WO2009069510A1 - 加工対象物切断方法 - Google Patents
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013027645A1 (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の切断方法、固体撮像装置用光学ガラス |
| JP2016021501A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Families Citing this family (94)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
| WO2003076119A1 (fr) | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede de decoupe d'objet traite |
| EP3252806B1 (en) | 2002-03-12 | 2019-10-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | 濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Cutting method of semiconductor substrate |
| FR2852250B1 (fr) | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
| CN1758985A (zh) | 2003-03-12 | 2006-04-12 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
| US7605344B2 (en) * | 2003-07-18 | 2009-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product |
| JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
| JP4598407B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP4601965B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP4509578B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| WO2005098916A1 (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及び半導体チップ |
| JP4200177B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2008-12-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体装置 |
| JP4762653B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP4907965B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4804911B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP4907984B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
| JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| US7897487B2 (en) | 2006-07-03 | 2011-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
| JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| WO2008035679A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K. K. | Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser |
| JP5101073B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP4964554B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP5132911B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| EP2070636B1 (en) * | 2006-10-04 | 2015-08-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
| JP5336054B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
| JP5449665B2 (ja) | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP5134928B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
| JP5692969B2 (ja) | 2008-09-01 | 2015-04-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム |
| JP5254761B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-08-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP5241527B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| US8728914B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-05-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Workpiece cutting method |
| KR101769158B1 (ko) | 2009-04-07 | 2017-08-17 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 |
| JP5491761B2 (ja) | 2009-04-20 | 2014-05-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP2011134955A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状材料からのチップ状部品の生産方法 |
| JP2011189477A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Disco Corp | マイクロマシンデバイスの製造方法 |
| DE102010032029B4 (de) * | 2010-07-21 | 2012-09-13 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Verfahren zum Trennen einer runden Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere rechteckige Einzelplatten mittels Laser |
| US8722516B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-05-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
| JP5823749B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2015-11-25 | 株式会社ディスコ | 光デバイス基板の分割方法 |
| JP2013055160A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Canon Inc | 光透過性部材、光学装置およびそれらの製造方法 |
| JP5887928B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-03-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法 |
| CN102699526A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-03 | 苏州德龙激光有限公司 | 利用激光切割加工对象物的方法和装置 |
| JP5934053B2 (ja) * | 2012-08-14 | 2016-06-15 | セイコープレシジョン株式会社 | X線処理装置 |
| JP6084401B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2017-02-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 側面入射型のフォトダイオードの製造方法 |
| CN104968621A (zh) * | 2013-02-04 | 2015-10-07 | 旭硝子株式会社 | 玻璃基板的切断方法、玻璃基板、近红外线截止滤波器玻璃、玻璃基板的制造方法 |
| DE102013207480A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Smartrac Technology Gmbh | Verfahren zur Vereinzelung eines Wafers in Chips |
| JP2014236034A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP6406263B2 (ja) | 2013-09-25 | 2018-10-17 | Agc株式会社 | 光学ガラス |
| JP6390623B2 (ja) | 2013-11-26 | 2018-09-19 | Agc株式会社 | ガラス部材およびガラス部材の製造方法 |
| KR101650076B1 (ko) * | 2014-06-10 | 2016-08-22 | 한국미쯔보시다이아몬드공업(주) | 취성 재료 기판의 가공방법 |
| USD720313S1 (en) * | 2014-06-16 | 2014-12-30 | Emcore Solar Power, Inc. | Semiconductor wafer with dicing positions for solar cell fabrication |
| US9165832B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser |
| JP6360411B2 (ja) * | 2014-10-09 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| TWD174921S (zh) * | 2014-12-17 | 2016-04-11 | 日本碍子股份有限公司 | 複合基板之部分 |
| JP6552250B2 (ja) * | 2015-04-09 | 2019-07-31 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP6478801B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6572032B2 (ja) * | 2015-07-09 | 2019-09-04 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP6482423B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
| JP6397460B2 (ja) * | 2016-11-04 | 2018-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体ウエハ |
