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WO2011013779A1 - 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 - Google Patents

極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 Download PDF

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WO2011013779A1
WO2011013779A1 PCT/JP2010/062854 JP2010062854W WO2011013779A1 WO 2011013779 A1 WO2011013779 A1 WO 2011013779A1 JP 2010062854 W JP2010062854 W JP 2010062854W WO 2011013779 A1 WO2011013779 A1 WO 2011013779A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
laser
target material
light
plasma
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2010/062854
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正人 守屋
英行 林
徹 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Komatsu Ltd
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd, Gigaphoton Inc filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP2011524841A priority Critical patent/JP5612579B2/ja
Publication of WO2011013779A1 publication Critical patent/WO2011013779A1/ja
Priority to US13/349,355 priority patent/US8502178B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/002—Supply of the plasma generating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
    • H05G2/0084—Control of the laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
    • H05G2/0088—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam for preconditioning the plasma generating material

Definitions

  • This disclosure relates to an extreme ultraviolet (EUV) light source device, a method for controlling the extreme ultraviolet light source device, and a recording medium on which the program is recorded.
  • EUV extreme ultraviolet
  • an EUV (Extreme Ultraviolet) light source device such as an LPP (Laser-Produced Plasma) system may require a high output of, for example, 100 W or more.
  • a driver laser used in an EUV light source apparatus may be required to have a high output of 10 kW or more.
  • a laser light source capable of high output such as a CO 2 laser, is usually used as the driver laser.
  • the driver laser that outputs the laser light irradiated to the target can be operated (burst operation) only when necessary for exposure.
  • the laser beam from the driver laser during burst operation is preferably stable.
  • An extreme ultraviolet light source device is an extreme ultraviolet light source that irradiates a target material with laser light from a laser device, converts the target material into plasma, and outputs extreme ultraviolet light emitted from the plasma target material
  • the apparatus emits the extreme ultraviolet light in a continuous pulse
  • the laser apparatus A burst control unit may be provided that performs control to avoid the plasma formation of the target material by the laser beam while continuously outputting the laser beam.
  • a method for controlling a light source device irradiates a target material with laser light from a laser device to convert the target material into plasma, and outputs extreme ultraviolet light emitted from the plasma target material.
  • a method of controlling the light source device in the case of continuous pulse emission of the extreme ultraviolet light, irradiating the target material with laser light continuously pulsed from the laser device, to stop the continuous pulse emission,
  • the laser device may include continuously pulsing the laser beam and avoiding the plasma of the target material by the laser beam.
  • a recording medium on which a program according to another aspect of the present disclosure is recorded the target material is irradiated with laser light from a laser device to plasma the target material, and extreme ultraviolet light emitted from the plasma target material is emitted.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an EUV light source apparatus according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a time chart showing an operation in the continuous light emission stop period according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a burst control processing procedure according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period of Modification 1 of Embodiment 1 of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a configuration of an EUV light source apparatus according to the first modification of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 1 of Embodiment 1 of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a flowchart showing a burst control processing procedure according to the first modification of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period of Modification 2 of Embodiment 1 of the present disclosure.
  • FIG. 10 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 2 of Embodiment 1 of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a flowchart illustrating a burst control processing procedure according to the second modification of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 12 is a schematic diagram illustrating a configuration of an EUV light source apparatus according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a schematic diagram for explaining the operation of generating EUV light by pre-plasma irradiation according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 is a schematic diagram for explaining the operation of generating EUV light by fragment irradiation according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 15 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 is a time chart illustrating an operation in the continuous light emission stop period according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 17 is a flowchart showing a burst control processing procedure according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 18 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period of Modification 1 of Embodiment 2 of the present disclosure.
  • FIG. 19 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 1 of Embodiment 2 of the present disclosure.
  • FIG. 20 is a flowchart illustrating a burst control processing procedure according to the first modification of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 21 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period of Modification 2 of Embodiment 2 of the present disclosure.
  • FIG. 22 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 2 of Embodiment 2 of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a flowchart showing a burst control processing procedure according to the second modification of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 24 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period of Modification 3 of Embodiment 2 of the present disclosure.
  • FIG. 25 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 3 of Embodiment 2 of the present disclosure.
  • FIG. 26 is a flowchart illustrating a burst control processing procedure according to the third modification of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 27 is a schematic diagram illustrating a configuration of an EUV light source apparatus that performs coaxial irradiation that substantially matches the focal points of the prepulse light and the laser pulse light according to the fourth modification of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 28 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 29 is a time chart illustrating an operation in the continuous light emission stop period according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 30 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period of Modification 1 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 31 is a time chart showing an operation in the continuous light emission stop period of Modification 1 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 32 is a schematic diagram illustrating a configuration of an EUV light source apparatus according to Modification 2 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 33 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period of Modification 2 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 34 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 2 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 35 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 2 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 36 is a diagram showing ON / OFF control patterns of the charging electrode and the acceleration voltage mechanism for the continuous light emission period and the continuous light emission stop period.
  • FIG. 37 is a schematic diagram illustrating a configuration of an EUV light source apparatus according to Modification 3 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 34 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 2 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 35 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 2 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 38 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period of Modification 3 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 39 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of Modification 3 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 40 is a time chart illustrating an operation in the continuous light emission stop period of the second modification 3 of the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 41 is a schematic diagram for explaining the operation in the continuous light emission stop period of the third modification 3 of the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 42 is a time chart showing an operation in the continuous light emission stop period of the third modification 3 of the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 43 is a time chart showing the operation in the continuous light emission stop period of the fourth modification 3 of the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 44 is a diagram showing an on / off control pattern of the charging electrode and the deflection mechanism for the continuous light emission period and the continuous light emission stop period.
  • FIG. 45 is a schematic diagram illustrating a configuration of an EUV light source apparatus according to Modification 4 of Embodiment 3 of the present disclosure.
  • FIG. 46 is a schematic diagram showing a target supply mechanism to which the drop-on-demand method is applied.
  • FIG. 47 is a block diagram illustrating a schematic configuration example of various controllers according to the embodiments of the present disclosure and modifications thereof.
  • each drawing merely schematically shows the shape, size, and positional relationship to the extent that the contents of the present disclosure can be understood. Therefore, the present disclosure is illustrated in each drawing. It is not limited to only the shape, size, and positional relationship. Moreover, in each figure, a part of hatching in a cross section is abbreviate
  • Embodiment 1 of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings.
  • an EUV light source device using the LPP method is taken as an example, but the present invention is not limited to this, and an EUV light source device using a DPP method or SR method may be used.
  • a case where the target material is converted into plasma by one-stage laser irradiation is taken as an example.
  • the present invention is not limited to this. It may be the case.
  • this Embodiment 1 may be applied also to a laser apparatus, a laser processing apparatus, etc.
  • continuous light emission operation refers to an operation (period) in which EUV light is continuously output.
  • the continuous light emission stop operation refers to an operation (period) in which the output of EUV light is stopped.
  • Burst operation refers to alternate operation (period) of continuous light emission operation and continuous light emission stop operation.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of an extreme ultraviolet (EUV) light source device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • EUV extreme ultraviolet
  • L ⁇ b> 1 pulsed laser light
  • the light is condensed on a droplet 13 of tin (Sn) as a target material.
  • Sn tin
  • EUV light L10 in a desired wavelength band is exposed by being reflected by, for example, an EUV collector mirror M3 that selectively reflects this wavelength band. It is output to the device 20 side.
  • a desired wavelength band for example, a wavelength band near 13.5 nm
  • the driver laser 1 also includes an oscillator 2 that oscillates the seed light of the laser pulse light L1, and a preamplifier 3 and a main amplifier 4 that amplify the seed light output from the oscillator 2.
  • various lasers such as a semiconductor laser can be used.
  • the laser pulse light oscillated from the oscillator 2 may be amplified by, for example, a preamplifier 3 and a main amplifier 4 which are amplifiers provided in two stages.
  • an amplifier using a mixed gas containing CO 2 gas as an amplification medium can be used.
  • the laser pulse light L1 output from the driver laser 1 is guided to the EUV chamber 10 by an optical system including a mirror M1, for example, and then enters the EUV chamber 10 through a window W1 provided in the EUV chamber 10.
  • a condensing mirror M2 that is an off-axis paraboloidal mirror and an EUV condensing mirror M3 having a through hole formed near the center of the reflecting surface may be provided.
  • the condensing mirror M2 highly reflects the laser pulse light L1 incident through the window W1.
  • the highly reflected laser pulse light L1 passes through the through hole of the EUV collector mirror M3, and is then collected near the plasma generation site P10.
  • the condenser mirror M2 may be disposed outside the EUV chamber 10.
  • the laser pulse light L1 reflected by the optical system including the mirror M1 is reflected by the condensing mirror M2, and then passes through the through-holes of the window W1 and the EUV condensing mirror M3 to the plasma generation site P10. Condensate.
  • the EUV chamber 10 may be provided with a target supply unit 11 for supplying a target material in the form of a droplet 13.
  • the target supply unit 11 discharges the droplet 13 toward the plasma generation site P10 in the EUV chamber 10, for example.
  • the target supply unit 11 may adjust the discharge timing and / or position of the droplet 13 so that the laser pulse light L1 is focused on the discharged droplet 13 near the plasma generation site P10.
  • the driver laser 1 adjusts the oscillation timing and / or position of the laser pulse light L1 so that the laser pulse light L1 is focused on the droplet 13 passing near the plasma generation site P10. May be.
  • the target material is not limited to the form of droplets, but may be supplied into the EUV chamber 10 in the form of a solid target such as a wire or ribbon or disk. In this case, it is desirable that a mechanism for circulating or rotating the wire, ribbon, or disk periodically or on demand is provided in the EUV chamber 10.
  • the target material is Sn
  • light L is emitted radially from the plasma generated by condensing the laser pulse light L1.
  • This light L includes, for example, EUV light L10 having a wavelength band near 13.5 nm.
  • the laser pulse light L1 can be converted into EUV light L10 with a conversion efficiency CE (conversion efficiency) of about 2% to 4%, for example.
  • the EUV light L10 is selectively reflected by the EUV collector mirror M3 having a focus as described above.
  • the reflected EUV light L10 is condensed so that the image is transferred to the hole of the pinhole PH. Thereafter, the EUV light L10 passes through the hole of the pinhole PH and is output to the exposure apparatus 20 side.
  • a laser damper LDP1 for absorbing laser light that has not contributed to plasma generation may be provided on the optical axis of the laser pulse light L1.
  • a target recovery device DP1 for recovering a target material that has not become plasma may be provided on the orbit of the droplet 13.
  • the EUV light source controller C may control the EUV light source device 100.
  • the EUV light source controller C may control oscillation and / or amplification of the driver laser 1 via, for example, the laser controller C2.
  • the EUV light source controller C may output the oscillation timing control signal S2 from the laser controller C2 to the oscillator 2 to control the oscillation timing of the laser pulse light L1.
  • the EUV light source controller C may output the target generation signal S4 to the target supply unit 11 to control the ejection of the droplets 13.
  • the EUV light source controller C may control the condensing position and / or posture of the condensing mirror M2 via the mirror controller C3.
  • the imaging device 12 images, for example, the vicinity of the plasma generation site P10.
  • the imaging result by the imaging device 12 is input to the EUV light source controller C, for example. Further, the imaging result may be input to the mirror controller C3.
  • the EUV light source controller C or the mirror controller C3 outputs a mirror drive control signal S3 to the mirror actuator M2a so that the laser pulse light L1 is focused on the plasma generation site P10 based on the imaging result by the imaging device 12.
  • the direction of the condenser mirror M2 can be controlled. Further, the EUV light source controller C determines the timing of the target supply unit 11 and the driver laser 1 so that the laser pulse light L1 is irradiated to the droplet 13 near the plasma generation site P10 based on the imaging result by the imaging device 12. Take control.
  • the EUV light source controller C may have a burst control unit C1.
  • the burst controller C1 performs a burst control process for causing the EUV light L10 to emit light in bursts based on the burst emission instruction signal S1 from the exposure apparatus 20 side.
  • the burst light emission means light emission in a burst operation. In this burst operation, a period in which pulsed EUV light L10 is continuously output at a constant frequency (continuous light emission period) and a period in which output of EUV light is stopped (continuous light emission stop period) are alternately repeated. is there.
  • the exposure apparatus 20 may perform an exposure process using the average energy of the EUV light L10 emitted in burst.
  • the burst control unit C1 outputs the timing (oscillation timing) at which the driver laser 1 outputs the laser pulse light L1 so that the laser pulse light L1 irradiates the droplet 13 during the continuous light emission period of the burst operation. ) To control.
  • the burst control unit C1 performs control to shift the oscillation timing of the laser pulse light L1 by changing the oscillation timing control signal S2. In a state in which the oscillation timing of the laser pulse light L1 is shifted, the laser pulse light L1 is not irradiated onto the droplet 13, so that the generation of the light L including the EUV light L10 can be stopped.
  • the burst control unit C1 causes the laser pulse light L1 to irradiate the droplet 13 near the plasma generation site P10. Controls the oscillation timing.
  • the burst control unit C1 shifts the oscillation timing of the laser pulse light L1 by a period ⁇ t1 with respect to the oscillation timing during the continuous light emission period. Let Due to this time lag, the laser pulse light L1 is not irradiated onto the droplet 13, and therefore the generation of the light L including the EUV light L10 can be stopped.
  • the shift direction of the oscillation timing may be a direction to advance the timing or a direction to delay the timing. In other words, it is only necessary that the oscillation timing of the laser pulse light L1 can be shifted so that the droplet 13 is not irradiated with the laser pulse light L1.
  • the EUV light source controller C performs processing for starting generation of the droplet 13 for the target supply unit 11 (step S101). Thereafter, the EUV light source controller C measures the position (which may be an orbit) and velocity of the droplet 13 based on the imaging result near the plasma generation site P10 by the imaging device 12 (step S102). Thereafter, the EUV light source controller C predicts the time (plasma generation site arrival time) from the drive timing of the target supply unit 11 (for example, the output timing of the target generation signal S4) until the droplet 13 arrives at the plasma generation site P10. Then, an oscillation trigger timing for controlling the oscillation timing of the laser pulse light L1 is determined based on the predicted plasma generation site arrival time (step S103).
  • the burst controller C1 of the EUV light source controller C determines whether or not it is currently in the continuous light emission period T2 (step S104).
  • the burst controller C1 outputs to the oscillator 2 an oscillation timing control signal S2 that oscillates the laser pulse light L1 at the oscillation trigger timing determined in step S103 ( Step S105).
  • the laser pulse light L1 output from the driver laser 1 is irradiated to the droplet 13, and EUV light L10 is produced
  • the burst control unit C1 delays the oscillation trigger timing determined in step S103 by, for example, the period ⁇ t1 ( Step S106: Refer to FIG. 3D), and output the oscillation timing control signal S2 whose timing is changed to the oscillator 2 (Step S105).
  • the laser pulse light L1 is oscillated with a delay of the period ⁇ t1
  • the droplet 13 is not irradiated.
  • the emission of the EUV light L10 is stopped.
  • the EUV light source controller C determines whether or not the burst light emission instruction signal S1 indicating the exposure end is input from the exposure apparatus 20 side (step S107). If the exposure is not ended (No in step S107), the process proceeds to step S102. Transition to the above-described burst operation is continued. On the other hand, when it is the end of exposure (step S107, Yes), the EUV light source controller C stops generating the droplet 13 (step S108), and ends this process.
  • the following effects may be expected. 1) Reduce damage to optical elements in the EUV chamber 10, such as the EUV collector mirror M3. As a result, the lifetime of the EUV light source device is extended. 2) Since the driver laser 1 continuously operates during burst operation, the optical system of the driver laser 1 is thermally stabilized. Thereby, the laser pulse light L1 is irradiated to the droplet 13 at a stable position and energy. As a result, stable EUV light L10 is output. 3) Since the driver laser 1 continuously emits light during burst operation, fluctuations in the thermal load of the driver laser 1 can be reduced. Thereby, the damage by the thermal load fluctuation
  • the laser pulse light L1 is continuously oscillated during the burst operation, so that the condensing state of the laser pulse light L1 in the continuous light emission period T2 is stabilized, and the follow-up performance of the energy control As a result, stable EUV light emission control can be performed.
  • the generation of the EUV light L10 is stopped while continuously oscillating the laser pulse light L1 by shifting the oscillation timing of the laser pulse light L1.
  • the present invention is not limited to this.
  • the generation of the EUV light L10 can be stopped while continuously oscillating the laser pulse light L1 by shifting the optical axis of the laser pulse light L1.
  • this case will be described as a first modification of the first embodiment.
  • the optical axis CI of the laser pulse light L1 is made to coincide with the plasma generation site P10 during the continuous light emission period T2.
  • the optical axis CI of the laser pulse light L1 is shifted from the optical axis CI to the optical axis CIa.
  • the driver laser 1 may be continuously emitted during the burst operation.
  • a laser damper LDP2 may be provided on the optical axis CIa.
  • the optical axis shift of the laser pulse light L1 can be performed by driving the mirror actuator M2a via the mirror controller C3, for example, as shown in FIG.
  • the optical axis of the laser pulse light L1 shifts from, for example, the optical axis CI to the optical axis CIa.
  • a mirror actuator M1a may be provided in the mirror M1, and the mirror actuator M1a may be driven by a mirror drive control signal S6 to shift the optical axis of the laser pulse light L1.
  • the EUV light source controller C performs processing for starting generation of the droplet 13 for the target supply unit 11 (step S201). After that, the EUV light source controller C measures the position (which may be an orbit) and speed of the droplet 13 based on the imaging result near the plasma generation site P10 by the imaging device 12 (step S202). Thereafter, the EUV light source controller C predicts the plasma generation site arrival time, and determines the oscillation trigger timing of the laser pulse light L1 based on the predicted plasma generation site arrival time (step S203).
