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WO2012120973A1 - 欠陥検査方法、欠陥検査装置、及び基板の製造方法 - Google Patents

欠陥検査方法、欠陥検査装置、及び基板の製造方法 Download PDF

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WO2012120973A1
WO2012120973A1 PCT/JP2012/053180 JP2012053180W WO2012120973A1 WO 2012120973 A1 WO2012120973 A1 WO 2012120973A1 JP 2012053180 W JP2012053180 W JP 2012053180W WO 2012120973 A1 WO2012120973 A1 WO 2012120973A1
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defective
defect
infrared camera
substrate
wiring
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正和 柳瀬
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Original Assignee
Sharp Corp
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    • G09G2360/145—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light originating from the display screen
    • G09G2360/147—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light originating from the display screen the originated light output being determined for each pixel

Definitions

  • the present invention relates to a wiring defect inspection method and a defect inspection apparatus suitable for detecting defects in a wiring board on which a large number of wirings such as a liquid crystal panel and a solar battery panel are formed.
  • a manufacturing process of a liquid crystal panel is roughly divided into an array (TFT) process, a cell (liquid crystal) process, and a module process.
  • TFT array
  • a gate electrode, a semiconductor film, a source / drain electrode, a protective film, and a transparent electrode are formed on a transparent substrate, and then an array inspection is performed to short-circuit or break a wiring such as an electrode or a wiring. Etc. are inspected for defects.
  • an inspection method for specifying the position of a defect there is a visual inspection in which an operator observes and specifies a substrate with a microscope.
  • this inspection method places a heavy burden on the operator, and it is difficult to determine a defect visually.
  • the position of the defect was wrong.
  • an infrared inspection has been proposed in which a substrate is photographed with an infrared camera, image processing is performed, and a defect position is automatically specified.
  • Patent Document 1 relates to an infrared inspection. As shown in FIG. 6, a conventional electrical inspection is performed with one terminal of each of a scanning line 61 and a signal line 62 of a thin film transistor substrate being electrically connected. After conducting a continuity test in the same manner as the method, a short-circuited pixel address is specified for a substrate determined to be defective by the continuity test.
  • a potential difference is applied between the scanning line 61 and the signal line 62, heat generation due to the current flowing in the scanning line 61 and the signal line 62 where the short-circuit occurs is detected, and the short-circuit position 63 is specified.
  • an infrared microscope 65 is used according to the intensity of infrared light emitted from a heat generating portion of a minute region of about 10 to 30 ⁇ m, and the terminal portions of the scanning line 61 and the signal line 62 are scanned along the broken line 66. Then, the wiring that generates heat is detected.
  • the short-circuit position 63 is specified as the short-circuit position 63 or the short-circuit candidate region 63 in which a short-circuit defect may occur.
  • the short-circuit candidate region 63 sequentially positions the wiring pattern of the short-circuit pixel address within the field of view of the infrared microscope 65, detects the infrared image, and identifies the short-circuit position 63 from the intensity.
  • the short circuit position 63 is specified by these, and a short circuit is corrected by wiring correction methods, such as a laser 67. FIG.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 4-72552 (Publication Date: March 6, 1992)”
  • the conventional infrared inspection has the following problems.
  • the infrared image detector 65 detects the infrared light intensity in a minute region, and in order to detect the heat generating part, the scanning line 61 and the signal line 62 on the substrate. Had to scan. Therefore, there is a problem that the longer the inspection area is, such as a large liquid crystal panel or a mother substrate on which a plurality of liquid crystal panels are formed, the longer the time required for infrared inspection and the lower the throughput.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and the object of the present invention is to provide a wiring that can identify a defective portion in a short time by effectively combining resistance inspection and infrared inspection. It is to provide a defect inspection method and a defect inspection apparatus.
  • a defect inspection method for detecting a defect position from a mother substrate on which a plurality of wiring boards are formed including a defective substrate having a defective portion or a defective portion by performing a resistance inspection on each of the plurality of wiring boards.
  • another defect inspection method is a defect inspection method for detecting a defect position of a wiring from a mother substrate on which a plurality of wiring boards are formed, and each of the plurality of wiring boards has a resistance.
  • a step of detecting a defective substrate having a defective portion or a defective block including the defective portion by inspecting, a step of applying a voltage to the defective substrate or the defective block, and heating the defective portion; and the defect A step of photographing the defective substrate or the defect block that has generated heat with a first infrared camera, and a step of measuring the position of the defective portion from an image photographed by the first infrared camera. It is characterized by.
  • a method for manufacturing a substrate comprising: forming a mother substrate on which a plurality of wiring substrates are formed by forming at least one of a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on the substrate; A substrate forming step to form, a step of detecting a defective substrate having a defective portion or a defective block including the defective portion by performing resistance inspection on each of the plurality of wiring substrates, and a voltage applied to the defective substrate or the defective block , The step of causing the defect portion to generate heat, the step of photographing the defect substrate or the defect block where the defect portion generates heat with a first infrared camera, and the image photographed with the first infrared camera And macro-measuring the position of the defective portion.
  • the defect inspection apparatus is a defect inspection apparatus for detecting a defect position from a mother board on which a plurality of wiring boards are formed, and each of the plurality of wiring boards is subjected to resistance inspection.
  • a voltage application unit that applies a voltage to a defective substrate or defect block that has been found to have a defect by resistance inspection by the resistance measurement unit; and the defective substrate or the defect block to which a voltage is applied by the voltage application unit
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating the configuration of the defect inspection apparatus 100 according to the first embodiment.
