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WO2011104364A1 - Strahlungsemittierendes bauelement mit einem halbleiterchip und einem konversionselement und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Strahlungsemittierendes bauelement mit einem halbleiterchip und einem konversionselement und verfahren zu dessen herstellung Download PDF

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WO2011104364A1
WO2011104364A1 PCT/EP2011/052851 EP2011052851W WO2011104364A1 WO 2011104364 A1 WO2011104364 A1 WO 2011104364A1 EP 2011052851 W EP2011052851 W EP 2011052851W WO 2011104364 A1 WO2011104364 A1 WO 2011104364A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conversion element
matrix material
semiconductor chip
radiation
phosphor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2011/052851
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Angela Eberhardt
Joachim WIRTH-SCHÖN
Ewald Pösl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Osram GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH, Osram GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE112011100677T priority Critical patent/DE112011100677A5/de
Priority to KR1020127025316A priority patent/KR101825044B1/ko
Priority to US13/580,858 priority patent/US8890140B2/en
Priority to JP2012554356A priority patent/JP2013520824A/ja
Priority to CN201180011327.3A priority patent/CN102782888B/zh
Publication of WO2011104364A1 publication Critical patent/WO2011104364A1/de
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    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • Radiation-emitting component with a semiconductor chip and a conversion element and method for its
  • the invention relates to a radiation-emitting component with a semiconductor chip and a conversion element. Furthermore, the invention relates to a method for producing a radiation-emitting component.
  • Conversion element are known for example from the document WO 97/50132. These components contain one
  • Phosphor which converts part of the primary light into another wavelength range (secondary light).
  • Color impression of the light emitted by such a semiconductor device results from additive color mixing of primary light and secondary light.
  • the conversion element can in various ways the
  • the conversion element consists of a semiconductor body
  • Conversion element is by means of a
  • Adhesive layer such as an organic adhesive, mounted on a surface of the semiconductor chip.
  • silicone has a poor thermal conductivity, which can cause the phosphor to heat up during operation of the device, causing the device in its
  • US Pat. No. 2009/0309125 discloses a glass encapsulation for a light-emitting device.
  • the invention is based on the object
  • a radiation-emitting component which has a semiconductor chip and a
  • the semiconductor chip comprises a active layer suitable for generating electromagnetic radiation and a radiation exit surface.
  • Conversion element comprises a matrix material
  • Conversion element is arranged downstream of the radiation exit surface of the semiconductor chip.
  • the radiation exit surface is through a
  • the conversion element is applied at least on this main surface of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip is an LED chip, which is one of a number of different layers
  • the Active layer preferably emits at least one radiation during operation of the component
  • the active layer may have, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW structure) or a multiple quantum well structure (MQW structure).
  • SQW structure single quantum well structure
  • MQW structure multiple quantum well structure
  • the semiconductor chip is preferably based on a
  • Nitride compound semiconductors Nitride compound semiconductors, phosphide compound semiconductors and / or arsenide compound semiconductors. This means in the present context that the active
  • Epitaxial layer sequence or at least one layer thereof comprises a nitride, phosphide and / or arsenide III / V compound material.
  • the bonding material one or more dopants and additional components that have the characteristic physical
  • the properties of the connection material do not change.
  • the semiconductor chip emits primary radiation having a wavelength ⁇ . A majority of the radiation emitted by the semiconductor chip is preferred by the
  • the semiconductor chip in the emission direction is preferably followed by a conversion element which has at least one
  • the component thus emits
  • Suitable phosphors are known to the person skilled in the art, for example, from the document WO 98/12757 and from the document WO 01/65613 A1, the disclosure content of which is hereby incorporated herein by reference.
  • the conversion element is arranged directly on the radiation exit surface of the semiconductor chip. Between semiconductor chip and conversion element thus no distance is provided. This is preferred
  • Conversion element mounted on the radiation exit surface of the semiconductor chip.
  • the conversion element is thus mounted directly on a main surface of the semiconductor chip, wherein no distance and / or other layers or materials between the conversion element and semiconductor chip are arranged.
  • a direct arrangement between, for example, two layers is to be understood as an arrangement in which the layers directly adjoin one another
  • Radiation exit surface formed a gap having a gas, such as air.
  • the intermediate layer arranged, whereby a distance is formed.
  • the intermediate layer is between 0 ⁇ and 10 ⁇ thick, preferably between an atomic layer and 0.5 ⁇ , ideally between 1 nm and 100 nm.
  • the intermediate layer can
  • anti-reflection act as a barrier or as an optical filter.
  • the refractive index lies between that of the chip and that of the matrix.
  • the matrix material of the conversion element is preferably a tellurium-containing glass.
  • the matrix material preferably comprises at least 40% by weight of tellurium oxide (eO 2).
  • the matrix material comprises at least 75% by weight of tellurium oxide.
  • the matrix material comprises at least 90% by weight of tellurium oxide.
  • the matrix material consists of TeC> 2 , in which the phosphor is embedded. Alternatively, this indicates
  • the phosphor of the conversion element is in the
  • Embedded matrix material of tellur restroomm glass advantageously has improved thermal conductivity than the silicone conventionally used, which advantageously increases the heat dissipation of the heat generated during operation by means of the matrix material.
  • the heat generated during operation in particular the heating of the phosphor during operation in the conversion element, can be dissipated efficiently via the matrix material, which advantageously increases the efficiency of the phosphor and, as a result, increases the efficiency of the component.
  • tellurumble glasses advantageously characterized by high refractive properties, so that such a conversion element, in particular the
  • Matrix material characterized by a high refractive index.
  • a refractive index of n> 2 is possible depending on the content of tellurium in the glass matrix.
  • Phosphotellurit glass is used as the matrix material.
  • Silver phosphotellurite glass is particularly preferably used as matrix material.
  • composition of the individual components of the matrix material is variable relative to one another.
  • compositions of the matrix material from, for example, phosphotellitic glasses are known to the person skilled in the art, for example, from the publication DE 2222771 A1, whose Disclosure hereby explicitly by reference
  • the silver may be complete or
  • alkali partly by, for example, alkali
  • the phosphorus of the matrix material may be wholly or partially substituted by other glass formers known to those skilled in the art, such as Sb 2 Ü 3 and / or S1O 2 and / or WO 3 and / or M0O 3 and / or B 12 O 3 and / or Mn 2 ⁇ 07 and / or PbO , It is likewise possible to partially replace the tellurium oxide of the matrix material with other glass formers.
  • glass formers known to those skilled in the art, such as Sb 2 Ü 3 and / or S1O 2 and / or WO 3 and / or M0O 3 and / or B 12 O 3 and / or Mn 2 ⁇ 07 and / or PbO .
  • Matrix material for the radiation emitted by the semiconductor chip at least partially transparent.
  • the matrix material in the wavelength range of the
  • Semiconductor chip emitted radiation has a transparency of greater than 60%, more preferably greater than 80%, preferably greater than 95%.
  • Matrix material free of boron oxide and / or germanium oxide.
  • a matrix material containing boron oxide and / or germanium oxide is disadvantageous for crystallization
  • Conversion element no longer has transparent properties. This can advantageously be counteracted by a boron oxide and germanium oxide-free matrix material. For example, a segregation behavior is due a melting combination of eÜ 2 and P 2 O 5 , ie by
  • phosphate and tellurite glasses primarily contain chain components whose volume loading is relatively similar, as a result of which a virtually homogeneous structure can be achieved.
  • the matrix material comprises at least one additional element which increases the refractive index of the matrix material.
  • the glass for example, the refractive index-increasing compounds known in the art, such as La 2 Ü 3 may be added.
  • the matrix material in particular the tellurium-containing glass, is lead-free.
  • the matrix material comprises at least one additional additional component which has radiation-absorbing properties.
  • the further additional component absorbs radiation in the wavelength range ⁇ ⁇ 380 nm, preferably
  • the further additional component absorbs 20%, preferably 40%, particularly preferably 60% of the radiation in the wavelength range mentioned.
  • the component can be arranged in a further matrix material as an additional layer over the conversion element or next to the conversion element.
  • the additional includes
  • Layer a component that serves as a UV filter.
  • Transformation temperature (T g ) of the matrix material maximum 350 ° C, especially -S 350 ° C.
  • the matrix material changes its thermal expansion in the
  • Transformation temperature (T g ) of a maximum of 350 ° C.
  • Matrix material is a low-melting material.
  • low-melting material is considered to be a material which softens at a maximum temperature of 350 ° C. This makes it possible with advantage that the conversion element directly with the
  • Semiconductor chip can be connected by the composite between conversion element and semiconductor chip at a maximum of 350 ° C, wherein at such temperatures of the
  • a gold wire that is used for electrical
  • Adhesive layer formed For example, by such a matrix material, which is characterized by a low-melting material, another
  • an optic or a lens for example, an optic or a lens, or a
  • the conversion element is thus distinguished in this case both by radiation-converting and by adhesion-promoting properties.
  • Conversion element platelet-shaped Preferably, the conversion element is a tellur Vietnamese frit plate with phosphor embedded therein.
  • the conversion element is formed by a potting compound, in which the semiconductor chip is embedded. In this case, that encloses
  • the semiconductor chip preferably
  • Conversion element designed as a beam-shaping element.
  • Conversion element designed as a beam-shaping element.
  • the context of the application is under a jet-forming
  • a beam-shaping element a lens, an optic or a cover with, for example, contained scattering particles to understand.
  • the beam-shaping element may preferably by a targeted shaping or by surface tensions of the
  • Matrix material take place during the heating of the matrix material, be formed. This is suitable as
  • Matrix material preferably a low-melting material.
  • Conversion element includes the following
  • Process steps Providing a semiconductor chip comprising an active layer suitable for generating electromagnetic radiation and a radiation exit surface, and
  • Matrix material comprising tellur ambiencem glass and a phosphor comprises.
