[go: up one dir, main page]

WO2011069345A1 - 一种化学机械抛光浆料及其应用 - Google Patents

一种化学机械抛光浆料及其应用 Download PDF

Info

Publication number
WO2011069345A1
WO2011069345A1 PCT/CN2010/002034 CN2010002034W WO2011069345A1 WO 2011069345 A1 WO2011069345 A1 WO 2011069345A1 CN 2010002034 W CN2010002034 W CN 2010002034W WO 2011069345 A1 WO2011069345 A1 WO 2011069345A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
acid
star
polishing slurry
group
slurry according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/CN2010/002034
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
荆建芬
蔡鑫元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Original Assignee
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd filed Critical Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Publication of WO2011069345A1 publication Critical patent/WO2011069345A1/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04—Heavy metals
    • H10P52/403—

Definitions

  • the invention relates to a chemical mechanical polishing liquid and an application thereof.
  • 5,527,423 discloses a A chemical mechanical polishing slurry of a metal layer
  • US Pat. No. 6,821,897 discloses a method of copper CMP using a polymer complexing agent
  • Patent No. CN 02114147.9 discloses a copper chemical-mechanical polishing process polishing liquid
  • No. CN 01818940.7 discloses a slurry for chemical mechanical polishing of copper
  • Patent No. CN 98120987.4 discloses a CMP slurry manufacturing process for copper and for integrated electricity The manufacturing method of the road.
  • the technical problem to be solved by the present invention is to provide a chemical mechanical polishing slurry capable of reducing the static etching rate of copper, improving the dishing recess of the polished copper wire, and its use in polishing copper.
  • the polishing slurry contains at least one star-structured polymer surfactant having a pigment affinity group, abrasive particles, a complexing agent, a corrosion inhibitor, and an oxidizing agent.
  • the pigment-affinity group in the star-structured polymer surfactant having a pigment-affinity group is one or more of a hydroxyl group, an amino group and a carboxyl group.
  • the polymerizable monomer forming the star-shaped polymer containing the pigment-affinity group includes one or more of the following: an acrylic monomer, an acrylate monomer, an acrylamide monomer, and an epoxy acetamidine. .
  • the acrylic monomer is acrylic acid and/or methacrylic acid; the acrylate monomer is methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, propyl acrylate, A One or more of propyl acrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; the acrylamide monomer is acrylamide and/or methyl Acrylamide.
  • the monomer forming the star polymer containing the pigment-affinity group also includes other vinyl monomers.
  • the other vinyl monomer is ethylene, propylene, styrene or p-methylstyrene.
  • the star-shaped polymer containing the pigment affinity group is a polyacrylic acid star homopolymer, styrene and Binary star copolymer of hydroxyethyl acrylate, binary star copolymer of p-methylstyrene and epoxy oxime, binary star copolymer of styrene and ethylene oxide, methyl methacrylate a binary star copolymer with epoxy oxime, a binary star copolymer of methyl acrylate and hydroxyethyl acrylate, a binary star copolymer of acrylic acid and hydroxyethyl acrylate, and acrylic acid, butyl acrylate and One or more of the ternary star copolymers of acrylamide.
  • the star polymer containing the pigment-affinity group has a number average molecular weight of 800 to 50,000.
  • the content of the star-type polymer containing the pigment-affinity group is 0.0001 to 5% by mass.
  • the abrasive particles are one or more of silica, alumina, aluminum-doped silica, aluminum-coated silica, ceria, titania, and polymer abrasive particles.
  • the content of the abrasive particles is 0.1 to 20% by mass.
  • the abrasive particles have a particle diameter of 20 to 150 nm.
  • the complexing agent is an amino acid and a salt thereof, an organic carboxylic acid and a salt thereof, an organic phosphonic acid and a salt thereof.
  • One or more of the organic carboxylic acids are acetic acid, oxalic acid, citric acid, tartaric acid, maleic acid, malonic acid, succinic acid, malic acid, lactic acid, gallic acid, and sulfosalicylic acid.
  • One or more of the organic phosphonic acids are 2-phosphonic acid butyl phosphonium-1, 2, 4-tricarboxylic acid, aminotrimethylidene phosphonic acid, hydroxyethylidene diphosphonic acid, ethylenediamine tetramethylidene
  • the corrosion inhibitor is one of azole, imidazole, thiazole, pyridine and pyrimidine Or a variety.
  • the azole compound is selected from one or more of the group consisting of benzotriazole, 5-methyl-1,2,3-benzotriazole, 5-carboxybenzotriazole, 1-hydroxyl Tribenzotriazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1, 2,4-triazole, 4-amino-1, 2,4-triazole, 3, 5-di Amino-1, 2, 4-triazole, 5-carboxy-3-amino-1, 2,4-triazole, 3-amino-5-mercapto-1, 2,4-triazole, 5- Acetic acid-1H-tetrazole, 5-methyltetrazole, 5-phenyltetrazolium, 5-amino-1H-tetrazole and 1-phenyl-5-mercapto-tetrazolium;
