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WO2011030993A1 - 양자점 코팅을 이용한 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치 - Google Patents

양자점 코팅을 이용한 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치 Download PDF

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WO2011030993A1
WO2011030993A1 PCT/KR2010/003232 KR2010003232W WO2011030993A1 WO 2011030993 A1 WO2011030993 A1 WO 2011030993A1 KR 2010003232 W KR2010003232 W KR 2010003232W WO 2011030993 A1 WO2011030993 A1 WO 2011030993A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
quantum dot
emitting diode
light emitting
light
repair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2010/003232
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김원남
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Top Engineering Co Ltd
Original Assignee
Top Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Top Engineering Co Ltd filed Critical Top Engineering Co Ltd
Priority to JP2012528732A priority Critical patent/JP2013504870A/ja
Priority to CN2010800515188A priority patent/CN102630350A/zh
Publication of WO2011030993A1 publication Critical patent/WO2011030993A1/ko
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8515—Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means

Definitions

  • the present invention relates to a method and apparatus for repairing a light emitting diode, and in particular, by measuring a light emission characteristic value of a manufactured light emitting diode (LED) to form a quantum dot layer on a light emitting diode selected as defective product, thereby emitting color or luminance.
  • the present invention relates to a method and apparatus for repairing a light emitting diode that can be repaired with a light emitting diode as an improved good product and can improve production yield.
  • LEDs are manufactured based on III-V nitride semiconductors such as GaN.
  • LED is basically manufactured by joining P-type nitride semiconductor layer and N-type nitride semiconductor layer to which P-type or N-type impurity is added to the above-mentioned nitride semiconductor, P-type nitride semiconductor layer and N-type nitride semiconductor An active layer is placed between the layers to increase the recombination rate of the electron-holes, thereby improving the brightness characteristics of the LED.
  • a general LED is manufactured such that each of the P-type nitride semiconductor layer and the N-type nitride semiconductor layer is connected to an external electrode, and the LEDs supplied with power to the two electrodes may emit light having a visible wavelength.
  • an LED coated with a fluorescent layer on the multilayer structure as described above may be manufactured, and the LED having such a structure may improve luminance characteristics.
  • an LED coated with a quantum dot layer may be manufactured on the multilayer structure as described above, and the LED having such a structure may change light emission colors or improve luminance characteristics.
  • an LED having a structure emitting blue light may be an LED emitting white light by applying a quantum dot layer for emitting light in a yellow wavelength band before applying the quantum dot layer.
  • the LED may be manufactured in a structure in which a quantum dot layer is appropriately inserted at an appropriate position of the basic LED structure in addition to the basic structure consisting of a P-type nitride semiconductor layer, an active layer, and an N-type nitride semiconductor layer.
  • a fluorescent layer, a quantum dot layer, etc. to the outside of the uppermost layer of the layer, a high brightness LED of various emission colors may be manufactured.
  • LEDs of such various structures it is judged to be defective if power is applied to the LEDs as shown in FIG. 4 and the light emission intensity of the light emitted from the LEDs is measured using a photodetector after all manufacturing processes. LED will come out. Since the production yield of the LED affects the selling price, in order to produce a high luminous efficiency at low cost, it is necessary to reduce the defective products by improving the color or luminance characteristics of the LED determined as defective.
  • an object of the present invention is to measure the emission characteristics of the light emitting diode manufactured by coating the light emitting diode selected as a defective product with a quantum dot mixed solution to improve the emission color or brightness
  • the present invention provides a method and apparatus for repairing a light emitting diode that can be repaired with a light emitting diode as a manufactured good and can improve production yield.
  • a repair method of a light emitting diode the step of measuring the light emitting characteristic value of the light emitting diode; Determining that the light emitting diode whose measured light emission characteristic value is out of a target range is a bad light emitting diode; And forming a quantum dot layer on an uppermost layer of the defective light emitting diode.
  • the emission characteristic value includes a digital value for color or luminance.
  • the forming of the quantum dot layer includes applying and drying a solution in which a quantum dot composed of predetermined semiconductor nanocrystals is mixed in a dispersing solvent on the top layer of the defective light emitting diode.
  • the forming of the quantum dot layer may include measuring light emission characteristics of light after passing the light from the bad light emitting diode through a quantum dot cell selected from a quantum dot mask having a plurality of quantum dot cells when the bad light emitting diode is operated. step; Determining a repair quantum dot by comparing a light emission characteristic value measured for light after passing through the quantum dot cell with a target range; And forming a quantum dot layer on the top layer of the defective light emitting diode using the quantum dot mixed solution corresponding to the determined repair quantum dot.
  • the determining of the repair quantum dot may include determining, as the repair quantum dot, a quantum dot used in the selected quantum dot cell if the emission characteristic value measured for the light after passing through the quantum dot cell is within a target range; And controlling to re-measure the light emission characteristics of the other quantum dot cells of the quantum dot mask when the light emission characteristic values measured for the light after passing through the quantum dot cells are out of a target range.
  • Measuring the light emission characteristics of the light after passing through the quantum dot cell sequentially passing the light from the bad light emitting diode through the quantum dot cells of the multi-layer structure including a quantum dot cell selected from each of a plurality of quantum dot masks. And measuring the light emission characteristic value with respect to the light after making.
  • the determining of the repair quantum dot may include repairing the quantum dots applied to a combination of quantum dot cells selected from the plurality of quantum dot masks if the emission characteristic value measured for the light after passing through the quantum dot cells is within a target range. Determining as; And the quantum dot cells of the corresponding multilayer structure including the quantum dot cells changed and selected from any one or more of the plurality of quantum dot masks when the emission characteristic value measured for the light after passing through the quantum dot cells is out of a target range. Controlling to re-measure the light emission characteristic value.
  • the forming of the quantum dot layer may include forming a quantum dot layer on the top layer of the defective light emitting diode using a quantum dot mixed solution corresponding to the combination of the quantum dot cells determined as the repair quantum dots.
  • the forming of the quantum dot layer may include forming a quantum dot layer having a multi-layer structure on the top layer of the defective light emitting diode with a quantum dot mixed solution corresponding to each of the quantum dot cells determined as the repair quantum dots.
  • a repair apparatus for a light emitting diode includes: light detecting means for measuring a light emitting characteristic value of the light emitting diode; Discriminating means for discriminating the light emitting diode whose measured light emission characteristic value is outside the target range as a bad light emitting diode; And quantum dot coating means for forming a quantum dot layer on the top layer of the defective light emitting diode.
  • the repair apparatus of the light emitting diode may include: a quantum dot mask in which a plurality of quantum dot cells are formed; And a repair controller for controlling the quantum dot coating means by determining a repair quantum dot by comparing the emission characteristic value measured with respect to the light emitted from the defective light emitting diode passing through the quantum dot cell selected by the quantum dot mask and a target range.
  • the quantum dot coating means may further include forming a quantum dot layer on the top layer of the defective light emitting diode using a quantum dot mixed solution corresponding to the determined repair quantum dot.