  • a defect inspection apparatus 100 according to the first embodiment inspects defects such as wiring in a plurality of liquid crystal panels 2 formed on a mother substrate 1.
  • a probe 3 for conducting the liquid crystal panel 2 and a probe 3 are connected to the defect inspection apparatus 100 according to the first embodiment.
  • Probe moving means 4 for moving on each liquid crystal panel 2, infrared camera 5 for acquiring an infrared image, camera moving means 6 for moving the infrared camera 5 on the liquid crystal panel 2, and probe moving means 4 And a main control section 7 for controlling the camera moving means 6.
  • the probe 3 is connected to a resistance measuring unit 8 for measuring the resistance between the wirings of the liquid crystal panel 2 and a voltage applying unit 9 for applying a voltage between the wirings of the liquid crystal panel 2.
  • the measurement unit 8 and the voltage application unit 9 are controlled by the main control unit 7.
  • the main control unit 7 is connected to a data storage unit 10 that stores resistance values between wirings and image data.
  • FIG. 2 is a perspective view illustrating a configuration of the defect inspection apparatus 100 according to the first embodiment.
  • an alignment stage 11 is installed on a base, and the mother substrate 1 is placed on the alignment stage 11, and the position is adjusted in parallel with the XY coordinate axes of the probe moving means 4 and the camera moving means 6.
  • an optical camera 12 for confirming the position of the mother substrate 1 is disposed above the alignment stage 11.
  • the probe moving means 4 is slidably installed on a guide rail 13 a disposed outside the alignment stage 11.
  • Guide rails 13b and 13c are also provided on the main body side of the probe moving means 4 so that the mount portion 14a can be moved along the guide rails 13 in the XYZ coordinate directions.
  • a probe 3 corresponding to the liquid crystal panel 2 is mounted on the mount portion 14a.
  • the camera moving means 6 is slidably installed on a guide rail 13d arranged outside the probe moving means 4.
  • the main body of the camera moving means 6 is also provided with guide rails 13e, 13f, and the three mount portions 14b, 14c, 14d can be moved separately along the guide rails 13 in the XYZ coordinate directions. It is like that.
  • the mounting parts 14b and 14c are equipped with a measurement camera for measuring the defective part.
  • the first infrared camera 5a for macro measurement and the second infrared camera 5b for micro measurement are mounted, and the optical camera 16 is mounted on the mount portion 14d.
  • the infrared camera 5a is an infrared camera for macro measurement whose field of view is expanded to about 520 ⁇ 405 mm.
  • the infrared camera 5a is configured by combining, for example, four infrared cameras in order to widen the field of view.
  • the infrared camera 5b is an infrared camera for micro-measurement that has a small field of view of about 32 ⁇ 24 mm but can perform high-resolution imaging.
  • the camera moving means 5 may be equipped with a laser irradiation device for correcting a defective part by adding a mount portion 14.
  • a laser irradiation device for correcting a defective part by adding a mount portion 14.
  • the probe moving means 4 and the camera moving means 6 are installed on separate guide rails 13a and 13d, the probe moving means 4 and the camera moving means 6 can move in the X coordinate direction without interference with each other. Therefore, the infrared cameras 5a and 5b and the optical camera 16 can be further moved on the liquid crystal panel 2 in a state where the probe 3 is in contact with the liquid crystal panel 2.
  • FIG. 3A is a plan view of the liquid crystal panel 2 formed on the mother substrate 1.
  • the liquid crystal panel 2 includes a pixel portion 17 in which a TFT is formed at each intersection where a scanning line and a signal line intersect, and a driving circuit portion 18 that drives the scanning line and the signal line, respectively.
  • Terminal portions 19 a to 19 d are provided at the edge of the liquid crystal panel 2, and the terminal portions 19 a to 19 d are connected to the wirings of the pixel portion 17 and the drive circuit portion 18.
  • the liquid crystal panel 2 is manufactured by forming a gate electrode, a semiconductor film, a source electrode, a drain electrode, a protective film, and a transparent electrode on a transparent substrate.
  • FIG. 3B is a plan view of the probe 3 for conducting with the terminal portions 19a to 19d provided on the liquid crystal panel 2.
  • the probe 3 has a frame shape that is substantially the same size as the liquid crystal panel 2, and includes a plurality of probe needles 21a to 21d corresponding to the terminal portions 19a to 19d.
  • the plurality of probe needles 21a to 21d can individually connect one probe needle 21 to the resistance measuring unit 8 and the voltage applying unit 9 via a switching relay (not shown). Therefore, the probe 3 can selectively connect a plurality of wirings connected to the terminal portions 19a to 19d, or can connect a plurality of wirings together.
  • the probe 3 since the probe 3 has a frame shape that is almost the same size as the liquid crystal panel 2, when the positions of the terminal portions 19a to 19d and the probe needles 21a to 21d are aligned, Can be confirmed by the optical camera 16.
  • the defect inspection apparatus 100 includes the probe 3 and the resistance measurement unit 8 connected to the probe 3.
  • the probe 3 is electrically connected to the liquid crystal panel 2, and the resistance of each wiring is connected. Value, resistance value between adjacent wirings, and the like can be measured.
  • the defect inspection apparatus 100 includes a probe 3, a voltage application unit 9 connected to the probe 3, and infrared cameras 5 a and 5 b, and wiring of the liquid crystal panel 2 through the probe 3. Further, the heat generated by applying a voltage between the wirings and causing a current to flow through the defective part can be measured by the infrared cameras 5a and 5b, and the position of the defective part can be specified.
  • a single inspection apparatus can be used for both resistance inspection and infrared inspection.
