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WO2013051234A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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WO2013051234A1
WO2013051234A1 PCT/JP2012/006296 JP2012006296W WO2013051234A1 WO 2013051234 A1 WO2013051234 A1 WO 2013051234A1 JP 2012006296 W JP2012006296 W JP 2012006296W WO 2013051234 A1 WO2013051234 A1 WO 2013051234A1
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WO
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group
layer
substituted
unsubstituted
light emitting
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Application number
PCT/JP2012/006296
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English (en)
French (fr)
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江美子 神戸
中村　雅人
遠藤　潤
舟橋　正和
森下　浩延
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Idemitsu Kosan Co Ltd
Sony Corp
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Sony Corp
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Publication date
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    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence (EL) element, and more particularly to a stack type multiphoton emission element (MPE element) having two or more light emitting units.
  • EL organic electroluminescence
  • MPE element stack type multiphoton emission element
  • a general organic EL element is composed of an anode made of ITO or the like provided on a substrate, an organic layer provided on the anode, and a cathode provided on the top.
  • the organic layer has a structure in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer are sequentially stacked from the anode side.
  • light generated when electrons injected from the cathode and holes injected from the anode are recombined in the light emitting layer is extracted from the substrate side.
  • the lifetime of the organic EL element is generally determined by the amount of injected charge. For this reason, when the drive current is increased to increase the initial luminance, there is a problem that the lifetime is shortened accordingly. In order to solve this problem, it is necessary to increase the luminance without changing the driving current, that is, to improve the efficiency, or to realize an element configuration that can obtain the same luminance even if the driving current is decreased.
  • a structure (MPE element) is proposed in which a plurality of light-emitting units composed of an organic layer having at least a light-emitting layer are disposed between an anode and a cathode via an insulating charge generation layer.
  • the charge generation layer injects holes into the light emitting unit arranged on the cathode side of the charge generation layer and applies the voltage to the light emitting unit arranged on the anode side of the charge generation layer. This layer serves to inject electrons.
  • the luminance [cd] is ideally unchanged without changing the luminous efficiency [lm / W].
  • / A] is doubled and three light emitting units are stacked, ideally, the luminance can be tripled without changing the luminous efficiency.
  • Patent Document 1 and Patent Document 3 disclose an element using a transparent conductor (ITO, IZO, or the like) as a charge generation layer.
  • Patent Document 2 discloses an element using vanadium oxide (V 2 O 5 ) or rhenium 7 oxide (Re 2 O 7 ) as a charge generation layer.
  • Patent Document 4 discloses a device using a metal oxide such as molybdenum oxide (MoO 3 ) or a metal salt such as iron chloride (FeCl 3 ) as a charge generation layer.
  • Patent Document 5 discloses an element using a combination of an N-doped layer and a P-doped layer as a charge generation layer.
  • Patent Document 6 discloses a device using a phthalocyanine compound for a charge generation layer.
  • Patent Document 7 discloses a device using an electron-accepting organic material such as hexaazatriphenylene (HAT) and F4TCNQ described in Patent Document 2 as a charge generation layer.
  • HAT hexaazatriphenylene
  • F4TCNQ F4TCNQ
  • the conventional charge generation layer has some problems. Specifically, an inorganic substance such as a metal oxide requires a high temperature for vapor deposition at the time of film formation, and thus has a problem that the efficiency of the film formation process is reduced and mass productivity is low.
  • a transparent conductor such as ITO has high electrical conductivity, current leakage between pixels through the charge generation layer may occur. Therefore, when a desired pixel is caused to emit light, adjacent pixels may also emit light. This phenomenon becomes a problem particularly in a display in which the organic EL element emits white light and a color filter is provided on the element to extract each color of RGB.
  • the color reproducibility is lowered because the color purity is greatly lowered due to the color mixture due to the light emission of the adjacent pixels.
  • JP 2003-45676 A JP 2003-272860 A Japanese Patent Laid-Open No. 11-329748 JP 2006-24791 A JP 2004-39617 A JP 2006-73484 A JP 2006-173550 A
  • the present inventors have obtained a stacked MPE element with high light emission efficiency and low driving voltage by using a predetermined compound in the charge generation layer, and between pixels.
  • the inventors have found that current leakage can also be suppressed, and have completed the present invention.
  • the following organic EL elements are provided. 1.
  • An organic electroluminescence device wherein the charge generation layer has an N layer on the anode side and a P layer on the cathode layer side, and the P layer contains a compound represented by the following formula (I).
  • Ar 1 is an aromatic ring having 6 to 24 nuclear carbon atoms or a heterocyclic ring having 5 to 24 nuclear atoms.
  • Rg 1 and Rg 2 may be the same as or different from each other, and are represented by the following formula (i) or (ii).
  • X 1 and X 2 may be the same or different from each other, and are any of the divalent groups shown in the following (a) to (g)).
  • R 21 to R 24 may be the same or different from each other, and each represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted fluoroalkyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or (It is a substituted or unsubstituted heterocyclic group, and R 22 and R 23 may combine with each other to form a ring.
  • R 1 to R 4 may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted group.
  • R 1 and R 2 and R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring.
  • Y 1 to Y 4 may be the same or different from each other, and are —N ⁇ , —CH ⁇ , or C (R 5 ) ⁇ , and R 5 has the same meaning as R 1 to R 4 .
  • R 1 to R 5 which are adjacent to each other may be bonded to each other to form a ring.
  • 2. The organic electroluminescence device according to 1, wherein the P layer is a layer containing the compound represented by the formula (I) and at least one hole transport material. 3.
  • the organic electroluminescence device according to 1 or 2 wherein at least one of the light emitting units has a hole transport layer, and a P layer of the charge generation layer is in contact with the hole transport layer. 4). 4.
  • N layer of the charge generation layer contains at least one of an electron donating metal, a metal compound, and a metal complex.
  • N layer of the charge generation layer is alkali metal, alkali metal compound, organometallic complex containing alkali metal, alkaline earth metal, alkaline earth metal compound, organometallic complex containing alkaline earth metal, rare earth metal, rare earth metal 5.
  • the organic electroluminescence device according to 4 containing at least one of a compound and an organometallic complex containing a rare earth metal. 6). 6.
  • the organic electroluminescence device wherein the nitrogen-containing heterocyclic compound is a compound represented by the following formula (9).
  • a 14 represents a carbon atom having a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and a polycyclic aromatic hydrocarbon group condensed with 3 to 40 aromatic rings.
  • B is a single bond or a substituted or unsubstituted aromatic ring group.
  • R 31 and R 32 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms, substituted or unsubstituted An unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms. ) 8).
  • the present invention it is possible to provide a stack type organic EL element having high luminous efficiency and low driving voltage. In addition, current leakage between pixels can be suppressed.
  • the organic EL device of the present invention has a configuration in which two or more light emitting units are sandwiched between an anode and a cathode, and a charge generation layer is sandwiched between the light emitting units.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of the organic EL device of the present invention.
  • the organic EL element 1 includes an anode 20, a first light emitting unit 30A, a charge generation layer 40, a second light emitting unit 30B, and a cathode 50 on a substrate 10 in this order.
  • the first light emitting unit 30A and the second light emitting unit 30B emit light by recombination of electrons and holes.
  • Each of the two light emitting units has a single layer or a stacked structure having at least light emitting layers 32A and 32B.
  • the light emitting unit has a multilayer structure in which a hole transport layer 31, a light emitting layer 32, and an electron transport layer 33 are stacked from the anode side.
  • the charge generation layer 40 generates holes and electrons when a voltage is applied, and injects holes into the light emitting unit disposed on the cathode 50 side of the charge generation layer 40, that is, the second light emitting unit 30B.
  • This layer serves to inject electrons into the light emitting unit disposed on the anode 20 side of the charge generation layer 40, that is, the first light emitting unit 30A.
  • the charge generation layer 40 has an N layer 41 formed on the anode side and a P layer 42 formed on the cathode side.
  • the P layer 42 contains a compound represented by the following formula (I).
  • an organic EL device having high luminous efficiency and low driving voltage can be obtained.
  • the charge generation layer can be formed at a low vapor deposition temperature, the efficiency of the film formation process and mass productivity are excellent.
  • current leakage between adjacent pixels can be suppressed because the conductivity is lower than that of HAT.
  • Ar 1 represents an aromatic ring having 6 to 24 nuclear carbon atoms or a heterocyclic ring having 5 to 24 nuclear atoms, preferably an aromatic ring having 6 to 14 nuclear carbon atoms or 5 to 14 nuclear atoms. Heterocycle.
  • the aromatic ring include a benzene ring, a naphthalene ring, a fluorene ring, a 9,9-dimethylfluorene ring, and a 9,9-dioctylfluorene ring.
  • heterocyclic ring examples include a pyrazine ring, a pyridine ring, a quinoxaline ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a dibenzothiophene ring, a furan ring, a benzofuran ring, a dibenzofuran ring, a phenanthroline ring, a naphthyridine ring, and a tetraazaanthracene ring.
  • the aromatic ring and heterocyclic ring a substituted or unsubstituted alkyl group represented by R1 ⁇ R 4 described below, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted aryl group Substituted or unsubstituted heterocyclic group, halogen atom, substituted or unsubstituted fluoroalkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted fluoroalkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted or unsubstituted It may be substituted with a substituted aralkyloxy group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a cyano group.
  • nuclear carbon means a carbon atom constituting an aromatic ring
  • nuclear atom constitutes a heterocyclic ring (including a saturated ring, an unsaturated ring and an aromatic heterocyclic ring). Means carbon and heteroatoms.
  • R 1 to R 4 may be the same as or different from each other, and are a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group.
  • R 1 and R 2 and R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring.
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, octyl group and the like.
  • cycloalkyl group examples include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
  • Alkenyl groups include vinyl groups, propenyl groups (including double bond positional isomers), butenyl groups (including double bond positional isomers), pentenyl groups (including double bond positional isomers), etc. Can be mentioned.
  • aryl group phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, fluorophenyl group, trifluoromethylphenyl group, (trifluoromethyl) fluorophenyl group, trifluorophenyl group, bis (trifluoromethyl) phenyl group, (Trifluoromethyl) difluorophenyl group, trifluoromethoxyphenyl group, trifluoromethoxyfluorophenyl group and the like can be mentioned.
  • heterocyclic group include residues such as pyridine, pyrazine, furan, imidazole, benzimidazole, and thiophene.
  • halogen atom examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • fluoroalkyl group examples include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluorocyclohexyl group, and a perfluoroadamantyl group.
  • alkoxy group examples include a methoxy group and an ethoxy group.
  • fluoroalkoxy group examples include trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, 2,2,2-trifluoroethoxy group, 2,2,3,3,3-pentafluoropropoxy group, 2,2,3,3- Examples thereof include a tetrafluoropropoxy group and a 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yloxy group.
  • (substituted) aryloxy groups include phenyloxy group, pentafluorophenyloxy group, 4-trifluorophenyloxy group and the like.
  • Examples of (substituted) aralkyloxy groups include benzyloxy group, pentafluorobenzyloxy group, 4-trifluoromethylbenzyloxy group and the like.
  • Examples of (substituted) amino groups include amino groups, mono- or dimethylamino groups, mono- or diethylamino groups, mono- or diphenylamino groups, and the like.
  • Examples of (substituted) silyl groups include silyl groups, mono-, di- or trimethylsilyl groups, mono-, di- or triethylsilyl groups, mono-, di- or triphenylsilyl groups.
  • Examples of the optional substituent for R 1 to R 4 include the halogen atom, cyano group, alkyl group, aryl group, fluoroalkyl group, fluoroalkoxy group and heterocyclic group mentioned above.
  • examples of the optional substituent when referred to as “substituted or unsubstituted” in the present application include the halogen atom, cyano group, alkyl group, aryl group, fluoroalkyl group, and fluoroalkoxy group listed above.
  • heterocyclic groups include isotopes having different numbers of neutrons, that is, light hydrogen (protium), deuterium (triuterium), and tritium.
  • R 1 and R 2 and R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring.
  • the ring include a benzene ring, a naphthalene ring, a pyrazine ring, a pyridine ring, and a furan ring.
  • at least one of R 1 to R 4 is a fluorine atom, a fluoroalkyl group, a fluoroalkoxy group, a cyano group, or at least one group selected from fluorine, a fluoroalkyl group, a fluoroalkoxy group, and a cyano group.
  • An aryl group or a heterocyclic group is preferable. By using these as substituents, electron acceptability can be increased, an appropriate sublimation temperature can be obtained, or crystallization can be suppressed.
  • Rg 1 and Rg 2 in the formula (I) may be the same as or different from each other, and are represented by the following formula (i) or (ii).
  • X 1 and X 2 may be the same or different from each other, and are any of the divalent groups shown in the following (a) to (g). In particular, (a) to (c) are preferable from the viewpoints of excellent heat resistance or ease of synthesis.
