[go: up one dir, main page]

WO2009069712A1 - Composition contenant du silicium comprenant de l'isocyanato bloqué pour la formation de sous-couche de résist - Google Patents

Composition contenant du silicium comprenant de l'isocyanato bloqué pour la formation de sous-couche de résist Download PDF

Info

Publication number
WO2009069712A1
WO2009069712A1 PCT/JP2008/071577 JP2008071577W WO2009069712A1 WO 2009069712 A1 WO2009069712 A1 WO 2009069712A1 JP 2008071577 W JP2008071577 W JP 2008071577W WO 2009069712 A1 WO2009069712 A1 WO 2009069712A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
atom
resist undercoat
isocyanato
linkage
integer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2008/071577
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Nakajima
Yuta Kanno
Wataru Shibayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority to JP2009543854A priority Critical patent/JP5252234B2/ja
Priority to CN200880118089.4A priority patent/CN101878451B/zh
Priority to KR1020107014591A priority patent/KR101524712B1/ko
Publication of WO2009069712A1 publication Critical patent/WO2009069712A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • H10P76/204—
    • H10P76/2041—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

L'invention vise à proposer une composition de formation de sous-couche de résist destinée à être utilisée en lithographie, qui peut former une sous-couche de résist pouvant être utilisée en tant que masque dure ou film anti-réflexion. A cet effet, l'invention porte sur une composition de formation de sous-couche de résine destinée à être utilisée en lithographie, qui comprend un organosilane hydrolysable contenant un groupe isocyanato ou un groupe isocyanato bloqué, un hydrolysat de celui-ci, ou un condensat hydrolytique de celui-ci, l'organosilane hydrolysable étant un représenté par la formule générale (1) : [formule chimique 1] (1) R1 étant isocyanato, isocyanato bloqué ou un groupe organique contenant l'un ou l'autre, où l'extrémité N ou C de l'atome est liée à l'atome Si pour former une liaison Si-N ou une liaison Si-C ; R2 étant alkyle, aryle, alkyle halogéné, aryle halogéné, alcényle ou un groupe organique portant époxy, acryloyle, méthacryloyle, mercapto, amino ou cyano, l'extrémité C de l'atome étant liée à l'atome Si pour former une liaison Si-C ; R3 étant alcoxy, acyloxy ou halogéno ; a étant un entier de 1 ou 2 ; et b étant un entier de 0 ou 1 à la condition que la somme de a et b soit un entier de 1 ou 2.
PCT/JP2008/071577 2007-11-30 2008-11-27 Composition contenant du silicium comprenant de l'isocyanato bloqué pour la formation de sous-couche de résist Ceased WO2009069712A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009543854A JP5252234B2 (ja) 2007-11-30 2008-11-27 ブロック化イソシアネート基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
CN200880118089.4A CN101878451B (zh) 2007-11-30 2008-11-27 具有封端异氰酸酯基且含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物
KR1020107014591A KR101524712B1 (ko) 2007-11-30 2008-11-27 블록화 이소시아네이트기를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007311268 2007-11-30
JP2007-311268 2007-11-30
JP2008011115 2008-01-22
JP2008-011115 2008-01-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009069712A1 true WO2009069712A1 (fr) 2009-06-04

Family

ID=40678604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/071577 Ceased WO2009069712A1 (fr) 2007-11-30 2008-11-27 Composition contenant du silicium comprenant de l'isocyanato bloqué pour la formation de sous-couche de résist

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5252234B2 (fr)
KR (1) KR101524712B1 (fr)
CN (1) CN101878451B (fr)
TW (1) TWI450042B (fr)
WO (1) WO2009069712A1 (fr)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010532003A (ja) * 2007-03-12 2010-09-30 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． フォトリソグラフィー工程において使用する材料のためのアミン拘束添加物
CN102405533A (zh) * 2009-06-10 2012-04-04 霍尼韦尔国际公司 用于光学透明基板的抗反射涂层
JP2013067798A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc フォトリソグラフィのための組成物および反射防止コーティング
JP2013173916A (ja) * 2011-12-21 2013-09-05 Dow Global Technologies Llc 反射防止被膜用の組成物
WO2013187209A1 (fr) * 2012-06-12 2013-12-19 株式会社Adeka Composition photosensible
WO2014034688A1 (fr) * 2012-08-30 2014-03-06 東京応化工業株式会社 Procédé de modification de surface de substrat, film de modification et solution de revêtement utilisés pour une modification de surface de substrat
JP2014157242A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
WO2019124514A1 (fr) * 2017-12-20 2019-06-27 日産化学株式会社 Composition pour former un film de revêtement contenant du silicium photodurcissable
JPWO2018143359A1 (ja) * 2017-02-03 2019-11-21 日産化学株式会社 ウレア結合を有する構造単位を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
JP2020041125A (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 エボニック オペレーションズ ゲーエムベーハー シラン官能性ポリウレタン架橋剤のスズフリー触媒反応
WO2021193030A1 (fr) * 2020-03-27 2021-09-30 Jsr株式会社 Composition de formation d'un film de sous-couche de réserve pour lithographie à faisceau d'électrons ou extrême ultraviolet, film de sous-couche de réserve pour lithographie à faisceau d'électrons ou extrême ultraviolet, et procédé de production de substrat semi-conducteur

