DE102004037521B4

DE102004037521B4 - Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung

Info

Publication number: DE102004037521B4
Application number: DE102004037521A
Authority: DE
Inventors: Guido Dr. Hergenhan; Christian Dr. Ziener; Kai Dr. Gäbel
Original assignee: Xtreme Technologies GmbH
Current assignee: Ushio Denki KK
Priority date: 2004-07-30
Filing date: 2004-07-30
Publication date: 2011-02-10
Anticipated expiration: 2024-07-31
Also published as: JP2006074005A; US20060024216A1; JP4359579B2; US7405413B2; DE102004037521A1

Abstract

Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung, insbesondere EUV-Strahlung mit einem Targetgenerator zur Erzeugung eines diskontinuierlichen Targetstroms als regelmäßige Targetfolge von Einzeltargets, wobei die generierte Targetfolge entlang einer Targetbahn fortschreitet, und ein Energiestrahl zur Erzeugung eines die gewünschte Strahlung emittierenden Plasmas auf einen Wechselwirkungsort der Targetbahn gerichtet ist, dadurch gekennzeichnet, dass
– eine Selektionskammer (41) der Wechselwirkungskammer (4) vorgeordnet ist, in die der Targetgenerator (1) einmündet und die entlang der Targetbahn (22) eine Austrittsöffnung (43) zum Wechselwirkungsort (61) der Wechselwirkungskammer (4) aufweist, und
– ein Targetselektor (3) in der Selektionskammer (41) angeordnet ist, der Mittel (31, 32; 34; 36, 37) zur Eliminierung einer Anzahl von Einzeltargets (21) aus der regelmäßigen Targetfolge (23) des Targetgenerators (1) aufweist, so dass nur so viele Einzeltargets (21) an den Wechselwirkungsort (61) in der Wechselwirkungskammer (4) durchgelassen werden, wie entsprechend einer vorgegebenen Impulsfrequenz des Energiestrahls (5) zur effektiven Plasmaerzeugung...

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung, insbesondere EUV-Strahlung, auf Basis eines energiestrahlinduzierten Plasmas. Sie findet vorzugsweise Anwendung in Lichtquellen für die Projektionslithographie der Halbleiterchipherstellung.
Vor allem in Strahlungsquellen für die Projektionslithographie haben sich reproduzierbar bereitgestellte massenlimitierte Targets für den gepulsten Energieeintrag zur Plasmaerzeugung durchgesetzt, da diese im Vergleich mit anderen Targetarten die unerwünschte Teilchenemission (Debris) minimieren. Ein ideales massenlimitiertes Target ist dadurch gekennzeichnet, dass die Teilchenzahl am Wechselwirkungsort des Energiestrahls auf die zur Strahlungserzeugung benutzten Teilchen begrenzt ist. Überschüssiges Targetmaterial, das verdampft bzw. sublimiert wird oder das zwar ionisiert, jedoch für die erwünschte Strahlungsemission nicht ausreichend vom Energiestrahl angeregt wird (Randbereich bzw. unmittelbare Umgebung des Wechselwirkungsortes), verursacht neben einer erhöhten Debrisemission eine unerwünschte Gasatmosphäre in der Wechselwirkungskammer, die wiederum maßgeblich zu einer Absorption der aus dem Plasma erzeugten kurzwelligen Strahlung beiträgt.
Im Stand der Technik sind mehrere Ausführungsformen massenlimitierter Targets bekannt geworden, die mit ihren charakteristischen Nachteilen versehen, nachfolgend aufgeführt sind:

– kontinuierlicher flüssiger Jet, ggf. auch gefroren (feste Konsistenz) ( EP 0 895 706 B1 )
– Massenlimitierung ist wegen der großen Ausdehnung des Targets in einer linearen Dimension nur eingeschränkt realisierbar, was zu erhöhtem Debris und unerwünschter Gaslast in der Vakuumkammer führt,
– von der Plasmaexpansion ausgehende Schockwelle führt im Target-Jet in Richtung der Targetdüse zu einer gewissen Zerstörung des Targetstroms und damit zu einer Limitierung der Pulsfolgefrequenz der Laseranregung;
– Cluster ( US 5,577,092 ), Gaspuffs (SPIE Proceedings, Vol. 4688, S. 619, Fiedorowicz et al.) und Aerosole ( WO 01/30122 A1 , US 6,324,256 B1 )
– führen bei geringem Abstand des Wechselwirkungsortes zur Targetdüse zu starker Düsenerosion, bei großem Abstand zur Düse (wegen drastisch abnehmender mittlerer Dichte des Targets) zu geringer Effizienz der Strahlungsemission des Plasmas;
– kontinuierlicher Strom von Einzeltröpfchen ( EP 0 186 491 B1 )
– erfordert genaue Synchronisation mit dem Anregungslaser,
– kaltes Targetmaterial in der Nähe zum Plasma (weniger als bei Target-Jet, aber dennoch vorhanden) wird verdampft und führt zu absorbierender Gasatmosphäre und Erhöhung des Debris.