  • the burst control unit C1 of the EUV light source controller C determines whether or not it is currently in the continuous light emission period T2 (step S204). If it is during the continuous light emission period T2 (step S204, Yes), the burst controller C1 determines whether or not the current optical axis CI of the laser pulse light L1 is not shifted and is normal (step S205). Thereafter, when there is an optical axis deviation CIa of the laser pulse light L1 (No at Step S205), the burst control unit C1 returns the optical axis deviation CIa of the laser pulse light L1 (Step S206), and is determined at Step S203.
  • An oscillation timing control signal S2 for oscillating the laser pulse light L1 at the oscillation trigger timing is output to the oscillator 2 (step S209). Thereby, the laser pulse light L1 output from the driver laser 1 is irradiated to the droplet 13, and EUV light L10 is produced
  • step S204 determines whether or not the optical axis CI of the current laser pulse light L1 is shifted. Judgment is made (step S207). Thereafter, when there is no optical axis deviation CIa of the laser pulse light L1 (No in step S207), the burst control unit C1 generates the optical axis deviation CIa of the laser pulse light L1 (step S208), and then determines in step S203.
  • An oscillation timing control signal S2 for oscillating the laser pulse light L1 at the oscillation trigger timing thus output is output to the oscillator 2 (step S209). Thereby, since the laser pulse light L1 output from the driver laser 1 is not irradiated to the droplet 13, the generation of the EUV light L10 is stopped.
  • the EUV light source controller C determines whether or not the burst light emission instruction signal S1 indicating the end of exposure is input from the exposure apparatus 20 side (step S210). If the exposure is not ended (No in step S210), the process proceeds to step S202. The burst operation described above is continued. On the other hand, when it is the end of exposure (step S210, Yes), the EUV light source controller C stops generating the droplet 13 (step S211), and ends this process.
  • the following effects may be expected. . 1) Reduce damage to optical elements in the EUV chamber 10, such as the EUV collector mirror M3. As a result, the lifetime of the EUV light source device is extended. 2) Since the driver laser 1 continuously operates during burst operation, the optical system of the driver laser 1 is thermally stabilized. Thereby, the laser pulse light L1 is irradiated to the droplet 13 at a stable position and energy. As a result, stable EUV light L10 is output.
  • the focus F1 of the laser pulse light L1 is made to coincide with the plasma generation site P10.
  • the position of the focus F1 of the laser pulse light L1 is set to, for example, the focus F1a shifted in the optical axis CI direction.
  • the focus shift of the laser pulse light L1 can be performed by driving the mirror actuators M1a and M2a via the mirror controller C3 as shown in FIG.
  • the focus position of the laser pulse light L1 is shifted in the direction A2.
  • the focus F1 of the laser pulse light L1 may be shifted by controlling the divergence angle of the laser beam output from the driver laser 1 with an actuator (not shown).
  • the mirror actuator M2a is driven during a period including the continuous light emission stop period T1 from the time point t3 to the time point t4 to cause a focus shift of the laser pulse light L1. Then, even if the laser pulse light L1 is irradiated to the droplet 13, the energy density is low, so the droplet 13 is not turned into plasma. Therefore, plasma is not generated at plasma generation timings t1a and t2a (see FIG. 10D). As a result, the EUV light L10 is not generated at the EUV emission timings t1a and t2a (see FIG. 10E).
  • the EUV light source controller C performs processing for starting generation of the droplet 13 for the target supply unit 11 (step S301). Thereafter, the EUV light source controller C measures the position (which may be an orbit) and the velocity of the droplet 13 based on the imaging result near the plasma generation site P10 by the imaging device 12 (step S302). Thereafter, the EUV light source controller C predicts the plasma generation site arrival time, and determines the oscillation trigger timing of the laser pulse light L1 based on the predicted plasma generation site arrival time (step S303).
  • the burst control unit C1 of the EUV light source controller C determines whether or not it is currently in the continuous light emission period T2 (step S304). When it is during the continuous light emission period T2 (step S304, Yes), the burst controller C1 determines whether the focus F1 of the current laser pulse light L1 is not shifted and is normal (step S305). . Thereafter, when there is a focus shift F1a of the laser pulse light L1 (No in step S305), the burst control unit C1 returns the focus shift F1a of the laser pulse light L1 (step S306), and then the oscillation determined in step S303.
  • An oscillation timing control signal S2 for oscillating the laser pulse light L1 at the trigger timing is output to the oscillator 2 (step S309). Thereby, the laser pulse light L1 output from the driver laser 1 is irradiated to the droplet 13, and EUV light L10 is produced
  • step S304, No when it is not during the continuous light emission period T2 (step S304, No), that is, when it is the continuous light emission stop period T1, the burst controller C1 determines whether or not the focus F1 of the current laser pulse light L1 is shifted. (Step S307). Thereafter, when there is no focus shift F1a of the laser pulse light L1 (No in step S307), the burst control unit C1 generates the focus shift F1a of the laser pulse light L1 (step S308), and is determined in step S303. An oscillation timing control signal S2 for oscillating the laser pulse light L1 at the oscillation trigger timing is output to the oscillator 2 (step S309). Thereby, since the droplet 13 does not become plasma with respect to the irradiation of the laser pulse light L1, the generation of the EUV light L10 is stopped.
  • the EUV light source controller C determines whether or not a burst light emission instruction signal S1 indicating the end of exposure has been input from the exposure apparatus 20 side (step S310). If the exposure has not ended (step S310, No), the process proceeds to step S302. The burst operation described above is continued. On the other hand, when it is the end of exposure (step S310, Yes), the EUV light source controller C stops generating the droplet 13 (step S311) and ends this process.
  • the following effects may be expected. . 1) Reduce damage to optical elements in the EUV chamber 10, such as the EUV collector mirror M3. As a result, the lifetime of the EUV light source device is extended. 2) Since the driver laser 1 continuously operates during burst operation, the optical system of the driver laser 1 is thermally stabilized. Thereby, the laser pulse light L1 is irradiated to the droplet 13 at a stable position and energy. As a result, stable EUV light L10 is output. 3) Since the driver laser 1 continuously emits light during burst operation, fluctuations in the thermal load of the driver laser 1 can be reduced. Thereby, the damage by the thermal load fluctuation
  • Embodiment 2 Next, a second embodiment of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings.
  • the second embodiment a case where the target material is converted into plasma by two-stage laser irradiation will be described as an example.
  • the second embodiment may be applied to a laser device, a laser processing device, or the like.
  • FIG. 12 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of the EUV light source apparatus 200 according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the EUV light source apparatus 200 according to the second embodiment further includes a prepulse laser 30 in addition to the configuration shown in FIG.
  • the prepulse light LP output from the prepulse laser 30 enters the EUV chamber 10 through the optical system including the mirror M4 and the window W2 provided in the EUV chamber 10. Thereafter, the pre-pulse light LP is reflected by the focusing mirror M5 having a focal point, thereby being focused on the droplet 13 passing near the pre-plasma generation site P11. Thereby, pre-plasma is generated from part or all of the droplet 13.
  • emits EUV light L10 is produced
  • the oscillation of the pre-pulse light LP is stopped during the continuous light emission stop period T1 in a state where the driver laser 1 is continuously operated during burst operation. Thereby, the production
  • a laser damper PDP1 that absorbs the pre-pulse light LP may be provided at the irradiation destination of the pre-pulse light LP.
  • the pre-plasma is a plasma having a relatively low electron temperature and / or electron density generated from the surface of the target material aggregate such as the droplet 13, or neutral particles, or a comparison of electron temperature and / or electron density.
  • the pre-pulse light LP is irradiated to the droplet 13 that passes near the pre-plasma generation site P11.
  • the pre-plasma PP is generated in the vicinity of the plasma generation site P20 that is the position in the vicinity of the pre-plasma generation site P11a corresponding to the position after the droplet 13 has moved for a minute time after the irradiation with the pre-pulse light LP. Therefore, in the second embodiment, the laser pulse light L1 is focused on the pre-plasma PP generated in the vicinity of the plasma generation site P20.
  • plasma which is a generation source of the EUV light L10 is generated from the pre-plasma PP.
  • the conversion efficiency (CE) from the laser pulse light L1 to the EUV light L10 can be increased by irradiating the pre-plasma PP close to the plasma state with the laser pulse light L1 to generate plasma.
  • a group of scattered target materials (fragments) generated by destroying the droplets 13 may be used for plasma generation.
  • a group of scattered target materials (fragments) generated by destroying the droplets 13 may be used for plasma generation.
  • laser pulse light having a pulse energy lower than that of the pre-pulse light LP for pre-plasma generation may be used for the pre-pulse light LP.
  • the droplet 13 is destroyed.
  • the scattering space FS is formed by the scattered objects in which the particles of the target material are scattered in the traveling direction of the prepulse light LP.
  • plasma that is a generation source of the EUV light L10 is generated (see FIG. 14B).
  • fragment irradiation as in the case where the pre-plasma PP is irradiated with the laser pulse light L1 (pre-plasma irradiation), for example, compared with the case where plasma is generated from the droplet 13 by one-stage laser irradiation.
  • the conversion efficiency (CE) from the laser pulse light L1 to the EUV light L10 can be increased.
  • the pulse energy of the laser pulse light L1 can be reduced, so that the driver laser 1 can be reduced in size and power consumption. Can be promoted.
  • the laser controller C2 controls the oscillation of the prepulse laser 30 under the control of the EUV light source controller C.
  • the burst controller C1 performs control so that the pre-plasma PP or the scattering space FS is not generated by stopping the oscillation of the pre-pulse light LP during the continuous light emission stop period T1.
  • the laser pulse light L1 is irradiated to the plasma generation site P20 where the pre-plasma PP is not generated, or as shown in FIG.
  • the scattering space FSa in which no fragment is generated is irradiated. Therefore, EUV light L10 is not generated.
  • the pre-pulse light oscillation trigger is generated at the timing th1b delayed from the timing th1 (FIG. 16 (c)).
  • a laser pulse light oscillation trigger is generated at this timing th1b (see FIG. 16D), and plasma is generated at a timing th1a delayed from this timing th1b (see FIG. 16E).
  • the EUV light L10 Emits light see FIG. 16F).
  • the pre-plasma PP is not generated (see FIGS. 16B and 16C). Therefore, even if the laser pulse light L1 is generated, plasma is not generated, and as a result, the EUV light L10 does not emit light (see FIGS. 16D to 16F). That is, the emission of the EUV light L10 can be stopped while the driver laser 1 is continuously operated.
  • the EUV light source controller C performs processing for starting generation of the droplet 13 for the target supply unit 11 (step S401). After that, the EUV light source controller C measures the position (may be an orbit) and speed of the droplet 13 based on the imaging result near the pre-plasma generation site P11 by the imaging device 12 (step S402). Thereafter, the EUV light source controller C determines the time from when the target supply unit 11 is driven (for example, the output timing of the target generation signal S4) until the droplet 13 arrives at the pre-plasma generation site P11 (pre-plasma generation site arrival time). The oscillation trigger timing of the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1 is determined based on the predicted pre-plasma generation site arrival time (step S403).
  • the burst controller C1 of the EUV light source controller C determines whether or not it is currently in the continuous light emission period T2 (step S404). If it is during the continuous light emission period T2 (step S404, Yes), the burst controller C1 oscillates the pre-pulse light LP (step S405), and then oscillates the laser pulse light L1 (step S406). Thereby, the pre-pulse light LP is irradiated to the droplet 13 to generate the pre-plasma PP, and the pre-plasma PP is irradiated to the laser pulse light L1 to generate the EUV light L10.
  • step S404 if it is not in the continuous light emission period T2 (No in step S404), that is, if it is in the continuous light emission stop period T1, the prepulse light LP is not oscillated and only the laser pulse light L1 is oscillated (step S406). Thereby, the EUV light L10 is not generated.
  • the EUV light source controller C determines whether or not the burst light emission instruction signal S1 indicating the end of exposure is input from the exposure apparatus 20 side (step S407). If the exposure is not ended (step S407, No), the process proceeds to step S402. Transition to the above-described burst operation is continued. On the other hand, when it is the end of exposure (step S407, Yes), the EUV light source controller C stops generating the droplet 13 (step S408), and ends this process.
  • the following effects may be expected. . 1) Reduce damage to optical elements in the EUV chamber 10, such as the EUV collector mirror M3. As a result, the lifetime of the EUV light source device is extended. 2) Since the driver laser 1 continuously operates during burst operation, the optical system of the driver laser 1 is thermally stabilized. Thereby, the laser pulse light L1 is irradiated to the droplet 13 at a stable position and energy. As a result, stable EUV light L10 is output.
  • the generation of the EUV light L10 is stopped by not oscillating the pre-pulse light LP.
  • the present invention is not limited to this, and the laser pulse light L1 is continuously oscillated by shifting the oscillation timing of the prepulse light LP (see FIG. 18A), for example, in the same manner as the laser pulse light L1 of the first embodiment. It is also possible to stop the generation of the EUV light L10. (See FIG. 18 (b)). Hereinafter, this case will be described as a first modification of the second embodiment.
  • the oscillation timing of the pre-pulse light LP is delayed by ⁇ t2 during the continuous light emission stop period T1.
  • the pre-plasma PP is not generated at the pre-plasma generation timings t1b and t2b, even if the laser pulse light L1 is oscillated at the laser pulse light oscillation timings t1b and t2b, the EUV light L10 at the EUV emission timings t1a and t2a. Does not emit light.
  • the prepulse laser 30 is operated for continuous light emission, it is possible to output a stable prepulse light LP as in the case of the driver laser 1. As a result, more stable EUV light L10 can be emitted.
  • the same effect can be obtained even if the oscillation timing of the pre-pulse light LP is advanced.
  • the EUV light source controller C performs processing for starting generation of the droplet 13 for the target supply unit 11 (step S501). Thereafter, the EUV light source controller C measures the position (which may be an orbit) and speed of the droplet 13 based on the imaging result near the pre-plasma generation site P11 by the imaging device 12 (step S502). Thereafter, the EUV light source controller C predicts the pre-plasma generation site arrival time, and determines the oscillation trigger timing of the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1 based on the predicted pre-plasma generation site arrival time (step S503).
  • the burst control unit C1 of the EUV light source controller C determines whether or not it is currently in the continuous light emission period T2 (step S504). If it is during the continuous light emission period T2 (step S504, Yes), the burst controller C1 oscillates the pre-pulse light LP as it is (step S505), and then oscillates the laser pulse light L1 (step S506). Thereby, the laser pulse light L1 is irradiated to the pre-plasma PP generated by the irradiation of the pre-pulse light LP, and EUV light L10 is generated.
  • step S504 when it is not during the continuous light emission period T2 (step S504, No), that is, when it is the continuous light emission stop period T1, the oscillation timing of the prepulse light LP is shifted (step S507) and then the prepulse light LP is oscillated (step S505). Subsequently, the laser pulse light L1 is oscillated (step S506). In this case, both the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1 oscillate, but the EUV light L10 does not emit light.
  • the EUV light source controller C determines whether or not the burst light emission instruction signal S1 indicating the exposure end is input from the exposure apparatus 20 side (step S508). If the exposure is not ended (step S508, No), the process proceeds to step S502. The burst operation described above is continued. On the other hand, when it is the end of exposure (step S508, Yes), the EUV light source controller C stops generating the droplet 13 (step S509), and ends this process.
  • the following effects may be expected. is there. 1) Reduce damage to optical elements in the EUV chamber 10, such as the EUV collector mirror M3. As a result, the lifetime of the EUV light source device is extended. 2) Since the driver laser 1 and the prepulse laser 30 are continuously emitted during the burst operation, the optical system of the driver laser 1 and the prepulse laser 30 is thermally stabilized.
  • the stable EUV light L10 can be output by the output of the stable laser pulse light L1 and the pre-pulse light LP.
  • the mirror actuator M5a is driven during the period including the continuous light emission stop period T1 from the time point t3 to the time point t4 to cause the optical axis shift of the pre-pulse light LP (see FIG. 12).
  • the pre-pulse light LP is not irradiated onto the droplet 13, and therefore the pre-plasma PP is not generated at the pre-plasma generation timings t1b and t2b (see FIG. 22D).
  • the EUV light L10 is not generated at the EUV emission timings t1a and t2a (see FIG. 22 (g)).
  • the EUV light source controller C performs processing for starting generation of the droplet 13 for the target supply unit 11 (step S601). Thereafter, the EUV light source controller C measures the position (which may be an orbit) and the velocity of the droplet 13 based on the imaging result of the pre-plasma generation site P11 by the imaging device 12 (step S602). Thereafter, the EUV light source controller C predicts the pre-plasma generation site arrival time, and determines the oscillation trigger timing of the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1 based on the predicted pre-plasma generation site arrival time (step S603).
  • the burst control unit C1 of the EUV light source controller C determines whether or not it is currently in the continuous light emission period T2 (step S604). If it is during the continuous light emission period T2 (step S604, Yes), the burst controller C1 determines whether or not the current optical axis CI1 of the pre-pulse light LP is not shifted and is normal (step S605). . Thereafter, when there is an optical axis deviation of the prepulse light LP (No in step S605), the burst control unit C1 returns the optical axis deviation of the prepulse light LP (step S606), and then the oscillation trigger timing determined in step S603.
  • the pre-pulse light LP is oscillated (step S609), and the laser pulse light L1 is further oscillated (step S610).
  • the pre-pulse light LP is irradiated to the droplet 13 to generate the pre-plasma PP
  • the pre-plasma PP is irradiated to the laser pulse light L1 to generate the EUV light L10.
  • step S607 it is determined whether or not the current optical axis CI1 of the pre-pulse light LP is shifted (step S607). Thereafter, when there is no optical axis shift of the prepulse light LP (No in step S607), the burst control unit C1 causes the optical axis shift of the prepulse light LP (step S608), and then the oscillation trigger determined in step S603.
