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WO2012102313A1 - フォトマスクの製造方法 - Google Patents

フォトマスクの製造方法 Download PDF

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WO2012102313A1
WO2012102313A1 PCT/JP2012/051574 JP2012051574W WO2012102313A1 WO 2012102313 A1 WO2012102313 A1 WO 2012102313A1 JP 2012051574 W JP2012051574 W JP 2012051574W WO 2012102313 A1 WO2012102313 A1 WO 2012102313A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
photomask
thickness distribution
polishing
plate thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/051574
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
生田　順亮
直弘 梅尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2012554824A priority Critical patent/JP5880449B2/ja
Publication of WO2012102313A1 publication Critical patent/WO2012102313A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging

Definitions

  • the present invention relates to a photomask manufacturing method, and more particularly to a manufacturing method suitable for a reflective photomask for EUV lithography (EUVL) using EUV (Extreme Ultra Violet) light.
  • EUVL EUV lithography
  • EUV Extreme Ultra Violet
  • the exposure apparatus for transferring a fine circuit pattern onto a wafer to manufacture a semiconductor device has been widely used.
  • semiconductor devices are highly integrated, speeded up, and power saved, semiconductor devices are becoming finer.
  • the exposure apparatus is required to form an image of a finer semiconductor device circuit pattern on the wafer surface with a greater depth of focus, and the wavelength of the exposure light source is being shortened.
  • the light used as the exposure light source proceeds from the conventional g-line (wavelength 436 nm), i-line (wavelength 365 nm) and KrF excimer laser (wavelength 248 nm), and ultraviolet light from an ArF excimer laser (wavelength 193 nm). Is used.
  • EUV light refers to light in the wavelength band of the soft X-ray region or the vacuum ultraviolet region, specifically, light having a wavelength of about 0.2 to 100 nm. At present, the use of light having a wavelength near 13.5 nm as a lithography light source is mainly studied.
  • EUVL The exposure principle of EUV lithography
  • a mask pattern is reduced and projected onto a wafer using a projection optical system, but in the energy region of EUV light.
  • a transmission / refraction optical system using a transmission type photomask usually used in an exposure apparatus that uses light of wavelength 193 to 436 nm as a light source cannot be used, and a reflection optical system is used.
  • the optical member of the reflective optical system is composed of a reflective photomask and a plurality of reflective mirrors, and the ratio of the pattern formed on the mask to the resist formed on the wafer via the reflective mirror is 1/4. Projected at a reduced magnification of ⁇ 1/5.
  • the reflection type photomask mainly includes four procedures (first procedure; preparation of polishing substrate, second procedure; creation of ML blank, third procedure; creation of mask blank, and fourth procedure; photomask It is a kind of optical member (optical member for EUVL) obtained through preparation.
  • FIGS. 1 and 2 For reference, the cross-sectional structures of a mask blank and a reflective photomask are schematically shown in FIGS. 1 and 2, respectively.
  • 1 is a polishing substrate
  • 2 is a multilayer reflective film (hereinafter abbreviated as “ML film”) formed on the surface on which the polishing substrate is formed
  • 3 is a protection formed on the ML film surface.
  • 4 is an absorption film formed on the protective film surface
  • 5 is an antireflection film formed on the absorption film surface
  • 6 is a resist film formed on the antireflection film
  • 7 is formed on the back surface of the polishing substrate.
  • the conductive film made is shown.
  • FIG. 4 shows a side view of the polishing substrate (in the drawing, exaggerated expression is shown for easy understanding of the deformation mode).
  • FIG. 4A shows a polishing substrate before final (local) polishing
  • FIG. 4B shows a polishing substrate after local polishing.
  • a mask pattern is formed on the EUV light absorption film of the mask blank, the EUV light reflection layer is exposed and the EUV light is reflected, and the reflection layer is covered with the absorption film so that the EUV light is hardly reflected. It has a part.
  • a conductive film having a sheet resistance of 100 ⁇ or less (for example, CrN, Cr, CrO, CrON, TaN, etc.) are usually formed.
  • the reflective photomask is attracted and held by an electrostatic chuck using a conductive film formed on the back surface thereof, and the mask pattern formed on the film formation surface is formed on the wafer. Reduced projection and transfer to a resist film. At this time, the flatter the mask pattern formation surface of the reflective photomask is, the more faithfully transferred and formed the mask pattern formed on the reflective photomask deposition surface onto the resist film on the wafer at a desired position. Therefore, it is preferable.
  • the required accuracy with respect to the circuit pattern formation position is 5 nm or less, and further, 3 nm or less, which is extremely strict. Therefore, for the flatness of the surface on which the polishing substrate is formed and the back surface, the conventional required level of 250 nm or less is extremely low, such as 100 nm or less, further 50 nm or less, and further 30 nm or less for the EUVL polishing substrate. Strict levels have been required.
  • the flatness of the polishing substrate is the maximum value of the height difference in the gentle irregularities having a spatial wavelength of 0.1 mm or more on the surface on which the polishing substrate is formed and the back surface. (See FIG. 4 of Non-Patent Document 1).
  • there are no defects such as scratches or leaks having a depth of 1 nm or more and defects such as minute irregularities having a polystyrene latex particle diameter conversion size of 50 nm or more on the surface on which the polishing substrate is formed. That is also sought.
  • the strict requirements as described above are mainly due to the fact that the wavelength of light used for exposure is extremely short, 1/10 or less compared with 193 nm of the current mainstream ArF lithography. It is unique to photomasks.
  • the level of the processing method does not always catch up with the above required level, and in reality, it is possible to obtain a polished substrate that satisfies all of the mirror surface (smoothness), the number of low defects, and the high flatness at the same time. It is extremely difficult. Therefore, a method of using a reflective mask using a polishing substrate that does not reach the required flatness has been proposed (see Patent Documents 1 and 2, Non-Patent Document 1). Specifically, when drawing a mask pattern using an electron beam or the like, the mask pattern depends on the flatness of the surface and the back surface of the polishing substrate constituting the mask blank or the thickness distribution of the polishing substrate. This is a method of adjusting the formation position.
  • the demand for the flatness of the polishing substrate constituting the mask blank is reduced to 300 nm or less.
  • a polishing substrate having a small number of defects such as a flatness of 300 nm or less on the surface to be formed and a back surface, a surface roughness (RMS) of 0.15 nm or less on the surface to be formed, and a size of 50 nm or more on the surface to be formed.
  • the polishing substrate can be processed considerably easily because it can be realized by focusing only on the surface roughness and defects.
  • the adjustment of the mask pattern formation position is not used only for the EUVL reflective photomask, but other photomasks, i.e., i-line (wavelength 365 nm), KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer Needless to say, the present invention can also be applied to a transmissive photomask for lithography using a laser (wavelength: 193 nm) as a light source.
  • a photomask particularly, a reflective photomask for EUVL
  • a mask pattern of a photomask particularly, a reflective photomask for EUVL
  • the mask pattern formation position is individually adjusted according to the flatness and thickness distribution of the polishing substrate for each mask blank, that is, the mask pattern formation position needs to be adjusted for each mask blank. Therefore, there is a problem that the mask pattern forming operation becomes complicated, and improvement is strongly demanded from the viewpoint of productivity and cost.
  • the present invention provides a photomask (particularly, a reflective type for EUVL) in which the mask pattern forming position does not have to be individually adjusted according to the flatness and thickness distribution of the polishing substrate for each mask blank.
  • An object of the present invention is to provide a manufacturing method of a photomask.
  • a photomask manufacturing method draws a mask pattern on a mask blank having at least a polishing substrate and a light absorption film formed on the polishing substrate based on the mask pattern design.
  • a method of manufacturing a photomask Measured at least one of the surface shape of a plurality of polishing substrates or the surface shape of a plurality of mask blanks, and after calculating a reference surface shape or a reference plate thickness distribution based on the measured surface shape, the calculated A mask pattern forming position at the time of drawing the mask pattern is adjusted based on a reference surface shape or a reference plate thickness distribution.
  • the photomask is a reflective photomask for EUVL
  • the mask blank has a multilayer reflective film (ML film) between the polishing substrate and the light absorption film, and light formed on the ML film.
  • the absorption film is preferably an EUV light absorption film.
  • the reference surface shape is the average shape of the surface shapes of the surface and the back surface of the plurality of polishing substrates, or the film formation surface and the back surface of the mask blanks, respectively.
  • the average shape of the surface shape is preferably itself.
  • the reference surface shape is an average shape of the surface shapes of the surface and the back surface of the plurality of polishing substrates or each of the film formation surface and the back surface of the plurality of mask blanks. It is also preferable that the average shape of the surface shape is calculated, and the calculated average shape is approximated by a polynomial such as a Legendre polynomial or a Zernike polynomial.
  • the reference surface shape is a surface shape of each of the surface and the back surface of the plurality of polishing substrates or a surface shape of each of the film formation surfaces and the back surface of the plurality of mask blanks. It is also preferable that at least one of these be approximated by a polynomial such as a Legendre polynomial or a Zernike polynomial, and obtained by averaging them.
  • the reference plate thickness distribution is an average of plate thickness distributions of the plurality of polishing substrates or an average of plate thickness distributions of the plurality of mask blanks.
  • the reference plate thickness distribution is calculated by calculating an average plate thickness distribution of the plurality of polishing substrates or an average plate thickness distribution of the plurality of mask blanks, and calculating the calculated average plate thickness distribution. It is also preferable that it is obtained by approximation with a polynomial such as a Legendre polynomial or a Zernike polynomial.
  • the reference plate thickness distribution is a polynomial such as a Legendre polynomial or a Zernike polynomial, wherein at least one of the plate thickness distribution of the plurality of polishing substrates or the plate thickness distribution of the plurality of mask blanks. It is also preferable that they are approximated and obtained by averaging them.
  • the mask pattern formation position is adjusted based on the measurement data, and the mask pattern is drawn, in this manufacturing method, Since a plurality of polishing substrates are drawn by adjusting the mask pattern formation position based on the same reference surface shape or the same reference plate thickness distribution, the mask pattern formation position adjustment time is greatly shortened.
  • the reference surface shape or the reference of the five polishing substrates is used. It only needs to be adjusted once based on the plate thickness distribution. As a result, the productivity of the photomask is significantly improved.
  • This manufacturing method makes it possible to achieve both high productivity of a photomask and provision of a photomask having sufficient accuracy for EUVL, and stably improve the transfer accuracy during EUVL implementation.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of a mask blank (for EUVL).
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of a photomask (reflection type for EUVL).
  • FIG. 3 is a top view of the mask blank as viewed from the pattern forming surface side of the photomask (EUVL reflective type).
  • 4 (a) and 4 (b) are side views of the polishing substrate.
  • FIGS. 5A to 5D are diagrams for explaining the procedure for calculating the plate thickness distribution of the polishing substrate used for the mask blank.
  • FIG. 6 is a conceptual diagram illustrating a method for adjusting the formation position of the mask pattern.
  • FIG. 7 shows the measurement result of the surface shape of the surface on which five polishing substrates are deposited and the average shape (reference surface shape).
  • FIG. 8 shows the measurement results of the surface shape of the back surface of five polishing substrates and the average shape (reference surface shape).
  • FIG. 9 is an example in which the average surface shape of each of the surfaces on which the five polishing substrates are deposited is approximated by a Legendre polynomial to obtain the respective reference surface shapes.
  • FIG. 10 shows the thickness distribution of the polishing substrate calculated by adding the measurement result of the surface shape of the surface to be deposited after reversing the measurement result of the surface shape of the back surface of the five polishing substrates, It is an average plate thickness distribution (reference plate thickness distribution) of the polishing substrate.
  • FIG. 11 is an example in which the average plate thickness distribution of five polishing substrates is approximated by a Legendre polynomial to obtain a reference plate thickness distribution.
  • the present invention relates to a photomask manufacturing method.
  • an outline of a photomask manufacturing method is described in the following four procedures (first procedure; preparation of polishing substrate, second procedure; creation of ML blank, third procedure; creation of mask blank, and fourth procedure; photomask ).
  • first procedure preparation of polishing substrate
  • second procedure creation of ML blank
  • third procedure creation of mask blank
  • fourth procedure photomask
  • the second procedure creating an ML blank
  • two opposing surfaces having a smooth and flat surface with a very small surface roughness and no gentle irregularities with a spatial wavelength of 0.1 mm or more and four side surfaces connecting the two opposing surfaces A substrate having the following (hereinafter referred to as a polishing substrate) is prepared. Of the two opposing surfaces having the flat surface, one surface finally becomes a surface on which a semiconductor device circuit pattern is formed (hereinafter referred to as a film formation surface), and the remaining surface on which no pattern is formed (hereinafter referred to as a surface). Called the back side).
