WO2011111318A1

WO2011111318A1 - モジュール

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Abstract

　本発明は、回路基板（２２）の上面において第１の回路ブロック（４ａ）と第２の回路ブロック（４ｂ）との間に設けられた第１の境界（６）と、を備える。この第１の境界（６）上に装着された第１の金属片（２４ａ）と、樹脂部（５）の上面において第１の金属片（２４ａ）に対応する位置に形成された第１の溝（２５）とが設けられている。そして、第１の溝（２５）には第１の金属片（２４ａ）の一部が樹脂部（５）より露出された第１の露出部が設けられるとともに、第１の溝（２５）にはシールド導体（９）が形成され、第１の露出部において第１の金属片（２４ａ）とシールド導体（９）とが接続されている。このような構成により、第１の溝（２５）の幅を小さくできるので、電子部品（３ａ、３ｂ）の実装領域を大きくできる。

Description

モジュール

　本発明は、複数個の回路ブロックが形成され、これら回路ブロック間のシールドを必要とするモジュールに関する。

　以下、従来のモジュールについて図面を用いて説明する。

　図８は従来のモジュールの断面図である。従来のモジュール１０１には、回路基板１０２の上面に形成された配線導体の上に、電子部品１０３ａ、１０３ｂが搭載されている。そしてこのモジュール１０１には、電子部品１０３ａによって構成された回路ブロック１０４ａと、電子部品１０３ｂによって構成された回路ブロック１０４ｂとが形成されている。

　回路基板１０２の上面には、電子部品１０３ａ、１０３ｂが埋設された樹脂部１０５が形成される。この樹脂部１０５には、回路ブロック１０４ａと回路ブロック１０４ｂとの境界１０６上に凹部１０７が形成されている。凹部１０７は樹脂部１０５を貫通し、その底面は回路基板１０２の上面よりも深い位置にまで達している。

　ここで、回路基板１０２の上面あるいは内層には、グランド導体１０８が形成される。このグランド導体１０８は、基板の外周や、境界１０６に沿って形成されている。これにより、樹脂部１０５には、グランド導体１０８が樹脂部１０５から露出した露出部が形成される。

　そして、樹脂部１０５の上面と側面全周、および回路基板１０２の側面、ならびに凹部１０７の内面に、シールド導体１０９が形成される。なお、このシールド導体１０９はスパッタにより形成されている。ここでシールド導体１０９とグランド導体１０８とは露出部によって接続されることになる。

　このような構成により、回路ブロック１０４ａ、１０４ｂと、に形成された回路それぞれをシールドできるとともに、回路ブロック１０４ａと回路ブロック１０４ｂとの間のシールドを行うこととなる。

　このとき境界１０６の領域では、凹部１０７によって回路基板１０２の厚みが薄くなり、反りなどが生じ易くなる。そこで、この凹部１０７へ樹脂１０５ａを充填し、強度を大きくしている。

　なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。

　しかしながらこのような従来のモジュール１においては、回路ブロック１０４ａと回路ブロック１０４ｂとの間をシールドするために、シールド導体１０９と境界１０６に沿って形成されたグランド導体１０８とを接続することが必要である。そこで、凹部１０７は樹脂部１０５を貫通し、回路基板１０２まで達する深さで形成されなければならない。ここで、スパッタなどにおいて樹脂部５や凹部１０７の内周面全体に均一にシールド導体１０９をするためには、凹部１０７の幅１０７ａは凹部１０７の深さと同じ寸法以上必要となる。従って、凹部１０７の幅１０７ａが大きくなる。それに加えて、境界１０６に沿って設けられたグランド導体１０８は、凹部１０７の幅１０７ａより大きな幅１０８ａが必要となる。従って、電子部品１０３ａ、１０３ｂを実装できるスペースが小さくなり、その結果モジュール１０１が大きくなってしまう。

特開２００４－０９５６０７号公報

　本発明は、複数の回路ブロック間でのシールドが必要なモジュールに対し、各ブロック間の境界の近傍において電子部品が実装できない領域を小さくでき、複数の回路ブロック間の距離を小さくすることにより、小型なモジュールを提供する。

　本発明において、境界上に装着された金属片と、樹脂部上面において少なくとも前記金属片に対応する位置に形成された溝とを設ける。そして、この溝には金属片の一部が樹脂部より露出される露出部を設け、この露出部において金属片とシールド導体とが接続される。

