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WO2013009000A2 - 엘이디 제조 장치 - Google Patents

엘이디 제조 장치 Download PDF

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WO2013009000A2
WO2013009000A2 PCT/KR2012/003874 KR2012003874W WO2013009000A2 WO 2013009000 A2 WO2013009000 A2 WO 2013009000A2 KR 2012003874 W KR2012003874 W KR 2012003874W WO 2013009000 A2 WO2013009000 A2 WO 2013009000A2
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chamber
electrode
high frequency
plate
boat
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송기훈
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H10P72/0434—
    • H10P72/12—

Definitions

  • the present invention relates to a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) equipment used to manufacture LEDs, and more particularly to an LED manufacturing apparatus that can significantly increase the production of LEDs.
  • MOCVD Metal Organic Chemical Vapor Deposition
  • a light emitting diode called an LED (Light Emitting Diode) is a process of stacking a semiconductor layer using a compound material such as GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, and AlGaInP on a substrate such as Si, GaAS, or sapphire. It will be manufactured through.
  • a compound material such as GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, and AlGaInP
  • FIG. 5 is a schematic view showing an LED manufacturing apparatus currently being used.
  • a shower head 102 for discharging a reaction gas into the chamber 101 is installed above the chamber 101, and a susceptor 104 on which a wafer is placed below the shower head 102. ) Is installed.
  • the shower head 102 is coupled with one or more inlet tubes 103 for introducing a reaction gas, a source, and the like, and a plurality of wafer holders 104a for stably disposing a substrate on the upper side of the susceptor 104. do.
  • a heater for heating the wafer is built in the susceptor 104.
  • the inner wall of the chamber 101 is provided with a structure 106 to block the influence of the external temperature, the discharge pipe for discharging the reaction gas in the chamber 101 to the outside on one side of the chamber 101 105 is combined.
  • a driving means 107 for rotationally driving the susceptor 104 is coupled to the lower portion of the susceptor 104.
  • the shower head 102 is operated while appropriately maintaining the reaction temperature inside the chamber 101 by driving a heater. Through the continuous supply of the reaction gas through the desired semiconductor layer is sequentially deposited on the wafer.
  • a plurality of semiconductor layers such as an N-type layer, a P-type layer, and an active layer are formed on a wafer, and the semiconductor layer is deposited by, for example, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • the number of times the LED can be manufactured using one LED manufacturing apparatus is limited to approximately 2 to 2.5 times per day.
  • the LED manufacturing apparatus shown in FIG. 5 arranges the wafer on the upper side of the susceptor 104.
  • the susceptor 104 is disposed at one time.
  • the number of wafers allowed is limited to approximately 15 sheets for 4 inch wafers and approximately 6 sheets for 6 inch wafers.
  • the conventional LED manufacturing apparatus described above is limited to about 30 to 45 sheets based on 4 inch wafers and about 12 to 18 sheets based on 6 inch wafers.
  • the LED manufacturing apparatus is shown in Figure 6, the chamber ( 201, a reaction gas supply means 202 for supplying a reaction gas or a source into the chamber 201, a gas discharge means 203 for discharging the gas inside the chamber 201 to the outside, and the chamber High frequency induction coil 204 or dielectric electrode provided on the outside of 201, boat 205 installed on the inner central portion of chamber 201, and drive means 206 for rotationally driving the boat 205.
  • the boat 205 has a multi-layer structure of a plate 208, each of which is provided with at least one wafer holder 207, the plate 208 is made of a conductive material, the high frequency Induction coil 204 The frequency current is supplied.
  • the "LED manufacturing apparatus" of "10-0983730" having such a structure can significantly increase the number of LEDs that can be produced within a unit time and can significantly lower the manufacturing cost of the LEDs.
  • the "LED manufacturing apparatus" of "10-0983730” has a problem that the thickness of the semiconductor layer deposited on the wafer cannot be equal because the high frequency induction coil or the electrode is located outside the chamber, so that the plate temperatures cannot be equalized. .
  • an object of the present invention is to provide an LED manufacturing apparatus capable of mass-producing LEDs while having a simple structure in order to solve the problems described above.
  • another object of the present invention is to provide an LED manufacturing apparatus capable of uniformizing the thickness of a semiconductor layer deposited on a wafer by heating a plurality of stacked plates to the same temperature.
  • the LED manufacturing apparatus for achieving the above object is a chamber (Chamber), the boat is disposed in the inner center of the chamber and the wafer is seated, for rotating the boat clockwise or counterclockwise Drive means, reaction member supply means for supplying a reaction gas or source into the chamber, and gas discharge means for discharging the gas flowing in the chamber to the outside of the chamber.
  • a chamber Chamber
  • the boat is disposed in the inner center of the chamber and the wafer is seated, for rotating the boat clockwise or counterclockwise Drive means
  • reaction member supply means for supplying a reaction gas or source into the chamber
  • gas discharge means for discharging the gas flowing in the chamber to the outside of the chamber.
  • the boat is loaded with a predetermined height interval between the two or more plates equipped with a wafer holder for seating the wafer on the top surface, and the straight up in the height direction of the boat to fix a plurality of plates and high frequency current Two or more struts to supply, the base plate which is fixed to the struts while laying a predetermined height gap under the plate located at the bottom, the drive means is the upper end of the motor shaft penetrates the lower surface of the chamber, It is preferable that the drive motor is fixed to the center of the bottom surface of the base plate.
  • the plate may be composed of an outer plate made of a ceramic material and a top plate overlapping the upper surface of the outer plate and having a wafer holder made of silicon carbide (SiC) or tungsten and recessed in the upper surface.
  • the inner side of the outer plate is inserted into a circular high frequency heating heater wound in the form of a coil.
  • a post-shaped electrode for introducing a high frequency current is fixed to the side surface of the plate.
  • a first brush and a second brush which are in contact with the first electrode and the second electrode, protrude from the bottom surface of the base plate facing the first electrode and the second electrode.