Allen aufgeführten sogenannten massenlimitierten Targets ist gemeinsam, dass – trotz Beschränkung des Durchmessers des Targetstroms – mehr Targetmaterial in der Wechselwirkungskammer anfällt, als für die Erzeugung des strahlenden Plasmas notwendig ist. So wird z. B. beim kontinuierlichen Tröpfchenstrom nur etwa jeder hundertste Tropfen von einem Laserimpuls getroffen. Dies führt neben einer erhöhten Debriserzeugung zu überschüssigem Targetmaterial in der Wechselwirkungskammer, das (insbesondere bei Xenon als Target) eine erhöhte Gaslast und damit einen erhöhten Druck in der Wechselwirkungskammer verursacht. Die erhöhte Gaslast führt wiederum zu einer unerwünschten Erhöhung der Absorption der vom Plasma emittierten Strahlung. Weiterhin führt das ungenutzte Targetmaterial zu einem erhöhten Materialverbrauch und verursacht somit unnötige Kosten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine neue Möglichkeit zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger Strahlung auf Basis eines energiestrahlinduzierten Plasmas zu finden, die die Zufuhr reproduzierbar nachströmender massenlimitierter Targets in die Wechselwirkungskammer so gestattet, dass nur eine für die effiziente Strahlungserzeugung notwendige Targetmenge zur Wechselwirkung mit dem Energiestrahl gelangt, und somit die Debriserzeugung und die Gaslast in der Wechselwirkungskammer minimiert werden.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei einer Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung, insbesondere EUV-Strahlung, mit einem Targetgenerator zur Erzeugung eines diskontinuierlichen Targetstroms als regelmäßige Targetfolge von Einzeltargets, wobei die generierte Targetfolge entlang einer Targetbahn fortschreitet, und ein Energiestrahl zur Erzeugung eines die gewünschte Strahlung emittierenden Plasmas auf einen Wechselwirkungsort der Targetbahn gerichtet ist, dadurch gelöst, dass eine Selektionskammer der Wechselwirkungskammer vorgeordnet ist, in die der Targetgenerator einmündet und die entlang der Targetbahn eine Austrittsöffnung zum Wechselwirkungsort der Wechselwirkungskammer aufweist, und dass in der Selektionskammer ein Targetselektor angeordnet ist, der Mittel zur Eliminierung von Einzeltargets aus der regelmäßigen Targetfolge des Targetgenerators aufweist, so dass nur so viele Einzeltargets an den Wechselwirkungsort in der Wechselwirkungskammer durchgelassen werden, wie entsprechend einer vorgegebenen Impulsfrequenz des Energiestrahls zur effektiven Plasmaerzeugung nötig sind.
Vorteilhaft weist der Targetselektor ein rotierendes Chopper-Rad auf, bei dem durch ein Tastverhältnis von Öffnungen zu geschlossenen Bereichen des Chopper-Rades, die die Targetbahn periodisch durchqueren, die Anzahl von durchgelassenen und eliminierten Einzeltargets einstellbar ist.
Vorzugsweise besteht der Targetselektor aus mindestens zwei Chopper-Rädern, die entlang der Targetbahn nacheinander angeordnet sind, wobei über die Tastverhältnisse von Öffnungen zu geschlossenen Bereichen der einzelnen Chopper-Räder sowie die Phasenlage der Öffnungen der Chopper-Räder untereinander die Anzahl von durchgelassenen und eliminierten Einzeltargets eingestellt wird.
Dabei können die Chopper-Räder auf einer gemeinsamen Achse mit fester Phasenlage zueinander angeordnet sein. Sie können aber auch separate, räumlich getrennte Achsen aufweisen oder koaxial auf einer Vollwelle und wenigstens einer Hohlwelle angeordnet sein, um die Phasenlage und den Abstand der Chopper-Räder variabel einstellbar zu machen.
Bei einer Variante mit zwei Chopper-Rädern weist das erste Chopper-Rad zweckmäßig ein solches Tastverhältnis der Öffnungen zu den geschlossenen Bereichen auf, dass aus der vom Targetgenerator bereitgestellten Targetfolge jeweils der Durchlass einer Kolonne von Einzeltargets zum zweiten Chopper-Rad zugelassen ist.
Der Abstand der Chopper-Räder entlang der Targetbahn wird zweckmäßig so eingestellt, dass aus der durch das erste Chopper-Rad eingetretenen Targetkolonne jeweils nur ein Einzeltarget durch das zweite Chopper-Rad in die Wechselwirkungskammer gelangen kann.
Wegen der Verdampfung oder Sublimierung von Targetmaterial, insbesondere bei Targetmaterialien mit hohem Dampfdruck (> 25 kPa) unter Prozessbedingungen (z. B. Xenon) erweist es sich von Vorteil, wenn der Abstand der Chopper-Räder entlang der Targetbahn so eingestellt ist, dass aus der durch das erste Chopper-Rad eingetretenen Targetkolonne jeweils mindestens zwei dicht aufeinander folgender Einzeltargets durch das zweite Chopper-Rad durchgelassen werden, wobei mindestens ein erstes Target ein Opfertarget zur Ausbildung eines Verdampfungsschirms für wenigstens ein nachfolgendes Haupttarget darstellt.
In einer anderen zweckmäßigen Ausführungsvariante weist der Targetselektor einen durchbrochenen Hohlzylinder auf, der drehbar um seine orthogonal zur Targetbahn angeordnete Zylinderachse so angeordnet ist, dass er von der Targetbahn in zwei Punkten durchstoßen wird, und bei dem durch ein Tastverhältnis von Öffnungen zu geschlossenen Bereichen des Zylindermantels und durch den Abstand der Zylinderachse zur Targetbahn die Anzahl von durchgelassenen und eliminierten Einzeltargets einstellbar ist.
Dabei hat der Hohlzylinder vorteilhaft ein solches Tastverhältnis der Öffnungen zu den geschlossenen Bereichen, dass aus der vom Targetgenerator bereitgestellten Targetfolge jeweils der Eintritt einer Kolonne aus einer Vielzahl von Einzeltargets in den Hohlzylinder zugelassen ist.
Der Abstand der Zylinderachse des Hohlzylinders zur Targetbahn kann dann vorzugsweise so eingestellt werden, dass aus der in den Hohlzylinder eingetretenen Targetkolonne jeweils nur ein Einzeltarget aus dem Hohlzylinder in die Wechselwirkungskammer austritt.
Insbesondere für die bereits oben erwähnten Targetmaterialien mit hohem Dampfdruck wird der Abstand der Zylinderachse des Hohlzylinders zur Targetbahn so eingestellt, dass aus der in den Hohlzylinder eingetretenen Targetkolonne jeweils mindestens zwei aufeinander folgende Einzeltargets aus dem Hohlzylinder in die Wechselwirkungskammer austreten, wobei mindestens ein erstes Target ein Opfertarget zur Ausbildung eines Verdampfungsschirms für wenigstens ein nachfolgendes Haupttarget darstellt.