　本発明に係るモジュールは、回路基板と、この回路基板上に装着された複数の電子部品と、これらの電子部品を覆うとともに、回路基板の上面に形成された樹脂部と、この樹脂部の上面と側面とに形成されたシールド導体とを有する。そして、回路基板の上面には、第１の回路ブロックと、回路基板上において第１の回路ブロックに隣接して形成された第２の回路ブロックと、回路基板の上面において第１の回路ブロックと第２の回路ブロックとの間に設けられた第１の境界とを備える。また、この第１の境界上に装着された第１の金属片と、樹脂部上面において少なくとも第１の金属片に対応する位置に形成された第１の溝とを設ける。さらに、第１の溝には第１の金属片の一部が樹脂部より露出された第１の露出部を設けるとともに、第１の溝にはシールド導体が形成され、第１の露出部で第１の金属片とシールド導体とが接続される。

　このような構成により、金属片は境界上に装着され、この金属片に対応する位置に溝が形成されるので、溝の深さを小さくできる。従って、溝の幅も小さくできることとなるので、第１の回路ブロックと第２の回路ブロック間の距離を小さくでき、本発明に係るモジュールは小型化される。

図１Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールの断面図である。図１Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールの上面図である。図２は本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける上部から見た断面図である。図３Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける他の例の金属片の上面図である。図３Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける別の例の金属片の上面図である。図３Ｃは図３Ｂに係る金属片の側面図である。図４Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおけるさらに別の例の金属片を用いた場合の上部から見た断面図である。図４Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおけるさらに別の例の金属片を用いた場合の上面図である。図５Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける境界がＴ字型である場合の断面図である。図５Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける境界がＴ字型である場合の上面図である。図６Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける境界がＬ字型である場合の断面図である。図６Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける境界がＬ字型である場合の上面図である。図７は本発明の実施の形態１に係るモジュールの製造フローチャートである。図８は従来のモジュールの断面図である。

　（実施の形態１）
　以下、本実施の形態１に係るモジュールについて図面を用いて詳細に説明する。

　図１Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールの断面図である。図１Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールの上面図である。図２は本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける上部から見た断面図である。図１Ａ、図１Ｂ、図２において、回路基板２２の上面には配線導体が形成され、この配線導体の所定の位置に電子部品３ａ、３ｂが装着されている。ここで、この回路基板２２上には電子部品３ａによって形成される第１の回路ブロック４ａと、電子部品３ｂによって形成される第２の回路ブロック４ｂとが形成される。なお、本実施の形態１では、第１の回路ブロック４ａには電子チューナの回路が構成され、第２の回路ブロック４ｂには復調回路が構成されるものとする。

　回路基板２２の上面において、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂの間の第１の境界６にはグランド導体２３が形成される。このグランド導体２３上には第１の金属片２４ａが装着される。グランド導体２３は、回路基板２２の上面に回路基板２２を縦断するように形成されている。なお、第１の回路ブロック４ａと回路ブロック４ｂとの間の接続は、回路基板２２の内層に設けられた信号配線導体（図示せず）によって行われる。この場合、回路基板２２にはグランド導体２３と対向する位置にもグランド導体（図示せず）を設け、このグランド導体８とグランド導体２３との間に信号配線導体が挟まれる構成とすると良い。

　第１の金属片２４ａは回路基板２２の幅とほぼ同じ長さを有している。つまり、第１の金属片２４ａは回路基板２２の両端間を縦断するようにして、第１の境界６上に設けられている。このような第１の金属片２４ａの配置により、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとの間を確実に分離できる。なお、第１の金属片２４ａは回路基板２２の幅寸法より小さくしても良い。この場合、第１の金属片２４ａの装着ずれが生じても、第１の金属片２４ａが回路基板２２の外形より突出することがない。

　回路基板２２の上面には電子部品３ａ、３ｂや第１の金属片２４ａが埋設された樹脂部５が形成される。この樹脂部５の上面において第１の金属片２４ａに対応する位置には、第１の溝２５が形成されている。この第１の溝２５は、第１の金属片２４ａの上の樹脂を貫通し、第１の溝２５の底面では第１の金属片２４ａの一部が露出して、第１の露出部を形成している。

　回路基板２２の上面あるいは内層には、グランド導体８、２３が形成される。このグランド導体８は、基板の外周に沿って形成されており、樹脂部５あるいは回路基板２２の側面からグランド導体８が露出した状態となっている。また、グランド導体２３は第１の金属片２４ａと接続されている。