  • the first support and the second support contact and connect the high frequency current transmitted from the first and second brushes with a circular high frequency heating heater wound in the shape of a coil through the first support and the second support.
  • a circular high frequency heating heater fixed between the base plate and the bottom of the chamber and fixed to the bottom of the chamber and in contact with the first and second brushes while the center is penetrated by the motor shaft is wound in the shape of a coil through the first and second brushes.
  • An electrode separator for supplying a high frequency current is mounted.
  • a first electrode made of a circular shape on a top surface of the electrode separator and supplied with a high frequency current and contacting a first brush, and a circular shape larger or smaller than a rotation radius of the first electrode, may be formed.
  • a second electrode is provided which is not in contact with the electrode and is supplied with a high frequency current and in contact with the second brush.
  • a wafer and a plate are mounted on a wafer holder, and then a predetermined amount of reactant gas flows inside the chamber, the driving means is activated, and a high frequency current is supplied to the electrode separator. And the boat including the base plate is rotated, the circular high frequency heating heater wound in the form of a coil receiving a high frequency current from the electrode separator to heat the plate.
  • the heated plate heats the wafer and the reaction gas flowing in the chamber is deposited on the wafer to form a semiconductor layer having a predetermined thickness.
  • the LED manufacturing apparatus can supply the same high frequency current to the circular high frequency heating heaters wound in a spiral shape separately installed on each plate, so that each plate can be heated to the same temperature.
  • the deposition thickness of the semiconductor layer may be precisely controlled by appropriately controlling the amount of current supplied to the circular high frequency heating heater and the amount of reaction gas supplied through the first duct.
  • the semiconductor layer can be formed on a large number of wafers by increasing the number of plates, the number of LEDs that can be produced within a unit time can be greatly increased, and the manufacturing cost of the LEDs can be significantly reduced.
  • Figure 3 is a plan view of the strut provided in the present invention, a diagram for explaining the process of the high frequency current is transmitted to the circular high frequency heating heater wound in the form of a coil through the first strut and the second strut,
  • FIG. 4 is a view for explaining a first electrode and a second electrode provided in the electrode separator
  • Figure 6 is a view for explaining the "LED manufacturing apparatus" of the "10-0983730" filed and registered by the inventor.
  • the LED manufacturing apparatus as shown in Figure 1, the chamber (1) (Chamber), the boat (5) on which the wafer 3 is seated while being disposed in the inner center of the chamber (1), the boat A drive means 7 for rotating the clockwise or counterclockwise direction, a reaction member supply means for supplying a reaction gas or a source into the chamber 1, and a gas flowing in the chamber 1; It is provided with a gas discharge means for discharging to the outside of the chamber (1).
  • the boat 5 is loaded with two or more plates 17 equipped with a wafer holder 15 for seating the wafer 3 on the upper surface while being stacked with a predetermined height interval therebetween, and the boat 5 Two or more struts 19 which stand upright in the height direction to fix the plurality of plates 17 and supply a high frequency current, and are fixed to the struts 19 while being laid at predetermined height intervals under the plate 17 positioned at the bottom thereof.
  • the drive means 7 is a drive in which the upper end of the motor shaft 23 passes through the lower surface of the chamber 1, and is fixed to the center of the bottom surface of the base plate 21
  • a bearing 26 may be installed on the lower surface of the chamber 1 in contact with the motor shaft 23 so that the motor shaft 23 may be smoothly rotated.
  • the plate 17 is made of a silicon carbide (SiC) or tungsten material while overlapping the upper surface of the outer plate 31 made of a ceramic material and the outer plate 31, as shown in Figure 2
  • a top plate 33 having a wafer holder 15 recessed in an upper surface thereof may be formed, and a circular high frequency heating heater 35 wound in a shape of a coil is inserted into the outer plate 31.
  • a post 19 is mounted on the side of the plate 17 to which a high frequency current is supplied.
  • a first brush 28a and a second contacting the first electrode 38 and the second electrode 40 are formed on the bottom surface of the base plate 21 facing the first electrode 38 and the second electrode 40.
  • the brush 28b protrudes.
  • first support 19a and the second support 19b have high frequency currents transmitted from the first and second brushes 28a and 28b as shown in FIGS. 1 and 3. And a circular high frequency heating heater 35 wound in a spiral form via the second support 19b.
  • the support 19 may be made of aluminum material having a low absorption coefficient of the high frequency current.
  • Electrode separator 36 (Seperator) for contacting the first and second brushes 28a and 28b and supplying a high frequency current to the circular high frequency heating heater 35 wound in a spiral form through the first and second brushes 28a and 28b. ) Is mounted.
  • the high frequency current supplied to the circular high frequency heating heater 35 wound in the shape of a coil is preferably produced by an RF generator.
  • the first electrode 38 is formed in a circular shape, a high frequency current is supplied and abuts with the first brush 28a, and A second electrode 40 which is formed in a circle shape larger or smaller than the rotation radius of the first electrode 38 and is not in contact with the first electrode 38 but is supplied with a high frequency current and contacts the second brush 28b is installed. .
  • the chamber 1 is made of an aluminum material and made of a cylindrical shape, it is preferably cooled by the cooling water.
  • the reaction member supply means is a hollow three-dimensional shape is attached to the inner wall of the chamber (1) and the inlet pores 27 is provided on one side facing the boat (5) 1 duct 37 and the inlet pipe 39 which passes through the chamber 1 outside the chamber 1 and then communicates with the first duct 37 to introduce the reaction gas into the first duct 37. It includes more.
  • the inlet pores 27 preferably pass through one side surface of the first duct 37 located on the same height line as each plate 17.
  • the gas discharge means is a three-dimensional shape with an empty inside, the second duct 41 is attached to the inner wall of the chamber 1 and the discharge pores 29 are provided on one side facing the boat 5, and the chamber (1)
  • the reaction gas which penetrates the chamber 1 from the outside and then communicates with the second duct 41 and is filled inside the chamber 1 through the second duct 41 and the discharge pores 29, is provided with the chamber 1.