  • FIG. 4 is a flowchart of a defect inspection method using the defect inspection apparatus 100 according to the first embodiment.
  • defect inspection is sequentially performed on the plurality of liquid crystal panels 2 formed on the mother substrate 1 through steps S ⁇ b> 1 to S ⁇ b> 10.
  • step S1 the mother substrate 1 is placed on the alignment stage 11 of the defect inspection apparatus 100, and the position of the substrate is adjusted to be parallel to the XY coordinate axes.
  • step S2 the probe 2 is moved to the upper part of the liquid crystal panel 2 to be inspected by the probe moving means 9, and the probe needles 21a to 21d are brought into contact with the terminal portions 19a to 19d of the liquid crystal panel 2.
  • step S3 corresponding to the various defect modes, wiring for resistance inspection and between wirings are selected, and the probe needle 21 to be conducted is switched.
  • step S4 resistance inspection is performed, the resistance value between the selected wirings and wirings is measured, and the presence or absence of a defect is inspected by comparison with a normal resistance value.
  • FIG. 5 schematically shows the positions of defects generated in the pixel portion 17 as an example.
  • FIG. 5A shows a defect 23 that is short-circuited at a position where the wiring X and the wiring Y intersect vertically, such as a scanning line and a signal line.
  • a defect 23 is caused by switching the probe needle 19 to be conducted to 19a and 19d or 19b and 19c shown in FIG. 3, and the wiring X1 to X10 and the wiring Y1 to Y10 have a one-to-one resistance value between the wirings.
  • By measuring the presence or absence and position of a short circuit can be specified.
  • FIG. 5B shows a defect 23 short-circuited between adjacent wirings X, such as a scanning line and an auxiliary capacitance line.
  • a defect 23 is obtained by switching the probe needle 19 to be conducted between the odd number 19b and the even number 19d, and measuring the resistance value between the adjacent wires X1 to X10, thereby connecting the shorted wire. Can be identified.
  • FIG. 5C shows a defect 23 short-circuited between adjacent wirings Y, such as a signal line and an auxiliary capacitance line.
  • a defect 23 is obtained by switching the probe needle 19 to be switched between the odd number 19a and the even number 19c, and measuring the resistance value between the adjacent wires Y1 to Y10, thereby connecting the shorted wire. Can be identified.
  • step S5 it is determined whether or not to perform infrared inspection based on the presence and state of the defect 23. If there is a defect 23, the infrared inspection in step 6 is performed, and if there is no defect 23, the infrared inspection is not performed.
  • step 9 For example, as shown in FIG. 5A, when the short circuit 23 occurs at the intersection of the wiring X and the wiring Y, an abnormality is detected in the wiring X4 and the wiring Y4 by the resistance inspection between the wirings. However, when a short circuit 23 occurs between adjacent wirings as shown in FIGS.
  • a pair of wirings for example, between the wiring X3 and the wiring X4
  • the short circuit position by infrared inspection because the position of the short circuit cannot be specified in the length direction of the wiring.
  • step S6 infrared inspection is performed.
  • the range of infrared inspection is narrowed down to the defect block 24.
  • the defect block 24 is set so that the defective wiring and the periphery thereof are within the field of view of the infrared camera.
  • Step 7 sets a voltage value to be applied to the wiring in the defective block 24.
  • the voltage value applied to the wiring is adjusted by the voltage application unit 10, and a voltage of about several tens of volts is normally applied.
  • Step 8 is to detect the infrared light emitted from the defect portion 23 by photographing the defect block 24 that has generated heat due to the current flowing through the defect portion with the infrared camera 5.
  • the first infrared camera 5a for macro measurement that can fit the entire defect block 24 within the field of view is used. For this reason, the whole defect block 24 can be measured without scanning the infrared camera 5a, and the time for infrared inspection can be shortened.
  • the defect position is specified from the positional relationship between the defective portion 23 and the wiring, and is stored in the data storage unit 10.
  • the resistance value of the defect portion 23 is often larger than that of the wiring, and the heat generation is concentrated on the defect portion 23 and looks like a dot. Therefore, the defect position can be easily identified in the thermal image.
  • the periphery of the heat generating part may be measured in detail with the second infrared camera 5b for micro measurement. Since the position of the heat generating portion is specified by the first infrared camera 5a for macro measurement, the second infrared camera 5b for micro measurement can be directly aligned with the heat generating portion, and the defect portion 23 More detailed measurement can be performed in a short time with respect to information such as a shape necessary for correction of the image.
  • step 9 it is determined whether or not all inspections in various defect modes have been completed for the liquid crystal panel 2 being inspected. If there is an uninspected defect mode, the process returns to step S3, and the probe 3 is adjusted to the next defect mode. The connection is switched and the defect inspection is repeated.
  • step 10 it is determined whether the defect inspection of all the liquid crystal panels 2 has been completed for the mother substrate 1 being inspected. If there are any uninspected liquid crystal panels 2, the process returns to step S1 to determine whether the next inspection target The probe is moved to the liquid crystal panel 2 and the defect inspection is repeated.
  • the presence / absence of a defect is determined by resistance inspection, and the range of infrared inspection is narrowed down to the defect block 24 including the defective portion so as to be within the field of view of the infrared camera.
  • the infrared camera 5 does not need to be scanned over the entire substrate, and the time for infrared inspection can be shortened.
  • the first infrared camera 5a for macro measurement and the second infrared camera 5b for micro measurement are performed in two stages, whereby the first infrared camera 5a for macro measurement is used.
