TW200927785A - Polymer compound and polymer luminescence element using the same - Google Patents

Description

200927785 ' 六、發明說明： ’ 【發明所屬的技術領域】 本發明是有關高分子化合物及使用該高分子化合物 的高分子發光元件。 【先前技術】 在可使用作為高分子發光元件的材料方面，已有各種 的高分子化合物之探討，其例已知有一種高分子化合物， 其含有苐二基與在N位具有烷基的吩噚畊二基 ❹ （phenoxazinediyl)作為重複單位（參照非專利文獻1)。 [非專利文獻 l]Macromolecules; 2005，38，7983-7991 【發明内容】 不過，在高分子發光元件中使用上述高分子化合物 時，其發光效率未必充分。 本發明的目的是提供一種高分子化合物，其可賦予高 發光效率的高分子發光元件。 亦即，第一、本發明可提供一種高分子化合物，其含 有：選自式（2)表示的重複單位及式（3)表示的重複單位所 形成群組中之一種以上的重複單位、與式（1)表示的重複單 位； (R1)

(R2)b 4 320680 200927785 [式（1)中，R3表示炫其 Dl - Μ mi &基’ R & R分別獨立地表示烧基、烧 A、 方氧基、方硫基、芳烷基、芳烷氧 暴、方燒硫基、关樣其、从匕从 1 方埤基方炔基、胺基、取代胺基、矽烷 基、取代矽烷基、函音# ^奴 京原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、 基、1價雜環基、、取傭基、氰基 ^ 土 &及b分_立地表示G至3之整數j表示-〇- ^數個R存在時，此等基可為相同或相異。同時， 〇

中’ _A環及B環分職立地表示可具有取代基 ::族烴環，但A環及B，的至少一者係由數個苯環所 产的芳香族垣環’且2個、结合鍵分別存在於A環或B ^基、1及RX分别獨立地表示氫原子、燒基、烷氧基、烷 硫二:基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷 石 芳婦基、芳炔基、胺基、取代胺基、梦烧基、取代 =坑，、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、 (2) ❹ 胺基1秘雜環基、羧基、取代羧基或氰基。Rw與Rx 也可拍互結合而形成環] 320680 200927785

[式（3)中，c環及D環分別獨立地表示可具有取代基的芳 香環，2個結合鍵分別存在於C環或D環上。X表示_〇一、 -S- ^ -S(.〇)_ v-S(=〇)2-, -Si(R4)2-Si(R4)2- > _si(R4)2-. —B(R4)-、'Ρ(〇-、-P(=〇)(R4)-、-〇-C(R4)2-、-N=c(r4)一， R4表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基 '芳氧基、 芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、齒素原子、醯基、 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧 基、取代绫基、硝基或氰基。有數個R4存在時，可為同一 種或相異者]。 ❹ 第二、本發明可提供含有前述高分子化合物的組成 ❾ 物。 第三、本發明可提供一種高分子發光元件，其具有： 由陽極及陰極所構成的電極、與在該電極間含有前述高分 子化合物之層。 第四、本發明可提供含有前述高分子化合物與溶劑的 液狀組成物。 晶

〇 第 第 五、 本發明可提供含有前述高分子化合物 六、 本發明可提供含有前述高分子化合物 的薄膜。 的有機電 320680 6 200927785 池。弟七、本發明可提供含有前述高分子化合物的太陽電 【實施方式】 ❹ 乂，發明的高分子化合物含有式（1)表示的重複單位 釗述式（1)中，R1及八 單位 及R刀別獨立地表示烷基、烷氧基、 硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 燒 芳烷基、芳烷氧基、芳烷 硫基、芳縣、糾基、絲、取代祕、魏基、取= 夕、—土 4素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基 醯亞胺基、1 “雜環基H取代缓基、氰基或硝基 1數個R存在時’此等基可為相同或相異。另外，有數個 R2存在時，此等基可為相同或相異。 此處，炫基可為直鏈狀或分枝狀，也可以是環烧基。 碳數通常大約為1至20，烷基可舉例如甲基、乙基、正丙 基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、3一 甲基丁基、正戊基、正己基、2-乙基己基、正庚基、正辛 ❾基、正壬基、正癸基、3, 7-二甲基辛基、正十二烷基。也 可以氟原子取代前述烧基中的氫原子。經氟原子取代的烷 基可舉例如三氟曱基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、 全氣辛基。 燒氧基可為直鏈狀或分枝狀，也可以是環烧氧基。碳 數通常大約為1至20，烷氧基可舉例如甲氧基、乙氧基、 正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、 第二丁氧基、正戊氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、 正辛氧基、2-乙基己氧基、正壬氧基、正癸氧基、3, 7-二 7 320680 200927785 曱基辛氧基、正十二烷氧基。也可以氟原子取代前述烷氧 基中的氫原子。經氟原子取代的烷氧基可舉例如三氟曱氧 基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基。 烷硫基可為直鏈狀或分枝狀，也可以是環烷硫基。碳 數通常大約為1至20，烷硫基可舉例如甲硫基、乙硫基、 正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、第二丁硫基、 第三丁硫基、正戊硫基、正已硫基、環己硫基、正庚硫基、 正辛硫基、2-乙基己硫基、正壬硫基、正癸硫基、二 ❹曱基辛硫基、正十二烷基硫基。也可以氟原子取代前述烷 硫基中的氫原子。經氟原子取代的烷硫基可舉例如三氟曱 硫基。 务基疋從方香族經中去除1個氫原子之後所得的原子 團，包括具有苯環者、具有縮合環者、由2個以上獨立的 苯環或縮合環直接或隔介伸乙烯基等二價基而結合者。芳 基的碳數通常大約為6至60 ’並以6至48為佳。前述芳 ❹基也可具有取代基。此取代基可舉例如：碳數1至2〇的直 鏈狀、分枝狀的烷基；或碳數1至20的環烷基；在烷氧基 之結構中含有碳數1至20的直鏈狀、分枝狀的烷基或碳數 1至20的環烷基之烷氧基；下述式（5)表示的基; —0—(CH2)g —0 -(CH2)h —CH3 (5) (式（5)中’g表示1至6的整數’h表示〇至5的整數）。 芳基可舉例如苯基、(^至C!2烷氧基苯基（「心至Cl2」 320680 8 200927785 表示碳數1至12。以下亦同）、匕至c!2烷基苯基、卜萘基、 2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基夢，並以^ 至Ci2院氧基苯基、Ci至Ci2燒基笨基為佳。（^至c12烧氧美 苯基可舉例如曱氧基苯基、乙氧基苯基、正丙氧基苯基、 異丙氧基苯基、正丁氧基苯基、異丁氧基苯基、第二丁氧 基苯基、第三丁氧基苯基、正戊氧基苯基、正己氧基苯基、 環己氧基苯基、正庚氧基苯基、正辛氧基苯基、2_乙基己 氧基苯基、正壬氧基苯基、正癸氧基苯基、3, ？_二甲基辛 ❾氧基苯基、正十二烷氧基苯基。〇至Clz烷基苯基可舉例如 甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、正丙基苯基、1，3, 5一 甲基乙暴本基、異丙基苯基、正丁道 甲基苯基（mesityl) 笨基、異丁基苯基、第二丁基苯基、第三丁基苯基、正.^ 基苯基、異戊基苯基、己基苯基、正庚基苯基、正辛基專 f、正壬基苯基、正癸基苯基、正十二烷基苯基。也可〇 氟原子取代前述芳基中的氫原子。 Ο 芳氧基的碳數通常大約為6至60,並以6至48為佳· 方氧基可舉例如苯氧基、ej g遺氧基苯氧基、上至Ci ，基錢基、1-萘氧基、2-萘減、五氟笨氧基，並以c c12燒乳基苯氧基、Cls⑸烧基苯氧基為佳 =舉例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、: =其異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、 茂己，:環己氧基、正庚氧基、正辛氧基、2_乙基己氧 ί基。氧基、3,7—二甲基辛氧基、正十二烧 "1 &烷基本乳基可舉例如甲基苯氧基、乙基苯氧 320680 9 200927785 基、一曱基苯氧基、正丙基笨氧基、1，3, 5-三甲基苯氧基、 乙基苯氧基、異丙基苯氧基、正丁基苯氧基、異丁基 苯氧基$一丁基苯氧基、第三丁基苯氧基、正戊基苯氧 基三異戊基苯氧基、正己基苯氧基、正庚基苯氧基 、正辛 基苯氧基、正壬基苯氧基、正癸基苯氧基、正十二院基苯 氧基。 芳硫基也可在其芳香環上具有取代基，其碳數通常大 約為6 i 60。芳硫基可舉例如苯硫基、Ci至^烧氧基苯 ©硫基、七至Cl2院基苯硫基、卜蔡硫基、2_蔡硫基、五氟苯 刀1·基比疋基硫基、塔哄基硫基（pyridazinylthio)、咬 基硫基、°比畊基硫基、三畊基硫基等。 芳烷基也可具有取代基’其碳數通常大約為7至60。 芳烷基可舉例如苯基_〇1至&烷基、匕至L烷氧基苯基_Ci 至C!2烧基、〇至clz烷基苯基-匕至CI2烷基、卜萘基-Ci至 Ci2燒基、2-萘基~Ci至Cl2烷基。 ❹ 芳炫氧基也可具有取代基，其碳數通常大約為7至 60。芳燒氧基可舉例如苯基―匕至cI2院氧基、Ci至Ci2烧氧 基苯基-(^至C!2烷氧基、(^至C1Z烷基苯基-匕至（：12烷氧基、 1-萘基-Cl至Cl2燒氧基、2-萘基-Cl至Cl2烧氧基。 芳烷硫基也可具有取代基’其碳數通常大約為7至 60。方燒硫基可舉例如苯基-Cl.至Cl2.烧基硫基、Cl至Cl2 烷氧基苯基-匕至C12烷基硫基、匕至c12烷基苯基-匕至c12 烷基硫基、1-萘基-匕至Ci2烷基硫基、2-萘基-匕至(：12烷 基硫基等。 10 320680 200927785 某C2mr通常大約為δ至6G’芳縣可舉例如苯 土，c12稀基、Ci2烧氧基苯基一匕至Ci2稀基、G至 c12烧基苯基-M Gl2縣、mG2至㈣n ;C2至Cl2婦基，並以〇1至Ci2燒氧基苯基{至㈣基^ 至Cl2烷基苯基~C2至c12烯基為佳。 Ο

芳快基的碳數通常大約為8至60,芳块基可舉例如苯 基-匕至Cl2块基、Cd Ci2烷氧基苯基_C2至Ci2炔基、d “烷基苯基气2至C!2炔基、卜萘基吒2至L炔基、2_萘基 _〇2至Cl2炔基’並以Cl至L烷氧基苯基-C2至c12炔基二= 至Cl2燒基苯基~C2至C12炔基為佳。 取代胺基可舉例如輯自烧基、絲、純基及一價 雜環基所形成群組中的丨個或2個基所取代的胺基。當取 代胺基為經2個基取代的胺基時，此等2個基也可結合形 成環。該烷基、芳基、芳烷基或丨價雜環基也可具有取代 基。取代胺基的碳數在不包含該取代基的碳數時，通常為 1至60’並以2至48為佳。談取代胺基可舉例如曱基胺基、 二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、正丙基胺基、二正 丙基胺基、異丙基胺基、二異丙基胺基、正丁基胺基、第 二丁基胺基、異丁基胺基、第三丁基胺基、正戊基胺基、 正己基胺基、環己基胺基、正庚基胺基、正辛基胺基、2-乙己基胺基、正壬基胺基、正癸基胺基、3, 7-二甲基辛基 胺基、正十二烷基胺基、環戊基胺基、二環戊基胺基、環 己基胺基、二環己基胺基、°比洛咬基〇5^1*〇1丨(1丨1171)、派 啶基（piperidinyl)、二_三氟曱基胺基、苯基胺基、二苯 11 320680 200927785 基胺基、(^至C!2烷氧基苯基胺基、二（匕至Cl2烷氧基苯基） 胺基、二（(^至C!2烷基苯基）胺基、卜萘基胺基、2-萘基胺 基、五氟苯基胺基、吼啶基胺基、嗒畊基胺基、嘧啶基胺 基、吡畊基胺基、三哄基胺基、苯基_Cl至h烷基胺基、 Cl至Cl2炫氧基苯基-Cl至Cl2烧基胺基、Cl至Cl2烧基苯基 -匕至C!2烷基胺基、二（匕至C12烷氧基苯基-0至C!2烷基） 胺基、二（Ci至Ci2烷基苯基-c!至c12烷基）胺基、卜萘基-Cl 至Cl2烷基胺基、2-萘基-匕至C12烷基胺基。 取代矽烷基可舉例如經選自烷基、芳基、芳烷基及1 價雜環基的1、2或3個基所取代的梦院基。取代梦烧基的 碳數通常大約為1至60，並以3至48為佳。而該烷基、 芳基、芳烷基或1價雜環基也可具有取代基。取代矽烷基 可舉例如三甲基石夕烧基、三乙基石夕烧基、三正丙基石夕烧基、 三異丙基矽烷基、二甲基異丙基矽烷基、二乙基異丙基矽 燒基、第三丁基二曱基矽烷基、正戊基二甲基矽烷基、正 〇 已基二甲基矽烷基、正庚基二甲基矽烷基、正辛基二甲基 石夕烷基、2-乙基己基二曱基矽烷基、正壬基二甲基矽烷基、 正癸基二甲基矽烷基、3, 7-二甲基辛基二甲基矽烷基、正 十二烷基二曱基矽烷基、苯基-匕至c12烷基矽烷基、（^至 烷氧基苯基-匕至C12烷基矽烷基、匕至C12烷基苯基-C! 1 Clz烷基矽烷基、卜萘基_Cl至Cl2烷基矽烷基、2_萘基_Cl 至C!2烷基矽烷基、苯基_Cl至Cl2烷基二曱基矽烷基、三苯 基石夕烧基、三-對-二甲苯基矽烷基（tri_p-xylyl silyl)、 二·笨曱基矽烷基（tribenzyl silyl)、二苯基曱基矽烷基、 12 320680 200927785 ' 第三丁基二苯基矽烷基、二曱基苯基矽烷基等。 鹵素原子可舉例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。 醯基的碳數通常大約為2至20，並以2至18為佳。 醯基可舉例如乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、三甲 基乙驢基（pivaloyl)、苯曱醯基、三氟乙醢基、五氟苯甲 醯基。 醯氧基的碳數通常大約為2至20,並以2至18為佳。 醯氧基可舉例如乙薩氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁酿 ❹ 氧基、三甲基乙醯氧基、苯曱醯氧基、三氟乙醯氧基、五 氟苯甲醯氧基。 亞胺殘基是從亞胺化合物（即分子内具有-N=C-的有 機化合物，其例可舉例如醛亞胺、酮亞胺及此等的N上之 卑原子經烷基等所取代的化合物）中去除一個氫原子之後 所得的殘基。亞胺殘基的碳數通常大約為2至20，並以2 至18為佳。 办 亞胺殘基可舉例如以下所示之基。 13 320680 200927785

