酸２－エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ－ブチル、プロピオン酸イソアミル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ｎ－ブチル、酪酸イソアミル、オキシイソ酪酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、アセト酪酸メチル、アセト酪酸エチル、イソ吉草酸イソアミル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ－ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ｎ－アミル、乳酸イソアミル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、安息香酸ベンジル、サリチル酸メチル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジアミル、マロン酸ジエチル、クエン酸トリブチル、セバチン酸ジオクチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ－ｎ－ブチル、フタル酸ジ－２－エチルヘキシル、フタル酸ジ－ｎ－オクチル、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル－ｎ－アミルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジエチルケトン、エチル－ｎ－ブチルケトン、ジ－ｎ－プロピルケトン、ジイソブチルケトン、２，６，８－トリメチルノナン－４－オン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、２－エチル酸、カプリル酸、２－エチルヘキサン酸、オレイン酸、乳酸、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾールキシレノール、ヘプタン、オクタン、２，２，３－トリメチルヘキサン、デカン、ドデカン、トルエン、キシレン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、クメン、メシチレン、テトラリン、ｐ－シメン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ｐ－メンタン、ビシクロヘキセン、α－ピネン、およびジペンテンから選ばれる少なくとも１種である請求項１または２記載の電荷輸送性ワニス。
  4. 　前記良溶媒および前記貧溶媒の組み合わせが、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドと２，３－ブタンジオールとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとｎ－ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドとｎ－ヘキシルアセテートとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと２－フェノキシエタノール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノールと１，３－ブタンジオール、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと２－フェノキシエタノールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンと１，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３－ブタンジオール、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンと１，３－ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンと１，３－ブタンジオールとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ－メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルである請求項１～３のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
  5. 　前記電荷輸送物質が、式（１）で表されるオリゴアニリン誘導体、または式（１）の酸化体であるキノンジイミン誘導体である請求項１～４のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して下記式（２）または（３）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     で表される２価の基であり、Ｒ4～Ｒ11はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に１以上の整数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。）
  6. 　スリットコート塗布用である請求項１～５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
  7. 　請求項１～５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスから作製された電荷輸送性薄膜。
  8. 　請求項７記載の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 　前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 　請求項１～５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを用いる電荷輸送性薄膜の作製方法。
  11. 　電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００～５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質および電荷受容性ドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜の平坦性向上方法であって、
    　前記溶媒として、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒を用いるとともに、これら良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値を｜ΔＴ｜＜２０℃とし、
    　前記電荷輸送性ワニスの２５℃での粘度を７．５ｍＰａ・ｓ以下とし、かつ、前記電荷輸送性ワニスの２３℃での表面張力を３０．０～４０．０ｍＮ／ｍとすることを特徴とする電荷輸送性薄膜の平坦性向上方法。
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