  • the imidazole compound is benzimidazole and/or 2-mercaptobenzimidazole;
  • the thiazole compound is selected from one or more of the following: 2-indolyl-
  • the content of the corrosion inhibitor is 0.005 to 5% by mass.
  • the oxidizing agent is hydrogen peroxide, urea peroxide, peroxyformic acid, peracetic acid, persulfate, percarbonate, periodic acid, perchloric acid, perboric acid, potassium permanganate and ferric nitrate. One or more.
  • the content of the oxidizing agent is 0.05 to 10% by mass.
  • the polishing solution has a pH of from 3 to 11, preferably from 4 to 8.
  • the polishing liquid of the present invention may further contain other conventional additives in the art such as a pH adjuster, a viscosity modifier, an antifoaming agent, a bactericide, and the like.
  • the polishing liquid of the present invention can prepare a concentrated sample which is diluted with deionized water and added with an oxidizing agent before use.
  • the positive progressive effect of the present invention is that the polishing liquid of the present invention can significantly improve the degree of dishing of the copper block after polishing while maintaining a high polishing rate, and the surface of the polished chip is non-corrosive, and the copper is significantly lowered at room temperature. And static corrosion rate at polishing temperature to improve the dish shape of the polished copper wire (dishing) a depression.
  • FIG. 1 is a view showing the surface corrosion observed by SEM after polishing and immersing a patterned copper wafer with the polishing liquid of Example 51. Summary of the invention
  • Table 1 shows Examples 1 to 49 of the chemical mechanical polishing liquid of the present invention. According to the formulation given in the table, the components other than the oxidizing agent were uniformly mixed, and the mass percentage was made up to 100% with water. Adjust to the desired pH with KOH or HNO 3 . Add oxidizing agent before use and mix well. Examples 1 to 49
  • Mn 15000 methyl acrylate, hydroxyethyl acrylate
  • Mn 20000 diethylene methacrylic acid
  • Mn 10000 propyl acrylate
  • Mn 5000 Si0 2 2 -hydroxyethyl hydroxyethyl acrylate
  • Mn 8000 methyl acrylate, ethylenediamine hydroxyethyl acrylate
  • Mn 3000 diethylene butyl acrylate
  • Mn 30000 ethyl acrylate, polystyrene methacrylate
  • Mn 5000 propyl methacrylate and methacryl
  • Triazole is 0.0001
  • Mn 10000 methyl methacrylate and ethylene oxide
  • Table 2 shows the comparative polishing liquids 1 to 3 and the polishing liquids 50 to 52 of the present invention. According to the formulation given in the table, the components other than the oxidizing agent are uniformly mixed, and the mass percentage is made up to 100% with water, using KOH or HN0 3 is adjusted to the desired pH. Add oxidizing agent before use and mix well.
  • the star polymers were added in Examples 50 to 52, and the star polymer was more effective in suppressing the removal rate of copper under low pressure. It is beneficial to reduce the depression on the patterned copper wafer, and maintain a high copper removal rate under high pressure without affecting the production capacity.
  • the star polymer can effectively inhibit the static corrosion rate of copper at normal temperature and polishing temperature (such as 50 Q C), which is beneficial to reduce defects and butterfly depression after polishing.
  • the patterned copper wafer is polished using the comparative polishing liquid 2 and the polishing liquid 51 of the present invention.
  • the polished trap values of the 80um*80um copper block on the patterned copper wafer after polishing were measured by XE-300P atomic force microscope.
  • Polishing conditions 3 psi under pressure, polished patterned copper wafer to residual copper of approximately 2000 A, and then the residual copper was removed and oversprayed for 30 seconds at 1 psi.
  • Polishing disc and polishing head speed 70/80rpm, polishing pad PPG MX710, polishing liquid flow rate 100ml/min, polishing machine is Logitech PM5 Polisher.
  • Example 51 added a star polymer which can effectively reduce the butterfly shape on the patterned copper wafer. Depression. Effect Example 3
  • the patterned copper wafer is polished and immersed using the polishing liquid 51 of the present invention.
  • Polishing process conditions polishing disc and polishing head speed 70/80rpm, polishing pad PPG MX710, polishing liquid flow rate 100ml/min, polishing machine for Logitech PM5 Polishes down 3psi, polishing patterned copper wafer to residual copper about 2000A, then The remaining copper was removed by lpsi and left for 30 seconds. After immersing the polished copper wafer in the polishing solution for 30 minutes, it is taken out and cleaned and then scanned. A submicroscope (SEM) was used to observe the corrosion of the wafer surface.
  • SEM submicroscope
  • the surface As shown in Fig. 1, on the patterned copper wafer polished and immersed by the polishing liquid of the present invention, the surface has no scratches and the like, and the surface and edge of the copper wire are smooth and free from corrosion.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