In einer anderen vorteilhaften Gestaltung weist der Targetselektor eine Ablenkeinheit auf Basis mindestens eines Kraftfeldes zum Ablenken einer Anzahl von Einzeltargets aus ihrer üblichen Targetbahn auf, wobei das Kraftfeld gepulst einschaltbar ist, so dass nur eine bestimmte Zahl der vom Targetgenerator erzeugten Einzeltargets durch die Austrittsöffnung der Selektionskammer in die Wechselwirkungskammer gelangt und die Wand neben der Austrittsöffnung zum Auffangen der übrigen Targets vorgesehen ist.
Dazu kann die Ablenkeinheit so angeordnet sein, dass die abgelenkten Targets in der Selektionskammer an der Wand neben der Austrittsöffnung abgefangen werden oder dass nur die abgelenkten Targets durch die Austrittsöffnung der Selektionskammer zum Wechselwirkungsort in der Wechselwirkungskammer gelangen.
Vorzugsweise besteht der Targetselektor aus einer Ringelektrode und einer Ablenkeinheit auf Basis eines elektrischen Feldes (ähnlich einem Oszillograph). Die Ablenkeinheit kann aber auch zweckmäßig auf einem magnetischen Feld basieren, ohne dass sich dadurch die Funktionsweise, wie vorstehend beschrieben, ändert.
Die Selektionskammer weist zweckmäßig eine Pumpe zum differentiellen Abpumpen von durch den Targetselektor eliminiertem Targetmaterial auf. Zusätzlich kann die Selektionskammer eine beheizbare Fläche zum schnelleren Verdampfen von Targetmaterialien mit unter Prozessbedingungen niedrigem Dampfdruck (< 25 kPa, z. B. Zinnverbindungen, insbesondere Zinn-IV-Chlorid oder Zinn-II-Chlorid in alkolischer Lösung) aufweisen. Eine solche Fläche ist zweckmäßig eine Wand der Selektionskammer in Drehrichtung eines Chopper-Rades oder die Wand mit der Austrittsöffnung oder die Fläche eines Chopper-Rades.
Unabhängig von der Art der Mittel zur Targetselektion ist es für die Einstellung des Targetselektors von Vorteil, wenn er aus der vom Targetgenerator bereitgestellten Targetfolge genau ein Einzeltarget in die Wechselwirkungskammer durchlässt, um es als massenlimitiertes Target mit dem Energiestrahl in Wechselwirkung zu bringen. Jedoch ist es für die bereits erwähnten Targetmaterialien mit hohem Dampfdruck unter Prozessbedingungen vorzuziehen, dass der Targetselektor so eingestellt ist, dass er mindestens zwei aufeinanderfolgende Einzeltargets der vom Targetgenerator bereitgestellten Targetfolge durchlässt, wobei mindestens ein erstes Target einer solchen Targetkolonne ein Opfertarget zur Ausbildung eines Verdampfungsschirms für wenigstens ein nachfolgendes Haupttarget darstellt.
Die Grundidee der Erfindung basiert auf der Überlegung, dass die erwünschte kurzwellige elektromagnetische Strahlung, insbesondere EUV-Strahlung, die aus einem energiestrahlinduzierten Plasma abgestrahlt wird, nach dem Stand der Technik teilweise bereits in der Wechselwirkungskammer durch verdampftes Targetmaterial wieder absorbiert wird. Andererseits führt nicht effektiv angeregtes Targetmaterial zu einer erhöhten Debriserzeugung. Deshalb muss es das Ziel sein, genau so viel Targetmaterial aus einer reproduzierbar erzeugten Reihe von Einzeltargets zu selektieren, wie für eine effiziente Erzeugung von kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung im gewünschten Wellenlängenbereich nötig ist. Das geschieht gemäß der Erfindung durch ein einstellbares Selektieren eines herkömmlich bereitgestellten Einzeltargetstromes durch Eliminieren von überzähligen Einzeltargets, bevor diese in die Wechselwirkungskammer eintreten. Dazu eignen sich für die geforderten Impulsfrequenzen der Halbleiterlithographie erfindungsgemäß mechanische Rotationselemente mit Öffnungen oder Ablenkeinheiten auf Basis elektromagnetischer Felder für den selektiven Durchlass von Einzeltargets in gewünschter zeitlicher Folge.
Mit der erfindungsgemäßen Lösung ist es möglich, reproduzierbar nachströmende massenlimitierte Targets in der Wechselwirkungskammer für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung auf Basis eines energiestrahlinduzierten Plasmas so bereitzustellen, dass nur eine für die effiziente Strahlungserzeugung notwendige Targetmenge zur Wechselwirkung mit dem Energiestrahl gelangt, und somit die Debriserzeugung und die Gaslast in der Wechselwirkungskammer minimiert werden. Außerdem verringert sich der Verbrauch an Targetmaterial und führt zu einer Kostenreduzierung.
Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Die Zeichnungen zeigen:
1: eine Prinzipansicht der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einem Targetselektor zur Bereitstellung von Einzeltargets für die Wechselwirkung mit einem Energiestrahl in einer Wechselwirkungskammer, wobei die Selektion von Einzeltargets aus dem Targetstrom durch ein Chopper-Rad erfolgt, auf dem entlang einer Kreislinie ein geeignetes geometrisches Verhältnis von Öffnungen und geschlossenen Bereichen realisiert ist,
2: eine Ausgestaltung der Erfindung zur Selektion von Einzeltargets mit zwei Chopper-Rädern auf einer gemeinsamen Achse, wobei zunächst definierte Kolonnen von Einzeltargets zur nochmaligen Selektion erzeugt werden,
3: ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung mit zwei Chopper-Rädern auf getrennten Achsen mit gegenläufigem Drehsinn,
4: eine gegenüber 2 modifizierte Variante der Erfindung, bei der zwei aufeinander folgende Einzeltargets zur Erzeugung eines Strahlungsschirms für eines der beiden Einzeltargets bereitgestellt werden,
5: eine Gestaltungsform mit zwei separat drehbaren Chopper-Rädern, bei der – im Unterschied zu 3 – die Chopper-Räder koaxial auf einer Vollwelle und einer Hohlwelle angeordnet sind,
6: ein Ausführungsbeispiel mit einem als Hohlzylinder ausgebildeten Chopper-Rad, das eine orthogonal zur Targetbahn ausgerichtete Achse aufweist, wobei infolge des zweifachen Durchstoßens der Targetbahn durch den Hohlzylinder nach einer ersten Vorselektion eine weitere Targetvereinzelung in Analogie zu 2, 4 oder 5 erfolgt,
7: eine Gestaltungsvariante mit einem Targetselektor auf Basis eines elektrischen Feldes zur Ablenkung von Targets aus der üblichen Targetbahn und Auffangen der überschüssigen Einzeltargets an der Selektionskammerwand neben der Austrittsöffnung.
