TW201110406A - Method and apparatus for repairing light emitting diode using quantum dot coating - Google Patents

Description

201110406 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用量子點塗佈技術來修復發光 二極體之方法及裝置’特別關於一種修復發光二極體之方 法及裝置，其係藉由測量缺陷發光二極體之發光特徵值以 形成量子點層於該缺陷發光二極體，因而改善其發光色度 及亮度，進而將其調整為符合要求的產品，因而提升發光 二極體之良率。 【先前技術】 發光二極體係由化合物半導體所組成，其可例如包含 二五族化合物半導體中的氮化物，如氮化鎵（GaN)。基 本上，發光二極體包含一 p型半導體層及一 η型半導體 層，Ρ型半導體層及η型半導體層可例如對氮化物半導體 摻雜入ρ型或η型雜質而形成。另外，藉由在ρ型氮化物 半導體層與η型氮化物半導體層之間設置一主動層 (active layer )，可提升電子與電動的複合率 (recombination rate )，並可改善發光二極體之發光特性。 如圖1所示，一種習知發光二極體L·係包含一 ρ型 氮化物半導體層及—n型氮化物半導體層，且兩者分別與 外^電極EL連接。藉由對兩外部電極EL供電，可使 發光二極體L發出可見光。 為改善發光一極體的發光特性或改變其發 ^可在發光二極體L之一適當位置設置一量子 4 201110406 點層（quantum dot layer)，於此，發光二極體包含—p 型氮化物半導體層、-主動層及—n贱化物半導體層。 此外，如圖2所示，一種習知發光二極體除了心— P型氮化物半導體層、-主動層及—n型氮化物半導體 層，更包含-螢光層FL ’螢光層FL可提升發光特性。 當然’圖2所示之發光二極體亦可塗佈—量子點層，以改 變發出色光或改善發光特性。舉例而言，如圖3所示，— 種習知具有螢光層之發光二極體在塗佈量子點層之前，可 發出藍色光’而在塗佈可發出黃光波長之量子 後，其可發出白光。 除了上述具有基本架構的發光二極體之外，其他發光 二極體亦可在適當位置設置量子點層。藉由在發光二極體 之頂層上塗佈榮光層或量子點層，可達到高 光的發光二極體。 & 如圖4所示，在生產過程中，需要在檢測機台上對發 光二極體供電，並藉由光檢測器PD對發光二極體L之發 光強度進行檢測，以判斷發光二極體之好壞。然而，在檢 測過程中’總有-些發光二極體被列為缺陷之發光二極 體。由於發光二極體之生產良率關係到發光二極體之價 位。因此，如何藉由改善缺陷發光二極體之發光特性及色 度，使其變為符合要求之合格發光二極體，進而減少缺陷 發光二極體的數量以降低成本，實為#前重要課題之一。 【發明内容】 201110406 有鑑於上述課題，本發明之一目的在提供一種修復發 光二極體之方法及裝置，其係藉由測量發光二極體之發光 特徵值而塗佈量子點層於缺陷發光二極體，以改善其發光 色度或亮度，使其成為合格發光二極體，進而提升發光二 極體之生產良率。 為達上述目的，本發明提供一種修復發光二極體之方 法，其係包含下列步驟：測量一發光二極體之發光特徵 值；若發光特徵值偏離一目標範圍，則決定該發光二極體 為一缺陷發光二極體；以及形成一量子點層於該缺陷發光 二極體之頂層。 其中，發光特徵值係包含關於色度或亮度的數位資 訊。 其中，形成量子點層之步驟係包含設置一溶劑於該缺 陷發光二極體之頂層以及乾燥該溶劑。其中，溶劑係藉由 混合一量子點及一擴散介質而形成，該量子點係由一預設 之半導體奈来結晶組成。 