  • the conversion element by means of a
  • a liquid melt of the matrix material is produced from tellur restroomm glass with phosphor suspended therein, wherein subsequently the liquid melt is sprayed such that the conversion element is applied to the radiation exit surface of the semiconductor chip.
  • Layer of defined thickness of phosphor and optionally further elements are prepared on a glass substrate, wherein subsequently at a temperature close to the
  • Softening point of the glass is sintered.
  • a further preferred embodiment a
  • a thin layer is produced directly from the matrix material directly on the chip or a separate platelet at higher temperatures of over 350.degree.
  • the glass preferably has a viscosity of 10 7 ' 6 dPas * s>n> 10 "2 dPas * s, in particular of 10 4 dPas * s ⁇ > 10 ⁇ 2 dPas * s, ideally of 10 2 dPas * s ⁇ > 10 ⁇ 2 dPas * s in a very compact and low bubble-glass layer is generated This is then mixed with phosphor, such as YAG:.. Ce coated with known to the skilled worker.
  • the phosphor particles sink at a lower temperature of less than 350 ° C in the glass layer. That is, the phosphor material coated matrix material is then heated to the extent that the glass softens only slightly and the
  • the temperature for sinking is preferably> RT to ⁇ hemispherical material of the glass, better> Tg of the glass to ⁇ hemispherical material of the glass, better>
  • the matrix material is a low melting material
  • the sinking temperatures are at> 350 ° C.
  • the wafer it is possible for the wafer to be positioned on the chip prior to sinking, thereby simultaneously bonding to the chip during the sinking process.
  • the phosphor-coated side of the chip surface may be facing or facing away. Also one
  • the phosphor can also be selectively applied inhomogeneous, for example, the
  • the so-called "yellow ring" which often occurs in white LEDs, could be attenuated by a deliberately inhomogeneous application of the phosphor in a horizontal or lateral direction
  • the thickness of the matrix material is preferably less than or equal to 200 ⁇ m, preferably less than or equal to 100 ⁇ , in particular less than or equal to 50 ⁇ , but at least as high as the largest
  • Figures 1 to 7 are each a schematic cross section of an embodiment of an inventive
  • FIG. 1 shows a radiation-emitting component 10 which has a semiconductor chip 1 and a semiconductor chip 1
  • Conversion element 2 comprises.
  • the semiconductor chip 1 is preferably an LED chip (LED:
  • the semiconductor chip 1 is preferably a thin-film LED. For a thin-film LED, this is
  • Semiconductor chip 1 prepared, in particular has been deposited, partially or completely removed.
  • the semiconductor chip 1 has one for the production of
  • Electromagnetic radiation suitable active layer The active layer of the semiconductor chip 1 has a pn junction, a double heterostructure, a
  • MQW Multiple quantum well structure
  • Quantization It thus includes quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
  • the semiconductor chip 1 is preferably based on a nitride, phosphide or Arsenidimpl.
  • nitride, phosphide or Arsenidharmconleitern in the present context means that the active
  • the semiconductor chip 1 has a radiation exit surface 11.
  • the radiation exit surface 11 is preferably formed by a main surface of the semiconductor chip 1. Under a main surface is, for example, the top of the
  • On the radiation exit surface 11 of the semiconductor chip 1 may preferably be provided means for improving the decoupling of the radiation generated in the active layer (not shown).
  • the means for improving the decoupling are essentially surface structuring. In particular, an improved
  • Lichtauskopplung be achieved by a Mikroprismen Interprettechnik or a roughness increase of the radiation exit surface 11. For example, are roughening of
  • Radiation exit surface 11 is provided, thereby an irregular surface is formed, which improves the coupling of light from the device, which advantageously increases the efficiency of the semiconductor chip 1.
  • a conversion element 2 is arranged on the radiation exit surface 11 of the semiconductor chip 1.
  • the conversion element 2 is mounted on the radiation exit surface 11, in particular mechanically and positively connected to the radiation exit surface 11.
  • the conversion element 2 covers the light exit surface 11 of the semiconductor chip 1 at least partially. Particularly preferably, the conversion element 2 obscures the
  • the conversion element 2 comprises a matrix material 2 a of tellur restroomm glass and a phosphor 2b.
  • the phosphor 2b is preferably substantially homogeneous in the
  • Matrix material 2a distributed.
  • Component emitted radiation can be reduced, whereby advantageously a homogeneous radiation characteristic of the radiation emitted by the component is achieved.
  • the semiconductor chip 1 preferably emits a
  • the phosphor 2b in the conversion element 2 preferably at least partially absorbs radiation of wavelength ⁇ and emits secondary radiation of a different wavelength.
  • a component which emits mixed radiation which contains both the primary radiation of the semiconductor chip 1 and the secondary radiation of the phosphor 2b.
  • the color location of the radiation emitted by the semiconductor chip 2 can be changed, in particular selectively adjusted.
  • the color locus essentially refers to the numerical values which correspond to the color of the emitted radiation of the
  • the conversion element 2 can receive more than one phosphor 2b. By using more than one phosphor 2b, an accurate color selection of the color locus of the radiation emitted by the component can take place, as a result of which
  • a desired color location of the mixed radiation emitted by the component can be achieved.
  • the mixed radiation of the radiation emitted by the component is preferably in the white color locus range.
  • the matrix material 2a of the conversion element 2 has
  • the matrix material comprises at least 40% by weight of tellurium oxide, preferably at least 75% by weight of tellurium oxide, more preferably at least 90% by weight of tellurium oxide.
  • a matrix material 2a made of glass advantageously has a comparison with that conventionally used
  • Thermal conductivity of the matrix material can advantageously be reduced in operation during heating of the phosphor 2b since the heat generated during operation can be selectively removed from the phosphor 2b by the matrix material.
  • the phosphor has an increased efficiency during operation, which advantageously improves the efficiency of the component.
  • Tellurium-containing glasses are used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2a since they are highly refractive. Thereby can be used as the preferred matrix material 2
  • Conversion elements 2 are achieved, which are characterized in particular by a high refractive index of the matrix material 2a. Depending on the content of tellurium in the matrix material, refractive indices n> 2 can thus be made possible.
  • the matrix material 2a comprises phosphotellurite glass.
  • the matrix material comprises 2a
  • Silver phosphotelurite glass The composition of the individual components of the conversion element is preferably variable.
  • silver may be wholly or partially replaced by, for example, alkali or alkaline earth and / or phosphorus may be substituted in whole or in part by other glass formers known to those skilled in the art, such as SbÜ 2 or S1O2.
  • other glass formers known to those skilled in the art, such as SbÜ 2 or S1O2.
  • the matrix material 2a is for those of the
  • the matrix material 2a is free of boron oxide and germanium oxide.
  • a matrix material 2a containing boron oxide and / or germanium oxide has a tendency to crystallize
  • Conversion element 2a no longer has transparent properties. This can advantageously be counteracted by a boron oxide and germanium oxide-free matrix material.
  • the matrix material 2a is lead-free.
  • the matrix material 2a is a low-melting material, in particular a low-melting tellur restrooms glass. This allows the conversion element 2 directly in the manufacture of the device 10 with the
  • the matrix material is softened so low with the phosphor contained therein, that the composite between conversion element 2 and
  • Semiconductor chip 1 is carried out at a maximum of 350 ° C. As a result, damage to the semiconductor chip during the application process of the conversion element on the chip can advantageously be avoided.
  • Conversion element 2 plate-shaped.
  • the conversion element 2 has a thickness in a range between preferably 1 ym and 200 ym, more preferably between 5 ym and 100 ym, preferably between 10 ym and 50 ym, preferably between 25 ym and 30 ym, ideally in
  • the platelet-shaped conversion element 2 concealed with
  • the expansion of the platelet-shaped conversion element 2 is adapted to the extent of the conversion element 1.
  • the expansion of the platelet-shaped conversion element 2 is adapted to the extent of the conversion element 1.
  • the embedding of the phosphor 2b in the matrix material 2a is preferably carried out by means of a melting process and / or a sintering process.
  • the phosphor 2b is suspended in the matrix material 2a and subsequently
  • a method for producing a radiation-emitting component according to the exemplary embodiment of FIG. 1 comprises, for example, the following method steps:
  • Layer and a radiation exit surface 11 includes, and
  • Phosphor 2b includes, preferably in the
  • Embedded matrix material 2a differs from the embodiment of Figure 1 in that the
  • Conversion element 2 is designed as a beam-shaping element.
  • the conversion element 2 has a convex lens shape.
  • the conversion element 2 is thus already formed as an integrated lens, wherein the lens
  • Conversion element 2 may arise.
  • the radiation emitted by the semiconductor chip 1 can be guided in a targeted manner.
  • the emission angle of the radiation emitted by the semiconductor chip 1 can thus be selectively changed and / or corrected. That's how it affects you
  • Conversion element 2 inter alia, the emission and the directionality and the color of the
  • the conversion element of the embodiment of Figure 2 on an additional element 2c which is also preferably homogeneously embedded and distributed in the matrix material 2a of the conversion element 2. This preferably increases
  • FIG. 2 shows a further exemplary embodiment of FIG.
  • Component 10 which comprises a semiconductor chip 1 and a conversion element 2.
  • a semiconductor chip 1 which comprises a semiconductor chip 1 and a conversion element 2.
  • Conversion element 2 of Figure 3 formed by a potting compound, in which the semiconductor chip 1 is embedded.
  • the semiconductor chip 1 is advantageously completely enclosed by the conversion element 2. Only one attachment side, which is preferably located on the opposite side of the semiconductor chip 1 from the radiation exit surface 11, is free of conversion element 2.
  • the device 10 can be arranged, for example, on a carrier, a printed circuit board or a PCB (Printed Circuit Board) and electrically and be mechanically connected.
  • the conversion element 2 is followed by an additional layer 3, wherein the additional layer 3 preferably comprises a component which is uniformly embedded in the additional layer 3.
