WO2012002383A1 - Target mounting mechanism - Google Patents
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Definitions
- a sputtering apparatus using a cylindrical target has been proposed as means for depositing a metal film with a uniform thickness and uniformity on such a large area deposition target (see, for example, Patent Document 1).
- the cylindrical target is characterized by higher usage efficiency than the flat target.
- the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a target mounting mechanism capable of easily mounting a cylindrical target to a cathode at an accurate mounting position. It is another object of the present invention to provide a target mounting mechanism capable of making the erosion pattern of the target uniform and extending the life of the target.
- One aspect of the present invention is a target mounting mechanism that detachably mounts a cylindrical target used in a sputtering apparatus to a connecting portion of a cathode
- the target includes a cylindrical base body and a target material covering the base body, a central region where the target material is disposed, and a connection region where the base body is exposed at both ends excluding the central region.
- a connecting portion of the cathode formed with a substantially cylindrical clamp that internally includes the connecting portion and the connecting region; a first engaging convex portion formed in the connecting region of the target;
- the second engagement convex portion formed on the inner peripheral surface of the clamp is relatively moved only along the circumferential direction of the target in a state where the connection portion and the connection region are present in the clamp. Are engaged.
- the torque required for the engagement between the first engagement protrusion and the second engagement protrusion is 1 (kgf ⁇ cm) or more, It is preferably 20 (kgf ⁇ cm) or less.
- three or more of the second engaging convex portions are formed, are on the same line in the inner peripheral surface direction of the clamp, and are viewed around the rotation axis of the target.
- the other second engaging projections are also axisymmetric with respect to a line segment that is also on the imaginary circle and passes through the center and at least one of the second engaging projections. It is preferable that they are arranged.
- the anode (anode) 12 is composed of, for example, a plurality of flat electrodes.
- the anode 12 only needs to be electrically connected to the ground via a power cable.
- An object to be deposited, for example, a glass plate 19 is placed on one surface of the anode 12 that is such a flat electrode.
- the Ar gas supply device 18 is connected to the inside of the reaction chamber 11 through a gas supply pipe. Thereby, Ar gas is supplied into the reaction chamber 11 as a plasma generating gas during film formation.
- the entire target 21 is formed in a substantially cylindrical shape.
- the target 21 includes a hollow cylindrical base (backing tube) 22 and a target material 23 that covers the outer peripheral surface of the base 22 in a central region S1 along the axial direction R of the base 22. Then, both end sides excluding the central region S1 are connected regions S2 where the base 22 is exposed.
- the substrate (backing tube) 22 may be formed of, for example, a stainless steel tube having a thickness of about several millimeters.
- the target material 23 covering the central region S1 of the substrate 22 is a thin film material to be deposited on the deposition object, for example, various metal materials such as W, Ti, Ta, Mo, Al alloy, silicon, indium-tin oxide. (Hereinafter referred to as ITO) or the like may be formed with a predetermined thickness.
- an alternating current (AC) is passed from the alternating current (AC) power supply device 14 to the two targets 21 and 21 via the cathode 13.
- an electric current is applied to one target 21 and the other target 21 so that the cathode and the anode are alternately switched.
- FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the target mounting mechanism of the present invention.
- FIG. 4 is a cross-sectional view showing the target mounting mechanism of the present invention.
- first engaging convex portions 61 are formed along the circumferential direction of the base body 22.
- the first engaging protrusions 61 are protrusions that protrude outward from the peripheral surface 22 a of the base material 22, and are equally disposed at, for example, six locations along the circumferential direction Q of the base body 22.
- the first engaging convex portion 61 may be formed integrally with the base body 22.
- the surface of the spacer 76 formed of iron, stainless steel, copper alloy, or the like is subjected to a surface treatment in which a fluorine resin is combined with the electroless nickel deposited in the form of particles on the base. May be formed.
- a fluorine resin is combined with the electroless nickel deposited in the form of particles on the base. May be formed.
- connection region S2 of the base material 22 is inserted into the clamp 71, the clamp 71 is then rotated around the axial direction R only along the circumferential direction Q of the target 21, as shown in FIG. 5B.
- the second engaging convex portions 72 formed in the three grooves 71b are connected to the introduction portion 61a of the first engaging convex portion 61 and the inner peripheral surface. It overlaps in the radial direction of 71a. In this state, since the height from the peripheral surface 22a of the introduction part 61a is low, the second engagement convex part 72 and the first engagement convex part 61 hardly contact each other.
- the clamp 71 is set to a predetermined engagement by having a structure in which a contact sound is emitted when the second engaging convex portion 72 hits the locking portion 61c of the first engaging convex portion 61. It can be perceived that it has been rotated to a position. Thereby, poor engagement due to insufficient rotation of the clamp 71 can be prevented.
- the center of the cathode 13 and the axis of the target 21 can be easily matched by the engagement of the first engaging convex portion 61 and the second engaging convex portion 72, The shaft center can be rotated without being decentered.
- the distance between the film formation target and the target 21 is uniform over the entire circumference of the target 21, and a film having a uniform thickness with no unevenness can be formed over the entire surface of the film formation target. become.
- the first engagement convex portion 31 is formed in, for example, a substantially L shape in plan view.
- the first engagement convex portion 31 includes a first engagement means E1 extending along the axial direction R of the target 21 and a second engagement means E2 extending along the circumferential direction Q of the target 21.
- third engaging means E3 arranged in a direction substantially perpendicular to the circumferential direction Q of the target 21.