  • Discharge pipe 43 for discharging to the outside the gas installed in the discharge pipe 43 is filled in the chamber (1) through the discharge pores 29, the second duct 41 and the discharge pipe 43 outside the chamber (1) Installed in the vacuum pump 45 and the discharge pipe 43 to block or open a passage of the discharge pipe 43 so that the gas filled in the chamber 1 is not discharged or discharged out of the chamber 1. It consists of a valve 47.
  • the discharge pores 29 preferably pass through one side of the second duct 41 located on the same height line as each plate 17.
  • the present invention according to the process sequence by opening the valve 46 installed in the inlet pipe (39) for a predetermined time to introduce a reaction gas or source into the chamber (1), and then wound in a round shape high frequency heating heater (35)
  • the plate 17 is heated for a predetermined time by supplying a high-frequency current to the inside, the valve 47 installed in the discharge pipe 43 is opened for a predetermined time, and the vacuum pump 45 is operated to operate inside the chamber 1.
  • the control unit opens the valve 46 closing the inlet pipe 39 for a predetermined time to supply a predetermined amount of reactive gas or source to the inlet pipe 39 and the first duct 37. ), And it is injected into the chamber 1 via the inlet pores 27.
  • control unit is operated by the drive motor 25, the plate 17, the support 19, the first and second brushes (28a, 28b), which is provided with a circular high frequency heating heater (35) wound in a spiral shape, and
  • the boat 5 including the base plate 21 is rotated in a clockwise or counterclockwise direction, and the rotation operation is for preventing the deposition of the reaction gas in any direction on the wafer 3.
  • control unit supplies a high frequency current to the first electrode 38 and the second electrode 40 provided in the electrode separator 36.
  • the first electrode 38 and the second electrode 40 are provided.
  • the first and second brushes 28a and 28b which are in contact with each other, rotate by the drive motor 25 and at the same time receive the high frequency current transmitted from the first electrode 38 and the second electrode 40 from the first post 19a. Through the contact of the second support (19b) it is transmitted to the circular high frequency heating heater (35) wound in the form of a spiral.
  • the circular high frequency heating heater 35 wound in a spiral shape receiving a high frequency current may heat the plate 17 of silicon carbide (SiC) or metal material 33 to be subjected to high frequency heating, and thus the wafer seated on the wafer holder 15 ( 3) sweetened.
  • control unit that has completed the process opens the valve 47 installed in the discharge pipe 43 to discharge the gas filled in the chamber 1 to the outside of the chamber 1, and drives the vacuum pump 45, The task is completed after a certain time.
  • the wafer 3 is mounted on the wafer holder 15, and then a certain amount of reactive gas is filled into the chamber 1, and the driving means 7 is operated.
  • the boat 5 including the support 19, the plate 17, and the base plate 21 is rotated, and the circular high frequency heating heater 35 wound in the shape of a coil is The plate 17 is heated by receiving a high frequency current from the electrode separator 36.
  • the heated plate 17 heats the wafer 3 and the reaction gas filled in the chamber 1 is deposited on the wafer 3 to form a semiconductor layer having a predetermined thickness.
  • the LED manufacturing apparatus supplies the same high frequency current to the circular high frequency heating heater 35 wound in a spiral shape, so that each play can be heated to the same temperature.
  • the semiconductor layer can be formed on a large number of wafers 3 through the method of increasing the number of the plates 17, the number of LEDs that can be produced within a unit time can be greatly increased, and the manufacturing cost of the LEDs can be increased. Can be significantly lowered.

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Abstract

본 발명은 엘이디(LED)를 제조하는데 사용되는 금속 유기물 증착법인 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비에 관한 것으로, 챔버(Chamber)와, 상기 챔버의 내측 중앙에 배치되면서 웨이퍼가 안착 되는 보트, 상기 보트를 시계 방향이나 반 시계 방향으로 회전시키기 위한 구동 수단, 상기 챔버 내부로 반응 가스나 소스를 공급하는 반응 부재 공급 수단, 및 상기 챔버 내부에 흐르는 가스를 챔버 바깥으로 배출시키는 가스 배출수단을 구비한다. 또한, 상기 보트는 일정한 높이 간격을 사이에 두고 적치되면서 상단면에 웨이퍼를 안착시키기 위한 웨이퍼 홀더가 갖추어진 2개 이상의 플레이트와, 상기 보트의 높이 방향으로 곧게 세워져 다수 개의 플레이트들을 고정시키고 고주파 전류를 공급하는 2개 이상의 지주, 상기 최하부에 위치한 플레이트 밑에 소정 높이 간격을 사이에 두고 깔리면서 지주에 고정되는 베이스판으로 이루어질 수 있고, 상기 구동 수단은 모터축의 상단이 챔버의 하단면을 관통한 다음, 베이스판의 밑면 중앙에 고정되는 구동 모터로 이루어짐이 바람직하다. 또한, 상기 플레이트는 세라믹 재질로 이루어진 외부 플레이트와, 상기 외부 플레이트의 상단면에 겹쳐지면서 실리콘 카바이드(SiC)나 텅스텐 재질로 이루어지고 상단면에 오목하게 들어간 웨이퍼 홀더가 구비된 윗면 플레이트로 이루어질 수 있고, 상기 외부 플레이트의 내부에는 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터가 삽입된다. 또, 제1 전극과 제 2 전극을 마주보는 베이스판의 밑면에는 제 1 전극 및 제 2 전극과 맞닿는 제 1 브러쉬와 제 2 브러쉬가 돌출된다. 또, 상기 제 1 지주와 제 2 지주는 제 1·2 브러쉬로부터 전달된 고주파 전류를 제 1 지주와 제2 지주를 거쳐 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터로 전달한다. 또, 상기 베이스판과 챔버 밑면 사이에 는 챔버 밑면에 고정되고 중앙이 모터축에 의해 관통된 상태에서 제 1·2 브러쉬와 맞닿아 상기 제 1·2 브러쉬를 통해 원형 고주파 가열 히터로 고주파 전류를 공급하는 전극 세퍼레이터(Seperator)가 장착된다. 이때, 상기 전극 세퍼레이터(Seperator)의 상단면에는 원 형태로 이루어지고 고주파 전류가 공급되며 제 1 브러쉬와 맞닿는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극의 회전 반경보다 크거나 작은 원 형태로 이루어져 상기 제 1 전극과 접촉되지 않고 고주파 전류가 공급되며 제 2 브러쉬와 맞닿는 제 2 전극이 설치된다.