　樹脂部５の上面と側面全周、および回路基板２２の側面、ならびに第１の溝２５の内面にシールド導体９が形成される。そして、シールド導体９は、回路基板２２側面においてグランド導体８の露出した部分と接続されている。また、このシールド導体９は、第１の露出部において第１の金属片２４ａと接続される。このような構成により、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとに形成された回路それぞれをシールドできるとともに、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとの間をしっかりとシールドできる。

　本発明の実施の形態１において、第１の金属片２４ａが回路基板２２の両端間を縦断するようにして第１の境界６上に設けられているので、第１の溝２５の深さが浅くてよく、第１の溝２５の幅も小さくできる。従って、第１の境界６によって電子部品３ａ、３ｂを実装できないスペースを小さくすることができ、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとの距離を短くすることができるので、本発明に係るモジュールを小型化できる。

　さらに、本実施の形態１において、第１の金属片２４ａは回路基板２２の幅と同じとしてあるので、第１の金属片２４ａの両端部は樹脂部５から露出する。ゆえに、第１の金属片２４ａの両端部でもシールド導体９と接続される。したがって、さらにしっかりと第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとに形成された回路それぞれをシールドできる。

　また、シールド導体９はスパッタにより形成されているので、非常に緻密な膜を形成する。よって、非常に良好なシールド効果を得ることができる。

　図３Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける他の例の金属片の上面図である。図３Ａにおいて、第１の金属片２４ａには細幅部３１と細幅部３１よりも太い幅を有した装着部３２とが設けられている。そして、この装着部３２でグランド導体２３へ接続される。

　このように、装着部３２を第１の金属片２４ａの両端に形成することによって、安定した実装が可能となる。装着部３２は、第１の回路ブロック４ａや第２の回路ブロック４ｂの形状に応じて、１箇所以上設ければ安定した実装ができる。また、装着部３２や細幅部３１の位置も、第１の回路ブロック４ａ、第２の回路ブロック４ｂの形状に応じて、適宜変更すればよい。

　さらに、細幅部３１を形成することにより、第１の境界６の近傍に電子部品３ａ、３ｂが実装可能となるので、回路基板２２を有効に利用できる。したがって、本発明に係るモジュール２１をさらに小型化することができる。

　なお、細幅部３１の幅が細い場合、第１の溝２５の幅は細幅部３１の幅より大きくすると良い。すると、たとえ第１の溝２５がずれた位置に加工された場合や、第１の金属片２４ａがずれて装着されても、確実に第１の金属片２４ａを露出させることができる。

　図３Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける別の例の金属片の上面図である。図３Ｃは図３Ｂに係る金属片の側面図である。図３Ｂ、図３Ｃにおいて、第１の金属片２４ａは薄い金属製の鋼板を折り曲げて形成されている。この場合、第１の金属片２４ａには第１の境界６上に配置される仕切り部３５が設けられる。そして、装着部３６は、この仕切り部３５から折り曲げて形成されている。

　このように薄い鋼板を折り曲げて第１の金属片２４ａが形成されるので、第１の金属片２４ａによって電子部品３ａや電子部品３ｂを実装できない領域が小さくできる。したがって、本発明に係るモジュール２１を小型化できる。

　なお、仕切り部３５の両側へ装着部３６を設けているので、第１の金属片２４ａを回路基板２２へ装着時に、倒れや傾きなどが発生しにくくなる。したがって、電子部品３ａ、３ｂを仕切り部３５に対して近接して実装できるので、さらに回路基板２２を有効に利用することができる。

　図４Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおけるさらに別の例の金属片を用いた場合の上部から見た断面図である。図４Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおけるさらに別の例の金属片を用いた場合の上面図である。図４Ａ、図４Ｂにおいて、第１の金属片２４ｂは短い四角柱状（チップ部品状）の形状とし、この第１の金属片２４ｂを第１の境界６上に並べて実装する。

　この場合、第１の金属片２４ｂはチップ部品状であるので、汎用の実装機を用いて実装することができる。よって、本発明に係るモジュールの生産性が非常に向上する。また、第１の金属片２４ｂは第１の溝２５によって第１の金属片２４ｂの一部が露出する範囲で、ずらして装着することもできる。これによって、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとの間の境界６が凸凹していても、容易に第１の境界６に沿ったシールドを行うことができる。