- a gasket ring 47 is formed at the end of the connecting portion S3 of the cathode 13.
- the gasket ring 47 is made of, for example, aluminum, and keeps the hollow interior of the base material 22 airtight by contacting the end of the base material 22 of the target 21.
- the first engaging means E1 constituting the first engaging convex portion 31 and the one surface L1 of the second engaging convex portion 42 slide along the axial direction R. Meanwhile, the connection region S ⁇ b> 2 of the base material 22 is inserted into the clamp 41.
- the clamp 41 is rotated only along the circumferential direction Q of the target 21, and the one surface L1 of the second engagement convex portion 42 and the first engagement means E1 are in the circumferential direction.
- the clamp 41 is rotated along the circumferential direction Q of the target 21, as shown in FIG. 9C.
- the second engagement means E2 constituting the first engagement protrusion 31 and the other surface L2 of the second engagement protrusion 42 slide along the circumferential direction Q. While doing this, the clamp 41 rotates.
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Abstract
Description
本発明は、スパッタリング装置のターゲット取付機構に関し、詳しくは、円筒形のターゲットをカソードに対して容易にかつ確実に取り付けが可能なターゲット取付機構に関する。
本願は、2010年6月28日に、日本に出願された特願2010-146617号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
The present invention relates to a target mounting mechanism of a sputtering apparatus, and more particularly to a target mounting mechanism that can easily and reliably mount a cylindrical target to a cathode.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2010-146617 filed in Japan on June 28, 2010, the contents of which are incorporated herein by reference.
例えば、建材用ガラスとして、Low-Eガラス(低放射ガラス)が普及しつつある。
この種のLow-Eガラスは、ガラス表面に金属薄膜を成膜することで形成される。従来、ガラス等の表面に金属薄膜を形成する際には、平板状のターゲット(以下、単にターゲットと称する)を備えたマグネトロンスパッタリング装置を用いて成膜を行っていた。
For example, Low-E glass (low emission glass) is becoming popular as glass for building materials.
This type of Low-E glass is formed by forming a metal thin film on the glass surface. Conventionally, when forming a metal thin film on the surface of glass or the like, film formation is performed using a magnetron sputtering apparatus provided with a flat target (hereinafter simply referred to as a target).
しかしながら、近年の建材用ガラスの大型化に伴って、平板状のターゲットでは、ガラス表面の全体に、均一な厚みで金属膜を成膜することが難しい。
こうした大面積の成膜対象物に均一な厚みでムラなく金属膜を成膜する手段として、円筒形状のターゲットを用いたスパッタリング装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、円筒状のターゲットは平板状のターゲットよりも使用効率が高いという特徴がある。
However, with the recent increase in size of glass for building materials, it is difficult for a flat target to form a metal film with a uniform thickness on the entire glass surface.
A sputtering apparatus using a cylindrical target has been proposed as means for depositing a metal film with a uniform thickness and uniformity on such a large area deposition target (see, for example, Patent Document 1). In addition, the cylindrical target is characterized by higher usage efficiency than the flat target.
円筒形状のターゲットを用いたスパッタリング装置は、円筒形のターゲットが回転軸方向(長手方向)に沿った両端でカソード電極に取り付けられる。従来、ターゲットをカソード電極に取り付ける構成として、例えば、カソード電極に係合するクランプに、断面が半円形の溝をスパイラル状に形成するとともに、ターゲットの端部にも、半円形の溝をスパイラル状に形成する。そして、いずれか一方の溝に円筒形のスパイラルリングを挿入し、他方の溝にスパイラルリングを噛み合わせることによって、ターゲットをカソード電極に取り付ける連結システムが開示されている(特許文献2参照)。 In a sputtering apparatus using a cylindrical target, the cylindrical target is attached to the cathode electrode at both ends along the rotation axis direction (longitudinal direction). Conventionally, as a configuration for attaching a target to a cathode electrode, for example, a semi-circular groove is formed in a spiral shape in a clamp that engages with the cathode electrode, and a semi-circular groove is also formed in a spiral shape at the end of the target. To form. A coupling system is disclosed in which a target is attached to a cathode electrode by inserting a cylindrical spiral ring into one of the grooves and engaging the spiral ring with the other groove (see Patent Document 2).
しかしながら、上述した特許文献2にあるような連結システムでは、円筒形のターゲットをカソード電極に取り付ける際に、スパイラルリングを介してターゲットとクランプとを係合するために、取り付け位置がズレやすく、ターゲットの軸心をカソード電極の回転中心に正確に位置合わせして取り付けることが困難であった。このため、ターゲットが偏心して回転しやすく、エロージョンパターンが安定せず、ターゲットの寿命が短いという問題があった。
However, in the connection system as described in
また、例えば、成膜面の一辺が数メートルなど、大型の被成膜物に成膜を行うために、長さが数メートルなど大型のターゲットを用いる場合、ターゲットをカソード電極に取り付ける際に、専用工具を用いてクランプを大きな力で回転させる必要があり、ターゲットの取付けに多大な労力が必要であった。 In addition, for example, when a large target such as several meters in length is used to form a film on a large deposition object such as one side of a film formation surface of several meters, when attaching the target to the cathode electrode, It was necessary to rotate the clamp with a large force using a dedicated tool, and much effort was required for mounting the target.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、円筒形のターゲットをカソードに対して容易に、かつ正確な取付位置で取り付けが可能なターゲット取付機構を提供することを目的とする。また、ターゲットのエロージョンパターンを均一にして、ターゲットの長寿命化を図ることが可能なターゲット取付機構を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a target mounting mechanism capable of easily mounting a cylindrical target to a cathode at an accurate mounting position. It is another object of the present invention to provide a target mounting mechanism capable of making the erosion pattern of the target uniform and extending the life of the target.