  • the polishing substrate is required to have low thermal expansion so that expansion and contraction due to temperature change does not occur as much as possible. Therefore, for example, silica glass containing TiO 2 (hereinafter abbreviated as TiO 2 —SiO 2 glass), silica glass (SiO 2 glass), and the like are preferable materials.
  • TiO 2 —SiO 2 glass silica glass containing TiO 2
  • SiO 2 glass silica glass
  • a rectangular parallelepiped made of the material is manufactured, cut and processed into a slice substrate, and polished to create a polished substrate.
  • an ML blank is produced in which an ML film that reflects EUV light is formed on the surface of the polishing substrate obtained in the first procedure.
  • a multilayer reflective film having a high reflectance by stacking alternately a high refractive index film (for example, Si) and a low refractive index layer (for example, Mo) in EUV light is usually used.
  • a protective film eg, Ru, Si, TiO 2 or the like
  • Ru, Si, TiO 2 or the like may be usually formed on the ML film.
  • a light absorption film is formed on the polishing substrate obtained in the first procedure.
  • EUV light is absorbed on the ML film of the ML blank obtained in the second procedure (or on the protective film if a protective film is formed on the ML film).
  • An absorption film for example, Ta or TaN
  • an antireflection film for example, TaON or TaO
  • a resist film is formed on the absorption film (on the antireflection film if an antireflection film is formed).
  • a mask blank (see FIG. 1 for the cross-sectional structure) is such that an absorption film, an antireflection film, and a resist film are formed in this order on the ML blank in this order.
  • the final fourth procedure is the formation of a mask pattern. That is, (4-1) using a drawing apparatus that uses an electron beam or ultraviolet light as a light source, clamping the side of the mask blank or the vicinity of the outer periphery of the front and back surfaces, and holding the mask blank in some way, Drawing the designed mask pattern on the film, (4-2) heating, (4-3) removing the unnecessary resist film, (4-4) removing the unnecessary resist film, and exposing it
  • This process consists of a series of processes such as etching away the absorbed film (both antireflective film and absorption film when antireflection film is formed) and (4-5) removing the remaining resist film. .
  • the present invention relates to a method of manufacturing a photomask, and is particularly characterized by adjusting a mask pattern forming position.
  • the present invention will be described in detail focusing on this.
  • a polishing substrate is obtained by obtaining a substrate processed to a desired shape accuracy from a lump of material, and using a double-sided lapping (polishing) machine on the surface of the substrate on which the polishing substrate is to be formed and the back surface.
  • a polishing slurry containing water and water can be supplied to a polishing pad or the like to simultaneously polish both surfaces.
  • the local polishing method include mechanical, chemical mechanical, MRF using magnetic abrasive grains, a beam (laser) irradiation method, a gas cluster ion beam etching method, and the like.
  • the polishing substrate is required to have excellent surface smoothness on the surface to be formed and the back surface.
  • the result (RMS) of the surface roughness of the surface to be deposited and the back surface in the quality assurance region measured with an atomic force microscope in a 10 ⁇ m ⁇ 10 ⁇ m square region is 0. It is preferably 0.5 nm or less, more preferably 0.3 nm or less, and further preferably 0.15 nm or less.
  • the quality assurance region is a region in which light such as EUV light for exposure or alignment is irradiated and alignment in a mask blank and a photomask manufactured using the polishing substrate. This is a region irradiated with EUV light or ultraviolet to visible light for mask identification.
  • the quality assurance area on the back surface is an area for attracting and holding the EUVL mask blank and the reflective mask with an electrostatic chuck.
  • the quality assurance area 11 is the quality assurance area.
  • the range of the quality assurance region varies depending on the dimensions of the mask blank (for EUVL), more specifically, the dimensions of the surface and the back surface on which the polishing substrate is formed. In the case of 152 ⁇ 152 mm square, the range of the quality assurance region is a 142 mm ⁇ 142 mm square region excluding the outer edge portion of 5 mm from the end.
  • the polishing substrate is required to have no convex defects such as particles and concave defects such as scratches, leaks, and pits on the surface of the surface on which the film is formed.
  • the number of both concave and convex defects having a polystyrene latex particle size conversion size of 150 nm or more is preferably 10 or less, and more preferably 5 or less. Preferably, it is 0.
  • the number of both concave and convex defects having a silica particle diameter conversion size of 70 nm or more is preferably 100 or less, more preferably 80 or less, and 60 or less. More preferably.
  • the apparatus for measuring the surface shape of the surface on which the polishing substrate is formed and the back surface is a laser interference type flatness meter (for example, Verifire, Mark IV manufactured by Zygo, G310S manufactured by Fujinon, FlatMaster manufactured by Tropel, etc. ), A laser displacement meter, an ultrasonic displacement meter, a contact displacement meter, or the like can be used.
  • the residue obtained by removing the tilt component from the results obtained using various measuring devices is the surface shape, and the difference between the maximum value and the minimum value of the surface shape is the flatness.
  • the wavelength of 300 to 800 nm is used.
  • an interferometer that uses visible light as a light source (for example, Zirgo Verifire, Mark IV, Fujinon G310S, Tropel FlatMaster, etc.)
  • the surface shape of the surface on which another polishing substrate is formed and the surface shape of the back surface are measured by the above-described laser interference type flatness measuring machine, and the thickness is calculated by adding them together.
  • the surface shape measurement result of one of the surface shape (or the surface profile) of the surface to be deposited and the back surface is reversed, and then the other surface It is necessary to add to the shape measurement result.
  • the former method since the obtained maximum plate thickness distribution includes the refractive index distribution of the substrate material, the latter is preferable in the case of a substrate obtained using a material having a refractive index distribution.
  • the latter measurement method will be described in more detail.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a procedure for calculating a plate thickness distribution of the polishing substrate (for EUVL). The procedure will be described below with reference to FIG. First, as shown in FIG. 5A and FIG. 5B, after measuring the surface shapes (or surface profiles) of the surface C and the back surface D to be formed, as shown in FIG. 5C. Invert the measurement result of the surface shape (or surface profile) of the back surface D, add the measurement result of the surface shape (or surface profile) of the surface C to be deposited, and add the tilt component from the addition result. By removing, the plate thickness distribution of the polishing substrate for EUVL shown in FIG. 5D is calculated.
  • the maximum thickness distribution is obtained as the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness distribution obtained by both methods.
  • the surface shape measuring method described here can be applied as it is as a surface shape measuring method of a mask blank by changing a measuring object from a polishing substrate to a mask blank.
  • EUV reflected light refers to reflected light generated when a light ray in the wavelength range of EUV light is irradiated at an incident angle of 6 to 10 degrees
  • the reflectance of EUV reflected light refers to EUV reflected light at a wavelength of 12 to 15 nm. It is intended to reflect light having a wavelength of around 13.5 nm.
  • the EUV reflected light from the ML film surface preferably has a maximum reflectance of 60% or more, and more preferably 63% or more.
  • the ML film is not limited to this, and the Ru / Si multilayer reflective film, the Mo / Be multilayer reflective film, the Rh / Si multilayer reflective film, the Pt / Si multilayer reflective film, the Mo compound / Si compound multilayer reflective film, the Si / Mo / Ru multilayer reflective films, Si / Mo / Ru / Mo multilayer reflective films, Si / Ru / Mo / Ru multilayer reflective films, and the like can also be used.
  • each layer constituting the ML film and the number of repeating units of the layer can be appropriately selected according to the film material to be used and the reflectance of EUV reflected light required for the ML film.
  • a Si layer with a film thickness of 4.5 ⁇ 0.1 nm and a film thickness of 2.3 It is preferable to stack a Mo layer of ⁇ 0.1 nm in this order so that the number of repeating units is 30 to 60.
  • each layer constituting the ML film may be formed to have a desired film thickness using a known film forming method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • the protective film 3 can be provided on the surface of the ML film 2 in order to prevent the surface of the ML film 2 and the vicinity thereof from being naturally oxidized during storage or oxidized during cleaning.
  • As the protective film 3 Si, Ti, Ru, Rh, C, SiC, a mixture of these elements / compounds, or those obtained by adding N, O, B or the like to these elements / compounds can be used.
  • the film thickness can be as thin as 2 to 3 nm, which is particularly preferable because it can also function as a buffer film described later.
  • the uppermost layer can be made to function as a protective film by making the uppermost layer an Si film.
  • the thickness of the uppermost Si film that also serves as a protective film is preferably 5 to 15 nm, which is larger than the usual 4.5 nm.
  • a Ru film serving as both a protective film and a buffer film may be formed on the Si film.
  • the film such as the ML film or the protective film is not necessarily one layer, and may be two or more layers.
  • the maximum value of the reflectance of EUV reflected light from the surface of the protective film needs to satisfy the above range. That is, the maximum value of the reflectance of EUV reflected light from the protective film surface is preferably 60% or more, and more preferably 63% or more.
  • the protective film may be formed to have a desired film thickness using a known film formation method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • a light absorption film is formed on the polishing substrate obtained in the first procedure.
  • the absorption film 4 is formed on the ML blank surface (on the ML film or on the protective film when a protective film is formed on the ML film).
  • the characteristic particularly required for the absorption film 4 is that the pattern formed on the EUV reflection mask is transferred from the absorption film 4 so that the pattern is faithfully transferred to the resist film on the wafer via the projection optical system of the EUVL exposure machine. Adjusting the intensity and phase of the reflected light.
  • the first method is to reduce the intensity of reflected light from the absorption film 4 as much as possible.
  • the absorption film 4 (when an antireflection film is formed on the absorption film surface)
  • the film thickness and material of the absorption film 4 are adjusted so that the reflectance of EUV light from the antireflection film) surface is 1% or less, particularly 0.7% or less.
  • the second is a method that uses the interference effect of the reflected light from the ML film 2 and the reflected light from the absorption film 4 (or the antireflection film when an antireflection film is formed on the absorption film surface),
  • the reflectance of EUV light from the absorption film 4 is set to 5 to 15%, and the reflected light from the ML film 2 and the absorption film 4 (absorption)
  • the film thickness and material of the absorption film 4 are adjusted so that the phase difference of reflected light from the antireflection film) is 175 to 185 degrees.
  • the material constituting the absorption film 4 is preferably a material containing Ta at least 40 at%, preferably at least 50 at%, more preferably at least 55 at%.
  • the material mainly composed of Ta used for the absorption film 4 preferably contains at least one element of Hf, Si, Zr, Ge, B, Pd, H, and N in addition to Ta.
  • the material containing the above elements other than Ta include TaN, TaNH, TaHf, TaHfN, TaBSi, TaBSiN, TaB, TaBN, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, TaZr, TaZrN, TaPd, and the like. It is done. However, it is preferable that the absorption film 4 does not contain oxygen. Specifically, the oxygen content in the absorption film 4 is preferably less than 25 at%.
  • a dry etching process is usually used.
  • an etching gas chlorine gas (including mixed gas) or fluorine-based gas (mixed gas) is used. are usually used.
  • the protective film is less damaged. Is used.
  • the dry etching process of the absorption film 4 is performed using chlorine gas, if the absorption film 4 contains oxygen, the etching rate is lowered, and the damage to the resist film is increased.
  • the oxygen content in the absorption film 4 is more preferably 15 at% or less, further preferably 10 at% or less, and particularly preferably 5 at% or less.
  • the thickness of the absorption film 4 is 60 nm or more so that the reflectance of EUV light from the surface of the absorption film 4 is 1% or less, particularly 0.7% or less. It is particularly preferable that the thickness is 70 nm or more.
  • the range of 40 nm to 60 nm is preferable, and the range of 45 nm to 55 nm is particularly preferable.
  • the absorption film 4 having the above-described configuration can be formed by a known film formation method, for example, a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • a buffer film serving as an etching stopper may be provided between the ML film 2 (the protective film 3 when the protective film 3 is formed on the ML film) and the absorption film 4.
  • a material that is not easily affected by the etching process of the absorption film 4 that is, the etching rate is slower than that of the absorption film 4 and is not easily damaged by this etching process is selected.
  • Examples of the material satisfying this condition include Cr, Al, Ru, Ta, and nitrides thereof, and SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3, and mixtures thereof.
  • Ru, CrN, and SiO 2 are preferable, CrN and Ru are more preferable, and Ru is particularly preferable because it combines the functions of a protective film and a buffer film.
  • the thickness of the buffer film is preferably 1 to 60 nm.
