[go: up one dir, main page]

WO2013015722A1 - Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора - Google Patents

Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора Download PDF

Info

Publication number
WO2013015722A1
WO2013015722A1 PCT/RU2012/000621 RU2012000621W WO2013015722A1 WO 2013015722 A1 WO2013015722 A1 WO 2013015722A1 RU 2012000621 W RU2012000621 W RU 2012000621W WO 2013015722 A1 WO2013015722 A1 WO 2013015722A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
quantum wells
quantum
substrate
growing
barriers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/RU2012/000621
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Дмитрий Михайлович КРАСОВИЦКИЙ
Виктор Петрович ЧАЛЫЙ
Николай Иванович КАЦАВЕЦ
Леонидович ДУДИНАнатолий
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
"SVETLANA-ROST" JOINT STOCK Co
Original Assignee
"SVETLANA-ROST" JOINT STOCK Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by "SVETLANA-ROST" JOINT STOCK Co filed Critical "SVETLANA-ROST" JOINT STOCK Co
Priority to CN201280047193.5A priority Critical patent/CN103959441B/zh
Publication of WO2013015722A1 publication Critical patent/WO2013015722A1/ru
Priority to IL230699A priority patent/IL230699A/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P14/3421—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/127—The active layers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs or InP
    • H10F71/1272—The active layers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs or InP comprising at least three elements, e.g. GaAlAs or InGaAsP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/146—Superlattices; Multiple quantum well structures
    • H10P14/22—
    • H10P14/3442—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals

