WO2010095495A1 - Magnetism detection device - Google Patents
Magnetism detection device Download PDFInfo
- Publication number
- WO2010095495A1 WO2010095495A1 PCT/JP2010/051081 JP2010051081W WO2010095495A1 WO 2010095495 A1 WO2010095495 A1 WO 2010095495A1 JP 2010051081 W JP2010051081 W JP 2010051081W WO 2010095495 A1 WO2010095495 A1 WO 2010095495A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- magnetic
- magnet
- axis
- axis magnetic
- magnetic sensors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/091—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/033—Pointing devices displaced or positioned by the user, e.g. mice, trackballs, pens or joysticks; Accessories therefor
- G06F3/0354—Pointing devices displaced or positioned by the user, e.g. mice, trackballs, pens or joysticks; Accessories therefor with detection of 2D relative movements between the device, or an operating part thereof, and a plane or surface, e.g. 2D mice, trackballs, pens or pucks
- G06F3/03543—Mice or pucks
Definitions
- the present invention relates to a magnetic detection device provided with a magnet movably supported in an XY plane and a magnetic sensor.
- Patent Document 1 discloses an invention related to a pointing device.
- the pointing device includes a magnet and a magnetic sensor, and detects a change in magnetic flux density flowing into the magnetic sensor as the magnet moves.
- a magnet and a magnetic sensor are installed in the state separated in the height direction, and it is set up so that the magnetic flux density which acts on a magnetic sensor may become large as a magnet approaches directly on a magnetic sensor.
- the pointing device since it is configured to detect a change in magnetic flux density, there is also a problem that it is easily influenced by disturbance noise in a state where the magnetic field is weak, and it is difficult to obtain linear characteristics.
- the present invention is intended to solve the above-mentioned conventional problems, and in particular, it is an object of the present invention to provide a magnetic detection apparatus capable of performing thin position detection with high accuracy.
- the present invention relates to a magnetic detection device having a magnet and a non-contact type magnetic sensor provided with a magnetoresistance effect element whose electric resistance value changes with respect to an external magnetic field
- the magnetoresistance effect element has a laminated structure of a fixed magnetic layer in which the magnetization direction is fixed, and a free magnetic layer which is formed on the fixed magnetic layer via the nonmagnetic layer and in which the magnetization direction changes with respect to the external magnetic field. It is configured to have A pair of X-axis magnetic sensors and a pair of Y-axis magnetic sensors are disposed on orthogonal X-axis lines and Y-axis lines, respectively, via a cross center.
- the magnet is slidably supported in an XY plane surrounded by the X-axis magnetic sensor and the Y-axis magnetic sensor.
- the differential of the X-axis magnetic sensor is based on the change in electric resistance of the magnetoresistive element with the change in the angle of the horizontal magnetic field flowing into each magnetic sensor.
- the position of the magnet can be detected by an output and a differential output of the Y-axis magnetic sensor.
- a magnet is slidably supported within an XY plane surrounded by a pair of X-axis magnetic sensors and a pair of Y-axis magnetic sensors, and the magnet is horizontal to the magnetoresistive element provided in each magnetic sensor.
- the magnetic field component is made to flow.
- the angle change of the horizontal magnetic field from a magnet is detected with a magnetoresistive effect element, and since a magnetic sensor can be arrange
- the change in angle of the horizontal magnetic field is detected, it is possible to apply a magnetic field large enough to magnetically saturate the magnetoresistive element from the magnet to each magnetic sensor within the entire movement range of the magnet. It is. Thus, disturbance noise can be suppressed, and the linear characteristic can be easily improved.
- the pinned magnetic layers of the magnetoresistance effect elements constituting each X axis magnetic sensor are respectively magnetized and fixed in a direction parallel to the Y direction, and the pinned magnetic layers of the magnetoresistance effect elements constituting each Y axis magnetic sensor The layers are preferably fixed in magnetization in a direction parallel to the X direction.
- the magnet has a side surface facing each magnetic sensor that is a magnetized surface, because the thickness can be reduced more effectively.
- the upper and lower surfaces of the magnet may be magnetized surfaces.
- the thickness can be reduced as compared with the prior art, and the position detection accuracy can be improved.
- FIG. 1 A perspective view of the magnetic detection device according to the first embodiment; An enlarged side view of the magnetic detection device as viewed in the direction of the arrow in FIG. 1; (A) is a plan view of a magnet and a magnetic sensor showing a reference state, (b) is a plan view when the magnet slides in the Y1 direction from the reference state of (a), (c) is (a) A plan view when the magnet slides in the direction of 45 degrees between the Y1 direction and the X1 direction from the reference state of FIG. 4 is an explanatory view when the magnet shown in FIG. 3C slides in an oblique direction, and FIG. 4A is an enlarged plan view showing the relationship between one X axis magnetic sensor and the magnet, FIG.
- FIG. 5 is an explanatory view when the magnet shown in FIG. 3 (c) slides in an oblique direction
- FIG. 5 (a) is an enlarged plan view showing the relationship between one Y-axis magnetic sensor and the magnet
- a perspective view of a magnetic detection device according to a second embodiment An enlarged side view of the magnetic detection device as viewed in the direction of the arrow in FIG.
- (A) is a plan view of a magnet and a magnetic sensor showing a reference state
- (b) is a plan view when the magnet slides in the Y1 direction from the reference state of (a)
- (c) is (a) A plan view when the magnet slides in the direction of 45 degrees between the Y1 direction and the X1 direction from the reference state of A partial sectional view of the magnetoresistive element, Circuit diagram of the magnetic sensor, A graph showing the relationship between the distance when the magnet is slid in the Y1 direction and the sensor output using the magnetic detection device of the first embodiment, Graph showing the relationship between sensor output and distance when the magnet is slid in the direction of 45 degrees between the Y1 direction and the X1 direction using the magnetic detection device of the first embodiment.
- FIG. 1 is a perspective view of the magnetic detection device according to the first embodiment
- FIG. 2 is an enlarged side view of the magnetic detection device as viewed from the arrow direction in FIG. 1
- FIG. 3 (a) is a magnet showing a reference state
- 3 (b) is a plan view when the magnet slides in the Y1 direction from the reference state of FIG. 3 (a)
- FIG. 3 (c) is a reference of FIG. 3 (a) It is a top view when a magnet slides in the 45 degree direction diagonally between Y1 direction and X1 direction from a state.
- the magnetic detection device 10 is configured to include a magnet 11 and magnetic sensors 12 to 15.
- the magnet 11 is supported slidably in the XY plane.
- the magnet 11 is formed in a disk shape, and the operation body 16 is provided at the center portion thereof.
- the side face 11a of the magnet 11 shown in FIGS. 1 and 2 is a pole face, and the N pole and the S pole are alternately magnetized at intervals of 90 degrees.
- the notch 11b is provided at the boundary between the N pole and the S pole, but by setting the position of the notch 11b as the boundary between the N pole and the S pole in the magnetizing step The magnetization deviation can be suppressed.
- the magnet 11 is supported in a slightly floating state from above the substrate 17. Specifically, the magnet 11 is supported at a distance of about 0.5 to 1.0 mm from the upper surface of the substrate 17. As shown in FIG. 2, the magnetic sensors 12 to 15 are opposed to the side positions of the magnet 11 with an interval. The moving area of the magnet 11 is in the area surrounded by the magnetic sensors 12 to 15, and the magnet 11 and the magnetic sensors 12 to 15 maintain a non-contact state.
- the pair of X-axis magnetic sensors (sensors for detecting Y direction) 13 and 15 are disposed on the X axis along the intersection center O with the Y axis. Further, the pair of Y-axis magnetic sensors (sensors for detecting the X direction) 12 and 14 are disposed on the Y-axis along the intersection center O with the X-axis. The distances between the X axis magnetic sensors 13 and 15 and the Y axis magnetic sensors 12 and 14 and the intersection center O are constant.
- the magnet 11 is supported slidably in the XY plane surrounded by the X-axis magnetic sensors 13 and 15 and the Y-axis magnetic sensors 12 and.
- FIGS. 1 and 3A show a reference state in which the center 11 c of the magnet 11 is located at the intersection center O (moving origin). Further, at this time, the direction of the magnet 11 with respect to the magnetic sensors 12 to 15 is regulated such that the centers of the magnetic sensors 12 to 15 face each other in the direction perpendicular to the magnetic poles of the N and S poles of the magnet 11.
- Each of the magnetic sensors 12 to 15 has the same configuration including the GMR element 20 whose electric resistance value changes with respect to an external magnetic field.
- the GMR element 20 is laminated in the order of the antiferromagnetic layer 28, the pinned magnetic layer 29, the nonmagnetic layer 30, the free magnetic layer 31, and the protective layer 32 from the bottom.
- the antiferromagnetic layer 28 is, for example, IrMn or PtMn.
- CoFe is preferably used for the pinned magnetic layer 29.
- the pinned magnetic layer 29 may have a single layer structure of a magnetic layer, but in particular, a laminated ferri structure of magnetic layer / nonmagnetic intermediate layer / magnetic layer is preferable because stabilization of magnetization can be achieved.