(式中，Me表示甲基；另外，波線表示結合鍵，是指依亞 胺殘基的種類而具有順式體、反式體等幾何異構物之意）。 醯胺基的碳數通常大約為2至20,並以2至18為佳。 醯胺基可舉例如曱醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺 基、苯曱醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苯曱醯胺基、二曱 醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苯甲 醯胺基、二-三氟乙醯胺基、二-五氟苯曱醯胺基。 醯亞胺基是從醯亞胺去除結合在其氮原子上的一個 氳原子而得的殘基，其碳數大約為4至20。醯亞胺基可舉 例如以下所示之基。 14 320680 200927785

所謂1價雜環基，是指從雜環化合物中去除1個氳原 子之後所得的殘留原子團。1價雜環基之碳數通常大約為4 至60，並以4至20為佳。另外，在1價雜環基之碳數中， 並不包含取代基的碳數。前述雜環化合物，是指在具有環 ^ 式結構的有機化合物中，構成環的元素並不只是碳原子， 在環内也含有氧、硫、氮、磷、硼、矽等雜原子。1價雜 環基可舉例如噻吩基、Cl至Cl2烷基噻吩基、吡咯基、呋喃 基、D比咬基、Cl至Cl2烧基吼11定基、α底咬基、喧淋基、異瘦 琳基，並以嘆吩基、Cl至Cl2烧基嗟吩基、°比咬基、Cl至 C12烷基吼啶基為佳。在1價雜環基中，是以1價芳香族雜 環基為佳。 取代羧基可舉例如經烷基、芳基、芳燒基或1價雜環 基所取代的羧基。前述烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基 15 320680 200927785 ' 也可具有取代基。取代羧基的碳數通常大約為2至60，並 以2至48為佳。另外，在取代羧基的碳數中，並不包含該 取代基的碳數。取代羰基可舉例如曱氧基羰基、乙氧基羰 基、正丙氧基羰基、異丙氧基羰基、正丁氧基羰基、異丁 氧基羰基、第三丁氧基羰基、正戊氧基羰基、正己氧基羰 基、環己氧基羰基、正庚氧基羰基、正辛氧基羰基、2-乙 基己氧基羰基、正壬氧基羰基、正癸氧基羰基、3, 7-二甲 基辛氧基羰基、正十二烷氧基羰基、三氟曱氧基羰基、五 ❹ 氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟 辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吼啶氧基羰基等。 式（1)中，R3表示院基。烧基的定義與具體例是與前述 R1的說明中之烷基之定義與具體例相同。 式（1)中，a及b分別獨立地表示0至3之整數。Z表 不 _0_ 或 _S_ 〇 就合成單體的容易度而言，在式（1)表示的重複單位 q 中，是以式（4)表示的重複單位為佳。

[式（4)中，R1、R2、R3、a、b及Z表示與前述相同之意] 就本發明的高分子化合物對有機溶劑的溶解度性而 言，式（4)中，R1及R2分別獨立地以烷基、烷氧基、烷硫 基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫 16 320680 200927785 ' 基、芳烯基、芳炔基或1價雜環基為佳，並以烷基、烷氧 基、燒硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烧氧基 或芳烧硫基較佳，而以烧基、烧氧基、芳基或芳氧基更.佳， 以烧基或芳基最佳。 式（4)表示的重複單位可舉例如式（4-1)至式（4-16) 表示的重複單位。 ❹ ,〇、 又,Α CHa (4-1) A 又Λ C^H· (4-2)

H9C (4-3) (4-4) τζχ^〇τ to^o ooa HgC一j—CHj CHa H^C^CH, (4-5) (4-6)

-S' 1 I ❹ CH, (4-9)

CjH, (4-7)〇0〇 (4-8) ct》 u.nX>CH, IJ II 、rr (4-10)•〇C〇 <XNI> (4-12) (4-13) 、CH, (4-14) (4-11)

(4-15)

H,C CHa (4-16) 就合成單體的容易度而言，式（4)中之a是以0或1 為佳，並以0較佳。同時，b是以0或1為佳，並以0較 佳。 就將本發明的高分子化合物使用於高分子發光元件 17 320680 200927785 時的發光效率而言，式（4)的Z是以-0-為佳。 除了上述式（1)表示的重複單位之外，本發明的高分 子化合物也具有選自式（2)表示的重複單位及式（3)表示的 重複單位所形成群組中的1種以上之重複單位。式（2)中， Α環及Β環雖然分別獨立地表示可具有取代基的芳香族烴 環’但A環及B環的至少一者係由數個苯環所縮合成的芳 香族煙環。 .. 前述芳香族烴環可舉例如苯環、萘環、蒽環、稠四苯 ❹ （tetracene)環、铜直苯（pentacene)環、芘環、菲環，並 以苯環、萘環、蒽環、菲環為佳。 A環與B環的組合是以苯環與萘環、苯環與蒽環、苯 環與菲環、萘環與萘環、萘環與惠環、萘環與菲環、蒽環 與菲環為較佳的組合，並以苯環與萘環的組合更佳。 當前述芳香族烴環具有取代基時，該取代基是以選自 烷基、烧氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳统基、 ❹芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、 矽烷基、取代矽烷基、齒素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘 基、醯胺基、醯亞胺基、i價雜環基、羧基、取代羧基、 氰基及硝基所形成群組中的取代基為佳。 此處，烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫 基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取 代胺基、取代矽烷基、卣素原子、醢基、醯氧基、亞胺殘 基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基及取代羧基的定義與 具體例，是與前述R1的說明中之此等基的定義與具體例相 320680 18 200927785 同。 ❹ 式（2)中，Rw及Rx分別獨立地表示氫原子、烷基、境 氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧 基、芳烧硫基、芳烯基、芳快基、胺基、取代胺基、發燒 基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、壶胺殘基、 醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。 此處，烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳燒基、芳烷氧基、芳燒硫基、芳烯基、芳块基、取代胺 基、取代梦燒基、鹵素原子、酿基、醯氧基、亞胺殘基、 醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、取代羧基的定義與具體 例’是與前述R1的說明中之此等基的定義與具體例相同。 匕及RX可分別結合而形成環，其環可舉例如可且有取 =的環炫基環、可具有取代基的c^c了 ο 就5成早體的谷易度而言，R*及匕是 以不形成環者為佳。心及心疋 環婦炫環、環癸烧環等。 衣席基&也包含具有2個以 曰 如環己烯環、環已-嫌援^ 0又鍵者其例則例不 卹環、環辛三烯環等。 雜環可舉例如四氳、々 環、四氫喹啉環氫噻吩環、四氫吲哚 式(2)表示的重適〜广喹啉環等。 2A〜64、2B-U2B—64 可舉例如以下的2A-1至 及2C-1至2C-64表示的重複單位， 320680 19 200927785 以及在該重複单位中以烧基、烧氣基、烧硫基、芳基、芳 氧基、芳硫基、芳烧基、芳院氧基、芳烧硫基、芳稀基、 芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原 子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價 雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基作為取代基而結合 成的重複單位。 同時，在以下的式中，芳香族烴環的結合位置是環上 的任何位置。Rw及Rx表示與前述同樣的意義。

20 320680 200927785

Q

21 320680 200927785

22 320680 200927785

23 320680 200927785

❹ 24 320680 200927785

25 320680 200927785

❹

26 320680 200927785

27 320680 200927785

28 320680 200927785

29 320680 200927785

30 320680 200927785

就將本發明的高分子化合物使用於高分子發光元件 時的發光效率而言，是以式（2)表示的重複單位為選自式 31 320680 200927785 (2-一 1)表示的重複單位、式（2_2)表示的重複單位、式（" ^ 1重複早錢式（2_4)表㈣重複單位卿成群組中 、料位為佳，並以式（2-1)表示的重複單位更佳。

(2-1)

❹

(2-3) [式(2-1)至(2一4)中 基、烧硫基、芳基 (2-4) ❹ R5及R6分別獨立地表示烷基、烷 + 耗基、芳硫基、芳絲、芳燒氧基 取：芳炔基、胺基、取代胺基，^ 代夕坑基、齒素原子、酿基、醯氧基、亞胺殘基、醯 1=亞胺基、1價雜環基、減、取代縣 數，d表示0至5的整數。有數叫 荨基可為相同也可為不同者。另外，有數個R6；j^ 時’此等基可為相同也者’ 樣的意義，，與,也可相互結合而形成f述1 芳^及Γ中’絲、絲基、烧硫基、芳基、芳氧基 -基、禮基、技氧基、総硫基、芳雜、芳块基 320680 32 200927785 胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧 基及取代羧基的定義與具體例，是與前述R1的說明中之此 等基的定義與具體例相同。 就將本發明的高分子化合物使用於高分子發光元件 時的發光材料之耐久性而言，式（2-1)表示的重複單位是以 式（2-5)表示的重複單位為佳。

(2-5) [式（2-5)中，Rw及Rx表示與前述同樣的意義]。 就合成的容易度而言，及Rx是以烷基、烷氧基、烷 疏基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳燒基、.芳烧氧基、芳烧 Q 硫基、芳烯基、芳炔基為佳，並以炫基、院氧基、芳基、 芳氧基、芳烷基、芳烷氧基較佳，而以烷基更佳。 本發明的高分子化合物具有選自式（2)表示的重複單 位及式（3)表示的重複單位所形成群組中的1種以上之重 複單位。式（3)中的C環及D環分別獨立地表示可具有取代 基之芳香環，該芳香環可舉例如芳香族烴環、芳香族雜環。 芳香族烴環可舉例如苯環、萘環、蒽環、稠四苯環、 稠五苯環、芘環、菲環；芳香族雜環可舉例如噻吩環、吡 啶環。就合成單體的容易度或元件特性而言，是以苯環、 33 320680 200927785 萘環、蒽環、菲環為佳，而以苯環、萘環更佳。χ表示_〇一、 -s-、-S(=0)---S(=0)2---Si(R4)2-Si(R4)2---Si(R4)2-、 -B(R4)2-、-P(R4)2-、-p(=〇)(R4)2_、一〇_。(尺4)2_或 -N=C-(R4)-，R4表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳 烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、 鹵素原子、醯基、酿氧基、亞胺殘基、酿胺基、醯亞胺基、 1價雜環基、羧基、取代羧基、硝基或氰基。同時，此等 ❹基中所含有的氫原子也可取代成氟原子，當有數個R4存在 時’此等基可為相同或不相同。 式（3)中，R4中的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧 基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳 炔基、取代胺基、取代矽烷基、_素原子、醯基、醯氧基、 亞胺殘基、酿胺基、酿亞胺基、1價雜環基及取代羧基的 疋義與具體例，是與前述R1之說明中之此等基的定義與具 ❹ 體例相同。 山當式（3)的C環及/或D環具有取代基時，就本發明 的间为子化合物對有機溶劑的溶解性、使用本發明的高分 子化η物時之高分子發光元件的特性、合成單體的容易度 等而::此等取代基是以選自烧基、炫氧基、炫硫基、芳 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳 烯土芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、 齒:原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、 &雜％基1基、取彳谨基、硝基及氰基所形成之群級 34 320680 200927785 中者為佳。此等取代基中所含有的氫原子也可取代成氟原 子。當式（3)的重複單位在C環及/或D環上合計具有2 個以上的取代基時，此等取代基可為相同或不相同。 此處’烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫 基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取 代胺基、取代梦烧基、鹵素原子、酿基、酿氧基、亞胺殘 基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基及取代幾基的定義與 具體例，是與前述R1之說明中之此等基的定義與具體例相 ❹同。 其中’就提面本發明的高分子化合物對有機溶劑的溶 解性而言，是以烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧芙、 芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、丨價雜環基為佳， : 烷氧基、芳基更佳。 、烷基、 ❹ 式（3)表示的重複單位可舉例如式ο”）至 表示的重複單位。式（3-1)至式（3_56)表示的^ 3~56) 具有取代基。就提高本發明的高分子化合右位也可 溶解性而言，是以具有1個以上取代基者為枰機溶劑的 個以上取代基者更佳。式（3_29)至式（3_56^； ’二具有2 述之意義相同。 的R係與前 320680 35 200927785

(3-1) (3-2) (3-3) (3-4) (3-5)

(3-β) (3-7) (3-8) (3-9) (3-10)

❹

(3-11) (3-12) (3-14) (3-15)

(3-16) (3-17) (3-13)

36 320680 200927785

(3-25) (3-26) (3-27) (3-28)

(3-30) (3-31) (3-32)

(3_37) (3-3S) (3-39) (3-40) 37 320680 200927785

在式（3 )表示的重複單位之中，就使用本發明的高分 子化合物時之高分子發光元件的特性、螢光強度等而言， 是以選自式（3-A)表示的重複單位、式（3-B)表示的重複單 位、式（3-C)表示的重複單位所形成之群組中的重複單位為 佳’並以式（3-A)表示的重複單位或式（3-B)表示的重複單 位較佳，而以式（3-A)表示的重複單位時更佳。 38 320680 200927785

[在式（3-A)至式（3-C)中’X表示與前述者相同意義，r7分 別獨立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳 ❹硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、齒素原子、醯基、 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧 基、取代缓基、硝基及氰基。e表示0至3的整數，f表示 〇至5的整數。當有數個e存在時，彼此可為相同或不相 同’有數個f存在時，彼此可為相同或不相同。另外，有 數個R7存在時，此等基可為相同或不相同]。 〇 1中的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫 基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取 代胺基、取代矽烷基、齒素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘 基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基及取代羧基的定義與 具體例，是與前述R1之說明中之此等基的定義與具體例相 同。 就本發明的高分子化合物對有機溶劑的溶解性、使用 f發明的高分子化合物時之高分子發光元件的特性、合成 單體的容易度等而言，式（3_A)至式（3_〇)的R7是以烷基、 320680 39 200927785 烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基為佳。 就提高本發明的高分子化合物對有機溶劑的溶解性 而言，式（3-A)至式（3-C)中的e、f，是以e與f之和在1 以上為佳，並以2以上時較佳。 式（3-A)表示的重複單位是以式（3-D)表示的重複單 位為佳。 (R7)e (R7)e

❹ (3-D) (式（3-D)中，X、R7及e是與前述的意義相同）。 在式（3)、（3-A)、（3-B)、（3-C)及（3-D)中，就螢光 強度或使用本發明的高分子化合物時之高分子發光元件的 特性而言 ’X 是以_0_、_S_、_S(=0)-、_S(=0)2-、-Si(R4)2-、 _B(R4)2_、-〇-C(R4)2_為佳’並以_0-、_S-、_Si(R4)2-、 -〇-C(R4)2-較佳，而以-〇-、-S-更佳。 本發明的高分子化合物可含有2種以上之式（1)表示 的重複單位，也可含有2種以上之式（2)表示的重複單位， 也可含有2種以上之式（3)表示的重複單位。同時，也可含 有式（2)表示的重複單位及式（3)表示的重複單位。 當本發明的高分子化合物之重複單位的總數為100 時，式（1)表示的重複單位之總數是以1至95為佳，並以 1至50較佳，而以5至50更佳。式（2)表示的重複單位及 式（3)表示的重複單位之總數是以5至99為佳，並以20 40 320680 200927785 至90較佳，而以40至90更佳。 就發光效率、元件特性而言，本發明的高分子化合物 可復含有式（7)表示的重複單位。 -Ar- (7) [式中，Ar表示具有伸芳基、2價雜環基、金屬錯合物結構 的2價基或2價的芳香族胺基]。