  • the position of the heat generating part is specified, and the second infrared camera 5b for micro measurement can be directly adjusted to the position of the heat generating part without scanning the entire substrate, and detailed measurement of the defective part can be performed in a short time. It can be carried out.
  • the resistance value measured by another resistance inspection apparatus may be used in the defect inspection method of the present invention to narrow down defect blocks to be subjected to infrared inspection.

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Abstract

　本発明の一形態である、複数の配線基板が形成されたマザー基板の中から欠陥位置を検出するための欠陥検査方法は、複数の配線基板をそれぞれ抵抗検査することにより、欠陥部を有する欠陥基板または欠陥部が含まれる欠陥ブロックを検出する工程と、欠陥基板または欠陥ブロックに電圧を印加し、欠陥部を発熱させる工程と、欠陥部が発熱した欠陥基板または欠陥ブロックを第１の赤外カメラで撮影する工程と、第１の赤外カメラで撮影した画像から欠陥部の位置をマクロ計測する工程とを含む。

Description

欠陥検査方法、欠陥検査装置、及び基板の製造方法
　本発明は、液晶パネルや太陽電池パネル等、多数の配線が形成された配線基板の欠陥検出に好適な配線の欠陥検査方法及び欠陥検査装置に関するものである。
　配線基板の一例として、例えば、液晶パネルの製造プロセスは、アレイ（ＴＦＴ）工程、セル（液晶）工程、モジュール工程に大別される。このうち、アレイ工程では、透明基板上に、ゲート電極、半導体膜、ソース・ドレイン電極、保護膜、透明電極が形成された後、アレイ検査が行なわれ、電極や配線等の配線の短絡や断線等の欠陥の有無が検査される。
　通常、アレイ検査では、このような欠陥を、配線の端部にプローブを接触させ、配線両端における電気抵抗や、隣接する配線間の電気抵抗、電気容量を測定することにより検出している。しかしながら、アレイ検査において、配線部の欠陥の有無を検出できても、その欠陥の位置を特定するのは容易ではなかった。
　例えば、欠陥の位置の特定する検査方法として、作業者が基板を顕微鏡で観察して特定する目視検査があるが、この検査方法は作業者の負担が大きく、また、目視では欠陥の判別が難しく、欠陥の位置を誤ることもあった。このため、基板を赤外カメラで撮影して画像処理を行い、欠陥位置を自動で特定する赤外検査が提案されている。
　特許文献１は赤外検査に関するものであり、図６に示すように、薄膜トランジスタ基板の走査線６１と信号線６２の、いずれも一方の端子を電気的に接続した状態で、従来の電気的検査方法と同様に導通検査がおこなわれた後、導通検査で不良と判定された基板を対象に短絡画素番地が特定される。
　短絡画素番地特定では、走査線６１と信号線６２の間に電位差を与え、短絡の発生した走査線６１と信号線６２に流れる電流による発熱を検出し、短絡位置６３を特定する。これには、１０～３０μｍ程度の微小領域の発熱部から放射される赤外光の強度に応じた赤外顕微鏡６５を用い、走査線６１と信号線６２の端子部を破線６６に沿って走査し、発熱している配線を検出する。これにより、短絡位置６３、または、短絡欠陥が発生している可能性がある短絡候補領域６３として特定される。また、短絡候補領域６３は、短絡画素番地の配線パターンを赤外顕微鏡６５の視野内に順次位置決めし、その赤外画像を検出してその強度から短絡位置６３を特定する。これらにより短絡位置６３が特定され、レーザ６７等の配線修正法により短絡が修正される。
日本国公開特許公報「特開平４－７２５５２号公報（公開日：平成４年３月６日）」
　しかしながら、従来の赤外検査では以下に示す問題がある。例えば、特許文献１の検査方法は、赤外画像検出器６５が微小領域の赤外光強度を検出するものであり、発熱部を検出するためには、基板上の走査線６１や信号線６２を走査しなければならなかった。したがって、大型液晶パネルや、複数の液晶パネルが形成されるマザー基板のように、検査領域が広範囲に至るほど、赤外検査に要する時間が長くなり、スループットを低下させる問題があった。
　そこで本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、抵抗検査と赤外検査を効果的に組合わせることにより、欠陥個所を短時間で特定することができる配線の欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することにある。
　複数の配線基板が形成されたマザー基板の中から欠陥位置を検出するための欠陥検査方法であって、複数の配線基板をそれぞれ抵抗検査することにより、欠陥部を有する欠陥基板または欠陥部が含まれる欠陥ブロックを検出する工程と、欠陥基板または欠陥ブロックに電圧を印加し、欠陥部を発熱させる工程と、欠陥部が発熱した欠陥基板または欠陥ブロックを第１の赤外カメラで撮影する工程と、第１の赤外カメラで撮影した画像から欠陥部の位置をマクロ計測する工程とからなることを特徴とする。
　また、本発明に係る別の欠陥検査方法は、複数の配線基板が形成されたマザー基板の中から配線の欠陥位置を検出するための欠陥検査方法であって、前記複数の配線基板をそれぞれ抵抗検査することにより、欠陥部を有する欠陥基板または前記欠陥部が含まれる欠陥ブロックを検出する工程と、前記欠陥基板または前記欠陥ブロックに電圧を印加し、前記欠陥部を発熱させる工程と、前記欠陥部が発熱した前記欠陥基板または前記欠陥ブロックを第１の赤外カメラで撮影する工程と、前記第１の赤外カメラで撮影した画像から前記欠陥部の位置を計測する工程と、を含むことを特徴とする。