　なお、隣り合う第１の金属片２４ｂ同士の間には隙間が設けられるので、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂの回路の間の接続は、この隙間で行なうことができる。この隙間の位置において、回路基板２２の上面に信号配線導体を配線すれば良いので、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとの間の接続のために多層基板とする必要がない。従って、安価に本発明に係るモジュール２１を実現できる。図４Ａ、図４Ｂでは、３個の第１の金属片２４ｂを回路基板２２上に実装したが、これは３個に限るものではなく、回路基板２２の幅の寸法や、第１の境界６の形状に応じて適宜決めれば良い。

　図５Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける境界がＴ字型である場合の断面図である。図５Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける境界がＴ字型である場合の上面図である。図５Ａ、図５Ｂにおいて、第１の回路ブロック４ａと第３の回路ブロック４ｃ、第４の回路ブロック４ｄとの間には、第１の境界６を有しており、この第１の境界６上には第１の金属片２４ａが装着されている。さらに、第３の回路ブロック４ｃと第４の回路ブロック４ｄとは、第２の境界６ａによって分離されている。第１の境界６と第２の境界６ａとはＴ字型をなしている。そして、第１の境界６と第２の境界６ａに対し、それぞれ第１の金属片２４ａと第２の金属片２４ｃが装着される。また、第１の溝２５、第２の溝２６は、それぞれ第１の金属片２４ａ、第２の金属片２４ｃを露出させるために十字に形成されている。

　ここで、第２の溝２６は、樹脂部５の上面において少なくとも第２の金属片２４ｃに対応する位置に形成されている。また、第２の溝２６は、第２の金属片２４ｃの上の樹脂を貫通し、第２の溝２６の底面では第２の金属片２４ｃの一部が露出して、第２の露出部を形成している。さらに、第２の溝２６にはシールド導体９が形成され、第２の露出部で第２の金属片２４ｃとシールド導体９とが接続されている。

　このような構成により、第１の回路ブロック４ａと第３の回路ブロック４ｃと第４の回路ブロック４ｄとの間を、それぞれシールドすることが可能となる。

　なお、第２の溝２６はモジュール２１を横断するように形成されているので、樹脂部５の上面において、第２の金属片２４ｃがない領域（第２の境界６ａの延長線上の位置）にも第２の溝２６が形成される。しかし、この第２の溝２６は第２の金属片２４ｃが露出するだけの深さで良いため、浅くできる。従って第２の溝２６の下方となる位置にも電子部品３ａを実装することができる。

　このように第１の金属片２４ａと第２の金属片２４ｃとをＴ字型に配置する場合、第１の金属片２４ａと第２の金属片２４ｃとの間には隙間を設けておく。これは第１の金属片２４ａあるいは第２の金属片２４ｃの実装ずれによって第１の金属片２４ａと第２の金属片２４ｃとが当たらないようにするためである。この隙間は実装ずれの最大寸法程度としておく。一般的な実装機では約０．１５ｍｍ程度の隙間を設けておく。そしてこの隙間はクリーム半田４２によって接合することによって、さらに確実にシールドを行うことができる。

　図６Ａは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける境界がＬ字型である場合の断面図である。図６Ｂは本発明の実施の形態１に係るモジュールにおける境界がＬ字型である場合の上面図である。図６Ａ、図６Ｂにおいて、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとの間には、第２の境界６ａと第３の境界６ｂとを有しており、第２の境界６ａと第３の境界６ｂとはＬ字型をなしている。第２の境界６ａと第３の境界６ｂに対し、それぞれ第２の金属片２４ｃと第３の金属片２４ｄが装着される。第１の溝２５、第２の溝２６は、それぞれ第３の金属片２４ｄ、第２の金属片２４ｃを露出させるために十字に形成されている。すなわち、樹脂部５の上面において、第２の金属片２４ｃ、第３の金属片２４ｄがない領域５１や領域５２（第２の境界６ａ、第３の境界６ｂの延長線上の位置）にも、それぞれ第２の溝、第１の溝２５が形成される。しかし、この第２の溝２６、第１の溝２５は、それぞれ第２の金属片２４ｃ、第３の金属片２４ｄが露出するだけの深さで良いため、浅くできる。従って、領域５１、領域５２にそれぞれ対応する第２の溝２６、第１の溝２５の下方の位置にも電子部品３ａを実装することができるので、実装スペースを損なうことがない。

　なお、第２の境界６ａと第３の境界６ｂとはＬ字型に限らず、Ｕ字型や矩形型であっても良い。境界、金属片の組み合わせにより、さまざまな形状や配置の複数の回路ブロックをシールドできる。