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2669737A1 (fr) * 2011-01-24 2013-12-04 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition permettant de former des films de sous-couche de réserve qui contiennent du silicium portant un groupe organique comportant une structure dicétone
WO2013012068A1 (fr) * 2011-07-20 2013-01-24 日産化学工業株式会社 Composition de formation de film mince pour une lithographie qui contient du titane et du silicium
KR102099712B1 (ko) 2013-01-15 2020-04-10 삼성전자주식회사 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US11194251B2 (en) * 2014-05-22 2021-12-07 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film-forming composition for lithography containing polymer having blocked isocyanate structure
US11815815B2 (en) * 2014-11-19 2023-11-14 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming silicon-containing resist underlayer film removable by wet process
KR102462194B1 (ko) * 2014-12-08 2022-11-02 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 할로겐함유 카르본산아미드기를 가지는 가수분해성 실란을 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물
CN107430344B (zh) * 2015-04-07 2021-03-26 三菱瓦斯化学株式会社 光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法
CN109111124A (zh) * 2018-09-12 2019-01-01 江苏世泰实验器材有限公司 一种防粘连盖玻片及其制备方法
JP6981945B2 (ja) * 2018-09-13 2021-12-17 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
KR102769796B1 (ko) * 2023-08-23 2025-02-20 유한회사 디씨티머티리얼 표면 개질된 금속 산화물 입자를 이용한 하드마스크 막의 제조 방법 및 레지스트 패턴 형성 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000001752A1 (fr) * 1998-07-03 2000-01-13 Clariant International Ltd. Composition pour la formation d'un film a legere absorption contenant un compose d'isocyanate bloque et film antireflet obtenu
JP2003122018A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅型レジストパターン用表面処理剤及びパターン形成方法
JP2005352104A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜材料、及びこれの製造方法、これを用いた反射防止膜、パターン形成
JP2007178455A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト下層膜用組成物、これを用いたレジスト下層膜及び基板のパターン形成方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI388876B (zh) * 2003-12-26 2013-03-11 Fujifilm Corp 抗反射膜、偏光板，其製造方法，液晶顯示元件，液晶顯示裝置，及影像顯示裝置
JP2007192875A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 下層膜形成用材料、積層体およびパターン形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000001752A1 (fr) * 1998-07-03 2000-01-13 Clariant International Ltd. Composition pour la formation d'un film a legere absorption contenant un compose d'isocyanate bloque et film antireflet obtenu
JP2003122018A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅型レジストパターン用表面処理剤及びパターン形成方法
JP2005352104A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜材料、及びこれの製造方法、これを用いた反射防止膜、パターン形成
JP2007178455A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト下層膜用組成物、これを用いたレジスト下層膜及び基板のパターン形成方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010532003A (ja) * 2007-03-12 2010-09-30 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． フォトリソグラフィー工程において使用する材料のためのアミン拘束添加物
CN102405533A (zh) * 2009-06-10 2012-04-04 霍尼韦尔国际公司 用于光学透明基板的抗反射涂层
US8784985B2 (en) 2009-06-10 2014-07-22 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
CN102405533B (zh) * 2009-06-10 2016-05-18 霍尼韦尔国际公司 用于光学透明基板的抗反射涂层
JP2013067798A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc フォトリソグラフィのための組成物および反射防止コーティング
JP2013173916A (ja) * 2011-12-21 2013-09-05 Dow Global Technologies Llc 反射防止被膜用の組成物
JPWO2013187209A1 (ja) * 2012-06-12 2016-02-04 株式会社Adeka 感光性組成物
WO2013187209A1 (fr) * 2012-06-12 2013-12-19 株式会社Adeka Composition photosensible
JPWO2014034688A1 (ja) * 2012-08-30 2016-08-08 東京応化工業株式会社 基板表面の改質方法、改質膜、及び基板表面の改質に用いられる被覆溶液
WO2014034688A1 (fr) * 2012-08-30 2014-03-06 東京応化工業株式会社 Procédé de modification de surface de substrat, film de modification et solution de revêtement utilisés pour une modification de surface de substrat
JP2014157242A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
JPWO2018143359A1 (ja) * 2017-02-03 2019-11-21 日産化学株式会社 ウレア結合を有する構造単位を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
JP7128447B2 (ja) 2017-02-03 2022-08-31 日産化学株式会社 ウレア結合を有する構造単位を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
WO2019124514A1 (fr) * 2017-12-20 2019-06-27 日産化学株式会社 Composition pour former un film de revêtement contenant du silicium photodurcissable
