WO2009048164A1

WO2009048164A1 - 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子

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Publication number: WO2009048164A1
Application number: PCT/JP2008/068805
Authority: WO
Inventors: Shota Moriwaki; Daisuke Fukushima
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2007-10-10
Filing date: 2008-10-09
Publication date: 2009-04-16
Anticipated expiration: 2010-04-10
Also published as: TW200927785A; EP2202257A1; EP2202257A4; US20100207516A1; JP2009108313A; CN101821313A; KR20100077192A

Abstract

式（２）で表される繰り返し単位および式（３）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位と式（１）で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。（１）〔Ｒ3はアルキル基を表し、Ｒ11およびＲ2は、アルキル基、アルコキシ基等を表し、ａおよびｂは、０～３の整数を表す。Ｚは−Ｏ−または−Ｓ−を表す。〕（２）〔Ａ環およびＢ環は、芳香族炭化水素環を表すが、Ａ環およびＢ環の少なくとも１つが、複数個のベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環である。ＲwおよびＲxは、水素原子、アルキル基等を表す。ＲwとＲxは互いに結合して環を形成していてもよい。〕（３）〔Ｃ環およびＤ環は、芳香環を表し、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−等を表す。〕

Description

明細鲁高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子技術分野

本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子に関する。背景技術

高分子発光素子に用いる材料として様々な高分子化合物が検討されており、その例として、繰り返し単位としてフルオレンジィル基と、 N位にアルキル基を有するフヱノキサジンジィノレ基とを含む高分子化合物が知られている（非特許文献 1参照）。

〔非特許文献 l〕 Ma c r omo l e c u l e s ; 2005, 38， 798 3-7991. 発明の開示

し力しながら、上記の高分子化合物を高分子発光素子に用いたとき、その発光効率は必ずしも十分なものではなかった。

本発明の目的は、発光効率が高い高分子発光素子を与える高分子化合物を提供することにある。即ち本発明は第一に、式（2) で表される繰り返し単位および式（3) で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる 1種以上の繰り返し単位と、式（1) で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物を提供する。

〔式（1 ) 中、 R³はアルキル基を表し、 R¹および R²は、それぞれ独立に、了ノレキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、了リ一ルアルコキシ基、ァリールアルキルチォ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキ-ル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基または-トロ基を表し、 aおよび bは、それぞれ独立に、 0 〜 3の整数を表す。 Zは— O—または _ S—を表す。 R¹が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、 R²が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔式（2 ) 中、 A環おょぴ B環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表すが、 A環おょぴ B環の少なくとも 1つが、複数個のベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環であり、 2つの結合手はそれぞれ A環または B環上に存在する。 R_wおよび R_xは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキュル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、ァミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシァノ基を表す。 R_wと R_xは互いに結合して環を形成していてもよい。〕

〔式（3 ) 中、 C環おょぴ D環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表し、 2つの結合手はそれぞれ C環または D環上に存在する。 Xは、一 o—、一 s—、一 s (= o) 一、一 s (= o) ₂—、

一 S i (R⁴) ₂— S i (R⁴) ₂—、一 S i (R⁴ ) ₂—、一 B (R⁴ ) —、一 P (R⁴ ) 一、一 P (= O) (R⁴ ) 一、 - O - C (R⁴ ) ₂—、

一 N= C (R⁴ ) 一であり、 R⁴は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換力ルポキシル基、ニトロ基おょぴシァノ基を表す。複数個存在する R⁴は、同一であっても異なっていてもよい。〕本発明は第二に、前記高分子化合物を含有する組成物を提供する。本発明は第三に、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に前記高分子化合物を含む層を有する高分子発光素子を提供する。本発明は第四に、前記高分子化合物と溶媒とを含む液状組成物を提供する本発明は第五に、前記高分子化合物を含む薄膜を提供する。本発明は第六に、前記高分子化合物を含む有機トランジスタを提供する。本発明は第七に、前記高分子化合物を含む太陽電池を提供する。発明を実施するための形態

本発明の高分子化合物は、式（1 ) で表される繰返し単位を含む。前記式（1 ) 中、 R¹および R²は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチォ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、

ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリ一ルアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基または-トロ基を表す。 R¹が複数個存在する場合、それらは同一でも異なつていてもよい。また、 R²が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ここで、アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。炭素数は通常 1 〜 2 0程度であり、アルキル基としては、メチル基、ェチル基、 n—プロピル基、 i 一プロピル基、 n—ブチル基、 i 一プチル基、 t—ブチル基、 s—ブチル基、 3—メチルブチル基、 n—ペンチル基、 n —へキシル基、 2—ェチルへキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、 n—ノ-ル基、 n— デシル基、 3 ， 7—ジメチルォクチル基、 n—ラウリル基が挙げられる。前記ァルキル基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。フッ素原子で置換されたアルキル基としては、トリフルォロメチル基、ペンタフルォロェチル基、パーフルォロブチル基、パーフルォ口へキシル基、パーフルォロォクチル基が挙げられる。アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルォキシ基であつてもよい。炭素数は通常 1〜2 0程度であり、アルコキシ基としては、メトキシ基、ェトキシ基、 11一プロピルォキシ基、 i 一プロピルォキシ基、 n—ブトキシ基、 i—ブトキシ基、 s—ブトキシ基、 t一ブトキシ基、

n—ペンチルォキシ基、 n—へキシルォキシ基、シクロへキシルォキシ基、 n— ヘプチルォキシ基、 n—オタチノレオキシ基、 2—ェチルへキシルォキシ基、 n - ノニルォキシ基、 n—デシルォキシ基、 3 , 7—ジメチルォクチルォキシ基、 n 一ラウリルォキシ基が挙げられる。前記アルコキシ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。フッ素原子で置換されたアルコキシ基としては、トリフルォロメトキシ基、ペンタフルォロエトキシ基、パーフルォロプトキシ基、ノ一フルォ口へキシル基、バーフルォロォクチル基が挙げられる。アルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であつてもよレ、。炭素数は通常 1〜2 0程度であり、アルキルチオ基としては、メチルチォ基、ェチルチオ基、 n—プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、 n—ブチルチォ基、ィソブチルチオ基、 s—プチルチオ基、 t一プチルチオ基、 n—ペンチルチオ基、 n—へキシルチオ基、、ンク口へキシルチオ基、 n一へプチルチオ基、 n—ォクチルチオ基、 2—ェチルへキシルチオ基、 n—ノ-ルチオ基、 n—デシルチオ基、 3， 7—ジメチルォクチルチオ基、 n—ラウリルチオ基等が挙げられる。前記アルキルチオ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。フッ素原子で置換されたアルキルチオ基としては、トリフルォロメチルチオ基が挙げられる。ァリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子 1個を除いた原子団であり、ベンゼン環を持つもの、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又はビ-レン基等の 2価の基を介して結合したものも含まれる。ァリール基は、炭素数が通常 6〜 6 0程度であり、好ましくは 6〜4 8である。前記ァリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、炭素数 1〜2 0 の直鎖状、分岐状のアルキル基又は炭素数 1〜 2 0のシクロアルキル基、炭素数 1〜 2 0の直鎖状、分岐状のアルキル基又は炭素数 1〜 2 0のシクロアルキル基をその構造中に含むアルコキシ基、下記式（5 ) で表される基があげられる。

-0 -(CH₂)_g—O—(CH₂)_h— CH₃

( 5 )

(式（5 ) 中、 gは 1〜6の整数を表し、 hは 0〜5の整数を表す。）ァリール基としては、フエニル基、 C i C アルコキシフエ-ル基（じ丄〜じ^ は、炭素数 1〜1 2であることを示す。以下も同様である。 ) 、 ^〜〇_{1 2}アルキルフエニル基、 1一ナフチル基、 2—ナフチル基、 1一アントラセニル基、 2 一アントラセニル基、 9一アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられ、〜じ^アルコキシフエ二ノレ基、〜 ₂アルキルフエ二ノレ基が好ましい。 C ₁〜C _{1 2}アルコキシフエュル基としては、メトキシフエ-ル基、ェトキシフエ二ル基、 n—プロピノレオキシフエニル基、

イソプロピルォキシフエ-ル基、 n—プトキシフエ-ル基、イソブトキシフエ二ノレ基、 s—ブトキシフエ-ノレ基、 t一ブトキシフエ二ノレ基、 n—ペンチノレォキシフエニル基、 n—へキシノレォキシフエ-ノレ基、

シクロへキシルォキシフエニル基、 n—ヘプチルォキシフエ二ノレ基、 n—ォクチルォキシフエニル基、 2—ェチルへキシルォキシフエ-ル基、 n—ノニルォキシフエ-ル基、 n一デシルォキシフエ-ル基、 3 , 7—ジメチルォクチルォキシフェニル基、 n—ラウリルォキシフエ-ル基があげられる。 ^〜じ_{1 2}アルキルフェニル基としてはメチルフヱニル基、ェチルフエ-ル基、ジメチルフエニル基、 n—プロピルフエニル基、メシチル基、メチルェチルフヱ-ル基、イソプロピルフエ-ル基、 n—プチルフエ二ル基、イソブチルフエニル基、 s—プチルフエ二ノレ基、 t一プチルフエ-ル基、 n—ペンチルフエ-ル基、イソアミルフヱ-ル基、へキシルフヱニル基、 n—ヘプチルフヱニル基、 n—ォクチルフエ二ノレ基、 n—ノユルフェ二ノレ基、 n—デシルフェェル基、 n— ドデシルフエ二ル基があげられる。前記ァリール基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。

ァリールォキシ基は、炭素数が通常 6〜 6 0程度であり、好ましくは 6〜 4 8 であり、ァリールォキシ基としては、フエノキシ基、 C ₁〜C _{1 2}アルコキシフエノキシ基、じ〜じ^アルキルフエノキシ基、 1一ナフチルォキシ基、 2—ナフチルォキシ基、ペンタフルオロフェニノレオキシ基が挙げられ、。！〜じアルコキシフエノキシ基、 C i〜C _{1 2}アルキルフエノキシ基が好ましい。。：〜アルコキシとしては、メトキシ、エトキシ、 n—プロピルォキシ、イソプロピルォキシ、 n—ブトキシ、イソブトキシ、 s—ブトキシ、 tープトキシ、 n—ペンチノレ才キシ、 n—へキシノレオキシ、シク口へキシノレオキシ、 n一へプチノレ才キシ、 n ーォクチノレ才キシ、 2一ェチルへキシノレオキシ、 n—ノニノレオキシ、 n—デシノレォキシ、 3 , 7—ジメチルォクチルォキシ、 n—ラウリルォキシ等が挙げられる。 C ₁〜C _{1 2}アルキルフエノキシ基としてはメチルフエノキシ基、ェチルフエノキシ基、ジメチルフエノキシ基、 n—プロピルフエノキシ基、 1 ， 3 , 5—トリメチルフエノキシ基、メチルェチルフエノキシ基、

イソプロピルフエノキシ基、 n一プチルフエノキシ基、

イソブチルフエノキシ基、 s—ブチルフエノキシ基、 t一ブチルフエノキシ基、 11一ペンチルフエノキシ基、イソアミルフエノキシ基、 n—へキシルフエノキシ基、 n—へプチノレフエノキシ基、 n—ォクチルフエノキシ基、 n—ノニノレフエノキシ基、 n—デシルフヱノキシ基、 n—ドデシルフヱノキシ基が挙げられる。ァリールチオ基は、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常 6〜 6 0程度であり、ァリールチオ基としては、フエ-ルチオ基、 C i C アルコキシフエ二ルチオ基、 C ₁〜C _{1 2}アルキルフエ-ルチオ基、

1一ナフチルチオ基、 2—ナフチルチオ基、ペンタフルォロフエ-ルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジ-ルチオ基、ピリミジルチォ基、ピラジルチオ基、トリァジルチオ基等挙げられるァリールアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常 7〜6 0程度であり、ァリールアルキル基としては、フェ二ルー C i〜 C アルキル基、 C, ~C₁₂アルコキシフエニル一 C 〜 C i ₂アルキル基、 C₁〜C₁₂アルキルフエニル一 Ci C^アルキル基、 1—ナフチル— C₁〜C₁₂アルキル基、 2一ナフチルー Ci〜C₁₂アルキル基が挙げられる。ァリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常 7〜6 0 程度であり、ァリールアルコキシ基としては、フエニル一 Ci Cuアルコキシ基、。！〜じァルコキシフェニルーじ〜じァルコキシ基、 C₁〜C₁₂アルキルフエ二ルー c₁〜c₁₂アルコキシ基、 1一ナフチルー C₁〜C₁₂アルコキシ基、 2一ナフチルー Ci〜C₁₂アルコキシ基が挙げられる。ァリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常 7〜6 0程度であり、ァリールアルキルチオ基としては、フエュルー Ci C アルキルチオ基、 c！〜 c i ₂アルコキシフェニル一 C i〜 C i ₂アルキルチオ基、。