　また、本発明に係る、基板の製造方法は、基板上に、ゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極のうちの少なくとも１つの配線を形成して、複数の配線基板が形成されたマザー基板を形成する基板形成工程と、前記複数の配線基板をそれぞれ抵抗検査することにより、欠陥部を有する欠陥基板または前記欠陥部が含まれる欠陥ブロックを検出する工程と、前記欠陥基板または前記欠陥ブロックに電圧を印加し、前記欠陥部を発熱させる工程と、前記欠陥部が発熱した前記欠陥基板または前記欠陥ブロックを第１の赤外カメラで撮影する工程と、前記第１の赤外カメラで撮影した画像から前記欠陥部の位置をマクロ計測する工程と、を含むことを特徴とする。
　また本発明に係る欠陥検査装置は、複数の配線基板が形成されたマザー基板の中から欠陥位置を検出するための欠陥検査装置であって、前記複数の配線基板をそれぞれ抵抗検査する抵抗測定部と、前記抵抗測定部による抵抗検査により欠陥を有すると判明した欠陥基板あるいは欠陥ブロックに電圧を印加する電圧印加部と、前記電圧印加部により電圧が印加された前記欠陥基板または前記欠陥ブロックを撮影する赤外カメラと、前記赤外カメラで撮影した画像から前記欠陥部の位置を計測する制御部と、を備えていることを特徴とする。
　本発明によれば、配線の欠陥個所を短時間に効率よく検出することができる。
本発明の欠陥検査装置の構成を示すブロック図である。 本発明の欠陥検査装置の構成を示す斜視図である。 液晶パネルとプローブの平面図である。 本発明の欠陥検査方法を示すフローチャートである。 画素部の欠陥を示す模式図である。 従来の欠陥検査方法を示す説明図である。
　以下、図１から図５に示す図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本実施形態では、液晶パネルの欠陥検査に適用した例について説明するが、ＰＤＰ、有機ＥＬ等の他の表示パネルや太陽電池パネルなど、多数の配線が形成される配線基板について広く適用することが可能である。
　図１は、実施例１の欠陥検査装置１００の構成を示すブロック図である。実施例１の欠陥検査装置１００は、マザー基板１上に形成された複数の液晶パネル２において配線等の欠陥を検査するものであり、液晶パネル２と導通させるためのプローブ３と、プローブ３を各液晶パネル２上に移動させるプローブ移動手段４と、赤外画像を取得するための赤外カメラ５と、赤外カメラ５を液晶パネル２上で移動させるカメラ移動手段６と、プローブ移動手段４とカメラ移動手段６を制御する主制御部７を備えている。
　また、プローブ３には、液晶パネル２の配線間の抵抗を測定するための抵抗測定部８と、液晶パネル２の配線間に電圧を印加するための電圧印加部９が接続されており、抵抗測定部８と電圧印加部９は主制御部７により制御されるようになっている。
　また、主制御部７は、配線間の抵抗値や画像データを記憶するデータ記憶部１０と接続されている。
　図２は、実施例１の欠陥検査装置１００の構成を示す斜視図である。欠陥検査装置１００は、基台上にアライメントステージ１１が設置されており、アライメントステージ１１にはマザー基板１が載置され、プローブ移動手段４及びカメラ移動手段６のＸＹ座標軸と平行に位置調整される。また、アライメントステージ１１の上方には、マザー基板１の位置を確認するための光学カメラ１２が配置されている。
　プローブ移動手段４は、アライメントステージ１１の外側に配置されたガイドレール１３ａにスライド可能に設置されている。また、プローブ移動手段４の本体側にもガイドレール１３ｂ、１３ｃが設けられており、マウント部１４ａがこれらのガイドレール１３に沿ってＸＹＺの各座標方向に移動できるように設けられている。このマウント部１４ａには、液晶パネル２に対応したプローブ３が搭載されている。
　カメラ移動手段６は、プローブ移動手段４の外側に配置されたガイドレール１３ｄにスライド可能に設置されている。また、カメラ移動手段６の本体にもガイドレール１３ｅ、１３ｆが設けられており、３箇所のマウント部１４ｂ、１４ｃ、１４ｄがこれらのガイドレール１３に沿ってＸＹＺの各座標方向に別々に移動できるようになっている。
　マウント部１４ｂと１４ｃには、欠陥部を計測する計測用のカメラが搭載されている。本実施形態では、マクロ計測用の第１の赤外カメラ５ａとミクロ計測用の第２の赤外カメラ５ｂが搭載され、また、マウント部１４ｄには、光学カメラ１６が搭載されている。
　赤外カメラ５ａは、視野が５２０×４０５ｍｍ程度まで広げられたマクロ計測するための赤外カメラである。赤外カメラ５ａは、視野を広げるため、例えば、４台の赤外カメラを組合わせて構成されている。また、赤外カメラ５ｂは、視野が３２×２４ｍｍ程度と小さいが高分解能の撮影が行える、ミクロ計測するための赤外カメラである。
　なお、カメラ移動手段５には、マウント部１４を追加して、欠陥個所を修正するためのレーザ照射装置を搭載することもできる。レーザ照射装置を搭載することにより、欠陥部の位置を特定した後、欠陥部にレーザ照射をして、欠陥修正を連続して行うことができる。
　プローブ移動手段４とカメラ移動手段６は、別々のガイドレール１３ａ、１３ｄに設置されているため、アライメントステージ１３の上方をＸ座標方向に、互いに干渉されずに移動することができる。このため、液晶パネル２にプローブ３を接触させた状態で、さらに、液晶パネル２上に赤外カメラ５ａ、５ｂ、光学カメラ１６を移動させることができる。
　図３（ａ）は、マザー基板１に形成される液晶パネル２の平面図である。液晶パネル２には、走査線と信号線が交差する各交点にＴＦＴが形成された画素部１７と、走査線と信号線をそれぞれ駆動する駆動回路部１８が形成されている。液晶パネル２の縁部には、端子部１９ａ～１９ｄが設けられており、端子部１９ａ～１９ｄは画素部１７や駆動回路部１８の各配線と繋がっている。
　なお、この液晶パネル２は、透明基板上に、ゲート電極、半導体膜、ソース電極、ドレイン電極、保護膜、及び透明電極が形成されることで作製されている。