  • the buffer film can be formed using a known film formation method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • a low-reflective antireflection film may be provided on the absorption film 4 as a mask blank.
  • the antireflection film provides a good contrast when inspecting the mask pattern and facilitates accurate mask pattern defect inspection.
  • the reflectance of the reflected light generated when the mask pattern inspection light is irradiated on the surface of the antireflection film is preferably 15% or less, more preferably 10% or less, and more preferably 5% or less. More preferably it is.
  • inspection light light of about 257 nm is usually used.
  • the antireflection film is preferably made of a material whose refractive index at the wavelength of the inspection light is lower than that of the absorption film.
  • a material mainly containing Ta can be used.
  • at least one element of Hf, Ge, Si, B, N, H, and O can be contained.
  • Specific examples include TaO, TaON, TaONH, TaHfO, TaHfON, TaBSiO, TaBSiON, SiN, and SiON.
  • the total thickness of the absorption film and the antireflection film is preferably 10 to 65 nm, more preferably 30 to 65 nm, and further preferably 35 to 60 nm.
  • the thickness of the antireflection film is larger than the thickness of the absorption film, the EUV light absorption characteristics in the absorption film may be deteriorated. Therefore, the thickness of the antireflection film is smaller than the thickness of the absorption film. It is preferable. Therefore, the thickness of the antireflection film is preferably 1 to 20 nm, more preferably 3 to 15 nm, and further preferably 5 to 10 nm.
  • a functional film such as a hard mask
  • the hard mask is formed on the surface of an absorption film (an antireflection film when an antireflection film is formed on the absorption film and the hard mask does not have an antireflection film function). Since the dry etching rate described above is slower than that of the absorption film and / or the antireflection film, the resist film can be made thinner and a finer pattern can be produced.
  • a material for such a hard mask Cr 2 O 3 , Ru, Cr (N, O) or the like can be used, and the film thickness is preferably 2 to 10 nm.
  • the basic configuration of the mask blank is to have at least a light absorption film on the surface of the polishing substrate.
  • the basic structure is to have at least an ML film that reflects EUV light on the surface of the polishing substrate and an absorption film that absorbs EUV light on the ML film.
  • a protective film may be formed, both the protective film and the buffer film may be formed, or an antireflection film and a hard mask may be formed on the surface of the absorption film.
  • a conductive film made of a high dielectric material on the back surface of the polishing substrate.
  • the electrical conductivity and thickness of the constituent materials are selected so that the sheet resistance is 100 ⁇ / ⁇ or less.
  • a single layer film made of Si, Mo, Cr, TiN, CrO, CrN, CrON, or TaSi or a laminated film thereof can be applied as the constituent material.
  • the thickness of the conductive film is preferably 10 to 1000 nm, for example.
  • the film can be formed using a known film forming method, for example, a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method, a CVD method, a vacuum evaporation method, or an electrolytic plating method.
  • the conductive film may be formed during any one of procedures 1 to 4. For example, it may be performed between the procedure 1 and the procedure 2, that is, before the procedure 2 in which the ML film is formed on the surface to be formed on the back surface of the polishing substrate prepared in the procedure 1.
  • the photomask manufacturing method adjusts the mask pattern formation position according to the reference surface shape of the surface and the back surface on which the polishing substrate is formed, or the reference plate thickness distribution of the polishing substrate. Except for the point of performing line drawing, the mask can be manufactured in accordance with a conventional mask manufacturing process.
  • a resist film is applied to the mask blank produced by the above-described method and heated. Then, according to the reference surface shape of the surface and the back surface of the polishing substrate to be formed or according to the reference plate thickness distribution of the polishing substrate, the mask pattern formation position is adjusted to perform drawing with an electron beam or ultraviolet light, Subsequent development and etching remove unnecessary absorption films, antireflection films, and resists to obtain a photomask.
  • EUV light incident on the reflective photomask at an angle inclined from the mask stage normal by ⁇ from the point A is reflected at the point B on the ideal reflective photomask surface, and is a point of the projection optical system. Projected to point D on the wafer through C. Since the magnification of the projection optical system of this aspect is 1 ⁇ 4, a pattern to be formed at the point D on the wafer is formed at the point B of the ideal reflection type photomask by equaling four times. .
  • ⁇ is, for example, about 6 °.
  • At least one of the front and back flatness and the maximum thickness distribution of the polishing substrate constituting the reflective photomask is not 0 nm, so that the reflection in the state of being adsorbed to the mask stage of the exposure apparatus As shown by the solid line in FIG. 6, the surface of the mold photomask has gentle irregularities and is shifted from the broken line in FIG.
  • the EUV light incident from the point A is similarly reflected from the surface of the reflective photomask at a point B ′ shifted in the height direction from the broken line, passes through the point C ′ of the projection optical system, and is on the wafer. Projected to point D ′. For this reason, the pattern that should be formed at the point D on the wafer is projected to the point D ′ that is shifted by ⁇ X, and a fine circuit pattern cannot be formed at a desired position, which is not preferable.
  • the pattern on the reflective photomask can be formed at a desired position on the wafer.
  • the actual adjustments include the surface shape of the mask stage of the exposure apparatus in addition to the surface shape and thickness distribution of the polishing substrate constituting the reflective photomask. Further, it is necessary to consider the gap when the reflective photomask is sucked and held on the mask stage, the deformation of the reflective photomask due to the gravity at the time of drawing the pattern on the reflective photomask, etc., which is a more complicated adjustment.
  • the demand for the flatness of the polishing substrate is reduced to 300 nm or less.
  • RMS surface roughness
  • the amount of deviation is calculated by calculating the reference surface shape or reference plate thickness distribution on the surface and the back surface of the polishing substrate, or the reference surface shape or reference plate thickness distribution on the film forming surface and the back surface of the mask blank. Based on. In addition, the reference surface shape and the reference plate thickness distribution are determined not for a single polishing substrate or a single mask blank but for a plurality of polishing substrates or a plurality of mask blanks. Has characteristics.
  • the first method for determining the reference surface shape is the average shape of the surface shapes of the surface and the back surface of the plurality of polishing substrates or the mask blanks.
  • the average shape of the surface shapes of the film formation surface and the back surface is defined as a reference surface shape of the film formation surface (or film formation surface) and the back surface.
  • the number of sheets is not particularly limited as long as it is 2 or more, but 4 to 15 sheets, for example, are preferable examples.
  • the average shape is obtained by simply averaging a plurality of target surface shapes.
  • a second method for determining a reference surface shape is an average shape of the surface shapes of the surface and the back surface of a plurality of polishing substrates or a plurality of mask blanks.
  • An average shape of the surface shapes of the film formation surface and the back surface is calculated, and a fitting (approximation) of the surface shape is expressed as a reference surface shape of the film formation surface (or film formation surface) and the back surface.
  • a polynomial a Legendre polynomial, a Zernike polynomial, etc. are mentioned as a preferable polynomial.
  • the Legendre polynomial (up to the 6th order) and the Zernike polynomial (up to the 8th order) in the xyz orthogonal coordinate system are shown in the following formulas 1 and 2, respectively.
  • a polynomial approximation for example, in the case of a Legendre polynomial, it is preferable to use an approximation up to the sixth order in terms of balance between accuracy and time.
  • Z (x, y) a 0 + A 1 + A 2 (3x 2 -1) (3y 2 -1) / 4 + A 3 (5x 3 -3x) (5y 3 -3y) / 4 + A 4 (35x 4 -30x 2 +3) (35y 4 -30y 2 +3) / 64 + A 5 (63x 5 -70x 3 + 15x) (63y 5 -70y 3 + 15x) / 64 + A 6 (231x 6 ⁇ 315x 4 + 105x 2 ⁇ 5) (231y 6 ⁇ 315y 4 + 105y 2 ⁇ 5) / 256
  • a n is a coefficient.
  • a third method for determining a reference surface shape is a method of forming a surface of a plurality of polishing substrates and a surface shape of each of a back surface or a film formation surface of a plurality of mask blanks. And at least one of the surface shapes of the back surface and the back surface is approximated by a polynomial, and the average of them is defined as the surface (or film forming surface) on which the film is formed and the reference surface shape of the back surface.
  • the polynomial those listed in the second reference surface shape are preferably used.
  • the reference plate thickness distribution the following three types of reference plate thickness distributions are defined, and any one of them is preferably used.
  • the plate thickness distribution is determined by measuring the surface shape of each surface on the polishing substrate and the back surface, or measuring the surface shape of each mask blank film forming surface and the back surface, and reversing the measurement results of the back surface shape.
  • the thickness distribution of the polishing substrate or the mask blank was calculated by subtracting the tilt component from the sum of the measurement results of the surface shape of the surface to be deposited (or the deposition surface).
  • the maximum thickness distribution is obtained as the difference between the maximum value and the minimum value of the obtained thickness distribution.
  • the first method for determining the reference plate thickness distribution uses the average of the thickness distribution of a plurality of polishing substrates or the average of the thickness distribution of a plurality of mask blanks as a reference plate.
  • the thickness distribution is assumed.
  • the second method for determining the reference plate thickness distribution (hereinafter referred to as the second reference plate thickness distribution) is to fit (approximate) an average plate thickness distribution of a plurality of polishing substrates or an average plate thickness distribution of a plurality of mask blanks with a polynomial. ) Is used as a reference thickness distribution.
  • the third method for determining the reference plate thickness distribution is at least either the plate thickness distribution of a plurality (n) of polishing substrates or the plate thickness distribution of a plurality of mask blanks. These are fitted (approximate) with a polynomial, and the average of them is used as a reference plate thickness distribution.
  • the second reference plate thickness distribution and the third reference plate thickness distribution as a polynomial, a Legendre polynomial, a Zernike polynomial, or the like can be cited as a preferable polynomial, as in the case of the reference surface shape described above.
  • the polynomial approximation for example, in the case of Legendre polynomial, it is preferable to use approximation up to the sixth order in terms of balance between accuracy and time.
  • the number of polishing base plates or mask blanks for calculating the reference plate thickness distribution is not particularly limited as long as it is 2 or more, but 4 to 15 is an example of a preferable number.
  • the mask pattern formation position adjustment method is preferably adjusted based on at least one of the aforementioned reference surface shape or reference plate thickness distribution. That is, the adjustment may be made based on either the reference surface shape or the reference plate thickness distribution, or may be adjusted based on both the reference surface shape and the reference plate thickness distribution.
  • the above-mentioned reference surface shape or reference plate thickness distribution is obtained by measuring at least one of a plurality of polishing substrates or a plurality of mask blanks and calculating a reference surface shape and / or a reference plate thickness distribution based on the measured shape.
  • the shapes of both the plurality of polishing substrates and the plurality of mask blanks may be measured, and the reference surface shape and / or the reference plate thickness distribution may be calculated based on them.
  • a slice substrate (size: 153 mm square x thickness: 6.75 mm) made of TiO 2 —SiO 2 glass (TiO 2 doped amount: 7% by mass) obtained by flame hydrolysis of silicon tetrachloride and titanium tetrachloride is prepared. To do. This sliced substrate is chamfered using an NC chamfering machine with a # 120 diamond grindstone so that the chamfering width becomes 0.2 to 0.4 mm, the outer diameter is 152 mm square, and the thickness is 6. Finishing was performed to 75 mm.
  • the slice substrate was sandwiched between cast iron surface plates, a polishing slurry containing abrasive grains mainly composed of Al 2 O 3 was supplied, and the surface of the slice substrate was lapped.
  • the side surface of the slice substrate was subjected to side surface polishing using a nylon brush and cerium oxide slurry, and the surface roughness was mirrored to 1 nm (RMS) or less.
  • both the film forming surface and the back surface of the sliced substrate subjected to the side polishing were subjected to first-stage polishing using a hard foam polyurethane pad and a cerium oxide slurry, a soft foam polyurethane suede pad and a cerium oxide slurry.
  • Second stage polishing, soft foamed polyurethane suede pad, third stage polishing using colloidal silica are sequentially polished using a double-side polishing machine, and the surface roughness of the film-formed surface and the back surface is 0.15 nm ( RMS)
  • the following polishing substrates (Examples 1 to 5) were obtained.
  • Both the surface shape of the surface on which the polishing substrate is formed and the back surface are concave shapes having a relatively low center and a relatively high periphery, and the flatness of the film forming surface is 200 to 300 nm.
  • the flatness of the film was 500 to 600 nm.
  • polishing substrate As the polishing substrate for EUVL, the flatness of the surface to be formed and the back surface is relatively large, and the difference in surface shape between the substrates is not suitable for use.