  • R 21 to R 24 may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted fluoroalkyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, A substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, R 22 and R 23 may be bonded to each other to form a ring.
  • Specific examples of the fluoroalkyl group, the alkyl group, the cycloalkyl group, the aryl group, and the heterocyclic group include the groups exemplified for R 1 to R 4 .
  • Y 1 to Y 4 may be the same as or different from each other, and are —N ⁇ , —CH ⁇ , or C (R 5 ) ⁇ , and R 5 has the same meaning as R 1 to R 4. It is. R 1 to R 5 which are adjacent to each other may be bonded to each other to form a ring. Further, it is preferable that at least one of Y 1 to Y 4 is a nitrogen atom (the same applies to Y 21 to Y 26 and Y 31 to Y 38 described later). Since at least one is a nitrogen atom, electron acceptability can be increased, heat resistance can be increased, or crystallization can be suppressed.
  • the indenofluorenedione derivative of formula (I) is preferably represented by the following formula (IA) or (IB).
  • Each symbol such as Ar 1 in the following formula (IA) has the same meaning as in formula (I).
  • Ar 2 in the following formula (IB) is synonymous with Ar 1 in the formula (I)
  • X 3 and X 4 are synonymous with X 1 and X 2 in the formula (I)
  • Y 5 to Y 8 has the same meaning as Y 1 ⁇ Y 4 in formula (I)
  • R 1 ⁇ R 4 have the same meanings as R 1 ⁇ R 4 in formula (I).
  • indenofluorangeone derivative of formula (I) is represented by the following formulas (II) to (X).
  • R 1 ⁇ R 4 have the same meanings as X 1 and X 2, R 1 ⁇ R 4 in formula (I), Y 21 ⁇ Y 26, Y 31 ⁇ Y 38 and, Y 41 to Y 50 have the same meanings as Y 1 to Y 4 in formula (I).
  • formula (I) indenofluorenedione derivatives are represented by the following formulas (Ia) to (In).
  • the following formulas (Ib), (Id), (If), (Ih), (Ij), (Il), (In), (Ip) ) And (Ir) have a plurality of isomers depending on the configuration of the cyano groups of the two cyanoimino groups.
  • the present invention is not limited to a specific isomer.
  • the invention may be a specific isomer alone or a mixture of two or more than two isomers.
  • R 31 to R 52 have the same meanings as R 1 to R 4 in formula (I).
  • R 31 to R 52 adjacent to each other may be bonded to each other to form a ring.
  • at least one of R 31 to R 52 is a fluorine atom, a fluoroalkyl group, a fluoroalkoxy group, a cyano group, or an aryl having at least one group selected from fluorine, a fluoroalkyl group, a fluoroalkoxy group, and a cyano group It is preferably a group or a heterocyclic group.
  • the indenofluorangeone derivative has the structure of each of the above formulas, it has electron acceptability, is excellent in heat resistance, has a sublimation temperature of about 200 ° C. or higher, and can be purified by sublimation. High purity can be achieved. Moreover, the drive voltage of an element can be reduced by using it for an organic EL element, and lifetime can be improved. Furthermore, since the sublimation temperature is about 200 ° C. or higher during the manufacture of the element, it does not scatter inside the deposition film forming apparatus, so that the film forming apparatus or the organic EL element is not contaminated.
  • indenofluorangeone derivatives of formula (I) are shown below, but are not limited thereto.
  • the organic EL device of the present invention only needs to use the indenofluor orange-on derivative represented by the above formula (I) for the P layer of the charge generation layer, and other components such as an anode, a light emitting unit, and a cathode Any known member in this technical field can be used as appropriate.
  • each member which comprises the organic EL element of this invention is demonstrated.
  • the organic EL device of the present invention is produced on a substrate.
  • the substrate supports the organic EL element.
  • the substrate needs to be translucent.
  • the light transmittance in the visible region of 400 to 700 nm is preferably 50% or more.
  • a glass plate, a polymer plate, etc. are mentioned.
  • the glass plate include soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
  • the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
  • translucency is unnecessary when a support substrate is located on the opposite side to the light extraction direction.
  • the anode of the organic EL element plays a role of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer.
  • ITO indium tin oxide alloy
  • NESA tin oxide
  • IZO indium zinc oxide alloy
  • gold silver, platinum, copper, or the like
  • metals such as silver, aluminum, molybdenum, chromium, nickel, and alloys with other metals can be used. .
  • the anode can be produced by forming a thin film from these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the transmittance of the anode for light emission is preferably greater than 10%.
  • the sheet resistance of the anode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less.
  • the film thickness of the anode depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1 ⁇ m, preferably 10 to 200 nm.
  • the light emitting unit has a single layer or a stacked structure including at least a light emitting layer.
  • the light emitting unit preferably has a multilayer film structure composed of a first organic layer, a light emitting layer, and a second organic layer from the anode side.
  • a multilayer composed of a hole transport zone / a light emitting layer / an electron transport zone. Examples include a membrane structure.
  • the hole transport zone is configured by laminating a single layer or a plurality of hole injection layers and hole transport layers.
  • the electron transport zone is configured by laminating a single layer or a plurality of electron injection layers and electron transport layers.
  • each light emitting unit may be made of the same material, or may be made of different materials. Further, the layer configuration of each light emitting unit may be the same or different. For example, in the organic EL element shown in FIG. 1, the electron transport layer of the first light emitting unit 30A may be omitted, and a two-layer structure including a hole transport layer 31A and a light emitting layer 32A may be used. Furthermore, the emission color of each light emitting unit may be the same or different. For example, in the element 1 shown in FIG. 1, the emission color of the first light emitting unit 30A may be yellow, and the emission color of the second light emitting unit 30B may be blue. In this case, an organic EL element that emits white light by mixing two lights is obtained.
  • the light emitting layer, the hole transport zone, and the electron transport zone constituting the light emitting unit will be described.
  • the layer comprised from host material and dopant material is preferable.
  • the host material of the organic EL element rubrene, anthracene, tetracene, pyrene, perylene and the like can be used.
  • it is an anthracene derivative, More preferably, the anthracene derivative represented by following formula (1) is included.
  • Ar 11 and Ar 12 are each a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
  • R 101 to R 108 are each a hydrogen atom, a fluorine atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted carbon number.
  • a fluorescent dopant is a compound that can emit light from singlet excitons. Fluorescent dopants are required from amine compounds, aromatic compounds, chelate complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum complex, coumarin derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, bisstyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, etc.
  • a compound selected according to the emission color is preferable, a styrylamine compound, a styryldiamine compound, an arylamine compound, an aryldiamine compound, and an aromatic compound are more preferable, and a condensed polycyclic amine derivative and an aromatic compound are further preferable.
  • These fluorescent dopants may be used alone or in combination.
  • Y represents a substituted or unsubstituted condensed aryl group having 10 to 50 ring carbon atoms.
  • Ar 21 and Ar 22 each represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 50 ring atoms.
  • the condensed aryl group is a group in which two or more ring structures are condensed in the aryl group.
  • the condensed aryl group is a condensed aryl group having 10 to 50 ring carbon atoms (preferably 10 to 30 ring carbon atoms, more preferably 10 to 20 ring carbon atoms).
  • Preferred examples include naphthyl group, anthryl group, pyrenyl group, chrysenyl group, phenanthryl group, fluorenyl group, fluoranthenyl group, acenaphthofluoranthenyl group, naphthacenyl group and the like.
  • Y include the above-mentioned fused aryl groups, preferably a substituted or unsubstituted anthryl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted or unsubstituted chrysenyl group, or an acenaphthofluoranthenyl group.
  • Ar 21 and Ar 22 include a substituted or unsubstituted phenyl group and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group.
  • the substituent for Ar 201 and Ar 202 are an alkyl group, a cyano group, and a substituted or unsubstituted silyl group.
  • n is an integer of 1 to 4.
  • n is preferably an integer of 1 to 2.
  • a fluoranthene compound represented by the following formula (3) is preferable.
  • X 101 to X 106 and X 108 to X 111 each independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring atom number of 5;
  • X 107 and X 112 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom, It is selected from alkyl groups having 1 to 20 and substituted or unsubstituted cycloalkyl groups having 3 to 8 ring carbon atoms.
  • X103 and X104 are mutually different substituents.
  • adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure, and these cyclic structures may be substituted.
  • X 103 or X 104 in formula (3) is preferably a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms. Further, a preferred substituent of “substituted or unsubstituted” in formula (3) is a cyano group or a halogen atom.
  • aryl group, heterocyclic group, alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, aralkyl group, aryloxy group, arylthio group, alkoxycarbonyl group and halogen atom is done.
  • a host suitable for phosphorescence emission is a compound having a function of causing the phosphorescence emission compound to emit light as a result of energy transfer from the excited state to the phosphorescence emission compound.
  • the host compound is not particularly limited as long as it has a large triplet energy gap and can transfer exciton energy to the phosphorescent compound, and can be appropriately selected according to the purpose.
  • host compounds include condensed ring compounds composed of combinations of benzene rings, naphthalene rings, and heterocyclic rings, carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives.
  • a phosphorescent dopant is a compound that can emit light from triplet excitons. Although it is not particularly limited as long as it emits light from a triplet exciton, it is preferably a metal complex containing at least one metal selected from the group consisting of Ir, Ru, Pd, Pt, Os and Re, and a porphyrin metal complex or ortho Metalated metal complexes are preferred.
  • the porphyrin metal complex is preferably a porphyrin platinum complex.
  • Phosphorescent compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • ligands for forming orthometalated metal complexes include 2-phenylpyridine derivatives, 7,8-benzoquinoline derivatives, and 2- (2-thienyl) pyridine derivatives. 2- (1-naphthyl) pyridine derivatives, 2-phenylquinoline derivatives, and the like. These derivatives may have a substituent as necessary.
  • a fluorinated compound or a compound having a trifluoromethyl group introduced is preferable as a blue dopant.
  • the content of the phosphorescent dopant in the light emitting layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it is 0.1 to 70% by mass, and 1 to 30% by mass. preferable. When the content of the phosphorescent compound is 0.1% by mass or more, it is possible to prevent the emission of light from being weakened and to sufficiently exhibit the content effect. By setting the content to 70% by mass or less, a phenomenon called concentration quenching can be suppressed and deterioration of device performance can be prevented.
  • the light emitting layer may contain a hole transport material, an electron transport material, and a polymer binder as necessary.
  • the thickness of the light emitting layer is preferably 5 to 50 nm, more preferably 7 to 50 nm, and most preferably 10 to 50 nm. When the thickness is 5 nm or more, the light emitting layer can be easily formed and the chromaticity can be easily adjusted. By setting the thickness to 50 nm or less, it is possible to prevent the drive voltage from increasing.
  • Hole transport zone Layers in the hole transport zone include a hole transport layer and a hole injection layer.
  • the hole transport layer is a layer that assists hole injection into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and has a high hole mobility and a small ionization energy of usually 5.5 eV or less.
  • Such a hole transport layer is preferably a material that transports holes to the light-emitting layer with a lower electric field strength, and further has a hole mobility of at least 10 when an electric field of 10 4 to 10 6 V / cm is applied. -4 cm 2 / V ⁇ sec is preferred.
  • the material for the hole transport layer include, for example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives. , Styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, polysilanes, aniline copolymers, conductive polymer oligomers (particularly thiophene oligomers), and the like.
  • an aromatic amine compound for example, an aromatic amine derivative represented by the following formula (4) is preferably used.
  • Ar 31 to Ar 34 are each an aromatic hydrocarbon group having 6 to 50 ring carbon atoms (which may have a substituent), or a condensed aromatic group having 6 to 50 ring carbon atoms.
  • L represents a single bond or a group similar to Ar 31 to Ar 34 .
  • aromatic amine of following formula (5) is also used suitably for formation of a positive hole injection layer or a positive hole transport layer.
  • the hole injection layer is a layer provided to further assist hole injection.
  • the material for the hole injection layer may be the organic EL material of the present invention alone, or may be used in combination with other materials. As other materials, the same materials as the hole transport layer can be used.
  • a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound, and a styrylamine compound can also be used.
  • HAT or F4TCNQ used in the P layer of the charge generation layer, or a compound represented by the formula (4) can also be used.
  • conductive oligomers such as thiophene-containing oligomers, arylamine oligomers disclosed in JP-A-8-193191, conductive dendrimers such as arylamine dendrimers, and the like can also be used.
  • inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the material for the hole injection layer.
  • the hole injection layer or the hole transport layer can be formed, for example, by thinning the above-described compound by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.
  • the thickness of the hole injection layer or hole transport layer is not particularly limited, but is usually 1 nm to 5 ⁇ m.