  • the distribution of the component in the additional layer 3 is preferably substantially homogeneous.
  • the component is preferred
  • the component absorbs radiation in the
  • Wavelength range ⁇ ⁇ 420 nm Components of the radiation-emitting device 10 such as a plastic housing against short-wave radiation and any resulting damage such as
  • FIG. 4 shows a further embodiment of a
  • the potting compound is additionally formed as a beam-shaping element.
  • the potting compound 2 has a convex lens shape.
  • the radiation emitted by the semiconductor chip 1 can be specifically changed or corrected in terms of its emission characteristic and directionality.
  • a phosphor 2b and an additional element 2c which increases the refractive index of the matrix material 2a, are embedded.
  • the components embedded in the matrix material 2a are substantially evenly distributed in the matrix material 2a.
  • the conversion element 2 is an additional
  • additional layer 3 is preferably formed as potting compound, wherein the potting compound as well as the
  • Conversion element 2 is additionally designed as a beam-shaping element.
  • the embodiment of FIG. 4 substantially corresponds to the embodiment of FIG.
  • a beam-shaping element 4 is provided on the conversion element 2
  • the conversion element 2 is not itself designed as a beam-shaping element, but an additional beam-shaping element 4 is used.
  • the beam-shaping element 4 is arranged on the side of the conversion element 2 facing away from the semiconductor chip 1. The beam-shaping element 4 is thus the
  • the beam-shaping element 4 is an optic, a lens and / or a cover.
  • the beam-shaping element 4 can be glued to the semiconductor chip 1, for example by means of the conversion element 2.
  • the conversion element 2 preferably has a low-melting glass, so that when the matrix material 2a is heated, the beam-shaping element 4 can be mechanically and positively connected to the conversion element 2.
  • the conversion element 2a is thus presently used as an adhesion-promoting layer, so that an additional adhesion-promoting layer is advantageously not necessary.
  • the beam-shaping element 4 can also be another
  • Conversion element for example, a
  • Matrix material made of glass, a glass ceramic, or a ceramic.
  • the further conversion element can have a phosphor which is suitable for converting radiation emitted by the semiconductor chip of one wavelength into radiation of a different wavelength.
  • a component can preferably be achieved which
  • FIG. 5 essentially corresponds to the exemplary embodiment of FIG.
  • Figure 6 is in contrast to the embodiment shown in Figure 1, the
  • Conversion element 2 formed as a multilayer element.
  • the conversion element 2 comprises a first layer 21 and a second layer 22.
  • the first layer 21 is preferably formed as an adhesion-promoting layer.
  • the first layer 21 comprises the
  • the second layer 22 preferably comprises the matrix material 2a and the phosphor 2b embedded therein.
  • the second layer 22 may also be an external one
  • the second layer 22 may be glued to the semiconductor chip 1 by means of the first layer 21.
  • the second layer 22 preferably has one
  • the first layer 21 is mechanically and positively connected to the semiconductor chip 1 connectable.
  • FIG. 6 substantially corresponds to the embodiment of FIG.
  • a gap 5 is formed.
  • a gas for example air, is preferably arranged.
  • Conversion element 2 arranged on a support 6.
  • the conversion element 2 the semiconductor chip. 1
  • the semiconductor chip 1 may be arranged in a housing (not shown), wherein, for example, areas of the housing serve as a bearing surface of the conversion element 2, so that in this case a distance between the conversion element 2 and the semiconductor chip 1 can be achieved.
  • FIG. 7 essentially corresponds to the exemplary embodiment of FIG.
  • the invention is not limited by the description based on the embodiments of these, but includes each new feature as well as each combination of features, in particular any combination of features in the

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement (10) mit einem Halbleiterchip (1) und einem Konversionselement (2), wobei der Halbleiterchip (1) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsfläche (11) umfasst. Das Konversionselement (2) umfasst ein Matrixmaterial (2a) und einen Leuchtstoff (2b), wobei das Konversionselement (2) der Strahlungsaustrittsfläche (11) des Halbleiterchips (1) nachgeordnet ist. Das Matrixmaterial umfasst mindestens 40 Gew.% Telluroxid und ist frei von Bortrioxid und/oder Germaniumoxid. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen strahlungsemittierenden Bauelements (10) angegeben.

Description

Beschreibung
Strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Konversionselement und Verfahren zu dessen
Herstellung
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 009 456.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Konversionselement. Weiter betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Strahlungsemittierenden Bauelements .
Strahlungsemittierende Bauelemente mit einem
Konversionselement sind beispielsweise aus der Druckschrift WO 97/50132 bekannt. Diese Bauelemente enthalten einen
Halbleiterkörper, der im Betrieb Licht aussendet
(Primärlicht) , und eine Konversionselement mit einem
Leuchtstoff, der einen Teil des Primärlichts in einen anderen Wellenlängenbereich konvertiert (Sekundärlicht) . Der
Farbeindruck des von einem solchen Halbleiterbauelements emittierten Lichts ergibt sich durch additive Farbmischung aus Primärlicht und Sekundärlicht.
Das Konversionselement kann in verschiedener Weise dem
Halbleiterkörper nachgeordnet sein. Beispielsweise besteht das Konversionselement aus einer dem Halbleiterkörper
umgebenden Vergussmasse, in die der Leuchtstoff eingebettet ist. Weiter ist bekannt, ein Konversionselement mit
mindestens einem Leuchtstoff dem Halbleiterkörper
nachzuordnen . Dabei wird herkömmlicherweise ein Konversionselement
verwendet, das als Matrixmaterial Silikon aufweist, wobei in das Matrixmaterial ein Leuchtstoff eingebracht ist. Das
Konversionselement ist dabei mittels einer
Haftvermittlungsschicht, beispielsweise eines organischen Klebers, auf einer Oberfläche des Halbleiterchips befestigt. Silikon besitzt jedoch eine schlechte Wärmeleitfähigkeit, was dazu führen kann, dass sich der Leuchtstoff im Betrieb des Bauelements erwärmt, wodurch das Bauelement in seiner
Effizienz nachteilig Einbußen erfährt.
Weiter ist aus der Druckschrift US 2009/0309125 eine Glas- Verkapselung für eine Licht emittierende Vorrichtung bekannt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
Strahlungsemittierendes Bauelement bereitzustellen, das sich durch eine verbesserte Wärmeabfuhr der im Betrieb des
Bauelements entstehenden Wärme durch das Matrixmaterial, eine dadurch bedingte verbesserte Effizienz des Bauelements und gleichzeitig durch einen hohen Brechungsindex des
Matrixmaterials auszeichnet.
Diese Aufgaben werden gelöst durch ein
Strahlungsemittierendes Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch ein Verfahren zu dessen
Herstellung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 15.
Vorteilhafte Weiterbildungen des Bauelements und des
Verfahrens sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Erfindungsgemäß ist ein strahlungsemittierendes Bauelement vorgesehen, das einen Halbleiterchip und ein
Konversionselement aufweist. Der Halbleiterchip umfasst eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsfläche. Das
Konversionselement umfasst ein Matrixmaterial aus
tellurhaltigem Glas und einen Leuchtstoff. Das
Konversionselement ist der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips nachgeordnet.
Bevorzugt ist die Strahlungsaustrittsfläche durch eine
Hauptfläche des Halbleiterchips gebildet. Besonders bevorzugt ist das Konversionselement zumindest auf dieser Hauptfläche des Halbleiterchips aufgebracht.
Vorzugsweise ist der Halbleiterchip ein LED-Chip, der eine sich aus einer Anzahl von verschiedenen Schichten
zusammensetzende Schichtenfolge aufweist, die eine aktive
Schicht enthält. Die aktive Schicht emittiert vorzugsweise im Betrieb des Bauelements mindestens eine Strahlung,
beispielsweise ultraviolette, blaue oder grüne Strahlung. Die aktive Schicht kann zum Beispiel einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur (SQW- Struktur) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW- Struktur) aufweisen. Solche Strukturen sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher
erläutert .
Der Halbleiterchip basiert bevorzugt auf einem
Nitridverbindungshalbleiter, Phosphidverbindungshalbleiter und/oder Arsenidverbindungshalbleiter . Das bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die aktive
Epitaxieschichtenfolge oder zumindest eine Schicht davon ein Nitrid-, Phosphid- und/oder Arsenid-III/V-Verbindungsmaterial umfasst. Dabei kann das Verbindungsmaterial einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen
Eigenschaften des Verbindungsmaterials im Wesentlichen nicht ändern . Vorzugsweise emittiert der Halbleiterchip Primärstrahlung mit einer Wellenlänge λο . Bevorzugt wird ein Großteil der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung durch die
Strahlungsaustrittsfläche aus dem Halbleiterchip emittiert. Dem Halbleiterchip in Abstrahlrichtung ist bevorzugt ein Konversionselement nachgeordnet, das mindestens einen
Leuchtstoff enthält, der bei Anregung mit der Wellenlänge λο Sekundärstrahlung einer anderen Wellenlänge emittiert.
Besonders bevorzugt emittiert so das Bauelement
Mischstrahlung, die Primärstrahlung des Halbleiterchips und Sekundärstrahlung des Konversionselements enthält.
Geeignete Leuchtstoffe sind dem Fachmann beispielsweise aus der Druckschrift WO 98/12757 und aus der Druckschrift WO 01/65613 AI bekannt, deren Offenbarungsgehalt jeweils insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bei einer Ausführungsform ist das Konversionselement direkt auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips angeordnet. Zwischen Halbleiterchip und Konversionselement ist somit kein Abstand vorgesehen. Bevorzugt ist das
Konversionselement auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips befestigt. Das Konversionselement ist somit direkt auf einer Hauptfläche des Halbleiterchips befestigt, wobei kein Abstand und/oder andere Schichten oder Materialien zwischen Konversionselement und Halbleiterchip angeordnet sind . Unter einer direkten Anordnung zwischen beispielsweise zweier Schichten ist im Rahmen der Anmeldung eine Anordnung zu verstehen, bei denen die Schichten direkt aneinander
angrenzend angeordnet beziehungsweise befestigt sind, wobei herstellungsbedingte geringe Lufteinschlüsse oder
Fremdkörpereinschlüsse wie beispielsweise Staubeinschlüsse zwischen diesen Schichten dabei nicht zu beachten sind.