其中，形成該量子點層之步驟包含當缺陷發光二極體 發光，且其光線穿過一量子點遮罩之其中之一量子點單元 時，測量該光線之一發光特徵值；藉由比對光線之發光特 徵值與目標範圍而決定一修復量子點；以及藉由使用對應 該修復量子點之一量子點混合溶劑而在該缺陷發光二極 體之該頂層上形成該量子點層。 其中，決定該修復量子點之步驟包含若該光線之該發 光特徵值落在該目標範圍内，則決定該量子點單元之一量 201110406 子點為該修復量子點；以及若該光線之該發光特徵值偏離 該目標範圍，則藉由控制來測量發光二極體所發出之光線 通過該量子點遮罩之另一量子點單元之一發光特徵值。 其中，當該光線分別經過複數量子點遮罩之一量子點 單元時，測量該光線之該發光特徵值。 其中，決定該修復量子點之步驟包含：若穿過該等量 子點單元之該光線之該發光特徵值落在該目標範圍内，則 決定該等量子點遮罩之該等量子點單元所使用之量子點 為該修復量子點；以及若穿過該等量子點單元之該光線之 該發光特徵值偏離目標範圍，則藉由控制來改變該等量子 點遮罩之至少其中之一之量子點單元並測量發光二極體 所發出之光線通過已改變之該等量子點單元之一發光特 徵值。 其中，形成量子點層之步驟中所形成之量子點層，係 藉由使用對應該等量子點單元之組合之量子點混合溶劑 而形成。 夕其中，形成量子點層之步驟中所形成之量子點層為一 夕層、構’其係藉由使用分別對應該等量子點單元之複數 量子點混合溶劑而形成。 為達上述目的，本發明提供一種修復發光二極體之裝 包含一光檢測單元、一決定單元以及一量子點塗佈 =—光檢測單it係、測量—發光二極體之—發光特徵值。 〜極體之發光特徵值偏離-目標範圍，決定單元決 疋“光一極體為一缺陷發光二極體。量子點塗佈單元 201110406 係形成一量子點層於缺陷發光二極體之一頂層。 修復發光二極體之裝置更包含至少一量θ子點遮罩以 及一修復控制模組。量子點遮罩係具有複數量子點單元。 ^中’該發光二極體所發出之光線係經過該量子點遮罩之 -量子點單元’歸復㈣模_比對該紐之—發光特 徵值，該目標範圍而決定—錢量子點，並㈣該量子點 塗佈單7L。其中’量子點塗佈單元係使用㈣該修復量子 點之一1子點混合溶劑而形成該量子點層於該缺陷發光 二極體之該頂層。 其中，修復控制模級更包含一量子點決定軍元以及一 移動控制單元。其巾，若該光線钱發光雜㈣在該目 標範圍内，則量子點蚊單元料㈣量子點單摘使用 之量子點為修復量子點，並a錢光線之該發光特徵值偏 離該目標範圍，則量子點決定單元產生—控制訊號以再次 量測該發紐徵值。㈣㈣單元係依餘他號作動以 使量子點遮罩之另-量子點單元移動至—光通過位置，缺 陷發光一極體所發出之光線係通過該光通過位置。 其中，修復控制模組更包含一第二光檢測單元，其係 測里通過該置子點單元之該光線之一發光特徵值。 其中，當修復發光二極體之裝置具有複數量子點遮罩 時，該等量子點遮罩分別具有複數量子點單元，該發光二 極體所發出之光線係經過該等量子點遮罩之複數量子點 單π，修復控制模組係比對該光線之發光特徵值與目標範 圍而決定該修復量子點。 201110406 其中，若通過該等量子點單元之該光線之發光特徵值 落在目標範圍内，則量子點決定單元係決定該等量子點單 凡所使用之複數量子點為修復量子點，並且若該光線之發 光特徵值偏離目標範圍，則量子點決定單元產生一控制訊 號以再次量測該發光特徵值。移動控制單元係依據控制訊 號而控制該等量子點遮罩之作動’以使該等量子點遮罩之 至少另一量子點單元移動至一光通過位置，缺陷發光二極 體所發出之光線係通過該光通過位置。 其中，量子點塗佈單元係使用一量子點混合溶劑而形 成量子點層於缺陷發光二極體之頂層，量子點混合溶劑係 對應於作為修復量子點之該等量子點單元之組合。 