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WO2011037261A1 - 太陽電池素子及びその製造方法 - Google Patents

太陽電池素子及びその製造方法 Download PDF

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WO2011037261A1
WO2011037261A1 PCT/JP2010/066845 JP2010066845W WO2011037261A1 WO 2011037261 A1 WO2011037261 A1 WO 2011037261A1 JP 2010066845 W JP2010066845 W JP 2010066845W WO 2011037261 A1 WO2011037261 A1 WO 2011037261A1
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WO
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solar cell
cell element
semiconductor substrate
hole
electrode
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PCT/JP2010/066845
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French (fr)
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三浦　好雄
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Priority to JP2011533081A priority patent/JP5073103B2/ja
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    • H10F77/227—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells for emitter wrap-through [EWT] photovoltaic cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell element and a manufacturing method thereof.
  • a back contact solar cell element for example, through holes are formed in a plurality of predetermined locations of a semiconductor substrate such as silicon, and a conductive member is filled in the through holes to form a light receiving surface side electrode and a back surface side electrode.
  • a through-hole type back contact solar cell to be connected is exemplified.
  • Patent Documents 1 and 2 For the formation of the through hole in such a through hole type back contact solar cell, for example, a method using a YAG laser or etching has been proposed (see Patent Documents 1 and 2).
  • JP-A-5-82811 JP-A-6-181323 JP 2009-76512 A Japanese Patent Laid-Open No. 4-107881
  • the current generated per unit area tends to be larger in the peripheral portion of the solar cell element than in the central portion due to the incident light that has been multiple-reflected from other solar cell elements. It is in.
  • the solar cell element of the present invention includes a first surface that is a light receiving surface, a second surface that is a back surface of the first surface, and a plurality of penetrations formed from the first surface to the second surface.
  • the solar cell element including a semiconductor substrate having a hole the area of the openings of the plurality of through-holes increases from the central portion to the peripheral portion of the semiconductor substrate.
  • the solar cell module of the present invention uses the solar cell element.
  • the method for manufacturing a solar cell element includes a step of forming a plurality of through holes by irradiating a laser at a specific position with respect to a semiconductor substrate and irradiating a laser.
  • the present invention substantially reduces the difference in resistance between the through holes by increasing the size of the through holes toward the outside of the element. That is, the current density in each electrode at the central portion and the peripheral portion can be made equal, the series resistance component of the solar cell element can be lowered, and the photoelectric conversion efficiency can be improved.
  • FIG. 2 is a partial enlarged cross-sectional view of the solar cell element shown in FIG. 1, wherein (a) is a partial enlarged cross-sectional view in the XX direction of FIG. 1, and (b) is a partial enlarged cross-sectional view in the YY direction of FIG.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view in the X′-X ′ direction of FIG. 1
  • FIG. (C) is the elements on larger scale of FIG.1 (b).
  • It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the current density in the solar cell element of this invention. It is a schematic diagram for showing the structure of the laser apparatus which forms a through-hole in a semiconductor substrate. It is a cross-sectional schematic diagram explaining the multiple reflection in a solar cell module.
  • FIG. 1 and FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of the solar cell element 1 shown in FIG.
  • the solar cell element 1 of the present invention has a first surface 1b that receives sunlight and a second surface 1a that is located on the back side of the first surface 1b, and a plurality of penetrations that penetrate the first surface 1b and the second surface 1a. It consists of a semiconductor substrate 5 having holes 8. The through hole 8 is filled with a conductive filler to form a through hole electrode 2b.
  • the light-receiving surface electrode 2a formed on the first surface 1b of the semiconductor substrate 5 is provided with a plurality of linear thin wire electrodes at substantially equal intervals, and each of the light receiving surface electrodes 2a About three through-hole electrodes 2b are connected on the light-receiving surface electrode 2a.
  • the current density in each through-hole electrode 2b can be reduced, and the resistance of the entire solar cell element 1 can be reduced.
  • the shape of the electrode formed on the second surface 1a corresponding to the electrode on the first surface 1b is first electrically connected to this directly below the through-hole electrode 2b, as shown in FIG. 1 (a).
  • a plurality of rectangular first electrodes 2 are arranged on a straight line at a substantially constant interval, and one or a plurality of through-hole electrodes 2b are connected to one of the first electrodes 2.
  • a second electrode 3 having a polarity different from that of the first electrode 2 is provided, and the second electrode 3 includes a collecting electrode 3a and an output electrode 3b. That is, the current collecting electrode 3a is disposed in a portion other than the first electrode 2 and its peripheral portion arranged in a straight line, and the output electrode 3b is formed on the current collecting electrode 3a.
  • Each of the output electrodes 3b is an electrode for taking out the output from the current collecting electrode 3a.
  • the semiconductor substrate 5 has one conductivity type, and the first surface 1b and the second surface 1a of the semiconductor substrate 5 are opposite to the conductivity type of the semiconductor substrate 5 as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b).
  • Conductive semiconductor layer 6 first reverse conductivity type layer 6a, third reverse conductivity type layer 6c is included.
  • the second reverse conductivity type layer 6 b is provided on the inner surface of the electrode through hole 8 of the semiconductor substrate 5.
  • N-type impurities such as phosphorus are removed from the surface of the semiconductor substrate 5 and through holes for electrodes. 8 is formed by diffusing to the inner surface of 8.
  • the high concentration means that the impurity concentration is higher than the concentration of one conductivity type impurity in the semiconductor substrate 1.