JPWO2019124514A1 (ja) * 2017-12-20 2021-01-14 日産化学株式会社 光硬化性シリコン含有被覆膜形成組成物
JP7315900B2 (ja) 2017-12-20 2023-07-27 日産化学株式会社 光硬化性シリコン含有被覆膜形成組成物
JP2020041125A (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 エボニック オペレーションズ ゲーエムベーハー シラン官能性ポリウレタン架橋剤のスズフリー触媒反応
JP7513378B2 (ja) 2018-09-10 2024-07-09 エボニック オペレーションズ ゲーエムベーハー シラン官能性ポリウレタン架橋剤のスズフリー触媒反応
WO2021193030A1 (fr) * 2020-03-27 2021-09-30 Jsr株式会社 Composition de formation d'un film de sous-couche de réserve pour lithographie à faisceau d'électrons ou extrême ultraviolet, film de sous-couche de réserve pour lithographie à faisceau d'électrons ou extrême ultraviolet, et procédé de production de substrat semi-conducteur
JPWO2021193030A1 (fr) * 2020-03-27 2021-09-30
JP7622733B2 (ja) 2020-03-27 2025-01-28 Jsr株式会社 電子線又は極端紫外線リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、電子線又は極端紫外線リソグラフィー用レジスト下層膜、及び半導体基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100099240A (ko) 2010-09-10
JP5252234B2 (ja) 2013-07-31
KR101524712B1 (ko) 2015-06-01
TWI450042B (zh) 2014-08-21
JPWO2009069712A1 (ja) 2011-04-14
TW200941145A (en) 2009-10-01
CN101878451B (zh) 2013-04-24
CN101878451A (zh) 2010-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009069712A1 (fr) Composition contenant du silicium comprenant de l'isocyanato bloqué pour la formation de sous-couche de résist
TW200951624A (en) Resist underlayer film forming composition containing silicone having urea group
TW200508315A (en) Organosilicon compound - curing composition and silicone-base coating composition
TW200734438A (en) Metal-polishing liquid and chemical-mechanical polishing method using the same
EP2072582A4 (fr) Composition polymère comprenant un produit de condensation d'un alcoxyde métallique, un composé organosilane et un composé du bore
IN2012DN05119A (fr)
MY145123A (en) Adhesion-promoting agent, curable organopolysiloxane composition, and semiconductor device
WO2009034998A1 (fr) Composition contenant un polymère ayant un groupe sylile azoté pour la formation d'un film de sous-couche de résist
WO2008123552A1 (fr) Matériau adhésif, feuille adhésive et utilisation de ladite feuille adhésive
EP1505122A4 (fr) Composition au silicium pouvant etre soumise a traitement, pour la production de materiaux magnetiques composites mous, et materiaux magnetiques composites mous
WO2006107083A3 (fr) Modificateur de surface
EP1193302A3 (fr) Revêtement résistant à la contamination par les peintures, les matières nuisibles, les huiles, l'eau et/ou salissure
EP2055741A4 (fr) Composition durcissable
WO2004090965A3 (fr) Formulation de resine d'organosilicate s'utilisant dans des dispositifs microelectroniques
TW200745291A (en) Antifouling property-imparting agent, antifouling coating composition, antifouling coating film and coated product therewith
MY146276A (en) Antifouling paint composition, antifouling coating film, substrate with coating film, antifouling substrate, forming method of coating film on the surface of the substrate and antifouling method of substrate
WO2008112400A9 (fr) Composés fluorochimiques ayant des groupes silyle pendants
WO2008090812A1 (fr) Composition de revêtement
JP2016521682A5 (fr)
PT1672017E (pt) Misturas de borracha
TW200740693A (en) Coating liquid for forming low dielectric constant amorphous silica coating film and low dielectric constant amorphous silica coating film obtained from such coating liquid
EP2085411A3 (fr) Matériau de revêtement à base de métal, procédé de protection du métal, et dispositif electroluminescent
BRPI0815529A2 (pt) "processo de biorremediação de solos contaminados, processo de biorremediação de águas superficiais ou subterrâneas contaminadas por compostos orgânicos e/ou inorgânicos, composição e uso de um substrato natural".
TW201612216A (en) Silicon-containing resist underlayer film forming composition having chromophore containing phenyl group
MX2010001344A (es) Compuesto de acido fenilacetico.

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200880118089.4

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08854850

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009543854

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107014591

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08854850

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1