Ar表示的伸芳基是指從芳香烴去除2個氫原子之後所 得的原子團，在伸芳基中係包括具有苯環者、具有縮合環 ❹ 者、由獨立的2個以上之苯環或縮合環直接或隔介伸乙烯 基等基而結合成者。伸芳基也可具有取代基。雖然並未特 別限制取代基的種類，但就溶解性、螢光特性、合成的容 -易度、作成元件時的特性等而言，是以烷基、烷氧基、烷 硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷 硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代 矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、 Q 醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基、氰基或硝基為 佳。 伸芳基的去除取代基之部份的碳數通常大約為6至 60，並以6至20為佳。另外，伸芳基的包含取代基之全部 碳數，通常大約為6至100。 伸芳基可舉例如伸苯基（例如下式1至3)、萘二基（下 式4至13)、蒽二基（下式14至19)、聯苯二基（下式20 至25)、聯三苯二基（下式26至28)、縮合環化合物基（下 式29至42)等。 41 320680 200927785

R R R R R R

7 8 9

13

42 320680 200927785

R R

19

43 320680. 200927785

另外，所謂2_縣是#旨聽雜合物去除 原子之後留下_子團，村具鋒代基。 此處，所謂的雜環化合物是指在具有環式結構的有機 化合物中，組成環的元素不僅只是碳原子，環内也含有氧、 硫、.氮、磷、硼、砷等雜原子者。在2價雜環基中，是以 2價的芳香族雜環基為佳。雖然並未特別限制取代基的種 類’但就溶解性、螢光特性、合成的容易度、作成元件時 的特性等而言，是以烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧 44 320680 200927785 基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳 炔基、胺基、取代胺基、發烷基、取代矽烷基、]I素原子、 醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、丨價雜環 基、羧基、取代羧基、氰基或硝基為佳。 2價雜環基的不包含取代基之部份的碳數通常大約為 3至60。另外，2價雜環基的包含取代基之全部碳數通常 大約為3至100 〇 2價雜環基可舉例如下述者。 ® 含有氮作為雜原子的2價雜環基：吡唆二基(下式1〇1 至106)、二氮雜伸苯基（下式1〇7至11〇)、喹啉二基（下式 111至125)、喹喔啉二基（下式126至130)、吖啶二基（下 式131至134)、聯《比咬二基（下式135至137)、菲囉淋二 基（phenanthrolinediyl)(下式 138 至 14〇)。 含氧、矽、氮、硫、硒、硼、磷等作為雜原子的5員 環雜環基（下式141至145)。 ❿含氧、梦、氮、砸等作為雜原子的5員環縮合雜環基 (下式146至157)。 a含氧、矽、氮、硫、硒等作為雜原子的5員環雜環基， 且是以該雜原子的〇：位詰合成二聚物或寡聚物的基（下式 158 至 159)〇 土 〆含氧、石夕、氮、硫、磁等作為雜原子的5員環雜環基， 且是以該雜原子的α位結合於笨基的基（下式16〇至⑽ 其在含氧、氮、硫、碰等作為雜原子的5員縮合環雜環 中取代有苯錢料基、㈣基的基。（下式167至172)。 320680 45 200927785

111

112 113 114 115

120

46 320680 200927785

NR-l .>-R

126

R R nH

R 127

R R)r~i .,. N N N N R-<v >-R R- ^

N N

130 129

131

134

135 137

138 139 140 47 320680 200927785 141 142 143 144 145

R R

p p R R

48 320680 200927785 ❹

160 161 ΐβ2 164 165 166

式（1至42、101至172)中，R表示氫原子、烷基、烷 氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳燒基、芳燒氧 基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷 ❹基、取代石夕烧基、鹵素原子、酿基、酿氧基、亞胺殘基、 醯胺基、醢亞胺基、1價雜環基、緩基、取代叛基、氰基 或硝基。 此處’烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫 基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取 代胺基、取代矽烷基、齒素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘 基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基及取代羧基的定義與 具體例，是與前述Ri、R2中的該等之定義與具體例等相同。 具有金屬錯合物的2價基可舉例如以下（m_i)至（μ—7) 320680 49 200927785 所示的基。

❹ 式（M-1)至（M-7)中，R的定義與具體例是與前述（1至 42、101至172)中的R之定義與具體例等相同。 2價的芳香族胺基可舉例如式（6)表示的基。

X ⑹ ❹ [式（6)中，Ar1、Ar2、Ar3及Ar4分別邾☆从生 價雜環基，Ατ>5 Λ 6 A 7 別獨立地表示伸芳基或2 :雜衣基Ar、Ar6及Ar7分別獨立地表示芳基或“ ’x y分别獨立地表示〇至5的整數1。 广 以。=，X是以0至3為佳，並以❻或1較佳。y是 以U至d為佳，並以0或1較佳。 320680 50 200927785 繼、2價雜環基、芳基M價雜環基之定義與且 體例是與前述紅的說明中此等之定義與具體例相同。 式⑻表示的重複單位可舉例如式糾）至式（6_⑷ 表示的重複單位。

就本發明的高分子化舍物而言’可舉例如：由式（1 ) 表示的重複單位及式（2)表示的重複單位所構成的高分子 化合物；由式（1)表示的重複單位及式（3)表示的重複單位 所構成的高分子化合物；由式（1)表示的重複單位、式（2) 表示的重複單位及式（3)表示的重複單位所構成的高分子 51 320680 200927785 化合物；由式（1)表示的重複單位、式（2)表示的重複單位 及式（7)表示的重複單位所構成的高分子化合物；由式Q) 表不的重鮮位、式⑶表示的重複單位及式⑺表示的重 硬單位所構成的高分子化合物；由式⑴表示的重複單位、 式（2)表福重複單位、式⑶麵㈣複單位及式⑺表示 的重複單位所構成的高分子化合物。

、就几件的壽命特性而言，本發明的高分子化合物換算 成聚苯乙烯的數平均分子量是以1G3至1G8為佳，並以1〇3 至1〇較佳，而以104至1〇7更佳。 本發明的高分子化合物可為無規、交互、嵌段或接; ^聚合物’或具有此等之中間性結構之高分子例如可 2嵌段14的無規絲合物。就獲得螢光㈣光的量子; 率高之高分子發域而言，帶有紐 i =共聚合物係比完全的無規共聚合:還=: ❹ 個以:物的主鏈上有分支，也包括末端部份為 -來二y合物或樹狀聚合物(dendrimer)。 留在:發二合：的原料單體之聚合活性基就; 藉由安定的基保護該末端。該基是以哥 構連續的料辦為佳，可麻如m與峻的共軛， :鍵而與芳基或雜環基等安定的：匕:物為隔介场 護用之基而言，叮土進仃尨合之結構。就' 320680 52 200927785 對於本發明的高分子化合物為良溶劑者，可舉例如氣 仿、二氯曱烷、二氯乙烷、四氫呋喃、甲笨、二甲苯、135 三甲苯（mesitylene)、四氫化萘（tetralin)、十氫化萘 (decal in)、正丁基苯等。雖然也可依高分子化合物的結構 或分子量而異，但通常此等溶劑中可溶解〇. 1重量％以上 的高分子化合物。 接著說明本發明的高分子化合物之製造方法。 可使用例如下式表示的化合物作為原料，將此原料予 ® 以縮合聚合後，即tT製得本發明的高分子化合物·· Υι-Α-Υ2 [式中’ 表示.式（1).、（2)或（3)表示的重複單位、γ ώ 11及 Υ2分別獨立地表示與縮合聚合相關的取代基]。 在本發明的製造方法中，作為與縮合聚合相關的取代 基（Υι及Υ2)，可舉例如鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺 酸酯基、芳烷基磺酸酯基、從硼酸酯衍生的基、銃甲基、 鱗甲基、膦酸甲酯基（phosphonate methyl gr〇up)、^齒 化甲基、-b(oh)2、甲醢基、氰基或乙稀基。 〇 碟原=1素原子可舉例如氟原子、氯原子、漠原子 甲苯續酸酯基等’.t基俩酯基可舉例如苯俩酯基、對 基。 ’找基魏酯基可舉例如苯T基橫酸酿 從猶醋街生的基可舉例如下式表示的基。 320680 53 200927785 /OMe \^Μθ OEt:〇Et

(式中，Me表示曱基，Et表示乙基）。 毓甲基可舉例如下式表示的基。 -CH2S+Me2Xf ' -CH2S+Ph2Xr (义1表示鹵素原子，Ph表示苯基）。 .鱗曱基可舉例如下式表示的基。 ❹ -CH2P+Ph3Xr (X〗表示鹵素原子）。 至於膦酸甲酯基，可舉例如下式表示的基。 -CH2P0(0R’）2 (R’表示烧基、芳基、芳烧基）。 單鹵曱基可舉例如氟曱基、氯甲基、溴甲基、碘曱基。 就與縮合聚合有關的取代基而言，理想取代基雖然因 φ 縮合聚合反應的種類而有不同，但在例如縮合聚合反應為 Yamamoto耦合反應等使用0價鎳錯合物的反應時，可舉例 如鹵素原子、烧基續酸醋基、芳基確酸S旨基或芳烧基續酸 酯基，而在Suzuki耦合反應等使用鎳觸媒或鈀觸媒的反應 時，可舉例如烷基磺酸酯基、鹵素原子、從硼酸酯衍生的 基、-b(oh)2 等。 本發明的高分子化合物係可藉由使作為單體之具有 與縮合聚合有關的取代基之化合物（原料化合物）配合需求 而溶解於有機溶劑後，使用例如鹼或適當的觸媒，在有機 54 320680 200927785 溶劑的熔點以上沸點以下之溫度使其縮合聚合而製得。在 製造本發明的高分子化合物時，可使用例如Organic Reactions，第 14 卷，270-490 頁，John Wiley&Sons，1965 年；Organic Syntheses ， Collective 第 6 卷，407-411 頁，John Wiley & Sons, 1988 年；Chemical Review，第 95 卷，2457 頁（1995 年）；Journal of Organometalic Chemistry ’ 第 576 卷，147 頁（1999 年）；Macromolecular Chemistry ， Macromolecular Symposium ，第 12 卷，229 ❹ 頁（1987年）等已周知的方法。 在本發明的高分子化合物之製造方法中，可配合與縮 合聚合有關的取代基，使用已知的縮合聚合反應。 可列舉例如使該單體藉由Suzuki耦合反應聚合的方 法、藉由Grignard反應聚合的方法、藉由Ni(〇)錯合物聚 合的方法、藉由FeCh等氧化劑而聚合的方法、藉由電化 學而氧化聚合的方法、或藉由具有適當脫離基的中間體高' 〇 分子之分解而進行的方法等。 在此等之中’以藉由Suzuki耦合反應聚合的方法、 藉由Grignard反應聚合的方法、及藉由鎳（〇)錯合物聚合 的方法，因容易控制高分子化合物的結構而佳。 在本發明的高分子化合物之製造方法中，以與縮合聚 合有關的取代基〇^及W為分別獨立地選自鹵素原子、烷 基磺酸酯基、芳基磧酸酯基或芳烷基磺酸酯基者，且在鎳 (〇)錯合物存在下進行縮合聚合的製造方法為佳。 原料化合物可舉例如二南化物、雙（烷基磺酸酯）化合 55 320680 200927785 物、雙（芳基績酸酯）化合物、雙（芳烧基續酸g旨）化合物、 鹵素-烧基績酸醋化合物、齒素芳基續酸醋化合物、_素一 芳烧基續酸醋化合物、烧基續酸醋-芳基績酸I旨化合物、炫 基績酸醋-芳燒基續酸醋化合物及芳基續酸g旨-芳烧基石黃酸 酉旨化合物。 此時，可舉例如藉由使用函素-烷基磺酸酯化合物、 鹵素-芳基磺酸酯化合物、鹵素-芳烷基磺酸酯化合物、燒 基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳烷基磺酸酯 化合物及芳基磺酸酯''芳烷基績酸酯化合物作為原料化合 物，而製造已控制順序（se(luence)的高分子化合物之方法。 同時，在製造本發明的高分子化合物之方法中，以與 縮合聚合有關的取代基（Yl及Y2)為分別獨立地選自鹵素原 子、烷基磺酸酯美、芳基磺酸酯基、芳烷基磺酸酯基、硼 酸基(-Β(ΟΗ)2)或從硼酸酯衍生的基者，且全原料化合物所 具有之齒素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基及芳烷基 Ο 磺酸酯基的莫耳棼之合計（J)與硼酸基（-Β(ΟΗ)2)或從硼酸 酯衍生的基之莫耳數之合計（κ)的比實質上為1(通常K/J 在0.7至1.2的範園）’並使用錄觸媒或纪觸媒進行縮合聚 合的製造方法為#。 原料化合物的組合可舉例如二自化物、雙（燒基續酸 酯）化合物、雙（芳基磺酸酯）化合物或雙（芳烷基磺酸醋） 化合物，與二硼酿化合物或二硼酸酯化合物之間的組合。 同時，可舉制如鹵素-硼酸化合物、函素-蝴酸酯化合 物、烷基磺酸酯-綳酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、 320680 56 200927785 芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳 烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳烷基磺酸酯-硼酸酯化合物。 此時，可舉例如藉由使用鹵素-硼酸化合物、鹵素-硼 酸酯化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸 酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯 化合物、芳烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳烷基磺酸酯-硼酸 酯化合物作為原料化合物，而製造已控制順序的高分子化 合物之方法。 Ο 就溶劑而言，雖然因使用的化合物或反應而異，但一 般為了抑制副反應，而以將所使用之溶劑施予充分的脫氧 處理後，再於惰性氣體環境下進行反應者為佳。並且，同 樣地以進行脫水處理者為佳。但是，如同Suzuki耦合反應 等以與水的二相系進行反應之情形，則不在此限。 溶劑可舉例如：戊烧、己烧、庚烧、辛炫、環己燒等 飽和烴；苯、甲苯、乙基苯、二曱苯等不飽和烴；四氯化 ^ 碳、氯仿、二氯甲烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、 氯己烷、溴己烷、氯環己烷、溴環己烷等鹵化飽和烴；氯 苯、二氯苯、三氯苯等鹵化不飽和烴；曱醇、乙醇、丙醇、 異丙醇、丁醇、第三丁醇等醇類；甲酸、醋酸、丙酸等羧 酸類；二曱基醚、二乙基醚、曱基-第三丁基醚、四氫呋喃、 二口署烧（dioxane)等醚類；三曱基胺、三乙基胺、 N，N，N’ ，N’ -四曱基伸乙二胺、吡啶等胺類；N，N-二甲基 曱醯胺、N，N-二曱基乙醯胺、N，N-二乙基乙醯胺、N-甲基 嗎啉氧化物等醯胺類等。此等溶劑可單獨使用一種，也可 57 320680 200927785 混合後使用。此等之中，是以甲苯、四氫呋喃為佳。 可適度地添加鹼或適當的觸媒，以進行縮合聚合反 應。此等觸媒只要配合所使用的反應而選擇即可。該驗或 觸媒宜為可充分溶解於反應中所使用的溶劑者。使鹼或觸 媒混合的方法可舉例如：在氬氣或氮氣等惰性氣體環境 下’ 一邊攪拌含有原料化合物與溶劑的反應液，一邊將檢 或觸媒之溶液緩緩加入其中的方法；或相反地在驗或觸媒 之溶液中緩緩加入反應液之方法。 ❺ 當將本發明的高分子化合物使用於高分子LED等中 時’由於其純度會影響到發光特性等元件之性能，故宜先 將聚合前的單體以蒸顧、昇華精製、再結晶等方法精製後， 再進行聚合。另外，在聚合後，宜進行再沉澱精製、藉層 析儀而分離等純化處理。 本發明的組成物是含有本發明的高分子化合物之級 成物，可舉例如：含有選自電洞輸送材料、電子輸送材料 〇 及發光材料所形成群組中的至少一種材料與至少一種本發 明的高分子化合物之組成物；含有至少二種本發明的高分 子化合物之組成物。 本發明的液狀組成物，可適用於製作高分子發光元件 等發光元件或有機電晶體。液狀組成物係由含有前述高分 子組成物與溶劑而形成。本說明書中的「液狀組成物二1 指在製作元件時為液狀物之意，通常在常壓（即一大氣 壓）、25°c中為液狀。同時，液狀組成物一般可稱為印墨、 印墨組成物、溶液等。 320680 58 200927785 除了刖述n分子化合物之外，本發明的液狀組成物也 可含有低分子螢光材料、電祠輸送材料、電子輸送材料、 t疋劑、用以調郎黏度及/或表面張力的添加劑、抗氧化 劑等此等的任何成分可各別單獨使用一種，也可併用二 種以上。 關於本發明的液狀組成物可含有的低分子榮光材 料，可舉例如萘衍生物、葱、葱衍生物、花、花衍生物、 I-人甲基（polymethine)類色素、咕嘲（xanthene)類色素、 ©香豆素（coumarin)類色素、花青素（cyanine)類色素、具有 8-羥基喹啉的金屬錯合物作為配位子的金屬錯合物、具有 8-羥基喹啉衍生物作為配位子的金屬錯合物、其他螢光性 金屬錯合物、芳香族胺、四苯基環戊二烯、四苯基環戊二 烯衍生物、四苯基環丁二烯、四苯基環丁二烯衍生物、二 苯乙烯類、含矽之芳香族類、噚唑類、呋咱（fur〇xan)類、 嗔唾類、四芳基曱燒類、嗟二唑類、吡嗤類、間環芳 Q (metacycl〇Phane)類、乙炔類等低分子化合物的螢光性材 料。低分子螢光材料具體上可舉例如日本特開昭57_51781 號公報、日本特開昭59-194393號公報等所記載的材料與 已周知的材料。 關於本發明的液狀組成物可含有之電洞輸送材料，$ 舉例如聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚矽烷及其衍生物、側 鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑琳衍生 物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、 t本胺及其衍生物、聚嗟吩及其衍生物、聚π比哈及其衍生 59 320680 200927785 物、聚（對-伸苯基伸乙烯基）及其衍生物、聚（2, 5__伸嗟吩 基伸乙烯基）及其衍生物等。 關於本發明的液狀組成物可含有之電子輸送材料，可 舉例如噚二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯藏及其 衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰葱g昆二 曱烷及其衍生物、苐酮衍生物、二苯基二氰基乙稀及其衍 生物、聯苯醌（diphenoquinone)衍生物、8-經基啥琳及其 衍生物的金屬錯合物、聚喧琳及其衍生物、聚啥喔淋 ❹ （polyQuinoxaline)及其衍生物、聚苐及其衍生物等。 關於本發明的液狀組成物可含有的安定劑，可舉例如 酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑等。 關於本發明的液狀組成物可含有的用以調節點度及 /或表面張力之添加劑，只要適當地組合使用例如用以提 高黏度之高分子量的化合物（增黏劑）或貧溶劑、用以降低 黏度之低分子量的化合物、用以降低表面張力之界面活性 ❹劑等即可。此處，所謂的貧溶劑是指可使本發明之高分子 化合物溶解於lg溶劑中的重量為0. lmg以下之溶劑。 就前述的高分子量之化合物而言，只要是不妨礙發光 或電荷輸送者即可，通常是指可溶於液狀組成物的溶劑中 者。高分子量的化合物可使用例如高分子量的聚苯乙烯、 高分子量的聚曱基丙烯酸曱酯等。前述高分子量的化合物 換算成聚苯乙烯之重量平均分子量宜為5〇萬以上，並以 100萬以上更佳。同時，貧溶劑也可使用作為增黏劑。 關於本發明的液狀組成物可含有之抗氧化劑，只要是 320680 60 200927785 不妨礙發光或電荷輸送者即可，當組成物含有溶劑時，通 常為可溶於該溶劑者。抗氧化劑可舉例如酚系抗氧化劑、 磷系抗氧化劑等。藉由使用抗氧化劑，而得以改善前述高 分子化合物、溶劑之保存安定性。 當本發明的液狀組成物含有電洞輸送材料時，在將溶 劑以外的液狀組成物之重量設為100時，該液狀組成物中 的電洞輸送材料之量通常為丨至8〇,並以5至6〇為佳。 當本發明的液狀組成物含有電子輸送材料時，在將溶劑以 ❿外的液狀組成物之重量設為100時，該液狀組成物中的電 子輸送材料之量通常為丨至8〇，並以5至6〇為佳。 在製作高分子發光元件之際，使用此液狀組成物進行 成膜時，於塗布該液狀組成物之後，只要藉由乾燥而去除 溶劑即可，另外，在已經混合有電荷輸送材料或發光材料 時也可適用同樣的手法，所以在製造上非常有利。另外， 在乾燥之際，可在加溫到5〇至15(rc左右的狀態下乾操， ◎ 另外’亦可減壓至1(r3Pa左右並使其乾燥。 就使用液狀組成物的成膜方法而言，可使用旋轉塗布 法、澆鑄法（casting method)、微凹版塗布法、凹版塗布 法、捧式塗布法、輥塗法、線棒塗布法、浸塗法、喷塗法、 網版印刷法、柔版印席1J法（flexographic printing ffleth〇d)、膠版印刷法（offset printing method)、喷墨印 刷法等塗布法。 、