| JP6957187B2 (ja) * | 2017-04-18 | 2021-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | チップの製造方法、及び、シリコンチップ |
| KR102719938B1 (ko) | 2018-03-14 | 2024-10-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 |
| KR102760744B1 (ko) | 2018-04-27 | 2025-02-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
| KR102656400B1 (ko) | 2018-04-27 | 2024-04-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
| CN112400217B (zh) | 2018-07-19 | 2024-08-13 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理系统和基板处理方法 |
| US10589445B1 (en) * | 2018-10-29 | 2020-03-17 | Semivation, LLC | Method of cleaving a single crystal substrate parallel to its active planar surface and method of using the cleaved daughter substrate |
| WO2020090894A1 (ja) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| TWI856985B (zh) | 2018-10-30 | 2024-10-01 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 雷射加工裝置及雷射加工方法 |
| WO2020090902A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP7285067B2 (ja) | 2018-10-30 | 2023-06-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP2020102536A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 国立大学法人東海国立大学機構 | レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び半導体対象物 |
| US12377497B2 (en) | 2018-12-21 | 2025-08-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN113165109B (zh) | 2018-12-21 | 2023-06-27 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| KR102741054B1 (ko) | 2018-12-21 | 2024-12-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
| US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| TWI816968B (zh) | 2019-01-23 | 2023-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| TWI809251B (zh) | 2019-03-08 | 2023-07-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| JP2020150168A (ja) | 2019-03-14 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2020150224A (ja) | 2019-03-15 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
| CN113518686B (zh) | 2019-03-28 | 2023-05-26 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置和处理方法 |
| KR102814022B1 (ko) | 2019-04-19 | 2025-05-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치 및 처리 방법 |
| US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| JP7387870B2 (ja) * | 2019-07-29 | 2023-11-28 | ダブリュ・エス・オプティクス テクノロジーズ ゲー・エム・ベー・ハー | 板状または管状のワークピースをビーム加工するための方法 |
| JP7286464B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-06-05 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| TWI855139B (zh) | 2019-10-28 | 2024-09-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理系統 |
| JP7368246B2 (ja) * | 2020-01-22 | 2023-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| GB2592905A (en) * | 2020-01-31 | 2021-09-15 | Smart Photonics Holding B V | Processing a wafer of a semiconductor material |
| JP7401372B2 (ja) * | 2020-03-26 | 2023-12-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| CN113751889B (zh) * | 2020-05-29 | 2025-05-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其切割方法、电子器件及电子设备 |
| CN112935528B (zh) * | 2021-01-29 | 2023-05-23 | 西安工业大学 | 一种针对厚度较大晶圆进行高质量切割的方法和装置 |
| CN115346892A (zh) * | 2021-05-14 | 2022-11-15 | 日扬科技股份有限公司 | 固体结构的加工装置及加工方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227769A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Denso Corp | 半導体ウェハのダイシング方法 |
| JP2007227768A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Denso Corp | 半導体ウェハのダイシング方法 |
| JP2007235069A (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
| JP2007258236A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Denso Corp | 半導体基板の分断方法およびその分断方法で作製された半導体チップ |
Family Cites Families (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4546231A (en) * | 1983-11-14 | 1985-10-08 | Group Ii Manufacturing Ltd. | Creation of a parting zone in a crystal structure |
| JPH0499047A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-31 | Meidensha Corp | 半導体製造方法 |
| JPH0866848A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方向検出システム |
| KR0171947B1 (ko) | 1995-12-08 | 1999-03-20 | 김주용 | 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치 |
| US6407360B1 (en) * | 1998-08-26 | 2002-06-18 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Laser cutting apparatus and method |
| US6562698B2 (en) * | 1999-06-08 | 2003-05-13 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Dual laser cutting of wafers |
| JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| TWI326626B (en) * | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
| WO2003076119A1 (fr) | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede de decoupe d'objet traite |
| EP3252806B1 (en) * | 2002-03-12 | 2019-10-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| JP4509573B2 (ja) | 2002-03-12 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板、半導体チップ、及び半導体デバイスの製造方法 |
| TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | 濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Cutting method of semiconductor substrate |
| WO2004050291A1 (ja) * | 2002-12-05 | 2004-06-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工装置 |
| JP2004188422A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| FR2852250B1 (fr) * | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
| CN1758985A (zh) * | 2003-03-12 | 2006-04-12 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
| US7605344B2 (en) * | 2003-07-18 | 2009-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product |
| JP4563097B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
| JP2005086175A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子 |
