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WO2009069510A1 - 加工対象物切断方法 - Google Patents

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Abstract

 加工対象物を精度よく切断することができる加工対象物切断方法を提供する。加工対象物1に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物1の外縁Eから所定の距離内側に外縁に沿って設定された改質領域形成ライン15に沿って、加工対象物1に改質領域を形成し、切断予定ライン5に沿って加工対象物1に切断用改質領域を形成し、切断用改質領域を起点として、切断予定ライン5に沿って加工対象物1を切断する。このように、加工対象物1の外縁Eから所定の距離内側に設定された改質領域形成ライン15に沿って、加工対象物1に改質領域を形成することで、加工対象物1を切断するに際して加工対象物1に切断応力が加えられても、形成された改質領域又は改質領域から延びる亀裂によって、加工対象物1の外縁部25で生じた亀裂が内側に伸展するのを抑制することができる。
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US12/744,727 US8828306B2 (en) 2007-11-30 2008-11-18 Working object cutting method
EP08854973.8A EP2228167B1 (en) 2007-11-30 2008-11-18 Working object cutting method for cutting a planar working object using a laser beam converged within this object
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013027645A1 (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 旭硝子株式会社 ガラス基板の切断方法、固体撮像装置用光学ガラス
JP2016021501A (ja) * 2014-07-15 2016-02-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
DE60335538D1 (de) * 2002-03-12 2011-02-10 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
EP1609559B1 (en) 2003-03-12 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K. K. Laser beam machining method
WO2005007335A1 (ja) * 2003-07-18 2005-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び加工生産物
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
ATE556807T1 (de) 2004-03-30 2012-05-15 Hamamatsu Photonics Kk Laserverarbeitungsverfahren
KR101109860B1 (ko) * 2004-08-06 2012-02-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법, 가공 대상물 절단 방법 및 반도체 장치
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US7897487B2 (en) 2006-07-03 2011-03-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2008035679A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN101522362B (zh) * 2006-10-04 2012-11-14 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5632751B2 (ja) 2009-02-09 2014-11-26 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2010116917A1 (ja) 2009-04-07 2010-10-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP2011134955A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd 板状材料からのチップ状部品の生産方法
JP2011189477A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Disco Corp マイクロマシンデバイスの製造方法
DE102010032029B4 (de) * 2010-07-21 2012-09-13 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zum Trennen einer runden Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere rechteckige Einzelplatten mittels Laser
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5823749B2 (ja) * 2011-07-11 2015-11-25 株式会社ディスコ 光デバイス基板の分割方法
JP2013055160A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Canon Inc 光透過性部材、光学装置およびそれらの製造方法
JP5887928B2 (ja) * 2011-12-28 2016-03-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
CN102699526A (zh) * 2012-06-01 2012-10-03 苏州德龙激光有限公司 利用激光切割加工对象物的方法和装置
JP5934053B2 (ja) * 2012-08-14 2016-06-15 セイコープレシジョン株式会社 X線処理装置
JP6084401B2 (ja) * 2012-08-30 2017-02-22 浜松ホトニクス株式会社 側面入射型のフォトダイオードの製造方法
CN104968621A (zh) * 2013-02-04 2015-10-07 旭硝子株式会社 玻璃基板的切断方法、玻璃基板、近红外线截止滤波器玻璃、玻璃基板的制造方法
DE102013207480A1 (de) * 2013-04-24 2014-10-30 Smartrac Technology Gmbh Verfahren zur Vereinzelung eines Wafers in Chips
JP2014236034A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2015046088A1 (ja) 2013-09-25 2015-04-02 旭硝子株式会社 光学ガラス
WO2015080043A1 (ja) 2013-11-26 2015-06-04 旭硝子株式会社 ガラス部材およびガラス部材の製造方法
KR101650076B1 (ko) * 2014-06-10 2016-08-22 한국미쯔보시다이아몬드공업(주) 취성 재료 기판의 가공방법
USD720313S1 (en) * 2014-06-16 2014-12-30 Emcore Solar Power, Inc. Semiconductor wafer with dicing positions for solar cell fabrication
US9165832B1 (en) * 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
JP6360411B2 (ja) * 2014-10-09 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
TWD174921S (zh) * 2014-12-17 2016-04-11 日本碍子股份有限公司 複合基板之部分
JP6552250B2 (ja) * 2015-04-09 2019-07-31 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6478801B2 (ja) * 2015-05-19 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6572032B2 (ja) * 2015-07-09 2019-09-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6482423B2 (ja) * 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6397460B2 (ja) * 2016-11-04 2018-09-26 浜松ホトニクス株式会社 半導体ウエハ
JP6957187B2 (ja) 2017-04-18 2021-11-02 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法、及び、シリコンチップ
KR102719938B1 (ko) 2018-03-14 2024-10-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
CN112005344B (zh) 2018-04-27 2023-11-17 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法
JP7109537B2 (ja) 2018-04-27 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
TWI837149B (zh) 2018-07-19 2024-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法
US10589445B1 (en) * 2018-10-29 2020-03-17 Semivation, LLC Method of cleaving a single crystal substrate parallel to its active planar surface and method of using the cleaved daughter substrate
CN113056346B (zh) * 2018-10-30 2023-12-15 浜松光子学株式会社 激光加工装置及激光加工方法
KR20240132114A (ko) * 2018-10-30 2024-09-02 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP7120903B2 (ja) 2018-10-30 2022-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
WO2020090894A1 (ja) 2018-10-30 2020-05-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
CN113195152B (zh) 2018-12-21 2023-05-05 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
US12020936B2 (en) 2018-12-21 2024-06-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2020102536A (ja) * 2018-12-21 2020-07-02 国立大学法人東海国立大学機構 レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び半導体対象物
KR102851263B1 (ko) 2018-12-21 2025-08-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 주연 제거 장치 및 주연 제거 방법
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
TWI816968B (zh) 2019-01-23 2023-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI809251B (zh) 2019-03-08 2023-07-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2020150168A (ja) 2019-03-14 2020-09-17 キオクシア株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2020150224A (ja) 2019-03-15 2020-09-17 キオクシア株式会社 半導体装置
KR102839396B1 (ko) 2019-03-28 2025-07-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 장치 및 처리 방법
WO2020213478A1 (ja) 2019-04-19 2020-10-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
CN114173982B (zh) * 2019-07-29 2023-08-11 Ws光学技术有限责任公司 用于射束加工板状或管状工件的方法
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
TWI855139B (zh) 2019-10-28 2024-09-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理系統
JP7368246B2 (ja) * 2020-01-22 2023-10-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
GB2592905A (en) * 2020-01-31 2021-09-15 Smart Photonics Holding B V Processing a wafer of a semiconductor material
JP7401372B2 (ja) * 2020-03-26 2023-12-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN113751889B (zh) * 2020-05-29 2025-05-06 京东方科技集团股份有限公司 基板及其切割方法、电子器件及电子设备
CN112935528B (zh) * 2021-01-29 2023-05-23 西安工业大学 一种针对厚度较大晶圆进行高质量切割的方法和装置
CN115346892A (zh) * 2021-05-14 2022-11-15 日扬科技股份有限公司 固体结构的加工装置及加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227769A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Denso Corp 半導体ウェハのダイシング方法
JP2007227768A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Denso Corp 半導体ウェハのダイシング方法
JP2007235069A (ja) 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
JP2007258236A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Denso Corp 半導体基板の分断方法およびその分断方法で作製された半導体チップ