  • the pre-pulse light LP is oscillated at the timing (step S609), and the laser pulse light L1 is further oscillated (step S610). In this case, since the droplet 13 is not irradiated with the prepulse light LP output from the prepulse laser 30, the generation of the EUV light L10 is stopped.
  • the EUV light source controller C determines whether or not the burst light emission instruction signal S1 indicating the end of exposure is input from the exposure apparatus 20 side (step S611). If the exposure is not ended (step S611, No), the process proceeds to step S602. The burst operation described above is continued. On the other hand, when it is the end of exposure (step S611, Yes), the EUV light source controller C stops generating the droplet 13 (step S612) and ends this process.
  • the following effects may be expected. 1) Reduce damage to optical elements in the EUV chamber 10, such as the EUV collector mirror M3. As a result, the lifetime of the EUV light source device is extended. 2) Since the driver laser 1 and the prepulse laser 30 are continuously emitted during the burst operation, the optical system of the driver laser 1 and the prepulse laser 30 is thermally stabilized.
  • the stable EUV light L10 can be output by the output of the stable laser pulse light L1 and the pre-pulse light LP.
  • Modification 3 of Embodiment 2 Similarly to the laser pulse light L1 of the second modification of the first embodiment, the laser pulse light L1 and the prepulse light LP are changed by shifting the focus F10 of the prepulse light LP to F10a (see FIG. 24A). It is also possible to stop the generation of the EUV light L10 while continuously oscillating (see FIG. 24B). Hereinafter, this case will be described as a third modification of the second embodiment.
  • the mirror actuator M5a and the mirror M4 of the prepulse laser 30 are driven during a period including the continuous light emission stop period T1 from the time point t3 to the time point t4 to cause defocusing of the prepulse light LP. (See FIG. 12).
  • the energy density of the pre-pulse light LP is lowered, so that the pre-plasma PP is not generated from the droplet 13 even by the irradiation with the pre-pulse light LP.
  • the pre-plasma PP is not generated at the pre-plasma generation timings t1b and t2b (see FIG. 25D), and as a result, the EUV light L10 is not generated at the EUV emission timings t1a and t2a (see FIG. 25G). ).
  • the EUV light source controller C performs processing for starting generation of the droplet 13 for the target supply unit 11 (step S701). Thereafter, the EUV light source controller C measures the position (which may be an orbit) and the velocity of the droplet 13 based on the imaging result near the pre-plasma generation site P11 by the imaging device 12 (step S702). Thereafter, the EUV light source controller C predicts the pre-plasma generation site arrival time, and determines the oscillation trigger timing of the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1 based on the predicted pre-plasma generation site arrival time (step S703).
  • the burst control unit C1 of the EUV light source controller C determines whether or not it is currently in the continuous light emission period T2 (step S704). If it is during the continuous light emission period T2 (step S704, Yes), it is determined whether or not the current focus F10 of the pre-pulse light LP is not shifted and is normal (step S705). Thereafter, when there is a focus shift of the prepulse light LP (No in step S705), the burst control unit C1 returns the focus shift of the prepulse light LP (step S706), and then prepulses at the oscillation trigger timing determined in step S703.
  • the light LP is oscillated (step S709), and the laser pulse light L1 is further oscillated (step S710).
  • the pre-pulse light LP is irradiated to the droplet 13 to generate the pre-plasma PP
  • the pre-plasma PP is irradiated to the laser pulse light L1 to generate the EUV light L10.
  • the burst controller C1 determines whether or not the focus F10 of the current pre-pulse light LP is shifted ( Step S707). After that, when there is no defocus of the prepulse light LP (No in step S707), the burst control unit C1 generates a defocus of the prepulse light LP (step S708), and then at the oscillation trigger timing determined in step S703.
  • the pre-pulse light LP is oscillated (step S709), and further the laser pulse light L1 is oscillated (step S710). In this case, since the droplet 13 does not become pre-plasma due to the irradiation with the pre-pulse light LP, the generation of the EUV light L10 is stopped.
  • the EUV light source controller C determines whether or not the burst light emission instruction signal S1 indicating the end of exposure is input from the exposure apparatus 20 side (step S711). If the exposure is not ended (step S711, No), the process proceeds to step S702. The burst operation described above is continued. On the other hand, when it is the end of exposure (step S711, Yes), the EUV light source controller C stops the generation of the droplet 13 (step S712) and ends this process.
  • the following effects may be expected. 1) Reduce damage to optical elements in the EUV chamber 10, such as the EUV collector mirror M3. As a result, the lifetime of the EUV light source device is extended. 2) Since the driver laser 1 and the prepulse laser 30 are continuously emitted during the burst operation, the optical system of the driver laser 1 and the prepulse laser 30 is thermally stabilized.
  • the stable EUV light L10 can be output by the output of the stable laser pulse light L1 and the pre-pulse light LP.
  • the burst emission of the EUV light L10 is enabled by controlling the prepulse light PL.
  • the EUV light L10 can be controlled by changing the oscillation timing of both the pre-pulse light PL and the laser pulse light L1, shifting the optical axes of the two pulse lights, or shifting the focus position of the two pulse lights.
  • the burst emission may be enabled. This method is effective when the condensing points of the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1 substantially coincide.
  • the spread of the target material spread by the irradiation with the prepulse light LP is close to the position of the original droplet.
  • burst control is difficult.
  • burst light emission of the EUV light L10 can be performed by performing the above-described simultaneous control.
  • FIG. 27 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration example of an EUV light source apparatus that performs coaxial irradiation that substantially matches the focal points of the prepulse light LP and the laser pulse light L1 according to the fourth modification of the second embodiment of the present disclosure. is there.
  • the prepulse light LP output from the prepulse laser 30 is irradiated to the droplet 13 through the beam splitter M6 with substantially the same optical axis as the laser pulse light L1.
  • the laser pulse light L1 is also irradiated to the pre-plasma PP through the beam splitter M6 along the optical axis substantially the same as that of the pre-pulse light LP. That is, the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1 are irradiated to the droplet 13 or the pre-plasma PP through the beam splitter M6 and the condensing mirror M2, respectively, with the same optical axis.
  • the laser damper LDP1 also functions as a laser damper PDP for the prepulse light LP.
  • the condensing mirror M2 can be shared as each condensing mirror by coaxial irradiation of the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1. As a result, simplification and miniaturization of the apparatus can be promoted, and the optical axes or focus positions of the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1 can be shifted simultaneously only by operating the condensing mirror M2.
  • the condensing mirror M2 is controlled by, for example, a mirror drive control signal S3a output from the mirror controller C3.
  • the prepulse laser LP is oscillated using the prepulse laser 30, and the generated preplasma PP is irradiated with the laser pulse light L1 to generate the EUV light L10.
  • An example is an EUV light source device.
  • the discharge of the droplets 13 is stopped during the continuous light emission stop period T1 while the driver laser 1 and the prepulse laser 30 are continuously operated during burst operation. As a result, the generation of the EUV light L10 is stopped.
  • the third embodiment may be applied to an EUV light source apparatus that does not use the prepulse light LP, as in the first embodiment.
  • the target material (droplet 13) serving as the generation source of the EUV light L10 is not supplied during the continuous light emission stop period T1, and therefore the pre-pulse light LP and the laser pulse light L1. Even if the pre-plasma generation site P11 and the plasma generation site P20 are irradiated, EUV light L10 is not generated.
  • the burst control unit C1 of the EUV light source controller C outputs a target generation signal S4 to the target supply unit 11 to perform supply control of the droplet 13, and in particular, the discharge period of the droplet 13 And the discharge stop period are controlled (see FIG. 12 or FIG. 27). Therefore, as shown in FIG. 29A, in the continuous light emission stop period T1, the target generation signal S4 instructing the generation of the droplet 13 is not output at the timings tt1 and tt2 when the pre-plasma PP is generated. The droplet 13 is not generated. As a result, since the droplet 13 does not exist at the pre-plasma generation site P11 at the timings t1 and t2 during the continuous light emission stop period T1 (see FIG.
  • the pre-pulse light oscillation trigger is generated even at the timings t1 and t2. Even if the pre-pulse light LP is output (see FIG. 29C), the pre-plasma PP is not generated. Furthermore, even if a laser pulse light oscillation trigger is generated at timings t1b and t2b (see FIG. 29 (e)) and the laser pulse light L1 is output, plasma is not generated at timings t1a and t2a (FIG. 29 (f )). As a result, EUV light L10 is not generated (FIG. 29 (g)).
  • the following effects may be expected. 1) Reduce damage to optical elements in the EUV chamber 10, such as the EUV collector mirror M3. As a result, the lifetime of the EUV light source device is extended. 2) Since the driver laser 1 and the prepulse laser 30 are continuously emitted during the burst operation, the optical system of the driver laser 1 and the prepulse laser 30 is thermally stabilized.
  • the stable EUV light L10 can be output by the output of the stable laser pulse light L1 and the pre-pulse light LP.
  • the generation timing of the droplet 13 is delayed during the continuous light emission stop period T1.
  • the pre-pulse light LP is not irradiated on the droplet 13
  • the pre-plasma PP is not generated.
  • the EUV light L10 is not generated even when the laser pulse light L1 is oscillated.
  • the same effect can be obtained even if the generation timing of the droplet 13 is made earlier.
  • the generation timing of the target generation signal S4 is delayed by ⁇ t3 by the continuous light emission stop period T1 (timing tt1 and tt2 of the target generation signal S4).
  • T1 continuous light emission stop period
  • the pre-pulse light LP is dropped even if the pre-pulse light oscillation trigger is generated at the timings t1 and t2.
  • the let 13 is not irradiated.
  • the pre-plasma PP is not generated at the timings t1b and t2b (see FIG. 31 (d)).
  • the following effects may be expected. 1) Reduce damage to optical elements in the EUV chamber 10, such as the EUV collector mirror M3. As a result, the lifetime of the EUV light source device is extended. 2) Since the driver laser 1 and the prepulse laser 30 are continuously emitted during the burst operation, the optical system of the driver laser 1 and the prepulse laser 30 is thermally stabilized.
  • the stable EUV light L10 can be output by the output of the stable laser pulse light L1 and the pre-pulse light LP.
  • the charging electrodes are sequentially formed from the target supply unit 11 side around the orbit of the droplet 13 and between the discharge end of the target supply unit 11 and the irradiation point of the pre-pulse light LP.
  • 40 and an acceleration / deceleration mechanism 50 are provided.
  • the charging voltage of the charging electrode 40 is controlled by the charging voltage controller C4.
  • the acceleration / deceleration mechanism 50 is subjected to acceleration / deceleration control by an acceleration / deceleration controller C5.
  • the charging electrode 40 charges the droplet 13 that passes between the charged electrodes.
  • the acceleration / deceleration mechanism 50 is realized by a pair of electric field generating electrodes or magnetic field generating coils opposed in the orbital axis direction, and accelerates or decelerates the charged droplet 13 by an electric field or a magnetic field.
  • the charging controller C4 and the acceleration / deceleration controller C5 are connected to the EUV light source controller C, and a control instruction is given from the burst controller C1 in the EUV light source controller C.
  • the charging electrode voltage application signal S7 is constantly applied to the charging electrode 40 from the charging electrode controller C4. For this reason, the droplet 13 discharged during the continuous light emission stop period T1 is charged to a positive charge by the charging electrode 40 (see FIG. 34B). Further, during the continuous light emission stop period T1 (between periods t5 and t6), the acceleration / deceleration mechanism 50 is applied with the acceleration electric field application signal S8 from the acceleration / deceleration controller C5 (see FIG. 34C). Therefore, the charged droplet 13 is accelerated by the acceleration / deceleration mechanism 50. As a result, the droplet 13 arrives early at the pre-plasma generation site P11 for the period ⁇ t4 (see FIG.
  • the pre-pulse light LP is not irradiated to the droplet 13 at the pre-plasma generation site P11 (FIG. 33 (a)).
  • the pre-plasma PP is not generated at the pre-plasma PP generation timings t1b and t2b (FIG. 34 (f) and FIG. 33 (b)).
  • the laser pulse light L1 trigger is generated at timings t1b and t2b (FIG. 34 (g)
  • no plasma is generated at timings t1a and t2a (see FIG. 34 (h)).
  • there is no generation of EUV light L10 (FIG. 34 (i)).
  • the charging electrode voltage application signal S7 is turned on only during the continuous light emission stop period T1 to charge the droplet 13 (see FIG. 35 (b)), and the acceleration electric field application signal S8. May be configured to accelerate the charged droplet 13 (see FIG. 35C), and further, a charging electrode voltage application signal S7 and an acceleration electric field application signal S8. Both may be configured to be in the ON state only during the continuous light emission stop period T1.
  • the charging electrode voltage application signal S7 is always turned on, the acceleration electric field application signal S8 is turned on during the continuous light emission period T2, and the acceleration electric field application signal S8 is turned off during the continuous light emission stop period T1. Good. In this case, in the continuous light emission stop period T1, the charged droplet 13 is decelerated. Further, the acceleration electric field application signal S8 is always turned on, the charging electrode voltage application signal S7 is turned on during the continuous light emission period T2, and the charging electrode voltage application signal S7 is turned off during the continuous light emission stop period T1. Also good. In this case, the droplet 13 in the continuous light emission stop period T1 is decelerated compared to the droplet 13 in the continuous light emission period T2.
  • the acceleration electric field application signal S8 may be turned off during the continuous light emission stop period T1. That is, the charging electrode voltage application signal S7 and the acceleration electric field application signal S8 may be turned on during the continuous light emission period T2 and turned off during the continuous light emission stop period T1. In this case, the droplet 13 in the continuous light emission stop period T1 is decelerated compared to the droplet 13 in the continuous light emission period T2.
  • the acceleration / deceleration controller C5 may operate so as to decelerate the charged target by applying a deceleration voltage application signal to the acceleration / deceleration mechanism 50 instead of the acceleration electric field application signal S8.
  • Modification 3 of Embodiment 3 it may be configured so that the droplet 13 is not irradiated with the pre-pulse light LP by causing a trajectory shift in the charged droplet 13.
  • this case will be described as a third modification of the third embodiment.
  • a deflection mechanism 60 is provided instead of the acceleration / deceleration mechanism 50, and a deflection controller C6 is provided instead of the acceleration / deceleration controller C5.
  • the deflection controller C6 applies the deflection electric field application signal S9 to the deflection mechanism 60, thereby shifting the charged droplet 13 passing through the deflection mechanism 60 from the trajectory.
  • the droplet 13 passing through the charging electrode 40 is charged by constantly applying the charging electrode voltage application signal S7 (see FIG. 39B) and continuously.
  • the deflection electric field application signal S9 is applied to the deflection mechanism 60 (see FIG. 39C).
  • the charged droplet 13 is deflected and its orbit shifts to an orbit that does not pass through at least the pre-plasma generation site P11 (see FIG. 38A).
  • the charged droplet 13 does not arrive at the pre-plasma generation site P11, so that the droplet 13 is not irradiated with the pre-pulse light LP.
  • a target recovery device DP2 that recovers the deflected droplet 13 may be further provided.
  • the emission of the EUV light L10 can be stopped during the continuous light emission stop period T1 in a state where the driver laser 1 and the prepulse laser 30 are continuously emitted.
  • the charging electrode voltage application signal S7 is turned on only during the continuous light emission stop period T1 to charge the droplet 13 (see FIG. 40 (b)), and the deflection electric field application signal S9. May be configured to deflect the charged droplet 13 (see Fig. 40 (c)), and of course, the charging electrode voltage application signal S7 and the deflection electric field application signal S9. Both may be configured to be in the ON state only during the continuous light emission stop period T1.
  • the trajectory is shifted by deflecting the charged droplet 13 during the continuous light emission stop period T1.
  • the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 41, the pre-plasma generation site P11 is positioned on the deflected trajectory C100, and the charged droplet 13 is always deflected during the continuous light emission period T2. May be. In this case, the charged droplet 13 is not deflected during the continuous light emission stop period T1. Thereby, since the charged droplet 13 moves on the track C101a where the pre-plasma generation site P11 does not exist, the generation of the EUV light L10 can be stopped by avoiding the irradiation of the pre-pulse light LP on the droplet 13.
  • the orbital deflection of the droplet 13 applies a charging electrode voltage application signal S7 that is always turned on to the charging electrode 40 (see FIG. 42B) and continuously emits light.
  • a charging electrode voltage application signal S7 that is always turned on to the charging electrode 40 (see FIG. 42B) and continuously emits light.
  • This can be realized by applying to the deflection mechanism 60 a deflection electric field application signal S9 that is turned off only during the stop period T1 (see FIG. 42C).
  • the charging electrode voltage application signal S7 that is turned off only during the continuous light emission stop period T1 is applied to the charging electrode 40 (see FIG. 43B), and the deflection electric field that is always on. This can also be realized by applying the application signal S9 to the deflection mechanism 60 (see FIG. 43C). In this case, the deflection electric field application signal S9 may not be applied to the deflection mechanism 60 during the continuous light emission stop period T1.
  • all of the charging electrode 40, the acceleration / deceleration mechanism 50, and the deflection mechanism 60 may be provided as in the EUV light source apparatus 300D according to the fourth modification of the third embodiment shown in FIG.
  • the EUV light L10 is emitted by shifting the traveling timing and / or trajectory of the droplet 13 during the continuous light emission stop period T1. You may comprise so that it may stop.
  • the charging electrode 40, the acceleration / deceleration mechanism 50, and the deflection mechanism 60 may have a device configuration independent of the target supply unit 11, or may be a device configuration in which a part or all of them are integrated.
  • the so-called continuity in which the discharge port of the target supply unit 11 is continuously opened and closed with a predetermined period using a piezoelectric element, and thereby the droplets 13 are continuously discharged is the Nuas Jet method.
  • the present invention is not limited to this, and it is also possible to employ a so-called drop-on-demand system that can start and stop the discharge of the droplet 13 at an arbitrary timing.