其中’量子點塗佈單元係使用複數量子點混合溶劑而 形成多層結構之量子點層於缺陷發光二極體之頂層。量子 點混合溶劑係分別對應作為修復量子點之該等量子點單 元。 【實施方式】 以下將參照相關圖式，說明依據本發明較佳實施例之 一種以量子點塗佈修復發光二極體的裝置及方法，其中相 同的元件將以相同的參照符號加以說明。 圖5為本發明較佳實施例之一種修復發光二極體之 裝置10的示意圖。 凊參照圖5所示’本發明較佳實施例之修復發光二極 體之裳置10包含一量子點遮罩12、一光檢測器13、一量 9 201110406 子點塗佈機14以及—修復控制模組i5。修復發光二極體 之裝置10可更包含一傳輸系統U。 本發明所揭露之修復發光二極體之褒置10,其可應 用於一發光二極體品質檢測平台，並可供應電源，可利^ 光檢測器13來測量—發光二極體所發出光線之—發光特 徵值，並依據發柄徵值（可例如為關於色度或亮度的數 位資訊）是否偏離-目標範圍而決定該發光二極體是否為 -缺陷發光二極體’並在該缺陷發光二極體結構的頂層形 成一量子點層，以改善其發光特性，例如改善其色度或亮 度’藉此’可修復發光二極體，並使其改變為合格產品。 如圖5所示，發光特徵值偏離目標範圍之發光二極體 係藉由一傳輸系統11傳送至一量子點遮罩12之下方。 量子點遮罩12係包含複數量子點單元（例如A〜 F)，量子點單元形成於一透光材料，例如是樹脂基材料 (resin-based material )。如圖6所示，該等量子點單元a 〜F係形成於量子點遮罩12，且當光線穿過該等量子點 單元時，係顯現不同的發光波長。量子點單元之量子點可 以包含化合物半導體奈米結晶’如硫化鎘（CdS) 、栖化 錦（CdSe)、碲化編（CdTe)、硫化鋅（ZnS)、砸化辞（ZnSe)、 碲化鋅（ZnTe)、硫化果（HgS)、硒化汞（HgSe)或碲化 汞（HgTe)、或其他類似材料。量子點單元a〜F可藉由 在量子點遮罩12上塗佈一量子點混合溶劑至不同位置並 使其乾燥而形成’量子點混合溶劑可藉由混合上述結晶及 —擴散媒介（例如甲笨、己烷或其他類似材料）而形成。 201110406 如圖7所示，本實施例亦可具有複數量子點遮罩，於 此係以量子點遮罩71及72為例。舉例而言，量子點遮罩 71具有複數量子點單元A、B、C，當光線通過量子點單 元A、B、C時，可顯現不同的發光波長，同樣地，量子 點遮罩72具有複數量子點單元Q、R、S，當光線通過量 子點單元Q、R、S時，可顯現不同的發光波長。並且當 光線通過量子點單元A、B、C與量子點單元Q、R、S之 組合時，可顯現不同的發光波長特性。此外，本發明亦可 具有三個以上之量子點遮罩。 光檢測器13可測量缺陷發光二極體所發出之光線通 過量子點遮罩12之一量子點單元之發光特徵值、或是測 量光線通過量子點遮罩71、72之複數量子點單元之發光 特徵值。於此，光檢測器13可藉由分析入射光之頻譜（或 波長）而產生關於入射光之色度資訊（例如一數位資訊）、 或是藉由分析入射光之強度而產生關於入射光之亮度資 訊（如一數位資訊）。 依據上述之測量結果，修復控制模組15係比較光檢 測器13所測量之發光特徵值與一預設的目標範圍，並藉 此決定一個或多個修復量子點，然後控制量子點塗佈機 14。 量子點塗佈機14可將一量子點混合溶劑設置於缺陷 發光二極體之頂層而形成一量子點層QL，該量子點混合 溶劑係對應修復控制模組15所決定的修復量子點。 量子點塗佈機14可具有複數容器（例如A'〜F’），容 11 201110406 器A〜F係容置具有不同發光波長特性的量子點混合溶 劑。量子點塗佈機14係依據修復控制模組丨5所決定之修 復量子點而選擇一量子點混合溶劑，並將該量子點混合溶 劑设置於缺陷發光二極體之頂層。容器内所容置之量子點 混合溶劑係由量子點混合擴散媒介而形成，其中，量子點 可包含化合物半導體奈米結晶’例如CdS、CdSe、CdTe、

ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe 或 HgTe 結晶，擴散媒介 例如為曱本、己烧或其他類似材料。量子點混合溶劑亦可 由其他方式來形成。當對應修復量子點之量子點混合溶劑 被设置於缺陷發光二極體之頂層時，發光二極體之發光波 長特性就可得到改善。在量子點混合溶劑設置於發光二極 體之頂層之後，可藉由一乾燥裝置將溶劑乾燥化。若有需 要，可在發光二極體上更設置一透光樹脂基的絕緣材料。 圖8為本發明較佳實施例之一種修復控制模組15的 方塊不思圖’修破控制模組15包含一量子點決定單元21 以及一移動控制單元22。 量子點決定單元21係比較光檢測器13所測量到通過 量子點遮罩12或量子點遮罩71及72之光線的發光特徵 值與一預設的目標範圍，並依據發光特徵值是否偏離目標 範圍而決定一對應的修復量子點、或是產生一控制訊號以 再次測量缺陷發光二極體所發出之光線的發光特徵值。 移動控制單元22係可依據量子點決定單元21輸出之 控制訊喊而控制直子點遮罩12或量子點遮罩71及72進 行旋轉，藉此量子點遮罩12之另一量子點單元可移動至 12 201110406 一光通過位置’或是量子點遮罩71及72之另一組合的量 子點單元可移動至光通過位置’缺陷發光二極體所發出之 光線可通過該光通過位置。據此，光檢測器13可再次測 量發光二極體對應該量子點單元或該量子點單元組合之 發光特徵值。 圖9為本發明較佳貫施例之一種修復發光二極體之 裝置10的操作流程圖，以下說明其操作過程。 首先，在步驟S110中，於一發光二極體品質檢測平 台，對一發光二極體供應電源，並藉由光檢測器13或其 他光檢測手段來測量發光二極體之發光特徵值，並藉由一 預設之決定手段將缺陷發光二極體判別並收集起來，其 中，缺陷發光二極體之發光特徵值（例如關於色度或亮度 的數位資訊）係偏離一目標範圍a。舉例而言，如圖1〇 所示之CIE色度座標圖，目標範圍a係對應至ciE色度 座標圖之一特定範圍，在該特定範圍内，一特定色度（例 如白色）具有一特定的亮度狀態。若光檢測手段所測量到 的發光特徵值（例如關於色度或亮度的數位資訊）偏離目 標範圍a ’則該發光二極體無法被當作商品販售出去並因 而被丢棄。 依據本發明，當一缺陷發光二極體的發光特徵值係偏 離目標乾圍a’但落在修復範圍b時，缺陷發光二極體可 藉由修復發光二極體之襞置1〇形成一量子點層於其上而 改善其發光色度或亮度，使其被修復改變為合格的產品。 其過程如下所述。 13 201110406 於步驟S120中，上述之缺陷發光二極體係藉由一傳 輸系統11傳送至量子點遮罩12的下方。如圖6所示，量 子點遮罩12具有複數量子點單&，當光線通過該等量子 點單元時，可顯現不同的發光波長特性。並且量子點遮罩 12之一量子點單元係移動至缺陷發光二極體的正上方， 以便測置發光二極體所發出之光線通過該量子點單元之 發光特徵值。 於步驟S130中，當量子點遮罩12之一量子點單元 係移動至缺陷發光二極體的正上方時，供電給發光二極體 而使其發光。在此步驟中，缺陷發光二極體可被固定在一 預設的治具，該治具具有預設的電極，可經由該等電極供 電給發光二極體以使其發光。 據此’於步驟S140中，光檢測器π可測量缺陷發 光二極體所發出之光線通過量子點遮罩12之量子點單元 之發光特徵值。於此，光檢測器13可藉由分析入射光之 頻譜（或波長）而產生關於入射光之色度資訊（例如一數 位資訊）、或是藉由分析入射光之強度而產生關於入射光 之壳度資訊（如一數位資訊）。 於步驟S150中，修復控制模組15係比較光檢測器 13所測量到之發光特徵值與一預設目標範圍。