C！ ₂アルキルフェ二ルー C！〜 C i ₂アルキルチオ基、 1一ナフチル— c₁〜c₁₂ァルキルチオ基、 2—ナフチルー C i〜 C i ₂アルキルチオ基等が挙げられる。ァリールァルケニル基は、炭素数が通常 8〜 6 0程度であり、ァリールァルケエル基としては、フエ-ルー C₂〜C₁₂ァルケ-ル基、 C₁〜C₁₂アルコキシフエ -ル— C₂〜C₁₂アルケニル基、 Ci〜G₁₂アルキルフェ二ルー C₂〜C₁₂ァルケ -ル基、 1一ナフチルー C₂〜C₁₂アルケニル基、 2—ナフチルー C₂〜C₁₂アルケニル基が挙げられ、 C₁〜C₁₂アルコキシフエ二ルー C₂〜C₁₂ァルケ-ル基、 C₂〜C₁₂アルキルフエニル一 Ci〜C₁₂アルケニル基が好ましい。ァリールアルキ-ル基は、炭素数が通常 8〜 6 0程度であり、ァリールアルキニル基としては、フエ二ルー C₂〜C₁₂アルキニル基、じ〜じ^アルコキシフエニル一 C₂〜C₁₂アルキニル基、 C 〜C₁₂アルキルフエニル一 c₂〜c₁₂アルキニル基、 1一ナフチルー C₂〜C₁₂アルキニル基、 2—ナフチルー C₂〜C₁₂アルキエル基が挙げられ、 c₁〜c₁₂アルコキシフエ二ルー c₂〜c₁₂アルキニル基、 Ci〜C₁₂アルキルフエ二ルー C₂〜C₁₂アルキニル基が好ましい。置換ァミノ基としては、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基おょぴ 1価の複素環基から選ばれる 1又は 2個の基で置換されたァミノ基が挙げられる。置換アミノ基が、 2個の基で置換されたァミノ基である場合、これらの 2個の基が結合して環を形成してもよい。該アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1価の複素環基は置換基を有していてもよレ、。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めないで通常 1〜60程度であり、好ましくは炭素数 2〜48である。置換アミノ基としては、メチルァミノ基、ジメチルァミノ基、ェチルァミノ基、ジェチルァミノ基、 n—プロピルアミノ基、ジ n—プロピルァミノ基、イソプロピルアミノ基、ジィソプロピルアミノ基、

n—ブチルァミノ基、 sーブチルァミノ基、ィソブチルァミノ基、 tーブチルァミノ基、 n—ペンチ/レアミノ基、 n—へキシルァミノ基、シクロへキシルァミノ基、 n—へプチルァミノ基、 n—ォクチルァミノ基、 2—ェチルへキシルァミノ基、 n—ノニルァミノ基、 n—デシルァミノ基、 3, 7—ジメチルォクチルアミノ基、 n—ラウリルアミノ基、シクロペンチルァミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロへキシルァミノ基、ジシクロへキシルァミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルォロメチルァミノ基、フエニルァミノ基、ジフエ-ルァミノ基、〜〇₁₂アルコキシフエニルァミノ基、ジ（^〜〇₁₂アルコキシフエニル) アミノ基、ジ ( C i〜 C i ₂アルキルフェ -ル) アミノ基、 1一ナフチルァミノ基、 2—ナフチルァミノ基、ペンタフルオロフェニルァミノ基、ピリジルァミノ基、ピリダジ -ノレアミノ基、ピリミジルァミノ基、ビラジルァミノ基、トリアジルァミノ基フエ-ルー〜：^アルキルアミノ基、。〜じアルコキシフェ-ル _^〜〇₁₂アルキルアミノ基、 c₁〜c₁₂アルキルフエ-ルー〜。^ アルキルアミノ基、ジ（C i〜C _{1 2}アルコキシフエ-ルー c₁〜c_{1 2}アルキル）了ミノ基、ジ ( C】〜 C！ ₂アルキルフェ二ルー C ,〜 C i ₂アルキル) アミノ基、 1一ナフチル— C i C uアルキルアミノ基、 2—ナフチルー〜〇_{1 2}アルキルアミノ基が拳げられる。置換シリル基としては、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基おょぴ

1価の複素環基から選ばれる 1 、 2又は 3個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常 1〜 6 0程度、好ましくは炭素数 3〜 4 8である。なお該アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ _n—プロビルシリル基、トリ—イソプロビルシリル基、ジメチル一ィソプロピリシリル基、ジェチルーィソプロビルシリル基、 tーブチノレシリノレジメチノレシリノレ基、 n一ペンチノレジメチノレシリノレ基、 n—へキシノレジメチルシリル基、 n一へプチルジメチルシリル基、

n—ォクチルジメチルシリル基、 2—ェチルへキシルージメチルシリル基、 n— ノニルジメチルシリル基、 n一デシルジメチルシリル基、 3， 7—ジメチルォクチノレージメチルシリル基、 n—ラウリルジメチルシリル基、フエ二ルー C !〜

₂アルキルシリル基、。〖〜アルコキシフヱ-ルー〜じアルキルシリノレ基、じ〜じアルキルフエ-ルー C i C uアルキルシリル基、 1一ナフチ /レ一 C ₁〜C _{1 2}アルキルシリル基、 2—ナフチルーじ〜じアルキルシリル基、フェ二ルー C i〜 C； ₂アルキルジメチルシリル基、トリフエエルシリル基、トリー pーキシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフエ-ルメチルシリル基、 t

ェ ' ¹ レ基、ジメチルフヱ-ルシリル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子ヨウ素原子が挙げら

アシノレ基は、炭素数が通常 2〜 2◦程度、好ましくは炭素数 2〜 1 8であり、ァシル基としては、ァセチル基、プロピオニル基、プチリル基、

イソプチリル基、ピパロイル基、ベンゾィル基、トリフルォロアセチル基、ペンタフルォロベンゾィル基が挙げられる。ァシルォキシ基は、炭素数が通常 2〜2 0程度、好ましくは炭素数 2〜1 8であり、ァシルォキシ基としては、ァセトキシ基、プロピオ-ルォキシ基、ブチリルォキシ基、ィソブチリルォキシ基、ビバロイルォキシ基、

ベンゾィルォキシ基、トリフルォロアセチルォキシ基、ペンタフノレォ口べンゾィルォキシ基が挙げられる。ィミン残基としては、ィミン化合物（即ち、分子内に、一 N = C—を持つ有機化合物のことをいい、その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらの N上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物が挙げられる。）から水素原子 1 個を'除いた残基が挙げられる。ィミン残基の炭素数は、通常、 2〜2 0程度であり、好ましくは 2〜1 8である。

ィミン残基としては、以下に示す基が挙げられる。

(式中、 M eはメチル基を表す。また、波線は、結合手を表し、ィミン残基の種類によっては、シス体、トランス体等の幾何異性体を持つ場合があることを意味する。 ) アミド基は、炭素数が通常 2〜 2 0程度、好ましくは 2〜1 8である。アミド基としては、ホルムアミド基、ァセトアミド基、プロピオアミド基、プチ口アミド基、ベンズアミド基、トリフルォロアセトアミド基、ペンタフルォ口べンズァミド基、ジホルムアミド基、ジァセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルォロアセトアミド基、ジペンタフルォ口べンズアミド基が挙げられる。酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子 1個を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が 4〜 2 0程度である。酸イミド基としては、以下に示す基が挙げられる。

1価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子 1個を除いた残りの原子団をいう。 1価の複素環基の炭素数は通常 4〜 6 0程度、好ましくは 4〜 2 0である。なお、 1価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。前記複素環化合物とは、瓌式構造をもつ有機ィ匕合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素、珪素等のへテロ原子を環内に含むものをいう。 1価の複素環基としては、チェニル基、〜。^アルキルチェ二ル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、 ^〜〇_{1 2}アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられ、チェ-ル基、 C i C アルキルチェニル基、ピリジル基、 C i C アルキルピリジル基が好ましい。 1価の複素環基の中では、 1価の芳香族複素環基が好ましい。置換カルボキシル基としては、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1価の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられる。前記のアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基又は 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数は、通常、 2〜60程度、好ましくは 2〜48 である。なお、置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。置換カルボキシル基としては、メトキシカルボエル基、エトキシカルボニル基、 n—プロポキシカルボニル基、ィソプロポキシカルボエル基、 n—ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、 tープトキシカルボニル基、 n—ぺンチルォキシ力ノレボニル基、 n一へキシロキシカノレボニル基、シク口へキシロキシカルボエル基、 n一へプチルォキシカルボニル基、 nーォクチルォキシカルボニル基、 2 _ェチルへキシロキシカルボ二ノレ基、

n—ノ-ルォキシカルボニル基、 n—デシロキシカルポニル基、 3， 7—ジメチルォクチルォキシカルボ-ル基、 n—ドデシルォキシカルボニル基、トリフノレオロメトキシカノレポ二ノレ基、ペンタフルォロエトキシカルボ-ル基、パーフルォロブトキシカルボニル基、パーフルォ口へキシルォキシ力ルポ-ル基、パーフルォロォクチルォキシカルポニル基、フエノキシカルボニル基、ナフトキシカルボ二ノレ基、ピリジルォキシカルポ二ル基等挙げられる。式（1 ) 中、 R³はアルキル基を表す。アルキル基の定義、具体例は、前述の R¹の説明におけるアルキル基の定義、具体例と同様である。式（1 ) 中、 aおよび bは、それぞれ独立に、 0〜 3の整数を表す。

Zは一 0—または一S—を表す。モノマーの合成の容易さの観点からは、式（1 ) で表される繰返し単位の中では、式（4 ) で表される繰返し単位が好ましい。

〔式（4 ) 中、 R¹ R²、 R³、 a、 bおよび Zは前記と同じ意味を表す。〕本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度性の観点からは、式（4 ) 中、 R¹および R²は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、

アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールァルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキエル基または 1価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基またはァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基またはァリールォキシ基であることが好ましく、アルキル基またはァリール基であることがより好ましい。式（4 ) で示される繰返し単位としては、式（4— 1 )

れる繰返し単位があげられる。

(4-13) Γ4-14) (4-15) (4-16) モノマーの合成の容易さの観点からは、式（4 ) 中、 aは 0または 1であることが好ましく、 0であることがより好ましい。また、 bは 0または 1であることが好ましく、 0であることがより好ましい。本発明の高分子化合物を高分子発光素子に用いた場合の発光効率の観点からは、式（4 ) 中、 Zは一O—であることが好ましい。本発明の高分子化合物は、上記式（1) で示される繰り返し単位に加え、式（ 2 ) で表される繰り返し単位および式（3 ) で表される繰り返し単位からなる群力ら選ばれる 1種以上の繰り返し単位を有する。式（2 ) 中、 A環おょぴ B環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表すが、 A 環および B環の少なくとも 1つが、複数個のベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環である。前記芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、

アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フエナントレン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フエナントレン環が挙げられる。

A環と B環との組み合わせとしては、好ましくはベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ベンゼン環とフエナントレン環、ナフタレン環とナフタレン環、ナフタレン環とアントラセン環、ナフタレン環とフエナントレン環、アントラセン環とフエナントレン環の組み合わせが挙げられ、ベンゼン環とナフタレン環の組み合わせがより好ましい。前記芳香族炭化水素環が置換基を有する場合、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、了リ一ルアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキ-ル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複秦環基、カルボキシル基、

置換カルボキシル基、シァノ基、及びニトロ基からなる群から選ばれる置換基であることが好ましい。ここに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、及び置換カルボキシル基の定義、具体例は、前記 R¹の説明におけるこれらの基の定義、具体例と同様である。式（2 ) 中、 R_wおよぴ1^は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシァノ基を表す。ここに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、

ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、置換力ルポキシル基の定義、具体例は、前記 R¹の説明におけるこれらの基の定義、具体例と同様である。 R_wと R_xがそれぞれ結合して環を形成してもよく、その環としては、置換基を有していてもよい〜。シク口アルキル環、置換基を有していてもよい C₄一。シクロアルケ-ル環、置換基を有していてもよい〇₆〜。芳香族炭化水素環、置換基を有していてもよい Ca C i。複素環が挙げられる。モノマーの合成の容易さの観点からは、 R_wと R_xは環を形成していないほうが好ましい。シクロアルキル環としては、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロへキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環などが挙げられる。シクロアルケエル環は、二重結合を 2つ以上有するものも含み、その例としては、シクロへキセン環、シクロへキサジェン環、シクロォクタトリェン環などが例示される。 ' 複素環としては、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロチォフェン環、テトラヒドロインドール環、テトラヒドロキノリン環、へキサヒドロピリジン環、テトラヒドロイソキノリン環などが挙げられる。式（2 ) で表される繰り返し単位としては、以下の 2 A—:！〜 2 A— 6 4、 2 B— 1〜2 B— 6 4、及び 2 C— 1〜2 C— 6 4で表される繰り返し単位、及ぴ該繰り返し単位にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、了リ一ルチオ基、ァリ一ルアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、了リールアルケニル基、ァリールアルキニル基、ァミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基又は-トロ基が置換基として結合した繰り返し単位が挙げられる。