Bei einer weiteren Ausführungsform ist zwischen dem
Konversionselement und der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips ein Abstand angeordnet. Bevorzugt ist
zwischen dem Konversionselement und der
Strahlungsaustrittsfläche ein Zwischenraum ausgebildet, der ein Gas aufweist, beispielsweise Luft.
Bei einer weiteren Ausführungsform ist zwischen der
Chipoberfläche und der Matrix eine bewusst eingebrachte
Zwischenschicht angeordnet, wodurch ein Abstand gebildet wird. Die Zwischenschicht ist zwischen 0 μιη und 10 μιη dick, vorzugsweise zwischen einer Atomlage und 0,5 μιτι, idealerweise zwischen 1 nm und 100 nm. Die Zwischenschicht kann
beispielsweise entspiegelnd, als Barriere oder als optischer Filter wirken. Bei einer entspiegelnden Zwischenschicht liegt der Brechungsindex zwischen dem des Chips und dem der Matrix.
Das Matrixmaterial des Konversionselements ist vorzugsweise ein tellurhaltiges Glas. Bevorzugt umfasst das Matrixmaterial mindestens 40 Gew-% Telluroxid ( e02). Besonders bevorzugt umfasst das Matrixmaterial mindestens 75 Gew-% Telluroxid. Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform umfasst das Matrixmaterial mindestens 90 Gew-% Telluroxid. Beispielsweise besteht das Matrixmaterial aus TeC>2, in dem der Leuchtstoff eingebettet ist. Alternativ weist das
Matrixmaterial über 75 Gew-% eÜ2 und 9 bis 24 Gew-% ZnO auf. Der Leuchtstoff des Konversionselements ist in dem
Matrixmaterial aus tellurhaltigem Glas eingebettet. Glas weist mit Vorteil eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit als das herkömmlicherweise verwendete Silikon auf, wodurch sich die Wärmeabfuhr der im Betrieb entstehenden Wärme mittels des Matrixmaterials vorteilhafterweise erhöht. Dadurch kann die im Betrieb entstehende Wärme, insbesondere die im Betrieb entstehende Erwärmung des Leuchtstoffs im Konversionselement, effizient über das Matrixmaterial abgeführt werden, wodurch sich vorteilhafterweise die Effizienz des Leuchtstoffs und dadurch bedingt die Effizienz des Bauelements erhöht.
Weiter zeichnen sich tellurhaltige Gläser vorteilhafterweise durch hochbrechende Eigenschaften aus, sodass sich ein derartiges Konversionselement, insbesondere das
Matrixmaterial, durch einen hohen Brechungsindex auszeichnet. Beispielsweise ist so abhängig vom Gehalt des Tellurs in der Glasmatrix ein Brechungsindex von n > 2 möglich.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird als Matrixmaterial Phosphotelluritglas verwendet. Besonders bevorzugt findet Silberphosphotelluritglas als Matrixmaterial Verwendung.
Dabei ist je nach vorgesehener Verwendung des Bauelements die Zusammensetzung der einzelnen Komponenten des Matrixmaterials zueinander variabel.
Zusammensetzungen des Matrixmaterials aus beispielsweise Phosphotelluritgläsern sind dem Fachmann beispielsweise aus der Druckschrift DE 2222771 AI bekannt, deren Offenbarungsgehalt hiermit explizit durch Rückbezug
aufgenommen wird.
Alternativ kann bei Verwendung eines Matrixmaterials aus Silberphosphotelluritglas das Silber vollständig oder
teilweise durch beispielsweise Alkali- oder
Erdalkalimaterialien ersetzt sein. Weiter kann der Phosphor des Matrixmaterials vollständig oder teilweise durch andere dem Fachmann bekannte Glasbildner, wie beispielsweise Sb2Ü3 und/oder S1O2 und/oder WO3 und/oder M0O3 und/oder B12O3 und/oder Mn2<07 und/oder PbO substituiert sein. Ebenso ist es möglich, das Telluroxid des Matrixmaterials teilweise durch andere Glasbildner zu ersetzen. Vorzugsweise ist das
Matrixmaterial RoHS-konform und frei von Pb, As, Cd, U, Tm.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist das
Matrixmaterial für die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung zumindest teilweise transparent. Vorzugsweise weist das Matrixmaterial im Wellenlängenbereich der von dem
Halbleiterchip emittierten Strahlung eine Transparenz von größer als 60%, besonders bevorzugt von größer als 80%, vorzugsweise von größer als 95% auf.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist das
Matrixmaterial frei von Boroxid und/oder Germaniumoxid.
Ein Matrixmaterial mit darin enthaltenem Boroxid und/oder Germaniumoxid tendiert nachteilig zur Kristallisation
aufgrund eines Entmischungsverhaltens, wodurch das
Konversionselement keine transparenten Eigenschaften mehr aufweist. Dem kann vorteilhafterweise durch ein an Boroxid und Germaniumoxid freies Matrixmaterial entgegengetreten werden. Beispielsweise wird einem Entmischungsverhalten durch eine Schmelzkombination von eÜ2 und P2O5, also durch
Phosphotellurit-Gläser, entgegengetreten. Die gute
Mischbarkeit erfolgt insbesondere dadurch, dass Phosphat- und Telluritgläser vorrangig Kettenbauelemente enthalten, deren Volumenbeanspruchung relativ ähnlich sind, wodurch eine nahezu homogene Struktur erzielt werden kann.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform umfasst das Matrixmaterial zumindest ein zusätzliches Element, das den Brechungsindex des Matrixmaterials erhöht. Dem Glas können beispielsweise dem Fachmann bekannte Brechungsindex-erhöhende Verbindungen, wie beispielsweise La2Ü3 zugesetzt sein.
Bei einer weiteren Ausführungsform ist das Matrixmaterial, insbesondere das tellurhaltige Glas, bleifrei.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung umfasst das Matrixmaterial zumindest eine weitere zusätzliche Komonente, die strahlungsabsorbierende Eigenschaften aufweist.
Vorzugsweise absorbiert die weitere zusätzliche Komponente Strahlung im Wellenlängenbereich λ < 380 nm, bevorzugt
Strahlung im Wellenlängenbereich λ < 400 nm, besonders bevorzugt Strahlung im Wellenlängenbereich λ < 420 nm.
Vorzugsweise absorbiert die weitere zusätzliche Komponente 20 %, bevorzugt 40 %, besonders bevorzugt 60 % der Strahlung im genannten Wellenlängenbereich. Die Komponente kann in einem weiteren Matrixmaterial als zusätzliche Schicht über dem Konversionselement oder neben dem Konversionselement angeordnet sein. Beispielsweise umfasst die zusätzliche
Schicht eine Komponente, die als UV-Filter dient.
Bei einer weiteren Ausgestaltung liegt die
Transformationstemperatur (Tg) des Matrixmaterials bei maximal 350°C, insbesondere -S 350°C. Insbesondere ändert das Matrixmaterial seine Wärmeausdehnung bei der
Transformationstemperatur (Tg) von maximal 350°C. Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist das
Matrixmaterial ein niederschmelzendes Material. Als
niederschmelzendes Material wird im Rahmen der vorliegenden Anmeldung ein Material angesehen, das bei einer Temperatur von maximal 350° C erweicht. Dadurch ermöglicht sich mit Vorteil, dass das Konversionselement direkt mit dem
Halbleiterchip verbunden werden kann, indem der Verbund zwischen Konversionselement und Halbleiterchip bei maximal 350° C erfolgt, wobei bei derartigen Temperaturen der
Halbleiterchip keine Schäden bei Aufbringen des
Konversionselements auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips erfährt. Dabei kann ein Bonddraht,
beispielsweise ein Golddraht, der zur elektrischen
Kontaktierung des Halbleiterchips Verwendung findet,
vollständig oder teilweise in das Konversionselement
eingebettet sein.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist das
Matrixmaterial oder das Konversionselement als
Haftvermittlungsschicht ausgebildet. Beispielsweise kann durch ein derartiges Matrixmaterial, das sich durch ein niederschmelzendes Material auszeichnet, ein weiteres
Konversionselement, ein Strahlungsformendes Element,
beispielsweise eine Optik oder eine Linse, oder eine
Abdeckung mit dem Halbleiterchip bei Temperaturen von maximal 350° C verklebt werden. Das Konversionselement zeichnet sich in diesem Fall somit sowohl durch strahlungskonvertierende als auch durch haftvermittelnde Eigenschaften aus. In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist das
Konversionselement plättchenförmig ausgebildet. Vorzugsweise ist das Konversionselement ein tellurhaltiges Glasplättchen mit darin eingebettetem Leuchtstoff.