  • Electron transport zone Layers of the electron transport zone include an electron injection layer and an electron transport layer (hereinafter referred to as an electron injection layer / transport layer).
  • the electron injection layer / transport layer assists the injection of electrons into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and has a high electron mobility.
  • the electron injecting layer / transporting layer is appropriately selected with a film thickness of several nm to several ⁇ m. In particular, when the film thickness is large, in order to avoid an increase in voltage, the electron mobility is applied when an electric field of 10 4 to 10 6 V / cm is applied. Is preferably at least 10 ⁇ 5 cm 2 / Vs or more.
  • 8-hydroxyquinoline or a metal complex of its derivative or a nitrogen-containing heterocyclic derivative is preferable.
  • a metal chelate oxinoid compound containing a chelate of oxine (generally 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline), for example, tris (8-quinolinol) aluminum is injected. It can be used as a material.
  • nitrogen-containing heterocyclic derivative for example, oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole, triazole, pyridine, pyrimidine, triazine, phenanthroline, benzimidazole, imidazopyridine and the like are preferable, and among them, benzimidazole derivative, phenanthroline derivative, imidazopyridine derivative Is preferred.
  • the charge generation layer injects holes into the light emitting unit disposed on the cathode side of the charge generation layer, while injecting electrons into the light emission unit disposed on the anode side of the charge generation layer. It is a layer that plays a role.
  • the charge generation layer has an N layer formed on the anode side and a P layer formed on the cathode layer side.
  • the material for forming the N layer include organic compounds, electron donating metals, metal compounds, metal complexes, and the like.
  • N layer comprises alkali metal, alkali metal compound, organometallic complex containing alkali metal, alkaline earth metal, alkaline earth metal compound, organometallic complex containing alkaline earth metal, rare earth metal, rare earth metal compound and rare earth metal.
  • organometallic complexes to be included a layer containing at least one is preferable.
  • alkali metal examples include lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs) and the like, and those having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable. Of these, Li, K, Rb, and Cs are preferable, Li, Rb, and Cs are more preferable, and Li is most preferable.
  • alkaline earth metal examples include calcium (Ca), magnesium (Mg) strontium (Sr), barium (Ba) and the like, and those having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable.
  • rare earth metal examples include scandium (Sc), yttrium (Y), cerium (Ce), terbium (Tb), ytterbium (Yb) and the like, and those having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable.
  • preferred metals are particularly high in reducing ability, and by adding a relatively small amount to the electron injection region, it is possible to improve the light emission luminance and extend the life of the organic EL element.
  • alkali metal compound examples include lithium oxide (Li 2 O), cesium oxide (Cs 2 O), alkali oxides such as potassium oxide (K 2 O), lithium fluoride (LiF), sodium fluoride (NaF), fluorine.
  • alkali halides such as cesium fluoride (CsF) and potassium fluoride (KF), and lithium fluoride (LiF), lithium oxide (Li 2 O), and sodium fluoride (NaF) are preferable.
  • alkaline earth metal compound examples include barium oxide (BaO), strontium oxide (SrO), calcium oxide (CaO), and barium strontium oxide (Ba x Sr 1-x O) (0 ⁇ x ⁇ 1), Examples thereof include barium calcium oxide (Ba x Ca 1-x O) (0 ⁇ x ⁇ 1), and BaO, SrO, and CaO are preferable.
  • the rare earth metal compound ytterbium fluoride (YbF 3), scandium fluoride (ScF 3), scandium oxide (ScO 3), yttrium oxide (Y 2 O 3), cerium oxide (Ce 2 O 3), gadolinium fluoride (GdF 3), include such terbium fluoride (TbF 3) is, YbF 3, ScF 3, TbF 3 are preferable.
  • the organometallic complex is not particularly limited as long as it contains at least one of an alkali metal ion, an alkaline earth metal ion, and a rare earth metal ion as a metal ion as described above.
  • the ligands include quinolinol, benzoquinolinol, acridinol, phenanthridinol, hydroxyphenyloxazole, hydroxyphenylthiazole, hydroxydiaryloxadiazole, hydroxydiarylthiadiazole, hydroxyphenylpyridine, hydroxyphenylbenzimidazole, hydroxybenzotriazole, Hydroxyfulborane, bipyridyl, phenanthroline, phthalocyanine, porphyrin, cyclopentadiene, ⁇ -diketones, azomethines, and derivatives thereof are preferred, but are not limited thereto.
  • the N layer may contain an organic injection compound such as the above-described tris (8-quinolinol) aluminum (Alq) or an organic compound such as a light emitting material in addition to the above metal, compound and complex.
  • an organic injection compound such as the above-described tris (8-quinolinol) aluminum (Alq) or an organic compound such as a light emitting material in addition to the above metal, compound and complex.
  • the organic compound for example, a nitrogen-containing heterocyclic compound is preferable.
  • the nitrogen-containing heterocyclic compound include oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole, triazole, pyridine, pyrimidine, triazine, phenanthroline, benzimidazole, and imidazopyridine. Among them, benzimidazole derivatives and phenanthroline derivatives And imidazopyridine derivatives are preferred.
  • benzimidazole derivatives represented by the following formula (9).
  • a 14 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a polycyclic aromatic hydrocarbon group condensed with 3 to 40 aromatic rings, 6 to 60 substituted or unsubstituted hydrocarbon groups or nitrogen-containing heterocyclic groups.
  • Specific examples of the halogen atom and the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms are the same as those in the above formula (I).
  • the aromatic hydrocarbon group include anthracene, naphthacene, pentacene, pyrene and chrysene.
  • the hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group. In addition, these specific examples are the same as that of Formula (I) mentioned above.
  • an aryl group is preferable, and among them, a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a fluorenyl group, and the like are preferable. These may have a substituent.
  • the nitrogen-containing heterocyclic group include a pyridine ring and triazine.
  • B is a single bond or a substituted or unsubstituted aromatic ring group.
  • aromatic ring group a phenylene group is preferable.
  • R 31 and R 32 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms, substituted or unsubstituted An unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms.
  • Specific examples of the groups are the above-mentioned formula (I), is the same as A 14.
  • Specific examples of the compound represented by the formula (9) include compounds such as the following formulas (9-1) to (9-49). “Ar ( ⁇ )” corresponds to the benzimidazole skeleton containing R 31 and R 32 in the formula (9), and “B” corresponds to B in the formula (9). Also, “Ar (1)” and “Ar (2)” corresponds to A 14 in formula (9), Ar (1) , which binds to B in the order of Ar (2).
  • the organic compound used for the N layer is preferably a compound having an anthracene skeleton such as the above compound, but is not limited thereto.
  • a benzimidazole derivative having a pyrene skeleton or a chrysene skeleton may be used instead of the anthracene skeleton.
  • not only one type of organic material but also a plurality of types may be mixed or laminated.
  • the addition form of the metal, compound and complex it is preferable to form a layer or island in the interface region.
  • a forming method while vapor-depositing at least one of the above metal, compound and complex by resistance heating vapor deposition, an organic material which is a light emitting material or an electron injection material for forming an interface region is simultaneously deposited, and the above metal, A method of dispersing at least one of the compound and the complex is preferable.
  • At least one of the metal, the compound and the complex in a layered form, after forming the light emitting material or the electron injecting material which is an organic layer at the interface in a layered form, at least one of the metal, the compound and the complex is singly used.
  • Vapor deposition is performed by resistance heating vapor deposition, and the layer is preferably formed with a thickness of 0.1 nm to 15 nm.
  • Vapor deposition is performed by a resistance heating vapor deposition method alone, and is preferably formed with an island thickness of 0.05 nm to 1 nm.
  • the ratio is preferably 1: 1 to 1: 1, and more preferably 50: 1 to 4: 1.
  • the film thickness of the N layer is preferably from 0.1 nm to 100 nm, particularly preferably from 1 nm to 50 nm.
  • the P layer contains the compound represented by the formula (I).
  • the P layer may be a layer made of only the compound represented by the formula (I) or a layer made of a mixture with other materials.
  • the P layer is preferably a layer containing a compound represented by the formula (I) and at least one hole transport material.
  • the hole transport material materials used in the above-described hole transport zone can be used. Of these, aromatic tertiary amine compounds are preferred.
  • the content of the compound represented by the formula (I) in the P layer is preferably 0.1% by weight to 100% by weight, and particularly preferably 10% by weight to 70% by weight.
  • the thickness of the P layer is preferably 1 nm to 50 nm, and particularly preferably 5 nm to 20 nm.
  • At least one of the light emitting units has a hole transport layer, and the P layer of the charge generation layer is in contact with the hole transport layer.
  • the hole transport layer 31B of the second light emitting unit 30B and the P layer 42 of the charge generation layer are preferably in contact with each other. Thereby, the hole injection from the charge generation layer to the hole transport layer 31B of the second light emitting unit 30B is efficiently performed, and the voltage of the device is reduced.
  • the charge generation layer may consist of only two layers, an N layer and a P layer, or may have an intervening layer between the N layer and the P layer.
  • cathode As the cathode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function (4 eV or less), and a mixture thereof and an electrode material thereof are used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / silver alloy, aluminum, aluminum / aluminum oxide, aluminum / lithium alloy, indium, and rare earth metals.
  • the cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the transmittance with respect to the light emitted from the cathode is larger than 10%.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually 10 nm to 1 ⁇ m, preferably 50 to 200 nm.
  • an electron injection layer made of an insulator or a semiconductor may be provided between the cathode and the organic layer.
  • an insulator it is preferable to use at least one metal compound selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides and alkaline earth metal halides. If the electron injection layer is composed of these alkali metal chalcogenides or the like, it is preferable in that the electron injection property can be further improved.
  • preferable alkali metal chalcogenides include, for example, Li 2 O, LiO, Na 2 S, Na 2 Se, and NaO
  • preferable alkaline earth metal chalcogenides include, for example, CaO, BaO, SrO, and BeO. , BaS, and CaSe
  • preferable alkali metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, CsF, LiCl, KCl, and NaCl.
  • preferable alkaline earth metal halides include fluorides such as CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 and BeF 2 , and halides other than fluorides.
  • the semiconductor constituting the electron injection layer includes Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and an oxide or nitride containing at least one element of Zn.
  • the inorganic compound constituting the electron injection layer is preferably a microcrystalline or amorphous insulating thin film. Examples of such inorganic compounds include the alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides described above.
  • the form of the organic EL element of the present invention has been described by exemplifying the organic EL element 1 of FIG. 1, but the present invention is not limited to the form of the organic EL element 1.
  • the organic EL element 1 two light emitting units are formed, but three or more light emitting units may be formed.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device according to the second embodiment of the present invention.
  • the organic EL element 2 includes an anode 20, a first light emitting unit 30A, a charge generating layer 40, a second light emitting unit 30B, a charge generating layer 42, a third light emitting unit 30C, and a cathode 50 on the substrate 10. Prepare in order.
  • the organic EL element 2 has the same configuration as the organic EL element 1 shown in FIG. 1 except that three light emitting units are formed. In the present embodiment, for example, by changing the emission color of each light emitting unit to red, green, and blue, it is possible to obtain a white light emitting EL element with high color rendering properties that harmoniously includes light in three wavelength regions.
  • FIG. 3 is a schematic view showing an example in which three organic EL elements are formed on a substrate.
  • the first light emitting unit 30A, the charge generation layer 40, and the second light emitting unit 30B are formed in this order in common on the substrate 10 and each anode.
  • On the second light emitting unit 30 ⁇ / b> B, the cathode 50 is formed in a stripe shape so as to be orthogonal to the anode 20.
  • the organic EL elements A to C emit light when a voltage is applied between the anodes 20A to 20C and the cathode 50 facing each other. For example, when a voltage is applied between the anode 20B and the cathode 50, the element B emits light.
  • the charge flows to the adjacent element through the charge generation layer formed in common between the elements, and as a result, originally emits light. There was a problem that neighboring elements that should not emit light. As a result, the light emission efficiency and the color purity of the display device are reduced.
  • the organic EL device of the present invention by using the compound of formula (I) described above for the P layer of the charge generation layer, leakage of charges to adjacent devices can be suppressed.
  • the organic EL element of the present invention is particularly suitable as a light emitting element of a color display device using a color filter.
  • FIG. 4 is a schematic sectional view of a color display device using the organic EL element of the present invention.
  • a color filter 60 having a red color filter (RCF) 61, a green color filter (GCF) 62, and a blue color filter (BCF) 63 is formed on the light extraction side of the organic EL element shown in FIG. It is.
  • the light emitting color of the first light emitting unit 30A is yellow
  • the light emitting color of the second light emitting unit 30B is blue, whereby an organic EL element that emits white light is obtained. Only a desired color is extracted from the white light to the outside of the display device by the color filter.