なお、以下の式において、芳香族炭化水素環の結合位置は、環上の任意の位置である。 R_w及び R_xは前記と同じ意味を表す。

S08890/800Zdf/X3d 1?918藝00 OAV

S08890/800Zdf/X3d 1?918藝00 OAV

S08890/800Zdf/X3d 1?918藝00 OAV

S08890/800Zdf/X3d 1?918藝00 OAV

S08890/800idf/X3d 1?9ΐ81"0/600Ζ OAV

S08890/800Zdf/X3d 1?918藝00 OAV

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本発明の高分子化合物を高分子発光素子に用いた場合の発光効率の観点からは、式（2 ) で表される繰り返し単位が、式（2— 1 ) で表される繰り返し単位、式（2— 2 ) で表される繰り返し単位、式（2— 3 ) で表される繰り返し単位おょぴ式（2— 4 ) で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であることが好ましく、式（2— 1 ) で表される繰り返し単位であることがより好ましレ、。

(2-3) (2-4)

〔式（2— 1 ) 〜（2— 4 ) 中、 R⁵および R⁶は、それぞれ独立に、

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルポキシル基またはシァノ基を表す。 cは 0〜3の整数を表し、 dは 0〜5の整数を表す。 R⁵が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、 R⁶が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 R_wおよぴは前述と同じ意味を表し、 R_wと R_xは互いに結合して環を形成していてもよい。〕

R⁵および R⁶における、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、

ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、および置換カルボキシル基の定義，具体例は、前記 R¹の説明における、これらの基の定義、具体例と同様である。本発明の高分子化合物を高分子発光素子の発光材料として用いた場合の発光材料の耐久性の観点からは、式（2— 1 ) で表される繰り返し単位が、式（2— 5 ) で表される繰り返し単位であることが好ましい。

(2-5)

〔式（2— 5 ) 中、 R_wおよぴ1^は前記と同じ意味を表す。〕合成の容易さの観点から、 R_w及ぴ1^としては、アルキル基、アルコキシ基、ァルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。本発明の高分子化合物は、式（2 ) で表される繰り返し単位および式（3 ) で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる 1種以上の繰返し単位を有する。式（3 ) 中、 C環および D環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表し、該芳香環としては、芳香族炭化水素環、芳香族複素環があげられる。

芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フエナントレン環が挙げられ、芳香族複素環としては、チォフェン環、ピリジン環があげられる。モノマーの合成の行いやすさや素子特性の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フエナントレン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環がより好ましい。 Xは、一 o—、一 s—、一 s (=o) 一、一 s (=o) ₂—、

一 S i (R⁴ ) ₂ - S i (R⁴ ) ₂—、一 S i (R⁴ ) ₂—、一 B (R⁴ ) 一、一 P (R⁴ ) ―、一 P ( = θ) (R⁴ ) 一、 - O - C (R⁴ ) ₂—、または一 N = C (R⁴ ) 一を表し、 R⁴は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、了リールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基またはシァノ基を表す。また、これらの基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよく、 R⁴が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。式（3 ) 中、 R⁴における、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、了リール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、及び置換カルボキシル基の定義、具体例は、前記 R¹の説明におけるこれらの基の定義，具体例と同様である。式（3 ) の C環および/または D環が置換基を有する場合、これらの置換基は、本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解性、本発明の高分子化合物を用いた場合の高分子発光素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチォ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、

置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ュトロ基おょぴシァノ基からなる群から選ばれるものであることが好ましい。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。式（3) の繰り返し単位が、 C環および/または D環上に、合計 2個以上の置換基を有する場合、これらの置換基は同一でも異なっていてもよい。ここに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、了リ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基おょぴ置換カルボキシル基の定義、具体例は、前記 R¹の説明におけるこれらの基の定義、具体例と同様である。中でも、本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、 1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、ァリ一ル基がより好ましい。式 (3) で示される繰り返し単位としては、式 (3- 1) 〜 (3-56) で示される繰り返し単位があげられる。式（3— 1) 〜（3— 56) で示される繰り返し単位は置換基を有していてもよく、本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、置換基を 1個以上有していることが好ましく、 2個以上有していることがより好ましい。式（3— 29) 〜（3— 56) 中の R⁴は前記と伺様の意味を表す。

(3-6) (3-7) (3-8) (3-9) (3-10)

) () εεεεε-—

() )8εε-

(3_ ₁ ) (3-42) (3-43) (3-44)

(3-45) (3-46) (3-47) (3-48)

(3-53) (3-54) (3-55) (3-56)

式（3 ) で表される繰り返し単位の中で、、本発明の高分子化合物を用いた場合の高分子発光素子の特性、蛍光強度等の観点から、式（3— A) で表される繰り返し単位、式（3— B ) で表される繰り返し単位および式（3—C) で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位が好ましく、式（3— A) で表される繰り返し単位または式（3— B ) で表される繰り返し単位がより好ましく、式（3— A) で表される繰り返し単位がさらに好ましい。

( 3— A) ( 3— B ) ( 3 - C )

〔式（3— A) 〜（3— C ) 中、 Xは前記と同じ意味を表し、 R⁷は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、エトロ基およぴシァノ基を表す。 eは 0カゝら 3の整数を表し、 f は 0から 5の整数を表す。 eが複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、 f が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、 R⁷が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

R⁷おける、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチォ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、及び置換カルボキシル基の定義及ぴ具体例は、前記 R¹の説明におけるこれらの基の定義、具体例と同様である。式（3— A) 〜（3— C) の R⁷は、本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解性、本発明の高分子化合物を用いた場合の高分子発光素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールアルキル基、了リールアルコキシ基であることが好ましい。式（3_A) 〜（3— C) における e、 f は、本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、 eと f の和が 1以上であることが好ましく、 2以上であることがより好ましい。式（3— A) で表される繰り返し単位が、式（3— D) で表される繰り返し単位であることが好ましい。

(式（3_D) 中、 X、 R⁷および eは前記と同じ意味を表す。）式（3) 、 (3-A) 、（3— B) 、（3— C) および（3— D) において、蛍光強度の観点や本発明の高分子化合物を用いた場合の高分子発光素子の特'1~生の観点から、 Xは一 o—、一 s—、一 s (=o) 一、一 s (=o) ₂—、

— S i (R⁴) ₂—、一 B (R⁴) 一、一 O— C (R⁴) ₂—であることが好ましく、一 O—、一 S—、一 S i (R⁴) ₂—、一 O— C (R⁴) ₂—であることがより好ましく、一O—、一 S—であることがさらに好ましい。本発明の高分子化合物は、式（1) で表される繰り返し単位を 2種類以上含んでいてもよく、式（2) で表される繰り返し単位を 2種類以上含んでいてもよく、式（3 ) で表される繰り返し単位を 2種類以上含んでいてもよい。また、式（ 2 ) で表される繰り返し単位おょぴ式（3 ) で表される繰り返し単位を含んでいてもよい。本発明の高分子化合物の繰り返し単位の総数を 1 0 0とした場合、式（1) で表される繰り返し単位の総数が 1〜9 5であることが好ましく、 1〜5 0であることがより好ましく、 5〜5 0がさらに好ましい。式 ( 2 ) で表される繰り返し単位（2 ) およぴ式（3) で表される繰り返し単位の総数の和が 5〜 9 9であることが好ましく、 2 0〜9 0がより好ましく、 4 0〜 9 0がさらに好ましい。本発明の高分子化合物は、その発光効率、素子特性の観点から、さらに式 ( 7 ) で表される繰り返し単位を含んでいてもよい。一 A r一

( 7 )

[式（7 ) 中、 A rはァリーレン基、 2価の複素環基、金属錯体構造を有する 2 価の基または 2価の芳香族アミン基を表す。 ]

A rで表されるァリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子 2個を除いた原子団であり、ァリーレン基には、ベンゼン環を持つもの、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。ァリーレン基は置換基を有していてもよい。置換基の種類は特には限定されないが、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキ- ル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基または-トロ基が好ましい。ァリーレン基の置換基を除いた部分の炭素数は通常 6〜60程度であり、好ましくは 6〜 20である。また、ァリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常 6〜： L 00程度である。

ァリーレン基としては、フエ二レン基 (例えば、下式 1〜3) 、ナフタレンジィル基（下式 4〜1 3) 、アントラセン一ジィル基（下式 14〜1 9) 、ビフエ二ルージィル基（下式 20〜25) 、ターフェ二ルージィル基（下式 26〜28 ) 、縮合環化合物基（下式 29〜42) などが挙げられる。

2 3

また、 2価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子 2個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。

ここに複素環化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのへテロ原子を環内に含むものをいう。 2価の複素環基の中では、 2価の芳香族複素環基が好ましい。置換基の種類は特には限定されないが、溶解性、蛍光特性、合成の行いやすさ、素子にした場合の特性等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールァルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキュル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基またはニトロ基が好ましい。

2価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常 3〜60程度である。また、 2価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常 3〜100程度である。 2価の複素環基としては、以下のものが挙げられる。

ヘテロ原子として、窒素を含む 2価の複素環基：ピリジン一ジィル基（下式 1 01〜106) 、ジァザフエ二レン基 (下式 107〜110) 、キノリンジィル基 (下式 1 1 1-1 25) 、キノキサリンジィル基 (下式 126-130) 、ァクリジンジィル基 (下式 1 31〜1 34) 、ビビリジルジィル基 (下式 1 35- 1 37) 、フエナント口リンジィル基 (下式 138〜： 140) 。

ヘテロ原子として酸素、ケィ素、窒素、硫黄、セレン、ホウ素、リンなどを含む 5員環複素環基（下式 141〜： ί 45) 。

ヘテロ原子として酸素、ケィ素、窒素、セレンなどを含む 5員環縮合複素基（下式 146〜 157 ) 。

ヘテロ原子として酸素、ケィ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む 5員環複素環基でそのへテロ原子の "位で結合し 2量体やオリゴマーになっている基（下式 1 58〜： L 59) 。

ヘテロ原子として酸素、ケィ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む 5員環複素環基でそのへテロ原子の _α位でフエニル基に結合している基（下式 160〜166 )

ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、セレンなどを含む 5員環縮合複素環基にフエ二ル基ゃフリル基、チェニル基が置換した基（下式 167〜172) 。

6

≤08890/800idf/X3d ^9l8 0/600i OAV

S08890/800Zdf/13d ^9X81-0/600^ OAV

,St 9St SST Sl

3d ^9181^0/600^ OAV

170 171 172 式（1〜4 2、 1 0 1〜1 7 2 ) 中、 Rは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチォ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、了リールアルキルチオ基、ァリールアルケ-ル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、力ルポキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基または-トロ基を表す。ここに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、アジ一ルアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、ァミド基、酸イミド基、 1価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記 R R²におけるそれらの定義、具体例等と同じである。金属錯体構造を有する 2価の基としては、以下の M l〜M 7で示される基が挙げられる。

式（M_ 1 ) 〜（M— 7 ) 中、 Rの定義，具体例は前記式（ 1〜 4 2、 1 7 2 ) における Rの定義，具体例と同様である。

2価の芳香族ァミン基としては、式（6 ) で表される基があげられる。

[式（6) 中、 Ar Ar²、 A r ³および A r ⁴はそれぞれ独立にァリーレン基または 2価の複素環基を表し、 Ar⁵、 A r ⁶および A r ⁷それぞれ独立にァリーノレ基または 1価の複素環基を表し、 Xおよび yはそれぞれ独立に 0〜 5の整数を表す。 ] 式（6) 中、 Xは 0〜3が好ましく、 0または 1がより好ましい。 yは 0〜3 が好ましく、 0または 1がより好ましい。ァリーレン基、 2価の複素環基、ァリール基、 1価の複素環基の定義、具体例等は、前記 A rの説明におけるこれらの定義、具体例と同様である。式（6) で表される繰返し単位としては、式（6— 1) 〜（6— 14) で表される繰返し単位があげられる。