  • Local polishing was performed using cluster ion beam etching (trade name: US50XP, manufactured by Epion).
  • the local polishing amount of each part is a desired surface shape of the surface and the back surface of the polishing substrate after the correction polishing step (a concave shape having a relatively low center and a relatively high periphery).
  • the flatness of the surface to be polished and the back surface is 330 nm and 600 nm, respectively, and the difference between the surface shape measurement results of the surface and the back surface of the polishing substrate before the local polishing is formed. This was done by adjusting the scan speed. Other main local polishing processing conditions are shown below.
  • ⁇ Local polishing conditions Source gas: NF 3 5% and N 2 95% mixed gas, Accelerating voltage: 30 kV Ionization current: 100 ⁇ A, Gas cluster ion beam diameter (FWHM value): 6 mm Etching rate: 50 nm ⁇ cm 2 / sec.
  • the surface roughness of the polishing substrate that has been locally polished is as large as about 0.5 nm (RMS) and is not suitable as a polishing substrate for EUVL. Therefore, the polishing substrate is formed under the following conditions. Final polishing was performed on the surface and the back surface, and the surface roughness was adjusted to 0.15 nm (RMS) or less.
  • Polishing tester Double-sided 24B polishing machine manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd.
  • Polishing pad Bellatrix N7512 manufactured by Kanebo Corporation Polishing plate rotation speed: 10 rpm Polishing time: 30 minutes, Polishing load: 51 cN / cm 2 Polishing amount: 0.06 ⁇ m / surface, Dilution water: Pure water (0.1 ⁇ m or more foreign matter filtration), Slurry flow rate: 10 l / min, Polishing slurry: 20% by mass of colloidal silica having an average primary particle size of less than 20 nm, Polishing amount: 0.02 ⁇ m.
  • the reference surface shapes of the surface and the back surface to be formed are obtained from the average shape of the surface shapes of the surface and the back surface of the five polishing substrates, which are shown in FIGS. 7 and 8, respectively.
  • the second column from the left indicates the surface shape
  • the third column indicates the difference between the surface shape and the reference surface shape (reference; second column in the last row).
  • the flatness of the reference surface shape of the surface to be formed and the back surface was 68 nm and 56 nm.
  • Table 1 shows the result of calculating the maximum value of the difference between the surface shapes of the five polishing substrates to be formed and the back surface from the first reference surface shape.
  • the difference is 46 nm or less, and EUVL having sufficient transfer accuracy when EUVL is performed by adjusting the mask pattern formation position based on the reference surface shape of the film formation surface and the back surface and performing mask pattern drawing.
  • a reflective photomask manufacturing method can be obtained.
  • the second method for determining the reference surface shape is to fit (approximate) the average shape of each surface shape of the surface on which the five polishing substrates are deposited and the back surface with a Legendre polynomial (function) up to the fifth order.
  • the reference surface shape of the surface to be filmed and the back surface is used.
  • FIG. 9 shows the reference surface shapes of the surface (Front surface) and the back surface (Back surface) to be formed.
  • the flatness of the reference surface shape of the surface to be formed and the back surface was 52 nm and 45 nm.
  • Table 2 shows the result of calculating the maximum value of the difference between the surface shape of the surface to be deposited and the back surface of the five polishing substrates from the second reference surface shape.
  • the difference is 57 nm or less, and EUVL having sufficient transfer accuracy when EUVL is performed by adjusting the mask pattern formation position based on the reference surface shape of the film formation surface and the back surface and performing mask pattern drawing.
  • a reflective photomask manufacturing method can be obtained.
  • a polishing substrate was produced in the same manner as in Examples 1-5.
  • the surface shapes of the surface and the back surface of the five polishing substrates thus obtained were measured by the same method as in Examples 1 to 5, and the film was formed after reversing the measurement results of the surface shape of the back surface.
  • the thickness distribution of the polishing substrate was calculated by subtracting the tilt component from the measurement result of the surface shape of the surface (Examples 6 to 10).
  • the maximum sheet thickness distribution was obtained as the difference between the maximum value and the minimum value of the obtained sheet thickness distribution.
  • FIG. 10 shows the plate thickness distribution of five polishing substrates, and Table 3 shows the maximum plate thickness distribution.
  • the second column from the left shows the plate thickness distribution (Thickness variation)
  • the third column shows the difference between the plate thickness distribution and the reference plate thickness distribution (reference; second column in the last row).
  • the first reference plate thickness distribution was determined from the average plate thickness distribution of the five polishing substrates.
  • the reference plate thickness distribution is shown in FIG.
  • the maximum value of the reference plate thickness distribution was 93 nm.
  • Table 3 shows the result of calculating the maximum difference between the thickness distributions of the five polishing substrates from the first reference thickness distribution. The difference is 50 nm or less, and the production of a reflective photomask for EUVL having sufficient transfer accuracy during EUVL by adjusting the mask pattern formation position based on the reference plate thickness distribution and performing mask pattern drawing. You can get the method.
  • the second method for determining the reference plate thickness distribution is a method of fitting (approximate) an average plate thickness distribution of five EUVL polishing substrates with a Legendre polynomial (function) up to the fifth order to obtain a reference plate thickness distribution (second Reference thickness distribution).
  • the reference plate thickness distribution is shown in FIG.
  • the maximum value of the reference plate thickness distribution was 75 nm.