Description

엘이디 제조 장치
본 발명은 엘이디(LED)를 제조하는데 사용되는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비에 관한 것으로, 특히 엘이디의 생산량을 획기적으로 증대시킬 수 있는 엘이디 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로 LED(Light Emitting Diode)라 칭하는 발광 다이오드는 Si, GaAS,사파이어 등의 기판상에 예컨대, GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, 및 AlGaInP 등의 화합물 재료 등을 이용하여 반도체층을 적층하는 과정을 통해 제조하게 된다.
도면 5는 현재 사용되고 있는 LED 제조 장치를 개략적으로 나타낸 구조도이다.
도면 5에서 챔버(101)의 상측에는 챔버(101) 내측으로 반응 가스를 방출하는 샤워 헤드(102)가 설치됨과 더불어, 상기 샤워 헤드(102)와 대향하는 하측에는 웨이퍼가 놓여지는 서셉터(104)가 설치된다.
상기 샤워 헤드(102)에는 반응 가스나 소스 등을 인입하기 위한 하나 이상의 인입관(103)이 결합 되고, 서셉터(104)의 상측에는 기판을 안정적으로 배치하는 다수 개의 웨이퍼 홀더(104a)가 구비된다.
또한, 상기 서셉터(104)의 내부에는 웨이퍼를 가열시키기 위한 히터가 내장된다.
또, 상기 챔버(101)의 내측 벽에는 외부 온도의 영향을 차단하기 위한 구조물(106)이 설치되고, 챔버(101)의 일측에는 챔버(101) 내부의 반응 가스 등을 외부로 방출시키기 위한 배출관(105)이 결합 된다.
그리고, 상기 서셉터(104)의 하부에는 서셉터(104)를 회전 구동시키기 위한 구동 수단(107)이 결합 된다.
상기와 같은 구조로 이루어진 LED 제조 장치는 서셉터(104)의 웨이퍼 홀더(104a)에 웨이퍼를 배치한 후, 히터를 구동하여 챔버(101) 내부의 반응 온도를 적절하게 유지하면서 샤워 헤드(102)를 통해 반응 가스를 지속적으로 공급하는 방법을 통해 웨이퍼 상에 원하는 반도체 층을 순차 증착시키게 된다.
그런데, 상술한 LED 제조 장치에 있어서는 다음과 같은 문제가 있게 된다.
일반적으로 LED를 제조하는 경우에는 웨이퍼 상에 N형층이나 P형층, 활성층 등 다수의 반도체층을 형성하게 되고, 이러한 반도체층은 예컨데 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 등의 방법을 통해 증착 형성하게 된다.
이 때문에 LED의 제조에는 매우 많은 시간이 소요된다.
통상 하나의 웨이퍼 상에 LED를 제조하는데에는 대략 8시간 내지 10시간 정도가 소요된다.
즉, 하나의 LED 제조 장치를 이용하여 LED를 제조할 수 있는 횟수가 하루에 대략 2 내지 2.5회로 한정된다.
한편, 도면 5에 도시한 LED 제조 장치는 웨이퍼를 서셉터(104)의 상측에 배치하게 되는데, 이때 서셉터(104)의 수평 면적은 일정 크기 이하로 제한되므로 한번에 서셉터(104) 상에 배치할 수 있는 웨이퍼의 갯수가 4인치 웨이퍼의 경우에는 대략 15장, 6인치 웨이퍼의 경우에는 대략 6장 이하로 제한된다.
따라서, 상술한 종래의 LED 제조 장치는 1일 동안 생산할 수 있는 웨이퍼의 수량이 4인치 웨이퍼를 기준으로 대략 30장 내지 45장, 6인치 웨이퍼를 기준으로 대략 12장 내지 18장 이내로 제한된다.
이러한 이유로 LED를 대량 생산하기 위해서는 다수의 제조 장치를 구비하여 한다.
하지만, 기존의 LED 제조 장치는 그 가격이 매우 높기 때문에 LED를 대량으로 제조하기 위한 설비를 구비하기 위해서는 막대한 시설 자금이 소요된다.
즉, 종래의 LED 제조 장치의 경우에는 LED를 대량 생산하기가 어렵고, 제조 장치당 생산 효율이 낮기 때문에 LED의 제조 비용이 높다는 단점이 있다.
한편, 상기 제시한 문제점을 해결하고자, 본 발명자에 의해 출원되어 등록된 등록 번호 "10-0983730"호의 "엘이디 제조 장치"가 있는바, 상기 엘이디 제조 장치는 도면 6에 도시한 바와 같이, 챔버(201)와, 상기 챔버(201) 내측으로 반응 가스 또는 소스를 공급하기 위한 반응 가스 공급 수단(202), 상기 챔버(201) 내측의 가스를 외부로 배출하기 위한 가스 배출 수단(203), 상기 챔버(201)의 외측에 설치되는 고주파 유도 코일(204) 또는 유전 전극, 상기 챔버(201)의 내측 중앙 부분에 설치되는 보트(205), 및 상기 보트(205)를 회전 구동하기 위한 구동 수단(206)을 포함하여 구성되고, 상기 보트(205)는 각각 적어도 하나 이상의 웨이퍼 홀더(207)가 구비되는 플레이트(208)의 다층 구조로 이루어지며, 상기 플레이트(208)는 도전성 재질로 구성되고, 상기 고주파 유도 코일(204)에는 고주파 전류가 공급된다.