In einer weiteren Ausführungsform ist das Konversionselement durch eine Vergussmasse gebildet, in die der Halbleiterchip eingebettet ist. In diesem Fall umschließt das
Konversionselement den Halbleiterchip vorzugsweise
vollständig. Zwischen Vergussmasse und Halbleiterchip besteht vorzugsweise kein Abstand, wobei dabei geringe,
herstellungsbedingte Lufteinschlüsse beziehungsweise
Fremdkörpereinschlüsse wie beispielsweise Staubpartikel zwischen Vergussmasse und Halbleiterchip auftreten können.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist das
Konversionselement als strahlformendes Element ausgebildet. Im Rahmen der Anmeldung ist unter einem strahlformenden
Element ein Element zu verstehen, das die vom Halbleiterchip emittierte Strahlung in ihrer Abstrahlrichtung verändert und/oder beeinflusst. Beispielsweise ist als strahlformendes Element eine Linse, eine Optik oder eine Abdeckung mit beispielsweise enthaltenen Streupartikeln zu verstehen. Das strahlformende Element kann vorzugsweise durch eine gezielte Formgebung oder durch Oberflächenspannungen des
Matrixmaterials bei der Erwärmung des Matrixmaterials erfolgen, gebildet sein. Hierzu eignet sich als
Matrixmaterial vorzugsweise ein niederschmelzendes Material. Ein Verfahren zum Herstellen eines Strahlungsemittierenden Bauelements, das einen Halbleiterchip und ein
Konversionselement umfasst, umfasst folgende
Verfahrensschritte : - Bereitstellen eines Halbleiterchips, der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsfläche umfasst, und
- Aufbringen eines Konversionselements auf der
Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips, das ein
Matrixmaterial aus tellurhaltigem Glas und einen Leuchtstoff umfasst .
Vorteilhafte Weiterbildungen des Verfahrens ergeben sich analog zu den vorteilhaften Weiterbildungen des Bauelements und umgekehrt. Mittels des Verfahrens ist insbesondere ein hier beschriebenes Bauelement herstellbar.
Bevorzugt wird das Konversionselement mittels eines
Sinterverfahrens hergestellt, wobei hierbei eine Mischung von Leuchtstoff und Glaspulver gesintert, insbesondere gepresst wird, um Lufteinschlüsse zu minimieren. Hierbei finden
Temperaturen in der Nähe des Erweichungspunktes des Glases Verwendung .
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird eine flüssige Schmelze des Matrixmaterials aus tellurhaltigem Glas mit darin suspendierendem Leuchtstoff hergestellt, wobei anschließend die flüssige Schmelze derart versprüht wird, dass das Konversionselement auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips aufgebracht wird.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung kann eine
Schicht definierter Dicke aus Leuchtstoff und optional weiteren Elementen auf einem Glassubstrat hergestellt werden, wobei anschließend bei einer Temperatur nahe dem
Erweichungspunkt des Glases gesintert wird. Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung wird eine
LeuchtstoffSchicht aus LeuchtstoffPartikeln auf der
Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips aufgebracht, wobei anschließend tellurhaltiges Glas aus der Gasphase in die Zwischenräume zwischen den LeuchtstoffPartikeln
abgeschieden wird.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird aus dem Matrixmaterial eine dünne Schicht direkt auf dem Chip oder ein separates Plättchen bei höheren Temperaturen von über 350°C hergestellt. Bei dieser Temperatur besitzt das Glas vorzugsweise eine Viskosität von 107'6 dPas*s > n > 10"2 dPas*s, insbesondere von 104 dPas*s η > 10~2 dPas*s, idealerweise von 102 dPas*s η > 10~2 dPas*s. Dadurch wird eine sehr kompakte und blasenarme Glasschicht erzeugt. Diese wird anschließend mit Leuchtstoff, beispielsweise YAG:Ce, mit den dem Fachmann bekannten Verfahren beschichtet.
Anschließend sinken die Leuchtstoffpartikel bei niedrigerer Temperatur von unter 350°C in die Glasschicht ein. D.h., das mit Leuchtstoff beschichtete Matrixmaterial wird dann soweit erwärmt, dass das Glas nur leicht erweicht und der
Leuchtstoff in die Glasschicht einsinkt und davon umschlossen wird. Die Temperatur für das Einsinken liegt vorzugsweise bei > RT bis ^ Halbkugelmaterial des Glases, besser > Tg des Glases bis ^ Halbkugelmaterial des Glases, besser >
Erweichungstemperatur des Glases bis ^ Halbkugelmaterial des Glases. Der Vorteil des Einsinkens ist, dass hierfür nur niedrige Temperaturen erforderlich sind und dadurch der
Leuchtstoff nicht geschädigt wird. Wenn beispielsweise das Matrixmaterial ein niedrigschmelzendes Material ist, liegen die Temperaturen für das Einsinken bei ^ 350 °C. Im Falle eines separaten Plättchens ist es möglich, dass das Plättchen vor dem Einsinken auf dem Chip positioniert wird und so während des Einsinkvorgangs gleichzeitig mit dem Chip verklebt. Hierbei kann die mit Leuchtstoff beschichtete Seite der Chipoberfläche zu oder abgewandt sein. Auch eine
beidseitige Beschichtung sowie eine Beschichtung der
Stirnflächen mit dem gleichen oder verschiedenen
Leuchtstoffen ist möglich.
Für das Einsinkverfahren kann der Leuchtstoff auch gezielt inhomogen aufgebracht werden, um zum Beispiel die
Farborthomogenität des Moduls über den Abstrahlwinkel zu verbessern. So könnte beispielsweise der bei weißen LEDs oft auftretende, sogenannte „gelbe Ring", durch eine gezielt inhomogene Aufbringung des Leuchtstoffs in horizontaler beziehungsweise lateraler Richtung, abgeschwächt werden. Die Dicke des Matrixmaterials, beispielsweise der Glasschicht, ist vorzugsweise kleiner oder gleich 200 μιτι, vorzugsweise kleiner oder gleich 100 μιτι, insbesondere kleiner oder gleich 50 μιη, jedoch mindestens so hoch wie die größten
Leuchtstoffpartikel .
Verfahren zur Einbettung eines Leuchtstoffs in Glas sind dem Fachmann beispielsweise aus der Druckschrift DE 102005023134 AI bekannt, deren Offenbarungsgehalt hiermit explizit durch Rückbezug in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
Weitere Merkmale, Vorteile, bevorzugte Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten des Bauelements und des Verfahrens ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 5 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen: Figuren 1 bis 7 jeweils einen schematischen Querschnitt eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen
Bauelements . Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten
Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. In Figur 1 ist ein Strahlungsemittierendes Bauelement 10 dargestellt, das einen Halbleiterchip 1 und ein
Konversionselement 2 umfasst.
Unter einem Strahlungsemittierenden Bauelement ist im
Wesentlichen ein Bauelement zu verstehen, das geeignet ist, im Betrieb Strahlung zu emittieren. Insbesondere erfolgt bei derartigen Bauelementen eine Strahlungsemission im Betrieb mittels einer elektrischen Kontaktierung der Bauelemente. Der Halbleiterchip 1 ist vorzugsweise ein LED-Chip (LED:
Licht emittierende Diode) . Bevorzugt ist der Halbleiterchip 1 eine Dünnfilm-LED. Bei einer Dünnfilm-LED ist das
Herstellungssubstrat, auf den der Schichtstapel für den
Halbleiterchip 1 hergestellt, insbesondere abgeschieden worden ist, bereichsweise oder vollständig entfernt.
Der Halbleiterchip 1 weist eine zur Erzeugung von
elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die aktive Schicht des Halbleiterchips 1 weist einen pn- Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine
Einfachquantentopfstruktur (SQW) oder eine
Mehrfachquantentopfstruktur (MQW) zur Strahlungserzeugung auf. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der
Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen .
Der Halbleiterchip 1 basiert vorzugsweise auf einem Nitrid-, Phosphid- oder Arsenidverbindungshalbleiter . Auf Nitrid-, Phosphid- oder Arsenidverbindungshalbleitern basierend bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die aktive
Epitaxieschichtenfolge oder zumindest eine Schicht davon ein I I I /V-Halbleitermaterial mit der Zusammensetzung
InxGayAl]__x_yP, InxGayAl]__x_yN oder InxGayAl]__x_yAs, jeweils mit 0 -S x, y < 1 und x + y < 1 umfasst. Der Halbleiterchip 1 weist eine Strahlungsaustrittsfläche 11 auf. Die Strahlungsaustrittsfläche 11 ist vorzugsweise durch eine Hauptfläche des Halbleiterchips 1 gebildet. Unter einer Hauptfläche ist beispielsweise die Oberseite des
Halbleiterchips 1 zu verstehen.
Auf der Strahlungsaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 1 können vorzugsweise Mittel zur Verbesserung der Auskopplung der in der aktiven Schicht erzeugten Strahlung vorgesehen sein (nicht dargestellt) . Unter Mittel zur Verbesserung der Auskopplung sind im Wesentlichen Oberflächenstrukturierungen zu verstehen. Insbesondere kann eine verbesserte
Lichtauskopplung durch eine Mikroprismenstrukturierung oder eine Rauhigkeitserhöhung der Strahlungsaustrittsfläche 11 erzielt werden. Sind beispielsweise Aufrauungen der
Strahlungsaustrittsfläche 11 vorgesehen, ist dadurch eine unregelmäßige Oberfläche gebildet, die die Auskopplung von Licht aus dem Bauelement verbessert, wodurch sich mit Vorteil die Effizienz des Halbleiterchips 1 erhöht. Auf der Strahlungsaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 1 ist ein Konversionselement 2 angeordnet. Vorzugsweise ist das Konversionselement 2 direkt auf der Strahlungsaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 1 angeordnet. Insbesondere ist das Konversionselement 2 auf der Strahlungsaustrittsfläche 11 befestigt, insbesondere mit der Strahlungsaustrittsfläche 11 mechanisch und formschlüssig verbunden. Vorzugsweise verdeckt das Konversionselement 2 die Lichtaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 1 zumindest teilweise. Besonders bevorzugt verdeckt das Konversionselement 2 die
Strahlungsaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 1
vollständig . Das Konversionselement 2 umfasst ein Matrixmaterial 2a aus tellurhaltigem Glas und einen Leuchtstoff 2b. Der Leuchtstoff 2b ist vorzugsweise im Wesentlichen homogen in dem
Matrixmaterial 2a verteilt. Dadurch können
Farbinhomogenitäten über den Abstrahlwinkel der von dem
Bauelement emittierten Strahlung verringert werden, wodurch mit Vorteil eine homogene Abstrahlcharakteristik der von dem Bauelement emittierten Strahlung erzielt wird.