相對於該液狀組成物的全重量，液狀組成物中的溶鋼 之比例通常為1重量％至99. 9重量％，以60重量％至gg Q 61 320680 200927785 重量縣佳，並以90重量％至99.8重量料更佳。雖铁 液狀組成物的黏度係因印刷法而異，但以在饥中為〇 5 至5_Pa · s的範圍為佳，在以嘴墨印刷法等使液狀組成 物經由吐出裝置而吐出之方法時，為了防止吐出時的喷嘴 阻塞或飛行f曲，而以在25t中為"至·…的範 圍為佳。 液狀組成物中所含有的溶劑是以可溶解或分散該液 狀組成物中該溶劑之外的成分者為佳。溶劑可舉例如：氯 ©仿、二氯甲烷、二氯乙烷、^卜三氣乙烷、氯苯、 二氯苯等氯系溶劑；四氫°夫啥、二曙鮮賴溶劑；甲 苯、二甲苯、三甲基苯、1，3,5一三甲苯（mesii；ylene)等芳 香族烴類溶劑；環己烷、甲基環己烷、正戊烷、正己烷、 .正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烴類溶劑；丙 鲖、甲基乙基酮、環己酮等酮類溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁 酯、苯甲酸甲酯、乙基賽珞蘇醋酸酯（ethyl cell〇s〇lve ❹acetate)等酯類溶劑；乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二醇 單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二曱氧基乙烷、丙二醇、二 乙氧基甲烷、三乙二醇單乙基醚、甘油、丨，2—己二醇等多 疋醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等 醇類溶劑；二曱基亞砜等亞砜類溶劑；N—曱基_2一吡咯啶 _、N，N-一甲基曱隨胺等醢胺類溶劑。此等溶劑可單獨使 用—種，也可組合數種使用。就黏度、成膜性等而言，前 述溶劑之中，以含有一種以上的具備至少含一個以上苯環 之結構，且熔點在〇。〇以下、沸點在l〇0°c以上的有機溶劑 320680 62 200927785 為佳。 就液狀組成物中的溶劑之外的成分對於溶劑的溶解 j、成膜時的均勻性、黏度特性等而言，溶劑的種類是以 芳香族烴類溶劑、脂肪族烴類溶劑、酯類溶劑、酮類溶劑 為佳，以甲苯、二曱苯、乙基苯、二乙基苯、三曱基苯、 1’ 3, 5-三甲苯、正丙苯、異丙苯、正丁苯、異丁苯、第二 丁基苯、茴香醚（anisole)、乙氧基苯、丨_甲基萘、環己烷、 %己酮、環己笨、聯環己炫（bicycl〇hexyl)、環己婦基環 ❹己酮、正庚基環己烷、正己基環己烷、苯甲酸甲酯、2_丙 基環己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、 2-癸酮、二環己酮為佳，並以含有二甲苯、茴香醚、& 5_ —曱本、環己本、聯環己炫、苯甲酸曱醋中的至少一種更 佳。 就成膜性或元件特性等而言，液狀組成物中所含有的 ，奋劑之種類是以二種以上為佳，並以二至三種較佳，而以 ^ 一種更佳。 。當液狀組成物中含有二種溶劑時，其中一種溶劑在25 。(：中也可為固態。就成膜性而言，以一種溶劑的彿點為刚 c以上者，且另一種溶劑的沸點未達i8(rc者為佳，而以 -種溶劑的彿點為靴以上者，且另一種溶劑的滞點為 未達'8〇C者更佳。另外，就黏度而言，以在6〇t>c時使液 狀組成物中去除溶劑的成分之0.2重量％以上溶解於溶劑 者為佳，而在二種溶劑中的一種溶劑中，是以在25t時可 使液狀組成物中去除溶劑的成分之〇·2重量％以上溶解於 63 320680 200927785 溶劑者為佳。 當液狀組成物中含有三種溶劑時，其中一至二種溶劑 在25°C中也可為固態。就成膜性而言，以三種溶劑中的至 少一種之沸點為180°C以上的溶劑，且至少一種溶劑的沸 點為180°C以下的溶劑為佳，並以三種溶劑中的至少一種 之沸點為200°C以上300°C以下之溶劑，且至少一種溶劑的 沸點為180°C以下的溶劑為佳。同時，就黏度而言，在三 種溶劑中的二種溶劑中，是以在60°C時可使液狀組成物中 © 去除溶劑的成分之0.2重量％以上溶解於溶劑者為佳，而 在三種溶劑中的一種溶劑中，是以在25°C時可使液狀組成 物中去除溶劑的成分之0.2重量％以上溶解於溶劑者為 佳。 就黏度及成膜性而言，當液狀組成物中含有二種以上 的溶劑時，是以使沸點最高的溶劑為液狀組成物中所含有 的全溶劑重量之40至90重量％為佳，並以50至90重量 a %較佳，而以65至85重量％更佳。 〈用途〉 本發明的高分子化合物不只可使用作為發光材料，也 可使用作為薄膜、有機半導體材料、有機電晶體、光學材 料、太陽電池或藉由摻雜而作為導電性材料。 說明有關本發明的薄膜。此薄膜是含有前述高分子化 合物者。薄膜的種類可舉例如發光性薄膜、導電性薄膜、 有機半導體薄膜尊。 就元件的亮度或發光電壓等而言，發光性薄膜是以發 64 320680 200927785 光的量子產率為5〇%以上者為佳，並以6〇%以上者為佳， 而以7 0 %以上時更佳。 導電性薄膜是以表面電阻為仙/□以下者為佳 膜可因摻雜路易斯酸、離子性化合物等，而提高其導電户。 :面電阻是以咖，□以下較佳，並以10Ω/□以下\

有射^㈣収以電切動度減洞移動度的任 -較大者在ircmVv/秒以上為佳，並以i〇_3cmV 〇以上較佳，而以在10-w^^秒以上更佳。使用本發明 的有機半導體薄膜，可製作有機電晶體。例如，在由邮 等絕緣膜與閥極所形成的Si基板上形成有機半導體薄膜 後，可藉由以A u等形成源極與没極，而製成有機電晶體。 其次，說明有關有機電晶體的一種形態之高分子場效 電晶體。 就间为子％效電晶體的材料而言，本發明的高分子化 ❹u物尤其可相作為活性層的材料。關於高分子場效電晶 體的結構’通常只要使源極與祕接設在由高分子所構成 的活性層，再挾持住相接於活性層的絕緣層而設置闕極即 可。 冑分子場效電晶體通常是形成在支撐基板上。雖然在 不妨礙作為高分子場效電晶體的特性下，即無特別限制作 為支稽基板的材質，但也可使用玻璃基板或軟性的薄膜基 板或塑膠基板。 、土 高分子場效電晶體可藉由已周知的方法製造，例如曰 320680 65 200927785 本特開平5-110069號公報中的方法。 在形成活性層時，宜使用可 ί:化=有利於製造。關於以可二== 刀子化合物讀於溶射而進行的由溶液成 」的巧 使用旋轉塗布法、洗鑄法、微凹版塗布法、凹版塗^可 棒式塗布法、輥塗法、線棒塗布法、浸塗法决、 版印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、喷墨印刷法Ϊ塗: ❿ f作面分子場效電晶體後，以由密封所形成的言 分子場效電晶體為佳。高分子場效電晶體可藉此隔絕: 氣，而可抑制高分子場效電晶體的特性下降。 工 密封的方法可舉例如：以紫外線（uv)硬化樹脂、熱 化樹脂或無機的SiONx膜等進行遮蔽的方法；以…硬^樹 脂、熱硬化樹脂等貼合玻璃板或薄膜等的方法等。為了能 有效發揮與大氣的隔絕，以使從製作高分子場效電晶體後 Q 至密封為止的步驟在未曝露於大氣之狀態中（例如，在乾燥 的氮氣環境中、真空中等）進行為佳。 、 其次，說明有關有機太陽電池。以有機太陽電池之— 形態的有機光電轉換元件’說明利用光伏特效應 (photovoltaic effect)的固體光電轉換元件。 本發明的高分子化合物可適用作為有機光電轉換元 件的材料，其中更可作為利用有機半導體與金屬間的界面 之肖特基能障（schottky barrier)型元件的有機半導體 層，又，可作為利用有機半導體與無機半導體或有機半導 320680 66 200927785 髗相互間的界面之pn型異質接合加◦細⑴⑽）型元 件的有機半導體層。 並且τ適用於作為已使供應體·接受體（d〇ner · acceptor)的接觸面積擴大之塊材（bulk)異 質接合型元件 中的電子供應性高分子、電子接受性高分子，另外，可作 為使用高分子•低分子複合系的有機光電轉換元件[例如， 已刀散有作為電子接觉體的富勒烯衍生物之 塊材異質接合型元件]的電子供應性共輛類高分子（分散支 ❹撐體）。 關於有機光電轉換元件的結構，例如在pn型異質接 σ t元件中的歐姆性電極（〇hmic eiectr〇de)，例如只要在 ΙΤ0上形成p型半導體層，並且積層n型半導體層後，再 在其上設置歐姆性電極即可。 有機光電轉換元件通常是形成在支撐基板上。雖然在 不妨礙作為有機光電轉換元件的特性下，即不特別限制作 ❹為支撐基板的材質，但也可使用玻璃基板或軟性的薄膜基 板或塑膠基板' 有機光電轉換元件可依據已周知的方法製造，例如