이러한 구조로 이루어진 "10-0983730"호의 "엘이디 제조 장치"는 단위 시간 내에 생산할 수 있는 LED의 수효를 대폭 증대시킴은 물론 LED의 제조 단가를 대폭적으로 낮출 수 있다.
하지만, "10-0983730"호의 "엘이디 제조 장치"는 고주파 유도 코일 또는 전극이 챔버 외부에 위치하기 때문에 각각의 플레이트 온도를 동일하게 맞출 수 없어 웨이퍼 위에 적층되는 반도체층의 두께가 불균일하다는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기 제시한 문제점을 해결하기 위하여 구조가 간단하면서도 LED를 대량 생산할 수 있는 엘이디 제조 장치를 제공하는데 본 발명의 목적이 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 적층된 다수 개의 플레이트를 동일한 온도로 가열시켜 웨이퍼 위에 증착되는 반도체층의 두께를 모두 균일하게 할 수 있는 엘이디 제조 장치를 제공하는데 본 발명의 목적이 있다.
상기한 바의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 엘이디 제조 장치는 챔버(Chamber)와, 상기 챔버의 내측 중앙에 배치되면서 웨이퍼가 안착 되는 보트, 상기 보트를 시계 방향이나 반 시계 방향으로 회전시키기 위한 구동 수단, 상기 챔버 내부로 반응 가스나 소스를 공급하는 반응 부재 공급 수단, 및 상기 챔버 내부에 흐르는 가스를 챔버 바깥으로 배출시키는 가스 배출 수단을 구비한다. 또한, 상기 보트는 일정한 높이 간격을 사이에 두고 적치되면서 상단면에 웨이퍼를 안착시키기 위한 웨이퍼 홀더가 갖추어진 2개 이상의 플레이트와, 상기 보트의 높이 방향으로 곧게 세워져 다수 개의 플레이트들을 고정시키고 고주파 전류를 공급하는 2개 이상의 지주, 상기 최하부에 위치한 플레이트 밑에 소정 높이 간격을 사이에 두고 깔리면서 지주에 고정되는 베이스판으로 이루어질 수 있고, 상기 구동 수단은 모터축의 상단이 챔버의 하단면을 관통한 다음, 베이스판의 밑면 중앙에 고정되는 구동 모터로 이루어짐이 바람직하다. 또한, 상기 플레이트는 세라믹 재질로 이루어진 외부 플레이트와, 상기 외부 플레이트의 상단면에 겹쳐지면서 실리콘 카바이드(SiC)나 텅스텐 재질로 이루어지고 상단면에 오목하게 들어간 웨이퍼 홀더가 구비된 윗면 플레이트로 이루어질 수 있고, 상기 외부 플레이트의 내부에는 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터가 삽입된다. 또, 상기 플레이트의 측면에는 고주파 전류를 유입시키는 지주 형태의 전극이 고정되어있다.
또, 제 1 전극과 제 2 전극을 마주보는 베이스판의 밑면에는 제 1 전극 및 제 2 전극과 맞닿는 제 1 브러쉬와 제 2 브러쉬가 돌출된다. 또, 상기 제 1 지주와 제 2 지주는 제 1·2 브러쉬로부터 전달된 고주파 전류를 제 1지주와 제 2 지주를 거쳐 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터로 접촉 연결한다. 또, 상기 베이스판과 챔버 밑면 사이에는 챔버 밑면에 고정되고 중앙이 모터축에 의해 관통된 상태에서 제 1·2 브러쉬와 맞닿아 상기 제 1·2 브러쉬를 통해 똬리 형태로 감겨진 원형 고주파 가열 히터로 고주파 전류를 공급하는 전극 세퍼레이터(Seperator)가 장착된다. 이때, 상기 전극 세퍼레이터(Seperator)의 상단면에는 원 형태로 이루어지고 고주파 전류가 공급되며 제 1 브러쉬와 맞닿는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극의 회전 반경보다 크거나 작은 원 형태로 이루어져 상기 제 1 전극과 접촉되지 않고 고주파 전류가 공급되며 제 2 브러쉬와 맞닿는 제 2 전극이 설치된다.
이러한 구조로 이루어진 본 발명에 따른 엘이디 제조 장치는 웨이퍼 홀더에 웨이퍼를 장착시킨 다음, 챔버 내부에 일정량의 반응 가스를 흐르게 하고, 구동 수단을 작동시킴과 더불어 전극 세퍼레이터에 고주파 전류를 공급 시키면 지주와 플레이트 및 베이스판을 포함한 보트가 회전되고, 전극 세퍼레이터로부터 고주파 전류를 공급받은 똬리 형태로 감겨진 원형 고주파 가열 히터는 플레이트를 달구게 된다.
이때, 상기 가열된 플레이트는 웨이퍼를 가열시키고 상기 챔버 내부에 흐르는 반응 가스는 웨이퍼 위에 증착되어 일정 두께의 반도체층을 형성하게 된다.
따라서, 본 발명에 따른 엘이디 제조 장치는 각각의 플레이트에 별도 설치된 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터들에게 동일한 고주파 전류를 공급시켜주므로 각각의 플레이트들을 동일한 온도로 가열시킬 수 있다.
또한, 상기 원형 고주파 가열 히터에 공급되는 전류량과 제 1 덕트를 통해 공급되는 반응 가스의 양을 적절하게 제어하여 반도체층의 증착 두께를 정밀하게 조절할 수 있다.
또, 상기 플레이트의 수효를 늘이는 방법을 통해 많은 수효의 웨이퍼에 반도체층을 구성할 수 있기 때문에 단위 시간 내에 생산할 수 있는 LED의 수효를 대폭 증대시킴은 물론 LED의 제조 단가를 대폭 낮출 수 있다.