(1)本発明の一態様は、スパッタリング装置において用いられる円筒形のターゲットをカソードの連結部に対して着脱可能に取り付けるターゲット取付機構であって、
前記ターゲットが、円筒形の基体と、この基体を覆うターゲット材とを備えるとともに、前記ターゲット材が配された中央領域と、この中央領域を除く両端側で前記基体が露出する連結領域と、を有し;前記カソードの連結部に、この連結部と前記連結領域とを内在させる略円筒形のクランプが形成され;前記ターゲットの前記連結領域に形成される第一の係合凸部と、前記クランプの内周面に形成される第二の係合凸部とが、前記連結部及び前記連結領域が前記クランプに内在した状態で、前記ターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動することにより、係合されている。
(1) One aspect of the present invention is a target mounting mechanism that detachably mounts a cylindrical target used in a sputtering apparatus to a connecting portion of a cathode,
The target includes a cylindrical base body and a target material covering the base body, a central region where the target material is disposed, and a connection region where the base body is exposed at both ends excluding the central region. A connecting portion of the cathode formed with a substantially cylindrical clamp that internally includes the connecting portion and the connecting region; a first engaging convex portion formed in the connecting region of the target; The second engagement convex portion formed on the inner peripheral surface of the clamp is relatively moved only along the circumferential direction of the target in a state where the connection portion and the connection region are present in the clamp. Are engaged.
(2)上記(1)に記載の態様では、前記第一の係合凸部と前記第二の係合凸部との係合に必要とされるトルクが、1(kgf・cm)以上、20(kgf・cm)以下であることが好ましい。 (2) In the aspect described in (1) above, the torque required for the engagement between the first engagement protrusion and the second engagement protrusion is 1 (kgf · cm) or more, It is preferably 20 (kgf · cm) or less.
(3)上記(1)に記載の態様では、前記第一の係合凸部と前記第二の係合凸部との接触面が、前記ターゲットの円周方向が短手、前記ターゲットの軸方向が長手を成す形状であることが好ましい。 (3) In the aspect described in (1) above, the contact surface between the first engagement protrusion and the second engagement protrusion is short in the circumferential direction of the target, and the axis of the target It is preferable that the direction is a longitudinal shape.
(4)上記(1)に記載の態様では、前記第一の係合凸部と前記第二の係合凸部との係合動作が完了したことを判別する信号を発する構造を備えることが好ましい。 (4) In the aspect described in (1) above, a structure may be provided that generates a signal for determining that the engagement operation between the first engagement convex portion and the second engagement convex portion is completed. preferable.
(5)上記(1)に記載の態様では、前記第二の係合凸部が3つ以上形成され、前記クランプの内周面方向の同一線上にあり、前記ターゲットの回転軸を中心と見なした仮想円上にもあり、かつ前記中心と、前記第二の係合凸部のうち少なくとも一つとを通る線分に対して、それ以外の前記第二の係合凸部が軸対称に配置されていることが好ましい。 (5) In the aspect described in (1) above, three or more of the second engaging convex portions are formed, are on the same line in the inner peripheral surface direction of the clamp, and are viewed around the rotation axis of the target. The other second engaging projections are also axisymmetric with respect to a line segment that is also on the imaginary circle and passes through the center and at least one of the second engaging projections. It is preferable that they are arranged.
(6)上記(1)に記載の態様では、前記カソードの前記連結部における軸心に対して垂直に延在する部分と、前記基体との接触部分とに設けられたガスケットリングを更に備えることが好ましい。 (6) In the aspect described in the above (1), further includes a gasket ring provided at a portion extending perpendicularly to the axis of the connecting portion of the cathode and a contact portion with the base. Is preferred.
(7)上記(1)に記載の態様では、前記カソードの前記連結部における軸心に対して垂直に延在する部分と、前記基体とを密着させる固定手段を更に備えることが好ましい。 (7) In the aspect described in (1) above, it is preferable to further include a fixing unit that closely contacts the base and a portion of the connecting portion of the cathode that extends perpendicular to the axis.
(8)上記(1)に記載の態様では、前記カソードの前記連結部における軸心に対して垂直に延在する部分と、前記クランプとの隙間に配置されたスペーサを更に備えることが好ましい。
(9)上記(8)の場合、前記スペーサに、表面処理が施されていることが好ましい。
(8) In the aspect described in (1) above, it is preferable to further include a spacer disposed in a gap between the portion of the cathode that extends perpendicularly to the axial center of the connecting portion and the clamp.
(9) In the case of (8) above, it is preferable that the spacer is subjected to a surface treatment.
以上に説明したように、上記(1)に記載の態様によれば、スパッタリング装置のカソードに円筒形のターゲットを取付ける際に、カソードに形成されたクランプをターゲットの端部の連結領域に挿入し、ターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動させるだけで第一の係合凸部と第二の係合凸部とが係合し、円筒形のターゲットをカソードに対して取り付けることができる。 As described above, according to the aspect described in (1) above, when the cylindrical target is attached to the cathode of the sputtering apparatus, the clamp formed on the cathode is inserted into the connection region at the end of the target. The first engaging convex portion and the second engaging convex portion can be engaged with each other only by relatively moving along the circumferential direction of the target, and the cylindrical target can be attached to the cathode.