In ihrem Grundaufbau – gemäß 1 – besteht die Vorrichtung zur Erzeugung von definierten massenlimitierten Targets für energiestrahlinduzierte Erzeugung von kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung (vorzugsweise EUV-Strahlung) aus einem Targetgenerator 1, der einen diskontinuierlichen Targetstrom 2 als regelmäßige Folge 23 von Einzeltargets 21 (Tröpfchen oder Pellets, d. h. festes Targetmaterial, z. B. durch gefrorene bzw. erstarrte Flüssigkeitströpfchen) erzeugt, einem Targetselektor 3, der in einer den Eintrittsbereich des Targetstroms 2 in der Wechselwirkungskammer 4 separierenden Selektionskammer 41 angeordnet ist, wobei in der Wechselwirkungskammer 4 mit einem Energiestrahl 5 an einem Wechselwirkungsort 61, der durch den Schnittpunkt der Targetbahn 22 mit der Achse eines Energiestrahls 5 vorgegeben ist, ein Plasmas 6 erzeugt wird.
Der regelmäßig diskontinuierliche Targetstrom, der als eine vom Targetgenerator 1 bereitgestellte dichte und regelmäßige Targetfolge 23 in die Selektionskammer 41 eintritt, erfährt durch den Targetselektor 3 eine periodische Eliminierung einer gewissen Anzahl von Einzeltargets 21 der Targetfolge 23. Dabei kann ein Einzeltarget 21 – wie in 1 gezeigt – oder eine definierte Kolonne 24 (4) durchgelassen werden. Die selektierten Einzeltargets 21 passieren dann eine Austrittsöffnung 43 der Selektionskammer 41, welche zugleich die Eintrittsöffnung in die Wechselwirkungskammer 4 darstellt. Von dort gelangen sie auf ihrer Targetbahn 22 an den Wechselwirkungsort 61 mit dem Energiestrahl 5.
Prinzipiell lässt der Targetselektor 3 von dem Targetstrom 2, bestehend aus regelmäßig vom Targetgenerator 1 abgegebenen Einzeltargets 21, periodisch nur eine ganze Zahl von Einzeltargets passieren und lenkt die übrige dazwischen liegende Targetfolge 23 lateral ab. In der in 1 dargestellten Grundvariante haben die jeweils vom Targetselektor 3 durchgelassenen Einzeltargets 21 einen solchen Abstand, der genau auf die Impulsfolge des Energiestrahls 5 abgestimmt ist.
1 wurde als eine besonders einfache Realisierung zur Erläuterung des Prinzips der Targetselektion gewählt, bei der als Targetselektor 3 ein Chopper-Rad 31 verwendet wird, wobei sich das resultierende „Tastverhältnis” der Einzeltargets 21 an der Austrittsöffnung 43 der Selektionskammer 41 allein aus dem geometrischen Verhältnis der Öffnungen 33 des Chopper-Rades 31 gegenüber den geschlossenen Bereichen zwischen den Öffnungen 33 ergibt.
Die in dichter Folge aus dem Targetgenerator 1 bereitgestellten Einzeltargets 21 treffen zunächst auf das Chopper-Rad 31, welches je nach Umdrehungszahl und Öffnungsverhältnis (Verhältnis von Öffnungen 33 zu geschlossenen Bereichen in tangentialer Richtung zwischen den Öffnungen 33 der vorzugsweise kreisförmigen Platte) periodisch wenige Einzeltargets 21 passieren lässt.
In diesem Fall soll (ohne Beschränkung der Allgemeinheit) nur ein einziges Tropfentarget aus einer Targetfolge 23 von sieben Tropfen selektiert werden, um in der Wechselwirkungskammer 4 mit dem Energiestrahl 5 zusammenzutreffen. Die Flugbahn 22 der nachfolgenden Einzeltargets 21 (hier symbolisch vereinfacht: sechs, real sind durchaus 10–100 Tropfen) wird unterbrochen, da diese auf einen geschlossenen Bereich des Chopper-Rades 31 prallen.
Am Wechselwirkungsort 61 des Einzeltargets 21 mit dem Energiestrahl 5 (der vorzugsweise ein Laserstrahl 52 oder auch ein Elektronenstrahl sein kann) entspricht die Frequenz der Targetbereitstellung dem Produkt aus Drehfrequenz und Anzahl der im Chopper-Rad 31 peripher angeordneten Öffnungen 33 (die außer den symbolisierten Bohrungen auch die Form von Rechtecken, Trapezen, Schlitzen oder Kerben haben können).
Für die Auslegung des Targetselektors 3 mit einem Chopper-Rad 31 wird von folgenden Randbedingungen ausgegangen.
Die gewünschte Repetitionsfrequenz eines als Quelle für den Energiestrahl 5 verwendeten Lasers beträgt beispielsweise 10 kHz. Eine typische Folgefrequenz der dichten Targetfolge 23 von regelmäßig reproduzierten einzelnen Tröpfchen (die z. B. aus einer 20 μm Düse generiert werden) liegt in der Größenordnung von 1 MHz. Für die Wechselwirkung mit dem Laserstrahl 52 (nur in 4 dargestellt) wird demzufolge nur jedes hundertste Tröpfchen benötigt.