一种化学机械抛光浆料及其应用 技术领域
本发明涉及一种化学机械抛光液及其应用。 技术背景
随着微电子技术的发展，甚大规模集成电路芯片集成度已达几十亿个元 器件， 特征尺寸己经进入纳米级， 这就要求微电子工艺中的几百道工序， 尤 其是多层布线、 衬底、 介质必须要经过化学机械平坦化。 甚大规模集成布线 正由传统的 A1向 Cu转化。 与 A1相比， Cu布线具有电阻率低， 抗电迁移能 率高， RC延迟时间短， Cu布线的优势己使其替代 A1成为半导体制作中的 互联金属。
但是目前还没有对铜材进行有效地等离子蚀刻或湿法蚀刻， 以使铜互连 在集成电路中充分形成的公知技术， 因此铜的化学机械抛光方法被认为是最 有效的工艺方法。铜的化学机械抛光方法的工作原理一般是先用快且高效的 去除速率除去衬底表面上大量的铜， 当快要接近阻挡层时即软着陆， 降低去 除速率抛光剩余的金属铜并停在阻挡层。 目前， 出现了一系列的适合于抛光 Cu的化学机械抛光浆料， 如： 专利号为 US 6,616,717公开了一种用于金属 CMP的组合物和方法； 专利号为 US 5,527,423公开了一种用于金属层的化 学机械抛光浆料；专利号为 US 6,821,897公开了一种使用聚合体络合剂的铜 CMP的方法；专利号为 CN 02114147.9公开了一种铜化学一机械抛光工艺用 抛光液； 专利号为 CN 01818940.7公开了铜的化学机械抛光所用的浆料； 专 利号为 CN 98120987.4公开了一种用于铜的 CMP桨液制造以及用于集成电 路的制造方法。但是上述用于铜的抛光浆料使用后衬底表面存在缺陷、划伤、 粘污和铜的残留， 或者是抛光后铜块的凹陷过大， 或者是抛光过程中存在着 局部或整体腐蚀以及铜在常温和抛光温度 （如 50°C) 下的静态腐蚀速率较 高等问题。 因此有必要开发出新的用于铜的化学机械抛光浆料。
发明概要 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够降低铜的静态腐蚀速率，改 善抛光后铜线的碟形（dishing)凹陷的化学机械抛光浆料以及其在抛光铜中 的应用。 该抛光浆料至少含有一种具有颜料亲和基团的星型结构的聚合物表面 活性剂、 研磨颗粒、 络合剂、 腐蚀抑制剂和氧化剂。
所述的具有颜料亲和基团的星型结构的聚合物表面活性剂中的颜料亲 和基团为羟基、 氨基和羧基中的一种或多种。
形成所述的含颜料亲和基团的星型聚合物的聚合单体包括下列中的一 种或多种： 丙烯酸类单体、 丙烯酸酯类单体、 丙烯酰胺类单体和环氧乙垸。
所述的丙烯酸类单体为丙烯酸和 /或甲基丙烯酸；所述的丙烯酸酯类单体 为丙烯酸甲酯、 甲基丙烯酸甲酯、 丙烯酸乙酯、 甲基丙烯酸乙酯、 丙烯酸丙 酯、 甲基丙烯酸丙酯、 丙烯酸丁酯、 甲基丙烯酸丁酯、 丙烯酸羟乙酯和甲基 丙烯酸羟乙酯中的一种或多种;所述的丙烯酰胺类单体为丙烯酰胺和 /或甲基 丙烯酰胺。
形成所述的含颜料亲和基团的星型聚合物的单体还包括其他乙烯基类 单体。
所述的其他乙烯基类单体为乙烯、 丙烯、 苯乙烯或对甲基苯乙烯。
所述的含颜料亲和基团的星型聚合物为聚丙烯酸星型均聚物，苯乙烯与 丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物，对甲基苯乙烯与环氧乙垸的二元星型共聚 物， 苯乙烯与环氧乙烷的二元星型共聚物， 甲基丙烯酸甲酯与环氧乙垸的二 元星型共聚物， 丙烯酸甲酯与丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物， 丙烯酸与丙 烯酸羟乙酯的二元星型共聚物， 以及丙烯酸、 丙烯酸丁酯和丙烯酰胺的三元 星型共聚物中的一种或多种。
所述的含颜料亲和基团的星型聚合物的数均分子量为 800-50000。 所述的含颜料亲和基团的星型聚合物的含量为质量百分比 0.0001〜5%。 所述的研磨颗粒为二氧化硅、 三氧化二铝、 掺杂铝的二氧化硅、 覆盖铝 的二氧化硅、 二氧化铈、 二氧化钛和高分子研磨颗粒中的一种或多种。 所述 的研磨颗粒的含量为质量百分比 0.1 〜20 %。 所述的研磨颗粒的粒径为 20〜150nm。
所述的络合剂为氨基酸及其盐、 有机羧酸及其盐、 有机膦酸及其盐。 具 体为甘氨酸、 丙氨酸、 缬氨酸、 亮氨酸、 脯氨酸、 苯丙氨酸、 酪氨酸、 色氨 酸、赖氨酸、 精氨酸、 组氨酸、 丝氨酸、 天冬氨酸、 谷氨酸、 天冬酰胺、 谷 氨酰胺、 氨三乙酸、 乙二胺四乙酸、 环己垸四乙酸、 乙二胺二琥珀酸、 二乙 烯三胺五乙酸和三乙烯四胺六乙酸中的一种或多种； 所述的有机羧酸为醋 酸、 草酸、 柠檬酸、 酒石酸、 马来酸、 丙二酸、 丁二酸、 苹果酸、 乳酸、 没 食子酸和磺基水杨酸中的一种或多种; 所述的有机膦酸为 2-膦酸丁垸 -1， 2, 4-三羧酸、 氨基三甲叉膦酸、 羟基乙叉二膦酸、 乙二胺四甲叉膦酸、 二乙烯 三胺五甲叉膦酸、 多元醇膦酸酯、 2-羟基膦酸基乙酸、 乙二胺四甲叉膦酸和 多氨基多醚基甲叉膦酸中的一种或多种；所述的络合剂的含量为质量百分比 0.01〜10%。 所述的腐蚀抑制剂为氮唑、 咪唑、 噻唑、 吡啶和嘧啶类化合物中的一种 或多种。氮唑类化合物选自下列中的一种或多种：苯并三氮唑、 5-甲基 -1， 2， 3-苯并三氮唑、 5-羧基苯并三氮唑、 1-羟基一苯并三氮唑、 1， 2， 4-三氮唑、 3-氨基 -1 , 2, 4-三氮唑、 4-氨基 -1， 2， 4-三氮唑、 3， 5-二氨基 -1， 2, 4-三 氮唑、 5-羧基 -3-氨基 -1， 2, 4-三氮唑、 3-氨基 -5-巯基 -1， 2， 4-三氮唑、 5- 乙酸 -1H-四氮唑、 5-甲基四氮唑、 5-苯基四氮唑、 5-氨基 -1H-四氮唑和 1-苯 基 -5-巯基-四氮唑； 所述的咪唑类化合物为苯并咪唑和 /或 2-巯基苯并咪唑； 所述的噻唑类化合物选自下列中的一种或多种： 2-巯基 -苯并噻唑、 2-巯基噻 二唑和 5-氨基 -2-巯基 -1， 3 , 4-噻二唑； 所述的吡啶选自下列中的一种或多 种： 2， 3-二氨基吡啶、 2-氨基吡啶和 2-吡啶甲酸； 所述的嘧啶为 2-氨基嘧 啶。