Synth，Met.，102，982(1999)中的方法或 Science，270, 1789(1995)中的方法。 其次’說明有關本發明的南分子發光元件。 本發明的高分子發光元件係具有：由陽極與陰極所構 成的電極、與設在該電極間且含有本發明的高分子化合物 之層_。 320680 67 200927785 另外，本發明的高分子發光元件可舉例如：Q)在陰 極與發光層之間設有電子輸送層的高分子發光元件、（2) 在陽極與發光層之間設有電洞輸送層的高分子發光元件、 (1)在陰極與發光層之間設有電子輪送層，且在陽極與發光 層之間設有電洞輸送層的高分子發光元件等。 具體上，本發明的高分子發光元件可舉例如以下a) 至d)的結構。 a)陽極/發光層/陰極 ❹ b)陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 c) 陽極/發光層/電子輸送層//陰極 d) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (此時’/表示各層為鄰接積層。以下亦同）。 此時，所謂發光層是指具有發光機能的層；所謂電洞 輸送層是指具有輸送電洞機能的層；所謂電子輸送層是指 具有輸送電子機能的層。尚且，電子輪送層與電洞輸送層 ❹可總稱為電荷輸送層。發光層、電洞輪送層、電子輸送層 也可分別獨立的使用二層以上。 .另外，鄰接於發光層的電洞輸送層有時亦被稱為中間 層（inter-layer) 〇. 發光層的成膜方法並無限制，但可例示由溶液成膜的 方法。 :由溶液成膜的方法而言，可使㈣轉、洗鱗

It塗布法、凹版塗布法、棒式塗布法、棍塗法、 線棒塗布法、浸塗法、喷塗法、網版印刷法、柔版印刷法、 320680 68 200927785 膝版印刷法、喷墨印刷法等塗布法。 在製作高分子發光元件之際，由於是使用本發明的分 子化合物，故在由溶液成膜時，塗 去除溶劑，並且在已經混合有電；後僅須以乾燥 色口有電何輪送材料或發光材料 時，也可使用同樣的方式，在製造上 0 發Μ的麟係依所❹材料而使最適值不同，γ曰只 要選擇可使驅動電壓與發光效率達到適度值者即可，例如 為lmn至1以in，並以2nm至500nm為佳，而以5nm至2〇〇mn 時更佳。 就本發明的高分子發光元件的一種形態而言，可舉例 如發光層含有上述高分子化合物的發光元件。此時，該發 光層也可含有該高分子化合物以外的發光材料。含有上述 該高分子化合物以外之發光材料的發光層，也可與含有上 述該高分子化合物的發光層積層。 關於前述高分子化合物以外的發光材料，可使用已周 © 知的材料。就低分子化合物而言，可使用例如：萘衍生物、 蒽及其衍生物、茈及其衍生物、聚次曱基類、咭噸類、香 豆素類、花青素類等色素類；8-羥基喹啉及其衍生物的金 屬錯合物、芳香族胺、四苯基環戊二烯及其衍生物、四苯 基環丁二烯及其衍生物等。具體上，可使用例如日本特開 昭57-51781號、日本特開昭59-194393號公報中的化合物 等已周知的化合物。 當本發明的高分子發光元件具有電洞輸送層時’使用 的電洞輪送材料可例示如聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚矽 320680 69 200927785 ϊ及生:鏈或主鏈具有芳香族胺的聚矽氧烷衍生 苯基二脸4、-江生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三 聚吼略及1彳='聚苯胺及其衍生物、㈣吩及其衍生物、 聚（2,5-伸、聚（對一伸苯基伸乙稀基）及其衍生物、 料，具體上可L伸乙烯基)及其衍生物等。電洞輪送材 開昭糾7586^如日本特開日召⑽―7〇257號公報、日本特 本特開平2〜13=公報、曰本特開平2一135359號公報、曰 ©日本特開平3 q7。號公報、日本特開平2-猶988號公報、 中所記。號公報、日本射料3_152184號公報 此等之中 言，是以聚μ使用於電洞輸送層的電洞輸送材料而 側鏈或主鏈具有，唾及其衍生物、聚德及其衍生物、 衍生物、聚嘆\方香族胺的聚石夕氧燒衍生物、聚苯胺及其 衍生物、聚（2 ς 〃衍生物、聚（對—伸苯基伸乙烯基）及其 ©電祠輸送材料為伸塞吩基伸乙烯基）及其衍生物等高分子 乾及其衍生* ’並以聚乙烯基$錢其衍生物、聚石夕 物為更佳。h侧鍵或主鍵具有芳香族胺的聚石夕氧燒衍生 分子黏合劑中輸送材料時，是以分散在高 行陽唾及其街生物係例如可“缔基單體進 _子聚合或自由基聚合*得。 卷聚魏及其衍生物可舉例如Chemical

Review 第 89 ^⑽頁⑽9年）、英國專利謂瞻號公開說明 句中的化合物等。也可使用此等讀中的方法作為其合成 320680 70 200927785 方法，尤其以KiPPing法為適用。 由於在矽氧烷骨架結構中 幾乎無電洞輪送性，故聚 氧坑何生物是或主鏈減上述低分 材 送性的芳香族胺者。 （'有電洞輪 Ο 雖然並無限制電洞輸送層的成膜方法.八工 法―高分子黏二: 可舉例如由溶液成：卜法在為高分子電崎送材料時， -；：：：：：：：：：：- 二氣乙炫等氣系溶=該_可舉例如··氣仿、 ::劑二::等〜容 溶劑。 乙基赛珞蘇醋醭醋等酉^ 各+就由溶液成膜的方法而士 法布法、细法、微凹.可使用由溶液進行的旋 =塗法、轉塗布法凹版/布法、棒式塗布 柔版印刷法、膠版印刷法喷塗法、網版印制法、 所混合的高分子黏合劑、‘、P刷法等塗布法。 ιΓ，_對於可見光的料極度阻礙電荷輪送者 :劑可舉例如聚碳酸醋 強者為適用。該高分子黏 尹基两烯酸甲醋、聚苯乙烯烯酸酿、聚丙烯酸甲崎、聚 電祠輪送層的膜厚係氧燒等。 使用之材料而使最適值不. 32〇68〇 200927785 同，但只要選擇可使驅動電壓與發光效率達到適度值者即 可，但至少必須是不致發生針孔的厚度’太厚時，會使元 件的驅動電壓變高而不佳。所以，該電洞輸送層的膜厚例 如為lnm至1 // m，並以2nm至500nm為佳，而以5nm至200nm 時更佳。 本發明的高分子發光元件具有電子輸送層時，可使用 已周知的材料作為電子輸送材料，可舉例如噚二唑衍生 物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其 ❹ 衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰蒽醌二甲烷及其衍生物、 薙酮衍生物、二苯基二氰乙烯及其衍生物、聯苯醌衍生物、 8-羥基喹啉及其衍生物的金屬錯合物、聚喹啉及其衍生 物、聚喹喔啉及其衍生物、聚苐及其衍生物等。電子輸送 材料具體上可舉例如曰本特開昭63-70257號公報、曰本特 開昭63-175860號公報、日本特開平2-135359號公報、日 本特開平2-135361號公報、日本特開平2-209988號公報、 日本特開平3-37992號公報、日本特開平3-152184號公報 ❹中所記載者。 在此等之中，是以卩琴二唑衍生物、苯醌及其衍生物、 蒽酿及其衍生物、8-經基喧琳及其衍生物的金屬錯合物、 聚喹淋及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚第及其衍生 物為隹’並以2-(4-聯苯基）-5-(4-第三丁基苯基）4,3,4-曙二°坐、苯酿、蒽藏、三（8-啥淋醇）銘、聚啥琳更佳。 雖然並無限制電子輸送層的成膜方法，但在為低分子 電子輸送材料時’可舉例如由粉末進行的真空蒸鍍法、由 72 320680 200927785 溶液或熔融狀態成臈的方法，在 時，則例示如由溶液_融狀二=電子輪送材料 溶融狀態成膜時，也可併用高分子法。在由溶液或 關於溶液成膜時所用的溶劑，口 、 材料及/或高分子黏合劑之溶劑，即心J二解電子輸送 劑可舉例如氯仿、二氯甲炫、 二特別的限制。該溶 ο 咳喃等随溶劑;甲苯、二甲笨等芳香:二容：;四氳 甲基乙基嗣等_溶劑；醋酸乙酉旨、㈣;_員:谷劑；丙輞、 蘇醋酸酯等酯類溶劑。 ' 9 Sa、乙基賽路 布法就溶融狀態成膜的方法而言，可使用旋轉塗 澆鑄法、微凹版塗布法、凹版塗布法 輥塗法、線棒塗布法、浸塗法、噴塗法、網版：法 版印刷法、膠版印刷法、喷墨印刷法等塗希法。'、、柔 就所混合的高分子黏合劑而言，暑 〇 為佳，同時是以對於可見光的吸收不強何 合劑可舉例如聚（ν^基料）、聚笨胺及其 生物、聚嗟吩及其衍生物、聚（對—伸苯基伸乙婦 :生：、聚α5-伸賴伸乙婦基)及其衍生物；碳酸 w烯酸醋、聚丙烯酸甲醋、聚甲基丙婦 本乙烯、聚氯乙烯、聚矽氧烷等。 ^ 電子輸騎频厚仙所使騎_ 最適 但只要選擇可使鶴働發光效率達到=者即 但至少必須是不會發生針孔的厚度，太厚時，會使元 的驅動電㈣高而不佳。所以該電子輪送層的膜厚例如 320680 73 200927785 為lnm至l#m’並以2nm至500nm為佳，而以5nm至200nm 時更佳。 同時’在鄰接電極而設置的電荷輸送層之中’具有可 改善從電極注入電荷的效率之機能、且具有玎.使元件的驅 動電壓下降之效果者，一般特別稱之為電荷注入層（電洞注 入層、電子注入層）。 並且’為了提高與電極間的密著性或改善從電極注入 電荷之情形，也可鄰接電極而設置前述的電猗注入層戒絕 〇 緣層，同時，為了提高界面的密著性或防止混合等，也可 在電荷輸送層或發光層之界面插入薄的緩衝層。 關於積層的順序或層數及各層的厚度，則只要在考量 發光效率或元件壽命後適宜的選擇即可。 於本發明中，就設有電荷注入層（電子注入層、電洞 注入層）的高分子發光元件而言’可舉例如鄰接陰極而設置 電荷注入層的高分子發光元件、鄰接陽極而設置電荷注入 ❹層的高分子發光元件。 關於設有電荷注入層的高分子發光元件，可舉例如以 下的e)至ρ)。 e) 陽極/電荷注入層/發光層/陰極 f) 陽極/發光層/電荷注入層/陰極 g) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極 h) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 i) 陽極/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 j) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷注入声 320680 74 200927785 /陰極 k) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷輸送層/陰極 l) 陽極/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 m) 陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/電荷注入層 /陰極 η)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷輸送層 /陰極 〇)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層 © /陰極 Ρ)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層 /電荷注入層/陰極 電荷注入層的具體例可舉例如：含有導電性高分子的 層；設在陽極與電洞輸送層之間，並含有具備陽極材料與 電洞輸送層所含之電洞輸送材料的中間值的離子化位能之 材料的層；設在陰極與電子輸送層之間，並含有具備陰極 ^ 材料與電子輸送層所含之電子輸送材料的中間值的電子親 和力之材料的層。 當上述電荷注入層為含有導電性高分子之層時，該導 電性高分子的導電度是以10_5S/cm以上103S/cm以下者 為佳，如欲使發光晝素間的漏電流變小，是以10_5S/cm 以上102S/cm以下者較佳，而以l{T5S/cm以上li^S/cm 以下更佳。通常，為了使該導電性高分子的導電度成為 10_5S/cm以上103S/cm以下，可在導電性高分子中摻雜 適量的離子。 75 320680 200927785 關於摻雜的離子種類’當電荷注入層是電洞注入層時 為陰離子’當電荷注入層是電子注入層時為陽離子。在為 陰離子時，可舉例如聚苯乙科酸離子、烧基笨續酸離子、'、 樟腦％酸離子；在為陽離子時，可舉例如 鉀離子、四丁絲離子。 t 電荷注入層的厚度例如為lnm至議簡，並以—至 50nm為佳。 使用於電荷注入層的材料’只要依與電極或鄰接之 ❿之材料的關係適宜的選擇即可，可舉例如聚苯胺及衍生 物、聚嗔吩及其衍生物、聚料及其衍生物、聚伸苯基伸 乙烯基及其衍生物、聚伸喧吩基伸乙稀基及其街生物、聚 ㈣及其衍生物、聚喧喔琳及其衍生物、主鍵或側鍵含有 芳香频結構㈣合料導電性高分子、金驗菁（ 菁）、碳等。 、絕緣層是具有使電荷容易注人賴能之層。此絕緣層 〇的平均厚度通常為〇. lnm至2〇nm，並以〇. 5咖至i〇nm為 佳’而以1至5 nm更佳。 ’、 絕緣層的材料可舉例如金屬氟化物、金屬氧化物、有 機絕緣材料等。設有絕緣層的高分子發光元件可舉例如鄰 接陰極而設置絕緣層的高分子發光元件、鄰接陽極而設置 絕緣層的高分子發光元件。. 關於設有絕緣層的高分子發光元件，可舉例如以下的 q)至 ab) 〇 q)陽極/絕緣層/發光層/陰極 320680 76 200927785 r) 陽極/發光層/絕緣層/陰極 s) 陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 t) 陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/陰極 u) 陽極/電洞輸送層/發光層/絕緣層/陰極 V) 陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/絕緣層/陰極 W) 陽極/絕緣層/發光層/電子輸送層/陰極 X) 陽極/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極 y) 1%極/絕緣層/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極 © z)陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰 極 ^ aa) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/絕緣層/ 陰極 ab) 陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 絕緣層/陰極 形成有本發明的高分子發光元件之基板’只要為在電 ❹極形成後’不會在形成有機物層時產生變化者即可，可例 示如玻璃、塑膠、高分子薄膜、梦等之基板。在為不透明 基板時，是以相對的電極為透明或半透明者為佳。 本發明中，由陽極及陰極所構成的電極通常至少一方 是透明或半透明。 陽極的材料可使用導電性的金屬氧化物膜、半透明的 金屬薄膜等。具體上，可使用由氧化姻、氧化辞、氧化錫， ，此等之複合物的銦•錫·氧化物（IT〇)、銦•鋅·氧化物 等所構成的導電性玻璃而作成的膜（NESA等）、或金、白 320680 77 200927785 金、銀、銅等，並以IT0、銦•鋅•氧化物、氧化錫為佳。 製作的方法可列舉如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、電 鍍法等。同時，也可使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其 衍生物等有機透明導電膜作為該陽極。 陽極的膜厚可在考量光的穿透性與導電度後，再作適 宜的選擇，例如可為l〇nm至1〇Mm，並以20咖至1/zm為 佳’而以50nm至500nm時更佳。 同時，為了使電荷容易注入，也可在陽極上設置由献 ©菁衍生物、導電性高分子、碳等所構成的層，或由金屬氧 化物或金屬氟化物、有機絕緣材料等所構成的層。 陰極的材料是以功函數（work function)小的材料為 佳’其例可舉例如：鐘、鋼、卸、錄ί、錄、鈹、鎮、約、 ^鎖銘、銳、鈒、鋅、紀、銦、鈽、彭、銪、試、鏡 等金屬’及此等金屬中的二個以上之合金；或此等金屬中 的個以上與金、銀、白金、銅、猛、欽、銘、鎳、鶴、 ❹錫中的一個以上之合金；石墨或石墨層間化合物等。合金 之例可舉例如鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀 合金、鐘-銘合金、經_鎮合金、鋰_銦合金、約—紹合金等。 陰極可為一層，也可為二層以上的積層結構。 陰極的膜厚可在考量導電度或耐久性後’再作適宜的 選擇’例如可為lOnni至lO/zm，並以20nm至1為佳， 而以50nm至5〇〇nm更佳。 就陰極的製作方法而言，可使用真空蒸鍍法、濺鑛法 或熱壓合金屬薄膜的積層法等。同時，在陰極與有機物層 78 320680 200927785 之間’也可置由導電性高分子所構成的層、或由金屬氧 化物或金屬氟化物、有機絕緣材料等所構成的層，陰極製 作後，也可裝設保護該高分子發光元件的保護層。為了能 長期安定地使用該高分子發光元件，是以從外部保護元件 而裝設保護層及/或保護罩為佳。 保護層的材料可使用樹脂、金屬氧化物、金屬氟化 物、金屬獨化物等。同時，可使用玻璃板、表面經施予低 透水率處理的塑膠板等作為保護罩，並以熱硬化樹脂或光 Ο硬化樹脂使該罩與元件基板貼合而密閉的方法為適用。只 要使用間隔物（spacer)以維持空間，即可易於防止元件受 到刮傷。只要在該空間内封入如氮氣或氬氣等惰性氣體， 即可防止陰極氧化’並且也可因在該空間内設置氧化鋇等 乾燥劑’而容易抑制製造步驟中所吸附的水份對元件造成 傷害。在此等對策之中，宜採用任何一種以上的對策。 本發明的高分子發光元件可使用於例如面狀光源、區 ❾段（se§men_t)顯示裝置、點矩陣（dot matrix)顯示裝置、液 晶顯示裝置（例如背光等）等顯示裝置。 若欲使用本發明的高分子發光元件以得面狀的發光 時’只要配置成使面狀的陽極與陰極重疊貼合即可。同時， 如欲得到圖案狀的發光時，有在前述面狀的發光元件之表 面設置已設有圖案狀窗的遮罩之方法、使非發光部份的有 機物層形成極端厚質以成為實質上非發光的方法、將陽極 或陰極的任何一方或兩方之電極形成圖案狀的方法。在以 此等方法的任何一種方法形成圖案後，藉由將數個電極配 79 320680 200927785 置成可獨立地0Ν趣(開/關） 字、簡單記號等的區段型顯示 了顯不數子或文 陣顯示元件時，要使陽極如欲作成點矩 狀並配置成垂直即可。依據將:自域為條紋（striPe) 合物予以分塗之方法^種發光色不同的高分子化 片的方法，而可達成部㈣=麵光轉換濾光 示元件可為機_，也可。點矩陣顯 Ο 動。此等顯不讀可使用作:二 行動電話、汽料絲㈣了攜式終如機、 等之顯示裝置。 、、' 衫機的觀景器（viewfinder: 並且，前述面狀的發光元件是自發光薄型適 為液晶f裝置的背光用的面狀光源、或面狀的照明用光 源。同時，只要使用撓性基板，也可使用作為曲面狀的光 源或顯示裝置。 (實施例） ❹ 以下’絲H由實施败具體制本發明，但本發明 並不侷限於此等實施例。 此處曰’換异成聚苯乙埽的數平均分子量及重量平均分 子量’是藉由分子大小分離層析儀（size Exclusion Chroma切graphy，亦即SEC)(島津製作所：Lc_i〇Avp)而求 得。使欲測疋的局分子化合物溶解於四氯咬鳴中，直至成 為大約0· 5wt/的濃度時，將其注入心[於s此⑽〇尹。 Sf：C(GP〇的抓動相是使用四氫咳喃，並使其以&佩/分 鐘的流u 1離柱是將二支挪㈣Super HM_H(東曹 80 320680 200927785 製）與一支TSKgel Super H2000(東曹製）串聯接續。檢測 器是使用示差折射率檢測器（島津製作所：RID-10A)。 (合成例1) N_辛基吩噚畊（N-octylphenoxazine)的合成 在惰性氣體壤境下’將吩曙哄（l〇.〇g)、氫氧化納 (21. 9g)、溴化四乙基銨（〇.37g)、二甲基亞砜（34mL)混合， 並昇溫至80°C之後’加入18 mL的水，再以50分鐘滴下 1-溴辛烷（12. 9g)。接著，昇溫至9〇°c後攪拌1小時，再 〇 使其冷卻至室溫。接著，使析出的固體溶於160 mL的甲苯 中，以水（lOOmL)清洗二次、以1N鹽酸（i〇〇mL)清洗一次、 以水（l〇〇mL)清洗三次後’使其通過矽膠分離柱，進行減壓 濃縮、真空乾燥，即得N—辛基吩噚哄16. 0g(純度99. 4%)。 —NMR (3 0 0MHz, CDC13) ; δ 0. 89 (t, 3H) , 1. 1