  • the first surface 1b is provided with the light-receiving surface electrode 2a and the through-hole electrode 2b inside the electrode through-hole 8, and the reverse conductivity is provided on the second surface 1a.
  • the first electrode 2 is provided on the type semiconductor layer 6, and the collector electrode 3 a and the output electrode 3 b are provided as the second electrode 3 in the non-formation part of the reverse conductivity type semiconductor layer 6.
  • a separation groove 9 a is provided at the periphery of the semiconductor substrate 5 so as to surround it, and a separation groove 9 b is provided at the periphery of the second surface 1 a of the semiconductor substrate 5.
  • One embodiment of the solar cell element of the present invention includes a first surface that is a light receiving surface, a second surface that is a back surface of the first surface, and a plurality of through holes formed from the first surface to the second surface.
  • the area of the openings of the plurality of through-holes increases from the center to the periphery of the semiconductor substrate.
  • the difference in resistance between the through holes 8 can be substantially reduced by increasing the diameter of the through holes 8 toward the outside of the solar cell element 1. Therefore, due to the multiple reflected light as shown in FIG. 6, the density of the current 32 increases as it goes to the outside of the solar cell element 1 as shown in FIG. 3, the current density in each electrode of the center part 5a and the peripheral part 5b can be made equal, the series resistance component in the whole solar cell element 1 can be lowered, and the photoelectric conversion efficiency can be improved.
  • the through hole 8 of the solar cell element 1 is filled with a conductive filler inside to form the through hole electrode 2b, it is expressed as the through hole 8 for convenience. Moreover, if the area of the opening part of the 1st surface 1b and the 2nd surface 1a in the through-hole 8 is the same, it is preferable at the point which the conduction
  • the angle formed by the center line of the plurality of through holes and the first surface is smaller as it is located from the central portion side to the peripheral portion side of the semiconductor substrate.
  • the extension lines of the center lines of the plurality of through holes are concentrated toward the intersections intersecting on the first surface side.
  • the first surface of the semiconductor substrate has a quadrangular shape, and the intersection is on the perpendicular of the semiconductor substrate passing through the intersection of the diagonal lines of the semiconductor substrate.
  • the inclination of the plurality of through-holes 8 increases as the through-holes 8 are positioned from the central portion 5a of the semiconductor substrate 5 to the peripheral portion 5b.
  • the center line 12 of the electrode through-hole 8 is concentrated and intersects at one point 11 in the space on the first surface 1b side of the semiconductor substrate 5.
  • a line segment between the point 11 on the first surface 1 b side and the intersection 11 a of the diagonal line of the semiconductor substrate 5 is a perpendicular of the semiconductor substrate 5.
  • the length of the through hole 8 can be increased from the first surface side 1b to the second surface side 1a as the through hole 8 is located at the peripheral portion 5b from the central portion 5a of the semiconductor substrate 5.
  • the plurality of through-holes are located in the central portion and the opening is circular in shape, and the first through-hole is located closer to the peripheral portion than the first through-hole. And the opening has a second through hole having an elliptical shape.
  • the first through hole 8a is located on the center part 5a side, and the second through holes 8b, 8c, 8d are located on the peripheral part 5b side from the first through hole. There is 8e.
  • the through-hole 8 for electrodes is elliptical, the opening area is increased and the current collecting effect is enhanced.
  • the second through hole is located radially extending around the first through hole.
  • the semiconductor substrate preferably has one conductivity type, and a reverse conductivity type semiconductor layer is preferably formed on the inner side surface of the through hole.
  • the reverse conductivity type layer 6b is formed on the inner wall of the through-hole 8, it becomes possible to suppress the leakage current of this portion.
  • the surface roughness of the inner side surface of the through hole is larger than that of the first surface and the second surface.
  • This roughening can increase the contact area with the conductive filler and improve the adhesive strength between the two.
  • this etching can remove the damage layer generated at the time of cutting out from the silicon ingot, and the first surface 1b can also be roughened, so that reflection of light incident on the solar cell element 1 is suppressed. And the photoelectric conversion efficiency can be further improved.
  • a semiconductor substrate 5 having one conductivity type for example, a P-type silicon substrate doped with boron or the like is prepared.
  • a silicon substrate made of a single crystal silicon substrate or a polycrystalline silicon substrate cut out from a silicon ingot may be used, and the size of the silicon substrate is, for example, a square or a rectangle having a side of about 140 to 180 mm, and its thickness is It may be about 150 ⁇ m to 300 ⁇ m.
  • the electrode through hole 8 is formed between the first surface 1b and the second surface 1a of the semiconductor substrate 5.
  • the method for manufacturing a solar cell element of the present invention includes a step of forming a plurality of through holes by irradiating a laser at a specific position with respect to a semiconductor substrate and irradiating a laser.
  • the electrode through-hole 8 is formed, for example, from the first surface 1b side to the second surface 1a side of the semiconductor substrate 5 using a mechanical drill, a water jet, a laser device or the like.
  • a laser or the like is preferably used in order to prevent the occurrence of microcracks during or after the formation of the electrode through holes 8.
  • FIG. 5 shows an outline of a laser apparatus for efficiently forming the electrode through-hole 8 according to the present invention.
  • the laser apparatus according to the present invention includes an information processing unit 17, a laser oscillation unit 20, a laser control unit 19, a mirror 21, a mirror control unit 18, and a mounting table 22.
  • the specific position corresponds to 11 in FIG.
  • the laser oscillation unit 20 has a function of oscillating a laser that melts and removes a part of the semiconductor substrate 5.