  • Table 4 shows the result of calculating the maximum value of the difference in thickness from the reference thickness distribution of the five prepared EUVL polishing substrates. The difference is 75 nm or less in all cases, and the production of a reflective photomask for EUVL having sufficient transfer accuracy during EUVL by adjusting the mask pattern formation position based on the reference plate thickness distribution and performing mask pattern drawing You can get the method.
  • the transfer accuracy during EUVL can be stably improved.

Landscapes

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Abstract

　本発明は、研磨基板と、該研磨基板上に形成された光吸収膜を少なくとも有するマスクブランクに、マスクパターン設計に基づいてマスクパターンを描画するフォトマスクの製造方法であって、複数枚の研磨基板の表面形状又は複数枚のマスクブランクの表面形状の少なくともどちらかを測定し、前記測定された表面形状に基づいて基準表面形状又は基準板厚分布を算出後、前記算出された基準表面形状又は基準板厚分布に基づいて前記マスクパターン描画時のマスクパターン形成位置を調整する、フォトマスクの製造方法に関する。

Description

フォトマスクの製造方法
　本発明は、フォトマスクの製造方法で、特に、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）光を使用するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型フォトマスクに好適な製造方法に関する。
　従来から、リソグラフィ技術においては、ウェハ上に微細な回路パターンを転写して半導体デバイスを製造するための露光装置が広く利用されている。半導体デバイスの高集積化、高速化及び省電力化に伴い、半導体デバイスの微細化が進んでいる。この動向に対応して、露光装置には、より大きな焦点深度でより微細な半導体デバイス回路パターンをウェハ面上に結像させることが求められ、露光光源の短波長化が進められている。具体的に、露光光源として使用される光は、従来のｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）やＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）から進んで、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）の紫外光が用いられている。
　しかしながら、こうした波長１９３ｎｍの光を用いたリソグラフィ技術であっても、高々３２～４５ｎｍの回路寸法を有する半導体デバイスしか作製できず、３０ｎｍ以下の回路寸法を有する半導体デバイスを作製できる技術の開発が求められている。このような背景のもとに、極紫外光（ＥＵＶ光）を使用したリソグラフィ技術が、有力候補として注目されており、活発な開発が行われている。ＥＵＶ光とは軟Ｘ線領域又は真空紫外域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、リソグラフィ光源として１３．５ｎｍ付近の波長の光の使用が主に検討されている。
　ＥＵＶリソグラフィ（以下、「ＥＵＶＬ」とも略す）の露光原理は、投影光学系を用いてマスクパターンをウェハ上に縮小投影する点では、従来のリソグラフィと同じであるが、ＥＵＶ光のエネルギー領域では、光を透過する材料が存在しないために、波長１９３～４３６ｎｍの光を光源とする露光装置で通常用いられている透過型フォトマスクを用いた透過屈折光学系が使用できず、反射光学系が使用されている。反射光学系の光学部材は、反射型フォトマスクと複数の反射ミラーから構成されており、マスク上に形成されたパターンを、反射ミラーを介して、ウェハ上に形成されたレジストに比率１／４～１／５倍にて縮小投影するものである。
　ここで、反射型フォトマスクは、主に４つの手順（第１手順；研磨基板の準備、第２手順；ＭＬブランクの作成、第３手順；マスクブランクの作成、及び第４手順；フォトマスクの作成）を経て得られる光学部材（ＥＵＶＬ用光学部材）の一種である。
　参考までに、マスクブランク及び反射型フォトマスクの断面構造を、それぞれ図１、図２に模式的に示す。図１及び図２において、１は研磨基板、２は研磨基板の成膜される面に形成された多層反射膜（以下「ＭＬ膜」と略す）、３はＭＬ膜面上に形成された保護膜、４は保護膜面上に形成された吸収膜、５は吸収膜面上に形成された反射防止膜、６は反射防止膜上に形成されたレジスト膜、７は研磨基板の裏面に形成された導電膜を示す。
　また、図４に研磨基板の側面図（図では、変形の態様を理解しやすいように誇張して表現）を示す。図４（ａ）は仕上げ（局所）研磨前の研磨基板を、図４（ｂ）は局所研磨後の研磨基板をそれぞれ示す。
　反射型フォトマスクは、マスクブランクのＥＵＶ光吸収膜にマスクパターンが形成され、ＥＵＶ光反射層が露出しＥＵＶ光が反射される部分と、反射層が吸収膜で覆われＥＵＶ光が殆ど反射されない部分を有するものである。
　また反射型フォトマスクを露光装置のマスクステージに保持する際に静電チャックが一般的に使用されるため、反射型フォトマスクの裏面には、シート抵抗１００Ω以下の導電膜（例えばＣｒＮやＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＴａＮなど）を通常、形成する。
　ところで、ＥＵＶ光を光源とする露光装置において、反射型フォトマスクは、その裏面に形成した導電膜を利用して静電チャックにより吸着保持され、その成膜面に形成されたマスクパターンがウェハ上レジスト膜へ縮小投影、転写される。この際、反射型フォトマスクのマスクパターン形成面が平坦であればあるほど、反射型フォトマスクの成膜面に形成されたマスクパターンがウェハ上レジスト膜に、所望の位置により忠実に転写、形成されるため、好ましい。
　特にＥＵＶＬの適用が検討されている回路寸法が３０ｎｍ以下の半導体デバイスの場合、回路パターンの形成位置に対する要求精度は５ｎｍ以下、さらには３ｎｍ以下と非常に厳しい要求がある。そこで、研磨基板の成膜される面及び裏面の平坦度に対しては、従来の２５０ｎｍ以下という要求レベルが、ＥＵＶＬ用研磨基板では１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下、さらには３０ｎｍ以下、という非常に厳しいレベルが要求されるようになってきた。
　ここで研磨基板の平坦度とは、非特許文献１の図４に示すように、研磨基板の成膜される面と裏面における、空間波長０．１ｍｍ以上の緩やかな凹凸における高低差の最大値を意図する（非特許文献１の図４参照）。さらに、研磨基板の成膜される面に対しては、平坦度に加えて、深さ１ｎｍ以上のスクラッチやスリークなどの欠点及びポリスチレンラテックス粒子径換算サイズ５０ｎｍ以上の微小な凹凸などの欠点が無いことも求められている。
　上記のような厳しい要求は、露光に使用する光の波長が、現在主流のＡｒＦリソグラフィの１９３ｎｍと比べて１／１０以下と、極端に短いことに主に起因するものであり、ＥＵＶＬ用反射型フォトマスクに特有のものである。
　一方、上記要求水準に対して加工方法のレベルは必ずしも十分に追いついておらず、現実には、鏡面（平滑性）、低欠点数、高平坦度のすべてを同時に満足する研磨基板を得ることは極めて困難である。そのため、要求する平坦度に到達していない研磨基板を用いた反射型マスクを使用する方法が提案されている（特許文献１及び２、非特許文献１参照）。具体的には、電子線などを用いてマスクパターンを描画する際に、マスクブランクを構成する研磨基板の成膜される面と裏面の平坦度或いは研磨基板の板厚分布に応じて、マスクパターンの形成位置を調整する方法である。
　例えば、上記のようなマスクパターン形成位置の調整方法を採用すると、例えば、マスクブランクを構成する研磨基板の平坦度に対する要求は３００ｎｍ以下に緩和される。この場合、成膜される面及び裏面の平坦度３００ｎｍ以下、成膜される面の表面粗さ（ＲＭＳ）０．１５ｎｍ以下、成膜される面におけるサイズ５０ｎｍ以上の欠点数が少ない研磨基板を実現すればよく、表面粗さと欠点のみに注力して加工できるため、研磨基板の加工はかなり容易となる。
　しかしながら、提案されている方法では電子線などを用いて反射型フォトマスクのマスクパターンをマスクブランク上に描画する際に、マスクパターン形成位置を、各マスクブランク一枚一枚についてその研磨基板の平坦度等表面形状に応じて個別に調整する必要があり、マスクパターン形成にかなりの時間と労力がかかるという問題点がある。そのため、生産性、原価面などの点から改善が強く求められている。
　なお、マスクパターン形成位置の調整は、ＥＵＶＬ用反射型フォトマスクだけに使用されるものではなく、それ以外のフォトマスク、すなわち、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を光源とするリソグラフィ用透過型フォトマスクにも適用できることは、言うまでもない。
日本国特開２００６－３９２２３号公報（ＵＳ７７０３０６６） 日本国特開２００８－１０３５１２号公報
　従来のフォトマスク（特に、ＥＵＶＬ用反射型フォトマスク）の製造方法では、電子線などを用いてフォトマスク（特に、ＥＵＶＬ用反射型フォトマスク）のマスクパターンをマスクブランク上に描画する際に、マスクパターン形成位置を、各マスクブランク一枚一枚についてその研磨基板の平坦度と板厚分布に応じて個別に調整する、すなわち、マスクブランク１枚毎に、マスクパターン形成位置の調整作業が必要となり、マスクパターン形成作業が煩雑になるという問題点があり、生産性、原価面などの点から改善が強く求められている。
　そこで、本発明は、マスクパターン形成位置を、各マスクブランク一枚一枚についてその研磨基板の平坦度と板厚分布に応じて個別に調整しなくてもよいフォトマスク（特に、ＥＵＶＬ用反射型フォトマスク）の製造方法の提供を目的とする。
　本発明によるフォトマスクの製造方法（以下、本製造法という）は、研磨基板と、該研磨基板上に形成された光吸収膜を少なくとも有するマスクブランクに、マスクパターン設計に基づいてマスクパターンを描画するフォトマスクの製造方法であって、
　複数枚の研磨基板の表面形状又は複数枚のマスクブランクの表面形状の少なくともどちらかを測定し、前記測定された表面形状に基づいて基準表面形状又は基準板厚分布を算出後、前記算出された基準表面形状又は基準板厚分布に基づいて前記マスクパターン描画時のマスクパターン形成位置を調整する。
　本製造法において、フォトマスクがＥＵＶＬ用反射型フォトマスクであり、前記マスクブランクが研磨基板と光吸収膜との間に多層反射膜（ＭＬ膜）を有し、ＭＬ膜上に形成される光吸収膜がＥＵＶ光吸収膜であると好ましい。
　本製造法において、前記基準表面形状は、前記複数枚の研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状それ自体又は前記複数枚のマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状それ自体であることが好ましい。或いは、本製造法において、前記基準表面形状は、前記複数枚の研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状又は前記複数枚のマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状を算出し、該算出された平均形状をルジャンドル多項式又はツエルニケ多項式などの多項式にて近似し得られるものであることも好ましい。さらに、本製造法において、前記基準表面形状は、前記複数枚の研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状又は前記複数枚のマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状の少なくともどちらかをルジャンドル多項式又はツエルニケ多項式などの多項式にて近似し、それらを平均して得られるものであることも好ましい。
　本製造法において、前記基準板厚分布は、前記複数枚の研磨基板の板厚分布の平均又は前記複数枚のマスクブランクの板厚分布の平均であることが好ましい。或いは、本製造法において、前記基準板厚分布は、前記複数枚の研磨基板の平均板厚分布又は前記複数枚のマスクブランクの平均板厚分布を算出し、該算出された平均板厚分布をルジャンドル多項式又はツエルニケ多項式などの多項式にて近似して得られたものであることも好ましい。さらに、本製造法において、前記基準板厚分布は、前記複数枚の研磨基板の板厚分布又は前記複数枚のマスクブランクの板厚分布の少なくともどちらかをルジャンドル多項式又はツエルニケ多項式などの多項式にて近似し、それらを平均して得られるものであることも好ましい。
　研磨基板１枚毎に表面形状測定又は板厚分布測定をし、その測定データに基づいてマスクパターン形成位置を調整して、マスクパターンを描画していた従来技術に比べて、本製造法では、複数の研磨基板を同一の基準表面形状又は同一の基準板厚分布に基づいてマスクパターン形成位置を調整して描画するため、マスクパターン形成位置調整時間が大幅に短縮される。
　例えば、５枚のフォトマスクを製造する場合、従来の方法では、マスクパターン形成位置の調整を５回行う必要があったが、本方法によれば、５枚の研磨基板の基準表面形状又は基準板厚分布に基づいて１回調整するだけで良い。その結果、フォトマスクの生産性を著しく向上させる。
　本製造法により、フォトマスクの高生産性とＥＵＶＬ用として充分な精度を有するフォトマスクの提供の両立を図ることができ、ＥＵＶＬ実施時の転写精度を安定して向上できる。
図１は、マスクブランク（ＥＵＶＬ用）の断面構造をあらわした模式図である。 図２は、フォトマスク（ＥＵＶＬ用反射型）の断面構造をあらわした模式図である。 図３は、フォトマスク（ＥＵＶＬ用反射型）のパターン形成面側から見た、マスクブランクの上面図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、研磨基板の側面図である。 図５（ａ）～図５（ｄ）は、マスクブランクに使用する研磨基板の板厚分布を算出する手順を説明した図である。 図６は、マスクパターンの形成位置の調整方法を説明する概念図である。 図７は、研磨基板５枚の成膜される面の表面形状の測定結果及びその平均形状（基準表面形状）である。 図８は、研磨基板５枚の裏面の表面形状の測定結果及びその平均形状（基準表面形状）である。 図９は、研磨基板５枚の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状をルジャンドル多項式で近似して、それぞれの基準表面形状とした例である。 図１０は、研磨基板５枚の裏面の表面形状の測定結果を反転させたうえで成膜される面の表面形状の測定結果と足し合わせて算出した研磨基板の板厚分布及び当該５枚の研磨基板の平均板厚分布（基準板厚分布）である。 図１１は、研磨基板５枚の平均板厚分布をルジャンドル多項式で近似して基準板厚分布とした例である。