- An exchange coupling magnetic field (Hex) is generated between the pinned magnetic layer 29 and the antiferromagnetic layer 28 by heat treatment in a magnetic field, and the magnetization direction (P direction) of the pinned magnetic layer 29 is fixed in a predetermined direction.
- the nonmagnetic layer 30 is formed of, for example, Cu.
- NiFe is preferably used for the free magnetic layer 31.
- the free magnetic layer 31 is formed of a single layer structure or a laminated structure of the magnetic layer.
- the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 fluctuates with respect to the external magnetic field.
- the protective layer 32 is formed of, for example, Ta.
- the magnetization direction (P direction) of the pinned magnetic layer 29 of the GMR element 20 provided in the Y-axis magnetic sensor 12 on the upper side in the drawing is the X1 direction.
- the magnetization direction (P direction) of the pinned magnetic layer of the GMR element 20 provided in the Y-axis magnetic sensor 14 on the lower side in the drawing is the X2 direction.
- the pinned magnetic layers 29 of the GMR elements 20 provided in the Y-axis magnetic sensors 12 and 14 are in opposite directions to each other, but may be pinned in the same direction.
- the magnetization direction (P direction) of the pinned magnetic layer 29 of the GMR element 20 provided in the X-axis magnetic sensor 13 on the left side in the drawing is the Y2 direction.
- the magnetization direction (P direction) of the pinned magnetic layer 29 of the GMR element 20 provided in the X-axis magnetic sensor 15 on the right side of the drawing is the Y1 direction.
- the pinned magnetic layers 29 of the GMR elements 20 provided in the X-axis magnetic sensors 13 and 15 are in opposite directions to each other, but may be pinned in the same direction.
- two GMR elements 20 are provided for each of the magnetic sensors 12 to 15, and as shown in FIG. 10, two GMR elements 20 constituting each of the Y-axis magnetic sensors 12 and 14 have a bridge circuit. Configured. Reference numeral 24 denotes an input terminal, and reference numeral 25 denotes a ground terminal.
- the bridge circuit is connected to the amplifier 26, and the output terminal 27 is connected to the output side of the amplifier 26.
- a GMR element 20 may be provided for each of the magnetic sensors 12 to 15, and a bridge circuit may be formed of the GMR elements 20 constituting the Y-axis magnetic sensors 12 and 14 and a fixed resistance element.
- the thick arrows shown in FIG. 3A indicate the direction of the horizontal magnetic field acting from the magnet 11 to each of the magnetic sensors 12 to 15, and coincide with the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of each GMR element 20. ing.
- the magnetization relationship (the relationship between the P direction and the F direction) between the pinned magnetic layer 29 and the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting each of the magnetic sensors 12 to 15 is all orthogonal. ing. Therefore, the electric resistance value of the GMR element 20 of each of the magnetic sensors 12 to 15 becomes the same value. Thus, the output obtained from the electrical circuit shown in FIG. 10 is zero.
- the magnet 11 slides in the Y1 direction from the reference state of FIG.
- the state is shown in FIG. 3 (b).
- the magnetization relationship (the relationship between the P direction and the F direction) between the pinned magnetic layer 29 and the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the Y-axis magnetic sensors 12 and 14 is the same as the reference state and remains orthogonal. is there.
- the differential output of the X-axis magnetic sensors 12, 14 does not change from the reference state (it remains zero).
- the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer of the GMR element 20 forming the X-axis magnetic sensors 13 and 15 changes from the reference state of FIG. 3A.
- the magnetization angle (the angle between the P direction and the F direction) of the fixed magnetic layer 29 and the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 13 located on the left side in FIG. It becomes smaller than the orthogonal state. Therefore, the electric resistance value of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 13 becomes smaller than the reference state.
- the moving position (moving distance from the reference position (origin)) of the magnet 11 in the Y1 direction can be detected by the differential output of the X-axis magnetic sensors 13 and 15 obtained by the electric circuit of FIG.
- “differential output” refers to an output obtained by adding or subtracting the output from the X-axis magnetic sensor 13 (Y-axis magnetic sensor 12) and the output from the X-axis magnetic sensor 15 (Y-axis magnetic sensor 14) It is.
- FIG. 4 (a) is an enlarged plan view showing the relationship between the magnet 11 and the X-axis magnetic sensor 13 on the left side when the magnet 11 slides in an oblique direction
- FIG. 4 (b) is the X axis on the right
- FIG. 6 is an enlarged plan view showing the relationship between the magnetic sensor 15 and the magnet 11;
- FIG. 4A the magnet 11 approaches the X-axis magnetic sensor 13.
- Arrow B indicates the magnetic pole perpendicular direction of the N pole.
- a thick arrow F1 indicates the direction of the horizontal magnetic field flowing into the X-axis magnetic sensor 13, and coincides with the magnetization direction of the free magnetic layer 31.
- an arrow f1 indicated by an alternate long and short dash line in FIG. 4A is a direction of a horizontal magnetic field which acts when the magnet 11 is axially moved as shown in FIG. 3B, that is, an X axis magnetic sensor shown in FIG. It coincides with the magnetization direction of the thirteenth free magnetic layer 31.
- the X-axis magnetism is compared with the direction f1 of the horizontal magnetic field that acts when the magnet 11 in FIG.
- the direction F1 of the horizontal magnetic field flowing into the sensor 13 approaches the magnetic pole perpendicular direction B.
- the direction F1 of the horizontal magnetic field is inclined by ⁇ 1 from the perpendicular direction B of the magnetic pole.
- the inclination ⁇ 1 is positioned on the magnetic pole perpendicular direction B side by the inclination difference ⁇ 2 as compared with the horizontal magnetic field direction f1 in FIG. 3B.
- FIG. 4 (b) the magnet 11 is moved away from the X-axis magnetic sensor 15.
- Arrow C indicates the magnetic pole perpendicular direction of the N pole.
- a thick arrow indicates the direction F2 of the horizontal magnetic field flowing into the X-axis magnetic sensor 15, which coincides with the magnetization direction of the free magnetic layer 31.
- an arrow f2 indicated by an alternate long and short dash line in FIG. 4B is a direction of a horizontal magnetic field which acts when the magnet 11 is axially moved as shown in FIG. 3B, that is, an X axis magnetic sensor shown in FIG.
- the magnetization directions of the fifteen free magnetic layers 31 coincide with each other.
- the X-axis magnetic field is compared with the direction f2 of the horizontal magnetic field that acts when the magnet 11 in FIG.
- the direction F2 of the horizontal magnetic field flowing into the sensor 15 moves away from the magnetic pole perpendicular direction C.
- the direction F2 of the horizontal magnetic field is inclined from the magnetic pole perpendicular direction C by ⁇ 3.
- the inclination ⁇ 3 is at a position farther from the magnetic pole vertical direction C by the inclination difference ⁇ 4 than the horizontal magnetic field direction f2 in FIG. 3B.
- the differential output between the X-axis magnetic sensor 13 and the X-axis magnetic sensor 15 as in the present embodiment, the amount of change in output based on the inclination differences ⁇ 2 and ⁇ 4 described above can be reduced (preferably canceled). Therefore, the difference between the differential output of the X-axis magnetic sensors 13 and 15 for the oblique movement in FIG. 3C and the differential output of the X-axis magnetic sensors 13 and 15 for the axial movement in FIG. It can be made smaller. It is known that there is almost no difference in differential output even in the experiment described later. Therefore, as shown in FIG. 3C, even when the magnet 11 slides in an oblique direction, the magnet 11 is moved by L1 in the Y1 direction based on the differential output of the X-axis magnetic sensors 13 and 15. It is possible to detect
- FIG. 5 (a) is an enlarged plan view showing the relationship between the magnet 11 and the Y-axis magnetic sensor 12 located on the upper side in the figure when the magnet 11 slides in the oblique direction as shown in FIG. 3 (c).
- 5 (b) is an enlarged plan view showing the relationship between the Y-axis magnetic sensor 14 and the magnet 11 located on the lower side in the drawing.
- FIG. 3C it is assumed that the magnet 11 is moved by L2 in the X1 direction.
- a horizontal magnetic field component of inclination ⁇ 5 acts on the Y-axis magnetic sensor 12 from the magnetic pole vertical direction D of the S pole.
- the direction F3 of the horizontal magnetic field shown in FIG. 5 (a) is, for example, the direction f3 of the horizontal magnetic field acting on the Y-axis magnetic sensor 12 when the magnet 11 has moved by L1 in the X1 direction from the reference state of FIG. To the magnetic pole vertical direction D side by an inclination difference .theta.6.
- the horizontal magnetic field component of inclination ⁇ 7 acts on the Y-axis magnetic sensor 14 from the magnetic pole vertical direction E of the S pole.
- the direction F4 of the horizontal magnetic field shown in FIG. 5B is, for example, the direction f4 of the horizontal magnetic field acting on the Y-axis magnetic sensor 14 when the magnet 11 has moved by L1 in the X1 direction from the reference state of FIG. It is further away from the magnetic pole perpendicular direction E by the inclination difference ⁇ 8.