このため、第一の係合凸部と第二の係合凸部との係合によって、カソードの中心とターゲットの軸心とを容易に一致させることができ、ターゲットを、軸心を回転中心として偏心することなく回転させることができる。これによって、被成膜物とターゲットとの距離がターゲットの全周に渡って均一となり、ムラのない均一な厚みの皮膜を被成膜物の全面に渡って成膜することが可能になる。 For this reason, the center of the cathode and the axis of the target can be easily matched by the engagement of the first engagement convex part and the second engagement convex part, and the target is rotated about the axis. And can be rotated without eccentricity. Thus, the distance between the film formation target and the target is uniform over the entire circumference of the target, and a film having a uniform thickness with no unevenness can be formed over the entire surface of the film formation target.
また、大型で重量のあるターゲットを用いる場合でも、ターゲットの取り付けの際に、クランプをターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動させるだけで第二の係合凸部と第一の係合凸部とを係合し、ターゲットをカソードに取り付けることができる。このため、従来のように専用工具を用いてクランプを大きな力で回転させるなどの必要がなく、専用工具を用いずとも小さな力でクランプをターゲットの円周方向に沿って回すだけで、容易にターゲットをカソードに取り付けることが可能になる。 Even when a large and heavy target is used, when the target is attached, the second engagement convex portion and the first engagement convex portion are simply moved relative to each other only along the circumferential direction of the target. And the target can be attached to the cathode. For this reason, there is no need to rotate the clamp with a large force using a dedicated tool as in the past, and it is easy to rotate the clamp along the circumferential direction of the target with a small force without using a dedicated tool. It becomes possible to attach the target to the cathode.
以下、図面を参照して、本発明に係るターゲット取付機構の一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。 Hereinafter, an embodiment of a target mounting mechanism according to the present invention will be described with reference to the drawings. The present embodiment is specifically described for better understanding of the gist of the invention, and does not limit the invention unless otherwise specified. In addition, in the drawings used in the following description, in order to make the features of the present invention easier to understand, there is a case where a main part is shown in an enlarged manner for the sake of convenience. Not necessarily.
最初に、本実施形態のターゲット取付機構を備えたマグネトロンスパッタリング装置(以下、スパッタリング装置と称する)を説明する。
図1は、スパッタリング装置の構成を示す縦断面図である。また、図2は、ターゲットを含む領域を示す要部拡大斜視図である。
スパッタリング装置10は、反応室11、アノード(陽極)12、カソード(陰極)13、真空ポンプ17、およびArガス供給装置18を備えている。反応室11の内部は、真空ポンプ17によって減圧可能であり、成膜時には、例えば、真空度6Pa程度まで減圧される。
First, a magnetron sputtering apparatus (hereinafter referred to as a sputtering apparatus) provided with the target mounting mechanism of the present embodiment will be described.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the configuration of the sputtering apparatus. FIG. 2 is an enlarged perspective view of a main part showing a region including the target.
The
アノード(陽極)12は、例えば、複数の平板状電極からなっている。アノード12は、電力ケーブルを介してアースと電気的に接続されていればよい。こうした平板状電極であるアノード12の一面には、被成膜物、例えばガラス板19が載置される。
The anode (anode) 12 is composed of, for example, a plurality of flat electrodes. The
カソード(陰極)13は、後述するターゲット21に電気的に接続される端子を構成し、電力ケーブルを介して交流(AC)電源装置14に電気的に接続されている。また、このカソード13は、冷却水供給装置15と接続される冷却水循環パイプ16によって、成膜時の温度上昇が抑制される。
The cathode (cathode) 13 constitutes a terminal that is electrically connected to a