Definitions

  • the technical field The invention relates to a technology for growing semiconductor heterostructures with multiple quantum wells by molecular beam epitaxy (MBE) and can be used in the manufacture of devices based on photodetector arrays with sensitivity in the deep infrared range (8-12 microns). Photosensitivity in the indicated spectral range can be ensured at low temperatures (less than 77 ° K) due to energy absorption during indirect carrier transitions between subbands in the active region of the heterostructure, consisting of alternating pairs of quantum wells (material with a smaller band gap) and barriers (material with a larger band gap).
  • MBE molecular beam epitaxy
  • quantum wells are usually modulated by doping (for example, with a donor impurity -
  • Si to high concentrations (including the so-called “delta doping” is used), however, it is necessary to take into account the phenomenon of surface segregation, which leads to heterogeneity of the impurity concentration, most pronounced at elevated growth temperatures;
  • DX- centers recombination centers
  • a known method of growing a heterostructure for an infrared detector including a substrate and overlying semiconductor layers - contact and layers that form an active region containing 50 GaAs quantum wells and AlGaAs quantum barriers.
  • Quantum wells are doped with Si with a doping level of 3.3 - 10 18 cm "3.
  • the substrate temperature is maintained at 690 ° C, see D. K. Sengupta et al. Growth and Characterization of n-Type GaAs / AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector on GaAs -on- Si Substrate, Journal of Electronic Materials, Vol. 27, No.
  • a known method of growing a heterostructure for an infrared photodetector including a substrate and overlying semiconductor layers forming an active region containing many silicon doped quantum wells, as well as many quantum barriers.
  • the method is carried out by the MPE method by heating the substrate in vacuum at t ° 580 ° C, reagents Ga and As are fed into the quantum wells, and A1, Ga and As are sent to the quantum barriers.
  • Si quantum well doping level 1 x 10 1 8 cm " 3, see K. L. Tsai et al., Influence of oxygen on the performance of GaAs / AlGaAs quantum wellinfrared photodetectors, Journal of Applied Physics 76 (1), 1 July 1994, PP 274-277 (copy attached).
  • the process temperature is reduced in comparison with the analogue described above, which prevents the thermal instability of GaAs and provides a certain sharpness of heteroboundaries, however, the low temperature of the process causes an increased number of crystalline defects (dislocations and deep impurities, such as oxygen), which are recombination centers (DX centers) that reduce the absorption efficiency in quantum wells and, accordingly, the sensitivity and detectability of an infrared detector.
  • DX centers recombination centers
  • the objective of the present invention is to reduce the number of crystalline defects and thereby increase the sensitivity (signal-to-noise ratio) and detection ability (minimum value of the detected photodetector signal).
  • a method for growing a heterostructure for an infrared photodetector comprising a substrate and overlying semiconductor layers — contact and layers forming an active region containing a plurality of quantum wells and barriers by the molecular beam method epitaxy by heating the substrate in a vacuum and alternately supplying reagent fluxes to quantum wells and barriers, as well as doping impurities - Si into quantum wells, whereby reagents: Ga and As are fed into quantum wells, and A1, Ga and As, into quantum barriers, quantum wells additionally supply A1 in an amount ensuring its molar fraction in the quantum well of 0.02-0.1 0, while in the process of growing the layers forming the active region, the substrate temperature is maintained within 700 - 750 ° C, and the level of doping of quantum pits are supported within (2 - 5) x 10 1 7 cm " 3.
  • the implementation of the distinguishing features of the invention leads to an important new property of the claimed method: ensuring the sharpness of heterointerfaces along with a decrease in the number of crystalline defects.
  • submission to A1 quantum wells in an amount that ensures its molar fraction in the quantum well in the range of 0.02-0.10 increases the thermal stability of the quantum well material and prevents a decrease in the sharpness of the heteroboundary even at sufficiently high (700 - 750 ° C) temperatures, which the number of crystalline defects is significantly reduced.
  • the lower limit - 700 ° C is due to the fact that at temperatures above 700 ° C the adsorption of impurities (oxygen atoms) is negligible, an increase in the process temperature above 750 ° C is not rational, as it does not give an additional effect. In this case, the surface segregation of Si atoms is reduced due to a decrease in the doping level to (2 - 5) 1 7 3
  • a decrease in the doping level to the above values became possible due to the fact that at a process temperature increased to 700–750 ° C, the number of defects decreases and, accordingly, the sensitivity of the active region of the heterostructure increases, which compensates for the decrease in sensitivity associated with the doping level.
  • a crystalline substrate 2 for growing a heterostructure.
  • cryopanels 3 with liquid nitrogen are used. Maneuvering the substrate 2 and its heating carried out using a manipulator 4.
  • the initial reagents in the form of atomic beams of group III metals (A1, Ga) and dopants (Si) are fed to the substrate 2 from evaporators 5, and arsenic (As) is supplied through a source with cracker 6.
  • the substrate 2 is heated to a temperature of 580-600 ° C to remove its own oxide by thermal decomposition. Then, flows of As from the source 6 and Ga and Si atoms from the evaporators 5 are simultaneously fed onto the heated surface of the substrate 2 to grow the lower contact layer of a given thickness and carrier concentration. Then, in a short period of time, the temperature of the substrate is simultaneously increased to values in the range of 700-750 ° C, the flow of Si atoms is blocked, and the atomic stream A1 is fed onto the substrate to grow the first barrier layer.
  • the atomic fluxes A1 are switched so that the molar fraction of aluminum is in the range of 0.02-0, 10, and the flux of Si atoms is opened, providing a doping level of (2-5) x 10 cm " quantum well.
  • the growth of the given thickness of the quantum well is carried out, after which the switching back to the growth mode of the barrier layer is carried out.
  • the cycle of growing the quantum well / barrier pair is repeated a predetermined number of times, after which the flow of A1 atoms is blocked and the upper GaAs contact layer is grown.
  • the heterostructure grown for the infrared photodetector according to the claimed method has a significantly lower concentration of deep centers recombination in the barrier layers and, while ensuring the sharpness of the heteroboundaries, respectively, has a high conversion efficiency of the incident radiation.
  • the implementation of the method is carried out using known equipment and materials. According to the applicant, the invention meets the criterion of "Industrial Applicability" ("IA").

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур со множественными квантовыми ямами методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении устройств на основе фотоприемных матриц с чувствительностью в глубоком инфракрасном диапазоне (8-12 мкм). В способе выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, причем в квантовые ямы подают реагенты: Ga и As, а в квантовые барьеры - Al, Ga и As, в квантовые ямы дополнительно подают Al в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02-0,10, при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область, температуру подложки поддерживают в пределах 700 -750С, а уровень легирования квантовых ям поддерживают в пределах (2-5)1017 см-3. Снижается количество кристаллических дефектов, и повышается тем самым чувствительность (отношение сигнал/шум) и обнаружительная способность (минимальное значение детектируемого сигнала фотодетектора).