  • the repair controller determines that the quantum dot used in the selected quantum dot cell is the repair quantum dot when the measured light emission characteristic value of the light passing through the quantum dot cell is within a target range, A quantum dot determination unit generating a control signal to re-measure the light emission characteristic value when the measured light emission characteristic value is out of a target range; And a movement control unit for controlling another quantum dot cell in the quantum dot mask in a direction of light emitted from the defective light emitting diode according to the control signal.
  • the repair apparatus of the light emitting diode may further include second light detection means for measuring a light emission characteristic value of light passing through the quantum dot cell.
  • the quantum dot mask may include a plurality of quantum dot masks each having a plurality of quantum dot cells formed therein, and the repair controller may perform light emission on the quantum dot cells having a multi-layer structure including quantum dot cells selected one from each of the plurality of quantum dot masks.
  • the repair quantum dot may be determined by comparing the emission characteristic value measured with respect to the light after sequentially passing the light from the diode and the target range.
  • the quantum dot determiner determines that the quantum dots used in the combination of the quantum dot cells selected from the plurality of quantum dot masks as the repair quantum dots when the emission characteristic value measured for the light after passing through the quantum dot cells is within a target range, When the light emission characteristic value measured for the light after passing through the quantum dot cells is out of a target range, a second control signal is generated to re-measure the light emission characteristic, and the movement controller generates the second control signal according to the second control signal.
  • the movement of the plurality of quantum dot masks may be driven so that the quantum dot cells of the corresponding multilayer structure including the quantum dot cells changed and selected in at least one of the plurality of quantum dot masks are in a direction of light emitted from the bad light emitting diode.
  • the quantum dot coating means may form a quantum dot layer on the top layer of the defective light emitting diode by using a quantum dot mixed solution corresponding to the combination of the quantum dot cells determined as the repair quantum dots.
  • the quantum dot coating means may form a quantum dot layer having a multi-layer structure on the top layer of the defective light emitting diode with a quantum dot mixed solution corresponding to each of the quantum dot cells determined as the repair quantum dots.
  • a production yield can be improved by coating a light emitting diode selected as a defective product with a quantum dot mixed solution and repairing the light emitting diode as a good product having improved light emission color or brightness.
  • 1 is an example of the structure of a general light emitting diode.
  • 2 is another example of a structure of a general light emitting diode.
  • 3 is another example of a structure of a general light emitting diode.
  • FIG. 4 is a view for explaining the emission intensity measurement of a general light emitting diode.
  • FIG. 5 is a view for explaining a repair device of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a view for explaining a quantum dot mask according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a view for explaining the emission characteristics measurement using a quantum dot mask according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a block diagram of a repair controller according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a flowchart illustrating an operation of a repair apparatus of a light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining a general CIE color coordinate system.
  • FIG 5 is a view for explaining a repair device 10 of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • a repair apparatus 10 of a light emitting diode may include a quantum dot mask 12, a photodetector 13, a quantum dot dispenser 14, and a repair controller 15.
  • a repair controller 15 may include a conveyor system (11) in addition to.
  • the power supply is applied in the quality test step of the manufactured LED and the light emission characteristic value of the light emitted from the LED is measured using the photodetector 13, and the light emission characteristic value (color or luminance) measured as described above using a predetermined discriminating means.
  • the top layer of the semiconductor laminated structure constituting the defective LED by using a predetermined quantum dot coating means to identify the corresponding LED that the digital value for the out of the target range as the defective LED, and improve the light emission characteristics such as color and brightness of the defective LED.
  • a repairing device 10 for a light emitting diode that can be repaired with an LED as a good product having improved light emission color and brightness is disclosed.
  • the conveyor system 11 may transfer a defective LED whose light emission characteristic value (digital value for color or luminance) is out of a target range to the bottom of the quantum dot mask 12.
  • the quantum dot mask 12 includes a plurality of quantum dot cells (eg, A to F) formed on a transparent material such as resin. As illustrated in FIG. 6, a plurality of quantum dot cells having different emission wavelength characteristics are formed in the quantum dot mask 12 in advance.
  • a to F quantum dot cells
  • the quantum dots may be composed of compound semiconductor nanocrystals such as CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, and a mixed solution of quantum dots mixed with a dispersion solvent (for example, toluene, hexane, etc.)
  • a plurality of quantum dot cells (eg, A to F) may be formed on the quantum dot mask 12 by applying and drying at various positions on the quantum dot mask 12.
  • two quantum dot masks 71 and 72 having a multilayer structure may be used as the quantum dot mask 12.
  • each of the two quantum dot masks 71 and 72 is formed with a plurality of quantum dots A, B, C / Q, R, and S having different emission wavelength characteristics when light is passed as described above.
  • the quantum dot cells in each mask by selecting the quantum dot cells in each mask, the light emission wavelength characteristics of the light passing through the quantum dot cells of the corresponding multi-layer structure of a plurality of combinations may be different.
  • an example using two quantum dot masks 71 and 72 is described, but is not limited thereto, and using three or more quantum dot masks is not excluded.
  • the photodetector 13 has a multi-layered structure including light emitted from a bad LED through a quantum dot cell selected from the quantum dot mask 12 or a quantum dot cell selected from each of the plurality of quantum dot masks 71 and 72. It is possible to measure the light emission characteristics of the light that is sequentially passed through the light from the bad LED to the quantum dot cells.
  • the photodetector 13 may generate information (digital value) regarding the color of light through the spectrum (or wavelength) analysis of the input light, or analyze the emission intensity of the input light. Through this, information about the brightness of light (digital value) can be generated.
  • the repair controller 15 may perform the photodetector 13.
  • the quantum dot dispenser 14 is controlled by determining the repair quantum dot by comparing the light emission characteristic value measured in step 9 with a predetermined target range.
  • the quantum dot dispenser 14 may apply the quantum dot mixed solution on the top layer of the defective LED using the quantum dot mixed solution corresponding to the repair quantum dot determined by the repair controller 15 to form a quantum dot layer.
  • the quantum dot dispenser 14 has a plurality of containers (eg, A ′ to F ′) containing quantum dot mixed solutions because the emission wavelength characteristics are different from each other, and the corresponding quantum dot mixing is performed according to the repair quantum dots determined by the repair controller 15.
  • the solution can be selected and applied and coated onto the top layer of the defective LED.
  • Each container of the quantum dot dispenser 14 includes a quantum dot made of compound semiconductor nanocrystals such as CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, and a dispersion solvent (for example, toluene, hexane, etc.).
  • the solution mixed in the above may be contained as a quantum dot mixed solution.
  • the quantum dot mixed solution may be prepared in other ways, and when the quantum dot mixed solution of the container corresponding to the corresponding repair quantum dot is coated on the uppermost layer of the bad LED, the emission characteristics of the bad LED according to the emission wavelength characteristics of the corresponding quantum dot An improvement may be seen. As such, after application of the quantum dot mixed solution, it may be dried with a predetermined drying apparatus, and a transparent resin-based insulating material may be coated thereon if necessary.