  • a discharge charging electrode that can be turned on / off is provided at the discharge port of the target supply unit 11. In such a case, the droplet 13 is drawn out from the discharge port and discharged by the electrostatic force generated by turning on the discharge charging electrode.
  • the target supply mechanism to which this drop-on-demand method is applied has a configuration as shown in FIG.
  • a discharge charging electrode 41 is provided at the discharge port of the target supply unit 11, and the target material is discharged as the droplet 13 by a pulse command sent from the EUV light source controller C.
  • An acceleration electrode 51 corresponding to the acceleration / deceleration mechanism 50 and a deflection mechanism 61 corresponding to the deflection mechanism 60 may be sequentially provided on the trajectory of the discharged droplet 13.
  • the target supply unit 11 is filled with a liquid metal that is a target material such as molten Sn.
  • a pulsed positive high voltage is applied to the discharge charging electrode 41, the liquid metal is pulled out as droplets 13 by electrostatic force. At this time, the droplet 13 is positively charged.
  • the discharge charging electrode 41 also has a function as the charging electrode 40.
  • the target supply unit 11 may be positively charged so that the discharged droplet 13 does not return to the discharge port.
  • the droplet 13 jumping out from the discharge charging electrode 41 is accelerated toward the disk-like acceleration electrode 51 grounded by Coulomb force, and passes through a hole provided in the central portion of the acceleration electrode 51.
  • the accelerated droplet 13 is subjected to deflection control by the deflection mechanism 61 in the same manner as the deflection mechanism 60.
  • the deflection mechanism 61 is realized by, for example, an electrostatic lens and electrostatically deflects the trajectory of the droplet 13.
  • the EUV chamber 10 may be grounded so as not to affect the trajectory of the discharged droplet 13.
  • the target supply unit 11 and the EUV chamber 10 are connected via an electrical insulating material 42. This is because if the vicinity of the connection between the target supply unit 11 and the EUV chamber 10 is in a grounded state, the droplet 13 may be returned to the target supply unit 11 side after ejection.
  • the deflection control by the control pattern a1 or a4 described above can be applied.
  • Embodiments 1 to 3 described above and modifications thereof can be combined as appropriate.
  • the form or example using the pre-pulse light LP can be applied to the form or example using only the laser pulse light L1.
  • the various controllers (EUV light source controller C (including the burst controller C1), laser controller C2, mirror controller C3, etc.) in each of the above-described embodiments and modifications thereof are, for example, information processing apparatuses as shown in FIG. 1000 can be used.
  • the operation of the various controllers is performed by, for example, a program 1002a recorded on a recording medium (including a rewritable or rewritable) 1002 such as a ROM, CD-ROM, DVD-ROM, flash memory, etc. It may be realized by reading and executing.

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Abstract

　極端紫外光源装置１００は、ドライバレーザ１からのレーザパルス光Ｌ１をターゲット物質であるドロップレット１３に照射して該ドロップレット１３をプラズマ化し、該プラズマ化したドロップレット１３から放射したＥＵＶ光Ｌ１０を出力する。ここで、ＥＵＶ光Ｌ１０を連続発光する場合、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ドライバレーザ１に連続的に出力させたレーザパルス光Ｌ１をドロップレット１３に照射し、前記連続発光を停止する場合、ドライバレーザ１にレーザパルス光Ｌ１を連続的に出力させつつ該レーザパルス光Ｌ１によるドロップレット１３のプラズマ化を回避する制御を行うバースト制御部Ｃ１を備える。

Description

極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体
　この開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体に関する。
　一般的に、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ－Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ：レーザ生成プラズマ）方式などのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外線）光源装置には、たとえば１００Ｗ以上の高出力が求められる場合がある。これに伴って、ＥＵＶ光源装置に使用されるドライバレーザにも、１０ｋＷ以上の高出力が求められる場合がある。このような場合、通常、ドライバレーザには、たとえばＣＯ２レーザなどの高出力が可能なレーザ光源が用いられていた。
　ここで、ターゲットに照射されるレーザ光を出力するドライバレーザは、露光に必要な時だけ運転（バースト運転）できることが好ましい。
特開２００３－２２４０５２号公報
概要
　バースト運転中のドライバレーザからのレーザ光は、安定していることが好ましい。
　この開示の一態様による極端紫外光源装置は、レーザ装置からのレーザ光をターゲット物質に照射して該ターゲット物質をプラズマ化し、該プラズマ化したターゲット物質から放射した極端紫外光を出力する極端紫外光源装置であって、前記極端紫外光を連続パルス発光する場合、前記レーザ装置に連続的にパルス出力させたレーザ光をターゲット物質に照射し、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ装置に前記レーザ光を連続的にパルス出力させつつ該レーザ光による前記ターゲット物質のプラズマ化を回避する制御を行うバースト制御部を備えてもよい。
　また、この開示の他の態様による光源装置の制御方法は、レーザ装置からのレーザ光をターゲット物質に照射して該ターゲット物質をプラズマ化し、該プラズマ化したターゲット物質から放射した極端紫外光を出力する光源装置の制御方法であって、前記極端紫外光を連続パルス発光する場合、前記レーザ装置から連続的にパルス出力されたレーザ光をターゲット物質に照射し、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ装置に前記レーザ光を連続的にパルス出力させつつ該レーザ光による前記ターゲット物質のプラズマ化を回避することを含んでもよい。
　また、この開示の他の態様によるプログラムを記録した記録媒体は、レーザ装置からのレーザ光をターゲット物質に照射して該ターゲット物質をプラズマ化し、該プラズマ化したターゲット物質から放射した極端紫外光を出力する光源装置を制御するためのプログラムを記録した記録媒体であって、前記極端紫外光を連続パルス発光する場合、前記レーザ装置に連続的にパルス出力させたレーザ光をターゲット物質に照射させ、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ装置に前記レーザ光を連続的にパルス出力させつつ該レーザ光による前記ターゲット物質のプラズマ化を回避させる制御を前記光源装置に実行させてもよい。
　以上述べたことと、本開示のその他の目的、特徴、利点、並びに技術的かつ産業的意義については、以下の本開示を添付図面と照らし合わせて読めば、より一層理解できよう。
図１は、この開示の実施の形態１にかかるＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。 図２は、この開示の実施の形態１の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図３は、この開示の実施の形態１の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図４は、この開示の実施の形態１によるバースト制御処理手順を示すフローチャートである。 図５は、この開示の実施の形態１の変形例１の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図６は、この開示の実施の形態１の変形例１にかかるＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。 図７は、この開示の実施の形態１の変形例１の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図８は、この開示の実施の形態１の変形例１によるバースト制御処理手順を示すフローチャートである。 図９は、この開示の実施の形態１の変形例２の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図１０は、この開示の実施の形態１の変形例２の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図１１は、この開示の実施の形態１の変形例２によるバースト制御処理手順を示すフローチャートである。 図１２は、この開示の実施の形態２にかかるＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。 図１３は、この開示の実施の形態２によるプリプラズマ照射でのＥＵＶ光の発生動作を説明する模式図である。 図１４は、この開示の実施の形態２によるフラグメント照射でのＥＵＶ光の発生動作を説明する模式図である。 図１５は、この開示の実施の形態２の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図１６は、この開示の実施の形態２の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図１７は、この開示の実施の形態２によるバースト制御処理手順を示すフローチャートである。 図１８は、この開示の実施の形態２の変形例１の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図１９は、この開示の実施の形態２の変形例１の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図２０は、この開示の実施の形態２の変形例１によるバースト制御処理手順を示すフローチャートである。 図２１は、この開示の実施の形態２の変形例２の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図２２は、この開示の実施の形態２の変形例２の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図２３は、この開示の実施の形態２の変形例２によるバースト制御処理手順を示すフローチャートである。 図２４は、この開示の実施の形態２の変形例３の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図２５は、この開示の実施の形態２の変形例３の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図２６は、この開示の実施の形態２の変形例３によるバースト制御処理手順を示すフローチャートである。 図２７は、この開示の実施の形態２の変形例４にかかるプリパルス光とレーザパルス光との集光点を略一致させる同軸照射を行うＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。 図２８は、この開示の実施の形態３の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図２９は、この開示の実施の形態３の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図３０は、この開示の実施の形態３の変形例１の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図３１は、この開示の実施の形態３の変形例１の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図３２は、この開示の実施の形態３の変形例２にかかるＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。 図３３は、この開示の実施の形態３の変形例２の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図３４は、この開示の実施の形態３の変形例２の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図３５は、この開示の実施の形態３の変形例２の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図３６は、連続発光期間および連続発光停止期間に対する帯電電極および加速電圧機構のオンオフ制御パターンを示す図である。 図３７は、この開示の実施の形態３の変形例３にかかるＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。 図３８は、この開示の実施の形態３の変形例３の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図３９は、この開示の実施の形態３の変形例３の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図４０は、この開示の実施の形態３の第２の変形例３の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図４１は、この開示の実施の形態３の第３の変形例３の連続発光停止期間における動作を説明する模式図である。 図４２は、この開示の実施の形態３の第３の変形例３の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図４３は、この開示の実施の形態３の第４の変形例３の連続発光停止期間における動作を示すタイムチャートである。 図４４は、連続発光期間および連続発光停止期間に対する帯電電極および偏向機構のオンオフ制御パターンを示す図である。 図４５は、この開示の実施の形態３の変形例４にかかるＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。 図４６は、ドロップオンデマンド方式を適用したターゲット供給機構を示す模式図である。 図４７は、この開示の各実施の形態およびその変形例における各種コントローラの概略構成例を示すブロック図である。
　以下、図面を参照して、この開示を実施するための形態を説明する。なお、以下の説明において、各図は本開示の内容を理解でき得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示する数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。
　実施の形態１
　まず、本開示の実施の形態１について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では、ＬＰＰ方式によるＥＵＶ光源装置を例に挙げるが、これに限定されるものではなく、ＤＰＰ方式やＳＲ方式のＥＵＶ光源装置などであってもよい。また、本実施の形態１では、１段階のレーザ照射によってターゲット物質をプラズマ化するケースを例に挙げるが、これに限定されるものではなく、たとえば２段階以上のレーザ照射によってターゲット物質をプラズマ化するケースであってもよい。さらに、本実施の形態１は、レーザ装置やレーザ加工装置などにも適用されてもよい。
　また、本開示では、「連続発光運転（期間）」、「連続発光停止運転（期間）」、「バースト運転（期間）」の各用語をそれぞれ次のように定義する。
　１）連続発光運転（期間）とは、ＥＵＶ光を連続して出力する運転（期間）をいう。
　２）連続発光停止運転（期間）とは、ＥＵＶ光の出力を停止する運転（期間）をいう。
　３）バースト運転（期間）とは、連続発光運転と連続発光停止運転との交互運転（期間）をいう。
　図１は、この開示の実施の形態１にかかる極端紫外（ＥＵＶ）光源装置の概略構成例を示す模式図である。図１に示すように、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置１００では、たとえばドライバレーザ１から出力されたパルス状のレーザ光（以下、これをレーザパルス光という）Ｌ１が、ＥＵＶチャンバ１０内に供給されたターゲット物質である錫（Ｓｎ）のドロップレット１３に集光される。レーザパルス光Ｌ１の照射によってプラズマ化したターゲット物質からは、光Ｌが放射される。放射された光Ｌのうち、所望する波長帯域（たとえば１３．５ｎｍ付近の波長帯域）のＥＵＶ光Ｌ１０は、たとえばこの波長帯域を選択的に反射するＥＵＶ集光ミラーＭ３によって反射されることで露光装置２０側に出力される。
　また、図１に示す構成において、ドライバレーザ１は、レーザパルス光Ｌ１の種光を発振するオシレータ２と、オシレータ２から出力された種光を増幅するプリアンプ３およびメインアンプ４とを備えてもよい。オシレータ２には、たとえば半導体レーザなどの各種のレーザを用いることができる。オシレータ２から発振されたレーザパルス光は、たとえば２段に設けられた増幅器であるプリアンプ３およびメインアンプ４で増幅されてもよい。プリアンプ３およびメインアンプ４には、たとえばＣＯ２ガスを含む混合ガスを増幅媒体とした増幅器を用いることができる。ドライバレーザ１から出力されたレーザパルス光Ｌ１は、たとえばミラーＭ１を含む光学系によってＥＵＶチャンバ１０へ導かれた後、ＥＵＶチャンバ１０に設けられたウィンドウＷ１を介してＥＵＶチャンバ１０内に入る。