Description

Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного
фотодетектора
Область техники Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур со множественными квантовыми ямами методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении устройств на основе фотоприемных матриц с чувствительностью в глубоком инфракрасном диапазоне (8- 12 мкм). Фоточувствительность в указанном спектральном диапазоне может быть обеспечена при низких температурах (менее 77°К) за счет поглощения энергии при непрямых переходах носителей между подзонами в активной области гетероструктуры, состоящей из чередующихся пар квантовых ям (материала с меньшей шириной запрещенной зоны) и барьеров (материала с большей шириной запрещенной зоны). При выращивании таких гетероструктур необходимо решить ряд взаимосвязанных проблем:
- абсолютная величина поглощения в одной квантовой яме достаточно низка, поэтому в активной области гетероструктуры используют несколько десятков (от 20 до 50) пар квантовых ям и барьеров, химический состав и толщина которых должны быть выдержаны как можно более точно для обеспечения необходимой спектральной чувствительности;
- для увеличения эффективности поглощения квантовые ямы обычно модулированно легируют (например, донорной примесью -
Si) до высоких концентраций (в том числе, применяется так называемое «дельта-легирование»), однако при этом необходимо учитывать явление поверхностной сегрегации, приводящее к неоднородности концентрации примеси, наиболее выраженное при повышенных температурах роста;
- для обеспечения точности поддержания состава и толщины слоев активной области и резкости гетерограниц между ними предпочтительно снижать температуру выращивания, однако при этом в материалах слоев образуется повышенное количество кристаллических дефектов (дислокаций и глубоких примесей, главным образом, кислорода), являющихся центрами рекомбинации (DX-центрами), снижающими эффективность поглощения в квантовых ямах;
- повышение концентрации легирующей примеси в квантовых ямах увеличивает чувствительность активной области, однако приводит к повышенному «темновому» току фотодетектора, и, следовательно, к необходимости снижения рабочей температуры. Предшествующий уровень техники
Известен способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного детектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую 50 квантовых ям GaAs и квантовых барьеров AlGaAs. Квантовые ямы легированы Si с уровнем легирования 3,3 - 1018 см"3. Температуру подложки поддерживают 690°С, см. D. К. Sengupta и др, Growth and Characterization of n- Type GaAs/ AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector on GaAs-on- Si Substrate, Journal of Electronic Materials, Vol. 27, No. 7, 1998, P.P. 858859, США (копия прилагается). Данный способ не обеспечивает резкости гетерограниц из-за термической неустойчивости GaAs при температуре 690°С. Кроме того, при высоком уровне легирования при данной температуре вследствие поверхностной сегрегации атомов Si не обеспечивается однородность легирования квантовых ям. Это приводит к падению спектральной чувствительности фотодетектора и увеличению темнового тока.
Известен способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои, образующие активную область, содержащую множество легированных кремнием квантовых ям, а также - множество квантовых барьеров. Способ осуществляют методом МПЭ путем нагрева подложки в вакууме при t° 580° С, в квантовые ямы подают реагенты Ga и As, а в квантовые барьеры -А1, Ga и As. Уровень легирования квантовых ям Si: 1 х 10 1 8 см" 3 , см. К. L. Tsai и др., Influence of oxygen on the performance of GaAs/AlGaAs quantum wellinfrared photodetectors, Journal of Applied Physics 76 (1), 1 July 1994, P. P. 274-277 (копия прилагается).
Данное техническое решение принято в качестве прототипа настоящего изобретения. В данном способе температура процесса снижена по сравнению с вышеописанным аналогом, что предотвращает термическую неустойчивость GaAs и обеспечивает определенную резкость гетерограниц, однако низкая температура процесса обусловливает повышенное количество кристаллических дефектов (дислокаций и глубоких примесей, например кислорода), являющихся центрами рекомбинации (DX - центрами), снижающими эффективность поглощения в квантовых ямах и, соответственно, чувствительность и обнаружительную способность инфракрасного детектора.
Раскрытие изобретения
Задачей настоящего изобретения является снижение количества кристаллических дефектов и повышение тем самым чувствительности (отношение сигнал/шум) и обнаружительной способности (минимальное значение детектируемого сигнала фотодетектора).