所述的腐蚀抑制剂的含量为质量百分比 0.005〜5%。
所述的氧化剂为过氧化氢、过氧化脲、过氧甲酸、过氧乙酸、过硫酸盐、 过碳酸盐、 高碘酸、 高氯酸、 高硼酸、 高锰酸钾和硝酸铁中的一种或多种。
所述的氧化剂的含量为质量百分比 0.05 ~10 %。
其中， 所述的抛光液的 pH为 3〜11， 较佳的为 4〜8。
本发明的抛光液中，还可以含有本领域其他常规添加剂，如 pH调节剂、 粘度调节剂、 消泡剂和杀菌剂等。
本发明的抛光液可制备浓缩样品，在使用前用去离子水稀释并加入氧化 剂。
本发明的积极进步效果在于：本发明的抛光液可在保持较高的抛光速率 的条件下， 显著改善抛光后铜块的凹陷程度， 且抛光后的芯片表面无腐蚀， 并显著降低铜在常温和抛光温度下的静态腐蚀速率，改善抛光后铜线的碟形 (dishing) 凹陷。 附图说明
图 1 为用实施例 51 的抛光液对有图案的铜晶片进行抛光并浸泡后用 SEM观察到的表面腐蚀情况图。 发明内容
下面用实施例来进一步说明本发明， 但本发明并不受其限制。
实施例 1~49
表 1给出了本发明的化学机械抛光液的实施例 1〜49， 按表中所给配方， 将除氧化剂以外的其他组分混合均匀，用水补足质量百分比至 100%。用 KOH 或 HN03调节到所需要的 pH值。 使用前加氧化剂， 混合均匀即可。 实施例 1~49
实 研月 颗粒 腐蚀 制剂 络合剂 氧化剂 星型聚合物
施 含量 具体物 含量 具体物 含量 具体 含量 具体 含量 pH wt% 具体物质 例 wt% 质 质 wt% 物质 wt% 物质 wt%
丙烯酸甲酯与
3-氨基
Si02
1 3 5 过氧
-1,2,4- 10
(35nm) 草酸 2 3 丙烯酰胺的星
3 化氢
三氮唑 形共聚物，
Mn=3000 丙烯酸羟乙酯
Si02 苯并三
2 1 0.005 过氧
0.01 与丙烯酰胺的 (35nm) 丁二酸 1 2 3 氮唑 化氢 星形共聚物，
Mn=5000
5-氨基 丙烯酸羟乙酯
Si02 |¾猛
3 1 0.05 -1H-四 0.1 与丙烯酸的星
(50nm) 丙二酸 3 1.5 3 酸钾
氮唑 形共聚物，
Mn=2500 丙烯酸甲酯与
Si02 1,2,4-
4 1 2 硝酸 丙烯酸羟乙酯
0.5
(50nm) 苹果酸 0.5 1 3 三氮唑 铁 的星形共聚
物， Mn=5000 丙烯酸羟乙酯
2-巯基
Si02
1 0.01 过氧 与甲基丙烯酸
-苯并 1 乳酸 5 0.1 3 (70nm)
噻唑 化氢 的星形共聚
物， Mn=15000 丙烯酸与丙烯
A1203 5-苯基 没食子
3 过氧
0.005 1 8 2 酰胺的星形共 3 (30nm) 四氮唑 酸 化氢 聚物，
Mn=5000
5-氨基 丙烯酸羟乙酯
Si02 磺基水
0.5 0.3 过氧
-1H-四 5 10 1.5 与丙烯酰胺的 (70nm) 3
杨酸 化氢 星形共聚物， 氮唑
Mn=5000
Si02
1 苯并三
0.2 3 过氧
(70nm) 醋酸 1 1 星形聚丙烯酸 3
氮唑 化脲 Mn=3000
甲基丙烯酸乙
1， 2,
Ce02 酯与甲基丙烯
2 柠檬酸
2 过氧
4-三氮 8 5 0.5
(50 酸羟乙酯的星 3
唑 铰 乙酸
形共聚物，
Mn=15000 丙烯酸甲酯、 丙烯酸羟乙酯
Ti02 苯并咪 酒石酸
1 过硫
0.01 2 0.5 0.8
(120nm) 和苯乙烯的三 3
唑 钾 酸钾
元星形共聚 物， Mn=30000
1-苯基 丙烯酸丁酯、
2-膦酸
Si02 -5-巯 丙烯酰胺和丙
3 0.02 2 丁垸基 过氧
3 1
(150nm) 烯酸的三元星 3
基-四 -l j 4- 乙酸
氮唑 形共聚物，
Mn=10000 丙烯酸乙酯、
Si02 2-巯基 甲基丙烯酸羟 乙二胺
2. 过硫
0.5 乙酯和苯乙烯 (80nm) -苯并 2 四亚甲 4 0.5 3
酸钾
噻唑 的三元星形共 基膦酸
聚物，
Mn=20000 二乙烯 甲基丙烯酸与
Si02 甲基丙烯酸羟
0.5 苯并咪 三胺五 过硫
0.08 2 2.5
(lOOnm) 0.5
唑 乙酯的星形共 3
甲叉膦 酸铵
聚物，
Mn=3000 甲基丙烯酸丁
Si02 2-巯基 羟基亚 酯、 丙烯酸羟
0.5 0.5 过氧 乙酯和苯乙烯 苯并咪 2 3.5 0.5
(70nm) 3
唑 化氢 的三元星形共 膦酸
聚物，
Mn= 10000 丙烯酸丙酯与
Si02 5-氨基 氨基三
0.5 0.5 过氧
-1H-四 2 亚甲基 4.5 0.8 丙烯酰胺的星 (80nm) 3
化脲
氮唑 形共聚物，
膦酸
Mn=5000 Si02 2-羟基 丙烯酸羟乙酯
0.5 苯并三
0.2 过氧
2 膦酸基 0.8 0.1 与丙烯酰胺的 (lOOnm) 3