Arガス供給装置18は、ガス供給パイプを介して反応室11の内部に接続される。これにより、成膜時に、反応室11内にプラズマ発生用ガスとしてArガスが供給される。
The Ar
図2に示すように、ターゲット21は、全体が略円筒形に形成されている。ターゲット21は、中空円筒形の基体(バッキングチューブ)22と、この基材22の軸心方向Rに沿った中央領域S1で、基体22の外周面を覆うターゲット材23とからなる。そして、この中央領域S1を除く両端側は、基体22が露出した連結領域S2とされている。
As shown in FIG. 2, the
基体(バッキングチューブ)22は、例えば、厚みが数ミリ程度のステンレスチューブによって形成されていればよい。基体22の中央領域S1を覆うターゲット材23は、被成膜物に成膜したい薄膜の材料、例えば、W、Ti、Ta、Mo、Al合金等の各種金属材料、シリコン、インジウム-スズ酸化物(以下、ITOと呼ぶ)等を所定の厚みで形成したものであればよい。
The substrate (backing tube) 22 may be formed of, for example, a stainless steel tube having a thickness of about several millimeters. The
こうした円筒形のターゲット21がスパッタリング装置10にセットされた際に、基体22の内部にマグネット51(図1参照)が配される。このマグネット51は、ターゲット材23の周囲に磁場を形成し、マグネトロンスパッタリングを行う。こうしたマグネット51によってプラズマをターゲット21付近に封じ込めることで、スパッタ速度を高速化するとともに、ターゲット21の近傍にターゲットの薄膜が堆積することを防止する。
When such a
ターゲット21の両端部、即ち連結領域S2には、カソード(陰極)13が電気的、かつ機械的に接続される。この連結領域S2とカソード13との接続は、カソードの連結部S3に形成されたクランプ41を介して行われる。
The cathode (cathode) 13 is electrically and mechanically connected to both ends of the
このようなターゲット21は、例えば、同一のものが2本並列に形成されていればよい。そして、それぞれのターゲット21は、図示しないモータによって、成膜中に所定の回転速度で回転する。
For example, two
以上のような構成のスパッタリング装置10を用いて、被成膜物であるガラス19の一面に、例えば金属薄膜を成膜する際には、まず、反応室11内にArガス供給装置18からArガスを導入し、同時に真空ポンプ17により反応室11内を減圧させ、例えば圧力を1.3Paに設定する。次に、被成膜物であるガラス19を載置したアノード12を、並列して配された2本のターゲット21,21に対面させる。
When a thin metal film, for example, is formed on one surface of the
そして、交流(AC)電源装置14からカソード13を介して2本のターゲット21,21に交流電流(AC)を流す。この時、一方のターゲット21と他方のターゲット21には、電流が陰極と陽極に交互に入れ替わるように印加される。
Then, an alternating current (AC) is passed from the alternating current (AC)
ターゲット21,21に交流電流(AC)が印加されると、反応室11内のArガスがグロー放電プラズマとなり、多数のAr+イオンが発生する。そして、この多数のAr+イオンはカソード13に接続されたターゲット21のターゲット材23に衝突する。ターゲット材23はこのAr+の衝突によりスパッタリングされ、ターゲット材の構成材料の粒子(スパッタ粒子)は、アノード12に載置されたガラス19上に堆積する。これによって、ガラス19の一面に、ターゲット材23の構成材料からなる薄膜を形成することができる。
When an alternating current (AC) is applied to the
こうしたスパッタリングの際に、ターゲット21,21を、軸心方向Rを回転中心として所定の速度で回転させることにより、ターゲット材23が均一な厚みで減少するとともに、大面積のガラス19の一面全体に対して、均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
During such sputtering, by rotating the
(第一実施形態)
図3は、本発明のターゲット取付機構を示す拡大斜視図である。また、図4は、本発明のターゲット取付機構を示す断面図である。
ターゲット21の両端部で基体22が露呈した連結領域S2には、基体22の円周方向に沿って、第一の係合凸部61が形成される。第一の係合凸部61は、基材22の周面22aから外方に突出する突起であり、基体22の円周方向Qに沿って、例えば6箇所に均等に配置される。この第一の係合凸部61は、基体22と一体に形成されていればよい。
(First embodiment)
FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the target mounting mechanism of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the target mounting mechanism of the present invention.
In the connection region S <b> 2 where the
第一の係合凸部61は、基材22の周面22aから低い位置で突出する導入部61aと、この導入部61aから基体22の円周方向Qに沿って、周面22aから外方に離れる方向に傾斜する傾斜部61bと、この傾斜部61bに連なり、傾斜部61bよりも急角度(大きな角度)で、周面22aから外方に離れる方向に立ち上がる(傾斜する)係止部61cとからなる(図5Aの断面図も参照)。また、傾斜部61bは、導入部61aに連なる側から、係止部61cに連なる側に向けて、ターゲット21の軸心方向Rに沿って幅が広がる形状を成す。
The first engaging
カソード(陰極)13の一端を成す連結部S3には、クランプ71が回転可能に取り付けられている。このクランプ71は、カソード13の連結部S3と、ターゲット21の連結領域S2とを内在させる、中空の略円筒形状に形成されている。即ち、ターゲット21は、中空の内径がカソード13の連結部S3やターゲット21の連結領域S2の直径と同じかそれよりも大きく形成され、ターゲット21の取付時には、これら連結部S3や連結領域S2を覆う形状を成す。
A
クランプ71の内周面71aには、このクランプ71の内周方向Dに沿って、第二の係合凸部72が形成される。第二の係合凸部72は、内周面71aからクランプ71の外側に向けて掘り下げられた所定幅の溝71bの両側面に支持された(固着された)円筒棒状の部材である。溝71bは、クランプ71の内周方向Dに沿って、例えば6箇所に均等に配置される。一方、第二の係合凸部72は、これら6箇所の溝71bのうち、1つおきに3箇所、均等に形成される。
A second