  • a laser for example, an excimer laser, a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser, a YVO 4 (yttrium vanadate) laser, or the like can be used.
  • the laser control unit 19 controls laser output and the like.
  • the laser control unit 19 controls, adjusts and stabilizes laser output and supplies power to the laser oscillation unit 20, for example.
  • Power supply circuit temperature sensor that detects and controls the temperature of the laser oscillation unit 20, a temperature adjustment circuit, a cooling channel, a cooling water tank, a filter that supplies dust-free air to the laser oscillation unit 20 and the optical system, a blower, and a laser
  • An exhaust duct that removes fumes from the semiconductor substrate 5 evaporated by irradiation, an air blow device that causes the fumes to flow into the duct, a shielding unit that prevents laser light from leaking outside, and a beam output for a predetermined time. It may be composed of a pyroelectric sensor or the like that monitors at intervals.
  • the mirror 21 has a function of adjusting the direction (angle) of the laser oscillated from the laser oscillation unit 20, and for example, a galvanometer mirror is preferably used.
  • the mirror control unit 18 has a function of controlling the angle and the like of the mirror 21 based on information (program) input in advance. In other words, the mirror control unit 18 controls the angle of the mirror 21 and the like so that a predetermined position of the semiconductor substrate 5 is irradiated with laser.
  • a convex lens, a flat field lens, an F ⁇ lens, or the like may be arranged between the mirror 21 and the semiconductor substrate 5 for focusing and focusing the laser.
  • the mounting table 22 has a function of supporting the semiconductor substrate 5 with the mounting surface. Further, the mounting table 22 is provided with a through hole 8 penetrating from the mounting surface to the back surface of the mounting surface in the vicinity of the center of the mounting surface, and a semiconductor substrate using a vacuum pump or the like from the back surface side of the mounting table 19. 5 may be fixed. Further, a movable mechanism such as a servo motor controlled by a sequencer or the like is attached to the mounting table 22 so that the mounting table 22 can move freely in two XY directions, for example, a laser irradiation position, a semiconductor substrate 5 extraction position, etc. The semiconductor substrate 5 can be freely conveyed, and the process of forming the electrode through hole 8 can be performed efficiently.
  • a movable mechanism such as a servo motor controlled by a sequencer or the like is attached to the mounting table 22 so that the mounting table 22 can move freely in two XY directions, for example, a laser irradiation position, a semiconductor substrate 5 extraction position
  • the information processing unit 17 uses a sequencer or the like, thereby processing information on the mounting table 22, the mirror 21, and the laser oscillation unit 20 on which the semiconductor substrate 5 is mounted, and starting and completing the formation of the electrode through holes 8.
  • the command is sent to the laser oscillation unit 20 and the mirror control unit 18.
  • Such a laser device makes it possible to efficiently and reliably form the electrode through-holes 8 that are regularly inclined.
  • the specific position is set above the first surface side of the semiconductor substrate.
  • the specific position is set above the intersection of the diagonal lines of the first surface of the semiconductor substrate.
  • the area of the openings of the plurality of through holes 8 can be increased from the central part 5a side to the peripheral part 5b side of the semiconductor substrate 5 without adjusting the laser output.
  • the plurality of through holes 8 are inclined from the first surface 1b side to the second surface 1a side toward the peripheral portion 5b side from the central portion 5a side of the semiconductor substrate 5, and the inclinations of the plurality of through holes 8 are inclined. It is preferable in that the through hole 8 can be made larger as it is located from the central part 5a side to the peripheral part 5b side of the semiconductor substrate 5.
  • the semiconductor substrate 5 provided with the electrode through holes 8 is etched by about 5 to 20 ⁇ m with a sodium hydroxide aqueous solution of about 10 to 30% and 60 to 90 ° C.
  • the reverse conductivity type layer 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 5.
  • P phosphorus
  • the PN junction is formed by making the sheet resistance N + type with a sheet resistance of about 60 to 300 ⁇ / ⁇ .
  • the reverse conductivity type layer 6 can be simultaneously formed on both surfaces of the semiconductor substrate 5 and the inner walls of the electrode through holes 8.
  • ⁇ Antireflection film formation process it is preferable to form the antireflection film 7 on the first reverse conductivity type layer 6a.
  • a material for the antireflection film 7 a silicon nitride film, a titanium oxide film, or the like can be used.
  • a method for forming the antireflection film 7, a PECVD method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like can be used.
  • a conductive paste may be applied to the first surface 1b of the semiconductor substrate 5 by using a coating method such as a screen printing method.
  • a conductive paste made of silver or the like is applied at a maximum temperature of 500 to 850 ° C. It is formed by firing for several tens of seconds to several tens of minutes.
  • the collecting electrode 3 a is formed on the second surface 1 a of the semiconductor substrate 5.
  • a conductive paste may be applied on the second surface 1a of the semiconductor substrate 5 by using a screen printing method.
  • a conductive paste made of aluminum or the like is formed into a predetermined electrode shape that becomes the collector electrode 3a.
  • the current collecting electrode 3a is formed by coating and baking at a maximum temperature of 500 to 850 ° C. for several tens of seconds to several tens of minutes. This also makes it possible to form a heavily doped layer 10 in which one conductivity type semiconductor impurity is diffused at a high concentration.
  • the first electrode 2, the output electrode 3 b, and the third electrode 4 are formed on the second surface 1 a of the semiconductor substrate 5.
  • the conductive paste may be applied to the second surface 1a of the semiconductor substrate 5 by using the above-described coating method.
  • the conductive paste made of silver or the like may be formed into the electrode shape shown in FIG.