氮唑 乙酸
乙酸 星形共聚物，
Mn=50000
1-苯基
Si02
0.5 - 5 -疏 过硫
1 2 im 0.8 星形聚丙烯
0.002
(lOOnm) 3
基-四 亚甲基 酸钾 酸， Mn=8000 氮唑 膦酸
二乙稀 甲基丙烯酸甲
Si02 2-巯基 酯与丙烯酸羟
0.5 过硫
1 3 三胺五
0.05 0.05
(lOOnm) -苯并 乙酯的星形共 4
甲叉膦 酸铵
噻唑 聚物，
酸钾
Mn=7000 丙烯酸羟乙
Si02 乙二胺
苯并咪 酯、 丙烯酰胺
0.5 0.3 3 过氧
(lOOnm) 四甲叉 0.1 0.05
唑 和丙烯酸的三 4
化氢
膦酸 元星形共聚物
Mn=3000 丙烯酸乙酯、
2-巯基 甲基丙烯酸羟
Si02 多元醇
0.5 0.3 过氧
(lOOnm) 苯并咪 3 3 0.01 乙酯和苯乙烯
4 唑 膦酸酯 化脲 的三元星形共 聚物，
Mn=8000 丙烯酸甲酯、 乙二胺 丙烯酸羟乙酯
0.5 Si02 5-苯基
0.6 1 过氧
四乙酸 3
(lOOnm) 0.01 和苯乙烯的三 3
四氮唑 乙酸
二钠 元星形共聚物
Mn=3000 丙烯酸甲酯与
-3-氨 乙二胺
Si02
5 0.3 过氧
1 星 (70nm) 二琥珀 1 0.05 丙烯酰胺的 3
化氢
-1,2,4- 形共聚物，
酸
Mn=5000 三氮唑
丙烯酸乙酯与
4-氨基
Si02 环己烷 过硫
0.5 0.3 -1,2,4- 1 1
(lOOnm) 0.001 丙烯酰胺的星
3 四乙酸 酸钾
三氮唑 形共聚物，
Mn=3000 二乙烯 丙烯酸丁酯与
Si02 苯并三
0.5 过硫
0.01 1
(lOOnm) 三胺五 1 0.001 丙烯酰胺的星 3
氮唑 酸铰 形共聚物，
乙酸
Mn=6000 丙烯酸羟乙酯
Si02 苯并三
0.5 0.05 氨三乙
3 过氧
5 与丙烯酰胺的 (lOOnm) 0.01 3
氮唑 化氢 星形共聚物，
Mn=5000 甲基丙烯酸甲
2-膦酸
5-乙酸 酯与环氧乙烷
Si02
2 0.2 -1H-四 1 丁垸基 过氧
2 0.01 的二元星型共 (70nm) 3
-1,2,4- 化氢
氮唑 聚物，
Mn=3000 2-巯基 甲基丙烯酸丙
-iS.sm.ta 1 苯并咪 酯和甲基丙烯 过硫
1 的 Si。2 唑 10 甘氨酸 2 0.005 酰胺的星形共 4 酸铵
(70nm) 苯并三 聚物， Mn=800
0.01
氮唑
苯乙烯与丙烯 掺杂铝 5-氨基
过氧 酸羟乙酯的二
0.5 的 Si02 0.1 -1H-四 5 丙氨酸 2 0.005 4 化氢
(20nm) 元星形共聚
氮唑
物， Mn=6000 丙烯酸甲酯、
5-甲基 丙烯酸羟乙酯
5 烯酸 0.1 5 过氧
缬氨酸 2 0.0005 和乙烯的三元 5 甲酯 四氮唑 化脲
(150nm) 星形共聚物，
Mn=30000 丙烯酸乙酯、 聚苯乙 甲基丙烯酸羟
5-苯基
4 烯 0.2 6 过氧
亮氨酸 5 0.1 乙酯和丙烯的 5 四氮唑
(120nm) 化氢
三元星形共聚 物， Mn=6000 丙烯酸羟乙
3-氨基
酯、 丙烯酰胺
Si02 -1， 2， 苯丙氨
0.1 0.3 过氧
6 3 0.2
(70nm) 和丙烯酸的三 5
4-三氮 化氢
元星形共聚 唑
物， Mn=3000
2-巯基 丙烯酸与丙烯
Si02
0.1 2 过氧
8 苏氨酸 2 0.02
(70nm) 酰胺的星形共 5 化氢
聚物， Mn=10000 甲基丙烯酸丙 氨基 酯和甲基丙烯
Si02 2- 天冬酰
0.2 2 过氧
8 2 0. 2
(70nm) 嘧啶 酰胺的星形共 6 胺 化氢
聚物， Mn=5000 丙烯酸甲酯与
Si02 2-氨基
0.2 1 1¾氛
5 丙烯酰胺的星 (70nm) 丝氨酸 2 0.02 6 吡啶 酸 形共聚物，
Mn=3000
5-甲基 丙烯酸丁酯、
1 脯氨酸
Si02 1,2,3- 丙烯酰胺和丙
0.3 0.02 过氧
3 0.05
(70nm) 苯并三 烯酸的三元星 6 化氢
氮唑 2 酪氨酸 形共聚物，
Mn=5000 甲基丙烯酸丙 酯和甲基丙烯
2,3-二 0.0005 酰胺的星形共
Si02
1 0.5 过氧
(70nm) 氨基吡 3 色氨酸 1 聚物， 6 化氢
啶 Mn=8000 星形聚丙烯
0.3
酸， Mn=10000 过氧
1 丙烯酸乙酯与
Si02 2-吡啶
2 化氢
0.5 3 丙烯酰胺的星 蛋氨酸 0.05 6 (70nm) 甲酸 过硫
0.5 形共聚物，
酸铰 Mn=8000
3,5-二 丙烯酸甲酯与
Si02 天冬氨
3 0.5 氨基 3 2 丙烯酸羟乙酯
7 (80nm) -1,2,4- 的星形共聚
三氮唑 is 0.0001
物， Mn=10000 甲基丙烯酸丁
1-羟基 酯、 丙烯酸羟
Si02 1¾
3 碘
0.5 一苯并 3 乙酯和苯乙烯 谷氨酸 2 0.01 8 (80nm) 酸
三氮唑 的三元星形共 聚物，
Mn=5000 对甲基苯乙烯
Si02 苯并三
1 0.01 过氧 与环氧乙烷的
1
(80nm) 精氨酸 1 0.5 8 氮唑 化氢 二元星型共聚 物， Mn=6000
5-氨基 甲基丙烯酸丁
Si02
1 0.03 过氧
-1H-四 2 酯和丙烯酸
赖氨酸 1 1 的 9 (80nm) 化氢 星形共聚物， 氮唑
Mn=3000
5-氨基
苯乙烯与环氧 -2-巯
Si02
1 过氧