  • the repair controller 15 includes a quantum dot determiner 21 and a movement controller 22.
  • the quantum dot determination unit 21 predetermines the light emission characteristic value measured by the photodetector 13 with respect to the light emitted from the defective LED through the quantum dot mask 12 or the plurality of quantum dot masks 71 and 72.
  • the control signal may be generated to determine the corresponding repair quantum dot according to whether the target range is out of the target range, or to re-measure the light emission characteristics of the defective LED.
  • the movement controller 22 emits light in which the quantum dot mask 12 or other quantum dot cells of the quantum dot masks 71 and 72 or a combination of other quantum dot cells comes from the defective LED according to the control signal from the quantum dot determiner 21.
  • the rotational movement of the quantum dot mask 12 or the plurality of quantum dot masks 71 and 72 may be driven to be in the direction of. Accordingly, the photodetector 13 may re-measure the light emission characteristic value of the corresponding quantum dot cell or a combination of quantum dot cells.
  • the power is applied to the LED and the light emission characteristic value of the light emitted from the LED is measured by using the photodetector 13 or other photodetecting means.
  • a bad LED whose digital value for luminance is out of the target range A may be collected (S110).
  • a range A representing a constant luminance in a constant color (for example, white) is a target range in a CIE (Commission International de I'Edairage) color coordinate system representing a general display color coordinate, as shown in FIG.
  • the light emission characteristic value measured by the detection means for example, the digital value for the measured color or luminance
  • the target range A it may not be released as an LED as a merchandise and may be disposed of.
  • the present invention even if the light emission characteristic value measured by the light detection means is out of the target range (A), if the defective LED having the light emission characteristic value within the repair range (B) is collected, the corresponding failure by using the repair apparatus 10 as follows By forming a quantum dot layer on the LED, it is possible to repair the LED as a good product with improved emission color and luminance.
  • the defective LED as described above may be transferred to the lower portion of the quantum dot mask 12 through the conveyor system 11 (S120).
  • a plurality of quantum dot cells e.g., A to F
  • Any one quantum dot cell on the quantum dot mask 12 may be transferred so as to be placed on top of the defective LED to measure the light emission characteristic value for the light after passing.
  • the bad LED When one of the quantum dot cells of the quantum dot mask 12 is placed on top of the bad LED, the bad LED may be supplied with power to emit light (S130).
  • the defective LED may be fixed to a predetermined jig having a small terminal capable of supplying power, and may emit light.
  • the photodetector 13 may measure the light emission characteristic value of the light emitted from the bad LED through the quantum dot cell selected by the quantum dot mask 12 as described above (S140).
  • the photodetector 13 may generate information (digital value) about the color of the light through the spectrum (or wavelength) analysis of the input light, or the light through the analysis of the light emission intensity of the input light. It is possible to generate information (digital value) regarding the luminance of.
  • the repair controller 15 determines the emission characteristic value measured by the photodetector 13 in advance. Compare with the target range (S150). For example, the quantum dot determiner 21 of the repair controller 15 has a light emission characteristic value measured by the photodetector 13 with respect to light emitted from a bad LED through the quantum dot cell of the quantum dot mask 12. If it does not deviate from the target range compared to the predetermined target range, the quantum dot used in the selected quantum dot cell may be determined as the repair quantum dot (S170).
  • the quantum dot determination unit 21 is out of the target range by comparing the light emission characteristic value measured by the photodetector 13 with respect to the light emitted from the bad LED through the quantum dot mask 12.
  • the control signal may be generated to re-measure the light emission characteristic of the surface failure LED.
  • the target range may be a digital value which is previously determined such that the light emission characteristic value falls within the target range A in the CIE color coordinate system as shown in FIG. 10.
  • the movement controller 22 may drive rotational movement of the quantum dot mask 12 such that the other quantum dot cells of the quantum dot mask 12 are in the direction of the light emitted from the defective LED according to the control signal from the quantum dot determiner 21. (S160).
  • the photodetector 13 is one in each of the plurality of quantum dot masks 71 and 72 placed on the defective LED in operation S140. It is possible to measure the light emission characteristics of the light emitted through the light from the bad LED sequentially through the quantum dot cells of the multi-layer structure including the selected quantum dot cell. In this case, the quantum dot determiner 21 of the repair controller 15 measures light emitted from the bad LED through the quantum dot cell combination of the plurality of quantum dot masks 71 and 72 by the photodetector 13.
  • the quantum dots used in the combination of the quantum dot cells selected from the plurality of quantum dot masks 71 and 72 may be determined as the corresponding repair quantum dots (S170).
  • the photodetector 13 may re-measure the light emission characteristic value of the corresponding quantum dot cell or a combination of quantum dot cells.
  • the quantum dot determiner 21 is a target for which the light emission characteristic value measured by the photodetector 13 is determined in advance for the light emitted from the defective LED through the quantum dot cell combination of the plurality of quantum dot masks 71 and 72. If it is out of the target range compared to the range, the control signal may be generated to re-measure the emission characteristic value of the bad LED.
  • the target range may be a digital value which is previously determined such that the light emission characteristic value falls within the target range A in the CIE color coordinate system as shown in FIG. 10.
  • the movement controller 22 may be configured such that the quantum dot cells of the corresponding multilayer structure including the quantum dot cells changed and selected from one or more of the plurality of quantum dot masks 71 and 72 according to the control signal from the quantum dot determiner 21 come out from the defective LED.
  • the rotational movement of the plurality of quantum dot masks 71 and 72 may be driven to be in the direction of light (S160).
  • only the lower mask 71 of the plurality of quantum dot masks 71 and 72 may be rotated so that only the lower quantum dot cell is changed and selected, and only the upper mask 72 is rotated so that only the upper quantum dot cell is changed and selected.
  • all of the quantum dot masks 71 and 72 may be rotated so that both quantum dot cells may be changed and selected.
  • the photodetector 13 emits light as described above.
  • An operation for determining a repair quantum dot may be repeated, such as measuring a characteristic value, comparing the emission characteristic value with a target range by the repair controller 15, and changing the result to another quantum dot cell of the quantum dot mask 12. have.
  • the quantum dot determiner 21 determines the repair quantum dot according to the above process, information about the repair quantum dot may be transmitted to the quantum dot dispenser 14 (S180).
  • the quantum dot dispenser 14 may apply the quantum dot mixed solution on the top layer of the defective LED using the corresponding quantum dot mixed solution according to the repair quantum dot information determined by the quantum dot determiner 21 (S190).
  • the quantum dot dispenser 14 has a plurality of containers (for example, A ′ to F ′) containing quantum dot mixed solutions due to different emission wavelength characteristics, and corresponding quantum dots according to the repair quantum dots determined by the quantum dot determiner 21.
  • a mixed solution can be selected and applied over the top layer of the failed LED to coat. For example, when the quantum dot cell A is determined as a repair quantum dot in the quantum dot determiner 21, the quantum dot dispenser 14 may discharge the solution from the quantum dot mixed solution container A 'and apply the coating on the top layer of the defective LED. have.