　本発明は、フォトマスクの製造方法に関する。最初にフォトマスクの製造方法の概略を以下の４つの手順（第１手順；研磨基板の準備、第２手順；ＭＬブランクの作成、第３手順；マスクブランクの作成、及び第４手順；フォトマスクの作成）として説明する。なお、第２手順（ＭＬブランクの作成）は、ＥＵＶＬ用フォトマスクの製造方法では必須であるが、ＥＵＶＬ用以外のフォトマスクの製造方法では必要ない。
　まず第１手順として、表面粗さが非常に小さく、空間波長０．１ｍｍ以上の緩やかな凹凸のない、なだらかで平坦な表面を有する対向する２面と、該対向する２面をつなぐ４つの側面を有する基板（以下、研磨基板と称す）を準備する。前記平坦な表面を有する対向２面の内、片面は、最終的に半導体デバイス回路パターンが形成される面（以下、成膜される面と称す）となり、残りはパターンが形成されない面（以下、裏面と称す）となる。
　なお、研磨基板には、温度変化による伸縮が極力生じないように低い熱膨張性が要求される。そのため、例えばＴｉＯ２を含有するシリカガラス（以下、ＴｉＯ2－ＳｉＯ2ガラスと略す）やシリカガラス（ＳｉＯ2ガラス）などが好ましい材料として挙げられる。前記材料製の直方体を製造し、それを切断、加工してスライス基板とし、それを研磨して研磨基板を作成する。
　第２手順（ＥＵＶＬ用フォトマスクの場合）として、第１手順で得られた研磨基板の成膜される面にＥＵＶ光を反射するＭＬ膜を形成したＭＬブランクを作製する。ＭＬ膜としては、ＥＵＶ光における高屈折率膜（例えばＳｉなど）と低屈折率層（例えば、Ｍｏなど）と交互に積層することで、反射率を高めた多層反射膜が通常使用される。また、ＭＬ膜の酸化など劣化防止のため、通常、ＭＬ膜の上に保護膜（例えば、Ｒｕ、Ｓｉ、ＴｉＯ２など）を形成しても良い。
　次いで第３手順として、ＥＵＶＬ用以外のフォトマスクの場合、第１手順で得られた研磨基板上に光吸収膜を形成する。ＥＵＶＬ用フォトマスクの場合は、第２手順で得られたＭＬブランクのＭＬ膜上（ＭＬ膜の上に保護膜が形成されている場合には、その保護膜上）に、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜（例えばＴａやＴａＮなど）を形成する。必要に応じて、マスクパターン検査光の波長にて低反射率を有する反射防止膜（例えばＴａＯＮやＴａＯなど）を吸収膜の上に形成してもよい。次いで、吸収膜（反射防止膜が形成されている場合には、その反射防止膜上）に、レジスト膜を形成する。このようにＭＬブランク上に吸収膜、さらに必要に応じて反射防止膜、レジスト膜がこの順に形成されたものがマスクブランク（断面構造は、図１を参照）である。
　最後の第４手順としては、マスクパターンの形成である。すなわち、（４－１）電子線や紫外光を光源とする描画装置を用いて、マスクブランクの側面もしくは表裏面の外周部付近をクランプするなど、マスクブランクを何らかの方法で保持した状態で、レジスト膜に設計したマスクパターンを描画する、（４－２）加熱する、（４－３）不要な部分のレジスト膜を除去する、（４－４）不要な部分のレジスト膜が除去されて、露出した吸収膜（反射防止膜が形成されている場合には、反射防止膜と吸収膜の両膜）をエッチング除去する、（４－５）残ったレジスト膜を除去する、といった一連のプロセスからなる。
　本発明は、フォトマスクの製造方法に関するが、特に、マスクパターン形成位置調整に特徴を有する。以下、これを中心にして本発明を詳述する。
　［研磨基板の準備（第１手順）］
　研磨基板は、材料塊から所望の形状精度に加工された基板を得て、該基板の、研磨基板の成膜される面及び裏面になる面を両面ラップ（ポリッシュ）機を使用し、研磨剤と水とを含有する研磨スラリーを研磨パッド等に供給して両面を同時研磨し、得ることができる。その後、さらに、得られた研磨基板の成膜される面及び／又は裏面に対して、局所的に部分的に研磨する局所研磨法を使用することが好ましい。局所研磨法としては、機械的、化学機械的、磁性砥粒を使用するＭＲＦ、ビーム（レーザー）照射法、ガスクラスターイオンビームエッチング法などが挙げられる。
　［研磨基板に要求される特性］
　本発明において研磨基板としては、成膜される面及び裏面の表面平滑性に優れることが求められる。具体的には、ＥＵＶＬ用フォトマスクの場合は、品質保証領域における成膜される面及び裏面の表面粗さを、１０μｍ×１０μｍ角の領域で原子間力顕微鏡により測定した結果（ＲＭＳ）が０．５ｎｍ以下であることが好ましく、０．３ｎｍ以下であることがより好ましく、０．１５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　ここで品質保証領域とは、成膜される面の場合、該研磨基板を用いて作製されたマスクブランク及びフォトマスクにおいて、露光やアライメントのためのＥＵＶ光等の光が照射される領域及びアライメントやマスク識別のためのＥＵＶ光や紫外～可視光が照射される領域である。
　また、裏面の品質保証領域は、ＥＵＶＬ用マスクブランク及び反射型マスクを静電チャックで吸着保持するための領域である。この品質保証領域は、図３に示すマスクブランク（ＥＵＶＬ用）１０の場合、１１が品質保証領域である。品質保証領域の範囲はマスクブランク（ＥＵＶＬ用）の寸法、より具体的には、研磨基板の成膜される面及び裏面の寸法によっても異なるが、例えば、成膜される面及び裏面の寸法が１５２×１５２ｍｍ角の場合、品質保証領域の範囲は、端部から５ｍｍの外縁部を除いた１４２ｍｍ×１４２ｍｍ角の領域である。
　また本発明において研磨基板としては、その成膜される面の表面に、パーティクルなどの凸欠点やスクラッチやスリーク、ピットなどの凹欠点が存在しないことが求められる。具体的には、成膜される面の表面品質領域における、ポリスチレンラテックス粒子径換算サイズ１５０ｎｍ以上の大きさの凹凸両欠点数が１０個以下であることが好ましく、５個以下であることがより好ましく、０個であることがさらに好ましい。また成膜される面の表面品質領域における、シリカ粒子径換算サイズ７０ｎｍ以上の大きさの凹凸両欠点数が１００個以下であることが好ましく、８０個以下であることがより好ましく、６０個以下であることがさらに好ましい。
　［研磨基板（マスクブランク）の表面形状測定方法］
　本発明において、研磨基板の成膜される面及び裏面の表面形状の測定装置としては、レーザ干渉式の平坦度計（例えばＺｙｇｏ社製Ｖｅｒｉｆｉｒｅ、ＭａｒｋＩＶや、フジノン社製Ｇ３１０Ｓ、Ｔｒｏｐｅｌ社製ＦｌａｔＭａｓｔｅｒなど）やレーザ変位計、超音波変位計、接触式変位計などが使用できる。ここで各種測定装置を用いて得られた結果からチルト成分を除いた残さが表面形状であり、表面形状の最大値と最小値の差が平坦度である。
　本発明において、研磨基板の板厚分布を測定する方法としては、該基板が波長３００～８００ｎｍの可視光域にて透過率３０％以上の十分な光線透過性を有する場合、波長３００～８００ｎｍの可視光を光源とする干渉計（例えばＺｙｇｏ社製Ｖｅｒｉｆｉｒｅ、ＭａｒｋＩＶや、フジノン社製Ｇ３１０Ｓ、Ｔｒｏｐｅｌ社製ＦｌａｔＭａｓｔｅｒなど）を用いて、成膜される面と裏面から反射された光の光路差から該基板の板厚分布を測定し、得られた板厚分布からチルト成分を差し引いた残さとして板厚分布を得る方法がある。
　本発明において、別の研磨基板の成膜される面及び裏面の表面形状をそれぞれ前述のレーザ干渉式の平坦度測定機などにより測定し、それらを足し合わせることによって研磨基板の板厚分布を算出することもできる。ここで、研磨基板の板厚分布を算出するためには、成膜される面及び裏面の表面形状（或いは、表面プロファイル）のうち、一方の表面形状測定結果を反転させたうえで他方の表面形状測定結果と足し合わせる必要がある。前者の方法は、得られた最大板厚分布に基板材料の屈折率分布が含まれるため、屈折率分布がある材料を用いて得た基板の場合は、後者の方が好ましい。以下、後者の測定方法についてさらに詳しく説明する。
　図５は、研磨基板（ＥＵＶＬ用）の板厚分布を算出する手順を説明した図である。以下、図５により手順を説明する。まず、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、成膜される面Ｃ及び裏面Ｄの表面形状（或いは、表面プロファイル）を測定した後、図５（ｃ）に示すように裏面Ｄの表面形状（或いは、表面プロファイル）の測定結果を反転させたうえで成膜される面Ｃの表面形状（或いは、表面プロファイル）の測定結果と足し合わせ、足し合わせたものからチルト成分を除くことにより、図５（ｄ）に示すＥＵＶＬ用研磨基板の板厚分布を算出する。
　なお、両者の方法で得られた板厚分布の最大値と最小値との差として最大板厚分布を得る。また、ここで記載した表面形状測定方法は、測定対象を研磨基板からマスクブランクに変更することにより、そのままマスクブランクの表面形状測定方法として適用できる。
　［ＭＬブランクの作成（第２手順；ＥＵＶＬ用フォトマスクの場合）］
　研磨基板１の成膜される面に、ＥＵＶ反射光における高い反射率を有するＭＬ膜２として、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に複数回積層させた多層反射膜を形成する。ここで、ＥＵＶ反射光とは、ＥＵＶ光の波長域の光線を入射角６～１０度で照射した際に生じる反射光をいい、ＥＵＶ反射光の反射率とは、波長１２～１５ｎｍにおけるＥＵＶ反射光のうち波長１３．５ｎｍ付近の光線の反射率を意図している。
　ＭＬ膜表面からのＥＵＶ反射光は、その反射率の最大値が６０％以上であると好ましく、６３％以上であるとより好ましい。ＭＬ膜の高屈折率膜にはＳｉ（屈折率＝０．９９９（λ＝１３．５ｎｍ））が、低屈折率膜にはＭｏ（同屈折率＝０．９２４）がそれぞれ広く使用される（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）。
　但し、ＭＬ膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｒｈ／Ｓｉ多層反射膜、Ｐｔ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜なども使用できる。
　ＭＬ膜を構成する各層の膜厚及び層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料及びＭＬ膜に要求されるＥＵＶ反射光の反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ反射光の反射率の最大値を６０％以上とするためには、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層と、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、を繰り返し単位数が３０～６０になるようにこの順に積層させると好ましい。
　なお、ＭＬ膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の膜厚に成膜すればよい。
　ＭＬ膜２表面及びその近傍が、保管時に自然酸化されたり洗浄時に酸化されたりするのを防止するため、ＭＬ膜２表面上に保護膜３を設けることができる。保護膜３としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃ、ＳｉＣ、又はこれら元素・化合物の混合物、或いはこれら元素・化合物にＮ、ＯやＢなどを添加したものなどが使用できる。
　保護膜としてＲｕを用いた場合、膜厚は２～３ｎｍと薄くでき、後述するバッファー膜の機能を兼用できるため、特に好ましい。またＭＬ膜がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、最上層をＳｉ膜とすることによって、該最上層を保護膜として機能させることができる。その場合保護膜としての役割も果たす最上層のＳｉ膜の膜厚は、通常の４．５ｎｍより厚い、５～１５ｎｍであることが好ましい。また、保護膜としてＳｉ膜を成膜した後、該Ｓｉ膜上に保護膜とバッファー膜とを兼ねるＲｕ膜を成膜してもよい。
　なお、ＭＬ膜や保護膜などの膜は、必ずしも１層である必要はなく、２層以上であってもよい。ＭＬ膜上に保護膜を設けた場合、保護膜表面からのＥＵＶ反射光の反射率の最大値が上記範囲を満たす必要がある。すなわち、保護膜表面からのＥＵＶ反射光の反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６３％以上であることがより好ましい。なお、保護膜は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の膜厚になるように成膜すればよい。
　［マスクブランクの形成（第３手順）］
　次いで、ＥＵＶＬ用以外のフォトマスクの場合、第１手順で得られた研磨基板上に光吸収膜を形成する。ＥＵＶＬ用フォトマスクの場合は、ＭＬブランク表面（ＭＬ膜上、或いはＭＬ膜の上に保護膜が形成されている場合には、その保護膜上）に吸収膜４を形成する。吸収膜４に特に要求される特性は、ＥＵＶ反射マスク上に形成されたパターンが、ＥＵＶＬ露光機の投影光学系を介してウェハー上のレジスト膜に忠実に転写されるように、吸収膜４からの反射光の強度、位相を調整することである。
　この具体的な方法は２種類あり、一つ目は、吸収膜４からの反射光の強度を極力小さくする方法であり、吸収膜４（吸収膜表面に反射防止膜が形成されている場合は反射防止膜）表面からのＥＵＶ光の反射率を１％以下、特に０．７％以下となるように、吸収膜４の膜厚及び材料を調整する。また２つ目は、ＭＬ膜２からの反射光と吸収膜４（吸収膜表面に反射防止膜が形成されている場合は反射防止膜）からの反射光の干渉効果を利用する方法であり、吸収膜４（吸収膜表面に反射防止膜が形成されている場合は反射防止膜）からのＥＵＶ光の反射率を５～１５％とし、かつＭＬ膜２からの反射光と吸収膜４（吸収膜表面に反射防止膜が形成されている場合は反射防止膜）からの反射光の位相差が１７５～１８５度となるように、吸収膜４の膜厚及び材料を調整する。
　いずれの方法においても、吸収膜４を構成する材料としては、Ｔａを４０ａｔ％以上、好ましくは５０ａｔ％以上、より好ましくは５５ａｔ％以上含有する材料が好ましい。吸収膜４に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にＨｆ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｂ、Ｐｄ、Ｈ及びＮのうち少なくとも１種以上の元素を含有することが好ましい。
　Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄなどが挙げられる。但し、吸収膜４中には、酸素を含まないことが好ましい。具体的には、吸収膜４中の酸素の含有率は２５ａｔ％未満が好ましい。