舉例而 言’若發光特徵值未偏離目標範圍，修復控制模組15之 量子點決定單元21可決定光線所通過之量子點單元之量 子點作為修復量子點（步驟S170)。 若在比較發光特徵值與目標範圍之後，發光特徵值偏 14 201110406 離目標範圍，則量子點決定單元21係產生〆控制訊號以 便再次測量缺陷發光二極體之發光特徵值。於此，目標範 圍可例如圖10所示之CIE色度座標圖中之〆範圍，該範 圍可以數位值的方式定義。於步騍S160中，移動控制單 元22可依據控制訊號控制量子點遮罩12轉動，使得量子 點遮罩12之另一量子點單元移動至一光通過位置，缺陷 發光二極體所發出之光線可通過該光通過位置。 當量子點遮罩12轉動使另一量子點單元移動至光通 過位置之後，上述之部分步驟可重覆執行，其中重覆的步 驟可包含藉由光檢測器13測量發光特徵值、修復控制模 組15比較發光特徵值與目標範圍、以及移動量子點遮罩 12或決定修復量子點。 另外，若是為量子點遮罩71、72的態樣，如圖7所 示，則於步驟S140中，光檢測器13係測量缺陷發光二 極體所發出之光線通過量子點遮罩71、72之量子點單元 之發光特徵值。於步驟S170中’若測量到之發光特徵值 未偏離目標範圍，則量子點決定單元21可決定缺陷發光 二極體發出之光線所通過之量子點單元之組合之量子點 作為修復量子點。 量子點遮罩12或量子點遮罩71、72可被控制而轉 動，以致另一量子點單元或另一量子點單元之組合移動至 光通過位置。據此，光檢測器13可再次測量對應另一量 子點單元或另一量子點單元之組合之發光特徵值。 在比較發光特徵值與目標範圍之後’若發光特徵值偏 15 201110406 離目標範圍，量子點決定單元21係產生一控制訊號以便 再次測量缺陷發光二極體之發光特徵值。於此，目標範圍 可例如圖10所示之CIE色度座標圖中之一範圍，該範圍 可以數位值的方式定義。於步驟S160中，移動控制單元 22可控制量子點遮罩71、72移動，使得量子點遮罩71、 72之至少一量子點單元移動至光通過位置。於此，可以 只移動量子點遮罩71、或只移動量子點遮罩72、或移動 量子點遮罩71及72。 據此，當量子點遮罩71、72之至少一量子點單元被 移動至光通過位置時，可重覆上述之步驟，例如藉由光檢 測器13測量發光特徵值、修復控制模組15比較發光特徵 值與目標範圍、以及移動量子點遮罩71、72或是決定修 復量子點。 於步驟S180中，在量子點決定單元21決定修復量 子點之後，關於修復量子點之資訊可傳送至量子點塗佈機 14 ° 於步驟S190中，量子點塗佈機14可依據關於修復 量子點之資訊而將對應的量子點混合溶劑塗佈至缺陷發 光二極體之頂層。量子點塗佈機14可具有複數容器（例 如A’〜F’），容器A’〜F'係分別容置具有不同發光波長特 性的量子點混合溶劑。量子點塗佈機14係依據量子點決 定單元21所決定之修復量子點而選擇一量子點混合溶 劑，並將該量子點混合溶劑設置於缺陷發光二極體之頂 層。舉例而言，當量子點決定單元21決定一量子點單元 16 201110406 A作為修復量子點，量子點塗佈機14可使容置於容器^ 内之量子點混合溶劑流出，並設置於缺陷發光二極體之頂 層。 另外，在複數量子點遮罩71、72的態樣中，舉例而 言，量子點決定單元21決定量子點遮罩71之一量子點單 το A與量子點遮罩72之一量子點單元Q之組合作為修復 量子點。在此情況下，量子點塗佈機14可使容置於對應 容器之量子點混合溶劑流出，並將其設置於缺陷發光二極 體之頂層而執行塗佈。其可例如，量子點塗佈機14使對 應於量子點單元A、Q之量子點混合容器q，之溶劑流 出而塗佈至發光二極體之頂層並形成多層結構。