  • the first electrode 2, the output electrode 3b, and the third electrode 4 are formed by coating using a screen printing method and baking at a maximum temperature of 500 to 850 ° C. for several tens of seconds to several tens of minutes.
  • the PN separation can be performed by blasting a powder such as silicon oxide or alumina at a high pressure only on the peripheral portion of the second surface 1a to scrape the reverse conductivity type layer on the peripheral portion of the second surface 1a. This can be achieved by a laser processing method in which the separation groove 9b is formed at the peripheral end.
  • a YAG laser (wavelength 1064 nm) or SH (second harmonic irradiation) —YAG is applied to the portion other than the first electrode 2, the collecting electrode 3 a, and the third electrode 4.
  • Laser irradiation is performed using a laser (wavelength of 532 nm) or the like to form the separation groove 9a in a rectangular shape.

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Abstract

【課題】素子の外側の方が、裏面や隣の素子から多重反射してきた入射光の強度高い傾向があり、これにより太陽電池素子の周縁部は中央部に比べて、単位面積当たりで発生する電流が大きくなるため、太陽電池素子上の特定の電極に電流が極端に集中して他の電極には電流が行かなくなり、素子全体としては直列抵抗が上昇することになってしまうという問題があった。 【解決手段】受光面である第１面と、該第１面の裏面である第２面と、前記第１面から前記第２面にかけて形成される複数の貫通孔とを有する半導体基板を備える太陽電池素子であって、前記複数の貫通孔の開口部の面積は、前記半導体基板の中央部から周縁部に位置するほど大きくなっていること。

Description

太陽電池素子及びその製造方法
　本発明は太陽電池素子及びその製造方法に関する。
　近年、エネルギー問題や環境問題の深刻化に伴い、光エネルギーを直接電気エネルギーに変換する太陽電池素子を用いた太陽光発電が注目を集めている。また市場では、より高効率で安価な太陽電池素子が望まれている。このため光電流を増加させるために、受光面電極の一部又は全部を非受光面（裏面）に配置した、バックコンタクト太陽電池素子が提案されている。
　このようなバックコンタクト太陽電池素子としては、例えば、シリコンなどの半導体基板の複数の所定箇所に貫通孔を形成し、この貫通孔に導電性部材を充填して受光面側電極と裏面側電極を接続させる貫通孔型バックコンタクト太陽電池が挙げられる。
　このような貫通孔型バックコンタクト太陽電池における貫通孔の形成は、例えば、ＹＡＧレーザーやエッチングによる方法が提案されている（特許文献１及び２参照）。
　また例えば、貫通孔型バックコンタクト太陽電池の貫通孔が、主面に対し傾斜していることに関して記載されている（特許文献３及び４参照）。
特開平５－８２８１１号公報 特開平６－１８１３２３号公報 特開２００９－７６５１２号公報 特開平４－１０７８８１号公報
　ところで、太陽電池素子は、一般的に他の太陽電池素子から多重反射してきた入射光に起因して太陽電池素子の周縁部は中央部に比べて、単位面積当たりで発生する電流が大きくなる傾向にある。
　そのため、特許文献１～４のような貫通孔型バックコンタクト太陽電池においても、一般的な太陽電池モジュールと同様に、太陽電池素子１の周縁部側の電極ほど、電流が極端に集中してしまい、他の電極には電流が流れづらくなるため、太陽電池素子全体としては、直列抵抗が上昇する傾向にある
　上記に鑑みて本発明の太陽電池素子は、受光面である第１面と、該第１面の裏面である第２面と、前記第１面から前記第２面にかけて形成された複数の貫通孔とを有する半導体基板を備える太陽電池素子であって、前記複数の貫通孔の開口部の面積は、前記半導体基板の中央部から周縁部に位置するほど大きくなっているものである。
　また、本発明の太陽電池モジュールは、前記太陽電池素子を用いたものである。
　また、太陽電池素子の製造方法は、半導体基板に対して特定位置から角度を変えてレーザーを照射して複数の貫通孔を形成する工程を含むものである。
　上記に鑑みて本発明は、素子の外側になるほど貫通孔の孔が大きくなるようにして実質的に各貫通孔間での抵抗差を低減する。すなわち、中央部と周縁部の各電極における電流密度を等しくでき、太陽電池素子の直列抵抗成分を下げることができ、光電変換効率を向上させることが可能となる。