Согласно изобретению в способе выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, причем в квантовые ямы подают реагенты: Ga и As, а в квантовые барьеры - А1, Ga и As, в квантовые ямы дополнительно подают А1 в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02 - 0, 1 0 , при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область, температуру подложки поддерживают в пределах 700 - 750°С, а уровень легирования квантовых ям поддерживают в пределах (2 - 5) х 10 1 7 см" 3.
Заявителем не выявлены источники, содержащие информацию о технических решениях, идентичных настоящему изобретению, что позволяет сделать вывод о его соответствии критерию «Новизна» («N»).
Реализация отличительных признаков изобретения обусловливает важное новое свойство заявленного способа: обеспечение резкости гетерограниц наряду с уменьшением количества кристаллических дефектов. Подача в квантовые ямы А1 в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме в пределах 0,02 - 0,10, повышает термическую устойчивость материала квантовой ямы и предотвращает снижение резкости гетерограниц даже при достаточно высоких (700 - 750°С) температурах, при которых количество кристаллических дефектов значительно снижается. Нижний предел - 700°С обусловлен тем, что при температурах выше 700°С адсорбция примесей (атомов кислорода) пренебрежимо мала, повышение температуры процесса выше 750°С не рационально, так как не дает дополнительного эффекта. При этом поверхностная сегрегация атомов Si понижена за счет снижения уровня легирования до (2 - 5) 1 7 3
χ 10 см" (практически, на порядок ниже в сравнении с прототипом), что уменьшает неоднородность концентрации примесей.
Снижение уровня легирования до указанных выше значений стало возможным благодаря тому, что при повышенной до 700- 750°С температуре процесса количество дефектов уменьшается и, соответственно, увеличивается чувствительность активной области гетероструктуры, что компенсирует снижение чувствительности, связанное с уровнем легирования.
Указанные новые свойства изобретения обусловливают, по мнению заявителя, соответствие изобретения критерию «Изобретательский уровень» («IS»).
Краткое описание чертежей
В дальнейшем изобретение поясняется подробным описанием примеров его осуществления со ссылкой на чертеж, на котором приведена схема установки для МПЭ.
Лучший вариант осуществления изобретения
В вакуумной камере 1 размещают кристаллическую подложку 2 для выращивания гетероструктуры. Для поддержания высокого вакуума в ходе процесса используют криопанели 3 с жидким азотом. Маневрирование подложкой 2 и ее нагрев осуществляют при помощи манипулятора 4. Исходные реагенты в виде атомарных пучков металлов III группы (А1, Ga) и легирующей примеси (Si) подают на подложку 2 из испарителей 5, а подача мышьяка (As) осуществляется через источник с крекером 6.
Сначала подложку 2 нагревают до температуры 580-600°С для удаления собственного окисла путем его термического разложения. Затем на нагретую поверхность подложки 2 одновременно подают потоки As из источника 6 и атомов Ga и Si из испарителей 5 для выращивания нижнего контактного слоя заданной толщины и концентрации носителей. Затем, за короткий промежуток времени, одновременно повышают температуру подложки до значений в диапазоне 700-750°С, перекрывают поток атомов Si и на подложку подают атомарный поток А1 для выращивания первого барьерного слоя. По достижении заданной толщины барьерного слоя переключают потоки атомов А1 так, чтобы мольная доля алюминия находилась в диапазоне 0,02-0, 10, и открывают поток атомов Si, обеспечивающий уровень легирования (2-5) х 10 см" квантовой ямы. В этом режиме проводят выращивание заданной толщины квантовой ямы, после чего проводят обратное переключение к режиму выращивания барьерного слоя. Цикл выращивания пары «квантовая яма/барьер» повторяют заданное число раз, после чего перекрывают поток атомов А1 и проводят выращивание верхнего контактного слоя GaAs.
Таким образом, выращенная согласно заявленному способу гетероструктура для инфракрасного фотодетектора имеет значительно меньшую концентрацию глубоких центров рекомбинации в барьерных слоях и, при обеспечении резкости гетерограниц, соответственно, обладает высокой эффективностью преобразования падающего излучения.
Промышленная применимость
Реализация способа осуществляется с помощью известных оборудования и материалов. По мнению заявителя, изобретение соответствует критерию «Промышленная применимость» («IA»).

