WO2009069509A1 - 加工対象物研削方法 - Google Patents
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/744,714 US8523636B2 (en) | 2007-11-30 | 2008-11-18 | Working object grinding method |
| EP08853744.4A EP2236243A4 (en) | 2007-11-30 | 2008-11-18 | METHOD FOR GRINDING A WORKPIECE |
| CN2008801182847A CN101878092B (zh) | 2007-11-30 | 2008-11-18 | 加工对象物研磨方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007-311643 | 2007-11-30 | ||
| JP2007311643A JP5134928B2 (ja) | 2007-11-30 | 2007-11-30 | 加工対象物研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2009069509A1 true WO2009069509A1 (ja) | 2009-06-04 |
Family
ID=40678411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2008/070947 Ceased WO2009069509A1 (ja) | 2007-11-30 | 2008-11-18 | 加工対象物研削方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8523636B2 (ja) |
| EP (1) | EP2236243A4 (ja) |
| JP (1) | JP5134928B2 (ja) |
| KR (1) | KR101607341B1 (ja) |
| CN (1) | CN101878092B (ja) |
| TW (1) | TWI471195B (ja) |
| WO (1) | WO2009069509A1 (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 200880118284.7 Country of ref document: CN |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 08853744 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20107010361 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 12010501223 Country of ref document: PH |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| REEP | Request for entry into the european phase |
Ref document number: 2008853744 Country of ref document: EP |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2008853744 Country of ref document: EP |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 12744714 Country of ref document: US |