0.5 2 乙垸的二元星 (80nm) 组氨酸 3 0.01 9 化氢
-1,3,4- 型共聚物， 噻二唑 Mn=8000
3-氨基
甲基丙烯酸丁 -5-巯 五甲基
Si02
0.5 0.5 过氧
2 二乙烯 3 0.01 酯和丙烯酸的 10 (80nm) 化氢 星^共聚物， 三胺
Mn=12000 甲基丙烯酸乙
Si02 多乙稀
0.5 过氧
0.5 苯 1 3 0.05 酯和丙烯酸的 11 (80nm) 多胺 化氢 星形共聚物， 氮唑
Mn=6000 苯乙烯与环氧
SiOz 苯并三 三乙條
0.5 过氧
0.05 1 3 0.05 乙烷的二元星
11 (80nm) 氮唑 四胺 化氢 型共聚物，
Mn=10000 甲基丙烯酸甲 酯与环氧乙烷
SiOz 苯并三 四乙烯
0.5 0.05 过氧
1 2 0.05
(80nm) 的二元星型共 11 氮唑 五胺 化氢
聚物，
Mn=10000 苯乙烯与环氧
Si02 苯并三
0.5 谷氨酰
0.05 过氧
0.05 2 0.05
(80nm) 乙烷的二元星 10 氮唑 胺 甲酸
型共聚物， Mn= 10000
Figure imgf000011_0001
效果实施例 1
表 2给出了对比抛光液 1〜3和本发明的抛光液 50〜52， 按表中所给配 方， 将除氧化剂以外的其他组分混合均匀， 用水补足质量百分比至 100%, 用 KOH或 HN03调节到所需要的 pH值。使用前加氧化剂， 混合均匀即可。
表 2 对比抛光液 1〜3和抛光液 50〜52
研磨颗粒 腐蚀抑制剂 络合剂 氧 ^匕剂 星型聚合物 pH 抛光
含量 具体 含量 具体物 含量 具体物 含量 具体
液 含量
wt% 具体物质 物质 wt% 质 wt% 质 wt% 物质 wt%
Si02 5-苯基 过氧
对比 1 0.5 0.05 0.8 马来酸 3 \ 4
(50nm) 四氮唑 化氢
Si02
1,2,4- 对比 2 0.5 过氧
(lOOnm 0.03 1.1 甘氨酸 1 . \ 6 三氮唑 化氢
)
Si02 4-氨基
过氧
对比 3 0.5 0.1 -1,2,4- 1.5 甘氨酸 2 \ 8
(80nm) 化氢
三氮唑 苯乙烯与
Si02 丙烯酸羟
5-苯基 过氧
50 0.5 0.05 0.8 马来酸 3 0.05 乙酯的二 4
(50nm) 四氮唑 化氢
元星形共 聚物 Mn=6000 甲基丙烯 酸丁酯、丙
Si02
1,2,4- 烯酸羟乙
51 0.5 过氧
(lOOnm 0.03 1 甘麵 1 0.02 酯和苯乙 6 三氮唑 化氢
) 烯的三元
星形共聚 物， Mn=3000 丙烯酸乙
4-氨基 酯与丙烯
52 0.5 0.1 -1,2,4- 1.5 甘氨酸 2 过氧
0.03 酰胺的星 8
Figure imgf000012_0001
化氢
三氮唑 形共聚物
Mn=5000 采用对比抛光液 1〜3和本发明的抛光液 50〜52， 对空片铜（Cu)进行 抛光。 并测铜在抛光液中的静态腐蚀速率。 去除速率及静态腐蚀速率见表 3 空片抛光条件： 铜晶片： 下压力 3Psi/lpsi ; 抛光盘及抛光头转速 70/80rpm,抛光垫 PPG MX710,抛光液流速 100ml/min，抛光机台为 Logitech PM5 Polisher 静态腐蚀速率测试条件： 铜晶片分别浸泡在室温和 50QC抛光液中， 浸 泡时间： 室温 30分钟， 50°C时 5分钟。 表 3铜的去除速率及静态腐蚀速率
Figure imgf000012_0002
由表可见， 与未添加星型聚合物的对比实施例相比， 实施例 50〜52中 添加了星型聚合物， 该星型聚合物能较多的抑制铜在低下压力下的去除速 率， 有利于降低在有图案的铜晶片上的凹陷， 而在高压力下即能保持较高的 铜去除速率， 不影响生产能力。 该星型聚合物能有效的抑制铜的在常温和抛光温度下（如 50QC)的静态 腐蚀速率， 有利于降低抛光后的缺陷和蝶形凹陷。 效果实施例 2
采用对比抛光液 2和本发明的抛光液 51， 对有图案的铜晶片进行抛光。 抛光后用 XE-300P原子力显微镜测量有图案的铜晶片上 80um*80um 的铜 块的蝶形凹陷值见表 4。
抛光工艺条件： 下压力 3psi, 抛光有图案的铜晶片至残留铜约 2000A, 然后再在 lpsi 下将残留的铜清除并过抛 30 秒。 抛光盘及抛光头转速 70/80rpm，抛光垫 PPG MX710,抛光液流速 100ml/min，抛光机台为 Logitech PM5 Polisher。
表 4铜块的蝶形凹陷值
Figure imgf000013_0001
由表可 JL, 与未添加星型聚合物的对比实施例 2相比， 实施例 51中添 加了星型聚合物，该星型聚合物能有效的降低在有图案的铜晶片上的蝶形凹 陷。 效果实施例 3
采用本发明的抛光液 51， 对有图案的铜晶片进行抛光并浸泡。
抛光工艺条件： 抛光盘及抛光头转速 70/80rpm， 抛光垫 PPG MX710, 抛光液流速 100ml/min， 抛光机台为 Logitech PM5 Polishes 下压力 3psi， 抛 光有图案的铜晶片至残留铜约 2000A,然后再 lpsi下将残留的铜清除并过抛 30秒。 将抛光后的铜晶片浸泡在抛光液中 30分钟后， 取出清洗后用扫描电 子显微镜 （SEM) 来观察晶片表面的腐蚀情况。
由图 1表明，用本发明所述的抛光液的抛光并浸泡后的有图案的铜晶片 上， 表面无划伤等缺陷， 铜线表面及边缘光滑， 无腐蚀。