Eine technische Lösung, die diese Anforderung der Tropfenvereinzelung erfüllen kann, ist ein Chopper-Rad 31 mit einem Tastverhältnis von 1:99, wie es stilisiert in 1 dargestellt ist. Bei einer angenommenen Größe der Öffnungen 33 von 100 μm für ein durchzulassenden Einzeltarget 21 ergibt sich eine Periodenlänge von 10 mm. Für ein Chopper-Rad 31, bei dem die Öffnungen auf einem Radius von 2,5 cm angeordnet sind, lassen sich demzufolge etwa fünfzehn Perioden unterbringen. Das Chopper-Rad 31 muss dann mit einer Drehfrequenz von 666 Hz laufen. Das entspricht einer Drehzahl von 40.000 U/min. Solche Drehzahlen sind technisch schwer zu realisieren, weshalb die in 1 dargestellte Ausführungsform nur für größere Tröpfchendurchmesser, die im Allgemeinen mit geringerer Frequenz (20–100 kHz) erzeugt werden, anwendbar ist.
Von der dichten Targetfolge 23 des Targetstroms 2 werden die Einzeltargets 21, die den Targetselektor 3 nicht passieren, vom Chopper-Rad 31 in die Selektionskammer 41 abgelenkt. Sie verdampfen bzw. sublimieren an den Flächen in der Selektionskammer 41 (vor allem an der Fläche des Chopper-Rades 31 selbst). Das dabei anfallende Targetgas wird durch eine Pumpe 42 differentiell abgepumpt und kann zurückgewonnen und wieder verwendet werden.
Falls für das verwendete Targetmaterial (z. B. mit niedrigem Dampfdruck < 25 kPa) erforderlich, muss das Chopper-Rad 31 zusätzlich beheizt werden, damit die Vielzahl der ausgeschlagenen Targets der Targetfolge 23 hinreichend schnell verdampft oder sublimiert wird, um das Targetgas mittels der Pumpe 42 absaugen zu können. Bei den meisten gängigen Targetmaterialien (vorzugsweise Xenon) ist der Dampfdruck aber bereits unter Prozesstemperatur höher als der Druck innerhalb der Selektionskammer 41.
Für die Ausführung des Targetgenerators 1, der Vakuumpumpen, von denen nur die Pumpe 42 der Selektionskammer 41 gezeigt ist, sowie des Targetselektors 3 gibt es eine Reihe von technischen Ausführungsformen. Für den Targetgenerator 1 kommen neben dem vibrationsgesteuerten Tröpfchengenerator beispielsweise auch technische Ausführungen in Betracht, wie das aus der Tintendrucktechnik bekannte Prinzip des Hochdruck-Flüssigkeitsstrahls („Continuous Jet”) sind, von denen eine in der Gestaltungsvariante nach 7 beschrieben ist.
Für die Pumpe 42 (aber auch für die Vakuumpumpen der Wechselwirkungskammer 4) sind je nach Anforderungen, die durch das verwendete Targetmaterial vorgegeben sind, Ausführungsformen als Kryopumpe oder Scrollpumpe sinnvoll.
Einige spezielle Realisierungsmöglichkeiten des Targetselektors 3 sollen nun mithilfe der nachfolgenden Figurenbeschreibungen (2 bis 7) eingehend erläutert werden.
Bei den Ausführungsformen, die in den 2 bis 5 dargestellt sind, wird die Targetselektion durch zwei in einem gewissen Abstand angeordnete Chopper-Räder 31 und 32 realisiert. Unabhängig von der gewünschten Targetfrequenz am Wechselwirkungsort 61 kann auf jedem Chopper-Rad 31 bzw. 32 ein Tastverhältnis von 1:1 eingebracht sein. So lassen sich auf dem Rand jedes Chopper-Rades 31 bzw. 32 mit einem Radius von 2,5 cm bei einer Periodenlänge von 200 μm etwa siebenhundertfünfzig Öffnungen 33 anordnen. Für die gewünschte Repetitionsfrequenz von 10 kHz des Laserstrahls 52 (nur in 4 und 7 dargestellt) müssen sich die beiden Chopper-Räder 31 und 32 mit einer Frequenz von etwa 13,3 Hz bzw. mit 800 U/min drehen. Eine solche Lösung ist auch dann technisch gut beherrschbar, wenn man bedenkt, dass die gesamte Vorrichtung im Vakuum betrieben werden muss.
Aus dem Produkt aus Drehzahl und Anzahl der Perioden des ersten Chopper-Rades 31 wird die Frequenz einer Targetkolonne 24 bestimmt und aus der relativen Lage (Phasenlage) des zweiten Chopper-Rades 32 und der Targetfrequenz der regelmäßigen dichten Targetfolge 23 wird die Anzahl der durchgelassenen Einzeltargets 21 je Targetkolonne 24 bestimmt.
Bei dem in 2 dargestellten Targetselektor 3 treffen die Einzeltargets 21 zunächst auf ein erstes um eine Achse 311 drehbares Chopper-Rad 31, welches je nach Umdrehungszahl und Tastverhältnis (von Öffnungen 33 zu dazwischen befindlichen geschlossenen Bereichen) periodisch definierte Kolonnen 24 von Einzeltargets 21 passieren lässt (hier, ohne Beschränkung der Allgemeinheit, symbolisch: vier Einzeltargets 21). Die Flugbahn 22 der darauffolgenden Einzeltargets 21 (hier ebenfalls symbolisiert: vier) wird unterbrochen, da diese auf einen geschlossenen Bereich des Chopper-Rades 31 prallen.
Ein zweites Chopper-Rad 32 befindet sich auf der gleichen Achse 34 in einem definierten Abstand und einer bestimmten Phasenlage zum Chopper-Rad 31, so dass das zweite Chopper-Rad 32 von der durch das erste Chopper-Rad 31 durchgelassenen Kolonne 24 von Einzeltargets 21 wieder nur eine vorbestimmte Anzahl (hier: nur ein einziges) der Einzeltargets 21 passieren lässt.