溝71bは、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との係合時に、6箇所形成された第一の係合凸部61がこの溝71bと内周方向Dにおいて対面する。そして、6箇所の溝71bのうち、3箇所の溝71bに形成された第二の係合凸部72と、第一の係合凸部61とが摺動し、かつ当接することで、ターゲット21がクランプ71に固定される(ターゲット21とクランプ71との係合は後ほど述べる)。
The
クランプ71の一端側には、締付ネジ73とネジ穴74とからなる固定手段75が形成されている。この固定手段75は、クランプ71をターゲット21に係合させた際に、締付ネジ73を軸心方向Rに沿ってターゲット21に向けて締め付けることによって、クランプ71が内周方向Dに沿って緩むことがないよう固定される。
At one end side of the
軸心方向対して垂直に広がるカソード13の連結部S3と、クランプ71の内面との間に形成される隙間Tには、スペーサ76が更に設けられる。このスペーサ76は、中心にカソード13を貫通させる穴が設けられた円盤状の部材であり、例えば、ステンレス、アルミニウムなどから形成されていればよい。スペーサ76は、固定手段75を構成する締付ネジ73を締め付けた際に、その先端がカソード13の連結部S3に直接当接して傷つくことを防止する。
A
スペーサ76は表面処理が施されていることが好ましい。例えば、アルミニウムから形成されたスペーサ76の表面に、アルマイト皮膜を形成すればよい。また、例えば、アルミニウムから形成されたスペーサ76の表面に、マイクロクラック等の微細凹凸に富んだ硬質アルマイト膜を形成し、更に微小なフッ素樹脂を複合した皮膜が形成されていればよい。
The
また、例えば、鉄、ステンレス、銅合金などから形成したスペーサ76の表面に、無電解ニッケルとフッ素樹脂を処理液中で共析させ、皮膜中にフッ素樹脂を容積比に対し30%程度均一に含ませ、成膜後に熱処理を行い、無電解ニッケルとフッ素樹脂を強固に密着させた皮膜を形成してもよい。
Further, for example, electroless nickel and fluororesin are co-deposited in the treatment liquid on the surface of the
更に、例えば、鉄、ステンレス、銅合金などから形成したスペーサ76の表面に、無電解ニッケルをベースとし、この粒子状に析出させた無電解ニッケルにフッ素樹脂を複合させた表面処理を行って皮膜を形成してもよい。
このように、スペーサ76の表面処理を行うことによって、スペーサ76の耐摩耗性向上、摺動性向上、かじり防止等を実現することができる。
Further, for example, the surface of the
As described above, by performing the surface treatment of the
カソード13の連結部S3の端部には、ガスケットリング77が形成されている。このガスケットリング77は、例えばアルミニウムや銅合金などから形成され、ターゲット21の基材22の端部に当接することによって、基材22の中空な内部を気密に保つ。
A
このような構成の本発明のターゲット取付機構の作用を説明する。
本実施形態のターゲット取付機構によってスパッタリング装置10のカソード13に円筒形のターゲット21を取付ける際には、図5Aに示すように、ターゲット21の基材22が露出した連結領域S2に、カソード13の連結部S3に形成されたクランプ71を接近させる。そして、クランプ71の内部に基材22の連結領域S2を挿入する。
The operation of the target mounting mechanism of the present invention having such a configuration will be described.
When the
基材22の連結領域S2をクランプ71の内部に挿入したら、次に、図5Bに示すように、クランプ71を軸心方向R周りで、ターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転させる。クランプ71を円周方向Qに沿ってのみ回し始めると、3箇所の溝71bに形成された第二の係合凸部72は、第一の係合凸部61の導入部61aと内周面71aの径方向において重なる。この状態では、導入部61aの周面22aからの高さが低いため、第二の係合凸部72と第一の係合凸部61とは殆ど接しない。
After the connection region S2 of the
図5C~図5Eに示すように、更に、クランプ71をターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転させると、第二の係合凸部72が、クランプ71の回転方向に向けて徐々に高くなるように傾斜する傾斜部61bに当接する。そして、第二の係合凸部72は、側面から見たときに、ちょうど傾斜部61bを登っていくように摺動する。
As shown in FIGS. 5C to 5E, when the
クランプ71がターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転し、傾斜部61bを摺動していく際に、傾斜部61bが導入部61aに連なる側から、係止部61cに連なる側に向けて、ターゲット21の軸心方向Rに沿って幅が広がる形状を成しているので、第二の係合凸部72と第一の係合凸部61とは、徐々に接触面積が増加していく。なお、第二の係合凸部72が円柱状に形成されているため、クランプ71はターゲット21の円周方向Qに沿ってスムーズに回転する。
When the
クランプ71を更に回転させると、第二の係合凸部72は傾斜部61bを登りきった後、傾斜部61bよりも急角度で立ち上がる係止部61cに当接する。そして、これ以上の円周方向Qに沿った回転は抑止される。これによって、ターゲット21はクランプ71に対して係合される。こうした係合状態においては、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との接触面Bは、ターゲット21の円周方向Qが短手、ターゲット21の軸心方向(軸方向)Rが長手を成す、細長い長方形を成す。
When the
こうした第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との接触面を小さく抑えることにより、クランプ71の内部にターゲット21の連結領域S2を挿入してから、クランプ71をターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転させて、第二の係合凸部72が係止部61cに当接するまでに必要な回転トルクは、1(kgf・cm)以上、20(kgf・cm)以下となる。これによって、例えば、作業者がクランプ71を、専用工具などを用いずに手によって軽く回転させるだけで、ターゲット21をクランプ71に係合させることが可能になる。
By suppressing the contact surface between the
一方、第二の係合凸部72は傾斜部61bを登りきって係止部61cに当接する際に、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との係合動作が完了したことを判別する信号を発する構造であればよい。例えば、こうした信号は音であればよい。この実施形態では、第二の係合凸部72が第一の係合凸部61の係止部61cに突き当たった際に発する接触音が出る構造とすることで、クランプ71を所定の係合位置まで回転させたことを知覚することができる。これによって、クランプ71の回転不足等による係合不良を防止することができる。