Der Halbleiterchip 1 emittiert vorzugsweise eine
Primärstrahlung mit einer Wellenlänge λο . Der Leuchtstoff 2b in dem Konversionselement 2 absorbiert bevorzugt zumindest teilweise Strahlung der Wellenlänge λο und emittiert eine Sekundärstrahlung einer anderen Wellenlänge. Dadurch kann ein Bauelement erzielt werden, das Mischstrahlung emittiert, die sowohl die Primärstrahlung des Halbleiterchips 1 und die Sekundärstrahlung des Leuchtstoffs 2b enthält. Durch ein auf der Strahlungsaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 1 angeordnetes Konversionselement 2 kann der Farbort der von dem Halbleiterchip 2 emittierten Strahlung verändert werden, insbesondere gezielt eingestellt werden. Unter dem Farbort werden im Wesentlichen die Zahlenwerte verstanden, die die Farbe der emittierten Strahlung des
Bauelements im CIE-Farbraum beschreiben.
Durch eine gezielte Wahl des Leuchtstoffs 2b kann sich eine gezielte Korrektur des Farborts der von dem Halbleiterchip 1 emittierten Strahlung ergeben, wodurch sich
vorteilhafterweise ein gewünschter Farbort der von dem
Bauelement 10 emittierten Strahlung ergibt. Das Konversionselement 2 kann mehr als einen Leuchtstoff 2b erhalten. Durch die Verwendung von mehr als einem Leuchtstoff 2b kann eine genaue Farbselektion des Farborts der von dem Bauelement emittierten Strahlung erfolgen, wodurch
insbesondere ein gewünschter Farbort der von dem Bauelement emittierten Mischstrahlung erzielt werden kann. Vorzugsweise liegt die Mischstrahlung der von dem Bauelement emittierten Strahlung im weißen Farbortbereich.
Geeignete Leuchtstoffe, die in derartigen
Konversionselementen Anwendung finden können, sind dem
Fachmann beispielsweise aus der Druckschrift WO 98/12757 und aus der Druckschrift WO 01/65613 AI bekannt, deren Inhalt jeweils insofern hiermit durch Rückbezug in die Beschreibung aufgenommen wird.
Das Matrixmaterial 2a des Konversionselements 2 weist
vorzugsweise ein tellurhaltiges Glas auf. Bevorzugt umfasst das Matrixmaterial mindestens 40 Gew-% Telluroxid, vorzugsweise mindestens 75 Gew-% Telluroxid, besonders bevorzugt mindestens 90 Gew-% Telluroxid.
Ein Matrixmaterial 2a aus Glas weist vorteilhafterweise im Vergleich zu dem herkömmlicherweise verwendeten
Matrixmaterial aus Silikon eine verbesserte
Wärmeleitfähigkeit auf. Durch eine verbesserte
Wärmeleitfähigkeit des Matrixmaterials kann mit Vorteil eine Erwärmung des Leuchtstoffs 2b im Betrieb reduziert werden, da die im Betrieb entstandene Wärme durch das Matrixmaterial gezielt von dem Leuchtstoff 2b abgeführt werden kann. Dadurch weist der Leuchtstoff im Betrieb eine erhöhte Effizienz auf, wodurch sich mit Vorteil die Effizienz des Bauelements verbessert .
Als bevorzugtes Matrixmaterial 2a finden tellurhaltige Gläser Verwendung, da diese hochbrechend sind. Dadurch können
Konversionselemente 2 erzielt werden, die sich insbesondere durch einen hohen Brechungsindex des Matrixmaterials 2a auszeichnen. Je nach Gehalt des Tellurs in dem Matrixmaterial können so Brechungsindizes n > 2 ermöglicht werden.
Bevorzugt umfasst das Matrixmaterial 2a Phosphotelluritglas. Besonders bevorzugt umfasst das Matrixmaterial 2a
Silberphosphotelluritglas . Die Zusammensetzung der einzelnen Komponenten des Konversionselements ist dabei vorzugsweise variabel. Zudem kann Silber vollständig oder teilweise durch beispielsweise Alkali oder Erdalkali ersetzt sein und/oder Phosphor vollständig oder teilweise durch andere dem Fachmann bekannte Glasbildner wie SbÜ2 oder S1O2 substituiert werden. Alternativ ist es möglich, Telluroxid teilweise durch andere Glasbildner zu ersetzen. Vorzugsweise ist das Matrixmaterial 2a für die von dem
Halbleiterchip 1 emittierte Strahlung transparent. Bevorzugt ist das Matrixmaterial 2a frei von Boroxid und Germaniumoxid. Ein Matrixmaterial 2a mit darin enthaltenem Boroxid und/oder Germaniumoxid tendiert nachteilig zur Kristallisation
aufgrund eines Entmischungsverhaltens, wodurch das
Konversionselement 2a keine transparenten Eigenschaften mehr aufweist. Dem kann vorteilhafterweise durch ein an Boroxid und Germaniumoxid freies Matrixmaterial entgegengetreten werden .
Vorzugsweise ist das Matrixmaterial 2a bleifrei. Vorzugsweise ist das Matrixmaterial 2a ein niederschmelzendes Material, insbesondere ein niederschmelzendes tellurhaltiges Glas. Dadurch kann das Konversionselement 2 direkt bei der Herstellung des Bauelements 10 mit der
Strahlungsaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 1
formschlüssig verbunden werden. Dabei wird das Matrixmaterial mit dem darin enthaltenen Leuchtstoff so niedrig erweicht, dass der Verbund zwischen Konversionselement 2 und
Halbleiterchip 1 bei maximal 350° C erfolgt. Dadurch können mit Vorteil Schädigungen des Halbleiterchips während des Aufbringprozesses des Konversionselements auf dem Chip vermieden werden. Ein Bonddraht, der beispielsweise Anwendung zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips 2
Verwendung findet, kann dabei vollständig oder teilweise in das Konversionselement 2 mit eingebettet werden.
In dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 ist das
Konversionselement 2 plättchenförmig ausgebildet.
Vorzugsweise weist das Konversionselement 2 eine Dicke in einem Bereich zwischen vorzugsweise 1 ym und 200 ym, besser zwischen 5 ym und 100 ym, vorzugsweise zwischen 10 ym und 50 ym, bevorzugt zwischen 25 ym und 30 ym, idealerweise im
Wesentlichen 30 ym, auf.
Das plättchenförmige Konversionselement 2 verdeckt mit
Vorteil zumindest 80 % der Strahlungsaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 1. Besonders bevorzugt ist die Ausdehnung des plättchenförmigen Konversionselements 2 an die Ausdehnung des Konversionselements 1 angepasst. Vorzugsweise ist die
Grundfläche des Konversionselements 2 mit der Grundfläche des Halbleiterchips 1 identisch beziehungsweise nahezu identisch.
Die Einbettung des Leuchtstoffs 2b in dem Matrixmaterial 2a erfolgt vorzugsweise mittels eines Schmelzprozesses und/oder eines Sinterprozesses. Beispielsweise wird der Leuchtstoff 2b im Matrixmaterial 2a suspendiert und anschließend
siebgedruckt. Verfahren zur Einbettung eines Leuchtstoffs in einem Matrixmaterial, insbesondere in Glas, ist dem Fachmann beispielsweise aus der Druckschrift DE 102005023134 AI bekannt, deren Offenbarungsgehalt hiermit explizit durch Rückbezug in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
Ein Verfahren zum Herstellen eines Strahlungsemittierenden Bauelements gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 umfasst beispielsweise folgende Verfahrensschritte:
- Bereitstellen des Halbleiterchips 1, der eine aktive
Schicht und eine Strahlungsaustrittsfläche 11 umfasst, und
- Aufbringen des Konversionselements 2 auf der
Strahlungsaustrittsfläche 11, wobei das Konversionselement 2 ein Matrixmaterial 2a aus tellurhaltigem Glas und einen
Leuchtstoff 2b umfasst, der vorzugsweise in dem
Matrixmaterial 2a eingebettet ist. Das Ausführungsbeispiel der Figur 2 unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 dadurch, dass das
Konversionselement 2 als strahlformendes Element ausgebildet ist. Insbesondere weist das Konversionselement 2 eine konvexe Linsenform auf. Das Konversionselement 2 ist somit bereits als integrierte Linse ausgebildet, wobei die Linse
beispielsweise durch eine gezielte Formgebung oder durch die Oberflächenspannung des Glases bei der Erwärmung des
Konversionselements 2 entstehen kann.
Durch ein derartig ausgeformtes Konversionselement 2 als Linse beziehungsweise als strahlformendes Element kann die von dem Halbleiterchip 1 emittierte Strahlung gezielt geführt werden. Insbesondere kann so der Abstrahlwinkel der von dem Halbleiterchip 1 emittierten Strahlung gezielt verändert und/oder korrigiert werden. So beeinflusst das
Konversionselement 2 unter anderem die Abstrahlcharakteristik und die Direktionalität sowie den Farbort der von dem
Bauelement emittierten Strahlung. Insbesondere wird der
Farbort durch den in dem Konversionselement 2 eingebetteten Leuchtstoff 2b gezielt verändert, während die
Abstrahlcharakteristik und die Direktionalität mittels der Formgebung des Konversionselements 2 beeinflusst werden.