本発明の高分子化合物としては、式（1) で表される繰り返し単位および式（ 2) で表される繰り返し単位からなる高分子化合物、式（1) で表される繰り返し単位および式（3) で表される繰り返し単位からなる高分子化合物、式（1) で表される繰り返し単位、式（2) で表される繰り返し単位および式（3) で表される繰り返し単位からなる高分子化合物、式（1) で表される繰り返し単位、式（2) で表される繰り返し単位および式 (7) で表される繰り返し単位からなる高分子化合物、式（1) で表される繰り返し単位、式（3) で表される繰り返し単位および式（7) で表される繰り返し単位からなる高分子化合物、式（1) で表される繰り返し単位、式（2) で表される繰り返し単位、式（3) で表される繰り返し単位および式（7) で表される繰り返し単位からなる高分子化合物があげられる。本発明の高分子化合物は、素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が 10³〜10⁸であることが好ましく、 10³〜10⁷であることがより好ましく、 10⁴〜10⁷であることがさらに好ましい。本発明の高分子化合物は、ランダム、交互、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばプロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは、完全なランダム共重合体よりプロック性を帯びたランダム共重合体ゃブロックまたはダラフト共重合体が好ましい。本発明の高分子化合物には、主鎖に枝分かれがあり、末端部が 3つ以上ある高分子化合物ゃデンドリマーも含まれる。本発明の高分子化合物の末端に、高分子化合物の原料モノマーに由来する重合活性基がそのまま残っていると、その高分子化合物を用いて製造した素子の発光特性や寿命が低下する可能性があるので、該末端は、安定な基で保護されていてもよい。該基としては、主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、高分子化合物が、炭素一炭素結合を介して安定な基のァリール基又は複素環基等と結合している構造が例示される。保護に用いる基として、具体的には、特開平 9一 4 5 4 7 8号公報の化 1 0に記載の置換基等が例示される。本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、

塩化メチレン、ジクロロェタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、 n一ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に高分子化合物を 0 . 1重量％以上溶角军させることができる。次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。

本発明の高分子化合物は例えば、

— A— Y₂

〔式中、一 Α—は式（1 ) 、（2 ) または（3 ) で表される繰返し単位を表す。及び Y₂はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。〕で示される化合物を原料として用い、これを縮合重合させることにより製造することができる本発明の製造方法において、縮合重合に関与する置換基および Y₂) としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリ一ルスルホネート基、ァリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステルから誘導される基、スルホ -ゥムメチル基、ホスホェゥムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、一 Β (ΟΗ) ₂、ホルミル基、シァノ基またはビュル基が挙げられる。ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルォロメタンスルホネ一ト基などが例示され、ァリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、 ρ—トルエンスルホネート基などが例示され、ァリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基があげられる。ホウ酸エステルから誘導される基としては、下式で示される基が挙げられる

(式中、 Meはメチル基を、 E tはェチル基を示す。 ) スルホニゥムメチル基としては、下式で示される基が挙げられる

— CH₂ S + Me₂X 、 ~CH₂ S⁺ P ₂X_l -

(Xiはハロゲン原子を示し、 P hはフエ二ル基を示す。）ホスホニゥムメチル基としては、下式で示される基が挙げられる。

(Xiはハロゲン原子を示す。 ) ホスホネートメチル基としては、下式で示される基が挙げられる。

一 CH₂ PO (OR' ) 2

(R' はアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基を示す。）モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が挙げられる。縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は、縮合重合反応の種類によつて異なるが、例えば縮合重合反応が、 Yamamo t oカップリング反応など、 0価ニッケル錯体を用いる反応の場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリールスルホネート基またはァリールアルキルスルホネート基が挙げられ、また S u z u k iカツプリング反応などニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いる反応の場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸ェステルから誘導される基、一 B (OH) ₂などが挙げられる。本発明の高分子化合物は、モノマーとなる、縮合重合に関与する置換基を有する化合物（原料化合物）を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で縮合重合させることにより製造することができる。本発明の高分子化合物の製造には、例えば、 "オルガニックリアクションズ（Or g a n i c Re a c t i o n s) ，，，第 14 卷， 270— 490頁，ジョンワイリーアンドサンズ（J o hn Wi l e y&S o n s, I n c. ) , 1965年、 "オノレガニックシンセシス（Or g a n i c Syn t h e s e s) " , コレクティブ第 6卷 (C o 1 1 e c t i v e Vo l ume V I) , 407— 41 1頁，ジョンワイリーアンドサンズ (J o hn W i 1 e y&S o n s, I n c. ) , 1988年、ケミカノレレビュー（Ch em. Re v. ) , 第 95卷， 2457頁（1995年）、ジャーナルォブオルガノメタリックケミストリー（J. O r g a n ome t. C h em. ) ，第 576卷， 147頁（ 1999年）、マクロモレキュラーケミストリーマクロモレキュラーシンポジウム (Ma k r omo l . Ch em. , Ma c r omo l . S ymp. ) ，第 12卷， 229頁（1987年）などに記載の公知の方法を用いることができる。本発明の高分子化合物の製造方法においては、縮合重合に関与する置換基に応じて、既知の縮合重合反応を用いることができる。例えば該当するモノマーを、 Su z uk i力ップリング反応により重合する方法、 Gr i g n a r d反応により重合する方法、 N i (0) 錯体により重合する方法、 F e C 1₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、または適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが挙げられれる。これらのうち、 S u z u k iカップリング反応により重合する方法、 Gr i g n a r d反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法力高分子化合物の構造制御がしやすいので好ましい。本発明の高分子化合物の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基および Y₂) がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリ一ルスルホネート基又はァ Vールアルキルスルホネート基から選ばれ、 -ッケルゼ口価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。

原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス (アルキルスルホネート) 化合物、ビス（ァリールスルホネート）化合物、ビス（ァリールアルキルスルホネ一卜) 化合物、ハロゲン一アルキルスルホネート化合物、ハロゲンーァリールスルホネート化合物、ノヽロゲンーァリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネートーァリ一ルスルホネート化合物、アルキルスルホネートーァリールアルキルスルホネートイ匕合物、およびァリ一ノレスルホネ一トーァリールアルキノレスルホネート化合物が挙げられる。この場合、例えば原料ィヒ合物としてハロゲン一アルキルスルホネート化合物、ハロゲン一ァリ一ルスルホネート化合物、ハロゲンーァリールアルキルスルホネ一ト化合物、アルキルスルホネートーァリ一ルスルホネートイヒ合物、アルキルスルホネートーァリールアルキルスルホネート化合物、又はァリ一ルスルホネートーァリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。また、本発明の高分子化合物の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基（ Y【および Y₂ ) がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリールスルホネート基、ァリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、又はホウ酸エステルから誘導される基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、ァリ一ルスルホネート基及びァリールアルキルスノレホネート基のモル数の合計（J ) と、ホウ酸基（一 Β (Ο Η) ₂ ) 及ぴホウ酸ェステルから誘導される基のモル数の合計（Κ) の比が実質的に 1 (通常 K/ J は 0 . 7〜1 . 2の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。

原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（ァリールスルホネート）化合物又はビス (ァリールァルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。

また、ハロゲン一ホウ酸化合物、ハロゲン一ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸エステル化合物、ァリ一ルスルホネート一ホウ酸化合物、ァリ一ルスルホネート一ホウ酸エステル化合物、ァリールアルキルスルホネートーホウ酸化合物、ァリールアルキルスノレホネートーホウ酸化合物、ァリールアルキルスルホネートーホウ酸エステル化合物が挙げられる。この場合、例えば原料ィ匕合物としてハロゲン一ホウ酸ィ匕合物、ハロゲン一ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート一ホウ酸化合物、アルキルスルホネ一トーホウ酸エステル化合物、ァリールスルホネート一ホウ酸ィヒ合物、ァリールスノレホネートーホウ酸エステル化合物、ァリールアルキルスルホネート—ホウ酸化合物、ァリールアルキルスルホネート―ホゥ酸化合物、ァリールアルキルスルホネート一ホウ酸エステル化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が拳げられる。溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、 S u z u k iカップリング反応のような水との 2相系での反応の場合にはその限りではない。溶媒としては、ペンタン、へキサン、ヘプタン、オクタン、シクロへキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、ェチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロ口ホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、ク口口ペンタン、ブロモペンタン、ク口口へキサン、プロモへキサン、クロロシク口へキサン、プロモシクロへキサンなどのハ口ゲン化飽和炭化水素、クロ口ベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロ口ベンゼンなどのハロゲンィ匕不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、ィソプロパノール、プタノール、 t—ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチノレエーテ /レ、ジェチ /レエーテ /レ、メチ /レー tーブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジォキサンなどのェ一テル類、トリメチノレアミン、トリェチルァミン、 N, N, N ' ， N ' —テトラメチルエチレンジァミン、ピリジンなどのァミン類、 N, N—ジメチルホルムァミド、 N， N—ジメチルァセトアミド、 N, N—ジェチルァセトアミド、 N—メチルモルホリンォキシドなどのアミド類などが挙げられる。これらの溶媒は単一で、又は混合して用いてもよい。これらの中で、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。縮合重合反応を進行させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アル力リ又は触媒を混合する方法としては、原料ィヒ合物と溶媒とを含む反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながら、そこに、ゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加する方法か、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆつくりと添加する方法があげられる。本発明の高分子化合物を高分子 L E D等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィ一による分別等の純ィヒ処理をすることが好ましい。本発明の組成物は、本発明の高分子化合物を含む組成物であり、

正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも 1種類の材料と、本発明の高分子化合物の少なくとも 1種類とを含有することを特徴とする組成物、本発明の高分子化合物を少なくとも 2種類含有することを特徴とする組成物等があげられる。本発明の液状組成物は、高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。液状組成物は、前記高分子化合物と溶媒とを含んでなるものである。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、通常、常圧（即ち、 1気圧）、 25°Cにおいて液状である。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。本発明の液状組成物は、前記高分子化合物以外に、低分子発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び Z又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。本発明の液状組成物が含有してもよい低分子蛍光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、

ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シァニン系色素、 8—ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体 8—ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族ァミン、テトラフエニルシクロペンタジェン、テトラフエ二レシクロペンタジェン誘導体、テトラフエレシク口ブタジエン、テトラフエ二ルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケィ素芳香族系、

ォキサゾール系、フロキサン系、チアゾ一ル系、テトラァリールメタン系、チアジァゾール系、ピラゾール系、メタシクロフアン系、アセチレン系等の低分子ィ匕合物の蛍光性材料が挙げられる。低分子蛍光材料としては、具体的には、例えば、特開昭 57- 51781号公報、特開昭 59- 194393号公報等に記載されているもの、公知のものが挙げられる。本発明の液状組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、例えば、ポリビ二ルカルバゾール及ぴその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、ァリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフエ二ルジァミン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチオフヱン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビ-レン）及びその誘導体、ポリ（2 , 5—チェ二レンビ- レン）及びその誘導体等が挙げられる。本発明の液状組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、例えば、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン及ぴその誘導体、ベンゾキノン及ぴその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及ぴその誘導体、テトラシァノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルォレノン誘導体、ジフエ二ルジシァノエチレン及びその誘導体、ジフエノキノン誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及ぴその誘導体、ポリフルオレン及ぴその誘導体等が挙げられる。本発明の液状組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フエノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。本発明の液状組成物が含有してもょ、粘度及び Z又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。ここで貧溶媒とは、溶媒 l gに溶解する本発明の高分子化合物の重量が 0 . I m g以下である溶媒をいう。前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、通常、液状組成物の溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタタリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は 50万以上が好ましく、 100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。本発明の液状組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、 .該溶媒に可溶性のものである。酸化防止剤としては、フエノール系酸化防止剤、リン系酸ィ匕防止剤等が例示される。酸ィヒ防止剤を用いることにより、前記高分子化合物、溶媒の保存安定性を改善し得る。本発明の液状組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の正孔輸送材料の量は、溶媒以外の液状糸且成物の重量を 1 0 0とすると、通常、 1〜 80であり、好ましくは 5〜60である。本発明の液状組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の電子輸送材料の量は、溶媒以外の液状組成物の重量を 1 0 0とすると、通常、 1〜80であり、好ましくは 5〜60である。高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、 50〜150°C程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、 It)- ³ P a程度に減圧して乾燥させてもよい。液状糸且成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、

ロールコート法、ワイアーパーコート法、ディップコート法、

スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ィンクジエツトプリント法等の塗布法を用いることができる。液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、 1重量 %〜99. 9重量％であり、好ましくは 60重量％〜99. 9重量。 /₀であり、さらに好ましく 90重量％〜99. 8重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によつて異なる力 25°Cにおいて 0. 5〜500mPa · sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が 25°Cにおいて 0. 5〜20mPa · sの範囲であることが好ましい。液状組成物に含まれる溶媒としては、該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロ口ホルム、塩化メチレン、 1 , 2—ジクロ口ェタン、 1 , 1 , 2 -トリクロ口ェタン、

クロ口ベンゼン、 o—ジクロ口ベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジォキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シク口へキサン、メチルシクロへキサン、 n—ペンタン、 n—へキサン、 n一ヘプタン、 n—オクタン、 n—ノナン、 n— デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ァセトン、メチルェチルケトン、シク口へキサノン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチノレ、メチルベンゾエート、ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノプチノレエーテル、エチレングリコーノレモノェチルエーテル、ェチレングリコー/レモノメチノレエーテノレ、ジメトキシェタン、プロピレンダリコーノレ、ジェトキシメタン、トリエチレングリコールモノェチルエーテル、グリセリン、