Claims

Формула изобретения
Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, причем в квантовые ямы подают реагенты: Ga и As, а в квантовые барьеры - А1, Ga и As, о т л и ч а ю щ и й с я т е м , что в квантовые ямы дополнительно подают А1 в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02 - 0, 10 , при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область, температуру подложки поддерживают в пределах 700 - 750°С, а уровень легирования квантовых ям поддерживают в пределах (2 - 5) х 10 1 7 см" 3.
PCT/RU2012/000621 2011-07-28 2012-07-27 Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора Ceased WO2013015722A1 (ru)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201280047193.5A CN103959441B (zh) 2011-07-28 2012-07-27 生长用于红外光检测器的异质结构的方法
IL230699A IL230699A (en) 2011-07-28 2014-01-28 A method for growing a heterogeneous structure for infrared light detectors

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011131881 2011-07-28
RU2011131881/28A RU2469432C1 (ru) 2011-07-28 2011-07-28 Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013015722A1 true WO2013015722A1 (ru) 2013-01-31

Family

ID=47601357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2012/000621 Ceased WO2013015722A1 (ru) 2011-07-28 2012-07-27 Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора

Country Status (4)

Country Link
CN (1) CN103959441B (ru)
IL (1) IL230699A (ru)
RU (1) RU2469432C1 (ru)
WO (1) WO2013015722A1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2065644C1 (ru) * 1994-06-14 1996-08-20 Институт физики полупроводников СО РАН Способ изготовления фотоприемного элемента на основе многослойных гетероструктур ga as/al ga as
RU2089656C1 (ru) * 1993-12-23 1997-09-10 Ольга Викторовна Гончарова Способ получения фоточувствительных резистивных и оптически нелинейных тонкопленочных гетероструктур на основе полупроводниковых и диэлектрических материалов
US6559471B2 (en) * 2000-12-08 2003-05-06 Motorola, Inc. Quantum well infrared photodetector and method for fabricating same
US7399988B2 (en) * 2006-05-10 2008-07-15 Fujitsu Limited Photodetecting device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5995260A (en) * 1997-05-08 1999-11-30 Ericsson Inc. Sound transducer and method having light detector for detecting displacement of transducer diaphragm

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2089656C1 (ru) * 1993-12-23 1997-09-10 Ольга Викторовна Гончарова Способ получения фоточувствительных резистивных и оптически нелинейных тонкопленочных гетероструктур на основе полупроводниковых и диэлектрических материалов
RU2065644C1 (ru) * 1994-06-14 1996-08-20 Институт физики полупроводников СО РАН Способ изготовления фотоприемного элемента на основе многослойных гетероструктур ga as/al ga as
US6559471B2 (en) * 2000-12-08 2003-05-06 Motorola, Inc. Quantum well infrared photodetector and method for fabricating same
US7399988B2 (en) * 2006-05-10 2008-07-15 Fujitsu Limited Photodetecting device and method of manufacturing the same

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
D. K. SENGUPTA ET AL.: "Growth and characterization of n-type GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector on GaAs-on-Si Substrate", JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, vol. 27, no. 7, 1998, pages 858 - 859 *
K. L. TSAI ET AL.: "Influence of oxygen on the performance of GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors", J. APPL. PHYS., vol. 76, no. 1, 1 July 1994 (1994-07-01), pages 274 - 277 *

Also Published As

Publication number Publication date
IL230699A0 (en) 2014-03-31
IL230699A (en) 2017-09-28
CN103959441A (zh) 2014-07-30
CN103959441B (zh) 2016-10-05
RU2469432C1 (ru) 2012-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
He et al. Broadband ultraviolet photodetector based on vertical Ga2O3/GaN nanowire array with high responsivity
Jiang et al. Hexagonal boron nitride epilayers: growth, optical properties and device applications
Gu et al. Effects of sputtering pressure and oxygen partial pressure on amorphous Ga2O3 film-based solar-blind ultraviolet photodetectors
Durlin et al. Midwave infrared barrier detector based on Ga-free InAs/InAsSb type-II superlattice grown by molecular beam epitaxy on Si substrate
Liu et al. Comparison of β-Ga2O3 thin films grown on r-plane and c-plane sapphire substrates
Hazra et al. A p-silicon nanowire/n-ZnO thin film heterojunction diode prepared by thermal evaporation
JP2016129225A (ja) 半導体受光装置、半導体受光素子
Xing et al. Research of nanopore structure of Ga2O3 film in MOCVD for improving the performance of UV photoresponse
Huang et al. InAsSbBi alloys grown by organometallic vapor‐phase epitaxy
US20050040428A1 (en) Forming a photodiode to include a superlattice exclusion layer
Dupuis et al. Growth and fabrication of high-performance GaN-based ultraviolet avalanche photodiodes
CN103474503B (zh) 一种基于二维晶格的紫外单波长msm光电探测器
CN119562610B (zh) 一种偏压可调的光电探测器及制备方法与应用
JP2012094761A (ja) 半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法
Liu et al. Self-powered solar-blind photodetectors based on AlN/a-Ga 2 O 3 heterojunctions with a nanocolumnar structure on various substrates
Piotrowski et al. MOCVD HgCdTe heterostructures for uncooled infrared photodetectors
RU2469432C1 (ru) Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора
TWI718159B (zh) 在有晶格參數幾近匹配ＧａＡｓ之基板上具有稀釋氮化物層的光電偵測器
Wang et al. Novel ultraviolet (UV) photodetector based on in-situ grown n-GaN nanowires array/p-GaN homojunction
Oehme et al. GeSn photodetection and electroluminescence devices on Si
KR102161593B1 (ko) 고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자 및 이를 제조하는 방법
Becla Advanced infrared photonic devices based on HgMnTe
RU2850741C1 (ru) Способ изготовления излучателя на основе GaInAsSb
Su et al. Fabrication of ZnO nanowall-network ultraviolet photodetector on Si substrates
Husain et al. Epitaxial Lattice Matching and the Growth Techniques of Compound Semiconductors for their Potential Photovoltaic Applications

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12817072

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12817072

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1