亦即，量 子點混合容器A'之溶劑係先被塗佈，然後量子點混合容 器Q'之溶劑再被塗佈。雖然在圖5中並無容器Q，，但其 可依需求而設置。 在形成量子點混合溶劑之後，可藉由一乾燥裝置將溶 劑乾燥。若需要，亦可更設置一透光樹脂基的絕緣材料。 藉由量子點的塗佈’上述修復發光二極體之裝置及方 法可藉由將罝子點層塗佈至發光二極體以改善其發光色 度或亮度，而使其得到修復並改變為合格之產品，進而 升發光二極體之良率。 以上所述僅為舉娜，而非驗触者^任何 本發明之精神與料’畤其進行之等效修改或變更 應包含於後附之申請專利範圍中。 g 17 201110406 【圖式簡單說明】 圖1為一種習知之發光二極體結構的示意圖； 圖2為另一種習知之發光二極體結構的示意圖； 圖3為另一種習知之發光二極體結構的示意圖； 圖4為一種習知之測量發光二極體之發光強度的示 意圖； 圖5為本發明較佳實施例之一種修復發光二極體之 裝置之示意圖； 圖6為本發明較佳實施例之一種量子點遮罩的示意 圖； 圖7為本發明較佳實施例之一種使用量子點遮罩測 量發光特徵值的示意圖； 圖8為本發明較佳實施例之一種修復控制模組的方 塊示意圖； 圖9為本發明較佳實施例之一種修復發光二極體之 裝置的操作流程圖；以及 圖10為一種CIE色度座標圖。 【主要元件符號說明】 10 :修復發光二極體之裝置 11 :傳輸系統 12、71、72 :量子點遮罩 13 :光檢測器 14 :量子點塗佈機 18 201110406 15 :修復控制模組. 21 :量子點決定單元 22 :移動控制單元 a :目標範圍 b:修復範圍 A〜F、Q、R、S :量子點單元 . A’〜F :容器 EL :外部電極 FL :螢光層 L :發光二極體 PD :光檢測器 QL :量子點層 S110〜S190 :以量子點塗佈修復發光二極體之方法之步驟 19

Claims (1)

1. 201110406 七、申請.專利範圍： 1、 一種修復發光二極體之方法，包含下列步驟： 測量一發光二極體之一發光特徵值； 若該發光特徵值偏離一目標範圍，判斷該發光二極體 為一缺陷發光二極體；以及 於該缺陷發光二極體之一頂層上形成一量子點層。 2、 如申請專利範圍第1項所述之修復發光二極體之方法， 其中該發光特徵值包含一數位資訊，該數位資訊係關 於色度或亮度。 3、 如申請專利範圍第1項所述之修復發光二極體之方法， 其中形成該量子點層之步驟係包含設置一溶劑於該缺 陷發光二極體之該頂層以及乾燥該溶劑，其中該溶劑 係藉由混合一量子點及一擴散介質而形成，該量子點 係由一預設之半導體奈米結晶組成。 4、 如申請專利範圍第1項所述之修復發光二極體之方法， 其中形成該量子點層之步驟包含： 當該缺陷發光二極體發光，且其光線穿過一量子點遮 罩之複數量子點單元的其中之一時，測量該光線之 一發光特徵值； 藉由比對該光線之該發光特徵值與該目標範圍而決定 一修復量子點；以及 藉由使用對應該修復量子點之一量子點混合溶劑而在 該缺陷發光二極體之該頂層上形成該量子點層。 5、 如申請專利範圍第4項所述之修復發光二極體之方法， 20 201110406 其中決定該修復量子點之步驟包含： 若該光線之該發光特徵值落在該目標範圍内，則決定 該量子點單元之一量子點為該修復量子點；以及 若該光線之該發光特徵值偏離該目標範圍，則藉由控 制來測量光線經過該量子點遮罩之另一量子點單元 之一發光特徵值。 6、 如申請專利範圍第4項所述之修復發光二極體之方法， 其中當該光線更經過另一量子點遮罩之一量子點單元 時，測量該光線之該發光特徵值。 