　ＥＵＶチャンバ１０内には、軸外放物面ミラーである集光ミラーＭ２と、反射面中央付近に貫通穴が形成されたＥＵＶ集光ミラーＭ３とが設けられてもよい。集光ミラーＭ２は、ウィンドウＷ１を介して入射したレーザパルス光Ｌ１を高反射する。高反射されたレーザパルス光Ｌ１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ３の貫通穴を通過した後、プラズマ生成サイトＰ１０付近に集光する。ただし、集光ミラーＭ２は、ＥＵＶチャンバ１０外に配置されてもよい。この場合、たとえばミラーＭ１を含む光学系で反射されたレーザパルス光Ｌ１は、集光ミラーＭ２で反射された後、ウィンドウＷ１およびＥＵＶ集光ミラーＭ３の貫通穴を通過してプラズマ生成サイトＰ１０に集光する。
　一方、ＥＵＶチャンバ１０には、ターゲット物質をドロップレット１３の形態で供給するターゲット供給部１１が設けられてもよい。ターゲット供給部１１は、たとえばＥＵＶチャンバ１０内のプラズマ生成サイトＰ１０へ向けてドロップレット１３を吐出する。ターゲット供給部１１は、吐出したドロップレット１３にプラズマ生成サイトＰ１０付近でレーザパルス光Ｌ１が集光するように、ドロップレット１３の吐出タイミング及び／または位置を調整してもよい。ただし、これに限らず、たとえばドライバレーザ１が、プラズマ生成サイトＰ１０付近を通過するドロップレット１３にレーザパルス光Ｌ１が集光するように、レーザパルス光Ｌ１の発振タイミング及び／または位置を調整してもよい。また、ターゲット物質は、ドロップレットの形態に限らず、ワイヤーまたはリボンやディスクなどの固体ターゲットの形態でＥＵＶチャンバ１０内に給されてもよい。この場合、ＥＵＶチャンバ１０内には、ワイヤーまたはリボンやディスクを定期的またはオンデマンドで巡回または回転させる機構が設けられているのが望ましい。
　ここで、ターゲット物質がＳｎである場合、レーザパルス光Ｌ１の集光によって生成されたプラズマからは、放射状に光Ｌが放出される。この光Ｌは、たとえば１３．５ｎｍ付近の波長帯域のＥＵＶ光Ｌ１０を含む。言い換えれば、ターゲット物質にＳｎを用いることで、レーザパルス光Ｌ１をたとえば２％～４％程度の変換効率ＣＥ（ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）でＥＵＶ光Ｌ１０に変換することができる。プラズマから放射した光Ｌのうち、ＥＵＶ光Ｌ１０は、上述したように、焦点を持つＥＵＶ集光ミラーＭ３によって選択的に反射される。反射されたＥＵＶ光Ｌ１０は、ピンホールＰＨの穴にその像が転写されるように集光する。その後、ＥＵＶ光Ｌ１０は、ピンホールＰＨの穴を通過して露光装置２０側に出力される。
　なお、レーザパルス光Ｌ１の光軸上には、プラズマの生成に寄与しなかったレーザ光を吸収するためのレーザダンパＬＤＰ１が設けられてもよい。また、ドロップレット１３の軌道上には、プラズマにならなかったターゲット物質を回収するためのターゲット回収装置ＤＰ１が設けられてもよい。
　ＥＵＶ光源コントローラＣは、ＥＵＶ光源装置１００を制御してもよい。ＥＵＶ光源コントローラＣは、たとえばレーザコントローラＣ２を介してドライバレーザ１の発振および／または増幅を制御してもよい。たとえば、ＥＵＶ光源コントローラＣは、レーザコントローラＣ２からオシレータ２に発振タイミング制御信号Ｓ２を出力してレーザパルス光Ｌ１の発振タイミングを制御してもよい。また、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１にターゲット生成信号Ｓ４を出力して、ドロップレット１３の吐出を制御してもよい。また、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ミラーコントローラＣ３を介して集光ミラーＭ２の集光位置及び／または姿勢を制御してもよい。
　ここで、撮像装置１２は、たとえばプラズマ生成サイトＰ１０付近を撮像する。撮像装置１２による撮像結果は、たとえばＥＵＶ光源コントローラＣに入力される。また、撮像結果がミラーコントローラＣ３に入力されてもよい。この撮像結果には、たとえば、プラズマ生成サイトＰ１０付近でのドロップレット１３の通過タイミングおよび通過軌跡やプラズマ生成サイトＰ１０付近で生成されたプラズマなどが、撮像時刻や画像などの情報として含まれている。そこで、ＥＵＶ光源コントローラＣあるいはミラーコントローラＣ３は、撮像装置１２による撮像結果をもとに、レーザパルス光Ｌ１がプラズマ生成サイトＰ１０に集光するように、ミラーアクチュエータＭ２ａにミラー駆動制御信号Ｓ３を出力して集光ミラーＭ２の向きを制御することができる。また、ＥＵＶ光源コントローラＣは、撮像装置１２による撮像結果をもとに、レーザパルス光Ｌ１がプラズマ生成サイトＰ１０付近でドロップレット１３に照射されるように、ターゲット供給部１１およびドライバレーザ１のタイミング制御を行う。
　ＥＵＶ光源コントローラＣは、バースト制御部Ｃ１を有してもよい。バースト制御部Ｃ１は、露光装置２０側からのバースト発光指示信号Ｓ１をもとに、ＥＵＶ光Ｌ１０をバースト発光させるバースト制御処理を行う。ここで、バースト発光とは、バースト運転での発光を意味する。このバースト運転とは、一定の周波数で連続的にパルス状のＥＵＶ光Ｌ１０を出力する期間（連続発光期間）とＥＵＶ光の出力を停止する期間（連続発光停止期間）とを交互に繰り返すことである。露光装置２０は、このバースト発光されたＥＵＶ光Ｌ１０の平均エネルギーを用いて露光処理を行ってもよい。
　この実施の形態１では、バースト制御部Ｃ１は、バースト運転の連続発光期間中、レーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射するように、ドライバレーザ１がレーザパルス光Ｌ１を出力するタイミング（発振タイミング）を制御する。これに対し、連続発光停止期間中では、バースト制御部Ｃ１は、発振タイミング制御信号Ｓ２を変化させることで、レーザパルス光Ｌ１の発振タイミングをずらす制御を行う。レーザパルス光Ｌ１の発振タイミングをずらした状態では、レーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されないので、ＥＵＶ光Ｌ１０を含む光Ｌの生成を停止できる。
　すなわち、図２（ａ）に示すように、連続発光期間中では、バースト制御部Ｃ１は、プラズマ生成サイトＰ１０付近でレーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されるように、レーザパルス光Ｌ１の発振タイミングを制御する。これに対し、連続発光停止期間中では、図２（ｂ）に示すように、バースト制御部Ｃ１は、レーザパルス光Ｌ１の発振タイミングを連続発光期間中の発振タイミングに対して期間Δｔ１分、シフトさせる。この時間的なずれにより、レーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されないため、ＥＵＶ光Ｌ１０を含む光Ｌの生成を停止することが可能となる。なお、発振タイミングのシフト方向は、タイミングを早める方向でも遅くする方向でもよい。すなわち、レーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されないように、レーザパルス光Ｌ１の発振タイミングがずらすことが出来ればよい。
　ここで、図３に示したタイミングチャートおよび図４に示したフローチャートを参照して、この実施の形態１によるバースト制御処理について説明する。まず、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１に対してドロップレット１３の生成開始の処理を行う（ステップＳ１０１）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、撮像装置１２によるプラズマ生成サイトＰ１０付近の撮像結果をもとにドロップレット１３の位置（軌道であってもよい）と速度とを計測する（ステップＳ１０２）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１の駆動タイミング（たとえばターゲット生成信号Ｓ４の出力タイミング）からドロップレット１３がプラズマ生成サイトＰ１０に到着するまでの時間（プラズマ生成サイト到達時間）を予測し、予想されたプラズマ生成サイト到達時間に基づいてレーザパルス光Ｌ１の発振タイミングを制御する発振トリガタイミングを決定する（ステップＳ１０３）。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣのバースト制御部Ｃ１は、現在、連続発光期間Ｔ２中であるか否かを判断する（ステップＳ１０４）。連続発光期間Ｔ２中である場合（ステップＳ１０４，Ｙｅｓ）、バースト制御部Ｃ１は、ステップＳ１０３で決定された発振トリガタイミングでレーザパルス光Ｌ１を発振させる発振タイミング制御信号Ｓ２をオシレータ２に出力する（ステップＳ１０５）。これにより、ドライバレーザ１から出力されたレーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されてＥＵＶ光Ｌ１０が生成される。
　一方、連続発光期間Ｔ２中でない場合（ステップＳ１０４，Ｎｏ）、すなわち連続発光停止期間Ｔ１中である場合、バースト制御部Ｃ１は、ステップＳ１０３で決定された発振トリガタイミングを、たとえば期間Δｔ１遅くし（ステップＳ１０６：図３（ｄ）参照）、このタイミングが変更された発振タイミング制御信号Ｓ２をオシレータ２に出力する（ステップＳ１０５）。この場合、レーザパルス光Ｌ１が期間Δｔ１遅れて発振されるため、ドロップレット１３に照射されない。この結果、ＥＵＶ光Ｌ１０の発光が停止される。図３に示す例では、連続発光停止期間Ｔ１中、図３（ｅ）のプラズマ生成タイミングｔ１ａおよびｔ２ａそれぞれでプラズマが発生しないため、図３（ｆ）のＥＵＶ発光タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでのＥＵＶ光Ｌ１０の生成はない。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、露光装置２０側から露光終了を示すバースト発光指示信号Ｓ１が入力されたか否かを判断し（ステップＳ１０７）、露光終了でない場合（ステップＳ１０７，Ｎｏ）、ステップＳ１０２に移行して、上述したバースト運転を継続して行う。一方、露光終了である場合（ステップＳ１０７，Ｙｅｓ）、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ドロップレット１３の生成を停止し（ステップＳ１０８）、本処理を終了する。
　この実施の形態１のように、連続発光停止期間Ｔ１中、レーザパルス光Ｌ１の発振タイミングをずらすことでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した場合、以下の効果を期待できる場合がある。
　１）ＥＵＶチャンバ１０内の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ３などへのダメージを低減する。この結果、ＥＵＶ光源装置の寿命が延びる。
　２）バースト運転中はドライバレーザ１を連続発光運転するため、ドライバレーザ１の光学系が熱的に安定する。これにより、ドロップレット１３に対して安定した位置及びエネルギーでレーザパルス光Ｌ１が照射される。この結果、安定したＥＵＶ光Ｌ１０が出力される。
　３）バースト運転中はドライバレーザ１を連続発光運転するため、ドライバレーザ１の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ１に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
　なお、連続発光停止期間Ｔ１中にレーザパルス光Ｌ１の発振を停止させる場合、ドライバレーザ１に関して以下の課題が発生することがあった。
　１）連続発光期間Ｔ２の先頭時に、光学素子などに急激な熱負荷変動が生じる。
　２）連続発光期間Ｔ２と連続発光停止期間Ｔ１とのデューティ比が変更されたときにも急激な熱負荷変動が生じる。
　３）これらが原因でレーザパルス光Ｌ１の集光状態が不安定になったり、エネルギー制御の追従性が悪くなる。その結果、安定したＥＵＶ発光が得られない。
　これに対し、この実施の形態１では、バースト運転中、レーザパルス光Ｌ１が常に連続発振されているため、連続発光期間Ｔ２におけるレーザパルス光Ｌ１の集光状態を安定させ、エネルギー制御の追従性を良好にすることが可能となり、その結果、安定したＥＵＶ発光制御を行うことができる。
（実施の形態１の変形例１）
　上述した実施の形態１では、レーザパルス光Ｌ１の発振タイミングをずらすことで、レーザパルス光Ｌ１を連続発振しつつＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した。ただし、これに限らず、たとえばレーザパルス光Ｌ１の光軸をずらすことで、レーザパルス光Ｌ１を連続発振しつつＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止することも可能である。以下、このケースを、本実施の形態１の変形例１として説明する。
　図５に示すように、本変形例１では、連続発光期間Ｔ２中は、レーザパルス光Ｌ１の光軸ＣＩをプラズマ生成サイトＰ１０に一致させる。これに対し、連続発光停止期間Ｔ１は、レーザパルス光Ｌ１の光軸ＣＩを、光軸ＣＩから光軸ＣＩａにずらす。これにより、レーザパルス光Ｌ１のドロップレット１３への照射が回避されるため、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成が停止される。この場合も、ドライバレーザ１は、バースト運転中、連続発光運転されてもよい。なお、レーザパルス光Ｌ１の光軸ＣＩ上に配置されたレーザダンパＬＤＰ１の他に、光軸ＣＩａ上にレーザダンパＬＤＰ２を設けてもよい。
　レーザパルス光Ｌ１の光軸ずらしは、図６に示すように、たとえばミラーコントローラＣ３を介してミラーアクチュエータＭ２ａを駆動することで可能となる。ミラーアクチュエータＭ２ａの駆動によって集光ミラーＭ２が方向Ａ１方向に回転すると、レーザパルス光Ｌ１の光軸が、たとえば光軸ＣＩから光軸ＣＩａにずれる。なお、図６に示すように、たとえばミラーＭ１にミラーアクチュエータＭ１ａを設け、このミラーアクチュエータＭ１ａをミラー駆動制御信号Ｓ６によって駆動してレーザパルス光Ｌ１の光軸をずらすように構成してもよい。
　図７（ｃ）に示すように、連続発光停止期間Ｔ１を開始する時点ｔ３から終了する時点ｔ４までの間、ミラーアクチュエータＭ２ａを駆動してレーザパルス光Ｌ１の光軸ずれを生じさせると、レーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されない。そのため、プラズマ生成タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでプラズマが生成されない（図７（ｄ）参照）。その結果、ＥＵＶ発光タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでＥＵＶ光Ｌ１０が生成されない（図７（ｅ）参照）。
　ここで、図８に示すフローチャートを参照してこの実施の形態１の変形例１によるバースト制御処理について説明する。まず、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１に対してドロップレット１３の生成開始の処理を行う（ステップＳ２０１）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、撮像装置１２によるプラズマ生成サイトＰ１０付近の撮像結果をもとにドロップレット１３の位置（軌道であってもよい）と速度とを計測する（ステップＳ２０２）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、プラズマ生成サイト到達時間を予測し、予想されたプラズマ生成サイト到達時間に基づいてレーザパルス光Ｌ１の発振トリガタイミングを決定する（ステップＳ２０３）。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣのバースト制御部Ｃ１は、現在、連続発光期間Ｔ２中であるか否かを判断する（ステップＳ２０４）。連続発光期間Ｔ２中である場合（ステップＳ２０４，Ｙｅｓ）、バースト制御部Ｃ１は、現在のレーザパルス光Ｌ１の光軸ＣＩがずれておらず正常であるか否かを判断する（ステップＳ２０５）。その後、バースト制御部Ｃ１は、レーザパルス光Ｌ１の光軸ずれＣＩａがある場合（ステップＳ２０５，Ｎｏ）、レーザパルス光Ｌ１の光軸ずれＣＩａを戻した後（ステップＳ２０６）、ステップＳ２０３で決定された発振トリガタイミングでレーザパルス光Ｌ１を発振させる発振タイミング制御信号Ｓ２をオシレータ２に出力する（ステップＳ２０９）。これにより、ドライバレーザ１から出力されたレーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されてＥＵＶ光Ｌ１０が生成される。
　一方、連続発光期間Ｔ２中でない場合（ステップＳ２０４，Ｎｏ）、すなわち連続発光停止期間Ｔ１中である場合、バースト制御部Ｃ１は、現在のレーザパルス光Ｌ１の光軸ＣＩがずれているか否かを判断する（ステップＳ２０７）。その後、バースト制御部Ｃ１は、レーザパルス光Ｌ１の光軸ずれＣＩａがない場合（ステップＳ２０７，Ｎｏ）、レーザパルス光Ｌ１の光軸ずれＣＩａを生じさせた後（ステップＳ２０８）、ステップＳ２０３で決定された発振トリガタイミングでレーザパルス光Ｌ１を発振させる発振タイミング制御信号Ｓ２をオシレータ２に出力する（ステップＳ２０９）。これにより、ドライバレーザ１から出力されたレーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されないため、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成が停止する。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、露光装置２０側から露光終了を示すバースト発光指示信号Ｓ１が入力されたか否かを判断し（ステップＳ２１０）、露光終了でない場合（ステップＳ２１０，Ｎｏ）、ステップＳ２０２に移行し、上述したバースト運転を継続して行う。一方、露光終了である場合（ステップＳ２１０，Ｙｅｓ）、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ドロップレット１３の生成を停止し（ステップＳ２１１）、本処理を終了する。
　この実施の形態１の変形例１のように、連続発光停止期間Ｔ１中、レーザパルス光Ｌ１の光軸をずらすことでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した場合、以下の効果を期待できる場合がある。
　１）ＥＵＶチャンバ１０内の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ３などへのダメージを低減する。この結果、ＥＵＶ光源装置の寿命が延びる。
　２）バースト運転中はドライバレーザ１を連続発光運転するため、ドライバレーザ１の光学系が熱的に安定する。これにより、ドロップレット１３に対して安定した位置及びエネルギーでレーザパルス光Ｌ１が照射される。この結果、安定したＥＵＶ光Ｌ１０が出力される。
　３）バースト運転中はドライバレーザ１を連続発光運転するため、ドライバレーザ１の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ１に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
（実施の形態１の変形例２）
　また、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスをずらすことで、レーザパルス光Ｌ１を連続発振しつつＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止することも可能である。以下、このケースを、本実施の形態１の変形例２として説明する。
　図９に示すように、連続発光期間Ｔ２中（図９（ａ）参照）は、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスＦ１をプラズマ生成サイトＰ１０に一致させる。これに対し、連続発光停止期間Ｔ１中（図９（ｂ）参照）は、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスＦ１の位置をたとえば光軸ＣＩ方向にずれたフォーカスＦ１ａとする。これにより、ドロップレット１３に照射されるレーザパルス光Ｌ１のエネルギー密度が低くなるため、ドロップレット１３がプラズマ化することを回避できる。この結果、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成が停止される。この場合も、ドライバレーザ１は、バースト運転中、連続発光運転されてもよい。