　図３（ｂ）は、液晶パネル２に設けられた端子部１９ａ～１９ｄと導通させるためのプローブ３の平面図である。プローブ３は、液晶パネル２の大きさとほぼ同じ大きさの枠状の形状をなしており、端子部１９ａ～１９ｄに対応した複数のプローブ針２１ａ～２１ｄを備えている。複数のプローブ針２１ａ～２１ｄは、図示しないスイッチングリレーを介して、プローブ針２１の一本づつを個別に、抵抗測定部８、電圧印加部９に接続できるようになっている。このため、プローブ３は、端子部１９ａ～１９ｄにつながる複数の配線を選択的に接続させたり、複数の配線をまとめて接続させることができる。
　また、プローブ３は、液晶パネル２とほぼ同じ大きさの枠状の形状をなしているため、端子部１９ａ～１９ｄとプローブ針２１ａ～２１ｄの位置を合わせる際に、プローブ３の枠部の内側から光学カメラ１６で確認することができる。
　上記のように、実施例１の欠陥検査装置１００は、プローブ３と、プローブ３と接続された抵抗測定部８を備えており、プローブ３を液晶パネル２に導通させて、それぞれの配線の抵抗値や、隣接する配線間の抵抗値などを測定することができる。
　また、実施例１の欠陥検査装置１００は、プローブ３と、プローブ３と接続された電圧印加部９と、赤外カメラ５ａ、５ｂとを備えており、プローブ３を介して液晶パネル２の配線や配線間に電圧を印加し、欠陥部に電流が流れることによる発熱を、赤外カメラ５ａ、５ｂで計測し、欠陥部の位置を特定することができる。
　したがって、本発明の欠陥検査装置１００によれば、１台の検査装置により、抵抗検査と赤外検査を兼用して行なうことができる。
　図４は、実施例１の欠陥検査装置１００を用いた欠陥検査方法のフローチャートである。本発明の欠陥検査方法は、図４に示すように、マザー基板１に形成された複数の液晶パネル２について、Ｓ１からＳ１０のステップにより、順次、欠陥検査が実施される。
　ステップＳ１では、欠陥検査装置１００のアライメントステージ１１にマザー基板１が載置され、ＸＹ座標軸と平行になるよう基板の位置が調整される。
　ステップＳ２では、プローブ移動手段９によりプローブ２が検査対象となる液晶パネル２の上部に移動され、プローブ針２１ａ～２１ｄが液晶パネル２の端子部１９ａ～１９ｄに接触される。
　ステップＳ３では、各種欠陥のモードに対応して、抵抗検査するための配線や配線間が選択され、導通させるプローブ針２１の切り替えが行なわれる。
　ステップＳ４では、抵抗検査が行なわれ、選択された配線や配線間の抵抗値が測定され、正常な抵抗値との比較により欠陥の有無が検査される。
　図５は、一例として、画素部１７に生じる欠陥の位置を模式的に示している。図５（ａ）は、例えば、走査線と信号線のように、配線Ｘと配線Ｙが上下に交差する位置で短絡した欠陥２３を示している。このような欠陥２３は、導通させるプローブ針１９を、図３に示した１９ａと１９ｄ、若しくは、１９ｂと１９ｃに切り替えて、配線Ｘ１～Ｘ１０と配線Ｙ１～Ｙ１０について一対一で配線間の抵抗値を測定することにより、短絡の有無と位置を特定できる。
　図５（ｂ）は、例えば、走査線と補助容量線のように、隣接する配線Ｘの配線間で短絡した欠陥２３を示している。このような欠陥２３は、導通させるプローブ針１９を、１９ｂの奇数番と１９ｄの偶数番に切り替えて、配線Ｘ１～Ｘ１０の隣り合う配線間の抵抗値を測定することにより、短絡の有る配線を特定できる。
　図５（ｃ）は、例えば、信号線と補助容量線のように、隣接する配線Ｙの配線間で短絡した欠陥２３を示している。このような欠陥２３は、導通させるプローブ針１９を、１９ａの奇数番と１９ｃの偶数番に切り替えて、配線Ｙ１～Ｙ１０の隣り合う配線間の抵抗値を測定することにより、短絡の有る配線を特定できる。
　ステップＳ５では、欠陥２３の有無と状態により赤外検査を行なうかどうか判断しており、欠陥２３が有る場合はステップ６の赤外検査を行ない、欠陥２３がない場合は赤外検査を行なわずにステップ９に移行する。例えば、図５（ａ）に示すように、配線Ｘと配線Ｙが交差する個所で短絡２３が生じる場合は、配線間の抵抗検査により、配線Ｘ４と配線Ｙ４に異常が検出されるので、短絡の位置まで特定することができるが、図５（ｂ）や図５（ｃ）のように、隣接する配線間で短絡２３生じる場合は、一対の配線、例えば、配線Ｘ３と配線Ｘ４の間に短絡が有ることは特定できるが、その配線の長さ方向においては短絡の位置を特定できないため、短絡位置を赤外検査により特定することが必要となる。
　ステップＳ６では、赤外検査が行なわれるが、ここで、赤外カメラ５を走査する時間を短縮するため、赤外検査の範囲を欠陥ブロック２４に絞り込んでいる。この欠陥ブロック２４は、欠陥の有る配線とその周辺が赤外カメラの視野に収まるように設定される。
　例えば、図５（ｂ）のような欠陥がある場合、抵抗検査の結果から、Ｘ３－Ｘ４間とＸ５－Ｘ６間の２つの配線間に短絡があることが判っているので、検査対象とする範囲を斜線で囲むＸ３からＸ６の欠陥ブロック２４に絞込み、この欠陥ブロック２４についてのみ赤外検査が行なわれる。もし、複数の短絡があって一つの視野内に収まらない場合は、別の欠陥ブロック２４に分かれて設定される。
　ステップ７は、欠陥ブロック２４内の配線に印加する電圧値を設定している。配線に印加する電圧値は、電圧印加部１０によって調整され、通常、数十ボルト程度の電圧が印加される。
　ステップ８は、欠陥部に電流が流れて発熱した欠陥ブロック２４を、赤外カメラ５で撮影し、欠陥部２３から放出される赤外光を検出している。ここで、欠陥ブロック２４の全体を視野内に収めることができるマクロ計測用の第１の赤外カメラ５ａを用いている。このため、赤外カメラ５ａを走査せずに欠陥ブロック２４の全体を計測することができ、赤外検査の時間を短縮することができる。計測された熱画像は、電流が流れる欠陥部２３とその配線の温度が周辺よりも高く表示されるので、欠陥部２３と配線の位置関係から欠陥位置が特定され、データ記憶部１０に記憶される。特に、欠陥部２３の抵抗値は配線よりも大きい場合が多く、発熱が欠陥部２３に集中し点状に見えるため、熱画像において欠陥位置を容易に特定することができる。