　図７は本発明の実施の形態１に係るモジュール（図１Ａ、図１Ｂ、図２参照）の製造フローチャートである。図７において、連結基板４０は、複数個の回路基板２２がある一定の間隔で配置され、連結部によって互いに連結された基板である。以下、本発明に係るモジュールの製造ステップについて、図７を用いて説明する。

　まず初めに、クリーム半田印刷ステップ４１では、この連結基板４０の上面にメタルマスクなどによって、クリーム半田４２を塗布する。このとき電子部品３ａ、３ｂを装着する位置やグランド導体２３上にクリーム半田４２が塗布される。

　次の実装ステップ４３では、回路基板２２上面の所定の位置へ電子部品３ａ、３ｂを装着するとともに、第１の金属片２４ａをグランド導体２３上へ装着する。ここで、第１の金属片２４ａの長さは回路基板２２の幅より大きく、第１の金属片２４ａの両端が回路基板２２外周となる位置より突出するように装着される。

　なお、第１の金属片２４ｂ、第２の金属片２４ｃ、第３の金属片２４ｄもこの実装ステップ４３で回路基板２２上に実装される。

　次に、リフローステップ４４ではクリーム半田４２を加熱して溶融し、冷却して硬化させることにより、電子部品３ａ、３ｂや、第１の金属片２４ａを回路基板２２上に接続・固定する。

　次に、モールドステップ４５では、連結基板４０の上面（電子部品３ａ、３ｂ、第１の金属片２４ａが実装された面側）に樹脂部５を形成する。本実施の形態１においては、トランスファー樹脂成型金型によって連結基板４０上にキャビティを形成し、このキャビティへ溶けた樹脂５ａを流し込み、硬化させる。このステップにより、電子部品３ａ、３ｂ、第１の金属片２４ａが埋設された樹脂部５が回路基板２２の上面に形成される。このとき、第１の金属片２４ａが完全に樹脂５ａで埋まるようにしておく。

　次に、溝加工ステップ４６では樹脂部５の上面に第１の溝２５を形成する。すなわち、第１の金属片２４ａに対応する位置にダイシング歯によって樹脂部５に第１の溝２５を形成する。第１の溝２５は樹脂部５から第１の金属片２４ａが露出する深さまで加工される。この加工により、樹脂部５の第１の溝２５の底では第１の金属片２４ａが露出した状態となる。第１の溝２５は回路基板２２の端から端まで完全に縦断するように形成される。

　なお、第１の金属片２４ａと第２の金属片２４ｃあるいは第２の金属片２４ｃと第３の金属片２４ｄのように互いに直交して複数の金属片が配置される場合、第１の溝２５、第２の溝２６は十字に形成される。この場合も、第１の溝２５、第２の溝２５は、それぞれ回路基板２２を完全に縦断、横断するように設けられる。

　次に、分割ステップ４７では、ダイシング歯によって樹脂部５と回路基板２２間を連結する連結部とを切断し、回路基板２２を分離する。これにより、回路基板２２の側面からグランド導体８が露出する。本実施の形態１では、第１の金属片２４ａの両端部は回路基板２２の外周へ突出しているので、この分割ステップ４７において第１の金属片２４ａの両端部も切断される。この切断によって、第１の金属片２４ａの両端が樹脂部５側面から露出する。

　最後のシールド導体形成ステップ４８では、樹脂部５の上面および側面と回路基板２２の側面とにシールド導体９を形成する。このとき、第１の溝２５の底部に形成される第１の金属片２４ａの露出部の上や、回路基板２２の側面に形成されるグランド導体８の露出部の上、そして、樹脂部５の側面に露出した第１の金属片２４ａの両端部にも、シールド導体９が形成される。これにより、シールド導体９と第１の金属片２４ａやシールド導体９とグランド導体８とが接続される。

　その結果、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとがシールドされたモジュール２１が完成する。つまり、第１の回路ブロック４ａ、第２の回路ブロック４ｂはそれぞれ、グランド導体２３、第１の金属片２４ａ、シールド導体９と、に囲まれる。よって、第１の回路ブロック４ａ、第２の回路ブロック４ｂは、それぞれしっかりとシールドできる。

　このシールド効果により、第１の回路ブロック４ａあるいは第２の回路ブロック４ｂに高周波回路を形成しても、互いの回路間の干渉を小さくできるので、第１の回路ブロック４ａと第２の回路ブロック４ｂとを近い位置に配置することができる。従って、小型なモジュール２１を実現できる。本実施の形態１において、シールド導体９はスパッタリングにより形成されるので、非常に緻密になり、シールド性が良好である。