도면 1은 본 발명의 종단면도,
도면 2는 플레이트의 종단면도,
도면 3은 본 발명에 갖추어진 지주의 평면도이고, 고주파 전류가 제 1 지주와 제 2 지주를 거쳐 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터로 전달되는 과정을 설명하기 위한 도면,
도면 4는 전극 세퍼레이터에 설치된 제 1 전극과 제 2 전극을 설명하기 위한 도면,
도면 5는 기존의 "엘이디 제조 장치"를 설명하기 위한 도면,
도면 6은 본 발명자에 의해 출원되어 등록된 "10-0983730"호의 "엘이디 제조 장치"를 설명하기 위한 도면.
- 부호의 설명 -
1. 챔버 3. 웨이퍼
5. 보트 7. 구동 수단
15. 웨이퍼 홀더 17. 플레이트
19. 지주 21. 베이스판
23. 모터축 25. 구동 모터
27. 인입 기공 28a. 제 1 브러쉬
29. 배출 기공 31. 외부 플레이트
33. 윗면 플레이트 35. 원형 고주파 가열 히터
36. 전극 세퍼레이터 39. 인입관
41. 제 2 덕트 43. 배출관
45. 진공 펌프 47. 밸브
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 자세히 설명한다.
본 발명에 따른 엘이디 제조 장치는 도면 1에 도시한 바와 같이, 챔버(1)(Chamber)와, 상기 챔버(1)의 내측 중앙에 배치되면서 웨이퍼(3)가 안착 되는 보트(5), 상기 보트(5)를 시계 방향이나 반 시계 방향으로 회전시키기 위한 구동 수단(7), 상기 챔버(1) 내부로 반응 가스나 소스를 공급하는 반응 부재 공급 수단, 및 상기 챔버(1) 내부에 흐르는 가스를 챔버(1) 바깥으로 배출시키는 가스 배출 수단을 구비한다.
또한, 상기 보트(5)는 일정한 높이 간격을 사이에 두고 적치되면서 상단면에 웨이퍼(3)를 안착시키기 위한 웨이퍼 홀더(15)가 갖추어진 2개 이상의 플레이트(17)와, 상기 보트(5)의 높이 방향으로 곧게 세워져 다수 개의 플레이트(17)들을 고정시키고 고주파 전류를 공급하는 2개 이상의 지주(19), 상기 최하부에 위치한 플레이트(17) 밑에 소정 높이 간격을 두고 깔리면서 지주(19)에 고정되는 베이스판(21)으로 이루어질 수 있고, 상기 구동 수단(7)은 모터축(23)의 상단이 챔버(1)의 하단면을 관통한 다음, 베이스판(21)의 밑면 중앙에 고정되는 구동 모터(25)로 이루어짐이 바람직하다.
또한, 상기 모터축(23)과 맞닿는 챔버(1)의 하단면에는 모터축(23)이 원활하게 회전될 수 있도록 베어링(26)이 설치될 수 있다.
또, 상기 플레이트(17)는 도면 2에 도시한 바와 같이, 세라믹 재질로 이루어진 외부 플레이트(31)와, 상기 외부 플레이트(31)의 상단면에 겹쳐지면서 실리콘 카바이드(SiC)나 텅스텐 재질로 이루어지고 상단면에 오목하게 들어간 웨이퍼 홀더(15)가 구비된 윗면 플레이트(33)로 이루어질 수 있고, 상기 외부 플레이트(31)의 내부에는 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)가 삽입된다.
또, 상기 플레이트(17)의 측면에는 고주파 전류가 공급되는 지주(19)가 장착된다.
또, 제 1 전극(38)과 제 2 전극(40)을 마주보는 베이스판(21)의 밑면에는 제 1 전극(38) 및 제 2 전극(40)과 맞닿는 제 1 브러쉬(28a)와 제 2 브러쉬(28b)가 돌출된다.
또한, 상기 제 1 지주(19a)와 제 2 지주(19b)는 도면 1과 도면 3에 도시한 바와 같이, 제 1·2 브러쉬(28a,28b)로부터 전달된 고주파 전류를 제 1 지주(19a)와 제 2 지주(19b)를 거쳐 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)로 전달한다.
이때, 상기 지주(19)는 고주파 전류의 흡수 계수가 적은 알미늄의 재질로 이루어질 수 있다.
또, 상기 베이스판(21)과 챔버(1) 밑면 사이에는 도면 1과 도면 4에 도시한 바와 같이, 챔버(1) 밑면에 고정되고, 중앙이 모터축(23)에 의해 관통된 상태에서 제 1·2 브러쉬(28a,28b)와 맞닿아 상기 제 1·2 브러쉬(28a,28b)를 통해 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)로 고주파 전류를 공급하는 전극 세퍼레이터(36)(Seperator)가 장착된다.
이때, 상기 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)로 공급되는 고주파 전류는 RF 발전기(RFGenerator)에 의해 생산됨이 바람직하다.
또한, 상기 전극 세퍼레이터(36)(Seperator)의 상단면에는 도면 4에 도시한 바와 같이, 원 형태로 이루어지고 고주파 전류가 공급되며 제 1 브러쉬(28a)와 맞닿는 제 1 전극(38)과, 상기 제 1 전극(38)의 회전 반경보다 크거나 작은 원 형태로 이루어져 상기 제 1 전극(38)과 접촉되지 않고 고주파 전류가 공급되며 제 2 브러쉬(28b)와 맞닿는 제 2 전극(40)이 설치된다.
한편, 상기 챔버(1)는 알미늄 재질로 이루어지면서 원통 형상으로 이루어지며, 냉각수에 의하여 냉각됨이 바람직하다.
또한, 상기 반응 부재 공급 수단은 도면 1에 도시한 바와 같이, 내부가 비어있는 입체 형상으로서 챔버(1) 내벽에 부착되고 보트(5)를 마주보는 일측면에 인입 기공(27)이 갖추어진 제 1 덕트(37)와, 챔버(1) 바깥에서 챔버(1)를 관통한 다음 제 1 덕트(37)와 연통 되어 제 1 덕트(37)의 안쪽으로 반응 가스를 유입시키는 인입관(39)을 더 포함한다.