本発明の太陽電池素子全体を示すための平面図であり、（ａ）は本発明に係る太陽電池素子の第２面（非受光面）の一実施形態を示す平面図、（ｂ）は対応する第１面（受光面）に形成された電極形状の一実施形態を示す平面図である。 図１に示した太陽電池素子の部分拡大断面図であり、（ａ）は図１のＸ－Ｘ方向の部分拡大断面図、（ｂ）は図１のＹ－Ｙ方向の部分拡大断面図である。 半導体基板に貫通孔を形成する製法を示すためのものであり、（ａ）は図１のＸ’－Ｘ’方向の断面図、（ｂ）は図１のＹ’－Ｙ’方向の断面図、（ｃ）は図１（ｂ）の部分拡大図である。 本発明の太陽電池素子における電流密度を説明するための断面模式図である。 半導体基板に貫通孔を形成するレーザー装置の構成を示すための模式図である。 太陽電池モジュールにおける多重反射を説明する断面模式図である。
　≪太陽電池素子≫
　本発明に係る太陽電池素子１について、図１と、図１に示す太陽電池素子１の部分拡大断面図である図２を用いて説明する。
　本発明の太陽電池素子１は、太陽光を受光する第１面１ｂと、その裏側に位置する第２面１ａとを有し、第１面１ｂと第２面１ａとを貫通する複数の貫通孔８を有する半導体基板５から成る。またこの貫通孔８の内部には導電性充填材が充填され、貫通孔電極２ｂが形成されている。
　半導体基板５の第１面１ｂ上に形成された受光面電極２ａは、図１（ｂ）に示すように、複数本の直線状細線の電極がほぼ等間隔に設けられ、さらに各々１本の受光面電極２ａ上には貫通孔電極２ｂが３個程度接続されている。
　一本の受光面電極２ａ上に複数の貫通孔電極２ｂを備えれば、一つあたりの貫通孔電極２ｂにおける電流密度を小さくし、太陽電池素子１全体での抵抗を低減できる。
　この第１面１ｂの電極に対応して第２面１ａに形成された電極の形状は、図１（ａ）に示すように、まず貫通孔電極２ｂの直下に、これと電気的に接続された矩形状の第１電極２が複数個、一直線上にほぼ一定間隔で配置され、第１電極２の一つには、貫通孔電極２ｂが一つ又は複数個、接続されている。
　さらに第１電極２とは別の極性を持った第２電極３が設けられ、この第２電極３は集電電極３ａと出力電極３ｂから成る。すなわち、上記の直線状に配置された第１電極２とその周辺部以外の部分に、集電電極３ａが配置され、この集電電極３ａ上に出力電極３ｂが形成される。この出力電極３ｂは各々集電電極３ａからの出力を取り出すための電極である。
　半導体基板５は一導電型を有し、この半導体基板５の第１面１ｂおよび第２面１ａには、図２（ａ）、（ｂ）に示すように半導体基板５の導電型と異なる逆導電型半導体層６（第１逆導電型層６ａ、第三逆導電型層６ｃ）を有する。
　また半導体基板５の電極用貫通孔８の内面には、第二逆導電型層６ｂが設けられている。
　一導電型を示す半導体基板５としてＰ型のシリコン基板を使用する場合、このような逆導電型層６はＮ型となり、例えばリンなどのＮ型不純物を半導体基板５の表面と電極用貫通孔８の内面に拡散して形成される。
　また図２（ａ）、（ｂ）において、集電電極３ａの電極材料として、特にアルミニウムが用いられた場合、これを塗布、焼成して集電電極３ａを形成する際に、高濃度ドープ層１０を同時に形成することができ、これにより、半導体基板５中で生成されたキャリアが効率よく集電される。ここで、高濃度とは半導体基板１における一導電型不純物の濃度よりも不純物濃度が大きいことを意味する。
　この様に本発明に係る太陽電池素子１では、その第１面１ｂに受光面電極２ａ及び電極用貫通孔８内部に貫通孔電極２ｂが設けられ、その第２面１ａ上においては、逆導電型半導体層６上に第１電極２が設けられ、また逆導電型半導体層６の非形成部には第２電極３として集電電極３ａと出力電極３ｂが設けられる。
　また半導体基板５の一導電型（例えばＰ型）と逆導電型層（例えばＮ型）を電気的に分離（ＰＮ分離）するため、図１（ａ）に示すように、第１電極２を取り囲むようにその周辺部に分離溝９ａが設けられ、さらに半導体基板５の第２面１ａの周縁部に分離溝９ｂが設けられる。
　以下、本発明の太陽電池素子の一実施形態について詳細に説明する。
　本発明の太陽電池素子の一実施形態は、受光面である第１面と、該第１面の裏面である第２面と、第１面から第２面にかけて形成された複数の貫通孔とを有する半導体基板を備える太陽電池素子であって、複数の貫通孔の開口部の面積は、半導体基板の中央部から周縁部に位置するほど大きくなっているものである。
　これにより、太陽電池素子１の外側になるほど貫通孔８の孔径が大きくなるようにして、実質的に各貫通孔８間での抵抗差を低減することができる。よって、図６のような多重反射光により、太陽電池素子１の外側になるほど図４のように電流３２の密度が大きくなるのに対して、外側ほど貫通孔８の孔径が大きくなるので、図３のように中央部５ａと周縁部５ｂの各電極における電流密度を等しくでき、太陽電池素子１全体での直列抵抗成分を下げることができ、光電変換効率を向上させることが可能となる。
　ここで太陽電池素子１の貫通孔８は、内部に導電性充填材が充填され貫通孔電極２ｂが形成されているものではあるが、便宜上、貫通孔８として表現する。また、貫通孔８における第１面１ｂと第２面１ａの開口部の面積が同じであれば、第１面１ｂと第２面１ａとの導通が安定する点で好ましい。さらに、貫通孔８は、第１面１ｂと第２面１ａとに平行な断面積が同じであれば、貫通孔８が途中で狭くなって抵抗が高くなることがない点で好ましい。
　さらに本発明の太陽電池素子の一実施形態は、複数の貫通孔の中心線と第１面とのなす角度は、半導体基板の中央部側から周縁部側に位置するほど小さくなっている。
　さらに本発明の太陽電池素子の一実施形態は、複数の貫通孔の中心線の延長線は、それぞれ、第１面側で交わる交差点に向かって集中している。
　さらに本発明の太陽電池素子の一実施形態は、半導体基板の第１面は四角形状であって、交差点は、半導体基板の対角線の交点を通る半導体基板の垂線上にある。
　例えば、図３に示すように複数の貫通孔８の傾きは、この貫通孔８が半導体基板５の中央部５ａから周縁部５ｂに位置するほど大きくなっていることがわかる。さらに、電極用貫通孔８の中心線１２が、この半導体基板５の第１面１ｂ側の空間にある1点１１に集中して交差していることがわかる。さらに、第１面１ｂ側の一点１１と半導体基板５の対角線の交点１１ａとの線分が、半導体基板５の垂線となっていることがわかる。
　そして、この貫通孔８が半導体基板５の中央部５ａから周縁部５ｂに位置するほど、第１面側１ｂから第２面側１ａにかけて、貫通孔８の長さを長くすることができる。