1 , 2—へキサンジオール等の多価アルコール及ぴその誘導体、メタノール、ェタノール、プロハ°ノーノレ、ィソプロノヽ。ノール、シク口へキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、 N—メチルー 2—ピロリドン、 N, N—ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、 1種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも 1個以上含む構造を有し、かつ融点が 0 °C以下、沸点力 S100°C以上である有機溶媒を 1種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、ェチルベンゼン、ジェチノレベンゼン、トリメチノレベンゼン、メシチレン、 n—プロピルベンゼン、 i一プロピノレべンゼン、 n—ブチノレべンゼン、 iーブチノレべンゼン、 s—ブチノレベンゼン、ァニソール、ェトキシベンゼン、 1ーメチノレナフタレン、シクロへキサン、シクロへキサノン、シクロへキシノレベンゼン、ビシクロへキシノレ、シクロへキセニノレシクロへキサノン、 n一へプチノレシ'ク口へキサン、 n一へキシノレシクロへキサン、メチノレべンゾエート、 2—プロピノレシクロへキサノン、

2一へプタノン、 3一へプタノン、 4—ヘプタノン、 2—ォクタノン、 2—ノナノン、 2一ザカノン、ジシク口へキシルケトンが好ましく、キシレン、ァエソーノレ、メシチレン、シクロへキシノレべンゼン、ビシクロへキシルメチノレべンゾエートのうち少なくとも 1種類を含むことがより好ましい。液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、

2種類以上であることが好ましく、 2〜3種類であることがより好ましく、 2種類であることがさらに好ましい。液状組成物に 2種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの 1種類の溶媒は 25°Cにおいて固体状態でもよい。成膜性の観点から、 1種類の溶媒は沸点が 180°C以上のものであり、他の 1種類の溶媒は沸点力 180°C未満のものであることが好ましく、 1種類の溶媒は沸点が 200°C以上のものであり、他の 1種類の溶媒は沸点力 S1 80°C未満のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、 60°Cにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、 2種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には、 25°Cにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶解することが好ましい。液状組成物に 3種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの 1〜2種類の溶媒は 25 °Cにおいて固体状態でもよい。成膜性の観点から、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180°C以上の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180°C以下の溶媒であることが好ましく、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 200°C以上 300°C以下の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180°C以下の溶媒であることがより好まし、。また、粘度の観点から、 3種類の溶媒のうちの 2種類の溶媒には、 60°Cにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、 3種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には、 25°Cにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。液状組成物に 2種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及ぴ成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の 40〜90重量％であることが好ましく、 50〜90重量％であることがより好ましく、 65〜85重量％であることがさらに好ましい。

<用途〉

本発明の高分子化合物は、発光材料として用いることができるだけでなく、薄膜、有機半導体材料、有機トランジスタ、光学材料、太陽電池又はドーピングにより導電性材料として用いることもできる。本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記高分子化合物を含むものである。薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等が例示される。発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が 50%以上であることが好ましく、 60%以上であることがより好ましく、 70%以上であることがさらに好ましい。導電性薄膜は、表面抵抗が 1 Κ Ω Ζ口以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が 100 Ω /口以下であることがより好ましく、 10 Ω Ζ口以下であることがさらに好ましい。有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは 10— ⁵ c m² ZV/秒以上であり、より好ましくは 10— ³ c m² /V/秒以上であり、さらに好ましくは 10— ¹ c m² ZV/秒以上である。本発明の、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。例えば、 S i〇₂等の絶縁膜とゲート電極とを形成した S i基板上に有機半導体薄膜を形成し、 A u 等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタを製造することができる。次に、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果トランジスタについて説明する。本発明の高分子化合物は、高分子電界効果トランジスタの材料として、特に活性層の材料として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシプルなフィルム基板ゃプラスチック基板も用いることができる。高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平 5- 110069号公報に記載の方法により製造することができる。活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液からの成 β莫方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーパーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジエツト印刷法等の塗布法を用いることができる。高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。封止する方法としては、紫外線（UV) 硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機の S i O N X膜等で力パーする方法、ガラス板やフィルムを UV硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく (例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。次に、有機太陽電池について説明する。有機太陽電池の一態様である有機光電変換素子で、光起電力効果を利用する固体光電変換素子を説明する。本発明の高分子化合物は、有機光電変換素子の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキ一障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用する p nへテ口接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。さらに、ドナー ·ァクセプターの接触面積を増大させたパルクヘテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子'低分子複合系を用いる有機光電変換素子、例えば、電子受容体としてフラーレン誘導体を分散したパルクへテ口接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子（分散支持体）として、好適に用いることができる。有機光電変換素子の構造としては、例えば、 p nヘテロ接合型素子では、ォーム性電極、例えば、 I T O上に、 p型半導体層を形成し、さらに、 n型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。有機光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板ゃフレキシブルなフィルム基板やブラスチック基板も用いることができる。有機光電変換素子は、公知の方法、例えば、 Synth. Met. , 102， 982 (1999)に記載の方法や Science, 270, 1789 (1995)に記載の方法により製造することができる。次に、本発明の高分子癸光素子について説明する。本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ本発明の高分子化合物を含む層とを有するものである。

また、本発明の高分子発光素子としては、（1)陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、（2)陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、（3)陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。本発明の高分子発光素子として、具体的には、以下の a ) 〜d ) の構造が挙げられる。

a ) 陽極 Z発光層/陰極 b ) 陽極ノ正孔輸送層 Z発光層/陰極

c ) 陽極 Z発光層/電子輸送層/陰極

d ) 陽極 Z正孔輸送層ノ発光層ノ電子輸送層ノ陰極

(ここで、は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に 2層以上用いてもよい。

また、発光層に隣接した正孔輸送層をィンターレイヤー層と呼ぶ場合もある。発光層の成膜の方法に制限はないが、溶液からの成膜による方法が例示される

溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。高分子発光素子作製の際に、本発明の高分子化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、 1 n m~ 1 μ mであり、好ましくは 2 n m〜500 n mであり、さらに好ましくは 5 n m〜200 n mである。本発明の高分子発光素子の一態様として、発光層に上記高分子化合物を含むものがあげられる。この場合、該発光層が、該高分子化合物以外の発光材料を含んでいてもよい。上記高分子化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子化合物を含む発光層と積層されていてもよい。前記高分子化合物以外の発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及ぴその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シァニン系等の色素類、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族ァミン、テトラフエュルシクロペンタジェン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及ぴその誘導体等を用いることができる。具体的には、例えば、特開昭 57- 51781号、同 59- 194393号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビュルカルパゾール及びその誘導体、ポリシラン及ぴその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体、ビラゾリン誘導体、了リールァミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフヱ-ルジァミン誘導体、ポリア-リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビニレン）及ぴその誘導体、ポリ（2 , 5 一チェ二レンビ-レン）及びその誘導体等が例示される。正孔輸送材料として、具体的には、特開昭 63- 70257号公報、同 63- 175860号公報、特開平 2- 135359号公報、同 2- 135361号公報、同 2- 209988号公報、同 3- 37992号公報、同 3- 152184号公報に記載されているもの等が例挙げられる。これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルパゾール及ぴその誘導体、ポリシラン及ぴその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチオフヱン及ぴその誘導体、ポリ（p—フエ-レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2 , 5—チェ-レンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビュルカルパゾール及ぴその誘導体、ポリシラン及ぴその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシ口キサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。ポリビニルカルパゾール及ぴその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。ポリシラン及ぴその誘導体としては、ケミカル · レビュー (Chem. Rev. ) 第 89 卷、 1359頁（1989年）、英国特許 GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。ポリシロキサン誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送 14の芳香族ァミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダ一との混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロ口ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸ェチノレ、酢酸プチル、ェチルセノレソノレブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、パーコート法、ロールコート法、ワイアーパーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。混合する高分子バインダーと.しては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バィンダ一として、ポリカーボネート、ポリアタリレート、ポリメチルァクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビュル、ポリシロキサン等が例示される。正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば 1 n m〜 l z niであり、好ましくは 2 n m〜500 n mであり、さらに好ましくは 5 η π！〜 200 n mである。本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及ぴその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシァノアンスラキノジメタン及ぴその誘導体、フルォレノン誘導体、ジフヱニルジシァノエチレン及びその誘導体、ジフエノキノン誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及ぴその誘導体等が例示される。電子輸送材料として、具体的には、特開昭 63- 7 0257号公報、同 63- 175860号公報、特開平 2- 135359号公報、同 2- 135361号公報、同 2- 209988号公報、同 3 - 37992号公報、同 3 - 152184号公報に記載されているもの等が挙げられる。これらのうち、ォキサジァゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、 2— ( 4ービフエ二リル） - 5 - ( 4 - t - プチノレフエ二ノレ）一 1 , 3 , 4—ォキサジァゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（8—キノリノール）アルミニウム、ボリキノリンがさらに好ましレ、。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び Z又は高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロ口ホルム、塩ィ匕メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテノレ系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチル、ェチルセルソルブァセテート等のエステル系溶媒が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコ一ト法、パーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジヱットプリント法等の塗布法を用いることができる。混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ（N—ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2， 5—チェ二レンビ-レン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアタリレート、ポリメチルアタリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビュル、ポリシロキサン等が例示される。電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなり好ましくなレ、。従って、該電子輸送層の膜厚は、例えば、 l n m〜l ^ mであり、好ましくは 2 n m〜500 n mであり、さらに好ましくは 5 n m〜200 n mである。また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファ一層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよレ、。本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。電荷注入層を設けた高分子発光素子として例えば、以下の e)〜p)が挙げられる e) 陽極 Z電荷注入層 Z発光層/陰極

f) 陽極 Z発光層 Z電荷注入層 Z陰極

g) 陽極ノ電荷注入層ノ発光層/電荷注入層 Z陰極

h) 陽極 Z電荷注入層/正孔輸送層 Z発光層ノ陰極

i) 陽極 Z正孔輸送層 Z発光層/電荷注入層 Z陰極

j) 陽極 Z電荷注入層/正孔輸送層 Z発光層/電荷注入層 Z陰極

k) 陽極ノ電荷注入層/発光層/電荷輸送層/陰極

1) 陽極 Z発光層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極

m) 陽極ノ電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層 Z陰極

n) 陽極 Z電荷注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電荷輸送層 Z陰極

0) 陽極 Z正孔輸送層 Z発光層/電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極

p) 陽極電荷注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層電荷注入層 Z陰極電荷注入層の具体的な例としては、導電高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が例示される。上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、 10—⁵ Sん m以上 10³ Sん m以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、 10_ ⁵ Sん m以上 10² Sん m以下がより好ましく、 l(T ⁵ S/cm以上 10^ん m以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を 10— ん m以上 10³ Sん m以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。ドープするイオンの種類は、電荷注入層が、正孔注入層であればァニオン、電子注入層であればカチオンである。ァニオンしては、ポリスチレンスルホン酸ィオン、ァノレキノレベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられ、カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルァンモニゥムイオンが挙げられる。電荷注入層の膜厚は、例えば、 1 n m〜： LOO n mであり、 2 η π！〜 50 n mが好ましい。電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアユリン及ぴその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフエ二レンビニレン及びその誘導体、ポリチェニレンビニレン及ぴその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族ァミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン (銅フタロシアニン等）、カーボン等が例示される。絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、 0.：!〜 20 n mであり、好ましくは 0. 5〜： ΙΟ η m、より好ましくは 1 〜 5 n mである。

絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、例えば、以下の q )〜ab) が挙げられる。

q ) 陽極/絶縁層発光層ノ陰極

r ) 陽極 /"発光層 Z絶縁層 Z陰極

s ) 陽極/絶縁層 Z発光層/絶縁層/陰極

t ) 陽極/絶縁層 z正孔輸送層/発光層/陰極

u )陽極正孔輸送層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極

V )陽極 Z絶縁層 Z正孔輸送層/発光層絶縁層/陰極

w)陽極 Z絶縁層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極

X )陽極 Z発光層/電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極

y )陽極絶縁層 Z発光層電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極

z )陽極 Z絶縁層 Z正孔輸送層/発光層/電子輸送層 Z陰極

aa) 陽極 Z正孔輸送層/発光層/電子輸送層ノ絶縁層 Z陰極

ab) 陽極 Z絶縁層ノ正孔輸送層 Z発光層/電子輸送層 Z絶縁層ノ陰極本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。本発明において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム ·スズ ·ォキサイド（IT0) 、ィンジゥム ·亜鉛 ·ォキサイド等力^なる導電性ガラスを用いて作成された膜（NESA等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、 IT0、インジウム '亜鉛'オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば、 10 n m〜： 10 μ πιであり、好ましくは 20 n m〜 1 μ mであり、さらに好ましくは 50 n m〜500 n mである。また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸ィヒ物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、その例として、リチゥム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシゥム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジゥム、亜口、、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピゥム、テルビウム、ィッテルビウム等の金属、及びそれらのうち 2つ以上の合金、あるいはそれらのうち 1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバノレト、ニッケル、タングステン、錫のうち 1つ以上との合金、グラフアイト又はグラフアイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム一銀合金、マグネシゥム一インジゥム合金、マグネシウム一アルミニウム合金、インジウム一銀合金、リチウム一アルミニウム合金、リチウム一マグネシウム合金、リチウム一インジウム合金、カルシウム一アルミニウム合金等が挙げられる。陰極は、 1層であってもよく、 2層以上の積層構造であってもよい。陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができる力例えば、 10 η πι〜10 μ ηιであり、好ましくは 20 n m〜 1 mであり、さらに好ましくは 50 η π！〜 500 n mである。陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び Z又は保護カバーを装着することが好ましい。保護層の材料としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スぺーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか 1つ以上の方策をとることが好ましい。本発明の高分子発光素子は例えば、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば、パックライト等）等の表示装置に用いることができる。本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立に O n /O FFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラ一表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、 T FT等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーシヨン、ビデオカメラのビューファインダ一等の表示装置として用いることができる。さらに、前記面状の発光素子は、自癸光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。実施例