| JP4160597B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2008-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP4509578B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP4598407B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP4601965B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| KR101336402B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2013-12-04 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 및 반도체 칩 |
| WO2005098916A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及び半導体チップ |
| JP4536407B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び加工対象物 |
| JP4634089B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2011-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4200177B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2008-12-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体装置 |
| JP4754801B2 (ja) | 2004-10-13 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4917257B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2012-04-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4781661B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2011-09-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4198123B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2008-12-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4776994B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-09-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
| JP4749799B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2011-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4762653B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2007096115A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4237745B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4907965B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4804911B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP4907984B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
| JP4878187B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2012-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、堆積物モニタ装置、及び堆積物モニタ方法 |
| US7897487B2 (en) * | 2006-07-03 | 2011-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
| JP5183892B2 (ja) * | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4954653B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| WO2008035679A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K. K. | Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser |
| JP5101073B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP5132911B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP4964554B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| EP2070636B1 (en) * | 2006-10-04 | 2015-08-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
| JP5336054B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
| JP4402708B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
| JP5225639B2 (ja) * | 2007-09-06 | 2013-07-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP5342772B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
| JP5449665B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP5134928B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
| JP5241525B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
-
2007
- 2007-11-30 JP JP2007311645A patent/JP5054496B2/ja active Active
-
2008
- 2008-11-18 US US12/744,727 patent/US8828306B2/en active Active
- 2008-11-18 CN CN200880118283.2A patent/CN101878090B/zh active Active
- 2008-11-18 WO PCT/JP2008/070950 patent/WO2009069510A1/ja not_active Ceased
- 2008-11-18 EP EP08854973.8A patent/EP2228167B1/en active Active
- 2008-11-18 KR KR1020107010360A patent/KR101548397B1/ko active Active
- 2008-11-26 TW TW097145777A patent/TWI476085B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227769A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Denso Corp | 半導体ウェハのダイシング方法 |
| JP2007227768A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Denso Corp | 半導体ウェハのダイシング方法 |
| JP2007235069A (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
| JP2007258236A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Denso Corp | 半導体基板の分断方法およびその分断方法で作製された半導体チップ |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| "Silicon Processing Characteristic Evaluation by Picosecond Pulse Laser", PREPRINTS OF THE NATIONAL MEETINGS OF JAPAN WELDING SOCIETY, vol. 66, April 2000 (2000-04-01), pages 72 - 73 |
| D. DU; X. LIU; G. KORN; J. SQUIER; G. MOUROU: "Laser Induced Breakdown by Impact Ionization in Si02 with Pulse Widths from 7 ns to 150 fs", APPL. PHYS. LETT., vol. 64, no. 23, 6 June 1994 (1994-06-06), XP055214713, DOI: doi:10.1063/1.111350 |
| See also references of EP2228167A4 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013027645A1 (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の切断方法、固体撮像装置用光学ガラス |
| JPWO2013027645A1 (ja) * | 2011-08-19 | 2015-03-19 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の切断方法、固体撮像装置用光学ガラス |
| JP2016021501A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2228167A1 (en) | 2010-09-15 |
| KR20100093041A (ko) | 2010-08-24 |
| CN101878090B (zh) | 2015-04-22 |
| JP2009135342A (ja) | 2009-06-18 |
| TW200932461A (en) | 2009-08-01 |
| EP2228167A4 (en) | 2015-08-26 |
| EP2228167B1 (en) | 2016-12-21 |
| CN101878090A (zh) | 2010-11-03 |
| TWI476085B (zh) | 2015-03-11 |
| KR101548397B1 (ko) | 2015-08-28 |
| US20100301521A1 (en) | 2010-12-02 |
| JP5054496B2 (ja) | 2012-10-24 |
| US8828306B2 (en) | 2014-09-09 |
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| TW200802570A (en) | Laser scribing method, laser scribing apparatus and substrate cut by using such method or apparatus | |
| WO2008146744A1 (ja) | 切断用加工方法 | |
| WO2009057558A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
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