Claims

权利要求
1、 一种化学机械抛光浆料， 其包含： 至少一种具有颜料亲和基团的星 型结构的聚合物表面活性剂、 研磨颗粒、 络合剂、 腐蚀抑制剂和氧化剂。
2、 如权利要求 1 所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述的颜料亲和基团 为选自羟基、 氨基和羧基中的一种或多种。
3、 如权利要求 1所述的抛光桨料， 其特征在于， 形成所述的含颜料亲 和基团的星型聚合 l的聚合单体包括下列中的一种或多种： 丙烯酸类单体、 丙烯酸酯类单体、 丙烯酰胺类单体和环氧乙烷。
4、 如权利要求 3所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述丙烯酸类单体为 丙烯酸和 /或甲基丙烯酸；所述的丙烯酸酯类单体为选自丙烯酸甲酯、甲基丙 烯酸甲酯、 丙烯酸乙酯、 甲基丙烯酸乙酯、 丙烯酸丙酯、 甲基丙烯酸丙酯、 丙烯酸丁酯、 甲基丙烯酸丁酯、 丙烯酸羟乙酯和甲基丙烯酸羟乙酯中的一种 或多种； 所述的丙烯酰胺类单体为丙烯酰胺和 /或甲基丙烯酰胺。
5、 如权利要求 3所述的抛光浆料， 其特征在于， 形成所述含颜料亲和 基团的星型聚合物的单体还包括其他乙烯基类单体。
6、 如权利要求 5所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述其他乙烯基类单 体为选自乙烯、 丙烯、 苯乙烯和对甲基苯乙烯中的一种或多种。
7、 如权利要求 1或 2所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述含颜料亲和 基团的星型聚合物为选自聚丙烯酸星型均聚物，苯乙烯与丙烯酸羟乙酯的二 元星型共聚物， 对甲基苯乙烯与环氧乙垸的二元星型共聚物， 苯乙烯与环氧 乙垸的二元星型共聚物， 甲基丙烯酸甲酯与环氧乙垸的二元星型共聚物， 丙 烯酸甲酯与丙烯酸羟乙酯的二元星型共聚物， 丙烯酸与丙烯酸羟乙酯的二元 星型共聚物， 以及丙烯酸、 丙烯酸丁酯和丙烯酰胺的三元星型共聚物中的一 种或多种。
8、 如权利要求 1所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述含颜料亲和基团 的星型聚合物的数均分子量为 800-50000。
9、 如权利要求 1所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述含颜料亲和基团 的星型聚合物的含量为质量百分比 0.0001~5%。
10、 如权利要求 1所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述研磨颗粒为选自 二氧化硅、三氧化二铝、掺杂铝的二氧化硅、覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、 二氧化钛和高分子研磨颗粒中的一种或多种。
11、 如权利要求 10所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述的研磨颗粒的 含量为质量百分比 0.1 -20 %， 所述的研磨颗粒的粒径为 20~150nm。
12、 如权利要求 1所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述络合剂为选自氨 基酸及其盐、 有机羧酸及其盐、 有机膦酸及其盐。
13、 如权利要求 12所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述氨基酸具体为 选自甘氨酸、 丙氨酸、 缬氨酸、 亮氨酸、 脯氨酸、 苯丙氨酸、 酪氨酸、 色氨 酸、 赖氨酸、 精氨酸、 组氨酸、 丝氨酸、 天冬氨酸、 谷氨酸、 天冬酰胺、 谷 氨酰胺、氨三乙酸、 乙二胺四乙酸、 环己垸四乙酸、 乙二胺二琥珀酸、 二乙 烯三胺五乙酸和三乙烯四胺六乙酸中的一种或多种；所述的有机羧酸为选自 醋酸、 草酸、 柠檬酸、 酒石酸、 马来酸、 丙二酸、 丁二酸、 苹果酸、 乳酸、 没食子酸和磺基水杨酸中的一种或多种； 所述的有机膦酸为 2-膦酸丁烷 -1， 2, 4-三羧酸、 氨基三甲叉膦酸、 羟基乙叉二膦酸、 乙二胺四甲叉膦酸、 二 乙烯三胺五甲叉膦酸、 多元醇膦酸酯、 2-羟基膦酸基乙酸、 乙二胺四甲叉膦 酸和多氨基多醚基甲叉膦酸中的一种或多种。
14、 如权利要求 1所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述络合剂的含量为 质量百分比 0.01〜： 10%。
15、 如权利要求 1所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述腐蚀抑制剂为氮 唑、 咪唑、 噻唑、 吡啶和嘧啶类化合物中的一种或多种。
16、 如权利要求 15所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述氮唑类化合物 选自下列中的一种或多种： 苯并三氮唑、 5-甲基 -1， 2， 3-苯并三氮唑、 5-羧 基苯并三氮唑、 1-羟基一苯并三氮唑、 1， 2， 4-三氮唑、 3-氨基 -1， 2, 4-三 氮唑、 4-氨基 -1， 2, 4-三氮唑、 3， 5-二氨基 -1， 2， 4-三氮唑、 5-羧基 -3-氨 基 -1， 2， 4-三氮唑、 3-氨基- 5-巯基 -1， 2， 4-三氮唑、 5-乙酸: 1H-四氮唑、 5- 甲基四氮唑、 5-苯基四氮唑、 5-氨基 -1H-四氮唑和 1-苯基 -5-巯基-四氮唑； 所 述的咪唑类化合物为苯并咪唑和 /或 2-巯基苯并咪唑； 所述的噻唑类化合物 选自下列中的一种或多种： 2-巯基 -苯并噻唑、 2-巯基噻二唑和 5-氨基 -2-巯基 -1， 3 , 4-噻二唑； 所述的吡啶选自下列中的一种或多种： 2， 3-二氨基吡啶、 2-氨基吡啶和 2-吡啶甲酸； 所述的嘧啶为 2-氨基嘧啶。
17、 如权利要求 1所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述的腐蚀抑制剂的 含量为质量百分比 0.005~5%。
18、 如权利要求 1所述的抛光桨料， 其特征在于， 所述氧化剂为过氧化 氢、 过氧化脲、 过氧甲酸、 过氧乙酸、 过硫酸盐、 过碳酸盐、 高碘酸、 高氯 酸、 高硼酸、 高锰酸钾和硝酸铁中的一种或多种。
19、 如权利要求 1所述的抛光浆料， 其特征在于， 所述的氧化剂的含量 为质量百分比 0.05〜10 %。
20、 如权利要求 1~19任一项所述的化学机械抛光液在抑制铜的静态腐 蚀中的应用。
PCT/CN2010/002034 2009-12-11 2010-12-13 一种化学机械抛光浆料及其应用 Ceased WO2011069345A1 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910200319.8A CN102093818A (zh) 2009-12-11 2009-12-11 一种化学机械抛光浆料及其应用
CN200910200319.8 2009-12-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011069345A1 true WO2011069345A1 (zh) 2011-06-16