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。ここで、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズェクスクルージョンクロマトグラフィー（SEC) (島津製作所製： LC一 10 A V p) により求めた。測定する高分子化合物は、約 0. 5wt%の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、 SEC (GPC) に 30 μ L注入した。 SE C (GPC) の移動相はテトラヒドロフランを用い、 0. 6mLZm i nの流速で流した。カラムは、 TSKg e l Su p e r HM-H (東ソ一製） 2本と T SKg e l S u p e rH2000 (東ソ一製） 1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製： R I D-1 OA) を用いた。 (合成例 1 )

N—ォクチルフエノキサジンの合成

不活性雰囲気下、フエノキサジン（10. O g) 、水酸ィ匕ナトリウム（21. 9 _g) 、テトラェチルアンモニゥムブロマイド (0. 37 g) 、ジメチルスルホキシド（34mL) を混合し、 80°Cまで昇温した後、水 18mLを加え、 1ーブロモオクタン（12. 9 g) を 50分で滴下した。ついで、 90°C まで昇温して 1 時間攪拌した後、室温まで冷却した。ついで、析出した固体をトルエン 1 60mLに溶解し、水（l O OmL) で 2回洗浄し、 1 N塩酸（l O OmL) で 1回洗浄し、水（l O OmL) で 3回洗浄し、シリカゲルカラムに通液させ、減圧濃縮、真空乾燥を行い、 N—ォクチルフエノキサジン 16. O g (純度 99. 4%) を得た。

'H-NMR (300MHz, CDC 1₃) ； δ 0. 89 ( t , 3 Η) , 1. 1 5— 1. 47 (m, 10 Η) , 1. 65 (b r， 2 Η) , 3. 45 (b r， 2Η ) , 6. 31-6. 88 (b r， 8 Η) .

MS (ΑΡ Ρ I -MS (ρ ο s i ) ) : 296 [Μ+Η] ⁺

(合成例 2)

3, 7—ジブ口モー Ν—ォクチノレフエノキサジンの合成

不活性雰囲気下 Ν—ォクチルフエノキサジン（15. O g) にジクロロメタン（ 55mL) を加えて調整した溶液に、 1， 3—ジブ口モー 5, 5—ジメチルヒダントイン（15. 1 g) と N， N—ジメチルホルムアミド 15. 8mLからなる溶液を室温にて 30分で滴下し 1時間攪拌した後、室温にて 6時間攪拌を行つた。得られた沈澱を濾過、メタノールで洗浄、ついで減圧乾燥することにより、 3 , 7—ジプロモ一 N—ォクチルフエノキサジンを 16. 6 g得た（純度 99. 7 %) 。

一 NMR (299. 4 MHz, CDC 1₃) ； δ 0. 89 (t, 3 H) ， 1 . 18-1. 46 (m, 1 OH) , 1. 59 (b r , 2 H) , 3. 38 (b r , 2H) ， 6. 29 (d, 2H) ， 6. 73 (s， 2 H) , 6. 88 (d, 2 H) LC-MS (AP P I—MS (p o s i ) ) : 452 [M+H] +

(合成例 3)

化合物（Monomer— 1 ) の合成

下記反応により化合物 Monomer _1を合成した。以下、順に説明する ₍

(化合物 M- の合成) 不活性雰囲気下、 3◦ Om 1三つ口フラスコに 1 -ナフタレンボロン酸 5. 00 g (29mmo l) 、 2—ブロモベンズァノレデヒド 6. 46 g (35 mm o 1 ) 、炭酸力リウム 10.0 g (73mmo 1 ) 、トルエン 36m 1、イオン交換水 36mlを入れた混合液を、室温で撹拌しつつ、これに 20分間アルゴンをバプリングした。続いてこの混合液に、テトラキス (トリフエニルホスフィン）パラジゥム 16. 8mg (0. 15 mm o 1 ) を入れ、さらに室温で撹拌しつつ 10 分間アルゴンをバブリングした。混合液を、 100 °Cに昇温し、 25時間反応させた。室温まで冷却後、トルエンで有機相を抽出し、これを、硫酸ナトリウムで乾燥した。この液から溶媒を留去して得られた残留物を、。トルエン：シクロへキサン =1 ： 2混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製することにより、化合物 M— 1-1 5. 18 g (収率 86 %) を白色結晶として得た。

上記操作を複数回繰り返した。

^- R (30 OMHz/CDC 1₃) ： δ 7. 39〜7. 62 (m、 5 H) 、 (m、 2H) 、 2H) 、 8. 12 (d d、 2 H) 、 9. 1H)

MS (AP C I ( + ) ) : (M+H) + (化合物 M— 1 -2の合成）

不活性雰囲気下で 30 Om 1の三つ口フラスコに化合物 M— 1一 1 8. 00 g (34.4mmo 1 ) と脱水 TH F 46 m 1を入れ、一 78 °Cまで冷却した。続いて n—ォクチルマグネシウムブロミド (1. Omo 1/1 THF溶液) 52m 1を 30分かけて滴下した。滴下終了後 0°Cまで昇温し、 1時間撹拌後、室温まで昇温して 45分間撹拌した。混合液を、氷浴で冷却して、ここに 1 N塩酸 20 m 1を加えて反応を終了させ、酢酸ェチルで有機相を抽出し、硫酸ナトリゥムで乾燥した。有機相から、溶媒を留去して得られた残留物をトルエン：へキサン = 10 ： 1混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物 M— 1—2 7. 64 g (収率 64%) を淡黄色のオイルとして得た。オイルを HPLC (高速液体クロマトグラフィー）による測定に供したところ 2本のピークが観測された。、それぞれのピークは、 LC一 MS測定では同一の質量数であることから、このオイルは、異性体の混合物であると判断した。

(化合物 M— 1-3の合成）不活性雰囲気下、 500ml三つ口フラスコに化合物 M— 1-2 (異性体の混合物） 5.00 g (14.4mmo 1 ) と脱水ジクロロメタン 74m 1を入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて、ここに、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で 1時間かけて滴下し、滴下終了後室温で 4時間撹拌した。その後，反応混合物に、撹拌しながらエタノール 125m 1をゆっくりと加え、発熱がおさまった後に、クロ口ホルムで有機相を抽出、 2回水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、残留物を、へキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物 M— 1一 3 3. 22 g (収率 68%) を無色のオイルとして得た。

上記操作を複数回繰り返した。

JH-NMR (30 OMH z/CDC 1₃) ：

60. 90 (t、 3H) 、 1. 03〜1. 26 (m、 14H) 、 2. 13 (m 、 2H) 、 4. 05 (t、 1H) 、 7. 35 (d d、 1H) 、 7. 46〜 7. 5 0 (m、 2H) 、 7. 59〜7. 65 (m、 3 H) 、 7. 82 (d、 1 H) 、 7 . 94 (d、 1H) 、 8. 35 (d、 1H) 、 8. 75 (d、 1 H)

MS (AP C I ( + ) ) ： (M+H) ⁺ 329 (化合物 M— 1 -4の合成）

不活性雰囲気下 200ml三つ口フラスコにイオン交換水 20m 1をいれ、撹拌しながら水酸化ナトリウム 18. 9 g (0.47mo 1 ) を少量ずつ加え、溶解させた。水溶液が室温まで冷却した後、ここに、トルエン 20ml、化合物 M -1-3 5. 1 7 g (15.7mmo 1 ) 、臭化トリプチルアンモニゥム 1. 5 2 g (4. 72mmo 1 ) を加え、 50°Cに昇温した。さらに、ここに、臭化 n 一才クチルを滴下し、滴下終了後 50°Cで 9時間反応させた。反応終了後トルェンで有機層を抽出し、 2回水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。へキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物 M— 1一 4 5. 1 3 g (収率 74%) を黄色のオイルとして得た。

'H-NMR (30 OMH z/CDC 1₃) ：

60. 52 (m、 2H) 、 0. 79 (t、 6 H) , 1. 00〜1. 20 (m、 22H) 、 2. 05 (t、 4H) 、 7. 34 (d、 1H) 、 7. 40〜 7. 53 (m、 2H) 、 7. 63 (m、 3 H) 、 7. 83 (d、 1 H) 、 7. 94 (d、 1H) 、 8. 31 (d、 1H) 、 8. 75 (d、 1 H)

MS (APC I ( + ) ) ： (M+H) + 441

(ィ匕合物 Monomer— 1の合成）

空気雰囲気下、 5 Om 1の三つ口フラスコに化合物 M— 1一 4 4. 00 g ( 9. 08 mm o 1 ) と酢酸：ジクロロメタン = 1 ： 1混合溶媒 57mlを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて三臭化べンジルトリメチルアンモニゥム 7. 7 9 g (20. Ommo 1 ) を加えて撹拌しつつ、塩化亜鉛を三臭化べンジルトリメチルアンモニゥムが完全に溶解するまで加えた。室温で 20時間撹拌後、 5% 亜硫酸水素ナトリウム水溶液 10mlを加えて反応を停止し、クロ口ホルムで有機層を抽出、炭酸カリウム水溶液で 2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。へキサンを展開溶媒とするフラッシュカラムで 2回精製した後、エタノール：へキサン =1 ： 1、続いて 10 ： 1混合溶媒で再結晶することにより、化合物 Monom er- 1 4. 1 3 g (収率 76%) を白色結晶として得た。

'H-NMR (30 OMH z CDC 1₃) ：

δ 0. 60 (m、 2H) 、 0. 91 (t、 6H) 、 1. 01〜： 1. 38 (m、 22H) 、 2. 09 ( t、 4H) 、 7. 62〜 7. 75 (m、 3H) 、 7. 89 (s、 1H) 、 8. 20 (d、 1H) 、 8. 47 (d、 1H) 、 8. 72 (d、 1H)

MS (APP I (+) ) ： (M+H) ⁺ 598

(実施例 1) 高分子化合物 <P_1〉の合成

化合物 Monomer— 1 0. 84 gと 3， 7—ジプロモ一 N—オタチノレフエノキサジン 51 gと 2、 2 '—ビビリジル 0. 63 gとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒） 50 gを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（1， 5—シクロォクタジェン）ニッケル (0) を 1. 15 g加え、 60°Cで 3時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、メタノール 5 Om 1 Zイオン交換水 5 Om 1混合溶液をそそぎ込み、約 1時間撹拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。

次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。トルエン溶液にラジオライトをカロえ、撹拌後このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルェン溶液をアルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、このトルェン溶液を、約 5%塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、約 5%アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、このトルエン溶液を水洗し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体 0. 54 gを得た。この重合体を高分子化合物 <P— 1 >と呼ぶ。高分子化合物 <P— 1 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 6. 9 X 10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 2 · 1 X 10⁵であった。

(合成例 4) DBFの合成

下記反応により DBFを合成した。以下、順に説明する。

(化合物 F— 1の合成）

不活性雰囲気下、 1 1三つ口フラスコにジベンゾフラン（23. 2 g、 137. 9mmo 1 ) と酢酸 (232 g) を入れ、室温で撹拌、溶かした後、 75 まで昇温した。昇温後、臭素（92. 6 g、 579. 3mmo 1 ) を酢酸（ 54 g ) で希釈したものを滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま 3時間撹拌し、放冷した。 TLCで原料の消失を確認した後、チォ硫酸ナトリウム水を加え反応を終了させ、室温で 1時間撹拌した。撹拌後、ろ過を行いケーキをろ別し、さらにチォ硫酸ナトリウム水、水で洗浄した後、乾燥した。

得られた粗生成物をへキサンにて再結晶し、目的物を得た。（収量： 21. 8 g 、収率： 49 %)