　なお、ステップ８において、さらに、発熱部の周辺をミクロ計測用の第２の赤外カメラ５ｂで詳細に計測してもよい。マクロ計測用の第１の赤外カメラ５ａにより、発熱部の位置が特定されているため、ミクロ計測用の第２の赤外カメラ５ｂを、直接、発熱部に合わせることができ、欠陥部２３の修正に必要となる形状などの情報について、さらに詳細な計測を短時間で行なうことができる。
　ステップ９は、検査中の液晶パネル２について、各種欠陥モードの全検査が終了しているか判断され、未検査の欠陥モードがあれば、スッテプＳ３に戻り、次の欠陥モードに合せてプローブ３の接続が切り替えられ、欠陥検査が繰り返される。
　ステップ１０は、検査中のマザー基板１について、全ての液晶パネル２の欠陥検査が終了しているか判断され、未検査の液晶パネル２が残っていれば、スッテプＳ１に戻り、次の検査対象となる液晶パネル２にプローブが移動されて、欠陥検査が繰り返される。
　本発明の欠陥検査方法によれば、抵抗検査により欠陥の有無を判断し、赤外検査の範囲を欠陥部が含まれる欠陥ブロック２４に絞込み、赤外カメラの視野内に収まるようにしているため、赤外カメラ５を基板全体に走査させる必要がなく、赤外検査の時間を短縮することができる。
　また、赤外検査において、マクロ計測用の第１の赤外カメラ５ａとミクロ計測用の第２の赤外カメラ５ｂの２段階で行なうことにより、マクロ計測用の第１の赤外カメラ５ａで発熱部の位置を特定し、ミクロ計測用の第２の赤外カメラ５ｂを基板全体に走査させずに、直接、発熱部の位置に合わせることができ、欠陥部の詳細な計測を短時間で行うことができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　例えば、別の抵抗検査装置により測定した抵抗値を、本発明の欠陥検査方法で用いて、赤外検査を行なう欠陥ブロックを絞り込んでもよい。
１　マザー基板
２　液晶パネル
３　プローブ
４　プローブ移動手段
５、５ａ、５ｂ　赤外カメラ
６　カメラ移動手段
７　主制御部
８　抵抗測定部
９　電圧印加部
１０　データ記憶部

Claims (7)

  1. 　複数の配線基板が形成されたマザー基板の中から欠陥位置を検出するための欠陥検査方法であって、
    　前記複数の配線基板をそれぞれ抵抗検査することにより、欠陥部を有する欠陥基板または前記欠陥部が含まれる欠陥ブロックを検出する工程と、
    　前記欠陥基板または前記欠陥ブロックに電圧を印加し、前記欠陥部を発熱させる工程と、
    　前記欠陥部が発熱した前記欠陥基板または前記欠陥ブロックを第１の赤外カメラで撮影する工程と、
    　前記第１の赤外カメラで撮影した画像から前記欠陥部の位置をマクロ計測する工程とからなることを特徴とする欠陥検査方法。
  2. 　前記欠陥部の位置を、第２の赤外カメラで撮影する工程と、
    　前記第２の赤外カメラで撮影した画像から前記欠陥位置をミクロ計測する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査方法。
  3. 　複数の配線基板が形成されたマザー基板の中から配線の欠陥位置を検出するための欠陥検査方法であって、
    　前記複数の配線基板をそれぞれ抵抗検査することにより、欠陥部を有する欠陥基板または前記欠陥部が含まれる欠陥ブロックを検出する工程と、
    　前記欠陥基板または前記欠陥ブロックに電圧を印加し、前記欠陥部を発熱させる工程と、
    　前記欠陥部が発熱した前記欠陥基板または前記欠陥ブロックを第１の赤外カメラで撮影する工程と、
    　前記第１の赤外カメラで撮影した画像から前記欠陥部の位置を計測する工程と、
    を含むことを特徴とする欠陥検査方法。
  4. 　前記計測する工程は、マクロ計測工程であり、
    　上記欠陥検査方法は、さらに、
    　前記欠陥部の位置を、第２の赤外カメラで撮影する工程と、
    　前記第２の赤外カメラで撮影した画像から前記欠陥位置をミクロ計測する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項３に記載の欠陥検査方法。
  5. 　基板上に、ゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極のうちの少なくとも１つの配線を形成して、複数の配線基板が形成されたマザー基板を形成する基板形成工程と、
    　前記複数の配線基板をそれぞれ抵抗検査することにより、欠陥部を有する欠陥基板または前記欠陥部が含まれる欠陥ブロックを検出する工程と、
    　前記欠陥基板または前記欠陥ブロックに電圧を印加し、前記欠陥部を発熱させる工程と、
    　前記欠陥部が発熱した前記欠陥基板または前記欠陥ブロックを第１の赤外カメラで撮影する工程と、
    　前記第１の赤外カメラで撮影した画像から前記欠陥部の位置をマクロ計測する工程と、
    を含むことを特徴とする基板の製造方法。
  6. 　複数の配線基板が形成されたマザー基板の中から欠陥位置を検出するための欠陥検査装置であって、
    　前記複数の配線基板をそれぞれ抵抗検査する抵抗測定部と、
    　前記抵抗測定部による抵抗検査により欠陥を有すると判明した欠陥基板あるいは欠陥ブロックに電圧を印加する電圧印加部と、
    　前記電圧印加部により電圧が印加された前記欠陥基板または前記欠陥ブロックを撮影する赤外カメラと、
    　前記赤外カメラで撮影した画像から前記欠陥部の位置を計測する制御部と、
    を備えていることを特徴とする欠陥検査装置。
  7. 　上記赤外カメラは、第１の赤外カメラと、第２の赤外カメラとを有し、
    　上記第１の赤外カメラは、上記第２の赤外カメラよりも視野が広く、また、前記第２の赤外カメラは、上記第１の赤外カメラよりも分解能が高いことを特徴とする請求項６に記載の欠陥検査装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109142453A (zh) * 2018-08-30 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板检测方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5261540B2 (ja) * 2011-06-24 2013-08-14 シャープ株式会社 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