　これによって、太陽電池素子１の周縁部５ｂからの水分などの浸入により貫通孔８全体が侵食されることを周縁部８側ほど低減できるようにしている。あるいは図示しないが、貫通孔８は上記と逆方向に傾いていても本願と同様の効果を得ることができる。
　さらに、本発明の太陽電池素子の一実施形態は、複数の貫通孔は、中央部に位置して開口部の形状が円形状の第１貫通孔と、第１貫通孔より周縁部側に位置し、開口部の形状が楕円形状である第２貫通孔とを有している。
　例えば図３（ｃ）に示されるように、中央部５ａ側に位置して第１貫通孔８ａと、第１貫通孔より周縁部５ｂ側に位置して第２貫通孔８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅがある。
　これにより、電極用貫通孔８が楕円形状であることで開口面積が増え、集電効果が高くなる。
　さらに、本発明の太陽電池素子の一実施形態は、第２貫通孔は、第１貫通孔を中心として放射状に広がって位置している。
　これにより、太陽電池素子１の周縁部５ｂからの水分などの浸入に対して開口部の楕円形状の長手方向全体が侵食されることを周縁部８側ほど低減することができる。
　さらに、本発明の太陽電池素子の一実施形態は、半導体基板は一導電型を有し、貫通孔の内側側面には逆導電型半導体層が形成されていることが好ましい。
　この貫通孔８の内壁に逆導電型層６ｂが形成されたことにより、この部分のリーク電流を抑えることが可能となる。
　さらに、本発明の太陽電池素子の一実施形態は、貫通孔の内側側面は、第１面および第２面よりも表面粗さが大きくなっている。
　この粗面化により導電性充填材との接触面積を増加させることができ、両者の接着強度を向上せせることが可能となる。またこのエッチングにより上述のシリコンインゴットから切り出し時に生じたダメージ層をも除去することができるとともに、第１面１ｂも粗面化することできるので、太陽電池素子１に入射した光の反射を抑えることができ、その光電変換効率を更に向上させることができる。
　≪太陽電池素子の製造方法≫
　次に、本発明に係る太陽電池素子の製造方法について説明する。
　＜半導体基板の準備工程＞
　まず、一導電型を示す半導体基板５として、例えばボロンなどがドープされたＰ型のシリコン基板を準備する。このシリコン基板は、シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板からなるシリコン基板を用いればよく、シリコン基板の大きさは例えば一辺１４０～１８０ｍｍ程度の正方形又は矩形で、その厚みは１５０μｍ～３００μｍ程度にすればよい。
　＜電極用貫通孔の形成工程＞
　次に、半導体基板５の第１面１ｂと第２面１ａとの間に電極用貫通孔８を形成する。
　本発明の太陽電池素子の製造方法によれば、半導体基板に対して特定位置から角度を変えてレーザーを照射して複数の貫通孔を形成する工程を含む。
　この電極用貫通孔８は、機械的ドリル、ウォータージェット或いはレーザー装置等を用いて、例えば半導体基板５の第１面１ｂ側から第２面１ａ側に向けて形成される。特に電極用貫通孔８形成時又は形成後のマイクロクラックの発生防止のために、レーザーなどが好適に用いられる。
　図５は本発明に係る電極用貫通孔８を効率よく形成するレーザー装置の概略を示したものである。本発明に係るレーザー装置は、情報処理部１７とレーザー発振部２０とレーザー制御部１９とミラー２１とミラー制御部１８と載置台２２とを有している。ここで特定位置とは図３の１１に相当する。
　レーザー発振部２０は、半導体基板５よりその一部を溶融除去するレーザーを発振する機能を有する。このようなレーザーとしては、例えばエキシマレーザー、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザーまたはＹＶＯ４（イットリウム・バナデイト）レーザー等を使用することができる。
　レーザー制御部１９は、レーザーの出力等を制御するものであり、例えば、レーザー制御部１９は、レーザーの出力等を制御・調整・安定化するものであり、例えばレーザー発振部２０に電力を供給する電源回路、レーザー発振部２０の温度を検出・制御する温度センサー・温度調節回路・冷却水路・冷却水タンク、レーザー発振部２０および光学系に埃を含まない空気を供給するフィルタ・送風機、レーザーの照射によって蒸散された半導体基板５のヒュームを除去する排気ダクト、ヒュームをダクトに流入させるためのエアブロー装置、レーザー光が外部に漏れないようにするための遮蔽ユニット、ビームの出力を所定の時間間隔でモニタする焦電センサー等から構成され得る。
　ミラー２１は、レーザー発振部２０より発振されたレーザーの方向（角度）を調整する機能を有し、例えば、ガルバノミラーが好適に用いられる。
　ミラー制御部１８は、予め入力された情報（プログラム）に基づき、ミラー２１の角度等を制御する機能を有する。すなわちミラー制御部１８は、半導体基板５の所定の位置にレーザーを照射するように、ミラー２１の角度等を制御するものである。
　またミラー２１と半導体基板５の間にレーザーを集光し焦点合わせるためのするための、凸レンズやフラットフィールドレンズ、Ｆθレンズ等を配置しても良い。
　載置台２２は、載置面でもって半導体基板５を支持する機能を有している。また、載置台２２には、載置面の中央部付近に、載置面から載置面の裏面まで貫通する貫通孔８を設け、載置台１９の裏面側から真空ポンプ等を用いて半導体基板５を固定してもよい。また、載置台２２には、シーケンサー等により制御されたサーボモーター等の可動機構を取り付け、例えば、ＸＹの２軸方向に自在に動くようにすれば、レーザー照射位置、半導体基板５の取り出し位置等半導体基板５を自在に搬送可能となり、電極用貫通孔８の形成工程を効率良く行うことができる。
　情報処理部１７は、シーケンサーなどが用いられ、これにより半導体基板５を載置した載置台２２やミラー２１、レーザー発振部２０の情報を処理し、電極用貫通孔８の形成の開始や完了の命令をレーザー発振部２０やミラー制御部１８に送るものである。