  • the organic EL device of the present invention can suppress charge leakage to adjacent devices. That is, unnecessary light emission of adjacent elements can be reduced and only desired elements (pixels) can emit light, so that the color reproducibility of the display device can be improved.
  • the organic EL device of the present invention can be produced by a known method.
  • the anode and the cathode can be formed by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • Each organic layer such as a light emitting unit can be formed by a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, or LB.
  • Example 1 A bottom emission type organic EL element having the layer structure shown in FIG. 1 and taking out light emission from the substrate side was produced. The structure of the organic compound used in Example 1 is shown below.
  • the compounds (P1) to (P4) used in the P layer of the charge transport layer were synthesized with reference to WO2010 / 064655 and WO2009 / 011327.
  • ITO was formed to a thickness of 240 nm as an anode on a substrate made of a 30 mm ⁇ 30 mm glass plate.
  • a cell for an organic EL element in which a region other than the light emitting region of 2 mm ⁇ 2 mm was masked with an insulating film (not shown) by SiO 2 vapor deposition was produced.
  • hexanitrile azatriphenylene (HAT) having the above structure was formed as a hole injection layer with a thickness of 10 nm.
  • a blue light-emitting unit (first light-emitting unit) composed of a hole transport layer, a blue light-emitting layer, and an electron transport layer was formed on the hole injection layer.
  • the ⁇ -NPD was formed as a hole transport layer with a film thickness of 90 nm (deposition rate: 0.2 to 0.4 nm / sec) by vacuum evaporation. Subsequently, a blue light emitting layer was formed on the hole transport layer.
  • the compound of the above formula (1) was used as the host of the light emitting layer, and the compound of the formula (2) was used as the dopant. Vacuum deposition was performed so that the added amount of the dopant was 5% in terms of the film thickness ratio to obtain a light emitting layer having a film thickness of 30 nm.
  • the Alq3 was formed to a thickness of 30 nm as an electron transport layer on the blue light emitting layer.
  • a charge generation layer was formed following the blue light emitting unit.
  • a mixed layer of Alq3 and Li was formed as an N layer with a thickness of 10 nm on the electron transport layer of the light emitting unit.
  • a compound represented by the above formula (P1) was formed as a P layer with a thickness of 10 nm.
  • a second blue light emitting unit was formed. The formation method was the same as that of the first blue light emitting unit described above. Thereafter, LiF is formed with a film thickness of about 0.3 nm (deposition rate ⁇ 0.01 nm / sec) by a vacuum evaporation method, and then Al is formed with a film thickness of 200 nm by a vacuum evaporation method. To form an organic EL element.
  • Example 2 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that a compound represented by the following formula (P2) was used instead of the above formula (P1) as the P layer.
  • P2 a compound represented by the following formula
  • Example 3 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that a compound represented by the following formula (P3) was used instead of the above formula (P1) as the P layer.
  • Examples 4-6 Organic EL devices were produced in the same manner as in Examples 1 to 3, except that a compound represented by the following formula (9-23) was used instead of Alq3 as the N layer.
  • Comparative Example 1 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the cathode was formed without forming the charge generation layer and the second blue light emitting unit. Since the element of this example is an element having only one light emitting unit, it is not a tandem organic EL element.
  • Comparative Example 2 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the charge generation layer P layer was not formed.
  • Comparative Example 3 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that molybdenum oxide (MoO 3 ) was used as the P layer instead of the above formula (P1).
  • MoO 3 molybdenum oxide
  • Example 7 An organic EL device in the same manner as in Example 1 except that a glass substrate having a lower electrode patterned so that the resolution is 100 ppi is used, and the following yellow light emitting unit is formed instead of the first blue light emitting unit. was made. -Production of pattern electrode substrate A planarization insulating film was formed on a glass substrate.
  • the planarization insulating film material is not particularly limited as long as it is a positive photosensitive insulating material, but here, polyimide is formed to a thickness of 2.0 ⁇ m. Polyimide was applied onto the substrate by spin coating, exposed with an exposure device, developed with a paddle type developing device, and patterned into a predetermined shape.
  • a planarization insulating film having a thickness of 2.0 ⁇ m In order to cure the polyimide, main baking was performed in a clean baking furnace to form a planarization insulating film having a thickness of 2.0 ⁇ m. Next, a lower electrode was formed on the planarization insulating film. An ITO film having a thickness of 240 nm was formed on the planarization insulating film, and patterned and etched into a predetermined shape using a normal lithography technique to form a lower electrode. Between the patterned lower electrodes (ITO), polyimide was formed to a thickness of 2.0 ⁇ m to form an interelectrode insulating layer. The interelectrode insulating layer was formed by applying polyimide on a substrate by spin coating, exposing with an exposure device, and developing with a paddle type developing device.
  • polyimide which is a photosensitive insulating material
  • a main baking was performed in a clean baking furnace to form an interelectrode insulating layer.
  • a yellow light-emitting unit (first light-emitting unit) composed of a hole transport layer, a yellow light-emitting layer and an electron transport layer was formed on the hole injection layer composed of hexanitrile azatriphenylene (HAT).
  • HAT hexanitrile azatriphenylene
  • the ⁇ -NPD was formed with a film thickness of 30 nm (deposition rate: 0.2 to 0.4 nm / sec) by vacuum evaporation.
  • a yellow light emitting layer was formed on the hole transport layer.
  • a compound represented by the following formula (3) was used as the host of the light emitting layer, and a compound represented by the formula (4) was used as the dopant.
  • Vacuum deposition was performed so that the added amount of the dopant was 5% in terms of the film thickness ratio to obtain a light emitting layer having a film thickness of 30 nm.
  • the Alq3 was formed to a thickness of 20 nm as an electron transport layer on the yellow light-emitting layer.
  • the charge generation layer and the second light emitting unit were formed in the same manner as in Example 1 to produce an organic EL element.
  • Example 8 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the compound represented by the formula (P2) used in Example 2 was used as the P layer instead of the above formula (P1).
  • Example 9 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 7, except that the compound represented by the formula (P3) used in Example 3 was used as the P layer instead of the above formula (P1).
  • the organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the laminate of the ratio) was used.
  • the film thickness of the single layer of the formula (P1) layer was 5 nm
  • the film thickness of the mixed layer composed of the formula (P1) and the ⁇ -NPD was 5 nm.
  • Example 12 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that a compound represented by the following formula (P4) was used instead of the above formula (P1) as the P layer.
  • Examples 13-15 Organic EL devices were fabricated in the same manner as in Examples 7 to 9, except that the compound represented by the formula (9-23) was used as the N layer instead of Alq3.
  • Comparative Example 4 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 4 except that the cathode was formed without forming the charge generation layer and the second blue light emitting unit. Since the element of this example is an element having only one yellow light emitting unit, it is not a tandem organic EL element.
  • Comparative Example 5 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the charge generation layer P layer was not formed.
  • Comparative Example 6 An organic EL element was produced in the same manner as in Example 7 except that HAT shown below was used instead of the above formula (P1) as the P layer.
  • Comparative Example 7 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that ITO was used as the P layer instead of the above formula (P1).
  • Red, green, and blue color filters were formed on each pixel of the organic EL elements produced in Examples 7 to 15 and Comparative Examples 4 to 7, and the color reproducibility included in each RGB color was evaluated by NTSC ratio.
  • the organic EL device was manufactured as follows. RGB color filters are formed in order on the glass substrate at the openings, and a flattening insulating film is formed thereon in the same manner as in Example 7 to flatten the unevenness of the color filters. . This obtained the glass substrate which has a color filter. Thereafter, a patterned electrode substrate was produced in the same manner as in Example 7, and a light emitting unit was further formed. In the fabricated device, an upper electrode and a lower electrode are wired so that passive driving is possible so that each pixel of RGB can emit light individually.
  • the NTSC ratio refers to the three primary colors, red (0.670, 0.330) and green (0.210, 0), in which the color reproduction range of the display device is defined by the US National Television System Committee (NTSC). .710) and blue (0.140, 0.080) are ratios (unit:%) to the area surrounded by blue.
  • FIG. 5 shows regions obtained by connecting the chromaticity coordinates of red, green, and blue determined by NTSC in the XYZ color system chromaticity diagram. This area is 100%. The results are shown in Table 2.
  • Example 10 and Example 11 emitted light from both the yellow light emitting unit and the blue light emitting unit, and white light emission similar to Example 7 was obtained.
  • a tandem element that uses a mixed layer of (P1) and ⁇ -NPD or a stacked film of (P1) and (P1) and ⁇ -NPD as a charge generation layer functions as an MPE element. It was found that a type white element could be produced. Also, NTSC ratio is good in color reproducibility when a color filter is provided to produce a display panel, current leakage to adjacent pixels is suppressed as compared with the conventional charge generation layer structure, and high color reproducibility can be realized. I understood. In Examples 13 to 15 where the nitrogen-containing heterocyclic compound (9-23) was used for the N layer, it was confirmed that the driving voltage was further reduced.
  • Example 16 to 19 Comparative Examples 8 and 9 Organic EL devices were fabricated and evaluated in the same manner except that the thicknesses of the P layers in Examples 7 to 9 and Comparative Examples 6 and 7 were each changed to 30 nm. Further, as Example 19, a device similar to that of Example 13 was manufactured using P layer material (P4). The results are shown in Table 3.
  • Example 20 to 23 Comparative Examples 10 and 11 Organic EL devices were prepared and evaluated in the same manner except that the resolutions of Examples 7 to 9 and Comparative Examples 6 and 7 were changed to 1000 ppi. Further, as Example 23, an element similar to that of Example 20 was manufactured using P layer material (P4). The results are shown in Table 4.
  • the organic EL device of the present invention can be used for a flat light emitter such as a flat panel display of a wall-mounted television, a copying machine, a printer, a light source such as a backlight of a liquid crystal display or instruments, a display board, a marker lamp, and the like.
  • a flat light emitter such as a flat panel display of a wall-mounted television, a copying machine, a printer, a light source such as a backlight of a liquid crystal display or instruments, a display board, a marker lamp, and the like.