5_1. 47 (m，10H)，l. 65 (br，2H) , 3· 45 (br，2H ),6. 31-6. 88 (br, 8H). M S (A P P I -M S (p〇si)) :296 [M+ H] + ❹（合成例2) 3, 7-二溴-N-辛基吩噚畊的合成 於惰性氣體環境下，在N-辛基吩噚畊（15. 〇g)中加入 二氯甲烷（55mL)而調製成的溶液中，於室溫中以3〇分鐘滴 下由1，一溴_5，5-一曱基乙内酿脈 (1，3-dibromo-5, 5-dimethyhydantoin)(15. lg)與 N，N-二 甲基甲醯胺15.8 mL所組成的溶液，攪拌1小時之後，在 室温中進行6小時的攪拌。將所得的沉澱物過濾，以甲醇 81 320680 200927785 清洗’接著藉由減壓乾燥’即得3, 7-二溴—N-辛基吩噚畊 16. 6g(純度 99· 7%)。 Ή-NMR (2 9 9. 4MHz, CDC1S) ； δ 〇. 89 (t, 3Η) , 1 .18-1. 4 6 (m, 1 OH) , 1. 59 (br, 2H) , 3. 3 8 (b r, 2H)，6.2 9 (d, 2H)，6. 73 (s, 2H)，6. 8 8 (d, 2H) L C-MS (AP P I —MS (p o s i〉）： 4 5 2 [M+H], (合成例3) 化合物（單體-1)的合成 © 藉由下述反應而合成化备物單體_1。以下，依照順序 說明。

(化合物M-1-1的合成） 在惰性氣體環境下，將已加入3〇〇ml三口燒瓶中的1- 萘硼酸 5. 00g(29mmol)、2-溴苯甲醛 6. 46g(35mmol)、碳酸 鉀10. 0g(73mmol)、甲苯36nd、離子交換水36ml的混合液， 於至溫中一邊攪拌，一邊使氬氣在此液中冒泡2〇分鐘。接 著在此混合液中’加入肆匕苯基膦泌瓜如⑽心福）， 再於室溫中-邊攪拌，—邊使氬氣胃泡1()分鐘。使混合液 昇/皿至100 C後反應25小時。冷卻至室溫後，以曱笨萃取 320680 82 200927785 出有機相，以硫酸鈉乾燥之。將此溶液中餾去溶劑後所得 的殘留物，以甲笨：環己烷=1 : 2的混合溶劑作為展開溶 劑’經由矽膠分離柱精製後，可得5. 18g的化合產 率86%)，其為白色結晶。重複進行上述操作數次。 H —NMR (3 〇 OMH z/CDC 13)： δ 7. 39 〜7. 62 (m、5H)、7. 70 (m、2H)、7. 94 (d、 2 Η)、8. 1 2 (d d、2 Η)、9. 6 3 ( s、1 Η) MS (APCI (+) ) . (m+H) + 233 ® (化合物M-l-2的合成） 在惰性氣體環境下，將8.00g(34.4mmol)的化合物 M-1-1與脫水thf 46ml加入300ml的三口燒瓶中，使其冷 卻至-78 C。接著以30分鐘滴下52ml溴化正辛基鎂（1. / 1 THF溶液）。滴畢後昇溫至〇 c ’授摔1小時後.，再再 k至至，溫並授掉45分鐘。以冰洛冷卻混合液後，於其中加 入1N鹽酸20ml使反應結束，以醋酸乙s旨萃取出有機相後’ 〇 以硫酸鈉乾燥之。將有機相中餾去溶劑後所得的殘留物， 以甲苯：己烷=10: 1的混合溶劑作為展開溶劑，經由矽膠 分離柱精製後，可得7.64g的化合物卜^(產率64%)， 其為淡黃色的油。藉由HPLC(高速液相層析儀）測定該油， J觀察到二支尖♦。由於各别的尖峰在由心脱測定時是 .屬同一質量數，而可認定此油是異構物的混合物。 (化合物M-1-3的合成）. 在惰性氣體環境下，將5.00g(144m〇l)的化合物 '1-2(異構物的混合物）與脫水二氯甲⑨74ΐβΐ加人5〇⑽i 320680 83 200927785 的三口燒瓶中，於室溫下擾拌、溶解。接著在室溫中將三 氣化领的乙驗化物（或三氟化蝴合乙鱗，b〇r〇ntrifiu〇ride etherate)錯合物以丨小時滴入此溶液中。滴畢後於室溫中 磐4小時。之後，一邊攪拌—邊將125mi乙醇緩緩加入 此反應混合物中，直到放熱平息之後，以氯仿萃取出有機 相，水洗二次，以硫酸鎮乾燥之。餘去溶劑後，將殘留物 經由以己烷為展開溶劑的矽膠分離柱精製後，可得3. 22g 的化合物M-1-3(產率68%)，其為無色的油。 . ❹重複進行上述操作數次。 1 H-NMR (3 〇 〇mh z/CDC 13)： δ 0· 9 0 (t、3H)、1. 0 3〜1 2fi f 〇„、 ζ (Ώ1、14H)、2. 1 3 (m 、2H)、4. 〇5 (t、1H)、7. 35 (dd iw、 《r rw d、1H)、7. 4 6〜7. 5 0 (m、2H)、7. 5 9〜7· 6 5 (m 〇 _ QA 3H)、7. 8 2 (d、1H)、7 .94 U、1H)、8. 35 (d' 1H)、8. 75 (d、1H) MS (APCI ( + ) ) . (M+H) + 3 2 g (化合物M-l-4的合成） ❹ 在惰性氣體環境下，將咖的離子交換水加入綱ml 的三口燒槪中，一邊擾拌一邊少量逐次地加入189g (〇.47mol)的氫氧化納，並使其溶解。使水溶液冷卻至室溫 4，iM2〇na、5.17g(m〇1WM^M+3、 1.。52§(4.72咖〇1)的溴化三丁基銨加入此溶液中，並昇溫至 50 C。並且，將溴化正辛烷滴入此溶液中，滴畢後使其於 50 C中反應9小時。反應結束後’以f笨萃取出有機相， 水洗二次後，以硫酸鈉乾燥之。藉由以己烷為展開溶劑的 矽膠分離柱精製後，可得513g的化合物M_l 4(產率74 320680 84 200927785 %)，其為黃色的油。 rH-NMR (3 0 OMHz/CDC 13)： δΟ_ 5 2 (m、2H)、0. 79 (t、6H)、1.。。〜工之。（m、 2 2 H)、2. 0 5 (t、4 H)、7. 3 4 .(d、1 h)、7. 40*^7. 53 (m、2H)、7. 6 3 (m、3H)、7. 8 3 (d、l h) 7 9 4 (d、 1H)、8. 3 1 (d、1H)、8. 7 5 (d、1H) MS (APCI (+) ) : (M+H) + 4 4 1 (化合物單體-1的合成） ❹ ❿ 在空氣中，將4. 00g(9. 08mmol)的化合物m-1-4與醋 酸.二氣曱烷=1 : 1的混合溶劑57ml加入5〇〇ml的三口燒 瓶中’於室溫中攪拌、溶解。接著一邊加入7. 79g(2〇. 〇mm〇1 的二溴本甲基二曱基鞍並攪拌，一邊加入氯化辞直至三漠 苯基三曱基銨完全溶解。在室溫中攪拌2〇小時後，加入5 %亞硫酸氫鈉水溶液10ml使反應停止後，以氯仿萃取出有 機層，以碳酸鉀水溶液清洗二次後，以硫酸鈉乾燥之。以 己烷作為展開溶劑的矽膠分離柱精製二次後，藉由乙醇： 己烷=1 :卜再以10 : 1的混合溶劑進行再結晶後，可得 4. 13g(產率：76%)的化合物單體-1，其為白色結晶。 'H-NMR (3 0 OMHz/CDC 13)： 6 0 (m、2H)、〇. 91 (t、6H)、工 〇、〜'.38 (叫 22H)、2.〇9(t、4H)、7.62〜7.75(m、3H)、789 (s、1H)、8· 2 0 (d、1H)、8. 4 7 (d、1H)、8·. 7 2 (d 1H) 、 MS (APPI (+) ) : (M+H) + 598 (實施例1)高分子化合物< P-1 >的合成 將〇. 84g的化合物單體_丨、〇. 51g的3, 7_二溴_N一辛 85 320680 200927785 基吩噚哄與0. 63g的2, 2’ ·~聯吡啶裝入反應容器中，並將 反應系統内取代成氮氣。其中，預先以氬氣冒泡後，再加 入經脫氣的四氫呋喃（脫水溶劑）5〇g。接著，在此混合液中 加入雙（1，5-環辛二烯）鎳（0)1. i5g，使其於60。(：中反應3 小時。而且，反應是在氮氣環境中進行。 反應後’使此溶液冷卻之後，灌入甲醇5〇ml/離子交 換水50ml的混合溶液，大約攪拌1小時。接著，將生成的 沉澱物藉由過濾而回收。 © 其次，將此沉澱物減壓乾燥之後，溶解於甲苯中。在 甲本溶液中加入納沸石（radi〇i ite)，擾拌後過濾、此曱苯溶 液’去除不溶物之後，使此曱苯溶液通過已充填有氧化鋁 之分離柱以進行精製。接著，以大約5%的鹽酸水溶液清 洗此甲苯溶液，靜置、分液之後，回收甲苯溶液；接著以 大約5%的氨水清洗，靜置、分液之後’回收甲苯溶液； 接著，以水清洗此甲苯溶液，靜置、分液之後，回收甲苯 ©驗 。其次，將此甲苯溶液灌入曱醇中，生成再沉殺物。 其次’回收所生成的沉殿物後，將此沉澱物減壓乾燥，可 得〇.54g的聚合物。將此聚合物稱為高分子化合物 >。高分子化合物<P-1 >換算成聚苯乙稀的數平均分子量 為6. 9xl〇4、換算成聚笨乙烯的重量平均分子量為2 1χΐ〇5。 (合成例4)DBF的合成 以下述反應合成DBF。以下，依照順序說％。 320680 86 200927785