　このようなレーザー装置により、規則的に傾斜している電極用貫通孔８を効率良く確実の形成することが可能となる。
　さらに本発明の太陽電池素子の製造方法によれば、特定位置を、半導体基板の第１面側の上方とする。
　さらには、本発明の太陽電池素子の製造方法によれば、半導体基板の第１面が四角形状であるとき、特定位置を、半導体基板の第１面の対角線の交点の上方とする。
　これにより、レーザーの出力を調節することなく複数の貫通孔８の開口部の面積が、半導体基板５の中央部５ａ側から周縁部５ｂ側に位置するほど大きくなるようにすることができる点で好ましい。
また、複数の貫通孔８が、第１面１ｂ側から第２面１ａ側にかけて、半導体基板５の中央部５ａ側から周縁部５ｂ側に向かって傾き、かつ、複数の貫通孔８の傾きが、貫通孔８が半導体基板５の中央部５ａ側から周縁部５ｂ側に位置するほど大きくなるようにすることができる点で好ましい。
　＜表面エッチング＞
　電極用貫通孔８を設けた半導体基板５を、１０～３０％程度、６０～９０℃の水酸化ナトリウム水溶液で５～２０μｍ程度エッチングする。
　これにより電極用貫通孔８内部の内側側面もエッチングされ、その表面が粗面化される。
　＜逆導電型層の形成工程＞
　次に、半導体基板５の表面に逆導電型層６を形成する。逆導電型層６を形成するためのＮ型化ドーピング元素としてはＰ（リン）を用い、シート抵抗が６０～３００Ω／□程度のＮ＋型とすることでＰＮ接合部が形成される。さらにこの逆導電型層６に例えば気相拡散法が用いられた場合、半導体基板５の両面および電極用貫通孔８の内壁に、同時に逆導電型層６を形成することができる。
　＜反射防止膜の形成工程＞
　次に、第１逆導電型層６ａの上に、反射防止膜７を形成することが好ましい。反射防止膜７の材料としては、窒化珪素膜や酸化チタン膜などを用いることができる。反射防止膜７の形成方法としては、ＰＥＣＶＤ法、蒸着法やスパッタ法などを用いることができる。
　＜受光面電極と貫通孔電極の形成工程＞
　次に、半導体基板５に、受光面電極２ａと貫通孔電極２ｂを形成する。これらの電極は、半導体基板５の第１面１ｂにスクリーン印刷法などの塗布法を用いて導電性ペーストを塗布すればよく、例えば銀等からなる導電性ペーストを、最高温度５００～８５０℃で数十秒～数十分程度焼成することにより形成される。
　＜第２面電極の形成工程＞
　次に、半導体基板５の第２面１ａ上に、集電電極３ａを形成する。例えばスクリーン印刷法を用いて、半導体基板５の第２面１ａ上に導電性ペーストを塗布すればよく、例えばアルミニウム等からなる導電性ペーストを、集電電極３ａとなるような所定の電極形状に塗布し、最高温度５００～８５０℃で数十秒～数十分程度焼成することにより集電電極３ａを形成する。またこれにより一導電型半導体不純物が高濃度に拡散された高濃度ドープ層１０を形成することも可能となる。次に、半導体基板５の第２面１ａ上に第１電極２と出力電極３ｂと第３電極４とを形成する。
　上述の塗布法を用いて、半導体基板５の第２面１ａに導電性ペーストを塗布すれば良く、例えば銀等からなる導電性ペーストを、例えば、図１（ａ）の電極形状となるようにスクリーン印刷法を用いて塗布し、最高温度５００～８５０℃で数十秒～数十分程度焼成することにより第１電極２と出力電極３ｂと第３電極４とを形成する。
　＜ＰＮ分離工程＞
　ＰＮ分離は、第２面１ａの周縁部のみに酸化珪素やアルミナなどの粉末を高圧で吹きつけて第２面１ａの周縁部の逆導電型層を削り取るブラスト加工法や、第２面１ａの周辺端部に分離溝９ｂを形成するレーザー加工法で可能である。
　次に第１電極２周縁部分のＰＮ分離を行う場合は、第１電極２、集電電極３ａ、第３電極４以外の部分に、ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ）やＳＨ（ｓｅｃｏｎｄ　ｈａｒｍｏｎｉｃ　ｅｎｅｒａｔｉｏｎ）―ＹＡＧレーザー（波長５３２ｎｍ）などを用いてレーザー光を照射し、矩形状に分離溝９ａを形成することで行う。
１：太陽電池素子
　１ａ：第２面（裏面、非受光面）
　１ｂ：第１面（表面、受光面）
２：第１電極
　２ａ：受光面電極
　２ｂ：貫通孔電極
３：第２電極
　３ａ：集電電極
　３ｂ：出力電極
４：第３電極
５：半導体基板
　５ａ：中央部
　５ｂ：周縁部
６：逆導電型（半導体）層
　６ａ；第１逆導電型層
　６ｂ：第二逆導電型層
　６ｃ；第三逆導電型層
７：反射防止膜
８：（電極用）貫通孔
　８ａ：第１貫通孔
　８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ：第２貫通孔
９：分割溝
　９ａ：周縁部の分離溝
　９ｂ：外周端部の分離溝
１０：高濃度ドープ層
１１：１点（特定位置）
　１１ａ：（対角線の）交点
１２：中心線（延長線）
１７：情報処理部
１８：ミラー制御部
１９：レーザー制御部
２０：レーザー発振部
２１：ミラー
２２：載置台
２３：作業ステージ
２４：ステップモーター
３０：入射光
３１：多重反射光
３２：電流
３３：バックシート
Ｌ：光路

Claims (12)

  1. 　受光面である第１面と、該第１面の裏面である第２面と、前記第１面から前記第２面にかけて形成された複数の貫通孔とを有する半導体基板を備える太陽電池素子であって、
    前記複数の貫通孔の開口部の面積は、前記半導体基板の中央部から周縁部に位置するほど大きくなっている太陽電池素子。
  2. 　前記複数の貫通孔の中心線と前記第１面とのなす角度は、前記半導体基板の中央部から周縁部に位置するほど小さくなっている請求項１に記載の太陽電池素子。
  3. 　前記複数の貫通孔の中心線の延長線は、それぞれ前記第１面側で交わる交差点に向かって集中している請求項１または２に記載の太陽電池素子。
  4. 　前記半導体基板の前記第１面は四角形状であって、
    前記交差点は、前記半導体基板の対角線の交点を通る前記半導体基板の垂線上にある請求項３に記載の太陽電池素子。
  5. 　前記複数の貫通孔は、前記中央部に位置して前記開口部の形状が円形状の第１貫通孔と、前記第１貫通孔よりも周縁部側に位置して前記開口部の形状が楕円形状である第２貫通孔とを有している請求項１から４のいずれかに記載の太陽電池素子。