Family

ID=44127089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2010/002034 Ceased WO2011069345A1 (zh) 2009-12-11 2010-12-13 一种化学机械抛光浆料及其应用

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN102093818A (zh)
WO (1) WO2011069345A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104745085B (zh) * 2013-12-25 2018-08-21 安集微电子（上海）有限公司 一种用于钴阻挡层抛光的化学机械抛光液
CN104449398B (zh) * 2014-11-25 2017-06-23 河北工业大学 一种适用于钴阻挡层的碱性化学机械抛光液
KR101943702B1 (ko) * 2016-05-12 2019-01-29 삼성에스디아이 주식회사 구리 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
KR101943704B1 (ko) * 2016-06-27 2019-01-29 삼성에스디아이 주식회사 금속막용 cmp 슬러리 조성물 및 연마 방법
CN108251845A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
CN109971356B (zh) 2017-12-27 2025-10-28 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN109971357B (zh) * 2017-12-27 2021-12-07 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN108997941A (zh) * 2018-06-21 2018-12-14 大连理工大学 一种铜片化学机械抛光液
CN114686888A (zh) * 2020-12-30 2022-07-01 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
CN114686115A (zh) * 2020-12-30 2022-07-01 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液及其使用方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040060613A (ko) * 2002-12-30 2004-07-06 제일모직주식회사 구리배선 연마용 슬러리 조성물
CN1644640A (zh) * 2003-12-19 2005-07-27 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 用于铜的受控抛光的组合物和方法
CN1699444A (zh) * 2004-02-23 2005-11-23 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 用于控制半导体晶片中金属互连去除速率的抛光组合物
CN101747844A (zh) * 2008-12-19 2010-06-23 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
WO2010069149A1 (zh) * 2008-12-19 2010-06-24 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040060613A (ko) * 2002-12-30 2004-07-06 제일모직주식회사 구리배선 연마용 슬러리 조성물
CN1644640A (zh) * 2003-12-19 2005-07-27 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 用于铜的受控抛光的组合物和方法
CN1699444A (zh) * 2004-02-23 2005-11-23 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 用于控制半导体晶片中金属互连去除速率的抛光组合物
CN101747844A (zh) * 2008-12-19 2010-06-23 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
WO2010069149A1 (zh) * 2008-12-19 2010-06-24 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液

Also Published As

Publication number Publication date
CN102093818A (zh) 2011-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011069345A1 (zh) 一种化学机械抛光浆料及其应用
CN101747844B (zh) 一种化学机械抛光液及其应用
Yan et al. A review: research progress of chemical–mechanical polishing slurry for copper interconnection of integrated circuits
US7232529B1 (en) Polishing compound for chemimechanical polishing and polishing method
US7915071B2 (en) Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials
CN102782066B (zh) 含铜、钌和钽层的基材的化学-机械平坦化
CN101346806B (zh) 金属用研磨液以及被研磨膜的研磨方法
US20090057834A1 (en) Method for Chemical Mechanical Planarization of Chalcogenide Materials
WO2011072494A1 (zh) 一种化学机械抛光液
TWI808121B (zh) 化學機械研磨用組成物及研磨方法
CN102477262B (zh) 一种化学机械抛光浆料
KR20110033093A (ko) 금속-함유 기판의 화학 기계적 평탄화를 위한 방법 및 조성물
CN101855309B (zh) 抛光组合物
CN101240147A (zh) 用于铜的化学机械平坦化的组合物
CN102533118B (zh) 一种化学机械抛光浆料
JP2001139937A (ja) 金属用研磨液及び研磨方法
CN102477259B (zh) 一种化学机械抛光浆料
WO2015096630A1 (zh) 一种用于钴阻挡层抛光的化学机械抛光液
WO2010069149A1 (zh) 一种化学机械抛光液
WO2007048316A1 (fr) Pate d'abrasion chimique-mecanique pour couche barriere au tantale
CN105273637A (zh) 一种具有颜料亲和基团的星型结构的聚合物表面活性剂在降低铜的静态腐蚀速率中的应用
JP2001144044A (ja) 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法
JP3902897B2 (ja) 金属用研磨液を用いた基板の研磨方法
KR20010036274A (ko) 반도체 공정에서 사용하기 위한 화학기계적 연마 조성물
JP2001127027A (ja) 金属研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10835382

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10835382

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1