이때, 상기 인입 기공(27)은 각각의 플레이트(17)와 동일 높이 선상에 위치한 제 1 덕트(37)의 일측면을 관통함이 바람직하다.
또, 상기 가스 배출 수단은 내부가 비어 있는 입체 형상으로서 챔버(1) 내벽에 부착되고 보트(5)를 마주보는 일측면에 배출 기공(29)이 갖추어진 제 2 덕트(41)와, 상기 챔버(1) 바깥에서 챔버(1)를 관통한 다음 제 2 덕트(41)와 연통 되어 제 2 덕트(41) 및 배출 기공(29)을 통해 챔버(1) 내부에 채워진 반응 가스를 챔버(1) 바깥으로 배출시키는 배출관(43), 상기 배출관(43)에 설치되어 챔버(1) 내부에 채워진 가스를 배출 기공(29)과 제 2덕트(41) 및 배출관(43)을 통해 챔버(1) 바깥으로 빨아들이는 진공 펌프(45), 및 상기 배출관(43)에 설치되어 배출관(43)의 통로를 차단하거나 개방시켜 챔버(1) 내부에 채워진 가스를 챔버(1) 바깥으로 내보내거나 내보내지 않는 밸브(47)로 이루어진다.
이때, 상기 배출 기공(29)은 각각의 플레이트(17)와 동일 높이 선상에 위치한 제 2 덕트(41)의 일측면을 관통함이 바람직하다.
또한, 본 발명은 공정 순서에 따라 인입관(39)에 설치된 밸브(46)를 일정 시간 개방시켜 챔버(1) 내부로 반응 가스나 소스를 유입시킨 다음 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)로 고주파 전류를 공급하여 플레이트(17)를 일정 시간 동안 가열시키고 상기 배출관(43)에 설치된 밸브(47)를 일정 시간 동안 개방함과 더불어 진공 펌프(45)를 동작시켜 챔버(1) 내부에 채워진 가스를 배출관(43)을 통해 챔버(1) 바깥으로 배출시키는 제어부를 더 포함한다.
상기와 같은 구조로 이루어진 본 발명에 따른 엘이디 제조 장치가 동작 되는 과정을 도면 1 내지 도면 4 참조하여 설명하면 다음과 같다.
최초, 본 발명이 작동되면, 상기 제어부는 인입관(39)을 폐쇄하고 있는 밸브(46)를 일정 시간 동안 개방시켜 일정 량의 반응 가스 또는 소스를 인입관(39)과, 제 1 덕트(37), 인입 기공(27)을 거쳐 챔버(1) 내부로 주입시킨다.
또한, 상기 제어부는 구동 모터(25)를 동작시켜 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)가 부가 설치된 플레이트(17)와 지주(19), 제 1·2 브러쉬(28a,28b), 및 베이스판(21)을 포함하는 보트(5)를 시계 방향이나 반시계 방향으로 회전시키는데, 상기 회전 동작은 반응 가스가 웨이퍼(3) 위에서 어느 한 방향으로 치우쳐 증착됨을 방지하기 위함이다.
또, 상기 제어부는 전극 세퍼레이터(36)에 갖추어진 제 1 전극(38)과 제 2 전극(40)에 고주파 전류를 공급하게 되는데, 이때, 상기 제 1 전극(38)과 제 2 전극(40)과 맞닿은 제 1·2 브러쉬(28a,28b)는 구동 모터(25)에 의해 회전함과 동시에 제 1 전극(38)과 제 2 전극(40)로부터 전달된 고주파 전류를 제 1 지주(19a)와 제 2 지주(19b)의 접촉을 통해 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)로 전달한다.
이때, 고주파 전류를 공급받은 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)는 실리콘 카바이드(SiC) 또는 금속 재질(33)의 플레이트(17)를 고주파 가열시켜 웨이퍼 홀더(15)에 안착된 웨이퍼(3)를 달구게 된다.
한편, 상기 과정을 마친 제어부는 챔버(1) 내부에 채워진 가스를 챔버(1) 바깥으로 내보내기 위해 배출관(43)에 설치된 밸브(47)를 개방시킴과 더불어, 진공 펌프(45)를 구동시키고, 일정 시간 뒤에 작업을 완료한다.
이러한 구조로 이루어진 본 발명에 따른 엘이디 제조 장치는 웨이퍼 홀더(15)에 웨이퍼(3)를 장착시킨 다음, 챔버(1) 내부에 일정량의 반응 가스를 채우고, 상기 구동 수단(7)을 작동시킴과 더불어 전극 세퍼레이터(36)에 고주파 전류를 공급시키면 지주(19)와 플레이트(17) 및 베이스판(21)을 포함한 보트(5)가 회전되고, 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)는 전극 세퍼레이터(36)로부터 고주파 전류를 공급받아 플레이트(17)를 달구게 된다.
이때, 상기 가열된 플레이트(17)는 웨이퍼(3)를 가열시키고 상기 챔버(1) 내부에 채워진 반응 가스는 웨이퍼(3) 위에 증착되어 일정 두께의 반도체층을 형성하게 된다.
따라서, 본 발명에 따른 엘이디 제조 장치는 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)에 동일한 고주파 전류를 공급시켜 주므로 각각의 플레이들을 동일한 온도로 가열시킬 수 있다.
또한, 상기 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)에 공급되는 전류량과 제 1 덕트(37)를 통해 공급되는 반응 가스의 양을 적절하게 제어하여 반도체층의 증착 두께를 정밀하게 조절할 수 있다.
또, 상기 플레이트(17)의 수효를 늘이는 방법을 통해 많은 수효의 웨이퍼(3)에 반도체층을 구성할 수 있기 때문에 단위 시간 내에 생산할 수 있는 LED의 수효를 대폭 증대시킴은 물론 LED의 제조 단가를 대폭 낮출 수 있다.