　本実施の形態１において、第１の金属片２４ａ、第２の金属片２４ｃや第３の金属片２４ｄの端部は回路基板２２の外周より突出するように装着され、分割ステップ４７によって切断されて、破断面が樹脂部５から露出する構成としている。しかし、第１の金属片２４ａ、第２の金属片２４ｃや第３の金属片２４ｄの端部を回路基板２２の外周より突出しない程度としておいても良い。この場合、分割ステップ４７において第１の金属片２４ａ、第２の金属片２４ｃや第３の金属片２４ｄが切断されないので、ダイシング歯の寿命を長くできるとともに、モジュール２１外形にダイシングによる金属バリが生じない。金属バリが生じないことは、モジュール２１をマザー基板へ装着する場合に、モジュール２１に隣接する電子部品などとの間でショートを発生させないために重要である。

　また、逆に、第１の金属片２４ｂを回路基板２２から突出するように装着しておいても良い。これにより、第１の金属片２４ｂが樹脂部５の側面においてもシールド導体９と接続できるので、さらにシールド性が向上する。さらに、第１の金属片２４ｂ同士の間をクリーム半田４２などで埋めると良く、第１の金属片２４ｂ同士の隙間が小さくなるので、さらにシールド性が良好になる。

　本発明にかかるモジュールは、小型化できるという効果を有し、複数の高周波回路ブロックが形成された高周波モジュール等に用いると有用である。

　３ａ，３ｂ　　電子部品
　４ａ　　第１の回路ブロック
　４ｂ　　第２の回路ブロック
　４ｃ　　第３の回路ブロック
　４ｄ　　第４の回路ブロック
　５　　樹脂部
　６　　第１の境界
　６ａ　　第２の境界
　６ｂ　　第３の境界
　９　　シールド導体
　２２　　回路基板
　２３　　グランド導体
　２４ａ，２４ｂ　　第１の金属片
　２４ｃ　　第２の金属片
　２４ｄ　　第３の金属片
　２５　　第１の溝
　２６　　第２の溝

Claims

回路基板と、
前記回路基板上に装着された複数の電子部品と、
複数の前記電子部品を覆うとともに前記回路基板の上面に形成された樹脂部と、
前記樹脂部の上面と側面とに形成されたシールド導体と、を有し、
前記回路基板の上面には、
第１の回路ブロックと、
前記回路基板上において前記第１の回路ブロックに隣接して形成された第２の回路ブロックと、
前記回路基板の上面において前記第１の回路ブロックと前記第２の回路ブロックとの間に設けられた第１の境界と、を備え、
前記第１の境界上に装着された第１の金属片と、
前記樹脂部の上面において少なくとも前記第１の金属片に対応する位置に形成された第１の溝と、を有し、
前記第１の溝には前記第１の金属片の一部が前記樹脂部より露出された第１の露出部を設けるとともに、前記第１の溝には前記シールド導体が形成され、前記第１の露出部で前記第１の金属片と前記シールド導体とが接続された
モジュール。
前記第１の溝は、
前記樹脂部の上面を一直線に縦断して形成された
請求項１に記載のモジュール。
前記回路基板の上面から前記第１の溝の底までの高さは、
前記電子部品の高さより高くした
請求項２に記載のモジュール。
前記第１の境界は、第２の境界と第３の境界によりＬ字型をなして形成され、
前記第１の金属片は、第２の金属片と第３の金属片により前記第２の境界と前記第３の境界に沿ってＬ字型に配置された
請求項３に記載のモジュール。
前記第２の回路ブロックは、
第３の回路ブロックと、
前記第３の回路ブロックに隣接して形成された第４の回路ブロックと、を有し、前記第３と前記第４の回路ブロックとの間に第２の境界が設けられ、
前記第１の回路ブロックと前記第３の回路ブロックと前記第４の回路ブロックは、
前記第１の境界と前記第２の境界とがＴ字型をなす位置に配置され、
前記第２の境界上に第２の金属片が装着され、
前記樹脂部の上面において少なくとも前記第２の金属片に対応する位置に形成された第２の溝と、が設けられ、
前記第２の溝には前記第２の金属片の一部が前記樹脂部より露出された第２の露出部が設けられ、
前記第２の溝には前記シールド導体が形成され、前記第２の露出部で前記第２の金属片と前記シールド導体とが接続された
請求項３に記載のモジュール。