- FIG. 6 is a perspective view of the magnetic detection device according to the second embodiment
- FIG. 7 is an enlarged side view of the magnetic detection device when viewed from the direction of the arrow in FIG. 6, and
- FIG. 8 (b) is a plan view when the magnet slides in the Y1 direction from the reference state of FIG. 8 (a)
- FIG. 8 (c) is FIG. In the reference state, the magnet slides in the 45 ° oblique direction between the Y1 direction and the X1 direction.
- the magnetic detection device 40 is configured to include a magnet 41 and magnetic sensors 42 to 45.
- the magnet 41 is slidably supported in the XY plane.
- the magnet 41 is formed in a disk shape.
- the upper and lower surfaces 41a and 41b of the magnet 41 shown in FIG. 6 are magnetic pole surfaces.
- the upper surface 41a is magnetized to the N pole and the lower surface 41b is magnetized to the S pole.
- the magnet 41 is supported in a slightly floating state from above the substrate 46. Specifically, the magnet 41 is supported at a distance of about 0.5 to 1.0 mm from the upper surface of the substrate 46. However, in each of the magnetic sensors 42 to 45, the magnets 41 are not disposed just beside the magnetic sensors 42 to 45, but are disposed slightly apart in the height direction so that a horizontal magnetic field can be appropriately introduced from the magnets 41. The moving area of the magnet 41 is in the area surrounded by the magnetic sensors 42 to 45. The magnet 41 and each of the magnetic sensors 42 to 45 maintain a non-contact state.
- the pair of X-axis magnetic sensors 43 and 45 are disposed on the X-axis line via the intersection center O with the Y-axis line.
- the pair of Y-axis magnetic sensors 42 and 44 are disposed on the Y-axis along the intersection center O with the X-axis. The distance between each X-axis magnetic sensor 43, 45 and each Y-axis magnetic sensor 42, 44 and the intersection center O is constant.
- the magnet 41 is slidably supported in an XY plane surrounded by the X-axis magnetic sensors 43 and 45 and the Y-axis magnetic sensors 42 and 44.
- FIGS. 6 and 8A show a reference state in which the center 41c of the magnet 41 is located at the intersection center O (moving origin). At this time, the orientation of the magnet 41 with respect to the magnetic sensors 42 to 45 is regulated such that the centers of the magnetic sensors 42 to 45 are opposed in the direction perpendicular to the magnetic poles of the N and S poles of the magnet 41.
- Each of the magnetic sensors 42 to 45 has the same configuration including the GMR element 20 whose electric resistance value changes with respect to an external magnetic field.
- the configuration of the GMR element 20 is as shown in FIG.
- the magnetization direction (P direction) of the pinned magnetic layer 29 of the GMR element 20 provided in the Y-axis magnetic sensor 42 on the upper side in the drawing is the X1 direction.
- the magnetization direction (P direction) of the pinned magnetic layer 29 of the GMR element 20 provided in the Y-axis magnetic sensor 44 on the lower side of the drawing is the X2 direction.
- the pinned magnetic layers 29 of the GMR elements 20 provided in the Y-axis magnetic sensors 42 and 44 are in opposite directions to each other, but may be pinned in the same direction.
- the magnetization direction (P direction) of the pinned magnetic layer 29 of the GMR element 20 provided in the X-axis magnetic sensor 43 on the left side in the drawing is the Y2 direction.
- the magnetization direction (P direction) of the pinned magnetic layer 29 of the GMR element 20 provided in the X-axis magnetic sensor 45 on the right side of the drawing is the Y1 direction.
- the pinned magnetic layers of the GMR elements provided in the X-axis magnetic sensors 43 and 45 are in opposite directions to each other, but may be pinned in the same direction.
- the Y-axis magnetic sensors 42 and 44 and the X-axis magnetic sensors 43 and 45 respectively constitute an electric circuit shown in FIG.
- the thick arrows shown in FIG. 8 indicate the direction of the horizontal magnetic field acting from the magnet 41 to each of the magnetic sensors 42 to 45, and the magnetization direction of the free magnetic layer of the GMR element 20 constituting each of the magnetic sensors 42 to 45 (F direction Match the).
- the magnetization relationship (the relationship between the P direction and the F direction) between the pinned magnetic layer 29 and the free magnetic layer 31 of the GMR elements 20 constituting each of the magnetic sensors 42 to 45 is all orthogonal. ing. Therefore, the electric resistance values of the GMR elements 20 constituting the magnetic sensors 42 to 45 become the same value. Therefore, the output obtained from the electric circuit shown in FIG. 10 is zero.
- FIG. 8 (b) shows the state.
- the magnetization relationship (the relationship between the P direction and the F direction) between the fixed magnetic layer 29 and the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the Y-axis magnetic sensors 42 and 44 maintains the orthogonal state.
- the differential outputs of the Y-axis magnetic sensors 42, 44 do not change (the output remains zero).
- the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensors 43 and 45 changes from the reference state.
- the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 43 is inclined from the center 41c of the magnet 41 with respect to the Y1-Y 2-axis direction. It is ⁇ 10.
- the magnetization angle (the angle between the P direction and the F direction) of the fixed magnetic layer 29 and the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 43 is larger than that in the orthogonal state. Therefore, the electric resistance value of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 43 becomes larger than the reference state shown in FIG.
- the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 45 is the magnet 41 with respect to the Y1-Y 2-axis direction.
- the inclination is ⁇ 11 from the center 41c of The magnetization angle (the angle between the P direction and the F direction) of the fixed magnetic layer 29 and the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 45 is smaller than that in the orthogonal state. Therefore, the electric resistance value of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 45 becomes smaller than the reference state.
- the inclination ⁇ 10 and the inclination ⁇ 11 are substantially the same, the amounts of change in electrical resistance from the reference state of the X-axis magnetic sensors 43 and 45 are substantially the same.
- the moving position (moving distance from the reference position) of the magnet 41 in the Y1 direction can be detected by the differential output of the X-axis magnetic sensors 43 and 45 obtained by the electric circuit of FIG.
- the movement amount L1 of the magnet 41 in the Y1 direction is the same as that in FIG. 8B, but acts on the X-axis magnetic sensors 43 and 45.
- the direction of the horizontal magnetic field (the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer) is different from that in the case of axial movement in FIG. 8 (b).
- the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 43 is ⁇ 12 from the center 41c of the magnet 41 with respect to the Y1-Y2 direction. It is inclined. Inclination (theta) 12 becomes smaller than inclination (theta) 10 when the magnet 41 in FIG.8 (b) axial-moves. Therefore, the electrical resistance value of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 43 is larger than that in the reference state, but smaller than that in the axial movement of FIG. 8B.
- the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 constituting the X-axis magnetic sensor 45 is from the center 41c of the magnet 41 with respect to the Y1-Y2 direction. It is inclined at ⁇ 13.
- the inclination ⁇ 13 is larger than the inclination ⁇ 11 when the magnet 41 in FIG. 8B is axially moved. Therefore, although the electrical resistance value of the GMR element constituting the X-axis magnetic sensor 43 is smaller than that in the reference state, it is larger than in the axial movement of FIG. 8B.
- the magnet 41 when the magnet 41 is slid obliquely as shown in FIG. 8C, the magnet 41 is slid in the Y1 direction from the reference state of FIG. 8A and the X-axis magnetic sensors 43, 45.
- the direction (the magnetization direction of the free magnetic layer) of the horizontal magnetic field flowing into the magnetic recording medium changes as shown in FIG. 8 (c) by obtaining a differential output between the X axis magnetic sensor 43 and the X axis magnetic sensor 45 as in this embodiment.
- the amount of change in output based on the difference in inclination ( ⁇ 10 ⁇ 12, ⁇ 11 ⁇ 13) between the oblique movement in (a) and the axial movement in FIG. 8 (b) can be reduced (preferably can be canceled). Therefore, as shown in FIG. 8C, even when the magnet 41 slides in an oblique direction, the magnet 41 moves by L1 in the Y1 direction based on the differential output of the X-axis magnetic sensors 42 and 44. It is possible to detect
- the moving distance L2 of the magnet 41 in the X1 direction shown in FIG. 8C can also be detected from the differential output of the Y-axis magnetic sensors 42 and 44.
- the Y-axis magnetic sensors 42 and 44 when the magnet 41 is axially moved by L2 in the X1 direction from the reference state, the direction of the horizontal magnetic field flowing into the Y-axis magnetic sensors 42 and 44 (the magnetization direction of the free magnetic layer (F direction)) changes, but by obtaining the differential output between the Y-axis magnetic sensor 42 and the Y-axis magnetic sensor 44 as in this embodiment, the oblique movement of FIG.
- the amount of change in output based on the difference in inclination with the axis movement in b) can be reduced (preferably offsetable).
- each of the magnetic sensors 12 15,42-45 can be arranged. Therefore, thinning of the magnetic detection devices 10 and 40 can be realized.
- the magnet 11 can be disposed just beside each of the magnetic sensors 12 to 15 as shown in FIG. Can be realized.
- the respective magnetic sensors 12 to 15 within the entire movement range of the magnets 11 and 41 42 to 45 can be made to act as large as the free magnetic layer 31 of the GMR element 20 is magnetically saturated, and disturbance noise can be reduced and output linear characteristics can be improved as compared with the prior art.