Weiter weist im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel zu Figur 1 das Konversionselement des Ausführungsbeispiels der Figur 2 ein zusätzliches Element 2c auf, das ebenfalls in dem Matrixmaterial 2a des Konversionselements 2 bevorzugt homogen eingebettet und verteilt ist. Vorzugsweise erhöht das
zusätzliche Element 2c den Brechungsindex des Matrixmaterials 2a. Ein Brechungsindex-erhöhendes Element ist zum Beispiel La2Ü3, das dem Matrixmaterial 2a zugesetzt ist. Das Ausführungsbeispiel der Figur 2 entspricht im Übrigen im Wesentlichen dem Ausführungsbeispiel der Figur 1. In Figur 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines
Bauelements 10 dargestellt, das einen Halbleiterchip 1 und ein Konversionselement 2 umfasst. Im Unterschied zu dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist das
Konversionselement 2 der Figur 3 durch eine Vergussmasse gebildet, in die der Halbleiterchip 1 eingebettet ist.
Insbesondere ist der Halbleiterchip 1 mit Vorteil vollständig von dem Konversionselement 2 umschlossen. Lediglich eine Befestigungsseite, die sich vorzugsweise auf der von der Strahlungsaustrittsfläche 11 gegenüberliegenden Seite des Halbleiterchips 1 befindet, ist frei von Konversionselement 2. Dadurch kann das Bauelement 10 beispielsweise auf einem Träger, einer Leiterplatte oder einem PCB (Printed Circuit Board) angeordnet und elektrisch und mechanisch verbunden werden .
Im Unterschied zu dem in Figur 1 dargstellten
Ausführungsbeispiel ist bei dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 dem Konversionselement 2 eine zusätzliche Schicht 3 nachgeordnet, wobei die zusätzliche Schicht 3 vorzugsweise eine Komponente umfasst, die in der zusätzlichen Schicht 3 gleichmäßig eingebettet ist. Die Verteilung der Komponente in der zusätzlichen Schicht 3 ist vorzugsweise im Wesentlichen homogen. Die Komponente weist bevorzugt
Strahlungsabsorbierende Eigenschaften auf. Besonders
bevorzugt absorbiert die Komponente Strahlung im
Wellenlängenbereich λ < 380 nm, vorzugsweise im
Wellenlängenbereich λ < 400 nm, idealerweise im
Wellenlängenbereich λ < 420 nm. Dadurch können organische Komponenten des strahlungsemittierenden Bauelements 10 wie zum Beispiel ein Kunststoffgehäuse vor kurzwelliger Strahlung und eventuellen dadurch bedingten Schädigungen wie zum
Beispiel Verfärbung geschützt werden.
Im Wesentlichen stimmt das Ausführungsbeispiel der Figur 3 mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 im Übrigen überein.
Figur 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines
strahlungsemittierenden Bauelements 10, das im Unterschied zu dem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ein
Konversionselement 2 aufweist, das als Vergussmasse
ausgebildet ist, wobei die Vergussmasse zusätzlich als strahlformendes Element ausgebildet ist. Insbesondere weist die Vergussmasse 2 eine konvexe Linsenform auf. Dadurch kann die von dem Halbleiterchip 1 emittierte Strahlung gezielt in ihrer Abstrahlcharakteristik und Direktionalität verändert beziehungsweise korrigiert werden. Weiter sind in dem Matrixmaterial 2a des Konversionselements 2 ein Leuchtstoff 2b und ein zusätzliches Element 2c, das den Brechungsindex des Matrixmaterials 2a erhöht, eingebettet. Vorzugsweise sind die im Matrixmaterial 2a eingebetteten Komponenten im Wesentlichen gleichmäßig im Matrixmaterial 2a verteilt.
Bevorzugt ist dem Konversionselement 2 eine zusätzliche
Schicht 3 nachgeordnet, die eine Komponente umfasst, die strahlungsabsorbierende Eigenschaften aufweist. Die
zusätzliche Schicht 3 ist vorzugsweise als Vergussmasse ausgebildet, wobei die Vergussmasse ebenso wie das
Konversionselement 2 zusätzlich als strahlformendes Element ausgebildet ist. Im Übrigen stimmt das Ausführungsbeispiel der Figur 4 im Wesentlichen mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 überein.
In dem Ausführungsbeispiel der Figur 5 ist im Unterschied zu dem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel auf dem Konversionselement 2 ein strahlformendes Element 4
angeordnet. Das Konversionselement 2 ist demnach vorliegend nicht selbst als strahlformendes Element ausgebildet, sondern ein zusätzliches strahlformendes Element 4 findet Verwendung. Insbesondere ist das strahlformende Element 4 auf der von dem Halbleiterchip 1 abgewandten Seite des Konversionselements 2 angeordnet. Das strahlformende Element 4 ist somit der
Strahlungsaustrittsfläche 11 des Halbleiterchips 1
nachgeordnet. Bevorzugt ist das strahlformende Element 4 eine Optik, eine Linse und/oder eine Abdeckung.
Dabei kann das strahlformende Element 4 beispielsweise mittels des Konversionselements 2 mit dem Halbleiterchip 1 verklebt sein. In diesem Fall weist das Konversionselement 2 vorzugsweise ein niederschmelzendes Glas auf, sodass bei Erwärmung des Matrixmaterials 2a das strahlformende Element 4 mechanisch und formschlüssig mit dem Konversionselement 2 verbindbar ist.
Dadurch ist es möglich, den Halbleiterchip 1 mit dem
Matrixmaterial 2 und mit dem strahlformenden Element 4 formschlüssig zu verbinden. Das Konversionselement 2a findet vorliegend somit als Haftvermittlungsschicht Verwendung, sodass mit Vorteil eine zusätzliche Haftvermittlungsschicht nicht notwendig ist. Das strahlformende Element 4 kann ferner ein weiteres
Konversionselement sein, das beispielsweise ein
Matrixmaterial aus Glas, aus einer Glaskeramik, oder einer Keramik aufweist. Das weitere Konversionselement kann dabei einen Leuchtstoff aufweisen, der dazu geeignet ist, von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung einer Wellenlänge in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Dadurch kann vorzugsweise ein Bauelement erzielt werden, das
Mischstrahlung emittiert, wobei sich die Mischstrahlung aus mindestens drei verschiedenen Wellenlängenbereichen
zusammensetzt, nämlich den Wellenlängenbereich der von dem Halbleiterchip 1 emittierten Strahlung, dem
Wellenlängenbereich der vom Konversionselement 2
umgewandelten Strahlung und dem Wellenlängenbereich der vom weiteren Konversionselement umgewandelten Strahlung.
Im Übrigen stimmt das Ausführungsbeispiel der Figur 5 im Wesentlichen mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 überein. In dem Ausführungsbeispiel der Figur 6 ist im Unterschied zu dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel das
Konversionselement 2 als mehrschichtiges Element ausgebildet. Vorzugsweise umfasst das Konversionselement 2 eine erste Schicht 21 und eine zweite Schicht 22. Die erste Schicht 21 ist bevorzugt als Haftvermittlungsschicht ausgebildet.
Beispielsweise umfasst die erste Schicht 21 das
Matrixmaterial ohne darin eingebetteten Leuchtstoff. Die zweite Schicht 22 weist bevorzugt das Matrixmaterial 2a und den darin eingebetteten Leuchtstoff 2b auf. Alternativ kann es sich bei der zweiten Schicht 22 auch um ein externes
Konversionselement wie zum Beispiel eine Glaskeramik mit Leuchtstoff handeln. Die zweite Schicht 22 kann dabei mittels der ersten Schicht 21 mit dem Halbleiterchip 1 verklebt sein. In diesem Fall weist die zweite Schicht 22 vorzugsweise ein
niederschmelzendes Glas auf, sodass bei Erwärmung der zweiten Schicht 22 die erste Schicht 21 mechanisch und formschlüssig mit dem Halbleiterchip 1 verbindbar ist.
Im Übrigen stimmt das Ausführungsbeispiel der Figur 6 im Wesentlichen mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 überein.
In dem Ausführungsbeispiel der Figur 7 ist im Unterschied zu dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel zwischen dem Konversionselement 2 und dem Halbleiterchip 1 ein Abstand angeordnet, sodass zwischen Konversionselement 2 und
Halbleiterchip 1 ein Zwischenraum 5 ausgebildet ist. In dem Zwischenraum 5 ist vorzugsweise ein Gas, beispielsweise Luft angeordnet .
Beispielsweise ist der Halbleiterchip 1 und das
Konversionselement 2 auf einem Träger 6 angeordnet. Dabei kann das Konversionselement 2 den Halbleiterchip 1
beabstandet umgeben. Alternativ kann der Halbleiterchip 1 in einem Gehäuse angeordnet sein (nicht dargestellt) , wobei beispielsweise Bereiche des Gehäuses als Auflagefläche des Konversionselements 2 dienen, sodass hierbei ein Abstand zwischen Konversionselement 2 und Halbleiterchip 1 erzielt werden kann.
Im Übrigen stimmt das Ausführungsbeispiel der Figur 7 im Wesentlichen mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 überein.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt, sondern umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den
Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Strahlungsemittierendes Bauelement (10) mit einem
Halbleiterchip (1) und einem Konversionselement (2), wobei - der Halbleiterchip (1) eine zur Erzeugung von
elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsfläche (11) umfasst,
- das Konversionselement (2) ein Matrixmaterial (2a) und einen Leuchtstoff (2b) umfasst, wobei das Matrixmaterial (2a) mindestens 40 Gew.% Telluroxid umfasst und frei von
Bortrioxid und/oder Germaniumoxid ist, und
- das Konversionselement (2) der Strahlungsaustrittsfläche (11) des Halbleiterchips (1) nachgeordnet ist.
2. Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei
das Konversionselement (2) direkt auf der
Strahlungsaustrittsfläche (11) des Halbleiterchips (1) angeordnet ist.
3. Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei
zwischen dem Konversionselement (2) und der
Strahlungsaustrittsfläche (11) des Halbleiterchips (1) ein Abstand angeordnet ist.
4. Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Matrixmaterial (2a) mindestens 75 Gew.% Telluroxid umfasst .
5. Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Matrixmaterial (2a) Phosphotellurit und/oder
Silberphosphotellurit umfasst.
6. Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Matrixmaterial (2a) zumindest ein zusätzliches Element (2c) umfasst, das den Brechungsindex des Matrixmaterials (2a) erhöht .
7. Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Matrixmaterial (2a) einen Brechungsindex (n) von größer als 2 aufweist.
8. Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei dem Konversionselement (2) zumindest eine zusätzliche Schicht (3) nachgeordnet ist, die strahlungsabsorbierende
Eigenschaften aufweist.
9. Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Erweichungstemperatur des Matrixmaterials (2a) kleiner oder gleich 350°C ist.
10. Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
das Konversionselement (2) oder das Matrixmaterial als
Haftvermittlungsschicht ausgebildet ist.
11. Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
das Konversionselement (2) plättchenförmig ausgebildet ist oder das Konversionselement (2) durch eine Vergussmasse gebildet ist, in die der Halbleiterchip (1) eingebettet ist.
12. Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
das Konversionselement (2) als strahlformendes Element ausgebildet ist.
13. Verfahren zum Herstellen eines Strahlungsemittierenden Bauelements (10) mit den Verfahrensschritten:
- Bereitstellen eines Halbleiterchips (1), der eine zur
Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsfläche (11) umfasst, und
- Aufbringen eines Konversionselements (2) auf der
Strahlungsaustrittsfläche (11) des Halbleiterchips (1), das ein Matrixmaterial (2a) und einen Leuchtstoff (2b) umfasst, wobei das Matrixmaterial (2a) mindestens 40 Gew.% Telluroxid umfasst und frei von Bortrioxid und/oder Germaniumoxid ist.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei
das Aufbringen umfasst, dass das Matrixmaterial (2a) direkt auf der Strahlungsaustrittsfläche (11) des Halbleiterchips (1) aufgebracht und anschließend mit dem Leuchtstoff (2b) beschichtet wird, und der Leuchtstoff (2b) in das
Matrixmaterial (2a) einsinkt.
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei
das Matrixmaterial (2a) gezielt inhomogen mit dem Leuchtstoff (2b) beschichtet wird, sodass eine homogene
Abstrahlcharakteristik erzeugbar ist.
PCT/EP2011/052851 2010-02-26 2011-02-25 Strahlungsemittierendes bauelement mit einem halbleiterchip und einem konversionselement und verfahren zu dessen herstellung Ceased WO2011104364A1 (de)

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KR1020127025316A KR101825044B1 (ko) 2010-02-26 2011-02-25 반도체 칩 및 변환 소자를 구비한 방사선 방출 컴포넌트 그리고 방사선 방출 컴포넌트를 제조하기 위한 방법
US13/580,858 US8890140B2 (en) 2010-02-26 2011-02-25 Radiation-emitting component with a semiconductor chip and a conversion element and method for the production thereof
JP2012554356A JP2013520824A (ja) 2010-02-26 2011-02-25 半導体チップおよび変換要素を備えた放射線放出装置ならびにその製造方法
CN201180011327.3A CN102782888B (zh) 2010-02-26 2011-02-25 具有半导体芯片和转换元件的发射辐射的器件和其制造方法

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012210195A1 (de) 2012-06-18 2013-12-19 Osram Gmbh Vorrichtung zum Bereitstellen elektromagnetischer Strahlung
WO2014019758A1 (de) 2012-07-31 2014-02-06 Osram Gmbh Vorrichtung zum bereitstellen elektromagnetischer strahlung
CN104854715A (zh) * 2012-12-14 2015-08-19 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法
US9688910B2 (en) 2013-12-19 2017-06-27 Osram Gmbh Conversion element, component and process for producing a component
US10233114B2 (en) 2013-12-19 2019-03-19 Osram Gmbh Glass composition, component, and method for producing a component

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010042217A1 (de) 2010-10-08 2012-04-12 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US9365766B2 (en) * 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
DE102012212086A1 (de) * 2012-07-11 2014-01-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen einer komponente eines optoelektronischen bauelements und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102012220980A1 (de) 2012-11-16 2014-05-22 Osram Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
EP3020076B1 (de) * 2013-07-08 2017-09-06 Koninklijke Philips N.V. Wellenlängenumgewandeltes lichtemittierendes halbleiterbauelement
DE102013218451A1 (de) * 2013-09-14 2015-03-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Konversionselement für ein optisches oder optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014106074A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
WO2017010730A1 (ko) 2015-07-14 2017-01-19 주식회사 베이스 유리 프릿을 활용한 색변환 소재를 포함하는 led 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법
JP6575314B2 (ja) * 2015-11-13 2019-09-18 日本電気硝子株式会社 波長変換部材の製造方法及び波長変換部材
JP2018097351A (ja) * 2016-12-15 2018-06-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US10487390B2 (en) 2017-03-10 2019-11-26 Osram Gmbh Method of bonding a laser activated remote phosphor assembly, method of manufacture and a laser activated remote phosphor assembly
JP6900571B2 (ja) * 2017-08-03 2021-07-07 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置を製造する方法
DE102019105831B4 (de) * 2019-03-07 2025-11-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement mit einer transparenten verbindung zwischen zwei fügepartnern und verfahren zu dessen herstellung
JP6922939B2 (ja) 2019-03-18 2021-08-18 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、プロジェクター、及び波長変換素子の製造方法
JP7279436B2 (ja) 2019-03-18 2023-05-23 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、プロジェクター、及び波長変換素子の製造方法
KR102308784B1 (ko) * 2020-02-28 2021-10-01 한양대학교 산학협력단 텔루륨 산화물 및 이를 채널층으로 구비하는 박막트랜지스터

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2222771A1 (de) 1971-05-11 1972-11-30 Owens Illlinois Inc Glaeser mit hohem Silberoxidgehalt und Verfahren zu deren Herstellung
US4652536A (en) * 1985-06-28 1987-03-24 Hoya Corporation Tellurite glass
JPS62128946A (ja) * 1985-11-26 1987-06-11 Hoya Corp テルライトガラス
US5116786A (en) * 1990-02-09 1992-05-26 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Low temperature sealing glass composition
WO1997050132A1 (de) 1996-06-26 1997-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
WO1998012757A1 (de) 1996-09-20 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung
WO2001065613A1 (de) 2000-03-03 2001-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines lichtabstrahlenden halbleiterkörpers mit lumineszenzkonversionselement
EP1605526A2 (de) * 2004-06-09 2005-12-14 LumiLeds Lighting U.S., LLC Strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit vorgefertigtem Wellenlängenumwandlungselement
DE102005023134A1 (de) 2005-05-19 2006-11-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
US20090309125A1 (en) 2007-02-07 2009-12-17 Asahi Glass Company, Limited Glass for encapsulating optical element and light-emitting device encapsulated with glass

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD158176A3 (de) * 1980-09-25 1983-01-05 Herbert Buerger Hochbrechendes optisches glas mit verbesserter transmission
JP4292794B2 (ja) 2002-12-04 2009-07-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
US20040186488A1 (en) 2003-03-17 2004-09-23 Droese Karl William Method of peripheral nerve reconstruction using a micro suction connector
JP4465989B2 (ja) * 2003-06-18 2010-05-26 旭硝子株式会社 発光ダイオード素子
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
JP2006143490A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Toyo Glass Co Ltd 低融点ガラス接着剤
WO2006112417A1 (ja) 2005-04-15 2006-10-26 Asahi Glass Company, Limited ガラス封止発光素子、ガラス封止発光素子付き回路基板およびそれらの製造方法
US20080203911A1 (en) * 2005-04-29 2008-08-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light Source With Glass Housing
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2222771A1 (de) 1971-05-11 1972-11-30 Owens Illlinois Inc Glaeser mit hohem Silberoxidgehalt und Verfahren zu deren Herstellung
US4652536A (en) * 1985-06-28 1987-03-24 Hoya Corporation Tellurite glass
JPS62128946A (ja) * 1985-11-26 1987-06-11 Hoya Corp テルライトガラス
US5116786A (en) * 1990-02-09 1992-05-26 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Low temperature sealing glass composition
WO1997050132A1 (de) 1996-06-26 1997-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
WO1998012757A1 (de) 1996-09-20 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung
WO2001065613A1 (de) 2000-03-03 2001-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines lichtabstrahlenden halbleiterkörpers mit lumineszenzkonversionselement
EP1605526A2 (de) * 2004-06-09 2005-12-14 LumiLeds Lighting U.S., LLC Strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit vorgefertigtem Wellenlängenumwandlungselement
DE102005023134A1 (de) 2005-05-19 2006-11-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
US20090309125A1 (en) 2007-02-07 2009-12-17 Asahi Glass Company, Limited Glass for encapsulating optical element and light-emitting device encapsulated with glass

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012210195A1 (de) 2012-06-18 2013-12-19 Osram Gmbh Vorrichtung zum Bereitstellen elektromagnetischer Strahlung
WO2013189809A1 (de) 2012-06-18 2013-12-27 Osram Gmbh Vorrichtung zum bereitstellen elektromagnetischer strahlung
WO2014019758A1 (de) 2012-07-31 2014-02-06 Osram Gmbh Vorrichtung zum bereitstellen elektromagnetischer strahlung
DE102012213467A1 (de) 2012-07-31 2014-02-06 Osram Gmbh Vorrichtung zum bereitstellen elektromagnetischer strahlung
DE102012213467B4 (de) 2012-07-31 2023-12-07 Coretronic Corporation Vorrichtung zum bereitstellen elektromagnetischer strahlung
CN104854715A (zh) * 2012-12-14 2015-08-19 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法
JP2015537390A (ja) * 2012-12-14 2015-12-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体素子、およびオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法
US9373760B2 (en) 2012-12-14 2016-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
US9688910B2 (en) 2013-12-19 2017-06-27 Osram Gmbh Conversion element, component and process for producing a component
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