F-2 o^o — ΒΓχςχ>ΒΓ F-1

C8Hi7〇v^j^_^^jp〇CeHi7 F-3 (化合物F_1的合成） 在惰性氣體環境下，將二苯并呋喃（23. 2g，137. 9mmol) ❹ 與醋酸（232g)置入1L的三口燒瓶中，於室溫中攪拌、溶解 之後，昇溫至75°C。昇溫後，滴下以醋酸（54g)稀釋溴 (92. 6g，579. 3mmol)而成之溶液。滴畢後，在保持溫度之 狀態下攪拌3小時後，使其冷卻。以TLC確認原料消失之 後，加入硫代硫酸鈉使反應結束，並於室溫中攪拌1小時。 擾拌後，過遽取得滤、餅，並且以硫代硫酸納水溶液、水清 洗後，使其乾燥。 ^ 使所得的粗生成物於己烷中再結晶後，即得目的物 (產量：21.8g，產率：49%)。 'H-NMR (3 0 OMH z/CDC 13)： δ 7. 4 4 (d、2Η)、 7. 5 7 (d、2 Η)、8. 0 3 (s、2 Η) (化合物F-2的合成） 在惰性氣體環境下，將化合物F-l(16. 6g，50. 9mmol) 與四氫呋喃（293g)置入500ml的四口燒瓶中，使其冷卻至 -78°C。滴下正丁基裡（80ml<1.6mol/L己烧溶液>， 127. 3 mmol)之後，在保持溫度之狀態下攪拌1小時。在惰 87 320680 200927785 性氣體環境下，將三甲氧基硼酸（31. 7g，305. 5mmol)與四 氫呋喃（250ml)裝入1，〇〇〇ml的四口燒瓶中，並冷卻至-78 °(：後，將上述反應液滴入其中。滴畢後，缓緩使其回昇到 室溫，於室溫中攪拌2小時後，以TLC確認原料的消失。 結束反應，是使反應液注入已加入濃硫酸（3〇g)與水（600ml) 的2, 000ml燒杯中’即可使反應結束。加入甲苯（300ml) 以萃取出有機層’並以水清洗該有機層。餾去溶劑後，將 其中的8g與醋酸乙酯（i6〇mi)置入3〇〇mi的四口燒瓶中， ❹接著加入30%過氧化氳水溶液(7. 09g)，於4(TC中攪拌2 小時。將此反應液注入已裝有硫酸銨鐵（jj )(71g)與水 (500ml)的水溶液之1，〇〇〇mi燒杯中。攪拌後，萃取出有機 層，並以水清洗該有機層。經由去除溶劑後，即得化合物 F-2的粗製物7. 57g 〇 MS · (Μ —H)+ 199. 0 (化合物F-3的合成） ❹ 在惰性氣體環境下，將化合物F-2(2. 28g，11.4mmol) 與Ν’N-二曱基曱醯胺（23g)置入200ml的四口燒瓶中，於 室溫中攪拌、溶解之後，加入碳酸鉀（9. 45g，68. 3mmol)， 使其昇溫至100。(〕。昇溫後’滴下以n，N-二曱基甲醯胺（llg) 稀釋過的溴化正辛烷（6· 6〇g，34. 2mmol)溶液。滴畢後，昇 溫至60°C ’在保持溫度之狀態下攪拌2小時後，以TLC綠 認原料的消失。加入水（50ml)使反應結束，接著加入甲苯 (50ml)，萃取出有機層後，以水请洗該有機層二次。以無 水硫酸鈉使其乾燥後，餾去溶劑。將所得的粗生成物再經 320680 88 200927785 矽膠分離柱精製後，即得目的物（產量：1. 84g，產率：38 %)。 MS : M+ 425. 3 (化合物DBF的合成） 在惰性氣體環境下，將化合物F-3(7. 50g，17. 7mmol) 與N，N-二甲基甲醯胺置入500ml的四口燒瓶中，於室溫中 攪拌、溶解之後，以冰浴使其冷卻。冷卻後，滴下以N，N-二曱基甲醯胺（225mmol)稀釋過的N-溴丁二醯亞胺 ❹（N-bromosuccinimide)(6. 38g，35. 9mmol)溶液。滴畢後， 於冰浴中攪拌1小時、室溫中攪拌18. 5小時、昇溫至40 °C後在保持溫度之狀態下攪拌6. 5小時，以液體層析儀確 認原料的消失。去除溶劑後，加入曱苯（75ml)使其溶解之 後，以水清洗該有機層三次。以無水硫酸鈉使其乾燥後， 餾去溶劑。藉由矽膠分離柱及液體層析儀分取而將所得粗 生成物之約一半之量予以精製後，即得目的物。（產量： ❹ °.3，) !H-NMR (3 0 OMHz/CDC 13): δΟ. 90 (t、6Η)、1. 26 〜1. 95 (m、24Η)、4· 11 (t 、4Η)、7. 3 4 (s、2Η)、7. 7 4 (s、2Η) MS : M+ 5 8 2.1 (實施例2)高分子化合物<P-2>的合成 將0. 79g的化合物DBF、0. 51g的3, 7-二溴-N-辛基吩 噚畊與0.63g的2, 2’ -聯吡啶裝入反應容器中，並將反應 系統取代成氮氣。其中，預先以氬氣冒泡後，加入經脫氣 89 320680 200927785 的四氫σ夫喃（脫水溶劑）5Og。接著，在此混合液中加入雙 (1，5-環辛二烯）鎳（0)1. 15g，並於60°C中反應3小時。而 且，反應是在氮氣環境中進行。 反應後，冷卻此溶液之後，灌入甲醇50ml/離子交換 水5Om 1的混合溶液，大約擾拌1小時。接著，將生成的沉 殿藉由過滤而回收。 其次，將此沉澱物減壓乾燥之後，溶解於甲苯中。在 甲苯溶液中加入鈉沸石，攪拌後過濾此甲苯溶液，去除不 ❾ 溶物之後，使此甲苯溶液通過已充填有氧化鋁之分離柱以 進行精製。接著，以大約5%的鹽酸溶液清洗此曱苯溶液 後，靜置、分液之後，回收甲苯溶液；接著以大約5%的 氨水清洗後，靜置、分液之後，回收甲苯溶液；接著，以 水清洗此甲苯溶液後，靜置、分液之後，回收甲苯溶液。 其次，將此甲苯溶液灌入甲醇中，生成再沉澱物。然後， 回收所生成的沉澱物，減壓乾燥此沉澱物後，可得O.llg _ 的聚合物。將此聚合物稱為高分子化合物<P-2>。高分子 ❹ 化合物<P-2>換算成聚苯乙烯的數平均分子量為8. lx 104、換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為1. 5xl05。 (合成例5)化合物（DBT-1)的合成 以下述反應合成（DBT-1)。以下，依照順序說明。 90 320680 200927785

(化合物τ-i的合成） 在惰性氣體環境下，將2, 8-二溴二苯并噻吩（7g)與 THF(280ml)置入1L的四口燒瓶中，於室溫中攪拌、溶解之 ❹ 後，將其冷卻至-78°C。滴下正丁基鋰（29ml)(l. 6莫耳己 烷溶液）。滴畢後，在保持溫度之狀態下攪拌2小時，於其 中滴下三甲氧基硼酸13g。滴畢後，緩緩使其回昇到室溫。 在室溫中攪拌3小時後，以TLC確認原料的消失。加入5 %硫酸100ml使反應結束，並於室溫中攪拌12小時。加入 水清洗後，萃取出有機層。將溶劑取代成醋酸乙酯之後， 加入30%過氧化氫水溶液5ml，於40°C中攪拌5小時。然 ^ 後萃取出有機層，以10%硫酸銨鐵（Π)水溶液清洗後乾 ❹ 燥，藉由去除溶劑，而可得茶色的固體4. 43g。經LC-MC 測定，其中也生成二聚物等副產物，化合物T-1的純度為 77%〇X面積百分率）。 MS(APCK-)) ： (M-Η)' 215 (化合物T-2的合成） 在惰性氣體環境下，置入化合物T-l(142. 0g)、溴化 異戊烷（297. 5g)及碳酸鉀（399. 3g)，並加入甲基異丁基酮 (355. 0g)作為溶劑，於110°C中加熱迴流6. 5小時。反應 91 320680 200927785 結束後，將固體過濾，並以甲苯與水分離、萃取出有機層， 再以水清洗二次後，將有機層濃縮。以矽膠分離柱（展開溶 劑：己烷/氯仿=5/1)精製所得的固體後，可得55. 4g(產 率：33.7%，純度：91.4%)的化合物了-2。 (化合物T-3的合成） 在惰性氣體環境下，加入鎬（1. 22g)、水（5. 6ml)、30 %過氧化氫水溶液（11ml) ’並加入乙醇（2, 〇86ml)。之後， 在反應系内加入化合物11'-2(79.0忌）與乙醇（2371111)，並滴 ❿下30%過氧化氫水溶液（55. 3ml)。滴畢後，於45°C中授拌 4小時，反應結束後使其冷卻至室溫，然後滴下6%硫代硫 酸鈉水溶液（711ml)，將固體過濾分離，並以水（5〇〇mi)清 洗之後’再以水進行再漿化（repulp)清洗，可得80. lg(純 度：97%，產率：93%)的化合物T-3。 (化合物T-4的合成） 在惰性氣體環境下，加入化合物T-3(80. 〇g)與醋酸/ Φ 氯仿=1 : 1的混合液（640g)，於80°c中攪拌後使其溶解。 接著使演.(115. 2g)溶解於上述溶劑（114m 1)中後滴下，擾拌 1. 75小時。反應結束後，將其滴入曱醇（uogd)中，並 過遽所生成的固體。使所得的固體溶解於氯仿（5〇〇mi)中， 並以2%硫代硫酸納水溶液（400ml)、2%碳艘納水溶液 (300ml)、水（300ml)清洗二次後，將有機層濃縮。之後， 以曱醇（300ml)進行再漿化（repulp)清洗，可得981g(純 度：98. 4%，產率：83. 6%)的化合物T-4。 (化合物DBT-1的合成） 320680 92 200927785 ，加入化合物T，8.lg)與脫水醚 2(TC之後，分四次加入氫化鋰鋁 ❹ 、3。小時後’再加入h 〇g後授摔i小時。然後，將 部至2 C後’滴入5%鹽酸（739ml)，萃取出有機/、、7 (JOOml)清洗所得的有機層後，以硫酸鈉乾燥後過濾並= 浪紐。以矽膠分離柱（展開溶劑：甲苯/環己烷=1/1、 行所得固體的分離精製，再將所得的固體以乙醇/己广進 複進行再結晶，可得化合物DBT_1(49. l4g，純度：99 8=重 (實施例3)高分子化合物<p_3>的合成 ° ❹ 在惰性氣體環境下 (2, 255ml)，在調整至 (8. Og)並攪拌。 將〇. 72g的化合物DBT_卜〇· 51g的3, 7_二溴〜辛美 吩曙畊與〇.63g的2, 2，-聯吡啶裝入反應容器中，並將^ 應系統取代成氮氣。其中，預先以氬氣冒泡後，加入經脫 氣的四氫呋喃（脫水溶劑）5〇g〇接著，在此混合液中加入雙 (1，5-環辛二烯）鎳（0)1. i5g’於60°C中反應3小時。而且， 是在氮氣環境中進行反應。 反應後，將此溶液冷卻之後，灌入甲醇5〇mi/離子交 換水50ml的混合溶液，大約攪拌1小時。接著，藉由過慮 而回收所生成的沉澱物。 其次，將此沉澱物減壓乾燥之後，溶解於甲笨中。在 甲苯溶液中加入鈉沸石，攪拌後過濾此甲苯溶液，去除不 溶物之後，使此甲苯溶液通過已充填有氧化鋁之分離柱以 進行精製。接著，以大约5%的鹽酸溶液清洗此f苯溶液 後，靜置、分液之後，回收甲苯溶液；接著以大約5%的 93 320680 200927785 氨水清洗後，靜置、分液之後，回收甲苯溶液；接著，以 水清洗此甲苯溶液後，靜置、分液之後，回收甲苯溶液。 其次，將此甲苯溶液灌入曱醇中，生成再沉澱物。然後， 回收所生成的沉殿物後，減麈乾燥此沉殿物，可得0.05g 的聚合物。將此聚合物稱為高分子化合物<P-3>。高分子 化合物<P-3>換算成聚苯乙烯的數平均分子量為2.lx 1〇5、換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為5. 8xl05。 (合成例6)高分子化合物<P-4.>的合成 ❹ 將 0· 77g 的 2, 7-二溴-9, 9-二辛基苐、0. 51g 的 3, 7- 二溴-N-辛基吩噚畊與0.63g的2,2’ -聯吡啶裝入反應容 器中，並將反應系統取代成氮氣。其中，預先以氬氣冒泡 後，加入經脫氣的四氫呋喃（脫水溶劑）50g。接著，在此混 合液中加入雙（1，5-環辛二烯）鎳（0)1. 15g，並於60°C中反 應3小時。而且，是在氮氣環境中進行反應。 反應後，將此溶液冷卻之後，灌入曱醇50ml/離子交 換水50ml的混合溶液，大約攪拌1小時。接著，藉由過濾 而回收所生成的沉澱物。 其次，將此沉澱物減壓乾燥之後，溶解於曱苯中。在 甲苯溶液中加入鈉沸石，攪拌後過濾此甲苯溶液，去除不 溶物之後，使此甲苯溶液通過已充填有氧化鋁之分離柱以 進行精製。接著，以大約5%的鹽酸溶液清洗此曱苯溶液 後，靜置、分液之後，回收曱苯溶液；接著以大約5%的 氨水清洗後，靜置、分液之後，回收甲苯溶液；接著，以 水清洗此曱苯溶液後，靜置、分液之後，回收曱苯溶液。 94 320680 200927785 其次，將此甲苯溶液灌入曱醇中，生成再沉澱物。然後’ 回收所生成的沉殿物後，減壓乾燥此沉澱物，可得0. 12g 的聚合物。將此聚合物稱為高分子化合物<P-4>。高分子 化合物<P-4>換算成聚苯乙烯的數平均分子量為3·5χ 105、換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為9. 2χ105。 (合成例7)化合物單體-2的合成 將100ml的四口燒瓶取代成氬氣後，裝入化合物單體 -1(3. 2g，5· 3mmol)、雙（頻那醇基）二硼 ❹（bis(pinacolato)diboron)(3· 8g，14· 8mmol)、PdCl2(dppf) (0.39g，0.45mniol)、雙（二苯基膦基）二茂鐵（〇.27g， 0. 45mmol)、醋酸卸（3. lg，32mmol)，再加入脱水二曙烧 45ml。在氬氣環境下，昇溫至i〇〇°c後，使其反應36小時。 冷卻後，以預塗（precoat)2g石夕藻土而實施過濾後，使其 濃縮時可得黑色液體。使其溶解於50g己烷中，以活性炭 去除著色成分後，可得37g的淡黃色液體（過濾時，施予 ❹ 5g納沸石（昭和科學工業股份公司製）的預塗）。 然後’加入6g醋酸乙酯、12g脫水曱醇、2g己烷， 將其浸在乾冰-甲醇浴中，可得2. lg的化合物單體-2，其 為無色結晶。 (實施例4)高分子化合物<p-5>的合成 將單體-2(1. 63g)、2, 7-二溴-9, 9-二辛基蕹 (1.19g)、3,7-二溴-N-辛基吩曙哄（〇.l6g)、醋酸Ιε (0.2mg)、二（2-甲氧基苯基）膦（i.7mg)、AiiqUat336 (0. 30g ’ Aldrich製）、甲苯（23ml)混合後，於惰性氣體環 95 320680 200927785 境下加熱至l〇5°C。在此反應液中滴入2M Na2C〇3水溶液 (6. 4ml)後，使其迴流4小時。反應後，加入苯基硼酸 (30mg)，使其再迴流1小時。接著，加入二乙基二硫胺甲 酸鈉水溶液，於80°C中攪拌2小時。冷卻後，以水（25ml) 清洗二次、3 %醋酸水溶液（2 5m 1)清洗二次、水（2 5m 1)清洗 二次後，使其通過氧化鋁分離柱、矽膠分離柱而進行精製。 將所得的甲苯溶液滴入曱醇(800ml)中，攪拌1小時後，取 出所得的固體並乾燥之。所得高分子化合物<P-5>的產量 ❹為1. 68g。 高分子化合物 <卩-5>換算成聚苯乙烯的數平均分子 量為1. lxlO5、換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為2. 6x 105。 (合成例8)高分子化合物< P-6 >的合成 在惰性氣體環境下，將2, 7-雙（1，3, 2-二氧雜硼烷-2- 基）-9,9-二辛基苐（1.37g)、2,7-二溴-9, 9-二辛基蕹 _ (1.22g)、3,7-二溴-N-辛基吩噚哄（0.18g)、醋酸鈀 ❹ (0. 4mg)、三（2-甲氧基苯基）膦（4· 6mg)、Aliquat336 (0. 24g，Aldrich 製>、曱苯（20ml)混合後，加熱至 105°C。 此反應液中滴入211^2〇〇3水溶液（3.61111)後，使其迴流4 小時。反應後，加入苯基硼酸（22mg)，使其再迴流1小時。 接著，加入二乙基二硫胺曱酸鈉水溶液，於80°C中攪拌2 小時。冷卻後，以水（25ml)清洗二次、3%醋酸水溶液（25ml) 清洗二次、水（2 5m Γ)清洗二次後，使其通過氧化銘分離柱、 矽膠分離柱而進行精製。將所得的甲苯溶液滴入甲醇 96 320680 200927785 (800ml)中，攪拌1小時後，取出所得的固體並乾燥之。所 得高分子化合物<卩-6>之產量為1.86g。 高分子化合物 <卩-6>換算成聚苯乙烯的數平均分子 量為9. lxlO4、換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為2. lx 105〇 (合成例9)高分子化合物<P-7>的合成 在200ml的可分離式燒瓶中，置入Aliquat336 (0. 91g)、化合物D(5. 23g)、化合物E(4. 55g)，並取代成 © 氮氣。加入曱苯（70ml)，並加入醋酸叙（2. Omg)、三（鄰- 甲苯基）膦（15. lmg)，使其迴流。滴下碳酸鈉水溶液（19ml) 後，在迴流下攪拌一整夜之後，加入苯基硼酸（0. 12g)，攪 拌7小時。加入曱苯（300ml)，使反應液分液後，以醋酸水 溶液、水清洗有機相之後，加入N，N-二乙基胺甲酸鈉水溶 液，攪拌4小時。分液後，使其通過矽膠分離柱後，以曱 苯清洗。將其滴入曱醇中，使聚合物沉澱。過濾、減壓乾 _ 燥後，溶解於曱苯中，將所得的曱苯溶液滴入甲醇中，使 〇 聚合物沉澱。過濾、減壓乾燥後，可得6. 33g的聚合物。 此聚合物稱為高分子化合物<P-7>。高分子化合物<P-7 >換算成聚苯乙烯的數平均分子量為8. 8xl04、換算成聚 苯乙烯的重量平均分子量為3. 2xl05。 97 320680 200927785