- a TMR element in which the nonmagnetic layer 30 shown in FIG. 9 is formed of an insulating layer can be used.
- the planar shape of the magnets 11 and 41 may be elliptical or the like, but is preferably circular.
- the magnetic detection device 10 shown in FIG. 1 was manufactured.
- the minimum gap between the magnet 11 and each of the magnetic sensors 12 to 15 in the reference state shown in FIG. 3A was set to 2.5 mm.
- platinum was used for the magnet 11, platinum was used.
- the driving voltage was 2.5 V, and the magnet 11 was slid in the Y1 direction as shown in FIG. 3 (b). Then, the movement distance of the magnet 11 and the differential outputs of the X-axis magnetic sensors 13 and 15 and the Y-axis magnetic sensors 12 and 14 were obtained.
- the experimental results are shown in FIG.
- FIG. 13 shows both the relationship between the sliding movement distance of the Y1 component of the magnet 11 and the differential output of the X-axis magnetic sensors 13 and 15 obtained from the experiment of FIG. 12 in oblique movement, and the experimental results of FIG. Is a graph.
- a magnetic detection device 40 shown in FIG. 6 was manufactured. Sintered neodymium was used for the magnet 41.
- the other experimental conditions were the same as in the experiments of FIGS.
- the magnet 41 was slid in the Y1 direction. Then, the movement distance of the magnet 41 and the differential outputs of the X-axis magnetic sensors 43 and 45 and the Y-axis magnetic sensors 42 and 44 were obtained. The experimental results are shown in FIG.
- FIG. 16 shows both the relationship between the sliding movement distance of the Y1 component of the magnet 41 and the differential output of the X-axis magnetic sensors 43 and 45 obtained from the experiment of FIG. 15 in oblique movement, and the experimental results of FIG. Is a graph.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
Description
本発明は、X-Y平面内を移動可能に支持された磁石と、磁気センサとを備えた磁気検出装置に関する。 The present invention relates to a magnetic detection device provided with a magnet movably supported in an XY plane and a magnetic sensor.
携帯電話機器やゲーム機器等に搭載されるスライド式の入力装置では操作体のX-Y平面内での移動位置を正確に知る必要がある。 In a slide-type input device mounted on a mobile phone device or a game device, it is necessary to accurately know the movement position of the operating body in the XY plane.
特許文献1にはポインティングデバイスに関する発明が開示されている。前記ポインティングデバイスは、磁石と、磁気センサとを備えており、磁石の移動に伴って磁気センサに流入する磁束密度の変化を検出している。
そして、磁石と磁気センサとを高さ方向に離した状態に設置し、磁石が磁気センサの直上に近づくにつれて磁気センサに作用する磁束密度が大きくなるように設定されている。 And a magnet and a magnetic sensor are installed in the state separated in the height direction, and it is set up so that the magnetic flux density which acts on a magnetic sensor may become large as a magnet approaches directly on a magnetic sensor.
しかしながら、上記したポインティングデバイスの構造では、薄型化が困難であった。また、磁束密度の変化を検出する構成であるため磁場が弱い状態では外乱ノイズの影響を受けやすく、またリニア特性を得にくいといった問題もあった。 However, with the above-described structure of the pointing device, it has been difficult to reduce the thickness. In addition, since it is configured to detect a change in magnetic flux density, there is also a problem that it is easily influenced by disturbance noise in a state where the magnetic field is weak, and it is difficult to obtain linear characteristics.
そこで本発明は上記従来の課題を解決するものであり、特に、薄型化で且つ高精度な位置検出を行うことが可能な磁気検出装置を提供することを目的としている。 Therefore, the present invention is intended to solve the above-mentioned conventional problems, and in particular, it is an object of the present invention to provide a magnetic detection apparatus capable of performing thin position detection with high accuracy.
本発明は、磁石と、外部磁界に対して電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子を備えた非接触式の磁気センサとを有する磁気検出装置において、
前記磁気抵抗効果素子は、磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性層を介して形成され前記外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層との積層構造を有して構成されており、
直交するX軸線上、及びY軸線上の夫々に交差中心を介して一対のX軸磁気センサ及び一対のY軸磁気センサが配置されており、
前記磁石は、前記X軸磁気センサ及び前記Y軸磁気センサに囲まれたX-Y平面内をスライド移動可能に支持されており、
前記磁石が前記X-Y平面内をスライド移動したときに、各磁気センサに流入する水平磁場の角度変化に伴う前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づいて、前記X軸磁気センサの差動出力、及び、前記Y軸磁気センサの差動出力により前記磁石の位置を検知できることを特徴とするものである。
The present invention relates to a magnetic detection device having a magnet and a non-contact type magnetic sensor provided with a magnetoresistance effect element whose electric resistance value changes with respect to an external magnetic field,
The magnetoresistance effect element has a laminated structure of a fixed magnetic layer in which the magnetization direction is fixed, and a free magnetic layer which is formed on the fixed magnetic layer via the nonmagnetic layer and in which the magnetization direction changes with respect to the external magnetic field. It is configured to have
A pair of X-axis magnetic sensors and a pair of Y-axis magnetic sensors are disposed on orthogonal X-axis lines and Y-axis lines, respectively, via a cross center.
The magnet is slidably supported in an XY plane surrounded by the X-axis magnetic sensor and the Y-axis magnetic sensor.
When the magnet slides in the XY plane, the differential of the X-axis magnetic sensor is based on the change in electric resistance of the magnetoresistive element with the change in the angle of the horizontal magnetic field flowing into each magnetic sensor. The position of the magnet can be detected by an output and a differential output of the Y-axis magnetic sensor.
本発明では、一対のX軸磁気センサ及び一対のY軸磁気センサに囲まれたX-Y平面内に磁石をスライド移動可能に支持し、各磁気センサに設けられる磁気抵抗効果素子に磁石から水平磁場成分を流入させる構成となっている。そして、本発明では、磁気抵抗効果素子にて磁石からの水平磁場の角度変化を検知するものであり、磁石のほぼ側方位置に磁気センサを配置できるから従来に比べて薄型化に貢献できる構造となっている。 In the present invention, a magnet is slidably supported within an XY plane surrounded by a pair of X-axis magnetic sensors and a pair of Y-axis magnetic sensors, and the magnet is horizontal to the magnetoresistive element provided in each magnetic sensor. The magnetic field component is made to flow. And in this invention, the angle change of the horizontal magnetic field from a magnet is detected with a magnetoresistive effect element, and since a magnetic sensor can be arrange | positioned in the substantially side position of a magnet, it can contribute to thickness reduction compared with the former. It has become.
また本発明では、水平磁場の角度変化を検出する構成であるため、磁石の全移動範囲内で、磁石から各磁気センサに磁気抵抗効果素子を磁気飽和させるほどの大きい磁場を作用させることが可能である。これにより、外乱ノイズを抑制でき、リニア特性を向上させやすい構造となっている。 Further, according to the present invention, since the change in angle of the horizontal magnetic field is detected, it is possible to apply a magnetic field large enough to magnetically saturate the magnetoresistive element from the magnet to each magnetic sensor within the entire movement range of the magnet. It is. Thus, disturbance noise can be suppressed, and the linear characteristic can be easily improved.
本発明では、各X軸磁気センサを構成する磁気抵抗効果素子の固定磁性層は、夫々、Y方向と平行な方向に磁化固定され、各Y軸磁気センサを構成する磁気抵抗効果素子の固定磁性層は、夫々、X方向と平行な方向に磁化固定されていることが好ましい。 In the present invention, the pinned magnetic layers of the magnetoresistance effect elements constituting each X axis magnetic sensor are respectively magnetized and fixed in a direction parallel to the Y direction, and the pinned magnetic layers of the magnetoresistance effect elements constituting each Y axis magnetic sensor The layers are preferably fixed in magnetization in a direction parallel to the X direction.
また本発明では、前記磁石は、各磁気センサに対向する側面が着磁面であることが、より効果的に薄型化できて好適である。 Further, in the present invention, it is preferable that the magnet has a side surface facing each magnetic sensor that is a magnetized surface, because the thickness can be reduced more effectively.
あるいは本発明では、前記磁石は、その上下面が着磁面である構成にすることも出来る。 Alternatively, in the present invention, the upper and lower surfaces of the magnet may be magnetized surfaces.
本発明の磁気検出装置によれば、従来に比べて、薄型化を図ることが出来るとともに、位置検出精度を向上させることが可能である。 According to the magnetic detection device of the present invention, the thickness can be reduced as compared with the prior art, and the position detection accuracy can be improved.