　レーザパルス光Ｌ１のフォーカスずらしは、図１０に示すように、たとえばミラーコントローラＣ３を介してミラーアクチュエータＭ１ａおよびＭ２ａを駆動することで可能となる。ミラーアクチュエータＭ１ａおよびＭ２ａの駆動によって集光ミラーＭ２とプラズマ生成サイトＰ１０との距離が変化すると（図６参照）、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスの位置が方向Ａ２の方向にずれる。なお、図示していないアクチュエータにより、ドライバレーザ１から出力されたレーザビームの発散角を制御することによって、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスＦ１をずらすように構成してもよい。
　図１０（ｃ）に示すように、時点ｔ３から時点ｔ４までの連続発光停止期間Ｔ１を含む期間、ミラーアクチュエータＭ２ａを駆動してレーザパルス光Ｌ１のフォーカスずれを生じさせる。すると、レーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されてもエネルギー密度が低いため、ドロップレット１３がプラズマ化しない。そのため、プラズマ生成タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでプラズマが生成されない（図１０（ｄ）参照）。その結果、ＥＵＶ発光タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでＥＵＶ光Ｌ１０が生成されない（図１０（ｅ）参照）。
　ここで、図１１に示すフローチャートを参照してこの実施の形態１の変形例２によるバースト制御処理について説明する。まず、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１に対してドロップレット１３の生成開始の処理を行う（ステップＳ３０１）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、撮像装置１２によるプラズマ生成サイトＰ１０付近の撮像結果をもとにドロップレット１３の位置（軌道であってもよい）と速度とを計測する（ステップＳ３０２）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、プラズマ生成サイト到達時間を予測し、予想されたプラズマ生成サイト到達時間に基づいてレーザパルス光Ｌ１の発振トリガタイミングを決定する（ステップＳ３０３）。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣのバースト制御部Ｃ１は、現在、連続発光期間Ｔ２であるか否かを判断する（ステップＳ３０４）。連続発光期間Ｔ２中である場合（ステップＳ３０４，Ｙｅｓ）には、バースト制御部Ｃ１は、現在のレーザパルス光Ｌ１のフォーカスＦ１がずれておらず正常であるか否かを判断する（ステップＳ３０５）。その後、バースト制御部Ｃ１は、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスずれＦ１ａがある場合（ステップＳ３０５，Ｎｏ）、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスずれＦ１ａを戻した後（ステップＳ３０６）、ステップＳ３０３で決定された発振トリガタイミングでレーザパルス光Ｌ１を発振させる発振タイミング制御信号Ｓ２をオシレータ２に出力する（ステップＳ３０９）。これにより、ドライバレーザ１から出力されたレーザパルス光Ｌ１がドロップレット１３に照射されてＥＵＶ光Ｌ１０が生成される。
　一方、連続発光期間Ｔ２中でない場合（ステップＳ３０４，Ｎｏ）、すなわち連続発光停止期間Ｔ１である場合、バースト制御部Ｃ１は、現在のレーザパルス光Ｌ１のフォーカスＦ１がずれているか否かを判断する（ステップＳ３０７）。その後、バースト制御部Ｃ１は、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスずれＦ１ａがない場合（ステップＳ３０７，Ｎｏ）、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスずれＦ１ａを生じさせた後（ステップＳ３０８）、ステップＳ３０３で決定された発振トリガタイミングでレーザパルス光Ｌ１を発振させる発振タイミング制御信号Ｓ２をオシレータ２に出力する（ステップＳ３０９）。これにより、レーザパルス光Ｌ１の照射に対してドロップレット１３がプラズマ化しないため、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成が停止する。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、露光装置２０側から露光終了を示すバースト発光指示信号Ｓ１が入力されたか否かを判断し（ステップＳ３１０）、露光終了でない場合（ステップＳ３１０，Ｎｏ）、ステップＳ３０２に移行し、上述したバースト運転を継続して行う。一方、露光終了である場合（ステップＳ３１０，Ｙｅｓ）、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ドロップレット１３の生成を停止し（ステップＳ３１１）、本処理を終了する。
　この実施の形態１の変形例２のように、連続発光停止期間Ｔ１中、レーザパルス光Ｌ１のフォーカスＦ１をずらすことでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した場合、以下の効果を期待できる場合がある。
　１）ＥＵＶチャンバ１０内の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ３などへのダメージを低減する。この結果、ＥＵＶ光源装置の寿命が延びる。
　２）バースト運転中はドライバレーザ１を連続発光運転するため、ドライバレーザ１の光学系が熱的に安定する。これにより、ドロップレット１３に対して安定した位置及びエネルギーでレーザパルス光Ｌ１が照射される。この結果、安定したＥＵＶ光Ｌ１０が出力される。
　３）バースト運転中はドライバレーザ１を連続発光運転するため、ドライバレーザ１の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ１に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
　実施の形態２
　つぎに、この開示の実施の形態２について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態２では、２段階のレーザ照射によってターゲット物質をプラズマ化するケースを例に挙げる。なお、本実施の形態２は、レーザ装置やレーザ加工装置などにも適用されてもよい。
　図１２は、この開示の実施の形態２にかかるＥＵＶ光源装置２００の概略構成例を示す模式図である。図１２に示すように、この実施の形態２によるＥＵＶ光源装置２００は、図１に示した構成に加えて、さらにプリパルスレーザ３０を有する。このプリパルスレーザ３０から出力されたプリパルス光ＬＰは、ミラーＭ４を含む光学系およびＥＵＶチャンバ１０に設けられたウィンドウＷ２を介してＥＵＶチャンバ１０内に入る。その後、プリパルス光ＬＰは、焦点を持つ集光ミラーＭ５によって反射されることで、プリプラズマ生成サイトＰ１１付近を通過するドロップレット１３に集光される。これにより、ドロップレット１３の一部または全部からプリプラズマが生成される。そして、このプリプラズマＰＰにレーザパルス光Ｌ１を集光することによって、ＥＵＶ光Ｌ１０を放射するプラズマが生成される。本実施の形態２では、このようなＥＵＶ光源装置２００において、バースト運転中、ドライバレーザ１を連続発光運転させた状態で、連続発光停止期間Ｔ１中にプリパルス光ＬＰの発振を停止させる。これにより、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止することができる。プリパルス光ＬＰの照射先には、プリパルス光ＬＰを吸収するレーザダンパＰＤＰ１を設けてもよい。
　なお、プリプラズマとは、ドロップレット１３などのターゲット物質の集合の表面から発生した電子温度および／または電子密度が比較的低いプラズマ、あるいは中性粒子、または、電子温度および／または電子密度が比較的低いプラズマと中性粒子との混合状態を意味する。このプリプラズマＰＰの状態のターゲットにレーザパルス光Ｌ１を照射することによって、電子温度および／または電子密度の比較的高いプラズマにすることができる。電子温度および／または電子密度の比較的高いプラズマからは比較的多くのＥＵＶ光が得られることが知られている。つまりプリプラズマをレーザパルス光で更に加熱することにより、高い変換効率（ＣＥ）でＥＵＶ光Ｌ１０を生成することができる。
　ここで、図１３に示すように、プリパルス光ＬＰがプリプラズマ生成サイトＰ１１付近を通過するドロップレット１３に照射される。すると、プリパルス光ＬＰの照射からドロップレット１３が微小時間移動した後の位置に相当するプリプラズマ生成サイトＰ１１ａの近傍位置であるプラズマ生成サイトＰ２０付近に、プリプラズマＰＰが生成される。そこで、本実施の形態２では、このプラズマ生成サイトＰ２０付近に発生したプリプラズマＰＰにレーザパルス光Ｌ１を集光する。これにより、プリプラズマＰＰから、ＥＵＶ光Ｌ１０の発生源であるプラズマを生成する。このように、レーザパルス光Ｌ１をプラズマ状態に近いプリプラズマＰＰに照射してプラズマを生成することで、レーザパルス光Ｌ１からＥＵＶ光Ｌ１０への変換効率（ＣＥ）を高めることができる。
　なお、プリプラズマＰＰの代わりに、ドロップレット１３を破壊することで生成されるターゲット物質の飛散物（フラグメント）群を、プラズマの生成に利用してもよい。ターゲット物質の飛散物（フラグメント）群の生成は、たとえば、プリプラズマ生成用のプリパルス光ＬＰよりも低いパルスエネルギーのレーザパルス光をプリパルス光ＬＰに用いればよい。図１４に示すように、プリプラズマ生成用のプリパルス光よりも低いパルスエネルギーのプリパルス光ＬＰをドロップレット１３に照射すると（図１４（ａ）参照）、ドロップレット１３が破壊される。これにより、プリパルス光ＬＰの進行方向にターゲット物質の粒子が飛散した飛散物による飛散空間ＦＳが形成される。本実施の形態２では、この飛散空間ＦＳにレーザパルス光Ｌ１を照射することで、ＥＵＶ光Ｌ１０の発生源であるプラズマが生成される（図１４（ｂ）参照）。この場合（フラグメント照射）であっても、プリプラズマＰＰにレーザパルス光Ｌ１を照射する場合（プリプラズマ照射）と同様に、たとえば１段階のレーザ照射によってドロップレット１３からプラズマを生成する場合に比して、レーザパルス光Ｌ１からＥＵＶ光Ｌ１０への変換効率（ＣＥ）を高めることができる。また、プリプラズマ照射およびフラグメント照射のいずれの場合も、同じ強度のＥＵＶ光Ｌ１０を得る場合、レーザパルス光Ｌ１のパルスエネルギーを小さくすることができるため、ドライバレーザ１の小型化および低消費電力化を促進することができる。
　この実施の形態２では、ＥＵＶ光源コントローラＣの制御のもと、レーザコントローラＣ２がプリパルスレーザ３０の発振制御を行う。この際、バースト制御部Ｃ１は、図１５（ａ）に示すように、連続発光停止期間Ｔ１中、プリパルス光ＬＰの発振を停止させることで、プリプラズマＰＰまたは飛散空間ＦＳが生成されないように制御する。その結果、図１５（ｂ）に示すように、レーザパルス光Ｌ１は、このプリプラズマＰＰが生成していないプラズマ生成サイトＰ２０に照射されるか、または、図１５（ｃ）に示すように、フラグメントが生成していない飛散空間ＦＳａに照射される。そのため、ＥＵＶ光Ｌ１０は生成しない。
　たとえば、プリプラズマ照射の場合、図１６において、連続発光期間Ｔ２中である場合、ドロップレット１３がプリプラズマ生成サイトＰ１１に到着したタイミングｔｈ１で（図１６（ａ）参照）、プリパルス光発振トリガが発生し（図１６（ｂ）参照）、その後、プリプラズマＰＰがタイミングｔｈ１から遅れたタイミングｔｈ１ｂで生成される（図１６（ｃ））。このタイミングｔｈ１ｂでレーザパルス光発振トリガが発生し（図１６（ｄ）参照）、このタイミングｔｈ１ｂから遅れたタイミングｔｈ１ａでプラズマが生成されて（図１６（ｅ）参照）、その結果、ＥＵＶ光Ｌ１０が発光する（図１６（ｆ）参照）。
　一方、連続発光停止期間Ｔ１中である場合、プリパルス光発振トリガが発生しないため、プリプラズマＰＰが生成されない（図１６（ｂ）および（ｃ）参照）。このため、レーザパルス光Ｌ１が発生していても、プラズマは生成されず、その結果、ＥＵＶ光Ｌ１０も発光しない（図１６（ｄ）～（ｆ）参照）。すなわち、ドライバレーザ１を連続発光運転した状態で、ＥＵＶ光Ｌ１０の発光を停止することができる。
　ここで、図１７に示したフローチャートを参照してこの実施の形態２によるバースト制御処理について説明する。まず、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１に対してドロップレット１３の生成開始の処理を行う（ステップＳ４０１）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、撮像装置１２によるプリプラズマ生成サイトＰ１１付近の撮像結果をもとにドロップレット１３の位置（軌道であってもよい）と速度とを計測する（ステップＳ４０２）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１の駆動タイミング（たとえばターゲット生成信号Ｓ４の出力タイミング）からドロップレット１３がプリプラズマ生成サイトＰ１１に到着するまでの時間（プリプラズマ生成サイト到達時間）を予測し、予想されたプリプラズマ生成サイト到達時間に基づいてプリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１の発振トリガタイミングを決定する（ステップＳ４０３）。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣのバースト制御部Ｃ１は、現在、連続発光期間Ｔ２中であるか否かを判断する（ステップＳ４０４）。連続発光期間Ｔ２中である場合（ステップＳ４０４，Ｙｅｓ）、バースト制御部Ｃ１は、プリパルス光ＬＰを発振させ（ステップＳ４０５）、その後、レーザパルス光Ｌ１を発振させる（ステップＳ４０６）。これにより、プリパルス光ＬＰがドロップレット１３に照射されてプリプラズマＰＰが生成されるとともに、このプリプラズマＰＰにレーザパルス光Ｌ１が照射されて、ＥＵＶ光Ｌ１０が生成される。
　一方、連続発光期間Ｔ２中でない場合（ステップＳ４０４，Ｎｏ）、すなわち連続発光停止期間Ｔ１中である場合、プリパルス光ＬＰの発振を行わず、レーザパルス光Ｌ１のみの発振を行う（ステップＳ４０６）。これによって、ＥＵＶ光Ｌ１０は生成されない。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、露光装置２０側から露光終了を示すバースト発光指示信号Ｓ１が入力されたか否かを判断し（ステップＳ４０７）、露光終了でない場合（ステップＳ４０７，Ｎｏ）、ステップＳ４０２に移行して、上述したバースト運転を継続して行う。一方、露光終了である場合（ステップＳ４０７，Ｙｅｓ）、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ドロップレット１３の生成を停止し（ステップＳ４０８）、本処理を終了する。
　　この実施の形態２のように、バースト発振期間中の連続発光停止期間Ｔ１中、プリパルス光ＬＰの発振を停止させることでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した場合、以下の効果を期待できる場合がある。
　１）ＥＵＶチャンバ１０内の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ３などへのダメージを低減する。この結果、ＥＵＶ光源装置の寿命が延びる。
　２）バースト運転中はドライバレーザ１を連続発光運転するため、ドライバレーザ１の光学系が熱的に安定する。これにより、ドロップレット１３に対して安定した位置及びエネルギーでレーザパルス光Ｌ１が照射される。この結果、安定したＥＵＶ光Ｌ１０が出力される。
　３）バースト運転中はドライバレーザ１を連続発光運転するため、ドライバレーザ１の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ１に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
（実施の形態２の変形例１）
　上述した実施の形態２では、プリパルス光ＬＰを発振しないことで、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した。ただし、これに限らず、たとえば実施の形態１のレーザパルス光Ｌ１と同じように、プリパルス光ＬＰの発振タイミングをずらすことで（図１８（ａ）参照）、レーザパルス光Ｌ１を連続発振しつつＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止することも可能である。（図１８（ｂ）参照）。以下、このケースを、本実施の形態２の変形例１として説明する。
　図１９（ｂ）に示すように、本変形例１では、連続発光停止期間Ｔ１中、プリパルス光ＬＰの発振タイミングをΔｔ２遅らせる。これにより、プリプラズマ生成タイミングｔ１ｂおよびｔ２ｂでプリプラズマＰＰが生成されないため、たとえレーザパルス光発振タイミングｔ１ｂおよびｔ２ｂでレーザパルス光Ｌ１が発振されていても、ＥＵＶ発光タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでＥＵＶ光Ｌ１０が発光しない。この場合、プリパルスレーザ３０は、連続発光運転されているため、ドライバレーザ１と同様に、安定したプリパルス光ＬＰを出力することができる。この結果、一層安定したＥＵＶ光Ｌ１０を発光することができる。この変形例１では、プリパルス光ＬＰの発振タイミングを早くしても同じような効果を得ることができる。
　ここで、図２０に示したフローチャートを参照してこの実施の形態２の変形例１によるバースト制御処理について説明する。まず、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１に対してドロップレット１３の生成開始の処理を行う（ステップＳ５０１）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、撮像装置１２によるプリプラズマ生成サイトＰ１１付近の撮像結果をもとにドロップレット１３の位置（軌道であってもよい）と速度とを計測する（ステップＳ５０２）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、プリプラズマ生成サイト到達時間を予測し、予想されたプリプラズマ生成サイト到達時間に基づいてプリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１の発振トリガタイミングを決定する（ステップＳ５０３）。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣのバースト制御部Ｃ１は、現在、連続発光期間Ｔ２中であるか否かを判断する（ステップＳ５０４）。連続発光期間Ｔ２中である場合（ステップＳ５０４，Ｙｅｓ）、バースト制御部Ｃ１は、そのままプリパルス光ＬＰを発振させ（ステップＳ５０５）、その後、レーザパルス光Ｌ１を発振させる（ステップＳ５０６）。これにより、レーザパルス光Ｌ１がプリパルス光ＬＰの照射によって発生したプリプラズマＰＰに照射されて、ＥＵＶ光Ｌ１０が生成される。
　一方、連続発光期間Ｔ２中でない場合（ステップＳ５０４，Ｎｏ）、すなわち連続発光停止期間Ｔ１である場合、プリパルス光ＬＰの発振タイミングをずらした（ステップＳ５０７）後、プリパルス光ＬＰを発振させ（ステップＳ５０５）、つづいて、レーザパルス光Ｌ１を発振させる（ステップＳ５０６）。この場合、プリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１ともに発振しているが、ＥＵＶ光Ｌ１０は発光しない。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、露光装置２０側から露光終了を示すバースト発光指示信号Ｓ１が入力されたか否かを判断し（ステップＳ５０８）、露光終了でない場合（ステップＳ５０８，Ｎｏ）、ステップＳ５０２に移行し、上述したバースト運転を継続して行う。一方、露光終了である場合（ステップＳ５０８，Ｙｅｓ）、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ドロップレット１３の生成を停止し（ステップＳ５０９）、本処理を終了する。
　この実施の形態２の変形例１のように、連続発光停止期間Ｔ１中、プリパルス光ＬＰの発振のタイミングを変更することでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した場合、以下の効果を期待できる場合がある。
　１）ＥＵＶチャンバ１０内の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ３などへのダメージを低減する。この結果、ＥＵＶ光源装置の寿命が延びる。
　２）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光Ｌ１およびプリパルス光ＬＰの出力によって安定したＥＵＶ光Ｌ１０を出力することができる。
　３）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
（実施の形態２の変形例２）
