WO2009031389A1 - 化学機械研磨用水系分散体およびその調製方法、化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに半導体装置の化学機械研磨方法 - Google Patents
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|---|---|---|---|
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011119380A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅用研磨剤、及び化学的機械的研磨方法 |
| JP2011190405A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Neos Co Ltd | 水溶性洗浄剤組成物 |
| JPWO2011058952A1 (ja) * | 2009-11-11 | 2013-04-04 | 株式会社クラレ | 化学的機械的研磨用スラリー並びにそれを用いる基板の研磨方法 |
| JP2013094906A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| JP2014229827A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
| JP2019537244A (ja) * | 2016-09-29 | 2019-12-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | タングステンのためのケミカルメカニカルポリッシング法 |
| JP2019537246A (ja) * | 2016-09-29 | 2019-12-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | タングステンのための化学機械研磨法 |
| JP2019537277A (ja) * | 2016-09-28 | 2019-12-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 第四級ホスホニウム化合物を含有する方法及び組成物を使用したタングステンの化学機械研磨 |
| JP2019537245A (ja) * | 2016-09-29 | 2019-12-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | タングステンのためのケミカルメカニカルポリッシング法 |
| WO2020170331A1 (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | 日立化成株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
| JPWO2020255921A1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | ||
| WO2025206229A1 (ja) * | 2024-03-29 | 2025-10-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5327427B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2013-10-30 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体調製用セット、化学機械研磨用水系分散体の調製方法、化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
| US8506359B2 (en) * | 2008-02-06 | 2013-08-13 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method |
| US20110081780A1 (en) * | 2008-02-18 | 2011-04-07 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method |
| JP5240478B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-07-17 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
| WO2009107472A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、化学機械研磨用水系分散体の再生方法 |
| JP5472585B2 (ja) | 2008-05-22 | 2014-04-16 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
| MY154861A (en) * | 2008-12-22 | 2015-08-14 | Kao Corp | Polishing liquid composition for magnetic-disk substrate |
| US20130005219A1 (en) * | 2010-02-01 | 2013-01-03 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method using same |
| JP5822356B2 (ja) * | 2012-04-17 | 2015-11-24 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| JP5957292B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2016-07-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
| JP5857310B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2016-02-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびその製造方法 |
| JP6185432B2 (ja) | 2014-06-24 | 2017-08-23 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハ研磨用組成物 |
| WO2017160221A1 (en) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Narrowband internet of things random access channel configuration design |
| EP3584298B1 (en) * | 2017-02-17 | 2022-12-28 | Fujimi Incorporated | Polishing method using a polishing composition |
| US11401441B2 (en) | 2017-08-17 | 2022-08-02 | Versum Materials Us, Llc | Chemical mechanical planarization (CMP) composition and methods therefore for copper and through silica via (TSV) applications |
| US10465096B2 (en) | 2017-08-24 | 2019-11-05 | Versum Materials Us, Llc | Metal chemical mechanical planarization (CMP) composition and methods therefore |
| CN111378973A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
| US20200277514A1 (en) | 2019-02-28 | 2020-09-03 | Versum Materials Us, Llc | Chemical Mechanical Polishing For Copper And Through Silicon Via Applications |
| US11492512B2 (en) * | 2019-09-26 | 2022-11-08 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing method |
| CN119121368B (zh) * | 2024-11-12 | 2025-02-18 | 深圳市鑫德普科技有限公司 | 一种半导体硅片电化学机械抛光方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001064688A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
| JP2001064631A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 研磨用組成物および研磨方法 |
| WO2006112377A1 (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | 研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材 |
| JP2007088258A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 金属研磨液及びそれを用いる研磨方法 |
| WO2007069488A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Jsr Corporation | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693035B1 (en) * | 1998-10-20 | 2004-02-17 | Rodel Holdings, Inc. | Methods to control film removal rates for improved polishing in metal CMP |
| US6475069B1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-11-05 | Rodel Holdings, Inc. | Control of removal rates in CMP |
| EP1102821A4 (en) * | 1998-06-10 | 2004-05-19 | Rodel Inc | COMPOSITION AND METHOD FOR CMP POLISHING METAL |
| US20020019202A1 (en) * | 1998-06-10 | 2002-02-14 | Thomas Terence M. | Control of removal rates in CMP |
| KR100447552B1 (ko) * | 1999-03-18 | 2004-09-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조에 사용하는 화학 기계연마용 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조 방법 및 매립배선의 형성 방법 |