図1は、第1実施形態の磁気検出装置の斜視図、図2は、図1の矢印方向から見たときの磁気検出装置の拡大側面図、図3(a)は、基準状態を示す磁石及び磁気センサの平面図、図3(b)は、図3(a)の基準状態から磁石がY1方向へスライド移動したときの平面図、図3(c)は、図3(a)の基準状態から磁石がY1方向とX1方向の間で斜め45度方向にスライド移動したときの平面図、である。 FIG. 1 is a perspective view of the magnetic detection device according to the first embodiment, FIG. 2 is an enlarged side view of the magnetic detection device as viewed from the arrow direction in FIG. 1, and FIG. 3 (a) is a magnet showing a reference state. 3 (b) is a plan view when the magnet slides in the Y1 direction from the reference state of FIG. 3 (a), and FIG. 3 (c) is a reference of FIG. 3 (a) It is a top view when a magnet slides in the 45 degree direction diagonally between Y1 direction and X1 direction from a state.
図1に示すように、磁気検出装置10は、磁石11と磁気センサ12~15とを有して構成される。磁石11はX-Y平面内をスライド移動可能に支持されている。
As shown in FIG. 1, the
図1に示すように磁石11は円盤状で形成されており、その中央部に操作体16が設けられている。図1,図2に示す磁石11は側面11aが磁極面であり、90度間隔でN極とS極とが交互に着磁されている。図1に示すようにN極とS極の境界部には切欠き11bが設けられているが、切欠き11bの位置を着磁工程のときにN極とS極の境界として設定することで、着磁ずれを抑制することが出来る。
As shown in FIG. 1, the
図1に示すように、基板17上に4個の磁気センサ12~15が設置されている。図2に示すように、磁石11は、基板17上からやや浮いた状態で支持される。具体的には磁石11は、基板17の上面から0.5~1.0mm程度離れた位置にて支持されている。図2に示すように、各磁気センサ12~15は磁石11の側方位置に間隔を空けて対向している。磁石11の移動領域は、各磁気センサ12~15により囲まれた領域内であり、磁石11と各磁気センサ12~15は非接触状態を保っている。
As shown in FIG. 1, four
図1、図3に示すように、一対のX軸磁気センサ(Y方向検知用センサ)13,15は、X軸線上に、Y軸線との交差中心Oを介して配置されている。また、一対のY軸磁気センサ(X方向検知用センサ)12,14は、Y軸線上にX軸との交差中心Oを介して配置されている。各X軸磁気センサ13,15及び各Y軸磁気センサ12,14と交差中心Oとの距離は一定である。
As shown in FIG. 1 and FIG. 3, the pair of X-axis magnetic sensors (sensors for detecting Y direction) 13 and 15 are disposed on the X axis along the intersection center O with the Y axis. Further, the pair of Y-axis magnetic sensors (sensors for detecting the X direction) 12 and 14 are disposed on the Y-axis along the intersection center O with the X-axis. The distances between the X axis
図1,図3に示すように、磁石11は、X軸磁気センサ13,15及びY軸磁気センサ12,14に囲まれたX-Y平面内をスライド移動可能に支持されている。
As shown in FIGS. 1 and 3, the
図1,図3(a)は、磁石11の中心11cが交差中心O(移動原点)に位置している基準状態を示している。またこのとき、各磁気センサ12~15の中心が、磁石11のN極及びS極の各磁極垂直方向に対向するように、磁石11の磁気センサ12~15に対する向きが規制されている。
FIGS. 1 and 3A show a reference state in which the
各磁気センサ12~15は外部磁界に対して電気抵抗値が変化するGMR素子20を備えた同じ構成となっている。
Each of the
図9に示すように、例えば、GMR素子20は、下から反強磁性層28、固定磁性層29、非磁性層30、フリー磁性層31及び保護層32の順に積層されている。反強磁性層28は例えばIrMnやPtMnである。固定磁性層29にはCoFeが好ましく使用される。固定磁性層29は磁性層の単層構造であってもよいが、特に磁性層/非磁性中間層/磁性層の積層フェリ構造であることが磁化の安定化を図ることができ好適である。固定磁性層29と反強磁性層28との間には磁場中熱処理にて交換結合磁界(Hex)が生じ固定磁性層29の磁化方向(P方向)は所定方向に固定される。非磁性層30は例えばCuで形成される。フリー磁性層31はNiFeが好ましく使用される。フリー磁性層31は磁性層の単層構造や積層構造で形成される。フリー磁性層31の磁化方向(F方向)は、外部磁界に対して変動する。保護層32は例えばTaで形成される。
As shown in FIG. 9, for example, the
図3(a)に示すように、図示上側のY軸磁気センサ12に設けられるGMR素子20の固定磁性層29の磁化方向(P方向)はX1方向である。図示下側のY軸磁気センサ14に設けられるGMR素子20の固定磁性層の磁化方向(P方向)はX2方向である。この実施形態では、Y軸磁気センサ12,14に設けられるGMR素子20の固定磁性層29は互い反対方向となっているが、同じ方向に磁化固定されていてもよい。
As shown in FIG. 3A, the magnetization direction (P direction) of the pinned
また図3(a)に示すように、図示左側のX軸磁気センサ13に設けられるGMR素子20の固定磁性層29の磁化方向(P方向)はY2方向である。図示右側のX軸磁気センサ15に設けられるGMR素子20の固定磁性層29の磁化方向(P方向)はY1方向である。この実施形態では、X軸磁気センサ13,15に設けられるGMR素子20の固定磁性層29は互い反対方向となっているが、同じ方向に磁化固定されていてもよい。
As shown in FIG. 3A, the magnetization direction (P direction) of the pinned
また例えば、各磁気センサ12~15には2個づつGMR素子20が設けられ、図10に示すように、各Y軸磁気センサ12、14を構成する2個づつのGMR素子20がブリッジ回路を構成している。そして、符号24は、入力端子、符号25は、グランド端子である。
For example, two
図10に示すようにブリッジ回路は、増幅器26に接続され、増幅器26の出力側に出力端子27が接続されている。
As shown in FIG. 10, the bridge circuit is connected to the
なお、各磁気センサ12~15には1個づつGMR素子20が設けられ、Y軸磁気センサ12、14を構成する各GMR素子20と、固定抵抗素子とでブリッジ回路を構成してもよい。
A
図3(a)に示す太い矢印は、磁石11から各磁気センサ12~15に作用する水平磁場方向を示しており、各GMR素子20のフリー磁性層31の磁化方向(F方向)に一致している。
The thick arrows shown in FIG. 3A indicate the direction of the horizontal magnetic field acting from the
図3(a)に示すように各磁気センサ12~15を構成するGMR素子20の固定磁性層29とフリー磁性層31との磁化関係(P方向とF方向との関係)は、全て直交している。よって各磁気センサ12~15のGMR素子20の電気抵抗値は同じ値になる。したがって、図10に示す電気回路から得られる出力はゼロである。
As shown in FIG. 3A, the magnetization relationship (the relationship between the P direction and the F direction) between the pinned
次に図3(a)の基準状態から磁石11がY1方向へスライド移動したとする。その状態を示したのが図3(b)である。このとき、Y軸磁気センサ12,14を構成するGMR素子20の固定磁性層29とフリー磁性層31との磁化関係(P方向とF方向との関係)は基準状態と同じで直交したままである。よって、X軸磁気センサ12,14の差動出力は基準状態から変化しない(ゼロのままである)。
Next, it is assumed that the
一方、X軸磁気センサ13,15を構成するGMR素子20のフリー磁性層の磁化方向(F方向)は図3(a)の基準状態から変化する。図3(b)に示すように、図示左側に位置するX軸磁気センサ13を構成するGMR素子20の固定磁性層29とフリー磁性層31の磁化角度(P方向とF方向間の角度)は直交状態より小さくなる。よって、X軸磁気センサ13を構成するGMR素子20の電気抵抗値は基準状態よりも小さくなる。