一 NMR (30 OMH z/CDC 1₃) ：

δ 7. 44 (d、 2H) 、 7. 57 (d、 2H) 、' 8. 03 (s、 2 H) (化合物 F— 2の合成）

不活性雰囲気下、 50 Om 1四つ口フラスコに化合物 F_ 1 (16. 6 g、 50. 9mmo 1 ) とテトラヒドロフラン（293 g) を入れ、一 78°Cまで冷却した。 n—プチルリチウム（8 Omlく 1. 6 m o 1 / L へキサン溶液〉、 127. 3mmo 1 ) を滴下した後、温度を保持したまま 1時間撹拌した。この反応液を、不活性雰囲気下で 100 Om 1の四つ口フラスコにトリメトキシポロン酸（31. 7 g、 305. 5mmo 1) とテトラヒドロフラン（250ml) を入れ、一 78°Cまで冷却したものに滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻し、 2時間室温で撹拌後、 TLCで原料の消失を確認した。反応終了マスを、 200 Om 1ビーカーに濃硫酸（30 g) と水（600ml) を入れたものに注入し、反応を終了させた。トルエン（300ml) を加え、有機層を抽出し、有機層を水で洗浄した。溶媒を留去後、そのうち 8 gと酢酸ェチル（160m l) を 30 Om 1の四つ口フラスコに入れ、続いて 30%過酸化水素水（7. 09 g ) を加え、 40°Cで 2時間撹拌した。この反応液を、 1000mlのビーカーに硫酸アンモ-ゥム鉄（II) (71 g) と水（500ml) の水溶液に注入した。撹拌後、有機層を抽出し、有機層を水で洗浄した。溶媒を除去することにより、化合物 F _ 2粗製物 7. 57 gを得た。

MS ： (M— H) ⁺ 199. 0

(化合物 F— 3の合成）

不活性雰囲気下で 20 Om 1四つ口フラスコに化合物 F— 2 (2. 28 g、

1 1. 4mmo 1 ) と N、 N—ジメチルホルムアミド (23 g) を入れ、室温で撹拌、溶かした後、炭酸力リウム（9. 45 g、 68. 3mmo 1 ) を入れ 10 0°Cまで昇温した。昇温後、臭化 n—ォクチル（6. 60 g、 34. 2 mm o 1 ) を N、 N—ジメチルホルムアミド（1 1 g) で希釈したものを滴下した。滴下終了後、 6 0°Cまで昇温し、温度を保持したまま 2時間撹拌し、 TLCで原料の消失を確認した。水（50m l ) を加え反応を終了させ、続いてトルエン（50 m l ) を加え、有機層をを抽出し、有機層を水で 2回洗浄した。無水硫酸ナトリゥムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、目的物を得た（収量： 1. 84 g、収率： 38%)

上記作業を複数回行った。

MS ： M⁺ 425. 3 (化合物 DBFの合成）不活性雰囲気下で 50 Om 1四つ口フラスコに化合物 D— 3 (7. 50 g、 1 7. 7mmo 1 ) と N、 N—ジメチルホルムアミドを入れ、室温で撹拌、溶かした後、氷浴で冷却した。冷却後、 N—ブロモスクシンイミド（6. 38 g、 3 5. 9 m) を N、 N—ジメチルホルムアミド (2 25 mm o 1 ) で希釈したものを滴下した。滴下終了後、氷浴で 1時間、室温で 1 8. 5時間、 40°Cまで昇温し、温度を保持したまま 6. 5時間撹拌し、液体クロマトグラフィーで原料の消失を確認した。溶媒を除去し、トルエン（75m l ) を加え溶解した後、有機層を水で 3回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物の約半量をシリカゲル力ラムおよび液体ク口マトグラフィ一分取で精製することにより、目的物を得た（収量： 0. 326 g) 。

】H— NMR (30 OMH z/CDC 1₃) ：

δ 0. 90 (t、 6H) 、 1. 26〜： L . 9 5 (m、 24H) 、 4. 1 1 ( t 、 4H) 、 7. 34 (s、 2H) 、 7. 74 (s、 2 H)

MS : M+ 5 8 2. 1

(実施例 2)

高分子化合物く P— 2 >の合成化合物 DB F 0. 79 gと 3， 7—ジブロモ一 N—ォクチルフエノキサジン 0 . 51 gと 2、 2，ービピリジル 0. 63 gとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバプリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒） 50 gを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（1， 5—シクロォクタジェン） -ッケノレ (0) を 1. 15 g加え、 6 0°Cで 3時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。

反応後、この溶液を冷却した後、メタノール 5 Oml/イオン交換水 5 Oml混合溶液をそそぎ込み、約 1時間撹拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。

次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。トルエン溶液にラジオライトを加え、撹拌後このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルェン溶液をアルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、このトルェン溶液を、約 5%塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、約 5%アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、このトルエン溶液を水洗し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体 0. l l gを得た。この重合体を高分子化合物 <P— 2 >と呼ぶ。高分子化合物く P— 2〉のポリスチレン換算数平均分子量は、 8. 1 X 10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 5 X 10⁵であった。

(合成例 5) 化合物（DBT—1) の合成

下記反応により化合物（DBT—1) を合成した。以下、順に説明する

(化合物 Τ一 1の合成)

不活性雰囲気下 1 1の四つ口フラスコに 2， 8 _ジブロモジベンゾチォフェン 7 gと THF 280mlを入れ、室温で撹拌、溶かした後、 ― 78°Cまで冷却した。 n—ブチルリチウム 29ml (1. 6モルへキサン溶液）を滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま 2時間撹拌し、トリメトキシボロン酸 1 3 gを滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻した。 3時間室温で撹拌後、 T L Cで原料の消失を確認した。 5 %硫酸 100m lを加えて反応を終了させ、室温で 1 2時間撹拌した。水を加えて洗浄し、有機層を抽出した。溶媒を酢酸ェチルに置換した後、 30%過酸化水素水 5mlを加え、 40°Cで 5時間撹拌した。その後有機層を抽出し、 10%硫酸アンモユウム鉄（II) 水溶液で洗浄後乾燥、溶媒を除去することにより、茶色の固体 4. 43 gを得た。 LC一 MS 測定からは二量体などの副生成物も生成しており、化合物 T _ 1の純度は 77 % であった（LC面百）。

MS (A PC I (一））： (M— H) ― 215

(化合物 T一 2の合成）

不活性雰囲気下で化合物 Τ一 1 142. 0 gと臭化 i一ペンチル 297. 5 g、および炭酸カリウム 399. 3 gを入れ、溶媒としてメチルイソプチルケトン 355. 0 gを加えて 1 10°Cで 6. 5時間加熱還流した。反応終了後、固体をろ過し、トルエンと水で分離、有機層を抽出し、さらに水で 2回洗浄した後有機層を濃縮した。得られた個体をシリカゲルカラム（展開溶媒：へキサン/ クロ口ホルム =5Zl) で精製することにより、 55. 4 g (収率 33· 7%、純度 91 · 4 %) の化合物 T一 2を得た。

(化合物 Τ一 3の合成）

不活性雰囲気下タングステン 1. 22 g、水 5. 6 m 1、 30 %過酸化水素水 1 1 m 1を加え、エタノール 2086mlを加えた。その後系内に化合物 T一 2 79. O gとェタノール 237 m 1を加え、 30 %過酸化水素水 55. 3 m 1を滴下した。滴下終了後 45 °Cで 4時間撹拌し、反応終了後室温まで冷却した後、 6%チォ硫酸ナトリゥム水溶液 711mlを滴下して、固体をろ過し、水 500 m 1で洗浄した後、水でリパルプ洗浄を行い、 80. 1 g (純度 97%、収率 9 3%) の化合物 T一 3を得た。

(化合物 T一 4の合成）

不活性雰囲気下、化合物 T一 3 80. 0 gと酢酸 Zク口口ホルム = 1 ： 1混合液 640 gを加え、 80°Cで撹拌し溶解させた。続いて臭素 115. 2 gを上記の溶媒 114mlに溶かして滴下し、 1. 75時間撹^ Ϊ·した。反応終了後、メタノール 1308m 1中に滴下し、生成した固体をろ過した。得られた固体をクロ口ホルム 500mlに溶解させ、 2 %チォ硫酸ナトリゥム水溶液 400 ml、 2%炭酸ナトリウム水溶液 300m 1、水 30◦ m 1で 2回洗浄し、有機層を濃縮した。その後メタノール 30 Om 1でリパルプ洗浄を行い、 98. l g (純度 98. 4%、収率83. 6%) の化合物 T一 4を得た。

(化合物 DBT—1の合成）

不活性雰囲気化合物 T一 4 98. 1 gと脱水エーテル 2255m 1を加え、 2 0。Cに調整した後、リチウムアルミニウムハイドライド 8. O gを 4回に分けて加えて撹拌した。

3時間後、さらに 1. 0 gを加えて 1時間撹拌した。その後、 2°Cまで冷却した後、 5%塩酸 739m 1を滴下し、有機層を抽出した。得られた有機層を水 70 0 m 1で洗浄した後硫酸ナトリゥムで乾燥後ろ別して濃縮した。得られた個体をシリカゲル力ラム（展開溶媒：トルェン Zシク口へキサン = 1/109で分離精製を行い、得られた固体をエタノール/へキサンで繰り返し再結晶を行い、化合物 DBT—1 (49. 1 _§、純度99. 8%) を得た。

(実施例 3)

高分子化合物 < P— 3〉の合成

化合物 DBT- - 1 0. 72 gと 3， 7—ジブ口モー N—ォクチルフエノキサジン 0. 51 gと 2、 2，一ビビリジル 0. 63 gとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒） 50 gを加えた。次に、この混合溶液に、ビス (1, 5—シクロォクタジェン) ニッケル (0) を 1. 15 gカロえ、 60°Cで 3時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、メタノール 50 m 1 /ィオン交換水 50 m 1混合溶液をそそぎ込み、約 1時間撹拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。

次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。トルエン溶液にラジオライトを加え、撹拌後このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルェン溶液をアルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、このトルェン溶液を、約 5%塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、約 5%アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、このトルエン溶液を水洗し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体 0. 05 gを得た。この重合体を高分子化合物く P— 3 >と呼ぶ。高分子化合物 <P— 3〉のポリスチレン換算数平均分子量は、 2. 1 X 10⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 5. 8 X 10⁵であった。 (合成例 6 )

高分子化合物 < P— 4 >の合成

2, 7ジブ口モー 9， 9 -ジォクチ/レフルオレン 0. 77 gと 3， 7—ジブロモ一 N—ォクチルフエノキサジン 0. 51 gと 2、 2'—ビビリジノレ 0. 63 gとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでパプリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒） 50 gをカロえた。次に、この混合溶液に、ビス（1, 5—シクロォクタジェン）ニッケル（0) を 1. 1 5 g加え、 60°Cで 3時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。

反応後、この溶液を冷却した後、メタノール 50 m 1 Zィオン交換水 50 m 1混合溶液をそそぎ込み、約 1時間撹拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。

次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。トルエン溶液にラジオライトを加え、撹拌後このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルェン溶液をアルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、このトルェン溶液を、約 5%塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、約 5%アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、このトルエン溶液を水洗し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体 0. 12 gを得た。この重合体を高分子化合物く P— 4〉と呼ぶ。高分子化合物 <P— 4 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 3. 5 X 1 0⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 9. 2 X 1 0⁵であった。 (合成例 7) 化合物 Monomer— 2の合成

10 OmL四つ口フラスコをアルゴンガス置換後、化合物物 Monomer— 1 (3. 2 g、 5. 3mmo l) 、ビスピナコーラートジボロン（ 3. 8 g、 14. 8 mm o l) 、 P d C 1₂ (d p p f ) (0. 39 g、 0. 45 mm o 1 ) 、ビス (ジフエ二ノレホスフィノ）フエ口セン (0. 27 g、 0. 45 mm o 1 ) 、酢酸力リウム（3. l g、 32mmo 1 ) を仕込み、脱水ジォキサン 45 mlを加えた。アルゴン雰囲気下、 100°Cまで昇温し、 36時間反応させた。放冷後、セライト 2gをプレコートで濾過を実施し、濃縮したところ黒色液体を取得した。へキサン 5 Ogに溶解させて活性炭で着色成分を除去し 37 gの淡黄色液体を取得した（濾過時、ラヂオライト（昭和科学工業株式会社製） 5 gプレコート実施 )。

その後酢酸ェチル 6 g、脱水メタノール 12 g、へキサン 2 gを加え、ドライアイス一メタノール浴に浸して、化合物 Monomer— 2 2. 1 gの無色結晶を取得した。

(実施例 4)

高分子化合物 < P _ 5 >の合成

Monomer- 2 (1. 63 g) 、 2, 7—ジブ口モー 9， 9ージォクチルフノレォレン（1. 1 9 g) 、 3, 7—ジブ口モー N—ォクチルフエノキサジン (0. 16 g ) 、酢酸パラジウム (0. 2mg) 、トリ (2—メトキシフエ-ル) ホスフィン（1. 7mg) 、 Al i qu a t 336 (0. 30 g, アルドリツチ製）、トルェン（23m l) を混合し、不活性雰囲気下、 105°Cに加熱した。この反応溶液に 2 M N a ₂ C 0₃水溶液 (6. 4m l ) を滴下し、 4時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（30mg) を加え、さらに 1時間還流させた。次いでジェチルジチア力ルバミン酸ナトリゥム水溶液を加え 80 で 2時間撹拌した。冷却後、水（25ml) で 2回、 3%酢酸水溶液 (25ml) で 2回、水（25 m 1) で 2回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルェン溶液をメタノール（800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物く P— 5 >の収量は 1. 68 gであった。