On the other hand, when the second engaging
この後、図4に示す固定手段75の締付ネジ73を軸心方向Rに沿ってターゲット21に向けて締め付けることによって、カソード13がターゲット21に向けて押され、第一の係合凸部61と溝71bとが密着し、クランプ71がターゲット21に対して容易に回転することがない。このため、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との係合(接触)状態が維持される。
Thereafter, by tightening the
以上のように、本実施形態のターゲット取付機構によれば、スパッタリング装置10のカソード13に円筒形のターゲット21を取付ける際に、カソード13に形成されたクランプ71をターゲット21の端部の連結領域S2に挿入してから回転させ、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72とを係合させるだけで、円筒形のターゲット21をカソード13に取り付けることができる。
As described above, according to the target mounting mechanism of the present embodiment, when the
また、例えば、長さが数メートルなど大型のターゲットを用いる場合であっても、ターゲット21の取り付けの際に、クランプ71を円周方向に沿ってのみ回転させて第二の係合凸部72と第一の係合凸部61とを係合させるだけで、ターゲット21をカソード13に取り付けることができる。このため、従来のように専用工具を用いてクランプを大きな力で回転させるなどの必要がなく、専用工具を用いずとも小さな力で、例えば、クランプ71の回転トルクが1(kgf・cm)以上、20(kgf・cm)以下の範囲で回すだけで容易にターゲット21をカソード13に取り付けることが可能になる。
Further, for example, even when a large target having a length of several meters or the like is used, when the
上述した実施形態では、第二の係合凸部72は、6箇所の溝71bのうち、1つおきに3箇所、均等に形成されている。即ち、図6Aに示すように、第二の係合凸部72は3つ形成され、クランプ71の内周面71a方向の同一線P1上にあり、ターゲット21の回転軸、即ち軸心方向Rを中心と見なした仮想円P2上にもあり、かつこの中心と第二の係合凸部72とを通る線分Lに対して軸対称に配置されている。
In the above-described embodiment, the
こうした構成によって、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72とを係合させた際に、ターゲット21の回転軸と、クランプ71の内周面71aにおける軸心とを正確に一致させることが可能になる。したがって、成膜時において、ターゲット21が偏心して回転することがなく、エロージョンパターンが均一に形成され、ターゲット21の寿命を高めることが可能になる。
With such a configuration, when the first engaging
第二の係合凸部は、図6Bに示すように、同一線P1上にあり、かつ仮想円P2上にもあり、かつこの中心と第二の係合凸部81とを通る線分Lに対して軸対称になるように4箇所配置されていてもよい。また、例えば、図6Cに示すように、同一線P1上にあり、かつ仮想円P2上にもあり、かつこの中心と第二の係合凸部82とを通る線分Lに対して軸対称になるように5箇所配置されていてもよい。 As shown in FIG. 6B, the second engagement convex portion is on the same line P1 and also on the virtual circle P2, and the line segment L passing through the center and the second engagement convex portion 81 is provided. The four positions may be arranged so as to be axially symmetric. Further, for example, as shown in FIG. 6C, the axis is symmetrical with respect to a line segment L that is on the same line P1 and also on the virtual circle P2 and that passes through the center and the second engagement convex part 82 Five locations may be arranged so that
このため、第一の係合凸部61と第二の係合凸部72との係合によって、カソード13の中心とターゲット21の軸心とを容易に一致させることができ、ターゲット21を、軸心を回転中心として偏心することなく回転させることができる。これによって、被成膜物とターゲット21との距離が、ターゲット21の全周に渡って均一となり、ムラのない均一な厚みの皮膜を被成膜物の全面に渡って成膜することが可能になる。
For this reason, the center of the
なお、上述した実施形態では、ターゲット21に対してクランプ71を円周方向Qに沿ってのみ回転させて係合しているが、第一の係合凸部と第二の係合凸部とは、ターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動して係合させればよい。即ち、クランプに代えてターゲットを回動させたり、あるいは、ターゲットとクランプの双方を、円周方向において互いに異なる向きに回動させて、第一の係合凸部と第二の係合凸部とを係合させたりする構成であってもよい。
In the above-described embodiment, the
(第二実施形態)
図7は、本発明のターゲット取付機構の別な実施形態を示す拡大斜視図である。また、図8は、同ターゲット取付機構の断面図である。
この実施形態では、ターゲット21の両端部で基体22が露呈した連結領域S2には、基体22の円周方向に沿って、第一の係合凸部31が形成される。第一の係合凸部31は、基材22の周面22aから外方に突出する突起であり、基体22の円周方向に沿って、例えば6箇所に均等に配置される。この第一の係合凸部31は、基体22と一体に形成されていればよい。
(Second embodiment)
FIG. 7 is an enlarged perspective view showing another embodiment of the target mounting mechanism of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view of the target mounting mechanism.