On the other hand, the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer of the
これに対して、図3(b)に示すように、図示右側に位置するX軸磁気センサ15を構成するGMR素子20の固定磁性層29とフリー磁性層31の磁化角度(P方向とF方向間の角度)は直交状態より大きくなる。よって、X軸磁気センサ15を構成するGMR素子20の電気抵抗値は基準状態よりも大きくなる。
On the other hand, as shown in FIG. 3B, the magnetization angles (P direction and F direction of the fixed
そして図10の電気回路にて得られたX軸磁気センサ13,15の差動出力により磁石11のY1方向への移動位置(基準位置(原点)からの移動距離)を検知することが出来る。ここで「差動出力」とはX軸磁気センサ13(Y軸磁気センサ12)からの出力と、X軸磁気センサ15(Y軸磁気センサ14)からの出力を加算あるいは減算して増幅した出力である。
The moving position (moving distance from the reference position (origin)) of the
次に、図3(a)の基準状態から磁石11がY1方向とX1方向との間で斜め45度方向にスライド移動したとする。その状態を示したのが図3(c)である。ここで、図3(c)での磁石11のY1方向への移動量L1は図3(b)での移動量L1と同じとする。
Next, it is assumed that the
図3(c)のように磁石11が斜めにスライド移動すると、Y1方向への移動量L1は同じであるのに、X軸磁気センサ13,15に作用する水平磁場の方向が変わってしまう。図4を用いて説明する。
When the
図4(a)は、磁石11が斜め方向にスライド移動したときの図示左側のX軸磁気センサ13と磁石11との関係を示す拡大平面図、図4(b)は、図示右側のX軸磁気センサ15と磁石11との関係を示す拡大平面図、である。
FIG. 4 (a) is an enlarged plan view showing the relationship between the
図4(a)に示すように、磁石11はX軸磁気センサ13に近づく。矢印BはN極の磁極垂直方向を示している。また太い矢印F1は、X軸磁気センサ13に流入する水平磁場の方向を示しており、フリー磁性層31の磁化方向と一致する。また図4(a)の一点鎖線で示す矢印f1は、図3(b)のように磁石11が軸移動のときに作用する水平磁場の方向、すなわち図3(b)に示すX軸磁気センサ13のフリー磁性層31の磁化方向に一致している。
As shown in FIG. 4A, the
図4(a)に示すように、磁石11がX軸磁気センサ13に近づくため、図3(b)の磁石11が軸移動したときに作用する水平磁場の方向f1に比べて、X軸磁気センサ13に流入する水平磁場の方向F1は磁極垂直方向Bに近づく。ここで水平磁場の方向F1は、磁極垂直方向Bからθ1だけ傾いている。この傾きθ1は、図3(b)での水平磁場方向f1に比べて傾き差θ2だけ磁極垂直方向B側に位置する。
As shown in FIG. 4A, since the
一方、図4(b)に示すように、磁石11はX軸磁気センサ15から遠ざかる。矢印CはN極の磁極垂直方向を示している。また太い矢印は、X軸磁気センサ15に流入する水平磁場の方向F2を示しており、フリー磁性層31の磁化方向と一致する。また図4(b)の一点鎖線で示す矢印f2は、図3(b)のように磁石11が軸移動のときに作用する水平磁場の方向、すなわち図3(b)に示すX軸磁気センサ15のフリー磁性層31の磁化方向に一致している。
On the other hand, as shown in FIG. 4 (b), the
図4(b)に示すように、磁石11がX軸磁気センサ15から遠ざかるため、図3(b)の磁石11が軸移動したときに作用する水平磁場の方向f2に比べて、X軸磁気センサ15に流入する水平磁場の方向F2は磁極垂直方向Cから遠ざかる。ここで、水平磁場の方向F2は、磁極垂直方向Cからθ3だけ傾いている。この傾きθ3は、図3(b)での水平磁場方向f2方向に比べて傾き差θ4だけ磁極垂直方向C側から遠い位置にある。
As shown in FIG. 4B, since the
このように、図3(c)のように磁石11を斜めにスライド移動させると、図3(b)のように磁石11をY1方向にスライド移動させたときとX軸磁気センサ13,15に流入する水平磁場の方向(F1とf1、及びF2とf2)が変わってしまう。上記したように図4(a)でのX軸磁気センサ13に作用する水平磁場方向F1と、図3(b)でのX軸磁気センサ13に作用する水平磁場方向f1との間には傾き差θ2が生じ、図4(b)でのX軸磁気センサ15に作用する水平磁場方向F2と、図3(b)でのX軸磁気センサ13に作用する水平磁場方向f2との間には傾き差θ4が生じる。
Thus, when the
そこで本実施形態のようにX軸磁気センサ13とX軸磁気センサ15との差動出力を得ることで、上記した傾き差θ2,θ4に基づく出力変化量を小さくでき(好ましくは相殺でき)、したがって、図3(c)での斜め移動に対するX軸磁気センサ13,15の差動出力と、図3(b)での軸移動に対するX軸磁気センサ13,15の差動出力との差を小さくできる。後述する実験でも差動出力の差がほとんどないことがわかっている。よって、図3(c)に示すように、磁石11が斜め方向にスライド移動したときでも、X軸磁気センサ13,15の差動出力に基づいて、磁石11がY1方向にL1だけ移動したことを検知することが可能である。
Therefore, by obtaining the differential output between the X-axis
図5(a)は、図3(c)に示すように磁石11が斜め方向にスライド移動したときの図示上側に位置するY軸磁気センサ12と磁石11との関係を示す拡大平面図、図5(b)は、図示下側に位置するY軸磁気センサ14と磁石11との関係を示す拡大平面図、である。なお、図3(c)では、磁石11が、X1方向にL2だけ移動しているものとする。
FIG. 5 (a) is an enlarged plan view showing the relationship between the
図5(a)に示すように、Y軸磁気センサ12には、S極の磁極垂直方向Dから傾きθ5の水平磁場成分が作用する。図5(a)に示す水平磁場の方向F3は、仮に、磁石11が図3(a)の基準状態からX1方向にL1だけ移動したときにY軸磁気センサ12に作用する水平磁場の方向f3に対して磁極垂直方向D側に傾き差θ6だけ近づいている。
As shown in FIG. 5A, a horizontal magnetic field component of inclination θ5 acts on the Y-axis
一方、図5(b)に示すように、Y軸磁気センサ14には、S極の磁極垂直方向Eから傾きθ7の水平磁場成分が作用する。図5(b)に示す水平磁場の方向F4は、仮に、磁石11が図3(a)の基準状態からX1方向にL1だけ移動したときにY軸磁気センサ14に作用する水平磁場の方向f4よりも傾き差θ8だけ磁極垂直方向Eから遠ざかっている。
On the other hand, as shown in FIG. 5B, the horizontal magnetic field component of inclination θ7 acts on the Y-axis
このように、図3(c)のように磁石11を斜めにスライド移動させると、図3(a)の基準状態からX1方向に磁石11をスライド移動させたときとY軸磁気センサ12,14に流入する水平磁場の方向が変わってしまうが、本実施形態のようにY軸磁気センサ12とY軸磁気センサ14との差動出力を得ることで、上記した傾き差θ6,θ8に基づく出力変化量を小さくできる(好ましくは相殺できる)。よって、図3(c)に示すように、磁石11が斜め方向にスライド移動したときでも、Y軸磁気センサ12,14の差動出力に基づいて、磁石11がX1方向にL2だけ移動したことを検知することが可能である。
Thus, when the
図6は、第2実施形態の磁気検出装置の斜視図、図7は、図6の矢印方向から見たときの磁気検出装置の拡大側面図、図8(a)は、磁石の基準状態を示す磁石及び磁気センサの平面図、図8(b)は、図8(a)の基準状態から磁石がY1方向へスライド移動したときの平面図、図8(c)は、図8(a)の基準状態から磁石がY1方向とX1方向の間で斜め45度方向にスライド移動したときの平面図、である。 6 is a perspective view of the magnetic detection device according to the second embodiment, FIG. 7 is an enlarged side view of the magnetic detection device when viewed from the direction of the arrow in FIG. 6, and FIG. A plan view of the magnet and the magnetic sensor shown, FIG. 8 (b) is a plan view when the magnet slides in the Y1 direction from the reference state of FIG. 8 (a), and FIG. 8 (c) is FIG. In the reference state, the magnet slides in the 45 ° oblique direction between the Y1 direction and the X1 direction.