　上述した実施の形態２の変形例１では、プリパルス光ＬＰの発振タイミングを変更することで、プリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１を連続発振しつつＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した。これに対し、この実施の形態２の変形例２では、実施の形態１の変形例１におけるレーザパルス光Ｌ１と同じように、プリパルス光ＬＰの光軸ＣＩ１を光軸ＣＩ１ａにずらす（図２１（ａ）参照）。この制御によっても、レーザパルス光Ｌ１が発振されていても、プリプラズマＰＰが発生しないため、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止できる（図２１（ｂ）参照）。なお、プリパルス光ＬＰの光軸ＣＩ１上に配置されたレーザダンパＰＤＰ１の他に、光軸ＣＩ１ａ上にレーザダンパＰＤＰ２を設けてもよい。
　図２２（ｃ）に示すように、時点ｔ３から時点ｔ４までの連続発光停止期間Ｔ１を含む期間、ミラーアクチュエータＭ５ａを駆動してプリパルス光ＬＰの光軸ずれを生じさせる（図１２参照）。これにより、プリパルス光ＬＰがドロップレット１３に照射されないため、プリプラズマ生成タイミングｔ１ｂおよびｔ２ｂでプリプラズマＰＰが発生しない（図２２（ｄ）参照）。その結果、ＥＵＶ発光タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでＥＵＶ光Ｌ１０が生成されない（図２２（ｇ）参照）。
　ここで、図２３に示すフローチャートを参照してこの実施の形態２の変形例２によるバースト制御処理について説明する。まず、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１に対してドロップレット１３の生成開始の処理を行う（ステップＳ６０１）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、撮像装置１２によるプリプラズマ生成サイトＰ１１の撮像結果をもとにドロップレット１３の位置（軌道であってもよい）と速度とを計測する（ステップＳ６０２）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、プリプラズマ生成サイト到達時間を予測し、予想されたプリプラズマ生成サイト到達時間に基づいてプリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１の発振トリガタイミングを決定する（ステップＳ６０３）。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣのバースト制御部Ｃ１は、現在、連続発光期間Ｔ２中であるか否かを判断する（ステップＳ６０４）。連続発光期間Ｔ２中である場合（ステップＳ６０４，Ｙｅｓ）には、バースト制御部Ｃ１は、現在のプリパルス光ＬＰの光軸ＣＩ１がずれておらず正常であるか否かを判断する（ステップＳ６０５）。その後、バースト制御部Ｃ１は、プリパルス光ＬＰの光軸ずれがある場合（ステップＳ６０５，Ｎｏ）、プリパルス光ＬＰの光軸ずれを戻した後（ステップＳ６０６）、ステップＳ６０３で決定された発振トリガタイミングでプリパルス光ＬＰを発振させ（ステップＳ６０９）、さらにレーザパルス光Ｌ１を発振させる（ステップＳ６１０）。これにより、プリパルス光ＬＰがドロップレット１３に照射されてプリプラズマＰＰが生成されるとともに、このプリプラズマＰＰにレーザパルス光Ｌ１が照射されて、ＥＵＶ光Ｌ１０が生成される。
　一方、連続発光期間Ｔ２中でない場合（ステップＳ６０４，Ｎｏ）、すなわち連続発光停止期間Ｔ１中である場合、現在のプリパルス光ＬＰの光軸ＣＩ１がずれているか否かを判断する（ステップＳ６０７）。その後、バースト制御部Ｃ１は、プリパルス光ＬＰの光軸ずれがない場合（ステップＳ６０７，Ｎｏ）、プリパルス光ＬＰの光軸ずれを生じさせた後（ステップＳ６０８）、ステップＳ６０３で決定された発振トリガタイミングでプリパルス光ＬＰを発振させ（ステップＳ６０９）、さらにレーザパルス光Ｌ１を発振させる（ステップＳ６１０）。この場合、プリパルスレーザ３０から出力されたプリパルス光ＬＰがドロップレット１３に照射されないため、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成が停止する。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、露光装置２０側から露光終了を示すバースト発光指示信号Ｓ１が入力されたか否かを判断し（ステップＳ６１１）、露光終了でない場合（ステップＳ６１１，Ｎｏ）、ステップＳ６０２に移行し、上述したバースト運転を継続して行う。一方、露光終了である場合（ステップＳ６１１，Ｙｅｓ）、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ドロップレット１３の生成を停止し（ステップＳ６１２）、本処理を終了する。
　この実施の形態２の変形例２のように、連続発光停止期間Ｔ１中、プリパルス光ＬＰの光軸をずらすことでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した場合、以下の効果を期待できる場合がある。
　１）ＥＵＶチャンバ１０内の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ３などへのダメージを低減する。この結果、ＥＵＶ光源装置の寿命が延びる。
　２）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光Ｌ１およびプリパルス光ＬＰの出力によって安定したＥＵＶ光Ｌ１０を出力することができる。
　３）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
（実施の形態２の変形例３）
　また、実施の形態１の変形例２のレーザパルス光Ｌ１と同じように、プリパルス光ＬＰのフォーカスＦ１０をＦ１０ａにずらすことで（図２４（ａ）参照）、レーザパルス光Ｌ１およびプリパルス光ＬＰを連続発振しつつ、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止することも可能である（図２４（ｂ）参照）。以下、このケースを、本実施の形態２の変形例３として説明する。
　図２５（ｃ）に示すように、時点ｔ３から時点ｔ４までの連続発光停止期間Ｔ１を含む期間、ミラーアクチュエータＭ５ａとプリパルスレーザ３０のミラーＭ４とを駆動してプリパルス光ＬＰのフォーカスずれを生じさせる（図１２参照）。その結果、プリパルス光ＬＰのエネルギー密度が低下するため、プリパルス光ＬＰの照射によってもドロップレット１３からプリプラズマＰＰが生成されない。このため、プリプラズマ生成タイミングｔ１ｂおよびｔ２ｂでプリプラズマＰＰが発生せず（図２５（ｄ）参照）、これにより、ＥＵＶ発光タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでＥＵＶ光Ｌ１０が生成されない（図２５（ｇ）参照）。
　ここで、図２６に示すフローチャートを参照してこの実施の形態２の変形例３によるバースト制御処理について説明する。まず、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ターゲット供給部１１に対してドロップレット１３の生成開始の処理を行う（ステップＳ７０１）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、撮像装置１２によるプリプラズマ生成サイトＰ１１付近の撮像結果をもとにドロップレット１３の位置（軌道であってもよい）と速度とを計測する（ステップＳ７０２）。その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、プリプラズマ生成サイト到達時間を予測し、予想されたプリプラズマ生成サイト到達時間に基づいてプリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１の発振トリガタイミングを決定する（ステップＳ７０３）。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣのバースト制御部Ｃ１は、現在、連続発光期間Ｔ２中であるか否かを判断する（ステップＳ７０４）。連続発光期間Ｔ２中である場合（ステップＳ７０４，Ｙｅｓ）には、現在のプリパルス光ＬＰのフォーカスＦ１０がずれておらず正常であるか否かを判断する（ステップＳ７０５）。その後、バースト制御部Ｃ１は、プリパルス光ＬＰのフォーカスずれがある場合（ステップＳ７０５，Ｎｏ）、プリパルス光ＬＰのフォーカスずれを戻した後（ステップＳ７０６）、ステップＳ７０３で決定された発振トリガタイミングでプリパルス光ＬＰを発振させ（ステップＳ７０９）、さらにレーザパルス光Ｌ１を発振させる（ステップＳ７１０）。これにより、プリパルス光ＬＰがドロップレット１３に照射されてプリプラズマＰＰが生成されるとともに、このプリプラズマＰＰにレーザパルス光Ｌ１が照射されて、ＥＵＶ光Ｌ１０が生成される。
　一方、連続発光期間Ｔ２中でない場合（ステップＳ７０４，Ｎｏ）、すなわち連続発光停止期間Ｔ１である場合、バースト制御部Ｃ１は、現在のプリパルス光ＬＰのフォーカスＦ１０がずれているか否かを判断する（ステップＳ７０７）。その後、バースト制御部Ｃ１は、プリパルス光ＬＰのフォーカスずれがない場合（ステップＳ７０７，Ｎｏ）、プリパルス光ＬＰのフォーカスずれを生じさせた後（ステップＳ７０８）、ステップＳ７０３で決定された発振トリガタイミングでプリパルス光ＬＰを発振させ（ステップＳ７０９）、さらにレーザパルス光Ｌ１を発振させる（ステップＳ７１０）。この場合、プリパルス光ＬＰの照射によってドロップレット１３がプリプラズマ化しないため、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成が停止する。
　その後、ＥＵＶ光源コントローラＣは、露光装置２０側から露光終了を示すバースト発光指示信号Ｓ１が入力されたか否かを判断し（ステップＳ７１１）、露光終了でない場合（ステップＳ７１１，Ｎｏ）、ステップＳ７０２に移行し、上述したバースト運転を継続して行う。一方、露光終了である場合（ステップＳ７１１，Ｙｅｓ）、ＥＵＶ光源コントローラＣは、ドロップレット１３の生成を停止し（ステップＳ７１２）、本処理を終了する。
　この実施の形態２の変形例３のように、連続発光停止期間Ｔ１中、プリパルス光ＬＰのフォーカスＦ１０をずらすことでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した場合、以下の効果を期待できる場合がある。
　１）ＥＵＶチャンバ１０内の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ３などへのダメージを低減する。この結果、ＥＵＶ光源装置の寿命が延びる。
　２）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光Ｌ１およびプリパルス光ＬＰの出力によって安定したＥＵＶ光Ｌ１０を出力することができる。
　３）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
　この実施の形態２およびその変形例では、プリパルス光ＰＬを制御することによって、ＥＵＶ光Ｌ１０のバースト発光を可能にしていた。ただし、この実施の形態２およびその変形例に限定されることはない。たとえば、プリパルス光ＰＬとレーザパルス光Ｌ１との両方の発振タイミングを変更する制御、両パルス光の光軸をずらす制御、または、両パルス光のフォーカス位置をずらす制御を行うことによって、ＥＵＶ光Ｌ１０のバースト発光を可能にしてもよい。この方式は、プリパルス光ＬＰとレーザパルス光Ｌ１との集光点が略一致している場合に有効である。例えば、ターゲットであるドロップレットがマスリミテッド（約１０μｍ径）の場合、プリパルス光ＬＰの照射によって広がったターゲット物質の広がりは、元のドロップレットの位置に近い。この場合、プリパルス光ＬＰをドロップレットに照射しないように制御したとしても、レーザパルス光Ｌ１がドロップレットに照射されるため、バースト制御が困難である。このような場合に上述した同時制御を行うことによって、ＥＵＶ光Ｌ１０のバースト発光が可能となる。
　上述したプリパルス光ＬＰとレーザパルス光Ｌ１との集光点を略一致させる同軸照射を行う装置の一例は、たとえば図２７に示す構成によって実現される。図２７は、この開示の実施の形態２の変形例４にかかるプリパルス光ＬＰとレーザパルス光Ｌ１との集光点を略一致させる同軸照射を行うＥＵＶ光源装置の概略構成例を示す模式図である。
　図２７に示すＥＵＶ光源装置２００Ｄでは、プリパルスレーザ３０から出力されたプリパルス光ＬＰは、ビームスプリッタＭ６を介して、レーザパルス光Ｌ１とほぼ同じ光軸でドロップレット１３に照射される。一方、レーザパルス光Ｌ１もビームスプリッタＭ６を介して、プリパルス光ＬＰとほぼ同じ光軸でプリプラズマＰＰに照射される。すなわち、プリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１は、ビームスプリッタＭ６、集光ミラーＭ２を介して同じ光軸で、それぞれドロップレット１３またはプリプラズマＰＰに照射される。レーザダンパＬＤＰ１は、プリパルス光ＬＰ用のレーザダンパＰＤＰとしても機能する。
　このプリパルス光ＬＰとレーザパルス光Ｌ１との同軸照射によって、集光ミラーＭ２をそれぞれの集光ミラーとして共用することができる。この結果、装置の簡易化および小型化を促進することができるとともに、集光ミラーＭ２の操作のみで、プリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１の光軸あるいはフォーカス位置を同時にずらすことができる。この集光ミラーＭ２の制御は、たとえばミラーコントローラＣ３から出力されるミラー駆動制御信号Ｓ３ａによって行われる。
（実施の形態３）
　つぎに、この開示の実施の形態３について説明する。この実施の形態３では、実施の形態２と同様に、プリパルスレーザ３０を用いてプリパルス光ＬＰを発振し、生成されたプリプラズマＰＰにレーザパルス光Ｌ１を照射することによって、ＥＵＶ光Ｌ１０を生成するＥＵＶ光源装置を例に挙げる。本実施の形態３では、このようなＥＵＶ光源装置において、バースト運転中、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転させた状態で、連続発光停止期間Ｔ１中にドロップレット１３の吐出を停止させることで、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止させる。なお、本実施の形態３は、実施の形態１と同様に、プリパルス光ＬＰを用いないＥＵＶ光源装置に適用してもよい。
　本実施の形態３では、図２８に示すように、連続発光停止期間Ｔ１中は、ＥＵＶ光Ｌ１０の発生源となるターゲット物質（ドロップレット１３）が供給されないため、プリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１がプリプラズマ生成サイトＰ１１およびプラズマ生成サイトＰ２０に照射されたとしても、ＥＵＶ光Ｌ１０は生成されない。
　この実施の形態３では、ＥＵＶ光源コントローラＣのバースト制御部Ｃ１が、ターゲット供給部１１にターゲット生成信号Ｓ４を出力してドロップレット１３の供給制御を行っており、特に、ドロップレット１３の吐出期間と吐出停止期間とを制御している（図１２または図２７参照）。したがって、図２９（ａ）に示すように、連続発光停止期間Ｔ１では、プリプラズマＰＰが生成されるタイミングｔｔ１およびｔｔ２においてドロップレット１３の生成を指示するターゲット生成信号Ｓ４が出力されず、これにより、ドロップレット１３が生成されない。この結果、連続発光停止期間Ｔ１中は、ドロップレット１３がタイミングｔ１およびｔ２でプリプラズマ生成サイトＰ１１に存在しないため（図２９（ｂ）参照）、たとえタイミングｔ１およびｔ２でプリパルス光発振トリガが発生して、プリパルス光ＬＰが出力されても（図２９（ｃ）参照）、プリプラズマＰＰは発生しない。さらに、たとえタイミングｔ１ｂおよびｔ２ｂでレーザパルス光発振トリガが発生して（図２９（ｅ）参照）、レーザパルス光Ｌ１が出力されても、タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでプラズマが生成しない（図２９（ｆ））。その結果、ＥＵＶ光Ｌ１０も生成されない（図２９（ｇ））。
　この実施の形態３のように、連続発光停止期間Ｔ１中、ドロップレット１３の吐出を停止させることでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した場合、以下の効果を期待できる場合がある。
　１）ＥＵＶチャンバ１０内の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ３などへのダメージを低減する。この結果、ＥＵＶ光源装置の寿命が延びる。
　２）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光Ｌ１およびプリパルス光ＬＰの出力によって安定したＥＵＶ光Ｌ１０を出力することができる。
　３）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
　４）連続発光停止期間Ｔ１中はドロップレットが吐出されないので、ドロップレットの消費量を低減できる。
（実施の形態３の変形例１）
　上述した実施の形態３では、ドロップレット１３の吐出を停止させることでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した。ただし、これに限らず、ドロップレット１３の生成タイミングをずらすことで、プリパルス光ＬＰおよびレーザパルス光Ｌ１を連続発振しつつＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止することも可能である。以下、このケースを、本実施の形態３の変形例１として説明する。
　図３０（ａ）に示すように、本変形例１では、連続発光停止期間Ｔ１中、ドロップレット１３の発生タイミングを遅らせる。これにより、プリパルス光ＬＰがドロップレット１３に照射されないため、プリプラズマＰＰが発生しない。この結果、レーザパルス光Ｌ１を発振してもＥＵＶ光Ｌ１０が生成されない。もちろん、ドロップレット１３の発生タイミングを早くしても同じような効果を得ることができる。
　図３１（ａ）では、連続発光停止期間Ｔ１で、ターゲット生成信号Ｓ４の発生タイミングをΔｔ３分、遅らせている（ターゲット生成信号Ｓ４のｔｔ１とｔｔ２のタイミング）。この結果、タイミングｔ１およびｔ２にドロップレット１３がプリプラズマ生成サイトＰ１１に到着しないため（図３１（ｂ）参照）、プリパルス光発振トリガがタイミングｔ１およびｔ２で生成されても、プリパルス光ＬＰがドロップレット１３に照射されることはない。このため、タイミングｔ１ｂおよびｔ２ｂでのプリプラズマＰＰの発生はない（図３１（ｄ）参照）。その結果、タイミングｔ１ｂおよびｔ２ｂでレーザパルス光Ｌ１が照射されても（図３１（ｅ）参照）、タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでのプラズマの発生はなく、これにより、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成もない（図３１（ｆ）および（ｇ）参照）。
　この実施の形態３の変形例１のように、連続発光停止期間Ｔ１中、ドロップレット１３の吐出タイミングをずらすことでＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止した場合、以下の効果を期待できる場合がある。
　１）ＥＵＶチャンバ１０内の光学素子、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ３などへのダメージを低減する。この結果、ＥＵＶ光源装置の寿命が延びる。
　２）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の光学系が熱的に安定する。安定したレーザパルス光Ｌ１およびプリパルス光ＬＰの出力によって安定したＥＵＶ光Ｌ１０を出力することができる。
　３）バースト運転中はドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転するため、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０の熱負荷変動を低減できる。これにより、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０に用いる光学素子などに対する熱負荷変動によるダメージが低減される。この結果、光学素子の寿命が延びる。
（実施の形態３の変形例２）
　また、ドロップレット１３を吐出後に加速あるいは減速することによっても、プリパルス光ＬＰのドロップレット１３への照射を回避して、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止することも可能である。以下、このケースを、本実施の形態３の変形例３として説明する。
　図３２に示すＥＵＶ光源装置３００Ａでは、ドロップレット１３の軌道周辺であって、ターゲット供給部１１の吐出端からプリパルス光ＬＰの照射点までの間に、ターゲット供給部１１側から、順次、帯電電極４０と加減速機構５０とが設けられる。帯電電極４０は、帯電電圧コントローラＣ４によって帯電電圧が制御される。加減速機構５０は、加減速コントローラＣ５によって加減速制御される。帯電電極４０は、帯電された電極間を通過するドロップレット１３を帯電する。加減速機構５０は、軌道軸方向に対向する１対の電界発生電極あるいは磁界発生コイルによって実現され、帯電したドロップレット１３を電界あるいは磁界によって加速または減速する。また、帯電コントローラＣ４および加減速コントローラＣ５は、ＥＵＶ光源コントローラＣに接続され、ＥＵＶ光源コントローラＣ内のバースト制御部Ｃ１から制御の指示が与えられる。