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Abstract

　陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に挟持され、それぞれ発光層を有する、２以上の発光ユニットと、発光ユニットの間に挟持される電荷発生層と、を有し、電荷発生層が、陽極側にあるＮ層と、陰極層側にあるＰ層を有し、Ｐ層が、下記式（Ｉ）で表される化合物を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関し、特に、発光ユニットを２つ以上有するスタック型のマルチフォトンエミッション素子（ＭＰＥ素子）に関する。
　一般的な有機ＥＬ素子は、基板上に設けられたＩＴＯ等からなる陽極、この陽極上に設けられた有機層、さらにこの上部に設けられた陰極とで構成されている。有機層は、陽極側から、例えば正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を順次積層させた構成となっている。このように構成された有機ＥＬ素子では、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが発光層にて再結合する際に生じる光が基板側から取り出される。
　有機ＥＬ素子の寿命は、一般的に注入された電荷の量によって決まっている。そのため、初期輝度を上げるために駆動電流を上げると、それにともない寿命が短くなるという問題がある。
　この問題を解決するためには、駆動電流を変えずに輝度を上げる、即ち効率を改善するか、或いは駆動電流を下げても同様の輝度を得ることができる素子構成を実現する必要がある。
　上記の素子構成として、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を有する有機層からなる複数の発光ユニットを、絶縁性の電荷発生層を介して重ねて配置した構成（ＭＰＥ素子）が提案されている。ここで、電荷発生層とは、電圧印加時において、電荷発生層の陰極側に配置された発光ユニットに対して正孔を注入する一方、電荷発生層の陽極側に配置された発光ユニットに対して電子を注入する役割を果たす層である。
　電荷発生層を介して発光ユニットを積層させたスタック型の有機ＥＬ素子では、２つの発光ユニットを積層した場合には、理想的には発光効率［ｌｍ／Ｗ］は変ること無しに輝度［ｃｄ／Ａ］を２倍に、３つの発光ユニットを積層した場合には、理想的には発光効率は変ること無しに輝度を３倍にすることが可能であるとされている。
　ＭＰＥ素子について、例えば、特許文献１及び特許文献３には透明導電体（ＩＴＯやＩＺＯ等）を電荷発生層に使用した素子が開示されている。
　特許文献２には、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）や７酸化レニウム（Ｒｅ２Ｏ７）を電荷発生層に使用した素子が開示されている。特許文献４には、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）のような金属酸化物や、塩化鉄（ＦｅＣｌ３）等の金属塩を電荷発生層に使用した素子が開示されている。特許文献５には、Ｎドープ層とＰドープ層の組み合わせを電荷発生層に使用した素子が開示されている。特許文献６には、フタロシアニン化合物を電荷発生層に使用した素子が開示されている。特許文献７には、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）及び特許文献２に記載のＦ４ＴＣＮＱ等の電子受容性有機物を電荷発生層に使用した素子が開示されている。
　このように、電荷発生層については様々な材料が使用されているものの、従来の電荷発生層ではいくつかの課題があった。
　具体的に、金属酸化物等の無機物は、成膜時の蒸着に高い温度が必要であるため、成膜プロセスの効率が低下し量産性が低いという問題がある。
　また、ＩＴＯ等の透明導電体は高い電気伝導度を持つため、電荷発生層を通じた画素間の電流リークが発生することがある。従って、所望の画素を発光させたときに隣接する画素も発光することがある。この現象は、特に、有機ＥＬ素子を白色発光させ、素子上にカラーフィルターを設けてＲＧＢ各色を取り出す方式のディスプレイにおいて問題となる。即ち、隣接画素発光による混色が起こることにより色純度が大幅に低下するため色再現性の低下を招く。
　また、スパッタリング等による透明導電体成膜時に、発生するプラズマ粒子による下地となる有機層へのダメージも懸念される。
　一方、有機化合物を使用した場合、一般的に成膜時の温度が低く、プラズマ粒子は発生しないので成膜プロセスの効率や量産性に優れている。電子受容性の有機化合物を用いた場合、特に、特許文献７で示されるとおり、ＨＡＴを用いると、効率、電圧、寿命等の特性に優れる素子が得られる。しかしながら、ＨＡＴ自身の導電性が高いため、上述した透明導電体と同様に電荷発生層を通じた画素間の電流リークが発生することがあった。
特開２００３－４５６７６号公報 特開２００３－２７２８６０号公報 特開平１１－３２９７４８号公報 特開２００６－２４７９１号公報 特開２００４－３９６１７号公報 特開２００６－７３４８４号公報 特開２００６－１７３５５０号公報
　本発明の目的は、発光効率が高く、駆動電圧の低いスタック型ＭＰＥ素子を提供することである。また、素子が画素を形成する場合、画素間の電流リークを抑制することができるスタック型ＭＰＥ素子を提供することである。
　本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意検討した結果、電荷発生層に所定の化合物を使用することにより、発光効率が高く、駆動電圧の低いスタック型ＭＰＥ素子となり、また、画素間の電流リークも抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
　本発明によれば、以下の有機ＥＬ素子が提供される。
１．陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に挟持され、それぞれ発光層を有する、２以上の発光ユニットと、前記発光ユニットの間に挟持される電荷発生層と、を有し、前記電荷発生層が、前記陽極側にあるＮ層と、前記陰極層側にあるＰ層を有し、前記Ｐ層が、下記式（Ｉ）で表される化合物を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 ［式（１）中、Ａｒ１は、核炭素数６～２４の芳香環、あるいは核原子数５～２４の複素環である。
　Ｒｇ１及びＲｇ２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、下記式（ｉ）もしくは（ii）である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （上記式中、Ｘ１及びＸ２は互いに同一でも異なっていてもよく、下記（ａ）～（ｇ）に示す二価の基のいずれかである。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （上記式中、Ｒ２１～Ｒ２４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換の複素環基であり、Ｒ２２とＲ２３は互いに結合して環を形成してもよい。）
　Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリーロキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基又は、シアノ基である。Ｒ１とＲ２及びＲ３とＲ４は互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｙ１～Ｙ４は互いに同一でも異なっていてもよく、－Ｎ＝、－ＣＨ＝、又はＣ（Ｒ５）＝であり、Ｒ５は前記Ｒ１～Ｒ４と同義である。Ｒ１～Ｒ５のうち互いに隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。］
２．前記Ｐ層が、前記式（Ｉ）で表される化合物と、少なくとも１種類の正孔輸送材料を含む層である、１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
３．前記発光ユニットの少なくとも１つが正孔輸送層を有し、前記電荷発生層のＰ層が前記正孔輸送層と接している、１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
４．前記電荷発生層のＮ層が、電子供与性金属、金属化合物及び金属錯体の少なくとも１つを含有する、１～３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
５．前記電荷発生層のＮ層が、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、希土類金属、希土類金属化合物及び希土類金属を含む有機金属錯体のうち、少なくとも１つを含有する、４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
６．前記電荷発生層のＮ層が、含窒素複素環化合物を含有する、１～５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
７．前記含窒素複素環化合物が下記式（９）で表される化合物である、６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式中、Ａ１４は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキル基、３～４０個の芳香族環が縮合した多環芳香族炭化水素基を有する、炭素数６～６０の置換もしくは無置換の炭化水素基、又は含窒素複素環基である。
　Ｂは、単結合、又は置換もしくは無置換の芳香族環基である。
　Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の含窒素複素環基、又は、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基である。）
８．前記発光ユニットの少なくとも１つの発光層を構成する材料が、他の発光ユニットの発光層を構成する材料と異なっている、１～７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
９．白色発光する、１～８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　本発明により、発光効率が高く、駆動電圧の低いスタック型の有機ＥＬ素子を提供することができる。また、画素間の電流リークを抑制することができる。
本発明に係る有機ＥＬ素子の一実施形態を示す概略断面図である。 本発明に係る有機ＥＬ素子の他の実施形態を示す概略断面図である。 基板上に３つの有機ＥＬ素子を形成した例を示す概略図である。 本発明の有機ＥＬ素子を使用したカラー表示装置の概略断面図である。 ＸＹＺ表色系色度図において、ＮＴＳＣが定めた赤、緑、青の色度座標を結んで得られる領域を示す図である。
　本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に２以上の発光ユニットが挟持され、かつ、発光ユニットの間に電荷発生層が挟持されている構成を有する。
　図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態の概略断面図である。
　有機ＥＬ素子１は、基板１０上に、陽極２０、第１の発光ユニット３０Ａ、電荷発生層４０、第２の発光ユニット３０Ｂ及び陰極５０を、この順に備える。
　第１の発光ユニット３０Ａ及び第２の発光ユニット３０Ｂは、電子及び正孔の再結合により発光するものである。２つの発光ユニットはそれぞれ、少なくとも発光層３２Ａ、３２Ｂを有する単層又は積層構造を有する。本実施形態では、発光ユニットは陽極側から、正孔輸送層３１、発光層３２及び電子輸送層３３を積層した多層膜構造を有している。
　電荷発生層４０は、電圧印加時において正孔と電子を発生し、電荷発生層４０の陰極５０側に配置された発光ユニット、即ち、第２の発光ユニット３０Ｂに対して正孔を注入する一方、電荷発生層４０の陽極２０側に配置された発光ユニット、即ち、第１の発光ユニット３０Ａに対して電子を注入する役割を果たす層である。
　本発明で電荷発生層４０は、陽極側に形成されるＮ層４１と、陰極側に形成されるＰ層４２を有する。そして、Ｐ層４２が、下記式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　上記式（Ｉ）で表される化合物をＰ層に使用することにより、発光効率が高く、駆動電圧の低い有機ＥＬ素子が得られる。また、低い蒸着温度にて電荷発生層を成膜することができるため、成膜プロセスの効率や量産性に優れている。さらに、有機ＥＬ素子を平面上に複数形成し画素とした場合、ＨＡＴよりも導電性が低いため、隣接する画素間の電流リークを抑制することができる。
　以下、本発明の特徴である式（Ｉ）の化合物について説明する。
　上記式（Ｉ）中、Ａｒ１は、核炭素数６～２４の芳香環又は核原子数５～２４の複素環、好ましくは核炭素数６～１４の芳香環又は核原子数５～１４の複素環である。芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、９，９－ジメチルフルオレン環、９，９－ジオクチルフルオレン環等が挙げられる。複素環としては、ピラジン環、ピリジン環、キノキサリン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、フェナントロリン環、ナフチリジン環、テトラアザアントラセン環等が挙げられる。前記芳香環及び複素環は、以下に記載するＲ１～Ｒ４が表す置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリーロキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基又は、シアノ基で置換されていてもよい。
　尚、本発明において、「核炭素」とは、芳香環を構成する炭素原子を意味し、「核原子」とは複素環（飽和環、不飽和環及び芳香族複素環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。
　式（Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリーロキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基又は、シアノ基である。Ｒ１とＲ２及びＲ３とＲ４は互いに結合して環を形成してもよい。
　アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、オクチル基等が挙げられる。
　シクロアルキル基としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
　アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基（二重結合の位置異性体を含む）、ブテニル基（二重結合の位置異性体を含む）、ペンテニル基（二重結合の位置異性体を含む）等が挙げられる。
　（置換）アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、（トリフルオロメチル）フルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基、ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、（トリフルオロメチル）ジフルオロフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、トリフルオロメトキシフルオロフェニル基等が挙げられる。
　複素環基としては、ピリジン、ピラジン、フラン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、チオフェン等の残基が挙げられる。
　ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられる。
　フルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロアダマンチル基等が挙げられる。
　アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
　フルオロアルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、２，２，２－トリフルオロエトキシ基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３－テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン‐２－イルオキシ基等が挙げられる。
　（置換）アリールオキシ基の例としては、フェニルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、４－トリフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。
　（置換）アラルキルオキシ基の例としては、ベンジルオキシ基、ペンタフルオロベンジルオキシ基、４－トリフルオロメチルベンジルオキシ基等が挙げられる。
　（置換）アミノ基の例としては、アミノ基、モノもしくはジメチルアミノ基、モノもしくはジエチルアミノ基、モノもしくはジフェニルアミノ基等が挙げられる。
　（置換）シリル基の例としては、シリル基、モノ、ジもしくはトリメチルシリル基、モノ、ジもしくはトリエチルシリル基、モノ、ジもしくはトリフェニルシリル基等が挙げられる。
　また、Ｒ１～Ｒ４の任意の置換基の例としては、上記で挙げたハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基及び複素環基が挙げられる。
　尚、以下、特筆しない限り本願において“置換もしくは無置換”というときの任意の置換基の例としては、上記で挙げたハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基及び複素環基が挙げられる。
　また、本願において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、三重水素（tritium）、を包含する。
　既述のようにＲ１とＲ２及びＲ３とＲ４は互いに結合して環を形成してもよい。環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラジン環、ピリジン環、フラン環等が挙げられる。
　さらに、Ｒ１～Ｒ４の少なくとも一つは、フッ素原子、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基、又は、フッ素、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基から選ばれる少なくとも１種の基を有するアリール基もしくは複素環基であることが好ましい。これらを置換基にすることで電子受容性を高めたり、適度な昇華温度を得られたり、あるいは結晶化を抑制したりすることができる。