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
JPH0499047A (ja) * 1990-08-07 1992-03-31 Meidensha Corp 半導体製造方法
JPH0866848A (ja) * 1994-08-30 1996-03-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方向検出システム
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
JP4396953B2 (ja) 1998-08-26 2010-01-13 三星電子株式会社 レーザ切断装置および切断方法
US6562698B2 (en) * 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
WO2003076118A1 (en) 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
DE60335538D1 (de) 2002-03-12 2011-02-10 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
WO2004050291A1 (ja) 2002-12-05 2004-06-17 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工装置
JP2004188422A (ja) 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
EP1609559B1 (en) 2003-03-12 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K. K. Laser beam machining method
WO2005007335A1 (ja) 2003-07-18 2005-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び加工生産物
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
JP4160597B2 (ja) 2004-01-07 2008-10-01 浜松ホトニクス株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
ATE556807T1 (de) 2004-03-30 2012-05-15 Hamamatsu Photonics Kk Laserverarbeitungsverfahren
KR20070005712A (ko) 2004-03-30 2007-01-10 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 반도체 칩
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101109860B1 (ko) 2004-08-06 2012-02-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법, 가공 대상물 절단 방법 및 반도체 장치
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2007096115A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4878187B2 (ja) * 2006-03-20 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、堆積物モニタ装置、及び堆積物モニタ方法
US7897487B2 (en) 2006-07-03 2011-03-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2008035679A1 (fr) 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN101522362B (zh) 2006-10-04 2012-11-14 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227769A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Denso Corp 半導体ウェハのダイシング方法
JP2007227768A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Denso Corp 半導体ウェハのダイシング方法
JP2007235069A (ja) 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
JP2007258236A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Denso Corp 半導体基板の分断方法およびその分断方法で作製された半導体チップ

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Silicon Processing Characteristic Evaluation by Picosecond Pulse Laser", PREPRINTS OF THE NATIONAL MEETINGS OF JAPAN WELDING SOCIETY, vol. 66, April 2000 (2000-04-01), pages 72 - 73
D. DU; X. LIU; G. KORN; J. SQUIER; G. MOUROU: "Laser Induced Breakdown by Impact Ionization in Si02 with Pulse Widths from 7 ns to 150 fs", APPL. PHYS. LETT., vol. 64, no. 23, 6 June 1994 (1994-06-06), XP055214713, DOI: doi:10.1063/1.111350
See also references of EP2228167A4

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013027645A1 (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 旭硝子株式会社 ガラス基板の切断方法、固体撮像装置用光学ガラス
JPWO2013027645A1 (ja) * 2011-08-19 2015-03-19 旭硝子株式会社 ガラス基板の切断方法、固体撮像装置用光学ガラス
JP2016021501A (ja) * 2014-07-15 2016-02-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Also Published As

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