高分子化合物 <P— 5 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 1. 1 X 10⁵ であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 6 X 10⁵であった。 (合成例 8)

高分子化合物 < P— 6 >の合成

不活性雰囲気下、 2， 7—ビス（1, 3, 2—ジォキサボロラン一 2—ィル）一 9, 9ージォクチルフルオレン (1. 37 g) 、 2, 7—ジプロモー 9， 9ージォクチルフルオレン (1. 22 g) 、 3, 7—ジブ口モー N—ォクチルフエノキサジン（0. 18 g) 、酢酸パラジウム（0. 4mg) 、トリ（2—メトキシフェニル）ホスフィン（4. 6mg) _s A l i q u a t 336 (0. 24 g, ァノレドリツチ製）、トルエン（20ml) を混合し、 105°Cに加熱した。この反応溶液に 2 M N a ₂ C 0₃水溶液（ 3. 6m l) を滴下し、 4時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（22mg) を加え、さらに 1時間還流させた。次いでジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液を加え 80 °Cで 2時間撹拌した。冷却後、水（25ml ) で 2回、 3%酢酸水溶液（25ml) で 2回、水（25m 1) で 2回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルェン溶液をメタノール（800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物 <P— 6 >の収量は 1. 86 gであった。

高分子化合物く P— 6〉のポリスチレン換算数平均分子量は、 9. 1 X 10⁴ であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 1 X 10⁵であった。

(合成例 9)

高分子化合物ぐ P-7〉の合成

200m lセパラプルフラスコに A 1 i q u a t 336 0. 91 g、化合物 D 5. 23₈、化合物£ 4. 55 gを取り、窒素置換した。トルエン 70ml を加え、酢酸パラジウム 2. 0mg、トリス（o—トリル）ホスフィン

15. lmgを加え、還流させた。炭酸ナトリゥム水溶液 19mlを滴下後、還流下終夜撹拌した後、フエエルホウ酸 0. 12 gを加え、 7時間撹拌した。 30 Omlのトルエンを加え、反応液を分液し、有機相を酢酸水溶液、水で洗浄した後、ナトリウム N、 N_ジェチルカルバメート水溶液を加え、 4時間撹拌した。分液後、シリカゲル一アルミナカラムを通し、トルエンで洗浄した。メタノールに滴下し、ポリマーを沈殿させた。ろ過、減圧乾燥後トルエンに溶解させ、得られたトルエン溶液をメタノールに滴下し、ポリマーを沈殿させた。ろ過、減圧乾燥し、 6. 33 gの重合体を得た。この重合体を高分子化合物 < P— 7 >と呼ぶ。高分子化合物のポリスチレン換算数平均分子量は 8. 8 X 10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 3. 2 X 10⁵であった。

(調整例 1 )

高分子化合物ぐ P— 7 >溶液の調製

高分子化合物 <P— 7>をキシレンに溶解し、ポリマ一濃度 0. 5重量％の溶液 1を作製した。

(実施例 5)

高分子化合物ぐ P— 1 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物く P— 1 >をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 4 重量％の溶液 2を作製した。

(実施例 6) 高分子発光素子の作製

スパッタ法により 15 O nmの厚みで I TO膜をつけたガラス基板に、ポリ（3 , 4) エチレンジォキシチォフェンポリスチレンスルフォン酸 (スタルク製) の懸濁液をスピンコート法により、約 65 nmの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で 200°C、 15分間乾燥した。次に溶液 1を用いてスピンコート法により約 10 nm程度に製膜後、酸素濃度、および水分濃度が 10 p p m以下 (重量基準）の窒素雰囲気下で、 200°C、 1時間乾燥した。次いで、溶液 2を用いてスピンコート法により約 10 O nmに製膜した。そして、酸素濃度、および水分濃度が 10 p pm以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、 130°C、 20分間乾燥した。 1. 0 X 10— ⁴ P a以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約 5 nm、次いでアルミニウムを約 80 nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は、

I TO/B a y t r o n P (約 65 n m) /< P- 7 > ( 10 n m) /< P- 1 > (約 100 nm) /B a /A 1

高分子発光素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から E L発光が得られた。得られた高分子発光素子の発光効率は 9. 2 Vで最大値を示し、 9. 27 c d/ Aであった。

(調整例 2)

高分子化合物 < P— 4 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物く P— 4 >をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 0. 5 重量％の溶液 3を作製した。

(比較例 1) 高分子発光素子の作製

溶液 2の代わりに溶液 3を用いて、実施例 6と同様の方法で高分子発光素子を作成した。

発光層の膜厚は約 105 nmであった。素子構成は、

I ΎΟ/Β a y t r o nP (約 65 nm) /< P- 7 > ( 10 nm) Zく P— 4 > (約 105 n m) /B a /A 1

高分子発光素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から EL発光が得られた。得られた高分子発光素子の発光効率は 1 0. OVで最大値を示し、 6. 6 2 c d /Aであった。

(実施例 7 )

高分子化合物 < P— 2 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物く P— 2〉をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 5 重量％の溶液 4を作製した。

(実施例 8) 高分子発光素子の作製

溶液 2の代わりに溶液 4を用いて、実施例 6と同様の方法で高分子発光素子を作成した。

発光層の膜厚は約 90 nmであった。素子構成は、

I ΎΟ/Β a y t r o n P (約 6 5 nm) /< P- 7 > (1 0 nm) /< P- 2 > (約 90 nm) /B a /A 1

高分子発光素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から E L発光が得られた。得られた高分子発光素子の発光効率は 7. 6 Vで最大値を示し、 7. 0 3 c d/ Aであった。 (実施例 9 )

高分子化合物 < P— 5 >溶液の調製

上記で得た高分子化合物く P— 5〉をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 4 重量％の溶液 5を作製した。 (実施例 1 0) 高分子発光素子の作製

溶液 2の代わりに溶液 5を用いて、実施例 6と同様の方法で高分子発光素子を作成した。

発光層の膜厚は約 95 nmであった。素子構成は、 I TO/B a y t r o n P (約 65 nm) /く P— 7> ( 10 n m) /ぐ P— 5

> (約 95 nm) /B a /A 1

高分子発光素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から E L発光が得られた。得られた高分子発光素子の発光効率は 10. 2 Vで最大値を示し、 8. 25 c d Z Aであった。

(調整例 3)

高分子化合物 < P— 6〉溶液の調製 ,

上記で得た高分子化合物く P— 6 >をキシレンに溶解し、ポリマー濃度 1. 2 重量。 /₀の溶液 6を作製した。

(比較例 2) 高分子発光素子の作製

溶液 2の代わりに溶液 6を用いて、実施例 6と同様の方法で高分子発光素子を作成した。

発光層の膜厚は約 1 1 O nmであった。素子構成は、

I TO/ a y t r o n P (約 65 nm) /< P- 7 > ( 10 nm) /< P- 6

> (約 1 10 n m) /B a /A 1

高分子発光素子の性能

得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から EL発光が得られた。得られた高分子発光素子の発光効率は 9. 6 Vで最大値を示し、 5. 88 c d/ Aであった。作製した高分子発光素子の最大発光効率を表 1に示す。比較例の高分子発光素子よりも実施例の高分子発光素子の方が、最大発光効率が高くなっている。表 1 高分子化合物最大発光効率（c dZA) 実施例 6 高分子化合物ぐ P— 1 > 9. 27

比較例 1 高分子化合物 <P— 4〉 6. 62

実施例 8 高分子化合物く P— 2 > 7. 03

実施例 10 高分子化合物 <P— 5〉 8. 25

比較例 2 高分子化合物く P— 6 > 5. 88

産業上の利用可能性

本発明の高分子化合物を高分子発光素子用の発光材料として用いた場合、高分子発光素子の発光効率が高くなる。

Claims

請求の範囲

1. 式（2 ) で表される繰り返し単位おょぴ式（3 ) で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる 1種以上の繰り返し単位と式（1 ) で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。

〔式（1 ) 中、 R³はアルキル基を表し、 R¹および R²は、それぞれ独立に、ァルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァ V—ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、了リ一ルアルキノレチォ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキ-ル基、アミノ基、置換ァミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シァノ基またはニトロ基を表し、 aおよび bは、それぞれ独立に、 0 〜 3の整数を表す。 Zは一 O—または一 S—を表す。 R¹が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、 R²が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔式（2 ) 中、 A環および B環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表すが、 A環および B環の少なくとも 1つが、複数個のベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環であり、 2つの結合手はそれぞれ A環または B環上に存在する。 R_wおよび R_xは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、了リールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、ァミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシァノ基を表す。 R_wと R_xは互いに結合して環を形成していてもよい。〕

〔式（3) 中、 C環および D環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表し、 2つの結合手はそれぞれ C環または D環上に存在する。 Xは、

— o—、 _s—、一 s (=o) 一、一 s (=o) ₂—、

-S i (R⁴) ₂-S i (R⁴) ₂—、一 S i (R⁴) ₂—、一 B (R⁴) —、一 P (R⁴) 一、一 P (=0) (R⁴) 一、 -O-C (R⁴) ₂_、または

-N = C (R⁴) 一を表し、 R⁴は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、了リール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換力ルポキシル基、ニトロ基またはシァノ基を表す。が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

2. 式（1) で表される繰り返し単位が、式（4) で表される繰り返し単位である請求項 1記載の高分子化合物。

〔式（4) 中、 R R R a、 bおよび Zは前記と同じ意味を表す。〕

3. aが 0であり、かつ、 bが 0である請求項 1または 2に記載の高分子化合物。

4. Zがー O—である請求項 1〜 3のいずれかに記載の高分子化合物。

5. 式（2) で表される繰り返し単位が、式（2— 1) で表される繰り返し単位、式（2— 2) で表される繰り返し単位、式（2— 3) で表される繰り返し単位および式（2— 4) で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位である請求項 1〜4のいずれかに記載の高分子化合物。 ■

(2-3) (2-4) 〔式 (2-1) 〜 (2-4) 中、 R⁵および R⁶は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチォ基、了リ一ルアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキ-ル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシァノ基を表す。 cは 0〜3の整数を表し、 dは 0〜5の整数を表す。 R⁵が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、 R⁶が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 R_wおよび R _xは前述と同じ意味を表し、 R_ff と R_xは互いに結合して環を形成していてもよい。〕

6. 式（2— 1) で表される繰り返し単位が、式（2— 5) で表される繰り返し単位である請求項 5に記載の高分子化合物。

( ）

〔式（2— 5) 中、 R_wおよび R_xは前記と同じ意味を表す。〕

7. R„およびがアルキル基である請求項 6に記載の高分子化合物。

8. 式（3) で表される繰り返し単位が、式（3— A) で表される繰り返し単位、式（3— B) で表される繰り返し単位および式（3— C) で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位である請求項 1〜 7のいずれかに記

( 3 - A) ( 3— B ) ( 3— C)

〔式（3— A) 〜（3 _ C ) 中、 Xは前記と同じ意味を表し、 R⁷は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチォ基、了リールアルキル基、ァリールアルコキシ基、了リールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキ-ル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カルボキシル基、置換力ルポキシル基、ニトロ基またはシァノ基を表す。 eは 0から 3の整数を表し、 f は 0から 5の整数を表す。 eが複数個存在する場合は、それらは同一でも異なっていてもよく、 f が複数個存在場合は、それらは同一でも異なっていてもよい。 R⁷が複数個存在する合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

9. 式（3— A) で表される繰り返し単位が、式（3—D) で表される繰り返し単位である請求項 8に記載の高分子化合物。

(式（3—D) 中、 X、 R⁷および eは前記と同じ意味を表す。 )

10. Xが一 O—または一 S—である請求項 8または 9に記載の高分子化合物。

11. ポリスチレン換算の数平均分子量が 1 0 ³〜1 0⁸でぁる請求項1〜1 0のいずれかに記載の高分子化合物。

12. 請求項 1〜 1 1のいずれかに記載の高分子化合物を含有する組成物。

13. 陽極およぴ陰極からなる電極と、該電極間に請求項：！〜 1 1のいずれかに記載の高分子化合物を含む層とを有する高分子発光素子。

14. 請求項 1 3に記載の高分子発光素子を含む表示装置。

15. 請求項 1〜 1 1のいずれかに記載の高分子化合物と溶媒とを含む液状組成物。

16. 請求項 1〜 1 1のいずれかに記載の高分子化合物を含む薄膜。

17. 請求項 1〜 1 1のいずれかに記載の高分子化合物を含む有機トランジスタ。

18. 請求項 1 ~ 1 1のいずれかに記載の高分子化合物を含む太陽電池。