In this embodiment, the first engagement
第一の係合凸部31は、図9Aに示すように、例えば、平面視略L字型に形成される。こうした第一の係合凸部31は、ターゲット21の軸心方向Rに沿って延びる第一の係合手段E1と、ターゲット21の円周方向Qに沿って延びる第二の係合手段E2と、ターゲット21の円周方向Qに略直角な方向に配された第三の係合手段E3とを備えている。
As shown in FIG. 9A, the first engagement
カソード(陰極)13の一端を成す連結部S3には、クランプ41が回転可能に取り付けられている。このクランプ41は、カソード13の連結部S3と、ターゲット21の連結領域S2とを内在させる、中空の略円筒形状に形成されている。即ち、ターゲット21は、中空の内径がカソード13の連結部S3やターゲット21の連結領域S2の直径と同じかそれよりも大きく形成され、ターゲット21の取付時には、これら連結部S3や連結領域S2を覆う形状を成す。
A
クランプ41の内周面41aには、内周方向Dに沿って、第二の係合凸部42が形成される。第二の係合凸部42は、内周面41aから中心方向に突出する突起であり、内周方向Dに沿って、例えば6箇所に均等に配置される。この第二の係合凸部42は、クランプ41と一体に形成されていればよい。
A second engagement
第二の係合凸部42は、図9Aに示すように、例えば、平面視略矩形に形成される。こうした第二の係合凸部42は、内周方向Dに沿った幅Wが、互いに隣接する第一の係合凸部31どうしの間隔と同じか、それよりも小さくなるように形成されていればよい。
こうした構成により、第一の係合凸部31と第二の係合凸部42とは、ターゲット21の取付時に、互いに係合可能に配置される。
As shown in FIG. 9A, the second engagement
With such a configuration, the first engaging
クランプ41の一端側には、締付ネジ43とネジ穴44とからなる固定手段45が形成されている。この固定手段45は、クランプ41をターゲット21に係合させた際に、締付ネジ43を軸心方向Rに沿ってターゲット21に向けて締め付けることによって、第一の係合凸部31と第二の係合凸部42とを密着させることができる。
A fixing means 45 including a
カソード13の連結部S3における軸心方向対して垂直に延在する部分と、クランプ41の内面との間に形成される隙間Tには、スペーサ46が更に設けられる。このスペーサ46は、中心にカソード13を貫通させる穴が設けられた円盤状の部材であり、例えば、ステンレスから形成されていればよい。こうしたスペーサ46は、固定手段45を構成する締付ネジ43を締め付けた際に、その先端がカソード13の連結部S3に直接当接して傷つくことを防止する。
A
カソード13の連結部S3の端部には、ガスケットリング47が形成されている。このガスケットリング47は、例えばアルミニウムなどから形成され、ターゲット21の基材22の端部に当接することによって、基材22の中空な内部を気密に保つ。
A
このような構成を有する本実施形態のターゲット取付機構の作用を説明する。
本実施形態のターゲット取付機構によってスパッタリング装置10のカソード13に円筒形のターゲット21を取付ける際には、図9Aに示すように、ターゲット21の基材22が露出した連結領域S2に、カソード13の連結部S3に形成されたクランプ41を接近させる。そして、クランプ41に形成されたそれぞれの第二の係合凸部42が、基材22に形成された第一の係合凸部31どうしの間を通るように位置合わせしてから、クランプ41の内面に基材22の連結領域S2を挿入する。
The operation of the target mounting mechanism of the present embodiment having such a configuration will be described.
When the
この挿入時においては、第一の係合凸部31を構成する第一の係合手段E1と、第二の係合凸部42の一面L1とが、軸心方向Rに沿って摺動しつつ、基材22の連結領域S2がクランプ41の内部に挿入される。
At the time of this insertion, the first engaging means E1 constituting the first engaging
図9Bに示すように、クランプ41をターゲット21の円周方向Qに沿ってのみ回転させ、第二の係合凸部42の一面L1と、第一の係合手段E1とが、円周方向Qにおいて重ならない位置まで挿入したら、次に、図9Cに示すように、クランプ41をターゲット21の円周方向Qに沿って回転させる。この回転時においては、第一の係合凸部31を構成する第二の係合手段E2と、第二の係合凸部42の他面L2とが、円周方向Qに沿って摺動しつつクランプ41が回転する。
As shown in FIG. 9B, the
クランプ41が所定量回転されると、第二の係合凸部42の一面L1が、第一の係合凸部31を構成する第三の係合手段E3に当接する。この第三の係合手段E3と第二の係合凸部42との当接によって、クランプ41の円周方向に沿った回転が抑止される。
When the
この後、図8に示す固定手段45の締付ネジ43を軸心方向Rに沿ってターゲット21に向けて締め付けることによって、第一の係合凸部31と第二の係合凸部42とが密着し、クランプ41がターゲット21に対して容易に回転することがない。
Thereafter, by tightening the
10…スパッタリング装置
12…アノード
13…カソード
21…ターゲット
22…基体
23…ターゲット材
61…第一の係合凸部
71…クランプ
72…第二の係合凸部
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記ターゲットが、円筒形の基体と、この基体を覆うターゲット材とを備えるとともに、前記ターゲット材が配された中央領域と、この中央領域を除く両端側で前記基体が露出する連結領域と、を有し;
前記カソードの連結部に、この連結部と前記連結領域とを内在させる略円筒形のクランプが形成され;
前記ターゲットの前記連結領域に形成される第一の係合凸部と、前記クランプの内周面に形成される第二の係合凸部とが、前記連結部及び前記連結領域が前記クランプに内在した状態で、前記ターゲットの円周方向に沿ってのみ相対移動することにより、係合されている;
ことを特徴とするターゲット取付機構。 A target mounting mechanism for detachably mounting a cylindrical target used in a sputtering apparatus to a connecting portion of a cathode,
The target includes a cylindrical base body and a target material covering the base body, a central region where the target material is disposed, and a connection region where the base body is exposed at both ends excluding the central region. Have;
A substantially cylindrical clamp is formed in the connecting portion of the cathode, and the connecting portion and the connecting region are formed inside;
A first engagement convex portion formed on the connection region of the target and a second engagement convex portion formed on an inner peripheral surface of the clamp include the connection portion and the connection region serving as the clamp. Engaged by being relatively moved only along the circumferential direction of the target in an indwelling state;
A target mounting mechanism characterized by that.
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