CN104569722A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 江苏武进汉能光伏有限公司 一种薄膜电池微短路的测试方法
CN105158678A (zh) * 2015-10-23 2015-12-16 湖北三江航天万峰科技发展有限公司 一种印制电路板短路故障点快速检测装置
JP6871070B2 (ja) 2017-06-06 2021-05-12 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイス検査方法
CN107065247A (zh) * 2017-06-07 2017-08-18 惠科股份有限公司 一种显示面板检测方法、装置及系统
CN107192759B (zh) * 2017-06-09 2019-08-27 湖南大学 一种基于感应光热辐射的光伏电池无损检测方法及系统
CN107655937A (zh) * 2017-08-25 2018-02-02 南京航空航天大学 一种结构损伤实时监测与定位方法
CN109991489A (zh) * 2017-12-30 2019-07-09 深圳市泰瑞达科技有限公司 一种发热涂层组件的安全检测电路及其系统
CN111458353B (zh) * 2020-05-29 2023-03-10 无锡和博永新科技有限公司 一种电阻基板正反检测方法
CN113469293B (zh) * 2021-09-02 2021-11-09 成都数联云算科技有限公司 面板阵列短路检测方法、装置、电子设备及存储介质

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0472552A (ja) * 1990-07-13 1992-03-06 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ基板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方法
JPH08233559A (ja) * 1995-02-27 1996-09-13 Sharp Corp 配線基板の検査装置
JPH0949759A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Hitachi Electron Eng Co Ltd 赤外線カメラの対物レンズ交換機構
JP2004301658A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Shimadzu Corp 基板検査装置
JP2005503532A (ja) * 2000-11-30 2005-02-03 キャンデゼント テクノロジーズ コーポレイション 電気短絡欠陥を赤外線検出するための方法およびシステム
JP2006505764A (ja) * 2002-01-23 2006-02-16 マレナ システムズ コーポレーション 欠陥検出及び解析用赤外線サーモグラフィ
JP2009121894A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Fujitsu Ltd 導電体パターンの欠陥検査方法及び欠陥検査装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3229411B2 (ja) * 1993-01-11 2001-11-19 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタ基板の欠陥検出方法およびその修正方法
JP2003248208A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示パネルの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0472552A (ja) * 1990-07-13 1992-03-06 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ基板の検査方法および薄膜トランジスタ基板の配線修正方法
JPH08233559A (ja) * 1995-02-27 1996-09-13 Sharp Corp 配線基板の検査装置
JPH0949759A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Hitachi Electron Eng Co Ltd 赤外線カメラの対物レンズ交換機構
JP2005503532A (ja) * 2000-11-30 2005-02-03 キャンデゼント テクノロジーズ コーポレイション 電気短絡欠陥を赤外線検出するための方法およびシステム
JP2006505764A (ja) * 2002-01-23 2006-02-16 マレナ システムズ コーポレーション 欠陥検出及び解析用赤外線サーモグラフィ
JP2004301658A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Shimadzu Corp 基板検査装置
JP2009121894A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Fujitsu Ltd 導電体パターンの欠陥検査方法及び欠陥検査装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109142453A (zh) * 2018-08-30 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板检测方法

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