7、 如申請專利範圍第6項所述之修復發光二極體之方法， 其中決定該修復量子點之步驟包含： 若穿過該等量子點單元之該光線之該發光特徵值落在 該目標範圍内，則決定該等量子點遮罩之該等量子 點單元所使用之複數量子點為該修復量子點；以及 若穿過該等量子點單元之該光線之該發光特徵值偏離 該目標範圍，則藉由控制來改變該等量子點遮罩之 至少其中之一之量子點單元，並測量通過已改變之 該等量子點單元之該光線之一發光特徵值。 8、 如申請專利範圍第7項所述之修復發光二極體之方法， 其中形成該量子點層之步驟係藉由使用對應被判斷為 該修復量子點之該等量子點單元之組合之該量子點混 合溶劑，而在該缺陷發光二極體之該頂層上形成該量子 點層。 9、 如申請專利範圍第7項所述之修復發光二極體之方法， 21 201110406 其中形成該量子點層之步驟係藉由使用分別對應被判 斷為該修復量子點之該等量子點單元之複數量子點混 合溶劑，而在該缺陷發光二極體之該頂層上形成該量子 點層，其中該量子點層係為一多層結構。 ίο、一種修復發光二極體之裝置，包含： 一光檢測單元，係測量一發光二極體之一發光特徵 值； 一決定單元，若該發光二極體之該發光特徵值偏離一 目標範圍，該決定單元係決定該發光二極體為一缺 陷發光二極體；以及 一量子點塗佈單元，係形成一量子點層於該缺陷發光 二極體之一頂層。 11、 如申請專利範圍第10項所述之修復發光二極體之裝 置，更包含： 至少一量子點遮罩，係具有複數量子點單元；以及 一修復控制模組，其中該發光二極體所發出之光線係 經過該量子點遮罩之一量子點單元，該修復控制模 組係比較該光線之一發光特徵值與該目標範圍而 決定一修復量子點，並控制該量子點塗佈單元， 其中該量子點塗佈單元係使用對應該修復量子點之 一量子點混合溶劑而形成該量子點層於該缺陷發 光二極體之該頂層。 12、 如申請專利範圍第11項所述之修復發光二極體之裝 置，其中該修復控制模組包含： 22 201110406 里子點決定單元，若該光線之該發光特徵值落在該 目標範圍内，則決定該量子點單元所使用之量子點 為該修復量子點，並且若該光線之該發光特徵值偏 離該目標範圍，則產生一控制訊號以再次測量該發 光特徵值；以及 一移動控制單元，係依據該控制訊號作動以使該量子 點遮罩之另一量子點單元移動至一光通過位置，該 缺陷發光二極體所發出之光線係通過該光通過位 置。 申請專利範圍第12項所述之修復發光二極體之裝 置’其中該修復控制模組更包含： 一第二光檢測單元，係測量通過該量子點單元之該光 線之一發光特徵值。 14如申晴專利範圍第12項所述之修復發光二極體之裝 置，其中當該修復發光二極體之裝置具有複數量子點 遮罩時，該等量子點遮罩分別具有複數量子點單元， 該發光二極體所發出之光線係經過該等量子點遮罩 之複數量子點單元，該修復控制模組係比較該光線之 該發光特徵值與該目標範圍而決定該修復量子點。 如申請專利範圍第14項所述之修復發光二極體之裝 置’其中右通過該專ΐ子點早元之該光線之該發光特 徵值落在該目標範圍内，則該量子點決定單元係決定 該等量子點單元所使用之複數量子點為該修復量子 點，並且若該光線之該發光特徵值偏離該目標範圍， 23 201110406 則產生一控制訊號以再次測量該發光特徵值；以及 該移動控制單元係依據該控制訊號而控制該等量子 點遮罩之作動，以使該等量子點遮罩之至少另一量 子點單元移動至一光通過位置，該缺陷發光二極體 所發出之光線係通過該光通過位置。 16、 如申請專利範圍第15項所述之修復發光二極體之裝 置，其中該量子點塗佈單元係使用對應作為該修復量 子點之該等量子點單元之組合之一量子點混合溶劑 而形成該量子點層於該缺陷發光二極體之該頂層。 17、 如申請專利範圍第15項所述之修復發光二極體之裝 置，其中該量子點塗佈單元係使用分別對應作為該修 復量子點之該等量子點單元之複數量子點混合溶劑 而形成該量子點層於該缺陷發光二極體之該頂層，該 量子點層為一多層結構。 24