(高分子化合物<P-7>) (調製例1) ❹ 高分子化合物<P-7>溶液之調製 使高分子化合物<P-7>溶解於二甲苯中，製作成聚 合物濃度0. 5重量％的溶液1。 (實施例5) 高分子化合物<P-1>溶液的調製 使上述所得的高分子化合物<P-1>溶解於二甲苯 中，製作成聚合物濃度1.4重量％的溶液2。 (實施例6)高分子發光元件的製作 ❹ 在藉濺鍍法而附有150nm厚之ΙΤ0膜的玻璃基板上， 藉由旋轉塗布法而將聚（3, 4)伸乙基二氧基噻吩/聚苯乙 烯續酸（Starck製）的懸浮液製成大約65nm厚的膜後，在 熱板上以200°C乾燥15分鐘。接著，使用溶液1並藉由旋 轉塗布法製膜成大約10nm後，在氧濃度及水分濃度為 lOppm以下（重量基準）的氮氣環境下，以200°C乾燥1小 時。其次，使用溶液2並藉由旋轉塗布法製膜成大約 10Onm。然後，在氧濃度及水分濃度為1 Oppm以下（重量基 98 320680 200927785 準）的氮氣環境下，以130°C乾燥20分鐘。減壓至1. Οχ l(T4Pa以下之後，蒸鐘鋇約5nm、接著蒸鑛紹約80nm，作 為陰極。蒸鍍後，使用玻璃基板進行密封後，即製作成高 分子發光元件。元件組成為ITO/BaytronP(大約65nm)/ <P-7> (10nm)/<P-1 > (大約 100nm)/Ba/Al 高分子發光元件的性能 藉由對所得的高分子發光元件外加電壓後，即可由此 元件獲得EL發光。所得高分子發光元件的發光效率是以 〇 9.2V表示最大值，而為9. 27cd/A。 (調製例2) 高分子化合物<P-4>溶液之調劁 使高分子化合物<?-4>溶解於二曱苯中，製作成聚 合物濃度0. 5重量％的溶液3。 (比較例1)高分子發光元件的製作 使用溶液3以取代溶液2後，其餘與實施例6同樣的 _ 方法而作成高分子發光元件。

Q 發光層的膜厚大約為105 nm。元件組成為ιτο/

BaytronP(大約 65nm)/<P-7> (10nm)/<P-4> (大約 105nm)/Ba/Al 高分子發光元件的性能 藉由對所得的高分子發光元件外加電壓後，即可由此 元件獲得EL發光。所得高分子發光元件的發光效率是以 10. 0V表示最大值，而為6. 62cd/A。 (實施例7) 320680 99 200927785 高分子化合物< P-2>溶液之調製 使高分子化合物<卩-2>溶解於二曱苯中，製作成聚 合物濃度1.5重量％的溶液4。 (實施例8)高分子發光元件的製作 使用溶液4以取代溶液2後，其餘與實施例6同樣的 方法而作成高分子發光元件。 發光層的膜厚大約為90 nm。元件組成為ΙΤ0/ BaytronP(大約 65mn)/<P-7>(10nm)/<P-2>(大約 ❹ 90nm)/Ba/Al 高分子發光元件的性能 藉由對所得的高分子發光元件外加電壓後，即可由此 元件獲得EL發光。所得高分子發光元件的發光效率是以 7. 6V表示最大值，而為7. 03cd/A。 (實施例9) 高分子化合物<P-5>溶液之調製 使高分子化合物<卩-5>溶解於二曱苯中，製作成聚 合物濃度1. 4重量％的溶液5。 (實施例10)高分子發光元件的製作 使用溶液5以取代溶液2後，其餘與實施例6同樣的 方法而作成高分子發光元件。 發光層的膜厚大約為9 5 nm。元件組成為I TO / BaytronP(大約 6511111)/<?-7>(1〇11111)/<?-5>(大約 95nm)/Ba/ A1 高分子發光元件的性能 100 320680 200927785 藉由對所得的高分子發光元件外加電壓後，即可由此 元件獲得EL發光。所得高分子發光元件的發光效率是以 10.2V表示最大值，而為8. 25cd/A。 (調製例3) 高分子化合物<P-6>溶液之調製 使高分子化合物<?-6>溶解於二曱苯中，製作成聚 合物濃度1.2重量％的溶液6。 (比較例2)高分子發光元件的製作 © 使用溶液6以取代溶液2後，其餘與實施例6同樣的 方法而作成高分子發光元件。 發光層的膜厚大約為110 nm。元件組成為ΙΤ0/ BaytronP(大約 65nm)/< P-7 > (10nm)/< P-6 > (大約 110nm)/Ba/Al 高分子發光元件的性能 藉由對所得的高分子發光元件外加電壓後，即可由此 元件獲得EL發光。所得高分子發光元件的發光效率是以 ❹ 9. 6V表示最大值，而為5. 88cd/A。 製作成的高分子發光元件之最大發光效率如表1中所 示。將實施例的高分子發光元件與比較例的高分子發光元 件加以比較時，是以實施例的高分子發光元件的最大發光 效率較高。 101 320680 200927785 表1 高分子化合物 最大發光效率（cd/A) 實施例6 高分子化合物<P-1> 9. 27 比較例1 高分子化合物< P-4 > 6. 62 實施例8 高分子化合物<P-2> 7. 03 實施例10 高分子化合物<P-5> 8. 25 比較例2 高分子化合物<P-6> 5. 88 (產業上應用的可能性） 在將本發明的高分子化合物使用作為高分子發光元 件用的發光材料時，可提高高分子發光元件的發光效率。 ❹ 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無 〇 102 320680

Claims (1)

1. 200927785 七、申請專利範圍： 1. 一種高分子化合物，其含有： 位及式⑶表示的重複單位所⑵表㈣重複單 重複單位、與式⑴表示的重複=組中之一種以上之

   ⑴ ❹ ❹ [式⑴中，R3表妓基，R1以2分·立地表示烧基 烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳护美、桉基、今 烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基 矽烷基、取代矽烷基、i素原子、醯基、醯氧基、亞月 殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代美 基、氰基或硝基，a及b分職立地表示Q至3之整數 Z表示-0-或-S-;有數個R1存在時，此等基可為相… 相異.’·另外’有數個R2存在時，此等基可為相同或才 異」.

   (2) [式（2)中’雖然A環及B環分別獨立地表示且 基的芳香族烴環，但A環及B環的至 ，/、有取 音係由數個 320680 103 200927785 環所縮合成的芳香族烴環，2個結合鍵分別存在於八環 或B環上；心及RX分別獨立地表示氫原子、烷基、烷 氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷 氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、 矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺 殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代鲮 基或氰基；心與Rx也可相互結合而形成環];

   [式（3)中，C環及D環分別獨立地表示可具有取代基的 芳香環，2個結合鍵分別存在於c環或D環上；χ表示 -0 S-、-S(=〇) S(=〇)2---Si(R4)2-Si(R4)2-、— Si(R4)2 B(R4) P(R4)---P(=0)(R4)-、-〇-C(R4)2- © 或-N=C(；R4)~ ’ R4表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、 芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷 基、齒素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯 亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基、硝基或氰基； 有數個R4存在時，可為同一種或相異者]。 2.如申請專利範圍第〗項的高分子化合物，其中，式（1) 表示的重複單位為式（4)表示的重複單位： 104 320680 (4) 200927785

   3. 4. ❹ 5. [式（4)中，R1、r2、R3、a、b及z表示與前述相同之意]。 如申請專利範圍第1項或第2項的高分子化合物，其 _，&為0，且]3為0〇 如申請專利範圍第1至3項中任一項之高分子化合物 其中，Z為-〇- 〇 如申请專利範圍第1至4項中任—項之高分子化合物 式⑵表示的重複單位為選自式（2-υ表示的重潜 表示的重複單位、式(2_3)表 位 ）表㈣重複單㈣形成群組中的重複；

   320680 105 200927785 [式（Μ)至（2-4)中，Ri R6分別獨立地表示烷基、燒 氧基、燒硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烷 氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、 矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺 殘基、醯胺基、醯亞胺基、丨價雜環基、羧基、取代羧 基或氰基；c表示〇至3的整數，d表示〇至5的整數； 有數個R5存在時，此等基可為相同也可為不同者；另 外有數個R存在時，此等基可為相同也可為不同者； ❹ 心及Rx表示與前述同樣的意義，Rw與Rx也可相互結合 而形成環]。 6.=申，月專利範圍第5項之高分子化合物，其中，式（2一^ 不的重複單位為式（2-5)表示的重複單位：

   ⑩ 7. [式(2-5)中’ (^及 如申請專，利範圍第 Rx為炫*基。 Rx表示與前述同樣的意義]。 6項之高分子化合物，其中，Rff及 JiU利1&圍第1至7項中任-項之高分子化合物: :位’Λ/)表示的重複單位是選自式（3_a)表示的重福 Γ所二3'B)表示的重複單位、式（3_〇表示的重複岸 位所形成之鮮組中的重複單位： 320680 106 200927785 (R?)e (R7)e (R?)e

   (3-C) (3-B) (3 — A) [式(3-A)至式（3-C)中，X表示與前述者相同意義， Ο 表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烧基、♦烧氧基、芳烧硫基、芳婦基、芳快基、胺基、 取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯 氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、丨價雜環基、羧 基:取代羧基、硝基及氰基；e表示〇至3的整數，f 表不0至5的整數；有數個e存在時，彼此可為相同或 不相同，有數個f存在時，彼此可為相同或不相同；另 外，有數個R7存在時，此等基可為相同或不相同]。 範圍第8項之高分子化合物，其中，式

   X (3-D) (式(3-D)中，X、 1〇.如申請專利範圍第8或=^前述的意義相同）。 為-〇-或—s_。 ' 項之兩分子化合物，其中 320680 107 200927785 11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之高分子化合 物，其換算成聚苯乙烯的數平均分子量為1〇3至1〇8。 12. —種組成物，其含有如申請專利範圍第1至11項中任 一項之高分子化合物。 13. —種高分子發光元件，其具有：由陽極及陰極所構成的 電極、與在該電極間含有如申請專利範圍第1至11項 中任一項之高分子化合物的層。 14. 一種顯示裝置，其含有如申請專利範圍第13項之高分 ❹ 子發光元件。 15. —種液狀組成物，其含有如申請專利範圍第1至11項 中任一項之高分子化合物、與溶劑。 16. —種薄膜，其含有如申請專利範圍第1至11項中任一 項之高分子化合物。 17. —種有機電晶體，其含有如申請專利範圍第1至11項 中任一項之高分子化合物。 , 18. —種太陽電池，其含有如申請專利範圍第1至11項中 任一項之高分子化合物。 108 320680 200927785 ' 四、指定代表圖：本案無圖式 (一) 本案指定代表圖為：第（）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：

   R3 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式: ❹ 320680