  6. 　前記第２貫通孔は、前記第１貫通孔を中心として放射状に広がって位置している請求項５に記載の太陽電池素子。
  7. 　前記半導体基板は一導電型を有し、前記貫通孔の内側側面には逆導電型半導体層が形成されている請求項１から６のいずれかに記載の太陽電池素子。
  8. 　前記貫通孔の内側側面は、前記第１面および前記第２面よりも表面粗さが大きくなっている請求項１から７のいずれかに記載の太陽電池素子。
  9. 　請求項１から８のいずれかに記載の太陽電池素子を用いた太陽電池モジュール。
  10. 　請求項１から８のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法であって、前記半導体基板に対して特定位置から角度を変えてレーザーを照射して前記複数の貫通孔を形成する工程を含む太陽電池素子の製造方法。
  11. 　前記特定位置を、前記半導体基板の前記第１面側の上方とする請求項１０に記載の太陽電池素子の製造方法。
  12. 　前記半導体基板の前記第１面が四角形状であるとき、
    前記特定位置を、前記半導体基板の前記第１面の対角線の交点の上方とする請求項１０または１１に記載の太陽電池素子の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9871151B2 (en) * 2011-07-01 2018-01-16 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Photovoltaic cell with wrap through connections

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8742477B1 (en) * 2010-12-06 2014-06-03 Xilinx, Inc. Elliptical through silicon vias for active interposers

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04107881A (ja) 1990-08-28 1992-04-09 Kyocera Corp 太陽電池素子
JPH0582811A (ja) 1991-09-19 1993-04-02 Kyocera Corp 太陽電池素子
JPH06181323A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
WO2008078771A1 (ja) * 2006-12-26 2008-07-03 Kyocera Corporation 太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
JP2009076512A (ja) 2007-09-18 2009-04-09 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP2009529805A (ja) * 2006-03-10 2009-08-20 ナノソーラー インコーポレイテッド 絶縁ビアを備えた高効率太陽電池

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0881694A1 (en) * 1997-05-30 1998-12-02 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Solar cell and process of manufacturing the same
JP2000138236A (ja) * 1998-08-26 2000-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US7390740B2 (en) * 2004-09-02 2008-06-24 Micron Technology, Inc. Sloped vias in a substrate, spring-like contacts, and methods of making
KR101108474B1 (ko) * 2009-05-14 2012-01-31 엘지전자 주식회사 태양 전지

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04107881A (ja) 1990-08-28 1992-04-09 Kyocera Corp 太陽電池素子
JPH0582811A (ja) 1991-09-19 1993-04-02 Kyocera Corp 太陽電池素子
JPH06181323A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
JP2009529805A (ja) * 2006-03-10 2009-08-20 ナノソーラー インコーポレイテッド 絶縁ビアを備えた高効率太陽電池
WO2008078771A1 (ja) * 2006-12-26 2008-07-03 Kyocera Corporation 太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
JP2009076512A (ja) 2007-09-18 2009-04-09 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9871151B2 (en) * 2011-07-01 2018-01-16 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Photovoltaic cell with wrap through connections

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