  • the quantum dot cell A of the lower mask 71 and the quantum dot of the lower mask 72 in the quantum dot determiner 21 may be determined as a repair quantum dot, in which the quantum dot dispenser 14 may apply and coat the top layer of the defective LED by discharging the corresponding solution from a suitable quantum dot mixed solution container.
  • the quantum dot dispenser 14 is the top layer of the bad LED with the quantum dot mixed solution (eg A ', Q') corresponding to each of the corresponding quantum dot cells (eg A, Q) determined as the repair quantum dots.
  • the quantum dot mixed solution may be dried by a predetermined drying device.
  • the transparent quantum dot layer may be formed by coating a transparent resin-based insulating material thereon.

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 제조된 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하여 불량품으로 선별된 발광 다이오드에 양자점층을 형성함으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 발광 다이오드로 리페어하고 생산 수율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 발광 다이오드의 리페어 방법은, 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 단계, 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나는 해당 발광 다이오드를 불량 발광 다이오드로 판별하는 단계, 및 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

양자점 코팅을 이용한 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치
본 발명은 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히, 제조된 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)의 발광 특성값을 측정하여 불량품으로 선별된 발광 다이오드에 양자점층을 형성으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 발광 다이오드로 리페어하고 생산 수율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치에 관한 것이다.
LED는 GaN 등의 III-V족 질화물 반도체를 기반으로 제조된다. LED는 기본적으로 위와 같은 질화물 반도체에 P형 또는 N형의 불순물을 첨가시킨 P형의 질화물 반도체층과 N형의 질화물 반도체층을 접합시켜서 제조되며, P형의 질화물 반도체층과 N형의 질화물 반도체층 사이에는 활성층을 두어 전자-정공의 재결합률을 증가시킴으로써 LED의 휘도 특성을 개선한다.
도 1과 같이, 일반적인 LED는 P형의 질화물 반도체층과 N형의 질화물 반도체층 각각이 외부 전극과 연결되도록 제조되고, 두 전극에 전원이 인가된 LED는 가시광 파장의 빛을 발광할 수 있다.
이외에도, 최근에는 휘도 특성을 개선하거나 발광 색상을 다르게 하기 위하여, 위와 같은 P형의 질화물 반도체층, 활성층, N형의 질화물 반도체층으로 이루어지는 기본 LED 구조의 적절한 위치에 양자점층을 적절히 삽입하는 시도가 이루어지고 있다.
또한, 도 2와 같이, 위와 같은 다층 구조 위에 형광층을 도포한 LED가 제조될 수 있으며, 이와 같은 구조의 LED는 휘도 특성을 개선할 수 있다. 그리고, 위와 같은 다층 구조 위에 양자점층을 도포한 LED가 제조될 수 있으며, 이와 같은 구조의 LED는 발광 색상을 다르게 하거나 휘도 특성을 개선할 수 있다. 예를 들어, 도 3의 구조에서 양자점층을 도포하기 전에 청색을 발광하는 구조의 LED가 황색 파장대의 발광을 위한 양자점층이 도포됨으로써 백색 발광하는 LED가 될 수 있다.
이와 같이 LED는 P형의 질화물 반도체층, 활성층, N형의 질화물 반도체층으로 이루어지는 기본 구조 이외에도, 이와 같은 기본 LED 구조의 적절한 위치에 양자점층을 적절히 삽입하는 구조로 제조될 수 있으며, 위와 같은 반도체층 중 최상층의 외부에 형광층이나 양자점층 등을 도포함으로써 다양한 발광 색상의 고휘도 LED가 제조될 수도 있다.
그러나, 이와 같은 다양한 구조의 LED 를 제조할 때, 모든 제조 공정을 거친 후의 양품 테스트 단계에서 도 4와 같이 LED에 전원을 인가하고 광검출기를 이용해 LED에서 나오는 빛의 발광 강도를 측정하면 불량으로 판정되는 LED가 나오게 된다. LED의 생산 수율은 판매 단가에 영향을 미치므로 저비용으로 발광 효율이 높은 LED를 생산하기 위하여는 불량으로 판정된 LED의 색상이나 휘도 특성을 개선시켜서 사용할 수 있게 함으로써 불량품을 저감할 필요가 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은, 제조된 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하여 불량품으로 선별된 발광 다이오드를 양자점 혼합 용액으로 코팅함으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 발광 다이오드로 리페어하고 생산 수율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
먼저, 본 발명의 특징을 요약하면, 본 발명의 일면에 따른 발광 다이오드의 리페어 방법은, 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 단계; 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나는 해당 발광 다이오드를 불량 발광 다이오드로 판별하는 단계; 및 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 발광 특성값은 색상 또는 휘도에 대한 디지털값을 포함한다.
상기 양자점층을 형성하는 단계는, 소정 반도체 나노 결정으로 이루어지는 양자점이 분산 용매에 혼합된 용액을 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 도포하고 건조하는 단계를 포함한다.
상기 양자점층을 형성하는 단계는, 상기 불량 발광 다이오드를 동작시킬 때 상기 불량 발광 다이오드로부터 나오는 빛을 복수의 양자점셀들이 형성된 양자점 마스크에서 선택된 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대한 발광 특성값을 측정하는 단계; 상기 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값과 목표 범위의 비교를 통하여 리페어 양자점을 결정하는 단계; 및 상기 결정된 리페어 양자점에 대응되는 양자점 혼합 용액을 이용하여 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 리페어 양자점을 결정하는 단계는, 상기 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위 이내이면 해당 선택된 양자점셀에 사용된 양자점을 상기 리페어 양자점으로 결정하는 단계; 및 상기 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나면 상기 양자점 마스크의 다른 양자점셀에 대하여 상기 발광 특성을 재 측정하도록 제어하는 단계를 포함한다.
상기 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대한 발광 특성값을 측정하는 단계는, 복수의 양자점 마스크들 각각에서 하나씩 선택된 양자점셀을 포함한 다층 구조의 양자점셀들에 상기 불량 발광 다이오드로부터의 빛을 순차로 통과시킨 후의 빛에 대한 발광 특성값을 측정하는 단계를 포함한다.
상기 리페어 양자점을 결정하는 단계는, 상기 양자점셀들에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위 이내이면 상기 복수의 양자점 마스크들에서 선택된 양자점셀들의 조합에 시용된 양자점들을 상기 리페어 양자점으로 결정하는 단계; 및 상기 양자점셀들에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나면 상기 복수의 양자점 마스크들 중 어느 하나 이상에서 변경 선택된 양자점셀을 포함한 해당 다층 구조의 양자점셀들에 대하여 상기 발광 특성값을 재 측정하도록 제어하는 단계를 포함한다.
상기 양자점층을 형성하는 단계는, 상기 리페어 양자점으로 결정된 상기 양자점셀들의 조합에 대응되는 양자점 혼합 용액을 이용하여 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 양자점층을 형성하는 단계는, 상기 리페어 양자점으로 결정된 상기 양자점셀들의 각각에 대응되는 양자점 혼합 용액으로 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 다층 구조의 양자점층을 형성하는 단계를 포함한다.