図6に示すように、磁気検出装置40は、磁石41と磁気センサ42~45とを有して構成される。磁石41はX-Y平面内をスライド移動可能に支持されている。
As shown in FIG. 6, the
図6に示すように磁石41は円盤状で形成されている。図6に示す磁石41は上下面41a,41bが磁極面であり、例えば上面41aがN極、下面41bがS極に着磁されている。
As shown in FIG. 6, the
図7に示すように、基板46上に4個の磁気センサ42~45が設置されている。図7に示すように、磁石41は、基板46上からやや浮いた状態で支持される。具体的には磁石41は、基板46の上面から0.5~1.0mm程度離れた位置にて支持されている。ただし、各磁気センサ42~45には、磁石41から適切に水平磁場を流入させるべく、磁石41を磁気センサ42~45の真横に配置せず、やや高さ方向に離して配置する。磁石41の移動領域は、各磁気センサ42~45により囲まれた領域内である。磁石41と各磁気センサ42~45は非接触状態を保っている。
As shown in FIG. 7, four
図6、図8に示すように、一対のX軸磁気センサ43,45は、X軸線上に、Y軸線との交差中心Oを介して配置されている。また、一対のY軸磁気センサ42,44は、Y軸線上にX軸との交差中心Oを介して配置されている。各X軸磁気センサ43,45及び各Y軸磁気センサ42,44と交差中心Oとの距離は一定である。
As shown in FIG. 6 and FIG. 8, the pair of X-axis
図6,図8に示すように、磁石41は、X軸磁気センサ43,45及びY軸磁気センサ42,44に囲まれたX-Y平面内をスライド移動可能に支持されている。
As shown in FIGS. 6 and 8, the
図6,図8(a)は、磁石41の中心41cが交差中心O(移動原点)に位置している基準状態を示している。またこのとき、各磁気センサ42~45の中心が、磁石41のN極及びS極の各磁極垂直方向に対向するように、磁石41の磁気センサ42~45に対する向きが規制されている。
FIGS. 6 and 8A show a reference state in which the
各磁気センサ42~45は、外部磁界に対して電気抵抗値が変化するGMR素子20を備えた同じ構成である。GMR素子20の構成は図9で示した通りである。
Each of the
図8(a)に示すように、図示上側のY軸磁気センサ42に設けられるGMR素子20の固定磁性層29の磁化方向(P方向)はX1方向である。図示下側のY軸磁気センサ44に設けられるGMR素子20の固定磁性層29の磁化方向(P方向)はX2方向である。この実施形態では、Y軸磁気センサ42,44に設けられるGMR素子20の固定磁性層29は互いに反対方向となっているが、同じ方向に磁化固定されていてもよい。
As shown in FIG. 8A, the magnetization direction (P direction) of the pinned
また図8(a)に示すように、図示左側のX軸磁気センサ43に設けられるGMR素子20の固定磁性層29の磁化方向(P方向)はY2方向である。図示右側のX軸磁気センサ45に設けられるGMR素子20の固定磁性層29の磁化方向(P方向)はY1方向である。この実施形態では、X軸磁気センサ43,45に設けられるGMR素子の固定磁性層は互いに反対方向となっているが、同じ方向に磁化固定されていてもよい。
As shown in FIG. 8A, the magnetization direction (P direction) of the pinned
また、各Y軸磁気センサ42、44、及び各X軸磁気センサ43,45は夫々、図10に示す電気回路を構成している。
The Y-axis
図8に示す太い矢印は、磁石41から各磁気センサ42~45に作用する水平磁場方向を示しており、各磁気センサ42~45を構成するGMR素子20のフリー磁性層の磁化方向(F方向)に一致している。
The thick arrows shown in FIG. 8 indicate the direction of the horizontal magnetic field acting from the
図8(a)の基準状態では、各磁気センサ42~45を構成するGMR素子20の固定磁性層29とフリー磁性層31との磁化関係(P方向とF方向との関係)が全て直交している。よって各磁気センサ42~45を構成するGMR素子20の電気抵抗値は同じ値になる。したがって、図10に示す電気回路から得られる出力はゼロになる。
In the reference state of FIG. 8A, the magnetization relationship (the relationship between the P direction and the F direction) between the pinned
次に図8(a)の基準状態から磁石41がY1方向へ所定距離L1だけスライド移動したとする。その状態を示したのが図8(b)である。このとき、Y軸磁気センサ42,44を構成するGMR素子20の固定磁性層29とフリー磁性層31との磁化関係(P方向とF方向との関係)は直交状態を維持している。よって、Y軸磁気センサ42,44の差動出力は変化しない(出力はゼロのままである)。
Next, it is assumed that the
一方、X軸磁気センサ43,45を構成するGMR素子20のフリー磁性層31の磁化方向(F方向)は基準状態から変化する。図8(b)に示すように、X軸磁気センサ43を構成するGMR素子20のフリー磁性層31の磁化方向(F方向)は、Y1-Y2軸方向に対して磁石41の中心41cから傾きθ10となっている。そして、X軸磁気センサ43を構成するGMR素子20の固定磁性層29とフリー磁性層31の磁化角度(P方向とF方向間の角度)は直交状態より大きくなる。よって、X軸磁気センサ43を構成するGMR素子20の電気抵抗値は図8(a)の基準状態よりも大きくなる。
On the other hand, the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of the
これに対して、図8(b)に示すように、X軸磁気センサ45を構成するGMR素子20のフリー磁性層31の磁化方向(F方向)は、Y1-Y2軸方向に対して磁石41の中心41cから傾きθ11となっている。そして、X軸磁気センサ45を構成するGMR素子20の固定磁性層29とフリー磁性層31の磁化角度(P方向とF方向間の角度)は直交状態より小さくなる。よって、X軸磁気センサ45を構成するGMR素子20の電気抵抗値は基準状態よりも小さくなる。ここで傾きθ10と傾きθ11はほぼ同じであるため、各X軸磁気センサ43,45の基準状態からの電気抵抗変化量はほぼ同じになる。
On the other hand, as shown in FIG. 8B, the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of the
そして図10の電気回路にて得られたX軸磁気センサ43,45の差動出力により磁石41のY1方向への移動位置(基準位置からの移動距離)を検知することが出来る。
The moving position (moving distance from the reference position) of the
次に、図8(a)の基準状態から磁石41がY1方向とX1方向との間で斜め45度方向にスライド移動したとする。その状態を示したのが図8(c)である。ここで、図8(c)での磁石41のY1方向への移動量L1は図8(b)と同じである。
Next, it is assumed that the
図8(c)のように磁石41が斜めにスライド移動すると、磁石41のY1方向への移動量L1は図8(b)と同じであるのに、X軸磁気センサ43,45に作用する水平磁場の方向(フリー磁性層の磁化方向(F方向))が図8(b)の軸移動の場合と変わってしまう。
When the
図8(c)に示すように、X軸磁気センサ43を構成するGMR素子20のフリー磁性層31の磁化方向(F方向)は、Y1-Y2方向に対して磁石41の中心41cからθ12で傾いている。傾きθ12は、図8(b)での磁石41が軸移動したときの傾きθ10より小さくなる。よって、X軸磁気センサ43を構成するGMR素子20の電気抵抗値は基準状態よりも大きくなるが、図8(b)の軸移動のときよりも小さくなる。
As shown in FIG. 8C, the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of the
一方、図8(c)に示すように、X軸磁気センサ45を構成するGMR素子20のフリー磁性層31の磁化方向(F方向)は、Y1-Y2方向に対して磁石41の中心41cからθ13で傾いている。傾きθ13は図8(b)での磁石41が軸移動したときの傾きθ11よりも大きくなる。よって、X軸磁気センサ43を構成するGMR素子の電気抵抗値は基準状態よりも小さくなるが、図8(b)の軸移動のときよりも大きくなる。
On the other hand, as shown in FIG. 8C, the magnetization direction (F direction) of the free magnetic layer 31 of the
このように、図8(c)のように磁石41を斜めにスライド移動させると、図8(a)の基準状態からY1方向に磁石41をスライド移動させたときとX軸磁気センサ43,45に流入する水平磁場の方向(フリー磁性層の磁化方向)が変わるが、本実施形態のようにX軸磁気センサ43とX軸磁気センサ45との差動出力を得ることで、図8(c)の斜め移動と図8(b)の軸移動とでの傾き差(θ10-θ12,θ11-θ13)に基づく出力変化量を小さくできる(好ましくは相殺できる)。よって、図8(c)に示すように、磁石41が斜め方向にスライド移動したときでも、X軸磁気センサ42,44の差動出力に基づいて、磁石41がY1方向にL1だけ移動したことを検知することが可能である。
Thus, when the
また図8(c)に示す磁石41のX1方向への移動距離L2についてもY軸磁気センサ42,44の差動出力から検知することができる。なおY軸磁気センサ42,44についても、磁石41を基準状態からX1方向へL2だけ軸移動させたときと、Y軸磁気センサ42,44に流入する水平磁場の方向(フリー磁性層の磁化方向(F方向))が変わってしまうが、本実施形態のようにY軸磁気センサ42とY軸磁気センサ44との差動出力を得ることで、図8(c)の斜め移動と図8(b)の軸移動とでの傾きの差に基づく出力変化量を小さくできる(好ましくは相殺できる)。
The moving distance L2 of the
以上により、磁石11,41がX-Y平面内をスライド移動したときに、X軸磁気センサ13,15,43,45の差動出力、及びY軸磁気センサ12,14,42,44の差動出力により前記磁石11,41の移動位置を高精度に検知することが出来る。
From the above, when the
本実施形態では、各磁気センサ12~15,42~45には水平磁場成分を流入させるために、図2や図7に示すように、磁石11,41の側方位置に各磁気センサ12~15,42~45を配置できる。よって磁気検出装置10,40の薄型化を実現できる。特に、着磁面を磁石11の側面とした図1に示す実施形態では、図2に示すように磁石11を各磁気センサ12~15の真横に配置できるため、より好ましく磁気検出装置10の薄型化を実現できる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 2 and FIG. 7, in order to make horizontal magnetic field components flow into each of the magnetic sensors 12-15, 42-45, each of the
また、磁石11,41のスライド移動に伴う水平磁場の角度変化を各磁気センサ12~15,42~45にて検知するため、磁石11,41の全移動範囲内にて各磁気センサ12~15,42~45のGMR素子20のフリー磁性層31を磁気飽和させるほどに大きな磁界を作用させることが出来、従来に比べて、外乱ノイズを低減させ、及び出力リニア特性を向上させることができる。
Also, in order to detect the angle change of the horizontal magnetic field due to the sliding movement of the
なおGMR素子20に代えて、図9に示す非磁性層30が絶縁層で形成されたTMR素子を使用することも出来る。
また、磁石11,41の平面形状は楕円形状等でもよいが円形であることが好ましい。
Note that, instead of the
The planar shape of the
図1に示す磁気検出装置10を製造した。図3(a)に示す基準状態での磁石11と各磁気センサ12~15間の最小ギャップを2.5mmに設定した。また磁石11にはプラマグネオジウムを使用した。駆動電圧を2.5Vとし、図3(b)に示すように磁石11をY1方向にスライド移動させた。そして、磁石11の移動距離と、X軸磁気センサ13,15及びY軸磁気センサ12,14の夫々の差動出力を求めた。その実験結果が図11に示されている。
The
図11に示すように磁石11のスライド移動に伴ってX軸磁気センサ13,15の差動出力がリニアに変化することがわかった。一方、Y軸磁気センサ12,14の差動出力は変化しないことがわかった。
As shown in FIG. 11, it was found that the differential output of the X-axis
続いて、磁石11を図3(c)に示すようにY1方向とX1方向との間で斜め45度方向にスライド移動させた。そして、磁石11の移動距離と、X軸磁気センサ13,15及びY軸磁気センサ12,14の夫々の差動出力を求めた。その実験結果が図12に示されている。
Subsequently, as shown in FIG. 3C, the
図12に示すように磁石11のスライド移動に伴ってX軸磁気センサ13,15,及びY軸磁気センサ12,14の差動出力がリニアに変化することがわかった(図12では、X軸磁気センサ13,15の差動出力とY軸磁気センサ12,14の差動出力とが重なっている)。
As shown in FIG. 12, it was found that the differential output of the X-axis
図13は、斜め移動の図12の実験から求めた磁石11のY1方向成分のスライド移動距離とX軸磁気センサ13,15の差動出力との関係及び、図11の実験結果の双方を掲載したグラフである。
FIG. 13 shows both the relationship between the sliding movement distance of the Y1 component of the