　たとえば、図３３および図３４に示すように、帯電電極４０には、帯電電極コントローラＣ４から帯電電極用電圧印加信号Ｓ７が常時印加される。このため、連続発光停止期間Ｔ１中に吐出されたドロップレット１３は、この帯電電極４０によって正電荷に帯電されている（図３４（ｂ）参照）。さらに、連続発光停止期間Ｔ１中（期間ｔ５およびｔ６間）、加減速機構５０には、加減速コントローラＣ５から加速用電界印加信号Ｓ８が印加される（図３４（ｃ）参照）。そのため、帯電されたドロップレット１３は、加減速機構５０によって加速される。これにより、プリプラズマ生成サイトＰ１１には、ドロップレット１３が期間Δｔ４分、早く到着する（図３４（ｄ）参照）。この結果、プリパルス光ＬＰは、プリプラズマ生成サイトＰ１１でドロップレット１３に照射されない（図３３（ａ））。このため、プリプラズマＰＰ生成タイミングｔ１ｂおよびｔ２ｂではプリプラズマＰＰが発生しない（図３４（ｆ）および図３３（ｂ））。これにより、レーザパルス光Ｌ１トリガがタイミングｔ１ｂおよびｔ２ｂで生成されても（図３４（ｇ））、タイミングｔ１ａおよびｔ２ａでのプラズマの発生はない（図３４（ｈ）参照）。その結果、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成もない（図３４（ｉ））。
　これによって、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転した状態で、連続発光停止期間Ｔ１中にＥＵＶ光Ｌ１０の発光を停止させることができる。
　なお、図３５に示すように、帯電電極用電圧印加信号Ｓ７を連続発光停止期間Ｔ１中のみにオン状態としてドロップレット１３を帯電し（図３５（（ｂ）参照）、加速用電界印加信号Ｓ８を常時オン状態とすることで、帯電されたドロップレット１３を加速するように構成してもよい（図３５（ｃ）参照）。さらに、帯電電極用電圧印加信号Ｓ７および加速用電界印加信号Ｓ８の双方を、連続発光停止期間Ｔ１中のみにオン状態とするように構成してもよい。
　また、帯電電極用電圧印加信号Ｓ７を常時オン状態とし、連続発光期間Ｔ２中は加速用電界印加信号Ｓ８をオン状態とし、連続発光停止期間Ｔ１中は加速用電界印加信号Ｓ８をオフ状態としてもよい。この場合、連続発光停止期間Ｔ１では、帯電されたドロップレット１３が減速される。さらに、加速用電界印加信号Ｓ８を常時オン状態とし、連続発光期間Ｔ２中は帯電電極用電圧印加信号Ｓ７をオン状態とし、連続発光停止期間Ｔ１中は帯電電極用電圧印加信号Ｓ７をオフ状態としてもよい。この場合、連続発光期間Ｔ２中のドロップレット１３に比して、連続発光停止期間Ｔ１中のドロップレット１３が減速される。この際、連続発光停止期間Ｔ１中、加速用電界印加信号Ｓ８をオフ状態としてもよい。すなわち、帯電電極用電圧印加信号Ｓ７および加速用電界印加信号Ｓ８を、連続発光期間Ｔ２中はオン状態とし、連続発光停止期間Ｔ１中はオフ状態としてもよい。この場合、連続発光期間Ｔ２中のドロップレット１３に比して、連続発光停止期間Ｔ１中のドロップレット１３が減速される。
　これらをまとめると、連続発光期間Ｔ２および連続発光停止期間Ｔ１に対する帯電電極４０および加減速機構５０のオンオフ制御パターンとしては、図３６に示すような６つの制御パターンａ１～ａ６を例示することができる。
　また、加減速コントローラＣ５は、加速用電界印加信号Ｓ８に替えて減速用電圧印加信号を加減速機構５０に印加して、帯電したターゲットを減速するように動作してもよい。
（実施の形態３の変形例３）
　また、帯電されたドロップレット１３に軌道ずれを生じさせることによって、プリパルス光ＬＰがドロップレット１３に照射させないように構成してもよい。以下、このケースを、本実施の形態３の変形例３として説明する。
　図３７に示すＥＵＶ光源装置３００Ｃでは、加減速機構５０に替えて偏向機構６０が設けられるとともに、加減速コントローラＣ５に替えて偏向コントローラＣ６が設けられる。偏向コントローラＣ６は、偏向用電界印加信号Ｓ９を偏向機構６０に印加することで、偏向機構６０を通過する帯電したドロップレット１３を軌道からずらす。
　たとえば、図３８および図３９に示すように、帯電電極用電圧印加信号Ｓ７を常時印加することで帯電電極４０を通過するドロップレット１３を帯電しておくとともに（図３９（ｂ）参照）、連続発光停止期間Ｔ１中は、偏向用電界印加信号Ｓ９を偏向機構６０に印加する（図３９（ｃ）参照）。この制御により、帯電したドロップレット１３が偏向され、その軌道が少なくともプリプラズマ生成サイトＰ１１を通過しない軌道にずれる（図３８（ａ）参照）。これによって、プリプラズマ生成サイトＰ１１に帯電したドロップレット１３が到着しないため、ドロップレット１３にプリパルス光ＬＰが照射されることがない。その結果、レーザパルス光Ｌ１が発振されたとしても、ＥＵＶ光Ｌ１０が発光されることはない。なお、偏向されないドロップレット１３を回収するターゲット回収装置ＤＰ１の他に、偏向されたドロップレット１３を回収するターゲット回収装置ＤＰ２をさらに設けてもよい。
　実施の形態３の変形例３では、ドライバレーザ１およびプリパルスレーザ３０を連続発光運転した状態で、連続発光停止期間Ｔ１中にＥＵＶ光Ｌ１０の発光を停止することができる。
　なお、図４０に示すように、帯電電極用電圧印加信号Ｓ７を連続発光停止期間Ｔ１中のみにオン状態としてドロップレット１３を帯電し（図４０（（ｂ）参照）、偏向用電界印加信号Ｓ９を常時オン状態とすることで、帯電されたドロップレット１３を偏向するように構成してもよい（図４０（ｃ）参照）。もちろん、帯電電極用電圧印加信号Ｓ７および偏向用電界印加信号Ｓ９の双方を、連続発光停止期間Ｔ１中のみオン状態とするように構成してもよい。
　また、上述した実施の形態３の変形例３では、連続発光停止期間Ｔ１中に、帯電したドロップレット１３を偏向することでその軌道をずらしている。ただし、これに限定されず、図４１に示すように、偏向された軌道Ｃ１００上にプリプラズマ生成サイトＰ１１を位置し、連続発光期間Ｔ２中は、常に帯電したドロップレット１３を偏向させるように構成してもよい。この場合、連続発光停止期間Ｔ１中は、帯電したドロップレット１３の偏向を行わない。これにより、帯電したドロップレット１３が、プリプラズマ生成サイトＰ１１の存在しない軌道Ｃ１０１ａ上を移動するため、ドロップレット１３へのプリパルス光ＬＰの照射を回避して、ＥＵＶ光Ｌ１０の生成を停止できる。
　このようなドロップレット１３の軌道偏向は、たとえば、図４２に示すように、常時オンとする帯電電極用電圧印加信号Ｓ７を帯電電極４０に印加するとともに（図４２（ｂ）参照）、連続発光停止期間Ｔ１中のみオフとする偏向用電界印加信号Ｓ９を偏向機構６０に印加することによって実現できる（図４２（ｃ）参照）。
　また、図４３に示すように、連続発光停止期間Ｔ１中のみオフとする帯電電極用電圧印加信号Ｓ７を帯電電極４０に印加するとともに（図４３（ｂ）参照）、常時オンとする偏向用電界印加信号Ｓ９を偏向機構６０に印加することによっても実現できる（図４３（ｃ）参照）。この場合、連続発光停止期間Ｔ１中は、偏向電界印加信号Ｓ９が偏向機構６０に印加されなくてもよい。
　これらをまとめると、連続発光期間Ｔ２および連続発光停止期間Ｔ１に対する帯電電極４０および偏向機構６０のオンオフ制御パターンとしては、図４４に示すような６つの制御パターンｂ１～ｂ６を例示することができる。
　ここで、図４５に示す本実施の形態３の変形例４によるＥＵＶ光源装置３００Ｄのように、帯電電極４０、加減速機構５０、および偏向機構６０の全てが設けられてもよい。この場合、帯電電極４０、加減速機構５０、および偏向機構６０を適宜選択制御することで、連続発光停止期間Ｔ１中にドロップレット１３の進行タイミング及び／または軌道をずらしてＥＵＶ光Ｌ１０の発光を停止させるように構成してもよい。
　なお、これら帯電電極４０、加減速機構５０、および偏向機構６０は、ターゲット供給部１１と独立した装置構成としてもよいし、一部あるいは全部を一体とする装置構成としてもよい。
　また、上述した実施の形態３およびその変形例では、ターゲット供給部１１の吐出口を圧電素子を用いて所定周期で連続して開閉し、これによって連続してドロップレット１３を吐出する、いわゆるコンティニュアスジェット方式を例に挙げた。ただし、これに限定されず、ドロップレット１３の吐出を任意のタイミングで開始および停止できる、いわゆるドロップオンデマンド方式を採用することも可能である。このドロップオンデマンド方式では、ターゲット供給部１１の吐出口にオン／オフが可能な吐出用帯電電極が設けられる場合がある。このような場合、吐出用帯電電極をオンすることによって発生する静電力によって、吐出口からドロップレット１３が引き出されて吐出される。
　具体的には、このドロップオンデマンド方式を適用したターゲット供給機構は、図４６に示すような構成となる。図４６に示すように、ターゲット供給部１１の吐出口には、吐出用帯電電極４１が設けられ、ＥＵＶ光源コントローラＣから送られるパルス指令によってターゲット物質がドロップレット１３として吐出される。この吐出されたドロップレット１３の軌道上には、さらに加減速機構５０に対応した加速電極５１と偏向機構６０に対応した偏向機構６１とが順次設けられてもよい。
　ターゲット供給部１１には、溶融Ｓｎなどのターゲット物質である液体金属が充填されている。ここで、吐出用帯電電極４１にパルス状の正の高電圧が印加されると、液体金属が静電力によってドロップレット１３として外部に引き出される。この際、ドロップレット１３は、正に帯電する。このように、吐出用帯電電極４１は、帯電電極４０としての機能も有する。なお、ドロップレット１３を吐出する際、吐出されたドロップレット１３が吐出口へ戻らないようにするために、ターゲット供給部１１を正に帯電されておくとよい。吐出用帯電電極４１から飛び出したドロップレット１３は、クーロン力によって接地された円盤状の加速電極５１へ向けて加速し、加速電極５１の中央部に設けられた孔を通過する。そして、この加速されたドロップレット１３は、偏向機構６１によって偏向機構６０と同様に偏向制御される。この偏向機構６１は、例えば静電レンズなどによって実現され、静電的にドロップレット１３の軌道を偏向する。
　なお、ＥＵＶチャンバ１０は、吐出されたドロップレット１３の軌道に影響を与えないように接地されていてもよい。そして、ターゲット供給部１１とＥＵＶチャンバ１０とは電気絶縁材４２を介して接続される。これは、ターゲット供給部１１とＥＵＶチャンバ１０との接続部近傍が接地状態であると、ドロップレット１３が、吐出後にターゲット供給部１１側に戻されてしまう可能性があるからである。
　この場合、ドロップレット１３が吐出される際、吐出用帯電電極４１によってドロップレット１３が常に帯電されるため、上述した制御パターンａ１またはａ４による偏向制御を適用することができる。
　なお、上述した実施の形態１～３およびそれらの変形例は、適宜組合せが可能である。たとえば、プリパルス光ＬＰを用いる形態または例を、レーザパルス光Ｌ１のみを用いる形態または例に適用することもできる。
　また、上述した各実施の形態およびその変形例における各種コントローラ（ＥＵＶ光源コントローラＣ（バースト制御部Ｃ１を含む）、レーザコントローラＣ２、ミラーコントローラＣ３等）は、たとえば図４７に示すような情報処理装置１０００を用いて実現することができる。各種コントローラの動作は、たとえば、たとえばＲＯＭやＣＤ－ＲＯＭやＤＶＤ－ＲＯＭやフラッシュメモリなどの記録媒体（書き込みまたは書き換え可能なものを含む）１００２に記録されたプログラム１００２ａをＣＰＵ１００１などの演算処理部が読み出して実行することで実現されてもよい。
　　　１　ドライバレーザ
　　　２　オシレータ
　　　３　プリアンプ
　　　４　メインアンプ
　　１０　ＥＵＶチャンバ
　　１１　ターゲット供給部
　　１２　撮像装置
　　１３　ドロップレット
　　２０　露光装置
　　３０　プリパルスレーザ
　　４０　帯電電極
　　４１　吐出用帯電電極
　　５０　加減速機構
　　５１　加速電極
　　６０，６１　偏向機構
　１００、１００Ａ、２００、２００Ｄ、３００Ａ、３００Ｃ、３００Ｄ　ＥＵＶ光源装置
　１０００　情報処理装置
　１００１　ＣＰＵ
　１００２　記録媒体
　１００２ａ　プログラム
　　　Ｍ１，Ｍ４　ミラー
　　　Ｍ２　集光ミラー
　　　Ｍ２ａ，Ｍ５ａ　ミラーアクチュエータ
　　　Ｍ３　ＥＵＶ集光ミラー
　　　Ｍ５　集光ミラー
　　　Ｍ６　ビームスプリッタ
　　　Ｗ１，Ｗ２　ウィンドウ
　　　Ｃ　ＥＵＶ光源コントローラ
　　　Ｃ１　バースト制御部
　　　Ｃ２　レーザコントローラ
　　　Ｃ３　ミラーコントローラ
　　　Ｃ４　帯電電圧コントローラ
　　　Ｃ５　加減速コントローラ
　　　Ｃ６　偏向コントローラ
　　　ＬＤＰ１，ＬＰＤ２，ＰＤＰ１，ＰＤＰ２　レーザダンパ
　　　ＤＰ１，ＤＰ２　ターゲット回収装置
　　　ＣＩ　レーザパルス光Ｌ１の光軸
　　　ＣＩ１　プリパルス光ＬＰの光軸
　　　ＣＩａ　ずれたレーザパルス光の光軸
　　　ＣＩ１ａ　すれたプリパルス光の光軸
　　　Ｃ１００　　偏向した軌道
　　　Ｃ１０１ａ　プリプラズマ生成サイトの存在しない直線の軌道
　　　Ｆ１　　レーザパルス光のフォーカス位置
　　　Ｆ１ａ　ずれたレーザパルス光のフォーカス位置
　　　ＦＳ　飛散空間
　　　Ｌ　光
　　　Ｌ１０　ＥＵＶ光
　　　Ｌ１　レーザパルス光
　　　ＬＰ　プリパルス光
　　　Ｐ１０，Ｐ２０　プラズマ生成サイト
　　　Ｐ１１、Ｐ１１ａ　プリプラズマ生成サイト
　　　ＰＰ　プリプラズマ
　　　ＰＨ　ピンホール
　　　Ｓ１　バースト発光指示信号
　　　Ｓ２　発振タイミング制御信号
　　　Ｓ３，Ｓ３ａ，Ｓ６　ミラー駆動制御信号
　　　Ｓ４　ターゲット生成信号
　　　Ｓ５　プリパルスレーザ駆動制御信号
　　　Ｓ７　帯電電極用電圧印加信号
　　　Ｓ８　加速用電界印加信号
　　　Ｓ９　偏向用電界印加信号

Claims (19)

  1. 　レーザ装置からのレーザ光をターゲット物質に照射して該ターゲット物質をプラズマ化し、該プラズマ化したターゲット物質から放射した極端紫外光を出力する極端紫外光源装置であって、
    　前記極端紫外光を連続パルス発光する場合、前記レーザ装置に連続的にパルス出力させたレーザ光をターゲット物質に照射し、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ装置に前記レーザ光を連続的にパルス出力させつつ該レーザ光による前記ターゲット物質のプラズマ化を回避する制御を行うバースト制御部を備えることを特徴とする極端紫外光源装置。
  2. 　前記ターゲット物質は、移動しており、
    　前記バースト制御部は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ光と前記ターゲット物質との相対的な位置をずらすことで該ターゲット物質のプラズマ化を回避することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光源装置。
  3. 　前記バースト制御部は、前記レーザ光の光軸および／または前記ターゲット物質の軌道をずらすことで該レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項２に記載の極端紫外光源装置。
  4. 　前記バースト制御部は、前記レーザ光の発振タイミングおよび／または前記ターゲット物質の供給タイミングをずらすことで前記レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項２に記載の極端紫外光源装置。
  5. 　前記バースト制御部は、前記ターゲット物質を加速または減速することで前記レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項２に記載の極端紫外光源装置。
  6. 　前記バースト制御部は、前記レーザ光の焦点をずらすことで該レーザ光が前記ターゲット物質に照射されるエネルギーを下げることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光源装置。
  7. 　前記レーザ光は、前記ターゲット物質をプリプラズマ化または破片化する第１レーザ光と、該プリプラズマ化または破片化したターゲット物質をプラズマ化する第２レーザ光と、を含み、
    　前記ターゲット物質は、移動しており、前記第１レーザ光が照射された後、前記第２レーザ光が照射されることでプラズマ化し、
    　前記バースト制御部は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記第１および／または第２レーザ光と前記ターゲット物質との相対的な位置をずらすことで該ターゲット物質の破片化またはプリプラズマ化、ならびにプラズマ化を回避することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光源装置。
  8. 　前記バースト制御部は、前記第１および／または第２レーザ光の光軸および／または前記ターゲット物質の軌道をずらすことで該第１および／または第２レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項７に記載の極端紫外光源装置。
  9. 　前記バースト制御部は、前記第１および／または第２レーザ光の発振タイミングおよび／または前記ターゲット物質の供給タイミングをずらすことで前記第１および／または第２レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項７に記載の極端紫外光源装置。
  10. 　前記バースト制御部は、前記ターゲット物質を加速または減速することで前記第１および／または第２レーザ光と該ターゲット物質との相対的な位置をずらすことを特徴とする請求項７に記載の極端紫外光源装置。
  11. 　前記バースト制御部は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記第１レーザ光の発振を停止することを特徴とする請求項７に記載の極端紫外光源装置。
  12. 　前記バースト制御部は、前記第１および／または第２レーザ光の焦点をずらすことで該第１および／または第２レーザ光が前記ターゲット物質に照射されるエネルギーを下げることを特徴とする請求項７に記載の極端紫外光源装置。
  13. 　前記バースト制御部は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記ターゲット物質の供給を停止することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光源装置。
  14. 　レーザ装置からのレーザ光をターゲット物質に照射して該ターゲット物質をプラズマ化し、該プラズマ化したターゲット物質から放射した極端紫外光を出力する光源装置の制御方法であって、
    　前記極端紫外光を連続パルス発光する場合、前記レーザ装置から連続的にパルス出力されたレーザ光をターゲット物質に照射し、
    　前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ装置に前記レーザ光を連続的にパルス出力させつつ該レーザ光による前記ターゲット物質のプラズマ化を回避する
    　ことを含むことを特徴とする光源装置の制御方法。
  15. 　レーザ装置からのレーザ光をターゲット物質に照射して該ターゲット物質をプラズマ化し、該プラズマ化したターゲット物質から放射した極端紫外光を出力する光源装置を制御するためのプログラムを記録した記録媒体であって、
    　前記極端紫外光を連続パルス発光する場合、前記レーザ装置に連続的にパルス出力させたレーザ光をターゲット物質に照射させ、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ装置に前記レーザ光を連続的にパルス出力させつつ該レーザ光による前記ターゲット物質のプラズマ化を回避させる制御を前記光源装置に実行させるためのプログラムを記録した記録媒体。
  16. 　前記ターゲット物質は、移動しており、
    　前記制御は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記レーザ光と前記ターゲット物質との相対的な位置をずらすことで該ターゲット物質のプラズマ化を回避させることを特徴とする請求項１５に記載のプログラムを記録した記録媒体。
  17. 　前記レーザ光は、前記ターゲット物質をプリプラズマ化または破片化する第１レーザ光と、該プリプラズマ化または破片化したターゲット物質をプラズマ化する第２レーザ光と、を含み、
    　前記ターゲット物質は、移動しており、前記第１レーザ光が照射された後、前記第２レーザ光が照射されることでプラズマ化し、
    　前記制御は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記第１および／または第２レーザ光と前記ターゲット物質との相対的な位置をずらすことで該ターゲット物質の破片化またはプリプラズマ化、ならびにプラズマ化を回避させることを特徴とする請求項１５に記載のプログラムを記録した記録媒体。
  18. 　前記制御は、前記第１および／または第２レーザ光の焦点をずらすことで該第１および／または第２レーザ光が前記ターゲット物質に照射されるエネルギーを下げることを特徴とする請求項１５に記載のプログラムを記録した記録媒体。
  19. 　前記制御は、前記連続パルス発光を停止する場合、前記ターゲット物質の供給を停止させる請求項１５に記載のプログラムを記録した記録媒体。
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