　マスクブランクの吸収膜にマスクパターンを形成してＥＵＶマスクを作成する際には、通常はドライエッチングプロセスが用いられ、エッチングガスとしては、塩素ガス（混合ガスを含む）或いはフッ素系ガス（混合ガスを含む）が通常使用される。
　エッチングプロセスによるＭＬ膜のダメージ防止目的で、ＭＬ膜上に保護膜としてＲｕ又はＲｕ化合物を含む膜を形成する場合、保護膜のダメージが少ないことから、吸収膜４のエッチングガスとして主に塩素ガスが使われる。しかしながら、塩素ガスを用いて吸収膜４のドライエッチングプロセスを実施する場合に、吸収膜４が酸素を含有していると、エッチング速度が低下し、レジスト膜のダメージが大きくなり好ましくない。吸収膜４中の酸素の含有率としては、１５ａｔ％以下がより好ましく、１０ａｔ％以下がさらに好ましく、５ａｔ％以下が特に好ましい。
　吸収膜４の厚さは、前述の一つ目の方法の場合、吸収膜４表面からのＥＵＶ光の反射率を１％以下、特に０．７％以下とするためには、６０ｎｍ以上であることが好ましく、特に７０ｎｍ以上であることが好ましい。また前述の２つ目の方法の場合、４０ｎｍ～６０ｎｍの範囲が好ましく、特に４５ｎｍ～５５ｎｍの範囲が好ましい。
　また上記した構成の吸収膜４は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法又はイオンビームスパッタリング法により形成できる。
　本発明において、マスクブランクの吸収膜４にマスクパターンを形成してＥＵＶマスクを作成する際に実施されるエッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスによって、ＭＬ膜２がダメージを受けるのを防止するため、エッチングストッパーとしての役割を果たすバッファー膜をＭＬ膜２（ＭＬ膜上に保護膜３が形成されている場合は保護膜３）と、吸収膜４との間に設けてもよい。バッファー膜の材質としては、吸収膜４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収膜４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａ及びこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ、ＣｒＮ及びＳｉＯ２が好ましく、ＣｒＮ及びＲｕがより好ましく、保護膜とバッファー膜の機能を兼ね備えるため特にＲｕが好ましい。バッファー膜の膜厚は１～６０ｎｍであることが好ましい。バッファー膜は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜することができる。
　また本発明において、マスクブランクとして、吸収膜４上には低反射性の反射防止膜を設けてもよい。反射防止膜によりマスクパターンの検査時におけるコントラストが良好となり正確なマスクパターン欠陥検査が容易となる。具体的には、マスクパターンの検査光を反射防止膜表面に照射した際に生じる反射光の反射率が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。検査光としては、通常２５７ｎｍ程度の光が使用される。反射防止膜は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収膜よりも低い材料で構成されることが好ましい。具体的には、Ｔａを主成分とする材料が挙げられる。また、Ｔａ以外にＨｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｈ、及びＯのうち少なくとも１種以上の元素を含有することができる。具体例としては、例えば、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＯＮＨ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＢＳｉＯ、ＴａＢＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等が挙げられる。
　吸収膜上に反射防止膜を形成する場合、吸収膜及び反射防止膜の厚さの合計が１０～６５ｎｍであると好ましく、３０～６５ｎｍであるとより好ましく、３５～６０ｎｍであるとさらに好ましい。また、反射防止膜の膜厚が吸収膜の膜厚よりも厚いと、吸収膜でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、反射防止膜の膜厚は吸収膜の膜厚よりも薄いことが好ましい。このため、反射防止膜の厚さは１～２０ｎｍであることが好ましく、３～１５ｎｍであることがより好ましく、５～１０ｎｍであることがさらに好ましい。
　また本発明において、ハードマスクなどの機能膜を設けてもよい。ハードマスクは、吸収膜（吸収膜上に反射防止膜が形成されており、かつハードマスクが反射防止膜の機能を有していない場合は、反射防止膜）の面上に形成するものであり、前述のドライエッチング速度が、吸収膜及び／或いは反射防止膜と比べて遅いために、レジスト膜の膜厚を薄くでき、より微細なパターンを作製できる。このようなハードマスクの材料としては、Ｃｒ２Ｏ３、Ｒｕ、Ｃｒ（Ｎ、Ｏ）などが使用でき、その膜厚は２～１０ｎｍが好ましい。
　本発明において、マスクブランクとしては、ＥＵＶＬ用以外のフォトマスクの場合、研磨基板の表面に、少なくとも光吸収膜を有することを基本構成とする。ＥＵＶＬ用フォトマスクの場合は、研磨基板の表面に、ＥＵＶ光を反射するＭＬ膜、当該ＭＬ膜の上にＥＵＶ光を吸収する吸収膜を少なくとも有することを基本構成とするが、ＭＬ膜面上に保護膜を形成してもよいし、保護膜とバッファー膜の両者を形成してもよいし、吸収膜の面上に反射防止膜、ハードマスクを形成してもよい。
　［導電膜の形成］
　ＥＵＶＬ用のマスクブランクや反射フォトマスクを静電チャックで吸着保持するために、研磨基板の裏面に高誘電性材料から成る導電膜を形成することが好ましい。導電膜としては、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。構成材料としては、具体的には、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＴｉＮ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＴａＳｉからなる単層膜又はこれらの積層膜が適用できる。
　導電膜の厚さは、例えば１０～１０００ｎｍとすると好ましい。導電膜の成膜方法としては、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて成膜できる。また導電膜の成膜は、手順１～４のいずれかの間に実施すれば良い。例えば、手順１と手順２の間、すなわち、手順１で準備した研磨基板の裏面に、成膜される面にＭＬ膜を形成する手順２の前に、実施しても良い。また手順２と手順３の間、すなわち、手順２で作成したＭＬブランクの裏面に、成膜される面に吸収膜などを形成する手順３の前に、実施しても良い。また手順３と手順４の間、すなわち、手順３で作成したマスクブランクの裏面に、レジスト膜形成など手順４の前に、実施しても良い。
　［フォトマスクの作成（第４手順）］
　本発明において、フォトマスクの製造方法は、研磨基板の成膜される面及び裏面の基準表面形状に応じて、又は研磨基板の基準板厚分布に応じて、マスクパターン形成位置を調整して電子線描画を行う点を除けば、従来どおりのマスク作製プロセスに準拠して作製できる。
　すわなち、上述の方法にて作製したマスクブランクにレジスト膜を塗布し、加熱を行う。その後、研磨基板の成膜される面及び裏面の基準表面形状に応じて、或いは研磨基板の基準板厚分布に応じて、マスクパターン形成位置を調整して電子線や紫外光による描画を行い、続く現像・エッチングにより不要な吸収膜や反射防止膜、レジストが除去されてフォトマスクを得る。
　［マスクパターン形成位置調整法］
　具体的に図６を用いて説明する。ここでは、簡単のために、ＥＵＶ光を光源とする露光装置のマスクステージの表面平坦度が０ｎｍで、反射型フォトマスクは、同マスクステージに隙間なく吸着されるものとする。表裏面の平坦度が０ｎｍでかつ板厚分布が０ｎｍの研磨基板を用いて作製した理想的な反射型フォトマスクを、露光装置のマスクステージに吸着した場合、反射型フォトマスクの表面は、図６の破線で示したように、静電チャック表面と平行となるため、反射型フォトマスクのマスクパターンは、この状態においてウェハー上の所望の位置にパターンを転写するように形成されている。
　例えば、点Ａから、マスクステージ法線からθ傾いた角度にて、反射型フォトマスクに入射するＥＵＶ光は、理想的な反射型フォトマスク表面の点Ｂにて反射され、投影光学系の点Ｃを通りウェハー上の点Ｄに投影される。本態様の投影光学系の倍率が１／４倍であるため、ウェハー上の点Ｄに形成したいパターンを４倍に等倍したものが、理想的な反射型フォトマスクの点Ｂに形成される。なお、θは、例えば６°程度である。
　しかしながら、実際の反射型フォトマスクは、反射型フォトマスクを構成する研磨基板の表裏平坦度と最大板厚分布の少なくともいずれかが０ｎｍではないため、露光装置のマスクステージに吸着された状態の反射型フォトマスクの表面は、図６の実線で示すように、なだらかな凹凸を有し、図６の破線からずれたものとなる。
　このため、同様に点Ａから入射したＥＵＶ光は、破線より高さ方向にｚずれた点Ｂ’にて、反射型フォトマスク表面から反射され、投影光学系の点Ｃ’を通りウェハー上の点Ｄ’に投影される。このため、ウェハー上の点Ｄに形成されるはずのパターンは、それからΔＸずれた点Ｄ’に投影されてしまい、微細な回路パターンを所望の位置に形成することができず、好ましくない。ここでΔＸとｚとの関係は
ΔＸ＝（ｚ・ｔａｎθ）／４
となる。
　マスクパターンの形成位置調整方法としては、この例の場合、反射型フォトマスクパターンの形成位置を、破線からの高さ方向の変位ｚに応じて、δｘ（＝ｚ・ｔａｎθ）だけ調整するものであり、この場合、反射型フォトマスク上のパターンをウェハー上の所望の位置に形成できる。
　これは、前記仮定を前提にした単純な場合であり、実際の調整は、反射型フォトマスクを構成する研磨基板の表裏表面形状や板厚分布に加えて、露光装置のマスクステージの表面形状や、マスクステージに反射型フォトマスクを吸着保持した場合の隙間、反射型フォトマスクへのパターン描画時の重力などによる反射型フォトマスクの変形など考慮する必要があり、より複雑な調整となる。
　マスクパターンの形成位置調整をすることを前提にすれば、研磨基板の平坦度に対する要求は３００ｎｍ以下に緩和される。この場合、成膜される面及び裏面の平坦度３００ｎｍ以下、表面粗さ（ＲＭＳ）０．１５ｎｍ以下、サイズ５０ｎｍ以上の欠点数が少ない研磨基板を実現すればよく、表面粗さと欠点のみに注力して加工できるため、研磨基板の加工は比較的容易となる。
　本発明においては、このずれ量の算出を、研磨基板の成膜される面と裏面の基準表面形状ないしは基準板厚分布、又はマスクブランクの成膜面と裏面の基準表面形状ないしは基準板厚分布に基づいて行う。しかも、前記基準表面形状及び前記基準板厚分布は、１枚の研磨基板又は１枚のマスクブランクを対象とするのではなく、複数枚の研磨基板又は複数枚のマスクブランクを対象として求める点に特徴を有する。
　［本発明における基準表面形状］
　本発明では、基準表面形状として、下記３種類の基準表面形状を定め、その内のいずれかを使用することが好ましい。基準表面形状を定める一つ目の方法（以下、第１基準表面形状という）は、複数枚の研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状又は複数枚のマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状を、成膜される面（或いは成膜面）と裏面の基準表面形状とする。なお、複数枚とは、２以上の枚数であれば特に制限されるものではないが、例えば、４～１５枚などが好ましい枚数の一例として挙げられる。なお、平均形状は、対象とする複数枚の表面形状を単純に平均して算出して求める。
　基準表面形状を定める二つ目の方法（以下、第２基準表面形状という）は、複数枚の研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状又は複数枚のマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状を算出し、それを多項式でフィッティング（近似）したものを、成膜される面（或いは成膜面）と裏面の基準表面形状とする。多項式としては、ルジャンドル多項式やツエルニケ多項式などが好ましい多項式として挙げられる。ｘｙｚ直交座標系におけるルジャンドル多項式（６次まで）及びツエルニケ多項式（８次まで）をそれぞれ下記式１及び式２に示す。多項式近似としては、例えば、ルジャンドル多項式の場合、６次までの近似を使用するのが精度と時間とのバランスが取れて好ましい。
　［式１］
Ｚ（ｘ，ｙ）＝
ａ０
＋ａ１
＋ａ２（３ｘ２－１）（３ｙ２－１）／４
＋ａ３（５ｘ３－３ｘ）（５ｙ３－３ｙ）／４
＋ａ４（３５ｘ４－３０ｘ２＋３）（３５ｙ４－３０ｙ２＋３）／６４
＋ａ５（６３ｘ５－７０ｘ３＋１５ｘ）（６３ｙ５－７０ｙ３＋１５ｘ）／６４
＋ａ６（２３１ｘ６－３１５ｘ４＋１０５ｘ２－５）（２３１ｙ６－３１５ｙ４＋１０５ｙ２－５）／２５６
ここで、ａｎは係数。
　［式２］
Ｚ（ｘ，ｙ）＝
ａ０
＋ａ１（ｘ２＋ｙ２）０．５ｃｏｓ（ｔａｎ－１（ｙ／ｘ））
＋ａ２（ｘ２＋ｙ２）０．５ｓｉｎ（ｔａｎ－１（ｙ／ｘ））
＋ａ３（２（ｘ２＋ｙ２）－１）
＋ａ４（ｘ２＋ｙ２）ｃｏｓ（２ｔａｎ－１（ｙ／ｘ））
＋ａ５（ｘ２＋ｙ２）ｓｉｎ（２ｔａｎ－１（ｙ／ｘ））
＋ａ６（３（ｘ２＋ｙ２）－２）（ｘ２＋ｙ２）０．５ｃｏｓ（ｔａｎ－１（ｙ／ｘ））
＋ａ７（３（ｘ２＋ｙ２）－２）（ｘ２＋ｙ２）０．５ｓｉｎ（ｔａｎ－１（ｙ／ｘ））
＋ａ８（６（ｘ２＋ｙ２）２－６（ｘ２＋ｙ２）＋１）
ここで、ａｎは係数。
　基準表面形状を定める三つ目の方法（以下、第３基準表面形状という）は、複数枚の研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状又は複数枚のマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状の少なくともどちらかを多項式にて近似し、それらを平均したものを成膜される面（或いは成膜面）と裏面の基準表面形状とする。多項式としては、第２基準表面形状で挙げられるものが好ましく使用される。
　［本発明における基準板厚分布］
　本発明では、基準板厚分布として、下記３種類の基準板厚分布を定め、その内のいずれかを使用することが好ましい。板厚分布は、研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状又はマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状を測定し、裏面の表面形状の測定結果を反転させたうえで成膜される面（或いは成膜面）の表面形状の測定結果と足し合わせたものからチルト成分を差し引くことにより、研磨基板又はマスクブランクの板厚分布を算出した。なお、得られた板厚分布の最大値と最小値との差として最大板厚分布が求まる。