図13に示すように両方のグラフが重なっていることがわかる。すなわち磁石11を斜め方向へスライド移動させても、X軸方向及びY軸方向への移動距離成分を高精度に得ることができるとわかった。
As shown in FIG. 13, it can be seen that both graphs overlap. That is, it has been found that even if the
次に、図6に示す磁気検出装置40を製造した。磁石41には焼結ネオジウムを使用した。それ以外の実験条件は図11~図13の実験と同じとした。まず図8(b)に示すように磁石41をY1方向にスライド移動させた。そして、磁石41の移動距離と、X軸磁気センサ43,45及びY軸磁気センサ42,44の夫々の差動出力を求めた。その実験結果が図14に示されている。
Next, a
図14に示すように磁石41のスライド移動に伴ってX軸磁気センサ43,45の差動出力がリニアに変化することがわかった。一方、Y軸磁気センサ42,44の差動出力は変化しないことがわかった。
As shown in FIG. 14, it was found that the differential outputs of the X-axis
続いて、磁石41を図8(c)に示すようにY1方向とX1方向との間で斜め45度方向にスライド移動させた。そして、磁石41の移動距離と、X軸磁気センサ43,45及びY軸磁気センサ42,44の夫々の差動出力を求めた。その実験結果が図15に示されている。
Subsequently, as shown in FIG. 8C, the
図15に示すように磁石41のスライド移動に伴ってX軸磁気センサ43,45,及びY軸磁気センサ42,44の差動出力がリニアに変化することがわかった(図15では、X軸磁気センサ43,45の差動出力とY軸磁気センサ12,14の差動出力とが重なっている)。
As shown in FIG. 15, it was found that the differential outputs of the X-axis
図16は、斜め移動の図15の実験から求めた磁石41のY1方向成分のスライド移動距離とX軸磁気センサ43,45の差動出力との関係及び、図14の実験結果の双方を掲載したグラフである。
FIG. 16 shows both the relationship between the sliding movement distance of the Y1 component of the
図16に示すように両方のグラフが重なっていることがわかる。すなわち磁石41を斜め方向へスライド移動させても、X軸方向及びY軸方向への移動距離成分を高精度に得ることができるとわかった。
As shown in FIG. 16, it can be seen that both graphs overlap. That is, it has been found that even if the
10、40 磁気検出装置
11 磁石
12、14、42、44 Y軸磁気センサ
13、15、43、45 X軸磁気センサ
20 GMR素子
29 固定磁性層
30 非磁性層
31 フリー磁性層
41 磁石
F フリー磁性層の磁化方向
P 固定磁性層の磁化方向
10, 40
Claims (4)
前記磁気抵抗効果素子は、磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性層を介して形成され前記外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層との積層構造を有して構成されており、
直交するX軸線上、及びY軸線上の夫々に交差中心を介して一対のX軸磁気センサ及び一対のY軸磁気センサが配置されており、
前記磁石は、前記X軸磁気センサ及び前記Y軸磁気センサに囲まれたX-Y平面内をスライド移動可能に支持されており、
前記磁石が前記X-Y平面内をスライド移動したときに、各磁気センサに流入する水平磁場の角度変化に伴う前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化に基づいて、前記X軸磁気センサの差動出力、及び、前記Y軸磁気センサの差動出力により前記磁石の位置を検知できることを特徴とする磁気検出装置。 In a magnetic detection device having a magnet and a non-contact type magnetic sensor provided with a magnetoresistance effect element whose electric resistance value changes with respect to an external magnetic field,
The magnetoresistance effect element has a laminated structure of a fixed magnetic layer in which the magnetization direction is fixed, and a free magnetic layer which is formed on the fixed magnetic layer via the nonmagnetic layer and in which the magnetization direction changes with respect to the external magnetic field. It is configured to have
A pair of X-axis magnetic sensors and a pair of Y-axis magnetic sensors are disposed on orthogonal X-axis lines and Y-axis lines, respectively, via a cross center.
The magnet is slidably supported in an XY plane surrounded by the X-axis magnetic sensor and the Y-axis magnetic sensor.
When the magnet slides in the XY plane, the differential of the X-axis magnetic sensor is based on the change in electric resistance of the magnetoresistive element with the change in the angle of the horizontal magnetic field flowing into each magnetic sensor. A magnetic detection device characterized in that the position of the magnet can be detected by an output and a differential output of the Y-axis magnetic sensor.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009-033333 | 2009-02-17 | ||
| JP2009033333 | 2009-02-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2010095495A1 true WO2010095495A1 (en) | 2010-08-26 |
Family
ID=42633781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2010/051081 Ceased WO2010095495A1 (en) | 2009-02-17 | 2010-01-28 | Magnetism detection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| WO (1) | WO2010095495A1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109725052A (en) * | 2019-01-31 | 2019-05-07 | 合肥中大检测技术有限公司 | The supporting mechanism of Magnetosensitive sensor array and steel pipe longitudinal defect leakage magnetic detection device |
| CN114487949A (en) * | 2020-10-23 | 2022-05-13 | Tdk株式会社 | Magnetic sensor assembly and camera module having the same |
| CN115452006A (en) * | 2018-11-26 | 2022-12-09 | Tdk株式会社 | Magnetic sensor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002229731A (en) * | 2000-12-27 | 2002-08-16 | Nokia Corp | Input device and electronic device |
-
2010
- 2010-01-28 WO PCT/JP2010/051081 patent/WO2010095495A1/en not_active Ceased
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002229731A (en) * | 2000-12-27 | 2002-08-16 | Nokia Corp | Input device and electronic device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115452006A (en) * | 2018-11-26 | 2022-12-09 | Tdk株式会社 | Magnetic sensor device |
| CN109725052A (en) * | 2019-01-31 | 2019-05-07 | 合肥中大检测技术有限公司 | The supporting mechanism of Magnetosensitive sensor array and steel pipe longitudinal defect leakage magnetic detection device |
| CN109725052B (en) * | 2019-01-31 | 2023-08-25 | 合肥中大检测技术有限公司 | Support mechanism of magnetic sensor array and steel pipe longitudinal defect magnetic leakage detection device |
| CN114487949A (en) * | 2020-10-23 | 2022-05-13 | Tdk株式会社 | Magnetic sensor assembly and camera module having the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5297539B2 (en) | Magnetic sensor | |
| CN104204835B (en) | Magnetic sensor | |
| US10184959B2 (en) | Magnetic current sensor and current measurement method | |
| EP3223029B1 (en) | Magnetic sensor | |
| JP4837749B2 (en) | Magnetic sensor and magnetic encoder using the same | |
| WO2010098190A1 (en) | Rotation detection device | |
| JP2015212713A (en) | Magnetic sensor | |
| US8941378B2 (en) | Magnetic sensor | |
| JP2010286236A (en) | Origin detection device | |
| JP2009300150A (en) | Magnetic sensor and magnetic sensor module | |
| WO2009151023A1 (en) | Magnetic sensor and magnetic sensor module | |
| CN104919328A (en) | Magnetic sensor and production method therefor | |
| JP2011007673A (en) | Geomagnetic sensor | |
| CN106662470A (en) | Magnetic linear encoder | |
| WO2011074488A1 (en) | Magnetic sensor | |
| JP2014089088A (en) | Magnetoresistive effect element | |
| WO2010095495A1 (en) | Magnetism detection device | |
| JP2010286237A (en) | Origin detecting device | |
| JP5453198B2 (en) | Magnetic sensor | |
| JP2012063232A (en) | Method for manufacturing magnetic field detection apparatus, and magnetic field detection apparatus | |
| US20150198430A1 (en) | Magnetism detection element and rotation detector | |
| JP4890401B2 (en) | Origin detection device | |
| JP2008192439A (en) | Vertical / horizontal detection sensor | |
| JP2015155796A (en) | Current sensor | |
| WO2008053926A1 (en) | Motion sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10743624 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 10743624 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |