WO2010099998A3 - Procédé pour produire des composants semi-conducteurs à l'aide de techniques de dopage - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé pour produire des composants semi-conducteurs à l'aide de techniques de dopage, une série de couches étant générée pendant le traitement et ces couches devant être positionnées entre elles avec précision. Selon l'invention, la position d'une structure sélectivement dopée, générée dans le substrat semi-conducteur est déterminée, au moyen d'un dispositif de caméra sensible aux infrarouges, la position ainsi détectée étant utilisée de manière directe ou indirecte pour l'alignement lors de l'étape de traitement suivante.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP10704123A EP2404322A2 (fr) | 2009-03-04 | 2010-01-25 | Procédé pour produire des composants semi-conducteurs à l'aide de techniques de dopage |
| CN2010800103050A CN103119724A (zh) | 2009-03-04 | 2010-01-25 | 利用掺杂技术制造半导体器件的方法 |
| JP2011552371A JP2012519385A (ja) | 2009-03-04 | 2010-01-25 | ドーピング技術を用いた半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009011640 | 2009-03-04 | ||
| DE102009011640.0 | 2009-03-04 | ||
| DE102009018653.0 | 2009-04-23 | ||
| DE102009018653.0A DE102009018653B4 (de) | 2009-03-04 | 2009-04-23 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2010099998A2 WO2010099998A2 (fr) | 2010-09-10 |
| WO2010099998A3 true WO2010099998A3 (fr) | 2011-04-28 |
Family
ID=42558031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2010/050765 Ceased WO2010099998A2 (fr) | 2009-03-04 | 2010-01-25 | Procédé pour produire des composants semi-conducteurs à l'aide de techniques de dopage |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2404322A2 (fr) |
| JP (1) | JP2012519385A (fr) |
| CN (1) | CN103119724A (fr) |
| DE (1) | DE102009018653B4 (fr) |
| WO (1) | WO2010099998A2 (fr) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8084293B2 (en) | 2010-04-06 | 2011-12-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Continuously optimized solar cell metallization design through feed-forward process |
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| US8895325B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-11-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for aligning substrates for multiple implants |
| JP6821473B2 (ja) * | 2017-03-07 | 2021-01-27 | 株式会社アルバック | バックコンタクト型結晶系太陽電池の製造方法およびマスク |
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-
2009
- 2009-04-23 DE DE102009018653.0A patent/DE102009018653B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-25 JP JP2011552371A patent/JP2012519385A/ja active Pending
- 2010-01-25 WO PCT/EP2010/050765 patent/WO2010099998A2/fr not_active Ceased
- 2010-01-25 CN CN2010800103050A patent/CN103119724A/zh active Pending
- 2010-01-25 EP EP10704123A patent/EP2404322A2/fr not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103119724A (zh) | 2013-05-22 |
| WO2010099998A2 (fr) | 2010-09-10 |
| EP2404322A2 (fr) | 2012-01-11 |
| DE102009018653B4 (de) | 2015-12-03 |
| DE102009018653A1 (de) | 2010-09-16 |
| JP2012519385A (ja) | 2012-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201080010305.0 Country of ref document: CN |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10704123 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |
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| WWE | Wipo information: entry into national phase |
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|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
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|
| NENP | Non-entry into the national phase |
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