Die Targetfolgen 23 oder Kolonnen 24, die die beiden Chopper-Räder 31 und 32 nicht passieren verdampfen bzw. sublimieren an warmen Flächen in der Selektionskammer 41. Das dabei anfallende Gas wird durch eine Pumpe 42 abgepumpt und kann gegebenenfalls wiederverwendet werden.
In 3 ist eine Ausführungsform eines Targetselektors 3 dargestellt, bei dem sich das zweite Chopper-Rad 32 auf einer (von der Achse 311 des Chopper-Rades 31) separaten Achse 312 befindet, die zueinander parallel sind, aber räumlich auseinander liegen. So kann die jeweilige Phasenlage zwischen den Chopper-Rädern 31 und 32 für unterschiedliche Drehzahlen (Targetfrequenzen) und Anzahl der durchzulassenden Einzeltargets 21 noch nach der durch das erste Chopper-Rad 31 erfolgten Selektion einer definierten Kolonne 24 durch das zweite Chopper-Rad 32 unterschiedlich eingestellt werden (z. B. Einzeltarget 21 oder Doppeltarget aus Opfertarget 25 und Haupttarget 27). Auch eine mögliche Gegenläufigkeit der Chopper-Räder 31 und 32 (wie in 3 gezeigt) kann für Targetmaterialien mit niedrigem Dampfdruck (< 25 kPa) vorteilhaft sein, um das nicht sofort verdampfende Targetmaterial an eine Verdampfungsfläche (nicht dargestellt) innerhalb der Selektionskammer 41 zu schleudern.
Die Funktion der Ausführung gemäß 4 entspricht im wesentlichen der aus 2. Die Verhältnisse aus Fluggeschwindigkeit der Einzeltargets 21, Abstand und Phasenlage der Chopper-Räder 31 und 32 sind hier jedoch so eingestellt, dass je zwei dicht aufeinander folgende Einzeltargets 21 in die Wechselwirkungskammer 4 gelangen.
Das dem Plasma 6 nähere Target hat die Funktion eines Opfertargets 25 zur Ausbildung eines Verdampfungsschirms 26 für das folgende Haupttarget 27. So wird das Opfertarget 25 entsprechend der absorbierten Strahlungsleistung aus dem Plasma 6 ganz oder nahezu verdampft bzw. sublimiert. Das darauffolgende Haupttarget 27 für die Wechselwirkung mit dem Laserstrahl 52 gelangt ohne größeren Massenverlust zum Wechselwirkungsort 61, der durch den Schnittpunkt der Achse 51 des Laserstrahls 52 mit der Targetbahn 22 vorgegeben ist und in dem infolge des Energieeintrags in das Haupttarget 27 das die gewünschte Strahlung (z. B. EUV) emittierende Plasma 6 erzeugt wird.
Die Funktion des in 5 gezeigten Targetselektors 3 entspricht dem Wesen nach der in 3 offenbarten Lösung. Der Unterschied besteht lediglich darin, dass für die Chopper-Räder 31 und 32 kollinear angeordnete Achsen verwendet werden, die als Vollwelle 313 und Hohlwelle 314 ausgebildet sind. Dadurch sind bei gleichem Drehzentrum unterschiedliche Drehzahlen und – falls erforderlich – ein unterschiedlicher Drehsinn möglich.
Ein deutlich modifiziertes Ausführungsbeispiel eines Targetselektors 3 zeigt 6. In diesem Beispiel ist ein durchbrochener Hohlzylinder 34 vorhanden, der sich um seine Zylinderachse 35 orthogonal zur Targetbahn 22 dreht.
Am oberen Schnittpunkt des Hohlzylinders 34 mit der Targetbahn 22 werden entsprechend der Winkelgeschwindigkeit und des Tastverhältnisses der Öffnungen 33 des Hohlzylinders 34 Targetkolonnen 24 erzeugt. Die Anzahl der Einzeltargets 21 der ins Innere des Hohlzylinders 34 eingetretenen Kolonne 24 ergibt sich aus dem Produkt der Drehzahl des Hohlzylinders 34 mit der Anzahl der Öffnungen 33 in der Mantelfläche.
Am unteren Schnittpunkt wird ein Teil der Targetkolonne 24 wiederum an seiner Flugbahn 22 gehindert, indem er von einem geschlossenen Bereich des Hohlzylinders 34 abgelenkt wird. Die Anzahl der Einzeltargets 21, die je Zeiteinheit den so gestalteten Targetselektor 3 passieren, ist durch die Justage der Zylinderachse 35 in x-Richtung einstellbar. Die Anfangsphase kann durch eine y-Verschiebung der Zylinderachse 35 justiert werden.
In 7 ist eine zweite Grundvariante des Targetselektors 3 gezeigt, die von der mechanischen Selektion der überschüssigen Einzeltargets 21 aus der regelmäßigen Targetfolge 23 des Targetstroms 2 abrückt.
Der Targetstrom 2 wird (wie bei den bisherigen Beispielen) vom Targetgenerator 1 in einer regelmäßigen Targetfolge 23 aus Einzeltargets 21 erzeugt. In diesem Fall soll aber angenommen werden, dass ein hochfrequenzüberlagerter Hochdruck-Targetgenerator 1 eingesetzt ist, der bis zu einer Million Tropfen pro Sekunde ausstoßen kann. Je nach Düsengeometrie sind diese nur wenige Mikrometer groß und fliegen mit bis zu 40 m/s. Es handelt sich dann um einen „echten Flüssigkeitsstrahler”, wie er aus der Tintendrucktechnologie als Continuous-Jet- oder Hochdrucksystem bekannt ist.