그리고, 본 발명의 다른 일면에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치는, 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 광 검출 수단; 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나는 해당 발광 다이오드를 불량 발광 다이오드로 판별하는 판별 수단; 및 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 양자점 코팅 수단을 포함한다.
상기 발광 다이오드의 리페어 장치는, 복수의 양자점셀들이 형성된 양자점 마스크; 및 상기 불량 발광 다이오드로부터 나오는 빛이 상기 양자점 마스크에서 선택된 양자점셀에 통과되어 나오는 빛에 대하여 측정된 발광 특성값과 목표 범위의 비교를 통하여 리페어 양자점을 결정하여 상기 양자점 코팅 수단을 제어하는 리페어 제어기를 더 포함하고, 상기 양자점 코팅 수단은 상기 결정된 리페어 양자점에 대응되는 양자점 혼합 용액을 이용하여 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성할 수 있다.
상기 리페어 제어기는, 상기 양자점셀에 통과되어 나오는 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위 이내이면 해당 선택된 양자점셀에 사용된 양자점을 상기 리페어 양자점으로 결정하고, 상기 양자점셀에 통과되어 나오는 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나면 상기 발광 특성값을 재 측정하도록 제어신호를 발생하는 양자점 결정부; 및 상기 제어신호에 따라 상기 양자점 마스크에서 다른 양자점셀이 상기 불량 발광 다이오드로부터 나오는 빛의 방향에 오도록 제어하는 이동 제어부를 포함한다.
상기 발광 다이오드의 리페어 장치는, 상기 양자점셀에 통과되어 나오는 빛의 발광 특성값을 측정하는 제2 광 검출 수단을 더 포함할 수 있다.
상기 양자점 마스크는, 각각에 복수의 양자점셀들이 형성된 복수의 양자점 마스크들을 포함하고, 상기 리페어 제어기는, 상기 복수의 양자점 마스크들 각각에서 하나씩 선택된 양자점셀을 포함한 다층 구조의 양자점셀들에 상기 불량 발광 다이오드로부터의 빛을 순차로 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값과 상기 목표 범위의 비교를 통하여 리페어 양자점을 결정할 수 있다.
상기 양자점 결정부는, 상기 양자점셀들에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위 이내이면 상기 복수의 양자점 마스크들에서 선택된 양자점셀들의 조합에 사용된 양자점들을 상기 리페어 양자점으로 결정하고, 상기 양자점셀들에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나면 상기 발광 특성을 재 측정하도록 제2 제어신호를 발생하며, 상기 이동 제어부는, 상기 제2 제어신호에 따라 상기 복수의 양자점 마스크들 중 어느 하나 이상에서 변경 선택된 양자점셀을 포함한 해당 다층 구조의 양자점셀들이 상기 불량 발광 다이오드로부터 나오는 빛의 방향에 오도록 상기 복수의 양자점 마스크들의 이동을 구동할 수 있다.
상기 양자점 코팅 수단은, 상기 리페어 양자점으로 결정된 상기 양자점셀들의 조합에 대응되는 양자점 혼합 용액을 이용하여 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성할 수 있다.
상기 양자점 코팅 수단은, 상기 리페어 양자점으로 결정된 상기 양자점셀들의 각각에 대응되는 양자점 혼합 용액으로 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 다층 구조의 양자점층을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치에 따르면, 불량품으로 선별된 발광 다이오드에 양자점 혼합 용액으로 코팅하여 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 발광 다이오드로 리페어함으로써 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 발광 다이오드의 구조에 대한 일례이다.
도 2는 일반적인 발광 다이오드의 구조에 대한 다른 예이다.
도 3은 일반적인 발광 다이오드의 구조에 대한 또 다른 예이다.
도 4는 일반적인 발광 다이오드의 발광 강도 측정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 양자점 마스크를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 마스크를 이용한 발광 특성 측정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 리페어 제어기의 블록도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치의 동작 설명을 위한 흐름도이다.
도 10은 일반적인 CIE 색좌표계를 설명하기 위한 도면이다.
이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치(10)를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치(10)는 양자점 마스크(12), 광검출기(13), 양자점 디스펜서(dispenser)(14), 및 리페어 제어기(15)를 포함하고, 이외에도 컨베이어(conveyor) 시스템(11)을 포함할 수 있다.
본 발명에서는 제조된 LED의 양품 테스트 단계에서 전원을 인가하고 광검출기(13)를 이용해 LED에서 나오는 빛의 발광 특성값을 측정하고, 소정 판별 수단을 이용해 위와 같이 측정되는 발광 특성값(색상이나 휘도에 대한 디지털값)이 목표 범위를 벗어나는 해당 LED를 불량LED로 판별하여, 불량 LED의 색상이나 휘도 등의 발광 특성을 개선시키기 위하여 소정 양자점 코팅 수단을 이용해 해당 불량 LED를 구성하는 반도체 적층 구조의 최상층 위에 양자점층을 형성함으로써, 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 LED로 리페어할 수 있는 발광 다이오드의 리페어 장치(10)를 개시한다.
도 5에서, 컨베이어 시스템(11)은 통해 발광 특성값(색상이나 휘도에 대한 디지털값)이 목표 범위를 벗어난 불량 LED를 양자점 마스크(12)의 하부로 이송할 수 있다.
양자점 마스크(12)는 수지계 등의 투명 재질 위에 형성된 복수의 양자점셀들(예를 들어, A~F)을 포함한다. 양자점 마스크(12)에는 도 6과 같이 빛을 통과시켰을 때 발광 파장 특성이 서로 다른 복수의 양자점셀이 미리 형성되어 있다. 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe와 같은 화합물 반도체 나노 결정으로 이루어질 수 있으며, 이를 분산 용매(예를 들어, 톨루엔, 헥산 등)에 혼합한 양자점 혼합 용액을 양자점 마스크(12) 상의 여러 위치에 도포하고 건조하여 양자점 마스크(12) 상에 복수의 양자점셀들(예를 들어, A~F)이 형성될 수 있다.
도 7과 같이, 양자점 마스크(12)로서 다층 구조의 2개의 양자점 마스크들(71, 72)이 이용될 수도 있다. 예를 들어, 2개의 양자점 마스크들(71, 72) 각각에는 위와 같이 빛을 통과시켰을 때 발광 파장 특성이 서로 다른 복수의 양자점(A, B, C/Q, R, S)이 미리 형성되어 있고, 각 마스크에서 양자점셀을 선택하여 다수 조합의 해당 다층 구조의 양자점셀들을 통과하는 빛의 발광 파장 특성이 서로 다르게 할 수 있다. 여기서 2개의 양자점 마스크들(71, 72)을 이용하는 예를 들었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 3개 또는 그 이상의 양자점 마스크들을 이용하는 것이 배제되지 않는다.