　基準板厚分布を定める一つ目の方法（以下、第１基準板厚分布という）は、複数枚の研磨基板の板厚分布の平均又は複数枚のマスクブランクの板厚分布の平均を基準板厚分布とするものである。基準板厚分布を定める二つ目の方法（以下、第２基準板厚分布という）は、複数の研磨基板の平均板厚分布又は複数枚のマスクブランクの平均板厚分布を多項式でフィッティング（近似）したものを基準板厚分布とするものである。基準板厚分布を定める三つ目の方法（以下、第３基準板厚分布という）は、複数枚（ｎ枚）の研磨基板の板厚分布又は複数枚のマスクブランクの板厚分布の少なくともどちらかを多項式でフィッティング（近似）し、それらの平均を基準板厚分布とするものである。
　第２基準板厚分布及び第３基準板厚分布において、多項式としては、前述の基準表面形状の場合と同様に、ルジャンドル多項式やツエルニケ多項式などが好ましい多項式として挙げられる。多項式近似としては、例えば、ルジャンドル多項式の場合、６次までの近似を使用するのが精度と時間とのバランスの点で好ましい。また、基準板厚分布を算出する際の研磨基版又はマスクブランクの枚数としては、２以上の枚数であれば特に制限されないが、例えば、４～１５枚などが好ましい枚数の一例として挙げられる。
　本発明において、マスクパターンの形成位置調整方法としては、前述の基準表面形状又は基準板厚分布の少なくとも片方に基づいて調整することが好ましい。すなわち、基準表面形状又は基準板厚分布のいずれか片方に基づいて調整してもよいし、基準表面形状及び基準板厚分布の両方に基づいて調整してもよい。
　なお、前述の基準表面形状又は基準板厚分布は、複数枚の研磨基板又は複数枚のマスクブランクの少なくともどちらかの形状を測定し、それに基づいて基準表面形状及び／又は基準板厚分布を算出してもよいし、複数枚の研磨基板及び複数枚のマスクブランクの両方の形状を測定し、それらに基づいて基準表面形状及び／又は基準板厚分布を算出してもよい。
　以下、実施例（例１～１０）に基づいて本発明をより具体的に説明する。但し、本発明はこれに限定されるものではない。
　［研磨基板作成方法］
　四塩化ケイ素と四塩化チタンを火炎加水分解して得られたＴｉＯ２－ＳｉＯ２ガラス（ＴｉＯ2ドープ量は７質量％）から成るスライス基板（大きさ１５３ｍｍ角×厚さ６．７５ｍｍ）を準備する。このスライス基板を、ＮＣ面取り機を用いて、＃１２０のダイヤモンド砥石により、面取り幅が０．２～０．４ｍｍになるように、面取り加工して、外径寸法が１５２ｍｍ角、厚さ６．７５ｍｍとなるように仕上げ加工を実施した。次いで、スライス基板を鋳鉄製の定盤に挟持させ、Ａｌ２Ｏ３を主成分とする研磨砥粒を含有する研磨スラリーを供給し、スライス基板の表面をラップ研磨した。スライス基板の側面については、ナイロンブラシ、酸化セリウムスラリーを用いた側面研磨を行い、その表面粗さを１ｎｍ（ＲＭＳ）以下と鏡面にした。その後、側面研磨を行ったスライス基板の成膜される面と裏面の両面を、硬質発泡ポリウレタンパッド、酸化セリウムスラリーを用いた１段目の研磨、軟質発泡ポリウレタンスウェードパッド、酸化セリウムスラリーを用いた２段目の研磨、軟質発泡ポリウレタンスウェードパッド、コロイダルシリカを用いた３段目の研磨を、両面ポリッシュ機を用いて順次研磨し、成膜される面と裏面の表面粗さが０．１５ｎｍ（ＲＭＳ）以下の研磨基板（例１～５）を得た。
　［研磨基板の表面性状］
　得られた研磨基板をアルカリ洗剤とＰＶＡスポンジを用いてスクラブ洗浄後、バッチ式洗浄機を用いて、超純水、硫酸・過酸化水素水混合溶液、超純水、アルカリ洗剤、超純水の各種溶液それぞれにこの順に、浸漬し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に浸漬した後８０℃で乾燥させた。得られた研磨基板の成膜される面と裏面の表面品質領域（中央１４２ｍｍ角）の表面形状と平坦度を、フィゾー型レーザ干渉式平坦度測定機（Ｆｕｊｉｎｏｎ社製、商品名：Ｇ３１０Ｓ）を用いて測定した。得られた研磨基板の成膜される面と裏面の表面形状はいずれも、中心が相対的に低く周辺が相対的に高い凹状であり、成膜される面の平坦度は２００～３００ｎｍ、裏面の平坦度は５００～６００ｎｍであった。
　［研磨基板の加工方法］
　ＥＵＶＬ用研磨基板としては、成膜される面と裏面の平坦度が比較的大きく、その表面形状の基板間差異も大きく使用に適さないため、研磨基板の成膜される面及び裏面に、ガスクラスタイオンビームエッチング（Ｅｐｉｏｎ社製、商品名：ＵＳ５０ＸＰ）を用いて局所研磨を実施した。ここで、各部位の局所研磨量は、修正研磨工程後の研磨基板の成膜される面と裏面の所望の表面形状（中心が相対的に低く周辺が相対的に高い凹状であり、成膜される面と裏面の平坦度がそれぞれ３３０ｎｍ、６００ｎｍ）と、局所研磨前の研磨基板の成膜される面と裏面の表面形状測定結果の差異とし、局所研磨量の調整はガスクラスタイオンビームのスキャン速度を調整することにより実施した。その他の主な局所研磨の加工条件を以下に示す。
　＜局所研磨加工条件＞
　ソースガス：ＮＦ３ ５％とＮ２ ９５％の混合ガス、
　加速電圧：３０ｋＶ、
　イオン化電流：１００μＡ、
　ガスクラスタイオンビームのビーム径（ＦＷＨＭ値）：６ｍｍ
　エッチング速度：５０ｎｍ・ｃｍ２／秒。
　局所研磨した研磨基板の成膜される面と裏面の表面粗さは約０．５ｎｍ（ＲＭＳ）と大きく、ＥＵＶＬ用研磨基板として適さないため、さらに以下に示す条件で研磨基板の成膜される面及び裏面に仕上げ研磨を実施し、その表面粗さを０．１５ｎｍ（ＲＭＳ）以下にした。
　＜仕上げ研磨条件＞
　研磨試験機：浜井産業社製 両面２４Ｂ研磨機、
　研磨パッド：カネボウ社製 ベラトリックスＮ７５１２、
　研磨常盤回転数：１０ｒｐｍ 、
　研磨時間：３０分、
　研磨荷重：５１ｃＮ／ｃｍ２、
　研磨量：０．０６μｍ／面、
　希釈水：純水（０．１μｍ以上異物濾過）、
　スラリー流量：１０リットル／ｍｉｎ、
　研磨スラリー：平均一次粒径２０ｎｍ未満のコロイダルシリカを２０質量％含有、
　研磨量：０．０２μｍ。
　［加工後の研磨基板の表面性状］
　得られた研磨基板を前述と同様の方法にて洗浄し、成膜される面と裏面の表面品質領域（中央１４２ｍｍ角）の表面形状と平坦度を前述と同様の方法にて測定した。こうして得られたＥＵＶＬ用研磨基板５枚の成膜される面と裏面の表面形状と平坦度の測定値を図７、図８、表１にそれぞれ示す。
　［第１基準表面形状との差異］
　研磨基板５枚の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状から成膜される面と裏面の基準表面形状を求め、それぞれ図７、図８に示す。図中、左から第２列は、表面形状（ｓｕｒｆａｃｅ　ｐｏｒｆｉｌｅ）を、第３列は表面形状と基準表面形状（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ；最終行の第２列）との差異（ｒｅｓｉｄｕａｌ）をそれぞれ示す。成膜される面と裏面の基準表面形状の平坦度は６８ｎｍ、５６ｎｍであった。研磨基板５枚の成膜される面と裏面の表面形状の、第１基準表面形状からの差異の最大値を算出した結果を、表１に示す。差異はいずれも４６ｎｍ以下であり、成膜される面と裏面の基準表面形状に基づいてマスクパターン形成位置の調整を行ってマスクパターン描画を行うことにより、ＥＵＶＬ実施時に十分な転写精度を有するＥＵＶＬ用反射型フォトマスクの製造方法を得ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　［第２基準表面形状との差異］
　基準表面形状を定める二つ目の方法は、研磨基板５枚の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状を５次までのルジャンドル多項式（関数）でフィッティング（近似）し、成膜される面と裏面の基準表面形状とするものである。成膜される面（Ｆｒｏｎｔ　ｓｕｒｆａｃｅ）と裏面（Ｂａｃｋ　ｓｕｒｆａｃｅ）の基準表面形状を図９に示す。成膜される面と裏面の基準表面形状の平坦度は５２ｎｍ、４５ｎｍであった。
　研磨基板５枚の成膜される面と裏面の表面形状の、第２基準表面形状からの差異の最大値を算出した結果を、表２に示す。差異はいずれも５７ｎｍ以下であり、成膜される面と裏面の基準表面形状に基づいてマスクパターン形成位置の調整を行ってマスクパターン描画を行うことにより、ＥＵＶＬ実施時に十分な転写精度を有するＥＵＶＬ用反射型フォトマスクの製造方法を得ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　［加工後の研磨基板の板厚分布］
　例１～５と同様の方法にて研磨基板を作製した。こうして得られた研磨基板５枚の成膜される面と裏面の表面形状を例１～５と同様の方法にて測定し、裏面の表面形状の測定結果を反転させたうえで成膜される面の表面形状の測定結果と足し合わせたものからチルト成分を差し引くことにより、研磨基板の板厚分布を算出した（例６～１０）。得られた板厚分布の最大値と最小値との差として最大板厚分布を得た。研磨基板５枚の板厚分布を図１０に、最大板厚分布を表３に示す。図中、左から第２列は板厚分布（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を、第３列は板厚分布と基準板厚分布（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ；最終行の第２列）との差異（ｒｅｓｉｄｕａｌ）をそれぞれ示す。
　［第１基準板厚分布との差異］
　研磨基板５枚の研磨基板の平均板厚分布から第１基準板厚分布を求めた。基準板厚分布を図１０に示す。基準板厚分布の最大値は９３ｎｍであった。研磨基板５枚の板厚分布の、第１基準板厚分布からの差異の最大値を算出した結果を、表３に示す。差異はいずれも５０ｎｍ以下であり、基準板厚分布に基づいてマスクパターン形成位置の調整を行ってマスクパターン描画を行うことにより、ＥＵＶＬ実施時に十分な転写精度を有するＥＵＶＬ用反射型フォトマスクの製造方法を得ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　［第２基準板厚分布との差異］
　基準板厚分布を定める二つ目の方法は、ＥＵＶＬ用研磨基板５枚の平均板厚分布を５次までのルジャンドル多項式（関数）でフィッティング（近似）したものを、基準板厚分布（第２基準板厚分布）とするものである。基準板厚分布を図１１に示す。基準板厚分布の最大値は７５ｎｍであった。準備したＥＵＶＬ用研磨基板５枚の板厚分布の、該基準板厚分布からの差異の最大値を算出した結果を、表４に示す。差異はいずれも７５ｎｍ以下であり、基準板厚分布に基づいてマスクパターン形成位置の調整を行ってマスクパターン描画を行うことにより、ＥＵＶＬ実施時に十分な転写精度を有するＥＵＶＬ用反射型フォトマスクの製造方法を得ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
　本出願は、２０１１年１月２６日出願の日本特許出願２０１１－０１４４６０に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　本発明の研磨基板及びマスクブランクを用いることにより、また本発明に従ってＥＵＶＬ用反射型フォトマスクを作製することにより、ＥＵＶＬ実施時の転写精度を安定して向上できる。
　１：研磨基板、２：多層反射膜、３：保護膜、４：吸収膜、５：反射防止膜、６：レジスト膜、７：導電膜、１０：マスクブランク、１１：品質保証領域

Claims (12)

  1. 　研磨基板と、該研磨基板上に形成された光吸収膜を少なくとも有するマスクブランクに、マスクパターン設計に基づいてマスクパターンを描画するフォトマスクの製造方法であって、
    　複数枚の研磨基板の表面形状又は複数枚のマスクブランクの表面形状の少なくともどちらかを測定し、前記測定された表面形状に基づいて基準表面形状又は基準板厚分布を算出後、前記算出された基準表面形状又は基準板厚分布に基づいて前記マスクパターン描画時のマスクパターン形成位置を調整する、フォトマスクの製造方法。
  2. 　フォトマスクがＥＵＶＬ用反射型フォトマスクであり、前記マスクブランクが研磨基板と光吸収膜との間に多層反射膜（ＭＬ膜）を有し、ＭＬ膜上に形成される光吸収膜がＥＵＶ光吸収膜である、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
  3. 　前記基準表面形状は、前記複数枚の研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状それ自体又は前記複数枚のマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状それ自体である、請求項１又は２に記載のフォトマスクの製造方法。
  4. 　前記基準表面形状は、前記複数枚の研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状又は前記複数枚のマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状の平均形状を算出し、該算出された平均形状を多項式にて近似して得られる、請求項１又は２に記載のフォトマスクの製造方法。
  5. 　前記多項式がルジャンドル多項式又はツエルニケ多項式である、請求項４に記載のフォトマスクの製造方法。
  6. 　前記基準表面形状は、前記複数枚の研磨基板の成膜される面と裏面のそれぞれの表面形状又は前記複数枚のマスクブランクの成膜面と裏面のそれぞれの表面形状の少なくともどちらかを多項式にて近似し、それらを平均して得られる、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
  7. 　前記多項式がルジャンドル多項式又はツエルニケ多項式である、請求項６に記載のフォトマスクの製造方法。
  8. 　前記基準板厚分布は、前記複数枚の研磨基板の板厚分布の平均又は前記複数枚のマスクブランクの板厚分布の平均である、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
  9. 　前記基準板厚分布は、前記複数枚の研磨基板の平均板厚分布又は前記複数枚のマスクブランクの平均板厚分布を算出し、該算出された平均板厚分布を多項式にて近似して得られる、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
  10. 　前記多項式がルジャンドル多項式又はツエルニケ多項式である、請求項９に記載のフォトマスクの製造方法。
  11. 　前記基準板厚分布は、前記複数枚の研磨基板の板厚分布又は前記複数枚のマスクブランクの板厚分布の少なくともどちらかを多項式にて近似しそれらを平均して得られる、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
  12. 　前記多項式がルジャンドル多項式又はツエルニケ多項式である、請求項１１に記載のフォトマスクの製造方法。
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