Nach dem schnellen Zerfall des anfänglichen Hochdruckstrahls durchfliegen die Einzeltargets 21 eine Ringelektrode 36, die sie elektrisch auflädt. Die geladenen Targets 28 durchqueren dann eine Ablenkeinheit 37, in der die nicht benötigten Einzeltargets 21 wie bei einem Oszillograph im elektrischen Feld abgelenkt werden. Gesteuert durch eine Triggereinheit (nicht gezeigt) für die definierte Erzeugung des Laserstrahls 52 synchron zu den im Wechselwirkungspunkt 61 eintreffenden Einzeltargets 21 lenkt das elektrische Feld zwischen den Elektroden der Ablenkeinheit 37 eine definierte Anzahl überschüssiger Targets ab. Die abgelenkten Targets 29 fliegen dann nicht durch die Austrittsöffnung 43 der Selektionskammer 41, sondern werden an der Wand der Selektionskammer 41 abgefangen, in der sich die Austrittsöffnung 43 zur Wechselwirkungskammer 4 befindet. An dieser Wand der Selektionskammer 41, die also als einfache Fangvorrichtung dient, wird das Targetmaterial verdampft oder sublimiert und kann so über die Pumpe 42 abgesaugt und wieder aufbereitet werden.
Bei allen oben beschriebenen Beispielen muss für die Strahlungserzeugung neben der Menge an Targetmaterial, die direkt mit dem Energiestrahl 5 in Wechselwirkung tritt, um im Plasma 6 eine erwünschte charakteristische Strahlung zu erzeugen, noch eine weitere Menge an Targetmaterial eingebracht werden, die aufgrund des endliche Dampfdrucks auf der Targetbahn 22 von der Eintrittsöffnung in die Wechselwirkungskammer 4 bis zum Wechselwirkungsort 61 verdampft bzw. sublimiert wird. Letzterer Vorgang wird durch die vom Targetmaterial absorbierte Strahlung aus dem Plasma 6 verstärkt.
Der effektive Massenverlust muss deshalb entweder durch eine entsprechende Erhöhung der anfänglichen Größe der Einzeltargets 21 ausgeglichen werden oder kann – wie in 4 dargestellt – durch ein oder mehrere Opfertargets 25, die als Verdampfungsschirm 26 dienen, sehr gering gehalten werden. Die Lösung des Verdampfungsproblems nach 4 ist demnach mit allen anderen Ausführungsformen der Erfindung kombinierbar.
Weiterhin sind – wie zu 4 erwähnt – auch Targetkolonnen 24 mit mehr als einem Hauptarget 27 realisierbar, wenn mit einem Laserstrahl 52 als Energiestrahl 5 gearbeitet wird. Da für den Laserstrahl 52 bekannt ist, dass seine Fokusabmessungen nicht unendlich klein einstellbar sind, jedoch aus Gründen der möglichst vollständigen Umsetzung der Einzeltargets 21 in strahlendes Plasma 6 ein möglichst geringer Targetdurchmesser (bezogen auf die Anregungstiefe) erzielt werden sollte, ist es sinnvoll hinter dem Strahlungsschirm 26 des Opfertargets 25 mehrere Haupttargets 27 folgen zu lassen, soweit diese mit einem Laserimpuls (innerhalb des Laserfokus) gleichzeitig angeregt werden können. Dabei sind auch mehrere nebeneinander befindlich Targetbahnen 22 sinnvoll.
Bezugszeichenliste

1: Targetgenerator
2: Targetstrom
21: Einzeltarget
22: Targetbahn
23: Targetfolge
24: Kolonne
25: Opfertarget
26: Verdampfungsschirm
27: Haupttarget
28: geladenes Target
29: abgelenktes Target
3: Targetselektor
31: (erstes) Chopper-Rad
311: Achse
312: (separate) Achse
313: Vollwelle
314: Hohlwelle
32: zweites Chopper-Rad
33: Öffnung
34: Hohlzylinder
35: Zylinderachse
36: Ringelektrode
37: Ablenkelektrode
4: Wechselwirkungskammer
41: Selektionskammer
42: Pumpe
43: Austrittsöffnung
5: Energiestrahl
51: Achse
52: Laserstrahl
6: Plasma
61: Wechselwirkungsort

Claims

Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung, insbesondere EUV-Strahlung mit einem Targetgenerator zur Erzeugung eines diskontinuierlichen Targetstroms als regelmäßige Targetfolge von Einzeltargets, wobei die generierte Targetfolge entlang einer Targetbahn fortschreitet, und ein Energiestrahl zur Erzeugung eines die gewünschte Strahlung emittierenden Plasmas auf einen Wechselwirkungsort der Targetbahn gerichtet ist, dadurch gekennzeichnet, dass – eine Selektionskammer (41) der Wechselwirkungskammer (4) vorgeordnet ist, in die der Targetgenerator (1) einmündet und die entlang der Targetbahn (22) eine Austrittsöffnung (43) zum Wechselwirkungsort (61) der Wechselwirkungskammer (4) aufweist, und – ein Targetselektor (3) in der Selektionskammer (41) angeordnet ist, der Mittel (31, 32; 34; 36, 37) zur Eliminierung einer Anzahl von Einzeltargets (21) aus der regelmäßigen Targetfolge (23) des Targetgenerators (1) aufweist, so dass nur so viele Einzeltargets (21) an den Wechselwirkungsort (61) in der Wechselwirkungskammer (4) durchgelassen werden, wie entsprechend einer vorgegebenen Impulsfrequenz des Energiestrahls (5) zur effektiven Plasmaerzeugung benötigt werden.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetselektor (3) ein rotierendes Chopper-Rad (31) aufweist, bei dem durch ein Tastverhältnis von Öffnungen (33) zu geschlossenen Bereichen des Chopper-Rades (31), die die Targetbahn (22) durchqueren, die Anzahl von durchgelassenen und eliminierten Einzeltargets (21) eingestellt ist.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetselektor (3) mindestens zwei Chopper-Räder (31, 32) aufweist, die entlang der Targetbahn (22) nacheinander angeordnet sind, wobei über Tastverhältnisse von Öffnungen (33) zu geschlossenen Bereichen der einzelnen Chopper-Räder (31, 32) und eine Phasenlage der Öffnungen (33) der Chopper-Räder (31, 32) zueinander die Anzahl von durchgelassenen und eliminierten Einzeltargets (21) eingestellt ist.
Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Chopper-Räder (31, 32) auf einer gemeinsamen Achse (311) mit fester Phasenlage angeordnet sind.
Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Chopper-Räder (31, 32) auf separaten Achsen (311, 312) angeordnet sind, wobei Phasenlage und Abstand der Chopper-Räder (31, 32) variabel einstellbar sind.
Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Chopper-Räder (31, 32) koaxial einer Vollwelle (313) und wenigstens einer Hohlwelle (314) angeordnet sind, wobei Phasenlage und Abstand der Chopper-Räder (31, 32) variabel einstellbar sind.
Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Chopper-Rad (31) ein solches Tastverhältnis der Öffnungen (33) zu den geschlossenen Bereichen aufweist, dass aus der vom Targetgenerator (1) bereitgestellten Targetfolge (23) jeweils der Durchlass einer Kolonne (24) von mehreren Einzeltargets (21) zum zweiten Chopper-Rad (32) zugelassen ist.
Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der Chopper-Räder (31, 32) entlang der Targetbahn (22) so eingestellt ist, dass aus der durch das erste Chopper-Rad (31) eingetretenen Targetkolonne (24) jeweils nur der Durchlass eines Einzeltargets (21) durch das zweite Chopper-Rad (32) zugelassen ist.
Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der Chopper-Räder (31, 32) entlang der Targetbahn (22) so eingestellt ist, dass aus der durch das erste Chopper-Rad (31) eingetretenen Targetkolonne (24) jeweils der Durchlass mindestens zweier aufeinanderfolgender Einzeltargets (21) durch das zweite Chopper-Rad (32) zugelassen ist, wobei mindestens ein erstes Target ein Opfertarget (25) zur Ausbildung eines Verdampfungsschirms (26) für wenigstens ein nachfolgendes Haupttarget (27) darstellt.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetselektor (3) einen durchbrochenen Hohlzylinder (34) aufweist, der drehbar um eine orthogonal zur Targetbahn (22) angeordnete Zylinderachse (35) so angeordnet ist, dass er von der Targetbahn (22) in zwei Punkten durchstoßen wird, und bei dem durch ein Tastverhältnis von Öffnungen (33) zu geschlossenen Bereichen des Hohlzylinders (34) und durch den Abstand der Zylinderachse (35) zur Targetbahn (22) die Anzahl von durchgelassenen und eliminierten Einzeltargets (21) eingestellt ist.
Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlzylinder (34) ein solches Tastverhältnis der Öffnungen (33) zu den geschlossenen Bereichen aufweist, dass aus der vom Targetgenerator (1) bereitgestellten Targetfolge (23) jeweils der Eintritt einer Kolonne (24) von mehreren Einzeltargets (21) in den Hohlzylinder (34) zugelassen ist.
Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der Zylinderachse (35) des Hohlzylinders (34) zur Targetbahn (22) so eingestellt ist, dass aus der in den Hohlzylinder (34) eingetretenen Targetkolonne (24) jeweils nur der Austritt eines Einzeltargets (21) aus dem Hohlzylinder (34) zugelassen ist.
Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der Zylinderachse (35) des Hohlzylinders (34) zur Targetbahn (22) so eingestellt ist, dass aus der in den Hohlzylinder (34) eingetretenen Targetkolonne (24) jeweils der Austritt mindestens zweier aufeinanderfolgender Einzeltargets (21) aus dem Hohlzylinder (34) zugelassen ist, wobei mindestens ein erstes Target ein Opfertarget (25) zur Ausbildung eines Verdampfungsschirms (26) für wenigstens ein nachfolgendes Haupttarget (27) darstellt.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetselektor (3) eine Ablenkeinheit (37) zum Ablenken einer Anzahl von Einzeltargets (21) aus ihrer üblichen Targetbahn (22) auf Basis mindestens eines Kraftfeldes aufweist, wobei das Kraftfeld gepulst einschaltbar ist, so dass nur eine bestimmte Zahl der vom Targetgenerator (1) erzeugten Einzeltargets (21) durch die Austrittsöffnung (43) der Selektionskammer (41) in die Wechselwirkungskammer (4) gelangt und eine Wand neben der Austrittsöffnung (43) der Selektionskammer (41) zum Auffangen der übrigen Targets vorgesehen ist.
Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablenkeinheit (37) so angeordnet ist, dass die abgelenkten Targets (29) in der Selektionskammer (41) an einer Wand neben der Austrittsöffnung (43) abgefangen werden.
Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablenkeinheit (37) so angeordnet ist, dass nur die abgelenkten Targets (29) durch die Austrittsöffnung (43) der Selektionskammer (41) zum Wechselwirkungsort (61) in der Wechselwirkungskammer (4) gelangen.
Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetselektor (3) eine Ringelektrode (36) und eine Ablenkeinheit (37) auf Basis eines elektrischen Feldes aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetselektor (3) eine Ringelektrode (36) und eine Ablenkeinheit (37) auf Basis eines magnetischen Feldes aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Selektionskammer (41) eine Pumpe (42) zum differentiellen Abpumpen von durch den Targetselektor (3; 31, 32; 34; 36, 37) eliminiertem Targetmaterial aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Selektionskammer (41) eine beheizbare Fläche zum schnelleren Verdampfen von Targetmaterialien mit unter Prozessbedingungen niedrigem Dampfdruck aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die beheizbaren Fläche ein Chopper-Rad (31, 32) des Targetselektors (3) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die beheizbare Fläche eine Wand in Drehrichtung des Chopper-Rades (31, 32) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetselektor (3; 31, 32; 34; 36, 37) so eingestellt ist, dass er aus der vom Targetgenerator (1) bereitgestellten Targetfolge (23) genau ein Einzeltarget (21) in die Wechselwirkungskammer (4) durchlässt, um es mit dem Energiestrahl (5; 52) in Wechselwirkung zu bringen.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetselektor (3; 31, 32; 34; 36, 37) so eingestellt ist, dass er mindestens zwei aufeinanderfolgende Einzeltargets (21) der vom Targetgenerator (1) bereitgestellten Targetfolge (23) durchlässt, wobei mindestens ein erstes Target einer solchen Targetkolonne (24) ein Opfertarget (25) zur Ausbildung eines Verdampfungsschirms (26) für wenigstens ein nachfolgendes Haupttarget (27) darstellt.