Claims (3)

  1. 챔버(1)(Chamber)와,
    상기 챔버(1)의 내측 중앙에 배치되면서 웨이퍼(3)가 안착 되는 보트(5),
    상기 보트(5)를 시계 방향이나 반 시계 방향으로 회전시키기 위한 구동 수단(7),
    상기 챔버(1) 내부로 반응 가스나 소스를 공급하는 반응 부재 공급 수단,
    및 상기 챔버(1) 내부에 흐르는 가스를 챔버(1) 바깥으로 배출시키는 가스 배출 수단을 구비하고,
    상기 보트(5)는 일정한 높이 간격을 사이에 두고 적치되면서 상단면에 웨이퍼(3)를 안착시키기 위한 웨이퍼 홀더(15)가 갖추어진 2개 이상의 플레이트(17)와,
    상기 보트(5)의 높이 방향으로 곧게 세워져 다수 개의 플레이트(17)들을 고정시키고 고주파 전류를 공급하는 2개 이상의 지주(19),
    상기 최하부에 위치한 플레이트(17) 밑에 소정 높이 간격을 두고 깔리면서 지주(19)에 고정되는 베이스판(21)으로 이루어지며,
    상기 구동 수단(7)은 모터축(23)의 상단이 챔버(1)의 하단면을 관통한 다음, 베이스판(21)의 밑면 중앙에 고정되는 구동 모터(25)로 이루어지고,
    상기 플레이트(17)는 세라믹 재질로 이루어진 외부 플레이트(31)와,
    상기 외부 플레이트(31)의 상단면에 겹쳐지면서 실리콘 카바이드(SiC)나 텅스텐 재질로 이루어지고 상단면에 오목하게 들어간 웨이퍼 홀더(15)가 구비된 윗면 플레이트(33)로 이루어지며,
    상기 외부 플레이트(31)의 내부에는 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)가 삽입되고,
    제 1 전극(38)과 제 2 전극(40)을 마주보는 베이스판(21)의 밑면에는 제 1 전극(38) 및 제 2 전극(40)과 맞닿는 제 1 브러쉬(28a)와 제 2 브러쉬(28b)가 돌출되고,
    상기 제 1 지주(19a)와 제 2 지주(19b)는 제 1·2 브러쉬(28a,28b)로부터 전달된 고주파 전류를 제 1 지주(19a)와 제 2 지주(19b)를 거쳐 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)로 전달하고,
    상기 베이스판(21)과 챔버(1) 밑면 사이에는 챔버(1) 밑면에 고정되고 중앙이 모터축(23)에 의해 관통된 상태에서 제 1 지주(19a)와 제 2 지주(19b)로부터 돌출된 제 1·2 브러쉬(28a,28b)와 맞닿아 상기 제 1·2 브러쉬(28a,28b)를 통해 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)로 고주파 전류를 공급하는 전극 세퍼레이터(36)(Seperator)가 장착되며,
    상기 전극 세퍼레이터(36)(Seperator)의 상단면에는 원 형태로 이루어지고 고주파 전류가 공급되며 제 1 브러쉬(28a)와 맞닿는 제 1 전극(38)과,
    상기 제 1 전극(38)의 회전 반경보다 크거나 작은 원 형태로 이루어져 상기 제 1 전극(38)과 접촉되지 않고 고주파 전류가 공급되며 제 2 브러쉬(28b)와 맞닿는 제 2 전극(40)이 설치되는 것을 특징으로 하는 엘이디 제조 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반응 부재 공급 수단은 내부가 비어있는 입체 형상으로서 챔버(1) 내벽에 부착되고 보트(5)를 마주보는 일측면에 인입 기공(27)이 갖추어진 제 1 덕트(37)와,
    상기 챔버(1) 바깥에서 챔버(1)를 관통한 다음 제 1 덕트(37)와 연통 되어 제 1 덕트(37)의 안쪽으로 반응 가스를 유입시키는 인입관(39)을 구비하고,
    상기 인입 기공(27)은 각각의 플레이트(17)와 동일 높이 선상에 위치한 제 1 덕트(37)의 일측면을 관통하며,
    상기 가스 배출 수단은 내부가 비어 있는 입체 형상으로서 챔버(1) 내벽에 부착되고 보트(5)를 마주보는 일측면에 배출 기공(29)이 갖추어진 제 2 덕트(41)와,
    상기 챔버(1) 바깥에서 챔버(1)를 관통한 다음 제 2 덕트(41)와 연통 되어 제 2 덕트(41) 및 배출 기공(29)을 통해 챔버(1) 내부에 채워진 반응 가스를 챔버(1) 바깥으로 배출시키는 배출관(43),
    상기 배출관(43)에 설치되어 챔버(1) 내부에 채워진 가스를 배출 기공(29)과 제 2 덕트(41) 및 배출관(43)을 통해 챔버(1) 바깥으로 빨아들이는 진공 펌프(45),
    및 상기 배출관(43)에 설치되어 배출관(43)의 통로를 차단하거나 개방시켜 챔버(1) 내부에 채워진 가스를 챔버(1) 바깥으로 내보내거나 내보내지 않는 밸브(47)로 이루어지고,
    상기 배출 기공(29)은 각각의 플레이트(17)와 동일 높이 선상에 위치한 제 2 덕트(41)의 일측면을 관통하는 것을 특징으로 하는 엘이디 제조 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    공정 순서에 따라 인입관(39)에 설치된 밸브(46)를 일정 시간 개방시켜 챔버(1) 내부로 반응 가스나 소스를 유입시킨 다음 똬리 형태로 감겨 진 원형 고주파 가열 히터(35)로 고주파 전류를 공급하여 플레이트(17)를 일정시간 동안 가열시키고 상기 배출관(43)에 설치된 밸브(47)를 일정 시간 동안 개방함과 더불어 진공 펌프(45)를 동작시켜 챔버(1) 내부에 채워진 가스를 배출관(43)을 통해 챔버(1) 바깥으로 배출시키는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 제조 장치.
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