　式（Ｉ）中のＲｇ１及びＲｇ２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、下記式（ｉ）もしくは（ii）である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　上記式中、Ｘ１及びＸ２は互いに同一でも異なっていてもよく、下記（ａ）～（ｇ）に示す二価の基のいずれかである。特に（ａ）～（ｃ）であれば、耐熱性に優れる、あるいは合成のし易さ等の点から好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　上記式中、Ｒ２１～Ｒ２４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換の複素環基であり、Ｒ２２とＲ２３は互いに結合して環を形成してもよい。フルオロアルキル基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及び複素環基の具体例としては、Ｒ１～Ｒ４に関して例示した基が挙げられる。
　式（Ｉ）中、Ｙ１～Ｙ４は互いに同一でも異なっていてもよく、－Ｎ＝、－ＣＨ＝、又はＣ（Ｒ５）＝であり、Ｒ５は前記Ｒ１～Ｒ４と同義である。Ｒ１～Ｒ５のうち互いに隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。
　また、Ｙ１～Ｙ４のうち少なくとも１つは窒素原子であることが好ましい（後述のＹ２１～Ｙ２６及びＹ３１～Ｙ３８についても同様）。少なくとも１つは窒素原子であることで、電子受容性を高めたり、耐熱性を高めたり、あるいは結晶化を抑制したりすることができる。
　式（Ｉ）のインデノフルオレンジオン誘導体は、下記式（Ｉ－Ａ）あるいは(Ｉ－Ｂ)で表されることが好ましい。下記式（Ｉ－Ａ）中のＡｒ１等の各符号は、式（Ｉ）と同義である。下記式（Ｉ－Ｂ）中のＡｒ２は式（Ｉ）におけるＡｒ１と同義であり、Ｘ３及びＸ４は式（Ｉ）におけるＸ１及びＸ２と同義であり、Ｙ５～Ｙ８は式（Ｉ）におけるＹ１～Ｙ４と同義であり、Ｒ１～Ｒ４は式（Ｉ）におけるＲ１～Ｒ４と同義である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　さらに好ましくは、式（Ｉ）のインデノフルオレンジオン誘導体は下記式（II）～（X）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　上記式中、Ｘ１及びＸ２、Ｒ１～Ｒ４は式（Ｉ）におけるＸ１及びＸ２、Ｒ１～Ｒ４と同義であり、Ｙ２１～Ｙ２６、Ｙ３１～Ｙ３８及び、Ｙ４１～Ｙ５０は式（Ｉ）におけるＹ１～Ｙ４と同義である。
　特に好ましい式（Ｉ）インデノフルオレンジオン誘導体は下記式（Ｉ－ａ）～（Ｉ－ｎ）で表される。尚、下記式（Ｉ－ｂ）、（Ｉ－ｄ）、（Ｉ－ｆ）、（Ｉ－ｈ）、（Ｉ－ｊ）、（Ｉ-ｌ）、（Ｉ-ｎ）、（Ｉ-ｐ）、及び（Ｉ-ｒ）は、２つのシアノイミノ基のシアノ基の立体配置により、複数の異性体が存在する。本発明は特定の異性体に限定されるものではない。本発明は、特定の異性体のみでもよいし、２つもしくは２より大きい異性体の混合物であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　上記式中、Ｒ３１～Ｒ５２は式（Ｉ）におけるＲ１～Ｒ４と同義である。Ｒ３１～Ｒ５２のうち互いに隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。特に、Ｒ３１～Ｒ５２の少なくとも一つが、フッ素原子、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基、又は、フッ素、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基から選ばれる基を少なくとも１種有するアリール基もしくは複素環基であることが好ましい。
　インデノフルオレンジオン誘導体は、上記の各式の構造を有することで、電子受容性を有し、また、耐熱性に優れ、昇華温度が約２００℃以上を有し、昇華精製も可能であるため高純度化が可能となる。また、有機ＥＬ素子に使用することで素子の駆動電圧を低下させることができ、また、寿命を向上させることができる。さらに、素子の製造時において、昇華温度が約２００℃以上を有することから、蒸着用成膜装置内部に飛散することがないため、成膜装置又は有機ＥＬ素子を汚染することもない。
　以下に式（Ｉ）のインデノフルオレンジオン誘導体の具体例を示すが、これらに限られるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　本発明の有機ＥＬ素子は、電荷発生層のＰ層に上記式（Ｉ）で表されるインデノフルオレンジオン誘導体を使用していればよく、他の構成部材である陽極、発光ユニット、陰極等は、本技術分野において公知の部材を適宜使用することができる。
　以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各部材について説明する。
（基板）
　本発明の有機ＥＬ素子は基板上に作製する。基板は有機ＥＬ素子を支持するものである。発光ユニットからの光を、基板を通して取り出す場合には、基板は透光性である必要がある。この場合、４００～７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であることが好ましい。
　具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
　尚、光取り出し方向の反対側に支持基板が位置する場合には透光性は不要である。
（陽極）
　有機ＥＬ素子の陽極は、正孔輸送層又は発光層に正孔を注入する役割を担うものである。陽極側に透明性を必要とする場合は、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛合金（ＩＺＯ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。また、透明性を必要としない、反射型電極とする場合には、これらの金属の他に、銀、アルミニウム、モリブデン、クロム、ニッケル等の金属や他の金属との合金を使用することもできる。
　特に、仕事関数の低い（例えば、５．０ｅＶ以下）陽極と、本発明の有機ＥＬ素子用材料を用いた正孔注入層を組み合わせて用いても、電子授受が可能であり、良好な注入性を示す。
　これら材料は単独で用いることもできるが、これら材料同士の合金や、その他の元素を添加した材料も適宜選択して用いることができる。
　陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ～１μｍ、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲で選択される。
（発光ユニット）
　発光ユニットは、少なくとも発光層を有する単層又は積層構造を有する。発光ユニットは、陽極側から第１有機層、発光層、第２有機層からなる多層膜構造であるものが好ましく、具体的には、正孔輸送帯域／発光層／電子輸送帯域、からなる多層膜構造が挙げられる。
　正孔輸送帯域は、正孔注入層、正孔輸送層を単層又は複数層積層することにより構成される。電子輸送帯域は、電子注入層、電子輸送層を単層又は複数層積層することにより構成される。
　本発明の有機ＥＬ素子は２つ以上の発光ユニットを有するが、各発光ユニットは同じ材料から構成されていてもよく、また、それぞれ異なる材料で構成されてもよい。
　また、各発光ユニットの層構成は、同じでも、異なっていてもよい。例えば、図１に示す有機ＥＬ素子において、第１の発光ユニット３０Ａの電子輸送層を省略し、正孔輸送層３１Ａと発光層３２Ａからなる２層構造としてもよい。
　さらに、各発光ユニットの発光色も同じでもよく、異なっていてもよい。例えば、図１に示す素子１において、第１の発光ユニット３０Ａの発光色を黄色とし、第２の発光ユニット３０Ｂの発光色を青色としてもよい。この場合、２つの光が混合して白色発光する有機ＥＬ素子が得られる。
　以下、発光ユニットを構成する発光層、正孔輸送帯域及び電子輸送帯域について説明する。
（Ａ）発光層
　発光層としては、ホスト材料とドーパント材料から構成される層が好ましい。
　有機ＥＬ素子のホスト材料は、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン等が使用できる。好ましくはアントラセン誘導体であり、さらに好ましくは下記式（１）で表されるアントラセン誘導体を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
 （式中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。
　Ｒ１０１～Ｒ１０８は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３～３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８～３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基である。）
　発光性ドーパントとしては、蛍光性ドーパント燐光性ドーパントがある。
　蛍光性ドーパントは一重項励起子から発光することのできる化合物である。蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましく、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物、芳香族化合物がより好ましく、縮合多環アミン誘導体、芳香族化合物がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でも、また複数組み合わせて使用してもよい。
　縮合多環アミン誘導体としては、下記式（２）で表されるものが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
　式中、Ｙは環形成炭素数１０～５０の置換もしくは無置換の縮合アリール基を示す。
　Ａｒ２１、Ａｒ２２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基を示す。
　縮合アリール基とは、上記アリール基の中で２環以上の環構造が縮環した基である。
　縮合アリール基としては、環形成炭素数１０～５０（好ましくは環形成炭素数１０～３０、より好ましくは環形成炭素数１０～２０）の縮合アリール基であり、上記アリール基の具体例中、好ましくは、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。
　Ｙの具体例としては、上記の縮合アリール基が挙げられ、好ましくは置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のクリセニル基、アセナフトフルオランテニル基である。
　Ａｒ２１、Ａｒ２２の好ましい例としては、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基等である。Ａｒ２０１、Ａｒ２０２の置換基の好ましい例としては、アルキル基、シアノ基、置換もしくは無置換のシリル基である。ｎは１～４の整数である。ｎは１～２の整数であることが好ましい。
　上記芳香族化合物としては、下記式（３）で表されるフルオランテン化合物が好ましい。
（式中、Ｘ１０１～Ｘ１０６及びＸ１０８～Ｘ１１１は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数６～５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基及びはカルボキシル基から選ばれる。
　Ｘ１０７及びＸ１１２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキル基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数３～８のシクロアルキル基から選ばれる。
　但し、Ｘ１０３とＸ１０４は、互いに異なる置換基である。
　また、Ｘ１０１～Ｘ１１２において、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和もしくは不飽和の環状構造を形成してもよく、これら環状構造は置換されてもよい。）
　式（３）のＸ１０３又はＸ１０４は、好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基である。また、式（３）の「置換もしくは無置換」の好ましい置換基は、シアノ基又はハロゲン原子である。
　式（３）おいて、アリール基、複素環基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子の例として上記で例示したものが挙げられる。
　りん光発光に好適なホストは、その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物としては三重項エネルギーギャップが大きく、励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　このようなホスト化合物の具体例としては、ベンゼン環やナフタレン環、複素環の組み合わせで構成される縮合環化合物、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８－キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
　具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　りん光発光性のドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
　オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、２－フェニルピリジン誘導体、７、８－ベンゾキノリン誘導体、２－（２－チエニル）ピリジン誘導体、２－（１－ナフチル）ピリジン誘導体、２－フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有しても良い。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していても良い。
　りん光発光性のドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１～７０質量％であり、１～３０質量％が好ましい。りん光発光性化合物の含有量が０．１質量％以上であることで、発光が微弱となるのを防ぎ、その含有効果が十分に発揮させることができる。７０質量％以下とすることで、濃度消光と言われる現象を抑え、素子性能が低下を防ぐことができる。
　発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有しても良い。
　発光層の膜厚は、５～５０ｎｍであることが好ましく、７～５０ｎｍであることがより好ましく、１０～５０ｎｍであることが最も好ましい。５ｎｍ以上とすることで発光層形成が容易となり、色度の調整がしやすくなる。５０ｎｍ以下とすることで駆動電圧が上昇するのを防ぐことができる。
（Ｂ）正孔輸送帯域
　正孔輸送帯域の層としては、正孔輸送層や正孔注入層等がある。正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４～１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０－４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。
　正孔輸送層の材料の具体例として、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
　正孔注入層又は正孔輸送層（正孔注入輸送層も含む）には、芳香族アミン化合物、例えば、下記式（４）で表わされる芳香族アミン誘導体が好適に用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
　式（４）において、Ａｒ３１～Ａｒ３４は、環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素基（但し、置換基を有しても良い。）、環形成炭素数６～５０の縮合芳香族炭化水素基（但し、置換基を有しても良い。）、環形成炭素数２～４０の芳香族複素環基（但し、置換基を有しても良い。）環形成炭素数２～４０の縮合芳香族複素環基（但し、置換基を有しても良い。）、それら芳香族炭化水素基とそれら芳香族複素環基とを結合させた基、それら芳香族炭化水素基とそれら縮合芳香族複素環基とを結合させた基それら縮合芳香族炭化水素基とそれら芳香族複素環基とを結合させた基、又はそれら縮合芳香族炭化水素基とそれら縮合芳香族複素環基とを結合させた基を表す。
　Ｌは、単結合又はＡｒ３１～Ａｒ３４と同様な基を表す。
　また、下記式（５）の芳香族アミンも正孔注入層又は正孔輸送層の形成に好適に用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　式（５）において、Ａｒ３１～Ａｒ３３の定義は式（４）のＡｒ３１～Ａｒ３４の定義と同様である。
　正孔注入層は、さらに正孔の注入を助けるために設けられる層である。正孔注入層の材料としては本発明の有機ＥＬ用材料単独でもよいし、他の材料と混合して用いてもよい。他の材料としては正孔輸送層と同様の材料を使用することができる。他に、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることもできる。さらに、電荷発生層のＰ層で用いられるＨＡＴやＦ４ＴＣＮＱ、式（４）で示される化合物を使用する事もできる。
　また、含チオフェンオリゴマーや特開平８－１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等も用いることができる。
　さらに、芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
　正孔注入層又は正孔輸送層は、例えば、上述した化合物を真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層、正孔輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は１ｎｍ～５μｍである。
（Ｃ）電子輸送帯域
　電子輸送帯域の層としては、電子注入層や電子輸送層等（以下、電子注入層・輸送層という）がある。
　電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。