광검출기(13)는 불량 LED로부터 나오는 빛이 위와 같은 양자점 마스크(12)에서 선택된 양자점셀에 통과되어 나오는 빛 또는 복수의 양자점 마스크들(71, 72) 각각에서 하나씩 선택된 양자점셀을 포함한 다층 구조의 양자점셀들에 불량 LED로부터 나오는 빛을 순차 통과시켜 나오는 빛의 발광 특성값을 측정할 수 있다. 여기서, 광검출기(13)는 입력되는 빛의 스펙트럼(또는 파장) 분석을 통하여 빛의 색상에 관한 정보(디지털 값)를 생성할 수 있으며, 또는 입력되는 빛의 발광 강도(intensity)에 대한 분석을 통하여 빛의 휘도에 관한 정보(디지털 값)를 생성할 수 있다.
불량 LED로부터의 빛이 양자점 마스크(12) 또는 복수의 양자점 마스크들(71, 72)을 통과하여 나온 빛에 대한 광검출기(13)에서의 측정 결과에 따라 리페어 제어기(15)는 광검출기(13)에서 측정된 발광 특성값을 미리 정해 놓은 목표 범위와 비교함으로써 리페어 양자점을 결정하여 양자점 디스펜서(14)를 제어한다.
양자점 디스펜서(14)는 리페어 제어기(15)에서 결정된 리페어 양자점에 대응되는 양자점 혼합 용액을 이용하여 불량 LED의 최상층 위에 양자점 혼합 용액을 도포하여 양자점층이 형성되도록 할 수 있다. 양자점 디스펜서(14)는 발광 파장 특성이 서로 다르게 구분되어 양자점 혼합 용액들이 담긴 복수의 용기(예를 들어, A'~F')를 가지며, 리페어 제어기(15)에서 결정된 리페어 양자점에 따라 해당 양자점 혼합 용액을 선택하여 불량 LED의 최상층 위에 도포하여 코팅할 수 있다. 이와 같은 양자점 디스펜서(14)의 각 용기에는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe와 같은 화합물 반도체 나노 결정으로 이루어지는 양자점을 분산 용매(예를 들어, 톨루엔, 헥산 등)에 혼합한 용액이 양자점 혼합 용액으로 담길 수 있다. 양자점 혼합 용액은 기타 다른 방식으로도 제조될 수 있으며, 해당 리페어 양자점에 대응되는 용기의 양자점 혼합 용액이 불량 LED의 최상층 위에 코팅되는 경우에, 해당 양자점의 발광 파장 특성에 따른 불량 LED의 발광 특성의 개선 효과가 나타날 수 있다. 이와 같이, 양자점 혼합 용액의 도포 후에는 소정 건조 장치로 건조될 수 있으며, 필요한 경우에 그 위에 투명한 수지계 절연 물질이 코팅될 수도 있다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 리페어 제어기(15)의 블록도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 리페어 제어기(15)는, 양자점 결정부(21) 및 이동 제어부(22)를 포함한다.
양자점 결정부(21)는 불량 LED로부터의 빛이 양자점 마스크(12) 또는 복수의 양자점 마스크들(71, 72)을 통과하여 나온 빛에 대하여 광검출기(13)에서 측정한 발광 특성값이 미리 정해 놓은 목표 범위와 비교하여 상기 목표 범위를 벗어나는 지 여부에 따라 해당 리페어 양자점을 결정하거나, 불량 LED의 발광 특성을 재 측정하도록 제어신호를 발생할 수 있다.
이동 제어부(22)는 양자점 결정부(21)로부터의 제어신호에 따라 양자점 마스크(12) 또는 복수의 양자점 마스크들(71, 72)의 다른 양자점셀 또는 다른 양자점셀들의 조합이 불량 LED로부터 나오는 빛의 방향에 오도록 양자점 마스크(12) 또는 복수의 양자점 마스크들(71, 72)의 회전 이동을 구동할 수 있다. 이에 따라 광검출기(13)가 해당 양자점셀 또는 양자점셀들의 조합에 대하여 발광 특성값을 재 측정할 수 있다.
이하, 도 9의 흐름도를 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 리페어 장치(10)의 동작을 좀더 자세히 설명한다.
먼저, 제조된 LED의 양품 테스트 단계에서 LED에 전원을 인가하고 광검출기(13) 또는 다른 광검출 수단을 이용해 LED에서 나오는 빛의 발광 특성값을 측정한 결과, 소정 판별 수단의 판별에 따라 해당 색상이나 휘도에 대한 디지털값이 목표 범위(A)를 벗어나는 불량 LED를 수집할 수 있다(S110). 예를 들어, 도 10과 같이 일반적인 디스플레이 색좌표를 나타내는 CIE(Commission international de I’Edairage) 색 좌표계에서 일정 색상(예를 들어, 백색)에서 일정 휘도를 나타내는 범위 A가 목표 범위로 된 경우에, 광검출 수단을 통해 측정된 발광 특성값, 예를 들어, 측정된 색상 또는 휘도에 대한 디지털값이 목표 범위(A)를 벗어나면 판매품으로서의 LED로 출시되지 못하고 폐기 처분될 수 있다.
본 발명에서는 광검출 수단을 통해 측정된 발광 특성값이 목표 범위(A)를 벗어나더라도 리페어 범위(B) 내의 발광 특성값을 갖는 불량 LED가 수집되면, 아래와 같이 리페어 장치(10)를 이용해 해당 불량 LED 위에 양자점층을 형성함으로써 발광 색상이나 휘도가 개선된 양품으로서의 LED로 리페어할 수 있다.
위와 같은 불량 LED는 컨베이어 시스템(11)을 통해 양자점 마스크(12)의 하부로 이송될 수 있다(S120). 양자점 마스크(12)에는 도 6과 같이 빛을 통과시켰을 때 발광 파장 특성이 서로 다른 복수의 양자점셀(예를 들어, A~F)이 미리 형성되어 있으며, 불량 LED의 빛이 각각의 양자점셀을 통과한 후의 빛에 대한 발광 특성값을 측정하기 위하여 양자점 마스크(12) 상의 어느 한 양자점셀이 불량 LED의 상부에 놓여지도록 이송될 수 있다.
양자점 마스크(12)의 어느 한 양자점셀이 불량 LED의 상부에 놓여지면, 불량 LED에 전원을 공급하여 발광시킬 수 있다(S130). 이때, 불량 LED는 전원을 공급할 수 있는 소장 단자를 갖는 소정 지그(jig)에 고정되어 발광할 수 있다.
이에 따라, 광검출기(13)는 불량 LED로부터 나오는 빛이 위와 같은 양자점 마스크(12)에서 선택된 양자점셀에 통과되어 나오는 빛의 발광 특성값을 측정할 수 있다(S140). 광검출기(13)는 입력되는 빛의 스펙트럼(또는 파장) 분석을 통하여 빛의 색상에 관한 정보(디지털값)를 생성할 수 있으며, 또는 입력되는 빛의 발광 강도(intensity)에 대한 분석을 통하여 빛의 휘도에 관한 정보(디지털값)를 생성할 수 있다.