| TW593674B (en) * | 1999-09-14 | 2004-06-21 | Jsr Corp | Cleaning agent for semiconductor parts and method for cleaning semiconductor parts |
| US6821897B2 (en) * | 2001-12-05 | 2004-11-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for copper CMP using polymeric complexing agents |
| JP2004071673A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Nec Electronics Corp | 銅系金属研磨スラリー |
| EP1682625A1 (en) * | 2003-11-14 | 2006-07-26 | Showa Denko K.K. | Polishing composition and polishing method |
| TWI288046B (en) * | 2003-11-14 | 2007-10-11 | Showa Denko Kk | Polishing composition and polishing method |
| DE602006004624D1 (de) * | 2005-02-23 | 2009-02-26 | Jsr Corp | Chemisch-mechanisches Polierverfahren |
| DE602006002900D1 (de) * | 2005-03-09 | 2008-11-13 | Jsr Corp | Wässrige Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren, Kit zu deren Herstellung und chemisch-mechanisches Polierverfahren |
| US20060276041A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-12-07 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method, and kit for preparing chemical mechanical polishing aqueous dispersion |
| JP2007073548A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Fujimi Inc | 研磨方法 |
| WO2007060869A1 (ja) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Jsr Corporation | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
| CN101410956B (zh) * | 2006-04-03 | 2010-09-08 | Jsr株式会社 | 化学机械研磨用水系分散体和化学机械研磨方法 |
| JP5013732B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2012-08-29 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨方法、化学機械研磨用キット、および化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット |
| EP2071615B1 (en) * | 2006-10-06 | 2012-07-18 | JSR Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method for semiconductor device |
| JP4614981B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2011-01-19 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の化学機械研磨方法 |
| JP5327427B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2013-10-30 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体調製用セット、化学機械研磨用水系分散体の調製方法、化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
| JP5472585B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2014-04-16 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
-
2008
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- 2008-08-25 TW TW097132336A patent/TW200911972A/zh unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001064688A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
| JP2001064631A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-03-13 | Jsr Corp | 研磨用組成物および研磨方法 |
| WO2006112377A1 (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | 研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材 |
| JP2007088258A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 金属研磨液及びそれを用いる研磨方法 |
| WO2007069488A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Jsr Corporation | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2011058952A1 (ja) * | 2009-11-11 | 2013-04-04 | 株式会社クラレ | 化学的機械的研磨用スラリー並びにそれを用いる基板の研磨方法 |
| US9536752B2 (en) | 2009-11-11 | 2017-01-03 | Kuraray Co., Ltd. | Slurry for chemical mechanical polishing and polishing method for substrate using same |
| JP2011119380A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅用研磨剤、及び化学的機械的研磨方法 |
| JP2011190405A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Neos Co Ltd | 水溶性洗浄剤組成物 |
| JP2013094906A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| JP2014229827A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
| JP2019537277A (ja) * | 2016-09-28 | 2019-12-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 第四級ホスホニウム化合物を含有する方法及び組成物を使用したタングステンの化学機械研磨 |
| JP2019537246A (ja) * | 2016-09-29 | 2019-12-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | タングステンのための化学機械研磨法 |
| JP2019537244A (ja) * | 2016-09-29 | 2019-12-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | タングステンのためのケミカルメカニカルポリッシング法 |
| JP2019537245A (ja) * | 2016-09-29 | 2019-12-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | タングステンのためのケミカルメカニカルポリッシング法 |
| WO2020170331A1 (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | 日立化成株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
| JPWO2020170331A1 (ja) * | 2019-02-19 | 2021-12-02 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
| JP7216880B2 (ja) | 2019-02-19 | 2023-02-02 | 株式会社レゾナック | 研磨液及び研磨方法 |
| US12098300B2 (en) | 2019-02-19 | 2024-09-24 | Resonac Corporation | Polishing liquid and polishing method |
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| WO2020255921A1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
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| WO2025206229A1 (ja) * | 2024-03-29 | 2025-10-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2009031389A1 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体およびその調製方法、化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに半導体装置の化学機械研磨方法 | |
| TW200801046A (en) | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing method, and kit for preparing aqueous dispersion for chemical mechanical polishing | |
| EP1757665B8 (en) | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, kit for preparing the aqueous dispersion for a chemical mechanical polishing process, and process for producing semiconductor devices | |
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