　電子注入層・輸送層は数ｎｍ～数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０４～１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０－５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
　電子注入層・輸送層に用いられる材料としては、８－ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体や含窒素複素環誘導体が好適である。
　上記８－ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８－キノリノール又は８－ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８－キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
　含窒素複素環誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、ベンズイミダゾール、イミダゾピリジン等が好ましく、中でもベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体が好ましい。
（電荷発生層）
　電荷発生層は、電圧印加時において、電荷発生層の陰極側に配置された発光ユニットに対して正孔を注入する一方、電荷発生層の陽極側に配置された発光ユニットに対して電子を注入する役割を果たす層である。
　本発明で電荷発生層は、陽極側に形成されるＮ層と、陰極層側に形成されるＰ層を有する。
　Ｎ層を形成する材料としては、有機化合物、電子供与性金属、金属化合物及び金属錯体等が挙げられる。
　Ｎ層は、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、希土類金属、希土類金属化合物及び希土類金属を含む有機金属錯体のうち、少なくとも１つを含有する層が好ましい。
　アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはＬｉ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＬｉ、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＬｉである。
　アルカリ土類金属としては、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
　希土類金属としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、テルビウム（Ｔｂ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
　以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。
　アルカリ金属化合物としては、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）等のアルカリ酸化物、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）が好ましい。
　アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）及びこれらを混合したストロンチウム酸バリウム（ＢａｘＳｒ１－ｘＯ）（０＜ｘ＜１）、カルシウム酸バリウム（ＢａｘＣａ１－ｘＯ）（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。
　希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）、酸化スカンジウム（ＳｃＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化セリウム（Ｃｅ２Ｏ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化テルビウム（ＴｂＦ３）等が挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
　有機金属錯体としては、上記の通り、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β－ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が好ましいが、これらに限定されるものではない。
　尚、Ｎ層は上記金属、化合物及び錯体の他に、上述したトリス（８－キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）等の電子注入材料や発光材料等の有機化合物を含有していてもよい。
　有機化合物としては、例えば、含窒素複素環化合物が好ましい。含窒素複素環化合物として、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、ベンズイミダゾール、イミダゾピリジン等を挙げることができるが、中でも、ベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体が好ましい。
　具体的な材料として、下記式（９）で表わされるベンゾイミダゾール誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　式中、Ａ１４は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキル基、３～４０個の芳香族環が縮合した多環芳香族炭化水素基を有する、炭素数６～６０の置換もしくは無置換の炭化水素基、又は含窒素複素環基である。
　ハロゲン原子及び炭素数１～２０のアルキル基の具体例は、上述した式（Ｉ）と同様である。
　３～４０個の芳香族環が縮合した多環芳香族炭化水素基を有する、炭素数６～６０の置換もしくは無置換の炭化水素基について、３～４０個の芳香族環が縮合した多環芳香族炭化水素基としては、アントラセン、ナフタセン、ペンタセン、ピレン、クリセン等が挙げられる。炭素数６～６０の炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等が挙げられる。尚、これらの具体例は上述した式（Ｉ）と同様である。炭化水素基としてはアリール基が好ましく、なかでも、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基等が好ましい。これらは置換基を有していてもよい。
　含窒素複素環基としては、ピリジン環、トリアジン等が挙げられる。
　Ｂは、単結合、又は置換もしくは無置換の芳香族環基である。芳香族環基としては、フェニレン基が好ましい。
　Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の含窒素複素環基、又は、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基である。各基の具体例は、上述した式（Ｉ）、Ａ１４と同様である。
　式（９）に示した化合物の具体例として、以下の式（９－１）～式（９－４９）等の化合物を挙げることができる。尚、「Ａｒ（α）」は、式（９）中のＲ３１，Ｒ３２を含むベンゾイミダゾール骨格に対応し、「Ｂ」は式（９）中のＢに対応する。また、「Ａｒ（１）」及び「Ａｒ（２）」は式（９）中のＡ１４に対応し、Ａｒ（１），Ａｒ（２）の順にＢに結合する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　尚、Ｎ層に用いる有機化合物は、上記の化合物のようにアントラセン骨格を有する化合物が好ましいが、これに限定するものではない。例えば、アントラセン骨格に変えて、ピレン骨格又はクリセン骨格を備えたベンゾイミダゾール誘導体を用いてもよい。また、有機材料は、１種類だけでなく、複数種類を混合又は積層して用いてもよい。
　上記金属、化合物及び錯体の添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成することが好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを分散する方法が好ましい。分散濃度は通常、膜厚比で有機物：上記金属、化合物及び錯体＝１０００：１～１：１０００であり、好ましくは１００：１～１：１である。
　上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成する。
　上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下で形成する。
　また、本発明の有機ＥＬ素子における、主成分と、上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかの割合としては、膜厚比で、主成分：電子供与性ドーパント及び／又は有機金属錯体＝１００：１～１：１であると好ましく、５０：１～４：１であるとさらに好ましい。
　Ｎ層の膜厚は、０．１ｎｍ～１００ｎｍが好ましく、特に、１ｎｍ～５０ｎｍが好ましい。
　Ｐ層は、上述したとおり、上記式（Ｉ）で表される化合物を含有する。Ｐ層は、式（Ｉ）で表される化合物のみからなる層でもよく、他の材料との混合物からなる層であってもよい。本発明では、Ｐ層が式（Ｉ）で表される化合物と、少なくとも１種類の正孔輸送材料を含む層であることが好ましい。
　正孔輸送材料としては、上述した正孔輸送帯域で使用される材料が使用できる。なかでも、芳香族第三級アミン化合物が好ましい。
　Ｐ層における、式（Ｉ）で表される化合物の含有率は、０．１重量％～１００重量％であることが好ましく、特に、１０重量％～７０重量％であることが好ましい。
　Ｐ層の膜厚は、１ｎｍ～５０ｎｍが好ましく、特に、５ｎｍ～２０ｎｍが好ましい。
　本発明では、発光ユニットの少なくとも１つが正孔輸送層を有し、電荷発生層のＰ層が正孔輸送層と接していることが好ましい。例えば、図１に示す有機ＥＬ素子１のように、第２の発光ユニット３０Ｂの正孔輸送層３１Ｂと電荷発生層のＰ層４２が接していることが好ましい。これにより電荷発生層から第２の発光ユニット３０Ｂの正孔輸送層３１Ｂへの正孔注入が効率よく行なわれ、素子の低電圧化が実現する。
　電荷発生層は、Ｎ層とＰ層の２層のみからなっていてもよく、また、Ｎ層とＰ層の間に介在層を有していてもよい。
（陰極）
　陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
　この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
　ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ～１μｍ、好ましくは５０～２００ｎｍである。
（他の構成部材）
　本発明においては陰極と有機層との間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層を設けてもよい。これにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
　このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。
　具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ及びＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ，ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２及びＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
　電子注入層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。
　また、電子注入層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。
　尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
　本発明の有機ＥＬ素子の形態について、図１の有機ＥＬ素子１を例示して説明したが、本発明は有機ＥＬ素子１の形態に限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子１では発光ユニットを２つ形成したが、３つ以上形成してもよい。
　図２は本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ素子の概略断面図である。
　有機ＥＬ素子２は、基板１０上に、陽極２０、第１の発光ユニット３０Ａ、電荷発生層４０、第２の発光ユニット３０Ｂ、電荷発生層４２、第３の発光ユニット３０Ｃ及び陰極５０を、この順に備える。有機ＥＬ素子２は、発光ユニットを３つ形成した他は図１に示す有機ＥＬ素子１と同じ構成を有する。
　本実施形態では、例えば、各発光ユニットの発光色を異ならせ、赤色、緑色、青色とすることにより、３つの波長領域の光を調和よく有する演色性の高い白色発光ＥＬ素子が得られる。
　本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、表示装置の画素のように、複数の素子が基板上に形成されている場合に、特に、優れた効果を発揮する。
　図３は、基板上に３つの有機ＥＬ素子を形成した例を示す概略図である。
　基板１０上には、ストライプ状にパターン化された陽極２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃがある。基板１０及び各陽極上に、第一の発光ユニット３０Ａ、電荷発生層４０及び第２の発光ユニット３０Ｂが共通してこの順に形成されている。第２の発光ユニット３０Ｂ上に、陰極５０が陽極２０に直交するようにストライプ状に形成されている。
　有機ＥＬ素子Ａ～Ｃは、対向する陽極２０Ａ～２０Ｃ及び陰極５０間に電圧が印加されたときに発光する。例えば、陽極２０Ｂと陰極５０間に電圧を印加すると、素子Ｂが発光する。
　ＩＴＯ等の透明導電体等、従来の材料を電荷発生層に使用した素子の場合、素子間で共通して形成した電荷発生層を介して電荷が隣接する素子に流れ、その結果、本来、発光すべきでない隣接素子が発光するという問題が生じた。その結果、発光効率の低下や、表示装置としたときの色純度の低下を生じていた。
　本発明の有機ＥＬ素子では、電荷発生層のＰ層に上述した式（Ｉ）の化合物を使用することにより、隣接する素子への電荷の漏れを抑制できる。
　本発明の有機ＥＬ素子は、特に、カラーフィルターを使用したカラー表示装置の発光素子として好適である。
　図４は本発明の有機ＥＬ素子を使用したカラー表示装置の概略断面図である。
　カラー表示装置は、図３に示す有機ＥＬ素子の光取り出し側に、赤色カラーフィルター（ＲＣＦ）６１、緑色カラーフィルター（ＧＣＦ）６２及び青色カラーフィルター（ＢＣＦ）６３を有するカラーフィルター６０を形成したものである。本実施形態では、第１の発光ユニット３０Ａの発光色を黄色とし、第２の発光ユニット３０Ｂの発光色を青色とすることにより、白色発光する有機ＥＬ素子とする。カラーフィルターにより白色光から所望の色のみを表示装置の外部に取り出す。
　本発明の有機ＥＬ素子は、上述したとおり隣接する素子への電荷の漏洩を抑制できる。即ち、隣接素子の不要な発光を低減させ、所望の素子（画素）のみを発光させることができるため、表示装置の色再現性を向上できる。
　本発明の有機ＥＬ素子は、公知の方法によって作製できる。具体的に、陽極や陰極は、蒸着やスパッタリング等の方法により形成できる。発光ユニット等の各有機層は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができる。
[青色ＥＬ素子]
実施例１
　図１に示す層構成を有する、発光を基板側から取り出すボトム発光方式の有機ＥＬ素子を作製した。尚、実施例１で使用した有機化合物の構造を以下に示す。尚、電荷輸送層のＰ層で使用した化合物である（Ｐ１）～（Ｐ４）の合成は、ＷＯ２０１０／０６４６５５及びＷＯ２００９／０１１３２７を参照して実施した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
　３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス板からなる基板上に、陽極としてＩＴＯを２４０ｎｍの膜厚で形成した。次に、ＳｉＯ２蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外を絶縁膜（図示省略）でマスクした有機ＥＬ素子用のセルを作製した。
　陽極上に、正孔注入層として、上記の構造を有するヘキサニトリルアザトリフェニレン（ＨＡＴ）を1０ｎｍの膜厚で形成した。
　正孔注入層上に、正孔輸送層、青色発光層及び電子輸送層からなる青色発光ユニット（第１の発光ユニット）を形成した。
　具体的に、正孔輸送層として上記α－ＮＰＤを真空蒸着法により９０ｎｍ（蒸着速度０．２～０．４ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で形成した。
　続いて、正孔輸送層上に、青色発光層を形成した。発光層のホストには上記式（１）の化合物を、ドーパントには式（２）の化合物を使用した。ドーパントの添加量が膜厚比で５％となるように真空蒸着し膜厚３０ｎｍの発光層とした。
　次いで、青色発光層上に、電子輸送層として、上記Ａｌｑ３を３０ｎｍの膜厚で形成した。
　青色発光ユニットに続けて電荷発生層を形成した。
　発光ユニットの電子輸送層上に、Ｎ層としてＡｌｑ３とＬｉの混合層を１０ｎｍの膜厚で形成した。続けて、Ｐ層として上記式（Ｐ１）で表される化合物を１０ｎｍの膜厚で形成した。
　電荷発生層に続いて、第２の青色発光ユニットを形成した。形成方法は上述した第１の青色発光ユニットと同様にした。
　その後、ＬｉＦを真空蒸着法により約０．３ｎｍ（蒸着速度～０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で形成し、次いで、Ａｌを真空蒸着法により２００ｎｍの膜厚で形成し、２層構造の陰極を形成し、有機ＥＬ素子を作製した。
実施例２
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）の代わりに下記式（Ｐ２）で表される化合物を使用した他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
実施例３
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）の代わりに下記式（Ｐ３）で表される化合物を使用した他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
実施例４～６
　Ｎ層としてＡｌｑ３の代わりに下記式（９－２３）で表される化合物を使用した他は、実施例１～３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
比較例１
　電荷発生層及び第２の青色発光ユニットを形成せずに陰極を形成した他は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。本例の素子は発光ユニットを１つのみ有する素子であるため、タンデム型の有機ＥＬ素子ではない。
比較例２
　電荷発生層のＰ層を形成しなかった他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
比較例３
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）の代わりに酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を使用した他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
　実施例１～６及び比較例１～３で作製した有機ＥＬ素子について、１０ｍＡｃｍ－２の電流密度における電圧（Ｖ）及び発光効率（ｃｄ／Ａ）を測定した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実施例１～３と比較例１の結果より、上記化合物（Ｐ１）～（Ｐ３）を含む電荷発生層を利用してタンデム素子を作製することにより、単ユニット素子と比べ２倍の効率が得られ、電圧も２倍の値となった。これにより、化合物（Ｐ１）～（Ｐ３）を含む電荷発生層を利用したタンデム素子はＭＰＥ素子として機能することがわかった。
　実施例１～３と比較例２の結果より、電荷発生層において、陰極側発光ユニットとの界面層に化合物（Ｐ１）～（Ｐ３）を含む層がない場合は、効率は単ユニット素子である比較例１と変わらず、ＭＰＥ素子として機能しないことがわかった。
　実施例１～３と比較例３の結果より、電荷発生層において、陰極側発光ユニットとの界面層にＭｏＯ３を用いた場合は、ＭＰＥ素子として機能するものの、実施例１～３に比べて電圧が高くなった。これにより電荷発生層として化合物（Ｐ１）～（Ｐ３）が優れていることがわかった。
　Ｎ層に含窒素複素環化合物である式（９－２３）を使用した実施例４～６では、さらに、駆動電圧が低下することが確認できた。
[白色ＥＬ素子]
実施例７
　解像度が１００ｐｐｉとなるように下部電極をパターン化したガラス基板を使用し、第１の青色発光ユニットに代えて、下記の黄色発光ユニットを形成した他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
・パターン電極基板の作製
　ガラス基板上に平坦化絶縁膜を形成した。平坦化絶縁膜材料はポジ型感光性の絶縁材料であれば特に限定しないが、ここではポリイミドを２．０ｕｍの厚さで形成した。基板上にポリイミドをスピンコート法により塗布し、露光装置にて露光を行い、パドル式現像装置にて現像し、所定の形状にパターニングした。ポリイミドを硬化させるためクリーンベーク炉にて本焼成し、厚さ２．０μｍの平坦化絶縁膜を形成した。
　次に、平坦化絶縁膜上に下部電極を形成した。平坦化絶縁膜上に、ＩＴＯを２４０ｎｍ成膜し、通常のリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニング、エッチングして下部電極を形成した。
　パターン化した下部電極（ＩＴＯ）間に、ポリイミドを２．０μｍの厚さで形成し電極間絶縁層を形成した。電極間絶縁層は、基板上にポリイミドをスピンコート法により塗布し、露光装置にて露光を行い、パドル式現像装置にて現像した。これで感光性絶縁材料であるポリイミドが所定の形状にパターニングされたことになる。次に、ポリイミドを硬化させるためクリーンベーク炉にて本焼成し電極間絶縁層を形成した。
・黄色発光ユニットの形成
　上記ヘキサニトリルアザトリフェニレン（ＨＡＴ）からなる正孔注入層上に、正孔輸送層、黄色発光層及び電子輸送層からなる黄色発光ユニット（第１の発光ユニット）を形成した。
　正孔輸送層として、上記α－ＮＰＤを真空蒸着法により３０ｎｍ（蒸着速度０．２～０．４ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で形成した。
　続いて、正孔輸送層上に、黄色発光層を形成した。発光層のホストには下記式（３）で表される化合物を、ドーパントには式（４）で表される化合物を使用した。ドーパントの添加量が膜厚比で５％となるように真空蒸着し膜厚３０ｎｍの発光層とした。
　次いで、黄色発光層上に、電子輸送層として、上記Ａｌｑ３を２０ｎｍの膜厚で形成した。
　以下、実施例１と同様にして電荷発生層と第２の発光ユニットを形成し、有機ＥＬ素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
実施例８
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）の代わりに実施例２で使用した式（Ｐ２）で表される化合物を使用した他は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
実施例９
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）の代わりに実施例３で使用した式（Ｐ３）で表される化合物を使用した他は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
実施例１０
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）の代わりに、式（Ｐ１）とα－ＮＰＤからなる混合層［（Ｐ１：α－ＮＰＤ＝１：１、重量比）］を使用した他は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
実施例１１
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）からなる単一層の代わりに、式（Ｐ１）からなる層と式（Ｐ１）と上記α－ＮＰＤからなる混合層［（Ｐ１：α－ＮＰＤ＝１：１、重量比）］の積層体を使用した他は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。尚、式（Ｐ１）層単独層の膜厚を５ｎｍ、式（Ｐ１）と上記α－ＮＰＤからなる混合層の膜厚を５ｎｍとした。
実施例１２
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）の代わりに下記式（Ｐ４）で表される化合物を使用した他は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
実施例１３～１５
　Ｎ層としてＡｌｑ３の代わりに式（９－２３）で表される化合物を使用した他は、実施例７～９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
比較例４
　電荷発生層及び第２の青色発光ユニットを形成せずに陰極を形成した他は実施例４と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。本例の素子は黄色発光ユニットを１つのみ有する素子であるため、タンデム型の有機ＥＬ素子ではない。
比較例５
　電荷発生層のＰ層を形成しなかった他は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
比較例６
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）の代わりに下記に示すＨＡＴを使用した他は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
比較例７
　Ｐ層として上記式（Ｐ１）の代わりにＩＴＯを使用した他は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
　実施例７～１５及び比較例４～７で作製した有機ＥＬ素子について、１０ｍＡｃｍ－２の電流密度における電圧（Ｖ）及び発光効率（ｃｄ／Ａ）を測定した。また、分光放射輝度計により、発光のＣＩＥ色度を求めた。
　結果を表２に示す。
　実施例７～１５及び比較例４～７で作製した有機ＥＬ素子の各画素に、赤色、緑色及び青色のカラーフィルターを形成し、ＲＧＢ各色により包含される色再現性をＮＴＳＣ比で評価した。有機ＥＬ素子の作製は以下のとおりとした。
　ガラス基板上の開口部となる箇所に、ＲＧＢそれぞれのカラーフィルターを順番に形成し、その上に、実施例７と同様にして、平坦化絶縁膜を形成し、カラーフィルターの凹凸を平坦化した。これにより、カラーフィルターを有するガラス基板を得た。以後、実施例７と同様にしてパターン電極基板を作製し、さらに、発光ユニットを形成した。
　作製した素子は、パッシブ方式の駆動が可能になるよう、上部電極、下部電極を配線し、ＲＧＢそれぞれの画素が個々に発光できるようにした。これによりＲＧＢそれぞれの単色での発光が可能となる。
　尚、ＮＴＳＣ比とは、表示装置の色再現範囲がアメリカＮａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ　Ｓｙｓｔｅｍ　Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ(ＮＴＳＣ)により定められた標準方式の３原色、赤（０.６７０,０.３３０）、緑（０.２１０,０.７１０）、青（０.１４０,０.０８０）により囲まれる面積に対する比（単位は％）である。図５にＸＹＺ表色系色度図においてＮＴＳＣが定めた赤、緑、青の色度座標を結んで得られる領域を示す。本領域を１００％する。
　結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　実施例７～９、１２と比較例１及び比較例４の結果より、上記化合物（Ｐ１）～（Ｐ４）を含む電荷発生層を利用してタンデム素子を作製することにより、黄色単ユニット素子と青色単ユニット素子を足した効率が得られ、白色発光が得られることが確認できた。
　実施例７～９、１２と比較例５の結果より、電荷発生層において、陰極側発光ユニットとの界面層に上記化合物（Ｐ１）～（Ｐ４）を含む層がない場合は、陽極側の第１発光ユニットである黄色発光ユニットしか発光せず、ＭＰＥ素子として機能しないことがわかった。
　実施例７～９、１２と比較例６及び比較例７の結果より、電荷発生層において、陰極側発光ユニットとの界面層にＨＡＴ又はＩＴＯを用いた場合は、ＭＰＥ素子として機能するものの、実施例４に比べて、カラーフィルターを設けてディスプレイパネルを作製した際に、色再現性においてＮＴＳＣ比の低下が見られた。これはＨＡＴ及びＩＴＯの抵抗値が低すぎるために、キャリアが電荷発生層を経由して隣接画素までリークし、隣接画素が発光するために、赤色、緑色又は青色の単色表示時において各色の色純度の低下を引き起こしたことによると考えられる。
　以上から、スタック型白色素子において、電荷発生層に上記化合物（Ｐ１）～（Ｐ４）を含む層を採用することによって、混色の少ない、色再現性の高い有機ＥＬディスプレイパネルの作製が可能であることがわかった。
　また、実施例１０、実施例１１ともに、黄色発光ユニット及び青色発光ユニット両方から発光し、実施例７と同様の白色発光が得られた。これにより、（Ｐ１）とα－ＮＰＤの混合層、又は（Ｐ１）と、（Ｐ１）とα－ＮＰＤの混合層の積層膜を電荷発生層として利用したタンデム素子はＭＰＥ素子として機能し、スタック型白色素子の作製が可能であることがわかった。また、カラーフィルターを設けてディスプレイパネルを作製した際の色再現性においてＮＴＳＣ比も良好であり、隣接画素への電流リークが従来の電荷発生層構造よりも抑制され、高い色再現性が実現できることがわかった。
　Ｎ層に含窒素複素環化合物である式（９－２３）を使用した実施例１３～１５では、さらに、駆動電圧が低下することが確認できた。
実施例１６～１９、比較例８，９
　実施例７～９、比較例６，７のＰ層の膜厚を、それぞれ３０ｎｍに変更した他は、同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。
　また、実施例１９として、Ｐ層材料を（Ｐ４）として実施例１３と同様の素子を作製した。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　実施例１６～１９、比較例８及び比較例９の結果より、３０ｎｍの厚みにおいて、電荷発生層の陰極側発光ユニットとの界面層を上記化合物（Ｐ１）～（Ｐ４）を含む層にした場合は、カラーフィルターを設けてディスプレイパネルを作製した際にも高いＮＴＳＣ比を有していることから、色再現性を保持しているといえる。一方、ＨＡＴ及びＭｏＯ３とした場合には、ＮＴＳＣ比が大幅に低下し、色再現性の低下を招いている。これは、電荷発生層の膜厚が厚い場合には、電荷発生層経由の隣接画素間電流リークへの影響が大きく、より隣接画素発光による混色が顕著となり、色再現性の大幅な低下をもたらすためである。
　また、ＭｏＯ３では高電圧化が見られるが、上記化合物（Ｐ１）～（Ｐ４）では大幅な高電圧化は見られないため、膜厚を厚くした場合にも電荷発生層として良好な特性が得られることがわかった。
実施例２０～２３、比較例１０，１１
　実施例７～９、比較例６，７の解像度を、１０００ｐｐｉに変更した他は、同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。
　また、実施例２３として、Ｐ層材料を（Ｐ４）として実施例２０と同様の素子を作製した。結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　実施例２０～２３、比較例１０及び比較例１１の結果より、カラーフィルターを設けて、より高解像度なディスプレイパネルを作製した際に、電荷発生層の陰極側発光ユニットとの界面層を上記化合物（Ｐ１）にした場合は、高いＮＴＳＣ比が得られ、高い色再現性を保持していることが確認できた。一方、ＨＡＴ及びＭｏＯ３の場合には、ＮＴＳＣ比が大幅に低下し、色再現性の低下を招いていることがわかる。これは、解像度が高いと画素間の距離が短くなり、電荷発生層を経由した隣接画素間の電流リークしやすくなるため、隣接画素発光による混色がより顕著となったことが原因である。
　本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。
　上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
　この明細書に記載の文献及び本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
 

Claims (9)

  1. 　陽極と、陰極と、
    　前記陽極と前記陰極との間に挟持され、それぞれ発光層を有する、２以上の発光ユニットと、
    　前記発光ユニットの間に挟持される電荷発生層と、を有し、
    　前記電荷発生層が、前記陽極側にあるＮ層と、前記陰極層側にあるＰ層を有し、
    　前記Ｐ層が、下記式（Ｉ）で表される化合物を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
     ［式（１）中、Ａｒ１は、核炭素数６～２４の芳香環、あるいは核原子数５～２４の複素環である。
    　Ｒｇ１及びＲｇ２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、下記式（ｉ）もしくは（ii）である。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
     （上記式中、Ｘ１及びＸ２は互いに同一でも異なっていてもよく、下記（ａ）～（ｇ）に示す二価の基のいずれかである。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
     （上記式中、Ｒ２１～Ｒ２４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換の複素環基であり、Ｒ２２とＲ２３は互いに結合して環を形成してもよい。）
    　Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリーロキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基又は、シアノ基である。Ｒ１とＲ２及びＲ３とＲ４は互いに結合して環を形成してもよい。
    　Ｙ１～Ｙ４は互いに同一でも異なっていてもよく、－Ｎ＝、－ＣＨ＝、又はＣ（Ｒ５）＝であり、Ｒ５は前記Ｒ１～Ｒ４と同義である。Ｒ１～Ｒ５のうち互いに隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。］
  2. 　前記Ｐ層が、前記式（Ｉ）で表される化合物と、少なくとも１種類の正孔輸送材料を含む層である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 　前記発光ユニットの少なくとも１つが正孔輸送層を有し、
    　前記電荷発生層のＰ層が前記正孔輸送層と接している、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 　前記電荷発生層のＮ層が、電子供与性金属、金属化合物及び金属錯体の少なくとも１つを含有する、請求項１～３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 　前記電荷発生層のＮ層が、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、希土類金属、希土類金属化合物及び希土類金属を含む有機金属錯体のうち、少なくとも１つを含有する、請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 　前記電荷発生層のＮ層が、含窒素複素環化合物を含有する、請求項１～５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 　前記含窒素複素環化合物が下記式（９）で表される化合物である、請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
     （式中、Ａ１４は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキル基、３～４０個の芳香族環が縮合した多環芳香族炭化水素基を有する、炭素数６～６０の置換もしくは無置換の炭化水素基、又は含窒素複素環基である。
    　Ｂは、単結合、又は置換もしくは無置換の芳香族環基である。
    　Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の含窒素複素環基、又は、置換もしくは無置換の炭素数１～２０のアルコキシ基である。）
  8. 　前記発光ユニットの少なくとも１つの発光層を構成する材料が、他の発光ユニットの発光層を構成する材料と異なっている、請求項１～７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 　白色発光する、請求項１～８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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