불량 LED로부터의 빛이 양자점 마스크(12)를 통과하여 나온 빛에 대한 광검출기(13)에서의 측정 결과에 따라 리페어 제어기(15)는 광검출기(13)에서 측정된 발광 특성값을 미리 정해 놓은 목표 범위와 비교한다(S150). 예를 들어, 리페어 제어기(15)의 양자점 결정부(21)는 불량 LED로부터의 빛이 양자점 마스크(12)의 양자점셀을 통과하여 나온 빛에 대하여 광검출기(13)에서 측정한 발광 특성값이 미리 정해 놓은 목표 범위와 비교하여 해당 목표 범위를 벗어나지 않으면 선택된 양자점셀에 사용된 양자점을 해당 리페어 양자점으로 결정할 수 있다(S170).
양자점 결정부(21)는 불량 LED로부터의 빛이 양자점 마스크(12)를 통과하여 나온 빛에 대하여 광검출기(13)에서 측정한 발광 특성값이 미리 정해 놓은 목표 범위와 비교하여 상기 목표 범위를 벗어나면 불량 LED의 발광 특성값을 재 측정하도록 제어신호를 발생할 수 있다. 여기서 상기 목표 범위는 발광 특성값이 도 10과 같은 CIE 색 좌표계에서 목표 범위(A) 내에 들어오도록 미리 정해 놓은 디지털 값일 수 있다. 이동 제어부(22)는 양자점 결정부(21)로부터의 제어신호에 따라 양자점 마스크(12)의 다른 양자점셀이 불량 LED로부터 나오는 빛의 방향에 오도록 양자점 마스크(12)의 회전 이동을 구동할 수 있다(S160).
이에 따라 양자점 마스크(12)의 다른 양자점셀이 불량 LED로부터 나오는 빛의 방향에 오게 되면, 위와 같이 광검출기(13)가 발광 특성값을 측정하는 과정, 리페어 제어기(15)가 발광 특성값과 목표 범위를 비교하는 과정, 다시 양자점 마스크(12)의 다른 양자점셀로 변경하는 과정 등 리페어 양자점을 결정하기 위한 동작이 반복될 수 있다.
한편, 도 7과 같은 복수의 양자점 마스크들(71, 72)이 이용되는 경우에는, S140 단계에서 광검출기(13)는 불량 LED의 상부에 놓여진 복수의 양자점 마스크들(71, 72) 각각에서 하나씩 선택된 양자점셀을 포함한 다층 구조의 양자점셀들에 불량 LED로부터 나오는 빛을 순차 통과시켜 나오는 빛의 발광 특성값을 측정할 수 있다. 이때, 리페어 제어기(15)의 양자점 결정부(21)는 불량 LED로부터의 빛이 복수의 양자점 마스크들(71, 72)의 양자점셀 조합을 통과하여 나온 빛에 대하여 광검출기(13)에서 측정한 발광 특성값이 미리 정해 놓은 목표 범위와 비교하여 상기 목표 범위를 벗어나지 않으면 복수의 양자점 마스크들(71, 72)에서 선택된 양자점셀들의 조합에 사용된 양자점들을 해당 리페어 양자점으로 결정할 수 있다(S170).
복수의 양자점 마스크들(71, 72)을 이용하여 다른 양자점셀 또는 다른 양자점셀들의 조합이 불량 LED로부터 나오는 빛의 방향에 오도록 양자점 마스크(12) 또는 복수의 양자점 마스크들(71, 72)의 회전 이동을 구동할 수 있다. 이에 따라 광검출기(13)가 해당 양자점셀 또는 양자점셀들의 조합에 대하여 발광 특성값을 재 측정할 수 있다.
양자점 결정부(21)는 불량 LED로부터의 빛이 복수의 양자점 마스크들(71, 72)의 양자점셀 조합을 통과하여 나온 빛에 대하여 광검출기(13)에서 측정한 발광 특성값이 미리 정해 놓은 목표 범위와 비교하여 해당 목표 범위를 벗어나면 불량 LED의 발광 특성값을 재 측정하도록 제어신호를 발생할 수 있다. 여기서 상기 목표 범위는 발광 특성값이 도 10과 같은 CIE 색 좌표계에서 목표 범위(A) 내에 들어오도록 미리 정해 놓은 디지털 값일 수 있다. 이동 제어부(22)는 양자점 결정부(21)로부터의 제어신호에 따라 복수의 양자점 마스크들(71, 72) 중 어느 하나 이상에서 변경 선택된 양자점셀을 포함한 해당 다층 구조의 양자점셀들이 불량 LED로부터 나오는 빛의 방향에 오도록 복수의 양자점 마스크들(71, 72)의 회전 이동을 구동할 수 있다(S160). 여기서, 복수의 양자점 마스크들(71, 72) 중 하부 마스크(71)만 회전시켜 하부의 양자점셀만 변경 선택되도록 할 수도 있으며, 상부 마스크(72)만 회전시켜 상부의 양자점셀만 변경 선택되도록 할 수도 있으며, 또는 복수의 양자점 마스크들(71, 72)을 모두 회전시켜 양측의 양자점셀들이 모두 변경 선택되도록 할 수도 있다.
이에 따라 복수의 양자점 마스크들(71, 72) 중 어느 하나 이상에서 변경 선택된 양자점셀을 포함한 해당 다층 구조의 양자점셀들이 불량 LED로부터 나오는 빛의 방향에 오게 되면, 위와 같이 광검출기(13)가 발광 특성값을 측정하는 과정, 리페어 제어기(15)가 발광 특성값과 목표 범위를 비교하는 과정, 다시 양자점 마스크(12)의 다른 양자점셀로 변경하는 과정 등 리페어 양자점을 결정하기 위한 동작이 반복될 수 있다.
위와 같은 과정에 따라 양자점 결정부(21)가 리페어 양자점을 결정한 후에는, 해당 리페어 양자점에 대한 정보를 양자점 디스펜서(14)로 전송할 수 있다(S180).
양자점 디스펜서(14)는 양자점 결정부(21)에서 결정된 리페어 양자점 정보에 따라 해당 양자점 혼합 용액을 이용하여 불량 LED의 최상층 위에 양자점 혼합 용액을 도포할 수 있다(S190). 양자점 디스펜서(14)는 발광 파장 특성이 서로 다르게 구분되어 양자점 혼합 용액들이 담긴 복수의 용기(예를 들어, A'~F')를 가지며, 양자점 결정부(21)에서 결정된 리페어 양자점에 따라 해당 양자점 혼합 용액을 선택하여 불량 LED의 최상층 위에 도포하여 코팅할 수 있다. 예를 들어, 양자점 결정부(21)에서 양자점셀 A가 리페어 양자점으로 결정된 경우에, 양자점 디스펜서(14)는 양자점 혼합 용액 용기 A'에서 해당 용액을 토출시켜 불량 LED의 최상층 위에 도포하여 코팅할 수 있다.
또는, 도 7과 같은 복수의 양자점 마스크들(71, 72)이 이용되는 경우에는, 예를 들어, 양자점 결정부(21)에서 하부 마스크(71)의 양자점셀 A와 하부 마스크(72)의 양자점셀 Q로 이루어진 양자점셀 조합이 리페어 양자점으로 결정될 수 있고, 이때 양자점 디스펜서(14)는 적절한 양자점 혼합 용액 용기에서 해당 용액을 토출시켜 불량 LED의 최상층 위에 도포하여 코팅할 수 있다. 이 경우에, 양자점 디스펜서(14)는 리페어 양자점으로 결정된 해당 양자점셀들(예를 들어, A, Q) 각각에 대응되는 양자점 혼합 용액(예를 들어, A', Q')으로 불량 LED의 최상층 위에 다층 구조의 양자점 혼합 용액을 도포할 수도 있다. 즉, 양자점 혼합 용액 A'로 코팅한 후, 그 위에 다시 양자점 혼합 용액 Q'로 코팅할 수 있다. Q' 용기가 도 5에는 도시되지 않았지만, 해당 용기를 추가할 수 있다.
이와 같이 양자점 혼합 용액을 이용한 양자점 혼합 용액의 도포 후에는 소정 건조 장치로 건조될 수 있으며, 필요한 경우에 그 위에 투명한 수지계 절연 물질을 코팅하여 해당 양자점층이 형성되도록 할 수도 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (17)

  1. 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 단계;
    측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나는 해당 발광 다이오드를 불량 발광 다이오드로 판별하는 단계; 및
    상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발광 특성값은 색상 또는 휘도에 대한 디지털값을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 양자점층을 형성하는 단계는,
    소정 반도체 나노 결정으로 이루어지는 양자점이 분산 용매에 혼합된 용액을 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 도포하고 건조하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 양자점층을 형성하는 단계는,
    상기 불량 발광 다이오드를 동작시킬 때 상기 불량 발광 다이오드로부터 나오는 빛을 복수의 양자점셀들이 형성된 양자점 마스크에서 선택된 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대한 발광 특성값을 측정하는 단계;
    상기 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값과 목표 범위의 비교를 통하여 리페어 양자점을 결정하는 단계; 및
    상기 결정된 리페어 양자점에 대응되는 양자점 혼합 용액을 이용하여 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 리페어 양자점을 결정하는 단계는,
    상기 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위 이내이면 해당 선택된 양자점셀에 사용된 양자점을 상기 리페어 양자점으로 결정하는 단계; 및
    상기 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나면 상기 양자점 마스크의 다른 양자점셀에 대하여 상기 발광 특성을 재 측정하도록 제어하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 양자점셀에 통과시킨 후의 빛에 대한 발광 특성값을 측정하는 단계는,
    복수의 양자점 마스크들 각각에서 하나씩 선택된 양자점셀을 포함한 다층 구조의 양자점셀들에 상기 불량 발광 다이오드로부터의 빛을 순차로 통과시킨 후의 빛에 대한 발광 특성값을 측정하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 리페어 양자점을 결정하는 단계는,
    상기 양자점셀들에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위 이내이면 상기 복수의 양자점 마스크들에서 선택된 양자점셀들의 조합에 시용된 양자점들을 상기 리페어 양자점으로 결정하는 단계; 및
    상기 양자점셀들에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나면 상기 복수의 양자점 마스크들 중 어느 하나 이상에서 변경 선택된 양자점셀을 포함한 해당 다층 구조의 양자점셀들에 대하여 상기 발광 특성값을 재 측정하도록 제어하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 양자점층을 형성하는 단계는,
    상기 리페어 양자점으로 결정된 상기 양자점셀들의 조합에 대응되는 양자점 혼합 용액을 이용하여 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 양자점층을 형성하는 단계는,
    상기 리페어 양자점으로 결정된 상기 양자점셀들의 각각에 대응되는 양자점 혼합 용액으로 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 다층 구조의 양자점층을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 방법.
  10. 발광 다이오드의 발광 특성값을 측정하는 광 검출 수단;
    측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나는 해당 발광 다이오드를 불량 발광 다이오드로 판별하는 판별 수단; 및
    상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 양자점 코팅 수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    복수의 양자점셀들이 형성된 양자점 마스크; 및
    상기 불량 발광 다이오드로부터 나오는 빛이 상기 양자점 마스크에서 선택된 양자점셀에 통과되어 나오는 빛에 대하여 측정된 발광 특성값과 목표 범위의 비교를 통하여 리페어 양자점을 결정하여 상기 양자점 코팅 수단을 제어하는 리페어 제어기를 더 포함하고,
    상기 양자점 코팅 수단은 상기 결정된 리페어 양자점에 대응되는 양자점 혼합 용액을 이용하여 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 리페어 제어기는,
    상기 양자점셀에 통과되어 나오는 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위 이내이면 해당 선택된 양자점셀에 사용된 양자점을 상기 리페어 양자점으로 결정하고, 상기 양자점셀에 통과되어 나오는 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나면 상기 발광 특성값을 재 측정하도록 제어신호를 발생하는 양자점 결정부; 및
    상기 제어신호에 따라 상기 양자점 마스크에서 다른 양자점셀이 상기 불량 발광 다이오드로부터 나오는 빛의 방향에 오도록 제어하는 이동 제어부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 양자점셀에 통과되어 나오는 빛의 발광 특성값을 측정하는 제2 광 검출 수단
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 양자점 마스크는,
    각각에 복수의 양자점셀들이 형성된 복수의 양자점 마스크들을 포함하고,
    상기 리페어 제어기는,
    상기 복수의 양자점 마스크들 각각에서 하나씩 선택된 양자점셀을 포함한 다층 구조의 양자점셀들에 상기 불량 발광 다이오드로부터의 빛을 순차로 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값과 상기 목표 범위의 비교를 통하여 리페어 양자점을 결정하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 양자점 결정부는,
    상기 양자점셀들에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위 이내이면 상기 복수의 양자점 마스크들에서 선택된 양자점셀들의 조합에 사용된 양자점들을 상기 리페어 양자점으로 결정하고, 상기 양자점셀들에 통과시킨 후의 빛에 대하여 측정된 발광 특성값이 목표 범위를 벗어나면 상기 발광 특성을 재 측정하도록 제2 제어신호를 발생하며,
    상기 이동 제어부는,
    상기 제2 제어신호에 따라 상기 복수의 양자점 마스크들 중 어느 하나 이상에서 변경 선택된 양자점셀을 포함한 해당 다층 구조의 양자점셀들이 상기 불량 발광 다이오드로부터 나오는 빛의 방향에 오도록 상기 복수의 양자점 마스크들의 이동을 구동하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 양자점 코팅 수단은,
    상기 리페어 양자점으로 결정된 상기 양자점셀들의 조합에 대응되는 양자점 혼합 용액을 이용하여 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 양자점층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 양자점 코팅 수단은,
    상기 리페어 양자점으로 결정된 상기 양자점셀들의 각각에 대응되는 양자점 혼합 용액으로 상기 불량 발광 다이오드의 최상층 위에 다층 구조의 양자점층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 리페어 장치.
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